CN107004778B - 有机混合物、包含其的组合物、有机电子器件及应用 - Google Patents

有机混合物、包含其的组合物、有机电子器件及应用 Download PDF

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Abstract

一种有机混合物、包含其的有机电子器件及应用,其中,该有机混合物包括一主体材料H1、及一有机荧光发光材料E1,其中,该H1的三线态能级T1(H1)大于或等于E1的三线态能级T1(E1),而且E1的单线态能级和三线态能级之差,Δ(S1(E1)‑T1(E1))≤0.35eV。提供了一种制造成本低、效率高、宽光谱的发光器件。

Description

有机混合物、包含其的组合物、有机电子器件及应用
技术领域
本发明涉及电致发光材料领域,具体地,涉及一种有机混合物,包含其的组合物、有机电子器件,及有机混合物在有机电子器件中的应用,特别是在有机电致发光器件中的应用。本发明还涉及包含本发明的有机混合物的有机电子器件,及其制备方法。
背景技术
由于有机半导体材料在合成上具有多样性、制造成本相对较低和优良的光学与电学性能,有机发光二极管(OLED)在光电器件(例如平板显示器和照明)的应用方面具有很大的潜力。
为了提高有机发光二极管的发光效率,各种基于荧光的发光材料体系首先被开发出来,使用荧光有机材料的有机发光二极管具有可靠性高的特点。但按照量子统计原理,在电气激发下,有机荧光材料中激子的单线态(S1)和三线态(T1)的分支比为1:3。按照费米原理,三线态到基态的辐射跃迁是禁止的,这样荧光材料的内部电致发光量子效率被限制为25%。人们一直在想法利用三线态发光。
第一种方法是使用金属有机配合物的磷光材料(S.R.Forrest等,Nature Vol395151(1998)),利用重金属原子较强的自旋轨道耦合效应,使得三线态发光成为可能。目前,使用磷光材料的有机发光二极管已经取得了几乎100%的内部电致发光量子效率。但是,迄今为止,有实际使用价值的磷光材料是铱和铂配合物,这种原材料稀有而昂贵,配合物的合成很复杂,因此成本也相当高。另外,磷光材料中,所有的S1态都转换成T1态,在S1态和T1态能隙较大的情况下,能量损耗较大。
Adachi提出反向内部转换(reverse intersystem crossing)的概念,这样可以利用有机化合物,即不利用金属配合物,实现磷光OLED的高效率。此概念已经通过,1)复合受激态(exciplex),参见Adachi等,Nature Photonics,Vol 6,p253(2012);2)热激发延迟荧光材料TADF,参见Adachi et al.,Nature Vol 492,234,(2012),得以实现。但OLED器件的寿命仍然很短。另外,TADF材料对主体材料的要求与磷光材料类似,同时也有在主体材料的S1态和T1态能隙较大的情况下有能量损耗的问题。
最近,Marc A.Baldo等(Nature Materials,2014,DOI:10.1038/NMAT4097),及Akshay Rao等(Nature Materials,2014,DOI:10.1038/NMAT4093)报道了利用发光纳米粒子PbS和PbSe去俘获不发光的并四苯和并五苯中的三线态。但PbS和PbSe的发光谱不在可见波段。
因此,现有技术,特别是三线态利用的材料解决方案还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供一种有机混合物、包含其的组合物、有机电子器件及应用,解决现有材料成本高、寿命低等的问题。
实现上述目的的技术方案如下:
一种有机混合物,包括有机材料H1、及有机荧光发光材料E1,其中,所述H1的三线态能级T1(H1)大于或等于E1的三线态能级T1(E1),而且E1的单线态能级和三线态能级之差Δ(S1(E1)-T1(E1))≤0.35eV,优选为≤0.25eV,更优选为≤0.20eV,最优选为≤0.10eV。在其中的一些实施例中,E1是包含至少一个供电子基D和至少一个吸电子基A的有机化合物,而且其Δ(S1(E1)-T1(E1))≤0.35eV。
在某些优选的实施例中,E1为具有如下结构式(I)的有机化合物:
其中Ar为芳香族或杂芳族结构单元,n、m为1到6之间的整数,当m>1时,各个D可相互独立地选自相同或不同的供电子基,当n>1时,各个A可相互独立地选自相同或不同的吸电子基。在一些实施例中,H1是具有发光功能的有机材料。
在其中一个实施例中,所述有机混合物还包括至少一种有机溶剂。本发明的另一目的在于提供根据如上所述的有机混合物在有机电子器件中的应用。本发明的另一目的在于提供一种有机电子器件,至少包括如上所述的有机混合物。
与现有技术相比,本发明具有如下优点和有益效果:本发明的有机混合物能获得H1的单线态发光,同时其三线态激发态至少部分转移到TADF发光体E1上,从而在不损失能量的情况下同时利用单线态和三线态发光。从而提供一种高效的宽光谱发光的材料解决方案。
附图说明
图1为按照本发明的混合物的S1,T1能级结构示意图。
图2为按照本发明的一个优选的实施例中的S1,T1能级结构示意图,其中B为另外的一种有机材料,如荧光发光体。
具体实施方式
本发明提供一种有机混合物及其在有机电致发光器件中的应用,及包含此有机混合物的有机电子器件及其制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明所提供的有机混合物,包括有一有机材料H1、及一有机荧光发光材料E1,其中,所述的H1的三线态能级T1(H1)大于或等于E1的三线态能级T1(E1),而且E1的单线态能级和三线态能级之差,Δ(S1(E1)-T1(E1))≤0.35eV。
在本发明实施例中,有机材料的能级结构,如三线态能级(T1)及单线态能级(S1)、HOMO、LUMO起着关键的作用。以下对这些能级的确定作一介绍。
HOMO和LUMO能级可以通过光电效应进行测量,例如XPS(X射线光电子光谱法)和UPS(紫外光电子能谱)或通过循环伏安法(以下简称CV)。最近,量子化学方法,例如密度泛函理论(以下简称DFT),也成为行之有效的计算分子轨道能级的方法。
有机材料的三线态能级T1可通过低温时间分辨发光光谱来测量,或通过量子模拟计算(如通过Time-dependent DFT)得到,如通过商业软件Gaussian 03W(Gaussian Inc.),具体的模拟方法可参见WO2011141110。
有机材料的单线态能级S1,可通过吸收光谱,或发射光谱来确定,也可通过量子模拟计算(如Time-dependent DFT)得到。
应该注意,HOMO、LUMO、T1及S1的绝对值取决于所用的测量方法或计算方法,甚至对于相同的方法,不同评价的方法,例如在CV曲线上起始点和峰点可给出不同的HOMO/LUMO值。因此,合理有意义的比较应该用相同的测量方法和相同的评价方法进行。本发明实施例的描述中,HOMO、LUMO、T1及S1的值是基于Time-dependent DFT的模拟,但不影响其他测量或计算方法的应用。
