KR102660538B1 - 유기 전계발광 소자용 재료 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자 소자, 특히 유기 전계 소자에서 사용하기에 적합한 화학식 (1) 의 화합물, 및 이들 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
Description
본 발명은 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서 사용하기 위한 재료, 및 상기 재료를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
유기 반도체를 기능성 재료로서 이용하는 유기 전계발광 소자 (OLED) 의 구조는, 예를 들어 US 4,539,507, US 5,151,629, EP 0676461 및 WO 98/27136 에 기재되어 있다. 여기서 이용되는 발광성 재료는 갈수록 더 형광 대신 인광을 나타내는 유기-금속 착물이다 (M. A. Baldo et al., Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4-6).
선행 기술에 따르면, 정공-수송층 또는 정공-주입층에서 사용되는 정공-수송 재료는 특히, 적어도 2 개의 트리아릴아미노 기 또는 적어도 1 개의 트리아릴아미노 기 및 적어도 1 개의 카르바졸 기를 흔히 함유하는 트리아릴아민 유도체이다. 이들 화합물은 흔히 디아릴아미노-치환된 트리페닐아민 (TPA 유형) 으로부터, 디아릴아미노-치환된 비페닐 유도체 (TAD 유형) 또는 이들 염기 화합물의 조합으로부터 유도된다. 게다가, 예를 들어, 1 내지 4 개의 디아릴아미노 기로 치환된 스피로비플루오렌 유도체 (예를 들어 EP 676461, US 7,714,145 또는 EP2814906 에 따름) 가 사용된다. 이들 화합물의 경우에, 추가로, 형광의 경우 및 인광 OLED 의 경우 둘 다, 특히 유기 전계발광 소자에서의 사용시 효율, 수명 및 작동 전압과 관련하여 개선의 필요가 있다.
본 발명의 목적은 형광 또는 인광 OLED, 특히 인광 OLED 에서, 예를 들어 정공-수송층 또는 정공-주입층 또는 여기자-차단층 또는 전자-차단층에서 정공-수송 재료로서 사용하기에 적합한, 또는 발광층 중의 형광 또는 인광 발광체에 대한 매트릭스 재료로서 포함되는 화합물을 제공하는 것이다.
이제 하기에 보다 상세히 기재된 특정 화합물은 본 목적을 달성하고, 유기 전계발광 소자에서, 특히 수명, 효율 및 작동 전압과 관련하여, 상당한 개선을 가져온다는 것이 밝혀졌다. 이것은 인광 및 형광 전계발광 소자에, 특히 정공-수송 재료, 정공-주입 재료로서 또는 매트릭스 재료로서 본 발명에 따른 화합물의 사용에 적용된다. 게다가, 하기 기재된 화합물은 높은 열 안정성을 나타내고, 따라서 분해 없이 그리고 잔류물 없이 승화될 수 있다. 게다가, 이들은 낮은 결정화도 및 높은 유리 전이 온도를 가져, 이것이 개선된 수명을 초래한다.
따라서 본 발명은 하기 화학식 (1) 의 화합물에 관한 것이다:
[식 중, A 는 화학식 (1) 에 명시된 바와 같은 스피로비플루오렌 구조의 위치 1 또는 위치 4 에만 존재할 수 있는, 하기 화학식 (2) 의 기이고:
식 중, 점선 결합은 스피로비플루오렌 구조에 대한 결합을 나타내고;
스피로비플루오렌 구조의 각각의 자유 위치 1 내지 8 및 1' 내지 8' (이것은, 기 A 또는 N(Ar)2 로 치환되지 않음) 는, 기 R 로 치환될 수 있고;
사용된 기호 및 지수에 대해서는 하기가 적용됨:
X 는 B(R0), C(R0)2, C(R0)2-C(R0)2, CR0=CR0, Si(R0)2, C=O, C=NR0, C=C(R0)2, O, S, S=O, SO2, P(R0) 및 P(=O)R0 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가 브릿지이거나,
또는 X 는 하기 화학식 (3) 의 기이고,
이때, 점선 결합은 플루오렌 기에 대한 결합을 나타내고;
R, R0 는 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar1, P(=O)(Ar1)2, S(=O)Ar1, S(=O)2Ar1, NO2, Si(R4)3, B(OR4)2, OSO2R4, 1 내지 40 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 이때 각 경우 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 R4C=CR4, C≡C, Si(R4)2, Ge(R4)2, Sn(R4)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R4), SO, SO2, O, S 또는 CONR4 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음), 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기 (이것은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음), 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 티오아릴 또는 티오-헤테로아릴 기 (이것은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 동일한 C 또는 Si 원자에 부착된 2 개의 치환기 R0 는 임의로 모노- 또는 폴리시클릭 지방족 고리계 (이것은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 를 형성할 수 있고;
R1, R2 및 R3 은 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, N(Ar1)2, C(=O)Ar1, P(=O)(Ar1)2, S(=O)Ar1, S(=O)2Ar1, NO2, Si(R4)3, B(OR4)2, OSO2R4, 1 내지 40 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 이때 각 경우 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 R4C=CR4, C≡C, Si(R4)2, Ge(R4)2, Sn(R4)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R4), SO, SO2, O, S 또는 CONR4 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음), 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기 (이것은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음), 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 티오아릴 또는 티오-헤테로아릴 기 (이것은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 2 개 이상의 인접 치환기 R1, 2 개 이상의 인접 치환기 R2 또는 2 개 이상의 인접 치환기 R3 은, 임의로 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 고리계 또는 방향족 고리계 (이것은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 를 형성할 수 있고;
R4 는 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, N(Ar1)2, C(=O)Ar1, P(=O)(Ar1)2, S(=O)Ar1, S(=O)2Ar1, NO2, Si(R5)3, B(OR5)2, OSO2R5, 1 내지 40 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수 있고, 이때 각 경우 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R5), SO, SO2, O, S 또는 CONR5 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수 있음), 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기 (이것은 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수 있음), 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 티오아릴 또는 티오-헤테로아릴 기 (이것은 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 2 개 이상의 인접 치환기 R4 는 임의로 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 고리계 또는 방향족 고리계 (이것은 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수 있음) 를 형성할 수 있고;
R5 는 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 40 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이때 각 경우 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 SO, SO2, O, S 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br 또는 I 로 대체될 수 있음), 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
Ar, Ar1 은 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 또한 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 이고;
m, n, r 은, 동일하게 또는 상이하게, 0 또는 1 이고;
p 는 0, 1, 2 또는 3 이고;
q, u 는, 동일하게 또는 상이하게, 0, 1, 2, 3 또는 4 이고;
s 는 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 이때 s + r ≤ 4 임;
t 는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 이고, 이때 t + r ≤ 5 임].
