JPWO2019039562A1 - 有機光電子素子 - Google Patents
有機光電子素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019039562A1 JPWO2019039562A1 JP2019537689A JP2019537689A JPWO2019039562A1 JP WO2019039562 A1 JPWO2019039562 A1 JP WO2019039562A1 JP 2019537689 A JP2019537689 A JP 2019537689A JP 2019537689 A JP2019537689 A JP 2019537689A JP WO2019039562 A1 JPWO2019039562 A1 JP WO2019039562A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transport layer
- hole transport
- fluorine
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 148
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 129
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 116
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 109
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 108
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 50
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 50
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 30
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- CEGOHIRBPWQSQD-UHFFFAOYSA-N 4-ethenoxybut-1-ene Chemical compound C=CCCOC=C CEGOHIRBPWQSQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920005548 perfluoropolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 339
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 50
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 30
- -1 N- (naphthalen-2-yl) -N-phenyl-amino Chemical group 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 21
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 21
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 14
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 14
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 14
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 10
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 10
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 8
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000006551 perfluoro alkylene group Chemical group 0.000 description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 7
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 7
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 4-ethenylbenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- FXKMXDQBHDTQII-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-3,6-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=C4C5=CC(=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 FXKMXDQBHDTQII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 3
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 0 CC(C1)C=CC=C1N(c1cccc(C)c1)c1cc(*)cc(N(c2cccc(C)c2)c2cccc(C)c2)c1 Chemical compound CC(C1)C=CC=C1N(c1cccc(C)c1)c1cc(*)cc(N(c2cccc(C)c2)c2cccc(C)c2)c1 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 3
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLTXWCKMNMYXEA-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoro-2-(trifluoromethoxy)ethene Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)(F)F BLTXWCKMNMYXEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006358 Fluon Polymers 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- NUHSROFQTUXZQQ-UHFFFAOYSA-N isopentenyl diphosphate Chemical compound CC(=C)CCO[P@](O)(=O)OP(O)(O)=O NUHSROFQTUXZQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- LYKXFSYCKWNWEZ-UHFFFAOYSA-N pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile Chemical compound N1=CC=CC2=C(N=C(C(C#N)=N3)C#N)C3=C(C=CC=N3)C3=C21 LYKXFSYCKWNWEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 125000000876 trifluoromethoxy group Chemical group FC(F)(F)O* 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- KHXKESCWFMPTFT-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3-heptafluoro-3-(1,2,2-trifluoroethenoxy)propane Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F KHXKESCWFMPTFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoro-2-(1,2,2-trifluoroethenoxy)ethene Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)=C(F)F RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZSHGMURFSSXRP-UHFFFAOYSA-N 2-N,2-N,2-N',2-N',7-N,7-N,7-N',7-N'-octakis-phenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2,2',2',7,7',7'-hexamine Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1(C=C2C3(C4=CC(C=CC4=C2C=C1)(N)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)N UZSHGMURFSSXRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(1-azatricyclo[7.3.1.05,13]trideca-5,7,9(13)-trien-7-yl)ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1C=CC1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAIXJKPOHMMBKS-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,1,3,4,4,5,6,6,6-nonafluoro-5-(trifluoromethyl)hex-1-ene Chemical compound FC(C(C(F)(F)F)(C(C(C(=C(F)F)Cl)F)(F)F)F)(F)F JAIXJKPOHMMBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n-[4-[4-(n-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPHQFGUXWQWWAA-UHFFFAOYSA-N 9-(2-phenylphenyl)carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 ZPHQFGUXWQWWAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSXJEEMTGWMJPY-UHFFFAOYSA-N 9-[3-(3-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=CC=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 NSXJEEMTGWMJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNPRTGVXRLRAOZ-UHFFFAOYSA-N C1(=CC(=CC=C1)C1(CC(=CC=C1)N(C=1C=C(C=CC1)C)C=1C=C(C=CC1)C)NC=1C=C(C=CC1)C)C Chemical compound C1(=CC(=CC=C1)C1(CC(=CC=C1)N(C=1C=C(C=CC1)C)C=1C=C(C=CC1)C)NC=1C=C(C=CC1)C)C MNPRTGVXRLRAOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IERQVVNGFYERKV-UHFFFAOYSA-N Cc1cccc(N(C(CC2)CCC2c(cc2)ccc2N(c2ccccc2)c2cc(C)ccc2)c2ccccc2)c1 Chemical compound Cc1cccc(N(C(CC2)CCC2c(cc2)ccc2N(c2ccccc2)c2cc(C)ccc2)c2ccccc2)c1 IERQVVNGFYERKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006343 heptafluoro propyl group Chemical group 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 125000004492 methyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- BWJUFXUULUEGMA-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl propan-2-yloxycarbonyloxy carbonate Chemical compound CC(C)OC(=O)OOC(=O)OC(C)C BWJUFXUULUEGMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001542 size-exclusion chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F114/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
- C08F114/18—Monomers containing fluorine
- C08F114/185—Monomers containing fluorine not covered by the groups C08F114/20 - C08F114/28
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F214/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
- C08F214/18—Monomers containing fluorine
- C08F214/26—Tetrafluoroethene
- C08F214/262—Tetrafluoroethene with fluorinated vinyl ethers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
- C08L27/16—Homopolymers or copolymers or vinylidene fluoride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D127/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D127/02—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C09D127/12—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D127/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D127/02—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C09D127/12—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
- C09D127/18—Homopolymers or copolymers of tetrafluoroethene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
- H10K50/181—Electron blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
以下、図1〜図3を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る有機光電子素子について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率等は適宜異ならせてある。
