CN100536190C - 有机电致发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及有机电致磷光器件的改进，其特征在于由基质材料组成的发光层与导电层直接相邻，其中基质材料掺杂有至少一种磷光发光体。

Description

有机电致发光元件
本发明记载有机电致发光元件的新型设计原则及在基于其的显示器中的应用。
有机半导体用作功能材料已经实现了一段时间，或预期在不久的将来用于许多不同的应用，广义上这可在对电子工业有益。使用在可见光谱范围能够发光的半导体有机化合物正开始引入市场，例如有机电致发光器件(OLEDs)。含有OLEDs的简单设备已经引入市场，如Pioneer的车载无线电，Pioneer和SNMD的移动电话和Kodak的具有“有机显示器”的数字式摄象机。
近年来出现的进展使用显示出磷光而不是荧光的有机金属络合物(M.A.Baldo et al.，Appl.Phys.Lett.1999，75，4-6)。出于量子力学的原因，使用有机金属化合物可能实现多至四倍的量子、能量和功率效率。本发明中这些磷光发光体实际应用的可提及的基本条件尤其是长的操作寿命和低的使用和操作电压和高的功率效率，以便于移动式应用。
最近该领域已经实现重要的进展。然而，仍具有相当多的问题急需改进：比如通过许多有机层构造的这些OLEDs是复杂和昂贵的；为降低生产步骤的数目并因此降低成本增加产品可靠性，对于产品而言减少层的数目极其重要。此外，就上述的器件结构来说工艺窗口往往太小，即掺杂程度或层厚度的变化相对小，导致发光性能变化较大。本发明希望得到更大的工艺窗口以增加产品可靠性。
这使得必需进一步完善OLEDs产品，特别是层状结构。
基于低分子量化合物的有机电致发光器件的一般结构记载于，例如，US 4,539,507和US 5,151,629。这种类型的器件通常由通过真空法或印刷技术将一个施加到另一个之上的多个层组成。对于有机电致磷光器件，这些层具体为：
1.外板＝基质(通常玻璃或塑料片)。
2.透明的阳极(通常氧化铟锡，ITO)。
3.空穴注入层(HIL)：例如基于铜酞菁(CuPc)或导电聚合物，比如聚苯胺(PANI)或聚噻吩衍生物(比如PEDOT)。
4.一种或多种空穴-传输层(HTL)：通常基于三芳胺衍生物，例如4，4’，4”-三(N-1-萘基-N-苯氨)三苯胺(NaphDATA)作为第一层和N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(NPB)作为第二层。
5.一种或多种发光层(EML)：通常包括基质材料，例如4，4’-二(咔唑-9-基)联苯(CBP)，掺杂有发磷光的染料，例如三(苯基吡啶基)铱(Ir(PPy)3)。
6.空穴-阻挡层(HBL)：通常包括BCP(2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-菲咯啉＝深亚铜试剂)或二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基酚合)铝(III)(BAlq)。
7.电子-传输层(ETL)：通常基于三-8-羟基喹啉铝(AlQ3)。
8.电子注入层(EIL，亦称绝缘体层＝ISL)：由具有高介电常数的材料组成的薄层，比如LiF，Li2O，BaF2，MgO，NaF。
9.阴极：通常具有低功函数的金属，金属组合或金属合金，例如Ca，Ba，Cs，Mg，Al，In Mg/Ag。
可见，在基于低分子量化合物的电致发光器件单独的层被赋予不同的功能。因为必须相继地施加由许多不同材料组成的许多层，所以发磷光的OLED的结构很复杂，使得这种OLEDs的生产过程技术上很复杂。
迄今为止，已进行许多努力简化发磷光的OLEDs的层结构：
●US 2003/0146443记载发光层(EML)由具有电子-传导性能的基质材料组成的OLEDs，其中所述基质材料掺杂有磷光发光体。因为无须使用单独的电子-传输层，所以简化了层结构。然而，根据该申请空穴传输层是绝对必要的。但是，这些OLEDs没有实现与常规结构OLEDs相同的效率，即使用HBL/ETL的OLEDs。
●未公布的申请DE 10355358.4和DE 10355380.0记载如果不使用单独的空穴-阻挡层和/或电子-传输层，得到低压和高功率效率的某些基质材料。因此本发明中改进了电子性能，同时明显地简化器件结构。然而，本发明所有的实施例中使用基于三芳胺的空穴传输层。
