JP2002033191A

JP2002033191A - 発光装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002033191A
Application number: JP2001142709A
Authority: JP
Inventors: Hirokazu Yamagata; 裕和山形; Masahiro Takahashi; 正弘高橋
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-05-12
Filing date: 2001-05-14
Publication date: 2002-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】ドーパントを含む発光層を有したＥＬ素子の
発光を良好なものとする手段を提供し、発光の良好なＥ
Ｌ素子を含む発光装置の製造方法を提供する【解決手段】発光性材料およびドーパントからなる第
１の発光層を蒸着により成膜し、前記発光性材料の蒸着
を続けたまま前記ドーパントの蒸着を止めて前記発光性
材料からなる第２の発光層を成膜することを特徴とす
る。これにより第１の発光層と第２の発光層との間の連
続性が高まり、発光層の界面の特性が改善されることで
良好な発光が得られる。特に、発光層を成膜する途中で
ドーパント添加を止めたり、逆に加えたりする場合にお
いて、有効な技術である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、陽極および陰極の
間にＥＬ（Electro Luminescence）が得られる発光性材
料からなる薄膜（以下、発光層という）を挟んだ素子
（以下、ＥＬ素子という）を有する発光装置に関する。
なお、有機ＥＬディスプレイや有機発光ダイオード（Ｏ
ＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）は本発明の発
光装置に含まれる。

【０００２】また、本発明に用いることのできる発光性
材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励
起を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべ
ての発光性材料を含む。

【０００３】また、本明細書において、ドーパントと
は、ホストとなる有機材料からなる薄膜に添加されるゲ
ストとなる有機材料（有機化合物）を指す。代表的に
は、発光色を制御するために発光層に添加される有機材
料を指す。発光層に添加されるドーパントとしては、一
重項励起もしくは三重項励起または両者の励起を経由し
て発光（燐光および／または蛍光）する有機材料を用い
ることができる。

【０００４】

【従来の技術】有機材料からなる発光層を用いた発光装
置が低い駆動電圧で発光することをイーストマン・コダ
ック社が発表して以来、有機ＥＬ膜を用いた発光装置が
注目されている。コダック社の発表では積層型の素子構
造とすることで駆動電圧が低下することを特徴としてお
り、各社は積層型の素子構造に関する研究開発を行って
きた。

【０００５】ここで図２に示したのは本発明者らが行っ
た実験の概略（比較例）であり、本発明を出願する時点
において公知の技術ではない。

【０００６】図２において、２０１はガラス基板、２０
２はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる陽極、２０３
はＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）からなる正孔注入層
（２０ｎｍ）、２０４はＳＴＡＤ（スピロ−トリフェニ
ルアミン誘導体）からなる正孔輸送層（２０ｎｍ）、２
０５はα−ＮＰＤ（4,4'−ビス［N−（１−ナフチル）
−N−フェニル−アミノ］ビフェニル）からなる正孔輸
送層（１０ｎｍ）、２０６はＳＤＰＶＢｉ（スピロ−ジ
スチリルビフェニル）からなる発光層（以下、青色発光
層という）（１０ｎｍ）、２０７はＤＣＭを添加したＡ
ｌｑ₃（トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体）
からなる発光層（以下、赤色発光層という）（１０ｎ
ｍ）、２０８はＡｌｑ₃からなる発光層（以下、緑色発
光層という）（４０ｎｍ）、２０９はＹｂ（イッテルビ
ウム）膜からなる陰極である。

【０００７】このとき本発明者らはＡｌｑ₃とドーパン
トとを共蒸着（異なる蒸発源から異なる材料を同時に蒸
発させて材料を混合する蒸着）により成膜して赤色発光
層２０７を形成し、そこで一旦共蒸着を止め、再びＡｌ
ｑ₃のみを蒸着して緑色発光層２０８を形成していた。

