TW201920070A - 用於電子裝置之材料 - Google Patents

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泰瑞莎 穆吉卡佛南
芙羅瑞恩 梅佛
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Abstract

本申請案關於適合使用於電子裝置的特定式之螺聯茀衍生物。

Description

用於電子裝置之材料
本申請案關於一種下文所定義的式(I)之螺聯茀衍生物，其適合使用於電子裝置，尤其是有機電致發光裝置(OLED)。 　　電子裝置在本申請案的情況下係理解為意指所謂的有機電子裝置，其含有有機半導體材料作為功能材料。更具體地說，這些係理解為意指OLED。
其中有機化合物係用作為功能材料的OLED之構造在先前技術中為常識。通常，術語OLED係理解為意指具有一或多個包含有機化合物之層並在施加電壓時發光的電子裝置。 　　在電子裝置(尤其是OLED)中，在改良性能數據(尤其是壽命、效率和工作電壓)方面有著極大的興趣。在這些方面，還沒有找到任何完全令人滿意的解決方案。此外，為了使用於電子裝置中，有興趣尋找具有優異材料性質(特別是低昇華溫度)的功能材料，因為此有利於藉由氣相沈積技術製備裝置。 　　具有電洞傳輸功能的層(例如電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層以及發光層)對電子裝置之性能數據具有巨大影響。為了使用於這些層中，仍然在尋求具有電洞傳輸性質的新材料。 　　在用於OLED之新穎材料的研究中，發現在1-位置經胺基取代且此外在螺聯茀上具有至少二個其他取代基之螺聯茀化合物為用於電子裝置之極佳功能材料。彼等特別可用作為具有電洞傳輸功能的材料，例如使用於電洞傳輸層、電子阻擋層和發光層。 　　當使用於電子裝置(特別是使用於OLED)中時，彼等就裝置的壽命、工作電壓和量子效率而言產生優異的結果。該等化合物亦具有一或多種選自下列的性質：非常好的電洞傳導性質、非常好的電子阻擋性質、高玻璃轉移溫度、高氧化穩定性、良好的溶解性、高熱穩定性和低昇華溫度。
本申請案因此提供一種式(I)化合物其中下列適用於該等變數： 　　ArL 係選自可經一或多個基團R3 取代的具有6至30個芳族環原子之芳族環系統及可經一或多個基團R3 取代的具有5至30個芳族環原子之雜芳族環系統； 　　Ar1 和Ar2 係相同或不同地選自可經一或多個基團R3 取代的具有6至30個芳族環原子之芳族環系統及可經一或多個基團R3 取代的具有5至30個芳族環原子之雜芳族環系統； 　　E為單鍵或為選自C(R3 )2 、N(R3 )、O、和S的二價基； 　　R1 在每次出現時係相同或不同地選自F；Cl；Br；I；-CN；-SCN；-NO2 ；-SF5 ；烷基；烷氧基；烷硫基(thioalkyl)；烯基；炔基；和矽基，彼等可經一或多個選自基團R4 和烷基、烷氧基、烷硫基、烯基、和炔基之基團取代；其中該等烷基、烷氧基和烷硫基係選自可經一或多個基團R4 取代的具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基和烷硫基、及可經一或多個基團R4 取代的具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基和烷硫基；及其中該烯基係選自可經一或多個基團R4 取代的具有2至20個C原子之烯基；及其中該炔基係選自可經一或多個基團R4 取代的具有2至20個C原子之炔基； 　　R2 在每次出現時係相同或不同地選自H、D、F、C(=O)R4 、CN、Si(R4 )3 、N(R4 )2 、P(=O)(R4 )2 、OR4 、S(=O)R4 、S(=O)2 R4 、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個C原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個基團R2 可彼此連接以形成環；其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基及該等芳族和雜芳族環系統在各情況下可經一或多個基團R4 取代，及其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團在各情況下可經-R4 C=CR4 -、-C≡C-、Si(R4 )2 、C=O、C=NR4 、-C(=O)O-、-C(=O)NR4 -、NR4 、P(=O)(R4 )、 -O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R3 在每次出現時係相同或不同地選自H、D、F、C(=O)R4 、CN、Si(R4 )3 、N(R4 )2 、P(=O)(R4 )2 、OR4 、S(=O)R4 、S(=O)2 R4 、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個C原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個基團R3 可彼此連接以形成環；其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基及該等芳族和雜芳族環系統在各情況下可經一或多個基團R4 取代，及其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團在各情況下可經 -R4 C=CR4 -、-C≡C-、Si(R4 )2 、C=O、C=NR4 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR4 -、NR4 、P(=O)(R4 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R4 在每次出現時係相同或不同地選自H、D、F、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個C原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個基團R4 可彼此連接以形成環；其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基及該等芳族和雜芳族環系統在各情況下可經一或多個基團R5 取代，及其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團在各情況下可經 -R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R5 在每次出現時係相同或不同地選自H、D、F、CN、具有1至20個C原子之烷基、具有6至40個C原子之芳族環系統、或具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個基團R5 可彼此連接以形成環；及其中該等烷基、芳族環系統和雜芳族環系統可經F和CN取代； 　　n在每次出現時係相同或不同地為0或1，其中在n=0的情況下，基團R1 不存在，且基團R2 係代替鍵結在此位置；及 　　k為0或1；其中在k=0的情況下，基團ArL 不存在且該氮原子和該螺聯茀基團係直接連接； 　　m為0或1，其中在m=0的情況下，基團E不存在且基團Ar1 和Ar2 不連接； 　　其特徵在於式(I)中之至少二個標號n為1。 　　下列定義適用於作為一般定義使用的化學基團。彼等僅適用於沒有提供更具體定義的範圍。 　　芳基就本發明之意義而言含有6至40個芳族環原子，其中沒有任何一個是雜原子。芳基在此意指簡單芳族環(例如苯)或縮合芳族多環(例如萘、菲或蒽)。縮合芳族多環就本申請案之意義而言由二或多個彼此縮合之簡單芳族環組成。 　　雜芳基就本發明之意義而言含有5至40個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。雜原子較佳係選自N、O及S。雜芳基在此意指簡單雜芳族環，諸如吡啶、嘧啶或噻吩，或縮合雜芳族多環，諸如喹啉或咔唑。縮合雜芳族多環就本申請案的意義而言由二或多個彼此縮合之簡單雜芳族環組成。 　　在各情況下可經上述基團取代且可經由任何所欲位置連接至芳族或雜芳族環系統之芳基或雜芳基特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、 (chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯並蒽、苯並菲、稠四苯、稠五苯、苯並芘、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、啡噻、啡㗁、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑(naphthimidazole)、菲並咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶並咪唑(pyridimidazole)、吡並咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉並咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯並㗁唑、萘並㗁唑(naphthoxazole)、蒽並㗁唑(anthroxazole)、菲並㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、嗒、苯並嗒、嘧啶、苯並嘧啶、喹㗁啉、吡、啡、㖠啶、氮雜咔唑、苯並咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三、1,2,4-三、1,2,3-三、四唑、1,2,4,5-四、1,2,3,4-四、1,2,3,5-四、嘌呤、蝶啶、吲及苯並噻二唑。 　　