CN110698351B - 电子器件的材料 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种电子器件的材料。具体地，本申请涉及一种包含一个或多个芳基氨基基团的菲化合物。所述化合物可用于电子器件，特别是OLED中。

Description

电子器件的材料
本申请是申请日为2015年2月9日、申请号为201580012243.X、发明名称为“电子器件的材料”的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本申请涉及一种电子器件的材料。具体地，本申请涉及一种下面详细限定的式(I)的菲基-芳基氨基化合物。该化合物优选用于电子器件中，更优选用于有机电致发光器件(OLED)中。
背景技术
该申请上下文中的电子器件被理解为是指包含有机半导体材料作为功能材料的所谓的有机电子器件。更特别地，这些被理解为是指OLED。
例如在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中描述了其中有机化合物被用作功能材料的OLED的结构。一般来讲，术语OLED被理解为是指如下的电子器件，其具有一个或多个包含有机化合物的层，并且在施加电压时发光。
具有空穴传输功能的层，例如空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层和发光层对于电子器件的性能数据有着极大的影响。
现有技术已知，三芳基胺可在上述层中用作具有空穴传输性质的材料。这些可为单三芳基胺，如在例如JP 1995/053955、WO 2006/123667和JP 2010/222268中所述的，或双低聚胺或其它低聚胺，如在例如US7504163或US 2005/0184657中所述的。作为用于OLED的具有空穴传输性质的材料的三芳基胺化合物的已知实例包括三-对-联苯胺、N,N‘-二-1-萘基-N,N‘-二苯基-1,1‘-联苯-4,4‘-二胺(NPB)和4,4‘,4“-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)。
此外，现有技术已知菲基-芳基氨基化合物在OLED中的用途，包括作为空穴传输材料的用途(WO 2013/182263和C.Schmitz等,Advanced Materials(高级材料)2011,11,821)。在所引文献中公开的菲衍生物全部在菲的3位处被芳基氨基基团取代。
即使上面所引的文献中公开的化合物很好地适用于电子器件中，仍需要用于该用途的新型化合物。更特别地，需要如下的化合物，其导致电子器件的性能数据的改进，尤其是导致寿命、效率和工作电压的改进。尤其对于在电子器件的空穴传输层中的用途，仍不断寻找具有相应性质的新材料。
发明内容
在与用于该用途的新型材料相关的研究过程中，现已经令人惊讶地发现，在菲基本骨架的1位或4位处具有至少一个芳基氨基基团且在下式(I)中详细限定的菲衍生物良好地适用于OLED中，尤其适用于空穴传输层中。
发现的所述化合物具有一种或多种选自如下的性质：非常良好的空穴传导性质，非常良好的电子阻挡性质，高的玻璃化转变温度，高的氧化稳定性，良好的溶解性，低的结晶性和高的热稳定性。
本发明提供了式(I)的化合物，
Figure BDA0002208818030000031
其中出现的符号如下：
R1在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，C(＝O)R6，CN，Si(R6)3，N(R6)2，P(＝O)(R6)2，OR6，S(＝O)R6，S(＝O)2R6，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2～20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，式(A)的基团
Figure BDA0002208818030000032
和式(B)的基团
Figure BDA0002208818030000033
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团各自可被一个或多个R6基团取代，并且其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被-R6C＝CR6-、-C≡C-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR6-、NR6、P(＝O)(R6)、-O-、-S-、SO或SO2代替，并且
其中在式(A)和式(B)中的每个中的标记有*的键指示与菲单元连接的键；
R2、R3在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，C(＝O)R6，CN，Si(R6)3，P(＝O)(R6)2，OR6，S(＝O)R6，S(＝O)2R6，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2～20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团各自可被一个或多个R6基团取代，并且
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被-R6C＝CR6-、-C≡C-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR6-、NR6、P(＝O)(R6)、-O-、-S-、SO或SO2；
R6在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，C(＝O)R7，CN，Si(R7)3，N(R7)2，P(＝O)(R7)2，OR7，S(＝O)R7，S(＝O)2R7，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2～20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R7基团取代的芳族环系，和具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R7基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团各自可被一个或多个R7基团取代，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被-R7C＝CR7-、-C≡C-、Si(R7)2、C＝O、C＝NR7、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR7-、NR7、P(＝O)(R7)、-O-、-S-、SO或SO2代替，并且
其中两个或更多个R6取代基可彼此连接并可形成环；
R7在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN和具有1～20个碳原子的脂族、芳族或杂芳族有机基团，其中一个或多个氢原子还可被D、F或CN代替；
Ar1在每种情况下相同或不同，并且选自具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的芳族环系，和具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的杂芳族环系；
Ar2在每种情况下相同或不同，并且选自具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的芳族环系，和具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的杂芳族环系；
R4在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，C(＝O)R6，CN，Si(R6)3，N(R6)2，P(＝O)(R6)2，OR6，S(＝O)R6，S(＝O)2R6，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2～20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团可各自被一个或多个R6基团取代，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被-R6C＝CR6-、-C≡C-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR6-、NR6、P(＝O)(R6)、-O-、-S-、SO或SO2代替，并且
其中两个或更多个R4取代基可彼此连接且可形成环；
X在每种情况下相同或不同，并且选自单键，BR5，C(R5)2，-C(R5)2-C(R5)2-，-C(R5)＝C(R5)-，-C(R5)2-O-，-C(R5)2-NR5-，Si(R5)2，C＝O，NR5，PR5，P(＝O)R5，O，S，S＝O，SO2和任选被R5基团取代的邻-亚苯基；
R5在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，C(＝O)R6，CN，Si(R6)3，N(R6)2，P(＝O)(R6)2，OR6，S(＝O)R6，S(＝O)2R6，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2～20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团各自可被一个或多个R6基团取代，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被-R6C＝CR6-、-C≡C-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR6-、NR6、P(＝O)(R6)、-O-、-S-、SO或SO2代替，并且
