TW201716368A - 用於有機電致發光裝置之材料 - Google Patents

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Abstract

本發明關於式(1)化合物，其適用於電子裝置(特別是有機電致發光裝置)，及包含此等化合物之電子裝置。

Description

用於有機電致發光裝置之材料
本發明關於使用於電子裝置(特別是有機電致發光裝置)之材料，及包含此等材料之電子裝置。
其中使用有機半導體作為功能材料的有機電致發光裝置(OLED)之結構係說明於例如US 4,539,507、US 5,151,629、EP 0676461和WO 98/27136中。在此所使用的發光材料越來越多為呈現磷光而不是螢光的有機金屬錯合物(M.A.Baldo等人，Appl.Phys.Lett.1999，75，4-6)。
根據先前技術，電洞傳輸層或電洞注入層中所使用之電洞傳輸材料特別為常含有至少二個三芳胺基或至少一個三芳胺基及至少一個咔唑基團之三芳基胺衍生物。此等化合物常衍生自經二芳胺基取代之三苯胺(TPA型)、衍生自經二芳胺基取代之聯苯衍生物(TAD型)或此等基本化合物之組合。此外，例如，使用經一至四個二芳胺基取代之螺聯茀衍生物(例如根據EP 676461、US 7,714,145或 EP2814906)。在這些化合物的情況下，使用於有機電致發光裝置時，在螢光OLED的情況下和在磷光OLED的情況下皆需要改良，特別是關於效率、壽命及操作電壓。
本發明之目的為提供適合用於螢光或磷光OLED(特別是磷光OLED)中之化合物，例如作為電洞傳輸或電洞注入層或激子阻擋層或電子阻擋層中之電洞傳輸材料或包含作為用於發光層中之螢光或磷光發光體的基質材料。
現已發現：更詳細地描述於下的某些化合物達成此目的並導致顯著有機電致發光裝置之顯著改良，特別有關壽命、效率及操作電壓。此適用於磷光及螢光電致發光裝置，尤其是對於根據本發明之化合物作為電洞傳輸材料、電洞注入材料或作為基質材料的用途。此外，下述化合物呈現高熱穩定性且因此可在沒有分解下昇華且無殘餘物。此外，彼等具有低結晶性和高玻璃轉移溫度，其導致改良的壽命。
本發明因此關於一種下式(1)化合物， 其中A為下式(2)之基團，該基團只可存在於如式(1)所示之螺聯茀結構的位置1或位置4， 其中虛線鍵表示與螺聯茀結構之鍵結；其中未經基團A或N(Ar)2取代之該螺聯茀結構的各自由位置1至8和1’至8’可經基團R取代；且其中下述適用於所使用的符號及標號：X 為選自由下列所組成群組之二價橋：B(R0)、C(R0)2、C(R0)2-C(R0)2、CR0=CR0、Si(R0)2、C=O、C=NR0、C=C(R0)2、O、S、S=O、SO2、P(R0)和P(=O)R0；或X為下式(3)之基團，
其中虛線鍵表示與茀基之鍵結；R、R0 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar1、P(=O)(Ar1)2、S(=O)Ar1、S(=O)2Ar1、NO2、Si(R4)3、B(OR4)2、OSO2R4、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經R4C=CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R4)、SO、SO2、O、S或CONR4置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換)、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)、具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基(彼等可經一或多個R4基團取代)、具有5至40個芳族環原子之硫芳基或硫雜芳基(彼等可經一或多個R4基團取代)，其中連接相同C或Si原子之二個取代基R0可隨意地形成單或多環的脂族環系統(彼等可經一或多個R4基團取代)；R1、R2和R3在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar1)2、C(=O)Ar1、P(=O)(Ar1)2、S(=O)Ar1、S(=O)2Ar1、NO2、Si(R4)3、B(OR4)2、OSO2R4、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之 支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經R4C=CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R4)、SO、SO2、O、S或CONR4置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換)、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)、具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基(彼等可經一或多個R4基團取代)、具有5至40個芳族環原子之硫芳基或硫雜芳基(彼等可經一或多個R4基團取代，其中二或多個相鄰取代基R1、二或多個相鄰取代基R2或二或多個相鄰取代基R3，可隨意地形成單或多環的脂族環系統或芳族環系統(彼等可經一或多個R4基團取代)；R4 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar1)2、C(=O)Ar1、P(=O)(Ar1)2、S(=O)Ar1、S(=O)2Ar1、NO2、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(彼等各自可經一或多個R5基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R5)、SO、SO2、O、S或CONR5置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或 NO2置換)、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R5基團取代)、具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基(彼等可經一或多個R5基團取代)、具有5至40個芳族環原子之硫芳基或硫雜芳基(彼等可經一或多個R5基團取代)，其中二或多個相鄰取代基R4可隨意地形成單或多環的脂族環系統或芳族環系統(彼等可經一或多個R5基團取代)；R5 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經SO、SO2、O、S置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換)、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統；Ar、Ar1在每次出現時相同或不同地為具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下也可經一或多個R4基團取代)；m、n、r相同或不同地為0或1；p 為0、1、2或3；q、u 相同或不同地為0、1、2、3或4；s 為0、1、2、3或4，其中s+r4；t 為0、1、2、3、4或5，其中t+r5。
