KR102468446B1 - 스피로바이플루오렌-구조를 갖는 화합물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 특히 전자 소자에서 사용하기 위한, 전자 수송 기에 의해 치환된 스피로바이플루오렌 유도체를 기재한다. 본 발명은 또한, 본 발명에 따른 화합물의 제조 방법, 및 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.

Description

스피로바이플루오렌-구조를 갖는 화합물
본 발명은, 특히 전자 소자에서 사용하기 위한, 전자 수송 기에 의해 치환된 스피로바이플루오렌 유도체를 기재한다. 본 발명은 또한, 본 발명의 화합물의 제조 방법 및 본 발명의 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
유기 전계발광 소자 (OLED) 에서 사용되는 방사 재료는 흔히 인광을 발하는 유기금속 착물이다. 양자 역학적 이유로, 유기금속 화합물을 인광 방사체로서 사용하여 4 배 까지의 에너지 효율 및 전력 효율이 가능해진다. 일반적으로, OLED, 특히 또한 인광을 발하는 OLED 에서, 예를 들어 효율, 작동 전압 및 수명에 관하여, 개선이 여전히 필요하다.
유기 전계발광 소자의 특성은 단지 사용한 방사체에 의해 결정되지는 않는다. 특히, 사용한 기타 재료, 예컨대 호스트 및 매트릭스 재료, 정공 차단제 재료, 전자 수송 재료, 정공 수송 재료 및 전자 또는 여기자 차단제 재료가 또한 여기에서 특히 중요하다. 이러한 재료에 대한 개선은 전계발광 소자에 대한 분명한 개선을 초래할 수 있다.
인광 화합물에 대한 매트릭스 재료로서, 및 전자 수송 재료로서 선행 기술에 따라 흔히 사용되는 것은 헤테로방향족 화합물, 예를 들어 트리아진 유도체 또는 피리미딘 유도체이다. 게다가, 카르바졸 재료가 또한 매트릭스 재료로서 사용되고, 카르바졸 구조 및 트리아진 또는 피리미딘에서 유래하는 구조 둘 모두를 갖는 화합물이 또한 알려져 있다. 예를 들어, WO 2015/156587 A1, US 2015/001511 및 KR 2015/0065383 A 는 해당하는 화합물을 기재한다. 그러나, 이들 화합물은 어떠한 스피로바이플루오렌 기도 갖지 않는다.
일반적으로, 이들 재료의 경우에, 예를 들어 매트릭스 재료로서 사용하기 위해, 특히 소자의 수명에 관해, 뿐만 아니라 소자의 효율 및 작동 전압에 관해, 개선이 여전히 필요하다.
따라서 본 발명에 의해 다루어진 과제는 유기 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서 사용하기에 적합하며 이러한 소자에서 사용시 양호한 소자 특성을 초래하는 화합물을 제공하는 것, 및 상응하는 전자 소자를 제공하는 것이다.
더욱 특히, 본 발명에 의해 다루어진 과제는 높은 수명, 양호한 효율 및 낮은 작동 전압을 초래하는 화합물을 제공하는 것이다. 특히 매트릭스 재료의 특성은 물론 유기 전계발광 소자의 수명 및 효율에 필수적인 영향을 갖는다.
본 발명에 의해 다루어진 추가의 과제는, 특히 매트릭스 재료로서 인광 또는 형광 OLED 에서 사용하기에 적합한 화합물을 제공하는 것으로 고려될 수 있다. 더욱 특히, 본 발명에 의해 다루어진 과제는 적색-, 황색- 및 녹색-인광성 OLED 에 적합한 매트릭스 재료를 제공하는 것이다.
더욱이, 화합물은 매우 단순한 방식으로 가공가능해야 하며, 특히 양호한 용해도 및 필름 형성을 나타내야 한다. 예를 들어, 화합물은 상승한 산화 안정성 및 개선된 유리 전이 온도를 나타내야 한다.
다루어진 추가의 과제는, 매우 우수한 성능을 갖는 전자 소자를 매우 저렴하고 일정한 품질로 제공하는 것으로 고려될 수 있다.
추가로, 수많은 목적을 위해 전자 소자를 사용하거나 조정할 수 있어야 한다. 더욱 특히, 전자 소자의 성능은 광범위한 온도 범위에 걸쳐 유지되어야 한다.
놀랍게도, 이하 상세히 기재하는 특정 화합물이 이러한 과제를 해결하며 선행 기술로부터의 불리한 점을 없앤다는 것이 발견되었다. 화합물의 사용은 특히 수명, 효율 및 작동 전압에 관해 유기 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자의 매우 양호한 특성을 초래한다. 본 발명은 그러므로 이러한 화합물을 함유하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자, 및 상응하는 바람직한 구현예를 제공한다.
본 발명은 그러므로 하기 식 (I) 의 구조 적어도 하나를 포함하는 화합물을 제공한다:
Figure 112019037308959-pct00001
식에서 사용된 기호는 다음과 같다:
Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Z6, Z7, Z8 은 각 경우에 동일 또는 상이하고 Y 또는 C 이고;
Y 는 각 경우에 동일 또는 상이하고 N, CR1 이거나, 또는 두 개의 인접한 Y 기는 함께 O, S 또는 NR1 이며, 단, 5- 또는 6-원 고리가 형성되고;
X 는 각 경우에 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고;
o, p, q, r 은 0 또는 1 이고;
L 은 결합 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고;
Q 는 전자 수송 기이고;
R1 은 각 경우에 동일 또는 상이하고 H, D, F, Cl, Br, I, B(OR2)2, CHO, C(=O)R2, CR2=C(R2)2, CN, C(=O)OR2, C(=O)N(R2)2, Si(R2)3, N(R2)2, NO2, P(=O)(R2)2, OSO2R2, OR2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기에서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, NR2, P(=O)(R2), -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있고 여기에서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기, 또는 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 디아릴아미노 기, 디헤테로아릴아미노 기 또는 아릴헤테로아릴아미노 기, 또는 이들 계의 조합이고; 이 때, 둘 이상의 R1 라디칼은 함께 고리계를 형성할 수 있고;
R2 는 각 경우에 동일 또는 상이하고 H, D, F, Cl, Br, I, B(OR3)2, CHO, C(=O)R3, CR3=C(R3)2, CN, C(=O)OR3, C(=O)N(R3)2, Si(R3)3, N(R3)2, NO2, P(=O)(R3)2, OSO2R3, OR3, S(=O)R3, S(=O)2R3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기에서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR3, NR3, P(=O)(R3), -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있고 여기에서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기, 또는 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 디아릴아미노 기, 디헤테로아릴아미노 기 또는 아릴헤테로아릴아미노 기, 또는 이들 계의 조합이고; 이 때, 둘 이상의 R2 치환기는 함께 또한 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 바람직하게는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있고;
R3 은 각 경우에 동일 또는 상이하고 H, D, F 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 유기 라디칼, 바람직하게는 히드로카르빌 라디칼 (여기에서 수소 원자는 또한 F 에 의해 대체될 수 있음) 이고; 이 때, 둘 이상의 R3 치환기는 함께 또한 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 바람직하게는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있고;
단, o + p = 1 이며, o = 1 인 경우에, Z1, Z2 는 C 이고 Z3, Z4 는 Y 이고, p = 1 인 경우에, Z1, Z2 는 Y 이고 Z3, Z4 는 C 이고;
단, q + r = 1 이며, q = 1 인 경우에, Z5, Z6 은 C 이고 Z7, Z8 은 Y 이고, r = 1 인 경우에, Z5, Z6 은 Y 이고 Z7, Z8 은 C 임.
지수 o 또는 p = 0 일 때, 이는 해당하는 질소 원자 및 그것에 결합된 기가 부재한다는 것을 의미한다. 지수 q 또는 r = 0 일 때, 이는 해당하는 탄소 원자 및 그것에 결합된 기가 부재한다는 것을 의미한다.
바람직하게는, o = q = 1 및 p = r = 0 이다.
본 발명의 맥락에서 인접한 탄소 원자는 서로 직접 결합된 탄소 원자이다. 또한, 라디칼의 정의에서의 "인접한 라디칼" 은 이러한 라디칼이 동일한 탄소 원자 또는 인접한 탄소 원자에 결합되는 것을 의미한다. 특히, 이러한 정의는 용어 "인접한 기" 및 "인접한 치환기" 에 상응하게 적용된다.
본 설명의 맥락에서 둘 이상의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수 있다는 표현은, 특히, 2 개의 라디칼이, 2 개의 수소 원자의 형식적 제거와 함께 화학 결합에 의해 서로 연결된다는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 이를 하기 반응식에 의해 설명한다:
Figure 112019037308959-pct00002
.
그러나 추가로, 상술한 표현은 또한, 2 개 라디칼 중 1 개가 수소인 경우, 두 번째 라디칼이 수소 원자가 결합한 위치에 결합하여, 고리를 형성하는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 이를 하기 반응식에 의해 설명한다:
Figure 112019037308959-pct00003
.
본 발명의 맥락에서 융합된 아릴 기, 융합된 방향족 고리계 또는 융합된 헤테로방향족 고리계는, 둘 이상의 방향족 기가 공통의 에지 (edge) 에 따라 서로 융합, 즉 고리화되어 (annelated), 예를 들어 나프탈렌에서와 같이, 예를 들어 2 개의 탄소 원자가 적어도 2 개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리에 속하게 되는 기이다. 반대로, 예를 들어 플루오렌은 본 발명의 맥락에서 융합된 아릴 기가 아닌데, 이는 플루오렌에서의 2 개의 방향족 기가 공통 에지를 갖지 않기 때문이다. 상응하는 정의가, 헤테로원자를 함유할 수 있으나 또한 함유할 필요는 없는 융합된 고리계 또는 헤테로아릴 기에 적용된다.
본 발명의 맥락에서 아릴 기는 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유하고; 본 발명의 맥락에서 헤테로아릴 기는 2 내지 40 개의 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하고, 단, 탄소 원자와 헤테로원자의 총계는 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 아릴 기 또는 헤테로아릴 기는 단순 방향족 사이클, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 사이클, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜 등, 또는 융합된 아릴 또는 헤테로아릴 기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등을 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 맥락에서 방향족 고리계는 고리계 내에 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 맥락에서 헤테로방향족 고리계는 고리계 내에 1 내지 40 개의 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자와 헤테로원자의 총계는 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴 기만을 함유하지는 않으나 또한 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 비(非)방향족 단위 (바람직하게는, H 외의 원자 10% 미만), 예를 들어 탄소, 질소 또는 산소 원자 또는 카르보닐 기에 의해 중단 (interrupted) 될 수 있는 계를 의미하는 것으로 이해된다. 예를 들어, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 계는 따라서, 본 발명의 맥락에서의 방향족 고리계, 및 마찬가지로, 둘 이상의 아릴 기가 예를 들어 선형 또는 시클릭 알킬 기에 의해 또는 실릴 기에 의해 중단되는 계로도 간주된다. 추가로, 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 서로 직접 결합되는 계, 예를 들어 바이페닐, 테르페닐, 쿠아테르페닐 또는 바이피리딘이 마찬가지로 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로서 간주된다.
본 발명의 맥락에서 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기는 모노시클릭, 바이시클릭 또는 폴리시클릭 기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 맥락에서, 개별적인 수소 원자 또는 CH2 기가 또한 상술한 기에 의해 치환될 수 있는 C1- 내지 C20-알킬 기는 예를 들어, 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, 시클로프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 시클로부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, t-펜틸, 2-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, s-헥실, t-헥실, 2-헥실, 3-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, 1-메틸시클로펜틸, 2-메틸펜틸, n-헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 4-헵틸, 시클로헵틸, 1-메틸시클로헥실, n-옥틸, 2-에틸헥실, 시클로옥틸, 1-바이시클로[2.2.2]옥틸, 2-바이시클로[2.2.2]옥틸, 2-(2,6-디메틸)옥틸, 3-(3,7-디메틸)옥틸, 아다만틸, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 1,1-디메틸-n-헥스-1-일, 1,1-디메틸-n-헵트-1-일, 1,1-디메틸-n-옥트-1-일, 1,1-디메틸-n-데크-1-일, 1,1-디메틸-n-도데크-1-일, 1,1-디메틸-n-테트라데크-1-일, 1,1-디메틸-n-헥사데크-1-일, 1,1-디메틸-n-옥타데크-1-일, 1,1-디에틸-n-헥스-1-일, 1,1-디에틸-n-헵트-1-일, 1,1-디에틸-n-옥트-1-일, 1,1-디에틸-n-데크-1-일, 1,1-디에틸-n-도데크-1-일, 1,1-디에틸-n-테트라데크-1-일, 1,1-디에틸-n-헥사데크-1-일, 1,1-디에틸-n-옥타데크-1-일, 1-(n-프로필)시클로헥스-1-일, 1-(n-부틸)시클로헥스-1-일, 1-(n-헥실)시클로헥스-1-일, 1-(n-옥틸)시클로헥스-1-일 및 1-(n-데실)시클로헥스-1-일 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 알케닐 기는 예를 들어, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐 또는 시클로옥타디에닐을 의미하는 것으로 이해된다. 알키닐 기는 예를 들어, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐을 의미하는 것으로 이해된다. C1- 내지 C40-알콕시 기는 예를 들어, 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡시를 의미하는 것으로 이해된다.
5-40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 또한 각 경우에 상술한 라디칼에 의해 치환될 수 있고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족계에 연결될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는 예를 들어, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오르안텐, 벤조플루오르안텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 테르페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-모노벤조인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-디벤조인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라지니미다졸, 퀴녹살리니미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸에서 유래하는 기를 의미하는 것으로 이해된다.
바람직하게는, 하기 식 (I) 의 구조 적어도 하나를 포함하는 화합물은 식 (I) 의 화합물이다.
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 식 (IIa), (IIb), (IIc) 및 (IId) 중 하나의 구조를 포함할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00004
Figure 112019037308959-pct00005
식에서 사용된 기호 L, Q, Y 및 X 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 은 각 경우에 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고, 바람직하게는 고리 당 2 개 이하의 X, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 기는 N 임.
바람직하게는, 본 발명의 화합물은 식 (IIIa), (IIIb), (IIIc) 또는 (IIId) 의 구조를 포함할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00006
Figure 112019037308959-pct00007
식에서 사용된 기호 L, Q 및 X 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 는 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고, 바람직하게는 고리 당 2 개 이하의 X, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 기는 N 임.
