JPWO2006093007A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示装置および照明装置 - Google Patents
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Abstract
基板上に陽極、陰極及び該陽極と該陰極との間にある発光ユニットを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光ユニットは3層以上の発光層を有し、前記3層以上の発光層は発光ピークの異なる発光層を2種以上持ち、前記発光ユニットが有する発光層のうち、最も短波長に発光ピークを有する発光層が、より長波長に発光ピークを有する発光層により挟まれた構造を有することを特徴とし、高い発光効率が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
Description
本発明は、陽極と陰極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に発光効率が高い白色発光に適する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機EL素子は自己発光のため、視認性に優れ、かつ数V〜数十Vの低電圧駆動が可能なため駆動回路を含めた軽量化が可能である。そこで、有機EL素子は、薄膜型ディスプレイ、照明、バックライトとしての活用が期待されている。
また、有機EL素子は色バリエーションが豊富であることも特徴である。また、複数の発光色を組み合わせる混色によってさまざまな発光が可能となることも特徴である。
発光色の中で、特に白色発光のニーズは高く、またディスプレイのバックライトとしても活用できる。さらに、カラーフィルターを用いて青、緑、赤の画素に分けることが可能である。
この様な白色発光を行う方法としては次の2種類の方法がある。
1,一つの発光層に複数の発光化合物をドープする。
2.複数の発光層から複数の発光色を組み合わせる。
例えば、青(B)、緑(G)、赤(R)の3色により白色を達成する場合、1の場合は、素子作製方法として真空蒸着法を用いた場合は、BGRと発光ホスト化合物の4元蒸着となる。また、BGRと発光ホスト化合物を溶液に溶解或いは分散にして塗布する方法もあるが、いまのところ、塗布型有機ELは蒸着型に比べ耐久性が劣るという問題がある。
一方、2の複数の発光層を組み合わせる方法が提案されている。蒸着型を用いる場合には1に比べ容易となる。
このような白色発光を行う有機EL素子としては、短波長発光である青色発光層と長波長発光である黄色発光層との2層を積層することにより、両発光層の混色として白色の発光を得るようにしたものが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
又、発光材としてオルトメタル錯体を用いることにより高効率の有機エレクトロルミネッセンス素子が得られるとし、白色光を得る方法として、BGRの三色を積層して白色を得るものが開示されている(例えば、特許文献2参照。)。
また、2層以上の積層構造において、発光層の膜厚及び有機ホスト材料と蛍光材料の比率を発光効率をパラメータとして設計する方法が開示されており、発光効率の低い方(即ち、青色発光層)を電極側に用いることが開示されている。(例えば、特許文献3参照。)。
しかし、これらのように発光層の一番外側に、もっとも短波長な青色発光層を積層するとバンドギャップの小さい正孔輸送層や電子輸送層へエネルギー移動が起こり、発光効率の低下につながる。
発光層からのエネルギー移動を防止するために、たとえば、発光層よりもさらにバンドギャップの広い材料をキャリア阻止層として設けることが提案されている(たとえば、非特許文献1)。
しかし、これまでのところ青色発光材料のようなバンドギャップの大きな材料のエネルギー移動も防止できるような性能のよいキャリア阻止層材料は少なく、また、バンドギャップの大きな材料はその性質上総じて耐久性が悪いと言う問題があった。
さらに発光ドーパントが燐光発光材料である場合、蛍光発光材料よりもさらにバンドギャップの大きな材料が求められるが、そのような材料は少ない。
また、異なるピーク波長を有する複数の発光層からの混色発光を行うようにした有機EL素子において、駆動時間や電圧変化に伴う色度変化を極力抑制できるようにする方法として、比較的短波長の発光層を比較的長波長の発光層で交互に3層以上積層する有機エレクトロンルミネセンス素子が開示されている(例えば、特許文献4参照。)。
しかし、色度変化は抑制できるものの、発光ドーパントが蛍光発光材料であるため、高い効率が得られなかった。
特開2003−347051号公報
特開2001−319780号公報
特開2004−63349号公報
特開2003−187977号公報
Moon−Jae Youn.0g,Tetsuo Tsutsuiet al.,The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)
本発明は、高い発光効率が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
上記課題は、以下の構成により解決することができた。
1.基板上に陽極、陰極及び該陽極と該陰極との間にある発光ユニットを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光ユニットは3層以上の発光層を有し、前記3層以上の発光層は発光ピークの異なる発光層を2種以上持ち、前記発光ユニットが有する発光層のうち、最も短波長に発光ピークを有する発光層が、より長波長に発光ピークを有する発光層により挟まれた構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
2.前記発光ピークの異なる発光層のうち少なくとも1種の発光層は、燐光性化合物を含有することを特徴とする1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3.前記発光ピークの異なる発光層のうち、少なくとも2種の発光層は燐光性化合物を含有することを特徴とする1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4.前記発光ピークの異なる発光層のすべてが燐光性化合物を含有することを特徴とする1〜3の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5.前記発光ピークの異なる発光層の全てが発光ドーパントと発光ホスト化合物を含有し、前記発光ユニットが有する発光層の間にあり、発光ドーパントを含まない中間層を少なくとも1層有することを特徴とする1〜4の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6.前記発光ピークの異なる発光層の全てが発光ドーパントと発光ホスト化合物を含有し、前記発光ユニットが有する発光層の、隣接する2つの発光層の組のうち少なくとも1組が同じ発光ホスト化合物を含有することを特徴とする1〜4の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7.前記発光ピークの異なる発光層の全てが同じ発光ホスト化合物を含有することを特徴とする1〜4の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8.前記発光ピークの異なる発光層の全てが発光ドーパントと発光ホスト化合物を含有し、前記発光ピークの異なる発光層のうち少なくとも2層が隣接した発光層であり、該隣接した発光層の接合部分のうち、少なくとも一つの接合部分が、隣接する各々2種の発光層が含有する発光ドーパントを含有することを特徴とする7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9.前記発光ユニットの発光層の全層において、各々の発光層が2種以上の発光ドーパントを含有し、かつ前記接合部分が、発光ドーパンの含有比率が連続的に変化する傾斜領域を有することを特徴とする8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10.前記有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光が白色であることを特徴とする1〜9の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11.前記最も短波長に発光ピークを有する発光層を挟む2つの発光層の発光ピークが異なることを特徴とする1〜10の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12.前記最も短波長に発光ピークを有する発光層を挟む2つの発光層の発光ピークが同じであることを特徴とする1〜10の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13.前記最も短波長に発光ピークを有する発光層より陽極側にある、より長波長に発光ピークを有する発光層の発光ドーパントのイオン化ポテンシャルIpDと発光ホスト化合物のイオン化ポテンシャルIpHの差が0.5eVより小さいことを特徴とする1〜5又は10〜12の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
14.前記最も短波長に発光ピークを有する発光層より陰極側にある、より長波長に発光ピークを有する発光層の発光ドーパントの電子親和力EaDと発光ホスト化合物の電子親和力EaHの差が0.5eVより小さいことを特徴とする1〜5又は10〜12の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
15.前記最も短波長に発光ピークを有する発光層の膜厚をd1とし、該発光層が挟まれる、前記より長波長に発光ピークを有する発光層の膜厚をd2とするとき、前記長波長に発光ピークを有する発光層の両側の層とも、d1/d2≧5であることを特徴とする1〜14の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
16.1〜15の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする画像表示装置。
17.1〜15の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする照明装置。
1.基板上に陽極、陰極及び該陽極と該陰極との間にある発光ユニットを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光ユニットは3層以上の発光層を有し、前記3層以上の発光層は発光ピークの異なる発光層を2種以上持ち、前記発光ユニットが有する発光層のうち、最も短波長に発光ピークを有する発光層が、より長波長に発光ピークを有する発光層により挟まれた構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
2.前記発光ピークの異なる発光層のうち少なくとも1種の発光層は、燐光性化合物を含有することを特徴とする1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3.前記発光ピークの異なる発光層のうち、少なくとも2種の発光層は燐光性化合物を含有することを特徴とする1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4.前記発光ピークの異なる発光層のすべてが燐光性化合物を含有することを特徴とする1〜3の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5.前記発光ピークの異なる発光層の全てが発光ドーパントと発光ホスト化合物を含有し、前記発光ユニットが有する発光層の間にあり、発光ドーパントを含まない中間層を少なくとも1層有することを特徴とする1〜4の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6.前記発光ピークの異なる発光層の全てが発光ドーパントと発光ホスト化合物を含有し、前記発光ユニットが有する発光層の、隣接する2つの発光層の組のうち少なくとも1組が同じ発光ホスト化合物を含有することを特徴とする1〜4の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7.前記発光ピークの異なる発光層の全てが同じ発光ホスト化合物を含有することを特徴とする1〜4の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8.前記発光ピークの異なる発光層の全てが発光ドーパントと発光ホスト化合物を含有し、前記発光ピークの異なる発光層のうち少なくとも2層が隣接した発光層であり、該隣接した発光層の接合部分のうち、少なくとも一つの接合部分が、隣接する各々2種の発光層が含有する発光ドーパントを含有することを特徴とする7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9.前記発光ユニットの発光層の全層において、各々の発光層が2種以上の発光ドーパントを含有し、かつ前記接合部分が、発光ドーパンの含有比率が連続的に変化する傾斜領域を有することを特徴とする8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10.前記有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光が白色であることを特徴とする1〜9の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11.前記最も短波長に発光ピークを有する発光層を挟む2つの発光層の発光ピークが異なることを特徴とする1〜10の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12.前記最も短波長に発光ピークを有する発光層を挟む2つの発光層の発光ピークが同じであることを特徴とする1〜10の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13.前記最も短波長に発光ピークを有する発光層より陽極側にある、より長波長に発光ピークを有する発光層の発光ドーパントのイオン化ポテンシャルIpDと発光ホスト化合物のイオン化ポテンシャルIpHの差が0.5eVより小さいことを特徴とする1〜5又は10〜12の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
14.前記最も短波長に発光ピークを有する発光層より陰極側にある、より長波長に発光ピークを有する発光層の発光ドーパントの電子親和力EaDと発光ホスト化合物の電子親和力EaHの差が0.5eVより小さいことを特徴とする1〜5又は10〜12の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
15.前記最も短波長に発光ピークを有する発光層の膜厚をd1とし、該発光層が挟まれる、前記より長波長に発光ピークを有する発光層の膜厚をd2とするとき、前記長波長に発光ピークを有する発光層の両側の層とも、d1/d2≧5であることを特徴とする1〜14の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
16.1〜15の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする画像表示装置。
17.1〜15の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする照明装置。
本発明の構成により、高い発光効率が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができた。
1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサ
21 シャッター
22 蒸着用ボート
23 支持基板
A 表示部
B 制御部
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサ
21 シャッター
22 蒸着用ボート
23 支持基板
A 表示部
B 制御部
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の層構成に関し、図を用いて説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは無い。
図1の素子構成1で示される構造は、陰極と陽極の間に発光ユニットを有し、発光ユニットを挟み込むように正孔輸送層、電子輸送層が設けられている。正孔輸送層、電子輸送層は既知の材料を用いることが出来る。駆動電圧低下の面から伝導度の高い材料を用いることが好ましい。
本発明において、発光ユニットとは、有機エレクトロルミネッセンス素子の最も陰極側に位置する発光層から、最も陽極側に位置する発光層までのことをいう(例えば図1では、発光層1、発光層2、発光層3が発光ユニットとなる)。
本発明においては、発光ユニットは少なくとも3層以上から構成され、発光ピークの異なる発光層を少なくとも2種以上有するが、好ましくは2種もしくは3種類であり、最も好ましくは3種類である。
本発明において、発光ピークの異なる発光層とは、発光ピークがPL測定したとき発光極大波長が少なくとも10nm以上異なることを言う。
尚、PL測定とは、発光ドーパントと発光ホスト化合物を発光層で用いる組成で石英基板に蒸着膜を作製するか、或いはポリマーなどのウェットプロセスにて作製するものは、スピンコートもしくはディップにより薄膜を作製し、得られた蒸着膜或いは薄膜を蛍光光度計で発光を測定することにより発光極大波長を決定できる。
本発明においては、最も短波長に発光ピークを有する発光層(短波長な発光層とも呼ぶ)が、より長波長に発光ピークを有する発光層(長波長な発光層とも呼ぶ)により挟まれた構造を有することを特徴とする。
この構成により、たとえ短波長な発光層からエネルギーがもれてしまっても、短波長な発光層を挟んでいる長波長な発光層がエネルギーをトラップして発光するため、短波長な発光層から発光層以外へのエネルギー移動を防止でき、発光層全体での発光効率の低下を防止できる。
また、これらの発光層の発光ドーパントに燐光発光材料を用いることで、更に高効率となる。
本発明の発光ユニットの発光層は全て発光ホストと発光ドーパントを含有するが、本発明においては、発光ユニット中の発光ピークの異なる2層の発光層の間に発光ドーパントの含まれない中間層(非発光性の中間層ともいう)が設けられていることが好ましい。これにより短波長な発光層からのエネルギー移動をより制御しやすくなる。中間層の材料としては、既知の材料を使用できる。
本発明においては、発光ユニットの隣接する2つの発光層が同じ発光ホスト化合物で構成されていることが好ましく、すべての発光層が同じ発光ホスト化合物で構成されていることが好ましい。発光層の発光ホスト化合物を同じにすることにより、層間の密着性が改良され、異なる層間でのキャリアの注入障壁が緩和され、駆動電圧を低電圧化できる。混合層や傾斜層でも同様の効果が得られる。
本発明の有機ELを点灯させた時の色は特に限定されないが、白色になることが好ましい。
本発明においては、最も短波長に発光ピークを有する発光層を挟む2つの発光層の発光ピークが同じであってもよい。
例えば、発光ピークの異なる発光層が2種で発光層が3層の場合、青色と黄色、或いは青とオレンジ、若しくは青緑と赤、に発光する発光層の組み合わせで、黄、青、黄或いはオレンジ、青、オレンジ、若しくは赤、青緑、赤というように短波長の青或いは青緑を中心としその両側を長波長の発光層で挟み、白色を得るのが好ましい。
また、本発明においては、最も短波長に発光ピークを有する発光層を挟む2つの発光層の発光ピークが異なっていてもよい。
例えば、発光ピークの異なる発光層が3種で、3層の発光層で構成されている場合、青、緑、赤に発光する組み合わせで、緑、青、赤或いは赤、青、緑の順で積層することにより、最も短波長に発光ピークを有する発光層が、より長波長に発光ピークを有する発光層により挟まれた構造とすることにより白色を得るのが好ましい。
こうすることで、照明やバックライトなど様々な光源に用いることが出来る。
また、発光色は白色だけに限定するものではない。
発光ピークの異なる複数の発光層で単色(例えば青、緑、赤)を発光させることにより、より微妙な色の調整が可能となる。
発光ユニットの全体の膜厚は特に限定しないが、5から100nmが好ましい。更に好ましくは7から50nmが好ましく、最も好ましくは10nmから40nmである。
発光ユニットを構成する複数の発光層における、最も短波長の発光ピークを持つ発光層の膜厚をd1とし、より長波長に発光ピークを持つ発光層の膜厚をd2とするとき、d1/d2≧5であることが好ましい。これにより長波長な発光層がエネルギートラップとなるのを防ぎ、長波長発光層から短波長発光層へのエネルギー移動がスムーズになる。
同様に、前記短波長に発光ピークを持つ発光層より陽極側にある、より長波長に発光ピークを持つ発光層の発光ドーパントのイオン化ポテンシャルIpDと発光ホスト化合物のイオン化ポテンシャルIpHの差を0.5eVより小さく、また前記短波長に発光ピークを持つ発光層より陰極側にある、より長波長に発光ピークを持つ発光層の発光ドーパントの電子親和力EaDと発光ホスト化合物の電子親和力EaHの差が0.5eVより小さいくすることで、陽極側から注入された正孔または陰極側から注入された電子が長波長発光ドーパントのHOMOまたはLUMOから発光ホスト化合物のHOMOまたはLUMOに移動しやすくなり、その結果長波長発光層から短波長発光層へのエネルギー移動がスムーズになる。
(発光ドーパント)
発光層中の主成分である発光ホスト化合物に対する発光ドーパントとの混合比は好ましくは質量で0.1質量%〜30質量%未満の範囲である。
発光層中の主成分である発光ホスト化合物に対する発光ドーパントとの混合比は好ましくは質量で0.1質量%〜30質量%未満の範囲である。
ただし、本発明においては発光層の少なくとも1層に燐光性化合物(燐光性ドーパント)を用いることが好ましく、発光ドーパントは複数種の化合物を混合して用いても良く、金属錯体やその他の構造を有する燐光性ドーパントでもよい。
発光ドーパントは、大きくわけて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントと燐光を発光する燐光性ドーパントの2種類がある。
蛍光性ドーパントの代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
燐光性ドーパントの代表例としては、好ましくは元素の周期表で8属、9属、10属の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
燐光性ドーパントの具体例としては以下の特許公報に記載されている化合物である。
国際公開第00/70655号パンフレット、特開2002−280178号公報、特開2001−181616号公報、特開2002−280179号公報、特開2001−181617号公報、特開2002−280180号公報、特開2001−247859号公報、特開2002−299060号公報、特開2001−313178号公報、特開2002−302671号公報、特開2001−345183号公報、特開2002−324679号公報、国際公開第02/15645号パンフレット、特開2002−332291号公報、特開2002−50484号公報、特開2002−332292号公報、特開2002−83684号公報、特表2002−540572号公報、特開2002−117978号公報、特開2002−338588号公報、特開2002−170684号公報、特開2002−352960号公報、国際公開第01/93642号パンフレット、特開2002−50483号公報、特開2002−100476号公報、特開2002−173674号公報、特開2002−359082号公報、特開2002−175884号公報、特開2002−363552号公報、特開2002−184582号公報、特開2003−7469号公報、特表2002−525808号公報、特開2003−7471号公報、特表2002−525833号公報、特開2003−31366号公報、特開2002−226495号公報、特開2002−234894号公報、特開2002−235076号公報、特開2002−241751号公報、特開2001−319779号公報、特開2001−319780号公報、特開2002−62824号公報、特開2002−100474号公報、特開2002−203679号公報、特開2002−343572号公報、特開2002−203678号公報等。
その具体例の一部を下記に示す。
(発光ホスト化合物)
本発明に用いられる発光ホスト化合物とは、室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が0.01未満の化合物である。
本発明に用いられる発光ホスト化合物とは、室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が0.01未満の化合物である。
本発明に用いられる発光ホスト化合物としては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体(ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。)等が挙げられる。
中でもカルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体等が好ましく用いられる。
以下に、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体、カルバゾール誘導体等の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
また、本発明に用いられる発光ホストは低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもいい。
発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化を防ぎ、高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。
発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が好適である。例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。
次に、本発明の有機EL素子に用いることができる他の構成層について述べる。
《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
正孔阻止層としては、例えば特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載の正孔阻止(ホールブロック)層等を本発明に係る正孔阻止層として適用可能である。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることが出来る。
《電子阻止層》
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることが出来る。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることが出来る。
本発明に係る正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは5nm〜30nmである。
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、正孔輸送材料は、高Tgであることが好ましい。
この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5000nm程度である。この正孔輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる1層構造であってもよい。
又、不純物ドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平4−297076号、特開2000−196140号、特開2001−102175号、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)などに記載されたものが挙げられる。
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層を設けることができる。
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層を設けることができる。
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、下記の材料が知られている。
さらに、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
この電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiCなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
この電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度である。この電子輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる1層構造であってもよい。
又、不純物ドープしたn性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平4−297076号、特開2000−196140号、特開2001−102175号、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)などに記載されたものが挙げられる。
《注入層》:電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1nm〜100nmの範囲が好ましい。
この注入層は、上記材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。注入層の膜厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度である。この注入層は、上記材料の1種または2種以上からなる1層構造であってもよい。
《陽極》
本発明の有機EL素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
本発明の有機EL素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
《陰極》
一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1000nm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1000nm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
《基体(基板、基材、支持体、支持基板等ともいう)》
本発明の有機EL素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては、例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
本発明の有機EL素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては、例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。
樹脂フィルムの表面には、無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過率が0.01g/m2・day・atm以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効率は1%以上であることが好ましく、より好ましくは2%以上である。ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
照明用途で用いる場合には、発光ムラを低減させるために粗面加工したフィルム(アンチグレアフィルム等)を併用することもできる。
《有機EL素子の作製方法》
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層(3層以上)/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層(3層以上)/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層(3層以上)、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。
この有機化合物を含有する薄膜の形成方法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。
製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50℃〜450℃、真空度10-6Pa〜10-2Pa、蒸着速度0.01nm〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚0.1nm〜5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
本発明の有機EL素子の形成方法に用いることができる蒸着装置を図2に示す。
図2は、複数の発光ホスト化合物用及び複数の発光ドーパント用の蒸着用ボート2を有する蒸着装置の模式図である。各蒸着用ボート2の加熱温度と各蒸着用ボートに付随するシャッター1の開閉をコントロールすることにより、各発光ピークの異なる発光層を有する発光ユニットを形成することができる。
上記蒸着装置内に、中間層用のボートを設け、発光ユニットの、隣接する2層の発光層の間に発光ドーパントの含まれない中間層を設けることにより、電圧変動による色ずれの防止効果等が得られ好ましい。
また、上記蒸着装置を用いることにより、発光ピークの異なる発光層の全てが発光ドーパントと発光ホスト化合物を含有し、隣接する2つの発光層を同じ発光ホスト化合物で構成することができ、更には発光ピークの異なる発光層の全てを同じ発光ホスト化合物で構成することができ、また、発光ユニットの隣接する2種の発光層の接合部分において、各々2種の発光ドーパントの混合領域を有するようにすること、発光ユニットの全層において、各々2種以上の発光ドーパントを含有し、かつ含有比率が徐々に変化する傾斜混合領域を有するようにすること等、種々の目的とする構成とすることができ、駆動電圧を低電圧化する効果等を得ることができた。
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。
本発明の表示装置について説明する。
本発明の有機EL素子を用いた画像表示装置としては単色でも多色でもよい。多色表示装置の場合は、各色発光ユニット毎に、シャドーマスクを設け、各色毎に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等により3層以上の発光層を形成する。
発光ユニットにパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。
単色、例えば白色の場合は、パターニングすることなく一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等により3層以上の発光層を形成する。
また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層(3層以上)、正孔輸送層、陽極の順に作製することも可能である。
このようにして得られた画像表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
白色表示装置の場合は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、白色有機EL素子をバックライトに用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。
表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよい。
発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。
《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。
本発明の照明装置について説明する。
本発明の有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。
また、本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用しても良い。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
本発明の有機EL素子を白色発光の素子として用いる場合は、BGRのカラーフィルターとの組み合わせによりフルカラー表示を行うことが出来る。
本発明に係わる有機EL素子は、また、照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。
以下、本発明の有機EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図5は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
ディスプレイ1は、複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。
制御部Bは、表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。
図6は、表示部Aの模式図である。
表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。
図においては、画素3の発光した光が、白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。
配線部の走査線5及び複数のデータ線6は、それぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示していない)。
画素3は、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
本発明の有機EL素子を白色発光の素子として用いる場合は、BGRのカラーフィルターとの組み合わせによりフルカラー表示を行うことが出来る。
次に、画素の発光プロセスを説明する。
図7は、画素の模式図である。
画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に区分された有機EL素子10として白色発光の有機EL素子を用い、BGRのカラーフィルターと組み合わせることでフルカラー表示を行うことができる。
図7において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。
画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。
制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。
すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
ここで、有機EL素子10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。
また、コンデンサ13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
図8は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
本発明に係わる白色有機EL素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもいいし、電極と発光層をパターニングしてもいいし、素子全層をパターニングしてもいい。
このように、本発明の白色発光有機EL素子は、前記表示デバイス、ディスプレーに加えて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また、露光光源のような一種のランプとして、液晶表示装置のバックライト等、表示装置にも有用に用いられる。
その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、更には表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。
実施例1
有機EL素子1−1の作製
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに銅フタロシアニン(CuPc)を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにH−14を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにH−15を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr−12を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr−15を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
有機EL素子1−1の作製
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに銅フタロシアニン(CuPc)を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにH−14を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにH−15を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr−12を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr−15を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し30nmの正孔注入層を設けた。
更に、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記正孔注入層上に蒸着し40nmの正孔輸送層を設けた。
更に、H−15とIr−15の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、表1のような質量比と膜厚で前記正孔輸送層上に共蒸着して黄色発光の発光層1を設けた。
更に、H−14とIr−12の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、表1のような質量比と膜厚で前記発光層1上に共蒸着して青色発光の発光層2を設けた。
更に、H−15とIr−15の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、表1のような質量比と膜厚で前記発光層2上に共蒸着して黄色発光の発光層3を設けた。
更に、BAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層3上に蒸着して膜厚10nmの第1電子輸送層を設けた。
更に、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記第1電子輸送層上に蒸着して膜厚30nmの第2電子輸送層を設けた。
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更に、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。
有機EL素子1−2〜1−6
有機EL素子1−1において、発光層を表1に示すような構成に変更した以外は有機EL素子1−1と同様にして有機EL素子1−2〜1−6を作製した。
有機EL素子1−1において、発光層を表1に示すような構成に変更した以外は有機EL素子1−1と同様にして有機EL素子1−2〜1−6を作製した。
〈比較例有機EL素子1−7〜1−8の作製〉
有機EL素子1−1において、発光層を表1に示すような構成に変更した以外は有機EL素子1−1と同様にして有機EL素子1−7〜1−8を作製した。
有機EL素子1−1において、発光層を表1に示すような構成に変更した以外は有機EL素子1−1と同様にして有機EL素子1−7〜1−8を作製した。
《評価》
得られた各素子を次のような方法で評価した。
得られた各素子を次のような方法で評価した。
(外部取りだし量子効率)
作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定した。なお測定には同様に分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いた。
作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定した。なお測定には同様に分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いた。
表1の外部取りだし量子効率の測定結果は、有機EL素子1−9の測定値を100とした時の相対値で表した。
尚、各層の形成に用いた化合物を以下に示す。
実施例2
有機EL素子2−1の作製
有機EL素子1−1〜1−6において、それぞれの発光層の間に中間層としてBAlqを3nm蒸着法により設けた以外は同様にして、有機EL素子2−1〜2−6を作製した。
有機EL素子2−1の作製
有機EL素子1−1〜1−6において、それぞれの発光層の間に中間層としてBAlqを3nm蒸着法により設けた以外は同様にして、有機EL素子2−1〜2−6を作製した。
《色度のずれ評価》
色度のずれはCIE色度図において、100cd/m2輝度時の色度座標と5000cd/m2輝度時の色度座標のずれを表す。尚、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下でCS−1000(コニカミノルタミノルタ(株)製)を用いて測定を行った。
色度のずれはCIE色度図において、100cd/m2輝度時の色度座標と5000cd/m2輝度時の色度座標のずれを表す。尚、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下でCS−1000(コニカミノルタミノルタ(株)製)を用いて測定を行った。
結果を表3に示す。
表3に示した結果からもわかるように、有機EL素子2−1〜2−6は有機EL素子1−1〜1−6と比較して、高電圧時の色度ずれが抑制された。
実施例3
有機EL素子1−6の作製において、図3のように発光ユニット中の発光層1と発光層2の間にH−16とIr−1とIr−13の混合領域1、発光層2と発光層3の間にH−16とIr−13とIr−9の混合領域2をそれぞれ2nm設けた他は同様にして有機EL素子3−6を作製した。ただし、混合領域1において、Ir−1の蒸着速度は蒸着開始時点から減少させ膜厚2nmに達した時点で0になるように、Ir−13の蒸着速度は蒸着開始時点から増加させ膜厚2nmに達した時点でH−16との質量比が発光層2と同じになるように調整した。混合領域2も同様に、Ir−13の蒸着速度は蒸着開始時点から減少させ膜厚2nmに達した時点で0になるように、Ir−9の蒸着速度は蒸着開始時点から増加させ膜厚2nmに達した時点でH−16との質量比が発光層3と同じになるように調整した。
有機EL素子1−6の作製において、図3のように発光ユニット中の発光層1と発光層2の間にH−16とIr−1とIr−13の混合領域1、発光層2と発光層3の間にH−16とIr−13とIr−9の混合領域2をそれぞれ2nm設けた他は同様にして有機EL素子3−6を作製した。ただし、混合領域1において、Ir−1の蒸着速度は蒸着開始時点から減少させ膜厚2nmに達した時点で0になるように、Ir−13の蒸着速度は蒸着開始時点から増加させ膜厚2nmに達した時点でH−16との質量比が発光層2と同じになるように調整した。混合領域2も同様に、Ir−13の蒸着速度は蒸着開始時点から減少させ膜厚2nmに達した時点で0になるように、Ir−9の蒸着速度は蒸着開始時点から増加させ膜厚2nmに達した時点でH−16との質量比が発光層3と同じになるように調整した。
有機EL素子3−6は有機EL素子1−6と比較して駆動電圧が低電圧化されることが確認された。
実施例4
有機EL素子1−6の作製において、図4のように発光ユニットの全層において、発光ドーパントの濃度が発光ユニット中で連続的に変化するようにした他は同様にして有機EL素子4−6を作製した。
有機EL素子1−6の作製において、図4のように発光ユニットの全層において、発光ドーパントの濃度が発光ユニット中で連続的に変化するようにした他は同様にして有機EL素子4−6を作製した。
ただし、図4の発光ユニットは以下のように作製した。
H−16、Ir−1、Ir−13、Ir−9に同時に通電して加熱し蒸着速度を調節して真空蒸着を開始した。発光ユニット膜厚0nmの時点で質量比がH−16:Ir−1:Ir−13:Ir−9=93.8:6:0.1:0.1となるようにして蒸着を開始し、H−16の蒸着速度を一定に保った状態で、膜厚4nmに達した時点で質量比が94.9:3:2:0.1、膜厚が29nmに達した時点で質量比が92.9:0.1:2:5、膜厚が33nmに達した時点で質量比が90.8:0.1:0.1:9となるようにIr−1、Ir−13、Ir−9の蒸着速度を調整した。
有機EL素子4−6は有機EL素子1−6と比較して駆動電圧が低電圧化することが確認された。
実施例5
有機EL素子1−1〜1−6のCuPcをm−MTDATA:F4−TCNQ(質量比99:1)共蒸着膜に変更し、Alq3をBPhen:Cs(質量比75:25)共蒸着膜に変更しLiFを蒸着しなかった以外は同様にして有機EL素子5−1〜5−6を作製した。
有機EL素子1−1〜1−6のCuPcをm−MTDATA:F4−TCNQ(質量比99:1)共蒸着膜に変更し、Alq3をBPhen:Cs(質量比75:25)共蒸着膜に変更しLiFを蒸着しなかった以外は同様にして有機EL素子5−1〜5−6を作製した。
有機EL素子5−1〜5−6は有機EL素子1−1〜1−6と比較して、どれも駆動電圧が3〜6V低電圧化することが確認された。
実施例6
〈白色の有機EL素子を用いた画像表示装置〉
有機EL素子1−7の非発光面をガラスケースで覆い、発光面にカラーフィルターを付け画像表示装置として用いたところ、良好なフルカラーの色表示性能を示し、優れた画像表示装置として使用することができた。
〈白色の有機EL素子を用いた画像表示装置〉
有機EL素子1−7の非発光面をガラスケースで覆い、発光面にカラーフィルターを付け画像表示装置として用いたところ、良好なフルカラーの色表示性能を示し、優れた画像表示装置として使用することができた。
実施例7
〈白色の有機EL素子を用いた照明装置の作製〉
有機EL素子1−2の非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、発光効率が高い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。
〈白色の有機EL素子を用いた照明装置の作製〉
有機EL素子1−2の非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、発光効率が高い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。
Claims (17)
- 基板上に陽極、陰極及び該陽極と該陰極との間にある発光ユニットを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光ユニットは3層以上の発光層を有し、前記3層以上の発光層は発光ピークの異なる発光層を2種以上持ち、前記発光ユニットが有する発光層のうち、最も短波長に発光ピークを有する発光層が、より長波長に発光ピークを有する発光層により挟まれた構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光ピークの異なる発光層のうち少なくとも1種の発光層は、燐光性化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光ピークの異なる発光層のうち、少なくとも2種の発光層は燐光性化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第1又は2項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光ピークの異なる発光層のすべてが燐光性化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第1〜3項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光ピークの異なる発光層の全てが発光ドーパントと発光ホスト化合物を含有し、前記発光ユニットが有する発光層の間にあり、発光ドーパントを含まない中間層を少なくとも1層有することを特徴とする請求の範囲第1〜4項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光ピークの異なる発光層の全てが発光ドーパントと発光ホスト化合物を含有し、前記発光ユニットが有する発光層の、隣接する2つの発光層の組のうち少なくとも1組が同じ発光ホスト化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第1〜4項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光ピークの異なる発光層の全てが同じ発光ホスト化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第1〜4項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光ピークの異なる発光層の全てが発光ドーパントと発光ホスト化合物を含有し、前記発光ピークの異なる発光層のうち少なくとも2層が隣接した発光層であり、該隣接した発光層の接合部分のうち、少なくとも一つの接合部分が、隣接する各々2種の発光層が含有する発光ドーパントを含有することを特徴とする請求の範囲第7項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光ユニットの発光層の全層において、各々の発光層が2種以上の発光ドーパントを含有し、かつ前記接合部分が、発光ドーパンの含有比率が連続的に変化する傾斜領域を有することを特徴とする請求の範囲第8項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光が白色であることを特徴とする請求の範囲第1〜9項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記最も短波長に発光ピークを有する発光層を挟む2つの発光層の発光ピークが異なることを特徴とする請求の範囲第1〜10項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記最も短波長に発光ピークを有する発光層を挟む2つの発光層の発光ピークが同じであることを特徴とする請求の範囲第1〜10項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記最も短波長に発光ピークを有する発光層より陽極側にある、より長波長に発光ピークを有する発光層の発光ドーパントのイオン化ポテンシャルIpDと発光ホスト化合物のイオン化ポテンシャルIpHの差が0.5eVより小さいことを特徴とする請求の範囲第1〜5項又は10〜12項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記最も短波長に発光ピークを有する発光層より陰極側にある、より長波長に発光ピークを有する発光層の発光ドーパントの電子親和力EaDと発光ホスト化合物の電子親和力EaHの差が0.5eVより小さいことを特徴とする請求の範囲第1〜5項又は10〜12項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記最も短波長に発光ピークを有する発光層の膜厚をd1とし、該発光層が挟まれる、前記より長波長に発光ピークを有する発光層の膜厚をd2とするとき、前記より長波長に発光ピークを有する発光層の両側の層ともに、d1/d2≧5であることを特徴とする請求の範囲第1〜14項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求の範囲第1〜15項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする画像表示装置。
- 請求の範囲第1〜15項の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする照明装置。
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