TWI431342B - A polarizing film, an optical thin film laminate containing a polarizing film, an elongated laminated body for use in the manufacture of an optical thin film laminate comprising a polarizing film, and a method of manufacturing the same, and an organic EL display device having a polarizing film - Google Patents

A polarizing film, an optical thin film laminate containing a polarizing film, an elongated laminated body for use in the manufacture of an optical thin film laminate comprising a polarizing film, and a method of manufacturing the same, and an organic EL display device having a polarizing film Download PDF

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TWI431342B TW100131730A TW100131730A TWI431342B TW I431342 B TWI431342 B TW I431342B TW 100131730 A TW100131730 A TW 100131730A TW 100131730 A TW100131730 A TW 100131730A TW I431342 B TWI431342 B TW I431342B
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Minoru Miyatake
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Description

偏光膜、包含偏光膜之光學薄膜積層體、包含偏光膜之光學薄膜積層體之製造使用的延伸積層體、以及彼等之製造方法、以及具有偏光膜之有機EL顯示裝置
本發明關於偏光膜、包含偏光膜之光學薄膜積層體、包含偏光膜之光學薄膜積層體之製造使用的延伸積層體、以及彼等之製造方法、以及具有偏光膜之有機EL顯示裝置。特別是，本發明關於關於將二色性物質配向的聚乙烯醇系樹脂構成之，厚度10μm以下之偏光膜、包含該偏光膜的光學薄膜積層體、以及包含該偏光膜之光學薄膜積層體之製造使用的延伸積層體、以及彼等之製造方法、以及具有該偏光膜之有機EL顯示裝置。
藉由對製成薄膜形狀之聚乙烯醇系樹脂(以下稱PVA系樹脂)之單層體施予染色處理或延伸處理，使PVA系樹脂之分子朝延伸方向配向，二色性物質以配向狀態被吸附於該PVA系樹脂內的，PVA系樹脂層構成之偏光膜之製造方法為習知者。藉由使用該PVA系樹脂單層膜之習知方法而獲得之偏光膜之厚度大略為15～35μm。依據該方法獲得之偏光膜，其具有單體透過率為42%以上、偏光度為99.95%以上之光學特性，該方法製造之偏光膜，目前被使用於電視機、行動電話、行動資訊終端機等其他光學顯示裝置。
但是，PVA系樹脂屬親水性，具有高的吸濕性，使用PVA系樹脂製造之偏光膜對於溫度或濕度變化較為敏感，周圍之環境變化容易產生伸縮，具有容易產生龜裂之傾向。另外，因為使用中之環境變化而產生之伸縮，對於該偏光膜所接合之鄰接構件帶來應力，於該鄰接構件會產生彎曲變形。
因此，為抑制偏光膜之伸縮，減輕溫度或濕度影響，通常電視機、行動電話、行動資訊終端機等光學顯示裝置用之偏光薄膜，係於偏光膜兩面貼合作為保護薄膜之40～80μm之TAC(三乙酸纖維素系)薄膜而成積層體予以使用。即使此種構成，使用單層體之偏光膜時，基於偏光膜之薄膜化有其限制，無法忽視伸縮力難以完全抑制伸縮之影響，在包含偏光膜之光學薄膜積層體產生某一程度之伸縮乃無可避免者。在包含此種偏光膜之光學薄膜積層體產生伸縮時，該伸縮引起之應力會對鄰接構件帶來彎曲等之變形。該變形即使微小亦將成為顯示裝置產生顯示不均勻之原因。因此，為減低該顯示不均勻之產生，針對包含偏光膜之光學薄膜積層體所使用之構件之材料，需要考慮設計上必要而加以選擇。另外，偏光膜之收縮應力亦成為光學薄膜積層體由顯示面板剝離等之原因，因此將該光學薄膜積層體接合於顯示面板時，要求高接著力之黏著劑。但是，使用具有高接著力之黏著劑時，貼合於顯示面板之光學薄膜積層體之偏光膜於後續檢測發現有光學缺陷時，需要將該光學薄膜積層體由顯示面板剝離，將另一光學薄膜積層體貼合於該顯示面板，而此一重新貼合作業之進行乃困難者，此為問題。關於彼等問題，在液晶顯示面板之兩面配置含有偏光膜之光學薄膜積層體的液晶顯示裝置之中，互相抵消兩面之偏光膜之收縮應力而多少可以緩和，但於使用有機EL顯示面板的有機EL顯示裝置之中，含有偏光膜之光學薄膜積層體系僅配置於一面，而特別成為問題。於有機EL顯示裝置之中，除上述顯示不均勻、重新貼合作業之困難性以外，液晶面板之彎曲變形均會導致液晶面板之封裝材料被破壞，濕度亦會使有機發光層劣化而產生問題。此乃使用製成薄膜形狀之PVA系樹脂單層體的習知方法獲得之偏光膜之技術課題。
因為上述問題之存在而無法達到充分程度之薄膜化，因而要求偏光膜之製造方法，用來取代使用習知PVA系樹脂單層體之偏光膜之製造方法。但是，使用製成薄膜狀之PVA系樹脂單層體的習知方法，事實上無法製造厚度10μm以下之偏光膜。其理由為，在藉由薄膜狀之PVA系樹脂單層體製造偏光膜時，若PVA系樹脂單層體之厚度太薄，則於染色工程及或延伸工程，有可能於PVA系樹脂層產生溶解及/或破斷，無法形成均勻厚度之偏光膜。
作為該問題之對策被提案之製造方法為，在熱可塑性樹脂基材上塗布形成PVA系樹脂層，以形成於該樹脂基材上之PVA系樹脂層作為樹脂基材之同時予以延伸，施予染色處理，如此則，和習知方法獲得之偏光膜比較，可製造極薄之偏光膜。和使用PVA系樹脂單層體的偏光膜之製造方法比較，使用熱可塑性樹脂基材的偏光膜之製造方法，可以製造更為均勻之偏光膜，因而受到矚目。
例如專利第4279944號公報(專利文獻1)揭示之偏光板之製造方法，係在熱可塑性樹脂薄膜之單面，藉由塗布法形成厚度6μm以上30μm以下之PVA系樹脂層之後，施予2倍以上5倍以下之延伸，將該PVA系樹脂層設為透明披膜元件層，形成由熱可塑性樹脂薄膜層與透明披膜元件層之2層構成之複合薄膜，之後，在該2層構成之複合薄膜之透明披膜元件層側，使光學透明樹脂薄膜層介由接著劑予以貼合之後，剝離除去熱可塑性樹脂薄膜層，進而對透明披膜元件層施予染色，將其固定而成為偏光元件層。該製造方法獲得之偏光板為光學透明樹脂薄膜層與偏光元件層之2層構成，依據專利文獻1之揭示，偏光元件之厚度為2～4μm。
專利文獻1揭示之方法，延伸係於加熱下藉由一軸延伸而進行，其延伸倍率限制於如上述說明之2倍以上5倍以下之範圍。於專利文獻1揭示之方法，延伸倍率限制於5倍以下之理由為，依據專利文獻1之說明，在延伸倍率高於5倍之高倍率延伸下穩定生產變為極端困難。但是，延伸倍率為5倍以下之4～5倍附近，其之穩定生產亦為困難。另外，延伸時之周圍溫度，具體言之為，作為熱可塑性樹脂薄膜而使用環丙基甲酸乙烯共聚合體時設為55℃，使用無延伸之聚丙烯時設為60℃，使用無延伸之尼龍時設為70℃。專利文獻1之方法係採用高溫空中一軸延伸之方法，如專利文獻1之揭示，延伸倍率被限制於5倍以下，因此藉由該方法難以穩定生產使用於有機EL顯示裝置而能滿足所期待光學特性的2～4μm之極薄之偏光膜，或者說藉由該方法獲得之2～4μm之極薄之偏光膜，係無法滿足使用於有機EL顯示裝置被期待之光學特性。
在熱可塑性樹脂基材上塗布形成PVA系樹脂層，以該PVA系樹脂層作為基材之同時予以延伸而形成偏光膜之方法，揭示於特開2001-343521號公報(專利文獻2)及特開2003-43257號公報(專利文獻3)。彼等專利文獻揭示之方法，係使熱可塑性樹脂基材以及塗布於該基材上之PVA系樹脂層構成之積層體，在基材為非晶性聚酯樹脂時，在70℃～120℃溫度下施予一軸延伸者。之後，對經由延伸被配向之PVA系樹脂層施予染色處理使吸附二色性物質。於專利文獻2揭示一軸延伸可為縱向一軸延伸或橫向一軸延伸之任一，於專利文獻3則揭示進行橫向一軸延伸，於該橫向一軸延伸中或延伸後，使和延伸方向呈正交之方向之長度收縮特定量之方法。關於延伸倍率，於專利文獻2及3通常均設為4～8倍之程度。獲得之偏光膜之厚度揭示為1～1.6μm。
於彼等專利文獻2及3雖揭示延伸倍率通常為4～8倍，但採用之延伸方法為高溫空中延伸法，於該方法，例如專利文獻1所示，當延伸倍率大於5倍時穩定之生產變為極端困難。於專利文獻2及3亦未針對藉由高溫空中延伸法來達成大於5倍之延伸倍率之特定手法加以記載。事實上，由彼等專利文獻2及3揭示之實施例可知，於專利文獻2僅揭示5倍延伸，於專利文獻3則揭示4.5倍延伸。本發明人針對專利文獻2及3揭示之方法進行追蹤測試發現，其記載之方法無法進行大於5倍之延伸，另外，於4～5倍亦難以進行穩定之延伸。因此，依據專利文獻2及3之揭示，關於延伸倍率應理解為，其僅記載5倍以下者，即使延伸倍率為5倍以下之4～5倍之情況下亦難以達成穩定之生產。亦如上述關於專利文獻1之說明，於專利文獻2及3，其延伸倍率亦限制於5倍以下，獲得之極薄之偏光膜亦難以滿足有機EL顯示裝置使用之偏光膜所期待之光學特性，或者難以穩定生產能滿足有機EL顯示裝置使用之偏光膜所期待光學特性的極薄之偏光膜。
美國專利第4659523號公報(專利文獻4)揭示之偏光膜之製造方法，係在聚酯薄膜上藉由塗布法形成PVA系樹脂層，將PVA系樹脂層連同該聚酯薄膜施予一軸延伸。專利文獻4揭示之方法，目的係使成為PVA系樹脂層之基材的聚酯薄膜，構成偏光膜之同時而具有可使用之光學特性者，並非以製造薄型、具有良好光學特性之由PVA系樹脂層構成之偏光膜為目的。亦即，專利文獻4揭示之方法，僅止於針對和偏光膜之PVA系樹脂層同時被施予延伸的聚酯樹脂薄膜之光學特性加以改善。具有同樣目的之偏光子用材料之製造方法，亦揭示於特公平8-12296號公報(專利文獻5)。
[習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：專利第4279944號公報
專利文獻2：特開2001-343521號公報
專利文獻3：特開2003-43257號公報
專利文獻4：美國專利第4659523號說明書
專利文獻5：特公平8-12296號公報
專利文獻6：特開2002-258269號公報
專利文獻7：特開2004-078143號公報
專利文獻8：特開2007-171892號公報
專利文獻9：特開2004-338379號公報
專利文獻10：特開2005-248173號公報
專利文獻11：特開2011-2759號公報
專利文獻12：特開平5-27118號公報
專利文獻13：特開平11-149015號公報
[非專利文獻]
非專利文獻1：松廣憲治「Xpol及其在3D-TV之應用」，EKISHO、Vol. 14、No.4、2010、pp.219～232
非專利文獻2：森裕行他「富士薄膜WV film wide view SA之開發」，FUJIFILM RESEARCH & DEVELOPMENT(No. 46-2001)，pp.51~55
非專利文獻3：H.W. Siesler,Adv. Polym. Sci.,65,1(1984)
在熱可塑性樹脂基材上塗布形成PVA系樹脂層，將該PVA系樹脂層連同熱可塑性樹脂基材施予延伸而製造偏光膜之方法，係揭示於專利文獻1～5為習知者。但是，厚度極薄之10μm以下之偏光膜，作為有機EL顯示裝置用之偏光膜而被要求的高機能之偏光膜，其能滿足單體透過率為42.5以上、而且偏光度為99.5以上、較好是滿足單體透過率為43.0以上、而且偏光度為99.5以上之光學特性者，目前為止乃未曾實現，其穩定之生產亦為曾實現。
本發明目的在於穩定提供，和習知偏光膜比較為極薄、而且具備必要之光學特性的偏光膜，包含此種偏光膜之光學薄膜積層體，及包含此種偏光膜之光學薄膜積層體之製造使用的延伸積層體，以及彼等之製造方法，以及具有此種偏光膜之有機EL顯示裝置。
本發明人係針對非晶性熱可塑性樹脂基材，與其上被塗布形成之PVA系樹脂層構成為一體，藉由空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程進行延伸，以及藉由對該PVA系樹脂層施予二色性色素之染色處理，而成功獲得：厚度為10μm以下，以單體透過率T及偏光度P表示之光學特性能滿足光學顯示裝置所使用之偏光膜之要求特性，習知不存在的偏光膜，而完成本發明。本發明人將有機EL顯示裝置使用之偏光膜所要求之光學特性，在單體透過率設為T，偏光度設為P時，係設定成為T≧42.5、以及P≧99.5所表示之條件。本發明目的在於提供，厚度為10μm以下，單體透過率T及偏光度P所表示之光學特性能滿足上述條件之偏光膜，包含偏光膜之光學薄膜積層體，及包含偏光膜之光學薄膜積層體之製造使用的延伸積層體，以及彼等之製造方法，以及使用偏光膜之有機EL顯示裝置。具有此種特性之偏光膜，可以藉由上述延伸及染色予以製造。
詳言之為，本發明之一態樣為關於，將二色性物質予以配向而成之PVA(聚乙烯醇)系樹脂所構成之連續網狀物(web)的有機EL顯示裝置用偏光膜；厚度為10μm以下，而且單體透過率設為T，偏光度設為P時，具有能滿足T≧42.5、以及P≧99.5之條件之光學特性者。單體透過率T，更好是能滿足T≧43.0之條件。該有機EL顯示裝置用偏光膜，係對包含在非晶性熱可塑性樹脂基材被成膜之上述PVA系樹脂層的積層體，藉由空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程進行延伸而可以製造。非晶性熱可塑性樹脂基材，可設為非晶性酯系熱可塑性樹脂基材。二色性物質可為碘(I)或碘與有機染料之混合物之其中之一。
單體透過率設為T，偏光度設為P時，滿足上述條件之偏光膜，係具有有機EL顯示裝置所要求之性能。
於一個實施形態中，係在上述有機EL顯示裝置用偏光膜之連續網狀物(web)之一面貼合光學機能薄膜，在另一面形成黏著劑層，介由上述黏著劑層將分離層(separator)剝離自如地積層於上述偏光膜，而可以產生光學機能薄膜積層體。此情況下，光學機能薄膜可以設為TAC(triacetyl cellulose(三乙酸纖維素系))薄膜。
作為將層或膜等予以接合或接著之材料，可以適當選擇例如丙烯基系聚合體、聚矽氧烷系聚合體、聚酯、聚尿烷、聚醯胺、聚醚、氟素系、或橡膠系、異氰酸酯系、聚乙烯醇系、明膠系、乙烯系乳膠系、以水系聚酯等聚合體為基礎聚合體者。
作為提升黏著劑層之接著力的材料，可以設置如特開2002-258269號公報(專利文獻6)、特開2004-078143號公報(專利文獻7)、特開2007-171892號公報(專利文獻8)之揭示之增黏層(anchor)。作為膠黏劑樹脂，只要是可以提升黏著劑之黏著力之層即可，並未特別限制，具體言之為，可使用例如環氧系樹脂、異氰酸酯系樹脂、聚尿烷系樹脂、聚酯系樹脂、分子中含有胺基之聚合體類、酯尿烷系樹脂、含有噁唑啉基等之各種丙烯基系樹脂等之具有有機反應性基的樹脂(聚合體)。
於上述增黏層，為防止帶電可以添加如特開2004-338379號公報(專利文獻9)揭示之防止帶電劑。作為賦與防止帶電性用之防止帶電劑，可以使用離子性界面活性劑系、聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚喹喔啉等之導電性聚合體系、氧化錫、氧化銻、氧化銦等之金屬氧化物系等。特別是就光學特性、外觀、防止帶電效果以及防止帶電效果之加熱、加濕時之穩定性觀點而言，較好是使用導電性聚合體系、其中較好是使用聚苯胺、聚噻吩等之水溶性導電性聚合體或水分散性導電性聚合體。作為防止帶電層之形成材料而使用水溶性導電性聚合體或水分散性導電性聚合體時，塗布時可抑制有機溶劑對於光學薄膜基材所導致之變質。
於另一實施形態中，係在上述有機EL顯示裝置用偏光膜之連續網狀物之一面貼合保護層，在另一面將和上述有機EL顯示裝置用偏光膜同時被使用，用於產生圓偏光的相位差層予以貼合而形成積層體，於該積層體之一面介由黏著劑層將分離層剝離自如地予以積層，而可以生成光學機能薄膜積層體。此情況下，保護層較好是設為TAC(triacetyl cellulose(三乙酸纖維素系))薄膜，相位差膜設為nx＞nz＞ny之3維折射率之2軸性相位差薄膜。
其中，nx、nz、ny分別表示相位差膜之遲相軸方向之折射率、遲相軸之垂直方向之折射率、膜之厚度方向之折射率。藉由此一構成，和習知構成比較或和上述態樣之構成比較，更能大幅減輕產生於有機EL顯示面板之變形。亦即，偏光膜具有隨周圍環境變化而容易伸縮之性質。該偏光膜之伸縮會對顯示面板施加產生變形之力。該產生變形之力在偏光膜與顯示面板越接近時變為越小，結果有減輕顯示面板之變形之傾向。使用藉由習知PVA系樹脂單層膜製造之偏光膜時，欲抑制偏光膜之伸縮，減輕溫度或濕度之影響時，須於偏光膜兩側貼合保護膜。另外，本發明之厚度10μm以下之偏光膜，因為偏光膜之伸縮應力小，於兩側無須積層保護層。因此，可以省略顯示面板與偏光膜之間之保護層，可縮小顯示面板與偏光膜之間之距離，可減輕對顯示面板施加產生變形之力。本發明之厚度10μm以下之偏光膜，因為可以縮小偏光膜之伸縮應力之同時，可以省略顯示面板與偏光膜之間之保護層，可縮小對顯示面板施加產生變形之力，和習知構成比較或和上述態樣比較，更能大幅減輕變形。
作為保護層之材料通常可使用具有較佳透明性、機械強度、熱穩定性、水分遮斷性、等方性等之熱可塑性樹脂。彼等熱可塑性樹脂之具體例有三乙醯纖維素等之纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯樹脂、(間)丙烯基樹脂、環狀聚烯樹脂(原冰片烯(norbornene)系樹脂)、聚芳酯樹脂、PVA樹脂以及彼等之混合物。
在未接著保護層之偏光膜之面，可以實施硬塗布處理或抗反射處理、以擴散乃至抗閃爍為目的之處理而設置作為表面處理層之層。表面處理層可以含有紫外線吸收劑。另外，表面處理層係為提升偏光膜之加濕耐久性，較好是透濕度低的層。硬塗布處理，係以防止偏光膜表面之損傷為目的而實施，例如可將丙烯基系、聚矽氧烷系等之適當之紫外線硬化型樹脂等具有較佳硬度或平滑特性之硬化披膜，附加於透明保護膜表面之方式予以形成。抗反射處理，係以防止偏光膜表面之外光反射為目的而實施，可使用習知例如特開2005-248173號公報(專利文獻10)揭示之，藉由光之干涉作用來抵消反射光之效應，而防止反射之薄層式，或特開2011-2759號公報(專利文獻11)揭示之，於表面附加微細構造而使呈現低反射率之構造式等之低反射層之形成來達成。抗閃爍處理，係以防止偏光膜表面之外光反射而妨礙偏光板透過光之辨識為目的而實施，可使用例如噴砂方式或壓紋加工方式之粗面化方式或透明微粒子之分配方式等適當之方式，在透明保護薄膜表面附加微細凹凸構造而形成。抗閃爍層，亦可兼作為擴散偏光膜之透過光，擴大視角等之擴散層(視角擴大機能等)。上述硬塗布層較好是鉛筆硬度微2H以上之硬塗布層。
本發明另一態樣之光學薄膜積層體，其特徵為：包含：連續網狀物之非晶性熱可塑性樹脂基材；及有機EL顯示裝置用偏光膜，由在該非晶性熱可塑性樹脂基材被成膜之針對二色性物質施予配向的PVA系樹脂所構成；上述有機EL顯示裝置用偏光膜，其厚度為10μm以下，而且單體透過率設為T，偏光度設為P時，具有滿足T≧42.5，以及P≧99.5之條件之光學特性者。單體透過率T更好是設為T≧43.0。該有機EL顯示裝置用偏光膜，係使包含成膜於非晶性熱可塑性樹脂基材的上述PVA系樹脂層的積層體，可藉由空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程予以製造。非晶性熱可塑性樹脂基材可設為非晶性酯系熱可塑性樹脂基材。