其中两个或更多个R5取代基可彼此连接且可形成环；
i在每种情况下相同或不同，并且是0或1，
其中式(I)化合物中的至少一个R1基团选自式(A)的基团和式(B)的基团。
该发明上下文中的芳基基团含有6～60个芳族环原子；该发明上下文中的杂芳基基团含有5～60个芳族环原子，其中至少一个是杂原子。所述杂原子优选选自N、O和S。这是基本的定义。如果在本发明的描述中例如关于芳族环原子或存在的杂原子的数目陈述了其它优选方式，则这些是可适用的。
芳基基团或杂芳基基团在此被理解为是指简单的芳族环，即苯，或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或稠合(缩合)的芳族或杂芳族多元环，例如萘、菲、喹啉或咔唑。
其中每个可被上述基团取代且可通过任何期望的位置与芳族或杂芳族体系连接的芳基或杂芳基基团尤其被理解为是指衍生自如下的基团：苯，萘，蒽，菲，芘，二氢芘，
Figure BDA0002208818030000061
苝，苯并菲，荧蒽，苯并蒽，苯并菲，并四苯，并五苯，苯并芘，呋喃，苯并呋喃，异苯并呋喃，二苯并呋喃，噻吩，苯并噻吩，异苯并噻吩，二苯并噻吩，吡咯，吲哚，异吲哚，咔唑，吡啶，喹啉，异喹啉，吖啶，菲啶，苯并-5,6-喹啉，苯并-6,7-喹啉，苯并-7,8-喹啉，吩噻嗪，吩
Figure BDA0002208818030000071
嗪，吡唑，吲唑，咪唑，苯并咪唑，萘并咪唑，菲并咪唑，吡啶并咪唑，吡嗪并咪唑，喹喔啉并咪唑，
Figure BDA0002208818030000072
唑，苯并
Figure BDA0002208818030000073
唑，萘并
Figure BDA0002208818030000074
唑，蒽并
Figure BDA0002208818030000075
唑，菲并
Figure BDA0002208818030000076
唑，异
Figure BDA0002208818030000077
唑，1,2-噻唑，1,3-噻唑，苯并噻唑，哒嗪，苯并哒嗪，嘧啶，苯并嘧啶，喹喔啉，吡嗪，吩嗪，萘啶，氮杂咔唑，苯并咔啉，菲咯啉，1,2,3-三唑，1,2,4-三唑，苯并三唑，1,2,3-
Figure BDA0002208818030000078
二唑，1,2,4-
Figure BDA0002208818030000079
二唑，1,2,5-
Figure BDA00022088180300000710
二唑，1,3,4-
Figure BDA00022088180300000711
二唑，1,2,3-噻二唑，1,2,4-噻二唑，1,2,5-噻二唑，1,3,4-噻二唑，1,3,5-三嗪，1,2,4-三嗪，1,2,3-三嗪，四唑，1,2,4,5-四嗪，1,2,3,4-四嗪，1,2,3,5-四嗪，嘌呤，蝶啶，吲嗪和苯并噻二唑。
该发明上下文中的芳族环系在环系中含有6～60个碳原子。该发明上下文中的杂芳族环系含有5～60个芳族环原子，其中至少一个是杂原子。所述杂原子优选选自N、O和/或S。该发明上下文中的芳族或杂芳族环系应被理解为是指如下体系，其不一定仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中多个芳基或杂芳基基团也可以通过单键或非芳族单元，例如一个或多个任选取代的C、Si、N、O或S原子键合。在这种情况下，基于所述体系中非H原子的总数，所述非芳族单元优选包含小于10％的非H原子。例如，诸如9,9’-螺二芴、9,9’-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚和茋的体系也应视为该发明上下文中的芳族环系，同样其中两个或更多个芳基基团通过例如直链或环状的烷基、烯基或炔基基团或通过甲硅烷基基团连接的体系也应视为该发明上下文中的芳族环系。此外，其中两个或更多个芳基或杂芳基基团通过单键彼此连接的体系，例如诸如联苯、三联苯或二苯基三嗪的体系，也被视为该发明上下文中的芳族或杂芳族环系。
具有5～60个芳族环原子且在每种情况下还可被如上定义的基团取代且可通过任何期望的位置与芳族或杂芳族体系连接的芳族或杂芳族环系尤其被理解为是指衍生自以上在芳基和杂芳基基团下提到的基团的基团，以及衍生自如下的基团：联苯，三联苯，四联苯，芴，螺二芴，二氢菲，二氢芘，四氢芘，茚并芴，三聚茚，异三聚茚，螺三聚茚，螺异三聚茚，茚并咔唑或这些基团的组合。
该本发明的上下文中，其中单独的的氢原子或CH2基团还可被以上在基团的定义中提到的基团取代的具有1～40个碳原子的直链烷基基团和具有3～40个碳原子的支链或环状的烷基基团和具有2～40个碳原子的烯基或炔基基团优选被理解为是指甲基，乙基，正丙基，异丙基，正丁基，异丁基，仲丁基，叔丁基，2-甲基丁基，正戊基，仲戊基，环戊基，新戊基，正己基，环己基，新己基，正庚基，环庚基，正辛基，环辛基，2-乙基己基，三氟甲基，五氟乙基，2,2,2-三氟乙基，乙烯基，丙烯基，丁烯基，戊烯基，环戊烯基，己烯基，环己烯基，庚烯基，环庚烯基，辛烯基，环辛烯基，乙炔基，丙炔基，丁炔基，戊炔基，己炔基或辛炔基基团。具有1～40个碳原子的烷氧基或硫代烷基基团优选被理解为是指甲氧基，三氟甲氧基，乙氧基，正丙氧基，异丙氧基，正丁氧基，异丁氧基，仲丁氧基，叔丁氧基，正戊氧基，仲戊氧基，2-甲基丁氧基，正己氧基，环己氧基，正庚氧基，环庚氧基，正辛氧基，环辛氧基，2-乙基己氧基，五氟乙氧基，2,2,2-三氟乙氧基，甲硫基，乙硫基，正丙硫基，异丙硫基，正丁硫基，异丁硫基，仲丁硫基，叔丁硫基，正戊硫基，仲戊硫基，正己硫基，环己硫基，正庚硫基，环庚硫基，正辛硫基，环辛硫基，2-乙基己硫基，三氟甲硫基，五氟乙硫基，2,2,2-三氟乙硫基，乙烯硫基，丙烯硫基，丁烯硫基，戊烯硫基，环戊烯硫基，己烯硫基，环己烯硫基，庚烯硫基，环庚烯硫基，辛烯硫基，环辛烯硫基，乙炔硫基，丙炔硫基，丁炔硫基，戊炔硫基，己炔硫基，庚炔硫基或辛炔硫基。
在本申请的上下文中，两个或更多个基团可一起形成环的措辞应被理解为尤其是指两个基团通过化学键彼此连接。然而，此外，上述措辞还应被理解为是指，如果两个基团之一是氢，则第二个基团结合至所述氢原子键合的位置处，从而成环。
优选地，所述式(I)的化合物除所述菲基团外不含任何另外的具有超过10个芳族环原子的稠合芳基基团。更优选地，所述式(1)的化合物除所述菲基团外不含有任何另外的具有超过10个芳族环原子的稠合芳基基团或任何具有超过12个芳族环原子的稠合杂芳基基团。
本申请上下文中的术语“稠合芳基或杂芳基基团”被理解为是指由两个或更多个彼此稠合的简单芳族或杂芳族环构成的基团。稠合芳基基团的实例是萘、蒽和菲。稠合杂芳基基团的实例是吖啶和菲啶。
优选地，式(I)化合物中的至少一个R1基团选自式(A)的基团。更优选地，式(I)化合物中的正好一个R1基团选自式(A)的基团，或式(I)化合物中的正好两个R1基团选自式(A)的基团。
优选地，式(I)化合物中的正好一个R1基团选自式(A)的基团和式(B)的基团，或式(I)化合物中的正好两个R1基团选自式(A)的基团和式(B)的基团。
如果式(I)化合物中正好两个R1基团选自式(A)的基团和式(B)的基团，则优选地，这些R1基团中的正好一个在菲的1位处键合，和这些R1基团中的正好一个在菲的4位处键合。
此外，优选排除以下情况：其中在菲的4位处的一个R1基团和在菲的5位处的一个R1基团两者均选自式(A)的基团和式(B)的基团。
此外，优选排除以下情况：其中在菲的1位处的一个R1基团和在菲的8位处的一个R1基团两者均选自式(A)的基团和式(B)的基团。
在本申请上下文中的菲基本骨架中的位置编号如下：
Figure BDA0002208818030000101
优选每个式(B)的基团中一个或两个标记i是1，特别优选每个式(B)的基团中正好一个标记i是1。
最优选地，标记i在每种情况下为0。
(A)基团的优选实施方式选自下式(A-1)～(A-7)：
Figure BDA0002208818030000102
Figure BDA0002208818030000111
其各自可在空白位置处被R4基团取代，并且其中标记有*的键表示与菲基基本骨架连接的位置。
其中，特别优选式(A-1)。
(B)基团的优选实施方式选自下式(B-1)～(B-15)：
Figure BDA0002208818030000112
Figure BDA0002208818030000121
Figure BDA0002208818030000131
其各自可在空白位置处被R4基团取代，并且其中标记有*的键表示与菲基基本骨架连接的位置。
其中，特别优选式(B-1)。
优选地，Ar1在每种情况下相同或不同，并且选自具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的杂芳族环系。更优选地，Ar1在每种情况下相同或不同，并且选自具有12～24个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的芳族环系。
优选地，式(A)或(B)中的键合至同一氮原子的两个Ar1基团不同。
优选地，Ar1基团各自含有至少一个选自如下的基团：苯，萘，菲，荧蒽，联苯，三联苯，四联苯，芴，螺二芴，呋喃，苯并呋喃，异苯并呋喃，二苯并呋喃，噻吩，苯并噻吩，异苯并噻吩，二苯并噻吩，吲哚，异吲哚，咔唑，吲哚并咔唑，茚并咔唑，吡啶，喹啉，异喹啉，吖啶，菲啶，苯并咪唑，嘧啶，吡嗪和三嗪，其中提到的基团各自可被一个或多个R4基团取代。
优选地，Ar1选自下式(Ar1-1)～(Ar1-59)的基团：
Figure BDA0002208818030000141
Figure BDA0002208818030000151
Figure BDA0002208818030000161
