TW201713750A - 螢光體及其用途 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種無機螢光體，其具有可發出比習知之稀土類活化塞隆(sialon)螢光體更長波長之橙色或紅色光之螢光特性。 本發明係關於使用一種以具有與CaSiAlN3晶相相同之晶體構造之無機化合物作為母體晶體，並添加M(其中，M為選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu所組成一群之一種或二種以上之元素)作為發光中心而成之固溶體(solid solution)晶相螢光體，藉此設計富於紅色成分之演色(color-rendering)性良好之白色發光二極體。

Description

螢光體及其用途
本發明係關於以無機化合物為主體之螢光體及其用途。更詳細而言，該用途係關於利用該螢光體所具之性質，即利用發出具有570nm以上之長波長之螢光之特性之照明器具、影像顯示裝置等之發光器具暨顏料及紫外線吸收劑。
螢光體被使用於螢光顯示管(VFD)、場發射顯示器(FED)、電漿顯示面板(PDP)、陰極射線管(CRT)、白色發光二極體(LED)等。為了使螢光體發光，在此等用途均必需將螢光體激發用之能量供給於螢光體，螢光體被真空紫外線、紫外線、電子束、藍色光等之具有高能量之激發源激發，發出可見光線。然而，由於有使螢光體暴露於如前述之激發源而造成螢光體亮度降低之問題，因此需求不降低亮度之螢光體。於是，作為亮度之降低少的螢光體，有一種塞隆(sialon)螢光體，被提案，用以代替習知之矽酸鹽螢光體、磷酸鹽螢光體、鋁酸鹽螢光體、硫化物螢光體等螢光體。
此塞隆螢光體係由以下概述之製造過程所製造。首先，使氮化矽 (Si3N4)、氮化鋁(AlN)、碳酸鈣(CaCO3)以及氧化銪(Eu2O3)按指定莫耳比混合，在1氣壓(0.1MPa)之氮氣中，在1700℃之溫度下保持1小時，藉熱壓法焙燒而製成(例如參照專利文獻1)。經報告，由此製程所得之經銪離子活化之α-塞隆可被450至500nm之藍色光激發而成為發出550至600nm之黃色光之螢光體。然而，在以紫外LED為激發源之白色LED或電漿顯示器等之用途上，不僅需求黃色螢光體，亦需求發出橙色及紅色光之螢光體。又，在以藍色LED為激發源之白色LED中，為了提高演色性，需求發出橙色或紅色光之螢光體。
作為發出紅色光之螢光體，有一種由Ba2Si5N8晶相被Eu活化而得到之無機物質(Ba2-xEuxSi5N8：x=0.14~1.16)被報告於本案申請前之學術文獻(參照非專利文獻1)。此外，各種組成之鹼金屬與矽之三元氮化物MxSiyNz(M=Ca、Sr、Ba、Zn；x、y、以及z為各種數值)為母體之螢光體被報告於刊物「On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials」(參照非專利文獻2)之第2章中。同樣地，有MxSiyNz：Eu(M=Ca、Sr、Ba、Zn；z=2/3x+4/3y)被報告於美國專利6682663號(專利文獻2)中。
作為其他之塞隆、氮化物或氧氮化物螢光體，已知日本專利特開2003-206481號(專利文獻3)載述之螢光體，其係使用MSi3N5、M2Si4N7、M4Si6N11、M9Si11N23、M16Si15O6N32、M13Si18Al12O18N36、MSi5Al2ON9以及M3Si5AlON10(其中，M為Ba、Ca、Sr或稀土元素)作為母體晶體，對此用Eu或Ce活化所得到者，其中亦有發出紅色 光之螢光體被報告。又，已知有使用此等螢光體之LED照明單元。此外，日本專利特開2002-322474號(專利文獻4)中，報告一種由Sr2Si5N8或SrSi7N10晶相被Ce活化所得之螢光體。
在日本專利特開2003-321675號(專利文獻5)中，記載有LxMyN(2/3x+4/3y)：Z(L為Ca、Sr、Ba等之2價元素，M為Si、Ge等之4價元素，Z為Eu等活化劑)螢光體之相關記述，提及若添加微量Al便可得到抑制殘光之效果。又，已知由此螢光體與藍色LED之組合所得之稍帶紅之暖色系白色發光裝置。此外，在日本專利特開2003-277746號(專利文獻6)中，作為LxMyN(2/3x+4/3y)：Z螢光體，報告有由各種L元素、M元素以及Z元素所構成之螢光體。在日本專利特開2004-10786號(專利文獻7)中，雖然記述有關於L-M-N：Eu、Z系之廣泛組合，但並未指出以特定之組成物或晶相為母體之情況之提高發光特性之效果。
上述專利文獻2至7之代表性螢光體係以2價元素及4價元素之氮化物為母體晶體，有以各種不同晶相為母體之螢光體被報告，亦已知有發出紅色光者，但若由藍色可見光激發，則紅色發光亮度並不充足。又，若干組成在化學上不安定，在耐久性方面有問題。
[非專利文獻1]H.A. Hoppe等4人，”Journal of Physics and Chemistry of Solids”2000年，第61卷，第2001~2006頁
[非專利文獻2]「On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials」J.W.H. van Krevel著，TU Eindhoven 2000，ISBN 90-386-2711-4
[專利文獻1]日本專利特開2002-363554號公報
[專利文獻2]美國專利第6682663號公報
[專利文獻3]日本專利特開2003-206481號公報
[專利文獻4]日本專利特開2002-322474號公報
[專利文獻5]日本專利特開2003-321675號公報
[專利文獻6]日本專利特開2003-277746號公報
[專利文獻7]日本專利特開2004-10786號公報
作為照明裝置之習知技術，已公知有由藍色發光二極體元件與藍色吸收黃色發光螢光體之組合所得之白色發光二極體，且在各種用途上被實用化。作為其代表例，可例示日本專利第2900928號「發光二極體」(專利文獻8)、日本專利第2927279號(專利文獻9)「發光二極體」、日本專利第3364229號(專利文獻10)「波長變換澆鑄材料及其製造方法暨發光元件」等。在此等發光二極體中，尤其被頻繁使用之螢光體為通式(Y、Gd)3(Al、Ga)5O12：Ce3+所示之以鈰活化之釔．鋁．石榴石系螢光體。
然而，由藍色發光二極體元件與釔．鋁．石榴石系螢光體所構成之白色發光二極體由於紅色成分不足而具有發出帶藍白色之光的特徵，造成演色性有偏倚之問題。
基於此種背景，檢討了一種白色發光二極體，其係使二種螢光體混合．分散，藉以由其他之紅色螢光體來補償釔．鋁．石榴石系螢光體所缺少之紅色成分。作為此種發光二極體，可例示日本專利特開平10-163535(專利文獻11)「白色發光元件」、日本專利特開2003-321675(專利文獻5)「氮化物螢光體及其製造方法」等。然而， 在此等發明中，關於演色性亦留存有應該改善之問題，因而需求一種解決了該問題之發光二極體。日本專利特開平10-163535(專利文獻11)所載述之紅色螢光體含有鎘，具有環境污染之問題。日本專利特開2003-321675(專利文獻5)所載述之以Ca1.97Si5N8：Eu0.03為代表例之紅色螢光體並不含有鎘，但螢光體之亮度低，因此，有待進一步改善其發光強度。
[專利文獻8]日本專利第2900928號公報
[專利文獻9]日本專利第2927279號公報
[專利文獻10]日本專利第3364229號公報
[專利文獻11]日本專利特開平10-163535號公報
本發明係用於回應此種需求，其目的之一為提供一種可發出比習知之稀土類活化塞隆螢光體更長波長之橙色光或紅色光，具有高亮度，且在化學上安定之無機螢光體。此外，本發明之另一個目的為提供使用此種螢光體之具有優異演色性之照明器具、具有優異耐久性之影像顯示裝置、顏料以及紫外線吸收劑。
在此種環境下，本案發明人等對於使用除了含有如Ca等2價之A元素及如Si等4價之D元素之外，亦含有如Al等3價之E元素為主要金屬元素無機多元氮化物晶相為母體之螢光體進行詳細之研究，發現以具有特定之組成或晶體構造之無機晶相作為母體之螢光體發出比習知之稀土類活化塞隆螢光體更長波長之橙色光或紅 色光，且具有比習知所報告之以氮化物或氧氮化物作為母體晶體之紅色螢光體更高之亮度。
即，對於含有形成發光離子之M元素(其中M為選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu之一種或二種以上之元素)、2價之A元素(其中A為選自Mg、Ca、Sr以及Ba之一種或二種以上之元素)、4價之D元素(其中D為選自Si、Ge、Sn、Ti、Zr以及Hf之一種或二種以上之元素)、3價之E元素(其中E為選自B、Al、Ga、In、Se、Y以及La之一種或二種以上之元素)以及X元素(其中X為選自O、N以及F之一種或二種以上之元素)之元素的以氮化物或氧氮化物為主體之無機化合物潛心反覆研究結果發現，具有特定之組成區域範圍及特定之晶相者可成為發出波長570nm以上之橙色光或波長600nm以上之紅色光之螢光體之事實。
