KR101934135B1 - 유기 전계발광 디바이스 - Google Patents

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필립 슈퇴쎌
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Abstract

본 발명은 헤테로방향족 화합물들을 포함하는 유기 전계발광 디바이스들에 관한 것이다.

Description

유기 전계발광 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}
본 발명은 헤테로방향족 화합물들을 포함하는 유기 전계발광 디바이스들에 관한 것이다.
유기 반도체들이 기능적 재료들로서 채용되는 유기 전계발광 디바이스 (OLED) 들의 구조는, 예를 들면, US　4539507, US　5151629, EP　0676461 및 WO 98/27136 에 기재되어 있다. 여기서 채용되는 방출 재료들은 형광 대신에 인광을 발현하는 유기금속 착물들인 경우가 자주 있다. 양자역학적 이유들 때문에, 유기금속 화합물들을 인광 방출체들로서 사용하여 4배에 이르는 에너지 및 파워 효율이 가능하다. 일반적으로, OLED들의 경우에, 특히 삼중항 방출 (인광) 을 발현하는 OLED들의 경우에도, 예를 들어 효율, 동작 전압 및 수명에 관한 개선이 여전히 필요하다.
인광 OLED들의 특성들은 채용된 삼중항 방출체들에 의해서만 결정되는 것이 아니다. 특히, 매트릭스 재료들, 정공 차단 재료들, 전자 수송 재료들, 정공 수송 재료들 및 전자 차단 또는 여기자 차단 재료들과 같이, 사용되는 다른 재료들도 또한 여기서 특히 중요하다. 그리하여, 이들 재료들에 있어서의 개선은 또한 OLED 특성들에 있어서의 상당한 개선을 야기할 수도 있다. 형광 OLED들에 대한 이들 재료들의 경우에도 또한 개선이 여전히 필요하다.
종래 기술에 따르면, 그 중에서도 케톤류 (예를 들면 WO 2004/093207 또는 WO 2010/006680 에 따른 것), 포스핀 산화물들 (예를 들어 WO 2005/003253 에 따른 것) 또는 트리아진 유도체들 (예를 들면 WO 2010/015306 에 따른 것) 이 인광 방출체들에 대한 매트릭스 재료들로서 사용된다. 하지만, 다른 매트릭스 재료들의 경우와 같이, 이들 매트릭스 재료들의 사용시에도, 특히 디바이스의 효율, 수명 및 동작 전압에 관한 개선이 여전히 필요하다.
본 발명의 목적은, 형광 또는 인광 OLED 에서, 특히 인광 OLED 에서, 예를 들어 매트릭스 재료로서 또는 정공 수송/전자 차단 재료 또는 여기자 차단 재료로서 또는 전자 수송 또는 정공 차단 재료로서 사용하기에 적합한 화합물들을 제공하는 것이다. 특히, 본 발명의 목적은, 인광 화합물들에 대한 신규한 매트릭스 재료들, 및 신규한 정공 수송 재료들과 전자 수송 재료들을 제공하는 것이다.
놀랍게도, 이하 더욱 상세하게 기재된 특정 화합물들이 이 목적을 달성하고, 유기 전계발광 디바이스에 있어서의 개선, 특히 수명, 효율 및 동작 전압에 관한 개선을 야기하는 것을 발견하였다. 이것은 또한 특별히 본 발명에 따른 화합물들을 매트릭스 재료로서 사용할 때에, 특히 인광 전계발광 디바이스들에 적용되지만, 화합물의 정밀한 치환에 의존하여, 본 발명에 따른 화합물들을 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료 또는 정공 차단 재료로서 사용하는 것에 대해서도 적용된다. 그리하여, 본 발명은 이러한 종류의 화합물들을 포함하는 유기 전계발광 디바이스들에 관한 것이다.
WO 2010/086089 에는 이미다조이소퀴놀린 유도체들을 리간드들로서 함유하는 금속 착물들이 개시되어 있다. 유기 전계발광 디바이스들에 있어서의 금속에 배위되지 않은 이러한 종류의 이미다조이소퀴놀린 유도체들의 사용에 대해서는 기재되어 있지 않다.
WO 2010/062065 에는 또한 벤즈이미다조페난트리딘 유도체들이 개시되어 있다. 하지만, 삼중항 방출체들, 특히 또한 녹색 삼중항 방출체들에 대한 매트릭스 재료로서 이들 화합물들을 채용할 수 있기 위해서는, 이들 화합물들의 경우의 개선, 특히 삼중항 에너지에 관한 개선이 여전히 필요하다.
놀랍게도, 구체적으로 유기 전계발광 디바이스들에 있어서의 이하에 기재된 화합물들의 사용이 양호한 전자적 특성들을 야기하는 것을 발견하였다.
따라서, 본 발명은 하기 식 (1) 또는 식 (2) 중 하나의 식의 화합물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스에 관한 것이며,
Figure 112014000200607-pct00001
식 중, 사용된 심볼들 및 인덱스들에 하기 사항이 적용되며:
X 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, CR 또는 N 이고, 다만 각각의 경우에 서로 직접 결합되는 최대 2개의 기들 X 는 N 을 나타내고;
R, R1 은 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar)2, N(R2)2, C(=O)Ar, C(=O)R2, P(=O)(Ar)2, 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40개의 C 원자들을 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (이들 각각이 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있음), 5 내지 80개의 방향족 고리 원자들, 바람직하게는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음), 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기 (이는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아랄킬 또는 헤테로아랄킬기 (이는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어진 그룹으로부터 선택되고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기들 R 은 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음) 을 형성할 수도 있고; 2개의 치환기들 R1 은 또한 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
Ar1 은 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, 5 내지 18개의 C 원자들을 갖는 2가의 아릴 또는 헤테로아릴기 (이는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음) 이고;
R2 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar)2, N(R3)2, C(=O)Ar, C(=O)R3, P(=O)(Ar)2, 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40개의 C 원자들을 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (이들 각각이 하나 이상의 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R3C=CR3, C≡C, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR3, P(=O)(R3), SO, SO2, NR3, O, S 또는 CONR3 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있음), 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있음), 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기 (이는 하나 이상의 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아랄킬 또는 헤테로아랄킬기로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, 여기서 2개 이상의 인접 치환기들 R2 는, 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 하나 이상의 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있음) 을 선택적으로 형성할 수도 있고;
Ar 은 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, 5 내지 30개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 하나 이상의 비방향족 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있음) 이고; 여기서 동일한 N 원자 또는 P 원자에 결합되는 2개의 라디칼들 Ar 은 또한 N(R3), C(R3)2, O 또는 S 로부터 선택된 브릿지 (bridge) 또는 단일 결합에 의해 서로 가교될 수도 있고;
R3 은 H, D, F, CN, 1 내지 20개의 C 원자들을 갖는 지방족 탄화수소 라디칼, 5 내지 30개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서 하나 이상의 H 원자들은 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수도 있음) 으로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, 여기서 2개 이상의 인접 치환기들 R3 은 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
q 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, 0, 1, 2 또는 3 이고;
하기 화합물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스는 본 발명으로부터 제외된다:
Figure 112014000200607-pct00002
X 의 정의에서, "다만 각각의 경우에 서로 직접 결합되는 최대 2개의 기들 X 는 N 을 나타낸다" 란, 식 (1) 의 화합물의 고리들 중 하나의 고리에서 3개 이상의 N 원자들이 서로 직접 결합될 수 없음을 의미한다.