就本申請案目的而言，以下化學基團的定義適用： 芳基就本發明之意義而言在環系統中含有6至60個C原子，此意指其含有6至60個全部代表C之芳族環原子；雜芳基就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及S。此表示基本定義。若在本發明說明中指示其他較佳選擇，例如有關所存在之芳族環原子或雜原子的數目，則這些適用。
芳基或雜芳基在此意指簡單芳族環，即苯，或簡單雜芳族環，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或縮合(稠合(annellated))芳族或雜芳族多環，例如萘、菲、喹啉或咔唑。縮合(稠合)芳族或雜芳族多環就本申請案的意義而言由二或多個簡單芳族或雜芳族環彼此縮合而組成。
在各情況下可經上述基團取代並可經由任何所要位置鍵聯至芳族或雜芳族環系統之芳族或雜芳族環系統之芳基或雜芳基特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并蒽、苯并菲、稠四苯、稠五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻、啡噁、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡并咪唑(pyrazinimidazole)、喹噁啉并咪唑 (quinoxalinimidazole)、噁唑、苯并噁唑、萘并噁唑(naphthoxazole)、蒽并噁唑(anthroxazole)、菲并噁唑(phenanthroxazole)、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒、苯并嗒、嘧啶、苯并嘧啶、喹噁啉、吡、啡、啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三、1,2,4-三、1,2,3-三、四唑、1,2,4,5-四、1,2,3,4-四、1,2,3,5-四、嘌呤、喋啶、吲和苯并噻二唑。
根據本發明之定義的芳氧基(-O-芳基)意指經由氧原子鍵結的如上所述定義之芳基。類似定義適用於雜芳氧基。
根據本發明之定義的芳硫基(-S-芳基)意指經由硫原子鍵結的如上所述定義之芳基。類似定義適用於雜芳硫基。
芳族環系統就本發明之意義而言在環系統中含有6至60個C原子。雜芳族環系統就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，其中至少一個為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統就本發明之意義而言意指不一定只含有芳基或雜芳基，而是其中另外多個芳基或雜芳基可以非芳族單元(較佳為少於10%非H之原子)(諸如，例如sp3-混成之C、Si、N或O原子、sp2-混成之C或N原子或sp-混成之C原子)連接的系 統。因此，例如系統諸如9,9’-螺聯茀、9,9’-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯、等等亦意欲為就本發明之意義而言的芳族環系統，如為其中二或多個芳基例如以直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或以矽基連接之系統。此外，其中二或多個芳基或雜芳基係經由單鍵彼此鍵聯之系統亦為就本發明之意義而言的芳族或雜芳族環系統，諸如，例如聯苯、聯三苯或二苯基三之系統。
在各情況中亦可經如上述所定義之基團取代且可經由任何所要位置鍵聯至芳族或雜芳族基團之具有5-60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、伸聯苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、伸聯三苯(terphenylene)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻、啡噁、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡并咪唑(pyrazinimidazole)、 喹噁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、噁唑、苯并噁唑、萘并噁唑(naphthoxazole)、蒽并噁唑(anthroxazole)、菲并噁唑(phenanthroxazole)、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒、苯并嗒、嘧啶、苯并嘧啶、喹噁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡、啡、啡噁、啡噻、熒紅環(fluorubin)、啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三、1,2,4-三、1,2,3-三、四唑、1,2,4,5-四、1,2,3,4-四、1,2,3,5-四、嘌呤、喋啶、吲和苯并噻二唑，或這些基團的組合。
就本發明的目的而言，具有1至40個C原子之直鏈烷基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基或具有2至40個C原子之烯基或炔基，其中，此外，個別H原子或CH2基團可經在上述該等基團定義下之基團取代，較佳意指基團甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔 基、己炔基或辛炔基。具有1至40個C原子之烷氧基或烷硫基較佳意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、第二戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、正戊硫基、第二戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。