在一个优选的实施例中,按照本发明的有机混合物,E1是为热激发延迟荧光发光材料(TADF材料),其中Δ(S1(E1)-T1(E1))≤0.25eV,较好是≤0.20eV,优选是≤0.15eV,最好是≤0.10eV。
按照本发明的有机混合物,要求T1(H1)≥T1(E1)。其可能的好处是,保证能量转移是从H1的三线态到E1的三线态,而不是相反。在一个优选的实施例中,T1(H1)≥T1(E1)+0.05eV或更多。在一个更加优选的实施例中,T1(H1)≥T1(E1)+0.10eV或更多。
在某些实施例中,以上所述的有机混合物,其中,abs(Δ(S1(E1)-T1(H1)))≤0.25eV,优选是≤0.20eV。
按照本发明的有机混合物,E1是一个发光体。一般来说发光体在发光层中的比重有一定的范围。在某些优选的实施例中,相对于整个混合物的质量,E1的含量是≤30wt%,优选是≤25wt%,更优选是≤20wt%,最优选是≤15wt%。
在一个优选的实施例中,H1是一种主体材料。合适的主体材料将在下面说明。
在本发明实施例中,主体材料、基质材料、Host材料和Matrix材料具有相同的含义,可以互换。
在一个优选的实施例中,H1具有发光性能。这里所谓的发光性能是指此材料吸收一定量某一形式的能量后(如光能,电能,化学能,机械能),以光能的形式重新释放。在某些实施例中,H1的光致发光量子效率至少为5%,较好的是至少为10%,优选是至少为20%,最优选是至少为40%。在一个特别优选的实施例中,H1是一种荧光发光体。
在一个优选的实施例中,H1的荧光发光谱和E1的吸收谱很少重叠。在一个更加优选的实施例中,H1的荧光发光谱和E1的吸收谱不重叠。
在本发明中,H1和E1,在多出现时,可以各自独立的选自小分子材料或高聚物材料。在一个优选的实施例中,E1地选自小分子材料。
本文中所定义的术语“小分子”是指不是聚合物,低聚物,树枝状聚合物,或共混物的分子。特别是,小分子中没有重复结构。小分子的分子量≤3000克/摩尔,优选是≤2000克/摩尔,最优选是≤1500克/摩尔。
高聚物,即Polymer,包括均聚物(homopolymer),共聚物(copolymer),镶嵌共聚物(block copolymer)。另外在本发明中,高聚物也包括树状物(dendrimer),有关树状物的合成及应用请参见【Dendrimers and Dendrons,Wiley-VCH Verlag GmbH&Co.KGaA,2002,Ed.George R.Newkome,Charles N.Moorefield,Fritz Vogtle.】。
共轭高聚物(conjugated polymer)是一高聚物,它的主链backbone主要是由C原子的sp2杂化轨道构成,著名的例子有:聚乙炔polyacetylene和poly(phenylenevinylene),其主链上的C原子的也可以被其他非C原子取代,而且当主链上的sp2杂化被一些自然的缺陷打断时,仍然被认为是共轭高聚物。另外在本发明中共轭高聚物也包括主链上包含芳基胺(aryl amine)、芳基磷化氢(aryl phosphine)及其他杂环芳烃(heteroarmotics)、有机金属络合物(organometallic complexes)等。
在一个优选的实施例中,H1选自小分子材料。
合适作为H1材料可以各自独立的选自空穴(也称电洞)传输材料(HTM)、电子传输材料(ETM)、三重态主体材料和单重态主体材料。例如在WO2010135519A1、US20090134784A1和WO 2011110277A1中对这些有机功能材料有详细的描述,特此将此3篇专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在一个优选的实施例中,H1选自有机小分子材料。下面对这些合适的功能材料作一些较详细的描述(但不限于此)。
1.HTM
HTM有时也称p型有机半导体材料。合适的有机HTM材料可选包含如下结构单元的化合物:酞菁(phthlocyanine)、卟啉(porphyrine)、胺(amine)、芳香胺、联苯类三芳胺(triarylamine)、噻吩(thiophene)、并噻吩(fused thiophene)(如二噻吩并噻吩(dithienothiophene)和并噻吩(dibenzothiphene))、吡咯(pyrrole)、苯胺(aniline)、咔唑(carbazole)、氮茚并氮芴(indolocarbazole),及它们的衍生物。
可用作HTM的环芳香胺衍生化合物的例子包括(但不限于)如下的一般结构:
其中,每个Ar1到Ar9可独立选自环芳香烃基团,如苯、联苯、三苯基、苯并、萘、蒽、phenalene、菲、芴、芘、屈、苝、薁;芳香杂环基团,如二苯并噻吩、二苯并呋喃、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、咔唑、吡唑、咪唑、三氮唑、异恶唑、噻唑、恶二唑、oxatriazole、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、恶嗪、oxathiazine、oxadiazine、吲哚、苯并咪唑、吲唑、indoxazine、苯并恶唑、benzisoxazole、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、邻二氮(杂)萘、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪、dibenzoselenophene、benzoselenophene、benzofuropyridine、indolocarbazole、pyridylindole、pyrrolodipyridine、furodipyridine、benzothienopyridine、thienodipyridine、benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine;包含2至10环结构的基团,它们可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团,并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一起,如氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪环基团。其中,每个Ar可以进一步被取代,取代基可选为氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基。
在一个方面,Ar1到Ar9可独立选自包含如下组的基团:
其中,n是1到20的整数;X1到X8是CH或N;Ar1如以上所定义。环芳香胺衍生化合物的另外的例子可参见US3567450、US4720432、US5061569、US3615404和US5061569。
在下面的表中列出合适的可作为HTM化合物的例子:
2.ETM
