KR20200033932A - 전자 디바이스에 사용하기 위한 스피로바이플루오렌 유도체 - Google Patents

전자 디바이스에 사용하기 위한 스피로바이플루오렌 유도체 Download PDF

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KR20200033932A
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엘비라 몬테네그로
테레사 뮤히카-페르나우드
플로리안 마이어-플라이크
프랑크 포게스
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본 출원은 전자 디바이스에 사용하기에 적합한 특정 식 (I) 의 스피로바이플루오렌 유도체에 관한 것이다.

Description

전자 디바이스에 사용하기 위한 스피로바이플루오렌 유도체
본 출원은 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스 (OLED) 에서 사용하기에 적합한 이하에 정의되는 식 (I) 의 스피로바이플루오렌 유도체에 관한 것이다.
전자 디바이스는 본 출원의 맥락상 유기 반도체 재료를 기능적 재료로서 함유하는, 유기 전자 디바이스로 불리는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 보다 구체적으로, 이들은 OLED 를 의미하는 것으로 이해된다.
유기 화합물이 기능성 재료로서 사용되는 OLED의 구성은 종래 기술에서의 일반적인 지식이다. 일반적으로, 용어 OLED 는 유기 화합물을 포함하는 하나 이상의 층을 갖고 전기 전압의 인가 시 광을 방출하는 전자 디바이스를 의미하는 것으로 이해된다.
전자 디바이스, 특히 OLED 에서, 성능 데이터, 특히 수명, 효율성 및 동작 전압을 개선시키는데 큰 관심이 있다. 이들 양태에서, 임의의 전체적으로 만족스러운 해결책을 찾는 것은 아직 가능하지 않다.
정공 수송 기능을 갖는 층, 예를 들어 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층 및 또한 방출층이 전자 디바이스의 성능 데이터에 대해 큰 영향을 미친다. 이들 층에 사용하기 위해, 정공 수송 특성을 갖는 새로운 재료에 대한 연구가 계속되고 있다.
본 발명의 과정에서, 2-위치에 아민 또는 브릿지된 아민 기를 갖는 스피로바이플루오렌 유도체, 및 스피로바이플루오렌의 5, 6 및 8-위치 중 하나에 있는 특정 화학 기로부터 선택된 추가 치환기가, 정공 수송 기능을 갖는 재료로서의 사용에, 특히 정공 수송층, 전자 차단 층 및 방출 층의 재료로서의 사용에, 보다 특히 전자 차단 층에서의 사용에 아주 잘 맞는다는 것을 알아냈다. 이러한 맥락에서 전자 차단 층은, 애노드 측의 방출 층에 바로 인접하고 방출 층에 존재하는 전자가 OLED 의 정공 수송층으로 들어가는 것을 차단하는 역할을 하는 층으로 이해된다.
전자 디바이스, 특히 OLED 에서 사용될 때, 이들은 디바이스의 수명, 동작 전압 및 양자 효율 면에서 우수한 결과에 이른다. 그 화합물은 또한 매우 우수한 정공 전도 특성, 매우 우수한 전자 차단 특성, 높은 유리 전이 온도, 높은 산화 안정성, 우수한 용해도, 높은 열 안정성 및 낮은 승화 온도를 특징으로 한다.
따라서, 본 출원은 하기 식 (I) 의 화합물에 관한 것이다:
Figure pct00001
식 중, 변수들은 다음과 같이 정의된다:
A 는 C 또는 Si 이다;
Z1 는 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, CR1, CR2 및 N 으로부터 선택된다;
Z2 는 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, CR2 및 N 으로부터 선택된다;
Z3 는 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, CR3 및 N 으로부터 선택된다;
ArL 은 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R4 으로 치환될 수도 있는, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R4 으로 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택된다;
Ar1 는 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수도 있는, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R4 으로 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택된다;
E 는 단일 결합이거나 또는 C(R4)2, N(R4), O, 및 S 로부터 선택된 2가 기이다;
R1 은, 각각의 경우 동일하거나 상이하게,
Figure pct00002
Si(R5)3, 1 내지 20 개의 C 원자를 가지는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 3 내지 20 개의 C 원자를 가지는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 상기 알킬, 알콕시 및 티오알킬 기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있다;
R2, R3 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, SCN, SF5, 1 내지 20 개의 C 원자를 가지는 직쇄 알킬 또는 알콕시기, 3 내지 20 개의 C 원자를 가지는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시기, 2 내지 20 개의 C 원자를 가지는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 여기서 라디칼 R2 및 R3 로부터 선택되는 2개 이상의 라디칼은 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐, 및 알키닐기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에, 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있고, 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기에서의 하나 이상의 CH2 기는 각 경우에, -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있다;
R4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, H, D, F, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시기, 2 내지 20 개의 C 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 여기서 2 개 이상의 라디칼 R4 는 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 여기서 상기 알킬, 알콕시, 알케닐, 및 알키닐기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있고, 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기에서의 하나 이상의 CH2 기는 각 경우에 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있다;
R5 는 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, C(=O)R6, CN, Si(R6)3, N(R6)2, P(=O)(R6)2, OR6, S(=O)R6, S(=O)2R6, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄형 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 C 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 여기서 2 개 이상의 라디칼 R5 는 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R6 에 의해 치환될 수도 있고, 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서의 하나 이상의 CH2 기는 -R6C=CR6-, -C≡C-, Si(R6)2, C=O, C=NR6, -C(=O)O-, -C(=O)NR6-, NR6, P(=O)(R6), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있다;
R6 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 알킬기, 6 내지 40 개의 C 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템에서 선택되고; 여기서 2 개 이상의 라디칼 R6 는 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬기, 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 F 및 CN 에 의해 치환될 수도 있다;
k 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1이며; 여기서 k=0 인 경우 기 ArL 은 존재하지 않고 질소 원자 및 스피로바이플루오렌 기가 직접 연결된다;
m 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1이며, 여기서 m=0 인 경우, 기 E 는 존재하지 않고 기 Ar1 은 연결되지 않는다;
기 Z1 중 적어도 하나가 CR1 인 것을 특징으로 한다.
식 (I) 의 6-고리들에 그려진 원들은 각각의 고리가, 고리들을 형성하는 원자들 사이의 이중 결합 및 단일 결합의 교대로부터 비롯되는, 방향족성을 갖는 것을 의미한다.
하기 정의가 일반 정의로서 사용되는 화학 기에 적용된다. 이들은 오직 더 구체적인 정의가 주어지지 않는 한 적용된다.
본 발명의 맥락에서 아릴기는 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 함유하는데, 이 중 어느 것도 헤테로원자가 아니다. 아릴기는 여기서 단순 방향족 고리, 예를 들어, 벤젠, 또는 축합 방향족 다환, 예를 들어 나프탈렌, 페난트렌 또는 안트라센을 의미하는 것으로 여겨진다. 본 출원의 맥락에서 축합 방향족 다환은 서로 축합된 2 개 이상의 단순 방향족 고리로 이루어진다.
본 발명의 의미에서 헤테로아릴기는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 함유하고, 이 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로원자들은 바람직하게는 N, O 및 S 로부터 선택된다. 헤테로아릴기는 여기서 단순 헤테로방향족 고리, 예를 들어 피리딘, 피리미딘 또는 티오펜, 또는 축합 헤테로방향족 다환, 이를테면 퀴놀린 또는 카르바졸을 의미하는 것으로 여겨진다. 본 출원의 의미에서의 축합 헤테로방향족 다환은 서로 축합된 2 개 이상의 단순 헤테로방향족 고리로 이루어진다.
