JPS6110827A - 陰極線管螢光体膜の形成方法 - Google Patents
陰極線管螢光体膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS6110827A JPS6110827A JP59132559A JP13255984A JPS6110827A JP S6110827 A JPS6110827 A JP S6110827A JP 59132559 A JP59132559 A JP 59132559A JP 13255984 A JP13255984 A JP 13255984A JP S6110827 A JPS6110827 A JP S6110827A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- centrifugal force
- suspension
- glass
- panel surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/221—Applying luminescent coatings in continuous layers
- H01J9/224—Applying luminescent coatings in continuous layers by precipitation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、陰極線管の螢光体膜を遠心力沈降法により形
成する方法に関する。
成する方法に関する。
従来例の構成とその問題点
ビデオカメラのビューファインダ管として用いられる３
インチ程度以下の小型陰極線管でに、その画像が光学レ
ンズによって４〜８倍に拡大されるので、とくに緻密に
してかつ膜厚の均一な螢光体膜を有していることが望ま
しい０ モノクローム陰極線管の螢光体膜は、通常、中央粒径（
ｄ５ｏ）が７μ程度の螢光体粒子群からなり、沈降法に
より形成される。膜形成時における螢光体粒子は、接着
力を増すための水ガラスおよび沈降促進用電解物質を含
む水溶液中に分散され、ガラスバルブ内に注入される。
インチ程度以下の小型陰極線管でに、その画像が光学レ
ンズによって４〜８倍に拡大されるので、とくに緻密に
してかつ膜厚の均一な螢光体膜を有していることが望ま
しい０ モノクローム陰極線管の螢光体膜は、通常、中央粒径（
ｄ５ｏ）が７μ程度の螢光体粒子群からなり、沈降法に
より形成される。膜形成時における螢光体粒子は、接着
力を増すための水ガラスおよび沈降促進用電解物質を含
む水溶液中に分散され、ガラスバルブ内に注入される。
そして、のり状にゲル化しプｊ水ガラスと螢光体粒子と
が自然沈降した時点で」二澄液を排出し、膜を乾燥させ
るのであるが、このような従来の沈降法により形成され
螢光体膜ｋｌ１、とくに小型陰極線管用として満足すべ
き緻密性および均一性を有していない。なお、緻密な螢
光体膜を得るために螢光体粒子径を小さくすると、沈降
に長時間を要するのみならず、沈降時に凝集を起こして
粗粒化を招き、凹凸のある粗面の螢光体膜全形成する結
果となる。
が自然沈降した時点で」二澄液を排出し、膜を乾燥させ
るのであるが、このような従来の沈降法により形成され
螢光体膜ｋｌ１、とくに小型陰極線管用として満足すべ
き緻密性および均一性を有していない。なお、緻密な螢
光体膜を得るために螢光体粒子径を小さくすると、沈降
に長時間を要するのみならず、沈降時に凝集を起こして
粗粒化を招き、凹凸のある粗面の螢光体膜全形成する結
果となる。
発明の目的
と
したがって本発明の目的とするころは、微細な螢光体粒
子を用いかつ沈降法を適用しながら、緻密にしてかつ均
一性のすぐれた螢光体、膜全能率よく形成しうるとくに
小型陰極線管用螢光体膜の形成方法を提供することにあ
る。
子を用いかつ沈降法を適用しながら、緻密にしてかつ均
一性のすぐれた螢光体、膜全能率よく形成しうるとくに
小型陰極線管用螢光体膜の形成方法を提供することにあ
る。
発明の構成
本発明の陰極線管螢光体膜の形成方法によると、中央粒
径（ｄ５゜）が４μ以下の螢光体粒子群と、少量の水ガ
ラスと、少量の電解物質とを含む螢光体懸濁液をガラス
バルブ内に注入したのち、前記ガラスバルブの管軸方向
に１００Ｇ以上の遠心力（重力加速度）を与え、前記螢
光体粒子群を前記ガラスバルブのフェースパネル面に強
制的に沈降させるのであり、これを以下図面に示した実
施例とともに詳しく説明する。
径（ｄ５゜）が４μ以下の螢光体粒子群と、少量の水ガ
ラスと、少量の電解物質とを含む螢光体懸濁液をガラス
バルブ内に注入したのち、前記ガラスバルブの管軸方向
に１００Ｇ以上の遠心力（重力加速度）を与え、前記螢
光体粒子群を前記ガラスバルブのフェースパネル面に強
制的に沈降させるのであり、これを以下図面に示した実
施例とともに詳しく説明する。
実施例の説明
第１図に示すように、捷ず陰極線管ガラスバルブ１内に
螢光体懸濁液２を注入する。螢光体懸濁液２は、中央粒
径（ｄ６゜）が１μ〜４μの螢光体粒子を０．１〜２．
０重量％、水ガラス’（５０，０３〜０．２％、クッシ
ョン液としての電解物質を０．０２〜０．１重量％含ん
だ水溶液であり、前記水ガラスとしては、ナトリウム水
