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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
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CN102460646A
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半導体装置の作製方法
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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2009-07-31 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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KR102153841B1
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
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(ko)
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시장치 및 전자기기
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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경원대학교 산학협력단 |
레이저 패터닝을 이용한 투명 박막 트랜지스터의 제조
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
산화물 반도체막 및 반도체 장치
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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2009-10-16 |
2017-03-17 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 표시 장치를 갖는 전자 기기
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(ko)
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 제작방법
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半导体装置及其制造方法
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
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2009-11-13 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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엘지디스플레이 주식회사 |
산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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2016-05-26 |
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트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
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KR102333270B1
(ko)
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2009-12-04 |
2021-12-02 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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KR101291485B1
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半導体装置
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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シフトレジスタ回路
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Semiconductor device
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半導体装置
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
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Method for manufacturing semiconductor device
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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2012-01-26 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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2012-01-26 |
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半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及半導體裝置的製造方法
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2012-02-09 |
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Semiconductor device
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
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2012-02-29 |
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트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
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(en)
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2012-02-29 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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半導体装置
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
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(en)
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2012-03-05 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Latch circuit and semiconductor device
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(ja)
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2012-03-14 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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US9058892B2
(en)
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2012-03-14 |
2015-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and shift register
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US8941113B2
(en)
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2012-03-30 |
2015-01-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
|
JP6128906B2
(ja)
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2012-04-13 |
2017-05-17 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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(ko)
|
2012-04-13 |
2021-05-20 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
JP6059566B2
(ja)
|
2012-04-13 |
2017-01-11 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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JP6143423B2
(ja)
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2012-04-16 |
2017-06-07 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の製造方法
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(en)
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2012-04-20 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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2012-04-28 |
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显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法
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(en)
|
2012-04-30 |
2015-06-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
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2012-05-10 |
2021-03-04 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 표시 장치
|
KR102295737B1
(ko)
|
2012-05-10 |
2021-09-01 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 디바이스
|
KR102082793B1
(ko)
|
2012-05-10 |
2020-02-28 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 그 제작 방법
|
KR102087443B1
(ko)
|
2012-05-11 |
2020-03-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 구동 방법
|
JP6174899B2
(ja)
|
2012-05-11 |
2017-08-02 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
US8995607B2
(en)
|
2012-05-31 |
2015-03-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Pulse signal output circuit and shift register
|
US8901557B2
(en)
|
2012-06-15 |
2014-12-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
US9059219B2
(en)
|
2012-06-27 |
