WO2006008977A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子および照明装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子および照明装置 Download PDF

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WO2006008977A1
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organic
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light
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PCT/JP2005/012585
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Inventor
Yoshiyuki Suzuri
Hiroshi Kita
Original Assignee
Konica Minolta Holdings, Inc.
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • HELECTRICITY
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    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10Triplet emission

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescent device having three or more light emitting layers between an anode and a cathode, and particularly, an organic electroluminescent port suitable for white light emission having high luminous efficiency and no chromaticity shift.
  • the present invention relates to a luminescence element.
  • organic EL elements are self-luminous, they have excellent visibility and can be driven at a low voltage of several volts to several tens of volts, so that light weight including a drive circuit is possible. Therefore, organic EL devices are expected to be used as thin film displays, lighting, and knock lights.
  • the organic EL element is also characterized by abundant color nomination. Another feature is that various colors can be emitted by combining colors.
  • the need for white light emission is particularly high, and it can also be used as a backlight.
  • One luminescent layer is doped with a plurality of luminescent compounds.
  • a plurality of emission colors are combined from a plurality of emission layers.
  • Such an organic EL element that emits white light is formed by stacking two layers of a blue light-emitting layer that emits short wavelength light and a red light-emitting layer that emits long wavelength light. Proposals have been made to obtain color emission (for example, see Patent Document 1). O However, in the case where two light emitting layers having different color development (different peak wavelengths) are laminated, the 2 times of the driving time of the element, that is, the light emission time and the applied voltage are changed. The emission center moves due to the change in film quality in one light-emitting layer or the change in the transportability of holes or electrons. As a result, chromaticity is likely to change.
  • an organic EL device that performs mixed color light emission from a plurality of light emitting layers having different peak wavelengths, as a method for minimizing changes in chromaticity associated with driving time and voltage changes, different peak wavelengths are used.
  • those in which the light-emitting layer is laminated alternately three or more layers has been disclosed for performing the light emission e.g., see Patent Document 2.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 7-142169
  • Patent Document 2 JP 2003-187977
  • Patent Document 3 JP 2004-63349 A
  • An object of the present invention is to obtain an organic electoluminescence element suitable for white light emission with high efficiency with no chromaticity shift.
  • One aspect of the present invention for achieving the above object of the present invention is an organic electoluminescence device having a light emitting layer between an anode and a cathode, the light emitting layer having three or more layers, The three or more light-emitting layers include two or more light-emitting layers having different light emission peaks, and two or more light-emitting layers having the same light emission peak are included, and at least one light-emitting layer has phosphorescence compatibility. It is in the organic electoluminescence element characterized by containing a thing.
  • FIG. 1 is a diagram showing a layer structure of an organic EL element.
  • FIG. 2 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 3 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 5 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 6 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 7 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 8 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 9 is a view showing a layer structure of a light emitting layer of the organic EL device of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic view showing an example of a display device constituted by an organic EL element cover.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of a display unit.
  • FIG. 12 is a schematic diagram of a pixel.
  • FIG. 13 is a schematic diagram of a passive matrix type full-color display device.
  • FIG. 14 is a schematic perspective view of a lighting device.
  • FIG. 15 is a sectional view of the lighting device.
  • an organic electoluminescence device having a light-emitting layer between an anode and a cathode, the light-emitting layer has three or more light-emitting layers, and two or more light-emitting layers having different emission peaks are included in the three or more light-emitting layers.
  • An organic electoluminescence device comprising two or more light-emitting layers having the same emission peak, wherein the at least one light-emitting layer contains a phosphorescent compound.
  • All the light emitting layers having different emission peaks contain a light emitting dopant and a host compound, and all the light emitting layers are composed of the same host compound. 5.
  • the structure shown in device configuration 1 in FIG. 1 has a light emitting layer between a cathode and an anode, and the light emitting layer is sandwiched between an electron blocking layer and a hole blocking layer.
  • these electron blocking layers or hole blocking layers are not necessarily required, by adopting such a structure, electrons and hole carriers are confined in the light emitting layer, and further generated by recombination of electrons and holes. Since these excitons can also be confined in the light emitting layer, it is preferable to provide these layers.
  • the material for forming the electron blocking layer and the hole blocking layer known materials can be used.
  • the material forming the electron blocking layer is preferably smaller in electron affinity than the material forming the light emitting layer.
  • the hole blocking layer confines holes so that holes do not leak from the light emitting layer
  • the material forming the hole blocking layer has a larger ion potential than the material forming the light emitting layer. Is preferred.
  • the excitation triplet energy of the material forming the hole blocking layer and the electron blocking layer depends on the phosphorescence properties of the light emitting layer. It is preferred that the excitation of the compound be greater than the triplet energy.
  • Known materials can be used for the hole transport layer and the electron transport layer. It is preferable to use a material with high conductivity in terms of driving voltage reduction.
  • the light emitting layer 11 to the light emitting layer 3-14 are obtained by extracting only the light emitting layer portion in the device structure 1.
  • the light emitting layer has at least three or more layers and has at least two kinds of light emitting layers having different emission peaks, preferably three or four kinds, and most preferably three kinds. It is.
  • a light emitting layer having a different emission peak means that the emission maximum wavelength differs by at least lOnm or more when the emission peak is measured by PL.
  • a vapor deposition film is formed on a quartz substrate with a composition using a light emitting dopant and a host compound in a light emitting layer, or a wet process such as a polymer is used for spin coating or
  • a light emission maximum wavelength can be determined by preparing a thin film by dipping and measuring the light emission of the obtained deposited film or thin film with a fluorometer.
  • the color when the organic EL is turned on is not particularly limited, but is preferably white.
  • white when there are four light emitting layers having different emission peaks, white can be obtained by a combination of blue, blue green, yellow, and red.
  • white it is possible to use another layer to correct the white color with three colors of blue, green and red.
  • the emission color is not limited to white.
  • the arrangement order of the plurality of light emitting layers may have a regular period or may be random.
  • the light emitting layer has a regular period.
  • the emission color can be changed even if the emission position is shifted in the thickness direction.
  • the energy transfer of organic EL is mainly controlled by the Förster type.
  • the Förster type has a large energy transfer distance.
  • Forster-type energy transfer is basically an important factor that the overlap integral intensity of the emission spectrum of the donor molecule and the absorption spectrum of the acceptor molecule is large.
  • the current-voltage characteristics can be changed by selecting a host material.
  • the total film thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is preferably 5 to lOOnm. More preferred is 7 to 50 nm, and most preferred is 10 to 40 nm.
  • each of the light emitting layers constituting the light emitting layer is preferably 1 to 20 nm, more preferably 2 to 1 Onm.
  • At least one layer of the structure of the light emitting layer contains a phosphorescent compound, and it is preferable that all the light emitting layers contain a phosphorescent compound.
  • the mixing ratio of the light emitting dopant to the host compound as the main component in the light emitting layer is preferably in the range of 0.1% by mass to less than 30% by mass.
  • the light emitting dopant may be a mixture of a plurality of types of compounds. Even phosphorescent dopants with good metal complexes and other structures.
  • the luminescent dopant is roughly divided into a fluorescent dopant that emits fluorescence and phosphorescence. There are two types of phosphorescent dopants.
  • fluorescent dopants include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, chromochrome dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes.
  • fluorescent dopants include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, chromochrome dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes.
  • Examples thereof include dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.
  • a complex compound containing a metal of Group 8, Group 9, or Group 10 in the periodic table of elements is preferable, and more preferably, an iridium compound or an osmium compound. Of these, iridium compounds are the most preferred.
  • JP 2002-100476 JP 2002-173674, JP 2002-359082, JP 2002-175884, JP 2002-363552, JP 2002-184582 Publication, JP 2003-7469, JP 2002-525 808, JP 2003-7471, JP 2002-525833, JP 2003
  • the luminescent host compound used in the present invention is not particularly limited in terms of structure, but is typically a power rubazole derivative, a triarylamine derivative, an aromatic borane derivative, a nitrogen-containing heterocyclic compound, thiophene.
  • a power rubazole derivative a triarylamine derivative, an aromatic borane derivative, a nitrogen-containing heterocyclic compound, thiophene.
  • carboline derivatives diaza force rubazole derivatives and the like are preferably used.
  • the light emitting host used in the present invention may be a low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and may be a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerization light emission). (Host) But ...
  • a compound having a hole transporting ability and an electron transporting ability and preventing a long wavelength of light emission and having a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
  • the hole blocking layer has the function of an electron transport layer, which is a material force that has the function of transporting electrons while transporting holes and is extremely small, and blocks holes while transporting electrons. By doing so, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.