芳族環系統就本發明之意義而言在環系統中含有6至40個C原子且不包含任何雜原子作為芳族環原子。芳族環系統就本發明之意義而言因此不含任何雜芳基。芳族環系統就本發明之意義而言意欲係指不一定只含有芳基而是其中此外多個芳基可能以非芳族單元(諸如一或多個隨意經取代之C、Si、N、O或S原子)連接的系統。非芳族單元在該情況下較佳包含少於10%的非H之原子，相對於整個芳族環系統中非H之原子的總數。因此，例如，系統諸如9,9'-螺聯茀、9,9'-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚和二苯乙烯也意欲認為是就本發明之意義而言的芳族環系統，如為其中二或多個芳基例如以直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或以矽基連接之系統。此外，其中二或多個芳基係經由單鍵彼此連接之系統也被認為是就本發明之意義而言的芳族環系統，諸如，例如系統諸如聯苯和聯三苯。 　　較佳地，芳族環系統係理解為化學基團，其中構成化學基團的芳基彼此共軛。此意指芳基經由單鍵或經由具有可參與共軛的自由π電子對之連接單元彼此連接。連接單元較佳係選自氮原子，單C=C單元、單C≡C單元、彼等彼此共軛之多個C=C單元及/或C≡C單元、-O-、和-S-。 　　雜芳族環系統就本發明之意義而言含有5至40個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。雜原子較佳係選自N、O或S。雜芳族環系統係如上述芳族環系統所定義，且其差異為必須獲得具有至少一個雜原子作為芳族環原子中之一者。因此其不同於根據本申請案之定義的芳族環系統，其不含任何雜原子作為芳族環原子。 　　具有6至40個芳族環原子之芳族環系統或具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統特別是衍生自上述芳基和雜芳基之基團，或衍生自聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、茚並茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、和茚並咔唑之基團。 　　就本發明之目的而言，具有1至20個C原子之直鏈烷基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或具有2至20個C原子之烯基或炔基，其中，此外，個別H原子或CH2 基團可經在上述該等基團定義下之基團取代，較佳意指基團甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。 　　具有1至20個C原子之烷氧基或烷硫基(thioalkyl)較佳意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。 　　較佳地，基團ArL 係選自具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其可經一或多個基團R3 取代。特佳的是若ArL 係選衍生自苯、聯苯、聯三苯、萘基、茀基、茚並茀基、螺聯茀基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、和咔唑基之二價基團，則彼等可各自經一或多個基團R3 取代。 　　較佳基團ArL 符合下列式 其中虛線表示二價基團至式(I)之其餘部分的鍵。 　　上述基團之中特佳為根據式ArL -1、ArL -2、ArL -3、ArL -9、ArL -12、ArL -16、ArL -17、ArL -36、ArL -64、和ArL -73中之一者的基團。 　　較佳的是標號k為0，意指基團ArL 不存在，所以該螺聯茀和該胺的氮原子彼此直接連接。 　　較佳地，基團Ar1 和Ar2 係相同或不同地選自衍生自下列基團之基團，彼等各自隨意地經一或多個基團R3 取代，或選自2或3個衍生自下列基團之基團的組合，彼等各自隨意地經一或多個基團R3 取代：苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基和9,9'-二苯基茀基)、苯並茀基、螺聯茀基、茚並茀基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、咔唑基、苯並呋喃基、苯並噻吩基、吲哚基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡基、嗒基和三基。 　　特佳基團Ar1 和Ar2 係相同或不同地選自苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基和9,9'-二苯基茀基)、苯並茀基、螺聯茀基、茚並茀基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、咔唑基、苯並呋喃基、苯並噻吩基、苯並稠合的二苯並呋喃基、苯並稠合的二苯並噻吩基、萘基取代之苯基、茀基取代之苯基、螺聯茀基取代之苯基、二苯並呋喃基取代之苯基、二苯並噻吩基取代之苯基、咔唑基取代之苯基、吡啶基取代之苯基、嘧啶基取代之苯基、和三基取代之苯基、彼等各自可隨意地經一或多個基團R3 取代。 　　較佳地，Ar1 和Ar2 係不同地選擇。 　　較佳基團Ar1 和Ar2 係相同或不同地選自下列式之基團 其中該等基團可在自由位置經基團R3 取代，但較佳在此等位置中未取代，及其中虛線代表至氮原子的鍵結位置。 　　特佳基團Ar1 和Ar2 符合下列式Ar-1、Ar-2、Ar-3、Ar-4、Ar-5、Ar-64、Ar-74、Ar-78、Ar-82、Ar-89、Ar-117、Ar-134、Ar-139、Ar-141、Ar-150、Ar-172、和Ar-174。 　　根據一較佳實施態樣，基團Ar1 和Ar2 不以基團E連接，意指標號m為0。 　　根據一替代實施態樣，其在某些條件下可為較佳，基團Ar1 和Ar2 以基團E連接，意指標號m為1。 　　在基團Ar1 和Ar2 以基團E連接的情況下，較佳的是基團Ar1 和Ar2 係相同或不同地選自苯基和茀基，彼等各自可經一或多個R3 基團取代。此外，在該情況下，較佳的是連接該基團Ar1 和該基團Ar2 之基團E係位在個別基團Ar1 和Ar2 上，較佳位於為苯基或茀基之個別基團Ar1 和Ar2 上，其於基團Ar1 和Ar2 至胺氮原子的鍵之鄰位。此外，較佳地，在該情況下，若E係選自C(R3 )2 、NR3 、O和S，則具有胺氮原子的六環係由基團Ar1 、Ar2 和E形成；及若E為單鍵，則形成五環。 　　在基團Ar1 和Ar2 以基團E連接的情況下，該等部分的特佳實施態樣係選自下列式 其中該等基團可在自由位置經基團R3 取代，但較佳在這些位置中未經取代，及其中虛線代表至氮原子的鍵結位置。 　　較佳的是根據本申請案之化合物具有2、3、或4個鍵結至螺聯茀之基團R1 ，意指2、3、或4個標號n等於1，及其餘的標號n等於0。 　　較佳的是根據本申請案之化合物具有不大於且不小於2個鍵結至螺聯茀之基團R1 ，意指不大於且不小於2個標號n等於1，及其餘的標號n等於0。 　　此外，較佳的是根據本申請案之化合物具有不大於一個鍵結至螺聯茀的各芳族六環之基團R1 。 　　基團R1 較佳在每次出現時係相同或不同地選自具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基，彼等可隨意地經一或多個基團F取代，和選自具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基、或烷硫基，彼等可隨意地經一或多個基團F取代。特佳為具有1至20個C原子之烷基，彼等可經一或多個基團F取代，或基團F；最佳為F、CF3 、CH3 和C(CH3 )3 。 　　特佳基團R1 符合以下基團中之一者 在此等式中，式R1 -1、R1 -2、R1 -5、和R1 -18為較佳。 　　根據一較佳實施態樣，基團R2 等於H或， 　　其中每個式(I)不多於一個基團R2 等於， 　　及其餘基團R2 等於H。特佳地，基團R2 全部為H。 　　較佳地，R3 在每次出現時係相同或不同地選自H、D、F、CN、Si(R4 )3 、N(R4 )2 、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個C原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個基團R3 可彼此連接以形成環；及其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基及該等芳族和雜芳族環系統在各情況下可經一或多個基團R4 取代。 　　較佳地，R4 在每次出現時係相同或不同地選自H、D、F、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個C原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個基團R4 可彼此連接以形成環；及其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基及該等芳族和雜芳族環系統在各情況下可經一或多個基團R5 取代。 　　根據一較佳實施態樣，式(I)化合物符合式(IA)和(IB)中之一者，其中該等變數係如上述所定義，及其中基團R2 可以鍵結至螺聯茀上之各個自由位置。 　　式(IA)和(IB)之中，式(IA)為較佳。 　　較佳的是根據式(I)之化合物符合式(I-A-1)至(I-A-9)和(I-B-1)至(I-B-9)中之一者，特佳符合式(I-A-1)、(I-A-2)、(I-B-1)和(I-B-2)中之一者，最佳符合式(I-A-1)和(I-B-1)中之一者 其中該等變數係如上述所定義，及其中在各場合螺聯茀上之自由位置可以基團R2 取代，且較佳為未經取代。 　　