在阴极侧上省略层已经能够简化器件结构。然而对于工业应用，希望进一步简化电致发光器件的层结构，同时不削弱器件的电子性能。
意外地，现在发现发光层直接相邻空穴注入层或阳极，即导电层的三重态器件，继续显示出很好的电子性能，同时进一步简化层结构。因为迄今为止现有技术总是认为在发光层和空穴注入层或阳极之间的一种或多种空穴传输层，对于发磷光的电致发光器件的好的功能是绝对必要的，所以这是惊奇的结果。因此，三重态器件的第一个专利(例如US 6,303,238)使用基于三芳胺衍生物的空穴-传输层，三重态器件的第一个出版物(M.A.Baldo et al.，Nature 1998，395，151)记载铜酞菁用作空穴注入层和NPB作为空穴传输层的器件结构。
因此本发明涉及有机电致发光器件，包括阳极、阴极和至少一种发光层，所述发光层包括掺杂有至少一种磷光发光体的至少一种基质材料，其特征在于在阳极侧的发光层与导电层直接相邻。
本发明的一方面，阳极侧的导电层是在阳极和所述发光层之间的有机或有机金属的空穴注入层。
本发明另外的方面中，导电层是阳极本身。
为本发明的目的，空穴注入层表示有机或有机金属的层，其与阳极直接接触，并且其包括自由的载荷子并且是本征地导电的。空穴注入材料可为低分子量的，树枝状的，寡聚的或聚合物的，因此是在理想情况显示出欧姆行为的(有机)导电体，即其中所述电流与外加电压成比例。空穴注入层通常由掺杂的有机化合物组成；然而还有满足这些要求的其他的化合物。
因为空穴注入层和空穴传输层之间的界限仍不彻底地明确，尤其是以下定义应用于本发明的目的：直接接触阳极的层，其导电性大于10-8S/cm，优选10-7～10-1S/cm，特别优选10-6～10-2S/cm，被认为是为本发明目的的空穴注入层。通过在膜上的两点测量，进行本发明中在这些电导率范围内的电导率测量，其中测量的是欧姆电阻，考虑层厚度和长度由其依次确定比电阻和传导率(D.Meschede，Gerthsen，Physik，21st Edition，2001，page 319)。与阳极直接相邻的这些层说明性的例子是掺杂导电聚合物，尤其是掺杂的聚噻吩或聚苯胺衍生物。空穴注入层此外的例子是由掺杂的三芳胺衍生物构成的，可是低分子量的，寡聚的，树枝状的或聚合物的，并与阳极直接相邻，其中例如通过氧化剂氧化和/或通过酸和/或路易斯酸进行所述三芳胺衍生物的掺杂。同样地由金属酞菁构成的，比如酞菁铜(CuPc)，并且与阳极直接相邻的层被认为是为本发明目的的空穴注入层(并且不希望限于特定理论，即使本发明导电机理不是彻底地明确，可能发生OLED操作时高的光电导率)。
作为对比，空穴传输层应该表示开始不包含自由的载荷子，因此不显示出导电性的层。因此空穴输送材料是显示出典型的半导体或二极管行为的有机半导体。这些通常由未掺杂的有机化合物构成，通常由三芳胺衍生物构成，其可为低分子量的，寡聚的，树枝状的或聚合物的，比如NaphDATA或NPB。空穴传输层或者位于发光层和空穴注入层之间或者位于发光层和阳极之间，其中利用具有这些性能的多个层时，所有的这些层被认为是空穴传输层。
本发明中，不意欲包括聚合物的有机发光二极管(PLEDs)，真是因为后者中聚合物通常本身具有许多功能，比如电荷迁移和发光，因此本发明中通常产生仅为单层的或双层的器件(其然后另外包含另外的电荷-注入层)。为本发明的目的，聚合物的有机发光二极管应该表示发光层由聚合物，多种聚合物的混合物或一种或多种聚合物与一种或多种低分子量化合物的混合物组成的有机发光二极管，其中聚合物通常分子量Mw大于5000g/mol，通常大于10,000g/mol，和其特征在于这些是分子量分布。
因此本发明的优选实施方案涉及有机电致发光器件，其中或者基质材料或者磷光发光体是定义为低分子量的化合物，其分子量小于10,000g/mol，优选小于5000g/mol，特别优选小于3000g/mol。特别优选基质材料和磷光发光体都是定义为低分子量的化合物，其分子量小于10,000g/mol，优选小于5000g/mol，特别优选小于3000g/mol。
除以上提到的层之外，有机电致发光器件同时可包含另外的层，比如一种或多种空穴-阻挡层(HBL)和/或电子-传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。然而，应指出没有这些层的电致发光器件也得到很好的结果，由于简化的层结构，所以优选不包含这些层的电致发光器件。本发明的优选实施方案中，发光层与电子-传输层直接相邻，即根据本发明的电致发光器件不包含空穴-阻挡层(HBL)。
