JPS63280467A - 光半導体素子 - Google Patents
光半導体素子Info
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- JPS63280467A JPS63280467A JP62113492A JP11349287A JPS63280467A JP S63280467 A JPS63280467 A JP S63280467A JP 62113492 A JP62113492 A JP 62113492A JP 11349287 A JP11349287 A JP 11349287A JP S63280467 A JPS63280467 A JP S63280467A
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- JP
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- led
- fluorescence
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は光半導体素子にかかり、特に表示用光源とし
て使用される可視光発光素子に適用される。
て使用される可視光発光素子に適用される。
（従来の技術）
従来の一例の発光素子（以下ＬＥＤと略称する）の構造
を第２図によって説明する。第２図ａに断面図、同図に
ｂに斜視図で示すＬＥＤにおいて。
を第２図によって説明する。第２図ａに断面図、同図に
ｂに斜視図で示すＬＥＤにおいて。
１０１はリードフレームで形成されたリードでその一方
の端部にＬＥ・Ｄペレット１０２が一方の＠極で取着さ
れ、このペレットの他方の電極はボンディングワイヤ１
０３で他方のリードに接続されて組立体を形成している
。また、１０４は外囲器ケースで、一般には染料が配合
されて有色のレジンで角筒状に形成され、この中に上記
組立体が透光性の封止樹脂１０５で封止されている。
の端部にＬＥ・Ｄペレット１０２が一方の＠極で取着さ
れ、このペレットの他方の電極はボンディングワイヤ１
０３で他方のリードに接続されて組立体を形成している
。また、１０４は外囲器ケースで、一般には染料が配合
されて有色のレジンで角筒状に形成され、この中に上記
組立体が透光性の封止樹脂１０５で封止されている。
（発明が解決しようとする問題点）
Ｌ Ｅ Ｄはインジケータ、レベルメータ、パネルディ
スプレイなど多方面に用いられており、これらにはオン
／オフのいわゆる点灯／不点灯での認識用として使われ
ているものの他に常時点灯状ｍで使われるもの、例えば
看板、交通標識、非常灯などがある。
スプレイなど多方面に用いられており、これらにはオン
／オフのいわゆる点灯／不点灯での認識用として使われ
ているものの他に常時点灯状ｍで使われるもの、例えば
看板、交通標識、非常灯などがある。
上記常時点灯状態として用いられるＬＥＤの使途に対し
て、一般のＬＥＤはその輝度が低いために、比較的明る
い場所では視認しにくいという問題点があった。
て、一般のＬＥＤはその輝度が低いために、比較的明る
い場所では視認しにくいという問題点があった。
この発明は上記問題点に鑑み、常時点灯で用いるＬＥＤ
の改良構造を提供する。
の改良構造を提供する。
（問題点を解決するための手段）
この発明にかかるＬＥＤは、その外囲器ケースの構成材
に蛍光染料が混合された透光材で構成されていることを
特徴とする。
に蛍光染料が混合された透光材で構成されていることを
特徴とする。
（作 用）
この発明のＬＥＤは従来の外囲器ケースで得られなかっ
た鮮明度を格段に上げることができることができるとと
もに、外囲器ケースの形状を工夫することにより蛍光染
料の特徴を生がし明るい場所において視認の容易な構造
を提供する。
た鮮明度を格段に上げることができることができるとと
もに、外囲器ケースの形状を工夫することにより蛍光染
料の特徴を生がし明るい場所において視認の容易な構造
を提供する。
（実施例）
以下１本発明の一実施例のＬＥＤにつき第１図を参照し
て説明する。なお、説明において従来と変わらない部分
については図面に従来と同じ符号をつけて示し説明を省
略する。
て説明する。なお、説明において従来と変わらない部分
については図面に従来と同じ符号をつけて示し説明を省
略する。
第１図ａに断面図、同図すに斜視図で示す一実施例のＬ
ＥＤにおいて、外囲器ケース１１は、−例としてエポキ
シ樹脂またはポリカーボネート樹脂等の材料に１３ＡＳ
Ｆ社製蛍光染料（ＦｌｕｏｒｅｓｅｅｎｃｅＲｅｄ ３
３９）を配合し角筒形（４角形）にモールド形成された
ものを用いてよい。
ＥＤにおいて、外囲器ケース１１は、−例としてエポキ
シ樹脂またはポリカーボネート樹脂等の材料に１３ＡＳ
Ｆ社製蛍光染料（ＦｌｕｏｒｅｓｅｅｎｃｅＲｅｄ ３
３９）を配合し角筒形（４角形）にモールド形成された
ものを用いてよい。
上記蛍光作用は第１図Ｃに示すように、大きな面２００
から外光が入射されると１周面の小さな面２０１からよ
り高い蛍光作用として長波長でエツジ部へ誘導され放散
される。そこで、ＬＥＤの外囲器ケースの形状として、
上記小さな面２０１がＬＥＤの発光面となるように、上
記第１図ａ、ｂに示す一実施例のＬＥＤは構成される。
から外光が入射されると１周面の小さな面２０１からよ
り高い蛍光作用として長波長でエツジ部へ誘導され放散
される。そこで、ＬＥＤの外囲器ケースの形状として、
上記小さな面２０１がＬＥＤの発光面となるように、上
記第１図ａ、ｂに示す一実施例のＬＥＤは構成される。
その結果、一実施例のＬＥＤにおける発光面は第１図ｄ
に示されるように、ＬＥＤの発光にプラスされて外光に
よる外囲器ケースの蛍光が放出され視認が容易になる。
に示されるように、ＬＥＤの発光にプラスされて外光に
よる外囲器ケースの蛍光が放出され視認が容易になる。
この発明にかかる常時点灯用の使途に対するＬＥＤは、
外光の多い明るい雰囲気においても、外囲器ケースに入
射する外光の蛍光が点灯発光にプラスされて充分視認で
きるという顕著な利点がある。
外光の多い明るい雰囲気においても、外囲器ケースに入
射する外光の蛍光が点灯発光にプラスされて充分視認で
きるという顕著な利点がある。
第１図ａはこの発明にかかる一実施例のＬＥＤの断面図
、第１図すは一実施例のＬＥＤの斜視図。 第１図Ｃは蛍光作用を説明するための斜視図、第１図ｄ