【０００８】実際ならば図２に示す積層構造のＥＬ素子
は、青色、赤色および緑色が混色されて白色の発光が得
られる。ところが、本発明者らが行った上記方法では図
８に示すように６００ｎｍ付近にピークをもった発色と
なり、きれいな白色発光を得ることができなかった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、有機材料か
らなる薄膜を形成するにあたり、その薄膜中にドーパン
トを含む層が形成される場合において、ドーパントを含
む層と含まない層との連続性を高めることを課題とす
る。

【００１０】典型的には、ドーパントを含む発光層を有
したＥＬ素子の発光を良好なものとする手段を提供し、
そのような発光の良好なＥＬ素子を含む発光装置の製造
方法を提供することを課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前述の実
験結果を踏まえてＥＬ素子の製造方法について様々な検
討を重ね、ドーパントを含まない発光層とドーパントを
含む発光層との間の界面が発光色に大きく影響すると考
えた。即ち、発光層から別の発光層へ変化する界面にお
ける連続性が悪いと白色発光が得られないのではないか
と考えた。

【００１２】そこで、本発明者らは、図２に示した素子
構造において、Ａｌｑ₃とドーパントである有機材料と
を共蒸着により成膜して赤色発光層２０７を形成し、Ａ
ｌｑ ₃の蒸着を続けたままドーパントの蒸着を止め、そ
のままＡｌｑ₃のみを蒸着して緑色発光層２０８を形成
した。

【００１３】図３に示したのは、本発明を用いて作製し
たＥＬ素子の構造である。図３において、３０１はガラ
ス基板、３０２はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる
陽極、３０３はＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）からなる
正孔注入層（２０ｎｍ）、３０４はＳＴＡＤ（スピロ−
トリフェニルアミン誘導体）からなる正孔輸送層（２０
ｎｍ）、３０５はα−ＮＰＤ（4,4'−ビス［N−（１−
ナフチル）−N−フェニル−アミノ］ビフェニル）から
なる正孔輸送層（１０ｎｍ）、３０６はＳＤＰＶＢｉ
（スピロ−ジスチリルビフェニル）からなる発光層（以
下、青色発光層という）（２０ｎｍ）、３０７はドーパ
ントとしてＤＣＭを添加したＡｌｑ₃（トリス−８−キ
ノリノラトアルミニウム錯体）からなる発光層（以下、
赤色発光層という）（１０ｎｍ）、３０８はＡｌｑ₃か
らなる発光層（以下、緑色発光層という）（４０ｎ
ｍ）、３０９はＹｂ（イッテルビウム）膜からなる陰極
である。

【００１４】図３に示す本発明のＥＬ素子の構造として
特徴的な点は、赤色発光層３０７と緑色発光層３０８の
境界に明確な界面がなく、非常に連続性の高い領域で接
した構造となっている点である。このような素子構造と
した結果、試作したＥＬ素子からは良好な白色発光を得
ることができた。

【００１５】図１に示したグラフは、本発明により得ら
れた白色発光の輝度特性であり、横軸を波長とし、縦軸
を輝度（分光放射輝度）としてプロットしている。図１
に示すように、波長４００〜７００ｎｍの範囲にブロー
ドな輝度特性が得られており、良好な白色発光が得られ
ていることがわかる。

【００１６】本発明者らはこの現象を鑑みて、ドーパン
トを含む発光層を有した構造のＥＬ素子を形成する際
は、ホストとなる発光性材料の蒸着を止めることなく連
続的に発光層を形成することが望ましいと考えた。特
に、発光層を形成する発光性材料にドーパントを添加し
て発光色を制御する場合は、ドーパントの蒸着を止める
もしくは始める時にも発光性材料の蒸着を続けることが
望ましいと考えた。

【００１７】以上のように、本発明の発光装置の製造方
法は、発光性材料およびドーパントからなる発光層を蒸
着により成膜し、次に、発光性材料の蒸着を続けたまま
ドーパントの蒸着を止めて発光性材料からなる発光層を
成膜するという製造方法によりＥＬ素子を形成する点に
特徴がある。

【００１８】また、本発明の発光装置の製造方法は、発
光性材料からなる第１の発光層を蒸着により成膜し、次
に発光性材料の蒸着を続けたままドーパントを蒸着して
発光性材料およびドーパントからなる第２の発光層を成
膜するという製造方法によりＥＬ素子を形成する点に特
徴がある。