ETM有时也称n型有机半导体材料。原则上,合适的ETM材料的例子并不受特别的限制,任何金属络合物或有机化合物都可能被用作为ETM,只要它们可以传输电子。优选的有机ETM材料可选自三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)、吩嗪(Phenazine)、菲罗啉(Phenanthroline)、蒽(Anthracene)、菲(Phenanthrene)、芴(Fluorene)、二芴(Bifluorene)、螺二芴(Spiro-bifluorene)、对苯乙炔(Phenylene-vinylene)、三嗪(triazine)、三唑(triazole)、咪唑(imidazole)、芘(Pyrene)、苝(Perylene)、反茚并芴(trans-Indenofluorene)、顺茚并(cis-Indenonfluorene)、二苯并-茚并芴(Dibenzol-indenofluorene)、茚并萘(Indenonaphthalene)、苯并蒽(benzanthracene)及它们的衍生物。
另一方面,可用作ETM的化合物是至少包含一个以下基团的分子:
其中,R1可选自如下的基团:氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基,当它们是芳基或杂芳基时,它们与上述HTM中的Ar1意义相同,Ar1-Ar5与在HTM中所描述的Ar1意义相同,n是一个从0到20的整数,X1-X8选自CR1或N。
在下面的表中列出合适的可作ETM化合物的例子:
3.三重态基质材料(Triplet Host):
可作为三重态基质的有机化合物的例子选自包含环芳香烃基的化合物,如苯、联苯、三苯基、苯并、芴;包含芳香杂环基的化合物,如二苯并噻吩、二苯并呋喃、dibenzoselenophene、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、benzoselenophene、咔唑、indolocarbazole、pyridylindole、pyrrolodipyridine、吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、oxatriazole、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、oxazines、oxathiazines、oxadiazines、吲哚、苯并咪唑、吲唑、indoxazine、bisbenzoxazoles、benzisoxazole、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、cinnoline、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、phenoxazines、benzofuropyridine、furodipyridine、benzothienopyridine、thienodipyridine、benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine;包含2至10环结构的基团,它们可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团,并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一起,如氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪环基团。其中,每个Ar可以进一步被取代,取代基可选为氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基。
三重态基质材料可以有空穴和/或电子传输性能。
在一个优选的实施例中,三重态基质材料可选自包含至少一个以下基团的化合
其中,R1可相互独立地选自如下的基团:氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基,当它们是芳基或杂芳基时,它们与上述HTM中定义的Ar1和Ar2意义相同;Ar1,Ar2和Ar3与上述HTM中定义的Ar1和Ar2意义相同;n是一个从0到20的整数,X1-X8选自CH或N,X9选自CR1R2或NR1
在一个优选的实施例中,H1选自三重态基质材料。
在下面的表中列出一些三重态基质材料的具体例子:
4.单重态基质材料(Singlet Host):
作为单重态基质材料使用的有机化合物的例子可选自含有环芳香烃化合物,如苯、联苯、三苯基、苯并、萘、蒽、phenalene、菲、芴、芘、屈、苝、薁;芳香杂环化合物,如二苯并噻吩、二苯并呋喃、dibenzoselenophene、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、benzoselenophene、咔唑、indolocarbazole、pyridylindole、Pyrrolodipyridine、吡唑、咪唑、三氮唑、异恶唑、噻唑、恶二唑、oxatriazole、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、恶嗪、oxathiazine、oxadiazine、吲哚、苯并咪唑、吲唑、indoxazine、苯并恶唑、benzisoxazole、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、cinnoline、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪、benzofuropyridine、furodipyridine、benzothienopyridine、thienodipyridine、enzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine;包含2至10环结构的基团,它们可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团,并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一起,如氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪环基团。
在一个优选的实施例中,单重态基质材料可选自包含至少一个以下基团的化合物:
其中,R1可相互独立地选自如下的基团:氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基;Ar1是芳基或杂芳基,它与上述的HTM中定义的Ar1意义相同;n是一个从0到20的整数;X1-X8选自CH或N;X9和X10选自CR1R2或NR1
在一个优选的实施例中,H1选自单重态基质材料。
在下面的表中列出一些合适作为H1的单重态基质材料的例子,由于其T1能级较低,可能适合于红光或红外的发光器件:
在一个优选的实施例中,所述的有机混合物,其中,E1和H1可分别选自具有电子传输性能和空穴传输性能的化合物,特别优选的组合是:1)HTM+有电子传输性能的有机主体材料;2)ETM+有空穴传输性能的有机主体材料;及3)HTM+ETM。