식에서 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 중 적어도 9 개, 바람직하게는 적어도 11 개는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 중 적어도 6 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택되는 식 (IIIa), (IIIb), (IIIc) 또는 (IIId) 의 구조를 갖는 화합물이 추가로 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 모든 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 중 적어도 8 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택된다.
바람직하게는, 본 발명의 화합물은 식 (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1) 또는 (IIId-1) 의 구조를 포함할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00008
Figure 112019037308959-pct00009
식에서 사용된 기호 L, R1, Q 및 X 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 은 각 경우에 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, 바람직하게는 고리 당 2 개 이하의 X, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 기는 N 임.
식에서 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 중 적어도 5 개, 바람직하게는 적어도 7 개는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 중 적어도 6 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택되는 식 (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1) 또는 (IIId-1) 의 구조를 갖는 화합물이 추가로 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 모든 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 은 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 중 적어도 6 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택된다.
바람직하게는, 본 발명의 화합물은 식 (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2) 또는 (IIId-2) 의 구조를 포함할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00010
Figure 112019037308959-pct00011
식에서 사용된 기호 L, R1, Q 및 X 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, X1, X2, X3, X4, X9, X10, X11, X12 는 각 경우에 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, 바람직하게는 고리 당 2 개 이하의 X, X1, X2, X3, X4, X9, X10, X11, X12 기는 N 임.
게다가, 식에서 기호 X1, X2, X3, X4, X9, X10, X11, X12 중 적어도 5 개, 바람직하게는 적어도 7 개는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X1, X2, X3, X4, X9, X10, X11, X12 중 적어도 6 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택되는 식 (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2) 또는 (IIId-2) 의 구조를 갖는 화합물이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 모든 기호 X1, X2, X3, X4, X9, X10, X11, X12 는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X1, X2, X3, X4, X9, X10, X11, X12 중 적어도 6 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택된다.
추가의 바람직한 구현예에서, 본 발명의 화합물은 식 (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3) 또는 (IIId-3) 중 적어도 하나의 적어도 하나의 구조를 가질 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00012
Figure 112019037308959-pct00013
식에서 사용된 기호 L, R1, Q 및 X 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 는 각 경우에 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, 바람직하게는 고리 당 2 개 이하의 X, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 기는 N 임.
게다가, 식에서 기호 X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 중 적어도 5 개, 바람직하게는 적어도 7 개는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 중 적어도 6 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택되는 식 (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3) 또는 (IIId-3) 의 구조를 갖는 화합물이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 모든 기호 X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 중 적어도 6 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택된다.
게다가, 본 발명의 화합물은 식 (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4) 및 (IIId-4) 중 적어도 하나의 적어도 하나의 구조를 가질 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00014
Figure 112019037308959-pct00015
식에서 사용된 기호 L, R1 및 Q 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 는 동일 또는 상이하고 각 경우에 N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, 바람직하게는 고리 당 2 개 이하의 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 기는 N 임.
게다가, 식에서 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 중 적어도 9 개, 바람직하게는 적어도 11 개는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 중 적어도 6 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택되는 식 (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4) 및 (IIId-4) 의 구조를 갖는 화합물이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 모든 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 중 적어도 8 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택된다.
추가로 본 발명의 화합물은 식 (IVa), (IVb) 또는 (IVc) 의 구조를 포함할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00016
Figure 112019037308959-pct00017
식에서 사용된 기호 L, Q, X 및 Y 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, W1, W2 및 W3 은 각 경우에 동일 또는 상이하고 N, CR1, O, S 또는 NR1 이고, W1, W2 및 W3 기 중 정확히 하나는 O, S 또는 NR1 이고 W1, W2 및 W3 기 중 적어도 하나는 N 또는 CR1 이고, R1 은 식 (I) 에 관해 제시된 정의를 갖고, 바람직하게는 W1, W2 및 W3 기 중 2 개는 N 이고 W1, W2 및 W3 기 중 1 개는 NR1 인 경우는 아니다. 이 경우에, 식 (IVa) 에서의 W2 는 바람직하게는 O, S 또는 NR1 이 아니다. 게다가, 식 (IVb) 에서의 W1 및 식 (IVc) 에서의 W2 는 CR1 또는 N 이다.
게다가, 식 (Va), (Vb) 또는 (Vc) 의 구조를 포함하는 화합물이 바람직하다:
Figure 112019037308959-pct00018
Figure 112019037308959-pct00019
식에서 사용된 기호 L, Q 및 X 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 은, 특히 식 (II) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, 기호 W1, W2 및 W3 은, 특히 식 (IV) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖는다. 이 경우에, 식 (Va) 에서의 W2 는 바람직하게는 O, S 또는 NR1 이 아니다. 게다가, 식 (Vb) 에서의 W1 및 식 (Vc) 에서의 W2 는 CR1 또는 N 이다.
추가의 바람직한 구현예에서, 본 발명의 화합물은 식 (Va-1), (Vb-1) 및/또는 (Vc-1) 의 구조를 포함할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00020
식에서 사용된 기호 L, R1, Q 및 X 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, 기호 X1, X2, X3, X4 는, 특히 식 (II) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, 기호 W1, W2 및 W3 은, 특히 식 (IV) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다. 이 경우에, 식 (Va-1) 에서의 W2 는 바람직하게는 O, S 또는 NR1 이 아니다. 게다가, 식 (Vb-1) 에서의 W1 및 식 (Vc-1) 에서의 W2 는 CR1 또는 N 이다.
게다가, 본 발명의 화합물은 식 (Va-2), (Vb-2) 및/또는 (Vc-2) 의 구조를 포함할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00021
Figure 112019037308959-pct00022
식에서 사용된 기호 L, R1, Q 및 X 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, 기호 X5, X6, X7, X8 은, 특히 식 (II) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, 기호 W1, W2 및 W3 은, 특히 식 (IV) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다. 이 경우에, 식 (Va-2) 에서의 W2 는 바람직하게는 O, S 또는 NR1 이 아니다. 게다가, 식 (Vb-2) 에서의 W1 및 식 (Vc-2) 에서의 W2 는 CR1 또는 N 이다.
게다가, 식 (Va-3), (Vb-3) 또는 (Vc-3) 의 구조를 포함하는 화합물이 바람직하다:
Figure 112019037308959-pct00023
Figure 112019037308959-pct00024
식에서 사용된 기호 L, R1, Q 및 X 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 은, 특히 식 (II) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, 기호 W1, W2 및 W3 은, 특히 식 (IV) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다. 이 경우에, 식 (Va-3) 에서의 W2 는 바람직하게는 O, S 또는 NR1 이 아니다. 게다가, 식 (Vb-3) 에서의 W1 및 식 (Vc-3) 에서의 W2 는 CR1 또는 N 이다.
게다가, 식 (I), (IVa), (IVb) 및/또는 (IVc) 의 구조에서, 적어도 6 개의, 바람직하게는 모든 기호 Y 는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 Y 기 중 적어도 4 개, 바람직하게는 적어도 5 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물이 바람직하다.
또한, 식 (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서, 적어도 하나의 W1, W2 및 W3 기는 N 일 수 있다.
추가의 구현예에서, 식에서 적어도 하나의 W1, W2 및 W3 기가 CR1, 바람직하게는 CH 인 식 (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.
추가로, 식 (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서, 하나의 W1, W2 및 W3 기는 N 이고 하나의 W1, W2 및 W3 기는 CR1, 바람직하게는 CH 일 수 있다.
게다가, 식 (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1) (Va), (Vb) 및/또는 (Vc) 에서, 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 중 적어도 6 개, 바람직하게는 적어도 7 개는 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 중 적어도 6 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 모든 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 은 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 중 적어도 6 개는 C-H 및 C-D 로부터 선택된다.
식 (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3) 및/또는 (IIId-3) 에서, 기호 X9, X10, X11, X12 중 적어도 2 개, 바람직하게는 적어도 3 개, 더욱 바람직하게는 전부가 CR1 이고, 더욱 바람직하게는 기호 X9, X10, X11, X12 중 적어도 3 개가 C-H 및 C-D 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물이 추가로 바람직하다.
게다가, 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계의 치환기 R1 은 방향족 또는 헤테로방향족 고리계의 고리 원자와 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 바람직하게는 임의의 융합된 고리계를 형성하지 않을 수 있다. 이는 R1 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 치환기 R2, R3 과의 융합된 고리계의 형성을 포함한다. 바람직하게는 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 헤테로방향족 고리계의 치환기 R1 은 헤테로방향족 고리계의 고리 원자와의 고리계를 형성하지 않을 수 있다. 이는 R1 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 치환기 R2, R3 과의 고리계의 형성을 포함한다.
바람직하게는, 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 구조를 포함하는 화합물은 5000 g/mol 이하, 바람직하게는 4000 g/mol 이하, 특히 바람직하게는 3000 g/mol 이하, 특히 바람직하게는 2000 g/mol 이하, 가장 바람직하게는 1200 g/mol 이하의 분자량을 갖는다.
게다가, 본 발명의 바람직한 화합물이 승화가능하다는 것은 본 발명의 바람직한 화합물의 특성이다. 이들 화합물은 일반적으로 약 1200 g/mol 미만의 몰 질량을 갖는다.
Q 기는 전자 수송 기이다. 전자 수송 기는 기술 분야에 널리 알려져 있고, 화합물이 전자를 수송 및/또는 전도하는 능력을 촉진한다. 본 발명의 맥락에서 전자 수송 기는 특히 적어도 2 개의 헤테로원자를 함유하는 5-원 헤테로아릴 기, 또는 6-원 헤테로아릴 기이고, 이들 기는 또한 헤테로방향족 고리계의 일부일 수 있거나 또는 추가의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 이들 기에 융합되는 것이 또한 가능하다. 전자 수송 기는 임의로 치환될 수 있다.
게다가, 식 (I) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는 화합물 또는 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서, Q 기는 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 이미다졸 및/또는 벤즈이미다졸, 특히 바람직하게는 피리미딘, 트리아진 및 퀴나졸린의 군으로부터 선택되는 그의 바람직한 구현예에 의해 놀라운 이점이 보여진다.
게다가, 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서 Q 기가 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 적어도 2 개의 융합된 고리를 갖는 헤테로방향족 고리계이고, 적어도 2 개의 융합된 고리의 고리 원자는 적어도 하나의 질소 원자를 포함하고, R1 은, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖는 것을 특징으로 하는 화합물이 바람직하다.
추가의 구성에서, 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서 상세히 설명된 Q 기는 고리 원자가 1 내지 4 개의 질소 원자, 바람직하게는 2 또는 3 개의 질소 원자를 포함하는 헤테로방향족 고리계일 수 있고, 상기 고리계는 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있고, R1 은, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖는다.
더욱이, 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서 상세히 설명된 Q 기는 9 내지 14 개, 바람직하게는 10 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리계일 수 있고, R1 은, 특히 식 (I) 및/또는 식 (II) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖는다.