基板10は、光透過性を備えていてもよく、光透過性を備えなくてもよい。基板10の形成材料としては、ガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子(樹脂)を用いることができる。また、表面の絶縁性が確保される限り、基板10の形成材料として金属材料を採用することもできる。
陽極11は、基板10上に形成され、正孔輸送層13に正孔(ホール)を供給する。また、陽極11は、発光層14から発せられた光を反射する光反射性を有する。陽極11の形成材料としては、ITO(Indium Tin Oxide:インジウムドープ酸化錫)やIZO(Indium Zinc Oxide:インジウムドープ酸化亜鉛)等の導電性金属酸化物を用いることができる。また、陽極11に光反射性を付与するため、陽極11の基板10側には、金属材料を形成材料とする反射膜が設けられている。すなわち、陽極11は、導電性金属酸化物を形成材料とする層と、反射膜との積層構造を有する。
正孔注入層12は、陽極11と正孔輸送層13との間に形成されている。正孔注入層12は、陽極11から正孔輸送層13への正孔の注入を容易にする機能を有する。なお、正孔注入層12は形成しなくてもよい。
酸化モリブデン、または酸化タングステン等の金属酸化物;
銅フタロシアニン等の有機金属錯体材料;
ジ−[4−(N,N−ジトリル−アミノ)−フェニル]シクロヘキサン(TAPC)、N1,N1,N3,N3−テトラ−m−トリルベンゼン−1,3−ジアミン(PDA)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)ベンジジン(TPD)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス−[4−(フェニル−m−トリル−アミノ)−フェニル]−ビフェニル−4,4’−ジアミン(DNTPD)、4,4’,4''−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(NPB)、4,4’,4''−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(TDATA)、ジピラジノ[2,3−f:2’,3’−h]キノキサリン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル(HAT−CN)、9,9’,9’’−トリフェニル−9H,9’H,9’’H−3,3’:6’,3’’−テルカルバゾール(Tris−PCz)、4,4’,4''−トリス(N−(ナフタレン−2−イル)−N−フェニル−アミノ)トリフェニルアミン(2−TNATA)等のアリールアミン材料;
ポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸(PANI/DBSA)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4−スチレンスルホネート)(PEDOT/PSS)、またはポリアニリンカンファースルホン酸(PANI/CSA)、ポリアニリン/ポリ(4−スチレンスルホネート)(PANI/PSS)等の高分子半導体材料;
N−(ジフェニル−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(9−フェニル−9H−カルバゾイル−3イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン(以下、「HT211」という。)、HTM081(Merck社製)、HTM163(Merck社製)、HTM222(Merck社製)、NHT−5(Novaled社製)、NHT−18(Novaled社製)、NHT−49(Novaled社製)、NHT−51(Novaled社製)、NDP−2(Novaled社製)、NDP−9(Novaled社製)等の市販品。
これら正孔注入層12の形成材料は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。また、上記正孔注入層12の形成材料は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
正孔輸送層13は、正孔注入層12上に形成されている。なお、正孔注入層12がない場合は、正孔輸送層13は、陽極11に形成される。正孔輸送層13は、陽極11から注入された正孔を発光層14に向けて良好に輸送する機能を有する。
正孔輸送層13は、波長域450〜800nmにおいて発光層14よりも低屈折率であることが好ましい。発光層14の屈折率は、正孔輸送層13中の有機半導体材料と含フッ素重合体との混合比を制御することにより調整可能である。正孔輸送層13が低屈折率であることにより、有機EL素子1の内部で生じた光取出し効率が向上する。
正孔輸送層13の形成材料である有機半導体材料は、陽極から正孔の注入を受けて輸送する正孔輸送材料として知られた化合物を採用することができる。
これら正孔輸送層13の形成材料は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。また、上記正孔輸送層13の形成材料は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の電荷注入層および電荷輸送層に含まれる含フッ素重合体は、フッ素原子を含む重合体である。なお、本実施形態においては、オリゴマーも重合体に含める。すなわち、含フッ素重合体はオリゴマーであってもよい。
含フッ素重合体は、正孔輸送層等の層の形成速度、層の強度と表面粗さの観点から、含フッ素重合体の熱分解が起こる温度以下において実用化するのに十分な蒸発速度もしくは飽和蒸気圧を有することが好ましい。一般的な含フッ素重合体であるPTFEの熱分解開始温度が約400℃、テフロン(登録商標)AFの熱分解開始温度が350℃である。本実施形態に係る含フッ素重合体の300℃における蒸発速度は、0.01g/m2sec以上が好ましく、0.02g/m2sec以上が好ましい。また、300℃における飽和蒸気圧は、0.001Pa以上であることが好ましく、0.002Pa以上がより好ましい。この観点から含フッ素重合体は、分子間相互作用が小さいと考えられるペルフルオロ重合体が好ましい。また結晶性が低いといわれる主鎖に脂肪族環構造を有する重合体がさらに好ましい。ここで主鎖に脂肪族環構造を有するとは、含フッ素重合体が繰り返し単位中に脂肪族環構造(芳香族性を示さない環構造)を有し、かつ、該脂肪族環を構成する炭素原子の1個以上が主鎖を構成することを意味する。
本明細書中、飽和蒸気圧(単位:Pa)は、真空示差熱天秤(アドバンス理工社製:VPE−9000)により測定される値である。
よってMwが1,500〜50,000の範囲であれば、含フッ素重合体の主鎖が開裂を起こすことなく、十分な強度と平滑な表面を有する層が形成できる。
本明細書中、MwおよびMnはゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定される値である。
含フッ素重合体のガラス転移点(Tg)は高い方が、得られる素子の信頼性が高くなることから好ましい。具体的にはガラス転移点が、60℃以上が好ましく、80℃以上がより好ましく、100℃以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、350℃が好ましく、300℃がより好ましい。
本明細書中、固有粘度[η](単位:dl/g)は、測定温度30℃でアサヒクリン(登録商標)AC2000(旭硝子社製)を溶媒として、ウベローデ型粘度計(柴田科学社製:粘度計ウベローデ)により測定される値である。
有機半導体材料の屈折率は、一般的に1.7〜1.8程度である。このような一般的な有機半導体材料に対して、屈折率が1.5以下の含フッ素重合体を混合すれば、得られる電荷注入層、電荷輸送層等の屈折率を低下させることができる。電荷注入層、電荷輸送層の屈折率が低下して、電荷注入層、電荷輸送層に隣接する電極、ガラス基板等(ソーダガラスおよび石英ガラスの屈折率は可視光領域でそれぞれ約1.51〜1.53、約1.46〜1.47である。)の屈折率に近づけば、電荷注入層または電荷輸送層と、電極またはガラス基板との界面で生じる全反射を回避することができ、光取り出し効率が向上する。