在某些实施例中,H1是高分子材料,其中至少有一个重复单元包含以上所述的HTM,ETM及主体材料的结构。
在本发明的混合物中,E1是为热激发延迟荧光发光材料(TADF材料)。在一个优选的方案中,E1具有特征,1)包含至少一个供电子基D和至少一个吸电子基A的有机化合物,2)Δ(S1-T1)≤0.35eV,优选是≤0.25eV,更优选是≤0.20eV,更优选是≤0.15eV,最优选是≤0.10eV。
合适的供电子基D可选自具有以下通式1-3中任一骨架的基团:
其中:Z1=H、O、S或Si,A1及A2可分别独立形成芳香环、杂芳香环、脂肪环或非芳香族杂环;通式2中,R20表示H、芳基、或形成A4所示之环所必需的原子群,A3及A4也可分别独立形成杂芳香环或非杂芳香环;通式3中,Z2、Z3、Z4、Z5分别独立表示O或S。
在一个优选的实施例中,以上所述的供电子基选自具有以下通式D1-D10中任一骨架的基团:
合适的吸电子基A可选自F、氰基或具有以下通式中任一骨架的基团:
其中n是一个从1到3的整数;X1-X8选自CR1或N,并且至少有一个是N,其中R1与ETM中定义的R1相同。
在一个优选的实施例中,合适的吸电子基A选自氰基。
以下列出TADF材料的一些例子:
下面列出一些H1和E1的优选组合的例子:
在某些实施例中,以上所述的有机混合物还进一步包含其他的有机功能材料,包括空穴(也称电洞)注入或传输材料(HIM/HTM),空穴阻挡材料(HBM),电子注入或传输材料(EIM/ETM),电子阻挡材料(EBM),有机基质材料(Host),单重态发光体(荧光发光体),三重态发光体(磷光发光体),特别是发光有机金属络合物。例如在WO2010135519A1、US20090134784A1和WO 2011110277A1中对各种有机功能材料有详细的描述,特此将此3篇专利文件中的全部内容并入本文作为参考。一些有机功能材料前面已有所述。下面对单重态发光体(荧光发光体),三重态发光体(磷光发光体)及高聚物材料做些说明。
1.单重态发光体(Singlet Emitter)
单重态发光体往往有较大的共轭π电子系统。迄今,已有许多例子,例如在JP2913116B和WO2001021729A1中公开的苯乙烯胺(styrylamine)及其衍生物,和在WO2008/006449和WO2007/140847中公开的茚并芴(indenofluorene)及其衍生物.
在一个优选的实施例中,单重态发光体可选自一元苯乙烯胺(monostyrylamines)、二元苯乙烯胺(distyrylamines)、三元苯乙烯胺(tristyrylamines)、四元苯乙烯胺(tetrastyrylamines)、苯乙烯膦(styrylphosphines)、苯乙烯醚(styryl ethers)和芳胺(arylamines)。
一元苯乙烯胺是指一化合物,它包含一个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺,最好是芳香胺。二元苯乙烯胺是指一化合物,它包含二个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺,最好是芳香胺。三元苯乙烯胺是指一化合物,它包含三个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺,最好是芳香胺。四元苯乙烯胺是指一化合物,它包含四个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺,最好是芳香胺。一个优选的苯乙烯是二苯乙烯,其可能会进一步被取代。相应的膦类和醚类的定义与胺类相似。芳基胺或芳香胺是指一种化合物,包含三个直接联接氮的无取代或取代的芳香环或杂环系统。这些芳香族或杂环的环系统中至少有一个优选选自稠环系统,并最好有至少14个芳香环原子。其中优选的例子有芳香蒽胺,芳香蒽二胺,芳香芘胺,芳香芘二胺,芳香屈胺和芳香屈二胺。芳香蒽胺是指一化合物,其中一个二元芳基胺基团(diarylamino)直接联到蒽上,最好是在9的位置上。芳香蒽二胺是指一化合物,其中二个二元芳基胺基团(diarylamino)直接联到蒽上,最好是在9,10的位置上。芳香芘胺,芳香芘二胺,芳香屈胺和芳香屈二胺的定义类似,其中二元芳基胺基团最好联到芘的1或1,6位置上.
基于乙烯胺及芳胺的单重态发光体的例子,也是优选的例子,可在下述专利文件中找到:WO 2006/000388,WO 2006/058737,WO 2006/000389,WO 2007/065549,WO 2007/115610,US 7250532 B2,DE 102005058557 A1,CN 1583691 A,JP 08053397 A,US 6251531B1,US 2006/210830 A,EP 1957606 A1和US 2008/0113101 A1特此上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
基于均二苯乙烯(distyrylbenzene)极其衍生物的单重态发光体的例子有US5121029.
进一步的优选的单重态发光体可选自茚并芴-胺和茚并芴-二胺,如WO 2006/122630所公开的,苯并茚并芴-胺(benzoindenofluorene-amine)和苯并茚并芴-二胺(benzoindenofluorene-diamine),如WO 2008/006449所公开的,二苯并茚并芴-胺(dibenzoindenofluorene-amine)和二苯并茚并芴-二胺(dibenzoindenofluorene-diamine),如WO2007/140847所公开的。
其他可用作单重态发光体的材料有多环芳烃化合物,特别是如下化合物的衍生物:蒽如9,10-二(2-萘并蒽)(9,10-di(2-naphthylanthracene))、萘、四苯、氧杂蒽、菲(phenanthrene)、芘(perylene)如2,5,8,11-tetra-t-butylperylene、茚并芘(indenoperylene)、苯撑(phenylenes)如(4,4’-(bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1’-biphenyl)、periflanthene、十环烯(decacyclene)、六苯并苯(coronene)、芴、螺二芴(spirofluorene)、芳基芘(arylpyrene)(如US20060222886),亚芳香基乙烯(arylenevinylene)(如US5121029,US5130603)、环戊二烯如四苯基环戊二烯(tetraphenylcyclopentadiene)、红荧烯(rubrene)、香豆素(coumarine)、若丹明(rhodamine)、喹吖啶酮(quinacridone)、吡喃(pyrane)如4(dicyanoethylene)-6-(4-dimethylaminostyryl-2-methyl)-4H-pyrane(DCM)、噻喃(thiapyran)、bis(azinyl)imine-boron化合物(US 2007/0092753 A1)、bis(azinyl)methene化合物、carbostyryl化合物,噁嗪酮(oxazone)、苯并恶唑(benzoxazole)、苯并噻唑(benzothiazole)、苯并咪唑(benzimidazole)及diketopyrrolopyrrole。一些单重态发光体的材料可在下述专利文件中找到:US 20070252517 A1,US 4769292,US 6020078,US 2007/0252517 A1,US 2007/0252517 A1。特此将上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在下面的表中列出一些合适的单重态发光体的例子:
在一个特别优选的实施例中,本发明的混合物还包含另一单线态发光体,即荧光发光体。
优选的,如图2所示,所述的另一单线态发光体为B,有如下特征,1)S1(B)<S1(H),2)T1(B)>T1(H1)或T1(B)>T1(E1)。更优选的,T1(B)>T1(H1)和T1(B)>T1(E1)。
在另一个非常优选的实施例中,H1的发光光谱和B的吸收光谱至少部分重叠,优选是大部分重叠。在此实施例中,将有利于达成如下效果,B将通过能量转移得到H1上单线态激子;E1将通过Dexter能量转移得到H1上三线态激子,接着通过反向内部转换实现热激发延迟荧光,从而实现高效,宽光谱发光。为了实现如上所述的H1上S1及T1态的充分利用,要求H1上系间转换效率(intersystem crossing ratio)很低。有关有机小分子材料系间转换效率的数据可参见Marco Montalti等编著的Handbook of Photochemistry 3rdEdition,p86-156。在一个特别优选的实施例中,H1不包含金属配合物或如下结构式:
Ar1,Ar2和Ar3与上述HTM中定义的Ar1和Ar2意义相同;X1-X8选自CH或N。
在一个优选的实施例中,B是蓝色荧光材料,E1是绿色或红色TADF材料。
2.三重态发光体(Triplet Emitter)
三重态发光体也称磷光发光体。在一个优选的实施例中,三重态发光体是有通式M(L)n的金属络合物,其中M是一金属原子,L每次出现时可以是相同或不同,是一有机配体,它通过一个或多个位置键接或配位连接到金属原子M上,n是一个大于1的整数,较好选是1,2,3,4,5或6。可选地,这些金属络合物通过一个或多个位置联接到一个聚合物上,最好是通过有机配体。
在一个优选的实施例中,金属原子M选自过渡金属元素或镧系元素或锕系元素,优选选择Ir、Pt、Pd、Au、Rh、Ru、Os、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Re、Cu或Ag,特别优选选择Os、Ir、Ru、Rh、Re、Pd、Pt。
优选地,三重态发光体包含螯合配体,即配体,通过至少两个结合点与金属配位,特别优选考虑的是三重态发光体包含两个或三个相同或不同的双齿或多齿配体。螯合配体有利于提高金属络合物的稳定性。
有机配体的例子可选自苯基吡啶(phenylpyridine)衍生物、7,8-苯并喹啉(7,8-benzoquinoline)衍生物、2(2-噻吩基)吡啶(2(2-thienyl)pyridine)衍生物、2(1-萘基)吡啶(2(1-naphthyl)pyridine)衍生物、或2苯基喹啉(2phenylquinoline)衍生物。所有这些有机配体都可能被取代,例如被含氟或三氟甲基取代。辅助配体可优选选自乙酸丙酮(acetylacetonate)或苦味酸。
在一个优选的实施例中,可用作三重态发光体的金属络合物有如下形式:
其中M是一金属,选自过渡金属元素或镧系元素或锕系元素;
Ar1每次出现时可以是相同或不同,是一个环状基团,其中至少包含一个施主原子,即有一孤对电子的原子,如氮或磷,通过它环状基团与金属配位连接;Ar2每次出现时可以是相同或不同,是一个环状基团,其中至少包含一个C原子,通过它环状基团与金属连接;Ar1和Ar2由共价键联接在一起,可各自携带一个或多个取代基团,它们也可再通过取代基团联接在一起;L每次出现时可以是相同或不同,是一个辅助配体,优选自双齿螯合配体,最好是单阴离子双齿螯合配体;m是1,2或3,优选地是2或3,特别优选地是3;n是0,1,或2,优选地是0或1,特别优选地是0;
一些三重态发光体的材料极其应用的例子可在下述专利文件和文献中找到:WO200070655,WO 200141512,WO 200202714,WO 200215645,EP 1191613,EP 1191612,EP1191614,WO 2005033244,WO 2005019373,US 2005/0258742,WO 2009146770,WO2010015307,WO 2010031485,WO 2010054731,WO 2010054728,WO 2010086089,WO2010099852,WO 2010102709,US 20070087219 A1,US 20090061681 A1,US 20010053462A1,Baldo,Thompson et al.Nature 403,(2000),750-753,US 20090061681 A1,US20090061681 A1,Adachi et al.Appl.Phys.Lett.78(2001),1622-1624,J.Kido etal.Appl.Phys.Lett.65(1994),2124,Kido et al.Chem.Lett.657,1990,US 2007/0252517A1,Johnson et al.,JACS 105,1983,1795,Wrighton,JACS 96,1974,998,Ma et al.,Synth.Metals 94,1998,245,US 6824895,US 7029766,US 6835469,US 6830828,US20010053462 A1,WO 2007095118 A1,US 2012004407A1,WO 2012007088A1,WO2012007087A1,WO 2012007086A1,US 2008027220A1,WO 2011157339A1,CN 102282150A,WO 2009118087A1。特此将上述列出的专利文件和文献中的全部内容并入本文作为参考。
3.高聚物
在某些实施例中,以上所述的有机功能材料,包括HIM,HTM,ETM,EIM,Host,荧光发光体,磷光发光体都可以高聚物的形式。
在一个优选的实施例中,适合于本发明的高聚物是共轭高聚物。一般地,共轭高聚物有如下通式:
其中B,A在多次出现时可独立选择相同或不同的结构单元
B:具有较大的能隙的π-共轭结构单元,也称骨干单元(Backbone Unit),选自单环或多环芳基或杂芳基,优选选择的单元形式为苯,联二亚苯(Biphenylene),萘,蒽,菲,二氢菲,9,10-二氢菲,芴,二芴,螺二芴,对苯乙炔,反茚并芴,顺茚并,二苯并-茚并芴,茚并萘及它们的衍生物.