就本申請案之目的而言，二或多個基團彼此可形成環之規劃特別意指：二個基團彼此以一化學鍵鍵聯。此以下列圖示說明：
然而，此外，上述規劃也意指：在其中二基團之一表示氫的情況中，第二基團鍵結於氫原子所鍵結之位置，且形成環。此以下列圖示說明：
根據一較佳實施態樣，m+n=0或1。更佳地，m+n=0。
較佳的是X為選自由下列所組成群組之二價橋：C(R0)2、C(R0)2-C(R0)2、CR0=CR0、Si(R0)2、O、S、S=O和SO2，或X為式(3)之基團。
特佳的是X係選自由下列所組成之群組：C(R0)2、O、S、和SO2且r等於0。
非常特佳的是X為C(R0)2且r等於0。
基團Ar較佳在每次出現時係相同或不同地選自具有5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，彼等在各情況下也可經一或多個R4基團取代。
基團Ar在此非常佳地在每次出現時係相同或不同地選自下式(10)至(66)之基團，
其中虛線鍵表示至氮的鍵，且該等基團可經一或多個R4基團取代，但較佳為未經取代。
在另一較佳實施態樣中，基團N(Ar)2為式(2)之基 團A。
在本發明之一較佳實施態樣中，式(1)化合物係選自下式(1-1)至(1-6)之化合物，
式(1-1)和(1-4)為式(1-1)至(1-6)之中特佳者。
在本發明之一特佳實施態樣中，式(1-1)至(1-6)之化合物係選自下式(1-1a)至(1-6a)之化合物， 其中所使用之符號和標號具有如上所示之意義。
式(1-1a)和(1-4a)為式(1-1a)至(1-6a)之中特佳者。
在本發明之一非常特佳實施態樣中，式(1-1a)至(1-6a)之化合物係選自下式(1-1b)至(1-6b)之化合物，
其中符號A具有與上示相同的意義。
式(1-1b)和(1-4b)為式(1-1b)至(1-6b)中之特佳者。
在本發明之一較佳實施態樣中，R在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中一或多個非相鄰CH2基團可經O置換且其中一或多個H原子可經F置換)、具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)。
在本發明之一特佳實施態樣中，R在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、有1至5個C原子之直鏈烷基或具有3至6個C原子之支鏈或環狀烷基、具有5至18個芳環原子之芳基或雜芳基，彼等在各情況下可經一或多個基團R8取代。
R在式(1)、(1-1)至(1-6)和(1-1a)至(1-6a)之化合物中在每次出現時非常特佳地係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、F、CN、甲基、第三丁基 或苯基。
較佳的是R1和R3在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中一或多個非相鄰CH2基團可經O置換且其中一或多個H原子可經F置換)、具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)。
另外較佳的是R2在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經O或S置換且其中一或多個H原子可經F置換)、具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)、具有5至24個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基(彼等可經一或多個R4基團取代)、具有5至24個芳族環原子之硫芳基或硫雜芳基(彼等可經一或多個R4基團取代)，其中二或多個相鄰取代基R2，可隨意地形成單或多環的脂族環系統或芳族環系統(彼等可經一或多個R4基團取代)。
根據一特佳實施態樣，二或多個相鄰取代基R2不形成單或多環的脂族環系統或芳族環系統。
根據另一特佳實施態樣，二或多個相鄰取代基R2形成單或多環的脂族環系統或芳族環系統。
非常特佳的是二個相鄰取代基R2根據路徑(1)至(5)中之一者形成環：
在本發明之另一較佳實施態樣中，R0在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經O置換且其中一或多個H原子可經D、F或CN置換)、具有5至14個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)，其中二個取代基R0可隨意地形成單環脂族環系統(彼等可經一或多個R4基團取代)。
R0特佳在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、具有1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個R4基團取代。
關於藉由真空蒸發處理之化合物，烷基較佳具有不超過四個C原子，特佳地不超過1個C原子。關於藉由從溶液處理之化合物，適當化合物也為彼等經具有最多至10個C原子之直鏈、支鏈或環狀烷基取代者或其經寡聚伸芳基基團(例如鄰-、間-、對-或支聯三苯基或聯四苯基)取代者。
根據本發明之適當化合物的實例為下表中所示之化合物：
根據本發明之化合物可藉由熟習該項技術者已知的合成步驟(諸如，例如鹵化、烏爾曼(Ullmann)芳基化、哈特維希-布赫瓦爾德(Hartwig-Buchwald)偶合、等等製備。
根據本發明之化合物的合成係顯示於流程1中，其中顯示二種不同進入路徑。合成一般從1-或4-鹵化(特別是溴化)螺聯茀衍生物開始。這些合成已描述於WO 2013/120577中。二芳胺基的引入可藉由使用二級二芳基胺作為起始材料之C-N偶合反應而以一步驟進行，或者以依序使用分別用於第一和第二C-N偶合之一級二芳基胺和芳基溴化物的二步驟進行。類似地，可使用另一種適當脫離基(例如甲苯磺酸酯或三氟甲磺酸酯)代替鹵素。同樣 地，對應取代的結構也可完全類似地合成。作為C-N偶合反應之實例，可使用哈特維希-布赫瓦爾德偶合或烏爾曼偶合。
本發明因此另外關於一種製備式(1)化合物之方法，其特徵在於二芳胺基係藉由1-或4-鹵化螺聯茀和芳基胺之間的C-N偶合反應引入。
上述根據本發明之化合物，特別是經反應性脫離基(諸如溴、碘、硼酸或硼酸酯)取代之化合物，可用作為製備對應寡聚物、樹枝狀聚合物或聚合物之單體。寡聚合或聚合在此較佳經由鹵素官能性或硼酸官能性進行。