Figure BDA0002208818030000171
Figure BDA0002208818030000181
其中标记有*的键在每种情况下表示与氮原子连接的键，并且其中所述基团可在其空白位置处带有R4基团。
优选地，Ar2在每种情况下相同或不同，并且选自具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的杂芳族环系。更优选地，Ar2在每种情况下相同或不同，并且选自具有6～13个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的芳族环系。
优选地，Ar2选自下式(Ar2-1)～(Ar2-14)的基团：
Figure BDA0002208818030000182
Figure BDA0002208818030000191
其中所述基团各自可在空白位置处被R4基团取代，并且其中标记有*的键各自指示与化合物的剩余部分连接的键。
X基团优选选自单键，C(R5)2，-C(R5)2-C(R5)2-，-C(R5)＝C(R5)-，Si(R5)2，C＝O，NR5，O，S，S＝O，SO2和任选被R5基团取代的邻-亚苯基。
R1优选在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，Si(R6)3，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，如上定义的式(A)的基团和式(B)的基团，
其中提到的烷基和烷氧基基团各自可被一个或多个R6基团取代，并且其中提到的烷基和烷氧基基团中的一个或多个CH2基团可被-C≡C-、-R6C＝CR6-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-NR6-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR6-代替。
R2、R3优选在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，Si(R6)3，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基和烷氧基基团各自可被一个或多个R6基团取代，并且其中提到的烷基和烷氧基基团中的一个或多个CH2基团可被-C≡C-、-R6C＝CR6-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-NR6-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR6-代替。
R4和R5优选在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，Si(R6)3，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基和烷氧基基团各自可被一个或多个R6基团取代，并且其中提到的烷基和烷氧基基团中的一个或多个CH2基团可被-C≡C-、-R6C＝CR6-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-NR6-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR6-代替。
作为C(R5)2、-C(R5)2-C(R5)2-、-C(R5)＝C(R5)-、Si(R5)2和NR5基团的组成部分的R5基团优选选自具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系。
R6优选在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，Si(R7)3，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R7基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R7基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基和烷氧基基团各自可被一个或多个R7基团取代，并且其中提到的烷基和烷氧基基团中的一个或多个CH2基团可被-C≡C-、-R7C＝CR7-、Si(R7)2、C＝O、C＝NR7、-NR7-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR7-代替。
式(I)化合物的优选实施方式对应于下式(I-1)～(I-24)：
Figure BDA0002208818030000221
Figure BDA0002208818030000231
Figure BDA0002208818030000241
Figure BDA0002208818030000251
Figure BDA0002208818030000261
其中出现的基团如上限定的，并且
R1在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，C(＝O)R6，CN，Si(R6)3，N(R6)2，P(＝O)(R6)2，OR6，S(＝O)R6，S(＝O)2R6，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2～20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团各自可被一个或多个R6基团取代，并且
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被-R6C＝CR6-、-C≡C-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR6-、NR6、P(＝O)(R6)、-O-、-S-、SO或SO2代替。
在式(I-1)～(I-24)中，优选式(I-1)、(I-2)、(I-9)和(I-10)，特别优选式(I-1)和(I-2)。
优选的式(I-1)～(I-24)与Ar1、Ar2、X、R1～R6基团的优选实施方式的组合是特别优选的。
对于式(I-1)～(I-24)，特别优选R1、R2和R3基团在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，Si(R6)3，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基和烷氧基基团各自可被一个或多个R6基团取代，并且其中提到的烷基或烷氧基基团中的一个或多个CH2基团可被-C≡C-、-R6C＝CR6-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-NR6-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR6-代替。非常特别优选地，R1、R2和R3基团在每种情况下相同或不同，并且选自H，F，CN，Si(R6)3，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系。
式(I)化合物的实例在下面描绘：
Figure BDA0002208818030000281
Figure BDA0002208818030000291
Figure BDA0002208818030000301
Figure BDA0002208818030000311
Figure BDA0002208818030000321
Figure BDA0002208818030000331
通过现有技术已知的方法和反应类型，例如卤化、Buchwald偶联、Ullmann偶联和Suzuki偶联，可进行本发明化合物的合成。
方案1示出了制备本发明化合物的优选合成路径。为了该目的，使菲化合物A与式Ar-NH-Ar的胺B在Buchwald偶联中反应，或者使其与式Ar2N-Ar-B(OR)3的硼酸衍生物C在Suzuki偶联中反应。
方案1
Figure BDA0002208818030000341
Y＝离去基团，例如卤素，三氟甲磺酸酯
Ar＝芳族或杂芳族环系
R＝有机基团
通过类似的路径(方案2)，可以制备本发明的如下化合物，其在菲的1位处被芳基氨基基团取代，或在该位置处被带有芳基氨基基团的芳基基团取代。为了该目的，原料为在1位处被离去基团取代的菲衍生物D。
方案2
Figure BDA0002208818030000351
Y＝离去基团，例如卤素，三氟甲磺酸酯
Ar＝芳族或杂芳族环系
R＝有机基团
在本发明化合物的合成中使用的起始化合物A和D的合成路径为本领域技术人员已知。此外，在实施例中，详细例示了一些明确的合成方法。
如在实施例中所示的，可以通过使用一个在菲的1位处和一个在菲的4位处的两个离去基团，来制备具有两个芳基氨基基团的式(I)化合物。同样如在实施例中所示的，通过使用两种不同的离去基团，可以制备在1位和4位处具有两种不同芳基氨基基团的式(I)化合物。
因此，该发明还提供制备式(I)化合物的方法，其特征在于使在1位和/或4位处被离去基团取代的菲化合物与二芳基氨基化合物或与被离去基团取代的三芳基氨基化合物在偶联反应中反应。
所述离去基团优选选自卤素，优选为Br或I，硼酸基团，硼酸酯基团和磺酸酯基团，优选为三氟磺酸酯基团。在菲化合物与三芳基氨基化合物的反应中，特别优选硼酸基团和硼酸酯基团。
在菲化合物与二芳基氨基化合物的反应中的偶联反应优选选自Buchwald偶联反应。在菲化合物与三芳基氨基化合物的反应中的偶联反应优选选自Suzuki反应。
