JP5111181B2 - 蛍光体および発光装置 - Google Patents

蛍光体および発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5111181B2
JP5111181B2 JP2008071420A JP2008071420A JP5111181B2 JP 5111181 B2 JP5111181 B2 JP 5111181B2 JP 2008071420 A JP2008071420 A JP 2008071420A JP 2008071420 A JP2008071420 A JP 2008071420A JP 5111181 B2 JP5111181 B2 JP 5111181B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
orange
light
light emitting
emission intensity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008071420A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009227714A (ja
Inventor
康之 三宅
規和 門澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nemoto and Co Ltd
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Nemoto and Co Ltd
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nemoto and Co Ltd, Stanley Electric Co Ltd filed Critical Nemoto and Co Ltd
Priority to JP2008071420A priority Critical patent/JP5111181B2/ja
Publication of JP2009227714A publication Critical patent/JP2009227714A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5111181B2 publication Critical patent/JP5111181B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Description

本発明は、発光強度を向上できる蛍光体および発光装置に関する。
従来、InGaN系等の青色光を発する半導体発光素子と黄色蛍光体とを組み合わせた白色系の発光ダイオード(LED)が知られており(例えば、特許文献1参照。)、小消費電力、長寿命、および小型化可能などの特長から、画像表示装置や照明装置の光源として広く使用されている。
ところが、この白色系のLEDから得られる光は、青色と黄色との混色であるため、赤み成分に欠け演色性が悪く、照明用途には適していない。
そして、この演色性の問題を解決する方法としては、例えば青色光を発する半導体発光素子と、緑色蛍光体と、橙色蛍光体または赤色蛍光体とを組み合わせて白色系のLEDとする方法があり、この白色系のLEDに用いられる蛍光体としては、青色の光で励起して橙色から赤色までの光を発し、かつ高い発光強度を有するCaAlSiN:Eu蛍光体、すなわちCASN蛍光体が知られている(例えば、特許文献2参照。)。
このCASN蛍光体は、加圧雰囲気下での窒化物材料の固相反応を利用した、いわゆる「ガス圧焼結法」と呼ばれる製造方法で製造するため、大量生産が容易ではなく、製造コストが掛かる。具体的には、出発原料として用いる窒化カルシウム(Ca)等のアルカリ土類窒化物材料が、酸素および水蒸気に対して不安定であるため、これら酸素および水蒸気を確実に排除した雰囲気を保ったグローブボックス内において、材料の秤量および混合をしなければならず、また加圧可能な焼成炉を用いた加圧雰囲気下での焼成等が必要であるから、一般的な蛍光体の製造とは異なる工程や設備が必要である。
そして、このCASN蛍光体の製造での問題を解決する方法としては、例えば出発材料として空気中でも安定なアルカリ土類金属酸化物と、窒化ケイ素または窒化アルミニウムとを選択し、さらに還元剤として炭素を選択し、空気中で秤量および混合した後に常圧下で焼成する、いわゆる「炭素還元法」と呼ばれる方法が知られている(例えば、特許文献3参照。)。この炭素還元法は、一般的な蛍光体の製造方法および製造条件を大幅に変更せずに、製造コストを向上させることなく、窒化物の橙色から赤色までの蛍光体を製造できる。
