KR102608491B1 - 유기 전자 디바이스용 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 특히 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스, 특히 유기 발광 다이오드 (OLED) 에서 매트릭스 재료로서 특히 사용하기 위한 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 조성물을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.

Description

유기 전자 디바이스용 조성물
본 발명은 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 조성물, 전자 디바이스에서의 그 용도, 및 상기 조성물을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.
유기 반도체가 기능성 재료로서 사용되는 유기 전계발광 디바이스 (예를 들어, OLED - 유기 발광 다이오드 또는 OLEC - 유기 발광 전기화학 전지) 의 구조는 예를 들어 US 4539507, US 5151629, EP 0676461 및 WO 98/27136에 기재되어 있다. 형광 에미터뿐만 아니라 여기에서 사용되는 방출 재료는 점점 형광이 아닌 인광을 발하는 유기 금속 착물이 되고 있다 (M. A. Baldo et al., Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4-6). 양자 역학적인 이유로, 인광 에미터로 유기금속 화합물을 사용하면 최대 4 배의 에너지 효율과 전력 효율이 가능하다. 그러나 일반적으로, 예를 들어 효율, 작동 전압 및 수명에 관련하여 OLED, 특히 또한 삼중항 방출 (인광) 을 발하는 OLED 에서의 개선이 아직 필요하다.
유기 전계발광 디바이스의 특성이 사용된 에미터에 의해서만 결정되는 것은 아니다. 여기서 특히 중요한 것은 호스트 및 매트릭스 재료, 정공 차단제 재료, 전자 수송 재료, 정공 수송 재료 및 전자 또는 여기자 차단제 재료와 같은 다른 사용 재료이며, 이들 중에서도 특히 중요한 것은 호스트 또는 매트릭스 재료이다. 이러한 재료의 개선은 전계발광 디바이스의 뚜렷한 개선을 가져올 수 있다.
유기 전자 디바이스에 사용하기 위한 호스트 재료는 당업자에게 잘 알려져 있다. "매트릭스 재료"라는 용어는 또한, 의미하는 것이 인광 에미터의 호스트 재료인 경우 종래 기술에서 자주 사용된다. 한편, 형광 및 인광 전자 디바이스 모두를 위한 다수의 호스트 재료가 개발되고 있다.
형광 OLED의 경우, 종래 기술에 따르면, 융합 방향족, 특히 안트라센 유도체는 청색 방출 전계발광 디바이스의 호스트 재료로 사용되며, 특히 예를 들어 9,10-비스(2-나프틸)안트라센 (US 5935721) 을 들 수 있다. WO 03/095445 및 CN 1362464에는 OLED에 사용하기 위한 9,10-비스(1-나프틸)안트라센 유도체가 개시되어 있다. 추가의 안트라센 유도체는 WO 01/076323, WO 01/021729, WO 2004/013073, WO 2004/018588, WO 2003/087023 또는 WO 2004/018587에 개시되어 있다. 아릴-치환된 피렌 및 크리센에 기초한 호스트 재료는 WO 2004/016575에 개시되어 있다. 벤즈안트라센 유도체에 기초한 호스트 재료는 WO 2008/145239에 개시되어 있다.
종래 기술에 따르면, 매트릭스 재료 중에도 케톤 (예를 들어, WO 2004/093207 또는 WO 2010/006680에 따름) 또는 포스핀 옥사이드 (예를 들어, WO 2005/003253에 따름) 가 인광 에미터에 사용된다. 종래 기술에 따른 추가의 매트릭스 재료는 트리아진 (예를 들어 WO 2008/056746, EP 0906947, EP 0908787, EP 0906948) 및 락탐 (예를 들어 WO 2011/116865 또는 WO 2011/137951) 으로 표현된다. 또한, 종래 기술에 따르면, 매트릭스 재료 중에서도, 카르바졸 유도체 (예를 들어, WO 2005/039246, US 2005/0069729 또는 WO 2014/015931에 따름), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름) 또는 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어, WO 2010/136109 또는 WO 2011/000455 에 따름), 특히 전자 결핍 헤테로방향족에 의해 치환된 것들, 예컨대 트리아진이 인광 에미터에 사용된다. WO 2011/057706에는 2 개의 트리페닐트리아진기로 치환된 카르바졸 유도체가 개시되어 있다. 2011/046182에는 트리아진의 플루오레닐기로 치환된 카르바졸-아릴렌-트리아진 유도체가 개시되어 있다.
WO 2009/069442에는 호스트 재료로서 전자 결핍 헤테로방향족 (예를 들어, 피리딘, 피리미딘 또는 트리아진) 에 의해 높은 레벨의 치환을 갖는 카르바졸, 디벤조푸란 또는 디벤조티오펜과 같은 삼환계 시스템이 개시되어 있다.
JP 2009-21336에는 호스트 재료로서 트리아진에 의해 8 위치에서 및 카르바졸에 의해 2 위치에서 치환되는 치환된 디벤조푸란이 개시되어 있다. WO 2011/057706에는 호스트 재료로서 소수의 치환된 디벤조티오펜 및 디벤조푸란이 개시되어 있으며, 여기서 화합물은 하나의 전자 전도성 및 하나의 정공 전도성 기에 의해 특정한 방식으로 치환된다.
전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스의 성능 데이터를 개선시키는 추가의 수단은 둘 이상의 재료, 특히 호스트 재료의 조합을 사용하는 것이다.
US 6,392,250 B1에는 OLED의 방출층에서의 전자 수송 재료, 정공 수송 재료 및 형광 에미터로 구성된 혼합물의 용도가 개시되어 있다. 이 혼합물의 도움으로, 종래 기술에 비해 OLED의 수명을 개선할 수 있었다.
US 6,803,720 B1에는 OLED의 방출층에서의 인광 에미터 및 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료를 포함하는 혼합물의 용도가 개시되어 있다. 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료는 모두 작은 유기 분자이다.
WO 2010/108579에는 전하 수송 매트릭스 재료 및 큰 대역 갭으로 인해 전하 수송에 관여한다 하더라도 상당한 정도로 관여하지 않는 추가의 매트릭스 재료를 포함하는 혼합물이 기재되어 있다.
WO 2014/094964에 따르면, 전자 수송 락탐 유도체와 추가의 전자 수송 카르바졸-트리아진 유도체의 혼합물은 인광 및 경우에 따라 정공 전도성 에미터의 매트릭스 재료로서 사용된다.
그러나, 이들 재료를 사용하는 경우 또는 재료의 혼합물을 사용하는 경우, 특히 유기 전자 디바이스의 수명과 관련하여, 또한 특히 발광 성분이 방출층의 모든 성분을 기준으로 5 중량% 이하의 저농도로 방출층에 도핑되는 전형적인 경우와 관련하여, 개선이 여전히 필요하다.
따라서, 본 발명에 의해 해결할 과제는 유기 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스, 특히 형광 또는 인광 OLED에서 사용하기에 적합하고, 특히 수명과 관련하여 양호한 디바이스 특성을 유도하는 재료를 제공하고, 그리고 대응하는 전자 디바이스를 제공하는 것이었다.
놀랍게도, 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 조성물이 이 문제점을 해결하고 종래 기술로부터의 단점을 제거하는 것으로 밝혀졌다. 이러한 종류의 조성물은, 특히 수명 및 특히 방출층의 발광 성분의 저농도와 관련하여, 유기 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스의 매우 양호한 특성을 유도한다.
따라서, 본 발명은 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 조성물을 제공한다. 본 발명은 마찬가지로 층에 이러한 종류의 조성물 및 상응하는 바람직한 실시형태를 포함하는 유기 전자 디바이스, 특히 유기 전자 발광 디바이스를 제공한다. 알려진 재료를 매우 구체적으로 선택함으로써 놀라운 효과를 얻을 수 있다.
양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 조성물을 함유하는 층은 특히 방출층 (EML), 전자 수송 층 (ETL), 전자 주입 층 (EIL) 및/또는 정공 차단제 층 (HBL) 이다. 층이 방출층인 경우, 그 층은 바람직하게는 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 조성물 이외에 인광 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 인광성 층이다. 이 경우에, 본 발명의 조성물은 인광 에미터용 매트릭스 재료이며, 즉 그 자체가 광 방출에, 관여한다 하더라도, 상당한 정도로는 관여하지는 않는다.
인광 에미터는 본 발명의 문맥에서 더 높은 스핀 다중도, 즉 1 초과의 스핀 상태를 갖는 여기된 상태, 특히 여기된 삼중항 상태로부터의 발광을 나타내는 화합물이다. 본 출원의 문맥에서, 모든 발광성 착물과 전이 금속 또는 란탄나이드는 인광 에미터로서 고려될 것이다. 더 정확한 정의는 아래에 추가로 제공된다.
양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 조성물이 인광 에미터의 매트릭스 재료로서 사용될 때, 이의 삼중항 에너지가 인광 에미터의 삼중항 에너지보다 현저하게 작지 않을 때 바람직하다. 삼중항 레벨과 관련하여, T1(에미터) - T1(매트릭스) ≤ 0.2 eV 인 경우가 바람직하고, 보다 바람직하게는 ≤ 0.15 eV, 가장 바람직하게는 ≤ 0.1 eV 이다. T1(매트릭스) 은 여기서 방출 층에서의 매트릭스 재료의 삼중항 레벨이며, 이 조건은 두 매트릭스 재료 각각에 적용 가능하고, 그리고 T1(에미터)는 인광 에미터의 삼중항 레벨이다. 방출 층이 둘 초과의 매트릭스 재료를 함유하는 경우, 상기 언급된 관계는 바람직하게는 모든 추가 매트릭스 재료에도 적용 가능하다.
본 발명의 조성물에 존재하는 본 발명의 문맥에서 양극성 호스트는 바람직하게는 LUMO가 -2.4 eV 이하이고 HOMO가 -5.5 eV 이상인 화합물이다. LUMO는 최저 비점유 분자 오비탈이며 HOMO는 최고 점유 분자 오비탈이다. 이후 실시예 섹션에서 일반적인 용어로 기재되는 바와 같이, 화합물에서의 LUMO 및 HOMO의 값은 양자-화학 계산에 의해 결정된다.
본 발명의 조성물에 존재하는, 본 발명의 문맥에서의 전자 수송 호스트는 바람직하게는 LUMO가 -2.3 eV 이하이고 HOMO가 -2.4 eV 이하인 화합물이다.
본 발명에 따르면, 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트는 모두 유기 화합물이다.
양극성 호스트가 사용된 혼합물에서, 사용된 성분에서 전자 수송 및 정공 수송 모두에 상당한 기여를 하는, 즉 전자 및 정공 전도 특성 둘 모두를 포함하는 것임을 당업자는 인식할 것이다. 또한, 이것이 (a) 동일한 혼합물에 사용된 추가 재료의 에너지 준위와 비교하여 전자 및 정공이 그 에너지 준위로 인해 상당한 정도로 주입되는 재료, 및 (b) 매우 낮은 전자 또는 정공 이동도 (10-8 cm2/(Vs) 미만) 로 인해 수송이 억제되지 않는 재료를 선택함으로써 달성될 수 있음을 당업자는 알 것이다. 전자 및 정공 이동도의 측정은 표준 방법에 의해 당업자에 의해 일상적인 방식으로 수행된다.
적합한 양극성 호스트의 선택을 위해, 당업자는 다수의 공지된 호스트에 의지할 수 있고, 그리고 이들을, 예를 들어 마찬가지로 알려진 적당한 에너지 준위를 갖는 에미터와 조합할 수 있다.
바람직한 양극성 호스트는 트리아진, 피리미딘, 피라진, 피리딘, 피라졸, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 티아졸, 벤조티아졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 벤조옥사졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 카르바졸, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 케톤, 락탐, 및 트리아릴아민의 군으로부터 선택된다. 매우 특히 바람직한 양극성 호스트는 트리아진, 피리미딘, 퀴나졸린, 벤즈이미다졸, 카르바졸 및 인데노카르바졸의 군으로부터 선택되며, 트리아진, 피리미딘, 카르바졸 및 인데노카르바졸이 특히 바람직하다.
종종 양극 호스트는 하이브리드 시스템의 형태를 취한다. 하이브리드 시스템은, 이들이 적어도 하나의 전자 수송기 (ET) 및 적어도 하나의 정공 수송기 (HT) 을 모두 포함하는 것을 특징으로 하며, 이들은 일반적으로 전자 부유 또는 전자 결핍으로 인해 정공 주입에 적합한 HOMO 또는 전자 주입에 적합한 LUMO를 달성하는 기이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 조성물의 양극성 호스트는 일반 화학식 (1)의 화합물이다:
식에서 사용되는 기호 및 색인은 다음과 같고:
ET 는 전자 결핍 헤테로방향족 기의 군으로부터의 유기 전자 수송기 (ET) 이고, ET 기는 바람직하게는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로 아릴기이고, 여기서 질소 원자는 매우 바람직한 헤테로원자이고, 매우 특히 바람직한 ET 기는 트리아진, 피리미딘, 피라진, 피라졸, 피리딘, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 티아졸, 벤조티아졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 벤조옥사졸, 이미다졸 및 벤즈이미다졸의 군으로부터 선택되고, 상기 ET 기는 하나 이상의 독립적 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있고;
HT 는 전자 부유 헤테로방향족 기의 군으로부터의 유기 정공 수송기 (HT) 이며, HT 기는 바람직하게는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로아릴기이고, 여기서 질소 원자는 매우 바람직한 헤테로원자이고, 매우 특히 바람직한 HT 기는 카르바졸, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 페난트롤린 및 트리아릴아민의 군으로부터 선택되고, 상기 HT 기는 하나 이상의 독립적 R1' 라디칼에 의해 치환될 수 있고;
L 은 C(=O), S(=O)2, P(=O)(R1") 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 독립적 R1" 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고;
n 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0 또는 1, 매우 바람직하게는 1 이고;
q 는 1 내지 5, 바람직하게는 1 내지 4, 더욱 바람직하게는 1 내지 3, 매우 바람직하게는 1 내지 2 의 정수이고, 훨씬 더 바람직하게는 정확히 2 이고 특히 바람직하게는 정확히 1이고;
R1, R1', R1" 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 H, D, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, NO2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알킬알콕시 또는 티오알콕시기 (그 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시, 아릴알콕시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기, 또는 이들 기 중 둘 이상의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접 R1, R1' 또는 R1" 라디칼은 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있으며, 2 개 이상의 인접 R1, R1' 또는 R1" 라디칼이 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성하지 않는 경우가 바람직하며;