上述化合物，尤其被反应性离去基团如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯取代的化合物可用作制备相应的低聚物、树枝状大分子或聚合物的单体。合适的反应性离去基团例如为溴，碘，氯，硼酸，硼酸酯，胺，具有末端C-C双键或C-C三键的烯基或炔基基团，氧杂环丙烷，氧杂环丁烷，进行环加成例如1,3-偶极环加成的基团，例如二烯或叠氮化物，羧酸衍生物，醇和硅烷。
因此，该发明还提供了含有一种或多种式(I)化合物的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中一个或多个与所述聚合物、低聚物或树枝状大分子连接的键可位于式(I)中被R1、R2、R3、R4、R5、R6或R7取代的任何期望位置处。根据式(I)化合物的连接，该化合物是低聚物或聚合物的侧链的一部分或主链的一部分。该发明上下文中的低聚物被理解为是指由至少三个单体单元形成的化合物。在该发明上下文中的聚合物被理解为是指由至少十个单体单元形成的化合物。该发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子可以是共轭的、部分共轭的或非共轭的。该发明的低聚物或聚合物可以是直链、支链或树枝状的。在具有直链连接的结构中，式(I)的单元可彼此直接连接，或它们可通过二价基团，例如通过取代或未取代的亚烷基基团，通过杂原子或通过二价的芳族或杂芳族基团彼此连接。在支链和树枝状的结构中，例如，三个或更多个式(I)的单元可通过三价或更高价的基团，例如通过三价或更高价的芳族或杂芳族基团连接，从而给出支链或树枝状的低聚物或聚合物。
对于低聚物、树枝状大分子和聚合物中的式(I)的重复单元，如上对于式(I)化合物所述的相同的优选方式是适用的。
为了制备所述低聚物或聚合物，可以使该发明的单体均聚或与另外的单体共聚。合适且优选的共聚单体选自芴(例如根据EP 842208或WO 2000/22026)，螺二芴(例如根据EP 707020，EP 894107或WO 2006/061181)，对亚苯基(例如根据WO 1992/18552)，咔唑(例如根据WO 2004/070772或WO 2004/113468)，噻吩(例如根据EP 1028136)，二氢菲(例如根据WO 2005/014689或WO 2007/006383)，顺式-和反式-茚并芴(例如根据WO 2004/041901或WO 2004/113412)，酮(例如根据WO 2005/040302)，菲(例如根据WO 2005/104264或WO2007/017066)，或多个这些单元。所述聚合物、低聚物和树枝状大分子通常还含有另外的单元，例如发光(荧光或磷光)单元，例如乙烯基三芳基胺(例如根据WO 2007/068325)或磷光金属络合物(例如根据WO 2006/003000)，和/或电荷传输单元，尤其是基于三芳基胺的那些。
该发明的聚合物、低聚物和树枝状大分子具有有利的性质，尤其是高寿命、高效率和良好的颜色坐标。
该发明的聚合物和低聚物通常通过一种或多种单体类型的聚合进行制备，其中至少一种单体导致聚合物中式(I)的重复单元。合适的聚合反应为本领域技术人员所知并且在文献中进行了描述。导致C-C和C-N键的特别合适且优选的聚合反应如下：
(A)SUZUKI聚合；
(B)YAMAMOTO聚合；
(C)STILLE聚合；和
(D)HARTWIG-BUCHWALD聚合。
可通过这些方法进行聚合的方式和之后可从反应介质中分离聚合物并进行纯化的方式对于本领域技术人员是已知的并且在文献中，例如在WO 2003/048225、WO 2004/037887和WO 2004/037887中进行了详细说明。
为了从液相中例如通过旋涂或通过印刷方法处理本发明的化合物，需要本发明的化合物的制剂。这些制剂可以例如为溶液、分散体或乳液。为了该目的，可以优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适且优选的溶剂例如为甲苯，苯甲醚，邻-、间-、或对-二甲苯，苯甲酸甲酯，均三甲苯，萘满，邻二甲氧基苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二
Figure BDA0002208818030000381
烷，苯氧基甲苯，特别是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，异丙苯，环己醇，环己酮，环己基苯，十氢化萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚满，苯甲酸甲酯，NMP，对甲基异丙基苯，苯乙醚，1,4-二异丙基苯，二苄醚，二乙二醇丁甲醚，三乙二醇丁甲醚，二乙二醇二丁醚，三乙二醇二甲醚，二乙二醇单丁醚，三丙二醇二甲醚，四乙二醇二甲醚，2-异丙基萘，戊苯，己苯，庚苯，辛苯，1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷，或这些溶剂的混合物。
因此，本发明还提供制剂，尤其是溶液，分散体或乳液，其包含至少一种式(I)的化合物或至少一种含有至少一种式(I)单元的聚合物、低聚物或树枝状大分子，和至少一种溶剂，优选有机溶剂。可制备这种溶液的方式对于本领域技术人员是已知的并且例如在WO2002/072714、WO 2003/019694和其中引用的文献中进行了说明。
该发明的化合物适用于电子器件中，尤其适用于有机电致发光器件(OLED)中。取决于取代，所述化合物用于不同的功能和层中。
因此，本发明还提供式(I)的化合物在电子器件中的用途。该电子器件优选选自有机集成电路(OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机太阳能电池(OSC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(OFQD)、有机发光电化学电池(OLEC)、有机激光二极管(O-laser)，更优选有机电致发光器件(OLED)。
如上面已经阐述的，该发明还提供包含至少一种式(I)化合物的电子器件。该电子器件优选选自上述器件。
所述电子器件更优选是包含阳极、阴极和至少一个发光层的有机电致发光器件(OLED)，其特征在于可以为发光层、空穴传输层或其它层的所述至少一个有机层包含至少一种式(I)的化合物。
除了阴极、阳极和发光层外，所述有机电致发光器件可还包含另外的层。例如，这些在每种情况下选自一个或多个空穴注入层，空穴传输层，空穴阻挡层，电子传输层，电子注入层，电子阻挡层，激子阻挡层，中间层，电荷产生层(IDMC 2003,中国台湾；Session21OLED(5),T.Matsumoto,T.Nakada,J.Endo,K.Mori,N.Kawamura,A.Yokoi,J.Kido,具有电荷产生层的多光子有机EL器件(Multiphoton Organic EL Device Having ChargeGeneration Layer))和/或有机或无机p/n结。
包含式(I)化合物的有机电致发光器件的层的顺序优选如下：阳极-空穴注入层-空穴传输层-任选另外的空穴传输层-任选电子阻挡层-发光层-电子传输层-电子注入层-阴极。
然而，提到的所有层不需要都存在，并且还可存在另外的层。
该发明的有机电致发光器件可含有两个或更多个发光层。更优选地，在这种情况下这些发光层总共具有多个在380nm和750nm之间的发光峰值，使得总体结果是白色发光；换句话讲，将可发荧光或发磷光并且发射蓝光或黄光或橙光或红光的多种发光化合物用于发光层中。尤其优选三层体系，即具有三个发光层的体系，其中所述三个层显示蓝色、绿色和橙色或红色发光(对于基本结构，例如参见WO 2005/011013)。该发明的化合物优选存在于在空穴传输层、空穴注入层或电子阻挡层中。
根据该发明，优选式(I)的化合物用于包含一种或多种磷光发光化合物的电子器件中。在这种情况下，该化合物可存在于不同的层中，优选存在于空穴传输层、电子阻挡层、空穴注入层中，或存在于发光层中。
术语“磷光发光化合物”通常涵盖其中通过自旋禁阻跃迁，例如从激发三重态或具有更高自旋量子数的状态如五重态的跃迁实现发光的化合物。
合适的磷光发光化合物(＝三重态发光体)尤其是如下化合物，其在被合适地激发时发光，优选在可见光区发光，并且还含有至少一个原子序数大于20、优选大于38且小于84、更优选大于56且小于80的原子。优选使用含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，尤其是含有铱、铂或铜的化合物作为磷光发光化合物。
在本发明的上下文中，所有发光的铱、铂或铜络合物都被视为磷光发光化合物。
上述发光化合物的实例可在申请WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373和US 2005/0258742中找见。一般来讲，根据现有技术用于磷光OLED和在有机电致发光器件领域中为本领域技术人员已知的所有磷光络合物都是合适的。本领域技术人员也将能够在不付出创造性劳动的情况下，将另外的磷光络合物与式(I)的化合物组合用于有机电致发光器件中。另外的实例列于下面的表中。
根据该发明，也可以在包含一种或多种荧光发光化合物的电子器件中使用式(1)的化合物。
在该发明的一种优选实施方式中，式(I)的化合物被用作空穴传输材料。在这种情况下，所述化合物优选存在于空穴传输层、电子阻挡层或空穴注入层中。
根据本申请的空穴传输层是在阳极和发光层之间的具有空穴传输功能的层。
空穴注入层和电子阻挡层在本发明的上下文中被理解为空穴传输层的特定实施方式。在阳极和发光层之间有多个空穴传输层的情况下，空穴注入层是与阳极直接相邻或与其仅由阳极的单个涂层隔开的空穴传输层。在阳极和发光层之间有多个空穴传输层的情况下，电子阻挡层是在阳极侧与发光层直接相邻的空穴传输层。
如果式(I)的化合物被用作空穴传输层、空穴注入层或电子阻挡层中的空穴传输材料，则所述化合物可作为纯材料，即，以100％的比例用于空穴传输层中，或其可以与一种或多种另外的化合物组合使用。在一种优选实施方式中，包含式(I)化合物的有机层还另外含有一种或多种p型掺杂剂。根据本发明使用的p型掺杂剂优选是那些能够氧化混合物中的其它化合物中的一种或多种的有机电子受体化合物。
