TW201501910A - 具有凹凸構造之構件的製造方法以及藉由該方法所製出之具有凹凸構造之構件 - Google Patents

具有凹凸構造之構件的製造方法以及藉由該方法所製出之具有凹凸構造之構件 Download PDF

Info

Publication number
TW201501910A
TW201501910A TW103106423A TW103106423A TW201501910A TW 201501910 A TW201501910 A TW 201501910A TW 103106423 A TW103106423 A TW 103106423A TW 103106423 A TW103106423 A TW 103106423A TW 201501910 A TW201501910 A TW 201501910A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
convex
concavo
sol
uneven
Prior art date
Application number
TW103106423A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigetaka Toriyama
Madoka Takahashi
Original Assignee
Jx Nippon Oil & Energy Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jx Nippon Oil & Energy Corp filed Critical Jx Nippon Oil & Energy Corp
Publication of TW201501910A publication Critical patent/TW201501910A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G02B3/0031—Replication or moulding, e.g. hot embossing, UV-casting, injection moulding
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0268—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the fabrication or manufacturing method
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

具有凹凸構造之構件的製造方法，係具有：準備微接觸印刷用的印模之工程S1、調製凹凸形成材料之工程S2、在微接觸印刷用印模之凸部塗布凹凸形成材料之工程S3、將塗布後之凹凸形成材料轉印至基板上之轉印工程S4、調製凹凸被覆材料之工程S5、在基板上塗布凹凸被覆材料之工程S6、使凹凸形成材料及凹凸被覆材料硬化之硬化工程S7。可有效率且簡便地製造具有凹凸構造之構件。

Description

具有凹凸構造之構件的製造方法以及藉由該方法所製出之具有凹凸構造之構件
本發明，係關於使用微接觸印刷法之具有凹凸構造之構件的製造方法。
做為如半導體積體電路之微細圖樣的形成方法，已知有微影技術法。以微影技術法所形成之圖像的解析度，係由光源的波長或光學系的開口數所決定，為了滿足近年的微細化元件的需求，更短波長的光源被期待。然而，短波長光源價格昂貴，其開發不容易，也需要開發為了透過如此短波長之光學材料。又，用以往的微影技術法製造大面積的圖樣，係需要大型的光學元件，在技術上與經濟面上都伴隨著困難。因此，形成具有大面積之所希望的圖樣之新規方法已被檢討。
做為不使用以往的微影技術裝置，而形成微影圖樣之方法已知有奈米壓印法。奈米壓印法，係藉由將樹脂夾在模(模具)與基板中，而可轉印奈米等級的圖樣之技術，不僅是半導體元件，在有機EL元件與LED等之光學元件、MEMS、生物晶片等多種領域中被期待實用化。
做為使用熱固性材料之奈米壓印法，例如，如專利文獻1所記載，將阻絕膜塗布於基板，藉由平板狀的模加壓 後，藉由加熱器使阻絕膜硬化之方法，特別是使用無機系的溶膠凝膠材料之奈米壓印成形物耐熱性高，適合伴隨高溫處理的製程。更且，也已知以如在專利文獻2所記載之使用圓筒狀的具有微細凹凸圖樣之金屬製的複製用原版與壓輥之滾壓法來取代使用平板狀模之加壓法。然而，金屬製之複製用原版係藉由電鑄等來形成而高價，因此不容易量產化。另一方面，做為使用樹脂製印模之奈米壓印法，有如專利文獻3所記載之微接觸印刷法。在微接觸印刷法所使用的樹脂製印模具有價廉且可簡便地複製的優點。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本專利特開第2008-049544號公報
【專利文獻2】日本專利特開第2010-269480號公報
【專利文獻3】日本專利特開第2011-005768號公報
本發明之目的，為提供可有效率地量產具有微細的凹凸構造之構件之新規的製造方法。
根據本發明之第一形態，係提供一種具有凹凸構造之構件的製造方法，具有凹凸構造之構件的製造方法，具有：準備具有凹凸圖樣的印模之工程、在前述印模的凸部，塗布凹凸形成材料的工程、藉由使前述塗布了前述凹凸形成材料 之前述印模接觸於基板，而將前述凹凸形成材料轉印於前述基板上之工程、如包覆前述轉印之前述凹凸形成材料般，在前述基板上塗布凹凸被覆材料之工程。
在前述具有凹凸構造之構件的製造方法中，也可 藉由在前述基板上塗布前述凹凸被覆材料，而在前述基板上形成前述凹凸形狀材料以及前述凹凸被覆材料所形成之凹凸構造層。
在前述具有凹凸構造之構件的製造方法中，前述 凹凸形成材料可為溶膠凝膠材料(sol-gel material)。前述凹凸被覆材料可為溶膠凝膠材料。又，具有凹凸構造之構件可為光學基板。
在前述具有凹凸構造之構件的製造方法中，前述印模也可由矽膠所形成。
在前述具有凹凸構造之構件的製造方法中，前述凹凸形成材料的黏度可較前述凹凸被覆材料的黏度高。
在前述具有凹凸構造之構件的製造方法中，在將前述凹凸形成材料轉印至前述基板上之工程中，可加熱前述凹凸形成材料。在此情況，前述凹凸形成材料之加熱溫度可為150~200℃。
在前述具有凹凸構造之構件的製造方法中，被轉印之前述凹凸形成材料的高度可藉由前述凹凸形成材料之固形分濃度來調整。
在前述具有凹凸構造之構件的製造方法中，被塗布之前述凹凸被覆材料的膜厚可藉由前述凹凸被覆材料之固 形分濃度來調整。
根據本發明之第2形態，提供藉由第1形態之具 有凹凸構造之構件的製造方法所得到之在前述基板上具有凹凸構造之構件。
根據本發明之第3形態，提供使用第2形態之具 有凹凸構造之構件來製造有機EL元件之有機EL元件之製造方法。
根據本發明之第4形態，提供一種光學構件，係 具有凹凸構造之光學構件，包括：基板、由不同於前述基板之材料所形成且在前述基板的表面上由各自獨立的複數的凸部所形成島狀構造、被覆前述島狀構造以及露出於前述凸部間之基板表面的被覆部。前述凸部與前述被覆部，皆可由溶膠凝膠材料(sol-gel material)所形成。或者，前述凸部與前述被覆部也可由不同的材料所形成。前述光學構件適合做為有機EL用的光萃取基板。
本發明之具有凹凸構造之構件的製造方法，可有效率且簡便地製造如光學基板之具有微細的凹凸構造之構件。藉由本發明之製造方法製造之構件的凹凸圖樣可由溶膠凝膠材料所形成，在該情況，所製造的元件耐熱性、耐候性(包含耐光性的概念)以及耐蝕性優良，組裝了該元件之構件的製程也具有耐性，又，也可以這些元件長壽命化。因此，藉由本發明之製造方法所取得之具有各種凹凸構造之構件，對於有機EL元件或太陽電池等各種元件極為有效，使用如此而得到之 具有凹凸構造的構件，可製造耐熱性、耐候性及耐蝕性優良的有機EL元件。
38‧‧‧主模
40‧‧‧基板
42‧‧‧溶膠凝膠材料層
52‧‧‧第1溶膠凝膠材料的塗膜
62‧‧‧第2溶膠凝膠材料的塗膜
83‧‧‧印模
92‧‧‧透明電極
94‧‧‧有機層
95‧‧‧正孔輸送層
96‧‧‧發光層
97‧‧‧電子輸送層
98‧‧‧金屬電極
200‧‧‧有機EL元件
第1圖係表示本發明之具有凹凸構造之構件的製造方法之流程圖。
第2圖(A)~(C)，係概念地表示製造在實施形態的光學基板之製造方法中所使用的微接觸印刷用印模之各工程的圖。
第3圖(A)~(C)，係概念地表示藉由微接觸印刷法之轉印製程之各工程的圖。
第4圖係藉由實施形態的光學基板之製造方法而製造之光學基板的剖面構造概念圖。
第5圖係表示有機EL元件之剖面構造的圖。
以下，一邊參照圖式，一邊對於本發明之具有凹凸構造的構件之製造方法的實施形態說明。又，在以下的說明，做為在基板上形成凹凸構造層之材料，以溶膠凝膠材料為例來說明。本發明之具有凹凸圖樣或凹凸構造之構件的製造方法，係如第1圖所示，主要具有：準備微接觸印刷用的印模(模具)之工程S1、調製凹凸形成材料之工程S2、在微接觸印刷用印模之凸部塗布凹凸形成材料之工程S3、將塗布後之凹凸形成材料轉印至基板上之轉印工程S4、調製凹凸被覆材料之工程S5、在基板上塗布凹凸被覆材料之工程S6、使凹凸形成材料及凹凸被覆材料所形成之凹凸構造層硬化之硬化工程S7。 以下，對於各工程依序說明。又，在以下說明中，以具有波形構造之光學基板為具有凹凸圖樣或凹凸構造之構件為例來說明。
[準備印模之工程]
在實施形態的光學基板的製造方法中，微接觸印刷所使用的印模，係由可彈性變形的材料所構成，在表面上具有凹凸的轉印圖樣。印模，係以後述印模製造方法而可製造。做為可彈性變形的材料以橡膠系材料為佳，特別是，矽膠，或是矽膠與其他材料之混合物或共聚物為佳。做為矽膠，可使用例如聚二甲氧基矽烷(PDMS)般之聚有機矽氧烷、交聯型聚有機矽氧烷、聚有機矽氧烷/聚碳酸酯共聚物、聚有機矽氧烷/聚亞苯基共聚物、聚有機矽氧烷/聚苯乙烯共聚物、聚三甲基矽基丙烯、和聚4-甲基戊烯等。矽膠，由於較其他樹脂材料價廉，且耐熱優良、熱傳導性高、具有彈性、在高溫條件下也不易變形，因此適合於在高溫條件下進行之凹凸圖樣轉印製程。