R2 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 H, D, F, Cl, Br, I, N(R3)2, CN, NO2, Si(R3)3, B(OR3)2, C(=O)R3, P(=O)(R3)2, S(=O)R3, S(=O)2R3, OSO2R3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알킬알콕시 또는 티오알콕시기 (그 각각은 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R3C=CR3, C≡C, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR3, P(=O)(R3), SO, SO2, NR3, O, S 또는 CONR3 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시, 아릴알콕시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기, 또는 이들 기 중 둘 이상의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접 R2 라디칼은 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있고;
R3 은 각각의 경우에 동일 또는 상이하고 H, D, F 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 히드로카르빌 라디칼이고, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 또한 F로 대체될 수 있고; 동시에, 둘 이상의 R3 치환기는 함께 단환 또는 다환의 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있으며;
R4 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 N(R2)2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알킬알콕시 또는 티오알콕시기 (그 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 로 대체될 수 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시, 아릴알콕시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기, 또는 이들 기 중 둘 이상의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접 R4 라디칼은 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있다.
정의에 따르면, 화학식 (1)의 화합물은 수소가 아닌 적어도 하나의 치환기 R4 를 항상 함유한다.
둘 이상의 인접 라디칼이 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성하지 않는다면, 이들 라디칼은 고리 또는 고리계의 일부가 되어서는 안된다. 예를 들어, 둘 이상의 인접 R1 라디칼이 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 서로 형성하도록 R1 라디칼이 정의되지만, R1 라디칼 자체가 다시 R2 라디칼로 치환되어 둘 이상의 인접 R2 라디칼이 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있는 경우, R2 라디칼의 고리 폐쇄는 이것이 R1 라디칼을 고리 또는 고리계의 일부로 만드는 방식으로 영향을 받아서는 안된다.
본 출원의 문맥에서, 2 이상의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수 있다는 문구는, 특히 2개의 라디칼이 화학 결합에 의해 서로 연결되다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이것은 하기의 스킴에 의해 예시된다:
Figure 112019111896796-pct00002
또한, 하지만, 상기 언급된 표현은 2 개의 라디칼 중 하나가 수소인 경우, 제 2 라디칼은 수소 원자가 결합된 위치에 결합하여 고리를 형성함을 의미하는 것으로 이해해야 한다. 이것은 하기의 스킴으로 예시되어야 한다:
Figure 112019111896796-pct00003
융합된 (어닐레이티드 (annelated)) 아릴기는 서로 융합된 둘 이상의 방향족 고리를 함유하는 아릴기를 의미하는 것으로 이해되는데, 이는 이들이 하나 이상의 방향족 결합을 공유한다는 것을 의미한다. 대응하는 정의는 헤테로아릴기에도 적용된다. 융합된 아릴기의 예는, 그 안에 고리 원자의 수에 관계없이, 나프틸, 안트라세닐, 피레닐, 페난트레닐 및 페릴레닐이다. 융합된 헤테로아릴기의 예는 퀴놀리닐, 인돌릴, 카르바졸릴 및 아크리디닐이다.
본 출원의 문맥에서, 화학 기의 일반적 정의가 제시된다:
본 발명의 문맥에서, 아릴기는 6 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 함유하며; 본 발명의 문맥에서, 헤테로아릴기는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 함유하며, 그 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로원자는 바람직하게 N, O 및 S 에서 선택된다. 이는 기본 정의를 나타낸다. 예를 들어, 존재하는 헤테로원자의 수 또는 방향족 고리 원자의 수와 관련하여, 기타 바람직한 것이 본 발명의 설명에 언급되는 경우, 이들이 적용될 수 있다.
본원에서, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 단순 방향족 고리, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 고리, 예를 들어 피리딘, 피리미딘 또는 티오펜, 또는 융합된 (어닐레이티드) 방향족 또는 헤테로방향족 다환, 예를 들어 나프탈렌, 페난트렌, 퀴놀린 또는 카르바졸을 의미하는 것으로 이해된다. 본 출원의 문맥에서, 융합 (어닐레이티드) 방향족 또는 헤테로방향족 다환은 서로 융합된 둘 이상의 단순 방향족 또는 헤테로방향족 고리로 이루어진다.
본 발명의 문맥에서 전자 결핍 헤테로방향족 또는 헤테로아릴기는 적어도 2 개의 헤테로 원자를 갖는 5 원 헤테로아릴기, 예를 들어 이미다졸, 옥사졸, 옥사디아 졸 등, 또는 적어도 하나의 헤테로원자를 갖는 6 원 헤테로아릴기, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 피라진, 트리아진 등으로 정의된다. 추가의 6 원 아릴 또는 6 원 헤테로아릴기가 이들 기에, 예를 들어 벤즈이미다졸, 퀴놀린 또는 퀴나졸린에서와 같이 융합될 수 있다.
본 발명의 문맥에서 전자 부유 헤테로방향족 또는 헤테로아릴기는, 헤테로아릴기로서, 피롤, 푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 벤조푸란, 인돌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 아자카르바졸 및/또는 아릴아민을 함유하는 고리계이다.
아릴 또는 헤테로아릴기 (이들 각각은 상기 언급된 라디칼에 의해 치환될 수 있고 임의의 바람직한 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족계에 연결될 수 있음) 는 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 디히드로피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오르안텐, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프트옥사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도되는 기를 의미하는 것으로 의도된다.
본 발명에 정의된 바와 같은 아릴옥시기는, 산소 원자를 통해 결합된 상기 정의된 바와 같은 아릴기를 의미하는 것으로 이해된다. 유사한 정의는 헤테로아릴옥시기에도 적용된다.
본 발명의 문맥에서 방향족 고리계는 고리계에 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유한다. 헤테로방향족 고리계는, 본 발명의 문맥상, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자 (이중 적어도 하나는 헤테로원자임) 를 함유한다. 헤테로원자는 바람직하게 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는, 본 발명의 문맥에서, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴 기만을 함유해야 하는 것은 아니며, 또한 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 비방향족 단위 (바람직하게는, H 이외의 원자 10% 미만), 예를 들어 sp3-혼성화 탄소, 규소, 질소 또는 산소 원자, sp2-혼성화 탄소 또는 질소 원자, 또는 sp-혼성화 탄소 원자에 의해 결합되는 계를 의미하는 것으로 이해된다. 예를 들어, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9'-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 계는 또한 본 발명의 문맥에서 방향족 고리계로 간주되고, 마찬가지로 둘 이상의 아릴 기가 예를 들어 선형 또는 환형 알킬, 알케닐 또는 알키닐기, 또는 실릴 기에 의해 연결되는 계로 간주된다. 또한, 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기가 단일 결합을 통해 서로 연결되는 계는 또한 본 발명의 문맥에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 간주되며, 예를 들어 비페닐, 터페닐 또는 디페닐트리아진과 같은 계가 있다.
또한 각각의 경우 상기 정의된 라디칼로 치환될 수 있고, 임의의 목적하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 시스템에 연결될 수 있는, 5 내지 60 개 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 보다 구체적으로 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 테르페닐렌, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸, 또는 이들 기의 조합물에서 유래된 기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 문맥상, 지방족 히드로카르빌 라디칼 또는 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 및 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 및 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (이들 중 각각의 수소 원자 또는 CH2 기는 라디칼의 정의에서 상기 언급된 기에 의해 치환될 수 있음) 는 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, 네오펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 네오헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플로오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플로오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 또는 옥티닐 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 또는 티오알킬기는 바람직하게는 메톡시, 트리플로오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시, 2,2,2-트리플로오로에톡시, 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플로오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플로오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 이해된다.
ET 기는 바람직하게 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 전자 결핍 헤테로방향족 기이다. 6 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 기 (그 중 적어도 하나는, 바람직하게 2 개는, 매우 바람직하게 적어도 3 개는 질소 원자임), 또는 5 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 기 (그 중 적어도 2 개는 헤테로원자이고, 바람직하게는 이들 중 적어도 하나는 R1로 치환될 수 있는 질소 원자임) 가 보다 더 바람직하고, 여기서 추가 아릴 또는 헤테로아릴 기는 또한 이들 기 각각에 융합될 수 있다.
따라서, 바람직한 전자 결핍 헤테로원자 기는 하기의 기로부터 선택되고:
Figure 112019111896796-pct00004
식에서 점선 결합은 가교 (L)n 기 또는 HT 기 (n = 0 인 경우) 에 대한 부착 위치를 표시하고, R1 은 상기에 정의된 바와 같고
Q' 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하며 CR1 또는 N이고, 그리고
Q" 는 NR1, O 또는 S 이고; 그리고
적어도 하나의 Q'는 N 이고/이거나 적어도 하나의 Q" 는 NR1 이다.
전자 결핍 헤테로방향족 기의 바람직한 예는 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 1,2,4-트리아진, 1,3,5-트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 피라졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 티아졸, 벤조티아졸, 옥사졸 또는 벤조옥사졸이고, 그 각각은 R1 로 치환될 수 있다. 더욱 더 바람직하게는, 전자 수송기는 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환된 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 1,3,5-트리아진, 벤즈이미다졸 및 퀴나졸린이다.
특히 바람직한 전자 결핍 헤테로방향족 기는 다음 화학식으로부터 선택된다
Figure 112019111896796-pct00005
Figure 112019111896796-pct00006
화학식 (ET-12), (ET-13), (ET-14), (ET-15), (ET-16) 및 (ET-20)의 기가 매우 특히 바람직하고, 화학식 (ET-12)의 기가 가장 바람직하다.
ET 기에서의 치환기 R1 은 바람직하게는 H 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어진 군으로부터 선택되고, 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환된 ET 기가 전자 부유 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리계를 함유하지 않는 것이 바람직하다.