본 출원의 목적을 위해, 화학기의 하기 정의가 적용된다:
아릴 기는 본 발명의 견지에서 고리계 중에 6 내지 60 개의 C 원자를 함유하고, 이는 그것이 모두 C 로 표시되는 6 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 함유하는 것을 의미하며; 헤테로아릴 기는 본 발명의 견지에서 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 함유하고, 그 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및 S 로부터 선택된다. 이것은 기본 정의를 나타낸다. 다른 바람직한 것이, 예를 들어 존재하는 방향족 고리 원자 또는 헤테로원자의 수와 관련하여, 본 발명의 설명에 표시되는 경우, 이들을 적용한다.
아릴 기 또는 헤테로아릴 기는 여기서 단순 방향족 고리, 즉, 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 고리, 예를 들어 피리딘, 피리미딘 또는 티오펜, 또는 축합된 (아넬화된: annellated) 방향족 또는 헤테로방향족 폴리사이클, 예를 들어 나프탈렌, 페난트렌, 퀴놀린 또는 카르바졸을 의미하는 것으로 여겨진다. 축합된 (아넬화된) 방향족 또는 헤테로방향족 폴리사이클은 본 출원의 견지에서 서로 축합된 2 개 이상의 단순 방향족 또는 헤테로방향족 고리로 이루어진다.
아릴 또는 헤테로아릴 기 (이것은 각 경우 상기 언급된 라디칼로 치환될 수 있고, 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 고리계에 연결될 수 있음) 는 특히, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 디히드로피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라지니미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유래되는 기를 의미하는 것으로 여겨진다.
아릴옥시 기 (-O-아릴) 는 본 발명의 정의에 따라, 산소 원자를 통해 결합된, 상기 정의된 바와 같은 아릴 기를 의미하는 것으로 여겨진다. 유사한 정의가 헤테로아릴옥시 기에 적용된다.
티오아릴 기 (-S-아릴) 는 본 발명의 정의에 따라, 황 원자를 통해 결합된, 상기 정의된 바와 같은 아릴 기를 의미하는 것으로 여겨진다. 유사한 정의가 티오헤테로아릴 기에 적용된다.
방향족 고리계는 본 발명의 견지에서 고리계 중에 6 내지 60 개의 C 원자를 함유한다. 헤테로방향족 고리계는 본 발명의 견지에서 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 함유하고, 그 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는 본 발명의 견지에서 오로지 아릴 또는 헤테로아릴 기 만을 반드시 함유할 필요는 없으나, 대신 부가적으로, 다수의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 비-방향족 단위 (바람직하게는 H 이외의 원자의 10% 미만), 예컨대, 예를 들어, sp3-하이브리드화 C, Si, N 또는 O 원자, sp2-하이브리드화 C 또는 N 원자 또는 sp-하이브리드화 C 원자에 의해 연결될 수 있는 계를 의미하는 것으로 여겨진다. 따라서, 예를 들어, 9,9'-스피로비플루오렌, 9,9'-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 계가 또한, 2 개 이상의 아릴 기가, 예를 들어, 선형 또는 시클릭 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기에 의해 또는 실릴기에 의해 연결되는 계이므로, 본 발명의 견지에서 방향족 고리계인 것으로 여겨지는 것으로 의도된다. 게다가, 2 개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 단일 결합을 통해 서로 연결되는 계는 또한 본 발명의 견지에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 예컨대, 예를 들어, 비페닐, 터페닐 또는 디페닐트리아진과 같은 계인 것으로 여겨진다.
5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 또한 상기 정의된 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 기에 연결될 수 있음) 는 특히, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 비페닐, 비페닐렌, 터페닐, 터페닐렌, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라지니미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도된 기, 또는 이들 기의 조합을 의미하는 것으로 여겨진다.
본 발명의 목적을 위해, 1 내지 40 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기 또는 2 내지 40 개의 C 원자를 가진 알케닐 또는 알키닐 기 (식 중, 부가적으로, 개별적인 H 원자 또는 CH2 기는 라디칼의 정의 하에 상기 언급된 기에 의해 치환될 수 있음) 는 바람직하게는 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, 네오펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 네오헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 또는 옥티닐을 의미하는 것으로 여겨진다. 1 내지 40 개의 C 원자를 가진 알콕시 또는 티오알킬 기는 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시, 2,2,2-트리플루오로에톡시, 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 여겨진다.
2 개 이상의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수 있는 제형은, 본 출원의 목적을 위해, 특히, 2 개의 라디칼이 화학 결합에 의해 서로 연결된다는 것을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 이것은 하기 도식에 의해 설명된다:
그러나 부가적으로, 상기 언급된 제형은 또한 2 개의 라디칼 중 하나가 수소를 나타내는 경우, 두번째 라디칼이 수소 원자가 결합된 위치에 결합하여, 고리를 형성한다는 것을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 이것은 하기 도식에 의해 설명될 것이다:
바람직한 구현예에 따르면, m + n = 0 또는 1 이다. 더욱 바람직하게는, m + n = 0 이다.
X 가 C(R0)2, C(R0)2-C(R0)2, CR0=CR0, Si(R0)2, O, S, S=O 및 SO2 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가 브릿지이거나, 또는 X 가 화학식 (3) 의 기인 것이 바람직하다.
X 가 C(R0)2, O, S, 및 SO2 로 이루어지는 군으로부터 선택되고, r 이 0 인 것이 특히 바람직하다.
X 가 C(R0)2 이고, r 이 0 인 것이 매우 특히 바람직하다.
기 Ar 는 바람직하게는, 각 경우 동일하게 또는 상이하게, 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 또한 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 으로부터 선택된다.
기 Ar 는 여기서 매우 바람직하게는, 각 경우 동일하게 또는 상이하게 하기 화학식 (10) 내지 (66) 의 군으로부터 선택된다,
(식 중, 점선 결합은 질소에 대한 결합을 나타내고, 기는 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있으나, 바람직하게는 미치환됨).
추가의 바람직한 구현예에서, 기 N(Ar)2 는 화학식 (2) 의 기 A 이다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 화학식 (1) 의 화합물은 하기 화학식 (1-1) 내지 (1-6) 의 화합물로부터 선택된다:
화학식 (1-1) 및 (1-4) 가 화학식 (1-1) 내지 (1-6) 중에서 특히 바람직하다.
본 발명의 특히 바람직한 구현예에서, 화학식 (1-1) 내지 (1-6) 의 화합물은 하기 화학식 (1-1a) 내지 (1-6a) 의 화합물로부터 선택된다:
(식 중, 사용된 기호 및 지수는 상기 표시된 의미를 가짐).
화학식 (1-1a) 및 (1-4a) 가 화학식 (1-1a) 내지 (1-6a) 중에서 특히 바람직하다.