根據式(I)之化合物的較佳實施態樣係提供於下列表單中，其中基本結構符合第二欄中所提供的式，基團ArL (如果有)具有第三欄中所提供的結構，基團R1 符合第四欄中所提供的式，及基團Ar1 和Ar2 分別符合在第五欄和第六欄中所提供的式。 其他較佳化合物為上表之化合物的類似物，其不同為特徵在於彼等具有根據式(I-A-2)至(I-A-9)和(I-B-2)至(I-B-9)中之一者的基本結構。 　　其他較佳化合物為上表之化合物C-613至C-1224的類似物，其不同特徵在於彼等已以符合式ArL -1、ArL -2、ArL -3、ArL -9、ArL -12、ArL -16、ArL -17、ArL -36、ArL -64、和ArL -73中之一者的基團ArL 替代為1,4-伸苯基之基團ArL 。 　　根據式(I)之較佳特定化合物為下列之化合物： 根據本申請案之化合物係藉由使用有機合成領域中已知的標準方法製備，諸如金屬催化的偶合反應(特別是Suzuki反應和Buchwald反應)、金屬化之芳基衍生物為羰基的親核加成反應、和酸催化的環化反應。 　　較佳地，關於根據式(I)之化合物的合成，將在苯基-苯基鍵之鄰位具有反應性基團的聯苯衍生物金屬化，較佳鋰化或進行格任亞(Grignard)反應(參見流程圖1)。金屬化之聯苯衍生物接著與在1-位置具有基團A之茀酮衍生物反應。基團A係選自i)X，或ii)-Ar-X，或iii)-NAr2 ，或iv)-Ar-NAr2 ，其中Ar為芳族或雜芳族基團及X係選自反應性基團，較佳選自鹵素基團。將所得加成產物在酸性條件下或使用路易士酸環化成螺聯茀。在情況i)(基團A=X)中，所得螺聯茀可在Suzuki偶合中與具有兩個適當反應性基團的芳基衍生物進一步反應，及隨後與二芳基胺Buchwald偶合，以產生在其1-位置具有伸芳基-二芳基胺基團的螺聯茀衍生物。作為一替代方案，該螺聯茀可在Buchwald偶合中與二芳基胺或NH-咔唑衍生物反應，以產生在其1-位置具有二芳基胺基團或N-咔唑基團的螺聯茀衍生物。作為更進一步的替代方案，所得螺聯茀可在Suzuki偶合中與具有硼酸衍生物之三芳基胺進一步反應。 　　在情況ii)(基團A=-Ar-X)中，所得螺聯茀可在Buchwald偶合中與二芳基胺或NH-咔唑衍生物進一步反應，以產生在其1-位置具有二芳基胺基團或N-咔唑基團的螺聯茀衍生物。 　　在情況iii)和iv)中，因環化反應產生的螺聯茀已經為根據式(I)之化合物。在情況iii)(基團A=-NAr2 )中，反應順序中所使用的茀酮衍生物可藉由與二芳基胺之Buchwald反應而從個別鹵素取代之茀酮衍生物獲得。在情況iv)(基團A=-Ar-NAr2 )中，反應順序中所使用的茀酮衍生物可藉由與具有兩個適當反應性基團的芳基衍生物之Suzuki偶合從個別鹵素取代之茀酮衍生物，及隨後與二芳基胺之Buchwald偶合而獲得。 　　本發明之另一實施態樣因此為一種製備根據式(I)化合物之方法，其特徵在於其包含下列反應步驟 　　1) 將在苯基-苯基鍵的鄰位之位置具有反應性基團之聯苯衍生物金屬化； 　　2) 將金屬化之聯苯衍生物加成至在其1-位置具有基團A之茀酮衍生物；其中基團A係選自i)X、或ii)-Ar-X、或iii)-NAr2 、或iv)-Ar-NAr2 ，其中Ar為芳族或雜芳族基團，及其中X為反應性基團；及 　　3) 將所得加成產物在酸性條件下或用路易士酸環化為螺聯茀衍生物。 　　步驟1)的金屬化較佳為鋰化或格任亞反應。基團X較佳為鹵素基團，更佳為Cl或Br。步驟1)至3)較佳以其數字順序進行。此外，較佳地，步驟2)係在步驟1)之後直接地進行，並且步驟3)係在步驟3)之後直接進行。"直接地"在此方面意指反應步驟之間不進行化學反應。 　　上述化合物，尤其是經反應性脫離基(諸如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯)取代之化合物可發現作為製備對應寡聚物、樹枝狀聚合物或聚合物之單體的用途。適當反應性脫離基為(例如)溴、碘、氯、硼酸、硼酸酯、胺、具有終端C-C雙鍵或C-C參鍵之烯基或炔基、環氧乙烷、環氧丙烷、進入環加成(例如1,3-偶極環加成)之基團(例如二烯或疊氮化物)、羧酸衍生物、醇和矽烷。 　　本發明因此進一步提供含有一或多種式(I)化合物的寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其中至聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於式(I)中經R1 、R2 或R3 取代之任何所欲位置處。根據式(I)化合物的鍵聯，該化合物為寡聚物或聚合物的側鏈之部分或主鏈的部分。寡聚物在本發明的情況下係解理為意指由至少三個單體單元形成之化合物。聚合物在本發明的情況下係解理為意指由至少十個單體單元形成之化合物。本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物可為共軛、部分共軛或非共軛。本發明之寡聚物或聚合物可為線性、分支或樹枝狀。在具有線性鍵聯之結構中，式(I)之單元可彼此直接連接，或彼等可經由二價基團(例如經由經取代或未經取代之伸烷基、經由雜原子或經由二價芳族或雜芳族基團)彼此連接。在分支及樹枝狀結構中，例如三或多個式(I)之單元可能經由三價或更高價基團(例如經由三價或更高價芳族或雜芳族基團)連接，以產生分支或樹枝狀寡聚物或聚合物。 　　關於寡聚物、樹枝狀聚合物及聚合物中的式(I)之重複單元，適用與上述關於式(I)化合物相同的較佳選擇。 　　為了製備寡聚物或聚合物，將本發明之單體進行均聚合或與其他單體進行共聚合。適當且較佳的共聚單體係選自茀(例如根據EP 842208或WO 2000/22026)、螺聯茀(例如根據EP 707020、EP 894107或WO 2006/061181)、對伸苯基(例如根據WO 1992/18552)、咔唑(例如根據WO 2004/070772或WO 2004/113468)、噻吩(例如根據EP 1028136)、二氫菲(例如根據WO 2005/014689或WO 2007/006383)、順-和反-茚並茀(例如根據WO 2004/041901或WO 2004/113412)、酮(例如根據WO 2005/040302)、菲(例如根據WO 2005/104264或WO 2007/017066)亦或複數個此等單元。聚合物、寡聚物及樹枝狀聚合物通常含有更進一步單元，例如發光(螢光或磷光)單元，例如乙烯基三芳基胺(例如根據WO 2007/068325)或磷光金屬錯合物(例如根據WO 2006/003000)、及/或電荷傳輸單元，尤其是彼等以三芳基胺為主者。 　　本發明之聚合物和寡聚物通常係藉由一或多種單體類型之聚合而製得，其中至少一種單體導致聚合物中式(I)之重複單元。適當的聚合反應為熟習此項技術者已知且描述於文獻中。導致C-C或C-N鍵之形成的特別適當且較佳之聚合反應為Suzuki聚合、Yamamoto聚合、Stille聚合及Hartwig-Buchwald聚合。 　　為了從液相處理本發明化合物(例如藉由旋轉塗佈或藉由印刷方法需要本發明化合物的調合物。此等調合物可為例如溶液、分散液或乳液。為此目的，較佳可為使用二或多種溶劑之混合物。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(尤其是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯並噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯並噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苄基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或此等溶劑之混合物。 　　本發明因此另外提供一種調合物，尤其是一種溶液、分散液或乳液，其包含至少一種式(I)化合物及至少一種溶劑，較佳有機溶劑。其中可製備該等溶液的方式為熟習此項技術者已知且描述於(例如)WO 2002/072714、WO 2003/019694及其中所引用之文獻中。 　　本發明化合物適合使用於電子裝置中，尤其是用於有機電致發光裝置(OLED)中。取決於取代，化合物係使用於不同功能和層中。 　　本發明因此另外提供式(I)化合物用於電子裝置之用途。此電子裝置較佳係選自由下列所組成之群組：有機積體電路(OIC)、有機場效應電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學偵測器、有機感光器(photoreceptor)、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-雷射)及更佳為有機電致發光裝置(OLED)。 　　如上已述者，本發明另外提供一種包含至少一種式(I)化合物之電子裝置。此電子裝置較佳係選自上述裝置。 　　更佳的是包含陽極、陰極和至少一個發光層之有機電致發光裝置(OLED)，其特徵在於至少一個有機層(其可為發光層、電洞傳輸層或另一層，較佳為發光層或電洞傳輸層，特佳為電洞傳輸層)包含至少一種式(I)化合物。 　　除了陰極、陽極、和發光層之外，有機電致發光裝置亦可包含其他層。此等在各種情況下係選自例如一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、中間層、電荷產生層(IDMC 2003, Taiwan；Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido,Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer )及/或有機或無機p/n接面。 　　