本發明因此此外關於包含一或多種式(1)化合物的寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其中至聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於經R取代之式(1)中的任何所要位置。取決於式(1)化合物的鍵聯，該化合物為寡聚物或聚合物的側鏈之部分或主鏈的部分。寡聚物就本發 明的意義而言意指由至少3個單體單元構成之化合物。聚合物就本發明的意義而言意指由至少十個單體單元構成之化合物。根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物可為共軛、部分共軛或非共軛。根據本發明之寡聚物或聚合物可為直鏈、支鏈或樹枝狀。在以直鏈方式鍵聯之結構中，式(1)之單元可彼此直接鍵聯或經由二價基團(例如經由經取代或未經取代之伸烷基、經由雜原子或經由二價芳族或雜芳族基團)彼此鍵聯。在支鏈及樹枝狀結構中，三或多個式(1)之單元可例如經由三價或多價基團(例如經由三價或多價芳族或雜芳族基團)鍵聯，以產生支鏈或樹枝狀寡聚物或聚合物。與上述關於式(1)化合物相同的較佳選擇適用於寡聚物、樹枝狀聚合物及聚合物中的式(1)之重複單元。
為了製備寡聚物或聚合物，將根據本發明之單體進行均聚合或與其他單體進行共聚合。適合且較佳的共聚單體係選自茀(例如根據EP 842208或WO 00/22026)、螺聯茀(例如根據EP 707020、EP 894107或WO 06/061181)、對-伸苯基(例如根據WO 92/18552)、咔唑(例如根據WO 04/070772或WO 04/113468)、噻吩(例如根據EP 1028136)、二氫菲(例如根據WO 05/014689或WO 07/006383)、順式-和反式-茚并茀(例如根據WO 04/041901或WO 04/113412)、酮(例如根據WO 05/040302)、菲(例如根據WO 05/104264或WO 07/017066)亦或多個此等單元。聚合物、寡聚物及樹枝 狀聚合物通常亦含有其他單元，例如發光(螢光或磷光)單元，諸如，例如乙烯基三芳基胺(例如根據WO 07/068325)或磷光金屬錯合物(例如根據WO 06/003000)、及/或電荷傳輸單元，特別是彼等以三芳基胺為主者。
根據本發明之聚合物、寡聚物和樹枝狀聚合物具有有利的性質，特別是長壽命、高效率和良好的顏色坐標。
根據本發明之聚合物和寡聚物通常藉由聚合一或多種類型之單體而製備，其中至少一種單體產生聚合物中之式(1)重複單元。適當的聚合反應為熟習該項技術者已知的且描述於文獻中。產生C-C或C-N鍵聯之特別適合且較佳的聚合反應如下：(A)鈴木(SUZUKI)聚合；(B)山本(YAMAMOTO)聚合；(C)施蒂勒(STILLE)聚合；及(D)哈特維希-布赫瓦爾德(HARTWIG-BUCHWALD)聚合。
可藉由此等方法進行聚合之方式及可接著從反應介質分離聚合物且進行純化之方式為熟習此項技術者已知且詳細描述於文獻中，例如於WO 2003/048225、WO 2004/037887及WO 2004/037887中。
本發明因此亦關於一種製備根據本發明之聚合物、寡聚物和樹枝狀聚合物之方法，其特徵在於彼等係藉由鈴木聚合、山本聚合、施蒂勒聚合或哈特維希-布赫瓦爾德聚 合而製得。根據本發明之樹枝狀聚合物可藉由熟習該項技術者已知的方法或其類似方法製得。適當方法係描述於文獻中，諸如(例如)於Frechet,Jean M.J.；Hawker,Craig J.,"Hyperbranched polyphenylene and hyperbranched polyesters：new soluble,three-dimensional,reactive polymers",Reactive & Functional Polymers(1995),26(1-3),127-36；Janssen,H.M；Meijer,E.W.,"The synthesis and characterization of dendritic molecules",Materials Science and Technology(1999),20(Synthesis of Polymers),403-458；Tomalia,Donald A.,"Dendrimer molecules",Scientific American(1995),272(5),62-6；WO 02/067343 A1及WO 2005/026144 A1。
根據本發明之化合物適合用於電子裝置中。電子裝置在此意指一種包含至少一層包含至少一種有機化合物的裝置。然而，該組件在此也可包含無機材料或也包含完全由無機材料構成之層。
本發明因此此外關於根據本發明之化合物於電子裝置(特別是於有機電致發光裝置)的用途。
本發明此外又關於一種包含至少一種根據本發明之化合物的電子裝置。上述較佳選擇同樣適用於電子裝置。
電子裝置較佳係選自由下列所組成之群組：有機電致發光裝置(有機發光二極體，OLED)、有機積體電路(O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電 池(O-SC)、染料敏化有機太陽能電池(ODSSC)、有機光學檢測器、有機感光器(photoreceptor)、有機場淬滅裝置(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和有機電漿子發光裝置(D.M.Koller等人，Nature Photonics 2008，1-4)，但較佳為有機電致發光裝置(OLED)，特佳為磷光OLED。
有機電致發光裝置和發光電化學電池可用於各種應用，例如用於單色或多色顯示器、用於照明應用或用於醫療及/或美容應用，例如用於光療。
有機電致發光裝置包含陰極、陽極及至少一個發光層。除了此等層以外，其亦可包含另外的層，例如在各情況中一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層及/或電荷產生層。同樣可能在二個發光層之間引入具有(例如)激子阻擋功能之中間層。然而，應指出的是此等層各者不一定必須存在。
有機電致發光裝置在此可包含一個發光層或多個發光層。若存在多個發光層，則此等較佳地具有總計多個在380奈米與750奈米之間的發光最大值，整體導致白色發光，亦即將能夠發螢光或磷光的各種發光化合物使用於發光層中。特佳者為具有三個發光層之系統，其中該三層呈現藍色、綠色及橙色或紅色發光(基本結構參見例如WO 05/011013)。在此可能所有的發光層為螢光或所有的發光層為磷光或一或多個發光層為螢光及一或多個其他層為 磷光。
根據上示實施態樣的根據本發明之化合物在此可使用於不同層中，取決於精確結構。較佳者為一種有機電致發光裝置，其包含式(1)或較佳實施態樣之化合物作為電洞傳輸層或電洞注入層或激子阻擋層中之電洞傳輸材料或作為用於螢光或磷光發光體(特別是用於磷光發光體)的基質材料。上示較佳實施態樣亦適用於該等材料於有機電子裝置之用途。