2015-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
|
KR102080696B1
(ko)
|
2012-06-29 |
2020-02-24 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
US8873308B2
(en)
|
2012-06-29 |
2014-10-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Signal processing circuit
|
KR102161077B1
(ko)
|
2012-06-29 |
2020-09-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
CN107026089B
(zh)
|
2012-06-29 |
2021-12-03 |
株式会社半导体能源研究所 |
用于制造半导体装置的方法
|
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(ko)
*
|
2012-07-03 |
2020-04-13 |
아이엠이씨 브이제트더블유 |
박막 트랜지스터의 제작 방법
|
KR102099262B1
(ko)
|
2012-07-11 |
2020-04-09 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
|
JP2014032399A
(ja)
*
|
2012-07-13 |
2014-02-20 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
液晶表示装置
|
JP6006558B2
(ja)
|
2012-07-17 |
2016-10-12 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置及びその製造方法
|
KR102644240B1
(ko)
|
2012-07-20 |
2024-03-07 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
KR102093060B1
(ko)
|
2012-07-20 |
2020-03-24 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
|
JP2014042004A
(ja)
|
2012-07-26 |
2014-03-06 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置及びその作製方法
|
JP6224931B2
(ja)
|
2012-07-27 |
2017-11-01 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
SG11201505225TA
(en)
|
2012-08-03 |
2015-08-28 |
Semiconductor Energy Lab |
Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device
|
KR20150040873A
(ko)
|
2012-08-03 |
2015-04-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
JP2014057298A
(ja)
|
2012-08-10 |
2014-03-27 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置の駆動方法
|
US9929276B2
(en)
|
2012-08-10 |
2018-03-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
TWI581404B
(zh)
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2012-08-10 |
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半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
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(ja)
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2012-08-10 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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US9245958B2
(en)
|
2012-08-10 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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KR20140026257A
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2012-08-23 |
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표시 장치
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KR102161078B1
(ko)
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2012-08-28 |
2020-09-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 그 제작 방법
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KR20140029202A
(ko)
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2012-08-28 |
2014-03-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
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2012-09-13 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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2012-09-13 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and electronic appliance
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(ko)
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2012-10-12 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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(ja)
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半導体装置
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2012-10-17 |
2021-03-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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(ko)
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2012-10-19 |
2021-02-24 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
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(ko)
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2012-10-24 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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(ja)
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表示装置及び電子機器
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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表示装置および電子機器
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2013-08-19 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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2014-03-14 |
2015-10-05 |
株式会社日本製鋼所 |
酸化物系材料の製造方法
|
WO2015136427A1
(ja)
|
2014-03-14 |
2015-09-17 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
KR102252213B1
(ko)
|
2014-03-14 |
2021-05-14 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
회로 시스템
|
SG11201606536XA
(en)
|
2014-03-18 |
2016-09-29 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
KR102332469B1
(ko)
|
2014-03-28 |
2021-11-30 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
트랜지스터 및 반도체 장치
|
JP6541398B2
(ja)
|
2014-04-11 |
2019-07-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
KR20160144492A
(ko)
|
2014-04-18 |
2016-12-16 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 전자 장치
|
KR102380829B1
(ko)
|
2014-04-23 |
2022-03-31 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
촬상 장치
|
US10043913B2
(en)
|
2014-04-30 |
2018-08-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
|
JP6486712B2
(ja)
|
2014-04-30 |
2019-03-20 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
酸化物半導体膜
|
TWI686899B
(zh)
|
2014-05-02 |
2020-03-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置、觸控感測器、顯示裝置
|
JP6537341B2
(ja)
|
2014-05-07 |
2019-07-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
TWI772799B
(zh)
|
2014-05-09 |
2022-08-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
|
TWI672804B
(zh)
*
|
2014-05-23 |
2019-09-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置的製造方法
|
US9874775B2
(en)
|
2014-05-28 |
2018-01-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and electronic device
|
KR102373263B1
(ko)
|
2014-05-30 |
2022-03-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
|
KR102398950B1
(ko)
|
2014-05-30 |
2022-05-17 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치
|
TWI646658B
(zh)
|
2014-05-30 |
2019-01-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
|
US9881954B2
(en)
|
2014-06-11 |
2018-01-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device
|
WO2015189731A1