p型掺杂剂的特别优选的实施方式是在WO 2011/073149、EP 1968131、EP2276085、EP 2213662、EP 1722602、EP 2045848、DE 102007031220、US 8044390、US8057712、WO 2009/003455、WO 2010/094378、WO 2011/120709、US 2010/0096600和WO2012/095143中公开的化合物。
特别优选的p型掺杂剂是醌二甲烷化合物，氮杂茚并芴二酮，氮杂非那烯，氮杂苯并菲，I2，金属卤化物，优选过渡金属卤化物，金属氧化物，优选含至少一种过渡金属或第3主族金属的金属氧化物，和过渡金属络合物，优选Cu、Co、Ni、Pd和Pt与含至少一个氧原子作为键合位点的配体的络合物。另外，优选过渡金属氧化物作为掺杂剂，优选铼、钼和钨的氧化物，更优选Re2O7、MoO3、WO3和ReO3。
所述p型掺杂剂优选在p型掺杂层中基本上均匀地分布。这可通过例如p型掺杂剂和空穴传输材料基质的共蒸发实现。
优选的p型掺杂剂尤其是以下化合物：
Figure BDA0002208818030000421
Figure BDA0002208818030000431
在该发明的另一个优选实施方式中，式(I)的化合物被用作空穴传输材料，与如在US 2007/0092755中所述的六氮杂苯并菲衍生物组合。在此，特别优选在单独的层中使用六氮杂苯并菲衍生物。
在本发明的另一个实施方式中，式(I)的化合物被用作基质材料，与一种或多种发光化合物、优选磷光发光化合物组合。
在这种情况下，基质材料在发光层中的比例对于荧光发光层来讲在50.0体积％和99.9体积％之间，优选在80.0体积％和99.5体积％之间，更优选在92.0体积％和99.5体积％之间，对于磷光发光层来讲在85.0体积％和97.0体积％之间。
相应地，发光化合物的比例对于荧光发光层来讲在0.1体积％和50.0体积％之间，优选在0.5体积％和20.0体积％之间，更优选在0.5体积％和8.0体积％之间，对于磷光发光层来讲在3.0体积％和15.0体积％之间。
有机电致发光器件的发光层也可包括如下的体系，其包含多种基质材料(混合基质体系)和/或多种发光化合物。另外在该情况下，发光化合物通常为在体系中具有较小比例的那些化合物，而基质材料为在体系中具有较大比例的那些化合物。然而，在个别情况下，在体系中单种基质材料的比例可以小于单种发光化合物的比例。
优选地，式(I)的化合物被用作混合基质体系的组分。所述混合基质体系优选包含两种或三种不同的基质材料，更优选两种不同的基质材料。优选地，在这种情况下，两种材料中的一种为具有空穴传输性质的材料，而另一种为具有电子传输性质的材料。式(I)的化合物优选为具有空穴传输性质的材料。然而，混合基质组分的期望的电子传输和空穴传输性质还可主要地或完全地组合在单种的混合基质组分中，在该情况下另外的一种或多种混合基质组分满足其它功能。所述两种不同的基质材料可以以1:50～1:1、优选1:20～1:1、更优选1:10～1:1、最优选1:4～1:1的比存在。优选在磷光有机电致发光器件中使用混合基质体系。关于混合基质体系的更详细信息的一个来源是申请WO 2010/108579。
所述混合基质体系可包含一种或多种发光化合物，优选一种或多种磷光发光化合物。一般来讲，混合基质体系优选用于磷光有机电致发光器件中。
根据在混合基质体系中使用的发光化合物的类型，可与该发明的化合物组合用作混合基质体系的基质组分的特别合适的基质材料选自下文对于磷光发光化合物描述的优选基质材料或荧光发光化合物的优选基质材料。
用于混合基质体系的优选磷光发光化合物列于下面的表中。
在本发明的另一个实施方式中，式(I)的化合物被用作OLED的发光层中的发光化合物。在这种情况下，其优选是荧光发光化合物，更优选是蓝色荧光发光化合物。
当式(I)的化合物被用作OLED的发光层中的发光化合物时，其优选与一种或多种基质材料组合使用，更优选以发光化合物和基质材料的上述优选比例组合使用。在这种情况下，优选的基质材料是通常由本领域技术人员用作荧光发光化合物的基质材料的化合物。优选化合物类别的实例在下面的部分中列出。
在下文中列出电子器件中不同功能材料的优选实施方式。
优选的磷光发光化合物是上述化合物和下表中示出的化合物：
Figure BDA0002208818030000451
Figure BDA0002208818030000461
Figure BDA0002208818030000471
Figure BDA0002208818030000481
Figure BDA0002208818030000491
Figure BDA0002208818030000501
Figure BDA0002208818030000511
Figure BDA0002208818030000521
Figure BDA0002208818030000531
除式(I)的化合物外，优选的荧光发光化合物选自芳基胺类。该发明上下文中的芳基胺或芳族胺被理解为是指含有三个与氮直接键合的取代或未取代的芳族或杂芳族环系的化合物。优选地，这些芳族或杂芳族环系中的至少一个优选为稠合环系，更优选具有至少14个芳族环原子的稠合环系。这些的优选实例为芳族蒽胺，芳族蒽二胺，芳族芘胺，芳族芘二胺，芳族
Figure BDA0002208818030000541
胺或芳族
Figure BDA0002208818030000542
二胺。芳族蒽胺被理解为是指其中一个二芳基氨基基团优选在9位处与蒽基团直接键合的化合物。芳族蒽二胺被理解为是指其中两个二芳基氨基基团优选在9,10位处与蒽基团直接键合的化合物。类似地定义芳族的芘胺、芘二胺、
Figure BDA0002208818030000543
胺和
Figure BDA0002208818030000544
二胺，其中二芳基氨基基团优选在1位或1,6位处与芘键合。另外优选的发光化合物是茚并芴胺或茚并芴二胺，例如根据WO 2006/108497或WO 2006/122630的，苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺，例如根据WO 2008/006449的，和二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺，例如根据WO2007/140847的，和在WO 2010/012328中公开的具有稠合芳基基团的茚并芴衍生物。同样优选的是在WO 2012/048780中和在WO 2013/185871中公开的芘芳基胺。同样优选的是在WO2014/037077中公开的苯并茚并芴胺，在WO 2014/106522中公开的苯并芴胺和在WO 2014/111269中公开的扩展的苯并芴胺。
优选用于荧光发光化合物的有用的基质材料包括多种物质类别的材料。优选的基质材料选自如下类别：低聚亚芳基(例如根据EP 676461的2,2’,7,7’-四苯基螺二芴，或二萘基蒽)，尤其是含有稠合芳族基团的低聚亚芳基，低聚亚芳基亚乙烯基(例如根据EP676461的DPVBi或螺-DPVBi)，多足金属络合物(例如根据WO 2004/081017)，空穴传导化合物(例如根据WO 2004/058911)，电子传导化合物，尤其是酮、氧化膦、亚砜等(例如根据WO2005/084081和WO 2005/084082)，阻转异构体(例如根据WO 2006/048268)，硼酸衍生物(例如根据WO 2006/117052)，或苯并蒽(例如根据WO 2008/145239)。特别优选的基质材料选自如下类别：包含萘、蒽、苯并蒽和/或芘或这些化合物的阻转异构体的低聚亚芳基，低聚亚芳基亚乙烯基，酮，氧化膦和亚砜。非常特别优选的基质材料选自如下的类别：包含蒽、苯并蒽、苯并菲和/或芘或这些化合物的阻转异构体的低聚亚芳基。该发明上下文中的低聚亚芳基应被理解为是指其中至少三个芳基或亚芳基基团彼此键合的化合物。另外，优选在WO2006/097208、WO 2006/131192、WO 2007/065550、WO 2007/110129、WO 2007/065678、WO2008/145239、WO 2009/100925、WO 2011/054442和EP 1553154中公开的蒽衍生物，和在EP1749809、EP 1905754和US 2012/0187826中公开的芘化合物。
除式(I)的化合物外，磷光发光化合物的优选基质材料是芳族酮，芳族氧化膦或芳族亚砜或芳族砜，例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680的，三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-双咔唑基联苯)或在WO 2005/039246、US2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中公开的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746的，茚并咔唑衍生物，例如根据WO 2010/136109、WO 2011/000455或WO 2013/041176的，氮杂咔唑衍生物，例如根据EP1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的，双极性基质材料，例如根据WO2007/137725的，硅烷，例如根据WO 2005/111172的，氮杂硼杂环戊二烯或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052的，三嗪衍生物，例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746的，锌络合物，例如根据EP 652273或WO 2009/062578的，二氮杂硅杂环戊二烯或四氮杂硅杂环戊二烯衍生物，例如根据WO 2010/054729的，二氮杂磷杂环戊二烯衍生物，例如根据WO 2010/054730的，桥连咔唑衍生物，例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080的，苯并菲衍生物，例如根据WO 2012/048781的，或内酰胺，例如根据WO 2011/116865或WO 2011/137951的。
