TWI813576B - 具有低含量苯酚類雜質的調配物 - Google Patents

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Abstract

本發明關於包含至少一種有機半導體及至少一種有機溶劑之調配物,其特徵為該調配物含有少於100 ppm的苯酚類雜質,關於其製備電子裝置之用途;本發明亦關於使用本發明的調配物製備電子或光電裝置之方法,並關於由此方法和調配物製備之電子或光電裝置。

Description

具有低含量苯酚類雜質的調配物
本發明關於用於電子或光電裝置的層之塗層或印刷墨水的可溶性有機或混合功能性材料調配物,其包含至少一種有機半導體及至少一種有機溶劑,其特徵為該調配物含有少於100 ppm的苯酚類雜質,關於其製備電子或光電裝置(如經液體塗佈或印刷的電子、光電、光伏打、感測或有機電致發光裝置)之用途,關於使用本發明的調配物製備此裝置之方法,並關於由此方法和調配物製備之裝置。
有機發光裝置(OLED)已經長時間皆藉由真空沉積製程製造。其他技術如噴墨印刷最近由於其優點如節省成本及放大規模可能性而做了徹底研究。多層印刷的主要挑戰之一在於確認獲得墨水均勻沉積於基板上的相關參數。為了引發這些參數(如表面張力、黏度或沸點),可將一些添加物加於該調配物。 本發明的技術問題及目的
在有機電子裝置方面已經有人提出許多溶劑供噴墨印刷用。然而,在沉積和乾燥製程期間起作用的重要參數數量使得溶劑的選擇非常具有挑戰性。因此,仍然需要改進包含用於通過噴墨印刷沉積的有機半導體之調配物。本發明的一個目的在於提供一種有機半導體的調配物,其允許受控沉積以形成具有良好層性質及有效性能的有機半導體層。本發明的另一個目的在於提供一種有機半導體的調配物,當其使用例如噴墨印刷方法在基板上沉積且乾燥時允許優良的膜均勻性,從而提供良好的層性質及有效的性能。
本發明涉及包含一或多種有機半導體材料及一或多種有機溶劑的調配物,其特徵為該調配物含有少於100 ppm的苯酚類雜質。
本發明的調配物包含一或多種有機半導體材料。該有機半導體材料可選自低分子量材料或聚合物材料。
再者該有機半導體材料可選自電洞注入、電洞傳送、電子阻擋、發光、電洞阻擋(hole blocking)、電子傳送、電子注入、介電及吸收材料。
本發明的調配物含有單一種有機半導體材料或兩種或更多種有機半導體材料的混合物。若本發明的調配物含有兩種或更多種有機半導體材料,則該混合物可由低分子量材料、聚合物材料或低分子量材料和聚合物材料的混合物組成,其中該聚合物材料可視需要地以聚合物材料的前驅物之形式存在。
若該有機半導體材料係為低分子量材料,則其較佳地具有≤ 5,000 g/ mol的分子量Mw
若該有機半導體材料係為聚合物,則其較佳地具有> 5,000 g/mol的分子量Mw
本發明的調配物包含一或多種有機溶劑。因此,本發明的調配物含有單一溶劑或兩種、三種或更多種有機溶劑的混合物。
在較佳具體實例中,該調配物質的至少一種溶劑具有≥90℃的沸點,較佳為≥150℃,更佳為≥200℃。
若本發明的調配物含有至少兩種不同溶劑,則該至少兩種不同溶劑中的兩種溶劑之沸點差異係≥10℃。
若本發明的調配物含有至少兩種不同溶劑,則該至少兩種不同溶劑中的兩種溶劑之蒸氣壓差係≥2倍,較佳為≥10倍。
調配物的組分,即該一或多種有機半導體以及該一或多種有機溶劑的選擇方式使得本發明的調配物具有較佳地≥ 1.5 mPas的黏度,更佳為≥ 2.0 mPas。
為了進一步改善本發明的調配物之性質,其可以含有添加物及/或助劑。於一個具體實例中,本發明的調配物含有至少一種聚合物黏合劑作為添加物。
本發明的另一個目的係本發明的調配物的製法。此目的係將該一或多種有機半導體材料溶於一或多種有機溶劑中然後過濾該調配物而達成。
本發明的另一個目的係本發明的調配物用於製備電子裝置的至少一層之用途。該電子裝置的至少一層的製備可藉由以下方式進行而沒有限制:浸塗、旋塗、噴墨印刷、噴嘴印刷(nozzle printing)、凸版印刷(letter-press printing)、網版印刷、凹版印刷、刮刀塗佈、滾筒印刷、反轉輥印刷(reverse-roller printing)、平版印刷、膠版印刷(flexographic printing)、網印(web printing)、噴霧塗佈、簾塗佈、刷塗佈、噴槍塗佈、狹縫式染料塗佈(slot dye coating)或移印(pad printing)。
因此,使用本發明的調配物製備至少一層的電子裝置亦為本發明的目的。較佳地,該電子裝置係選自有機發光二極體(OLED)、有機薄膜電晶體(organic thin-film transistor)(OTFT)、有機場效電晶體(organic field-effect transistor)(OFET)、太陽能電池、感測器、有機二極體及射頻識別裝置(radio-frequency identification device) (RFID)或此元件的陣列或此元件組成的電路。
本發明關於一種調配物,其包含一或多種有機半導體材料及一或多種有機溶劑,其中該調配物含有少於100 ppm的苯酚類雜質,較佳為少於50 ppm,更佳為少於30 ppm,最佳為少於10 ppm。
根據本發明的苯酚類雜質係如下列通式(I)的化合物:其中 R1 、R2 、R3 、R4 及R5 於各情況中相同或不同地為H、具有1至20個碳原子的直鏈烷基或具有3至20個碳原子的分支或環狀烷基,其中一或多個不相鄰的CH2 基團可被-O-、 -S-、-NR6 -、-CONR6 -、-CO-O-、-C=O-、-CH=CH-或 -CºC-取代,且其中一或多個氫原子可被F、或具有2至60個碳原子的芳基或雜芳基取代,且其中前述基團可被一或多個R6 基團取代,其中R3 及R4 可依序一起形成單環或多環狀、脂族、芳族或雜芳族環環系統;以及 R6 係於各情況中相同或不同,且係為H、具有1至20個碳原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至20個碳原子的分支或環狀烷基或烷氧基,且其中一或多個氫原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 或具有2至14個碳原子的芳基或雜芳基取代。
於第一具體實例中,該苯酚類雜質係溶劑的副產物,其係於溶劑製備期間形成。
因此,本發明的目的之一係為了使用溶劑製備本發明的調配物,該調配物的苯酚類雜質含量係少於100 ppm,其中該酚類雜質係副產物,它係於該溶劑製備期間形成。
於第二具體實例中,該苯酚類雜質係有機半導體的副產物,其在有機半導體的製備期間形成。
於第三個具體實例中,該苯酚類雜質係添加於本發明調配物的添加物之副產物,其中該添加物的副產物在該添加物的製備期間形成。
於本發明的一個較佳具體實例中,該有機半導體材料係選自低分子量材料。
若該有機半導體材料係低分子量材料,則其較佳分子量Mw 為≤5,000 g/ mol,更佳為≤2,000g/ mol,最佳為≤1,500 g/ mol。
該有機半導體材料可選自技術人員已知的標準材料,且在文獻中描述的分子量為至多5,000 g/mol。較佳地,該組合物包含有機發光材料及/或電荷傳送材料。根據本案的有機發光材料意指發射λmax 在300至800 nm範圍內的光之材料。
根據本發明的調配物可包含介於0.01與20重量%之間,較佳介於0.1與15重量%之間,更佳介於0.2與10重量%之間,最佳介於0.25與5重量%之間的有機發光材料及/或電荷傳送材料或相應的混合物。百分比數據關於100%的溶劑或溶劑混合物。
這裡使用的發光材料或電荷傳送材料(下面一起稱為有機半導體)係純組分或兩種或更多種組分的混合物。該有機發光材料及/或電荷傳送材料較佳地包括磷光化合物。
合適的磷光化合物特別是靠合適的激發發光,較佳於可見光區發光,並另外含有至少一個原子序數大於20,較佳大於38且小於84,更佳大於56且小於80的原子之化合物。所用的磷光發射體(phosphorescence emitter)較佳為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物,特別是含有銥或鉑的化合物。
特佳的有機磷光化合物係式(1)至(4)的化合物:其中 DCy 於各情況中相同或不同地為含有至少一個施體原子之環狀基團,較佳為氮、採碳烯(carbene)或磷形式的碳,該環狀基團經由該施體原子鍵結於金屬,且該施體原子可帶有一或多個取代基R1 ;基團DCy和CCy經由共價鍵彼此連接; CCy 於各情況中相同或不同地為含有碳原子的環狀基團,該環狀基團經由該碳原子鍵結於金屬,且該碳原子可帶有一或多個取代基R1 ; A 於各情況中相同或不同地為單陰離子雙牙螯合配位子(bidentate chelating ligand),較佳為二酮配體(diketonate ligand); R1 於各情況中相同或不同,且係F、Cl、Br、I、NO2 、CN、具有1至20個碳原子的直鏈、分支或環狀烷基或烷氧基,其中一或多個不相鄰的CH2 基團可被-O-、 -S-、-NR2 -、-CONR2 -、-CO-O-、-C=O-、-CH=CH-或-CºC-取代,且其中一或多個氫原子可被F或具有4至14個碳原子的芳基或雜芳基取代,且可被一或多個非芳族R1 基團取代,且在相同的環上或在兩個不同的環上的多個取代基R1 可一起形成單環或多環、脂族或芳族環系統;以及 R2 於各情況中相同或不同,且係具有1至20個碳原子的直鏈、分支或環狀烷基或烷氧基,其中一或多個不相鄰的CH2 基團可被-O-、-S-、-CO-O-、-C=O-、 -CH=CH-或-CºC-取代,且其中一或多個氫原子可被F或具有4至14個碳原子的芳基或雜芳基取代,且可被一或多個非芳族R1 基團取代。
在多個基團R1 之間形成環系統意指在DCy和CCy基團之間也可以存在橋。再者,在多個基團R1 之間形成環系統意指在兩個或三個配位體CCy-DCy之間或在一或兩個配位體CCy-DCy和配位體A之間也可存在橋,從而產生多牙或多足配位體系統。