바람직하게는, 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서 상세히 설명된 Q 기는 식 (Q-1), (Q-2), (Q-3), (Q-4) 및/또는 (Q-5) 의 구조로부터 선택될 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00025
Figure 112019037308959-pct00026
식에서 기호 R1 은 특히 식 (I) 에 관해 위에서 제시된 정의를 갖고, X 는 각 경우에 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1 이고, 점선 결합은 부착 위치를 나타내고, X 는 바람직하게는 질소 원자임.
추가의 구현예에서, 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서 상세히 설명된 Q 기는 식 (Q-6), (Q-7), (Q-8), (Q-9), (Q-10), (Q 11) 및/또는 (Q-12) 의 구조로부터 선택될 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00027
Figure 112019037308959-pct00028
식에서 기호 R1 은 특히 식 (I) 에 관해 위에서 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 부착 위치를 나타내고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, o 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 1 또는 2 이다. 여기에서 식 (Q-6), (Q-7), (Q-8) 및 (Q-9) 의 구조가 바람직하다.
추가의 구현예에서, 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서 상세히 설명된 Q 기는 식 (Q-13), (Q-14) 및/또는 (Q-15) 의 구조로부터 선택될 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00029
식에서 기호 R1 은 특히 식 (I) 에 관해 위에서 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 부착 위치를 나타냄.
추가의 구현예에서, 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서 상세히 설명된 Q 기는 식 (Q-16), (Q-17) 및/또는 (Q-18) 의 구조로부터 선택될 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00030
Figure 112019037308959-pct00031
식에서 R1 은 특히 식 (I) 에 관해 위에서 제시된 정의를 갖고, X 는 각 경우에 동일 또는 상이하고 CR1 또는 N 이고, 점선 결합은 부착 위치를 나타내고, Ar1 은 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 둘 이상의 인접한 R1 치환기는 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 바람직하게는 모노- 또는 폴리시클릭 지방족 고리계를 임의로 형성할 수 있음.
바람직하게는, 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서 상세히 설명된 Q 기는 식 (Q-19), (Q-20), (Q-21), (Q-22), (Q-23), (Q-24), (Q-25), (Q-26), (Q-27), (Q-28), (Q-29) 및/또는 (Q-30) 의 구조로부터 선택될 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00032
Figure 112019037308959-pct00033
식에서 기호 Ar1 은 특히 식 (Q-16), (Q-17) 또는 (Q-18) 에 관해 위에서 제시된 정의를 갖고, R1 은 특히 식 (I) 에 관해 위에서 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 부착 위치를 나타내고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0 또는 1 이고, l 은 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2 임.
본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, Ar1 은 각 경우에 동일 또는 상이하고 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 더욱 바람직하게는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계 또는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계이고, 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않고, R1 은, 특히 식 (I) 에서, 위에서 제시된 정의를 가질 수 있다. 적합한 Ar1 기의 예는 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿠아테르페닐, 특히 분지형 쿠아테르페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미딜, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않음) 로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
유리하게는, 식 (Q-16) 내지 (Q-30) 에서 Ar1 은 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 고리계이고, 여기에서 R1 은, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 가질 수 있다.
본 발명의 추가의 구현예에서, 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 에서 상세히 설명된 Q 기는 식 (Q-31) 및 (Q-32) 의 구조로부터 선택될 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00034
식에서 기호 R1 은, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 각 경우에 식 (Q-31) 또는 (Q-32) 의 구조적 요소가 L 에 결합되는 부착 위치를 나타낸다.
바람직하게는, 식 (Q-1) 내지 (Q-30) 에서 R1 라디칼은 R1 라디칼이 결합되어 있는 헤테로아릴 기의 고리 원자와 융합된 고리계를 형성하지 않는다. 이는 R1 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R2, R3 치환기와의 융합된 고리계의 형성을 포함한다.
바람직하게는, R2 라디칼은 식 (Q-16) 내지 (Q-30) 의 R2 라디칼이 결합될 수 있는 아릴 기 또는 헤테로아릴 기 Ar1 의 고리 원자와 융합된 고리계를 형성하지 않는다. 이는 R2 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R3 치환기와의 융합된 고리계의 형성을 포함한다.
X 가 CR1 이거나 기본 골격의 방향족 및/또는 헤테로방향족 기가 R1 치환기에 의해 치환되는 경우, 이러한 R1 치환기는 바람직하게는, H, D, F, CN, N(Ar1)2, C(=O)Ar1, P(=O)(Ar1)2, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 기, 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기에서 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 O 에 의해 대체될 수 있고 여기에서 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 25 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 이 때, 임의로, 동일한 탄소 원자 또는 인접한 탄소 원자에 결합된 2 개의 R1 치환기는 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노시클릭 또는 폴리시클릭, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있고; 여기에서 Ar1 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, 6 내지 40 개의 탄소 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 나타내고; 여기에서 둘 이상의 인접한 R2 치환기는 임의로 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 바람직하게는 모노- 또는 폴리시클릭 지방족 고리계를 형성할 수 있고, 기호 R2 는 특히 식 (I) 에 관해 위에서 제시된 정의를 갖는다. 바람직하게는, Ar1 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, 5 내지 24 개, 바람직하게는 5 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는 아릴 또는 헤테로아릴 기이다.
적합한 Ar1 기의 예는 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿠아테르페닐, 특히 분지형 쿠아테르페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는다.
더욱 바람직하게는, 이러한 R1 치환기는 H, D, F, CN, N(Ar1)2, 1 내지 8 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 또는 3 내지 8 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬 기, 또는 2 내지 8 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 더욱 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 비방향족 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 이 때, 임의로, 동일한 탄소 원자 또는 인접한 탄소 원자에 결합된 2 개의 R1 치환기는 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는 모노시클릭 또는 폴리시클릭 지방족 고리계를 형성할 수 있고, 여기에서 Ar1 은 위에서 제시된 정의를 가질 수 있다.
가장 바람직하게는, R1 치환기는 H, 및 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 비방향족 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 적합한 R1 치환기의 예는 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿠아테르페닐, 특히 분지형 쿠아테르페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐, 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 치환되지 않는다.
부가적으로 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 구조에서, 적어도 하나의 R1 라디칼 또는, 식 (Q-1) 내지 (Q-30) 에서, 적어도 하나의 R1 라디칼 또는 Ar1 은 식 (R1-1) 내지 (R1-80) 로부터 선택되는 기일 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00035
Figure 112019037308959-pct00036
Figure 112019037308959-pct00037
Figure 112019037308959-pct00038
Figure 112019037308959-pct00039
Figure 112019037308959-pct00040
Figure 112019037308959-pct00041
식에서 사용된 기호는 다음과 같다:
Y 는 O, S 또는 NR2, 바람직하게는 O 또는 S 이고;
i 는 각 경우에 독립적으로 0, 1 또는 2 이고;
j 는 각 경우에 독립적으로 0, 1, 2 또는 3 이고;
h 는 각 경우에 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4 이고;
g 는 각 경우에 독립적으로 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 이고;
R2 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 제시된 정의를 갖고;
점선 결합은 부착 위치를 나타낸다.
식 R1-1, R1-3, R1-5, R1-6, R1-15, R1-29, R1-31, R1-32, R1-42, R1-43, R1-44 및/또는 R1-45 의 기가 여기에서 특히 바람직하다.
바람직하게는 식 (R1-1) 내지 (R1-80) 의 구조에서의 지수 i, j, h 및 g 의 총계는 각 경우에 3 이하, 바람직하게는 2 이하, 더욱 바람직하게는 1 이하일 수 있다.
바람직하게는, 식 (R1-1) 내지 (R1-80) 에서의 R2 라디칼은 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성하지 않으며, 바람직하게는 R2 라디칼이 결합되는 아릴 기 또는 헤테로아릴 기의 고리 원자와 어떠한 융합된 고리계도 형성하지 않는다. 이는 R2 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R3 치환기와의 융합된 고리계의 형성을 포함한다.
바람직하게는, L 기는 Q 기, 및 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 L 기가 결합되는 스피로바이플루오렌 기의 헤테로방향족 라디칼과 함께 스루-컨주게이션 (through-conjugation) 을 형성할 수 있다. 방향족 또는 헤테로방향족계의 스루-컨주게이션은 인접한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 사이에 직접 결합이 형성되자마자 형성된다. 플루오렌계의 경우, 2 개의 방향족 고리가 직접 결합하며, 여기에서 위치 9 에서의 sp3-하이브리드화된 탄소 원자는 이들 고리의 융합을 방지하지 않으나 컨주게이션은 가능한데, 이는 이러한 위치 9 에서의 sp3-하이브리드화된 탄소 원자가 전자-수송 Q 기와 플루오렌 구조 사이에 반드시 존재하지는 않기 때문이다. 반대로 제 2 의 스피로바이플루오렌 구조의 경우, 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 스피로바이플루오렌 기의 방향족 또는 헤테로방향족 라디칼과 Q 기 사이의 결합이 스피로바이플루오렌 구조에서의 동일한 페닐 기를 통한 것이거나 서로 직접 결합하며 동일 평면 상에 있는 스피로바이플루오렌 구조에서의 페닐 기를 통한 것인 경우 스루-컨주게이션이 형성될 수 있다.
본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, L 은 결합 또는 5 내지 14 개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 바람직하게는 6 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 방향족 고리계 또는 5 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계이고, 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 치환되지 않으며, 여기에서 R1 은 특히 식 (I) 에 대해 상기 주어진 정의를 가질 수 있다. 더욱 바람직하게는, L 은 6 내지 10 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계, 또는 6 내지 13 개의 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계이고, 이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 치환되지 않고, 여기에서 R2 는 특히 식 (I) 에 관해 위에서 제시된 정의를 가질 수 있다.
추가로 바람직하게는, 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 구조에서 나타낸 기호 L 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, 결합 또는 5 내지 24 개의 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 고리 원자, 더욱 바람직하게는 6 내지 10 개의 고리 원자를 갖는 아릴렌 또는 헤테로아릴렌 라디칼이어서, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계의 방향족 또는 헤테로방향족 기가 직접, 즉 방향족 또는 헤테로방향족 기의 원자를 통해, 추가 기의 각각의 원자에 결합된다.
추가적으로, 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 구조에서 나타낸 L 기는 2 개 이하의 융합된 방향족 및/또는 헤테로방향족 6-원 고리를 갖는, 바람직하게는 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 갖지 않는 방향족 고리계를 포함할 수 있다. 따라서, 나프틸 구조가 안트라센 구조보다 바람직하다. 또한, 플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐 및/또는 디벤조티에닐 구조가 나프틸 구조보다 바람직하다. 융합을 갖지 않는 구조, 예를 들어 페닐, 바이페닐, 테르페닐 및/또는 쿠아테르페닐 구조가 특히 바람직하다.
적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 L 의 예는 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐렌, 테르페닐렌, 특히 분지형 테르페닐렌, 쿠아테르페닐렌, 특히 분지형 쿠아테르페닐렌, 플루오레닐렌, 스피로바이플루오레닐렌, 디벤조푸라닐렌, 디벤조티에닐렌 및 카르바졸릴렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 치환되지 않는다.
또한 특히 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 구조에서 나타낸 L 기가 1 개 이하의 질소 원자, 바람직하게는 2 개 이하의 헤테로원자, 특히 바람직하게는 1 개 이하의 헤테로원자를 갖고, 더욱 바람직하게는 헤테로원자를 갖지 않을 수 있다.
L 기가 결합 또는 식 (L1-1) 내지 (L1-108) 로부터 선택되는 기인 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 의 구조를 포함하는 화합물이 바람직하다:
Figure 112019037308959-pct00042
Figure 112019037308959-pct00043
Figure 112019037308959-pct00044
Figure 112019037308959-pct00045
Figure 112019037308959-pct00046
Figure 112019037308959-pct00047
Figure 112019037308959-pct00048
Figure 112019037308959-pct00049