ガラスまたはカリ水ガラスを用いる。水ガラスのゲル化
を促進させる／也めに添加する前記電解物質としては、
硝酸バリウムや硫酸カリウム等を用いることができるが
、弱電解質の酢酸バリウムを用いるのが好ましい。
螢光体懸濁液２を注入する。螢光体懸濁液２は、中央粒
径（ｄ６゜）が１μ〜４μの螢光体粒子を０．１〜２．
０重量％、水ガラス’（５０，０３〜０．２％、クッシ
ョン液としての電解物質を０．０２〜０．１重量％含ん
だ水溶液であり、前記水ガラスとしては、ナトリウム水
ガラスまたはカリ水ガラスを用いる。水ガラスのゲル化
を促進させる／也めに添加する前記電解物質としては、
硝酸バリウムや硫酸カリウム等を用いることができるが
、弱電解質の酢酸バリウムを用いるのが好ましい。
螢光体懸濁液２の注入を終えたガラスバルブ１は、第２
図に示すように多数個が遠心分離機３にと９つけられる
。遠心分離機３を、その回転シャフト４で高速回転せし
め、ガラスパルプ１内の螢光体懸濁液２に数１００Ｇの
重力加速度で管軸方向遠心力を与えると、螢光体粒子が
ガラスバルブ１０フェースパネル面１ａに遠心力沈降す
る。かかる遠心力沈降を３〜１６分間行なったのち、フ
ェースパネル面１ａが下方となるように、かつ管軸が垂
直となるようにガラスバルブ１を保持して静置する。０
．５〜１５分間の静置により、水ガラスのゲル化が完成
し、フェースパネル面１ａに対する螢光体粒子の接着が
確実なものとなる。
図に示すように多数個が遠心分離機３にと９つけられる
。遠心分離機３を、その回転シャフト４で高速回転せし
め、ガラスパルプ１内の螢光体懸濁液２に数１００Ｇの
重力加速度で管軸方向遠心力を与えると、螢光体粒子が
ガラスバルブ１０フェースパネル面１ａに遠心力沈降す
る。かかる遠心力沈降を３〜１６分間行なったのち、フ
ェースパネル面１ａが下方となるように、かつ管軸が垂
直となるようにガラスバルブ１を保持して静置する。０
．５〜１５分間の静置により、水ガラスのゲル化が完成
し、フェースパネル面１ａに対する螢光体粒子の接着が
確実なものとなる。
静置時間は遠心力沈降時間および懸濁液組成物の濃度等
によって増減するが、３０秒以上が適当で、静置終了後
はガラスバルブ１内の余４ｊ液たる上澄液を排出して螢
光体膜を乾燥させる。前記排出にさいしてガラスパルプ
１内に洗浄水を注入し、螢光体膜上に不安定に堆積して
いる螢光体粒子を洗い流すのが望ましい。
によって増減するが、３０秒以上が適当で、静置終了後
はガラスバルブ１内の余４ｊ液たる上澄液を排出して螢
光体膜を乾燥させる。前記排出にさいしてガラスパルプ
１内に洗浄水を注入し、螢光体膜上に不安定に堆積して
いる螢光体粒子を洗い流すのが望ましい。
かくして得られた螢光体膜は、緻密性および均一性にお
いてすぐれており、中央粒径が１μ〜４μという微細な
螢光体粒子を用いながら、良質の螢光体膜を短時間で形
成することができる。
いてすぐれており、中央粒径が１μ〜４μという微細な
螢光体粒子を用いながら、良質の螢光体膜を短時間で形
成することができる。
なお、螢光体粒子の中火粒径が４ ｌｔ ｆ越えると螢
光体膜の表面が目立って粗となり、高解像度の陰極線管
を得ることが困難になる。捷た、水ガラスの量が過少で
あると螢光体粒子が脱落しやすくなり、過多であると螢
光体膜の発光機能に低下をきたす。電解物質に酢酸バリ
ウム等の弱電解質のものを用いると、水ガラスのゲル化
の進行が遅くなり、螢光体の凝集を防止することができ
る。そして、これによる沈降速度の低下は、遠心力沈降
のために防止できるのであり、きわめて緻密な螢光体膜
を能率よく形成することができる。−！、た、同時に多
数の螢光体膜を形成することができる。
光体膜の表面が目立って粗となり、高解像度の陰極線管
を得ることが困難になる。捷た、水ガラスの量が過少で
あると螢光体粒子が脱落しやすくなり、過多であると螢
光体膜の発光機能に低下をきたす。電解物質に酢酸バリ
ウム等の弱電解質のものを用いると、水ガラスのゲル化
の進行が遅くなり、螢光体の凝集を防止することができ
る。そして、これによる沈降速度の低下は、遠心力沈降
のために防止できるのであり、きわめて緻密な螢光体膜
を能率よく形成することができる。−！、た、同時に多
数の螢光体膜を形成することができる。
遠心力が１００Ｇ未満であると、螢光体粒子の沈降に時
間がかかり、螢光体に凝集が起きる危険が出てくる。丑
た、懸濁液の重力の影響が現われ、螢光体膜ＪＬ％に不
均一を生じる危険も出てくる。
間がかかり、螢光体に凝集が起きる危険が出てくる。丑
た、懸濁液の重力の影響が現われ、螢光体膜ＪＬ％に不
均一を生じる危険も出てくる。
発明の効果
本発明は前述のように構成されるので、螢光体粒子の沈
降時間が比較的短かいにもかかわらず螢光体粒子に凝集
を生じることがなく、緻密性および均一性においてすぐ
れた螢光体膜を能率よく形成することができ、とくに小
型の高解像度陰極線管の製造に適用してすぐれた効果を
発揮する。
降時間が比較的短かいにもかかわらず螢光体粒子に凝集
を生じることがなく、緻密性および均一性においてすぐ
れた螢光体膜を能率よく形成することができ、とくに小
型の高解像度陰極線管の製造に適用してすぐれた効果を
発揮する。
第１図は螢光体懸濁液を注入した陰極線管ガラスバルブ
の側断面図、第２図は本発明の製造方法において用いら