A:具有较小能隙的π-共轭结构单元,也称功能单元(Functional Unit),按照不同的功能要求,可选自包含以上所述的空穴注入或传输材料(HIM/HTM),空穴阻挡材料(HBM),电子注入或传输材料(EIM/ETM),电子阻挡材料(EBM),有机基质材料(Host),单重态发光体(荧光发光体),重态发光体(磷光发光体)的结构单元。
x,y:>0,且x+y=1;
在一个优选的实施例中,高聚物HTM材料为均聚物,优选的均聚物选自聚噻吩,聚吡咯,聚苯胺,聚联苯类三芳胺,聚乙烯基咔唑及它们的衍生物.
在另一个优选的实施例中,高聚物HTM材料为化学式1表示的共轭共聚物,其中
A:具有空穴输运能力的功能基,可选自包含以上所述的空穴注入或传输材料(HIM/HTM)的结构单元;在一个优选的实施例中,A选自胺,联苯类三芳胺,噻吩,并噻吩如二噻吩并噻吩和并噻吩,吡咯,苯胺,咔唑,indenocarbazole,氮茚并氮芴,并五苯,酞菁,卟啉及它们的衍生物.
x,y:>0,且x+y=1;通常y≥0.10,比较好为≥0.15,更好为≥0.20,最好为x=y=0.5.
在下面列出合适的可作为HTM的共轭高聚物的例子:
其中
R各自彼此独立地是氢,具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团,或者具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者是甲硅烷基基团,或具有1至20个C原子的取代的酮基基团,具有2至20个C原子的烷氧基羰基基团,具有7至20个C原子的芳氧基羰基基团,氰基基团(-CN),氨基甲酰基基团(-C(=O)NH2),卤甲酰基基团(-C(=O)-X其中X代表卤素原子),甲酰基基团(-C(=O)-H),异氰基基团,异氰酸酯基团,硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团,羟基基团,硝基基团,CF3基团,Cl,Br,F,可交联的基团或者具有5至40个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系,或具有5至40个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团,或这些体系的组合,其中一个或多个基团R可以彼此和/或与所述基团R键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系;
r是0,1,2,3或4;
s是0,1,2,3,4o或5;
x,y:>0,且x+y=1;通常y≥0.10,比较好为≥0.15,更好为≥0.20,最好为x=y=0.5。
另一类优选选择的有机ETM材料是具有电子传输能力的高聚物,包括共轭高聚物和非共轭高聚物。
优选选择的高聚物ETM材料为均聚物,优选的均聚物选自聚菲,聚菲罗啉,聚茚并芴,聚螺二芴,聚芴及它们的衍生物。
优选选择的高聚物ETM材料为化学式1表示的共轭共聚物,其中A在多次出现时可独立选择相同或不同的形式:
A:具有电子输运能力的功能基,优选选自三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3),苯,联二亚苯,萘,蒽,菲,Dihydrophenanthrene,芴,二芴,螺二芴,对苯乙炔,芘,苝,9,10-Dihydrophenanthrene,吩嗪,菲罗啉,反茚并芴,顺茚并,二苯并-茚并芴,茚并萘,苯并蒽及它们的衍生物
x,y:>0,且x+y=1.通常y≥0.10,比较好为≥0.15,更好为≥0.20,最好为x=y=0.5.
在一个优选的实施例中,发光高聚物是有如下通式的共轭高聚物高聚物有如下通式:
B:与化学式1的定义相同。
A1:具有空穴或电子输运能力的功能基,可选自包含以上所述的空穴注入或传输材料(HIM/HTM),或电子注入或传输材料(EIM/ETM)的结构单元。
A2:具有发光功能的基团,可选自包含以上所述的单重态发光体(荧光发光体),重态发光体(磷光发光体)的结构单元。
x,y,z:>0,且x+y+z=1;
发光高聚物的例子在如下的专利申请中公开:WO2007043495,WO2006118345,WO2006114364,WO2006062226,WO2006052457,WO2005104264,WO2005056633,WO2005033174,WO2004113412,WO2004041901,WO2003099901,WO2003051092,WO2003020790,WO2003020790,US2020040076853,US2020040002576,US2007208567,US2005962631,EP201345477,EP2001344788,DE102004020298,特将以上专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
本发明还涉及一种组合物,包含有一种如上所述的有机混合物及至少一种有机溶剂。有机溶剂的例子,包括(但不限于):甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,4二氧杂环己烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的混合物。
在一个优选的实施例中,按照本发明的组合物是一溶液。
在另一个优选的实施例中,按照本发明的组合物是一悬浮液。
本发明实施例中的组合物中可以包括0.01至20wt%的H1和E1混合物,优选是0.1至15wt%,更优选是0.2至10wt%,最优选是0.25至5wt%的H1和E1混合物。
本发明还涉及所述组合物作为涂料或印刷油墨在制备有机电子器件时的用途,特别优选的是通过打印或涂布的制备方法。
其中,适合的打印或涂布技术包括(但不限于)喷墨打印,活版印刷,丝网印刷,浸涂,旋转涂布,刮刀涂布,辊筒印花,扭转辊印刷,平版印刷,柔版印刷,轮转印刷,喷涂,刷涂或移印,狭缝型挤压式涂布等。优选的是凹版印刷,丝网印刷及喷墨印刷。
溶液或悬浮液可以另外包括一个或多个组份例如表面活性化合物,润滑剂,润湿剂,分散剂,疏水剂,粘接剂等,用于调节粘度,成膜性能,提高附着性等。有关打印技术,及其对有关溶液的相关要求,如溶剂及浓度,粘度等,的详细信息请参见Helmut Kipphan主编的《印刷媒体手册:技术和生产方法》(Handbook of Print Media:Technologies andProduction Methods),ISBN 3-540-67326-1。