上述發射體的實例由申請案WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、 EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 04/081017、WO 05/033244、WO 05/042550、WO 05/113563、 WO 06/008069、WO 06/061182、WO 06/081973及 DE 102008027005揭示。一般,如根據磷光OLED的先前技術使用及如有機電致發光領域的習知技藝者已知的所有磷光錯合物皆合適,且該領域的習知技藝者將能在不需進步性的情況下使用其他磷光化合物。特別是,該領域的習知技藝者已知磷光錯合物以哪種發光顏色發光。
較佳磷光化合物的實例係顯示於 WO2011/076325A1。
較佳的摻雜劑係選自單苯乙烯基胺、二苯乙烯基胺、三苯乙烯基胺、四苯乙烯基胺、苯乙烯基膦、苯乙烯基醚及芳基胺。單苯乙烯基胺意指含有一個經取代或未經取代的苯乙烯基及至少一個(較佳為芳族)胺之化合物。二苯乙烯基胺意指含有兩個經取代或未經取代的苯乙烯基及至少一個(較佳為芳族)胺之化合物。三苯基胺意指含有三個經取代或未經取代的苯乙烯基及至少一個(較佳為芳族)胺之化合物。四苯乙烯基胺意指含有四個經取代或未經取代的苯乙烯基及至少一個(較佳芳族)胺的化合物。苯乙烯基特佳為二苯乙烯,其也可以進一步被取代。對應的膦及醚以類似於胺的方式界定。為達本發明的目的,芳基胺或芳族胺意指含有三個直接鍵結於氮之經取代或未經取代的芳族或雜芳族環系統之化合物。這些芳族或雜芳族環系統中的至少一者較佳為稠合環系統,特佳為具有至少14個芳族環原子。其較佳實例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族䓛胺或芳族䓛二胺。芳族蒽胺意指其中一個二芳基胺基直接鍵結到蒽基的化合物,較佳於9-位。芳族蒽二胺意指兩個二芳基胺基直接鍵結於蒽基的化合物,較佳為9,10-位。芳族芘胺、芘二胺、䓛胺及䓛二胺以其類似方式界定,其中二芳基胺基較佳鍵結於芘的1位或1,6-位。進一步較佳的摻雜劑係選自茚并茀胺(indenofluoreneamine)或茚并茀二胺(例如根據 WO 06/122630)、苯并茚并茀胺或苯并茚并氟二胺(例如根據WO 08/006449)及二苯并茚并茀或二苯并茚并茀二胺(例如根據WO 07/140847)。苯乙烯基胺類摻雜劑的實例係經取代或未經取代的參(二苯乙烯基)胺或WO 06/000388、WO 06/058737、WO 06/000389、WO 07/065549及 WO 07/115610中描述的摻雜劑。再者,較佳為 DE 102008035413中揭示的縮合烴。
再者,合適的摻雜劑係表1中描畫的結構及JP 06/001973、WO 04/047499、WO 06/098080、 WO 07/065678、US 2005/0260442及WO 04/092111中揭示的這些結構之衍生物。
另一組摻雜劑係短(寡聚-)伸芳基伸乙烯基(例如根據EP 676461的DPVBi或螺-DPVBi)。
該放射層混合物中的摻雜劑比例係介於0.1與50.0重量%之間,較佳為介於0.5與20.0重量%之間,特佳為介於1.0與10.0重量%之間。相應地,主體材料的比例係介於50.0與99.9重量%之間,較佳為介於80.0與99.5重量%之間,特佳為介於90.0與99.0重量%之間。
用於此目的的合適主體材料係來自各種物質的材料。較佳的主體材料係選自以下種類:寡聚伸芳基(例如,根據EP 676461的2,2',7,7'-四苯基螺二茀或二萘基蒽),特別是含有縮合芳族基團的寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基(oligoarylenevinylene)、多足金屬錯合物(例如根據WO 04/081017)、電洞傳導化合物(例如根據 WO 04/058911)、電子傳導化合物(特別是酮、氧化膦、亞碸等等)(例如根據WO 05/084081和WO 05/084082)、阻轉異構體(atropisomer)(例如根據WO 06/048268)、硼酸衍生物(例如根據WO 06/117052)、苯并蒽(例如根據 WO 08/145239)、三嗪或苯并咪唑。再者,合適的主體材料還有上述根據本發明的苯并[c]菲化合物。除了根據本發明的化合物之外,特佳的主體材料係選自以下種類:含有萘、蒽、苯并蒽及/或芘的寡聚伸芳基或這些化合物的阻轉異構體、寡聚伸芳基伸乙烯基、酮、氧化膦和亞碸。除了根據本發明的苯并[c]菲蒽化合物之外,非常特佳的主體材料係選自以下種類:含有蒽、苯并蒽及/或芘的寡聚伸芳基或這些化合物的阻轉異構體。為了本發明的目的,寡聚伸芳基旨在意指至少三個芳基或伸芳基互相鍵結的化合物。
再者,合適的主體材料係,例如,表2中描畫的材料及這些材料的衍生物,如WO 04/018587、 WO 08/006449、US 5935721、US 2005/0181232、 JP 2000/273056、EP 681019、US 2004/0247937及 US 2005/0211958揭示的。
為了本發明的目的,電洞注入層係與陽極直接相鄰的層。為了本發明的目的,電洞傳送層係位於電洞注入層與放射層之間的層。其可能較佳為摻雜電子受體化合物 (electron-acceptor compound),例如摻雜F4 -TCNQ或EP1476881或EP1596445所述的化合物。
除了根據本發明的材料之外,合適的電荷傳送材料,如根據本發明的有機電致發光裝置之電洞注入或電洞傳送層中可能使用的或電子注入或電子傳送層中可能使用的,係例如Y. Shirota等人,Chem. Rev. 2007, 107(4),953-1010中揭示的,或根據先前技術於這些層中使用的其他材料。
根據本發明的電致發光裝置的電洞傳送或電洞注入層可使用的較佳電洞傳送材料實例係茚并茀胺及衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、 EP 1661888中揭示的胺衍生物、六氮聯伸三苯衍生物(例如根據WO 01/049806)、具有縮合芳族化合物的胺衍生物(例如根據US 5061569)、WO 95/009147中揭示的胺衍生物、單苯并茚基-茀胺(例如根據WO 08/006449)或二苯并茚并茀胺(例如根據WO 07/140847)。再者合適的電洞傳送及電洞注入材料係上述化合物的衍生物,如 JP 2001/226331、EP 676461、EP 650955、 WO 01/049806、US 4780536、WO 98/030071、 EP 891121、EP 1661888、JP 2006/253445、EP 650955、WO 06/073054及US 5061569中揭示的。
再者,合適的電洞傳送或電洞注入材料係例如表3中所示的材料。
根據本發明的電致發光裝置可使用的合適電子傳送或電子注入材料係例如表4所示的材料。再者合適的電子傳送和電子注入材料係上述化合物的衍生物,如 JP 2000/053957、WO 03/060956、WO 04/028217及 WO 04/080975所揭示的。
適用於本發明化合物的基質材料係酮、氧化膦、亞碸和碸(例如根據WO 04/013080、WO 04/093207、WO 06/005627或DE 102008033943)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如,如WO 05/039246、US 2005/0069729、 JP 2004/288381、EP 1205527或WO 08/086851中揭示的CBP(N,N-雙咔唑基聯苯)或咔唑衍生物)、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 07/063754或WO 08/056746)、氮雜咔唑(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、 JP 2005/347160)、雙極基質材料(例如根據 WO 07/137725)、矽烷(例如根據WO 05/111172)、氮雜硼咯或硼酸酯(例如根據WO 06/117052)、三嗪衍生物(例如根據DE 102008036982、WO 07/063754或WO 08/056746)或鋅錯合物(例如,根據DE 102007053771)。
更佳地電荷傳送材料可使用具有三苯并(triacene)結構如蒽及菲結構。三苯并結構意指具有正好三個縮合芳族環的縮合芳烴結構。關於本發明的這個具體實例,三苯并結構不包括稠四苯或稠五苯結構。
本發明的調配物可較佳包含0.1至10重量%,更佳為0.25至5重量%,最佳為0.5至4重量%的低分子量有機半導體材料。
於本發明的另一個較佳具體實例中,該有機半導體材料係選自聚合物材料。
若該有機半導體材料係聚合物,則其具有 >5,000 g/mol的分子量Mw ,較佳為至少20,000 g/mol,更佳為至少50,000 g/mol,最佳為至少100,000 g/mol。
利用分子量Mw 係於5,000至20,000,000 g/mol的範圍,較佳為於20,000至10,000,000 g/mol的範圍,更佳為於50,000至5,000,000 g/mol的範圍,最佳為於100,000至2,000,000 g/mol的範圍之有機半導體化合物可達成令人驚訝的效果。該有機半導體材料的分子量與重量均值有關。該重量平均分子量Mw 可藉由如凝膠滲透層析法(GPC)與聚苯乙烯標準物對照標準方法測量。
於本案中,“聚合物”用語意指聚合化合物及樹枝狀聚合物。根據本發明的聚合化合物較佳地具有10至10,000,更佳為20至5,000,最佳為50至2,000個結構單元。這裡聚合物的分支因數(branching factor)係於0(線性聚合物,無分支點)與1(完全分支的樹枝狀聚合物(fully branched dendrimer))之間。
於本發明的一個較佳具體實例中,可用於本發明的聚合物可含有如WO 02 / 077060A1、 WO 2005/014689 A2和WO 2010/136110 A2中揭示且大舉列出的結構單元。以引用的方式將這些併入本案中。其他結構單元可來自例如下列類別:   第1組:影響,較佳地增強,聚合物的電洞注入及/或電洞傳送性質的單元;   第2組:影響,較佳地增強,聚合物的電子注入及/或電子傳送性質的單元;   第3組:具有第1組和第2組各個單元之組合的單元;   第4組:將放射特性修飾到可獲得電致磷光而不是電致螢光之程度的單元;   第5組:改善從單重態到三重態之轉換的單元;   第6組:影響所得聚合物發射色彩的單元;   第7組:通常用作骨幹的單元;   第8組:影響生成聚合物之膜形態及/或流變性質的單元。