본 발명의 매우 특히 바람직한 구현예에서, 화학식 (1-1a) 내지 (1-6a) 의 화합물은 하기 화학식 (1-1b) 내지 (1-6b) 의 화합물로부터 선택된다:
(식 중, 기호 A 는 상기 표시된 것과 동일한 의미를 가짐).
화학식 (1-1b) 및 (1-4b) 가 화학식 (1-1b) 내지 (1-6b) 중에서 특히 바람직하다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, R 은 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 또는 알콕시 기 또는 3 내지 10 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 O 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있음), 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 특히 바람직한 구현예에서, R 은 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 5 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 6 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기, 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴 기 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R8 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
화학식 (1), (1-1) 내지 (1-6) 및 (1-1a) 내지 (1-6a) 의 화합물 중의 R 은 매우 특히 바람직하게는 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, F, CN, 메틸, tert-부틸 또는 페닐로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
R1 및 R3 이 각 경우 동일하게 또는 상이하게 H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 또는 알콕시 기 또는 3 내지 10 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 O 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있음), 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우, 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
R2 가 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 또는 알콕시 기 또는 3 내지 10 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 각 경우 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 O 또는 S 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있음), 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴 고리계 (이것은 각 경우, 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음), 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기 (이것은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음), 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가진 티오아릴 또는 티오-헤테로아릴 기 (이것은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 이때, 2 개 이상의 인접 치환기 R2 는 임의로 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 고리계 또는 방향족 고리계 (이것은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 를 형성할 수 있는 것이 추가로 바람직하다.
특히 바람직한 구현예에 따르면, 2 개 이상의 인접 치환기 R2 는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 고리계 또는 방향족 고리계를 형성하지 않는다.
추가로 특히 바람직한 구현예에 따르면, 2 개 이상의 인접 치환기 R2 는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 고리계 또는 방향족 고리계를 형성하지 않는다.
2 개의 인접 치환기 R2 가 경로 (1) 내지 (5) 중 하나에 따른 고리를 형성하는 것이 매우 특히 바람직하다:
본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, R0 는 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 또는 알콕시 기 또는 3 내지 10 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 각 경우 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 O 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F 또는 CN 으로 대체될 수 있음), 5 내지 14 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 으로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 이때, 2 개의 치환기 R0 는 임의로 모노시클릭 지방족 고리계 (이것은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 를 형성할 수 있다.
R0 는 특히 바람직하게는 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
진공 증발에 의해 제조되는 화합물의 경우, 알킬 기는 바람직하게는 4 개 이하의 C 원자, 특히 바람직하게는 1 개 이하의 C 원자를 갖는다. 용액으로부터 제조되는 화합물의 경우, 적합한 화합물은 10 개 이하의 C 원자를 가진 선형, 분지형 또는 시클릭 알킬 기로 치환되는 또는 올리고아릴렌 기, 예를 들어 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 터페닐 또는 쿼터페닐 기로 치환되는 것들이다.
본 발명에 따른 적합한 화합물의 예는 하기 표에 제시된 화합물이다:
본 발명에 따른 화합물은 당업자에게 공지된 합성 단계, 예컨대, 예를 들어, 브롬화, 울만 (Ullmann) 아릴화, 하르트비히-버크월드 (Hartwig-Buchwald) 커플링, 등에 의해 제조될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물의 합성은, 2 가지 상이한 접근 경로가 제시되는, 도식 1 에 제시된다.
합성은 일반적으로 1- 또는 4-할로겐화된, 특히 브롬화된, 스피로비플루오렌 유도체로부터 출발한다. 이들 합성은 이미 WO 2013/120577 에 기재되어 있다. 디아릴아미노 기의 도입은 출발 재료로서 2차 디아릴아민을 사용하는 커플링 반응인 C-N 커플링 반응에 의한 1 단계로 또는 제 1 및 제 2 의 C-N 커플링 각각에 대해 1차 디아릴아민 및 아릴-브로마이드를 연속으로 사용하는 2 단계로 실시할 수 있다.
유사하게, 또다른 적합한 이탈기, 예를 들어 토실레이트 또는 트리플레이트가 할로겐 대신 사용될 수 있다. 마찬가지로, 상응하는 치환된 구조가 또한 전체적으로 유사하게 합성될 수 있다.
C-N 커플링 반응에 대한 예로서 하르트비히-버크월드 (Hartwig-Buchwald) 커플링 또는 울만 (Ullmann) 커플링이 사용될 수 있다.
도식 1:
따라서 본 발명은 추가로 디아릴아미노 기가 1- 또는 4-할로겐화된 스피로비플루오렌과 아릴아민 사이에 C-N 커플링 반응에 의해 도입되는 것을 특징으로 하는, 화학식 (1) 의 화합물의 제조 방법에 관한 것이다.
상기 기재된 본 발명에 따른 화합물, 특히, 반응성 이탈기, 예컨대 브롬, 요오드, 보론산 또는 보론산 에스테르에 의해 치환된 화합물은, 상응하는 올리고머, 덴드리머 또는 중합체의 제조를 위한 단량체로서 사용될 수 있다. 여기서 올리고머화 또는 중합은 바람직하게는 할로겐 작용성 또는 보론산 작용성을 통해 실시된다.
본 발명은 그러므로 추가로 화학식 (1) 의 화합물 하나 이상을 포함하는 올리고머, 중합체 또는 덴드리머에 관한 것으로, 중합체, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 결합(들) 은 R 에 의해 치환된 화학식 (1) 중에 임의의 원하는 위치에 위치할 수 있다. 화학식 (1) 의 화합물의 연결에 따라, 화합물은 올리고머 또는 중합체의 측쇄의 일부 또는 주쇄의 일부이다. 올리고머는 본 발명의 견지에서 적어도 3 개의 단량체 단위까지 적재되는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 중합체는 본 발명의 견지에서 적어도 10 개의 단량체 단위까지 적재되는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 본 발명에 따른 중합체, 올리고머 또는 덴드리머는 콘쥬게이션, 부분적으로 콘쥬게이션 또는 비-콘쥬게이션될 수 있다. 본 발명에 따른 올리고머 또는 중합체는 선형, 분지형 또는 수지상일 수 있다. 선형 방식으로 연결된 구조에서, 화학식 (1) 의 단위는 서로 직접 연결될 수 있거나, 또는 2 가 기를 통해, 예를 들어 치환 또는 미치환 알킬렌 기를 통해, 헤테로원자를 통해 또는 2 가 방향족 또는 헤테로방향족 기를 통해 서로 연결될 수 있다. 분지형 및 수지상 구조에서, 화학식 (1) 의 단위 3 개 이상은, 예를 들어, 3 가 또는 다가 기를 통해, 예를 들어 3 가 또는 다가 방향족 또는 헤테로방향족 기를 통해 연결되어, 분지형 또는 수지상 올리고머 또는 중합체를 산출할 수 있다. 화학식 (1) 의 화합물에 대해 상기 기재된 것과 동일한 바람직함이 올리고머, 덴드리머 및 중합체 중의 화학식 (1) 의 반복 단위에 적용된다.