식에서, 각 경우에 점선 결합은 부착 위치를 나타내고, 지수 k 는 0 또는 1 이고, 지수 l 은 0, 1 또는 2 이고, 지수 j 는 각 경우에 독립적으로 0, 1, 2 또는 3 이고; 지수 h 는 각 경우에 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 지수 g 는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 이고; 기호 Y 는 O, S 또는 NR2, 바람직하게는 O 또는 S 이고; 기호 R2 는 특히 식 (I) 에 관해 위에서 제시된 정의를 가짐.
바람직하게는 식 (L1-1) 내지 (L1-108) 의 구조에서 지수 k, l, g, h 및 j 의 총계는 각 경우에 최대 3, 바람직하게는 최대 2, 더욱 바람직하게는 최대 1 일 수 있다.
본 발명에 따른 바람직한 화합물은 결합이거나 또는 식 (L1-1) 내지 (L1-78) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-108), 바람직하게는 식 (L1-1) 내지 (L1-54) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-108), 특히 바람직하게는 식 (L1-1) 내지 (L1-29) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-103) 중 하나로부터 선택되는 L 기를 포함한다. 유리하게는, 식 (L1-1) 내지 (L1-78) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-108), 바람직하게는 식 (L1-1) 내지 (L1-54) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-108), 특히 바람직하게는 식 (L1-1) 내지 (L1-29) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-103) 의 구조에서의 지수 k, l, g, h 및 j 의 총계는 각 경우에 3 이하, 바람직하게는 2 이하, 더욱 바람직하게는 1 이하일 수 있다.
바람직하게는, 식 (L1-1) 내지 (L1-108) 에서의 R2 라디칼은 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성하지 않으며, 바람직하게는 R2 라디칼이 결합되는 아릴 기 또는 헤테로아릴 기의 고리 원자와 어떠한 융합된 고리계도 형성하지 않는다. 이는 R2 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R3 치환기와의 융합된 고리계의 형성을 포함한다.
추가의 구성에서, 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc), (IId), (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4), (IIId-4), (IVa), (IVb), (IVc), (Va), (Vb), (Vc), (Va-1), (Vb-1), (Vc-1), (Va-2), (Vb-2), (Vc-2), (Va-3), (Vb-3) 및/또는 (Vc-3) 중 적어도 하나의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물은 적어도 하나의 정공-수송기, 바람직하게는 카르바졸 및/또는 트리아릴아민 기를 포함할 수 있다. 게다가, 제공된 정공-수송기는 또한 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 아릴아민 또는 디아릴아민 기일 수 있다.
본 발명의 화합물이 방향족 또는 헤테로방향족 R1 또는 R2 기에 의해 치환되는 경우에, 이들이 서로에게 직접 융합된 2 개 초과의 방향족 6-원 고리를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 기를 갖지 않는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 치환기는 서로에게 직접 융합된 6-원 고리를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 기를 전혀 갖지 않는다. 이러한 선호도의 이유는 그러한 구조의 낮은 삼중항 에너지이다. 서로에게 직접 융합된 2 개 초과의 방향족 6-원 고리를 갖지만 그럼에도 불구하고 또한 본 발명에 따라 적합한 융합된 아릴 기는 페난트렌 및 트리페닐렌이며, 이는 이들이 또한 높은 삼중항 수준을 갖기 때문이다.
본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, 예를 들어 식 (I) 의 구조, 및 이러한 구조의 바람직한 구현예 또는 이들 식을 참조하는 구조에서의 R2 는 각 경우에 동일 또는 상이하고, H, D, 1 내지 10 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 더욱 바람직하게는 5 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 가지며, 각각 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, 예를 들어 식 (I) 의 구조, 및 이러한 구조의 바람직한 구현예 또는 이들 식을 참조하는 구조에서의 R3 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 더욱 바람직하게는 5 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 가지며, 각각 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 적합한 화합물의 예는 아래 제시된 하기 식 1 내지 178 의 구조이다:
Figure 112019037308959-pct00050
Figure 112019037308959-pct00051
Figure 112019037308959-pct00052
Figure 112019037308959-pct00053
Figure 112019037308959-pct00054
Figure 112019037308959-pct00055
Figure 112019037308959-pct00056
Figure 112019037308959-pct00057
Figure 112019037308959-pct00058
Figure 112019037308959-pct00059
Figure 112019037308959-pct00060
Figure 112019037308959-pct00061
Figure 112019037308959-pct00062
Figure 112019037308959-pct00063
본 발명의 화합물의 바람직한 구현예는 예에서 구체적으로 상세히 나타내며, 이들 화합물은 본 발명의 모든 목적을 위해 추가의 화합물과의 조합으로 또는 단독으로 사용될 수 있다.
단, 청구항 1 에서 명시된 조건은, 필요에 따라 서로 조합될 수 있는 상술한 바람직한 구현예에 따른다. 본 발명의 특히 바람직한 구현예에서, 상술한 바람직한 구현예를 이 경우에 적용한다.
본 발명의 화합물은 원칙적으로 다양한 방법에 의해 제조가능하다. 그러나, 이후 기재된 방법이 특히 적합한 것으로 밝혀졌다.
그러므로, 본 발명은 식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물의 제조 방법으로서, 커플링 반응으로, 적어도 하나의 질소-함유 헤테로시클릭 기를 포함하는 화합물이 적어도 하나의 전자 수송 기를 포함하는 화합물에 연결되는, 방법을 추가로 제공한다. 특히, Q-L 기는 Q-L 기를 함유하지 않는 식 (I) 의 기본 골격에 커플링 반응에 의해 결합된다.
카르바졸 기를 갖는 적합한 화합물은 많은 경우 시판되며, 예에서 상세히 나타낸 출발 화합물은 공지된 방법에 의해 수득될 수 있고, 이에 참조된다.
이러한 화합물은 공지된 커플링 반응에 의해 추가 아릴 화합물과 반응할 수 있는데, 이러한 목적을 위한 필요 조건은 당업자에게 공지되어 있고, 예에서의 상세한 명세는 이러한 반응을 수행하는데 있어서 당업자에게 증거를 제공한다. 모두 C-C 결합 형성 및/또는 C-N 결합 형성을 초래하는 특히 적합하고 바람직한 커플링 반응은 부흐발트 (BUCHWALD), 스즈키 (SUZUKI), 야마모토 (YAMAMOTO), 스틸 (STILLE), 헥 (HECK), 네기시 (NEGISHI), 소노가시라 (SONOGASHIRA) 및 히야마 (HIYAMA) 에 따른 반응이다. 이러한 반응은 널리 알려져 있으며, 예는 당업자에게 추가 조언을 제공할 것이다.
하기의 모든 합성 반응식에서, 구조를 단순화하기 위해 화합물을 소수의 치환기로 나타낸다. 이는 방법에서 임의 바람직한 추가 치환기의 존재를 배제하지 않는다.
제한을 부과한다는 어떠한 의도도 없이, 하기 반응식에 의해 모든 예증적 실행을 제공한다. 개별 반응식의 구성 단계는 필요한 만큼 서로 조합될 수 있다.
반응식 1
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반응식 2
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반응식 3
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반응식 4
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반응식 1 내지 4 에서 사용된 기호의 정의는 식 (I), (IIa), (IIb), (IIc) 또는 (IId) 에 관해 정의된 것에 본질적으로 상응하며, 명확성을 이유로 번호매김은 생략한다. 지수 n 은 0 또는 1 이고, 본질적으로 위에서 정의된 L 기에 해당하는 Ar 기가 임의적이고, 따라서 당해 라디칼 사이의 직접 결합이 임의로 존재한다는 것을 나타낸다.
본 발명의 화합물의 합성에 관해 제시된 방법은 예로서 이해되어야 한다. 당업자는 당해 기술 분야의 통상의 지식의 범위 내에서 대안적 합성 경로를 발전시킬 수 있을 것이다. 위에서 상술된 제조 방법의 원리는 원칙적으로 유사 화합물에 대한 문헌으로부터 알려져 있으며, 본 발명의 화합물의 제조를 위해 당업자에 의해 용이하게 조정될 수 있다. 추가 정보는 실시예에서 찾을 수 있다.
이러한 방법, 필요시 이후의 정제, 예를 들어 재결정화 또는 승화에 의해, 식 (I) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물을 고순도로, 바람직하게는 99% 초과의 순도로 수득할 수 있다 (1H NMR 및/또는 HPLC 에 의해 측정됨).
본 발명의 화합물은 또한, 화합물을 용액으로부터 가공하기 위해, 가용성인 충분한 농도로 실온에서, 적합한 치환기, 예를 들어 상대적으로 긴 알킬 기 (약 4 내지 20 개의 탄소 원자), 특히 분지형 알킬 기, 또는 임의 치환된 아릴 기, 예를 들어 자일릴, 메시틸 또는 분지형 테르페닐 또는 쿠아테르페닐 기 (표준 유기 용매, 예를 들어 톨루엔 또는 자일렌 중의 용해성을 초래함) 를 가질 수 있다. 이러한 가용성 화합물은 예를 들어 프린팅 방법에 의해 용액으로부터 가공하기 위한 특히 양호한 적합성을 갖는다. 또한, 식 (I) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물이 이미 이러한 용매 중 향상된 용해도를 갖는다는 것이 강조되어야 한다.
본 발명의 화합물은 또한 중합체와 혼합될 수 있다. 마찬가지로, 이러한 화합물을 중합체에 공유결합으로 혼입시킬 수 있다. 이는 브롬, 요오드, 염소, 보론산 또는 보론산 에스테르와 같은 반응성 이탈기에 의해, 또는 올레핀 또는 옥세탄과 같은 반응성 중합가능 기에 의해 치환된 화합물로 특히 가능하다. 이들은 상응하는 올리고머, 덴드리머 또는 중합체의 제조를 위해 단량체로서 사용될 수 있다. 올리고머화 또는 중합은 바람직하게는, 할로겐 작용기 또는 보론산 작용기를 통해, 또는 중합가능 기를 통해 실행된다. 추가적으로, 이러한 종류의 기를 통해 중합체를 가교결합시킬 수 있다. 본 발명의 화합물, 및 중합체는 가교결합된 또는 가교결합되지 않은 층의 형태로 사용될 수 있다.
따라서 본 발명은 본 발명의 화합물 또는 식 (I) 의 위에서 상술된 구조 중 하나 이상을 함유하는 올리고머, 중합체 또는 덴드리머로서, 중합체, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 본 발명의 화합물 또는 식 (I) 의 구조의 하나 이상의 결합이 존재하는, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머를 추가로 제공한다. 식 (I) 의 구조 또는 화합물의 연결에 따라서, 이들은 그에 따라 올리고머 또는 중합체의 측쇄를 형성하거나 주쇄 내에서 결합된다. 중합체, 올리고머 또는 덴드리머는 컨주게이션되거나, 부분 컨주게이션되거나 또는 컨주게이션되지 않을 수 있다. 올리고머 또는 중합체는 선형, 분지형 또는 수지상일 수 있다. 올리고머, 덴드리머 및 중합체에서의 본 발명의 화합물의 반복 단위에 대해서, 위에 기재된 바와 동일한 선호도가 적용된다.
올리고머 또는 중합체의 제조를 위해, 본 발명의 단량체는 추가 단량체와 공중합 또는 동종중합된다. 식 (I) 의 단위 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예가 0.01 내지 99.9 몰%, 바람직하게는 5 내지 90 몰%, 더욱 바람직하게는 20 내지 80 몰% 의 정도로 존재하는 공중합체가 바람직하다. 중합체 베이스 골격을 형성하는 적합한 바람직한 공단량체는 플루오렌 (예를 들어 EP 842208 또는 WO 2000/022026 에 따름), 스피로바이플루오렌 (예를 들어 EP 707020, EP 894107 또는 WO 2006/061181 에 따름), 파라페닐렌 (예를 들어 WO 92/18552 에 따름), 카르바졸 (예를 들어 WO 2004/070772 또는 WO 2004/113468 에 따름), 티오펜 (예를 들어 EP 1028136 에 따름), 디히드로페난트렌 (예를 들어 WO 2005/014689 에 따름), 시스- 및 트랜스-인데노플루오렌 (예를 들어 WO 2004/041901 또는 WO 2004/113412 에 따름), 케톤 (예를 들어 WO 2005/040302 에 따름), 페난트렌 (예를 들어 WO 2005/104264 또는 WO 2007/017066 에 따름) 또는 복수의 이들 단위로부터 선택된다. 중합체, 올리고머 및 덴드리머는 추가 단위, 예를 들어 정공 수송 단위 (특히 트리아릴아민 기반의 것들), 및/또는 전자 수송 단위를 함유할 수 있다.
추가로 특별한 관심의 대상은, 높은 유리 전이 온도를 특징으로 하는 본 발명의 화합물이다. 이와 관련하여, DIN 51005 (2005-08 버전) 에 따라 측정된 적어도 70℃, 더욱 바람직하게는 적어도 110℃, 더욱더 바람직하게는 적어도 125℃, 특히 바람직하게는 적어도 150℃ 의 유리 전이 온도를 갖는, 일반식 (I) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예가 특히 바람직하다.
예를 들어 스핀-코팅 또는 프린팅 방법에 의해 액체상으로부터 본 발명의 화합물을 가공하기 위해서, 본 발명의 화합물의 제형이 필요하다. 이러한 제형은 예를 들어 용액, 분산액 또는 유액일 수 있다. 이러한 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 쿠멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 헥사메틸인단, 2-메틸바이페닐, 3-메틸바이페닐, 1-메틸나프탈렌, 1-에틸나프탈렌, 에틸 옥타노에이트, 디에틸 세바케이트, 옥틸 옥타노에이트, 헵틸벤젠, 멘틸 이소발레레이트, 시클로헥실 헥사노에이트 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서 본 발명은 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가의 화합물을 포함하는 제형을 추가로 제공한다. 추가의 화합물은 예를 들어 용매, 특히 상술한 용매 중 하나 또는 이들 용매의 혼합물일 수 있다. 추가의 화합물은 대안적으로, 전자 소자에서 마찬가지로 사용되는 적어도 하나의 추가 유기 또는 무기 화합물, 예를 들어 방사 화합물, 특히 인광 도펀트, 및/또는 추가 매트릭스 재료일 수 있다. 이러한 추가의 화합물은 또한 중합체성일 수 있다.
따라서 본 발명은 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 유기적 기능성 재료를 포함하는 조성물을 추가로 제공한다. 기능성 재료는 일반적으로, 애노드와 캐소드 사이에 도입된 유기 또는 무기 재료이다. 바람직하게는, 유기 기능성 재료는 형광 방사체, 인광 방사체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 전도체 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단제 재료, 정공 차단제 재료, 와이드 밴드 갭 (wide band gap) 재료 및 n-도펀트로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
따라서 본 발명은 또한 식 (I) 의 구조를 포함하는 적어도 하나의 화합물 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예 및 적어도 하나의 추가 매트릭스 재료를 포함하는 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 특정 양태에 따르면, 추가 매트릭스 재료는 정공-수송 특성을 갖는다.
본 발명은 식 (I) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는 적어도 하나의 화합물 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예, 및 적어도 하나의 와이드 밴드 갭 재료를 포함하는 조성물을 추가로 제공하는데, 와이드 밴드 갭 재료는 US 7,294,849 의 개시물의 의미에 있어서 재료를 의미하는 것으로 이해된다. 이러한 시스템은 전계발광 소자에 있어서 현저한 유리한 성능 데이터를 나타낸다.
바람직하게는, 추가적인 화합물은 2.5 eV 이상, 바람직하게는 3.0 eV 이상, 매우 바람직하게는 3.5 eV 이상의 밴드 갭을 가질 수 있다. 밴드 갭을 계산하는 한 방식은 최고준위 점유 분자 궤도 (HOMO) 및 최저준위 비점유 분자궤도 (LUMO) 의 에너지 수준을 통한 것이다.
재료의 분자 궤도, 특히 또한 최고준위 점유 분자 궤도 (HOMO) 및 최저준위 비점유 분자 궤도 (LUMO), 이의 에너지 수준 및 최저 삼중항 상태 T1 및 최저 여기 단일항 상태 S1 의 에너지는 양자-화학 계산을 통해 측정된다. 금속을 갖지 않는 유기 물질의 계산을 위해서, 기하학적 구조의 최적화가 먼저 "Ground State/Semi-empirical/Default Spin/AM1/Charge 0/Spin Singlet" 방법에 의해 수행된다. 이후, 에너지 계산은 최적화된 기하학적 구조를 기초로 하여 수행된다. 이는 "6-31G(d)" 기초 세트 (전하 0, 스핀 단일항) 로 "TD-SCF/DFT/Default Spin/B3PW91" 방법을 사용하여 수행된다. 금속-함유 화합물에 대해, 기하학적 구조를 "Ground State/Hartree-Fock/Default Spin/LanL2MB/Charge 0/Spin Singlet" 방법을 통해 최적화한다. 에너지 계산은, "LanL2DZ" 기초 세트를 금속 원자에 대해 사용하고 "6-31G(d)" 기초 세트를 리간드에 대해 사용하는 것을 제외하고는, 유기 물질에 대해 위에서 기재된 방법과 유사하게 달성된다. HOMO 에너지 수준 HEh 또는 LUMO 에너지 수준 LEh 는 하트리 (Hartree) 단위로 에너지 계산으로부터 수득된다. 이는 하기와 같이 순환 전압 전류 측정에 의해 교정된 전자 볼트로의 HOMO 및 LUMO 에너지 수준을 측정하는데 사용된다:
HOMO(eV) = ((HEh*27.212)-0.9899)/1.1206
LUMO(eV) = ((LEh*27.212)-2.0041)/1.385
이러한 값은 본 출원의 맥락에서 재료의 HOMO 및 LUMO 에너지 수준으로서 간주될 것이다.
최저 삼중항 상태 T1 은 기재된 양자-화학 계산으로부터 분명한 최저 에너지를 갖는 삼중항 상태의 에너지로서 정의된다. 최저 여기 단일항 상태 S1 은 기재된 양자-화학 계산으로부터 분명한 최저 에너지를 갖는 여기 단일항 상태의 에너지로서 정의된다.
본원에 기재된 방법은 사용한 소프트웨어 패키지와 관계가 없으며 항상 동일한 결과를 제공한다. 이러한 목적으로 이용된 프로그램의 예는 "Gaussian09W" (Gaussian Inc.) 및 Q-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.) 이다.
본 발명은 또한 식 (I) 의 구조를 포함하는 적어도 하나의 화합물 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예, 및 적어도 하나의 인광 방사체를 포함하는 조성물에 관한 것이며, 용어 "인광 방사체" 는 또한 인광 도펀트를 의미하는 것으로 이해된다.
매트릭스 재료 및 도펀트를 포함하는 시스템 중 도펀트는 혼합물에서 작은 비율을 갖는 성분을 의미하는 것으로 이해된다. 상응하게, 매트릭스 재료 및 도펀트를 포함하는 시스템 중 매트릭스 재료는 혼합물에서 큰 비율을 갖는 성분을 의미하는 것으로 이해된다.
매트릭스 시스템, 바람직하게는 혼합 매트릭스 시스템에서 사용하기 위한 바람직한 인광 도펀트는, 이하 명시된 바람직한 인광 도펀트이다.
용어 "인광 도펀트" 는 통상, 스핀-금지 전이, 예를 들어 여기 삼중항 상태 또는 더 높은 스핀 양자수를 갖는 상태, 예를 들어 오중항 상태로부터의 전이를 통해 발광이 이루어지는 화합물을 포함한다.
적합한 인광 화합물 (= 삼중항 방사체) 은 특히, 적합하게 여기시, 바람직하게는 가시 부위에서 발광하며 또한 20 초과, 바람직하게는 38 초과 및 84 미만, 더욱 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 원자수, 특히 이러한 원자수를 갖는 금속의 적어도 하나의 원자를 함유하는 화합물이다. 사용한 바람직한 인광 방사체는 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다. 본 발명의 맥락에서, 상술한 금속을 함유하는 모든 발광 화합물은 인광 화합물로서 간주된다.
위에 기재된 방사체의 예는 출원 WO 00/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US 2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094961, WO 2014/094960, WO 2015/036074, WO 2015/104045, WO 2015/117718, WO 2016/015815, WO 2016/124304, WO 2017/032439 및 미공개 출원 EP16179378.1 및 EP16186313.9 에서 발견될 수 있다. 일반적으로, 유기 전계발광 분야에서의 당업자에게 공지된 바와 같으며 선행 기술 분야에 따른 인광 OLED 에 대해 사용되는 바와 같은 모든 인광 착물이 적합하며, 당업자는 발명의 재능을 발휘하지 않고 추가 인광 착물을 사용할 수 있을 것이다.
인광 도펀트의 명시적 예를 하기 표에서 제시한다:
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위에서 상술된 바람직한 구현예 또는 식 (I) 의 구조를 포함하는 상술한 화합물은 바람직하게는 전자 소자에서의 유효 성분으로서 사용될 수 있다. 전자 소자는 애노드, 캐소드 및 애노드와 캐소드 사이의 적어도 하나의 층을 포함하는 임의의 소자를 의미하는 것으로 이해되는데, 상기 층은 적어도 하나의 유기 또는 유기금속 화합물을 포함한다. 본 발명의 전자 소자는 따라서 애노드, 캐소드, 및 식 (I) 의 구조를 포함하는 적어도 하나의 화합물을 함유하는 적어도 하나의 개재층 (intervening layer) 을 포함한다. 바람직한 전자 소자는 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 유기 전기 센서, 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 플라스몬 방사 소자, 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED), 특히 인광 OLED (적어도 하나의 층에 식 (I) 의 구조를 포함하는 적어도 하나의 화합물을 함유함) 로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 유기 전계발광 소자가 특히 바람직하다. 유효 성분은 일반적으로 애노드와 캐소드 사이에 도입된 유기 또는 무기 재료, 예를 들어 전하 주입, 전자 수송 또는 전하 차단제 재료, 특히 방사 재료 및 매트릭스 재료이다.
본 발명의 바람직한 구현예는 유기 전계발광 소자이다. 유기 전계발광 소자는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방사층을 포함한다. 이러한 층 외에, 이는 추가 층, 예를 들어 각 경우에 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단제 층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 차단제 층, 전자 차단제 층, 전하 발생층 및/또는 유기 또는 무기 p/n 접합부를 포함할 수 있다. 이 경우에, 하나 이상의 정공 수송층이, 예를 들어 금속 산화물 예컨대 MoO3 또는 WO3, 또는 (퍼)플루오르화 전자-결핍 방향족계로 p-도핑되고/되거나, 하나 이상의 전자 수송층이 n-도핑되는 것이 가능하다. 마찬가지로, 예를 들어 여기자 차단 기능을 갖고/갖거나 전계발광 소자에서의 전하 균형을 제어하는 중간층 (interlayer) 이 2 개의 방사층 사이에 도입될 수 있다. 그러나, 이들 층 모두가 반드시 존재해야할 필요는 없다는 점이 언급되어야 한다.
이러한 경우, 유기 전계발광 소자는 하나의 방사층을 함유할 수 있거나, 또는 복수의 방사층을 함유할 수 있다. 복수의 방사층이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게는 380 ㎚ 와 750 ㎚ 사이에 전체적으로 여러 방사 최대치를 가지며, 전체 결과는 백색 방사이고; 즉, 형광 또는 인광을 발할 수 있는 다양한 방사 화합물이 방사층에 사용된다. 3 개 층이 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방사를 나타내는 3 개 층 시스템, 또는 3 개 초과의 방사층을 갖는 시스템이 특히 바람직하다. 더욱 바람직한 것은 탠덤 (tandem) OLED 이다. 시스템은 또한, 하나 이상의 층이 형광을 나타내고 하나 이상의 다른 층이 인광을 발하는 하이브리드 시스템일 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 유기 전계발광 소자는, 하나 이상의 방사층에서, 바람직하게는 추가 매트릭스 재료, 바람직하게는 정공-전도 매트릭스 재료와 조합으로, 위에서 상술된 바람직한 구현예 또는 식 (I) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물을 매트릭스 재료, 바람직하게는 전자-전도 매트릭스 재료로서 함유한다. 본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, 추가 매트릭스 재료는 전자-수송 화합물이다. 추가의 바람직한 구현예에서, 추가 매트릭스 재료는 층에서 정공 및 전자 수송에 있어서, 그렇다 해도, 유의한 정도로 포함되지 않는 큰 밴드 갭을 갖는 화합물이다. 방사층은 형광을 발하거나 또는 인광을 발하거나 TADF (열적으로 활성화되는 지연된 형광) 을 나타내는 적어도 하나의 방사 화합물을 포함한다.
바람직한 구현예에 따른 또는 식 (I) 의 화합물과 조합으로 사용될 수 있는 적합한 매트릭스 재료는 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥시드 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰 (예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따름), 트리아릴아민, 특히 모노아민 (예를 들어 WO 2014/015935 에 따름), 카르바졸 유도체, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴바이페닐) 또는 카르바졸 유도체 (WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 개시됨), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2010/136109 및 WO 2011/000455 에 따름), 아자카르바졸 유도체 (예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따름), 양극성 매트릭스 재료 (예를 들어 WO 2007/137725 에 따름), 실란 (예를 들어 WO 2005/111172 에 따름), 아자보롤 또는 보론산 에스테르 (예를 들어 WO 2006/117052 에 따름), 트리아진 유도체 (예를 들어 WO 2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 아연 착물 (예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따름), 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체 (예를 들어 WO 2010/054729 에 따름), 디아자포스폴 유도체 (예를 들어 WO 2010/054730 에 따름), 브릿지연결된 (bridged) 카르바졸 유도체 (예를 들어 US 2009/0136779, WO 2010/050778, WO 2011/042107, WO 2011/088877 또는 WO 2012/143080 에 따름), 트리페닐렌 유도체 (예를 들어 WO 2012/048781 에 따름), 락탐 (예를 들어 WO 2011/116865, WO 2011/137951 또는 WO 2013/064206 에 따름), 4-스피로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2014/094963 또는 WO 2015/192939 에 따름), 또는 디벤조푸란 유도체 (예를 들어 WO 2015/169412, WO 2016/015810, WO 2016/023608 또는 미공개 출원 EP16158460.2 또는 EP16159829.7 에 따름) 이다. 마찬가지로, 실제 방사체보다 더 짧은 파장에서 방사하는 추가 인광 방사체가 혼합물에서 공동-호스트로서 존재할 수 있다.
바람직한 공동-호스트 재료는 트리아릴아민 유도체, 특히 모노아민, 인데노카르바졸 유도체, 4-스피로카르바졸 유도체, 락탐, 카르바졸 유도체 및 비스카르바졸 유도체이다.
본 발명의 화합물과 함께 공동-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 트리아릴아민 유도체가 하기 식 (TA-1) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure 112019037308959-pct00075
식에서 Ar1 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, 6 내지 40 개의 탄소 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 여기에서 둘 이상의 인접한 R2 치환기는 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 바람직하게는 모노- 또는 폴리시클릭 지방족 고리계를 임의로 형성할 수 있고, 여기에서 기호 R2 는, 특히 식 (I) 에 관해, 위에서 정의된 바와 같다. 바람직하게는, Ar1 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, 5 내지 24 개, 바람직하게는 5 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는 아릴 또는 헤테로아릴 기이다.
적합한 Ar1 기의 예는 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿠아테르페닐, 특히 분지형 쿠아테르페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 치환되지 않는다.
바람직하게는, Ar1 기는 각 경우에 동일 또는 상이하고, 상술한 R1-1 내지 R1-80 기, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 로부터 선택된다.
식 (TA-1) 의 화합물의 바람직한 구현예에서, 적어도 하나의 Ar1 기는 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐 기일 수 있는 바이페닐 기로부터 선택된다. 식 (TA-1) 의 화합물의 추가의 바람직한 구현예에서, 적어도 하나의 Ar1 기는 플루오렌 기 또는 스피로바이플루오렌 기로부터 선택되며, 이때 이들 기는 각각 1, 2, 3 또는 4 위치에서 질소 원자에 결합될 수 있다. 식 (TA-1) 의 화합물의 추가의 바람직한 구현예에서, 적어도 하나의 Ar1 기는 페닐렌 또는 바이페닐 기로부터 선택되며, 이때 기는 디벤조푸란 기, 디벤조티오펜 기 또는 카르바졸 기, 특히 디벤조푸란 기에 의해 치환된 오르토-, 메타- 또는 파라-결합 기이고, 이때 디벤조푸란 또는 디벤조티오펜 기는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 페닐렌 또는 바이페닐 기에 결합되며 카르바졸 기는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 또는 질소 원자를 통해 페닐렌 또는 바이페닐 기에 결합된다.
식 (TA-1) 의 화합물의 특히 바람직한 구현예에서, 1 개의 Ar1 기는 플루오렌 또는 스피로바이플루오렌 기, 특히 4-플루오렌 또는 4-스피로바이플루오렌 기로부터 선택되고, 1 개의 Ar1 기는 바이페닐 기, 특히 파라-바이페닐 기, 또는 플루오렌 기, 특히 2-플루오렌 기로부터 선택되고, 제 3 의 Ar1 기는 디벤조푸란 기, 특히 4-디벤조푸란 기, 또는 카르바졸 기, 특히 N-카르바졸 기 또는 3-카르바졸 기에 의해 치환된 파라-페닐렌 기 또는 파라-바이페닐 기로부터 선택된다.
본 발명의 화합물과 함께 공동-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 인데노카르바졸 유도체는 하기 식 (TA-2) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure 112019037308959-pct00076
식에서, Ar1 및 R1 은 특히 식 (I) 및/또는 (TA-1) 에 관해 위에서 열거된 정의를 갖는다. Ar1 기의 바람직한 구현예는 위에서 열거된 구조 R1-1 내지 R1-80, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 이다.
식 (TA-2) 의 화합물의 바람직한 구현예는 하기 식 (TA-2a) 의 화합물이다:
Figure 112019037308959-pct00077
식에서, Ar1 및 R1 은 특히 식 (I) 및/또는 (TA-1) 에 관해 위에서 열거된 정의를 갖는다. 여기에서 인데노 탄소 원자에 결합된 2 개의 R1 기는 바람직하게는 동일 또는 상이하고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 특히 메틸 기, 또는 6 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 방향족 고리계, 특히 페닐 기이다. 더욱 바람직하게는, 인데노 탄소 원자에 결합된 2 개의 R1 기는 메틸 기이다. 더 바람직하게는, 식 (TA-2a) 에서 인데노카르바졸 베이스 골격에 결합된 R1 치환기는 H 또는 카르바졸 기 (1, 2, 3 또는 4 위치를 통해, 또는 질소 원자를 통해, 특히 3 위치를 통해 인데노카르바졸 베이스 골격에 결합될 수 있음) 이다.
본 발명의 화합물과 함께 공동-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 4-스피로카르바졸 유도체는 하기 식 (TA-3) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure 112019037308959-pct00078
식에서, Ar1 및 R1 은 특히 식 (I), (II) 및/또는 (Q-1) 에 관해 위에서 열거된 정의를 갖는다. Ar1 기의 바람직한 구현예는 위에서 열거된 구조 R1-1 내지 R1-80, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 이다.
식 (TA-3) 의 화합물의 바람직한 구현예는 하기 식 (TA-3a) 의 화합물이다:
Figure 112019037308959-pct00079
식에서, Ar1 및 R1 은 특히 식 (I), (II) 및/또는 (Q-1) 에 관해 위에서 열거된 정의를 갖는다. Ar1 기의 바람직한 구현예는 위에서 열거된 구조 R1-1 내지 R1-80, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 이다.
본 발명의 화합물과 함께 공동-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 비스카르바졸 유도체는 하기 식 (TA-4) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure 112019037308959-pct00080
식에서 Ar1 및 R1 은, 특히 식 (I) 및/또는 (TA-1) 에 관해, 위에서 열거된 정의를 갖는다. Ar1 기의 바람직한 구현예는 위에서 열거된 구조 R1-1 내지 R1-80, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 이다.
식 (TA-4) 의 화합물의 바람직한 구현예는 하기 식 (TA-4a) 의 화합물이다:
Figure 112019037308959-pct00081
식에서 Ar1 은, 특히 식 (TA-1) 에 관해, 위에서 열거된 정의를 갖는다. Ar1 기의 바람직한 구현예는 위에서 열거된 구조 R1-1 내지 R1-80, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 이다.
적합한 비스카르바졸 유도체의 예는 하기 표에 열거된 재료이다:
Figure 112019037308959-pct00082
Figure 112019037308959-pct00083
Figure 112019037308959-pct00084
본 발명의 화합물과 함께 공동-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 락탐은 하기 식 (LAC-1) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure 112019037308959-pct00085
식에서, R1 은 특히 식 (I) 에 관해 위에서 열거된 정의를 갖는다.
식 (LAC-1) 의 화합물의 바람직한 구현예는 하기 식 (LAC-1a) 의 화합물이다:
Figure 112019037308959-pct00086