在本發明之一較佳實施態樣中，式(1)或較佳實施態樣之化合物係用作電洞傳輸層或電洞注入層中之電洞傳輸材料或電洞注入材料。發光層在此可為螢光或磷光。電洞注入層就本發明之意義而言為直接與陽極相鄰之層。電洞傳輸層就本發明之意義而言為位於電洞注入層和發光層之間的層。
在本發明又另一較佳實施態樣中，式(1)或較佳實施態樣之化合物係使用於激子阻擋層中。激子阻擋層意指與在陽極側上的發光層直接相鄰之層。
式(1)或較佳實施態樣之化合物特佳係使用於電洞傳輸層或激子阻擋層中。
若式(1)化合物係用作為電洞傳輸層、電洞注入層或激子阻擋層中的電洞傳輸材料，則式(1)化合物可以單一材料(亦即100%之比例)使用於該層中，或式(1)化合物可與一或多種其他化合物組合使用於該層中。根據一較佳實施態樣，包含式(1)化合物的有機層另外包含 一或多種p-摻雜劑。用於本發明之較佳p-摻雜劑為可接受電子(電子受體)且可氧化混合物中所存在的其他化合物中之一或多者的有機化合物。
p-摻雜劑之特佳實施態樣係描述於WO 2011/073149、EP 1968131、EP 2276085、EP 2213662、EP 1722602、EP 2045848、DE 102007031220、US 8044390、US 8057712、WO 2009/003455、WO 2010/094378、WO 2011/120709、US 2010/0096600、WO 2012/095143和DE 102012209523中。
特佳作為p-摻雜劑為醌二甲烷化合物、氮雜茚并茀二酮、氮雜萉、氮雜聯伸三苯、I2、金屬鹵化物(較佳過渡金屬鹵化物)、金屬氧化物(較佳包含至少一種過渡金屬或第三主族金屬之金屬氧化物)、及過渡金屬錯合物(較佳Cu、Co、Ni、Pd及Pt與含有至少一個氧原子作為鍵結位置之配位基的錯合物)。較佳亦為過渡金屬氧化物作為摻雜劑，較佳為錸、鉬和鎢的氧化物，特佳為Re2O7、MoO3、WO3和ReO3)。
p-摻雜劑較佳實質上均勻地分佈在p-摻雜層中。此可例如藉由p-摻雜劑和電洞傳輸材料基質的共蒸發來實現。
特佳p-摻雜劑係選自化合物(D-1)至(D-13)：
在本發明之一實施態樣中，式(1)或較佳實施態樣之化合物與包含六氮雜聯伸三苯衍生物(特別是六氰基六氮雜聯伸三苯)(例如根據EP 1175470)之層組合用於電洞傳輸層或電洞注入層中。因此，例如，較佳者為如下之組合：陽極-六氮雜三伸苯基衍生物-電洞傳輸層，其中電洞傳輸層包含一或多種式(1)或較佳實施態樣之化合物。在此結構中同樣可能使用複數個連續電洞傳輸層，其中至少一個電洞傳輸層包含至少一種式(1)或較佳實施態樣之化合物。另一較佳組合如下：陽極-電洞傳輸層-六氮雜三伸苯基衍生物-電洞傳輸層，其中該二個電洞傳輸層中之至少一者包含一或多種式(1)或較佳實施態樣之化合物。在此結構中同樣可能使用複數個連續電洞傳輸層代替一個電洞傳輸層，其中至少一個電洞傳輸層包含至少一種式(1)或較佳實施態樣之化合物。
在本發明之另一較佳實施態樣中，式(1)或較佳實施態樣之化合物係用作為用於發光層中之螢光或磷光化合物(特別是用磷光化合物)的基質材料。有機電致發光裝置在此可包含一個發光層或多個發光層，其中至少一個發 光層包含至少一種根據本發明之化合物作為基質材料。
若式(1)或較佳實施態樣之化合物係用作為發光層中的發光化合物之基質材料，則其較佳係與一或多種磷光材料(三重態發光體)組合使用。磷光就本發明之意義而言意指從具有自旋多重性>1之激發態發光，特別是從激發三重態發光。就本申請案之目的而言，所有含有過渡金屬或鑭系元素之發光錯合物，特別是所有發光銥、鉑及銅錯合物，將視為磷光化合物。
包含基質材料和發光化合物的之混合物，該基質材料包含式(1)或較佳實施態樣之化合物，以包含發光體和基質材料的整個混合物為基準計，包含介於99.9和1%重量%之間，較佳介於99和10重量%之間，特佳介於97和60重量%之間，特別是介於95和80重量%之間的基質材料。對應地，混合物以包含發光體和基質材料的整個混合物為基準計，包含介於0.1和99重量%，較佳地介於1和90重量%之間，特佳地介於3和40重量%之間，特別是介於5和20重量%之間的發光體。若該層是從溶液施加，則上示限制特別適用。若該層係藉由真空蒸發施加，則相同數值適用，且在此情況之百分比在各情況中係以體積%表示。
本發明之特佳實施態樣為式(1)或較佳實施態樣之化合物與其他基質材料組合作為磷光發光體之基質材料的用途。可與式(1)或較佳實施態樣之化合物組合使用之特別適合的基質材料為芳族酮、芳族氧化膦或芳族亞碸或 碸(例如，根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如，CBP(N,N-雙咔唑基聯苯)、間-CBP或WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中所揭示之咔唑衍生物)、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚并咔唑衍生物(例如，根據WO 2010/136109或WO 2011/000455)、氮雜咔唑衍生物(例如，根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/111172)、氮硼雜環戊烯(azaborole)或硼酸酯(例如根據WO 2006/117052)、三衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、茀衍生物(例如根據WO 2009/124627)、二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)和四氮雜矽雜環戊二烯衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)或橋聯咔唑衍生物(例如根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107或WO 2011/088877)。而且可能使用一種既沒有電洞傳輸也沒有電子傳輸性質之電中性共主體(co-host)，如(例如)WO 2010/108579中所述。
混合物中同樣可能使用二或多種磷光發光體。在此情 況下，在更短波長發光的發光體充當混合物中之共主體。
適當磷光化合物(=三重態發光體)特別為在適當激發時發光(較佳在可見光區域)且另外含有至少一種具有原子序大於20，較佳為大於38且少於84，特佳為大於56且少於80的原子之化合物，特別是具有此原子序的金屬。所使用之磷光發光體較佳為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，特別是含有銥、鉑或銅的化合物。
