CN109790173B - 具有二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩结构的咔唑 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及特别用于电子器件中的被咔唑结构取代的二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩衍生物。本发明还涉及用于制造根据本发明的化合物的方法和包含所述化合物的电子器件。

Description

具有二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩结构的咔唑
本发明描述了特别用于电子器件中的具有咔唑结构的二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩衍生物。本发明还涉及用于制备本发明化合物的方法和包含这些化合物的电子器件。
在例如US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中描述了其中使用有机半导体作为功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构。所用的发光材料通常是表现出磷光的有机金属络合物。出于量子力学的原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体，可实现高达四倍的能量效率和功率效率。一般而言，仍然需要在例如效率、工作电压和寿命方面改善OLED，特别是表现出磷光的OLED。
有机电致发光器件的性质不仅取决于所用的发光体。此处特别重要的尤其还有所用的其它材料，如主体和基质材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料和电子或激子阻挡材料。对这些材料的改善可引起对电致发光器件的明显改善。
根据现有技术，杂芳族化合物经常用作磷光化合物的基质材料并且用作电子传输材料。用于该功能的已知实例包括被咔唑基团取代的二氮杂二苯并呋喃衍生物，如JP5604848 B2、WO 2015/182872 A1、KR20160026661和WO 2014/157599 A1中所公开的。然而，二氮杂二苯并呋喃基团并不一定具有在二氮杂二苯并呋喃基团的二氮杂苯基基团中通过芳基或杂芳基基团进行的双取代、和在二氮杂二苯并呋喃单元的无氮苯环上的其它取代。此外，一些详述的化合物在二氮杂二苯并呋喃基团中具有两个二氮杂苯基基团。
一般而言，在例如用作基质材料的这些材料的情况下，仍然需要改善，特别是在器件的寿命方面、以及效率和工作电压方面更是如此。
因此，本发明解决的问题是提供适用于有机电子器件，特别是有机电致发光器件中的化合物以及提供相应的电子器件，所述化合物在用于这种器件中时产生良好的器件性能。
更特别地，本发明解决的问题是提供产生高寿命、良好效率和低工作电压的化合物。特别地，基质材料的性质也对有机电致发光器件的寿命和效率具有重要影响。
可认为本发明解决的另一个问题是提供适用于磷光或荧光OLED，特别是适用作基质材料的化合物。本发明的一个特定目的是提供适用于发红色、黄色和绿色磷光的OLED并还可适用于发蓝色磷光的OLED的基质材料。
此外，可认为本发明解决的另一个问题是提供适用于磷光或荧光OLED，特别是适用作电子传输材料的化合物。
此外，所述化合物应该可以非常简单的方式处理，并且特别表现出良好的溶解性和膜形成性。例如，化合物应表现出提高的氧化稳定性和改善的玻璃化转变温度。
可认为另一个目的是非常经济地以恒定质量提供具有优良性能的电子器件。
此外，所述电子器件应该可以用于或适应于许多目的。更特别地，电子器件的性能应该在宽的温度范围内保持。
已经惊讶地发现，下文详述的特定化合物解决了这些问题并且消除了现有技术的缺点。使用所述化合物产生有机电子器件，特别是有机电致发光器件的非常好的性质，特别是在寿命、效率和工作电压方面更是如此。因此，本发明提供含有此类化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件，以及相应的优选实施方式。
因此，本发明提供包含下式(A)的结构的化合物：
Figure BDA0002006746010000031
其中使用的符号如下：
Y1是O或S；
W在每种情况下是相同或不同的，并且是N或CR1，优选CR1，条件是在一个环中不超过两个W基团是N；
X在每种情况下是相同或不同的，并且是N或CR1，优选CR1，条件是在一个环中不超过两个X基团是N；
L1是键或具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
A在每种情况下是相同或不同的，并且是N、CAra或CArb，其中正好两个A是被至少一个CAra或CArb基团分开的N，条件是如果两个N与A相邻，则该A是CArb；
Ara在每种情况下是相同或不同的，并且是CN、F或具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
Arb在每种情况下是相同或不同的，并且是CN、F或具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
R1在每种情况下是相同或不同的，并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R2)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar1)2，P(Ar1)2，B(Ar1)2，Si(Ar1)3，Si(R2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻CH2基团可被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2代替并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系中的每个可被一个或多个R2基团取代，或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个取代基R1还可一起形成单环或多环的脂族或芳族环系；
Ar1在每种情况下是相同或不同的，并且是具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个非芳族R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子键合的两个Ar1基团也可经由单键桥连基或选自B(R2)、C(R2)2、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、C＝C(R2)2、O、S、S＝O、SO2、N(R2)、P(R2)和P(＝O)R2的桥连基连接在一起；
R2在每种情况下是相同或不同的，并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，B(OR3)2，CHO，C(＝O)R3，CR3＝C(R3)2，C(＝O)OR3，C(＝O)N(R3)2，Si(R3)3，P(R3)2，B(R3)2，N(R3)2，NO2，P(＝O)(R3)2，OSO2R3，OR3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R3基团取代，其中一个或多个不相邻CH2基团可被-R3C＝CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、C＝O、C＝S、C＝NR3、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR3-、NR3、P(＝O)(R3)、-O-、-S-、SO或SO2代替并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R3基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个相邻R2取代基还可一起形成单环或多环的脂族或芳族环系；
R3在每种情况下是相同或不同的，并且是H，D，F或具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基基团，其中氢原子还可被F代替；同时，两个或更多个相邻R3取代基还可一起形成单环或多环的脂族或芳族环系；
n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1，特别优选0。
本发明上下文中的相邻碳原子是彼此直接键合的碳原子。另外，基团定义中的“相邻基团”是指这些基团与同一碳原子或相邻碳原子键合。相应地，这些定义尤其适用于术语“相邻基团”和“相邻取代基”。
在本说明书的上下文中，两个或更多个基团可一起形成环的表述应尤其是指两个基团通过化学键彼此连接，同时在形式上消除了两个氢原子。这通过以下方案说明：
Figure BDA0002006746010000051
然而，另外，上述表述还应指如果两个基团中的一个是氢，则第二个基团结合至氢原子所键合的位置处，从而形成环。这将通过以下方案说明：
Figure BDA0002006746010000061
本发明上下文中的稠合的芳基基团、稠合的芳族环系或稠合的杂芳族环系是指如下基团，其中两个或更多个芳族基沿共同边彼此稠合(即，增环)，使得例如两个碳原子属于至少两个芳族或杂芳族环，如在例如萘中那样。相比之下，例如，在本发明的上下文中，芴不是稠合的芳基基团，因为芴中的两个芳族基团不具有共同的边。相应的定义适用于杂芳基基团和也可含有但不是必须含有杂原子的稠合环系。
本发明上下文中的芳基基团含有6至40个碳原子；本发明上下文中的杂芳基基团含有2至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总数至少为5。杂原子优选选自N、O和/或S。此处，芳基基团或杂芳基基团是指简单的芳族环，即苯，或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合的芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。
本发明上下文中的芳族环系在环系中含有6至40个碳原子。本发明上下文中的杂芳族环系在环系中含有1至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总数至少为5。杂原子优选选自N、O和/或S。本发明上下文中的芳族或杂芳族环系是指如下体系，其不是必须仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中两个或更多个芳基或杂芳基基团还可被非芳族单元(优选少于除H之外的原子的10％)，例如碳、氮或氧原子或羰基基团中断。因此，例如，如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、茋等的体系也将被认为是本发明上下文中的芳族环系，并且其中两个或更多个芳基基团例如被直链或环状的烷基基团或被甲硅烷基基团中断的体系也是如此。另外，其中两个或更多个芳基或杂芳基基团彼此直接键合的体系，例如联苯、三联苯、四联苯或联吡啶也应被认为是芳族或杂芳族环系。
本发明上下文中环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团是指单环、双环或多环的基团。
在本发明的上下文中，个别氢原子或CH2基团也可被上述基团代替的C1至C20烷基基团是指例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2.2.2]辛基、2-双环[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)环己-1-基、1-(正丁基)环己-1-基、1-(正己基)环己-1-基、1-(正辛基)环己-1-基和1-(正癸基)环己-1-基基团。烯基基团是指例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。炔基基团是指例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。C1至C40烷氧基基团是指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。
