WO2012163417A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement - Google Patents

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Definitions

  • the invention is based on an optoelectronic semiconductor component according to the preamble of claim 1, in particular a conversion LED.
  • the phosphors are placed directly in front of the chip in thermal contact, which can bring disadvantages in terms of stability or in other respects.
  • a disadvantage of this is the strong fluctuation of the color temperature depending on the ambient and device temperature, which either negatively influences the product properties or has to be compensated for by means of expensive and expensive active control. At high temperatures, poor efficiency is seen due to the unfavorable high temperature behavior of red InGaAlP LEDs.
  • An object of the present invention is to find an improved solution for the high demand for phosphor material in an optoelectronic semiconductor component according to the preamble of claim 1. This object is solved by the characterizing features ⁇ times of claim 1.
  • the high phosphor demand poses a great technical and economic challenge.
  • two components are usually used, usually a green- to yellow-emitting garnet phosphor (in relation to the peak emission) in combination with an orange to deep red emitting nitrile luminescent phosphor.
  • the excitation takes place via blue LEDs.
  • the second luminescent ⁇ material preferably a red phosphor, is applied directly to the LED chip as in a conventional white conversion LED.
  • the blue primary emission is already partially converted to red, close to the chip. Overall, this results in a pink or pink emission.
  • all etab ⁇ lated conversion techniques in question such as Volumenvergus s, ceramic converter, electrophoretic separation (EPD), sedimentation, by screen printing, knife coating or by spraying platelets made of phosphor and a matrix material (CLC / layer Transfer).
  • An optoelectronic semiconductor device with a light source wherein the light source primary radiation emit ⁇ advantage whose peak wavelength is in the range from 370 to 470 nm, wherein the primary radiation is converted partially or fully ⁇ continuously through at least two phosphors in notebookwel ⁇ celled radiation, wherein at least a phosphor is set directly in front of the primary light source and thus is in thermal contact, while min ⁇ least another-converting phosphor is spaced apart from the primary light source and not directly as with ⁇ is in thermal contact, in particular the first phosphor emitting longer wavelength than the second phosphor.
  • the first phosphor is preferably emitting orange-red, i. in particular that its peak wavelength is in the orange to red range.
  • the second phosphor is preferably emitting yellow-green, i. in particular that its peak wavelength is in the yellow to green range.
  • An optoelectronic semiconductor component with a light source wherein the light source emits primary radiation whose peak wavelength is in the range 370 to 470 nm, wherein the primary radiation is partially or completely converted by at least two phosphors into longer-wave radiation, of which at least one first phosphor emitted orange-red and at least a second yellow-green emit ⁇ benefits, characterized in that the orange-red emitting phosphor is placed directly in front of the primary light source and thus in thermal contact, while the yellow-green emitting
  • Phosphor is spaced from the primary light source and is not directly in thermal contact therewith.
  • Optoelectronic semiconductor component according to claim 1 characterized in that the first
  • Phosphorus has a peak emission in the range 570 to 680 nm.
  • Optoelectronic semiconductor component according to claim ⁇ 2 characterized in that the first Phosphor is chosen from the group of orange to red emit ⁇ animal forming nitrides, silicates, sions, sialons or calsins, in particular from the group of nitridosilicates or Nitridoalumosilikate.
  • the optoelectronic semiconductor device according to claim 1. ⁇ , characterized in that the second phosphor has a peak emission in the range 470-580 nm.
  • the optoelectronic semiconductor device according to claim 1.
  • the second phosphor is selected from the group of yellow is selected to emit green ⁇ animal grenade, orthosilicates, silicates, sions, sialons.
  • the optoelectronic semiconductor device according to claim 1. ⁇ , characterized in that the primary light source and the phosphors cooperate so that the semiconductor device functions as a white-emitting light source.
  • Figure 1 shows a first embodiment of an LED below
  • FIG. 2 shows a second embodiment of an LED below
  • FIG. 3 shows an LED according to the prior art according to the CLC technique
  • Figure 4-5 shows an LED according to the prior art, according to
  • a optoe ⁇ lektronischen semiconductor device for example, LED array, with hybrid remote technology.