重合体(1):主鎖に脂肪族環を有さず、フルオロオレフィンに由来する単位(以下、「フルオロオレフィン単位」とも記す。)を有する含フッ素重合体、
重合体(2):主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体。
重合体(1)は、フルオロオレフィンの単独重合体であってもよく、フルオロオレフィンと、フルオロオレフィンと共重合可能な他の単量体との共重合体であってもよい。
フルオロオレフィンとしては、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、ビニリデンフルオライド、ビニルフルオライド、ペルフルオロアルキルエチレン(炭素数1〜10のペルフルオロアルキル基を有するもの等)、ペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)、トリフルオロエチレン等が挙げられる。
例示したうちで、電荷注入層および電荷輸送層の屈折率を低下させやすいことから、炭素原子に結合しているすべての水素原子がフッ素に置換されたテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)が好ましい。
重合体(1)が共重合体である場合、フルオロオレフィンに由来する単位の割合は、20モル%以上が好ましく、40モル%以上がより好ましく、80モル%以上がさらに好ましい。
重合体(1)としては、以下の含フッ素重合体が挙げられる。
ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)共重合体((旭硝子社製:Fluon(登録商標)PFA)、テトラフルオロエチレン/ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン/ペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)/ヘキサフルオロプロピレン共重合体(EPA)、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体(旭硝子社製:Fluon(登録商標)ETFE)、ポリビニリデンフルオリド(PVdF)、ポリビニルフルオリド(PVF)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、エチレン/クロロトリフルオロエチレン共重合体(ECTFE)等。
例示したうちで、電荷注入層および電荷輸送層の屈折率を低下させやすいことから、炭素原子に結合しているすべての水素原子または塩素原子がフッ素に置換されたポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン/ペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)共重合体(PFA)、テトラフルオロエチレン/ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン/ペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(EPA)が好ましい。
重合体(1)は、公知の方法を用いて製造できる。
重合体(1)としては、合成したものを用いてもよく、市販品を用いてもよい。
重合体(2)は、主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体である。
「主鎖に脂肪族環構造を有する含フッ素重合体」とは、含フッ素重合体が脂肪族環構造を有する単位を有し、かつ、該脂肪族環を構成する炭素原子の1個以上が主鎖を構成する炭素原子であることを意味する。脂肪族環は酸素原子等のヘテロ原子を有する環であってもよい。
重合体の「主鎖」とは、重合性二重結合を有するモノエンの重合体においては重合性二重結合を構成した2つの炭素原子に由来する炭素原子の連鎖をいい、環化重合しうるジエンの環化重合体においては2つの重合性二重結合を構成した4つの炭素原子に由来する炭素原子の連鎖をいう。モノエンと環化重合しうるジエンとの共重合体においては、該モノエンの上記2つの炭素原子と該ジエンの上記4つの炭素原子とから主鎖が構成される。
したがって、脂肪族環を有するモノエンの重合体の場合は、脂肪族環の環骨格を構成する1つの炭素原子または環骨格を構成する隣接した2つの炭素原子が重合性二重結合を構成する炭素原子である構造のモノエンの重合体である。環化重合しうるジエンの環化重合体の場合は、後述のように、2つの二重結合を構成する4つの炭素原子のうちの2〜4つが脂肪族環を構成する炭素原子となる。
脂肪族環は置換基を有していてもよく、有さなくてもよい。「置換基を有していてもよい」とは、該脂肪族環の環骨格を構成する原子に置換基が結合してもよいことを意味する。
重合体(2)中の脂肪族環としては、電荷注入層および電荷輸送層の屈折率を低下させやすいことから、ペルフルオロ脂肪族環(置換基を含め、炭素原子に結合した水素原子のすべてがフッ素原子に置換されている脂肪族環)が好ましい。
重合体(21):含フッ素環状モノエンに由来する単位を有する含フッ素重合体、
重合体(22):環化重合しうる含フッ素ジエン(以下、単に「含フッ素ジエン」ともいう。)の環化重合により形成される単位を有する含フッ素重合体。
「含フッ素環状モノエン」とは、脂肪族環を構成する炭素原子間に重合性二重結合を1個有する含フッ素単量体、または、脂肪族環を構成する炭素原子と脂肪族環外の炭素原子との間に重合性二重結合を1個有する含フッ素単量体である。
含フッ素環状モノエンとしては、下記の化合物(1)または化合物(2)が好ましい。
X1、X2、X3、X4、Y1およびY2におけるペルフルオロアルコキシ基としては、前記ペルフルオロアルキル基に酸素原子(−O−)が結合したものが挙げられ、トリフルオロメトキシ基が特に好ましい。
X2は、フッ素原子、トリフルオロメチル基、または炭素数1〜4のペルフルオロアルコキシ基であることが好ましく、フッ素原子またはトリフルオロメトキシ基であることが特に好ましい。
X3およびX4は、それぞれ独立に、フッ素原子または炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子またはトリフルオロメチル基であることが特に好ましい。
X3およびX4は相互に結合して環を形成してもよい。前記環の環骨格を構成する原子の数は、4〜7個が好ましく、5〜6個が特に好ましい。
化合物(1)の好ましい具体例として、化合物(1−1)〜(1−5)が挙げられる。
化合物(2)の好ましい具体例として、化合物(2−1),(2−2)が挙げられる。
ただし、重合体(21)中の全単位に対する含フッ素環状モノエンに由来する単位の割合は、20モル%以上が好ましく、40モル%以上がより好ましく、100モル%がさらに好ましい。
含フッ素環状モノエンと共重合可能な他の単量体としては、たとえば、含フッ素ジエン、側鎖に反応性官能基を有する単量体、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ペルフルオロ(メチルビニルエーテル)等が挙げられる。
含フッ素ジエンとしては、後述する重合体(22)の説明で挙げるものと同様のものが挙げられる。側鎖に反応性官能基を有する単量体としては、重合性二重結合および反応性官能基を有する単量体が挙げられる。重合性二重結合としては、CF2=CF−、CF2=CH−、CH2=CF−、CFH=CF−、CFH=CH−、CF2=C−、CF=CF−等が挙げられる。反応性官能基としては、後述する重合体(22)の説明で挙げるものと同様のものが挙げられる。
含フッ素環状モノエンと含フッ素ジエンとの共重合により得られる重合体は重合体(21)とする。
「含フッ素ジエン」とは、2個の重合性二重結合およびフッ素原子を有する環化重合しうる含フッ素単量体である。重合性二重結合としては、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基が好ましい。含フッ素ジエンとしては、下記化合物(3)が好ましい。
CF2=CF−Q−CF=CF2 ・・・(3)。
式(3)中、Qは、エーテル性酸素原子を含んでいてもよく、フッ素原子の一部がフッ素原子以外のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜5、好ましくは1〜3の、分岐を有してもよいペルフルオロアルキレン基である。該フッ素以外のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