具有5-40个芳族环原子并且在每种情况下还可被上述基团取代并且可经由任何期望位置与芳族或杂芳族体系连接的芳族或杂芳族环系是指例如源自以下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、
Figure BDA0002006746010000071
苝、荧蒽、苯并荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺-或反-茚并芴、顺-或反-单苯并茚并芴、顺-或反-二苯并茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩
Figure BDA0002006746010000081
嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、
Figure BDA0002006746010000082
唑、苯并
Figure BDA0002006746010000083
唑、萘并
Figure BDA0002006746010000084
唑、蒽并
Figure BDA0002006746010000085
唑、菲并
Figure BDA0002006746010000086
唑、异
Figure BDA0002006746010000087
唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩
Figure BDA0002006746010000088
嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-
Figure BDA0002006746010000089
二唑、1,2,4-
Figure BDA00020067460100000810
二唑、1,2,5-
Figure BDA00020067460100000811
二唑、1,3,4-
Figure BDA00020067460100000812
二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑。
在一个优选的构型中，本发明化合物可形成式(I)、(II)或(III)的结构
Figure BDA00020067460100000813
Figure BDA0002006746010000091
其中符号X、Ara、Arb、Y1、L1、R1、n和W具有上面对于式(A)所述的定义。优选的是具有式(I)和/或(II)的结构的化合物。
优选地，本发明化合物可包含式(Ia)、(IIa)和/或(IIIa)的结构，优选式(Ia)和/或(IIa)的结构
Figure BDA0002006746010000092
Figure BDA0002006746010000101
其中符号X、Ara、Arb、Y1、L1、R1、n和W具有上文特别是对于式(A)、(I)、(II)或(III)所述的定义。
优选地，本发明化合物可包含式(Ib)、(IIb)和/或(IIIb)中的至少一种的结构，优选式(Ib)和/或(IIb)的结构
Figure BDA0002006746010000102
Figure BDA0002006746010000111
其中符号X、Ara、Arb、Y1、L1、R1、n和W具有上文特别是对于式(A)、(I)、(II)或(III)所述的定义。
优选地，本发明化合物可包含式(Ic)、(IIc)和/或(IIIc)中的至少一种的结构，优选式(Ic)和/或(IIc)的结构
Figure BDA0002006746010000112
Figure BDA0002006746010000121
其中符号X、Ara、Arb、Y1、L1、R1、n和W具有上文特别是对于式(A)、(I)、(II)或(III)所述的定义。
所述化合物还可包含式(Id)、(IId)和/或(IIId)的结构中的至少一种，优选式(Id)和/或(IId)的结构
Figure BDA0002006746010000122
Figure BDA0002006746010000131
其中符号X、Ara、Arb、Y1、L1、R1、n和W具有上文特别是对于式(A)、(I)、(II)或(III)所述的定义。
在包含式(Ia)至式(IIId)的结构的上文详述的化合物中，优选的是含有式(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)和/或(IIId)的结构的那些化合物，特别优选的是具有式(Ic)、(IIc)和/或(IIIc)的结构的化合物。
所述化合物还可包含式(IV)、(V)和/或(VI)的结构中的至少一种，优选式(IV)和/或(V)的结构
Figure BDA0002006746010000132
Figure BDA0002006746010000141
其中符号Ara、Arb、Y1、L1、R1、n和W具有上文特别是对于式(A)、(I)、(II)或(III)所述的定义，并且m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2。
所述化合物还可包含式(IVa)、(Va)和/或(VIa)的结构中的至少一种，优选式(IVa)和/或(Va)的结构
Figure BDA0002006746010000142
Figure BDA0002006746010000151
其中符号Ara、Arb、Y1、L1、R1、n和W具有上文特别是对于式(A)、(I)、(II)或(III)所述的定义，并且m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2。
优选地，本发明化合物可包含式(IVb)、(Vb)和/或(VIb)中的至少一种的结构，优选式(IVb)和/或(Vb)的结构
Figure BDA0002006746010000152
Figure BDA0002006746010000161
其中符号Ara、Arb、Y1、L1、R1、n和W具有上文特别是对于式(A)、(I)、(II)或(III)所述的定义，并且m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2。
本发明化合物还可包含式(IVc)、(Vc)和/或(VIc)的结构中的至少一种，优选式(IVc)和/或(Vc)的结构
Figure BDA0002006746010000162
Figure BDA0002006746010000171
其中符号Ara、Arb、Y1、L1、R1、n和W具有上文特别是对于式(A)、(I)、(II)或(III)所述的定义，并且m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2。
所述化合物还可包含式(IVd)、(Vd)和/或(VId)的结构中的至少一种，优选式(IVd)和/或(Vd)的结构
Figure BDA0002006746010000172
Figure BDA0002006746010000181
其中符号Ara、Arb、Y1、L1、R1、n和W具有上文特别是对于式(A)、(I)、(II)或(III)所述的定义，并且m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2。
在包含式(VIa)至(VId)的结构的上文详述的化合物中，优选的是含有式(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)的结构的那些化合物，特别优选的是具有式(IVc)、(Vc)和/或(VIc)的结构的化合物。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)之一的结构中不是符号W所表示的CR1基团的一部分的取代基R1还可不与各自环结构的环原子形成稠合的芳族或杂芳族环系，并且优选不形成任何稠合的环系。这包括与可与R1基团键合的可能存在的R2、R3取代基形成稠合的环系。式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)之一的结构中不是由符号W表示的CR1基团的一部分的取代基R1可优选不与各自环结构的环原子形成任何环系。这包括与可与R1基团键合的可能存在的R2、R3取代基形成环系。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)的结构中标记n和m的总数在每种情况下还可不超过3，优选不超过2并且更优选不超过1。
在式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)的结构中，两个相邻W基团可各自是CR1并且一起形成式(W-1)的基团
Figure BDA0002006746010000191
其中
Y2是N(Ar)、O、S或C(R2)2，优选C(R2)2，
X1在每种情况下是相同或不同的，并且是N或CR2，优选CR2，条件是一个环中不超过两个X基团是N，其中R2具有上文特别是对于式(A)给出的定义，
Ar2在每种情况下是相同或不同的，并且是具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，并且R2基团具有上文特别是对于式(A)给出的定义，并且
虚线表示与相邻原子的键。优选地，包含式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)的结构的化合物优选每个结构具有不超过一个式(W-1)的基团。
还优选如下化合物，所述化合物的特征在于在式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)中，不超过两个W基团是N，优选不超过一个W基团是N，并且优选所有W是CR1，其中优选不超过4个、更优选不超过3个并且特别优选不超过2个由W表示的CR1基团不是CH基团。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)中W基团的R1基团也可不与环结构的环原子形成稠合的芳族或杂芳族环系，并且优选不形成任何稠合的环系。这包括与可与R1基团键合的可能存在的R2、R3取代基形成稠合的环系。式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)中W基团的R1基团可优选不与环结构的环原子形成任何环系。这包括与可与R1基团键合的可能存在的R2、R3取代基形成环系。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)的结构中的Ara和/或Arb基团在每种情况下是相同或不同的，并且是CN、F或具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。在这种情况下，符号Ara和/或Arb优选是具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系。
优选地，在式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)和/或(W-1)的结构中，Ar、Ara和/或Arb基团中的一个具有不超过5个杂原子，优选不超过3个杂原子并且更优选不超过1个杂原子，其中这包括可与这些基团键合的R1、R2和R3取代基。特别优选地，Ar、Ara和/或Arb基团不具有任何杂原子，其中这包括可与这些基团键合的R1、R2和R3取代基。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)和/或(W-1)的结构中的Ar、Ara和/或Arb基团还可具有总共不超过5个杂原子，优选不超过3个杂原子并且更优选不超过1个杂原子，其中这包括可与这些基团键合的R1、R2和R3取代基。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)和/或(W-1)的结构中的Ar、Ara和/或Arb基团还可具有总共不超过50个，优选不超过40个并且更优选不超过22个芳族环原子，其中这包括可与这些基团键合的R1、R2和R3取代基。
式(W-1)的结构中的Ar基团还可不包含任何咔唑基团，其中这包括可与Ar基团键合的R2和R3取代基。
优选地，式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)的结构中的Ara基团不包含任何咔唑基团，其中这包括可与Ara基团键合的R1、R2和R3取代基。
