KR20230027175A - 인데노아자나프탈렌 - Google Patents

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KR20230027175A
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옌스 엥겔하르트
마르가리타 부헤러-플리트케어
세바슈티안 마이어
크리슈티안 아이크호프
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본 발명은 특히 전자 디바이스에 사용하기 위한 인데노아자나프탈렌에 관한 것이다. 본 발명은 또한 본 발명에 따른 인데노아자나프탈렌의 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.

Description

인데노아자나프탈렌
본 발명은 특히 전자 디바이스에서 사용하기 위한 인데노아자나프탈렌을 설명한다. 본 발명은 또한 본 발명의 화합물의 제조 방법 및 이러한 화합물을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.
유기 반도체가 기능성 재료로서 사용되는 유기 전계 발광 디바이스 (OLED) 의 구조는 예를 들어 US 4539507, US 5151629, EP 0676461, WO 98/27136, JP 2007-161934 A 및 JP 2008-010649 A 에 기재되어 있다. 사용되는 방출 재료는 종종 인광을 나타내는 유기 금속 착물이다. 양자 역학적인 이유로, 인광 방출체로서 유기 금속 화합물을 사용하여 최대 4 배의 에너지 효율과 전력 효율이 가능하다. 일반적으로, 예를 들어 효율, 작동 전압 및 수명과 관련하여 OLED 에서의 개선, 특히 또한 인광을 나타내는 OLED 에서의 개선이 여전히 필요하다.
유기 전계발광 디바이스의 특성은 이용되는 방출체에 의해서만 결정되는 것은 아니다. 여기서 특히 중요한 것은 호스트 및 매트릭스 재료, 정공 차단 재료, 전자 수송 재료, 정공 수송 재료 및 전자 또는 여기자 차단 재료와 같은 사용되는 다른 재료이다. 이러한 재료의 개선은 전계 발광 디바이스의 뚜렷한 개선을 가져올 수 있다.
인광 화합물용 매트릭스 재료로서 그리고 정공 수송 재료로서 종래 기술에 따라 방향족 또는 헤테로방향족 화합물, 예를 들어 트리아릴아민 유도체 또는 카르바졸 유도체가 자주 사용된다. 또한, 트리아진 유도체 또는 피리미딘 유도체도 매트릭스 재료로서 그리고 전자 수송 재료로서 사용된다.
일반적으로, 이러한 재료의 경우에, 예를 들어 매트릭스 재료로서의 사용을 위해, 특히 수명과 관련한 것 뿐만 아니라 디바이스의 효율, 작동 전압 및 색 순도와 관련하여 개선이 여전히 필요하다.
따라서, 본 발명의 목적은 유기 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 사용하기에 적합하고 이 디바이스에서 사용될 때 양호한 디바이스 특성에 이르는 화합물을 제공하고, 대응하는 전자 디바이스를 제공하는 것이다.
보다 구체적으로는, 본 발명에 의해 다루어지는 문제점은 높은 수명, 양호한 효율 및 낮은 작동 전압에 이르는 화합물을 제공하는 것이다. 특히, 매트릭스 재료의 특성은 역시 유기 전계 발광 디바이스의 수명 및 효율에 큰 영향을 미친다.
본 발명에 의해 다루어지는 추가 과제는, 특히 매트릭스 재료로서 인광 또는 형광 OLED 에서 사용하기에 적합한 화합물을 제공하는 것이 고려될 수 있다. 본 발명에 의해 다루어지는 특정 과제는 적색- 및 녹색-인광 OLED 및 가능하게는 또한 청색-인광 OLED 에 적합한 매트릭스 재료를 제공하는 것이다.
또한, 화합물들은, 특히 이들이 유기 전계 발광 디바이스에서 매트릭스 재료로서, 정공 전도체 재료로서 또는 전자 수송 재료로서 사용될 때, 우수한 색 순도를 갖는 디바이스로 이어져야 한다.
또한, 화합물은 매우 간단한 방식으로 처리 가능해야 하고, 특히 양호한 용해도 및 필름 형성을 나타내야 한다. 예를 들어, 화합물은 증가된 산화 안정성 및 개선된 유리 전이 온도를 나타내야 한다.
추가의 과제는 우수한 성능을 갖는 전자 디바이스들을 매우 저렴하고 일정한 품질로 제공하는 것으로 고려될 수 있다.
또한, 많은 목적을 위해 전자 디바이스들을 사용하거나 또는 적합화할 수 있어야 한다. 보다 특히, 전자 디바이스의 성능은 넓은 온도 범위에 걸쳐 유지되어야 한다.
놀랍게도, 이러한 과제가 이하 상세히 기재되는 특정 화합물에 의해 해결된다는 것을 알아냈다. 그 화합물의 사용은 특히 수명, 탁월한 색 순도, 효율 및 작동 전압과 관련하여 유기 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스의 매우 양호한 특성에 이른다. 따라서 본 발명은 이러한 종류의 화합물 및 대응하는 바람직한 실시형태를 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스를 제공한다.
따라서, 본 발명은 하기 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는 화합물, 바람직하게는 하기 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 화합물을 제공한다:
Figure pct00001
Figure pct00002
식에서 사용된 기호들은 다음과 같다:
X 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, N 또는 CR, 바람직하게는 CR 이다;
Xa 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, N 또는 CRa, 바람직하게 CRa 이다;
Ra 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ara)2, N(R)2, C(=O) Ara, C(=O)R2, P(=O)(Ara)2, P(Ara)2, B(Ara)2, B(OR)2, Si(Ara)3, Si(R)3, Ge(R)3,1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -RC=CR-, -C≡C-, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, -O-, -Se-, -S-, C=Se, -C(=O)O-, -C(=O)NR-, C=NR, NR, P(=O)(R), SO 또는 SO2로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 2 개 이상의, 바람직하게는 인접한 Ra 라디칼들은 서로 또는 R 라디칼과 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Ara 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의, 바람직하게 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ara 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R), C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=O, C=NR, C=C(R)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R), P(R) 및 P(=O)R 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
R 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar)2, N(R1)2, C(=O)Ar, C(=O)R1, P(=O)(Ar)2, P(Ar)2, B(Ar)2, B(OR1)2, Si(Ar)3, Si(R1)3, Ge(R1)3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R1C=CR1-, -C≡C-, Si(R1)2, Ge(R1)2, Sn(R1)2, C=O, C=S, C=Se, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, C=NR1, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, -Se-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 2 개 이상의, 바람직하게는 인접한 R 라디칼은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Ar 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의, 바람직하게 비방향족 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, Ge(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar1)2, N(R2)2, C(=O)Ar1, C(=O)R2, P(=O)(Ar1)2, P(Ar1)2, B(Ar1)2, B(OR2)2, Si(Ar1)3, Si(R2)3, Ge(R2)3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, -Se-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 2 개 이상의 바람직하게는 인접한 R1 라디칼들은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Ar1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의, 바람직하게는 비방향족의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar1 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R2), C(R2)2, Si(R2)2, Ge(R2)2, C=O, C=NR2, C=C(R2)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R2), P(R2) 및 P(=O)R2 로부터 선택된 브릿지를 통해 서로 연결되는 것이 가능하다;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, Cl, Br, I, CN, B(OR3)2, NO2, C(=O)R3, CR3=C(R3)2, C(=O)OR3, C(=O)N(R3)2, Si(R3)3, Ge(R3)3, P(R3)2, B(R3)2, N(R3)2, NO2, P(=O)(R3)2, OSO2R3, OR3, S(=O)R3, S(=O)2R3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (이들의 각각은 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=NR3, -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, NR3, P(=O)(R3), -O-, -S-, -Se-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 이러한 시스템들의 조합이고; 동시에, 2개 이상의, 바람직하게는 인접한 치환기 R2 는 함께 서로 형성할 수도 있다;
R3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 및 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서, 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 으로 대체될 수도 있고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 각각 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2개 이상의, 바람직하게는 인접한 R3 치환기들은 서로 고리 시스템을 형성할 수 있다.
본 발명의 맥락에서 인접한 탄소 원자는 서로 직접 결합된 탄소 원자이다. 또한, 라디칼의 정의에서 "인접한 라디칼" 은 이러한 라디칼이 동일한 탄소 원자 또는 인접한 탄소 원자에 결합됨을 의미한다. 이들 정의는 대응하여, 특히, "인접한 기" 및 "인접한 치환기"라는 용어에 적용된다.
2 개 이상의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수도 있다는 문구는, 본 상세한 설명의 맥락에서, 특히, 2 개의 라디칼이 2 개의 수소 원자의 형식적 제거와 함께 화학 결합에 의해 서로 연결됨을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이것은 하기의 도식에 의해 예시된다:
Figure pct00003
그러나, 추가적으로, 위에 언급된 문구는 또한 2 개의 라디칼 중 하나가 수소인 경우에는 제 2 라디칼이 수소 원자가 결합되었던 위치에 결합되어, 고리를 형성한다는 것을 의미함으로 이해되어야 한다. 이것은 하기 도식에 의해 예시될 것이다:
Figure pct00004
본 발명의 맥락에서 융합된 아릴 기, 융합된 방향족 고리 시스템 또는 융합된 헤테로방향족 고리 시스템은, 예를 들어, 2개의 탄소 원자가 예를 들어 나프탈렌에서 처럼 적어도 2 개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리에 속하도록, 2개 이상의 방향족 기가 공통 에지를 따라 서로 융합 (fuse), 즉 어닐레이트 (annelate) 되는 기이다. 대조적으로, 예를 들어 본 발명의 맥락에서 플루오렌은, 플루오렌 내 2 개의 방향족기가 공통 에지를 갖지 않으므로, 융합된 아릴기가 아니다. 대응하는 정의가 헤테로아릴 기에 그리고 헤테로원자를 함유할 수도 있으나 또한 함유할 필요가 없는 융합된 고리 시스템에 적용된다.
본 발명의 문맥에서 아릴기는 6 내지 60 개의 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유하고; 본 발명의 문맥에서 헤테로아릴기는 2 내지 60 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 40 개의 탄소 원자, 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하고, 단, 탄소 원자 및 헤테로원자의 총합은 적어도 5 이다. 헤테로원자들은 바람직하게 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 아릴기 또는 헤테로아릴 기는 여기서 단순 (simple) 방향족 환, 즉, 벤젠 또는 단순 헤테로방향족 환, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜 등, 또는 융합된 아릴 또는 헤테로아릴기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등을 의미하는 것으로 여겨진다.
본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템은는 고리 시스템에서 6 내지 60 개의 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 40 개의 탄소 원자를 포함한다. 본 발명의 맥락에서 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 시스템에서 1 내지 60 개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 40 개의 탄소 원자, 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자 및 헤테로원자의 총합은 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 에서 선택된다. 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 단지 아릴 또는 헤테로아릴기만 반드시 함유하는 것이 아니라, 또한, 복수의 아릴 또는 헤테로아릴기가 비(非)방향족 단위 (바람직하게는 H 외의 10% 미만의 원자), 예를 들어 탄소, 질소 또는 산소 원자, 또는 카르보닐기에 의해 중단될 수 있는 시스템을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 따라서, 예를 들어 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템이 또한 본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템으로서, 그리고 마찬가지로 2 개 이상의 아릴기가, 예를 들어 선형 또는 환형 알킬기 또는 실릴기에 의해 중단된 시스템으로 간주될 것이다. 또한, 2 개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기가 서로 직접 결합된 시스템, 예를 들어 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐 또는 바이피리딘은 마찬가지로 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로서 간주될 것이다.
본 발명의 맥락에서의 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기는 단환, 이환 또는 다환 기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 맥락에서, 개개의 수소 원자 또는 CH2 기가 또한 위에 언급된 기에 의해 치환될 수도 있는 C1- 내지 C20-알킬기는 예를 들어, 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, 시클로프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 시클로부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, t-펜틸, 2-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, s-헥실, t-헥실, 2-헥실, 3-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, 1-메틸시클로펜틸, 2-메틸펜틸, n-헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 4-헵틸, 시클로헵틸, 1-메틸시클로헥실, n-옥틸, 2-에틸헥실, 시클로옥틸, 1-바이시클로[2.2.2]옥틸, 2-바이시클로[2.2.2]옥틸, 2-(2,6-디메틸)옥틸, 3-(3,7-디메틸)옥틸, 아다만틸, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 1,1-디메틸-n-헥스-1-일, 1,1-디메틸-n-헵트-1-일, 1,1-디메틸-n-옥트-1-일, 1,1-디메틸-n-데크-1-일, 1,1-디메틸-n-도데크-1-일, 1,1-디메틸-n-테트라데크-1-일, 1,1-디메틸-n-헥사데크-1-일, 1,1-디메틸-n-옥타데크-1-일, 1,1-디에틸-n-헥스-1-일, 1,1-디에틸-n-헵트-1-일, 1,1-디에틸-n-옥트-1-일, 1,1-디에틸-n-데크-1-일, 1,1-디에틸-n-도데크-1-일, 1,1-디에틸-n-테트라데크-1-일, 1,1-디에틸-n-헥사데크-1-일, 1,1-디에틸-n-옥타데크-1-일, 1-(n-프로필)시클로헥스-1-일, 1-(n-부틸)시클로헥스-1-일, 1-(n-헥실)시클로헥스-1-일, 1-(n-옥틸)시클로헥스-1-일 및 1-(n-데실)시클로헥스-1-일 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 알케닐 기는 예를 들어, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐 또는 시클로옥타디에닐을 의미하는 것으로 이해된다. 알키닐 기는 예를 들어, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐을 의미하는 것으로 이해된다. C1- 내지 C40-알콕시 기는, 예를 들어 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡시를 의미하는 것으로 이해된다.
5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고, 또한 각각의 경우 위에 언급된 라디칼에 의해 치환될 수도 있으며 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 시스템에 연결될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 예를 들어, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 벤조플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 테르페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-모노벤조인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-디벤조인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트르이미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸에서 유래된 기를 의미하는 것으로 이해된다.
바람직하게는, Ra 라디칼 중 적어도 하나, 바람직하게 적어도 2개는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템인 경우일 수도 있다.
추가의 구성에서, Ra 라디칼 중 적어도 하나, 바람직하게 적어도 2개는, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (이들 각각은 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있음) 인 경우일 수도 있다. 바람직하게는 식 (Ia) 또는 (Ib) 에서 인접한 Ra 기가 각각 메틸 기를 나타내도록 플루오렌 브릿지 상에 2개의 메틸 기가 존재할 수도 있다.
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 식 (II-1), (II-2), (II-3), (II-4), (II-5), (II-6), (II-7), (II-8), (II-9), (II-10), (II-11), (II-12), (II-13), (II-14), (II-15) 및/또는 (II-16) 의 적어도 하나의 구조를 함유할 수도 있고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (II-1), (II-2), (II-3), (II-4), (II-5), (II-6), (II-7), (II-8), (II-9), (II-10), (II-11), (II-12), (II-13), (II-14), (II-15) 및/또는 (II-16) 의 구조에 의해 표현될 수 있다:
Figure pct00005
Figure pct00006
Figure pct00007
식중 사용된 기호 R 및 X 는 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 가지며, p 는 0 또는 1 이고, Y는 B(R), C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=O, C=NR, C=C(R)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R), P(R) 및 P(=O)R, 바람직하게 B(R), C(R)2, Si(R)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R), P(R) 및 P(=O)R, 보다 바람직하게 O 또는 N(R) 이고, 여기서 p = 0 일 때, 나타낸 방향족 또는 헤테로방향족 고리 사이에 결합이 존재한다. 여기서 식 (II-5), (II-6), (II-7), (II-8), (II-13), (II-14), (II-15) 및 (II-16) 의 구조가 바람직하고, 식 (II-13), (II-14), (II-15) 및 (II-16) 의 구조가 특히 바람직하다.
또한, 식 (II-9) 및 (II-13) 의 구조 (바람직하게 화합물) 가 특히 바람직하다:
Figure pct00008
식중 사용된 기호 R 및 X 는 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 가질 수도 있으며, p 는 0 또는 1 이고, Y는 B(R), C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=O, C=NR, C=C(R)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R), P(R) 및 P(=O)R, 바람직하게 B(R), C(R)2, Si(R)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R), P(R) 및 P(=O)R, 보다 바람직하게 O 또는 N(R) 이고, 여기서 p = 0 일 때, 나타낸 방향족 또는 헤테로방향족 고리 사이에 결합이 존재한다. 식 (II-9) 및 (II-13) 과 관련하여, 결합이 2개의 고리 사이에 형성되도록 p = 0인 구조 (바람직하게는 화합물) 가 바람직하다.
바람직하게, 식 (Ia), (Ib) 및/또는 (II-1) 내지 (II-16) 에서, 고리 당 2 개 이하의 X 기가 N 이고; 바람직하게는 고리 당 적어도 1 개, 보다 바람직하게는 적어도 2 개의 X 기가 C-H 및 C-D 로부터 선택되는 경우일 수도 있다.
바람직하게는, 식 (Ia), (Ib) 및/또는 (II-1) 내지 (II-16) 에서, 4개 이하 그리고 바람직하게는 2개 이하의 X 기가 N 이고; 보다 바람직하게는, 모든 X 기가 CR 이고, 여기서 X 가 나타내는 바람직하게는 최대 4, 보다 바람직하게는 최대 3 그리고 특히 바람직하게는 최대 2 개의 CR 기들은 CH 기가 아니다.
또한, 본 발명의 화합물은 식 (III-1), (III-2), (III-3), (III-4), (III-5), (III-6), (III-7), (III-8), (III-9), (III-10), (III-11), (III-12), (III-13), (III-14), (III-15) 및/또는 (III-16) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (III-1), (III-2), (III-3), (III-4), (III-5), (III-6), (III-7), (III-8), (III-9), (III-10), (III-11), (III-12), (III-13), (III-14), (III-15) 및/또는 (III-16) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00009
Figure pct00010
Figure pct00011
식 중, R 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 가지며, 기호 Y 및 p는 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-16) 에 대해 주어진 정의를 가지며, l 은 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, m은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다. 여기서 식 (III-5), (III-6), (III-8), (III-13), (III-14) 및 (III-16) 의 구조가 바람직하다.
또한, 식 (III-9) 및 (III-13) 의 구조 (바람직하게 화합물) 가 특히 바람직하다:
Figure pct00012
식 중, R 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 가지며, 기호 Y 및 p는 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-16) 에 대해 주어진 정의를 가지며, l 은 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, m은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다. 식 (III-9) 및 (III-13) 과 관련하여, 결합이 2개의 고리 사이에 형성되도록 p = 0인 구조 (바람직하게는 화합물) 가 바람직하다.