此外，發現在上述組成中，以具有與CaAlSiN3晶相相同之晶體構造之無機化合物為母體晶體，且添加有光學活性元素M、尤其以Eu作為發光中心之固溶體晶相，可成為一種發出特別高亮度之橙色光或紅色光之螢光體。此外，發現藉由使用該螢光體，可得到一具有高發光效率、富於紅色成分且顯示良好之演色性之白色發光二極體。
亦發現，本發明之螢光體之母體晶體與習知所報告之LxMyN(2/3x+4/3y)所代表之2價元素及4價元素之三元氮化物全然不同，藉由將其作成使用Al所代表之3價元素為主要構成金屬元素 之多元氮化物，可達成從未有過之亮度之紅色發光。又，本發明為一種新穎螢光體，係使用具有與專利文獻3等習知所報告之M13Si18Al12O18N36、MSi5Al2ON9、M3Si5AlON10(其中M為Ca、Ba、Sr等)或非專利文獻2之第11章所載述之Ca1.47Eu0.03Si9Al3N16等之塞隆全然不同之組成及晶體構造之晶相作為母體。此外，與專利文獻5所載述之含有數百ppm左右Al之晶相不同，本發明之螢光體係以Al所代表之3價元素作為母體晶體之主要構成元素之以晶相為母體之螢光體。
一般而言，作為發光中心元素M而使Mn或稀土元素對無機母體晶體活化之螢光體，依M元素周圍之電子狀態而發生發光色及亮度之變化。例如在以2價Eu為發光中心之螢光體中，藉由改變母體晶體，有藍色、綠色、黃色、紅色之發光被報告。即，縱然是相似之組成，若改變母體之晶體構造或收容M之晶體構造中之原子位置，發光色及亮度會全然不同，而被視為不同之螢光體。在本發明中，將與習知之2價元素及4價元素之三元氮化物不同之2價-3價-4價之多元氮化物用作母體晶體，並以與習知所報告之塞隆組成在晶體構造上全然不同之晶相為母體，以此種晶相為母體之螢光體完全未被報告過。此外，以本發明之組成及晶體構造為母體之螢光體顯示比以習知之晶體構造為母體者更高亮度之紅色發光。
前述之CaAlSiN3晶相本身係在本案申請前由ZHEN-KUN-HUANG等在企求耐熱材料之目的下焙燒Si3N4-AlN-CaO系原料之過程中確認其形成之氮化物，關於其生成 過程及生成機構在本案申請前詳細報告於相關之學術文獻(參照非專利文獻3)中。
[專利文獻3]ZHEN-KUN-HUANG等2名”Journal of Materials Science Letters”1985年，第4卷，第255~259頁。
此CaAlSiN3晶相本身係如前所述，在塞隆之研究過程中已被確認，由其經過及前述文獻所載述之報告內容來看，僅述及耐熱特性而已，該文獻全然未載述任何使光學活性之元素固溶於該晶相之事物及將所固溶之晶相用作螢光體。又，其後直到本發明為止，期間未曾有過將該晶相用作螢光體之探討。即，本案發明人等首先發現，將光學活性之元素固溶於CaAlSiN3晶相而得到之物質為一新穎物質，且此新穎物質可使用作為具有可被紫外線及可見光激發而發出高亮度之橙色或紅色光之性能之螢光體。本案發明人等以此發現為基礎，進一步潛心反覆研究之結果，由設定以下(1)~(24)所載述之構成內容，成功提供在特定波長區域顯示高亮度之發光現象之螢光體。此外，使用此螢光體，藉由(25)~(37)所載述之構成內容，亦成功提供具有優異特性之照明器具、影像顯示裝置。此外，將作為此螢光體之無機化合物設定為(38)~(39)所載述之構成內容，藉此亦成功提供顏料及紫外線吸收劑。即，本發明以前述發現為基礎，施行一連串之實驗及研究，結果成功提供在長波長區域高亮度發光之螢光體及利用該螢光體之照明裝置、影像顯示裝置、顏料、紫外線吸收劑，其構成內容係如以下(1)~(39)所載述。
(1)一種螢光體，其特徵為由無機化合物所構成，該無機化合物為至 少含有M元素、A元素、D元素、E元素以及X元素之組成物(其中M為選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm以及Yb所組成群組之一種或二種以上之元素，A為選自M元素以外之2價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，D為選自4價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，E為選自3價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，X為選自O、N以及F所組成群組之一種或二種以上之元素)，且具有與CaAlSiN3相同之晶體構造。
(2)如前述(1)項所載述之螢光體，其由無機化合物構成，該無機化合物由組成式MaAbDcEdXe(式中，a+b=1，M為選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm以及Yb所組成群組之一種或二種以上之元素，A為選自M元素以外之2價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，D為選自4價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，E為選自3價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，X為選自O、N以及F所組成群組之一種或二種以上之元素)所代表，係由參數a、c、d、e滿足0.00001≦a≦0.1.................................(i) 0.5≦c≦4..........................................(ii) 0.5≦d≦8..........................................(iii) 0.8×(2/3+4/3×c+d)≦e...........................(iv) e≦1.2×(2/3+4/3×c+d)...........................(v)之全部條件之組成所代表，且具有與CaAlSiN3相同之晶體構造。
(3)如前述(2)項所載述之螢光體，其中參數c及d滿足0.5≦c≦1.8且0.5≦d≦1.8之條件。
(4)如前述(2)項或(3)項所載述之螢光體，其中參數c、d、e係為c=d=1且e=3。
(5)如前述(1)項至(4)項中任一項所載述之螢光體，其中A為選自Mg、Ca、Sr、Ba所組成群組之一種或二種以上之元素，D為選自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf所組成群組之一種或二種以上之元素，E為選自B、Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd、Lu所組成群組之一種或二種以上之元素。
(6)如前述(1)項至(5)項中任一項所載述之螢光體，其中至少在M元素中含有Eu、在A元素中含有Ca、在D元素中含有Si、在E元素中含有Al、在X元素中含有N。
(7)如前述(1)項至(6)項中任一項所載述之螢光體，其中具有與CaAlSiN3相同之晶體構造之無機化合物為CaAlSiN3晶相或CaAlSiN3晶相之固溶體。
(8)如前述(1)項至(7)項中任一項所載述之螢光體，其中M元素為Eu，A元素為Ca，D元素為Si，E元素為Al，X元素為N或N與O之混合物。
(9)如前述(1)項至(7)項中任一項所載述之螢光體，其中至少在A中含有Sr。
(10)如前述(9)項所載述之螢光體，其中該無機化合物中所含之Ca與Sr之原子數為 0.02≦(Ca之原子數)/{(Ca之原子數)+(Sr之原子數)}<1。
(11)如前述(1)項至(10)項中任一項所載述之螢光體，其中至少在X中含有N及O。
(12)如前述(11)項所載述之螢光體，其中該無機化合物中所含之O與N之原子數為0.5≦(N之原子數)/{(N之原子數)+(O之原子數)}≦1。
(13)如前述(11)項或(12)項所載述之螢光體，其中該螢光體由MaAbD1-xE1+xN3-xOx(式中a+b=1，0<x≦0.5)所示之無機化合物所構成。
(14)如前述(1)項至(13)項中任一項所載述之螢光體，其中該無機化合物為平均粒徑0.1μm以上且20μm以下之粉體，且該粉體為單晶粒子或單晶之集合體。
(15)如前述(1)項至(14)項中任一項所載述之螢光體，其中該無機化合物所含之Fe、Co、Ni雜質元素之合計為500ppm以下。
(16)一種螢光體，其特徵為，由前述(1)項至(15)項中任一項之無機化合物所構成之螢光體與其他晶相或非晶相之混合物所構成，前述(1)項至(15)項中任一項之無機化合物所構成之螢光體之含量為20質量%以上。
(17)如前述(16)項所載述之螢光體，其係其他晶相或非晶相具有導電性之無機物質。
(18)如前述(17)項所載述之螢光體，其中具有導電性之無機物質為含有選自Zn、Al、Ga、In、Sn之一種或二種以上之元素之氧化物、 氧氮化物或氮化物，抑或該等之混合物。