印模，例如，可使長50~1000mm、寬50~3000mm、 厚1~50mm來得到。印模的尺寸，可根據所量產之光學基板的尺寸來適當地設定。印模的厚度若較前述下限小，則印模的強度變小，印模之操作中有破損之虞。厚度若較前述上限大，則印模製作時從主模剝離時變得困難。又，也可根據必要，在印模之凹凸圖樣面上施以脫模處理。凹凸的圖樣，可以後述地BCP法、BLK法、光微影法等任意方法形成為任意的形狀而得到。
印模之凹凸圖樣，可根據最終所得到之光學基板 的用途，例如微透鏡陣列構造或具有光擴散或繞射等機能之構造等，而得到任意的圖樣，例如，也可為如凹凸的間距不均一，凹凸的方向沒有指向性之不規則的凹凸圖樣。凹凸的平均間距，例如在將光學基板用於可視光的繞射或散射之用途使用的情況，可為100~1500nm的範圍，而以在200~1200nm之範圍更佳。在同樣的用途中，理想的情況為在基板上只有對應印模之凸部的部分上轉印了第1溶膠凝膠，此時印模的凹凸深度，對於所使用之圖樣間距為1~10倍程度為佳。若印模之凹凸深度較前述下限還小，則在使用印模之轉印工程中，在基板上所想定的部分以外也轉印了凹凸形成材料。另一方面，前述上限若較印模之凹凸深度大，則在轉印工程中印模的形狀變形，凹凸形成材料的轉印圖樣形狀變形，而有無法得到所希望圖樣的可能性。
在本說明書中，凹凸的平均間距，係指在測定在凹凸所形成的表面上凹凸的間距(相鄰的凹部之間或相鄰的凸步之間的間距)的情況中，凹凸的間距的平均值。如此凹凸間距的平均值，係使用掃描式探針顯微鏡(例如，日立儀器製的製品名「E-sweep」等)，藉由下述條件：測定方式：懸臂斷續的接觸方式
懸臂材質：矽
懸臂的桿長：40μm
懸臂的晶片先端的直徑：10nm
測定解析表面的凹凸之凹凸解析圖像後，測定在該凹凸解析圖像中，任意的相鄰凸部之間或是相鄰凹部之間的間隔100 點以上，藉由求得其算術平均數而可算出。
關於本發明所使用之微接觸印刷用印模之製造方 法之一例，一邊參照第2圖一邊說明。
首先，進行為了形成印模之凹凸圖樣的主模38之 製作。主模38，係由例如石英基板或矽基板等形成。主模38之凹凸圖樣，例如，可使用本說明書申請人國際專利申請之PCT/JP2012/050564號公報所記載之利用嵌段共聚物之自我組織化(微相分離)之方法(以下，適當稱為「BCP(Block Copolymer)法」)，或是使用根據本說明書申請人之WO2011/007878A1所開示的，在蒸鍍膜上，將聚合物膜加熱．冷卻而藉由聚合物表面的皺摺形成凹凸之方法(以下，適當稱為「BKL(Buckling)法」)來形成。在此情況，在石英基板或矽基板等之表面上，藉由BCP法或BKL法來形成凹凸圖樣之後，接著將該凹凸圖樣做為遮罩將基板向深度方向蝕刻，而可製作具有矩形的剖面構造之主模38。也可以一般的光微影法取代BCP法或BKL法而形成。除此之外，例如，也可藉由切削加工法、電子線直接描畫法、粒子線光束加工法以及操作探針加工法等微細加工法，以及使用微粒子之自我組織化的微細加工法，製作主模38的凹凸圖樣。
以BCP法形成主模38之凹凸圖樣的情況，形成圖 樣的材料可以使用任意的材料，但以從如聚苯乙烯之苯乙烯聚合物、如聚甲基丙烯酸酯之聚烷基甲基丙烯酸酯、聚環氧乙烷、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚乙烯基吡啶以及乳酸所形成之群中選擇之2種的組合構成的嵌段共聚物是很適合的。
以光微影法形成主模38之凹凸圖樣的情況，使用 掃描式探針顯微鏡，取得以BCP法或BKL法所製作的凹凸圖樣之解析圖像，以所得到之解析圖像為基礎製作曝光用遮罩用資料，使用所製作的資料以通常的光罩製程來製作曝光用遮罩，藉由使用所製作之曝光用遮罩，對於石英基板等之主模38用基板進行曝光以及蝕刻，而可製作主模38。在曝光時，對於曝光遮罩，藉由採用使基板的曝光區域依順序逐步移動而曝光之分步重複、步進掃描方式，而可形成較大面積之微細凹凸圖樣。
主模38之凹凸圖樣，例如，為具有微透鏡陣列構 造或光散射或繞射等機能之構造等，可根據最終所得到之光學基板的用途而得到任意的圖樣。凹凸圖樣的間距與高度為任意，例如，但在將圖樣使用散射可視光領域之光或是繞射繞射晶格之用途的情況，做為凹凸的平均間距，以100~1500nm的範圍為佳，而以200~1200nm的範圍更佳。
將主模38以光微影法或BCP法、BKL法等形成 後，如以下(第2圖(A))，如以下，形成轉印了主模38的圖樣之轉印印模83。首先，將橡膠系材料的原料之主劑與硬化劑混合，攪拌10分鐘。橡膠系材料的混合液(以下，適當稱為「印模原料」)可以甲苯等溶劑稀釋。攪拌印模原料後，在減壓下脫泡。將脫泡後之印模原料塗布在先前製作的主模38之凹凸圖樣上(第2圖(B))。塗布方法，可使用流延塗布法、刮刀塗布法、旋轉塗布法等之任意的塗布方法。接著，使塗布後之印模原料硬化而加熱印模原料。藉由硬化，可使主模38之凹凸圖 樣轉印固定在印模原料上。加熱溫度以室溫~50℃為佳。加熱，可藉由烤箱或是加熱板等任意的手段來進行。將硬化後之印模原料從主模38剝離，得到具有凸部83aa與凹部83ab所形成之凹凸圖樣的微接觸印刷用印模83(第2圖(C))。印模83，可從主模38之端部剝離。
[凹凸形成材料(第1溶膠凝膠材料)調製工程]
在實施形態之光學基板的製造方法中，調製用於藉由微接觸印刷法將圖樣轉印於基板之凹凸形成材料所使用之第1溶膠凝膠材料(第1圖之工程S2)。例如，在基板上，將二氧化矽以溶膠凝膠法合成的情況，將金屬醇鹽(二氧化矽前體)之溶膠凝膠做為第1溶膠凝膠材料(凹凸形成材料)來調製。做為二氧化矽的前體，可舉出：四甲氧基矽烷(TMOS)、四乙氧基矽烷(TEOS)、四-i-丙氧基矽烷、四-n-丙氧基矽烷，四-i-丁氧基矽烷、四-n-丁氧基矽烷、四-sec-丁氧基矽烷、四-t-丁氧基矽烷等之四烷氧化物單體、和如甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷(MTES)、乙基三乙氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、異丙基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、丙基三丙氧基矽烷、異丙基三丙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、丙基三異丙氧基矽烷、異丙基三異丙氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷等之三烷氧化物單體，如二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基丙氧基矽烷、二甲基二異丙氧基矽烷、二甲基二-n-丁氧基矽烷、二甲基 二-i-丁氧基矽烷、二甲基二-sec-丁氧基矽烷、二甲基二-t-丁氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二丙氧基矽烷、二乙基二異丙氧基矽烷、二乙基二-n-丁氧基矽烷、二乙基二-i-丁氧基矽烷、二乙基二-sec-丁氧基矽烷、二丙基二-t-丁氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丙基二丙氧基矽烷、二丙基二異丙氧基矽烷、二丙基二-n-丁氧基矽烷、二丙基二-i-丁氧基矽烷、二異丙基二-sec-丁氧基矽烷、二異丙基二-t-丁氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、二異丙基二異乙氧基矽烷、二異丙基二丙氧基矽烷、二異丙基二異丙氧基矽烷、二異丙基二-n-丁氧基矽烷、二異丙基二-i-丁氧基矽烷、二異丙基二-sec-丁氧基矽烷、二異丙基二-t-丁氧基矽烷、二苯基二甲氧矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二丙氧基矽烷、二苯基二異丙氧基矽烷、二苯基二-n-丁氧基矽烷、二苯基二-i-丁氧基矽烷、二苯基二-sec-丁氧基矽烷、二苯基二-t-丁氧基矽烷等之二烷氧化物單體、或是這些單體少量聚合之聚合物、或前述材料之一部分導入官能基或聚合物為特徵之複合材料等之金屬醇鹽(metal alkoxide)。更且，可舉出金屬乙醯丙酮、金屬羧酸鹽、三氯氧磷、氯化物或這些的混合物等，但並非限定於此。又，做為金屬種，除了Si以外還可舉出Ti、Sn、Al、Zn、Zr、In等或這些的混合物，但並非限定於此。也可使用將上述氧化金屬之前體適當混合物。
使用TEOS與METS之混合物的情況，其混合比， 例如可為莫耳比1：1。此溶膠凝膠材料，藉由使其進行加水分解以及縮聚反應而生成非晶質二氧化矽。為了調整做為合成條 件之溶液的pH值，添加鹽酸等之酸或是氨等之鹼。pH以4以下或是10以上為佳。又，為了進行加水分解也可添加水。添加之水量，可為對於金屬醇鹽種莫耳比1.5倍以上。藉由溶膠凝膠法，在基板上形成二氧化矽以外之材料也是可能的，例如可使用Ti系材料或ITO(銦錫氧化物)系材料Al2、O3、ZrO2、ZnO等。