除式(I)的化合物外，可用于本发明的电子器件的空穴注入或空穴传输层或电子阻挡层中或用于电子传输层中的合适的电荷传输材料例如为在Y.Shirota等,化学评论(Chem.Rev.)2007,107(4),953-1010中公开的化合物或根据现有技术用于这些层中的其它材料。
用于电子传输层的材料可为根据现有技术用作电子传输层中的电子传输材料的任何材料。尤其合适的是铝络合物，例如Alq3，锆络合物，例如Zrq4，锂络合物，例如Liq，苯并咪唑衍生物，三嗪衍生物，嘧啶衍生物，吡啶衍生物，吡嗪衍生物，喹喔啉衍生物，喹啉衍生物，
Figure BDA0002208818030000561
二唑衍生物，芳族酮，内酰胺，硼烷，二氮杂磷杂环戊二烯衍生物和氧化膦衍生物。另外的合适材料是上述化合物的衍生物，如在JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975和WO 2010/072300中所公开的。
所述电子器件的阴极优选是具有低逸出功的金属，金属合金或多层结构，其由多种金属，例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)组成。另外合适的是由碱金属或碱土金属和银组成的合金，例如由镁和银组成的合金。在多层结构的情况下，除提到的金属外，也可以使用另外的具有相对高逸出功的金属例如Ag或Al，在该情况下，通常使用金属的组合，例如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag。还可以优选在金属阴极和有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。可用于该目的的材料的实例是碱金属或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如，LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3等)。还可将喹啉锂(LiQ)用于该目的。该层的层厚度优选在0.5nm和5nm之间。
优选的阳极是具有高逸出功的材料。优选地，阳极具有相对于真空大于4.5eV的逸出功。首先，具有高氧化还原电位的金属，例如Ag、Pt或Au适合于这一目的。其次，还可以优选金属/金属氧化物电极(例如Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)。对于一些应用，所述电极中的至少一个必须是透明或部分透明的，以实现有机材料的辐射(有机太阳能电池)或光的发射(OLED，O-LASER)。此处优选的阳极材料是导电的混合金属氧化物。特别优选氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。另外优选导电的掺杂有机材料，尤其是导电的掺杂聚合物。此外，阳极也可由两个或更多个层构成，例如由ITO的内层和金属氧化物，优选氧化钨、氧化钼或氧化钒的外层构成。
将所述器件(根据应用)适当地结构化，接触连接并且最后密封，以便排除由水和空气导致的损害作用。
在一种优选的实施方式中，所述电子器件的特征在于通过升华方法涂布一个或多个层。在这种情况下，在真空升华系统中在小于10-5毫巴、优选小于10-6毫巴的初始压力下通过气相沉积施加所述材料。然而，在这种情况下初始压力也可以甚至更低，例如低于10-7毫巴。
同样优选如下的电子器件，其特征在于通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华来涂布一个或多个层。在这种情况下，在10-5毫巴和1巴之间的压力下施加所述材料。该方法的一个特例是OVJP(有机蒸气喷印)方法，其中所述材料通过喷嘴直接施加并且因此是结构化的(例如M.S.Arnold等,Appl.Phys.Lett.(应用物理快报)2008,92,053301)。
此外优选如下的电子器件，其特征在于从溶液中，例如通过旋涂，或通过任何印刷方法例如丝网印刷、柔性版印刷、喷嘴印刷或平版印刷，但更优选LITI(光引发热成像，热转印)或喷墨印刷，来产生一个或多个层。为了该目的，需要可溶性的式(I)化合物。可以通过所述化合物的合适取代实现高的溶解性。
另外优选通过从溶液中施加一个或多个层和通过升华方法施加一个或多个层来制造该发明的电子器件。
根据该发明，包含一种或多种式(I)化合物的电子器件可用于显示器中，用作照明应用中的光源，和用作医学和/或美容应用(例如，光疗法)中的光源。
具体实施方式
实施例
A)合成实施例
A-1)(1)型化合物
联苯-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)菲-4-基胺(1-1)的合成
Figure BDA0002208818030000581
中间体：三氟甲磺酸菲-4-基酯
将20g(103毫摩尔)的4-羟基菲(CAS号：7651-86-7，合成描述于Tetrahedron(四面体)2010,66(12),2111中)和42.8mL的吡啶(309毫摩尔)溶于130mL的CH2Cl2中。在5℃下，添加21.2mL(128毫摩尔)的三氟甲磺酸酐。将混合物搅拌另外5小时。随后，将混合物在CH2Cl2和水之间分配，并且将有机相用水洗涤三次并在Na2SO4上干燥，并且通过旋转蒸发浓缩。在将粗产物经硅胶用甲苯过滤后，将剩余残余物从庚烷/甲苯中重结晶。产率为29.4g(理论的87％)。
联苯-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)菲-4-基胺(1-1)
将29.4g的三氟甲磺酸酯(90毫摩尔)和32.6g的联苯-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺(90毫摩尔)溶于340mL的甲苯中。将溶液脱气并用N2饱和。其后，添加2.2g(5.4毫摩尔)的SPhos(2-双环己基膦-2’,6’-二甲氧基联苯)和4.13g的钯-dba(4.5毫摩尔)。随后，添加17.3g的叔丁醇钠(180毫摩尔)。将反应混合物在保护性气氛下加热至85℃，持续4小时。随后，将混合物在甲苯和水之间分配，并且将有机相用水洗涤三次并在Na2SO4上干燥，并且通过旋转蒸发浓缩。在将粗产物经硅胶用甲苯过滤后，将剩余残余物从庚烷/甲苯中重结晶，且然后在高真空下升华。纯度为99.9％。产率为38g(理论的80％)。
与化合物(1-1)的上述合成类似，制备以下化合物(1-2)～(1-8)：
Figure BDA0002208818030000591
Figure BDA0002208818030000601
A-2)(2)型化合物
联苯-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)(4-菲-4-基苯基)胺(化合物(2-1))的合成
Figure BDA0002208818030000611
前体：联苯-4-基(4-氯苯基)(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺
Figure BDA0002208818030000612
将40g的联苯-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺(111毫摩尔)和26.4g的4-氯碘苯(111毫摩尔)溶于700mL的甲苯中。将溶液脱气并用N2饱和。其后，向其添加4.4mL(4.4毫摩尔)的1M三叔丁基膦溶液和0.5g(2.21毫摩尔)的乙酸钯(II)，然后添加15.9g的叔丁醇钠(166毫摩尔)。将反应混合物在保护气氛下加热至沸腾，持续5小时。随后，将混合物在甲苯和水之间分配，并且将有机相用水洗涤三次并在Na2SO4上干燥，并且通过旋转蒸发浓缩。在将粗产物经硅胶用甲苯过滤后，将剩余残余物从庚烷/甲苯中重结晶。产率为47g(理论的90％)。
中间体：联苯-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)[4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂戊硼烷-2-基)苯基]胺
将20g(42毫摩尔)的联苯-4-基(4-氯苯基)(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺、12.5g(50.8毫摩尔)的双(频哪醇根合)二硼烷和12.5g的(127毫摩尔)乙酸钾悬浮在400mL的二
Figure BDA0002208818030000622
烷中。向该悬浮液添加1.04g(1.27毫摩尔)的1,1-双(二苯基膦基)二茂铁二氯化靶(II)络合物与DCM。将反应混合物在回流下加热16小时。在冷却后，移出有机相，用200mL的水洗涤三次，然后浓缩至干。将残余物从甲苯中重结晶(21.7g，91％产率)。
以与其类似的方式，制备以下化合物：
Figure BDA0002208818030000621
Figure BDA0002208818030000631
联苯-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)(4-菲-4-基苯基)胺(化合物(2-1))