特許第2927279号公報 特許第3837588号公報 特開2005−336450号公報
しかしながら、上記炭素還元法は、材料の酸化還元反応の調整が容易ではなく、炭素または酸素が残留しやすいため、この炭素還元法によって得られた蛍光体は、ガス圧焼結法で得られた蛍光体に比べ、発光強度が低いという問題を有している。
本発明は、このような点に鑑みなされたものであり、発光強度を向上できる蛍光体および発光装置を提供することを目的とする。
請求項1記載の蛍光体は、一般式がCa1−xAl1+nSi1−n3−n:Eu,Laxyで表され、xは、0.005≦x≦0.05で、yは、0.05≦y≦0.8で、nは、0<n≦0.5であるものである。
請求項2記載の蛍光体は、一般式がCa1−xAl1+nSi1−n3−n:Eu,Laxy,Cexzで表され、xは、0.005≦x≦0.05で、yは、0.05≦y≦0.8で、zは、0<z≦0.2で、nは、0<n≦0.5であるものである。
請求項3記載の発光装置は、請求項1または2記載の蛍光体と、短波長領域の光を発する発光素子とを具備したものである。
請求項1記載の蛍光体によれば、一般式がCa1−xAl1+nSi1−n3−n:Eu,Laxyで表され、xを0.005≦x≦0.05とし、yを0.05≦y≦0.8とし、nを0<n≦0.5とすることにより、発光強度を向上できる。
請求項2記載の蛍光体によれば、一般式がCa1−xAl1+nSi1−n3−n:Eu,Laxy,Cexzで表され、xを0.005≦x≦0.05とし、yを0.02≦y≦1とし、zを0<z≦0.2とし、nを0<n≦0.5とすることにより、発光強度を向上できる。
請求項3記載の発光装置によれば、請求項1または2記載の蛍光体と、短波長領域の光を発する発光素子とを具備するため、発光強度を向上できる。
以下、本発明の一実施の形態の発光装置の構成を図面を参照して説明する。
図1において、1は発光装置としてのLED(発光ダイオード)であり、このLED1は、励起光源としての半導体発光素子2を備えている。また、このLED1には、半導体発光素子2から発する光を吸収し橙色から赤色までの橙赤色の光を発する蛍光体としての橙赤色蛍光体3が設けられている。すなわち、このLED1は、半導体発光素子2と橙赤色蛍光体3とが組み合わされて構成され、白色系の光を発する白色発光素子である。
ここで、半導体発光素子2は、通電時に青色光線等の短波長領域の可視光線や紫外線を発するものである。具体的に、この半導体発光素子2は、窒化ガリウム(GaN)または窒化インジウムガリウム(InGaN)等の半導体からなるLEDまたはレーザダイオード(LD)等にて形成されている。
また、橙赤色蛍光体3は、窒化物系蛍光体としてのCaAlSiN:Eu蛍光体、すなわちCASN蛍光体である。具体的に、この橙赤色蛍光体3は、半導体発光素子2から発する短波長領域の可視光線や紫外線を吸収し、黄色ないし赤色等のより長波長領域の橙赤色の可視光を発する。
さらに、LED1は、保持部としてのランプハウス4を備えており、このランプハウス4の下部には、一対の電極5a,5bが離間して設けられている。そして、一方の電極5a上のランプハウス4内には、半導体発光素子2が設けられている。さらに、他方の電極5bは、ランプハウス4内に設けられた導線6を介して半導体発光素子2の上面に接続されている。また、この半導体発光素子2上のランプハウス4内には、透過性を有する透明封止材7が充填されており、この透明封止材7中に橙赤色蛍光体3が分散されている。
そして、半導体発光素子2から発した青色光は、橙赤色蛍光体3に吸収されて橙色から赤色までの橙赤色の光を発し、この橙赤色の光と、半導体発光素子2から発した青色光との混色によって、LED1から白色系の光が発する。
次に、上記橙赤色蛍光体3を製造する工程を説明する。
まず、この橙赤色蛍光体3は、成分元素を含む化合物を所定の比率で混合して混合物とし、この混合物を所定の条件下で焼成して得られるものである。
そして、この橙赤色蛍光体3の出発原料には、アルミニウム(Al)、ケイ素(Si)および窒素(N)源として、窒化アルミニウム(AlN)または窒化ケイ素(Si)等を用いる。また、カルシウム(Ca)源としては、炭酸カルシウム(CaCO)または酸化カルシウム(CaO)等を用いる。このとき、このカルシウム源としては、取り扱いの容易さから、炭酸カルシウムを用いることが好ましい。さらに、還元剤としては、炭素(C)を用いる。ここで、カルシウム源として窒化カルシウム(Ca)を用いなくても良いため、空気中での秤量、混合、および常圧下での焼成等が可能である。このため、例えば炭素還元法等の従来の蛍光体の製造工程および製造設備を用いて橙赤色蛍光体3を製造できる。