(en)
|
2014-06-13 |
2015-12-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
|
KR20150146409A
(ko)
|
2014-06-20 |
2015-12-31 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
|
US9722090B2
(en)
|
2014-06-23 |
2017-08-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
|
US9461179B2
(en)
|
2014-07-11 |
2016-10-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
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US10147747B2
(en)
|
2014-08-21 |
2018-12-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
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US10559667B2
(en)
|
2014-08-25 |
2020-02-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
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US9766517B2
(en)
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2014-09-05 |
2017-09-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and display module
|
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(en)
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2014-09-26 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device
|
US9450581B2
(en)
|
2014-09-30 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
|
JP6392061B2
(ja)
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2018-09-19 |
東京エレクトロン株式会社 |
電子デバイス、その製造方法、及びその製造装置
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JP6570417B2
(ja)
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2014-10-24 |
2019-09-04 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
撮像装置および電子機器
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CN107111972B
(zh)
|
2014-10-28 |
2020-04-28 |
株式会社半导体能源研究所 |
功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置
|
CN107111970B
(zh)
|
2014-10-28 |
2021-08-13 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置、显示装置的制造方法及电子设备
|
US9761730B2
(en)
|
2014-10-29 |
2017-09-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
TWI711165B
(zh)
|
2014-11-21 |
2020-11-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及電子裝置
|
KR102456654B1
(ko)
|
2014-11-26 |
2022-10-18 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
|
JP6647841B2
(ja)
|
2014-12-01 |
2020-02-14 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
酸化物の作製方法
|
US9773832B2
(en)
|
2014-12-10 |
2017-09-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
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US10446582B2
(en)
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2014-12-22 |
2019-10-15 |
Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University |
Method of providing an imaging system and imaging system thereof
|
JP5859632B2
(ja)
*
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2014-12-22 |
2016-02-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
US9741742B2
(en)
|
2014-12-22 |
2017-08-22 |
Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University |
Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
|
US10522693B2
(en)
|
2015-01-16 |
2019-12-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Memory device and electronic device
|
TWI792065B
(zh)
|
2015-01-30 |
2023-02-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
成像裝置及電子裝置
|
US9647132B2
(en)
|
2015-01-30 |
2017-05-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and memory device
|
CN112768511A
(zh)
|
2015-02-06 |
2021-05-07 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置及其制造方法
|
WO2016125044A1
(en)
|
2015-02-06 |
2016-08-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Device, manufacturing method thereof, and electronic device
|
JP6744108B2
(ja)
|
2015-03-02 |
2020-08-19 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器
|
JPWO2016139828A1
(ja)
*
|
2015-03-03 |
2017-04-27 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
JP6801969B2
(ja)
|
2015-03-03 |
2020-12-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、表示装置、および電子機器
|
JP6765199B2
(ja)
|
2015-03-17 |
2020-10-07 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
タッチパネル
|
CN107430461B
(zh)
|
2015-03-17 |
2022-01-28 |
株式会社半导体能源研究所 |
触摸屏
|
JP6662665B2
(ja)
|
2015-03-19 |
2020-03-11 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
|
JP6688116B2
(ja)
|
2015-03-24 |
2020-04-28 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
撮像装置および電子機器
|
US10429704B2
(en)
|
2015-03-26 |
2019-10-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
|
TWI723984B
(zh)
|
2015-03-27 |
2021-04-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
觸控面板
|
US9685476B2
(en)
|
2015-04-03 |
2017-06-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
US9716852B2
(en)
|
2015-04-03 |
2017-07-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Broadcast system
|
US10389961B2
(en)
|
2015-04-09 |
2019-08-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
US10372274B2
(en)
|
2015-04-13 |
2019-08-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and touch panel
|
US9848146B2
(en)
|
2015-04-23 |
2017-12-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
DE102016206922A1
(de)
|
2015-05-08 |
2016-11-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Touchscreen
|
US9912897B2
(en)
|
2015-05-11 |
2018-03-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
US10684500B2
(en)
|
2015-05-27 |
2020-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Touch panel
|
US10139663B2
(en)
|
2015-05-29 |
2018-11-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Input/output device and electronic device
|
KR102553553B1
(ko)
|
2015-06-12 |
2023-07-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
|
KR102619052B1
(ko)
|
2015-06-15 |
2023-12-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
WO2017006419A1
(ja)
*
|
2015-07-06 |
2017-01-12 |
堺ディスプレイプロダクト株式会社 |
表示装置
|
TWI713367B
(zh)
|
2015-07-07 |
2020-12-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
成像裝置及其運作方法
|
JP6791667B2
(ja)
|
2015-07-16 |
2020-11-25 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
撮像装置
|
US9876946B2
(en)
|
2015-08-03 |
2018-01-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
US10373991B2
(en)
|
2015-08-19 |
2019-08-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device, operating method thereof, and electronic device
|
US10090344B2
(en)
|
2015-09-07 |
2018-10-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device, method for operating the same, module, and electronic device