매우 특히 바람직한 ET 기의 예는, 하기 이상의 독립 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 하기의 기이며, 여기서 점선 결합은 가교 (L)n 기 또는 HT 기 (n = 0 인 경우) 에 대한 결합 위치를 나타낸다:
Figure 112019111896796-pct00007
Figure 112019111896796-pct00008
Figure 112019111896796-pct00009
HT 기는 바람직하게는 하나 이상의 R1' 라디칼에 의해 치환될 수 있고 적어도 1 개 및 최대 5 개의 R4 라디칼에 의해 치환되는 전자 부유 헤테로방향족 기이다. 서로 융합된 3 내지 5 개의 아릴기를 갖는, 각각 5 또는 6 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 헤테로시클릭 기가 보다 더 바람직하며, 이들 중 적어도 하나의 기, 바람직하게는 1 또는 2 개의 기, 매우 바람직하게는 정확히 1 개의 기는 5 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로아릴기이며, 여기서 고리 원자 중 하나가 헤테로 원자이고, 바람직하게는 R1' 또는 R4 에 의해 치환될 수 있는 질소 원자이다.
바람직한 실시형태에서, 전자 부유 헤테로방향족 기 (HT) 는 하기 화학식 (HT-1)의 구조를 갖는다:
식에서:
A, B 는 동일 또는 상이하며 5 또는 6 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R5 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리이고;
o, p 는 동일 또는 상이하며 0 또는 1이고;
U 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하고 CR5, N 또는 O 이며, 서로 인접하지 않은 사이클당 2 개 이하의 U 는 N 또는 O 이며, 그리고 (L)n 기 또는 ET 기 (n = 0 인 경우) 가 이 위치에 부착되는 경우 U 는 탄소이고;
R5 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하며 R1' 또는 R4 이고,
단 화학식 (HT-1)의 구조에서 R4 에 대응하는 1 내지 5 개의 R5 라디칼이 있고,
R1' 및 R4 는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
화학식 (HT-1)의 구조에서, o 및 p가 모두 0이거나 1 인 경우, 즉 각각이 0 또는 1의 값을 상정하는 경우가 바람직하다. 보다 바람직하게는, o 및 p는 모두 0이다.
o 및 p 모두가 1의 값을 상정한다면, 고리 A 및 B가 상이한 수의 방향족 고리 원자를 갖는 경우가 바람직하다. 이것은, A가 6 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리인 경우, B는 바람직하게는 5 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리인 것을 의미하며, 그 반대도 마찬가지이다.
또한, A 및/또는 B가 헤테로방향족 고리인 경우, 방향족 고리 원자 중 2 개 이하, 보다 바람직하게는 정확히 하나가 N 및 O로부터 선택된 헤테로 원자이고, 바람직하게는 N 인 것이 바람직하다.
화학식 (HT-1)의 구조에서 U는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 CR5, N 또는 O 이고, 여기서 서로 인접하지 않는 사이클 당 최대 2 개의 U는 N 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게 U는 CR5 이다.
전자 부유 헤테로방향족 HT 기의 특히 바람직한 예는 카르바졸, 인데노카르바졸 및 인돌로카르바졸이고, 카르바졸이 매우 특히 바람직하다.
인데노카르바졸기, 인돌로카르바졸기 또는 카르바졸기의 바람직한 실시형태는 하기 화학식의 구조이다:
Figure 112019111896796-pct00011
식에서 R5 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 R1' 또는 R4 이고, 단 (HT-2), (HT-3), (HT-4) 및 (HT-5) 기는 각각 R5 라디칼 중 하나가 아니라 가교 (L)n 기 또는 ET 기 (n = 0 인 경우) 에 대한 결합을 갖고, 그리고 (HT-2), (HT-3), (HT-4) 및 (HT-5) 기의 각각에는, R4 에 대응하는 1 내지 5개의 R5 라디칼이 있고, 그리고 R1' 및 R4 는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
1 내지 5개의 R4 라디칼의 결합은 (HT-2), (HT-3), (HT-4) 및 (HT-5) 기에서 아직 치환되지 않은 임의의 위치에 있을 수있다.
상기 언급된 ET 및 HT 기는 원하는대로 서로 조합될 수 있다.
따라서, 본 발명의 조성물에 사용하기에 적합한 양극성 호스트의 예는 하기 일반 화학식의 화합물이다:
Figure 112019111896796-pct00012
Figure 112019111896796-pct00013
R4, q 및 n 은 상기에 주어진 정의를 갖는다.
(HT-1) 내지 (HT-5) 기는 바람직하게는 1 내지 4, 보다 바람직하게는 1 내지 3, 매우 바람직하게는 1 내지 2, 보다 더 바람직하게는 정확히 2 개의 R5 라디칼 및 가장 바람직하게는 R4 라디칼에 대응하는 정확히 1 개의 R5 라디칼을 갖는다.
따라서, 인데노카르바졸기, 인돌로카르바졸기 또는 카르바졸기의 특히 바람직한 실시형태는 하기 화학식의 구조이다:
Figure 112019111896796-pct00014
Figure 112019111896796-pct00015
여기서 사용된 기호는 상기에 주어진 정의를 가지며, 화학식 (HT-6), (HT-7), (HT-8) 및 (HT-9)의 군에서 정확히 2 개의 R5 라디칼은 R4 라디칼에 대응하고 바람직하게는 정확히 1 개의 R5 라디칼은 R4 라디칼에 대응하며, 그리고 다른 R5 라디칼 중 하나는 각각의 경우에 가교 (L)n 기 또는 ET 기 (n = 0 인 경우) 에 대응한다.
HT 기에서의 R5 가 R1' 라디칼에 대응하는 경우, R1' 는 바람직하게는 H 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리계로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 고리 또는 고리계는 각각의 경우에 하나 이상의 R2 로 치환될 수 있지만, 비치환되는 것이 바람직하다.
R1' 는 바람직하게는 H 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 고리 또는 고리계이고, 여기서 고리 또는 고리계는 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으며, R1' 이 비치환되는 경우가 보다 더 바람직하다. 매우 특히 바람직한 방향족 기는 페닐, 비페닐, 터페닐 및 쿼터페닐이다.
R1' 는 또한 매우 바람직하게는 H 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 또는 고리계이고, 여기서 고리 또는 고리계는 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으며, R1' 이 비치환되는 경우가 보다 더 바람직하다. 매우 특히 바람직한 헤테로방향족 기는 푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 디벤조티오펜, 카르바졸, 페난트리딘 및 퀴녹살린이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 양극성 호스트는 (ET-12) 내지 (ET-16) 및 (ET-20) 기 중 적어도 하나를 함유하고
Figure 112019111896796-pct00016
이들은 가교 (L)n 기를 통해 또는 직접적으로 화학식 (HT-6), (HT-7), (HT-8) 및 (HT-9)의 구조로부터 선택된 HT 기 (n = 0 인 경우) 에 결합되고, 여기서 L, n 및 R1 은 상기에 주어진 정의를 가지며 점선 결합은(L)n 또는 HT 기 (n = 0 인 경우) 에 대한 부착 위치를 표시한다.
(HD-9) 기의 카르바졸은 매우 특히 바람직한 전자 부유 헤테로방향족 HT 기이다.
따라서, 양극성 호스트는 더욱 바람직하게는 화학식 (1a-1) 내지 (1a-6) 및 (1b-1) 내지 (1b-6)의 화합물로부터 선택된다
Figure 112019111896796-pct00017
Figure 112019111896796-pct00018
Figure 112019111896796-pct00019
식에서 L, n, R1 및 R5 는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
이미 상기에 열거된 바와 같이, n 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0 또는 1, 그리고 매우 바람직하게는 1 이다.
마찬가지로 이미 상기에 열거된 바와 같이, 가교 L 기는 C(=O), S(=O)2, P(=O)(R1") 이거나, 또는 L 은 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 독립 R1" 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이다.
바람직하게는, L 은 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 특히 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고, 하나 이상의 R1" 라디칼에 의해 치환될 수 있지만, 비치환되는 것이 바람직한 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이다.
따라서, 본 발명의 더욱 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 조성물의 양극성 호스트는 일반 화학식 (1-1)의 화합물이다:
Figure 112019111896796-pct00020
식에서 R4 라디칼 및 ET 및 HT 기는 상기에 주어진 정의를 가지며 n = 1 이고, 그리고
q 는 1 내지 5, 바람직하게는 1 내지 4, 보다 바람직하게는 1 내지 3, 매우 바람직하게는 1 내지 2의 정수이고, 보다 더 바람직하게는 정확히 2 이고 특히 바람직하게는 정확히 1 이며; 그리고
Y 는 O 또는 S, 바람직하게는 O 이다.
바람직하게는, 일반 화학식 (1-1) 의 화합물에서의 ET 기는 (ET-1) 내지 (ET-11) 기, 보다 바람직하게는 화학식 (ET-12) 내지 (ET-20) 의 기, 가장 바람직하게는 화학식 (ET-12), (ET-13), (ET-14), (ET-15), (ET-16) 및 (ET-20) 의 기로부터 선택된다.
일반 화학식 (1-1) 의 화합물에서의 HT 기는 바람직하게는 화학식 (HT-2) 내지 (HT-5) 의 구조, 보다 바람직하게는 화학식 (HT-6) 내지 (HT-9) 의 구조, 및 가장 바람직하게는 화학식 (HT-9) 의 구조로부터 선택된다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 양극성 호스트는 화학식 (1a-7) 내지 (1a-12) 및 화학식 (1b-7) 내지 (1b-12) 의 화합물로부터 선택되고,
Figure 112019111896796-pct00021
Figure 112019111896796-pct00022
식에서 사용된 기호는 상기에 주어진 정의를 가지며, 그리고 화학식 (1a-7) 내지 (1a-12) 및 (1b-7) 내지 (1b-12)에서, R5 라디칼 중 정확히 하나는 각각의 경우 R4 라디칼에 대응한다.
화학식 (1a-7) 내지 (1a-12) 및 (1b-7) 내지 (1b-12)의 구조에서, 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 추가의 카르바졸 라디칼이 (HT-9) 기에 대응하는 카르바졸 라디칼에 결합되는 경우가 특히 바람직하다.
본 발명의 더욱 바람직한 실시형태에서, R4 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 N(R2)2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알킬알콕시 또는 티오알콕시기 (그 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시, 아릴알콕시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 1 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기, 또는 이들 기 중 2 이상의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접 R4 라디칼은 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있다.
매우 바람직하게는, R4 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시, 아릴알콕시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 1 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기, 또는 이들 기 중 2 이상의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접 R4 라디칼은 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있다.
R4 가 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계인 것이 특히 바람직하고; 동시에, 둘 이상의 인접 R4 라디칼은 함께 다환의 방향족 고리계를 형성할 수 있다.
R4 로 매우 특히 바람직한 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는 페닐, 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 카르바졸, 디벤조푸라닐이고, 이는 하나 이상의 R2 로 치환될 수 있다.
따라서, 화학식 (1a-7) 내지 (1a-12) 및 (1b-7) 내지 (1b-12)의 구조에서, R4 가 (HT-9) 기의 카르바졸 라디칼에 결합되는 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 임의로 치환된 하나의 추가 카르바졸 라디칼을 나타내는 것이 매우 특히 바람직하다.
따라서, 특히 바람직한 실시형태에서, 양극성 호스트는 다음으로부터 선택된다:
하기의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1a-13) 내지 (1a-18) 의 화합물
하기의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1a-19) 내지 (1a-24) 의 화합물
하기의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1b-13) 내지 (1b-18) 의 화합물
하기의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1b-19) 내지 (1b-24) 의 화합물
식에서 R1', R2 및 Y는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
R4 라디칼은 원칙적으로 (HT-9) 기에 대응하는 카르바졸 염기 골격에서 임의의 비치환 위치 1 내지 9 에 결합될 수 있다. 본 발명의 문맥에서 적용되는 카르바졸 상의 결합 위치는 아래에 도시된다:
Figure 112019111896796-pct00027
R4 의 바람직한 결합 위치는 위치 2, 3, 6, 7 및 9이다. 위치 3, 6 및 9가 특히 바람직하다. 화학식 (1a-1) 내지 (1a-12)의 경우, (HT-9) 기의 카르바졸 염기 골격에 대한 R4 의 결합을 위해 결합 위치 6 및 9가 매우 특히 바람직하다. 화학식 (1b-1) 내지 (1b-12)의 경우, (HT-9) 기의 카르바졸 염기 골격에 대한 R4 의 결합을 위해 결합 위치 3 및 6이 매우 특히 바람직하다.