올리고머 또는 중합체의 제조를 위해, 본 발명에 따른 단량체는 추가의 단량체와 단독중합 또는 공중합된다. 적합하고 바람직한 공단량체는 플루오렌 (예를 들어 EP 842208 또는 WO 00/22026 에 따름), 스피로바이플루오렌 (예를 들어 EP 707020, EP 894107 또는 WO 06/061181 에 따름), 파라페닐렌 (예를 들어 WO 92/18552 에 따름), 카르바졸 (예를 들어 WO 04/070772 또는 WO 04/113468 에 따름), 티오펜 (예를 들어 EP 1028136 에 따름), 디히드로페난트렌 (예를 들어 WO 05/014689 또는 WO 07/006383 에 따름), 시스- 및 트랜스-인데노플루오렌 (예를 들어 WO 04/041901 또는 WO 04/113412 에 따름), 케톤 (예를 들어 WO 05/040302 에 따름), 페난트렌 (예를 들어 WO 05/104264 또는 WO 07/017066 에 따름) 또는 그 밖의 다수의 이들 단위로부터 선택된다. 중합체, 올리고머 및 덴드리머는 통상 또한 추가의 단위, 예를 들어 발광 (형광 또는 인광) 단위, 예를 들어 비닐트리아릴아민 (예를 들어 WO 07/068325 에 따름) 또는 인광 금속 착물 (예를 들어 WO 06/003000 에 따름), 및/또는 전하 수송 단위, 특히 트리아릴아민 기재의 것들을 함유한다.
본 발명에 따른 중합체, 올리고머 및 덴드리머는 유리한 특성, 특히 긴 수명, 고 효율 및 양호한 색상 좌표를 갖는다.
본 발명에 따른 중합체 및 올리고머는 일반적으로 하나 이상의 단량체 유형의 중합에 의해 제조되며, 이 중 적어도 하나의 단량체가 중합체 중의 화학식 (1) 의 반복 단위를 초래한다. 적합한 중합 반응은 당업자에게 공지되어 있고 문헌에 기재되어 있다. C-C 또는 C-N 결합을 도출하는 특히 적합하고 바람직한 중합 반응은 하기와 같다:
(A) 스즈끼 (SUZUKI) 중합
(B) 야마모토 (YAMAMOTO) 중합
(C) 스틸레 (STILLE) 중합 및
(D) 하르트비히-버크월드 (HARTWIG-BUCHWALD) 중합.
상기 방법에 의해 어떻게 중합이 수행될 수 있는지 그리고 이후 중합체가 어떻게 반응 매질로부터 분리되고 정제되는지는 당업자에게 공지되어 있고 문헌, 예를 들어 WO 2003/048225, WO 2004/037887 및 WO 2004/037887 에 상세히 기재되어 있다.
따라서 본 발명은 또한 스즈끼 (SUZUKI) 중합, 야마모토 (YAMAMOTO) 중합, 스틸레 (STILLE) 중합 또는 하르트비히-버크월드 (HARTWIG-BUCHWALD) 중합에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는, 본 발명에 따른 중합체, 올리고머 및 덴드리머의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 덴드리머는 당업자에게 공지된 방법에 의해 또는 이와 유사하게 제조될 수 있다. 적합한 방법은 문헌, 예컨대 예를 들어, Frechet, Jean M. J.; Hawker, Craig J., "Hyper-branched polyphenylene and hyperbranched polyesters: new soluble, three-dimensional, reactive polymers", Reactive & Functional Polymers (1995), 26(1-3), 127-36; Janssen, H. M.; Meijer, E. W., "The synthesis and characterization of dendritic molecules", Materials Science and Technology (1999), 20 (Synthesis of Polymers), 403-458; Tomalia, Donald A., "Dendrimer molecules", Scientific American (1995), 272(5), 62-6; WO 02/067343 A1 및 WO 2005/026144 A1 에 기재된다.
본 발명에 따른 화합물은 전자 소자에 사용하기에 적합하다. 전자 소자는 여기서 적어도 하나의 유기 화합물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 소자를 의미하는 것으로 여겨진다. 그러나, 성분은 여기서 또한 무기 재료 또는 무기 재료로부터 전체적으로 적재되는 층을 포함할 수 있다.
본 발명은 그러므로 게다가 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서의 본 발명에 따른 화합물의 용도에 관한 것이다.
본 발명은 그러므로 본 발명에 따른 화합물 적어도 하나를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다. 상기 언급된 바람직함은 마찬가지로 전자 소자에 적용된다.
전자 소자는 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (organic light-emitting diode, OLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 염료-감응형 유기 태양 전지 (ODSSC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-laser) 및 유기 플라스몬 발광 소자 (D. M. Koller et al., Nature Photonics 2008, 1-4) 로 이루어지는 군으로부터, 그러나 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED), 특히 바람직하게는 인광 OLED 로부터 선택된다.
유기 전계발광 소자 및 발광 전기화학 전지는 다양한 적용을 위해, 예를 들어 단색 또는 다색 디스플레이를 위해, 광 적용을 위해, 또는 예를 들어 광선요법에서, 의료 및/또는 미용 적용을 위해 사용될 수 있다.
유기 전계발광 소자는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 발광층을 포함한다. 이들 층과 별개로, 이것은 또한 추가의 층, 예를 들어 각 경우에 하나 이상의 정공-주입층, 정공-수송층, 정공-차단층, 전자-수송층, 전자-주입층, 여기자-차단층, 전자-차단층 및/또는 전하-발생층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 여기자-차단 작용을 갖는 사이층이 마찬가지로 2 개의 발광층 사이에 도입될 수 있다. 그러나, 이들 층 각각이 반드시 존재할 필요는 없다는 것을 지적해야만 한다.
유기 전계발광 소자는 여기서 하나의 발광층 또는 복수의 발광층을 포함할 수 있다. 복수의 발광층이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게는 전체로서 380 ㎚ 와 750 ㎚ 사이에 복수의 발광 최대치를 가져, 전체적으로 백색 발광을 유도하며; 즉 형광 또는 인광을 발할 수 있는 다양한 발광 화합물이 발광층에 사용된다. 3 개의 발광층을 갖는 계가 특히 바람직하며, 여기서 3 개의 층은 청색, 녹색 및 주황색 또는 적색 발광을 나타낸다 (기본 구조에 관해, 예를 들어 WO 2005/011013 참조). 여기서 모든 발광층이 형광이거나 또는 모든 발광층이 인광이거나 또는 하나 이상의 발광층이 형광이고 하나 이상의 다른 층이 인광인 것이 가능하다.