바람직하게, 식 (III-1) 내지 (III-16) 의 구조에서, 바람직하게 화합물에서 인덱스 l 및 m 의 총합은 6 이하, 바람직하게는 4 이하 그리고 보다 바람직하게는 2 이하이다.
또한, 화합물은 정공 수송기를 포함하고, 여기서 바람직하게는 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (III-1) 내지 (III-16) 의 구조/화합물에서 Ra 기 및/또는 R 기 중 적어도 하나는 정공 수송기를 포함하고 바람직하게는 정공 수송기인 경우일 수도 있다.
정공 수송기는 당해 기술 분야에 공지되어 있으며, 바람직하게는 트리아릴아민 또는 카르바졸 기를 포함한다.
추가 실시형태에서, 전자 디바이스의 기능성 층의 제조에 사용 가능한 화합물이 전자 수송기 포함 라디칼을 포함하는 경우일 수도 있다.
또한, 화합물은 전자 수송기 포함 라디칼을 포함하고, 여기서 바람직하게는 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (III-1) 내지 (III-16) 의 구조/화합물에서 Ra 기 또는 R 기 중 적어도 하나는 전자 수송기 포함 라디칼을 포함하고 바람직하게는 전자 수송기 포함 라디칼인 경우일 수도 있다.
전자 수송기는 당해 기술 분야에서 널리 알려져 있으며 전자를 수송 및/또는 전도할 수 있는 화합물의 능력을 증진시킨다.
또한, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 이미다졸 및/또는 벤즈이미다졸의 군, 특히 바람직하게는 피리미딘, 트리아진 및 퀴나졸린으로부터 선택된 적어도 하나의 구조를 포함하는 전자 디바이스의 기능성 층의 제조에 사용 가능한 화합물에 의해 놀라운 이점이 나타난다. 이러한 구조는 일반적으로 전자를 수송 및/또는 전도하는 화합물의 능력을 증진시킨다.
본 발명의 바람직한 구성에서, 전자 수송기 포함 라디칼은 식 (QL) 로 표현될 수 있는 기인 경우일 수도 있다
Figure pct00013
식 중 L1 은 결합 또는 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, Q 는 전자 수송기이며, 여기서 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해, 주어진 정의를 가지며, 그리고 점선 결합은 부착의 위치를 표시한다.
바람직하게는, L1 기는 Q 기 및, 식 (QL) 의 L1 기가 결합되는, 원자, 바람직하게는 탄소 또는 질소 원자와 관통 공액을 형성할 수도 있다. 방향족 또는 헤테로방향족 시스템의 관통 공액은 인접한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 사이에 직접 결합이 형성되는 대로 형성된다. 예를 들어 황, 질소 또는 산소 원자 또는 카르보닐기를 통한, 위에 언급한 공액 기 사이의 추가 결합은 공액에 해롭지 않다. 플루오렌 시스템의 경우, 2 개의 방향족 고리가 직접 결합하며, 여기서 위치 9 에서의 sp3-혼성화된 탄소 원자가 이들 고리의 융합을 방지하지만, 이러한 위치 9 에서의 sp3-혼성화된 탄소 원자가 식 (QL) 의 기가 본 발명의 화합물의 추가 구조 요소에 결합되는 원자와 전자 수송 Q 기 사이에 반드시 있는 것은 아니기 때문에 공액이 가능하다. 반대로, 제 2 스피로바이플루오렌 구조의 경우, 식 (QL) 의 L1 기가 결합되는 방향족 또는 헤테로방향족 라디칼과 Q 기 사이의 결합이 스피로바이플루오렌 구조에서 동일한 페닐 기를 통하거나, 또는 서로 직접 결합되고 하나의 평면내에 있는 스피로비플루오렌 구조에서의 페닐 기들을 통하는 경우, 관통 공액이 형성될 수 있다. 식 (QL) 의 L1 기가 결합하는 방향족 또는 헤테로방향족 라디칼과 Q 기 사이의 결합이 위치 9 에서의 sp3-혼성화된 탄소 원자를 통해 결합한 제 2 스피로바이플루오렌 구조에서의 상이한 페닐기를 통한 것인 경우, 공액이 인터럽트된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시 형태에서, L1 은 결합 또는 5 내지 14 개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 바람직하게는 6 내지 12개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 고리 시스템이며, 여기서 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해, 주어진 정의를 가질 수도 있다. 보다 바람직하게는, L1 은 6 내지 10 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 또는 6 내지 13 개의 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 이들의 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않고, 여기서 R2 은, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해, 위에 주어진 정의를 가질 수도 있다.
추가로 바람직하게는, 특히 식 (QL) 에서 나타낸 기호 L1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 결합, 또는 5 내지 24 개의 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 고리 원자, 보다 바람직하게는 6 내지 10 개의 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이어서, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 방향족 또는 헤테로방향족 기는 추가 기의 각각의 원자에 직접, 즉 방향족 또는 헤테로방향족기의 원자를 통해 결합한다.
추가로, 식 (QL) 에 나타낸 L1 기는 2 개 이하의 융합된 방향족 및/또는 헤테로방향족 6 원 고리를 갖는 방향족 고리 시스템을 포함하고, 바람직하게는, 임의의 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 포함하지 않는 경우일 수도 있다. 따라서, 나프틸 구조가 안트라센 구조보다 바람직하다. 또한, 플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐 및/또는 디벤조티에닐 구조가 나프틸 구조보다 바람직하다.
융합을 갖지 않는 구조, 예를 들어 페닐, 바이페닐, 테르페닐 및/또는 쿼터페닐 구조가 특히 바람직하다.
적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 L1 의 예들은 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌, 오르토-, 메타- 또는 파라- 바이페닐렌, 테르페닐렌, 특히 분지형 테르페닐렌, 쿼터페닐렌, 특히 분지형 쿼터페닐렌, 플루오레닐렌, 스피로바이플루오레닐렌, 디벤조푸라닐렌, 디벤조티에닐렌 및 카르바졸릴렌 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다) 으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
또한, 특히 식 (QL) 에 나타낸 L1 기가 1개 이하의 질소 원자, 바람직하게는 2개 이하의 헤테로원자, 특히 바람직하게는 1개 이하의 헤테로원자를 갖고 보다 바람직하게는 헤테로원자를 갖지 않는 경우일 수도 있다.
바람직하게는, 특히 식 (QL) 에 나타낸 Q 기, 또는 전자 수송기는 식 (Q-1), (Q-2), (Q-4), (Q-4), (Q-5), (Q-6), (Q-7), (Q-8), (Q-9) 및/또는 (Q-10) 의 구조들로부터 선택될 수도 있다
Figure pct00014
식 중, 점선 결합은 부착 위치를 나타내고,
Q' 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, CR1 또는 N 이고,
Q'' 는 NR1, O 또는 S 이고;
여기서 적어도 하나의 Q' 는 N 이고
R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 또는 (Ib) 에 정의된 바와 같다.
또한, 특히 식 (QL) 에 나타낸 Q 기, 또는 전자 수송기는 바람직하게는 식 (Q-11), (Q-12), (Q-13), (Q-14) 및/또는 (Q-15) 의 구조로부터 선택될 수도 있다
Figure pct00015
식 중 기호 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 갖고, X1 은 N 또는 CR1 이고 점선 결합은 부착 위치를 표시하고, 여기서 X1 은 바람직하게는 질소 원자이다.
추가의 실시형태에서, 특히 식 (QL) 에 나타낸 Q 기, 또는 전자 수송기는 식 (Q-16), (Q-17), (Q-18), (Q-19), (Q-20), (Q-21) 및/또는 (Q-22) 의 구조들로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00016
Figure pct00017
식 중 기호 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 점선 결합은 부착 위치를 표시하고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, o는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 1 또는 2이다. 여기서 식 (Q-16), (Q-17), (Q-18) 및 (Q-19) 의 구조가 바람직하다.
추가의 실시형태에서, 특히 식 (QL) 에 나타낸 Q 기, 또는 전자 수송기는 식 (Q-23), (Q-24) 및/또는 (Q-25) 의 구조들로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00018
Figure pct00019
식 중, 기호 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 부착 위치를 나타낸다.
추가의 실시 형태에서, 특히 식 (QL) 에 나타낸 Q 기, 또는 전자 수송기는 식 (Q-26), (Q-27), (Q-28), (Q-29) 및/또는 (Q-30) 의 구조들로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00020
Figure pct00021
여기서 기호 Ar1 및 R1 은 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 위에 주어진 정의를 가지며, X1 은 N 또는 CR1 이고 점선 결합은 부착 위치를 표시한다. 바람직하게는, 식 (Q-26), (Q-27) 및 (Q-28) 의 구조들에서, 정확히 하나의 X1 은 질소 원자이다.
바람직하게는, 특히 식 (QL) 에 나타낸 Q 기, 또는 전자 수송기는 식 (Q-31), (Q-32), (Q-33), (Q-34), (Q-35), (Q-36), (Q-37), (Q-38), (Q-39), (Q-40), (Q-41), (Q-42), (Q-43) 및/또는 (Q-44) 의 구조들로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00022
Figure pct00023
Figure pct00024
식 중, 기호 Ar1 및 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 부착 위치를 표시하고, m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0 또는 1, n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, l 은 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, Ar1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 바람직하게는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이고, 보다 바람직하게는 방향족 고리 시스템, 바람직하게는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 라디칼, 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 바람직하게는 5 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로아릴 기이며, 이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않고, 여기서 R2 는 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 상술된 정의를 가질 수도 있다.
바람직하게는, 기호 Ar1 은 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이어서, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 방향족 또는 헤테로방향족 기가 직접, 즉 방향족 또는 헤테로방향족 기의 원자를 통해, 추가의 기의 각각의 원자, 예를 들어, 위에 나타난 (H-1) 내지 (H-26) 또는 (Q-26) 내지 (Q-44) 기의 탄소 또는 질소 원자에 결합된다.
유리하게는, 식 (H-1) 내지 (H-26) 또는 (Q-26) 내지 (Q-44) 에서의 Ar1 은, 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 고리 시스템이고, 여기서, R2 는 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 상술된 정의를 가질 수도 있다.
바람직하게는, 식 (H-1) 내지 (H-26) 또는 (Q-1) 내지 (Q-44) 에서의 R1 또는 R2 라디칼은, R1 또는 R2 라디칼이 결합되는 아릴 기 또는 헤테로아릴 기 Ar1, Ar2, Ar3 및/또는 Ar4 의 고리 원자와 융합된 고리 시스템을 형성하지 않는다. 이것은 R1 또는 R2 라디칼에 결합될 수도 있는 가능한 치환기 R2, R3 와의 융합된 고리 시스템의 형성을 포함한다.
이들 전자 수송기는 예상치 못한 효과를 달성할 수 있다.
또한, Ar, Ar1, Ar2, Ar3 및/또는 Ar4 기가, 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2- , 3- 또는 4-디벤조티에닐, 피레닐, 트리아지닐, 이미다졸릴, 벤즈이미다졸릴, 벤즈옥사졸릴, 벤조티아졸릴, 1-, 2-, 3- 또는 4- 카르바졸릴, 인데노카르바졸릴, 1- 또는 2-나프틸, 안트라세닐, 바람직하게는 9-안트라세닐, 페난트레닐 및/또는 트리페닐레닐로 이루어진 군에서 선택되며, 이들 각각은 하나 이상의 R1 및/또는 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않고, 페닐, 스피로바이플루오렌, 플루오렌, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌 기가 특히 바람직한 경우일 수도 있다.
또한, 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (III-1) 내지 (III-16) 의 헤테로방향족 고리 시스템의 치환기 R 이 헤테로방향족 고리 시스템, 바람직하게는 임의의 융합된 고리 시스템의 고리 원자와 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하지 않는 경우일 수도 있다. 이것은 R 라디칼에 결합될 수도 있는 가능한 R1, R2, R3 치환기와의 융합된 고리 시스템의 형성을 포함한다. 바람직하게, 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (III-1) 내지 (III-16) 에서의 치환기 R 은 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 고리 원자들과 고리 시스템을 형성하지 않는 경우일 수도 있다. 이것은 R 라디칼에 결합될 수도 있는 가능한 R1, R2, R3 치환기와의 고리 시스템의 형성을 포함한다.
특히 R, R1, R2, R 및/또는 R3 로부터 선택될 수도 있는 2개의 라디칼이 서로 고리 시스템을 형성하는 경우, 이 고리 시스템은 단환 또는 다환, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족일 수도 있다. 이 경우, 함께 고리 시스템을 형성하는 라디칼은 인접할 수도 있으며, 이는 이들 라디칼이 동일한 탄소 원자에 또는 서로 직접 결합된 탄소 원자에 결합되거나, 또는 서로 더 멀리 떨어져 있을 수 있음을 의미한다.
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 식 (Ia), (Ib), (II-1), (II-2), (II-3), (II-4), (II-5), (II-6), (II-7), (II-8), (II-9), (II-10), (II-11), (II-12), (II-13), (II-14), (II-15), (II-16), (III-1), (III-2), (III-3), (III-4), (III-5), (III-6), (III-7), (III-8), (III-9), (III-10), (III-11), (III-12), (III-13), (III-14), (III-15) 또는 (III-16) 의 구조에 의해, 또는 나중에 제시될 이들 구조의 바람직한 실시형태에 의해 정의된다. 따라서, 식 (Ia), (Ib), (II-1), (II-2), (II-3), (II-4), (II-5), (II-6), (II-7), (II-8), (II-9), (II-10), (II-11), (II-12), (II-13), (II-14), (II-15), (II-16), (III-1), (III-2), (III-3), (III-4), (III-5), (III-6), (III-7), (III-8), (III-9), (III-10), (III-11), (III-12), (III-13), (III-14), (III-15) 또는 (III-16) 의 구조의 화합물, 또는 나중에 제시될 이들 구조의 바람직한 실시형태 중 하나가 바람직하다. 바람직하게, 식 (Ia), (Ib), (II-1), (II-2), (II-3), (II-4), (II-5), (II-6), (II-7), (II-8), (II-9), (II-10), (II-11), (II-12), (II-13), (II-14), (II-15), (II-16), (III-1), (III-2), (III-3), (III-4), (III-5), (III-6), (III-7), (III-8), (III-9), (III-10), (III-11), (III-12), (III-13), (III-14), (III-15) 또는 (III-16)의 구조를 포함하는 화합물, 또는 이들 구조의 바람직한 실시형태를 포함하는 화합물은 분자량이 5000　g/mol 이하, 바람직하게는 4000　g/mol 이하, 특히 바람직하게는 3000　g/mol 이하, 특별히 바람직하게는 2000　g/mol 이하 그리고 가장 바람직하게는 1200　g/mol 이하이다.
또한, 본 발명의 바람직한 화합물들의 특징은 이것들이 승화성이라는 것이다. 이들 화합물은 일반적으로 약 1200 g/mol 미만의 몰 질량을 갖는다.
추가로 바람직한 실시형태에서, 위에 나타낸 구조에서 R 기가 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐, 피레닐, 트리아지닐, 이미다졸릴, 벤즈이미다졸릴, 벤즈옥사졸릴, 벤조티아졸릴, 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴, 1- 또는 2-나프틸, 안트라세닐, 바람직하게는 9-안트라세닐, 페난트레닐 및/또는 트리페닐레닐 (플루오레닐 및 카르바졸릴을 제외하고, 이들의 각각은 하나 이상의 R 또는 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나, 바람직하게는 비치환됨) 로 이루어지는 군에서 선택될 수 있으며, 스피로바이플루오렌, 플루오렌, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌기가 특히 바람직하다.
X 가 CR 인 경우 또는 방향족 및/또는 헤테로방향족 기가 치환기 R 로 치환된 경우, 이들 치환기 R은 바람직하게는 H, D, F, CN, N(Ar)2, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 또는 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기 (이들 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 로 대체될 수도 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 로 대체될 수도 있음), 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 비치환되는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 25 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 선택적으로 동일한 탄소 원자 또는 인접한 탄소 원자에 결합한 2 개의 치환기 R 이 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하고; 여기서 Ar 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 아릴옥시 기, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 아르알킬 기를 나타내고, 여기서 선택적으로 2개 이상의 바람직하게는 인접한 치환기 R1 은 단환 또는 다환, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 바람직하게는 단환 또는 다환 지방족 고리 시스템을 형성할 수 있고, 이는 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 기호 R2 는 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 가질 수도 있다. 바람직하게는, Ar 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 5 내지 24 개, 그리고 바람직하게는 5 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나 바람직하게는 치환되지 않는 아릴 또는 헤테로아릴기이다.
적합한 Ar 기의 예는 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴 (이들 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나, 바람직하게는 비치환됨) 로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
보다 바람직하게는, 이러한 치환기 R 은 H, D, F, CN, N(Ar)2, 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖고, 바람직하게는 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 또는 3 내지 8 개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기, 또는 2 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는, 바람직하게는 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 보다 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 비방향족 R1라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 동시에, 선택적으로, 동일한 탄소 원자에 또는 인접한 탄소 원자들에 결합되는 2 개의 치환기 R 은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는 단환 또는 다환 지방족 고리 시스템을 형성할 수도 있고, 여기서 Ar 은 위에 제시된 정의를 가질 수도 있다.
가장 바람직하게, 치환기 R 은 H, 및 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 이들 각각은 하나 이상의 비방향족 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나, 바람직하게는 비치환된다.
바람직한 구성에서, 식 (Ia), (Ib), (II-1), (II-2), (II-3), (II-4), (II-5), (II-6), (II-7), (II-8), (II-9), (II-10), (II-11), (II-12), (II-13), (II-14), (II-15), (II-16), (III-1), (III-2), (III-3), (III-4), (III-5), (III-6), (III-7), (III-8), (III-9), (III-10), (III-11), (III-12), (III-13), (III-14), (III-15) 또는 (III-16) 에서 적어도 하나의 R 및/또는 Ra 기가 식 L1-Z 에 의해 표시될 수 있는 기인 경우가 있을 수도 있고, 여기서 L1 은 결합 또는 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, Z 은 R1, Ar 또는 식 Za 또는 Zb 의 기를 나타내고, 여기서 기호 Ar 및 R1 는 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 갖고, Za 또는 Zb 는
Figure pct00025
이고
식 중 W 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼, 질소 원자, 붕소 원자, 인 원자 또는 포스판 산화물 기에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 점선 결합은 부착 위치를 표시하고 기호 Ar 및 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
바람직하게, 본 발명의 화합물은 식 (IV-1), (IV-2), (IV-3), (IV-4), (IV-5), (IV-6), (IV-7), (IV-8), (IV-9), (IV-10), (IV-11), (IV-12), (IV-13), (IV-14), (IV-15), (IV-16), (IV-17), (IV-18), (IV-19), (IV-20), (IV-21), (IV-22), (IV-23) 및/또는 (IV-24) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (IV-1), (IV-2), (IV-3), (IV-4), (IV-5), (IV-6), (IV-7), (IV-8), (IV-9), (IV-10), (IV-11), (IV-12), (IV-13), (IV-14), (IV-15), (IV-16), (IV-17), (IV-18), (IV-19), (IV-20), (IV-21), (IV-22), (IV-23) 및/또는 (IV-24) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고 사용된 기호 R, Y, p, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
또한, 식 (IV-9), (IV-13), (IV-17) 및 (IV-21) 의 구조 (바람직하게 화합물) 가 특히 바람직하다:
Figure pct00030
식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고 사용된 기호 R, Y, p, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖는다. 식 (IV-9), (IV-13), (IV-17) 및 (IV-21) 과 관련하여, 결합이 2개의 고리 사이에 형성되도록 p = 0인 구조 (바람직하게는 화합물) 가 바람직하다.