식에서, R1 은 특히 식 (I) 에 관해 위에서 제시된 정의를 갖는다. R1 은 바람직하게는 각 경우에 동일 또는 상이하고, H 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 여기에서 R2 는 특히 식 (I) 에 관해 위에서 제시된 정의를 가질 수 있다. 가장 바람직하게는, R1 치환기는 H 및 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 비방향족 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 적합한 R1 치환기의 예는 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿠아테르페닐, 특히 분지형 쿠아테르페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 치환되지 않는다. 적합한 R1 구조는 R1-1 내지 R1-79, 더욱 바람직하게는 R1-1 내지 R1-51 에 대해 위에서 제시된 바와 동일한 구조를 갖는다.
또한 혼합물로서 복수의 상이한 매트릭스 재료를, 특히 적어도 하나의 전자-전도 매트릭스 재료 및 적어도 하나의 정공-전도 매트릭스 재료를 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어 WO 2010/108579 에서 기재하는 바와 같이, 존재시, 전하 수송에 상당한 정도로 참여하지 않는 전기적 불활성 매트릭스 재료 및 전하-수송 매트릭스 재료의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다.
매트릭스와 함께 둘 이상의 삼중항 방사체의 혼합물을 사용하는 것이 더 바람직하다. 이러한 경우, 더 짧은 파장 방사 스펙트럼을 갖는 삼중항 방사체는 더 긴 파장 방사 스펙트럼을 갖는 삼중항 방사체에 대한 공동-매트릭스로서 역할을 한다.
더욱 바람직하게는, 바람직한 구현예에서, 식 (I) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물을 유기 전자 소자의 방사층에서, 특히 유기 전계발광 소자, 예를 들어 OLED 또는 OLEC 에서 매트릭스 재료로서 사용할 수 있다. 이러한 경우, 식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예를 함유하는 매트릭스 재료는 하나 이상의 도펀트, 바람직하게는 인광 도펀트, 뿐만 아니라 TADF (열적으로 활성화되는 지연된 형광) 을 나타내는 도펀트와 조합으로 전자 소자에서 존재한다.
이러한 경우 방사층에서의 매트릭스 재료의 비율은 형광 방사층에 대해서는 50.0 내지 99.9 부피%, 바람직하게는 80.0 내지 99.5 부피%, 더욱 바람직하게는 92.0 내지 99.5 부피% 이고, 인광 방사층에 대해서는 85.0 내지 97.0 부피% 이다.
상응하게, 도펀트의 비율은 형광 방사층에 대해서는 0.1 내지 50.0 부피%, 바람직하게는 0.5 내지 20.0 부피%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 8.0 부피% 이고, 인광 방사층에 대해서는 3.0 내지 15.0 부피% 이다.
유기 전계발광 소자의 방사층은 또한 복수의 매트릭스 재료 (혼합 매트릭스 시스템) 및/또는 복수의 도펀트를 포함하는 시스템을 포함할 수 있다. 이러한 경우에도 또한, 도펀트는 일반적으로 시스템 내에서 더 적은 비율을 갖는 이러한 재료이고, 매트릭스 재료는 시스템 내에서 더 큰 비율을 갖는 이러한 재료이다. 그러나 개별적인 경우에서, 시스템 내에서의 단일 매트릭스 재료의 비율은 단일 도펀트의 비율보다 적을 수 있다.
본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, 상기 및 하기 나타내는 바람직한 구현예 또는 식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물은 혼합 매트릭스 시스템의 성분으로서 사용된다. 혼합 매트릭스 시스템은 바람직하게는 2 또는 3 개의 상이한 매트릭스 재료, 더욱 바람직하게는 2 개의 상이한 매트릭스 재료를 포함한다. 바람직하게는, 이러한 경우, 2 개의 재료 중 하나는 정공-수송 특성을 갖는 재료이고, 다른 재료는 전자-수송 특성을 갖는 재료이다. 그러나 혼합 매트릭스 성분의 원하는 전자-수송 및 정공-수송 특성은 또한, 단일 혼합 매트릭스 성분에서 주로 또는 전적으로 조합될 수 있는데, 이 경우 추가의 혼합 매트릭스 성분(들)은 다른 기능을 충족시킨다. 2 개의 상이한 매트릭스 재료는 1:50 내지 1:1, 바람직하게는 1:20 내지 1:1, 더욱 바람직하게는 1:10 내지 1:1, 가장 바람직하게는 1:4 내지 1:1 의 비로 존재할 수 있다. 인광 유기 전계발광 소자에서 혼합 매트릭스 시스템을 사용하는 것이 바람직하다. 혼합 매트릭스 시스템에 대한 더욱 상세한 정보의 한 출처는 출원 WO 2010/108579 이다.
본 발명은 전자-전도 화합물로서, 하나 이상의 전자-전도층에서 본 발명의 하나 이상의 화합물 및/또는 본 발명의 적어도 하나 올리고머, 중합체 또는 덴드리머를 포함하는 전자 소자, 바람직하게는 유기 전계발광 소자를 추가로 제공한다.
바람직한 캐소드는 낮은 일함수를 갖는 금속, 각종 금속, 예를 들어 알칼리 토금속, 알칼리 금속, 주족 금속 또는 란탄족원소 (예를 들어 Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등) 로 구성되는 금속 합금 또는 다중층 구조이다. 추가적으로 적합한 것은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은으로 구성되는 합금, 예를 들어 마그네슘 및 은으로 구성되는 합금이다. 다중층 구조의 경우, 언급된 금속에 추가로, 비교적 높은 일 함수를 갖는 추가의 금속, 예를 들어 Ag 를 또한 사용할 수 있는데, 이 경우 예를 들어 Mg/Ag, Ca/Ag 또는 Ba/Ag 와 같은 금속의 조합이 일반적으로 사용된다. 또한 금속 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전 상수를 갖는 재료의 얇은 중간층을 도입하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 목적을 위해 유용한 재료의 예는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 플루오라이드 뿐 아니라, 또한 상응하는 옥시드 또는 카르보네이트 (예를 들어, LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3 등) 이다. 마찬가지로, 이러한 목적을 위해 유용한 것은 유기 알칼리 금속 착물, 예를 들어 LiQ (리튬 퀴놀리네이트) 이다. 이러한 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm 이다.
바람직한 애노드는 높은 일 함수를 갖는 재료이다. 바람직하게는, 애노드는 진공에 비해 4.5 eV 초과의 일 함수를 갖는다. 첫 번째로, 높은 산화환원 전위를 갖는 금속, 예를 들어 Ag, Pt 또는 Au 가 이러한 목적을 위해 적합하다. 두 번째로, 금속/금속 산화물 전극 (예를 들어 Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수 있다. 일부 적용에 대해, 전극 중 적어도 하나는 유기 재료의 조사 (O-SC) 또는 광의 방사 (OLED/PLED, O-레이저) 가 가능하도록 투명하거나 부분적으로 투명해야만 한다. 여기에서 바람직한 애노드 재료는 전도성 혼합 금속 산화물이다. 인듐 주석 산화물 (ITO) 또는 인듐 아연 산화물 (IZO) 이 특히 바람직하다. 전도성의 도핑된 유기 재료, 특히 전도성의 도핑된 중합체, 예를 들어 PEDOT, PANI 또는 이러한 중합체의 유도체가 추가로 바람직하다. p-도핑된 정공 수송 재료가 정공 주입층으로서 애노드에 적용되는 경우가 또한 바람직한데, 이러한 경우 적합한 p-도펀트는 금속 산화물, 예를 들어 MoO3 또는 WO3, 또는 (퍼)플루오르화 전자-결핍 방향족계이다. 추가로 적합한 p-도펀트는 HAT-CN (헥사시아노헥사아자트리페닐렌) 또는 화합물 NPD9 (Novaled 사제) 이다. 이러한 층은 낮은 HOMO (즉, 규모 면에서 큰 HOMO) 를 갖는 재료 내로의 정공 주입을 간소화시킨다.
추가 층에서, 일반적으로, 층에 대해 선행 기술에 따라 사용되는 바와 같은 임의의 재료를 사용할 수 있으며, 당업자는 발명의 재능을 발휘하지 않고 전자 소자에서 본 발명의 재료와 임의의 이러한 재료를 조합할 수 있다.
소자의 수명이 물 및/또는 공기의 존재 하에 심각하게 단축되므로, 이러한 소자는 상응하게 (본 출원에 따라) 구조화되고, 접촉-연결되고 최종적으로 용봉된다.
추가적으로 바람직한 것은, 하나 이상의 층이 승화 방법에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자이다. 이러한 경우, 재료는 통상 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템에서의 증착에 의해 적용된다. 초기 압력은 또한 심지어 더 낮거나 더 높을 수 있으며, 예를 들어 10-7 mbar 미만일 수 있다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (유기 증기상 침착) 방법에 의해 또는 운반체 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 이러한 경우, 재료는 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용된다. 이러한 방법의 특정 경우는 OVJP (유기 증기 제트 프린팅) 방법인데, 여기에서 재료는 노즐에 의해 직접 적용되고 그에 따라 구조화된다.
추가적으로, 하나 이상의 층이 용액으로부터, 예를 들어 스핀-코팅에 의해, 또는 임의의 프린팅 방법, 예를 들어 스크린 프린팅, 플렉소그래피 프린팅, 오프셋 프린팅 또는 노즐 프린팅, 그러나 더욱 바람직하게는 LITI (광-유도 열 이미징, 열 전사 프린팅) 또는 잉크젯 프린팅에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 이러한 목적을 위해, 예를 들어 적합한 치환을 통해 수득되는 가용성 화합물이 필요하다.
전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자는 또한 하나 이상의 층을 용액으로부터 적용하고 증착에 의해 하나 이상의 다른 층을 적용함으로써 하이브리드 시스템으로서 제조될 수 있다. 예를 들어, 식 (I) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물 및 매트릭스 재료를 포함하는 방사층을 용액으로부터 적용하고, 이에 정공 차단제 층 및/또는 전자 수송층을 감압 하 증착에 의해 적용할 수 있다.
이러한 방법은 당업자에게 일반적인 용어로 알려져 있으며 위에서 상술된 바람직한 구현예 또는 식 (I) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물을 포함하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에 어려움 없이 적용될 수 있다.
본 발명의 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자는, 하기의 놀라운 이점 중 하나 이상으로 선행 기술에 비해 주목받을만 하다:
1. 특히 전자-전도 재료로서, 식 (I) 의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예를 포함하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자는 매우 양호한 수명을 갖는다.
2. 전자-전도 재료, 전자 주입 재료 및/또는 호스트 재료로서, 식 (I) 의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예를 포함하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자는 우수한 효율을 갖는다. 더욱 특히, 효율은 식 (I) 의 구조 단위를 함유하지 않는 유사 화합물과 비교하여 훨씬 더 높다. 이러한 맥락에서, 식 (I)의 구조를 갖는 본 발명의 화합물, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예는 전자 소자에서 사용될 때 낮은 작동 전압을 초래한다. 이러한 맥락에서, 이들 화합물은 특히 낮은 롤-오프 (roll-off), 즉 높은 휘도에서 소자의 전력 효율의 적은 하락을 초래한다.
3. 식 (I) 의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예는 매우 높은 안정성을 나타내며, 매우 긴 수명을 갖는 화합물을 초래한다.
4. 식 (I) 의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예로, 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서 광 손실 채널의 형성을 방지할 수 있다. 그 결과, 이러한 소자는 높은 PL 효율 및 그에 따라 방사체의 높은 EL 효율, 및 도펀트로의 매트릭스의 우수한 에너지 전송을 특징으로 한다.
5. 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자의 층에서의 식 (I) 의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예의 사용은 전자 전도체 구조의 높은 이동성을 초래한다.
6. 상기 및 하기 나타내는 바람직한 구현예 또는 식 (I) 의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머는 우수한 열 안정성을 특징으로 하며, 약 1200 g/mol 미만의 몰 질량을 갖는 화합물은 양호한 승화도를 갖는다.
7. 식 (I) 의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예는 우수한 유리 필름 형성을 갖는다.
8. 식 (I) 의 구조를 갖는 화합물, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 또는 위에서 및 아래에서 언급된 바람직한 구현예는 용액으로부터 매우 양호한 필름을 형성한다.
이러한 상술한 이점은 추가의 전자적 특성에 있어서 저하를 동반하지 않는다.
본 발명의 화합물 및 혼합물은 전자 소자에서 사용하기에 적합하다. 전자 소자는 적어도 하나의 유기 화합물을 함유하는 적어도 하나의 층을 함유하는 소자를 의미하는 것으로 이해된다. 성분은 또한 무기 재료 또는 다르게는 전적으로 무기 재료로부터 형성된 층을 포함할 수 있다.
따라서 본 발명은 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서의 본 발명의 화합물 또는 혼합물의 용도를 추가로 제공한다.
본 발명은 호스트 재료, 정공 차단제 재료, 전자 주입 재료 및/또는 전자 수송 재료로서, 바람직하게는 호스트 재료 및/또는 전자 수송 재료로서 전자 소자에서의 본 발명의 화합물 및/또는 본 발명의 올리고머, 중합체 또는 덴드리머의 용도를 추가로 제공한다.
본 발명은 본 발명의 위에서 상술된 화합물 또는 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 전자 소자를 추가로 제공한다. 이러한 경우, 화합물에 대해 위에서 기재된 선호도가 또한 전자 소자에 적용된다. 더욱 바람직하게는, 전자 소자는 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 유기 전기 센서, 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 플라스몬 방사 소자, 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED), 특히 인광 OLED 로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가 구현예에서, 본 발명의 유기 전계발광 소자는 어떠한 별도의 정공 주입층 및/또는 정공 수송층 및/또는 정공 차단제 층 및/또는 전자 수송층도 함유하지 않으며, 이는, 예를 들어 WO 2005/053051 에 기재된 바와 같이, 방사층이 정공 주입층 또는 애노드에 직접 인접하고/하거나 방사층이 전자 수송층 또는 전자 주입층 또는 캐소드에 직접 인접한다는 것을 의미한다. 추가적으로, 예를 들어 WO 2009/030981 에 기재된 바와 같이, 방사층에서의 금속 착물과 동일하거나 유사한 금속 착물을 방사층에 직접 인접하는 정공 수송 또는 정공 주입 재료로서 사용할 수 있다.
추가로, 정공 차단제 층 또는 전자 수송층에서 본 발명의 화합물을 사용할 수 있다. 이들은 또한 바람직하게는 하나 이상의 추가 전자-수송기, 예를 들어 벤즈이미다졸기에 의해 치환될 수 있다.
본 발명의 유기 전계발광 소자의 추가 층에서, 선행 기술에 따라 통상적으로 사용되는 바와 같은 임의의 재료를 사용할 수 있다. 따라서 당업자는, 발명의 재능을 발휘하지 않고, 유기 전계발광 소자에 대해 공지된 임의의 재료를 바람직한 구현예에 따른 또는 식 (I) 의 발명적 화합물과 조합으로 사용할 수 있다.
본 발명의 화합물은 일반적으로, 유기 전계발광 소자에서 사용시 매우 양호한 특성을 갖는다. 특히 유기 전계발광 소자에서의 본 발명의 화합물 사용의 경우, 선행 기술에 따른 유사한 화합물과 비교하여 수명이 상당히 더 양호하다. 이 경우에, 유기 전계발광 소자의 추가 특성, 특히 효율 및 전압이 마찬가지로 더 양호하거나 적어도 비슷하다.
본 발명에서 기재된 구현예의 변형이 본 발명의 범주에 의해 커버된다는 것에 주목해야 한다. 명백하게 배제되지 않는 한, 본 발명에서 개시된 임의의 특징은 동일한 목적 또는 등가하거나 유사한 목적을 제공하는 대안적 특징으로 교환될 수 있다. 따라서 본 발명에서 개시된 임의의 특징은, 다르게 언급되지 않는 한, 포괄적 시리즈의 예로서 또는 등가하거나 유사한 특징으로서 고려되어야 한다.
본 발명의 모든 특징은, 특별한 특징 및/또는 단계가 상호 배타적이지 않는 한, 임의의 방식으로 서로 조합될 수 있다. 이는 특히 본 발명의 바람직한 특징에 해당된다. 동일하게, 비-필수적인 조합의 특징은 별개로 (그리고 조합이 아니게) 사용될 수 있다.
수많은 특징, 특히 본 발명의 바람직한 구현예의 특징이, 그 자체가 발명적인 것이며 단지 본 발명의 구현예 중 일부로서 간주되어야 한다는 것에 또한 주목해야 한다. 이러한 특징에 대하여, 임의의 현재 청구된 발명에 추가로, 또는 이에 대한 대안물로서 독립적인 보호가 추구될 수 있다.
본 발명으로 개시된 기술적 교시는 다른 예와 조합되고 추출될 수 있다.
그에 의해 제한하려는 어떠한 의도도 없이, 하기의 실시예에 의해서 본 발명을 상세하게 설명한다.
당업자는 발명의 재능을 발휘하지 않고 주어진 세부사항을 사용하고, 본 발명의 추가 전자 소자를 제조하고, 그에 따라 청구된 전체 범주에 걸쳐 본 발명을 실행할 수 있을 것이다.
실시예
다르게 언급되지 않으면, 건조 용매 중에서 보호성 기체 분위기 하에 하기의 합성을 수행한다. 반응물은 ALDRICH 로부터 공급받을 수 있다. 그의 일부가 꺾쇠괄호 안에 언급되는 문헌으로부터 공지된 반응물에 대한 숫자는 상응하는 CAS 번호이다.
합성예
a) 5-브로모스피로[7H-벤조[c]플루오렌-7,9'-[9H]플루오렌
Figure 112019037308959-pct00087
380 ml 의 디클로로메탄 중 19 g (51.8 mmol) 의 스피로[7H-벤조[c]플루오렌-7,9'-[9H]플루오렌의 초기 충전물에, 실온에서 어둠 속에서, 40 min 내에 10.1 g (57 mmol) 의 NBS 및 0.8 g (5 mmol) 의 AlCl3 을 일부분씩 첨가하고, 그 후 혼합물을 환류 하에 교반한다. 반응을 반응 앨리쿼트의 HPLC 분석에 의해 모니터링한다. 전환의 완료시에, 반응을 20 ml 의 EtOH 을 첨가하여 중단시키고, 석션으로 여과하고, 고체를 EtOH 로 반복하여 세정하고, 그 후 톨루엔으로부터 2 회 재결정화시킨다. 수율: 22 g (51 mmol), 이론의 98%, 이는 HPLC 분석에 의해 > 99.8% 의 함량을 갖는다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00088