(19)如前述(16)項所載述之螢光體，其係其他晶相或非晶相與前述(1)項至(15)項中任一項之螢光體不同之無機螢光體。
(20)如前述(1)項至(19)項中任一項所載述之螢光體，其中藉由照射激發源而使在570nm至700nm範圍內之波長具有波峰之螢光發光。
(21)如前述(20)項所載述之螢光體，其中該激發源為具有100nm以上且600nm以下之波長之紫外線或可見光。
(22)如前述(20)項所載述之螢光體，其中具有與CaAlSiN3相同之晶體構造之無機化合物為CaAlSiN3晶相，係在該晶相中固溶Eu而成，在受到100nm以上且600nm以下之光之照射時可發出波長600nm至700nm以下之螢光。
(23)如前述(20)項所載述之螢光體，其中該激發源為電子束或X射線。
(24)如前述(20)項至(23)項中任一項所載述之螢光體，其中被激發源照射時發光之顏色按CIE色度座標上之(x,y)值係滿足0.45≦x≦0.7之條件。
(25)一種照明器具，係於由發光光源與螢光體所構成者中，其特徵為，至少使用如前述(1)項至(24)項中任一項之螢光體。
(26)如前述(25)項所載述之照明器具，其中該發光光源為發出330~500nm波長之光之LED。
(27)如前述(25)項或(26)項所載述之照明器具，其中該發光光源為發 出330~420nm波長之光之LED，藉由使用如前述(1)項至(24)項中任一項之螢光體、因330~420nm之激發光而在420nm以上且500nm以下之波長具有發光峰之藍色螢光體、以及因330~420nm之激發光而在500nm以上且570nm以下之波長具有發光波峰之綠色螢光體，以混合紅、綠、藍色光並發出白色光。
(28)如前述(25)項或(26)項所載述之照明器具，其中該發光光源為發出420~500nm波長之光之LED，藉由使用如前述(1)項至(24)項中任一項之螢光體、及因420~500nm之激發光而在500nm以上且570nm以下之波長具有發光峰之綠色螢光體，以發出白色光。
(29)如前述(25)項或(26)項所載述之照明器具，其中該發光光源為發出420~500nm波長之光之LED，藉由使用如前述(1)項至(24)項中任一項之螢光體、及因420~500nm之激發光而在550nm以上且600nm以下之波長具有發光峰之黃色螢光體，以發出白色光。
(30)如前述(29)項所載述之照明器具，其中該黃色螢光體為固溶有Eu之Ca-α塞隆。
(31)一種影像顯示裝置，係於由激發源與螢光體所構成者中，其特徵為，至少使用如前述(1)項至(24)項中任一項之螢光體。
(32)如前述(31)項所載述之影像顯示裝置，其中該激發源為發出330~500nm波長之光之LED。
(33)如前述(31)項或(32)項所載述之影像顯示裝置，其中該激發源為發出330~420nm波長之光之LED，藉由使用如前述(1)項至(24)項中任一項之螢光體、因330~420nm之激發光而在420nm以上且 500nm以下之波長具有發光峰之藍色螢光體、以及因330~420nm之激發光而在500nm以上且570nm以下之波長具有發光峰之綠色螢光體，以混合紅、綠、藍色光並發出白色光。
(34)如前述(31)項或(32)項所載述之影像顯示裝置，其中該激發源為發出420~500nm波長之光之LED，藉由使用如前述(1)項至(24)項中任一項之螢光體、及因420~500nm之激發光而在500nm以上且570nm以下之波長具有發光峰之綠色螢光體，以發出白色光。
(35)如前述(31)項或(32)項所載述之影像顯示裝置，其中該激發源為發出420~500nm波長之光之LED，藉由使用如前述(1)項至(24)項中任一項之螢光體、及因420~500nm之激發光而在550nm以上且600nm以下之波長具有發光峰之黃色螢光體，以發出白色光。
(36)如前述(35)項所載述之影像顯示裝置，其中該黃色螢光體為固溶有Eu之Ca-α塞隆。
(37)如前述(31)項至(36)項中任一項所載述之影像顯示裝置，其中該影像顯示裝置為螢光顯示管(VFD)、場發射顯示裝置(FED)、電漿顯示面板(PDP)、陰極射線管(CRT)中之任一者。
(38)一種由前述(1)項至(24)項中任一項之無機化合物所構成之顏料。
(39)一種由前述(1)項至(24)項中任一項之無機化合物所構成之紫外線吸收劑。
本發明之螢光體由於作為主成分係含有含2價元素、3價元素以及4價元素之多元氮化物，尤其CaAlSiN3所示之晶相、具有與其 相同之晶體構造之其他晶相、或此等晶相之固溶體，顯示比習知之塞隆及氧氮化物螢光體更長波長之發光，作為橙色或紅色螢光體係屬優異。即使在暴露於激發源之情況，本螢光體亦不會降低亮度，可提供有用之螢光體，適於使用於VFD、FED、PDP、CRT、白色LED等。又，在本螢光體中，特定無機化合物之母體具有紅色，且因會吸收紫外線，而適於紅色顏料及紫外線吸收劑。
1‧‧‧為本發明之紅色螢光體與黃色螢光體之混合物，或本發明之紅色螢光體、藍色螢光體、以及綠色螢光體之混合物
2‧‧‧LED晶片
3、4‧‧‧導電性端子
5‧‧‧銲線
6‧‧‧樹脂層
7‧‧‧容器
8‧‧‧紅色螢光體
9‧‧‧綠色螢光體
10‧‧‧藍色螢光體
11、12、13‧‧‧紫外線發光槽
14、15、16、17‧‧‧電極
18、19‧‧‧介電體層
20‧‧‧保護層
21、22‧‧‧玻璃基板
圖1-1為CaAlSiN3之X射線繞射圖。
圖1-2為用Eu活化之CaAlSiN3(實施例1)之X射線繞射圖。
圖2為顯示CaAlSiN3之晶體構造模型之圖。
圖3為顯示具有與CaAlSiN3晶相類似之構造之Si2N2O之晶體構造模型之圖。
圖4為顯示螢光體(實施例1~7)之發光光譜之圖。
圖5為顯示螢光體(實施例1~7)之激發光譜之圖。
圖6為顯示螢光體(實施例8~11)之發光光譜之圖。
圖7為顯示螢光體(實施例8~11)之激發光譜之圖。
圖8為顯示螢光體(實施例12~15)之發光光譜之圖。
圖9為顯示螢光體(實施例12~15)之激發光譜之圖。
圖10為顯示螢光體(實施例16~25)之發光光譜之圖。
圖11為顯示螢光體(實施例16~25)之激發光譜之圖。
圖12為顯示螢光體(實施例26~30)之發光光譜之圖。
圖13為顯示螢光體(實施例26~30)之激發光譜之圖。
圖14為依照本發明之照明器具(LED照明器具)之概略圖。
圖15為依照本發明之影像顯示裝置(電漿顯示面板)之概略圖。
以下，根據本發明之實施例詳細說明本發明之內容。
本發明之螢光體係由下述無機化合物所構成：(1)至少含有M元素、A元素、D元素、E元素、X元素之組成物(其中M為選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb所組成群組之一種或二種以上之元素，A為選自M元素以外之2價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，D為選自4價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，E為選自3價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，X為選自O、N、F所組成群組之一種或二種以上之元素)；(2)(a)化學式CaAlSiN3所示之晶相、(b)具有與此晶相相同之晶體構造之其他晶相或(c)此等晶相之固溶體(以下，將此等晶相統稱為「CaAlSiN3屬晶相」)。上述之本發明螢光體尤其顯示高亮度。
M為選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb所組成群組之一種或二種以上之元素，其中以選自Mn、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Yb所組成群組之一種或二種以上之元素較佳，以含有Eu較佳，而M為Eu時更佳。
A為選自M元素以外之2價金屬元素所組成群組之一種或二種以 上之元素，其中以選自Mg、Ca、Sr、Ba所組成群組之一種或二種以上之元素為佳，而以Ca較佳。
D為選自4價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，其中以選自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf所組成群組之一種或二種以上之元素為佳，而以Si較佳。
E為選自3價金屬元素所組成群組之一種或二種以上之元素，其中以選自B、Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd、Lu所組成群組之一種或二種以上之元素為佳，而以Al較佳。
X為選自O、N、F所組成群組之一種或二種以上之元素，其中以N、或N與O所構成者較佳。
其組成係以組成式MaAbDcEdXe表示。組成式為構成該物質之原子數之比，對a、b、c、d、e乘以任一數者亦屬同一組成。從而，在本發明中以可成為a+b=1之方式，對於重新計算a、b、c、d、e者決定以下之條件。