  • hole blocking layer for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 11-204258 and 11204359, and “The Organic EL Element and the Forefront of Industrialization (November 30, 1998, NTT Corporation)
  • the hole blocking (hole blocking) layer described in page 237 of “Issuance”) is applicable as the hole blocking layer according to the present invention.
  • the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer based on this invention as needed.
  • the electron blocking layer has the function of a hole transport layer in a broad sense, and is a material force that has a function of transporting holes and an extremely small capacity of transporting electrons, and transports holes while transporting holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking the children.
  • the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the thickness of the hole blocking layer and the electron blocking layer according to the present invention is preferably 3 ⁇ ! ⁇ lOOnm, more preferably 5 nm to 30 nm.
  • the hole transport layer includes a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • a hole transport material there is no particular limitation. Conventionally, in a photoconductive material, it is commonly used as a hole charge injection / transport material and used for a hole injection layer or a hole transport layer of an EL element. Any one of known ones used can be selected and used.
  • the hole transport material has a hole injection or transport, electron barrier property! Any of an organic substance and an inorganic substance may be used.
  • organic substance and an inorganic substance may be used.
  • the above-described forces that can be used are preferably porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styrylamine compounds, particularly aromatic tertiary amine compounds. ,.
  • Typical examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N, N
  • N 1 tetraphenyl 4, 4, 1 diaminophenol; N, N, 1 diphenyl N, N, 1 (3-methylphenol) — [1, 1, —biphenyl] — 4, 4, — Diamine (TPD); 2, 2 Bis (4 di-p-tri-laminophenol) propane; 1, 1 Bis (4-di-p-tri-amino-phenyl) cyclohexane; N, N, ⁇ ', ⁇ , monotetra ⁇ tril 1,4,4,1 diaminobiphenyl; 1, 1 bis (4 di ⁇ triarylaminophenol) 4 phenol cyclohexane; bis (4 dimethylamino 2 methylphenol) phenylmethane; bis (4 di-rholylaminophenol) methanol; ⁇ , ⁇ , 1 diphenyl ⁇ , ⁇ , 1 di (4-methoxyphenyl) —4, 4'-diaminobiphenyl; ⁇ , ⁇ , ⁇ , ⁇
  • these materials are introduced into a polymer chain, or these materials are combined with a polymer main chain.
  • the polymer material can also be used.
  • Inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material. Further, the hole transport material preferably has a high Tg.
  • the hole transport layer is formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. be able to.
  • the thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually 5 ⁇ ! ⁇ 50 OOnm or so.
  • This hole transport layer may have a single-layer structure in which one or more of the above materials are used.
  • a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include those described in JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, R. Ap pi. Phys., 95, 5773 (2004), etc. It is done.
  • the electron transport layer is a material force having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be a single layer or a plurality of layers.
  • the electron transporting layer may be any material selected from conventionally known compounds as long as it has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. It is possible to be.
  • electron transport materials examples include: -to-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, and heterocyclic rings such as naphthalene perylene. Examples thereof include tetracarboxylic anhydrides, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group is also used as an electron transport material. It can be done.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8 quinolinol derivatives such as tris (8 quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-1-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-jib mouth)
  • Metal complexes replacing Mg, Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as electron transport materials.
  • metal free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material.
  • the distyrylvirazine derivative exemplified as the material for the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and, like the hole injection layer and the hole transport layer, n-type-Si, n-type-SiC, etc. These inorganic semiconductors can also be used as electron transport materials.
  • the electron transport layer may be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction
  • This electron transport layer may have a single-layer structure having one or more of the above materials.
  • An impurity-doped electron transport layer with high n property can also be used. Examples thereof include those described in JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, R. Ap pi. Phys., 95, 5773 (2004), etc. It is done.
  • the injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer. As described above, the injection layer exists between the anode and the light emitting layer or hole transport layer, and between the cathode and the light emitting layer or electron transport layer. May be present. [0100]
  • the injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer in order to reduce the driving voltage and improve the luminance of the light emission. “The organic EL element and its industrial front line (November 30, 1998) Chapter 2 “Electrode materials” (pages 123-166) of “Part 2” of “Tees Co., Ltd.”) describes the details of the hole injection layer (anode buffer layer) and the electron injection layer (cathode buffer). One layer).
  • anode buffer layer hole injection layer
  • a phthalocyanine buffer layer typified by phthalocyanine
  • an oxide buffer layer typified by vanadium oxide
  • an amorphous carbon buffer layer a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyarene (emeraldine) or polythiophene Etc.
  • cathode buffer layer (electron injection layer) The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-917574, JP-A-10-74586, and the like.
  • Metal buffer layer typified by aluminum or aluminum
  • alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride
  • alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride
  • acid aluminum An acid buffer layer or the like.
  • the buffer layer (injection layer) is preferably in the range of 0.1 nm to 100 nm, although it depends on the material desired to be a very thin film.
  • This injection layer can be formed by thin-filming the above material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method.
  • the thickness of the injection layer is not particularly limited, but is usually about 5 to 5000 nm.
  • This injection layer may have a single-layer structure in which one or more of the above materials are used.
  • an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used.
  • electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as Cul, indium tin oxide (ITO), SnO, and ZnO.
  • ITO indium tin oxide
  • SnO indium tin oxide
  • ZnO ZnO.
  • An amorphous material such as ZnO) that can produce a transparent conductive film may be used.
  • the anode these If the electrode material is deposited by sputtering or other methods to form a thin film and a pattern of the desired shape can be formed by a single photolithography method, or if pattern accuracy is not so high (about 100 m or more), A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material. In the case of extracting light emission from this anode, it is desirable to have a transmittance of more than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred ⁇ or less. Furthermore, the film thickness depends on the material. Usually ⁇ ! ⁇ 1000 nm, preferably 10 nm to 200 nm.
  • the cathode according to the present invention a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is used.
  • an electron injecting metal a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy referred to as an electron injecting metal
  • an alloy referred to as an electron injecting metal
  • an alloy an electrically conductive compound
  • a mixture thereof a mixture thereof.
  • electrode materials include sodium, sodium-powered rhodium alloy, magnesium, lithium, magnesium Z copper mixture, magnesium Z silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium Z indium mixture, aluminum Z acid aluminum (Al 2 O 3) mixture, indium, lithium
  • Lithium Z aluminum mixture, aluminum and the like are preferred.
  • the cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ or less.
  • the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, it is convenient to improve the light emission luminance.
  • the substrate of the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic, etc., and is not particularly limited as long as it is transparent, but preferably used substrates include, for example, glass, quartz And a light-transmitting resin film. Especially preferred The substrate is a resin film that can give flexibility to the organic EL element.
  • Examples of the resin film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylenesulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (P
  • TAC cellulose triacetate
  • CAP cellulose acetate propionate
  • an inorganic film or an organic film, or a hybrid film of both of them may be formed, and the water vapor transmission rate is 0.01 gZm 2 'dayatm or less. I prefer to be there.
  • the external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic electoluminescence device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 2% or more.
  • external extraction quantum efficiency (%) number of photons emitted outside the organic EL element Z number of electrons flowing through the organic EL element X 100.
  • a roughened film (such as an antiglare film) can be used in combination in order to reduce unevenness in light emission.
  • the organic EL element When used as a multicolor display device, the organic EL element having at least two different emission maximum wavelengths will be described. A preferred example of producing an organic EL element will be described.
  • an anode / hole injection layer / hole transport layer As an example of a method for producing the organic EL device of the present invention, an anode / hole injection layer / hole transport layer
  • Z light-emitting layer (3 layers or more) Z hole blocking layer Z electron transport layer Z cathode buffer layer
  • Z cathode buffer layer A method for producing an organic EL device comprising a Z cathode will be described.
  • a desired electrode material for example, a thin film having a material force for an anode
  • An anode is formed by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of ⁇ 200 nm.
  • a thin film containing an organic compound such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer (three or more layers), a hole blocking layer, an electron transport layer, or the like, which is an element material, is formed thereon.
  • a method for forming a thin film containing an organic compound there are a spin coating method, a casting method, an inkjet method, a vapor deposition method, a printing method, and the like.
  • the vacuum deposition method or the spin coating method is particularly preferable because it is difficult to generate holes.
  • different film forming methods may be applied for each layer.
  • the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally the boat heating temperature.
  • a thin film having a cathode material force is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so that the film thickness is 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 50 nm to 200 nm.
  • a desired organic EL device can be obtained. It is preferable that the organic EL device is manufactured from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but it does not matter if it is taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.
  • the display device of the present invention will be described.
  • the display device of the present invention may be monochromatic or multicolor, but here, the multicolor display device will be described.
  • a shadow mask is provided only when forming a light emitting layer, and a film can be formed on one side by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, etc.
