CN110168047B - 有机功能材料的制剂 - Google Patents

有机功能材料的制剂 Download PDF

Info

Publication number
CN110168047B
CN110168047B CN201780075348.9A CN201780075348A CN110168047B CN 110168047 B CN110168047 B CN 110168047B CN 201780075348 A CN201780075348 A CN 201780075348A CN 110168047 B CN110168047 B CN 110168047B
Authority
CN
China
Prior art keywords
solvent
materials
organic
formulation
compounds
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780075348.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110168047A (zh
Inventor
菲利普·梅
帕维尔·麦斯凯万茨
陈莉惠
丹尼尔·瓦尔克
埃德加·克吕热
伊里娜·马丁诺娃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Merck Patent GmbH
Original Assignee
Merck Patent GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Merck Patent GmbH filed Critical Merck Patent GmbH
Publication of CN110168047A publication Critical patent/CN110168047A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110168047B publication Critical patent/CN110168047B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00Inks
    • C09D11/30Inkjet printing inks
    • C09D11/36Inkjet printing inks based on non-aqueous solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00Inks
    • C09D11/52Electrically conductive inks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及含有至少一种有机功能材料和至少第一有机溶剂的制剂,其中所述第一有机溶剂含有至少一个[2.2.1]双环基团,以及涉及通过使用这些制剂制备的电子器件。

Description

有机功能材料的制剂
技术领域
本发明涉及含有至少一种有机功能材料和至少第一有机溶剂的制剂,其中所述第一有机溶剂含有至少一个[2.2.1]双环基团,以及涉及通过使用这些制剂制备的电致发光器件。
背景技术
长期以来,已经通过真空沉积方法制造有机发光器件(OLED)。最近已经充分研究了诸如喷墨印刷的其它技术,因为它们具有诸如节省成本和可按比例扩大的优势。多层印刷的主要挑战之一是确定相关参数以在基底上获得均匀的油墨沉积。为了触发这些参数如表面张力、粘度或沸点,可以向制剂中添加一些添加剂。
技术问题和发明目的
许多溶剂已经被建议用在喷墨印刷的有机电子器件中。然而,在沉积和干燥过程期间发挥作用的重要参数的数量使得溶剂的选择极具挑战性。因此,仍然需要改善含有用于通过喷墨印刷沉积的有机半导体的制剂。本发明的一个目的是提供一种有机半导体的制剂,其使得能够受控沉积以形成具有良好层性质和效率性能的有机半导体层。本发明的另一目的是提供一种有机半导体的制剂,其在例如在喷墨印刷方法中使用时使得能够在基底上均匀地施加墨滴,从而提供良好的层性质和效率性能。
问题的解决方案
本发明的上述目的通过提供包含至少一种有机功能材料和至少第一有机溶剂的制剂来解决,其中所述第一有机溶剂含有至少一个[2.2.1]双环基团,优选一个[2.2.1]双环基团。
本发明的有利效果
本发明人惊奇地发现,使用含有至少一个[2.2.1]双环基团的有机溶剂作为第一溶剂使得能够完全控制表面张力并诱导有效的油墨沉积,以形成功能材料的均匀且清晰可辨的有机层,这些有机层具有良好的层性质和性能。
附图说明
图1显示了包括基底、ITO阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、绿色发光层(G-EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和Al阴极的器件的典型层结构。
图2和图3显示了根据实施例1和2制备的OLED的器件性能。
具体实施方式
本发明涉及一种含有至少一种有机功能材料和至少第一有机溶剂的制剂,其中所述第一有机溶剂含有至少一个[2.2.1]双环基团,优选一个[2.2.1]双环基团。
优选的实施方式
在第一优选的实施方式中,含有一个[2.2.1]双环基团的第一有机溶剂是根据通式(I)的含[2.2.1]双环基团的溶剂
其中
R1至R12在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,Cl,Br,I,NO2,CN,具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团,其中一个或多个相邻或不相邻的CH2基团稠合以形成含有3至10个C原子的环状结构,并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被-O-、-S-、-NR13-、-CONR13-、-CO-O-、-O-CO-、-C=O-、=CO、-CH=CH-或-C≡C-代替,并且其中一个或多个氢原子可以被F代替,或具有4至14个碳原子且可以被一个或多个非芳族的R13基团取代的芳基或杂芳基基团,并且在同一环上或在两个不同环上的多个取代基R13又可以一起形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族的环系,所述环系可以被多个取代基R13取代;
R13在每种情况下相同或不同,并且是具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团,其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被-O-、-S-、-CO-O-、-C=O-、-CH=CH-或-C≡C-代替,并且其中一个或多个氢原子可以被F代替,或具有4至14个碳原子且可以被一个或多个非芳族的R13基团取代的芳基或杂芳基基团。
在第一更优选的实施方式中,含有一个[2.2.1]双环基团的第一有机溶剂是根据通式(II)的含[2.2.1]双环基团的溶剂
其中R1至R12具有如上关于通式(I)所述的含义。
在第一最优选的实施方式中,含有一个[2.2.1]双环基团的第一有机溶剂是根据通式(II)的含[2.2.1]双环基团的溶剂,其中
R1和R7至R10为H,
R2、R3、R5、R6、R11和R12在每种情况下相同或不同地是H或具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团,且
R4是具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团,其中一个或多个相邻或不相邻的CH2基团稠合以形成含有3至10个C原子的环状结构,并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-O-、-S-、-NR13-、-CONR13-、-CO-O-、-O-CO-、-C=O-、=CO、-CH=CH-或-C≡C-代替,并且其中一个或多个氢原子可以被F代替,或具有4至14个碳原子且可以被一个或多个非芳族的R13基团取代并且可以通过具有1至10个碳原子的烷亚基基团或通过具有2至10个碳原子的烯亚基基团连接的芳基或杂芳基基团,并且在同一环上或在两个不同环上的多个取代基R13又可以一起形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系,所述环系可以被多个取代基R13取代。
在第二更优选的实施方式中,含有一个[2.2.1]双环基团的第一有机溶剂是根据通式(IIIa)或(IIIb)的含[2.2.1]双环基团的溶剂
其中R1至R12具有如上关于通式(I)所述的含义。
在第二最优选的实施方式中,含有一个[2.2.1]双环基团的第一有机溶剂是根据通式(IIIa)或(IIIb)的含[2.2.1]双环基团的溶剂,其中
R3、R4、R5或R9,或者R4和R7,是具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团,其中一个或多个相邻或不相邻的CH2基团稠合以形成含有3至10个C原子的环状结构,并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被-O-、-S-、-NR13-、-CONR13-、-CO-O-、-O-CO-、-C=O-、=CO、-CH=CH-或-C≡C-代替,并且其中一个或多个氢原子可以被F代替,或具有4至14个碳原子且可以被一个或多个非芳族R13基团取代的芳基或杂芳基基团,并且在同一环上或在两个不同环上的多个取代基R13又可以一起形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系,所述环系可以被多个取代基R13取代;
R1至R12中的其余基团是H,且
R13具有如上关于通式(I)所述的含义。
在第三最优选的实施方式中,含有一个[2.2.1]双环基团的第一有机溶剂是根据通式(II)的含[2.2.1]双环基团的溶剂,其中
R5是具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团,其中一个或多个相邻或不相邻的CH2基团稠合以形成含有3至10个C原子的环状结构,并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被-O-、-S-、-NR13-、-CONR13-、-CO-O-、-O-CO-、-C=O-、=CO、-CH=CH-或-C≡C-代替,并且其中一个或多个氢原子可以被F代替,或具有4至14个碳原子且可以被一个或多个非芳族的R13基团取代的芳基或杂芳基基团,并且在同一环上或在两个不同环上的多个取代基R13又可以一起形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族的环系,所述环系可以被多个取代基R13取代;
R1至R12,除R5外,为H,并且
R13具有如上关于通式(I)所述的含义。
应注意,含[2.2.1]双环基团的溶剂可以以至少两种异构体的形式存在。这些异构体被上述式(I)、(II)、(IIIa)和(IIIb)所涵盖。
例如,根据通式(II)的含[2.2.1]双环基团的溶剂,其中R1至R12具有如上关于通式(I)所述的含义,涵盖以下两种根据式(IIa)和(IIb)的异构体:
并且,根据通式(IIIa)或(IIIb)的含[2.2.1]双环基团的溶剂,其中R1至R12具有如上关于通式(I)所述的含义,各自涵盖以下两种根据式(IIIa1)和(IIIa2)以及(IIIb1)和(IIIb2)的异构体:
优选的含[2.2.1]双环基团的溶剂及其沸点(BP)的实例示于下表1中。
表1:优选的含[2.2.1]双环基团的溶剂及其沸点(BP)。
优选地,第一溶剂的表面张力≥20mN/m。更优选地,第一溶剂的表面张力在25mN/m至40mN/m范围内,且最优选在28mN/m至37.5mN/m范围内。
基于制剂中的溶剂的总量计,第一溶剂的含量优选在50体积%至100体积%范围内,更优选在75体积%至99体积%范围内,且最优选在90体积%至99体积%范围内。
因此,基于制剂中的溶剂总量计,第二溶剂的含量优选在0体积%至50体积%范围内,更优选在1体积%至25体积%范围内,且最优选在1体积%至10体积%范围内。
优选地,第一溶剂的沸点在100℃至400℃范围内、更优选在150℃至350℃范围内。
在一个优选的实施方式中,根据本发明的制剂包含至少第二溶剂,所述第二溶剂与第一溶剂不同。第二溶剂与第一溶剂一起使用。
在一个实施方式中,第二溶剂可以是含[2.2.1]双环基团的溶剂,其不同于第一溶剂。然而,优选地,第二溶剂不含[2.2.1]双环基团。
合适的第二溶剂优选是有机溶剂,其尤其包括醇、醛、酮、醚、酯、酰胺如二-C1-2-烷基甲酰胺、硫化合物、硝基化合物、烃、卤代烃(例如,氯代烃)、芳烃或杂芳烃和卤代的芳烃或杂芳烃。
优选地,第二溶剂可以选自以下组中的一组:取代和未取代的芳族或直链酯,诸如苯甲酸乙酯、苯甲酸丁酯;取代和未取代的芳族或直链醚,诸如3-苯氧基甲苯或苯甲醚;取代或未取代的芳烃衍生物,诸如二甲苯;茚满衍生物,诸如六甲基茚满;取代和未取代的芳族或直链酮;取代和未取代的杂环化合物,诸如吡咯烷酮、吡啶、吡嗪;其它氟代或氯代芳烃。
特别优选的第二有机溶剂例如为1,2,3,4-四甲基苯、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,3-三甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1,2,4-三氯苯、1,2,4-三甲基苯、1,2-二氢萘、1,2-二甲基萘、1,3-苯并二氧杂环戊烷、1,3-二异丙基苯、1,3-二甲基萘、1,4-苯并二烷、1,4-二异丙基苯、1,4-二甲基萘、1,5-二甲基四氢萘、1-苯并噻吩、硫杂萘、1-溴萘、1-氯甲基萘、1-乙基萘、1-甲氧基萘、1-甲基萘、1-甲基吲哚、2,3-苯并呋喃、2,3-二氢苯并呋喃、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、2,5-二甲基苯甲醚、2,6-二甲基苯甲醚、2,6-二甲基萘、2-溴-3-溴甲基萘、2-溴甲基萘、2-溴萘、2-乙氧基萘、2-乙基萘、2-异丙基苯甲醚、2-甲基苯甲醚、2-甲基吲哚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、3-溴喹啉、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、5-癸内酯、5-甲氧基茚满、5-甲氧基吲哚、5-叔丁基间二甲苯、6-甲基喹啉、8-甲基喹啉、苯乙酮、苯甲醚、苯甲腈、苯并噻唑、乙酸苄酯、溴苯、苯甲酸丁酯、丁基苯基醚、环己基苯、十氢萘酚、二甲氧基甲苯、3-苯氧基甲苯、二苯醚、苯丙酮、乙苯、苯甲酸乙酯、己基苯、茚满、六甲基茚满、茚、异色满、异丙基苯、间甲基异丙基苯、均三甲苯、苯甲酸甲酯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、苯甲酸丙酯、丙苯、邻二氯苯、戊苯、苯乙醚、乙氧基苯、乙酸苯酯、对甲基异丙基苯、苯丙酮、仲丁基苯、叔丁基苯、噻吩、甲苯、藜芦醚、一氯苯、邻二氯苯、吡啶、吡嗪、嘧啶、吡咯烷酮、吗啉、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、十氢化萘和/或这些化合物的混合物。
这些溶剂可以单独地使用或作为两种、三种或更多种溶剂的混合物使用以形成第二溶剂。
优选地,第二溶剂的沸点在100℃至400℃范围内、更优选在150℃至350℃范围内。
所述至少一种有机功能材料在第一溶剂以及在第二溶剂中具有溶解度,所述溶解度优选在1g/l至250g/l范围内,且更优选在1g/l至50g/l范围内。
基于制剂的总重量计,所述至少一种有机功能材料在制剂中的含量在0.001重量%至20重量%范围内,优选在0.01重量%至10重量%范围内,更优选在0.1重量%至5重量%范围内,且最优选在0.3重量%至5重量%范围内。
根据本发明的制剂的表面张力优选在10mN/m至50mN/m范围内且更优选在25mN/m至40mN/m范围内。
此外,根据本发明的制剂的粘度优选在1mPa.s至50mPa.s范围内,更优选在2mPa.s至40mPa.s范围内,且最优选在2mPa.s至20mPa.s范围内。
优选地,有机溶剂共混物的表面张力在15mN/m至80mN/m范围内、更优选在20mN/m至60mN/m范围内且最优选在25mN/m至40mN/m范围内。表面张力可以使用FTA(First TenAngstrom)1000接触角测角仪在20℃下测量。所述方法的细节可以从Roger P.Woodward博士在“使用液滴形状法测量表面张力(Surface Tension Measurements Using the DropShape Method)”中公布的First Ten Angstrom获得。优选地,悬滴法可以用于确定表面张力。该测量技术把从针头排出的液滴分散在整体的液相或气相中。液滴的形状由表面张力、重力和密度差之间的关系产生。使用悬滴法,使用http://www.kruss.de/services/education-theory/glossary/drop-shape-analys is由悬滴的阴影图像计算表面张力。使用常用且商业可获得的高精度液滴形状分析工具,即来自First Ten的FTA1000,以进行所有的表面张力测量。表面张力由软件FTA1000确定。所有测量均在室温下进行,该室温在20℃和22℃之间的范围内。标准操作工序包括使用新的一次性液滴分配系统(注射器和针头)测定每种制剂的表面张力。在一分钟的持续时间内测量每一个液滴,进行六十次测量,随后取平均值。对于每种制剂,测量三个液滴。最终值是对于所述测量值取平均值。所述工具相对于具有已知表面张力的多种液体进行相互校验。