화학식 (1a-1) 내지 (1a-6) 의 경우에서 가교 (L)n 기 또는 ET (n = 0 인 경우) 및 화학식 (1a-7) 내지 (1a-12) 의 경우에서 디벤질 기는 바람직하게는 (HT-9) 기의 카르바졸 염기 골격의 위치 1, 2, 3 또는 4 에, 보다 바람직하게는 2 또는 3 에, 그리고 가장 바람직하게는 위치 3 에 결합된다.
따라서, 보다 특히 바람직한 실시형태에서, 양극성 호스트는 하기로부터 선택된다:
아래의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1a-25) 내지 (1a-30)의 하기 화합물
아래의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1a-31) 내지 (1a-36)의 하기 화합물
아래의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1b-25) 내지 (1b-30)의 하기 화합물
아래의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1b-31) 내지 (1b-36)의 하기 화합물
식에서 R1', R2 및 Y 는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
치환기 R1' 는 바람직하게는 H 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 여기서 고리 또는 고리계는 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있지만, 비치환되는 것이 바람직하다. R1' 는 매우 바람직하게는 H 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 고리 또는 고리계이고, 여기서 고리 또는 고리계는 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으며, R1' 이 비치환되는 경우가 보다 더 바람직하다. 매우 특히 바람직한 방향족 기는 페닐, 비페닐, 터페닐 및 쿼터페닐이다. R1' 는 또한 매우 바람직하게는 H 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 또는 고리계이고, 여기서 고리 또는 고리계는 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있으며, R1' 이 비치환되는 경우가 보다 더 바람직하다. 매우 특히 바람직한 헤테로방향족 기는 푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 디벤조티오펜, 카르바졸, 페난트리딘 및 퀴녹살린이다.
보다 바람직하게는, ET 기는 화학식 (ET-12)의 트리아진이고, 화학식 (ET-21) 내지 (ET-36)의 화합물은 ET 기의 매우 특히 바람직한 예이다.
이미 상기에 열거된 바와 같이, Y는 바람직하게는 O이므로, 가교 리간드는 바람직하게는 디벤조푸란이다 (화학식 (1-1) 참조).
ET 기가 디벤조푸란의 위치 1 또는 2, 보다 바람직하게는 위치 1에 결합될 때 더욱 바람직하다.
따라서, 매우 특히 더 바람직한 실시형태에서, 양극성 호스트는 하기 화학식 (1a-37), (1a-38), (1b-37) 및 (1b-38)의 화합물로부터 선택된다:
Figure 112019111896796-pct00032
Figure 112019111896796-pct00033
식에서 R1 및 R2 는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
치환기 R1 은 가장 바람직하게는 H 및 5 내지 60 개의 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택되고, R1 이 어떠한 전자 부유 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리계를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는, 치환기 R1 은 화학식 (1a-37), (1a-38), (1b-37) 및 (1b-38)의 화합물에서의 ET 기에 대응하는 트리아진기가 (ET-21) 내지 (ET-36) 기 중 하나에 대응하도록 선택된다.
치환기 R2 는 바람직하게는 H 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 또는 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 여기서 고리 또는 고리계는 각각의 경우 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있지만, 비치환되는 것이 바람직하다. R2' 는 매우 바람직하게는 H 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 고리 또는 고리계이며, 여기서 고리 또는 고리계는 각각의 경우 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있고, R2 가 비치환되는 경우가 보다 더 바람직하다. 매우 특히 바람직한 방향족기는 페닐, 비페닐, 터페닐 및 쿼터페닐이다.
가장 바람직하게는, 화학식 (1a-37), (1a-38), (1b-37) 및 (1b-38) 의 화합물에서의 HT 기는 디벤조푸란의 위치 8에 결합된다.
양극성 호스트용으로 본 발명의 적합한 화합물의 예는 아래 도시된 구조이다.
Figure 112019111896796-pct00034
Figure 112019111896796-pct00035
Figure 112019111896796-pct00036
Figure 112019111896796-pct00037
Figure 112019111896796-pct00038
Figure 112019111896796-pct00039
양극성 호스트용의 본 발명의 화합물은, 당업자에 공지된 합성 단계, 예를 들어 브롬화, 스즈키 커플링 (Suzuki coupling), 울만 커플링 (Ullmann coupling), 하트비그-부흐발트 커플링 (Hartwig-Buchwald coupling) 등에 의해 제조될 수 있다. 적합한 합성 방법은 하기 스킴 1 에서 일반적인 용어로 나타내진다:
Figure 112019111896796-pct00040
본 발명의 조성물에서 양극성 호스트와 조합하여 전자 수송 호스트로서 사용되는 바람직한 전자 수송 화합물에 대한 설명이 이어진다.
전자 수송 호스트는 바람직하게는 화학식 (2) 또는 (2a)의 화합물이다:
Figure 112019111896796-pct00041
식에서 사용되는 기호 및 색인은 다음과 같고:
E 는 단일 결합 또는 NAr4 이고;
X 는 Ar1 이 6 원 아릴 또는 6 원 헤테로아릴 기인 경우 C 이거나, 또는 Ar1 이 5 원 헤테로아릴 기인 경우 C 또는 N이고;
Ar1 은 명백하게 도시된 X 기 및 탄소 원자와 함께, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고;
Ar2 는 명백하게 도시된 탄소 원자와 함께, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고; 동시에 Ar2 는 또한 단일 결합에 의해 Ar3 에 연결될 수 있고;
Ar3 은 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar5)2, N(R6)2, C(=O)Ar5, C(=O)R6, P(=O)(Ar5)2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (그 각각은 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 계의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, Ar3 은 또한 단일 결합에 의해 Ar2 에 연결될 수 있고;
Ar4 는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고; 동시에, Ar4 는 또한 단일 결합에 의해 Ar2 또는 Ar1 에 연결될 수 있고;
m 은 1, 3 또는 4 이고;
J 는 m = 2인 경우 단일 결합 또는 2가 기이거나 또는 m = 3인 경우 3가 기이거나, 또는 m = 4인 경우 4가 기이며, 그 각각은 임의의 원하는 위치에서 Ar1, Ar2, Ar3 또는 Ar4 에 결합되고;
R 은 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar5)2, N(R6)2, C(=O)Ar5, C(=O)R6, P(=O)(Ar5)2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (그 각각은 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 계의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 여기서 임의로는 둘 이상의 인접 R 치환기가 하나 이상의 R6 라디칼에 의해 치환될 수 있는 단환 또는 다환의, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있고;
R6 은 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar5)2, N(R7)2, C(=O)Ar5, C(=O)R7, P(=O)(Ar5)2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (그 각각은 하나 이상의 R7 라디칼로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R7C=CR7, C≡C, Si(R7)2, Ge(R7)2, Sn(R7)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR7, P(=O)(R7), SO, SO2, NR7, O, S 또는 CONR7 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R7 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R7 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 계의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 여기서 임의로는 둘 이상의 인접 R6 치환기가 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 단환 또는 다환의, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있고;
Ar5 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 비방향족 R7 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고; 동시에, 동일한 질소 원자 또는 인 원자에 결합된 2개의 Ar5 라디칼은 또한 단일 결합에 의해 또는 N(R7), C(R7)2 및 O 로부터 선택된 브릿지에 의해 서로 가교될 수 있고;
R7 은 H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 로 대체될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 여기서 둘 이상의 인접 R7 치환기는 함께 단환 또는 다환의, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있다.
X의 정의에서 6 원 아릴 또는 6 원 헤테로아릴 기 또는 5 원 헤테로아릴 기는, 명시적으로 도시된 탄소 원자를 함유하는 고리 및 X 기가 이러한 종류의 고리임을 의미한다. 또한, 추가의 방향족 또는 헤테로방향족 기가 이 고리에 융합될 수도 있다.
화학식 (2) 또는 (2a) 의 화합물의 바람직한 실시형태의 설명이 이어진다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 화학식 (2) 또는 (2a)의 화합물에서 Ar1 기는 화학식 (3), (4), (5), (6) 또는 (7)의 기이고
Figure 112019111896796-pct00042
식에서 점선 결합은 카르보닐기에 대한 연결을 나타내고, *는 E에 대한 연결의 위치를 나타내고, 그리고 추가로:
W 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 CR 또는 N이거나; 또는 2개의 인접 W 기는 하기 화학식 (8) 또는 화학식 (9)의 기이고:
Figure 112019111896796-pct00043
식에서 G 는 CR2, NR, O 또는 S 이고, Z 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 CR 또는 N 이고, ^ 는 화학식 (3) 내지 (7) 에서의 대응하는 인접 W 기를 나타내고;
V 는 NR, O 또는 S 이고;
Ar2 기는 화학식 (10), (11) 및 (12) 중 하나의 기이고
식에서 점선 결합은 N에 대한 연결을 나타내고, #는 Ar3 에 대한 가능한 연결의 위치를 나타내고, *는 E에 대한 연결을 나타내고, 그리고 W 및 V 는 상기에 주어진 정의를 가지며; 그리고
Ar3 기는 화학식 (13), (14), (15) 및 (16) 중 하나의 기이고
Figure 112019111896796-pct00045
식에서 점선 결합은 N에 대한 연결을 나타내고, *는 Ar2 에 대한 가능한 연결을 나타내고, 그리고 W 및 V 는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
동시에, 상기 언급된 바람직한 Ar1, Ar2 및 Ar3 기는 원하는대로 서로 조합될 수 있다.
따라서 본 발명의 바람직한 실시형태는 화학식 (2) 또는 (2a)의 화합물이고, 이 경우;
E 는 단일 결합이고;
Ar1 은 상기 언급된 화학식 (3), (4), (5), (6) 및 (7)의 기로부터 선택되고;
Ar2 는 상기 언급된 화학식 (10), (11) 및 (12)의 기로부터 선택되고;
Ar3 은 상기 언급된 화학식 (13), (14), (15) 및 (16)의 기로부터 선택된다.
보다 바람직하게는, Ar1, Ar2 및 Ar3 기 중 적어도 2개는 6 원 아릴 또는 6 원 헤테로아릴이다. 이로써 보다 바람직하게, Ar1 은 화학식 (3) 의 기이고 동시에 Ar2 는 화학식 (10) 의 기이거나, 또는 Ar1 은 화학식 (3) 의 기이고 동시에 Ar3 은 화학식 (13) 의 기이거나, 또는 Ar2 는 화학식 (10) 의 기이고 동시에 Ar3 은 화학식 (13) 의 기이다.
따라서, 화학식 (2)의 특히 바람직한 실시형태는 하기 화학식 (17) 내지 (26)의 화합물이다:
Figure 112019111896796-pct00046
Figure 112019111896796-pct00047
식에서 사용된 기호는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
W 가 CR 또는 N 을 나타내고 화학식 (8) 또는 (9) 의 기는 나타내지 않는 것이 더욱 바람직하다. 화학식 (17) 내지 (26) 의 화합물의 바람직한 실시형태에서, 사이클 당 총 1 개 이하의 W 기호는 N이고, 나머지 W 기호는 CR이다.
본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 모든 기호 W 는 CR 이다. 따라서, 특히 바람직한 것은 하기 화학식 (17a) 내지 (26a) 의 화합물이다:
Figure 112019111896796-pct00048
Figure 112019111896796-pct00049
식에서 사용된 기호는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
화학식 (17b) 내지 (26b) 의 구조가 매우 특히 바람직하다:
Figure 112019111896796-pct00050
Figure 112019111896796-pct00051