在另一个优选构型中，式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)的结构中的Arb基团可以是式(Arb-1)的基团。
Figure BDA0002006746010000221
其中L2是键或具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，符号R1具有上文特别是对于式(A)给出的定义，m是0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且虚线表示与二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩基团连接的键。
尤其优选的是包含式(VII)和/或(VIII)的结构的化合物
Figure BDA0002006746010000231
其中L2是键或具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，符号Ara、Y1、L1、Y2、R1、n和W具有上文特别是对于式(A)给出的定义，m是0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且虚线表示键。
式(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的结构中的标记m的总数在每种情况下可优选不超过3，优选不超过2并且更优选不超过1。
式(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的结构中的R1基团还可不与R1基团所结合的环结构的环原子形成稠合的芳族或杂芳族环系，并且优选不形成任何稠合的环系。这包括与可与R1基团键合的可能存在的R2、R3取代基形成稠合的环系。式(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的结构中的R1基团可优选不与环结构的环原子形成环系。这包括与可与R1基团键合的可能存在的R2、R3取代基形成环系。
对于式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)和/或(VId)的结构，Ara基团也可以是式(Arb-1)的基团。然而，这通常不是优选的。因此，式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)的结构中的Ara基团可优选不包含任何咔唑基团，其中这包括可与Ara基团键合的R1、R2和R3取代基。
Ar、Ara和/或Arb基团还可选自苯基，邻、间或对联苯，三联苯，特别是支链的三联苯，四联苯，特别是支链的四联苯，1-、2-、3-或4-芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基和1-、2-、3-或4-咔唑基，螺二芴基，芴基，二苯并呋喃基，二苯并噻吩基，蒽基，菲基和/或联三苯叉基，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，但优选未取代，特别优选的是螺二芴、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩、蒽、菲、联三苯叉基团。
在另一个实施方式中，上述化合物中的Ara和Arb都不包含咔唑基团、二苯并呋喃基团或二苯并噻吩基团。特别优选的是上文提到的化合物的Ara和Arb都不包含稠合的杂芳族基团的情况。非常特别优选的是上文提到的化合物的Ara和Arb都不包含杂芳族基团的情况。
在一个优选的构型中，包含式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)的结构的化合物可由式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)的结构表示。优选地，包含式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)的结构的化合物的分子量不超过5000g/mol，优选不超过4000g/mol，特别优选不超过3000g/mol，尤其优选不超过2000g/mol并且最优选不超过1200g/mol。
另外，本发明优选化合物的特征是其是可升华的。这些化合物的摩尔质量通常小于约1200g/mol。
当W是CR1时或当芳族和/或杂芳族基团被R1取代基取代时，这些R1取代基优选选自H，D，F，CN，N(Ar1)2，C(＝O)Ar1，P(＝O)(Ar1)2，具有1至10个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻CH2基团可被O代替并且其中一个或多个氢原子可被D或F代替，具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代但优选未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至25个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团；同时，与同一碳原子或相邻碳原子键合的两个R1取代基任选地可形成可被一个或多个R1基团取代的单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，其中Ar1在每种情况下是相同或不同的，并且表示具有6至40个碳原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基基团，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳烷基基团，其中两个或更多个相邻R2取代基可任选地形成可被一个或多个R3基团取代的单环或多环的脂族环系，其中符号R2具有上文特别是对于式(A)给出的定义。优选地，Ar1在每种情况下是相同或不同的，并且是具有5至24个并且优选5至12个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代但优选未取代的芳基或杂芳基基团。
合适的Ar1基团的实例选自苯基，邻、间或对联苯基，三联苯基，特别是支链的三联苯基，四联苯基，特别是支链的四联苯基，1-、2-、3-或4-芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基和1-、2-、3-或4-咔唑基，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，但优选未取代。
更优选地，这些R1取代基选自H，D，F，CN，N(Ar1)2，具有1至8个碳原子、优选具有1、2、3或4个碳原子的直链的烷基基团，或具有3至8个碳原子、优选具有3或4个碳原子的支链或环状的烷基基团，或具有2至8个碳原子、优选具有2、3或4个碳原子的烯基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代但优选未取代，或具有6至24个芳族环原子、优选6至18个芳族环原子、更优选6至13个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个非芳族R1基团取代但优选未取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一碳原子或相邻碳原子键合的两个R1取代基任选地可形成可被一个或多个R2基团取代但优选未取代的单环或多环的脂族环系，其中Ar1可具有上文所述的定义。
最优选地，R1取代基选自H，和具有6至18个芳族环原子、优选6至13个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个非芳族R2基团取代但优选未取代的芳族或杂芳族环系。合适的R1取代基的实例选自苯基，邻、间或对联苯基，三联苯基，特别是支链的三联苯基，四联苯基，特别是支链的四联苯基，1-、2-、3-或4-芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基和1-、2-、3-或4-咔唑基，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，但优选未取代。
在式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)的结构中，至少一个R1、Ar、Ar1、Ara或Arb基团还可以是选自式(R1-1)至(R1-87)的基团：
Figure BDA0002006746010000271
Figure BDA0002006746010000281
Figure BDA0002006746010000291
Figure BDA0002006746010000301
Figure BDA0002006746010000311
Figure BDA0002006746010000321
其中使用的符号如下：
Y是O、S或NR2，优选O或S；
k在每种情况下独立地是0或1，
i在每种情况下独立地是0、1或2，优选0或1；
j在每种情况下独立地是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1；
h在每种情况下独立地是0、1、2、3或4，优选0、1或2；
g在每种情况下独立地是0、1、2、3、4或5，优选0、1或2；
R2可具有上文特别是对于式(A)给出的定义，并且
虚线键标记连接位置。
式(R1-1)至(R1-87)的结构中的标记k、i、j、h和g的总数在每种情况下可优选不超过3，优选不超过2并且更优选不超过1。
优选地，式(R1-1)至(R1-87)中的R2基团不与R2基团所键合的芳基基团或杂芳基基团的环原子形成稠合的芳族或杂芳族环系，并且优选不形成任何稠合的环系。这包括与可与R2基团键合的可能存在的R3取代基形成稠合的环系。
更优选地，式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)中的Ara和/或Arb基团选自式(R1-1)至(R1-48)和(R1-73)至(R1-87)的基团，特别优选(R1-1)、(R1-38)至(R1-48)和(R1-73)至(R1-81)的基团。在这种情况下，上文对于式(R1-1)至(R1-87)的基团中标记的总数和与这些基团键合的R2基团所详述的优选情况是适用的。
更优选地，式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)中的Ar和/或Ar1基团选自式(R1-1)至(R1-54)的基团，特别优选(R1-1)至(R1-51)的基团，特别优选(R1-1)至(R1-37)的基团，非常特别优选的是根据(R1-1)的基团。在这种情况下，上文对于式(R1-1)至(R1-87)的基团中标记的总数和与这些基团键合的R2基团所详述的优选情况是适用的。
优选地，L1或L2基团与式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的L1或L2基团键合至的所述两个芳基或杂芳基基团一起形成完全共轭。一旦在相邻的芳族或杂芳族环之间形成直接键，就形成芳族或杂芳族体系的完全共轭。上述共轭基团之间例如经由硫、氮或氧原子或羰基基团的其它键，对共轭无害。在芴体系的情况下，所述两个芳族环直接键合，其中9位处的sp3杂化碳原子确实阻止这些环的稠合，但共轭仍是可行的，因为9位处的sp3杂化碳原子不是必须位于所述两个芳基或杂芳基基团之间。相比之下，在第二螺二芴结构的情况下，如果所述两个芳基或杂芳基基团之间的键经由螺二芴结构中的同一苯基基团或经由螺二芴结构中彼此直接键合并且在一个平面中的苯基进行，则可形成完全共轭。如果所述两个芳基或杂芳基基团之间的键经由第二螺二芴结构中经由9位处的sp3杂化碳原子键合的不同苯基基团进行，则共轭中断。
在本发明的另一个优选实施方式中，L1和/或L2是键。
在本发明的另一个优选实施方式中，L1和/或L2是具有5至14个芳族或杂芳族环原子的芳族或杂芳族环系，优选具有6至12个碳原子并且可被一个或多个R1基团取代但优选未取代的芳族环系，其中R1可具有上文特别是对于式(A)给出的定义。更优选地，L1和/或L2是具有6至10个芳族环原子的芳族环系或具有6至13个杂芳族环原子的杂芳族环系，所述环系中的每个可被一个或多个R2基团取代，但优选未取代，其中R2可具有上文特别是对于式(A)给出的定义。