なお、炭酸カルシウムは、次の脱炭酸過程と炭素による還元過程とを経て窒化すると推察される。
CaCO → CaO + CO
3CaO + 3C + N → Ca + 3CO
さらに、付活剤または共付活剤の希土類元素源としては、酸化ユウロピウム(Eu)、酸化ランタン(La)、または酸化セリウム(CeO)等を用いる。
そして、これら出発原料となる各材料を秤量してから、硬質のボールを材料と一緒に混合容器に入れて回転させて材料をすり潰しながら混合させるボールミルや、材料を入れたV字型の混合容器を回転させて材料を混合させるV型ブレンダ等の混合装置を用いて十分に混合する。この混合は、材料を乾燥させた状態で混合させる乾式混合、またはエタノール等のアルコール類あるいはアセトン等の有機溶媒を加えた状態で材料を混合させる湿式混合とする。
次いで、この混合後に、材料をるつぼに投入する。このとき、この混合した材料を成型することもできる。なお、この成型としては、対向する方向から圧力を加える一軸加圧、または水を媒体にして材料に均一に圧力を加える冷間静水圧加圧装置(Cold Isostatic Pressing:CIP)によってペレット状に成型することが好ましい。
さらに、材料を投入するるつぼとしては、窒化ホウ素製またはカーボン製等の酸素を含有しないものが好ましい。
そして、このるつぼに投入した材料を焼成する。ここで、この焼成は、非酸化雰囲気下とする。この非酸化雰囲気としては、簡易的には窒素雰囲気であるが、窒素の他に水素を含んだ雰囲気でもよい。また、焼成温度は、少なくとも1700℃以上で、焼成時間は、2時間以上必要であり、より発光強度の高い橙赤色蛍光体3を得るためには、窒化カルシウム等の中間生成物を十分に形成した上で目的物の焼成に移行できるようにするため、複数の焼成温度で段階的に焼成することが好ましい。
さらに、この焼成の後に、洗浄工程および篩別工程を経ることによって、目的の橙赤色蛍光体3を得る。
この橙赤色蛍光体3は、CaAlSiN結晶の構造を有するが、窒素の一部が酸素で置換されている。また同時に、−3価の窒素(N)を−2価の酸素(O)で置換するため、電荷の中性を保つべく、+4価のケイ素(Si)が+3価のアルミニウム(Al)で置換されており、N−Si(+1価)が、O−Al(+1価)に置換されると考えられる。そして、この酸素への置換の割合は、得られた橙赤色蛍光体3中のSiとAlとの比によって変化すると考えられる。ただし、この橙赤色蛍光体3中のSiとAlとの比は、分析の結果、焼成の前後で大きく変化しておらず、酸素の置換に伴い、例えばカルシウム(Ca)等の陽イオンの欠陥生成が生じている可能性も考えられる。
特に、この橙赤色蛍光体3は、出発材料として窒化カルシウムを使用せず、酸素を含む酸化カルシウム、または加熱により酸化物となる炭酸カルシウム等を用いている。このため、還元雰囲気中での段階焼成をしたとしても、得られた橙赤色蛍光体3中には、酸素が少なからず含有されていると推察できる。
ただし、この橙赤色蛍光体3は、この橙赤色蛍光体3中の窒素の一部が酸素で置換されているとしても、CaAlSiN結晶の構造は大きく変化することがないから、発光強度および発光スペクトルに対する影響も少ないと推察できる。
次に、上記一実施の形態の橙赤色蛍光体3の構成および特性の実施例を説明する。
まず、出発原料として、炭酸カルシウム(CaCO,純度99.9%)、窒化ケイ素(Si,純度98%以上)、窒化アルミニウム(AlN,純度99%)、酸化ユウロピウム(Eu)、および酸化ランタン(La)をそれぞれ用い、さらに還元剤として活性炭(C)の粉末を用いた。
次いで、これらの材料を、表1に表すモル比に秤量した。ここで、表1に示すモル比は、着目原子のモル比である。さらに、yは、酸化ユウロピウムのユウロピウム原子としてのモル比に対する、酸化ランタンのランタン原子としてのモル比を示している。
Figure 0005111181
このとき、窒化ケイ素は、高温焼成時に一部が昇華および分解する可能性があるため、化学量論比よりも若干多く加えられている。
次に、これら材料を、混合装置としてのボールミルで混合した。具体的には、これら材料をアルミナボールとともに混合容器に入れ、この混合容器を回転台に設置して3時間乾式混合した。さらに、この混合後の材料を、窒化ホウ素製のるつぼに入れてから、このるつぼを焼成炉内に配置した。