根據本發明的較佳聚合物係至少一個結構單元具有電荷傳送性質的聚合物,即含有第1組及/或第2組的單元的聚合物。
具有電洞注入及/或電洞傳送性質的第1組結構單元係例如三芳基胺、聯苯胺、四芳基-對-伸苯二胺、三芳基膦、吩噻嗪、吩噁嗪、二氫吩嗪、噻蒽、二苯并-對-二噁英(dibenzo-para-dioxin)、苯氧基啡噻、咔唑、薁、噻吩、吡咯及呋喃衍生物,還有具有高HOMO(HOMO =最高佔用分子軌域(highest occupied molecular orbital))之含O、S或N的雜環。這些芳基胺及雜環化合物較佳導致聚合物中的HOMO大於-5.8 eV(相對於真空水準),特佳為大於-5.5 eV。
具有電子注入及/或電子傳送性質的第2組之結構單元係例如吡啶、嘧啶、噠嗪、吡嗪、噁二唑、喹啉、喹諾啉、蒽、苯并蒽、芘、苝、苯并咪唑、三嗪、酮、氧化膦及吩嗪衍生物,還有三芳基硼烷及具有低LUMO(LUMO=最低未佔用分子軌域(lowest unoccupied molecular orbital))的其他含O、S或N的雜環。聚合物中的這些單元較佳導致LUMO小於-1.9 eV(相對於真空水準),特佳為小於-2.5 eV。
根據本發明的聚合物可較佳含有第3組的單元,其中增加電洞遷移率(hole mobility)的結構及增加電子遷移率的結構(即第1組和第2組單元)彼此直接鍵結或與增加電洞遷移率和電子遷移率的結構鍵結。這些單元中的一些可用作發射體並將發射顏色轉換為綠色、黃色或紅色。因此,它們的使用適合於例如從最初發藍光的聚合物產生其他發射顏色。
第4組的結構單元,即所謂的三重態發射體單元,即使於室溫下也能夠以高效率從三重態發光,即表現出電致磷光而不是電致螢光,這經常造成能源效率提高。為了本案的目的,三重態發射體單元意指包含三重態發射體的化合物。為了本案的目的,三重態發射體意指通過從三重態轉變為能量較低的狀態而能夠放射可見光或NIR區的光之所有化合物。這也被稱為磷光。適用於此目的的是首先含有原子序大於36的重原子之化合物。較佳為含有滿足上述條件的d-或f-過渡金屬之化合物。這裡特佳為含有8至10族元素(Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt)的對應結構單元。這裡根據本發明的聚合物之合適結構單元係例如以下所述的各種錯合物,例如WO 02/068435A1、 WO 02/081488A1及EP 1239526 A2。對應的單體係描述於WO 02/068435 A1及WO 2005/042548 A1。
根據本發明,較佳為使用於可見光譜區域(紅色、綠色或藍色)放射的三重態發射體。
該三重態發射體可為聚合物骨鏈(即於聚合物主鏈中)的一部分或可以位於該聚合物的側鏈中。
第5組的結構單元係那些改善從單重態到三重態的轉移之結構單元者及那些用於支持上述三重態發射體單元中改善這些結構元素的磷光性質者。特別適合於此目的的是咔唑及橋聯咔唑二聚體單元,例如 WO 2004/070772 A2和WO 2004/113468 A1所描述的。適用於此目的的還有酮、氧化膦、亞碸、碸、矽烷衍生物及類似化合物,例如WO 2005/040302 A1所描述的。
第6組的結構單元係具有至少一個不屬於上述基團的另外的芳族結構或另一個共軛結構者,即對電荷載子遷移率影響很小者,不是有機金屬錯合物或不影響單重態-三重態轉移。此種結構元素會影響所得聚合物的發射顏色。因此,取決於裝置,其也可以用作發射體。這裡較佳為具有6至40個碳原子的芳族結構,還有可被一或多個基團取代的二苯乙炔(tolan)、二苯乙烯或雙苯乙烯基伸芳基衍生物。這裡特佳為併入1,4-伸苯基、1,4-伸萘基、1,4-或9,10-伸蒽基、1,6-、2,7-或4,9-伸芘基、3,9-或3,10-伸苝基、4,4'-伸聯苯基、4,4"-伸聯三苯基、4,4'-雙-1,1'-伸萘基、4,4'-伸二苯乙炔基、4,4'-伸二苯乙烯基、4,4"-雙苯乙烯基伸芳基、苯并噻二唑及對應的氧衍生物、喹諾啉、吩噻嗪、吩噁嗪、二氫吩嗪、雙(噻吩基)伸芳基、寡聚(伸噻吩基)、吩嗪、紅螢烯、稠五苯或苝衍生物,其較佳為經取代的,或較佳為共軛推-拉系統(被施體及受體取代基取代的系統)或較佳為經取代的系統如方酸菁(squarine)或喹吖酮(quinacridone)。
第7組的結構單元係含有具有6至40個碳原子的芳族結構之單元,其通常用作聚合物骨幹。這些是例如4,5-二氫芘衍生物、4,5,9,10-四氫芘衍生物、茀衍生物、9,9'-螺二茀衍生物、菲衍生物、9,10-二氫菲衍生物、5,7-二氫-二苯并噁呯衍生物及順式-和反式-茚并茀衍生物,但是原則上還有所有類似結構,其於聚合之後將產生共軛的橋聯或未橋聯聚伸苯基或聚伸苯基-伸乙烯基均聚物。這裡,前述芳族結構的主鏈或側鏈中也可含有如O、S或N的雜原子。
第8組的結構單元係那些影響聚合物的膜形態性質及/或流變性質者例如矽氧烷、長烷基鏈或氟化基團,但是還有特別是剛性或撓性單元,例如液晶形成單元或可交聯基團。
上述第1至8組單元及其它放射單元的合成係該領域的習知技藝者已知的並描述於文獻中,例如 WO 2005/014689A2、WO 2005/030827 A1、 WO 2005/030828 A1和WO 2010/136110 A2。這些文獻和其中引用的文獻係以引用的方式併入本案。
可用於本發明的聚合物可含有一或多種選自第1至8組的單元。再者,較佳為可同時存有來自一組的多於一種結構單元。
可合成發白光共聚物的方式係詳細描述於例如WO 2005/030827 A1、WO 2005/030828 A1和 WO 2010/136110 A2。
利用一或多種具有高溶解度的聚合有機半導體材料可達成驚人的改進效果。較佳的聚合有機半導體材料可包含Hd 於17.0至20.0 MPa0.5 範圍中、Hp 於2至10.0 MPa0.5 範圍中及Hh 於0.0至15.0 MPa0.5 範圍中的漢森溶解度參數(Hansen Solubility parameter)。更佳的有機半導體材料包含Hd 於17.5至19.0 MPa0.5 範圍中、Hp 於3.5至8.0 MPa0.5 範圍中及Hh 於3.0至10.0 MPa0.5 範圍中的漢森溶解度參數。
根據漢森溶解度參數測定的半徑為至少3.0 MPa0.5 ,較佳為至少4.5 MPa0.5 ,更佳為至少5.0 MPa0.5 的有機半導體材料可達成令人驚訝的效果。
漢森溶解度參數可參考Hansen Solubility Parameters:由Hanson和Abbot等人提供的用戶手冊,第二版,CM Hansen(2007),Taylor and Francis Group,LLC,根據Hansen Solubility Parameters in Practice HSPiP第3版(軟件版本3.0.38)測定。
位置Hd 、Hp 及Hh 係有機半導體化合物中心於3維空間中的座標,而半徑給予溶解度擴展的距離,即若半徑大,則其包含更多可能溶解材料的溶劑,反之,若其係小的,那麼有限數量的溶劑可能溶解有機半導體材料。
根據本發明的特定態樣,該有機半導體材料可包含高玻璃轉移溫度。較佳地,根據DIN 51005測定,該有機半導體材料的玻璃轉移溫度較佳可為至少70℃,更佳為至少100℃,最佳為至少125℃。
根據本發明的特定具體實例,該有機半導體化合物(OSC)可用作例如OFET的半導體通道中之活性通道材料,或用作有機整流二極體的層元件。
於OFET裝置的案例中,其中OFET層含有OSC作為活動通道材料,其可為n型或p型OSC。半導體通道也可為兩種或更多種相同類型的OSC化合物之錯合物,即n型或p型。再者,為了摻雜OSC層的效果,p型通道OSC化合物可例如與n型OSC化合物混合。也可以使用多層半導體。例如,OSC可為絕緣體界面附近的本徵,且可於該本徵層(intrinsic layer)旁邊另外塗佈高摻雜區域。
較佳的有機半導體化合物具有大於1×10-5 cm2 V-1 s-1 的FET電荷載子遷移率,更佳為大於1×10-2 cm2 V-1 s-1
有機發光材料及電荷傳送材料可選自該領域的習知技藝者已知且描述於文獻中的標準材料。根據本案的有機發光材料意指發射λmax 於400至700nm範圍內的光之材料。
根據本發明的特定具體實例,該組合物較佳包含0.1至10重量%,更佳為0.25至5重量%,最佳為0.5至4重量%的分子量為至少10,000 g/mol的有機半導體材料,較佳為放射材料及/或電荷傳送材料。
另外較佳為不採純物質形式,而是採與任何所需類型的其他聚合物、寡聚物、樹枝狀聚合物或低分子量物質在一起的混合物之形式使用分子量為至少10,000 g/mol的有機半導體化合物(OSC)。這些可例如改善電子性質或自身放射。於上下文中,混合物意指包含至少一種聚合物組分或膜形成小分子組分的組合物。
本發明的調配物包含一或多種有機溶劑。因此,本發明的調配物含有單一種溶劑或兩種、三種或更多種有機溶劑的混合物。
於較佳的具體實例中,該調配物的至少一種溶劑之沸點係≥90℃,較佳為≥150℃,更佳為≥200℃。
若本發明的調配物含有至少兩種不同的溶劑,則該至少兩種不同溶劑中的兩種溶劑的沸點差異係 ≥10℃。
若本發明的調配物含有至少兩種不同溶劑,則該至少兩種溶劑中的兩種溶劑之蒸氣壓差係≥2倍,較佳為≥10倍。
本發明的調配物包含一或多種有機溶劑,較佳為至少一種芳族溶劑。溶劑較佳為選自由以下所組成的群組:芳烴,像是甲苯、鄰-、間-或對-二甲苯、三甲基苯(例如1,2,3-、1,2,4-和1,3,5-三甲基苯)、四氫萘、其他單、二、三和四烷基苯(例如二乙基苯、甲基異丙苯、四甲基苯等等)、芳香醚(例如苯甲醚、烷基苯甲醚(例如甲基苯甲醚的2種、3種和4種異構物、二甲基苯甲醚的2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-和3,5-異構物)、萘衍生物、烷基萘衍生物(例如1-和2-甲基萘)、二和四氫化萘衍生物。也較佳為芳族酯(例如苯甲酸烷酯)、芳族酮(例如苯乙酮、苯丙酮)、烷基酮(例如環己酮)、雜芳族溶劑(例如噻吩、單、二和三烷基噻吩、2-烷基噻唑、苯并噻唑等等、吡啶類))、鹵代伸芳基和苯胺衍生物。這些溶劑可包含鹵素原子。