상기 상세화된 구현예에 따른 본 발명에 따른 화합물은 정밀 구조에 따라 상이한 층에서 이용될 수 있다. 정공-수송층 또는 정공-주입층 또는 여기자-차단층에서의 정공-수송 재료로서 또는 형광 또는 인광 발광체, 특히 인광 발광체에 대한 매트릭스 재료로서 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물을 포함하는 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 상기 상술된 바람직한 구현예는 또한 유기 전자 소자 중의 재료의 용도에 적용된다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물은 정공-수송층 또는 정공-주입층 내의 정공-수송 또는 정공-주입 재료로서 사용된다. 발광층은 여기서 형광 또는 인광일 수 있다. 정공-주입층은 본 발명의 견지에서 애노드에 직접 인접한 층이다. 정공-수송층은 본 발명의 견지에서 정공-주입층과 발광층 사이에 위치하는 층이다.
본 발명의 더욱 추가의 바람직한 구현예에서, 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물은 여기자-차단층에서 사용된다. 여기자-차단층은 애노드 면 상의 발광층에 직접 인접하는 층을 의미하는 것으로 여겨진다.
화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물은 특히 바람직하게는 정공-수송층 또는 여기자-차단층에서 사용된다.
화학식 (1) 의 화합물이 정공-수송층, 정공-주입층 또는 여기자-차단층 중의 정공-수송 재료로서 사용되는 경우, 화학식 (1) 의 화합물은 그러한 층 중의 단일한 재료로서, 즉 100% 의 비율로 사용될 수 있거나, 또는 화학식 (1) 의 화합물은 그러한 층 중의 하나 이상의 추가의 화합물과 조합으로 사용될 수 있다. 바람직한 구현예에 따르면, 화학식 (1) 의 화합물을 포함하는 유기 층은 부가적으로 하나 이상의 p-도판트를 포함한다. 본 발명에 대해 바람직한 p-도판트는 전자를 수용할 수 있고 (전자 수용체), 혼합물 중에 존재하는 다른 화합물 하나 이상을 산화시킬 수 있는 유기 화합물이다.
p-도판트의 특히 바람직한 구현예는 WO 2011/073149, EP 1968131, EP 2276085, EP 2213662, EP 1722602, EP 2045848, DE 102007031220, US 8044390, US 8057712, WO 2009/003455, WO 2010/094378, WO 2011/120709, US 2010/0096600, WO 2012/095143 및 DE 102012209523 에 기재된 화합물이다.
p-도판트로서 특히 바람직한 것은 퀴노디메탄 화합물, 아자인데노플루오렌디온, 아자페날렌, 아자트리페닐렌, I2, 금속 할라이드, 바람직하게는 전이 금속 할라이드, 금속 옥시드, 바람직하게는 적어도 하나의 전이 금속 또는 3 족 주족 금속을 함유하는 금속 옥시드, 및 전이 금속 착물, 바람직하게는 Cu, Co, Ni, Pd 및 Pt 와 결합 부위로서 적어도 하나의 산소 원자를 함유하는 리간드와의 착물이다. 또한 바람직한 것은 도판트로서 전이 금속 옥시드, 바람직하게는 레늄, 몰리브덴 및 텅스텐의 옥시드, 특히 바람직하게는 Re2O7, MoO3, WO3 및 ReO3 이다.
p-도판트는 바람직하게는 p-도핑된 층 내에 실질적으로 균질하게 분포된다. 이들은 예를 들어, p-도판트 및 정공-수송 재료 매트릭스의 동시증발에 의해 달성될 수 있다.
특히 바람직한 p-도판트는 하기 화합물 (D-1) 내지 (D-13) 으로부터 선택된다:
본 발명의 구현예에서, 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물은 정공-수송층 또는 정공-주입층에서, 헥사아자트리페닐렌 유도체, 특히 헥사시아노헥사아자트리페닐렌 (예를 들어 EP 1175470 에 따름) 을 포함하는 층과 조합으로 사용된다. 그러므로, 예를 들어, 바람직한 것은 하기와 같이 보이는 조합이다: 애노드 - 헥사아자트리페닐렌 유도체 - 정공-수송층 (이때, 정공-수송층은 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물을 하나 이상 포함함). 마찬가지로, 상기 구조에서 다수의 연속 정공-수송층 (이때, 적어도 하나의 정공-수송층은 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물을 적어도 하나 포함함) 을 사용하는 것이 가능하다. 추가의 바람직한 조합은 하기와 같이 보인다: 애노드 - 정공-수송층 - 헥사아자트리페닐렌 유도체 - 정공-수송층, 이때, 2 개의 정공-수송층 중 적어도 하나는 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물을 하나 이상 포함한다. 마찬가지로 상기 구조 내에 하나의 정공-수송층 대신에 복수의 연속 정공-수송층을 사용하는 것이 가능하며, 이때, 적어도 하나의 정공-수송층은 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물을 적어도 하나 포함한다.
본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물은 발광층 중의, 형광 또는 인광 화합물을 위한, 특히 인광 화합물을 위한 매트릭스 재료로서 사용된다. 유기 전계발광 소자는 여기서 하나의 발광층 또는 복수의 발광층을 포함할 수 있고, 이때, 적어도 하나의 발광층은 매트릭스 재료로서 본 발명에 따른 화합물을 적어도 하나 포함한다.
화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물이 발광층 중의 발광 화합물을 위한 매트릭스 재료로서 사용되는 경우, 이것은 바람직하게는 하나 이상의 인광 재료 (삼중 발광체) 와 조합으로 사용된다. 인광은 본 발명의 견지에서 스핀 다중도 > 1 을 갖는 여기 상태로부터의, 특히 여기 삼중 상태로부터의 발광을 의미하는 것으로 여겨진다. 본 출원의 목적을 위해, 전이 금속 또는 란탄족을 함유하는 모든 발광 착물, 특히 모든 발광 이리듐, 백금 및 구리 착물은, 인광 화합물로서 간주된다.
화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물, 및 발광 화합물을 포함하는 매트릭스 재료를 포함하는 혼합물은 발광체 및 매트릭스 재료를 포함하는 전체 혼합물에 대해, 99.9 내지 1 중량%, 바람직하게는 99 내지 10 중량%, 특히 바람직하게는 97 내지 60 중량%, 특히 95 내지 80 중량% 의 매트릭스 재료를 포함한다. 상응하게, 혼합물은 발광체 및 매트릭스 재료를 포함하는 전체 혼합물에 대해, 0.1 내지 99 중량%, 바람직하게는 1 내지 90 중량%, 특히 바람직하게는 3 내지 40 중량%, 특히 5 내지 20 중량% 의 발광체를 포함한다. 상기 표시된 제한은 특히, 층이 용액으로부터 적용되는 경우에 적용된다. 층이 진공 증발에 의해 적용되는 경우, 동일한 수치 값이 적용되고, 이 경우 백분율은 각 경우 부피% 로 표시된다.