做為第1溶膠凝膠材料的溶劑，可舉出例如甲醇、 乙醇、異丙醇(IPA)、丁醇等之醇類，己烷、庚烷、辛烷、癸烷、環己烷等之脂肪族碳氫化合物，苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯等之芳香族碳氫化合物，二乙醚、四氫呋喃、二惡烷等之醚類，丙酮、甲基乙基酮、異佛爾酮、環己酮等之酮類，丁氧基乙基醚、己氧基乙醇、甲氧基-2-丙醇、芐氧基等之醚醇類，乙二醇、丙二醇等之乙二醇類，乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯等之乙二醇醚類，醋酸乙酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等之酯類，苯酚、對氯苯酚之苯酚類，N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等之酰胺類，氯仿、二氯甲烷、四氯乙烷、氯苯、二氯苯等之鹵素系溶劑，2硫化碳等之含雜原子元素化合物，水，以及這些的混合溶劑。特別是以乙醇以及異丙醇為佳，或是將其混合於水之物為佳。
做為第1溶膠凝膠材料之添加物，可使用用於調 整黏度之聚乙二醇、聚環氧乙烷、羥丙基纖維素、聚乙烯醇，或是溶液安定劑之三乙醇胺等之鏈烷醇胺、乙酰丙酮等之β-二酮、β-酮酯、甲酰胺、二甲基甲酰胺、二惡烷等。第1溶膠凝膠材料需要較在將塗布於微接觸印刷用印模之第1溶膠凝膠 材料使基板接觸而轉印圖樣時，第1溶膠凝膠材料可保持印模之凸部尺寸(第1溶膠凝膠材料不會濡濕散開較凸部的尺寸還大的區域)之程度還高的黏度，第1溶膠凝膠材料之黏度以0.01~100Pa．s以上為佳。第1溶膠凝膠材料之黏度，除了添加物以外，也可根據固形分濃度或溶劑的種類來調整。
又，做為第1溶膠凝膠材料，除了藉由加熱而硬化之溶膠凝膠材料以外，也可使用光硬化性的溶膠凝膠材料。此時，可使用藉由例如使用由於光而發生酸之六氟芳香族硫鎓鹽等之光酸發生劑，或是在溶膠液中添加以乙酰丙酮中為代表之β二酮、可使其化學修飾(螯合化)，藉由光照射而去除化學修飾等之方法。
又，在所製造的基板不需要高耐熱性之用途使用的情況，做為凹凸形成材料，也可使用溶膠凝膠材料以外的樹脂材料。做為硬化性樹脂，例如，可舉出光硬化以及熱硬化、濕氣硬化型、化學硬化型(二液混合)等之樹脂。具體而言，可舉出環氧系、丙烯酸系、甲基丙烯酸系、乙烯基醚系、氧雜環丁烷類系、聚氨酯系、三聚氰胺系、尿素系、聚酯系、聚烯烴系、酚醛樹脂系、交聯型液晶系、氟系、矽膠系、聚酰胺系等之單體、低聚物、聚合物等之各種樹脂。又，也可為使無機材料或硬化性樹脂材料中含有紫外線吸收材料之物。紫外線吸收材料，藉由吸收紫外線而使光能源變換成如熱之無害的形態，而具有抑制膜的劣化之作用。做為紫外線吸收劑，可使用以往已知之物。例如，可使用苯并三唑系吸收劑、三嗪系吸收劑、水楊酸系衍生物吸收劑、二苯甲酮系吸收劑等。
[凹凸形成材料(第1溶膠凝膠材料)塗布工程]
如上述所調製之第1溶膠凝膠材料(凹凸形成材料)塗布於微接觸印刷用之印模的凸部(第1圖之工程S3)。例如，在具有如第3圖(A)般之凹凸圖樣83a之印模83的凸部83aa上，形成第一溶膠凝膠材料(凹凸形成材料)的塗膜52。第1溶膠凝膠材料以僅在印模83的凸部83aa的表面(被轉印物(在此為基板40)之對向面)塗佈為佳，但根據不同塗布方法，也有可能塗到凸部83aa的側部，亦即有可能包入凹部83ab。即使在此，只要在後述轉印工程中，將印模83的凸部83aa的圖樣反應在基板上，即使第1溶膠凝膠材料附著在印模83的凹部83ab也沒有關係。做為塗布方法，可使用滾輪塗布法、旋轉塗布法、噴霧塗布法、浸塗法、狹縫塗布法、噴墨法等任意的塗布方法，從可在較大面積的印模均一塗布溶膠凝膠材料為可能，以及在第1溶膠凝膠材料硬化(膠化)前可迅速塗布完了的觀點來看，以滾輪塗布法、狹縫塗布法以及旋轉塗布法為佳。或者，也可藉由將印模成形成滾輪狀，將滾輪狀的印模浸漬於在容器中很淺地充填之溶膠凝膠材料且使其回轉，來在印模之凸部塗布溶膠凝膠材料。滾輪狀之印模，例如，可將印模包在金屬等之硬質的滾輪上而製作。塗布於印模之凸部之第1溶膠凝膠材料之塗膜的膜厚，以300~10000nm為佳。第1溶膠凝膠材料之塗膜的膜厚，可根據例如第1溶膠凝膠材料之黏度來調製。又，也可在第1溶膠凝膠材料之塗膜表面進行疏水化處理。疏水化處理的方法可使用已知方法即可，例如，若為二氧化矽表面，可以二甲基二氯矽烷、三甲基烷氧基矽烷等疏水化處理，或是也 可使用以六甲基二矽氮烷等之三甲基矽基化劑等矽油疏水化處理之方法，也可使用使用超臨界二氧化碳之金屬氧化物粉末之表面處理方法。
[轉印工程]
塗布工程後，藉由微接觸印刷法，將印模83的圖樣轉印至基板40(第1圖之工程S4)。例如，如第3圖(A)所示，在形成了第1溶膠凝膠材料之塗膜52的印模83正下方配置基板40，接著如第3(B)圖所示，使形成於印模83之凸部83aa之第1溶膠凝膠材料的塗膜52與基板40接觸。做為基板40，可使用玻璃或石英、矽基板等無機材料所形成之基板，或是聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、環烯烴聚合物(COP)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、聚酰亞胺(PI)、聚芳酯等樹脂基板，但由於與溶膠凝膠材料之接著力大，因此以玻璃製的基板較佳。藉由溶膠凝膠材料與基板40之接著力高，可正確地將印模83的圖樣轉印至基板40。又，基板40，也可使用藉由O3處理等，將表面親水處理之物。藉由將基板40之表面親水處理，可使基板40與溶膠凝膠材料之接著力變更大。基板40可為透明(光透過性)也可為不透明。若將從此基板40所得到之凹凸圖樣基板用於後述之有機EL元件的製造，則基板40以包括耐熱性、對於UV光等耐光性之基板為佳。從此觀點來看，做為基板40，以玻璃或石英、矽基板等之無機材料所形成的基板較佳。在基板40上為了提升密著性，也可設置表面處理或易接著層，或是也可以防止水分或氧氣等氣體的侵入為目的而設置氣障層。
之後，如第3圖(C)所示，將印模80從基板40隔 離，剝離印模83(第3圖(C))。藉由此，形成在印模83的凸部83aa之第1溶膠凝膠材料的塗膜52被轉印至基板40上。在基板40上，如相當於印模83之凸部83aa之圖樣般而形成第1溶膠凝膠材料之區域(凸部)散在島狀構造54。在本發明中，「島狀構造」，係指如從基板上突出般，在基板上互相孤立或是隔離而存在之複數的構造物(或是凸部)之集合體，任一構造物皆與基板的表面具有既定的面積相接(具有既定的面積之底面)。 如此之構造物，可為具有垂直於基板表面之剖面，例如為台形等之四角形、山形(三角形)、半圓等各種形狀之構造物，如球體(垂直於基板表面之剖面為圓形)般之與基板的表面為點接觸之構造物不包含在內。在此島狀構造中，構造物(或是凸部)在基板上互相以所定間隔隔離而孤立，因此基板表面會在構造物間露出。由第1溶膠凝膠材料(凹凸形成材料)所形成之島狀構造54中，凸部的高度以300~10000nm為佳。在島狀構造54中凸部的高度，可藉由例如第1溶膠凝膠材料之塗膜52的膜厚來調製。又，只要使用前述滾輪狀的印模，只要將塗布了第1溶膠凝膠材料之滾輪狀的印模滾在基板40上，即可一邊轉印第1溶膠凝膠材料，一邊將印模從基板40剝離。
在使第1溶膠凝膠材料之塗膜52接觸於基板40 時，也可加熱塗膜52。藉由加熱，塗膜52中的溶膠凝膠材料的化學反應以及由於此而產生的水以及溶劑的蒸發被促進，所以塗膜52之硬化進行。因此，可防止未硬化之塗膜52濡濕擴散較83之凸部83aa之大小還大的範圍而轉印至基板40。又， 可防止未硬化的塗膜42，在轉印後殘留在印模83之凸部83aa。若塗膜52殘留在印模83之凸部83aa，則再使用印模83而藉由微接觸印刷來轉印圖樣的情況，有塗布於印模83之第1溶膠凝膠材料的膜厚變動，或是殘留之凸膜52硬化成為顆粒的原因之虞。做為塗膜52之加熱方法，例如可透過印模83加熱，或是從基板40側直接加熱塗膜52。加熱可使用任意的加熱手段，例如從基板40側加熱的情況，可在基板40之內面側設置加熱板來加熱。塗膜52之加熱溫度，會依存於處理基板40的速度，但愈高溫愈佳，以接近於印模83之耐熱溫度的溫度為佳。例如，印模83由聚二甲氧基矽烷(PDMS)形成之情況，第1溶膠凝膠材料之塗膜52的加熱溫度以150~200℃為佳。使用光硬化性溶膠凝膠材料做為第1溶膠凝膠材料之情況，可藉由進行紫外線或準分子等能源線照射來取代加熱塗膜52而進行凝膠化(硬化)。
[凹凸被覆材料(第2溶膠凝膠材料)調製工程]
在實施形態之光學基板的製造方法中，調製做為在形成了第1溶膠凝膠材料之島狀構造之基板上塗布之凹凸被覆材料而使用之第2溶膠凝膠材料(第1圖的工程S5)。例如，在基板上，以溶膠凝膠法合成二氧化矽之情況，同於第1溶膠凝膠材料，調製做為第2溶膠凝膠材料(凹凸被覆材料)之金屬醇鹽(二氧化矽前體)之溶膠凝膠材料。