特佳為:3-氟三氟甲基苯、三氟甲基苯、二噁烷、三氟甲氧基苯、三氟化4-氟乙烯、3-氟吡啶、甲苯、3-苯氧基甲苯、2-氟甲苯、三氟化2-氟乙烯、3-氟甲苯、吡啶、4-氟甲苯、2,5-二氟甲苯、1-氯-2,4-二氟苯、2-氟吡啶、3-氯氟苯、1-氯-2,5-二氟苯、4-氯氟苯、氯苯、2-氯氟苯、對-二甲苯、間-二甲苯、鄰-二甲苯、2,6-二甲基吡啶(2,6-lutidine)、2-氟-間-二甲苯、3-氟-鄰-二甲苯、三氟化2-氯苯、二甲基甲醯胺、2-氯-6-氟甲苯、2-氟苯甲醚、苯甲醚、2,3-二甲基吡嗪、溴苯、4-氟苯甲醚、3-氟苯甲醚、3-三氟甲基苯甲醚、2-甲基苯甲醚、苯乙醚(phentol)、苯二氧雜環戊烯(benzenedioxol)、4-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-氟-3-甲基苯甲醚、1,2-二氯苯、2-氟苯腈、4-氟藜蘆醚(4-fluoroveratrol)、2,6-二甲基苯甲醚、苯胺、3-氟苯腈、2,5-二甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、苯腈、3,5-二甲基苯甲醚、N,N-二甲基苯胺、1-氟-3,5-二甲氧基苯、乙酸苯酯、N-甲基苯胺、苯甲酸甲酯、N-甲基吡咯烷酮、嗎啉、1,2-二氫萘、1,2,3,4-四氫萘、鄰-甲苯基甲腈、藜蘆醚、苯甲酸乙酯、N,N-二乙基苯胺、苯甲酸丙酯、二乙二醇丁基甲基醚、1-甲基萘、苯甲酸丁酯、2-甲基聯苯、2-苯基吡啶或2,2'-聯甲苯(2,2'-Bitolyl)。
更佳為芳烴,尤其是甲苯、二甲基苯(二甲苯)、三甲基苯、四氫萘和甲基萘、芳族醚,尤其是苯甲醚和芳香酯,尤其是苯甲酸甲酯。
最佳為芳族醚,尤其是苯甲醚及其衍生物,如烷基苯甲醚、和芳族酯,尤其是苯甲酸甲酯。
這些溶劑可採單獨溶劑使用,也可採兩種、三種或更多種的混合物使用。
如表5所示,較佳的有機溶劑可包含Hd 於17.0至23.2 MPa0.5 範圍中、Hp 於0.2至12.5 MPa0.5 範圍中及Hh 於0.9至14.2 MPa0.5 範圍中的漢森溶解度參數。更佳的有機半導體材料包含Hd 於18.5至21.0 MPa0.5 範圍中、Hp 於2.0至6.0 MPa0.5 範圍中及Hh 於2.0至6.0 MPa0.5 範圍中的漢森溶解度參數。
較佳地,該溶劑於所用壓力,非常佳於大氣壓力(1013 hPa)具有<300℃的沸點或昇華溫度。汽化也可加速,例如藉由加熱及/或減壓。
通常,有機溶劑可包含至少28 mN/m的表面張力,較佳為至少30 mN/m,更佳為至少32 mN/m,最佳為至少35 mN/m。於25℃下表面張力可使用FTA(First Ten Angstrom)125接觸角測角計測量。該方法的細節可從Roger P. Woodward博士出版的First Ten Angstrom “Surface Tension Measurements Using the Drop Shape Method”獲得。較佳地,可使用懸滴法(pendant drop method)測定表面張力。
為了進行粗略估計,表面張力可使用漢森溶解度參數藉由Hansen Solubility Parameters:用戶手冊,第二版,C.M. Hansen(2007),Taylor and Francis Group,LLC(HSPiP手冊),中詳述的公式計算。 表面張力=0.0146×(2.28×Hd 2 +Hp 2 +Hh 2 )×MVol0.2 ,其中: Hd 表示分散因素 Hp 表示極性因素 Hh 表示氫鍵因素 MVol表示莫耳體積。
漢森溶解度參數可根據Hanson和Abbot等人提供的Hansen Solubility Parameters in Practice(HSPiP)程式(第2版)測定。
較佳地,該溶劑可包含至少0.01,較佳地至少0.1,較佳地至少0.5,更佳地至少5,更佳地至少10,最佳地至少20的相對汽化速率(乙酸丁酯=100)。該相對汽化速率可根據DIN 53170:2009-08測定。為了進行粗略估計,該相對汽化速率可使用漢森溶解度參數以上下文提到的HSPiP程式計算。
本發明的調配物包含較佳地至少70重量%,更佳地至少80重量%,最佳地至少90重量%的一或多種有機溶劑。
為了進一步改變本發明的調配物的性質,其可含有添加物及/或助劑。於一個具體實例中,本發明的調配物以添加物方式含有至少一種聚合物材料作為惰性黏合劑。這意指該聚合物不具有半導體特性或不會與組合物中的任何半導體化合物發生化學反應。該惰性聚合物黏合劑的低導電性可經測定為低介電常數。根據本發明的較佳黏合劑係低介電常數的材料,即於1,000 Hz的介電常數(ε)為3.3或更小者。該有機黏合劑較佳地於1,000 Hz的介電常數係小於3.0,更佳為2.9或更小。較佳地,該有機黏合劑於1,000 Hz的介電常數係大於1.7。特佳地該黏合劑的介電常數係於2.0至2.9範圍中。上下文中使用的措辭”發生化學反應”表示在用於製造、儲存、運輸及/或使用該調配物,OLED裝置、OTFT裝置、OFET裝置、太陽能電池、感測器、有機二極體及RFID裝置的條件下,非導電添加物與有機發光材料及/或電荷傳送材料的可能氧化或其他化學反應。
較佳地,該聚合物黏合劑包含1,000至50,000,000 g/mol,更佳為1,500至10,000,000 g/mol,最佳為2,000至5,000,000 g/mol的重量平均分子量。使用重量平均分子量較佳地≥10,000g/ mol,更佳地≥100,000g/ mol的聚合物可達成令人驚訝的效果。
特別地,該聚合物的聚分散度指數Mw /Mn 可於1.0至10.0範圍中,更佳地於1.1至5.0範圍中,最佳地於1.2至3範圍中。
通常,該聚合物黏合劑可分散或可溶於如上下文所述的本發明組合物的溶劑中。較佳地,該聚合物黏合劑可溶於有機溶劑中,且該溶劑中聚合物黏合劑的溶解度係至少1 g/l,更佳地至少5 g/l,最佳地至少10 g/l。
根據本發明的特定具體實例,該組合物可包含較佳地0.1至10重量%,更佳地0.25至5重量%,最佳地0.5至4重量%的聚合物黏合劑。
根據特定具體實例,該聚合物黏合劑較佳地包含衍生自苯乙烯及/或烯烴的重複單元。較佳的聚合物黏合劑可包含至少80重量%,較佳地90重量%,更佳地99重量%之衍生自苯乙烯單體及/或烯烴的重複單元。
苯乙烯單體在本領域中是眾所周知的。這些單體包括苯乙烯、側鏈有烷基取代基的經取代之苯乙烯(如α-甲基苯乙烯和α-乙基苯乙烯)、環上有烷基取代基的經取代之苯乙烯(如乙烯基甲苯和對-甲基苯乙烯)、鹵代苯乙烯(如單氯苯乙烯、二氯苯乙烯、三溴苯乙烯和四溴苯乙烯)。
烯烴係由氫和碳原子組成的單體。這些單體包括乙烯、丙烯、丁烯、異戊二烯和1,3-丁二烯。
根據本發明的特定態樣,該聚合物黏合劑是重量平均分子量於50,000至2,000,000 g/mol範圍中的聚苯乙烯,較佳地100,000至750,000 g/mol,更佳地於150,000至600,000 g/mol範圍中,最佳地於200,000至500,000 g/mol範圍中。
根據本發明的另一個具體實例,該聚合物黏合劑係重量平均分子量於40,000至120,000 g/mol範圍中,更佳地於60,000至100,000 g/mol範圍中的聚-4-甲基苯乙烯。
特別地,該黏合劑可為重量平均分子量於1,000至20,000 g/mol範圍中,更佳地於1,500至6,000 g/mol範圍中的聚-α-甲基苯乙烯。
可用且較佳的聚合物黏合劑包含Hd 於15.7至23.0 MPa0.5 範圍中、Hp 於0.0至20.0 MPa0.5 範圍中及Hh 於0.0至12.5 MPa0.5 範圍中的漢森溶解度參數。更佳的有機半導體材料包含Hd 於17.0至21.0 MPa0.5 範圍中、Hp 於1.0至5.0 MPa0.5 範圍中及Hh 於2.0至10.0 MPa0.5 範圍中的漢森溶解度參數。最佳的聚合物黏合劑包含Hd 於19.0至21.0 MPa0.5 範圍中、Hp 於1.0至3.0 MPa0.5 範圍中及Hh 於2.5至5.0 MPa0.5 範圍中的漢森溶解度參數。
漢森溶解度參數可根據Hanson和Abbot等人提供的Hansen Solubility Parameters in Practice(HSPiP)程式(第2版)測定。
可用的聚合物黏合劑之實例係揭示於WO2011/076325 A1的表1中。
根據本發明的較佳具體實例,該惰性黏合劑係玻璃轉移溫度於-70至160℃範圍中,較佳地於0至150℃範圍中,更佳地於50至140℃範圍中,最佳地於70至130°C範圍中的聚合物。該玻璃轉移溫度可藉由測量聚合物的DSC(DIN EN ISO 11357,加熱速率10℃/分鐘)測定。
根據本發明的調配物可另外包含一或多種其他組分,像是例如表面活性化合物、潤滑劑、潤濕劑、分散劑、疏水劑、黏著劑、流動改進劑、消泡劑、脫氣劑、可能是反應性或非反應性的稀釋劑、助劑、著色劑、染料、敏化劑、安定劑、或抑制劑。
利用揮發性潤濕劑可達成令人驚訝的改進效果。上下文使用的“揮發性”用語意指該試劑可在將這些材料沉積於OLED裝置、OTFT裝置、OFET裝置、太陽能電池、感測器、有機二極體或RFID裝置的基板上之後,在不顯著損壞這些材料或裝置的條件(如溫度及/或減壓)下藉由汽化從有機半導體材料中除去。較佳地,這意指潤濕劑於所用壓力,非常佳地於大氣壓力(1013 hPa)具有<350℃,更佳地£300℃,最佳地£250℃的沸點或昇華溫度。汽化也可加速,例如藉由加熱及/或減壓。
藉由包含具有相似沸點的揮發性組分之組合物可達成令人驚奇的效果。較佳地,潤濕劑與有機溶劑的沸點差異係於-50℃至50℃範圍中,更佳地於-30℃至30℃範圍中,最佳地於-20℃至20℃範圍中。
較佳的潤濕劑是非芳族化合物。更佳地潤濕劑係非離子型化合物。特別有用的潤濕劑包含至多35 mN/m,較佳地至多30 mN/m,更佳地至多25 mN/m的表面張力。於25℃下表面張力可使用FTA(First Ten Angstrom) 125接觸角測角計測量。該方法的細節可從Roger P. Woodward博士出版的First Ten Angstrom “Surface Tension Measurements Using the Drop Shape Method”獲得。較佳地,可使用懸滴法測定表面張力。
根據本發明的特定態樣,有機溶劑與潤濕劑的表面張力差異較佳為至少1 mN/m,較佳地至少5 mN/m且更佳地至少10 mN/m。