在本發明中，a、c、d、以及e之數值係通常選自滿足0.00001≦a≦0.1.................................(i)
0.5≦c≦4..........................................(ii)
0.5≦d≦8..........................................(iii)
0.8×(2/3+4/3×c+d)≦e...........................(iv)
e≦1.2×(2/3+4/3×c+d)...........................(v) 之全部條件之數值。
a表示成為發光中心之元素M之添加量，乃以螢光體中之M與 (M+A)之原子數之比a(其中a=M/(M+A))可成為0.00001以上且0.1以下之方式予以設定為佳。若a值小於0.00001，由於成為發光中心之M之數目少，發光亮度會降低。若a值大於0.1，則由於M離子間之干擾，引起濃度消光，致使亮度降低。
尤其在M為Eu之情況，基於使發光亮度變高之觀點，較佳的是a值為0.002以上且0.03以下。
c值為Si等之D元素之含量，即以0.5≦c≦4所示之量。其以0.5≦c≦1.8較佳，而以c=1更佳。在c值小於0.5之情況及大於4之情況均使發光亮度降低。在0.5≦c≦1.8之範圍內，發光亮度高，尤其在c=1時，發光亮度特別高。其理由為後述之CaAlSiN3屬晶相之生成比例變高所致。
d值為Al等之E元素之含量，即以0.5≦d≦8所示之量。其以0.5≦d≦1.8較佳，而以d=1更佳。在d值小於0.5之情況及大於8之情況均使發光亮度降低。在0.5≦d≦1.8之範圍內，發光亮度高，尤其在d=1時，發光亮度特別高。其理由為後述之CaAlSiN3屬晶相之生成比例變高所致。
e值為N等之X元素之含量，即以0.8×(2/3+4/3×c+d)以上且1.2×(2/3+4/3×c+d)以下所示之量。較佳的是e=3。若e值在此值範圍外，發光亮度會降低。其理由為後述之CaAlSiN3屬晶相之生成比例變高所致。
在以上之組成中，發光亮度高者為至少在M元素中含有Eu、在A元素中含有Ca、在D元素中含有Si、在E元素中含有Al、在X 元素中含有N者。尤其是M元素為Eu、A元素為Ca、D元素為Si、E元素為Al、X元素為N或N與O之混合物之無機化合物。
前述CaAlSiN3晶相為斜方晶系，係為具有晶格常數a=9.8007(4)Å、b=5.6497(2)Å、c=5.0627(2)Å，且具有X射線繞射上之圖1-1之圖及表4所示晶面指數之晶相為特徵之物質。
根據本案發明人等所做之CaAlSiN3晶相之晶體構造解析，本晶相屬於Cmc21(International Tables for Crystallography之第36空間群)，佔有如表5所示之原子座標位置。另外，空間群係利用收斂電子束繞射來決定，而原子座標係利用將X射線繞射結果予以Rietveld解析而決定。
本晶相係如圖2所示之構造，具有與圖3所示之Si2N2O晶相(礦物名：氮氧矽石(sinoite))類似之骨架。即，係由Si及Al佔取Si2N2O晶相之Si之位置，由N佔取Si2N2O晶相之N及O之位置，在Si-N-O所形成之骨架空間內收容Ca作為侵入型元素之晶相，係一種伴隨元素之置換而使原子座標變為表5所示之位置之構造。另外，Si與Al係以不規則分布(disordered)之狀態佔取Si2N2O晶相之Si之位置。於是，將本構造命名為氮氧矽石型塞隆構造。
具有與本發明所示CaAlSiN3相同之晶體構造之無機化合物係指前述之屬於CaAlSiN3屬晶相之無機化合物。具有與CaAlSiN3相同之晶體構造之無機化合物除了顯示與CaAlSiN3之X射線繞射結果相同之繞射之物質之外，亦包含由於結構元素被其他元素置換而發生晶格常數之變化者。例如，可舉出CaAlSiN3晶相或CaAlSiN3晶 相之固溶體等。在此，結構元素被其他元素置換之晶相係指例如在CaAlSiN3晶相之情況由下述置換所得者：該晶相中之Ca被元素M(其中M為選自Mn、Cc、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb所組成群組之一種或二種以上之元素)及/或M元素及選自Ca以外之2價金屬所組成群組(最好為由Mg、Sr、以及Ba所組成群組)之一種或二種以上之元素置換，Si被選自Si以外之4價金屬所組成群組(最好為由Ge、Sn、Ti、Zr、Hf所組成群組)之一種或二種以上之元素置換，Al被選自Al以外之3價金屬所組成群組(最好為由B、Ga、In、Se、Y、La、Gd、Lu所組成群組)之一種或二種以上之元素置換，N被選自O與F所組成群組之一種或二種以上之元素置換。另外，本發明之CaAlSiN3屬晶相可藉X射線繞射或中子射線繞射予以鑑定。
CaAlSiN3屬晶相在其結構成分Ca、Si、Al或N被其他元素置換時，或有Eu等之金屬元素固溶時，其晶格常數會變化，但由晶體構造與原子所佔之格位(site)及其座標所決定之原子位置不致大幅變化到引起骨架原子間之化學鍵斷裂之程度。在本發明中，關於X射線繞射或中子射線繞射之結果，若由Cmc21之空間群施行Rictveld解析求得之晶格常數及原子座標所算出之Al-N及Si-N之化學鍵長度(鄰接原子間距離)與根據表5所示CaAlSiN3之晶格常數及原子座標所算出之化學鍵長度之差異在±15%以內，則界定為相同之晶體構造，以施行是否屬於CaAlSiN3屬晶相之判定。此一判定基準理由在於，化學鍵之長度變化在超出±15%時會發生化學鍵 之斷裂而變成另一晶相。
此外，在固溶量小之情況，CaAlSiN3屬晶相之簡便判定方法有下述之方法。若根據對新物質測定之X射線繞射結果所算出之晶格常數與使用表4之晶面指數所算出之繞射峰位置(2θ)在主峰一致，則可將該晶體構造鑑定為相同者。主峰較適當的是對10個之繞射強度大之波峰施行判定。在其意義上，表4在CaAlSiN3屬晶相之鑑定上成為基準而有其重要性。又，亦可以利用單斜晶系或六方晶系等之其他晶系來定義CaAlSiN3晶相之晶體構造上之近似構造，在此情況使用不同之空間群、晶格常數以及晶面指數來表現，但X射線繞射之結果仍然不變，使用該結果來鑑定之方法及結果亦相同。因此，在本發明中，當作斜方晶系而施行X射線繞射之解析。至於根據該表4之物質鑑定方法，將具體敘述於後述之實施例1中，在此僅做概略說明。
若用M(其中M為選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb所組成群組之一種或二種以上之元素)以使CaAlSiN3屬晶相活化，則可得到螢光體。在CaAlSiN3屬晶相中，亮度特高者係使用A為Ca、D為Si、E為Al、X為N之組合時之CaAlSiN3晶相來作為母體之螢光體。
以屬於Ca一部分被Sr置換之晶相之CaxSr1-xAlSiN3(其中0.02≦x<1)晶相及其固溶體作為母體之螢光體，即無機化合物中所含之Ca及Sr之原子數為0.02≦(Ca之原子數)/{(Ca之原子數)+(Sr之原子數)}<1之螢光體，係成為比以該範圍內之組成之CaAlSiN3 晶相作為母體之螢光體更短波長之螢光體。
含有氮及氧之無機化合物作為母體之螢光體係具有優異之高溫空氣中耐久性。在此情況，無機化合物中所含之O及N之原子數為0.5≦(N之原子數)/{(N之原子數)+(O之原子數)}≦1之組成時，顯示特別優異之高溫耐久性。
在以含有氮及氧之無機化合物作為母體之情況，在MaAbD1-xE1+xN3-xOx(式中a+b=1，0<x≦0.5)所示之組成中，由於CaAlSiN3屬晶相之生成比例變高，故發光亮度高。此係因按4價D元素被3價E元素置換之原子數，以相同之原子數使3價N被2價O置換之組成，由於可保持電荷中性，故形成安定之CaAlSiN3屬晶相。
在使用具有與本發明之CaAlSiN3相同之晶體構造之無機化合物所構成之螢光體作為粉體之情況，基於對樹脂之分散性或粉體之流動性等之觀點，該無機化合物之平均粒徑最好為0.1μm以上且20μm以下。又，該粉體為單晶粒子或單晶之集合體，經由設定為平均粒徑0.1μm以上且20μm以下之單晶粒子，發光亮度可進一步升高。
為了得到高發光亮度之螢光體，較佳的是儘量減少無機化合物所含之雜質。尤其在大量含有Fe、Co、Ni雜質元素時，發光會被阻礙，因此，最好以此等元素之合計可成為500ppm以下之方式施行原料粉末之選定及合成過程之控制。
在本發明中，基於螢光發光之觀點，較佳的是儘量以高純度大量含CaAlSiN3屬晶相作為其氮化物構成成分，且最好能以單相構成， 但在不降低特性之範圍內由與其他晶相或非晶相之混合物構成亦可。此情況，為了得到高亮度，該CaAlSiN3屬晶相之含量最好為20質量%以上。較佳的是50質量%以上，藉此可顯著提高亮度。在本發明中，作為主成分之範圍為CaAlSiN3屬晶相之含量至少在20質量%以上。CaAlSiN3屬晶相之含量比例係施行X射線繞射測定後，由CaAlSiN3屬晶相與其他晶相之各相的最強峰之強度比而求出。