は一実施例のＬＥＤを説明するための斜視図、第２図ａ
は使来のＬＥＤの断面図、第２図すは使来のＬＥＤの斜
視図である。 １１・・・（蛍光染料入り）外囲器ケース１０１・・・
リード １０２・・・ペレット１０３・・・
ボンディングワイヤ ｉｏｓ・・・封止樹脂
、第１図すは一実施例のＬＥＤの斜視図。 第１図Ｃは蛍光作用を説明するための斜視図、第１図ｄ
は一実施例のＬＥＤを説明するための斜視図、第２図ａ
は使来のＬＥＤの断面図、第２図すは使来のＬＥＤの斜
視図である。 １１・・・（蛍光染料入り）外囲器ケース１０１・・・
リード １０２・・・ペレット１０３・・・
ボンディングワイヤ ｉｏｓ・・・封止樹脂
Claims (1)
- 蛍光染料が混合された透光材でなる外囲器ケースを具備
した光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62113492A JPS63280467A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62113492A JPS63280467A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 光半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63280467A true JPS63280467A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14613675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62113492A Pending JPS63280467A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63280467A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163417A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
| US6245259B1 (en) | 1996-09-20 | 2001-06-12 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh & Co. Ohg | Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component |
| US6613247B1 (en) | 1996-09-20 | 2003-09-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component |
| US6623670B2 (en) | 1997-07-07 | 2003-09-23 | Asahi Rubber Inc. | Method of molding a transparent coating member for light-emitting diodes |
| EP2270885A3 (en) * | 1997-07-07 | 2012-12-12 | Asahi Rubber Inc. | Transparent coating member for light-emitting diodes and fluorescent color light source |
| US9196800B2 (en) | 1996-06-26 | 2015-11-24 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
-
1987
- 1987-05-12 JP JP62113492A patent/JPS63280467A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9196800B2 (en) | 1996-06-26 | 2015-11-24 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
| US6245259B1 (en) | 1996-09-20 | 2001-06-12 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh & Co. Ohg | Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component |
| US6277301B1 (en) | 1996-09-20 | 2001-08-21 | Osram Opto Semiconductor, Gmbh & Co. Ohg | Method of producing a wavelength-converting casting composition |
| US6592780B2 (en) | 1996-09-20 | 2003-07-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component |
| US6613247B1 (en) | 1996-09-20 | 2003-09-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component |
| US6623670B2 (en) | 1997-07-07 | 2003-09-23 | Asahi Rubber Inc. | Method of molding a transparent coating member for light-emitting diodes |
| EP2270885A3 (en) * | 1997-07-07 | 2012-12-12 | Asahi Rubber Inc. | Transparent coating member for light-emitting diodes and fluorescent color light source |
| JPH11163417A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
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