上述發光體的實例係由申請案WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373、US 2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/157339或WO 2012/007086揭露。通常，如根據先前技術用於磷光OLED及如熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物均適合，且熟習該項技術者將能夠在無進步性下使用另外的磷光錯合物。
在本發明之另一實施態樣中，根據本發明之有機電致發光裝置不包含單獨電洞注入層及/或電洞傳輸層及/或電洞阻擋層及/或電子傳輸層，即發光層直接毗鄰電洞注入層或陽極，及/或發光層直接毗鄰電子傳輸層或電子注入層或陰極，如(例如)WO 2005/053051中所述。此外可 能使用與發光層中之金屬錯合物相同或類似的金屬錯合物作為直接毗鄰發光層之電洞傳輸或電洞注入材料，如(例如)WO 2009/030981中所述。
此外式(1)或較佳實施態樣之化合物皆可能使用於電洞傳輸層或激子阻擋層中及作為發光層中之基質。
在根據本發明之有機電致發光裝置的其他層中，可能使用根據先前技術通常所使用之所有材料。熟習該項技術者因此將能夠在無進步性下使用與根據本發明或較佳實施態樣之式(1)化合物組合的已知用於有機電致發光裝置之所有材料。
此外較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於利用昇華方法施加一或多層，其中該等材料係於真空昇華單元中在通常低於10-5毫巴，較佳低於10-6毫巴之初壓力下進行蒸氣沈積。然而，初壓力也可能甚至更低，例如低於10-7毫巴。
同樣較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於利用OVPD(有機蒸氣沈積)方法或輔以載體-氣體昇華法施加一或多層，其中該等材料係在介於10-5毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊實例為OVJP(有機蒸氣噴射印刷)方法，其中該等材料係經由噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M.S.Arnold等人，Appl.Phys.Lett.2008，92，053301)。
此外較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於諸如(例如)以旋轉塗佈或利用任何所欲印刷法(諸如，例 如LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)、噴墨印刷、網版印刷、快乾印刷、平版印刷或噴嘴印刷而從溶液製造一或多層。為此目的需要可溶性化合物，其係例如藉由適當取代而獲得。這些方法也特別適合於根據本發明之化合物，因為這些在有機溶劑中通常具有非常良好的溶解性。
亦可能者為混雜方法，其中(例如)從溶液施加一或多層及以蒸氣相沈積施加一或多層。因此，例如，發光層可從溶液施加及電子傳輸層以蒸氣相沈積施加。
這些方法通常為熟習該項技術者已知的且可由其在無進步性下應用於包含根據本發明之化合物的有機電致發光裝置中。
從液相處理根據本發明之化合物(例如藉由旋轉塗佈或藉由印刷方法)需要根據本發明之化合物的調配物。此等調配物可為例如溶液、分散液或迷你乳液(mini-emulsion)。為此目的，較佳可為使用二或多種溶劑之混合物。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、二甲基苯甲醚、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二噁烷或此等溶劑之混合物。
本發明因此此外關於一種調配物(特別是溶液、分散液或迷你乳液)，其包含至少一種式(1)或上示較佳實施態樣之化合物及至少一種溶劑(特別是有機溶劑)。其中可製備此類型溶液之方式為熟習該項技術者已知且描述於(例如)WO 2002/072714、WO 2003/019694及其中所 引用之文獻中。
本發明此外關於包含至少一種式(1)或上示較佳實施態樣之化合物和至少一種其他化合物的混合物。若根據本發明之化合物用作為基質材料，則其他化合物可為例如螢光或磷光摻雜劑。混合物然後亦可另外包含其他材料作為額外基質材料。
根據本發明之化合物和根據本發明之有機電致發光裝置以下列優於先前技術之令入驚訝的優點為特徵：
1. 根據本發明之化合物非常適合用於有機電致發光裝置中之電洞傳輸或電洞注入層。彼等也特別適合用於與磷光發光層直接相鄰的層中，因為根據本發明之化合物不熄滅發光。
2. 根據本發明之化合物，用作為螢光或磷光發光體之基質材料，導致非常高的效率和長壽命。若化合物與其他基質材料和磷光發光體一起用作基質材料，則此特別適用。
3. 根據本發明之化合物，使用於有機電致發光裝置中，導致高效率及陡峭的電流/電壓曲線與低使用和操作電壓。
4. 本發明之化合物通常具有高熱穩定性並因此可在沒有分解下昇華且無殘餘物。。
5. 本發明之化合物具有低結晶性和高玻璃轉移溫度，其導致改良的壽命。
上述這些優點不伴隨其他電子性質的損害。
本發明以下列實施例更詳細地說明，但不希望因此限制本發明。根據該說明，熟習該項技術者將能夠在無進步性下進行所揭示之本發明整個範圍和製備根據本發明之其他化合物及將彼等使用於電子裝置或使用根據本發明之方法中。
A)合成例 實施例：
除非另有指示，否則在保護性氣體氛圍下進行下列合成。起始材料可購買自ALDRICH或ABCR。在從文獻得知的起始材料之情況下，方括號中之編號係對應於CAS編號。
實施例1： 雙-(9,9-螺聯茀-4-基)-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-胺(1-1)的合成
(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-(9,9-螺聯茀-4-基)-胺A的合成
將1,1’-雙(二苯膦基)二茂鐵(0.83g，1.49mmol)、乙酸鈀(0.34mg，1.49mmol)和第三丁醇鈉(9.3g，97.1mmol)加至茀-2-基-胺(15.6g，97.1mmol)和4-溴-9,9-螺聯茀(30.0g，97.1mmol)在經脫氣的甲苯(500ml)中之溶液，並將混合物在回流下加熱20h。將反應混合物冷卻至室溫，用甲苯稀釋並通過矽藻土過濾。用水稀釋濾液，用甲苯再萃取，並將合併之有機相乾燥且在真空中蒸發。通過矽膠(庚烷/二氯甲烷)過濾殘餘物並從庚烷/甲苯結晶。獲得呈灰白色固體之(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-(9,9-螺聯茀-4-基)-胺(36.0g，理論的92%)。
類似地獲得下列化合物A-2至A-6：
