KR100816596B1 - 파장을변환시키는밀봉재료,상기밀봉재료의용도및제조방법 - Google Patents

파장을변환시키는밀봉재료,상기밀봉재료의용도및제조방법

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KR100816596B1
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클라우스 횐
알렉산드라 데브라이
페터 슐로터
랄프 슈미트
위르겐 슈나이더
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오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁
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Abstract

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Description

파장을 변환시키는 밀봉 재료, 상기 밀봉 재료의 용도 및 제조 방법
본 발명은 발광 물질과 혼합되는 투과성 에폭시 캐스트 수지를 기재로 하고, 특히 자외선, 청색광 또는 녹색광을 방출하는 몸체를 포함하는 전기 발광 구성 소자에 사용하기 위한, 파장을 변환시키는 밀봉 재료에 관한 것이다.
상기 방식의 구성 소자는 예를 들어 독일 공개 공보 DE 38 04 293호에 공지 되어 있다. 상기 공보에는 다이오드로부터 발산되는 방출 스펙트럼이 광을 변화시키는 형광 유기 색소와 혼합된 플라스틱 컴포넌트에 의해 더 큰 파장으로 이동되도록 구성된 전기 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드를 구비한 장치가 기술되어 있다. 따라서, 상기 장치로부터 발산되는 광은 발광 다이오드로부터 방출되는 색과 다른 색을 갖는다. 플라스틱에 첨가되는 색소의 종류에 따라, 상이한 색을 발하는 발광 다이오드 장치를 동일한 발광 다이오드 타입으로 제조할 수 있다.
예를 들어 자동차-계기판 영역의 디스플레이 부재, 비행기 및 자동차 조명 그리고 완전 칼라(full color)에 적합한 LED-디스플레이와 같은 발광 다이오드의 다수인 잠재적 적용 분야에서는 혼색광, 특히 백색광을 발생시키는 발광 다이오드 장치에 대한 요구가 강하게 제기된다.
그러나 유기 발광 물질을 포함하는, 지금까지 공지된 서문에 언급된 유형의 밀봉 재료는 온도 부하 및 온도-습도 부하에서는 색 위치(colour location)의 이동, 즉 전기 발광 소자로부터 발산되는 광의 색 이동이 나타난다.
JP-07 176 794-A호에는 백색광을 방출하는 평탄한 광원이 기술되어 있는데, 이 경우 투과성 플레이트의 전면에는 2개의 청색광을 방사하고 광을 투과성 플레이트 내부로 방출하는 다이오드가 배치되어 있다. 상기 투과성 플레이트의 서로 대향하는 2개의 주표면 중에서 하나의 표면은 형광 물질로 코팅되는데, 상기 물질은 다이오드의 청색광에 의해 상기 물질이 여기되는 경우에 광을 방사한다. 형광 물질로부터 방사되는 광은 상기 다이오드로부터 방사되는 청색광의 파장과 다른 파장을 갖는다. 공지된 상기 소자에서는, 광원이 균일한 백색광을 발산하는 방식 및 방법으로 상기 형광 물질을 제공하는 것은 매우 어렵다. 또한, 대량 생산에서의 재현성(reproducibility)도 큰 문제를 야기하는데, 그 이유는 예컨대 투과성 플레이트 표면의 비평탄성 때문에 형광층의 약간의 두께 변동이 발산되는 광의 백색톤의 변동을 야기하기 때문이다.
도 1는 본 발명에 따른 밀봉 재료를 갖는 제 1반도체 소자의 개략적인 단면이고,
도 2는 본 발명에 따른 밀봉 재료를 갖는 제 2반도체 소자의 개략적인 단면이며,
도 3은 본 발명에 따른 밀봉 재료를 갖는 제 3반도체 소자의 개략적인 단면도이고,
도 4는 본 발명에 따른 밀봉 재료를 갖는 제 4반도체 소자의 개략적인 단면도이며,
도 5는 본 발명에 따른 밀봉 재료를 갖는 제 5반도체 소자의 개략적인 단면도이고,
도 6은 GaN 베이스상에 연속층을 갖고 청색광을 발산하는 반도체 몸체의 방출 스펙트럼의 개략도이며,
도 7은 백색광을 발산하는 본 발명에 따른 밀봉 재료를 갖는 2개의 반도체 소자의 방출 스펙트럼이고,
도 8은 백색광을 발산하는 다른 반도체 소자의 방출 스펙트럼의 개략도이다.
본 발명의 목적은, 균일한 혼색광을 발산하고 적당한 기술 비용과 최대로 재생 가능한 컴포넌트 특성으로써 대량 생산을 가능케 하는 전기 발광 소자를 제조할 수 있는 서문에 언급된 방식의 밀봉 재료를 개발하는 것이다. 발산된 광은 온도 부하 및 온도-습도 부하에서도 색이 변하지 않아야 한다. 또한, 본 발명의 목적은 상기 밀봉 재료의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 청구항 1의 특징에 의해 달성된다. 상기 밀봉 재료의 바람직한 실시예 및 적용예는 종속 청구항의 대상이다.
본 발명에 따르면 투과성 에폭시 캐스트 수지내에 일반식이 A3B5X12:M이고 가넷 주격자를 기재로 하는 무기-광물성 발광 재료 색소 분말이 분산되며, 상기 발광 재료 색소의 입자 카기는 20㎛ 이하이고, 평균 입자 직경(d50)은 5㎛ 이하이다. 평균 입자 직경(d50)은 1 내측 2㎛가 매우 바람직하다. 입자 크기가 상기와 같은 경우에 우수한 제조 수율이 얻어질 수 있다.
무기-광물성 발광 재료는 최대로 온도에 안정적이고 온도-습도에 대단히 안정적이다.
본 발명에 따른 바람직한 개선예에서 밀봉 재료는 하기의 조성을 갖는다:
a) 60 중량％ 이상의 에폭시 캐스트 수지,
b) 25 중량％ 이하의 발광 색소,
c) 10 중량％ 이하의 틱소트로픽제(thixotropic agent),
4) 10 중량％ 이하의 광물성 확산체,
e) 3 중량％ 이하의 처리 보조제(processing adjuvant),
f) 3 중량％ 이하의 소수성(hydrophobic) 처리제,
g) 2 중량％ 이하의 접착제.
적합한 에폭시 캐스트 수지는 예컨대 DE-OS 26 42 465호의 4 페이지 내지 9 페이지, 특히 실시예 1 내지 4 및 EP 0 039 017호의 2 페이지 내지 5 페이지, 특히 실시예 2 내지 5에 기술되어 있으며, 상기 간행물에 공개된 내용을 본 명세서에서 재인용하였다.
틱소트로픽제로서는 예컨대 발열성 규산이 있다. 상기 틱소트로픽제는 발광 색소 분말의 침강을 줄이기 위해서 에폭시 캐스트 젤로 만들기 위해 이용된다. 또한, 캐스트 수지를 가공하기 위해서 유동 특성 및 습윤 특성이 설정된다.
컴포넌트의 광 형성을 최적화하기 위한 광물성 확산체로서는 바람직하게 CaF2가 사용된다.
처리 보조제로서는 예를 들어 글리콜에테르가 적합하다. 상기 물질은 에폭시 캐스트 수지와 발광 색소 분말 사이의 호환성을 개선해주기 때문에 발광 색소 분말 - 에폭시 캐스트 수지의 분산을 안정화하기 위해 이용된다. 상기 목적을 위해 또한 표면 변형체가 실리콘 베이스상에 사용될 수도 있다.
예를 들어 액체 실리콘 왁스와 같은 소수성 처리제도 마찬가지로 색소 표면을 변형시키기 위해, 특히 유기 수지로써 무기 색소 표면의 내구성 및 습윤 가능성을 개선하기 위해 이용된다.
예를 들어 작용기성 알콕시 실록산과 같은 접착제는 밀봉 재료가 경화된 상태에서 색소와 에폭시 수지 사이의 접착 상태를 개선시킨다. 따라서, 예를 들어 온도 변동시에도 에폭시 수지와 색소 사이의 경계면이 파괴되지 않는다. 에폭시 수지와 색소 사이의 갭은 컴포넌트내에서 광 손실을 야기할 수 있다.
특히 활성 옥시란 3원자 고리를 갖는 에폭시 캐스트 수지는 바람직하게 단일작용기성 및/또는 다작용기성 에폭시 캐스트 수지계(80 중량％ 이상; 예컨대 비스페놀-A-디글리시딜에테르), 활성 희석제(10 중량％ 이하; 예컨대 방향족 모노글리시딜에테르), 다작용기성 알코올(5 중량％ 이하), 실리콘 베이스상의 탈가스제(1 중량％ 이하) 및 색 번호를 조절하기 위한 표백 성분(1 중량％ 이하)을 포함한다.
밀봉이 매우 바람직하게 개선되는 경우는 발광 색소가 구형 또는 박편 모양인 경우이다. 상기 유형의 색소들은 덩어리 형성 경향이 바람직하게 매우 작다. H2O-함량은 2％이하이다.
무기 발광 색소 분말로 에폭시 캐스트 수지 성분을 제조하고 가공할 때는 일반적으로 습윤의 문제 이외에 침전의 문제가 나타난다. 특별히 d50이 5㎛ 이하인 발광 색소 분말은 덩어리 형성 경향이 강하다. 밀봉 재료의 조성 중에서 마지막으로 언급된 조성에서 발광 색소는 바람직하게 상술한 입자 크기에서 실제로 덩어리를 형성하지 않고 에폭시 캐스트 수지내로 균일하게 분산될 수 있다. 상기 분산은 밀봉 재료가 오랫동안 저장되더라도 안정적이다. 습윤의 문제 및/또는 침전의 문제는 거의 나타나지 않는다.
발광 색소로서는 Ce-도핑된 가넷으로 구성된 입자, 특히 YAG:Ce-입자를 사용하는 것이 매우 바람직하다. 바람직한 도펀트 농도는 예를 들어 1％이고, 바람직한 발광 물질 농도는 예를 들어 12％이다. 또한, 특히 순도가 높은 발광 색소 분말은 바람직하게 5ppm 이하의 철을 함유한다. 높은 철 함량은 컴포넌트내에서 높은 광 손실을 야기한다. 상기 발광 색소 분말은 매우 연마적이다. 따라서 밀봉 재료의 철 함량은 밀봉 재료의 제조시에 상당히 증가될 수 있다. 밀봉 재료내에 함유된 철 함량은 0 이상 20ppm 이하가 바람직하다.
무기 발광 물질 YAG:Ce의 장점은, 특히 본 경우에 약 1.84의 굴절 지수를 갖는 비가용성 색소를 사용한다는 점이다. 상기 장점에 의해 파장 변환 외에도 분산 및 산란 효과가 나타나는데, 이러한 분산 및 산란 효과에 의해서 청색 다이오드 광선 및 황색 변환 광선이 양호하게 혼합된다.
또한, 무기 발광 색소를 사용하는 경우에 에폭시 수지내의 발광 물질 농도는 유기 색소에서와 같이 가용성에 의해 제한되지 않는 것이 매우 바람직하다.
덩어리 형성 경향을 더욱 감소시키기 위해서 발광 색소에는 바람직하게 실리콘(silicone) 코팅이 제공될 수 있다.
본 발명에 따른 밀봉 물질을 제조하기 위한 바람직한 방법에서 발광 색소 분말은 에폭시 캐스트 수지와 혼합하기 전에 예컨대 약 10 시간 동안 200℃ 이상의 온도에서 템퍼링 된다. 그럼으로써 덩어리를 형성하는 경향도 감소될 수 있다.
대안적으로 또는 부가적으로 상기 발광 색소 분말은 에폭시 캐스트 수지와 혼합하기 전에 비등점이 비교적 높은 알코올에서 현탁 분리된 후 건조된다. 덩어리 형성을 줄일 수 있는 다른 가능성은, 에폭시 캐스트 수지와 혼합하기 전에 상기 발광 색소 분말에 소수성 처리 실리콘 왁스를 첨가하는 것이다. 포스포르의 표면은 글리콜에테르의 존재하에서 예를 들어 T ＞ 60℃에서 16시간 동안 색소를 가열함으로써 매우 바람직하게 안정화된다.
발광 색소를 분산시킬 때 마멸에 의해 야기되는 장애적인 오염을 피하기 위하여, 반응 용기, 교반 장치 그리고 확산 장치 및 유리, 코런덤, 카바이드 제작 재료 그리고 질화물 제작 재료로 이루어진 롤 제분기 및 특수하게 경화된 강철 그레이딩이 사용된다. 덩어리를 형성하지 않는 발광 물질 분산은 초음파 방법 또는 여과기의 사용 및 유리 세라믹 프릿(frit)들에 의해 이루어진다.
백색의 광을 발하는 광전 소자를 제조하기 위한 특히 바람직한 무기 발광 물질은 포스포르 YAG:Ce(Y3Al5O12:Ce3+)이다. 상기 물질은 통상적으로 LED-기술에서 사용되는 투과성 에폭시 캐스트 수지에 간단한 방법으로 혼합된다. 발광 물질로서는 또한, 예를 들어 Y3Ga5O12:Ce3+, Y(Al, Ga)5O12:Ce3+ 및 Y(Al, Ga)5O12:Tb3+와 같은 희토류 원소 산화물로 도핑된 다른 가넷을 생각할 수도 있다.
그밖에, 혼색광을 형성하기 위해서는 특히 예를 들어 CaGa2S4:Ce3+ 및 SrGa2S4:Ce3+와 같은 희토류 원소 산화물로 도핑된 티오갈레이트가 적합하다. 상기 목적을 위해서는 또한, 예를 들어 YAlO3:Ce3+, YGaO3:Ce3+, Y(Al, Ga)O3:Ce3+와 같은 희토류 원소 산화물로 도핑된 알루미네이트 및 예를 들어 Y2SiO5:Ce3+와 같은 희토류 원소 산화물로 도핑된 오르토실리케이트(M2SiO5:Ce3+(M:Sc, Y, Sc))의 사용도 생각할 수 있다. 모든 이트륨 화합물에서 이트륨은 원칙상 스칸듐 또는 란탄으로 대체될 수도 있다.
광선을 방사하는 반도체 몸체에서 본 발명에 따른 밀봉 재료에는 특히, 동작시 자외선, 청색 및/또는 녹색 스펙트럼 범위로 이루어진 전자기 광선을 방출하는 GaXInl-XN 또는 GaXAl1-XN으로 구성된 하나의 활성 반도체층 또는 활성 반도체 연속층이 사용된다. 밀봉 재료내에 함유된 발광 물질 입자는 상기 스펙트럼 범위로부터 유래하는 광선의 일부분을 더 큰 스펙트럼 범위를 갖는 광선으로 변환시키는데, 변환 방식은 반도체 소자가 혼합 광선, 특히 상기 광선 및 자외선, 청색 및/또는 녹색 스펙트럼 범위로 구성된 광선으로 이루어진 혼색광을 방출하도록 하는 방식이다. 예를 들어 말하면, 로기 발광 물질 입자는 반도체 몸체로부터 송출된 광선의 일부분을 스텍트럼으로 선택적으로 흡수하여 상기 광선을 비교적 긴 파장 범위로 상사한다. 반도체 몸체로부터 방출된 광선은 바람직하게 λ = 520nm의 파장에서 상대적인 최대 강도를 가지면, 발광 물질 입자로부터 스펙트럼에 의해 선택적으로 흡수된 파장 범위는 상기 최대 강도의 범위 밖에 있다.
또한, 상이한 파장에서 방사하는 상이한 종류의 다수의 발광 물질 입자들도 바람직하게 밀봉 재료내에서 분산될 수 있다. 상기 분산은 상이한 격자내에서 상이한 도핑에 의해 이루어지는 것이 바람직하다. 그럼으로써 컴포넌트로부터 방사되는 광선의 여러 가지 색 혼합 및 색 온도가 형성될 수 있다. 이것은 완전 칼러(full color)에 적합한 LED에서 매우 중요하다.
본 발명에 따른 밀봉 재료의 바람직한 사용예에서 광선을 방사하는 반도체 몸체(예컨대 LED-칩)는 적어도 부분적으로 상기 밀봉 재료로 감싸져 있다. 이 경우 밀봉 재료는 바람직하게 동시에 부품 외장(하우징)으로서도 사용된다. 상기 실시예에 따른 반도체 소자의 장점은 실제로, 상기 소자를 제조할 때 통상적인 발광 다이오드(예컨대 방사-발광 다이오드)를 제조하기 위해 사용되는 생산 라인을 사용할 수 있다는 점이다. 부품 외장으로서는, 통상적인 발광 다이오드에서 상기 부품 외장으로서 사용되는 투과성 플라스틱 대신에 밀봉 재료가 간단히 사용된다.
본 발명에 따른 밀봉 재료에 의해서는, 오직 단색의 광원, 특별히 단지 청색광을 발산하는 반도체 몸체를 갖는 발광 다이오드에 의해 혼색광, 특히 백색광이 간단히 형성될 수 있다. 예를 들어 청색광을 방출하는 반도체 몸체로 백색광을 발생시키기 위해서, 상기 반도체 몸체로부터 방출되는 광선의 일부분이 무기 발광 물질 입자에 의해 청색 스펙트럼 범위로부터 상기 청색의 보색인 황색 스펙트럼 범위로 변환된다.
이 경우 백색광의 색 온도 또는 색 위치는 발광 물질의 적절한 선택, 상기 발광 물질의 입자 크기 및 농도에 의해 변동될 수 있다. 또한, 발광 물질 혼합물도 사용될 수 있는데, 상기 혼합물에 의해서는 바람직하게 발산된 광의 원하는 색 위치가 매우 정확하게 설정될 수 있다.
상기 밀봉 재료는, 방출된 광선 스펙트럼이 420nm 내지 460nm의 파장 범위, 특히 430nm(예컨대 GaXAl1-X떠을 기재로 하는 반도체 몸체) 또는 450nm(CaXInl-XN을 기재로 하는 반도체 몸체)의 파장 범위에서 최대 강도를 갖는, 광선을 방사하는 반도체 몸체에서 사용하는 것이 매우 바람직하다. 상기 방식의 반도체 소자에 의해서는 바람직하게 거의 모든 색 및 C.I.E-색표의 혼색을 형성할 수 있다. 전기 발광 반도체 재료로 구성된, 광선을 방사하는 반도체 몸체 대신에 예컨대 중합체 재료와 같은 다른 전기 발광 재료를 사용할 수도 있다.
상기 밀봉 재료는, 전기 발광 반도체 몸체가 리드 프레임을 갖는 미리 제조된 하우징의 리세스내에 배치되고, 상기 하우징에는 밀봉 재료가 제공되는 발광 반도체 소자(예를 들어 발광 다이오드)에 매우 적합하다. 상기 방식의 반도체 소자는 종래의 생산 라인에서 대량으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 밀봉 재료는 반도체 몸체가 하우징내에 장치된 후에 리세스내에 채워져야 한다.
백색광을 발산하는 반도체 소자는 본 발명에 따른 밀봉 재료에 의해, 반도체 몸체로부터 방출된 청색광이 보상적인 파장 범위를 갖는 특히 청색 및 황색으로 또는 예컨대 청색, 녹색 그리고 적색과 같은 부가의 3색으로 변환되도록 발광 물질이 선택되는 방식으로 제조된다. 이 경우 황색광 또는 녹색광 및 적색광은 상기 발광 물질을 통해 발생된다. 그렇게 발생된 백색광의 색 위치(CIE-색표에서의 색 위치)는 혼합 및 농도를 고려한 발광 물질의 적절한 선택에 의해 변동될 수 있다.
전기 발광 반도체 몸체로부터 방출된 광선과 발광 물질에 의해 변환된 광선을 완전 혼합함으로써 컴포넌트로부터 방사된 광의 색 균일성을 개선하기 위하여, 본 발명에 따른 밀봉 재료의 바람직한 실시예에서는 부가적으로 청색을 발광하는 색소가 첨가되는데, 상기 색소는 반도체 몸체로부터 방출되는 광선의 소위 방향 특성을 약화시킨다. 방향 특성하에서는 반도체 몸체로부터 방출되는 광선이 발광 방향을 갖는다는 사실을 알 수 있다.
청색광을 방사하는 전기 발광 반도체 몸체를 포함하고 백색광을 발산하는 본 발명에 따른 반도체 소자는, 밀봉 재료를 위해 사용된 에폭시 수지에 무기 발광 물질 YAG:Ce(Y3Al5O12:Ce3+)을 혼합함으로써 실현된다. 반도체 몸체로부터 방출된 청색광의 일부분이 무기 발광 물질(Y3Al5O12:Ce3+)로부터 황색 스펙트럼 범위로 이동됨으로써 청색의 보색 파장 범위로 이동된다. 이 때 백색광의 색조(CIE-색표에서의 색의 위치)는 색소의 농도를 적절하게 선택함으로써 변화될 수 있다.
밀봉 재료에는 부가적으로 광을 산란시키는 입자, 소위 확산체가 첨가될 수 있다. 그럼으로써, 색 효과 및 반도체 소자의 방사 특성이 더욱 최상으로 될 수 있다.
본 발명에 따른 밀봉 재료에 의해서는 바람직하게, 가시광선 외에 전기 발광 반도체 몸체로부터 방출되는 자외선 또한 가시광선으로 변환될 수 있다. 따라서, 반도체 몸체로부터 방출되는 광의 명도가 확실하게 증가된다.
발광 변환 색소로서 특히 YAG:Ce가 사용되는 백색광을 발산하는 본 발명에 따른 반도체 소자의 장점은, 상기 발광 물질이 청색광에 의한 여기 상태에서 흡수와 방출 중간에 약 100nm의 스펙트럼 시프트를 야기한다는 점이다. 상기 시프트에 의해 발광 물질로부터 방사되는 광의 재흡수가 대부분 감소되어 보다 높은 광 수율이 얻어진다. 그밖에, YAG:Ce가 바람직하게 (유기 발광 물질 보다 훨씬 더 높은) 높은 열적 안정성 및 광화학적 안정성(예컨대 UV-안정성)을 가짐으로써, 외부 사용용의 및/또는 높은 온도 범위용의 백색광 발광 다이오드를 제조할 수도 있다.
YAG:Ce는 재흡수, 광수득율, 열적 안정성 및 광화학적 안정성 그리고 가공 가능성 면에서 지금까지 가장 적합한 발광 재료로 나타났다. 그러나, Ce-도핑된 포스포르(phosphor), 특히 Ce-도핑된 가넷 타입의 사용도 생각할 수 있다.
1차 방사선의 파장 변환은 격자내에서 활성 전이 금속 중심의 결정 필드 분할에 의해 결정된다. Y3Al5O12-가넷 격자내에서 Y를 Gd 및/또는 Lu로 또는 Al을 Ga로 치환함으로써 도핑 방식에 의한 것과 상이한 방법으로 방출 파장이 시프트될 수 있다. Ce3+-중심을 EU3+ 및/또는 Cr3+로 치환함으로써 상응하는 시프트가 이루어질 수 있다. 더욱이, Nd3+ 및 Er3+에 의한 상응하는 도핑은 더 큰 이온 반지름 및 그에 따른 보다 더 적은 결정 필드 분할 때문에 IR을 방사하는 컴포넌트를 가능하게 한다.
본 발명의 다른 특징, 장점 및 합목적성은 도 1 내지 도 8과 관련된 2개의 실시예를 참조하여 하기에 기술된다.
도면은 상이하지만 동일 부분 또는 동일한 작용을 하는 부분은 동일한 도면 부호로 표기하였다.
도 1의 발광 반도체 소자에서 반도체 몸체(1)의 후면 콘택(11)은 예을 들어 금속 땜납 또는 접착체와 같은 도전성 결합 부재에 의해 제 1전기 접속부(2)상에 고정된다. 전면 콘택(12)은 본딩 와이어(14)에 의해 제 2전기 접속부(3)와 접속된다.
반도체 몸체(1)의 노출 표면 및 전기 접속부(2 및 3)의 부분 영역은 파장을 변화시키는 경화된 밀봉 재료(5)에 의해 직접 둘러싸여 있다. 상기 밀봉 재료는 바람직하게 80 - 90 중량％의 에폭시 캐스트 수지, 15 중량％ 이하의 발광 색소(YAG:Ce), 2 중량％ 이하의 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 2 중량％ 이하의 테고프렌6875-45, 5 중량％ 이하의 에로실200을 포함한다.
도 2에 도시된 본 발명에 따른 반도체 소자의 실시예는, 반도체 몸체(1) 및 전기 접속부(2 및 3)의 부분 영역이 파장을 변환시키는 밀봉 재료 대신 투과성 외장(15)에 의해 둘러싸여 있다는 점에서 도 1의 실시예와 상이하다. 상기 투과성 외장(15)은 반도체 몸체(1)로부터 방출되는 광선의 파장 변동을 야기하지 않으며, 예를 들어 발광 다이오드 기술에서 통상적으로 사용되는 에폭시 수지, 실리콘(silicone) 수지 혹은 아크릴레이트 수지 또는 예컨대 무기질 유리와 같은 적합한 다른 광투과성 재료로 구성된다.
상기 투과성 외장(15)상에는, 파장을 변환시키는 밀봉 재료로 구성되고 도 2에 도시된 바와 같이 외장(15)의 전체 표면을 덮고 있는 하나의 층(4)이 제공된다. 상기 층(4)은 외장 표면의 단 하나의 부분 영역만을 덮을 수도 있다. 상기 층(4)은 예를 들어 발광 물질 입자(6)와 혼합된 투과성 에폭시 수지로 이루어진다. 이 경우에도 백색광을 발하는 반도체 소자용 발광 물질로서는 바람직하게 YAG:Ce가 적합하다.
본 발명에 따른 밀봉 재료를 포함하는 도 3에 도시된 바람직한 소자에서, 제 1 및 제 2전기 접속부(2, 3)는 경우에 따라 미리 제조되는 광을 투과하지 않는 베이스 하우징(8)내에 리세스(9)와 함께 끼워진다. "미리 제조된" 이라는 용어를 통해, 상기 베이스 하우징(8)은 반도체 몸체가 상기 접속부(2)상에 조립되기 전에 예를 들어 사출 성형에 의해 접속부(2, 3)에 미리 형성된다는 것을 알 수 있다. 베이스 하우징(8)은 예를 들어 광 투과성 플라스틱으로 구성되고, 리세스(9)는 형 상면에 있어서 반도체 몸체에 의해 동작 상태에서 방출되는 광선용 반사기(17)로서(경우에 따라서는 리세스(9)의 내벽을 적절하게 코팅함으로써) 형성된다. 베이스 하우징(8)은 특히 프린트 기판상에 표면 조립될 수 있는 발광 다이오드에서 사용된다. 상기 베이스 하우징은 반도체 몸체를 조립하기 전에 전기 접속부(2, 3)를 포함하는 리드 프레임상에 예를 들어 사출 성형에 의해 제공된다.
리세스(9)는 밀봉 재료(5)에 의해 채워지는데, 상기 밀봉 재료의 조성은 도 1과 관련하여 기술된 조성과 일치한다.
도 4에는 소위 방사 다이오드가 도시되어 있다. 방사 다이오드에서 전기 발광 반도체 몸체(1)는 반사기로서 형성된 제 1 전기 접속부(2)의 부분(16)내에 예를 들어 납땜 또는 접착에 의해 고정된다. 상기와 같은 하우징의 구조적 형상은 발광 다이오드 기술에서 공지되어 있기 때문에 자세한 설명은 더 이상 하지 않겠다.
반도체 몸체(1)의 노출 표면은 발광 물질 입자(6)를 갖는 밀봉 재료(5)에 의해 직접 커버링되고, 상기 밀봉 재료는 재차 다른 하나의 투과성 외장(10)에 의해 감싸져 있다.
도면의 개관을 명확히 하기 위해, 무론 도 4에 따른 구조적 형상에서도 도 1에 따른 소자와 유사하게 발광 물질 입자(5)를 갖는 경화된 밀봉 재료(5)로 구성된 일체형의 외장이 사용될 수 있음을 상기 장소에서 알 수 있다.
도 5의 실시예에서는 (전술된 바와 동일한 재료의) 층(4)이 직접 반도체 몸체(1)상에 제공된다. 상기 반도체 몸체 및 전기 접속부(2, 3)의 일부 영역은 다른 하나의 투과성 외장(10)에 의해 감싸져 있는데, 상기 외장은 층(4)을 통과하는 광의 파장 변동을 야기하지 않으며, 예를 들어 발광 다이오드 기술에서 사용될 수 있는 투과성 에폭시 수지 또는 유리로 제조된다.
층(4)을 포함하고 외장이 없는 상기 반도체 몸체(1)는 물론 바람직하게 발광 다이오드 기술에 공지된 하우징의 전체적인 구조적 형상(예컨대 SMD-하우징, 방사-하우징)에서 사용될 수 있다(도 4와 비교).
전술한 전체 컴포넌트에서 발산된 광의 색 효과를 최상화하고 발산 특성을 매칭시키기 위해 상기 밀봉 재료(5), 경우에 따라서는 투과성 외장(15), 및/또는 다른 투과성 외장(10)은 광을 산란시키는 입자, 바람직하게는 소위 확산체를 포함한다. 상기 확산체의 예로서는 광물성 충전제, 특히 CaF2, TiO2, SiO3, CaCO3 혹은 BaSO4 또는 유기 밀봉 재료가 있다. 상기 물질들은 간단한 방식으로 에폭시 수지에 첨가될 수 있다.
도 6, 7 및 도 8은 청색광을 발산하는 반도체 몸체(도 6)(λ ～ 430 nm에서 최대 발광) 또는 상기 반도체 몸체에 의해 제조되고 백색광을 발산하는 반도체 소자(도 7 및 도 8)의 방출 스펙트럼이다. 횡좌표상에는 각각 파장이 nm로 그리고 종좌표상에는 각각 상대적인 전기 발광(EL)-강도가 도시되어 있다.
반도체 몸체로부터 방출되는 도 6에 따른 광선에 의해서는 비교적 장파의 파장 범위에 있는 일부분만이 변환됨으로써, 혼색으로서 백색광이 발생된다. 도 7의 파선(30)은, 2가지 상보적인 파장 범위로부터 나오는 광선(청색과 황색) 그리고 그에 의해 전체적으로 백색광을 방출하는 반도체 소자의 방출 스펙트럼들을 나타낸다. 상기 방출 스펙트럼들은 약 400 내지 430nm(청색)의 파장 및 약 550 내지 580nm(황색)의 파장에서 각각 최대값을 갖는다. 실선(31)은 3가지 파장 범위(청색, 녹색 그리고 적색으로 이루어진 부가의 3색)로 구성된 백색을 혼합하는 하나의 반도체 소자의 방출 스펙트럼들을 나타낸다. 상기 방출 스펙트럼들은 예를 들어 약 430nm(청색), 약 500nm(녹색), 및 약 615nm(적색)의 파장에서 각각 최대값을 갖는다.
도 8은 도 6에 따른 방출 스펙트럼을 방출하는 반도체 몸체가 제공되고 발광 물질로서 YAG:Ce가 사용되는 백색광을 방사하는 반도체 소자의 방출 스펙트럼들을 보여준다. 도 6에 따라 반도체 몸체로부터 방출되는 광선에 의해서는 비교적 장파의 파장 범위에 있는 일부분만이 변환됨으로써, 혼색으로서의 백색광이 발생된다. 도 8의 상이한 종류의 2개의 파선(30 및 33)은 밀봉 재료(5)의 에폭시 수지가 상이한 YAG:Ce 농도를 갖는 본 발명에 따른 반도체 소자의 방출 스펙트럼을 나타낸다. 각각의 방출 스펙트럼들은 λ = 420nm 내지 λ = 430nm에서, 즉 청색 스펙트럼 범위, 및 λ = 520nm 내지 λ = 545nm에서, 즉 녹색 스펙트럼 범위에서 각각 최대 세기를 가지며, 이 경우 비교적 장파의 최대 세기를 갖는 방출 대역은 대부분 황색 스펙트럼 범위에 있다. 도 12의 다이아그램을 통해, 본 발명에 따른 반도체 소자에서 에폭시 수지내의 발광 물질 농도를 변동시킴으로써 백색광의 CIE-색위치를 간단히 변동시킬 수 있다는 사실을 알 수 있다.
전술한 컴포넌트를 참조하여 기술된 본 발명의 설명은 당연히 본 발명을 상기 소자에만 한정하지는 않는다. 예를 들어 발광 다이오드-칩 또는 레이저 다이오드-칩과 같은 반도체 몸체로서는 예컨대 상응하는 방출 스펙트럼을 방사하는 중합체-LED가 이용될 수도 있다.

Claims (37)

  1. 발광 물질과 혼합된 투과성 에폭시 캐스트 수지를 기재로 하고 청색 또는 녹색광을 방출하는 반도체 몸체(1)를 포함하는 전기 발광 소자를 위한 밀봉 재료(5)로서,
    상기 투과성 에폭시 캐스트 수지 내에는 희토류로 도핑된 가넷(garnet), 희토류로 도핑된 티오갈레이트(thiogallate), 희토류로 도핑된 알루미네이트(aluminate), 희토류로 도핑된 오르토실리케이트(orthosilicate), 일반식 A3B5X12:M을 갖는 포스포르, 및 Ce 도핑된 포스포르의 그룹으로부터의 무기 발광 색소(6)가 함유되어 있으며,
    상기 밀봉 재로 내의 상기 발광 색소는 0 초과 20 ㎛ 이하의 입자 크기와 0 초과 5 ㎛ 이하의 d50을 갖고, 상기 밀봉 재료는 청색 또는 녹색광의 일부분에 대하여 투과적이며, 밀봉 재료의 철의 함량이 0 이상 20 ppm 이하인, 밀봉 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 색소(6)는 구형 또는 비늘이 겹쳐진 모양(imbricated)인 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 발광 색소(6)의 d50은 1 내지 2 ㎛인 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    a) 60 중량％ 이상 100 중량％ 미만의 에폭시 캐스트 수지,
    b) 0 중량％ 초과 25 중량％ 이하의 발광 색소,
    c) 10 중량％ 이하의 틱소트로픽제(thixotropic agent),
    d) 10 중량％ 이하의 광물성 확산체,
    e) 3 중량％ 이하의 처리 보조제,
    f) 3 중량％ 이하의 소수성(hydrophobic) 처리제, 및
    g) 2 중랑％ 이하의 접착제로 조성되는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
  5. 제 3 항에 있어서,
    a) 60 중량％ 이상 100 중량％ 미만의 에폭시 캐스트 수지,
    b) 0 중량％ 초과 25 중량％ 이하의 발광 색소,
    c) 10 중량％ 이하의 틱소트로픽제,
    d) 10 중량％ 이하의 광물성 확산체,
    e) 3 중량％ 이하의 처리 보조제,
    f) 3 중량％ 이하의 소수성 처리제, 및
    g) 2 중량％ 이하의 접착제로 조성되는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 발광 색소로서 YAG:Ce-입자가 사용되는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 발광 색소(6)에 실리콘(silicone) 코팅이 제공되는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
  8. 동작시 적어도 청색 또는 녹색 스펙트럼 범위로부터 발광되는 반도체 몸체를 포함하는 전기 발광 소자를 위한 밀봉 재료를 제조하기 위한 방법으로서,
    에폭시 캐스트 수지를 기재로 하는 투과성 밀봉 재료를 제공하는 단계;
    무기 발광 색소를 제공하는 단계; 및
    상기 발광 색소를 상기 투과성 밀봉 재료와 혼합하는 단계를 포함하고,
    상기 무기 발광 색소(6)는 희토류로 도핑된 가넷, 희토류로 도핑된 티오갈레이트, 희토류로 도핑된 알루미네이트, 및 희토류로 도핑된 오르토실리케이트, 일반식 A3B5X12:M을 갖는 포스포르, 및 Ce 도핑된 포스포르의 그룹으로부터 선택되며, 상기 밀봉 재료 내의 상기 발광 색소는 0 초과 20 ㎛ 이하의 입자 크기와 0 초과 5 ㎛ 이하의 d50을 가지며, 상기 밀봉 재료는 청색 또는 녹색광의 일부분에 대하여 투과적이며, 밀봉 재료의 철의 함량이 0 이상 20 ppm 이하인, 밀봉 재료의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 에폭시 캐스트 수지와의 혼합 이전에, 상기 발광 색소를 끓는점이 더 높은 알코올에서 세광(elutriation)한 다음에 건조시키는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료의 제조 방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 에폭시 캐스트 수지와의 혼합 이전에, 상기 발광 색소에 소수성 실리콘 왁스(silicone wax)를 첨가하는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료의 제조 방법.
  11. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 발광 색소를 상승된 온도에서 에폭시 캐스트 수지 내의 알코올, 글리콜에테르 및 실리콘으로 표면 변형시키는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료의 제조 방법.
  12. 발광 물질과 혼합된 투과성 에폭시 캐스트 수지를 기재로 하는 밀봉 재료 및 소자의 동작 중에 전자기 광선을 방출하는 반도체 몸체(1)를 포함하는 발광 소자로서,
    상기 투과성 에폭시 캐스트 수지 내에는 희토류로 도핑된 가넷, 희토류로 도핑된 티오갈레이트, 희토류로 도핑된 알루미네이트, 희토류로 도핑된 오르토실리케이트, 일반식 A3B5X12:M을 갖는 포스포르, 및 Ce 도핑된 포스포르의 그룹으로부터의 무기 발광 색소(6)가 함유되어 있으며, 상기 밀봉 재료 내의 상기 발광 색소는 0 초과 20 ㎛ 이하의 입자 크기와 0 초과 5 ㎛ 이하의 d50을 가지며,
    상기 반도체 몸체(1)는 상기 소자의 동작 중에 청색 또는 녹색 스펙트럼 범위, 또는 청색 및 녹색 스펙트럼 범위의 전자기 광선을 방출하기에 적합한 반도체 연속층(7)을 포함하고,
    상기 밀봉 재료는 청색 또는 녹색광의 일부분에 대하여 투과적이며,
    상기 밀봉 재료의 철의 함량이 0 이상 20 ppm 이하이며,
    상기 소자가 상기 광선 및 청색 또는 녹색 스펙트럼 범위, 또는 청색 및 녹색 스펙트럼 범위의 광선으로 이루어진 혼합 광선을 방출하도록, 상기 발광 색소는 상기 스펙트럼 범위로부터 유래하는 광선의 일부분을 보다 더 큰 파장을 갖는 광선으로 변환시키는, 발광 소자.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 소자는 혼색 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  14. 제 12 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 밀봉 재료는 상기 반도체 몸체(1)의 적어도 일부분을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  15. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1)로부터 방출되는 청색 스펙트럼 범위의 광선은 λ = 430 nm 또는 λ = 450 nm에서 최대 발광 세기를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  16. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1)는 베이스 하우징(8)의 리세스(9) 내에 배치되며,
    상기 리세스(9)는 적어도 부분적으로 상기 밀봉 재료(5)로 채워지는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  17. 제 l2 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 밀봉 재료(5)에 다양한 유형의 발광 색소(6)가 제공되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  18. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1)로부터 방출되는 광선 스펙트럼은 0 초과 520 nm 이하의 파장에서 최대 세기를 갖고, 상기 발광 색소에 의해 선택적으로 스펙트럼으로 흡수된 파장 범위는 상기 최대 세기 범위 밖에 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  19. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1)로부터 방출되는 광선 스택트럼은 420 nm 내지 460 nm의 파장에서 최대 세기를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  20. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1)로부터 방출되는 광선 스펙트럼은 430 nm 또는 450 nm에서 최대 세기를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  21. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1)는 GaXAl1-XN 또는 GaXInl-XN을 기재로 하여 제조되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  22. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상이한 파장에서 발광하는 다수의 다양한 유형의 발광 물질 입자가 상기 밀봉 재료(5) 내에 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  23. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1)는 적어도 부분적으로 상기 밀봉 재료(5)로 채워진 전기 접속부(2)의 반사기로 형성된 부분(16)에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  24. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1) 상에 밀봉 재료로 이루어진 하나의 층(4)이 제공되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  25. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1)의 노출 표면이 밀봉 재료(5)로 커버되고, 상기 밀봉 재료 상에 추가적인 투과성 외장(10)이 제공되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  26. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체가 청색광을 방출하고 상기 발광 물질이 상기 청색광을 황색광으로 변환시킴으로써, 상기 발광 소자는 백색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 방출 스펙트럼들은 400 nm 내지 430 nm, 및 550 nm 내지 580 nm에서 각각 최대값을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  28. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체가 청색광을 방출하고 상기 발광 물질이 상기 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킴으로써, 상기 발광 소자는 백색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 방출 스펙트럼들은 430 nm, 500 nm 및 615 nm에서 각각 최대값을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  30. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 밀봉 재료에 광을 산란시키는 입자가 추가로 첨가되는 것들 특징으로 하는 발광 소자.
  31. 제 25 항에 있어서,
    상기 투과성 외장(10)에 광을 산란시키는 입자가 첨가되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  32. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 에폭시 캐스트 수지와의 혼합 이전에, 상기 발광 색소가 200 ℃ 이상의 온도에서 템퍼링 되는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료의 제조 방법.
  33. 제 1 항에 있어서,
    발광 색소의 철의 함량이 0 이상 5 ppm 이하인 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
  34. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 밀봉 재료는 발열성 규산(pyrogenic silicic acid)을 틱소트로픽제로서 함유하는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
  35. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 밀봉 재료는 CaF2를 확산체로서 함유하는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
  36. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 밀봉 재료는 글리콜에테르를 처리 보조제로서 함유하는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
  37. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 밀봉 재료는 작용기성 알콕시실록산을 접착제로서 함유하는 것을 특징으로 하는 밀봉 재료.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR100643442B1 (ko) * 1996-06-26 2006-11-10 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6613247B1 (en) * 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US6623670B2 (en) 1997-07-07 2003-09-23 Asahi Rubber Inc. Method of molding a transparent coating member for light-emitting diodes
US6319425B1 (en) * 1997-07-07 2001-11-20 Asahi Rubber Inc. Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source
AU747260B2 (en) 1997-07-25 2002-05-09 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
JP2001518692A (ja) * 1997-07-29 2001-10-16 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 光電素子
US7038398B1 (en) * 1997-08-26 2006-05-02 Color Kinetics, Incorporated Kinetic illumination system and methods
US7014336B1 (en) * 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US7161313B2 (en) 1997-08-26 2007-01-09 Color Kinetics Incorporated Light emitting diode based products
US20030133292A1 (en) 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US6806659B1 (en) * 1997-08-26 2004-10-19 Color Kinetics, Incorporated Multicolored LED lighting method and apparatus
US6580097B1 (en) * 1998-02-06 2003-06-17 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6294800B1 (en) 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP3541709B2 (ja) * 1998-02-17 2004-07-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
EP1089335A4 (en) * 1998-05-20 2002-02-06 Rohm Co Ltd SEMICONDUCTOR DEVICE
DE19829197C2 (de) 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
WO2000002261A1 (de) 1998-06-30 2000-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Lichtquelle zur erzeugung sichtbaren lichts
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
WO2000019546A1 (en) † 1998-09-28 2000-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6680569B2 (en) 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
EP1168539B1 (en) 1999-03-04 2009-12-16 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser device
DE19918370B4 (de) 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
JP3458823B2 (ja) * 1999-05-11 2003-10-20 日亜化学工業株式会社 面発光装置
KR100661945B1 (ko) * 1999-06-14 2006-12-28 후-쿠 후앙 광 입사에 의해 활성화되는 에너지 레벨 전이에 기초하는 전자기파 방사 장치 및 방법
DE20023590U1 (de) * 1999-07-23 2005-02-24 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
DE19934126A1 (de) * 1999-07-23 2001-01-25 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
DE19951790A1 (de) * 1999-10-27 2001-05-03 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
US7132786B1 (en) 1999-07-23 2006-11-07 Osram Gmbh Luminescent array, wavelength-converting sealing material and light source
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
AU7617800A (en) 1999-09-27 2001-04-30 Lumileds Lighting U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
DE19947044B9 (de) * 1999-09-30 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit Reflektor und Verfahren zur Herstellung desselben
JP2001111109A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
DE19952712A1 (de) * 1999-11-02 2001-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung
DE19952932C1 (de) * 1999-11-03 2001-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit breitbandiger Anregung
US20020176259A1 (en) * 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
EP2975912B1 (en) * 1999-11-18 2022-04-27 Signify North America Corporation System for generating and modulating illumination conditions
US7202506B1 (en) 1999-11-19 2007-04-10 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
JP3895086B2 (ja) * 1999-12-08 2007-03-22 ローム株式会社 チップ型半導体発光装置
JP2001177153A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Sharp Corp 発光装置
JP2001177145A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
DE19964252A1 (de) * 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
DE19963805B4 (de) * 1999-12-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Weißlichtquelle auf der Basis nichtlinear-optischer Prozesse
TWI273722B (en) * 2000-01-27 2007-02-11 Gen Electric Organic light emitting device and method for mounting
US7101626B1 (en) 2000-02-23 2006-09-05 Osram Gmbh Photo-luminescence layer in the optical spectral region and in adjacent spectral regions
DE10010638A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
US6409938B1 (en) 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US6538371B1 (en) 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
US6522065B1 (en) 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
US6603258B1 (en) * 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
DE10020465A1 (de) 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6604971B1 (en) 2000-05-02 2003-08-12 General Electric Company Fabrication of LED lamps by controlled deposition of a suspension media
EP1153792A1 (de) * 2000-05-09 2001-11-14 SIDLER GMBH & CO Leuchtenanordnung mit mehreren LED's
US6466135B1 (en) 2000-05-15 2002-10-15 General Electric Company Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
US6501100B1 (en) * 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6555958B1 (en) 2000-05-15 2003-04-29 General Electric Company Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
US6621211B1 (en) 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
GB0012377D0 (en) * 2000-05-22 2000-07-12 Isis Innovation Oxide based phosphors
DE10026435A1 (de) 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
JP4695819B2 (ja) * 2000-05-29 2011-06-08 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング Ｌｅｄをベースとする白色発光照明ユニット
DE10027206A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Alterungsstabile Epoxidharzsysteme, daraus hergestellte Formstoffe und Bauelemente und deren Verwendung
JP2002190622A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード用透光性蛍光カバー
EP1228540B1 (en) 2000-06-29 2010-09-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optoelectric element
DE10032453A1 (de) * 2000-07-04 2002-01-24 Vishay Semiconductor Gmbh Strahlung emittierendes Bauelement
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
JP2002050797A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Toshiba Corp 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
US7129638B2 (en) * 2000-08-09 2006-10-31 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting devices with a phosphor coating having evenly dispersed phosphor particles and constant thickness
US6635363B1 (en) * 2000-08-21 2003-10-21 General Electric Company Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
EP1187226B1 (en) * 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
JP3609709B2 (ja) * 2000-09-29 2005-01-12 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
US6998281B2 (en) * 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
JP2002133925A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sanken Electric Co Ltd 蛍光カバー及び半導体発光装置
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
AT4889U1 (de) * 2000-11-07 2001-12-27 Binder Co Ag Diodenlichtquelle für eine zeilenkamera
US6518600B1 (en) 2000-11-17 2003-02-11 General Electric Company Dual encapsulation for an LED
JP3614776B2 (ja) 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP4545956B2 (ja) * 2001-01-12 2010-09-15 ローム株式会社 半導体装置、およびその製造方法
DE10101554A1 (de) * 2001-01-15 2002-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2002232013A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
DE10109349B4 (de) * 2001-02-27 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
JP2002261333A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002270365A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Ｅｌ素子
DE10112542B9 (de) * 2001-03-15 2013-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optisches Bauelement
JP2002299698A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
US6685852B2 (en) 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
JP2002344029A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの色調調整方法
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
US6989412B2 (en) 2001-06-06 2006-01-24 Henkel Corporation Epoxy molding compounds containing phosphor and process for preparing such compositions
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2003037295A (ja) * 2001-07-05 2003-02-07 Taiwan Lite On Electronics Inc 発光ダイオードと発光ダイオードの製造方法
DE10133352A1 (de) 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2003027057A (ja) * 2001-07-17 2003-01-29 Hitachi Ltd 光源およびそれを用いた画像表示装置
DE10137641A1 (de) * 2001-08-03 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hybrid-LED
TW511303B (en) * 2001-08-21 2002-11-21 Wen-Jr He A light mixing layer and method
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
US7728345B2 (en) * 2001-08-24 2010-06-01 Cao Group, Inc. Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame
DE10142009B4 (de) * 2001-08-28 2010-04-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED - Lichtquelle mit einem Konversionsmittel und mit einer UV-absorbierenden Schicht
KR20080087049A (ko) 2001-09-03 2008-09-29 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 형광체 층, 반도체발광장치, 반도체발광소자의 제조방법
US7331681B2 (en) * 2001-09-07 2008-02-19 Litepanels Llc Lighting apparatus with adjustable lenses or filters
US7604361B2 (en) 2001-09-07 2009-10-20 Litepanels Llc Versatile lighting apparatus and associated kit
US6749310B2 (en) * 2001-09-07 2004-06-15 Contrast Lighting Services, Inc. Wide area lighting effects system
DE10146719A1 (de) 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE20115914U1 (de) 2001-09-27 2003-02-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH, 81543 München Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP3948650B2 (ja) 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
WO2003034508A1 (en) * 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
JP4043752B2 (ja) * 2001-10-19 2008-02-06 星和電機株式会社 発光ダイオードランプとこれを用いた照明器具
JP2003133595A (ja) * 2001-10-24 2003-05-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオードランプ、これに用いられる赤色蛍光体及びこれに用いられるフィルタ
US7858403B2 (en) 2001-10-31 2010-12-28 Cree, Inc. Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices
DE10153259A1 (de) 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2003147351A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
DE10241989A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP3972670B2 (ja) * 2002-02-06 2007-09-05 豊田合成株式会社 発光装置
US7374322B2 (en) * 2002-02-06 2008-05-20 Steen Ronald L Center high mounted stop lamp including leds and tir lens
US6881983B2 (en) * 2002-02-25 2005-04-19 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
EP1433831B1 (en) 2002-03-22 2018-06-06 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
DE10213294B4 (de) * 2002-03-25 2015-05-13 Osram Gmbh Verwendung eines UV-beständigen Polymers in der Optoelektronik sowie im Außenanwendungsbereich, UV-beständiges Polymer sowie optisches Bauelement
TW558065U (en) * 2002-03-28 2003-10-11 Solidlite Corp Purplish pink light emitting diode
DE10214119A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
US8294172B2 (en) * 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
DE20206047U1 (de) 2002-04-18 2002-09-05 Zweibrüder Stahlwarenkontor GmbH, 42697 Solingen Licht emittierende Diode und Lampe
US6911079B2 (en) * 2002-04-19 2005-06-28 Kopin Corporation Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors
DE50309259D1 (de) * 2002-05-06 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement
TWI226357B (en) 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
DE10221857A1 (de) * 2002-05-16 2003-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäusekörper, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20040012027A1 (en) * 2002-06-13 2004-01-22 Cree Lighting Company Saturated phosphor solid state emitter
WO2003107444A2 (en) 2002-06-17 2003-12-24 Kopin Corporation Light-emitting diode device geometry
US6734091B2 (en) 2002-06-28 2004-05-11 Kopin Corporation Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors
US7002180B2 (en) * 2002-06-28 2006-02-21 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
KR100567546B1 (ko) * 2002-06-24 2006-04-05 서울반도체 주식회사 핑크색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
DE10228634A1 (de) * 2002-06-26 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
US6955985B2 (en) 2002-06-28 2005-10-18 Kopin Corporation Domain epitaxy for thin film growth
US6809471B2 (en) * 2002-06-28 2004-10-26 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and Group-IIIB metals and light sources incorporating the same
KR101030068B1 (ko) 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
US7928455B2 (en) * 2002-07-15 2011-04-19 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device and method for forming the same
WO2004010472A2 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Microsemi Corporation Process for fabricating, and light emitting device resulting from, a homogenously mixed powder/pelletized compound
EP2290715B1 (en) 2002-08-01 2019-01-23 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same
KR20040017926A (ko) * 2002-08-22 2004-03-02 웬-치 호 광-혼합 층 및 광-혼합 방법
US10340424B2 (en) * 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
JP2004128273A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Sharp Corp 発光素子
JP2004132772A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Casio Comput Co Ltd 照明装置およびそれを用いた電子機器
US7554258B2 (en) 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
WO2004040661A2 (de) * 2002-10-30 2004-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen einer leuchtdioden-lichtquelle mit lumineszenz-konversionselement
CN100508221C (zh) * 2002-10-30 2009-07-01 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于混合色的发光二极管光源的生产方法
DE10250911B4 (de) * 2002-10-31 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Umhüllung und/oder zumindest eines Teiles eines Gehäuses eines optoelektronischen Bauelements
JP2004158635A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型チップｌｅｄ及びその製造方法
US7982008B2 (en) * 2002-11-27 2011-07-19 David Bar-Or Treatment of diseases and conditions mediated by increased phosphorylation
DE10258193B4 (de) 2002-12-12 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Lichtquellen mit Lumineszenz-Konversionselement
US7042150B2 (en) * 2002-12-20 2006-05-09 Showa Denko K.K. Light-emitting device, method of fabricating the device, and LED lamp using the device
WO2004059750A1 (ja) 2002-12-25 2004-07-15 Japan Science And Technology Agency 発光素子装置、受光素子装置、光学装置、フッ化物結晶、フッ化物結晶の製造方法、およびルツボ
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
DE10261672B4 (de) * 2002-12-31 2005-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Chip mit Konversionsstoff, optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen LED-Chip und Verfahren zum Herstellen eines derartigen LED-Chips
JP3910144B2 (ja) * 2003-01-06 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US7550777B2 (en) 2003-01-10 2009-06-23 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Light emitting device including adhesion layer
US20040137656A1 (en) * 2003-01-15 2004-07-15 Gurbir Singh Low thermal resistance light emitting diode package and a method of making the same
TWI351566B (en) * 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device
US20040142098A1 (en) * 2003-01-21 2004-07-22 Eastman Kodak Company Using compacted organic materials in making white light emitting oleds
JP3717480B2 (ja) * 2003-01-27 2005-11-16 ローム株式会社 半導体発光装置
US6982523B2 (en) * 2003-01-28 2006-01-03 Kabushiki Kaisha Fine Rubber Kenkyuusho Red light emitting phosphor, its production and light emitting device
TWI237546B (en) 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
US20040151829A1 (en) * 2003-01-31 2004-08-05 Eastman Kodak Company Optimizing OLED emission
US7074346B2 (en) * 2003-02-06 2006-07-11 Ube Industries, Ltd. Sialon-based oxynitride phosphor, process for its production, and use thereof
US7042020B2 (en) 2003-02-14 2006-05-09 Cree, Inc. Light emitting device incorporating a luminescent material
US7423296B2 (en) 2003-02-26 2008-09-09 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Apparatus for producing a spectrally-shifted light output from a light emitting device utilizing thin-film luminescent layers
EP2262006A3 (en) * 2003-02-26 2012-03-21 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
CN1791682B (zh) 2003-02-26 2013-05-22 凯利达基因组股份有限公司 通过杂交进行的随机阵列dna分析
JP2004260111A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Sharp Corp 半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた半導体発光装置
JP4131178B2 (ja) * 2003-02-28 2008-08-13 豊田合成株式会社 発光装置
DE10308866A1 (de) 2003-02-28 2004-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10308890A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-09 Opto Tech Corporation Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode und Verfahren zu dessen Herstellung
US6806658B2 (en) * 2003-03-07 2004-10-19 Agilent Technologies, Inc. Method for making an LED
US6885033B2 (en) * 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
WO2004082032A2 (de) * 2003-03-13 2004-09-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversions-leuchtdiode mit nachleuchteffekt und deren verwendung
DE10314524A1 (de) 2003-03-31 2004-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Scheinwerfer und Scheinwerferelement
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
DE10315133A1 (de) * 2003-04-03 2004-10-14 Hella Kg Hueck & Co. Beleuchtungseinheit für Kraftfahrzeuge
DE10316769A1 (de) * 2003-04-10 2004-10-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoffbassierte LED und zugehöriger Leuchtstoff
US7368179B2 (en) * 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7125501B2 (en) * 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
EP2264798B1 (en) * 2003-04-30 2020-10-14 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7528421B2 (en) 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7633093B2 (en) 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7157745B2 (en) 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
DE10323857A1 (de) 2003-05-26 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein Laserdiodenbauelement, Laserdiodenbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserdiodenbauelements
US7122841B2 (en) 2003-06-04 2006-10-17 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices
US6803607B1 (en) * 2003-06-13 2004-10-12 Cotco Holdings Limited Surface mountable light emitting device
JP4138586B2 (ja) * 2003-06-13 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 光源用ｌｅｄランプおよびこれを用いた車両用前照灯
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7075225B2 (en) 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US8999736B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
DE10361661A1 (de) * 2003-07-14 2005-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement mit einem Lumineszenz-Konversionselement
US7391153B2 (en) 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
DE10335077A1 (de) * 2003-07-31 2005-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul
US6987353B2 (en) * 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7109648B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-19 Phosphortech Inc. Light emitting device having thio-selenide fluorescent phosphor
US7112921B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-26 Phosphortech Inc. Light emitting device having selenium-based fluorescent phosphor
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
JP2005064233A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 波長変換型ｌｅｄ
TWI233697B (en) * 2003-08-28 2005-06-01 Genesis Photonics Inc AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device
EP1659335A4 (en) * 2003-08-28 2010-05-05 Mitsubishi Chem Corp LIGHT DISPENSER AND PHOSPHORUS
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
JP2005091675A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Pentax Corp 発光装置
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
JP4140042B2 (ja) * 2003-09-17 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 蛍光体を用いたｌｅｄ光源装置及びｌｅｄ光源装置を用いた車両前照灯
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP4378242B2 (ja) * 2003-09-25 2009-12-02 株式会社小糸製作所 車両用灯具
JP4402425B2 (ja) * 2003-10-24 2010-01-20 スタンレー電気株式会社 車両前照灯
EP1702971A4 (en) 2003-10-30 2008-09-10 Japan Science & Tech Agency ELECTROLUMINESCENT MATERIAL AND ELECTROLUMINESCENT ELEMENT COMPRISING SUCH A MATERIAL
US7276782B2 (en) * 2003-10-31 2007-10-02 Harvatek Corporation Package structure for semiconductor
DE10351397A1 (de) * 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
DE10351349A1 (de) 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Hestellen eines Lumineszenzdiodenchips
KR100537560B1 (ko) * 2003-11-25 2005-12-19 주식회사 메디아나전자 2단계 큐어 공정을 포함하는 백색 발광 다이오드 소자의제조방법
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP2005167092A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Nitto Denko Corp 光半導体装置の製造方法
WO2005056269A2 (de) * 2003-12-09 2005-06-23 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Verfahren zur herstellung lichtemittierender halbleiterdioden auf einer platine und leuchteinheiten mit integrierter platine
US20050127833A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-16 Tieszen Dwayne A. White light LED and method to adjust the color output of same
US7102152B2 (en) * 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US7667766B2 (en) * 2003-12-18 2010-02-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjustable spectrum flash lighting for image acquisition
US7318651B2 (en) * 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
KR100610249B1 (ko) * 2003-12-23 2006-08-09 럭스피아 주식회사 황색 발광 형광체 및 그것을 채용한 백색 반도체 발광장치
JP2005191420A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
TW200522387A (en) * 2003-12-26 2005-07-01 Ind Tech Res Inst High-power LED planarization encapsulation structure
US20050146270A1 (en) * 2003-12-29 2005-07-07 Ying-Ming Ho Stacked light emitting diode
TWI275189B (en) 2003-12-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP2005209795A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール及び灯具
EP1709694B1 (de) 2004-01-26 2017-03-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Dünnfilm-led mit einer stromaufweitungsstruktur
DE102004004779B4 (de) * 2004-01-30 2015-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul mit optischer Einrichtung zur Strahlformung
DE102004004778B4 (de) * 2004-01-30 2010-02-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul und strahlungsformende optische Einrichtung für ein Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul
US20050179042A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation Monolithic integration and enhanced light extraction in gallium nitride-based light-emitting devices
US20050179046A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices
KR101228428B1 (ko) 2004-02-20 2013-01-31 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 소자, 다수의 광전 소자를 구비한 장치 및 광전 소자를 제조하기 위한 방법
JP4572312B2 (ja) * 2004-02-23 2010-11-04 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
JP2005243973A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2005286312A (ja) * 2004-03-02 2005-10-13 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
TWI229465B (en) 2004-03-02 2005-03-11 Genesis Photonics Inc Single chip white light component
JPWO2005086239A1 (ja) * 2004-03-05 2008-01-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 白色発光ダイオード（ｌｅｄ）及び白色ｌｅｄの製造方法
US7239080B2 (en) * 2004-03-11 2007-07-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd LED display with overlay
US20050199784A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Rizal Jaffar Light to PWM converter
DE102004013680A1 (de) 2004-03-18 2005-10-20 Siemens Ag Lichtquelle für Bilderzeugungseinheit
JP4504056B2 (ja) * 2004-03-22 2010-07-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
US20050211991A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Kyocera Corporation Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
JP2005285925A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ
US7586127B2 (en) * 2004-03-29 2009-09-08 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting diode
US7327078B2 (en) * 2004-03-30 2008-02-05 Lumination Llc LED illumination device with layered phosphor pattern
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
JP4229447B2 (ja) * 2004-03-31 2009-02-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び製造方法
US7868343B2 (en) * 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
KR100605212B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100605211B1 (ko) 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
JP4471356B2 (ja) * 2004-04-23 2010-06-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2005317661A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
EP1753035A4 (en) * 2004-04-28 2011-12-21 Panasonic Corp LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
DE102004021233A1 (de) 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
BRPI0510707B1 (pt) * 2004-05-05 2018-09-25 Rensselaer Polytech Inst aparelho emissor de luz
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
JP4632690B2 (ja) * 2004-05-11 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置とその製造方法
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US20050264194A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-01 Ng Kee Y Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom
US8975646B2 (en) 2004-05-31 2015-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and housing base for such a component
DE102004040468B4 (de) 2004-05-31 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
CN100403558C (zh) * 2004-06-11 2008-07-16 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 白偏蓝贴片式发光二极管及其制造方法
JP4583076B2 (ja) * 2004-06-11 2010-11-17 スタンレー電気株式会社 発光素子
CN100401536C (zh) * 2004-06-18 2008-07-09 江苏稳润光电有限公司 白光发光二极管的制造方法
JP4632697B2 (ja) * 2004-06-18 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP4762892B2 (ja) * 2004-06-18 2011-08-31 独立行政法人物質・材料研究機構 α型サイアロン及びその製造方法
JP2004274087A (ja) * 2004-06-21 2004-09-30 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR20060000313A (ko) * 2004-06-28 2006-01-06 루미마이크로 주식회사 대입경 형광 분말을 포함하는 색변환 발광 장치 그의 제조방법 및 그에 사용되는 수지 조성물
DE102004031391B4 (de) * 2004-06-29 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil mit Gehäuse zum ESD-Schutz
DE102004045947A1 (de) * 2004-06-30 2006-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
JP2008504698A (ja) 2004-06-30 2008-02-14 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 発光ダイオード装置、光学式記録装置および少なくとも１つの発光ダイオードをパルス状に作動させる方法
DE102004044179B4 (de) * 2004-06-30 2010-04-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Montage von Halbleiterchips
DE102004031689A1 (de) * 2004-06-30 2006-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
KR20060000977A (ko) * 2004-06-30 2006-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 백라이트 유닛
DE102004052245A1 (de) * 2004-06-30 2006-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem derartigen Halbleiterchip
WO2006004187A1 (ja) * 2004-07-05 2006-01-12 Kri, Inc. 有機無機複合体
JP2008506011A (ja) * 2004-07-06 2008-02-28 サーノフ コーポレーション 効率的な緑色発光蛍光体、及び赤色発光蛍光体との組合せ
US20060006366A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Vladimir Abramov Wave length shifting compositions for white emitting diode systems
US20060006793A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Baroky Tajul A Deep ultraviolet used to produce white light
WO2006006582A1 (ja) 2004-07-13 2006-01-19 Fujikura Ltd. 蛍光体及びその蛍光体を用いた電球色光を発する電球色光発光ダイオードランプ
DE102004042561A1 (de) 2004-07-20 2006-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element
DE102004036157B4 (de) 2004-07-26 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Leuchtmodul
JP4599111B2 (ja) * 2004-07-30 2010-12-15 スタンレー電気株式会社 灯具光源用ｌｅｄランプ
WO2006012838A2 (de) 2004-07-30 2006-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung von halbleiterchips in dünnfilmtechnik und halbleiterchip in dünnfilmtechnik
US8728937B2 (en) 2004-07-30 2014-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor chips using thin film technology
JP4858867B2 (ja) * 2004-08-09 2012-01-18 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
US7750352B2 (en) * 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
JP4547569B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型ｌｅｄ
WO2006025403A1 (ja) * 2004-08-31 2006-03-09 Fujifilm Corporation 分散型エレクトロルミネッセンス素子
KR101217659B1 (ko) * 2004-09-03 2013-01-02 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 Ｅｌ소자
WO2006031753A2 (en) * 2004-09-10 2006-03-23 Color Kinetics Incorporated Lighting zone control methods and apparatus
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
CN101044222B (zh) 2004-09-22 2012-06-06 独立行政法人物质·材料研究机构 荧光体及其制造方法和发光器具
DE102004045950A1 (de) 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP5086641B2 (ja) 2004-09-22 2012-11-28 株式会社東芝 発光装置とそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
JP4922555B2 (ja) * 2004-09-24 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ装置
DE102004047061B4 (de) 2004-09-28 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP4756841B2 (ja) * 2004-09-29 2011-08-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
DE102004047324A1 (de) 2004-09-29 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
DE102004047727B4 (de) 2004-09-30 2018-01-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht
DE102004050371A1 (de) 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
DE102004060358A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
DE102004047640A1 (de) 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement
DE102005046420B4 (de) * 2004-10-04 2019-07-11 Stanley Electric Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US8816369B2 (en) * 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
DE102004056252A1 (de) 2004-10-29 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung, Kfz-Scheinwerfer und Verfahren zur Herstellung einer Beleuchtungseinrichtung
JP4627177B2 (ja) * 2004-11-10 2011-02-09 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄの製造方法
JP2006140281A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーｌｅｄ及びその製造方法
EP1815532B1 (en) 2004-11-18 2008-06-18 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Light emitting device with conversion structure
EP1825535B1 (en) * 2004-12-06 2009-11-11 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Organic electroluminescent light source
KR20070089845A (ko) * 2004-12-06 2007-09-03 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유기 전계발광 광원
US7357512B2 (en) * 2004-12-15 2008-04-15 Symbol Technologies, Inc. Color image projection system and method
DE102004060890A1 (de) 2004-12-17 2006-06-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Kfz-Scheinwerferelement
DE102004062989A1 (de) 2004-12-22 2006-07-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungseinrichtung mit mindestens einer Leuchtdiode und Fahrzeugscheinwerfer
SG161205A1 (en) * 2004-12-22 2010-05-27 Seoul Semiconductor Co Ltd Light emitting device
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US20060138941A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electrolumenscent organic light emitting device and production method thereof
JP2006190888A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US8125137B2 (en) * 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8110547B2 (en) * 2005-01-12 2012-02-07 Emisphere Technologies, Inc. Compositions for buccal delivery of parathyroid hormone
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
TWI352437B (en) * 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
DE102006002275A1 (de) 2005-01-19 2006-07-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung
DE102005012953B9 (de) * 2005-01-26 2013-04-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US7521856B2 (en) * 2005-01-26 2009-04-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh OLED device
JP4756261B2 (ja) 2005-01-27 2011-08-24 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
KR20060088228A (ko) * 2005-02-01 2006-08-04 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 나노미터 형광 물질을 이용하여 다수 파장의 빛을 방출할수 있는 발광 장치, 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
DE102005004931B4 (de) * 2005-02-03 2008-02-21 Albis Plastic Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
US7522211B2 (en) * 2005-02-10 2009-04-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Studio light
JP2006222288A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Corp 白色ｌｅｄ及びその製造方法
JP4733402B2 (ja) * 2005-02-14 2011-07-27 株式会社Ｋｒｉ 調光光学要素
DE102005041065A1 (de) 2005-02-16 2006-08-24 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungseinrichtung
US7405433B2 (en) 2005-02-22 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Semiconductor light emitting device
JP4538739B2 (ja) * 2005-05-19 2010-09-08 電気化学工業株式会社 α型サイアロン蛍光体とそれを用いた照明器具
DE102005009066A1 (de) 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
KR101115855B1 (ko) 2005-02-28 2012-03-08 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 형광체와 그 제조 방법, 및 그것을 사용한 발광 소자
DE102005019375A1 (de) 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Array
WO2006093015A1 (ja) * 2005-02-28 2006-09-08 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法並びにその応用
US8748923B2 (en) * 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US20060222024A1 (en) * 2005-03-15 2006-10-05 Gray Allen L Mode-locked semiconductor lasers with quantum-confined active region
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP4788944B2 (ja) * 2005-03-18 2011-10-05 株式会社フジクラ 粉末状蛍光体とその製造方法、発光デバイス及び照明装置
JP2006261540A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
TWI249867B (en) 2005-03-24 2006-02-21 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting diode package, cold cathode fluorescence lamp and photoluminescence material thereof
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
JP4751972B2 (ja) * 2005-03-29 2011-08-17 独立行政法人科学技術振興機構 電界発光素子の駆動方法
US20060221022A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Roger Hajjar Laser vector scanner systems with display screens having optical fluorescent materials
US7733310B2 (en) * 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
US7474286B2 (en) * 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
US7791561B2 (en) * 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
JP2006314082A (ja) * 2005-04-04 2006-11-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光ユニット、該発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置
US20060226772A1 (en) * 2005-04-06 2006-10-12 Tan Kheng L Increased light output light emitting device using multiple phosphors
US20060227825A1 (en) * 2005-04-07 2006-10-12 Nl-Nanosemiconductor Gmbh Mode-locked quantum dot laser with controllable gain properties by multiple stacking
US20060231847A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. Multiple-wavelength light emitting diode and its light emitting chip structure
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US8000005B2 (en) 2006-03-31 2011-08-16 Prysm, Inc. Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems
US8089425B2 (en) * 2006-03-03 2012-01-03 Prysm, Inc. Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens
TW200638558A (en) * 2005-04-29 2006-11-01 Teknowledge Dev Corp White light emitting diode device
CN101175835B (zh) 2005-05-24 2012-10-10 三菱化学株式会社 荧光体及其应用
CN100399591C (zh) * 2005-05-24 2008-07-02 陈建伟 自适应360度体发光白光发光二极管
DE102005025416A1 (de) 2005-06-02 2006-12-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
EP2075288B1 (en) 2005-06-14 2014-09-03 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Resin composition and sheet containing phosphor, and light emitting element using such composition and sheet
WO2007002234A1 (en) * 2005-06-23 2007-01-04 Rensselaer Polytechnic Institute Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials
DE102005030324B4 (de) * 2005-06-29 2013-04-04 Lextar Electronics Corp. Lichtemittierende Dioden-Baugruppenanordnung, Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe und photolumineszentes Material davon
DE102005031523B4 (de) * 2005-06-30 2015-11-05 Schott Ag Halbleiterlichtquelle mit Lichtkonversionsmedium aus Glaskeramik
US8883039B2 (en) 2005-07-01 2014-11-11 National Institute For Materials Science Fluorophor and method for production thereof and illuminator
DE102005030761A1 (de) * 2005-07-01 2007-01-04 Carl Zeiss Jena Gmbh Beleuchtungseinrichtung für Mikroskope
US7825580B2 (en) 2005-07-01 2010-11-02 National Institute For Materials Science Fluorophor and method for production thereof and illuminator
KR100665216B1 (ko) 2005-07-04 2007-01-09 삼성전기주식회사 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
DE102005034166A1 (de) 2005-07-21 2007-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
DE102005034793B3 (de) * 2005-07-21 2007-04-19 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Lichtemittierende Halbleiterdiode hoher Lichtleistung
DE102005035722B9 (de) 2005-07-29 2021-11-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
KR20080049011A (ko) * 2005-08-05 2008-06-03 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 반도체 발광장치
US8277687B2 (en) 2005-08-10 2012-10-02 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and light-emitting device using same
US7329907B2 (en) 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
KR100691273B1 (ko) * 2005-08-23 2007-03-12 삼성전기주식회사 복합 형광체 분말, 이를 이용한 발광 장치 및 복합 형광체분말의 제조 방법
DE102005040558A1 (de) * 2005-08-26 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005046450A1 (de) 2005-09-28 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil
JP2007096079A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
DE102006032416A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
DE102006032428A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
DE102005049685A1 (de) 2005-10-14 2007-04-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Multifunktions-Kfz-Scheinwerfermodul insbesondere für den Frontbereich eines Fahrzeugs
US7952108B2 (en) * 2005-10-18 2011-05-31 Finisar Corporation Reducing thermal expansion effects in semiconductor packages
KR100665262B1 (ko) * 2005-10-20 2007-01-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
EP1783482A1 (de) * 2005-11-04 2007-05-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Strahlen und ein Strahlmaterial
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR100691440B1 (ko) * 2005-11-15 2007-03-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US20070114561A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Comanzo Holly A High efficiency phosphor for use in LEDs
US7564070B2 (en) * 2005-11-23 2009-07-21 Visteon Global Technologies, Inc. Light emitting diode device having a shield and/or filter
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
JP2009518833A (ja) 2005-12-07 2009-05-07 インノルメ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 広帯域スペクトル発光を有するレーザ光源
US7561607B2 (en) * 2005-12-07 2009-07-14 Innolume Gmbh Laser source with broadband spectrum emission
US7835408B2 (en) * 2005-12-07 2010-11-16 Innolume Gmbh Optical transmission system
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
JP2007165811A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
DE102006033893B4 (de) 2005-12-16 2017-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung
JP5614766B2 (ja) 2005-12-21 2014-10-29 クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． 照明装置
EP2372224A3 (en) * 2005-12-21 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting Device and Lighting Method
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US7772604B2 (en) 2006-01-05 2010-08-10 Illumitex Separate optical device for directing light from an LED
KR100723247B1 (ko) * 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2007188976A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置の製造方法
US8264138B2 (en) * 2006-01-20 2012-09-11 Cree, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
CN1807548B (zh) * 2006-01-27 2010-09-08 罗维鸿 多棱面大粒度分散萤光粉及使用它的白光二极管
TWI317756B (en) * 2006-02-07 2009-12-01 Coretronic Corp Phosphor, fluorescent gel, and light emitting diode device
US7884816B2 (en) * 2006-02-15 2011-02-08 Prysm, Inc. Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems
US8451195B2 (en) 2006-02-15 2013-05-28 Prysm, Inc. Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens
JP4820184B2 (ja) * 2006-02-20 2011-11-24 シチズン電子株式会社 発光装置とその製造方法
US7737634B2 (en) 2006-03-06 2010-06-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED devices having improved containment for liquid encapsulant
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) * 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
DE102006011453A1 (de) * 2006-03-13 2007-09-20 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Hochbeständiges Kunststoffbauteil, das zur Lumineszent geeignet ist
KR100746749B1 (ko) 2006-03-15 2007-08-09 (주)케이디티 광 여기 시트
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP5025636B2 (ja) * 2006-03-28 2012-09-12 京セラ株式会社 発光装置
DE112007000773B4 (de) * 2006-03-29 2013-04-25 Kyocera Corp. Licht emittierende Vorrichtung
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR101274044B1 (ko) * 2006-03-31 2013-06-12 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
EP2052589A4 (en) * 2006-04-18 2012-09-19 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD
US8513875B2 (en) * 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7821194B2 (en) * 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
BRPI0710461A2 (pt) 2006-04-20 2011-08-16 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação e método de iluminação
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
CA2645353A1 (en) 2006-05-02 2007-11-15 Superbulbs, Inc. Plastic led bulb
AU2007248756A1 (en) 2006-05-02 2007-11-15 Carol Lenk Method of light dispersion and preferential scattering of certain wavelengths of light for light-emitting diodes and bulbs constructed therefrom
US7722220B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
KR101026307B1 (ko) 2006-05-05 2011-03-31 프리즘, 인코포레이티드 디스플레이 시스템 및 장치용 형광체 조성물 및 다른 형광 물질
TWI357435B (en) * 2006-05-12 2012-02-01 Lextar Electronics Corp Light emitting diode and wavelength converting mat
EP2027602A4 (en) * 2006-05-23 2012-11-28 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING
WO2007139781A2 (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US8596819B2 (en) * 2006-05-31 2013-12-03 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
JP2007324475A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Sharp Corp 波長変換部材および発光装置
US7541596B2 (en) * 2006-07-05 2009-06-02 Omnivision Technologies, Inc. Method and apparatus for increasing light absorption in an image sensor using energy conversion layer
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US7943952B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US8425271B2 (en) 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7910938B2 (en) 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
US20080068295A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Hajjar Roger A Compensation for Spatial Variation in Displayed Image in Scanning Beam Display Systems Using Light-Emitting Screens
DE102007020782A1 (de) 2006-09-27 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
WO2008038924A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. Ultraviolet light emitting diode package
KR100757803B1 (ko) 2006-09-29 2007-09-11 서울옵토디바이스주식회사 자외선 발광다이오드 어셈블리
DE102006046678A1 (de) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für ein optoelektronisches Bauelement
DE102006051746A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
KR20090084830A (ko) 2006-09-29 2009-08-05 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광 도파로 및 광학 장치
DE102006046199A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
EP2070123A2 (en) 2006-10-02 2009-06-17 Illumitex, Inc. Led system and method
KR101497104B1 (ko) * 2006-10-03 2015-02-27 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 실리케이트 할라이드 형광체 및 이를 이용한 ｌｅｄ 조명 디바이스
US9018619B2 (en) 2006-10-09 2015-04-28 Cree, Inc. Quantum wells for light conversion
US8475683B2 (en) 2006-10-20 2013-07-02 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US8133461B2 (en) * 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US8529791B2 (en) 2006-10-20 2013-09-10 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
EP1914809A1 (en) 2006-10-20 2008-04-23 Tridonic Optoelectronics GmbH Cover for optoelectronic components
US7659549B2 (en) * 2006-10-23 2010-02-09 Chang Gung University Method for obtaining a better color rendering with a photoluminescence plate
DE102006051756A1 (de) 2006-11-02 2008-05-08 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Lichtquelle
US8029155B2 (en) * 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
EP1925874B8 (en) 2006-11-24 2014-09-10 OSRAM GmbH LED color-mixing lighting system
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
US7918581B2 (en) 2006-12-07 2011-04-05 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
JP4910192B2 (ja) * 2006-12-12 2012-04-04 独立行政法人科学技術振興機構 酸化物電界発光素子
US8013506B2 (en) * 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
US9178121B2 (en) 2006-12-15 2015-11-03 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for light emitting diodes
US20090110933A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Systems and devices related to nitric oxide releasing materials
US8221690B2 (en) * 2007-10-30 2012-07-17 The Invention Science Fund I, Llc Systems and devices that utilize photolyzable nitric oxide donors
US20110190604A1 (en) * 2006-12-22 2011-08-04 Hyde Roderick A Nitric oxide sensors and systems
US20090112197A1 (en) 2007-10-30 2009-04-30 Searete Llc Devices configured to facilitate release of nitric oxide
US8642093B2 (en) * 2007-10-30 2014-02-04 The Invention Science Fund I, Llc Methods and systems for use of photolyzable nitric oxide donors
US7862598B2 (en) * 2007-10-30 2011-01-04 The Invention Science Fund I, Llc Devices and systems that deliver nitric oxide
JP5168152B2 (ja) * 2006-12-28 2013-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5380774B2 (ja) 2006-12-28 2014-01-08 日亜化学工業株式会社 表面実装型側面発光装置及びその製造方法
KR100946015B1 (ko) * 2007-01-02 2010-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 ｌｃｄ 백라이트용 광원모듈
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
DE102007003785A1 (de) 2007-01-19 2008-07-24 Merck Patent Gmbh Emitter-converter-chip
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US20090085053A1 (en) * 2007-01-25 2009-04-02 Hsing Chen Light emitting diode package with large viewing angle
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package
DE102007010244A1 (de) * 2007-02-02 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von Mischlicht
JP4335263B2 (ja) * 2007-02-07 2009-09-30 ソニー株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8212262B2 (en) 2007-02-09 2012-07-03 Cree, Inc. Transparent LED chip
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
EP2111651A4 (en) * 2007-02-13 2011-08-17 3M Innovative Properties Co LED DEVICES HAVING ASSOCIATED LENSES AND METHODS OF MANUFACTURE
KR100900620B1 (ko) * 2007-02-20 2009-06-02 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
US8506114B2 (en) * 2007-02-22 2013-08-13 Cree, Inc. Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light
JP5013905B2 (ja) 2007-02-28 2012-08-29 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
RU2468838C2 (ru) * 2007-03-09 2012-12-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Осветительная система для энергетической стимуляции
KR100818518B1 (ko) * 2007-03-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
CN101682709B (zh) * 2007-03-20 2013-11-06 Prysm公司 将广告或其它应用数据传送到显示系统并进行显示
DE102007016228A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
DE102007016229A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
US7697183B2 (en) * 2007-04-06 2010-04-13 Prysm, Inc. Post-objective scanning beam systems
US8169454B1 (en) 2007-04-06 2012-05-01 Prysm, Inc. Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems
US20080258130A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
DE102007019775A1 (de) 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102007019776A1 (de) 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
EP1987762A1 (de) * 2007-05-03 2008-11-05 F.Hoffmann-La Roche Ag Oximeter
WO2008137977A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
KR101485206B1 (ko) * 2007-05-08 2015-01-27 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
BRPI0811561A2 (pt) 2007-05-08 2015-06-16 Cree Led Lighting Solutions Dispositivo de iluminação e método de iluminação
KR20100017668A (ko) 2007-05-08 2010-02-16 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치 및 조명 방법
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
CN101688644B (zh) 2007-05-08 2011-06-15 科锐Led照明科技公司 照明装置及照明方法
CN101688979B (zh) 2007-05-17 2011-02-09 Prysm公司 用于扫描光束显示系统的具有发光带的多层屏幕
KR101109988B1 (ko) 2007-05-22 2012-03-14 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 형광체 및 그의 제조방법, 및 그것을 사용한 발광장치
DE102007025092A1 (de) 2007-05-30 2008-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
US20100163920A1 (en) * 2007-06-14 2010-07-01 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US7942556B2 (en) * 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
DE102007028120A1 (de) 2007-06-19 2008-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Chlorosilikat-Leuchtstoffs und damit hergestellter Leuchtstoff
KR101672553B1 (ko) 2007-06-25 2016-11-03 큐디 비젼, 인크. 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법
US7878657B2 (en) * 2007-06-27 2011-02-01 Prysm, Inc. Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US8556430B2 (en) 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
TWI365546B (en) * 2007-06-29 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode device and fabrication method thereof
US20090001372A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Lumination Llc Efficient cooling of lasers, LEDs and photonics devices
DE102007030129A1 (de) 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US9401461B2 (en) 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US20090016066A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Chen Pi Hsiang Package Structure for a High-Luminance Light Source
TWI404228B (zh) 2007-07-12 2013-08-01 Epistar Corp 半導體發光裝置與其製造方法
TWI347687B (en) * 2007-07-13 2011-08-21 Lite On Technology Corp Light-emitting device with open-loop control
TWI429731B (zh) * 2007-07-16 2014-03-11 Lumination Llc 由４價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
US8791631B2 (en) * 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
JPWO2009011205A1 (ja) 2007-07-19 2010-09-16 シャープ株式会社 発光装置
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
TWI384052B (zh) * 2007-07-25 2013-02-01 Univ Nat Chiao Tung 新穎螢光體與其製造方法
DE102007036226A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Anbringungsstruktur für LEDs, LED-Baugruppe, LED-Baugruppensockel, Verfahren zum Ausbilden einer Anbringungsstruktur
TWI342628B (en) * 2007-08-02 2011-05-21 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module
US20090039375A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
CN101784636B (zh) 2007-08-22 2013-06-12 首尔半导体株式会社 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
JP5578597B2 (ja) 2007-09-03 2014-08-27 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
US20090065792A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
DE102007058723A1 (de) 2007-09-10 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierende Struktur
US20090068496A1 (en) * 2007-09-10 2009-03-12 Liann-Be Chang Led structure
US20150147240A1 (en) * 2007-09-10 2015-05-28 Liann-Be Chang Led Lamp Having Photocatalyst Agents
DE102007043183A1 (de) * 2007-09-11 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007049005A1 (de) 2007-09-11 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE202007019100U1 (de) 2007-09-12 2010-09-02 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED-Leuchte für die energieeffiziente Wiedergabe von weißem Licht
DE102007043903A1 (de) 2007-09-14 2009-03-26 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leucht-Vorrichtung
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
DE102007050876A1 (de) 2007-09-26 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102007057710B4 (de) * 2007-09-28 2024-03-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Bauelement mit Konversionselement
DE102008012316B4 (de) 2007-09-28 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle und einem Lumineszenzkonversionselement
DE102007046519A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102007046611A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle mit Konversionselement und Lichtwellenleiter, Verfahren zur Herstellung der Lichtquelle und deren Verwendung
TWI481068B (zh) * 2007-10-10 2015-04-11 克里公司 照明裝置及其製造方法
US9086213B2 (en) 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
US7984999B2 (en) 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
US8415695B2 (en) * 2007-10-24 2013-04-09 Switch Bulb Company, Inc. Diffuser for LED light sources
US8349262B2 (en) * 2007-10-30 2013-01-08 The Invention Science Fund I, Llc Nitric oxide permeable housings
US10080823B2 (en) 2007-10-30 2018-09-25 Gearbox Llc Substrates for nitric oxide releasing devices
US8877508B2 (en) * 2007-10-30 2014-11-04 The Invention Science Fund I, Llc Devices and systems that deliver nitric oxide
US20090112193A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Systems and devices that utilize photolyzable nitric oxide donors
US7897399B2 (en) 2007-10-30 2011-03-01 The Invention Science Fund I, Llc Nitric oxide sensors and systems
US20090112055A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Sleeves configured to facilitate release of nitric oxide
US8980332B2 (en) 2007-10-30 2015-03-17 The Invention Science Fund I, Llc Methods and systems for use of photolyzable nitric oxide donors
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US8462269B2 (en) * 2007-11-16 2013-06-11 Mediatek Inc. Devices and methods for extracting a synchronization signal from a video signal
DE102007056562A1 (de) 2007-11-23 2009-05-28 Oerlikon Textile Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur optischen Detektion von Verunreinigungen in längsbewegtem Garn
DE102007057669A1 (de) 2007-11-30 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbige Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement
DE102007057812A1 (de) * 2007-11-30 2009-06-25 Schott Ag Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung sowie Lichtkonverter und dessen Verwendung
US8283686B2 (en) * 2007-12-11 2012-10-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with hybrid top reflector
US8471281B2 (en) * 2007-12-11 2013-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with hybrid top reflector
TWI390008B (zh) * 2007-12-12 2013-03-21 Solar cells and their light-emitting conversion layer
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20090309114A1 (en) 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
DE102008006988A1 (de) 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102008006990A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hintergrundbeleuchtungseinheit für eine Hintergrundbeleuchtung eines Bildschirms und Bildschirmeinheit des Bildschirms
DE102008012407A1 (de) 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
KR100937963B1 (ko) * 2008-02-05 2010-01-21 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이 장치용 형광체 조성물
US7829358B2 (en) 2008-02-08 2010-11-09 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
DE102008026841A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE202008005509U1 (de) * 2008-02-26 2009-07-09 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit anwendungsspezifischer Farbeinstellung
KR100950418B1 (ko) * 2008-02-29 2010-03-29 부경대학교 산학협력단 백색 엘이디용 가넷계 결정 형광체 및 이의 제조방법
DE102008011866B4 (de) 2008-02-29 2018-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquellenanordnung mit einer Halbleiterlichtquelle
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
DE102008019667A1 (de) 2008-04-18 2009-10-22 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung
DE102008020882A1 (de) * 2008-04-25 2009-10-29 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung mit vordefinierten optischen Eigenschaften des emittierten Lichts
DE102009018603B9 (de) 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE102008021436A1 (de) 2008-04-29 2010-05-20 Schott Ag Optik-Konverter-System für (W)LEDs
DE202008005987U1 (de) * 2008-04-30 2009-09-03 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht
DE102008021658A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung mit Volumenstrukturierung
WO2009151515A1 (en) 2008-05-06 2009-12-17 Qd Vision, Inc. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
DE102008022795B4 (de) 2008-05-08 2020-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kfz-Scheinwerfer
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US8242525B2 (en) * 2008-05-20 2012-08-14 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and LED lighting devices using the same
DE202008018269U1 (de) 2008-05-29 2012-06-26 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
DE102008025756B4 (de) * 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
DE102008025864A1 (de) 2008-05-29 2009-12-03 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
US7868340B2 (en) 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
JP5152502B2 (ja) * 2008-06-09 2013-02-27 スタンレー電気株式会社 灯具
TWI384649B (zh) * 2008-06-18 2013-02-01 Harvatek Corp Light emitting diode chip encapsulation structure with embedded electrostatic protection function and its making method
KR101495071B1 (ko) * 2008-06-24 2015-02-25 삼성전자 주식회사 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
CN101619136B (zh) * 2008-06-30 2011-11-23 柏腾科技股份有限公司 用于转换光谱的有机薄膜及发光二极管芯片封装模块
WO2010002221A2 (ko) 2008-07-03 2010-01-07 삼성엘이디 주식회사 파장변환형 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
DE102008033394B4 (de) 2008-07-16 2018-01-25 Osram Oled Gmbh Bauteil mit einem ersten und einem zweiten Substrat
DE102008034708A1 (de) 2008-07-25 2010-02-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US7869112B2 (en) * 2008-07-25 2011-01-11 Prysm, Inc. Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications
JP4890514B2 (ja) * 2008-08-07 2012-03-07 星和電機株式会社 蛍光体及び発光ダイオード
CN100565000C (zh) * 2008-08-11 2009-12-02 山东华光光电子有限公司 利用yag透明陶瓷制备白光led的方法
US8152586B2 (en) 2008-08-11 2012-04-10 Shat-R-Shield, Inc. Shatterproof light tube having after-glow
WO2010021676A1 (en) 2008-08-18 2010-02-25 Superbulbs, Inc. Anti-reflective coatings for light bulbs
WO2010025876A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Bayer Materialscience Ag Lichtemittierende vorrichtung und verfahren zu deren herstellung
EP2161763A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-10 Bayer MaterialScience AG Konversionsfolie und ein Verfahren zu deren Herstellung
DE102008048653A1 (de) * 2008-09-24 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102008049188A1 (de) 2008-09-26 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat und einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008049069B8 (de) 2008-09-26 2020-10-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat, zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement und mindestens einem elektrischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7955875B2 (en) * 2008-09-26 2011-06-07 Cree, Inc. Forming light emitting devices including custom wavelength conversion structures
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US20100097779A1 (en) 2008-10-21 2010-04-22 Mitutoyo Corporation High intensity pulsed light source configurations
US8096676B2 (en) * 2008-10-21 2012-01-17 Mitutoyo Corporation High intensity pulsed light source configurations
DE102008052751A1 (de) * 2008-10-22 2010-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzkonversionselements, Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Bauteil
US9425172B2 (en) * 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
DE102008057720A1 (de) * 2008-11-17 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
JP5641384B2 (ja) 2008-11-28 2014-12-17 独立行政法人物質・材料研究機構 表示装置用照明装置及び表示装置
US8456082B2 (en) * 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
EP2371044B1 (en) * 2008-12-03 2019-08-28 Innolume GmbH Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
CN101499446B (zh) * 2009-02-26 2013-10-16 光宝电子(广州)有限公司 导线架料片、封装结构以及发光二极管封装结构
JP5126127B2 (ja) * 2009-03-17 2013-01-23 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
DE102009022682A1 (de) 2009-05-26 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
US8921876B2 (en) * 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8426871B2 (en) * 2009-06-19 2013-04-23 Honeywell International Inc. Phosphor converting IR LEDs
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
JP5517037B2 (ja) 2009-08-06 2014-06-11 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
KR101869923B1 (ko) 2009-08-14 2018-07-20 삼성전자주식회사 조명 장치, 조명 장치용 광학 요소, 및 방법
DE102009037732A1 (de) * 2009-08-17 2011-02-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED mit hoher Effizienz
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
DE102009039982A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
CN102630288B (zh) 2009-09-25 2015-09-09 科锐公司 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
DE102009048401A1 (de) 2009-10-06 2011-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
RU2511030C2 (ru) * 2009-12-04 2014-04-10 Анатолий Васильевич Вишняков Композиционный люминесцирующий материал для твердотельных источников белого света
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
DE102009058796A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2011079900A1 (de) 2009-12-30 2011-07-07 Merck Patent Gmbh Vergussmasse als diffusionsbarriere für wassermoleküle
JP5383611B2 (ja) * 2010-01-29 2014-01-08 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
DE102010018260A1 (de) * 2010-01-29 2011-08-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Beleuchtungsvorrichtung
TW201128808A (en) * 2010-02-03 2011-08-16 Advanced Optoelectronic Tech Package of semiconductor light emitting device
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
US9468070B2 (en) 2010-02-16 2016-10-11 Cree Inc. Color control of light emitting devices and applications thereof
WO2011102185A1 (ja) * 2010-02-17 2011-08-25 シャープ株式会社 光源ユニット、照明装置、表示装置、テレビ受信装置
SG183402A1 (en) 2010-02-19 2012-09-27 Toray Industries Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheet-shaped moldings, led package, light -emitting device, and process for production of led-mounted substrate
DE102010009456A1 (de) 2010-02-26 2011-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Konversionselement und Verfahren zu dessen Herstellung
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
EP2548235B1 (en) * 2010-03-16 2019-05-08 Signify Holding B.V. Lighting apparatus
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
MY169600A (en) 2010-05-24 2019-04-22 Dominant Opto Tech Sdn Bhd Led lighting device with uniform color mixing
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
DE102011106209A1 (de) 2010-06-07 2011-12-08 Tek Beng Low Led lighting device with high colour re-producibility
US8142050B2 (en) 2010-06-24 2012-03-27 Mitutoyo Corporation Phosphor wheel configuration for high intensity point source
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
DE102010034923A1 (de) 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtverbunds aus einer Lumineszenzkonversionsschicht und einer Streuschicht
DE102010034913B4 (de) 2010-08-20 2023-03-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Strahlung emittierenden Bauelements
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
KR20120024104A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN103155024B (zh) 2010-10-05 2016-09-14 英特曼帝克司公司 具光致发光波长转换的固态发光装置及标牌
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
JP5468517B2 (ja) 2010-10-19 2014-04-09 パナソニック株式会社 半導体発光デバイス
US20120097985A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 Wen-Huang Liu Light Emitting Diode (LED) Package And Method Of Fabrication
KR20120050282A (ko) * 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
DE102010051286A1 (de) * 2010-11-12 2012-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
US9117979B2 (en) * 2010-12-13 2015-08-25 Toray Industries, Inc. Phosphor sheet, LED and light emitting device using the same and method for manufacturing LED
KR101101712B1 (ko) * 2010-12-13 2012-01-05 한국세라믹기술원 고굴절률 발광소자용 패키지의 제조방법
DE102010055265A1 (de) 2010-12-20 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010063760B4 (de) 2010-12-21 2022-12-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US8317347B2 (en) 2010-12-22 2012-11-27 Mitutoyo Corporation High intensity point source system for high spectral stability
US8493569B2 (en) 2010-12-27 2013-07-23 Mitutoyo Corporation Optical encoder readhead configuration with phosphor layer
DE102011013369A1 (de) 2010-12-30 2012-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE102011009369A1 (de) * 2011-01-25 2012-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US20130329448A1 (en) * 2011-03-01 2013-12-12 Osram Gmbh Lighting apparatus with phosphor element
JPWO2012131792A1 (ja) 2011-03-31 2014-07-24 パナソニック株式会社 半導体発光装置
CN102766906B (zh) * 2011-05-05 2016-06-29 中国科学院福建物质结构研究所 一类铒离子激活3微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法
DE102011100710A1 (de) 2011-05-06 2012-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement für Leuchtdioden und Herstellungsverfahren
DE102011102590A1 (de) 2011-05-27 2012-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Bauelementen
US8747697B2 (en) * 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
JP5863291B2 (ja) * 2011-06-28 2016-02-16 株式会社小糸製作所 平面発光モジュール
DE102011079721A1 (de) 2011-07-25 2013-01-31 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Led-lichtquelle
KR101871501B1 (ko) 2011-07-29 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2013030380A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Sharp Corp 発光装置
US9290618B2 (en) 2011-08-05 2016-03-22 Sabic Global Technologies B.V. Polycarbonate compositions having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the polycarbonate compositions
US9772270B2 (en) 2011-08-16 2017-09-26 Elwha Llc Devices and methods for recording information on a subject's body
DE102011113777A1 (de) 2011-09-19 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonversionselement und Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit Wellenlängenkonversionselement
RU2639980C2 (ru) * 2011-10-19 2017-12-25 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Осветительное устройство с круговым распределением света
DE102011116752A1 (de) * 2011-10-24 2013-04-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streumittel
US8962117B2 (en) 2011-10-27 2015-02-24 Sabic Global Technologies B.V. Process for producing bisphenol A with reduced sulfur content, polycarbonate made from the bisphenol A, and containers formed from the polycarbonate
CN104115290B (zh) 2011-11-23 2017-04-05 夸克星有限责任公司 提供光的不对称传播的发光装置
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
DE102011056810B4 (de) 2011-12-21 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102012000217A1 (de) 2012-01-07 2013-07-11 Michael Licht Vis led
US20130187540A1 (en) 2012-01-24 2013-07-25 Michael A. Tischler Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods
US8907362B2 (en) 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
KR101957700B1 (ko) 2012-02-01 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광 장치
DE102012201448B4 (de) * 2012-02-01 2015-10-22 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer mit Leuchtstoff versetzten Platte
CN104205376B (zh) 2012-02-03 2018-04-27 沙特基础全球技术有限公司 发光二极管器件及用于生产其的包括转换材料化学的方法
EP2814071A4 (en) * 2012-02-08 2015-01-07 Panasonic Corp LUMINESCENT DEVICE
WO2013118072A2 (en) 2012-02-10 2013-08-15 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
DE102012202928A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
WO2013130606A2 (en) * 2012-02-29 2013-09-06 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polycarbonate made from low sulfur bisphenol a and containing converions material chemistry, and articles made therefrom
WO2013130610A1 (en) 2012-02-29 2013-09-06 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polycarbonate compositions containing conversions material chemistry and having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the same
KR20140148417A (ko) * 2012-03-27 2014-12-31 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 광 반사용 수지 조성물, 광 반도체 소자 탑재용 기판 및 광 반도체 장치
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
US9346949B2 (en) 2013-02-12 2016-05-24 Sabic Global Technologies B.V. High reflectance polycarbonate
DE102012103159A1 (de) 2012-04-12 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlung emittierendes Bauelement, transparentes Material und Füllstoffpartikel sowie deren Herstellungsverfahren
CN103375708B (zh) * 2012-04-26 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯源装置
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
DE102012104363A1 (de) 2012-05-21 2013-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
CN104169637B (zh) 2012-06-21 2015-09-16 松下知识产权经营株式会社 发光装置以及投影装置
US9685585B2 (en) 2012-06-25 2017-06-20 Cree, Inc. Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs
JP2014041993A (ja) 2012-07-24 2014-03-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
DE102012106812A1 (de) 2012-07-26 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Vergießen von optoelektronischen Bauelementen
DE102012108828A1 (de) 2012-09-19 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, optisches Element und deren Herstellungsverfahren
DE102012109083A1 (de) * 2012-09-26 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012109754A1 (de) * 2012-10-12 2014-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
EP2910622B1 (en) 2012-10-16 2017-06-21 Denka Company Limited Phosphor, light emitting device and lighting apparatus
WO2014066784A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Light emitting diode devices, method of manufacture, uses thereof
TW201418414A (zh) * 2012-11-12 2014-05-16 Genesis Photonics Inc 波長轉換物質、波長轉換膠體以及發光裝置
EP2733190B1 (en) 2012-11-16 2020-01-01 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor composition and light emitting device package having the same
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
KR20140111876A (ko) 2013-03-12 2014-09-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2014151263A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Intematix Corporation Photoluminescence wavelength conversion components
KR20140113046A (ko) 2013-03-15 2014-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2014145644A2 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Spanard Jan-Marie Methods of tuning light emitting devices and tuned light emitting devices
DE102013006308A1 (de) * 2013-04-12 2014-10-16 Thiesen Hardware- Und Software-Design Gmbh LED-Leuchte mit einer lichtemittierenden Diode
DE102013207460A1 (de) * 2013-04-24 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2014186548A1 (en) 2013-05-16 2014-11-20 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Branched polycarbonate compositions having conversion material chemistry and articles thereof
FR3006546B1 (fr) * 2013-05-28 2019-03-29 Sgame Module de diode electroluminescente lumiere blanche
CN105408408B (zh) 2013-05-29 2018-05-04 沙特基础全球技术有限公司 颜色稳定的热塑性组合物
US9772086B2 (en) 2013-05-29 2017-09-26 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Illuminating devices with color stable thermoplastic light transmitting articles
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
DE102013107862A1 (de) * 2013-07-23 2015-01-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterbauteils
CN103467936B (zh) * 2013-09-12 2016-01-20 苏州金海薄膜科技发展有限公司 一种可吸收并转化紫外光及短波蓝光的pet薄膜及其制备方法
JP6209949B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US9382472B2 (en) * 2013-12-18 2016-07-05 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Transformative wavelength conversion medium
JP2015144261A (ja) * 2013-12-26 2015-08-06 インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ フォトルミネセンス波長変換を用いる固体発光デバイス
US9343443B2 (en) 2014-02-05 2016-05-17 Cooledge Lighting, Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
WO2015147096A1 (ja) * 2014-03-26 2015-10-01 リンテック株式会社 シート状封止材、封止シートおよび電子デバイス封止体
JP2015192096A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 豊田合成株式会社 発光装置
CZ307024B6 (cs) * 2014-05-05 2017-11-22 Crytur, Spol.S R.O. Světelný zdroj
KR20150129232A (ko) 2014-05-09 2015-11-19 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
DE102014108188A1 (de) 2014-06-11 2015-12-17 Osram Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102014117423A1 (de) * 2014-11-27 2016-06-02 Seaborough IP IV BV Lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung
KR102530385B1 (ko) * 2015-03-24 2023-05-09 코닌클리케 필립스 엔.브이. 청색 색소를 갖는 청색 방출 인광체 변환 led
CN106328008B (zh) * 2015-06-30 2019-03-22 光宝光电(常州)有限公司 胶体填充至壳体的制法、发光二极管的数字显示器及制法
JP6141948B2 (ja) * 2015-11-30 2017-06-07 大電株式会社 紫外線発光蛍光体、発光素子、及び発光装置
KR20180101493A (ko) 2016-01-14 2018-09-12 바스프 에스이 강성 2,2'-비페녹시 가교를 갖는 페릴렌 비스이미드
JP6951847B2 (ja) * 2016-03-18 2021-10-20 日東電工株式会社 光学部材、ならびに、該光学部材を用いたバックライトユニットおよび液晶表示装置
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
DE102017202956A1 (de) * 2016-07-11 2018-01-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. Verfahren und aushärtbare Masse zum Vergießen elektronischer Bauteile oder Bauteilgruppen
KR101731762B1 (ko) * 2016-07-27 2017-04-28 오충봉 발광체 분말을 이용한 확산판 제조기술
DE102016113969A1 (de) * 2016-07-28 2018-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
TWI721005B (zh) * 2016-08-17 2021-03-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置以及其製造方法
DE102016115907A1 (de) 2016-08-26 2018-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102016117519A1 (de) 2016-09-16 2018-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Siloxans, Verfahren zur Herstellung eines Polysiloxans, Verfahren zum Vergießen von optoelektronischen Bauelementen
US11441036B2 (en) 2016-10-06 2022-09-13 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
DE102016011999A1 (de) 2016-10-06 2018-04-12 Michael Licht Uv-led
WO2018094220A1 (en) 2016-11-18 2018-05-24 Gr Energy Services Management, Lp Mobile ball launcher with free-fall ball release and method of making same
DE102017117441A1 (de) * 2017-08-01 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP2019046989A (ja) * 2017-09-04 2019-03-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US10957825B2 (en) 2017-09-25 2021-03-23 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting apparatus having thereof
WO2019121602A1 (en) 2017-12-19 2019-06-27 Basf Se Cyanoaryl substituted benz(othi)oxanthene compounds
KR20200132946A (ko) 2018-03-20 2020-11-25 바스프 에스이 황색 광 방출 장치
EP3547378B1 (en) * 2018-03-26 2022-01-05 Nichia Corporation Light emitting module
JP6923814B2 (ja) 2018-03-26 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
JP7089175B2 (ja) * 2018-06-20 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 セラミックス複合体、それを用いた発光装置及びセラミックス複合体の製造方法
WO2019243286A1 (en) 2018-06-22 2019-12-26 Basf Se Photostable cyano-substituted boron-dipyrromethene dye as green emitter for display and illumination applications
KR102391310B1 (ko) * 2018-08-23 2022-04-26 그리렘 어드밴스드 머티리얼스 캄파니 리미티드 근적외선 형광 분말 및 상기 형광 분말을 함유하는 발광 장치
US20200161506A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing a Ceramic Converter Element, Ceramic Converter Element, and Optoelectronic Component
US10756243B1 (en) * 2019-03-04 2020-08-25 Chung Yuan Christian University Light-emitting diode package structure and method for manufacturing the same
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration
DE102019212944A1 (de) * 2019-08-28 2021-03-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement, vorrichtung mit einem halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
RU195810U1 (ru) * 2019-09-27 2020-02-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) Светоизлучающий диод
US11426476B2 (en) * 2019-12-12 2022-08-30 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Internal ultraviolet LED antifouling
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
DE102021105905B4 (de) 2020-05-29 2024-08-01 GM Global Technology Operations LLC Durch quantenpunkt-material verbesserte led-beleuchtung
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4716337A (en) * 1986-01-08 1987-12-29 U.S. Philips Corporation Fluorescent lamp
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード

Family Cites Families (218)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2096693A (en) 1937-04-03 1937-10-19 Hygrade Sylvania Corp Luminescent coating for electric lamps
US2192869A (en) 1937-10-27 1940-03-05 Pearce John Harold George Manufacture of fluorescent discharge tubes
US2927279A (en) 1954-06-14 1960-03-01 Cgs Lab Inc Variable frequency oscillator system
US3316109A (en) 1963-03-11 1967-04-25 Westinghouse Electric Corp Coating composition
US3312851A (en) 1963-04-26 1967-04-04 Westinghouse Electric Corp Electroluminescent lamp structure having the phosphor particles dispersed in a modified cyanoethylated polyvinyl alcohol resin
US3440471A (en) 1966-03-16 1969-04-22 Gen Telephone & Elect Electroluminescent cell matrix material of improved stability
GB1208308A (en) 1966-10-27 1970-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electroluminescent display devices
US3453604A (en) 1966-11-15 1969-07-01 Bell Telephone Labor Inc Optical memory device employing multiphoton-excited fluorescing material to reduce exposure crosstalk
NL152702B (nl) 1966-12-31 1977-03-15 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een kathodestraalbuis, alsmede een kathodestraalbuis, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
US3519474A (en) 1967-02-02 1970-07-07 Corning Glass Works Light-diffusing surfaces for glass-ceramic articles
US3565815A (en) 1967-12-28 1971-02-23 Ind Mfg Co Inc Phosphor containing plastic polystyrene
US3529200A (en) 1968-03-28 1970-09-15 Gen Electric Light-emitting phosphor-diode combination
US3510732A (en) 1968-04-22 1970-05-05 Gen Electric Solid state lamp having a lens with rhodamine or fluorescent material dispersed therein
NL6811326A (ko) 1968-08-09 1970-02-11
NL6814348A (ko) 1968-10-07 1970-04-09
US3822215A (en) 1969-04-16 1974-07-02 Bell Telephone Labor Inc Phosphor rare earth oxychloride compositions
US3659136A (en) 1969-04-16 1972-04-25 Bell Telephone Labor Inc Gallium arsenide junction diode-activated up-converting phosphor
US3621340A (en) 1969-04-16 1971-11-16 Bell Telephone Labor Inc Gallium arsenide diode with up-converting phosphor coating
US3593055A (en) 1969-04-16 1971-07-13 Bell Telephone Labor Inc Electro-luminescent device
SE364160B (ko) 1969-05-26 1974-02-11 Western Electric Co
US3699478A (en) 1969-05-26 1972-10-17 Bell Telephone Labor Inc Display system
US3573568A (en) 1969-06-18 1971-04-06 Gen Electric Light emitting semiconductor chips mounted in a slotted substrate forming a display apparatus
US3602758A (en) 1969-06-20 1971-08-31 Westinghouse Electric Corp Phosphor blend lamps which reduce the proportions of the costlier phosphors
CA932474A (en) 1969-12-12 1973-08-21 Kressel Henry Electroluminescent device
US3654463A (en) 1970-01-19 1972-04-04 Bell Telephone Labor Inc Phosphorescent devices
US3691482A (en) 1970-01-19 1972-09-12 Bell Telephone Labor Inc Display system
US3669478A (en) 1970-05-04 1972-06-13 Gen Electric Machine and process for semiconductor device assembly
US3787684A (en) 1970-12-30 1974-01-22 S Isenberg Beta activated ultraviolet radiation source surrounded by a visible light producing fluorescent agent
US3742277A (en) 1971-03-18 1973-06-26 Gte Laboratories Inc Flying spot scanner having screen of strontium thiogallte coactivatedby trivalent cerium and divalent lead
US3742833A (en) 1971-06-14 1973-07-03 J Sewell System for optically encoding an item and verifying same
BE786323A (fr) 1971-07-16 1973-01-15 Eastman Kodak Co Ecran renforcateur et produit radiographique le
DE7128442U (de) 1971-07-23 1971-12-30 Siemens Ag Hermetisch abgeschlossenes gehaeuse fuer halbleiterbauelemente
JPS48100083A (ko) 1972-02-24 1973-12-18
JPS48102585A (ko) 1972-04-04 1973-12-22
JPS491221A (ko) 1972-04-17 1974-01-08
JPS4924355A (ko) * 1972-06-27 1974-03-04
US3932881A (en) 1972-09-05 1976-01-13 Nippon Electric Co., Inc. Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components
US3774086A (en) 1972-09-25 1973-11-20 Gen Electric Solid state lamp having visible-emitting phosphor at edge of infrated-emitting element
US3942185A (en) 1972-12-13 1976-03-02 U.S. Philips Corporation Polychromatic electroluminescent device
GB1455291A (en) 1973-02-05 1976-11-10 Rca Corp Amplifier which consumes a substantially constant current
US3780357A (en) 1973-02-16 1973-12-18 Hewlett Packard Co Electroluminescent semiconductor display apparatus and method of fabricating the same
JPS49112577A (ko) 1973-02-23 1974-10-26
US3819974A (en) 1973-03-12 1974-06-25 D Stevenson Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode
JPS5043913A (ko) 1973-08-20 1975-04-21
FR2262407B1 (ko) 1974-02-22 1977-09-16 Radiotechnique Compelec
US4034257A (en) 1975-06-05 1977-07-05 General Electric Company Mercury vapor lamp utilizing a combination of phosphor materials
JPS5245181A (en) 1975-10-07 1977-04-09 Matsushita Electric Works Ltd Chain
JPS52135663A (en) 1976-05-10 1977-11-12 Hitachi Ltd Manufacture for brown tube
NL181063C (nl) 1976-05-13 1987-06-01 Philips Nv Luminescerend scherm; lagedrukkwikdampontladingslamp; werkwijze voor de bereiding van een luminescerend materiaal.
US4075532A (en) 1976-06-14 1978-02-21 General Electric Company Cool-white fluorescent lamp with phosphor having modified spectral energy distribution to improve luminosity thereof
DE2629641C3 (de) 1976-07-01 1979-03-08 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V., 8000 Muenchen Vorrichtung zur Umwandlung von Lichtenergie in Wärmeenergie
DE2737269A1 (de) 1976-08-19 1978-02-23 Bbc Brown Boveri & Cie Informationsanzeigeplatte mit elektrolumineszierenden elementen sowie verfahren zur herstellung derselben
GB1589964A (en) 1976-09-03 1981-05-20 Johnson Matthey Co Ltd Luminescent materials
DE2642465C3 (de) * 1976-09-21 1981-01-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung einer VerguBmasse
NL7707008A (nl) 1977-06-24 1978-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
FR2400817A1 (fr) 1977-08-19 1979-03-16 Radiotechnique Compelec Dispositifs electroluminescents pour affichage au soleil
JPS5441660A (en) 1977-09-09 1979-04-03 Matsushita Electric Works Ltd Timer
US4203792A (en) 1977-11-17 1980-05-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for the fabrication of devices including polymeric materials
JPS5489984A (en) * 1977-12-27 1979-07-17 Toshiba Corp Fluorescent substance treating method
US4173495A (en) 1978-05-03 1979-11-06 Owens-Illinois, Inc. Solar collector structures containing thin film polysiloxane, and solar cells
NL7806828A (nl) 1978-06-26 1979-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
FR2436505A1 (fr) 1978-09-12 1980-04-11 Radiotechnique Compelec Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples
US4431941A (en) 1979-06-11 1984-02-14 Gte Products Corporation Fluorescent lamp having double phosphor layer
IT1132065B (it) * 1979-06-15 1986-06-25 Gte Prod Corp Fosforo alluminato emettitore di raggi ultravioletti e lampade fluorescenti per l'abbronzatura artificiale utilizzanti tale fosforo
JPS5632582A (en) * 1979-08-23 1981-04-02 Chugoku Toryo Kk Method for increasing intensity of light emission of fluorescent material
US4262206A (en) 1980-01-11 1981-04-14 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Fluorescent radiation converter
DE3016103A1 (de) 1980-04-25 1981-10-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung transparenter geissharze
US4495514A (en) 1981-03-02 1985-01-22 Eastman Kodak Company Transparent electrode light emitting diode and method of manufacture
DE3117571A1 (de) 1981-05-04 1982-11-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Lumineszenz-halbleiterbauelement
US4599537A (en) * 1982-04-30 1986-07-08 Shigeaki Yamashita IR light emitting apparatus with visible detection means
NL8203543A (nl) 1982-09-13 1984-04-02 Oce Nederland Bv Kopieerapparaat.
US5184114A (en) 1982-11-04 1993-02-02 Integrated Systems Engineering, Inc. Solid state color display system and light emitting diode pixels therefor
US4479886A (en) * 1983-08-08 1984-10-30 Gte Products Corporation Method of making cerium activated yttrium aluminate phosphor
US4550256A (en) 1983-10-17 1985-10-29 At&T Bell Laboratories Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material
JPS60101175A (ja) 1983-11-05 1985-06-05 Sony Corp 投射型テレビ用緑色螢光体
US4684592A (en) 1984-04-06 1987-08-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Stimulable phosphor sheet
US4710674A (en) 1984-05-07 1987-12-01 Gte Laboratories Incorporated Phosphor particle, fluorescent lamp, and manufacturing method
US4825124A (en) 1984-05-07 1989-04-25 Gte Laboratories Incorporated Phosphor particle, fluorescent lamp, and manufacturing method
JPS6110827A (ja) 1984-06-27 1986-01-18 Matsushita Electronics Corp 陰極線管螢光体膜の形成方法
IT1183061B (it) 1984-07-31 1987-10-05 Zambon Spa Composti dotati di attivita'antiallergica
US4665003A (en) 1984-07-31 1987-05-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Stimulable phosphor sheet and method of conveying the same
JPS61220250A (ja) 1985-03-26 1986-09-30 Sony Corp 陰極線管
NL8502025A (nl) 1985-07-15 1987-02-02 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
US4818983A (en) 1985-08-20 1989-04-04 Hamamatsu Photonics Kabushiki Kaisha Optical image generator having a spatial light modulator and a display device
US4818434A (en) 1985-11-15 1989-04-04 Quantex Corporation Thermoluminescent material including fusible salt
US5166456A (en) 1985-12-16 1992-11-24 Kasei Optonix, Ltd. Luminescent phosphor composition
US4734619A (en) 1986-07-07 1988-03-29 Karel Havel Display device with variable color background
US4894583A (en) 1986-07-14 1990-01-16 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Display devices with yttrium orthosilicate phosphors
JPS6323987A (ja) * 1986-07-17 1988-02-01 Toshiba Corp 電場発光蛍光体
DE3633251A1 (de) 1986-09-30 1988-03-31 Siemens Ag Optoelektronisches koppelelement
US4875750A (en) 1987-02-25 1989-10-24 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic coupling element and method for its manufacture
JPS63280467A (ja) 1987-05-12 1988-11-17 Toshiba Corp 光半導体素子
JPS6471053A (en) * 1987-09-10 1989-03-16 Matsushita Electronics Corp Fluorescent high-pressure mercury lamp
DE3736970C3 (de) * 1987-10-30 1996-08-01 Stockhausen Chem Fab Gmbh Wasserfreie Hautreinigungsmittel und ihre Verwendung
US4843280A (en) 1988-01-15 1989-06-27 Siemens Corporate Research & Support, Inc. A modular surface mount component for an electrical device or led's
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
US5132045A (en) 1988-03-16 1992-07-21 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Acrylic phosphor paste compositions and phosphor coatings obtained therefrom
JP2705183B2 (ja) * 1988-07-30 1998-01-26 ソニー株式会社 イットリウム・アルミニウム・ガーネット微粒子およびイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体微粒子の製造方法
KR920010085B1 (ko) 1988-07-30 1992-11-14 소니 가부시기가이샤 이트륨 · 알루미늄 · 가넷미립자의 제조방법
JPH0749506B2 (ja) * 1988-08-10 1995-05-31 日立化成工業株式会社 難燃性エポキシ樹脂組成物
JPH0291980A (ja) 1988-09-29 1990-03-30 Toshiba Lighting & Technol Corp 固体発光素子
GB8823691D0 (en) 1988-10-08 1988-11-16 Emi Plc Thorn Aquarium lighting
DE3902001C2 (de) * 1989-01-24 1995-08-31 Tacan Corp Verwendung eines Fluoreszenz-Materials
US5137940A (en) 1989-02-09 1992-08-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions
US5126214A (en) 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
IT1229159B (it) 1989-04-07 1991-07-22 Minnesota Mining & Mfg Metodo per registrare e riprodurre l'immagine di una radiazione, pannello e fosfori per la memorizzazione dell'immagine di una radiazione.
EP0400176B1 (de) 1989-05-31 2000-07-26 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements
DE58908841D1 (de) 1989-05-31 1995-02-09 Siemens Ag Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement.
DE58907120D1 (de) 1989-06-01 1994-04-07 Weidmueller Interface Bezeichnungsträger für elektrische Leiter.
JP2536628B2 (ja) 1989-08-02 1996-09-18 信越化学工業株式会社 半導体素子保護用組成物
US5624602A (en) 1989-09-25 1997-04-29 Osram Sylvania Inc. Method of improving the maintenance of a fluorescent lamp containing terbium-activated cerium magnesium aluminate phosphor
US4935856A (en) 1989-10-05 1990-06-19 Dialight Corporation Surface mounted LED package
USRE34254E (en) 1989-10-05 1993-05-18 Dialight Corporation Surface mounted LED package
US5120214A (en) 1989-11-13 1992-06-09 Control Techtronics, Inc. Acoustical burner control system and method
JPH03160714A (ja) * 1989-11-20 1991-07-10 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5019746A (en) 1989-12-04 1991-05-28 Hewlett-Packard Company Prefabricated wire leadframe for optoelectronic devices
EP0454907A1 (en) 1990-05-03 1991-11-06 Agfa-Gevaert N.V. Reproduction of x-ray images with photostimulable phosphor
KR930006932B1 (ko) 1990-05-11 1993-07-24 삼성전관 주식회사 녹색발광 형광체 및 그것을 사용한 브라운관
JP2506223B2 (ja) 1990-06-28 1996-06-12 トリニティ工業株式会社 自動塗装装置
JPH0463162A (ja) 1990-06-29 1992-02-28 Suzuki Motor Corp 塗装装置
DE9013615U1 (de) * 1990-09-28 1990-12-06 AEG Niederspannungstechnik GmbH & Co KG, 24534 Neumünster Elektrolumineszenz- oder Laserdiode
JP2796187B2 (ja) * 1990-10-01 1998-09-10 日東電工株式会社 光半導体装置
JP2784255B2 (ja) 1990-10-02 1998-08-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた放電ランプ
JPH04280664A (ja) 1990-10-18 1992-10-06 Texas Instr Inc <Ti> 半導体装置用リードフレーム
FR2668464B1 (fr) 1990-10-25 1993-01-08 Commissariat Energie Atomique Silicates mixtes d'yttrium et de lanthanide et laser utilisant des monocristaux de ces silicates.
JPH04186679A (ja) 1990-11-16 1992-07-03 Daido Steel Co Ltd 発光ダイオード
JPH04234481A (ja) * 1990-12-28 1992-08-24 Matsushita Electron Corp 蛍光高圧水銀灯
US5202777A (en) 1991-05-31 1993-04-13 Hughes Aircraft Company Liquid crystal light value in combination with cathode ray tube containing a far-red emitting phosphor
FR2677659B1 (fr) 1991-06-14 1994-09-30 Hoechst France Composition fluide luminescente polymerisable et son application.
JPH0563068A (ja) 1991-08-30 1993-03-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハバスケツト
MY110582A (en) 1991-09-03 1998-08-29 Kasei Optonix Rare earth oxysulfide phosphor and hight resolution cathode ray tube employing it.
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5208462A (en) 1991-12-19 1993-05-04 Allied-Signal Inc. Wide bandwidth solid state optical source
JPH05251717A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Hitachi Ltd 半導体パッケージおよび半導体モジュール
JPH0637202A (ja) 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波ｉｃ用パッケージ
JPH0623195U (ja) 1992-07-29 1994-03-25 シンロイヒ株式会社 Ｅｌ発光素子
US5602418A (en) 1992-08-07 1997-02-11 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Nitride based semiconductor device and manufacture thereof
JPH0669546A (ja) 1992-08-21 1994-03-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
JPH0677537A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
EP0596548B1 (en) 1992-09-23 1998-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-pressure mercury discharge lamp
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5382856A (en) 1992-12-09 1995-01-17 General Electric Co. Generator rotor collector terminal stud hydrogen seal
US5382452A (en) 1992-12-18 1995-01-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
US5643674A (en) 1992-12-18 1997-07-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
JP2894921B2 (ja) 1993-04-30 1999-05-24 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5379186A (en) 1993-07-06 1995-01-03 Motorola, Inc. Encapsulated electronic component having a heat diffusing layer
JPH0799345A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
BE1007825A5 (fr) 1993-12-15 1995-10-31 Niezen Michel Dispositif lumineux.
JPH07176794A (ja) * 1993-12-17 1995-07-14 Nichia Chem Ind Ltd 面状光源
JPH07193281A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Mitsubishi Materials Corp 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
JP3425465B2 (ja) 1994-03-03 2003-07-14 化成オプトニクス株式会社 緑色発光蛍光体及びそれを用いた陰極線管
US5656832A (en) 1994-03-09 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness
US5432358A (en) 1994-03-24 1995-07-11 Motorola, Inc. Integrated electro-optical package
JPH07263147A (ja) 1994-03-24 1995-10-13 Fuji Electric Co Ltd 薄膜発光素子
JPH07273366A (ja) 1994-03-28 1995-10-20 Pioneer Electron Corp Ｉｉｉ族窒化物発光素子の製造方法
JP3261853B2 (ja) * 1994-03-29 2002-03-04 凸版印刷株式会社 反射型液晶表示装置
JP2596709B2 (ja) * 1994-04-06 1997-04-02 都築 省吾 半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
NL9400766A (nl) * 1994-05-09 1995-12-01 Euratec Bv Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
US5665793A (en) 1994-06-09 1997-09-09 Anders; Irving Phosphorescent highway paint composition
JP3116727B2 (ja) 1994-06-17 2000-12-11 日亜化学工業株式会社 面状光源
CN1071355C (zh) 1994-06-24 2001-09-19 因奥斯－艾瑞利克斯英国有限公司 苯乙烯系聚合物与丙烯酸系聚合物共混物的泡沫塑料制品
EP0691798A3 (en) 1994-07-05 1996-07-17 Ford Motor Co Fluorescent electroluminescent lamp
JPH0832112A (ja) 1994-07-20 1996-02-02 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
KR100291911B1 (ko) 1994-07-26 2001-09-17 김순택 반도체발광소자를이용한표시소자
JPH0864860A (ja) * 1994-08-17 1996-03-08 Mitsubishi Materials Corp 色純度の高い赤外可視変換青色発光ダイオード
DE4432035A1 (de) 1994-09-09 1996-03-14 Philips Patentverwaltung Beschichtungsverfahren für Lumineszenzpulver, Luminenzenzpulver und beschichteter Gegenstand
US5543657A (en) 1994-10-07 1996-08-06 International Business Machines Corporation Single layer leadframe design with groundplane capability
JPH08119631A (ja) 1994-10-21 1996-05-14 Shin Etsu Chem Co Ltd 球状希土類元素酸化物およびその前駆体の製造方法
JPH08170077A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Hitachi Ltd 蛍光体、その製造方法、発光スクリーン及びそれを用いた陰極線管
JP3260995B2 (ja) 1994-12-28 2002-02-25 ワイケイケイ株式会社 蓄光性合成樹脂材料及びその製造方法並びに成形品
ATE182917T1 (de) * 1995-01-25 1999-08-15 Northern Engraving Corp Fluoreszierende tinte und fluoreszierende anzeigevorrichtung
JPH08231681A (ja) * 1995-02-28 1996-09-10 Asahi Chem Ind Co Ltd 接着性付与剤
US5670798A (en) 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US5685071A (en) * 1995-06-05 1997-11-11 Hughes Electronics Method of constructing a sealed chip-on-board electronic module
US5601751A (en) * 1995-06-08 1997-02-11 Micron Display Technology, Inc. Manufacturing process for high-purity phosphors having utility in field emission displays
US5798537A (en) * 1995-08-31 1998-08-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Blue light-emitting device
JP3931355B2 (ja) 1995-09-06 2007-06-13 日亜化学工業株式会社 面状光源
US6140040A (en) * 1995-10-06 2000-10-31 Advanced Minerals Corporation Method of mechanically separating microparticles suspended in fluids using particulate media
US5788881A (en) * 1995-10-25 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Visible light-emitting phosphor composition having an enhanced luminescent efficiency over a broad range of voltages
US5635110A (en) 1995-10-25 1997-06-03 Micron Display Technology, Inc. Specialized phosphors prepared by a multi-stage grinding and firing sequence
JPH09125056A (ja) * 1995-11-02 1997-05-13 Hitachi Chem Co Ltd 表面処理された蛍光体及びその製造法
JP3267250B2 (ja) 1995-12-06 2002-03-18 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US6117294A (en) * 1996-01-19 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Black matrix material and methods related thereto
JP2927229B2 (ja) 1996-01-23 1999-07-28 ヤマハ株式会社 メドレー演奏装置
DE29724381U1 (de) 1996-03-15 2001-02-22 Asahi Kogaku Kogyo K.K., Tokio/Tokyo Datenaufbelichtungseinheit für eine Kamera
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE19625622A1 (de) 1996-06-26 1998-01-02 Siemens Ag Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR100643442B1 (ko) 1996-06-26 2006-11-10 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
US6608332B2 (en) 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP2927279B2 (ja) * 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP3338616B2 (ja) * 1996-09-05 2002-10-28 富士通株式会社 蛍光体層の形成方法及び蛍光体ペースト
JPH1092549A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Ngk Insulators Ltd 限流アークホーン
US6613247B1 (en) * 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
US5772916A (en) * 1996-10-15 1998-06-30 Liberty Technologies, Inc. Phosphor screen, method of producing the same, and method for preparing a phosphor powder for producing a phosphor screen
DE19645035C1 (de) * 1996-10-31 1998-04-30 Siemens Ag Mehrfarbiges Licht abstrahlende Bildanzeigevorrichtung
JP3522990B2 (ja) * 1996-11-13 2004-04-26 信越化学工業株式会社 イットリア球状微粒子の製造方法
WO1998037165A1 (en) * 1997-02-24 1998-08-27 Superior Micropowders Llc Oxygen-containing phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6085971A (en) * 1998-07-10 2000-07-11 Walter Tews Luminescent meta-borate substances
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP4110236B2 (ja) 1998-12-28 2008-07-02 富士フイルム株式会社 Ｃｃｄ撮像デバイス及びその駆動方法、並びにフイルムスキャナー
US6295750B1 (en) * 1999-07-06 2001-10-02 Beckett Publications, Inc. System for displaying cards
US6455213B1 (en) * 2000-01-04 2002-09-24 Lg Electronics, Inc. Method for manufacturing phosphor layer for image display apparatus
US6483234B1 (en) 2000-08-30 2002-11-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single-component arctic bright calcium halophosphate phosphor
TWI226357B (en) * 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
US6692659B2 (en) * 2002-05-31 2004-02-17 General Electric Company Phosporescent polycarbonate, concentrate and molded articles
US20040046938A1 (en) * 2002-09-05 2004-03-11 Gary Gero Automatic and manual lens focusing system with visual matching for motion picture camera
JP4234482B2 (ja) 2003-04-10 2009-03-04 株式会社日立製作所 動的ｄｎｓ登録方法、ドメイン名解決方法、代理サーバ、及びアドレス変換装置
JP4175265B2 (ja) 2004-02-04 2008-11-05 トヨタ自動車株式会社 内燃機関の補機部品取付構造
JP4820539B2 (ja) 2004-06-25 2011-11-24 京セラミタ株式会社 スチルベン誘導体、その製造方法、および電子写真感光体
JP4639866B2 (ja) 2005-03-10 2011-02-23 富士ゼロックス株式会社 トナー補給装置
JP4717684B2 (ja) 2006-03-30 2011-07-06 富士通テレコムネットワークス株式会社 コンデンサ充電装置
JP4142070B2 (ja) 2006-06-23 2008-08-27 信越ポリマー株式会社 キャリアテープの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4716337A (en) * 1986-01-08 1987-12-29 U.S. Philips Corporation Fluorescent lamp
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002317178A (ja) 2002-10-31
US20040084687A1 (en) 2004-05-06
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US6066861A (en) 2000-05-23
US7276736B2 (en) 2007-10-02
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DE29724284U1 (de) 2000-09-21
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EP1221724A2 (de) 2002-07-10
JP2000236112A (ja) 2000-08-29
US6277301B1 (en) 2001-08-21
KR20060097745A (ko) 2006-09-14
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JP2002249769A (ja) 2002-09-06
EP0862794A1 (de) 1998-09-09
WO1998012757A1 (de) 1998-03-26
US7709852B2 (en) 2010-05-04
KR100908171B1 (ko) 2009-07-16
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JP2002317177A (ja) 2002-10-31
EP1221724A3 (de) 2005-07-06
US6592780B2 (en) 2003-07-15
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DE19638667A1 (de) 1998-04-02
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DE59713056D1 (de) 2011-03-31
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DE19638667C2 (de) 2001-05-17
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BR9706787A (pt) 1999-04-13
EP1221724B1 (de) 2011-02-16
CN1558455A (zh) 2004-12-29
KR19990071493A (ko) 1999-09-27
JP2012238909A (ja) 2012-12-06
JP4233252B2 (ja) 2009-03-04
JP3866092B2 (ja) 2007-01-10
EP0862794B1 (de) 2002-11-27
CN1515623A (zh) 2004-07-28
KR100808752B1 (ko) 2008-02-29
KR20050084535A (ko) 2005-08-26
CN1156029C (zh) 2004-06-30

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