ここで、このるつぼに入れた材料の焼成には、黒鉛ヒータを有する焼成炉を用い、この焼成炉内を焼成前に拡散ポンプで2×10−2Paになるまで真空引きした後、窒素ガス(純度5N)を導入して内部圧力を、ほぼ大気圧の0.1MPaとした。この後、この焼成炉内を、段階的に800℃で3時間、1600℃で2時間、1800℃で2時間の焼成をした。このとき、この焼成炉内の昇温速度を、500℃/hとし、この焼成炉内の降温速度を、焼成温度から自然冷却とした。
この焼成炉での焼成の後にるつぼから回収した焼成物は、橙色の均一な塊であり、炭素の残留による黒色の着色は見られなかった。次いで、この焼成物をアルミナ乳棒とアルミナ乳鉢とで粉砕した。この後、この粉砕した焼成物を、硝酸およびイオン交換水で洗浄してから乾燥した後に、#380メッシュ(約23μm間隔)の篩でふるい、目的の橙赤色蛍光体3を得た。そして、これら橙赤色蛍光体3のそれぞれを、試料1ないし試料7とした。
さらに、これら試料1ないし試料7との比較のため、表1に示すように、ランタンを用いない蛍光体を上記と同様に焼成して比較例1とした。
そして、これら試料1ないし試料7および比較例1のそれぞれについて、分光蛍光光度計(型式:F4500,株式会社日立製作所製)を用いて発光スペクトルを測定した。試料1ないし試料7は、それぞれ紫外光から緑色光までの範囲で励起可能であり、635nm付近にピークを持つ橙赤色の発光を示した。図2に、試料4の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す。
また、表2に、試料1ないし試料7および比較例1の発光特性を示す。ここで、発光強度とは、460nmの青色光で橙赤色蛍光体3を励起したときに得られる発光スペクトルのうちの500nm以上800nm以下の範囲の積分値である。また、相対発光強度とは、比較例1の発光強度を100とした時の相対値である。
Figure 0005111181
表2に示すように、yが0.05≦y≦0.8の範囲では、ランタンを加えない比較例1に比べ、発光強度が10%以上高くなっており、発光強度の大幅な向上が確認できた。
さらに、ユウロピウムのモル比であるxを0.002、0.005、0.02、0.05、および0.1と変化させた場合を同様に確認した。この結果、ランタンによる発光強度の向上が確認できた。すなわち、このユウロピウムのモル比であるxが0.005未満の場合は、発光中心濃度が不足するため全体の発光強度が低下し、またxが0.05より多い場合は、濃度消光によって発光強度が低下することが確認できた。このため、xは0.005≦x≦0.05の範囲が好ましい。
次に、試料4をX線回折装置(型式:D8ADVANCE,ブルカー・エイエックスエス株式会社製)を用いて測定した。この測定に用いたX線は、Cu−Kα線である。そして、図3に示す試料4の測定結果である粉末X線回折パターンを、ICDD(International Centre for Diffraction Date)が提供している粉末回折ファイル(Powder Diffraction File)のNo.039−0747のパターンと比較したところ、パターンのピークが略一致した。このため、この試料4は、CaAlSiNの構造を有することが確認できた。
次に、上記一実施の形態の橙赤色蛍光体3のランタン(La)の一部をセリウム(Ce)で置換した場合の特性について説明する。
まず、セリウムの材料として、酸化セリウム(CeO)を用いた以外は、上記試料1ないし試料7と同様である。そして、表3に示すモル比に秤量してから、上記試料1ないし試料7と同様に、混合、焼成、洗浄および篩い分けして、試料8ないし試料12を得た。
Figure 0005111181
これら試料8ないし試料12についても同様に、分光蛍光光度計(型式:F4500,株式会社日立製作所製)にて発光強度を測定した。この測定結果を表4に示す。
Figure 0005111181
この結果、表4に示すように、yが0.2の場合は、zが0.02≦z≦1.0の範囲で、比較例1に比べ、発光強度が高くなっていることが確認できた。さらに、このzが0<z≦0.2の範囲では、比較例1に比べ、発光強度が10%以上高く、発光強度の大幅な向上が確認できた。
また、yを0.02、0.05、0.15、および1.0と変化させた場合を同様に確認した。この結果、セリウムを加えた場合の発光強度の向上を同様に確認できた。
以上から、炭素還元法で得られるCASN蛍光体のうち、ユウロピウム(Eu)で付活し、さらにユウロピウムのモル数以下のランタン(La)で共付活した橙赤色蛍光体3は、高い発光強度を有することを確認できた。
具体的には、付活剤であるユウロピウム(Eu)の量を示すxが0.005より小さい場合には、付活剤としての効果が表れなくなってしまう。一方、このxが0.05より大きい場合には、発光強度が低下してしまう。