一個實施形態中，非晶性熱可塑性樹脂基材之厚度，較好是設為被成膜之PVA系樹脂層之厚度之6倍以上，更好是7倍以上。藉由設定非晶性酯系熱可塑性樹脂基材之厚度成為PVA系樹脂層之6倍以上，則不會有以下不良情況之發生：於製造工程之搬送時薄膜強度脆弱導致破斷之搬送不良、將包含偏光膜之積層體貼合於其他薄膜時捲曲性導致之不良或偏光膜轉印時基材太薄導致無法轉印之轉印不良。
參照圖1，圖1表示針對非晶性酯系熱可塑性樹脂基材之厚度與PVA系樹脂層之塗布厚度(偏光膜厚度)之間是否產生不良加以確認者。如圖1所示，在約5倍厚度時搬送性會有問題，另外，厚度10μm以上之偏光膜則有可能抗龜裂性會有問題。
另一實施形態中，非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，其之樹脂基材較好是包含：使間苯二甲酸共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、使環己烷二甲醇共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、或其他共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯的非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯，或者可設為透明樹脂。
被染色於PVA系樹脂之二色性物質，較好是碘(I)或碘與有機染料之混合物。
另一實施形態中，在上述光學薄膜積層體所包含的，非晶性熱可塑性樹脂基材之未形成有上述有機EL顯示裝置用偏光膜之面，介由黏著劑層使分離層剝離自如地予以積層，而可以產生光學薄膜積層體。此情況下，非晶性熱可塑性樹脂基材成為有機EL顯示裝置用偏光膜之保護薄膜，因此樹脂基材須為透明。
另一實施形態中，在上述光學薄膜積層體所包含的，非晶性熱可塑性樹脂基材之未形成有上述有機EL顯示裝置用偏光膜之面，貼合光學機能薄膜，於該光學機能薄膜上形成黏著劑層，介由該黏著劑層使分離層剝離自如地予以積層，而可以產生光學薄膜積層體。此情況下，光學機能薄膜，係用於防止由偏光膜之辨識側射入內部之光在內部被反射而由辨識側射出，因此，較好是構成為和偏光膜同時被使用而產生圓偏光之相位差層。
其中，作為圓偏光，只要在實質上呈現防止反射機能之範圍內亦可包含橢圓偏光。作為相位差層之正面相位差，代表性雖使用1/4波長相位差之層，但實質上只要呈現防止反射機能之相位差，則不限定於1/4波長相位差，例如亦可使用1/5波長相位差或1/6波長相位差之層等。其中，所謂正面相位差係指，相位差層之遲相軸方向之折射率設為nx，遲相軸之垂直方向之折射率設為ny，相位差膜之厚度為d(nm)時，可藉由「(nx-ny)×d」算出之數值。相位差層之配置角度，代表性為使直線偏光膜與相位差層，使彼等光軸以45度或135度呈交叉予以積層而形成，但實質上只要呈現防止反射機能之角度即可，不限定於使用45度或135度。關於相位差層之3次元折射率之關係，厚度方向之折射率設為nz時，可使用例如具有「nx＞ny=nz」、「nx＞ny＞nz」、「nx＞nz＞ny」等關係之相位差層。藉由使用3次元折射率具有「nx＞nz＞ny」之關係之相位差層，則不僅具有正面方向之防止反射機能，亦具有斜方向之防止反射機能。作為相位差層之波長分散性，只要在實質上呈現防止反射機能之範圍內，可以廣範圍使用正分散性～逆分散性者，但就不受波長影響而能呈現防止反射機能而言較好是使用逆分散性。相位差層，只要在實質上呈現防止反射機能之範圍內，可由複數層構成，各層之配置角度不限定。例如特開平5-27118號公報(專利文獻12)或特開平11-149015號公報(專利文獻13)揭示，使用複數片相位差薄膜來改善相位差之波長分散特性之技術。相位差層之材料，可為例如高分子素材施予一軸或二軸延伸處理而成之複折射性薄膜、液晶聚合體之配向薄膜、液晶聚合體之配向層以薄膜予以支撐者等。高分子素材可為例如PVA、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基乙烯醚、聚羥乙基丙烯酸酯、羥乙基纖維素、羥丙基纖維素、甲基纖維素、聚碳酸酯、聚芳酯、聚碸、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚醚碸、聚苯硫醚(PPS)、聚苯醚、聚丙烯基碸、聚醯胺、聚醯亞胺、聚酯、聚醚酮、聚醯胺醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚烯、聚氯乙烯、纖維素樹脂、環狀聚烯樹脂(原冰片烯(norbornene)系樹脂)、或者彼等之二維類、三維類各種共聚合體、接枝共聚合體、摻合物等。液晶聚合體可為例如賦與液晶配向性之共軛性直線狀原子團(mesogenic(液晶元))，或被導入聚合體之主鏈或側鏈的主鏈型或側鏈型之各種。主鏈型之液晶聚合體之具體例可為，以賦與彎曲性之間隔件部結合液晶元基之構造的例如向列配向性之聚酯系液晶聚合體、discotic-polymer、或cholesteric-polymer等。側鏈型之液晶聚合體之具體例可為，以聚矽氧烷、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、或聚丙二酯為主鏈骨骼，側鏈則為具有介由共軛性原子團構成之spacer(液晶層間顆粒)被賦與絲狀(namatic)配向性之對位取代(para-displacement)環狀化合物單位構成之mesogenic(液晶元)部者。彼等液晶聚合體，可為例如在對形成於玻璃板上之聚醯亞胺或PVA等薄膜表面實施摩擦處理者，對氧化矽實施斜向蒸鍍者等之配向處理面上，將液晶聚合體溶液予以展開實施熱處理而加以進行。
另一實施形態中，在上述光學薄膜積層體所包含的，非晶性熱可塑性樹脂基材之未形成有上述有機EL顯示裝置用偏光膜之面，將和上述有機EL顯示裝置用偏光膜同時被使用，用於產生圓偏光的相位差層予以貼合，於貼合之上述光學機能薄膜上形成黏著劑層，介由上述黏著劑層使分離層剝離自如地予以積層，而可以產生光學薄膜積層體。
本發明另一形態之延伸積層體，係包含：用於製造光學薄膜積層體，由施予配向的PVA系樹脂構成之延伸中間生成物；該光學薄膜積層體包含：連續網狀物之非晶性酯系熱可塑性樹脂基材；及有機EL顯示裝置用偏光膜，其由在該非晶性酯系熱可塑性樹脂基材被成膜之施予二色性物質配向的PVA系樹脂所構成；作為上述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，係使用配向函數設為0.10以下，被施予空中補助延伸之非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)；上述延伸中間生成物，係使用結晶化度為27%以上40%以下，以及配向函數設為0.05以上、0.35以下之PVA系樹脂；上述有機EL顯示裝置用偏光膜，係於上述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材被成膜之10μm以下之厚度者，而且單體透過率設為T，偏光度設為P時，具有滿足T≧42.5，以及P≧99.5之條件之光學特性者。單體透過率T更好是滿足T≧43.0之條件。
一個實施形態中，上述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材之厚度，較好是被成膜之PVA系樹脂層之厚度之6倍以上，更好是7倍以上。藉由設定非晶性酯系熱可塑性樹脂基材之厚度成為PVA系樹脂層之6倍以上，則不會有以下不良情況之發生：於製造工程之搬送時薄膜強度脆弱導致破斷之搬送不良、將包含偏光膜之積層體貼合於其他薄膜時捲曲性導致之不良或偏光膜轉印時基材太薄導致無法轉印之轉印不良。
一個實施形態中，非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，較好是配向函數設為0.10以下的，被施予空中高溫延伸處理之包含：使間苯二甲酸共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、使環己烷二甲醇共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、或其他共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯的非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯，另外，亦可設為透明樹脂。
本發明另一態樣之光學薄膜積層體之製造方法，其特徵為：該光學薄膜積層體，係在連續網狀物之非晶性熱可塑性樹脂基材對二色性物質施予配向而形成由PVA系樹脂構成之有機EL顯示裝置用偏光膜者；包含：針對包含上述非晶性熱可塑性樹脂基材及在上述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材被成膜之PVA系樹脂層的積層體，藉由空中高溫延伸而產生延伸積層體的工程，該延伸積層體係包含由施予配向之PVA系樹脂層所構成之延伸中間生成物者；針對上述延伸積層體實施二色性物質之吸附，而產生著色積層體的工程，該著色積層體係包含對二色性物質施予配向之PVA系樹脂層所構成之著色中間生成物者；及針對上述著色積層體實施硼酸水溶液中之延伸，而產生光學薄膜積層體的工程，該光學薄膜積層體係包含對二色性物質施予配向之PVA系樹脂所構成之有機EL顯示裝置用偏光膜者；上述有機EL顯示裝置用偏光膜，其之單體透過率T與偏光度P所構成之光學特性值，係在T≧42.5，以及P≧99.5表示之範圍內，上述有機EL顯示裝置用偏光膜之厚度為10μm以下。單體透過率T更好是T≧43.0。非晶性熱可塑性樹脂基材可設為非晶性酯系熱可塑性樹脂基材。
一個實施形態中，非晶性酯系熱可塑性樹脂基材之厚度，較好是被成膜之PVA系樹脂層之厚度之6倍以上，更好是7倍以上。藉由設定非晶性酯系熱可塑性樹脂基材之厚度成為PVA系樹脂層之6倍以上，則不會有以下不良情況之發生：於製造工程之搬送時薄膜強度脆弱導致破斷之搬送不良、將包含偏光膜之積層體貼合於其他薄膜時捲曲性導致之不良或偏光膜轉印時基材太薄導致無法轉印之轉印不良。
參照圖1，圖1表示針對非晶性酯系熱可塑性樹脂基材之厚度與PVA系樹脂層之塗布厚度(偏光膜厚度)之間是否產生不良加以確認者。如圖1所示，在約5倍厚度時搬送性會有問題。
本實施形態中，薄型高機能偏光膜膜厚較好是10μm以下。厚度為3～10μm之薄型高機能偏光膜時，如表示薄型偏光膜之偏光性能的圖2之T-P分布圖所示，可以確認於3μm、8μm、10μm之各偏光性能不存在有意義之差，具有滿足上述不等式之光學特性。圖2表示，至少厚度不大於10μm之薄型高機能偏光膜，不必擔心龜裂、耐久性問題，而可獲得蠻組要求性能之光學特性者。
一實施形態中，非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，可以包含：使間苯二甲酸共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、使環己烷二甲醇共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、或其他共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯的非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯。非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，較好是透明樹脂，可以構成保護有機EL顯示裝置用偏光膜之一面的光學機能薄膜。另外，二色性物質，可為碘(I)或碘與有機染料之混合物之任一。
一個實施形態中，可以包含在非晶性熱可塑性樹脂基材形成PVA系樹脂層之工程。該工程並未特別限制，可設為在非晶性熱可塑性樹脂基材塗布PVA系樹脂，施予乾燥之工程。
一個實施形態中，空中補助延伸，較好是延伸倍率為3.5倍以下，延伸溫度為PVA系樹脂之玻璃轉移溫度以上。另外，空中補助延伸之延伸溫度更好是95℃～150℃之範圍。
一個實施形態中，經由空中補助延伸而產生之包含配向完成之PVA系樹脂層的積層體，並不限定於此，藉由浸漬於二色性物質之碘之染色液，可以產生包含碘配向之PVA系樹脂層的著色積層體。
一個實施形態中，在浸漬於染色液之前，較好是事先對延伸積層體實施不溶化處理。具體言之為，該工程並不特別限定，可以藉由將延伸中間生成物浸漬於液溫30℃之硼酸水溶液30秒，而對包含於延伸積層體的PVA分子被施予配向完成之PVA系樹脂層實施不溶化處理的工程。本工程之硼酸水溶液為，對於水100重量部含有硼酸3重量部。該不溶化工程追求之技術問題在於，至少於染色工程中，使包含於延伸積層體之PVA系樹脂層不會溶解。稱呼此為第1不溶化時，在硼酸水溶液中，針對包含施予二色性物質配向後之PVA系樹脂層的著色積層體實施延伸之前，將該著色積層體浸漬於液溫40℃之硼酸水溶液60秒，而實施架橋處理，而進行不溶化的工程，稱該不溶化工程為第2不溶化處理。第1、第2不溶化，均為在本發明之實施形態中，對最終製造之光學薄膜積層體所包含之有機EL顯示裝置用偏光膜之光學特性帶來影響。
一個實施形態中，藉由自由端1軸延伸進行空中補助延伸時，較好是最終形成於非晶性熱可塑性樹脂基材之PVA系樹脂層之總延伸倍率成為5倍以上、7.5倍以下。另外，藉由固定端1軸延伸進行空中補助延伸時，較好是最終形成於非晶性熱可塑性樹脂基材之PVA系樹脂層之總延伸倍率成為5倍以上、8.5倍以下。
一個實施形態中，可以另包含：洗淨工程，係藉由包含較包含於光學薄膜積層體之非晶性熱可塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度為低溫的碘化物鹽之水溶液，對上述光學薄膜積層體進行洗淨，該光學薄膜積層體係包含施予二色性物質配向後之PVA系樹脂所構成之有機EL顯示裝置用偏光膜者。另外，亦可以另包含：乾燥工程，於50℃以上、100℃以下溫度對洗淨後之光學薄膜積層體進行乾燥。
一個實施形態中，可以另包含：在乾燥後之光學薄膜積層體所包含之非晶性熱可塑性樹脂基材上形成之有機EL顯示裝置用偏光膜之另一面，將光學機能薄膜予以積層的工程。或者，可以另包含：在乾燥後之光學薄膜積層體所包含的，非晶性熱可塑性樹脂基材之未形成有有機EL顯示裝置用偏光膜之面，將光學機能薄膜予以積層之同時，藉由將上述非晶性熱可塑性樹脂基材由有機EL顯示裝置用偏光膜予以剝離，而將有機EL顯示裝置用偏光膜轉印至光學機能薄膜，而產生在光學機能薄膜被轉印著有機EL顯示裝置用偏光膜的光學機能薄膜積層體的工程。於產生之光學機能薄膜積層體，如後述說明，可得各種態樣。
本發明另一態樣之有機EL顯示裝置，其特徵為：使積層體，於第1相位差層側之面介由光學透明之黏著劑層，予以接合於有機EL顯示面板之一面，在上述第1相位差層之相反側的偏光膜之面，將透明樹脂材料之保護層予以接合，上述積層體係包含：偏光膜，其由施予二色性物質配向的PVA系樹脂構成，厚度為10μm以下，以單體透過率T及偏光度P表示光學特性時，能滿足T≧42.5，以及P≧99.5之條件而構成者；及上述第1相位差層；上述積層體，係用於防止由上述偏光膜之辨識側射入內部之光於內部被反射而由辨識側射出，而產生圓偏光者。單體透過率T更好是T≧43.0。該偏光膜，可以藉由空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程進行延伸而予以製造。
第1相位差層，係用於防止由偏光膜之辨識側射入內部之光在內部被反射而由辨識側射出，系和偏光膜同時被使用而產生圓偏光者。其中，作為圓偏光，只要在實質上呈現防止反射機能之範圍內亦可包含橢圓偏光。第1相位差層之構成、性質等，係和上述光學機能薄膜積層體之實施形態所示相位差層同樣。
另外，包含偏光膜及第1相位差層之積層體，除偏光膜及第1相位差層以外，亦可包含例如接合於偏光膜之第1相位差層側之面的容易接著層、擴散層、保護層等之層。
一個實施形態中，偏光膜與第1相位差層係被接合。藉由此一構成，則和習知構成比較可以大幅，或者和上述態樣之構成比較可以更進一步減輕產生於有機EL顯示面板之變形。亦即，偏光膜具有對於周圍之環境變化容易產生伸縮之性質。該偏光膜之伸縮將對顯示面板施加產生變形之力。該產生變形之力在偏光膜與顯示面板越接近時變為越小，結果具有減輕顯示面板之變形之傾向。使用習知之PVA系樹脂單層膜製成之偏光膜時，為抑制偏光膜之伸縮，減輕溫度或濕度之影響，須於偏光膜兩側貼合保護膜。相對於此，本發明之厚度10μm以下之偏光膜，因為偏光膜之伸縮應力小，無須於兩側積層保護膜。因此，可省略顯示面板與偏光膜間之保護層，縮小顯示面板與偏光膜間之距離，減輕施加於顯示面板之產生變形之力。本發明之厚度10μm以下之偏光膜，因為可以縮小偏光膜之伸縮應力，可省略顯示面板與偏光膜間之保護層，減輕施加於顯示面板之產生變形之力，和習知構成之比較可以大幅，或者和上述態樣之構成比較可以更進一步減輕變形。
另一實施形態中，有機EL顯示裝置，可具備配置於保護層外側之窗口(window)。另外，可在該保護層與偏光膜之間以及偏光膜與有機EL顯示面板之間之其中至少一方配置擴散層。可在偏光膜與保護層之間形成容易接著層，以使該偏光膜與該保護層之間之接著變為容易。可在保護層形成防止帶電層。保護層，可以和上述偏光膜同時被使用而構成產生圓偏光之第2相位差層。藉由該構成，由偏光膜射出之直線偏光會被轉換為圓偏光，優點為例如視聽者帶著偏光太陽眼鏡時亦可以無礙辨識。
另一實施形態中，偏光膜，係對酯系熱可塑性樹脂材料之基材上施予塗布形成之PVA系樹脂層，連同該熱可塑性樹脂基材進行延伸而形成者，該透明樹脂材料之保護層，係由和該PVA系樹脂層同時被延伸之該熱可塑性樹脂基材構成。此情況下，酯系熱可塑性樹脂材料可使用非晶性PET。
另一實施形態中，透明樹脂材料之保護層，係由纖維素系材料或丙烯基系樹脂材料構成。
另一實施形態中，該透明樹脂材料之保護層，可以設為包含3D電視用顯示裝置所使用之圖案相位差層。該圖案相位差層之例有例如pattern‧Retard，記載於「EKISHO」Vol. 14、No. 4、2010、pp219~232揭示之松廣獻治之「Xpo1以及其在3D-TV之應用」(非專利文獻1)。
另一實施形態中，可對有機EL顯示面板配置在辨識側具有觸控檢測機能的觸控面板積層體。於該構成，觸控面板積層體可設為，施予圖案化之成對之透明電極介由介電體層被配置而構成之容量型觸控面板。
此情況下，觸控面板積層體，較好是配置於辨識側最外構件與偏光膜之間。觸控面板積層體，可配置於偏光膜與顯示面板之間。另外，觸控面板積層體可為，圖案話之透明電極介由空氣間隙而和對向電極呈對向被配置而構成之電阻膜型觸控面板，於該構成，觸控面板積層體被配置於辨識側最外構件與偏光膜之間、或者偏光膜與顯示面板之間。
 (偏光膜關連之技術背景)
作為偏光膜之背景技術，以下說明本發明使用之熱可塑性樹脂基材之材料特性及偏光膜之偏光性能所表示之光學特性。
首先，概略說明本發明使用之熱可塑性樹脂之通常之材料特性。
熱可塑性樹脂大類可以劃分為高分子具有正確規則配列之結晶狀態者，及高分子不具有正確規則配列、或僅一部分具有正確規則配列之無定形或非晶質狀態者。前者稱為結晶狀態，後者稱為無定形或非晶狀態。和其對應地，雖非為結晶狀態，但具有隨條件變化而可以作成結晶狀態之性質的熱可塑性樹脂，則被稱為結晶性樹脂，不具有此一性質的熱可塑性樹脂則稱為非晶性樹脂。另外，不論其是否為結晶性樹脂或非晶性樹脂，非為結晶狀態或無法成為結晶狀態之樹脂則稱為非晶質(amorphous)之樹脂。其中，非晶質之用語，係為了和非晶性(意味著未作成結晶狀態之性質者)用語之區別而予以使用者。
作為結晶性樹脂，例如有包含PE(聚乙烯)及PP(聚丙烯)之烯系樹脂，包含PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)及PBT(聚對苯二甲酸丁二醇酯)的酯系樹脂。結晶性樹脂之特徵之一為，藉由通常之加熱及/或延伸配向使高分子配列而促進結晶化之性質。樹脂之物性會對應於結晶化程度做各種變化。另外，例如PP(聚丙烯)及PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)等之結晶性樹脂，藉由阻礙加熱處理或延伸配向引起之高分子配列，亦可以達成結晶化之抑制。被抑制結晶化的彼等之PP(聚丙烯)及PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)，係分別稱為非晶性PP(非晶性聚丙烯)及非晶性PET(非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯)，將彼等總稱為非晶性烯系樹脂及非晶性酯系樹脂。