在本發明之螢光體被使用於藉電子束激發之用途之情況，藉由與具有導電性之無機物質混合，可將導電性賦予於螢光體。作為具有導電性之無機物質，可舉出含有選自Zn、Al、Ga、In、Sn之一種或二種以上之元素之氧化物、氧氮化物或氮化物，抑或該等之混合物。
本發明之螢光體可藉由特定之晶體母體及活化元素之組合而發出紅色光，在需要與黃色、綠色、藍色等之其他顏色混合之情況，可依照需要與發出此等色光之無機螢光體混合。
本發明之螢光體依其組成而顯示不同之激發光譜及螢光光譜，經由將其適當選擇組合，即可設定具有各種發光光譜之螢光體。其具體形態根據用途設定所需要之光譜即可。尤其在CaAlSiN3晶相中以0.0001≦(Eu之原子數)/{(Eu之原子數)+(Ca之原子數)}≦0.1之組成添加Eu而成之螢光體被100nm至600nm(以200nm至600nm較佳)波長範圍內之光激發時，顯示在600nm以上且700nm以下之範圍內之波長具有波峰之發光，顯示其作為紅色螢光的優異之發光 特性。
如上所述所得之本發明之螢光體之特徵為，與平常之氧化物螢光體及現存之塞隆螢光體相較，具有從電子束或X射線及紫外線至可見光、即具100nm以上且600nm以下之波長之紫外線或可見光之廣泛激發範圍；可發出570nm以上之橙色至紅色之光；尤其在特定之組成下顯示600nm至700nm之紅色，而按CIE色度座標上之(x,y)值顯示0.45≦x≦0.7範圍內之紅色發光。由於以上之發光特性，適於照明器具、影像顯示裝置、顏料、紫外線吸收劑。此外，即使暴露於高溫亦不會劣質化，因此具有優異之耐熱性，而在氧化環境及水分環境下之長期安定性亦優。
本發明之螢光體並未規定製造方法，但可由下述方法製造高亮度之螢光體。
將屬金屬化合物之混合物、並經過焙燒而可構成M、A、D、E、X所示之組成物之原料混合物，在含有氮氣之惰性環境中以1200℃以上且2200℃以下之溫度範圍內予以焙燒，可藉此得到高亮度之螢光體。
在合成被Eu活化之CaAlSiN3之情況，最好將氮化銪或氧化銪、氮化鈣、氮化矽、氮化鋁之粉末混合物作為起始原料。
又，在合成含有鍶之組成之情況，除了上述之外，若再添加氮化鍶，可藉此得到晶相中之鈣原子一部分被鍶置換之安定之(Ca；Sr)AlSiN3晶相，而得到高亮度之螢光體。
在合成以晶相中之氮原子一部分被氧置換之CaAlSi(O、N)3為母 體並被Eu活化之螢光體之情況，在含氧量少之組成時，氮化銪、氮化鈣、氮化矽、氮化鋁之混合物之起始原料具有高反應性，而有可能實現高產率之合成，因此較佳。在此情況，氧可使用氮化銪、氮化鈣、氮化矽、氮化鋁之原料粉末所含之雜質的氧。
在合成以CaAlSi(O、N)3為母體而被Eu活化之含氧量多之螢光體之情況，若以氮化銪及氧化銪中任一者或混合物、氮化鈣或氧化鈣或碳酸鈣中之任一者或混合物、氮化矽、氮化鋁或氮化鋁及氧化鋁之混合物的混合物作為起始原料，則反應性高而有可能實現高產率之合成。
較佳的是將上述之金屬化合物之混合粉末在保持40%以下之體積填充率之狀態下予以焙燒。另外，體積填充率係可由{(混合粉末之裝填密度)/(混合粉末之理論密度)}×100(%)求出。容器以氮化硼燒結體較合適，因為其與金屬化合物之反應性低。
在保持40%以下之體積填充率之狀態下焙燒之理由為，若在原料粉末之周圍有自由空間之狀態下予以焙燒，反應產物CaAlSiN3屬晶相在自由空間進行晶體生長，致使晶相互相之接觸變少，可合成少有表面缺陷之晶相。
其次，將所得之金屬化合物之混合物在含有氮氣之惰性環境中，在1200℃以上且2200℃以下之溫度範圍內予以焙燒，藉以合成螢光體。由於焙燒溫度高溫且焙燒環境為含有氮氣之惰性環境，焙燒用之爐係採取金屬電阻加熱電阻加熱方式或石墨電阻性加熱方式，且以使用碳作為爐高溫部材料之電爐較合適。作為焙燒之手 法，從外部不施加機械性加壓之如常壓燒結法、氣壓燒結法等之燒結手法可在保持體積填充率40%以下之狀態施行焙燒，故較佳。
在焙燒所得之粉體凝聚體呈堅牢固著之情況，使用通常在工廠所用之粉碎機例如球磨機、噴射式磨機等予以粉碎。粉碎施行至達成平均粒徑20μm以下為止。尤其以平均粒徑0.1μm以上且5μm以下較佳。若平均粒徑超過20μm，粉體之流動性及對樹脂之分散性惡化，與發光元件組合並形成發光裝置之際，發生因部位而異之發光強度之不均勻。若為0.1μm以下，則由於螢光體粉體表面之缺陷量變多，因螢光體之組成而會發生發光強度之降低。
在本發明之螢光體中，以含有氮及氧之無機化合物作為母體之螢光體亦可藉下述方法製造。
在將含有M元素之元素物質及/或化合物、A元素之氮化物、D元素之氮化物以及E元素之氮化物之原料混合粉末焙燒時，在裝填密度0.05g/cm3以上且1g/cm3下之狀態下，以1200℃以上且1750℃以下之焙燒溫度，以氧之莫耳數與被焙燒原料中之氮和氧之合計莫耳數之比例(百分率)(以下，有時稱為「原料中之氧存在比例」成為1%以上且20%以下之方式，使氧存在於被焙燒原料中之方法。
原料中之氧存在比例之意義為，相對於焙燒時被焙燒原料中所存在之氮和氧之合計莫耳數之氧之莫耳數之比例(百分率)，而被焙燒原料中之氮係指來自原料粉末由來之氮，另一方面，氧除了原料粉末中原先所含之氧之外，亦包含焙燒時從焙燒環境中被納入被焙燒物中之氧。此原料中之氧存在比例可藉由使用氧氮分析計測定而求 出。原料中之氧存在比例最好設定為2%以上且15%以下。
作為焙燒時以此種原料中之氧存在比例使氧存在之方法，可舉出：(1)以按指定濃度含有氧作為原料氮化物者作為被焙燒原料之方法；(2)將原料氮化物預先在含氧環境下加熱，使之按指定濃度含氧後作成被焙燒原料之方法；(3)使原料氮化物粉末與含氧化合物粉末混合，作成被焙燒原料之方法；(4)在原料氮化物之焙燒之際使焙燒環境含氧，在焙燒時使原料氮化物氧化，藉以將氧導入被焙燒原料之方法等，而為了在工業上安定製造高亮度之螢光體較佳者為(1)以按指定濃度含有氧作為原料氮化物者作為被焙燒原料之方法，或(3)使原料氮化物粉末與含氧化合物粉末混合，作成被焙燒原料之方法；尤其是併用上述(1)之方法與(3)之方法，使用按指定濃度含有氧作為原料氮化物之被焙燒原料，同時使原料氮化物粉末與含氧化合物粉末混合並使用之方法為佳。
此情況，含氧化合物粉末係選自可在焙燒時成為金屬氧化物之物質。作為此等物質，可使用各金屬(即，構成原料氮化物之金屬)之氧化物；硝酸鹽、硫酸鹽、碳酸鹽等無機酸鹽；草酸鹽、乙酸鹽等有機酸鹽；含氧有機金屬化合物等，而在容易控制氧濃度且可將雜質氣體對焙燒環境之混入抑制在低量之觀點上，較佳的是使用金屬氧化物。
原料中之氧存在比例係實施全原料之化學分析即可容易辨別。尤其藉由氮及氧之濃度分析即可確定氮與氧之比率。
被用作原料之M元素之元素物質及/或化合物，只要為M元素之金屬(元素物質)、氧化物、氮化物、硫化物、鹵化物、氫化物，以及硝酸鹽、硫酸鹽、碳酸鹽等無機酸鹽，草酸鹽、乙酸鹽有機酸鹽等，有機金屬化合物等之M元素在高溫下被納入螢光體之晶體母體內者即可，其種類並未受到限制。但，基於對其他氮化物之良好反應性之觀點，以M元素之金屬、氧化物、氮化物、鹵化物較佳，而自可低價得到原料且可降低螢光體之合成溫度之觀點而言，以氧化物特別合適。
在至少使用Eu作為M元素之情況，Eu原料可使用以Eu為構成元素之Eu金屬；EuO、Eu2O3等之氧化銪；EuN、EuH3、Eu2S3、EuF2、EuF3、EuCl2、EuCl3、Eu(NO3)3、Eu2(SO4)3、Eu2(CO3)3、Eu(C2O4)3、Eu(O-i-C3H7)3等各種化合物中之一種或二種以上之化合物，其中EuF2、EuF3、EuCl2、EuCl3等之Eu鹵化物具有促進晶體生長之效果，因此較佳。又，Eu2O3或Eu金屬亦可合成高特性之螢光體，因此較佳。其中以原料成本低廉、潮解性低、可在較低之溫度下合成高亮度螢光體之Eu2O3特別合適。
作為M元素以外之元素之原料，即A、D、E元素之原料，通常使用此等之氮化物，其中作為A元素之氮化物例如可舉出Mg3N2、Ca3N2、Sr3N2、Ba3N2、Zn3N2等之一種或二種以上，作為D元素之氮化物例如可舉出Si3N4、Ge3N4、Sn3N4、Ti3N4、Zr3N4、Hf3N4等之一種或二種以上，作為E元素之氮化物例如可舉出AlN、GaN、InN、ScN等之一種或二種以上，使用此等氮化物之粉末可製造高 發光特性之螢光體，因此較佳。
尤其若使用具有相對於氮與氧之合計莫耳數之氧之莫耳數在1%以上且20%以下之高活性且高反應性之氮化物原料作為A元素之原料，，可藉此大幅促進氮化物原料混合粉末間之固相反應，其結果為，不必使原料混合粉末經過壓縮成形，便可降低焙燒溫度或焙燒時之環境氣體壓力。基於相同之理由，作為A元素之原料，特別合適的是使用具有相對於氮與氧之合計莫耳數之氧之莫耳數為2%以上且15%以下之氮化物原料。
若原料混合粉末之裝填密度太低，則由於原料混合粉末間之接觸面積小，不易進行固相反應，造成無法合成較佳螢光體之雜質相大量殘存。另一方面，若裝填密度太高，所得之螢光體可能變成堅硬之燒結體，不僅需要焙燒後之長時間粉碎步驟，亦有螢光體之亮度降低之傾向。因此，裝填密度最好在0.15g/cm3以上且0.8g/cm3以下。
原料混合粉末之焙燒溫度若太低，固相反應難以進行，無法合成標的螢光體。另一方面，若太高，不僅消耗多餘之焙燒能量，亦導致來自起始原料或生成物質之氮之揮散變多，因而有除非將構成環境氣體之一部分的氮氣之壓力增加得非常高，否則無法製造標的螢光體之傾向。因此，焙燒溫度最好在1300℃以上且1700℃以下。原料混合粉末之焙燒環境基本上係設定為惰性環境或還原性環境，不過設定含氧濃度在0.1~10ppm範圍內之含微量氧氣之環境時，可藉此實現較低溫下之螢光體之合成，因此較佳。
又，焙燒時之環境氣體壓力係通常設定為20氣壓(2MPa)以下。若欲得到超過20氣壓之壓力，則需要由強韌耐熱容器所構成之高溫焙燒裝置，而使焙燒所需要之成本升高，因此，最好能將環境氣體壓力設定為10氣壓(1MPa)以下。為了防止大氣中之氧氣之混入，該壓力最好稍微超過1氣壓(0.1MPa)。在焙燒爐之密閉性不良之情況，若設定為1氣壓(0.1MPa)以下，則會有大量氧氣混入，而難以得到高特性之螢光體。
又，在焙燒時之最高溫度下之保持時間通常設定為1分鐘以上且100小時以下。若保持時間太短，原料混合粉末間之固相反應則不會充分進行，無法得到標的螢光體。又，若保持時間太長，則不僅消耗多餘之加熱能量，亦導致氮從螢光體表面脫離，而使螢光特性降低。基於相同之理由，最好將保持時間設定為10分鐘以上且24小時以下。
如以上之說明，本發明之CaAlSiN3屬晶相螢光體顯示比習知之塞隆螢光體高之亮度，被暴露於激發源時之螢光體亮度之降低少，因此為適於VFD、FED、PDP、CRT、白色LED等之螢光體。
本發明之照明器具係至少使用發光光源及本發明之螢光體而構成。照明器具包括LED照明器具、螢光燈等。LED照明器具可使用本發明之螢光體，利用如日本專利特開平5-152609號公報、特開平7-99345號公報、日本專利第2927279號公報等所載述之公知方法來製造。此情況，發光光源以發出330~500nm波長之光者較佳，尤其以發出330~420nm之紫外(或紫)LED發光元件或 420~500nm之藍色LED發光元件較佳。
作為此等發光元件，有由GaN或InGaN等之氮化物半導體所構成者，藉由調整組成，可成為發出指定波長之光之發光光源。
在照明器具中，除了將本發明之螢光體單獨使用之方法之外，可與具有其他發光特性之螢光體一起使用，以構成可發出所想要之顏色之照明器具。作為其一例，有330~420nm之紫外LED發光元件、在此波長被激發而在420nm以上且500nm以下之波長具有發光峰之藍色螢光體、在500nm以上且570nm以下之波長具有發光峰之綠色螢光體、以及本發明之螢光體之組合。作為此種藍色螢光體可舉出BaMgAl10O17：Eu，作為綠色螢光體可舉出BaMgAl10O17：Eu、Mn。依此構成，當LED所發出之紫外線照射於螢光體時，會發出紅、綠、藍之三色光，經由其混合而成為白色之照明器具。
作為另一方法，有420~500nm之藍色LED發光元件、在此波長被激發而在550nm以上且600nm以下之波長具有發光峰之黃色螢光體、以及本發明之螢光體之組合。作為此種黃色螢光體，可舉出日本專利第2927279號公報所載述之(Y、Gd)2(Al、Ga)5O12：Ce及日本專利特開2002-363554號公報所載述之α-塞隆：Eu。尤其固溶有Eu之Ca-α-塞隆顯示高發光亮度，因此較佳。依此構成，當LED所發出之藍色光照射於螢光體時，會發出紅、黃之二色光，將此等與LED本身之藍色光混合而成為白色或帶紅燈泡色之照明器具。
作為另一方法，有420~500nm之藍色LED發光元件、在此波長被激發而在500nm以上且570nm以下之波長具有發光峰之綠色螢 光體、以及本發明之螢光體之組合。作為此種綠色螢光體可舉出Y2Al5O12：Ce。依此構成，當LED所發出之藍色光照射於螢光體時，會發出紅、綠之二色光，將此等與LED本身之藍色光混合而成為白色之照明器具。
本發明之影像顯示裝置係至少由激發源與本發明之螢光體所構成，包括有螢光顯示管(VFD)、場發射顯示器(FED)、電漿顯示面板(PDP)、陰極射線管(CRT)等。本發明之螢光體被100~190nm之真空紫外線、190~380nm之紫外線、電子束等激發時會發光之事實已被確認，而由此等激發源與本發明之螢光體組合，可構成如上述之影像顯示裝置。
本發明之特定無機化合物由於具有紅色之物體色，可使用作為紅色顏料或紅色螢光顏料。在本發明之無機化合物受到日光、螢光燈等照明之照射時，可看到紅色之物體色，由於發色良好以及長期不劣質化，故適於作成無機顏料。因此，若使用於塗料、油墨、色料、釉、添加於塑膠製品之著色劑等，則有長期不降低發色之優點。本發明之氮化物由於可吸收紫外線，亦適於作成紫外線吸收劑。因此，若使用作為塗料，或塗敷於塑膠製品之表面或捏練於其內部，對紫外線之遮斷效果高，保護製品不被紫外線劣質化之效果高。
<實施例>
其次，參照以下所示實施例，進一步詳細說明本發明，但此等實施例僅為了幫助容易理解本發明而揭示，本發明並不被限定於此等實施例。
(實施例1)
原料粉末係使用平均粒徑0.5μm、含氧量0.93重量%、α型含量92%之氮化矽粉末，比表面積3.3m2/g、含氧量0.79%之氮化鋁粉末，氮化鈣粉末，將金屬銪在氨中氮化而合成之氮化銪。
為了得到組成式Eu0.008Ca0.992AlSiN3所示之化合物(設計組成之參數示於表1中，設計組成之質量%示於表2中，原料粉末之混合組成示於表3中)，將氮化矽粉末、氮化鋁粉末、氮化鈣粉末以及氮化銪粉末以分別成為33.8578重量%、29.6814重量%、35.4993重量%以及0.96147重量%之方式予以稱重，繼之以瑪瑙研缽及研杵混合30分鐘後，使所得之混合物通過500μm篩子自然落下於氮化硼製之坩堝內，於坩堝中填充粉末。粉末之體積填充率為約25%。另外，粉末之稱重、混合、以及成形之各步驟均在可保持水分1ppm以下及氧氣1ppm以下之氮氣環境之手套箱(glove box)中施行操作。
將此混合粉末放入氮化硼製之坩堝，安置於石墨電阻加熱方式之電爐內。焙燒之操作係首先藉擴散泵使焙燒環境成為真空，從室溫至800℃以每小時500℃之速度予以加熱，在800℃時將純度99.999體積%之氮氣導入，使壓力成為1MPa，並以每小時500℃升溫至1800℃，在1800℃溫度下保持2小時。
焙燒後，將所得之焙燒體粗粉碎，然後使用氮化矽燒結體製之坩堝及研缽，用手予以粉碎，使之通過30μm篩目之篩子。施行粒度分布之測定，得到平均粒徑為15μm。
對所得之合成粉末之構成晶相，按照如下述之程序施行鑑定。首 先，為了得到作為標準物質之未含M元素之純CaAlSiN3，將氮化矽粉末、氮化鋁粉末以及氮化鈣粉末以分別成為34.088重量%、29.883重量%以及36.029重量%之方式予以稱重，繼之以瑪瑙研缽及研杵在手套箱內施行混合30分鐘後，放入氮化硼製之坩堝，安置於石墨電阻加熱方式之電爐內。焙燒之操作係首先藉擴散泵使焙燒環境成為真空，從室溫至800℃以每小時500℃之速度予以加熱，在800℃時將純度99.999體積%之氮氣導入，使壓力成為1MPa，並以每小時500℃升溫至1800℃，在1800℃溫度下保持2小時。將所合成之試料使用瑪瑙研缽予以粉碎，然後施行使用Cu之Kα射線之粉末X射線繞射測定。由此得到之繞射圖乃如圖1-1所示之圖形，根據表4之指數化，被判定為屬CaAlSiN3晶相。此晶相屬斜方晶系，晶格常數為a=9.8007(4)Å、b=5.6497(2)Å、c=5.0627(2)Å。根據使用TEM之收斂電子束繞射所決定之空間群為Cmc21(International Tables for Crystallography之第36空間群)。然後，使用此空間群，利用Rietveld解析決定之各元素之原子座標位置係如表5所示。X射線繞射之測定強度與根據原子座標藉Rietveld法所計算之計算強度如表4所示，非常一致。
其次，將所合成之組成式Eu0.008Ca0.992AlSIN3所示之化合物使用瑪瑙研缽予以粉碎，然後施行使用Cu之Kα射線之粉末X射線繞射測定。由此得到之繞射圖為圖1-2，根據表4之指數化，判定為CaAlSiN3屬晶相。
此粉末之組成分析係如下述施行。首先，將試料50mg放入白金 坩堝，對此添加碳酸鈉0.5g及硼酸0.2g，予以加熱熔解後，使之溶於鹽酸2ml，並定容為100ml，以製作測定用溶液。對此液體試料施行ICP發光分光分析以測定粉體試料中之Si、Al、Eu、Ca量。又，將試料20mg投入錫膠囊內，安置於鎳筐內，對此使用LECO公司製TC-436型氧氮分析計，施行粉末試料中之氧及氮之定量。測定結果為Eu：0.86±0.01質量%、Ca：28.9±0.1質量%、Si：20.4±0.1質量%、Al：19.6±0.1質量%、N：28.3±0.2質量%、O：2.0±0.1質量%。此與表2所示之設計組成之質量%相較，含氧量特別高。其理由為，用作原料之氮化矽、氮化鋁、氮化鈣所含之雜質氧為其原因。此組成中，N與O之原子數比N/(O+N)相當於0.942。由全元素之分析結果算出之合成之無機化合物之組成為Eu0.0078Ca0.9922Si0.9997Al0.9996N2.782O0.172。在本發明中，N之一部分被O置換者亦包含在發明之範圍內，在此情況亦可得到高亮度之紅色螢光體。
