KR101672553B1 - 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법 - Google Patents

조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법 Download PDF

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Abstract

본원에는 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물을 포함하는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크 조성물이 개시되어 있다. 나노물질, 액체 비히클 및 산란체를 포함하는 잉크 조성물이 또한 개시되어 있다. 퍼플루오로화합물을 포함하는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크 조성물이 또한 개시되어 있다. 약 25 다인/cm 이하의 표면 장력을 갖는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크를 잉크젯 프린팅하는 방법이 개시되어 있다. 특정 바람직한 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함한다. 본 발명의 잉크 및 방법으로부터 제조된 소자가 또한 기재되어 있다.

Description

조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법{COMPOSITIONS AND METHODS INCLUDING DEPOSITING NANOMATERIAL}
<우선권 주장>
본원은 2007년 6월 25일에 출원된 미국 출원 제60/946,090호; 및 2007년 7월 12일에 출원된 미국 출원 제60/949,306호를 우선권 주장하며, 상기 출원들은 각각 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
본 발명은 나노물질을 포함하는 조성물, 및 나노물질 또는 나노물질을 포함하는 조성물의 침착을 포함하는 방법을 포함하나 이에 제한되지 않는, 나노물질의 기술 분야에 관한 것이다.
<발명의 개요>
개선된 조성물 및 나노물질의 침착 방법을 개발하는 것이 이로울 것이라고 인식되었다. 이러한 방법 및 조성물은 소자 및/또는 소자의 어레이의 제작에 유용하다.
본 발명의 한 측면에 따라, 퍼플루오로화합물을 포함하는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크 조성물이 제공된다. 특정 가장 바람직한 실시양태에서, 액체 비히클은 쓰리엠(3M)으로부터 이용가능한 플루오리너트(Fluorinert) FC-77을 포함한다.
본 발명에 따른 잉크의 본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 잉크 조성물은 분산물을 포함한다. 특정 적용의 경우에, 분산물이 콜로이드인 것이 바람직하다.
특정 실시양태에서, 잉크는 산란체를 더 포함할 수 있다.
특정 실시양태에서, 액체 비히클은 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 퍼플루오로화합물을 포함한다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 UV 처리에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 열 처리에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 관련 분야의 숙련자에 의해 용이하게 확인가능한 다른 가교 기술에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물은 액체 비히클 그 자체일 수 있다. 특정 실시양태에서, 이는 보조용매일 수 있다. 특정 실시양태에서, 이는 액체 비히클과 혼합물의 구성성분일 수 있다.
특정 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함한다. 특정 바람직한 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함하며, 여기서 반도체 나노결정의 적어도 일부는 그의 표면 상에 부착된 불소화된 리간드를 포함한다.
본 발명의 한 측면에 따라, 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물을 포함하는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크 조성물이 제공된다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 UV 처리에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 열 처리에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 관련 분야의 숙련자에 의해 용이하게 확인가능한 다른 가교 기술에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물은 액체 비히클 그 자체일 수 있다. 특정 실시양태에서, 이는 보조용매일 수 있다. 특정 실시양태에서, 이는 액체 비히클과 혼합물의 구성성분일 수 있다.
특정 실시양태에서, 잉크는 산란체를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 나노물질, 액체 비히클 및 산란체를 포함하는 잉크 조성물이 제공된다.
산란체 (산란 입자라고도 지칭됨)의 예로는 금속 또는 금속 산화물 입자, 기포 및 유리 비드 (속이 찬 또는 속이 빈)가 포함되나 이에 제한되지 않는다. 다른 산란체는 당업자에 의해 용이하게 확인될 수 있다. 특정 실시양태에서, 산란체는 구형 형상을 갖는다. 산란 입자의 바람직한 예로는 TiO2, SiO2, BaTiO3 및 ZnO가 포함되나 이에 제한되지 않는다. 산란체의 크기 및 크기 분포의 선택은 당업자에 의해 용이하게 결정될 수 있다. 크기 및 크기 분포는 바람직하게는 존재할 수 있는 임의의 액체 매질의 제거 후 산란체가 분산되는 임자 물질 및 산란 입자의 굴절률 부조화, 및 레일리(Rayleigh) 산란 이론에 따라 산란되는 미리 선택된 파장(들)에 기초한다. 산란 입자의 표면은 임자 물질에서의 분산성 및 안정성의 개선을 위해 추가로 처리될 수 있다. 한 실시양태에서, 산란 입자는 0.001 내지 20 중량％ 범위의 농도로 0.2 ㎛ 입자 크기의 TiO2 (듀퐁(DuPont)으로부터의 R902+)를 포함한다. 특정 바람직한 실시양태에서, 산란체의 농도 범위는 0.1 중량％ 내지 10 중량％이다. 특정 보다 바람직한 실시양태에서, 잉크는 약 1 중량％ 내지 약 5 중량％ 범위의 농도로 TiO2를 포함하는 산란체를 포함한다.
본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 나노물질 입자 (예를 들어, 반도체 나노결정)를 액체 비히클에 개별적으로 분산시키는 것이 필수적은 아니다. 나노물질 입자 (예를 들어, 반도체 나노결정)는 응집될 수 있다. 본원에 기재된 본 발명의 특정 실시양태에서, 나노물질 입자 (예를 들어, 반도체 나노결정)는 중합체 입자 내에 포함되거나 중합체 입자 상에 흡착될 수 있다. 본원에 기재된 본 발명의 특정 실시양태에서, 나노물질 입자 (예를 들어, 반도체 나노결정)는 매트릭스 내에 포함되거나 매트릭스 상에 흡착될 수 있다. 매트릭스는 중합체 또는 비중합체일 수 있다.
본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함한다.
반도체 나노결정은 이를 발광 소자, 디스플레이, 광검출기, 비휘발성 랜덤 메모리 소자, 태양 전지, 센서, 광기전 소자 등을 포함하나 이에 제한되지 않는 다양한 소자 및 다른 최종-소비 애플리케이션에서 사용하기에 특히 적합하게 하는 특징 및 특성을 보유한다.
본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함하며, 여기서 반도체 나노결정의 적어도 일부는 그의 표면에 부착된 1개 이상의 리간드를 포함한다.
본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 본 발명의 실시양태에 따른 잉크는 전하를 수송할 수 있는 물질을 더 포함할 수 있다. 특정 실시양태에서, 전하를 수송할 수 있는 물질은 잉크에 포함된 반도체 나노결정의 밴드갭보다 적어도 더 큰 트리플렛 에너지를 갖는다. 특정 실시양태에서, 잉크에 포함된 전하를 수송할 수 있는 물질은 액체 비히클에서 적어도 부분적으로 가용성이다.
본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 본 발명의 실시양태에 따른 잉크는 잉크젯 액체 비히클 및 잉크에서 전형적으로 사용되는 구성성분, 예컨대 용매, 보조용매, 계면활성제, 살생물제, 완충제, 점도 개질제, 격리제, 착색제, 안정화제, 습윤제, 충전제, 증량제, 물 및 이들의 혼합물 (이에 제한되지 않음)과 같은 다양한 구성성분을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 약 25 다인/cm 미만의 표면 장력을 갖는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크 조성물의 침착 방법이 제공된다. 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 약 15 다인/cm 이하의 표면 장력을 갖는다. 약 25 다인/cm 미만의 표면 장력을 갖는 액체 비히클의 예로는 다양한 전자 소자 (예를 들어, 반도체 나노결정을 포함하는 발광 소자, 광검출기 및 다른 소자)의 제작에서 전형적으로 사용되는 유기 물질이 불용성인 것이 포함된다. 이러한 액체 비히클의 예로는 불소화된 용매, 예컨대 퍼플루오로데칼린 또는 쓰리엠에 의해 판매되는 플루오리너트 시리즈의 용매가 포함된다. 이러한 용매로부터의 잉크의 제조에서, 표면 장력 및 점도는 잉크젯에 통상적으로 필요한 수치 (예를 들어, 25 다인/cm) 미만에 포함될 수 있다. 플루오리너트 FC-77은 예를 들어 13 다인/cm의 표면 장력 및 1.3 cP의 점도를 갖는다.
잉크젯 노즐에 잉크를 공급하는 잉크젯 카트리지 저장부 내부에 대기압에 대한 음압을 생성하는 것, 및 잉크를 프린팅하는 것을 포함하는, 프린팅을 위해 잉크젯 노즐에 잉크를 공급하는 잉크젯 카트리지 저장부를 포함하는 잉크젯 시스템으로부터 약 25 다인/cm 미만의 표면 장력을 갖는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크 조성물의 침착 방법이 제공된다. 상기 방법은 잉크젯 노즐에 잉크를 공급하는 잉크젯 카트리지 저장부를 포함하는 잉크젯 시스템의 사용에 의해 이들 용매로 제조된 잉크를 더 일정하게 잉크젯-프린팅할 수 있다. 잉크젯 카트리지 저장부 내부에 음압 (대기압에 대한)을 생성하는 것은 더 안정한 젯을 달성할 수 있다. 특정 실시양태에서, 이는 예를 들어 잉크젯 카트리지 저장부를 잉크젯 노즐 아래에 위치시킴으로써 달성될 수 있다. 바람직하게는, 잉크젯 카트리지 저장부는 잉크젯 카트리지 저장부의 높이가 카트리지 저장부 내부에 약간 음압의 생성을 위해 조절될 수 있도록 잉크젯 노즐(들)에 의해 유지되거나 잉크젯 노즐(들)에 대해 상대적으로 위치된다. 상기 방법은 계면활성제 또는 다른 성분들의 첨가의 필요 없이 약 25 다인/cm 미만의 표면 장력을 갖는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크 조성물을 잉크젯 프린팅하는 것을 용이하게 할 수 있다.
별개의 계면활성제 및/또는 다른 첨가제들의 첨가의 필요 없이 나노물질 (예를 들어, 리간드를 포함하는 반도체 나노결정)을 포함하는 약 25 다인/cm 미만의 표면 장력을 갖는 잉크를 잉크젯 프린팅하는 능력은 이러한 추가 첨가제가 그의 화학, 광학 또는 전자 특성 및/또는 성능에 유해한 영향을 줄 수 있는 소자 및 다른 전자 구조의 제조에서 이롭다.
특정 실시양태에서, 잉크는 본원에 기재된 기판 및 다른 표면을 포함하나 이에 제한되지 않는 표면 상에 침착된다.
특정 실시양태에서, 나노물질은 광을 방출할 수 있는 무기 나노입자를 포함한다.
특정 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함한다. 반도체 나노결정은 이를 발광 소자, 디스플레이, 광검출기, 비휘발성 랜덤 메모리 소자, 태양 전지, 센서, 광기전 소자 등을 포함하나 이에 제한되지 않는 다양한 소자 및 다른 최종-소비 애플리케이션에서 사용하기에 특히 적합하게 하는 특징 및 특성을 보유한다.
특정 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함하며, 여기서 반도체 나노결정의 적어도 일부는 그의 표면에 부착된 1개 이상의 리간드를 포함한다.
특정 실시양태에서, 방법은 잉크로부터 액체 비히클의 제거를 더 포함한다. 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 액체 비히클 제거시 침착되는 나노물질을 포함하는 층이 평면이 되는 것으로 선택된다.
특정 실시양태에서, 액체 비히클은 잉크가 침착되는 층에 포함된 물질이 불용성인 액체를 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 소자의 제작 방법이 제공된다. 상기 방법은 본 발명의 측면 또는 실시양태에 따른 잉크를 전극을 포함하는 기판 위에 침착하는 것을 포함한다. 기판은 1개 이상의 추가 층 및/또는 특징물을 임의로 포함할 수 있다. 다른 상세한 측면에서, 기판 상에 침착 후, 액체 비히클이 잉크로부터 제거된다. 다른 상세한 측면에서, 1개 이상의 추가 층 및/또는 특징물이 반도체 나노결정 위에 배치된다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 본 발명의 측면 또는 실시양태에 따른 잉크를 전극을 포함하는 기판 위에 예정된 배열부에 침착하는 것을 포함하는, 소자의 어레이의 형성 방법이 제공된다. 예를 들어, 잉크는 패턴화된 또는 패턴화되지 않은 배열부에 침착될 수 있다.
기판은 1개 이상의 추가 층 및/또는 특징물을 임의로 포함할 수 있다. 다른 상세한 측면에서, 기판 상에 침착 후, 액체 비히클이 잉크로부터 제거된다. 다른 상세한 측면에서, 1개 이상의 추가 층 및/또는 특징물이 반도체 나노결정 위에 배치된다. 특정 실시양태에서, 상이한 발광성 물질을 포함하는 2종 이상의 잉크가 예정된 배열부에 침착된다. 예를 들어, 잉크는 패턴화된 또는 패턴화되지 않은 배열부에 침착될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 본원에 교시된 잉크 조성물을 포함하는 소자가 제공된다. 특정 실시양태에서, 잉크 및/또는 조성물은 소자의 부품에 포함된다. 특정 실시양태에서, 잉크 및/또는 조성물은 부품의 표면 상에 포함된다. 특정 실시양태에서, 잉크 및/또는 조성물은 소자에 층으로서 포함될 수 있다. 특정 실시양태에서, 잉크 및/또는 조성물은 소자의 상단 및/또는 바닥 표면 상에 포함된다. 잉크 및/또는 조성물은 배치되는 표면의 예정된 영역 위에 예정된 배열부에 포함될 수 있다. 이러한 배열부는 특정 적용에 따라 패턴화되거나 패턴화되지 않을 수 있다. 특정 실시양태에서, 1개 초과의 예정된 배열부가 포함된다. 특정 실시양태에서, 소자는 디스플레이, 발광 소자 또는 다른 조명 유닛을 포함한다. 특정 실시양태에서, 소자는 광기전 소자를 포함한다. 특정 실시양태에서, 소자는 다른 전자 또는 광전자 소자를 포함한다.
본원에 기재된 상기 및 다른 측면은 모두 본 발명의 실시양태를 구성한다.
상기 개략적인 기재 및 하기 상세한 기재 모두는 예시적이고 설명적일 뿐이며, 청구된 바와 같은 본 발명을 제한하지 않는 것으로 이해된다. 다른 실시양태는 본 명세서 및 본원에 개시된 본 발명의 실시를 고려하여 당업자에게 명백할 것이다.
도면에서,
도 1은 본 발명에 따른 방법의 실시양태의 수행에서 사용하기 위한 장비 셋업의 예의 개략도를 도시한다.
도 2는 발광 소자의 구조의 예의 개략도를 도시한다.
도 3은 발광 소자의 구조의 예의 개략도를 도시한다.
첨부된 도면은 예시만을 위해 제공된 단순화된 표시이고; 실제 구조는 예를 들어 상대 척도 등을 포함하는 수많은 사항에서 다양할 수 있다.
다른 장점 및 그의 능력과 함께 본 발명을 더 잘 이해하기 위해, 상기 기재된 도면과 관련하여 상기 개시 및 첨부된 청구항을 참조한다.
본 발명의 한 측면에 따라, 퍼플루오로화합물을 포함하는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크 조성물이 제공된다. 특정 가장 바람직한 실시양태에서, 액체 비히클은 쓰리엠으로부터 이용가능한 플루오리너트 FC-77을 포함한다.
본 발명에 따른 잉크 조성물의 특정 측면 및 실시양태에서, 잉크 조성물은 콜로이드 분산물을 포함한다.
특정 실시양태에서, 액체 비히클은 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 퍼플루오로화합물을 포함한다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 UV 처리에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 열 처리에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 관련 분야의 숙련자에 의해 용이하게 확인가능한 다른 가교 기술에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물은 액체 비히클 그 자체일 수 있다. 특정 실시양태에서, 이는 보조용매일 수 있다. 특정 실시양태에서, 이는 액체 비히클과 혼합물의 구성성분일 수 있다.
본 발명의 한 측면에 따라, 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물을 포함하는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크 조성물이 제공된다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 UV 처리에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 열 처리에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 관능성 유닛은 관련 분야의 숙련자에 의해 용이하게 확인가능한 다른 가교 기술에 의해 가교될 수 있다. 특정 실시양태에서, 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물은 액체 비히클 그 자체일 수 있다. 특정 실시양태에서, 이는 보조용매일 수 있다. 특정 실시양태에서, 이는 액체 비히클과 혼합물의 구성성분일 수 있다.
특정 실시양태에서, 잉크는 산란체를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 나노물질, 액체 비히클 및 산란체를 포함하는 잉크 조성물이 제공된다.
산란체 (산란 입자라고도 지칭됨)의 예로는 금속 또는 금속 산화물 입자, 기포 및 유리 비드 (속이 찬 또는 속이 빈)가 포함되나 이에 제한되지 않는다. 다른 산란체는 당업자에 의해 용이하게 확인될 수 있다. 특정 실시양태에서, 산란체는 구형 형상을 갖는다. 산란 입자의 바람직한 예로는 TiO2, SiO2, BaTiO3 및 ZnO가 포함되나 이에 제한되지 않는다. 산란체의 크기 및 크기 분포의 선택은 당업자에 의해 용이하게 결정될 수 있다. 크기 및 크기 분포는 바람직하게는 존재할 수 있는 임의의 액체 매질의 제거 후 산란체가 분산되는 임자 물질 및 산란 입자의 굴절률 부조화, 및 레일리(Rayleigh) 산란 이론에 따라 산란되는 미리 선택된 파장(들)에 기초한다. 산란 입자의 표면은 임자 물질에서의 분산성 및 안정성의 개선을 위해 추가로 처리될 수 있다. 한 실시양태에서, 산란 입자는 0.001 내지 20 중량％ 범위의 농도로 0.2 ㎛ 입자 크기의 TiO2 (듀퐁(DuPont)으로부터의 R902+)를 포함한다. 특정 바람직한 실시양태에서, 산란체의 농도 범위는 0.1 중량％ 내지 10 중량％이다. 특정 보다 바람직한 실시양태에서, 잉크는 약 1 중량％ 내지 약 5 중량％ 범위의 농도로 TiO2를 포함하는 산란체를 포함한다.
본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함한다.
본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 본 발명의 실시양태에 따른 잉크 조성물은 잉크젯 액체 비히클 및 잉크에서 전형적으로 사용되는 구성성분, 예컨대 용매, 보조용매, 계면활성제, 살생물제, 완충제, 점도 개질제, 격리제, 착색제, 안정화제, 습윤제, 충전제, 증량제, 물 및 이들의 혼합물 (이에 제한되지 않음)과 같은 다양한 구성성분을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 약 25 다인/cm 미만의 표면 장력을 갖는 액체 비히클 및 나노물질을 포함하는 잉크 조성물의 침착 방법이 제공된다. 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 약 15 다인/cm 이하의 표면 장력을 갖는다. 약 25 다인/cm 미만의 표면 장력을 갖는 액체 비히클의 예로는 다양한 전자 소자 (예를 들어, 반도체 나노결정을 포함하는 발광 소자, 광검출기 및 다른 소자)의 제작에서 전형적으로 사용되는 유기 물질이 불용성인 것이 포함된다. 이러한 액체 비히클의 예로는 불소화된 용매, 예컨대 퍼플루오로데칼린 또는 쓰리엠에 의해 판매되는 플루오리너트 시리즈의 용매가 포함된다. 이러한 용매로부터의 잉크의 제조에서, 표면 장력 및 점도는 잉크젯에 통상적으로 필요한 수치 (예를 들어, 25 다인/cm) 미만에 포함될 수 있다. 플루오리너트 FC-77은 예를 들어 13 다인/cm의 표면 장력 및 1.3 cP의 점도를 갖는다.
특정 실시양태에서, 잉크젯 노즐에 잉크를 공급하는 잉크젯 카트리지 저장부를 포함하는 잉크젯 시스템의 사용에 의해 이들 용매로 제조된 잉크를 더 일정하게 잉크젯-프린팅하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 더 안정한 젯을 형성하기 위해 잉크젯 카트리지 저장부 내부에 음압 (대기압에 대한)을 생성하는 것을 포함한다. 이는 예를 들어 잉크젯 카트리지 저장부를 잉크젯 노즐 아래에 위치시킴으로써 달성될 수 있다. 바람직하게는, 잉크젯 카트리지 저장부는 잉크젯 카트리지 저장부의 높이가 카트리지 저장부 내부에 약간 음압의 생성을 위해 조절될 수 있도록 잉크젯 노즐(들)에 의해 유지되거나 잉크젯 노즐(들)에 대해 상대적으로 위치된다.
특정 실시양태에서, 본 발명의 실시양태에 따른 잉크는 마이크로-디스펜서, 예컨대 잉크젯 프린팅 시스템의 잉크젯 프린트 헤드로부터 침착될 수 있다. 잉크젯 프린팅은 나노물질을 포함하는 잉크의 패턴이 소자의 층 상에 편리하게 형성되도록 할 수 있다. 잉크젯 프린팅은 프린팅되는 잉크묻은 구역의 위치 및 크기를 정밀하게 제어하게 할 수 있다. 약 20 ㎛ 크기의 잉크 스팟(spot)은 현재 상업적으로 이용가능한 잉크젯 프린터에 의해 용이하게 달성될 수 있고, 더 작은 스팟 크기가 가능할 것으로 예상된다. 상이한 나노물질이 다중 프린트 헤드를 갖는 잉크젯 프린팅 시스템을 사용하여 동시에 패턴화될 수 있다. 그러므로, 다중 나노물질이 단일 침착 단계로 침착될 수 있다. 이는 후속적 침착을 이전에 침착된 패턴에 등록하는 것에 대한 필요성을 회피한다.
나노물질의 침착에서 사용하기 위한 잉크젯 프린팅 시스템은 잉크를 함유하는 파이어링(firing) 챔버 저장부를 갖는 프린트 헤드를 포함할 수 있다. 한 실시양태에서, 잉크젯 프린팅 시스템은 예를 들어 위에 놓인 오리피스 플레이트를 통해 조성물을 추진하기 위한 저항성 가열 요소 또는 압전 요소를 사용하여 프린팅되는 물질 또는 소자 층에 잉크를 추진하기 위해 사용될 수 있다. 잉크는 저장부에 저장될 수 있고, 조성물은 마이크로-채널 세트를 통해 오리피스 플레이트를 향해 이동할 수 있다. 프린트 헤드는 잉크를 함유하는 파이어링 챔버 저장부를 가질 수 있다. 본원에 기재된 방법의 수행에서 사용하기 위한 잉크젯 프린팅 시스템의 예로는 미국 캘리포니아주 산타 클라라 소재의 디마틱스, 인크.(Dimatix, Inc.)의 디마틱스 머티리얼즈(Dimatix Materials) 카트리지 DMC-1000 시리즈를 포함하는 디마틱스 머티리얼즈 프린터 DMP-2800 시리즈가 포함되나 이에 제한되지 않는다. 다른 제조자로부터의 잉크젯 프린팅 시스템이 또한 본원에 기재된 방법의 수행에 유용할 수 있다. 2006년 2월 14일에 허여된 호이싱톤(Hoisington) 등 (디마틱스, 인크.로 양도됨)의 명칭 ["Apparatus for Depositing Droplets"]의 미국 특허 제6,997,539호; 2006년 3월 14일에 허여된 모이니한(Moynihan) 등 (디마틱스, 인크.로 양도됨)의 명칭 ["Piezoelectric Ink Jet Module With Seal"]의 미국 특허 제7,011,936호에 기재된 잉크젯 프린팅 시스템을 또한 참조한다. 상기 특허들은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다. 다른 잉크젯 프린팅 시스템의 예로는 영국 캠브리지에 본사를 둔 자아 코포레이션(Xaar Corporation)으로부터 이용가능한 옴니도트(Omnidot) 프린터가 포함된다. 노즐 어레이의 다른 예는 126개의 젯을 포함하는 멀티-젯 노즐 시스템이고, 자아 코포레이션에 의해 파트 넘버 XJ 126하에 시판된다. 또한, 잉크 액적을 분배하는 초음파 분무 헤드를 사용하는 미립화 분무 공정이 사용될 수 있다. 또한, 고점도, 예를 들어 20 센티포아즈 이상을 갖는 잉크의 경우에, 자아 코포레이션으로부터 이용가능한 레오파드(Leopard)가 사용될 수 있으며, 여기서 잉크는 점도를 분출가능한 범위로 감소시키도록 가열될 수 있다.