例如PP(聚丙烯)，藉由設為無立體規則性之無規則構造，可以抑制其結晶化而作成為非晶性PP。另外，例如PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)之情況下，作為聚合單體，藉由使間苯二甲酸、1,4-環己烷二甲醇等之變性基進行共聚合、亦即藉由阻礙PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)之結晶化的分自共聚合，可以抑制結晶化而作成為非晶性PET。
以下，概略說明可以使用於有機EL顯示元件的偏光膜之光學特性。
偏光膜之光學特性，簡單言之為以偏光度P及單體透過率T表示之偏光性能。通常，偏光膜之偏光度P與單體透過率T具有取捨之關係。該2個光學特性值可藉由T-P圖表來表示。於T-P圖表中，被繪製之線處於單體透過率高的方向，而且越是位於偏光度高的方向，偏光膜之偏光性能越好。
以下參照如圖3所示T-P圖表，理想之光學特性為T=50%、P=100%之情況。由圖可知之傾向為，T值低時P值越容易提升，T值越高P值越不容易提升。另外，參照如圖4所示以透過率T與偏光度P之函數表示之偏光膜之偏光性能，針對偏光膜之單體透過率T與偏光度P，可以考慮圖4之線1(T=42.5)及線2(P=99.5)之更上方之區域所決定之範圍，係有機EL顯示裝置之偏光膜之偏光性能所要求之光學特性。較好是單體透過率T為T≧43.0。另外，單體透過率T之理想值雖為50%，但考慮光透過偏光膜時，出現一部分之光被偏光膜與空氣之界面反射之現象，考慮該反射現象時，單體透過率T會減少相當於反射量之部分，因此實際上可達成之T值之最大值約45～46%。
另外，偏光度P，係和有機EL顯示面板使用之圓偏光板針對有機EL顯示面板之外光之內部反射所能減少之機能有關，偏光度越高，則所能減低外光之內部反射之性能會變高。以下，首先說明有機EL顯示裝置。
有機EL顯示裝置，通常具有在透明基板上依序積層透明電極、有機發光層及金屬電極而成之發光體(有機EL發光體)。上述有機發光層為各種有機薄膜之積層體，例如為三苯胺衍生物等構成之電洞注入層與蒽等之螢光性有機固體構成之發光層之積層體，或此等發光層與紫蘇烯衍生物等構成之電子注入層之積層體，或上述電洞注入層、發光層、電子注入層之積層體等各種組合。
此種有機EL顯示裝置，係藉由對上述陽極與陰極施加電壓，使電洞及電子注入上述有機發光層，藉由上述電洞與電子再度結合產生之能量，而激發螢光物質，激發之螢光物質回復基底狀態時會放射光之原理進行發光。上述電洞與電子再度結合之機制，通常和二極體同樣，電流與發光強度相對於施加電壓會伴隨整流性而呈現非線性特性。
於有機EL顯示裝置，為取出有機發光層之發光，至少一方電極須為透明，通常以ITO(氧化銦錫)等透明導電體形成之透明電極作為陽極使用。另外，為容易注入電子提升發光效率，使用工作函數小的物質作為陰極乃重要者，通常使用Mg-Ag、Al-Li等之金屬電極。
於此一構成之有機EL顯示裝置，上述有機發光層較好是由例如厚度約10nm之極薄之膜形成。此乃因為，於上述有機發光層，係和透明電極同樣，大致完全透過光。結果，由上述透明基板表面射入，透過上述透明電極極有機發光層，於上述金屬電極被反射之光等之內部被反射之光，會再度朝上述透明基板表面側射出。因此，特別是在非發光之暗狀態時，由外部辨識時，有機EL顯示裝置之顯示面被觀察成為鏡面。
為防止來自金屬電極之反射等之內部反射，而提案例如將偏光膜和1/4波長相位差板等之相位差板同時使用。上述相位差板以及偏光膜，具有例如使由外部射入而於上述金屬電極被反射之光進行偏光之作用，藉由該偏光作用可以獲得，由外部不會辨識出上述金屬電極之鏡面之效果。特別是相位差板使用1/4波長相位差板，而且調整上述偏光膜與上述相位差板間之偏光方向之構成角度成為π/4時，可以完全遮斷上述金屬電極之鏡面。亦即，記憶裝置上述偏光膜，可使射入該有機EL顯示裝置之外部光之中，僅有透過軸方向之直線偏光成份會透過。該直線偏光經過上述相位差板通常會成為橢圓偏光，特別是上述相位差板為1/4波長板，而且上述角度為π/4時，會成為圓偏光。
該圓偏光，會透過例如透明基板、透明電極、有機薄膜，於金屬電極被反射，再度透過有機薄膜、透明電極、透明基板，於上述相位差板再度成為直線偏光。該直線偏光，亦於上述偏光板之透過軸方向呈正交，因此無法透過上述偏光板。結果，如上述說明，可以完全遮蔽金屬電極之鏡面。
因此，欲設定顯示器之內部反射率為特定值以下時，需要將偏光膜之正交透過率(偏光膜之吸收軸設為正交狀態時之透過率)設為特定值以下，此意味著需要將偏光膜之偏光度設為特定值以上。
結論，由線1(T=42.5)及線2(P=99.5)更上方之區域所決定之範圍，亦即能滿足單體透過率為42.5以上、而且偏光度為99.5以上，較好是單體透過率為43.0以上、而且偏光度為99.5以上之光學特性的偏光膜，可以使用作為有機EL顯示裝置用之偏光膜。
(偏光膜之製造相關之實施例)
作為本發明之有機EL顯示裝置使用之偏光膜之實施例，係如實施例1～25所示。又，本發明不限定於彼等實施例。彼等實施例之中，實施例1～18所製造之偏光膜之製造條件，係如圖27、28所示。另外，作為對比例而作成參照例及比較例。圖29之表格係針對第1段之空中高溫延伸後之實施例1～25及參照例1～3之延伸積層體之各個，將PET樹脂基材之配向函數值予以表示者。另外，以下表示厚度、透過率、偏光度之測定方法，PET之配向函數、PVA之配向函數、PVA之結晶化度之評估方法。
(厚度之測定方法)
非晶性PET基材、結晶性PET基材、以及PVA層之厚度，係使用數位式微米表(Anritsu公司製KC-351C)予以測定。
(透過率及偏光度之測定方法)
偏光膜之單體透過率T、平行透過率Tp、正交透過率Tc，可使用紫外可視分光光度計(日本分光社製V7100)予以測定。彼等之T、Tp、Tc，係藉由JIS Z 8701之2度視野(C光源)進行測定而進行視感度補正之Y值。
偏光度P可使用上述透過率，由以下之式算出
偏光度P(%)={(Tp-Tc)/(Tp+Tc)}1/2 ×100
(PET之配向函數之評估方法)
測定裝置係使用傅立葉(Fourier)轉換紅外分光光度計(FT-IR)(Perkin Elmer社製，商品名：「SPECTRUM2000」)。以偏光作為測定光，藉由全反射衰減分光(ATR：attenuated total reflection)測定，進行PET樹脂層表面之評估。配向函數之計算如下進行。使測定偏光對於延伸方向設為0度以及90度之狀態實施測定。使用獲得之光譜之於1340cm-1 之吸收強度，依據以下之式(4)(非專利文獻3)而算出。又，f=1時成為完全配向，f=0時成為隨機。另外，1340cm-1 之峰值，可謂PET之乙二醇單元之甲撐基引起之吸收。
(式4)f=(3<cos2 θ>-1)/2=[(R-1)(R0 +2)]/[(R+2)(R0 -1)]=(1-D)/[c(2D+1)]=一2×(1-D)/(2D+1)
其中，
c=(3cos2 β-1)/2
β=90度
θ：分子鏈相對於延伸方向之角度
β：遷移雙極子力矩相對於分子鏈軸之角度
R0 =2cot2 β
1/R=D=(I⊥)/(I//)
(PET之配向越高，D之值變為越大)
I⊥：使偏光射入延伸方向及垂直方向而測定時之吸收強度
I//：使偏光射入延伸方向及平行方向而測定時之吸收強度
(PVA之配向函數之評估方法)
測定裝置係使用傅立葉(Fourier)轉換紅外分光光度計(FT-IR)(Perkin Elmer社製，商品名：「SPECTRUM2000」)。以偏光作為測定光，藉由全反射衰減分光(ATR：attenuated total reflection)測定，進行PVA樹脂層表面之評估。配向函數之計算如下進行。使測定偏光對於延伸方向設為0度以及90度之狀態實施測定。使用獲得之光譜之於2941cm-1 之吸收強度，依據上述之式(4)而算出。又，以下強度I係以3330cm-1 為參照峰值，使用2941cm-1 /3330cm-1 之值。由，f=1時成為完全配向，f=0時成為隨機。另外，2941cm1 之峰值，可謂PVA之主鏈(-CH2-)之振動引起之吸收。
(PVA之結晶化度之評估方法)
測定裝置係使用傅立葉(Fourier)轉換紅外分光光度計(FT-IR)(Perkin Elmer社製，商品名：「SPECTRUM2000」)。以偏光作為測定光，藉由全反射衰減分光(ATR：attenuated total reflection)測定，進行PVA樹脂層表面之評估。結晶化度之計算如下進行。使測定偏光對於延伸方向設為0度以及90度之狀態實施測定。使用獲得之光譜之於1141cm-1 及1440cm-1 之強度，依據以下之式而算出。事先確認1141cm-1 之強度大小和結晶部分之量具有相關性，以1440cm-1 為參照峰值，使用以下之式算出結晶化指數。(式6)另外，結晶化度，係使用已知之PVA樣本，事先作成結晶化指數及結晶化度之檢量線，使用檢量線由結晶化指數算出結晶化度。(式5)
(式5)結晶化度=63.8×(結晶化指數)-44.8
(式6)結晶化指數=((I(1141cm-1 )0°+2×I(1141cm-1 )90°)/3)/((I(1440cm-1 )0°+2×I(1440cm-1 )90°)/3)其中，
I(1141cm-1 )0°：使偏光射入延伸方向及平行方向而測定時之1141cm-1 之強度
I(1141cm-1 )90°：使偏光射入延伸方向及垂直方向而測定時之1141cm-1 之強度
I(1440cm-1 )0°：使偏光射入延伸方向及平行方向而測定時之1440cm-1 之強度
I(1440cm-1 )90°：使偏光射入延伸方向及垂直方向而測定時之1440cm-1 之強度
(實施例1)
共聚合6mol%之間苯二甲酸而製成間苯二甲酸共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯(以下稱為(非晶性PET)之連續網狀物之基材，以其作為非晶性酯系熱可塑性樹脂基材。非晶性PET之玻璃轉移溫度為75℃。如下製作連續網狀物之非晶性PET基材與PVA(聚乙烯醇)層構成之積層體。PVA之玻璃轉移溫度為80℃。
準備厚度200μm之非晶性PET基材，以及聚合度1000以上、皂化度99%以上之PVA粉末溶解於水而成之4～5重量%濃度之PVA水溶液。其中，濃度係指對於全體溶液量之分配比例。以下之本說明書中濃度之用語亦為同樣之意義。之後，將PVA水溶液塗布於上述厚度200μm之非晶性PET基材，於50～60℃溫度下乾燥，於非晶性PET基材上製作厚度7μm之PVA層之膜。以下將其稱為「於非晶性PET基材上製作有7μm厚度之PVA層的積層體」，或「包含7μm厚度之PVA層的積層體」，或簡單稱為「積層體」。
針對包含7μm厚度之PVA層的積層體，藉由包含空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程的以下工程，而製作成為3μm厚度之偏光膜。藉由第1段之空中補助延伸工程，使包含7μm厚度之PVA層的積層體和非晶性PET基材一體延伸，而產生包含5μm厚度之PVA層的延伸積層體。以下稱其為「延伸積層體」。具體言之為，延伸積層體，係使包含7μm厚度之PVA層的積層體，架設於設定成為130℃延伸溫度環境之烤爐內配備之延伸裝置，以使延伸倍率成為1.8倍的方式朝自由端1軸延伸者。藉由該延伸處理，使延伸積層體內之PVA層之PVA分子變化為被配向之5μm厚度之PVA層。
之後，藉由染色工程使PVA分子被配向之5μm厚度之PVA層吸附碘而產生著色積層體。以下稱其為「著色積層體」。具體言之為，著色積層體，係使延伸積層體浸漬於液溫30℃之包含碘及碘化鉀之染色液中，以最終產生之構成偏光膜的PVA層之單體透過率成為40～44%的方式，實施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包含於延伸積層體之PVA層者。本工程中之染色液，係以水為溶媒，碘濃度設為0.12～0.30重量%範圍內，碘化鉀濃度設為0.7～2.1重量%範圍內。碘與碘化鉀之濃度比設為1：7。其中，碘濃度係指全部溶液量之中碘之分配比例，例如不包含碘化鉀等作為碘化物被添加之碘之量。以下之本說明書中，碘濃度之用語液具有同樣之意義。
附帶說明，欲使碘溶解於水時需要碘化鉀。更詳言之為，於碘濃度0.30重量%、碘化鉀濃度2.1重量%之染色液，將延伸積層體浸漬60秒，使碘吸附於PVA分子施予配向之5μm厚度之PVA層而成為著色積層體。於實施例1，藉由變化延伸積層體浸漬於碘濃度0.30重量%、碘化鉀濃度2.1重量%之染色液之時間，以使最終產生之偏光膜之單體透過率成為40～44%的方式，調整碘吸收量，而產生單體透過率及偏光度設為不同之各種著色積層體。
另外，藉由第2段之硼酸水中延伸工程，進一步使著色積層體與非晶性PET基材一體延伸，產生包含用於構成3μm厚度之偏光膜的PVA層之光學薄膜積層體。以下稱其為「光學薄膜積層體」。具體言之為，光學薄膜積層體，係將著色積層體架設於設定成為包含硼酸與碘化鉀的液溫範圍60～85℃之硼酸水溶液之處理裝置內所配備之延伸裝置，以使延伸倍率成為3.3倍的方式朝自由端1軸延伸者。更詳言之為，硼酸水溶液的液溫為65℃。另外，對於水100重量部將硼酸含有量設為4重量部，對於水100重量部將碘化鉀含有量設為5重量部。
本工程中，首先使調整碘吸收量後之著色積層體浸漬於硼酸水溶液5～10秒。之後，使該著色積層體於此狀態下通過配備於處理裝置之延伸裝置之周速不同的複數組輥輪間，維持30～90秒使延伸倍率成為3.3倍的方式朝自由端1軸延伸。藉由該延伸處理，含於著色積層體之PVA層，其吸附之碘會成為多碘離子錯合物被高次配向於一方向而變化為3μm厚度之PVA層。該PVA層係構成光學薄膜積層體之偏光膜。
如上述說明之實施例1，首先製成在非晶性PET基材形成有7μm厚度之PVA層的積層體，對該積層體實施延伸溫度130℃之空中補助延伸而產生延伸積層體，之後，藉由染色工程由延伸積層體產生著色積層體，更進一步對著色積層體實施延伸溫度65度之硼酸水中延伸，以使總延伸倍率成為5.94倍的方式產生包含在非晶性PET基材被一體延伸之3μm厚度之PVA層的光學薄膜積層體。藉由該2段延伸，製作於非晶性PET基材之PVA層之PVA分子被實施高次配向，經由染色而吸附之碘會以多碘離子錯合物被高次配向於一方向而構成偏光膜，產生含有構成該偏光膜之3μm厚度之PVA層的光學薄膜積層體。
雖非為光學薄膜積層體之製造必要之工程，但可藉由洗淨工程，將光學薄膜積層體由硼酸水溶液取出，使成膜於非晶性PET基材的3μm厚度之PVA層之表面附著的硼酸，藉由碘化鉀溶液進行洗淨。之後，藉由乾燥工程於60℃溫風下對洗淨後之光學薄膜積層體實施乾燥。又，洗淨工程係為消除硼酸析出等外觀不良之工程。
之後，藉由貼合及/或轉印工程，在成膜於非晶性PET基材的3μm厚度之PVA層表面塗布接著劑之同時，貼合80μm厚度之TAC(三乙酸纖維素類)薄膜之後，剝離非晶性PET基材，而將3μm厚度之PVA層轉印至80μm厚度之TAC(三乙酸纖維素類)薄膜。
(實施例2)
實施例2，係和實施例1同樣，首先，製成在非晶性PET基材成膜有7μm厚度之PVA層的積層體，之後，對該含有7μm厚度之PVA層的積層體實施空中補助延伸而產生倍率成為1.8倍延伸之延伸積層體，之後，使延伸積層體浸漬於液溫30℃之包含碘及碘化鉀的染色液，吸收碘而產生包含PVA層的著色積層體。實施例2係包含和實施例1不同之以下之架橋工程。其為使著色積層體浸漬於40℃之硼酸架橋水溶液60秒，對吸附碘的PVA層之PVA分子彼此實施架橋處理之工程。本工程之硼酸架橋水溶液，對於水100重量部將硼酸含有量設為3重量部，對於水100重量部將碘化鉀含有量設為3重量部。
實施例2之架橋工程，至少達成3種技術作用。第1為，於後續工程之硼酸水中延伸，使著色積層體包含之薄膜化之PVA層不會被溶解的不溶化作用。第2為，使著色於PVA層之碘不會溶出的著色穩定化作用。第3為，針對PVA層之分子彼此實施架橋處理，而產生鍵結點的鍵結點產生作用。
之後，實施例2係使架橋處理後之著色積層體，浸漬於較實施例1之延伸溫度65℃高的75℃之硼酸水中延伸浴，和實施例1同樣，使延伸倍率成為3.3倍的方式實施延伸而產生光學薄膜積層體。另外，實施例2之洗淨工程、乾燥工程、貼合及/或轉印工程均和實施例1同樣。
另外，為使先於硼酸水中延伸工程之架橋工程所欲獲得之技術作用更明確，在將實施例1之未實施架橋處理的著色積層體浸漬於延伸溫度70～75℃之硼酸水中延伸浴時，包含於著色積層體之PVA層係於硼酸水中延伸浴被溶解，而不會被延伸。
(實施例3)
實施例3，係和實施例1同樣，首先，製成在非晶性PET基材成膜有7μm厚度之PVA層的積層體，之後，對該含有7μm厚度之PVA層的積層體實施空中補助延伸而產生倍率成為1.8倍延伸之延伸積層體。實施例3係包含和實施例1不同之以下之不溶化工程。其為使延伸積層體浸漬於液溫30℃之硼酸不溶化水溶液30秒，對延伸積層體所包含之PVA分子被配向的PVA層實施不溶化的工程。本工程之硼酸不溶化水溶液，對於水100重量部將硼酸含有量設為3重量部。實施例3之不溶化工程追求之技術作用在於，至少於後續工程之染色工程中，使含於延伸積層體之PVA層不溶解而實施不溶化。
之後，實施例3，係使實施不溶化處理後之延伸積層體，和實施例1同樣，浸漬於液溫30℃之包含碘及碘化鉀的染色液，吸收碘而產生包含PVA層的著色積層體。之後，使產生之著色積層體，浸漬於和實施例1同樣之延伸溫度65℃之硼酸水中延伸浴，和實施例1同樣，使延伸倍率成為3.3倍的方式實施延伸而產生光學薄膜積層體。另外，實施例3之洗淨工程、乾燥工程、貼合及/或轉印工程均和實施例1同樣。
另外，為使先於染色工程之不溶化工程所欲獲得之技術作用更明確，首先，對實施例1之未實施不溶化處理的延伸積層體實施染色處理而產生著色積層體，將產生之著色積層體浸漬於延伸溫度70～75℃之硼酸水中延伸液時，包含於著色積層體之PVA層，如實施例2所示，係於硼酸水中延伸液被溶解，而不會被延伸。
之後，以水為溶媒，取代碘濃度設為0.30重量%之實施例1之染色液，改用碘濃度設為0.12～0.25重量%，其他條件不變之染色液，使實施例1之未實施不溶化處理的延伸積層體浸漬於該染色液時，包含於延伸積層體之PVA層會被溶解於染色浴，無法實施染色。但是，使用實施例3之已實施不溶化處理的延伸積層體時，即使染色液之碘濃度設為0.12～0.25重量%時，PVA層亦不會被溶解，而可以實施對PVA層之染色。
在染色液之碘濃度設為0.12～0.25重量%亦可以實施對PVA層之染色的實施例3，係將延伸積層體對染色液之浸漬時間設為一定，使染色液之碘濃度及碘化鉀濃度於實施例1所示一定範圍內變化，而使最終產生之偏光膜之單體透過率成為40～44%的方式調整碘吸收量，而產生單體透過率與偏光度設為不同之各種著色積層體。
(實施例4)
實施例4，係藉由在實施例1之製造工程附加實施例3之不溶化工程及實施例2之架橋工程而成之製造工程來產生光學薄膜積層體。首先，製成在非晶性PET基材成膜有7μm厚度之PVA層的積層體，之後，對該含有7μm厚度之PVA層的積層體實施空中補助延伸而產生延伸倍率成為1.8倍朝自由端1軸延伸之延伸積層體。和實施例3同樣，實施例4係使產生之延伸積層體浸漬於液溫30℃之硼酸不溶化水溶液30秒，對延伸積層體所包含之PVA分子被配向的PVA層實施不溶化的工程。另外，和實施例3同樣，實施例4，係更進一步使包含不溶化處理後之PVA層的延伸積層體，浸漬於液溫30℃之包含碘及碘化鉀的染色液，吸收碘而產生包含PVA層的著色積層體。
和實施例2同樣，實施例4，係藉由架橋工程使產生之著色積層體浸漬於40℃之硼酸架橋水溶液60秒，對吸附碘的PVA層之PVA分子彼此實施架橋處理。另外，實施例4更進一步使架橋處理後之著色積層體，浸漬於較實施例1之延伸溫度65℃高的延伸溫度75℃之硼酸水中延伸液5～10秒，和實施例2同樣，使延伸倍率成為3.3倍的方式實施自由端1軸延伸而產生光學薄膜積層體。另外，實施例4之洗淨工程、乾燥工程、貼合及/或轉印工程均和實施例1～3同樣。