【００１９】そして、以上のようなＥＬ素子の製造方法
を用いることで、良好な発光が得られるパッシブマトリ
クス型の発光装置もしくはアクティブマトリクス型の発
光装置を製造することが可能である。

【００２０】なお、本発明は、ドーパントを含む発光層
とドーパントを含まない発光層を積層する場合だけの適
用にとどまらない。即ち、有機材料からなる薄膜を形成
するにあたり、その薄膜中にドーパントを含む層が形成
される場合すべてにおいて本発明を実施することができ
る。その結果、ドーパントを含む層と含まない層との連
続性が高まり、発光特性、電荷注入性もしくは電荷輸送
性の向上を期待することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、以
下に示す実施例をもって詳細に説明する。

【００２２】

【実施例】〔実施例１〕本発明の実施例について図４〜
図６を用いて説明する。ここでは、画素部とその周辺に
設けられる駆動回路部のＴＦＴを同時に作製する方法に
ついて説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動
回路に関しては基本単位であるＣＭＯＳ回路を図示する
こととする。

【００２３】まず、図４（Ａ）に示すように、ガラス基
板５００上に窒化酸化珪素膜からなる下地膜５０１を３
００ｎｍの厚さに形成した。この時、窒化酸化珪素膜を
二層にし、ガラス基板５００に接する方の窒素濃度を１
０〜２５ｗｔ％と高めに設定した。

【００２４】次に下地膜５０１の上に５０ｎｍの厚さの
非晶質珪素膜（図示せず））をプラズマＣＶＤ法により
成膜した。そして、特開平７−１３０６５２号公報に記
載の技術に従って非晶質珪素膜を結晶化し、結晶質珪素
膜（多結晶シリコン膜若しくはポリシリコン膜ともい
う）５０２を形成した。（図４（Ａ））

【００２５】次に、図４（Ｂ）に示すように、結晶質珪
素膜５０２をパターニングして島状に加工した半導体膜
５０３〜５０６を形成した。（図４（Ｂ））

【００２６】次に、結晶質珪素膜５０２上に酸化珪素膜
でなる保護膜５０７を１３０ｎｍの厚さに形成した。そ
して、保護膜５０７を介してボロンを半導体膜５０３〜
５０６に添加した。本実施例では質量分離を行わないプ
ラズマドーピング法を用いて添加した。この工程により
半導体膜５０３〜５０６中にはボロンが１×１０¹⁵〜５
×１０¹⁷atoms/cm³の濃度で含まれる。ここで添加され
たボロンはＴＦＴのしきい値電圧の調節に用いられる。
（図４（Ｃ））

【００２７】次に、保護膜５０７上にレジストマスク５
０８a、５０８bを形成し、保護膜５０７を介してリンを
添加した。本実施例ではプラズマドーピング法を用いて
添加した。この工程によりリンが２×１０¹⁶〜５×１０
¹⁹atoms/cm³の濃度で含まれた半導体領域（ｎ型不純物
領域）５０９が形成された。（図４（Ｄ））

【００２８】次に、図４（Ｅ）に示すように、半導体膜
５０３〜５０６を覆ってプラズマＣＶＤ法によりゲート
絶縁膜５１０を形成した。ゲート絶縁膜５１０として
は、１１０ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜を用いた。

【００２９】次に、５０ｎｍ厚の窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）膜と、３５０ｎｍ厚のタンタル（Ｔａ）膜とでなる
積層膜を成膜し、これをパターニングしてゲート電極５
１１〜５１５を形成した。この時、ゲート電極５１２は
ｎ型不純物領域５０９の一部にゲート絶縁膜５１０を介
して重なるように形成した。

【００３０】次に、図５（Ａ）に示すように、ゲート電
極５１１〜５１５をマスクとして自己整合的にリンを１
×１０¹⁶〜５×１０¹⁸atoms/cm³の濃度で添加した。こ
うして形成された不純物領域５１６〜５２３にはｎ型不
純物領域５０９の１／２〜１／１０の濃度でリンが添加
される。