根據本發明的特定態樣,潤濕添加物可包含至少0.01,較佳地至少0.1,較佳地至少0.5,更佳地至少5,更佳地至少10且最佳地至少20的相對汽化速率(乙酸丁酯= 100)。
利用包含具有類似相對汽化速率(丁基乙酸酯=100)的溶劑和潤濕劑之組合物可達成意想不到的改進。較佳地,潤濕劑和有機溶劑的相對汽化速率(乙酸丁酯=100)之差異係於-20至20範圍中,更佳地於-10至10範圍中。根據本發明的較佳具體實例,潤濕劑的相對汽化速率(乙酸丁酯=100)對有機溶劑的相對汽化速率(乙酸丁酯= 100)之比率可介於230:1至1:230,較佳為20:1至1:20,更佳為5:1至1:5。
藉由包含分子量至少100 g/mol,較佳地至少150 g/mol,更佳地至少180 g/mol,最佳地至少200 g/mol的潤濕劑可達成意想不到的改進。不會氧化或與OSC材料發生化學反應之合適且較佳的潤濕劑係選自由矽烷、烷、胺、烯、炔、醇及/或這些化合物的鹵代衍生物組成的群組。再者,可使用氟醚、氟酯及/或氟酮。更佳地、這些化合物係選自具有6至20個碳原子,特別是8至16個碳原子的甲基矽氧烷;C7 -C14 烷、C7 -C14 烯、C7 -C14 炔、具有7至14個碳原子的醇、具有7至14個碳原子的氟醚、具有7至14個碳原子的氟酯及具有7至14個碳原子的氟酮。最佳的潤濕劑係具有8至14個碳原子的甲基矽氧烷。
WO 2011/076325 A1中揭示作為潤濕劑之可用且較佳的化合物的實例。
較佳地,該調配物較佳地包含至多5重量%,更佳地至多3重量%,最佳地至多1重量%的潤濕添加物。較佳地,該組合物包含0.01至5重量%,更佳地0.05至3重量%且最佳地0.1至1重量%的潤濕劑。
較佳地,應該選擇溶劑使其可以自包含有機半導體材料的塗佈或印刷層與潤濕劑一起汽化,較佳地於相同的加工步驟中汽化。應選擇用於除去溶劑和揮發性添加物的加工溫度,使得包含有機半導體材料的層不被損壞。較佳的沉積處理溫度係從0℃至135℃,更佳為10℃至100℃,最佳為10℃至80℃。
較佳地,本發明的調配物可包含20至60 mN/m,更佳地25至45 mN/m的表面張力。表面張力可使用如上下文所述的FTA(First Ten Angstrom)125接觸角測角計測量。該表面張力可藉由以適當方式選擇有機半導體材料和溶劑達成。如上所述使用漢森溶解度參數為該領域的習知技藝者提供有用的幫助。再者,表面張力可藉由使用潤濕劑,較佳地如上所述的揮發性潤濕劑達成。
較佳地,該調配物的黏度係於1.5至100 mPas範圍中,較佳地於2.0至40 mPas範圍中,更佳地於2.1至20 mPas範圍中,最佳地於2.1至15 mPas範圍中。該黏度係於25℃的溫度藉由於TA Instruments製造的AR-G2流變儀上測量所測定。這是使用平行板幾何形狀測量的。
本發明的另一個目的是本發明調配物的製備方法。該目的的達成在於將一或多種有機半導體材料溶於一或多種有機溶劑中(即調配物的製備),之後過濾調配物。較佳地,調配物係於其製備以後藉由使用一或多個膜過濾器進行過濾。更佳地,調配物係於其製備以後藉由使用一或多個孔徑≤2μm,較佳地孔徑≤500 nm,更佳地孔徑≤200 nm且最佳地孔徑選自≤50至≤200 nm的範圍之膜過濾器過濾。
在製備裝置的程序中,將包含有機半導體材料的層沉積於基板上,然後將溶劑與存有的任何揮發性添加物一起除去,以形成膜或層。
該基板可為適用於製備OLED、OTFT、OFET、太陽能電池、感測器、有機二極體或RFID裝置的任何基板,或也可以為OLED、OTFT、OFET、太陽能電池、感測器、有機二極體或RFID裝置,或其一部分。合適且較佳的基板係例如玻璃;ITO塗佈玻璃;具有包括PEDOT、PANI的預塗層之ITO玻璃;聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺的撓性膜;及具有ITO的撓性膜;或其他導電層及阻擋層(例如Vitex膜)。
包含有機半導體材料的層之沉積可藉由該領域的習知技藝者已知的並描述於文獻中的標準方法達成。合適且較佳的沉積方法包括液體塗佈及印刷技術。非常佳的沉積方法包括但不限於浸塗、旋塗、噴墨印刷、噴嘴印刷(nozzle printing)、凸版印刷(letter-press printing)、網版印刷、凹版印刷、刮刀塗佈、滾筒印刷、反轉輥印刷(reverse-roller printing)、平版印刷、膠版印刷(flexographic printing)、網印(web printing)、噴霧塗佈、簾塗佈、刷塗佈、噴槍塗佈、狹縫式染料塗佈(slot dye coating)或移印(pad printing)。特佳為凹版印刷、膠版印刷及噴墨印刷。
較佳地藉由汽化達成溶劑及任何揮發性導電添加物的移除,例如藉由將沉積層暴露於高溫及/或減壓,較佳地於0℃至135℃,更佳地10℃至100℃,最佳地10℃至80℃的溫度。
包含有機半導體材料的層之厚度較佳為1 nm至10μm,更佳為1 nm至500 nm,最佳為2至150 nm。
除了上下文所述的材料和方法之外,OLED裝置、OTFT裝置、OFET裝置、太陽能電池、感測器、有機二極體或RFID裝置及其組件可由該領域的習知技藝者已知且描述於文獻中的標準材料和標準方法製備。
咸能理解可對本發明的前述具體實例進行變化,同時仍然落入本發明範圍中。除非另行指明,否則本說明書揭示的每個特徵皆可藉由用於相同、等效或類似目的的替代特徵代替。因此,除非另行指明,否則經揭示的每個特徵僅為一系列等效或類似特徵中的一個實例。
除了這些特徵及/或步驟中的至少一些互斥組合之外,本說明書揭示的所有特徵皆可以任何組合進行組合。特別地,本發明的較佳特徵適用於本發明的所有態樣,且可以任何組合使用。同樣地,非必要組合中描述的特徵可單獨使用(不組合使用)。
咸能理解上述許多特徵,特別是較佳的具體實例,本身就是獨創性的,而不僅僅是本發明的具體實例的一部分。除了目前請求保護的任何發明之外或可供選擇地,可尋求對這些特徵的獨立保護。
除非上下文另有明確指明,否則用於本文時本文中措辭的複數形式應解釋為包括單數形式,反之亦然。
在本說明書的整個說明和申請專利範圍中,詞語“包含”和“含有”及該詞語的變體例如“包含”意指“包括但不限於”,且旨不在(且沒要)排除其他組件。
“聚合物”用語包括均聚物和共聚物,例如統計、交替或嵌段共聚物。此外,下文中使用的措辭”聚合物”還包括寡聚物和樹枝狀聚合物。樹枝狀聚合物通常是由多官能性核心基團組成的分支巨分子化合物,在該核心基團上以規則的方式加入另外的分支單體,以產生樹狀結構,如例如M. Fischer和F.Vögtle,Angew. Chem., Int. Ed. 1999, 38, 885中所述的。
“共軛聚合物”用語意指其骨幹(或主鏈)中主要含有具有sp2 -混成,或視需要的sp-混成之碳原子的聚合物,該碳原子也可被雜原子取代,使得一個π-軌道與另一個π-軌道能跨越中介σ-鍵交互作用。於最簡單的情況下,這是例如具有交替碳-碳(或碳-雜原子)單和多(例如雙或三)鍵的骨幹,但是也包括具有像是1,3-伸苯基的單元之聚合物。在這方面,“主要”意指具有可能導致共軛中斷的天然(自發)缺陷之聚合物仍然被認為是共軛聚合物。在該含義中還包括骨幹包含例如芳基胺、芳基膦及/或某些雜環(即經由N-、鄰-、對-或S-原子共軛)及/或金屬有機錯合物(即經由金屬原子共軛)的聚合物。“共軛連接基”用語意指連接兩個由具有sp2 -混成或sp-混成的碳原子或雜原子組成的環(通常是芳環)之基團。另見“IUPAC化學術語彙編,電子版”。
除非另行指明,否則分子量以數量平均分子量Mn 或重量平均分子量Mw 提供,該分子量除非另行指明,否則藉由凝膠滲透層析法(GPC)與聚苯乙烯標準物對照而測定。
聚合度(n)意指數量平均聚合度,除非另行指明,否則假設n=Mn /MU ,其中MU 是單一重複單元的分子量。
“小分子”用語意指單體,即非聚合化合物。
除非另行指明,固體百分比係重量百分比(“重量%”),液體百分比或比例(例如於溶劑混合物中)係體積百分比(“體積%”),且所有溫度皆以攝氏度(℃)提供。
除非另行指明,否則以百分比或ppm提供之混合物組分(如導電添加物)的濃度或比例與包括溶劑在內的整個調配物質有關。
現在將參考下列實施例更詳細地描述本發明,這些實施例僅為例示性,並不會限制本發明的範疇。工作實施例 製造程序說明
於異丙醇中使用超聲波處理,然後用去離子水清洗覆蓋有預先結構化的ITO和觸排材料(bank material)的玻璃基板,然後使用氣槍乾燥,隨後於230℃的加熱板上退火2小時。
使用如PCT/EP2015/002476所述的聚合物(例如聚合物P2)和鹽(例如鹽D1)的組合物之電洞注入層(HIL)係以16 g/L的濃度溶於3-苯氧基甲苯。然後將HIL墨水噴墨印刷於基板上並真空乾燥。然後使HIL於185℃於空氣中退火30分鐘。
於HIL頂部上,將電洞傳送層(HTL)噴墨印刷,真空乾燥,並於210℃在氮氣氛中退火30分鐘。至於電洞傳送層的材料,使用以7 g/l的濃度溶於3-苯氧基甲苯中之聚合物HTM-1。聚合物HTM-1的結構如下:
也將綠光放射層(G-EML)噴墨印刷,真空乾燥並於160℃在氮氣氛中退火10分鐘。用於綠光放射層的墨水含有兩種主體材料(即HM-1和HM-2)以及一種於沒有(參考例1)以及含有濃度為12 g/l的苯酚型雜質(實施例1的3-(2-甲基苯基)酚和實施例2的Irganox)之3-苯氧基甲苯中製備的三重態發射體(EM-1)。材料以下列比例使用:HM-1:HM-2:EM-1 = 40:40:20。材料的結構如下:
所有噴墨印刷方法在黃光及環境條件下進行。
然後將裝置轉移至真空沉積室中,在裡面使用熱汽化完成共同電洞阻擋層(HBL)、電子傳送層(ETL)及陰極(Al)。然後於手套箱中封裝該裝置並於環境空氣中進行物理特性分析。
於電洞阻擋層(HBL)中,ETM-1用作電洞阻擋材料。該材料具有下列結構:
於電子傳輸層(ETL)中,使用ETM-1和LiQ的50:50混合物。LiQ係8-羥基喹啉鋰。
所有裝置(噴墨印刷及旋塗裝置)均由Keithley 230電壓源提供的恆定電壓驅動。使用兩台Keithley 199 DMM萬用電錶測量裝置上的電壓及通過裝置的電流。用SPL-025Y亮度感測器檢測設備的亮度,該感測器係光電二極體與光子濾波器的組合。用Keithley 617靜電計測量光電流。對於光譜,亮度感測器由連接到光譜儀輸入部的玻璃纖維代替。在具有初始亮度的給定電流下測量裝置壽命。然後藉由校準的光電二極體隨時間測量亮度。 表1:含有及不含苯酚類雜質的溶劑系統。 雜質“無*”表示:雜質低於檢測極限(即10 ppm)結果與討論