연구 및 개발 필요성에 더 적합한 다른 잉크젯 시스템의 예는 엔지니어링 아츠(Engineering Arts)로부터 이용가능한 액티브 피페트(Active Pipette)TM 피에조 시스템이다.
잉크젯 프린팅 시스템은 예를 들어 데이터 인터페이스, 제어 서브시스템, 위치 서브시스템 및 침착 서브시스템을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시양태에서, 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질 및 액체 비히클을 포함하는 잉크는 목적한 적용 파라미터에 의해 용액의 선택된 부피를 분배하도록 배치될 수 있는, 열 토출, 압전 토출, 에어로졸 생성, 마이크로피펫, 피펫, 초음파 헤드 등을 포함하나 이에 제한되지 않는 1개 이상의 마이크로-디스펜서를 포함하는 임의의 다양한 다른 전달 시스템에 의해 물질 또는 소자 층 상에 침착될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
현재 잉크젯 기술은 약 15 ㎛ 내지 약 100 ㎛의 오리피스 크기를 허용한다. 그러므로, 침착될 수 있는 특징물의 최소 크기는 현재 약 상기 범위로 제한되나, 더 작은 오리피스 크기 및 감소된 크기가 미래 개발에 의해 허용될 수 있다. 또한, 오리피스의 크기는 잉크분출되는 잉크에 존재하는 임의의 나노물질의 실제 크기에 영향을 줄 수 있다.
특정 실시양태에서, 잉크분출 기술은 열, 압전, 초음파 임펄스 또는 다른 공지된 잉크젯 프린팅 시스템을 포함하는 다양한 잉크젯 펜에 맞추어진 잉크 제제를 포함할 수 있다.
상기 논의된 바와 같이, 잉크 조성물은 잉크젯 액체 비히클 및 잉크에서 전형적으로 사용되는 구성성분, 예컨대 용매, 보조용매, 계면활성제, 살생물제, 완충제, 점도 개질제, 격리제, 착색제, 안정화제, 습윤제, 충전제, 증량제, 물 및 이들의 혼합물 (이에 제한되지 않음)과 같은 1종 이상의 다양한 구성성분을 더 포함할 수 있다. 액체 비히클의 양의 선택에서 여러 고려사항에는 핵형성과 관련된 것, 예컨대 열용량, 기화열, 임계 핵형성 온도, 확산도 등이 포함된다. 전형적으로, 열 잉크젯 프린팅 시스템에서 사용하기 위한 잉크는 약 0.8 cP 내지 약 20 cP의 점도를 가질 수 있고, 몇몇 경우에 50 cP 이하일 수 있다. 유사하게, 압전 잉크젯 프린팅 시스템에서 사용하기 위한 잉크는 약 2 cP 내지 약 15 cP의 점도를 가질 수 있고, 몇몇 경우에 30 cP 이하일 수 있다. 임의로, 점도 개질제가 잉크에 포함될 수 있다. 점도 개질제의 예로는 2-피롤리돈, 이소프로필 알콜, 글리세롤 등이 포함된다. 그러나, 다른 점도 개질제가 사용될 수 있다.
특정 실시양태에서, 본 발명의 실시양태에 따른 잉크는 마이크로-디스펜서, 예컨대 잉크젯 프린팅 시스템의 잉크젯 프린트 헤드로부터 침착될 수 있다. 잉크젯 프린팅은 나노물질을 포함하는 잉크의 패턴이 소자의 층 상에 편리하게 형성되도록 할 수 있다. 잉크젯 프린팅은 프린팅되는 잉크묻은 구역의 위치 및 크기를 정밀하게 제어하게 할 수 있다. 약 20 ㎛ 크기의 잉크 스팟이 현재 상업적으로 이용가능한 잉크젯 프린터에 의해 용이하게 달성될 수 있고, 더 작은 스팟 크기가 가능할 것으로 예상된다. 상이한 나노물질이 다중 프린트 헤드를 갖는 잉크젯 프린팅 시스템을 사용하여 동시에 패턴화될 수 있다. 그러므로, 다중 나노물질이 단일 침착 단계로 침착될 수 있다. 이는 후속적 침착을 이전에 침착된 패턴에 등록하는 것에 대한 필요성을 회피한다.
열 잉크젯 프린팅 시스템에서 사용되는 잉크의 표면 장력은 약 25 다인/cm 내지 약 75 다인/cm의 범위일 수 있고, 몇몇 실시양태에서 약 30 내지 약 55 다인/cm일 수 있다. 표면 장력은 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올, 글리세롤 등과 같은 화합물을 사용하여 조절될 수 있다. 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 잉크의 약 60 중량％ 내지 약 100 중량％를 차지할 수 있다. 다양한 기술이 잉크의 점도 또는 다른 분출 특성을 변형하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 물질을 액화시키거나, 물질의 용해도를 증가시키거나, 잉크분출가능하게 되도록 점도를 감소시키기 위해 열이 사용될 수 있다. 당업자는 상기 논의가 주로 열 잉크젯 프린팅 시스템에 초점이 맞춰지고; 압전 잉크젯 프린팅 시스템은 덜 제한적인 고려사항을 포함한다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 열 잉크젯 프린팅 시스템은 전형적으로 약 80℃ 미만의 온도에서 작동되나, 압전 잉크젯 프린팅 시스템은 약 150℃ 이하의 온도에서 작동될 수 있다. 당업자는 열, 압전 또는 다른 잉크젯 프린팅 시스템으로부터 잉크를 잉크분출하기 위해 구성성분이 액체 비히클에 포함될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 당업자는 다양한 분할 및 전도 경로를 달성하기 위해 이들 및 다른 변수를 조절할 수 있다. 프린트 헤드 파형 (예를 들어, 피에조 및 열 여기 파형, 막힘방지 파형, 토출 파형 등), 및 프린트 헤드 및 오리피스 플레이트를 구축하는데 사용된 물질의 조성물이 이러한 변수이다. 예를 들어, 잉크의 습윤 속성, 및 잉크젯 노즐의 내부 표면 또는 프린팅 오리피스 플레이트의 표면의 습윤도에 의존하여, 잉크 조성물은 드롭 토출을 향상시키도록 처리될 수 있다.
본원에 기재된 본 발명의 특정 실시양태에서, 상기 기재된 통상적인 범위에 포함되지 않는 잉크 특성을 초래하는 비히클 시스템을 사용하는 것이 이로울 수 있다. 이는 예를 들어 소자의 물질이 불용성인 비히클을 사용하는 경우일 것이다. 이 기준을 충족하는 용매 부류의 예는 불소화된 용매, 예컨대 퍼플루오로데칼린 또는 쓰리엠에 의해 판매되는 플루오리너트 시리즈의 용매이다. 이러한 용매로부터의 잉크의 제조에서, 표면 장력 및 점도는 잉크젯에 통상적으로 필요한 수치 미만에 포함될 수 있다. 플루오리너트 FC-77은 예를 들어 13 다인/cm의 표면 장력 및 1.3 cP의 점도를 갖는다. 이들 용매로 제조된 잉크를 더 일정하게 분출하는 방법은 더 안정한 젯을 형성하기 위해 카트리지 저장부 내부에 음압 (대기압에 대한)을 생성하는 것을 포함한다. 이는 카트리지 저장부를 잉크젯 노즐 약간 아래에 위치시킴으로써 실험실 규모에서 달성될 수 있다. 젯을 형성하기 위해 충분한 음압을 달성하기 위한 카트리지 저장부의 위치는 당업자에 의해 용이하게 결정될 수 있다. 바람직하게는, 잉크젯 카트리지 저장부는 잉크젯 카트리지 저장부의 높이가 카트리지 저장부 내부에 목적한 음압의 생성을 위해 조절될 수 있도록 잉크젯 노즐(들)에 의해 유지되거나 잉크젯 노즐(들)에 대해 상대적으로 위치된다. 한 예에서, 카트리지 저장부는 가변-높이 플랫폼 (예를 들어, 작은 잭(jack)) 상에 위치되고, 그의 높이는 카트리지 저장부 내부에 음압, 바람직하게는 약간 음압의 생성을 위해 조절될 수 있다. 실험실 규모의 셋업의 예의 개략도는 도 1에 나타낸다. 특정 실시양태에서, 불소화된 용매에 포함된 반도체 나노결정은 나노결정의 표면에 부착된 1개 이상의 불소화된 리간드를 포함한다. 불소화된 리간드를 포함하는 나노결정은 예를 들어 콜로이드 합성 도중에 나노결정 표면에 부착되는 1개 이상의 리간드를, 예를 들어 티올, 카르보디티오에이트, 카르보디티오산, 아민, 티오우레아, 아미드, 포스핀 옥시드, 포스폰산 또는 포스핀산, 티오포스폰산 또는 티오포스핀산과 같은 관능성 헤드를 포함하는 리간드와 교환함으로써 제조될 수 있으며, 여기서 관능성 헤드는 과불소화되거나 부분적으로 불소화된 알킬 및/또는 아릴 유닛에 의해 치환될 수 있다. 바람직하게는, 불소화된 리간드는 불소화된 액체 비히클과 화학적으로 상용성이 있다. 토출된 드롭 형태로 프린팅되는 표면 상의 나노물질의 침착은 나노물질 및 액체 비히클을 포함하는 잉크의 "도트"를 생성한다. 용어 "도트"는 표면에 접촉하는 잉크 드롭을 지칭하는데 사용된다. 몇몇 예에서, 드롭 중 잉크는 표면 상의 얇은 층에 보유될 것이다. 그러나, 소자 층의 다공도, 습윤도 및/또는 또는 다른 속성, 및 드롭이 층에 접촉하는 시간에 의존하여, 잉크는 바깥쪽으로 산포하여 도트 게인을 초래할 수 있다. 도트 게인은 표면 상의 도트의 최종 직경 대 그의 초기 직경의 비율이다. 잉크가 침착된 물질 또는 층이 다공성인 경우, 도트는 물질 또는 층으로 침투할 수 있다. 도트 침투는 드롭이 침착되는 표면으로 스며드는 깊이이다. 도트의 물리적 및/또는 화학적 특성은 잉크의 투과성 및 특이성의 방해 없이 용해 속도를 향상시킬 수 있다. 제어된 도트 배치, 도트의 높은 표면-대-질량 비율, 및 도트의 디지털 질량 침착 제어가 소자에서 침착된 나노물질의 성능에 초점 맞추기 위해 사용될 수 있다.
예를 들어, 도트는 토출 용액이 비습윤가능한 표면 또는 상대적으로 불투과성 표면을 갖는 전달 기판에 적용되는 경우에 가능할 수 있는 도트 게인 또는 도트 침투를 실제로 갖지 않는다.
도트를 형성하는 잉크와 침착되는 표면 간의 상호작용의 성질의 한 편리한 정량 방법은 액체-고체 및 액체-공기 인터페이스에 의해 형성된 각 θ를 측정하는 것이다. 이러한 각 (접촉각이라고 함)은 용액의 표면 장력과 잉크가 침착된 표면의 습윤도의 곱이다. 높은 표면 장력 및 프린팅되는 소자 층의 표면과의 불량한 상호작용을 갖는 액체 비히클을 포함하는 잉크는 90°보다 큰 접촉각을 나타내는 경향이 있다. 그러므로, 상기 잉크는 표면 상에 별개의 액적을 형성하는 경향이 있다. 그러나, 액체 비히클이 상대적으로 비극성 (유기 액체의 경우에 전형적임)이고 잉크가 침착되는 표면이 유사하게 비극성인 경우에, 접촉각은 전형적으로 90 ° 미만이고, 액체는 산포하여 얇은 필름을 형성하는 경향이 있다. 도트가 산포되고 얇게 펴지기 때문에 접촉각이 0인 경향이 있다.
상기 기재된 바와 같이, 잉크젯 프린팅 시스템은 상응하는 잉크에 포함될 수 있는 상이한 반도체 나노결정을 포함하는 1종 이상의 상이한 나노물질을 침착하도록 개조될 수 있다. 몇몇 실시양태에서, 2개 이상의 토출 카트리지는 각각이 상이한 나노물질을 포함하는 잉크를 침착하고/거나 상이한 드롭 부피를 갖는 잉크를 토출하도록 배치될 수 있다. 잉크젯 시스템은 상이한 토출 카트리지를 상호교환가능하게 수용하도록 배치될 수 있으며, 상이한 토출 카트리지는 상이한 잉크를 프린팅될 표면에 도포하도록 개별적으로 배치된다. 상호교환가능한 토출 카트리지가 또한 텅빈 토출 카트리지를 꽉찬 토출 카트리지로 대체하기 위해 사용될 수 있다. 나노물질 및 액체 비히클을 포함하는 잉크를 소자의 물질 또는 층에 침착하는 다른 메카니즘을 사용하는 것은 본 개시물의 범위 내에 포함되며, 토출 카트리지가 비제한적 예로서 제공된다. 예를 들어, 잉크젯 시스템은 비-열적 메카니즘, 예컨대 압전 토출 요소에 의해 유발된 진동 치환을 통해 유체 토출을 수행하도록 배치된 토출기를 갖는 토출-헤드를 사용하는 토출 카트리지를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 수행에 유용할 수 있는 잉크젯 시스템의 한 예에서, 노즐 간격은 약 504 ㎛일 수 있고; 노즐 직경은 약 27 ㎛일 수 있고; 액적 크기 (12 pl에 대한)는 약 5 ㎛ 제곱의 최소 크기로 산포된다.
추정되는 노즐 수명을 기준으로, 노즐은 약 807 ft2의 면적을 코팅할 것으로 예상될 수 있다. 이러한 면적은 29,000개의 2-제곱인치 또는 3,200개의 6-제곱인치 디스플레이를 프린팅하는 것에 상응한다. 잉크젯 프린팅될 수 있는 유체 점도 범위는 예를 들어 8-14 cP를 포함한다. 70℃ 초과의 작동 온도에서의 프린팅은 사용되는 특정 물질 및 장비에 의해 제한될 수 있다.
잉크의 드롭 부피, 접촉각, 점도 및 다른 특성에 의존하여, 약 8 pl만큼 작은 드롭 부피에서도 스팟 직경은 신속한 산포로 인해 상대적으로 클 수 있다. 유사하게, 잉크의 드롭 부피, 접촉각, 점도 및 다른 특성에 의존하여, 잉크젯 프린팅 시스템으로부터 선형 패턴을 프린팅하는 몇몇 경우에, 오버랩핑 배열에서 드롭의 반복 프린팅이 적절할 수 있다.
본 발명의 실시양태에 따른 잉크는 마이크로-디스펜서로부터 나노물질을 침착하는데 유용할 수 있다. 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 나노물질이 분산되거나 현탁될 수 있는 액체를 포함한다. 특정 바람직한 실시양태에서, 나노물질은 콜로이드상으로 분산된다. 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 나노물질을 용해하지 않거나 상당히 용해하지 않는 액체를 포함한다 (예를 들어, 용해도는 0.001 mg/㎖ 미만임).
나노입자의 적어도 일부의 표면에 부착된 1개 이상의 리간드를 갖는 나노물질을 포함하는 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 부착된 리간드를 갖는 이러한 나노물질이 분산되거나 현탁될 수 있는 액체를 포함한다. 특정 바람직한 실시양태에서, 나노물질은 콜로이드상으로 분산된다. 특정 실시양태에서, 나노입자는 반도체 나노결정을 포함한다. 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 리간드 (나노입자에 부착되지 않음)가 적어도 부분적으로 가용성인 것이다. 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 리간드 (나노입자에 부착되지 않음)가 불용성인 것이다.
특정 실시양태에서, 잉크는 잉크가 침착되는 물질 또는 소자 층이 불용성인 액체 비히클을 포함한다 (예를 들어, < 0.001/mg/㎖의 물질이 액체 비히클에 용해됨). 다른 특정 실시양태에서, 잉크는 잉크가 침착되는 물질 또는 소자 층이 적어도 부분적으로 가용성인 액체 비히클을 포함한다 (예를 들어, > 0.001/mg/㎖의 물질이 액체 비히클에 용해됨). 특정 실시양태에서, 나노물질의 적어도 일부는 잉크에 용해되는 물질 또는 층의 부분에서 적어도 일시적으로 혼합될 수 있다.
특정 실시양태에서, 방법은 잉크로부터 액체 비히클의 제거를 더 포함한다.
특정 실시양태에서, 액체 비히클은 물질 또는 층 및 나노물질의 적어도 일부가 혼합된 상태로 유지되도록 제거될 수 있다.
다른 실시양태에서, 액체 비히클은 나노물질 상이 분리되어 아래에 놓인 물질 또는 층의 표면에 또는 상기 표면 근처에 나노물질의 층을 형성하도록 제거될 수 있다. 상 분리는 2003년 3월 28일에 출원된 불로빅(Bulovic) 등의 명칭 ["Layered Materials Including Nanoparticles"]의 미국 특허 출원 제10/400,907호에 더 상세히 기재되어 있으며, 상기 출원은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
특정 실시양태에서, 잉크의 액체 비히클은 액체 비히클 제거시 침착되는 나노물질을 포함하는 소자의 물질 또는 층(들)이 평면이 되는 것으로 선택된다. 평면 물질 또는 소자 층을 달성하는 기술의 예로는 전형적으로 PLED 기술에서 사용되는 바와 같은 웰 구조를 사용하는 것이 포함된다. 다른 기술은 관련 분야의 숙련자에 의해 용이하게 결정될 수 있다. 평면도를 측정하는 한가지 기술은 피크-대-피크 높이 차이를 측정하는 것이다. 이는 AFM 현미경을 사용하여 용이하게 측정될 수 있다. 특정 실시양태에서, 평면 층은 약 5％ 미만의 피크-대-피크 높이 차이를 갖는다.
나노물질 (예를 들어, 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질)을 포함하는 잉크에 포함하기 위한 액체 비히클의 예로는 하기 표 1에 나열된 것들, 및 이들의 2종 이상의 혼합물이 포함되나 이에 제한되지 않는다.
혼합물의 예로는 헥산 및 옥탄; 벤젠 및 크실렌; 테트라히드로푸란 및 아니솔 등이 포함되나 이에 제한되지 않는다.
Figure 112010004373855-pct00001
Figure 112010004373855-pct00002
다른 액체 또는 액체의 혼합물이 액체 비히클로서 사용될 수 있다. 특정 실시양태에서, 휘발성 액체 또는 휘발성 액체의 혼합물이 액체 비히클로서 사용될 수 있다.
특정 실시양태에서, 나노물질 및 액체 비히클을 포함하는 잉크는 약 0.1 센티포아즈 (예를 들어, 디에틸 에테르, 메탄올의 점도) 내지 1500 센티포아즈 초과 (예를 들어, 오일, 글리세롤의 점도) 범위의 점도를 갖는다.
반도체 나노결정을 포함하는 나노물질을 포함하는 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 유기 비극성 액체를 포함한다. 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 약 1 cP 이하의 점도 및 또한 상대적으로 높은 휘발도를 갖는다.
본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 나노물질 입자 (예를 들어, 반도체 나노결정)를 비히클에 개별적으로 분산되게 하는 것이 필수적인 것은 아니다. 나노물질 입자 (예를 들어, 반도체 나노결정)는 응집될 수 있다. 본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 나노물질 입자 (예를 들어, 반도체 나노결정)는 중합체 입자 내에 포함되거나 중합체 입자 상에 흡착될 수 있다. 본원에 기재된 본 발명의 특정 실시양태에서, 나노물질 입자 (예를 들어, 반도체 나노결정)는 매트릭스 내에 포함되거나 매트릭스 상에 흡착될 수 있다. 매트릭스는 중합체 또는 비중합체일 수 있다.
본원에 기재된 본 발명의 특정 측면 및 실시양태에서, 본 발명의 실시양태에 따른 잉크 조성물은 전하를 수송할 수 있는 물질을 더 포함할 수 있다. 특정 실시양태에서, 전하를 수송할 수 있는 물질은 잉크에 포함된 반도체 나노결정의 밴드갭보다 적어도 더 큰 트리플렛 에너지를 갖는다. 특정 실시양태에서, 잉크 조성물에 포함된 전하를 수송할 수 있는 물질은 액체 비히클에서 적어도 부분적으로 가용성이다.
임의로, 다른 구성성분이 잉크에 포함될 수 있다. 임의로 잉크에 포함될 수 있는 다른 구성성분의 예로는 예를 들어 계면활성제, 용매, 보조용매, 완충제, 살생물제, 점도 개질제, 착화제, 킬레이트제, 안정화제 (예를 들어, 나노물질의 뭉침을 억제하기 위함), 습윤제, 충전제, 증량제 등이 포함되나 이에 제한되지 않는다. 다른 가능한 구성성분에는 잉크 또는 잉크젯 잉크 조성물에 포함될 수 있는 유형의 다른 첨가제가 포함된다. 안정화제는 예를 들어 개별 나노입자 주변에 코팅을 형성하는 화학적으로 부착된 관능기 또는 리간드를 포함할 수 있다.
잉크에 포함된 나노물질의 양 (예를 들어, 농도 (wt/vol))은 특정 나노물질 및 침착된 나노물질의 목적한 속성 (예를 들어, 침착된 나노물질의 두께, 광학 밀도, 특징물 (예를 들어, 패턴의 특징물의 패턴화된 또는 패턴화되지 않은 크기 등))을 기준으로 선택될 수 있다. 상기 양은 당업자에 의해 용이하게 결정될 수 있다.
예를 들어, 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질 및 액체 비히클 (예를 들어, 비극성 유기 액체 또는 액체 혼합물을 포함하는 액체 비히클을 포함하나 이에 제한되지 않음)을 포함하는 잉크의 특정 실시양태에서, 잉크는 약 0.1 mg/㎖ 이상의 반도체 나노결정을 포함할 수 있다. 다른 실시양태의 예에서, 잉크는 1 mg/㎖ 이상, 5 mg/㎖ 이상, 10 mg/㎖ 이상, 25 mg/㎖ 이상, 50 mg/㎖ 이상 등을 포함할 수 있다.