另外，和實施例3同樣，實施例4即使染色液之碘濃度設為0.12～0.25重量%時，PVA層亦不會溶解。於實施例4，係將延伸積層體對染色液之浸漬時間設為一定，使染色液之碘濃度及碘化鉀濃度於實施例1所示一定範圍內變化，而使最終產生之偏光膜之單體透過率成為40～44%的方式調整碘吸收量，而產生單體透過率與偏光度設為不同之各種著色積層體。
如上述說明，實施例4，係首先製成在非晶性PET基材成膜有7μm厚度之PVA層的積層體，之後，對該含有7μm厚度之PVA層的積層體實施空中補助延伸，而產生延伸倍率成為1.8倍朝自由端1軸延伸之延伸積層體。使產生之延伸積層體浸漬於液溫30℃之硼酸不溶化水溶液30秒，對延伸積層體所包含之PVA層實施不溶化處理。使包含不溶化處理後之PVA層的延伸積層體，浸漬於液溫30℃之包含碘及碘化鉀的染色液，於不溶化之PVA層吸收碘而產生著色積層體。使包含吸收碘之PVA層的著色積層體，浸漬於40℃之硼酸架橋水溶液中60秒，對吸附碘的PVA層之PVA分子彼此實施架橋處理。使包含架橋處理後之PVA層的著色積層體，浸漬於包含硼酸及碘化鉀的液溫75℃之硼酸水中延伸液中5～10秒，之後，藉由硼酸水中延伸使倍率成為3.3倍朝自由端1軸延伸而產生光學薄膜積層體。
實施例4，係藉由空中高溫延伸及硼酸水中延伸之2段延伸，以及先於染色浴之浸漬之不溶化及先於硼酸水中延伸的架橋構成之前處理，使成膜於非晶性PET基材之PVA層之PVA分子實施高次配向，使經由染色而確實吸附於PVA分子的碘成為多碘離子錯合物被高次配向於一方向而變化為3μm厚度之PVA層，該PVA層係構成光學薄膜積層體之偏光膜，可以穩定產生光學薄膜積層體。
(實施例5)
除以下差異以外，實施例5係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於成膜於非晶性PET基材之PVA層之厚度。於實施例4，係由7μm厚度之PVA層，獲得最終包含於光學薄膜積層體之PVA層為3μm厚度。相對於此，實施例5，係由12μm厚度之PVA層，獲得最終包含於光學薄膜積層體之PVA層為5μm厚度。
(實施例6)
除以下差異以外，實施例6係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於非晶性PET基材使用之聚合單體。於實施例4，係使用間苯二甲酸共聚合於PET的非晶性PET基材。相對於此，於實施例6，係使用變性基之1,4-環己烷二甲醇共聚合於PET的非晶性PET基材。
(實施例7)
除以下差異以外，實施例7係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：以使總延伸倍率成為6倍或接近6倍之值的方式，分別變化空中補助延伸與硼酸水中延伸之個別之延伸倍率。於實施例4，係將空中補助延伸與硼酸水中延伸之個別之延伸倍率設為1.8倍及3.3倍。相對於此，於實施例7，係將個別之延伸倍率設為1.2倍及4.9倍。但是實施例4之總延伸倍率為5.94倍，相對於此，實施例7之總延伸倍率為5.88倍。此乃因為，於硼酸水中延伸，延伸倍率無設為4.9倍以上之延伸。
(實施例8)
除以下差異以外，實施例8係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：以使總延伸倍率成為6倍的方式，分別變化空中補助延伸與硼酸水中延伸之個別之延伸倍率。於實施例8，係將個別之延伸倍率設為1.5倍及4.0倍。
(實施例9)
除以下差異以外，實施例9係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：以使總延伸倍率成為6倍的方式，分別變化空中補助延伸與硼酸水中延伸之個別之延伸倍率。於實施例9，係將個別之延伸倍率設為2.5倍及2.4倍。
(實施例10)
除以下差異以外，實施例10係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：於實施例4將空中補助延伸之延伸溫度設為130℃。相對於此，於實施例10，係將空中補助延伸之延伸溫度設為95℃。
(實施例11)
除以下差異以外，實施例11係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：於實施例4將空中補助延伸之延伸溫度設為130℃。相對於此，於實施例11，係將空中補助延伸之延伸溫度設為110℃。
(實施例12)
除以下差異以外，實施例12係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：於實施例4將空中補助延伸之延伸溫度設為130℃。相對於此，於實施例12，係將空中補助延伸之延伸溫度設為150℃。
(實施例13)
除以下差異以外，實施例13係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸倍率設為1.8倍，硼酸水中延伸之延伸倍率設為2.8倍。於實施例4將總延伸倍率設為約6倍(正確言之為5.94倍)，相對於此，於實施例13，藉此而將總延伸倍率設為約5倍(正確言之為5.04倍)。
(實施例14)
除以下差異以外，實施例14係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸倍率設為1.8倍，硼酸水中延伸之延伸倍率設為3.1倍。於實施例4將總延伸倍率設為約6倍(正確言之為5.94倍)，相對於此，於實施例14，藉此而將總延伸倍率設為約5.5倍(正確言之為5.58倍)。
(實施例15)
除以下差異以外，實施例15係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸倍率設為1.8倍，硼酸水中延伸之延伸倍率變化為3.6倍。於實施例4將總延伸倍率設為約6倍(正確言之為5.94倍)，相對於此，於實施例15，藉此而將總延伸倍率設為約6.5倍(正確言之為6.48倍)。
(實施例16)
除以下差異以外，實施例16係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸方法。於實施例4，係藉由空中補助延伸使延伸倍率成為1.8倍的方式實施自由端1軸延伸。相對於此，於實施例16，係藉由空中補助延伸使延伸倍率成為1.8倍的方式實施固定端1軸延伸。
(實施例17)
除以下差異以外，實施例17係和實施例16同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸倍率設為1.8倍，硼酸水中延伸之延伸倍率變化為3.9倍。於實施例16將總延伸倍率設為約6倍(正確言之為5.94倍)，相對於此，於實施例17，藉此而將總延伸倍率設為約7倍(正確言之為7.02倍)。
(實施例18)
除以下差異以外，實施例18係和實施例16同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸倍率設為1.8倍，硼酸水中延伸之延伸倍率變化為4.4倍。於實施例16將總延伸倍率設為約6倍(正確言之為5.94倍)，相對於此，於實施例18，藉此而將總延伸倍率設為約8倍(正確言之為7.92倍)。
(實施例19)
除以下差異以外，實施例19係和實施例4同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：成膜於非晶性PET基材之PVA層之厚度以及使總延伸倍率成為6倍的方式變化空中補助延伸及硼酸水中延伸之個別之延伸倍率。於實施例4，係由7μm厚度之PVA層，獲得最終包含於光學薄膜積層體之PVA層為3μm厚度。相對於此，實施例19，係由9μm厚度之PVA層，獲得最終包含於光學薄膜積層體之PVA層為3.5μm厚度。另外，於實施例4，空中補助延伸及硼酸水中延伸之個別之延伸倍率設為1.8倍及3.3倍。相對於此，於實施例19係將個別之延伸倍率設為2.0倍及3.0倍。
(實施例20)
除以下差異以外，實施例20係和實施例19同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：成膜於非晶性PET基材之PVA層之厚度。於實施例19，係由9μm厚度之PVA層，獲得最終包含於光學薄膜積層體之PVA層為3.5μm厚度。相對於此，實施例20，係由6μm厚度之PVA層，獲得最終包含於光學薄膜積層體之PVA層為2.5μm厚度。
(實施例21)
除以下差異以外，實施例21係和實施例19同樣條件下製造之光學薄膜積層體。實施例21，係由14μm厚度之PVA層，獲得最終包含於光學薄膜積層體之PVA層為6μm厚度。
(實施例22)
除以下差異以外，實施例22係和實施例19同樣條件下製造之光學薄膜積層體。實施例22，係由24μm厚度之PVA層，獲得最終包含於光學薄膜積層體之PVA層為10μm厚度。
(實施例23)
除以下差異以外，實施例23係和實施例19同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸倍率設為2.0倍，硼酸水中延伸之延伸倍率設為3.25倍。於實施例19將總延伸倍率設為6倍，相對於此，於實施例23，藉此而將總延伸倍率設為6.5倍。
(實施例24)
除以下差異以外，實施例24係和實施例19同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸溫度及硼酸水中延伸之延伸倍率。於實施例19將空中補助延伸之延伸溫度設為130℃，相對於此，於實施例24將空中補助延伸之延伸溫度設為110℃。另外，於實施例19將硼酸水中延伸之延伸倍率設為3.0倍，將總延伸倍率設為6.0倍，相對於此，於實施例24，將硼酸水中延伸之延伸倍率設為2.5倍，將總延伸倍率設為5.0倍。
(實施例25)
除以下差異以外，實施例25係和實施例24同樣條件下製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸溫度。於實施例24將空中補助延伸之延伸溫度設為110℃，相對於此，於實施例25將空中補助延伸之延伸溫度設為95℃。
(比較例1)
比較例1，係在和實施例4同樣條件下，在200μm厚度之非晶性PET基材塗布PVA水溶液、乾燥，而製成在非晶性PET基材成膜有7μm厚度之PVA層的積層體。之後，藉由延伸溫度設為130℃之空中高溫延伸，對含有7μm厚度之PVA層的積層體，以使延伸倍率成為4.0倍的方式實施自由端1軸延伸而產生延伸積層體。藉由該延伸處理，包含於延伸積層體之PVA層會變化為PVA分子被施予配向之3.5μm厚度PVA層。
之後，延伸積層體被施予染色處理，使PVA分子被配向之3.5μm厚度之PVA層吸附碘而產生著色積層體。具體言之為，著色積層體，係針對延伸積層體，在液溫30℃之包含碘及碘化鉀之染色液，以最終產生之構成偏光膜的PVA層之單體透過率成為40～44%的方式，實施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包含於延伸積層體之PVA層者。如上述說明，調整PVA分子被配向之PVA層之碘吸附量，可產生具有不同單體透過率與偏光度之著色積層體。
另外，著色積層體被施予架橋處理。具體言之為，使著色積層體浸漬於液溫40℃、硼酸對水100重量部成為3重量部、碘化鉀對水100重量部成為3重量部之硼酸架橋水溶液中60秒，而對著色積層體實施架橋處理。比較例1之中，被施予架橋處理的著色積層體，係相當於實施例4之光學薄膜積層體。因此，洗淨工程、乾燥工程、貼合及/或轉印工程均和實施例4同樣。
(比較例2)
比較例2，係使比較例1之延伸積層體在和比較例1同樣條件下，以使延伸倍率成為4.5倍、5.0倍、6.0倍的方式實施延伸而產生延伸積層體。表1所示比較表，係表示包含比較例1及比較例2之200μm厚度之非晶性PET基材及在非晶性PET基材成膜之PVA層所發生之現象。由此可知，延伸溫度130℃之空中高溫延伸之延伸倍率4.0倍為其限度。
(比較例3)
比較例3，係在和比較例1同樣條件下，在200μm厚度之非晶性PET基材塗布PVA水溶液、乾燥，而製成在PET基材成膜有7μm厚度之PVA層的積層體。之後，使積層體浸漬於液溫30℃之包含碘及碘化鉀之染色液，而產生包含吸附碘之PVA層的著色積層體。具體言之為，著色積層體，係針對積層體，在液溫30℃之包含碘濃度0.3重量%、碘化鉀濃度2.1重量%之染色液，以最終產生之構成偏光膜的PVA層之單體透過率成為40～44%的方式，實施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包含於延伸積層體之PVA層者。之後，藉由延伸溫度設為60℃之硼酸水中延伸，使包含吸附著碘之PVA層的延伸積層體，以延伸倍率成為5.0倍的方式實施自由端1軸延伸，而產生含有和PET樹脂基材被一體延伸之3μm厚度之PVA層的各種光學薄膜積層體。
(比較例4)
將75μm厚度之PVA類薄膜(Kuraray公司製商品名「POVAL VF-PSN7500」)，浸漬於30℃水中使澎潤，於水中實施1軸延伸(延伸倍率3.5倍)。之後，在濃度0.1重量部(重量比：碘/碘化鉀=1/8)之30℃之碘溶液中實施任意時間之染色。之後，於30℃硼酸水溶液中(硼酸濃度3重量部、碘化鉀濃度3重量部浸漬45秒，之後，於60℃硼酸水溶液中(硼酸濃度4重量部、碘化鉀濃度5重量部)浸漬之同時，延伸至總合延伸倍率成為6倍為止。之後，於30℃碘化鉀水溶液中(碘化鉀濃度4重量部)浸漬10秒。延伸後，於60℃烤爐進行3分鐘之乾燥，獲得厚度30μm之偏光膜。
(參照例1)
參照例1之樹脂基材係使用結晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯(以下稱結晶性PET)之連續網狀物基材，在200μm厚度之結晶性PET基材塗布PVA水溶液、乾燥，而製成在結晶性PET基材成膜有7μm厚度之PVA層的積層體。結晶性PET基材之玻璃轉移溫度為80℃。之後，藉由設為110℃之空中高溫延伸，對生成的積層體以使延伸倍率成為4.0倍的方式實施自由端1軸延伸而產生延伸積層體。藉由該延伸處理，包含於延伸積層體之PVA層會變化為PVA分子被施予配向之3.3μm厚度PVA層。參照例1之情況下，在延伸溫度設為110℃之空中高溫延伸，積層體無法實施4.0倍以上之延伸。
之後，延伸積層體被施予染色處理，使PVA分子被配向之3.3μm厚度之PVA層吸附碘而產生著色積層體。具體言之為，著色積層體，係針對延伸積層體，在液溫30℃之包含碘及碘化鉀之染色液，以最終產生之構成偏光膜的PVA層之單體透過率成為40～44%的方式，實施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包含於延伸積層體之PVA層者。如上述說明，調整PVA分子被配向之PVA層之碘吸附量，可產生具有不同單體透過率與偏光度之各種著色積層體。之後，生成之著色積層體被施予架橋處理。具體言之為，使著色積層體浸漬於液溫40℃、硼酸對於水100重量部為3重量部，碘化鉀對於水100重量部為3重量部構成之硼酸架橋水溶液中60秒，而對著色積層體實施架橋處理。參照例1之被施予架橋處理的著色積層體，係相當於實施例4之光學薄膜積層體。因此，洗淨工程、乾燥工程、貼合及/或轉印工程均和實施例4同樣。
(參照例2)
參照例2，係和參照例1同樣，使用結晶性PET基材作為樹脂基材，在200μm厚度之結晶性PET基材成膜7μm厚度之PVA層而生成積層體。之後，藉由設為100℃之空中高溫延伸，對生成的積層體以使延伸倍率成為4.5倍的方式實施自由端1軸延伸而產生延伸積層體。藉由該延伸處理，包含於延伸積層體之PVA層會變化為PVA分子被施予配向之3.3μm厚度PVA層。參照例2之情況下，在延伸溫度設為100℃之空中高溫延伸，積層體無法實施4.5倍以上之延伸。
之後，由延伸積層體產生著色積層體。著色積層體，係使延伸積層體，在液溫30℃之包含碘及碘化鉀之染色液，以最終產生之構成偏光膜的PVA層之單體透過率成為40～44%的方式，實施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包含於延伸積層體之PVA層者。和參照例1同樣，參照例2係調整PVA分子被配向之PVA層之碘吸附量，而產生具有不同單體透過率與偏光度之各種著色積層體。
(參照例3)
參照例3，係和參照例1或參照例2同樣，使用結晶性PET基材作為樹脂基材，在200μm厚度之結晶性PET基材成膜7μm厚度之PVA層而生成積層體。之後，使生成之積層體，在液溫30℃之包含碘及碘化鉀之染色液，以最終產生之構成偏光膜的PVA層之單體透過率成為40～44%的方式，實施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包含於積層體之PVA層，而產生各種著色積層體。藉由設為90℃之空中高溫延伸，對生成的著色積層體以使延伸倍率成為4.5倍的方式實施自由端1軸延伸，而由著色積層體產生和偏光膜相當之包含吸附碘之PVA層的延伸積層體。藉由該延伸處理，由著色積層體產生之延伸積層體所包含之吸附著碘的PVA層，會變化為PVA分子被施予配向之3.3μm厚度PVA層。參照例3之情況下，在延伸溫度設為90℃之空中高溫延伸，積層體無法實施4.5倍以上之延伸。
實施例1～18、比較例1～4、及參照例1～3之製造方法獲得之偏光膜之光學特性表示於圖7、13～17、26，但圖中之各實施例、比較例、參照例之曲線為參考者，實際作成之偏光膜僅為藉由圖表描繪(plot)所示者。
由實施例4、8、12、19～25及比較例1、4之製造方法獲得之偏光膜之中，選出特定之偏光膜，針對各偏光膜如下進行各種評估。圖30表示評估對象之偏光膜之光學特性，表2表示包含光學特性之各種特性及評估結果。其中，各偏光膜之實施例之編號為製造方法之實施例編號附加補助編號之形態。
首先，說明各評估共通構成之圓偏光板之構成。
針對比較例4-1之偏光膜，和習知同樣於偏光膜之兩面介由接著劑分別將TAC(三乙酸纖維素系)薄膜(厚度40μm)及硬塗布(HC(hard coating))處理後之TAC薄膜(厚度45μm)予以貼合，而製作光學機能薄膜積層體。將獲得之光學機能薄膜積層體，與1/4波長相位差膜(帝人化學公司製　商品名「PURE-ACE WR(S-148)」)予以貼合而製作圓偏光板。具體言之為，將光學機能薄膜積層體之未實施HC處理的TAC薄膜面及1/4波長相位差層，以使1/4波長相位差層之相位延遲軸與偏光膜之吸收軸成為45度的方式，介由丙烯系黏著劑(20μm)予以貼合而製作圓偏光板。
針對各實施例及比較例1-1、1--2之偏光膜，係和比較例1-4不同，僅於偏光膜之單面將TAC(三乙酸纖維素系)薄膜(厚度40μm)予以接合。亦即，於非晶性PET基材被成膜之PVA層之表面介由接著劑，將實施HC處理後的TAC(三乙酸纖維素系)薄膜(厚度45μm)予以貼合，而製成光學薄膜積層體。另外，由光學薄膜積層體將非晶性PET基材剝離，將PVA層轉印至45μm厚度之實施HC處理後的TAC(三乙酸纖維素系)薄膜，而製成光學機能薄膜積層體。將獲得之光學機能薄膜積層體，與1/4波長相位差膜(帝人化學公司製　商品名「PURE-ACE WR(S-148)」)予以貼合而製作圓偏光板。具體言之為，將光學機能薄膜積層體之偏光膜面及1/4波長相位差膜，以使1/4波長相位差膜之相位延遲軸與偏光膜之吸收軸形成45度的方式，介由丙烯系黏著劑(20μm)予以貼合而製作圓偏光板。
(反射率)
使各個圓偏光板之1/4波長相位差膜面，介由丙烯系黏著劑(20μm)貼合於有機EL顯示裝置(三星電子製商品名「GALAXY S」)之有機EL顯示面板而測定其反射率。由測定之反射率減掉積層體表面之反射率(4.5%)而進行比較評估。另外，評估使用之有機EL顯示面板係將貼合於表面之抗反射薄膜事先剝離而使用。
(白色亮度)
使各個圓偏光板之1/4波長相位差膜面，介由丙烯系黏著劑(20μm)貼合於有機EL顯示裝置(三星電子製商品名「GALAXY S」)之有機EL顯示面板而測定白色顯示中之亮度。測定裝置係使用TOPCON公司製之BM-5。以比較例1之白色亮度為100進行評估比較。又，評估使用之有機EL顯示面板係將貼合於表面之抗反射薄膜事先剝離而使用。