雙-(9,9-螺聯茀-4-基)-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-胺(1-1)的合成
將三-第三丁基膦(1.69ml的在甲苯中之1.0M溶液，1.69mmol)、乙酸鈀(190mg，0.85mmol)和第三丁醇鈉(9.7g，101.4mmol)加至(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-(9,9-螺聯茀-4-基)-胺(18.0g，33.8mmol)和4-溴-9,9’-螺聯茀(13.6g，33.8mmol)在經脫氣的甲苯(400ml)中之溶液，並將混合物在回流下加熱2h。將反應混合物冷卻至室溫，用甲苯稀釋並通過矽藻土過濾。在真空中蒸發掉濾液，並將殘餘物從甲苯/庚烷結晶。在Soxhlet萃取器中萃取粗製產物(甲苯)並藉由在真空中區域昇華二次來純化。分離出於白色固體形式之產物(19.8g，理論的70%，根據HPLC之純度>99.99%)。
類似地獲得下列化合物：
B)裝置例
藉由根據WO2004/058911的一般方法製造根據本發明之OLED和根據先前技術之OLED，該方法適用於本文所述之情況(層-厚度變化、材料)。
下述實施例E1和E2中提出各種OLED的數據(參見表1至4)。所使用之基板為以50nm厚度的結構化ITO(氧化銦錫)塗佈之玻璃板。OLED基本上具有下列層結構：基板/電洞注入層(HIL1)/電洞傳輸層(HTL2)/電洞注入層(HIL3)/電子阻擋層(EBL)/發光層(EML)/電子傳輸層(ETL)/電子注入層(EIL)和最後陰極。陰極係由具有100nm厚度的鋁層所形成。OLED的精確結構係顯示於表1和3中。用於製造OLED所需之材料係顯示於表5中。
所有材料在真空室內藉由熱蒸汽沈積施加。發光層在此總是由至少一種基質材料(主體材料)和發光摻雜劑(發光體)組成，該發光摻雜劑藉由共蒸發而與基質材料或基質材料等以某體積比例摻混。詞句諸如H1：SEB1(5%)在此意指材料H1係以95%之體積比例存在於層中及SEB1係以5%比例存在於層中。類似地，電子傳輸層亦可由二或多種材料之混合物所組成。
OLED係以標準方法示性。為此目的，測定電致發光光譜和假設Lambert發光特性，從電流/電壓/發光密度特徵線(IUL特徵線)計算以發光密度為函數之外部量子效率(EQE，以百分比測量)、及壽命。電致發光光譜係在1000cd/m2之發光密度下測定且由此計算CIE 1931 x與y 色坐標。詞句EQE @ 1000cd/m2表示在1000cd/m2之操作發光密度下的外部量子效率。LT80 @ 6000cd/m2為直到OLED已從6000cd/m2之發光強度下降至初始強度之80%(即至4800cd/m2)的壽命。各種OLED之數據係總結於表2中。
根據本發明之化合物作為螢光OLED中的電洞傳輸材料之用途
特別地，根據本發明之化合物係適合作為OLED中之HIL、HTL或EBL或EML中之基質材料。彼等適合呈單層，也可呈混合組分作為HIL、HTL、EBL或在EML內。與來自先前技術的組分(V1、V2和V3)相較，包含根據本發明之化合物的樣品在單重藍和三重綠中都呈現出更高效率和改良壽命。

Claims (17)

  1. 一種式(1)化合物， 其中A為下式(2)之基團，該基團只可存在於如式(1)所示之螺聯茀結構的位置1或位置4， 其中虛線鍵表示與螺聯茀結構之鍵結；其中未經基團A或N(Ar)2取代之該螺聯茀結構的各自由位置1至8和1’至8’可經基團R取代；且其中下述適用於所使用的符號及標號：X 為選自由下列所組成群組之二價橋：B(R0)、 C(R0)2、C(R0)2-C(R0)2、CR0=CR0、Si(R0)2、C=O、C=NR0、C=C(R0)2、O、S、S=O、SO2、P(R0)和P(=O)R0；或X為下式(3)之基團， 其中虛線鍵表示與茀基之鍵結；R、R0 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar1、P(=O)(Ar1)2、S(=O)Ar1、S(=O)2Ar1、NO2、Si(R4)3、B(OR4)2、OSO2R4、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經R4C=CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R4)、SO、SO2、O、S或CONR4置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換)、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)、具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基(彼等可經一或多個R4基團取代)、具有5至40個芳族環原子之 硫芳基或硫雜芳基(彼等可經一或多個R4基團取代)，其中連接相同C或Si原子之二個取代基R0可隨意地形成單或多環的脂族環系統(彼等可經一或多個R4基團取代)；R1、R2和R3在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar1)2、C(=O)Ar1、P(=O)(Ar1)2、S(=O)Ar1、S(=O)2Ar1、NO2、Si(R4)3、B(OR4)2、OSO2R4、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經R4C=CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R4)、SO、SO2、O、S或CONR4置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換)、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)、具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基(彼等可經一或多個R4基團取代)、具有5至40個芳族環原子之硫芳基或硫雜芳基(彼等可經一或多個R4基團取代)，其中二或多個相鄰取代基R1、二或多個相鄰取代基R2或二或多個相鄰取代基R3，可隨意地形成單或多環的脂族環系統或芳族環系統(彼等可經一或多個R4基團取代)；R4 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成 