使用TA仪器ARG2流变仪在10s-1至1000s-1的剪切速率范围内使用40mm平行板几何形状测量根据本发明的制剂和溶剂的粘度。测量结果为在200s-1和800s-1之间的平均值,其中精确地控制温度和剪切速率。每种溶剂测量三次。所述粘度值是对于所述测量值取平均值。
根据本发明的制剂包含至少一种有机功能材料,其可以用于制造电子器件的功能层。功能材料通常是在电子器件的阳极和阴极之间引入的有机材料。
术语有机功能材料尤其表示有机导体、有机半导体、有机荧光化合物、有机磷光化合物、有机光吸收化合物、有机感光化合物、有机光敏剂和其它有机光活性化合物。此外,术语有机功能材料涵盖过渡金属、稀土元素、镧系元素和锕系元素的有机金属络合物。
有机功能材料选自荧光发光体、磷光发光体、主体材料、基质材料、激子阻挡材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、n型掺杂剂、p型掺杂剂、宽带隙材料、电子阻挡材料和空穴阻挡材料。
有机功能材料的优选实施方式在WO 2011/076314 A1中详细公开,其中该文献通过引用结合到本申请中。
在一个优选的实施方式中,有机功能材料是选自空穴注入、空穴传输、发光、电子传输和电子注入材料的有机半导体。
更优选地,有机功能材料是选自空穴注入和空穴传输材料的有机半导体。
有机功能材料可以是具有低分子量的化合物、聚合物、低聚物或树枝状大分子,其中有机功能材料也可以呈混合物的形式。因此,根据本发明的制剂可以包含两种不同的具有低分子量的化合物、一种具有低分子量的化合物和一种聚合物或两种聚合物(共混物)。
有机功能材料经常通过前沿轨道的性质来描述,其在下面更详细地描述。材料的分子轨道,特别是最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)、它们的能级以及最低三重态T1或最低激发单重态S1的能量可通过量子化学计算来确定。为了计算没有金属的有机物质,首先使用“基态/半经验/默认自旋/AM1/电荷0/自旋单重态”方法优化几何形状。随后基于优化的几何形状进行能量计算。在此使用“TD-SCF/DFT/默认自旋/B3PW91”方法和“6-31G(d)”基组(电荷0,自旋单重态)。对于含金属的化合物,通过“基态/哈特里-福克/默认自旋/LanL2MB/电荷0/自旋单重态”方法优化几何形状。类似于有机物质的上述方法进行能量计算,不同之处在于“LanL2DZ”基组用于金属原子,而“6-31G(d)”基组用于配体。能量计算以哈特里为单位给出了HOMO能级HEh或LUMO能级LEh。参照循环伏安法测量校准的以电子伏特为单位的HOMO和LUMO能级由下式确定:
HOMO(eV)=((HEh*27.212)-0.9899)/1.1206
LUMO(eV)=((LEh*27.212)-2.0041)/1.385
出于本申请的目的,这些值分别被视为材料的HOMO和LUMO能级。
最低三重态T1定义为具有由所述的量子化学计算产生的最低能量的三重态的能量。
最低激发单重态S1定义为具有由所述的量子化学计算产生的最低能量的激发单重态的能量。
本文描述的方法独立于所使用的软件包,并且总是给出相同的结果。为此目的常用的程序的实例为"Gaussian09W"(高斯公司)和Q-Chem4.1(Q-Chem公司)。
具有空穴注入性质的化合物,在本文中也称为空穴注入材料,简化或促进空穴(即正电荷)从阳极转移到有机层中。通常,空穴注入材料具有在阳极能级范围内或高于阳极能级的HOMO能级,所述HOMO能级即通常为至少-5.3eV。
具有空穴传输性质的化合物,在本文中也称为空穴传输材料,能够传输通常从阳极或相邻层如空穴注入层注入的空穴,即正电荷。空穴传输材料通常具有优选至少-5.4eV的高HOMO能级。根据电子器件的结构,还可以使用空穴传输材料作为空穴注入材料。
具有空穴注入和/或空穴传输性质的优选化合物包括例如三芳基胺、联苯胺、四芳基对苯二胺、三芳基膦、吩噻嗪、吩嗪、二氢吩嗪、噻蒽、二苯并对二英、吩噻、咔唑、甘菊环、噻吩、吡咯和呋喃衍生物以及其它的含O、S或N的具有高HOMO(HOMO=最高占据分子轨道)的杂环化合物。
作为具有空穴注入和/或空穴传输性质的化合物,可以特别提及苯二胺衍生物(US3615404),芳胺衍生物(US 3567450),氨基取代的查耳酮衍生物(US 3526501),苯乙烯基蒽衍生物(JP-A-56-46234),多环芳族化合物(EP 1009041),多芳基烷烃衍生物(US3615402),芴酮衍生物(JP-A-54-110837),腙衍生物(US 3717462),酰腙,茋衍生物(JP-A-61-210363),硅氮烷衍生物(US 4950950),聚硅烷(JP-A-2-204996),苯胺共聚物(JP-A-2-282263),噻吩低聚物(JP平成1(1989)211399),聚噻吩,聚(N-乙烯基咔唑)(PVK),聚吡咯,聚苯胺和其它导电大分子,卟啉化合物(JP-A-63-2956965、US 4720432),芳族二甲亚基型化合物,咔唑化合物,诸如CDBP、CBP、mCP,芳族叔胺和苯乙烯胺化合物(US 4127412),诸如联苯胺型的三苯胺、苯乙烯胺型的三苯胺和二胺型的三苯胺。还可以使用芳胺树枝状大分子(JP平成8(1996)193191)、单体三芳胺(US 3180730)、含有一个或多个乙烯基和/或至少一个含活性氢的官能团的三芳胺(US 3567450和US 3658520)或四芳基二胺(两个叔胺单元通过芳基基团连接)。分子中还可以存在更多的三芳基氨基基团。酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、丁二烯衍生物和喹啉衍生物,诸如二吡嗪并[2,3-f:2’,3’-h]喹喔啉六甲腈也是合适的。
优选含有至少两个叔胺单元的芳族叔胺(US 2008/0102311 A1、US 4720432和US5061569),例如NPD(α-NPD=4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯)(US 5061569)、TPD232(=N,N'-双(N,N'-二苯基-4-氨基苯基)-N,N-二苯基-4,4'-二氨基-1,1'-联苯)或MTDATA(MTDATA或m-MTDATA=4,4',4”-三[3-甲基苯基]苯基氨基]三苯胺)(JP-A-4-308688)、TBDB(=N,N,N',N'-四(4-联苯)-二氨基联二苯叉)、TAPC(=1,1-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)环己烷)、TAPPP(=1,1-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)-3-苯基丙烷)、BDTAPVB(=1,4-双[2-[4-[N,N-二(对甲苯基)氨基]苯基]乙烯基]苯)、TTB(=N,N,N',N'-四-对甲苯基-4,4'-二氨基联苯)、TPD(=4,4'-双[N-3-甲基苯基]-N-苯基氨基)联苯)、N,N,N',N'-四苯基-4,4”'-二氨基-1,1',4',1”,4”,1”'-四联苯,同样还有含有咔唑单元的叔胺,例如,TCTA(=4-(9H-咔唑-9-基)-N,N-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]苯胺)。同样优选根据US2007/0092755 A1的六氮杂联三苯叉化合物和酞菁衍生物(例如H2Pc、CuPc(=铜酞菁)、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-O-GaPc)。
特别优选下列式(TA-1)至(TA-12)的三芳胺化合物,其公开于EP 1162193B1、EP650 955B1、Synth.Metals 1997,91(1-3),209、DE 19646119A1、WO 2006/122630 A1、EP 1860 097 A1、EP 1834945 A1、JP 08053397A、US 6251531B1、US 2005/0221124、JP08292586A、US 7399537B2、US 2006/0061265 A1、EP 1 661 888和WO 2009/041635。所述式(TA-1)至(TA-12)的化合物也可以被取代:
可以用作空穴注入材料的其它化合物描述于EP 0891121 A1和EP 1029909 A1中,注入层通常描述于US 2004/0174116 A1中。
通常用作空穴注入和/或空穴传输材料的这些芳胺和杂环化合物优选使得聚合物中的HOMO大于-5.8eV(相对于真空能级),特别优选大于-5.5eV。
具有电子注入和/或电子传输性质的化合物例如为吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、二唑、喹啉、喹喔啉、蒽、苯并蒽、芘、苝、苯并咪唑、三嗪、酮、氧化膦和吩嗪衍生物,以及三芳基硼烷和其它具有低LUMO(LUMO=最低未占分子轨道)的含O、S或N的杂环化合物。
用于电子传输和电子注入层的特别适合的化合物为8-羟基喹啉的金属螯合物(例如LiQ、AlQ3、GaQ3、MgQ2、ZnQ2、InQ3、ZrQ4),BAlQ,Ga羟基喹啉络合物,4-氮杂菲-5-醇-Be络合物(US 5529853 A,参考式ET-1),丁二烯衍生物(US 4356429),杂环光学增亮剂(US4539507),苯并咪唑衍生物(US 2007/0273272 A1)如TPBI(US 5766779,参考式ET-2),1,3,5-三嗪,例如螺二芴基三嗪衍生物(例如根据DE 102008064200),芘,蒽,并四苯,芴,螺芴,树枝状大分子,并四苯(例如红荧烯衍生物),1,10-菲咯啉衍生物(JP 2003-115387、JP2004-311184、JP-2001-267080、WO 02/043449),硅杂环戊二烯衍生物(EP 1480280、EP1478032、EP 1469533),硼烷衍生物,如含有Si的三芳基硼烷衍生物(US 2007/0087219 A1,参考式ET-3),吡啶衍生物(JP 2004-200162),菲咯啉,尤其是1,10-菲咯啉衍生物,如BCP和Bphen,以及通过联苯或其它芳族基团连接的多种菲咯啉(US-2007-0252517A1)或连接到蒽的菲咯啉(US 2007-0122656 A1,参考式ET-4和ET-5)。
杂环有机化合物同样适合,如噻喃二氧化物、唑、三唑、咪唑或二唑。使用的含N五元环的实例如唑,优选1,3,4-二唑,例如式ET-6、ET-7、ET-8和ET-9的化合物,其特别公开于US 2007/0273272A1中;噻唑、二唑、噻二唑、三唑,特别见于US 2008/0102311A1和Y.A.Levin,M.S.Skorobogatova,Khimiya Geterotsiklicheskikh Soedinenii 1967(2),339-341,优选式ET-10的化合物,硅杂环戊二烯衍生物。优选化合物为下式(ET-6)至(ET-10)的化合物:
还可以使用如下有机化合物,如芴酮、芴亚基甲烷、苝四甲酸、蒽醌二甲烷、二苯醌、蒽酮和蒽醌二乙二胺的衍生物。
优选2,9,10-取代的蒽(用1-或2-萘基和4-或3-联苯取代)或含有两个蒽单元的分子(US2008/0193796A1,参考式ET-11)。此外,将9,10-取代的蒽单元连接于苯并咪唑衍生物是极有利的(US 2006/147747 A和EP 1551206A1,参考式ET-12和ET-13)。
能够产生电子注入和/或电子传输性质的化合物优选产生小于-2.5eV(相对于真空能级)、特别优选小于-2.7eV的LUMO。
本发明的制剂可以包含发光体。术语发光体表示如下材料,在可以通过转移任何类型的能量而发生的激发之后,所述材料可以辐射跃迁到基态并发光。一般来说,已知两类发光体,即荧光和磷光发光体。术语荧光发光体表示如下材料或化合物,其中发生从激发的单重态向基态的辐射跃迁。术语磷光发光体优选表示含有过渡金属的发光材料或化合物。
发光体通常也称为掺杂剂,在这种情况下该掺杂剂在体系中引起上述性质。包含基质材料和掺杂剂的体系中的掺杂剂意指在混合物中比例较小的组分。相应地,包含基质材料和掺杂剂的体系中的基质材料意指在混合物中比例较大的组分。因此,术语磷光发光体还可以意指例如磷光掺杂剂。
能够发光的化合物尤其包括荧光发光体和磷光发光体。这些尤其包括含有以下结构的化合物:茋、茋胺、苯乙烯胺、香豆素、红荧烯、若丹明、噻唑、噻二唑、花青、噻吩、对苯亚基、苝、酞菁、卟啉、酮、喹啉、亚胺、蒽和/或芘结构。特别优选如下化合物,即使在室温下也能够以高效率从三重态发光,即表现出电致磷光而非电致荧光的化合物,所述化合物通常引起能量效率增加。适合于此目的的首先是含有原子序数大于36的重原子的化合物。优选如下化合物,所述化合物含有满足上述条件的d或f-过渡金属。此处,含有来自第8族至第10族的元素(Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt)的相应化合物是特别优选的。此处适合的功能化合物例如为多种络合物,如在例如WO 02/068435A1、WO 02/081488A1、EP 1239526 A2和WO 2004/026886 A2中所述的。
下文举例描述可以充当荧光发光体的优选化合物。优选的荧光发光体选自如下的类别:单苯乙烯胺、二苯乙烯胺、三苯乙烯胺、四苯乙烯胺、苯乙烯基膦、苯乙烯醚和芳基胺。
单苯乙烯胺意指含有一个取代或未取代的苯乙烯基基团和至少一个胺、优选芳族胺的化合物。二苯乙烯胺意指含有两个取代或未取代的苯乙烯基基团和至少一个胺、优选芳族胺的化合物。三苯乙烯胺意指含有三个取代或未取代的苯乙烯基基团和至少一个胺、优选芳族胺的化合物。四苯乙烯胺意指含有四个取代或未取代的苯乙烯基基团和至少一个胺、优选芳族胺的化合物。苯乙烯基基团特别优选为茋,其还可以进一步被取代。相应的膦和醚类似于胺来定义。本发明意义上的芳基胺或芳族胺意指含有三个直接键合到氮的取代或未取代的芳族或杂芳族环系的化合物。这些芳族或杂芳族环系中的至少一个优选为稠合环系,优选具有至少14个芳族环原子的稠合环系。其优选实例为芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族苣胺或芳族苣二胺。芳族蒽胺意指如下化合物,其中一个二芳基氨基基团直接键合到蒽基团,优选在9位处键合。芳族蒽二胺意指如下化合物,其中两个二芳基氨基基团直接键合到蒽基团,优选在2,6位或9,10位处键合。芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族苣胺和芳族苣二胺与其类似地定义,其中二芳基氨基基团优选在1位处或1,6位处键合到芘。
其它优选荧光发光体选自茚并芴胺或茚并芴二胺,其尤其描述于WO 2006/122630中;苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺,其尤其描述于WO 2008/006449中;和二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺,其尤其描述于WO 2007/140847中。
可以用作荧光发光体的来自苯乙烯胺类别的化合物的实例为取代或未取代的三茋胺或WO 2006/000388、WO 2006/058737、WO 2006/000389、WO 2007/065549和WO 2007/115610中所述的掺杂剂。二苯乙烯基苯和二苯乙烯基联苯衍生物描述于US 5121029中。其它苯乙烯胺可以见于US 2007/0122656 A1中。
特别优选的苯乙烯胺化合物为US 7250532 B2中所述的式EM-1化合物和DE 102005 058557A1中所述的式EM-2化合物:
特别优选的三芳基胺化合物为CN 1583691 A、JP 08/053397A和US 6251531B1、EP1957606A1、US 2008/0113101 A1、US 2006/210830A、WO 2008/006449和DE 102008035413中公开的式EM-3至EM-15的化合物和其衍生物:
可以用作荧光发光体的其它优选化合物选自以下物质的衍生物:萘、蒽、并四苯、苯并蒽、苯并菲(DE 10 2009 005746)、芴、荧蒽、二茚并芘、茚并苝、菲、苝(US 2007/0252517 A1)、芘、苣、十环烯、晕苯、四苯基环戊二烯、五苯基环戊二烯、芴、螺芴、红荧烯、香豆素(US 4769292、US 6020078、US 2007/0252517 A1)、吡喃、唑、苯并唑、苯并噻唑、苯并咪唑、吡嗪、肉桂酸酯、二酮吡咯并吡咯、吖啶酮和喹吖啶酮(US 2007/0252517 A1)。
在蒽化合物中,特别优选9,10-取代的蒽,如9,10-二苯基蒽和9,10-双(苯基乙炔基)蒽。1,4-双(9'-乙炔基蒽基)苯也是优选的掺杂剂。
以下物质的衍生物也是优选的:红荧烯,香豆素,若丹明,喹吖啶酮,如DMQA(=N,N'-二甲基喹吖啶酮),二氰基甲亚基吡喃,如DCM(=4-(二氰基乙亚基)-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-吡喃),噻喃,聚甲炔,吡喃和噻喃盐,二茚并芘和茚并苝。