특정 실시양태에서, 나노물질 및 다른 임의의 구성성분이 침착시 잉크에 분산된다. 특정 바람직한 실시양태에서, 분산물은 콜로이드이다.
나노물질은 100 nm보다 더 작은 평균 최대 치수를 갖는 나노입자를 포함한다.
특정 바람직한 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함한다.
반도체 나노결정은 나노미터-스케일 무기 반도체 입자를 포함한다. 반도체 나노결정은 바람직하게는 약 150 옴스트롱 (Å) 미만, 가장 바람직하게는 12 내지 150 Å 범위의 평균 나노결정 직경을 갖는다.
반도체 나노결정은 예를 들어 직경이 약 1 nm 내지 약 1000 nm, 바람직하게는 약 2 nm 내지 약 50 nm, 보다 바람직하게는 약 5 nm 내지 약 20 nm (예컨대 약 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 또는 20 nm)인 무기 미세결정을 포함한다.
반도체 나노결정을 형성하는 반도체는 IV족 원소, II-VI족 화합물, II-V족 화합물, III-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, II-IV-VI족 화합물 또는 II-IV-V족 화합물, 이들의 임의의 합금 및/또는 이들의 임의의 혼합물 (3원 및 4원 혼합물 및/또는 합금을 포함함)을 포함할 수 있다. 예로는 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Si, Ge, 다른 IV족 원소 및/또는 이들의 혼합물 또는 합금 (3원 및 4원 혼합물 및/또는 합금을 포함함)이 포함되나 이에 제한되지 않는다.
반도체 나노결정의 형상의 예로는 구, 막대, 디스크, 다른 형상 또는 이들의 혼합물이 포함된다.
바람직하게는, 반도체 나노결정은 1개 이상의 제1 반도체 물질의 "코어"를 포함하며, 이는 1개 이상의 제2 반도체 물질의 오버코팅 또는 "쉘"에 의해 둘러싸일 수 있다. 반도체 쉘에 의해 둘러싸인 반도체 나노결정 코어는 또한 "코어/쉘" 반도체 나노결정이라고 지칭된다.
예를 들어, 반도체 나노결정은 화학식 MX (여기서, M은 카드뮴, 아연, 마그네슘, 수은, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 탈륨 또는 이들의 혼합물이고, X는 산소, 황, 셀레늄, 텔루륨, 질소, 인, 비소, 안티몬 또는 이들의 혼합물임)를 갖는 코어를 포함할 수 있다. 반도체 나노결정 코어로서 사용하기에 적합한 물질의 예로는 CdO, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, GaAs, GaP, GaSb, GaN, HgO, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, InN, AlAs, AlP, AlSb, AlS, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbO, PbS, PbSe, Ge, Si, 다른 IV족 요소, 및/또는 이들의 혼합물 또는 합금 (3원 및 4원 혼합물 및/또는 합금을 포함함)이 포함되나 이에 제한되지 않는다.
쉘은 코어의 조성물과 동일하거나 상이한 조성물을 갖는 반도체 물질일 수 있다. 쉘은 코어 반도체 나노결정의 표면 상의 반도체 물질의 오버코트를 포함하고, IV족 원소, II-VI족 화합물, II-V족 화합물, III-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, II-IV-VI족 화합물 또는 II-IV-V족 화합물, 이들의 임의의 합금 및/또는 이들의 임의의 혼합물 (3원 및 4원 혼합물 및/또는 합금을 포함함)을 포함할 수 있다. 예로는 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, GaAs, GaN, GaP, GaSe, GaSb, HgO, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InN, InP, InSb, AlAs, AlN, AlP, AlSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Si, Ge, 다른 IV족 요소, 및/또는 이들의 혼합물 및/또는 합금 (3원 및 4원 혼합물 및/또는 합금을 포함함)이 포함되나 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, ZnS, ZnSe 또는 CdS 오버코팅은 CdSe 또는 CdTe 반도체 나노결정 상에서 성장될 수 있다. 오버코팅 공정은 예를 들어 미국 특허 제6,322,901호에 기재되어 있다. 오버코팅 도중 반응 혼합물의 온도를 조절하고, 코어의 흡수 스펙트럼을 모니터링함으로써, 높은 방출 양자 효율 및 좁은 크기 분포를 갖는 오버코팅된 물질이 얻어질 수 있다. 오버코팅은 1개 이상의 층을 포함할 수 있다. 오버코팅은 코어의 조성물과 동일하거나 상이한 1종 이상의 반도체 물질을 포함한다. 바람직하게는, 오버코팅은 약 1 내지 약 10개의 단층의 두께를 갖는다. 오버코팅은 또한 10개 초과의 단층의 두께를 가질 수 있다. 특정 실시양태에서, 1개 초과의 오버코팅이 코어 상에 포함될 수 있다.
특정 실시양태에서, 주변 "쉘" 물질은 코어 물질의 밴드갭보다 더 큰 밴드갭을 가질 수 있다. 특정 실시양태에서, 주변 쉘 물질은 코어 물질의 밴드갭보다 더 작은 밴드갭을 가질 수 있다.
특정 실시양태에서, 쉘은 "코어" 기판의 것과 인접한 원자 간격을 갖도록 선택될 수 있다. 특정 실시양태에서, 쉘 및 코어 물질은 동일한 결정 구조를 가질 수 있다.
반도체 나노결정 (코어)쉘 물질의 예로는 적색 (예를 들어, (CdSe)ZnS (코어)쉘), 녹색 (예를 들어, (CdZnSe)CdZnS (코어)쉘 등) 및 청색 (예를 들어, (CdS)CdZnS (코어)쉘)이 포함되나 이에 제한되지 않는다.
코어/쉘 반도체 구조의 추가 예는 2003년 8월 12일에 출원된 명칭 ["Semiconductor Nanocrystal Heterostructures"]의 미국 출원 제10/638,546호, 및 불로빅(Bulovic) 등의 명칭 ["Light Emitting Device Including Semiconductor Nanocrystals"]의 미국 공개 특허 출원 제US 2004-0023010 A1호에 기재되어 있다. 상기 출원들은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
반도체 나노결정의 제조 및 취급은 예를 들어 미국 특허 제6,322,901호 및 제6,576,291호 및 미국 특허 출원 제60/550,314호에 기재되어 있으며, 상기 문헌들 각각은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다. 반도체 나노결정의 한 제조 방법은 콜로이드 성장 공정이다. 콜로이드 성장은 M 공여체 및 X 공여체를 고온 배위성 용매에 주입함으로써 일어난다. 단순 분산 반도체 나노결정의 바람직한 제조 방법의 한 예는 고온 배위성 용매로 주입된 유기금속성 시약, 예컨대 디메틸 카드뮴의 열분해를 포함한다. 이는 별개의 핵형성을 허용하고, 반도체 나노결정의 거시적 양의 제어된 성장을 가져온다. 주입은 제어된 방법으로 성장될 수 있는 핵을 생성하여, 반도체 나노결정을 형성한다. 반도체 나노결정을 성장시키고 어닐링하기 위해 반응 혼합물을 온화하게 가열할 수 있다. 샘플 중 반도체 나노결정의 평균 크기 및 크기 분포 둘 모두는 성장 온도에 의존한다. 정상 성장을 유지하기 위해 필수적인 성장 온도는 평균 결정 크기의 증가와 함께 증가한다. 반도체 나노결정은 반도체 나노결정의 집단의 구성원이다. 별개의 핵형성 및 제어된 성장의 결과로서, 얻어질 수 있는 반도체 나노결정의 집단은 직경이 좁은 단순 분산 분포를 갖는다. 직경의 단순 분산 분포는 또한 크기라고 지칭될 수 있다. 바람직하게는, 입자의 단순 분산 집단은 집단 중 입자의 60％ 이상이 특정된 입자 크기 범위 내에 포함되는 입자의 집단을 포함한다. 단순 분산 입자의 집단은 바람직하게는 직경이 15％ rms (제곱근-평균-제곱) 미만, 보다 바람직하게는 10％ rms 미만, 가장 바람직하게는 5％ rms 미만의 편차를 갖는다.
특정 실시양태에서, 반도체 나노결정의 제조는 아민의 존재하에 수행될 수 있다. 예를 들어, 2003년 6월 10일에 허여된 바웬디(Bawendi) 등의 명칭 ["Preparation of Nanocrystallites"]의 미국 특허 제6,576,291호를 참조하며, 상기 특허는 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
반도체 나노결정의 좁은 크기 분포는 좁은 스펙트럼 폭에서 광 방출의 가능성을 허용한다. 단순 분산 반도체 나노결정은 문헌 [Murray et al. (J. Am. Chem. Soc., 115:8706 (1993))]; [in the thesis of Christopher Murray, "Synthesis and Characterization of II-VI Quantum Dots and Their Assembly into 3-D Quantum Dot Superlattices", Massachusetts Institute of Technology, September, 1995]; 및 명칭 ["Highly Luminescent Color-Selective Materials"]의 미국 특허 출원 제08/969,302호에 상세히 기재되어 있다. 상기 문헌들은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
핵형성에 이어서 배위성 용매 중 반도체 나노결정의 제어된 성장 및 어닐링 공정은 또한 균일한 표면 유도체화 및 규칙적 코어 구조를 가져올 수 있다. 크기 분포가 첨예화되기 때문에, 온도는 정상 성장을 유지하기 위해 상승될 수 있다. M 공여체 또는 X 공여체를 더 첨가함으로써, 성장 기간을 단축할 수 있다. M 공여체는 무기 화합물, 유기금속성 화합물 또는 원소 금속일 수 있다. M은 카드뮴, 아연, 마그네슘, 수은, 알루미늄, 갈륨, 인듐 또는 탈륨이다. X 공여체는 M 공여체와 반응하여 화학식 MX를 갖는 물질을 형성할 수 있는 화합물이다. X 공여체는 칼코게니드 공여체 또는 프닉티드 공여체, 예컨대 포스핀 칼코게니드, 비스(실릴) 칼코게니드, 이산소, 암모늄 염 또는 트리스(실릴) 프닉티드일 수 있다. 적합한 X 공여체에는 이산소, 비스(트리메틸실릴) 셀레니드 ((TMS)2Se), 트리알킬 포스핀 셀레니드, 예컨대 (트리-n-옥틸포스핀) 셀레니드 (TOPSe) 또는 (트리-n-부틸포스핀) 셀레니드 (TBPSe), 트리알킬 포스핀 텔루리드, 예컨대 (트리-n-옥틸포스핀) 텔루리드 (TOPTe) 또는 헥사프로필인트리아미드 텔루리드 (HPPTTe), 비스(트리메틸실릴)텔루리드 ((TMS)2Te), 비스(트리메틸실릴)술피드 ((TMS)2S), 트리알킬 포스핀 술피드, 예컨대 (트리-n-옥틸포스핀) 술피드 (TOPS), 암모늄 염, 예컨대 암모늄 할라이드 (예를 들어, NH4Cl), 트리스(트리메틸실릴) 포스피드 ((TMS)3P), 트리스(트리메틸실릴) 아르세니드 ((TMS)3As), 또는 트리스(트리메틸실릴) 안티모니드 ((TMS)3Sb)가 포함된다. 특정 실시양태에서, M 공여체 및 X 공여체는 동일한 분자 내의 잔기일 수 있다.
배위성 용매는 반도체 나노결정의 성장을 제어하는데 도움이 될 수 있다. 배위성 용매는 예를 들어 성장하는 반도체 나노결정의 표면에 배위하는데 이용가능한 고립 전자 쌍을 갖는 공여체 고립 쌍을 갖는 화합물이다. 용매 배위는 성장하는 반도체 나노결정을 안정화할 수 있다. 배위성 용매의 예로는 알킬 포스핀, 알킬 포스핀 옥시드, 알킬 포스폰산 또는 알킬 포스핀산이 포함되나, 다른 배위성 용매, 예컨대 피리딘, 푸란 및 아민이 또한 반도체 나노결정 제조에 적합할 수 있다. 적합한 배위성 용매의 예로는 피리딘, 트리-n-옥틸 포스핀 (TOP), 트리-n-옥틸 포스핀 옥시드 (TOPO) 및 트리스히드록실프로필포스핀 (tHPP)이 포함된다. 기술적 등급 TOPO가 사용될 수 있다. 비-배위성 용매가 또한 사용될 수 있다.
반응의 성장 단계 도중 크기 분포는 입자의 흡수 또는 방출 선폭을 모니터링함으로써 추정될 수 있다. 입자의 흡수 스펙트럼의 변화에 반응하여 반응 온도를 변형하는 것은 성장 도중 첨예한 입자 크기 분포의 유지를 허용한다. 더 큰 결정을 성장시키기 위해 반응물을 결정 성장 도중 핵형성 용액에 첨가할 수 있다. 예를 들어, CdSe 및 CdTe의 경우에, 특정 반도체 나노결정 평균 직경의 성장의 정지 및 반도체 물질의 적절한 조성물의 선택에 의해, 반도체 나노결정의 방출 스펙트럼은 300 nm 내지 5 ㎛, 또는 400 nm 내지 800 nm의 파장 범위에 걸쳐 연속적으로 튜닝될 수 있다.
반도체 나노결정의 입자 크기 분포는 미국 특허 제6,322,901호에 기재된 바와 같이 반도체 나노결정에 대한 불량한 용매, 예컨대 메탄올/부탄올에 의한 크기 선택 침전에 의해 추가로 정립될 수 있다. 예를 들어, 반도체 나노결정은 헥산 중 10％ 부탄올의 용액에 분산될 수 있다. 유백광이 지속될 때까지 메탄올을 이 교반 용액에 적가할 수 있다. 원심분리에 의한 상등액 및 응결체의 분리는 샘플에서 가장 큰 미세결정이 풍부한 침전물을 생성한다. 광학 흡수 스펙트럼의 추가 첨예화가 주목되지 않을 때까지 이 과정을 반복할 수 있다. 크기-선택 침전은 피리딘/헥산 및 클로로포름/메탄올을 포함하는 다양한 용매/비용매 쌍에서 수행될 수 있다. 크기-선택 반도체 나노결정 집단은 바람직하게는 평균 직경의 15％ rms 이하의 편차, 보다 바람직하게는 10％ rms 이하의 편차, 가장 바람직하게는 5％ rms 이하의 편차를 갖는다.
본원에서 논의된 바와 같이, 특정 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함하며, 여기서 반도체 나노결정의 적어도 일부는 그의 표면 상에 부착된 1개 이상의 리간드를 포함한다.
한 실시양태에서, 리간드는 성장 공정 도중에 사용된 배위성 용매로부터 유도된다. 표면은 과량의 경쟁하는 배위기에 대한 반복된 노출에 의해 변형되어 오버층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 캡핑된 반도체 나노결정의 분산물은 배위성 유기 화합물, 예컨대 피리딘에 의해 처리되어, 피리딘, 메탄올 및 방향족 화합물에서는 용이하게 분산되나 지방족 용매에서는 더이상 분산되지 않는 미세결정을 생성할 수 있다. 이러한 표면 교환 공정은 반도체 나노결정의 외부 표면과 배위결합하거나 결합할 수 있는 임의의 화합물 (예를 들어, 포스핀, 티올, 아민 및 포스페이트를 포함함)에 의해 수행될 수 있다. 반도체 나노결정은 표면에 대한 친화성을 나타내고 반도체 나노결정이 현탁되거나 분산되는 액체 매질에 대한 친화성을 갖는 잔기에서 종결하는 단쇄 중합체에 노출될 수 있다. 이러한 친화성은 반도체 나노결정의 현탁액의 안정성을 개선하고 응결을 어렵게 한다.
유기 리간드는 소자 내의 매우 안정한 무기 나노결정의 큰 면적의 비-에피택셜 침착을 용이하게 하는데 유용할 수 있다.
보다 구체적으로, 배위성 리간드는 하기 화학식을 가질 수 있다.
Figure 112010004373855-pct00003
상기 식에서, k는 2, 3 또는 5이고, n은 1, 2, 3, 4 또는 5이되 k-n은 0 이상이고; X는 O, S, S=O, SO2, Se, Se=O, N, N=O, P, P=O, As 또는 As=O이고; Y 및 L은 각각 독립적으로 아릴, 헤테로아릴, 또는 1개 이상의 이중 결합, 1개 이상의 삼중 결합, 또는 1개 이상의 이중 결합 및 1개의 삼중 결합을 임의로 함유하는 직쇄 또는 분지쇄 C2 -12 탄화수소 쇄이다. 탄화수소 쇄는 임의로 1개 이상의 C1 -4 알킬, C2-4 알케닐, C2 -4 알키닐, C1 -4 알콕시, 히드록실, 할로, 아미노, 니트로, 시아노, C3 -5 시클로알킬, 3-5원 헤테로시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, C1 -4 알킬카르보닐옥시, C1-4 알킬옥시카르보닐, C1 -4 알킬카르보닐 또는 포르밀에 의해 치환될 수 있다. 탄화수소 쇄는 또한 임의로 -O-, -S-, -N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-O-, -O-C(O)-N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-N(Rb)-, -O-C(O)-O-, -P(Ra)- 또는 - P(O)(Ra)-에 의해 개재될 수 있다. Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 히드록실알킬, 히드록실 또는 할로알킬이다. 아릴기는 치환된 또는 비치환된 시클릭 방향족 기이다. 예로는 페닐, 벤질, 나프틸, 톨릴, 안트라실, 니트로페닐 또는 할로페닐이 포함된다. 헤테로아릴기는 고리에 1개 이상의 헤테로원자를 갖는 아릴기, 예를 들어 푸릴, 피리딜, 피롤릴, 페난트릴이다.
적합한 배위성 리간드는 상업적으로 구매되거나 통상적인 합성 유기 기술 (예를 들어, 문헌 [J. March, Advanced Organic Chemistry]에 기재됨)에 의해 제조될 수 있으며, 상기 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
다른 리간드는 2003년 8월 15일에 출원된 명칭 ["Stabilized Semiconductor Nanocrystals"]의 미국 특허 출원 제10/641,292호 (그 전문이 본원에 참고로 도입됨)에 기재되어 있다.
전자 및 정공이 반도체 나노입자 상에 위치하는 경우에, 방출은 방출 파장에서 일어날 수 있다. 방출은 양자 구속된 반도체 물질의 밴드갭에 상응하는 주파수를 갖는다. 밴드갭은 반도체 나노결정의 크기의 함수이다. 작은 직경을 갖는 반도체 나노결정은 물질의 분자 형태와 벌크 형태 사이의 중간 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 작은 직경을 갖는 반도체 물질을 기재로 하는 반도체 나노결정은 입자는 3개 치수 모두의 전자 및 정공 둘 모두의 양자 구속을 나타낼 수 있으며, 이는 미세결정 크기의 감소와 함께 물질의 효과적인 밴드갭의 증가를 초래한다. 결과적으로, 미세결정의 크기가 감소함에 따라 반도체 나노결정의 광학 흡수 및 방출 둘 모두는 청색 또는 더 높은 에너지로 이동한다.
반도체 나노결정으로부터의 방출은 반도체 나노결정의 크기, 반도체 나노결정의 조성물 또는 둘 모두를 변경함으로써 스펙트럼의 자외선, 가시광 또는 적외선 영역의 완전한 파장 범위를 통해 튜닝될 수 있는 좁은 가우스 방출 밴드일 수 있다. 예를 들어, CdSe는 가시광 영역에서 튜닝될 수 있고, InAs는 적외선 영역에서 튜닝될 수 있다. 반도체 나노결정의 집단의 좁은 크기 분포는 좁은 스펙트럼 범위의 광 방출을 초래할 수 있다. 단순 분산일 수 있는 집단은 바람직하게는 반도체 나노결정의 직경의 15％ rms (제곱근-평균-제곱) 미만, 보다 바람직하게는 10％ rms 미만, 가장 바람직하게는 5％ rms 미만의 편차를 나타낸다. 약 75 nm 이하, 바람직하게는 60 nm 이하, 보다 바람직하게는 40 nm 이하, 가장 바람직하게는 30 nm 이하의 가시광에서 방출하는 반도체 나노결정에 대한 반치 전폭 (full width at half max, FWHM)의 좁은 범위에서의 스펙트럼 방출이 관찰될 수 있다. IR-방출 반도체 나노결정은 150 nm 이하 또는 100 nm 이하의 FWHM을 가질 수 있다. 방출 에너지에 관하여 표현시, 방출은 0.05 eV 이하 또는 0.03 eV 이하의 FWHM을 가질 수 있다. 반도체 나노결정 직경의 분산이 감소함에 따라 방출의 너비가 감소한다. 반도체 나노결정은 높은 방출 양자 효율, 예컨대 10％, 20％, 30％, 40％, 50％, 60％, 70％ 또는 80％ 초과의 효율을 가질 수 있다.
반도체 나노결정의 좁은 FWHM은 포화 컬러 방출을 초래할 수 있다. 이는 가시 스펙트럼의 적색 및 청색 부분에서도 효율적인 조명 장치에 이르게 할 수 있으며, 이는 반도체 나노결정 방출 소자에서 광자가 적외선 및 UV 방출로 손실되지 않기 때문이다. 단일 물질 시스템의 전체 가시 스펙트럼에 걸친 광범위한 튜닝가능한 포화 컬러 방출은 임의의 부류의 유기 발색단에 의해 매칭되지 않는다 (예를 들어, 문헌 [Dabbousi et al., J. Phys. Chem. 101, 9463 (1997)]을 참조하며, 상기 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 도입됨). 반도체 나노결정의 단순 분산 집단은 좁은 범위의 파장을 스패닝하는 광을 방출할 것이다. 상이한 조성물, 크기 및/또는 구조의 반도체 나노결정을 포함하는 소자는 파장의 1개 초과의 좁은 범위의 광을 방출할 수 있다. 뷰어에 의해 지각된 방출된 광의 컬러는 소자 중 반도체 나노결정 크기 및 물질의 적절한 조합 뿐만 아니라 상대적 부화소 전류의 선택에 의해 제어될 수 있다. 반도체 나노결정의 밴드 연부 에너지 수준의 퇴화도는 모든 가능한 엑시톤 (직접적 전하 주입 또는 에너지 이동에 의해 생성됨)의 포획 및 복사 재조합을 용이하게 한다. 그러므로, 최대 이론적 반도체 나노결정 조명 장치 효율은 인광 유기 발광 소자의 단위 효율에 필적할 만하다. 반도체 나노결정의 여기 상태 수명 (τ)은 전형적인 인 (τ > 0.1 μs)보다 훨씬 더 짧으며 (τ 약 10 ns), 이는 반도체 나노결정 조명 장치가 높은 전류 밀도 및 높은 휘도에서도 효율적으로 작동할 수 있게 한다.