본 발명의 특히 바람직한 구현예는 추가의 매트릭스 재료와 조합으로 인광 발광체를 위한 매트릭스 재료로서의 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물의 용도이다. 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물과 조합으로 사용될 수 있는 특히 적합한 매트릭스 재료는, 예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따른 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥시드 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰, WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 기재된 트리아릴아민, 카르바졸 유도체, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴비페닐), m-CBP 또는 카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따른 인돌로카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2010/136109 또는 WO 2011/000455 에 따른 인데노카르바졸 유도체, 예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따른 아자-카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/137725 에 따른 양극성 매트릭스 재료, 예를 들어 WO 2005/111172 에 따른 실란, 예를 들어 WO 2006/117052 에 따른 아자보롤 또는 보론 에스테르, 예를 들어 WO 2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 08/056746 에 따른 트리아진 유도체, 예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따른 아연 착물, 예를 들어 WO 2009/124627 에 따른 플루오렌 유도체, 예를 들어 WO 2010/054729 에 따른 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체, 예를 들어 WO 2010/054730 에 따른 디아자포스폴 유도체, 또는 예를 들어 US 2009/0136779, WO 2010/050778, WO 2011/042107 또는 WO 2011/088877 에 따른 브릿지 카르바졸 유도체이다. 추가로 예를 들어, WO 2010/108579 에 기재된 바와 같이, 정공-수송 특성이나 전자-수송 특성 어느 것도 갖지 않은 전기적으로 중성인 코-호스트를 사용하는 것이 가능하다.
마찬가지로 혼합물 중에 2 개 이상의 인광 발광체를 사용하는 것이 가능하다. 이 경우, 짧은 파장에서 발광하는 발광체가 혼합물 중에서 코-호스트로서 작용한다.
적합한 인광 화합물 (= 삼중 발광체) 는 특히, 적합한 여기시 바람직하게는 가시 영역에서 발광하고, 부가적으로 20 초과의, 바람직하게는 38 초과 84 미만, 특히 바람직하게는 56 초과 80 미만의 원자수를 갖는 적어도 하나의 원자, 특히 상기 원자수를 갖는 금속을 함유하는 화합물이다. 사용되는 인광 발광체는 바람직하게는 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐, 백금 또는 구리를 함유하는 화합물이다.
상기 기재된 발광체의 예는 출원 WO 2000/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 2005/033244, WO 2005/019373, US 2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/157339 또는 WO 2012/007086 에 의해 밝혀진다. 일반적으로, 인광 OLED 에 대해 선행 기술에 따라 사용되는 바와 같고 유기 전계발광 영역에서 당업자에 공지된 바와 같은 모든 인광 착물이 적합하고, 당업자는 진보성 없이 추가의 인광 착물을 사용하는 것이 가능할 것이다.
본 발명의 추가의 구현예에서, 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자는 분리된 정공-주입층 및/또는 정공-수송층 및/또는 정공-차단층 및/또는 전자-수송층을 포함하지 않는다, 즉, 예를 들어, WO 2005/053051 에 기재된 바와 같이, 발광층은 정공-주입층 또는 애노드에 직접 인접하고, 및/또는 발광층은 전자-수송층 또는 전자-주입층 또는 캐소드에 직접 인접한다. 예를 들어, WO 2009/030981 에 기재된 바와 같이, 발광층에 직접 인접하는 정공-수송 또는 정공-주입 재료로서 발광층 중의 금속 착물과 일치하는 또는 유사한 금속 착물을 사용하는 것이 또한 가능하다.
정공-수송층 또는 여기자-차단층 모두에서 그리고 발광층 중의 매트릭스로서 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 화합물을 사용하는 것이 또한 가능하다.
본 발명에 따른 유기 전계발광 소자의 추가의 층에서, 선행 기술에 따라 통상적으로 이용되는 모든 재료를 사용하는 것이 가능하다. 그러므로, 당업자는 진보성 없이 유기 전계발광 소자에 대해 공지된 모든 재료를 본 발명 또는 바람직한 구현예에 따른 화학식 (1) 의 화합물과 조합으로 사용하는 것이 가능하다.
나아가, 하나 이상의 층이 승화 공정을 사용하여 적용되는 것을 특징으로 하는, 유기 전계발광 소자가 바람직하고, 이 경우, 재료는 통상 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 단위에서 증착된다. 그러나, 또한 초기 압력이 심지어 더 낮은, 예를 들어 10-7 mbar 미만인 것이 가능하다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (유기 기상 증착) 방법에 의해 또는 캐리어 기체 승화에 의해 적용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 바람직하고, 이 경우, 재료는 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용된다. 이러한 방법의 특별한 경우는 OVJP (유기 증기 제트 인쇄) 방법이고, 여기서 재료가 노즐을 통해 직접 적용되어 구조화된다 (예를 들어, M. S. Arnold et al., Appl . Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
나아가, 하나 이상의 층이, 예를 들어 스핀 코팅에 의해 용액으로부터 제조되거나, 또는 예를 들어 LITI (광 유도 열 이미지화, 열전사 인쇄), 잉크-젯 인쇄, 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄 또는 노즐 인쇄와 같은 임의의 원하는 인쇄 공정에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 예를 들어, 적절한 치환에 의해 얻어지는 가용성 화합물이 이러한 목적을 위해 필요하다. 이들 방법은 또한 본 발명에 따른 화합물에 특히 적합한데, 이들이 일반적으로 유기 용매에서 매우 양호한 가용성을 가지기 때문이다.
예를 들어, 하나 이상의 층이 용액으로부터 적용되고, 하나 이상의 추가의 층이 증착에 의해 적용되는, 하이브리드 방법이 또한 가능하다. 예를 들어 용액으로부터 발광층을 적용하고 증착에 의해 전자 수송층을 적용할 수 있다.
이들 방법은 일반적으로 당업자에게 공지되어 있고, 당업자에 의해 진보성 없이 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기 전계발광 소자에 적용될 수 있다.
액체 상으로부터, 예를 들어 스핀-코팅 또는 인쇄 방법에 의한 본 발명에 따른 화합물의 프로세싱은, 본 발명에 따른 화합물의 제형을 필요로 한다. 상기 제형은 예를 들어, 용액, 분산액 또는 미니-에멀젼일 수 있다. 본 목적을 위해, 2 개 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 디메틸아니솔, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산 또는 이들 용매의 혼합물이다.