Figure 112019037308959-pct00089
b) 스피로[7H-벤조[c]플루오렌-7,9'-[9H]플루오렌-5-보론산
Figure 112019037308959-pct00090
32.3 g (72.8 mmol) 의 5-브로모스피로[7H-벤조[c]플루오렌-7,9'-[9H]플루오렌을 150 ml 의 건조 THF 에 용해시키고, -78℃ 로 냉각시킨다. 이 온도에서, 30 ml (764 mmol / 헥산 중 2.5 M) 의 n-BuLi 을 약 5 min 내에 첨가하고, 그 후 혼합물을 -78℃ 에서 2.5 h 동안 교반한다. 이 온도에서, 15.1 g (145 mmol) 의 트리메틸 보레이트를 가능한 한 신속히 첨가하고, 반응물이 점진적으로 RT 으로 되게 놔둔다 (약 18 h). 반응 용액을 물로 세정하고, 침전된 고체 및 유기 상을 톨루엔과 함께 공비 건조시킨다. 미정제 생성물을 약 40℃ 에서 톨루엔/메틸렌 클로라이드와 함께 교반하여 추출하고, 석션으로 여과해낸다. 수율: 28 g (68 mmol), 이론의 95%, 이는 HPLC 분석에 의해 > 97.3% 의 함량을 갖는다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00091
Figure 112019037308959-pct00092
c) 5-(2-니트로페닐)스피로[7H-벤조[c]플루오렌-7,9'-[9H]플루오렌
Figure 112019037308959-pct00093
150 ml 의 물 및 150 ml 의 THF 의 혼합물 중 46.7 g (114 mmol) 의 스피로[7H-벤조[c]플루오렌-7,9'-[9H]플루오렌-5-보론산, 13.4 g (47 mmol) 의 2,5-디-브로모니트로벤젠 및 30.3 g (143 mmol) 의 칼륨 카르보네이트의 잘 교반되는, 탈기된 현탁액에 0.5 g (0.4 mmol) 의 Pd(PPh3)4 를 첨가하고, 혼합물을 환류 하에 20 h 동안 가열한다. 냉각 후에, 유기 상을 제거하고, 200 ml 의 물로 3 회 및 200 ml 의 포화 수성 나트륨 클로라이드 용액으로 1 회 세정하고, 마그네슘 설페이트 위에서 건조시키고, 감압 하에 회전 증발에 의해 농축하여 건조시킨다. 회색 잔류물을 톨루엔/CH2Cl2 으로부터 재결정화시킨다. 침전된 결정을 석션으로 여과해내고, 적은 양의 MeOH 로 세정하고, 감압 하에 건조시킨다. 수율: 47 g, 이론의 86%; 순도: HPLC 에 의해 98.3%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00094
Figure 112019037308959-pct00095
Figure 112019037308959-pct00096
d) 고리화: 스피로[9H-플루오렌-9,12'(11'H)-벤즈인데노[2,1-a]카르바졸]
Figure 112019037308959-pct00097
115 g (238 mmol) 의 5-(2-니트로페닐)스피로[7H-벤조-[c]-플루오렌-7,9'-[9H]플루오렌 및 290.3 ml (1669 mmol) 의 트리에틸 포스파이트의 혼합물을 12 h 동안 환류 하에 가열한다. 후속적으로, 잔류 트리에틸 포스파이트를 증류해낸다 (72-76℃ / 9 mm Hg). 물/MeOH (1:1) 을 잔류물에 첨가하고, 고체를 여과해내고, 톨루엔으로부터 재결정화시킨다. 수율: 98 g (215 mmol) 의 d1+d2 의 혼합물, 이론의 92%; 순도: HPLC 에 의해 98.0%. 에틸 아세테이트/CH2Cl2 (2:1) 로부터 재결정화 후에, 70% d1 및 17% d2 가 수득된다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00098
e) 13-(4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진-2-일)-9H-플루오렌-9,12'(11'H)-13-아자-벤조[c]인데노[2,1-a]스피로
Figure 112019037308959-pct00099
13.6 g (30 mmol) 의 스피로[9H-플루오렌-9,12'(11'H)-벤즈인데노[2,1-a]카르바졸] 을 보호성 기체 분위기 하에 225 ml 의 디메틸 포름아미드에 용해시키고, 1.5 g (37.5 mmol) 의 NaH (광유 중 60%) 을 첨가한다. 실온에서 1 h 후에, 75 ml 의 디메틸포름아미드 중 2-클로로-4,6-디페닐-[1,3,5]--트리아진 (8.5 g, 31.75 mmol) 의 용액을 적가한다. 반응 혼합물을 그 후 실온에서 12 h 동안 교반한다. 이 시간 후에, 반응 혼합물을 얼음 위에 붓고, 디클로로메탄으로 3 회 추출한다. 조합된 유기 상을 Na2SO4 위에서 건조시키고, 농축시킨다. 잔류물을 톨루엔으로 재결정화시키고, 마지막으로 2 회 분별 승화시킨다 (p 약 10-6 mbar, T = 390 - 393℃). 수율: 16 g, 이론의 80%; 순도: HPLC 에 의해 99.9 %.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00100
Figure 112019037308959-pct00101
Figure 112019037308959-pct00102
f) 스피로[7H-벤즈[데]안트라센-7,9'-[9H]플루오렌]
Figure 112019037308959-pct00103
47 g (166 mmol) 의 1-브로모페닐나프탈렌을 -78℃ 에서 700 ml 의 THF 에 초기에 충전한다. 이 온도에서, 70 ml 의 BuLi (헥산 중 2.5 M) 을 적가한다. 1 h 후에, 200 ml 의 THF 중 45.2 g (174 mmol) 의 2-브로모플루오렌-9-온을 적가한다. 혼합물을 실온에서 밤새 교반하고, 얼음물에 첨가하고, 디클로로메탄으로 추출한다. 조합된 유기 상을 물로 세정하고, 나트륨 설페이트 위에서 건조시킨다. 용매를 감압 하에 제거하고, 잔류물을, 추가의 정제 없이, 90 ml 의 HCl 및 1 l 의 AcOH 와 함께 밤새 가열한다. 냉각 후에, 침전된 고체를 석션으로 여과해내고, 매 회 150 ml 의 물로 2 회 및 매 회 150 ml 의 에탄올로 3 회 세정하고, 마지막으로 헵탄으로부터 재결정화시킨다. 수율: 43 g (72 mmol), 70%; 순도 1H NMR 에 의해 약 97%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조한다:
Figure 112019037308959-pct00104
Figure 112019037308959-pct00105
g) 3-브로모스피로[7H-벤즈[데]안트라센-7,9'-[9H]플루오렌]
Figure 112019037308959-pct00106
300 ml 의 디클로로메탄 중 18.3 g (50 mmol) 의 스피로[7H-벤즈[데]안트라센-7,9'-[9H]플루오렌] 의 초기 충전물을 어둠 속에서 5℃ 로 냉각시킨다. 25 ml 의 클로로포름 중 2.7 ml (50 mmol) 의 브롬을 15 min 내에 적가하고, 혼합물을 5℃ 에서 추가의 7 h 동안 교반한다. 전환의 완료시에, 반응을 15 ml 의 에탄올을 첨가하여 중단시키고, 고체를 석션으로 여과해내고, 에탄올로 반복하여 세정하고, 후속적으로 NMP 로부터 2 회 재결정화시킨다. 수율: 19 g (42 mmol), 85%; 순도 1H NMR 에 의해 약 89%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조한다:
Figure 112019037308959-pct00107
Figure 112019037308959-pct00108
h) 스피로[7H-벤즈[데]안트라센-7,9'-[9H]플루오렌]-3-보론산
하기 화합물을 실시예 b 와 유사하게 제조한다:
Figure 112019037308959-pct00109
72.8 mmol 의 아릴 브로마이드, 150 ml 의 건조 THF, 30 ml (764 mmol / 2.5 M 헥산 중) 의 n-BuLi 및 15.1 g (145 mmol) 의 트리메틸 보레이트의 사용. 수율: 26 g (65 mmol), 이론의 93%, 이는 HPLC 분석에 의해 > 97.3% 의 함량을 갖는다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조한다:
Figure 112019037308959-pct00110
i) 3-(2-니트로페닐)스피로[7H-벤즈[데]안트라센-7,9'-[9H]플루오렌]
하기 화합물을 실시예 c 와 유사하게 제조한다:
Figure 112019037308959-pct00111
150 ml 의 물 및 150 ml 의 THF 와 0.5 g (0.4 mmol) 의 Pd(PPh3)4 의 혼합물 중 114 mmol 의 아릴보론산, 47 mmol 의 1-브로모-2-니트로벤젠 및 30.3 g (143 mmol) 의 칼륨 카르보네이트의 사용. 수율: (65 mmol), 이론의 88%, 이는 HPLC 분석에 의해 > 96.3% 의 함량을 갖는다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조한다
Figure 112019037308959-pct00112
Figure 112019037308959-pct00113
j) 고리화
하기 화합물을 실시예 d 와 유사하게 제조한다:
Figure 112019037308959-pct00114
238 mmol 의 니트로 유도체 및 290.3 ml (1669 mmol) 의 트리에틸 포스파이트의 혼합물을 12 h 동안 환류 하에 가열한다. 후속적으로, 잔류 트리에틸 포스파이트를 증류해낸다 (72-76℃ / 9 mm Hg). 물/MeOH (1:1) 을 잔류물에 첨가하고, 고체를 여과해내고, 톨루엔으로부터 재결정화시킨다. 수율: 104 g (229 mmol) 의 d1+d2 의 혼합물, 이론의 92%; 순도: HPLC 에 의해 98.0%. 에틸 아세테이트/톨루엔 (1:2) 으로부터 재결정화 후에, 65% j1 및 15% j2 가 수득된다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조한다:
Figure 112019037308959-pct00115
k) 울만 반응
하기 화합물을 실시예 e 와 유사하게 제조한다:
Figure 112019037308959-pct00116
보호성 기체 분위기 하에 225 ml 의 디메틸 포름아미드 중 30 mmol 의 카르바졸 유도체의 용액에 1.5 g (37.5 mmol) 의 NaH (광유 중 60%) 을 첨가한다. 실온에서 1 h 후에, 75 ml 의 디메틸포름아미드 중 2-클로로-4,6-디페닐-[1,3,5]--트리아진 (8.5 g, 31.75 mmol) 의 용액을 적가한다. 반응 혼합물을 그 후 실온에서 12 h 동안 교반한다. 이 시간 후에, 반응 혼합물을 얼음 위에 붓고, 디클로로메탄으로 3 회 추출한다. 조합된 유기 상을 Na2SO4 위에서 건조시키고, 농축시킨다. 잔류물을 톨루엔으로부터 재결정화시키고, 마지막으로 2 회 분별 승화시킨다 (p 약 10-6 mbar, T = 398 - 400℃). 수율: 이론의 78%; 순도: HPLC 에 의해 99.9%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조한다:
Figure 112019037308959-pct00117
Figure 112019037308959-pct00118
Figure 112019037308959-pct00119
l) 부흐발트 반응
Figure 112019037308959-pct00120
보호성 기체 하에, 36.4 g (80 mmol) 의 아민 화합물 j2, 22 g (87 mmol) 의 2-클로로-4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진, 15.9 ml (15.9 mmol, 1 molar 용액) 의 트리-tert-부틸포스핀 및 1.79 g (7.9 mmol) 의 팔라듐 아세테이트를 120 ml 의 p-자일렌에 현탁시킨다. 반응 혼합물을 환류 하에 16 h 동안 가열한다. 냉각 후에, 유기 상을 제거하고, 200 ml 의 물로 3 회 세정하고, 그 후 농축하여 건조시킨다. 잔류물을 톨루엔을 사용하는 고온 추출에 적용하고, 톨루엔으로부터 재결정화시키고, 마지막으로 고진공 하에 승화시킨다; 순도는 99.9% 이다. 수율: 34 g (64 mmol), 이론의 81%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00121
Figure 112019037308959-pct00122
Figure 112019037308959-pct00123
m) 메틸 2-(7-{2-페닐-6-[(E)-((Z)-1-프로페닐)부타-1,3-디에닐]-피리미딘-4-일}-7H-7-아자-벤조[데]안트라센-3-일)벤조에이트
Figure 112019037308959-pct00124
350 ml 의 물 및 350 ml 의 THF 의 혼합물 중 10.6 g (71 mmol) 의 벤조산 메틸 에스테르 2-보론산, 34 g (71 mmol) 의 3-클로로-7-(2,6-디페닐피리미딘-4-일)-7H-7-아자벤조[데]안트라센 및 18.9 g (6.6 mmol) 의 삼칼륨 포스페이트의 잘 교반되는, 탈기된 현탁액에 1.55 g (0.1 mmol) 의 Pd(PPh3)4 을 첨가하고, 혼합물을 환류 하에 60 h 동안 가열한다. 냉각 후에, 유기 상을 제거하고, 200 ml 의 물로 3 회 및 200 ml 의 포화 나트륨 클로라이드 용액으로 1 회 세정하고, 그 후 마그네슘 설페이트 위에서 건조시킨다. 유기 상을 감압 하에 회전 증발에 의해 농축하여 건조시킨다. 그에 따라 수득된 회색 잔류물을 디옥산으로부터 재결정화시킨다. 침전된 결정을 석션으로 여과해내고, 50 ml 의 에탄올로 세정하고, 그 후 감압 하에 건조시킨다. 수율: 33 g, 이론의 80%.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00125
n) 고리화
Figure 112019037308959-pct00126
38 g (166 mmol) 의 2-브로모바이페닐을 -78℃ 에서 700 ml 의 THF 에 초기에 충전한다. 이 온도에서, 70 ml 의 BuLi (헥산 중 2.5 M) 을 적가한다. 1 h 후에, 200 ml 의 THF 중 99 g (166 mmol) 의 메틸 2-(7-{2-페닐-6-[(E)-((Z)-1-프로페닐)부타-1,3-디에닐]피리미딘-4-일}-7H-7-아자벤조[데]안트라센-3-일)-벤조에이트를 적가한다. 혼합물을 실온에서 밤새 교반하고, 얼음물 위에 붓고, 디클로로메탄으로 추출한다. 조합된 유기 상을 물로 세정하고, 나트륨 설페이트 위에서 건조시킨다. 용매를 감압 하에 제거하고, 잔류물을, 추가의 정제 없이, 밤새 75℃ 에서 90 ml 의 HCl 및 1 l 의 AcOH 와 함께 가열한다. 냉각 후에, 침전된 고체를 석션 하에 여과해내고, 매 회 150 ml 의 물로 2 회 및 매 회 150 ml 의 에탄올로 3 회 세정하고, 마지막으로 헵탄으로부터 재결정화시킨다. 생성물을 톨루엔을 이용하는 고온 추출에 적용하고, 톨루엔으로부터 재결정화시키고, 마지막으로 고진공 하에 승화시킨다. 수율: 96 g (60 mmol) 의 n1 및 n2, 82%. 톨루엔/에틸 아세테이트 (2:1) 로부터 재결정화 후에, 59% n1 및 19% n2 가 HPLC 에 의해 약 99.9% 의 순도로 얻어진다.
하기 화합물을 유사한 방식으로 제조할 수 있다:
Figure 112019037308959-pct00127
OLED 의 제조
하기 실시예 C1 내지 I8 에서 (표 1 및 2 참조), 다양한 OLED 의 데이터를 나타낸다.
실시예 C1-I8 에 대한 전처리: 두께 50 nm 의 구조화된 ITO (인듐 주석 옥시드) 로 코팅된 유리 플라크를 산소 플라즈마, 그에 뒤이어 아르곤 플라즈마로 코팅하기 전에 처리한다. 이들 플라즈마-처리된 유리 플라크는 OLED 가 적용되는 기판을 형성한다.
OLED 는 기본적으로 하기의 층 구조를 갖는다: 기판 / 정공 주입층 (HIL) / 정공 수송층 (HTL) / 전자 차단제 층 (EBL) / 방사층 (EML) / 선택적 정공 차단제 층 (HBL) / 전자 수송층 (ETL) / 선택적 전자 주입층 (EIL) 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 정확한 구조는 표 1 에서 발견할 수 있다. OLED 제조에 필요한 재료를 표 3 에 나타낸다.
모든 재료를 진공 챔버에서 열 증착에 의해 적용한다. 이러한 경우, 방사층은 항상, 동시-증발에 의해 특정 부피 비율로 매트릭스 재료(들)에 첨가되는, 방사 도펀트 (방사체 (방사체)) 및 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 로 이루어진다. IC5:IC3:TEG2 (55%:35%:10%) 과 같은 형태로 주어진 세부사항은, 여기에서 재료 IC5 이 층에서 55% 의 부피 비율로 존재하고 IC3 이 35% 의 부피 비율로, TEG2 이 10% 의 부피 비율로 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED 는 표준 방식으로 특성화된다. 이러한 목적을 위해, 람베르트 (Lambertian) 방사 특징을 추정하는 전류-전압-휘도 특징 (IUL 특징) 으로부터 계산되는, 휘도의 함수로서 전계발광 스펙트럼, 전류 효율 (cd/A 로 측정), 전력 효율 (lm/W 로 측정) 및 외부 양자 효율 (EQE, % 로 측정), 및 또한 수명을 측정한다. 전계발광 스펙트럼은 1000 cd/㎡ 의 휘도에서 측정되고, CIE 1931 x 및 y 색채 좌표가 그로부터 계산된다. 표 2 에서의 매개변수 U1000 은 1000 cd/㎡ 의 휘도에 필요한 전압을 지칭한다. 마지막으로, EQE1000 은 1000 cd/㎡ 의 작동 휘도에서의 외부 양자 효율을 지칭한다. 수명 LT 은 일정한 전류를 사용하는 작업의 과정에서 광도가 초기 광도로부터 특정한 비율 L1 로 하락한 후의 시간으로서 정의된다. 표 2 에서 수치 L0;j0 = 4000 cd/㎡ 및 L1 = 70% 은 LT 열에서 보고된 수명이 초기 광도가 4000 cd/㎡ 로부터 2800 cd/㎡ 로 하락한 후의 시간에 해당함을 의미한다. 유사하게, L0;j0 = 20 mA/㎠, L1 = 80% 은 20 mA/㎠ 를 사용하는 작업의 과정에서 시간 LT 후에 광도가 그것의 초기 광도의 80% 로 하락함을 의미한다.
다양한 OLED 의 데이터가 표 2 에 요약되어 있다. 실시예 C1-C2 는 선행 기술에 따른 비교예이고; 실시예 I1-I8 은 본 발명의 OLED 의 데이터를 나타낸다.
본 발명의 OLED 의 이점을 설명하기 위해 일부 실시예를 이하 상세히 설명한다.
OLED 에서의 본 발명의 재료의 용도
본 발명의 재료는, OLED 에서 정공 차단제 층 (HBL) 에서 사용될 때, 특히 수명에 관하여, 선행 기술에 비해 유의한 개선을 제공한다. 본 발명의 화합물 13e 및 6e 를 사용하여, 선행 기술에 비해 약 10 - 15% 만큼의 수명의 증가를 달성할 수 있다 (실시예 I1 을 C1 과 비교; 실시예 I2 를 C2 와 비교).
표 1: OLED 의 구조
Figure 112019037308959-pct00128
Figure 112019037308959-pct00129
표 2: OLED 의 데이타
Figure 112019037308959-pct00130
표 3: OLED 용 재료의 구조식
Figure 112019037308959-pct00131
Figure 112019037308959-pct00132
Figure 112019037308959-pct00133