蓝色荧光发光体优选为多环芳族化合物,如9,10-二(2-萘基蒽)和其它蒽衍生物,并四苯的衍生物,氧杂蒽的衍生物,苝的衍生物(如2,5,8,11-四-叔丁基苝),苯亚基的衍生物,例如4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯亚基)-1,1'-联苯,芴的衍生物,荧蒽的衍生物,芳基芘的衍生物(US 2006/0222886 A1),芳亚基乙烯亚基的衍生物(US 5121029,US 5130603),双(吖嗪基)亚胺-硼化合物的衍生物(US 2007/0092753 A1),双(吖嗪基)甲亚基化合物的衍生物和喹啉-2-酮化合物的衍生物。
其它优选的蓝色荧光发光体描述于C.H.Chen等人:“Recent developments inorganic electroluminescent materials(有机电致发光材料的最新发展)”Macromol.Symp.(大分子研讨会)125,(1997)1-48和“Recent progress of molecularorganic electroluminescent materials and devices(分子有机电致发光材料和器件的最新进展)”Mat.Sci.and Eng.R(材料科学与工程报告),39(2002),143-222中。
其它优选的蓝色荧光发光体为DE 102008035413中公开的烃。
下文举例描述可以充当磷光发光体的优选化合物。
WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP1191612、EP 1191614和WO 2005/033244揭示了磷光发光体的实例。一般来说,根据现有技术用于磷光OLED的和有机电致发光领域的技术人员已知的所有磷光络合物都是适合的,并且本领域技术人员能够不付出创造性劳动就使用其它磷光络合物。
磷光金属络合物优选地含有Ir、Ru、Pd、Pt、Os或Re,更优选地含有Ir。
优选配体为2-苯基吡啶衍生物、7,8-苯并喹啉衍生物、2-(2-噻吩基)吡啶衍生物、2-(1-萘基)吡啶衍生物、1-苯基异喹啉衍生物、3-苯基异喹啉衍生物或2-苯基喹啉衍生物。所有这些化合物都可以例如被氟、氰基和/或三氟甲基取代基取代以产生蓝光。辅助配体优选为乙酰丙酮化物或吡啶甲酸。
特别地,式EM-16的Pt或Pd与四齿配体的络合物是适合的。
式EM-16化合物更详细地描述于US 2007/0087219 A1中,其中,为了解释上式中的取代基和标记,出于公开目的而引用该说明书。此外,具有扩大的环系的Pt-卟啉络合物(US2009/0061681 A1)和Ir络合物,例如2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉-Pt(II),四苯基-Pt(II)四苯并卟啉(US 2009/0061681 A1),顺式-双(2-苯基吡啶根合-N,C2')Pt(II),顺式-双(2-(2'-噻吩基)吡啶根合-N,C3')Pt(II),顺式-双(2-(2'-噻吩基)喹啉根合-N,C5')Pt(II),(2-(4,6-二氟苯基)吡啶根合-N,C2')Pt(II)(乙酰丙酮化物),或三(2-苯基吡啶根合-N,C2')Ir(III)(=Ir(ppy)3,绿光),双(2-苯基吡啶根合-N,C2)Ir(III)(乙酰丙酮化物)(=Ir(ppy)2乙酰丙酮化物,绿光,US 2001/0053462 A1,Baldo,Thompson等人,Nature(自然)403,(2000),750-753),双(1-苯基异喹啉根合-N,C2')(2-苯基吡啶根合-N,C2')铱(III),双(2-苯基吡啶根合-N,C2')(1-苯基异喹啉根合-N,C2')铱(III),双(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶根合-N,C3')铱(III)(乙酰丙酮化物),双(2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根合-N,C2')铱(III)(吡啶甲酸盐)(FIrpic,蓝光),双(2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根合-N,C2')Ir(III)(四(1-吡唑基)硼酸盐),三(2-(联苯-3-基)-4-叔丁基吡啶)铱(III),(ppz)2Ir(5phdpym)(US 2009/0061681A1),(45ooppz)2Ir(5phdpym)(US 2009/0061681 A1),2-苯基吡啶-Ir络合物的衍生物,如PQIr(=双(2-苯基喹啉基-N,C2')乙酰丙酮铱(III),三(2-苯基异喹啉根合-N,C)Ir(III)(红光),双(2-(2'-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶根合-N,C3)Ir(乙酰丙酮化物)([Btp2Ir(acac)],红光,Adachi等人,Appl.Phys.Lett.(应用物理快报)78(2001),1622-1624))。
以下材料也是适合的:三价镧系元素如Tb3+和Eu3+的络合物(J.Kido等人,Appl.Phys.Lett.65(1994),2124,Kido等人,Chem.Lett.(化学快报)657,1990,US 2007/0252517 A1),或Pt(II)、Ir(I)、Rh(I)与马来二腈基二硫烯的磷光络合物(Johnson等人,JACS 105,1983,1795),Re(I)三羰基-二亚胺络合物(尤其是Wrighton,JACS 96,1974,998),Os(II)与氰基配体和联吡啶或菲咯啉配体的络合物(Ma等人,Synth.Metals(合成金属)94,1998,245)。
具有三齿配体的其它磷光发光体描述于US 6824895和US 10/729238中。发红光的磷光络合物见于US 6835469和US 6830828中。
用作磷光掺杂剂的特别优选的化合物尤其为尤其描述于US 2001/0053462A1和Inorg.Chem.(无机化学)2001,40(7),1704-1711,JACS 2001,123(18),4304-4312中的式EM-17化合物和其衍生物。
衍生物描述于US 7378162 B2、US 6835469 B2和JP 2003/253145A中。
此外,US 7238437 B2、US 2009/008607 A1和EP 1348711中所述的式EM-18至EM-21的化合物及其衍生物可以用作发光体。
量子点也可以用作发光体,这些材料详细地公开于WO 2011/076314A1中。
作为主体材料尤其与发光化合物一起使用的化合物包括来自多种类别的物质的材料。
主体材料通常比所使用的发光体材料具有更大的在HOMO和LUMO之间的带隙。此外,优选的主体材料表现出空穴或电子传输材料的性质。此外,主体材料可以具有电子传输性质和空穴传输性质两者。
在一些情况下,主体材料也被称为基质材料,特别在主体材料与磷光发光体组合用于OLED中时更是如此。
特别与荧光掺杂剂一起使用的优选主体材料或共主体材料选自以下类别:低聚芳亚基(例如2,2',7,7'-四苯基螺二芴,根据EP 676461,或二萘基蒽),特别是含有稠合的芳族基团的低聚芳亚基,如蒽、苯并蒽、苯并菲(DE 10 2009 005746,WO 2009/069566)、菲、并四苯、晕苯、苣、芴、螺芴、苝、酞并苝、萘并苝、十环烯、红荧烯、低聚芳亚基乙烯亚基(例如DPVBi=4,4'-双(2,2-二苯基乙烯基)-1,1'-联苯或螺-DPVBi,根据EP 676461),多足金属络合物(例如根据WO 04/081017),特别是8-羟基喹啉的金属络合物,例如AlQ3(=三(8-羟基喹啉)铝(III))或双(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝、以及咪唑螯合物(US2007/0092753A1)和喹啉-金属络合物、氨基喹啉-金属络合物、苯并喹啉-金属络合物,空穴传导化合物(例如根据WO 2004/058911),电子传导化合物,特别是酮、氧化膦、亚砜等(例如根据WO 2005/084081和WO 2005/084082)、阻转异构体(例如根据WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根据WO 2006/117052)、或苯并蒽(例如根据WO 2008/145239)。
可以充当主体材料或共主体材料的特别优选的化合物选自包括蒽、苯并蒽和/或芘的低聚芳亚基的类别,或这些化合物的阻转异构体。在本发明的意义上,低聚芳亚基意指如下化合物,其中至少三个芳基或芳亚基基团彼此键合。
优选的主体材料特别选自式(H-1)化合物,
Ar4-(Ar5)p-Ar6(H-1)
其中Ar4、Ar5、Ar6在每次出现时相同或不同地为具有5至30个芳族环原子的芳基或杂芳基基团,所述基团可以任选被取代,并且p表示在1至5范围内的整数;Ar4、Ar5和Ar6中π电子的总和在p=1时至少为30,在p=2时至少为36并且在p=3时至少为42。
在式(H-1)化合物中,基团Ar5特别优选地表示蒽,并且基团Ar4和Ar6键合在9和10位处,其中这些基团可以任选被取代。极特别优选地,基团Ar4和/或Ar6中的至少一个为稠合的芳基基团,其选自1-或2-萘基,2-、3-或9-菲基,或者2-、3-、4-、5-、6-或7-苯并蒽基。基于蒽的化合物描述于US 2007/0092753 A1和US 2007/0252517 A1中,例如2-(4-甲基苯基)-9,10-二-(2-萘基)蒽、9-(2-萘基)-10-(1,1'-联苯)蒽和9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽、9,10-二苯基蒽、9,10-双(苯基乙炔基)蒽和1,4-双(9'-乙炔基蒽基)苯。还优选含有两个蒽单元的化合物(US 2008/0193796 A1),例如10,10'-双[1,1',4',1”]三联苯-2-基-9,9'-联蒽。
其它优选的化合物为以下物质的衍生物:芳基胺、苯乙烯胺、荧光素、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、环戊二烯、四苯基环戊二烯、五苯基环戊二烯、香豆素、二唑、双苯并唑啉、唑、吡啶、吡嗪、亚胺、苯并噻唑、苯并唑、苯并咪唑(US 2007/0092753 A1)例如2,2',2”-(1,3,5-苯亚基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]、醛连氮、茋、苯乙烯基芳亚基衍生物例如9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽、和二苯乙烯基芳亚基衍生物(US 5121029)、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、二酮吡咯并吡咯、聚甲炔、肉桂酸酯和荧光染料。
特别优选芳基胺和苯乙烯胺的衍生物,例如TNB(=4,4'-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]联苯)。金属-羟基喹啉络合物(如LiQ或AlQ3)可以用作共主体。
具有低聚芳亚基的作为基质的优选化合物公开于US 2003/0027016 A1、US7326371 B2、US 2006/043858 A、WO 2007/114358、WO 2008/145239、JP 3148176 B2、EP1009044、US 2004/018383、WO 2005/061656 A1、EP 0681019B1、WO 2004/013073A1、US5077142、WO 2007/065678和DE 102009005746中,其中特别优选的化合物由式H-2至H-8描述。
此外,可以用作主体或基质的化合物包括与磷光发光体一起使用的材料。
也可以用作聚合物中的结构元素的这些化合物包括CBP(N,N-双咔唑基联苯),咔唑衍生物(例如根据WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO2008/086851),氮杂咔唑(例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584或JP 2005/347160),酮(例如根据WO 2004/093207或根据DE 102008033943),氧化膦,亚砜和砜(例如根据WO 2005/003253),低聚苯亚基,芳族胺(例如根据US 2005/0069729),双极性基质材料(例如根据WO 2007/137725),硅烷(例如根据WO 2005/111172),9,9-二芳基芴衍生物(例如根据DE 102008017591),氮杂硼杂环戊二烯或硼酸酯(例如根据WO 2006/117052),三嗪衍生物(例如根据DE 102008036982),吲哚并咔唑衍生物(例如根据WO 2007/063754或WO2008/056746),茚并咔唑衍生物(例如根据DE 102009023155和DE 102009031021),二氮杂磷杂环戊二烯衍生物(例如根据DE 102009022858),三唑衍生物,唑和唑衍生物,咪唑衍生物,多环芳基烷烃衍生物,吡唑啉衍生物,吡唑啉酮衍生物,二苯乙烯基吡嗪衍生物,噻喃二氧化物衍生物,苯二胺衍生物,芳族叔胺,苯乙烯胺,氨基取代的查耳酮衍生物,吲哚,腙衍生物,茋衍生物,硅氮烷衍生物,芳族二甲亚基化合物,碳化二亚胺衍生物,8-羟基喹啉衍生物的金属络合物如AlQ3,其还可以含有三芳基氨基苯酚配体(US 2007/0134514 A1),金属络合物/聚硅烷化合物和噻吩,苯并噻吩和二苯并噻吩衍生物。
优选的咔唑衍生物的实例为mCP(=1,3-N,N-二咔唑基苯(=9,9'-(1,3-苯亚基)双-9H-咔唑))(式H-9)、CDBP(=9,9'-(2,2'-二甲基[1,1'-联苯]-4,4'-二基)双-9H-咔唑)、1,3-双(N,N'-二咔唑基)苯(=1,3-双(咔唑-9-基)苯)、PVK(聚乙烯基咔唑)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)联苯和CMTTP(式H-10)。特别提及US 2007/0128467 A1和US 2005/0249976A1中公开的化合物(式H-11和H-13)。
优选的四芳基-Si化合物例如公开于US 2004/0209115、US 2004/0209116、US2007/0087219 A1和H.Gilman,E.A.Zuech,Chemistry&Industry(化学与工业)(英国伦敦),1960,120中。
特别优选的四芳基-Si化合物由式H-14至H-21描述。
用于制备磷光掺杂剂用基质的来自第4类的特别优选化合物尤其公开于DE102009022858、DE 102009023155、EP 652273B1、WO 2007/063754和WO 2008/056746中,其中特别优选的化合物由式H-22至H-25描述。
关于根据本发明可以使用并且可以充当主体材料的功能化合物,特别优选为含有至少一个氮原子的物质。其优选包括芳族胺、三嗪衍生物和咔唑衍生物。由此,咔唑衍生物特别表现出令人惊讶的高效率。三嗪衍生物使电子器件的寿命出乎预料地长。
优选还可以使用混合物形式的多种不同基质材料,特别是至少一种电子传导基质材料与至少一种空穴传导基质材料的混合物。如在例如WO 2010/108579中所述的,还优选使用电荷传输基质材料与电惰性基质材料的混合物,所述电惰性基质材料即使参与电荷传输,也不会在很大程度上参与电荷传输。
还可以使用如下化合物,所述化合物改善从单重态向三重态的跃迁,并且用于承载具有发光体性质的功能化合物,改善这些化合物的磷光性质。特别地,如在例如WO 2004/070772 A2和WO 2004/113468A1中所述的,咔唑和桥连咔唑二聚体单元适用于这个目的。如例如WO 2005/040302A1中所述的,酮、氧化膦、亚砜、砜、硅烷衍生物和类似化合物也适用于这个目的。
在本文中,n型掺杂剂意指还原剂,即电子供体。n型掺杂剂的优选实例为根据WO2005/086251 A2的W(hpp)4和其它富电子金属络合物、P=N化合物(例如WO 2012/175535A1、WO 2012/175219 A1)、萘亚基碳化二亚胺(例如WO 2012/168358 A1)、芴(例如WO 2012/031735A1)、自由基和双自由基(例如EP 1837926 A1、WO 2007/107306A1)、吡啶(例如EP2452946 A1、EP 2463927 A1)、N-杂环化合物(例如WO 2009/000237 A1)和吖啶以及吩嗪(例如US 2007/145355A1)。
此外,所述制剂可以包含宽带隙材料作为功能材料。宽带隙材料意指在US 7,294,849的公开内容的意义上的材料。这些体系在电致发光器件中表现出特别有利的性能数据。
用作宽带隙材料的化合物的带隙优选可以为2.5eV或更大,优选3.0eV或更大,特别优选3.5eV或更大。带隙可以尤其借助于最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)的能级来计算。
此外,所述制剂可以包含空穴阻挡材料(HBM)作为功能材料。空穴阻挡材料表示如下材料,其阻止或最小化多层体系中空穴(正电荷)的传输,特别是在这种材料以层形式相邻于发光层或空穴传导层布置时更是如此。一般来说,空穴阻挡材料的HOMO能级比相邻层中空穴传输材料的HOMO能级低。空穴阻挡层通常布置在OLED中的发光层与电子传输层之间。
基本上可以使用任何已知的空穴阻挡材料。除本申请中别处描述的其它空穴阻挡材料以外,有利的空穴阻挡材料为金属络合物(US 2003/0068528),如双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯氧基)铝(III)(BAlQ)。面式-三(1-苯基吡唑根合-N,C2)铱(III)(Ir(ppz)3)同样用于这个目的(US 2003/0175553A1)。也可以使用菲咯啉衍生物,如BCP;或邻苯二甲酰亚胺,如TMPP。