另外优选地，式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的结构中详述的符号L1和/或L2尤其在每种情况下是相同或不同的，并且是具有5至24个环原子、优选6至13个环原子、更优选6至10个环原子的芳基或杂芳基基团，使得芳族或杂芳族环系的芳族或杂芳族基团直接键合(即经由所述芳族或杂芳族基团的原子)至其它基团的相应原子。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的结构中详述的L1和/或L2基团还可特别包含具有不超过两个稠合的芳族和/或杂芳族环的芳族环系，并且优选不包含任何稠合的芳族或杂芳族体系。因此，与蒽结构相比，萘基结构是优选的。另外，与萘基结构相比，芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基结构是优选的。
特别优选的是没有稠合的结构，例如苯基、联苯基、三联苯基和/或四联苯基结构。
合适的芳族或杂芳族环系L1和/或L2的实例选自邻、间或对苯亚基，邻、间或对联二苯叉，联三苯叉，特别是支链的联三苯叉，四联苯亚基，特别是支链的四联苯亚基，芴亚基，螺二芴亚基，二苯并呋喃亚基，二苯并噻吩亚基和咔唑亚基，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，但优选未取代。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的结构中详述的L1和/或L2基团还可特别具有不超过1个氮原子，优选不超过2个杂原子，特别优选不超过一个杂原子并且更优选没有杂原子。
优选的是包含式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)的结构的化合物，其中式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的L1和/或L2基团是选自式(L1-1)至(L1-108)的基团
Figure BDA0002006746010000361
Figure BDA0002006746010000371
Figure BDA0002006746010000381
Figure BDA0002006746010000391
Figure BDA0002006746010000401
Figure BDA0002006746010000411
Figure BDA0002006746010000421
其中在每种情况下，虚线键标记连接位置，标记k是0或1，标记l是0、1或2，在每种情况下标记j独立地是0、1、2或3；在每种情况下标记h独立地是0、1、2、3或4，标记g是0、1、2、3、4或5；符号Y是O、S或NR2，优选O或S；并且符号R2具有上文特别是对于式(A)给出的定义。
式(L1-1)至(L1-108)的结构中的标记k、l、g、h和j的总数在每种情况下可优选是至多3，优选至多2并且更优选至多1。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)的结构中的L1基团可优选不包含任何咔唑基团，其中这包括可与L1基团键合的R1、R2和R3取代基。优选地，式(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的结构中的L2基团不包含任何咔唑基团，其中这包括可与L1基团键合的R1、R2和R3取代基。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的结构中的L1和/或L2基团中的一个可具有不超过5个杂原子，优选不超过3个杂原子并且更优选不超过1个杂原子，其中这包括可与这些基团键合的R1、R2和R3取代基。
式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(Arb-1)、(VII)和/或(VIII)的结构中的L1和/或L2基团总体上可具有不超过5个杂原子，优选不超过3个杂原子并且更优选不超过1个杂原子，其中这包括可与这些基团键合的R1、R2和R3取代基。
根据本发明的优选化合物包含选自式(L1-1)至(L1-78)和/或(L1-92)至(L1-108)中，优选式(L1-1)至(L1-54)和/或(L1-92)至(L1-108)中，特别优选式(L1-1)至(L1-29)和/或(L1-92)至(L1-103)中的一个的L1基团。有利地，在每种情况下，式(L1-1)至(L1-78)和/或(L1-92)至(L1-108)、优选式(L1-1)至(L1-54)和/或(L1-92)至(L1-108)、特别优选式(L1-1)至(L1-29)和/或(L1-92)至(L1-103)的结构中的标记k、l、g、h和j的总数可不超过3，优选不超过2并且更优选不超过1。
优选地，式(L1-1)至(L1-108)中的R2基团不与R2基团所键合的芳基基团或杂芳基基团的环原子形成稠合的芳族或杂芳族环系，并且优选不形成任何稠合的环系。这包括与可与R2基团键合的可能存在的R3取代基形成稠合的环系。
在本发明的另一个优选实施方式中，例如在式(A)的结构和该结构的优选实施方式或涉及这些式的结构中的R2，在每种情况下是相同或不同的，并且选自H，D，具有1至10个碳原子、优选具有1、2、3或4个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子、优选5至24个芳族环原子、更优选5至13个芳族环原子并且可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代但优选未取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的另一个优选实施方式中，例如在式(A)的结构和该结构的优选实施方式或涉及这些式的结构中的R3，在每种情况下是相同或不同的，并且选自H，D，F，CN，具有1至10个碳原子、优选具有1、2、3或4个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子、优选5至24个芳族环原子、更优选5至13个芳族环原子并且可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代但优选未取代的芳族或杂芳族环系。
当本发明化合物被芳族或杂芳族R1或R2基团取代时，优选的是这些基团不具有任何具有超过两个直接彼此稠合的芳族六元环的芳基或杂芳基基团。更优选地，所述取代基完全不具有任何具有直接彼此稠合的六元环的芳基或杂芳基基团。这种优选情况的原因是此类结构的低三重态能量。具有超过两个直接彼此稠合的芳族六元环但根据本发明仍然还合适的稠合芳基基团是菲和联三苯叉，因为菲和联三苯叉也具有高的三重态能级。
特别优选的是具有以下性质的本发明化合物：
Figure BDA0002006746010000451
特别优选的是具有式(W-1)的结构的化合物，其中Y2是式C(R2)2的基团，并且所述化合物具有以下性质：
Figure BDA0002006746010000452
上述表中式R1-1中的标记g优选是0、1、2或3，更优选0或1，特别优选0；上述表中式L1-1或L1-94中的标记h优选是0、1、2或3，更优选0或1，特别优选0。
在上述表中，Ara和Arb是R1-1至R1-87的指定是指Ara基团和Arb基团都选自上文详述的式R1-1至R1-87的基团，优选R1-1的基团。L1是键或L1-1的指定是指上文详述的式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)中的L1基团在每种情况下是键或上文详述的式L1-1，优选L1-94的基团。L1在具有Y1的苯基环上的位置优选对应于式(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)的指定是指L1基团优选在Y1基团的对位或间位，如式(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)所示的。R1的标记n是0、1、2的指定是指在上文详述的式(A)、(I)、(II)、(III)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)、(Ic)、(IIc)、(IIIc)、(Id)、(IId)、(IIId)、(IV)、(V)、(VI)、(IVa)、(Va)、(VIa)、(IVb)、(Vb)、(VIb)、(IVc)、(Vc)、(VIc)、(IVd)、(Vd)、(VId)、(VII)和/或(VIII)中，标记n在每种情况下是0、1或2，优选0或1并且特别优选0。
本发明的合适化合物的实例是以下所示的式1至82的结构：
Figure BDA0002006746010000461
Figure BDA0002006746010000471
Figure BDA0002006746010000481
Figure BDA0002006746010000491
Figure BDA0002006746010000501
Figure BDA0002006746010000511
在实施例中特别记载了本发明化合物的优选实施方式，出于本发明的所有目的，这些化合物可单独使用或与其它化合物组合使用。
只要符合权利要求1中规定的条件，上述优选实施方式就可根据需要彼此组合。在本发明的一个特别优选实施方式中，上述优选实施方式同时适用。
本发明化合物原则上可通过多种方法制备。但是，已经发现下文描述的方法特别合适。
因此，本发明还提供用于制备包含式(A)的结构的化合物的方法，其中在偶联反应中，使包含至少一个二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩基团的化合物与包含至少一个咔唑基团的基团进行连接。
具有二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩基团的合适化合物在许多情况下可购得，并且实施例中详述的起始化合物可通过已知方法获得，并因此参考所述已知方法。
这些化合物可通过已知的偶联反应与其它芳基化合物反应，用于该目的的必要条件是本领域技术人员已知的，并且实施例中的详细说明书为本领域技术人员进行这些反应提供了支持。
所有引起C-C键形成和/或C-N键形成的特别合适且优选的偶联反应是根据BUCHWALD、SUZUKI、YAMAMOTO、STILLE、HECK、NEGISHI、SONOGASHIRA和HIYAMA的偶联反应。这些反应是众所周知的，并且实施例将为本领域技术人员提供其它指示。
在随后的所有合成方案中，显示的化合物具有少量取代基以简化结构。这并不排除在所述方法中存在任何期望的其它取代基。
通过以下方案给出示例性实施方案，但无意认为这些实施方案作为限制。个别方案的组成步骤可根据需要彼此组合。
合成方案1
Figure BDA0002006746010000521
X＝O、S
合成方案2
Figure BDA0002006746010000531
合成方案3
Figure BDA0002006746010000532
合成方案4
Figure BDA0002006746010000533
所示的用于合成本发明化合物的方法应以实例的方式理解。本领域技术人员将能够在其本领域常识范围内开发替代合成途径。
上文详述的制备方法的原理原则上从类似化合物的文献已知，并且本领域技术人员可容易地修改来制备本发明化合物。其它信息可在实施例中找到。
必要时，在这些方法之后可进行纯化，例如重结晶或升华，以获得高纯度、优选超过99％的包含式(A)的结构的本发明化合物(借助于1H NMR和/或HPLC测定)。
本发明化合物还可具有合适的取代基，例如相对长的烷基基团(约4至20个碳原子)，特别是支链烷基基团，或任选取代的芳基基团，例如二甲苯基、均三甲苯基或支链的三联苯或四联苯基团，这使得可在室温下以足够的浓度溶解在标准有机溶剂例如甲苯或二甲苯中，以便能够从溶液中处理化合物。这些可溶性化合物特别良好地适用于从溶液中处理，例如通过印刷方法处理。另外，应该强调的是，包含至少一种式(A)的结构的本发明化合物已经在这些溶剂中具有增强的溶解性。
本发明化合物还可与聚合物混合。同样可将这些化合物共价引入聚合物中。对于被反应性离去基如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯或被反应性可聚合基团如烯烃或氧杂环丁烷取代的化合物，这是特别可行的。这些可用作制造相应低聚物、树枝状大分子或聚合物的单体。低聚或聚合优选经由卤素官能团或硼酸官能团或经由可聚合基团实现。还可经由这种基团将聚合物交联。本发明的化合物和聚合物可以以交联或未交联的层的形式使用。