  • the method is not limited, but the vapor deposition method, the ink jet method, and the printing method are preferable.
  • the vapor deposition method patterning using a shadow mask is preferred.
  • the production order can be reversed, and the cathode, the electron transport layer, the hole blocking layer, the light emitting layer (three or more layers), the hole transport layer, and the anode can be produced in this order.
  • the multicolor display device can be used as a display device, a display, and various light sources. wear. Display devices and displays can be displayed in full color by using three types of organic EL elements that emit blue, red, and green light.
  • Examples of the display device and display include a television, a computer, a mono device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in a car.
  • the driving method when used as a display device for reproducing moving images which may be used as a display device for reproducing still images or moving images, may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • Luminous light sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sensors Although a light source etc. are mentioned, it is not limited to this.
  • the lighting device of the present invention will be described.
  • the organic EL element having a resonator structure may be used as an organic EL element having a resonator structure in the organic EL element of the present invention.
  • Examples include, but are not limited to, photocopier light sources, optical communication processor light sources, and optical sensor light sources.
  • the organic EL device of the present invention may be used as a kind of lamp such as an illumination or exposure light source, a projection device of a type for projecting an image, a still image or a moving image. It may be used as a display device (display) of the type that is directly visually recognized. When used as a display device for video playback, either the simple matrix (passive matrix) method or the active matrix method may be used. Alternatively, a full color display device can be produced by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.
  • FIG. 10 is a schematic view showing an example of a display device configured by the organic EL element cover.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.
  • the display 1 also includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like.
  • the control unit B is electrically connected to the display unit A, sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside, and the pixel for each scanning line is transmitted by the scanning signal. Sequentially emit light according to the image data signal, scan the image, and display the image information on the display unit A.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of the display unit A.
  • the display unit A includes a wiring unit including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6, a plurality of pixels 3 and the like on a substrate.
  • the main members of the display unit A will be described below.
  • the light intensity emitted from the pixel 3 is taken out in the direction of the white arrow (downward).
  • the scanning line 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at orthogonal positions ( Details are not shown).
  • the pixel 3 When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data.
  • Full color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region on the same substrate.
  • the organic EL device of the present invention is used as a white light emitting device, full color display can be performed in combination with a BGR color filter.
  • FIG. 12 is a schematic diagram of a pixel.
  • the pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like.
  • a full-color display can be performed by using an organic EL element that emits white light as the organic EL element 10 divided into multiple pixels and combining it with a BGR color filter.
  • an image data signal is also applied to the drain of the switching transistor 11 via the data line 6 in the control unit B force. Then, from the control unit B via the scanning line 5, the switch When the scanning signal is applied to the gate of the switching transistor 11, the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is transmitted to the capacitor 13 and the gate of the driving transistor 12.
  • the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive of the drive transistor 12 is turned on.
  • the drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and the organic EL element is connected from the power supply line 7 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied to element 10.
  • the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 holds the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied.
  • the organic EL device 10 continues to emit light until it is seen.
  • the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
  • the organic EL element 10 emits light by providing a switching transistor 11 and a drive transistor 12 as active elements for each of the organic EL elements 10 of each of the plurality of pixels, so that each of the plurality of pixels 3 has an organic EL.
  • Element 10 is emitting light.
  • Such a light emitting method is called an active matrix method.
  • the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-value image data signal having a plurality of gradation potentials, or a predetermined light emission amount by a binary image data signal. On, even a talent! /.
  • the potential of the capacitor 13 may be maintained until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.
  • the present invention not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.
  • FIG. 13 is a schematic diagram of a display device based on a noisy matrix method.
  • a number of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are arranged in a grid pattern so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.
  • the pixel 3 connected to the applied scanning line 5 emits light according to the image data signal.
  • the noisy matrix method pixel 3 has no active elements, and manufacturing costs can be reduced.
  • the organic EL device according to the present invention can also be applied as an illumination device to an organic EL device that emits substantially white light.
  • patterning may be performed by a metal mask, an inkjet printing method, or the like, as necessary, during film formation.
  • patterning only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire element layer may be patterned.
  • the white light-emitting organic EL device of the present invention is not limited to the display device or the display, but as a variety of light-emitting light sources and lighting devices, such as home lighting, interior lighting, and exposure light source.
  • a lamp it is also useful for a display device such as a backlight of a liquid crystal display device.
  • a ITO substrate 100 mm X 100 mm X I. 1 mm thick ITO on indium tincide
  • a lOOnm substrate ⁇ Techno Glass ⁇ 45
  • the transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
  • This transparent support base was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus.
  • each thread of the light-emitting layer AB was used to form a light-emitting layer of the light-emitting layer 1 1 shown in Fig. 2, and the hole blocking layer was formed thereon.
  • the heating boat containing Alq was energized and heated, and the hole was deposited at a deposition rate of 0.1 nmsec.
  • An electron transport layer having a thickness of 30 nm was provided by vapor deposition on the layer.
  • the substrate temperature during vapor deposition was room temperature.
  • each light emitting layer shown in Table 1 was laminated so as to have each layer structure, and an organic EL element 1-2 1-12 was produced.
  • the external extraction quantum efficiency (%) was measured when a constant current of 2.5 mA / cm 2 was applied in a dry nitrogen gas atmosphere at 23 ° C. Note that the measurement An optical radiance meter CS-1000 (Minolta) was used.
  • the chromaticity shift is shown in the CIE chromaticity diagram!
  • the chromaticity coordinate at lOOcdZm 2 luminance and the chromaticity coordinate at 5000 cdZ m 2 luminance are shown.
  • the excited triplet energy of the host compound and dopant compound used is also described.
  • the measurement was performed with Hitachi F4500.
  • the peak force excitation triplet energy due to the 0-0 band of the obtained phosphorescence spectrum was calculated.
  • the organic EL device of the present invention has high, low external extraction quantum efficiency, low chromaticity deviation.
  • FIG. 14 is a schematic perspective view of the lighting device
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the lighting device.
  • an organic EL element 101 has an organic EL layer 106 and a cathode 105 laminated on a glass substrate 107 with an ITO transparent electrode.
  • the organic EL element 101 is covered with a glass case 102, and a power supply line (anode) 103 and a power supply line (negative electrode) 104 are connected.
  • the glass case 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.
  • the present invention has at least one light emitting layer in a layer structure having three or more light emitting layers, two or more light emitting layers having different light emission peaks, and two or more light emitting layers having the same light emission peak. It has been found that by containing a phosphorescent compound in the light-emitting layer, even when it is multilayered, it can cause a color shift accompanying a voltage change that causes energy transfer, and can improve luminous efficiency.