表2總結於1000 cd/m2 的發光效率及外部量子效率(EQE),以及於6000 cd/m2 的裝置壽命(LT80)。工作實施例中的裝置顯示類似於參考例的效率。然而,實施例的壽命證明值比參考例低。這表示苯酚類雜質使裝置運轉壽命縮短約30%。因此,我們應該除去苯酚類雜質或使其於OLED墨水中盡可能保持於低量。
實施例2及3:這些OLED裝置的效率與參考例2及3相比也顯示出較低值。

Claims (18)

  1. 一種具有低含量苯酚類雜質的調配物,其包含一或多種有機半導體材料及一或多種有機溶劑,其特徵在於該調配物含有少於100ppm的苯酚類雜質,其中該苯酚類雜質係是副產物,其係於該溶劑製備期間及/或係於該有機半導體的製備期間形成。
  2. 如申請專利範圍第1項之調配物,其中該苯酚類雜質係如下列通式(I)的化合物
    Figure 107122213-A0305-02-0051-1
    其中R1、R2、R3、R4及R5 於各情況中相同或不同地為H、具有1至20個碳原子的直鏈烷基或具有3至20個碳原子的分支或環狀烷基,其中一或多個不相鄰的CH2基團可被-O-、-S-、-NR6-、-CONR6-、-CO-O-、-C=O-、-CH=CH-或-C≡C-取代,且其中一或多個氫原子可被F或具有2至60個碳原子的芳基或雜芳基取代,且其中前述基團可被一或多個R6基團取代,其中R3及R4可依序一起形成單環或多環狀、脂族、芳族或雜芳族環環系統,以及 R6 係於各情況中相同或不同,且係H、具有1至20個碳原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至20個碳原子的分支或環狀烷基或烷氧基,且其中一或多個氫原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2或具有2至14個碳原子的芳基或雜芳基取代。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之調配物,其中該調配物含有少於10ppm的苯酚類雜質。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之調配物,其中該有機半導體材料係具有>5,000g/mol的分子量Mw之聚合物。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之調配物,其中該有機半導體材料係具有
    Figure 107122213-A0305-02-0052-2
    5,000g/mol的分子量之低分子量材料。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之調配物,其中該有機半導體材料係選自電洞注入、電洞傳送、電子阻擋、發光、電洞阻擋、電子傳送、電子注入及介電吸收材料。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之調配物,其中該調配物含有一種溶劑。
  8. 如申請專利範圍第7項之調配物,其中該溶劑具有
    Figure 107122213-A0305-02-0052-3
    90℃的沸點。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之調配物,其中該調配物含有至少兩種不同溶劑,其中該至少兩種不同溶劑中的兩種溶劑之沸點差異係
    Figure 107122213-A0305-02-0053-4
    10℃。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之調配物,其中該調配物含有至少兩種不同溶劑,其中該至少兩種不同溶劑中的兩種溶劑之蒸氣壓差異係
    Figure 107122213-A0305-02-0053-5
    2倍。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之調配物,其中該調配物具有介於1.5至100mPas的黏度。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之調配物,其中該調配物含有添加物及/或助劑。
  13. 如申請專利範圍第12項之調配物,其中該調配物含有至少一種聚合物黏合劑作為添加物。
  14. 一種如申請專利範圍第1至13項中一或多項之調配物之製法,其中將該一或多種有機半導體材料溶於一或多種有機溶劑,之後將該調配物過濾。
  15. 一種電子裝置的至少一層之製法,其中該至少一層係藉由浸塗、旋塗、噴墨印刷、噴嘴印刷(nozzle printing)、 凸版印刷(letter-press printing)、網版印刷、凹版印刷、刮刀塗佈、滾筒印刷、反轉輥印刷(reverse-roller printing)、平版印刷、膠版印刷(flexographic printing)、網印(web printing)、噴霧塗佈、簾塗佈、刷塗佈、噴槍塗佈、狹縫式染料塗佈(slot dye coating)或移印(pad printing),使用如申請專利範圍第1至13項中一或多項之調配物製備。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法,其中該電子裝置係選自由OLED、OTFT、OFET、太陽能電池、感測器、有機二極體及RFID所組成的群組。
  17. 一種如申請專利範圍第1至13項中一或多項之調配物之用途,其係用於製備電子裝置的至少一層。
  18. 如申請專利範圍第17項之用途,其中該電子裝置係選自由OLED、OTFT、OFET、太陽能電池、感測器、有機二極體及RFID所組成的群組。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202110935A (zh) * 2019-04-16 2021-03-16 德商麥克專利有限公司 含有可交聯聚合物之調配物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080199600A1 (en) * 2005-05-18 2008-08-21 Hubert Spreitzer Organic Semiconductor Solutions
WO2016120007A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Merck Patent Gmbh Formulations with a low particle content

Family Cites Families (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4780536A (en) 1986-09-05 1988-10-25 The Ohio State University Research Foundation Hexaazatriphenylene hexanitrile and its derivatives and their preparations
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JPH061973A (ja) 1992-06-18 1994-01-11 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5837166A (en) 1993-09-29 1998-11-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and arylenediamine derivative
DE69412567T2 (de) 1993-11-01 1999-02-04 Hodogaya Chemical Co Ltd Aminverbindung und sie enthaltende Elektrolumineszenzvorrichtung
DE59510315D1 (de) 1994-04-07 2002-09-19 Covion Organic Semiconductors Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
DE69511755T2 (de) 1994-04-26 2000-01-13 Tdk Corp Phenylanthracenderivat und organisches EL-Element
WO1998030071A1 (fr) 1996-12-28 1998-07-09 Tdk Corporation Elements electroluminescents organiques
US5935721A (en) 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
JP3302945B2 (ja) 1998-06-23 2002-07-15 ネースディスプレイ・カンパニー・リミテッド 新規な有機金属発光物質およびそれを含む有機電気発光素子
JP4429438B2 (ja) 1999-01-19 2010-03-10 出光興産株式会社 アミノ化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
IL146242A0 (en) 1999-05-13 2002-07-25 Univ Princeton Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
KR100840637B1 (ko) 1999-12-01 2008-06-24 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 유기 led용 인광성 도펀트로서 l2mx 형태의 착물
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