因此，本发明还提供含有上文详述的式(A)的结构或本发明化合物中的一种或多种的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中存在一个或多个的本发明化合物或式(A)的结构与所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的键。根据式(A)的结构或化合物的连接，这些结构或化合物因此形成低聚物或聚合物的侧链或键合在主链内。聚合物、低聚物或树枝状大分子可以是共轭、部分共轭或非共轭的。低聚物或聚合物可以是线状的、支化的或树枝状的。对于低聚物、树枝状大分子和聚合物中的本发明化合物的重复单元，如上述相同的优选情况也适用。
为了制备低聚物或聚合物，使本发明的单体进行均聚或与其它单体进行共聚。优选的是如下的共聚物，其中式(A)单元或上文和下文所述的优选实施方式的存在量是0.01mol％至99.9mol％，优选5mol％至90mol％，更优选20mol％至80mol％。形成聚合物的基础骨架的合适且优选的共聚单体选自芴(例如根据EP 842208或WO 2000/022026)、螺二芴(例如根据EP 707020、EP 894107或WO 2006/061181)、对苯亚基(例如根据WO 92/18552)、咔唑(例如根据WO 2004/070772或WO 2004/113468)、噻吩(例如根据EP 1028136)、二氢菲(例如根据WO 2005/014689)、顺-和反-茚并芴(例如根据WO 2004/041901或WO2004/113412)、酮(例如根据WO 2005/040302)、菲(例如根据WO 2005/104264或WO 2007/017066)或多种这些单元。聚合物、低聚物和树枝状大分子还可含有其它单元，例如空穴传输单元，特别是基于三芳基胺的空穴传输单元，和/或电子传输单元。
另外特别关注的是具有高玻璃化转变温度的特征的本发明化合物。在这方面，特别优选的是包含通式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的本发明化合物，所述化合物的玻璃化转变温度根据DIN 51005(2005-08版)测定为至少70℃，更优选至少110℃，甚至更优选至少125℃，并且特别优选至少150℃。
为了例如通过旋涂或通过印刷方法从液相中处理本发明化合物，需要本发明化合物的制剂。这些制剂可例如为溶液、分散体或乳液。出于该目的，可优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适且优选的溶剂是例如甲苯，苯甲醚，邻、间或对二甲苯，苯甲酸甲酯，1,3,5-三甲基苯，萘满，邻二甲氧基苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二
Figure BDA0002006746010000561
烷，苯氧基甲苯，特别是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，异丙基苯，环己醇，环己酮，环己基苯，十氢化萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚满，苯甲酸甲酯，NMP，对甲基异丙基苯，苯乙醚，1,4-二异丙基苯，二苄醚，二乙二醇丁甲醚，三乙二醇丁甲醚，二乙二醇二丁醚，三乙二醇二甲醚，二乙二醇单丁醚，三丙二醇二甲醚，四乙二醇二甲醚，2-异丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷，六甲基茚满或这些溶剂的混合物。
因此，本发明还提供包含本发明化合物和至少一种其它化合物的制剂。所述其它化合物可以是例如溶剂，特别是上述溶剂中的一种或这些溶剂的混合物。或者，所述其它化合物可以是至少一种同样用于电子器件中的其它有机或无机化合物，例如发光化合物，特别是磷光掺杂剂，和/或其它基质材料。该其它化合物也可以是聚合物。
因此，本发明还提供包含本发明化合物和至少一种其它有机功能材料的组合物。功能材料通常是在阳极和阴极之间引入的有机或无机材料。优选地，所述有机功能材料选自荧光发光体、磷光发光体、主体材料、基质材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、宽带隙材料和n型掺杂剂。
因此，本发明还涉及一种组合物，所述组合物包含至少一种包含式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物和至少一种其它基质材料。根据本发明的一个特定方面，所述其它基质材料具有空穴传输性质。
本发明还提供一种组合物，所述组合物包含至少一种包含至少一个式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物和至少一种宽带隙材料，宽带隙材料是指US7,294,849的公开内容的意义上的材料。这些体系在电致发光器件中表现出特别有利的性能数据。
优选地，其它化合物的带隙可以是2.5eV或更高，优选3.0eV或更高，非常优选3.5eV或更高。计算带隙的一种方法是通过最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)的能级。
材料的分子轨道，特别是最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)、它们的能级和最低三重态T1的能量或最低激发单重态S1的能量通过量子化学计算来确定。为了计算不含金属的有机物质的这些性质，首先通过“基态/半经验/默认自旋/AM1/电荷0/自旋单重态”方法进行几何结构优化。随后基于优化的几何结构进行能量计算。这用“TD-SCF/DFT/默认自旋/B3PW91”方法和“6-31G(d)”基组(电荷0，自旋单重态)进行。对于含有金属的化合物，通过“基态/哈特里-福克/默认自旋/LanL2MB/电荷0/自旋单重态”方法来优化几何结构。类似于用于有机物质的上述方法进行能量计算，不同之处在于对于金属原子使用“LanL2DZ”基组，而对于配体使用“6-31G(d)”基组。HOMO能级HEh或LUMO能级LEh从能量计算以哈特里为单位获得。这用于如下确定用循环伏安法测量值校准的以电子伏特为单位的HOMO能级和LUMO能级：
HOMO(eV)＝((HEh*27.212)-0.9899)/1.1206
LUMO(eV)＝((LEh*27.212)-2.0041)/1.385。
在本申请的上下文中，这些值被认为是材料的HOMO和LUMO能级。
最低三重态T1被定义为，具有最低能量的三重态的能量，该最低能量从所描述的量子化学计算中显而易见。
最低激发单重态S1被定义为，具有最低能量的激发单重态的能量，该最低能量从所描述的量子化学计算中显而易见。
本文所述的方法与所使用的软件包无关，并且始终给出相同的结果。经常使用的用于这一目的的程序的实例是“Gaussian09W”(高斯公司)和Q-Chem 4.1(Q-Chem公司)。
本发明还涉及一种组合物，所述组合物包含至少一种包含式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物和至少一种磷光发光体，术语“磷光发光体”还指磷光掺杂剂。
包含基质材料和掺杂剂的体系中的掺杂剂是指在混合物中具有较小比例的组分。相应地，包含基质材料和掺杂剂的体系中的基质材料是指在混合物中具有较大比例的组分。
用于基质体系，优选混合基质体系中的优选磷光掺杂剂是下文指定的优选磷光掺杂剂。
术语“磷光掺杂剂”通常涵盖如下化合物，其中光的发射通过自旋禁阻跃迁来实现，例如从激发三重态或具有更高自旋量子数的状态例如五重态跃迁。
合适的磷光化合物(＝三重态发光体)特别是如下化合物，其在适当激发时发光、优选在可见光区域发光，并且还含有至少一种原子序数大于20、优选大于38且小于84、更优选大于56且小于80的原子，特别是具有这种原子序数的金属。所用的优选磷光发光体是含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，特别是含有铱或铂的化合物。在本发明的上下文中，含有上述金属的所有发光化合物都被认为是磷光化合物。
上述发光体的实例可在以下申请中找到：WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US 2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO 2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO 2014/094961、WO 2014/094960和尚未公布的申请EP 13004411.8、EP14000345.0、EP 14000417.7和EP 14002623.8。通常，根据现有技术用于磷光OLED的和有机电致发光领域的技术人员已知的所有磷光络合物都是合适的，并且本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下使用其它磷光络合物。
磷光掺杂剂的明确实例在下表中列出：
Figure BDA0002006746010000591
Figure BDA0002006746010000601
Figure BDA0002006746010000611
Figure BDA0002006746010000621
Figure BDA0002006746010000631
Figure BDA0002006746010000641
Figure BDA0002006746010000651
Figure BDA0002006746010000661
Figure BDA0002006746010000671
包含式(A)的结构或上文详述的优选实施方式的上述化合物可优选用作电子器件中的有源组分。电子器件是指包含阳极、阴极和至少一个在阳极和阴极之间的层的任何器件，所述层包含至少一种有机化合物或有机金属化合物。因此，本发明的电子器件包含阳极、阴极和至少一个含有至少一种包含式(A)的结构的化合物的中间层。此处优选的电子器件选自有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、有机电传感器、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-laser)和有机等离子体激元发光器件(D.M.Koller等人,自然光子学(NaturePhotonics),2008,1-4)，优选有机电致发光器件(OLED、PLED)，特别是磷光OLED，所述电子器件在至少一个层中含有至少一种包含式(A)的结构的化合物。特别优选的是有机电致发光器件。有源组分通常是在阳极和阴极之间引入的有机或无机材料，例如电荷注入、电荷传输或电荷阻挡材料，但特别是发光材料和基质材料。
本发明的一个优选实施方式是有机电致发光器件。有机电致发光器件包含阴极、阳极和至少一个发光层。除这些层之外，其还可包含其它层，例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层、电荷产生层和/或有机或无机p/n结。同时，可将一个或多个空穴传输层进行p型掺杂，例如用金属氧化物，如MoO3或WO3，或用(全)氟化的缺电子芳族体系进行，和/或可将一个或多个电子传输层进行n型掺杂。同样可在两个发光层之间引入中间层，这些中间层具有例如激子阻挡功能和/或控制电致发光器件中的电荷平衡。然而，应该指出，这些层中的每个不必都存在。
在这种情况下，有机电致发光器件可含有一个发光层，或可含有多个发光层。如果存在多个发光层，则这些发光层优选总体上在380nm至750nm之间具有多个发光峰值，使得整体结果是白色发光；换句话说，可发荧光或发磷光的多种发光化合物被用于发光层中。特别优选的是三层体系，其中三个层表现出蓝色、绿色和橙色或红色发光(对于基本结构，参见例如WO 2005/011013)，或具有超过三个发光层的体系。该体系也可以是混合体系，其中一个或多个层发荧光并且一个或多个其它层发磷光。