투과 전자 현미경법 (TEM)은 반도체 나노결정 집단의 크기, 형상 및 분포에 대한 정보를 제공할 수 있다. 분말 X선 회절 (XRD) 패턴은 반도체 나노결정의 결정 구조의 유형 및 품질에 대한 가장 완전한 정보를 제공할 수 있다. 입자 직경이 X선 가간섭 길이를 통해 피크 폭과 반비례하기 때문에 크기 추정도 가능하다. 예를 들어, 반도체 나노결정의 직경은 투과 전자 현미경법에 의해 직접적으로 측정되거나, 예를 들어 쉐러(Scherrer) 식을 사용하여 X선 회절 데이터로부터 추정될 수 있다. 이는 또한 UV/Vis 흡수 스펙트럼으로부터 추정될 수 있다.
본 발명에 따른 잉크 조성물은 표면 상에 침착될 수 있다.
전형적인 표면의 예로는 물질 또는 소자 층 또는 다른 기판이 포함된다.
특정 실시양태에서, 기판은 예를 들어, 웹, 필름, 테이프, 가요성 시트 등일 수 있다. 이러한 형태의 기판은 예를 들어 플라스틱, 호일, 종이 등을 포함할 수 있다. 특정 실시양태에서, 기판은 물질의 시트, 물질의 롤 등을 포함할 수 있다. 기판의 치수는 그의 의도된 용도의 함수로서 다양할 수 있다. 특정 실시양태에서, 비-강성 기판이 바람직하다. 특정 실시양태에서, 가요성 기판이 바람직하다.
특정 실시양태에서, 기판은 발광 소자 또는 다른 조명 유닛의 상단 또는 바닥 표면일 수 있다.
특정 실시양태에서, 기판은 기판 위에 배치된 소자의 층을 더 포함할 수 있다. 이들 실시양태에서, 소자의 층은 물질을 포함하고, 잉크는 층 상에 침착된다.
특정 실시양태에서, 잉크는 기판 상에 배치된 소자의 층 상에 침착된다. 특정 실시양태에서, 기판은 기판 상에 배치된 소자의 층을 더 포함한다. 이들 실시양태에서, 소자의 층은 물질을 포함하고, 잉크는 층 상에 침착된다.
특정 실시양태에서, 잉크는 예정된 배열부에 침착된다. 예를 들어, 잉크는 패턴화된 또는 패턴화되지 않은 배열부에 침착될 수 있다.
본 발명은 특히 예를 들어 큰 기판, 예를 들어 1개 이상의 치수가 약 0.5 미터보다 더 큰 기판을 포함하는 소자에 대해 및/또는 나노물질의 예정된 배열부가 바람직한 경우에 중요한 장점을 제공할 수 있다고 믿어진다.
본 개시물에 의해 고려된 본 발명의 특정 실시양태 및 측면에서, 나노물질은 광을 방출할 수 있는 무기 나노입자를 포함한다.
본 개시물에 의해 고려된 본 발명의 특정 실시양태 및 측면에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함한다. 반도체 나노결정은 이를 발광 소자, 디스플레이, 광검출기, 비휘발성 랜덤 메모리 소자, 태양 전지, 센서, 광기전 소자 등을 포함하나 이에 제한되지 않는 다양한 소자 및 다른 최종-소비 애플리케이션에서 사용하기에 특히 적합하게 하는 특징 및 특성을 보유한다.
본 개시물에 의해 고려된 본 발명의 특정 실시양태 및 측면에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함하며, 여기서 반도체 나노결정의 적어도 일부는 그의 표면에 부착된 1개 이상의 리간드를 포함한다.
특정 실시양태에서, 방법은 잉크로부터 액체 비히클의 제거를 더 포함한다. 특정 실시양태에서, 액체 비히클은 액체 비히클 제거시 침착되는 나노물질을 포함하는 층이 평면이 되는 것으로 선택된다.
특정 실시양태에서, 액체 비히클은 잉크가 침착된 층에 포함된 물질이 불용성인 액체를 포함한다.
특정 실시양태에서, 잉크가 침착된 소자의 층은 소분자 물질을 포함한다. "소분자" 물질은 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭한다. 소분자 물질은 금속을 더 포함할 수 있다. 소분자는 유기금속성 화합물을 포함할 수 있다. 소분자 물질은 금속 착물을 포함할 수 있다. 소분자 물질은 몇몇 환경에서 반복 유닛을 포함할 수 있다. 예를 들어, 치환체로서 장쇄 알킬기를 사용하는 것은 "소분자" 부류로부터 분자를 제거하지 않는다. 소분자 물질의 다른 예로는 유기 올리고머 분자 (예를 들어, 중간 상대 분자량의 유기 분자, 그의 구조는 더 작은 상대 분자량의 분자로부터 실제적으로 또는 개념적으로 유래된 소수의 유닛을 필수적으로 포함하며, 관련 주석을 포함하여 문헌 [IUPAC Compendium of Chemical Terminology 2nd Edition (1997)]으로부터의 "올리고머 분자"를 참조하며, 상기 문헌은 본원에 참고로 도입됨)가 포함될 수 있다.
특정 실시양태에서, 소분자 물질은 덴드리머의 코어 잔기로서 작용할 수 있으며, 이는 코어 잔기 상에 형성된 일련의 화학적 쉘을 포함한다. 덴드리머의 코어 잔기는 형광 또는 인광 소분자 방출기일 수 있다.
덴드리머 치환체는 또한 용액 가공을 거치는 소분자의 능력의 향상을 위해 사용될 수 있다.
특정 실시양태에서, 잉크가 침착된 소자의 층은 중합체를 포함한다.
특정 실시양태에서, 잉크가 침착된 소자의 층은 유기 나노결정을 포함할 수 있다. 유기 나노결정의 예로는 J-응집체, H-응집체, 및 다른 쌍극자 배열을 갖는 응집체를 포함하는 유기 나노결정이 포함되나 이에 제한되지 않는다. 유기 나노결정의 예는 문헌 [S. Kirstein et al., "Herringbone Structures In Two-Dimensional Single Crystals of Cyanine Dyes. I. Detailed Structure Analysis Using Electron Diffraction", J. Chem. Phys. 103(2) July 1995, pages 816 et seq.]; [S. Kirstein et al., "Herringbone Structures In Two-Dimensional Single Crystals of Cyanine Dyes. II. Optical Properties", J. Chem. Phys. 103(2) July 1995, pages 826 et seq.]; [A. Mishra et al. "Cyanines During the 1990s: A Review", Chem. Rev. 2000, 100, 1973-2011]; 및 [C. Peyratout et al., "Aggregation of Thiacyanine Derivatives On Polyelectrolytes:, Phys. Chem. Chem. Phys., 2002, 4, 3032-3039]에 기재되어 있으며, 상기 문헌들은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
특정 실시양태에서, 잉크가 침착된 소자의 층은 탄소 나노튜브를 포함한다.
특정 실시양태에서, 잉크가 침착된 소자의 층은 탄소 나노튜브/중합체 블렌드 또는 하이브리드를 포함한다.
특정 실시양태에서, 잉크가 침착된 소자의 층은 무기 물질을 포함한다.
특정 실시양태에서, 잉크가 침착된 소자의 층은 전극를 또한 포함할 수 있는 기판 위에 배치될 수 있다.
특정 실시양태에서, 잉크가 침착된 소자의 층은 전극을 포함한다.
특정 실시양태에서, 1개 이상의 다른 층이 잉크 전에 기판 위에 배치될 수 있다.
특정 실시양태에서, 방법은 나노물질 위에 제2 전극 층을 침착하는 것을 더 포함할 수 있다. 1개 이상의 추가 층 (예를 들어, 정공 차단층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함함)의 침착이 제2 전극 층의 침착 전에 또는 후에 또한 임의로 포함될 수 있다. 부동화, 포장 등이 또한 임의로 포함될 수 있다.
특정 실시양태에서, 잉크는 전하를 수송할 수 있는 물질 상에 침착된다.
특정 실시양태에서, 나노물질은 1개 이상의 별개의 층으로서 침착된다. 소자의 제작의 특정 실시양태에서, 나노물질은 소자의 임의의 2개의 층 사이에 배치될 수 있다. 특정 실시양태에서, 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질은 정공 수송층 및 전자 수송층 사이에 배치된 1개 이상의 별개의 방출층으로서 침착될 수 있다. 특정 실시양태에서, 예를 들어, 나노물질은 2개의 정공 수송층 사이에 및/또는 2개의 전자 수송층 사이에 배치될 수 있다. 소자에 포함된 각 전하 수송층은 1개 이상의 층을 더 포함할 수 있다. 본원에서 논의된 바와 같이, 다른 층이 또한 전자 수송층 및 정공 수송층 사이에 포함될 수 있다. 별개의 층으로서 소자에 포함된 경우에, 예를 들어 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질은 연속적인 또는 실질적으로 연속적인 얇은 필름 또는 층으로서 배치될 수 있다. 별개의 층으로서 배치된 경우에, 층은 패턴화되거나 패턴화되지 않을 수 있다. 바람직하게는, 소자에 포함된 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질은 반도체 나노결정의 실질적 단순 분산 집단을 포함한다.
특정 실시양태에서, 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질은 여러 개의 단층 이하의 두께로 침착된다. 예를 들어, 두께는 3개 초과의 단층, 3개 이하의 단층, 2개 이하의 단층, 단일 단층, 부분 단층 등일 수 있다. 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질의 각 침착된 층의 두께는 다양할 수 있다. 바람직하게는, 침착된 반도체 나노결정의 임의의 점에서의 두께의 변동은 3개 미만의 단층, 보다 바람직하게는 2개 미만의 단층, 가장 바람직하게는 1개 미만의 단층이다. 단일 단층으로서 침착된 경우에, 바람직하게는 반도체 나노결정의 약 60％ 이상이 단일 단층 두께이고, 보다 바람직하게는 반도체 나노결정의 약 80％ 이상이 단일 단층 두께이고, 가장 바람직하게는, 반도체 나노결정의 약 90％ 이상이 단일 단층 두께이다. 발광 소자에서, 단층은 전기 성능에 대한 충격을 최소화하면서 반도체 나노결정의 이로운 광 방출 특성을 제공할 수 있다.
반도체 나노결정은 반도체 나노결정의 크기 및 조성물에 의해 튜닝가능한 전자 및 광학 특성을 갖는 착물 헤테로구조를 생성시키는 바텀-업 화학적 접근법을 고안하는데 이용될 수 있는 강한 양자 구속 효과를 나타낸다.
본원에서 논의된 바와 같이, 특정 실시양태에서, 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질은 패턴화된 배열부에 침착될 수 있다. 패턴화된 반도체 나노결정은 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색, 또는 별법으로, 적색, 오렌지색, 황색, 녹색, 청색-녹색, 청색, 보라색, 또는 다른 가시광, 적외선 또는 자외선 방출을 포함하는 화소의 어레이, 또는 예정된 파장의 광을 생성하도록 에너지화된 구별가능한 파장 방출 화소의 다른 조합을 형성하는데 사용될 수 있다.
일반적으로, 다양한 컬러를 방출할 수 있는 소자 또는 소자의 어레이는 상이한 컬러를 방출할 수 있는 방출성 물질의 패턴을 포함한다. 잉크젯 프린트 헤드 및/또는 다른 마이크로-디스펜서를 사용하여 본 발명의 실시양태에 따른 잉크로부터 나노물질을 침착시키는 것은 이러한 패턴이 섀도 마스크 및 증기 상 침착과 관련된 다른 패턴화 기술의 사용 없이 침착되게 한다. 이러한 침착 공정은 또한 접촉 프린팅으로서 전이 단계에 대한 필요성을 제거한다.
패턴화된 배열부에 침착된 경우에, 나노물질은 ㎛-스케일 (예를 들어, 1 mm 미만, 500 ㎛ 미만, 200 ㎛ 미만, 100 ㎛ 미만 또는 그 이하, 50 ㎛ 미만 또는 그 이하, 20 ㎛ 미만 또는 그 이하)의 1개 이상의 치수를 갖는 특징물을 포함하는 패턴에 침착될 수 있다. 나노물질은 또한 ㎛-스케일보다 큰 특징물을 포함하는 패턴화된 배열부에 침착될 수 있다.
㎛ 스케일의 특징물을 갖는 침착된 나노물질을 포함하는 패턴은 본원에서 또한 마이크로패턴이라고 지칭될 수 있다. 마이크로패턴은 크기의 ㎛ 스케일, 예컨대 1 mm 미만, 500 ㎛ 미만, 200 ㎛ 미만, 100 ㎛ 미만, 50 ㎛ 미만 또는 20 ㎛ 이하의 특징물을 가질 수 있다. 20 ㎛ 특징물 크기는 대부분의 발광 소자 및 다른 애플리케이션을 위한 소자를 위해 충분히 작다.
나노물질이 침착될 수 있는 표면은 1 cm 이상, 10 cm 이상, 100 cm 이상 또는 1,000 cm 이상의 치수를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 조성물 및 방법은 측정가능하고, 광범위한 범위의 표면적 위에 1종 이상의 나노물질을 포함하는 패턴의 침착에 유용할 수 있다.
예를 들어, 방법은 매우 작은 면적 (예를 들어, 100 ㎛ 카테터) 내지 매우 큰 면적 (예를 들어, 12 제곱인치 면적) 위에 나노물질을 침착하는데 유용하다. 추가 예에서, 방법은 또한 GEN2 (360 mm X 465 mm), GEN3 (550 mm X 650 mm), GEN3.5 (600 mm X 720 mm), GEN4 (730 mm X 920 mm), GEN5 (1110 mm X 1250 mm), GEN6 (1500 mm X 1800 mm), GEN7 (1900 mm X 2100 mm)과 같은 치수를 갖는 표면 상의 나노물질의 침착, 및 예를 들어 디스플레이에서 사용될 수 있는 유리의 후속적 생성에 유용하다. 임의로, 나노물질이 적용되는 구역은 그 후 함께 스티치 (또는 타일로 연결)되어, 12 제곱인치 내지 'n x 12 제곱인치'의 프린팅가능한 구역으로 확대될 수 있다 (반도체 리토그래피 분야에서 종종 수행됨).
본 발명에 따른 잉크는 다양한 소자의 제조에 포함될 수 있다. 본 발명에 따라 유용할 수 있는 다양한 소자 및 다양한 침착 및 다른 기술의 예에 관한 추가 정보는 예를 들어 2007년 6월 25일에 출원된 명칭 ["Methods For Depositing Nanomaterial, Methods For Fabricating A Device, And Methods For Fabricating An Array Of Devices"]의 코-설리반(Seth A. Coe-Sullivan)의 국제 특허 출원 제PCT/US2007/014711호 [참조 번호(Docket No.) QDV00C1_PCT], 2007년 6월 25일에 출원된 명칭 ["Methods For Depositing Nanomaterial, Methods For Fabricating A Device, Methods For Fabricating An Array Of Devices And Compositions"]의 코-설리반(Seth A. Coe-Sullivan) 등의 국제 특허 출원 제PCT/US2007/014705호 [참조 번호 QDV00C2_PCT], 2007년 6월 25일에 출원된 명칭 ["Methods And Articles Including Nanomaterial"]의 코-설리반(Seth A. Coe-Sullivan) 등의 국제 특허 출원 제PCT/US2007/014706호 [참조 번호 QDV00D2_PCT], 2007년 4월 9일에 출원된 명칭 ["Composition Including Material, Methods, Of Depositing Material, Articles Including Same And Systems For Depositing Material"]의 코-설리반(Seth A. Coe-Sullivan) 등의 국제 특허 출원 제PCT/US2007/08873호, 2007년 4월 13일에 출원된 명칭 ["Methods Of Depositing Material, Methods Of Making A Device, And Systems And Articles For Use In Depositing Material"]의 안크(Maria J, Anc) 등의 국제 특허 출원 제PCT/US2007/09255호, 2007년 4월 9일에 출원된 명칭 ["Methods And Articles Including Nanomaterial"]의 코-설리반(Seth Coe-Sullivan) 등의 국제 특허 출원 제PCT/US2007/08705호, 2007년 4월 9일에 출원된 명칭 ["Methods Of Depositing Nanomaterial & Methods Of Making A Device"]의 콕스(Marshall Cox) 등의 국제 특허 출원 제PCT/US2007/08721호, 2005년 10월 20일에 출원된 명칭 ["Method And System For Transferring A Patterned Material"]의 코-설리반(Seth Coe-Sullivan) 등의 미국 특허 출원 제11/253,612호, 및 2005년 10월 20일에 출원된 명칭 ["Light Emitting Device Including Semiconductor Nanocrystals"]의 코-설리반(Seth Coe-Sullivan) 등의 미국 특허 출원 제11/253,595호에 개시되어 있으며, 상기 특허 출원들은 각각 본원에 참고로 도입된다.
본 발명의 실시양태에 따라 제작된 소자는 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 텔레비전, 빌보드, 내부 또는 외부 조명 및/또는 신호를 위한 조명, 헤드업 디스플레이, 완전 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화, 휴대폰, 개인 휴대 단말기 (PDA), 랩탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로-디스플레이, 비히클, 큰 면적 벽, 극장 또는 스타디움 스크린 또는 사인을 포함하는 광범위한 다양한 소비자 제품에 도입될 수 있다. 다양한 제어 메카니즘이 수동 매트릭스 및 능동 매트릭스를 포함하는 본 발명에 따라 제작된 소자를 제어하는데 사용될 수 있다.
발광 소자의 실시양태의 예는 도 2에 나타낸다. 도시된 예는 기판 위에 배치된 제1 전극, 제1 전극과 전기 연결된 제1 층, 제1 층과 전기 연결된 제2 층, 및 제2 층과 전기 연결된 제2 전극을 포함한다. 제1 층은 정공을 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있고 (HTL), 제2 층은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다 (ETL). 1개 이상의 층은 비중합체일 수 있다. 방출성 물질이 2개의 전극 사이에 포함된다. 방출성 물질은 발광성 특징 (예를 들어, 소자에 전압이 가해진 때 나노결정에 의해 방출된 광자의 파장)을 기준으로 선택될 수 있는 다수의 반도체 나노결정을 포함할 수 있다. 방출성 물질이 제1 층과 제2 층 사이에 1개 (도 2에 나타냄) 이상의 층으로서 포함될 수 있다. 도면에서, 방출성 물질을 포함하는 층은 "양자 도트 층"으로서 표시된다. 도 2에 도시된 실시양태에서, 구조의 제1 전극은 기판과 접촉된다. 각 전극은 구조에 걸쳐 전압을 제공하는 전원 공급장치에 연결될 수 있다. 전기발광은 적절한 극성의 전압이 헤테로구조에 걸쳐 가해지는 경우에 소자에 포함된 반도체 나노결정에 의해 생성될 수 있다.
도 2에 도시된 소자 구조는 다음과 같이 제작될 수 있다. 기판에 배치된 제1 전극 (예를 들어, 애노드(anode))을 갖는 기판은 임의의 적합한 기술을 사용하여 얻어지거나 제작될 수 있다. 제1 전극은 패턴화될 수 있다. 제1 층 (예를 들어, 정공 수송층)은 임의의 적합한 기술을 사용하여 침착될 수 있다. 방출층은 본 발명의 실시양태에 따른 잉크로부터 침착된다. 특정 실시양태에서, 잉크는 마이크로-디스펜서, 예를 들어, 잉크젯 프린트 헤드로부터 분배된다. 별개의 영역의 패턴화를 용이하게 허용하기 때문에 잉크젯 프린팅이 바람직하다. 특정 실시양태에서, 잉크의 액체 비히클은 액체 비히클 제거시 소자의 층(들)이 평면 (예를 들어, 웰 구조, 예컨대 중합체 발광 소자 (PLED) 기술에서 전형적으로 사용되는 구조를 사용함)이 되는 것으로 선택된다. 제2 층 (예를 들어, 전자 수송층)은 임의의 적합한 기술을 사용하여 침착될 수 있다. 제2 전극 (예를 들어, 캐소드(cathode))은 임의의 적합한 기술을 사용하여 침착될 수 있다.
도 2에 나타낸 예에서, 광은 구조의 바닥으로부터 방출된다 (예를 들어, ITO 코팅된 유리를 통해). 적절한 광 투과성 상단 전극이 사용되는 경우에, 구조는 구조의 상단으로부터 광을 방출할 수 있다.
별법으로, 도 2의 구조는 뒤집힐 수 있으며, 이 경우에 광은 상단으로부터 방출될 수 있다.
도 2에 예시된 단순한 층화된 구조는 비제한적 예에 의해 제공되며, 본 발명의 실시양태는 광범위한 다양한 다른 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 본원에 기재된 특정 물질 및 구조는 사실상 예시적이고, 다른 물질 및 구조가 사용될 수 있다. 기능성 소자는 상이한 방법으로 기재된 다양한 층들을 조합함으로써 달성될 수 있거나, 층은 디자인, 성능 및 비용 인자를 기초로 하여 전체적으로 생략될 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 다른 층이 또한 포함될 수 있다. 구체적으로 기재된 물질 이외의 물질이 사용될 수 있다. 본원에서 제공되는 많은 예는 단일 물질을 포함하는 다양한 층을 기재하나, 물질들의 조합물, 예컨대 임자 및 도판트의 혼합물, 또는 보다 일반적으로 혼합물이 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 층은 다양한 하위층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제공된 명칭은 제한되는 것으로 의도되지 않는다.
발광 소자의 광 출력의 컬러는 방출성 물질로서 소자에 포함된 다양한 반도체 나노결정의 조성물, 구조 및 크기의 선택에 의해 정밀하게 제어될 수 있다. 특정 실시양태에서, 2개 이상의 상이한 반도체 나노결정 (상이한 조성물, 구조 및/또는 크기를 가짐)이 포함될 수 있다.
도 3은 소자가 형성될 수 있는 유리 기판 및 소자를 캡슐화하기 위해 사용될 수 있는 보호 유리 층을 나타내는 발광 소자의 다른 실시양태의 예를 예시한다.
임의로 건조제 또는 다른 흡습성 물질이 예를 들어 에폭시, 예컨대 UV 경화성 에폭시에 의해 밀봉되기 전에 소자에 포함될 수 있다. 다른 건조제 또는 흡습성 물질이 사용될 수 있다.
제1 전극은 예를 들어 높은 일 함수 (예를 들어, 4.0 eV 초과) 정공-주입 도체, 예컨대 인듐 주석 옥시드 (ITO) 층을 포함하는 애노드일 수 있다. 다른 애노드 물질은 예를 들어, 텅스텐, 니켈, 코발트, 백금, 팔라듐 및 이들의 합금, 갈륨 인듐 주석 옥시드, 아연 인듐 주석 옥시드, 질화티타늄, 폴리아닐린을 포함하나 이에 제한되지 않는 다른 높은 일 함수 정공-주입 도체, 또는 다른 높은 일 함수 정공-주입 전도성 중합체가 포함된다. 특정 실시양태에서, 제1 전극은 광 투과성이거나 투명하다. ITO 이외에, 다른 광투과성 전극 물질의 예로는 전도성 중합체, 및 다른 금속 산화물, 낮은 또는 높은 일 함수 금속, 전도성 에폭시 수지, 또는 적어도 부분적으로 광 투과성인 탄소 나노튜브/중합체 블렌드 또는 하이브리드가 포함된다. 전극 물질로서 사용될 수 있는 전도성 중합체의 예는 상표명 PEDOT 하에 바이엘 아게(Bayer AG)에 의해 판매되는 폴리(에틸렌디옥시티오펜)이다. 다른 분자상 변경된 폴리(티오펜)은 또한 전도성이고, 뿐만 아니라 폴리아닐린의 에머랄딘 염 형태가 사용될 수 있다.
제2 전극은 예를 들어 낮은 일 함수 (예를 들어, 4.0 eV 미만) 전자-주입 금속, 예컨대 Al, Ba, Yb, Ca, 리튬-알루미늄 합금 (Li:Al), 마그네슘-은 합금 (Mg:Ag) 또는 불소화리튬 - 알루미늄 (LiF:Al)을 포함하는 캐소드일 수 있다. 제2 전극, 예컨대 Mg:Ag는 불투명한 보호 금속 층, 예를 들어, 대기 산화로부터 캐소드 층을 보호하기 위한 Ag 층, 또는 실질적으로 투명한 ITO의 상대적으로 얇은 층에 의해 임의로 덮일 수 있다. 제2 전극은 고체 층의 노출된 표면 상에 샌드위치되거나, 스퍼터링되거나 증착될 수 있다. 전극 중 하나 또는 둘 모두가 패턴화될 수 있다. 소자의 전극은 전기적 전도 경로에 의해 전압 공급원에 연결될 수 있다. 전압이 가해질 때 광이 소자로부터 생성된다.
도 2에 나타낸 것과 같은 소자에서, 예를 들어, 제1 전극은 약 500 옴스트롱 내지 4000 옴스트롱의 두께를 가질 수 있다. 제1 층은 약 30 옴스트롱 내지 약 1000 옴스트롱의 두께를 가질 수 있다. 제2 층은 약 30 옴스트롱 내지 약 1000 옴스트롱의 두께를 가질 수 있다. 제2 전극은 약 5 옴스트롱 내지 약 10,000 옴스트롱 초과의 두께를 가질 수 있다.
비중합체 전극 물질은 예를 들어 스퍼터링 또는 증착에 의해 침착될 수 있다. 중합체 전극 물질은 예를 들어 스핀-캐스팅에 의해 침착될 수 있다.
상기 논의된 바와 같이, 전극은 패턴화될 수 있다. 광-투과성 전극 물질을 포함하는 전극 물질은 예를 들어, 화학적 에칭 방법, 예컨대 포토리토그래피 또는 레이저를 사용하는 물리적 에칭 방법 등에 의해 패턴화될 수 있다. 또한, 전극은 차폐 동안 진공 증착, 스퍼터링 등에 의해 패턴화될 수 있다.
정공 수송층 및 전자 수송층은 집합적으로 전하 수송층이라고 지칭될 수 있다. 이들 층 중 하나 또는 둘 모두는 유기 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 무기 물질의 예로는 예를 들어 무기 반도체가 포함된다. 무기 물질은 무정형 또는 다결정질일 수 있다. 유기 전하 수송 물질은 중합체 또는 비중합체일 수 있다. 특정 실시양태에서, 전하 수송 물질은 기울기 승화 정제된다.
전자 수송층에 포함될 수 있는 전형적인 유기 물질의 예로는 분자상 매트릭스가 포함된다. 분자상 매트릭스는 비중합체일 수 있다. 분자상 매트릭스는 소분자, 예를 들어, 금속 착물을 포함할 수 있다. 8-히드록시퀴놀린의 금속 착물은 알루미늄, 갈륨, 인듐, 아연 또는 마그네슘 착물, 예를 들어 알루미늄 트리스(8-히드록시퀴놀린) (Alq3)일 수 있다. 전자 수송층의 다른 부류의 물질에는 금속 티옥시노이드 화합물, 옥사디아졸 금속 킬레이트, 트리아졸, 섹시티오펜 유도체, 피라진 및 스티릴안트라센 유도체가 포함될 수 있다. Balq2는 전자 수송층에 포함될 수 있는 다른 물질의 예이다. 유기 물질을 포함하는 전자 수송층은 진성이거나 (도핑되지 않거나) 도핑될 수 있다. 전도도를 향상시키기 위해 도핑이 사용될 수 있다. 예를 들어, 2006년 4월 27일에 출원된 명칭 ["Device Including Semiconductor Nanocrystals And A Layer Including A Doped Organic Material And Methods"]의 베티(Beatty) 등의 미국 특허 가출원 제60/795,420호를 참조하며, 상기 출원은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
정공 수송층에 포함될 수 있는 전형적인 유기 물질의 예로는 유기 발색단이 포함된다. 유기 발색단은 페닐 아민, 예를 들어 N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-디아민 (TPD)을 포함할 수 있다. 다른 정공 수송층은 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-스피로 (스피로-TPD), 4-4'-N,N'-디카르바졸릴-바이페닐 (CBP), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐 (NPD) 등, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리(페닐렌 비닐렌), 구리 프탈로시아닌, 방향족 삼차 아민 또는 다핵 방향족 삼차 아민, 4,4'-비스(p-카르바졸릴)-1,1'-바이페닐 화합물, 또는 N,N,N',N'-테트라아릴벤지딘을 포함할 수 있다. 유기 물질을 포함하는 정공 수송층은 진성이거나 (도핑되지 않거나) 도핑될 수 있다. 전도도를 향상시키기 위해 도핑이 사용될 수 있다. 도핑된 정공 수송층의 예는 2006년 4월 27일에 출원된 명칭 ["Device Including Semiconductor Nanocrystals And A Layer Including A Doped Organic Material And Methods"]의 베티(Beatty) 등의 미국 특허 가출원 제60/795,420호에 기재되어 있으며, 상기 출원은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
유기 물질을 포함하는 전하 수송층, 및 유기 전하 수송층, 발광 소자의 제작과 관련된 다른 정보, 및 관련 기술은 2005년 10월 21일에 출원된 명칭 ["Method And System For Transferring A Patterned Material"]의 미국 특허 출원 제11/253,612호, 및 2005년 10월 21일에 출원된 명칭 ["Light Emitting Device Including Semiconductor Nanocrystals"]의 미국 특허 출원 제11/253,595호, 및 2007년 6월 4일에 출원된 명칭 ["Light-Emitting Devices And Displays With Improved Performance"]의 국제 특허 출원 제PCT/US2007/13152호에 더 상세히 논의되어 있다. 상기 특허 출원들은 각각 본원에 참고로 도입된다.
유기 전하 수송층은 진공 증착 방법, 스퍼터링 방법, 딥-코팅 방법, 스핀-코팅 방법, 캐스팅 방법, 바-코팅 방법, 롤-코팅 방법 및 다른 필름 침착 방법과 같은 공지된 방법에 의해 배치될 수 있다. 특정 실시양태에서, 유기 층은 초고진공 (예를 들어, ≤ 10-8 토르), 고진공 (예를 들어, 약 10-8 토르 내지 약 10-5 토르), 또는 저진공 (예를 들어, 약 10-5 토르 내지 약 10-3 토르) 조건 하에 침착된다. 바람직하게는, 유기 층은 약 1 x 10-7 내지 약 1 x 10-6 토르 또는 약 1 x 10-7 내지 약 5 x 10-6 토르의 고진공 조건에서 침착된다. 별법으로, 유기 층은 각 층을 위한 용매를 적절히 선택하면서 다층 코팅에 의해 형성될 수 있다.
무기 물질을 포함하는 전하 수송층, 및 무기 전하 수송층의 제작과 관련된 다른 정보는 하기 추가로 논의되며, 2005년 2월 16일에 출원된 명칭 ["Light Emitting Device Including Semiconductor Nanocrystals]의 미국 특허 출원 제60/653,094호 및 2006년 2월 15일에 출원된 미국 특허 출원 제11/354,185호에 더 상세히 논의되고, 상기 출원들은 각각 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
무기 반도체를 포함하는 전하 수송층은 예를 들어 진공 증착 방법, 이온-플레이팅 방법, 스퍼터링, 잉크젯 프린팅 등과 같은 공지된 방법에 의해 저온에서 기판 상에 침착될 수 있다.
기판은 불투명하거나 광 투과성이거나 투명할 수 있다. 기판은 강성 또는 가요성일 수 있다. 기판은 플라스틱, 금속 또는 유리일 수 있다.
몇몇 애플리케이션에서, 기판은 뒤판을 포함할 수 있다. 뒤판은 전력을 개별 화소로 스위칭하거나 제어하기 위해 능동 또는 수동 전자기기를 포함한다. 뒤판을 포함시키는 것은 디스플레이, 센서 또는 영상장치와 같은 애플리케이션에서 유용할 수 있다. 특히, 뒤판은 능동 매트릭스, 수동 매트릭스, 고정된 포맷, 디렉트 드라이브 또는 하이브리드로서 배치될 수 있다. 디스플레이는 정지 영상, 동영상 또는 조명을 위해 배치될 수 있다. 발광 소자의 어레이를 포함하는 디스플레이는 백색 광, 단색 광 또는 컬러-튜닝가능한 광을 제공할 수 있다.
전하 수송층 이외에, 소자는 임의로 1개 이상의 전하-주입층, 예를 들어 정공 주입층 (HIL) (별개의 층으로서 또는 정공 수송층의 부분으로서) 및/또는 전자 주입층 (EIL) (별개의 층으로서 또는 전자 수송층의 부분으로서)을 더 포함할 수 있다. 유기 물질을 포함하는 전하 주입층은 진성이거나 (도핑되지 않거나) 도핑될 수 있다. 예를 들어, 2006년 4월 27일에 출원된 명칭 ["Device Including Semiconductor Nanocrystals And A Layer Including A Doped Organic Material And Methods"]의 베티(Beatty) 등의 미국 특허 가출원 제60/795,420호를 참조하며, 상기 출원은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
1개 이상의 전하 차단층이 임의로 더 포함될 수 있다. 예를 들어, 전자 차단층 (EBL), 정공 차단층 (HBL) 또는 엑시톤 차단층 (eBL)이 구조에 도입될 수 있다. 차단층은 예를 들어 3-(4-바이페닐일)-4-페닐-5-tert-부틸페닐-1,2,4-트리아졸 (TAZ), 2,2',2"-(1,3,5-벤진트리일)-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸) (TBPi), 3,4,5-트리페닐-1,2,4-트리아졸, 3,5-비스(4-tert-부틸페닐)-4-페닐-1,2,4-트리아졸, 바토쿠프로인 (BCP), 4,4',4"-트리스{N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노}트리페닐아민 (m-MTDATA), 폴리에틸렌 디옥시티오펜 (PEDOT), 1,3-비스(5-(4-디페닐아미노)페닐-1,3,4-옥사디아졸-2-일)벤젠, 2-(4-바이페닐일)-5-(4-tert부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸, 1,3-비스[5-(4-(1,1-디메틸에틸)페닐)-1,3,4-옥사디아졸-5,2-일)벤젠, 1,4-비스(5-(4-디페닐아미노)페닐-1,3,4-옥사디아졸-2-일)벤젠 또는 1,3,5-트리스[5-(4-(1,1-디메틸에틸)페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일)벤젠을 포함할 수 있다. 유기 물질을 포함하는 전하 차단층은 진성이거나 (도핑되지 않거나) 도핑될 수 있다. 예를 들어, 2006년 4월 27일에 출원된 명칭 ["Device Including Semiconductor Nanocrystals And A Layer Including A Doped Organic Material And Methods"]의 베티(Beatty) 등의 미국 특허 가출원 제60/795,420호를 참조하며, 상기 출원은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
전하 주입층 (존재하는 경우) 및 전하 차단층 (존재하는 경우)은 스핀 코팅, 딥 코팅, 증착 또는 다른 박막 침착 방법에 의해 전극 중 하나의 표면 상에 침착될 수 있다. 예를 들어, 문헌 [M. C. Schlamp, et al., J. Appl. Phys., 82, 5837-5842, (1997)]; [V. Santhanam, et al., Langmuir, 19, 7881-7887, (2003)]; 및 [X. Lin, et al., J. Phys. Chem. B, 105, 3353-3357, (2001)]을 참조하며, 상기 문헌들은 각각 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
다른 다층 구조가 본 발명의 발광 소자 및 디스플레이의 성능 (예를 들어, 2003년 3월 28일에 출원된 미국 특허 출원 제10/400,907호 및 제10/400,908호를 참조하며, 상기 출원들은 각각 그 전문이 본원에 참고로 도입됨)을 개선시키기 위해 임의로 사용될 수 있다. 발광 소자의 성능은 그의 효율을 증가시킴으로써, 그의 방출 스펙트럼을 좁게하거나 넓게함으로써, 또는 그의 방출을 극성화함으로써 개선될 수 있다. 예를 들어, 문헌 [Bulovic et al., Semiconductors and Semimetals 64, 255 (2000)], [Adachi et al., Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001)], [Yamasaki et al., Appl. Phys. Lett. 76, 1243 (2000)], [Dirr et al., Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1457 (1998)] 및 [D'Andrade et al., MRS Fall Meeting, BB6.2 (2001)]을 참조하며, 상기 문헌들은 각각 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
바람직하게는, 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질을 포함하는 소자는 제어된 (산소-비함유 및 습기-비함유) 환경에서 가공되어, 제작 공정 도중 발광 효율의 켄칭을 방지한다.
소자 및 디스플레이의 제작에서 나노물질의 침착에 유용한 것 이외에, 다른 소자 및/또는 어레이의 층 (예를 들어, 전극, 전하 수송층, 전하 차단층, 전하 주입층 등)이 또한 마이크로-디스펜서, 예를 들어, 잉크젯 프린트 헤드로부터 침착될 수 있다. 마이크로-디스펜서, 예를 들어, 잉크젯 프린트 헤드를 사용하는 다중 소자 층의 제작은 제조 공정을 단순화하고 다른 제조 효율을 제공할 수 있다.
제조될 수 있는 반도체 나노결정 물질의 다양성, 및 반도체 나노결정 조성물, 구조 및 크기를 통해 튜닝되는 파장 때문에, 예정된 컬러의 광을 방출할 수 있는 소자는 방출성 물질로서 반도체 나노결정의 사용에 의해 가능하다. 반도체 나노결정 발광된 소자는 스펙트럼의 어떤 부분에서도 방출하도록 튜닝될 수 있다. 가시광 또는 비가시광 (예를 들어, IR)을 방출하는 발광 소자가 제조될 수 있다. 반도체 나노결정의 크기 및 물질은 반도체 나노결정이 예정된 파장을 갖는 광을 방출하도록 선택될 수 있다. 광 방출은 스펙트럼의 임의의 영역, 예를 들어 가시광, 적외선 등의 예정된 파장일 수 있다. 예를 들어, 파장은 300 내지 2,500 nm 이상, 예를 들어 300 내지 400 nm, 400 내지 700 nm, 700 내지 1100 nm, 1100 내지 2500 nm, 2500 nm 초과일 수 있다.
특정 실시양태에서, 개별 발광 소자가 형성될 수 있다. 다른 실시양태에서, 다수의 개별 발광 소자가 단일 기판 상에 여러 위치에서 형성되어 디스플레이를 형성할 수 있다.
디스플레이는 동일하거나 상이한 파장에서 방출하는 2개 이상의 소자를 포함할 수 있다. 상이한 컬러-방출 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질의 어레이에 의한 기판의 패턴화에 의해, 상이한 컬러의 화소를 포함하는 디스플레이가 형성될 수 있다. 패턴화된 반도체 나노결정은 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색, 또는 별법으로, 적색, 황색, 녹색, 청색-녹색 및/또는 청색 방출을 포함하는 화소의 어레이, 또는 예정된 파장의 광을 생성하도록 에너지화된 구별가능한 컬러 방출 화소의 다른 조합을 형성하는데 사용될 수 있다. 특정 실시양태에서, 1개 이상의 화소는 스펙트럼의 자외선 또는 적외선 방출 부분에서 방출할 수 있다.
디스플레이의 개별 발광 소자 또는 1개 이상의 발광 소자는 백색 광을 생성하도록 제제화된 상이한 컬러-방출 반도체 나노결정의 혼합물을 임의로 포함할 수 있다. 백색 광은 별법으로 적색, 녹색, 청색 및 임의로 추가 화소를 포함하는 소자로부터 생성될 수 있다.
다른 디스플레이의 예는 2006년 2월 9일에 출원된 코-설리반(Seth Coe-Sullivan) 등의 명칭 ["Displays Including Semiconductor Nanocrystals And Methods Of Making Same"]의 미국 특허 출원 제60/771,643호에 포함되며, 상기 출원은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
상기 논의된 바와 같이, 본원에 기재된 방법은 태양 전지, 광기전 소자, 광검출기, 비-휘발성 메모리 소자 등을 포함하나 이에 제한되지 않는 발광 소자 이외의 다른 소자의 제작에서 적용될 수 있다.
예를 들어, 나노물질, 예를 들어 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질은 광검출기 소자 또는 광검출기 소자의 어레이의 제작에서 본 발명에 따른 방법에 의해 침착될 수 있다. 광검출기 소자는 흡수 특성을 기준으로 선택된 다수의 반도체 나노결정을 포함하는 1종 이상의 나노물질을 포함한다. 광검출기에 포함된 경우에, 반도체 나노결정은 특정 파장 (전형적으로 스펙트럼의 IR 또는 MIR 영역)의 흡수시 예정된 전기 반응을 생성하도록 설계된다. 반도체 나노결정을 포함하는 광검출기 소자의 예는 문헌 ["A Quantum Dot Heterojunction Photodetector" by Alexi Cosmos Arango, Submitted to the Department of Electrical Engineering and Computer Science, in partial fulfillment of the requirements for the degree of Masters of Science in Computer Science and Engineering at the Massachusetts Institute of Technology, February 2005]에 기재되어 있으며, 상기 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다. 1개 이상의 광검출기가 추가로 영상화 소자, 예컨대 하이퍼스펙트럼 영상화 소자에 포함될 수 있다. 예를 들어, 2006년 3월 24일에 출원된 명칭 ["Hyperspectral Imaging Device"]의 코-설리반(Coe-Sullivan) 등의 미국 가출원 제60/785,786호를 참조하며, 상기 출원은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
한 실시양태에서, 광검출기 소자의 제작 방법은 본 발명의 실시양태에 따른 잉크를 마이크로-디스펜서로부터 소자의 층 상에 침착하는 것을 포함한다. 한 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함한다. 잉크는 예정된 패턴화된 배열부에 또는 패턴화되지 않은 배열부로서 층, 연속적 필름 등을 포함하나 이에 제한되지 않는 소자의 층 상에 침착될 수 있다. 바람직하게는, 액체 비히클은 임의의 다른 물질 또는 층의 침착 전에 침착된 잉크로부터 제거된다.
다른 실시양태에서, 광검출기 소자의 어레이의 제작 방법은 본 발명의 실시양태에 따른 잉크를 마이크로-디스펜서로부터 소자의 층 상에 침착하는 것을 포함한다. 한 실시양태에서, 나노물질은 반도체 나노결정을 포함한다. 나노물질 및 액체 비히클을 포함하는 잉크는 예정된 배열부 (패턴화된 또는 패턴화되지 않은)에 소자 층 상에 침착될 수 있다. 소자 층은 전극을 더 포함하는 기판 상에 배치될 수 있다. 제2 전극은 바람직하게는 잉크로부터 액체 비히클의 제거후 침착된 나노물질 위에 침착될 수 있다. 한 실시양태에서, 나노물질이 침착된 소자 층은 전하 수송 물질을 포함한다. 임의로, 나노물질 층과 제2 전극 사이에 제2 전하 수송층이 형성될 수 있다.
광검출기 소자 또는 소자의 어레이의 제작 방법은 임의로 예정된 배열부 (패턴화된 또는 패턴화되지 않은)에 1종 이상의 나노물질을 침착하는 것을 포함할 수 있다. 상기 논의된 바와 같이, 나노물질 및 액체 비히클을 포함하는 잉크는 마이크로-디스펜서로부터 침착된다.
본 발명에 따른 방법은 또한 메모리 소자의 제작에서 나노물질의 침착에서 사용될 수 있다. 비휘발성 소자의 예는 2004년 10월 6일에 출원된 바웬디(Bawendi) 등의 명칭 ["Non-Volatile Memory Device"]의 미국 특허 출원 제10/958,659호에 기재되어 있으며, 상기 출원은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
반도체 나노결정 및 그의 용도에 관한 추가 정보에 대해서는, 2004년 10월 22일에 출원된 미국 특허 출원 제60/620,967호 및 2005년 1월 11일에 출원된 미국 특허 출원 제11/032,163호, 2005년 3월 4일에 출원된 미국 특허 출원 제11/071,244호를 또한 참조한다. 상기 특허 출원들은 각각 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
본원에서 사용되는 "상단" 및 "바닥"은 기준점으로부터의 위치를 기준으로 하는 상대적 위치 용어이다. 보다 구체적으로, "상단"은 기판으로부터 가장 멀리 떨어진 위치를 의미하는 반면, "바닥"은 기판에서 가장 가까운 위치를 의미한다. 예를 들어 2개의 전극을 임의로 포함하는 발광 소자의 경우에, 바닥 전극은 기판에 가장 가까운 전극이고, 일반적으로 제작된 제1 전극이며; 상단 전극은 발광 물질의 상단부 상에 있는 기판으로부터 더 멀리있는 전극이다. 바닥 전극은 2개의 표면, 즉 기판에 가장 가까운 바닥 표면 및 기판에서 가장 멀리 떨어진 상단 표면을 갖는다. 예를 들어, 제1 층이 제2 층 "위에" 배치되거나 침착된 것으로 기재된 경우에, 제1 층은 기판으로부터 더 멀리 배치된다. 달리 특정되지 않는 한 제1 층과 제2 층 사이에 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들어, 캐소드는 중간에 다양한 유기 및/또는 무기 층이 존재하는 경우에도 애노드 "위에 배치된" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용되는 단수 형태 "a", "an" 및 "the"는 달리 명백하게 언급되지 않는 한 복수를 포함한다. 그러므로, 예를 들어 나노물질에 대한 언급은 1종 이상의 이러한 물질에 대한 언급을 포함한다.
상기 및 전반에 걸쳐 언급된 모든 특허 및 공개물은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다. 또한, 양, 농도, 또는 다른 값 또는 파라미터가 범위, 바람직한 범위, 또는 더 높은 바람직한 값 및 더 낮은 바람직한 값의 목록으로서 제공되는 경우에, 이는 범위가 별개로 개시된 것과 상관없이 임의의 상한 범위 또는 바람직한 값 및 임의의 하한 범위 또는 바람직한 값의 임의의 쌍으로부터 형성된 모든 범위를 구체적으로 개시하는 것으로 이해된다. 수치의 범위가 본원에 인용된 경우 달리 언급되지 않는 한, 범위는 그의 종점 및 범위 내의 모든 정수 및 분수를 포함하는 것으로 의도된다. 본 발명의 범위는 범위를 정의하는 경우에 인용된 구체적인 값으로 제한되도록 의도되지 않는다.
본 발명의 다른 실시양태는 본 명세서 및 본원에 개시된 본 발명의 실시를 고려하여 당업자에게 명백할 것이다. 본 명세서 및 실시예는 예시로서만 고려되며, 본 발명의 진정 범위 및 취지는 하기 청구항 및 그의 등가물에 의해 표시되는 것으로 의도된다.

Claims (46)

  1. 다수의 양자 구속된 코어-쉘 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질,
    다수의 산란 입자, 및
    가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물을 포함하는 액체 비히클
    을 포함하는 잉크 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 산란 입자가 금속 또는 금속 산화물 입자, 기포, 속이 찬 유리 비드 또는 속이 빈 유리 비드를 포함하는 것인 잉크 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 산란 입자가 TiO2, SiO2, BaTiO3 또는 ZnO를 포함하는 것인 잉크 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 산란 입자의 적어도 일부가 구형 형상을 갖는 것인 잉크 조성물.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 산란 입자의 적어도 일부가 액체 매질에서의 분산성 및 안정성의 개선을 위한 표면-처리를 포함하는 것인 잉크 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 산란 입자가 0.2 ㎛의 평균 입자 크기를 갖는 TiO2 입자를 포함하는 것인 잉크 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 산란 입자의 농도가 0.001 중량％ 내지 20 중량％의 범위인 잉크 조성물.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서, 액체 비히클 1 ㎖ 당 양자 구속된 코어-쉘 반도체 나노결정 0.1 mg 이상을 포함하는 잉크 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 액체 비히클 1 ㎖ 당 양자 구속된 코어-쉘 반도체 나노결정 1 mg 이상을 포함하는 잉크 조성물.
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서, 액체 비히클 1 ㎖ 당 양자 구속된 코어-쉘 반도체 나노결정 10 mg 이상을 포함하는 잉크 조성물.
  15. 삭제
  16. 제1항에 있어서, 액체 비히클 1 ㎖ 당 양자 구속된 코어-쉘 반도체 나노결정 50 mg 이상을 포함하는 잉크 조성물.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제1항에 있어서, 관능성 유닛이 UV 처리에 의해 가교될 수 있는 것인 잉크 조성물.
  22. 제1항에 있어서, 관능성 유닛이 열 처리에 의해 가교될 수 있는 것인 잉크 조성물.
  23. 제1항에 있어서, 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물과 액체 비히클이 동일한 것인 잉크 조성물.
  24. 제1항에 있어서, 액체 비히클이 자체로 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물 및 액체 매질의 혼합물을 포함하는 것인 잉크 조성물.
  25. 제1항에 있어서, 가교될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함하는 조성물이 액체 비히클에 사용되는 보조용매를 포함하는 것인 잉크 조성물.
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 제1항에 있어서, 산란 입자가 TiO2를 포함하며, 1 중량％ 내지 5 중량％ 범위의 농도로 포함되는 것인 잉크 조성물.
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 반도체 나노결정을 포함하는 나노물질 및 퍼플루오로화합물을 포함하는 액체 비히클을 포함하는 잉크 조성물로서, 반도체 나노결정의 적어도 일부가 그의 표면 상에 불소화된 리간드를 포함하는 것인 잉크 조성물.
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  41. 제1항 또는 제28항에 따른 잉크 조성물을 포함하는 소자.
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Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9297092B2 (en) * 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8845927B2 (en) 2006-06-02 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Functionalized nanoparticles and method
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
WO2007117668A2 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
US9212056B2 (en) * 2006-06-02 2015-12-15 Qd Vision, Inc. Nanoparticle including multi-functional ligand and method
WO2008105792A2 (en) 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
WO2008111947A1 (en) 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
WO2008085210A2 (en) 2006-09-12 2008-07-17 Qd Vision, Inc. Electroluminescent display useful for displaying a predetermined pattern
WO2008063658A2 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008063653A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008133660A2 (en) 2006-11-21 2008-11-06 Qd Vision, Inc. Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts
WO2008063652A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US20080172197A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Motorola, Inc. Single laser multi-color projection display with quantum dot screen
KR101672553B1 (ko) 2007-06-25 2016-11-03 큐디 비젼, 인크. 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법
US7989153B2 (en) * 2007-07-11 2011-08-02 Qd Vision, Inc. Method and apparatus for selectively patterning free standing quantum DOT (FSQDT) polymer composites
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
GB0803702D0 (en) 2008-02-28 2008-04-09 Isis Innovation Transparent conducting oxides
WO2009145813A1 (en) 2008-03-04 2009-12-03 Qd Vision, Inc. Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
KR101995371B1 (ko) 2008-04-03 2019-07-02 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
US20100264371A1 (en) * 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
US9346998B2 (en) 2009-04-23 2016-05-24 The University Of Chicago Materials and methods for the preparation of nanocomposites
WO2010129374A2 (en) 2009-04-28 2010-11-11 Qd Vision, Inc. Optical materials, optical components, and methods
US9112094B2 (en) * 2009-05-21 2015-08-18 E I Du Pont De Nemours And Company Copper tin sulfide and copper zinc tin sulfide ink compositions
JP2013502047A (ja) 2009-08-14 2013-01-17 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 照明装置、照明装置用光学部品および方法
GB0915376D0 (en) 2009-09-03 2009-10-07 Isis Innovation Transparent conducting oxides
EP2475717A4 (en) 2009-09-09 2015-01-07 Qd Vision Inc PARTICLES WITH NANOPARTICLES, USES THEREOF AND METHOD THEREFOR
WO2011031876A1 (en) 2009-09-09 2011-03-17 Qd Vision, Inc. Formulations including nanoparticles
KR101791580B1 (ko) 2009-10-17 2017-10-30 삼성전자주식회사 광학 요소, 이를 포함한 제품, 및 그 제조 방법
WO2011060180A1 (en) 2009-11-11 2011-05-19 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
WO2011100023A1 (en) 2010-02-10 2011-08-18 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and methods of preparation
DE102010015659A1 (de) * 2010-04-20 2011-10-20 Giesecke & Devrient Gmbh Transferverfahren zur Herstellung von Leiterstrukturen mittels Nanotinten
GB2484743B (en) * 2010-10-23 2014-10-15 Univ Montfort Organic photoconductive material
WO2012071107A1 (en) * 2010-11-23 2012-05-31 Qd Vision, Inc. Device including semiconductor nanocrystals & method
EP2647072B1 (en) 2010-11-30 2020-07-29 Msmh, Llc Method for deposition of nanoparticles onto substrates and high energy density device fabrication
WO2012099653A2 (en) 2010-12-08 2012-07-26 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and methods of preparation
EP2655961A4 (en) 2010-12-23 2014-09-03 Qd Vision Inc OPTICAL ELEMENT CONTAINING QUANTUM POINTS
JP5737011B2 (ja) 2011-01-18 2015-06-17 日本電気硝子株式会社 発光デバイス、発光デバイス用セル及び発光デバイスの製造方法
WO2012134629A1 (en) 2011-04-01 2012-10-04 Qd Vision, Inc. Quantum dots, method, and devices
WO2012158832A2 (en) 2011-05-16 2012-11-22 Qd Vision, Inc. Method for preparing semiconductor nanocrystals
JP5265822B1 (ja) 2011-07-28 2013-08-14 パナソニック株式会社 表面改質半導体及びその製造方法並びに粒子配置方法
WO2013028253A1 (en) 2011-08-19 2013-02-28 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and methods
GB2494659A (en) 2011-09-14 2013-03-20 Sharp Kk Nitride nanoparticles with high quantum yield and narrow luminescence spectrum.
US9864121B2 (en) 2011-11-22 2018-01-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Stress-resistant component for use with quantum dots
WO2013078247A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Methods of coating semiconductor nanocrystals, semiconductor nanocrystals, and products including same
WO2013078252A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Quantum dot-containing compositions including an emission stabilizer, products including same, and method
WO2013078242A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Methods for coating semiconductor nanocrystals
WO2013078245A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Method of making quantum dots
WO2013115898A2 (en) 2012-02-05 2013-08-08 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals, methods for making same, compositions, and products
US10008631B2 (en) 2011-11-22 2018-06-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Coated semiconductor nanocrystals and products including same
WO2013078249A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision Inc. Method of making quantum dots
US9290671B1 (en) * 2012-01-03 2016-03-22 Oceanit Laboratories, Inc. Low cost semiconducting alloy nanoparticles ink and manufacturing process thereof
WO2013103440A1 (en) 2012-01-06 2013-07-11 Qd Vision, Inc. Light emitting device including blue emitting quantum dots and method
CN104302572B (zh) * 2012-03-19 2018-02-02 奈科斯多特股份公司 包含各向异性平胶体半导体纳米晶体的发光设备及其制造方法
FR2988223B1 (fr) 2012-03-19 2016-09-02 Solarwell Dispositif emettant de la lumiere contenant des nanocristaux colloidaux semiconducteurs anisotropes aplatis et procede de fabrication de tels dispositifs
WO2013173409A1 (en) 2012-05-15 2013-11-21 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and methods of preparation
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
US9617472B2 (en) 2013-03-15 2017-04-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystals, a method for coating semiconductor nanocrystals, and products including same
US9685628B2 (en) 2013-08-16 2017-06-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods for making optical components, optical components, and products including same
JP6201538B2 (ja) * 2013-09-03 2017-09-27 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インクの製造方法、有機ｅｌ素子の製造方法
WO2015077373A1 (en) 2013-11-19 2015-05-28 Qd Vision, Inc. Methods for making optical components, optical components, and products including same
JP6331349B2 (ja) * 2013-11-19 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP6469108B2 (ja) 2013-11-19 2019-02-13 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ルミネッセンス粒子、これを含む材料および製品、ならびに方法
EP3143658A4 (en) 2014-05-15 2018-07-11 Msmh, Llc Lithium intercalated nanocrystal anodes
CA2949102C (en) 2014-05-15 2019-11-26 Msmh, Llc Methods and systems for the synthesis of nanoparticles including strained nanoparticles
EP3143659B1 (en) 2014-05-15 2021-06-23 Msmh, Llc Method for producing sulfur charged carbon nanotubes and cathodes for lithium ion batteries
KR101879016B1 (ko) * 2014-11-21 2018-07-16 동우 화인켐 주식회사 자발광 감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 컬러필터 및 상기 컬러필터를 포함하는 화상표시장치
KR101777596B1 (ko) * 2015-01-06 2017-09-13 코닝정밀소재 주식회사 양자점 복합체 및 이를 포함하는 광전소자
US20170373250A1 (en) 2015-01-27 2017-12-28 King Abdullah University Of Science And Technology Optoelectronic devices, low temperature preparation methods, and improved electron transport layers
KR101665450B1 (ko) * 2015-05-29 2016-10-13 울산과학기술원 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치
CN105153811B (zh) 2015-08-14 2019-12-10 广州华睿光电材料有限公司 一种用于印刷电子的油墨
WO2017080326A1 (zh) 2015-11-12 2017-05-18 广州华睿光电材料有限公司 印刷组合物、包含其的电子器件及功能材料薄膜的制备方法
CN105576139B (zh) * 2016-01-06 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点电致发光二极管及其制备方法、显示器
WO2017182432A1 (en) * 2016-04-19 2017-10-26 Trinamix Gmbh Detector for an optical detection of at least one object
US10544168B2 (en) * 2016-06-15 2020-01-28 Alliance For Sustainable Energy, Llc Ligand-exchangeable nanoparticles and methods of making the same
EP3546532B1 (en) 2016-11-23 2021-06-02 Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. Printing ink composition, preparation method therefor, and uses thereof
US10308828B2 (en) * 2016-12-14 2019-06-04 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Reactively assisted ink for printed electronic circuits
US10670962B2 (en) 2017-02-20 2020-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive compositions, preparation methods thereof, and quantum dot polymer composite pattern produced therefrom
US10663860B2 (en) 2017-02-20 2020-05-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive compositions, quantum dot polymer composite produced therefrom, and layered structures and electronic device including the same
JP2017149981A (ja) * 2017-05-01 2017-08-31 メトロ電気株式会社 発光素子用のインク
JP6969351B2 (ja) * 2017-12-19 2021-11-24 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 半導体微粒子組成物、量子ドット、それらを含有する塗工液、インキ組成物、およびそれらの用途。
WO2019167751A1 (ja) * 2018-02-28 2019-09-06 Jsr株式会社 半導体ナノ粒子含有組成物、波長変換膜、発光表示素子、及び波長変換膜の形成方法
US11927883B2 (en) * 2018-03-30 2024-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus to reduce variation of physical attribute of droplets using performance characteristic of dispensers
JP2020063409A (ja) * 2018-10-12 2020-04-23 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 インク組成物及び波長変換層
JP2024021085A (ja) * 2020-12-28 2024-02-16 Dic株式会社 インクジェット印刷装置、発光性ナノ結晶粒子含有インクの印刷方法、カラーフィルタ画素部の形成方法、及び、カラーフィルタ
EP4288503A1 (en) 2021-02-02 2023-12-13 Dow Silicones Corporation Printable silicone composition and methods for its preparation and use
US20240188317A1 (en) * 2021-03-30 2024-06-06 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting element, display device, manufacturing method of light emitting element, and manufacturing method of display device
WO2023234793A1 (en) * 2022-06-02 2023-12-07 Qatar Foundation For Education, Science And Community Development Solar cell and method of making the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340195A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Samsung Electronics Co Ltd ナノ結晶の多層薄膜製造方法およびこれを用いた有機・無機ハイブリッドエレクトロルミネッセンス素子
US20050272159A1 (en) 2002-05-09 2005-12-08 Ismagilov Rustem F Device and method for pressure-driven plug transport and reaction
JP2005353595A (ja) 2004-06-09 2005-12-22 Samsung Electronics Co Ltd ナノ結晶エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2006085172A (ja) 2004-09-16 2006-03-30 Xerox Corp 光導電性画像形成部材

Family Cites Families (497)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3248588A (en) 1963-03-22 1966-04-26 Westinghouse Electric Corp Electroluminescent device with integral color modifier
US3510732A (en) 1968-04-22 1970-05-05 Gen Electric Solid state lamp having a lens with rhodamine or fluorescent material dispersed therein
JPS48102585A (ko) 1972-04-04 1973-12-22
US3774086A (en) 1972-09-25 1973-11-20 Gen Electric Solid state lamp having visible-emitting phosphor at edge of infrated-emitting element
US3825792A (en) 1973-07-03 1974-07-23 Westinghouse Electric Corp Novel discharge lamp and coating
US4082889A (en) 1976-01-28 1978-04-04 International Business Machines Corporation Luminescent material, luminescent thin film therefrom, and optical display device therewith
US4035686A (en) 1976-02-13 1977-07-12 Atkins & Merrill, Incorported Narrow emission spectrum lamp using electroluminescent and photoluminescent materials
US4130343A (en) 1977-02-22 1978-12-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Coupling arrangements between a light-emitting diode and an optical fiber waveguide and between an optical fiber waveguide and a semiconductor optical detector
US4366407A (en) 1979-06-05 1982-12-28 Duro-Test Corporation Incandescent lamp with selective color filter
DE2941313A1 (de) 1979-10-11 1981-05-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lampenloses signalelement
DE2946191A1 (de) 1979-11-15 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Farbige leuchte, z.b. fuer leuchtreklame, aussen- und innenbeleuchtung
DE3117571A1 (de) 1981-05-04 1982-11-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Lumineszenz-halbleiterbauelement
US4608301A (en) 1983-08-02 1986-08-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Radiographic intensifying screen
US4772885A (en) 1984-11-22 1988-09-20 Ricoh Company, Ltd. Liquid crystal color display device
US4719386A (en) 1984-11-24 1988-01-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Photoconverter and lamp utilizing multi-quantum emission
JPS6217904A (ja) 1985-07-15 1987-01-26 双葉電子工業株式会社 光源
US4820016A (en) 1986-02-21 1989-04-11 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Waveguide-containing communications and sensing systems
US4931692A (en) 1987-10-14 1990-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Luminescing member, process for preparation thereof, and electroluminescent device employing same
US4902567A (en) 1987-12-31 1990-02-20 Loctite Luminescent Systems, Inc. Electroluminescent lamp devices using monolayers of electroluminescent materials
DE3802868A1 (de) * 1988-02-01 1989-08-03 Philips Patentverwaltung Anzeigevorrichtung
GB8909730D0 (en) 1989-04-27 1989-06-14 Ici Plc Inorganic particles
JPH032851A (ja) 1989-05-31 1991-01-09 Pioneer Electron Corp 蛍光体スクリーン
US5099256A (en) * 1990-11-23 1992-03-24 Xerox Corporation Ink jet printer with intermediate drum
DE4133621A1 (de) 1991-10-10 1993-04-22 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Nanoskalige teilchen enthaltende kompositmaterialien, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung fuer optische elemente
US5208462A (en) 1991-12-19 1993-05-04 Allied-Signal Inc. Wide bandwidth solid state optical source
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5260957A (en) 1992-10-29 1993-11-09 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Quantum dot Laser
US5496913A (en) 1992-11-02 1996-03-05 Furukawa Electric Co., Ltd Aromatic polycarbonate, a method for producing the same, and a plastic optical waveguide using the same
US5293050A (en) 1993-03-25 1994-03-08 International Business Machines Corporation Semiconductor quantum dot light emitting/detecting devices
US5442254A (en) 1993-05-04 1995-08-15 Motorola, Inc. Fluorescent device with quantum contained particle screen
US5527386A (en) 1993-10-28 1996-06-18 Manfred R. Kuehnle Composite media with selectable radiation-transmission properties
US5534056A (en) 1993-10-28 1996-07-09 Manfred R. Kuehnle Composite media with selectable radiation-transmission properties
US5422489A (en) 1994-01-24 1995-06-06 Bhargava; Rameshwar N. Light emitting device
US5448582A (en) 1994-03-18 1995-09-05 Brown University Research Foundation Optical sources having a strongly scattering gain medium providing laser-like action
US5434878A (en) 1994-03-18 1995-07-18 Brown University Research Foundation Optical gain medium having doped nanocrystals of semiconductors and also optical scatterers
US5455489A (en) 1994-04-11 1995-10-03 Bhargava; Rameshwar N. Displays comprising doped nanocrystal phosphors
US5537000A (en) 1994-04-29 1996-07-16 The Regents, University Of California Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices
EP0691798A3 (en) 1994-07-05 1996-07-17 Ford Motor Co Fluorescent electroluminescent lamp
US5504661A (en) * 1994-07-05 1996-04-02 Ford Motor Company Translucent fluorescent filter for display panels
US5677545A (en) 1994-09-12 1997-10-14 Motorola Organic light emitting diodes with molecular alignment and method of fabrication
EP0783784B1 (en) * 1994-09-29 2000-11-08 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Optical fibre with quantum dots
US5482890A (en) 1994-10-14 1996-01-09 National Science Council Method of fabricating quantum dot structures
AU3894595A (en) * 1994-11-08 1996-05-31 Spectra Science Corporation Semiconductor nanocrystal display materials and display apparatus employing same
US5866039A (en) 1995-01-13 1999-02-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Luminescent device for displays and lighting
JPH0911498A (ja) * 1995-06-30 1997-01-14 Canon Inc インクジェット記録装置
US6151347A (en) 1996-01-17 2000-11-21 Nortel Networks Corporation Laser diode and method of fabrication thereof
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
JP3319945B2 (ja) 1996-05-13 2002-09-03 株式会社エンプラス 面光源装置
US5803579A (en) 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
KR100702740B1 (ko) 1996-06-26 2007-04-03 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5777433A (en) 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
US6608332B2 (en) 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
US6505929B1 (en) * 1996-09-09 2003-01-14 Hewlett-Packard Company Pigment treatment in paper coating compositions for improving ink-jet printing performance
US20020075422A1 (en) 1996-09-19 2002-06-20 Seiko Epson Corporation Matrix type display device and manufacturing method thereof
US6613247B1 (en) 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
TW386609U (en) 1996-10-15 2000-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent illumination apparatus
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US6495624B1 (en) * 1997-02-03 2002-12-17 Cytonix Corporation Hydrophobic coating compositions, articles coated with said compositions, and processes for manufacturing same
US6259506B1 (en) * 1997-02-18 2001-07-10 Spectra Science Corporation Field activated security articles including polymer dispersed liquid crystals, and including micro-encapsulated field affected materials
US6322901B1 (en) 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
US6005707A (en) 1997-11-21 1999-12-21 Lucent Technologies Inc. Optical devices comprising polymer-dispersed crystalline materials
US6501091B1 (en) 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
CA2268997C (en) 1998-05-05 2005-03-22 National Research Council Of Canada Quantum dot infrared photodetectors (qdip) and methods of making the same
US6864626B1 (en) * 1998-06-03 2005-03-08 The Regents Of The University Of California Electronic displays using optically pumped luminescent semiconductor nanocrystals
IL141019A (en) 1998-07-29 2004-09-27 Sanders W A Papier Transfer paper for ink-jet printing
US6294401B1 (en) 1998-08-19 2001-09-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same
US6251303B1 (en) 1998-09-18 2001-06-26 Massachusetts Institute Of Technology Water-soluble fluorescent nanocrystals
US6608439B1 (en) 1998-09-22 2003-08-19 Emagin Corporation Inorganic-based color conversion matrix element for organic color display devices and method of fabrication
WO2000028598A1 (en) * 1998-11-10 2000-05-18 Biocrystal Limited Methods for identification and verification
US6576155B1 (en) 1998-11-10 2003-06-10 Biocrystal, Ltd. Fluorescent ink compositions comprising functionalized fluorescent nanocrystals
JP2000212554A (ja) 1998-11-20 2000-08-02 Idemitsu Kosan Co Ltd 蛍光変換媒体及びそれを用いた表示装置
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6066357A (en) * 1998-12-21 2000-05-23 Eastman Kodak Company Methods of making a full-color organic light-emitting display
JP2000309734A (ja) * 1999-02-17 2000-11-07 Canon Inc インクジェット用インク、導電性膜、電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
US6348295B1 (en) * 1999-03-26 2002-02-19 Massachusetts Institute Of Technology Methods for manufacturing electronic and electromechanical elements and devices by thin-film deposition and imaging
US7108416B1 (en) 1999-03-29 2006-09-19 Rohm Co., Ltd. Planar light source
US20050279949A1 (en) 1999-05-17 2005-12-22 Applera Corporation Temperature control for light-emitting diode stabilization
US6276266B1 (en) 1999-05-20 2001-08-21 Illinois Tool Works, Inc. Multicolor pad printing system
US6410416B1 (en) 1999-05-28 2002-06-25 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising a high-resolution pattern on a non-planar surface and method of making the same
EP1777255A3 (en) * 1999-06-11 2007-07-11 Sydney Hyman Image making medium
US6205263B1 (en) * 1999-06-16 2001-03-20 Intelligent Optical Systems Distributed optical fiber sensor with controlled response
TW556357B (en) 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
US20070164661A1 (en) 1999-07-26 2007-07-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Fluorescent conversion medium and color light emitting device
JP2001113772A (ja) 1999-08-11 2001-04-24 Canon Inc 画像形成装置
US6605772B2 (en) 1999-08-27 2003-08-12 Massachusetts Institute Of Technology Nanostructured thermoelectric materials and devices
US6755511B1 (en) * 1999-10-05 2004-06-29 Spectra, Inc. Piezoelectric ink jet module with seal
US6731359B1 (en) * 1999-10-05 2004-05-04 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Color filters including light scattering fine particles and colorants
US6460985B1 (en) 1999-10-29 2002-10-08 Hewlett-Packard Company Ink reservoir for an inkjet printer
US6464346B2 (en) 1999-10-29 2002-10-15 Hewlett-Packard Company Ink containment and delivery techniques
EP1122793A2 (en) * 2000-02-01 2001-08-08 Canon Kabushiki Kaisha Production of organic luminescence device
EP1264353A2 (en) 2000-03-06 2002-12-11 Teledyne Lighting and Display Products, Inc. Lighting apparatus having quantum dot layer
CA2406983A1 (en) 2000-03-14 2001-09-27 Massachusetts Institute Of Technology A gain medium and lasers based on close-packed semiconductor nanocrystals
US6797412B1 (en) 2000-04-11 2004-09-28 University Of Connecticut Full color display structures using pseudomorphic cladded quantum dot nanophosphor thin films
KR100649722B1 (ko) * 2000-04-21 2006-11-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로루미네센스 표시소자의 패터닝장치 및 이를이용한 패터닝방법
US7323143B2 (en) 2000-05-25 2008-01-29 President And Fellows Of Harvard College Microfluidic systems including three-dimensionally arrayed channel networks
WO2003002908A1 (en) 2000-06-26 2003-01-09 Reveo, Inc. Backlight for a liquid crystal display having high light-recycling efficiency
WO2002003472A2 (en) 2000-06-29 2002-01-10 California Institute Of Technology Aerosol silicon nanoparticles for use in semiconductor device fabrication
WO2002020873A2 (de) 2000-09-05 2002-03-14 Zeptosens Ag Verfahren zur abscheidung von mono- und mehrfachschichten von organophosphor- und -phosphonsäuren und deren salzen sowie deren verwendung
IL138471A0 (en) * 2000-09-14 2001-10-31 Yissum Res Dev Co Novel semiconductor materials and their uses
JP2002091352A (ja) 2000-09-19 2002-03-27 Rhythm Watch Co Ltd 表示装置
DE10049803A1 (de) 2000-10-09 2002-04-18 Bayer Ag Kompositpartikel
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US6515314B1 (en) * 2000-11-16 2003-02-04 General Electric Company Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
NL1016779C2 (nl) * 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
US6576291B2 (en) 2000-12-08 2003-06-10 Massachusetts Institute Of Technology Preparation of nanocrystallites
US6467897B1 (en) 2001-01-08 2002-10-22 3M Innovative Properties Company Energy curable inks and other compositions incorporating surface modified, nanometer-sized particles
US6863933B2 (en) 2001-01-30 2005-03-08 The Procter And Gamble Company Method of hydrophilizing materials
US20020110180A1 (en) 2001-02-09 2002-08-15 Barney Alfred A. Temperature-sensing composition
US20020127224A1 (en) 2001-03-02 2002-09-12 James Chen Use of photoluminescent nanoparticles for photodynamic therapy
CN1220283C (zh) 2001-04-23 2005-09-21 松下电工株式会社 使用led芯片的发光装置
DE10120856A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Merck Patent Gmbh Pigmentpräparation
US6827769B2 (en) 2001-05-10 2004-12-07 Pitney Bowes Inc. Photosensitive optically variable ink heterogeneous compositions for ink jet printing
JP2002368263A (ja) 2001-06-06 2002-12-20 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US20020186921A1 (en) 2001-06-06 2002-12-12 Schumacher Lynn C. Multiwavelength optical fiber devices
US7008559B2 (en) * 2001-06-06 2006-03-07 Nomadics, Inc. Manganese doped upconversion luminescence nanoparticles
US7767249B2 (en) 2001-06-07 2010-08-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Preparation of nanoparticles
US6918946B2 (en) 2001-07-02 2005-07-19 Board Of Regents, The University Of Texas System Applications of light-emitting nanoparticles
US7276184B2 (en) * 2001-07-12 2007-10-02 Eastman Kodak Company Surfactant assisted nanomaterial generation process
US6595630B2 (en) * 2001-07-12 2003-07-22 Eastman Kodak Company Method and apparatus for controlling depth of deposition of a solvent free functional material in a receiver
US6819845B2 (en) * 2001-08-02 2004-11-16 Ultradots, Inc. Optical devices with engineered nonlinear nanocomposite materials
JP2005502176A (ja) * 2001-09-04 2005-01-20 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 量子ドットを有するエレクトロルミネセント装置
EP1461605A4 (en) * 2001-10-02 2009-10-21 Univ Northwestern PROTEIN AND PEPTIDE NANOARRAYS
US7524528B2 (en) 2001-10-05 2009-04-28 Cabot Corporation Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate
US6682189B2 (en) * 2001-10-09 2004-01-27 Nexpress Solutions Llc Ink jet imaging via coagulation on an intermediate member
US6924596B2 (en) 2001-11-01 2005-08-02 Nichia Corporation Light emitting apparatus provided with fluorescent substance and semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the same
US6732643B2 (en) * 2001-11-07 2004-05-11 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method for forming pattern using printing process
US6639527B2 (en) * 2001-11-19 2003-10-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet printing system with an intermediate transfer member between the print engine and print medium
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
DE10158754A1 (de) 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Halbleiderbauelement
US20030103123A1 (en) 2001-12-04 2003-06-05 Xerox Corporation Continuous transfer and fusing application system
US6494570B1 (en) 2001-12-04 2002-12-17 Xerox Corporation Controlling gloss in an offset ink jet printer
US6903505B2 (en) 2001-12-17 2005-06-07 General Electric Company Light-emitting device with organic electroluminescent material and photoluminescent materials
AU2002364201A1 (en) 2001-12-20 2003-07-09 Add-Vision, Inc. Screen printable electroluminescent polymer ink
KR100798314B1 (ko) * 2001-12-28 2008-01-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 기판의 변동에 의한 패턴의 오정렬이 보상된 패턴형성용잉크인쇄장치 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR20030057065A (ko) 2001-12-28 2003-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 금속패턴 형성방법
KR100825315B1 (ko) * 2001-12-29 2008-04-28 엘지디스플레이 주식회사 잉크인쇄용 클리체 및 그 제조방법
KR100825316B1 (ko) 2001-12-31 2008-04-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 제조를 위한 인쇄 장비 및 인쇄 방법
US6810919B2 (en) 2002-01-11 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus
US20040007169A1 (en) * 2002-01-28 2004-01-15 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor nanoparticles and thin film containing the same
WO2003065414A2 (en) * 2002-01-30 2003-08-07 Photon-X, Inc. Microresonators made of nanoparticles with halogenated polymer coating embedded in halogenated polymer host matrix
WO2003070816A1 (en) 2002-02-19 2003-08-28 Photon-X, Inc. Polymer nanocomposites for optical applications
JP2003257671A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US7378124B2 (en) 2002-03-01 2008-05-27 John James Daniels Organic and inorganic light active devices and methods for making the same
US6946332B2 (en) 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
US20030180029A1 (en) 2002-03-15 2003-09-25 Garito Anthony F. Optical polymer nanocomposite substrates with surface relief structures
WO2003082760A1 (en) * 2002-03-25 2003-10-09 Guardian Industries Corp. Anti-reflective hydrophobic coatings and methods
KR101058483B1 (ko) * 2002-03-29 2011-08-24 유니버셜 디스플레이 코포레이션 반도체 나노결정을 포함하는 발광 소자
US6872645B2 (en) 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US6770502B2 (en) 2002-04-04 2004-08-03 Eastman Kodak Company Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures
TWI226357B (en) 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
WO2003096394A2 (en) 2002-05-07 2003-11-20 Agere Systems, Inc. A multi-layer inductor formed in a semiconductor substrate and having a core of ferromagnetic material
US7241341B2 (en) 2002-05-10 2007-07-10 Nanometrix Inc. Method and apparatus for two dimensional assembly of particles
US6703781B2 (en) * 2002-05-21 2004-03-09 Durel Corporation El lamp with light scattering particles in cascading layer
US6870311B2 (en) 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
US6972516B2 (en) 2002-06-14 2005-12-06 University Of Cincinnati Photopump-enhanced electroluminescent devices
US20040201664A1 (en) 2002-06-26 2004-10-14 Eastman Kodak Company Ink jet printing method
US20040004433A1 (en) 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
DE10229118A1 (de) 2002-06-28 2004-01-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zur kostengünstigen Strukturierung von leitfähigen Polymeren mittels Definition von hydrophilen und hydrophoben Bereichen
US6890078B2 (en) 2002-07-03 2005-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Projection type image display apparatus and image display system
JP2004133111A (ja) 2002-10-09 2004-04-30 Canon Inc 投影装置
US7420743B2 (en) 2002-07-11 2008-09-02 Ophthonix, Inc. Optical elements and methods for making thereof
US7273309B2 (en) 2002-07-26 2007-09-25 Siemens Ag Display device comprising a luminous element with an emission characteristic of controllable solid angle
US7361413B2 (en) 2002-07-29 2008-04-22 Lumimove, Inc. Electroluminescent device and methods for its production and use
US6957608B1 (en) 2002-08-02 2005-10-25 Kovio, Inc. Contact print methods
JP4197109B2 (ja) 2002-08-06 2008-12-17 静雄 藤田 照明装置
AU2003302316A1 (en) 2002-08-13 2004-06-30 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor nanocrystal heterostructures
JP2006502232A (ja) * 2002-08-15 2006-01-19 モウンギ ジー． バウエンディ 安定化された半導体ナノクリスタル
EP2399970A3 (en) * 2002-09-05 2012-04-18 Nanosys, Inc. Nanocomposites
US20050126628A1 (en) 2002-09-05 2005-06-16 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
US6878871B2 (en) * 2002-09-05 2005-04-12 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
JP2004107572A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Sharp Corp 蛍光体およびそれを含む照明装置と表示装置
US7317047B2 (en) * 2002-09-24 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
US6744077B2 (en) 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
EP1550356A1 (en) 2002-10-01 2005-07-06 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Electroluminescent display with improved light outcoupling
US7986087B2 (en) 2002-10-08 2011-07-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Color conversion media and EL-display using the same
US7417368B2 (en) 2002-10-18 2008-08-26 Ifire Technology Corp. Color electroluminescent displays with thick film dielectric layer between electrodes
US7332211B1 (en) * 2002-11-07 2008-02-19 Massachusetts Institute Of Technology Layered materials including nanoparticles
US6982179B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
JP4306231B2 (ja) 2002-11-19 2009-07-29 カシオ計算機株式会社 表示装置並びに表示装置の製造方法及び製造装置
US6902269B2 (en) 2002-12-09 2005-06-07 Xerox Corporation Process for curing marking component with nano-size zinc oxide filler
KR100945357B1 (ko) 2002-12-27 2010-03-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 소자의 제조 방법
US7183146B2 (en) 2003-01-17 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US6918338B2 (en) 2003-01-30 2005-07-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printing system
US20060214903A1 (en) 2003-02-21 2006-09-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-emitting device and display
MY142684A (en) 2003-02-26 2010-12-31 Cree Inc Composite white light source and method for fabricating
US20040173807A1 (en) 2003-03-04 2004-09-09 Yongchi Tian Garnet phosphors, method of making the same, and application to semiconductor LED chips for manufacturing lighting devices
US6885033B2 (en) 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
US7279832B2 (en) 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
KR100537966B1 (ko) 2003-04-30 2005-12-21 한국과학기술연구원 나노복합체를 발광층으로 이용하는 고분자 전기발광 소자
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP2006526258A (ja) 2003-05-09 2006-11-16 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 蛍光体のナノ粒子でコーティングされたｕｖ光源
US7462774B2 (en) * 2003-05-21 2008-12-09 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from insulating nanostructured template
CN1791656A (zh) 2003-05-21 2006-06-21 陶氏环球技术公司 粘度调节剂和发光化合物的共混物
US20040247837A1 (en) * 2003-06-09 2004-12-09 Howard Enlow Multilayer film
US6997539B2 (en) * 2003-06-13 2006-02-14 Dimatix, Inc. Apparatus for depositing droplets
WO2005005554A2 (en) 2003-06-13 2005-01-20 Ers Company Moisture-resistant nano-particle material and its applications
JP5456233B2 (ja) 2003-06-24 2014-03-26 ジーイー ライティング ソリューションズ エルエルシー Ｌｅｄチップによる白色光発生のためのフルスペクトル蛍光体混合物
US20040265622A1 (en) 2003-06-24 2004-12-30 Eastman Kodak Company Light emitting display
US7612124B2 (en) 2003-06-24 2009-11-03 Ppg Industries Ohio, Inc. Ink compositions and related methods
JP4096186B2 (ja) * 2003-06-30 2008-06-04 ソニー株式会社 電界電子放出電極用インクおよびそれを用いた電界電子放出膜・電界電子放出電極・電界電子放出表示装置の製造方法
DE10361661A1 (de) 2003-07-14 2005-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement mit einem Lumineszenz-Konversionselement
JP4143920B2 (ja) 2003-07-17 2008-09-03 三菱電機株式会社 面光源装置およびこれを用いた表示装置
JP4238304B2 (ja) 2003-07-22 2009-03-18 株式会社フジ医療器 サイドテーブルを備えたマッサージ機
US6914106B2 (en) 2003-07-23 2005-07-05 Eastman Kodak Company Polymer microspheres containing latent colorants and method of preparation
WO2005015792A2 (en) 2003-08-06 2005-02-17 Purdue Research Foundation Fabrication of nanoparticle arrays
US6913830B2 (en) 2003-08-14 2005-07-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating compositions containing semiconductor colorants
US6998648B2 (en) * 2003-08-25 2006-02-14 Universal Display Corporation Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant
JP4526252B2 (ja) 2003-08-26 2010-08-18 富士通株式会社 光半導体装置及びその製造方法
CN1849713A (zh) * 2003-09-08 2006-10-18 第四族半导体有限公司 固态白光发射器及使用其的显示器
US7282272B2 (en) 2003-09-12 2007-10-16 3M Innovative Properties Company Polymerizable compositions comprising nanoparticles
US7062848B2 (en) * 2003-09-18 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable compositions having anisometric nanostructures for use in printed electronics
JP2005093358A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd 交流動作エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US7067328B2 (en) 2003-09-25 2006-06-27 Nanosys, Inc. Methods, devices and compositions for depositing and orienting nanostructures
US20050069644A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-31 National Taiwan University Micro-stamping method for photoelectric process
WO2005034582A1 (ja) 2003-10-01 2005-04-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 色変換層及び発光素子
JP5419326B2 (ja) * 2003-10-06 2014-02-19 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 不揮発性メモリデバイス
US8264431B2 (en) 2003-10-23 2012-09-11 Massachusetts Institute Of Technology LED array with photodetector
DE10351081A1 (de) 2003-10-31 2005-06-09 Lite-On Technology Co. Weißlicht-emittierende Vorrichtung
US7592269B2 (en) 2003-11-04 2009-09-22 Regents Of The University Of Minnesota Method and apparatus for depositing charge and/or nanoparticles
US7232771B2 (en) 2003-11-04 2007-06-19 Regents Of The University Of Minnesota Method and apparatus for depositing charge and/or nanoparticles
EP1685746B1 (en) 2003-11-18 2008-01-09 3M Innovative Properties Company Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including a color conversion element
US7065285B2 (en) 2003-12-01 2006-06-20 Lucent Technologies Inc. Polymeric compositions comprising quantum dots, optical devices comprising these compositions and methods for preparing same
CN1886844B (zh) 2003-12-02 2010-06-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光器件
US7605534B2 (en) 2003-12-02 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element having metal oxide and light-emitting device using the same
US7430355B2 (en) 2003-12-08 2008-09-30 University Of Cincinnati Light emissive signage devices based on lightwave coupling
US7374977B2 (en) 2003-12-17 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Droplet discharge device, and method for forming pattern, and method for manufacturing display device
US7667766B2 (en) 2003-12-18 2010-02-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjustable spectrum flash lighting for image acquisition
US7318651B2 (en) 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
US7102152B2 (en) * 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
TWI236162B (en) 2003-12-26 2005-07-11 Ind Tech Res Inst Light emitting diode
US7210771B2 (en) 2004-01-08 2007-05-01 Eastman Kodak Company Ink delivery system with print cartridge, container and reservoir apparatus and method
US7645397B2 (en) * 2004-01-15 2010-01-12 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
EP1733077B1 (en) 2004-01-15 2018-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal doped matrixes
JP4781821B2 (ja) * 2004-01-23 2011-09-28 Ｈｏｙａ株式会社 量子ドット分散発光素子およびその製造方法
US20050180680A1 (en) 2004-02-13 2005-08-18 Kong Eric S. Integrated optical devices and method of fabrication thereof
KR100708644B1 (ko) 2004-02-26 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 표시장치, 박막트랜지스터의 제조방법, 평판 표시장치의 제조방법, 및도너 시트의 제조방법
US7253452B2 (en) 2004-03-08 2007-08-07 Massachusetts Institute Of Technology Blue light emitting semiconductor nanocrystal materials
WO2006031253A2 (en) 2004-03-26 2006-03-23 Solaris Nanosciences, Inc. Plasmon nanoparticles and pixels, displays and inks using them
US7355284B2 (en) 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7497581B2 (en) 2004-03-30 2009-03-03 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems with wavelength conversion
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
TWI243489B (en) 2004-04-14 2005-11-11 Genesis Photonics Inc Single chip light emitting diode with red, blue and green three wavelength light emitting spectra
GB0408347D0 (en) 2004-04-15 2004-05-19 Design Led Products Ltd Light guide device
WO2005101530A1 (en) 2004-04-19 2005-10-27 Edward Sargent Optically-regulated optical emission using colloidal quantum dot nanocrystals
US7781034B2 (en) 2004-05-04 2010-08-24 Sigma Laboratories Of Arizona, Llc Composite modular barrier structures and packages
US20050250052A1 (en) 2004-05-10 2005-11-10 Nguyen Khe C Maskless lithography using UV absorbing nano particle
US7625501B2 (en) 2004-05-18 2009-12-01 Ifire Ip Corporation Color-converting photoluminescent film
CA2567611A1 (en) 2004-05-28 2005-12-08 Tir Systems Ltd. Luminance enhancement apparatus and method
US7045825B2 (en) 2004-05-28 2006-05-16 Eastman Kodak Company Vertical cavity laser producing different color light
KR101193918B1 (ko) 2004-06-03 2012-10-29 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 나노-스케일 제조공정을 위한 유체 배분방법과 필요에 따른액적 배분방법
EP2650905B1 (en) * 2004-06-04 2022-11-09 The Board of Trustees of the University of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US7773227B2 (en) 2004-06-04 2010-08-10 California Institute Of Technology Optofluidic microscope device featuring a body comprising a fluid channel and having light transmissive regions
US7262758B2 (en) 2004-06-09 2007-08-28 Eastman Kodak Company Display device using vertical cavity laser arrays
US7553683B2 (en) 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
EP1610170A1 (en) * 2004-06-25 2005-12-28 Sony Deutschland GmbH A method of applying a particle film to create a surface having light-diffusive and/or reduced glare properties
DE102005013894B4 (de) 2004-06-30 2010-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung erzeugender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US7255469B2 (en) 2004-06-30 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector
US8324640B2 (en) 2004-07-02 2012-12-04 GE Lighting Solutions, LLC LED-based edge lit illumination system
US20070045777A1 (en) * 2004-07-08 2007-03-01 Jennifer Gillies Micronized semiconductor nanocrystal complexes and methods of making and using same
US7229690B2 (en) 2004-07-26 2007-06-12 Massachusetts Institute Of Technology Microspheres including nanoparticles
KR100669717B1 (ko) 2004-07-29 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US7750352B2 (en) 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
JP4468110B2 (ja) 2004-08-20 2010-05-26 有限会社クリオテック 発光用エレメント、これを備えた発光装置および表示装置
US20060042685A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Ying Wang Electronic devices having a charge transport layer that has defined triplet energy level
KR20060018583A (ko) * 2004-08-25 2006-03-02 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 함유하는 백색 발광 유·무기하이브리드 전기 발광 소자
WO2006022123A1 (ja) 2004-08-26 2006-03-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ表示装置
JP2006073202A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2006073869A (ja) 2004-09-03 2006-03-16 Toppan Printing Co Ltd ステンシルマスク及びステンシルマスクブランクス
DE102004043828B4 (de) 2004-09-10 2018-09-13 Robert Bosch Gmbh Batteriepack
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
JP2006083219A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Sharp Corp 蛍光体およびこれを用いた発光装置
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7265488B2 (en) 2004-09-30 2007-09-04 Avago Technologies General Ip Pte. Ltd Light source with wavelength converting material
JP3987519B2 (ja) 2004-09-30 2007-10-10 株式会社東芝 屈折率変化装置及び屈折率変化方法
US10225906B2 (en) * 2004-10-22 2019-03-05 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting device including semiconductor nanocrystals
US7368086B2 (en) 2004-10-29 2008-05-06 Invitrogen Corporation Functionalized fluorescent nanocrystals, and methods for their preparation and use
KR100683693B1 (ko) 2004-11-10 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치
EP1666562B1 (en) * 2004-11-11 2018-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Interfused nanocrystals and method of preparing the same
US7462502B2 (en) 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
WO2006055872A2 (en) 2004-11-17 2006-05-26 Fusion Optix, Inc. Enhanced light fixture
WO2006055873A2 (en) 2004-11-17 2006-05-26 Fusion Optix, Inc. Enhanced electroluminescent sign
US20060105483A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Leatherdale Catherine A Encapsulated light emitting diodes and methods of making
US7481562B2 (en) * 2004-11-18 2009-01-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for providing illuminating light using quantum dots
KR100735148B1 (ko) * 2004-11-22 2007-07-03 (주)케이디티 백라이트 장치용 광 여기 확산시트, 이를 이용한액정표시용 백라이트 장치
JP2006179511A (ja) 2004-12-20 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2006182884A (ja) 2004-12-27 2006-07-13 Fuji Photo Film Co Ltd インクジェット用インク組成物の製造方法およびインクジェット用インク組成物
US7297810B2 (en) 2004-12-30 2007-11-20 3M Innovative Properties Company High refractive index monomers for optical applications
KR20060079724A (ko) 2005-01-03 2006-07-06 삼성전자주식회사 암부를 제거한 백라이트 어셈블리 및 이를 구비한평판표시장치
US20060145599A1 (en) 2005-01-04 2006-07-06 Reza Stegamat OLEDs with phosphors
JP4928775B2 (ja) 2005-01-06 2012-05-09 株式会社日立ソリューションズ 半導体ナノ粒子表面修飾方法
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US8134175B2 (en) 2005-01-11 2012-03-13 Massachusetts Institute Of Technology Nanocrystals including III-V semiconductors
KR100678285B1 (ko) 2005-01-20 2007-02-02 삼성전자주식회사 발광 다이오드용 양자점 형광체 및 그의 제조방법
KR100682928B1 (ko) 2005-02-03 2007-02-15 삼성전자주식회사 양자점 화합물을 포함하는 에너지 변환막 및 양자점 박막
TWI440206B (zh) 2005-02-16 2014-06-01 Massachusetts Inst Technology 包含半導體奈米晶之發光元件
WO2006094101A1 (en) * 2005-03-01 2006-09-08 The Regents Of The University Of California Multilayer polymer light-emitting diodes for solid state lighting applications
US7554257B2 (en) 2005-03-02 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to generate high efficient devices which emit high quality light for illumination
US7410631B2 (en) 2005-03-02 2008-08-12 Aps Laboratory Metal phosphate sols, metal nanoparticles, metal-chalcogenide nanoparticles, and nanocomposites made therefrom
JP2006253298A (ja) 2005-03-09 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
TW200704680A (en) 2005-03-11 2007-02-01 3M Innovative Properties Co Polymerizable compositions comprising nanoparticles
US20060204676A1 (en) 2005-03-11 2006-09-14 Jones Clinton L Polymerizable composition comprising low molecular weight organic component
US20090039764A1 (en) * 2005-03-17 2009-02-12 Cho Kyung Sang Quantum Dot Light-Emitting Diode Comprising Inorganic Electron Transport Layer
KR20070115995A (ko) 2005-03-22 2007-12-06 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 색 변환 기판 및 그의 제조 방법, 및 발광 장치
JP2006269670A (ja) 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
EP1864337A4 (en) 2005-03-24 2009-12-30 Agency Science Tech & Res GROUP III NITRIDE WHITE LIGHT LIGHT DIODE
US20060216508A1 (en) 2005-03-24 2006-09-28 3M Innovative Properties Company Polymer nanocomposite having surface modified nanoparticles and methods of preparing same
JP4716168B2 (ja) 2005-03-29 2011-07-06 富士電機株式会社 フルカラー有機ｅｌ表示装置の製造方法及びその製造用の光処理装置
US7733310B2 (en) * 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
US7791561B2 (en) 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
JP2006291064A (ja) 2005-04-12 2006-10-26 Seiko Instruments Inc 蛍光体フィルム、照明装置、及び、これを有する表示装置
US7535524B2 (en) 2005-04-18 2009-05-19 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Display panel with wavelength converting material and control interface to switchably control independent projection or non-projection of primary and secondary IMAGES
KR100745751B1 (ko) 2005-04-20 2007-08-02 삼성전자주식회사 자발광 ｌｃｄ
JP2006309219A (ja) 2005-04-25 2006-11-09 Samsung Electronics Co Ltd 自発光液晶表示装置
JP2006309238A (ja) 2005-04-27 2006-11-09 Samsung Electronics Co Ltd 光ルミネセンス液晶ディスプレイ
US7817896B2 (en) 2005-04-29 2010-10-19 Corning Incorporated Optical waveguides containing quantum dot guiding layers and methods of manufacture
KR20080007247A (ko) * 2005-05-12 2008-01-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 색 변환 재료 조성물 및 이것을 포함하는 색 변환 매체
KR101111747B1 (ko) * 2005-05-16 2012-06-12 삼성엘이디 주식회사 혼합 나노 입자 및 이를 이용한 전자소자
US7606276B2 (en) 2005-05-19 2009-10-20 Panasonic Corporation Nitride semiconductor device and method for fabricating the same
US7350933B2 (en) 2005-05-23 2008-04-01 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor converted light source
US8354143B2 (en) 2005-05-26 2013-01-15 Tpk Touch Solutions Inc. Capacitive touch screen and method of making same
KR101110072B1 (ko) 2005-06-02 2012-02-24 삼성전자주식회사 자발광 ｌｃｄ
WO2010014205A1 (en) 2008-07-28 2010-02-04 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optional component, devices, and other products
WO2007103310A2 (en) 2006-03-07 2007-09-13 Qd Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
WO2006131924A2 (en) 2005-06-07 2006-12-14 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
KR100707165B1 (ko) 2005-06-11 2007-04-13 삼성전기주식회사 평면표시소자용 조명장치 및 이를 구비한 평면표시장치
BRPI0613822A2 (pt) 2005-06-23 2011-02-15 Rensselaer Polytech Inst método e fonte de luz de largura de faixa ampla para a produção de luz visìvel e que tem um valor de cromaticidade próximo de um locus de corpo negro e um ìndice de renderização de cor de mais de aproximadamente 80 e fonte de luz de largura de faixa ampla
DE102005061828B4 (de) 2005-06-23 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7470731B2 (en) 2005-06-24 2008-12-30 Pitney Bowes Inc. Fluorescent ink
US7732237B2 (en) 2005-06-27 2010-06-08 The Regents Of The University Of California Quantum dot based optoelectronic device and method of making same
US20070001581A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Stasiak James W Nanostructure based light emitting devices and associated methods
US7294861B2 (en) 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
US7660145B2 (en) * 2005-07-01 2010-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and semiconductor device
KR100665216B1 (ko) 2005-07-04 2007-01-09 삼성전기주식회사 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
WO2007009010A2 (en) 2005-07-13 2007-01-18 Evident Technologies, Inc. Light emitting diode comprising semiconductor nanocrystal complexes and powdered phosphors
EP1908126A4 (en) 2005-07-13 2010-08-18 Evident Technologies Inc SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALLINE COMPLEX ELECTROLUMINESCENT DIODE
US20070013996A1 (en) 2005-07-14 2007-01-18 Finisar Corporation Quantum dot vertical lasing semiconductor optical amplifier
US7922352B2 (en) 2005-07-21 2011-04-12 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using multiple light sources with photoluminescent material
KR100714977B1 (ko) 2005-07-29 2007-05-07 한국과학기술원 높은 회절 효율 및 낮은 부피 수축율을 갖는 유-무기하이브리드형 광고분자 조성물
US7495383B2 (en) 2005-08-01 2009-02-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor based on a combination of quantum dot and conventional phosphors
US7513669B2 (en) 2005-08-01 2009-04-07 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source for LCD back-lit displays
US8187726B2 (en) 2005-08-09 2012-05-29 Sony Corporation Nanoparticle-resin composite material, light emitting device assembly, and filling material for the light-emitting device assembly
US8563339B2 (en) 2005-08-25 2013-10-22 Cree, Inc. System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices
US8081165B2 (en) 2005-08-30 2011-12-20 Jesterrad, Inc. Multi-functional navigational device and method
JP2007095997A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP4699158B2 (ja) 2005-09-30 2011-06-08 大日本印刷株式会社 色変換層形成用塗工液
JP2007103513A (ja) 2005-09-30 2007-04-19 Kyocera Corp 発光装置
US7714046B2 (en) 2005-09-30 2010-05-11 Adeka Corporation Process for producing crystal nucleator composition and crystalline polymer composition
TWI344314B (en) * 2005-10-14 2011-06-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light-emitting element, plane light source and direct-type backlight module
GB2437728A (en) 2005-10-17 2007-11-07 Eques Coatings Coating for Optical Discs
KR100653087B1 (ko) 2005-10-17 2006-12-01 삼성전자주식회사 ＡＸＩ가 적용된 ＮｏＣ 시스템 및 그 인터리빙 방법
KR100734842B1 (ko) 2005-10-28 2007-07-03 한국전자통신연구원 고출력/광대역 광소자용 유무기 나노 복합 박막 및 이를포함하는 광소자와 그 제조 방법
US7420323B2 (en) 2005-10-31 2008-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electroluminescent apparatus having a structured luminescence conversion layer
US8330348B2 (en) 2005-10-31 2012-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structured luminescence conversion layer
US7321193B2 (en) 2005-10-31 2008-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Device structure for OLED light device having multi element light extraction and luminescence conversion layer
TWI291247B (en) 2005-11-11 2007-12-11 Univ Nat Chiao Tung Nanoparticle structure and manufacturing process of multi-wavelength light emitting devices
TWI417324B (zh) 2005-11-15 2013-12-01 3M Innovative Properties Co 增亮膜及無機奈米粒子之表面處理方法
KR101167733B1 (ko) 2005-11-16 2012-07-23 삼성전기주식회사 캡핑 리간드가 표면에 결합되어 있는 나노입자용 분산제, 이를 이용한 나노입자의 분산방법 및 이를 포함하는 나노입자 박막
US7926730B2 (en) 2005-11-30 2011-04-19 Pitney Bowes Inc. Combined multi-spectral document markings
US8337721B2 (en) 2005-12-02 2012-12-25 Vanderbilt University Broad-emission nanocrystals and methods of making and using same
JP4441883B2 (ja) 2005-12-06 2010-03-31 ソニー株式会社 表示装置
US7710026B2 (en) 2005-12-08 2010-05-04 Global Oled Technology Llc LED device having improved output and contrast
JP4435748B2 (ja) 2005-12-09 2010-03-24 富士通株式会社 赤外線検知器
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US7679102B2 (en) 2005-12-28 2010-03-16 Group Iv Semiconductor, Inc. Carbon passivation in solid-state light emitters
TWI273719B (en) 2005-12-30 2007-02-11 Ind Tech Res Inst Nanocrystal and photovoltaics applying the same
US8264138B2 (en) 2006-01-20 2012-09-11 Cree, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
EP1996860A2 (en) 2006-01-31 2008-12-03 3M Innovative Properties Company Led illumination assembly with compliant foil construction
WO2007092606A2 (en) 2006-02-09 2007-08-16 Qd Vision, Inc. Displays including semiconductor nanocrystals and methods of making same
KR101625224B1 (ko) 2006-02-09 2016-05-27 큐디 비젼, 인크. 반도체 나노결정 및 도핑된 유기 물질을 포함하는 층을 포함하는 소자 및 방법
US20070190675A1 (en) 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device
US7791271B2 (en) 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
WO2007143197A2 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Qd Vision, Inc. Light-emitting devices and displays with improved performance
WO2008070028A2 (en) * 2006-12-01 2008-06-12 Qd Vision, Inc. Improved composites and devices including nanoparticles
WO2007112088A2 (en) 2006-03-24 2007-10-04 Qd Vision, Inc. Hyperspectral imaging device
WO2007117668A2 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
KR100783251B1 (ko) 2006-04-10 2007-12-06 삼성전기주식회사 양자점을 이용한 다층 구조 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법
US20070241661A1 (en) 2006-04-12 2007-10-18 Yin Chua B High light output lamps having a phosphor embedded glass/ceramic layer
WO2007120877A2 (en) 2006-04-14 2007-10-25 Qd Vision, Inc. Transfer surface for manufacturing a light emitting device
US20070247061A1 (en) 2006-04-20 2007-10-25 Vadim Adamovich Multiple dopant emissive layer OLEDs
US7851995B2 (en) 2006-05-05 2010-12-14 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US20070263408A1 (en) 2006-05-09 2007-11-15 Chua Janet Bee Y Backlight module and method of making the module
US20080173886A1 (en) 2006-05-11 2008-07-24 Evident Technologies, Inc. Solid state lighting devices comprising quantum dots
CN102707367B (zh) 2006-05-21 2015-12-02 麻省理工学院 包括纳米晶体的光学结构
US8941299B2 (en) * 2006-05-21 2015-01-27 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting device including semiconductor nanocrystals
WO2007137292A2 (en) 2006-05-23 2007-11-29 Evident Technologies, Inc. Quantum dot fluorescent inks
US8790459B2 (en) * 2006-05-31 2014-07-29 Cabot Corporation Colored reflective features and inks and processes for making them
US9212056B2 (en) 2006-06-02 2015-12-15 Qd Vision, Inc. Nanoparticle including multi-functional ligand and method
WO2007142203A1 (ja) 2006-06-05 2007-12-13 Hoya Corporation 量子ドット発光型無機ｅｌ素子
KR101252005B1 (ko) 2006-06-22 2013-04-08 삼성전자주식회사 나노결정 입자를 함유하는 박막 및 그의 제조방법
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
WO2008105792A2 (en) 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
WO2008111947A1 (en) 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
US20080012471A1 (en) 2006-06-29 2008-01-17 Eastman Kodak Company Oled device having improved light output
JP2008010298A (ja) 2006-06-29 2008-01-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 色変換基板及びカラー表示装置
US20080001124A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Fluorescent composition and fluorescence conversion substrate using the same
CN101479834B (zh) 2006-06-30 2011-06-08 应用材料股份有限公司 纳米结晶形成
US8884511B2 (en) 2006-07-10 2014-11-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Luminescent materials having nanocrystals exhibiting multi-modal energy level distributions
KR100901947B1 (ko) 2006-07-14 2009-06-10 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 이용하는 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법
US8643058B2 (en) 2006-07-31 2014-02-04 Massachusetts Institute Of Technology Electro-optical device including nanocrystals
US8120239B2 (en) 2006-08-16 2012-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Infrared display with luminescent quantum dots
WO2008024342A2 (en) 2006-08-24 2008-02-28 Ngimat, Co Optical coating
US20080057342A1 (en) 2006-09-05 2008-03-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Color conversion substrate
WO2008029633A1 (fr) 2006-09-07 2008-03-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Substrat de conversion de couleur et procédé de fabrication associé
WO2008085210A2 (en) 2006-09-12 2008-07-17 Qd Vision, Inc. Electroluminescent display useful for displaying a predetermined pattern
US7393618B2 (en) * 2006-09-15 2008-07-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Composition for color converting member and production method of color conversion substrate using the same
KR101082146B1 (ko) * 2006-09-29 2011-11-09 주식회사 엘지화학 잉크젯 프린트용 잉크 및 상기 잉크에 사용되는 금속나노입자의 제조방법
WO2008043014A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-10 Evident Technologies Water based colorants comprising semiconductor nanocrystals and methods of making and using the same
US20080083926A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-10 Nokia Corporation Printing device structures using nanoparticles
US7897653B2 (en) * 2006-10-12 2011-03-01 Xerox Corporation Fluorescent radiation curable inks
TW200825571A (en) 2006-10-18 2008-06-16 Koninkl Philips Electronics Nv Illumination system and display device
US7786209B2 (en) 2006-10-27 2010-08-31 Xerox Corporation Nanostructured particles, phase change inks including same and methods for making same
WO2008063658A2 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008133660A2 (en) 2006-11-21 2008-11-06 Qd Vision, Inc. Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts
WO2008063653A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008063652A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008127460A2 (en) 2006-12-08 2008-10-23 Evident Technologies Light-emitting device having semiconductor nanocrystal complexes
US7867328B2 (en) * 2007-01-05 2011-01-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet ink compositions and methods of making the same
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US20080172197A1 (en) 2007-01-11 2008-07-17 Motorola, Inc. Single laser multi-color projection display with quantum dot screen
US7952105B2 (en) 2007-01-29 2011-05-31 Global Oled Technology, Llc. Light-emitting display device having improved efficiency
US7781957B2 (en) 2007-02-28 2010-08-24 Eastman Kodak Company Electro-luminescent device with improved efficiency
US20080218068A1 (en) 2007-03-05 2008-09-11 Cok Ronald S Patterned inorganic led device
US20100110728A1 (en) 2007-03-19 2010-05-06 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
US20100155749A1 (en) 2007-03-19 2010-06-24 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
KR101686669B1 (ko) 2007-03-19 2016-12-14 나노시스, 인크. 나노크리스털을 캡슐화하는 방법
WO2008115591A1 (en) 2007-03-21 2008-09-25 Ntera, Inc. Display systems manufactured by co-manufacturing printing processes
US20080237611A1 (en) 2007-03-29 2008-10-02 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved contrast
US7564067B2 (en) 2007-03-29 2009-07-21 Eastman Kodak Company Device having spacers
CN101663769B (zh) 2007-04-17 2013-02-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明系统
EP2667412A1 (en) 2007-04-18 2013-11-27 Invisage Technologies, INC. Materials, systems and methods for optoelectronic devices
US7560747B2 (en) 2007-05-01 2009-07-14 Eastman Kodak Company Light-emitting device having improved light output
US20080278063A1 (en) 2007-05-07 2008-11-13 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved power distribution
US7972426B2 (en) 2007-05-09 2011-07-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printed security mark
EP1992478A1 (de) 2007-05-18 2008-11-19 LYTTRON Technology GmbH Verbundglaselement, bevorzugt Verbundsicherheitsglaselement, mit integrierter Elektrolumineszenz (EL)-Leuchtstruktur
US7722422B2 (en) 2007-05-21 2010-05-25 Global Oled Technology Llc Device and method for improved power distribution for a transparent electrode
KR100850667B1 (ko) 2007-05-22 2008-08-07 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7772757B2 (en) 2007-05-30 2010-08-10 Eastman Kodak Company White-light electro-luminescent device with improved efficiency
US7902748B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-08 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
EP2155493A4 (en) 2007-06-14 2010-08-11 Massachusetts Inst Technology METHOD AND DEVICE FOR APPLYING FILMS
KR101560846B1 (ko) 2007-06-25 2015-10-15 큐디 비젼, 인크. 조성물, 광학 부품, 광학 부품을 포함하는 시스템, 소자 및 다른 제품
US10043993B2 (en) 2007-06-25 2018-08-07 Massachusetts Institute Of Technology Electro-optical device
KR101672553B1 (ko) 2007-06-25 2016-11-03 큐디 비젼, 인크. 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법
US8264777B2 (en) 2007-06-26 2012-09-11 Qd Vision, Inc. Portable electronic device having an electro wetting display illuminated by quantum dots
WO2009002551A1 (en) 2007-06-26 2008-12-31 Qd Vision, Inc. Photovoltaic devices including quantum dot down-conversion materials useful for solar cells and materials including quantum dots
US9136498B2 (en) * 2007-06-27 2015-09-15 Qd Vision, Inc. Apparatus and method for modulating photon output of a quantum dot light emitting device
US20090001403A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Motorola, Inc. Inductively excited quantum dot light emitting device
US7989153B2 (en) * 2007-07-11 2011-08-02 Qd Vision, Inc. Method and apparatus for selectively patterning free standing quantum DOT (FSQDT) polymer composites
JP2010533976A (ja) 2007-07-18 2010-10-28 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 固体照明に有用な量子ドットベースの光シート
WO2009014707A2 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8585273B2 (en) 2007-07-31 2013-11-19 Rambus Delaware Llc Illumination assembly including wavelength converting material
KR101462651B1 (ko) 2007-08-23 2014-11-17 삼성전자 주식회사 나노결정 혼합물 및 그를 이용하는 발광 다이오드
US8128249B2 (en) * 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US20090057662A1 (en) 2007-08-29 2009-03-05 Motorola, Inc. Nanoparticle Semiconductor Device and Method for Fabricating
EP2225600A2 (en) 2007-09-05 2010-09-08 Chroma Technology Corporation Light source
US8018139B2 (en) 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
JP5543367B2 (ja) * 2007-12-19 2014-07-09 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー マイクロコンタクトプリンティング用のインク溶液
KR101475520B1 (ko) 2008-01-14 2014-12-23 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트용 양자점 잉크 조성물 및 그를 이용한전자소자
KR100996374B1 (ko) 2008-02-25 2010-11-24 한국과학기술연구원 광 여기 발광시트 및 그의 제조방법
WO2009145813A1 (en) 2008-03-04 2009-12-03 Qd Vision, Inc. Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
WO2009118784A1 (ja) 2008-03-26 2009-10-01 国立大学法人広島大学 発光素子およびその製造方法
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
US8021008B2 (en) 2008-05-27 2011-09-20 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting using quantum dots in a liquid
US8262251B2 (en) 2009-05-01 2012-09-11 Abl Ip Holding Llc Light fixture using doped semiconductor nanophosphor in a gas
US8159131B2 (en) 2008-06-30 2012-04-17 Bridgelux, Inc. Light emitting device having a transparent thermally conductive layer
KR100982991B1 (ko) 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
US8222313B2 (en) * 2008-10-06 2012-07-17 Xerox Corporation Radiation curable ink containing fluorescent nanoparticles
KR101577300B1 (ko) 2008-10-28 2015-12-15 삼성디스플레이 주식회사 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
GB0820101D0 (en) 2008-11-04 2008-12-10 Nanoco Technologies Ltd Surface functionalised nanoparticles
GB0821122D0 (en) 2008-11-19 2008-12-24 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods
US8227979B2 (en) 2008-12-04 2012-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of matching color in lighting applications
US20100142183A1 (en) 2008-12-10 2010-06-10 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Light guide unit for illuminating functional areas
US8169135B2 (en) 2008-12-17 2012-05-01 Lednovation, Inc. Semiconductor lighting device with wavelength conversion on back-transferred light path
US8083364B2 (en) 2008-12-29 2011-12-27 Osram Sylvania Inc. Remote phosphor LED illumination system
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
KR101562022B1 (ko) 2009-02-02 2015-10-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 발광 다이오드 유닛 제조 방법
KR101631986B1 (ko) 2009-02-18 2016-06-21 삼성전자주식회사 도광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR101562424B1 (ko) 2009-02-23 2015-10-21 이섬 리서치 디벨러프먼트 컴파니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘 엘티디. 나노구조체를 사용하는 광학 디스플레이 장치 및 이의 방법
WO2010129889A2 (en) 2009-05-07 2010-11-11 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting device including semiconductor nanocrystals
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
KR101644047B1 (ko) 2009-07-09 2016-08-01 삼성전자 주식회사 발광체-고분자 복합체용 조성물, 발광체-고분자 복합체 및 상기 발광체-고분자 복합체를 포함하는 발광 소자
JP2013502047A (ja) 2009-08-14 2013-01-17 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 照明装置、照明装置用光学部品および方法
WO2011031876A1 (en) * 2009-09-09 2011-03-17 Qd Vision, Inc. Formulations including nanoparticles
KR101791580B1 (ko) * 2009-10-17 2017-10-30 삼성전자주식회사 광학 요소, 이를 포함한 제품, 및 그 제조 방법
TW201123548A (en) 2009-12-25 2011-07-01 Ind Tech Res Inst A multi-layer stacked LED package
US20110182056A1 (en) 2010-06-23 2011-07-28 Soraa, Inc. Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials
WO2012134629A1 (en) * 2011-04-01 2012-10-04 Qd Vision, Inc. Quantum dots, method, and devices
WO2012160637A1 (ja) 2011-05-23 2012-11-29 富士通株式会社 メッセージ判定装置およびメッセージ判定プログラム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050272159A1 (en) 2002-05-09 2005-12-08 Ismagilov Rustem F Device and method for pressure-driven plug transport and reaction
JP2005340195A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Samsung Electronics Co Ltd ナノ結晶の多層薄膜製造方法およびこれを用いた有機・無機ハイブリッドエレクトロルミネッセンス素子
JP2005353595A (ja) 2004-06-09 2005-12-22 Samsung Electronics Co Ltd ナノ結晶エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2006085172A (ja) 2004-09-16 2006-03-30 Xerox Corp 光導電性画像形成部材

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