包含式(I)化合物之有機電致發光裝置的層之順序較佳如下： 　　陽極-電洞注入層-電洞傳輸層-隨意地其他電洞傳輸層-隨意地電子阻擋層-發光層-隨意地電洞阻擋層-電子傳輸層-電子注入層-陰極。其他層另外可能存在於OLED中。 　　本發明之有機電致發光裝置可包含二或多個發光層。更佳地，此等發光層在此情況下具有總計幾個在380 nm與750 nm之間的發光最大值，使得整體結果為發白光；換句話說，將可發螢光或磷光及發藍光、綠光、黃光、橘光或紅光的各種發光化合物使用於發光層中。尤佳的是三層系統，亦即具有三個發光層之系統，其中該三層顯示發藍光、綠光和橘光或紅光(基本結構參見例如WO 2005 /011013)。本發明之化合物較佳地存在於電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中。 　　根據本發明較佳的是當將式(I)化合物使用於包含一或多種磷光發光化合物的電子裝置時。在此情況下，化合物可存在於不同層中，較佳地存在於電洞傳輸層、電子阻擋層、電洞注入層或發光層中。 　　術語"磷光發光化合物"通常包含其中發光係透過自旋禁止躍遷(spin-forbidden transition)(例如從激發三重態或具有較高自旋量子數的狀態(例如五重態)躍遷)進行之化合物。 　　適當磷光發光化合物(=三重態發光體)尤其是在適當地激發時發光(較佳在可見光區)且亦含有至少一種原子序大於20(較佳為大於38且小於84，更佳為大於56且小於80)的原子之化合物。較佳者為使用包含下列之化合物作為磷光發光化合物：銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪，尤其是含有銥、鉑或銅的化合物。在本發明的情況下，所有發光銥、鉑或銅錯合物被認為是磷光發光化合物。 　　上述發光化合物的實例可見於申請案WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373和US 2005/0258742。通常，如使用於根據先前技術之磷光OLED及如熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物皆適合。熟習該項技術者也可能在沒有行使發明技術下將其他磷光錯合物與式(I)化合物組合使用於有機電致發光裝置中。其他實例列舉於下列表中。 　　根據本發明也可能將式(I)化合物使用於包含一或多種螢光發光化合物之電子裝置中。 　　在本發明之一較佳實施態樣中，式(I)化合物係用作為電洞傳輸材料。在此情況下，化合物較佳存在於電洞傳輸層、電子阻擋層或電洞注入層中。特佳者為使用於電子阻擋層。 　　根據本申請案之電洞傳輸層為在陽極和發光層之間的具有電洞傳輸功能之層。 　　電洞注入層和電子阻擋層在本申請案之情況下係理解為電洞傳輸層之特定實施態樣。在多個電洞傳輸層在陽極和發光層之間的情況下，電洞注入層為直接相鄰於陽極或僅以陽極的單一塗層分離之電洞傳輸層。在多個電洞傳輸層在陽極和發光層之間的情況下，電子阻擋層為直接相鄰於陽極側上的發光層之電洞傳輸層。較佳地，本發明之OLED在陽極和發光層之間包含兩個、三個或四個電洞傳輸層，其中至少一個較佳地含有式(I)化合物，且更佳恰好一或兩個含有式(I)化合物。 　　若式(I)化合物係用作為電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中的電洞傳輸材料，則化合物可以純材料(亦即100%之比例)使用於電洞傳輸層中，或其可與一或多種其他化合物組合使用。在一較佳實施態樣中，包含式(I)化合物之有機層則另外含有一或多種p-摻雜劑。根據本發明所使用的p-摻雜劑較佳為彼等能夠氧化混合物中的其他化合物中之一或多者的有機電子受體化合物。 　　p-摻雜劑之特佳實施態樣為WO 2011/073149、 EP 1968131、EP 2276085、EP 2213662、EP 1722602、 EP 2045848、DE 102007031220、US 8044390、 US 8057712、WO 2009/003455、WO 2010/094378、 WO 2011/120709、US 2010/0096600、WO 2012/095143和DE 102012209523中所揭示之化合物。 　　特佳p-摻雜劑為醌二甲烷化合物、氮雜茚並茀二酮、氮雜萉、氮雜聯伸三苯、I2 、金屬鹵化物(較佳為過渡金屬鹵化物)、金屬氧化物(較佳為含有至少一種過渡金屬或第3主族金屬之金屬氧化物)、及過渡金屬錯合物(較佳為Cu、Co、Ni、Pd及Pt與含有至少一個氧原子作為鍵結位置之配位基的錯合物)。此外較佳者為過渡金屬氧化物作為摻雜劑，較佳為錸、鉬及鎢之氧化物，更佳為Re2 O7 、MoO3 、WO3 和ReO3 。 　　p-摻雜劑較佳為實質上均勻分佈在p-摻雜層中。此可例如藉由p-摻雜劑和電洞傳輸材料基質之共蒸發達成。 　　較佳p-摻雜劑尤其為下列化合物： 在本發明之另一較佳實施態樣中，將式(I)化合物與如US 2007/0092755中所述之六氮雜聯伸三苯衍生物一起組合用作為電洞傳輸材料。在此特佳者為將六氮雜聯伸三苯衍生物使用於不同的層中。 　　在本發明另一實施態樣中，式(I)化合物係與一或多種發光化合物(較佳為磷光發光化合物)組合使用於發光層中作為基質材料。 　　發光層中之基質材料的比例在此情況下就螢光發光層而言係介於50.0體積%和99.9體積%之間，較佳係介於80.0體積%和99.5體積%之間，及更佳係介於92.0體積%和99.5體積%之間，及就磷光發光層而言介於85.0體積%和97.0體積%之間。 　　對應地，發光化合物之比例，就螢光發光層而言係介於0.1體積%與50.0體積%之間、較佳為介於0.5體積%與20.0體積%之間、且更佳為介於0.5體積%與8.0體積%之間，以及就磷光發光層而言係介於3.0體積%與15.0體積%之間。 　　有機電致發光裝置之發光層亦可包括含有複數種基質材料(混合型基質系統)及/或複數種發光化合物之系統。亦在此情況下，發光化合物通常為彼等在系統中具有較小比例之化合物以及基質材料為彼等在系統中具有較大比例之化合物。然而，在個別情況下，系統中之單一基質材料的比例可小於單一發光化合物的比例。 　　較佳的是式(I)化合物係用作為混合型基質系統之組分。混合型基質系統較佳地包含二或三種不同的基質材料，更佳為兩種不同的基質材料。較佳地，在此情況下，二種材料中之一者為具有電洞傳輸性質之材料且其他材料為具有電子傳輸性質之材料。式(I)化合物較佳為具有電洞傳輸性質之基質材料。然而，混合基質組分之所欲電子傳輸性質和電洞傳輸性質也可主要或完全合併於單一混合-基質組分中，在該情況下其他混合基質組分則滿足其他功能。兩種不同的基質材料可以1：50至1：1，較佳為1：20至1：1，更佳為1：10至1：1，且最佳為1：4至1：1之比率存在。較佳者為將混合型基質系統使用於磷光有機電致發光裝置中。一個關於混合型基質系統的更詳細資訊來源為申請案WO 2010/108579。 　　混合型基質系統可包含一或多種發光化合物，較佳為一或多種磷光發光化合物。通常，混合型基質系統較佳地使用於磷光有機電致發光裝置中。 　　可與本發明化合物組合使用作為混合型基質系統的基質組分之特別適合的基質材料係選自以下指定用於磷光發光化合物之較佳基質材料或用於螢光發光化合物之較佳基質材料，其係根據在混合型基質系統中使用了什麼類型的發光化合物。 　　用於混合型基質系統之較佳磷光發光化合物係與進一步詳述之一般較佳磷光發光體材料相同。 　　電子裝置中不同功能材料之較佳實施態樣係列於下文中。 　　較佳磷光發光化合物為下列磷光發光化合物： 較佳螢光發光化合物係選自芳基胺之類別。芳基胺或芳族胺在本發明的情況下係理解為意指含有三個直接鍵結至氮的經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統的化合物。較佳地，此等芳族或雜芳族環系統中之至少一者為稠合環系統，更佳具有至少14個芳族環原子。此等的較佳實例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族胺或芳族二胺。芳族蒽胺係理解為意指其中一個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9位置)之化合物。芳族蒽二胺係理解為意指其中兩個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9,10-位置)之化合物。芳族芘胺、芘二胺、胺及二胺係類似地定義，其中二芳胺基較佳地在1位置或1,6位置上與芘鍵結。其他較佳發光化合物為茚並茀胺或茚並茀二胺(例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630)、苯並茚並茀胺或苯並茚並茀二胺(例如根據WO 2008/006449)及二苯並茚並茀胺或二苯並茚並茀二胺(例如根據WO 2007/140847)、及WO 2010/012328中所揭示之具有稠合芳基之茚並茀衍生物。同樣較佳的是WO 2012/048780及WO 2013/185871中所揭示之芘芳基胺。同樣較佳的是WO 2014/037077中所揭示之苯並茚並茀胺、WO 2014/106522中所揭示之苯並茀胺、WO 2014/111269和WO 2017/036574中所揭示之延伸的(extended)苯並茚並茀、WO 2017/028940和WO 2017/028941中所揭示之啡、和WO 2016/150544中所揭示之鍵結至呋喃單元或噻吩單元的茀衍生物。 　　較佳地用於螢光發光化合物之有用基質材料包括各種物質類別的材料。