본 발명은 따라서 추가로 상기 나타낸 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 용매, 특히 유기 용매를 포함하는, 제형, 특히 용액, 분산액 또는 미니-에멀젼에 관한 것이다. 이러한 유형의 용액을 제조할 수 있는 방식은 당업자에게 공지되고 예를 들어, WO 2002/072714, WO 2003/019694 및 그곳에 언급된 문헌에 기재된다.
본 발명은 추가로 상기 나타낸 화학식 (1) 또는 바람직한 구현예의 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 추가의 화합물을 포함하는 혼합물에 관한 것이다. 추가의 화합물은 본 발명에 따른 화합물이 매트릭스 재료로서 사용되는 경우, 예를 들어, 형광 또는 인광 도판트일 수 있다. 그러면 혼합물은 또한 부가적으로 부가적인 매트릭스 재료로서 추가의 재료를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 화합물 및 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자는 선행 기술에 비해 하기 놀라운 장점에 의해 구별된다:
1. 본 발명에 따른 화합물은 유기 전계발광 소자 내의 정공-수송층 또는 정공-주입층에 사용하기에 매우 적합하다. 이들은 또한 특히, 인광 발광층에 직접 인접하는 층에서 사용하기에 적합한데, 본 발명에 따른 화합물이 발광을 소거하지 않기 때문이다.
2. 형광 또는 인광 발광체에 대한 매트릭스 재료로서 사용되는 본 발명에 따른 화합물은 매우 높은 효율 및 긴 수명을 산출한다. 이것은 특히, 화합물이 추가의 매트릭스 재료 및 인광 발광체와 함께 매트릭스 재료로서 사용되는 경우, 적용된다.
3. 유기 전계발광 소자에서 사용되는 본 발명에 따른 화합물은, 낮은 사용 및 작동 전압을 가지고, 높은 효율 및 가파른 전류/전압 곡선을 산출한다.
4. 본 발명의 화합물은 높은 열 안정성을 나타내고, 따라서 분해 없이 잔류물 없이 승화될 수 있다.
5. 본 발명의 화합물은 낮은 결정도 및 높은 유리 전이 온도를 가져, 이것이 개선된 수명을 도출한다.
상기 언급된 장점은 다른 전자 특성에서의 결함을 동반하지 않는다.
본 발명은 하기 실시예에 의해, 이에 제한없이 더욱 상세히 설명된다. 설명에 근거해, 당업자는 본 발명을 기재된 범위 전반적으로 실시하고, 본 발명에 따른 화합물을 진보성 없이 추가로 제조하고, 이들을 전자 소자에서 사용하거나 본 발명에 따른 방법을 사용하는 것이 가능할 것이다.
실시예
:
A)
합성예
하기 합성은 다르게 명시되지 않으면, 보호-기체 분위기 하에서 실시한다. 출발 재료는 ALDRICH 또는 ABCR 로부터 구입할 수 있다. 문헌에 공지된 출발 재료의 경우 사각형 괄호 안의 번호는 상응하는 CAS 번호이다.
실시예
1:
비스
-(9,9-
스피로비플루오렌
-4-일)-(9,9-디메틸-9H-
플루오렌
-2-일)-
아민
(1-1) 의 합성
(9,9-디메틸-9H-
플루오렌
-2-일)-(9,9-
스피로비플루오렌
-4-일)-
아민
A 의
합성
1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센 (0.83 g, 1.49 mmol), 팔라듐 아세테이트 (0.34 mg, 1.49 mmol) 및 소듐 tert-부톡시드 (9.3 g, 97.1 mmol) 를 탈기된 톨루엔 (500 ml) 중의 플루오렌-2-일-아민 (15.6 g, 97.1 mmol) 및 4-브로모-9,9-스피로-비플루오렌 (30.0 g, 97.1 mmol) 의 용액에 첨가하고, 혼합물을 환류 하에 20 시간 동안 가열한다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔으로 희석 (extend) 시키고, 셀라이트 (Celite) 를 통해 여과하였다. 여과액을 물로 희석하고, 톨루엔으로 재추출하고, 수합된 유기상을 진공하에서 건조 및 증발시켰다. 잔류물을 실리카 겔 (헵탄/디클로로메탄) 을 통해 여과하고, 헵탄/톨루엔으로부터 결정화하였다. (9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-(9,9-스피로비플루오렌-4-일)-아민은 미색 고체 (36.0 g, 이론의 92%) 로서 수득된다.
하기 화합물 A-2 내지 A-6 이 유사하게 수득된다:
비스
-(9,9-
스피로비플루오렌
-4-일)-(9,9-디메틸-9H-
플루오렌
-2-일)-
아민
(1-1) 의 합성
트리-tert-부틸포스핀 (1.69 ml 의, 톨루엔 중의 1.0 M 용액, 1.69 mmol), 팔라듐 아세테이트 (190 mg, 0.85 mmol) 및 소듐 tert-부톡시드 (9.7 g, 101.4 mmol) 를 탈기된 톨루엔 (400 ml) 중의 (9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-(9,9-스피로비플루오렌-4-일)-아민 (18.0 g, 33.8 mmol) 및 4-브로모-9,9'-스피로비플루오렌 (13.6g, 33.8 mmol) 의 용액에 첨가하고, 혼합물을 환류 하에 2 시간 동안 가열한다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔으로 희석시키고, 셀라이트 (Celite) 를 통해 여과하였다. 여과액을 진공하에서 증발시키고, 잔류물을 톨루엔/헵탄으로부터 결정화시켰다. 미정제 생성물을 Soxhlet 추출기 (톨루엔) 에서 추출하고 진공 하 구역 승화에 의해 2 회 정제하였다. 생성물은 백색 고체 (19.8 g, 이론의 70%, HPLC 에 따른 순도 > 99.99%) 의 형태로 단리된다.
하기 화합물이 유사하게 수득된다:
B)
소자예
본 발명에 따른 OLED 및 선행 기술에 따른 OLED 는 WO2004/058911 (이것은 본원에 기재된 상황에 맞게 각색됨 (층-두께 변화, 재료)) 에 따라 일반적인 방법에 의해 제조된다.
다양한 OLED 에 대한 데이터를 하기 실시예 E1 및 E2 에 제시한다 (표 1 내지 4 참고). 사용된 기판은 50 nm 의 두께로 구조화된 ITO (인듐 주석 옥시드) 로 코팅된 유리 플레이트이다. OLED 는 기본적으로 하기 층 구조: 기판 / 정공-주입층 (HIL1) / 정공-수송층 (HTL2) / 정공-주입층 (HIL3) / 전자-차단층 (EBL) / 발광층 (EML) / 전자-수송층 (ETL) / 전자-주입층 (EIL) 및 최종적으로 캐소드를 갖는다. 캐소드는 100 nm 의 두께를 가진 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 정확한 구조는 표 1 및 3 에 제시된다. OLED 의 제조에 필요한 재료는 표 5 에 제시된다.