また、ユウロピウム(Eu)に対するランタン(La)のモル比を示すyが1より大きい場合には、蛍光体母体結晶性の悪化によって発光強度が低下してしまう。一方、このyが0.02より小さい場合には、共付活剤としての効果が不十分なため、発光強度が低下してしまう。これに対し、このyが0.05≦y≦0.8の場合には、ランタンを加えない比較例1に比べ、発光強度を10%以上高くできる。
さらに、窒素原子(N)の一部を酸素原子(O)で置換する量を示すnが0.5より大きい場合には、発光強度が低下してしまう。また、このnが0.5以下の場合には、高温での空気中の耐久性が優れている。
よって、一般式がCa1−xAl1+nSi1−n3−n:Eu,Laxyで表される橙赤色蛍光体のxを0.005≦x≦0.05とし、yを0.05≦y≦0.8とし、nを0<n≦0.5とすることによって、発光強度の高い橙赤色蛍光体3にできる。
さらに、ユウロピウム(Eu)に対するセリウム(Ce)のモル比を示すzが1.0より大きい場合には、発光強度が低下してしまう。一方、このzが0の場合には、共付活剤としての効果が不十分なため、発光強度が低下してしまう。特に、このzを0<z≦0.2の場合には、比較例1に比べ、発光強度を10%以上向上できる。
よって、一般式がCa1−xAl1+nSi1−n3−n:Eu,Laxy,Cexzで表される橙赤色蛍光体3のxを0.005≦x≦0.05とし、yを0.05≦y≦0.8し、zを0<z≦0.2とし、nを0<n≦0.5とすることによって、発光強度の高い橙赤色蛍光体3にできる。
また、この橙赤色蛍光体3と、青色光線等の短波長領域の可視光線または紫外線を発するLEDやLD等の半導体発光素子2とを組み合わせることにより、演色性が高く、発光強度の高い白色発光素子である白色系のLED1にできる。
本発明の蛍光体は、短波長領域の光を発する発光素子と組み合わせることにより、蛍光体から発する長波長領域の光との混色により、白色系の発光素子を構成できる。さらに、この発光素子として発光ダイオードまたはレーザダイオード等を用いることにより、より高輝度な白色系の発光装置にできる。
また、この白色系の発光装置は、消費電力が小さく長寿命で、赤色を含み演色性が高い特長を有することから、画像表示装置または照明装置等の発光源として幅広く利用できるとともに、放電ランプ等の放電管用としても利用できる。
本発明の一実施の形態の蛍光体を具備した発光装置を示す説明図である。 同上蛍光体の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示すグラフである。 同上蛍光体の粉末X線回折パターンを表すグラフである。
符号の説明
1 発光装置としてのLED
2 発光素子としての半導体発光素子
3 蛍光体としての橙赤色蛍光体

Claims (3)

  1. 一般式がCa1−xAl1+nSi1−n3−n:Eu,Laxyで表され、
    xは、0.005≦x≦0.05で、
    yは、0.05≦y≦0.8で、
    nは、0<n≦0.5である
    ことを特徴とした蛍光体。
  2. 一般式がCa1−xAl1+nSi1−n3−n:Eu,Laxy,Cexzで表され、
    xは、0.005≦x≦0.05で、
    yは、0.05≦y≦0.8で、
    zは、0<z≦0.2で、
    nは、0<n≦0.5である
    ことを特徴とした蛍光体。
  3. 請求項1または2記載の蛍光体と、
    短波長領域の光を発する発光素子と
    を具備したことを特徴とした発光装置。
JP2008071420A 2008-03-19 2008-03-19 蛍光体および発光装置 Active JP5111181B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008071420A JP5111181B2 (ja) 2008-03-19 2008-03-19 蛍光体および発光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008071420A JP5111181B2 (ja) 2008-03-19 2008-03-19 蛍光体および発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009227714A JP2009227714A (ja) 2009-10-08
JP5111181B2 true JP5111181B2 (ja) 2012-12-26

Family