각 경우에 위에 언급된 라디칼로 치환될 수도 있고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템에 결합될 수도 있는, 아릴 또는 헤테로아릴 기는, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 디히드로피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도되는 기를 의미하는 것으로 받아들여진다. 본 발명의 의미에서의 방향족 고리 시스템은, 고리 시스템에 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유하고, 방향족 고리 원자로서 헤테로원자를 포함하지 않는다. 따라서, 본 출원의 의미에서 방향족 고리 시스템은 헤테로아릴기를 포함하지 않는다. 본 발명의 의미에서 방향족 고리 시스템은 아릴기만을 반드시 함유하지는 않으나, 대신에 또한 복수의 아릴기가 비-방향족 단위, 예컨대 하나 이상의 선택적으로 치환된 C, Si, N, O 또는 S 원자에 의해 연결될 수도 있는 시스템을 의미하는 것으로 받아들여지도록 의도된다. 이러한 경우, 비-방향족 단위는 전체 방향족 고리 시스템의 H 이외의 원자의 총 수를 기준으로, 바람직하게는 10% 미만의 H 외의 원자를 포함한다. 따라서, 예컨대 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9'-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르 및 스틸벤과 같은 시스템은, 2 개 이상의 아릴기가 예를 들어 선형 또는 환형 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기에 의해, 또는 실릴기에 의해 연결되는 시스템과 같이, 또한 본 발명의 의미에서 방향족 고리 시스템으로 받아들여지도록 의도된다. 또한, 2 개 이상의 아릴기가 단일 결합을 통해 서로 연결되는 시스템은 또한 본 발명의 의미에서 방향족 고리 시스템, 이를테면 예를 들어, 바이페닐 및 테르페닐과 같은 시스템인 것으로 받아들여진다.
바람직하게는, 방향족 고리 시스템은 화학기를 구성하는 아릴기가 서로 공액되는 화학기인 것으로 이해된다. 이는 아릴 기가 단일 결합을 통해 또는 공액에 참여할 수 있는 자유 파이 전자 쌍을 갖는 연결 단위를 통해 서로 연결됨을 의미한다. 연결 단위는 바람직하게는 질소 원자, 단일 C=C 단위, 단일 C≡C 단위, 서로 공액되는 다수의 C=C 단위 및/또는 C≡C 단위, -O- 및 -S- 로부터 선택된다.
본 발명의 의미에서 헤테로방향족 고리 시스템은 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 함유하고, 이 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로원자들은 바람직하게는 N, O 또는 S 로부터 선택된다. 헤테로방향족 고리 시스템은, 방향족 고리 원자 중 하나로서 적어도 하나의 헤테로원자를 얻어야만 한다는 것이 다르게, 위의 방향족 고리 시스템으로서 정의된다. 이것은, 이로써, 방향족 고리 원자로서 헤테로원자를 함유할 수 없는 본 출원의 정의에 따른 방향족 고리 시스템과는 상이하다.
6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템은 특히, 위에 언급된 아릴 또는 헤테로아릴 기에서 유도된 기, 또는 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 및 인데노카르바졸로부터 유도된 기이다.
본 발명의 목적을 위해, 또한 개별적 H 원자 또는 CH2 기가 라디칼의 정의하에 위에 언급된 기에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 또는 2 내지 20 개의 C 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기는 바람직하게는, 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, 네오펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 네오헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 또는 옥티닐을 의미하는 것으로 받아들여진다.
1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 알콕시 또는 티오알킬기는 바람직하게는, 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시, 2,2,2-트리플루오로에톡시, 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 받아들여진다.
바람직하게는, 식 (I) 의 화합물에서, 기 A 는 C 이다.
또한, 바람직하게는 Z1 은 CR1 및 CR2 로부터 선택된다.
또한, 바람직하게는, Z2 는 CR2 이다.
또한, 바람직하게는, Z3 는 CR3 이다.
또한, 식 (I) 의 화합물의 방향족 고리 당 기 Z1, Z2 및 Z3 로부터 선택되는 최대 3 개의 기는 N 인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 식 (I) 의 화합물에서, 기 Z1, Z2 및 Z3 로부터 선택된 최대 3 개의 기는 N 이다.
바람직하게, 기 ArL 은 하나 이상의 라디칼 R4 으로 치환될 수도 있는, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템으로부터 선택된다. ArL 은, 각각이 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환될 수도 있는, 벤젠, 바이페닐, 테르페닐, 나프틸, 플루오레닐, 인데노플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐 및 카르바졸릴로부터 유도된 2가 기로부터 선택되는 경우 특히 바람직하다. 가장 바람직하게는, ArL 은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수도 있는 벤젠으로부터 유도된 2가 기이다.
바람직한 기 ArL 는 하기 식을 따른다:
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
Figure pct00006
Figure pct00007
식 중, 점선 결합은 식 (I) 의 나머지에 2가 기의 결합을 나타낸다.
위의 기들 중에서 특히 바람직한 것은 식 ArL-1, ArL-2, ArL-3, ArL-4, ArL-15, ArL-20, ArL-25, 및 ArL-36 중 하나에 따른 기이다.
지수 k는 0 인 것이 바람직하며, 이는 기 ArL 은 존재하지 않아, 아민의 질소 원자와 스피로바이플루오렌이 서로 직접 연결되는 것을 의미한다.
바람직하게는 기 Ar1 은, 동일하거나 상이하게, 각각이 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 선택적으로 치환되는, 하기 기들로부터 유도된 라디칼들로부터, 또는 각각이 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 선택적으로 치환되는, 하기 기들로부터 유도된 2 또는 3 개의 라디칼의 조합으로부터 선택된다: 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 인돌릴, 퀴놀리닐, 피리딜, 피리미딜, 피라지닐, 피리다지닐 및 트리아지닐.
특히 바람직한 기 Ar1 는, 동일하거나 상이하게, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 및 트리아지닐-치환된 페닐로부터 선택되고, 이들의 각각은 선택적으로 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수도 있다.
바람직하게는, 기 Ar1 은 각각의 경우, 상이하게 선택된다.
바람직한 기 Ar1 은, 동일하거나 상이하게, 하기 식들의 군으로부터 선택된다
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
Figure pct00016
Figure pct00017
Figure pct00018
Figure pct00019
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
Figure pct00023
식 중 기들은 자유 위치에서 기 R4 로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 이들 위치에서 비치환되고, 점선은 질소 원자에 대한 결합 위치를 나타낸다.
특히 바람직한 기 Ar1 은 위의 식 Ar-1, Ar-2, Ar-4, Ar-5, Ar-74, Ar-78, Ar-82, Ar-117, Ar-134, Ar-139, Ar-150, 및 Ar-172 중 하나를 따르는 기이다.
바람직한 실시형태에 따르면, 지수 m 은 0 이며, 이는 기 Ar1 이 기 E 에 의해 연결되지 않음을 의미한다.
특정 조건 하에서 바람직할 수도 있는 대안적인 실시형태에 따르면, 지수 m 은 1 이며, 이는 기 Ar1 이 기 E 에 의해 연결됨을 의미한다.
기 Ar1 가 기 E 에 의해 연결되는 경우, 바람직하게, 기 Ar1 은, 동일하거나 상이하게, 페닐 및 플루오레닐로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 기 R4 에 의해 치환될 수도 있다. 또한, 이러한 경우, 기 Ar1 를 연결하는 기 E 는 각각의 기 Ar1 상에, 바람직하게는 페닐 또는 플루오레닐인 각각의 기 Ar1 상에, 아민 질소 원자에 대한 기 Ar1 의 결합에 대한 오르토-위치에서 위치되는 것이 바람직하다. 또한, 바람직하게는, 이러한 경우에 아민 질소 원자를 갖는 6-고리는, 기 Ar1 및 E (E 가 C(R4)2, NR4, O 및 S 로부터 선택되는 경우) 로 형성되고; 그리고 E 가 단일 결합인 경우 5-고리가 형성된다.
기 Ar1 가 기 E 에 의해 연결되는 경우, 모이어티 (moiety)
Figure pct00024
의 특히 바람직한 실시형태들은
다음의 식들로부터 선택된다
Figure pct00025
Figure pct00026
식 중 기들은 자유 위치에서 기 R4 로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 이들 위치에서 비치환되고, 점선은 질소 원자에 대한 결합 위치를 나타낸다.
m = 0 인 경우, 식 (I) 에서의 특히 바람직한 모이어티들
Figure pct00027
은 하기 식을 따른다
Figure pct00028
Figure pct00029
Figure pct00030
Figure pct00031
Figure pct00032
Figure pct00033
식 중 기들은 자유 위치에서 기 R4 로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 이들 위치에서 비치환되고, 점선은 식 (I) 의 스피로바이플루오렌 모이어티에 대한 결합 위치를 나타낸다.
기 R1 은 바람직하게는, 동일하거나 상이하게,
Figure pct00034
6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수도 있다) 으로부터 선택되고; 특히 바람직하게는, 동일하거나 상이하게,
Figure pct00035
페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 및 트리아지닐-치환된 페닐 (이들의 각각은 선택적으로 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수도 있다) 로부터 선택된다.
기 R1 로서 실시형태들
Figure pct00036
에 대해, 기 ArL, Ar1, E, 및 지수 k 및 m 에 관한 동일한 바람직한 실시형태들이, 식 (I) 의 기들
Figure pct00037
의 맥락에서 위에 언급된 바처럼, 적용된다.
특히 바람직한 기 R1 은 하기 기들을 따르는 기이다.
Figure pct00038
Figure pct00039
Figure pct00040
Figure pct00041
Figure pct00042
Figure pct00043