식에서 사용된 기호는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
화학식 (17) 또는 (17a) 또는 (17b) 의 화합물이 매우 특히 바람직하다:
본 발명의 더욱 바람직한 실시형태에서, Ar3 은 화학식 (13)의 기이고 이 Ar3 기에서의 2개의 인접 W 기는 화학식 (9) 의 기이고 이 Ar3 기에서의 다른 W 기는 동일 또는 상이하게 CR 또는 N 이고, 특히 CR 이다. 화학식 (9) 의 기는 임의의 가능한 위치에 융합될 수 있다. 보다 바람직하게는, 동시에, Ar1 은 화학식 (3) 의 기이고, 여기서 W 는 동일 또는 상이하게 CR 또는 N 이고, 특히 CR 이며, 그리고 Ar2 는 화학식 (10) 의 기이고, 여기서 W 는 동일 또는 상이하게 CR 또는 N 이고, 특히 CR 이다. 이로써 화학식 (2)의 화합물의 바람직한 실시형태는 또한 하기 화학식 (27) 내지 (32)의 화합물이다:
Figure 112019111896796-pct00052
식에서 사용된 기호는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
W 가 CR 또는 N 인 경우가 더욱 바람직하다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 화학식 (27) 내지 (32) 의 화합물의 각 사이클마다, W 또는 Z 기 중 최대 하나는 각각의 경우 N이고 다른 W 및 Z 기는 CR 이다. 보다 바람직하게는, 모든 W 및 Z 기는 CR 이다.
본 발명의 더욱 바람직한 실시형태에서, G 는 CR2, NR 또는 O 이고, 보다 바람직하게는 CR2 또는 NR 이고, 가장 바람직하게는 CR2 이다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 모든 W 및 Z 기는 CR 이고, G 는 동시에 CR2, NR 또는 O 이고, 보다 바람직하게는 CR2 또는 NR 이고, 특히 CR2 이다.
이로써 화학식 (27) 내지 (32)의 바람직한 화합물은 하기 화학식 (27a) 내지 (32a)의 화합물이다:
Figure 112019111896796-pct00053
식에서 사용된 기호는 상기에 주어진 정의를 갖는다.
화학식 (27b) 내지 (32b) 의 하기 화합물이 보다 바람직하다:
Figure 112019111896796-pct00054
R 및 G 는 여기서 상기에 주어진 정의 및 상기 또는 하기에 인용된 바람직한 정의를 갖는다.
화학식 (2a)의 화합물에서의 가교 J 기는 바람직하게는 단일 결합 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로부터 선택된다. 동시에, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는 바람직하게는 2 초과의 방향족 6 원 고리가 서로 직접 융합되는 어떠한 융합된 아릴 또는 헤테로아릴기도 함유하지 않는다. 보다 바람직하게는, 이들은 방향족 6 원 고리가 서로 직접 융합되는 어떠한 아릴 또는 헤테로아릴기도 전혀 함유하지 않는다.
본 발명의 더욱 바람직한 실시형태에서, 화학식 (2a)의 화합물에서의 색인 m 은 2 또는 3 이고, 특히 2 이다. 화학식 (2) 의 화합물을 사용하는 것이 매우 특히 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 상기 언급된 화학식에서의 R 은 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 H, D, F, Cl, Br, CN, N(Ar5)2, C(=O)Ar5, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시기 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 (그 각각은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 인접 CH2 기는 O 으로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 로 대체될 수 있음), 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R6 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 계의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 상기 언급된 화학식에서 R 은 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 H, D, F, Cl, Br, CN, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 (그 각각은 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 로 대체될 수 있음), 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 이들 계의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
동시에, R 라디칼은, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 함유하는 경우, 바람직하게는 2 초과의 방향족 6 원 고리가 서로 직접 융합되는 어떠한 융합된 아릴 또는 헤테로아릴기도 함유하지 않는다. 보다 바람직하게는, 이들은 방향족 6 원 고리가 서로 직접 융합되는 어떠한 아릴 또는 헤테로아릴기도 전혀 함유하지 않는다. 여기서는 페닐, 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 인데노카르바졸 인돌로카르바졸, 트리아진 또는 피리미딘이 특히 바람직하고, 그 각각은 또한 하나 이상의 R6 라디칼에 의해 치환될 수 있다. R6 라디칼에서, 2 이하의 방향족 6 원 고리가 서로 직접 융합되는 경우가 또한 바람직하다. 보다 바람직하게는, R6 은 방향족 6 원 고리가 서로 직접 융합되는 어떠한 아릴 또는 헤테로아릴기도 전혀 함유하지 않는다.
화학식 (2)의 화합물은 WO 2011/116865 및 WO 2011/137951에 기재된 방법에 의해 합성될 수 있다.
상술한 실시형태에 따른 전자 수송 호스트용의 본 발명에 따른 바람직한 화합물의 예는 이하에 상술된 화합물이다.
Figure 112019111896796-pct00055
Figure 112019111896796-pct00056
Figure 112019111896796-pct00057
Figure 112019111896796-pct00058
Figure 112019111896796-pct00059
Figure 112019111896796-pct00060
Figure 112019111896796-pct00061
Figure 112019111896796-pct00062
본 발명의 조성물에서의 전자 수송 호스트의 농도는 전체 조성물을 기준으로 5 중량% 내지 90 중량% 범위, 바람직하게는 10 중량% 내지 85 중량% 범위, 보다 바람직하게는 20 중량% 내지 85 중량% 범위, 보다 더 바람직하게는 30 중량% 내지 80 중량% 범위, 매우 특히 바람직하게는 20 중량% 내지 60 중량% 범위 및 가장 바람직하게는 30 중량% 내지 50 중량% 범위이다.
조성물에서의 양극성 호스트의 농도는 전체 조성물을 기준으로 10 중량% 내지 95 중량% 범위, 바람직하게는 15 중량% 내지 90 중량% 범위, 보다 바람직하게는 15 중량% 내지 80 중량% 범위, 보다 더 바람직하게는 20 중량% 내지 70 중량% 범위, 매우 특히 바람직하게는 40 중량% 내지 80 중량% 범위 및 가장 바람직하게는 50 중량% 내지 70 중량% 범위이다.
본 발명의 조성물은, 더욱 바람직한 실시형태에서, 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트는 물론, 추가 화합물, 특히 유기 기능성 재료를 또한 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명은, 상기 언급된 재료는 물론, 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 정공 차단제 재료, 광대역 갭 재료, 형광 방출체, 인광 방출체, 호스트 재료, 매트릭스 재료, 전자 차단제 재료, 전자 수송 재료 및 전자 주입 재료, n-도펀트 및 p-도펀트로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 추가 화합물을 또한 포함하는 조성물에 관한 것이다. 당업자에게 공지된 다수의 재료로부터 이들을 선택하는 것은 전혀 어려움이 없다.
n-도펀트는 환원제, 즉 전자 공여체를 의미하는 것으로 본원에서 이해된다. n-도펀트의 바람직한 예는 W(hpp)4 및 WO 2005/086251 A2 에 따른 추가 전자 부유 금속 착물, P=N 화합물 (예를 들어, WO 2012/175535 A1, WO 2012/175219 A1), 나프틸렌카르보디이미드 (예를 들어, WO 2012/168358 A1), 플루오렌 (예를 들어, WO 2012/031735 A1), 라디칼 및 디라디칼 (예를 들어, EP 1837926 A1, WO 2007/107306 A1), 피리딘 (예를 들어, EP 2452946 A1, EP 2463927 A1), N-헤테로시클릭 화합물 (예를 들어, WO 2009/000237 A1) 및 아크리딘 및 페나진 (예를 들어, US 2007/145355 A1) 이다.
p-도펀트는 산화제, 즉 전자 수용체를 의미하는 것으로 본원에서 이해된다. p-도펀트의 바람직한 예는 F4-TCNQ, F6-TNAP, NDP-2 (Novaled 제조), NDP-9 (Novaled 제조), 퀴논 (예를 들어, EP 1538684 A1, WO 2006/081780 A1, WO 2009/003455 A1, WO 2010/097433 A1), 라디알렌 (예를 들어, EP 1988587 A1, US 2010/102709 A1, EP 2180029 A1, WO 2011/131185 A1, WO 2011134458 A1, US 2012/223296 A1), S-함유 전이 금속 착물 (예를 들어, WO 2007/134873 A1, WO 2008/061517 A2, WO 2008/061518 A2, DE 102008051737 A1, WO 2009/089821 A1, US 2010/096600 A1), 비스이미다졸 (예를 들어, WO 2008/138580 A1), 프탈로시아닌 (예를 들어, WO 2008/058525 A2), 보라-테트라아자펜탈렌 (예를 들어, WO 2007/115540 A1), 풀러렌 (예를 들어, DE 102010046040 A1) 및 주족 할라이드 (예를 들어, WO 2008/128519 A2) 이다.
광대역 갭 재료는, 적어도 3.5 eV 의 대역 갭을 특징으로 하는 US 7,294,849 의 개시 범위 내의 재료를 의미하는 것으로 본원에서 이해되며, 대역 갭은 재료의 HOMO 에너지와 LUMO 에너지 사이의 갭을 의미하는 것으로 이해된다. 이들 계는 전계발광 디바이스에서 예외적인 유리한 성능 데이터를 나타낸다.
양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 본 발명의 조성물이 추가로 적어도 하나의 발광 화합물 또는 에미터를 포함하는 경우가 바람직하고, 인광 에미터인 경우가 특히 바람직하다.
"인광 에미터"라는 용어는 통상적으로 고 스핀 다중도를 갖는 여기 상태로부터, 즉 스핀 상태 >　1 의 스핀-금지 전이를 통해, 예를 들어 삼중항 상태 또는 보다 더 높은 스핀 양자 번호를 갖는 상태, 예를 들어 사중항 상태로부터의 전이를 통해 광이 방출되는 화합물을 포괄한다. 이것은 바람직하게 삼중항 상태로부터의 전이를 의미하는 것으로 이해된다.
적합한 인광 에미터 (= 삼중항 에미터) 는 특히, 적합하게 여기되는 경우, 바람직하게는 가시 영역에서 광을 방사하며, 또한 원자 번호가 20 초과, 바람직하게는 38 초과, 84 미만, 보다 바람직하게는 56 초과, 80 미만인 하나 이상의 원자, 특히 이러한 원자 번호를 갖는 금속를 함유하는 화합물이다. 사용된 바람직한 인광 에미터는 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유러퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다. 본 발명의 문맥에서, 상기 언급된 금속을 함유하는 모든 발광 화합물은 인광 에미터로 간주된다.
상기 기재된 에미터의 예는 출원 WO 00/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US 2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094961, WO 2014/094960, EP 13004411.8, EP 14000345.0, EP 14000417.7 및 EP 14002623.8 에서 확인될 수 있다. 일반적으로, 종래 기술 및 유기 전계발광 디바이스 분야의 당업자에게 공지된 바에 따른 인광 OLED 로 사용된 모든 인광 착물이 적합하고, 당업자는 본 발명의 기술을 실행하지 않으면서 추가 인광 착물을 사용할 수 있을 것이다.
바람직한 형광 에미터는 아릴아민의 계열로부터 선택된다. 아릴아민 또는 방향족 아민은 본 발명의 문맥에서 질소에 직접 결합된 3 개의 치환된 또는 비치환된 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 바람직하게는, 상기 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 중 적어도 하나는 융합된 고리계, 더욱 바람직하게는 적어도 14 개의 방향족 고리 원자를 갖는 것이다. 이들의 바람직한 예는 방향족 안트라센아민, 방향족 안트라센디아민, 방향족 피렌아민, 방향족 피렌디아민, 방향족 크리센아민 또는 방향족 크리센디아민이다. 방향족 안트라센아민은 디아릴아미노 기가, 바람직하게는 9 위치에서, 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 안트라센디아민은 2 개의 디아릴아미노 기가, 바람직하게는 9,10 위치에서, 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 피렌아민, 피렌디아민, 크리센아민 및 크리센디아민은 유사하게 정의되며, 디아릴아미노 기는 바람직하게는 1 위치 또는 1,6 위치에서 피렌에 결합된다. 추가의 바람직한 형광 에미터는 인데노플루오렌아민 또는 -디아민 (예를 들어 WO 2006/108497 또는 WO 2006/122630 에 따름), 벤조인데노플루오렌아민 또는 -디아민 (예를 들어 WO 2008/006449 에 따름), 및 디벤조인데노플루오렌아민 또는 -디아민 (예를 들어 WO 2007/140847 에 따름), 및 WO 2010/012328 에 기재된 융합 아릴 기를 갖는 인데노플루오렌 유도체이다.
본 발명의 더욱 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 조성물은 혼합 매트릭스 시스템의 성분으로서 사용된다. 혼합 매트릭스 시스템은 바람직하게는 3 개 또는 4 개의 상이한 매트릭스 재료, 보다 바람직하게는 3 개의 상이한 매트릭스 재료 (다시 말해, 본 발명의 조성물에 추가하여 하나의 추가 매트릭스 성분) 를 포함한다. 혼합 매트릭스 시스템 중의 매트릭스 성분으로서 본 발명의 조성물과 조합하여 사용될 수 있는 적합한 매트릭스 재료의 예는 광대역 갭 재료, 전자 수송 재료 (ETM) 및 정공 수송 재료 (HTM) 로부터 선택된다.
인광 유기 전계발광 디바이스에서 혼합 매트릭스 시스템을 사용하는 것이 바람직하다. 혼합 매트릭스 시스템에 대한 보다 상세한 정보의 한 출처는 출원 WO 2010/108579 이다. 인광 또는 형광 유기 전계발광 디바이스에서의 혼합 매트릭스 시스템의 매트릭스 성분으로서 본 발명의 조성물과 조합하여 사용될 수 있는 특히 적합한 매트릭스 재료는, 어떤 종류의 에미터를 사용하느냐에 따라 인광 에미터로 아래에 특정된 바람직한 매트릭스 재료로부터 또는 형광 에미터용의 바람직한 매트릭스 재료로부터 선택된다.