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Abstract

 陽極と陰極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層を3層以上有し、該3層以上の発光層に、発光ピークの異なる発光層が2種以上含まれ、かつ、発光ピークの同じ発光層が2層以上含まれ、少なくとも1つの発光層には燐光性化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

Description

有機エレクト口ルミネッセンス素子、画像表示素子および照明装置 技術分野
[0001] 本発明は、陽極と陰極との間に 3層以上の発光層を有する有機エレクト口ルミネッセ ンス素子に関し、特に発光効率が高ぐ色度のずれがない白色発光に適する有機ェ レクト口ルミネッセンス素子に関する。
背景技術
[0002] 有機 EL素子は自己発光のため、視認性に優れ、かつ数 V〜数十 Vの低電圧駆動 が可能なため駆動回路を含めた軽量ィ匕が可能である。そこで、有機 EL素子は、薄膜 型ディスプレイ、照明、ノ ックライトとしての活用が期待されている。
[0003] また、有機 EL素子は色ノリエーシヨンが豊富であることも特徴である。また、複数の 発光色を組み合わせる混色によってさまざまな発光が可能となることも特徴である。
[0004] 発光色の中で、特に白色発光のニーズは高ぐまたバックライトとしても活用できる。
さらに、カラーフィルタを用いて青、緑、赤の画素に分けることが可能である。
[0005] この様な白色発光を行う方法としては次の 2種類の方法がある。
[0006] 1,一つの発光層に複数の発光化合物をドープする。
[0007] 2.複数の発光層から複数の発光色を組み合わせる。
[0008] 例えば、青 (B)、緑 (G)、赤 (R)の 3色により白色を達成する場合、 1の場合は、素 子作製方法として真空蒸着法を用いた場合は、 BGRとホスト化合物の 4元蒸着となり 、コントロールが非常に困難となる。
[0009] また、 BGRとホストイ匕合物を溶液に溶解或いは分散にして塗布する方法もあるが、 いまのところ、塗布型有機 ELは蒸着型に比べ耐久性が劣るという問題がある。
[0010] 一方、 2の複数の発光層を組み合わせる方法が提案されて 、る。蒸着型を用いる 場合には 1に比べ容易となる。
[0011] このような白色発光を行う有機 EL素子としては、短波長発光である青色発光層と長 波長発光である赤色発光層との 2層を積層することにより、両発光層の混色として白 色の発光を得るようにしたものが提案されている (例えば、特許文献 1参照。 ) o [0012] し力しながら、このような発色の異なる(異なるピーク波長の) 2層の発光層を積層し たものにおいては、素子の駆動時間すなわち発光時間や印加電圧の変化に伴って 、 2つの発光層において膜質が変化したり、ホール (正孔)や電子の輸送性の度合が 変化する等により、発光中心が移動し、その結果、色度変化を生じやすい。
[0013] 特に、 2つの発光層の混色として白色を得る場合、白色は他の色に比べて色度変 化に敏感であるため、問題が顕在化する。
[0014] 異なるピーク波長を有する複数の発光層からの混色発光を行うようにした有機 EL 素子において、駆動時間や電圧変化に伴う色度変化を極力抑制できるようにする方 法として、異なるピーク波長の発光を行う発光層が交互に 3層以上積層されたものが 開示されている (例えば、特許文献 2参照。 )0
[0015] また、 2層以上の積層構造において、発光層の膜厚及び有機ホスト材料と蛍光材 料の比率を発光効率をパラメータとして設計する方法が開示されている (例えば、特 許文献 3参照。)。
[0016] これらは交互に積層することで、キャリアの注入バランスが多少ずれても、色ずれが 起こりに《なるという効果がある。し力しながら発光効率が低いこと、及び層間でのェ ネルギー移動があり、白色度において偏りが認められ、白色発光として未だ不十分 であることが分力つた。また、依然として電圧変化に伴い色度のずれがおこる問題が めつに。
特許文献 1 :特開平 7—142169号公報
特許文献 2 :特開 2003— 187977号公報
特許文献 3 :特開 2004— 63349号公報
発明の開示
[0017] 本発明の目的は、色度のずれが無ぐ高効率で、白色発光に適する有機エレクト口 ルミネッセンス素子を得ることにある。
[0018] 本発明の上記目的を達成するための本発明の態様の一つは、陽極と陰極との間に 発光層を有する有機エレクト口ルミネッセンス素子において、前記発光層を 3層以上 有し、該 3層以上の発光層に、発光ピークの異なる発光層が 2種以上含まれ、かつ、 発光ピークの同じ発光層が 2層以上含まれ、少なくとも 1種の発光層には燐光性ィ匕合 物を含有することを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子にある。 図面の簡単な説明
[0019] [図 1]有機 EL素子の層構成を示す図である。
[図 2]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 3]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 4]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 5]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 6]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 7]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 8]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 9]本発明の有機 EL素子の発光層の層構成を示す図である。
[図 10]有機 EL素子カゝら構成される表示装置の一例を示した模式図である。
[図 11]表示部の模式図である。
[図 12]画素の模式図である。
[図 13]パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。
[図 14]照明装置の概略斜視図である。
[図 15]照明装置の断面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0020] 上記課題は、以下の構成により解決することができた。
(1) 陽極と陰極との間に発光層を有する有機エレクト口ルミネッセンス素子において 、前記発光層を 3層以上有し、該 3層以上の発光層に、発光ピークの異なる発光層が 2種以上含まれ、かつ、発光ピークの同じ発光層が 2層以上含まれ、少なくとも 1種の 発光層には燐光性化合物を含有することを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス 素子。
(2) 発光ピークの異なる発光層が 2種であり、発光ピークの同じ発光層が各々 2層 以上を有することを特徴とする前記(1)に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(3) 発光ピークの異なる発光層が 3種であり、周期的に積層されていることを特徴と する前記(1)に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。 (4) 発光ピークの異なる発光層が 3種であり、ランダムに積層されていることを特徴 とする前記(1)に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(5) 異なる発光ピークを有する発光層の全てが、燐光性化合物を含有することを特 徴とする前記(1)〜(4)の何れか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(6) 発光ピークの異なる発光層の全てが、発光ドーパントとホストイ匕合物を含有し、 全ての発光層が同じホストイ匕合物で構成されていることを特徴とする前記(1)〜(5) の何れ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(7) ホスト化合物の励起 3重項エネルギーは、前記燐光性化合物の励起 3重項エネ ルギ一よりも大き!/、ことを特徴とする前記(6)に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素 子。
(8) 発光層と陰極の間で、かつ発光層に隣接する層に正孔阻止層を有することを 特徴とする前記(1)〜(7)の何れか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(9) 発光層と陽極の間で、かつ発光層に隣接する層に電子阻止層を有することを 特徴とする前記(1)〜(8)の何れか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(10) 有機エレクト口ルミネッセンス素子からの発光が白色であることを特徴とする前 記(1)〜(9)の何れ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
(11) 前記(1)〜(10)の何れ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を用 Vヽたことを特徴とする画像表示素子。
(12) 前記(1)〜(10)の何れ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を用 いたことを特徴とする照明装置。
[0021] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子 (有機 EL素子)の層構成に関し、図を用 いて説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは無い。
[0022] 図 1の素子構成 1で示される構造は、陰極と陽極の間に発光層を有し、発光層は電 子阻止層と正孔阻止層で挟み込んで!/ヽる。
[0023] これらの電子阻止層或いは正孔阻止層は必ずしも必要ではないが、こういう構成と することで、電子 ·正孔のキャリアを発光層に閉じ込め、更に電子と正孔の再結合に より生成する励起子をも発光層に閉じ込めることができるため、これらの層を設けるこ とが好ましい。 [0024] 電子阻止層、正孔阻止層を形成する材料は既知のものを使用することができる。
[0025] 電子阻止層は電子が発光層から漏れ出さぬよう電子を閉じ込めるため、電子阻止 層を形成する材料は電子親和力が発光層を形成する材料よりも小さいことが好まし い。
[0026] また、正孔阻止層は正孔が発光層から漏れ出さぬように正孔を閉じ込めるため正 孔阻止層を形成する材料は発光層を形成する材料よりもイオンィ匕ポテンシャルが大 きいことが好ましい。
[0027] 更に電子と正孔が再結合して生成する 3重項励起子を閉じ込めるため、正孔阻止 層、電子阻止層を形成する材料の励起 3重項エネルギーは発光層の燐光性ィヒ合物 の励起 3重項エネルギーよりも大き 、ことが好まし 、。
[0028] さらに、それらを挟み込むように正孔輸送層、電子輸送層を設けることが好ましい。
正孔輸送層、電子輸送層は既知の材料を用いることが出来る。駆動電圧低下の面か ら伝導度の高 、材料を用いることが好まし 、。
[0029] 発光層の構成例を図 2〜9を用いて説明する。発光層 1—1〜発光層 3— 14まで示 すが本発明はこれらに限定されるものではない。
[0030] 発光層 1 1〜発光層 3— 14は素子構成 1における発光層部分のみを抜き出した ものを示している。
[0031] 本発明においては、発光層は少なくとも 3層以上力も構成され、発光ピークの異な る発光層を少なくとも 2種以上有するが、好ましくは 3もしくは 4種類であり、最も好まし くは 3種類である。
[0032] 本発明において、発光ピークの異なる発光層とは、発光ピークが PL測定したとき発 光極大波長が少なくとも lOnm以上異なることを言う。
[0033] 尚、 PL測定とは、発光ドーパントとホストイ匕合物を発光層で用いる組成で石英基板 に蒸着膜を作製するか、或いはポリマーなどのウエットプロセスにて作製するものは、 スピンコートもしくはディップにより薄膜を作製し、得られた蒸着膜或いは薄膜を蛍光 光度計で発光を測定することにより発光極大波長を決定できる。
[0034] 有機 ELを点灯させた時の色は特に限定しないが、白色になることが好ましい。
[0035] 例えば発光ピークの異なる発光層が 2種である場合、青色と黄色或いは青緑色と 赤、に発光する発光層の組み合わせで白色を得るのが好ま 、。
[0036] 例えば発光ピークの異なる発光層が 3種である場合、青色と緑色と赤色に発光する 組み合わせで白色を得るのが好まし!/、。
[0037] こうすることで、照明やバックライトなど様々な光源に用いることが出来る。
[0038] 例えば発光ピークの異なる発光層が 4種である場合、青、青緑、黄、赤の組み合わ せにより白色を得ることができる。その他にも青色、緑色、赤色の 3色での白色の色補 正をするためにもう一層を使用することも可能である。
[0039] また、発光色は白色だけに限定するものではない。
[0040] 発光ピークの異なる複数の発光層で単色 (例えば青、緑、赤)を発光させることによ り、より微妙な色の調整が可能となる。
[0041] 複数の発光層の並び順は規則的な周期を持っていても良いし、ランダムであっても 良い。
[0042] 有機 EL素子に電圧 (電流)をかけたときに、電圧 (電流)の変動に対して色度のず れカ Sもっとも少な 、並び方になるものが好まし 、。
[0043] 好ましくは規則的な周期を持っているものであり、例えば、図 2〜9に示した発光層
1— 1〜1— 6、 2— 9、 2— 23、 2— 36、 3— 9、 3— 12、 3— 14である。
[0044] このようにすると電圧 (電流)を変化させたとき、発光位置が厚さ方向にシフトしても 発光色が変化しに《することが可能である。