基于上述有机混合物,本发明还提供一种如上所述的有机混合物的应用,即将所述有机混合物应用于有机电子器件,所述的有机电子器件可选自,但不限于,有机发光二极管(OLED),有机光伏电池(OPV),有机发光电池(OLEEC),有机场效应管(OFET),有机发光场效应管,有机激光器,有机自旋电子器件,有机传感器及有机等离激元发射二极管(OrganicPlasmon Emitting Diode)等,特别是OLED。本发明实施例中,优选地将所述有机化合物用于OLED器件的发光层中。
在一个优选的实施例中,所述有机混合物用于OLED器件的发光层。
本发明进一步涉及一种有机电子器件,至少包含一种如上所述的有机混合物。一般的,此种有机电子器件至少包含一个阴极,一个阳极及位于阴极和阳极之间的一个功能层,其中所述的功能层中至少包含一种如上所述的有机混合物。所述的有机电子器件可选自,但不限于,有机发光二极管(OLED),有机光伏电池(OPV),有机发光电池(OLEEC),有机场效应管(OFET),有机发光场效应管,有机激光器,有机自旋电子器件,有机传感器及有机等离激元发射二极管(Organic Plasmon Emitting Diode)。
在一个特别优选的实施例中,所述的有机电子器件是OLED,其中包括一基片,一阳极,至少一发光层,一阴极。
基片可以是不透明或透明。一个透明的基板可以用来制造一个透明的发光元器件。例如可参见,Bulovic等Nature 1996,380,p29,和Gu等,Appl.Phys.Lett.1996,68,p2606。基片可以是刚性的或弹性的。基片可以是塑料,金属,半导体晶片或玻璃。最好是基片有一个平滑的表面。无表面缺陷的基板是特别理想的选择。在一个优选的实施例中,基片是柔性的,可选自聚合物薄膜或塑料,其玻璃化温度Tg为150℃以上,较好是超过200℃,优选是超过250℃,最好是超过300℃。合适的柔性基板的例子有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2,6-萘)(PEN)。
阳极可包括一导电金属或金属氧化物,或导电聚合物。阳极可以容易地注入空穴到空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)或发光层中。在一个的实施例中,阳极的功函数和发光层中的发光体或作为HIL或HTL或电子阻挡层(EBL)的p型半导体材料的HOMO能级或价带能级的差的绝对值小于0.5eV,较好是小于0.3eV,最好是小于0.2eV。阳极材料的例子包括但不限于:Al、Cu、Au、Ag、Mg、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO、铝掺杂氧化锌(AZO)等。其他合适的阳极材料是已知的,本领域普通技术人员可容易地选择使用。阳极材料可以使用任何合适的技术沉积,如一合适的物理气相沉积法,包括射频磁控溅射,真空热蒸发,电子束(e-beam)等。在某些实施例中,阳极是图案结构化的。图案化的ITO导电基板可在市场上买到,并且可以用来制备根据本发明的器件。
阴极可包括一导电金属或金属氧化物。阴极可以容易地注入电子到EIL或ETL或直接到发光层中。在一个的实施例中,阴极的功函数和发光层中发光体或作为电子注入层(EIL)或电子传输层(ETL)或空穴阻挡层(HBL)的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝对值小于0.5eV,较好是小于0.3eV,最好是小于0.2eV。原则上,所有可用作OLED的阴极的材料都可能作为本发明器件的阴极材料。阴极材料的例子包括但不限于:Al、Au、Ag、Ca、Ba、Mg、LiF/Al、MgAg合金、BaF2/Al、Cu、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO等。阴极材料可以使用任何合适的技术沉积,如一合适的物理气相沉积法,包括射频磁控溅射,真空热蒸发,电子束(e-beam)等。
OLED还可以包含其他功能层,如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)。适合用于这些功能层中的材料在WO2010135519A1、US20090134784A1和WO2011110277A1中有详细的描述,特此将此3篇专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在一个优选的实施例中,按照本发明的发光器件中,其发光层是通过溶液制备而成。
按照本发明的发光器件,其发光波长在300到1000nm之间,较好的是在350到900nm之间,更好的是在400到800nm之间。
本发明还涉及按照本发明的有机电子器件在各种电子设备中的应用,包括但不限于,显示设备、照明设备、光源、传感器等等。
本发明还涉及包含按照本发明的有机电子器件的电子设备,包括但不限于,显示设备、照明设备、光源、传感器等等。
下面将结合优选实施例对本发明进行了说明,但本发明并不局限于下述实施例,应当理解,所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到,对本发明的各实施例所进行的一定的改变,都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。
具体实施例
下列材料被用于在本发明的实施例中:
上述材料中H1-1,H1-2,H1-3购于吉林奥来德光电材料股份有限公司,使用前都先进过升华纯化。E1-1、E1-2的合成方法均为现有技术,详见现有技术中的参考文献,在此不再赘述。如E1-1可参见Chem.Mater.Vol25p3766,E1-2可参见Chem.Comm.Vol48p958。
有机材料的能级可通过量子计算得到,比如利用TD-DFT(含时密度泛函理论)通过Gaussian03W(Gaussian Inc.),具体的模拟方法可参见WO2011141110。首先用半经验方法“Ground State/Semi-empirical/Default Spin/AM1”(Charge 0/Spin Singlet)来优化分子几何结构,然后有机分子的能量结构由TD-DFT(含时密度泛函理论)方法算得“TD-SCF/DFT/Default Spin/B3PW91”与基组“6-31G(d)”(Charge 0/Spin Singlet)。HOMO和LUMO能级按照下面的校准公式计算,S1和T1直接使用。
HOMO(eV)=((HOMO(G)×27.212)-0.9899)/1.1206
LUMO(eV)=((LUMO(G)×27.212)-2.0041)/1.385
其中HOMO(G)和LUMO(G)是Gaussian 03W的直接计算结果,单位为Hartree。结果如表一所示:
表一
材料 Homo[eV] Lumo[eV] S1[eV] T1[eV]
H1-1 -4,86 -2,23 2,69 2,46
H1-2 -5,05 -2,59 2,73 1,99