바람직하게는 형광 에미터용으로, 유용한 추가 매트릭스 재료는, 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 본 발명의 조성물은 물론, 다양한 물질 부류를 포함한다. 바람직한 추가 매트릭스 재료는 올리고아릴렌의 계열 (예를 들어 EP 676461 에 따른 2,2',7,7'-테트라페닐스피로비플루오렌 또는 디나프틸안트라센), 특히 융합 방향족 기를 함유하는 올리고아릴렌의 계열, 올리고아릴렌비닐렌 (예를 들어 EP 676461 에 따른 DPVBi 또는 스피로-DPVBi), 폴리포달 (polypodal) 금속 착물 (예를 들어 WO 2004/081017 에 따름), 정공-전도 화합물 (예를 들어 WO 2004/058911 에 따름), 전자-전도 화합물, 특히 케톤, 포스핀 옥시드, 술폭시드, 등 (예를 들어 WO 2005/084081 및 WO 2005/084082 에 따름), 아트로프이성질체 (예를 들어 WO 2006/048268 에 따름), 보론산 유도체 (예를 들어 WO 2006/117052 에 따름) 또는 벤즈안트라센 (예를 들어 WO 2008/145239 에 따름) 으로부터 선택된다. 특히 바람직한 매트릭스 재료는 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센 및/또는 피렌 또는 상기 화합물의 아트로프이성질체를 포함하는 올리고아릴렌의 계열, 올리고아릴렌비닐렌, 케톤, 포스핀 옥시드 및 술폭시드로부터 선택된다. 매우 특히 바람직한 매트릭스 재료는 안트라센, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌 및/또는 피렌 또는 또는 상기 화합물의 아트로프이성질체를 포함하는 올리고아릴렌의 계열로부터 선택된다. 본 발명의 문맥에서 올리고아릴렌은 적어도 3 개의 아릴 또는 아릴렌 기가 서로 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해될 것이다.
인광 에미터용의 바람직한 추가 매트릭스 재료는, 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 본 발명의 조성물은 물론, 예를 들어 US 2005/0069729 에 따른 방향족 아민, 특히 트리아릴아민, 카르바졸 유도체 (예, CBP, N,N-비스카르바졸릴바이페닐) 또는 WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 따른 화합물, 브릿지된 카르바졸 유도체, 예를 들면 WO 2011/088877 및 WO 2011/128017 에 따름, 인데노카르바졸 유도체, 예를 들면 WO 2010/136109 및 WO 2011/000455 에 따름, 아자카르바졸 유도체, 예를 들면 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따름, 인돌로카르바졸 유도체, 예를 들면 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름, 케톤, 예를 들면 WO 2004/093207 또는 WO 2010/006680 에 따름, 산화포스핀, 술폭시드 및 술폰, 예를 들면 WO 2005/003253 에 따름, 올리고페닐렌, 양극성 매트릭스 재료, 예를 들면 WO 2007/137725 에 따름, 실란, 예를 들면 WO 2005/111172 에 따름, 아자보롤 또는 보론 에스테르, 예를 들면 WO 2006/117052 에 따름, 트리아진 유도체, 예를 들면 WO 2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름, 아연 착물, 예를 들면 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따름, 알루미늄 착물, 예, BAlq, 디아자실롤 유도체 및 테트라아자실롤 유도체, 예를 들면 WO 2010/054729 에 따름, 및 디아자포스폴 유도체, 예를 들면 WO 2010/054730 에 따름, 및 알루미늄 착물, 예를 들어, BAlQ 이다.
본 발명의 대안의 실시형태에서, 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트의 구성성분 이외에, 조성물은 어떠한 추가 성분, 즉 어떠한 기능성 재료도 포함하지 않는다.
본 발명의 조성물은 유기 전자 디바이스에서 사용하기에 적합하다. 유기 전자 디바이스는 적어도 하나의 유기 화합물을 함유하는 적어도 하나의 층을 함유하는 디바이스를 의미하는 것으로 이해된다. 디바이스는 또한 무기 재료 또는 다르게는 전적으로 무기 재료로부터 형성된 층을 포함할 수 있다.
조성물의 성분 또는 구성성분은 기상 증착에 의해 또는 용액으로부터 프로세싱될 수 있다. 조성물이 용액으로부터 적용되는 경우, 적어도 하나의 추가 용매를 포함하는 본 발명의 조성물의 제형이 요구된다. 이러한 제형은 예를 들어 용액, 분산액 또는 유화액일 수 있다. 이러한 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다.
따라서 본 발명은 본 발명의 조성물 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 제형을 추가로 제공한다.
적합하고 바람직한 용매는 예를 들면, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸벤조에이트, 큐멘, 시클로헥사놀, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, 메틸 벤조에이트, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 헥사메틸인단 또는 이들 용매의 혼합물이다.
제형은 또한, 전자 디바이스에서 마찬가지로 사용되는 적어도 하나의 추가 유기 또는 무기 화합물, 특히 방출 화합물, 특히 인광 에미터 및/또는 추가 매트릭스 재료를 포함할 수 있다. 적합한 방출 화합물 및 추가의 매트릭스 재료는 이미 상기에 상세히 설명되어 있다.
본 발명은 또한 유기 전자 디바이스에서의, 바람직하게는 전자 수송 층에서의 및/또는 방출층에서의 본 발명의 조성물의 용도를 제공한다.
유기 전자 디바이스는 바람직하게는 유기 집적 회로 (OIC), 유기 전계 효과 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 전계발광 디바이스, 유기 태양 전지 (OSC), 유기 광 검출기 및 유기 광 수용체로부터 선택되고, 특히 바람직하게는 유기 전계발광 디바이스이다.
본 발명의 조성물의 사용을 위한 매우 특히 바람직한 유기 전계발광 디바이스는 유기 발광 트랜지스터 (OLET), 유기 전계 켄치 디바이스 (OFQD), 유기 발광 전기화학 전지 (OLEC, LEC, LEEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 발광 다이오드 (OLED) 이고, 특히 바람직하게는 OLEC 및 OLED, 가장 바람직하게는 OLED 이다.
바람직하게는, 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 본 발명의 조성물은 전자 디바이스에서 전자 수송 기능을 갖는 층에서 사용된다. 층은 바람직하게는 전자 주입 층 (EIL), 전자 수송 층 (ETL), 정공 차단제 층 (HBL) 및/또는 방출층 (EML), 보다 바람직하게는 ETL, EIL 및/또는 EML 이다. 가장 바람직하게는, 본 발명의 조성물은, 특히 매트릭스 재료로서, EML 에 사용된다.
따라서, 본 발명은 특히 상기 언급된 전자 디바이스 중 하나로부터 선택되고, 그리고 바람직하게는 방출층 (EML) 에, 전자 수송 층 (ETL) 에, 전자 주입 층 (EIL) 에 및/또는 정공 차단제 층 (HBL) 에, 매우 바람직하게는 EML, EIL 및/또는 ETL 에, 그리고 가장 바람직하게는 EML 에, 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 본 발명의 조성물을 포함하는, 유기 전자 디바이스를 더욱 더 제공한다.
층이 방출층인 경우, 그 층은 바람직하게는 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 조성물 이외에 인광 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 인광성 층이다.
따라서, 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 전자 디바이스는 방출층 (EML) 에서 인광 에미터와 함께 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 본 발명의 조성물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스, 가장 바람직하게는 유기 발광 다이오드 (OLED) 이다.
바람직한 실시형태에 따라 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트로 구성된 조성물 및 방출 화합물은 바람직하게는, 에미터 및 매트릭스 재료의 전체 혼합물에 기초하여, 바람직한 실시형태에 따른 양극성 및 전자 수송 호스트로 구성된 매트릭스 재료의, 체적비로 99.9% 내지 1%, 더욱 바람직하게는 체적비로 99% 내지 10%, 특히 바람직하게는 체적비로 98% 내지 60%, 매우 특히 바람직하게는 체적비로 97% 내지 80%를 포함한다. 대응하게, 조성물은, 에미터 및 매트릭스 재료의 전체 혼합물에 기초하여 에미터의, 바람직하게는 체적비로 0.1% 내지 99%, 더욱 바람직하게는 체적비로 1% 내지 90%, 보다 바람직하게는 체적비로 2% 내지 40%, 가장 바람직하게는 체적비로 3% 내지 20% 를 포함한다. 용액으로부터 화합물이 프로세싱되는 경우, 상기 특정된 양의 체적% 보다는 대응하는 중량% 의 양을 사용하는 것이 바람직하다.
캐소드, 애노드 및 본 발명의 조성물을 포함하는 층 이외에, 전자 디바이스는 추가 층을 포함할 수도 있다. 이들은 예를 들어 각각의 경우에 하나 이상의 정공 주입 층, 정공 수송 층, 정공 차단제 층, 방출 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층, 전자 차단제 층, 여기 차단제 층, 중간층, 전하 생성 층 (IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer) 및/또는 유기 또는 무기 p/n 정션으로부터 선택된다. 하지만, 이들 층 중 모든 층이 반드시 존재할 필요가 있는 것은 아니라는 점에 유의해야 한다.
유기 전계발광 디바이스에서의 층의 시퀀스는 바람직하게는 다음과 같다:
애노드 / 정공 주입 층 / 정공 수송 층 / 방출 층 / 전자 수송 층 / 전자 주입 층 / 캐소드.
동시에, 언급된 모든 층이 존재해야 하는 것은 아니며 그리고/또는 추가 층이 추가로 존재할 수 있다는 점에 유의해야 한다.
본 발명의 조성물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스는 다수의 방출층을 포함할 수 있다. 보다 바람직하게는, 이 경우 이들 방출 층은 380 nm 내지 750 nm 전체에서 여러 번의 최대 방출을 가져서, 전체 결과가 백색 방출이 되게 하고; 다시 말해 형광 또는 인광을 발할 수 있고 청색 또는 황색 또는 주황색 또는 적색 광을 방출하는 다양한 방출 화합물이 방출층에 사용된다. 특히 바람직한 것은 3-층 시스템이며, 즉 3개의 방출층을 갖는 시스템이며, 여기서 3개 층은 청색, 녹색 및 주황색 또는 적색 방출을 보여준다 (기존 구성에 대해서는 예를 들어 WO 2005/011013를 참조). 백색 광의 제조를 위해, 복수의 색상 방출 에미터 화합물 보다는, 넓은 파장 범위에 걸쳐 방출하는 개별적으로 사용되는 에미터 화합물이 또한 적합할 수 있다는 점에 유의해야 한다.
본 발명의 유기 전계발광 디바이스에서의 정공 주입 또는 정공 수송 층 또는 전자 차단제 층 또는 전자 수송 층에서 사용가능한 것으로 적합한 전하 수송 재료는, 예를 들면, Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010 에 개시된 화합물, 또는 종래 기술에 따른 이들 층에서 사용되는 다른 재료이다.
전자 수송 층에 사용되는 재료는 전자 수송 층에서 전자 수송 재료로서 종래 기술에 따라 사용되는 바와 같은 임의의 재료일 수 있다. 특히 적합한 것은 알루미늄 착물, 예를 들어 Alq3, 지르코늄 착물, 예를 들어 Zrq4, 벤즈이미다졸 유도체, 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체, 피리딘 유도체, 피라진 유도체, 퀴녹살린 유도체, 퀴놀린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 방향족 케톤, 락탐, 보란, 디아자포스폴 유도체 및 포스핀 옥시드 유도체이다. 추가의 적합한 재료는 JP 2000/053957, WO 2003/060956, WO 2004/028217, WO 2004/080975 및 WO 2010/072300 에 기재된 바와 같은 상기 언급된 화합물의 유도체이다.
바람직한 정공 수송 재료는 특히 정공 수송, 정공 주입 또는 전자 차단제 층에서 사용될 수 있는 재료이며, 예컨대 인데노플루오렌아민 유도체 (예를 들면, WO 06/122630 또는 WO 06/100896 에 따름), EP 1661888 에 개시된 아민 유도체, 헥사아자트리페닐렌 유도체 (예를 들면, WO 01/049806 에 따름), 융합된 방향족 계를 갖는 아민 유도체 (예를 들면, US 5,061,569 에 따름), WO 95/09147 에 개시된 아민 유도체, 모노벤조인데노플루오렌아민 (예를 들면, WO 08/006449 에 따름), 디벤조인데노플루오렌아민 (예를 들면, WO 07/140847 에 따름), 스피로비플루오렌아민 (예를 들면, WO 2012/034627 또는 아직 미공개된 EP 12000929.5 에 따름), 플루오렌아민 (예를 들면, EP 12005369.9, EP 12005370.7 및 EP 12005371.5 에 따름), 스피로디벤조피란아민 (예를 들면, 아직 미공개된 출원 EP 11009127.9 에 따름) 및 디히드로아크리딘 유도체 (예를 들면, 아직 미공개된 EP 11007067.9 에 따름) 가 있다.
전자 디바이스의 바람직한 캐소드는 낮은 일함수를 갖는 금속, 금속 합금 또는 다양한 금속, 예를 들면 알칼리성 토금속, 알칼리 금속, 주족 금속 또는 란탄족 (예를 들어, Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm, 등) 으로 구성된 다층 구조체이다. 추가적으로 알칼리 금속 또는 알칼리성 토금속 및 은으로 구성된 합금, 예를 들면 마그네슘 및 은으로 구성된 합금이 적합하다. 다층 구조체의 경우에서, 언급된 금속에 추가적으로, 비교적 높은 일함수를 갖는 금속, 예를 들면 Ag 또는 Al 을 사용하는 것이 가능하고, 이러한 경우 예를 들면, Ca/Ag, Mg/Ag 또는 Ba/Ag 와 같은 금속 조합이 일반적으로 사용된다. 금속성 캐소드 및 유기 반도체 간의 높은 유전 상수를 갖는 재료의 박막 중간층을 도입하는 것이 또한 바람직할 수 있다. 상기 목적에 유용한 재료의 예는 알칼리 금속 또는 알칼리성 토금속 플루오라이드이지만, 또한 상응하는 산화물 또는 탄산염 (예를 들어 LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3, 등) 이다. 상기 목적을 위해 리튬 퀴놀리네이트 (LiQ) 를 사용하는 것이 가능하다. 상기 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm 이다.