본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스는 애노드, 캐소드 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배열되는 적어도 하나의 방출층을 포함하고, 다른 층들을 또한 포함할 수도 있다. 유기 전계발광 디바이스는 반드시 유기 또는 유기금속 재료들로부터 구축되는 층들만을 포함할 필요는 없다. 그리하여, 애노드, 캐소드 및/또는 하나 이상의 층들이 무기 재료들을 포함하거나 또는 전적으로 무기 재료들로부터 구축될 가능성도 있다.
본 발명의 관점에서의 아릴기는 6 내지 60개의 C 원자들을 함유하고; 본 발명의 관점에서의 헤테로아릴기는 2 내지 60개의 C 원자들 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 다만 C 원자들과 헤테로원자들의 합계가 적어도 5 이다. 헤테로원자들은 N, O 및/또는 S 로부터 선택되는 것이 바람직하다. 여기서 아릴기 또는 헤테로아릴기는, 간단한 방향족 고리 (즉, 벤젠) 또는 간단한 헤테로방향족 고리 (예를 들어, 피리딘, 피리미딘, 티오펜 등), 또는 축합된 (축환된) 아릴 또는 헤테로아릴기 (예를 들어, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등) 를 의미하도록 취해진다. 대조적으로, 예를 들어 비페닐과 같이, 단일 결합에 의해 서로 링크된 방향족 고리들은 아릴 또는 헤테로아릴기로서 지칭되지 않고, 그 대신에 방향족 고리 시스템으로서 지칭된다.
본 발명의 관점에서의 방향족 고리 시스템은 고리 시스템에 6 내지 80개의 C 원자들을 함유한다. 본 발명의 관점에서의 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 시스템에 2 내지 60개의 C 원자들 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 다만 C 원자들과 헤테로원자들의 합계는 적어도 5 이다. 헤테로원자들은 N, O 및/또는 S 로부터 선택되는 것이 바람직하다. 본 발명의 관점에서의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴기들만을 함유할 필요는 없으며, 그 대신에 시스템 내에서 복수의 아릴 또는 헤테로아릴기들이 또한 예를 들면, C, N 또는 O 원자와 같은, 비방향족 단위 (바람직하게는 H 이외의 원자들의 10% 미만) 에 의해 연결될 수도 있는 시스템을 의미하는 것으로 의도된다. 그리하여, 예를 들면, 플루오렌, 9,9'-스피로비플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템들도 또한, 시스템 내에서 2개 이상의 아릴기들이, 예를 들면, 짧은 알킬기에 의해 연결되어 있는 시스템들이기 때문에, 본 발명의 관점에서의 방향족 고리 시스템들인 것으로 의도된다. 또한, 예를 들어 비페닐과 같이, 단일 결합에 의해 서로 링크된 방향족 고리들은 본 출원의 관점에서 방향족 고리 시스템이라고 지칭된다.
본 발명의 목적들을 위해서, 통상 1 내지 40개 또는 1 내지 20개의 C 원자들을 함유할 수도 있고 그리고 게다가, 개별 H 원자들 또는 CH2 기들이 상술된 기들에 의해 치환될 수도 있는, 지방족 탄화수소 라디칼 또는 알킬기 또는 알케닐 또는 알키닐기는, 라디칼들 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐을 의미하도록 취해지는 것이 바람직하다. 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 알콕시기는, 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시 및 2,2,2-트리플루오로에톡시를 의미하도록 취해지는 것이 바람직하다. 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 티오알킬기는, 특히, 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하도록 취해진다. 일반적으로, 본 발명에 따른 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 티오알킬기들은, 직사슬, 분지형 또는 고리형일 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 상술된 기들에 의해 대체될 수도 있고; 게다가, 하나 이상의 H 원자들이 또한 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있고, 바람직하게는 F, Cl 또는 CN, 더욱 바람직하게는 F 또는 CN, 특히 바람직하게는 CN 에 의해 대체될 수도 있다.
각각의 경우에 상술된 라디칼들 R2 또는 탄화수소 라디칼에 의해 또한 치환될 수도 있고 방향족 또는 헤테로방향족기 상의 임의의 원하는 위치들을 통해 링크될 수도 있는, 5 내지 80개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 특히, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 비페닐, 비페닐렌, 터페닐, 트리페닐렌, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-인데노카르바졸, 시스- 또는 트랜스-인돌로카르바졸, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 헥사아자트리페닐렌, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 푸린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도된 기들 또는 이들 시스템들의 조합으로부터 유도된 기들을 의미하도록 취해진다.
상술된 바와 같이, 인접 라디칼들 R 은 또한 서로 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 게다가, 라디칼들 R1 은 서로 지방족 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 본 발명의 관점에서의 인접 라디칼들은, 서로 직접 결합되는 원자들에 결합되는 라디칼들을 의미하도록 취해진다. 여기서 라디칼들은 상술된 바와 같으며, 2개의 라디칼들은 각각의 경우에 수소 원자의 형식적 제거를 통해 서로 결합된다. 라디칼들 R 또는 R1 이 알킬기들인 경우, 예를 들어 축합된 시클로알킬기의 형성이 그리하여 가능하다. 라디칼들 R 이 비닐기들이거나 또는 하나의 비닐기와 하나의 수소 원자인 경우, 예를 들어 축합된 아릴기의 형성이 가능하다. 라디칼들 R 또는 R1 이 고리 시스템을 형성하는 경우, 5-원자 고리 또는 6-원자 고리인 것이 가능하다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 인접 라디칼들 R 은 서로 지방족 고리를 형성하거나 또는 서로 고리를 형성하지 않는다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에 있어서, 인접 라디칼들 R 은 서로 고리를 형성하지 않으며, 라디칼들 R1 은 서로 고리를 형성하지 않는다.
식 (1) 또는 식 (2) 의 바람직한 실시형태에 있어서, 각각의 고리에서의 최대 하나의 기 X 는 N 을 나타내고, 나머지 기들 X 는, 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, CR 을 나타낸다. 식 (1) 또는 식 (2) 의 특히 바람직한 실시형태에 있어서, 각각의 벤즈이미다조이소퀴놀린 단위에서 또는 이로부터 유도된 각각의 단위에서 전체로서 최대 하나의 기 X 는 N 을 나타내고, 나머지 기들 X 는, 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게 CR 을 나타낸다. 식 (1) 또는 식 (2) 의 매우 특히 바람직한 실시형태에 있어서, 모든 X 는, 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, CR 을 나타낸다.
그리하여, 식 (1) 의 특히 바람직한 실시형태들은 하기 식들 (3) 내지 (11) 의 구조들이며,
식 중, 사용된 심볼들은 상기 주어진 의미들을 가진다.
이들 구조들 중에서, 식들 (3), (4) 및 (7) 의 구조들이 특히 바람직하다.
식 (2) 의 바람직한 실시형태들은 하기 식 (12) 의 구조들이며,
Figure 112014000200607-pct00004
식 중, 사용된 심볼들 및 인덱스들은 상기 주어진 의미들을 가진다.
식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물들의 다른 바람직한 실시형태에 있어서, 적어도 하나의 기 R 및/또는 R1 은 H 또는 D 가 아니다. 특히 바람직하게는, 정밀하게 전체로서 1개 또는 2개의 기들 R 또는 R1 이 H 또는 D 가 아니다.