H1-3 -5,69 -2,50 3,53 2,43
E1-1 -5,38 -3,07 2,34 2,26
E1-2 -5,08 -3,14 1,91 1,90
其中,E1-1和E1-2的Δ(S1-T1)都小于0.1eV。
下面通过具体实施例来详细说明采用上述有机混合物的OLED器件的制备过程,该OLED器件的结构为:ITO/HIL/HTL/EML/ETL/阴极,制备步骤如下:
a、ITO(铟锡氧化物)导电玻璃基片的清洗:使用各种溶剂(例如氯仿、丙酮或异丙醇中的一种或几种)清洗,然后进行紫外臭氧处理;
b、HIL(空穴注入层,60nm):60nm的PEDOT(聚乙撑二氧噻吩,CleviosTM AI4083)作为HIL在超净室旋转涂布而成,并在180℃的热板上处理10分钟;
c、HTL(空穴传输层,20nm):40nm的NPB在高真空(1×10-6毫巴)中热蒸镀而成;
d、EML(有机发光层,40nm):按照表二的组分,在高真空(1×10-6毫巴)中热蒸镀而成;
表二
OLED器件 EML组成(in wt%)
OLED1 H1-1(93%):E1-1(7%)
OLED2 H1-2(93%):E1-2(7%)
OLED3 H1-3(86%):H1-1(7%):E1-2(7%)
e、ETL(电子传输层,40nm):40nm的TPBi在高真空(1×10-6毫巴)中热蒸镀而成;
f、阴极:LiF/Al(1nm/150nm)在高真空(1×10-6毫巴)中热蒸镀而成;
g、封装:器件在氮气手套箱中用紫外线硬化树脂封装。
各OLED器件发光层的能量结构在图3(OLED1),图4(OLED2),和图5(OLED3)中所示。
各OLED器件的电流电压(J-V)特性通过表征设备来表征,同时记录重要的参数如发光谱及外部量子效率。OLED器件的大致性能如表三所示。
表三
OLED器件 发光峰[nm] 外部量子效率EQE[%]
OLED1 500,553 10%
OLED2 460,644 8.5%
OLED3 506,649 13%

Claims (16)

1.一种有机混合物,包括有机材料H1、及热激发延迟荧光材料E1,其特征在于,所述H1的三线态能级T1(H1)大于或等于E1的三线态能级T1(E1),而且E1的单线态能级和三线态能级之差Δ(S1(E1)-T1(E1))≤0.35eV;
所述有机混合物还包括另一单线态发光体B,具有如下特征:1)S1(B)<S1(H1),2)T1(B)>T1(H1)和T1(B)>T1(E1);
H1的发光光谱和B的吸收光谱至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的有机混合物,其特征在于,Δ(S1(E1)-T1(E1))≤0.25eV。
3.根据权利要求1或2所述的有机混合物,其特征在于,T1(H1)≥T1(E1)+0.1eV。
4.根据权利要求1中所述的有机混合物,其特征在于,abs(Δ(S1(E1)-T1(H1)))≤0.20eV。
5.根据权利要求1中所述的有机混合物,其特征在于,按照质量百分比计,E1的含量≤30%。
6.根据权利要求1中所述的有机混合物,其特征在于,E1为包含至少一个供电子基D和至少一个吸电子基A的有机化合物。
7.根据权利要求6所述的有机混合物,其特征在于,E1为具有如下结构式(I)的有机化合物:
其中Ar为芳香族或杂芳族结构单元,n、m为1到6之间的整数,当m>1时,各个D相互独立地选自相同或不同的供电子基,当n>1时,各个A相互独立地选自相同或不同的吸电子基。
8.根据权利要求7所述的有机混合物,其特征在于,供电子基D选自如下基团:
9.根据权利要求7所述的有机混合物,其特征在于,吸电子基A选自F,氰基或选自如下基团:
其中n是从1到3的整数;X1-X8选自CR1或N,并且X1-X8中至少有一个是N,其中R1选自如下基团:氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基。
10.根据权利要求9中所述的有机混合物,其特征在于,E1选自具有如下结构式的化合物:
11.根据权利要求1中所述的有机混合物,其特征在于,其中H1选自环芳香烃化合物,包括联苯、三苯基、苯并、萘、蒽、phenalene、菲、芴、芘、屈、苝、薁;芳香杂环化合物,包括二苯并噻吩、二苯并呋喃、dibenzoselenophene、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、benzoselenophene、咔唑、indolocarbazole、pyridylindole、Pyrrolodipyridine、吡唑、咪唑、三氮唑、异恶唑、噻唑、恶二唑、oxatriazole、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、恶嗪、oxathiazine、oxadiazine、吲哚、苯并咪唑、吲唑、indoxazine、苯并恶唑、benzisoxazole、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、cinnoline、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪、benzofuropyridine、furodipyridine、benzothienopyridine、thienodipyridine、enzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine;包含2至10环结构的基团,这些基团选自相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团,并彼此直接或通过至少一个选自下组的基团连结在一起:氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪环基团。
12.根据权利要求1中所述的有机混合物,其特征在于,还包含至少一种有机功能材料,该有机功能材料选自空穴注入或传输材料,空穴阻挡材料,电子注入或传输材料,电子阻挡材料,有机基质材料,三重态发光体。
13.一种组合物,包括如权利要求1至12任一项所述的有机混合物,及至少一种有机溶剂。
14.一种根据权利要求1至12任一项所述的有机混合物在有机电子器件中的应用。
15.一种有机电子器件,其特征在于,至少包括如权利要求1至12任一项所述的有机混合物。
16.根据权利要求15所述的有机电子器件,其特征在于,所述有机电子器件选自有机发光二极管、有机光伏电池、有机发光电池、有机场效应管、有机激光器,有机自旋电子器件,有机传感器及有机等离激元发射二极管。
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