此外,有利的空穴阻挡材料描述于WO 00/70655A2、WO 01/41512和WO 01/93642A1中。
此外,所述制剂可以包含电子阻挡材料(EBM)作为功能材料。电子阻挡材料表示如下材料,其阻止或最小化多层体系中电子的传输,特别是在这种材料以层形式相邻于发光层或电子传导层布置时更是如此。一般来说,电子阻挡材料的LUMO能级比相邻层中电子传输材料的LUMO能级高。
基本上可以使用任何已知的电子阻挡材料。除本申请中别处描述的其它电子阻挡材料以外,有利的电子阻挡材料为过渡金属络合物,如Ir(ppz)3(US 2003/0175553)。
电子阻挡材料优选可以选自胺、三芳基胺和其衍生物。
此外,可以用作制剂中的有机功能材料的功能化合物,在其为低分子量化合物时,分子量优选为≤3,000g/mol,更优选≤2,000g/mol并且最优选≤1,000g/mol。
此外,特别值得注意的是以高玻璃化转变温度为特征的功能化合物。在这方面,可以用作制剂中的有机功能材料的特别优选的功能化合物为如下化合物,根据DIN 51005测定,其玻璃化转变温度为≥70℃,优选≥100℃,更优选≥125℃并且最优选≥150℃。
所述制剂还可以包含聚合物作为有机功能材料。还可以将上述作为有机功能材料的通常具有相对低分子量的化合物与聚合物混合。还可以将这些化合物共价引入聚合物中。这可以特别地用如下化合物实现,所述化合物被反应性离去基团如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯或反应性可聚合基团如烯烃或氧杂环丁烷取代。这些可以用作制造相应的低聚物、树枝状大分子或聚合物的单体。此处,低聚或聚合优选通过卤素官能团或硼酸官能团或者通过可聚合基团进行。还可以通过此类基团使聚合物交联。根据本发明的化合物和聚合物可以用作交联或非交联的层。
可以用作有机功能材料的聚合物通常含有在上述化合物的意义下描述的单元或结构元素,尤其是WO 02/077060A1、WO 2005/014689A2和WO 2011/076314 A1中公开和广泛列出的单元或结构元素。所述案以引用的方式并入本申请中。功能材料可以例如来自以下类别:
第1类:能够产生空穴注入和/或空穴传输性质的结构元素;
第2类:能够产生电子注入和/或电子传输性质的结构元素;
第3类:组合关于第1类和第2类所述的性质的结构元素;
第4类:具有发光性质、特别是磷光基团的结构元素;
第5类:改善从所谓的单重态向三重态的跃迁的结构元素;
第6类:影响所得聚合物的形态或发光颜色的结构元素;
第7类:通常用作骨架的结构元素。
这里所述结构元素还可以具有多种功能,因此明确的归类未必是有利的。例如,第1类结构元素也可以充当骨架。
用作有机功能材料的含有来自第1类的结构元素的具有空穴传输或空穴注入性质的聚合物优选可以含有对应于上述空穴传输或空穴注入材料的单元。
第1类的其它优选结构元素为例如三芳基胺、联苯胺、四芳基-对苯二胺、咔唑、薁、噻吩、吡咯和呋喃衍生物和其它具有高HOMO的含O、S或N的杂环化合物。这些芳基胺和杂环化合物的HOMO优选为高于-5.8eV(相对于真空能级),特别优选高于-5.5eV。
尤其优选如下具有空穴传输或空穴注入性质的聚合物,其含有至少一个下式HTP-1的重复单元:
其中符号具有以下含义:
Ar1对于不同重复单元在每种情况下相同或不同地为单键或者单环或多环的芳基基团,其可以是任选取代的;
Ar2对于不同重复单元在每种情况下相同或不同地为单环或多环的芳基基团,其可以是任选取代的;
Ar3对于不同重复单元在每种情况下相同或不同地为单环或多环的芳基基团,其可以是任选取代的;
m为1、2或3。
特别优选式HTP-1的重复单元,其选自式HTP-1A至HTP-1C的单元:
其中符号具有以下含义:
Ra在每次出现时相同或不同地为H、取代或未取代的芳族或杂芳族基团、烷基、环烷基、烷氧基、芳烷基、芳氧基、芳硫基、烷氧基羰基、甲硅烷基或羧基基团、卤素原子、氰基基团、硝基基团或羟基基团;
r为0、1、2、3或4,并且
s为0、1、2、3、4或5。
尤其优选如下具有空穴传输或空穴注入性质的聚合物,其含有至少一个下式HTP-2的重复单元:
-(T1)c-(Ar7)d-(T2)e- HTP-2
其中符号具有以下含义:
T1和T2独立地选自噻吩、硒吩、噻吩并[2,3-b]噻吩、噻吩并[3,2-b]噻吩、二噻吩并噻吩、吡咯和苯胺,其中这些基团可以被一个或多个基团Rb取代;
Rb在每次出现时独立地选自卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR0R00、-C(=O)X、-C(=O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5、任选取代的具有1至40个碳原子的甲硅烷基、二价碳基或烃基基团,所述基团可以任选为取代的并且可以任选地含有一个或多个杂原子;
R0和R00各自独立地为H或任选取代的具有1至40个碳原子的二价碳基或烃基基团,所述基团可以任选为取代的并且可以任选地含有一个或多个杂原子;
Ar7和Ar8彼此独立地表示单环或多环的芳基或杂芳基基团,所述基团可以任选为取代的并且可以任选地键合到一个或两个相邻的噻吩或硒吩基团的2,3位处;
c和e彼此独立地为0、1、2、3或4,其中1<c+e≤6;
d和f彼此独立地为0、1、2、3或4。
具有空穴传输或空穴注入性质的聚合物的优选实例尤其描述于WO 2007/131582A1和WO 2008/009343A1中。
用作有机功能材料的含有来自第2类的结构元素的具有电子注入和/或电子传输性质的聚合物优选可以含有对应于上述电子注入和/或电子传输材料的单元。
具有电子注入和/或电子传输性质的其它优选第2类结构元素源自例如吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、二唑、喹啉、喹喔啉和吩嗪,以及三芳基硼烷基团或具有低LUMO能级的其它含O、S或N的杂环化合物。这些第2类结构元素的LUMO优选低于-2.7eV(相对于真空能级),特别优选低于-2.8eV。
有机功能材料优选可以为含有来自第3类的结构元素的聚合物,其中改善空穴和电子迁移率的结构元素(即来自第1类和第2类的结构元素)彼此直接连接。此处,这些结构元素中的一些可以充当发光体,其中发光颜色可以转变为例如绿色、红色或黄色。因此,它们的使用对于例如由原来发蓝光的聚合物产生其它发光颜色或宽带发光是有利的。
用作有机功能材料的含有来自第4类的结构元素的具有发光性质的聚合物可以优选地含有对应于上述发光体材料的单元。此处,优选含有磷光基团的聚合物,特别是上述发光金属络合物,其含有相应的包含来自第8族至第10族的元素(Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt)的单元。
含有改善从所谓单重态向三重态的跃迁的第5类单元的用作有机功能材料的聚合物可以优选用于承载磷光化合物、优选含有上述第4类结构元素的聚合物。此处可以使用聚合物三重态基质。
特别地,如在例如DE 10304819 A1和DE 10328627 A1中所述的咔唑和连接的咔唑二聚体单元适用于这个目的。如在例如DE 10349033A1中所述的酮、氧化膦、亚砜、砜和硅烷衍生物和类似化合物也适用于这个目的。此外,优选结构单元可以源自上文关于与磷光化合物一起使用的基质材料描述的化合物。
其它有机功能材料优选为含有影响聚合物的形态和/或发光颜色的第6类单元的聚合物。除上述聚合物以外,这些聚合物为具有至少一种其它芳族结构或另一种共轭结构的不在上述类别中的聚合物。因此,这些类别对电荷载流子迁移率、非有机金属络合物或单重态-三重态跃迁的影响很小或没有影响。
这种类型的结构单元能够影响所得聚合物的形态和/或发光颜色。因此,依据结构单元而定,这些聚合物也可以用作发光体。
因此,在荧光OLED的情况下,优选具有6至40个C原子的芳族结构元素或此外二苯乙炔、茋或双苯乙烯基芳亚基衍生物单元,其各自可以被一个或多个基团取代。此处特别优选使用源自以下物质的基团:1,4-苯亚基,1,4-萘亚基,1,4-或9,10-蒽亚基,1,6-、2,7-或4,9-芘亚基,3,9或3,10-苝亚基,4,4'-联二苯叉,4,4”-三联苯亚基,4,4'-联-1,1'-萘亚基,4,4'-二苯乙炔亚基,4,4'-茋亚基或4,4”-双苯乙烯基芳亚基衍生物。
用作有机功能材料的聚合物优选含有第7类单元,其优选含有常用作骨架的具有6至40个C原子的芳族结构。
这些尤其包括4,5-二氢芘衍生物,4,5,9,10-四氢芘衍生物,芴衍生物,其例如公开于US 5962631、WO 2006/052457 A2和WO 2006/118345A1中,9,9-螺二芴衍生物,其例如公开于WO 2003/020790A1中,9,10-菲衍生物,其例如公开于WO 2005/104264 A1中,9,10-二氢菲衍生物,其例如公开于WO 2005/014689 A2中,5,7-二氢二苯并氧杂环庚三烯衍生物以及顺式-和反式-茚并芴衍生物,其例如公开于WO 2004/041901A1和WO 2004/113412A2中,和联二萘叉衍生物,其例如公开于WO 2006/063852 A1中,和例如公开于WO 2005/056633A1、EP 1344788A1、WO 2007/043495A1、WO 2005/033174A1、WO 2003/099901 A1和DE102006003710中的其它单元。
特别优选的第7类结构单元选自芴衍生物,其例如公开于US 5,962,631、WO 2006/052457 A2和WO 2006/118345 A1中,螺二芴衍生物,其例如公开于WO 2003/020790 A1中,苯并芴,二苯并芴,苯并噻吩和二苯并芴基团和它们的衍生物,其例如公开于WO 2005/056633A1、EP 1344788 A1和WO 2007/043495 A1中。
尤其优选的第7类结构元素由通式PB-1表示:
其中符号和标记具有以下含义:
A、B和B'各自并且对于不同重复单元相同或不同地为二价基团,所述基团优选选自-CRcRd-、-NRc-、-PRc-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-CO-、-CS-、-CSe-、-P(=O)Rc-、-P(=S)Rc-和-SiRcRd-;
Rc和Rd在每次出现时独立地选自H、卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR0R00、-C(=O)X、-C(=O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5、任选取代的具有1至40个碳原子的甲硅烷基、二价碳基或烃基基团,所述基团可以任选为取代的并且可以任选地含有一个或多个杂原子,其中基团Rc和Rd可以任选地与其所键合至的芴基团形成螺环基团;
X为卤素;
R0和R00各自独立地为H或任选取代的具有1至40个碳原子的二价碳基或烃基基团,所述基团可以任选为取代的并且可以任选地含有一个或多个杂原子;
g在每种情况下独立地为0或1,并且h在每种情况下独立地为0或1,其中亚单元中g和h的总和优选为1;
m为≥1的整数;
Ar1和Ar2彼此独立地表示单环或多环的芳基或杂芳基基团,所述基团可以任选为取代的并且可以任选地键合到茚并芴基团的7,8位处或8,9位处;且
a和b彼此独立地为0或1。
如果基团Rc和Rd与这些基团所键合至的芴基团形成螺环基团,那么该基团优选表示螺二芴。
特别优选式PB-1重复单元,其选自式PB-1A至PB-1E的单元:
其中Rc具有上文对于式PB-1所述的含义,r为0、1、2、3或4,并且Re具有与基团Rc相同的含义。
Re优选为-F,-Cl,-Br,-I,-CN,-NO2,-NCO,-NCS,-OCN,-SCN,-C(=O)NR0R00,-C(=O)X,-C(=O)R0,-NR0R00,任选取代的具有4至40个、优选6至20个C原子的甲硅烷基、芳基或杂芳基基团,或具有1至20个、优选1至12个C原子的直链、支链或环状的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基基团,其中一个或多个氢原子可以任选地被F或Cl取代,并且基团R0、R00和X具有上文对于式PB-1所述的含义。
特别优选式PB-1重复单元,其选自由式PB-1F至PB-1I的单元组成的组:
其中符号具有以下含义:
L为H、卤素或具有1至12个C原子的任选氟化的直链或支链的烷基或烷氧基基团,并且优选表示H、F、甲基、异丙基、叔丁基、正戊氧基或三氟甲基;并且
L'为具有1至12个C原子的任选氟化的直链或支链的烷基或烷氧基基团,并且优选表示正辛基或正辛氧基。
为实施本发明,优选含有多于一种的上述第1类至第7类结构元素的聚合物。此外,可以提出的是,所述聚合物优选含有多于一种的来自一个上述类别的结构元素,即包含选自一个类别的结构元素的混合物。
特别地,特别优选如下聚合物,所述聚合物除至少一种具有发光性质的结构元素(第4类)、优选至少一种磷光基团以外,另外含有上述第1类至第3类、第5类或第6类的至少一种其它结构元素,其中所述结构元素优选选自第1类至第3类。
如果存在于聚合物中,则多种类别的基团的比例可以在宽的范围内,其中这为本领域技术人员所已知。如果存在于聚合物中的一个类别的比例优选在每种情况下≥5mol%、特别优选在每种情况下≥10mol%,那么可以获得令人惊讶的优势,所述一个类别在每种情况下选自上述第1至7类结构元素。
白色发光共聚物的制备尤其详细地描述于DE 10343606 A1中。
为了改善可溶性,聚合物可以含有相应基团。可优选提供的是,聚合物含有取代基,使得每个重复单元中存在平均至少2个非芳族碳原子、特别优选至少4个非芳族碳原子、并且尤其优选至少8个非芳族碳原子,其中平均值指数量平均值。此处的个别碳原子可以例如被O或S代替。然而,特定比例的、任选所有的重复单元可以不含含有非芳族碳原子的取代基。此处,短链取代基为优选的,因为长链取代基可能对可以使用有机功能材料获得的层具有不利影响。取代基优选在直链中含有至多12个碳原子、优选至多8个碳原子并且特别优选至多6个碳原子。
根据本发明用作有机功能材料的聚合物可以为无规、交替或区域规则共聚物、嵌段共聚物或这些共聚物形式的组合。
在另一个实施方式中,用作有机功能材料的聚合物可以为具有侧链的非共轭聚合物,其中这个实施方式对于基于聚合物的磷光OLED特别重要。一般来说,磷光聚合物可以通过乙烯基化合物的自由基共聚获得,其中这些乙烯基化合物含有至少一个具有磷光发光体的单元和/或至少一个电荷传输单元,如尤其在US 7250226 B2中公开的。其它磷光聚合物尤其描述于JP 2007/211243 A2、JP 2007/197574 A2、US 7250226B2和JP 2007/059939 A中。
在另一个优选实施方式中,非共轭聚合物含有骨架单元,其通过间隔单元彼此连接。基于非共轭聚合物的这些三重态发光体的实例公开于例如DE 102009023154中,其中所述非共轭聚合物基于骨架单元。
在另一个优选实施方式中,可以将非共轭聚合物设计为荧光发光体。基于具有侧链的非共轭聚合物的优选荧光发光体在侧链中含有蒽或苯并蒽基团或这些基团的衍生物,其中这些聚合物公开于例如JP 2005/108556、JP 2005/285661和JP 2003/338375中。
这些聚合物通常可以用作电子或空穴传输材料,其中优选将这些聚合物设计为非共轭聚合物。
此外,在聚合物化合物的情况下,在制剂中用作有机功能材料的功能化合物的分子量Mw优选为≥10,000g/mol,特别优选≥20,000g/mol并且尤其优选≥50,000g/mol。
此处,聚合物的分子量Mw优选在10,000g/mol至2,000,000g/mol范围内,特别优选在20,000g/mol至1,000,000g/mol范围内并且极特别优选在50,000g/mol至300,000g/mol范围内。分子量Mw借助于GPC(=凝胶渗透色谱法)相对于内部聚苯乙烯标准物来测定。
上文引用的描述功能化合物的出版物,出于公开目的而以引用的方式并入本申请中。
根据本发明的制剂可以包含制造电子器件的相应功能层所需的所有有机功能材料。例如,如果空穴传输、空穴注入、电子传输或电子注入层正好由一种功能化合物构建,则所述制剂正好包含这种化合物作为有机功能材料。如果发光层包含例如发光体与基质或主体材料的组合,则如本申请别处更详细描述的,所述制剂正好包含发光体与基质或主体材料的混合物作为有机功能材料。
除所述组分以外,根据本发明的制剂可以包含其它添加剂和加工助剂。这些尤其包括表面活性物质(表面活性剂)、润滑剂和油脂、调节粘度的添加剂、提高传导性的添加剂、分散剂、疏水剂、助粘剂、流动改善剂、消泡剂、脱气剂、反应性或非反应性的稀释剂、填充剂、助剂、加工助剂、染料、颜料、稳定剂、敏化剂、纳米粒子和抑制剂。
本发明此外涉及一种制备根据本发明的制剂的方法,其中将含有至少一个[2.2.1]双环基团的至少第一有机溶剂和可以用于制造电子器件的功能层的至少一种有机功能材料混合。
根据本发明的制剂可以用于制造层或多层结构,其中有机功能材料如用于制造优选的电子或光电子组件(如OLED)所需的存在于层中。
本发明制剂可以优选地用于在基底上或在施加于基底的层之一上形成功能层。所述基底可具有或不具有堤岸结构。
本发明也涉及一种制造电子器件的方法,其中将根据本发明的制剂施加至基底并且干燥。
功能层可以例如通过在基底上或在施加于基底的层之一上溢涂、浸涂、喷涂、旋涂、丝网印刷、凸版印刷、凹版印刷、轮转印刷、辊涂、柔性版印刷、胶版印刷或喷嘴印刷,优选喷墨印刷来制造。