在本发明的一个优选实施方式中，有机电致发光器件在一个或多个发光层中含有包含式(A)的结构或上文详述的优选实施方式的本发明化合物作为基质材料，优选作为电子传导基质材料，所述基质材料优选与其它基质材料，优选空穴传导基质材料组合。在本发明的另一个优选实施方式中，所述其它基质材料是电子传输化合物。在另一个优选实施方式中，其它基质材料是具有大带隙的化合物，所述化合物即使参与层中的空穴和电子传输，也不以显著程度参与空穴和电子传输。发光层包含至少一种发光化合物。
可与式(A)或根据优选实施方式的化合物组合使用的合适的基质材料是芳族酮，芳族氧化膦或芳族亚砜和砜，例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680的，三芳基胺，特别是单胺，例如根据WO 2014/015935的，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-双咔唑基联苯)或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/28831、EP1205527或WO 2008/086851中公开的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746的，茚并咔唑衍生物，例如根据WO 2010/136109和WO 2011/000455的，氮杂咔唑衍生物，例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的，双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725的，硅烷，例如根据WO 2005/111172的，氮杂硼杂环戊二烯或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052的，三嗪衍生物，例如根据WO2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746的，锌络合物，例如根据EP 652273或WO2009/062578的，二氮杂硅杂环戊二烯或四氮杂硅杂环戊二烯衍生物，例如根据WO 2010/054729的，二氮杂磷杂环戊二烯衍生物，例如根据WO 2010/054730的，桥连咔唑衍生物，例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080的，联三苯叉衍生物，例如根据WO 2012/048781的，内酰胺，例如根据WO 2011/116865、WO 2011/137951或WO 2013/064206的，或4-螺咔唑衍生物，例如根据WO 2014/094963的，或尚未公布的申请EP 14002104.9的。以比实际发光体更短的波长发光的其它磷光发光体也可作为共主体存在于混合物中。
优选的共主体材料是三芳基胺衍生物，特别是单胺、茚并咔唑衍生物、4-螺咔唑衍生物、内酰胺和咔唑衍生物。
与本发明化合物一起用作共主体材料的优选三芳基胺衍生物选自下式(TA-1)的化合物：
Figure BDA0002006746010000701
其中Ar1在每种情况下是相同或不同的，并且是具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基基团，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳烷基基团，其中两个或更多个相邻R2取代基可任选地形成可被一个或多个R3基团取代的单环或多环的脂族环系，其中符号R2具有上文特别是对于式(A)给出的定义。优选地，Ar1在每种情况下是相同或不同的，并且是具有5至24个、优选5至12个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代但优选未取代的芳基或杂芳基基团。
合适的Ar1基团的实例选自苯基，邻、间或对联苯基，三联苯基，特别是支链的三联苯基，四联苯基，特别是支链的四联苯基，1-、2-、3-或4-芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基和1-、2-、3-或4-咔唑基，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，但优选未取代。
优选地，Ar1基团在每种情况下是相同或不同的，并且选自上述基团(R1-1)至(R1-87)，优选(R1-1)至(R1-54)，特别优选(R1-1)至(R1-51)，特别优选(R1-1)至(R1-37)，非常特别优选的是根据(R1-1)的基团。在这种情况下，上文对于式(R1-1)至(R1-87)基团的标记的总数和与这些基团键合的R2基团详述的优选情况也适用。
在式(TA-1)化合物的一个优选实施方式中，至少一个Ar1基团选自联苯基团，其可以是邻、间或对联苯基团。在式(TA-1)化合物的另一个优选实施方式中，至少一个Ar1基团选自芴基团或螺二芴基团，其中这些基团可各自与1、2、3或4位处的氮原子键合。在式(TA-1)化合物的另一个优选实施方式中，至少一个Ar1基团选自苯亚基或联苯基团，其中所述基团是邻、间或对位键合的基团，被二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团或咔唑基团，特别是二苯并呋喃基团取代，其中二苯并呋喃或二苯并噻吩基团经由1、2、3或4位与苯亚基或联苯基团键合，并且其中咔唑基团经由1、2、3或4位或经由氮原子与苯亚基或联苯基团键合。
在式(TA-1)化合物的一个特别优选实施方式中，一个Ar1基团选自芴或螺二芴基团，特别是4-芴或4-螺二芴基团，并且一个Ar1基团选自联苯基团，特别是对联苯基团，或芴基团，特别是2-芴基团，并且第三个Ar1基团选自对苯亚基基团或对联苯基团，所述基团被二苯并呋喃基团，特别是4-二苯并呋喃基团，或咔唑基团，特别是N-咔唑基团或3-咔唑基团取代。
与本发明化合物一起用作共主体材料的优选茚并咔唑衍生物选自下式(TA-2)的化合物：
Figure BDA0002006746010000711
其中Ar1和R1具有上文特别是对于式(A)和/或(TA-1)列出的定义。Ar1基团的优选实施方式是上文列出的结构R1-1至R1-87，更优选R1-1至R1-51。
式(TA-2)化合物的一个优选实施方式是下式(TA-2a)的化合物：
Figure BDA0002006746010000721
其中Ar1和R1具有上文特别是对于式(A)和/或(TA-1)列出的定义。此处与茚并碳原子键合的两个R1基团优选是相同或不同的，并且是具有1至4个碳原子的烷基基团，特别是甲基基团，或具有6至12个碳原子的芳族环系，特别是苯基基团。更优选地，与茚并碳原子键合的两个R1基团是甲基基团。另外优选地，与式(TA-2a)中的茚并咔唑基础骨架键合的R1取代基是H或咔唑基团，所述R1取代基可经由1、2、3或4位或经由氮原子，特别是经由3位与茚并咔唑基础骨架键合。
与本发明化合物一起用作共主体材料的优选4-螺咔唑衍生物选自下式(TA-3)的化合物：
Figure BDA0002006746010000722
其中Ar1和R1具有上文特别是对于式(A)和/或(TA-1)列出的定义。Ar1基团的优选实施方式是上文列出的结构R1-1至R1-87，更优选R1-1至R1-51。
式(TA-3)化合物的一个优选实施方式是下式(TA-3a)的化合物：
Figure BDA0002006746010000731
其中Ar1和R1具有上文特别是对于式(A)列出的定义。Ar1基团的优选实施方式是上文列出的结构R1-1至R1-87，更优选R1-1至R1-51。
与本发明化合物一起用作共主体材料的优选内酰胺选自下式(LAC-1)的化合物：
Figure BDA0002006746010000732
其中R1具有上文特别是对于式(A)列出的定义。
式(LAC-1)化合物的一个优选实施方式是下式(LAC-1a)的化合物：
Figure BDA0002006746010000741
其中R1具有上文特别是对于式(A)叙述的定义。R1优选在每种情况下是相同或不同的，并且是H或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，其中R2可具有上文特别是对于式(A)给出的定义。最优选地，R1取代基选自H和具有6至18个芳族环原子，优选6至13个芳族环原子，并且在每种情况下可被一个或多个非芳族R2基团取代但优选未取代的芳族或杂芳族环系。合适的R1取代基的实例选自苯基，邻、间或对联苯基，三联苯基，特别是支链的三联苯基，四联苯基，特别是支链的四联苯基，1-、2-、3-或4-芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基和1-、2-、3-或4-咔唑基，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，但优选未取代。合适的R1结构是与上文对于R-1至R-79，更优选R1-1至R1-51所述相同的结构。
还可优选使用混合物形式的多种不同的基质材料，特别是至少一种电子传导基质材料和至少一种空穴传导基质材料。同样优选的是使用电荷传输基质材料和即使参与电荷传输也不显著参与电荷传输的电惰性基质材料的混合物，如例如WO 2010/108579中所述的。
另外优选的是使用两种或更多种三重态发光体与基质的混合物。在这种情况下，具有较短波发光光谱的三重态发光体用作具有较长波发光光谱的三重态发光体的共基质。
更优选地，在一个优选实施方式中，可使用包含式(A)的结构的本发明化合物作为有机电子器件中，特别是有机电致发光器件中，例如OLED或OLEC中的发光层中的基质材料。在这种情况下，含有包含式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物的基质材料以与一种或多种掺杂剂，优选磷光掺杂剂组合的方式存在于电子器件中。
在这种情况下，发光层中基质材料的比例对于荧光发光层为50.0体积％至99.9体积％，优选80.0体积％至99.5体积％，更优选92.0体积％至99.5体积％，并且对于磷光发光层为85.0体积％至97.0体积％。
相应地，掺杂剂的比例对于荧光发光层为0.1体积％至50.0体积％，优选0.5体积％至20.0体积％，更优选0.5体积％至8.0体积％，并且对于磷光发光层为3.0体积％至15.0体积％。
有机电致发光器件的发光层还可含有包含多种基质材料(混合基质体系)和/或多种掺杂剂的体系。在这种情况下，同样地，掺杂剂通常是在体系中具有较小比例的那些材料，而基质材料是在体系中具有较大比例的那些材料。然而，在个别情况下，体系中单种基质材料的比例可小于单种掺杂剂的比例。
在本发明的另一个优选实施方式中，使用包含式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物作为混合基质体系的组分。混合基质体系优选包含两种或三种不同的基质材料，更优选两种不同的基质材料。优选地，在这种情况下，所述两种材料中的一种是具有空穴传输性质的材料，另一种材料是具有电子传输性质的材料。然而，混合基质组分的期望电子传输和空穴传输性质也可主要或完全在单个混合基质组分中组合，在这种情况下，其它混合基质组分实现其它功能。两种不同的基质材料可以以1:50至1:1、优选1:20至1:1、更优选1:10至1:1、最优选1:4至1:1的比存在。优选在磷光有机电致发光器件中使用混合基质体系。关于混合基质体系的更详细信息的一个来源是申请WO 2010/108579。
本发明还提供一种电子器件，优选有机电致发光器件，所述器件在一个或多个电子传导层中包含一种或多种本发明化合物和/或至少一种本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子作为电子传导化合物。
优选的阴极是具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构，所述金属合金或多层结构由多种金属例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)组成。另外合适的是由碱金属或碱土金属和银构成的合金，例如由镁和银构成的合金。在多层结构的情况下，除了所提及的金属之外，还可使用具有相对高逸出功的其它金属，例如Ag，在这种情况下，通常使用例如金属组合，如Mg/Ag、Ca/Ag或Ba/Ag。还可优选在金属阴极和有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。用于该目的的有用材料的实例是碱金属或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3等)。有机碱金属络合物例如Liq(羟基喹啉锂)也适用于该目的。该层的层厚度优选为0.5nm至5nm。