做為二氧化矽的前體，同於第1溶膠凝膠材料，可舉出：四甲氧基矽烷(TMOS)、四乙氧基矽烷(TEOS)、四-i-丙氧基矽烷、四-n-丙氧基矽烷，四-i-丁氧基矽烷、四-n-丁氧基矽烷、四-sec-丁氧基矽烷、四-t-丁氧基矽 烷等之四烷氧化物單體、和如甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷(MTES)、乙基三乙氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、異丙基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、丙基三丙氧基矽烷、異丙基三丙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、丙基三異丙氧基矽烷、異丙基三異丙氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷等之三烷氧化物單體，如二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基丙氧基矽烷、二甲基二異丙氧基矽烷、二甲基二-n-丁氧基矽烷、二甲基二-i-丁氧基矽烷、二甲基二-sec-丁氧基矽烷、二甲基二-t-丁氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二丙氧基矽烷、二乙基二異丙氧基矽烷、二乙基二-n-丁氧基矽烷、二乙基二-i-丁氧基矽烷、二乙基二-sec-丁氧基矽烷、二丙基二-t-丁氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丙基二丙氧基矽烷、二丙基二異丙氧基矽烷、二丙基二-n-丁氧基矽烷、二丙基二-i-丁氧基矽烷、二異丙基二-sec-丁氧基矽烷、二異丙基二-t-丁氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、二異丙基二異乙氧基矽烷、二異丙基二丙氧基矽烷、二異丙基二異丙氧基矽烷、二異丙基二-n-丁氧基矽烷、二異丙基二-i-丁氧基矽烷、二異丙基二-sec-丁氧基矽烷、二異丙基二-t-丁氧基矽烷、二苯基二甲氧矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二丙氧基矽烷、二苯基二異丙氧基矽烷、二苯基二-n-丁氧基矽烷、二苯基二-i-丁氧基矽烷、二苯基二-sec-丁氧基矽烷、二 苯基二-t-丁氧基矽烷等之二烷氧化物單體、或是這些單體少量聚合之聚合物、或前述材料之一部分導入官能基或聚合物為特徵之複合材料等之金屬醇鹽(metal alkoxide)。更且，可舉出金屬乙醯丙酮、金屬羧酸鹽、三氯氧磷、氯化物或這些的混合物等，但並非限定於此。又，做為金屬種，除了Si以外還可舉出Ti、Sn、Al、Zn、Zr、In等或這些的混合物，但並非限定於此。也可使用將上述氧化金屬之前體適當混合物。
使用TEOS與METS之混合物的情況，其混合比， 例如可為莫耳比1：1。此溶膠凝膠材料，藉由使其進行加水分解以及縮聚反應而生成非晶質二氧化矽。為了調整做為合成條件之溶液的pH值，添加鹽酸等之酸或是氨等之鹼。pH以4以下或是10以上為佳。又，為了進行加水分解也可添加水。添加之水量，可為對於金屬醇鹽種莫耳比1.5倍以上。藉由溶膠凝膠法，在基板上形成二氧化矽以外之材料也是可能的，例如可使用Ti系材料或ITO(銦錫氧化物)系材料Al2、O3、ZrO2、ZnO等。將藉由本實施形態可得到之光學基板做為有機EL元件之光萃取基板使用的情況，若第1溶膠凝膠材料與第2溶膠凝膠材料之折射率不同，則有在光學基板上之第1溶膠凝膠材料所形成之層與第2溶膠凝膠材料所形成之層之界面上光全反射而光萃取效果降低之虞，因此，第2溶膠凝膠材料，以使用與第1溶膠凝膠材料相同之材料為佳。
做為第2溶膠凝膠材料的溶劑，同於第1溶膠凝膠材料，可舉出例如甲醇、乙醇、異丙醇(IPA)、丁醇等之醇類，己烷、庚烷、辛烷、癸烷、環己烷等之脂肪族碳氫化合物，苯、 甲苯、二甲苯、均三甲苯等之芳香族碳氫化合物，二乙醚、四氫呋喃、二惡烷等之醚類，丙酮、甲基乙基酮、異佛爾酮、環己酮等之酮類，丁氧基乙基醚、己氧基乙醇、甲氧基-2-丙醇、芐氧基等之醚醇類，乙二醇、丙二醇等之乙二醇類，乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯等之乙二醇醚類，醋酸乙酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等之酯類，苯酚、對氯苯酚之苯酚類，N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等之酰胺類，氯仿、二氯甲烷、四氯乙烷、氯苯、二氯苯等之鹵素系溶劑，2硫化碳等之含雜原子元素化合物，水，以及這些的混合溶劑。特別是以乙醇以及異丙醇為佳，或是將其混合於水之物為佳。
做為第2溶膠凝膠材料之添加物，和第1溶膠凝 膠材料相同，可使用用於黏度調整之聚乙二醇、聚環氧乙烷、羥丙基纖維素、聚乙烯醇，或是溶液安定劑之三乙醇胺等之鍊烷醇胺、乙酰丙酮等之β-二酮、β-酮酯、甲酰胺、二甲基甲酰胺、二惡烷等。第2溶膠凝膠材料，由於需要在基板上藉由旋轉塗布法等塗布時，可在基板上濡濕擴散的程度之低黏度，因此第2溶膠凝膠材料之黏度以0.001~10Pa．s以上為佳。第2溶膠凝膠材料之黏度，雖也可根據固形分濃度或溶劑的種類來調整，但從上述塗布作業的觀點來看，較第1溶膠凝膠材料之黏度低為佳。
又，做為第2溶膠凝膠材料，除了藉由加熱而硬化之溶膠凝膠材料以外，也可使用光硬化性的溶膠凝膠材料。此時，同於第1溶膠凝膠材料，可使用藉由例如使用由於光而 發生酸之六氟芳香族硫鎓鹽等之光酸發生劑，或是在溶膠液中添加以乙酰丙酮中為代表之β二酮、可使其化學修飾(螯合化)，藉由紫外線或準分子(excimer)等能源線照射而去除化學修飾等之方法。
又，凹凸被覆材料，也可由TiO2、ZnO、ZnS、ZrO、 BaTiO3、SrTiO2等之無機材料來構成。其中，從成膜性與折射率的關係來看以TiO2為佳。
做為凹凸被覆材料，可使用硬化性樹脂材料。做 為硬化性樹脂，同於基底材料，例如，可舉出光硬化以及熱硬化、濕氣硬化型、化學硬化型(二液混合)等之樹脂。具體而言，可舉出環氧系、丙烯酸系、甲基丙烯酸系、乙烯基醚系、氧雜環丁烷類系、聚氨酯系、三聚氰胺系、尿素系、聚酯系、聚烯烴系、酚醛樹脂系、交聯型液晶系、氟系、矽膠系、聚酰胺系等之單體、低聚物、聚合物等之各種樹脂。
又，也可使用矽烷耦合劑做為凹凸被覆材料。藉 由此，使用實施形態的光學基板100製造有機EL的情況，可使後述的凹凸構造層與形成在其上之電極等層之間的密著性提升，在有機EL元件之製造工程中在洗淨工程與高溫處理工程之耐性提升。被做為被覆層使用的矽烷耦合劑，其種類沒有特別限制，可使用例如RSiX3(R為含有乙烯基、環氧丙氧基、丙烯酸基、甲基丙烯酸基、氨基以及巰基所選出之至少1種之有機官能基，X為鹵素或是烷氧基)所表示之有機化合物。做為塗布矽烷耦合劑之方法，例如可採用旋轉塗布法、噴霧塗布法、浸漬塗布法、滴下法、凹版印刷法、網版印刷法、凸版印 刷法、狹縫印刷法、幕廉塗布法、噴墨法、濺鍍法等各種塗布方法。之後，根據各材料以適當的條件使其乾燥而得到硬化後之膜。例如，可在100~150℃加熱乾燥15~90分鐘。
凹凸被覆材料，也可為使無機材料或硬化性樹脂 材料中含有紫外線吸收材料之物。紫外線吸收材料，藉由吸收紫外線而使光能源變換成如熱之無害的形態，而具有抑制膜的劣化之作用。做為紫外線吸收劑，可使用以往已知之物。例如，可使用苯并三唑系吸收劑、三嗪系吸收劑、水楊酸系衍生物吸收劑、二苯甲酮系吸收劑等。
做為凹凸被覆材料，也可使用聚矽氮烷溶液。在此情況，可將塗布其而形成之塗膜陶瓷化(二氧化矽改質)而形成由二氧化矽所構成之膜。又，「聚矽氮烷」係指具有矽-氮鍵之聚合物，為由Si-N、Si-H、N-H等所構成之SiO2、Si3N4以及兩方之中間固溶體SiOxNy等之二氧化矽前體無機聚合物。在日本專利特開平8-112879號公報中所記載之以下一般式(1)所表示之在較低溫陶瓷化而變性成二氧化矽的化合物更佳。
一般式(1)：-Si(R1)(R2)-N(R3)-
式中，R1、R2、R3各表示氫原子、烷基、烯基、環烷基、芳基、烷基甲矽烷基、烷基氨基或是烷氧基。
以上述一般式(1)所表示的化合物中，以R1、R2以及R3皆為氫原子之全氫聚矽氮烷(也稱為PHPS)或是與Si鍵結之氫部分之一部分以烷基等置換之有機劇矽氮烷特別為佳。
做為在低溫陶瓷化之聚矽氮烷之其他例，也可使 用聚矽氮烷與矽醇鹽反應而得到之加成矽醇鹽之聚矽氮烷(例如，日本專利特開平5-238827號公報)、與縮水甘油反應而得到之加成縮水甘油之聚矽氮烷(例如，日本專利特開平6-122852號公報)、與醇反應而得到之加成醇之聚矽氮烷(例如，日本專利特開平6-240208號公報)、與金屬羧酸鹽反應而得到之加成金屬羧酸鹽之聚矽氮烷(例如日本專利特開平6-299118號公報)、與含有金屬之乙醯丙酮錯合物反應而得到之加成乙醯丙酮錯合物之聚矽氮烷(例如，日本專利特開平6-306329號公報)，於聚矽氮烷添加金屬微粒子而得到之添加金屬微粒子之聚矽氮烷(例如，日本專利特開平7-196986號公報)等。
做為聚矽氮烷溶液的溶劑，可使用脂肪族碳氫化 合物、脂環族碳氫化合物、芳香族碳氫化合物等之碳氫化合物溶劑，鹵素化碳氫化合物溶劑、脂肪族醚、脂環族醚等之醚類。 為了促進對於氧化矽化合物之改質，也可添加胺或金屬的觸媒。
又，凹凸形成材料與凹凸被覆材料，可使用相同 的材料，也可使用不同的材料。例如，凹凸形成材料與凹凸被覆材料皆可使用溶膠凝膠材料。凹凸形成材料使用溶膠凝膠材料，凹凸被覆材料使用其他材料或是反之也可。又，凹凸形成材料使用樹脂材料，凹凸被覆材料使用聚矽氮烷也可。凹凸形成材料與凹凸被覆材料即使為同一或類似的材料的情況，其組成或密度也可以不同而堆積。
[凹凸被覆材料(第2溶膠凝膠材料)塗布工程]
將如上所調製之第2溶膠凝膠材料(凹凸被覆材料)，塗布形成了在前述第1溶膠凝膠材料之島狀構造54之基板40上(第1圖工程S6)。藉由此，如第4圖所示，如包覆第1溶膠凝膠材料之島狀構造54般，形成第2溶膠凝膠材料(凹凸被覆材料)之塗膜62。此時，不包覆島狀構造54之第2溶膠凝膠材料(一部分的第2溶膠凝膠材料)係包覆基板40(基板的露出部分)，而與基板40接觸。由第1溶膠凝膠材料之島狀構造54及第2溶膠凝膠材料之塗膜62所形成之溶膠凝膠材料層(凹凸構造層)42，可形成具有以對應第1溶膠凝膠材料之島狀構造54的部分為凸部之波形構造(凹凸構造)。由於所形成之凹凸圖樣為平滑的波形構造，因此在將所製作之光學基板用於有機EL元件的製造，在其凹凸的表面使有機層沉積時，可充分防止有機層之一部分的厚度變得極端的薄，而被認為可以充分地均一的膜厚層積有機層。其結果，可使電極間距離充分而均一，而可充分抑制電界集中。又，在有機EL元件中，由於在凹凸構造之波形的傾斜部之電位分布的梯度變的平緩，因此被認為可充分抑制漏電流的發生。