向基底或已经施加的功能层施加根据本发明的制剂后,可以进行干燥步骤以便从上述连续相去除溶剂。干燥可以优选在相对低温下进行相对长时间以避免气泡形成,并且获得均匀涂层。干燥可以优选在80℃至300℃、更优选150℃至250℃并且最优选160℃至200℃范围内的温度下进行。此处,干燥优选可以在10-6毫巴至2巴范围内、更优选在10-2毫巴至1巴范围内并且最优选在10-1毫巴至100毫巴范围内的压力下进行。在干燥工序期间,基底的温度可以从-15℃到250℃变动。干燥持续时间取决于欲实现的干燥程度,其中少量水可以任选地在相对高温度下结合烧结去除,烧结是优选进行的。
还可以提供的是,将该工艺重复多次来形成不同或相同的多个功能层。此处可以进行所形成功能层的交联以防止其溶解,如在例如EP 0637 899A1中所公开的。
本发明还涉及一种电子器件,其可通过制造电子器件的方法获得。
本发明还涉及一种电子器件,所述电子器件具有至少一个包含至少一种有机功能材料的功能层,所述电子器件可通过上述用于制造电子器件的方法获得。
电子器件意指包含阳极、阴极和其间至少一个功能层的器件,其中这个功能层包含至少一种有机或有机金属化合物。
有机电子器件优选为有机电致发光器件(OLED)、聚合物电致发光器件(PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光伏(OPV)电池、有机光检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、有机电传感器、发光电化学电池(LEC)或有机激光二极管(O-laser),更优选地是有机电致发光器件(OLED)或聚合物电致发光器件(PLED)。
有源组分通常为引入阳极与阴极之间的有机或无机材料,其中这些有源组分实现、维持和/或改善电子器件的性质,例如其性能和/或其寿命,有源组分例如为电荷注入、电荷传输或电荷阻挡材料,但特别是发光材料和基质材料。因此,可以用于制造电子器件的功能层的有机功能材料优选包含电子器件的有源组分。
有机电致发光器件为本发明的一个优选实施方式。有机电致发光器件包含阴极、阳极和至少一个发光层。
此外,优选使用两种或更多种三重态发光体与基质的混合物。具有较短波发光光谱的三重态发光体在此处充当具有较长波发光光谱的三重态发光体的共基质。
在这种情况下,发光层中基质材料的比例,对于荧光发光层优选为50体积%至99.9体积%,更优选为80体积%至99.5体积%并且最优选为92体积%至99.5体积%,并且对于磷光发光层为85体积%至97体积%。
相应地,掺杂剂的比例对于荧光发光层优选为0.1体积%至50体积%,更优选为0.5体积%至20体积%并且最优选为0.5体积%至8体积%,并且对于磷光发光层为3体积%至15体积%。
有机电致发光器件的发光层还可以包括包含多种基质材料(混合基质体系)和/或多种掺杂剂的体系。此外,在这种情况下,掺杂剂通常为在体系中的比例较小的材料,并且基质材料为在体系中的比例较大的材料。然而,在个别情况下,个别基质材料在体系中的比例可以小于个别掺杂剂的比例。
混合基质体系优选包含两种或三种不同基质材料,更优选两种不同基质材料。此处,所述两种材料之一优选为具有空穴传输性质的材料,并且另一种材料为具有电子传输性质的材料。然而,混合基质组分的期望电子传输和空穴传输性质还可以主要或完全合并在单一混合基质组分中,其中其它的一种或多种混合基质组分满足其它功能。此处,所述两种不同基质材料可以以1:50至1:1、优选1:20至1:1、更优选1:10至1:1并且最优选1:4至1:1的比率存在。混合基质体系优选用于磷光有机电致发光器件中。关于混合基质体系的其它细节可以见于例如WO 2010/108579中。
除这些层以外,有机电致发光器件还可以包含其它层,例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层、电荷产生层(IDMC 2003,中国台湾;Session 21OLED(5),T.Matsumoto,T.Nakada,J.Endo,K.Mori,N.Kawamura,A.Yokoi,J.Kido,Multiphoton Organic EL Device HavingCharge Generation Layer(具有电荷产生层的多光子有机EL器件))和/或有机或无机p/n结。此处,一个或多个空穴传输层可用例如金属氧化物(如MoO3或WO3)或用(全)氟化缺电子芳族化合物进行p型掺杂,和/或一个或多个电子传输层可被n型掺杂。也可将中间层引入两个发光层之间,所述中间层在电致发光器件中具有例如激子阻挡功能和/或控制电荷平衡。然而,应该指出这些层中的每一个不必都存在。如上文所定义,这些层也可以在使用根据本发明的制剂时存在。
在本发明的另一个实施方式中,所述器件包含多个层。此处,根据本发明的制剂优选可以用于制造空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层和/或发光层。
因此,本发明还涉及一种电子器件,所述电子器件包含至少三个层,但在一个优选实施方式中,所述电子器件包含来自空穴注入、空穴传输、发光、电子传输、电子注入、电荷阻挡和/或电荷产生层中的全部的所述层,并且其中至少一个层已经通过待根据本发明使用的制剂获得。所述层例如空穴传输和/或空穴注入层的厚度可以优选在1nm至500nm的范围内,更优选在2nm至200nm的范围内。
所述器件还可以包含由其它低分子量化合物或聚合物构建的层,所述层尚未通过使用根据本发明的制剂来施加。这些还可以通过在高真空中蒸发低分子量化合物来制造。
另外,可以优选使用这样的化合物,其不以纯物质形式使用,而是以与任何期望类型的其它聚合物、低聚物、树枝状大分子或低分子量物质的混合物(共混物)形式使用。这些可以例如改善电子性质或其自身发光。
在本发明的一个优选实施方式中,根据本发明的制剂包含有机功能材料,其用作发光层中的主体材料或基质材料。此处,除主体材料或基质材料以外,制剂可以包含上述发光体。此处,有机电致发光器件可以包含一个或多个发光层。如果存在多个发光层,那么这些发光层优选在380nm至750nm之间具有多个发光峰值,使整体发白光,即,能够发荧光或发磷光的多种发光化合物被用于发光层中。非常特别优选三层体系,其中所述三个层表现蓝色、绿色和橙色或红色发光(对于基本结构,参见例如WO 2005/011013)。白色发光的器件例如适合用作LCD显示器的背光或用于一般照明应用。
多个OLED还可以以层叠方式布置,使得关于待实现的光输出的效率进一步提高。
为了改善光的耦合输出,OLED中出光侧上的最终有机层例如也可以呈纳米泡沫的形式,从而引起全反射比例降低。
还优选如下有机电致发光器件,其中一个或多个层借助于升华方法施加,其中通过在真空升华单元中在低于10-5毫巴、优选低于10-6毫巴、更优选低于10-7毫巴的压力下的气相沉积来施加所述材料。
还可以提供的是,根据本发明的电子器件的一个或多个层借助于OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华来施加,其中在10-5毫巴至1巴的压力下施加所述材料。
还可以提供的是,从溶液例如通过旋涂或借助于任何期望印刷方法如丝网印刷、柔性版印刷或胶版印刷,但特别优选LITI(光引发热成像,热转印)或喷墨印刷来产生根据本发明的电子器件的一个或多个层。
也可以通过不使用式(I)、(II)、(IIIa)或(IIIb)的化合物的方法来施加这些层。在此可以优选使用正交溶剂,其虽然溶解待施加层的功能材料,但不溶解施加有所述功能材料的层。
所述器件通常包含阴极和阳极(电极)。出于本发明的目的,选择电极(阴极、阳极),使得其能带能量尽可能接近地对应于相邻有机层的能带能量,以确保高效的电子或空穴注入。
所述阴极优选包含金属络合物、具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构,所述金属合金或多层结构包含多种金属,例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。在多层结构情况下,除所述金属之外,也可以使用具有相对高逸出功的其它金属例如Ag和Ag纳米线(Ag NW),在这种情况下,通常使用金属的组合,例如Ca/Ag或Ba/Ag。还可优选在金属阴极和有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。适合于该目的的是例如碱金属氟化物或碱土金属氟化物,以及相应的氧化物(例如LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF等)。该层的层厚度优选为0.1nm至10nm,更优选0.2nm至8nm,尤其优选为0.5nm至5nm。
所述阳极优选包含具有高逸出功的材料。该阳极优选具有相对于真空大于4.5eV的电势。一方面,适合于该目的的是具有高氧化还原电势的金属,例如Ag、Pt或Au。另一方面,也可以优选金属/金属氧化物电极(例如Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)。对于一些应用,所述电极的至少一个必须是透明的,以便促进有机材料的辐射(O-SC)或光的耦合输出(OLED/PLED、O-laser)。优选的结构使用透明阳极。此处优选的阳极材料是导电的混合金属氧化物。特别优选氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。此外,优选导电的掺杂有机材料,特别是导电的掺杂聚合物,如聚(乙烯基二氧基噻吩)(PEDOT)和聚苯胺(PANI)或这些聚合物的衍生物。此外,优选将p型掺杂的空穴传输材料作为空穴注入层施加至阳极,其中适合的p型掺杂剂是金属氧化物(例如MoO3或WO3)或(全)氟化缺电子芳族化合物。其它适合的p型掺杂剂为HAT-CN(六氰基六氮杂联三苯叉)或化合物NPD9(来自Novaled)。这种类型的层简化了具有低HOMO(即具有大的值的HOMO)的材料中的空穴注入。
一般来说,根据现有技术用于所述层的所有材料可以用于其它层中,并且本领域技术人员将能够不付出创造性劳动而将这些材料中的每一种与根据本发明的材料组合于电子器件中。
依据应用而定,将器件以本身已知的方式相应地结构化,设置接触点并且最后气密密封,这是因为这类器件的寿命在水和/或空气存在下急剧地缩短。
根据本发明的制剂和可由其获得的电子器件、特别是有机电致发光器件,相比于现有技术的突出之处在于以下令人惊讶的优点中的一个或多个:
1.与使用常规方法获得的电子器件相比,可使用根据本发明的制剂获得的电子器件表现出非常高的稳定性以及非常久的寿命。
2.根据本发明的制剂可以使用常规方法加工,从而也可以实现成本优势。
3.用于根据本发明的制剂中的有机功能材料不受任何特定限制,使得本发明方法能够被全面使用。
4.可使用本发明的制剂获得的涂层表现出优异的质量,特别是在涂层的均匀性方面更是如此。
这些上述优势不伴有其它电子性质的受损。
应该指出,本发明中描述的实施方式的变化落入本发明的范围。除非明确排除,否则本发明中公开的各个特征可以由用于相同、等效或类似目的的替代特征代替。因此,除非另外说明,否则本发明中公开的各个特征应被视为通用系列的实例或视为等效或类似特征。
本发明的所有特征可以以任何方式彼此组合,除非某些特征和/或步骤互相排斥。这特别适用于本发明的优选特征。同样地,非必要组合的特征可以单独使用(而不是组合使用)。
还应该指出,许多特征,特别是本发明优选实施方式的特征,本身是具备创造性的,并且不应仅仅被视为本发明实施方式的一部分。对于这些特征,除了目前要求保护的各发明之外,还可以寻求独立的保护,或寻求独立的保护以作为目前要求保护的各发明的替代方案。
可以提炼关于本发明所公开的技术行为的教导,并与其它实例组合。
下文参考实施例更详细地说明本发明,但不由此限制本发明。
本领域技术人员将能够使用该说明书来制造根据本发明的其它电子器件,而无需付出创造性劳动,由此可以在要求保护的范围内实施本发明。
实施例
下面提供的实施例是使用图1中所示的器件结构来制备的。所有实施例的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)是通过喷墨印刷方法制备,以实现所需的厚度。对于发光层,实施例1和2中使用的个别溶剂列于下表2中:
表2:实施例1和2中使用的溶剂的列表。
使用TA仪器ARG2流变仪在10s-1至1000s-1的剪切速率范围内使用40mm平行板几何形状测量制剂和溶剂的粘度。测量结果为在200s-1和800s-1之间的平均值,其中精确地控制温度和剪切速率。每种溶剂测量三次。所述粘度值是对于所述测量值取平均值。
优选地,有机溶剂共混物可以包含在15mN/m至80mN/m范围内、更优选在20mN/m至60mN/m范围内且最优选在25mN/m至40mN/m范围内的表面张力。表面张力可以使用FTA(First Ten Angstrom)1000接触角测角仪在20℃下测量。所述方法的细节可以从RogerP.Woodward博士在“使用液滴形状法测量表面张力(Surface Tension MeasurementsUsing the Drop Shape Method)”中公布的First Ten Angstrom获得。优选地,悬滴法可以用于确定表面张力。所有测量均在20℃至22℃范围的室温下进行。对于每种制剂,测量三个液滴。最终值是对于所述测量值取平均值。所述工具相对于具有已知表面张力的多种液体进行相互校验。
实施例1和2通过使用相同的结构来制造,其中喷墨印刷HIL和HTL以实现相同的厚度。EML中使用的一种或多种溶剂不同,且细节列于表3中。
表3:实施例1和2中使用的制剂的细节。
制造方法的描述
在异丙醇中用超声波清洁覆盖有预先结构化的ITO和堤岸材料的玻璃基底,然后在去离子水中清洁,然后使用气枪干燥,随后在230℃的热板上退火2小时。
将使用PEDOT-PSS(Clevios Al4083,贺利氏公司)的空穴注入层(HIL)喷墨印刷到基底上并在真空中干燥。然后将HIL在185℃下在空气中退火30分钟。
在HIL之上,喷墨印刷空穴传输层(HTL),在真空中干燥并在210℃下在氮气氛中退火30分钟。作为空穴传输层的材料,使用聚合物HTM-1。聚合物HTM-1的结构如下:
也将绿色发光层(G-EML)喷墨印刷,真空干燥并在160℃下在氮气氛中退火10分钟。用于绿色发光层的油墨在所有实施例中含有两种主体材料(即,HM-1和HM-2)以及一种三重态发光体(EM-1)。材料按以下比率使用:HM-1:HM-2:EM-1=40:40:20。如从表3中可看出的,在实施例之间只有溶剂不同。这些材料的结构如下:
所有喷墨印刷方法均在黄光和环境条件下进行。
然后将器件转移到真空沉积室中,其中使用热蒸发进行空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和阴极(Al)的沉积。然后在手套箱中表征这些器件。
作为用于空穴阻挡层的空穴阻挡材料,使用ETM-1。所述材料具有以下结构:
在电子传输层(ETL)中,使用ETM-1和LiQ的50:50混合物。LiQ是8-羟基喹啉锂。
为了测量电流密度-亮度-电压性能中的OLED性能,该器件由Keithley 2400源测量单元提供的-5V至25V的扫描电压驱动。通过Keithley 2400SMU记录OLED器件上的电压以及通过OLED器件的电流。器件的亮度使用校准的光电二极管检测。光电流用Keithley6485/E皮安表测量。对于光谱,亮度传感器由玻璃纤维代替,所述玻璃纤维连接到OceanOptics USB2000+光谱仪。
结果和讨论
实施例1
利用使用了乙酸异冰片酯作为用于发光层的溶剂的印刷层来制备喷墨印刷的OLED器件。像素化的OLED器件的结构是玻璃/ITO/HIL(40nm)/HTM(20nm)/EML(60nm)/HBL(10nm)/ETL(40nm)/Al,其中在基底上预制堤岸以形成像素化器件。在这种情况下,绿色发光材料以14mg/ml浓度溶解在乙酸异冰片酯中。
图2显示了实施例1的电流密度-亮度-电压(I-L-V)和发光效率。在1000cd/m2下的发光效率为46.31cd/A。该OLED器件的效率非常好,在1000cd/m2下的电压为8.02V。
实施例2
利用使用了乙酸小茴香酯作为用于发光层的溶剂的印刷层来制备喷墨印刷的OLED器件。像素化的OLED器件的结构是玻璃/ITO/HIL(40nm)/HTM(20nm)/EML(60nm)/HBL(10nm)/ETL(40nm)/Al,其中在基底上预制堤岸以形成像素化器件。在这种情况下,绿色发光材料以14mg/ml浓度溶解在乙酸小茴香酯中。
图3显示了实施例2的电流密度-亮度-电压(I-L-V)和发光效率。在1000cd/m2下的发光效率为53.26cd/A。该OLED器件的效率非常好,在1000cd/m2下的电压为8.15V。
所有实施例的测量值汇总在下表4中。
表4:实施例1和2的测量值

Claims (16)

1.一种制剂,其含有至少一种有机功能材料和至少第一有机溶剂,其特征在于所述第一有机溶剂含有至少一个[2.2.1]双环基团,
含有一个[2.2.1]双环基团的所述第一有机溶剂是根据通式(II)的含[2.2.1]双环基团的溶剂,
其中
R1和R7至R10为H,
R2、R3、R5、R6、R11和R12在每种情况下相同或不同地是H或具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团,且
R4是具有1至20个碳原子的直链的烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中一个或多个相邻或不相邻的CH2基团稠合以形成含有3至10个C原子的环状结构,并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-CH=CH-代替;并且