Claims (15)

  1. 식 (I) 의 구조로 표시되는 화합물:
    Figure 112022058261279-pct00134

    식에서 사용된 기호는 다음과 같다:
    Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Z6, Z7, Z8 은 동일 또는 상이하고 Y 또는 C 이고;
    Y 는 각 경우에 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1 이고, 단, 고리 당 2 개 이하의 Y 기는 N 이며;
    X 는 CR1 이고;
    o, p, q, r 은 0 또는 1 이고;
    L 은 결합 또는 5 내지 14 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고;
    Q 는 식 (Q-1), (Q-2), (Q-3), (Q-4), (Q-5), (Q-16), (Q-17) 또는 (Q-18) 의 구조로부터 선택되는 전자 수송 기이고,
    Figure 112022058261279-pct00161

    Figure 112022058261279-pct00162

    Figure 112022058261279-pct00163

    Figure 112022058261279-pct00164

    여기서 점선 결합은 부착 위치를 나타내고, Ar1 은 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 여기에서 둘 이상의 인접한 R1 치환기는 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 임의로 형성할 수 있으며;
    R1 은 각 경우에 동일 또는 상이하고 H, D, F, C(=O)R2, CN, P(=O)(R2)2, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기에서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -O- 에 의해 대체될 수 있고 여기에서 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 25 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 25 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기, 또는 이들 계의 조합이고; 이 때, 둘 이상의 R1 라디칼은 함께 고리계를 형성할 수 있고;
    R2 는 각 경우에 동일 또는 상이하고 H, D, F, C(=O)R3, CN, P(=O)(R3)2, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기에서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -O- 에 의해 대체될 수 있고 여기에서 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 25 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 25 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기, 또는 이들 계의 조합이고; 이 때, 둘 이상의 R2 치환기는 함께 또한 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있고;
    R3 은 각 경우에 동일 또는 상이하고 H, D, F 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 유기 라디칼 (여기에서 수소 원자는 또한 F 에 의해 대체될 수 있음) 이고; 이 때, 둘 이상의 R3 치환기는 함께 또한 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있고;
    단, o + p = 1 이며, o = 1 인 경우에, Z1, Z2 는 C 이고 Z3, Z4 는 Y 이고, p = 1 인 경우에, Z1, Z2 는 Y 이고 Z3, Z4 는 C 이고;
    단, q + r = 1 이며, q = 1 인 경우에, Z5, Z6 은 C 이고 Z7, Z8 은 Y 이고, r = 1 인 경우에, Z5, Z6 은 Y 이고 Z7, Z8 은 C 임.
  2. 제 1 항에 있어서, 식 (IIa), (IIb), (IIc) 또는 (IId) 의 구조로 표시되는 화합물:
    Figure 112022058261279-pct00135

    Figure 112022058261279-pct00136

    식에서 사용된 기호 L, Q, Y 및 X 는 청구항 1 에서 제시된 정의를 갖고, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 은 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1 이고, 고리 당 2 개 이하의 X, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 기는 N 임.
  3. 제 2 항에 있어서, 식 (IIIa), (IIIb), (IIIc) 또는 (IIId) 의 구조로 표시되는 화합물:
    Figure 112022058261279-pct00137

    Figure 112022058261279-pct00138

    식에서 사용된 기호 L, Q 및 X 는 청구항 2 에서 제시된 정의를 갖고, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 는 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1 이고, 고리 당 2 개 이하의 X, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 기는 N 임.
  4. 제 3 항에 있어서, 식 (IIIa-1), (IIIb-1), (IIIc-1), (IIId-1), (IIIa-2), (IIIb-2), (IIIc-2), (IIId-2), (IIIa-3), (IIIb-3), (IIIc-3), (IIId-3), (IIIa-4), (IIIb-4), (IIIc-4) 또는 (IIId-4) 의 구조로 표시되는 화합물:
    Figure 112022058261279-pct00139

    Figure 112022058261279-pct00140

    식에서 사용된 기호 L, R1, Q 및 X 는 청구항 3 에서 제시된 정의를 갖고, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 은 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1 이고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 고리 당 2 개 이하의 X, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8 기는 N 임;
    Figure 112022058261279-pct00141

    Figure 112022058261279-pct00142

    식에서 사용된 기호 L, R1, Q 및 X 는 청구항 3 에서 제시된 정의를 갖고, X1, X2, X3, X4, X9, X10, X11, X12 는 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1 이고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 고리 당 2 개 이하의 X, X1, X2, X3, X4, X9, X10, X11, X12 기는 N 임;
    Figure 112022058261279-pct00143

    Figure 112022058261279-pct00144

    식에서 사용된 기호 L, R1, Q 및 X 는 청구항 3 에서 제시된 정의를 갖고, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 는 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1 이고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 고리 당 2 개 이하의 X, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 기는 N 임;
    Figure 112022058261279-pct00145

    Figure 112022058261279-pct00146

    식에서 사용된 기호 L, R1 및 Q 는 청구항 3 에서 제시된 정의를 갖고, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 는 동일 또는 상이하고 N 또는 CR1 이고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 고리 당 2 개 이하의 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, X9, X10, X11, X12 기는 N 임.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서, Q 기가 식 (Q-6), (Q-7), (Q-8), (Q-9), (Q-10), (Q-11) 또는 (Q-12) 의 구조로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure 112020095145583-pct00157

    Figure 112020095145583-pct00158

    식에서 기호 R1 은 청구항 1 에서 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 부착 위치를 나타내고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, n 은 0, 1, 2 또는 3 이고, o 는 0, 1 또는 2 임.
  10. 삭제
  11. 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 화합물을 함유하는 올리고머, 중합체 또는 덴드리머로서, 수소 원자 또는 치환기 대신에, 중합체, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 화합물의 하나 이상의 결합이 존재하는, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머.
  12. 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 화합물 또는 상기 화합물을 함유하는 올리고머, 중합체 또는 덴드리머로서, 수소 원자 또는 치환기 대신에, 중합체, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 화합물의 하나 이상의 결합이 존재하는, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 및 형광 방사체, 인광 방사체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 전도체 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단제 재료 및 정공 차단제 재료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 추가의 화합물을 포함하는 조성물.
  13. 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 화합물 또는 상기 화합물을 함유하는 올리고머, 중합체 또는 덴드리머로서, 수소 원자 또는 치환기 대신에, 중합체, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 화합물의 하나 이상의 결합이 존재하는, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 또는 상기 화합물 또는 상기 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 및 형광 방사체, 인광 방사체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 전도체 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단제 재료 및 정공 차단제 재료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 추가의 화합물을 포함하는 조성물 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 제형.
  14. 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 전자 소자에서의, 호스트 재료 또는 전자 수송 재료로서의 사용을 위한 화합물.
  15. 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 화합물, 상기 화합물을 함유하는 올리고머, 중합체 또는 덴드리머로서, 수소 원자 또는 치환기 대신에, 중합체, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 화합물의 하나 이상의 결합이 존재하는, 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 또는 상기 화합물 또는 상기 올리고머, 중합체 또는 덴드리머 및 형광 방사체, 인광 방사체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 전도체 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단제 재료 및 정공 차단제 재료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 추가의 화합물을 포함하는 조성물을 포함하는 전자 소자로서, 유기 전계발광 소자, 유기 집적 회로, 유기 전계-효과 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 트랜지스터, 유기 태양 전지, 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계 켄치 소자, 발광 전기화학 전지 및 유기 레이저 다이오드로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 전자 소자.
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