모든 재료가 진공 챔버 중의 열 증기 증착에 의해 적용된다. 발광층은 여기서 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 발광 도판트 (발광체) 로 이루어지는데, 이것은 동시-증발에 의해 부피에 의한 특정 비율로 매트릭스 재료(들) 과 혼합된다. 여기서 H1:SEB1(5%) 와 같은 표현은 재료 H1 이 95% 의 부피에 의한 비율로 층에 존재하고, SEB1 은 5% 의 비율로 층에 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게는, 전자-수송층은 또한 2 개의 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED 는 표준 방식으로 특징분석된다. 본 목적을 위해, 유기전계 스펙트럼 및 외부 양자 효율 (EQE, % 로 측정됨) 은 Lambertian 방사선 특징으로부터 추정하는 전류/전압/광도 (luminous density) 특징선 (IUL 특징선) 으로부터 계산되는 광도의 함수로서 측정되고, 수명이 측정된다. 전계발광 스펙트럼은 1000 cd/m² 의 광도에서 측정되고, CIE 1931 x 및 y 색좌표는 그로부터 계산된다. 표현 EQE @ 1000 cd/m² 는 1000 cd/m² 의 작동하는 광도에서의 외부 양자 효율을 나타낸다. LT80 @ 6000 cd/m²는 OLED 가 6000 cd/m²의 발광으로부터 초기 강도의 80% 까지, 즉 4800 cd/m²까지 하락할 때까지의 수명이다. 다양한 OLED 에 대한 데이터는 표 2 및 4 에 요약된다.
형광
OLED
중의 정공-수송 재료로서의 본 발명에 따른 화합물의 용도
특히, 본 발명에 따른 화합물은 OLED 내의 EML 중에서 HIL, HTL, EBL 또는 매트릭스 재료로서 적합하다. 이들은 단일 층으로서, 또한 HIL, HTL, EBL 로서 또는 EML 내에서 혼합된 성분으로서 적합하다. 선행 기술로부터의 성분 (V1, V2 및 V3) 과 비교하여, 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 샘플은 단일선 청색에서 그리고 또한 삼중선 녹색 모두에서 더 높은 효율 및 또한 개선된 수명 둘 다를 나타낸다.
표 5 - 사용된 재료의 구조
Claims (17)
- 하기 화학식 (1) 의 화합물:
[식 중, A 는 화학식 (1) 에 명시된 바와 같은 스피로비플루오렌 구조의 위치 4 에만 존재할 수 있는, 하기 화학식 (2) 의 기이고:
식 중, 점선 결합은 스피로비플루오렌 구조에 대한 결합을 나타내고;
스피로비플루오렌 구조의 각각의 자유 위치 1 내지 8 및 1' 내지 8' (이것은, 기 A 또는 N(Ar)2 로 치환되지 않음) 는, 기 R 로 치환될 수 있고;
사용된 기호 및 지수에 대해서는 하기가 적용됨:
X 는 C(R0)2 인 2가 브릿지이거나,
또는 X 는 하기 화학식 (3) 의 기이고,
이때, 점선 결합은 플루오렌 기에 대한 결합을 나타내고;
R, R0 는 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, Si(R4)3, 1 내지 40 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F 또는 CN 로 대체될 수 있음), 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
R1, R2 및 R3 은 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, N(Ar1)2, Si(R4)3, 1 내지 40 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F 또는 CN 로 대체될 수 있음), 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
R4 는 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, N(Ar1)2, Si(R5)3, 1 내지 40 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F 또는 CN 로 대체될 수 있음), 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R5 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
R5 는 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 40 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기 (이때 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F 로 대체될 수 있음), 및 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
Ar, Ar1 은 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 또한 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 이고;
m, n 은, 동일하게 또는 상이하게, 0 또는 1 이고;
r 은, 0 이고;
p 는 0, 1, 2 또는 3 이고;
q, u 는, 동일하게 또는 상이하게, 0, 1, 2, 3 또는 4 이고;
s 는 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 이때 s ≤ 4 임;
t 는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 이고, 이때 t ≤ 5 임]. - 제 1 항에 있어서, m + n = 0 인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항에 있어서, X 가 C(R0)2 인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항에 있어서, 기 N(Ar)2 가 제 1 항에 정의된 바와 같은 화학식 (2) 의 기 A 인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항에 있어서, 하기 화학식 (1-1) 내지 (1-3) 의 화합물로부터 선택되는 화합물:
(식 중, 사용된 기호 및 지수는 제 1 항에 제시된 의미를 가짐). - 제 1 항에 있어서, 하기 화학식 (1-1a) 내지 (1-3a) 의 화합물로부터 선택되는 화합물:
(식 중, 사용된 기호 및 지수는 제 1 항에 제시된 의미를 가짐). - 제 1 항에 있어서, 하기 화학식 (1-1b) 내지 (1-3b) 의 화합물로부터 선택되는 화합물:
(식 중, 기호 A 는 제 1 항에서와 동일한 의미를 가짐). - 제 1 항에 있어서, R 이 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있음), 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항에 있어서, R2 가 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있음), 및 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴 고리계 (이것은 각 경우, 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항에 있어서, R0 가 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F 또는 CN 으로 대체될 수 있음), 및 5 내지 14 개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이것은 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항에 있어서, R0 가 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 C 원자를 가진 분지형 또는 시클릭 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 디아릴아미노 기 A 및 N(Ar)2 가 1- 또는 4-할로겐화된 스피로비플루오렌 및 디아릴아민 기 A 또는 N(Ar)2 사이의 C-N 커플링 반응에 의해 도입되는 것을 특징으로 하는, 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 화합물의 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 제형.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 전자 소자 또는 유기 전계발광 소자에서 사용되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 적어도 하나 포함하는 전자 소자로서, 상기 전자 소자가 유기 전계발광 소자, 유기 집적 회로, 유기 전계-효과 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 트랜지스터, 유기 태양 전지, 염료-감응형 유기 태양 전지, 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자, 발광 전기화학 전지, 유기 레이저 다이오드 및 유기 플라스몬 발광 소자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 전자 소자.
- 제 15 항에 있어서, 상기 전자 소자가 유기 전계발광 소자이고, 상기 화합물이 정공-수송층 또는 정공-주입층 또는 여기자-차단층 또는 전자-차단층에서의 정공-수송 재료로서 또는 형광 또는 인광 발광체에 대한 매트릭스 재료로서 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 삭제
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