(變形)
使各個圓偏光板之1/4波長相位差膜面，介由丙烯系黏著劑(20μm)，以尺寸250mm×140mm而貼合於尺寸255mm×150mm之玻璃板(0.7mm厚度)之單側，於80℃恆溫烤爐中保管96小時(加熱試驗)之後，測定4角之變形量，求其平均值。
(加熱之色度變化及色不均勻)
使各個圓偏光板介由丙烯系黏著劑(20μm)貼合於有機EL顯示面板(LG顯示器公司製　商品名「15EL9500」)之辨識側而製成有機EL顯示面板裝置。使用分光測色計(KONICA MINOLTA SENSING公司製　商品名「CM-2600d」)，針對獲得之有機EL顯示面板裝置之顯示畫面上之45點之色度(反射色相)進行測定。將顯示畫面上均勻地依據縱橫分別分割為5、9等分而取作成之45分割區域之中心部作為測定點。評估使用之有機EL顯示面板係將貼合於表面之抗反射薄膜事先剝離而使用。另外，將該有機EL顯示面板裝置，置於85℃恆溫烤爐中保管40小時(加熱試驗)之後，同樣測定顯示畫面上之45點之色度。另外，藉由目視評估顯示畫面全體之反射色之均勻性。結果，於圖31a、32a針對實施例19-2之x、y色度圖及照片予以表示，於圖31b、32b則針對比較例4-1予以表示。圖31a、31b所示x、y色度圖，係以顯示畫面上之45點之色度為色度座標(x、y)而予以描繪者，該描繪之變化越大代表顯示畫面內之色度變化越大，就顯示裝置而言較為不利。
由表2可知，偏光度未滿99.5之比較例1-1之偏光膜，其反射率變大，較不適合使用作為有機EL顯示裝置之抗反射用圓偏光板之偏光膜。另外，偏光度99.5以上之各實施例，其反射率被抑制為較小，可以利用於有機EL顯示裝置之內部抗反射用圓偏光板所使用之偏光膜，而具有較佳特性。
另外，由表2可知，單體透過率未滿42.5之比較例1-2，其白色亮度變小，較不適合使用作為有機EL顯示裝置之抗反射用圓偏光板之偏光膜。另外，單體透過率為42.5以上之各實施例，可以達成充分之白色亮度，可以利用於有機EL顯示裝置之內部抗反射用圓偏光板所使用之偏光膜，而具有較佳特性。
另外，由表2可知，膜厚較厚，於偏光膜兩面接合有保護層之比較例3-1之偏光膜，會產生大的變形，較不適合使用作為有機EL顯示裝置之抗反射用圓偏光板之偏光膜。另外，膜厚為10μm以下之極薄，僅於偏光層之單面接合有保護層之各實施例，其變形均可以抑制為較小，可以利用於有機EL顯示裝置之內部抗反射用圓偏光板所使用之偏光膜，而具有較佳特性。
如圖31b所示，於比較例4-1，加熱試驗之後，在色度座標(x、y)接近(0.3、0.3)之中性色相起至座標數值小的藍色相為止，顯示畫面內之色度變化變大。另外，如圖31a所示，於實施例19-2，即使加熱試驗後，色度座標(x、y)之描繪結果之變化亦小，顯示畫面內之色度變化被抑制為較小。其他實施例亦可獲得同樣結果。另外，如圖32b所示，於比較例4-1，加熱之後，顯示畫面內之反射色變為不均勻，相對於此，如圖32a所示，於實施例19-2，即使加熱後，顯示畫面內之反射色亦可以保持均勻。其他實施例亦可獲得同樣結果。由上述可知，膜厚為10μm以下之極薄，僅於偏光層之單面接合有保護層之各實施例，可以利用於有機EL顯示裝置之內部抗反射用圓偏光板所使用之偏光膜，而具有較佳特性。
(延伸相關之技術背景)
圖18～22均為依據實驗予以表示者。首先，參照圖18，圖18為依據實驗將結晶性PET與非晶性PET與PVA系樹脂之個別之延伸溫度與延伸可能倍率之相關關係予以表示之圖。
圖18之粗線表示半隨延伸溫度之變化引起之非晶性PET之延伸可能倍率之變化。非晶性PET之Tg約75℃，在其以下之溫度無法延伸。由圖可知，實施空中高溫之自由端1軸延伸時在越過約110℃之點可以延伸至7.0倍以上。另外，圖18之細線表示半隨延伸溫度之變化引起之結晶性PET之延伸可能倍率之變化。結晶性PET之Tg約80℃，在其以下之溫度無法延伸。
參照圖19，圖19表示PET之Tg與融點Tm間之溫度變化伴隨產生之結晶性PET及非晶性PET之個別之結晶化速度之變化之圖表。由圖19可知，處於80℃～110℃前後之非晶質狀態的結晶性PET，係於120℃前後急速變為結晶化。
另外，由圖18可知，結晶性PET之空中高溫之自由端1軸延伸之延伸可能倍率之上限為4.5～5.5倍。而且可適用之延伸溫度相當限定，在約90℃～約110℃為止之範圍。
圖29係以參照例1～3表示使用結晶性PET進行空中高溫之自由端1軸延伸之例。彼等均為針對在厚度200μm之結晶性PET基材形成有7μm厚度之PVA層的積層體，實施空中高溫延伸而產生之3.3μm厚度之偏光膜。個別之延伸溫度存在差異，參照例1之延伸溫度為110℃，參照例2之延伸溫度為100℃，參照例3之延伸溫度為90℃。應注意者為延伸可能倍率。參照例1之延伸倍率之界限為4.0倍，參照例2及3之界限為4.5倍。最後積層體本身會破斷導致跨越彼等之延伸處理變為不可能。但是，結果並無法否定被成膜於結晶性PET基材之PVA系樹脂層本身之延伸可能倍率受到影響之可能性。
參照圖18，圖18之虛線表示PVA系樹脂所屬PVA之延伸可能倍率。PVA系樹脂之Tg為75～80℃，在其以下無法實施PVA系樹脂構成之單層體之延伸。由圖18可知，實施空中高溫之自由端1軸延伸時，PVA系樹脂構成之單層體之延伸可能倍率以5.0倍為界限。本發明人據此而可以確定以下實情。亦即，由結晶性PET及PVA系樹脂之個別之延伸溫度與延伸可能倍率之關係可知，含有被成膜於結晶性PET基材之PVA系樹脂層的積層體，其之空中高溫之自由端1軸延伸之延伸可能倍率，在90～110℃之延伸溫度範圍內係以4.0～5.0倍為界限。
以下，參照上述表1之比較例1及2，說明於非晶性PET基材上塗布形成有PVA系樹脂層的積層體，於空中高溫基礎下實施自由端1軸延伸之事例。於非晶性PET基材，延伸溫度無界限。比較例1，係針對含有被成膜於200μm厚度之非晶性PET基材之7μm厚度之PVA系樹脂層的積層體，實施延伸溫度設為130℃之空中高溫之自由端1軸延伸而產生之偏光膜。此時之延伸倍率為4.0倍。
參照表1，比較例2係和比較例1同樣，針對被成膜於200μm厚度之非晶性PET基材之7μm厚度之PVA系樹脂層，以延伸倍率成為4.5倍、5.0倍、6.0倍而分別實施延伸而產生之偏光膜。如表1所示，於任一比較例，於非晶性PET基材之薄膜面內產生延伸之不均勻性，產生破斷，另外，在延伸倍率為4.5倍時PVA系樹脂產生破斷。由此可以確認，延伸溫度設為130℃之空中高溫延伸之PVA系樹脂層之延伸倍率之界限為4.0倍。
參照例1～3均為延伸溫度雖有差異，但針對在結晶性PET基材被成膜有PVA系樹脂層的積層體，實施4.0～4.5倍延伸處理使PVA分子配向而產生之薄膜化之PVA系樹脂層，於該PVA系樹脂層吸附碘而產生之著色積層體者。具體言之為，針對延伸積層體，在液溫30℃之包含碘及碘化鉀之染色液，以最終產生之構成偏光膜的PVA系樹脂層之單體透過率成為40～44%的方式，實施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包含於延伸積層體之PVA系樹脂層。另外，藉由整薄膜化之PVA系樹脂層之碘吸收量，可以產生單體透過率T及偏光度P設為不同之各種偏光膜。
參照圖26，參照例1～3之偏光膜之光學特性均存在劣化。其原因可以推斷為，被成膜於結晶性PET基材之PVA系樹脂層，被實施空中高溫延伸時PVA分子雖產生某種程度配向，但是反面為空中高溫延伸會促進PVA分子之結晶化，阻礙非晶部分之配向。
又，本發明人在本發明之前，開發出PCT/JP2010/001460相關之國際申請所揭示之偏光膜及其製造方法。此乃依據水之可塑性機能之發現，而實現在Tg以下之延伸溫度下，亦可以針對含有被成膜於PET基材之PVA系樹脂層的積層體實施延伸者。於此將藉由該方法製造之偏光膜之一例設為比較例3。依據該方法，含有被成膜於PET基材之PVA系樹脂層的積層體，其之延伸倍率可以延伸至5.0倍。
之後，本發明人繼續深入研究而確認延伸倍率之界限為5.0倍之原因乃由於PET基材為結晶性PET所引起者。含有被成膜於PET基材之PVA系樹脂層的積層體，欲於Tg以下之硼酸水溶液實施延伸時，不論PET基材為結晶性或非晶性對於延伸作用均不會有大的影響，此雖有所認識，但是使用非晶性PET時，發現積層體可以實施延伸倍率至5.5倍之延伸。此情況下，使用非晶性PET作為基材，利用和比較例3所示偏光膜之製造方法同樣方法時，延伸倍率之界限成為5.5倍之原因，可以推斷為非晶性PET基材對延伸倍率之界限帶來影響。
關於比較例1製成單體透過率T與偏光度P設為不同之各種偏光膜。於圖26，除參照例1～3以外，亦表示彼等之光學特性。另外，圖中對於比較例、各參照例之曲線乃參照用而予以表示者，實際製成之偏光膜僅為圖表描繪(plot)所示者。
圖20表示本發明人依據此一研究結果推想獲得之，本發明之2段延伸中之空中高溫延伸之延伸倍率與總合延伸倍率(以下稱為「總延伸倍率」)之關係。橫軸表示自由端1軸延伸之延伸溫度設為130℃之空中延伸的延伸倍率。縱軸之總延伸倍率為，藉由以下所述包含自由端1軸空中高溫延伸的2階段延處理，以空中高溫延伸前之長度(原來長度)為1時，原來長度最終被延伸幾倍而予以表示者。例如延伸溫度設為130℃之空中高溫延伸的延伸倍率為2倍，之後之延伸倍率為3倍時，總延伸倍率成為6倍(2×3=6)。接續空中高溫延伸的第2段之延伸工程，係延伸倍率設為65℃之硼酸水溶液中之自由端1軸延伸(以下稱浸漬於硼酸水溶液而進行之延伸處理為「硼酸水中延伸」)。藉由組合該2種延伸方法，可獲得圖20所示結果。
圖20之實線表示非晶性PET之延伸可能倍率。在不實施空中高溫延伸，直接進行硼酸水中延伸時，亦即空中高溫延伸之倍率為1倍時，非晶性PET之總延伸倍率之界限為5.5倍。欲進行其以上之延伸時非晶性PET會產生破斷。但是，該值相當於非晶性PET之最小延伸倍率。在空中高溫延伸時之延伸倍率越大時，非晶性PET之總延伸倍率變為越大，延伸可能倍率將大於10倍。
相對於此，圓20之虛線表示被成膜於非晶性PET基材之PVA系樹脂層之延伸可能倍率。在不實施空中高溫延伸，直接進行硼酸水中延伸時，PVA系樹脂層之總延伸倍率為最大倍率之7倍。但是，空中高溫延伸時之延伸倍率越大時，PVA系樹脂層之總延伸倍率變小，在空中高溫延伸時之延伸倍率為3倍之時點，PVA系樹脂層之總延伸倍率下降為6倍。PVA系樹脂層之總延伸倍率設為6倍時，PVA系樹脂層會產生破斷。由圖20可知，含有被成膜於非晶性PET基材之PVA系樹脂層的積層體，其無法延伸之理由在於，對應於空中高溫之延伸倍率之變大，而由非晶性PET基材引起者轉移至由PVA系樹脂層引起者。因此，PVA之空中延伸倍率為4倍為止，其以上之延伸變為不可能。該倍率可以推斷為相當於PVA之總延伸倍率。
參照圖21，圖21表示針對結晶性PET與非晶性PET與PVA系樹脂，進行空中高溫延伸與硼酸水中延伸之2段延伸時之，總延伸可能倍率與空中高溫延伸之延伸溫度之關係，係依據實驗資料予以描繪者。圖18表示針對結晶性PET與非晶性PET與PVA系樹脂，橫軸取空中高溫延伸之延伸溫度，縱軸取空中高溫延伸之總延伸可能倍率予以表示者。圖21之和圖18之差異在於，橫軸取2倍之空中高溫延伸時之延伸溫度，縱軸取空中高溫延伸以及硼酸水中延伸之總延伸可能倍率而予以表示。
本發明使用之偏光膜之製造方法，如後述說明，係由空中高溫延伸與硼酸水中延伸之2階段延伸工程之組合構成。2階段延伸工程之組合，並非單純可以想到者。本發明人係經由長期間銳意研究結果發現，藉由該組合可以同時解決以下所述2個技術課題，而達成驚人之結果。藉由在熱可塑性樹脂基材形成PVA系樹脂層進行延伸及染色而嘗試製造偏光膜時，存在注目前為止乃無法解決之2個技術課題。
第1技術課題為，在PVA系樹脂之配向性提升上具有影響的延伸倍率以及延伸溫度，係大大受到其上被成膜有PVA系樹脂之熱可塑性樹脂基材之限制。
第2技術課題為，即使克服延伸倍率及延伸溫度之限制問題，就作為PVA系樹脂及熱可塑性樹脂基材被使用之PET等而言，其之結晶性樹脂之結晶化與延伸可能性為對立之物性，因此PVA系樹脂之延伸會受限於PVA系樹脂之結晶化。
第1技術課題為如下。使用熱可塑性樹脂基材製造偏光膜時之限制，係如圖18所示，由延伸溫度為PVA系樹脂之Tg(約75～80℃)以上，延伸倍率為4.5～5.0倍之PVA系樹脂之特性引起者。使用結晶性PET作為熱可塑性樹脂基材時延伸溫度更進一步限定於90～110℃。藉由積層體之空中高溫延伸，而使該積層體包含之形成於熱可塑性樹脂基材的PVA系樹脂層薄膜化而製成偏光膜時，亦難逃此一限制。
因此，本發明人著眼於水之可塑性機能，而揭示可以取代空中高溫延伸之硼酸水中延伸方法。但是，即使是延伸溫度為60～85℃之硼酸水中延伸，使用結晶性PET時其延伸倍率之界限為5.0倍，使用非晶性PET時延伸倍率之界限為5.5倍等亦難逃熱可塑性樹脂基材引起之限制。因此，PVA分子之配向性提升受到限制，薄膜化之偏光膜之光學特性亦受到限制。此乃第1技術課題。
第1技術課題之解決手段可藉由圖22來說明。圖22係由2個關連圖構成。一個為表示作為熱可塑性樹脂基材使用之PET之配向性之圖，另一個為表示PET之結晶化度之圖。任一圖中橫軸均表示空中高溫延伸與硼酸水中延伸之總延伸倍率。圖22之虛線表示硼酸水中延伸單獨之總延伸倍率。不論是結晶性或非晶性，PET之結晶化度會在延伸倍率4～5倍之處急速上升。因此，即使適用硼酸水中延伸之情況下，延伸倍率之界限亦為5倍或5.5倍。於此，配向性成為上限，延伸張力急速上升。結果，成為無法延伸。
相對於此，圖22之實線表示，延伸溫度110℃，延伸倍率成為2倍而實施空中高溫之自由端1軸延伸，之後進行延伸溫度65℃之硼酸水中延伸之結果。不論是結晶性或非晶性，PET之結晶化度均和硼酸水中延伸單獨之情況不同，不會發生急速上升。結果。總延伸可能倍率可以提高至7倍。於此，配向性成為上限，延伸張力急速上升。此乃由圖21所確認之採用空中高溫之自由端1軸延伸作為第1段延伸之方法之結果。相對於此，如後述說明，延伸時採用限制和延伸方向呈直角方向之收縮的所謂固定端1軸延伸法的空中高溫延伸時，總延伸可能倍率可設為8.5倍。
由圖22之作為熱可塑性樹脂基材所採用之PET之配向性與結晶化度之關係，可以確認藉由空中高溫延伸之補助延伸，則不論是結晶性或非晶性，均可以抑制PET之結晶化。但是，參照補助延伸溫度與PET之配向性之關係圖(圖23)時可知，使用結晶性PET作為熱可塑性樹脂基材時，補助延伸後之結晶性PET之PET之配向性，在90℃為0.30以上、100℃為0.20以上、110℃為0.10以上。PET之配向性成為0.10以上時，於硼酸水中延伸之第2段延伸中，延伸張力會上升，施加於延伸裝置之負荷變大，製造條件不好。圖23表示使用非晶性PET作為熱可塑性樹脂基材之較佳者，另外，更好是配向函數為0.10以下之非晶性PET，再更好是配向函數為0.05以下之非晶性PET。
圖23表示實施1.8倍之空中高溫延伸時空中延伸溫度與作為熱可塑性樹脂基材而使用之PET之配向函數之關係之實驗資料。由圖23可知，硼酸水溶液中可以高倍率實施延伸積層體之延伸的配向函數為0.10以下之PET，乃非晶性PET。特別是配向函數為0.05以下時，在硼酸水溶液中之第2段延伸時，延伸張力上升等對延伸裝置施加大負荷之情況不存在，可以實施穩定、高倍率之延伸。此點亦可由圖29之實施例1～18及參照例1～3之例之配向函數值容易理解。
藉由解決第1技術課題，可以消除PET基材引起之延伸倍率之限制，可將總延伸設為高倍率化，可提升PVA系樹脂之配向性。如此則，可以更進一步改善偏光膜之光學特性。另外，本發明人所達成之光學特性之改善不僅止於此，其可藉由解決第2技術課題予以達成。
第2技術課題如下。作為PVA系樹脂或熱可塑性樹脂基材之PET等之結晶性樹脂之特徵之一為，通常具有藉由加熱或延伸配向可使高分子配列而促進結晶化之性質。PVA系樹脂之延伸，會受到結晶性樹脂之PVA系樹脂之結晶化之限制。結晶化與延伸可能性為對立之物性，PVA系樹脂之結晶化進展會阻礙PVA系樹脂之配向性，此乃通常之認識。此為該第2技術課題。解決該第2技術課題之手段，可由圖24來說明。圖24係以實線及虛線表示依據2個實驗結果算出之PVA系樹脂之結晶化度與PVA系樹脂之配向函數之關係。
圖24之實線係表示以下試料之PVA系樹脂之結晶化度與PVA系樹脂之配向函數之關係。首先，於同一條件下，製成6個含有被成膜於非晶性PET基材之PVA系樹脂層的積層體作為試料。將準備之6個含有PVA系樹脂層的積層體，分別於不同延伸溫度80℃、95℃、110℃、130℃、150℃及170℃下，以成為同一延伸倍率1.8倍的方式實施空中高溫延伸之延伸，而產生含有PVA系樹脂層的延伸積層體。如上述說明，針對產生之個別之延伸積層體所包含之PVA系樹脂層之結晶化度與PVA系樹脂之配向函數予以測定、解析。
和實線同樣，圖24之虛線係表示以下試料之PVA系樹脂之結晶化度與PVA系樹脂之配向函數之關係。首先，於同一條件下，製成6個含有被成膜於非晶性PET基材之PVA系樹脂層的積層體作為試料。將準備之6個含有PVA系樹脂層的積層體，分別以成為不同延伸倍率1.2倍、1.8倍、2.2倍、2.5倍、及3.0倍的方式，於同一延伸溫度130℃下實施空中高溫延伸之延伸，而產生含有PVA系樹脂層的延伸積層體。如上述說明，針對產生之個別之延伸積層體所包含之PVA系樹脂層之結晶化度與PVA系樹脂之配向函數予以測定、解析。
由圖24之實線可知，空中高溫延伸之延伸溫度較高者，延伸積層體所包含之PVA系樹脂層之配向性可以提升。另外，由圖24之虛線可知，空中高溫延伸之延伸倍率設為高倍率者，延伸積層體所包含之PVA系樹脂層之配向性可以提升。於第2段之硼酸水中延伸前，提升PVA系樹脂之配向性，亦即提高PVA系樹脂之結晶化度，如此則，硼酸水中延伸後之PVA系樹脂之配向性亦變高。另外，PVA系樹脂之配向性之變高，導致多碘離子(polyiodide ion)之配向性亦變高，此由如後述說明之T-P圖表亦可確認。
藉由設定第1段之空中高溫延伸之延伸溫度為較高，或藉由設定延伸倍率為更高倍率，如此則，第2段之硼酸水中延伸所產生之PVA系樹脂層之PVA分子之配向性，可以更提高，可以達成非預期性之極佳效果。
參照圖24所示PVA系樹脂之結晶化度(橫軸)。在浸漬於對含有PVA系樹脂層之延伸積層體實施染色用水溶液之著色工程中，欲於PVA系樹脂層不被溶解之狀態下產生著色積層體，較好是至少設定PVA系樹脂層之結晶化度成為27%以上。如此則，可以在不溶解PVA系樹脂層之情況下，進行PVA系樹脂層之染色。另外，藉由設定PVA系樹脂層之結晶化度成為30%以上，可以將硼酸水溶液中之延伸溫度設為更高溫，如此則，可進行著色積層體之穩定之延伸，可以穩定製作偏光膜。
另外，設定PVA系樹脂層之結晶化度成為37%以上時，染色性變低、染色濃度必須增加，使用材料亦隨之增加，染色時間加長，生產性降低之可能性存在。另外，設定PVA系樹脂層之結晶化度成為40%以上時，硼酸水溶液中之延伸處理時PVA系樹脂層破斷之可能性存在。因此，PVA系樹脂層之結晶化度較好是設為27%以上、40%以下，更好是設為30%以上、37%以下。
接著，參照圖24之PVA系樹脂層之配向函數(縱軸)。欲使用非晶性PET之樹脂基材製作高機能偏光膜時，較好是至少PVA系樹脂層之配向函數為0.05以上。另外，PVA系樹脂層之配向性為0.15以上時，可以降低對包含PVA系樹脂層之著色積層體實施硼酸水溶液中之延伸倍率。如此則，可以製作更廣範圍之偏光膜。
另外，PVA系樹脂層之配向函數成為0.30以上時，染色性變低、染色濃度必須增加，使用材料亦隨之增加，染色時間加長，生產性降低之可能性存在。另外，設定PVA系樹脂層之配向函數成為0.35以上時，硼酸水溶液中之延伸處理時PVA系樹脂層破斷之可能性存在。因此，PVA系樹脂層之配向函數較好是設為0.05以上、0.35以下，更好是設為0.15以上、0.30以下。
第1技術課題之解決之解決手段，係針對含有被成膜於非晶性PET基材之PVA系樹脂層的積層體，事先藉由第1段之空中高溫延伸實施預備性或補助性延伸，藉由第2段之硼酸水中延伸而可以不受限於非晶性PET基材之延伸倍率，對PVA系樹脂層進行高倍率之延伸，如此則，可以充分提升PVA之配向性者。