第2溶膠凝膠材料之塗膜62的膜厚必須配合光學 基板被要求之凹凸形狀而調整。例如最終所得到之光學基板的波形構造的深度被期望是500nm的情況，第2溶膠凝膠材料的塗膜62的膜厚，只要使其對於第1溶膠凝膠材料所形成之島狀構造54的高度，薄500nm分即可。塗膜62的膜厚，例如可根據第2溶膠凝膠材料的固形分濃度等來調製。
溶膠凝膠材料層(凹凸構造層)42之凹凸圖樣，例 如，為具有微透鏡陣列構造或光擴散或繞射等之機能之構造等，配合最終得到的光學基板的用途而可做成任意的圖樣。凹凸圖樣的間距以及高度，可為任意，但例如，將圖樣使用於散射或繞射可見區域的光之繞射晶格的用途之情況，做為凹凸的平均間距，以在100~1500nm的範圍內為佳，而以200~1200nm的範圍更佳。凹凸的平均間距若未滿前述下限，則對於可視光的波長間距變得過小，因此有無法藉由凹凸產生光的繞射的傾向，另一方面，若超過上限，則繞射角變小，有失去做為如繞射晶格之光學元件之機能之傾向。凹凸的深度分部的平均值以在20~200nm之範圍為佳，而以在30~150nm的範圍更佳。凹凸的深度的標準偏差以在10~100nm的範圍為佳，而以在15~75nm的範圍內更佳。又，也可在溶膠凝膠材料層之表面進行疏水化處理。疏水化處理的方法可使用已知方法即可，例如，若為二氧化矽表面，可以二甲基二氯矽烷、三甲基烷氧基矽烷等疏水化處理，或是也可使用以六甲基二矽氮烷等之三甲基矽基化劑等矽油疏水化處理之方法，也可使用使用超臨界二氧化碳之金屬氧化物粉末之表面處理方法。在溶膠凝膠材料層上，也可以防止水分或氧氣等氣體的侵入為目的而設置氣障層。
又，在本申請書中，最終所得到之光學基板的溶 膠凝膠材料層42之凹凸的深度分布的平均值以及凹凸深度的標準偏差可如以下算出。表面的凹凸形狀，使用掃描式探針顯微鏡(例如，日立儀器股份公司製之製品名「E-sweep」等)來測 定凹凸解析圖像。凹凸解析時，以前述的條件測定任意的3~10μm的四方形(長3~10μm，寬3~10μm)之測定領域而求得凹凸解析圖像。此時在測定領域內的16384點(長128點×寬128點)以上之測定點中分別求得奈米等級的凹凸高度的資料。 又，如此之測定點的數目，會由於所使用的測定裝置的種類或設定而不同，例如，在使用上述日立儀器股份公司製之製品名「E-sweep」做為測定裝置的情況，可在3μm的四方形之測定領域內進行65536點(長256點×寬256點)之測定(在256×256畫素之解析度的測定)。然後，關於如此測定之凹凸的高度(單位：nm)，首先，在全測定點中，求得從透明支持基板1的表面之高度最高的測定點P。然後，將包含該測定點P且與透明支持基板1的表面平行之面做為基準面(水平面)，求得從該基準面的深度之值(在測定點P中之從透明基板1之高度的值減去在各測定點中之從透明支持基板1之高度的差分)做為凹凸深度的資料。又，如此之凹凸深度資料，根據測定裝置(例如日立儀器股份公司製之製品名「E-sweep」)藉由測定裝置中的軟體等來自動計算求得是可能的，如此之自動計算而求得的值可做為凹凸深度的資料來利用。如此，在各測定點中求得凹凸深度的資料後，將藉由求得其算數平均值及標準差而可算出得值，採用做為各別之凹凸深度分布的平均值以及凹凸深度的標準偏差。在本說明書中，凹凸的平均間距，以及凹凸的深度分布的平均值以及凹凸深度的標準偏差，不管形成凹凸之表面材料是什麼，可透過如上述的測定方法而求得。
從如此之凹凸圖樣散射以及/或繞射的光，不是單 一或是狹頻之波長的光，而是具有比較寬頻的波長頻率，散射光以及/或繞射光沒有指向性，而朝向各種方向。但是，對於「不規則的凹凸圖樣」，係如對於將解析表面的凹凸形狀而得到之凹凸解析圖像施以2維高速傅立葉變換處理而得到之傅立葉變換圖顯示圓或是圓環狀的模樣般，亦即，包含上述的凹凸之方向雖沒有指向性但具有凹凸的間距的分布般之疑似周期構造。因此，在具有如此之疑似周期構造的基板中，只要其凹凸間距的分布可繞射可視光線，其便適合於做為如有機EL元件之面發光元件等所使用之繞射基板或太陽電池的透明導電性基板等。
做為第2溶膠凝膠材料塗布方法，可使用滾輪塗 布法、旋轉塗布法、噴霧塗布法、浸塗法、狹縫塗布法、噴墨法等任意的塗布方法，從可在較大面積的基板上均一塗布第2溶膠凝膠材料為可能，以及在第2溶膠凝膠材料硬化(膠化)前可迅速塗布完了的觀點來看，以滾輪塗布法、狹縫塗布法以及旋轉塗布法為佳。
[硬化工程]
將第2溶膠凝膠材料(凹凸被覆材料)塗布在基板上後，燒成在基板上之由第1溶膠凝膠材料(凹凸形成材料)之島狀構造以及第2溶膠凝膠材料之塗膜62所形成之溶膠凝膠材料層(凹凸構造層)42(參照第4圖)燒成(第1圖之工程S7)。藉由燒成，包含在溶膠凝膠材料層42的氫氧基等脫離而塗膜變得更強固。燒成係在200~1200℃的溫度，進行5分~6小時程度為佳。如此溶膠凝膠材料層42硬化，而可得到具有對應第1溶膠凝 膠材料之島狀構造54之部分係做為凸部而包括之波形構造之溶膠凝膠構造體(繞射晶格)。此時，溶膠凝膠材料層42會根據不同燒成溫度、燒成時間而成為非晶質或結晶質，或是非晶質與結晶質之混合狀態。使用光硬化性溶膠凝膠材料做為第1溶膠凝膠材料以及/或第2溶膠凝膠材料之情況，可對於溶膠凝膠層42進行光照射來取代加熱．燒成，來進行凝膠化(硬化)。
如上述，藉由在基板40上藉由微接觸印刷而形成 島狀構造54，接著形成第2溶膠凝膠材料之塗膜62，可得到具有波形構造之溶膠凝膠材料層42之光學基板100。光學基板100，可做為例如有機EL元件用之繞射晶格基板、金屬線柵偏極片、反射防止薄膜、或是藉由設置在太陽電池之光電變換面側而做為對於太陽電池內部之光封入效果之有貢獻之光學元件使用。或是，將具有上述圖樣的基板做為模具(母模)來使用而更將上述圖樣轉印至別的樹脂。在此情況，由於被轉印的樹脂圖樣為基板上的圖樣之反轉圖樣，因此可藉由將被轉印之反轉圖樣更轉印至別的樹脂而製作做為基板的複製品的模具。也可以對於這些模具施以Ni等之電鑄處理而形成金屬膜具。藉由使用這些模具，可更進一步的有效率地量產有機EL元件用的繞射晶格基板等之光學部品。在上述實施形態中，為了島狀構造54及塗膜62，分別使用了第1溶膠凝膠材料與第2溶膠凝膠材料，但也可以使用金屬氧化物取代這些溶膠凝膠材料。 在以下所說明之有機EL元件的製造方法中也相同。
<有機EL元件的製造方法>
如上述，對於使用上述溶膠凝膠材料所形成之形成了波形 構造的基板來製造有機EL元件之製造方法的一例，一邊參照第5圖一邊說明。首先，為了除去附著於形成了由溶膠凝膠材料層所形成圖樣之基板之異物等，以刷子洗淨，接著，以鹼性洗淨劑以及有機溶劑除去有機物等。接著，如第5圖所示，在基板40的溶膠凝膠材料層42上，使形成於溶膠凝膠材料層42之表面的凹凸構造維持而層積透明電極92。做為透明電極92的材料，例如，可使用氧化銦、氧化鋅、氧化錫以及他們的複合體之錫銦氧化物(ITO)、金、鉑、銀、銅。在其中，從透明性與導電性的觀點來看，又以ITO為佳。透明電極92的厚度以在20~500nm的範圍內為佳。厚度若未滿前述下限，則導電性容易變得不充分，若高過前述上限，則透明性變得不充分而有無法將發光之EL光充分抽出到外部的可能性。做為層積透明電極92的方法，可適當採用氣相層積法、濺鍍法、旋轉塗布法等已知的方法。在這些方法中，又以提升密著性的觀點來看，以濺鍍法為佳，之後，塗布光阻，以電極用遮罩圖樣曝光後，以顯影液蝕刻而得到既定的圖樣的透明電極。又，濺鍍時基板會暴露於300℃程度的高溫。將所得到的透明電極以刷子洗淨，以鹼性洗淨劑以及有機溶劑除去有機物等後，進行UV臭氧處理為佳。
接著，在透明電極92，層積第5圖所示之有機層 94。如此之有機層94，只要是可用於有機EL元件之有機層即可而沒有特別限制，可適當使用已知的有機層。又，如此之有機層94，也可為各種有機薄膜的層積體，例如，可為如第5圖所示之正孔輸送層95、發光層96、以及電子輸送層97所形 成之層積體。在此，做為正孔輸送層95的材料，可舉出酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、卟啉衍生物、N，N'-雙(3-甲基苯基)-(1,1'-聯苯)-4,4'-二胺和(TPD)或4,4'-二[N-(萘基)-N-苯基-氨基]聯苯(α-NPD)等之芳香族二胺化合物、噁唑、惡二唑、三唑、咪唑、咪唑啉酮、二苯乙烯衍生物、吡唑啉衍生物、四氫咪唑、聚芳基、丁二烯、4,4',4"-三(N-(3-甲基苯基)N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，但不限定於此。
又，發光層96，係為了使從透明電極92注入的正 孔與從金屬電極98注入的電子再結合發光而設置。做為可使用於發光層96的材料，可使用蒽、萘、芘、並四苯、蔻、苝、酞、萘酞菲、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、惡二唑、雙苯並惡二唑林、聯苯乙烯、環戊二烯、羥基喹啉鋁配合物(Alq3)等之有機金屬配合物、三-(對-三聯苯-4-基)胺、1-芳基-2,5-二(2-噻吩基)吡咯衍生物、吡喃、喹吖啶酮、紅熒烯、二苯乙烯苯衍生物、二苯乙烯亞芳衍生物、二苯乙烯胺衍生物以及各種螢光色素。將從這些的化合物中選擇之發光材料適當的混合來使用為佳。又，適當選擇使用從自旋多重性來看之發光的發光材料也為佳。又，可舉出從自旋多重性來看顯示發光之材料系，例如產生燐光發光之燐光發生材料，以及在分子內的一部分具有由這些所形成之部位的化合物也適合使用。又，前述燐光發光材料以含有銦等之重金屬為佳。也可將上述發光材料摻雜至載子移動度高的主體材料中做為客體材料，利用偶極-偶極(螢光共振能量轉移機制)、電子交換相互作用(德克斯特機制)使其發光。又，做為電子輸送層97的材料，可舉出硝基 取代的芴衍生物、聯苯衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘二萘等之複元素四羧酸酐、碳二亞胺、亞芴衍生物、蒽醌以及蒽酮衍生物、惡二唑衍生物、羥基喹啉鋁配合物(Alq3)等之有機金屬配合物等。更且，在上述惡二唑衍生物中，將惡二唑環之氧原子置換成硫原子之噻二唑衍生物、做為電子吸引基而已知之具有喹喔啉環的喹喔啉衍生物也可做為電子輸送材料使用。也可使用更將這些的材料倒入高分子鏈，或是將這些材料做為高分子的主鏈之高分子材料。又，正孔輸送層95或是電子輸送層97也可兼具發光層96的功能。在此情況，透明電極92與金屬電極98之間的有機層為2層。