本发明此外的优选实施方案中，发光层与阴极或所述电子注入层直接相邻，即根据本发明的电致发光器件不包含空穴-阻挡层(HBL)或电子-传输层(ETL)。
也可能存在超过一种发光层。两种或更多发光层特别适合于发白光的电致发光器件。本发明发光层的至少一种必须是电致发磷光的。此外，可使用相同或不同的基质材料形成发光层。然而由于污染的风险和出于对资源保护的考虑，已经证明将相同的基质材料用于多个或所有的发光层是有利的。
优选有机电致发光器件，其特征在于发光层的层厚度为1～300nm，特别优选5～200nm，非常特别优选10～150nm。
此外优选的有机电致发光器件其特征在于存在的磷光发光体是具有原子序数大于36和小于84的至少一种原素的化合物。特别优选的有机电致发光器件其特征在于磷光发光体包括原子序数大于56和小于80的至少一种元素，非常特别优选钼，钨，铼，钌，锇，铑，铱，钯，铂，银，金或铕，非常特别优选铱或铂，例如根据专利申请WO98/01011，US 02/0034656，US 03/0022019，WO 00/70655，WO 01/41512，WO 02/02714，WO 02/15645，EP1191613，EP 1191612，EP 1191614，WO 03/040257，WO 03/084972，WO 03/099959，WO 03/040160，WO 02/081488，WO 02/068435，WO 04/026886，WO 04/081017和DE 10345572.8。这些引入本发明作为本发明的一部分。
基质中磷光发光体的掺杂程度是0.5～50％，优选1～40％，特别优选3～30％，非常特别优选5～25％。已经意外地发现掺杂程度相对小的变化对电的和光学性质没有影响。
优选的有机电致发光器件其特征在于基质材料的玻璃化转变温度Tg大于100℃，特别优选大于120℃，非常特别优选大于140℃。为了使材料在升华和期间和在真空蒸镀工艺期间稳定，优选它们具有高的热稳定性，优选大于200℃，特别优选大于300℃，非常特别优选大于350℃。
优选的有机电致发光器件其特征在于，在380nm和750nm的可见光谱范围内，在30nm的薄膜厚度时，基质材料的吸光率小于0.2，优选小于0.1，特别优选小于0.05。
基质材料的最低三重态能量优选在2和4eV之间。本发明中最低三重态能量定义为在分子的单一基态和所述最低三重态之间的能差。通过光谱法或通过量子化学计算法可确定三重态能量。因为从所述基质材料传输能量到三重态发光体能因此非常有效地进行和因此导致由三重态发光体发光的更高的效率，这些三重态位证明是有利的。优选的基质材料其三重态能量大于使用的三重态发光体的三重态能量。优选基质材料的三重态能量大于三重态发光体的三重态能量至少0.1eV，尤其是大于三重态发光体的三重态能量至少0.5eV。
基质材料和磷光发光体优选是不带电的化合物。这些优选是盐，因为它们与带电的化合物相比较，通常可更容易地或在较低的温度蒸发，其形成离子晶格。另外，盐具有更大的结晶趋向，致使形成玻璃状的相。此外，基质材料和磷光发光体优选是限定的分子化合物。
已经意外地发现，尤其是使用没有单独的空穴传输层的导电基质材料显示好的结果。因此基质材料优选为导电化合物，即可容易地还原的化合物。
特别优选的基质材料其对于还原，显著地是稳定的，即显示出显著地可逆还原或形成显著地稳定的自由基阴离子。本发明中，“稳定”和“可逆”表示关于还原材料显示出很少或没有分解或化学反应，比如重排。例如通过溶液电化学，尤其是循环伏安法可确定这些。
与基质材料相比较，磷光发光体优选具有高的(较少负的)HOMO(最高占有分子轨道)，因此主要地对应OLED中的空穴电流。和空穴注入层或阳极(基于空穴注入层存在于否)的HOMO相比，本发明中优选磷光发光体的HOMO为±0.5eV。与磷光发光体相比较，发磷光的基质材料优选具有低的(更负的)LUMO(最低空分子轨道)，因此主要地对应OLED中的电子流。和电子-传输层或空穴-阻挡层的LUMO或阴极(基于这些层与发光层直接相邻)的功函数相比，本发明中优选基质材料的LUMO为±0.5eV。