れる遠心分離機とこれに装着さＣた陰極線’ｌ’：＋ガ
ラスパルプとの関係を示す略図である０ １−・・・・ガラスバルブ、２・−・・・螢光体懸濁液
、３・・・・・遠心分離機。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 手続補正書 昭和６０年 ５月３０Ｆ］
の側断面図、第２図は本発明の製造方法において用いら
れる遠心分離機とこれに装着さＣた陰極線’ｌ’：＋ガ
ラスパルプとの関係を示す略図である０ １−・・・・ガラスバルブ、２・−・・・螢光体懸濁液
、３・・・・・遠心分離機。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 手続補正書 昭和６０年 ５月３０Ｆ］
Claims (1)
- 中央粒径が４μ以下の螢光体粒子群と、少量の水ガラス
と、少量の電解物質とを含む螢光体懸濁液をガラスバル
ブ内に注入したのち、前記ガラスバルブの管軸方向に１
００Ｇ以上の遠心力を与え、前記螢光体粒子群を前記ガ
ラスバルブのフェースパネル面に強制的に沈降させるこ
とを特徴とする陰極線管螢光体膜の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132559A JPS6110827A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 陰極線管螢光体膜の形成方法 |
| US07/016,990 US4758449A (en) | 1984-06-27 | 1987-02-19 | Method for making a phosphor layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132559A JPS6110827A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 陰極線管螢光体膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110827A true JPS6110827A (ja) | 1986-01-18 |
Family
ID=15084122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59132559A Pending JPS6110827A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 陰極線管螢光体膜の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4758449A (ja) |
| JP (1) | JPS6110827A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849354A (en) * | 1996-06-03 | 1998-12-15 | Matsushita Electronics Corporation | Method for forming a phosphor screen of a monochrome cathode ray tube |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536193A (en) * | 1991-11-07 | 1996-07-16 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making wide band gap field emitter |
| US5763997A (en) * | 1992-03-16 | 1998-06-09 | Si Diamond Technology, Inc. | Field emission display device |
| US6127773A (en) * | 1992-03-16 | 2000-10-03 | Si Diamond Technology, Inc. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
| US5675216A (en) * | 1992-03-16 | 1997-10-07 | Microelectronics And Computer Technololgy Corp. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
| US5659224A (en) * | 1992-03-16 | 1997-08-19 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Cold cathode display device |
| US5543684A (en) * | 1992-03-16 | 1996-08-06 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Flat panel display based on diamond thin films |