第2技術課題之解決之解決手段，係事先將第1段之空中高溫延伸之延伸溫度設為較預備性或補助性為高溫，或者將延伸倍率設為較預備性或補助性為高倍率，如此則，可以達成更進一步提升第2段之硼酸水中延伸所產生之PVA系樹脂層之PVA分子之配向性，可以達成非預期性之效果。無論哪一情況下，均可將第1段之空中高溫延伸視為第2段之硼酸水中延伸之預備性或補助性的空中延伸手段。以下將「第1段之空中高溫延伸」和第2段之硼酸水中延伸進行對比而稱為「空中補助延伸」。
進行「空中補助延伸」之特別是第2技術課題之解決機制，可以推斷為如下。空中補助延伸設為越高溫或高倍率時，如圖24所確認，空中補助延伸後之PVA系樹脂之配向性會提升。主要原因可推斷為，越高溫或高倍率時，促進PVA系樹脂之結晶化之同時予以延伸，一部分出現架橋點之同時被實施延伸。結果，PVA系樹脂之配向性會提升。可以推斷出事先在硼酸水中延伸前藉由空中補助延伸來提升PVA系樹脂之配向性，如此則，浸漬於硼酸水溶液時，硼酸容易和PVA系樹脂產生架橋反應，硼酸成為鍵結點並被實施延伸。結果，硼酸水中延伸後PVA系樹脂之配向性亦變高。
總合以上可知，藉由進行空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程進行延伸時，獲得乃至穩定獲得之偏光膜，其之構成為厚度10μm以下，單體透過率T及偏光度P所表示之光學特性可以滿足
T≧42.5，及P≧99.5
之條件。
該偏光膜，可以使用於貼合於有機EL顯示面板之辨識側的光學機能薄膜積層體。
以下說明，使用熱可塑性樹脂基材製造PVA系樹脂構成之偏光膜的本發明之方法實施時，對PVA系樹脂實施不溶化處理的不溶化方法，其被視為重要之技術課題之一。
對成膜於熱可塑性樹脂基材之PVA系樹脂層實施延伸時，使延伸中間生成物或延伸處理後之積層體所包含之PVA系樹脂層不溶解於染色液、而可使碘被吸附於PVA系樹脂層，此絕非容易之事。於偏光膜之製造中，使碘被吸附於PVA系樹脂層乃必要之工程。於通常之染色工程，係使用碘濃度為0.12～0.25重量%範圍之不同碘濃度之複數種染色液，藉由浸漬時間設為一定而調整PVA系樹脂層之碘吸收量。如上述說明之通常之染色處理，製造偏光膜時，PVA系樹脂層會被溶解而無法實施染色。
由圖5之實驗結果可知，此一技術課題可藉由設定二色性物質之碘濃度成為0.3重量%或其以上而予以解決。具體言之為，針對包含PVA系樹脂層構成之延伸中間生成物的積層體，使用碘濃度為不同之染色液實施染色，藉由調整其浸漬時間，而產生包含著色中間生成物的著色積層體，藉由硼酸水中延伸可以產生具有各種偏光性能之各種偏光膜。
參照圖6。圖6表示碘濃度分別調整為0.2重量%、0.5重量%、1.0重量%之偏光膜之偏光性能不存在有意義之差者。亦即，於包含著色中間生成物的著色積層體之產生之中，為實現穩定、具有良好均勻性之著色，相較於增加碘濃度而僅以些微之浸漬時間進行染色，無疑地，濃度較低而確保穩定之浸漬時間乃較佳者。
參照圖7，實施本發明之方法時之2個不同之不溶化處理(以下稱「第1、第2不溶化處理」)，均對最終製造之偏光膜之光學特性帶來影響。圖7可看出對於薄膜化之PVA系樹脂層之第1、第2不溶化作用之分析結果。圖7表示依據有機EL顯示裝置要求之滿足性能的4個實施例1～4而製造之各個偏光膜之光學特性。
實施例1表示不經由第1、第2不溶化工程而製造之偏光膜之光學特性。相對於此，實施例2表示不經由第1不溶化工程，僅進行第2不溶化處理之偏光膜，實施例3則表示不經由第2不溶化工程，僅進行第1不溶化處理之偏光膜，之光學特性，實施例4表示經由第1、第2不溶化處理之偏光膜之個別之光學特性。
於本發明之實施形態中，可以製造不經由第1及第2不溶化工程而能滿足要求性能之偏光膜。但是，由圖7可知，實施例1之不實施不溶化處理之偏光膜之光學特性，係較實施例2～4之任一偏光膜之光學特性為低。比較個別之光學特性可知，依據實施例1＜實施例3＜實施例2＜實施例4之順序而使光學特性變高。於實施例1及實施例2使用之染色液，其之碘濃度均設為0.3重量%，碘化鉀濃度設為2.1重量%。相對於此，於實施例3及實施例4使用之複數種染色液，其之碘濃度設為0.12～0.25重量%，碘化鉀濃度設為0.84～1.75重量%之範圍內變化。實施例1及實施例3之群組，及實施例2及實施例4之群組之顯著差異在於：前者之著色中間生成物未實施不溶化處理，後者之著色中間生成物則被實施不溶化處理。於實施例4，不僅對著色中間生成物，對染色處理前之延伸中間生成物亦實施不溶化處理。藉由第1及第2不溶化處理，可以更進一步提升偏光膜之光學特性。
由圖6可知，偏光膜之光學特性提升之機制，不在於染色液之碘濃度，而在於第1及第2不溶化處理產生之效果。此一見解被定位為本發明之製造方法中之第3技術課題及其之解決手段。
於本發明之實施形態中，第1不溶化處理係使包含於延伸中間生成物(或延伸積層體)的薄膜化之PVA系樹脂層，不致於被溶解的處理。相對於此，包含於架橋工程的第2不溶化處理，係針對後續工程之液溫75℃之硼酸水中延伸之中使著色中間生成物(或著色積層體)包含之PVA系樹脂層所吸附之碘不致於溶出而使著色穩定化，使薄膜化之PVA系樹脂層不被溶解的不溶化處理。
但是，省略第2不溶化工程時，於液溫75℃之硼酸水中延伸之中，PVA系樹脂層所吸附之碘會溶出，由此而使PVA系樹脂層之溶解被進行。為迴避PVA系樹脂層之溶解，可以採取降低硼酸水溶液之液溫。例如需要將著色中間生成物(或著色積層體)浸漬於液溫係降至65℃之硼酸水溶液中實施延伸。但是，如此則，水之可塑性機能無法充分發揮，無法獲得著色中間生成物(或著色積層體)包含之PVA系樹脂層之充分之軟化。亦即，延伸性能降低，而導致硼酸水中延伸之過程中著色中間生成物(或著色積層體)之破斷。當然亦無法獲得PVA系樹脂層之特定之總延伸倍率。
以下參照圖面說明本發明使用之偏光膜之製造方法之例。
(製造工程之概要)
參照圖8。圖8表示不具有不溶化處理工程，包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造工程之概要。於此概略說明包含上述實施例1之偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造方法。
共聚合6mol%之間苯二甲酸而製成間苯二甲酸共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯(以下稱為(非晶性PET)之連續網狀物之基材，以其作為非晶性酯系熱可塑性樹脂基材。如下製作包含玻璃轉移溫度為75℃之連續網狀物之非晶性PET基材1與玻璃轉移溫度為80℃之PVA層2之積層體7。PVA之玻璃轉移溫度為80℃。
(積層體製作工程(A))
準備厚度200μm之非晶性PET基材1，以及聚合度1000以上、皂化度99%以上之PVA粉末溶解於水而成之4～5重量%濃度之PVA水溶液。之後，於具備塗布手段21、乾燥手段22及表面改質處理手段23之積層體製作裝置20，將PVA水溶液塗布於厚度200μm之非晶性PET基材1，於50～60℃溫度下乾燥，於非晶性PET基材1上製作厚度7μm之PVA層2。如後述說明，該PVA層之厚度可以適當變更。以下將獲得之積層體稱為「於非晶性PET基材製作有PVA層的積層體7」，或「包含PVA層的積層體7」，或簡單稱為「積層體7」。
針對包含PVA層的積層體7，藉由包含空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程的以下工程，而製作最終成為3μm厚度之偏光膜3。本發明係使用厚度10μm以下之偏光膜，藉由適當變更成膜於PET基材1上之PVA系樹脂層之厚度，可以作成厚度10μm以下之任意厚度之偏光膜。
(空中補助延伸工程(B))
藉由第1段之空中補助延伸工程(B)，使包含7μm厚度之PVA層2的積層體7和非晶性PET基材1一體延伸，而產生包含5μm厚度之PVA層2的「延伸積層體8」。具體言之為，在烤爐33內配備有延伸手段31的空中補助延伸處理裝置30，使包含7μm厚度之PVA層2的積層體7，於設定成為130℃延伸溫度環境之烤爐33內通過延伸手段31，以使延伸倍率成為1.8倍的方式實施自由端1軸延伸，而產生延伸積層體8。於此階段，可以捲繞於並設在烤爐33之捲繞裝置32，而製造延伸積層體8之捲軸8’。
以下概略說明自由端延伸及固定端延伸。使長尺薄膜於搬送方向延伸時，薄膜會朝延伸方向之垂直方向、亦即寬度方向收縮。自由端延伸係指不抑制該收縮而實施延伸之方法。另外，縱1軸延伸為僅於縱向延伸之方法。自由端1軸延伸係對比於，抑制延伸方向之垂直方向引起之收縮而實施延伸的固定端1軸延伸者。藉由該自由端1軸之延伸處理，包含於積層體7之7μm厚度之PVA層2，會成為PVA分子朝延伸方向被配向之5μm厚度之PVA層2。
(染色工程(C))
之後，藉由染色工程(C)使PVA分子被配向之5μm厚度之PVA層2吸附二色性物質之碘而產生著色積層體9。具體言之為，在具備染色液41之染色浴42的染色裝置40中，使由和染色裝置40並設而且裝配有捲軸8’的送出裝置43送出之延伸積層體8，浸漬於液溫30℃之包含碘及碘化鉀之染色液41，以最終產生之構成偏光膜3的PVA層之單體透過率成為40～44%的方式，實施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包含於延伸積層體8之配向後之PVA層2，而產生著色積層體9。
本工程中，染色液41係設為碘濃度為0.30重量%之水溶液，以使包含於延伸積層體8之PVA層2不被溶解。另外，染色液41，係調整碘化鉀濃度為2.1重量%以使碘溶解於水。碘與碘化鉀之濃度比設為1：7。更詳言之為，於碘濃度0.30重量%、碘化鉀濃度2.1重量%之染色液41，將延伸積層體8浸漬60秒，使碘吸附於PVA分子被施予配向之5μm厚度之PVA層2而成為著色積層體9。於實施例1，藉由變化延伸積層體8浸漬於碘濃度0.30重量%、碘化鉀濃度2.1重量%之染色液41之浸漬時間，以使最終產生之偏光膜3之單體透過率成為40～44%的方式，調整碘吸收量，而產生單體透過率及偏光度設為不同之各種著色積層體9。
(硼酸水中延伸工程(D))
藉由第2段之硼酸水中延伸工程，進一步使包含碘被實施配向之PVA層2的著色積層體9更進一步延伸，產生包含用於構成3μm厚度之偏光膜3的碘被實施配向之PVA層之光學薄膜積層體10。具體言之為，在具備硼酸水溶液51之硼酸浴52及延伸手段53的硼酸水中延伸處理裝置50，使由染色裝置40連續送出之著色積層體9，浸漬於包含硼酸與碘化鉀之設為液溫65℃之延伸溫度環境的硼酸水溶液51，之後，通過配備於硼酸水中處理裝置50之延伸手段53，以使延伸倍率成為3.3倍的方式實施自由端1軸延伸，而產生光學薄膜積層體10。
更詳言之為，硼酸水溶液51調整為，對於水100重量部將硼酸含有量設為4重量部，對於水100重量部將碘化鉀含有量設為5重量部。本工程中，將調整碘吸附量後之著色積層體9，首先，以浸漬時間5～10秒浸漬於硼酸水溶液51。之後，使該著色積層體9於此狀態下通過作為硼酸水中處理裝置50之延伸手段53的周速不同的複數組輥輪間，維持30～90秒使延伸倍率成為3.3倍的方式朝自由端1軸延伸。藉由該延伸處理，含於著色積層體9之PVA層，其吸附之碘會成為多碘離子錯合物被高次配向於一方向而變化為3μm厚度之PVA層。該PVA層係構成光學薄膜積層體10之偏光膜3。
於如上述說明之實施例1，首先製成在非晶性PET基材1形成有7μm厚度之PVA層2的積層體7，對該積層體7實施延伸溫度130℃之空中補助延伸而產生延伸積層體8，之後，藉由染色工程由延伸積層體8產生著色積層體9，更進一步對著色積層體9實施延伸溫度65度之硼酸水中延伸，以使總延伸倍率成為5.94倍的方式產生包含在非晶性PET基材被一體延伸之3μm厚度之PVA層的光學薄膜積層體10。藉由該2段延伸，製膜於非晶性PET基材1之PVA層2之PVA分子被實施高次配向，經由染色而吸附之碘會以多碘離子錯合物被高次配向於一方向而構成偏光膜3，可以產生含有構成該偏光膜3之3μm厚度之PVA層的光學薄膜積層體10。較好是，之後，藉由洗淨、乾燥、轉印工程，而完成所產生之光學薄膜積層體10。洗淨工程(G)、乾燥工程(H)、轉印工程(1)之詳細，係合併於組合有不溶化處理工程之實施例4之製造工程予以說明。
(其他製造工程之概要)
參照圖9，圖9表示具有不溶化處理工程的包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造工程之概要。於此，概略說明實施例4之包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造方法。由圖9可知，實施例4之製造方法，係將包含染色工程前之第1不溶化工程及硼酸水中延伸工程前之第2不溶化工程的架橋工程，組合於實施例1之製造工程而成之製造工程。組合於本工程之，積層體之作成工程(A)、空中補助延伸工程(B)、染色工程(C)、及硼酸水中延伸工程(D)，係除了硼酸水中延伸工程用之硼酸水溶液之液溫之差異以外，均和實施例1之製造工程相同。該部分之說明被簡化，只針對包含染色工程前之第1不溶化工程及硼酸水中延伸工程前之第2不溶化工程的架橋工程予以說明。
(第1不溶化工程(E))
第1不溶化工程為染色工程(C)前之不溶化工程(E)。和實施例1之製造工程相同。於積層體之作成工程(A)，係於非晶性PET基材1成膜7μm厚度之PVA層2，製成積層體7。之後，於空中補助延伸工程(B)，對包含7μm厚度之PVA層2的積層體7實施空中補助延伸，產生包含5μm厚度之PVA層2的延伸積層體8。之後，於第1不溶化工程(E)，係對由裝配著捲軸8’之送出裝置43送出之延伸積層體8實施不溶化處理，產生不溶化處理後之延伸積層體8”。當然，於該工程，不溶化處理後之延伸積層體8”係包含不溶化處理後之PVA層2。以下稱其為「不溶化處理後之延伸積層體8”」。
具體言之為，在具備硼酸不溶化水溶液61的不溶化處理裝置60，使延伸積層體8浸漬於液溫30℃之硼酸不溶化水溶液61，浸漬時間為30秒。該工程使用之硼酸不溶化水溶液61，係於水100重量部含有硼酸3重量部者(以下稱為「硼酸不溶化水溶液」)。該工程目的在於實施不溶化處理，至少於之後之染色工程(C)，可使包含於延伸積層體8之5μm厚度之PVA層不被溶解。
不溶化處理之後，延伸積層體8被送至染色工程(C)。於該染色工程(C)，係和實施例1不同，準備碘濃度於0.12～0.25重量%範圍內變化之複數種染色液。使用彼等染色液，使不溶化處理後之延伸積層體8”浸漬於染色液之浸漬時間保持一定，而使最終產生之偏光膜之單體透過率成為40～44%的方式調整碘吸收量，而產生單體透過率與偏光度設為不同之各種著色積層體9。浸漬於碘濃度為0.12～0.25重量%之染色液之情況下，不溶化處理後之延伸積層體8”所包含之PVA層亦不會產生溶解。
(包含第2不溶化處理之架橋工程(F))
以下說明之架橋工程(F)，由以下之目的看時，可以說包含第2不溶化工程。架橋工程係為達成以下結果者：第1，於後續工程之硼酸水中延伸工程(D)，使包含於著色積層體9之PVA層不被溶解的不溶化作用，第2，使定色於PVA層之碘不被溶出而達成著色穩定化，以及第3，使PVA層之分子彼此起架橋反應而產生鍵結點，達成鍵結點之產生之作用。第2不溶化工程係為實現該第1及第2結果者。
架橋工程(F)，係作為硼酸水中延伸工程(D)之前工程被進行藉由對染色工程(C)產生之著色積層體9實施架橋處理，而產生架橋處理後之著色積層體9’。架橋處理後之著色積層體9’係包含架橋處理後之PVA層2。具體言之為，在收容硼酸與碘化鉀構成之水溶液(以下稱硼酸架橋水溶液)71的架橋處理裝置70，使著色積層體9浸漬於40℃之硼酸架橋水溶液71，浸漬時間為60秒，對吸附碘的PVA層之PVA分子彼此實施架橋處理，而產生架橋處理後之著色積層體9’。該工程使用之硼酸架橋水溶液為，對於水100重量部將硼酸含有量設為3重量部，對於水100重量部將碘化鉀含有量設為3重量部。
於硼酸水中延伸工程(D)，係使架橋處理後之著色積層體9’浸漬於75℃之硼酸水溶液，使延伸倍率成為3.3倍而實施自由端1軸延伸，而產生光學薄膜積層體10。藉由該延伸處理，含於著色積層體9’之吸附碘的PVA層2，其吸附之碘會成為多碘離子錯合物被高次配向於一方向而變化為3μm厚度之PVA層2。該PVA層係構成光學薄膜積層體10之偏光膜3。
於實施例4，首先製成在非晶性PET基材1形成有7μm厚度之PVA層2的積層體7，對該積層體7實施延伸溫度130℃之空中補助延伸，使延伸倍率成為1.8倍而實施自由端1軸延伸，產生延伸積層體8。使產生之延伸積層體8浸漬於液溫30℃之硼酸不溶化水溶液61，浸漬時間為30秒，對延伸積層體所包含之PVA層實施不溶化處理，成為不溶化處理後之延伸積層體8”。更進一步使不溶化處理後之延伸積層體8”浸漬於液溫30℃之包含碘及碘化鉀的染色液，使碘吸附於不溶化處理後之PVA層而產生著色積層體9。使包含吸附著碘之PVA層的著色積層體9，浸漬於40℃之硼酸架橋水溶液71，浸漬時間為60秒，對吸附碘的PVA層之PVA分子彼此實施架橋處理。此為架橋處理後之著色積層體9’。使架橋處理後之著色積層體9’，浸漬於包含硼酸與碘化鉀之液溫75℃之硼酸水中延伸液51，浸漬時間為5～10秒，之後，藉由硼酸水中延伸使延伸倍率成為3.3倍的方式實施自由端1軸延伸而產生光學薄膜積層體10。
如上述說明，實施例4，係藉由空中高溫延伸及硼酸水中延伸構成之2段延伸，以及先予染色液浸漬的不溶化處理及先予硼酸水中延伸之架橋處理所構成之之前處理，使非晶性PET基材1被成膜之PVA層2的PVA分子被實施高次配向，而可以穩定產生經由染色使碘確實吸附於PVA分子而以多碘離子錯合物被高次配向於一方向之偏光膜，可以穩定產生包含構成該偏光膜之3μm厚度之PVA層的光學薄膜積層體10。
(洗淨工程(G))
實施例1或4之著色積層體9或架橋處理後之著色積層體9’，係於硼酸水中延伸工程(D)實施延伸處理，由硼酸水溶液51被取出。被取出之包含偏光膜3之光學薄膜積層體10，較好是直接送至洗淨工程(G)。洗淨工程(G)目的在於除去薄型高性能偏光膜3之表面附著之不要殘留物。亦可省略洗淨工程(G)，直接將被取出之包含偏光膜3之光學薄膜積層體10送至乾燥工程(H)。但是，洗淨處理不充分時，光學薄膜積層體10之乾燥後有可能由薄型高性能偏光膜3析出硼酸。具體言之為，將光學薄膜積層體10送至洗淨裝置80，以使薄型高性能偏光膜3之PVA不被溶解的方式，浸漬於液溫30℃之包含碘化鉀之洗淨液81，浸漬時間為1～10秒。洗淨液81中之碘化鉀濃度約為0.5～10重量%。
(乾燥工程(H))
洗淨後之光學薄膜積層體10，係被送至乾燥工程(H)實施乾燥。之後，乾燥後之光學薄膜積層體10，係藉由和乾燥裝置90並設之捲繞裝置91，被捲繞成為連續網狀物之光學薄膜積層體10，而產生包含薄型高性能偏光膜3之光學薄膜積層體10之捲軸。乾燥工程(H)可採用任意之適當之方法，例如自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥等。於實施例1及實施例4均於烤爐之乾燥裝置90，以60℃之溫風進行240秒之乾燥。
(貼合/轉印工程(I))
如上述說明，本發明係藉由空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2階段延伸工程實施延伸，而提供使用光學特性可以滿足上述所要條件，使二色性物質施予配向之PVA系樹脂構成之偏光膜的有機EL顯示裝置。
欲形成該有機EL顯示裝置時，係準備例如在非晶性PET基材等熱可塑性樹脂基材被成膜之，厚度10μm以下之，包含例如藉由上述實施例製造之厚度3μm之偏光膜3的光學薄膜積層體10，作為光學薄膜積層體10之捲軸，於貼合/轉印工程(I)，針對由捲軸送出之光學薄膜積層體10，可以同時進行以下之貼合處理及轉印處理。
製造之偏光膜3之厚度，藉由延伸施予薄膜化而成為10μm以下，通常僅設為約2～5μm之狀態。如此薄之偏光膜3無法作為單層體予以使用。因此，偏光膜3，係以殘留於製作該偏光膜之熱可塑性基材例如非晶性PET基材上之狀態，作為光學薄膜積層體10而予以使用，另外，亦可介由接著劑貼合/轉印至其他光學機能薄膜4而作為光學機能薄膜積層體11予以使用。