【００３１】次に、図５（Ｂ）に示すように、ゲート電
極５１１〜５１５をマスクとして自己整合的にゲート絶
縁膜５０７をエッチングした。本実施例ではＣＨＦ₃ガ
スを用いてドライエッチングを行い、ゲート絶縁膜５２
４〜５２８を形成した。

【００３２】次に、図５（Ｃ）に示すように、レジスト
マスク５２９を形成し、ボロンを３×１０²⁰〜３×１０
²¹atoms/cm³の濃度となるように添加して高濃度にボロ
ンを含む不純物領域５３０〜５３３を形成した。なお、
不純物領域５３０〜５３３には既にリンが添加されてい
るが、ここで添加されるボロンはその少なくとも３００
倍以上の濃度で添加される。そのため、予め形成されて
いたｎ型の不純物領域は完全にＰ型に反転し、Ｐ型の不
純物領域として機能する。

【００３３】次に、図５（Ｄ）に示すようにレジストマ
スク５３４a〜５３４dを形成し、リンを１×１０²⁰〜１
×１０²¹atoms/cm³の濃度となるように添加して高濃度
にリンを含む不純物領域５３５〜５３９を形成した。な
お、不純物領域５３０〜５３３のうち、５４０〜５４３
で示される領域には同様にリンが添加されるが、ｐ型不
純物元素の濃度に比べて十分に低い濃度であるため、ｐ
型からｎ型に反転するようなことはない。

【００３４】次に、レジストマスク５３４a〜５３４dを
除去した後、保護膜５４４として２００ｎｍ厚の窒化酸
化シリコン膜を形成し、その後、添加されたリンまたは
ボロンを活性化した。本実施例では電熱炉において窒素
雰囲気中、５５０℃、４時間の熱処理を行った。この処
理中、図の矢印の方向に結晶化に用いたニッケルが移動
するため、後にチャネルを形成する領域中のニッケル濃
度を低減する事が可能である。また、この熱処理の後、
水素を含む雰囲気中で３５０℃で１時間の熱処理を行い
水素化処理を行った。（図５（Ｅ））

【００３５】次に、図６（Ａ）に示すように、第１層間
絶縁膜５４５を形成した。本実施例では、保護膜５４４
の上に５００ｎｍ厚の酸化シリコン膜を積層した構造と
した。そして、第１層間絶縁膜５４５に対してコンタク
トホールを形成し、ソース配線５４６〜５４９と、ドレ
イン配線５５０〜５５２を形成した。なお、本実施例で
はこの電極を、チタン膜６０ｎｍ、窒化チタン膜４０ｎ
ｍ、２wt%のシリコンを含むアルミニウム膜３００ｎ
ｍ、チタン膜１００ｎｍをスパッタ法で連続形成した四
層構造の積層膜とした。

【００３６】次に、図６（Ｂ）に示すように有機樹脂か
らなる第２層間絶縁膜５５３を形成した。本実施例では
アクリル樹脂膜を１．５μmの厚さで形成した。そし
て、第２層間絶縁膜５５３にドレイン配線５５２に達す
るコンタクトホールを形成し、酸化物導電膜からなる画
素電極５５４を形成した。本実施例では画素電極５５４
として酸化インジウムと酸化スズとの化合物からなる酸
化物導電膜を１１０ｎｍの厚さに形成した。

【００３７】次に、画素電極５５４の表面にオゾン処理
を行った。本実施例では、酸素ガス中に晒した状態で紫
外光（ＵＶ光）を照射することで処理を行った。

【００３８】次に、本発明を実施することによりＥＬ層
５５５を形成した。本実施例では、ＰＥＤＯＴ（ポリチ
オフェン）からなる正孔注入層（２０ｎｍ厚）、ＳＴＡ
Ｄ（スピロ−トリフェニルアミン誘導体）からなる正孔
輸送層（２０ｎｍ厚）、ＳＤＰＶＢｉ（スピロ−ジスチ
リルビフェニル）からなる発光層（１０ｎｍ厚）、α−
ＮＰＤ（4,4'−ビス［N−（１−ナフチル）−N−フェニ
ル−アミノ］ビフェニル）からなる正孔輸送層（１０ｎ
ｍ厚）、ドーパントとしてＤＣＭを添加したＡｌｑ
₃（トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体）から
なる発光層（１０ｎｍ厚）、２０７はＡｌｑ₃からなる
発光層（３０ｎｍ厚）を順次形成した積層構造とした。