較佳的基質材料係選自下列類別：寡聚伸芳基(oligoarylene)(例如根據EP 676461之2,2',7,7'-四苯基螺聯茀或二萘基蒽)，尤其是含有稠合芳族基團之寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基(oligoarylenevinylene)(例如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi)、多牙(polypodal)金屬錯合物(例如根據WO 2004/081017)、電洞傳導化合物(例如根據WO 2004/058911)、電子傳導化合物，尤其是酮、膦氧化物、亞碸、等等(例如根據WO 2005/084081和WO 2005/084082)、阻轉異構物(例如根據WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)或苯並蒽(例如根據WO 2008/145239)。特佳基質材料係選自下列類別：包含萘、蒽、苯並蒽及/或芘之寡聚伸芳基或這些化合物的阻轉異構物、寡聚伸芳基伸乙烯基、酮、膦氧化物和亞碸。非常特佳的基質材料係選自下列類別：包含蒽、苯並蒽、苯並菲及/或芘之寡聚伸芳基或這些化合物的阻轉異構物。寡聚伸芳基在本發明的情況下應理解為意指一種其中至少三個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。進一步較佳者為WO 2006/097208、WO 2006/131192、 WO 2007/065550、WO 2007/110129、WO 2007/065678、WO 2008/145239、WO 2009/100925、WO 2011/054442和EP 1553154中所揭示之蒽衍生物、EP 1749809、EP 1905754和US 2012/0187826中所揭示之芘化合物、WO 2015/158409中所揭示之苯並蒽基蒽(benzanthracenylanthracene)化合物、WO 2017/025165中所揭示之茚並苯並呋喃、及WO 2017/036573中所揭示之菲基蒽(phenanthrylanthracene)。 　　除式(1)化合物之外，用於磷光發光化合物之較佳基質材料為芳族酮、芳族膦氧化物或芳族亞碸或碸(例如根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如CBP(N,N-雙咔唑基聯苯)或WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中所揭示之咔唑衍生物)、吲哚並咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚並咔唑衍生物(例如根據WO 2010/136109、WO 2011/000455或WO 2013/041176)、氮雜咔唑衍生物(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/111172)、氮硼雜環戊烯(azaborole)或硼酸酯(例如根據WO 2006/117052)、三衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)和四氮雜矽雜環戊二烯衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)、橋接咔唑衍生物(例如根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080)、聯伸三苯衍生物(例如根據WO 2012/048781)或內醯胺(例如根據WO 2011/116865或WO 2011/137951)。 　　除式(I)化合物之外，適當電荷傳輸材料如可用於本發明之電子裝置的電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層或電子傳輸層中，為(例如)在Y. Shirota等人在Chem. Rev. 2007，107(4)，953-1010中所揭示之化合物或根據先前技術使用於此等層中之其他材料。 　　較佳地，本發明之OLED包含二或更多個不同電洞傳輸層。式(I)化合物在此可用於一或多個或全部的電洞傳輸層中。在一較佳實施態樣中，式(I)化合物係用於恰好一個或恰好二個電洞傳輸層中，而其他化合物(較佳為芳族胺化合物)係用於所存在的其他電洞傳輸層。與式(I)化合物一起使用(較佳地於本發明OLED之電洞傳輸層中)的其他化合物尤其為茚並茀胺衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、EP 1661888中所揭示之胺衍生物、六氮雜聯伸三苯衍生物(例如根據WO 01/049806)、具有稠合芳烴之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、WO 95/09147中所揭示之胺衍生物、單苯並茚並茀胺(例如根據WO 08/006449)、二苯並茚並茀胺(例如根據WO 07/140847)、螺聯茀胺(例如根據WO 2012/034627或WO 2013/120577)、茀胺(例如根據WO 2014/015937、WO 2014/015938、WO 2014/015935及WO 2015/082056)、螺二苯並哌喃胺(例如根據WO 2013/083216)、二氫吖啶衍生物(例如根據WO 2012/150001)、螺二苯並呋喃和螺二苯並噻吩(例如根據WO 2015/022051、WO 2016/102048及WO 2016/131521)、菲二芳基胺(例如根據WO 2015/131976)、螺三苯並䓬酚酮(spirotribenzotropolone)(例如根據WO 2016/087017)、具有間苯基二胺基團之螺聯茀(例如根據WO 2016/078738)、螺雙吖啶(例如根據WO 2015/158411)、二苯並哌喃二芳基胺(例如根據WO 2014/072017)、以及根據WO 2015/086108之具有二芳基胺基的9,10-二氫蒽螺化合物。 　　非常特佳者為使用在4位置上經二芳基胺基取代之螺聯茀作為電洞傳輸化合物，尤其是使用彼等在WO 2013/120577中所主張且揭示的化合物，及使用在2位置上經二芳基胺基取代之螺聯茀作為電洞傳輸化合物，尤其是使用彼等在WO 2012/034627中所主張且揭示的化合物。 　　用於電子傳輸層之材料可為根據先前技術用作為電子傳輸層中的電子傳輸材料之任何材料。尤其適合的是鋁錯合物(例如Alq3 )、鋯錯合物(例如Zrq4 )、鋰錯合物(例如Liq)、苯並咪唑衍生物、三衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡衍生物、喹㗁啉衍生物、喹啉衍生物、㗁二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物及膦氧化物衍生物。另外適合的材料為如JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975和WO 2010/072300中所揭示之前述化合物的衍生物。 　　該電子裝置之較佳陰極為具有低功函數之金屬、金屬合金或由各種金屬(例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等))所組成之多層結構。另外適合的是由鹼金屬或鹼土金屬與銀所組成之合金，例如由鎂與銀所組成之合金。在多層結構之情況下，除了所述金屬之外，亦可能使用其他具有比較高的功函數之金屬，例如Ag或Al，在該情況下，例如通常使用金屬的組合，諸如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag。較佳亦可在金屬陰極和有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。為此目的之有用材料的實例為鹼金屬或鹼土金屬氟化物，但亦可用對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2 O、BaF2 、MgO、NaF、CsF、Cs2 CO3 、等等)。為此目的也可能使用喹啉合鋰(lithium quinolinate)(LiQ)。此層之層厚度較佳係介於0.5和5 nm之間。 　　較佳陽極為具有高功函數之材料。較佳地，陽極具有相對於真空大於4.5eV之功函數。首先，具有高氧化還原電位之金屬適合於此目的，例如Ag、Pt或Au。其次，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )也可為較佳的。就一些應用而言，電極中至少一者必須是透明或部分透明的，以能夠照射有機材料(有機太陽能電池)或能夠發射光(OLED、O-雷射)。較佳陽極材料在此為導電性混合型金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。較佳者進一步為導電性摻雜有機材料，尤其是導電性摻雜聚合物。此外，陽極也可由二或多層(例如ITO的內層和金屬氧化物(較佳氧化鎢、氧化鉬或氧化釩)的外層)組成。 　　將裝置適當地(根據應用)結構化，接觸連接且最後密封，以排除因水及空氣之損壞作用。 　　在一較佳實施態樣中，根據本發明之電子裝置特徵在於以昇華方法施加一或多層。在此情況下，該等材料係於真空昇華系統中在低於10-5 毫巴，較佳低於10-6 毫巴之初壓力下藉由氣相沈積施加。然而，在此情況下，初壓力也可能甚至更低，例如低於10-7 毫巴。 　　同樣較佳者為一種電子裝置，其特徵在於藉由OVPD(有機氣相沈積)方法或輔以載體氣體昇華施加一或多層。在此情況下，該等材料係在介於10-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機蒸氣噴射印刷)方法，其中該等材料係藉由噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M. S. Arnold等人之Appl. Phys. Lett. 2008，92，053301)。 　　另外較佳者為一種電子裝置，其特徵在於例如以旋轉塗佈或以任何印刷法(例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但更佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷)從溶液製造一或多層。為此目的，需要可溶性式(I)化合物。高溶解性可藉由化合物之適當取代而達成。 　　此外較佳的是本發明之電子裝置係藉由從溶液施加一或多層及藉由昇華方法施加一或多層而製造。 　　根據本發明，包含一或多種式(I)化合物之電子裝置可使用於顯示器中、作為照明應用中之光源及作為醫學及/或美容應用(例如光療)中之光源。