추가의 실시형태에서, 본 발명의 화합물은 식 (V-1), (V-2), (V-3), (V-4), (V-5), (V-6), (V-7), (V-8), (V-9), (V-10), (V-11), (V-12), (V-13), (V-14), (V-15), (V-16), (V-17), (V-18), (V-19), (V-20), (V-21), (V-22), (V-23), (V-24), (V-25), (V-26), (V-27), (V-28), (V-29), (V-30), (V-31) 및/또는 (V-32) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (V-1), (V-2), (V-3), (V-4), (V-5), (V-6), (V-7), (V-8), (V-9), (V-10), (V-11), (V-12), (V-13), (V-14), (V-15), (V-16), (V-17), (V-18), (V-19), (V-20), (V-21), (V-22), (V-23), (V-24), (V-25), (V-26), (V-27), (V-28), (V-29), (V-30), (V-31) 및/또는 (V-32) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00031
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
Figure pct00035
Figure pct00036
식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고 사용된 기호 R, Y, p, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
또한, 식 (V-17), (V-21), (V-25) 및 (V-29) 의 구조 (바람직하게 화합물) 가 특히 바람직하다:
Figure pct00037
Figure pct00038
식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고 사용된 기호 R, Y, p, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖는다. 식 (V-17), (V-21), (V-25) 및 (V-29) 과 관련하여, 결합이 2개의 고리 사이에 형성되도록 p = 0인 구조 (바람직하게는 화합물) 가 바람직하다.
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 식 (VI-1), (VI-2), (VI-3), (VI-4), (VI-5), (VI-6), (VI-7) 및/또는 (VI-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (VI-1), (VI-2), (VI-3), (VI-4), (VI-5), (VI-6), (VI-7) 및/또는 (VI-8) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00039
Figure pct00040
식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고 사용된 기호 R, Y, p, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖는다. 여기서 식 (VI-1), (VI-2), (VI-4), (VI-5), (VI-6) 및 (VI-8) 의 구조 (바람직하게 화합물) 이 바람직하고, 식 (VI-5), (VI-6), (VI-8) 의 구조 (바람직하게 화합물) 이 특히 바람직하다. 식 (VI-5) 이 특히 바람직하며, 결합이 2개의 고리 사이에 형성되도록 p = 0인 구조 (바람직하게는 화합물) 가 바람직하다.
특히 식 (II-1) 내지 (II-16), (III-1) 내지 (III-16), (IV-1) 내지 (IV-24), (V-1) 내지 (V-32) 및/또는 (VI-1) 내지 (VI-8) 의 구조에서, Y 라디칼은 바람직하게 O 또는 NR이다.
보다 바람직하게, 본 발명의 화합물은 식 (VII-1), (VII-2), (VII-3), (VII-4), (VII-5), (VII-6), (VII-7) 및/또는 (VII-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (VII-1), (VII-2), (VII-3), (VII-4), (VII-5), (VII-6), (VII-7) 및/또는 (VII-8) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00041
Figure pct00042
식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 화합물은 식 (VIII-1), (VIII-2), (VIII-3), (VIII-4), (VIII-5), (VIII-6), (VIII-7), (VIII-8), (VIII-9) 및/또는 (VIII-10) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (VIII-1), (VIII-2), (VIII-3), (VIII-4), (VIII-5), (VIII-6), (VIII-7), (VIII-8), (VIII-9) 및/또는 (VIII-10) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00043
Figure pct00044
식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
바람직하게 또한, 본 발명의 화합물은 식 (IX-1), (IX-2), (IX-3), (IX-4), (IX-5), (IX-6), (IX-7) 및/또는 (IX-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (IX-1), (IX-2), (IX-3), (IX-4), (IX-5), (IX-6), (IX-7) 및/또는 (IX-8) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00045
Figure pct00046
식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
또한, 본 발명의 화합물은 식 (X-1), (X-2), (X-3), (X-4), (X-5), (X-6), (X-7) 및/또는 (X-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (X-1), (X-2), (X-3), (X-4), (X-5), (X-6), (X-7) 및/또는 (X-8) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00047
Figure pct00048
식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
바람직하게 또한, 본 발명의 화합물은 식 (XI-1), (XI-2), (XI-3), (XI-4), (XI-5), (XI-6), (XI-7), (XI-8), (XI-9) 및/또는 (XI-10) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (XI-1), (XI-2), (XI-3), (XI-4), (XI-5), (XI-6), (XI-7), (XI-8), (XI-9) 및/또는 (XI-10) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00049
Figure pct00050
식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
바람직하게, 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16), (III-1) 내지 (III-16), (IV-1) 내지 (IV-24), (V-1) 내지 (V-32), (VI-1) 내지 (VI-8), (VII-1) 내지 (VII-8), (VIII-1) 내지 (VIII-10), (IX-1) 내지 (IX-8), (X-1) 내지 (X-8) 및/또는 (XI-1) 내지 (XI-10) 에서, 고리 당 2 개 이하의 X 기가 N 이고; 바람직하게는 고리 당 적어도 1 개, 그리고 보다 바람직하게는 적어도 2 개의 X 기가 C-H 및 C-D 로부터 선택되는 경우일 수도 있다.
바람직하게, 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16), (III-1) 내지 (III-16), (IV-1) 내지 (IV-24), (V-1) 내지 (V-32), (VI-1) 내지 (VI-8), (VII-1) 내지 (VII-8), (VIII-1) 내지 (VIII-10), (IX-1) 내지 (IX-8), (X-1) 내지 (X-8) 및/또는 (XI-1) 내지 (XI-10) 에서, 4 개 이하 그리고 바람직하게는 2 개 이하의 X 기는 N 이고; 더욱 바람직하게는 모든 X 기는 CR 이고, 여기서 X 가 나타내는 바람직하게는 4 개 이하, 더욱 바람직하게는 3 개 이하 그리고 특히 바람직하게는 2개 이하의 CR 기는 CH 기가 아니다.
또한, 본 발명의 화합물은 식 (XII-1), (XII-2), (XII-3), (XII-4), (XII-5), (XII-6), (XII-7), (XII-8), (XII-9), (XII-10), (XII-11), (XII-12), (XII-13), (XII-14), (XII-15), (XII-16), (XII-17), (XII-18), (XII-19), (XII-20), (XII-21), (XII-22), (XII-23) 및/또는 (XII-24) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (XII-1), (XII-2), (XII-3), (XII-4), (XII-5), (XII-6), (XII-7), (XII-8), (XII-9), (XII-10), (XII-11), (XII-12), (XII-13), (XII-14), (XII-15), (XII-16), (XII-17), (XII-18), (XII-19), (XII-20), (XII-21), (XII-22), (XII-23) 및/또는 (XII-24) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00051
Figure pct00052
Figure pct00053
식중 사용된 기호 R, Y, p, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖고; 인덱스 l는 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다. 여기서 식 (XII-1) 내지 (XII-9) 및 (XII-13) 내지 (XII-21) 의 기를 갖는 화합물이 바람직하다.
또한, 식 (XII-13), (XII-17) 및 (XII-21) 의 구조 (바람직하게 화합물) 가 특히 바람직하다:
Figure pct00054
식중 사용된 기호 R, Y, p, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖고; 인덱스 l는 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다. 식 (XII-13), (XII-17) 및 (XII-21) 과 관련하여, 결합이 2개의 고리 사이에 형성되도록 p = 0인 구조 (바람직하게는 화합물) 가 바람직하다.
바람직하게, 본 발명의 화합물은 식 (XIII-1), (XIII-2), (XIII-3), (XIII-4), (XIII-5), (XIII-6), (XIII-7), (XIII-8), (XIII-9), (XIII-10), (XIII-11), (XIII-12), (XIII-13), (XIII-14), (XIII-15), (XIII-16), (XIII-17), (XIII-18), (XIII-19), (XIII-20), (XIII-21), (XIII-22), (XIII-23), (XIII-24), (XIII-25), (XIII-26), (XIII-27), (XIII-28), (XIII-29), (XIII-30), (XIII-31) 및/또는 (XIII-32) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (XIII-1), (XIII-2), (XIII-3), (XIII-4), (XIII-5), (XIII-6), (XIII-7), (XIII-8), (XIII-9), (XIII-10), (XIII-11), (XIII-12), (XIII-13), (XIII-14), (XIII-15), (XIII-16), (XIII-17), (XIII-18), (XIII-19), (XIII-20), (XIII-21), (XIII-22), (XIII-23), (XIII-24), (XIII-25), (XIII-26), (XIII-27), (XIII-28), (XIII-29), (XIII-30), (XIII-31) 및/또는 (XIII-32) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00055
Figure pct00056
Figure pct00057
Figure pct00058
Figure pct00059
식중 사용된 기호 R, Y, p, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖고; 인덱스 l는 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다.
또한, 식 (XIII-13), (XIII-17), (XIII-21), (XIII-25) 및 (XIII-29) 의 구조 (바람직하게 화합물) 가 특히 바람직하다:
Figure pct00060
Figure pct00061
식중 사용된 기호 R, Y, p, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖고; 인덱스 l는 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다. 식 (XIII-13), (XIII-17), (XIII-21), (XIII-25) 및 (XIII-29) 과 관련하여, 결합이 2개의 고리 사이에 형성되도록 p = 0인 구조 (바람직하게는 화합물) 가 바람직하다.
보다 바람직하게, 본 발명의 화합물은 식 (XIV-1), (XIV-2), (XIV-3), (XIV-4), (XIV-5), (XIV-6), (XIV-7) 및/또는 (XIV-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (XIV-1), (XIV-2), (XIV-3), (XIV-4), (XIV-5), (XIV-6), (XIV-7) 및/또는 (XIV-8) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00062
Figure pct00063
식중 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖고; 인덱스 l는 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다.
바람직하게 또한, 본 발명의 화합물은 식 (XV-1), (XV-2), (XV-3), (XV-4), (XV-5), (XV-6), (XV-7), (XV-8), (XV-9) 및/또는 (XV-10) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (XV-1), (XV-2), (XV-3), (XV-4), (XV-5), (XV-6), (XV-7), (XV-8), (XV-9) 및/또는 (XV-10) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00064
Figure pct00065
식중 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖고; 인덱스 l는 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 화합물은 식 (XVI-1), (XVI-2), (XVI-3), (XVI-4), (XVI-5), (XVI-6), (XVI-7) 및/또는 (XVI-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (XVI-1), (XVI-2), (XVI-3), (XVI-4), (XVI-5), (XVI-6), (XVI-7) 및/또는 (XVI-8) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00066
Figure pct00067
식중 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖고; 인덱스 l는 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다.
또한, 본 발명의 화합물은 식 (XVII-1), (XVII-2), (XVII-3), (XVII-4), (XVII-5), (XVII-6), (XVII-7) 및/또는 (XVII-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (XVII-1), (XVII-2), (XVII-3), (XVII-4), (XVII-5), (XVII-6), (XVII-7) 및/또는 (XVII-8) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00068
식중 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖고; 인덱스 l는 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다.
바람직하게, 본 발명의 화합물은 식 (XVIII-1), (XVIII-2), (XVIII-3), (XVIII-4), (XVIII-5), (XVIII-6), (XVIII-7), (XVIII-8), (XVIII-9) 및/또는 (XVIII-10) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (XVIII-1), (XVIII-2), (XVIII-3), (XVIII-4), (XVIII-5), (XVIII-6), (XVIII-7), (XVIII-8), (XVIII-9) 및/또는 (XVIII-10) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00069
Figure pct00070
식중 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖고; 인덱스 l는 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 화합물은 식 (XIX-1), (XIX-2), (XIX-3), (XIX-4), (XIX-5), (XIX-6), (XIX-7), (XIX-8), (XIX-9) 및/또는 (XIX-10) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 여기서 화합물은 바람직하게 식 (XIX-1), (XIX-2), (XIX-3), (XIX-4), (XIX-5), (XIX-6), (XIX-7), (XIX-8), (XIX-9) 및/또는 (XIX-10) 의 구조에 의해 표현될 수 있는 경우일 수도 있다:
Figure pct00071
Figure pct00072
식중 사용된 기호 R, L1 및 Z 는 위에, 특히 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16) 및/또는 (L1-Z) 에 대해 주어진 정의를 갖고; 인덱스 l는 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 더 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 인덱스 n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다.
또한, 식 (XII-1) 내지 (XII-24), (XIII-1) 내지 (XIII-32), (XVI-1) 내지 (XIV-8), (XV-1) 내지 (XV-10), (XVI-1) 내지 (XVI-8), (XVII-1) 내지 (XVII-8); (XVIII-1) 내지 (XVIII-10) 및/또는 (XIX-1) 내지 (XIX-10) 에서, 인덱스 l, m 및 n의 총합이 5 이하, 바람직하게는 3 이하 그리고 보다 바람직하게는 1 이하인 경우일 수도 있다.
또한, 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16), (III-1) 내지 (III-16), (IV-1) 내지 (IV-24), (V-1) 내지 (V-32), (VI-1) 내지 (VI-8), (VII-1) 내지 (VII-8), (VIII-1) 내지 (VIII-10), (IX-1) 내지 (IX-8), (X-1) 내지 (X-8), (XI-1) 내지 (XI-10), (XII-1) 내지 (XII-24), (XIII-1) 내지 (XIII-32), (XVI-1) 내지 (XIV-8), (XV-1) 내지 (XV-10), (XVI-1) 내지 (XVI-8), (XVII-1) 내지 (XVII-8); (XVIII-1) 내지 (XVIII-10) 및/또는 (XIX-1) 내지 (XIX-10) 에서 적어도 하나의 R 기, 바람직하게는 모든 R 기는 위에 그리고 이하에 제시된 바와 같이 식 R1 의 라디칼에 의해 표현될 수 있는 기이고, 여기서 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 갖는 경우일 수도 있다.
식 (H-1) 내지 (H-26) 의 위에 상술한 정공 수송기 및/또는 전자 수송기 포함 라디칼, 바람직하게는 식 (QL)의 전자 수송기 포함 라디칼은 바람직한 R1 라디칼이고, 이 경우 식 (H-1) 내지 (H-26), (QL), 및/또는 (Q-1) 내지 (Q-44) 에서 R1 기는 R2 라디칼로 대체되어야 한다.
또한, 위의 식, 특히 식 (IV-1) 내지 (IV-24), (V-1) 내지 (V-32), (VI-1) 내지 (VI-8), (VII-1) 내지 (VII-8), (VIII-1) 내지 (VIII-10), (IX-1) 내지 (IX-8), (X-1) 내지 (X-8), (XI-1) 내지 (XI-10), (XII-1) 내지 (XII-24), (XIII-1) 내지 (XIII-32), (XVI-1) 내지 (XIV-8), (XV-1) 내지 (XV-10), (XVI-1) 내지 (XVI-8), (XVII-1) 내지 (XVII-8); (XVIII-1) 내지 (XVIII-10) 및/또는 (XIX-1) 내지 (XIX-10) 에서, L1-Z 기는 정공 수송기 및/또는 전자 수송기를 포함하거나, 정공 수송기 및/또는 전자 수송기인 경우일 수도 있다.
또한, 식 L1-Z에서, 또는 식 (IV-1) 내지 (IV-24), (V-1) 내지 (V-32), (VI-1) 내지 (VI-8), (VII-1) 내지 (VII-8), (VIII-1) 내지 (VIII-10), (IX-1) 내지 (IX-8), (X-1) 내지 (X-8), (XI-1) 내지 (XI-10), (XII-1) 내지 (XII-24), (XIII-1) 내지 (XIII-32), (XVI-1) 내지 (XIV-8), (XV-1) 내지 (XV-10), (XVI-1) 내지 (XVI-8), (XVII-1) 내지 (XVII-8); (XVIII-1) 내지 (XVIII-10) 및/또는 (XIX-1) 내지 (XIX-10) 의 구조/화합물에서 기호 Z 는 식 (Z-1) 내지 (Z1- 91) 로부터 선택된 기인 경우일 수도 있다:
Figure pct00073
Figure pct00074
Figure pct00075
Figure pct00076
Figure pct00077
Figure pct00078
식에서 사용된 기호들은 다음과 같다:
k 는 각각의 경우 독립적으로 0 또는 1 이고;
i 는 각각의 경우 독립적으로 0, 1 또는 2 이고;
j 는 각각의 경우 독립적으로 0, 1, 2 또는 3이고;
h는 각각의 경우 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4이고;
점선 결합은 부착 위치를 나타내고; 그리고
Ar1, R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
바람직하게는, L1 기는 식 (L1-Z) 에 따른 또는 L1 기가 결합되는 원자 및 Z 기와 관통 공액 (through-conjugation) 을 형성할 수도 있다. 방향족 또는 헤테로방향족 시스템의 관통 공액은 인접한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 사이에 직접 결합이 형성되는 대로 형성된다. 예를 들어 황, 질소 또는 산소 원자 또는 카르보닐기를 통한, 위에 언급한 공액 기 사이의 추가 결합은 공액에 해롭지 않다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시 형태에서, L1 은 결합 또는 5 내지 14 개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 바람직하게는 6 내지 12개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 고리 시스템이며, 여기서 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해, 주어진 정의를 가질 수도 있다. 보다 바람직하게, L1 은 6 내지 10 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 또는 6 내지 13 개의 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않고, 여기서 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해, 주어진 정의를 가질 수도 있다.
추가로 바람직하게는, 특히 식 (L1-Z) 에 나타낸 기호 L1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 결합, 또는 5 내지 24 개의 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 고리 원자, 보다 바람직하게는 6 내지 10 개의 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이어서, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 방향족 또는 헤테로방향족 기는 추가 기의 각각의 원자에 직접, 즉 방향족 또는 헤테로방향족 기의 원자를 통해 결합한다.
추가로, 식 (L1-Z) 에 나타낸 L1 기는 2 개 이하의 융합된 방향족 및/또는 헤테로방향족 6 원 고리를 갖는 방향족 고리 시스템을 포함하고, 바람직하게는, 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 포함하지 않는 경우일 수도 있다. 따라서, 나프틸 구조가 안트라센 구조보다 바람직하다. 또한, 플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐 및/또는 디벤조티에닐 구조가 나프틸 구조보다 바람직하다.
융합을 갖지 않는 구조, 예를 들어 페닐, 바이페닐, 테르페닐 및/또는 쿼터페닐 구조가 특히 바람직하다.
적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 L1 의 예들은 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌, 오르토-, 메타- 또는 파라- 바이페닐렌, 테르페닐렌, 특히 분지형 테르페닐렌, 쿼터페닐렌, 특히 분지형 쿼터페닐렌, 플루오레닐렌, 스피로바이플루오레닐렌, 디벤조푸라닐렌, 디벤조티에닐렌 및 카르바졸릴렌 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다) 으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
또한, 특히 식 (L1-Z) 에 나타낸 L1 기가 1개 이하의 질소 원자, 바람직하게는 2개 이하의 헤테로원자, 특히 바람직하게는 1개 이하의 헤테로원자를 갖고 보다 바람직하게는 헤테로원자를 갖지 않는 경우일 수도 있다.