[0045] 一方、複数の発光層から複数の発光色を組み合わせる場合、色ずれを最低限に 抑えるために交互、周期、ランダム構造を多重に積層するが、その際、隣接層との接 触が多くなるため、その界面でのエネルギー移動の機会が増え、発光層 1層での白 色素子の形成と同様の問題が生ずる。
[0046] 有機 ELのエネルギー移動は主にフェルスター型が支配的だ力 フェルスター型は エネルギー移動距離が大き ヽ。
[0047] フェルスター型エネルギー移動とは、基本的にドナー分子の発光スペクトルとァクセ プター分子の吸収スペクトルの重なり積分強度が大きいことが重要な因子となる。
[0048] 蛍光性化合物の場合、スペクトルが重なると蛍光量子収率およびモル吸光係数が 大きいため励起 1重項エネルギー移動距離が大きくなる。 [0049] 燐光性ィ匕合物においても T—G吸収が見られる場合には蛍光性ィ匕合物と同様に励 起 3重項でのエネルギー移動が起こる(フェルスター型エネルギー移動に関しては『
Principles of Fluorescence SpectrocsopyJlJoseph R. Lakowicz著 Kluw er Academic Plenum Publishers p. 368)。しかしながら、 T^G吸収のモル 吸光係数は蛍光性ィ匕合物に比して非常に小さいため燐光性ィ匕合物の方がフェルス ター型のエネルギー移動距離は圧倒的に小さい。
[0050] 本発明においては、発光層の少なくとも 1種に燐光性ィ匕合物を含有させることにより 、層間でのエネルギー移動を低減することができ、これにより薄層による多層化が可 能となったものである。
[0051] それぞれの隣接する発光層への発光ドーパント間のエネルギー移動はフェルスタ 一型で進行することから、フェルスター距離が小さ!/、組み合わせでそれぞれの発光 層の並び順を決定することが出来る。
[0052] さらに、ホスト材料を選択することで、電流 電圧特性を変化させることが出来る。
[0053] 発光層の全体の膜厚は特に限定しないが、 5から lOOnmが好ましい。更に好ましく は 7から 50nmが好ましぐ最も好ましくは 10nmから 40nmである。
[0054] 発光層を構成する複数の発光層における、それぞれの膜厚は 1から 20nmが好まし く更に好ましくは 2から 1 Onmである。
[0055] これらは素子駆動電圧、電圧 (電流)に対する色度のずれ、エネルギー移動、作製 の困難さにより、選ぶことができる。
[0056] 本発明は、これらの発光層の構成の少なくとも 1層に燐光性化合物を含有すること が必要であり、好ましくは全ての発光層に燐光性ィ匕合物を含有することが好ま 、。
[0057] (発光ホストと発光ドーパント)
発光層中の主成分であるホストイ匕合物に対する発光ドーパントとの混合比は好まし くは質量で 0. 1質量%〜30質量%未満の範囲である。
[0058] ただし、本発明においては発光層の少なくとも 1層に燐光性ィ匕合物(燐光性ドーパ ント)を用いることが必要であり、発光ドーパントは複数種の化合物を混合して用いて も良ぐ金属錯体やその他の構造を有する燐光性ドーパントでもよ 、。
[0059] 発光ドーパントは、大きくわけて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントと燐光を発光す る燐光性ドーパントの 2種類がある。
[0060] 蛍光性ドーパントの代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シァニン系色 素、クロコ-ゥム系色素、スクァリウム系色素、ォキソベンツアントラセン系色素、フル ォレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン 系色素、ポリチオフ ン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
[0061] 燐光性ドーパントの代表例としては、好ましくは元素の周期表で 8属、 9属、 10属の 金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム 化合物であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
[0062] 燐光性ドーパントの具体例としては以下の特許公報に記載されて!、る化合物であ る。
[0063] 国際公開第 OOZ70655号パンフレツ K特開 2002— 280178号公報、特開 2001
— 181616号公報、特開 2002— 280179号公報、特開 2001— 181617号公報、 特開 2002— 280180号公報、特開 2001— 247859号公報、特開 2002— 299060 号公報、特開 2001— 313178号公報、特開 2002— 302671号公報、特開 2001— 345183号公報、特開 2002— 324679号公報、国際公開第 02,15645号パンフ レッド、特開 2002— 332291号公報、特開 2002— 50484号公報、特開 2002— 33 2292号公報、特開 2002— 83684号公報、特表 2002— 540572号公報、特開 20 02— 117978号公報、特開 2002— 338588号公報、特開 2002— 170684号公報 、特開 2002— 352960号公報、国際公開第 01/93642号パンフレット、特開 2002
— 50483号公報、特開 2002— 100476号公報、特開 2002— 173674号公報、特 開 2002— 359082号公報、特開 2002— 175884号公報、特開 2002— 363552号 公報、特開 2002— 184582号公報、特開 2003— 7469号公報、特表 2002— 525 808号公報、特開 2003— 7471号公報、特表 2002— 525833号公報、特開 2003
— 31366号公報、特開 2002— 226495号公報、特開 2002— 234894号公報、特 開 2002— 235076号公報、特開 2002— 241751号公報、特開 2001— 319779号 公報、特開 2001— 319780号公報、特開 2002— 62824号公報、特開 2002— 10 0474号公報、特開 2002— 203679号公報、特開 2002— 343572号公報、特開 2 002— 203678号公報等。 [0064] その具体例の一部を下記に示す。
[0065] [化 1]
Pt- 1 Pt-2
Figure imgf000010_0001
[0066] [化 2]
Figure imgf000011_0001
Figure imgf000011_0002
Figure imgf000011_0003
[0067] [化 3]
Figure imgf000012_0001
(発光ホスト化合物)
本発明に用いられる発光ホストイ匕合物としては、構造的には特に制限はないが、代 表的には力ルバゾール誘導体、トリアリールァミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含 窒素複素環化合物、チォフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴァリーレンィ匕合物等の 基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジァザ力ルバゾール誘導体 (こ こで、ジァザ力ルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する 炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。) 等が挙げられる。
[0069] 中でもカルボリン誘導体、ジァザ力ルバゾール誘導体等が好ましく用いられる。
[0070] 以下に、カルボリン誘導体、ジァザ力ルバゾール誘導体等の具体例を挙げる力 本 発明はこれらに限定されない。
[0071] [化 4]
置007
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000015_0001
[0073] また、本発明に用いられる発光ホストは低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高 分子化合物でもよぐビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合 物 (蒸着重合性発光ホスト)でも 、 、。
[0074] 発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化 を防ぎ、高 Tg (ガラス転移温度)である化合物が好ま 、。
[0075] 発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が好適である。
例えば、特開 2001— 257076号公報、同 2002— 308855号公報、同 2001— 313 179号公報、同 2002— 319491号公報、同 2001— 357977号公報、同 2002— 3 34786号公報、同 2002— 8860号公報、同 2002— 334787号公報、同 2002— 1 5871号公報、同 2002— 334788号公報、同 2002— 43056号公報、同 2002— 3 34789号公報、同 2002— 75645号公報、同 2002— 338579号公報、同 2002— 105445号公報、同 2002— 343568号公報、同 2002— 141173号公報、同 2002 — 352957号公報、同 2002— 203683号公報、同 2002— 363227号公報、同 20
02— 231453号公報、同 2003— 3165号公報、同 2002— 234888号公報、同 20
03— 27048号公報、同 2002— 255934号公報、同 2002— 260861号公報、同 2 002— 280183号公報、同 2002— 299060号公報、同 2002— 302516号公報、 同 2002— 305083号公報、同 2002— 305084号公報、同 2002— 308837号公報 等。
[0076] 次に、有機 EL素子の他の構成層につ 、て述べる。
[0077] 《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有 しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料力 なり、電子を輸送しつつ正孔を阻 止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
[0078] 正孔阻止層としては、例えば特開平 11— 204258号公報、同 11 204359号公 報、及び「有機 EL素子とその工業化最前線(1998年 11月 30日 ェヌ'ティー 'エス 社発行)」の 237頁等に記載の正孔阻止(ホールブロック)層等を本発明に係る正孔 阻止層として適用可能である。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本 発明に係る正孔阻止層として用 、ることが出来る。
[0079] 《電子阻止層》
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機 能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料力 なり、正孔を輸送しつつ電 子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述 する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることが出来る。
[0080] 本発明に係る正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては好ましくは 3ηπ!〜 lOOnm であり、更に好ましくは 5nm〜30nmである。
[0081] 《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入 層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設ける ことができる。
[0082] 正孔輸送材料としては、特に制限はなぐ従来、光導伝材料において、正孔の電荷 注入輸送材料として慣用されて 、るものや EL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使 用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
[0083] 正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性の!/、ずれかを有するも のであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリァゾール誘導体、ォキ サジァゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン 誘導体及びピラゾロン誘導体、フ 二レンジァミン誘導体、ァリールァミン誘導体、アミ ノ置換カルコン誘導体、ォキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルォレ ノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ァニリン系共重 合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチォフェンオリゴマー等が挙げられる。
[0084] 正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができる力 ポルフィリン化合物 、芳香族第三級ァミン化合物及びスチリルァミン化合物、特に芳香族第三級ァミン化 合物を用いることが好まし 、。
[0085] 芳香族第三級アミンィ匕合物及びスチリルアミンィ匕合物の代表例としては、 N, N, N