| US5679043A (en) * | 1992-03-16 | 1997-10-21 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making a field emitter |
| US5449970A (en) * | 1992-03-16 | 1995-09-12 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Diode structure flat panel display |
| CA2172803A1 (en) * | 1993-11-04 | 1995-05-11 | Nalin Kumar | Methods for fabricating flat panel display systems and components |
| JP2590438B2 (ja) * | 1994-06-30 | 1997-03-12 | 工業技術院長 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
| US5531880A (en) * | 1994-09-13 | 1996-07-02 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method for producing thin, uniform powder phosphor for display screens |
| KR100643442B1 (ko) * | 1996-06-26 | 2006-11-10 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
| DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| JP3324727B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2002-09-17 | 松下電器産業株式会社 | モノクロームブラウン管蛍光面形成方法 |
| US6969621B1 (en) * | 2002-12-09 | 2005-11-29 | Lsi Logic Corporation | Contamination distribution apparatus and method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314192A (en) * | 1976-06-25 | 1978-02-08 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Titanium trichloride catalyst and production thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2119309A (en) * | 1934-12-21 | 1938-05-31 | John C Batchelor | Method of forming a fluorescent screen |
| DE2218681A1 (de) * | 1972-04-18 | 1973-10-25 | Heine Optotech Kg | Ophthalmoskop |
| US4264408A (en) * | 1979-06-13 | 1981-04-28 | International Telephone And Telegraph Corporation | Methods for applying phosphors particularly adapted for intagliated phosphor screens |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP59132559A patent/JPS6110827A/ja active Pending
-
1987
- 1987-02-19 US US07/016,990 patent/US4758449A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314192A (en) * | 1976-06-25 | 1978-02-08 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Titanium trichloride catalyst and production thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5849354A (en) * | 1996-06-03 | 1998-12-15 | Matsushita Electronics Corporation | Method for forming a phosphor screen of a monochrome cathode ray tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4758449A (en) | 1988-07-19 |
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