ID=41243494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008071420A Active JP5111181B2 (ja) 2008-03-19 2008-03-19 蛍光体および発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5111181B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011508001A (ja) * 2007-12-19 2011-03-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 赤色発光SiAlONベース材料
KR101215300B1 (ko) * 2011-03-29 2012-12-26 순천대학교 산학협력단 산질화물계 형광체
KR101717241B1 (ko) * 2011-10-17 2017-03-16 그리렘 어드밴스드 머티리얼스 캄파니 리미티드 질화물 적색 발광재료, 그것을 포함한 발광체 및 발광소자
JP6222612B2 (ja) * 2014-03-06 2017-11-01 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所 透明蛍光サイアロンセラミックスおよびその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3837588B2 (ja) * 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP4892861B2 (ja) * 2005-04-27 2012-03-07 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009227714A (ja) 2009-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI393765B (zh) 製備β-賽隆磷光體之方法
TWI375710B (ja)
KR101172143B1 (ko) 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 led 소자
JP2013028814A (ja) 蛍光体とその製造方法
TW201333166A (zh) 螢光體及其用途
WO2006101096A1 (ja) 蛍光体とその製造方法および発光器具
TW201414803A (zh) 螢光體之製造方法
KR101476561B1 (ko) 형광체 및 발광 장치
JP5111181B2 (ja) 蛍光体および発光装置
TWI458809B (zh) 螢光體、其製造方法及發光裝置
JP5339976B2 (ja) 橙色蛍光体とその製造方法
JP5187817B2 (ja) 蛍光体と発光器具
CN106978166B (zh) 红色荧光体及发光装置
TWI487774B (zh) 螢光體、其製造方法及發光裝置
JP2009138070A (ja) 蛍光体とその製造方法及び蛍光体を用いた発光装置
TWI386480B (zh) 用於白光發光二極體之含銩之螢光物質以及其製造方法
TWI521046B (zh) 螢光體、其製造方法及發光裝置
KR100937240B1 (ko) 발광강도가 강화된 YNbO4계 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
JP5331021B2 (ja) 黄色蛍光体とその製造方法
CN109810695B (zh) 一种荧光物质及其所制成的发光装置
JP5690159B2 (ja) 蛍光体、その製造方法及び発光装置
JP2018109078A (ja) 緑色蛍光体、発光素子及び発光装置
JP7282757B2 (ja) 赤色蛍光体及び発光装置
TW201529527A (zh) 螢光體、發光裝置及其製造方法
JP5252988B2 (ja) 黄色蛍光体とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120926

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121009

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5111181

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250