對此粉末用發出365nm波長之光之燈予以照射之結果，其紅色發光之事實被確認。將此粉末之發光光譜(圖4)及激發光譜(圖5)使用螢光分光光度計予以測定之結果發現，激發及發光光譜之波峰波長(表6)在449nm有激發光譜波峰，可知為在449nm激發之發光光譜中，在653nm之紅色光有波峰之螢光體。波峰之發光強度為10655個計數(count)。由於計數值依測定裝置及條件而不同，單位為任選之單位。又，由449nm所激發之發光光譜求出之CIE色度為x=0.6699、y=0.3263之紅色。
(比較例1)
為了使用實施例1所載述之原料粉末並得到未含M元素之純CaAlSiN3，將氮化矽粉末、氮化鋁粉末以及氮化鈣粉末以分別成為34.088重量%、29.883重量%以及36.029重量%之方式予以稱重，以與實施例1相同之方法製備粉末。根據X射線繞射測定結果，確認所合成之粉末為CaAlSiN3。所合成之無機化合物之激發及發光光譜經測定結果，在570nm至700nm之範圍內並未觀察到顯著發光之波峰。
(實施例2~7)
作為實施例2~7，製備Ca之一部分或全部被Ba置換之組成的無機化合物。
除了表1、表2、表3所示組成之外，以與實施例1相同之方法製備無機化合物。根據X射線繞射測定結果確認，所合成之粉末為具有與CaAlSiN3相同之晶體構造之無機化合物。所合成之無機化合物之激發及發光光譜經測定結果確認，如圖4、圖5以及表6所示，為具有因350nm至600nm之紫外線及可見光之激發而在570nm至700nm之範圍內發光之波峰之紅色螢光體。另外，若Ba添加量增多，發光亮度會降低，因此，以Ba添加量少之區域之組成較佳。
(實施例8~15)
作為實施例8~15，製備Ca之一部分或全部被Sr置換之組成的無機化合物。
除了表1、表2、表3所示組成之外，以與實施例1相同之方法 製備螢光體。根據X射線繞射測定結果確認，所合成之粉末為具有與CaAlSiN3相同之晶體構造之無機化合物。所合成之無機化合物之激發及發光光譜經測定結果確認，如圖6及圖7(實施例8~11)、圖8及圖9(實施例12~15)及表6所示，為具有因350nm至600nm之紫外線及可見光之激發而在570nm至700nm之範圍內發光之波峰之紅色螢光體。另外，若Sr添加量增多，發光亮度會降低，但發光之波峰波長會移往比單獨添加Ca者更短之波長側，因此，在想要得到於600nm至650nm之範圍內具有波峰波長之螢光體之情況，Ca之一部分被Sr置換係屬有效。
(實施例16~25)
作為實施例16~25，製備Ca之一部分或全部被Mg置換之組成之無機化合物。
除了表1、表2、表3所示組成之外，以與實施例1相同之方法製備螢光體。根據X射線繞射測定結果確認，所合成之粉末為具有與CaAlSiN3相同之晶體構造之無機化合物。所合成之無機化合物之激發及發光光譜經測定結果確認，如圖10、圖11以及表6所示，為具有因350nm至600nm之紫外線及可見光之激發而在570nm至700nm之範圍內發光之波峰之紅色螢光體。另外，若Mg添加量增多，發光亮度會降低，因此，以Mg添加量少之區域之組成較佳。
(實施例26~30)
作為實施例26~30，製備N之一部分或全部被O置換之組成之無機化合物。此情況，由於N與O在價數上不同，若單純置換，整 體之電荷不會成為中性。於是，檢討一種將Si-N以Al-O置換之Ca6Si6-xAl6+xOxN18-x(0<x≦3)之組成。
除了表7及表8所示組成之外，以與實施例1相同之方法製備螢光體。根據X射線繞射測定結果確認，所合成之粉末為具有與CaAlSiN3相同之晶體構造之無機化合物。所合成之無機化合物之激發及發光光譜經測定結果確認，如圖12及圖13所示，為具有因350nm至600nm之紫外線及可見光之激發而在570nm至700nm之範圍內發光之波峰之紅色螢光體。另外，若氧添加量增多，發光亮度會降低，因此，以氧添加量少之區域之組成較佳。
(實施例31~37)
為了使用與實施例1相同之原料粉末而得到無機化合物(原料粉末之混合組成示於表9中，組成參數示於表10中)，將氮化矽粉末、 氮化鋁粉末、氮化鈣粉末以及氮化銪粉末予以稱重，繼之以瑪瑙研缽及研杵施行混合30分鐘後，將所得之混合物使用模具施加20MPa之壓力，成形為直徑12mm及厚度5mm之成形體。另外，粉末之稱重、混合、以及成形之各步驟均在可保持水分1ppm以下及氧氣1ppm以下之氮氣環境之手套箱中施行操作。
將此成形體放入氮化硼製之坩堝，安置於石墨電阻加熱方式之電爐內。焙燒之操作係首先藉擴散泵使焙燒環境成為真空，從室溫至800℃以每小時500℃之速度予以加熱，在800℃時將純度99.999體積%之氮氣導入，使壓力成為1MPa，並以每小時500℃升溫至1800℃，在1800℃下保持2小時。焙燒後，對所得之焙燒體之構成晶相施行鑑定，判定為CaAlSiN3屬晶相。對此粉末以發出365nm波長之光之燈予以照射之結果，確認發出紅色光。將此粉末之發光光譜及激發光譜使用螢光分光光度計予以測定之結果確認，如表11所示，為具有因350nm至600nm之紫外線及可見光之激發而在570nm至700nm之範圍內發光之波峰之紅色螢光體。另外，本實施例係使用與其他實施例不同之裝置來施行測定，因此所得之計數值僅可在實施例31~37之範圍內比較。
(實施例38~56、60~76)
作為實施例38~56、60~76，製備使EuaCabSicAldNe組成中之c、d、e參數變化之組成的無機化合物。
除了表12及表13所示組成之外，以與實施例1相同之方法製備螢光體。根據X射線繞射測定結果確認，所合成之粉末為含有具有與CaAlSiN3相同晶體構造之無機化合物之粉末。所合成之無機化合物之激發及發光光譜經測定結果確認，如表14所示，為具有因350nm至600nm之紫外線及可見光之激發而在570nm至700nm之範圍內發光之波峰之紅色螢光體。
(實施例77~84)
作為實施例77~84，製備使EuaCabDcEdXe組成中之D、E、X元素變化之組成的無機化合物。
除了表15及表16所示組成之外，以與實施例1相同之方法製備螢光體。根據X射線繞射測定結果確認，所合成之粉末為含有具有與CaAlSiN3相同晶體構造之無機化合物之粉末。所合成之無機化合物之激發及發光光譜經測定結果確認，如表17所示，為具有因350nm至600nm之紫外線及可見光之激發而在570nm至700nm之範圍內發光之波峰之紅色螢光體。
(實施例85~92)
作為實施例85~92，製備使MaCabSicAld(N、O)e組成中之M元素變化之組成的無機化合物。
除了表18及表19所示組成之外，以與實施例1相同之方法製備螢光體。根據X射線繞射測定結果確認，所合成之粉末為含有具有與CaAlSiN3相同晶體構造之無機化合物之粉末。所合成之無機化合物之激發及發光光譜經測定結果確認，如表17所示，具有因350nm至600nm之紫外線及可見光之激發而在570nm至700nm之範圍內發光(除了實施例89之外)之波峰之紅色螢光體。實施例89顯示波峰波長550nm之發光。
(實施例101)
作為原料粉末，使用Eu2O3粉末、以相對於氮和氧之合計莫耳數之氧之莫耳數所示之含氧量為9莫耳%之Ca3N2粉末、以相同方式 表示之含氧量為2莫耳%之Si3N4粉末、以及以相同方式表示之含氧量為2莫耳%之AlN粉末，以金屬元素組成比(莫耳比)可成為Eu：Ca：Al：Si=0.008：0.992：1：1之方式將各粉末稱重、混合，得到原料混合粉末。此原料混合粉末之以相對於氮和氧之合計莫耳數之氧之莫耳數表示之含氧量為5莫耳%。另外，Ca3N2粉末係藉由將僅含有所需濃度之氧者作為被焙燒原料而含有氧者，Si3N4粉末係藉由將僅含有所需濃度之氧者作為被焙燒原料而含有氧者，AlN粉末係為藉由將僅含有所需濃度之氧者作為被焙燒原料而含有氧者。
不將此原料混合粉末壓縮，以裝填密度成為0.35g/cm3之方式放入氮化硼製之坩堝內，在設定氧氣濃度為10ppm以下之高純度氮氣環境中，將氮氣壓力設為1.1氣壓，使用電爐在1600℃下焙燒10小時。此時，焙燒時之原料中之氧存在比例由各原料中之氧濃度及各原料之混合比例算出，係為5莫耳%。
將生成於所得螢光體中之晶相以粉末X射線繞射法予以鑑定之結果，確認生成CaAlSiN3屬晶相。用螢光分光光度計來測定此螢光體之波長465nm激發之螢光特性之結果，以市售之Ce活化釔鋁石榴石系螢光體之波峰強度當作100時，所得螢光體顯示其波峰強度為128，為更高之發光強度，並顯示波峰波長652nm之紅色光。又，將所得之螢光體試料20mg置入錫膠囊內，將此安置於鎳筐內，使用LECO公司製TC-436型氧氮分析計施行粉體試料中之氮及氧之濃度分析，結果在氮與氧之合計中，含有氮94莫耳%及氧6莫耳%。
(實施例102)