Qは、エーテル性酸素原子を含むペルフルオロアルキレン基であることが好ましい。その場合、前記ペルフルオロアルキレン基におけるエーテル性酸素原子は、前記ペルフルオロアルキレン基の一方の末端に存在していてもよく、前記ペルフルオロアルキレン基の両末端に存在していてもよく、前記ペルフルオロアルキレン基の炭素原子間に存在していてもよい。環化重合性の点から、前記ペルフルオロアルキレン基の一方の末端にエーテル性酸素原子が存在していることが好ましい。
CF2=CFOCF2CF=CF2、
CF2=CFOCF(CF3)CF=CF2、
CF2=CFOCF2CF2CF=CF2、
CF2=CFOCF2CF(CF3)CF=CF2、
CF2=CFOCF(CF3)CF2CF=CF2、
CF2=CFOCFClCF2CF=CF2、
CF2=CFOCCl2CF2CF=CF2、
CF2=CFOCF2OCF=CF2、
CF2=CFOC(CF3)2OCF=CF2、
CF2=CFOCF2CF(OCF3)CF=CF2、
CF2=CFCF2CF=CF2、
CF2=CFCF2CF2CF=CF2、
CF2=CFCF2OCF2CF=CF2。
含フッ素ジエンと共重合可能な他の単量体としては、たとえば、側鎖に反応性官能基を有する単量体、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ペルフルオロ(メチルビニルエーテル)等が挙げられる。
なお、以下、ペルフルオロ(3−ブテニルビニルエーテル)を「BVE」という。
pは、10〜800の整数が好ましく、10〜500の整数が特に好ましい。
重合体(2)の具体例としては、BVE環化重合体(旭硝子社製:サイトップ(登録商標))、テトラフルオロエチレン/ペルフルオロ(4−メトキシ−1,3−ジオキソール)共重合体(ソルベイ社製:ハイフロン(登録商標)AD)、テトラフルオロエチレン/ペルフルオロ(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール)共重合体(Dupont社製:テフロン(登録商標)AF)、 ペルフルオロ(4-メチル−2−メチレン−1,3−ジオキソラン)重合体(MMD重合体)が好ましい。
ここで、「吸収係数(単位:cm−1)」は、石英基板上の正孔輸送層について、紫外可視分光光度計(島津製作所社製:UV−2450)を用いて測定される値である。
正孔輸送材料を形成するドーパントの具体例としては、TCNQ、F4−TCNQ、PPDN、TCNNQ、F6−TCNNQ、HAT−CN、HATNA、HATNA−Cl6、HATNA−F6、C60F36、F16−CuPc、NDP−2(Novaled社製)、NDP−9(Novaled社製)等の有機ドーパント、またはMoO3、V2O5、WO3、ReO3、CuI等の無機ドーパントが挙げられる。
電子ブロック層19は、正孔輸送層13と発光層14とに挟持され、正孔輸送層13と発光層14とに接して形成されている。電子ブロック層19の形成材料の最低非占有軌道(LUMO)のエネルギー準位は、正孔輸送層13の形成材料のLUMOのエネルギー準位よりも高い。エネルギー準位が高いとは、真空準位により近いことを意味し、エネルギー準位が低いとは、真空準位から遠いことを意味する。
N,N’−ジ−(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)、ジ−[4−(N,N−ジトリル−アミノ)−フェニル]シクロヘキサン(TAPC)、N1,N1,N3,N3−テトラ−m−トリルベンゼン−1,3−ジアミン(PDA)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)ベンジジン(TPD)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス−[4−(フェニル−m−トリル−アミノ)−フェニル]−ビフェニル−4,4’−ジアミン(DNTPD)、4,4’,4''−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、4,4’,4''−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(TDATA)、ジピラジノ[2,3−f:2’,3’−h]キノキサリン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル(HAT−CN)、9,9’,9’’−トリフェニル−9H,9’H,9’’H−3,3’:6’,3’’−テルカルバゾール(Tris−PCz)、4,4’,4''−トリス(N−(ナフタレン−2−イル)−N−フェニル−アミノ)トリフェニルアミン(2−TNATA)、4,4’,4''−トリ(9−カルバゾイル)トリフェニルアミン(TCTA)、2,2’,7,7’−テトラキス(N,N−ジフェニルアミノ)−2,7−ジアミノ−9,9’−スピロビフルオレン(Spiro−TAD)、2,2’,7,7’−テトラキス(N、N−ジ−p−メトキシフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン(Spiro−MeOTAD)等のアリールアミン材料;
ポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸(PANI/DBSA)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4−スチレンスルホネート)(PEDOT/PSS)、またはポリアニリンカンファースルホン酸(PANI/CSA)、ポリアニリン/ポリ(4−スチレンスルホネート)(PANI/PSS)等の高分子半導体材料;
N−(ジフェニル−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(9−フェニル−9H−カルバゾイル−3イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン(以下、「HT211」という。)、HTM081(Merck社製)、HTM163(Merck社製)、HTM222(Merck社製)、NHT−5(Novaled社製)、NHT−18(Novaled社製)、NHT−49(Novaled社製)、NHT−51(Novaled社製)、NDP−2(Novaled社製)、NDP−9(Novaled社製)等の市販品等が挙げられる。
発光層14は、電子ブロック層19に接して形成されている。発光層14では、陽極11から注入された正孔および陰極17から注入された電子が再結合し、光子を放出して発光する。その際の発光波長は、発光層14の形成材料に応じて定まる。
電子輸送層15は、発光層14に接して形成されている。電子輸送層15は、陰極17から注入された電子を発光層14に向けて良好に輸送する機能を有する。なお、電子輸送層15は形成しなくてもよい。
電子注入層16は、陰極17と電子輸送層15との間に設けられている。なお、電子輸送層15がない場合は、電子注入層16は陰極17と発光層14との間に設けられる。電子注入層16は、陰極17から電子輸送層15または発光層14への電子の注入を容易にする機能を有する。電子注入層16の形成材料としては、通常知られたものを使用することができる。具体例としては、LiF、Cs2CO3、CsF等の無機化合物や、下記のAlq3、PBD、TAZ、BND、OXD−7等が挙げられるが、これらに限定されない。
なお、電子注入層16は形成しなくてもよい。
陰極17は、電子注入層16に接して形成されている。なお、電子注入層16がない場合には、陰極17は電子輸送層15に接して形成され、電子注入層および電子輸送層15がない場合には、陰極17は発光層14に接して形成される。陰極17は、電子注入層16、電子輸送層15または発光層14に電子を注入する機能を有する。陰極17の形成材料としては、公知のものを採用することができる。たとえば、陰極17の形成材料として、MgAg電極、Al電極が挙げられる。Al電極の表面にはLiF等のバッファ層が形成されていてもよい。
本実施形態の有機EL素子1においては、陽極11と陰極17が、陽極11と陰極17との間で光を共振させる光共振構造(マイクロキャビティ)を構成している。陽極11と陰極17との間では、発光層14で生じた光が反射を繰り返し、陽極11と陰極17との間の光路長と合致した波長の光が共振して増幅される。一方で、陽極11と陰極17との間の光路長と合致しない波長の光は減衰する。