|
KR102578673B1
(ko)
|
2015-09-10 |
2023-09-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
촬상 장치, 모듈, 전자 기기, 및 촬상 장치의 동작 방법
|
US10896923B2
(en)
|
2015-09-18 |
2021-01-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method of operating an imaging device with global shutter system
|
JP2017063420A
(ja)
|
2015-09-25 |
2017-03-30 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
US9935143B2
(en)
|
2015-09-30 |
2018-04-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
US10109667B2
(en)
|
2015-10-09 |
2018-10-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device, module, and electronic device
|
JP6864456B2
(ja)
|
2015-10-15 |
2021-04-28 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
JP6917700B2
(ja)
|
2015-12-02 |
2021-08-11 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
US20170168333A1
(en)
|
2015-12-11 |
2017-06-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and separation method
|
JP6907512B2
(ja)
*
|
2015-12-15 |
2021-07-21 |
株式会社リコー |
電界効果型トランジスタの製造方法
|
CN106887436B
(zh)
*
|
2015-12-16 |
2019-10-25 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
薄膜晶体管阵列基板及其制备方法
|
JP6802701B2
(ja)
|
2015-12-18 |
2020-12-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置、モジュール及び電子機器
|
WO2017115208A1
(en)
|
2015-12-28 |
2017-07-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Device, television system, and electronic device
|
US10020336B2
(en)
|
2015-12-28 |
2018-07-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device using three dimentional (3D) integration
|
US9728650B1
(en)
*
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2016-01-14 |
2017-08-08 |
Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. |
Thin film transistor array panel and conducting structure
|
US10027896B2
(en)
|
2016-01-15 |
2018-07-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Image display system, operation method of the same, and electronic device
|
JP6676990B2
(ja)
*
|
2016-02-01 |
2020-04-08 |
株式会社リコー |
電界効果型トランジスタの製造方法
|
US9947700B2
(en)
|
2016-02-03 |
2018-04-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
US10115741B2
(en)
|
2016-02-05 |
2018-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
US9954003B2
(en)
|
2016-02-17 |
2018-04-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
US10347681B2
(en)
|
2016-02-19 |
2019-07-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device
|
US10573621B2
(en)
|
2016-02-25 |
2020-02-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging system and manufacturing apparatus
|
US10263114B2
(en)
|
2016-03-04 |
2019-04-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
|
US10014325B2
(en)
|
2016-03-10 |
2018-07-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
US9882064B2
(en)
|
2016-03-10 |
2018-01-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor and electronic device
|
CN108780256B
(zh)
|
2016-03-15 |
2022-10-18 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置、模块及电子设备
|
US10333004B2
(en)
|
2016-03-18 |
2019-06-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, semiconductor wafer, module and electronic device
|
US10096720B2
(en)
|
2016-03-25 |
2018-10-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor, semiconductor device, and electronic device
|
JP6863803B2
(ja)
|
2016-04-07 |
2021-04-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
WO2017175095A1
(en)
|
2016-04-08 |
2017-10-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
US10032918B2
(en)
|
2016-04-22 |
2018-07-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
JP6968567B2
(ja)
|
2016-04-22 |
2021-11-17 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
US10008502B2
(en)
|
2016-05-04 |
2018-06-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Memory device
|
JP2017203983A
(ja)
*
|
2016-05-06 |
2017-11-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、システム、及び動作方法
|
JP7109887B2
(ja)
|
2016-05-20 |
2022-08-01 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示システム
|
US10078243B2
(en)
|
2016-06-03 |
2018-09-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
|
TWI712029B
(zh)
|
2016-06-17 |
2020-12-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
顯示裝置,及顯示裝置的驅動方法
|
KR102330605B1
(ko)
|
2016-06-22 |
2021-11-24 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
JP2016174186A
(ja)
*
|
2016-06-27 |
2016-09-29 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
TWI709952B
(zh)
|
2016-07-01 |
2020-11-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
電子裝置、電子裝置的驅動方法
|
TWI737665B
(zh)
|
2016-07-01 |
2021-09-01 |
日商半導體能源硏究所股份有限公司 |
半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
|
TWI720097B
(zh)
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日商半導體能源硏究所股份有限公司 |
濺射靶材及濺射靶材的製造方法
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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KR102446134B1
(ko)
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2016-07-29 |
2022-09-21 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 표시 시스템, 및 전자 기기
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Display device and method for manufacturing the display device
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2016-08-05 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
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半導体装置、表示モジュール及び電子機器
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表示装置
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치, 표시 모듈, 및 표시 장치의 제작 방법
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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Display device and electronic device
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2016-11-23 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
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酸化物半導体装置の製造方法
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株式会社半导体能源研究所 |
摄像装置及电子设备
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株式会社半导体能源研究所 |
显示装置
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
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2017-01-16 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Halbleitervorrichtung
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TWI748035B
