DE7128442U - Hermetisch abgeschlossenes gehaeuse fuer halbleiterbauelemente - Google Patents
Hermetisch abgeschlossenes gehaeuse fuer halbleiterbauelementeInfo
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Description
Die Neuerung betrifft ein hermetisch abgeschlossenes Gehäuse für Halbleiterbauelemente mit einem Bodenteil, einem mit dem
Bodenteil dicht verbundenen, ringförmigen Seitenteil, e:nem zur Kontaktierung des Systems des Halbleiterbaueleaents dienenden
Leiterband, das zwischen der Bodenplatte und dem Seitenteil durch deren Verbindung fest gehaltert ist, derart, daß die
einen Enden dsr Leiter des Leiterbandes in den durch das Seitenteil
gebildeten freien Raum ragen, und mit einem mit dem Seitenteil und dessen von der Bodenplatte abgewandten Seite
dicht verbundenen Deckel.
Von Halbleiterbauteilen wird neben anderen Anforderungen höchste Betriebszuverlässigkeit auch bei extremen Bedingungen, z.B. bei
stark wechselnden Temperaturen und Witterungsverhältnissen, und daneben minimale Raumbeanspruchung beim Einbau in gedruckte
Schaltungen gefordert. Im allgemeinen wird eine besondere Funktionstüchtigkeit und eine gleichmäßige Arbeitsweise des
Bauelements durch ein hermetisches Abschließen des Halbleiterbauelements in einem Gehäuse erreicht, was aber andererseits
stets mit einer entsprechenden Raumbeanspruchung verbunden
20 ist.
Bisher werden die Halbleiterelemente in Metallgehäusen, die bevorzugt kreisförmige Grundflächen besitzen, oder in Gehäusen
aus Glas bzw. Keramik eingeschlossen. Die sogenannten "''Flatpacks11
stellen Halbleiteranordnungen in flachen Gehäusen aus sinterfähigem Isoliermaterial dar. Zur Herstellung dieser
Gehäuse wird ein vorgefertigter Boden aus sinterfähigem Material unter Zwischenfügung eines mit zungenartigen Fortsätzen
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versehenen, metallischen Leiterbandes, das die Halbleiteranordnung
trägt, mit einem rahmenartigen Gehäuseseitenteil durch Sintern zu einer offenen Dose verbunden. Auf diese
offene Dose wird durch nochmaliges Sintern oder Löten ein diese hermetisch verschließender Deckel aufgebracht. Das
abgeschlossene Halbleiterbauelement besitzt damit die Form einer flachen Dose, aus der an dem Seitenteil in verschiedenen
Richtungen die elektrischen Anschlüsse herausragen.
Aufgabe der vorliegenden Neuerung ist es, die Raumbeanspruchung eines einzelnen Halbleitergehäuses zu minimalisieren, ohne
( die bisher erreichte Betriebszuverlässigkeit des Halbleiterelements
in dicht verschlossenem Gehäuse zu beeinträchtigen.
Neuerungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die
Leiter des Leiterbandes an der Schmalseite des Gehäuses lediglieh
nach einer Richtung parallel herausgeführt sind.
Ein nach der Neuerung angefertigtes Gehäuse mit einer darin dicht eingeschlossenen Halbleiteranordnung ist besonders
geeignet für den Einbau in gedruckte Schaltungen und zwar derart, daß die Schmalseite des Gehäuses als Grundfläche
benützt wird. Eine solche Einbauweise beansprucht nur eine minimal kleine Fläche der gedruckten Platine.
( Die Vorteile eines nach der Neuerung ausgebildeten Gehäuses
sind: Zum einen verleiht das hermetisch abgeschlossene Gehäuse der Halbleiteranordnung die gewünschte Betriebszuverlässigkeit
und zum anderen erlaubt das nach der Neuerung gestaltete Gehäuse eine weiterführende Miniaturisierung von Halbleiterschal
tanordnungen.
An Hand der Figuren 1 und 2 wird die Neuerung noch näher beschrieben.
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Figur 1 zeigt ein neuerungsgemäßes Gehäuse in ExplosionsdaretellunÄ.
Lvtt einem Bodenteil 1 aus sinterfähiffem
Material, z.B. Sinterglas, wird unter Zwischenlage eines mit zungenartigen Fortsätzen 2 versehenen metallischen
Leiterbandes 3 ein rahmenartiges, ringförmiges Seitenteil 4,
ebenfalls aus Sinterglas, aufgesintert. Nach Einbau eines
oder mehrerer Halbleiterbauelemente 5 in den so gebildeten topfartigen Innenraum wird dieser durch einen Deckel 6,
z.B. eine Keramik- oder Metallplatte, unter Verwendung eines niedrigschmelzenden Lotglases oder Metallotes 7,
das einseitig auf der Innenseite des Deckels 6 aufgebracht ist, hermetisch verschlossen.
Die als Deckel dienende Keramikplatte kann auch von einer
Metallplatte ersetzt werden. TTm auch bei Verwendung eines rictällueükelB einen dichten Verschluß zu erhalten, wird auf
die Oberseite des Sinterglacringes ein Metallring aufgeglast,
der eine dichte, metallische Lötverbindung ermöglicht.
Es ist weiterhin möglich, das Gehäuse in Vollkeramiktechnik auszuführen, wobei vorgefertigte Keramikteile mit einem hochschmelzenden
Glaslot unter Zwischenlage eines metallischen Leiterbandes verbunden sind.
Eine weitere Möglichkeit ist, entsprechende Plastikbauteile in geeigneter Weise zu einem verschlossenen Gehäuse für
Halbleiterelemente nach der Neuerung zusammenzufügen.
Figur 2 zeigt ein nach der Neuerung angefertigtes Gehäuse 8,
das eine Halbleiteranordnung 5 hermetisch einschließt und in raumsparender Weise in eine gedruckte Schaltung 9 eingebaut
ist.
1 Schutzanspruch
2 Figuren
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Claims (1)
- SchutzanspruchHermetisch abgeschlossenes Gehäuse für Halbleiterbauelemente mit einem Bodenteil, einem mit dem Bodenteil dicht verbundenen, ringförmigen Seitenteil, einem zur j Kontaktierung des Systems des Halbleiterbauelementsdienenden Leiterband, das zwischen der Bodenplatte und! dem Seitenteil durch deren Verbindung fest gehaltertj ist, derart, daß die einen Enden der Leiter des Leiter-j bandes in den durch das Seitenteil gebildeten freien! Raum ragen, und mit einem mit dem Seitenteil an dessenvon der Bodenplatte abgewandten Seite dicht verbundenen Deckel, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter des Leiterbandes an der Schmalseite des Gehäuses lediglich nach einer Richtung parallel herausgeführt sind.VPA 9/110/1052712844230. IZ 71
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19717128442 DE7128442U (de) | 1971-07-23 | 1971-07-23 | Hermetisch abgeschlossenes gehaeuse fuer halbleiterbauelemente |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19717128442 DE7128442U (de) | 1971-07-23 | 1971-07-23 | Hermetisch abgeschlossenes gehaeuse fuer halbleiterbauelemente |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE7128442U true DE7128442U (de) | 1971-12-30 |
Family
ID=6622793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19717128442 Expired DE7128442U (de) | 1971-07-23 | 1971-07-23 | Hermetisch abgeschlossenes gehaeuse fuer halbleiterbauelemente |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE7128442U (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7102215B2 (en) | 1997-07-29 | 2006-09-05 | Osram Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode structural element |
US7102212B2 (en) | 1993-09-30 | 2006-09-05 | Osram Gmbh | Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof |
US7709852B2 (en) | 1996-09-20 | 2010-05-04 | Osram Gmbh | Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component |
US9196800B2 (en) | 1996-06-26 | 2015-11-24 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
-
1971
- 1971-07-23 DE DE19717128442 patent/DE7128442U/de not_active Expired
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7102212B2 (en) | 1993-09-30 | 2006-09-05 | Osram Gmbh | Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof |
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US7709852B2 (en) | 1996-09-20 | 2010-05-04 | Osram Gmbh | Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component |
US8071996B2 (en) | 1996-09-20 | 2011-12-06 | Osram Gmbh | Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component |
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US7183632B2 (en) | 1997-07-29 | 2007-02-27 | Osram Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode structural element |
US7508002B2 (en) | 1997-07-29 | 2009-03-24 | Osram Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode structural element |
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