JP4220644B2 (ja) 2000-02-14 2009-02-04 三井化学株式会社 アミン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子
TW532048B (en) 2000-03-27 2003-05-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
WO2002015645A1 (en) 2000-08-11 2002-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP4154138B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
DE10109027A1 (de) 2001-02-24 2002-09-05 Covion Organic Semiconductors Rhodium- und Iridium-Komplexe
JP4438042B2 (ja) 2001-03-08 2010-03-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
US7288617B2 (en) 2001-03-24 2007-10-30 Merck Patent Gmbh Conjugated polymers containing spirobifluorene units and fluorene units, and the use thereof
DE10116962A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Covion Organic Semiconductors Rhodium- und Iridium-Komplexe
KR100691543B1 (ko) 2002-01-18 2007-03-09 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
DE10207859A1 (de) 2002-02-20 2003-09-04 Univ Dresden Tech Dotiertes organisches Halbleitermaterial sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP4502357B2 (ja) * 2002-03-08 2010-07-14 キヤノン株式会社 新規化合物とその合成方法、インク、インクカートリッジ、記録ユニット、インクジェット記録装置及び記録方法
ITRM20020411A1 (it) 2002-08-01 2004-02-02 Univ Roma La Sapienza Derivati dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
CN100505963C (zh) 2002-08-23 2009-06-24 出光兴产株式会社 有机电致发光器件和蒽衍生物
TWI276369B (en) 2002-09-20 2007-03-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
JP4287198B2 (ja) 2002-11-18 2009-07-01 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101030158B1 (ko) 2002-12-23 2011-04-18 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전자발광 부품
DE10304819A1 (de) 2003-02-06 2004-08-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Carbazol-enthaltende konjugierte Polymere und Blends, deren Darstellung und Verwendung
DE10310887A1 (de) 2003-03-11 2004-09-30 Covion Organic Semiconductors Gmbh Matallkomplexe
KR100998838B1 (ko) 2003-03-13 2010-12-06 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 신규한 질소 함유 헤테로환 유도체 및 이를 이용한 유기전기발광 소자
JP4411851B2 (ja) 2003-03-19 2010-02-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN101789496B (zh) 2003-04-10 2011-12-28 出光兴产株式会社 芳香族胺衍生物和采用该衍生物的有机场致发光元件
EP2281861A3 (de) 2003-04-15 2012-03-28 Merck Patent GmbH Mischungen von organischen zur Emission befähigten Halbleitern und Matrixmaterialien, deren Verwendung und Elektronikbauteile enthaltend diese Mischungen
US7326475B2 (en) 2003-04-23 2008-02-05 Konica Minolta Holdings, Inc. Material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, illuminating device and display
TWI224473B (en) 2003-06-03 2004-11-21 Chin-Hsin Chen Doped co-host emitter system in organic electroluminescent devices
DE10328627A1 (de) 2003-06-26 2005-02-17 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialien für die Elektrolumineszenz
TWI390006B (zh) 2003-08-07 2013-03-21 Nippon Steel Chemical Co Organic EL materials with aluminum clamps
DE10337346A1 (de) 2003-08-12 2005-03-31 Covion Organic Semiconductors Gmbh Konjugierte Polymere enthaltend Dihydrophenanthren-Einheiten und deren Verwendung
DE10343606A1 (de) 2003-09-20 2005-04-14 Covion Organic Semiconductors Gmbh Weiß emittierende Copolymere, deren Darstellung und Verwendung
US7767785B2 (en) 2003-09-20 2010-08-03 Merck Patent Gmbh Conjugated polymers, their preparation and use thereof
DE10345572A1 (de) 2003-09-29 2005-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
US7795801B2 (en) 2003-09-30 2010-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound
JP2005150098A (ja) 2003-10-22 2005-06-09 Seiko Epson Corp 正孔輸送材料、層、有機エレクトロルミネッセンス素子および正孔輸送材料の精製方法
EP1675930B1 (de) 2003-10-22 2018-05-30 Merck Patent GmbH Neue materialien für die elektrolumineszenz und deren verwendung
DE10350722A1 (de) 2003-10-30 2005-05-25 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
DE10350606A1 (de) 2003-10-30 2005-06-09 Covion Organic Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung heteroleptischer, ortho-metallierter Organometall-Verbindungen
DE10357044A1 (de) 2003-12-04 2005-07-14 Novaled Gmbh Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten
US7252893B2 (en) 2004-02-17 2007-08-07 Eastman Kodak Company Anthracene derivative host having ranges of dopants
DE102004007777A1 (de) * 2004-02-18 2005-09-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Lösungen organischer Halbleiter
DE102004008304A1 (de) 2004-02-20 2005-09-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische elektronische Vorrichtungen