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
Figure pct00047
Figure pct00048
Figure pct00049
Figure pct00050
Figure pct00051
Figure pct00052
Figure pct00053
식 중 기들은 자유 위치에서 기 R5 로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 이들 위치에서 비치환되고, 점선은 식 (I) 의 스피로바이플루오렌 모이어티에 대한 결합 위치를 나타낸다.
특히 바람직한 기 R1 은 식 R-1, R-2, R-21, R-58, 및 R-66 중 하나를 따르는 기이다.
기들 R2 및 R3 은 바람직하게는, 동일하거나 상이하게, H, F, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 상기 알킬기, 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있다. 보다 바람직하게는, 기 R2 는 H 이다. 보다 바람직하게는, 기 R3 는, 동일하거나 상이하게, H, F, 메틸, tert-부틸 및 페닐로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 기 R3 는 H 이다.
기 R4 는 바람직하게는, 동일하거나 상이하게, H, F, CN, Si(R5)3, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 여기서 2 개 이상의 라디칼 R4 는 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬 기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있다.
기 R5 는 바람직하게는, 동일하거나 상이하게, H, F, CN, Si(R6)3, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 여기서 2 개 이상의 라디칼 R5 는 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬 기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R6 에 의해 치환될 수도 있다.
바람직하게는, 식 (I) 에서, 하나의, 그리고 하나 이하의 기 Z1 은 CR1 이다. 또한, 바람직하게는, 2개의 6-고리들 사이의 결합에 대해 오르토-위치에 위치된 기 Z1 은 CR1 이다. 바람직하게는, 이 경우에, 다른 기 Z1 은 CR2 이다.
식 (I) 은 바람직하게는 식 (I-A) 내지 (I-C) 중 하나를 따른다
Figure pct00054
식 중, 나타나는 변수는 위에 정의된 바와 같다. 바람직하게는, 변수들은 이들의 위에 기재된 바람직한 실시형태들을 따른다.
식 (I-A), (I-B) 및 (I-C) 중에서, 식 (I-A) 가 바람직하다.
식 (I) 의 바람직한 실시형태들은 하기 식 (I-A-1) 내지 (I-C-2) 중 하나를 따른다:
Figure pct00055
식 중 발생하는 변수들은 위에 정의된 바와 같고, R11 은 F, Cl, Br, I, CN, SCN, SF5, Si(R5)3, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서 상기 알킬, 알콕시 및 티오알킬 기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있음) 으로부터 선택되고, 바람직하게는, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수도 있음) 으로부터 선택된다.
위의 식들 중에서, 식 (I-A-1) 및 (I-A-2) 가 바람직하다.
식 (I) 의 특히 바람직한 실시형태들은 하기 식 (I-A-1-1) 내지 (I-C-2-2) 중 하나를 따른다:
Figure pct00056
Figure pct00057
Figure pct00058
식 중, 발생하는 변수들은 위에 정의된 바와 같고, R31 는 동일하거나 상이하게, H, D, F, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 C 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 여기서 2 개 이상의 라디칼 R31 은 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 여기서 상기 알킬, 알콕시, 알케닐, 및 알키닐기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있고, 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서의 하나 이상의 CH2 기는 각 경우에 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고, 적어도 하나의 기 R31 는 H 및 D 와는 상이하다. 바람직하게는, R31 은, 각각의 경우 동일하거나 상이하게, H, F, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 상기 알킬기, 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있고, 적어도 하나의 기 R31 는 H 와는 상이하다. 보다 바람직하게는, R31 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, H, F, 메틸, tert-부틸 및 페닐로부터 선택되고, 적어도 하나의 기 R31 은 H 와는 상이하다. 가장 바람직하게는, 양자 모두의 기 R31 는 위의 실시형태들에 대해 H 및 D 와는 상이하다.
위의 식들 중에서, 식 (I-A-1-1), (I-A-1-2), (I-A-2-1) 및 (I-A-2-2) 가 바람직하다. 식 (I-A-1-1) 및 (I-A-2-1) 가 특히 바람직하다.
특히 바람직한 특정 화합물은 하기 식 (I-A-2-2-1) 을 따르는 하기 화합물이다
Figure pct00059
식 (I-A-2-2-1)
식 중 R31, Ar1-1 및 Ar1-2 는 아래 목록에 나타낸 대로 특정된다 (식 Ar-1 내지 Ar-172 는 위에서 특정한 대로이다):
Figure pct00060
Figure pct00061
Figure pct00062
Figure pct00063
Figure pct00064
또한, 하기 식들로부터 유도된 것을 제외하고는, 위의 화합물 C-1 내지 C-312 에 대응하는 화합물이 바람직하다
Figure pct00065
Figure pct00066
식 중, ArL 은 페닐렌, 바람직하게는 1,4-페닐렌이고, 여기서 R31, Ar1-1 및 Ar1-2 는 대응하는 화합물 C-1 내지 C-312 에 대해 나타낸 바와 같이 특정된다.
특히 바람직한 특정 화합물은 하기 식 (I-A-1-2-1) 을 따르는 하기 화합물이다
Figure pct00067
식 중 R11, R31, Ar1-1 및 Ar1-2 는 아래 목록에 나타낸 대로 특정된다 (식 Ar-1 내지 Ar-172 및 R-1 내지 R-66 는 위에서 특정한 대로이다):
Figure pct00068
Figure pct00069
Figure pct00070
Figure pct00071
Figure pct00072
Figure pct00073
Figure pct00074
Figure pct00075
Figure pct00076
Figure pct00077
Figure pct00078
Figure pct00079
Figure pct00080
Figure pct00081
Figure pct00082
Figure pct00083
Figure pct00084
Figure pct00085
Figure pct00086
Figure pct00087
또한, 하기 식으로부터 유도된 것을 제외하고는, 위의 화합물 C-313 내지 C-1872 에 대응하는 화합물이 바람직하다
Figure pct00088
식 중, ArL 은 페닐렌, 바람직하게는 1,4-페닐렌이고, 여기서 R11, R31, Ar1-1 및 Ar1-2 는 대응하는 화합물 C313 내지 C-1872 에 대해 나타낸 바와 같이 특정된다.
식 (I) 에 따른 바람직한 화합물은 하기 표에 나타낸다:
Figure pct00089
Figure pct00090
Figure pct00091
Figure pct00092
Figure pct00093
Figure pct00094
Figure pct00095
본 출원에 따른 화합물은 금속 촉매화된 커플링 반응, 특히 스즈키 반응 및 부흐발트 반응, 카르보닐기에 대한 금속화된 아릴 유도체의 친핵성 첨가 반응, 및 산-촉매화된 환화 반응과 같은 유기 합성 분야에서 알려진 표준 방법을 사용함으로써 제조된다.
바람직한 합성 공정에 따르면, 3 개의 반응성 기 X1 내지 X3 로 치환된 바이페닐 유도체 (여기서 X1 은 페닐-페닐 결합에 대해 직교 위치에 존재한다) 는, X1 의 위치에서, 바람직하게는 Li 또는 Mg 로, 선택적으로 금속화된다. 제 2 단계에서, 금속화된 바이페닐 유도체는 친핵성 첨가 반응에서 플루오레논 유도체와 반응한다. 3차 하이드록실 기를 갖는 형성된 중간체는 산성 조건하에서 스피로바이플루오렌으로 환화되며, 이는 2 개의 반응성 기 X2 및 X3 를 갖는다.
Figure pct00096
이어서, 수득된 화합물을 그들의 기 X2 및 X3 의 위치에서 추가로 반응시켜, 스페이서 기를 통해 선택적으로 결합된, 선택적으로 브릿지된 디아릴아민 기가 기 X2 의 위치에 존재하고, 스페이서 기, 또는 아릴 기, 또는 헤테로아릴 기를 통해 선택적으로 결합되는, 선택적으로 브릿지된 디아릴아민 기는 기 X3 의 위치에 존재한다. 이는 아릴 또는 헤테로아릴 유도체와의 스즈키 반응 및 선택적으로 브릿지된 디아릴 아민 유도체와의 부흐발트 반응으로부터 선택되는 순차적 또는 병렬적 방식으로 수행되는 커플링 반응으로 달성된다. 병렬적 커플링 반응의 경우, 2 개의 선택적으로 브릿지된 디아릴아민 기가 부흐발트 반응에 의해 기 X2 및 X3 의 위치에 도입될 수 있다. 부흐발트 반응 및 스즈키 반응으로부터 선택된 순차적 커플링 반응이 수행되는 경우, 차례로, 첫번째 반응은 더 높은 반응성을 갖는 기 X2 및 X3 의 위치에서 일어나고, 두번째 반응은 더 낮은 반응성을 갖는 기 X2 및 X3 의 위치에서 일어난다.
위에 언급된 반응의 결과, 본 출원의 식 (I) 에 따른 화합물이 수득된다.
따라서, 본 발명의 추가의 실시형태는 식 (I) 에 따른 화합물의 제조 방법으로서, 다음의 반응 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다
1) 페닐-페닐 결합에 직교하는 위치에 하나의 반응성 기를 갖고, 다른 위치에서 2 개의 추가 반응성 기를 갖는 바이페닐 유도체의 금속화, 여기서 금속화는 페닐-페닐 결합에 직교하는 위치에서 일어난다;
2) 플루오레논 유도체에의 금속화된 바이페닐 유도체의 첨가;
3) 스피로바이플루오렌 유도체로의 생성된 부가 생성물의 환화 (cyclisation), 여기서 환화는 산성 조건 하에서 또는 루이스 산으로 일어나고, 스피로바이플루오렌 유도체는 2 개의 반응성 기를 갖는다; 그리고
4) 두 개의 반응성 기의 위치에서, 방향족 고리 시스템, 헤테로방향족 고리 시스템 및 아민 기들로부터 선택된 기와 스피로바이플루오렌 유도체의 커플링.
단계 1) 의 금속화는 바람직하게는 리튬화 또는 그리냐르 반응이다. 반응성 기는 할로겐 기인 것이 바람직하고, Cl 또는 Br 인 것이 보다 바람직하다. 단계 4) 의 커플링 반응은 바람직하게는 아민 기와 커플링하는 경우 부흐발트 반응으로부터 선택되고, 커플링 반응은 바람직하게는 방향족 고리 시스템 또는 헤테로방향족 고리 시스템과 커플링하는 경우 스즈키 반응으로부터 선택된다. 단계 1) 내지 4) 는 바람직하게는 그들의 숫자 시퀀스로 수행된다. 또한, 바람직하게, 단계 2) 는 단계 1) 바로 후에 수행되고, 단계 3) 은 단계 2) 바로 후에 수행되고, 단계 4) 는 단계 3) 바로 후에 수행된다. "바로" 는 이와 관련하여 반응 단계들 사이에 화학 반응이 수행되지 않음을 의미한다.