之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar1)2、C(=O)Ar1、P(=O)(Ar1)2、S(=O)Ar1、S(=O)2Ar1、NO2、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(彼等各自可經一或多個R5基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R5)、SO、SO2、O、S或CONR5置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換)、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R5基團取代)、具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基(彼等可經一或多個R5基團取代)、具有5至40個芳族環原子之硫芳基或硫雜芳基(彼等可經一或多個R5基團取代)，其中二或多個相鄰取代基R4可隨意地形成單或多環的脂族環系統或芳族環系統(彼等可經一或多個R5基團取代)；R5 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經SO、SO2、O或S置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換)、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統； Ar、Ar1在每次出現時相同或不同地為具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下也可經一或多個R4基團取代)；m、n、r相同或不同地為0或1；p 為0、1、2或3；q、u 相同或不同地為0、1、2、3或4；s 為0、1、2、3或4，其中s+r4；t 為0、1、2、3、4或5，其中t+r5。
  2. 根據申請專利範圍第1項之化合物，其中m+n=0或1。
  3. 根據申請專利範圍第1項之化合物，其中X係選自由下列所組成之群組：C(R0)2、O、S、和SO2且r等於0。
  4. 根據申請專利範圍第3項之化合物，其中X係選自由下列所組成之群組：C(R0)2且r等於0。
  5. 根據申請專利範圍第1至4項中任一項之化合物，其中該基團N(Ar)2為如申請專利範圍第1項中所定義的式(2)之基團A。
  6. 根據申請專利範圍第1至4項中任一項之化合物，其係選自(1-1)至(1-6)之化合物： 其中所使用之符號和標號具有如申請專利範圍第1項所給定之意義。
  7. 根據申請專利範圍第1至4項中任一項之化合 物，其係選自式(1-1a)至(1-6a)之化合物： 其中所使用之符號和標號具有如申請專利範圍第1項所給定之意義。
  8. 根據申請專利範圍第1至4項中任一項之化合物，其係選自式(1-1b)至(1-6b)之化合物 其中符號A具有與如申請專利範圍第1項中相同的意義。
  9. 根據申請專利範圍第1至4項中任一項之化合物，其中R在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組 成之群組：H、D、F、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中一或多個非相鄰CH2基團可經O置換且其中一或多個H原子可經F置換)、具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)。
  10. 根據申請專利範圍第1至4項中任一項之化合物，其中R2在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經O或S置換且其中一或多個H原子可經F置換)、具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)、具有5至24個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基(彼等可經一或多個R4基團取代)、具有5至24個芳族環原子之硫芳基或硫雜芳基(彼等可經一或多個R4基團取代)，其中二或多個相鄰取代基R2可隨意地形成單或多環的脂族環系統或芳族環系統(彼等可經一或多個R4基團取代)。
  11. 根據申請專利範圍第1至4項中任一項之化合物，其中R0在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至10個C原子之直 鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基(彼等各自可經一或多個R4基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰CH2基團可經O置換且其中一或多個H原子可經D、F或CN置換)、具有5至14個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(彼等在各情況下可經一或多個R4基團取代)，其中二個取代基R0可隨意地形成單環脂族環系統(彼等可經一或多個R4基團取代)。
  12. 根據申請專利範圍第1至4項中任一項之化合物，其中R0在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：H、具有1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個R4基團取代。
  13. 一種製備根據申請專利範圍第1至12項中任一項之化合物之方法，其中二芳胺基A和N(Ar)2係藉由1-或4-鹵化螺聯茀與二芳胺基A或N(Ar)2之C-N偶合反應引入。
  14. 一種調配物，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至12項中任一項之化合物及至少一種溶劑。
  15. 一種根據申請專利範圍第1至12項中任一項之化合物之用途，該化合物係用於電子裝置，特別是有機電致發光裝置。
  16. 一種電子裝置，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至12項中任一項之化合物，該電子裝置較佳地選自由下列所組成之群組：有機電致發光裝置、有機積體電 路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、有機太陽能電池、染料敏化有機太陽能電池、有機光學偵測器、有機感光器、有機場淬滅裝置、發光電化學電池、有機雷射二極體及有機電漿子發光裝置。
  17. 根據申請專利範圍第16項之電子裝置，其為有機電致發光裝置，其中使用根據申請專利範圍第1至12項中任一項之化合物作為電洞傳輸層或電洞注入層或激子阻擋層或電子阻擋層中之電洞傳輸材料或作為螢光或磷光發光體的基質材料。
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