바람직하게, 식 (IV-1) 내지 (IV-24), (V-1) 내지 (V-32), (VI-1) 내지 (VI-8), (VII-1) 내지 (VII-8), (VIII-1) 내지 (VIII-10), (IX-1) 내지 (IX-8), (X-1) 내지 (X-8), (XI-1) 내지 (XI-10), (XII-1) 내지 (XII-24), (XIII-1) 내지 (XIII-32), (XIV-1) 내지 (XIV-8), (XV-1) 내지 (XV-10), (XVI-1) 내지 (XVI-8), (XVII-1) 내지 (XVII-8); (XVIII-1) 내지 (XVIII-10) 및/또는 (XIX-1) 내지 (XIX-10) 의 구조 요소 L1-Z 에서 L1, 및/또는 식 QL 에서, L1 기, 또는 식 H-1 내지 H-44 의 Ar2 기는 식 (L1-1) 내지 (L1-167) 로부터 선택된 기 또는 결합인 경우일 수도 있다:
Figure pct00079
Figure pct00080
Figure pct00081
Figure pct00082
Figure pct00083
Figure pct00084
Figure pct00085
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Figure pct00087
Figure pct00088
Figure pct00089
식 중, 각 경우에 점선의 결합은 부착 위치를 표시하고, 인덱스 k는 0 또는 1이고, 인덱스 l 은 0, 1 또는 2이고, 인덱스 j는 각각의 경우 독립적으로 0, 1, 2 또는 3이고; 인덱스 h는 각각의 경우 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4이고, 인덱스 g는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5이고; 기호 Y1는 O, S 또는 NR1, 바람직하게는 O 또는 S 이고; 기호 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
바람직하게는 식 (L1-1) 내지 (L1-167) 의 구조에서 인덱스 k, l, g, h 및 j 의 총합은 각 경우에 최대 3, 바람직하게는 최대 2, 그리고 보다 바람직하게는 최대 1 인 경우일 수도 있다.
식 (L1-Z) 및/또는 (QL) 의 기를 갖는 본 발명의 바람직한 화합물은, 결합을 나타내거나 또는 식 (L1-1) 내지 (L1-78) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-167) 중, 바람직하게는 식 (L1-1) 내지 (L1-54) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-167) 중, 특히 바람직하게는 식 (L1-1) 내지 (L1-29) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-167) 중 하나로부터 선택된 L1 기를 포함한다. 유리하게는, 식 (L1-1) 내지 (L1-78) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-167) 의, 바람직하게는 식 (L1-1) 내지 (L1-54) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-167) 의, 특히 바람직하게는 식 (L1-1) 내지 (L1-29) 및/또는 (L1-92) 내지 (L1-167) 의 구조에서 인덱스 k, l, g, h 및 j 의 총합은 각 경우에 3 이하, 바람직하게는 2 이하, 그리고 보다 바람직하게는 1 이하일 수도 있다.
바람직하게는, 식 (L1-1) 내지 (L1-167) 에서의 R1 라디칼은, R1 라디칼이 결합되는 아릴 기 또는 헤테로아릴 기의 고리 원자와, 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하지 않으며, 바람직하게는 융합된 고리 시스템을 형성하지 않는다. 이것은 R1 또는 R2 라디칼에 결합될 수도 있는 가능한 치환기 R2, R3 와의 융합된 고리 시스템의 형성을 포함한다.
또한, Ar1 및/또는 R1 기가, 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2- , 3- 또는 4-디벤조티에닐, 피레닐, 트리아지닐, 이미다졸릴, 벤즈이미다졸릴, 벤즈옥사졸릴, 벤조티아졸릴, 1-, 2-, 3- 또는 4- 카르바졸릴, 1- 또는 2-나프틸, 안트라세닐, 바람직하게는 9-안트라세닐, 페난트레닐 및/또는 트리페닐레닐로 이루어진 군에서 선택되는 경우가 있을 수도 있으며, 이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않고, 페닐, 스피로바이플루오렌, 플루오렌, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌 기가 특히 바람직하다.
또한, 식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16), (III-1) 내지 (III-16), (IV-1) 내지 (IV-24), (V-1) 내지 (V-32), (VI-1) 내지 (VI-8), (VII-1) 내지 (VII-8), (VIII-1) 내지 (VIII-10), (IX-1) 내지 (IX-8), (X-1) 내지 (X-8), (XI-1) 내지 (XI-10), (XII-1) 내지 (XII-24), (XIII-1) 내지 (XIII-32), (XIV-1) 내지 (XIV-8), (XV-1) 내지 (XV-10), (XVI-1) 내지 (XVI-8), (XVII-1) 내지 (XVII-8), (XVIII-1) 내지 (XVIII-10) 및/또는 (XIX-1) 내지 (XIX-10) 의 구조에서, 적어도 하나의 R1 또는 Ar1 라디칼은 식 (R1-1) 내지 (R1-179) 로부터 선택되는 기이거나, 또는 식 (H-1) 내지 (H-26), (Q-1) 내지 (Q-44), (Z-1) 내지 (Z-91), (L1-1) 내지 (L1-167) 의 구조에서, 적어도 하나의 Ar1 또는 R1 라디칼은 식 (R1-1) 내지 (R1-179) 로부터 선택된 기인 경우일 수도 있다:
Figure pct00090
Figure pct00091
Figure pct00092
Figure pct00093
Figure pct00094
Figure pct00095
Figure pct00096
Figure pct00097
Figure pct00098
Figure pct00099
Figure pct00100
Figure pct00101
Figure pct00102
식 중 사용된 기호들은 다음과 같다:
Y1 은 O, S 또는 NR2, 바람직하게는 O 또는 S 이고;
k 는 각각의 경우 독립적으로 0 또는 1 이고;
i 는 각각의 경우 독립적으로 0, 1 또는 2 이고;
j 는 각각의 경우 독립적으로 0, 1, 2 또는 3이고;
h는 각각의 경우 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4이고;
g는 각각의 경우 독립적으로 0, 1, 2, 3, 4 또는 5이고;
R2 는 위에, 특히 식 (Ia) 또는 (Ib) 에 대해, 주어진 정의를 갖고,
점선 결합은 부착 위치를 나타낸다.
식 (R1-1) 내지 (R1-179) 의 전술한 구조 중에서, 식 (R1-1) 내지 (R1-177) 의 기가 바람직하고, 식 (R1-1) 내지 (R1-64) 및 (R1-94) 내지 (R1-177) 의 기가 특히 바람직하고, 식 (R1-1) 내지 (R1-64) 및 (R1-115) 내지 (R1-177) 의 기가 매우 특히 바람직하다.
바람직하게는, 식 (R1-1) 내지 (R1-179) 의 구조들에서 인덱스 k, i, j, h 및 g 의 총합은 각 경우에 3 이하, 바람직하게는 2 이하, 그리고 보다 바람직하게는 1 이하인 경우일 수도 있다.
바람직하게는, 식 (R1-1) 내지 (R1-179) 에서의 R2 라디칼은, R2 라디칼이 결합되는 아릴 기 또는 헤테로아릴 기의 고리 원자와, 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하지 않으며, 바람직하게는 임의의 융합된 고리 시스템을 형성하지 않는다. 이것은 R2 라디칼에 결합될 수도 있는 가능한 치환기 R3 와 융합된 고리 시스템의 형성을 포함한다.
본 발명의 화합물이 방향족 또는 헤테로방향족 R1 또는 R2 기에 의해 치환될 때, 특히 호스트 재료, 전자 수송 재료 또는 정공 수송 재료로서의 그의 구성의 경우, 이들이 서로 직접 융합된 2 개 초과의 방향족 6-원 고리를 갖는 임의의 아릴 또는 헤테로아릴기를 갖지 않는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 치환기는 서로 직접 융합된 6-원 고리를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기를 전혀 갖지 않는다. 이것이 바람직한 이유는, 그러한 구조의 낮은 삼중항 에너지 때문이다. 서로 직접 융합된 2 개 초과의 방향족 6-원 고리를 갖지만 그럼에도 불구하고 본 발명에 따라 또한 적합한 융합된 아릴기는 페난트렌 및 트리페닐렌인데, 왜냐하면 이들은 또한 높은 삼중항 준위를 갖기 때문이다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, 예를 들어, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 및 이 구조의 바람직한 실시형태 또는 이들 식들이 참조되는 구조들에서의 R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는, 바람직하게는 1, 2, 3, 또는 4개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 24개의 방향족 고리 원자들, 보다 바람직하게는 5 내지 13개의 방향족 고리 원자들을 갖고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 각각 갖는 하나 이상의 알킬 기로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시 형태에서, 예를 들어, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 및 이 구조의 바람직한 실시형태 또는 이들 식들이 언급되는 구조들에서의 R3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는, 바람직하게는 1, 2, 3, 또는 4개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 24개의 방향족 고리 원자들, 보다 바람직하게는 5 내지 13개의 방향족 고리 원자들을 갖고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 각각 갖는 하나 이상의 알킬 기로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16), (IV-1) 내지 (IV-24), (V-1) 내지 (V-32), (VI-1) 내지 (VI-8), (VII-1) 내지 (VII-8), (VIII-1) 내지 (VIII-10), (IX-1) 내지 (IX-8), (X-1) 내지 (X-8), (XI-1) 내지 (XI-10) 의 구조를 갖는 본 발명의 화합물이 특히 바람직하고, 여기서 식 X 의 총 4개 이하, 바람직하게는 2개 이하의 라디칼이 CH 또는 CD 가 아니고, 여기서 적어도 하나의 R 라디칼은 전자 수송기, 바람직하게는 트리아진 기, 더 바람직하게는 식 (L1-Z) 의 기를 포함하고 여기서 Z 는 식 (Z-48), (Z-49), (Z-50) 또는 (Z-51) 의 기, 바람직하게 식 (Z-48) 의 기를 나타내며, 다음 특성을 갖는다:
Figure pct00103
식 (Ia), (Ib), (II-1) 내지 (II-16), (IV-1) 내지 (IV-24), (V-1) 내지 (V-32), (VI-1) 내지 (VI-8), (VII-1) 내지 (VII-8), (VIII-1) 내지 (VIII-10), (IX-1) 내지 (IX-8), (X-1) 내지 (X-8), (XI-1) 내지 (XI-10) 의 구조를 갖는 본 발명의 화합물이 특히 바람직하고, 여기서 식 X 의 총 4개 이하, 바람직하게는 2개 이하의 라디칼이 CH 또는 CD 가 아니고, 여기서 적어도 하나의 R 라디칼은 융합된 방향족 고리 시스템, 바람직하게는 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌 기, 보다 바람직하게는 식 (L1-Z) 의 기를 포함하고, 여기서 Z 는 식 (Z-78), (Z-79), (Z-80)의 기를 나타내며, 다음 특성을 갖는다:
Figure pct00104
본 발명의 적합한 화합물의 예는 아래에 나타낸 하기 식 1 내지 432의 구조이다:
Figure pct00105
Figure pct00106
Figure pct00107
Figure pct00108
Figure pct00109
Figure pct00110
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Figure pct00115
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Figure pct00125
Figure pct00126
Figure pct00127
Figure pct00128
본 발명의 화합물의 바람직한 실시형태는 실시예들에서 더 상세하게 언급되어 있으며, 이들 화합물은 본 발명의 모든 목적을 위해 추가 화합물과 조합하여 또는 단독으로 사용될 수 있다.
청구항 1 에 명시된 조건이 충족되는 한, 위에 언급된 바람직한 실시형태들이 원하는 바에 따라 서로 조합될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에 있어서, 위에 언급된 바람직한 실시형태는 동시에 적용된다.
본 발명의 화합물은 원칙적으로 다양한 방법에 의해 조제할 수 있다. 그러나, 후술하는 방법이 특히 적합하다는 것을 알아냈다.
따라서, 본 발명은 또한, 커플링 반응에서, 적어도 하나의 질소 함유 복소환 기를 포함하는 화합물이 적어도 하나의 방향족 또는 헤테로방향족 기를 포함하는 화합물에 연결되는 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조들을 포함하는 화합물을 제조하는 방법을 제공한다.
적어도 하나의 질소 함유 복소환 기를 포함하는 적합한 화합물은 많은 경우 상업적으로 입수 가능하며, 실시예에 상세히 나타낸 출발 화합물은 공지된 방법들에 의해 수득될 수 있으므로, 이를 참조한다.
적어도 하나의 질소 함유 복소환 기를 포함하는 화합물은 추가의 아릴 또는 헤테로아릴 화합물과 공지된 커플링 반응에 의해 반응될 수 있고, 이러한 목적을 위해 필요한 조건은 당업자에게 공지되어 있으며, 실시예의 상세한 명세는 이러한 반응을 실시하는 당업자에게 지원을 제공한다.
모두 C-C 결합 형성 및/또는 C-N 결합 형성으로 이어지는 특히 적합하고 바람직한 커플링 반응은 BUCHWALD, SUZUKI, YAMAMOTO, STILLE, HECK, NEGISHI, SONOGASHIRA 및 HIYAMA 에 따른 반응이다. 이들 반응은 널리 알려져 있으며, 실시예들은 당업자에게 추가 지침을 제공할 것이다.
위에 상술된 제조 방법의 원리는 원칙적으로 유사한 화합물에 대한 문헌으로부터 알려져 있으며, 당업자에 의해 본 발명의 화합물의 제조를 위해 용이하게 적합화될 수 있다. 추가의 정보는 실시예에서 찾아볼 수 있다.
이들 공정들 다음에, 필요하다면, 정제, 예를 들어 재결정화 또는 승화에 의해, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물을 고 순도로, 바람직하게는 99% 초과의 순도로 (1H-NMR 및/또는 HPLC 로 결정됨) 수득할 수 있다.
본 발명의 화합물은 또한 적합한 치환기를 가질 수도 있으며, 예를 들어 비교적 긴 알킬기 (약 4 내지 20 개의 탄소 원자), 특히 분지형 알킬기, 또는 선택적으로 치환된 아릴기, 예를 들어 크실릴, 메시틸 또는 분지형 테르페닐 또는 쿼터페닐기에 의해 치환될 수도 있고, 이는, 예를 들어 용액으로부터 화합물을 처리할 수 있기에 충분한 농도로, 화합물이 실온에서 톨루엔 또는 크실렌 중에 가용성이도록 하는, 표준 유기 용매 중에서의 용해도를 유발한다. 이러한 가용성 화합물은, 예를 들어 인쇄 방법에 의한 용액으로부터의 처리에 특히 양호한 적합성을 갖는다. 또한, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물은 이미 이들 용매에서 향상된 용해도를 갖는다는 것이 강조되야 한다.
본 발명의 화합물은 또한 폴리머와 혼합될 수도 있다. 마찬가지로, 이들 화합물을 공유결합에 의해 폴리머에 혼입시킬 수 있다. 이것은 특히 브롬, 요오드, 염소, 보론 산 또는 보로닉 에스테르와 같은 반응성 이탈 기에 의해 또는 올레핀 또는 옥세탄과 같은 반응성 중합성 기에 의해 치환된 화합물로 가능하다. 이들은 상응하는 올리고머, 덴드리머 또는 폴리머의 제조를 위해 단량체로서 사용될 수 있다. 올리고머화 또는 중합은 바람직하게는, 할로겐 작용기 또는 보론산 작용기를 통해, 또는 중합성 기를 통해 이루어진다. 추가적으로, 이러한 종류의 기를 통해 중합체를 가교시킬 수 있다. 본 발명의 화합물 및 폴리머는 가교 또는 비가교된 층의 형태로 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명은 또한 본 발명의 화합물 또는 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 위에서 상세히 나타낸 구조들 중 하나 이상을 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 제공하고, 여기서 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한, 본 발명의 화합물에서 또는 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조들에서의 하나 이상의 결합들이 존재한다. 따라서, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조들의 또는 화합물들의 링크에 따라, 이들은 그러므로 올리고머 또는 폴리머의 측쇄를 형성하거나 또는 주쇄 내에 결합된다. 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머는 공액, 부분 공액 또는 비공액될 수도 있다. 올리고머 또는 폴리머는 선형, 분지형 또는 수지형 (dendritic) 일 수 있다. 올리고머, 덴드리머 및 폴리머 중 본 발명의 화합물의 반복 단위에 대하여, 동일한 바람직한 사항이 위에 기재된 바와 같이 적용된다.
올리고머 또는 폴리머의 제조를 위해, 본 발명의 모노머는 추가 모노머와 동종 중합 (homopolymerize) 또는 공중합 (copolymerize) 된다. 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 또는 위와 아래에서 언급되는 바람직한 실시형태들의 단위들은 0.01 내지 99.9 mol%, 바람직하게는 5 내지 90 mol%, 보다 바람직하게는 20 내지 80 mol% 의 정도로 존재하는 코폴리머가 바람직하다. 폴리머 기본 골격을 형성하는 적합하고 바람직한 코모노머는 플루오렌 (예를 들어, EP 842208 또는 WO 2000/022026 에 따름), 스피로바이플루오렌 (예를 들어, EP 707020, EP 894107 또는 WO 2006/061181 에 따름), 파라페닐렌 (예를 들어, WO 92/18552 에 따름), 카르바졸 (예를 들어, WO 2004/070772 또는 WO 2004/113468 에 따름), 티오펜 (예를 들어, EP 1028136 에 따름), 디히드로페난트렌 (예를 들어, WO 2005/014689 에 따름), 시스- 및 트랜스-인데노플루오렌 (예를 들어 WO 2004/041901 또는 WO 2004/113412 에 따름), 케톤 (예를 들어, WO 2005/040302 에 따름), 페난트렌 (예를 들어, WO 2005/104264 또는 WO 2007/017066 에 따름) 또는 그렇지 않으면 복수의 이들 단위로부터 선택된다. 폴리머, 올리고머 및 덴드리머는 여전히 추가 단위, 예를 들어 정공 수송 단위, 특히 트리아릴아민에 기초한 것들 및/또는 전자 수송 단위를 함유할 수도 있다.
또한 높은 유리 전이 온도를 특징으로 하는 본 발명의 화합물이 특히 흥미롭다. 이와 관련하여, 유리 전이 온도가, DIN 51005 (2005-08 버전) 에 따라 결정되는, 적어도 70 ℃, 더욱 바람직하게는 적어도 110 ℃, 더욱 더 바람직하게는 적어도 125℃ 이고 특히 바람직하게는 적어도 150℃ 인, 일반식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에서 언급되는 바람직한 실시형태들을 포함하는 본 발명의 화합물이 특히 바람직하다.
예를 들어 스핀-코팅 또는 인쇄 방법에 의해 액체 상으로부터 본 발명의 화합물의 처리를 위해, 본 발명의 화합물의 포뮬레이션이 필요하다. 이들 포뮬레이션은 예를 들어, 용액, 분산액 또는 유화액일 수도 있다. 이러한 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-크실렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, 메틸 벤조에이트, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 헥사메틸인단 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서 본 발명은 또한, 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 제형을 제공한다. 추가 화합물은 예를 들어, 용매, 특히 위에 언급된 용매 중 하나 또는 이들 용매의 혼합물일 수도 있다. 추가 화합물은 다르게는, 전자 디바이스에서 마찬가지로 사용되는 적어도 하나의 추가 유기 또는 무기 화합물, 예를 들어, 방출 화합물, 특히 인광성 도펀트 및/또는 추가 매트릭스 재료일 수도 있다. 이러한 추가 화합물은 또한 중합체성일 수도 있다.
따라서 본 발명은 여전히 또한, 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 유기 기능성 재료를 포함하는 조성물을 제공한다. 기능성 재료는 일반적으로 애노드와 캐소드 사이에 도입되는 유기 또는 무기 재료이다. 바람직하게는, 유기 기능성 재료는 형광 방출체, 인광 방출체, 폴리포달 방출체, TADF (열 활성화 지연 형광) 를 나타내는 방출체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단 재료, 정공 차단 재료, 와이드 밴드 갭 재료 및 n-도펀트로 이루어지는 군에서 선택된다.
본 발명의 특정 양태에서, 본 발명의 화합물은 특히 인광 방출체를 위한 매트릭스 재료로서 사용될 수 있으며, 매트릭스 재료는 많은 경우 추가의 매트릭스 재료와 조합으로 사용된다.
따라서, 본 발명은 또한 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에서 언급된 바람직한 실시형태들을 포함하는 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 추가 매트릭스 재료를 포함하는 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 또한 식 (Ia) 및/또는 (Ib)의 적어도 하나의 구조, 또는 위와 아래에서 기재된 바람직한 실시형태들을 포함하는 적어도 하나의 화합물, 및 적어도 하나의 와이드 밴드갭 재료를 포함하는 조성물을 제공하며, 여기서 와이드 밴드갭 재료는 US 7,294,849 의 개시의 의미에서의 재료를 의미하는 것으로 이해된다. 이들 시스템들은 전계 발광 디바이스에서 특출한 유리한 성능 데이터를 나타낸다.
바람직하게는, 추가적인 화합물은 2.5 eV 이상, 바람직하게는 3.0 eV 이상, 매우 바람직하게는 3.5 eV 이상의 밴드 갭을 가질 수도 있다. 밴드 갭을 계산하는 하나의 방법은 최고 점유 분자 궤도 (HOMO) 및 최저 비점유 분자 궤도 (LUMO) 의 에너지 준위를 통한 것이다.
분자 궤도, 특히 또한 재료의 최고 점유 분자 궤도 (HOMO) 및 최저 비점유 분자 궤도 (LUMO), 이의 에너지 준위, 및 최저 삼중항 상태 T1 및 최저 여기 단일항 상태 S1 의 에너지는, 양자 화학적 계산을 통해 결정된다. 유기 물질의 계산을 위해서, 기하구조의 최적화가 먼저 "Ground State/Semi-empirical/Default Spin/AM1/Charge 0/Spin Singlet" 방법에 의해 수행된다. 이후, 에너지 산출이 최적화된 지오메트리를 기반으로 시행된다. 이는 "6-31G(d)" 기초 세트 (전하 0, 스핀 단일항) 로 "TD-SCF/DFT/디폴트 스핀/B3PW91" 방법을 사용하여 수행된다. HOMO 에너지 준위 HEh 또는 LUMO 에너지 준위 LEh 는 하트리 (Hartree) 단위로 에너지 계산으로부터 얻어진다. 이것은 다음과 같이 순환 전압 전류 측정 (cyclic voltammetry measurement) 에 의해 교정된 전자 볼트 단위의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위를 결정하는 데 사용된다:
HOMO(eV) = ((HEh*27.212)-0.9899)/1.1206
LUMO(eV) = ((LEh*27.212)-2.0041)/1.385
이러한 값은 본 출원의 맥락에서 재료의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위로서 간주될 것이다.
최저 삼중항 상태 T1은 기재된 양자 화학적 계산으로부터 분명한 최저 에너지를 갖는 삼중항 상태의 에너지로서 정의된다.
최저 여기 단일항 상태 S1은 기재된 양자 화학적 계산으로부터 분명한 최저 에너지를 갖는 여기 단일항 상태의 에너지로서 정의된다.
본 명세서에 기재된 방법은 사용한 소프트웨어 패키지와 관계가 없으며 항상 동일한 결과를 제공한다. 이러한 목적으로 자주 이용되는 프로그램의 예는 "Gaussian09W" (Gaussian Inc.) 및 Q-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.) 이다.
본 발명은 또한 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 언급된 바람직한 실시형태들을 포함하는 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 인광 방출체를 포함하는 조성물에 관한 것이며, "인광 방출체"라는 용어는 또한 인광 도펀트를 의미하는 것으로 이해된다.
매트릭스 재료 및 도펀트를 포함하는 시스템 중 도펀트는 혼합물에서 작은 비율을 갖는 성분을 의미하는 것으로 이해된다. 대응하여, 매트릭스 재료 및 도펀트를 포함하는 시스템 중 매트릭스 재료는 혼합물에서 큰 비율을 갖는 성분을 의미하는 것으로 이해된다.
매트릭스 시스템, 바람직하게는 혼합 매트릭스 시스템에 사용하기에 바람직한 인광 도펀트는 이하에 명시되는 바람직한 인광 도펀트이다.
"인광 도펀트" 라는 용어는 통상적으로, 스핀 금지 천이, 예를 들어, 여기 삼중항 상태 또는 더 높은 스핀 양자 수를 갖는 상태, 예를 들어 오중항 (quintet) 상태로부터의 천이를 통해 광의 방출이 이루어지는 화합물들을 포함한다.
적합한 인광 화합물 (= 삼중항 방출체) 는 특히, 적합하게 여기될 때, 바람직하게는 가시 영역에서 발광하며 또한 20 초과, 바람직하게는 38 초과 및 84 미만, 보다 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 원자 번호의 적어도 하나의 원자, 특히 이러한 원자 번호를 갖는 금속을 함유하는 화합물이다. 사용되는 바람직한 인광 방출체들은 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물들, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물들이다. 본 발명의 맥락에서, 위에 언급된 금속들을 함유하는 모든 발광성 화합물들은 인광 화합물로 간주된다.