23g(40.8毫摩尔)的联苯-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)[4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂戊硼烷-2-基)苯基]胺、12.1g(37.1毫摩尔)的三氟甲磺酸菲-4-基酯、7.78g的偏硼酸钠(55.6毫摩尔)和54μL的水合肼悬浮在600mL的THF中。将0.52g(0.742毫摩尔)的双(三苯基膦)二氯化钯添加至该悬浮液，并且将反应混合物在回流下加热24小时。在冷却后，移出有机相，经硅胶过滤，用100mL的水洗涤三次，然后浓缩至干。在将粗产物经硅胶用甲苯过滤后，将剩余残余物从庚烷/甲苯中重结晶，并且最后在高真空中升华；纯度为99.9％。产率为17g(理论的75％)。
类似地，制备以下化合物(2-2)～(2-8)：
Figure BDA0002208818030000641
Figure BDA0002208818030000651
A-3)(3)型化合物
联苯-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)菲-1-基胺(化合物(3-1))的合成
Figure BDA0002208818030000652
将20g的1-溴菲(CAS号：51958-51-1)(78毫摩尔)和26.7g的联苯-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺(74毫摩尔)溶于500mL的甲苯中。将溶液脱气并用N2饱和。其后，向其添加3.1mL(3.1毫摩尔)的三叔丁基膦溶液和0.35g(1.56毫摩尔)的乙酸钯(II)。随后，添加11.6g的叔丁醇钠(117毫摩尔)。在保护气氛下将反应混合物加热至沸腾，持续3小时。随后，将混合物在甲苯和水之间分配，并且将有机相用水洗涤三次并在Na2SO4上干燥，并且通过旋转蒸发浓缩。在将粗产物经硅胶用甲苯过滤后，将剩余残余物从庚烷/甲苯中重结晶并且最后在高真空下升华；纯度为99.9％(HPLC)。产率为33g(理论的80％)。
类似地，制备以下化合物(3-2)～(3-6)：
Figure BDA0002208818030000661
A-4)(4)型化合物
N*4*-联苯-4-基-N*4*-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-N*1*,N*1*-二-对-甲苯基菲-1,4-二胺(4-1)的合成
Figure BDA0002208818030000671
前体：1-溴菲-4-醇
Figure BDA0002208818030000672
在500mL的乙腈中装载40.0g(206毫摩尔)的4-菲醇。随后，在黑暗中，在-15℃下逐滴添加38.5g(216毫摩尔)的NBS在100mL的CH3CN中的溶液，使混合物达到RT并在该温度下继续搅拌4小时。随后，将250mL水添加至混合物，并用CH2Cl2进行萃取。将有机相在MgSO4上干燥，并在减压下除去溶剂。将产物用热己烷进行萃取搅拌，并利用抽吸过滤。
产率:42.5g(154毫摩尔)，理论的75％。
中间体：1-(二-对-甲苯基氨基)菲-4-醇
与上面在A-3)下所述的合成类似，也制备以下化合物：
Figure BDA0002208818030000681
与所述三氟甲磺酸菲-4-基酯中间体的合成类似，也制备以下化合物：
Figure BDA0002208818030000682
Figure BDA0002208818030000691
与上面关于式(1-1)的化合物所述的方式类似，制备以下化合物(4-2)～(4-4)：
Figure BDA0002208818030000692
A-5)(5)型化合物
双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)(4-苯基菲-1-基)胺(5-1)
Figure BDA0002208818030000701
与上面在(2-1)下所述的方式类似，也制备以下化合物(5-2)～(5-4)：
Figure BDA0002208818030000702
A-6)(6)型化合物
联苯-4-基{1-[4-(双(联苯-4-基)氨基)苯基]菲-4-基}(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺(6-1)
Figure BDA0002208818030000711
与上面在A-2)下所述的合成类似，也制备以下化合物：
Figure BDA0002208818030000712
Figure BDA0002208818030000721
与所述三氟甲磺酸菲-4-基酯中间体的合成类似，也制备以下化合物：
Figure BDA0002208818030000722
与上面关于(1-1)所述的合成类似，制备以下化合物(6-2)～(6-4)：
Figure BDA0002208818030000731
B)器件实施例
通过根据WO 04/058911的一般方法制备该发明的OLED和根据现有技术的OLED，使所述方法适合于在此描述的情形(例如材料)。
在接下来的本发明实施例I1-I9中和在参比例C1-C4中，给出了多种OLED的数据。使用的基底为涂布有厚度为50nm的结构化ITO(氧化铟锡)的玻璃板。所述OLED具有以下层结构：基底/p型掺杂的空穴传输层(HIL1)/空穴传输层(HTL)/p型掺杂的空穴传输层(HIL2)/空穴传输层(EBL)/发光层(EML)/电子传输层(ETL)/电子注入层(EIL)和最后的阴极。在实施例C3、C4和I4-I9中的每个中，省略了层HIL2和EBL。阴极由厚度为100nm的铝层形成。所述OLED的制造所需的材料示于表1中，各种组件结构示于表2中。
在真空室中通过热气相沉积施加所有材料。在这种情况下，发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光化合物)构成，所述发光掺杂剂通过共蒸发以特定体积比添加至所述一种或多种基质材料。以H1:SEB(5％)这样的形式给出的细节在此是指材料H1以95％的体积比存在于层中并且SEB以5％的体积比存在于层中。以类似的方式，电子传输层或空穴注入层也可以由两种或更多种材料的混合物构成。
以标准方式表征所述OLED。为了该目的，确定电致发光光谱、电流效率(以cd/A计量)、功率效率(以lm/W计量)和外量子效率(EQE，以百分比计量)，其作为亮度的函数从呈现郎伯辐射特征的电流-电压-亮度特性(IUL特性)进行计算，以及确定寿命。在1000cd/m2的亮度下确定电致发光光谱，并且由此计算CIE 1931x和y颜色坐标。参数在10mA/cm2下的EQE表示在10mA/cm2的电流密度下的外量子效率。在60mA/cm2下的LD80为，给定在60mA/cm2的恒定电流下的初始辉度，OLED降至初始强度的80％时的寿命。
Figure BDA0002208818030000751
Figure BDA0002208818030000761
实施例1
在实施例1中，在具有蓝色荧光发光层的OLED中对三种本发明物质(HTM1、HTM2和HTM3)和两种参比物质(HTMC1、HTMC2)进行了比较。所述化合物各自用于OLED的空穴传输层中。
将含3-菲化合物的参比试样C1与本发明的含4-菲(I1)或1-菲化合物(I2)的两种组件进行比较。在60mA/cm2下的寿命LD80在本发明试样I1(357小时)和I2(381小时)的情况下要比参比试样C1(128小时)好得多。
由试样I3形成的本发明化合物(4-菲化合物)在10mA/cm2下的外量子效率为7.7％，比参比试样C2的仅为6.6％的在10mA/cm2下的外量子效率好得多。该参比试样C2含有3-菲化合物。
实施例2
在具有蓝色荧光发光层的OLED的情况下(在简约设计中；空穴从HTL直接注入EML中)，参比试样C3(6.8％)和C4(4.2％)比本发明试样I4(7.9％)和I5(7.7％)具有更低的在10mA/cm2下的量子效率。本发明试样I6(356小时)和I7(218小时)的在60mA/cm2下的寿命(80％)也比在参比C3(106小时)和C4(43小时)情况下的高。同样在该实施例中，参比试样含有3-菲化合物。本发明试样I4、I5、I6和I7含有1-菲化合物或4-菲化合物。
实施例3
此外，制造了包含本发明化合物HTM5和HTM6的两种组件I8和I9。这两种组件的特征在于它们在菲基团与二芳基氨基基团之间具有苯基基团。所述组件以与实施例2的那些一样的简约设计进行制造。对于组件I8和I9，分别测得了7.3％和8.1％的外量子效率。

Claims (15)

1.一种根据式(I-3)、(I-6)至(I-8)、(I-11)至(I-13)和(I-16)至(I-24)中的一个的化合物，
Figure FDA0004082935450000011
Figure FDA0004082935450000021
Figure FDA0004082935450000031
Figure FDA0004082935450000041
其中出现的符号如下：
R1在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，Si(R6)3，具有1～20个碳原子的直链烷基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基基团各自可被一个或多个R6基团取代；
R2、R3在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，Si(R6)3，具有1～20个碳原子的直链烷基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基基团各自可被一个或多个R6基团取代；