여기서 식 (3) 의 화합물들의 특히 바람직한 실시형태들은 하기 식들 (3a) 내지 (3i) 의 화합물들이며,
Figure 112014000200607-pct00005
식 중, 사용된 심볼들은 상기 주어진 의미들을 가지며, R 및 R1 은 H 또는 D 가 아니다. 여기서 바람직한 구조들은 식들 (3c), (3f) 및 (3i) 의 화합물들이다.
화합물들의 사용에 따라, 다양한 기들이 치환기들 R 또는 R1 으로서 가능하다. 본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, R 또는 R1 은 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, N(Ar)2, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, 1 내지 10개의 C 원자들을 갖는 직사슬 알킬기 또는 3 내지 10개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬기 또는 2 내지 10개의 C 원자들을 갖는 알케닐기 (이들 각각이 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 O 또는 S 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 D 또는 F 에 의해 대체될 수도 있음), 6 내지 30개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음) 으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
본 발명의 특히 바람직한 실시형태에 있어서, R 또는 R2 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, H, D, N(Ar)2 또는 6 내지 18개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음) 으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
진공 증발에 의해 프로세싱되는 화합물들에 대해, 라디칼들 R 또는 R1 또는 R2 에서의 알킬기들은 4개 이하의 C 원자들을 갖는 것이 바람직하며, 1개 이하의 C 원자를 갖는 것이 특히 바람직하다. 용액으로부터 프로세싱되는 화합물들에 대해, 10개까지의 C 원자들을 갖는 알킬기들에 의해 치환되는 화합물들 또는 올리고아릴렌기들, 예를 들어, 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 터페닐기들 또는 쿼터페닐기들 또는 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐기들에 의해 치환되는 화합물들이 또한 특히 적합하다.
식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물 또는 그 바람직한 실시형태들이 채용되는 층에 따라, 치환기들 R 또는 R1 이 다르게 선택된다.
본 발명에 따른 화합물이 인광 방출체에 대한 매트릭스 재료로서 또는 전자 수송 재료로서 또는 정공 차단 재료로서 채용되는 경우, 적어도 하나의 치환기 R 및/또는 R1 은 전자 결핍성 기, 특히 하기 식들 (13) 내지 (17) 의 구조들로부터 선택된 전자 결핍성 기인 것이 바람직하다.
Figure 112014000200607-pct00006
식 중, R2, Ar1 및 q 는 상기 주어진 의미들을 가지며, * 는 식 (1) 또는 식 (2) 의 기본 구조에 대한 결합의 위치를 나타내며, 게다가:
Z 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, CR2 또는 N 이며, 다만 1개의 기 Z, 2개의 기들 Z 또는 3개의 기들 Z 는 N 을 나타낸다.
본 발명의 특히 바람직한 실시형태에 있어서, 적어도 하나의 치환기 R 또는 R1 은 상술된 식 (13) 의 기를 나타내고, 여기서 각각의 경우에 2개 또는 3개의 심볼들 Z 는 N 을 나타내고, 나머지 심볼들 Z 는 CR2 를 나타낸다. 그리하여, 특히 바람직한 기들 R 또는 R1 은 하기 식들 (18) 내지 (24) 의 기들이다.
Figure 112014000200607-pct00007
식 중, 사용된 심볼들 및 인덱스들은 상기 주어진 의미들을 갖는다.
R 또는 R1 이 식 (18) 의 기를 나타내는 경우, 이러한 기에서의 R2 는, 하나 이상의 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 24개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내는 것이 바람직하고, 특히 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐, 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 터페닐 또는 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 쿼터페닐을 나타내는 것이 바람직하다.
R 이 식들 (19) 내지 (24) 의 기를 나타내는 경우, 이러한 기들에서의 R2 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, H, D 또는, 5 내지 24개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 하나 이상의 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있음) 을 나타내는 것이 바람직하고, 특히 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐, 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 터페닐 또는 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 쿼터페닐을 나타내는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 화합물이 인광 방출체에 대한 매트릭스 재료로서 또는 정공 수송 재료로서 또는 전자 차단 재료로서 채용되는 경우, 적어도 하나의 치환기 R 또는 R1 은, -NAr2, 트리아릴아민 유도체들, 카르바졸 유도체들, 인데노카르바졸 유도체들, 인돌로카르바졸 유도체들, 아자-카르바졸 유도체들, 인돌 유도체들, 푸란 유도체들, 벤조푸란 유도체들, 디벤조푸란 유도체들, 티오펜 유도체들, 벤조티오펜 유도체들 또는 디벤조티오펜 유도체들 (이들 각각이 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 이들 기들은 하기 식들 (25) 내지 (42) 의 기들로부터 선택되는 것이 바람직하고,
Figure 112014000200607-pct00008
Figure 112014000200607-pct00009
여기서 사용된 심볼들은 상기 주어진 의미들을 가지며, 게다가:
E 는 C(R2)2, NR2, O 또는 S 로 이루어진 그룹으로부터 선택되고;
G 는 NR2, O 또는 S 로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
더욱 바람직한 라디칼들 R 또는 R1 는 벤젠, 나프탈렌, 플루오렌, 스피로-비플루오렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌 또는 이들 기들 중 2개, 3개 또는 4개의 조합을 포함하는 방향족 고리 시스템들의 그룹으로부터 선택되고, 이들은 동일하거나 또는 상이할 수도 있고; 이들 기들은 또한 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있다. 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐, 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 터페닐 또는 분지형 쿼터페닐 구조들이 특히 바람직하다.
본 발명의 상술된 실시형태들은 원한다면 서로 조합될 수 있다. 특히, 상기 나타낸 일반식들 (1) 또는 (2) 또는 (3) 내지 (12) 또는 (3a) 내지 (3i) 는 원한다면 X, R 및 R1 에 대한 상술된 바람직한 실시형태들과 조합될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상술된 바람직한 것들은 동시에 일어난다.
본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스들에서 바람직하게 채용될 수 있는 바와 같은 화합물들의 예들은 하기 화합물들이다.
Figure 112014000200607-pct00010
Figure 112014000200607-pct00011
Figure 112014000200607-pct00012
Figure 112014000200607-pct00013
Figure 112014000200607-pct00014
Figure 112014000200607-pct00015
Figure 112014000200607-pct00016
Figure 112014000200607-pct00017
Figure 112014000200607-pct00018
Figure 112014000200607-pct00019
Figure 112014000200607-pct00020
Figure 112014000200607-pct00021
Figure 112014000200607-pct00022
Figure 112014000200607-pct00023
식 (1) 의 화합물들의 합성은, 문헌에 공지되어 있는 화합물들로부터 시작하여 이하 나타내는 바와 같이 실시된다. 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물들의 기본 빌딩 블록들의 합성은 WO 2011/157339 에 공지되어 있다. 특히, 할로겐화된 기본 빌딩 블록들, 특히, 브롬화된 기본 빌딩 블록들이 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물들의 합성을 위한 시작 물질로서 적합하다. 이들은, 예를 들어 스즈키 커플링 (Suzuki coupling), 하트위그-부흐발트 커플링 (Hartwig-Buchwald coupling) 등과 같은 유기 화학의 표준 반응들에 의해 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물들로 변환될 수 있다.
유기 전계발광 디바이스는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방출층을 포함한다. 이들 층들 이외에도, 유기 전계발광 디바이스는 또한 추가적인 층들, 예를 들어 각각의 경우에 하나 이상의 정공 주입층들, 정공 수송층들, 정공 차단층들, 전자 수송층들, 전자 주입층들, 여기자 차단층들, 전자 차단층들 및/또는 전하 생성층들을 포함할 수도 있다. 예를 들어 여기자 차단 기능을 갖는 중간층들이 2개의 방출층들 사이에 도입되는 것이 마찬가지로 가능하다. 하지만, 이들 층들의 각각이 반드시 존재해야만 할 필요는 없음에 주목해야 한다. 여기서 유기 전계발광 디바이스는 하나의 방출층 또는 복수의 방출층들을 포함할 수도 있다. 복수의 방출층들이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게 전체로서 380　nm 와 750　nm 사이에서 복수의 방출 최대들을 가져서, 전반적으로 백색 방출을 야기하며, 즉 형광 또는 인광을 낼 수 있는 다양항 방출 화합물들이 방출층들에서 사용된다. 3개의 방출층들을 갖는 시스템들이 특히 바람직하고, 여기서 3개의 층들은 청색, 녹색 및 오렌지 또는 적색 방출을 발현한다 (그 기본 구조에 대해서는 예를 들어 WO　2005/011013 을 참조). 이들은 형광 또는 인광 방출층들, 또는 형광 및 인광 방출층들이 서로 조합되는 하이브리드 시스템들일 수 있다.
정밀한 구조에 따라, 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물이 다양한 층들에서 채용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물이 방출층에서의, 형광 또는 인광 화합물, 특히 인광 화합물에 대한 매트릭스 재료로서 채용된다. 여기서 유기 전계발광 디바이스는 하나의 방출층 또는 복수의 방출층들을 포함할 수도 있고, 여기서 적어도 하나의 방출층은 매트릭스 재료로서 식 (1) 또는 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 적어도 하나의 화합물을 포함한다.
식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물이 방출층에서의 방출 화합물에 대한 매트릭스 재료로서 채용되는 경우, 하나 이상의 인광 재료들 (삼중항 방출체들) 과 조합하여 채용되는 것이 바람직하다. 본 발명의 관점에서의 인광은 비교적 높은 스핀 다중도, 즉 스핀 상태 > 1 을 갖는 여기된 상태 (excited state) 로부터의, 특히 여기된 삼중항 상태로부터의 발광을 의미하도록 취해진다. 이 출원의 목적을 위해, 모든 발광 전이-금속 착물들 및 발광 란타나이드 착물들, 특히 모든 이리듐, 백금 및 구리 착물들이 인광 화합물들로서 간주되게 된다.
식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물과 방출 화합물을 포함하는 혼합물은, 방출체 및 매트릭스 재료를 포함하는 혼합물 전체에 대하여, 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물을, 99 체적% 와 1 체적% 사이로 포함하며, 바람직하게는 98 체적% 와 10 체적% 사이, 특히 바람직하게는 97 체적% 와 60 체적% 사이, 특별하게는 95 체적% 와 80 체적% 사이로 포함한다. 대응하여, 이 혼합물은 방출체 및 매트릭스 재료를 포함하는 혼합물 전체에 대하여, 방출체를 1 체적% 와 99 체적% 사이로 포함하며, 바람직하게는 2 체적% 와 90 체적% 사이, 특히 바람직하게는 3 체적% 와 40 체적% 사이, 특별하게는 5 체적% 와 20 체적% 사이로 포함한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태는, 인광 방출체에 대한 매트릭스 재료로서의 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물을 추가적인 매트릭스 재료와 조합하여 사용하는 것이다. 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물들 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물들과 조합하여 채용될 수 있는 특히 적합한 매트릭스 재료들로는, 방향족 케톤류, 방향족 포스핀 산화물들 또는 방향족 술폭시드류 또는 술폰류, 예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO　2010/006680 에 따른 것들, 트리아릴아민류, 카르바졸 유도체들, 예를 들어 WO　2005/039246, US 2005/0069729, JP　2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 개시된 CBP (N,N-비스카르바졸릴비페닐) 또는 카르바졸 유도체들, 인돌로카르바졸 유도체들, 예를 들어, WO 2007/063754 또는 WO　2008/056746 에 따른 것들, 인데노카르바졸 유도체들, 예를 들어 WO　2010/136109 및 WO 2011/000455 에 따른 것들, 아자카르바졸 유도체들, 예를 들어 EP　1617710, EP　1617711, EP　1731584, JP　2005/347160 에 따른 유도체들, 바이폴라 (bipolar) 매트릭스 재료들, 예를 들어 WO　2007/137725 에 따른 것들, 실란류, 예를 들어 WO　2005/111172 에 따른 것들, 아자보롤류 또는 보론산 에스테르류, 예를 들어 WO　2006/117052 에 따른 것들, 트리아진 유도체들, 예를 들어 WO　2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO　2008/056746 에 따른 것들, 아연 착물들, 예를 들어 EP　652273 또는 WO 2009/062578 에 따른 것들, 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체들, 예를 들어 WO 2010/054729 에 따른 것들, 디아자포스폴 유도체들, 예를 들어 WO 2010/054730 에 따른 것들, 또는 가교된 카르바졸 유도체들, 예를 들어 US 2009/0136779, WO 2010/050778, WO 2011/042107 또는 WO 2011/088877 에 따른 것들이 있다. 실제 방출체보다 더 단파장으로 방출하는 추가적인 인광 방출체가 마찬가지로 혼합물 내에 공동-호스트 (co-host) 로서 존재할 수도 있다.
적합한 인광 화합물들 (= 삼중항 방출체들) 은, 특히, 적합한 여기시에 광을 방출하고, 바람직하게는 가시 영역에서의 광을 방출하고, 추가로 20 보다 큰 원자 번호를 갖는 적어도 하나의 원자, 바람직하게는 38 보다 크고 84 보다 작은, 특히 바람직하게는 56 보다 크고 80 보다 작은 원자 번호를 갖는 적어도 하나의 원자, 특히 이러한 원자 번호를 갖는 금속을 함유하는 화합물들이다. 사용되는 인광 방출체들은 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물들이 바람직하며, 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물들이 특히 바람직하다. 본 발명의 목적들을 위해, 상술된 금속들을 함유하는 모든 발광 화합물들이 인광 화합물들로서 간주된다.
상술된 방출체들의 예들은, 출원들 WO　00/70655, WO　2001/41512, WO　2002/02714, WO　2002/15645, EP　1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US　2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO　2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339 및 WO 2012/007086 에 의해 드러난다. 일반적으로, 인광 OLED들에 대한 종래 기술에 따라 사용되고 유기 전계발광의 분야에서의 당업자에게 공지되어 있는 모든 인광 착물들이 적합하며, 당업자는 진보적인 단계 없이도 추가적인 인광 착물들을 사용할 수 있을 것이다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스는 별도의 정공 주입층 및/또는 정공 수송층 및/또는 정공 차단층 및/또는 전자 수송층을 포함하지 않으며, 즉, 예를 들어 WO 2005/053051 에 기재된 바와 같이, 방출층이 정공 주입층 또는 애노드에 바로 인접하고, 및/또는 방출층이 전자 수송층 또는 전자 주입층 또는 캐소드에 바로 인접한다. 게다가, 예를 들어 WO　2009/030981 에 기재된 바와 같이, 방출층에 바로 인접한 정공 수송 또는 정공 주입 재료로서 방출층 내의 금속 착물과 동일하거나 또는 유사한 금속 착물을 사용하는 것이 가능하다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 있어서, 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물은 전자 수송 또는 전자 주입층에서의 전자 수송 재료로서 채용된다. 여기서 적어도 하나의 치환기 R 또는 R1 은 상기 나타낸 식들 (13) 내지 (24) 의 구조들로부터 선택되는 것이 바람직하다. 여기서 방출층은 형광 또는 인광을 낼 수도 있다. 그 화합물이 전자 수송 재료로서 채용되는 경우, 그 화합물이, 예를 들어 Liq (lithium hydroxyquinolinate; 리튬 히드록시퀴놀리네이트) 와 같은 알칼리 금속 착물들로 도핑되는 것이 바람직할 수도 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 있어서, 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물은 정공 차단층에서 채용된다. 여기서 적어도 하나의 치환기 R 또는 R1 은 상기 나타낸 식들 (13) 내지 (24) 의 구조들로부터 선택되는 것이 바람직하다. 정공 차단층은, 특히 인광 전계발광 디바이스에 있어서, 캐소드 측 상에서 방출층에 바로 인접한 층을 의미하도록 취해진다.
식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물을, 정공 차단층 또는 전자 수송층에서 그리고 또한 방출층에서의 매트릭스로서 사용하는 것이 또한 가능하다. 여기서 적어도 하나의 치환기 R 또는 R1 은 상기 나타낸 식들 (13) 내지 (24) 의 구조들로부터 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 있어서, 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물은 정공 수송층에서 또는 정공 주입층에서 또는 전자 차단층 또는 여기자 차단층에서 채용된다. 여기서 적어도 하나의 치환기 R 또는 R1 은 상기 나타낸 식들 (25) 내지 (42) 의 구조들로부터 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스의 추가적인 층들에 있어서, 종래 기술에 따라 통상 채용되는 바와 같은 모든 재료들을 사용하는 것이 가능하다. 따라서, 당업자는 진보적인 단계 없이도, 유기 전계발광 디바이스들에 대해 공지된 모든 재료들을, 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물들 또는 바람직한 실시형태들 중 하나의 실시형태에 따른 화합물들과 조합하여 채용할 수 있을 것이다.
재료들이 초기 압력 10-5　mbar 미만, 바람직하게는 10-6　mbar 미만에서 진공 승화 유닛들에서 증착되는 승화 프로세스에 의해 하나 이상의 층들이 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 또한 바람직하다. 그러나, 또한 초기 압력은 휠씬 더 낮거나 또는 더 높을 수도 있으며, 예를 들면 10-7　mbar 미만일 수도 있다.
마찬가지로, 재료들이 10-5　mbar 와 1　bar 사이의 압력에서 제공되는 OVPD (Organic Vapour Phase Deposition; 유기 기상 증착) 프로세스에 의해 또는 캐리어 가스 승화의 도움으로 하나 이상의 층들이 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 이 프로세스의 특별한 경우는 재료들이 노즐을 통해 직접 제공되어 구조화되는 OVJP (Organic Vapour Jet Printing; 유기 증기 젯 프린팅) 프로세스이다 (예를 들면 M. S. Arnold 등, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
게다가, 하나 이상의 층들이 용액으로부터 제조되는, 예를 들면, 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 원하는 프린팅 프로세스, 예를 들면, 잉크젯 프린팅, LITI (Light Induced Thermal Imaging; 광 유도 열적 이미징, 열 전사 프린팅), 스크린 프린팅, 플렉소그래픽 프린팅, 오프셋 프린팅 또는 노즐 프린팅에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 이 목적을 위해서 예를 들어 적합한 치환에 의해 획득되는 가용성 화합물들이 필요하다. 이들 프로세스들은 또한 올리고머들, 덴드리머들 및 폴리머들에 대해 특히 적합하다.
예를 들어 하나 이상의 층들이 용액으로부터 제공되고 하나 이상의 추가적인 층들이 증착에 의해 제공되는 하이브리드 프로세스들이 또한 가능하다. 그리하여, 예를 들어 방출층을 용액으로부터 제공하고 전자 수송층을 증착에 의해 제공하는 것이 가능하다.
따라서, 본 출원은 또한, 적어도 하나의 층이 승화 프로세스에 의해 제공되고 또는 적어도 하나의 층이 OVPD 프로세스에 의해 제공되고 또는 적어도 하나의 층이 용액으로부터 또는 임의의 원하는 프린팅 프로세스에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스의 제조 공정에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스들은 종래 기술에 비해 다음의 놀라운 이점들에 의해 구별된다:
1. 형광 또는 인광 방출체들에 대한 매트릭스 재료로서의 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물들을 포함하는 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스는 높은 효율들 및 긴 수명들을 야기한다. 이것은 특히 화합물들이 인광 방출체에 대한 매트릭스 재료로서 채용되는 경우에 적용된다.
2. 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물들이 높은 열 안정성을 가지며, 이것은 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스의 제조에 유리하다.
3. 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물들을 포함하는 유기 전계발광 디바이스들은 낮은 사용 전압들에 대해 가파른 전류/전압 곡선들 및 높은 효율들을 야기한다.
4. 전자 수송 재료로서 또는 정공 수송 재료로서 사용할 때에도, 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물들은 유기 전계발광 디바이스들의 효율, 수명 및 동작 전압에 관해 양호한 특성들을 야기한다.
이들 상술된 이점들은 다른 전자적 특성들의 손상을 동반하지 않는다.
본 발명은 하기 예들에 의해 더욱 상세하게 설명되는데 하기 예들에 의해 본 발명을 제한하기를 원하지는 않는다. 당업자는 이 설명들에 기초하여 개시되는 범위 전체에 걸쳐 본 발명을 실시하고 본 발명에 따른 다른 유기 전계발광 디바이스들을 제조할 수 있을 것이다.
예들:
하기 합성들은, 달리 나타내지 않는 한, 보호-가스 분위기 하에서 건조 용매들에서 실시된다. 용매들 및 시약들을, 예를 들어 Sigma-ALDRICH 또는 ABCR 로부터 구입할 수 있다. 문헌에 공지되어 있는 화학적 화합물들에 대한 꺾쇠괄호들 내의 넘버들은 CAS 넘버에 관련된다.
예 1: 브롬화물들의 합성
1a) 9- 브로모벤즈이미다조[2,1-a]이소퀴놀린의 합성
Figure 112014000200607-pct00024
32.6 g (183 mmol) 의 NBS 를, 500　㎖ 의 THF 중의 40 g (183　mmol) 의 벤즈이미다조[2,1-a]이소퀴놀린의 용액에 첨가하고, 그 혼합물을 60 ℃ 에서 4 시간 동안 교반한다. 그 용액을 후속하여 실온에서 하룻밤 동안 교반하고, 고체를 흡인에 의해 여과하고, 에탄올로 세정하고, 건조시킨다. 수율: 51.3 g (181　mmol), 98%.
1b) 5,9- 디브로모벤즈이미다조[2,1-a]이소퀴놀린의 합성
Figure 112014000200607-pct00025
62 g (183 mmol) 의 NBS 를, 500　㎖ 의 DMF 중의 38 g (174　mmol) 의 벤즈이미다조[2,1-a]이소퀴놀린의 용액에 첨가하고, 그 혼합물을 80 ℃ 에서 4 시간 동안 교반한다. 그 용액을 후속하여 실온에서 하룻밤 동안 교반하고, 고체를 흡인에 의해 여과하고, 에탄올로 세정하고, 건조시킨다. 수율: 52.4 g (139　mmol), 80%.
1c) 5,9,11-트리브로모벤즈이미다조[2,1-a]이소퀴놀린류의 합성
Figure 112014000200607-pct00026
146.7 g (824 mmol) 의 NBS 를, 400　㎖ 의 DMF 중의 40 g (183　mmol) 의 벤즈이미다조[2,1-a]이소퀴놀린의 용액에 첨가하고, 그 혼합물을 120 ℃ 에서 4 시간 동안 교반한다. 그 용액을 후속하여 실온에서 하룻밤 동안 교반하고, 고체를 흡인에 의해 여과하고, 에탄올로 세정하고, 건조시킨다. 수율: 54 g (118　mmol), 65%.
예 2: 보론산 유도체들의 합성
2a) 9-(4,4,5,5- 테트라메틸 -1,3,2- 디옥사보롤란 -2-일)- 벤조[4,5]이미다조 [2, 1-a]이소퀴놀린의 합성
Figure 112014000200607-pct00027
35 g (161 mmol) 의 9-브로모벤즈이미다조[2,1-a]이소퀴놀린, 53.3 g (210　mmol) 의 비스(피나콜라토)디보란 및 26 g (274 mmol) 의 아세트산칼륨을 800 ㎖ 의 디옥산에 현탁시킨다. 디클로로메탄 중의 11.9 g (16.1 mmol) 의 1,1-비스-(디페닐포스피노)페로센팔라듐(II) 이염화물을 이 현탁액에 첨가한다. 반응 혼합물을 환류 하에서 16 시간 동안 가열한다. 냉각시킨 후, 유기상을 분리하고, 150 ㎖ 의 물로 3회 세정하고, 후속하여 건조 상태로 증발시킨다. 잔류물을 톨루엔으로부터 재결정화시킨다. 수율은 50.2 g (146 mmol, 91%) 이다.
화합물들 2b 및 2c 는 유사하게 획득된다:
Figure 112014000200607-pct00028
예 3: 스즈키 커플링
3a) 9-비페닐-2- 일벤조[4,5]이미다조 [2,1-a]이소퀴놀린의 합성
Figure 112014000200607-pct00029
300 ㎖ 의 톨루엔, 100 ㎖ 의 디옥산 및 400 ㎖ 의 물의 혼합물 중의 14.8　g (50 mmol) 의 9-브로모벤즈이미다조[2,1-a]이소퀴놀린, 9.9　g (55　mmol) 의 1,1'-비페닐-2-보론산 및 25.5　g (120　mmol) 의 인산삼칼륨의 격렬하게 교반된 현탁액에, 913　mg (3 mmol) 의 트리-o-톨릴포스핀을 첨가한 후 112　mg (0.5 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트를 첨가하고, 그 혼합물을 후속하여 환류 하에서 16 시간 동안 가열한다. 냉각시킨 후, 침전된 고체를 흡인에 의해 여과하고, 50 ㎖ 의 톨루엔으로 3회 세정하고, 50 ㎖ 의 에탄올:물 (1:1, v:v) 로 3회 세정하고, 100 ㎖ 의 에탄올로 3회 세정하고, 마지막으로 건조시킨다. 잔류물을 톨루엔으로부터 재결정화시킨다. 수율은 17 g (45 mmol, 92%) 이다.
화합물들 3b 내지 3j 는 유사하게 획득된다:
Figure 112014000200607-pct00030
Figure 112014000200607-pct00031
예 4: 4-(2- 브로모페닐 )-2,6- 디페닐피리미딘의 합성
Figure 112014000200607-pct00032
23 g (409 mmol) 의 수산화칼륨을 500 ㎖ 의 에탄올에 용해시키고, 500 ㎖ 의 에탄올에 용해된, 40 g (255 mmol) 의 염산 벤즈아미딘 2 및 129 g (452　mmol) 의 (3-(브로모페닐)-1-페닐-2-프로펜-1-온 1 을 실온에서 첨가하고, 그 혼합물을 환류 하에서 3 시간 동안 교반한다. 실온으로 냉각시킨 후, 침전된 고체를 흡인에 의해 여과하고, 약간의 에탄올로 세정하고 건조시켜, 무색 결정 형태의 생성물 55　g (129 mmol), 50% 를 남긴다.
예 5: (3'- 브로모비페닐 -3-일) 페닐메타논의 합성
Figure 112014000200607-pct00033
비점에서의 2.8　g (115　mmol) 의 마그네슘 그리고 300 ㎖ 의 THF 및 30　㎖ 의 1,2-디메톡시에탄 중의 1 ㎖ 의 1,2-디클로로에탄 및 31.5 g (101　mmol) 의 3,3'-디브로모비페닐의 용액으로부터 대응하는 그리냐르 (Grignard) 시약을 조제한다. 이 그리냐르 용액에, 130 ㎖ 의 THF 와 130 ㎖ 의 톨루엔의 혼합물 중의 10.4 g (101 mmol) 의 벤조니트릴의 용액을 0 내지 5 ℃ 에서 20 분 동안 적하 첨가한다. 그 혼합물을 후속하여 환류 하에서 16 시간 동안 가열한다. 냉각시킨 후, 반응 혼합물을 건조 상태로 증발시킨다. 그 고체를 1000 ㎖ 의 NMP 에 넣고, 40 ㎖ 의 물 및 2 ㎖ 의 빙초산으로 환류 하에서 12 시간 동안 가열한다. 600 ㎖ 의 메탄올과 600 ㎖ 의 1N 염산의 혼합물을 첨가하고, 침전된 고체를 여과에 의해 분리하고, 건조시킨다. 미정제 (crude) 생성물을 톨루엔/헵탄으로부터 재결정화시킨다. HPLC 에 따른 순도 > 98% 에서의 수율은 27.1 g (80.5　mmol) 으로, 이론의 80% 에 대응한다.
예 6: 비스 -(3'- 브로모비페닐 -3-일) 메타논의 합성
Figure 112014000200607-pct00034
비점에서의 2.8　g (115　mmol) 의 마그네슘 그리고 300 ㎖ 의 THF 중의 31.5 g (101　mmol) 의 3,3'-디브로모비페닐, 1 ㎖ 의 1,2-디클로로에탄 및 30　㎖ 의 1,2-디메톡시에탄의 용액으로부터 대응하는 그리냐르 시약을 조제한다. 이 그리냐르 용액에, 130 ㎖ 의 THF 와 130 ㎖ 의 톨루엔의 혼합물 중의 26.06 g (101 mmol) 의 3-브로모-3'-시아노비페닐의 용액을 0 내지 5 ℃ 에서 20 분 동안 적하 첨가한다. 그 혼합물을 후속하여 환류 하에서 16 시간 동안 가열한다. 냉각시킨 후, 반응 혼합물을 건조 상태로 증발시킨다. 그 고체를 1100 ㎖ 의 NMP 에 넣고, 40 ㎖ 의 물 및 5 ㎖ 의 빙초산으로 환류 하에서 24 시간 동안 가열한다. 600 ㎖ 의 메탄올과 600 ㎖ 의 1N 염산의 혼합물을 첨가하고, 침전된 고체를 여과에 의해 분리하고, 건조시킨다. 미정제 생성물을 톨루엔/헵탄으로부터 3회 재결정화시킨다. HPLC 에 따른 순도 > 97% 에서의 수율은 34.8 g (70.7 mmol) 으로, 이론의 70% 에 대응한다.
예 7: 9-[3-(2,6- 디페닐피리미딘 -4-일) 페닐 ]- 벤즈 [4,5]- 이미다조[2,1-a]이소퀴놀린
Figure 112014000200607-pct00035
16 g (43.3 mmol) 의 2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐피리미딘 및 16.5 g (48 mmol) 의 9-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥소보롤란-2-일)벤즈[4,5]-이미다조[2, 1-a]이소퀴놀린을 80 ㎖ 의 톨루엔에 용해시키고, 탈가스시킨다. 281 ㎖ 의 탈가스된 2M K2CO3 및 2.5 g (2.2 mmol) 의 Pd(OAc)2 를 첨가한다. 반응 혼합물을 후속하여 보호-가스 분위기 하에서 80 ℃ 에서 48 시간 동안 교반한다. 냉각된 용액에 추가적인 톨루엔을 첨가하고, 이것을 물로 여러 번 세정하고, 건조시키고, 증발시킨다. 생성물을 톨루엔/헵탄 (1:2) 을 이용한 실리카 겔 상의 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제한다. 순도는 99.9% 이다. 수율: 19.6 g (37　mmol), 이론의 77%.
화합물들 7a 내지 7m 은 유사하게 획득된다:
Figure 112014000200607-pct00036
Figure 112014000200607-pct00037
예 8: 9-(9,9-디메틸-9H- 아크리딘 -10-일) 벤즈 [4,5] 이미다조 [2,1-a]-이소퀴놀린
Figure 112014000200607-pct00038
보호 가스 하에서 120 ㎖ 의 p-크실렌 중에, 16.7 g (79.8 mmol) 의 9,10-디히드로-9,9'디메틸아크리딘, 25 g (87 mmol) 의 9-브로모벤즈이미다조[2,1-a]이소퀴놀린, 15.9 ㎖ (15.9 mmol) 의 1 mol/L 트리-tert-부틸포스핀, 및 1.79 g (7.9 mmol) 의 팔라듐 아세테이트를 현탁시킨다. 반응 혼합물을 환류 하에서 16 시간 동안 가열한다. 냉각시킨 후, 유기상을 분리하고, 200 ㎖ 의 물로 3회 세정하고, 후속하여 건조 상태로 증발시킨다. 뜨거운 톨루엔을 이용하여 잔류물을 추출하고, 톨루엔으로부터 재결정화시키고, 마지막으로 고 진공에서 승화시키는데, 순도는 99.9% 이다. 수율: 28 g (67 mmol, 이론의 80%).
화합물들 8a 내지 8d 는 유사하게 획득된다:
Figure 112014000200607-pct00039
예 9: OLED 들의 제조
본 발명에 따른 OLED들 및 종래 기술에 따른 OLED들은, 여기에 기재된 환경 (층 두께 변화, 재료들) 에 맞춰진, WO　2004/058911 에 따른 일반적인 프로세스에 의해 제조된다.
다양한 OLED들에 대한 데이터가 이하 예들 E1 내지 E13 에서 제시된다 (표 1 및 표 2 참조). 두께 50 또는 150 nm 의 구조화된 ITO (인듐 주석 산화물) 로 코팅된 유리 플레이트들이, 개선된 프로세싱을 위해 20 nm 의 PEDOT (폴리-(3,4-에틸렌디옥시-2,5-티오펜), 물로부터 스핀 코팅에 의해 제공됨; H. C. Starck, Goslar, Germany 로부터 구입) 로 코팅된다. 이들 코팅된 유리 플레이트들은 OLED들이 제공되는 기판들을 형성한다. OLED들은 기본적으로 다음의 층 구조를 가진다: 기판/선택적 정공 주입층 (HIL) / 정공 수송층 (HTL) / 선택적 중간층 (IL) / 전자 차단층 (EBL)　/ 방출층 (EML) / 선택적 정공 차단층 (HBL) / 전자 수송층 (ETL) / 선택적 전자 주입층 (EIL) 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 로 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED들의 정밀한 구조는 표 1 에 나타나 있다. 녹색-방출 OLED들은 두께 50　nm 로 ITO 상에 제조되고, 적색-방출 OLED들은 두께 150　nm 로 ITO 상에 제조된다. OLED들의 제조를 위해 사용된 재료들이 표 3 에 나타나 있다. 표 3 에 나타나 있지 않고 볼드체의 숫자에 의해 단순히 나타내는 화합물들은 본 발명의 화합물들에 관련되고, 그것의 합성이 예들 1 내지 8 에 기재되어 있으며; 그리하여 숫자는 대응하는 합성 예의 번호를 나타낸다.
모든 재료들은 진공 챔버 내에서 열 증착에 의해 제공된다. 여기서 방출층은 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 방출 도펀트 (방출체) 로 이루어지며, 이 방출 도펀트는 동시-증발 (co-evaporation) 에 의해 특정 체적 비율로 매트릭스 재료 또는 매트릭스 재료들과 혼화된다. 여기서 ST1:3i:TEG1 (30%:60%:10%) 와 같은 표현은, 재료 ST1 이 30 체적% 의 비율로 층에 존재하고, 3i 가 60% 의 비율로 층에 존재하고, TEG1 이 10% 의 비율로 층에 존재하는 것을 의미한다. 전자 수송층이 또한 유사하게 2종의 재료들의 혼합물로 이루어진다.
OLED들은 표준 방법들에 의해 특징지어진다. 이러한 목적을 위해, 램버트 (Lambert) 방출 특징들을 가정하는 전류/전압/발광 밀도 (luminous density) 특징 라인들 (IUL 특징 라인들) 로부터 계산된, 발광 밀도의 함수로서의 전계발광 스펙트럼들, 전류 효율 (cd/A 단위로 측정), 파워 효율 (lm/W 단위로 측정) 및 외부 양자 효율 (EQE, 퍼센트 단위로 측정) 을 구한다. 전계발광 스펙트럼들은 발광 밀도 1000　cd/m2 에서 구해지고, 이로부터 CIE 1931 x 및 y 컬러 좌표들이 계산된다. 표 2 에서의 U1000 이라는 표현은, 발광 밀도 1000　cd/m2 에 대해 요구되는 전압을 나타낸다. CE1000 및 PE1000 은 1000　cd/m2 에서 달성되는 전류 효율 및 파워 효율을 각각 나타낸다. 마지막으로, EQE1000 은 동작 발광 밀도 1000　cd/m2 에서의 외부 양자 효율을 나타낸다.
다양한 OLED들에 대한 데이터가 표 2 에 요약되어 있다. 이들 예들 중 일부는 본 발명에 따른 화합물들의 이점들을 예시하기 위해 이하에 더욱 상세하게 설명된다. 하지만, 이것은 오직 나타낸 데이터의 선택을 표현하는 것뿐임에 주목해야 한다. 이 표로부터 알 수 있듯이, 전압 및 효율에 대한 양호한 값들 내지 매우 양호한 값들이 또한, 더욱 상세하게 기재되지 않은 본 발명에 따른 화합물들의 사용을 통해 달성된다.
인광 OLED 들에 있어서의 매트릭스 재료들로서의 본 발명에 따른 화합물들의 사용
본 발명에 따른 재료들은 단일 매트릭스 (예들 E7 내지 E10) 로서 채용되거나 또는 추가적인 매트릭스 재료와 조합하여 ("혼합된 매트릭스", 예들 E1 내지 E4, E11 내지 E13) 채용될 수 있다. 적색- 및 또한 녹색-인광 방출체들의 사용시에, 양호한 성능 데이터 내지 매우 양호한 성능 데이터가 획득된다. 예를 들어, 거의 16% (예 E7) 의 매우 양호한 외부 양자 효율이 화합물 7 (즉, 예 7 에 따른 화합물) 에 의해 획득된다. 본 발명에 따른 화합물 8a 와 ST1 를 혼합하는 것은 3.5 V 의 매우 낮은 전압을 제공한다 (예 E4).
전자 수송 재료들로서의 본 발명에 따른 화합물들의 사용
전자 수송층에 있어서 본 발명에 따른 화합물 7b 의 사용시에, 1000 cd/m2 에 대해 오직 3.6V 의 전압이 요구된다. 이러한 발광 밀도에서, 16% 보다 약간 더 큰 외부 양자 효율이 획득된다 (예 E6). 예 E6 으로부터의 OLED 가 일정한 전류 밀도 20　mA/cm2 로 동작되는 경우, 초기 발광 밀도 9700　cd/m2 는 약 140 시간 동안 80% 로 떨어진다. 따라서, 양호한 전압 및 효율뿐만 아니라, 양호한 수명이 또한 본 발명에 따른 화합물들에 의해서 획득된다.
[표 1] OLED들의 구조
Figure 112014000200607-pct00040
[표 2] OLED들에 대한 데이터
Figure 112014000200607-pct00041
[표 3] OLED들에 대한 재료들의 구조식들
Figure 112014000200607-pct00042
Figure 112014000200607-pct00043

Claims (12)

  1. 식 (1) 또는 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스로서,
    Figure 112018054389787-pct00044

    식 중, 사용된 심볼들 및 인덱스들에 하기 사항이 적용되며:
    X 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, CR 또는 N 이고, 다만 식 (1) 에서 최대 하나의 기 X 는 N 을 나타내거나, 식 (2) 에서 서로 직접 결합되는 최대 2개의 기들 X 는 N 을 나타내고;
    R, R1 은 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar)2, N(R2)2, C(=O)Ar, C(=O)R2, P(=O)(Ar)2, 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40개의 C 원자들을 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있음), 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음), 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기 (이는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아랄킬 또는 헤테로아랄킬기 (이는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어진 그룹으로부터 선택되고;
    Ar1 은 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, 5 내지 18개의 C 원자들을 갖는 2가의 아릴 또는 헤테로아릴기 (이는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음) 이고;
    R2 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar)2, N(R3)2, C(=O)Ar, C(=O)R3, P(=O)(Ar)2, 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40개의 C 원자들을 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (이들 각각이 하나 이상의 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R3C=CR3, C≡C, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR3, P(=O)(R3), SO, SO2, NR3, O, S 또는 CONR3 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있음), 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있음), 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기 (이는 하나 이상의 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아랄킬 또는 헤테로아랄킬기로 이루어진 그룹으로부터 선택되고;
    Ar 은 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, 5 내지 30개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 하나 이상의 비방향족 라디칼들 R3 에 의해 치환될 수도 있음) 이고; 여기서 동일한 N 원자 또는 P 원자에 결합되는 2개의 라디칼들 Ar 은 또한 N(R3), C(R3)2, O 또는 S 로부터 선택된 브릿지 (bridge) 또는 단일 결합에 의해 서로 가교될 수도 있고;
    R3 은 H, D, F, CN, 1 내지 20개의 C 원자들을 갖는 지방족 탄화수소 라디칼, 5 내지 30개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서 하나 이상의 H 원자들은 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수도 있음) 으로 이루어진 그룹으로부터 선택되고;
    q 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, 0, 1, 2 또는 3 이고;
    하기 화합물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스는 본 발명으로부터 제외되는, 유기 전계발광 디바이스.
    Figure 112018054389787-pct00045
  2. 제 1 항에 있어서,
    식 (2) 에서 각각의 고리에서의 최대 1개의 기 X 는 N 을 나타내고, 나머지 기들 X 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게 CR 을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 식 (1) 의 화합물은 식들 (3) 내지 (11) 의 구조들로부터 선택되고,
    상기 식 (2) 의 화합물은 식 (12) 의 구조들로부터 선택되고,
    Figure 112016124443818-pct00046

    식 중, 사용된 심볼들 및 인덱스들은 제 1 항에서 주어진 의미들을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물에서의 적어도 하나의 기 R 및/또는 R1 은 H 또는 D 가 아닌 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 식 (1) 의 화합물은 식들 (3a) 내지 (3i) 의 화합물들로부터 선택되고,
    Figure 112016124443818-pct00047

    식 중, 사용된 심볼들은 제 1 항에서 주어진 의미들을 가지며, R 및 R1 은 H 또는 D 가 아닌 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    R 또는 R1 은 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, N(Ar)2, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, 1 내지 10개의 C 원자들을 갖는 직사슬 알킬기 또는 3 내지 10개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬기 또는 2 내지 10개의 C 원자들을 갖는 알케닐기 (이들 각각이 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 O 또는 S 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 D 또는 F 에 의해 대체될 수도 있음), 6 내지 30개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음) 으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 치환기 R 및/또는 R1 은 식들 (13) 내지 (17) 의 구조들로부터 선택되고,
    Figure 112016124443818-pct00048

    식 중, 심볼들 및 인덱스들은 제 1 항에서 주어진 의미들을 가지며,
    * 는 상기 식 (1) 또는 식 (2) 의 기본 구조에 대한 결합의 위치를 나타내고, 게다가:
    Z 는 각각의 경우에 동일하게 또는 상이하게, CR2 또는 N 이고, 다만 1개의 기 Z, 2개의 기들 Z 또는 3개의 기들 Z 는 N 을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 치환기 R 또는 R1 은 식들 (18) 내지 (24) 의 기들로부터 선택되고,
    Figure 112016124443818-pct00049

    식 중, 사용된 심볼들 및 인덱스들은 제 1 항에서 주어진 의미들을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  9. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 치환기 R 또는 R1 은, -NAr2, 트리아릴아민 유도체들, 카르바졸 유도체들, 인데노카르바졸 유도체들, 인돌로카르바졸 유도체들, 아자카르바졸 유도체들, 인돌 유도체들, 푸란 유도체들, 벤조푸란 유도체들, 디벤조푸란 유도체들, 티오펜 유도체들, 벤조티오펜 유도체들 또는 디벤조티오펜 유도체들 (이들 각각이 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  10. 제 9 항에 있어서,
    적어도 하나의 치환기 R 또는 R1 은 식들 (25) 내지 (42) 의 기들로부터 선택되고,
    Figure 112019500871511-pct00050

    Figure 112019500871511-pct00051

    식 중, 사용된 심볼들은 제 1항에서 주어진 의미들을 가지며, 게다가:
    E 는 C(R2)2, NR2, O 또는 S 로 이루어진 그룹으로부터 선택되고;
    G 는 NR2, O 또는 S 로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물은, 방출층에서의, 형광 또는 인광 화합물에 대한 매트릭스 재료로서 채용되고, 및/또는 상기 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물은 전자 수송 또는 전자 주입층에서의 전자 수송 재료로서 채용되고 및/또는 상기 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물은 정공 차단층에 채용되고 및/또는 상기 식 (1) 또는 식 (2) 의 화합물은 정공 수송층에 또는 정공 주입층에 또는 전자 차단층 또는 여기자 차단층에 채용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  12. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법으로서,
    적어도 하나의 층이 승화 프로세스에 의해 제공되고 또는 적어도 하나의 층이 OVPD (Organic Vapour Phase Deposition) 프로세스에 의해 제공되고 또는 적어도 하나의 층이 용액으로부터 또는 프린팅 프로세스에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.
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