實施例 A)合成例 　　A-1)路徑1 　　2',7'-二-三級丁基-1‑溴螺-9,9´-聯茀1a的合成在氬氣下於-78℃以318 mL的n -BuLi (在己烷中之2,5 M，785 mmol)處理4, 4'-二-三級丁基-2,Br-聯苯(250 g，725 mmol)在THF(1900ml)中的溶液。將混合物攪拌30分鐘。滴加1-Br-茀-9-酮(144 g，556 mmol)在1000 mLTHF的溶液。反應在-78℃下進行30分鐘，及接著在室溫下攪拌過夜。用水將反應淬滅，並過濾固體。不經進一步純化，將醇(262 g，90%)、乙酸(2200 mL)和濃HCl(100 mL)的混合物回流2小時。冷卻後，將混合物過濾及用水洗滌並在真空下乾燥。將產物分離為白色固體的形式(240 g，理論的95%)。 　　類似地進行其他溴化螺聯茀衍生物的合成： 2',7'-二-三級丁基-4-聯苯-2-(9,9´-二甲基茀基) -1-螺-9,9´-聯茀基胺2a的合成將三-三級丁基膦(4.4 ml之在甲苯中的1.0 M溶液，4.4 mmol)、乙酸鈀(248 mg，1.1 mmol)和三級丁醇鈉(16.0 g，166 mmol)加至聯苯-2-基-(9,9-二甲基-9H -茀-2-基)胺(40.0 g，111 mmol)和2',7'-二-三級丁基-1‑溴螺-9,9´-聯茀(56.9 g，108 mmol)在脫氣的甲苯(500 ml)中的溶液，並將混合物在回流下加熱2小時。將反應混合物冷卻至室溫，用甲苯擴大並通過矽藻土過濾。將濾液在真空中蒸發，並將殘餘物用乙酸乙酯/庚烷結晶。在Soxhlet萃取器(甲苯)中萃取粗製產物，並藉由區域昇華在真空中純化兩次(p=3x10-4 毫巴，T=298℃)。將產物分離為淺黃色固體的形式(20.4 g，理論的24%，根據HPLC純度＞99.99%)。 　　類似地獲得下列化合物： A-2)路徑2：2',7'-二-三級丁基-4-聯苯-2-(9,9´-二甲基-茀基)-1-螺-9,9´-聯茀基胺2a的合成 　　1-(1-聯苯-4-基)-(9,9´-二甲基茀-2-基)胺-9H-茀-9-酮3a的合成將三-三級丁基膦(4.5 ml之在甲苯中的1.0 M溶液，1,9 mmol)、乙酸鈀(217 mg，0.97 mmol)和三級丁醇鈉(13.9 g，145 mmol)加至1-聯苯-基-(9,9-二甲基-9H -茀-2-基)胺(40.0 g，111 mmol)、1-溴-茀-9-酮(25 g，96 mmol)在脫氣甲苯(200 ml)中的溶液，並將混合物在回流下加熱過夜。將反應混合物冷卻至室溫，用甲苯擴展並通過Celite過濾。將濾液在真空中蒸發，並將殘餘物從甲苯/庚烷再結晶。將產物分離為淺黃色固體的形式(43 g，理論的82%)。 　　類似地獲得下列化合物： 2',7'-二-三級丁基-4‑聯苯-2-(9,9´-二甲基茀基)-1-螺-9,9´-聯茀基胺4a的合成在氬氣下於-78℃將4, 4'-二-三級丁基-2-Br-聯苯(17 g，49 mmol)在THF(90ml)中的溶液以25 ml的n -BuLi(在己烷中的2,1 M，50 mmol)處理。將混合物攪拌30分鐘。滴加1-(1-聯苯-4-基)-(9,9´-二甲基茀-2-基)胺-9H-茀-9-酮(27 g，50 mmol)在90 mL THF中的溶液。反應在-78℃下進行30分鐘並接著在室溫下攪拌過夜。將反應用水淬滅並用乙酸乙酯萃取。除去溶劑後獲得中間物醇(31 g，76%)。不經進一步純化，將醇、乙酸(700 mL)和濃HCl (62 mL)的混合物回流2小時。冷卻後，將混合物過濾並用水洗滌。將殘餘物從甲苯中結晶。在Soxhlet萃取器(甲苯)中萃取粗製產物並藉由區域昇華在真空中純化。將產物分離為淺黃色固體的形式(13 g，理論的42%，根據HPLC純度＞99.99 %)。 　　類似地獲得下列化合物： A-3)路徑3：2',7'-二-三級丁基-聯苯-4-基-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-[1-(9,9'-螺-聯茀-4-基)-苯基]-胺的合成 　　聯苯-4-基-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基(4,4,5,5四甲基-[1,3,2]二氧雜環戊硼烷-2-基)-苯基]-胺的合成將102 g(198 mmol)的聯苯-4-基-(4-溴-苯基)-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-胺、4,8 g (5,9 mmol)的Pd(dppf)Cl2 、61,6 g ( 238 mmol)的雙(頻哪醇基(pinacolato))二硼和58,3 g (594 mmol)的乙酸鉀溶解在1300 ml的1,4-二㗁烷中。將反應混合物在氬氛圍下回流並攪拌12小時及在冷卻至室溫後，將混合物通過矽藻土過濾。將濾液在真空中蒸發，並將殘餘物從庚烷中結晶。將產物分離為淺黃色固體的形式(87 g，理論的78%)。 　　2',7'-二-三級丁基-聯苯-4-基-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-[1-(9,9'-螺-聯茀-4-基)-苯基]-胺5a的合成將28 g (49,4 mmol)的聯苯-4-基-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧雜環戊硼烷-2-基)-苯基]-胺、20 g (39 mmol)的2',7'-二-三級丁基-1-溴螺-9,9´-聯茀、1,8 g (2,5 mmol)的PdCl2 (Cy)3 、15 g ( 99 mmol)的氟化銫溶解在500 ml的甲苯中。將反應混合物在氬氛圍下回流並攪拌12小時，及在冷卻至室溫後，將混合物通過矽藻土過濾。將濾液在真空中蒸發，並將殘餘物從庚烷中結晶。在Soxhlet萃取器(甲苯)中萃取粗製產物並藉由區域昇華在真空中純化二次。將產物分離為淺黃色固體的形式(9 g，理論的25%，根據HPLC純度＞99.99%)。 　　類似地合成下列化合物：A-4)路徑4：2',7'-二-三級丁基-9-螺-1-基-3,6-二苯基-9H-咔唑6a的合成將19.2 g (38 mmol) 2',7'-二-三級丁基-1-溴螺-9,9´-聯茀、15 g (47 mmol) 3,6-聯苯基-9-H-咔唑和29.2 g Rb2 CO3 懸浮在250 mL對二甲苯。將0.95 g (4,2 mmol) Pd(OAc)2 和12.6 ml之三-三級丁基膦的1M溶液提供至懸浮液。將混合物在回流下攪拌24小時。冷卻後，分離出有機相，用150 mL 水洗滌三次且隨後在真空中濃縮至乾。將殘餘物用甲苯熱萃取，從甲苯中再結晶三次及隨後在高真空下昇華。產率為19.6 g (26.2 mmol)，對應於理論的68 %。純度根據HPLC為99.9 %。 　　類似地獲得下列化合物： A-5)路徑5：化合物7a的合成 　　1-(4-氯-苯基)-茀-9-酮7a的合成將76 g (486 mmol)的4-氯苯基硼酸、120 g (463 mmol)的1-溴-茀-9-酮和16 g (14 mmol)的Pd(Ph3 P)4 懸浮在1900 ml的THF中。將463 ml的2 M碳酸鉀溶液慢慢加至此懸浮液，並將反應混合物在回流下加熱16 h。冷卻後，將有機相分離出來，通過矽膠過濾，用500 ml的水洗滌三次，及隨後蒸發至乾。藉由用MeOH結晶純化殘餘物。產率：125 g (420 mmol)，理論的90 %，根據HPLC之純度＞98%。 1-(4-溴-苯基)-茀-9-酮1-1(8a)的合成硼酯的合成 　　將10 g (39 mmol)的1-溴茀酮、14.7 g (58 mmol)的雙(頻哪醇基)二硼烷和12.5 g (127 mmol)的乙酸鉀懸浮在300 ml的二㗁烷中。將1.6 g (1.9 mmol)的具有DCM之1,1-雙(聯苯膦基)二茂鐵二氯化鈀(II)錯合物加至此懸浮液。將反應混合物在回流下加熱16 h。冷卻後，將有機相分離出來，用400 ml的水洗滌三次，及隨後蒸發至乾。將殘餘物從甲苯再結晶(6 g，51%產率)。 　　8a的合成 　　將20 g (69 mmol)的1-溴-4-碘-苯、21.1 g (69 mmol)的1-頻哪醇硼酯-茀-9-酮和2.4 g (2.1 mmol)的Pd(Ph3 P)4 懸浮在300 ml的THF中。將283 ml的2 M碳酸鉀溶液慢慢加至此懸浮液，並將反應混合物在回流下加熱16 h。冷卻後，將有機相分離出來，通過矽膠過濾，用300 ml的水洗滌三次，及隨後蒸發至乾。藉由用MeOH結晶純化殘餘物。產率：19 g (54 mmol)，理論的78 %，根據HPLC之純度＞98%。 　　類似地製備下列化合物：1-(4-((1,1'-聯苯-4-基)-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基)苯基)-9H-茀-9-酮9a的合成將三-三級丁基膦(4.5 ml之在甲苯中的1.0 M溶液，1,9 mmol)和0,98 g(1 mmol)的Pd2 (dba)3 和三級丁醇鈉(5,1 g，50 mmol)加至1-聯苯-基-(9,9-二甲基-9H -茀-2-基)胺(32 g，90 mmol)、1-1-(4-氯-苯基)-茀-9-酮(25 g，86 mmol) 在脫氣甲苯(200 ml)中的溶液，並將混合物在回流下加熱過夜。