위에 기재된 방출체들의 예들은 출원 WO 00/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US 2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094961, WO 2014/094960, WO 2015/036074, WO 2015/104045, WO 2015/117718, WO 2016/000803, WO 2016/124304, WO 2016/015815, WO 2017/032439, WO 2018/019687, WO 2018/019688, WO 2018/041769, WO 2018/054798, WO 2018/069196, WO 2018/069197 및 WO 2018/069273 에서 찾아볼 수 있다. 일반적으로, 종래 기술에 따라 인광 OLED 에 사용된 바와 같은 그리고 유기 전계 발광의 분야의 당업자에게 알려진 바와 같은 모든 인광 착물들이 적합하고, 당업자는 진보적 능력을 발휘하지 않고서 추가의 인광 착물을 사용 가능할 것이다.
인광 도펀트의 명시적 예들은 다음 표에 제시되어 있다:
Figure pct00129
Figure pct00130
Figure pct00131
Figure pct00132
Figure pct00133
Figure pct00134
Figure pct00135
본 발명의 특정 양태에서, 본 발명의 화합물은 정공 차단 재료, 바람직하게는 정공 차단 층에서 사용될 수도 있으며, 이 경우 정공 차단 재료로서 사용되는 본 발명의 화합물은 적어도 하나의 전자 수송기를 포함한다. 바람직한 실시형태에서, 정공 차단 재료로서 사용된 본 발명의 화합물은 전자 수송기보다 더 적은 정공 수송기를 포함하고, 더욱 바람직하게는 정공 수송기를 포함하지 않는다.
식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위에서 상세히 나타낸 바람직한 실시형태들을 포함하는 위에 기재된 화합물은 바람직하게는 전자 디바이스에서 활성 성분으로서 사용될 수 있다. 전자 디바이스는 애노드, 캐소드 및 애노드와 캐소드 사이의 적어도 하나의 층을 포함하는 임의의 디바이스를 의미하는 것으로 이해되며, 상기 층은 적어도 하나의 유기 또는 유기금속 화합물을 포함한다. 따라서, 본 발명의 전자 디바이스는 애노드, 캐소드, 및 그 사이에 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조를 포함하는 적어도 하나의 화합물을 함유하는 적어도 하나의 층을 포함한다. 여기서 바람직한 전자 디바이스는, 적어도 하나의 층에 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조들을 포함하는 적어도 하나의 화합물을 함유하는, 유기 전계발광 디바이스 (OLED, PLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계 효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 광 검출기, 유기 광수용체, 유기 필드 켄치 디바이스 (O-FQD), 유기 전기 센서, 발광 전기 화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 플라즈몬 방출 디바이스 (D. M. Koller 등의, Nature Photonics 2008, 1-4), 바람직하게는 유기 전계발광 디바이스 (OLED, PLED), 특히 인광 OLED 로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 유기 전계발광 디바이스가 특히 바람직하다. 활성 성분은 일반적으로 애노드와 캐소드 사이에 도입되는 유기 또는 무기 재료, 예를 들어 전하 주입, 전하 수송 또는 전하 차단 재료이지만, 특히 방출 재료 및 매트릭스 재료이다.
본 발명의 바람직한 실시형태는 유기 전계 발광 디바이스이다. 유기 전계 발광 디바이스는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방출 층을 포함한다. 이러한 층들 이외에, 그것은 여전히 추가의 층, 예를 들어 각 경우에 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단 층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 차단 층, 전자 차단 층, 전하 생성층 및/또는 유기 또는 무기 p/n 접합을 포함할 수도 있다. 동시에, 하나 이상의 정공 수송층이, 예를 들어 금속 산화물, 예컨대 MoO3 또는 WO3 로 또는 (퍼)플루오르화 전자-결핍 방향족 시스템으로 p-도핑되거나 및/또는 하나 이상의 전자 수송 층이 n-도핑되는 것이 가능하다. 마찬가지로, 중간층 (interlayer) 이 2 개의 방출 층 사이에 도입될 수 있으며, 이들은 예를 들어 여기자 차단 기능을 갖거나 및/또는 전계 발광 디바이스에서 전하 밸런스를 조절한다. 그러나, 이러한 층들 모두가 반드시 존재할 필요는 없다는 것에 유의해야 한다.
이 경우에, 유기 전계 발광 디바이스는 하나의 방출층을 포함할 수 있거나, 또는 복수의 방출층을 포함할 수 있다. 복수의 방출 층들이 존재하는 경우, 이들은, 전체 결과가 백색 방출이 되도록 전체적으로 380 nm와 750 nm 사이의 여러 방출 최대치들을 갖는 것이 바람직하며; 환언하면, 형광 또는 인광을 나타낼 수도 있는 다양한 방출 화합물들이 방출 층들에 사용된다. 3 개 층이 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타내는 3 개 층 시스템 (기본 구성에 대해서는, 예를 들어 WO 2005/011013 참조), 또는 3 개 초과의 방출층을 갖는 시스템이 특히 바람직하다. 시스템은 또한 하나 이상의 층이 형광을 나타내고 하나 이상의 다른 층이 인광을 나타내는 혼성 시스템일 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 유기 전계 발광 디바이스는, 하나 이상의 방출 층들에서, 매트릭스 재료로서, 바람직하게 전자 전도 매트릭스 재료로서, 바람직하게는 추가 매트릭스 재료, 바람직하게는 정공 전도 매트릭스 재료와 조합하여, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위에서 상세히 나타낸 바람직한 실시형태들을 포함하는 본 발명의 화합물을 함유한다. 본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 추가 매트릭스 재료는 정공 수송 화합물이다. 본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, 추가의 매트릭스 재료는 전자 전도 화합물이다. 또 다른 추가의 바람직한 실시형태에서, 추가의 매트릭스 재료는 층 내의 정공 및 전자 수송에서, 있다하라도, 현저한 정도로 관여하지 않는 큰 밴드 갭을 갖는 화합물이다. 방출 층은 적어도 하나의 방출 화합물을 포함한다.
식 (Ia) 및/또는 (Ib) 또는 바람직한 실시형태에 따른 화합물과 조합으로 사용할 수 있는 적합한 매트릭스 재료는 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥사이드 또는 방향족 술폭사이드 또는 술폰 (예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따름), 트리아릴아민, 특히 모노아민 (예를 들어 WO 2014/01593 에 따름), 카르바졸 유도체, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴바이페닐) 또는 카르바졸 유도체 (WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 개시됨), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2010/136109 및 WO 2011/000455 에 따름), 아자카르바졸 유도체 (예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따름), 쌍극성 매트릭스 재료 (예를 들어 WO 2007/137725 에 따름), 실란 (예를 들어 WO 2005/111172 에 따름), 아자보롤 또는 보로닉 에스테르 (예를 들어 WO 2006/117052 에 따름), 트리아진 유도체 (예를 들어 WO 2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 아연 착물 (예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따름), 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체 (예를 들어 WO 2010/054729 에 따름), 디아자포스폴 유도체 (예를 들어 WO 2010/054730 에 따름), 브릿지된 (bridged) 카르바졸 유도체 (예를 들어 US 2009/0136779, WO 2010/050778, WO 2011/042107, WO 2011/088877 또는 WO 2012/143080 에 따름), 트리페닐렌 유도체 (예를 들어 WO 2012/048781 에 따름), 락탐 (예를 들어 WO 2011/116865, WO 2011/137951 또는 WO 2013/064206 에 따름), 또는 4-스피로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2014/094963 또는 아직 미공개되었던 출원 EP 14002104.9 에 따름) 이다. 마찬가지로, 실제 방출체보다 더 짧은 파장에서 방출하는 추가 인광 방출체가 혼합물에서 코-호스트 (co-host) 로서 존재하는 것이 가능하다.
바람직한 코-호스트 재료는 트리아릴아민 유도체, 특히 모노아민, 인데노카르바졸 유도체, 4-스피로카르바졸 유도체, 락탐 및 카르바졸 유도체이다.
본 발명의 화합물과 함께 코-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 트리아릴아민 유도체는 하기 식 (TA-1) 의 화합물에서 선택된다:
Figure pct00136
여기서 Ar1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 6 내지 40 개의 탄소 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 아르알킬 기이고, 여기서 2개 이상의 인접한 R2 치환기는 선택적으로 단환 또는 다환 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 바람직하게는 단환 또는 다환 지방족 고리 시스템을 형성하고 이는 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 기호 R2 는 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 위에 주어진 정의를 갖는다. 바람직하게는, Ar1 은 각 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 24 개, 그리고 바람직하게는 5 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나 바람직하게는 치환되지 않는 아릴 또는 헤테로아릴기이다.
적합한 Ar1 기의 예는 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나 바람직하게는 치환되지 않음) 로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, Ar1 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 상기 언급된 R1-1 내지 R1-177 기, 보다 바람직하게는 R1-1 내지 R1-64 에서 선택된다.
식 (TA-1) 의 화합물의 바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 Ar1 기는 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐기일 수도 있는 바이페닐기로부터 선택된다. 식 (TA-1) 의 화합물의 추가의 바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 Ar1 기는 플루오렌 기 또는 스피로바이플루오렌 기로부터 선택되고, 여기서 이들 기는 각각 1, 2, 3 또는 4 위치에서 질소 원자에 결합될 수도 있다. 식 (TA-1) 의 화합물의 다른 추가 바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 Ar1 기는 페닐렌 또는 바이페닐 기로부터 선택되고, 여기서 그 기는 오르토-, 메타- 또는 파라-결합 기이며, 디벤조푸란 기, 디벤조티오펜 기 또는 카르바졸 기, 특히 디벤조푸란 기로 치환되고, 여기서 디벤조푸란 또는 디벤조티오펜 기는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 페닐렌 또는 바이페닐 기에 결합되고, 여기서 카르바졸 기는 1, 2, 3 또는 4 위치 또는 질소 원자를 통해 페닐렌 또는 바이페닐 기에 결합된다.
식 (TA-1) 의 화합물의 특히 바람직한 실시형태에서, 하나의 Ar1 기는 플루오렌 또는 스피로바이플루오렌기, 특히 4-플루오렌 또는 4-스피로바이플루오렌기로부터 선택되고, 하나의 Ar1 기는 바이페닐기, 특히 파라-바이페닐기, 또는 플루오렌기, 특히 2-플루오렌기로부터 선택되고, 세 번째 Ar1 기는 파라-페닐렌기 또는 파라-바이페닐기로부터 선택되고, 디벤조푸란기, 특히 4-디벤조푸란기, 또는 카르바졸기, 특히 N-카르바졸기 또는 3-카르바졸기에 의해 치환된다.
본 발명의 화합물과 함께 코-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 인데노카르바졸 유도체는 하기 식 (TA-2) 의 화합물에서 선택된다:
Figure pct00137
식 중, Ar1 및 R1 은 특히 식 (Ia), (Ib) 및/또는 (TA-1) 에 대해 위에 열거한 정의를 갖는다. Ar1 기의 바람직한 실시형태는 위에 열거된 구조 R1-1 내지 R1-177, 보다 바람직하게는 R1-1 내지 R1-64 이다.
식 (TA-2) 의 화합물의 바람직한 실시형태는 하기 식 (TA-2a) 의 화합물이다:
Figure pct00138
식 중, Ar1 및 R1 은 특히 식 (Ia), (Ib) 및/또는 (TA-1) 에 대해 위에 열거한 정의를 갖는다. 본원에서, 인데노 탄소 원자에 결합된 2 개의 R1 기는 바람직하게는 동일하거나 상이하고, 1 내지 4 개의 탄소 원자들을 갖는 알킬 기, 특히 메틸 기, 또는 6 내지 12 개의 탄소 원자들을 갖는 방향족 고리 시스템, 특히 페닐 기이다. 보다 바람직하게는, 인데노 탄소 원자에 결합한 2 개의 R1 기는 메틸기이다. 또한 바람직하게는, 식 (TA-2a) 에서의 인데노카르바졸 베이스 골격에 결합한 치환기 R1 은 H 이거나 또는 카르바졸기이며 이는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 또는 질소 원자를 통해, 특히 3 위치를 통해 인데노카르바졸 베이스 골격에 결합할 수도 있다.
본 발명의 화합물과 함께 코-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 4-스피로카르바졸 유도체는 하기 식 (TA-3) 의 화합물로부터 선택되고:
Figure pct00139
식 중, Ar1 및 R1 은 위에, 특히 식 (Ia), (Ib) 및/또는 (Q-1) 에 대해 열거한 정의를 갖는다. Ar1 기의 바람직한 실시형태는 위에 열거된 구조 R1-1 내지 R1-177, 보다 바람직하게는 R1-1 내지 R1-64 이다.
식 (TA-3) 의 화합물의 바람직한 실시형태는 하기 식 (TA-3a) 의 화합물이고:
Figure pct00140
식 중, Ar1 및 R1 은 위에, 특히 식 (Ia), (Ib) 및/또는 (Q-1) 에 대해 열거한 정의를 갖는다. Ar1 기의 바람직한 실시형태는 위에 열거된 구조 R1-1 내지 R1-177, 보다 바람직하게는 R1-1 내지 R1-64 이다.
본 발명의 화합물과 함께 코-호스트 재료로서 사용되는 바람직한 락탐은 하기 식 (LAC-1) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure pct00141
식 중 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 열거된 정의를 갖는다.
식 (LAC-1) 의 화합물들의 바람직한 실시형태는 하기 식 (LAC-1a) 의 화합물이다:
Figure pct00142
식 중 R1 은 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 갖는다. 여기서 R1 은 바람직하게는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 R2 는 위에, 특히 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 에 대해 주어진 정의를 가질 수도 있다. 가장 바람직하게는, 치환기 R1 은 H 또는 6 내지 18 개 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 비방향족 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 적합한 치환기 R1 의 예는 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 피리딜, 피리미디닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐 및 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않음) 로 이루어진 군으로부터 선택된다. 여기서 적합한 R1 구조는 R-1 내지 R-177, 보다 바람직하게는 R1-1 내지 R1-64 에 대해 위에 도시된 것과 동일한 구조이다.
매우 특히 바람직한 코호스트 재료는 비스카바졸이다.
복수의 상이한 매트릭스 재료를 혼합물로서, 특히 적어도 하나의 전자 전도 매트릭스 재료 및 적어도 하나의 정공 전도 매트릭스 재료를 사용하는 것이 또한 바람직할 수도 있다. 마찬가지로, 예를 들어 WO 2010/108579 에 기재된 바와 같이, 있다손치더라도, 전하 수송에 유의하게 관여하지 않는 전기적으로 비활성인 매트릭스 재료 및 전하 수송 매트릭스 재료의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 매트릭스와 함께 2개 이상의 삼중항 방출체들의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 보다 단파 방출 스펙트럼을 갖는 삼중항 방출체는 보다 장파 방출 스펙트럼을 갖는 삼중항 방출체를 위한 코-매트릭스 (co-matrix) 의 역할을 한다.
보다 바람직하게는, 바람직한 실시형태에서, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물은, 유기 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스, 예를 들어 OLED 또는 OLEC 의 방출층에서 매트릭스 재료로서 사용될 수 있다. 이 경우, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들을 포함하는 화합물을 함유하는 매트릭스 재료는 하나 이상의 도펀트, 바람직하게는 인광 도펀트와 조합하여 전자 디바이스에 존재한다.
이러한 경우 방출층에서의 매트릭스 재료의 비율은 형광 방출층에 대해서는 50.0 부피% 내지 99.9 부피%, 바람직하게는 80.0 부피% 내지 99.5 부피%, 그리고 보다 바람직하게는 92.0 부피% 내지 99.5 부피% 이고, 인광 방출층에 대해서는 85.0 부피% 내지 97.0 부피% 이다.
대응하여, 도펀트의 비율은 형광 방출층에 대해서는 0.1 내지 50.0 부피%, 바람직하게는 0.5 내지 20.0 부피%, 보다 바람직하게는 0.5 내지 8.0 부피% 이고, 인광 방출층에 대해서는 3.0 내지 15.0 부피% 이다.
유기 전계 발광 디바이스의 방출층은 또한 복수의 매트릭스 재료 (혼합 매트릭스 시스템) 및/또는 복수의 도펀트를 포함하는 시스템을 포함할 수 있다. 이 경우에도, 도펀트는 일반적으로 시스템에서 보다 작은 비율을 갖는 그러한 재료이고, 매트릭스 재료는 시스템에서 보다 큰 비율을 갖는 그러한 재료이다. 하지만, 개개의 경우에서, 시스템에서의 단일 매트릭스 재료의 비율은 단일 도펀트의 비율보다 더 적을 수도 있다.
본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들을 포함하는 화합물은 혼합 매트릭스 시스템들의 성분으로서 사용된다. 혼합 매트릭스 시스템은 바람직하게는 2 개 또는 3 개의 상이한 매트릭스 재료, 보다 바람직하게는 2 개의 상이한 매트릭스 재료를 포함한다. 바람직하게는, 이러한 경우, 2 개 재료 중 하나는 정공 수송 특성을 갖는 재료이고, 다른 하나의 재료는 전자 수송 특성을 갖는 재료이다. 그러나, 혼합 매트릭스 성분의 원하는 전자 수송 및 정공 수송 특성은 또한, 단일 혼합 매트릭스 성분에서 주로 또는 전체적으로 조합될 수 있으며, 이 경우 추가의 혼합 매트릭스 성분(들)은 다른 기능을 이행한다. 2 개의 상이한 매트릭스 재료는 여기서 1:50 내지 1:1, 바람직하게는 1:20 내지 1:1, 더욱 바람직하게는 1:10 내지 1:1, 그리고 가장 바람직하게는 1:4 내지 1:1 의 비로 존재할 수도 있다. 인광 유기 전계 발광 디바이스에서 혼합 매트릭스 시스템을 사용하는 것이 바람직하다. 혼합 매트릭스 시스템에 대한 보다 상세한 정보의 한 소스는 출원 WO 2010/108579 이다.
본 발명은 본 발명의 하나 이상의 화합물 및/또는 본 발명의 적어도 하나의 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를, 하나 이상의 정공 전도 층에, 정공 전도 화합물로서 포함하는 전자 디바이스, 바람직하게는 유기 전계 발광 디바이스를 추가로 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 유기 전계 발광 디바이스는 전자 전도 층에서 전자 전도 화합물로서 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위에 상술된 바람직한 실시형태를 포함하는 본 발명의 화합물 또는 본 발명의 적어도 하나의 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 포함한다.
본 발명은 추가로, 본 발명의 하나 이상의 화합물 및/또는 본 발명의 적어도 하나의 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 하나 이상의 전자 수송 층에서, 바람직하게는 높은 유전 상수를 갖는 재료, 예를 들어, 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속 플루오라이드 뿐만 아니라, 대응하는 산화물 또는 탄산염 (예를 들어 LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3 등), 란타노이드 화합물 (예를 들어, Yb2O3) 또는 유기 알칼리 금속 착물, 예를 들어 Liq (lithium quinolinate) 와 조합하여, 포함하는 전자 디바이스, 바람직하게는 유기 전계 발광 디바이스를 제공하며, 유기 알칼리 금속 착물, 바람직하게는 Liq 와 본 발명의 화합물 및/또는 본 발명의 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 조합이 특히 바람직하다. 전자 수송 층에서 2 개의 상이한 재료는 여기서 1:50 내지 50:1, 바람직하게는 1:10 내지 10:1, 더 바람직하게는 1:4 내지 4:1 그리고 가장 바람직하게는 1:2 내지 2:1 의 비로 존재할 수도 있다.
본 발명은 추가로, 본 발명의 하나 이상의 화합물 및/또는 본 발명의 적어도 하나의 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를, 방출층에서, 매트릭스 재료로서, 바람직하게는 인광 방출체와 조합으로, 포함하는 전자 디바이스, 바람직하게는 유기 전계 발광 디바이스를 제공한다.
바람직한 캐소드는 낮은 일 함수를 갖는 금속, 다양한 금속, 예를 들어 알칼리 토금속, 알칼리 금속, 주족 (main group) 금속 또는 란타노이드 (예 : Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등) 로 구성된 금속 합금 또는 다층 구조이다. 또한, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은으로 구성된 합금, 예를 들어, 마그네슘 및 은으로 구성된 합금이 적합하다. 다층 구조의 경우, 언급된 금속 이외에, 상대적으로 높은 일함수를 갖는 추가의 금속, 예를 들어 Ag 를 사용할 수도 있으며, 이 경우 예를 들어 Mg/Ag, Ca/Ag 또는 Ba/Ag 와 같은 금속의 조합이 일반적으로 사용된다. 또한 금속성 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전 상수를 갖는 재료의 얇은 중간층을 도입하는 것이 바람직할 수도 있다. 이러한 목적을 위해 유용한 재료의 예는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 플루오라이드 뿐만 아니라 대응하는 산화물 또는 카보네이트 (예를 들어, LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3 등) 이다. 유기 알칼리 금속 착물, 예를 들어 Liq (리튬 퀴놀리네이트) 이 마찬가지로 이러한 목적을 위해 적합하다. 이러한 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm 이다.
바람직한 애노드는 높은 일함수를 갖는 재료이다. 바람직하게, 애노드는 진공에 대하여 4.5 eV 초과의 일함수를 갖는다. 첫째, 산화환원 전위가 높은 금속, 예를 들어 Ag, Pt 또는 Au 가 이 목적에 적합하다. 둘째, 금속/금속 산화물 전극들 (예를 들면, Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수도 있다. 일부 응용을 위해, 전극 중 적어도 하나는 유기 재료 (O-SC) 의 조사 또는 광의 방출 (OLED/PLED, O-LASER) 이 가능하게끔 투명하거나 부분적으로 투명해야 한다. 여기서 바람직한 애노드 재료는 전도성 혼합 금속 산화물이다. 인듐 주석 산화물 (ITO) 또는 인듐 아연 산화물 (IZO) 이 특히 바람직하다. 전도성의 도핑된 유기 재료, 특히 전도성의 도핑된 폴리머, 예를 들어 PEDOT, PANI 또는 이러한 폴리머의 유도체가 추가로 바람직하다. p-도핑된 정공 수송 재료가 정공 주입층으로서 애노드에 적용되는 경우가 또한 바람직하며, 이러한 경우 적합한 p-도펀트는 금속 산화물, 예를 들어 MoO3 또는 WO3, 또는 (퍼)플루오르화 전자-결핍 방향족 시스템이다. 추가의 적합한 p-도펀트는 Novaled 로부터의 화합물 NPD9 또는 HAT-CN (hexacyanohexaazatriphenylene) 이다. 이러한 층은 낮은 HOMO, 즉 규모의 관점에서 큰 HOMO 를 갖는 재료에의 정공 주입을 간단하게 한다.
추가 층들에서, 일반적으로 그 층들에 대해 종래 기술에 따라 사용되는 임의의 재료를 사용할 수 있으며, 당업자는 진보적 능력을 발휘하지 않고서, 전자 디바이스에서 이들 재료 중 임의의 재료를 본 발명의 재료들과 조합할 수 있다.
디바이스의 수명이 물 및/또는 공기의 존재 하에 심각하게 단축되므로, 이러한 디바이스는 대응하여 (응용에 따라) 구조화되고, 접점-접속되고 최종적으로 기밀식으로 밀봉된다.