更且，使從金屬電極98之電子注入容易的觀點來 看，有機層94與金屬電極98之間可以設置氟化鋰(LiF)、Li2O3等之金屬氟化物或金屬氧化物，Ca、Be、Cs等之活性高的鹼土族金屬、有機絕緣材料等所形成的層。又，使從透明電極92之正孔注入容易的觀點來看，做為有機層94與透明電極92之間之正孔注入層，可設置由三唑衍生物、惡二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物和吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、矽氮烷衍生物、苯胺共聚物、或是導電性高分子低聚物、特別是噻吩低聚物等所形成之層。
又，有機層94若為由正孔輸送層95、發光層96、 以及電子輸送層97所形成之層積體，正孔輸送層95、發光層96、以及電子輸送層97之厚度，分別以在1~200nm的範圍、 5~100nm的範圍、以及5~200nm的範圍為佳。做為有機層94之層積方法，可適當採用氣相層積法、濺鍍法、旋轉塗布法、狹縫塗布法等之已知的方法。
在有機EL元件形成工程中，接著，如第5圖所示， 在有機層94上層積金屬電極98。做為金屬電極98之材料，可適當使用功函數小的物質，雖沒有特別限定，但，例如可舉出鋁、MgAg、MgIn、AlLi。又，金屬電極98之厚度以在50~500nm的範圍為佳。若厚度未滿前述下限，導電性容易低下，若超過前述上限，則在電極間發生短路時，修復有變得困難的可能性。金屬電極98，可採用氣相層積法、濺鍍法等已知的方法來層積。如此，可得到如第5圖所示之構造的有機EL元件200。
在上述實施形態，由第1溶膠凝膠材料之島狀構 造54以及第2溶膠凝膠材料之塗膜62所形成溶膠凝膠材料層(凹凸構造層)42，可形成具有以對應第1溶膠凝膠材料之島狀構造54的部分為凸部之波形構造(凹凸構造)。如前述，依照本發明之方法所製造之光學基板的凹凸圖樣若是由如溶膠凝膠材料之金屬氧化物所形成之情況，如以下所說明的，在各種觀點上，較形成了由硬化性樹脂形成凹凸圖樣之基板有利。如溶膠凝膠材料之金屬氧化物，由於機械強度優良，因此有機EL元件之製造流程中，即使基板以及透明電極形成後進行凹凸圖樣面的刷子洗淨，也不容易發生擦傷或是異物的附著，透明電極上的突起等，而可抑制起因於這些問題的元件不良。因此，藉由本發明之方法所得到之有機EL元件，在具有凹凸圖樣之基板的機械強度的點來看，較使用硬化性樹脂基板的情況良 好。
依照如本發明之方法來製造之溶膠凝膠材料之金 屬氧化物所形成的基板，耐藥品性優良。因此，對於在基板以及透明電極之洗淨工程所使用之鹼性液或是有機溶劑也較有耐蝕性，而可使用各種洗淨液。又，如前述，透明基板的圖樣形成時有使用鹼性的顯影液的情況，對於如此之顯影液也具有耐蝕性。在這點，相較於對於鹼性液耐性較低之硬化性樹脂基板為有利。
依照本發明之方法製造之如溶膠凝膠材料之金屬氧化物所形成之基板，耐熱性優良。因此，對於在有機EL元件之透明電極製造流程中濺鍍工程之高溫氣氛也可以忍受。更且，如依照本發明之方法所製造之溶膠凝膠之金屬氧化物所形成的基板，相較於硬化性樹脂基板，耐UV性，耐候性皆良好。因此，對於透明電極形成後之UV臭氧洗淨處理也具有耐性。
在戶外使用根據實施形態所製造之有機EL元件的情況，相較於使用使用在硬化性樹脂上形成凹凸圖樣之基板的有機EL元件之情況，可抑制太陽光造成的劣化。更且，如上述之硬化樹脂，若在發光時的發熱等在高溫下放置長期間，有劣化而黃化或產生氣體的可能性，使用樹脂基板之有機EL元件的長期使用雖有困難，但在包括使用如溶膠凝膠材料之金屬氧化物而製作之基板之有機EL元件，劣化會被抑制。
以上，藉由實施形態以及實施例說明本發明，但具有如本發明之具有凹凸圖樣之光學基板之凹凸構造之構件的製造方法，並不限定於上述實施形態以及實施例，可在專利 申請範圍所記載之技術思想範圍內適當更改。本發明之具有凹凸構造之構件的製造方法，不限於光學基板的製造而可在各種用途使用，例如，微透鏡陣列、稜鏡陣列、光導波路等之光學元件，透鏡等之光學零件，LED、太陽電池、反射防止薄膜、半導體晶片、模式化媒體、資料儲存裝置、電子紙、LSI等之製造、製紙、食品製造、免疫分析晶片、細胞培養薄片等之生化領域中也可使用。又，做為凹凸形成材料以及凹凸被覆材料，可根據用途而使用各種材料。例如，在光學元件、光學零件、太陽電池、反射防止薄膜、半導體晶片、模式化媒體、資料儲存裝置、電子紙、LSI等之製造用途中，可使用光反應(硬化)性樹脂、熱反應(硬化)性樹脂、高分子樹脂、溶膠凝膠材料等之金屬氧化物、有機-無機混合材料等，更且，在這些材料中，也可添加纖維狀、微粒子(球)狀、薄片狀的材料。做為所添加的材料，可舉出有機化合物(低分子化合物、高分子化合物)，無機化合物(碳材料、矽材料、金屬、金屬氧化物等)，有機-無機混合材料等。但並不限定於此。又，在製紙用途中可使用紙漿等，在食品製造用途中可使用各種食品材料，做為塗膜材料使用。又，藉由本發明之製造方法之構件所具有的凹凸圖樣，不僅限於藉由BCP法或BKL法來得到之不規則的凹凸圖樣，也可具有規則的凹凸圖樣，或是具有線圖像或點圖樣。 更且，凹凸構造不僅限於波形構造，也可為矩形構造、V字型構造、不規則構造等。
【產業上之可利用性】
本發明之具有凹凸構造之構件的製造方法，可正 確且確實地進行微細圖樣之形成，也可以高生產量來製造具有凹凸構造之構件。藉由本發明之製造方法而製造之具有凹凸構造之構件的凹凸圖樣耐熱性、耐候性以及耐蝕性良好，組入具有該凹凸構造之構件的元件之製造流程也具有耐性，又，也可使這些的元件長壽命化。因此，藉由本發明之製造方法所得到之具有凹凸構造之構件，在有機EL元件或太陽電池等之各種元件極為有效，將如此而得到之具有凹凸構造之構件做為光學基板使用，可製造耐熱性、耐候性以及耐蝕性優良之有機EL元件或太陽電池等之各種元件。又，本發明之製造方法，不限於光學基板之製造而可使用於各種用途。例如，太陽電池或各種顯示器用之集光薄膜以及反射防止薄膜的製造、半導體晶片等之製造、面紙之製造等製紙領域(例如，捲筒紙的壓縮所使用的滾筒)、製麵等之食品製造、包括微細的流路之生物晶片、基因組以及蛋白質組解析用之生物晶片、細胞培養薄片(做為細胞培養容器使用之奈米柱薄片)、細胞分別用之微晶片等之生化領域中之製造等也可使用。
S1~S7‧‧‧步驟

Claims (19)

  1. 一種具有凹凸構造之構件的製造方法，係具有凹凸構造之構件的製造方法，具有：準備具有凹凸圖樣的印模之工程；在前述印模的凸部，塗布凹凸形成材料的工程；藉由使前述塗布了前述凹凸形成材料之前述印模接觸於基板，而將前述凹凸形成材料轉印於前述基板上之工程；及如包覆前述轉印之前述凹凸形成材料般，在前述基板上塗布凹凸被覆材料之工程。
  2. 根據申請專利範圍第1項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，藉由在前述基板上塗布前述凹凸被覆材料，而在前述基板上形成前述凹凸形狀材料以及前述凹凸被覆材料所形成之凹凸構造層。
  3. 根據申請專利範圍第1項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，前述凹凸形成材料為溶膠凝膠材料。
  4. 根據申請專利範圍第1項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，前述凹凸被覆材料為溶膠凝膠材料。
  5. 根據申請專利範圍第1項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，前述凹凸形成材料轉印在前述基板上成島狀。
  6. 根據申請專利範圍第5項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，使前述凹凸被覆材料之一部分與前述基板接觸而塗布前述凹凸被覆材料。
  7. 根據申請專利範圍第1項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，具有前述凹凸構造的元件為光學基板。
  8. 根據申請專利範圍第1項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，前述印模係由矽膠所形成。
  9. 根據申請專利範圍第1項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，前述凹凸形成材料的黏度較前述凹凸被覆材料的黏度高。
  10. 根據申請專利範圍第1項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，在將前述凹凸形成材料轉印至前述基板上之工程中，加熱前述凹凸形成材料。
  11. 根據申請專利範圍第10項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，前述凹凸形成材料之加熱溫度為150~200℃。
  12. 根據申請專利範圍第1項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，所轉印之前述凹凸形成材料的高度係根據前述凹凸形成材料的固形分濃度來調整。