  • a substrate 2 more LEDs or chips 3 of the same ⁇ Chen or similar type, preferably InGaN chips are used.
  • These LEDs emit primary radiation in the range of typically 370 to 470 nm, especially 440 to 465 nm, peak wavelength.
  • the LEDs 3 is preceded by a red emitting phosphor 4 directly on the single chip.
  • the luminous ⁇ material is applied for example by screen printing, electrophoretic deposition cal o. ⁇ .. Preference is given to using calsine or a nitridosilicate.
  • the substrate 2 is covered by a dome 5.
  • a green to yellow emit ⁇ animal phosphor 6 is attached or embedded.
  • the ⁇ ser spaced yellow to green emitting phosphor 6 is in particular YAG: Ce or another garnet, Orthosi- LIKAT or Sion, nitridosilicate, sialon etc ..
  • Insbesonde ⁇ re is a garnet such as YAG: Ce or Lu AG: Ce or similar, whose peak emission lies in the yellow to green spectral range.
  • Figure 2 shows a second embodiment of an op ⁇ toelektronischen semiconductor device 1, the similar chip 3 and similar phosphors 4, 6 used.
  • the component also has a housing 10, with side walls 11 and a cover 12.
  • the green to yellow emitting phosphor 6 is fixed on the inside or in the cover and also in particular also applied to the side walls.
  • the inventive concept for white LED is used.
  • FIG. 3 shows an optoelectronic semiconductor component
  • FIG. 4 shows an optoelectronic semiconductor component 15 according to the prior art in which a dome 20 is used as a cover plate, but only a phosphor 4 in conventional CLC technology is in direct thermal contact with the individual chip 24, usually it is it is contributed to the green emitting phosphor 21.
  • the red radiation is red emit ⁇ animal LEDs 25th
  • FIG. 5 shows a prior art optoelectronic semiconductor device 15 in which a housing 16 with cover plate 17 is used, but both phosphors 34, 36 are spaced apart from the individual LEDs 24 in the conventional technology according to the remote phosphor concept, and Although they are applied together in the cover 17.

Abstract

Das optoelektronische Halbleiterbauelement verwendet einen roten und gelb-grünen Leuchtstoff, wobei der rote Leuchtstoff direkt auf der LED und der gelb-grüne Leuchtstoff beabstandet davon angeordnet ist.

Description

Optoelektronisches Halbleiterbauelement
Technisches Gebiet
Die Erfindung geht aus von einem optoelektronischen Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, insbesondere eine Konversions-LED.
Stand der Technik
Aus der EP 1 696 016 ist eine Konversions-LED bekannt, die als roten Leuchtstoff ein Calsin verwendet. Eine wei¬ ße LED wird damit realisiert unter Verwendung einer blau¬ en LED und einem gelben oder grünen Leuchtstoff ausge- w äh l t a l s -S i a 1 o n , Y3A15012:Ce oder
(Y,Gd) 3 (AI , Ga) 5012 : Ce . Aus der EP-A 1 669 429 ist eine Konversions-LED bekannt, die zur Erzielung einer weißen LED einen blauen Chip zu- sammen mit speziellem Leuchtstoff des Typs (Sr, Ba) 2Si5N8 :Eu verwendet, wobei als zusätzlicher Leuchtstoff zur Verbesserung der Farbwiedergabe auch Lu- AG:Ce sowie ähnliche Leuchtstoffe, die mit Ce und Pr ko- dotiert sind, verwendet werden.
Dabei werden die Leuchtstoffe direkt vor den Chip in thermischem Kontakt platziert, was Nachteile hinsichtlich der Stabilität oder auch in anderer Hinsicht mit sich bringen kann.
Eine andere Strategie ist das Remote-Phosphor-Konzept. Dabei werden Leuchtstoffe beabstandet von der primären Lichtquelle angeordnet. Dies bringt allerdings einen deutlich höheren Bedarf an Leuchtstoff mit sich.