【００３９】なお、上記構成において、ＰＥＤＯＴの代
わりにＰＡｎｉ（ポリアニリン）を用いても良い。ま
た、ドーパントは、ＤＣＭに限らず赤色の蛍光を示す有
機材料であれば如何なる材料であっても良い。

【００４０】なお、本実施例ではドーパントを添加した
Ａｌｑ₃（トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯
体）からなる発光層を形成した後、Ａｌｑ₃の蒸着を止
めずにドーパントの蒸着のみを止め、Ａｌｑ₃からなる
発光層を形成した。

【００４１】本発明を用いると、ドーパントおよびＡｌ
ｑ₃からなる発光層（第１の発光層）と、Ａｌｑ₃からな
る発光層（第２の発光層）との境界が明確でなくなり、
図３に示したような素子構造となる。即ち、第１の発光
層と第２の発光層との連続性が高まる。図１に示した実
測データと図８に示した実測データの差は、その連続性
の違いによるものと本発明者らは推察している。

【００４２】次に、金属膜（具体的にはイッテルビウム
膜）からなる陰極５５９を蒸着により４００ｎｍの厚さ
に形成した。こうして図６（Ｃ）に示すような構造のア
クティブマトリクス基板が完成した。本実施例では図６
（Ｃ）に示すアクティブマトリクス基板の上に紫外線硬
化樹脂膜を塗布し、ガラス基板を張り合わせた後、紫外
線硬化樹脂を硬化させてＥＬ素子を封止した。

【００４３】さらに、アクティブマトリクス基板にフレ
キシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）を取り付けて発
光装置を完成した。ここで本実施例に従って作製された
発光装置の表示画像を図７に示す。以上のように、良好
な白色発光が得られるアクティブマトリクス型の発光装
置を製造することができた。

【００４４】〔実施例２〕本発明のＥＬ素子の製造方法
は、パッシブマトリクス型の発光装置の製造方法に用い
ることもできる。本発明は公知のパッシブマトリクス型
発光装置の製造方法において、ＥＬ素子を形成する部分
のみ異なり、発光層を形成する際に本発明に従えば本発
明の効果を得ることができる。

【００４５】〔実施例３〕実施例１に示したアクティブ
マトリクス型の発光装置はプレーナ型ＴＦＴで各素子を
形成したが、ボトムゲート型ＴＦＴ（典型的には逆スタ
ガ型ＴＦＴ）で形成しても良い。その際、活性層に結晶
質珪素膜を用いても良いし、非晶質珪素膜を用いても良
い。このように本発明はＥＬ素子の製造工程に特徴があ
り、ＴＦＴの構造には限定されない。

【００４６】〔実施例４〕実施例１において、赤色発光
層に添加するドーパントとしては、公知の赤色の蛍光を
示す有機材料を用いることができる。また、赤色の燐光
を示す有機材料を用いても良い。

【００４７】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例３のいずれの構成とも組み合わせて実施することがで
きる。

【００４８】〔実施例５〕実施例１において、正孔注入
層としては、正孔の注入障壁を低める機能を有した有機
材料を用いることができる。本実施例では、正孔注入層
として導電性ポリマーを用いる。具体的には、導電性ポ
リマーとして、ヨウ素を添加したポリアセチレンを用い
ることができる。また、ヨウ素の代わりに臭素としても
良い。

【００４９】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例４のいずれの構成とも組み合わせて実施することがで
きる。

【００５０】〔実施例６〕本発明において、発光層とし
て三重項励起子からの燐光を発光に利用できる発光性材
料を用いることで、外部発光量子効率を飛躍的に向上さ
せることができ、ＥＬ素子の低消費電力化、長寿命化、
および軽量化が可能になる。ここで、三重項励起子を利
用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。