其特征在于所述至少一种有机功能材料选自荧光发光体、磷光发光体、主体材料、基质材料、激子阻挡材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴传输材料、空穴注入材料、n型掺杂剂、p型掺杂剂、宽带隙材料、电子阻挡材料和空穴阻挡材料。
2.根据权利要求1所述的制剂,其特征在于所述第一溶剂的表面张力≥25mN/m。
3.根据权利要求1或2所述的制剂,其特征在于,基于所述制剂中的溶剂的总量计,所述第一溶剂的含量在50体积%至100体积%范围内。
4.根据权利要求1或2所述的制剂,其特征在于所述第一溶剂的沸点在100℃至400℃范围内。
5.根据权利要求1或2所述的制剂,其特征在于所述制剂包含至少一种第二溶剂,所述第二溶剂不同于所述第一溶剂。
6.根据权利要求5所述的制剂,其特征在于所述第二溶剂的沸点在100℃至400℃范围内。
7.根据权利要求5所述的制剂,其特征在于所述至少一种有机功能材料在所述第一溶剂中以及在所述第二溶剂中的溶解度在1g/l至250g/l范围内。
8.根据权利要求1或2所述的制剂,其特征在于所述制剂的表面张力在1mN/m至70mN/m范围内。
9.根据权利要求1或2所述的制剂,其特征在于所述制剂的粘度在1mPa.s至50mPa.s范围内。
10.根据权利要求1或2所述的制剂,其特征在于,基于所述制剂的总重量计,所述至少一种有机功能材料在所述制剂中的含量在0.001重量%至20重量%范围内。
11.根据权利要求1或2所述的制剂,其特征在于所述至少一种有机功能材料选自空穴注入、空穴传输、荧光、磷光、电子传输和电子注入材料。
12.根据权利要求11所述的制剂,其特征在于所述至少一种有机功能材料选自空穴注入和空穴传输材料。
13.根据权利要求12所述的制剂,其特征在于所述空穴注入和空穴传输材料是聚合化合物或聚合化合物与非聚合化合物的共混物。
14.一种用于制备根据权利要求1至13中的任一项所述的制剂的方法,其特征在于将所述至少一种有机功能材料和所述至少第一溶剂混合。
15.一种用于制备电致发光器件的方法,其特征在于以如下方式制备所述电致发光器件的至少一个层:将根据权利要求1至13中的任一项所述的制剂沉积在表面上,且随后干燥。
16.一种电致发光器件,其特征在于至少一个层是以如下方式制备的:将根据权利要求1至13中的任一项所述的制剂沉积在表面上,且随后干燥。
CN201780075348.9A 2016-12-13 2017-12-11 有机功能材料的制剂 Active CN110168047B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16203718 2016-12-13
EP16203718.8 2016-12-13
PCT/EP2017/082113 WO2018108760A1 (en) 2016-12-13 2017-12-11 Formulation of an organic functional material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110168047A CN110168047A (zh) 2019-08-23
CN110168047B true CN110168047B (zh) 2023-08-08

Family

ID=57821736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780075348.9A Active CN110168047B (zh) 2016-12-13 2017-12-11 有机功能材料的制剂

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7091337B2 (zh)
KR (1) KR102486614B1 (zh)
CN (1) CN110168047B (zh)
WO (1) WO2018108760A1 (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010143984A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Mimaki Engineering Co Ltd 非水系インクジェットインク
JP2011109015A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Panasonic Corp 有機el素子用塗布液組成物
CN103178213A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN104303238A (zh) * 2012-04-26 2015-01-21 国立大学法人大阪大学 透明导电性墨以及透明导电图案形成方法

Family Cites Families (201)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB191500120A (en) 1915-01-04 1915-07-22 Archibald Buie Improvements in Turbine Water Power Developing Apparatus.
NL124075C (zh) 1959-04-09
US3526501A (en) 1967-02-03 1970-09-01 Eastman Kodak Co 4-diarylamino-substituted chalcone containing photoconductive compositions for use in electrophotography
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
US3717462A (en) 1969-07-28 1973-02-20 Canon Kk Heat treatment of an electrophotographic photosensitive member
BE756943A (fr) 1969-10-01 1971-03-16 Eastman Kodak Co Nouvelles compositions photoconductrices et produits les contenant, utilisables notamment en electrophotographie
US4127412A (en) 1975-12-09 1978-11-28 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements
JPS54110837A (en) 1978-02-17 1979-08-30 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5646234A (en) 1979-09-21 1981-04-27 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
JPS61210363A (ja) 1985-03-15 1986-09-18 Canon Inc 電子写真感光体
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5121029A (en) 1987-12-11 1992-06-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescence device having an organic electroluminescent element
JPH01211399A (ja) 1988-02-19 1989-08-24 Toshiba Corp スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ
JPH02282263A (ja) 1988-12-09 1990-11-19 Nippon Oil Co Ltd ホール輸送材料
JP2727620B2 (ja) 1989-02-01 1998-03-11 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
US5130603A (en) 1989-03-20 1992-07-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US5077142A (en) 1989-04-20 1991-12-31 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescent devices
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JP3016896B2 (ja) 1991-04-08 2000-03-06 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5529853A (en) 1993-03-17 1996-06-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent element
DE4325885A1 (de) 1993-08-02 1995-02-09 Basf Ag Elektrolumineszierende Anordnung
DE69432686T2 (de) 1993-09-29 2004-03-18 Idemitsu Kosan Co. Ltd. Acrylendiamin-Derivate und diese enthaltendes organisches Elektrolumineszenzelement
DE69412567T2 (de) 1993-11-01 1999-02-04 Hodogaya Chemical Co., Ltd., Tokio/Tokyo Aminverbindung und sie enthaltende Elektrolumineszenzvorrichtung
JPH07133483A (ja) 1993-11-09 1995-05-23 Shinko Electric Ind Co Ltd El素子用有機発光材料及びel素子
DE59510315D1 (de) 1994-04-07 2002-09-19 Covion Organic Semiconductors Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
DE69511755T2 (de) 1994-04-26 2000-01-13 Tdk Corp Phenylanthracenderivat und organisches EL-Element
JP2686418B2 (ja) 1994-08-12 1997-12-08 東洋インキ製造株式会社 ジアリールアミン誘導体、その製造方法及び用途
JP3306735B2 (ja) 1995-01-19 2002-07-24 出光興産株式会社 有機電界発光素子及び有機薄膜
JPH08292586A (ja) 1995-04-21 1996-11-05 Hodogaya Chem Co Ltd 電子写真用感光体
US5708130A (en) 1995-07-28 1998-01-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
EP0765106B1 (en) 1995-09-25 2002-11-27 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
US5766779A (en) 1996-08-20 1998-06-16 Eastman Kodak Company Electron transporting materials for organic electroluminescent devices
DE19646119A1 (de) 1996-11-08 1998-05-14 Hoechst Ag Elektrolumineszenzvorrichtung
JP3654909B2 (ja) 1996-12-28 2005-06-02 Tdk株式会社 有機el素子
JP3148176B2 (ja) 1998-04-15 2001-03-19 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1029909A4 (en) 1998-09-09 2007-01-10 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND PHENYLENE DERIVATIVES
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6361886B2 (en) 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
US6465115B2 (en) 1998-12-09 2002-10-15 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer
US6020078A (en) 1998-12-18 2000-02-01 Eastman Kodak Company Green organic electroluminescent devices
KR100913568B1 (ko) 1999-05-13 2009-08-26 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전계인광에 기초한 고 효율의 유기 발광장치
CN1840607B (zh) 1999-12-01 2010-06-09 普林斯顿大学理事会 作为有机发光器件的磷光掺杂剂的l2mx形式的络合物
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP4876311B2 (ja) 2000-01-14 2012-02-15 東レ株式会社 発光素子
US6660410B2 (en) 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
JP4024009B2 (ja) 2000-04-21 2007-12-19 Tdk株式会社 有機el素子
JP4048521B2 (ja) 2000-05-02 2008-02-20 富士フイルム株式会社 発光素子
US6645645B1 (en) 2000-05-30 2003-11-11 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent organic light emitting devices
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
CN100505375C (zh) 2000-08-11 2009-06-24 普林斯顿大学理事会 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
JP4154138B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
US7318966B2 (en) 2000-11-24 2008-01-15 Toray Industries, Inc. Luminescent element material and luminescent element comprising the same
KR100825183B1 (ko) 2000-11-30 2008-04-24 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
DE10109027A1 (de) 2001-02-24 2002-09-05 Covion Organic Semiconductors Rhodium- und Iridium-Komplexe
JP4438042B2 (ja) 2001-03-08 2010-03-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
KR100916231B1 (ko) 2001-03-14 2009-09-08 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 청색 인광계 유기발광다이오드용 재료 및 장치
US20040082813A1 (en) 2001-03-16 2004-04-29 Toshihiro Iwakuma Method for producting aromatic amino compound
JP4259875B2 (ja) 2001-03-24 2009-04-30 メルク パテント ゲーエムベーハー スピロビフルオレン単位およびフルオレン単位を含む共役ポリマーおよびその使用
DE10116962A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Covion Organic Semiconductors Rhodium- und Iridium-Komplexe
US7071615B2 (en) 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