Bisher wurde als Strategie, um das Problem der mit einem hohen Leuchtstoffbedarf verbundenen Kosten zu umgehen, auf einen Rotleuchtstoff verzichtet. Stattdessen erfolgte der Einsatz von rot emittierenden InGaAlP-LEDs zur Erzeugung des roten Spektralanteils über LEDs statt dafür Leuchtstoff einzusetzen, siehe dazu US 6 234 648.
Nachteilig daran ist die starke Schwankung der Farbtempe- ratur abhängig von der Umgebungs- und Gerätetemperatur, welche entweder die Produkteigenschaften negativ beein- flusst oder mittels aufwendiger und teurer aktiver Steuerung ausgeglichen werden muss. Bei hohen Temperaturen zeigt sich eine schlechte Effizienz aufgrund des ungüns- tigen Hochtemperaturverhaltens von roten InGaAlP-LEDs .
Darstellung der Erfindung
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, bei einem optoelektronischen Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 eine verbesserte Lösung für den hohen Bedarf an Leuchtstoffmaterial zu finden. Diese Aufgabe wird gelöst durch die kennzeichnenden Merk¬ male des Anspruchs 1.
Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
Weiße Konversions-LEDs gewinnen in der Allgemeinbeleuch- tung immer mehr an Bedeutung. In letzter Zeit besteht zunehmend verstärktes Interesse an sogenannten „Remote Phosphor"-Lösungen . Hierbei handelt es sich um eine Kombination aus blau- oder UV-emittierenden LEDs und einem davon räumlich getrennten Konverterelement. Im Unterschied zu einer herkömmlichen weißen Konversions-LED be- findet sich der Leuchtstoff bei einem Remote-Konzept also nicht in unmittelbarer Nähe des LED-Chips, sondern ist weiter davon entfernt.
Im Vergleich zu einer herkömmlichen weißen LED mit chipnaher Konversion ergeben sich so systembedingte Unter- schiede mit Vor- und Nachteilen:
Vorteile von Remote Phosphor Lösungen gegenüber einer chipnahen Konversion sind:
1) Geringere Strahlenbelastung des Leuchtstoffs. Dies er¬ möglicht ggf. den Einsatz von Leuchtstoffen, die für chipnahe Konversion nicht geeignet sind;
2) Verbesserte Abstrahlcharakteristik, diffuse Erschei¬ nung ohne Blendung;
3) Geringere Temperaturbelastung von LED-Chip und Gehäuse, dadurch höhere Effizienz und verbesserte Lebens- dauer;
4) Effizienzvorteile aufgrund geringerer Absorptionsverluste durch das Gehäuse (Reflektivität > 90% möglich) im Vergleich zu einem Chip (Reflektivität typisch < 90%) .
Nachteile von Remote Phosphor Lösungen gegenüber einer chipnahen Konversion sind:
1) In der Regel schlechte thermische Ankopplung des Leuchtstoffs an das Kühlsystem, in der Folge hohe Leucht- Stofftemperaturen (beschleunigte Leuchtstoff-Alterung, niedrigere Effizienz) .
2) Drastische Erhöhung des Leuchtstoffbedarfs (mindestens ca. Faktor 100) . Hierbei korrelieren die beiden erwähnten Nachteile: je größer die Fläche des Konverterelements, umso niedriger ist die Konvertertemperatur, allerdings auch umso höher ist der Leuchtstoffbedarf .
Der hohe Leuchtstoffbedarf stellt eine große technische und wirtschaftliche Herausforderung dar. In der Regel kommt für weiße Konversions-LEDs mit guter Farbwiedergabe Leuchts to ffmi s chung mit zwei Komponenten zum Einsatz, meist ein grün- bis gelbemittierender Granatleuchtstoff (bezogen auf die Peakemission) in Kombination mit einem orange- bis tiefrot emittierenden N i t ridosilikat- Leuchtstoff .