바람직한 애노드는 높은 일함수를 갖는 재료이다. 바람직하게는, 애노드는 진공에 비해 4.5 eV 초과의 일함수를 갖는다. 우선, 상기 목적을 위해서 높은 산화환원 전위 (redox potential) 를 갖는 금속, 예를 들면 Ag, Pt 또는 Au가 적합하다. 두번째로, 금속/금속 산화물 전극 (예를 들어, Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수 있다. 몇몇 적용을 위해서, 하나 이상의 전극은 유기 재료의 조사 (유기 태양 전지) 또는 발광 (OLED, O-레이저) 을 가능하게 하기 위해서 투명하거나 일부 투명해야 한다. 바람직한 애노드 재료는 전도성 혼합 금속 산화물이다. 특히 바람직하게는 인듐 주석 산화물 (ITO) 또는 이리듐 아연 산화물 (IZO) 이다. 더욱 바람직하게는 전도성 도핑 유기 재료, 특히 전도성 도핑 폴리머이다. 부가적으로, 애노드는 또한 2 개 이상의 층, 예를 들어 ITO 의 내부층 및 금속 옥시드, 바람직하게는 텅스텐 옥시드, 몰리브덴 옥시드 또는 바나듐 옥시드의 외부층으로 이루어질 수 있다.
유기 전자 디바이스는 제조 과정 중에 본 발명의 디바이스의 수명이 물 및/또는 공기의 존재 하에 단축되기 때문에 (본 출원에 따라) 적절하게 구조화되고, 컨택트-연결되고 최종적으로 봉합된다.
더욱 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 조성물을 포함하는 유기 전자 디바이스는 본 발명의 조성물을 포함하는 하나 이상의 유기 층이 승화 (sublimation) 방법에 의해 코팅되는 것을 특징으로 한다. 이러한 경우, 상기 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템에 진공 증착에 의해 공급된다. 그러나 이러한 경우, 초기 압력이 훨씬 낮고 예를 들면 10-7 mbar 미만이어도 가능하다.
마찬가지로 하나 이상의 층이 OVPD (유기 기상 증착) 방법에 의해 또는 캐리어 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 이 경우, 상기 재료들은 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용된다. 이 방법의 특별한 경우는 재료가 노즐에 의해 직접 적용되어 구조화되는 OVJP (유기 증기 젯 프린팅) 방법이다 (예를 들면, M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
추가적으로 본 발명의 조성물을 포함하는 하나 이상의 유기 층이 용액으로부터, 예를 들면 스핀-코팅, 또는 임의의 프린팅 방법, 예를 들면 스크린 프린팅, 플렉소그래픽 프린팅, 노즐 프린팅 또는 오프셋 프린팅, 그러나 더욱 바람직하게는 LITI (광-유도된 열적 이미징, 열전사 프린팅) 또는 잉크젯 프린팅에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 이 목적을 위해, 본 발명의 조성물의 성분의 가용성 화합물이 필요하다. 대응하는 화합물의 적합한 치환에 의해 높은 용해도가 달성될 수 있다. 용액으로부터의 프로세싱은, 본 발명의 조성물을 포함하는 층이 매우 단순하고 저가의 방식으로 적용될 수 있는 이점을 갖는다. 이 기술은 특히 유기 전자 디바이스의 대량 생산에 적합하다.
또한, 예를 들면, 하나 이상의 층이 용액으로부터 적용되고 하나 이상의 추가 층이 기상 증착에 의해 적용되는 하이브리드 방법이 가능하다.
이들 방법은 당업자에게 일반적으로 용어로 알려져 있으며, 유기 전계발광 디바이스에 대한 진보적인 기술을 실행하지 않고도 당업자에 의해 적용될 수 있다.
따라서 본 발명은 본 발명의 조성물을 포함하는 적어도 하나의 유기 층이 기상 증착에 의해, 특히 승화 방법에 의해 및/또는 OVPD (유기 기상 증착) 방법에 의해 또는 담체 기체 승화의 도움으로 공급되는 것을 특징으로 하고, 및/또는 본 발명의 조성물을 포함하는 적어도 하나의 유기 층이 용액으로부터, 특히 스핀-코팅에 의해 또는 인쇄 방법에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는 발명의 유기 전자 디바이스의 제조 방법을 추가로 제공한다.
기상 증착에 의한 유기 전자 디바이스의 제조에서, 본 발명의 조성물을 포함하고 다수의 상이한 구성성분을 포함할 수 있는 유기 층이 기판에 도포될 수 있거나 기상 증착에 의해 공급될 수 있는 두 가지 방법이 원칙적으로 존재한다. 먼저, 사용된 재료는 각각 재료 공급원에서 초기에 투입되고 궁극적으로 다른 재료 공급원 ("공-증발") 으로부터 증발될 수 있다. 두 번째로, 다양한 재료가 예비 혼합될 수 있고, 혼합물은 궁극적으로 증발되는 단일 재료 공급원에서 초기에 투입될 수 있다 ("예비 혼합 증발"). 이러한 방식으로, 다수의 재료 공급원의 정확한 작동 없이도 성분의 균일한 분포를 갖는 층의 기상 증착을 간단하고 신속하게 달성할 수 있다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 유기층은 기상 증착에 의해 공급되고, 여기서 조성물의 구성성분은 예비 혼합되고 단일 재료 공급원으로부터 증발된다.
본 발명의 조성물 및 본 발명의 디바이스는 종래 기술을 뛰어넘는 하기의 놀라운 이점을 갖는다:
1. 유기 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스, 특히 OLED 또는 OLEC에서 본 발명의 조성물의 사용은 디바이스의 수명을 현저하게 증가시킨다.
2. 본 발명의 조성물은 종래 기술로부터의 화합물과 비교하여, 방출 층에 사용하기에 용해도가 매우 적합하고, 성능 데이터, 특히 수명이 개선되며, 특히 방출 화합물이 방출층에 약 5 중량%까지 저농도로 도핑함으로써 존재/혼입되는 경우 그러하다.
3. 본 발명의 조성물은 용이하게 프로세싱될 수 있으며, 따라서 상업적 용도의 대량 생산에 매우 적합하다.
4. 본 발명의 조성물은 단일 재료 공급원으로부터 예비 혼합 및 기상 증착될 수 있으므로, 사용되는 성분의 균일한 분포를 갖는 유기 층을 간단하고 신속하게 제조할 수 있다.
이러한 상술한 이점은 전자 디바이스의 추가 전자적 특성에 있어서 저하를 동반하지 않는다.
본 발명에 기재된 구현예의 변형이 본 발명의 범위에 포함된다는 점이 지적되어야 한다. 본 발명에 개시된 임의의 특징은, 이것이 명백하게 배제되지 않는 한, 동일한 목적 또는 동등하거나 유사한 목적으로 간주되는 대안적인 특징으로 교환될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 임의의 특징은, 달리 제시되지 않는 한, 일반적인 시리즈로부터의 예시로서 또는 동등하거나 유사한 특징으로서 간주되어야 한다.
본 발명의 모든 특징은, 특정한 특징 및/또는 단계가 상호 배타적이지 않는 한, 임의의 방식으로 서로 조합될 수 있다. 이는 특히 본 발명의 바람직한 특징에 대하여 적용된다. 동일하게, 비본질적 조합의 특징은 별도로 (및 조합이 아닌 것으로) 사용될 수 있다.
본 발명에 개시된 기술적 교시는 추상화되고, 기타 예와 조합될 수 있다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 보다 상세하게 예시되지만, 이에 의해 본 발명을 제한하고자 하는 것이 아니다.
실시예:
오비탈 에너지 및 전자 상태의 결정
재료의 HOMO 및 LUMO 에너지 및 삼중항 준위 및 단일항 준위를, 양자-화학적 산출을 통해 결정한다. 이 목적을 위해, 당해 경우, "Gaussian09, Revision D.01" 소프트웨어 패키지 (Gaussian Inc.) 가 이용된다. 금속 부재의 유기 물질의 산출을 위해 ("org." 방법으로 지칭), 기하학적 최적화를 반-실험적 방법 AM1 (Gaussian input line "#AM1 opt") 으로써, 전하 0 및 다중도 1 로 먼저 수행한다. 후속해서, 최적화된 기하학을 기초로, 단일-포인트 에너지 산출을 전자 바닥 상태 및 삼중항 레벨에 대해 수행한다. 이는 6-31G(d) 기초 세트 (Gaussian input line "# B3PW91/6-31G(d) td=(50-50,nstates=4)") (전하 0, 다중도 1) 로 TDDFT (시간 의존적 밀도 기능 이론) 방법 B3PW91 를 이용하여 수행한다. 유기금속성 화합물 ("M-org." 방법으로서 지칭) 에 있어서, 기하학을, Hartree-Fock 방법 및 LanL2MB 기초 세트 (Gaussian input line "# HF/LanL2MB opt") (전하 0, 다중도 1) 로써 최적화한다. 에너지 산출은 상기 기재된 바와 같은 유기 물질과, "LanL2DZ" 베이스 셋팅을 금속 원자에 대해 사용하고, "6-31G(d)" 베이스 셋팅을 리간드에 대해 사용한 점의 차이가 있으나 유사하게 하여 수행된다 (Gaussian input line "#B3PW91/gen pseudo=lanl2 td=(50-50,nstates=4)"). 에너지 산출로부터, Hartree 단위에서 2 개의 전자가 차지하는 마지막 오비탈로서 HOMO 를 수득하고 (알파 occ. 고유값), 제 1 비점유 오비탈 (알파 virt. 고유값) 로서 LUMO 를 수득하는데, 여기서 HEh 및 Leh 는 Hartree 단위에서 HOMO 에너지를, Hartree 단위에서 LUMO 에너지를 각각 나타낸다. 이는 하기와 같이 순환 전압전류법 측정으로써 보정된 전자 볼트 단위의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위를 결정하는데 사용된다:
HOMO (eV) = (HEh*27.212)*0.8308-1.118
LUMO (eV) = (LEh*27.212)*1.0658-0.5049
이들 값은 본 출원의 문맥에서 재료의 HOMO 및 LUMO 로서 여겨진다.
재료의 삼중항 레벨 T1 은 양자 화학 에너지 계산에 의해 밝혀지는 최저 에너지를 갖는 삼중항 상태의 상대 여기 에너지 (단위 eV) 로 정의된다.
재료의 단일항 레벨 S1 은 양자 화학 에너지 계산에 의해 밝혀지는 두번째 최저 에너지를 갖는 단일항 상태의 상대 여기 에너지 (단위 eV) 로 정의된다.
에너지적으로 최저인 단일항 상태는 S0 로 불린다.
본원에 기재된 방법은 사용된 소프트웨어 패키지와 독립적이며 항상 동일 결과를 제공한다. 이를 위해 종종 활용되는 프로그램의 예는 "Gaussian09" (Gaussian Inc.) 및 Q-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.) 이다. 이 경우, 에너지는 소프트웨어 패키지 "Gaussian09, Revision D.01" 을 이용해 산출된다.
OLED의 제조
이어지는 실시예 I1 내지 I3 (표 1 참조) 은 OLED 에서의 본 발명의 조성물의 용도를 제시한다.
실시예 I1-I3 에 대한 전처리:
두께 50 nm의 구조화된 ITO (indium tin oxide) 로 코팅된 유리 플라크는 코팅하기 이전에 처리되며, 먼저 산소 플라즈마로, 이어서 아르곤 플라즈마로 처리된다. 이들 플라즈마 처리된 유리 플라크는 OLED가 적용되는 기판을 형성한다.
OLED 는 기본적으로 하기 층 구조를 갖는다: 기판 / 정공 주입 층 (HIL) / 정공 수송 층 (HTL) / 전자 차단제 층 (EBL) / 방출층 (EML) / 선택적 정공 차단제 층 (HBL) / 전자 수송 층 (ETL) / 선택적 전자 주입 층 (EIL) 및 최종적으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm의 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 정확한 구조는 표 1에서 밝혀질 수 있다. OLED의 제조에 요구되는 재료는 표 2 에 나타내진다. OLED의 데이터는 표 3에 열거된다. 실시예 C1 내지 C4 는 종래 기술에 따른 비교예이고; 실시예 I1 내지 I3 은 본 발명의 OLED의 데이터를 나타낸다. 화합물의 HOMO 및 LUMO 값은 표 4에서 비교된다.
모든 재료는 진공 챔버에서 열 증착으로 공급된다. 이러한 경우, 방출층은 항상, 공-증발에 의해 특정 부피 비율로 매트릭스 재료(들)에 첨가되는, 방출 도펀트 (에미터) 및 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 로 이루어진다. L1:CbzT1:TEG1 (45%:45%:10%) 과 같은 형태로 주어진 세부사항은, 여기서 재료 L1 이 층에서 45% 의 부피 비율로 존재하고 CbzT1 이 45% 의 부피 비율로, TEG1 가 10% 의 부피 비율로 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송 층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED는 표준 방식으로 특성화된다. 이러한 목적의 경우, 전계발광 스펙트럼, 전류 효율 (CE, cd/A 로 측정됨) 및 외부 양자 효율 (EQE, 백분율로 측정됨) 은, 수명과 같이, Lambertian 방출 특징을 가정하여 전류-전압-휘도 특징 (IUL 특징) 으로부터 계산된, 휘도의 함수로서 측정된다. 전계발광 스펙트럼은 1000 cd/㎡ 의 휘도에서 결정되고, CIE 1931 x 및 y 색 좌표가 그로부터 계산된다. 표 3 에서의 매개변수 U1000 은 1000 cd/㎡ 의 휘도에 필요한 전압을 지칭한다. CE1000 및 EQE1000 은 각각 1000 cd/㎡ 에서 얻은 전류 효율 및 외부 양자 효율을 나타낸다.
수명 LT 는, 일정한 전류 밀도 j0 로 작동하는 동안 휘도가 초기 휘도에서 특정한 비율 L1 로 하락한 후의 시간으로서 정의된다. 표 3 에서의 L1 = 80% 의 수치는 LT 열에 보고된 수명이, 출발 휘도가 그 시작 값에서 80%까지 떨어진 후의 시간에 대응하는 것을 의미한다.
OLED에서의 본 발명의 조성물의 용도
본 발명의 재료는 인광 녹색 OLED의 발광층에 사용될 수 있다. 본 발명의 화합물 CbBzT4 및 L2는 실시예 I1 내지 I3에서 방출 층의 매트릭스 재료로서 사용된다. 또한, 본 발명의 재료는 전자 수송 층 (ETL), 전자 주입 층 (EIL), 정공 차단체 층 (HBL) 또는 전자 차단체 층 (EBL) 에 사용될 수 있다.
실시예는 본 발명의 OLED 의 이점을 설명하기 위해, 이하에 상세히 설명된다.
인광 OLED 의 방출층 내의 본 발명의 조성물의 용도
종래 기술에 따라, 즉 2 개의 전자 수송 호스트 (예를 들어, 락탐 유도체 및 트리아진-카르바졸 유도체) 와 정공 수송 에미터를 조합하여 조성물을 사용함으로써, EML에서의 10% (C1 내지 C3) 의 적정한 에미터 농도에 의해 우수한 전압, 효율 및 수명을 달성할 수 있다. 예상한 바와 같이, 실시예 C3에 따라 <10 %의 더 작은 에미터 농도의 사용은, 전자 전류와 정공 전류의 균형이 상실되었기 때문에 수명이 현저하게 감소된다. 대조적으로, 둘 모두 트리아진-카르바졸 유도체의 계열인 전자 수송 호스트 및 양극성 호스트의 조합은 낮은 에미터 농도 (7 %) 에서도 수명 (C4) 의 개선을 초래한다.
락탐 계열의 전자 수송 호스트와 트리아진-카르바졸 유도체 계열의 양극성 호스트의 특정 조합을 통해 EML에서의 동시에 낮은 에미터 농도 (7 %) 로 탁월한 수명 개선이 얻어진다 (I1 내지 I2). 3 %의 매우 낮은 에미터 농도에서도, 종래 기술 (C1 내지 C3) 에 비해 약 2 배만큼 수명의 개선을 달성할 수 있다 (I3).
동시에, I1 내지 I3에서 OLED의 낮은 동작 전압이 유지된다. 종래 기술과 비교하여, 우수한 효율을 달성하는 것도 가능하다.
실시예 I1 내지 I3의 모델에 따르면, 추가의 양극성 트리아진-카르바졸 화합물 (표 5의 좌측 열) 과 전자 전도성 락탐 (표 5의 우측 열) 및 인광 에미터의 조합을 통해, 우수한 성능 데이터를 갖는 OLED가 획득되고, 이는 본 발명의 재료 조합의 광범위한 적용성을 입증한다.
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Figure 112019111896796-pct00064
Figure 112019111896796-pct00065
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Figure 112019111896796-pct00067
Figure 112019111896796-pct00068
Figure 112019111896796-pct00069
Figure 112019111896796-pct00070