' , N,一テトラフエ-ルー 4, 4,一ジァミノフエ-ル; N, N,一ジフエ-ルー N, N,一ビ ス(3—メチルフエ-ル)—〔1, 1,—ビフエ-ル〕— 4, 4,—ジァミン (TPD) ; 2, 2 ビ ス(4 ジ一 p トリルァミノフエ-ル)プロパン; 1 , 1 ビス(4 ジ一 p トリルアミノフ ェニル)シクロへキサン; N, N, Ν' , Ν,一テトラ一 ρ トリル一 4, 4,一ジアミノビフエ -ル; 1 , 1 ビス(4 ジ一 ρ トリルァミノフエ-ル) 4 フエ-ルシクロへキサン;ビ ス(4 ジメチルァミノ 2 メチルフエ-ル)フエニルメタン;ビス(4 ジ一 ρ トリルァ ミノフエ-ル)フエ-ルメタン; Ν, Ν,一ジフエ-ル一 Ν, Ν,一ジ(4—メトキシフエ-ル) —4, 4'—ジアミノビフエニル; Ν, Ν, Ν' , Ν,一テトラフエニル一 4, 4'—ジアミノジフ ェ-ルエーテル; 4, 4,—ビス(ジフエ-ルァミノ)クオードリフエ-ル; Ν, Ν, Ν—トリ(ρ 一トリル)ァミン; 4一(ジ—ρ—トリルァミノ)ー4,一〔4一(ジ—ρ—トリルァミノ)スチリル 〕スチルベン; 4—Ν, Ν ジフエ-ルァミノー(2 ジフエ-ルビ-ル)ベンゼン; 3—メ トキシー 4'—Ν, Ν ジフエ-ルアミノスチルベンゼン; Ν—フエ-ルカルバゾール、さ らには、米国特許第 5, 061, 569号明細書に記載されている 2個の縮合芳香族環を 分子内に有するもの、例えば 4, 4' ビス〔Ν—(1 ナフチル)—Ν—フエ-ルァミノ〕 ビフエ-ル (NPD)、特開平 4— 308688号公報に記載されているトリフエ-ルァミン ユニットが 3つスターバースト型に連結された 4, 4,, 4,,一トリス〔?^— (3—メチルフエ -ル)—Ν—フエ-ルァミノ〕トリフエ-ルァミン(MTDATA)等が挙げられる。
[0086] さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖と した高分子材料を用いることもできる。
[0087] また、 p型 Si、 p型 SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として 使用することができる。また、正孔輸送材料は、高 Tgであることが好ましい。
[0088] この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キ ヤスト法、インクジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成す ることができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5ηπ!〜 50 OOnm程度である。この正孔輸送層は、上記材料の 1種または 2種以上力もなる 1層 構造であってもよい。
[0089] 又、不純物ドープした p性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては 、特開平 4— 297076号、特開 2000— 196140号、特開 2001— 102175号、了. Ap pi. Phys. , 95, 5773 (2004)などに記載されたもの力 S挙げ、られる。
[0090] 《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料力 なり、広い意味で電子注入 層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層を設 けることができる。
[0091] 従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣 接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料 (正孔阻止材料を兼ねる)としては、下 記の材料が知られて 、る。
[0092] さらに、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有して いればよぐその材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用 いることがでさる。
[0093] この電子輸送層に用いられる材料 (以下、電子輸送材料という)の例としては、 -ト 口置換フルオレン誘導体、ジフヱ-ルキノン誘導体、チォピランジオキシド誘導体、ナ フタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリ デンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、ォキサジァゾール誘導 体などが挙げられる。さらに、上記ォキサジァゾール誘導体において、ォキサジァゾ ール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として 知られて!/ヽるキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用い ることがでさる。
[0094] さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖と した高分子材料を用いることもできる。
[0095] また、 8 キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8 キノリノール)アルミ-ゥ ム(Alq )、トリス(5, 7—ジクロロ一 8—キノリノール)アルミニウム、トリス(5, 7—ジブ口
3
モ一 8 キノリノール)アルミニウム、トリス(2 メチル 8 キノリノール)アルミニウム 、トリス(5—メチル 8—キノリノール)アルミニウム、ビス(8—キノリノール)亜鉛(Znq )など、及びこれらの金属錯体の中心金属が In、 Mg、 Cu、 Ca、 Sn、 Ga又は Pbに置 き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリ 一若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基ゃスルホン酸基な どで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発 光層の材料として例示したジスチリルビラジン誘導体も、電子輸送材料として用いる ことができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、 n型— Si、 n型— SiCなどの無機 半導体も電子輸送材料として用いることができる。
[0096] この電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キ ヤスト法、インクジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成す ることができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5〜5000 nm程度である。この電子輸送層は、上記材料の 1種または 2種以上力もなる 1層構 造であってもよい。
[0097] 又、不純物ドープした n性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては 、特開平 4— 297076号、特開 2000— 196140号、特開 2001— 102175号、了. Ap pi. Phys. , 95, 5773 (2004)などに記載されたもの力 S挙げ、られる。
[0098] 次に、本発明の有機 EL素子の構成層として用いられる、注入層について説明する
[0099] 《注入層》:電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と 発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存 在させてもよい。 [0100] 注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる 層のことで、「有機 EL素子とその工業ィ匕最前線(1998年 11月 30日 ェヌ'ティー'ェ ス社発行)」の第 2編第 2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正 孔注入層(陽極バッファ一層)と電子注入層(陰極バッファ一層)とがある。
[0101] 陽極バッファ一層(正孔注入層)は、特開平 9— 45479号公報、同 9 260062号 公報、同 8— 288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フ タロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ一層、酸ィ匕バナジウムに代表される 酸化物バッファ一層、アモルファスカーボンバッファ一層、ポリア-リン(ェメラルディ ン)やポリチォフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ一層等が挙げられる
[0102] 陰極バッファ一層(電子注入層)は、特開平 6— 325871号公報、同 9 17574号 公報、同 10— 74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、スト口 ンチウムゃアルミニウム等に代表される金属バッファ一層、フッ化リチウムに代表され るアルカリ金属化合物バッファ一層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金 属化合物バッファ一層、酸ィヒアルミニウムに代表される酸ィヒ物バッファ一層等が挙げ られる。
[0103] 上記バッファ一層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましぐ素材にもよるが、そ の膜厚は 0. lnm〜100nmの範囲が好ましい。
[0104] この注入層は、上記材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インク ジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜ィ匕することにより形成することができる 。注入層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5〜5000nm程度である。こ の注入層は、上記材料の 1種または 2種以上力もなる 1層構造であってもよい。
[0105] 《陽極》
本発明の有機 EL素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい (4eV以上)金属、 合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用い られる。このような電極物質の具体例としては Au等の金属、 Cul、インジウムチンォキ シド (ITO)、 SnO、 ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、 IDIXO (In O -
2 2 3
ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの 電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィ 一法で所望の形状のパターンを形成してもよぐあるいはパターン精度をあまり必要 としない場合は(100 m以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所 望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場 合には、透過率を 10%より大きくすることが望ましぐまた、陽極としてのシート抵抗は 数百 Ω Ζ口以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよる力 通常 ΙΟηπ!〜 1000nm、 好ましくは 10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
[0106] 《陰極》
一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい (4eV以下)金属 (電子注入 性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするも のが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム一力リウ ム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム Z銅混合物、マグネシウム Z銀混合物 、マグネシウム /アルミニウム混合物、マグネシウム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (Al O )混合物、インジウム、リチウム
2 3 Zアルミニウム混合物、希 土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の 点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金 属との混合物、例えばマグネシウム Z銀混合物、マグネシウム Zアルミニウム混合物 、マグネシウム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (Al O )混合物
2 3
、リチウム Zアルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電 極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製す ることができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百 Ω Ζ口以下が好ましぐ膜厚は 通常 10nm〜1000nm、好ましくは 50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光 を透過させるため、有機 EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または 半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
[0107] 《基体 (基板、基材、支持体等とも!ヽぅ)》
本発明の有機 EL素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に 限定はなぐまた、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板と しては例えばガラス、石英、光透過性榭脂フィルムを挙げることができる。特に好まし 、基体は、有機 EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な榭脂フィルムである。
[0108] 榭脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフ タレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエ ーテルケトン、ポリフエ-レンスルフイド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(P
C)、セルローストリアセテート (TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP) 等力 なるフィルム等が挙げられる。
[0109] 榭脂フィルムの表面には、無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイプリ ッド被膜が形成されていてもよぐ水蒸気透過率が 0. 01gZm2'dayatm以下の高 ノ リア性フィルムであることが好まし ヽ。
[0110] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効 率は 1%以上であることが好ましぐより好ましくは 2%以上である。ここに、外部取り出 し量子効率 (%) =有機 EL素子外部に発光した光子数 Z有機 EL素子に流した電子 数 X 100である。
[0111] 照明用途で用いる場合には、発光ムラを低減させるために粗面加工したフィルム( アンチグレアフィルム等)を併用することもできる。
[0112] 多色表示装置として用いる場合は少なくとも 2種類の異なる発光極大波長を有する 有機 EL素子カゝらなるが、有機 EL素子を作製する好適な例を説明する。
[0113] 《有機 EL素子の作製方法》
本発明の有機 EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層
Z発光層(3層以上) Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ一層 Z陰極からな る有機 EL素子の作製法にっ ヽて説明する。
[0114] まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質力 なる薄膜を、 1 μ m 以下、好ましくは ΙΟηπ!〜 200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方 法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正 孔輸送層、発光層(3層以上)、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物を含有す る薄膜を形成させる。
[0115] この有機化合物を含有する薄膜の薄膜ィ匕の方法としては、スピンコート法、キャスト 法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすぐかつピ ンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好まし い。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、 その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度
50°C〜450°C、真空度 10— 6Pa〜: LO— 2Pa、蒸着速度 0. 01nm〜50nm/秒、基板温 度— 50°C〜300°C、膜厚 0. lnm〜5 μ mの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
[0116] これらの層の形成後、その上に陰極用物質力もなる薄膜を、 1 μ m以下好ましくは 5 0nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法に より形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機 EL素子が得られる。この有機 EL 素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが 好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても力まわない。その際、作業を 乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
[0117] 《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。
[0118] 本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは、多色表示装置について 説明する。多色表示装置の場合は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面 に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる
[0119] 発光層のみパターユングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法 、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを 用いたパターユングが好まし 、。
[0120] また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層(3層以上)、正 孔輸送層、陽極の順に作製することも可能である。
[0121] このようにして得られた多色表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を + 、陰極を—の極性として電圧 2〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また、 逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電 圧を印加する場合には、陽極が +、陰極が一の状態になったときのみ発光する。な お、印加する交流の波形は任意でよい。
[0122] 多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることがで きる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の 3種の有機 EL素子を 用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。
[0123] 表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、ノ ソコン、モノくィル機器、 AV機器、文 字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生 する表示装置として使用してもよぐ動画再生用の表示装置として使用する場合の駆 動方式は単純マトリックス (パッシブマトリックス)方式でもアクティブマトリックス方式で もどちらでもよい。
[0124] 発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告 、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光 センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。
[0125] 《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。
[0126] 本発明の有機 EL素子に共振器構造を持たせた有機 EL素子として用いてもよぐこ のような共振器構造を有した有機 EL素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、 電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる 力 これらに限定されない。
[0127] また、本発明の有機 EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使 用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクシヨン装置や、静止画像や動画 像を直接視認するタイプの表示装置 (ディスプレイ)として使用しても良い。動画再生 用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス (パッシブマトリクス) 方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。または、異なる発光色を有する 本発明の有機 EL素子を 2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製す ることが可能である。
[0128] 以下、本発明の有機 EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する
[0129] 図 10は、有機 EL素子カゝら構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機 EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの 模式図である。 [0130] ディスプレイ 1は、複数の画素を有する表示部 A、画像情報に基づいて表示部 Aの 画像走査を行う制御部 B等力もなる。
[0131] 制御部 Bは、表示部 Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画 像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画 素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部 A に表示する。
[0132] 図 11は、表示部 Aの模式図である。
[0133] 表示部 Aは基板上に、複数の走査線 5及びデータ線 6を含む配線部と、複数の画 素 3等とを有する。表示部 Aの主要な部材の説明を以下に行う。
[0134] 図においては、画素 3の発光した光力 白矢印方向(下方向)へ取り出される場合 を示している。
[0135] 配線部の走査線 5及び複数のデータ線 6は、それぞれ導電材料からなり、走査線 5 とデータ線 6は格子状に直交して、直交する位置で画素 3に接続している(詳細は図 示していない)。
[0136] 画素 3は、走査線 5から走査信号が印加されると、データ線 6から画像データ信号を 受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑 領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラ 一表示が可能となる。
[0137] 本発明の有機 EL素子を白色発光の素子として用いる場合は、 BGRのカラーフィル ターとの組み合わせによりフルカラー表示を行うことが出来る。
[0138] 次に、画素の発光プロセスを説明する。
[0139] 図 12は、画素の模式図である。
[0140] 画素は、有機 EL素子 10、スイッチングトランジスタ 11、駆動トランジスタ 12、コンデ ンサ 13等を備えて 、る。複数の画素に区分された有機 EL素子 10として白色発光の 有機 EL素子を用い、 BGRのカラーフィルターと組み合わせることでフルカラー表示 を行うことができる。
[0141] 図 12において、制御部 B力もデータ線 6を介してスイッチングトランジスタ 11のドレ インに画像データ信号が印加される。そして、制御部 Bから走査線 5を介してスィッチ ングトランジスタ 11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ 11の 駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ 13と駆動トランジ スタ 12のゲートに伝達される。
[0142] 画像データ信号の伝達により、コンデンサ 13が画像データ信号の電位に応じて充 電されるとともに、駆動トランジスタ 12の駆動がオンする。駆動トランジスタ 12は、ドレ インが電源ライン 7に接続され、ソースが有機 EL素子 10の電極に接続されており、ゲ 一トに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン 7から有機 EL素子 10に 電流が供給される。
[0143] 制御部 Bの順次走査により走査信号が次の走査線 5に移ると、スイッチングトランジ スタ 11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ 11の駆動がオフしてもコン デンサ 13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ 12 の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機 EL素子 1 0の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に 同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ 12が駆動して有機 E L素子 10が発光する。