Aufgrund der einfacheren Synthese ist eine Hochskalierung und Preisreduktion bei Granatleuchtstoffen prinzipiell leichter möglich. Beispielsweise gibt es bereits seit längerer Zeit im großen Maßstab preisgünstig herstellbare Granatleuchtstoffe, die sowohl für die Verwendung in (Kompakt-) Fluoreszenzlampen eingesetzt werden als sich prinzipiell auch für den Einsatz in Konversions-LEDs eig¬ nen. Im Falle der roten Nitridosilikat-Leuchstoffe ist eine kostenoptimierte Volumenproduktion deutlich schwie¬ riger, da die Vormaterialien sehr luftempfindlich sind, weshalb spezielle Vorkehrungen zu treffen sind. Die aktu¬ ell etablierten Produktionsprozesse erfordern außerdem bzgl. des maximalen Produktionsvolumens starke Einschrän- kungen. Erfindungsgemäß wird eine Hybridlösung beschrieben, wel¬ che die Vorteile von chipnaher Konversion und Remote- Konzepten vereint. Ein günstig herstellbarer, bevorzugt ein grüner oder gelber, erster Leuchtstoff, häufig ein Granat-Leuchtstoff, wird als Remote-Konverter eingesetzt. Die Anregung erfolgt über blaue LEDs. Der zweite Leucht¬ stoff, bevorzugt ein Rot-Leuchtstoff, wird wie bei einer herkömmlichen weißen Konversions-LED direkt auf den LED- Chip appliziert. Die blaue Primäremission wird somit chipnah bereits partiell nach rot konvertiert. Insgesamt ergibt sich dadurch eine rosa bzw. pink-farbene Emission. Für die Applikation des Rotleuchtstoffs kommen alle etab¬ lierten Konversionstechniken in Frage, beispielsweise Volumenvergus s , Keramikkonverter, elektrophoret i s che Ab- Scheidung (EPD) , Sedimentation, mittels Siebdruck, Rakeln oder durch Sprayen hergestellte Plättchen aus Leuchtstoff und einem Matrixmaterial (CLC/Layer Transfer) .
Durch diesen hybriden Ansatz ergeben sich folgende Vorteile: - der Leuchtstoffbedarf, was den teuren Rotleuchtstoff betrifft, ist nicht höher als bei herkömmlicher chipnaher Konversion, und damit ca. 100 mal geringer als bei einem Remote-Ansatz. Das ergibt eine deutliche Reduktion der Leuchtstoffkosten . - es wird eine gute thermische Ankopplung des Rotleucht¬ stoffs an das Kühlsystem sichergestellt, insbesondere bei Konversionstechniken wie CLC/Layer Transfer oder EPD und Keramiken. Hierdurch ergibt sich eine geringere Tempera¬ turbelastung des Rot-Leuchtstoffs und damit eine Verbes- serung der Alterungsstabilität und eine Reduktion des thermischen Quenchings, was potenziell auch einen Effizienzvorteil bietet.
- Rotleuchtstoffe bedingen prinzipiell höhere Konversi¬ onsverluste als Gelb- oder Grünleuchtstoffe, da ihre Sto- kesshift höher ist. Die Abwesenheit eines Rotleuchtstoffs im Remotekonverter senkt somit auch dessen Temperatur, was die Effizienz verbessert.
Aufgrund der Separation von Rot- und Grün-gelb- Leuchtstoff ergeben sich weitere Vorteile: Verbesserte Effizienz und Farbwiedergabe, da praktisch keine Reab- sorption der Emission des Grünleuchtstoffs durch den Rotleuchtstoff stattfindet.
Dabei bleiben aber die prinzipiellen Vorteile einer Remote-Phosphor-Lösung wie gute Abstrahlcharakteristik ohne Blendwirkung bestehen.
Wesentliche Merkmale der Erfindung in Form einer nume¬ rierten Aufzählung sind:
Das Grundkonzept der vorliegenden Erfindung ist:
Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Licht- quelle, wobei die Lichtquelle primäre Strahlung emit¬ tiert, deren Peakwellenlänge im Bereich 370 bis 470 nm liegt, wobei die primäre Strahlung teilweise oder voll¬ ständig durch mindestens zwei Leuchtstoffe in längerwel¬ lige Strahlung konvertiert wird, wobei mindestens ein Leuchtstoff direkt vor die primäre Lichtquelle gesetzt ist und damit in thermischem Kontakt steht, während min¬ destens ein weiterer konvertierender Leuchtstoff von der primären Lichtquelle beabstandet ist und nicht direkt da¬ mit in thermischem Kontakt steht, insbesondere ist der erste Leuchtstoff langwelliger emittierend als der zweite Leuchtstoff .