US7326371B2 (en) 2004-03-25 2008-02-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with anthracene derivative host
US7790890B2 (en) 2004-03-31 2010-09-07 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display device and illumination device
KR100787425B1 (ko) 2004-11-29 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 페닐카바졸계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
DE102004023277A1 (de) 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
DE502005009868D1 (de) 2004-05-19 2010-08-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
TWI327563B (en) 2004-05-24 2010-07-21 Au Optronics Corp Anthracene compound and organic electroluminescent device including the anthracene compound
JP4862248B2 (ja) 2004-06-04 2012-01-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
TW200613515A (en) 2004-06-26 2006-05-01 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices
DE102004031000A1 (de) 2004-06-26 2006-01-12 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
ITRM20040352A1 (it) 2004-07-15 2004-10-15 Univ Roma La Sapienza Derivati oligomerici dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
DE102004034517A1 (de) 2004-07-16 2006-02-16 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
EP1655359A1 (de) 2004-11-06 2006-05-10 Covion Organic Semiconductors GmbH Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
TW200639140A (en) 2004-12-01 2006-11-16 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices
TW200634020A (en) 2004-12-09 2006-10-01 Merck Patent Gmbh Metal complexes
KR20100106626A (ko) 2005-01-05 2010-10-01 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자
EP1844060B1 (de) 2005-02-03 2010-11-17 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
JP2006253445A (ja) 2005-03-11 2006-09-21 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4263700B2 (ja) 2005-03-15 2009-05-13 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1860097B1 (en) 2005-03-18 2011-08-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device utilizing the same
JP5242380B2 (ja) 2005-05-03 2013-07-24 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102005023437A1 (de) 2005-05-20 2006-11-30 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
JP4593631B2 (ja) 2005-12-01 2010-12-08 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
DE102005058557A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102005058543A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006015183A1 (de) 2006-04-01 2007-10-04 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006025777A1 (de) 2006-05-31 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006025846A1 (de) 2006-06-02 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006031990A1 (de) 2006-07-11 2008-01-17 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP4388590B2 (ja) 2006-11-09 2009-12-24 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102007024850A1 (de) 2007-05-29 2008-12-04 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP2009032827A (ja) 2007-07-25 2009-02-12 Hitachi Displays Ltd 発光素子
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008027005A1 (de) 2008-06-05 2009-12-10 Merck Patent Gmbh Organische elektronische Vorrichtung enthaltend Metallkomplexe
US8455373B2 (en) * 2008-07-03 2013-06-04 Postech Academy-Industry Foundation Ink-jet print ink and organic thin film transistor using thereof
EP2318477B1 (en) 2008-07-08 2019-06-05 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Additives to prevent degradation of cyclic alkene derivatives
DE102008033943A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008035413A1 (de) 2008-07-29 2010-02-04 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
DE102008036982A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009023156A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Polymere, die substituierte Indenofluorenderivate als Struktureinheit enthalten, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
EP2517274B1 (en) 2009-12-23 2017-05-24 Merck Patent GmbH Compositions comprising polymeric binders
JP5831068B2 (ja) 2011-09-13 2015-12-09 コニカミノルタ株式会社 縮合複素環化合物の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080199600A1 (en) * 2005-05-18 2008-08-21 Hubert Spreitzer Organic Semiconductor Solutions
WO2016120007A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Merck Patent Gmbh Formulations with a low particle content

Also Published As

Publication number Publication date
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