R6在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，C(＝O)R7，
CN，Si(R7)3，N(R7)2，P(＝O)(R7)2，OR7，S(＝O)R7，S(＝O)2R7，具有1～
20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2～20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R7基团取代的芳族环系，和具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R7基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团各自可被一个或多个R7基团取代，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被-R7C＝CR7-、-C≡C-、Si(R7)2、C＝O、C＝NR7、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR7-、NR7、P(＝O)(R7)、-O-、-S-、SO或SO2代替；
R7在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN和具有1～20个碳原子的脂族、芳族或杂芳族有机基团，其中一个或多个氢原子还可被D、F或CN代替；
Ar1在每种情况下相同或不同，并且选自具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的杂芳族环系；
Ar2在每种情况下相同或不同，并且选自式(Ar2-1)～(Ar2-14)的基团：
Figure FDA0004082935450000051
Figure FDA0004082935450000061
其中所述基团各自可在空白位置处被R4基团取代，并且其中标记有*的键各自指示与所述化合物的剩余部分连接的键；
R4在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，C(＝O)R6，
CN，Si(R6)3，N(R6)2，P(＝O)(R6)2，OR6，S(＝O)R6，S(＝O)2R6，具有1～
20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2～20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团各自可被一个或多个R6基团取代，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被-R6C＝CR6-、-C≡C-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR6-、NR6、P(＝O)(R6)、-O-、-S-、SO或SO2；
X在每种情况下相同或不同，并且选自单键和C(R5)2；
R5在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，C(＝O)R6，
CN，Si(R6)3，N(R6)2，P(＝O)(R6)2，OR6，S(＝O)R6，S(＝O)2R6，具有1～
20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2～20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～40个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团各自可被一个或多个R6基团取代，
其中提到的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH2基团可被-R6C＝CR6-、-C≡C-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR6-、NR6、P(＝O)(R6)、-O-、-S-、SO或SO2代替。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于所述化合物符合式(I-3)和(I-6)至(I-8)中的一个。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于Ar1在每种情况下相同或不同，并且选自具有12～24个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的芳族环系。
4.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于式(I-3)、(I-6)至(I-8)、(I-11)至(I-13)和(I-16)至(I-24)中的键合至同一氮原子的两个Ar1基团不同。
5.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于所述Ar1基团各自含有至少一个选自如下的基团：苯，萘，菲，荧蒽，联苯，三联苯，四联苯，芴，螺二芴，呋喃，苯并呋喃，异苯并呋喃，二苯并呋喃，噻吩，苯并噻吩，异苯并噻吩，二苯并噻吩，吲哚，异吲哚，咔唑，吲哚并咔唑，茚并咔唑，吡啶，喹啉，异喹啉，吖啶，菲啶，苯并咪唑，嘧啶，吡嗪和三嗪，其中提到的基团各自可被一个或多个R4基团取代。
6.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于Ar2在每种情况下相同或不同，并且选自具有6～13个芳族环原子且可被一个或多个R4基团取代的芳族环系。
7.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于X基团是单键。
8.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于R4和R5在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，Si(R6)3，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R6基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基和烷氧基基团各自可被一个或多个R6基团取代，并且其中提到的烷基和烷氧基基团中的一个或多个CH2基团可被-C≡C-、-R6C＝CR6-、Si(R6)2、C＝O、C＝NR6、-NR6-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR6-代替。
9.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于R6在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，Si(R7)3，具有1～20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3～20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有6～24个芳族环原子且可被一个或多个R7基团取代的芳族环系，和具有5～24个芳族环原子且可被一个或多个R7基团取代的杂芳族环系，
其中提到的烷基和烷氧基基团各自可被一个或多个R7基团取代，并且其中提到的烷基和烷氧基基团中的一个或多个CH2基团可被-C≡C-、-R7C＝CR7-、Si(R7)2、C＝O、C＝NR7、-NR7-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR7-代替。
10.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，
-所述化合物符合式(I-3)和(I-6)至(I-8)中的一个，并且
-Ar1和权利要求5中限定的Ar1相同，并且
-Ar2和权利要求6中限定的Ar2相同，并且
-R4和R5分别和权利要求8中限定的R4和R5相同，并且
-R6和权利要求9中限定的R6相同。
11.一种制备根据权利要求1～10中的任一项所述的化合物的方法，其特征在于使在1位和/或4位处被离去基团取代的菲化合物与二芳基氨基化合物或与被离去基团取代的三芳基氨基化合物在偶联反应中反应。
12.一种制剂，所述制剂包含至少一种根据权利要求1～10中的任一项所述的化合物和至少一种溶剂。
13.一种电子器件，所述电子器件包含至少一种根据权利要求1～10中的任一项所述的化合物，所述电子器件选自有机集成电路(OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机太阳能电池(OSC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(OFQD)、有机发光电化学电池(OLEC)、有机激光二极管(O-laser)和有机电致发光器件(OLED)。
14.根据权利要求13所述的电子器件，所述电子器件选自包含阴极、阳极和至少一个有机层的有机电致发光器件，所述至少一个有机层包含至少一种根据权利要求1～10中的任一项所述的化合物。
15.根据权利要求14所述的电子器件，所述电子器件选自有机电致发光器件，其特征在于根据权利要求1～10中的任一项所述的化合物作为空穴传输材料存在于空穴传输层、电子阻挡层或空穴注入层中，或特征在于根据权利要求1～10中的任一项所述的化合物作为发光化合物存在于发光层中，或特征在于根据权利要求1～10中的任一项所述的化合物作为基质化合物与一种或多种发光化合物一起存在于发光层中。
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