KR100917347B1 (ko) 2001-08-29 2009-09-16 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 금속 착물들을 포함하는 캐리어 블로킹층들을 갖는 유기발광 디바이스들
US7250226B2 (en) 2001-08-31 2007-07-31 Nippon Hoso Kyokai Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device
JP4629643B2 (ja) 2001-08-31 2011-02-09 日本放送協会 有機発光素子及び表示装置
DE10143353A1 (de) 2001-09-04 2003-03-20 Covion Organic Semiconductors Konjugierte Polymere enthaltend Spirobifluoren-Einheiten und deren Verwendung
JP2003115387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Junji Kido 有機発光素子及びその製造方法
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
US6863997B2 (en) 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
JP2003253145A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Jsr Corp 発光性組成物
JP4256182B2 (ja) 2002-03-14 2009-04-22 Tdk株式会社 有機el素子
SG128438A1 (en) 2002-03-15 2007-01-30 Sumitomo Chemical Co Polymer compound and polymer light emitting deviceusing the same
EP1489155A4 (en) 2002-03-22 2006-02-01 Idemitsu Kosan Co MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES PRODUCED WITH THIS MATERIAL
AU2003241788A1 (en) 2002-05-28 2003-12-12 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer and polymeric luminescent element comprising the same
US7169482B2 (en) 2002-07-26 2007-01-30 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Display device with anthracene and triazine derivatives
JP4025137B2 (ja) 2002-08-02 2007-12-19 出光興産株式会社 アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100946476B1 (ko) 2002-08-23 2010-03-10 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 안트라센 유도체
DE10238903A1 (de) 2002-08-24 2004-03-04 Covion Organic Semiconductors Gmbh Rhodium- und Iridium-Komplexe
JPWO2004034751A1 (ja) 2002-10-09 2006-02-09 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4142404B2 (ja) 2002-11-06 2008-09-03 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
GB0226010D0 (en) 2002-11-08 2002-12-18 Cambridge Display Tech Ltd Polymers for use in organic electroluminescent devices
JP2004200162A (ja) 2002-12-05 2004-07-15 Toray Ind Inc 発光素子
US20060063027A1 (en) 2002-12-23 2006-03-23 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organic electroluminescent element
DE10304819A1 (de) 2003-02-06 2004-08-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Carbazol-enthaltende konjugierte Polymere und Blends, deren Darstellung und Verwendung
DE10310887A1 (de) 2003-03-11 2004-09-30 Covion Organic Semiconductors Gmbh Matallkomplexe
EP1602648B1 (en) 2003-03-13 2013-04-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogen-containing heterocycle derivative and organic electroluminescent element using the same
JP4411851B2 (ja) 2003-03-19 2010-02-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004311184A (ja) 2003-04-04 2004-11-04 Junji Kido 多核型フェナントロリン誘導体よりなる電子輸送材料、電荷制御材料およびそれを用いた有機発光素子
KR20040089567A (ko) 2003-04-14 2004-10-21 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 자외선의 생성을 억제하는 유기 전계발광소자 및 이 유기전계발광소자를 가진 조명 시스템
EP1618170A2 (de) 2003-04-15 2006-01-25 Covion Organic Semiconductors GmbH Mischungen von organischen zur emission befähigten halbleitern und matrixmaterialien, deren verwendung und elektronikbauteile enthaltend diese mischungen
US20040209115A1 (en) 2003-04-21 2004-10-21 Thompson Mark E. Organic light emitting devices with wide gap host materials
US20040209116A1 (en) 2003-04-21 2004-10-21 Xiaofan Ren Organic light emitting devices with wide gap host materials
US7740955B2 (en) 2003-04-23 2010-06-22 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device and display
EP1478032A2 (en) 2003-05-16 2004-11-17 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Light emitting diode method for forming the same
JP2004349138A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Toyota Industries Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
EP1491568A1 (en) 2003-06-23 2004-12-29 Covion Organic Semiconductors GmbH Semiconductive Polymers
DE10328627A1 (de) 2003-06-26 2005-02-17 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialien für die Elektrolumineszenz
EP1644459B1 (de) 2003-07-07 2017-08-23 Merck Patent GmbH Mischungen von organischen zur emission befähigten halbleitern und matrixmaterialien,sowie elektronikbauteile diese enthaltend
DE10333232A1 (de) 2003-07-21 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
DE10337346A1 (de) 2003-08-12 2005-03-31 Covion Organic Semiconductors Gmbh Konjugierte Polymere enthaltend Dihydrophenanthren-Einheiten und deren Verwendung
DE10343606A1 (de) 2003-09-20 2005-04-14 Covion Organic Semiconductors Gmbh Weiß emittierende Copolymere, deren Darstellung und Verwendung
JP2005108556A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Tdk Corp 有機el素子及び有機elディスプレイ
DE10345572A1 (de) 2003-09-29 2005-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
US7795801B2 (en) 2003-09-30 2010-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound
GB2424895B (en) 2003-10-01 2008-07-09 Sumitomo Chemical Co Polymer light-emitting material and polymer light-emitting device
DE10349033A1 (de) 2003-10-22 2005-05-25 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialien für die Elektrolumineszenz und deren Verwendung
JP2007517079A (ja) 2003-10-22 2007-06-28 メルク パテント ゲーエムベーハー エレクトロルミネセンスのための新規材料、およびそれらの使用
US6824895B1 (en) 2003-12-05 2004-11-30 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing organometallic compound with tridentate ligand
TW201235442A (en) 2003-12-12 2012-09-01 Sumitomo Chemical Co Polymer and light-emitting element using said polymer
CN101980395B (zh) 2003-12-19 2014-05-07 出光兴产株式会社 有机电致发光器件
JP4256770B2 (ja) * 2003-12-26 2009-04-22 東芝テック株式会社 インクジェット用インク、およびインクジェット記録方法
CN1918260B (zh) 2003-12-26 2010-06-09 出光兴产株式会社 用于有机电致发光元件的材料和使用该材料的有机电致发光元件
DE102004008304A1 (de) 2004-02-20 2005-09-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische elektronische Vorrichtungen
DE102004010954A1 (de) 2004-03-03 2005-10-06 Novaled Gmbh Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil
US7326371B2 (en) 2004-03-25 2008-02-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with anthracene derivative host
JP4466160B2 (ja) 2004-03-30 2010-05-26 Tdk株式会社 有機el素子及び有機elディスプレイ
US7790890B2 (en) 2004-03-31 2010-09-07 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display device and illumination device
KR100573137B1 (ko) 2004-04-02 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 플루오렌계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR100787425B1 (ko) 2004-11-29 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 페닐카바졸계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
DE102004020298A1 (de) 2004-04-26 2005-11-10 Covion Organic Semiconductors Gmbh Elektrolumineszierende Polymere und deren Verwendung
DE102004023277A1 (de) 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
JP4862248B2 (ja) 2004-06-04 2012-01-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
CN100368363C (zh) 2004-06-04 2008-02-13 友达光电股份有限公司 蒽化合物以及包括此蒽化合物的有机电致发光装置
DE102004031000A1 (de) 2004-06-26 2006-01-12 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
TW200613515A (en) 2004-06-26 2006-05-01 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices
US20060094859A1 (en) 2004-11-03 2006-05-04 Marrocco Matthew L Iii Class of bridged biphenylene polymers
EP1655359A1 (de) 2004-11-06 2006-05-10 Covion Organic Semiconductors GmbH Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
TW200639140A (en) 2004-12-01 2006-11-16 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices
TW200639193A (en) 2004-12-18 2006-11-16 Merck Patent Gmbh Electroluminescent polymers and their use
KR101169901B1 (ko) 2005-01-05 2012-07-31 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자
KR100803125B1 (ko) 2005-03-08 2008-02-14 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
JP4263700B2 (ja) 2005-03-15 2009-05-13 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2006100896A1 (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US20060222886A1 (en) 2005-04-04 2006-10-05 Raymond Kwong Arylpyrene compounds
CN101184789B (zh) 2005-04-28 2012-05-30 住友化学株式会社 高分子化合物及使用了它的高分子发光元件
CN103204996B (zh) 2005-05-03 2015-12-09 默克专利有限公司 有机电致发光器件
DE102005023437A1 (de) 2005-05-20 2006-11-30 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
CN101321801A (zh) 2005-10-07 2008-12-10 住友化学株式会社 共聚物和使用该共聚物的高分子发光元件
US7588839B2 (en) 2005-10-19 2009-09-15 Eastman Kodak Company Electroluminescent device
US20070092755A1 (en) 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
US20070092753A1 (en) 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
US7553558B2 (en) 2005-11-30 2009-06-30 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing an anthracene derivative
CN102633820B (zh) 2005-12-01 2015-01-21 新日铁住金化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
DE102005058543A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102005058557A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
US7709105B2 (en) 2005-12-14 2010-05-04 Global Oled Technology Llc Electroluminescent host material
US7919010B2 (en) 2005-12-22 2011-04-05 Novaled Ag Doped organic semiconductor material
JP4879591B2 (ja) 2006-01-26 2012-02-22 昭和電工株式会社 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
DE102006003710A1 (de) 2006-01-26 2007-08-02 Merck Patent Gmbh Elektrolumineszierende Materialien und deren Verwendung
EP1837927A1 (de) 2006-03-22 2007-09-26 Novaled AG Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern
ATE394800T1 (de) 2006-03-21 2008-05-15 Novaled Ag Heterocyclisches radikal oder diradikal, deren dimere, oligomere, polymere, dispiroverbindungen und polycyclen, deren verwendung, organisches halbleitendes material sowie elektronisches bauelement
DE102006015183A1 (de) 2006-04-01 2007-10-04 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP4995475B2 (ja) 2006-04-03 2012-08-08 出光興産株式会社 ベンズアントラセン誘導体、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US20070252517A1 (en) 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including an anthracene derivative
EP2018674A1 (en) 2006-05-12 2009-01-28 Merck Patent GmbH Indenofluorene polymer based organic semiconductor materials
DE102006025777A1 (de) 2006-05-31 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006025846A1 (de) 2006-06-02 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006031990A1 (de) 2006-07-11 2008-01-17 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP2009544772A (ja) 2006-07-21 2009-12-17 メルク パテント ゲーエムベーハー インデノフルオレンとチオフェンのコポリマー
JPWO2008016018A1 (ja) 2006-08-04 2009-12-24 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008124156A (ja) 2006-11-09 2008-05-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el材料含有溶液、有機el材料の薄膜形成方法、有機el材料の薄膜、有機el素子
US8062769B2 (en) 2006-11-09 2011-11-22 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Indolocarbazole compound for use in organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
JP5294872B2 (ja) 2006-11-20 2013-09-18 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP2008192669A (ja) * 2007-02-01 2008-08-21 Seiko Epson Corp 有機半導体用組成物、及びトランジスタの製造方法
JP4902381B2 (ja) 2007-02-07 2012-03-21 昭和電工株式会社 重合性化合物の重合体
JP2008294401A (ja) * 2007-04-25 2008-12-04 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子および有機電界発光素子の製造方法
DE102007024850A1 (de) 2007-05-29 2008-12-04 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2009014B1 (de) 2007-06-22 2018-10-24 Novaled GmbH Verwendung eines Precursors eines n-Dotanden zur Dotierung eines organischen halbleitenden Materials, Precursor und elektronisches oder optoelektronisches Bauelement
WO2009008201A1 (ja) 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. ナフタレン誘導体、有機el素子用材料及びそれを用いた有機el素子
US7645142B2 (en) 2007-09-05 2010-01-12 Vivant Medical, Inc. Electrical receptacle assembly
EP2202818B1 (en) 2007-09-28 2014-11-12 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el device
JP5443996B2 (ja) 2007-11-29 2014-03-19 出光興産株式会社 ベンゾフェナントレン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102008017591A1 (de) 2008-04-07 2009-10-08 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008033943A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008035413A1 (de) 2008-07-29 2010-02-04 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
DE102008036982A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009022858A1 (de) 2009-05-27 2011-12-15 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008064200A1 (de) 2008-12-22 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009005746A1 (de) 2009-01-23 2010-07-29 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009014513A1 (de) 2009-03-23 2010-09-30 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009023154A1 (de) 2009-05-29 2011-06-16 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung, enthaltend mindestens eine Emitterverbindung und mindestens ein Polymer mit konjugationsunterbrechenden Einheiten
DE102009023155A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009031021A1 (de) 2009-06-30 2011-01-05 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP5968786B2 (ja) 2009-12-22 2016-08-10 メルク パテント ゲーエムベーハー エレクトロルミネッセンス配合物
JP5685849B2 (ja) * 2010-07-29 2015-03-18 セイコーエプソン株式会社 紫外線硬化型インクジェットインク組成物およびインクジェット記録方法
JP2013541837A (ja) 2010-09-10 2013-11-14 ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト 有機光電変換素子用化合物
EP2452946B1 (en) 2010-11-16 2014-05-07 Novaled AG Pyridylphosphinoxides for organic electronic device and organic electronic device
EP2463927B1 (en) 2010-12-08 2013-08-21 Novaled AG Material for organic electronic device and organic electronic device
WO2012168358A1 (en) 2011-06-09 2012-12-13 Novaled Ag Compound for organic electronic device
EP2724389B1 (de) 2011-06-22 2018-05-16 Novaled GmbH Organisches elektronisches bauelement
US9502660B2 (en) 2011-06-22 2016-11-22 Novaled Gmbh Electronic device and compound
JP2013179028A (ja) * 2012-02-02 2013-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 塗布液、有機エレクトロニクスデバイスの製造方法、有機エレクトロニクスデバイス、判定方法、塗布液の製造方法、及び塗布装置
JP2016058576A (ja) * 2014-09-10 2016-04-21 Dic株式会社 有機発光素子用インク組成物およびこれを用いた有機発光素子
KR20180095028A (ko) * 2015-12-16 2018-08-24 메르크 파텐트 게엠베하 둘 이상의 상이한 용매의 혼합물을 함유하는 제형

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010143984A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Mimaki Engineering Co Ltd 非水系インクジェットインク
JP2011109015A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Panasonic Corp 有機el素子用塗布液組成物
CN103178213A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN104303238A (zh) * 2012-04-26 2015-01-21 国立大学法人大阪大学 透明导电性墨以及透明导电图案形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110168047A (zh) 2019-08-23
JP2020501330A (ja) 2020-01-16
KR20190097123A (ko) 2019-08-20
WO2018108760A1 (en) 2018-06-21
JP7091337B2 (ja) 2022-06-27
KR102486614B1 (ko) 2023-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7358544B2 (ja) 有機電子調合物のための溶媒として芳香族基を含むエステル
CN107690720B (zh) 作为用于oled制剂的溶剂的含有非芳族环的酯
CN109563402B (zh) 有机功能材料的制剂
CN109890939B (zh) 有机功能材料的制剂
EP3417033B1 (en) Formulation of an organic functional material
CN109863223B (zh) 有机功能材料的制剂
JP7293298B2 (ja) エポキシ基含有溶媒を含む有機機能性材料の調合物
CN107431139B (zh) 包含硅氧烷溶剂的有机功能材料的制剂
CN110168764B (zh) 形成电子器件的有机元件的方法
KR102374183B1 (ko) 유기 기능성 재료의 제형
KR102710151B1 (ko) 유기 기능성 재료의 포뮬레이션
CN112236488A (zh) 有机功能材料的制剂
CN111418081B (zh) 有机功能材料的制剂
KR102632027B1 (ko) 유기 기능성 재료의 제형
CN110168047B (zh) 有机功能材料的制剂
CN110892543B (zh) 有机功能材料的制剂
KR20190019138A (ko) 유기 기능성 재료의 제형
JP7330898B2 (ja) 有機機能材料の調合物
KR102721891B1 (ko) 유기 전자 제형을 위한 용매로서의 방향족기를 함유하는 에스테르
CN116635491A (zh) 油墨体系和用于喷墨印刷的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant