CN114867729A - 用于有机电致发光器件的多环化合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及适用于电子器件中的化合物，并且涉及含有所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。

Description

用于有机电致发光器件的多环化合物
本发明涉及用于电子器件、尤其是有机电致发光器件中的多环化合物，并且涉及包含这些多环化合物的电子器件、尤其是有机电致发光器件。
用于有机电致发光器件中的发光材料通常是磷光有机金属络合物或荧光化合物。通常仍然需要对电致发光器件进行改进。
WO 2019/004248 A1、WO 2019/035268 A1、WO 2019/074093 A1、WO 2019/088799A1和WO 2019/102936 A1公开了可以用于有机电致发光器件中的多环化合物。没有公开根据本发明的化合物。
一般而言，仍然需要改进例如用作发光体，尤其是用作荧光发光体的这些多环化合物，特别是在寿命和色纯度方面，而且在器件的效率和工作电压方面。
因此，本发明的一个目的是提供适用于有机电子器件、尤其是有机电致发光器件中并且当用于该器件中时导致良好的器件性能的化合物，以及提供相应的电子器件。
更特别是，通过本发明解决的问题是提供导致高寿命、良好效率和低工作电压的化合物。
此外，所述化合物应具有优异的可加工性，并且所述化合物尤其应显示良好的溶解性。
可以考虑通过本发明解决的另一个问题是提供适用于磷光或荧光电致发光器件，尤其是作为发光体的化合物。更特别是，通过本发明解决的问题是提供适用于蓝色电致发光器件的发光体。
此外，所述化合物，尤其是当它们用作有机电致发光器件中的发光体时，应该导致具有优异色纯度的器件。
可以考虑的另一个问题是提供非常便宜且质量稳定的具有优异性能的电子器件。
此外，应该可以将所述电子器件用于或改适用于许多用途。更特别是，所述电子器件的性能应在宽温度范围内保持。
已发现，令人惊讶的是，下文详细描述的特定化合物解决了这个问题，并且非常适合用于电致发光器件，并导致有机电致发光器件的改进，尤其是在寿命、色纯度、效率和工作电压方面。因此，本发明提供了这些化合物和包含这些化合物的电子器件，尤其是有机电致发光器件。
本发明提供了包含至少一种式(I)的结构的化合物，优选式(I)的化合物，
Figure BDA0003687813020000021
其中使用的符号和标记如下：
Z是N、P、B、Al、P(＝O)、P(＝S)或Ga，优选N、P(＝O)、B或Al，更优选N或B；
Y1、Y2、Y3是键、N(Ar)、N(R)、P(Ar)、P(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、P(＝S)Ar、P(＝S)R、B(Ar)、B(R)、Al(Ar)、Al(R)、Ga(Ar)、Ga(R)、C＝O、C(R)2、Si(R)2、C＝NR、C＝NAr、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O或SO2，优选键、N(Ar)、N(R)、B(Ar)、B(R)、P(R)、P(＝O)Ar、C＝O、C(R)2、O、S、S＝O或SO2，更优选键、C(R)2、O、S、N(Ar)或B(Ar)；
p2、p3相同或不同并且为0或1；
X是N、CR，或者在Y1、Y2或Y3基团与其结合时是C，条件是一个环中不超过两个X基团是N；
R在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar)2，N(R1)2，C(＝O)N(Ar)2，C(＝O)N(R1)2，C(Ar)3，C(R1)3，Si(Ar)3，Si(R1)3，B(Ar)2，B(R1)2，C(＝O)Ar，C(＝O)R1，P(＝O)(Ar)2，P(＝O)(R1)2，P(Ar)2，P(R1)2，S(＝O)Ar，S(＝O)R1，S(＝O)2Ar，S(＝O)2R1，OSO2Ar，OSO2R1，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR1、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子并且可以被一个或多个R1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个R基团也可以一起形成环系；
Ar在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子键合的两个Ar基团也可以通过单键或选自B(R1)、C(R1)2、Si(R1)2、C＝O、C＝NR1、C＝C(R1)2、O、S、S＝O、SO2、N(R1)、P(R1)和P(＝O)R1的桥经由桥连接在一起；
R1在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar')2，N(R2)2，C(＝O)Ar'，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar')2，P(Ar')2，B(Ar')2，B(R2)2，C(Ar')3，C(R2)3，Si(Ar')3，Si(R2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2代替并且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系中的每个可以被一个或多个R2基团取代，或具有5至60个芳族环原子并且可以被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至60个芳族环原子并且可以被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R1基团一起可以形成环系；同时，一个或多个R1基团可以与所述化合物的另一部分形成环系；
Ar'在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并且可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子键合的两个Ar'基团也可以通过单键或选自B(R2)、C(R2)2、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、C＝C(R2)2、O、S、S＝O、SO2、N(R2)、P(R2)和P(＝O)R2的桥经由桥连接在一起；
R2在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，CN，具有1至20个碳原子的脂族烃基，或芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系具有5至30个芳族环原子并且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I或CN代替并且其可以被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代；同时，两个或更多个优选相邻的取代基R2一起可以形成环系；
条件是
如果Z选自N和P，则所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是P(＝O)Ar、P(＝O)R、B(Ar)、B(R)、Al(Ar)、Al(R)、Ga(Ar)、Ga(R)、C＝O、S＝O或SO2，优选B(Ar)、B(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、C＝O、S＝O或SO2，更优选B(R)或B(Ar)，或者
如果Z选自B、Al、P(＝O)、P(＝S)和Ga，则所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是N(Ar)、N(R)、P(Ar)、P(R)、O、S或Se，优选N(Ar)、N(R)、O或S，更优选N(Ar)；
其中至少两个R基团与所述两个R基团所结合的另外的基团一起形成稠环，其中所述两个R基团形成至少一种式(RA-1)至(RA-12)的结构：
Figure BDA0003687813020000051
Figure BDA0003687813020000061
其中R1具有上述定义，虚线键表示与所述两个R基团所结合的基团的原子的连接位点，并且其它符号具有以下定义：
Y4在每种情况下相同或不同并且是C(R1)2、(R1)2C-C(R1)2、(R1)C＝C(R1)、NR1、NAr、O或S，优选C(R1)2、(R1)2C-C(R1)2、(R1)C＝C(R1)、O或S；
Ra在每种情况下相同或不同并且是F，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子并且可以被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个Ra基团也可以一起形成环系；
s为0、1、2、3、4、5或6，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2；
t为0、1、2、3、4、5、6、7或8，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2；
v为0、1、2、3、4、5、6、7、8或9，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2。
在本发明上下文中的芳基基团含有6至40个碳原子；在本发明上下文中的杂芳基基团含有2至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和为至少5个。所述杂原子优选选自N、O和/或S。此处，芳基基团或杂芳基基团应理解为是指简单的芳族环，即苯，或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合的(增环的)芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。相比之下，通过单键彼此连接的芳族体系(例如联苯)不被称为芳基或杂芳基基团，而是被称为芳族环系。
在本发明上下文中的缺电子杂芳基基团是具有至少一个含至少一个氮原子的杂芳族六元环的杂芳基基团。其它芳族或杂芳族五元或六元环可以稠合到该六元环上。缺电子杂芳基基团的实例是吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、喹啉、喹唑啉或喹喔啉。
在本发明上下文中的芳族环系在环系中含有6至60个碳原子。在本发明上下文中的杂芳族环系在环系中含有2至60个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和为至少5个。所述杂原子优选选自N、O和/或S。在本发明上下文中的芳族或杂芳族环系应理解为是指不必仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中两个或更多个芳基或杂芳基基团还可以通过非芳族单元例如碳、氮或氧原子连接的体系。例如，诸如芴、9,9'-螺二芴、9,9'-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、茋等的体系也应被视为在本发明上下文中的芳族环系，以及其中两个或更多个芳基基团例如通过短的烷基基团连接的体系也是如此。优选地，芳族环系选自芴、9,9'-螺二芴、9,9-二芳基胺或其中两个或更多个芳基和/或杂芳基基团通过单键彼此连接的基团。
在本发明的上下文中，可以含有1至20个碳原子并且其中个别氢原子或CH2基团还可以被上述基团取代的脂族烃基或烷基基团或烯基或炔基基团，优选应理解为是指以下基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、新戊基、环戊基、正己基、新己基、环己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。具有1至40个碳原子的烷氧基基团优选应理解为是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、环庚氧基、正辛氧基、环辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基和2,2,2-三氟乙氧基。具有1至40个碳原子的硫代烷基基团应理解为尤其是指甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、环己硫基、正庚硫基、环庚硫基、正辛硫基、环辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、环戊烯硫基、己烯硫基、环己烯硫基、庚烯硫基、环庚烯硫基、辛烯硫基、环辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。一般来说，根据本发明的烷基、烷氧基或硫代烷基基团可以是直链、支链或环状的，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被上述基团代替；此外，一个或多个氢原子也可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2，优选F、Cl或CN，还优选F或CN，尤其优选CN代替。
具有5-60个或5-40个芳族环原子并且在每种情况下还可以被上述基团取代并且可以经由任何希望的位置与芳族或杂芳族体系连接的芳族或杂芳族环系，应理解为尤其是指衍生自如下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、芘、苣、苝、荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴、顺式或反式茚并咔唑、顺式或反式吲哚并咔唑、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩
Figure BDA0003687813020000091
嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、
Figure BDA0003687813020000092
唑、苯并
Figure BDA0003687813020000093
唑、萘并
Figure BDA0003687813020000094
唑、蒽并
Figure BDA0003687813020000095
唑、菲并
Figure BDA0003687813020000096
唑、异
Figure BDA0003687813020000097
唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、六氮杂联三苯叉、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩
Figure BDA0003687813020000098
嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-
Figure BDA0003687813020000099
二唑、1,2,4-
Figure BDA00036878130200000910
二唑、1,2,5-
Figure BDA00036878130200000911
二唑、1,3,4-
Figure BDA00036878130200000912
二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲哚嗪和苯并噻二唑，或衍生自这些体系的组合的基团。
在本说明书的上下文中，两个或更多个基团一起可以形成环的措词应理解为尤其是指，所述两个基团通过化学键彼此连接并在形式上消除两个氢原子。这由下面的方案说明：
Figure BDA00036878130200000913
然而，此外，上述措词也应理解为是指，如果两个基团之一是氢，则第二个基团结合至氢原子的键合位置，从而成环。这将由以下方案说明：
Figure BDA0003687813020000101
在一种优选的构型中，本发明的化合物可以包含式(IIa)、(IIb)、(IIc)和(IId)的结构；更优选地，本发明的化合物可以选自式(IIa)、(IIb)、(IIc)和(IId)的化合物：
Figure BDA0003687813020000102
其中p2、p3、Y1、Y2、Y3、X、Z和R具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，其中所述标记m和n的总和优选为0、1、2、3或4。
可以优选的情况是，在所述式(I)、(IIa)、(IIb)、(IIc)和(IId)中，不超过四个、优选不超过两个X基团是N；更优选地，所有X基团都是CR。
在另一个优选实施方式中，可行的情况是，本发明的化合物包含式(IIIa)、(IIIb)和(IIIc)的结构，其中本发明的化合物可以更优选地选自式(IIIa)、(IIIb)和(IIIc)的化合物：
Figure BDA0003687813020000111
其中Y1、Y2、Y3、X、Z和R具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，标记l为0、1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，其中所述标记l、m和n的总和优选为2、3、4、5、6、7或8，优选所述式(IIIa)和(IIIb)的结构，并且特别优选所述式(IIIa)的结构。
所述式(IIIa)、(IIIb)和(IIIc)的化合物中的标记m、n和l的总和不超过10，尤其优选不超过8并且更优选不超过6。
此外可行的情况是，形成式(RA-1)至(RA-12)的结构并形成稠环的至少两个R基团是来自相邻X基团的R基团。
在本发明的一个优选实施方式中，至少两个R基团与所述两个R基团所结合的另外的基团一起形成稠环，其中所述两个R基团优选形成至少一种式(RA-1a)至(RA-4f)的结构：
其中符号Ra和R1以及标记s和t具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，并且标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2。
Figure BDA0003687813020000121
Figure BDA0003687813020000131
更优选地，所述化合物包括至少一种式(IVa)至(IVu)的结构；更优选地，所述化合物选自式(IVa)至(IVu)的化合物，
Figure BDA0003687813020000132
Figure BDA0003687813020000141
Figure BDA0003687813020000151
其中Y1、Y2、Y3、X、Z和R具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，符号o表示至少一种式(RA-1)至(RA-12)的结构的连接位点，标记l为0、1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，标记j为0、1或2，优选0或1，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k、j、l、m和n的总和优选为0、1、2、3、4、5或6。此处优选式(IVa)至(IVk)的结构/化合物，并且特别优选式(IVa)至(IVc)的结构/化合物。
优选地，本发明的化合物包括至少一种式(IVa-1)至(IVb-4)的结构；更优选地，本发明的化合物选自式(IVa-1)至(IVb-4)的化合物：
Figure BDA0003687813020000161
其中标记s和v以及符号Y1、Y2、Y3、Y4、X、Z、R、Ra和R1具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k和n的总和优选为0、1、2、3、4、5或6，更优选为2、3、4或5。
优选地，本发明的化合物包括至少一种式(IVe-1)至(IVh-4)的结构；更优选地，本发明的化合物选自式(IVe-1)至(IVh-4)的化合物：
Figure BDA0003687813020000171
Figure BDA0003687813020000181
其中标记s和v、Y1、Y2、Y4、X、Z、R、Ra和R1具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，标记j为0、1或2，优选0或1，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k、j、l、m和n的总和优选为0、1、2、3、4、5、6、7或8，更优选为2、3、4、5或6。
此外可行的情况是，在上面列出的其中存在Y2和/或Y3的式中，Y1表示键并且Y2和/或Y3选自N(Ar)、N(R)、P(Ar)、P(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、P(＝S)Ar、P(＝S)R、B(Ar)、B(R)、Al(Ar)、Al(R)、Ga(Ar)、Ga(R)、C＝O、C(R)2、Si(R)2、C＝NR、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O或SO2，优选N(Ar)、N(R)、B(Ar)、B(R)、P(R)、P(＝O)Ar、C＝O、C(R)2、O、S、S＝O或SO2，更优选C(R)2、O、S、N(Ar)或B(Ar)。
另外可行的情况是，在上面列出的其中存在Y2和/或Y3的式中，Y2表示键并且Y1和/或Y3选自N(Ar)、N(R)、P(Ar)、P(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、P(＝S)Ar、P(＝S)R、B(Ar)、B(R)、Al(Ar)、Al(R)、Ga(Ar)、Ga(R)、C＝O、C(R)2、Si(R)2、C＝NR、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O或SO2，优选N(Ar)、N(R)、B(Ar)、B(R)、P(R)、P(＝O)Ar、C＝O、C(R)2、O、S、S＝O或SO2，更优选C(R)2、O、S、N(Ar)或B(Ar)。
在一个另外优选的构型中，至少两个R基团与所述两个R基团所结合的另外的基团一起形成稠环，其中所述两个R基团形成式(RB)的结构：
Figure BDA0003687813020000191
其中R1具有上文，尤其是对于式(I)列出的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且Y5是C(R1)2、NR1、NAr、O或S，优选C(R1)2、NAr或O。
此处可行的情况是，形成式(RB)的结构并形成稠环的至少两个R基团是来自相邻X基团的R基团。
优选可行的情况是，所述化合物具有至少两个稠环，其中至少一个稠环由式(RA-1)至(RA-12)的结构形成并且另一个环由式(RA-1)至(RA-12)或(RB)的结构形成，其中所述化合物包括至少一种式(Va)至(Vz)的结构，优选其中所述化合物选自式(Va)至(Vz)的化合物：
Figure BDA0003687813020000201
Figure BDA0003687813020000211
Figure BDA0003687813020000221
Figure BDA0003687813020000231
其中Y1、Y2、Y3、X、Z和R具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，符号o表示至少一种式(RA-1)至(RA-12)的结构或式(RB)的结构的连接位点，标记l为0、1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，标记j为0、1或2，优选0或1，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k、j、l、m和n的总和优选为0、1、2、3或4，更优选为2、3或4。此处优选式(Va)至(Vp)的结构/化合物，并且特别优选式(Va)至(Vd)的结构/化合物。优选地，标记k、j、l、m和n的总和为0、1、2或3，优选1或2。
此处可行的情况是，所述式(Va)至(Vz)具有至少两个稠环，其中所述稠环相同并且由两个R基团形成的部分可以由至少一种式(RA-1)至(RA-12)的结构表示。
此外可行的情况是，所述式(Va)至(Vz)具有至少两个稠环，其中所述稠环不同并且由两个R基团形成的部分可以在每种情况下由至少一种式(RA-1)至(RA-12)的结构表示。
另外可行的情况是，式(Va)至(Vz)具有至少两个稠环，其中所述稠环不同并且两个稠环之一具有由两个R基团形成的部分，其可以由至少一种式(RA-1)至(RA-12)的结构表示，并且两个稠环之一具有由两个R基团形成的部分，其可以由一种式(RB)的结构表示。
在另一种构型中，本发明的化合物优选包括至少一种式(Va-1)至(Va-18)的结构；更优选地，本发明的化合物选自式(Va-1)至(Va-18)的化合物：
Figure BDA0003687813020000241
Figure BDA0003687813020000251
其中标记s和v以及符号Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、X、Z、R、Ra和R1具有上文，尤其是对于式(I)或式(RB)给出的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k、m和n的总和优选为0、1、2、3、4、5、6、7或8，更优选为0、1、2、3或4。
在另一种构型中，本发明的化合物优选包括至少一种式(Vc-1)至(Vc-18)的结构；更优选地，本发明的化合物选自式(Vc-1)至(Vc-18)的化合物：
Figure BDA0003687813020000261
Figure BDA0003687813020000271
其中标记s和v以及符号Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、X、Z、R、Ra和R1具有上文，尤其是对于式(I)或式(RB)给出的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k、m和n的总和优选为0、1、2、3、4、5、6、7或8，更优选为0、1、2、3或4。
在式(Va-1)至(Va-18)和/或(Vc-1)至(Vc-18)中，可以优选的情况是，Y1表示键并且Y2和/或Y3选自N(Ar)、N(R)、P(Ar)、P(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、P(＝S)Ar、P(＝S)R、B(Ar)、B(R)、Al(Ar)、Al(R)、Ga(Ar)、Ga(R)、C＝O、C(R)2、Si(R)2、C＝NR、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O或SO2，优选N(Ar)、N(R)、B(Ar)、B(R)、P(R)、P(＝O)Ar、C＝O、C(R)2、O、S、S＝O或SO2，更优选C(R)2、O、S、N(Ar)或B(Ar)。
此外可以优选的情况是，在所述式(Va-1)至(Va-18)和/或(Vc-1)至(Vc-18)中，Y2表示键并且Y1和/或Y3选自N(Ar)、N(R)、P(Ar)、P(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、P(＝S)Ar、P(＝S)R、B(Ar)、B(R)、Al(Ar)、Al(R)、Ga(Ar)、Ga(R)、C＝O、C(R)2、Si(R)2、C＝NR、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O或SO2，优选N(Ar)、N(R)、B(Ar)、B(R)、P(R)、P(＝O)Ar、C＝O、C(R)2、O、S、S＝O或SO2，更优选C(R)2、O、S、N(Ar)或B(Ar)。
另外可行的情况是，在所述式(I)、(IIa)、(IIb)中，标记p2和p3的总和为2并且Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是键，Y1、Y2、Y3基团中的至少一者并且优选至少两者是B(Ar)或B(R)并且Z是N，和/或，在所述式(IIIa)、(IVa)至(IVc)、(Va)至(Vd)、(Va-1)至(Va-18)或(Vc-1)至(Vc-18)中，Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是键，Y1、Y2、Y3基团中的至少一者并且优选至少两者是B(Ar)或B(R)并且Z是N。
此外可行的情况是，在所述式(I)、(IIa)、(IIb)中，标记p2和p3的总和为2并且Y1、Y2、Y3基团中的至少两者，优选所有Y1、Y2、Y3基团是B(Ar)或B(R)并且Z是N，和/或，在所述式(IIIa)、(IVa)至(IVc)、(Va)至(Vd)、(Va-1)至(Va-18)或(Vc-1)至(Vc-18)中，Y1、Y2、Y3基团中的至少两者，优选所有Y1、Y2、Y3基团是B(Ar)或B(R)并且Z是N。
另外可行的情况是，在所述式(I)、(IIa)、(IIb)中，标记p2和p3的总和为2并且Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是键，Y1、Y2、Y3基团中的至少一者并且优选至少两者是N(Ar)或N(R)并且Z是B，和/或，在所述式(IIIa)、(IVa)至(IVc)、(Va)至(Vd)、(Va-1)至(Va-18)或(Vc-1)至(Vc-18)中，Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是键，Y1、Y2、Y3基团中的至少一者并且优选至少两者是N(Ar)或N(R)并且Z是B。
另外可行的情况是，在所述式(I)、(IIa)、(IIb)中，标记p2和p3的总和为2并且Y1、Y2、Y3基团中的至少两者，优选所有Y1、Y2、Y3基团是N(Ar)或N(R)并且Z是B，和/或，在所述式(IIIa)、(IVa)至(IVc)、(Va)至(Vd)、(Va-1)至(Va-18)或(Vc-1)至(Vc-18)中，Y1、Y2、Y3基团中的至少两者，优选所有Y1、Y2、Y3基团是N(Ar)或N(R)并且Z是B。
在另一种构型中，本发明的化合物优选包括至少一种式(Ve-1)至(Ve-18)的结构；更优选地，本发明的化合物选自式(Ve-1)至(Ve-18)的化合物：
Figure BDA0003687813020000291
Figure BDA0003687813020000301
Figure BDA0003687813020000311
Figure BDA0003687813020000321
其中标记s和v以及符号Y1、Y2、Y4、Y5、X、Z、R、Ra和R1具有上文，尤其是对于式(I)或式(RB)给出的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记j为0、1或2，优选0或1，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记j、k和m的总和优选为0、1、2、3、4、5、6、7或8，更优选为0、1、2、3或4。
在另一种构型中，本发明的化合物优选包括至少一种式(V l-1)至(V l-18)的结构；更优选地，本发明的化合物选自式(V l-1)至(V l-18)的化合物：
Figure BDA0003687813020000322
Figure BDA0003687813020000331
Figure BDA0003687813020000341
其中标记s和v以及符号Y1、Y2、Y4、Y5、X、Z、R、Ra和R1具有上文，尤其是对于式(I)或式(RB)给出的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，并且标记j为0、1或2，优选0或1，其中所述标记j、m和n的总和优选为0、1、2、3、4、5、6、7或8，更优选为0、1、2、3或4。
此外可行的情况是，在所述式(I)和(IIa)至(IId)中，标记p2和p3的总和为1或标记p2为1并且Y1、Y2、Y3基团中的至少一者，优选Y1、Y2、Y3基团中的两者是B(Ar)或B(R)并且Z是N，和/或，在所述式(IIIb)、(IVd)至(IVm)、(Ve)至(Vp)、(Ve-1)至(Ve-18)或(V l-1)至(Vl-18)中，Y1、Y2基团中的至少一者，优选Y1、Y2基团两者是B(Ar)或B(R)并且Z是N。
另外可行的情况是，在所述式(I)和(IIa)至(IId)中，标记p2和p3的总和为1或标记p2为1，并且Y1、Y2、Y3基团中的至少一者，优选Y1、Y2、Y3基团中的两者是N(Ar)或N(R)并且Z是B，和/或，在所述式(IIIb)、(IVd)至(IVm)、(Ve)至(Vp)、(Ve-1)至(Ve-18)或(Vl-1)至(Vl-18)中，Y1、Y2基团中的至少一者，优选Y1、Y2基团两者是N(Ar)或N(R)并且Z是B。
此外可行的情况是，上述式的取代基R和Ra、R1和R2不与R和Ra、R1和R2所结合的环系的环原子形成稠合芳族或杂芳族环系。这包括与可能的取代基R1和R2形成稠合芳族或杂芳族环系，所述取代基R1和R2可以与R、Ra和R1基团键合。
当可以尤其选自R、Ra、R1和/或R2的两个基团彼此形成环系时，该环系可以是单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族的。在这种情况下，一起形成环系的基团可以是相邻的，这意味着这些基团与同一碳原子键合或与彼此直接键合的碳原子键合，或者它们可以另外彼此远离。此外，具有取代基R、Ra、R1和/或R2的环系也可以经由键彼此连接，使得这可以产生闭环。在这种情况下，每个相应的键合位点优选具有取代基R、Ra、R1和/或R2。
在一种优选构型中，本发明的化合物可以由至少一种式(I)、(IIa)至(IId)、(IIIa)至(IIIc)、(IVa)至(IVu)、(IVa-1)至(IVb-4)、(IVe-1)至(IVh-4)、(Va)至(Vz)、(Va-1)至(Va-18)、(Vc-1)至(Vc-18)、(Ve-1)至(Ve-18)和/或(V l-1)至(V l-18)的结构表示。优选地，优选包括式(I)、(IIa)至(IId)、(IIIa)至(IIIc)、(IVa)至(IVu)、(IVa-1)至(IVb-4)、(IVe-1)至(IVh-4)、(Va)至(Vz)、(Va-1)至(Va-18)、(Vc-1)至(Vc-18)、(Ve-1)至(Ve-18)和/或(V l-1)至(Vl-18)的结构的本发明化合物具有不超过5000g/mol、优选不超过4000g/mol、特别优选不超过3000g/mol、尤其优选不超过2000g/mol并且最优选不超过1200g/mol的分子量。
此外，优选的本发明化合物的特征是它们是可升华的。这些化合物通常具有小于约1200g/mol的摩尔质量。
优选的芳族或杂芳族环系R、Ra和/或Ar选自苯基，联苯基，尤其是邻位、间位或对位联苯基，三联苯基，尤其是邻位、间位或对位三联苯基或支链三联苯基，四联苯基，尤其是邻位、间位或对位四联苯基或支链四联苯基，可以经由1位、2位、3位或4位连接的芴，可以经由1位、2位、3位或4位连接的螺二芴，萘，尤其是经由1位或2位键合的萘，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，可以经由1位、2位、3位或4位连接的咔唑，可以经由1位、2位、3位或4位连接的二苯并呋喃，可以经由1位、2位、3位或4位连接的二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，吡啶，嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪，喹啉，异喹啉，喹唑啉，喹喔啉，菲或联三苯叉，它们中的每个可以被一个或多个R1基团取代。
优选地，至少一个取代基R在每种情况下相同或不同并且选自H，D或选自下列式Ar-1至Ar-75的基团的芳族或杂芳族环系，其中取代基R优选形成根据式(RA-1)至(RA-12)或(RB)的结构的环，或者取代基R在每种情况下相同或不同并且选自H，D或选自下列式Ar-1至Ar-75的基团的芳族或杂芳族环系，和/或Ar基团在每种情况下相同或不同并且选自下列式Ar-1至Ar-75的基团：
Figure BDA0003687813020000361
Figure BDA0003687813020000371
Figure BDA0003687813020000381
Figure BDA0003687813020000391
Figure BDA0003687813020000401
其中R1如上文所定义，虚线键表示连接位点，并且此外：
Ar1在每种情况下相同或不同并且是具有6至18个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的二价芳族或杂芳族环系；
A在每种情况下相同或不同并且是C(R1)2、NR1、O或S；
p为0或1，其中p＝0表示不存在Ar1基团并且相应的芳族或杂芳族基团直接键合到HetAr；
q为0或1，其中q＝0表示没有A基团键合在该位置，而是R1基团键合到相应的碳原子。
当上述Ar的基团具有两个或更多个A基团时，这些可行的选择包括来自A的定义的所有组合。在这种情况下，优选的实施方式是其中一个A基团是NR1并且另一个A基团是C(R1)2或者其中两个A基团都是NR1或者其中两个A基团都是O的那些。
当A是NR1时，与氮原子键合的取代基R1优选是具有5至24个芳族环原子并且也可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系。在一个特别优选的实施方式中，该R1取代基在每种情况下相同或不同并且是具有6至24个芳族环原子、尤其是6至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其不具有任何稠合芳基基团并且其不具有任何稠合杂芳基基团，其中两个或更多个芳族或杂芳族6元环基团直接彼此稠合，并且其在每种情况下也可以被一个或多个R2基团取代。优选具有如上文关于Ar-1至Ar-11所列的键合模式的苯基、联苯基、三联苯基和四联苯基，其中这些结构可以被一个或多个R2基团取代，而不是被R1取代，但优选未被取代。还优选如上文关于Ar-47至Ar-50、Ar-57和Ar-58所列的三嗪、嘧啶和喹唑啉，其中这些结构可以被一个或多个R2基团取代，而不是被R1取代。
下面描述优选的取代基R和Ra。
在本发明的一个优选实施方式中，R在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，CN，NO2，Si(R1)3，B(OR1)2，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，或具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的另一优选的实施方式中，R在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，或具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。
另一可行的情况是，至少一个取代基R在每种情况下相同或不同并且选自H，D，具有6至30个芳族环原子并且可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，和N(Ar)2基团。在本发明的另一优选的实施方式中，取代基R形成根据式(RA-1)至(RA-12)或(RB)的结构的环或者R在每种情况下相同或不同并且选自H，D，具有6至30个芳族环原子并且可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，和N(Ar)2基团。更优选地，R在每种情况下相同或不同并且选自H或具有6至24个芳族环原子、优选6至18个芳族环原子、更优选6至13个芳族环原子，并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的一个优选实施方式中，Ra在每种情况下相同或不同并且选自具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，或具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的另一优选的实施方式中，Ra在每种情况下相同或不同并且选自具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，具有6至30个芳族环原子并且可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。更优选地，Ra在每种情况下相同或不同并且选自具有1至5个碳原子的直链烷基基团或具有3至5个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，或具有6至24个芳族环原子、优选6至18个芳族环原子、更优选6至13个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的一个优选实施方式中，Ra在每种情况下相同或不同并且选自具有1至6个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，或具有6至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个Ra基团一起也可以形成环系。更优选地，Ra在每种情况下相同或不同并且选自具有1、2、3或4个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，或具有6至12个芳族环原子、尤其是6个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个优选非芳族R1基团取代、但优选未被取代的芳族环系；同时，两个Ra基团一起可以形成环系。最优选地，Ra在每种情况下相同或不同并且选自具有1、2、3或4个碳原子的直链烷基基团，或具有3至6个碳原子的支链烷基基团。最优选地，Ra是甲基基团或者是苯基基团，其中两个苯基基团一起可以形成环系，优选的是甲基基团而不是苯基基团。
优选的芳族或杂芳族环系R、Ra或Ar选自苯基，联苯基，尤其是邻位、间位或对位联苯基，三联苯基，尤其是邻位、间位或对位三联苯基或支链三联苯基，四联苯基，尤其是邻位、间位或对位四联苯基或支链四联苯基，可以经由1位、2位、3位或4位连接的芴，可以经由1位、2位、3位或4位连接的螺二芴，萘，尤其是经由1位或2位键合的萘，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，可以经由1位、2位、3位或4位连接的咔唑，可以经由1位、2位、3位或4位连接的二苯并呋喃，可以经由1位、2位、3位或4位连接的二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，吡啶，嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪，喹啉，异喹啉，喹唑啉，喹喔啉，菲或联三苯叉，所述基团中的每个可以被一个或多个R1基团取代。上文列出的结构Ar-1至Ar-75是特别优选的，优选式(Ar-1)、(Ar-2)、(Ar-3)、(Ar-12)、(Ar-13)、(Ar-14)、(Ar-15)、(Ar-16)、(Ar-69)、(Ar-70)、(Ar-75)的结构，并且特别优选式(Ar-1)、(Ar-2)、(Ar-3)、(Ar-12)、(Ar-13)、(Ar-14)、(Ar-15)、(Ar-16)的结构。
其它合适的R基团是式-Ar4-N(Ar2)(Ar3)的基团，其中Ar2、Ar3和Ar4在每种情况下相同或不同并且是具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。此处Ar2、Ar3和Ar4中的芳族环原子的总数不超过60个并且优选不超过40个。
在这种情况下，Ar4和Ar2也可以通过选自单键、C(R1)2、NR1、O和S的基团彼此键合和/或Ar2和Ar3也可以通过选自单键、C(R1)2、NR1、O和S的基团彼此键合。优选地，在每种情况下Ar4和Ar2的彼此键联或Ar2和Ar3的彼此键联是在氮原子的键联位置的邻位，使得例如形成咔唑并优选形成咔唑。在本发明的另一个实施方式中，Ar2、Ar3和Ar4基团中没有一个基团彼此键合。
优选地，Ar4是具有6至24个芳族环原子、优选6至12个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。更优选地，Ar4选自邻位、间位或对位苯亚基，或邻位、间位或对位联苯基，所述基团中的每个可以被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。最优选地，Ar4是未被取代的苯亚基基团。
优选地，Ar2和Ar3在每种情况下相同或不同并且是具有6至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。特别优选的Ar2和Ar3基团在每种情况下相同或不同并且选自苯，邻位、间位或对位联苯基，邻位、间位或对位三联苯基或支链三联苯基，邻位、间位或对位四联苯基或支链四联苯基，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，1-萘基或2-萘基，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，1-咔唑、2-咔唑、3-咔唑或4-咔唑，1-二苯并呋喃、2-二苯并呋喃、3-二苯并呋喃或4-二苯并呋喃，1-二苯并噻吩、2-二苯并噻吩、3-二苯并噻吩或4-二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，2-吡啶、3-吡啶或4-吡啶，2-嘧啶、4-嘧啶或5-嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪，菲或联三苯叉，所述基团中的每个可以被一个或多个R1基团取代。最优选地，Ar2和Ar3在每种情况下相同或不同并且选自苯，联苯基，尤其是邻位、间位或对位联苯基，三联苯基，尤其是邻位、间位或对位三联苯基或支链三联苯基，四联苯基，尤其是邻位、间位或对位四联苯基或支链四联苯基，芴，尤其是1-芴、2-芴、3-芴或4-芴，或螺二芴，尤其是1-螺二芴、2-螺二芴、3-螺二芴或4-螺二芴。
在本发明的另一个优选实施方式中，R1在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，CN，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代，或具有6至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系。在本发明的一个特别优选的实施方式中，R1在每种情况下相同或不同并且选自H，具有1至6个碳原子、尤其是具有1、2、3或4个碳原子的直链烷基基团，或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团可以被一个或多个R5基团取代，但优选未被取代，或具有6至13个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R5基团取代、但优选未被取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的另一个优选实施方式中，R2在每种情况下相同或不同并且是H，具有1至4个碳原子的烷基基团或具有6至10个碳原子的芳基基团，所述基团可以被具有1至4个碳原子的烷基基团取代，但优选未被取代。
同时，在通过真空蒸发加工的本发明化合物中，烷基基团优选具有不超过五个碳原子，更优选不超过4个碳原子，最优选不超过1个碳原子。对于从溶液加工的化合物，合适的化合物也是被具有至多10个碳原子的烷基基团、尤其是支链烷基基团取代的那些，或被低聚芳亚基基团，例如邻位、间位或对位三联苯基或支链三联苯基或四联苯基基团取代的那些。
另外可行的情况是，所述化合物包括恰好两个或恰好三个式(I)、(IIa)至(IId)、(IIIa)至(IIIc)、(IVa)至(IVu)、(IVa-1)至(IVb-4)、(IVe-1)至(IVh-4)、(Va)至(Vz)、(Va-1)至(Va-18)、(Vc-1)至(Vc-18)、(Ve-1)至(Ve-18)和/或(V l-1)至(V l-18)的结构，其中优选Y1、Y2、Y3基团中的一者或者Y1、Y2、Y3基团中的至少一者所结合的芳族或杂芳族环系中的一者由两个结构共用。
在一种优选构型中，所述化合物包括至少一个式(D-1)至(D-4)的结构，其中所述化合物更优选符合式(D-1)至(D-4)，
Figure BDA0003687813020000471
Figure BDA0003687813020000481
其中Y2a是C或Si，L1基团表示连接基团，优选键或具有5至40个、优选5至30个芳族环原子并且可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，并且使用的其它符号和标记具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。
在本发明的另一个优选实施方式中，L1是键或具有5至14个芳族或杂芳族环原子的芳族或杂芳族环系，优选具有6至12个碳原子并且可以被一个或多个R1基团取代、但优选未被取代的芳族环系，其中R1可以具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。更优选地，L1是具有6至10个芳族环原子的芳族环系或具有6至13个杂芳族环原子的杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系中的每个可以被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，其中R2可以具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。
还优选地，式(D4)中所示的符号L1尤其在每种情况下相同或不同并且是键或具有5至24个环原子、优选6至13个环原子、更优选6至10个环原子的芳基或杂芳基基团，使得芳族或杂芳族环系的芳族或杂芳族基团直接地、即经由芳族或杂芳族基团的原子键合至另外的基团的相应原子。
另外可行的情况是，式(D4)中所示的L1基团包含具有不超过两个稠合芳族和/或杂芳族6元环的芳族环系，优选不包含任何稠合芳族或杂芳族环系。因此，萘基结构优于蒽结构。此外，芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基结构优于萘基结构。
特别优选不具有稠合的结构，例如苯基、联苯基、三联苯基和/或四联苯基结构。
合适的芳族或杂芳族环系L1的实例选自邻位、间位或对位苯亚基，邻位、间位或对位联苯亚基，三联苯亚基，尤其是支链三联苯亚基，四联苯亚基，尤其是支链四联苯亚基，芴亚基，螺二芴亚基，二苯并呋喃亚基，二苯并噻吩亚基和咔唑亚基，所述基团中的每个可以被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。
在权利要求1中限定的限制范围内，上述优选实施方式可以根据需要相互组合。在本发明的一个特别优选的实施方式中，上述优选特征同时出现。
根据上文详述的实施方式的优选化合物的实例是下表中所示的化合物：
Figure BDA0003687813020000491
Figure BDA0003687813020000501
Figure BDA0003687813020000511
Figure BDA0003687813020000521
Figure BDA0003687813020000531
Figure BDA0003687813020000541
Figure BDA0003687813020000551
Figure BDA0003687813020000561
Figure BDA0003687813020000571
Figure BDA0003687813020000581
Figure BDA0003687813020000591
Figure BDA0003687813020000601
Figure BDA0003687813020000611
Figure BDA0003687813020000621
Figure BDA0003687813020000631
Figure BDA0003687813020000641
Figure BDA0003687813020000651
Figure BDA0003687813020000661
Figure BDA0003687813020000671
Figure BDA0003687813020000681
Figure BDA0003687813020000691
Figure BDA0003687813020000701
本发明化合物的优选实施方式在实施例中详细叙述，这些化合物可单独使用或与另外的化合物组合用于本发明的所有目的。
只要满足权利要求1指定的条件，上述优选实施方式可以根据需要相互组合。在本发明的一个特别优选的实施方式中，上述优选实施方式同时适用。
本发明的化合物原则上可通过各种方法制备。然而，已发现下文描述的方法是特别合适的。
因此，本发明还提供了一种用于制备本发明化合物的方法，其中合成具有Z基团或所述Z基团的前体的基本骨架，并借助于亲核芳族取代反应或偶联反应引入Y1、Y2、Y3基团中的至少一者。
包含至少一种杂环结构的合适化合物在许多情况下可商购获得，并且实施例中详述的起始化合物可通过已知方法获得，因此对其进行参考。
这些化合物可以通过已知的偶联反应与包含至少一个芳族或杂芳族基团的另外的化合物反应，用于此目的的必要条件是本领域技术人员已知的，并且实施例中的详细说明有助于本领域技术人员实施这些反应。
全部导致C-C键形成和/或C-N键形成的特别合适且优选的偶联反应是根据BUCHWALD、SUZUKI、YAMAMOTO、STILLE、HECK、NEGISHI、SONOGASHIRA和HIYAMA的那些。这些反应是广泛已知的，并且所述实施例将为本领域技术人员提供进一步的指示。
上文详述的制备方法的原理原则上从关于类似化合物的文献中可获知，并且本领域技术人员可以容易地将其改适用于制备本发明的化合物。进一步的信息可见于实施例中。
通过这些方法，必要时接着纯化，例如重结晶或升华，可以获得高纯度，优选大于99％的本发明化合物(借助于1H NMR和/或HPLC测定)。
本发明的化合物也可以与聚合物混合。同样可以将这些化合物共价结合到聚合物中。利用被反应性离去基团如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯取代，或被反应性可聚合基团如烯烃或氧杂环丁烷取代的化合物，这是尤其可行的。这些可以用作制备相应低聚物、树枝状大分子或聚合物的单体。低聚或聚合优选经由卤素官能团或硼酸官能团或经由可聚合基团实现。另外可经由这种基团使聚合物交联。本发明的化合物和聚合物可以交联或未交联的层的形式使用。
因此，本发明还提供了含有一种或多种上文详述的式(I)和该式的优选实施方式或本发明化合物的结构的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中存在一个或多个从本发明化合物或式(I)和该式的优选实施方式的结构至所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的键。根据式(I)和该式的优选实施方式或所述化合物的结构的键联，这些因此形成低聚物或聚合物的侧链或者键合在主链内。所述聚合物、低聚物或树枝状大分子可以是共轭的、部分共轭的或非共轭的。所述低聚物或聚合物可以是线性、支化或树枝状的。如上文所述的相同优选特征适用于低聚物、树枝状大分子和聚合物中的本发明化合物的重复单元。
为了制备所述低聚物或聚合物，使本发明的单体进行均聚或与另外的单体进行共聚。优选如下的共聚物，其中式(I)的单元或上文和下文所述的优选实施方式以0.01至99.9摩尔％、优选5至90摩尔％、更优选20至80摩尔％的程度存在。合适且优选的形成聚合物基本骨架的共聚单体选自芴(例如根据EP 842208或WO 2000/022026的)、螺二芴(例如根据EP707020、EP 894107或WO 2006/061181的)、对苯亚基(例如根据WO 92/18552的)、咔唑(例如根据WO 2004/070772或WO2004/113468的)、噻吩(例如根据EP 1028136的)、二氢菲(例如根据WO 2005/014689的)、顺式和反式茚并芴(例如根据WO 2004/041901或WO 2004/113412的)、酮(例如根据WO 2005/040302的)、菲(例如根据WO 2005/104264或WO 2007/017066的)或者多种这些单元。所述聚合物、低聚物和树枝状大分子还可含有另外的单元，例如空穴传输单元，尤其是基于三芳基胺的那些，和/或电子传输单元。
另外特别令人感兴趣的是具有高玻璃化转变温度的本发明化合物。就此而言，尤其优选的是包含式(I)或上文和下文所述的优选实施方式的结构的本发明化合物，根据DIN51005(2005-08版)测得其玻璃化转变温度为至少70℃，更优选至少110℃，甚至更优选至少125℃并且尤其优选至少150℃。
为了从液相加工本发明化合物，例如通过旋涂或通过印刷方法进行加工，需要本发明化合物的制剂。这些制剂可以例如是溶液、分散体或乳液。出于这个目的，可优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适且优选的溶剂例如是甲苯，苯甲醚，邻二甲苯、间二甲苯或对二甲苯，苯甲酸甲酯，均三甲苯，萘满，邻二甲氧基苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二
Figure BDA0003687813020000731
烷，苯氧基甲苯，尤其是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，异丙苯，环己醇，环己酮，环己基苯，十氢化萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚满，NMP，对伞花烃，苯乙醚，1,4-二异丙基苯，二苄醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二甲基醚，二乙二醇单丁基醚，三丙二醇二甲基醚，四乙二醇二甲基醚，2-异丙基萘，戊苯，己苯，庚苯，辛苯，1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷，2-甲基联苯，3-甲基联苯，1-甲基萘，1-乙基萘，辛酸乙酯，癸二酸二乙酯，辛酸辛酯，庚苯，异戊酸薄荷酯，己酸环己酯或这些溶剂的混合物。
因此，本发明还提供了包含至少一种本发明化合物和至少一种另外的化合物的制剂或组合物。所述另外的化合物可以例如是溶剂，尤其是上述溶剂中的一种或这些溶剂的混合物。如果另外的化合物包含溶剂，则该混合物在本文中称为制剂。另外的化合物可以可选地是同样用于电子器件中的至少一种另外的有机或无机化合物，例如发光体和/或基质材料，其中这些化合物不同于本发明的化合物。与有机电致发光器件相关的合适的发光体和基质材料列在后面。另外的化合物也可以是聚合的，任选地配备有用于另外的交联的基团。
因此，本发明还提供了一种组合物，其包含本发明化合物和至少一种另外的有机功能材料。功能材料通常是在阳极与阴极之间引入的有机或无机材料。优选地，所述有机功能材料选自荧光发光体、磷光发光体、显示TADF(热激活延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、宽带隙材料和n型掺杂剂。
本发明还提供了本发明化合物在电子器件中的用途，尤其是在有机电致发光器件中的用途，优选作为发光体，更优选作为蓝色发光体。在这种情况下，本发明的化合物优选表现出荧光特性并因此优选提供荧光发光体。此外，本发明的化合物可用于颜色转换器中的光转换。
本发明还提供了一种包含至少一种本发明化合物的电子器件。本发明上下文中的电子器件是包括至少一个层的器件，所述层包含至少一种有机化合物。该组件还可以包含无机材料或者完全由无机材料形成的层。
所述电子器件优选选自下组，更优选地，所述电子器件选自有机电致发光器件(OLED、sOLED、PLED、LEC等)，优选有机发光二极管(OLED)、基于小分子的有机发光二极管(sOLED)、基于聚合物的有机发光二极管(PLED)、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-激光器)、有机等离子体发光器件(D.M.Koller等人,Nature Photonics 2008,1-4)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)和有机电传感器，优选有机电致发光器件(OLED、sOLED、PLED、LEC等)，更优选有机发光二极管(OLED)、基于小分子的有机发光二极管(sOLED)、基于聚合物的有机发光二极管(PLED)，尤其是磷光OLED。
所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层之外，它还可以包括另外的层，例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层和/或电荷产生层。同样可以将具有激子阻挡功能的中间层例如引入两个发光层之间。然而，应该指出的是，这些层中的每一个层都不一定必须存在。在这种情况下，有机电致发光器件可以包含一个发光层，或者它可以包含多个发光层。如果存在多个发光层，则这些发光层优选总共具有多个在380nm与750nm之间的发光峰值，使得总体结果是白色发光；换句话说，可以发荧光或发磷光的多种发光化合物被用于所述发光层中。尤其优选的是具有三个发光层的体系，其中所述三个层显示蓝色、绿色和橙色或红色发光。本发明的有机电致发光器件也可以是串联电致发光器件，尤其是发白光的OLED。
根据确切结构，本发明的化合物可以用于不同的层。优选在发光层中包含式(I)的化合物或上文详述的优选实施方式作为发光体、优选蓝色发光体的有机电致发光器件。
当本发明的化合物在发光层中用作发光体时，优选使用本身已知的合适的基质材料。
基于发光体和基质材料的总混合物，本发明的化合物和基质材料的优选混合物含有介于99体积％与1体积％之间、优选介于98体积％与10体积％之间、更优选介于97体积％与60体积％之间并且尤其介于95体积％与80体积％之间的基质材料。相应地，基于发光体和基质材料的总混合物，所述混合物含有介于1体积％与99体积％之间、优选介于2体积％与90体积％之间、更优选介于3体积％与40体积％之间并且尤其介于5体积％与20体积％之间的发光体。
可以与本发明化合物组合使用的合适的基质材料是芳族酮，芳族氧化膦或芳族亚砜或砜，例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680的；三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-双咔唑基联苯)或公开在WO 2005/039246、US2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或WO2013/041176中的咔唑衍生物；吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO2007/063754或WO 2008/056746的；茚并咔唑衍生物，例如根据WO2010/136109、WO 2011/000455、WO 2013/041176或WO 2013/056776的；氮杂咔唑衍生物，例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的，双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725的；硅烷，例如根据WO 2005/111172的；硼氮杂环戊熳或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052的；三嗪衍生物，例如根据WO 2007/063754、WO2008/056746、WO 2010/015306、WO 2011/057706、WO 2011/060859或WO 2011/060877的；锌络合物，例如根据EP 652273或WO2009/062578的；硅二氮杂环戊熳或硅四氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO 2010/054729的；磷二氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO2010/054730的；桥接咔唑衍生物，例如根据WO 2011/042107、WO2011/060867、WO 2011/088877和WO 2012/143080的；联三苯叉衍生物，例如根据WO 2012/048781的；二苯并呋喃衍生物，例如根据WO2015/169412、WO 2016/015810、WO 2016/023608、WO 2017/148564或WO 2017/148565的；或双咔唑，例如根据JP 3139321 B2的。还优选的基质材料或主体材料是蒽。特别优选的蒽公开于WO 2014/106523A1中，非常特别是式(II)的那些。还特别优选的蒽公开于WO2007/065547A1中，非常特别是式(2)和(3)的那些并且尤其是式(A1)至(A64)的那些。还特别优选的蒽公开于WO2007/065548A1中，非常特别是式(1)的那些并且尤其是式H1至H20的那些。
此外，使用的共主体可以是在显著程度上不参与电荷传输的化合物(如果有参与的话)，如例如在WO 2010/108579中所述。尤其适合与本发明的化合物组合作为共基质材料的是具有大带隙并且本身至少不在显著程度上参与发光层的电荷传输的化合物(如果有参与的话)。此类材料优选是纯烃。此类材料的实例可见于例如在WO 2009/124627或WO 2010/006680中。
在一种优选构型中，用作发光体的本发明化合物优选与一种或多种磷光材料(三重态发光体)和/或作为TADF(热激活延迟荧光)主体材料的化合物组合使用。此处优选形成超荧光和/或超磷光体系。
WO 2015/091716 A1和WO 2016/193243 A1公开了在发光层中同时含有磷光化合物和荧光发光体的OLED，其中能量从磷光化合物转移到荧光发光体(超磷光)。在这种情况下，磷光化合物因此充当主体材料。如本领域技术人员所知，与发光体相比，主体材料具有更高的单重态和三重态能量，以便来自主体材料的能量也可以在最大效率下转移到发光体。现有技术中公开的体系恰好具有这样的能量关系。
在本发明上下文中的磷光被理解为是指来自具有较高自旋多重性的激发态(即自旋态>1)的发光，尤其是来自激发三重态的发光。在本申请的上下文中，所有具有过渡金属或镧系元素的发光络合物，尤其是所有铱、铂和铜络合物，都应被视为磷光化合物。
合适的磷光化合物(＝三重态发光体)尤其是如下的化合物，其在适当激发时发光，优选在可见区发光并且还含有至少一种原子序数大于20，优选大于38且小于84，更优选大于56且小于80的原子，尤其是具有该原子序数的金属。所用的优选的磷光发光体是含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，尤其是含有铱或铂的化合物。
上述发光体的实例可见于申请WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO2014/094961、WO 2014/094960、WO 2015/036074、WO 2015/104045、WO 2015/117718、WO2016/015815、WO 2016/124304、WO 2017/032439、WO 2018/011186、WO 2018019687、WO2018019688、WO 2018041769、WO 2018054798、WO 2018069196、WO 2018069197、WO2018069273、WO 2018134392、WO 2018178001、WO 2018177981、WO 2019020538、WO2019115423、WO 2019158453和WO 2019179909。一般来说，根据现有技术用于磷光电致发光器件的和在有机电致发光领域中的技术人员所知的所有磷光络合物都是合适的，并且本领域的技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下使用另外的磷光络合物。
如上所述，本发明的化合物可以优选与TADF主体材料和/或TADF发光体组合使用。
例如，B.H.Uoyama等人,Nature 2012,第492卷,234描述了称为热激活延迟荧光(TADF)的过程。为了实现这一过程，发光体中需要例如小于约2000cm-1的相对较小的单重态-三重态间隔ΔE(S1–T1)。为了开启原则上自旋禁阻的T1—→S1跃迁以及发光体，可以在基质中提供具有强自旋轨道耦合的另一种化合物，因此，使得能够经由空间邻近性和分子之间可能的相互作用来实现系间窜越，或者借助于发光体中存在的金属原子产生自旋轨道耦合。
在本发明的另一个实施方式中，本发明的有机电致发光器件不含任何独立的空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴阻挡层和/或电子传输层，这意味着发光层与空穴注入层或阳极直接相邻，和/或发光层与电子传输层或电子注入层或阴极直接相邻，如例如在WO2005/053051中所述。另外，可以使用与发光层中的金属络合物相同或类似的金属络合物作为与发光层直接相邻的空穴传输或空穴注入材料，如例如在WO 2009/030981中所述。
在本发明的有机电致发光器件的另外的层中，可以使用根据现有技术通常使用的任何材料。因此，本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下，将关于有机电致发光器件已知的任何材料与本发明的式(I)的化合物或上述优选实施方式组合使用。
另外优选这样的有机电致发光器件，其特征在于通过升华工艺施加一个或多个层。在这种情况下，在真空升华系统中，在小于10-5毫巴，优选小于10-6毫巴的初始压力下通过气相沉积施加所述材料。然而，初始压力也可以更低，例如小于10-7毫巴。
同样优选这样的有机电致发光器件，其特征在于通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华施加一个或多个层。在这种情况下，在介于10-5毫巴和1巴之间的压力下施加所述材料。该方法的一个特例是OVJP(有机蒸气喷印)方法，其中材料直接通过喷嘴施加并因此结构化；参见例如M.S.Arnold等人,Appl.Phys.Lett.2008,92,053301。
另外优选这样的有机电致发光器件，其特征在于从溶液中例如通过旋涂，或通过任何印刷方法例如丝网印刷、柔性版印刷、平版印刷、LITI(光引发热成像，热转印)、喷墨印刷或喷嘴印刷，来产生一个或多个层。为此目的，需要可溶性化合物，其例如通过合适的取代获得。
用于应用上述式(I)化合物或其优选实施方式的制剂是新型的。因此，本发明还提供了含有至少一种溶剂和上述根据式(I)的化合物或其优选实施方式的制剂。
此外，混合式方法是可以的，其中例如由溶液施加一个或多个层并且通过气相沉积施加一个或多个另外的层。
本领域技术人员通常知道这些方法并且能够在不付出创造性劳动的情况下将它们应用到包含本发明化合物的有机电致发光器件。
本发明的化合物和本发明的有机电致发光器件具有相比于现有技术改进的寿命的特定特征。同时，电致发光器件的其它电子特性，例如效率或工作电压，保持至少同样良好。在另一个变体中，与现有技术相比，本发明的化合物和本发明的有机电致发光器件尤其具有改进的效率和/或工作电压以及更高的寿命。
本发明的电子器件，尤其是有机电致发光器件，相比于现有技术的突出之处在于以下令人惊讶的优点中的一个或多个：
1.包含式(I)的化合物或优选实施方式作为上文和下文所述的发光体的电子器件，尤其是有机电致发光器件，具有非常窄的具有低半峰全宽(Full Width Half Maximum，FWHM)值的发光带，并导致可通过低CIE y值识别的特别纯的颜色发光。
2.包含式(I)的化合物或优选实施方式作为上文和下文所述的发光体的电子器件，尤其是有机电致发光器件，具有优异的效率。在此上下文中，本发明的式(I)的化合物或上文和下文所述的优选实施方式在用于电子器件中时产生低工作电压。
3.利用式(I)的化合物或上文和下文所述的优选实施方式，可以避免在电子器件、尤其是有机电致发光器件中形成光损耗通道。因此，这些器件具有发光体的高PL效率和因此高EL效率，以及基质向掺杂剂的优异能量传输。
4.式(I)的化合物或上文和下文所述的优选实施方式具有优异的玻璃膜形成。
5.式(I)的化合物或上文和下文所述的优选实施方式由溶液形成非常好的膜并显示出优异溶解性。
这些上述优点不伴随着其它电子特性的异常高的劣化。
应该指出，本发明中所描述的实施方式的变化形式均由本发明的范围所涵盖。除非明确排除，否则本发明中公开的任何特征都可以替换为用于相同目的或者等效或相似目的的替代特征。因此，除非另有说明，否则本发明中公开的任何特征都应被视为通用系列的示例或者视为等效或类似特征。
本发明的所有特征可以以任何方式相互组合，除非特定特征和/或步骤是相互排斥的。本发明的优选特征尤其如此。同样，非必要组合的特征可以单独使用(而不是组合使用)。
还应指出，许多特征，并且尤其是本发明的优选实施方式的特征，其本身应被视为具有创造性，而不仅仅是本发明的一些实施方式。对于这些特征，可以寻求独立保护来补充或替代任何当前要求保护的发明。
与本发明一起公开的技术教导可以抽象化并与其它实施例结合。
通过以下实施例更详细地说明本发明，但无意由此限制本发明。本领域技术人员将能够使用所给出的信息在所公开的整个范围内实施本发明，并在不付出创造性劳动的情况下制备另外的本发明化合物并将它们用于电子器件中或采用本发明的方法。
实施例：
除非另有说明，否则以下合成是在保护气体气氛下在无水溶剂中进行。金属络合物另外在避光下或在黄光下处理。溶剂和试剂可以购自例如Sigma-ALDRICH或ABCR。方括号中的相应数字或个别化合物引用的数字与从文献已知的化合物的CAS编号有关。在化合物可以具有多种对映异构体、非对映异构体或互变异构体形式的情况下，以代表性方式显示一种形式。
合成子S的合成：
实施例S1：
Figure BDA0003687813020000821
将充分搅拌的27.2g(100mmol)的2-溴-6,7,8,9,10,11-六氢-5,9:7,11-二甲桥-5H-苯并环壬烯[1801624-97-4]、32.4g(100mmol)的2-(6,7,8,9,10,11-六氢-5,9:7,11-二甲桥-5H-苯并环壬烯-2-基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷[1801624-63-4]、63.7g(300mmol)的磷酸三钾、1.83g(6mmol)的三邻甲苯基膦、225mg(1mmol)的乙酸钯(II)、350ml甲苯、80ml二
Figure BDA0003687813020000822
烷和300ml水的混合物加热回流16小时。冷却后，将有机相与水相分离并用300ml水洗涤一次和用300ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，然后经硫酸镁干燥。使用硅胶床以甲苯浆液的形式滤出干燥剂，并将滤液浓缩至干。玻璃状残余物从异丙醇中重结晶。产率：30.8g(78mmol)78％。根据1H NMR的纯度为约97％。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020000823
Figure BDA0003687813020000831
Figure BDA0003687813020000841
实施例S50：
Figure BDA0003687813020000842
向充分搅拌的39.5g(100mmol)的S1于500ml二氯甲烷中的溶液中加入100mg铁粉，然后在黑暗中经3小时的过程滴加6.4ml(240mmol)的溴和100ml二氯甲烷的混合物。添加结束后，将混合物在回流下搅拌4小时并在室温下搅拌8小时。加入200ml饱和亚硫酸钠溶液以破坏过量的溴，并且分离出有机相，用500ml水和300ml饱和碳酸氢钠溶液洗涤，并经硫酸镁干燥。滤出干燥剂，将滤液浓缩至干并且红色粘稠残余物从约500ml异丙醇中重结晶。产率：33.7g(61mmol)61％；纯度：约97％，根据1H NMR。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020000843
Figure BDA0003687813020000851
实施例S100：
Figure BDA0003687813020000852
类似于K.Nozaki等人,Angew.Chem.,IE,42(18),2051-2053,2003进行制备。向充分搅拌的55.2g(100mmol)的S50、16.4g(110mmol)的4-叔丁基苯胺[769-92-6]、24.1g(250mmol)的叔丁醇钠于1000ml甲苯中的混合物中依次加入405mg(2mmol)的三叔丁基膦[131274-22-1]和404mg(1.8mmol)的乙酸钯(II)，然后将混合物在80℃下搅拌24小时。冷却后，将反应混合物用每次500ml水洗涤三次。有机相经硫酸镁干燥，通过经硅胶床以甲苯浆液形式过滤而从其过滤硫酸镁，并且将滤液减压浓缩至干。对残余物进行快速色谱法(硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自A.Semrau的Torrent自动柱系统)。产率：36.3g(67mmol)67％；纯度：约97％，根据1H NMR。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020000861
Figure BDA0003687813020000871
Figure BDA0003687813020000881
实施例S150：
Figure BDA0003687813020000882
向充分搅拌的36.8g(100mmol)的1,2,3,5-四氢-1,1,2,2,3,3-六甲基-8-苯基环戊[b]咔唑[2082697-87-6]、16.4g(110mmol)的4-叔丁基苯胺[769-92-6]、12.1g(125mmol)的叔丁醇钠于1000ml甲苯中的混合物中依次加入405mg(2mmol)的三叔丁基膦[131274-22-1]和404mg(1.8mmol)的乙酸钯(II)，然后将混合物在100℃下搅拌16小时。冷却后，反应混合物用每次500ml水洗涤三次。有机相经硫酸镁干燥，通过经硅胶床以甲苯浆液形式过滤而从其过滤硫酸镁，并且将滤液减压浓缩至干。对残余物进行快速色谱法(硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自A.Semrau的Torrent自动柱系统)。产率：43.9g(88mmol)88％；纯度：约97％，根据1H NMR。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020000883
Figure BDA0003687813020000891
Figure BDA0003687813020000901
实施例S200：
Figure BDA0003687813020000902
在室温下在黑暗中，向充分搅拌的54.0g(100mmol)的S100、1000ml冰醋酸和1000ml二氯甲烷(DCM)的混合物中滴加10.8ml(210mmol)的溴和200ml DCM的混合物中，然后将混合物再搅拌24小时。加入200ml饱和亚硫酸钠溶液和500ml水，并且分离出有机相并用每次500ml水洗涤三次和用饱和氯化钠溶液洗涤一次。加入500ml甲醇并减压蒸馏出DCM，在此过程中产物结晶出来。抽滤出晶体，用每次100ml甲醇洗涤三次并减压干燥。从甲苯或乙腈中重结晶，加入DCM。在T～180℃、p～10-3毫巴下干燥。产率：62.8g(90mmol)90％；纯度：约97％，根据1H NMR。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020000903
Figure BDA0003687813020000911
Figure BDA0003687813020000921
Figure BDA0003687813020000931
实施例S250：
Figure BDA0003687813020000941
向充分搅拌的27.2g(100mmol)的2-溴-6,7,8,9,10,11-六氢-5,9:7,11-二甲桥-5H-苯并环壬烯[1801624-97-4]、5.3g(50mmol)的4-甲基苯胺[106-49-0]、24.2g(250mmol)的叔丁醇钠于600ml甲苯中的混合物中依次加入405mg(2mmol)的三叔丁基膦[131274-22-1]和404mg(1.8mmol)的乙酸钯(II)，然后将混合物在110℃下搅拌16小时。冷却后，将反应混合物用每次500ml水洗涤三次。有机相经硫酸镁干燥，通过经硅胶床以甲苯浆液形式过滤而从其过滤硫酸镁，并且将滤液减压浓缩至干。对残余物进行快速色谱法(硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自A.Semrau的Torrent自动柱系统)。产率：20.0g(41mmol)82％；纯度：约97％，根据1H NMR。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020000942
Figure BDA0003687813020000951
Figure BDA0003687813020000961
实施例S300：
Figure BDA0003687813020000971
在+5℃下在黑暗中，向充分搅拌的50.0g(100mmol)的S250于500ml THF中的混合物中以多份加入35.6g(200mmol)的N-溴代琥珀酰亚胺，然后将混合物再搅拌4小时。减压除去大部分THF并加入300ml甲醇，将混合物再搅拌30分钟，并抽滤出粗产物，用每次50ml甲醇洗涤三次并减压干燥。通过从加入有DCM的乙腈中重结晶或通过快速色谱法(硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自A.Semrau的Torrent自动柱系统)实现纯化。在T～160℃、p～10-3毫巴下干燥。产率：48.0g(73mmol)73％；纯度：约95％，根据1H NMR。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020000972
Figure BDA0003687813020000981
Figure BDA0003687813020000991
实施例S400：
Figure BDA0003687813020000992
向充分搅拌的13.6g(50mmol)的2-溴-6,7,8,9,10,11-六氢-5,9:7,11-二甲桥-5H-苯并环壬烯[1801624-97-4]、13.9g(50mmol)的2-氨基-6,7,8,9,10,11-六氢-5,9:7,11-二甲桥-5H-苯并环壬烯[1801624-97-4]、5.8g(60mmol)的叔丁醇钠于300ml甲苯中的混合物中加入732mg(1mmol)的双(二苯基膦基)二茂铁氯化钯(II)[72287-62-4]，然后将混合物在110℃下搅拌16小时。冷却后，将反应混合物用每次500ml水洗涤三次。有机相经硫酸镁干燥，通过经硅胶床以甲苯浆液形式过滤而从其过滤硫酸镁，并且将滤液减压浓缩至干。对残余物进行快速色谱法(硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自A.Semrau的Torrent自动柱系统)。产率：18.4g(45mmol)90％；纯度：约97％，根据1H NMR。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020001001
Figure BDA0003687813020001011
Figure BDA0003687813020001021
Figure BDA0003687813020001031
实施例S450：
Figure BDA0003687813020001032
将45.1g(110mmol)的S400、11.3g(50mmol)的1-溴-2,3-二氯苯[56961-77-4]、12.5g(130mmol)的叔丁醇钠[865-48-5]、354mg(0.5mmol)的(amphos)2PdCl2[887919-35-9]和200ml邻二甲苯的混合物在80℃下搅拌3小时，然后在130℃下搅拌6小时。冷却后，将反应混合物与500ml乙酸乙酯和500ml水混合，并且分离有机相，用500ml水洗涤一次和用每次300ml饱和氯化钠溶液洗涤两次，并经硫酸镁干燥。混合物以乙酸乙酯浆液形式通过硅胶床过滤，将滤液浓缩至干，残余物与300ml乙醇一起煮沸，滤出固体，并且将这些固体用50ml乙醇洗涤两次并减压干燥。产率：29.3g(31.5mmol)63％；纯度：约95％，根据1H NMR。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020001041
Figure BDA0003687813020001051
Figure BDA0003687813020001061
Figure BDA0003687813020001071
Figure BDA0003687813020001081
Figure BDA0003687813020001091
Figure BDA0003687813020001101
实施例，掺杂剂D1：
后面的顺序作为三阶段一锅反应进行。
步骤1：S200的锂化
Figure BDA0003687813020001102
向带有磁力搅拌棒、滴液漏斗、水分离器、回流冷凝器和氩气毯覆的经烘干的氩气惰性化四颈烧瓶中装入含34.9g(50mmol)的S200的1700ml叔丁基苯。将反应混合物冷却至-40℃，然后滴加110.5ml(210mmol)的叔丁基锂(1.9M于正戊烷中)。将混合物在-40℃下再搅拌30分钟，使其升温至室温，然后加热至70℃，在此过程中经由水分离器在约1小时内蒸馏出正戊烷。
步骤2：金属转移和环化
Figure BDA0003687813020001111
将反应混合物冷却回-40℃。经约10分钟的时段滴加10.4ml(110mmol)的三溴化硼。添加完成后，将反应混合物在室温下搅拌1小时。然后将反应混合物冷却至0℃，并且经约30分钟的时段滴加19.2ml(110mmol)的二异丙基乙胺。然后将反应混合物在160℃下搅拌16小时。冷却后，使用双端玻璃料抽滤出二异丙基乙基氢溴化铵，并且将滤液冷却至-78℃。
步骤3：芳基化为D1
Figure BDA0003687813020001112
向带有磁力搅拌棒的第二个经烘干的氩气惰性化Schlenk烧瓶中装入含27.8g(150mmol)的2-溴-1,3-二甲基苯[576-22-7]的1000ml二乙醚并冷却至-78℃。经约20分钟向其中滴加60.0ml(150mmol)的正丁基锂(2.5M于正己烷中)，并且将混合物再搅拌30分钟。使反应混合物升温至室温并再搅拌1小时，并在减压下完全除去溶剂。将有机锂悬浮在300ml甲苯中并转移到来自步骤2的低温反应混合物中。将混合物再搅拌1小时，并且使反应混合物升温至室温过夜。向反应混合物中小心地加入15ml丙酮，将其浓缩至干。油性残余物用DCM吸收到
Figure BDA0003687813020001121
上，并通过硅胶床用正戊烷-DCM混合物(10:1)进行热过滤。将滤液浓缩至干。对残余物进行两次快速色谱法(硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自A.Semrau的Torrent自动柱系统)。通过用乙腈重复热萃取结晶和最终分级升华或减压热处理来实现进一步纯化。产率：16.1g(21mmol)42％；纯度：约99.9％，根据1H NMR。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020001122
Figure BDA0003687813020001131
Figure BDA0003687813020001141
Figure BDA0003687813020001151
Figure BDA0003687813020001161
Figure BDA0003687813020001171
Figure BDA0003687813020001181
Figure BDA0003687813020001191
Figure BDA0003687813020001201
Figure BDA0003687813020001211
实施例，掺杂剂D100：
步骤1：S450的锂化
Figure BDA0003687813020001221
向带有磁力搅拌棒、滴液漏斗、水分离器、回流冷凝器和氩气毯覆的经烘干的氩气惰性化四颈烧瓶中装入46.4g(50mmol)的S450和200ml叔丁基苯，并冷却至-40℃。经10分钟将64.7ml(110mmol)的叔丁基锂(1.7M于正戊烷中)滴加到混合物中。使反应混合物升温至室温并在60℃下再搅拌3小时，在此过程中经由水分离器蒸馏出正戊烷。
步骤2：金属转移和环化
Figure BDA0003687813020001222
将反应混合物冷却回-40℃。经约10分钟的时段滴加5.7ml(60mmol)的三溴化硼。添加完成后，将反应混合物在室温下搅拌1小时。然后将反应混合物冷却至0℃，并经约30分钟的时段滴加21.0ml(120mmol)的二异丙基乙胺。然后将反应混合物在130℃下搅拌5小时。冷却后，混合物用500ml甲苯稀释，并通过加入300ml的10重量％乙酸钾水溶液水解，并且分离有机相并减压浓缩至干。油性残余物用DCM吸收到
Figure BDA0003687813020001223
上，并通过硅胶床用正戊烷-DCM混合物(10:1)进行热过滤。将滤液浓缩至干。对残余物进行两次快速色谱法(硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自A.Semrau的Torrent自动柱系统)。通过用乙腈重复热萃取结晶和最终分级升华或减压热处理来实现进一步纯化。产率：18.5g(20.5mmol)41％；纯度：约99.9％，根据1H NMR。
可以类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003687813020001231
Figure BDA0003687813020001241
Figure BDA0003687813020001251
Figure BDA0003687813020001261
Figure BDA0003687813020001271
1)真空加工器件：
本发明的OLED和根据现有技术的OLED是通过根据WO2004/058911的通用方法生产，所述方法适用于这里描述的情形(层厚的变化、使用的材料)。
在以下实施例中，呈现了各种OLED的结果。涂有厚度为50nm的结构化ITO(氧化锡铟)的清洁玻璃板(在Miele实验室玻璃清洗机、Merck Extran清洁剂中清洗)用UV臭氧预处理25分钟(来自UVP的PR-100UV臭氧发生器)，并且在30分钟内，为改进加工，涂有20nm的PEDOT:PSS(聚(3,4-乙亚基二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)，以CLEVIOSTM P VP AI 4083购自Heraeus Precious Metals GmbH Deutschland，从水溶液中旋涂)，然后在180℃下烘烤10分钟。这些涂布玻璃板形成了施加OLED的基底。
所述OLED基本上具有以下层结构：基底/由掺杂有5％NDP-9(购自Novaled)的Ref-HTM1组成的空穴注入层1(HIL1)，20nm/由160nm HTM1组成的空穴传输层1(HTL1)/发光层(EML)20nm/空穴阻挡层(HBL)10nm/电子传输层(ETL)20nm/由1nm ETM2组成的电子注入层(EIL)/最后是阴极。所述阴极由厚度100nm的铝层形成。
首先，描述真空加工的OLED。为此目的，所有材料都在真空室中通过热气相沉积施加。在这种情况下，发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和通过共蒸发以特定体积比例添加到基质材料中的发光掺杂剂(发光体)组成。以例如SMB1:D1(95:5％)的形式给出的细节在此表示材料SMB1以95％的体积比例存在于层中，而D1以5％的比例存在。类似地，电子传输层也可以由两种材料的混合物组成。OLED的确切结构可见于表1中。用于生产OLED的材料示于表3中。
所述OLED以标准方式表征。为此目的，测定了电致发光谱，从呈现郎伯发光特性的电流-电压-发光密度特性线(IUL特性线)计算作为发光密度的函数的电流效率(以cd/A计量)、功率效率(以lm/W计量)和外量子效率(EQE，以百分比计量)。电致发光谱在1000cd/m2的发光密度下测定，并且这些用于计算CIE 1931y颜色坐标。
本发明化合物作为OLED中的材料的用途：
本发明化合物的一种用途是作为OLED发光层中的掺杂剂。根据现有技术，使用根据表3的化合物作为比较。所述OLED的结果整理在表2中。
表1：OLED的结构
Figure BDA0003687813020001281
Figure BDA0003687813020001291
Figure BDA0003687813020001301
表2：真空加工的OLED的结果
Figure BDA0003687813020001302
表3：所用材料的列表
Figure BDA0003687813020001305
Figure BDA0003687813020001311
通过与参考文献比较，本发明化合物显示出更窄的电致发光谱，可通过更小的FWHM值(半峰全宽-在峰高的一半处发光光谱的宽度(nm))来识别。这导致更小的CIE y颜色坐标，对应于改进的色纯度。此外，在一些情况下，它们具有更高的效率和更低的工作电压，其另外导致功率效率的提高。

Claims (23)

1.一种包含至少一种式(I)结构的化合物，优选式(I)的化合物：
Figure FDA0003687813010000011
其中使用的符号和标记如下：
Z是N、P、B、Al、P(＝O)、P(＝S)或Ga，优选N、P(＝O)、B或Al，更优选N或B；
Y1、Y2、Y3是键、N(Ar)、N(R)、P(Ar)、P(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、P(＝S)Ar、P(＝S)R、B(Ar)、B(R)、Al(Ar)、Al(R)、Ga(Ar)、Ga(R)、C＝O、C(R)2、Si(R)2、C＝NR、C＝NAr、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O或SO2，优选键、N(Ar)、N(R)、B(Ar)、B(R)、P(R)、P(＝O)Ar、C＝O、C(R)2、O、S、S＝O或SO2，更优选键、C(R)2、O、S、N(Ar)或B(Ar)；
p2、p3相同或不同并且为0或1；
X是N、CR，或者在Y1、Y2或Y3基团与其结合时是C，条件是一个环中不超过两个X基团是N；
R在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar)2，N(R1)2，C(＝O)N(Ar)2，C(＝O)N(R1)2，C(Ar)3，C(R1)3，Si(Ar)3，Si(R1)3，B(Ar)2，B(R1)2，C(＝O)Ar，C(＝O)R1，P(＝O)(Ar)2，P(＝O)(R1)2，P(Ar)2，P(R1)2，S(＝O)Ar，S(＝O)R1，S(＝O)2Ar，S(＝O)2R1，OSO2Ar，OSO2R1，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR1、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子并且可以被一个或多个R1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个R基团也可以一起形成环系；
Ar在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子键合的两个Ar基团也可以通过单键或选自B(R1)、C(R1)2、Si(R1)2、C＝O、C＝NR1、C＝C(R1)2、O、S、S＝O、SO2、N(R1)、P(R1)和P(＝O)R1的桥经由桥连接在一起；
R1在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar')2，N(R2)2，C(＝O)Ar'，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar')2，P(Ar')2，B(Ar')2，B(R2)2，C(Ar')3，C(R2)3，Si(Ar')3，Si(R2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2代替并且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系中的每个可以被一个或多个R2基团取代，或具有5至60个芳族环原子并且可以被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至60个芳族环原子并且可以被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R1基团一起可以形成环系；同时，一个或多个R1基团可以与所述化合物的另一部分形成环系；
Ar'在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并且可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子键合的两个Ar'基团也可以通过单键或选自B(R2)、C(R2)2、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、C＝C(R2)2、O、S、S＝O、SO2、N(R2)、P(R2)和P(＝O)R2的桥经由桥连接在一起；
R2在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，CN，具有1至20个碳原子的脂族烃基，或芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系具有5至30个芳族环原子并且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I或CN代替并且其可以被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代；同时，两个或更多个优选相邻的取代基R2一起可以形成环系；
条件是
如果Z选自N和P，则所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是P(＝O)Ar、P(＝O)R、B(Ar)、B(R)、Al(Ar)、Al(R)、Ga(Ar)、Ga(R)、C＝O、S＝O或SO2，优选B(Ar)、B(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、C＝O、S＝O或SO2，更优选B(R)或B(Ar)，或者
如果Z选自B、Al、P(＝O)、P(＝S)和Ga，则所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是N(Ar)、N(R)、P(Ar)、P(R)、O、S或Se，优选N(Ar)、N(R)、O或S，更优选N(Ar)；
其特征在于至少两个R基团与所述两个R基团所结合的另外的基团一起形成稠环，其中所述两个R基团形成至少一种式(RA-1)至(RA-12)的结构：
Figure FDA0003687813010000031
Figure FDA0003687813010000041
其中R1具有上述定义，虚线键表示与所述两个R基团所结合的基团的原子的连接位点，并且其它符号具有以下定义：
Y4在每种情况下相同或不同并且是C(R1)2、(R1)2C-C(R1)2、(R1)C＝C(R1)、NR1、NAr、O或S，优选C(R1)2、(R1)2C-C(R1)2、(R1)C＝C(R1)、O或S；
Ra在每种情况下相同或不同并且是F，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子并且可以被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个Ra基团也可以一起形成环系；
s为0、1、2、3、4、5或6，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2；
t为0、1、2、3、4、5、6、7或8，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2；
v为0、1、2、3、4、5、6、7、8或9，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2。
2.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物包含至少一种式(IIa)、(IIb)、(IIc)和(IId)的结构，优选选自式(IIa)、(IIb)、(IIc)和(IId)的化合物：
Figure FDA0003687813010000051
其中p2、p3、Y1、Y2、Y3、X、Z和R具有权利要求1中给出的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，其中所述标记m和n的总和优选为0、1、2、3或4。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，所述化合物包含至少一种式(IIIa)、(IIIb)和(IIIc)的结构，优选选自式(IIIa)、(IIIb)和(IIIc)的化合物：
Figure FDA0003687813010000061
其中Y1、Y2、Y3、X、Z和R具有权利要求1中给出的定义，标记l为0、1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，其中所述标记l、m和n的总和优选为2、3、4、5、6、7或8，优选所述式(IIIa)和(IIIb)的结构，并且特别优选所述式(IIIa)的结构。
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物，其特征在于形成所述式(RA-1)至(RA-12)的结构并形成稠环的所述至少两个R基团是来自相邻X基团的R基团。
5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于至少两个R基团与所述两个R基团所结合的另外的基团一起形成稠环，其中所述两个R基团形成至少一种式(RA-1a)至(RA-4f)的结构：
Figure FDA0003687813010000071
其中符号Ra和R1以及标记s和t具有权利要求1中给出的定义，并且标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2。
6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的化合物，所述化合物包含至少一种式(IVa)至(IVu)的结构，优选选自式(IVa)至(IVu)的化合物：
Figure FDA0003687813010000081
Figure FDA0003687813010000091
Figure FDA0003687813010000101
其中Y1、Y2、Y3、X、Z和R具有权利要求1中给出的定义，符号o表示至少一种结构(RA-1)至(RA-12)的连接位点，标记l为0、1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，标记j为0、1或2，优选0或1，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k、j、l、m和n的总和优选为0、1、2、3、4、5或6，优选所述式(IVa)至(IVk)的结构/化合物并且特别优选所述式(IVa)至(IVc)的结构/化合物。
7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的化合物，所述化合物包含至少一种式(IVa-1)至(IVb-4)的结构，优选选自式(IVa-1)至(IVb-4)的化合物：
Figure FDA0003687813010000102
Figure FDA0003687813010000111
其中标记s和v以及符号Y1、Y2、Y3、Y4、X、Z、R、Ra和R1具有权利要求1中给出的定义，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k和n的总和优选为0、1、2、3、4、5或6，更优选为2、3、4或5。
8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的化合物，其中至少两个R基团与所述两个R基团所结合的另外的基团一起形成稠环，其中所述两个R基团形成式(RB)的结构：
Figure FDA0003687813010000121
其中R1具有权利要求1中所述的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且Y5是C(R1)2、NR1、NAr、O或S，优选C(R1)2、NAr或O。
9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的化合物，其中所述化合物具有至少两个稠环，其中至少一个稠环是由所述式(RA-1)至(RA-12)的结构形成并且另一个环是由所述式(RA-1)至(RA-12)或(RB)的结构形成，所述化合物包含至少一种式(Va)至(Vz)的结构，优选选自式(Va)至(Vz)的化合物：
Figure FDA0003687813010000122
Figure FDA0003687813010000131
Figure FDA0003687813010000141
Figure FDA0003687813010000151
其中Y1、Y2、Y3、X、Z和R具有权利要求1中给出的定义，符号o表示至少一种所述式(RA-1)至(RA-12)的结构或所述式(RB)的结构的连接位点，标记l为0、1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，标记j为0、1或2，优选0或1，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k、j、l、m和n的总和优选为0、1、2、3或4，更优选为2、3或4，优选所述式(Va)至(Vp)的结构/化合物并且特别优选所述式(Va)至(Vd)的结构/化合物。
10.根据权利要求1至6、8和9中的一项或多项所述的化合物，所述化合物包含至少一种式(IVe-1)至(IVh-4)的结构，优选选自式(IVe-1)至(IVh-4)的化合物：
Figure FDA0003687813010000161
Figure FDA0003687813010000171
其中标记s和v、Y1、Y2、Y4、X、Z、R、Ra和R1具有权利要求1中给出的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，标记j为0、1或2，优选0或1，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k、j、l、m和n的总和优选为0、1、2、3、4、5、6、7或8，更优选为2、3、4、5或6。
11.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的化合物，所述化合物包含至少一种式(Va-1)至(Va-18)的结构，优选选自式(Va-1)至(Va-18)的化合物：
Figure FDA0003687813010000181
Figure FDA0003687813010000191
其中标记s和v、Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、X、Z、R、Ra和R1具有权利要求1或权利要求8中给出的定义，标记m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，标记n为0、1、2或3，优选0、1或2，并且标记k为0或1，优选0，其中所述标记k、m和n的总和优选为0、1、2、3、4、5、6、7或8，更优选为0、1、2、3或4。
12.根据权利要求1至9和11中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，在所述式(I)、(IIa)、(IIb)中，所述标记p2和p3的总和为2并且所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是键，所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者并且优选至少两者是B(Ar)或B(R)并且Z是N，和/或，在所述式(IIIa)、(IVa)至(IVc)、(Va)至(Vd)或(Va-1)至(Va-18)中，所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是键，所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者并且优选至少两者是B(Ar)或B(R)并且Z是N。
13.根据权利要求1至9和11中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，在所述式(I)、(IIa)、(IIb)中，所述标记p2和p3的总和为2，并且所述Y1、Y2、Y3基团中的至少两者，优选所有Y1、Y2、Y3基团是B(Ar)或B(R)并且Z是N，和/或，在所述式(IIIa)、(IVa)至(IVc)、(Va)至(Vd)或(Va-1)至(Va-18)中，所述Y1、Y2、Y3基团中的至少两者，优选所有Y1、Y2、Y3基团是B(Ar)或B(R)并且Z是N。
14.根据权利要求1至9和11中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，在所述式(I)、(IIa)、(IIb)中，所述标记p2和p3的总和为2并且所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是键，所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者并且优选至少两者是N(Ar)或N(R)并且Z是B，和/或，在所述式(IIIa)、(IVa)至(IVc)、(Va)至(Vd)或(Va-1)至(Va-18)中，所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者是键，所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者并且优选至少两者是N(Ar)或N(R)并且Z是B。
15.根据权利要求1至9和11中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，在所述式(I)、(IIa)、(IIb)中，所述标记p2和p3的总和为2，并且所述Y1、Y2、Y3基团中的至少两者，优选所有Y1、Y2、Y3基团是N(Ar)或N(R)并且Z是B，和/或，在所述式(IIIa)、(IVa)至(IVc)、(Va)至(Vd)或(Va-1)至(Va-18)中，所述Y1、Y2、Y3基团中的至少两者，优选所有Y1、Y2、Y3基团是N(Ar)或N(R)并且Z是B。
16.根据权利要求1至6和8至10中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，在所述式(I)和(IIa)至(IId)中，所述标记p2和p3的总和为1或标记p2为1，并且所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者，优选所述Y1、Y2、Y3基团中的两者是B(Ar)或B(R)并且Z是N，和/或，在所述式(IIIb)、(IVd)至(IVm)或(Ve)至(Vp)中，所述Y1、Y2基团中的至少一者，优选Y1、Y2基团两者是B(Ar)或B(R)并且Z是N。
17.根据权利要求1至6和8至10中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，在所述式(I)和(IIa)至(IId)中，所述标记p2和p3的总和为1或标记p2为1，并且所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者，优选所述Y1、Y2、Y3基团中的两者是N(Ar)或N(R)并且Z是B，和/或，在所述式(IIIb)、(IVd)至(IVm)或(Ve)至(Vp)中，所述Y1、Y2基团中的至少一者，优选Y1、Y2基团两者是N(Ar)或N(R)并且Z是B。
18.一种低聚物、聚合物或树枝状大分子，所述低聚物、聚合物或树枝状大分子含有一种或多种根据权利要求1至17中的任一项所述的化合物，其中存在一个或多个从所述化合物到所述低聚物、聚合物或树枝状大分子的键而不是氢原子或取代基。
19.一种制剂，所述制剂包含至少一种根据权利要求1至17中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求18所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子和至少一种另外的化合物，其中所述另外的化合物优选选自一种或多种溶剂。
20.一种组合物，所述组合物包含至少一种根据权利要求1至17中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求18所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子和至少一种另外的化合物，所述另外的化合物选自荧光发光体、磷光发光体、显示TADF的发光体、主体材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、电子阻挡材料和空穴阻挡材料。
21.一种用于制备根据权利要求1至17中的一项或多项所述的化合物的方法，其特征在于，合成具有Z基团或所述Z基团的前体的基本骨架，并且借助于亲核芳族取代反应或偶联反应引入所述Y1、Y2、Y3基团中的至少一者。
22.根据权利要求1至17中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求18所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子在电子器件中的用途。
23.一种电子器件，所述电子器件包含至少一种根据权利要求1至17中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求18所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中所述电子器件优选是电致发光器件。
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