Claims (37)

  1. 양극성 호스트 및 전자 수송 호스트를 포함하는 조성물로서,
    상기 양극성 호스트는:
    하기의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1a-13) 내지 (1a-18) 의 화합물

    하기의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1a-19) 내지 (1a-24) 의 화합물

    하기의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1b-13) 내지 (1b-18) 의 화합물

    하기의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1b-19) 내지 (1b-24) 의 화합물

    로부터 선택되고;
    식에서
    Y 는 O 또는 S 이고;
    (ET-12) 내지 (ET-16) 및 (ET-20) 기는:
    이고;
    R1, R1' 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 H, D, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, NO2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알킬알콕시 또는 티오알콕시기 (그 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시, 아릴알콕시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기, 또는 이들 기 중 둘 이상의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접 R1 라디칼은 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있으며;
    R2 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 H, D, F, Cl, Br, I, N(R3)2, CN, NO2, Si(R3)3, B(OR3)2, C(=O)R3, P(=O)(R3)2, S(=O)R3, S(=O)2R3, OSO2R3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알킬알콕시 또는 티오알콕시기 (그 각각은 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R3C=CR3, C≡C, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR3, P(=O)(R3), SO, SO2, NR3, O, S 또는 CONR3 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시, 아릴알콕시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기, 또는 이들 기 중 둘 이상의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접 R2 라디칼은 함께 단환 또는 다환의, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있으며;
    R3 은 각각의 경우에 동일 또는 상이하고 H, D, F 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 히드로카르빌 라디칼이고, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 또한 F로 대체될 수 있고; 동시에, 둘 이상의 R3 치환기는 함께 단환 또는 다환의 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 양극성 호스트는:
    아래의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1a-25) 내지 (1a-30)의 하기 화합물

    아래의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1a-31) 내지 (1a-36)의 하기 화합물

    아래의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1b-25) 내지 (1b-30)의 하기 화합물

    아래의 일반 화학식을 갖는 화학식 (1b-31) 내지 (1b-36)의 하기 화합물

    로부터 선택되고;
    식에서 (ET-12) 내지 (ET-16), (ET-20), R1', R2 및 Y 는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 양극성 호스트는 화학식 (1a-37), (1a-38), (1b-37) 및 (1b-38) 의 화합물로부터 선택되고,

    식에서 R1, R1' 및 R2 는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제 3 항에 있어서,
    R1 은 H 및 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어진 군으로부터 선택되고, R2 는 제 3 항에 주어진 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    R2 는 H 및 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 여기서 고리계는 각각의 경우 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수 있고, R3 는 제 1 항에 주어진 정의를 가지거나; 또는 R2 는 페닐, 비페닐, 터페닐 및 쿼터페닐로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제 3 항에 있어서,
    양극성 호스트가 화학식 (1a-37), (1a-38), (1b-37) 또는 (1b-38) 의 화합물이고, 화학식 (1a-37), (1a-38), (1b-37) 또는 (1b-38) 의 비스카르바졸 기는 디벤조푸란의 위치 8 에 결합되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 수송 호스트는 락탐인 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 수송 호스트는 일반 화학식 (2) 또는 (2a) 의 화합물이고

    식에서 사용되는 기호 및 색인은 다음과 같고:
    E 는 단일 결합 또는 NAr4 이고;
    X 는 Ar1 이 6 원 아릴 또는 6 원 헤테로아릴 기인 경우 C 이거나, 또는 Ar1 이 5 원 헤테로아릴 기인 경우 C 또는 N이고;
    Ar1 은 명백하게 도시된 X 기 및 탄소 원자와 함께, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고;
    Ar2 는 명백하게 도시된 탄소 원자와 함께, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고; 동시에 Ar2 는 또한 단일 결합에 의해 Ar3 에 연결될 수 있고;
    Ar3 은 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar5)2, N(R6)2, C(=O)Ar5, C(=O)R6, P(=O)(Ar5)2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (그 각각은 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 계의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, Ar3 은 또한 단일 결합에 의해 Ar2 에 연결될 수 있고;
    Ar4 는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고; 동시에, Ar4 는 또한 단일 결합에 의해 Ar2 또는 Ar1 에 연결될 수 있고;
    m 은 1, 2, 3 또는 4 이고;
    J 는 m = 2인 경우 단일 결합 또는 2가 기이거나 또는 m = 3인 경우 3가 기이거나, 또는 m = 4인 경우 4가 기이며, 그 각각은 임의의 원하는 위치에서 Ar1, Ar2, Ar3 또는 Ar4 에 결합되고;
    R 은 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar5)2, N(R6)2, C(=O)Ar5, C(=O)R6, P(=O)(Ar5)2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (그 각각은 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R6C=CR6, C≡C, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, P(=O)(R6), SO, SO2, NR6, O, S 또는 CONR6 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R6 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 계의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 여기서 임의로는 둘 이상의 인접 R 치환기가 하나 이상의 R6 라디칼에 의해 치환될 수 있는 단환 또는 다환의, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있고;
    R6 은 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar5)2, N(R7)2, C(=O)Ar5, C(=O)R7, P(=O)(Ar5)2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (그 각각은 하나 이상의 R7 라디칼로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R7C=CR7, C≡C, Si(R7)2, Ge(R7)2, Sn(R7)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR7, P(=O)(R7), SO, SO2, NR7, O, S 또는 CONR7 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R7 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R7 라디칼로 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 계의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 여기서 임의로는 둘 이상의 인접 R6 치환기가 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 단환 또는 다환의, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있고;
    Ar5 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 비방향족 R7 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고; 동시에, 동일한 질소 원자 또는 인 원자에 결합된 2개의 Ar5 라디칼은 또한 단일 결합에 의해 또는 N(R7), C(R7)2 및 O 로부터 선택된 브릿지에 의해 서로 가교될 수 있고;
    R7 은 H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 로 대체될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 여기서 둘 이상의 인접 R7 치환기는 함께 단환 또는 다환의, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
  9. 제 8 항에 있어서,
    화학식 (2) 또는 (2a)의 화합물에서 상기 Ar1 기는 화학식 (3), (4), (5), (6) 또는 (7)의 기이고

    식에서 점선 결합은 카르보닐기에 대한 연결을 나타내고, *는 E에 대한 연결의 위치를 나타내고, 그리고 추가로:
    W 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 CR 또는 N이거나; 또는 2개의 인접 W 기는 하기 화학식 (8) 또는 화학식 (9)의 기이고:

    식에서 G 는 CR2, NR, O 또는 S 이고, Z 는 각각의 경우에 동일 또는 상이하게 CR 또는 N 이고, ^ 는 화학식 (3) 내지 (7) 에서의 대응하는 인접 W 기를 나타내고;
    V 는 NR, O 또는 S 이고; 그리고
    상기 Ar2 기는 화학식 (10), (11) 및 (12) 중 하나의 기이고

    식에서 점선 결합은 N에 대한 연결을 나타내고, #는 Ar3 에 대한 가능한 연결의 위치를 나타내고, *는 E에 대한 연결을 나타내고, 그리고 W 및 V 는 상기에 주어진 정의를 가지며; 그리고
    상기 Ar3 기는 화학식 (13), (14), (15) 및 (16) 중 하나의 기이고

    식에서 점선 결합은 N에 대한 연결을 나타내고, *는 Ar2 에 대한 가능한 연결을 나타내고, 그리고 W 및 V 는 위에 주어진 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 화학식 (2)의 화합물은 화학식 (17) 내지 (32) 의 화합물로부터 선택되고


    식에서 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 화학식 (2)의 화합물은 화학식 (17a) 내지 (32a) 의 화합물로부터 선택되고



    식에서 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 화학식 (2)의 화합물은 화학식 (17b) 내지 (32b) 의 화합물로부터 선택되고


    식에서 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 조성물은 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 정공 차단제 재료, 광대역 갭 재료, 형광 에미터, 인광 에미터, 호스트 재료, 매트릭스 재료, 전자 차단제 재료, 전자 수송 재료 및 전자 주입 재료, n-도펀트 및 p-도펀트로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물 및 적어도 하나의 용매를 포함하는, 제형.
  15. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유기 전자 디바이스에서 사용되는, 조성물.
  16. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물을 포함하는, 유기 전자 디바이스.
  17. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물을 방출 층 (EML), 전자 수송 층 (ETL), 전자 주입 층 (EIL) 및/또는 정공 차단제 층 (HBL) 에서 포함하는, 유기 전자 디바이스.
  18. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물을 방출 층 (EML), 전자 주입 층 (EIL) 및/또는 전자 수송 층 (ETL) 에서 포함하는, 유기 전자 디바이스.
  19. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 조성물을 방출 층 (EML) 에서 포함하는, 유기 전자 디바이스.
  20. 제 16 항에 있어서,
    유기 전자 디바이스는 유기 집적 회로 (OIC), 유기 전계 효과 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 전계발광 디바이스, 유기 태양 전지 (OSC), 유기 광 검출기 및 유기 광 수용체로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
  21. 제 16 항에 있어서,
    유기 전자 디바이스는 유기 전계발광 디바이스인 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
  22. 제 16 항에 있어서,
    유기 전자 디바이스는, 유기 발광 트랜지스터 (OLET), 유기 전계 켄칭 디바이스 (OFQD), 유기 발광 전기화학 전지 (OLEC, LEC, LEEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 발광 다이오드 (OLED) 로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 유기 전계발광 디바이스인 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
  23. 제 16 항에 있어서,
    유기 전자 디바이스는, 유기 발광 전기화학 전지 (OLEC) 및 유기 발광 다이오드 (OLED) 로부터 선택되는, 유기 전계발광 디바이스인 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
  24. 제 16 항에 있어서,
    유기 전자 디바이스는 유기 발광 다이오드 (OLED) 로부터 선택되는, 유기 전계발광 디바이스인 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
  25. 제 16 항에 있어서,
    유기 전자 디바이스는 인광 에미터와 함께 방출층에서 상기 조성물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스인 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
  26. 제 16 항에 기재된 유기 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 조성물을 포함하는 적어도 하나의 유기 층이 기상 증착에 의해 또는 용액으로부터 공급되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스의 제조 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기층은 상기 조성물을 예비 혼합하고 단일 재료 공급원으로부터 증발시킴으로써 기상 증착에 의해 공급되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스의 제조 방법.
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