优选的阳极是具有高逸出功的材料。优选地，阳极相对于真空具有大于4.5eV的逸出功。首先，具有高氧化还原电位的金属适用于该目的，例如Ag、Pt或Au。其次，金属/金属氧化物电极(例如Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)也可以是优选的。对于一些应用，电极中的至少一个必须是透明或部分透明的，使得能够实现有机材料的照射(O-SC)或光的发射(OLED/PLED、O-laser)。此处，优选的阳极材料是导电的混合金属氧化物。特别优选的是氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。另外优选的是导电的掺杂有机材料，特别是导电的掺杂聚合物，例如PEDOT、PANI或这些聚合物的衍生物。还优选将p型掺杂的空穴传输材料施加至阳极作为空穴注入层，在这种情况下，合适的p型掺杂剂是金属氧化物，例如MoO3或WO3，或(全)氟化缺电子芳族体系。其它合适的p型掺杂剂是HAT-CN(六氰基六氮杂联三苯叉)或来自Novaled公司的化合物NPD9。此类层简化了向具有低HOMO，即在量值方面具有大HOMO的材料中的空穴注入。
在其它层中，通常可使用根据现有技术用于所述层的任何材料，并且本领域技术人员能够在不付出创造性劳动的情况下在电子器件中将这些材料中的任一种与本发明材料组合。
所述器件被相应地(根据应用)结构化，设置接触连接并且最后气密密封，因为此类器件的寿命在水和/或空气存在下严重缩短。
另外优选的是如下电子器件，特别是有机电致发光器件，其特征在于通过升华方法涂布一个或多个层。在该情况下，通过在通常小于10-5毫巴、优选小于10-6毫巴的初始压力下在真空升华系统中气相沉积来施加材料。初始压力还可甚至更低或甚至更高，例如小于10-7毫巴。
同样优选的是如下电子器件，特别是有机电致发光器件，其特征在于通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华涂布一个或多个层。在该情况下，在10-5毫巴至1巴的压力下施加材料。该方法的一个特例为OVJP(有机蒸气喷印)法，其中材料通过喷嘴直接施加并且因此是结构化的(例如M.S.Arnold等人,应用物理快报(Appl.Phys.Lett.)2008,92,053301)。
另外，优选的是如下电子器件，特别是有机电致发光器件，其特征在于从溶液中，例如通过旋涂或通过任何印刷方法例如丝网印刷、柔性版印刷、平版印刷或喷嘴印刷，但更优选LITI(光引发热成像，热转印)或喷墨印刷，来产生一个或多个层。出于该目的，需要可溶性化合物，其例如通过合适的取代获得。
还可通过从溶液施加一个或多个层并通过气相沉积施加一个或多个其它层来制造混合体系形式的电子器件，特别是有机电致发光器件。例如，可从溶液施加含有包含式(A)的结构的本发明化合物和基质材料的发光层，并且通过减压下的气相沉积向其施加空穴阻挡层和/或电子传输层。
这些方法对于本领域技术人员来说通常是已知的，并且可无困难地应用于含有包含式(A)的结构或上文详述的优选实施方式的本发明化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。
本发明的电子器件，特别是有机电致发光器件，相比于现有技术的突出之处在于下列令人惊讶的优点中的一个或多个：
1.包含具有式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子尤其作为电子传导材料和/或基质材料的电子器件，尤其是有机电致发光器件，具有非常良好的寿命。
2.包含具有式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子作为电子传导材料、电子注入材料和/或基质材料的电子器件，特别是有机电致发光器件，具有优良的效率。更特别地，与不含式(A)的结构单元的类似化合物相比，效率高得多。
3.具有式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子表现出非常高的稳定性并且产生具有非常长的寿命的化合物。
4.利用具有式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子，可避免在电子器件，特别是有机电致发光器件中形成光损耗通道。结果，这些器件的特征为高的PL效率，和由此导致的高的发光体EL效率，以及基质向掺杂剂的优良能量传递。
5.在电子器件，特别是有机电致发光器件的层中使用具有式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子产生电子导体结构的高迁移率。
6.具有式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子的特征为优良的热稳定性，并且摩尔质量小于约1200g/mol的化合物具有良好的升华性。
7.具有式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子具有优良的玻璃膜形成性。
8.具有式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子从溶液形成非常良好的膜。
9.包含式(A)的结构或上文和下文所述的优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子具有令人惊讶的高三重态水平T1，对于用作电子传导材料的化合物特别是如此。
这些上述优点并不伴有其它电子性能的劣化。
本发明的化合物和混合物适用于电子器件。电子器件是指含有至少一个含有至少一种有机化合物的层的器件。该组件还可包含无机材料或完全由无机材料形成的层。
因此，本发明还提供本发明的化合物或混合物在电子器件中，特别是在有机电致发光器件中的用途。
本发明另外还提供本发明化合物和/或本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子在电子器件中作为主体材料、基质材料、电子传输材料、电子注入材料和/或空穴阻挡材料的用途。
本发明另外还提供包含至少一种本发明的上文详述的化合物或混合物的电子器件。在这种情况下，上文对于化合物详述的优选情况也适用于电子器件。更优选地，电子器件选自有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、有机电传感器、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-laser)和有机等离子体激元发光器件(D.M.Koller等人,自然光子学(NaturePhotonics),2008,1-4)，优选有机电致发光器件(OLED、PLED)，特别是磷光OLED。
在本发明的另一个实施方式中，本发明的有机电致发光器件不含任何单独的空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴阻挡层和/或电子传输层，这意味着发光层直接邻接空穴注入层或阳极，和/或发光层直接邻接电子传输层或电子注入层或阴极，如例如WO 2005/053051中所述。还可使用与发光层中的金属络合物相同或类似的金属络合物作为直接邻接发光层的空穴传输或空穴注入材料，如在例如WO 2009/030981中所述。
另外，可在空穴阻挡或电子传输层中使用本发明化合物。对于不具有咔唑结构的本发明化合物尤其如此。它们也可优选地被一个或多个其它电子传输基团例如苯并咪唑基团取代。
在本发明的有机电致发光器件的其它层中，可使用根据现有技术通常使用的任何材料。因此，本领域技术人员能够在不付出创造性劳动的情况下，将任何已知用于有机电致发光器件的材料与本发明的式(A)或根据优选实施方式的化合物组合使用。
本发明化合物在用于有机电致发光器件时通常具有非常良好的性质。特别是在有机电致发光器件中使用本发明化合物的情况下，与根据现有技术的类似化合物相比，寿命明显更好。同时，有机电致发光器件的其它性质，特别是效率和电压，同样更好或至少是相当的。
应该指出的是，本发明所述的实施方式的变型被本明的范围涵盖。除非明确排除，否则本发明中公开的任何特征可替换为用于相同目的或等同或类似目的的替代特征。因此，除非另外说明，否则本发明中公开的任何特征应被认为是通用系列的实例或者等同或类似特征。
除非特定特征和/或步骤互相排斥，否则本发明的所有特征可以任何方式彼此组合。对于本发明的优选特征尤其如此。同样，非必要组合的特征可单独使用(而不是组合使用)。
还应该指出的是，本发明的许多特征，特别是优选实施方式的特征，本身应该被视为具有创造性，而不仅仅是本发明的实施方式的一部分。对于这些特征，除了任何当前要求保护的发明之外或作为其替代，可寻求独立的保护。
本发明公开的技术教导可被抽提出来并与其它实例结合。
通过以下实施例详细说明本发明，但并不意图用所述实施例限制本发明。
本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下使用给出的细节来制造本发明的其它电子器件，从而在要求保护的整个范围内实施本发明。
实施例
除非另外说明，否则在保护性气氛下在干燥的溶剂中进行下面的合成。本发明化合物可通过本领域技术人员已知的合成方法制备。
合成例
a)2,4-二苯基苯并[4,5]呋喃并[3,2-d]嘧啶
Figure BDA0002006746010000821
将13g(110.0mmol)苯基硼酸、13g(55mmol)2,4-二氯苯并[4,5]呋喃并[3,2-d]嘧啶和21g(210.0mmol)碳酸钠悬浮在500毫升乙二醇二胺醚和500毫升水中。向该悬浮液中依序添加913mg(3.0mmol)三邻甲苯基膦和112mg(0.5mmol)乙酸钯(II)，并且使反应混合物在回流下加热16小时。冷却后，分离有机相，通过硅胶过滤，接着浓缩至干。使残余物从甲苯中重结晶并从二氯甲烷/庚烷中重结晶。产率：15g(47mmol)，理论值的87％。
以类似方式制备以下化合物：
Figure BDA0002006746010000822
Figure BDA0002006746010000831
Figure BDA0002006746010000841
产物9a和11a通过硅胶柱色谱法用甲苯/庚烷(1:2)纯化，最后在高真空(p＝5×10-7毫巴)下升华(纯度99.9％)。
b)8-溴-2,4-二苯基苯并[4,5]呋喃并[3,2-d]嘧啶
Figure BDA0002006746010000842
将61g(190.0mmol)2,4-二苯基苯并[4,5]呋喃并[3,2-d]嘧啶悬浮在2000毫升乙酸(100％)和2000毫升硫酸(95％-98％)中。向该悬浮液中按份添加34g(190mmol)NBS，将混合物在黑暗中搅拌2小时。之后，添加水/冰，去除固体并且用乙醇洗涤。使残余物在甲苯中重结晶。产率为65g(163mmol)，对应于理论值的86％。
以类似方式制备以下化合物：
Figure BDA0002006746010000843
Figure BDA0002006746010000851
Figure BDA0002006746010000861
c)2,4-二苯基-8-(3-苯基咔唑-9-基)-苯并[4,5]呋喃并[3,2-d]嘧啶(0c)
Figure BDA0002006746010000862
将59g(147mmol)8-溴-2,4-二苯基苯并[4,5]呋喃并[3,2-d]嘧啶和35.7g(147mmol)3-苯基-9H-咔唑在600毫升甲苯中的脱气溶液利用N2饱和1小时。之后向溶液中添加2.09毫升(8.6mmol)P(tBu)3，然后依次添加固态的1.38g(6.1mmol)乙酸钯(II)和17.7g(185mmol)的NaOtBu。在回流下加热反应混合物1小时。冷却至室温后，小心地添加500毫升水。用3×50毫升甲苯洗涤水相，用MgSO4干燥，并且在减压下去除溶剂。之后，通过色谱法使用硅胶用庚烷/乙酸乙酯(20/1)将粗产物纯化。使残余物从甲苯中重结晶，最后在高真空下升华(p＝5×10-6毫巴)。
产率为68g(120mmol)，对应于理论值的82％。
可以类似的方式获得以下化合物：
Figure BDA0002006746010000871
Figure BDA0002006746010000881
Figure BDA0002006746010000891