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日商半導體能源硏究所股份有限公司 |
顯示系統及電子裝置
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株式会社半导体能源研究所 |
显示装置及电子设备
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device, display module, and electronic device
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2017-02-07 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Driving method of display device
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2017-03-29 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법
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表示装置
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2017-04-28 |
2021-06-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
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2017-06-27 |
2023-02-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
기억 장치
|
KR102578536B1
(ko)
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2017-06-27 |
2023-09-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 시스템 및 데이터 처리 방법
|
KR102637403B1
(ko)
|
2017-07-26 |
2024-02-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
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KR102472837B1
(ko)
|
2017-08-11 |
2022-11-30 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
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US11296231B2
(en)
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2017-08-25 |
2022-04-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
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CN115578973A
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2017-08-31 |
2023-01-06 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置及电子设备
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表示システム
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
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2017-09-15 |
2022-04-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device including pixel and electronic device
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JP2019066517A
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表示装置
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2017-11-02 |
2020-06-17 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
|
KR102579125B1
(ko)
|
2017-11-09 |
2023-09-14 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치, 그 동작 방법, 및 전자 기기
|
KR102595701B1
(ko)
|
2017-12-22 |
2023-10-27 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
|
US11733574B2
(en)
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2018-01-05 |
2023-08-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device, display module, and electronic device
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2018-02-09 |
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株式会社半导体能源研究所 |
显示装置的驱动方法
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CN112005289B
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2018-04-26 |
2023-07-18 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置及电子设备
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KR20210009326A
(ko)
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2018-05-17 |
2021-01-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
JPWO2019224655A1
(ja)
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2018-05-25 |
2021-07-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置および電子機器
|
JPWO2019234543A1
(ja)
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2018-06-06 |
2021-07-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置、表示モジュール、及び電子機器
|
CN112313736B
(zh)
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2018-07-05 |
2022-12-02 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置及电子设备
|
US11450694B2
(en)
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2018-08-21 |
2022-09-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display apparatus and electronic device
|
KR20210049905A
(ko)
|
2018-09-21 |
2021-05-06 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
|
WO2020065472A1
(ja)
|
2018-09-28 |
2020-04-02 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置の作製方法、表示装置の作製装置
|
CN112970053A
(zh)
|
2018-11-02 |
2021-06-15 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置、显示模块及电子设备
|
US11663990B2
(en)
|
2018-11-09 |
2023-05-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display apparatus and electronic device
|
JP6715312B2
(ja)
*
|
2018-12-04 |
2020-07-01 |
三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. |
表示装置
|
KR20210102249A
(ko)
|
2018-12-19 |
2021-08-19 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
|
KR102019935B1
(ko)
*
|
2018-12-21 |
2019-11-04 |
엘지디스플레이 주식회사 |
박막트랜지스터를 구비한 엑스레이 검출기
|
JP7477461B2
(ja)
|
2018-12-26 |
2024-05-01 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置および電子機器
|
WO2020161552A1
(ja)
|
2019-02-05 |
2020-08-13 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置および電子機器
|
KR101987800B1
(ko)
*
|
2019-02-08 |
2019-10-01 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
|
CN113711295A
(zh)
|
2019-05-10 |
2021-11-26 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置以及电子设备
|
JP7356815B2
(ja)
*
|
2019-05-14 |
2023-10-05 |
トライベイル テクノロジーズ, エルエルシー |
薄膜トランジスタ基板及び表示装置
|
WO2020240329A1
(ja)
*
|
2019-05-30 |
2020-12-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置および電子機器
|
WO2020254914A1
(ja)
|
2019-06-21 |
2020-12-24 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
酸化物半導体を用いる記憶回路
|
JP2021015976A
(ja)
|
2019-07-12 |
2021-02-12 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
記憶装置
|
JPWO2021033075A1
(uk)
|
2019-08-22 |
2021-02-25 |
|
|
JPWO2021048672A1
(uk)
|
2019-09-09 |
2021-03-18 |
|
|
US11210048B2
(en)
|
2019-10-04 |
2021-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device, display module, and electronic device
|
KR20220079567A
(ko)
|
2019-10-11 |
2022-06-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
기억 장치
|
KR20230037575A
(ko)
|
2020-07-09 |
2023-03-16 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
|
TW202211195A
(zh)
|
2020-08-12 |
2022-03-16 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
顯示裝置、其工作方法以及電子裝置
|
JPWO2022069980A1
(uk)
|
2020-10-01 |
2022-04-07 |
|
|
US12009432B2
(en)
|
2021-03-05 |
2024-06-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor and display device
|