  13. 根據申請專利範圍第1項之具有凹凸構造之構件的製造方法，其中，所塗布之前述凹凸被覆材料的膜厚係根據前述凹凸被覆材料的固形分濃度來調整。
  14. 一種在前述基板上具有前述凹凸構造之構件，藉由申請專利範圍第1至13項中任一項所述之具有凹凸構造之構件的製造方法而得到。
  15. 一種有機EL元件之製造方法，使用申請專利範圍第14項所述之具有凹凸構造之構件製造有機EL元件。
  16. 一種光學構件，具有凹凸構造之光學構件，包括：基板；島狀構造，由不同於前述基板之材料所形成且在前述基板 的表面上由各自獨立的複數的凸部所形成；及被覆部，被覆前述島狀構造以及露出於前述凸部間之基板表面。
  17. 根據申請專利範圍第16項之光學構件，其中，前述凸部與前述被覆部，皆由溶膠凝膠材料所形成。
  18. 根據申請專利範圍第16項之光學構件，其中，係由不同於前述凸部與前述被覆部之材料所形成。
  19. 根據申請專利範圍第16至18項中任一項所述之光學構件，其中，前述光學構件為有機EL用之光萃取基板。
TW103106423A 2013-03-06 2014-02-26 具有凹凸構造之構件的製造方法以及藉由該方法所製出之具有凹凸構造之構件 TW201501910A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013044617 2013-03-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201501910A true TW201501910A (zh) 2015-01-16

Family

ID=51491144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103106423A TW201501910A (zh) 2013-03-06 2014-02-26 具有凹凸構造之構件的製造方法以及藉由該方法所製出之具有凹凸構造之構件

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20150362635A1 (zh)
EP (1) EP2966669A4 (zh)
JP (1) JP6101784B2 (zh)
KR (1) KR20150106963A (zh)
CN (1) CN105027259A (zh)
AU (1) AU2014227157B2 (zh)
CA (1) CA2901335A1 (zh)
TW (1) TW201501910A (zh)
WO (1) WO2014136624A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6312586B2 (ja) * 2014-12-08 2018-04-18 三菱電機株式会社 表示ユニット、映像表示装置及び表示ユニットの製造方法
KR102354019B1 (ko) * 2015-03-06 2022-01-21 유니버셜 디스플레이 코포레이션 고효율 oled 소자를 위한 신규 기판 및 공정
KR101805552B1 (ko) 2015-08-31 2017-12-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN108292689B (zh) * 2015-11-27 2021-07-20 京瓷株式会社 光电转换膜和光电转换装置
CN105383156A (zh) * 2015-12-01 2016-03-09 佛山市三水南基塑胶制品有限公司 Pu皮纹理转印设备
BR112019001453B1 (pt) * 2016-07-27 2023-02-07 Koninklijke Philips N.V. Método de fabricação de uma estampa à base de poliorganossiloxano, estampa à base de poliorganossiloxano, uso da mesma e método de formação de uma camada dotada de um padrão
US10211363B2 (en) 2017-02-21 2019-02-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Transfer printing template and transfer printing device of micro light-emitting diode
CN106903978B (zh) * 2017-02-21 2019-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 转印模板及微发光二极管的转印装置
US20180332712A1 (en) * 2017-05-11 2018-11-15 Carpe Diem Technologies, Inc. High-resolution printing technique
KR102506441B1 (ko) * 2017-12-04 2023-03-06 삼성전자주식회사 반도체 발광 어레이의 제조 방법 및 반도체 발광 어레이
US20190369312A1 (en) * 2018-06-04 2019-12-05 Hoya Candeo Optronics Corporation Optical filter and imaging apparatus
US11305706B2 (en) * 2019-05-30 2022-04-19 Ford Global Technologies, Llc Vehicle appliques
EP3751359A1 (fr) * 2019-06-12 2020-12-16 The Swatch Group Research and Development Ltd Agencement d'antenne, piece d'habillage horloger comprenant un tel agencement d'antenne et procede de fabrication d'une telle piece d'habillage horloger

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05238827A (ja) 1992-02-26 1993-09-17 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH06122852A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JP3212400B2 (ja) 1993-02-19 2001-09-25 東燃ゼネラル石油株式会社 セラミックコーティング用組成物及びコーティング方法
JP3307471B2 (ja) 1993-02-24 2002-07-24 東燃ゼネラル石油株式会社 セラミックコーティング用組成物及びコーティング方法
JP3385060B2 (ja) 1993-04-20 2003-03-10 東燃ゼネラル石油株式会社 珪素−窒素−酸素−（炭素）−金属系セラミックス被覆膜の形成方法
JP3370408B2 (ja) 1993-12-28 2003-01-27 東燃ゼネラル石油株式会社 セラミックコーティングの製造方法
JP3449798B2 (ja) 1994-10-14 2003-09-22 東燃ゼネラル石油株式会社 ＳｉＯ２被覆プラスチックフィルムの製造方法
JP3750393B2 (ja) * 1998-02-05 2006-03-01 日本板硝子株式会社 凹凸表面を有する物品の製造方法
EP0969517B1 (en) * 1998-07-04 2005-10-12 International Business Machines Corporation Electrode for use in electro-optical devices
DE602005012128D1 (de) * 2004-09-03 2009-02-12 Fraunhofer Ges Forschung Filmbildendes material und herstellung von oberfläturen durch bestrahlung eines films aus dem material
KR20060081190A (ko) * 2005-01-07 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101264673B1 (ko) * 2005-06-24 2013-05-20 엘지디스플레이 주식회사 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법
JP4940784B2 (ja) * 2006-06-28 2012-05-30 凸版印刷株式会社 インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法
JP2009233855A (ja) * 2006-07-21 2009-10-15 Nippon Sheet Glass Co Ltd 転写用型およびその製造方法ならびに転写用型を用いた転写物の製造方法
JP2008049544A (ja) 2006-08-23 2008-03-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