위에 기재된 화합물, 특히 반응성 이탈기, 예컨대 브롬, 요오드, 염소, 보론산 또는 보론 에스테르로 치환된 화합물은 대응하는 올리고머, 덴드리머 또는 폴리머의 제조를 위한 단량체로서 사용될 수도 있다. 적합한 반응성 이탈기는 예를 들어, 브롬, 요오드, 염소, 보론산, 보론산 에스테르, 아민, 말단 C-C 이중 결합 또는 C-C 삼중 결합을 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 옥시란, 옥세탄, 시클로부가, 예를 들어 1,3-쌍극성 시클로부가로 들어가는 기, 예를 들어 디엔 또는 아지드, 카르복실산 유도체, 알코올 및 실란이다.
따라서 본 발명은 또한 식 (I) 의 하나 이상의 화합물을 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 제공하고, 여기서 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 결합(들)이 식 (I) 중 R1, R2, R3 또는 R4 에 의해 치환된 임의의 원하는 위치에 국부화될 수도 있다. 식 (I) 의 화합물의 연결에 따라, 화합물은 올리고머 또는 폴리머의 측쇄의 일부 또는 주쇄의 일부이다. 올리고머는 본 발명의 맥락상 적어도 3 개의 단량체 단위로부터 형성된 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 폴리머는 본 발명의 맥락상 적어도 10 개의 단량체 단위로부터 형성된 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명의 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머는 공액, 부분 공액, 또는 비공액될 수도 있다. 본 발명의 올리고머 또는 폴리머는 선형, 분지형 또는 수지상 (dendritic) 일 수도 있다. 선형 결합을 갖는 구조에서, 식 (I) 의 단위는 서로 직접 연결될 수도 있거나, 또는 2가 기를 통해, 예를 들면 치환 또는 비치환된 알킬렌기를 통해, 헤테로원자를 통해 또는 2가 방향족 또는 헤테로방향족 기를 통해 서로 연결될 수도 있다. 분지 및 수지 구조에서, 예를 들면, 식 (I) 의 3 개 이상의 단위가 3가 또는 더 높은 가수의 기를 통해, 예를 들면 3가 또는 더 높은 가수의 방향족 또는 헤테로방향족 기를 통해 연결되어, 분지형 또는 수지상 올리고머 또는 폴리머를 제공하는 것이 가능하다.
올리고머, 덴드리머 및 폴리머에서 식 (I) 의 반복 단위를 위해, 식 (I) 의 화합물에 대해 상술한 바와 같이 동일한 선호들이 적용된다.
올리고머 또는 폴리머의 제조를 위해, 본 발명의 단량체는 추가 단량체와 동종중합 또는 공중합된다. 적합하고 바람직한 공단량체는 플루오렌 (예를 들어 EP 842208 또는 WO 2000/22026 에 따름), 스피로바이플루오렌 (예를 들어 EP 707020, EP 894107 또는 WO 2006/061181 에 따름), 파라페닐렌 (예를 들어 WO 1992/18552 에 따름), 카르바졸 (예를 들어 WO 2004/070772 또는 WO 2004/113468 에 따름), 티오펜 (예를 들어 EP 1028136 에 따름), 디히드로페난트렌 (예를 들어 WO 2005/014689 또는 WO 2007/006383 에 따름), 시스- 및 트랜스-인데노플루오렌 (예를 들어 WO 2004/041901 또는 WO 2004/113412 에 따름), 케톤 (예를 들어 WO 2005/040302 에 따름), 페난트렌 (예를 들어 WO 2005/104264 또는 WO 2007/017066 에 따름) 또는 그 밖의 복수의 이들 단위로부터 선택된다. 폴리머, 올리고머 및 덴드리머는 전형적으로 좀더 추가의 단위, 예를 들어 방출 (형광 또는 인광) 단위, 예를 들어 비닐트리아릴아민 (예를 들어 WO 2007/068325 에 따름) 또는 인광 금속 착물 (예를 들어 WO 2006/003000 에 따름), 및/또는 전하 수송 단위, 특히 트리아릴아민에 기반한 것들을 함유한다.
본 발명의 폴리머 및 올리고머는 일반적으로 하나 이상의 단량체 유형의 중합에 의해 제조되고, 이들 중 적어도 하나의 단량체는 폴리머에서 식 (I) 의 반복단위에 이른다. 적합한 중합 반응은 당업자에게 공지되어 있고 문헌에 기재되어 있다. C-C 또는 C-N 결합의 형성에 이르는 특히 적합하고 바람직한 중합 반응은 스즈키 중합, 야마모토 중합, 스틸레 중합 및 하트위그-부흐발트 중합이다.
예를 들어 스핀-코팅 또는 인쇄 방법에 의해 액체상으로부터 본 발명의 화합물을 처리하기 위해서, 본 발명의 화합물의 제형이 필요하다. 이러한 제형은 예를 들어 용액, 분산액 또는 에멀젼일 수도 있다. 이러한 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하며 바람직한 용매는, 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m-또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 쿠멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, 메틸 벤조에이트, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서 본 발명은 식 (I) 의 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 용매, 바람직하게는 유기 용매를 포함하는 제형, 특히 용액, 분산액 또는 에멀젼을 추가로 제공한다. 이러한 용액을 제조할 수 있는 방식은 당업자에게 공지되어 있고 예를 들어, WO 2002/072714, WO 2003/019694 및 거기에 언급된 문헌에 기재되어 있다.
본 발명의 화합물은 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스 (OLED) 에 사용하기에 적합하다. 치환에 따라, 화합물은 상이한 기능 및 층에서 사용된다.
따라서 본 발명은 전자 디바이스에서 식 (I) 의 화합물의 사용을 추가로 제공한다. 이러한 전자 디바이스는 바람직하게는 유기 집적 회로 (OIC), 유기 전계효과 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 발광 트랜지스터 (OLET), 유기 태양 전지 (OSC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 디바이스 (OFQD), 유기 발광 전기화학 전지 (OLEC), 유기 레이저 다이오드 (O-laser) 및 더욱 바람직하게는 유기 전계 발광 디바이스 (OLED) 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명은 위에 이미 제시된 바와 같이 식 (I)의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 전자 디바이스를 제공한다. 이 전자 디바이스는 바람직하게는 위에 언급된 디바이스로부터 선택된다.
그것은, 애노드, 캐소드 및 적어도 하나의 방출층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스 (OLED) 로서, 방출층, 정공 수송층, 또는 다른 층, 바람직하게는 방출층 또는 정공 수송층, 특히 바람직하게는 정공 수송층일 수 있는 적어도 하나의 유기층이 식 (I) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스 (OLED) 인 것이 보다 바람직하다.
캐소드, 애노드 및 방출층 이외에, 유기 전계 발광 디바이스는 또한 추가 층을 포함할 수도 있다. 이들은 예를 들어 각 경우에 하나 이상의 정공 주입 층, 정공 수송층, 정공 차단층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 여기자 차단층, 중간층, 전하 생성층 (IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer), 및/또는 유기 또는 무기 p/n 접합으로부터 선택된다.
식 (I) 의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스의 층들의 시퀀스는 바람직하게 다음과 같다: 애노드-정공 주입층-정공 수송층-선택적으로 추가의 정공 수송층(들)-선택적으로 전자 차단층-방출층-선택적으로 정공 차단층-전자 수송층-전자 주입층-캐소드. 추가로, 추가 층이 OLED에 존재하는 것이 가능하다.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 둘 이상의 방출 층을 함유할 수도 있다. 보다 바람직하게는, 이러한 경우 이들 방출 층은 전체 결과가 백색 방출이 되도록 여러 방출 최대치가 전체로 380 nm 내지 750 nm 이다; 즉 형광 또는 인광을 낼 수도 있으며 청색, 녹색, 황색, 오렌지색 또는 적색 광을 방출하는 다양한 방출 화합물이 방출 층에서 사용된다. 특히 바람직한 것은 3-층 시스템, 즉, 3개의 방출층을 갖는 시스템으로, 여기서 3개 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타낸다 (기본 구조에 대해서는, 예를 들어, WO 2005/011013 을 참고한다). 본 발명의 화합물은 바람직하게는 정공 수송층, 정공 주입층 또는 전자 차단층에, 가장 바람직하게는 전자 차단층에 존재한다.
본 발명에 따르면, 식 (I) 의 화합물이 하나 이상의 인광 방출 화합물을 포함하는 전자 디바이스에 사용되는 경우 바람직하다. 이 경우, 화합물은 상이한 층, 바람직하게는 정공 수송층, 전자 차단층, 정공 주입층 또는 방출층에 존재할 수도 있다.
용어 "인광 방출 화합물"은 전형적으로 광의 방출이 스핀-금지된 천이, 예를 들어 여기된 삼중항 상태 또는 더 높은 스핀 양자수를 갖는 상태, 예를 들어 오중항 상태로부터의 천이를 통해 영향을 받는 화합물을 포함한다.
적합한 인광 방출 화합물 (= 삼중항 방출체) 는 특히 적합하게 여기되는 경우, 바람직하게는 가시 영역에서, 광을 방출하고, 또한 20 초과, 바람직하게는 38 초과, 그리고 84 미만, 더욱 바람직하게는 56 초과 그리고 80 미만의 원자 번호의 적어도 하나의 원자를 함유하는 화합물이다. 바람직한 것은, 인광 방출 화합물로서, 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐, 백금 또는 구리를 함유하는 화합물을 사용하는 것이다. 본 발명의 맥락에서, 모든 발광성 이리듐, 백금 또는 구리 착물은 인광 방출 화합물인 것으로 고려된다.
위에 기재된 방출 화합물의 예는 출원 WO 00/70655, WO 01/41512, WO 02/02714, WO 02/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373 및 US 2005/0258742 에서 찾을 수 있다. 일반적으로, 종래 기술에 따른 인광 OLED 에 사용되며 유기 전계 발광 디바이스 분야의 당업자에게 공지된 모든 인광 착물이 적합하다. 또한, 당업자는 진보성 능력을 발휘하지 않고서, 유기 전계 발광 디바이스에서 식 (I) 의 화합물과 조합하여 추가의 인광 착물을 사용할 수 있다. 추가 예는 다음 표에 나열되어 있다.
본 발명에 따르면, 식 (I) 의 화합물을 하나 이상의 형광 방출 화합물을 포함하는 전자 디바이스에 사용하는 것이 또한 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 식 (I) 의 화합물은 정공 수송 재료로서 사용된다. 이 경우, 화합물은 바람직하게는 정공 수송층, 전자 차단층 또는 정공 주입층에 존재한다. 전자 차단층에 사용하는 것이 특히 바람직하다.