[0144] すなわち、有機 EL素子 10の発光は、複数の画素それぞれの有機 EL素子 10に対 して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ 11と駆動トランジスタ 12を設けて 、複数の画素 3それぞれの有機 EL素子 10の発光を行っている。このような発光方法 をアクティブマトリクス方式と呼んで 、る。
[0145] ここで、有機 EL素子 10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号 による複数の階調の発光でもよ 、し、 2値の画像データ信号による所定の発光量の オン、才フでもよ!/、。
[0146] また、コンデンサ 13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持して もよ 、し、次の走査信号が印加される直前に放電させてもょ 、。
[0147] 本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査さ れたときのみデータ信号に応じて有機 EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の 発光駆動でもよい。
[0148] 図 13は、ノ ッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図 4において、複 数の走査線 5と複数の画像データ線 6が画素 3を挟んで対向して格子状に設けられ ている。
[0149] 順次走査により走査線 5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線 5に接続 して 、る画素 3が画像データ信号に応じて発光する。ノ ッシブマトリクス方式では画 素 3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
[0150] 本発明に係わる有機 EL素子は、また、照明装置として、実質白色の発光を生じる 有機 EL素子に適用できる。
[0151] 本発明に係わる白色有機 EL素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクや インクジェットプリンティング法等でパター-ングを施してもよ 、。パターユングする場 合は、電極のみをパターユングしてもいいし、電極と発光層をパターユングしてもいい し、素子全層をパターユングしてもいい。
[0152] このように、本発明の白色発光有機 EL素子は、前記表示デバイス、ディスプレーに カロえて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また、露光光源の ような一種のランプとして、液晶表示装置のバックライト等、表示装置にも有用に用い られる。
[0153] その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写 真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、更には表示装置を 必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。
実施例
[0154] 実施例 1
〈有機 EL素子 1— 1〜1— 12の作製〉
(有機 EL素子 1—1の作製)
陽極として 100mm X 100mm X I. 1mmのガラス基板上に ITO (インジウムチンォ キサイド)を lOOnm製膜した基板 (ΝΗテクノグラス社製 ΝΑ45)にパターユングを行 つた後、この ITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音 波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間行った。この透明支持基 盤を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
[0155] 次いで、真空槽を 4 X 10— 4Paまで減圧した後、 α— NPDの入った加熱ボートに通 電して加熱し、蒸着速度 0. InmZsecで透明支持体基板に蒸着し 25nm正孔輸送 層を設けた。次に電子阻止層として、 HTM1の入った加熱ボートに通電して加熱し、 蒸着速度 0. InmZsecで HTM1を 15nm蒸着した。
[0156] その後、表 1に示すように、発光層 A Bの各糸且成を用い、図 2に示す発光層 1 1 の積層の発光層となるように形成し、その上に正孔阻止層として H - 13を lOnm蒸 しプ
[0157] 更に Alqの入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0. lnmsecで前記正孔
3
層上に蒸着して膜厚 30nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室 温で行った。
[0158] 引き続き陰極バッファ一層としてフッ化リチウム 0. 5nmを蒸着し、更にアルミニウム 1 lOnmを蒸着して陰極を形成し、有機 EL素子 1— 1を作製した。
[0159] (有機 EL素子 1— 2 1— 12の作製)
有機 EL素子 1 1と同様にして表 1に示す各発光層を各層構成となるように積層し 、有機 EL素子 1— 2 1— 12を作製した。
[0160] [化 6]
α - NPD
Figure imgf000029_0001
[0161] 得られた有機 EL素子を以下の方法で評価した。
[0162] 〈外部取り出し量子効率〉
作製した有機 EL素子について、 23°C、乾燥窒素ガス雰囲気下で 2. 5mA/cm2 の一定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定した。尚、測定には分 光放射輝度計 CS - 1000 (ミノルタ製)を用いた。
[0163] 〈色度のずれ〉
色度のずれは CIE色度図にお!、て、 lOOcdZm2輝度時の色度座標と 5000cdZ m2輝度時の色度座標のずれを表す。
[0164] 23°C、乾燥窒素ガス雰囲気下で CS— 1000 (ミノルタ製)を用いて測定を行った。
[0165] また、用いたホストイ匕合物及びドーパント化合物の励起 3重項エネルギーを記載す る。溶媒はエタノール:メタノール = 1 : 1、 77Kにて測定した。測定は日立製 F4500 で行った。得られたリン光スペクトルの 0— 0バンドに起因するピーク力 励起 3重項 エネルギーを算出した。
[0166] 得られた結果を表 1、 2に示す。
[0167] [表 1]
Figure imgf000031_0001
有機
外部
El 発光層の 色度の
発光層 A 発光層 B 発光層 発光層 D 取り出し 備 考 素子 構成 ずれ
量子効率
No.
1 -1 発光層,一 1 H-t4: lr-12 3^Μ% ΐθηπι H-15: lr-9 8質量% lOnm なし なし 250 0.03 本発明
1-2 発光層 1 -4 H-14: lr-12 3煑量% 5nm H-14: lr-9 8 g量% 5nrn なし なし 230 0.008 本発明
1-3 発光履 1一 6 H-I3: lr-I2 3質量% 4nm H-13: lr-9 8質量% 3nm なし なし 220 0.005 本発明
1-4 発光層 2 - 5 H— 14: lr—, 2 3®·% 6nm H-15: lr-1 6質量% 4nm H-14: lr-9 8質量% 4nm なし 235 0.01 本発明
1-5 発光層 2— 9 H-14: |r-13 3質量% 6nm H-14: lr-1 5nm H-14: lr-9 8質量% 4nm なし 230 0.008 本発明
1-6 発光層 2— 9 H— 12: lr-13 3 量% 6nm H-6: lr-1 6貧量% 5nm H-6: lr-9 8質量% 4nm なし 230 0.008 本発明
1 -7 発光屬 2—22 H-14: |r-1 6®量% 5nm H-14: lr-12 3煑量% 5nm H-14: lr-9 8質量% 2nm なし 230 0.01 本発明
1-8 発光層 2— 23 H-14: |r-l3 6質量% 5nm H-14: lr-l 6質量% 2nm H-14: lr-14 6質量% 2nm なし 225 0.005 本発明
1—9 発光眉 2 - 23 H—15:TPB 3質量% 7nra H-14: lr-1 6質量% 2nm H-14: lr-9 8質量% 2nm なし 195 0.007 本発明
1 -10 発光層 3 - 9 H— 14: lr一 13 6 Jf量% 5nm H-14: lr-9 8質量% 3nm H -, 4: lr— 10 6質量% 2nm H-14: lr-5 8質量% 2nm 230 0.009 本発明
1 -11 発光層ト 1 H— 15:TPB 3質量% lOnm Alq3:ルブレン 2質量% lOnm なし なし 100 0.13 躍列
1—12 発光層〗一 4 H-15:TPB 5nm Alq3:ルブレン 2ίί量% 5nm なし なし 85 0.07 臓列
励起 3重項エネルギー
ホス卜/ドーパント
(eV)
H-6 2.7
H-12 2.9
H— 13 3
H-14 3
H-15 2.7
lr-1 2.5
lr-9 2.1
lr-12 2.7
lr-13 2.8
lr-14 2.1
[0169] 本発明の有機 EL素子は高 、外部取り出し量子効率と低!、色度のずれを示すこと が分かる。
[0170] 実施例 2
実施例 1で作製した有機 EL素子 1—8の非発光面をガラスケースで覆い、照明装 置とした。照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明 装置として使用することができた。図 14は照明装置の概略斜視図であり、図 15は照 明装置の断面図である。図中、有機 EL素子 101は、 ITO透明電極付きガラス基板 1 07上に積層された有機 EL層 106及び陰極 105が形成されている。照明装置 100は 、この有機 EL素子 101をガラスケース 102で覆い、電源線(陽極) 103と、電源線(陰 極) 104が接続されている。なおガラスケース 102内には窒素ガス 108が充填され、 捕水剤 109が設けられている。
産業上の利用可能性
[0171] 本発明は、発光層を 3層以上有し、発光ピークの異なる発光層が 2種以上で、発光 ピークの同じ発光層が 2層以上である層構成にお 、て、少なくとも 1つの発光層には 燐光性化合物を含有することにより、多層化してもエネルギー移動がなぐ電圧変化 に伴う色ずれを起こりに《でき、発光効率を向上させることができることを見いだした

Claims

請求の範囲
[I] 陽極と陰極との間に発光層を有する有機エレクト口ルミネッセンス素子において、前 記発光層を 3層以上有し、該 3層以上の発光層に、発光ピークの異なる発光層が 2種 以上含まれ、かつ、発光ピークの同じ発光層が 2層以上含まれ、少なくとも 1種の発 光層には燐光性ィ匕合物を含有することを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素 子。
[2] 発光ピークの異なる発光層が 2種であり、発光ピークの同じ発光層が各々 2層以上を 有することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子
[3] 発光ピークの異なる発光層が 3種であり、周期的に積層されていることを特徴とする 請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[4] 発光ピークの異なる発光層が 3種であり、ランダムに積層されていることを特徴とする 請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[5] 異なる発光ピークを有する発光層の全てが、燐光性化合物を含有することを特徴と する請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[6] 発光ピークの異なる発光層の全てが、発光ドーパントとホストイ匕合物を含有し、全て の発光層が同じホストイ匕合物で構成されていることを特徴とする請求の範囲第 1項に 記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[7] ホストイ匕合物の励起 3重項エネルギーは、前記燐光性化合物の励起 3重項エネルギ 一よりも大きいことを特徴とする請求の範囲第 6項に記載の有機エレクト口ルミネッセ ンス素子。
[8] 発光層と陰極の間で、かつ発光層に隣接する層に正孔阻止層を有することを特徴と する請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[9] 発光層と陽極の間で、かつ発光層に隣接する層に電子阻止層を有することを特徴と する請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[10] 有機エレクト口ルミネッセンス素子からの発光が白色であることを特徴とする請求の範 囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[II] 請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を用いたことを特徴とす る画像表示素子。
請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を用いたことを特徴とす る照明装置。
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