추가적으로 바람직한 것은, 하나 이상의 층이 승화 방법에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스이다. 이러한 경우, 재료는 진공 승화 시스템에서 전형적으로는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 증착에 의해 적용된다. 또한, 초기 압력은 심지어 더 낮거나 심지어 더 높을 수 있으며, 예를 들어 10-7 mbar 미만일 수 있다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (organic vapor phase deposition) 방법에 의해 또는 캐리어 기체 (carrier gas) 승화에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이러한 경우, 재료는 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용된다. 이 방법의 특수한 경우는 OVJP (유기 증기 제트 인쇄) 방법이고, 이때 재료는 노즐에 의해 직접 도포되고 이렇게 하여 구조화된다 (예를 들어, M. S. Arnold 등의, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
추가로, 하나 이상의 층이 용액으로부터, 예를 들어 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 인쇄 방법, 예를 들어 스크린 인쇄, 플렉소그래피 인쇄, 오프셋 인쇄 또는 노즐 인쇄, 그러나 보다 바람직하게는 LITI (광-유도 열 이미징 (light-induced thermal imaging), 열 전사 인쇄) 또는 잉크젯 인쇄에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이 목적을 위해, 예를 들어 적합한 치환을 통해 얻어지는 가용성 화합물이 필요하다.
전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는 또한, 용액으로부터 하나 이상의 층을 도포하고, 증착에 의해 하나 이상의 다른 층을 적용함으로써 혼성 시스템으로서 제조될 수 있다. 예를 들어, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물 및 매트릭스 재료를 포함하는 방출 층을 용액으로부터 도포하고, 거기에 정공 차단 층 및/또는 전자 수송 층을 감압하에서 증착에 의해 적용하는 것이 가능하다.
이들 방법은 일반적으로 당업자에게 공지되어 있으며, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위에서 상세히 나타낸 바람직한 실시형태들을 포함하는 본 발명의 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에 어려움 없이 적용될 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는, 종래 기술에 비해 하기의 놀라운 이점 중 하나 이상에 대하여 주목할 만하다:
1. 식 (Ia) 및/또는 (Ib)의 구조, 또는 위와 아래에 기재된 바람직한 실시형태들을 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를, 특히 호스트 재료로서 또는 전자 전도 재료 및/또는 정공 전도 재료로서 포함하는, 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스는, 매우 양호한 수명을 갖는다. 이러한 맥락에서, 이들 화합물은 낮은 롤-오프, 즉 높은 휘도에서 디바이스 전력 효율의 작은 저하를 가져온다.
2. 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들을 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를, 전자 전도 재료, 정공 전도 재료 및/또는 호스트 재료로서, 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스는 탁월한 효율을 갖는다. 이러한 맥락에서, 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들을 갖는 본 발명의 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는 전자 디바이스에 사용될 때 낮은 동작 전압을 야기한다.
3. 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에서 언급되는 바람직한 실시형태들을 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스는 우수한 색 순도를 갖는다.
4. 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 기재된 바람직한 실시형태들을 갖는 본 발명의 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는 매우 높은 안정성 및 수명을 나타낸다.
5. 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들을 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머로, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 광학 손실 채널의 형성을 피할 수 있다. 그 결과, 이들 디바이스는 방출체의 높은 PL 효율 및 그에 따른 높은 EL 효율, 및 매트릭스에서 도펀트로의 우수한 에너지 전달을 특징으로 한다.
6. 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스의 층들에서의 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들을 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 용도는 전자 도체 구조의 높은 이동도에 이른다.
7. 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들을 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는 우수한 열 안정성을 특징으로 하고, 약 1200　g/몰 미만의 몰 질량을 갖는 화합물은 양호한 승화성을 갖는다.
8. 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들을 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는 탁월한 유리 필름 형성을 갖는다.
9. 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에서 상술되는 바람직한 실시형태들을 갖는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는 용액으로부터 매우 양호한 막들을 형성한다.
10. 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 구조 또는 위와 아래에 기재된 바람직한 실시형태들을 포함하는 화합물, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머는 놀랄만큼 높은 삼중항 준위 T1 을 갖는다.
이러한 위에 언급된 이점은 추가 전자적 특성의 열화를 수반하지 않는다.
본 발명의 화합물 및 혼합물은 전자 디바이스에서 사용하기에 적합하다. 전자 디바이스는 여기서 적어도 하나의 유기 화합물을 함유하는 적어도 하나의 층을 함유하는 디바이스를 의미하는 것으로 이해된다. 그러나 구성 요소는 또한 무기 재료, 또는 그밖에 완전히 무기 재료로부터 형성된 층을 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명은 추가로 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서, 바람직하게는 정공 수송 재료, 전자 수송 재료 또는 호스트 재료, 보다 바람직하게는 적색 인광 화합물을 위한 호스트 재료로서의 본 발명의 화합물 또는 혼합물의 용도를 제공한다.
본 발명은 여전히 또한 전자 디바이스에서 인광 방출체를 위한 호스트 재료, 전자 수송 재료 및/또는 정공 수송 재료로서, 바람직하게는 적색 또는 녹색 인광 화합물을 위한 호스트 재료로서 또는 형광 방출체를 갖는 유기 전계 발광 디바이스에서의 정공 수송 재료 또는 전자 수송 재료로서의 본 발명의 화합물 및/또는 본 발명의 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 용도를 제공한다.
본 발명은 여전히 또한, 특히 높은 유전 상수를 갖는 재료와 조합으로, 전자 디바이스에서 전자 수송 층의 부분으로서의 본 발명의 화합물 및/또는 본 발명의 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 용도를 제공한다.
본 발명은 여전히 또한 본 발명의 위에 상술된 화합물 또는 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 전자 디바이스를 제공한다. 이 경우, 그 화합물에 대해 위에 상술된 선호들이 전자 디바이스에도 적용된다. 보다 바람직하게는, 전자 디바이스는, 유기 전계발광 디바이스 (OLED, PLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계 효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 광 검출기, 유기 광수용체, 유기 필드 켄치 디바이스 (O-FQD), 유기 전기 센서, 발광 전기 화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 플라즈몬 방출 디바이스 (D. M. Koller et al., Nature Photonics 2008, 1-4), 바람직하게는 유기 전계발광 디바이스 (OLED, PLED), 특히 인광 OLED 로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가 실시형태에서, 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 별개의 정공 주입층 및/또는 정공 수송층 및/또는 정공 차단 층 및/또는 전자 수송 층을 함유하지 않으며, 이는 방출층이 정공 주입층 또는 애노드에 바로 인접하거나 및/또는 방출층이 전자 수송층 또는 전자 주입층 또는 캐소드에 바로 인접함을 의미한다 (예를 들어 WO 2005/053051 에 기재된 바와 같음). 추가적으로, 예를 들어 WO 2009/030981 에 기재된 바와 같이, 방출 층에 금속 착물과 동일하거나 유사한 금속 착물을 방출 층에 바로 인접하는 정공 수송 또는 정공 주입 재료로서 사용할 수 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스의 추가 층에서, 종래 기술에 따라 통상적으로 사용되는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 따라서, 당업자는, 진보성 능력을 발휘하지 않고서, 본 발명의 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 또는 바람직한 실시 형태들에 따른 화합물과 조합하여 유기 전계 발광 디바이스들에 대해 알려진 임의의 재료를 사용할 수 있다.
본 발명의 화합물은 일반적으로 유기 전계 발광 디바이스에서의 사용시 매우 양호한 특성을 갖는다. 특히, 유기 전계 발광 디바이스에서 본 발명의 화합물을 사용하는 경우, 수명은 종래 기술에 따른 유사한 화합물에 비해 현저히 더 양호하다. 동시에, 유기 전계 발광 디바이스의 추가 특성, 특히 효율 및 전압이 마찬가지로 더 양호하거나 또는 적어도 비슷하다.
본 발명에 설명된 실시형태들의 변형들은 본 발명의 범위에 의해 커버된다는 것이 지적되야 한다. 본 발명에 개시된 임의의 특징은, 이것이 명시적으로 배제되지 않는 한, 동일한 목적 또는 동등하거나 유사한 목적을 제공하는 대안적 특징과 교환될 수 있다. 따라서, 본 발명에서 개시된 임의의 특징은, 달리 언급되지 않으면, 일반 계열 (generic series) 의 일 예로서, 또는 동등하거나 또는 유사한 특징으로서 고려되어야 한다.
본 발명의 모든 특징은, 특정 특징 및/또는 단계가 상호 배타적이지 않는 한, 임의의 방식으로 서로 조합될 수도 있다. 이것은 특히 본 발명의 바람직한 특징에 해당된다. 동일하게, 비-필수적인 조합의 특징은 따로따로 (그리고 조합하지 않고서) 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 많은 특징들 그리고 특히 바람직한 실시형태들의 특징들은, 그것들 자체로 발명인 것으로 간주되어야 하며 단순히 본 발명의 실시형태들의 일부로서 간주되어서는 안된다는 것이 지적되야 한다. 이러한 특징에 대하여, 임의의 현재 청구된 발명에 추가로, 또는 대안으로서 독립적인 보호가 추구될 수 있다.
본 발명에 개시된 기술적 교시는 추출될 수도 있고 다른 예들과 조합될 수도 있다.
본 발명은 하기의 실시예들에 의해 상세히 예시되며, 이에 의해 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
당업자는 본 발명의 추가의 전자 디바이스들을 제조하고 따라서 청구된 전체 범위에 걸쳐 본 발명을 실시하기 위해, 진보적 능력을 발휘하지 않고서, 주어진 상세들을 사용할 수 있을 것이다.
합성예
a) 2-(4-클로로페닐)-3-페닐퀴놀린-4-카르복실산
Figure pct00143
1　L 플라스크에서, 14.0　g (93.3　mmol; 1.00　eq; 98% 순수) 의 이사틴 [CAS 91-56-5], 24.2　g (103　mmol; 1.10　eq) 의 1-(4-클로로페닐)-2-페닐에타논 [CAS 1889-71-0] 및 15.7　g (280　mmol; 3.00　eq) 의 칼륨 히드록시드 분말 [CAS 1310-58-3] 을 630　mL 의 에탄올 [CAS 64-17-5] 에 현탁시켰다. 반응 혼합물은 48 시간 동안 100℃ 에서 교반된다. 실온으로 냉각 후, 용매를 감압하에 제거한다. 잔류물을 200　mL 의 에틸 아세테이트 [CAS 141-78-6] 및 200mL 의 물에 용해하고 상들을 분리한다. 추출 후 유기 상을 물 (2 x 100　mL) 로 추출하고 조합된 수성 상을 에틸 아세테이트(3 x 100mL)로 세척한다. 발연 염산(fuming hydrochloric acid)[CAS 7647-01-0] 25mL를 사용하여 수성상을 pH = 1로 조정하고 침전된 고체를 여과한다. 이어서 에탄올로 세척한 후, 생성물 22.5g(62.7mmol; 이론치의 67%)을 백색 고체 형태로 얻었다.
하기 화합물을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00144
Figure pct00145
b) 6-(4-클로로페닐)인데노[1,2-c]퀴놀린-11-온
Figure pct00146
500mL 플라스크에, 21.0　g (58.4　mmol; 1.00　eq.) 의 2-(4-클로로페닐)-3-페닐퀴놀린-4-카르복실산 및 32.1　mL (350　mmol; 6.00　eq.) 의 포스포릴 클로라이드 [CAS 10025-87-3] 을 183　mL 의 클로로벤젠 [CAS 108-90-7] 에 용해하고 150℃에서 24시간 동안 가열한다. 전환을 체크한 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 무수 알루미늄 클로라이드[CAS 7446-70-0] 8.17g(61.3mmol; 1.05 eq.)을 첨가하고 혼합물을 3시간 동안 가열 환류시킨다. 냉각 후에, 반응 혼합물을 얼음물에서 침전시킨다. 물을 따라내고, EtOH를 조 생성물에 첨가한다. 발생하는 고형물은 여과되고 건조된다. 15.53　g (44.9　mmol; 이론치의 77%)의 생성물을 추가 정제 없이 전환시킨다.
하기 화합물을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00147
c) 11-바이페닐-2-일-6-(4-클로로페닐)-11H-인데노[1,2-c]퀴놀린-11-올
Figure pct00148
500　mL 플라스크에서, 보호 가스 하, 13.0　g (53.3　mmol; 1.24　eq) 의 2-브로모바이페닐 [CAS 2052-07-5] 을 80　mL 의 건조 THF [CAS 109-99-9] 에 용해시키고 -76℃ 로 냉각시켰다. 다음으로, 20.7　mL (2.5　mol/L; 51.7　mmol; 1.20　eq) 의 n-부틸리튬 [CAS 109-72-8] 을 적가하고 혼합물을 추가로 1 시간 동안 교반한다. 370　ml 의 건조 THF [CAS 109-99-9] 중 14.8　g (43.1　mmol, 1.00　eq) 의 6-(4-클로로페닐)인데노[1,2-c]퀴놀린-11-온의 현탁액을 -40℃에서 이 혼합물에 적가한다. 결과적인 혼합물을 실온으로 서서히 가온하고 추가 72 시간 동안 교반한다. 물 100　mL를 첨가하여 반응을 켄칭하고, 결과적인 상들을 분리하였다. 수성 상을 에틸 아세테이트 (3 x 150　mL) [CAS 141-78-6] 으로 추출한 후, 조합된 유기 상을 물 (3 x 150　mL) 로 세척한다. 유기상을 감압하에 농축하고 헵탄[CAS 142-82-5]에 침전시킨다. 조 생성물을 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하고 생성물 7.65g(15.4mmol; 이론치의 36%)을 고체 형태로 얻었다.
하기 화합물을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00149
Figure pct00150
Figure pct00151
d) 6'-(4-클로로페닐)스피로[플루오렌-9,11'-인데노[1,2-c]퀴놀린]
Figure pct00152
500 ml 플라스크에서, 7.50　g (15.1　mmol; 1.00　eq) 의 11-바이페닐-2-일-6-(4-클로로페닐)-11H-인데노[1,2-c]퀴놀린-11-올 및 28.8　g (150　mmol; 10.0　eq) 의 톨루엔설폰산 일수화물 [CAS 6192-52-5] 를 250　mL 의 톨루엔 [CAS 108-88-3] 에 현탁시키고, 혼합물을 115 ℃에서 24 시간 동안 교반하였다. 전환이 완료되면, 혼합물을 실온으로 냉각시키고 반응 용액을 물과 혼합한다. 상 분리 후, 수성 상을 디클로로메탄[CAS 75-09-2](3 x 150mL)으로 추출한다. 조합된 유기 상을 물로 세척한다 (3 x 150　mL). 유기 용매를 회전식 증발기에서 제거하고, 수득한 고체를 건조시켰다. 7.00　g 의 생성물 (14.6　mmol; 이론치의 97%) 을 추가 정제 없이 전환시켰다.
하기 화합물을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00153
Figure pct00154
Figure pct00155
e) 6'-[4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐]스피로[플루오렌-9,11'-인데노[1,2-c]퀴놀린]
Figure pct00156
500　mL 플라스크에서, 보호 가스 하, 6.34　g (13.3 mmol; 1.00　eq.) 의 6'-(4-클로로페닐)스피로[플루오렌-9,11'-인데노[1,2-c]퀴놀린] 및 4.30　g (16.9　mmol; 1.28　eq) 의 비스(피나콜레이토)디보란 [CAS 73183-34-3] 을 200　mL 의 건조 디옥산 [CAS 123-91-1] 에 용해시키고 혼합물을 45 분동안 탈기시켰다. 후속해서, 3.20　g (32.6　mmol; 2.46　eq.) 의 칼륨 아세테이트 [CAS 127-08-2] 및 510　mg (0.69　mmol; 0.05　eq.) 의 비스(트리시클로헥실포스핀)팔라듐 디클로라이드 [CAS 29934-17-6] 를 첨가하고, 혼합물을 밤새 110℃ 로 가열하였다. 전환이 완료되고 실온으로 냉각된 후, 300mL의 에틸 아세테이트[CAS 141-78-6] 및 300mL의 물을 반응에 첨가한다. 상 분리 및 수성 상을 에틸 아세테이트로 추출한 후, 조합된 유기 상을 농축하고 물로 세척한다. 용매를 제거한 후, 원하는 생성물(7.60g; 12.3mmol; 이론치의 93%)을 얻는다.
하기 화합물을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00157
Figure pct00158
f) 6'-[4-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐]스피로[플루오렌-9,11'-인데노[1,2-c]퀴놀린]
Figure pct00159
7.00　g (11.3　mmol; 1.05　eq.) 의 6'-[4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐]스피로[플루오렌-9,11'-인데노[1,2-c]퀴놀린], 2.89　g (10.8　mmol; 1.00　eq.) 의 2-클로로-4,6-디페닐-[1,3,5]트리아진 [CAS 3842-55-5] 및 8.04　g (32.4　mmol; 3.00　eq.) 의 삼칼륨 포스페이트 [CAS 7778-53-2] 을 75　mL 의 디옥산 [CAS 123-91-1], 75　mL 의 톨루엔 [CAS 108-88-3] 및 75　mL 의 물에 현탁시켰다. 이 현탁액에, 121　mg (0.54　mmol; 0.05　eq.) 의 팔라듐(II) 아세테이트 [CAS 3375-31-3] 및 329　mg (1.08　mmol; 0.10　eq.) 의 트리오르토톨릴포스핀 [CAS 6163-58-2] 를 첨가하고 그 반응 혼합물을 16 시간 동안 환류하 가열시켰다. 냉각 후, 용매를 제거하고 잔류물을 디클로로메탄[CAS 75-09-2]과 물에 용해하고 상을 분리한다. 수성 상을 디클로로메탄으로 추출 (2 x 150　mL) 후, 조합된 유기 상을 물로 세척 (2 x 150　mL) 다음 농축 건조한다. Soxhlet 추출, 에틸 아세테이트 [CAS 141-78-6] 로 세척 및 진공 승화에 의한 정제로 원하는 생성물을 수득하였다 (1.78　g; 2.64　mmol; 이론치의 24 %) .
하기 화합물을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00160
Figure pct00161
Figure pct00162
Figure pct00163
Figure pct00164
식 (Ia) 의 이소퀴놀린 유도체는 위에 언급된 예에 따라 얻어질 수 있으며, 일부 상응하는 이소퀴놀린은 상업적으로 입수가능하거나, 또는 이들은 공지된 반응, 예를 들어 Bischler-Napieralski 반응, Pictet-Gams 반응 또는 Pictet-Spengler 반응을 통해 얻어질 수 있다.
OLED
본 발명의 화합물은 유기 전계 발광 디바이스, 특히 OLED에 사용될 수 있다. 이들은 당업자에게 잘 알려져 있는 방법에 의해 제조되고 특성화된다. 본 발명의 화합물을 함유하는 OLED는 알려진 OLED에 비해 위에 언급된 이점을 갖는다. 특히 OLED의 전압, 수명, 안정성 및 효율과 같은 성능 데이터는 본 발명의 화합물을 사용함으로써 증대될 수 있다.
OLED 를 위한 일반 제조 프로세스 및 OLED 의 특성화: 두께 50 nm 의 구조화된 ITO (인듐 주석 산화물) 로 코팅된 유리판은 OLED 가 적용되는 기판을 형성한다.
OLED 는 기본적으로 하기의 층 구조를 갖는다: 기판 / 정공 주입층 (HIL) / 정공 수송층 (HTL) / 전자 차단 층 (EBL) / 방출 층 (EML) / 전자 수송 층 (ETL) / 전자 주입층 (EIL) 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄 층에 의해 형성된다. 표 1은 OLED 제조에 사용할 수 있는 통상적인 재료를 보여준다.
Figure pct00165
Figure pct00166
모든 재료는 진공 챔버에서 열 증착에 의해 적용된다. 이러한 경우, 방출 층은, 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 동시 증발에 의해 특정한 부피 비율로, 매트릭스 재료(들) 에 첨가되는 방출 도펀트 (방출체) 로 이루어진다. H:SEB(95%:5%) 로서 이러한 형태로 주어진 상세들은 여기에서 재료 H 가 부피 비율로 95% 그리고 SEB 이 5% 의 비율로 층에 존재하는 것을 의미한다.
유사한 방식으로, 전자 수송층 또는 정공 주입층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어진다.
OLED 는 표준 방식으로 특성화된다. 이 목적을 위하여, 전계 발광 스펙트럼, Lambertian 방사 특성 (Lambertian radiation characteristic) 을 가정하는 전류-전압-휘도 특성으로부터 산출된, 휘도(luminance)의 함수로서의 외부 양자 효율 (EQE, % 로 측정됨), 및 수명이 결정된다. 파라미터 EQE　@　10　mA/cm² 는 10　mA/cm² 에서 얻어지는 외부 양자 효율을 나타낸다. 파라미터 U @ 10 mA/cm2 는 10　mA/cm2 에서의 동작 전압을 나타낸다. 수명 LT 는, 일정한 전류 밀도로 작동하는 동안 휘도가 시작 휘도로부터 특정한 비율로 하락하는 시간으로서 정의된다. 여기서 LT80 수치는, 보고된 수명이 휘도가 그 시작 값의 80%로 하락하는 시간에 대응함을 의미한다. 수치 @60 또는 40 mA/cm2 는 여기서 당해 수명이 60 또는 40 mA/cm2 에서 측정됨을 의미한다.
본 발명의 화합물을 함유하는 OLED는 매우 양호한 성능 데이터를 갖는 것으로 밝혀졌다; 특히, 그들은 종래 기술로부터의 비슷한 OLED 에 비해 뚜렷하게 개선된 수명을 보여준다. 더욱이, 전압과 효율은 매우 높은 수준이다.
디바이스 예 OLED 의 제조
본 발명의 OLED 및 종래 기술에 따른 OLED 는 WO 04/058911 에 따른 일반적 방법에 의해 제조되며, 이는 여기에 기재된 상황에 맞게 조정된다 (층 두께의 변화, 재료).
후속되는 예 (표 2 내지 4 참조) 에서, 다양한 OLED 의 데이터가 제시된다. 사용된 기판은 두께 50 nm의 구조화된 ITO (인듐 주석 옥사이드) 로 코팅된 유리 기판이다. OLED 는 기본적으로 하기 층 구조를 갖는다:
- 기판,
- ITO (50 nm),
- 버퍼 (20 nm),
- 정공 주입 층 (HTL 95%, HIL 5%) (20 nm),
- 정공 수송 층 (HTL) (195 nm),
- 방출 층 (EML) (20 nm),
- 전자 수송 층 (ETL 50%, EIL 50%) (30 nm),
- 전자 주입 층 (EIL) (1 nm),
- 캐소드.
캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄 층에 의해 형성된다. 스핀 코팅에 의해 도포된 버퍼는 Clevios P VP AI 4083 (Heraeus Clevios GmbH, Leverkusen에서 공급) 의 20 nm 두께 층이다. 모든 나머지 재료는 진공 챔버에서 열 증착에 의해 적용된다. OLED 의 구조는 표 2에 나타나 있다. 사용된 재료는 표 4 에 나타나 있다.
방출 층은 항상, 동시 증발에 의해 특정한 부피 비율로, 매트릭스 재료에 첨가되는 방출 도펀트 (= D) 및 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 = H) 로 이루어진다. H:D (97%:3%) 와 같은 이러한 형태로 주어진 상세들은 여기에서 재료 H 가 부피 비율로 97% 그리고 D 가 3% 의 비율로 층에 존재하는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED는 표준 방식으로 특성화된다. 이러한 목적을 위해, 전계 발광 스펙트럼을 기록하고, 람버트 (Lambertian) 방출 특성을 가정하여 전류-전압-휘도 특성 (IUL 특성) 으로부터 휘도의 함수로서 전류 효율 (cd/A 로 측정됨) 및 외부 양자 효율 (EQE, % 로 측정됨) 을 계산하고, 마지막으로 컴포넌트의 수명을 결정한다. 전계발광 스펙트럼은 1000 cd/㎡ 의 휘도에서 기록되고, CIE 1931 x 및 y 색 좌표가 그로부터 계산된다. 파라미터 EQE @ 1000 cd/m² 는 1000 cd/m² 의 동작 휘도에서의 외부 양자 효율을 나타낸다. 수명은 1000　cd/m² 의 시작 밝기가 5% 만큼 떨어지기 까지 경과한 시간 LD95 @ 1000　cd/m² 이다. 다양한 OLED 에 대해 얻어진 데이터를 표 3 에 수집 분석한다.
OLED 에서 전자 수송 재료로서의 본 발명의 재료의 용도
본 발명의 재료는 OLED 에서 전자 수송 재료(ETL)로 사용하기에 적합하며 우수한 성능 데이터를 낳는다; 예 E1 내지 E4 참조.
Figure pct00167
Figure pct00168
Figure pct00169

Claims (19)

  1. 하기 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 적어도 하나의 구조를 포함하며, 바람직하게는 하기 식 (Ia) 및/또는 (Ib) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00170

    식 중 사용된 기호들은 다음과 같다:
    X 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, N 또는 CR, 바람직하게는 CR 이다;
    Xa 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, N 또는 CRa, 바람직하게 CRa 이다;
    Ra 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ara)2, N(R)2, C(=O)Ara, C(=O)R2, P(=O)(Ara)2, P(Ara)2, B(Ara)2, B(OR)2, Si(Ara)3, Si(R)3, Ge(R)3,1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -RC=CR-, -C≡C-, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, -O-, -Se-, -S-, C=Se, -C(=O)O-, -C(=O)NR-, C=NR, NR, P(=O)(R), SO 또는 SO2로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 2 개 이상의, 바람직하게는 인접한 Ra 라디칼들은 서로 또는 R 라디칼과 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    Ara 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의, 바람직하게 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ara 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R), C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=O, C=NR, C=C(R)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R), P(R) 및 P(=O)R 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
    R 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar)2, N(R1)2, C(=O)Ar, C(=O)R1, P(=O)(Ar)2, P(Ar)2, B(Ar)2, B(OR1)2, Si(Ar)3, Si(R1)3, Ge(R1)3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R1C=CR1-, -C≡C-, Si(R1)2, Ge(R1)2, Sn(R1)2, C=O, C=S, C=Se, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, C=NR1, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, -Se-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 2 개 이상의, 바람직하게는 인접한 R 라디칼은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    Ar 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의, 바람직하게 비방향족 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, Ge(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
    R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar1)2, N(R2)2, C(=O)Ar1, C(=O)R2, P(=O)(Ar1)2, P(Ar1)2, B(Ar1)2, B(OR2)2, Si(Ar1)3, Si(R2)3, Ge(R2)3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, -Se-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 2 개 이상의 바람직하게는 인접한 R1 라디칼들은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    Ar1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의, 바람직하게는 비방향족의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar1 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R2), C(R2)2, Si(R2)2, Ge(R2)2, C=O, C=NR2, C=C(R2)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R2), P(R2) 및 P(=O)R2 로부터 선택된 브릿지를 통해 서로 연결되는 것이 가능하다;
    R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, Cl, Br, I, CN, B(OR3)2, NO2, C(=O)R3, CR3=C(R3)2, C(=O)OR3, C(=O)N(R3)2, Si(R3)3, Ge(R3)3, P(R3)2, B(R3)2, N(R3)2, NO2, P(=O)(R3)2, OSO2R3, OR3, S(=O)R3, S(=O)2R3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (이들의 각각은 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=NR3, -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, NR3, P(=O)(R3), -O-, -S-, -Se-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 이러한 시스템들의 조합이고; 동시에, 2개 이상의, 바람직하게는 인접한 치환기 R2 는 함께 서로 형성할 수도 있다;
    R3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 및 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서, 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 으로 대체될 수도 있고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 각각 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2개 이상의, 바람직하게는 인접한 R3 치환기들은 서로 고리 시스템을 형성할 수 있다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    식 (II-1), (II-2), (II-3), (II-4), (II-5), (II-6), (II-7), (II-8), (II-9), (II-10), (II-11), (II-12), (II-13), (II-14), (II-15) 또는 (II-16) 의 적어도 하나의 구조를 포함하며, 바람직하게는 식 (II-1), (II-2), (II-3), (II-4), (II-5), (II-6), (II-7), (II-8), (II-9), (II-10), (II-11), (II-12), (II-13), (II-14), (II-15) 또는 (II-16) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00171

    Figure pct00172

    식중 기호 R 및 X 는 제 1 항에 주어진 정의를 가지며, p 는 0 또는 1 이고, Y는 B(R), C(R)2, Si(R)2, C=O, C=NR, C=C(R)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R), P(R) 및 P(=O)R, 바람직하게는 B(R), C(R)2, Si(R)2, O, S, Se, S=O, SO2, N(R), P(R) 및 P(=O)R 을 나타내고, 여기서, p = 0일 때, 나타낸 방향족 또는 헤테로방향족 고리 사이에 결합이 있고, 식 (II-5), (II-6), (II-8), (II-13), (II-14) 및 (II-16) 의 구조가 바람직하고, 식 (II-5), (II-6) 및 (II-8) 의 구조가 특히 바람직하다.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    식 (III-1), (III-2), (III-3), (III-4), (III-5), (III-6), (III-7), (III-8), (III-9), (III-10), (III-11), (III-12), (III-13), (III-14), (III-15) 또는 (III-16) 의 적어도 하나의 구조를 포함하며, 바람직하게는 식 (III-1), (III-2), (III-3), (III-4), (III-5), (III-6), (III-7), (III-8), (III-9), (III-10), (III-11), (III-12), (III-13), (III-14), (III-15) 또는 (III-16) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00173

    Figure pct00174

    Figure pct00175

    식 중, 기호 R 은 제 1 항에 주어진 정의를 가지며, 기호 Y 및 p는 제 2 항에 주어진 정의를 가지며, l 은 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, 식 (IIIe), (IIIf), (IIIh), (IIIn), (IIIo) 및 (IIIq) 의 구조가 바람직하다.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화합물은 정공 수송기를 포함하고, 여기서 바람직하게는 상기 Ra 기 중 하나 또는 상기 R 기 중 하나는 정공 수송기를 포함하며 바람직하게는 정공 수송기인 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화합물은 전자 수송기 포함 라디칼을 포함하고, 바람직하게는 상기 Ra 기 중 하나 또는 상기 R 기 중 하나는 전자 수송기 포함 라디칼을 포함하며 바람직하게는 전자 수송기 포함 라디칼인, 화합물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    식 (Ia), (Ib), (II-1), (II-2), (II-3), (II-4), (II-5), (II-6), (II-7), (II-8), (II-9), (II-10), (II-11), (II-12), (II-13), (II-14), (II-15), (II-16), (III-1), (III-2), (III-3), (III-4), (III-5), (III-6), (III-7), (III-8), (III-9), (III-10), (III-11), (III-12), (III-13), (III-14), (III-15) 또는 (III-16) 에서 적어도 하나의 Ra 또는 R 기가 식 L1-Z 에 의해 표시될 수 있는 기이고, 여기서 L1 은 결합 또는 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, Z 은 R1, Ar 또는 식 Za 또는 Zb 의 기를 나타내고, 여기서 기호 Ar 및 R1 는 제 1 항에 주어진 정의를 갖고, Za 또는 Zb 는
    Figure pct00176
    인, 화합물.
    식 중 W 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼, 질소 원자, 붕소 원자, 인 원자 또는 포스판 산화물 기에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 점선 결합은 부착 위치를 표시하고 기호 Ar 및 R1 은 제 1 항에 주어진 정의를 갖는다.
  7. 제 6 항에 있어서,
    식 (IV-1), (IV-2), (IV-3), (IV-4), (IV-5), (IV-6), (IV-7), (IV-8), (IV-9), (IV-10), (IV-11), (IV-12), (IV-13), (IV-14), (IV-15), (IV-16), (IV-17), (IV-18), (IV-19), (IV-20), (IV-21), (IV-22), (IV-23) 또는 (IV-24) 의 적어도 하나의 구조를 포함하며, 바람직하게는 식 (IV-1), (IV-2), (IV-3), (IV-4), (IV-5), (IV-6), (IV-7), (IV-8), (IV-9), (IV-10), (IV-11), (IV-12), (IV-13), (IV-14), (IV-15), (IV-16), (IV-17), (IV-18), (IV-19), (IV-20), (IV-21), (IV-22), (IV-23) 또는 (IV-24) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00177

    Figure pct00178

    Figure pct00179

    식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고, 기호 R은 제 1 항에 주어진 정의를 가지며 -L1-Z 기는 제 6 항에 주어진 정의를 갖는다.
  8. 제 6 항에 있어서,
    식 (V-1), (V-2), (V-3), (V-4), (V-5), (V-6), (V-7), (V-8), (V-9), (V-10), (V-11), (V-12), (V-13), (V-14), (V-15), (V-16), (V-17), (V-18), (V-19), (V-20), (V-21), (V-22), (V-23), (V-24), (V-25), (V-26), (V-27), (V-28), (V-29), (V-30), (V-31) 또는 (V-32) 의 적어도 하나의 구조를 포함하며, 바람직하게 식 (V-1), (V-2), (V-3), (V-4), (V-5), (V-6), (V-7), (V-8), (V-9), (V-10), (V-11), (V-12), (V-13), (V-14), (V-15), (V-16), (V-17), (V-18), (V-19), (V-20), (V-21), (V-22), (V-23), (V-24), (V-25), (V-26), (V-27), (V-28), (V-29), (V-30), (V-31) 또는 (V-32) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00180

    Figure pct00181

    Figure pct00182

    Figure pct00183

    Figure pct00184

    식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고, 기호 R은 제 1 항에 주어진 정의를 가지며, 기호 Y 및 인덱스 p는 제 2 항에 주어진 정의를 갖고, -L1-Z 기는 제 6 항에 주어진 정의를 갖고, 여기서 Y는 바람직하게는 O 또는 NR이다.
  9. 제 8 항에 있어서,
    식 (VI-1), (VI-2), (VI-3), (VI-4), (VI-5), (VI-6), (VI-7) 또는 (VI-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하며, 바람직하게는 식 (VI-1), (VI-2), (VI-3), (VI-4), (VI-5), (VI-6), (VI-7) 또는 (VI-8) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00185

    Figure pct00186

    식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고, 기호 R은 제 1 항에 주어진 정의를 가지며, 기호 Y 및 인덱스 p는 제 2 항에 주어진 정의를 갖고, -L1-Z 기는 제 6 항에 주어진 정의를 갖고, 구조 (VI 1), (VI-2), (VI 4), (VI-5), (VI 6) 및 (VI-8) 이 바람직하고, 식 (VI 1), (VI-2) 및 (VI 4) 의 구조가 특히 바람직하다.
  10. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    식 (VII-1), (VII-2), (VII-3), (VII-4), (VII-5), (VII-6), (VII-7) 또는 (VII-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하며, 바람직하게는 식 (VII-1), (VII-2), (VII-3), (VII-4), (VII-5), (VII-6), (VII-7) 또는 (VII-8) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00187

    Figure pct00188

    식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고, 기호 R은 제 1 항에 주어진 정의를 가지며 -L1-Z 기는 제 6 항에 주어진 정의를 갖는다.
  11. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    식 (VIII-1), (VIII-2), (VIII-3), (VIII-4), (VIII-5), (VIII-6), (VIII-7), (VIII-8), (VIII-9) 또는 (VIII-10) 의 적어도 하나의 구조를 포함하며, 바람직하게는 식 (VIII-1), (VIII-2), (VIII-3), (VIII-4), (VIII-5), (VIII-6), (VIII-7), (VIII-8), (VIII-9) 또는 (VIII-10) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00189

    Figure pct00190

    식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고, 기호 R은 제 1 항에 주어진 정의를 가지며 -L1-Z 기는 제 6 항에 주어진 정의를 갖는다.
  12. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    식 (IX-1), (IX-2), (IX-3), (IX-4), (IX-5), (IX-6), (IX-7) 또는 (IX-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하며, 바람직하게는 식 (IX-1), (IX-2), (IX-3), (IX-4), (IX-5), (IX-6), (IX-7) 또는 (IX-8) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00191

    식 중 기호 X는 -L1-Z 기가 X에 결합되는 경우에 N, CR 또는 C 를 나타내고, 기호 R은 제 1 항에 주어진 정의를 가지며 -L1-Z 기는 제 6 항에 주어진 정의를 갖는다.
  13. 제 6 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    식 (XII-1), (XII-2), (XII-3), (XII-4), (XII-5), (XII-6), (XII-7), (XII-8), (XII-9), (XII-10), (XII-11), (XII-12), (XII-13), (XII-14), (XII-15), (XII-16), (XII-17), (XII-18), (XII-19), (XII-20), (XII-21), (XII-22), (XII-23) 또는 (XII-24) 의 적어도 하나의 구조를 포함하며, 바람직하게는 식 (XII-1), (XII-2), (XII-3), (XII-4), (XII-5), (XII-6), (XII-7), (XII-8), (XII-9), (XII-10), (XII-11), (XII-12), (XII-13), (XII-14), (XII-15), (XII-16), (XII-17), (XII-18), (XII-19), (XII-20), (XII-21), (XII-22), (XII-23) 또는 (XII-24) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.
    Figure pct00192

    Figure pct00193

    Figure pct00194

    식 중 기호 R은 제 1 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 Y 및 인덱스 p는 제 2 항에 주어진 정의를 가지며 -L1-Z 기는 제 6 항에 주어진 정의를 갖고, l은 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, n은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이고, 식 (XII-1) 내지 (XII-9) 및 (XII-13) 내지 (XII-21) 의 구조가 바람직하다.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 하나 이상의 화합물을 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머로서, 수소 원자 또는 치환기보다는, 상기 화합물은 상기 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 하나 이상의 결합을 갖는, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머.
  15. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 화합물 또는 제 14 항에 따른 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머, 및 형광 방출체, 인광 방출체, TADF (열 활성화 지연 형광) 를 나타내는 방출체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 전도체 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단 재료 및 정공 차단 재료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는, 조성물.
  16. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물, 또는 제 14 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머, 또는 제 15 항에 기재된 조성물, 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 포뮬레이션.
  17. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물의, 제 14 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의, 또는 제 15 항에 기재된 조성물의 전자 디바이스에서 호스트 재료로서, 바람직하게는 적색 인광 화합물을 위한 호스트 재료, 정공 수송 재료, 또는 전자 수송 재료로서의 용도.
  18. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물 또는 제 14 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 제조 방법으로서, 커플링 반응에서, 적어도 하나의 질소 함유 복소환 기를 포함하는 화합물이 적어도 하나의 방향족 또는 헤테로방향족 기를 포함하는 화합물에 연결되는 것을 특징으로 하는, 제조 방법.
  19. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물, 제 14 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머, 또는 제 15 항에 기재된 조성물을 포함하는 전자 디바이스로서, 상기 전자 디바이스는 바람직하게는 유기 전계 발광 디바이스, 유기 집적 회로, 유기 전계 효과 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 트랜지스터, 유기 태양 전지, 유기 광 검출기, 유기 광수용체, 유기 필드 켄치 디바이스, 발광 전기화학 전지 및 유기 레이저 다이오드로 이루어진 군으로부터 선택되는, 전자 디바이스.
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