본 출원에 따른 정공 수송층은 애노드와 방출층 사이에서 정공-수송 기능을 갖는 층이다.
정공 주입층 및 전자 차단층은 본 출원의 맥락에서 정공 수송층의 특정 실시형태들인 것으로 이해된다. 정공 주입층은, 애노드와 방출층 사이의 복수의 정공 수송층의 경우에, 애노드에 바로 인접하거나 또는 오로지 애노드의 단일 코팅에 의해서만 그로부터 분리되는 정공 수송층이다. 전자 차단층은, 애노드와 방출층 사이의 복수의 정공 수송층의 경우에, 애노드 측의 방출층에 바로 인접하는 정공 수송층이다. 바람직하게는, 본 발명의 OLED 는 애노드와 방출층 사이에 2 개, 3 개 또는 4 개의 정공-수송층을 포함하며, 이들 중 적어도 하나는 바람직하게는 식 (I) 의 화합물을 함유하고, 보다 바람직하게는 정확히 하나 또는 둘은 식 (I) 의 화합물을 함유한다.
식 (I) 의 화합물이 정공 수송층, 정공 주입층 또는 전자 차단층에서 정공 수송 재료로서 사용된다면, 화합물은 순수한 재료, 즉 100 % 비율로 정공 수송층에 사용될 수 있거나, 또는 하나 이상의 추가 화합물과 조합하여 사용될 수 있다. 바람직한 실시형태에서, 식 (I) 의 화합물을 포함하는 유기 층은 그후 부가적으로 하나 이상의 p-도펀트를 함유한다. 본 발명에 따라 사용된 p-도펀트는 바람직하게는 혼합물에서 다른 화합물들의 하나 이상을 산화시킬 수 있는 그러한 유기 전자 수용체 화합물이다.
p-도펀트의 특히 바람직한 실시형태는 WO 2011/073149, EP 1968131, EP 2276085, EP 2213662, EP 1722602, EP 2045848, DE 102007031220, US 8044390, US 8057712, WO 2009/003455, WO 2010/094378, WO 2011/120709, US 2010/0096600, WO 2012/095143 및 DE 102012209523 에 개시된 화합물이다.
특히 바람직한 p-도펀트는 퀴노디메탄 화합물, 아자인데노플루오렌디온, 아자페날렌, 아자트리페닐렌, I2, 금속 할라이드, 바람직하게는 전이 금속 할라이드, 금속 옥사이드, 바람직하게는 적어도 하나의 전이 금속 또는 주족 3 족 금속을 함유하는 금속 옥사이드, 및 전이 금속 착물, 바람직하게는 Cu, Co, Ni, Pd 및 Pt 와 결합 부위로서 적어도 하나의 산소 원자를 함유하는 리간드와의 착물이다. 바람직한 것은 추가로 도펀트로서 전이 금속 옥사이드, 바람직하게는 레늄, 몰리브덴 및 텅스텐의 옥사이드, 더욱 바람직하게는 Re2O7, MoO3, WO3 및 ReO3 이다.
p-도펀트는 바람직하게는 p-도핑된 층 내에 실질적으로 균질한 분포로 있다. 이들은 예를 들어, p-도펀트 및 정공 수송 재료 매트릭스의 동시 증발에 의해 달성될 수 있다.
바람직한 p-도펀트는 특히 하기 화합물이다:
Figure pct00097
Figure pct00098
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, 식 (I) 의 화합물은 US 2007/0092755에 기재된 바와 같은 헥사아자트리페닐렌 유도체와 조합하여 정공 수송 재료로서 사용된다. 헥사아자트리페닐렌 유도체를 별도의 층으로 사용하는 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 추가 실시형태에서, 식 (I) 의 화합물은 하나 이상의 방출 화합물, 바람직하게 인광 방출 화합물과 조합하여 매트릭스 재료로서 방출층에 사용된다.
이러한 경우 방출층에서의 매트릭스 재료의 비율은 형광 방출층에 대해서는 50.0 부피% 내지 99.9 부피%, 바람직하게는 80.0 부피% 내지 99.5 부피%, 그리고 보다 바람직하게는 92.0 부피% 내지 99.5 부피% 이고, 인광 방출층에 대해서는 85.0 부피% 내지 97.0 부피% 이다.
대응하여, 방출 화합물의 비율은 형광 방출층에 대해서는 0.1 부피% 내지 50.0 부피%, 바람직하게는 0.5 부피% 내지 20.0 부피%, 그리고 보다 바람직하게는 0.5 부피% 내지 8.0 부피% 이고, 인광 방출층에 대해서는 3.0 부피% 내지 15.0 부피% 이다.
유기 전계 발광 디바이스의 방출층은 또한 복수의 매트릭스 재료 (혼합 매트릭스 시스템) 및/또는 복수의 방출 화합물을 포함하는 시스템을 포함할 수도 있다. 이러한 경우에도, 방출 화합물은 일반적으로 시스템 내에서 더 적은 비율을 갖는 그러한 재료이고, 매트릭스 재료는 시스템 내에서 더 큰 비율을 갖는 그러한 재료이다. 그러나 개개의 경우에, 시스템 내에서의 단일 매트릭스 재료의 비율은 단일 방출 화합물의 비율보다 적을 수도 있다.
식 (I) 의 화합물은 혼합 매트릭스 시스템의 성분으로서 사용되는 것이 바람직하다. 혼합 매트릭스 시스템은 바람직하게는 2 또는 3 개의 상이한 매트릭스 재료, 보다 바람직하게는 2 개의 상이한 매트릭스 재료를 포함한다. 바람직하게는, 이러한 경우, 2 개 재료 중 하나는 정공-수송 특성을 갖는 재료이고, 다른 재료는 전자-수송 특성을 갖는 재료이다. 식 (1) 의 화합물은 바람직하게는 정공-수송 특성을 갖는 매트릭스 재료이다. 그러나, 혼합 매트릭스 성분의 원하는 전자-수송 및 정공-수송 특성은 또한, 단일 혼합 매트릭스 성분에서 주로 또는 전적으로 조합될 수 있는데, 이 경우 추가의 혼합 매트릭스 성분(들)은 다른 기능을 충족시킨다. 2개의 상이한 매트릭스 재료는 1:50 내지 1:1, 바람직하게는 1:20 내지 1:1, 보다 바람직하게는 1:10 내지 1:1, 그리고 가장 바람직하게는 1:4 내지 1:1 의 비로 존재할 수 있다. 인광 유기 전계 발광 디바이스에서 혼합 매트릭스 시스템을 사용하는 것이 바람직하다. 혼합 매트릭스 시스템에 관한 보다 상세한 정보의 한 소스는 출원 WO 2010/108579 이다.
혼합-매트릭스 시스템은 하나 이상의 방출 화합물, 바람직하게는 하나 이상의 인광 방출 화합물을 포함할 수도 있다. 일반적으로, 혼합 매트릭스 시스템은 바람직하게 인광 유기 전계 발광 디바이스에 사용된다.
혼합 매트릭스 시스템의 매트릭스 성분으로서 본 발명의 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 특히 적합한 매트릭스 재료는 혼합 매트릭스 시스템에서 사용되는 방출 화합물의 유형에 따라 인광 방출 화합물을 위한 아래 특정된 바람직한 매트릭스 재료 또는 형광 방출 화합물을 위한 바람직한 매트릭스 재료로부터 선택된다.
혼합 매트릭스 시스템에 사용하기에 바람직한 인광 방출 화합물은 일반적으로 바람직한 인광 방출체 재료로서 추가로 상술된 것과 동일하다.
전자 디바이스 중의 상이한 기능성 재료의 바람직한 실시형태가 하기에 나열된다.
바람직한 인광 방출 화합물은 다음의 것들이다:
Figure pct00099
Figure pct00100
Figure pct00101
Figure pct00102
Figure pct00103
Figure pct00104
Figure pct00105
Figure pct00106
Figure pct00107
Figure pct00108
Figure pct00109
바람직한 형광 방출 화합물은 아릴아민의 부류로부터 선택된다. 아릴아민 또는 방향족 아민은 본 발명의 맥락에서 질소에 직접 결합된 3 개의 치환 또는 비치환 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 바람직하게는, 이러한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 중 적어도 하나는, 보다 바람직하게는 적어도 14 개의 방향족 고리 원자를 갖는, 융합 고리 시스템이다. 이들의 바람직한 예는 방향족 안트라센아민, 방향족 안트라센디아민, 방향족 피렌아민, 방향족 피렌디아민, 방향족 크리센아민 또는 방향족 크리센디아민이다. 방향족 안트라센아민은 디아릴아미노 기가, 바람직하게는 9 위치에서, 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 안트라센디아민은 2 개의 디아릴아미노기가, 바람직하게는 9,10 위치에서, 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 피렌아민, 피렌디아민, 크리센아민 및 크리센디아민은 유사하게 정의되는데, 여기서 디아릴아미노 기는 바람직하게는 1 위치 또는 1,6 위치에서 피렌에 결합된다. 더욱 바람직한 방출 화합물은 인데노플루오렌아민 또는 플루오렌디아민 (예를 들어 WO 2006/108497 또는 WO 2006/122630 에 따름), 벤조인데노플루오렌아민 또는 -플루오렌디아민 (예를 들어 WO 2008/006449 에 따름), 및 디벤조인데노플루오렌아민 또는 디아민 (예를 들어 WO 2007/140847 에 따름), 및 WO 2010/012328 에 기재된 융합 아릴기를 갖는 인데노플루오렌 유도체이다. 마찬가지로 바람직한 것은 WO 2012/048780 및 WO 2013/185871 에 개시된 피렌아릴아민이다. 마찬가지로 WO 2014/037077 에 개시된 벤조인데노플루오렌아민, WO 2014/106522에 개시된 벤조플루오렌아민, WO 2014/111269 및 WO 2017/036574에 개시된 연장 (extend) 된 벤조인데노플루오렌, WO 2017/028940 및 WO 2017/028941에 개시된 페녹사진, 및 WO 2016/150544에 개시된 푸란 단위 또는 티오펜 단위에 결합된 플루오렌 유도체가 바람직하다.
바람직하게는 형광 방출 화합물을 위한, 유용한 매트릭스 재료에는 다양한 물질 부류의 재료가 포함된다. 바람직한 매트릭스 재료는 올리고아릴렌의 계열 (예를 들어 EP 676461 에 따른 2,2',7,7'-테트라페닐스피로바이플루오렌 또는 디나프틸안트라센), 특히 융합 방향족 기를 함유하는 올리고아릴렌의 계열, 올리고아릴렌비닐렌 (예를 들어 EP 676461 에 따른 DPVBi 또는 스피로-DPVBi), 폴리포달 (polypodal) 금속 착물 (예를 들어 WO 2004/081017 에 따름), 정공-전도 화합물 (예를 들어 WO 2004/058911 에 따름), 전자-전도 화합물, 특히 케톤, 포스핀 옥사이드, 술폭사이드 등 (예를 들어 WO 2005/084081 및 WO 2005/084082 에 따름), 회전 장애 이성질체 (예를 들어 WO 2006/048268 에 따름), 보론산 유도체 (예를 들어 WO 2006/117052 에 따름) 또는 벤즈안트라센 (예를 들어 WO 2008/145239 에 따름) 으로부터 선택된다. 특히 바람직한 매트릭스 재료는 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센 및/또는 피렌 또는 이들 화합물의 회전 장애 이성질체를 포함하는 올리고아릴렌의 부류, 올리고아릴렌비닐렌, 케톤, 포스핀 옥사이드 및 술폭사이드로부터 선택된다. 매우 특히 바람직한 매트릭스 재료는 안트라센, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌 및/또는 피렌 또는 이들 화합물의 회전 장애 이성질체를 포함하는 올리고아릴렌의 부류로부터 선택된다. 본 발명의 맥락에서 올리고아릴렌은 적어도 3 개의 아릴 또는 아릴렌 기가 서로 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해될 것이다. WO 2006/097208, WO 2006/131192, WO 2007/065550, WO 2007/110129, WO 2007/065678, WO 2008/145239, WO 2009/100925, WO 2011/054442 및 EP 1553154 에 개시된 안트라센 유도체, EP 1749809, EP 1905754 및 US 2012/0187826 에 개시된 피렌 화합물, WO 2015/158409 에 개시된 벤즈안트라세닐안트라센 화합물, WO 2017/025165 에 개시된 인데노벤조푸란, 및 WO 2017/036573 에 개시된 페난트릴안트라센이 추가로 바람직하다.
인광 방출 화합물을 위한 바람직한 매트릭스 재료는, 식 (I) 의 화합물은 물론, 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥사이드 또는 방향족 술폭사이드 또는 술폰 (예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따름), 트리아릴아민, 카르바졸 유도체 (예를 들어, CBP (N,N-비스카르바졸릴비페닐) 또는 WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 개시된 카르바졸 유도체), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2010/136109, WO 2011/000455 또는 WO 2013/041176 에 따름), 아자카르바졸 유도체 (예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따름), 쌍극성 매트릭스 재료 (예를 들어 WO 2007/137725 에 따름), 실란 (예를 들어 WO 2005/111172 에 따름), 아자보롤 또는 보론산 에스테르 (예를 들어 WO 2006/117052 에 따름), 트리아진 유도체 (예를 들어 WO 2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 아연 착물 (예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따름), 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체 (예를 들어 WO 2010/054729 에 따름), 디아자포스폴 유도체 (예를 들어 WO 2010/054730 에 따름), 브릿지된 카르바졸 유도체 (예를 들어 US 2009/0136779, WO 2010/050778, WO 2011/042107, WO 2011/088877 또는 WO 2012/143080 에 따름), 트리페닐렌 유도체 (예를 들어 WO 2012/048781 에 따름), 또는 락탐 (예를 들어 WO 2011/116865 또는 WO 2011/137951 에 따름) 이다.
본 발명의 전자 디바이스의 정공 주입 또는 정공 수송층 또는 전자 차단 층 내에서 또는 전자 수송 층에서 사용가능한 적합한 전하 수송 재료는 식 (I) 의 화합물들 뿐만 아니라, 예를 들어, Y. Shirota 등의, Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010 에 개시된 화합물, 또는 종래 기술에 따라 이들 층에서 사용되는 다른 재료이다.
바람직하게는, 본 발명의 OLED 는 2 개 이상의 상이한 정공 수송층을 포함한다. 식 (I) 의 화합물은 여기서 하나 이상의 또는 모든 정공 수송층에서 사용될 수도 있다. 바람직한 실시형태에서, 식 (I) 의 화합물은 정확히 하나 또는 정확히 2 개의 정공 수송층에 사용되고, 다른 화합물, 바람직하게는 방향족 아민 화합물은 존재하는 추가의 정공 수송층에 사용된다. 본 발명의 OLED 의 정공 수송층에 바람직하게 사용되는, 식 (1) 의 화합물과 함께 사용되는 추가 화합물은 특히 인데노플루오렌아민 유도체 (예를 들어 WO 06/122630 또는 WO 06/100896 에 따름), EP 1661888 에 개시된 아민 유도체, 헥사아자트리페닐렌 유도체 (예를 들어, WO 01/049806 에 따름), 융합 방향족을 갖는 아민 유도체 (예를 들어 US 5,061,569 에 따름), WO 95/09147에 개시된 아민 유도체, 모노벤조인데노플루오렌아민 (예를 들어 WO 08/006449 에 따름), 디벤조인데노플루오렌아민 (예를 들어 WO 07/140847 에 따름), 스피로바이플루오렌아민 (예를 들어, WO 2012/034627 또는 WO 2013/120577 에 따름), 플루오렌아민 (예를 들어, WO 2014/015937, WO 2014/015938, WO 2014/015935 및 WO 2015/082056 에 따름), 스피로디벤조피란아민 (예를 들어 WO 2013/083216 에 따름), 디하이드로아크리딘 유도체 (예를 들어 WO 2012/150001에 따름), 스피로디벤조푸란 및 스피로디벤조티오펜 (예를 들어, WO 2015/022051, WO 2016/102048 및 WO 2016/131521 에 따름), 페난트렌디아릴아민 (예를 들어 WO 2015/131976 에 따름), 스피로트리벤조트로폴론 (예를 들어 WO 2016/087017에 따름), 메타-페닐디아민기를 갖는 스피로바이플루오렌 (예를 들어 WO 2016/078738 에 따름), 스피로비스아크리딘 (예를 들어 WO 2015/158411 에 따름), 크산텐디아릴아민 (예를 들어 WO 2014/072017), 및 디아릴아미노기를 갖는 9,10-디하이드로안트라센 스피로 화합물 (WO 2015/086108에 따름) 이다.
정공 수송 화합물로서 4 위치에서 디아릴아미노 기로 치환된 스피로바이플루오렌의 사용, 특히 WO 2013/120577 에 청구되고 개시된 화합물의 사용, 및 정공 수송 화합물로서 2 위치에서 디아릴아미노 기에 의해 치환된 스피로바이플루오렌의 사용, 특히 WO 2012/034627 에 청구되고 개시된 화합물의 사용이 매우 특히 바람직하다.
전자 수송층에 사용된 재료는 전자 수송층에서 전자 수송 재료로서 종래 기술에 따라 사용된 바와 같은 임의의 재료일 수 있다. 특히 적합한 것은 알루미늄 착물, 예를 들어 Alq3, 지르코늄 착물, 예를 들어 Zrq4, 리튬 착물, 예를 들어 Liq, 벤즈이미다졸 유도체, 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체, 피리딘 유도체, 피라진 유도체, 퀴녹살린 유도체, 퀴놀린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 방향족 케톤, 락탐, 보란, 디아자포스폴 유도체 및 포스핀 옥사이드 유도체이다. 추가의 적합한 재료는 JP 2000/053957, WO 2003/060956, WO 2004/028217, WO 2004/080975 및 WO 2010/072300 에 기재된 바와 같은 위에 언급된 화합물의 유도체이다.
전자 디바이스의 바람직한 캐소드는 낮은 일함수를 갖는 금속, 다양한 금속, 예를 들어 알칼리 토금속, 알칼리 금속, 주족 금속 또는 란타노이드 (예를 들어, Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등) 로 구성되는 금속 합금 또는 다층 구조이다. 추가적으로 적합한 것은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은으로 구성된 합금, 예를 들어 마그네슘 및 은으로 구성된 합금이다. 다층 구조의 경우에, 언급된 금속에 추가로, 상대적으로 높은 일 함수를 갖는 추가의 금속, 예를 들어 Ag 또는 Al 을 또한 사용할 수 있으며, 이 경우 예를 들어 Ca/Ag, Mg/Ag 또는 Ba/Ag 와 같은 금속의 조합이 일반적으로 사용된다. 또한 금속성 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전 상수를 갖는 재료의 얇은 중간층을 도입하는 것이 바람직할 수도 있다. 이러한 목적을 위해 유용한 재료의 예는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 플루오라이드 뿐만 아니라, 또한 대응하는 산화물 또는 탄산염 (예를 들어, LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3 등) 이다. 또한 이 목적을 위해 리튬 퀴놀리네이트 (LiQ) 를 사용하는 것이 가능하다. 이러한 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm 이다.
바람직한 애노드는 높은 일함수를 갖는 재료이다. 바람직하게는, 애노드는 진공에 대해 4.5 eV 보다 더 큰 일 함수를 갖는다. 첫째, 산화환원 전위가 높은 금속, 예를 들어 Ag, Pt 또는 Au 가 이 목적에 적합하다. 둘째, 금속/금속 산화물 전극들 (예를 들면, Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수도 있다. 일부 응용의 경우, 전극 중 적어도 하나가, 유기 재료의 조사 (유기 태양 전지) 또는 광의 방출 (OLED, O-레이저) 를 가능하게 하기 위해 투명하거나 또는 부분적으로 투명해야만 한다. 바람직한 애노드 재료들은 여기서 전도성 혼합 금속 산화물이다. 인듐 주석 산화물 (ITO) 또는 인듐 아연 산화물 (IZO) 이 특히 바람직하다. 또한, 전도성 도핑된 유기 재료, 특히 전도성 도핑된 폴리머가 바람직하다. 게다가, 애노드는 또한, 2개 이상의 층, 예를 들어 ITO 의 내부 층 및 금속 산화물, 바람직하게는 산화 텅스텐, 산화 몰리브덴 또는 산화 바나듐의 외부 층으로 이루어질 수도 있다.
물 및 공기에 의한 손상 영향을 배제하기 위해서, 디바이스는 (응용에 따라) 적절하게 구조화되고, 접점-접속 (contact-connect) 되고, 최종적으로 밀봉된다.
바람직한 실시형태에서, 전자 디바이스는 하나 이상의 층이 승화 공정에 의해 코팅되는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템 중에서의 증착에 의해 적용된다. 하지만, 이 경우, 초기 압력은 훨씬 더 낮은, 예를 들어 10-7 mbar 미만일 수도 있다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (유기 기상 증착) 방법에 의해 또는 캐리어 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스가 바람직하다. 이 경우, 재료는 10-5 mbar 와 1 bar 사이의 압력에서 적용된다. 이러한 방법의 특별한 경우는 OVJP (유기 증기 제트 인쇄) 방법으로, 여기서 재료는 노즐에 의해 직접 도포되고, 이에 따라 구조화된다 (예를 들어, M. S. Arnold 등의, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
부가적으로 바람직한 것은 하나 이상의 층이 예를 들어, 스핀 코팅에 의해서와 같이 용액으로부터, 또는 예를 들어, 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 노즐 인쇄 또는 오프셋 인쇄, 그러나 보다 바람직하게는 LITI (광 유도 열 이미징, 열 전사 인쇄) 또는 잉크젯 인쇄에 의해서와 같이 임의의 인쇄 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스이다. 이러한 목적을 위해, 식 (I) 의 가용성 화합물이 필요하다. 높은 용해도는 화합물의 적합한 치환에 의해 달성될 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 디바이스가 용액으로부터 하나 이상의 층 및 승화 방법에 의해 하나 이상의 층을 적용함으로써 제조되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따라서, 식 (I) 의 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 디바이스는 디스플레이에서, 조명 응용에서 광원으로서 그리고 의료 및/또는 미용 응용 (예를 들어, 광 테라피) 에서 광원으로서 사용될 수 있다.
실시예
A) 합성예
달리 나타내지 않는 한, 보호-기체 분위기하에서 하기의 합성을 수행한다. 출발 물질은 ALDRICH 또는 ABCR 로부터 구입할 수 있다. 문헌으로부터 알려진 출발 물질의 경우에 있어서의 대괄호안의 숫자는 대응하는 CAS 번호이다.
예 1
5-브로모-2-클로로-9,9'-스피로바이플루오렌 1a 의 합성
Figure pct00110
THF (200ml) 중 2,2'-디브로모-4-클로로-바이페닐 (84 g, 239 mmol) 의 용액을, 아르곤 하에 -78℃ 에서 109 mL 의 n-BuLi (헥산 중 2,2 M, 239 mmol) 으로 처리한다. 혼합물을 30 분 동안 교반하였다. 150 mL THF 중 플루오렌-9-온 (44 g, 239 mmol) 의 용액을 적가한다. 반응을 -78℃ 에서 30 분 동안 진행시킨 후 실온에서 밤새 교반한다. 반응을 물로 켄칭하고 고체를 여과한다. 추가 정제 없이, 966 mL 톨루엔 중의 알코올 용액 및 2,9 g p-톨루엔설폰 산을 밤새 환류시킨다. 냉각 후, 유기상을 물로 세척하고 용매를 진공하에 제거한다. 생성물을 백색 고체 형태로 단리한다 (60 g, 이론치의 91%).
추가 할로겐화 스피로바이플루오렌 유도체의 합성을 유사하게 수행한다:
Figure pct00111
Figure pct00112
2-클로로-5-페닐-9,9'-스피로바이플루오렌 2a 의 합성
Figure pct00113
31,5 g (251 mmol) 의 페닐-보론 산, 110 g (251 mmol) 의 5-브로모-2-클로로-9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9 g (8,5 mmol) 의 Pd(P(Ph3))4, 및 66,8 g (627 mmol) 의 Na2CO3 이 903 mL 의 물, 278 mL 의 에탄올 및 1,9 L 의 톨루엔에 용해된다. 반응 혼합물을 환류하고 아르곤 분위기 하에 12 시간 동안 교반하고, 실온으로 냉각시킨 후, 혼합물을 셀라이트를 통해 여과한다. 여과액을 진공 증발시키고, 잔류물을 헵탄으로부터 결정화한다. 생성물을 오프 화이트 (off-white) 고체 형태로 단리한다 (100 g, 이론치의 94%).
유사하게, 하기 화합물을 합성한다:
Figure pct00114
Figure pct00115
Figure pct00116
N-{[1,1'-바이페닐]-4-일}-N-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-5-페닐-9,9'-스피로바이[플루오렌]-2-아민 3a 의 합성
Figure pct00117
트리-tert-부틸포스핀 (톨루엔 중 1.0 M 용액의 1,32 mL, 1,32 mmol), Pd2(dba)3 (607 mg, 0,66 mmol) 및 나트륨 tert-부톡사이드 (4,8 g, 49,7 mmol) 를 탈기된 톨루엔 (500 ml) 에서 바이페닐-4-일-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-아민 (11,9 g, 33,1 mmol) 및 2'-클로로-5'-페닐-9,9'-스피로바이플루오렌 (14,7 g, 33,1 mmol) 의 용액에 첨가하고, 그 혼합물을 환류하에서 6 시간 동안 가열한다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔으로 양을 늘리고 셀라이트 (Celite) 를 통해 여과하였다. 여과액을 진공하에서 증발시키고, 잔류물을 톨루엔/헵탄으로부터 결정화시켰다. 조 생성물을 속슬렛 (Soxhlet) 추출기 (톨루엔) 에서 추출하고 2회 진공 속에서 구역 승화에 의해 정제한다. 생성물을 오프 화이트 고체 형태로 단리한다 (9,5 g, 이론치의 38%).
유사하게, 하기 화합물을 수득한다:
Figure pct00118
Figure pct00119
Figure pct00120
Figure pct00121
Figure pct00122
Figure pct00123
Figure pct00124
Figure pct00125
Figure pct00126
Figure pct00127
Figure pct00128
N-{[1,1'-바이페닐]-4-일}-9,9-디메틸-N-(4-{4-페닐-9,9'-스피로바이[플루오렌]-7-일}페닐)-9H-플루오렌-2-아민 4a 의 합성
Figure pct00129
59.1 g (101.8 mmol) 의 바이페닐-4-일-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일 (4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보로란-2-일)-페닐]아민, 43,5 g (101.8 mmol) 의 2-클로로-5-페닐-9,9'-스피로바이플루오렌, 3.88 g (5.14 mmol) 의 PdCl2(Cy)3, 31.2 g (205.6 mmol) 의 불화세슘을 800 ㎖ 의 톨루엔에 용해한다. 반응 혼합물을 환류하고 아르곤 분위기 하에 12 시간 동안 교반하고, 실온으로 냉각시킨 후, 혼합물을 셀라이트를 통해 여과한다. 여과액을 진공 증발시키고, 잔류물을 헵탄으로부터 결정화한다. 조 생성물을 속슬렛 (Soxhlet) 추출기 (톨루엔) 에서 추출하고 2회 진공 속에서 구역 승화에 의해 정제한다. 생성물을 백색 고체 형태로 단리한다 (42 g, 이론치의 51%).
유사하게, 하기 화합물을 합성한다:
Figure pct00130
Figure pct00131
Figure pct00132
Figure pct00133
B) 디바이스 예
1) 일반 절차
본 출원에 따른 화합물을 포함하는 OLED 및 기준 화합물 (reference compound) 을 포함하는 OLED 가 다음의 일반 공정에 의해 제조된다: 사용된 기판은 두께가 50 nm 인 구조화된 ITO (인듐 주석 산화물) 로 코팅된 유리 플레이트이다.
OLED 는 기본적으로 하기의 층 구조를 가진다: 기판 / 정공 주입층 (HIL) / 정공 수송층 (HTL) / 전자 차단 층 (EBL) / 방출 층 (EML) / 전자 수송 층 (ETL) / 전자 주입층 (EIL) 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 100 nm 의 두께를 갖는 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 특정 디바이스 설정은 표 1에, 그리고 OLED 의 제조에 필요한 재료는 표 3에 나타나 있다.
모든 재료들은 진공 챔버에서 열 기상 증착에 의해 적용된다. 여기서 방출 층은 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 방출 도펀트 (방출체) (이는 동시 증발에 의해 매트릭스 재료 또는 매트릭스 재료들과 소정의 체적 비율로 혼합되어 있음) 로 이루어진다. 여기서 H1:SEB (5%) 와 같은 표현은 재료 H1 이 층에서 95% 의 부피 비율로 존재하고 SEB 가 층에서 5% 의 부피 비율로 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 다른 층도 2 가지 이상의 재료들의 혼합물로 이루어질 수도 있다.
OLED 를 표준 방법에 의해 특성화한다. 이 목적을 위해, Lambert 방출 특성을 가정하는 전류/전압/발광 밀도 특성 선 (IUL 특성 선) 으로부터 계산된, 광속 밀도의 함수로서 전계발광 스펙트럼 및 외부 양자 효율 (EQE, 퍼센트로 측정됨), 및 수명이 결정된다. 표현 EQE @ 10 mA/㎠ 는 10 mA/㎠ 의 동작 전류 밀도에서의 외부 양자 효율을 나타낸다. LT80 @ 60mA/㎠ 는, 가속 인자 없이, OLED 가 그의 초기 루미넌스, 즉 5000cd/m2 로부터 초기 강도의 80%, 즉 4000cd/m2 로 떨어질 때까지의 수명이다. 본 발명 및 비교 재료를 함유하는 다양한 OLED 에 대한 데이터를 표 2 에 요약한다.
특히, 본 발명에 따른 화합물은 OLED 에서 HIL, HTL, 또는 EBL 재료로서, 또는 EML 에서 매트릭스 재료로서 적합하다. 이것들은, 층에서 단일 재료로서 적합할 뿐만 아니라, HIL, HTL, EBL 에서 또는 EML 내에서 혼합 성분으로서의 사용에도 적합하다.
2) OLED 의 HIL, HTL 및 EBL 에서의 응용에 따른 화합물의 사용 예
표 2 는 표 1 에 나타낸 특정 OLED 예로 얻어진 성능 데이터를 보여준다. OLED C1 및 C2 는 종래 기술의 화합물 HTM-b 및 EBM 을 포함하는 참고 예이다. OLED E1, E2 및 E3 은 본 출원에 따른 OLED 이며, 본 발명의 화합물 HTM-1, HTM-2 및 HTM-3 을 포함한다. 종래 기술에 따른 OLED (C1 내지 C2) 와 비교하여, 본 발명에 따른 화합물 을 포함하는 샘플 (E1 내지 E3) 은 단일항 청색 디바이스 (E1 및 E3 와 비교한 C1) 그리고 삼중항 녹색 디바이스 (E2 와 비교한 C2) 양자 모두에서 더 우수한 성능을 나타낸다.
디바이스 E1 의 수명은 참고 예 C1 보다 더 양호하다는 것이 나타날 수 있다. 이는 기준 재료 HTM-b 와 비교하여 화합물 HTM-1 의 개선된 성능을 보여준다. 유사하게, 디바이스 E3 의 수명이 디바이스 C1 의 수명보다 더 낫다. 이는 기준 재료 HTM-b 와 비교하여 화합물 HTM-3 의 개선된 성능을 보여준다.
마지막으로, 디바이스 E2 는 참조 예 C2 보다 더 나은 수명을 보여준다. 이는 기준 화합물 EBM 와 비교하여 화합물 HTM-2 의 개선된 성능을 보여준다.
Figure pct00134
Figure pct00135
3) 단일항 청색 디바이스의 HIL 및 HTL 에서 본 발명에 따른 화합물 HTM-1 을 포함하는 OLED 와 화합물 HTM-c 를 포함하는 OLED 의 비교
2 개의 OLED 는 1) 하에서 위에 설명된 일반 공정에 따라 제조된다.
스택 구조는 아래 표 1b 에 나타낸다:
Figure pct00136
동작 전압 및 수명은 유사하게 남아있지만, 비교 화합물 HTM-c 를 포함하는 OLED C3 과 비교하여, 본 발명에 따른 화합물 HTM-1 를 포함하는 OLED E4 에 대해 EQE 의 강한 증가가 발견된다. OLED E4 의 EQE 가 9.1 % 인 반면에, OLED C3 은 EQE 가 7.9 % 이다.
4) 삼중항 녹색 디바이스의 EBL 에서 본 발명에 따른 화합물 HTM-1 을 포함하는 OLED 와 화합물 HTM-c 를 포함하는 OLED 의 비교
2 개의 OLED 는 1) 하에서 위에 설명된 일반 공정에 따라 제조된다.
스택 구조는 아래 표 1c 에 나타낸다:
Figure pct00137
동작 전압 및 수명은 유사하게 남아있지만, 비교 화합물 HTM-c 를 포함하는 OLED C4 과 비교하여, 본 발명에 따른 화합물 HTM-1 를 포함하는 OLED E5 에 대해 EQE 의 강한 증가가 발견된다. OLED E5 는 EQE 가 15.9% 인 반면에, OLED C4 은 EQE 가 14.9% 이다.
5) 화합물 HTM-4 내지 HTM-7 을 사용한 추가 디바이스 예
OLED E6, E7, E8 및 E9 는 본 출원에 따른 OLED이며, 본 발명의 화합물 HTM-4, HTM-5, HTM-6 및 HTM-7 을 포함한다.
E6 는 단일항 청색 디바이스에서 HIL 및 HTL 재료로서 본 발명의 화합물 HTM-4 의 성능을 나타낸다 (상세한 스택은 아래 참조). 여기서, 290 시간의 수명 LT80@60 mA/㎠ 이, 양호한 효율 및 전압과 함께, 발견된다.
E7, E8 및 E9 는 삼중항 녹색 디바이스에서 EBL 재료로서 본 발명의 화합물 HTM-5, HTM-6 및 HTM-7 의 성능을 나타낸다 (상세한 스택은 아래 참조). 여기서, 390 시간 (E7), 280 시간 (E8), 및 310 시간 (E9) 의 수명 LT80@40 mA/㎠ 이, 양호한 효율 및 전압과 함께, 발견된다.
Figure pct00138
Figure pct00139
Figure pct00140
Figure pct00141

Claims (16)

  1. 하기 식 (I) 의 화합물로서
    Figure pct00142

    식 중, 변수들은 하기와 같이 정의된다:
    A 는 C 또는 Si 이다;
    Z1 는 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, CR1, CR2 및 N 으로부터 선택된다;
    Z2 는 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, CR2 및 N 으로부터 선택된다;
    Z3 는 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, CR3 및 N 으로부터 선택된다;
    ArL 은 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R4 으로 치환될 수도 있는, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R4 으로 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택된다;
    Ar1 는 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수도 있는, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R4 으로 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택된다;
    E 는 단일 결합이거나 또는 C(R4)2, N(R4), O, 및 S 로부터 선택된 2가 기이다;
    R1 은, 각각의 경우 동일하거나 상이하게,
    Figure pct00143

    Si(R5)3, 1 내지 20 개의 C 원자를 가지는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 3 내지 20 개의 C 원자를 가지는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 상기 알킬, 알콕시 및 티오알킬 기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있다;
    R2, R3 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, SCN, SF5, 1 내지 20 개의 C 원자를 가지는 직쇄 알킬 또는 알콕시기, 3 내지 20 개의 C 원자를 가지는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시기, 2 내지 20 개의 C 원자를 가지는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 라디칼 R2 및 R3 로부터 선택되는 2개 이상의 라디칼은 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐, 및 알키닐기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에, 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있고, 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기에서의 하나 이상의 CH2 기는 각 경우에, -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있다;
    R4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, H, D, F, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시기, 2 내지 20 개의 C 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2 개 이상의 라디칼 R4 는 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐, 및 알키닐기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있고, 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기에서의 하나 이상의 CH2 기는 각 경우에 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있다;
    R5 는 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, C(=O)R6, CN, Si(R6)3, N(R6)2, P(=O)(R6)2, OR6, S(=O)R6, S(=O)2R6, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄형 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 C 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2 개 이상의 라디칼 R5 는 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R6 에 의해 치환될 수도 있고, 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서의 하나 이상의 CH2 기는 -R6C=CR6-, -C≡C-, Si(R6)2, C=O, C=NR6, -C(=O)O-, -C(=O)NR6-, NR6, P(=O)(R6), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있다;
    R6 은 각각의 경우 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 알킬기, 6 내지 40 개의 C 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템에서 선택되고; 2 개 이상의 라디칼 R6 는 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬기, 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 F 및 CN 에 의해 치환될 수도 있다;
    k 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1이며; k=0 인 경우 기 ArL 은 존재하지 않고 질소 원자 및 스피로바이플루오렌 기가 직접 연결된다;
    m 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1이며, m=0 인 경우, 기 E 는 존재하지 않고 기 Ar1 은 연결되지 않는다;
    기 Z1 중 적어도 하나가 CR1 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    ArL 은, 각각이 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환될 수도 있는, 벤젠, 바이페닐, 테르페닐, 나프틸, 플루오레닐, 인데노플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐 및 카르바졸릴로부터 유도된 2가 기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    기 Ar1 은 동일하거나 상이하게, 각각이 선택적으로 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환되는, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피비플루오레닐, 인데노플루오레닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 인돌릴, 퀴놀리닐, 피리딜, 피리미딜, 피라지닐, 피리다지닐 및 트리아지닐 기로부터 유도된 라디칼로부터, 또는 각각이 선택적으로 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환되는, 이들 기로부터 유도된 2 개 또는 3 개 라디칼의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    지수 m 은 0 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기 R1 은, 동일하거나 상이하게,
    Figure pct00144

    페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조융합된 디벤조푸라닐, 벤조융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 및 트리아지닐-치환된 페닐로부터 선택되고, 이들의 각각은 선택적으로 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수도 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기 R1 은 하기 기들을 따르는 기이고
    Figure pct00145

    Figure pct00146

    Figure pct00147

    Figure pct00148

    Figure pct00149

    Figure pct00150

    Figure pct00151

    Figure pct00152

    Figure pct00153
    ]
    Figure pct00154

    Figure pct00155

    Figure pct00156

    Figure pct00157

    Figure pct00158

    Figure pct00159

    Figure pct00160

    식 중 기들은 자유 위치에서 기 R5 로 치환될 수도 있고, 점선은 식 (I) 의 스피로바이플루오렌 모이어티에 대한 결합 위치를 나타내는 것을 특징으로 하는 화합물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    R2 가 H 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    R3 는, 동일하거나 상이하게, H, F, 메틸, tert-부틸 및 페닐로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    2개의 6-고리들 사이의 결합에 대해 오르토 위치에 위치된 기 Z1 는 CR1 이고, 다른 기 Z1 는 CR2 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하기 식 (I-A-1-1) 내지 (I-C-2-2) 중 하나를 따르고
    Figure pct00161

    Figure pct00162

    Figure pct00163

    식 중, 발생하는 변수들은 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같고, R31 는 동일하거나 상이하게, H, D, F, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 C 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2 개 이상의 라디칼 R31 은 서로 연결되어 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐, 및 알키닐기 및 상기 방향족 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R5 에 의해 치환될 수도 있고, 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서의 하나 이상의 CH2 기는 각 경우에 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고, 적어도 하나의 기 R31 는 H 및 D 와는 상이한 것을 특징으로 하는 화합물.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물의 제조 방법으로서, 하기 반응 단계
    1) 페닐-페닐 결합에 직교하는 위치에 하나의 반응성 기를 갖고, 다른 위치에서 2 개의 추가 반응성 기를 갖는 바이페닐 유도체의 금속화 단계로서, 상기 금속화는 페닐-페닐 결합에 직교하는 위치에서 일어나는, 상기 금속화 단계;
    2) 플루오레논 유도체에의 금속화된 바이페닐 유도체의 첨가 단계;
    3) 스피로바이플루오렌 유도체로의 생성된 부가 생성물의 환화 (cyclisation) 단계로서, 상기 환화는 산성 조건 하에서 또는 루이스 산으로 일어나고, 상기 스피로바이플루오렌 유도체는 2 개의 반응성 기를 갖는, 상기 환화 단계; 및
    4) 2 개의 반응성 기의 위치에서, 방향족 고리 시스템, 헤테로방향족 고리 시스템 및 아민 기들로부터 선택된 기와 상기 스피로바이플루오렌 유도체의 커플링 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물의 제조 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 식 (I) 의 하나 이상의 화합물을 포함하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머로서, 상기 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 결합(들)은 R1, R2, R3 또는 R4 에 의해 치환되는 식 (I) 에서의 임의의 원하는 위치에 국부화될 수도 있는, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머.
  13. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 식 (I) 의 적어도 하나의 화합물 또는 제 12 항에 기재된 적어도 하나의 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머, 및 적어도 하나의 용매를 포함하는, 제형.
  14. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물, 또는 제 12 항에 기재된 적어도 하나의 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머를 포함하는, 전자 디바이스.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 전자 디바이스는 애노드, 캐소드 및 적어도 하나의 방출층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스이고, 방출층, 정공 수송층, 전자 차단층 또는 정공 주입층인, 상기 디바이스의 적어도 하나의 유기층은 상기 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  16. 전자 디바이스에서의, 제 1 항 내지 제 10 항 중 어는 한 항에 기재된 화합물 또는 제 12 항에 기재된 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머의 용도.
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