將反應混合物冷卻至室溫，用甲苯擴展並通過Celite過濾。將濾液在真空中蒸發，並將殘餘物從甲苯/庚烷結晶。將產物分離為淺黃色固體的形式(43 g，理論的81%)。 N-((1,1‘-聯苯)-4-基)N-(4-(2‘,7‘-二-三級丁基-9,9‘-螺聯(茀)-1-基)苯基)-9,9-二甲基茀-2-胺10a的合成在氬氣下於-78℃將4, 4'-二-三級丁基-2,Br-聯苯(17 g，49 mmol)在THF(90ml)中的溶液以25 ml的n -BuLi(在己烷中的2,1 M，50 mmol)處理。將混合物攪拌30分鐘。滴加1-(4-((1,1'-聯苯-4-基)-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基)苯基)-9H-茀-9-酮(27 g，44 mmol)在90 mLTHF中的溶液。反應在-78℃下進行30分鐘並接著在室溫下攪拌過夜。將反應用水淬滅並用乙酸乙酯萃取。除去溶劑後獲得中間物醇(31 g，76%)。不經進一步純化，將醇、乙酸(700 mL)和濃HCl (62 mL)的混合物回流2小時。冷卻後，將混合物過濾並用水洗滌。將殘餘物從甲苯中結晶。在Soxhlet萃取器(甲苯)中萃取粗製產物並藉由區域昇華在真空中純化。將產物分離為淺黃色固體的形式(13 g，理論的34%，根據HPLC純度＞99.99%)。 　　類似地製備下列化合物： A-6)路徑6 　　2,7-二-三級丁基-8'-(4-氯苯基)-9,9'-螺聯茀11a的合成在-78℃下最初將20g(58 mmol)的2-Br-4, 4'-二-三級丁基-1,1'-聯苯引入400 ml的THF中。在此溫度下滴加30 ml的BuLi(在己烷中的2M溶液)。1小時後，滴加在200 ml THF中的16.9 g (58 mmol)的1-(4-氯-苯基)-茀-9-酮。使批料在室溫下攪拌過夜，加至冰水中並用二氯甲烷萃取。將合併的有機相用水洗滌並經過硫酸鈉乾燥。在不進一步純化的情況下，將溶劑在真空中移除，並將殘餘物與30ml的HCl和300ml的AcOH一起在回流下於100℃加熱過夜。冷卻後，抽濾出沈澱的固體，用100 ml水洗滌一次，每次用100 ml乙醇洗滌三次，隨後從庚烷再結晶。產率：17 g (56 mmol)，53%；根據1 H‑NMR純度約98%。 　　類似地合成下列化合物： 2,7-二-三級丁基-8'-(4-氯苯基)-9,9'-螺聯茀12a的合成將10.7 g (69 mmol)的4-氯苯基硼酸、35 g (69 mmol)的2',7'-二-三級丁基-1-溴-螺茀和5,4 g (5 mmol)的Pd(Ph3 P)4 懸浮在600 ml的THF中。將155 ml的2 M碳酸鉀溶液慢慢加至此懸浮液，並將反應混合物在回流下加熱16 h。冷卻後，將有機相分離出來，通過矽膠過濾，用500 ml的水洗滌三次，及隨後蒸發至乾。藉由用MeOH結晶純化殘餘物。產率：29 g (65 mmol)，理論的94 %，根據HPLC之純度＞98%。2,7-二-三級丁基-8'-(4-氯苯基)-9,9'-螺聯茀的合成2‐{2',7'‐二-三級丁基‐9,9'‐螺聯[茀]‐8-基}‐4,4,5,5‐四甲基‐1,3,2‐二氧雜環戊硼烷酯13a的合成將50 g (99 mmol)的2',7'-二-三級丁基-1-溴-螺茀、32 g(123 mmol)的雙(頻哪醇基)二硼烷和30 g (309 mmol)的乙酸鉀懸浮在800 ml的二㗁烷中。將2.5 g (3.09 mmol)的具有DCM之1,1-雙(聯苯膦基)二茂鐵二氯化鈀(II)錯合物加至此懸浮液。將反應混合物在回流下加熱16 h。冷卻後，將有機相分離出來，用400 ml的水洗滌三次，及隨後蒸發至乾。將殘餘物從甲苯中再結晶(52 g，95% 產率)。 　　類似地製備下列化合物：2‐{2',7'‐二-三級丁基‐9,9'‐螺聯[茀]‐8-基}‐4,4,5,5‐四甲基‐1,3,2‐二氧雜環戊硼烷酯14a的合成在-20℃下將50 g (93 mmol)的2',7'-二-三級丁基-1-溴-螺茀最初引入50ml的THF中。在此溫度下滴加56 ml的BuLi(在己烷中的2M溶液)。4小時後，滴加18.6 g (100 mmol)的異丙氧基四甲基二氧雜環戊硼烷。將批料在室溫下攪拌過夜。當反應完成時，添加水和乙酸乙酯，並將有機相分離出來，乾燥並蒸發。藉由矽膠層析法純化殘餘物。產率：44 g(79 mmol)，理論的85%，根據HPLC之純度＞98%。 　　類似地製備下列化合物：2,7-二-三級丁基-8'-(4-氯苯基)-9,9'-螺聯茀15a的合成將20.3 g (37 mmol)的2‐{2',7'‐二-三級丁基‐9,9'‐螺聯[茀]‐8‐基}‐4,4,5,5‐四甲基‐1,3,2‐二氧雜環戊硼烷酯和8.8 g (46.3 mmol)的氯衍生物懸浮在300 ml的二㗁烷和14.1 g的氟化銫(92.6 mmol)中。將4.1 g (5.56 mmol)的雙(三環己基膦)二氯化鈀加至此懸浮液中，並將反應混合物在回流下加熱24 h。冷卻後，將有機相分離出來，通過矽膠過濾，用100 ml水洗滌三次，及隨後蒸發至乾。將粗製產物從庚烷/甲苯中再結晶。產率為15.8 g (理論的78%)。 　　類似地製備下列化合物：N-((1,1‘-聯苯)-4-基)N-(4-(2‘,7‘-二-三級丁基-9,9‘-螺聯(茀)-1-基)苯基)-9,9-二甲基茀-2-胺16a的合成將10.1 g (28 mmol)的聯苯-4-基-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺和14.5 g (27 mol)的 2,7-二-三級丁基-8'-(4-氯苯基)-9,9'-螺聯茀溶解在225 ml的甲苯中。將溶液脫氣並用N2 飽和。接著添加2.1 ml (2.1 mmol)的10% 三-三級丁基膦溶液和0,98 g(1 mmol)的Pd2 (dba)3 ，及隨後添加5.1 g的三級丁醇鈉(53 mmol)。將反應混合物在保護氛圍下於沸騰加熱5 h。隨後將混合物分溶在甲苯和水之間，將有機相用水洗滌三次並用Na2 SO4 乾燥及在旋轉蒸發器中蒸發。粗製產物通過矽膠用甲苯過濾後，將剩餘的殘餘物從庚烷/甲苯中再結晶，最後以高真空昇華。純度為99.9%(HPLC)。化合物的產率為11.5 g (理論的48%)。 　　亦類似於化合物1的合成製備下列化合物。 B)使用例 1)化合物的EBL用途 　　製備EBL中包含根據本申請案化合物HTM之螢光藍色發光OLED。該OLED具有下列堆疊結構： 　　陽極/HIM：F4TCNQ (5%)(20nm)/HIM (180nm)/HTM (10nm)/H：SEB (5%) (20nm)/ETM：LiQ (50%)(30nm)/LiQ (1nm)/陰極。 　　在上述堆疊層中，陽極係由塗佈50 nm結構化ITO層的玻璃板組成。陰極由100 nm厚Al層製成。存在於不同層中的材料之結構提供於表1中。在真空室中藉由熱氣相沈積來沈積材料。若層中存在兩種材料，則上面提供的百分比為第二種材料以體積百分比表示的比例。 　　OLED為電驅動的，且其特徵在於建立下列參數：1) 外部量子效率(EQE，以百分比測量)係以從假設Lambertian輻射特性之電流-電壓-發光強度特性(IUL特性)計算之發光強度為函數於10 mA/cm2 的電流密度測定；2) 壽命LD80 @ 5000cd/m²，其為OLED從5000 cd/m2 的起始亮度下降至其起始亮度的80%的時間；3) 於10mA/cm²之操作電壓，及4) LD80 @ 60 mA/cm2 ，其為OLED從其於60 mA/cm2 的起始亮度下降至其起始亮度的80%的時間。 　　對於OLED，測量下列值：EQE @ 10 mA/cm2 ：7.6 %，壽命LD80 @ 5000cd/m²：320 h，於10 mA/cm2 之操作電壓：4.0 V。 　　合成例的化合物2a-2c、2e-2l、4a-4m、5a-5e、6a-6e、10a-10m和16a-16l產生與用化合物HTM所得之結果類似的結果。 2)化合物的HTL用途 　　製備HIL和HTL中包含根據本申請案化合物HTM-1之螢光藍色發光OLED。OLED具有下列堆疊結構： 　　陽極/HTM-1：F4TCNQ (5%) (20nm)/HTM-1 (180nm) /EBM (10nm)/H：SEB (5%) (20nm)/ETM：LiQ (50%) (30nm)/LiQ (1nm)/陰極。 　　OLED和電極層的製備、及示性與上述1)中所述的相同。 　　對於OLED，測量下列值：EQE @ 10 mA/cm2 ：8.2 %，壽命LD80 @ 60 mA/cm2 ：340 h，於10 mA/cm2 之操作電壓：4.2 V。 　　合成例的化合物2a-21、4a-4f、4h-4m、5a-5e、6a-6e、10a-10m和16a-161產生與用化合物HTM-1所得之結果類似的結果。 3)根據本申請案之化合物EBM-1與化合物EBM-2的比較 　　製備具有下列堆疊結構之OLED： 　　根據本發明之實施例： 　　陽極/HIM：F4TCNQ (5%) (20nm)/HIM (180nm)/EBM-1 (10nm)/H：SEB (5%) (20nm)/ETM：LiQ (50%) (30nm)/LiQ (1nm)/陰極。 比較例： 　　如上所述，只有以EBM-2取代EBM-1。 　　OLED和電極層的製備、及示性與上述1)中所述的相同。 　　對於包含化合物EBM-1之OLED，測量下列值：EQE @ 10 mA/cm2 ：8.2 %，壽命LD80 @ 60 mA/cm2 ：103 h，於10 mA/cm2 之操作電壓：4.3 V。 　　對於包含化合物EBM-2之OLED(比較例)，測量下列值：EQE @ 10 mA/cm2 ：8.1 %，壽命LD80 @ 60 mA/cm2 ：81 h，於10 mA/cm2 之操作電壓：4.1 V。 　　此以性能的直接比較顯示，相較於包含化合物EBM-2之OLED(比較例)，包含根據本申請案化合物EBM-1之OLED顯示出強烈改良的壽命。其他參數效率和工作電壓保持相似。