除了使用EuF3代替Eu2O3之外，以與實施例101相同之方法得到螢光體粉末。此原料混合粉末以相對於氮和氧之合計莫耳數之氧之莫耳數表示之含氧量為5莫耳%。又，焙燒時之原料中之氧存在比例由各原料中之氧濃度及各原料之混合比例算出，係為5莫耳%。
將生成於所得螢光體中之晶相以粉末X射線繞射法予以鑑定之結果，確認生成CaAlSiN3屬晶相。用螢光分光光度計來測定此螢光體之波長465nm激發之螢光特性之結果，以市售之Ce活化釔鋁石榴石系螢光體之波峰強度當作100時，所得螢光體顯示其波峰強度為114，為更高之發光強度，並顯示波峰波長650nm之紅色光。又，將所得之螢光體試料20mg置入錫膠囊內，將此安置於鎳筐內，使用LECO公司製TC-436型氧氮分析計施行粉體試料中之氮及氧之濃度分析，結果在氮與氧之合計中，含有氮95莫耳%及氧5莫耳%。
(實施例103)
除了使用EuN代替Eu2O3並將焙燒時間設定為2小時之外，以與實施例101相同之方法得到螢光體粉末。此原料混合粉末以相對於氮和氧之合計莫耳數之氧之莫耳數表示之含氧量為5莫耳%。又，焙燒時之原料中之氧存在比例由各原料中之氧濃度及各原料之混合比例算出，係為5莫耳%。
將生成於所得螢光體中之晶相以粉末X射線繞射法予以鑑定之結果，確認生成CaAlSiN3屬晶相。用螢光分光光度計來測定此螢 光體之波長465nm激發之螢光特性之結果，以市售之Ce活化釔鋁石榴石系螢光體之波峰強度當作100時，所得螢光體顯示其波峰強度為112，為更高之發光強度，並顯示波峰波長649nm之紅色光。又，將所得之螢光體試料20mg置入錫膠囊內，將此安置於鎳筐內，使用LECO公司製TC-436型氧氮分析計施行粉體試料中之氮及氧之濃度分析，結果在氮與氧之合計中，含有氮95莫耳%及氧5莫耳%。
(實施例104)
除了使用EuN代替Eu2O3粉末，同時設定氮氣壓力為10氣壓及焙燒時間為2小時之外，以與實施例101相同之方法得到螢光體粉末。此原料混合粉末以相對於氮和氧之合計莫耳數之氧之莫耳數表示之含氧量為5莫耳%。又，焙燒時之原料中之氧存在比例由各原料中之氧濃度及各原料之混合比例算出，係為5莫耳%。
將生成於所得螢光體中之晶相以粉末X射線繞射法予以鑑定之結果，確認生成CaAlSiN3屬晶相。用螢光分光光度計來測定此螢光體之波長465nm激發之螢光特性之結果，以市售之Ce活化釔鋁石榴石系螢光體之波峰強度當作100時，所得螢光體顯示其波峰強度為109，為更高之發光強度，並顯示波峰波長650nm之紅色光。又，將所得之螢光體試料20mg置入錫膠囊內，將此安置於鎳筐內，使用LECO公司製TC-436型氧氮分析計施行粉體試料中之氮及氧之濃度分析，結果在氮與氧之合計中，含有氮95莫耳%及氧5莫耳%。
實施例101~104之結果一併示於表A中。
其次，針對使用本發明之氮化物所構成之螢光體之照明器具加以說明。圖14顯示作為照明器具之白色LED之概略構造圖。發光元件係使用450nm之藍色LED2，並使本發明實施例1之螢光體及具有Ca0.75Eu0.25Si8.625Al3.375O1.125N14.875之組成之Ca-α-塞隆：Eu之黃色螢光體分散於樹脂層中，以形成覆蓋在藍色LED2上之構造。當電流通過導電性端子時，該LED2則發出450nm之光，以此光激發黃色螢光體及紅色螢光體，發出黃色光及紅色光，使之發揮作為由LED之光與黃色及紅色之光混合而發出燈泡色光之照明裝置之作用。
例示由與上述組合不同之組合設計所製備之照明裝置。首先，發光元件使用380nm之紫外LED，使本發明實施例1之螢光體、藍色螢光體(BaMgAl10O17：Eu)以及綠色螢光體(BaMgAl10O17：Eu、Mn)分散於樹脂層中，形成覆蓋在紫外LED上之構造。當電流通過導電性端子時，LED發出380nm之光，以此光激發紅色螢光體、綠 色螢光體以及藍色螢光體，使之發出紅色、綠色以及藍色之光。發揮作為此等光混合而發出白色之光之照明裝置之作用。
例示由與上述組合不同之組合設計所製備之照明裝置。首先，發光元件使用450nm之藍色LED，使本發明實施例1之螢光體及綠色螢光體(BaMgAl10O17：Eu、Mn)分散於樹脂層中，形成覆蓋在紫外LED上之構造。當電流通過導電性端子時，LED發出450nm之光，此光激發紅色螢光體及綠色螢光體，使之發出紅色及綠色之光。發揮作為由LED之藍色光與綠色及紅色混合而發出白色之光之照明裝置之作用。
其次，針對使用本發明螢光體之影像顯示裝置之設計例加以說明。圖15為作為影像顯示裝置之電漿顯示面板之原理性概略圖。本發明實施例1之紅色螢光體、綠色螢光體(Zn2SiO4：Mn)以及藍色螢光體(BaMgAl10O17：Eu)分別塗敷於槽11、12、13之內面上。當對電極14、15、16、以及17通電時，槽內由於Xe放電而產生真空紫外線，藉此，螢光體被激發而發出紅、綠、藍之可見光，從外側透過保護層20、介電體層19、玻璃基板22即可觀察到此光，可發揮作為影像顯示裝置之作用。
以上使用特定的態樣詳細說明本發明，但本發明之相關業者均可明白，在不脫離本發明之主旨的範圍內，可作各種的變更及變化。
另外，本案係以2003年11月26日申請之日本專利申請案(特願2003-394855)、2004年2月18日申請之日本專利申請案(特願2004-41503)、2004年5月25日申請之日本專利申請案(特願 2004-154548)及2004年5月28日申請之日本專利申請案(特願2004-159306)為基礎，援用其整體內容。
<產業上之可利用性>
本發明之氮化物螢光體顯示比習知之塞隆及氧氮化物螢光體更長波長之發光，作為紅色螢光體優異，且在暴露於激發源之情況，螢光體的亮度降低量少，因此係適於VFD、FED、PDP、CRT、白色LED等使用之氮化物螢光體。今後，可期待本螢光體被積極有效利用於各種顯示裝置之材料設計上，以促成產業之發展。

Claims (13)

  1. 一種螢光體，係由具有至少含M元素、A元素、D元素、E元素與X元素之組成，並具有與CaAlSiN3相同結晶構造的無機化合物所構成；(其中，M為選自Mn、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy、Er及Yb所構成之群的1種或2種之元素，且包含Eu；A為選自Mg、Ca、Sr及Ba所構成之群的1種或2種之元素，且包含Ca及Sr；D為選自Si、Ge及Sn所構成之群的1種或2種之元素，且包含Si；E為選自B、Al、Ga及In所構成之群的1種或2種之元素，且包含Al；X為選自O、N、F所構成之群的1種或2種以上之元素，至少含有N)。
  2. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中無機化合物中所含之Ca與Sr之原子數係0.02≦(Ca之原子數)/{(Ca之原子數)+(Sr之原子數)}<1。
  3. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中經由照射激發源，發出570nm以上的橘色或紅色光。
  4. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中經由照射激發源，發出在600nm以上範圍的紅色光。
  5. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中經由照射激發源，發出在600nm以上範圍的波長具有波峰之螢光。
  6. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中照射激發源時發光之顏 色按CIE色度座標上之(x,y)值係滿足0.45≦x≦0.7之條件。
  7. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中發出紅色光。
  8. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中係以組成式MaAbDcEdXe表示，參數c、d表示為滿足以下條件的組成式：0.5≦c≦1.8；及0.5≦d≦1.8；(其中，式中a+b=1，M、A、D、E、X分別為上述的M元素、A元素、D元素、E元素、X元素)。
  9. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中M為Eu。
  10. 一種照明器具，其係由發光光源與螢光體所構成，且至少使用申請專利範圍第1至9項中任一項所述之螢光體。
  11. 如申請專利範圍第10項之照明器具，其中該發光光源為發出330~500nm波長之光之LED。
  12. 一種影像顯示裝置，其係由發光光源與螢光體所構成，且至少使用申請專利範圍第1至9項中任一項所述之螢光體。
  13. 如申請專利範圍第12項之影像顯示裝置，其中該發光光源為發出330~500nm波長之光之LED。
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