WO2008032557A1 (fr) * 2006-09-12 2008-03-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Élément à électroluminescence organique, ainsi que dispositif d'éclairage et dispositif d'affichage prévus avec l'élément à électroluminescence organique
US8179034B2 (en) * 2007-07-13 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices
US7993816B2 (en) * 2008-03-17 2011-08-09 International Business Machines Corporation Method for fabricating self-aligned nanostructure using self-assembly block copolymers, and structures fabricated therefrom
JP2011526075A (ja) * 2008-06-26 2011-09-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光抽出器の作製方法
JP5013617B2 (ja) * 2008-07-24 2012-08-29 シャープ株式会社 通信装置、通信システムおよび受信方法
JP2010147408A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Ricoh Co Ltd 有機トランジスタ、有機トランジスタアレイ及び表示装置
JP5667747B2 (ja) * 2009-03-18 2015-02-12 株式会社東芝 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP5453921B2 (ja) 2009-05-20 2014-03-26 凸版印刷株式会社 微細凹凸構造体、およびその製造方法、ならびに光学素子
JP2010287621A (ja) * 2009-06-09 2010-12-24 Sharp Corp 微細構造物の製造方法
JP5531463B2 (ja) 2009-06-26 2014-06-25 大日本印刷株式会社 マイクロコンタクトプリント用スタンプの製造に用いるマスター版とその製造方法、マイクロコンタクトプリント用スタンプとその製造方法、および、マイクロコンタクトプリント用スタンプを用いたパターン形成方法
JP4740403B2 (ja) 2009-07-16 2011-08-03 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 回折格子及びそれを用いた有機ｅｌ素子、並びにそれらの製造方法
JP5322182B2 (ja) * 2010-05-14 2013-10-23 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 有機ｅｌ素子用のマイクロレンズ、それを用いた有機ｅｌ素子、及びそれらの製造方法
US8759820B2 (en) * 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4691205B1 (ja) * 2010-09-03 2011-06-01 日東電工株式会社 薄型高機能偏光膜を含む光学フィルム積層体の製造方法
WO2012057194A1 (ja) * 2010-10-27 2012-05-03 住友化学株式会社 有機薄膜トランジスタの製造方法及び該方法で製造された有機薄膜トランジスタ
TWI602292B (zh) * 2010-11-02 2017-10-11 王子控股股份有限公司 有機發光二極體及其製造方法、圖像顯示裝置以及照明裝置
TWI552848B (zh) * 2011-01-14 2016-10-11 Jx Nippon Oil & Energy Corp Method for manufacturing a mold for fine pattern transfer and a method for manufacturing a diffraction grating using the same, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device having the diffraction grating
JP5779933B2 (ja) * 2011-03-25 2015-09-16 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法
EP2693241A4 (en) * 2011-03-28 2014-08-27 Jx Nippon Oil & Energy Corp METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH TEXTURED STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENTS USING THE SAME
US9052096B2 (en) * 2011-04-27 2015-06-09 Jx Nippon Oil & Energy Corporation Light extraction transparent substrate for organic EL element, and organic EL element using the same
US9105878B2 (en) * 2011-07-01 2015-08-11 Oji Holdings Corporation Organic light-emitting diode manufacturing method, organic light-emitting diode, image display device, illumination device, and substrate
AU2012338004B2 (en) * 2011-11-18 2015-07-09 Jx Nippon Oil & Energy Corporation Organic EL element
CN104254438B (zh) * 2012-04-26 2016-11-09 吉坤日矿日石能源株式会社 微细图案转印用模具的制造方法以及使用该模具的具有凹凸结构的基板的制造方法、以及具备具有该凹凸结构的基板的有机电致发光元件的制造方法
CN104380843B (zh) * 2012-06-11 2016-10-19 吉坤日矿日石能源株式会社 有机电致发光元件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014136624A1 (ja) 2014-09-12
JP6101784B2 (ja) 2017-03-22
KR20150106963A (ko) 2015-09-22
CN105027259A (zh) 2015-11-04
AU2014227157A1 (en) 2015-09-17
EP2966669A4 (en) 2016-11-09
AU2014227157B2 (en) 2016-09-22
JPWO2014136624A1 (ja) 2017-02-09
CA2901335A1 (en) 2014-09-12
US20150362635A1 (en) 2015-12-17
EP2966669A1 (en) 2016-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201501910A (zh) 具有凹凸構造之構件的製造方法以及藉由該方法所製出之具有凹凸構造之構件
TWI597178B (zh) A substrate having a concavo-convex structure of a hydrophobic sol-gel material is used
JP6342895B2 (ja) 凹凸構造を有する基板の製造方法
TWI574812B (zh) A method for manufacturing a fine pattern transfer die, a method for manufacturing a substrate having a concavo-convex structure using the same, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device including a substrate having the same and a concavo-convex structure
TW201532330A (zh) 光學基板、用於光學基板製造之模具、及含光學基板之發光元件
TW201523952A (zh) 發光元件及發光元件之製造方法
CA2900452C (en) Roller device using suction roller, and production method for member having uneven structure and production method for organic electro-luminescence (el) element
TW201722671A (zh) 母模之製造方法