Claims (14)

  1. 一種式(I)化合物，其中下列適用於該等變數： 　　ArL 係選自可經一或多個基團R3 取代的具有6至30個芳族環原子之芳族環系統及可經一或多個基團R3 取代的具有5至30個芳族環原子之雜芳族環系統； 　　Ar1 和Ar2 係相同或不同地選自可經一或多個基團R3 取代的具有6至30個芳族環原子之芳族環系統及可經一或多個基團R3 取代的具有5至30個芳族環原子之雜芳族環系統； 　　E為單鍵或為選自C(R3 )2 、N(R3 )、O、和S的二價基； 　　R1 在每次出現時係相同或不同地選自F；Cl；Br；I；-CN；-SCN；-NO2 ；-SF5 ；烷基；烷氧基；烷硫基(thioalkyl)；烯基；炔基；和矽基，彼等可經一或多個選自基團R4 和烷基、烷氧基、烷硫基、烯基、和炔基之基團取代；其中該等烷基、烷氧基和烷硫基係選自可經一或多個基團R4 取代的具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基和烷硫基、及可經一或多個基團R4 取代的具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基和烷硫基；及其中該烯基係選自可經一或多個基團R4 取代的具有2至20個C原子之烯基；及其中該炔基係選自可經一或多個基團R4 取代的具有2至20個C原子之炔基； 　　R2 在每次出現時係相同或不同地選自， 　　H、D、F、C(=O)R4 、CN、Si(R4 )3 、N(R4 )2 、P(=O)(R4 )2 、OR4 、S(=O)R4 、S(=O)2 R4 、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個C原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個基團R2 可彼此連接以形成環；其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基及該等芳族和雜芳族環系統在各情況下可經一或多個基團R4 取代，及其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團在各情況下可經-R4 C=CR4 -、-C≡C-、Si(R4 )2 、C=O、C=NR4 、 -C(=O)O-、-C(=O)NR4 -、NR4 、P(=O)(R4 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R3 在每次出現時係相同或不同地選自H、D、F、C(=O)R4 、CN、Si(R4 )3 、N(R4 )2 、P(=O)(R4 )2 、OR4 、S(=O)R4 、S(=O)2 R4 、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個C原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個基團R3 可彼此連接以形成環；其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基及該等芳族和雜芳族環系統在各情況下可經一或多個基團R4 取代，及其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團在各情況下可經 -R4 C=CR4 -、-C≡C-、Si(R4 )2 、C=O、C=NR4 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR4 -、NR4 、P(=O)(R4 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R4 在每次出現時係相同或不同地選自H、D、F、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個C原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個基團R4 可彼此連接以形成環；其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基及該等芳族和雜芳族環系統在各情況下可經一或多個基團R5 取代，及其中該等烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團在各情況下可經 -R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R5 在每次出現時係相同或不同地選自H、D、F、CN、具有1至20個C原子之烷基、具有6至40個C原子之芳族環系統、或具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個基團R5 可彼此連接以形成環；及其中該等烷基、芳族環系統和雜芳族環系統可經F和CN取代； 　　n在每次出現時係相同或不同地為0或1，其中在n=0的情況下，基團R1 不存在，且基團R2 係代替鍵結在此位置；及 　　R1 不存在，且基團R2 係代替鍵結在此位置；及 　　k為0或1；其中在k=0的情況下，基團ArL 不存在且該氮原子和該螺聯茀基團係直接連接； 　　m為0或1，其中在m=0的情況下，基團E不存在且基團Ar1 和Ar2 不連接； 　　其特徵在於式(I)中之至少二個標號n為1。
  2. 根據申請專利範圍第1項之化合物，其中標號k為0，所以基團ArL 不存在，且該螺聯茀和該胺的氮原子彼此直接連接。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項之化合物，其中基團Ar1 和Ar2 係相同或不同地選自衍生自選自下列基團之基團：苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基、茀基、苯並茀基、螺聯茀基、茚並茀基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、咔唑基、苯並呋喃基、苯並噻吩基、吲哚基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡基、嗒基和三基，其中該等基團可各自經一或多個基團R3 取代的、或選自彼等基團的2或3個基團之組合，其中該等基團可各自經一或多個基團R3 取代。
  4. 根據申請專利範圍第1或2項之化合物，其中2、3、或4個標號n等於1，及其餘的標號n等於0。
  5. 根據申請專利範圍第1或2項之化合物，其中該化合物具有不大於一個鍵結至螺聯茀的各芳族六環之基團R1 。
  6. 根據申請專利範圍第1或2項之化合物，其中基團R1 在每次出現時係相同或不同地選自可隨意地經一或多個基團F取代的具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基及選自可隨意地經一或多個基團F取代的具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基、或烷硫基。
  7. 根據申請專利範圍第1或2項之化合物，其中該基團R1 符合下列式中之一者
  8. 根據申請專利範圍第1或2項之化合物，其中該化合物符合式(I-A-1)至(I-A-9)和(I-B-1)至(I-B-9)中之一者 其中該等變數係定義於申請專利範圍第1至7項中之一或多項中，及其中該螺聯茀上之自由位置在各場合可以基團R2 取代。
  9. 一種製備根據申請專利範圍第1或2項之化合物之方法，其特徵在於其包含下列反應步驟 　　1) 將在苯基-苯基鍵的鄰位之位置具有反應性基團之聯苯衍生物金屬化； 　　2) 將金屬化之聯苯衍生物加成至在其1-位置具有基團A之茀酮衍生物；其中基團A係選自i)X、或ii)-Ar-X、或iii)-NAr2 、或iv)-Ar-NAr2 ，其中Ar為芳族或雜芳族基團，及其中X為反應性基團；及 　　3) 將所得加成產物在酸性條件下或用路易士酸環化為螺聯茀衍生物。
  10. 聚合物或樹枝狀聚合物，其包含一或多種根據申請專利範圍第1至8項中之一或多項之式(I)化合物，其中至該聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於式(I)中經R1 、R2 或R3 取代之任何所欲位置上。
  11. 一種調配物，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至8項中之一或多項之式(I)化合物、或至少一種根據申請專利範圍第10項之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物，以及至少一種溶劑。
  12. 一種電子裝置，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至8項中之一或多項之化合物或至少一種根據申請專利範圍第10項之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。
  13. 根據申請專利範圍第12項之電子裝置，其中該電子裝置為包含陽極、陰極及至少一個發光層之有機電致發光裝置，其中該裝置之至少一個有機層(其為發光層、電洞傳輸層、電子阻擋層或電洞注入層)包含至少一種化合物。
  14. 一種根據申請專利範圍第1至8項中之一或多項之化合物、或根據申請專利範圍第10項之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物用於電子裝置之用途。
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