ここでいう「光路長」は、素子外部に射出される所望の光の波長と、当該所望の光の波長における各層の屈折率と、を用いて算出されるものとする。
図2,3は、電子ブロック層19の機能を説明する説明図である。図2は、上述した有機EL素子から電子ブロック層19を除いた場合のエネルギーバンドを示す図であり、図3は、有機EL素子1のエネルギーバンドを示す図である。
正孔輸送層13が含フッ素重合体を含むことで低屈折率となることで、光取出し効率が向上する効果を検証するため、Setfos4.6(サイバーネット社製)を用いてシミュレーションした結果を説明する。有機EL素子1の一例として解析対象とした素子構成は、基板10としてガラス(厚み1mm)、陽極11としてAg(厚み100nm)、正孔注入層12としてHAT−CN(厚み10nm)、電子ブロック層19としてspiro−MeOTAD(厚み5nm、10nm、15nm、20nm、30nm、50nm)、発光層14としてIr(ppy)3を発光ゲスト、CBP(厚み20nm)を発光ホスト、電子輸送層15としてAlq3(厚み140nm)、電子注入層16としてLiF(厚み0.8nm)、陰極17としてAl(厚み10nm)とした。正孔輸送層13については、低屈折率正孔輸送層であるLow−n−HTL層(波長550nmにおける屈折率が1.55)を正孔輸送層とした構成を実施例1〜12、α−NPD層(波長550nmにおける屈折率が1.77)を正孔輸送層とした構成を比較例1〜12とした。発光層については、発光層中での発光点を発光層の中間(発光点0.5)とし、電子輸送層15の膜厚を50nm〜250nmの範囲で30nm間隔、正孔輸送層13の膜厚を10nm〜300nmの範囲で30nm間隔で掃引し、正孔輸送層13の薄膜側(1次共振)と厚膜側(2次共振)において光取出し効率が最大となる条件を算出した。解析の結果を、表1および図5、図6に示す。
図4は、本発明の第2実施形態に係る有機EL素子2の断面模式図であり、図1に対応する図である。したがって、本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
「含フッ素重合体の屈折率の測定方法」
JIS K 7142に準拠して測定する。
含フッ素重合体の重量平均分子量を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて測定する。まず、分子量既知のPMMA標準試料を、GPCを用いて測定し、ピークトップの溶出時間と分子量から、較正曲線を作成する。ついで、含フッ素重合体を測定し、較正曲線からMwとMnを求める。移動相溶媒には1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロ−3−メトキシ−2−(トリフルオロメチル)ペンタン/ヘキサフルオロイソプロピルアルコール(体積比で85/15)の混合溶媒を用いる。
含フッ素重合体の固有粘度[η]を測定温度30℃でアサヒクリン(登録商標)AC2000(旭硝子社製)を溶媒として、ウベローデ型粘度計(柴田科学社製:粘度計ウベローデ)により測定する。
真空示差熱天秤(アドバンス理工社製:VPE−9000)を用いて300℃における蒸発速度および飽和蒸気圧を測定する。
含フッ素重合体50mgを内径7mmのセルに仕込み、1×10−3Paの真空度にて、毎分2℃で昇温し、300℃における蒸発速度g/m2・秒を測定した。飽和蒸気圧の算出には蒸発速度と前記GPC測定でもとめたMwを用いた。
多入射角分光エリプソメトリー(ジェー・エー・ウーラム社製:M−2000U)を用いて、シリコン基板上の膜に対して、光の入射角を45〜75度の範囲で5度ずつ変えて測定を行う。それぞれの角度において、波長域450〜800nmの範囲で約1.6nmおきにエリプソメトリーパラメータであるΨとΔを測定する。前記の測定データを用い、有機半導体の誘電関数をCauchyモデルによりフィッティング解析を行い、各波長の光に対する電荷注入層の屈折率と消衰係数を得る。
ソースメータ(Keithley社製:Keithley(登録商標)2401)により、ITO(酸化インジウムスズ)側を陽極、アルミニウム側を陰極として電圧を印加しながら、電圧毎に導電性評価用素子に流れる電流を測定した。
BVE:ペルフルオロ(3−ブテニルビニルエーテル)
TFE:テトラフルオロエチレン
PPVE:ペルフルオロビニルエーテル(CF2=CFOCF2CF2CF3)
AIBN:アゾビスイソブチロニトリル
1H−PFH:1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−トリデカフルオロヘキサン
IPP:ジイソプロピルペルオキシジカーボネート
BVEの30g、1H−PFHの30g、メタノールの0.5gおよびIPPの0.44gを、内容積50mlのガラス製反応器に入れた。系内を高純度窒素ガスにて置換した後、40℃で24時間重合を行った。得られた溶液を、666Pa(絶対圧)、50℃の条件で脱溶媒を行い、含フッ素重合体の28gを得た。得られた含フッ素重合体の固有粘度[η]は、0.04dl/gであった。
次いで、得られた含フッ素重合体を特開平11−152310号公報の段落[0040]に記載の方法により、フッ素ガスにより不安定末端基を−CF3基に置換し、含フッ素重合体Aを得た。
得られた含フッ素重合体Aの波長600nmの光に対する屈折率は1.34、固有粘度[η]は、0.04dl/gであった。含フッ素重合体AのMwは9,000、Mnは6,000、Mw/Mnは1.5、300℃における飽和蒸気圧は0.002Pa、300℃における蒸発速度0.08g/m2secであった。
内容積1006mLのステンレス製オートクレーブに、PPVEの152.89g、AC2000の805.0g、メタノールの2.400g、およびAIBNの1.149gを仕込み、液体窒素で凍結脱気をした。70℃に昇温した後、TFEを0.57MPaGになるまで導入した。温度と圧力を一定に保持しながら、TFEを連続的に供給して重合させた。重合開始から9時間後にオートクレーブを冷却して重合反応を停止し、系内のガスをパージして含フッ素重合体の溶液を得た。
含フッ素重合体の溶液にメタノールの813gを加えて混合し、含フッ素重合体が分散している下層を回収した。得られた含フッ素重合体の分散液を80℃で16時間温風乾燥し、次に100℃で16時間真空乾燥して、含フッ素重合体の18.92gを得た。
含フッ素重合体の組成は、PPVE:TFE=14:86モル%であった。
次いで、得られた含フッ素重合体を330℃のオーブンで5時間加熱した後、メタノールに浸漬し、75℃のオーブンで20時間加熱し、不安定末端基をメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Bを得た。前記方法で含フッ素重合体BのMwおよびMnを測定できないので、代わりに重合体Bの弾性率と温度の関係を図8に示す。
得られた重合体Bの波長600nmの光に対する屈折率は1.34、300℃における蒸発速度は0.04g/m2secであった。
[実施例18]
<電子オンリーデバイス(EOD)の作製>
電子ブロック性評価用のEODを作製するための基板として、2mm幅の帯状にITO(酸化インジウムスズ)が成膜されたガラス基板を用いた。その基板を中性洗剤、アセトン、イソプロピルアルコールを用いて超音波洗浄し、さらにイソプロピルアルコール中で煮沸洗浄した上で、オゾン処理によりITO膜表面の付着物を除去した。この基板を真空蒸着機内に置き、圧力10−4Pa以下に真空引きした上で、正孔ブロック層としてTPBiを真空蒸着機内で抵抗加熱し蒸着速度0.1nm/secで10nm蒸着した。その後、正孔輸送層としてα−NPDと含フッ素重合体Aを、α−NPDと含フッ素重合体Aの体積比が50:50となるように、真空蒸着機内で抵抗加熱し、共蒸着を行うことで共蒸着膜Aを100nm成膜した。2つの材料の合計の蒸着速度は0.2nm/sとした。その後、電子ブロック層としてspiro−MeOTADを蒸着速度0.1nm/secで10nm、電子注入層としてTPBiを蒸着速度0.1nm/secで5nm、LiFを蒸着速度0.1nm/secで0.8nmそれぞれ蒸着し、最後にルミニウムを抵抗加熱で2mm幅の帯状に蒸着し、導電性評価用素子を得た。2mm幅のITOと2mm幅のアルミニウムが交差した2mm×2mmが素子面積となる。
[実施例19]