Dabei ist der erste Leuchtstoff bevorzugt orange-rot emittierend, d.h. insbesondere dass seine Peakwellenlänge im orange bis roten Bereich liegt.
Dabei ist der zweite Leuchtstoff bevorzugt gelb-grün emittierend, d.h. insbesondere dass seine Peakwellenlänge im gelben bis grünen Bereich liegt.
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Lichtquelle, wobei die Lichtquelle primäre Strahlung emittiert, deren Peakwellenlänge im Bereich 370 bis 470 nm liegt, wobei die primäre Strahlung teilweise oder vollständig durch mindestens zwei Leuchtstoffe in längerwellige Strahlung konvertiert wird, von de- nen mindestens ein erster Leuchtstoff orange-rot emittiert und mindestens ein zweiter gelb-grün emit¬ tiert, dadurch gekennzeichnet, dass der orange-rot emittierende Leuchtstoff direkt vor die primäre Lichtquelle gesetzt ist und damit in thermischem Kontakt steht, während der gelb-grün emittierende
Leuchtstoff von der primären Lichtquelle beabstandet ist und nicht direkt damit in thermischem Kontakt steht .
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach An- spruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste
Leuchtstoff eine Peakemission im Bereich 570 bis 680 nm aufweist.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach An¬ spruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Leuchtstoff aus der Gruppe der orange bis rot emit¬ tierenden Nitride, Silikate, Sione, Sialone oder Calsine ausgewählt ist, insbesondere aus der Gruppe der Nitridosilikate oder Nitridoalumosilikate .
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach An¬ spruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Leuchtstoff eine Peakemission im Bereich 470 bis 580 nm aufweist.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach An¬ spruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Leuchtstoff aus der Gruppe der gelb bis grün emit¬ tierenden Granate, Orthosilikate, Silikate, Sione, Sialone ausgewählt ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach An¬ spruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die primäre Lichtquelle und die Leuchtstoffe so zusammenwirken, dass das Halbleiterbauelement als weiß emittierende Lichtquelle wirkt.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Im Folgenden soll die Erfindung anhand von mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Die Figuren zeigen :
Figur 1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer LED unter
Verwendung einer Hybrid-Remote-Technologie;
Figur 2 ein zweites Ausführungsbeispiel einer LED unter
Verwendung einer Hybrid-Remote-Technologie; Figur 3 eine LED, gemäß dem Stand der Technik nach der CLC-Technik;
Figur 4-5 eine LED, gemäß dem Stand der Technik, nach der
Remote-Phosphor-Technologie und nach einem Misch-Konzept aus beiden Technologien.
Bevorzugte Ausführung der Erfindung
Figur 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines optoe¬ lektronischen Halbleiterbauelements 1, beispielsweise LED-Array, mit Hybrid-Remote-Technologie . Dabei sitzen auf einem Substrat 2 mehrere LEDs oder Chips 3 des glei¬ chen oder ähnlichen Typs, bevorzugt werden dabei InGaN- Chips verwendet. Diese LEDs emittieren primäre Strahlung im Bereich von typisch 370 bis 470 nm, insbesondere 440 bis 465 nm, Peakwellenlänge .
Den LEDs 3 ist direkt auf dem einzelnen Chip ein rot emittierender Leuchtstoff 4 vorgeschaltet. Der Leucht¬ stoff ist beispielsweise durch Siebdruck, elektrophoreti- sche Abscheidung o. ä. aufgebracht. Bevorzugt wird dabei Calsin oder ein Nitridosilikat verwendet.