【００５１】(T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photoch
emical Processes in Organized Molecular Systems, e
d.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.) 上記論文に報告されたＥＬ材料（クマリン色素）の分子
式を以下に示す。

【００５２】

【化１】

【００５３】(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shou
stikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Natur
e 395 (1998) p.151.) 上記論文に報告されたＥＬ材料（Ｐｔ錯体）の分子式を
以下に示す。

【００５４】

【化２】

【００５５】(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows,
M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (199
9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Wat
anabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi,
Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.) 上記論文に報告されたＥＬ材料（Ｉｒ錯体）の分子式を
以下に示す。

【００５６】

【化３】

【００５７】以上のように三重項励起子からの燐光発光
を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光
を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実
現が可能となる。なお、本実施例の構成は、実施例１〜
実施例５のいずれの構成とも組み合わせて実施すること
が可能である。

【００５８】〔実施例７〕本発明を実施して形成された
発光装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて
明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従
って、様々な電気器具の表示部として用いることができ
る。

【００５９】本発明の電気器具としては、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッド
マウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音
響機器、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機
器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、
携帯型ゲーム機または電子書籍）、記録媒体を備えた画
像再生装置などが挙げられる。それら電気器具の具体例
を図９、図１０に示す。

【００６０】図９（Ａ）はＥＬディスプレイであり、筐
体２００１、支持台２００２、表示部２００３を含む。
本発明の発光装置は表示部２００３に用いることができ
る。本発明の発光モジュールを表示部に用いることでＥ
Ｌディスプレイの視認性を向上させ、消費電力を下げる
ことが可能である。

【００６１】図９（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２
１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作ス
イッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６
を含む。本発明の発光装置は表示部２１０２に用いるこ
とができる。

【００６２】図９（Ｃ）はデジタルカメラであり、本体
２２０１、表示部２２０２、接眼部２２０３、操作スイ
ッチ２２０４を含む。本発明の発光装置は表示部２２０
２に用いることができる。

【００６３】図９（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装
置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０
１、記録媒体（ＣＤ、ＬＤまたはＤＶＤ等）２３０２、
操作スイッチ２３０３、表示部（ａ）２３０４、表示部
（ｂ）２３０５を含む。表示部（ａ）は主として画像情
報を表示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示す
るが、本発明の発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）
に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再
生装置には、ＣＤ再生装置、ゲーム機器なども含まれう
る。

【００６４】図９（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピュ
ータであり、本体２４０１、表示部２４０２、受像部２
４０３、操作スイッチ２４０４、メモリスロット２４０
５を含む。本発明の発光装置は表示部２４０２に用いる
ことができる。この携帯型コンピュータはフラッシュメ
モリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を記
録したり、それを再生したりすることができる。

【００６５】図９（Ｆ）はパーソナルコンピュータであ
り、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、キ
ーボード２５０４を含む。本発明の発光装置は表示部２
５０３に用いることができる。

【００６６】また、上記電気器具はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。表示部にＥＬ素子
を有した発光装置を用いた場合、ＥＬ素子の応答速度が
非常に高いため遅れのない動画表示が可能となる。

【００６７】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響機器のような文字情報を主とする表示
部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景とし
て文字情報を発光部分で形成するように駆動することが
望ましい。

【００６８】ここで図１０（Ａ）は携帯電話であり、キ
ー操作を行う部位（操作部）２６０１、情報表示を行う
部位（情報表示部）２６０２であり、操作部２６０１お
よび情報表示部２６０２は連結部２６０３で連結してい
る。また、操作部２６０１には音声入力部２６０４、操
作キー２６０５が設けられ、情報表示部２６０２には音
声出力部２６０６、表示部２６０７が設けられている。

【００６９】本発明の発光装置は表示部２６０７に用い
ることができる。なお、表示部２６０７に発光装置を用
いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで携
帯電話の消費電力を抑えることができる。