正孔輸送層としてα−NPDと含フッ素重合体Bを、α−NPDと含フッ素重合体Bの体積比が50:50となるように、真空蒸着機内で抵抗加熱し、共蒸着を行うことで共蒸着膜Bを100nm成膜したこと以外は、実施例18と同様にして、EODを作製した。
[比較例18]
電子ブロック層としてspiro−MeOTADを蒸着成膜しなかったこと以外は実施例18と同様にして、EODを作製した。
[比較例19]
電子ブロック層としてspiro−MeOTADを蒸着成膜しなかったこと以外は実施例19と同様にして、EODを作製した。
[比較例20]
正孔輸送層としてα−NPDのみを100nm蒸着成膜した以外は実施例18と同様にして、EODを作製した。
[比較例21]
電子ブロック層としてspiro−MeOTADを蒸着成膜しなかったこと以外は比較例20と同様にして、EODを作製した。
[実施例20]
約2cm角程度にカットしたシリコン基板を、それぞれ中性洗剤、アセトン、イソプロパノールを用いて超音波洗浄し、さらにイソプロパノール中で煮沸洗浄した上で、オゾン処理により基板表面の付着物を除去した。この基板をそれぞれ真空蒸着機内に置き、圧力10−4Pa以下に真空引きした上で、含フッ素重合体Aとα−NPDとを、体積比率が50:50になるように、真空蒸着機内で抵抗加熱し、共蒸着を行うことで厚み約100nmの正孔輸送層を基板上に作製した。得られた正孔輸送層の波長600nmの光に対する屈折率は1.55であった。
[実施例21]
含フッ素重合体Aの代わりに含フッ素重合体Bを用いた以外は実施例20と同様にして正孔輸送層を成膜した。得られた正孔輸送層の波長600nmの光に対する屈折率は1.55であった。
[比較例22]
正孔輸送層としてα−NPDのみを約100nm成膜した以外は、実施例20と同様にして正孔輸送層を成膜した。得られた正孔輸送層の波長600nmの光に対する屈折率は1.78であった。
なお、2018年8月24日に出願された日本特許出願2017−161639号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (15)
- 基板と、
前記基板に設けられた陽極と、
前記陽極に対向する陰極と、
前記陽極および前記陰極の間に配置された発光層と、
前記発光層と前記陽極との間に配置された正孔輸送層と、
前記発光層と前記正孔輸送層との間において前記発光層および前記正孔輸送層に接して設けられた電子ブロック層と、を備え、
前記正孔輸送層は、含フッ素重合体および有機半導体材料を含み、波長域450nm〜800nmにおける屈折率が1.60以下であり、
前記正孔輸送層と前記電子ブロック層とは異なる材料を形成材料とし、
前記電子ブロック層のLUMOエネルギー準位は、前記発光層のLUMOエネルギー準位および前記正孔輸送層のLUMOエネルギー準位よりも高い有機光電子素子。 - 前記電子ブロック層のLUMOエネルギー準位と前記発光層のLUMOエネルギー準位とのエネルギー差は、前記正孔輸送層のLUMOエネルギー準位と前記電子ブロック層のLUMOエネルギー準位とのエネルギー差よりも大きい請求項1に記載の有機光電子素子。
- 前記電子ブロック層のLUMOエネルギー準位と前記発光層のLUMOエネルギー準位とのエネルギー差は、0.5eVよりも大きい請求項1または2に記載の有機光電子素子。
- 前記電子ブロック層の膜厚が5nm〜30nmである請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機光電子素子。
- 前記正孔輸送層における前記含フッ素重合体の含有量(A)と前記有機半導体材料の含有量(B)との体積比が、(A):(B)=70:30〜5:95である請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機光電子素子。
- 前記含フッ素重合体の波長域450nm〜800nmにおける屈折率が1.50以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機光電子素子。
- 前記含フッ素重合体の1×10−3Paの真空度において300℃における蒸発速度が0.01g/m2sec以上である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機光電子素子。
- 前記含フッ素重合体の重量平均分子量が1,500〜50,000である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機光電子素子。
- 前記含フッ素重合体が、主鎖に脂肪族環を有さず、フルオロオレフィンに由来する単位を有する重合体または主鎖に脂肪族環構造を有する重合体である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の有機光電子素子。
- 前記含フッ素重合体が、主鎖に脂肪族環構造を有するペルフルオロ重合体である請求項9に記載の有機光電子素子。
- 前記ペルフルオロ重合体が、ポリペルフルオロ(3−ブテニルビニルエーテル)である、請求項10に記載の有機光電子素子。
- 前記ポリペルフルオロ(3−ブテニルビニルエーテル)の固有粘度が、0.01〜0.14dl/gである、請求項11に記載の有機光電子素子。
- 前記正孔輸送層は、物理蒸着層である請求項1〜12のいずれか1項に記載の有機光電子素子。
- 前記正孔輸送層と前記陽極との間に配置され、半導体材料と含フッ素重合体とを含む正孔注入層を更に有する請求項1〜13のいずれか1項に記載の有機光電子素子。
- 前記有機光電子素子が有機EL素子である、請求項1〜14のいずれか1項に記載の有機光電子素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017161639 | 2017-08-24 | ||
JP2017161639 | 2017-08-24 | ||
PCT/JP2018/031235 WO2019039562A1 (ja) | 2017-08-24 | 2018-08-23 | 有機光電子素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019039562A1 true JPWO2019039562A1 (ja) | 2020-09-24 |
JP7079781B2 JP7079781B2 (ja) | 2022-06-02 |
Family
ID=65438916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019537689A Active JP7079781B2 (ja) | 2017-08-24 | 2018-08-23 | 有機光電子素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11437596B2 (ja) |
JP (1) | JP7079781B2 (ja) |
KR (1) | KR20200041866A (ja) |
CN (1) | CN111033784B (ja) |
WO (1) | WO2019039562A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7079782B2 (ja) * | 2017-08-24 | 2022-06-02 | Agc株式会社 | 電荷注入層およびその製造方法、ならびに有機光電子素子およびその製造方法 |
US20220384754A1 (en) * | 2019-11-12 | 2022-12-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element and light-emitting device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002175887A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP2005038634A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流注入型発光素子 |
WO2006008977A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子および照明装置 |
JP2006237083A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子ブロッキング層用材料、有機el素子及び有機elディスプレイ |