通过各种的方法可实验上确定HOMO或LUMO的位，例如通过溶液电化学，例如循环伏安法或通过UV光电子光谱法。另外，由用电化学方法确定的HOMO和通过吸收光谱光学上确定的能带间距可计算LUMO的位。也可能量子化学计算HOMO和LUMO的位。
在给予OLED的104～106v/cm的场强下，基质材料的电子迁移率优选为10-10～1cm2/V·s，特别优选10-8～10-1cm2/V·s，非常特别优选10-6～10-2cm2/V·s。本发明中，例如通过TOF(飞行时间)的测量可以确定电子迁移率(L.B.Schein，A.Rosenberg，S.L.Rice，J.Appl.Phys.1986，60，4287；J.X.Mack，L.B.Schein，A.Peled，Phys.Rev.B 1989，39，7500；A.R.Melnyk，D.M.Pai：Physical Methods of Chemistry，Vol.8，Eds.B.W.Rossiter，R.C.Baetzold，Wiley，New York，1993；2nd Ed.).
优选可以应用的没有空穴传输层和适当地没有空穴注入层并且得到好结果的适当的基质材料是：如式(1)～(4)的酮，亚胺，氧化膦，硫化膦，硒膦，磷腈，砜和亚砜
Figure C20048003487600121
式(1)               式(2)               式(3)                式(4)
其中所用的符号具有下列定义：
Y  在式(2)中等于C，在式(1)和(3)中等于P，As，Sb或Bi，在式(1)，(2)和(4)中等于S，Se或Te；
X  每次出现时，相同或不同地为NR4，O，S，Se或Te；
R1，R2，R3每次出现时，相同或不同地为H，F，CN，N(R4)2，具有1～40个C原子的直链，支链或环状的烷基，烷氧基或硫代烷氧基，其可被R5取代或未取代的，其中一种或多种不相邻的CH2基团可为被-R6C＝CR6，-C≡C-，Si(R6)2，Ge(R6)2，Sn(R6)2，C＝O，C＝S，C＝Se，C＝NR6，-O-，-S-，-NR6-或-CONR6-取代，和其中一种或多种H原子可被F，Cl，Br，I，CN或NO2取代，或具有1～40个芳香C原子的芳香或杂芳香环系或芳氧基或杂芳氧基，其可被一种或多种基团R5取代，其中多种取代基R1，R2和/或R3彼此可形成单环的或多环的脂肪的或芳香的环体系；
R4每次出现时，相同或不同地为具有1～22个C原子的直链，支链或环状的烷基或烷氧基链，另外，一种或多种不相邻的C原子可被-R6C＝CR6-，-C≡C-，Si(R6)2，Ge(R6)2，Sn(R6)2，-NR6-，-O-，-S-，-CO-O-或-O-CO-O-取代，和其中一种或多种H原子可被氟取代，具有1～40个C原子的芳基，杂芳基或芳氧基，其也可被一个或多个基团R6取代，或OH或N(R5)2；
R5每次出现时，相同或不同地为R4或CN，B(R6)2或Si(R6)3；
R6每次出现时，相同或不同地为H或具有1～20个C原子的脂肪的或芳香的烃基；
条件是分子量至少150g/mol。
为本发明的目的，芳香或杂芳香环系表示不一定仅包含芳香的或杂芳香基团的体系，反而其中多个芳香的或杂芳香基团也可被短的，非芳香的单元(＜10％的除了H的原子，优选＜5％的除了H的原子)间断，例如sp3杂化的C，O或N等。因此，例如9，9’-螺二芴，9，9-二芳基芴，三芳胺，二苯醚等也应该被认为是芳香体系。
酮和亚胺作为基质材料记载于例如未公布的专利申请WO04/093207中。磷化氢，硫化膦，硒膦，磷腈，砜和亚砜作为基质材料记载于例如未公布的专利申请DE 10330761.3。优选取代基R1～R3是芳香或杂芳香环系；优选的取代基R1～R3和优选的结构由以上申请公开。特别优选酮，氧化膦和亚砜；非常特别优选酮。
此外优选的有机电致发光器件其特征在于一种或多种层由升华工艺涂布。本发明中低分子量的材料是在真空升华单元中，在小于10-5mbar，优选小于10-6mbar，特别优选小于10-7mbar的压力下气相沉积的。
同样地优选的有机电致发光器件其特征在于一种或多种层是由OVPD(有机气相沉积)工艺或借助于载气升华涂布的。本发明的低分子量的材料是惰性载气中在10-5mbar～1巴的压力下施加的。
此外优选的有机电致发光器件其特征在于一种或多种层是由LITI(光诱导热成像，热转移印刷)工艺涂布的。
如上所述的发射器件与现有技术相比的令人惊讶的优点如下：
1.与包括单独的空穴传输层的体系相比较，相应器件的效率是相当的或更高的。因为迄今为止总是认为为使电致发光器件具有好功能，使用一种或多种空穴传输层是绝对必要的，所以这些是令人惊讶的的结果。
2.操作电压比得上包含单独的空穴传输层的电致发光器件。
3.因为与根据现有技术的电致发光器件相比较，少用至少一种有机层，所以层结构更简单。如果发光层不仅与空穴注入层或阳极直接相邻，而且也与阴极直接相邻，得到特别明确的优点，这是因为全部的电致发光器件仅由一种或两种有机层(发光层和任选地空穴注入层)组成。因此产品的复杂性明显地更低。因为在常规的生产方法中单独的真空蒸镀单元通常用于各个有机层，在生产过程中这些是重要的优势，能够避免至少一种这种单元或彻底地省去。这保存资源并且降低污染风险，增加产量。
4.发射光谱与使用包括空穴传输层的相当的电致发光器件得到的发射光谱相同。尤其是，注意到发光性能，例如发光颜色，在很大的范围与掺杂程度无关。在生产中这是显然的优点，因为工艺窗口因此变宽，并且生产条件相对小的偏差不导致产品性能的偏差。因此增加生产的可靠性。
5.器件性能，比如发光颜色和电压，同样地相对独立于发光层的层厚度。在生产中这同样地是重要的优势，因为工艺窗口因此变宽，并且生产条件相对小的偏差不导致产品性能的偏差。因此增加生产的可靠性。
6.相应器件的寿命比得上包含单独的空穴传输层的体系。
如下所述的实施例进一步详细地说明本发明。
本发明以及此外的实施例仅涉及有机发光二极管和相应的显示器。不管使用说明书的限制，本领域技术人员不用另外创造性的劳动，也能将根据本发明相应的设计用于相关器件，例如有机太阳能电池(O-SCs)，有机激光器二极管(O-lasers)或也可用于光折射部件。
实施例：
有机电致发光器件的生产和性能：
根据本发明的电致发光器件可以如专利申请DE 10330761.3所记载的生产。在个案中，根据各自的环境(例如层-厚度变化)对这种方法进行适应性调整。为生产根据本发明的器件，不使用单独的空穴传输层，也不使用电子-传输层或空穴-阻挡层。
在下列实施例中，列出各种的OLEDs的结果。为更好的可比较性基本结构，比如使用的材料和层厚度相同。
与以上一般方法类似地生产具有以下结构的发光OLEDs：
PEDOT(HIL)60nm(由水旋涂；PEDOT购自H.C.Starck；聚[3，4-亚乙二氧基-2，5-噻吩]与聚(苯乙烯磺酸))
发光层：精确的结构见表1中的实例
Ba/Al(阴极)3nm Ba，上面150nm Al
任何的实施例中不使用单独的空穴-阻挡层和单独的电子-传输层。
另外，为比较，生产根据现有技术包含空穴传输层和在发光层和空穴注入层之间具有以下结构的电致发光器件：
NaphDATA(HTM)20nm(气相沉积；NaphDATA购自SynTec；4，4’，4”-三(N-1-萘基-N-苯氨)三苯胺
S-TAD(HTM)20nm(气相沉积；根据WO 99/12888制备S-TAD；2，2’，7，7’-四(二苯胺)螺二芴)
这些仍未优化的OLEDs用标准方法表征；为此目的确定与亮度有关的电致发光波谱、最大效率(按cd/A计量)和最大功率效率(按lm/W计量)，通过电流/电压/亮度特征线(IUL特征线)计算。
表1显示各种实施例的结果。显示了发光层的组成，和层厚度。掺杂的发磷光的发光层包含化合物二(9，9’-螺二芴-9-基)酮(根据WO 04/093207合成)作为基质材料M1。各种的组件排列的寿命是相当的。根据US 2003/0068526合成Ir(piq)3。根据未公布的申请DE10345572.8合成Ir-1。
用于表1的缩写相当于以下的化合物：
Figure C20048003487600161
Figure C20048003487600171
总之，由表1可以容易地看出，根据所述新颖设计原则生产的OLEDs具有相当或更高的效率与相当的电压和相当的寿命，同时OLED的结构已经显著地简化。

Claims (26)

1.一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极和至少一个发光层，所述发光层包括掺杂有至少一种磷光发光体的至少一种基质材料，其特征在于在阳极侧的发光层与导电层直接相邻，其中所述基质材料和所述磷光发光体都是定义为摩尔质量小于10,000g/mol的低分子量的化合物。
2.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于与阳极侧发光层相邻的导电层是有机或有机金属的空穴注入层。