於如圖8、9所示貼合/轉印工程(I)，係將連續網狀物之光學薄膜積層體10包含之偏光膜3，與另外準備之光學機能薄膜4，介由接著劑進行貼合並進行捲繞，於該捲繞工程，係使偏光膜3轉印至光學機能薄膜4而將非晶性PET基材予以剝離，而產生光學機能薄膜積層體11。具體言之為，藉由包含於貼合/轉印裝置100之送出/貼合裝置101，使光學薄膜積層體10由捲軸送出，送出之光學薄膜積層體10之偏光膜3，係藉由捲繞/轉印裝置102，被轉印至光學機能薄膜4，於該過程偏光膜3會由基材1被剝離，而產生光學機能薄膜積層體11。
(各種製造條件之偏光膜之光學特性) (1)藉由不溶化工程來提升偏光膜之光學特性(實施例1～4)
如使用圖7之說明，依據實施例1～4製造之各個偏光膜，均為可以克服上述技術課題者，彼等之光學特性可以滿足有機EL顯示裝置要求之性能。另外，由圖7可知，實施例1之不實施不溶化處理之偏光膜之光學特性，係較實施第1不溶化處理及第2不溶化處理之實施例2～4之任一偏光膜之光學特性為低。比較個別之光學特性可知，依據實施例1＜(僅實施第1不溶化處理之實施例3)＜(僅實施第2不溶化處理之實施例2)＜(實施第1不溶化處理及第2不溶化處理之實施例4)之順序而使光學特性變高。藉由在包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造工程，追加具有第1及第2不溶化工程之製造方法所製造之偏光膜，可以更進一步提升彼等之光學特性。
(2)PVA系樹脂層厚度對偏光膜之光學特性之影響(實施例5)
於實施例4，係延伸7μm厚度之PVA層而形成厚度3μm之偏光膜。相對於此，於實施例5，係先形成厚度12μm之PVA層，延伸該PVA層而形成厚度5μm之偏光膜。其他均於同一條件製造偏光膜。
(3)不同之非晶性PET基材對偏光膜之光學特性之影響(實施例6)
於實施例4，係使用間苯二甲酸共聚合於PET之非晶性PET基材。相對於此，於實施例6，係使用對於PET共聚合變性基之1,4-環己烷二甲醇而成之非晶性PET基材。於實施例6，除此點以外均和實施例4於同一條件製造偏光膜。
參照圖13可知，依據實施例4~6之製造方法製造之偏光膜之光學特性不存在有意義之差。此乃因為PVA系樹脂層之厚度及非晶性酯系熱可塑性樹脂種類所得之偏光膜之光學特性，不致於產生可辨識程度之影響。
(4)空中補助延伸倍率對偏光膜之光學特性之提升(實施例7～9)
於實施例4，第1段之空中補助延伸及第2段之硼酸水中延伸個別之延伸倍率為1.8倍及3.3倍，於實施例7～9，個別之延伸倍率則設為1.2倍及4.9倍、1.5倍及4.0倍、2.5倍及2.4倍。於彼等實施例，除此點以外均和實施例4於同一條件製造偏光膜。例如空中補助延伸之延伸溫度為130℃，成為液溫75℃之硼酸水溶液進行硼酸水中延伸。實施例8、9之總延伸倍率設為6.0倍，可以和實施例4之空中補助延伸倍率設為1.8倍時之總延伸倍率5.94倍互相抗衡。相對於此，實施例7之總延伸倍率則以5.88倍為上限。此乃因為硼酸水中延伸中之延伸倍率無法設為4.9倍以上之結果。此可推斷為如圖20所示說明之，非晶性PET基材之延伸可能倍率對於第1段之空中補助延伸倍率與總延伸倍率之相關關係之影響。
參照圖14可知實施例7～9之偏光膜均和實施例4同樣，具有可以克服厚度10μm以下之偏光膜之製造相關之技術課題，能滿足有機EL顯示裝置要求之必要性能。比較個別之光學特性可知，依據實施例7＜實施例8＜實施例4＜實施例9之順序而使光學特性變高。此顯示，第1段之空中補助延伸之延伸倍率設為1.2倍～2.5倍範圍內時，第2段之硼酸水中延伸之最終之總延伸倍率即使設為同一程度之情況下，第1段之空中補助延伸之延伸倍率設為越高之偏光膜，其之光學特性越高。於包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造工程中，藉由設定第1段之空中補助延伸成為高延伸倍率，更進一步能提升製造之偏光膜，或者包含該偏光膜之光學薄膜積層體彼等之光學特性。
(5)空中補助延伸溫度對偏光膜之光學特性之提升(實施例10～12)
於實施例4，空中補助延伸溫度設為130℃，於實施例10～12，個別之空中補助延伸溫度設為95℃、110℃、150℃。均為較PVA之玻璃轉移溫度Tg高的溫度。於彼等實施例，除此點以外，例如包含空中補助延伸倍率設為1、8倍，及硼酸水中延伸之延伸倍率設為3.3倍之點，均和實施例4於同一條件製造偏光膜。實施例4之空中補助延伸之延伸溫度為130℃。包含實施例4，彼等實施例除了延伸溫度設為95℃、110℃、130℃及150℃之差異以外，製造條件均相同。
參照圖15可知實施例4、10～12之偏光膜均具有可以克服厚度10μm以下之偏光膜製造相關之技術課題，能滿足有機EL顯示裝置要求之必要性能。比較個別之光學特性可知，依據實施例10＜實施例11＜實施例4＜實施例12之順序而使光學特性變高。此顯示，第1段之空中補助延伸之溫度設為，較玻璃轉移溫度為高，由95℃～150℃依序變高而設定溫度環境時，第2段之硼酸水中延伸之最終之總延伸倍率即使設為同一之情況下，第1段之空中補助延伸之溫度設為越高之偏光膜，其之光學特性越高。於包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造工程中，藉由設定第1之空中補助延伸溫度成為高溫度，更進一步能提升製造之偏光膜，或者包含該偏光膜之光學薄膜積層體彼等之光學特性。
(6)總延伸倍率對偏光膜之光學特性之提升(實施例13～15)
於實施例4，第1段之空中補助延伸倍率設為1.8倍及第2段之硼酸水中延伸倍率設為3.3倍。相對於此，於實施例13～15，僅將個別之硼酸水中延伸倍率設為2.1倍、3.1倍及3.6倍。此意味著於實施例13～15之總延伸倍率設為5.04倍(約5倍)、5.58倍(約5.5倍)、6.48倍(約6.5倍)。實施例4之總延伸倍率設為5.94倍(約6倍)。包含實施例4在內，彼等實施例除了5倍、5.5倍、6.0倍、6.5倍之總延伸倍率差異以外，製造條件均相同。
參照圖16可知實施例4、13～15之偏光膜均具有可以克服厚度10μm以下之偏光膜製造相關之技術課題，能滿足有機EL顯示裝置要求之必要性能。比較個別之光學特性可知，依據實施例13＜實施例14＜實施例4＜實施例15之順序而使光學特性變高。此顯示，將任一之第1段之空中補助延伸倍率設為1.8倍，以總延伸倍率依5倍、5.5倍、6.0倍、6.5倍之順序變高的方式僅針對第2段之硼酸水中延伸倍率加以設定時，最終之總延伸倍率設為越高之偏光膜，其之光學特性越高。於包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造工程中，藉由設定第1段之空中補助延伸與第2段之硼酸水中延伸之總延伸倍率成為更高，則更進一步能提升製造之偏光膜，或者包含該偏光膜之光學薄膜積層體彼等之光學特性。
(7)固定端1軸延伸之總延伸倍率對偏光膜之光學特性之提升(實施例16～18)
於實施例16～18，除以下差異以外均和實施例4同一條件下製造光學薄膜積層體。差異在於空中補助延伸之延伸方法。實施例4係使用自由端1軸延伸之延伸方法，相對於此，實施例16～18係使用固定端1軸延伸之延伸方法。於彼等實施例，均設定第1段之空中補助延伸倍率為1.8倍，僅將個別之第2段之硼酸水中延伸倍率設為3.3倍、3.9倍及4.4倍。如此則，實施例16之總延伸倍率設為5.94倍(約6倍)，實施例17設為7.02倍(約7倍)，實施例18設為7.92倍(約8倍)。實施例16～18，除了此點以外，製造條件均相同。
參照圖17可知實施例16～18之偏光膜均具有可以克服厚度10μm以下之偏光膜製造相關之技術課題，能滿足有機EL顯示裝置要求之必要性能。比較個別之光學特性可知，依據實施例16＜實施例17＜實施例18之順序而使光學特性變高。此顯示，將任一之第1段之空中補助延伸倍率設為1.8倍，以總延伸倍率依6倍、7倍、8倍之順序變高的方式僅針對第2段之硼酸水中延伸倍率加以設定時，最終之總延伸倍率設為越高之偏光膜，其之光學特性越高。於包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造工程中，藉由設定固定端1軸延伸方法之第1段之空中補助延伸與第2段之硼酸水中延伸之總延伸倍率成為更高，則更進一步能提升製造之偏光膜，或者包含該偏光膜之光學薄膜積層體彼等之光學特性。另外，和使用自由端1軸延伸方法作為第1段之空中補助延伸比較，使用固定端1軸延伸方法作為第1段之空中補助延伸時，更能提高最終之總延伸倍率。
(發明之實施形態)
圖10a～12b表示使用上述偏光膜之本發明之有機EL顯示裝置之幾個實施形態。
圖10a表示本發明之有機EL顯示裝置之最基本之實施形態之斷面圖。該有機EL顯示裝置200，係具備有機EL顯示面板201，於有機EL顯示面板201之一面，介由透光性之黏著劑層202，接合含有偏光膜203及第1相位差層204之積層體205。偏光膜203及第1相位差層204，係用於產生圓偏光，據以防止由偏光膜203之辨識側射入內部之光於內部反射而射出至辨識側者。於偏光膜203之外側面接著有由透光性樹脂材料構成之保護層206。
雖有點隨意，亦可如圖10b所示，將偏光膜203與第1相位差層204予以接合，或將第1相位差層204與黏著劑層202予以接合。又，以下為求簡單，而將包含偏光膜203及第1相位差層204之積層體205，視為僅由偏光膜203及第1相位差層204構成，而以第1相位差層204與黏著劑層202被接合之例予以圖示。
雖有點隨意，亦可如圖10c所示，於有機EL顯示裝置之辨識側的保護層206之外側，如虛線所示，配置透明之窗口207。
如上述說明，偏光膜203為厚度10μm以下，能滿足上述光學特性者。和習知此種有機EL顯示裝置使用之偏光膜比較，該偏光膜203極薄，溫度或濕度條件產生之伸縮應力極小。因此，偏光膜之收縮產生之應力所導致發生於鄰接之有機EL顯示面板201之彎曲等之變形之可能性大幅降低，可以大幅抑制變形引起之顯示品質降低或面板密封材料之破壞。
於該構成，黏著劑層202係使用具備擴散機能之材料，亦可設為黏著劑層與擴散層之2層構成。
如圖10d所示光學顯示裝置之構成，係和圖10a～10c所示者大略同一構成，但於偏光膜203與保護層206之間配置有擴散層208。圖10e所示構成，擴散層208係配置於偏光膜203與有機EL顯示面板201之間。
如圖10f所示光學顯示裝置，基本上和圖10a～10c所示者同一構成，但為接著之容易，而使偏光膜203介由容易接著層209，藉由接著劑被接著於保護層206。容易接著層使用之材料為業界熟知者。
如圖10g所示光學顯示裝置，其和圖10e所示光學顯示裝置之差異，僅在於在保護層206之外側設置防止帶電層210。
如圖10h所示光學顯示裝置200，係於圖10g所示有機EL顯示裝置之構成，在保護層206與防止帶電層210之間，配置例如和1/4波長相位差膜等偏光膜共同被使用，用於產生圓偏光之第2相位差層211。依據該構成，在較偏光膜206更靠近辨識側，配置和偏光膜共同被使用之用於產生圓偏光之相位差層，因此，由有機EL顯示面板201經過偏光膜206射出之光，在射出第2相位差層211時會被轉換為圓偏光。該構成之有機EL顯示裝置，對於例如視聽者使用偏光太陽眼鏡時，亦不會阻礙辨識，此為其優點。
於如圖11所示有機EL顯示裝置300，係在有機EL顯示面板201之辨識側面，介由黏著劑層202接合第1相位差層204，於該第1相位差層204藉由接著劑接合偏光膜203。偏光膜203，係介由容易接著層209被接合於保護層204，於該保護層204被接合圖案相位差層301。如非專利文獻1之揭示，該圖案相位差層301係形成圖案相位差膜。圖案相位差層係指，為能進行3D顯示，而具有將由顯示面板輸出之右眼用之影像與左眼用之影像分別變化為個別之偏光狀態的機能。於圖案相位差層301之外側，雖為任意，可以配置窗口207。
圖12a表示具有觸控輸入感測機能之有機EL顯示裝置400之實施形態。有機EL顯示裝置400之面板構成，係和如圖10h所示者大略同一，於對應之構成要素附加和圖10h所示者同一符號而省略說明。於該實施形態中，係於防止帶電層210與窗口207之間配置觸控面板積層體401。該觸控面板積層體401，可為容量型觸控面板或電阻膜型觸控面板。如圖12(a)所示，容量型觸控面板時，可由上側之圖案電極401a與下側之圖案電極401b挾持介電體層401c呈對向配置之構成。容量型觸控面板積層體，除圖示之構造以外，可採用習知任一構造。欲將觸控面板積層體401設為電阻膜型構成時，係於上側電極與下側電極之間配置間隔件(spacer)，而構成為在兩電極間形成空氣間隙。此種觸控面板積層體之構成，習知有各種不同之配置。本實施形態中，可使用其中任一。
圖12b表示具有觸控輸入感測機能之有機EL顯示裝置之其他實施形態之有機EL顯示裝置500。於該實施形態中，有機EL顯示裝置500之面板構成，係和如圖10h所示者大略同一，於對應之構成要素附加和圖10h所示者同一符號而省略說明。於該實施形態中，係於有機EL顯示面板201與第1相位差層204之間配置觸控面板積層體501。和如圖12a所示實施形態同樣，於該實施形態中，該觸控面板積層體401，可為容量型觸控面板或電阻膜型觸控面板。
以上依據圖面圖示、詳細說明本發明特定之實施形態，但是本發明之保護範圍並不限定於上圖示之實施形態之細部，而是由申請專利範圍之記載訂定之範圍加以決定。
(發明效果)
依據本發明，可以獲得和習知偏光膜比較大幅被薄膜化，而且具備必要之光學特性的偏光膜、包含該偏光膜之光學薄膜積層體，以及包含該偏光膜之光學薄膜積層體之製造使用之延伸積層體，藉由使用和習知偏光膜比較大幅被薄膜化的偏光膜，可以獲得乃至穩定獲得具備必要之光學特性的有機EL顯示裝置。亦即，可以獲得乃至穩定獲得：由施予二色性物質配向後之PVA系樹脂構成，厚度為10μm以下，具備必要之光學特性的偏光膜，包含此種偏光膜之光學薄膜積層體，及包含此種偏光膜之光學薄膜積層體之製造使用的延伸積層體，以及彼等之製造方法，以及具有此種偏光膜之有機EL顯示裝置。
如上述說明，使使用熱可塑性樹脂基材、包含形成於該基材上之PVA系樹脂層的積層體，以延伸倍率成為5倍以上的方式實施一軸延伸，而穩定獲得厚度為10μm以下之偏光膜一事、以延伸倍率成為4～5倍的方式實施一軸延伸，而穩定獲得厚度為10μm以下之偏光膜一事係未曾出現於習知技術記載之文獻中。
以下參照圖面詳細說明本發明使用之偏光膜之製造方法之代表例及本發明之有機EL顯示裝置之實施形態。
1．．．非晶性PET基材
2．．．PVA系樹脂層
3．．．偏光膜
4．．．光學機能薄膜
5．．．第2光學機能薄膜
7．．．包含PVA系樹脂層之積層體
8．．．延伸積層體
8’．．．延伸積層體之捲軸
8”．．．不溶化處理後之延伸積層體
9．．．著色積層體
9’．．．架橋處理後之著色積層體
10．．．光學薄膜積層體
11．．．光學機能薄膜積層體
20．．．積層體製作裝置
21．．．塗布手段
22．．．乾燥手段
23．．．表面改質處理裝置
30．．．空中補助延伸處理裝置
31．．．延伸手段
32．．．捲繞裝置
33．．．烤爐
40．．．染色裝置
41．．．染色液
42．．．染色浴
43．．．送出裝置
50．．．硼酸水中處理裝置
51．．．硼酸水溶液
52．．．硼酸浴
53．．．延伸手段
60．．．不溶化處理裝置
61．．．硼酸不溶化水溶液
70．．．架橋處理裝置
71．．．硼酸架橋水溶液
80．．．洗淨裝置
81．．．洗淨液
90．．．乾燥裝置
91．．．捲繞裝置
100．．．貼合/轉印裝置
101．．．送出/貼合裝置
102．．．捲繞/轉印裝置
200．．．有機EL顯示裝置
201．．．有機EL顯示面板
202．．．黏著劑層
203．．．偏光膜
204．．．第1相位差層
205．．．積層體
206．．．保護層
207．．．窗口
208．．．擴散層
209．．．容易接著層
210．．．防止帶電層
211．．．第2相位差層
300．．．有機EL顯示裝置
301．．．圖案相位差層
400．．．有機EL顯示裝置
401．．．觸控面板積層體
401a．．．圖案電極
401b．．．圖案電極
401c．．．介電體層
500．．．有機EL顯示裝置
501．．．觸控面板積層體
(A)．．．積層體製作工程
(B)．．．空中補助延伸工程
(C)．．．染色工程
(D)．．．硼酸水中延伸工程
(E)．．．第1不溶化工程
(F)．．．包含第1不溶化處理的架橋工程
(G)．．．洗淨工程
(H)．．．乾燥工程
(I)．．．貼合/轉印工程
圖1表示相對於PVA層之厚度(或偏光膜厚度)的樹脂基材之適當厚度之圖表。
圖2表示厚度為3μm、8μm、10μm之偏光膜的偏光性能之比較圖。
圖3表示單體透過率P與偏光度T之關係之圖表。
圖4表示有機EL顯示裝置使用之偏光膜要求之光學特性之範圍之圖表。
圖5表示染色浴中之碘濃度差異對PVA系樹脂層之溶解之有無之比較表。
圖6表示染色浴中之碘濃度與PVA系樹脂層產生之偏光膜之偏光性能之關係之圖表。
圖7表示本發明實施例之偏光膜之偏光性能之圖表。
圖8表示製造光學薄膜積層體之不包含不溶化處理的製造工程之概略圖。
圖9表示製造光學薄膜積層體之包含不溶化處理的製造工程之概略圖。
圖10a表示本發明各種實施形態之有機EL顯示裝置之斷面圖。
圖10b表示本發明各種實施形態之有機EL顯示裝置之斷面圖。
圖10c表示本發明各種實施形態之有機EL顯示裝置之斷面圖。
圖10d表示本發明各種實施形態之有機EL顯示裝置之斷面圖。
圖10e表示本發明各種實施形態之有機EL顯示裝置之斷面圖。
圖10f表示本發明各種實施形態之有機EL顯示裝置之斷面圖。
圖10g表示本發明各種實施形態之有機EL顯示裝置之斷面圖。
圖10h表示本發明各種實施形態之有機EL顯示裝置之斷面圖。
圖11表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例之斷面圖。
圖12a表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例之斷面圖。
圖12b表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例之斷面圖。
圖13表示本發明幾個實施例之偏光膜之偏光性能對比之圖表。
圖14表示本發明另外幾個實施例之偏光膜之偏光性能對比之圖表。
圖15表示本發明實施例之偏光膜之偏光性能之圖表。
圖16表示本發明另一實施例之偏光膜之偏光性能之圖表。
圖17表示本發明再另一實施例之偏光膜之偏光性能之圖表。
圖18表示結晶性PET與非晶性PET與PVA系樹脂之個別之延伸溫度及延伸可能倍率之相對關係之圖表。
圖19表示結晶性PET與非晶性PET之Tg與融點Tm間之溫度變化伴隨產生之結晶化速度之變化之圖表。
圖20表示非晶性PET與PVA之空中高溫之延伸倍率及總延伸倍率之關係之圖表。
圖21表示結晶性PET與非晶性PET與PVA系樹脂相關之空中高溫之延伸溫度及總延伸可能倍率之相對關係之圖表。
圖22表示對於總延伸倍率可用作為熱可塑性樹脂基材之PET之配向性及結晶化度之圖表。
圖23表示實施1.8倍之空中補助延伸的補助延伸溫度與補助延伸處理後之PET之配向函數之關係之圖表。
圖24表示PVA之結晶化度與PVA之配向函數之相對關係之圖表。
圖25表示使用熱可塑性樹脂基材製造之偏光膜之製造工程之概略。
圖26表示未包含於本發明之例之偏光膜之偏光性能之圖表。
圖27表示本發明之實施例之中，製造之偏光膜、或包含偏光膜之光學薄膜積層體之製造條件之一覽表。
圖28表示本發明之實施例之中，製造之偏光膜、或包含偏光膜之光學薄膜積層體之製造條件之一覽表。
圖29表示本發明之實施例與參照例1～3之配向函數值之比較表。
圖30表示本發明實施例之偏光膜之偏光性能之圖表。
圖31a表示使用本發明實施例之偏光膜的有機EL顯示裝置之加熱引起之色度變化之色度圖。
圖31b表示使用比較例之偏光膜的有機EL顯示裝置之加熱引起之色度變化之色度圖。
圖32a表示使用本發明實施例之偏光膜的有機EL顯示裝置之加熱引起之色不均勻之照片。
圖32b表示使用比較例之偏光膜的有機EL顯示裝置之加熱引起之色不均勻之照片。
1．．．非晶性PET基材
2．．．PVA系樹脂層
3．．．偏光膜
4．．．光學機能薄膜
7．．．包含PVA系樹脂層之積層體
8．．．延伸積層體
8’．．．延伸積層體之捲軸
9．．．著色積層體
10．．．光學薄膜積層體
11．．．光學薄膜積層體