【００７０】図１０（Ａ）に示した携帯電話の場合、表
示部２６０４に用いた発光装置にＣＭＯＳ回路でセンサ
（ＣＭＯＳセンサ）を内蔵させ、指紋もしくは手相を読
みとることで使用者を認証する認証システム用端末とし
て用いることもできる。また、外部の明るさ（照度）を
読みとり、設定されたコントラストで情報表示が可能と
なるように発光させることもできる。

【００７１】さらに、操作スイッチ２６０５を使用して
いる時に輝度を下げ、操作スイッチの使用が終わったら
輝度を上げることで低消費電力化することができる。ま
た、着信した時に表示部２６０４の輝度を上げ、通話中
は輝度を下げることによっても低消費電力化することが
できる。また、継続的に使用している場合に、リセット
しない限り時間制御で表示がオフになるような機能を持
たせることで低消費電力化を図ることもできる。なお、
これらはマニュアル制御であっても良い。

【００７２】また、図１０（Ｂ）は車載用オーディオで
あり、筐体２７０１、表示部２７０２、操作スイッチ２
７０３、２７０４を含む。本発明の発光装置は表示部２
７０２に用いることができる。また、本実施例では音響
機器の例として車載用オーディオ（カーオーディオ）を
示すが、据え置き型のオーディオ（オーディオコンポー
ネント）に用いても良い。なお、表示部２７０４に発光
装置を用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示する
ことで消費電力を抑えられる。

【００７３】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜６のいずれ
の構成を含む発光装置を用いても良い。

【発明の効果】本発明を実施することで良好な発光が得
られるＥＬ素子を有した発光装置を製造することができ
る。その結果、明るい表示部を有した電気器具を製造す
ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＥＬ素子の輝度特性（本発明を用いた場
合）を示す図。

【図２】ＥＬ素子の構造（本発明を用いない場合）
を示す図。

【図３】ＥＬ素子の構造（本発明を用いた場合）を
示す図。

【図４】発光装置の製造方法を示す図。

【図５】発光装置の製造方法を示す図。

【図６】発光装置の製造方法を示す図。

【図７】発光装置の表示画像を示す図面代用写真。

【図８】ＥＬ素子の輝度特性（本発明を用いない場
合）を示す図。

【図９】電気器具の一例を示す図。

【図１０】電気器具の一例を示す図。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機材料およびドーパントからなる第１の
薄膜を蒸着により成膜し、前記有機材料の蒸着を続けた
まま前記ドーパントの蒸着を止めて前記有機材料からな
る第２の薄膜を成膜することを特徴とする発光装置の製
造方法。
【請求項２】有機材料からなる第１の薄膜を蒸着により
成膜し、前記有機材料の蒸着を続けたままドーパントを
蒸着して前記有機材料および前記ドーパントからなる第
２の薄膜を成膜することを特徴とする発光装置の製造方
法。
【請求項３】発光性材料およびドーパントからなる第１
の発光層を蒸着により成膜し、前記発光性材料の蒸着を
続けたまま前記ドーパントの蒸着を止めて前記発光性材
料からなる第２の発光層を成膜することを特徴とする発
光装置の製造方法。
【請求項４】発光性材料からなる第１の発光層を蒸着に
より成膜し、前記発光性材料の蒸着を続けたままドーパ
ントを蒸着して前記発光性材料および前記ドーパントか
らなる第２の発光層を成膜することを特徴とする発光装
置の製造方法。
【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか一におい
て、前記第２の発光層の上に金属膜を成膜することを特
徴とする発光装置の製造方法。
【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれか一におい
て、前記発光性材料とはＡｌｑ₃（トリス−８−キノリ
ノラトアルミニウム錯体）であることを特徴とする発光
装置の製造方法。
【請求項７】請求項１乃至請求項５のいずれか一におい
て、前記ドーパントとは蛍光を示す有機材料であること
を特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項８】請求項１乃至請求項５のいずれか一におい
て、前記ドーパントとは燐光を示す有機材料であること
を特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれかの製造方
法によって製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】請求項９に記載の発光装置を用いたこと
を特徴とする電気器具。