Das Substrat 2 wird von einer Kuppel 5 überspannt. An der Kuppel 5 bzw. in der Kuppel 5 ist ein grün bis gelb emit¬ tierender Leuchtstoff 6 befestigt bzw. eingebettet. Die¬ ser beabstandete gelb bis grün emittierende Leuchtstoff 6 ist insbesondere YAG:Ce oder ein anderer Granat, Orthosi- likat oder Sion, Nitridosilikat, Sialon etc.. Insbesonde¬ re handelt es sich um einen Granat wie YAG:Ce oder Lu- AG : Ce o.ä., dessen Peakemission im gelben bis grünen Spektralbereich liegt. Figur 2 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines op¬ toelektronischen Halbleiterbauelements 1, das ähnliche Chips 3 und ähnliche Leuchtstoffe 4, 6 verwendet. Das Bauelement weist außerdem ein Gehäuse 10 auf, mit Seiten- wänden 11 und einer Abdeckscheibe 12. Dabei ist der grün bis gelb emittierende Leuchtstoff 6 innen auf oder auch in der Abdeckscheibe befestigt und zudem insbesondere auch an den Seitenwänden aufgetragen. Bevorzugt wird das erfindungsgemäße Konzept für weiße LED angewendet. Figur 3 zeigt ein optoelektronisches Halbleiterbauelement
15 nach dem Stand der Technik, bei dem zwar ein Gehäuse
16 mit Abdeckscheibe 17 verwendet wird, jedoch beide Leuchtstoffe 18, 19 in konventioneller CLC-Technik direkt in thermischem Kontakt mit dem einzelnen Chip 24 stehen. Figur 4 zeigt ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 15 nach dem Stand der Technik, bei der zwar eine Kuppel 20 als Abdeckscheibe verwendet wird, jedoch nur ein Leuchtstoff 4 in konventioneller CLC-Technik direkt in thermischem Kontakt mit dem einzelnen Chip 24 ist, übli- cherweise handelt es sich dabei um den grün emittierenden Leuchtstoff 21. Die rote Strahlung wird durch rot emit¬ tierende LEDs 25 beigesteuert.
Figur 5 zeigt ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 15 nach dem Stand der Technik, bei der zwar ein Gehäuse 16 mit Abdeckscheibe 17 verwendet wird, jedoch beide Leuchtstoffe 34, 36 in konventioneller Technik nach dem remote-phosphor-Konzept beabstandet von den einzelnen LEDs 24 sind, und zwar gemeinsam in der Abdeckscheibe 17 aufgebracht sind.

Claims

Ansprüche
Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Lichtquelle, wobei die Lichtquelle primäre Strahlung emittiert, deren Peakwellenlänge im Bereich 370 bis 470 nm liegt, wobei die primäre Strahlung teilweise oder vollständig durch mindestens zwei Leuchtstoffe in längerwellige Strahlung konvertiert wird, von de¬ nen mindestens ein erster Leuchtstoff orange-rot emittiert und mindestens ein zweiter gelb-grün emit¬ tiert, dadurch gekennzeichnet, dass der orange-rot emittierende Leuchtstoff direkt vor die primäre Lichtquelle gesetzt ist und damit in thermischem Kontakt steht, während der gelb-grün emittierende Leuchtstoff von der primären Lichtquelle beabstandet ist und nicht direkt damit in thermischem Kontakt steht .
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach An¬ spruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Leuchtstoff eine Peakemission im Bereich 570 bis 680 nm aufweist.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach An¬ spruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Leuchtstoff aus der Gruppe der orange bis rot emit¬ tierenden Nitride, Silikate, Sione, Sialone oder Calsine ausgewählt ist, insbesondere aus der Gruppe der Nitridosilikate oder Nitridoalumosilikate .
4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach An¬ spruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Leuchtstoff eine Peakemission im Bereich 470 bis 580 nm aufweist.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach An¬ spruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Leuchtstoff aus der Gruppe der gelb bis grün emit¬ tierenden Granate, Orthosilikate, Silikate, Sione, Sialone ausgewählt ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach An¬ spruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die primäre Lichtquelle und die Leuchtstoffe so zusammenwirken, dass das Halbleiterbauelement als weiß emittierende Lichtquelle wirkt.
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