JP2008270731A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子およびそれを備えた表示装置 |
JP2015097236A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 住友化学株式会社 | 高分子発光素子 |
WO2016100313A1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | Solvay Usa, Inc. | Compositions containing hole carrier materials and fluoropolymers, and uses thereof |
WO2016204275A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 国立大学法人山形大学 | 有機電荷輸送層、有機elデバイス、有機半導体デバイス及び有機光電子デバイス |
JP2016224442A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-28 | 株式会社リコー | 中間転写体、および、画像形成装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6089338B2 (ja) * | 2012-01-19 | 2017-03-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機el素子及びその製造方法 |
KR20140055452A (ko) * | 2012-10-31 | 2014-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
CN107852793B (zh) * | 2015-07-15 | 2020-02-21 | 柯尼卡美能达株式会社 | 有机薄膜层叠体及有机电致发光元件 |
KR102620084B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2024-01-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
-
2018
- 2018-08-23 JP JP2019537689A patent/JP7079781B2/ja active Active
- 2018-08-23 WO PCT/JP2018/031235 patent/WO2019039562A1/ja active Application Filing
- 2018-08-23 CN CN201880054687.3A patent/CN111033784B/zh active Active
- 2018-08-23 KR KR1020207002958A patent/KR20200041866A/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-02-03 US US16/779,740 patent/US11437596B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002175887A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP2005038634A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流注入型発光素子 |
WO2006008977A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子および照明装置 |
JP2006237083A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子ブロッキング層用材料、有機el素子及び有機elディスプレイ |
JP2008270731A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子およびそれを備えた表示装置 |
JP2015097236A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 住友化学株式会社 | 高分子発光素子 |
WO2016100313A1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | Solvay Usa, Inc. | Compositions containing hole carrier materials and fluoropolymers, and uses thereof |
JP2016224442A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-28 | 株式会社リコー | 中間転写体、および、画像形成装置 |
WO2016204275A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 国立大学法人山形大学 | 有機電荷輸送層、有機elデバイス、有機半導体デバイス及び有機光電子デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200041866A (ko) | 2020-04-22 |
CN111033784A (zh) | 2020-04-17 |
CN111033784B (zh) | 2023-04-25 |
JP7079781B2 (ja) | 2022-06-02 |
US11437596B2 (en) | 2022-09-06 |
WO2019039562A1 (ja) | 2019-02-28 |
US20200168829A1 (en) | 2020-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7079783B2 (ja) | 有機光電子素子 | |
JP7032740B2 (ja) | 組成物および有機光電子素子ならびにその製造方法 | |
US10892418B2 (en) | Charge injection layer and method for its production as well as organic photoelectronic element and method for its production | |
US11437596B2 (en) | Organic photoelectronic element having hole transport layer containing fluorinated polymer and organic semiconductor material | |
JP6923163B2 (ja) | 組成物および有機光電子素子並びにその製造方法 | |
US10608183B2 (en) | Charge transport layer and organic photoelectronic element | |
JP2019040989A (ja) | 有機光電子素子、有機光電子素子の製造方法 | |
JP2019040990A (ja) | 有機光電子素子 | |
JP2019040991A (ja) | 有機光電子素子 | |
WO2021172369A1 (ja) | 含フッ素重合体、膜、膜の製造方法および有機光電子素子 | |
WO2021079927A1 (ja) | ポーラス膜、有機光電子素子およびポーラス膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200203 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20200306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200626 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7079781 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |