KR20230118615A - 유기 전계발광 디바이스용 재료 - Google Patents

유기 전계발광 디바이스용 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR20230118615A
KR20230118615A KR1020237022896A KR20237022896A KR20230118615A KR 20230118615 A KR20230118615 A KR 20230118615A KR 1020237022896 A KR1020237022896 A KR 1020237022896A KR 20237022896 A KR20237022896 A KR 20237022896A KR 20230118615 A KR20230118615 A KR 20230118615A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
groups
aromatic
group
radicals
occurrence
Prior art date
Application number
KR1020237022896A
Other languages
English (en)
Inventor
아미르 호싸인 파르함
크리슈티안 에렌라이히
Original Assignee
메르크 파텐트 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 메르크 파텐트 게엠베하 filed Critical 메르크 파텐트 게엠베하
Publication of KR20230118615A publication Critical patent/KR20230118615A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D513/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/12—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D487/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D495/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D498/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D498/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D498/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D498/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D498/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D498/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D513/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/22—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D519/00—Heterocyclic compounds containing more than one system of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring system not provided for in groups C07D453/00 or C07D455/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H10K50/181—Electron blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/20—Delayed fluorescence emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene

Abstract

본 발명은 전자 디바이스에 사용하기에 적합한 식 (1) 의 화합물, 및 이러한 화합물을 함유하는 전자 디바이스, 특히 유기 전자발광 디바이스에 관한 것이다.

Description

유기 전계발광 디바이스용 재료
본 발명은 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 사용하기 위한 재료, 및 이들 재료를 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
유기 전계 발광 디바이스 (OLED) 에서 사용된 방출 재료는 흔히 인광 유기금속성 착물이다. 일반적으로, 예를 들어 효율, 작동 전압 및 수명과 관련하여 OLED, 특히 또한 삼중항 방출 (인광) 을 나타내는 OLED 에서의 개선의 필요성이 여전히 존재한다. 인광 OLED 의 특성은 사용되는 삼중항 방출체에 의해서만 결정되는 것은 아니다. 더욱 구체적으로, 사용되는 다른 재료, 예컨대 매트릭스 재료도 여기서 특히 중요하다. 따라서, 이들 재료의 개선은 또한 OLED 특성의 개선에 이를 수 있다. OLED 에 적합한 매트릭스 재료는 예를 들어 WO 2011/116865, WO 2011/137951, WO 2013/064206 또는 KR 2015-037703 에 개시된 바와 같은 방향족 락탐이다.
본 발명의 목적은 OLED 에서, 특히 인광 방출체용 매트릭스 재료로서 또는 전자 수송 재료로서 사용하기에 적합하고 그 안에서 특성을 개선시키는 화합물을 제공하는 것이다.
놀랍게도, 이 목적은 OLED 에서 사용하기에 양호하게 적합한 이하 상세히 설명되는 특정 화합물에 의해 달성된다는 것을 알아냈다. 이들 OLED 는 특히 긴 수명, 고효율 및 상대적으로 낮은 작동 전압을 갖는다. 따라서 본 발명은 이들 화합물, 및 이들 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명은 하기 식 (1) 의 화합물을 제공한다
Figure pct00001
식 중 사용된 기호들은 다음과 같다:
X 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 CR 또는 N이고, 여기서 2개의 인접한 X 기는 하기 식 (2), (3) 및 (4)의 기이고, 추가 기호 X는 CR 또는 N이다,
Figure pct00002
;
Y 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, SiR2, BAr, C=O, O 또는 S 이다;
Y1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, NR, NAr, SiR2, BAr, CR2, C=O, O 또는 S 이다;
Q, W 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CR 이다;
Z 는 O 또는 S, 바람직하게 O이다;
Ar 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
R 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR1)2, CHO, C(=O)R1, CR1=C(R1)2, CN, C(=O)OR1, C(=O)N(R1)2, Si(R1)3, NAr2, N(R1)2, NO2, P(=O)(R1)2, OSO2R1, OR1, S(=O)R1, S(=O)2R1, SR1, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 2 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있고 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R1C=CR1-, -C≡C-, Si(R1)2, C=O, C=S, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60개 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고, 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 둘 이상의 R 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있다;
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR2)2, CHO, C(=O)R2, CR2=C(R2)2, CN, C(=O)OR2, C(=O)N(R2)2, Si(R2)3, N(R2)2, NO2, P(=O)(R2)2, OSO2R2, OR2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 2 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있고 위에 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=S, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 위에 언급된 기에서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 둘 이상의 R1 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있다;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, F 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 유기 라디칼이고, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 또한 D 또는 F 에 의해 대체될 수도 있고; 동시에, 둘 이상의 R2 치환기는 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있고, 여기서 적어도 하나의 R 기는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 또는 NAr2 이거나 및/또는 적어도 하나의 Ar 기가 존재하고 다음 화합물은 제외된다:
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
본 발명의 맥락에서 아릴 기는 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유하고; 본 발명의 맥락에서 헤테로아릴 기는 2 내지 40 개의 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자 및 헤테로원자의 총합은 적어도 5이다. 헤테로원자는 바람직하게 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 아릴 기 또는 헤테로아릴 기는 여기서 단순 방향족 환, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 환, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜, 등, 또는 융합된 (아닐레이트화 (annelated)) 아릴 또는 헤테로아릴 기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 등을 의미하는 것으로 이해된다. 단일 결합에 의해 서로 연결된 방향족은, 예를 들어 바이페닐은, 대조적으로, 아릴 또는 헤테로아릴 기가 아니라 방향족 고리 시스템으로 지칭된다.
본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템에서 6 내지 60 개의 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 맥락에서 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 시스템에서 2 내지 60 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 40 개의 탄소 원자와 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하는데, 단, 탄소 원자와 헤테로원자의 총합은 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴 기만을 함유하는 것이 아니라, 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 비방향족 단위, 예를 들어 탄소, 질소 또는 산소 원자에 의해 연결되는 것도 가능한 시스템을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 이들은 마찬가지로 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 서로 직접 연결된 시스템, 예를 들어, 바이페닐, 테르페닐, 바이피리딘 또는 페닐피리딘을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 예를 들어, 플루오렌, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템은 또한 본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템으로서 간주될 것이며, 둘 이상의 아릴기가 예를 들어 짧은 알킬기에 의해 연결되는 시스템도 마찬가지이다. 바람직한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 단순 아릴 또는 헤테로아릴 기 및 2 개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 서로 직접 연결되는 기, 예를 들어 바이페닐 또는 바이피리딘, 그리고 또한 플루오렌 또는 스피로바이플루오렌이다.
전자-풍부 헤테로방향족 고리 시스템은 전자-결핍 헤테로아릴기를 함유하지 않는 헤테로방향족 고리 시스템인 것을 특징으로 한다. 전자-결핍 헤테로아릴기는 적어도 하나의 질소 원자를 갖는 적어도 하나를 갖는 6원 헤테로아릴기 또는 적어도 2개의 헤테로원자를 갖고 그 중 하나는 질소 원자이고 다른 하나는 산소, 황 또는 치환된 질소 원자인 5원 헤테로아릴기이며, 여기서 추가의 아릴 또는 헤테로아릴 기는 또한 각 경우에 이들 기에 융합될 수도 있다. 대조적으로, 전자 풍부 헤테로아릴 기는 산소, 황 및 치환된 질소로부터 선택된 정확히 하나의 헤테로원자를 갖는 5원 헤테로아릴 기이며, 그에 추가 아릴 기 및/또는 추가 전자 풍부 5원 헤테로아릴 기가 융합될 수도 있다. 따라서, 전자 풍부 헤테로아릴 기의 예는 피롤, 푸란, 티오펜, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜 또는 인데노카르바졸이다.
본 발명의 맥락에서, 용어 "알킬 기"는 선형 및 분지형 알킬 기 및 환형 알킬 기 양자 모두를 위한 포괄적인 용어로 사용된다. 유사하게, 용어 "알케닐 기" 및 "알키닐 기"는 선형 또는 분지형 알케닐 또는 알키닐 기를 위한 그리고 환형 알키닐 기 양자 모두를 위한 포괄적인 용어로 사용된다.
본 발명의 맥락에서, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 함유할 수도 있으며 개개의 수소 원자 또는 CH2 기가 또한 전술한 기에 의해 치환될 수도 있는 지방족 히드로카르빌 라디칼 또는 알킬기 또는 알케닐 또는 알키닐 기는 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기 OR1 은 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시 및 2,2,2-트리플루오로에톡시를 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 티오알킬 기 SR1 는 특히 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 이해된다. 일반적으로, 본 발명에 따른 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기는 직쇄, 분지형 또는 환형일 수도 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 전술한 기들에 의해 대체될 수도 있고; 추가로, 또한 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2, 바람직하게는 F, Cl 또는 CN, 더욱 바람직하게는 F 또는 CN 에 의해 대체될 수 있다.
5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 또한 각 경우 전술된 R2 라디칼 또는 히드로카르빌 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 시스템에 연결될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 트리페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-인데노카르바졸, 시스- 또는 트랜스-인돌로카르바졸, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트르이미다졸, 피리드이미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 헥사아자트리페닐렌, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도된 기 또는 이들 시스템의 조합으로부터 유도된 기를 의미하는 것으로 이해된다.
둘 이상의 라디칼이 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다는 문구는, 본 상세한 설명의 맥락에서, 특히, 2 개의 라디칼이 2 개의 수소 원자의 형식적 제거와 함께 화학 결합에 의해 서로 연결됨을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이것은 다음 도식에 의해 예시된다:
Figure pct00006
.
그러나, 추가적으로, 위에 언급된 말은 또한 2 개의 라디칼 중 하나가 수소인 경우에는 제 2 라디칼이 수소 원자가 결합되었던 위치에 결합되어, 고리를 형성한다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이것은 다음 도식에 의해 예시될 것이다:
Figure pct00007
.
식 (1) 의 화합물에서, 적어도 하나의 R 기는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 또는 NAr2 이거나, 및/또는 적어도 하나의 Ar 기가 존재한다. 이것은 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 적어도 하나의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 또는 NAr2 기가 공유 결합을 통해 식 (2), (3) 또는 (4) 과 함께 식 (1)의 기본 골격에 직접 부착됨을 의미한다. 이것은 또한 Y1 이 NAr 이라는 점에서도 충족될 수도 있다.
2개의 인접한 X 기가 식 (2), (3) 또는 (4) 중 하나의 식의 기인 경우, 이들 X 기 중 각각은 식 (2), (3) 또는 (4) 에서 * 로 식별되는 위치에 대응하는 C이다. 따라서, 식 (2) 와 함께, 결과는 2개의 X 기 및 식 (2) 로부터 형성된 식 (1) 에 융합된 5원 고리이다. 따라서, 식 (3) 와 함께, 결과는 2개의 X 기 및 식 (3) 으로부터 형성된 식 (1) 에 융합된 6원 고리이다. 따라서, 식 (4) 와 함께, 결과는 2개의 X 기 및 식 (4) 로부터 형성된 식 (1) 에 융합된 5원 고리이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 식 (1) 에서, C=Z 기에 인접한 2개의 X기는 식 (2), (3) 또는 (4)의 기이다.
이것은 하기 식 (5) 내지 (9) 의 바람직한 화합물을 낳는다:
Figure pct00008
식 중 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 가지며, 단, X는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CR이고 2개의 인접한 X 기는 C이고 Y1 을 함유하는 기와 함께 융합된(fused-on) 5원 고리, 또는 Q 를 함유하는 기와 함께 융합된 6원 고리를 형성한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 환당 2개 이하의 기호 Q는 N이고, 보다 바람직하게는 1개 이하의 기호 Q는 N이다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 환당 2개 이하의 기호 W는 N이고, 보다 바람직하게는 1개 이하의 기호 W는 N이다.
바람직한 실시 형태에서, W 는 CR 이다. 추가의 바람직한 실시형태에서, X (이것은 CR 또는 N임) 는 N이다.
추가의 바람직한 실시형태는 하기 식 (10) 내지 (14) 로 나타낸다:
Figure pct00009
식 중 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 갖고 방향족 시스템은 도시된 바와 같이 하나 이상의 R 기에 의해 동일하거나 상이하게 치환될 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 식 (5) 내지 (9) 에서, C=Z 기에 인접한 2개의 X기는 C이고, 식 (2), (3) 또는 (4) 는 이들 위치에서 부착된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 식 (10) 내지 (14) 에서, C=O 기에 인접한 2개의 X기는 C이고, 식 (2), (3) 또는 (4) 는 이들 위치에서 부착된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, 화합물은 식 (15) 내지 (21) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure pct00010
Figure pct00011
식 중 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 갖는다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 식 (15) 내지 (21) 에서 3개 이하의 R 기, 바람직하게는 2개 이하의 R 기는, H 또는 D가 아니다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, 식 (17)의 화합물의 경우 화합물은 하기 식 (17-1)의 화합물로부터 선택된다:
Figure pct00012
식 중 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 갖는다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, Y 는 C=O, O 또는 S, 보다 바람직하게 C=O 또는 S이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, Y1 은 동일하거나 상이하고 C=O, CR2, NR, NAr, O 또는 S, 보다 바람직하게 C=O, S, O 또는 NAr, 가장 바람직하게 S, NAr 또는 O이다.
특히 바람직한 실시형태에서, Y는 C=O, O 또는 S이고 Y1 는 C=O, NR, NAr, O 또는 S 이며; 바람직하게, Y 는 C=O 또는 S 이고 Y1 은 C=O, NAr, O 또는 S 이다.
바람직한 실시형태에서, 식 (2), (3) 또는 (4) 의 기에 포함되지 않은 추가의 X 기는 N이고 Y는 C=O, S 또는 O, 바람직하게는 S 또는 O, 매우 특히 S 이며, 특히 식 (17)의 화합물 또는 이의 바람직한 실시형태의 경우에 그러하다.
바람직한 실시형태에서, 식 (17-1)의 화합물의 경우에, C=O- 기에 인접한 R 기는 바람직하게는 H이며, 추가의 X 기는 N이고 Y는 C=O, S 또는 O, 바람직하게 S 또는 O, 매우 특히 S 이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 2개의 인접한 X는 식 (3)의 기이고, Y는 C=O이다. 본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, 2개의 인접한 X는 식 (3)의 기이고, Y는 O 또는 S이고, 적어도 하나의 R 라디칼은 6 내지 30개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템이다.
바람직한 치환기 R, Ar, R1 및 R2 의 설명이 뒤따른다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, R, Ar, R1 및 R2 에 대해 이하에 명시된 바람직한 것들이 동시에 발생하고 식 (1) 의 구조 및 위에 상술된 모든 바람직한 실시형태에 적용가능하다.
바람직한 실시형태에서, Ar 은 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 고리 시스템, 또는 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, Ar 은, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 특히 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의, 바람직하게는 비방향족, R 라디칼들에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다.
적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 Ar 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 페닐, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 플루오렌, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 스피로바이플루오렌, 1 또는 2 위치를 통해 연결될 수 있는 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 카르바졸, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조푸란, 또는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 페난트렌, 트리페닐렌 또는 이들 기들의 2 개 또는 3 개의 조합으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있다.
Ar 의 추가의 바람직한 실시형태들은, 이들이 방향족 고리 시스템을 나타내는 경우, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 퀴나졸린 및 벤즈이미다졸 또는 이들 기와 위에 언급된 기 중 하나의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. Ar 이 헤테로아릴 기, 특히 트리아진, 피리미딘, 퀴나졸린 또는 카르바졸인 경우, 이 헤테로아릴 기 상의 방향족 또는 헤테로방향족 R 라디칼이 또한 바람직할 수도 있다.
Ar 은 여기서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 바람직하게 각각의 경우 동일하거나 상이하고 하기 식 Ar-1 내지 Ar-76 의 기로부터 선택된다:
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
Figure pct00016
Figure pct00017
식 중, 점선은 Ar 의 경우에 질소 원자에 대한 결합을 나타내고, 또한:
Ar3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 2가 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
Ar3 은, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자들을 갖고 하나 이상의 R 라디칼들에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
A1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 NAr2, O, S 또는 C(R)2 이다;
n 은 0 또는 1 이고, 여기서 n = 0 는, A1 기가 이 위치에서 결합되지 않고, R 라디칼은 그의 자리에 있는 대응하는 탄소 원자에 결합됨을 의미한다;
m 은 0 또는 1이고, 여기서 m = 0 은 Ar3 기가 부재하는 것 그리고 대응하는 방향족 또는 헤테로방향족 기가 질소 원자에 직접 결합되는 것을 의미한다. 바람직하게는, 기가 질소 원자에 결합하는 경우 m은 0이 아니며; 보다 바람직하게는, m은 결합이 탄소 원자에 대한 것인 경우에만 1이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, R 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, N(R1)2, CN, OR1, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬 기 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 알킬 또는 알케닐 기는 각각 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2 개의 R 라디칼은 함께 또한 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 더욱 바람직하게는, R 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, N(R1)2, 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는, 특히 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬 기, 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 각 경우에 알킬 기는 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고, 보다 바람직하게 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고, 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, R 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며 H, 또는 6 내지 24 개 방향족 고리 원자, 보다 바람직하게 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 또한, R 이 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 트리아릴- 또는 -헤테로아릴아민 기인 경우가 바람직할 수도 있다. 이 기는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 일 실시형태이며, 이 경우에 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 질소 원자에 의해 서로 연결된다. R 이 트리아릴- 또는 -헤테로아릴아민 기인 경우, 이 기는 바람직하게는 18 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. 동시에, 바람직하게 적어도 하나의 R 라디칼은 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다.
적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 R 은 페닐, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라- 바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 플루오렌, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 스피로바이플루오렌, 1 또는 2 위치를 통해 연결될 수도 있는 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 카르바졸, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조푸란, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 퀴나졸린, 벤즈이미다졸, 페난트렌, 트리페닐렌 또는 이들 기들 중 2 개 또는 3 개의 조합으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. R 이 헤테로아릴 기, 특히 트리아진, 피리미딘 또는 퀴나졸린인 경우, 이 헤테로아릴 기 상의 방향족 또는 헤테로방향족 R1 라디칼이 또한 바람직할 수도 있다.
여기서 R 기는, 이들이 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템인 경우, 바람직하게는 하기 식 R-1 내지 R-76 의 기들로부터 선택된다:
Figure pct00018
Figure pct00019
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
Figure pct00023
식 중 R1 은 위에 주어진 정의를 갖고, 점선 결합은 식 (1) 및 (2), (3) 또는 (4) 에서 또는 바람직한 실시형태에서 기본 골격에서의 탄소 원자에 대한 결합을 나타내고, 추가로:
Ar3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 2가 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
A1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, C(R1)2, NR1, O 또는 S 이고;
n 은 0 또는 1 이고, 여기서 n = 0 는, A 기가 이 위치에서 결합되지 않고, 그 대신 R1 라디칼이 대응하는 탄소 원자에 결합됨을 의미하고;
m 은 0 또는 1이고, 여기서 m = 0 은 Ar3 기가 부재하는 것 그리고 대응하는 방향족 또는 헤테로방향족 기가 식 (1) 또는 식 (2), (3) 또는 (4) 에서 또는 바람직한 실시형태에서 기본 골격에서의 탄소 원자에 직접 결합됨을 의미한다;
전술된 Ar 에 대한 Ar-1 내지 Ar-76 기 및 R 에 대한 R-1 내지 R-76 기가 둘 이상의 A1 기를 갖는 경우, 이들에 대한 가능한 선택들은 A1 의 정의로부터의 모든 조합들을 포함한다. 그 경우에 바람직한 실시형태는 하나의 A1 기가 NR 또는 NR1 이고 다른 하나의 A1 기가 C(R)2 또는 C(R1)2 이거나 또는 두 A1 기 모두가 NR 또는 NR1 이거나 또는 두 A1 기 모두가 O 인 것들이다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 둘 이상의 A1 기를 갖는 Ar1, Ar2 또는 R 기에서, 적어도 하나의 A1 기는 C(R1)2 이거나 또는 NR1 이다.
A1 이 NR1 인 경우, 질소 원자에 결합된 치환기 R1 은 바람직하게는, 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자들을 갖고 또한 하나 이상의 R2 라디칼들에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 특히 바람직한 실시형태에서, 이 R1 치환기는 각각의 경우 동일하거나 상이하며 6 내지 24개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 이는 2 개 이상의 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리 기들이 서로 직접 융합되는 융합된 아릴 기 또는 헤테로아릴 기를 갖지 않으며, 또한, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 각 경우에 치환될 수도 있다. Ar-1 내지 Ar-11 또는 R-1 내지 R-11에 대해 위에 열거된 바와 같은 결합 패턴을 갖는 페닐, 바이페닐, 테르페닐 및 쿼터페닐이 특히 바람직하고, 여기서 이들 구조들은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다.
A1 이 C(R1)2 인 경우, 이 탄소 원자에 결합된 치환기 R1 은 바람직하게는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 이는 또한 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. 가장 바람직하게는, R1 은 메틸기 또는 페닐기이다. 이 경우, R1 라디칼은 함께 또한 고리 시스템을 형성할 수도 있고, 이것은 스피로 시스템으로 이어진다.
Y1 이 CR2 인 경우, 이 탄소 원자에 결합된 치환기 R 는 바람직하게는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게 6 내지 13개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 이는 또한 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. 가장 바람직하게, 이들 치환기 R 은 메틸기 또는 페닐기이다. 이 경우, R 라디칼은 함께 또한, 스피로 시스템에 이르는 고리 시스템을 형성할 수도 있다.
본 발명의 하나의 실시 형태에서, 적어도 하나의 R 라디칼은 전자 풍부 헤테로방향족 고리 시스템이다. 이러한 전자 풍부 헤테로방향족 고리 시스템은 바람직하게는 위에 기술된 R-13 내지 R-42 기로부터 선택되며, 여기서, R-13 내지 R-16, R-18 내지 R-20, R-22 내지 R-24, R-27 내지 R-29, R-31 내지 R-33 및 R-35 내지 R-37 기에서, 적어도 하나의 A1 기는 NR1 이고 여기서 R1 은 바람직하게는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 특히 방향족 고리 시스템이다. m = 0 이고 A1 = NR1 인 R-15 기가 특히 바람직하다.
본 발명의 추가의 실시 형태에서, 적어도 하나의 R 라디칼은 전자 결핍 헤테로방향족 고리 시스템이다. 이러한 전자-결핍 헤테로방향족 고리 시스템은 바람직하게는 위에 기술된 R-47 내지 R-50, R-57, R-58 및 R-76 기로부터 선택된다.
본 발명의 하나의 실시 형태에서, 적어도 하나의 Ar 라디칼은 전자 풍부 헤테로방향족 고리 시스템이다. 이러한 전자 풍부 헤테로방향족 고리 시스템은 바람직하게는 위에 묘사된 기 Ar-13 내지 Ar-42 로부터 선택되고, 여기서 기 Ar-13 내지 Ar-16, Ar-18 내지 Ar-20, Ar-22 내지 Ar-24, Ar-27 내지 Ar-29, Ar-31 내지 Ar-33 및 Ar-35 내지 Ar-37 에서, 바람직하게는 적어도 하나의 A1 기는 NAr2 이고, 여기서 Ar2 는 바람직하게 방향족 고리 시스템이다.
본 발명의 추가의 실시형태에서, 적어도 하나의 Ar 라디칼은 전자 결핍 헤테로방향족 고리 시스템이다. 이러한 전자 결핍 헤테로방향족 고리 시스템은 바람직하게는 위에 기술된 Ar-47 to Ar-50, Ar-57, Ar-58 및 Ar-76 기로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, OR2, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 알킬 또는 알케닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 둘 이상의 R1 라디칼은 함께 지방족 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는, 특히 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬 기, 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 알킬 기는 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 보다 바람직하게 6 내지 13개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, F, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 또는 6 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기이고, 이는 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않는다.
동시에, 진공 증발에 의해 처리되는 본 발명의 화합물에서, 알킬 기는 바람직하게는 5 개 이하의 탄소 원자, 더욱 바람직하게는 4 개 이하의 탄소 원자, 가장 바람직하게는 1 개 이하의 탄소 원자를 갖는다. 용액으로부터 처리되는 화합물에 대해, 적합한 화합물은 또한 10 개 이하의 탄소 원자를 갖는, 알킬 기, 특히, 분지형 알킬 기에 의해 치환된 것들 또는 올리고아릴렌 기, 예를 들어 오르토-, 메타-, 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐 또는 쿼터페닐 기에 의해 치환된 것들이다.
식 (1) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태의 화합물이 인광 방출체를 위한 매트릭스 재료로서 또는 인광 층에 바로 인접한 층에서 사용될 때, 또한 그 화합물은 2개보다 많은 6원 고리들이 서로 직접 융합되는 융합된 아릴 또는 헤테로아릴 기들을 함유하는 않는 경우가 바람직하다. Ar, R, R1 및 R2 라디칼이 2 개 이상의 6-원 고리들이 서로 직접 융합되는 융합된 아릴 또는 헤테로아릴 기들을 함유하지 않는 경우가 특히 바람직하다. 이에 대한 예외는 페난트렌, 트리페닐렌, 퀴나졸린 및 퀴녹살린에 의해 형성되는데, 이들은, 그들의 높은 삼중항 에너지로 인하여, 융합된 방향족 6원 고리들의 존재에도 불구하고 바람직할 수도 있다.
위에 언급된 바람직한 실시형태들은 청구항 1에 정의된 제한들 내에서 원하는 대로 서로 조합될 수도 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 위에 언급된 바람직한 것들은 동시에 발생한다.
위에 상세히 나타낸 실시형태에 따른 바람직한 화합물의 예는 아래 표에 상세히 나타낸 화합물이다:
Figure pct00024
Figure pct00025
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
Figure pct00030
Figure pct00031
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
Figure pct00035
Figure pct00036
Figure pct00037
Figure pct00038
Figure pct00039
본 발명의 화합물의 베이스 구조는 도식 1 내지 6 에 개략된 루트에 의해 제조될 수 있다. 도식 1 및 2는 2개의 대안의 루트에 의한 Y = C = O 인 화합물의 합성을 나타낸다. 도식 3 및 4는 Y=S인 화합물의 합성을 보여준다. 도식 4은 Y = O 인 화합물의 합성을 나타낸다. 도식 6은 식 (1)과 식 (2)로 구성된 화합물의 합성을 나타낸다.
식 (1)의 기본 골격은 여기에서 고리화에 의해 먼저 형성된다. 베이스 골격의 합성은 문헌에 알려져 있다. 반응 방식은 어느 식 (2), (3) 또는 (4)의 기가 존재하는지에 따라 달라질 수도 있다. 식 (2)의 기의 경우에, 먼저 식 (1)의 기본 골격을 형성하는 것도 가능하며, 그 위에 식 (2)의 기가 고리화를 통해 도입될 수도 있다. 기본 구조가 반응성 이탈기, 예를 들어 염소 또는 브롬으로 치환되는 경우, 이것은 추가 반응에서 다른 치환기로, 예를 들어 스즈키 커플링 반응에서 방향족 또는 헤테로방향족 치환기 R 로 대체될 수도 있다.
도식 1 (Tetrahedron, 75(48), 130351; 2019)
Figure pct00040
도식 2 (International Journal of Pharma Research and Health Sciences, 6(6), 2865-2868; 2018)
Figure pct00041
도식 3 (Chemical Communications (Cambridge, United Kingdom), 53(6), 1056-1059; 2017)
Figure pct00042
도식 4 (Journal of the Chemical Society, Perkin Transactions 1: Organic and Bio-Organic Chemistry, (24), 4147-4158; 1998)
Figure pct00043
도식 5 (Pharmazie, 34(3), 138-42; 1979)
Figure pct00044
도식 6
Figure pct00045
따라서 본 발명은 또한, 하기 고리화 반응 및/또는 커플링 반응을 포함하는, 본 발명의 화합물의 제조 방법을 제공한다.
예를 들어 스핀-코팅 또는 인쇄 방법에 의해 액체 상으로부터 본 발명의 화합물의 처리를 위해, 본 발명의 화합물의 포뮬레이션이 필요하다. 이들 포뮬레이션은 예를 들어, 용액, 분산액 또는 유화액일 수도 있다. 이러한 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 2-메틸바이페닐, 3-메틸바이페닐, 1-메틸나프탈렌, 1-에틸나프탈렌, 에틸 옥타노에이트, 디에틸 세바케이트, 옥틸 옥타노에이트, 헵틸벤젠, 멘틸 이소발레레이트, 시클로헥실 헥사노에이트 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서, 본 발명은 또한 본 발명의 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 포뮬레이션을 제공한다. 추가 화합물은 예를 들어, 용매, 특히 위에 언급된 용매 중 하나 또는 이들 용매의 혼합물일 수도 있다. 추가 화합물은 대안적으로, 마찬가지로 전자 디바이스에서 사용되는 적어도 하나의 추가의 유기 또는 무기 화합물, 예를 들어 방출 화합물 및/또는 추가 매트릭스 재료일 수도 있다. 적합한 방출 화합물 및 추가 매트릭스 재료는 유기 전계 발광 디바이스와 관련하여 뒤에 열거된다. 이러한 추가 화합물은 또한 중합체성일 수도 있다.
본 발명의 화합물은 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서의 사용에 적합하다.
따라서 본 발명은 또한, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서의 본 발명의 화합물의 용도를 제공한다.
본 발명은 여전히 또한 본 발명의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 전자 디바이스를 제공한다.
전자 디바이스는 본 발명의 맥락에서 적어도 하나의 유기 화합물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 디바이스이다. 이 컴포넌트는 또한 무기 재료 또는 그렇지 않으면 무기 재료로부터 전체적으로 형성된 층을 포함할 수도 있다.
전자 디바이스는 바람직하게는 유기 전계발광 디바이스 (OLED), 유기 집적회로 (O-IC), 유기 전계효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양전지 (O-SC), 염료-감응형 유기 태양전지 (DSSC), 유기 광검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 디바이스 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 플라스몬 방출 디바이스로 이루어지는 군, 바람직하게는 유기 전계발광 디바이스 (OLED), 더 바람직하게는 인광 OLED 로부터 선택된다.
유기 전계 발광 디바이스는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방출층을 포함한다. 이들 층 외에도, 이것은 또한, 추가 층, 예를 들어 각 경우에 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단 층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 차단 층, 전자 차단 층 및/또는 전하 생성 층을 포함할 수도 있다. 마찬가지로 여기자 차단 기능을 갖는 중간층이, 예를 들어, 2 개의 방출 층 사이에 도입되는 것이 가능하다. 그러나, 이러한 층들 중 모든 것이 반드시 존재할 필요는 없다는 것이 언급되어야 한다. 이 경우에, 유기 전계 발광 디바이스는 하나의 방출층을 포함할 수 있거나, 또는 복수의 방출층을 포함할 수 있다. 복수의 방출층이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게는 380 ㎚ 와 750 ㎚ 사이에 전체적으로 여러 방출 최대치를 가져서, 전체 결과는 백색 방출이 되고; 즉, 형광 또는 인광을 나타낼 수도 있는 다양한 방출 화합물이 방출층에 사용된다. 3개의 방출 층을 갖는 시스템이 특히 바람직하며, 여기서 3개의 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타낸다. 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 또한, 특히 백색-방출 OLED 를 위한, 탠덤 OLED 일 수도 있다.
위에 상세히 나타낸 실시형태들에 따른 본 발명의 화합물은 정확한 구조에 따라, 상이한 층에서 사용될 수도 있다. 인광 방출체를 위한 또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체를 위한, 특히 인광 방출체를 위한, 매트릭스 재료로서 방출 층에서 식 (1) 또는 위에 언급된 바람직한 실시형태들의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이 경우, 유기 전계 발광 디바이스는 하나의 방출층을 함유할 수도 있거나, 또는 이것은 복수의 방출층을 함유할 수도 있으며, 여기서 적어도 하나의 방출 층은 매트릭스 재료로서 본 발명의 적어도 하나의 화합물을 함유한다. 또한, 본 발명의 화합물은 또한 전자 수송층에서 및/또는 정공 차단층에서 및/또는 정공 수송층에서 및/또는 여기자 차단 층에서 사용될 수 있다.
본 발명의 화합물이 방출 층에서 인광 화합물을 위한 매트릭스 재료로서 사용되는 경우, 바람직하게는 하나 이상의 인광 재료 (삼중항 방출체) 와 조합하여 사용된다. 인광은 본 발명의 맥락에서 더 높은 스핀 다중도를 갖는 여기된 상태, 즉, 스핀 상태 > 1, 특히 여기된 삼중항 상태로부터의 루미네선스를 의미하는 것으로 이해된다. 본 출원의 맥락에서, 전이 금속 또는 란타나이드와의 모든 발광 착물, 특히 모든 이리듐, 백금 및 구리 착물은 인광 화합물로서 간주되어야 할 것이다.
본 발명의 화합물 및 방출 화합물의 혼합물은 방출체 및 매트릭스 재료의 총 혼합물을 기준으로, 99 부피% 와 1 부피% 사이, 바람직하게는 98 부피% 와 10 부피% 사이, 더욱 바람직하게는 97 부피% 와 60 부피% 사이, 그리고 특히 95 부피% 와 80 부피% 사이로 본 발명의 화합물을 함유한다. 대응하여, 혼합물은 방출체 및 매트릭스 재료의 총 혼합물을 기준으로, 1 부피% 와 99 부피% 사이, 바람직하게는 2 부피% 와 90 부피% 사이, 더욱 바람직하게는 3 부피% 와 40 부피% 사이, 그리고 특히 5 부피% 와 20 부피% 사이의 방출체를 함유한다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태는 추가의 매트릭스 재료와 조합으로 인광 방출체를 위한 매트릭스 재료로서의 본 발명의 화합물의 용도이다. 본 발명의 화합물과 조합으로 사용될 수 있는 적합한 매트릭스 재료는, 예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따른 방향족 케톤, 방향족 포스핀 산화물 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰, 트리아릴아민, 카르바졸 유도체, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴바이페닐) 또는 WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527, WO 2008/086851 또는 WO 2013/041176, 예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따른 인돌로카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2010/136109, WO 2011/000455, WO 2013/041176 또는 WO 2013/056776 에 따른 인데노카르바졸 유도체, 예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따른 아자카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/137725 에 따른 바이폴라 매트릭스 재료, 예를 들어 WO 2005/111172 에 따른 실란, 예를 들어 WO 2006/117052 에 따른 아자보롤 또는 보로닉 에스테르, 예를 들어 WO 2007/063754, WO 2008/056746, WO 2010/015306, WO 2011/057706, WO 2011/060859 또는 WO 2011/060877 에 따른 트리아진 유도체, 예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따른 아연 착물, 예를 들어 WO 2010/054729 에 따른 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체, 예를 들어 WO 2010/054730 에 따른 디아자포스폴 유도체, 예를 들어 WO 2011/042107, WO 2011/060867, WO 2011/088877 및 WO 2012/143080 에 따른 브릿지된 카르바졸 유도체, 예를 들어, WO 2012/048781에 따른 트리페닐렌 유도체, 또는 예를 들어 WO 2015/169412, WO 2016/015810, WO 2016/023608, WO 2017/148564 또는 WO 2017/148565 에 따른 디벤조푸란 유도체이다. 마찬가지로 실제 방출체보다 더 짧은 파장 방출을 갖는 추가의 인광 방출체가 혼합물 중의 코-호스트, 또는 예를 들어, WO 2010/108579 에 기재된 바와 같이, 있다손 치더라도, 현저한 정도로 전하 수송에 관여하지 않는 화합물로서 존재하는 것이 가능하다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 재료는 추가 매트릭스 재료와 조합하여 사용된다. 특히 본 발명의 화합물이 전자 결핍 헤테로방향족 고리 시스템에 의해 치환되는 경우 바람직한 코-매트릭스 재료는, 비스카르바졸, 브릿지된 카르바졸, 트리아릴아민, 디벤조푸라닐-카르바졸 유도체 또는 디벤조푸라닐-아민 유도체 및 카바졸아민의 군으로부터 선택된다.
바람직한 비스카르바졸은 하기 식 (22) 및 (23) 의 구조이다:
Figure pct00046
식 중 Ar 및 A1 은 Ar 의 경우에 위에 주어진 정의를 갖고 R은 위에 주어진 정의를 갖는다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, A1 은 CR2 이다.
식 (22) 및 (23) 의 화합물의 바람직한 실시형태는 하기 식 (22a) 및 (23a) 의 화합물이고:
Figure pct00047
식 중 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 갖는다.
바람직한 브릿지된 카르바졸은 하기 식 (24)의 구조이다:
Figure pct00048
식 중 A1 및 R 은 위에 주어진 정의를 갖고 A1 은 바람직하게는 각각의 경우 동일하거나 상이하며 NAr2 및 CR2 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직한 디벤조푸란 유도체는 하기 식 (25) 의 화합물이고:
Figure pct00049
식 중 산소는 또한 디벤조티오펜을 형성하기 위해 황으로 대체될 수 있으며, L 은 단일 결합 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 또한 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, R 및 Ar 은 위에 주어진 정의를 갖는다. 여기서는 동일한 질소 원자에 결합하는 두 개의 Ar 기, 또는 동일한 질소 원자에 결합하는 하나의 Ar 기와 하나의 L 기가 서로 결합하여 예를 들어 카르바졸을 생성하는 것도 가능하다.
바람직한 카르바졸아민은 하기 식 (26), (27) 및 (28) 의 구조이고:
Figure pct00050
식중 L 은 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, R 및 Ar 은 위에 주어진 정의를 가진다.
특히 본 발명의 화합물이 전자 풍부 헤테로방향족 고리 시스템, 예를 들어 카르바졸기에 의해 치환되는 경우, 바람직한 코-매트릭스 재료는 또한 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체 및 퀴나졸린 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다. 본 발명의 화합물과 함께 혼합물로 사용될 수 있는 바람직한 트리아진, 퀴나졸린 또는 피리미딘 유도체는 하기 식 (29), (30), (31) 및 (32) 의 화합물이다:
Figure pct00051
식 중 Ar 및 R 은 위에 주어진 정의를 갖는다.
식 (29) 의 트리아진 유도체 및 식 (32) 의 퀴녹살린 유도체, 특별히 식 (29) 의 트리아진 유도체가 특히 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 식 (29), (30), (31) 및 (32) 에서 Ar 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 6 내지 30개의 방향족 고리 원자, 특히 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 Ar 은 여기서 Ar 에 대한 실시 형태, 특히 구조 Ar-1 내지 Ar-76 로서 위에 제시한 것과 동일하다.
적합한 인광 화합물 (= 삼중항 방출체) 는 특히, 적합하게 여기될 때, 바람직하게는 가시 영역에서 발광하며 또한 20 초과, 바람직하게는 38 초과 및 84 미만, 보다 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 원자 번호의 적어도 하나의 원자, 특히 이러한 원자 번호를 갖는 금속을 함유하는 화합물이다. 사용되는 바람직한 인광 방출체들은 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물들, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물들이다.
위에 기재된 방출체들의 예들은 출원 WO 00/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US 2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094961, WO 2014/094960, WO 2015/036074, WO 2015/104045, WO 2015/117718, WO 2016/015815, WO 2016/124304, WO 2017/032439, WO 2018/011186, WO 2018/041769, WO 2019/020538, WO 2018/178001, WO 2019/115423 및 WO 2019/158453 에서 찾아볼 수 있다. 일반적으로, 종래 기술에 따라 인광 OLED 에 사용된 바와 같은 그리고 유기 전계 발광의 분야의 당업자에게 알려진 바와 같은 모든 인광 착물들이 적합하고, 당업자는 진보적 능력을 발휘하지 않고서 추가의 인광 착물을 사용 가능할 것이다.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스의 추가 층에서, 전형적으로 선행기술에 따라 사용된 임의의 재료를 사용할 수 있다. 따라서 당업자는 진보적 능력을 발휘하지 않고서도, 식 (1) 또는 위에 언급된 바람직한 실시형태들의 본 발명의 화합물과 조합하여 유기 전계 발광 디바이스를 위해 알려진 임의의 재료를 사용하는 것이 가능할 것이다.
하나 이상의 층이 승화 방법에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 추가로 바람직하다. 이 경우, 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템에서 증착에 의해 도포된다. 하지만, 또한, 초기 압력은 훨씬 더 낮은, 예를 들어 10-7 mbar 미만일 수 있다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (organic vapor phase deposition) 방법에 의해 또는 캐리어 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이러한 경우, 재료들은 10-5 mbar 과 1 bar 사이의 압력에서 도포된다. 이 방법의 특별한 경우는, 재료가 노즐에 의해 직접 도포되고 이에 따라 구조화되는 OVJP (organic vapor jet printing) 방법이다.
추가적으로, 하나 이상의 층이, 용액으로부터, 예를 들어 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 인쇄 방법, 예를 들어 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄, LITI (light-induced thermal imaging, thermal transfer printing), 잉크젯 인쇄 또는 노즐 인쇄에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이 목적을 위해, 예를 들어 적합한 치환을 통해 얻어지는 가용성 (soluble) 화합물이 필요하다.
또한, 예를 들어 하나 이상의 층이 용액으로부터 도포되고 하나 이상의 추가 층이 증착에 의해 도포되는 혼성 방법이 가능하다.
당업자는 일반적으로 이들 방법을 알고 있으며, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스에 진보적 능력을 발휘하지 않고도 이를 적용할 수 있다.
본 발명의 화합물 및 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 아래의 놀라운 특성 중 하나 이상에 대해 주목할 만하다:
1. 인광 방출체를 위한 매트릭스 재료로서 사용되는, 본 발명의 화합물은 장 수명에 이른다.
2. 본 발명의 화합물은 고효율, 특히 고 EQE에 이른다. 이는 특히 화합물이 인광 방출체용 매트릭스 재료로서 사용될 때 그러하다.
3. 본 발명의 화합물은 낮은 작동 전압에 이른다. 이는 특히 화합물이 인광 방출체용 매트릭스 재료로서 사용될 때 그러하다.
본 발명은 하기의 실시예들에 의해 상세히 예시되며, 이에 의해 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 당업자는 주어진 정보를 사용하여 본 발명을 개시된 전체 범위에 걸쳐 실시하고, 본 발명의 추가의 화합물을 진보적 능력을 발휘하지 않고서도 제조하고, 이들을 전자 디바이스에서 사용하거나 본 발명의 방법을 사용하는 것이 가능할 것이다.
실시예
달리 언급하지 않는 한, 건조 용매 중에서 보호 가스 분위기 하에 하기의 합성을 수행한다. 용매 및 시약은 예를 들어 Sigma-ALDRICH 또는 ABCR 로부터 구입할 수 있다. 문헌으로부터 공지된 화합물의 경우, 대응하는 CAS 번호가 각 경우에 또한 보고된다.
합성예
a) 2-브로모-4H-티에노[2',3':4,5]피리미도[2,1- b ]벤즈티아졸-4-온
Figure pct00052
클로로포름 (1000　ml) 중 38.5　g (150　mmol) 의 4H-티에노[2',3':4,5]피리미도[2,1-b]벤즈티아졸-4-온의 용액에, 암 상태 0℃에서, 26.5　g (150　mmol) 의 N-브로모숙신이미드가 부분들로(in portions) 첨가되고, 혼합물이 이 온도에서 2 시간 동안 교반된다. 아황산 나트륨 용액을 첨가하여 반응을 종결시키고, 혼합물을 실온에서 추가 30 분 동안 교반하였다. 상분리 후, 유기 상을 물로 세척하고 수성 상을 디클로로메탄으로 추출하였다. 조합된 유기 상을 황산 나트륨 상에서 건조시키고, 감압 하에 농축한다. 잔류물을 톨루엔에 용해시키고, 실리카 겔을 통해 여과한다. 이후, 조 생성물 (crude product) 을 톨루엔/헵탄으로부터 재결정화한다. 수율 : 39.7 g (118 mmol), 이론치의 91%, 무색 고체.
하기 화합물을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00053
b) 8-(9-페닐카르바졸-3-일)인돌로[2,1-b]퀴나졸린-6,12-디온
Figure pct00054
51　g (158　mmol) 의 8-브로모인돌로[2,1-b]퀴나졸린-6,12-디온 및 46　g (160　mmol) 의 N-페닐카르바졸-3-보론산 및 36　g (340　mmol) 의 나트륨 카보네이트를 1000 mL 의 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 및 290　ml 의 물에 현탁시킨다. 그 현탁액에 1.8　g (1.5　mmol) 의 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)을 첨가하고, 반응 혼합물을 18 시간 동안 환류하에 가열한다. 냉각 후, 유기 상을 제거하고, 실리카 겔을 통해 여과하고, 250　ml 의 물로 3 회 세척한 다음 농축 건조시킨다. 수율은 이론치의 85% 에 해당하는, 65 g (132 mmol) 이다.
하기의 화합물을 유사한 방식으로 제조한다:
Figure pct00055
Figure pct00056
Figure pct00057
Figure pct00058
Figure pct00059
Figure pct00060
Figure pct00061
Figure pct00062
Figure pct00063
Figure pct00064
Figure pct00065
c) 2-[3-(9-페닐카르바졸-3-일)카르바졸-9-일]-[1,3]벤조티아졸로[2,3-b]퀴나졸린-12-온
21.2　g (52　mmol) 의 9-페닐-3,3'-바이-9H-카르바졸 및 16.4　g (50　mmol) 의 2-브로모-[1,3]벤조티아졸로[2,3-b]퀴나졸린-12-온을 아르곤 분위기 하에 톨루엔 400ml에 용해시킨다. 1.0g(5mmol)의 트리-tert-부틸포스핀을 플라스크에 첨가하고 혼합물을 아르곤 분위기 하에서 교반한다. 0.6　g (2　mmol) 의 Pd(OAc)2 를 플라스크에 첨가하고 혼합물을 아르곤 분위기 하에 교반한 다음, 9.5　g (99　mmol) 의 나트륨 tert-부톡사이드를 플라스크에 첨가한다. 반응 혼합물을 환류하에 24 시간 동안 교반하였다. 냉각 후, 유기상을 분리하고, 200　ml 의 물로 3 회 세척하고, MgSO4 상에서 건조시키고 여과하고, 용매를 감압 하에 제거한다. 잔류물을 실리카 겔 (용리제: DCM/헵탄 (1:3)) 을 사용하여 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제한다. 잔류물을 톨루엔으로 고온 추출하고, 톨루엔/n-헵탄으로부터 재결정화하고, 마지막으로 높은 진공 하에 승화시킨다. 수율은 26.2　g (39　mmol) 이며, 이론치의 88% 에 해당한다.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00067
Figure pct00068
Figure pct00069
Figure pct00070
d) 3-(2-클로로아닐리노)피리미도[2,1-b][1,3]벤조티아졸-4-온
Figure pct00071
30.3　g (140　mmol) 의 3-아미노피리미도[2,1-b]벤조티아졸-4-온, 26.5　g (140　mmol) 의 1-브로모-2-클로로벤젠, 68.2　g (710　mmol) 의 나트륨 tert-부톡시드, 613　mg (3　mmol) 의 팔라듐 (II) 아세테이트 및 3.03　g (5　mmol) 의 dppf 를 1.3　l 의 톨루엔에 용해시키고 환류하에 5 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔으로 확장하고 Celite 를 통해 여과하였다. 여과물을 감압하에 농축시키고, 잔류물을 톨루엔/헵탄으로부터 결정화시킨다. 생성물을 무색의 고체로서 단리한다. 수율: 28 g (84 mmol), 이론치의 60%.
e) 고리화
Figure pct00072
32.7　g (100　mmol) 의 3-(2-클로로아닐리노)피리미도[2,1-b][1,3]벤조티아졸-4-온, 56　g (409　mmol) 의 칼륨 카보네이트, 4.5　g (12　mmol) 의 트리시클로헥실포스핀 테트라플루오로보레이트, 및 1.38　g (6　mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트를 500　ml 의 디메틸아세트아미드에 현탁시키고 환류하 6시간 동안 교반하였다. 냉각 후, 반응 혼합물에 물 300ml와 에테르 400ml를 첨가하고, 이를 30분간 더 교반하고, 유기상을 제거하고, 유기상을 짧은 Celite 상(Celite bed)을 통해 여과한 다음 용매를 감압하에 제거한다. 조 생성물 (crude product) 을 톨루엔으로 고온 추출하고, 톨루엔으로부터 재결정화한다. 생성물을 무색의 고체로서 단리한다. 수율: 19 g (65 mmol), 이론치의 65%.
OLED 의 제조
이하의 실시예 E1 내지 E29 (표 1 참조) 는 OLED 에서의 본 발명의 재료의 사용을 제시한다.
예 E1-E29 를 위한 전처리 : 두께 50nm의 구조화된 ITO (indium tin oxide) 로 코팅된 유리 판을 산소 플라즈마로, 다음으로 아르곤 플라즈마로, 코팅 전에, 처리한다. 이들 플라즈마 처리된 유리 플레이트는, OLED들이 적용되는 기판들을 형성한다.
OLED 는 기본적으로 하기의 층 구조를 갖는다: 기판/선택적 중간층 (IL)/정공 주입층 (HIL)/정공 수송층 (HTL)/전자 차단층 (EBL)/방출층 (EML)/선택적 정공 차단층 (HBL)/전자 수송층 (ETL)/선택적 전자 주입층 (EIL) 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 정확한 구조는 표 1 에서 찾을 수 있다. OLED 의 제조에 필요한 재료를 표 2 에 나타낸다. OLED 의 데이터를 표 3 에 나열한다.
모든 재료는 진공 챔버에서 열 기상 증착에 의해 도포된다. 이러한 경우, 방출층은 동시-증발에 의해 특정한 부피 비율로 매트릭스 재료(들) 에 첨가되는 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 방출 도펀트 (방출체) 로 항상 이루어진다. EG1:IC2:TER5 (55%:35%:10%) 와 같은 형태로 주어진 상세한 사항은, 여기서 재료 EG1 가 층에서 55% 의 부피비로 존재하고, IC2 이 35% 의 부피비로 존재하고, TER5 가 10% 의 부피비로 존재함을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2가지 재료의 혼합물로 이루어질 수도 있다.
OLED는 표준 방식으로 특성화된다. 이러한 목적의 경우, 전계 발광 스펙트럼, 전류 효율 (CE, cd/A 로 측정됨) 및 외부 양자 효율 (EQE, % 로 측정됨) 은, 수명과 같이, Lambertian 방출 특성을 가정하여 전류-전압-휘도 특성 (IUL 특성) 으로부터 계산된, 휘도의 함수로서 측정된다. 전계 발광 스펙트럼은 휘도 1000 cd/㎡ 에서 결정되고 이를 이용하여 CIE 1931 x 및 y 색 좌표가 계산된다. 표 3 에서의 파라미터 U1000 은 1000 cd/㎡ 의 휘도에 필요한 전압을 나타낸다. CE1000 및 EQE1000 은 각각 1000 cd/㎡ 에서 얻은 전류 효율 및 외부 양자 효율을 나타낸다.
수명 LT 는, 일정한 전류 밀도 j0 로 작동하는 동안 휘도가 시작 휘도로부터 특정한 비율 L1 로 하락하는 시간으로서 정의된다. 표 3 에서의 L1 = 95% 의 수치는 LT 열에 보고된 수명이, 휘도가 그 시작 값의 95% 까지 떨어진 후의 시간에 대응하는 것을 의미한다.
OLED 에서의 본 발명의 재료의 사용 및 혜택
최적의 전하 밸런스를 달성하고 따라서 OLED 의 매우 우수한 성능 데이터를 달성하기 위해 두 개의 호스트 재료의 혼합물이 일반적으로 OLED 의 방출층에 사용된다. OLED 의 간소화된 제조와 관련하여, 사용되는 재료의 감소가 바람직하다. 따라서, 방출층에서 단 하나의 호스트 재료를 사용하는 것이 유리하다.
예 E5 내지 E19에서 발명의 화합물 EG1 내지 EG3 및 EG5 내지 EG15를 인광 녹색 OLED의 방출층에서 매트릭스 재료로 사용함으로써, 제 2 호스트 재료 IC3 (h-유형) 및 IC1 (e-유형) 와의 혼합물로서의 사용은, 특히 수명 및 효율과 관련하여 종래 기술에 비해 OLED의 개선된 성능 데이터를 제공한다는 것을 보여줄 수 있다.
예 E20 내지 E21에서 보다 낮은 삼중항 에너지를 갖는 발명의 화합물 EG4를 적색 인광 OLED의 방출층에서 매트릭스 재료로서 사용함으로써, 우수한 수명을 달성할 수 있다.
예 E19에서 발명의 화합물 EG10을 녹색 인광 OLED에서 정공 도체 재료로서 사용함으로써, 정공 도체로서 대응하는 아민이 우수한 수명 및 효율을 가져온다는 것을 보여줄 수 있다.
표 4 는 일부 OLED 결과를 요약한다. 발명의 화합물 EG1 및 EG2(예 E26 내지 E29)를 전자 수송 재료로 사용할 때, 종래 기술에 따른 물질 SdT1 및 SdT2(E22 내지 E25)를 사용하는 것보다 훨씬 더 낮은 전압과 더 나은 효율 및 수명이 얻어진다.
종래 기술 SdT1과 EG9, 종래 기술 SdT2와 EG5 또는 EG14, 및 종래 기술 SdT3과 EG10 또는 SdT4/EG8 사이의 비교에서, 본 발명의 화합물은 놀랍게도 더 긴 수명과 더 나은 전압 및 효율을 나타낸다.
Figure pct00073
Figure pct00074
Figure pct00075
Figure pct00076
Figure pct00077
Figure pct00078
Figure pct00079
Figure pct00080
Figure pct00081
Figure pct00082
Figure pct00083
Figure pct00084

Claims (11)

  1. 하기 식 (1) 의 화합물.
    Figure pct00085

    식 중 사용된 기호들은 다음과 같다:
    X 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 CR 또는 N이고, 여기서 2개의 인접한 X 기는 하기 식 (2), (3) 또는 (4)의 기이고, 추가 기호 X는 CR 또는 N이다,
    Figure pct00086
    ;
    Y 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, SiR2, BAr, C=O, O 또는 S 이다;
    Y1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, NR, NAr, SiR2, BAr, CR2, C=O, O 또는 S 이다;
    Q, W 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CR 이다;
    Z 는 각각의 경우에 O 또는 S이다;
    Ar 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
    R 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR1)2, CHO, C(=O)R1, CR1=C(R1)2, CN, C(=O)OR1, C(=O)N(R1)2, Si(R1)3, NAr2, N(R1)2, NO2, P(=O)(R1)2, OSO2R1, OR1, S(=O)R1, S(=O)2R1, SR1, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 2 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있고 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R1C=CR1-, -C≡C-, Si(R1)2, C=O, C=S, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60개 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고, 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 둘 이상의 R 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있다;
    R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR2)2, CHO, C(=O)R2, CR2=C(R2)2, CN, C(=O)OR2, C(=O)N(R2)2, Si(R2)3, N(R2)2, NO2, P(=O)(R2)2, OSO2R2, OR2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 2 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있고 위에 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=S, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 위에 언급된 기에서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 둘 이상의 R1 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있다;
    R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, F 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 유기 라디칼이고, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 또한 D 또는 F 에 의해 대체될 수도 있고; 동시에, 둘 이상의 R2 치환기는 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있고; 여기서 적어도 하나의 R 기는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 또는 NAr2 이거나 및/또는 적어도 하나의 Ar 기가 존재하고 다음 화합물은 제외된다:
    Figure pct00087

    Figure pct00088

    Figure pct00089
    .
  2. 제 1 항에 있어서,
    하기 식 (5) 내지 (9) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00090

    식 중 사용된 기호는 제 1 항에 주어진 정의를 가지며, 단, X는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CR이고 2개의 인접한 X 기는 C이고 Y1 을 함유하는 기와 함께 융합된(fused-on) 5원 고리, 또는 Q 를 함유하는 기와 함께 융합된 6원 고리를 형성한다.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    환 당 2개 이하의 기호 Q 는 N인 것을 특징으로 하는 화합물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하기 식 (10) 내지 (14) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00091

    식중 사용된 기호는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는다.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    C=O기에 인접한 2개의 X기는 C이고, 식 (2), (3) 또는 (4)의 기가 이 위치에 부착되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하기 식 (15) 내지 (21) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00092

    Figure pct00093
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물의 제조 방법으로서, 고리화 반응 및/또는 커플링 반응을 포함하는, 화합물의 제조 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 추가의 화합물 및/또는 적어도 하나의 용매를 포함하는, 포뮬레이션.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물의 또는 제 8 항에 기재된 포뮬레이션의 전자 디바이스에서의 용도.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물 또는 제 8 항에 기재된 포뮬레이션을 포함하는, 전자 디바이스.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 전자 디바이스는 유기 전계 발광 디바이스이고, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 상기 화합물은 인광 또는 형광 방출체용 또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체용 매트릭스 재료로서 방출층에서, 또는 전자 수송층에서 및/또는 정공 차단층에서 및/또는 정공 수송층에서 및/또는 여기자 차단층에서 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
KR1020237022896A 2020-12-10 2021-12-07 유기 전계발광 디바이스용 재료 KR20230118615A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20212949.0 2020-12-10
EP20212949 2020-12-10
PCT/EP2021/084466 WO2022122682A2 (de) 2020-12-10 2021-12-07 Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230118615A true KR20230118615A (ko) 2023-08-11

Family

ID=73792978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237022896A KR20230118615A (ko) 2020-12-10 2021-12-07 유기 전계발광 디바이스용 재료

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240057479A1 (ko)
EP (1) EP4259628A2 (ko)
KR (1) KR20230118615A (ko)
CN (1) CN116568690A (ko)
WO (1) WO2022122682A2 (ko)

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1951157A1 (de) * 1969-10-10 1971-06-24 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Benzoxazo- und Benzthiazo-isochinolonen
DE3734909A1 (de) * 1987-10-15 1989-04-27 Boehringer Ingelheim Kg Verwendung von oxochinazolinderivaten bei der behandlung der hyperlipidaemie
JPH07133483A (ja) 1993-11-09 1995-05-23 Shinko Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子用有機発光材料及びｅｌ素子
EP1449238B1 (en) 1999-05-13 2006-11-02 The Trustees Of Princeton University Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
EP3379591A1 (en) 1999-12-01 2018-09-26 The Trustees of Princeton University Complexes of form l2mx
TW532048B (en) 2000-03-27 2003-05-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
CN100505375C (zh) 2000-08-11 2009-06-24 普林斯顿大学理事会 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光
JP4154138B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
ITRM20020411A1 (it) 2002-08-01 2004-02-02 Univ Roma La Sapienza Derivati dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
JP4411851B2 (ja) 2003-03-19 2010-02-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101162933B1 (ko) 2003-04-15 2012-07-05 메르크 파텐트 게엠베하 매트릭스 재료 및 방출 가능 유기 반도체의 혼합물, 그의 용도 및 상기 혼합물을 함유하는 전자 부품
EP2236579B1 (en) 2003-04-23 2014-04-09 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element and display
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
DE10345572A1 (de) 2003-09-29 2005-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
US7795801B2 (en) 2003-09-30 2010-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound
US7790890B2 (en) 2004-03-31 2010-09-07 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display device and illumination device
DE102004023277A1 (de) 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
US7598388B2 (en) 2004-05-18 2009-10-06 The University Of Southern California Carbene containing metal complexes as OLEDs
JP4862248B2 (ja) 2004-06-04 2012-01-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
ITRM20040352A1 (it) 2004-07-15 2004-10-15 Univ Roma La Sapienza Derivati oligomerici dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
EP1888706B1 (de) 2005-05-03 2017-03-01 Merck Patent GmbH Organische elektrolumineszenzvorrichtung und in deren herstellung verwendete boronsäure- und borinsäure-derivate
WO2007063754A1 (ja) 2005-12-01 2007-06-07 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
DE102006025777A1 (de) 2006-05-31 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2080762B1 (en) 2006-11-09 2016-09-14 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Compound for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008027005A1 (de) 2008-06-05 2009-12-10 Merck Patent Gmbh Organische elektronische Vorrichtung enthaltend Metallkomplexe
DE102008033943A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008036247A1 (de) 2008-08-04 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Elektronische Vorrichtungen enthaltend Metallkomplexe
DE102008036982A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102008048336A1 (de) 2008-09-22 2010-03-25 Merck Patent Gmbh Einkernige neutrale Kupfer(I)-Komplexe und deren Verwendung zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen
DE102008056688A1 (de) 2008-11-11 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US8865321B2 (en) 2008-11-11 2014-10-21 Merck Patent Gmbh Organic electroluminescent devices
DE102008057050B4 (de) 2008-11-13 2021-06-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008057051B4 (de) 2008-11-13 2021-06-17 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009007038A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009011223A1 (de) 2009-03-02 2010-09-23 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009013041A1 (de) 2009-03-13 2010-09-16 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009014513A1 (de) 2009-03-23 2010-09-30 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009023155A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009031021A1 (de) 2009-06-30 2011-01-05 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009041414A1 (de) 2009-09-16 2011-03-17 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009053645A1 (de) 2009-11-17 2011-05-19 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009053644B4 (de) 2009-11-17 2019-07-04 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009048791A1 (de) 2009-10-08 2011-04-14 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009053382A1 (de) 2009-11-14 2011-05-19 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
DE102009053836A1 (de) 2009-11-18 2011-05-26 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009057167A1 (de) 2009-12-05 2011-06-09 Merck Patent Gmbh Elektronische Vorrichtung enthaltend Metallkomplexe
DE102010005697A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Merck Patent GmbH, 64293 Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
DE102010012738A1 (de) 2010-03-25 2011-09-29 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102010019306B4 (de) 2010-05-04 2021-05-20 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
CN102939296B (zh) 2010-06-15 2016-02-10 默克专利有限公司 金属络合物
DE102010027317A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102010048608A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US9620722B2 (en) 2011-04-18 2017-04-11 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
BR112014006697A2 (pt) 2011-09-21 2017-03-28 Merck Patent Gmbh derivados de carbazol para dispositivos eletroluminescentes orgânicos
JP6165746B2 (ja) 2011-10-20 2017-07-19 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミッセンス素子のための材料
WO2013064206A1 (de) 2011-11-01 2013-05-10 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
WO2014008982A1 (de) 2012-07-13 2014-01-16 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
KR102192286B1 (ko) 2012-08-07 2020-12-17 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
US20150349277A1 (en) 2012-12-21 2015-12-03 Merck Patent Gmbh Metal complexes
JP6556629B2 (ja) 2012-12-21 2019-08-07 メルク パテント ゲーエムベーハー 金属錯体
WO2015036074A1 (de) 2013-09-11 2015-03-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
KR101656942B1 (ko) 2013-09-30 2016-09-12 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN105916868B (zh) 2014-01-13 2020-06-23 默克专利有限公司 金属络合物
CN105980519B (zh) 2014-02-05 2019-06-14 默克专利有限公司 金属络合物
KR101730779B1 (ko) 2014-05-05 2017-04-26 메르크 파텐트 게엠베하 유기 발광 소자용 재료
WO2016015815A1 (de) 2014-07-28 2016-02-04 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2016015810A1 (de) 2014-07-29 2016-02-04 Merck Patent Gmbh Materialien f?r organische elektrolumineszenzvorrichtungen
KR102433463B1 (ko) 2014-08-13 2022-08-18 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 소자용 재료
EP3254317B1 (de) 2015-02-03 2019-07-31 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
CN107922451B (zh) 2015-08-25 2023-01-31 默克专利有限公司 金属络合物
CN108699438B (zh) 2016-03-03 2021-11-30 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
JP7039549B2 (ja) 2016-07-14 2022-03-22 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 金属錯体
WO2018041769A1 (de) 2016-08-30 2018-03-08 Merck Patent Gmbh Bl- und trinukleare metallkomplexe aufgebaut aus zwei miteinander verknüpften tripodalen hexadentaten liganden zur verwendung in elektrolumineszenzvorrichtungen
CN106699763B (zh) * 2016-12-16 2019-01-08 江苏三月光电科技有限公司 一种以喹唑啉酮衍生物为核心的化合物及其应用
CN106749273B (zh) * 2016-12-16 2020-05-15 中节能万润股份有限公司 一种母核为喹唑啉酮衍生物的化合物及其应用
CN106749274B (zh) * 2016-12-16 2019-01-08 江苏三月光电科技有限公司 一种母核为喹唑啉酮衍生物的化合物及其在oled上的应用
WO2018178001A1 (de) 2017-03-29 2018-10-04 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
TWI776926B (zh) 2017-07-25 2022-09-11 德商麥克專利有限公司 金屬錯合物
JP7293228B2 (ja) 2017-12-13 2023-06-19 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 金属錯体
WO2019158453A1 (de) 2018-02-13 2019-08-22 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
CN112745322B (zh) * 2020-12-28 2022-12-02 北京燕化集联光电技术有限公司 一种有机材料及其在有机电致发光器件中的应用
CN112745321B (zh) * 2020-12-28 2022-12-02 北京燕化集联光电技术有限公司 一种含吲哚并喹唑啉二酮结构的化合物及其应用
CN112625042B (zh) * 2020-12-28 2022-04-01 北京燕化集联光电技术有限公司 一种有机电致发光材料及其应用
CN112778312B (zh) * 2020-12-28 2022-12-02 北京燕化集联光电技术有限公司 一种含吲哚并喹唑啉二酮杂环结构的有机材料及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN116568690A (zh) 2023-08-08
WO2022122682A2 (de) 2022-06-16
EP4259628A2 (de) 2023-10-18
US20240057479A1 (en) 2024-02-15
WO2022122682A3 (de) 2022-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102600725B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 재료
KR102419246B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 재료
KR20190113861A (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR102610950B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 재료
KR20220162156A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR102653073B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR20230053629A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR20220052966A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR20210031714A (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR20230053633A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR102651211B1 (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR102534337B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR102542688B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR102592391B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스용 유기붕소 착물
KR20210107728A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR20210091762A (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR20210018438A (ko) 유기 전계 발광 디바이스
KR20240005806A (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR20240005782A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR20230158657A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 헤테로방향족 화합물
KR102592390B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스용 카르바졸계 바디피스
KR102520737B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR20210137148A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR20210141593A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR20220056217A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료