20．．．積層體製作裝置
21．．．塗布手段
22．．．乾燥手段
23．．．表面改質處理裝置
30．．．空中補助延伸處理裝置
31．．．延伸手段
32．．．捲繞裝置
33．．．烤爐
40．．．染色裝置
41．．．染色液
42．．．染色浴
43．．．送出裝置
50．．．硼酸水中處理裝置
51．．．硼酸水溶液
52．．．硼酸浴
53．．．延伸手段
80．．．洗淨裝置
81．．．洗淨液
90．．．乾燥裝置
91．．．捲繞裝置
100．．．貼合/轉印裝置
101．．．送出/貼合裝置
102．．．捲繞/轉印裝置
(A)．．．積層體製作工程
(B)．．．空中補助延伸工程
(C)．．．染色工程
(D)．．．硼酸水中延伸工程
(F)．．．包含第1不溶化處理的架橋工程
(G)．．．洗淨工程
(H)．．．乾燥工程
(I)．．．貼合/轉印工程

Claims (62)

  1. 一種有機EL顯示裝置用偏光膜，其特徵為：係由二色性物質施予配向的PVA(聚乙烯醇)系樹脂所構成之連續網狀物(web)的有機EL顯示裝置用偏光膜；使包含被成膜於非晶性熱可塑性樹脂基材之上述PVA系樹脂層的積層體，藉由空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程進行延伸，而予以製造厚度為10μm以下，而且單體透過率設為T，偏光度設為P時，具有能滿足T≧43.0、以及P≧99.5之條件之光學特性者。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機EL顯示裝置用偏光膜，其中上述非晶性熱可塑性樹脂基材，係非晶性酯系熱可塑性樹脂基材。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之有機EL顯示裝置用偏光膜，其中上述二色性物質為碘(I)或碘與有機染料之混合物。
  4. 一種光學機能薄膜積層體，其特徵為：在如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之上述有機EL顯示裝置用偏光膜之連續網狀物之一面貼合光學機能薄膜，在另一面形成黏著劑層，介由上述黏著劑層將分離層(separator)剝離自如地予以積層。
  5. 一種光學機能薄膜積層體，其特徵為：在如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之上述有機EL顯示裝置用偏光膜之連續網狀物之一面貼合第1光學機能薄膜，在另一面貼合第2光學機能薄膜而形成積層體，於該積層體之一面介由黏著劑層將分離層剝離自如地予以積層。
  6. 一種光學機能薄膜積層體，其特徵為：在如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之上述有機EL顯示裝置用偏光膜之連續網狀物之一面貼合保護層，在另一面將和上述有機EL顯示裝置用偏光膜同時被使用、用於產生圓偏光的相位差層予以貼合而形成積層體，於該積層體之一面介由黏著劑層將分離層剝離自如地予以積層。
  7. 一種光學薄膜積層體，其特徵為：包含：連續網狀物之非晶性熱可塑性樹脂基材；及有機EL顯示裝置用偏光膜，由在該非晶性熱可塑性樹脂基材被成膜之針對二色性物質施予配向的PVA系樹脂所構成；上述有機EL顯示裝置用偏光膜，係使包含被成膜於非晶性熱可塑性樹脂基材之上述PVA系樹脂層的積層體，藉由空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程進行延伸，而予以製造厚度為10μm以下，而且單體透過率設為T，偏光度設為P時，具有滿足T≧43.0，以及P≧99.5之條件之光學特性者。
  8. 如申請專利範圍第7項之光學薄膜積層體，其中上述非晶性熱可塑性樹脂基材，係非晶性酯系熱可塑性樹脂基材。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項之光學薄膜積層體，其中上述非晶性熱可塑性樹脂基材之厚度，係被成膜之PVA系樹脂層之厚度之6倍以上。
  10. 如申請專利範圍第7項或第8項之光學薄膜積層體，其中上述非晶性熱可塑性樹脂基材，係包含：使間苯二甲酸共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、使環己烷二甲醇共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、或其他共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯的非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯。
  11. 如申請專利範圍第7項或第8項之光學薄膜積層體，其中上述非晶性熱可塑性樹脂基材，係由透明樹脂構成。
  12. 如申請專利範圍第7項或第8項之光學薄膜積層體，其中上述二色性物質為碘(I)或碘與有機染料之混合物。
  13. 一種光學薄膜積層體，其特徵為：在如申請專利範圍第7項或第8項之上述光學薄膜積層體所包含的非晶性熱可塑性樹脂基材之未形成有上述有機EL顯示裝置用偏光膜之面，介由黏著劑層使分離層剝 離自如地予以積層者。
  14. 一種光學薄膜積層體，其特徵為：在如申請專利範圍第7項或第8項之上述光學薄膜積層體所包含的非晶性熱可塑性樹脂基材之未形成有上述有機EL顯示裝置用偏光膜之面，貼合光學機能薄膜，於貼合之上述光學機能薄膜上形成黏著劑層，介由上述黏著劑層使分離層剝離自如地予以積層者。
  15. 一種光學薄膜積層體，其特徵為：在如申請專利範圍第7項或第8項之上述光學薄膜積層體所包含的非晶性熱可塑性樹脂基材之未形成有上述有機EL顯示裝置用偏光膜之面，將和上述有機EL顯示裝置用偏光膜同時被使用、用於產生圓偏光的相位差層予以貼合，於貼合之上述光學機能薄膜上形成黏著劑層，介由上述黏著劑層使分離層剝離自如地予以積層者。
  16. 一種延伸積層體，其特徵為：包含：用於製造光學薄膜積層體，由施予配向的PVA系樹脂構成之延伸中間生成物；該光學薄膜積層體係包含：連續網狀物之非晶性酯系熱可塑性樹脂基材；及有機EL顯示裝置用偏光膜，其由在該非晶性酯系熱可塑性樹脂基材被成膜之針對二色性物質施予配向的PVA系樹脂所構成；作為上述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，係使用配向函數設為0.10以下，被施予空中補助延伸之非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)； 上述延伸中間生成物，係使用結晶化度為27%以上40%以下，以及配向函數設為0.05以上、0.35以下之PVA系樹脂；上述有機EL顯示裝置用偏光膜，係於上述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材被成膜之10μm以下之厚度者，而且單體透過率設為T，偏光度設為P時，具有滿足T≧43.0，以及P≧99.5之條件之光學特性者。
  17. 如申請專利範圍第16項之延伸積層體，其中上述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材之厚度，係被成膜之PVA系樹脂層之厚度之6倍以上。
  18. 如申請專利範圍第16項或第17項之延伸積層體，其中上述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，係配向函數設為0.10以下的，被施予空中高溫延伸處理之包含：使間苯二甲酸共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、使環己烷二甲醇共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、或其他共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯的非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯。
  19. 如申請專利範圍第16項或第17項之延伸積層體，其中上述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，係由透明樹脂構成。
  20. 一種光學薄膜積層體之製造方法，其特徵為：該光學薄膜積層體，係在連續網狀物之非晶性熱可塑 性樹脂基材對二色性物質施予配向而形成由PVA系樹脂構成之有機EL顯示裝置用偏光膜者；包含：針對包含上述非晶性熱可塑性樹脂基材及在上述非晶性熱可塑性樹脂基材被成膜之PVA系樹脂層的積層體，藉由空中高溫延伸而產生延伸積層體的工程，該延伸積層體係包含由施予配向之PVA系樹脂層所構成之延伸中間生成物者；針對上述延伸積層體實施二色性物質之吸附，而產生著色積層體的工程，該著色積層體係包含對二色性物質施予配向之PVA系樹脂層所構成之著色中間生成物者；及針對上述著色積層體實施硼酸水溶液中之延伸，而產生光學薄膜積層體的工程，該光學薄膜積層體係包含對二色性物質施予配向之PVA系樹脂所構成之有機EL顯示裝置用偏光膜者；上述有機EL顯示裝置用偏光膜，其之單體透過率T與偏光度P所構成之光學特性值，係在T≧43.0，以及P≧99.5表示之範圍內，上述有機EL顯示裝置用偏光膜之厚度為10μm以下。
  21. 如申請專利範圍第20項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述非晶性熱可塑性樹脂基材，係非晶性酯系熱可塑性樹脂基材。
  22. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述非晶性熱可塑性樹脂基材之厚度，係被成膜之PVA系樹脂層之厚度之6倍以上。
  23. 如申請專利範圍第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，係包含：使間苯二甲酸共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、使環己烷二甲醇共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、或其他共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯的非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯。
  24. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述非晶性熱可塑性樹脂基材，係由透明樹脂構成。
  25. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中另包含：在上述非晶性熱可塑性樹脂基材塗布PVA系樹脂予以乾燥，而使PVA系樹脂層成膜於上述非晶性熱可塑性樹脂基材的工程。
  26. 如申請專利範圍第20項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述空中高溫延伸之延伸倍率為3.5倍以下。
  27. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中 上述空中高溫延伸之延伸溫度為PVA系樹脂之玻璃轉移溫度以上。
  28. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述空中高溫延伸之延伸溫度為95℃~150℃。
  29. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述著色積層體，係將上述延伸積層體浸漬於二色性物質之染色液而產生。
  30. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中另包含：第1不溶化工程，在將上述延伸積層體浸漬於二色性物質之染色液之前，係對包含於上述延伸積層體之上述延伸中間生成物實施不溶化處理。
  31. 如申請專利範圍第30項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述第1不溶化工程為，將上述延伸積層體浸漬於液溫不大於40℃之硼酸水溶液的工程。
  32. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述有機EL顯示裝置用偏光膜，係在硼酸水溶液中實施上述著色積層體之延伸，使厚度成為10μm以下而予以生成。
  33. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積 層體之製造方法，其中另包含：第2不溶化工程，在上述硼酸水溶液中實施上述著色積層體之延伸之前，對上述著色積層體實施不溶化處理。
  34. 如申請專利範圍第33項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述第2不溶化工程為，將上述著色積層體浸漬於液溫不大於40℃之硼酸水溶液的工程。
  35. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述空中高溫延伸以及上述硼酸水溶液中之延伸，係使上述延伸積層體與上述著色積層體之總延伸倍率成為5.0倍以上。
  36. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述硼酸水溶液中之延伸的硼酸水溶液之液溫為60℃以上。
  37. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中上述空中高溫延伸藉由自由端1軸延伸而進行時，係使上述延伸積層體與上述著色積層體之總延伸倍率成為5倍以上、7.5倍以下。
  38. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中 上述空中高溫延伸藉由固定端1軸延伸而進行時，係使上述延伸積層體與上述著色積層體之總延伸倍率成為5倍以上、8.5倍以下。
  39. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中另包含：洗淨工程，係藉由包含較包含於光學薄膜積層體之上述非晶性熱可塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度為低溫的碘化物鹽之水溶液，對上述光學薄膜積層體進行洗淨，該光學薄膜積層體係包含對二色性物質施予配向之PVA系樹脂所構成之有機EL顯示裝置用偏光膜者。
  40. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中另包含：乾燥工程，於50℃以上、100℃以下溫度進行上述光學薄膜積層體之乾燥。
  41. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中另包含：在上述光學薄膜積層體所包含之上述非晶性熱可塑性樹脂基材被成膜之上述有機EL顯示裝置用偏光膜之另一面，介由黏著劑將分離層予以積層的工程。
  42. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學薄膜積層體之製造方法，其中另包含：在上述光學薄膜積層體所包含之上述非晶性熱可塑性樹脂基材被成膜之上述有機EL顯示裝置用偏光膜之另一面，將光學機能薄膜予以積層的工程。
  43. 如申請專利範圍第42項之光學薄膜積層體之製造方法，其中另包含：在上述光學機能薄膜之另一面，介由黏著劑將分離層予以積層的工程。
  44. 如申請專利範圍第20項或第21項之光學機能薄膜積層體之製造方法，其中另包含：在上述光學薄膜積層體所包含的，上述非晶性熱可塑性樹脂基材之未形成有上述有機EL顯示裝置用偏光膜之面，將光學機能薄膜予以積層之同時，藉由將上述非晶性熱可塑性樹脂基材由上述有機EL顯示裝置用偏光膜予以剝離，而將上述有機EL顯示裝置用偏光膜轉印至上述光學機能薄膜，而產生在上述光學機能薄膜被轉印著上述有機EL顯示裝置用偏光膜的光學機能薄膜積層體的工程。
  45. 如申請專利範圍第44項之光學薄膜積層體之製造方法，其中另包含：在被轉印至上述光學機能薄膜的上述有機EL顯示裝置用偏光膜之另一面，介由黏著劑將分離層予以積層的工程。
  46. 如申請專利範圍第44項之光學薄膜積層體之製造方法，其中另包含：在被轉印至上述光學機能薄膜的上述有機EL顯示裝置用偏光膜之另一面，將第2光學機能薄膜予以積層，於該第2光學機能薄膜介由黏著劑將分離層予以 積層的工程。
  47. 一種有機EL顯示裝置，其特徵為：使積層體，於第1相位差層側之面介由光學透明之黏著劑層，予以接合於有機EL顯示面板之一面，在上述第1相位差層之相反側的偏光膜之面，將透明樹脂材料之保護層予以接合，上述積層體係包含：偏光膜，其由包含被成膜於非晶性熱可塑性樹脂基材之上述PVA系樹脂層的積層體，藉由空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程進行延伸，而予以製造厚度為10μm以下，以單體透過率T及偏光度P表示之光學特性時，能滿足T≧43.0，以及P≧99.5之條件而構成針對二色性物質施予配向的PVA系樹脂者；及上述第1相位差層；上述積層體，係產生圓偏光，用於防止由上述偏光膜之辨識側射入內部之光於內部被反射而由辨識側射出者。
  48. 如申請專利範圍第47項之有機EL顯示裝置，其中上述偏光膜與上述第1相位差層係被接合。
  49. 如申請專利範圍第47項或第48項之有機EL顯示裝置，其中在上述保護層之外側配置有窗口(window)。
  50. 如申請專利範圍第47項或第48項之有機EL顯示裝置，其中在上述保護層與上述偏光膜之間以及上述偏光膜與上述有機EL顯示面板之間之其中至少一方配置有擴散層。
  51. 如申請專利範圍第47項或第48項之有機EL顯示裝置，其中在上述偏光膜與上述保護層之間形成容易接著層，以使該偏光膜與該保護層之間之接著變為容易。
  52. 如申請專利範圍第47項或第48項之有機EL顯示裝置，其中在上述保護層形成有防止帶電層。
  53. 如申請專利範圍第47項或第48項之有機EL顯示裝置，其中上述保護層，係和上述偏光膜同時被使用而構成產生圓偏光之第2相位差層。
  54. 如申請專利範圍第47項或第48項之有機EL顯示裝置，其中上述偏光膜，係對酯系熱可塑性樹脂材料之基材上施予塗布形成之PVA系樹脂層，連同該熱可塑性樹脂基材以上述2段延伸工程進行延伸而形成者，上述透明樹脂材料之保護層，係由和該PVA系樹脂層同時被延伸之該熱可塑性樹脂基材予以構成。
  55. 如申請專利範圍第54項之有機EL顯示裝置，其中上述酯系熱可塑性樹脂材料，係非晶性PET。
  56. 如申請專利範圍第47項或第48項之有機EL顯示裝置，其中上述透明樹脂材料之保護層，係由纖維素系材料或丙 烯基系樹脂材料構成。
  57. 如申請專利範圍第47項或第48項之有機EL顯示裝置，其中上述透明樹脂材料之保護層，係用於構成圖案相位差層。
  58. 如申請專利範圍第47項或第48項之有機EL顯示裝置，其中對上述顯示面板配置在辨識側具有觸控檢測機能的觸控面板積層體。
  59. 如申請專利範圍第58項之有機EL顯示裝置，其中上述觸控面板積層體為，施予圖案化之成對之透明電極介由介電體層被配置而構成之容量型觸控面板。
  60. 如申請專利範圍第59項之有機EL顯示裝置，其中上述觸控面板積層體，係配置於辨識側最外構件與上述偏光膜之間。
  61. 如申請專利範圍第59項之有機EL顯示裝置，其中上述觸控面板積層體，係配置於上述偏光膜與上述顯示面板之間。
  62. 如申請專利範圍第58項之有機EL顯示裝置，其中上述觸控面板積層體為，透明電極介由空氣間隙而與 對向電極呈對向被配置所構成之電阻膜型觸控面板，被配置於辨識側最外構件與上述偏光膜之間、或者上述偏光膜與上述顯示面板之間。
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