d)2,2'-双(咔唑-9-基-4,4'-二苯基-[8,8']联[苯并[4,5]噻吩并[3,2-d]嘧啶基])(1d)
Figure BDA0002006746010000892
类似于方法b将2,4-二氯苯并[4,5]噻吩并[3,2-d]嘧啶溴化，接着用BuLi和硼酸三乙酯转化成相应的硼酸。接着类似于方法c进行偶联，得到相应的二聚体，然后，依次首先类似于方法c与苯基硼酸进行反应，最后通过与NaH和咔唑经由亲核取代反应，转化成目标分子(1d)。
OLED的制造
在以下实施例V1至E10(参见表1和2)中，呈现了多种OLED的数据。
实施例V1-E10的预处理：在涂布之前，依序用氧等离子体和氩等离子体处理涂布有厚度50nm的结构化ITO(氧化铟锡)的玻璃板。这些经等离子体处理的玻璃板形成施加OLED的基底。
OLED基本上具有以下层结构：基底/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/电子阻挡层(EBL)/发光层(EML)/任选的空穴阻挡层(HBL)/电子传输层(ETL)/任选的电子注入层(EIL)，最后是阴极。用厚度100nm的铝层形成阴极。OLED的确切结构可在表1中找到。制造OLED需要的材料如表3中所示。
通过在真空室中进行热气相沉积来施加所有材料。在这种情况下，发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光体)组成，所述发光掺杂剂通过共蒸发以特定的体积比例添加到基质材料中。此处，以IC5:IC3:TEG2(55％:35％:10％)的形式给出的细节是指材料IC5以55％的体积比例存在于层中，IC3以35％的比例存在并且TEG2以10％的比例存在。类似地，电子传输层也可由两种材料的混合物组成。
以标准方式表征OLED。出于该目的，确定电致发光光谱，并从假定为郎伯发光特性的电流-电压-亮度特性线(IUL特性线)计算作为亮度函数的电流效率(以cd/A计量)、功率效率(以lm/W计量)和外量子效率(EQE，以百分比计量)，以及确定寿命。在1000cd/m2的亮度下确定电致发光光谱，并由此计算CIE 1931x和y颜色坐标。表2中的参数U1000是指亮度为1000cd/m2所需的电压。最后，EQE1000是指在1000cd/m2的工作亮度下的外量子效率。
表2列出了多种OLED的数据。实施例V1-V2是根据现有技术的比较例；实施例E1-E10显示了本发明OLED的数据。
下文详细阐述了一些实施例，以说明本发明OLED的优点。
本发明材料在OLED中的用途
当在磷光OLED中的发光层(EML)中使用时，本发明材料相对于现有技术产生了显著的改善，特别是在组件的电压方面更是如此。
通过使用本发明化合物15c和1d与磷光红色发光体TER5的组合，可实现电压与现有技术相比降低约-0.3伏(对应于约8％)(实施例E1与V1比较；实施例E2与V2比较)。此外，本发明实施例E9和E10显示，即使与磷光绿色发光体TEG2组合，本发明材料在OLED中也产生低电压和高效率。
表1：OLED的结构
Figure BDA0002006746010000911
Figure BDA0002006746010000921
表2：OLED的数据
实施例 U1000(V) EQE 1000 1000 cd/m<sup>2</sup>下的CIE x/y
V1 3.5 22.2％ 0.67/0.33
V2 3.6 22.4％ 0.67/0.33
E1 3.2 22.0％ 0.67/0.33
E2 3.3 22.2％ 0.67/0.33
E3 3.3 22.4％ 0.67/0.33
E4 3.4 22.1％ 0.67/0.33
E5 3.2 22.3％ 0.67/0.33
E6 3.3 22.5％ 0.67/0.33
E7 3.3 22.2％ 0.67/0.33
E8 3.4 22.3％ 0.67/0.33
E9 3.3 20.5％ 0.33/0.63
E10 3.2 21.1％ 0.33/0.63
表3：用于OLED的材料的结构式
Figure BDA0002006746010000922
Figure BDA0002006746010000931
Figure BDA0002006746010000941

Claims (12)

1.一种化合物，所述化合物包含式(IVc)、(Vc)或(VIc)的结构
Figure FDA0003688027920000011
其中使用的符号如下：
Y1是O或S；
W在每种情况下是相同或不同的，并且是CR1；
L1是键或具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
Ara在每种情况下是相同或不同的，并且是CN、F或具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
Arb在每种情况下是相同或不同的，并且是CN、F或具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
R1在每种情况下是相同或不同的，并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R2)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar1)2，P(Ar1)2，B(Ar1)2，Si(Ar1)3，Si(R2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻CH2基团可被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2代替并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系中的每个可被一个或多个R2基团取代，或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个取代基R1还可一起形成单环或多环的脂族或芳族环系；
Ar1在每种情况下是相同或不同的，并且是具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个非芳族R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子键合的两个Ar1基团也可经由单键桥连基或选自B(R2)、C(R2)2、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、C＝C(R2)2、O、S、S＝O、SO2、N(R2)、P(R2)和P(＝O)R2的桥连基连接在一起；
R2在每种情况下是相同或不同的，并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，B(OR3)2，CHO，C(＝O)R3，CR3＝C(R3)2，C(＝O)OR3，C(＝O)N(R3)2，Si(R3)3，P(R3)2，B(R3)2，N(R3)2，NO2，P(＝O)(R3)2，OSO2R3，OR3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R3基团取代，其中一个或多个不相邻CH2基团可被-R3C＝CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、C＝O、C＝S、C＝NR3、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR3-、NR3、P(＝O)(R3)、-O-、-S-、SO或SO2代替并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R3基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个相邻R2取代基还可一起形成单环或多环的脂族或芳族环系；
R3在每种情况下是相同或不同的，并且是H，D，F或具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基基团，其中氢原子还可被F代替；同时，两个或更多个相邻R3取代基还可一起形成单环或多环的脂族或芳族环系；
m是0、1、2、3或4；
n是0、1、2或3。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于两个相邻W基团各自是CR1并且一起形成式(W-1)的基团
Figure FDA0003688027920000031
其中
Y2是N(Ar)、O、S或C(R2)2，
X1在每种情况下是相同或不同的，并且是N或CR2，条件是一个环中不超过两个X1基团是N，其中R2具有权利要求1中给出的定义；
Ar在每种情况下是相同或不同的，并且是具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，并且所述R2基团具有上文在权利要求1中给出的定义，并且
虚线表示与相邻原子的键。
3.根据权利要求2所述的化合物，其中X1在每种情况下是相同或不同的，并且是CR2。
4.根据权利要求2所述的化合物，其中包含所述式(IVc)、(Vc)或(VIc)的结构的化合物每个结构具有不超过一个所述式(W-1)的基团。
5.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于所述Arb基团表示式(Arb-1)的基团
Figure FDA0003688027920000041
其中L2是键或具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，符号R1具有权利要求1中给出的定义，m是0、1、2、3或4，并且虚线表示键。
6.一种含有一种或多种根据权利要求1至5中的任一项所述的化合物的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中存在所述化合物与所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的一个或多个键。
7.一种组合物，所述组合物包含至少一种根据权利要求1至5中的任一项所述的化合物，和/或根据权利要求6所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子，以及至少一种选自以下的其它化合物：荧光发光体、磷光发光体、主体材料、基质材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、电子阻挡材料和空穴阻挡材料。
8.一种制剂，所述制剂包含至少一种根据权利要求1至5中的任一项所述的化合物，根据权利要求6所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子和/或至少一种根据权利要求7所述的组合物以及至少一种溶剂。
9.一种用于制备根据权利要求1至5中的任一项所述的化合物或根据权利要求6所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子的方法，其特征在于，在偶联反应中，使包含至少一个二氮杂二苯并呋喃或二氮杂二苯并噻吩基团的化合物与包含至少一个咔唑、芴、菲、苯并呋喃和/或苯并噻吩基团的基团进行连接。
10.一种根据权利要求1至5中的任一项所述的化合物、根据权利要求6所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子或根据权利要求7所述的组合物在电子器件中作为主体材料、基质材料、电子传输材料、电子注入材料和/或空穴阻挡材料的用途。
11.一种电子器件，所述电子器件包含至少一种根据权利要求1至5中的任一项所述的化合物，或根据权利要求6所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子或根据权利要求7所述的组合物。
12.根据权利要求11所述的电子器件，其中所述电子器件选自有机电致发光器件、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机太阳能电池、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件、发光电化学电池和有机激光二极管。
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