3.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于与阳极侧发光层相邻的导电层是阳极。
4.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于其包括另外的层。
5.如权利要求4的有机电致发光器件，其特征在于另外的层是一个或多个空穴-阻挡层和/或电子-传输层和/或电子注入层。
6.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于在不使用空穴-阻挡层的情况下，发光层与电子-传输层直接相邻。
7.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于在不使用空穴-阻挡层和不使用电子-传输层的情况下，发光层与阴极或电子注入层直接相邻。
8.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于包含超过一个的发光层。
9.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于发光层的层厚度为1～300nm。
10.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于包含的磷光发光体是含有原子序数大于36小于84的至少一种原子的化合物。
11.如权利要求10的有机电致发光器件，其特征在于磷光发光体包括选自钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的至少一种元素。
12.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于基质中磷光发光体的掺杂度是0.5～50％。
13.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于基质材料的玻璃化转变温度Tg大于100℃。
14.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于在可见光谱的380nm-750nm范围内，薄膜厚度为30nm时所述基质材料的吸光率小于0.2。
15.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于所述基质材料的最低三重态能量为2～4eV。
16.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于所述基质材料是导电化合物。
17.如权利要求16的有机电致发光器件，其特征在于所述基质材料显示出可逆还原或形成稳定的自由基阴离子。
18.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于所述基质材料的电子迁移率为10-10～1cm2/v·s。
19.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于所述基质材料选自酮、亚胺、氧化膦、硫化膦、硒化膦、磷腈、砜和亚砜。
20.如权利要求19的有机电致发光器件，其特征在于所述酮、亚胺、氧化膦、硫化膦、硒化膦、磷腈、砜和亚砜具有芳香取代基。
21.如权利要求19的有机电致发光器件，其特征在于所述基质材料选自酮、氧化膦和亚砜。
22.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于一个或多个层是通过升华方法涂布的。
23.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于一个或多个层是由有机气相沉积(OVPD)工艺或借助于载气升华涂布的。
24.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于一个或多个层是通过LITI(光诱导热成像)方法涂布的。
25.一种有机太阳能电池，其特征在于结构相应于权利要求1～24的一项或多项所述的。
26.一种有机激光器二极管，其特征在于结构相应于权利要求1～24的一项或多项所述的。
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