KR20120038560A - 형광체의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 목적은 희토류로 활성된 종래의 사이알론 형광체의 경우에 비해 보다 긴 파장을 갖는 주황색 또는 적색광을 방출하는 형광 특성을 갖는 무기 형광체를 제공하는 것이다.
본 발명은 CaSiAlN3 결정상과 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 모체 결정으로 사용하고, M [여기서, M 은 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb 로부터 선택된 하나 이상의 것임] 이 발광 중심으로서 첨가되는 고용체 결정상 형광체를 이용함으로써, 적색 성분이 풍부하고 양호한 연색성을 갖는 백색 발광 다이오드의 설계에 관한 것이다.
본 발명은 CaSiAlN3 결정상과 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 모체 결정으로 사용하고, M [여기서, M 은 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb 로부터 선택된 하나 이상의 것임] 이 발광 중심으로서 첨가되는 고용체 결정상 형광체를 이용함으로써, 적색 성분이 풍부하고 양호한 연색성을 갖는 백색 발광 다이오드의 설계에 관한 것이다.
Description
본 발명은 무기 화합물로 주로 이루어지는 형광체 및 그 애플리케이션에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는, 이 애플리케이션은 형광체가 가지고 있는 특성, 즉, 570 nm 이상의 긴 파장을 갖는 형광을 발광하는 특성을 이용하는 조명 기구 및 이미지 디스플레이 유닛과 같은 발광 기구 뿐만 아니라 안료 및 자외선 흡수제에 관한 것이다.
형광체는 진공 형광 디스플레이 (VFD), 전계 발광 디스플레이 (FED), 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP), 음극선관 (CRT), 백색 발광 다이오드 (LED) 등을 위해 이용된다. 모든 이들 애플리케이션에서, 형광체로부터의 발광을 초래하기 위해 형광체를 여기하는 에너지를 공급할 필요가 있다. 형광체는 진공 자외선, 자외선, 전자빔, 또는 청색광과 같은 고 에너지를 갖는 여기원에 의해 여기되어 가시광을 발광한다. 그러나, 형광체를 상기 여기원에 노출시킨 결과, 형광체의 휘도 저하의 문제가 발생하고, 따라서 휘도 감소를 나타내지 않는 형광체가 소망되고 있다. 따라서, 종래의 규산염 형광체, 인산염 형광체, 알루민산염 형광체, 황화물 형광체 등 대신에 휘도 저하를 거의 나타내지 않는 형광체로서 사이알론 형광체가 제안되었다.
사이알론 형광체는 이하 약술하는 제조 프로세스에 의해 제조된다. 먼저, 질화 규소 (Si3N4), 질화 알루미늄 (AlN), 탄산 칼슘 (CaCO3), 및 산화 유로퓸 (Eu2O3) 을 소정의 몰비로 혼합하고, 그 혼합물을 1 atm (0.1 MPa) 에서 질소중에 1 시간 동안 1700 ℃에서 유지하고, 핫 프레싱 공정에 의해 소성하여 형광체를 제조한다 (예를 들어, 특허 문헌 1 참조). 이 프로세스에 의해 획득된 Eu로 활성화되는 
-사이알론은 450 내지 500 nm의 청색광에 의해 여기되어 550 내지 600 nm의 황색광을 발광하는 형광체인 것으로 보고되었다. 그러나, 여기원으로서 자외 LED를 이용하는 백색 LED 및 플라즈마 디스플레이의 애플리케이션에서, 황색 뿐만 아니라 주황색과 적색을 나타내는 광을 발광하는 형광체가 소망되었다. 또한, 여기원으로서 청색 LED를 이용하는 백색 LED에서, 주황색 및 적색을 나타내는 광을 발광하는 형광체가 연색성 (color-rendering property) 을 향상시키기 위해 소망되었다.
적색광을 발광하는 형광체로서, Ba2Si5N8 결정상을 Eu로 활성화함으로써 획득되는 무기 물질 (Ba2 - xEuxSi5N8 : x = 0.14 ~ 1.16) 이 본 출원 전에 학술 문헌 (비특허 문헌 1 참조) 에 보고되었다. 또한, 간행물 "On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials" (비특허 문헌 2 참조) 의 제 2 장에서, 모체로서 다양한 조성, MxSiyNz (M 은 Ca, Sr, Ba, Zn이고, x, y, 및 z는 다양한 값을 나타낸다) 을 갖는 알칼리 금속과 규소의 3원 질화물을 이용하는 형광체가 보고되었다. 유사하게는, MxSiyNz :Eu (M 은 Ca, Sr, Ba, Zn이고, z = 2/3x + 4/3y) 가 미국 특허 제 6682663 호 (특허 문헌 2) 에 보고되었다.
다른 사이알론, 질화물 또는 산질화물 형광체로서, Eu 또는 Ce와 활성화되는, 모체 결정으로서 MSi3N5, M2Si4N7, M4Si6N11, M9Si11N23, M16Si15O6N32, M13Si18Al12O18N36, MSi5Al2ON9 및 M3Si5AlON10 (여기서, M은 Ba, Ca, Sr 또는 희토류 원소를 나타낸다) 를 이용하는 형광체가 일본 공개 특허공보 제 2003-206481 호 (특허 문헌 3) 에 공지되어 있다. 이들 중에서, 적색광을 발광하는 형광체가 또한 보고되었다. 또한, 이들 형광체를 이용하는 LED 조명 유닛이 공지되어 있다. 또한, 일본 공개 특허공보 제 2002-322474 호 (특허 문헌 4) 에는 Sr2Si5N8 또는 SrSi7N10 결정상이 Ce로 활성화되는 형광체가 보고되었다.
일본 공개 특허공보 제 2003-321675 호 (특허 문헌 5) 에는, LxMyN(2/3x+4/3y) : Z (L은 Ca, Sr, 또는 Ba와 같은 2가 원소이고, M은 Si 또는 Ge와 같은 4가 원소이며, Z는 Eu와 같은 활성제임) 형광체의 기재가 있고, 미량의 Al의 첨가가 잔광 억제 효과를 나타낸다는 것을 기재한다. 또한, 약간의 적색을 띠는 난색계의 백색 발광 장치가 공지되어 있고, 여기서, 형광체와 청색 LED는 조합된다. 또한, 일본 공개 특허공보 제 2003-277746 호 (특허 문헌 6) 는 LxMyN(2/3x+4/3y) : Z 형광체로서 L 원소, M 원소, 및 Z 원소의 다양한 조합으로 구성되는 형광체를 보고하고 있다. 일본 공개 특허공보 제 2004-10786 호 (특허 문헌 7) 는 L-M-N : Eu, Z계에 관한 광범위한 조합을 기재하지만, 특정 조성물 또는 결정상이 모체로서 이용되는 경우에서 발광 특성을 향상시키는 효과는 나타나지 않는다.
상기 언급된 특허 문헌 2 내지 7에서의 대표적인 형광체는 2가 원소 및 4가 원소의 질화물을 모체 결정으로서 포함하고, 모체 결정으로서 다양한 다른 결정상을 이용하는 형광체가 보고되었다. 또한, 적색광을 발광하는 형광체가 공지되어 있지만, 적색의 발광 휘도는 청색 가시광을 이용한 여기 만큼 충분하지 못하다. 또한, 이들은 어떤 조성에서 화학적으로 불안정하고 따라서, 그 내구성이 문제가 된다.
[비특허 문헌 1]
H. A. Hoppe 외 4명, "Journal of Physics and Chemistry of Solids" 2000, Vol. 61, 페이지 2001-2006
[비특허 문헌 2]
"On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials" written by J. W. H. van Krevel, TU Eindhoven 2000, ISBN, 90-386-2711-4
[특허 문헌 1]
일본 공개 특허공보 제 2002-363554 호
[특허 문헌 2]
미국 특허 제 6682663 호
[특허 문헌 3]
일본 공개 특허공보 제 2003-206481 호
[특허 문헌 4]
일본 공개 특허공보 제 2002-322474 호
[특허 문헌 5]
일본 공개 특허공보 제 2003-321675 호
[특허 문헌 6]
일본 공개 특허공보 제 2003-277746 호
[특허 문헌 7]
일본 공개 특허공보 제 2004-10786 호
조명 장치의 종래 기술로서, 청색 발광 다이오드 소자와 청색 흡광 황색 발광 형광체가 조합된 백색 발광 다이오드가 공지되어 있고 다양한 조명 애플리케이션에서 실제로 이용되고 있다. 이것의 대표적인 예는, 일본 특허 제 2900928 호 (특허 문헌 8) 의 "발광 다이오드", 일본 특허 제 2927279 호 (특허 문헌 9) 의 "발광 다이오드", 일본 특허 제 3364229 호 (특허 문헌 10) 의 "파장 변환 주형 재료 및 그 제조 방법, 및 발광 소자" 를 포함한다. 이들 발광 다이오드에서 가장 빈번하게 이용되는 형광체는 일반식 (Y, Gd)3(Al, Ga)5O12:Ce3 +으로 표현되는, 세륨으로 활성화되는 이트륨?알루미늄?가닛 (garnet) 계 형광체이다.
그러나, 청색 발광 다이오드 소자 및 이트륨?알루미늄?가닛계 형광체를 포함하는 백색 발광 다이오드는 불충분한 적색 성분으로 인해 청색을 띠는 백색광을 발광하는 특성을 가져서, 연색성에서 편차가 발견된다는 문제가 있다.
이러한 배경에 기초하여, 이트륨?알루미늄?가닛계 형광체에서 부족한 적색 성분이 2 종류의 형광체를 혼합 및 분산함으로써 또 다른 적색 형광체로 보충되는 백색 발광 다이오드가 연구되었다. 이러한 백색 발광 다이오드로서, 일본 공개 특허공보 10-163535 (특허 문헌 11) 의 "백색 발광 다이오드", 일본 공개 특허공보 제 2003-321675 호 (특허 문헌 5) 의 "질화물 형광체 및 그 제조 방법" 등을 예시할 수 있다. 그러나, 이들 발명에서도 연색성에 관하여 개선될 문제점은 여전히 남아 있고, 따라서, 이 문제점이 해결된 발광 다이오드를 개발하는 것이 바람직하다. 일본 공개 특허공보 10-163535 (특허 문헌 11) 에 기재된 적색 형광체는 카드뮴을 함유하고, 따라서, 환경 오염의 문제가 있다. 대표적인 예로서 일본 공개 특허 공보 2003-321675 (특허 문헌 5) 에 기재된 Ca1 .97Si5N8:Eu0 .03을 포함하는 적색 발광 형광체가 카드뮴을 함유하지 않더라도, 형광체의 휘도가 낮기 때문에 그 발광 강도의 또 다른 개선이 소망되고 있다.
[특허 문헌 8]
일본 특허 제 2900928 호
[특허 문헌 9]
일본 특허 제 2927279 호
[특허 문헌 10]
일본 특허 제 3364229 호
[특허 문헌 11]
일본 공개 특허공보 10-163535
본 발명은 이러한 요구에 응하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 희토류 (rare earth) 로 활성된 종래의 사이알론 형광체 보다 긴 파장을 갖는 주황색 또는 적색광을 방출하고, 높은 휘도를 가지며, 화학적으로 안정한 무기 형광체를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 또 다른 목적은 이러한 형광체를 이용하여 연색성이 우수한 조명 기구, 내구성이 우수한 이미지 디스플레이 유닛, 안료, 및 자외선 흡수제를 제공하는 것이다.
이러한 환경하에서, 본 발명자들은 Ca와 같은 2가 A 원소 및 Si와 같은 4가 D 원소에 부가하여 Al과 같은 3가 E 원소를 주 금속 원소로서 함유하는 무기 다원 질화 결정상을 모체로서 이용하여 형광체에 대한 정밀한 연구를 실시하여, 특정 조성 또는 특정 결정 구조를 모체로서 갖는 무기 결정상을 이용하는 형광체가 희토류로 활성된 종래의 사이알론 형광체 보다 긴 파장을 갖는 주황색 또는 적색광을 방출하며 또한, 질화물 또는 산질화물을 모체 결정으로서 함유하는 것으로 지금까지 보고된 적색 형광체 보다 높은 휘도를 나타낸다는 것을 발견하였다.
즉, 발광 이온이 되는 M 원소 (여기서, M 원소는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소), 2가 A 원소 (여기서, A 원소는 Mg, Ca, Sr, 및 Ba로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소), 4가 D 원소 (여기서, D 원소는 Si, Ge, Sn, Ti, Zr, 및 Hf로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소), 3가 E 원소 (여기서, E 원소는 B, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Gd 및 Lu로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소), 및 X 원소 (여기서, X 원소는 O, N, 및 F로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소) 를 함유하는 질화물 또는 산질화물로 주로 구성되는 무기 화합물에 대한 상세한 연구 결과, 특정 조성 영역 범위 및 특정 결정상을 갖는 것들이 570 nm 이상의 파장을 갖는 주황색광 또는 600 nm 이상의 파장을 갖는 적색광을 발광하는 형광체를 형성한다는 것을 발견하였다.
또한, 상기 조성중에서, 모체 결정으로서 CaAlSiN3 결정상과 동일한 구조를 갖는 무기 화합물을 함유하고 광학 활성 원소 M, 특히 발광 중심으로서 Eu와 혼합된 고용체 (solid solution) 결정상이 특히 높은 휘도를 갖는 주황색 또는 적색광을 발광하는 형광체를 형성한다는 것을 발견하였다. 또한, 높은 발광 효율을 갖고, 적색 성분이 풍부하며, 양호한 연색성을 나타내는 백색 발광 다이오드가 이 형광체를 이용함으로써 얻어질 수 있다는 것을 발견하였다.
본 발명의 형광체의 모체 결정은, 지금까지 보고된 대표적으로 LxMyN(2/3x+4/3y) 를 포함하는 2가 및 4가 원소를 함유하는 3원 질화물과는 완전히 다른, 대표적으로 Al를 포함하는 3가 원소가 메인 구성 금속 원소로서 이용되는 다원 질화물을 이용함으로써 전례없는 휘도를 나타내는 적색 발광을 달성한다. 또한, 본 발명은 특허 문헌 3에 지금까지 보고된 M13Si18Al12O18N36, MSi5Al2ON9, 및 M3Si5AlON10 (여기서, M은 Ca, Ba, Sr 등을 나타낸다) 등과 모체로서 비특허 문헌 2의 11장에 기재된 Ca1.47Eu0.03Si9Al3N16과 같은 사이알론과는 완전히 다른 조성 및 결정 구조를 갖는 결정상을 이용하는 신규한 형광체이다. 또한, 특허 문헌 5에 기재된 약 수백 ppm 정도의 Al을 함유하는 결정상과는 다르게, 대표적으로 Al를 포함하는 3가 원소가 모체 결정의 메인 구성 원소인 결정상을 모체로서 이용하는 형광체이다.
일반적으로, 무기 모체 결정이 발광 중심 원소 M으로서 Mn 또는 희토류 금속으로 활성되는 형광체는 M 원소 주위의 전자 상태에 따라 발광색 또는 휘도를 변화시킨다. 예를 들어, 발광 중심으로서 2가 Eu를 함유하는 형광체에서, 모체 결정을 변화시킴으로써 청색, 녹색, 황색, 또는 적색의 발광이 보고되었다. 즉, 조성이 유사한 경우에서도, M이 혼합되는 결정 구조의 원자 위치 또는 모체의 결정 구조가 변화될 때, 발광색 및 휘도는 완전히 다르게 되고, 따라서, 이렇게 형성된 형광체는 다른 것으로서 간주된다. 본 발명에서는, 2가 및 4가 원소를 함유하는 종래의 3원 질화물과는 다른 2가-3가-4가 원소를 함유하는 다원 질화물이 모체 결정으로서 이용되고, 또한, 지금까지 보고된 사이알론 조성과는 완전히 다른 결정 구조를 갖는 결정상이 모체로서 이용된다. 따라서, 모체로서 이러한 결정상을 갖는 형광체는 지금까지 보고되지 않았다. 또한, 모체로서 본 발명의 결정 구조 및 조성을 함유하는 형광체는 모체로서 종래의 결정 구조를 함유하는 것 보다 높은 휘도를 갖는 적색 발광을 나타낸다.
상기 CaAlSiN3 결정상 자체는 내열 재료를 목적으로, Si3N4-AlN-Cao계 원료의 소성 프로세스에서 그 형성이 ZHEN-KUN-HUANG 등에 의해 확인된 질화물이다. 형성 프로세스 및 형성 메카니즘은 이 출원 전에 간행된 학술 문헌 (비특허 문헌 3 참조) 에 상세히 보고되어 있다.
[비특허 문헌 3]
ZHEN-KUN-HUANG 외 2명의 "Journal of Materials Science Letters" 1985, vol. 4, pages 255-259
상기 언급한 바와 같이, CaAlSiN3 결정상 자체는 사이알론의 연구 과정에서 확인되었다. 또한, 이러한 상황으로부터, 상기 문헌에 기재된 보고의 내용은 내열 특성만을 언급하며, 이 문헌은 광학적 활성 원소가 결정상으로 고용 (固溶) 될 수도 있고 고용된 결정상이 형광체로서 이용될 수도 있다는 임의의 문제를 언급하지 않는다. 또한, 그 후 본 발명까지의 시간 동안, 이것을 형광체로서 이용하기 위한 연구가 없었다. 즉, 광학적 활성 원소를 CaAlSiN3로 고용함으로써 얻어진 물질이 신규한 물질이고 이것이 자외선 및 가시광으로 여기될 수 있으며 높은 휘도를 갖는 주황색 또는 적색 발광을 나타낼 수 있는 형광체로서 이용 가능하다는 중요한 발견을 본 발명의 발명자들이 최초로 발견하였다. 이 발견에 기초한 더욱 상세한 연구 결과, 본 발명자들은 이하 (1) 내지 (24) 에 기재된 구성에 의해 특정 파장 영역에서 높은 휘도를 갖는 발광 현상을 나타내는 형광체를 제공하는데 성공하였다. 또한, 본 발명의 발명자들은 이 형광체를 이용함으로써 이하 (25) 내지 (37) 에 기재된 구성에 의해 뛰어난 특성을 갖는 조명 기구 및 이미지 디스플레이 유닛을 제공하는데 성공하였다. 또한, 형광체로서 무기 화합물을 이하 (38) ~ (39) 에 기재된 구성에 적용함으로써, 본 발명의 발명자들은 또한 안료 및 자외선 흡수제를 제공하는데 성공하였다. 즉, 상기 발견에 기초한 일련의 실험과 연구의 결과, 본 발명은 긴 파장 영역에서 높은 휘도를 갖는 광을 방출하는 형광체 뿐만 아니라 이 형광체를 이용하는 조명 기구, 이미지 디스플레이 유닛, 안료, 및 자외선 흡수제를 제공하는데 성공하였다. 그 구성은 이하 (1) 내지 (39) 에 기재된 바와 같다.
(1) 적어도 M 원소, A 원소, D 원소, E 원소, 및 X 원소 (여기서, M 원소는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, A 원소는 M 원소 이외의 2가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, D 원소는 4가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, E 원소는 3가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이며, X 원소는 O, N, 및 F로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이다) 를 함유하는 조성인, 무기 화합물을 포함하는 형광체.
(2) 무기 화합물은 CaAlSiN3와 동일한 결정 구조를 갖는, 상기 (1) 에 기재된 형광체.
(3) 무기 화합물은 조성식 MaAbDcEdXe (여기서, a + b = 1이고, M 원소는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, A 원소는 M 원소 이외의 2가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, D 원소는 4가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, E 원소는 3가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이며, X 원소는 O, N, 및 F로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이다) 에 의해 표현되고, 파라미터 a, c, d, 및 e 가, 조건
0.00001 
a 
0.1 ......................... (ｉ),
0.5 
c 
4 ............................... (ⅱ),
0.5 
d 
8 ............................... (ⅲ),
0.8 × (2/3 + 4/3 × c + d) 
e ............ (ⅳ), 및
e 
1.2 × (2/3 + 4/3 × c + d) ............ (ⅴ)
을 모두 만족시키는, 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 형광체.
(4) 파라미터 c 및 d 가 0.5 
c 
1.8 및 0.5 
d 
1.8 의 조건을 만족시키는, 상기 (3) 에 기재된 형광체.
(5) 파라미터 c, d 및 e 가 c = d = 1이고 e = 3인, 상기 (3) 또는 (4) 에 기재된 형광체.
(6) A 원소가 Mg, Ca, Sr, 및 Ba로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, D 원소가 Si, Ge, Sn, Ti, Zr, 및 Hf로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이며, E 원소가 B, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Gd, 및 Lu 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소인, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 형광체.
(7) 적어도, M 원소에 Eu, A 원소에 Ca, D 원소에 Si, E 원소에 Al, 및 X 원소에 N을 함유하는, 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 형광체.
(8) 무기 화합물은 CaAlSiN3 결정상 또는 CaAlSiN3 결정상의 고용체 (solid solution) 인, 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 형광체.
(9) M 원소는 Eu이고, A 원소는 Ca 이고, D 원소는 Si 이고, E 원소는 Al 이며, X 원소는 N 또는 N과 O의 혼합물인, 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 형광체.
(10) 적어도 A 원소에 Sr 을 함유하는, 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 형광체.
(11) 무기 화합물에 함유된 Ca 및 Sr의 원자수는 0.02 
(Ca의 원자수)/{(Ca의 원자수) + (Sr의 원자수)} < 1 을 만족시키는, 상기 (10) 에 기재된 형광체.
(12) 적어도 X 에 N 및 O 를 함유하는, 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 형광체.
(13) 무기 화합물에 함유된 O 및 N의 원자수는 0.5 
(N의 원자수)/{(N의 원자수) + (O의 원자수)} 
1 을 만족시키는, 상기 (12) 에 기재된 형광체.
(14) 무기 화합물은 MaAbD1 - xE1 + xN3 - xOx (여기서, a + b = 1 및 0 < x 
0.5) 로 표현되는, 상기 (12) 또는 (13) 에 기재된 형광체.
(15) 무기 화합물은 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛의 평균 입자 사이즈를 갖는 분말이고 이 분말은 단결정 입자 또는 단결정의 집합체인, 상기 (1) 내지 (14) 중 어느 하나에 기재된 형광체.
(16) 무기 화합물에 함유된 Fe, Co, 및 Ni의 불순물 원소의 합계는 500 ppm 이하인, 상기 (1) 내지 (15) 중 어느 하나에 기재된 형광체.
(17) 상기 (1) 내지 (16) 중 어느 하나에 기재된 무기 화합물을 포함하는 형광체와 다른 결정상 또는 비결정상의 혼합물로 구성되고, 상기 (1) 내지 (16) 중 어느 하나에 기재된 무기 화합물을 포함하는 형광체의 함유량은 20 중량% 이상인, 형광체.
(18) 다른 결정상 또는 비결정상이 도전성을 갖는 무기 물질인, 상기 (17) 에 기재된 형광체.
(19) 도전성을 갖는 무기 물질은 Zn, Al, Ga, In, 및 Sn 또는 그 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소를 함유하는 산화물, 산질화물, 또는 질화물인, 상기 (18) 에 기재된 형광체.
(20) 다른 결정상 또는 비결정상은 상기 (1) 내지 (16) 중 어느 하나에 기재된 형광체와는 다른 무기 형광체인, 상기 (17) 에 기재된 형광체.
(21) 여기원 (excitation source) 을 조사함으로써 570 nm 내지 700 nm의 파장 범위에서 피크를 갖는 형광을 발광하는, 상기 (1) 내지 (20) 중 어느 하나에 기재된 형광체.
(22) 여기원은 100 nm 내지 600 nm의 파장을 갖는 자외선 또는 가시광인, 상기 (21) 에 기재된 형광체.
(23) 무기 화합물은 CaAlSiN3 결정상이고, Eu가 결정상에 고용되고 100 nm 내지 600 nm의 광으로 조사될 때 600 nm 내지 700 nm의 파장을 갖는 형광을 발광하는, 상기 (21) 에 기재된 형광체.
(24) 여기원은 전자빔 또는 X-선인, 상기 (21) 에 기재된 형광체.
(25) 여기원이 조사될 때 발광되는 색은, CIE 색도 좌표상의 (x, y) 값으로서 조건 0.45 
x 
0.7 을 만족시키는, 상기 (21) 내지 (24) 중 어느 하나에 기재된 형광체.
(26) 발광원 및 형광체로 구성된 조명 기구로서, 적어도 상기 (1) 내지 (25) 중 어느 하나에 기재된 형광체가 이용되는, 조명 기구.
(27) 발광원이 330 nm 내지 500 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 LED인, 상기 (26) 에 기재된 조명 기구.
(28) 발광원이 330 nm 내지 420 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 LED이고, 상기 (1) 내지 (25) 중 어느 하나에 기재된 형광체, 330 nm 내지 420 nm의 여기광으로 420 nm 내지 500 nm의 파장에서 발광 피크를 갖는 청색 형광체, 및 330 nm 내지 420 nm의 여기광으로 500 nm 내지 570 nm의 파장에서 발광 피크를 갖는 녹색 형광체를 이용함으로써 적색, 녹색, 및 청색광을 혼합하여 백색광을 발광하는, 상기 (26) 또는 (27) 에 기재된 조명 기구.
(29) 발광원이 420 nm 내지 500 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 LED이고, 상기 (1) 내지 (25) 중 어느 하나에 기재된 형광체 및 420 nm 내지 500 nm의 여기광으로 500 nm 내지 570 nm의 파장에서 발광 피크를 갖는 녹색 형광체를 이용함으로써 백색광을 발광하는, 상기 (26) 또는 (27) 에 기재된 조명 기구.
(30) 발광원이 420 nm 내지 500 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 LED이고, 상기 (1) 내지 (25) 중 어느 하나에 기재된 형광체 및 420 nm 내지 500 nm의 여기광으로 550 nm 내지 600 nm의 파장에서 발광 피크를 갖는 황색 형광체를 이용함으로써 백색광을 발광하는, 상기 (26) 또는 (27) 에 기재된 조명 기구.
(31) 황색 형광체는 Eu가 고용된 Ca-
사이알론인, 상기 (30) 에 기재된 조명 기구.
(32) 여기원 및 형광체로 구성된 이미지 디스플레이 유닛으로서, 적어도 상기 (1) 내지 (25) 중 어느 하나에 기재된 형광체가 이용되는, 이미지 디스플레이 유닛.
(33) 여기원이 330 nm 내지 500 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 LED인, 상기 (32) 에 기재된 이미지 디스플레이 유닛.
(34) 여기원이 330 nm 내지 420 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 LED이고, 상기 (1) 내지 (25) 중 어느 하나에 기재된 형광체, 330 nm 내지 420 nm의 여기광으로 420 nm 내지 500 nm의 파장에서 발광 피크를 갖는 청색 형광체, 및 330 nm 내지 420 nm의 여기광으로 500 nm 내지 570 nm의 파장에서 발광 피크를 갖는 녹색 형광체를 이용함으로써 적색, 녹색, 및 청색광을 혼합하여 백색광을 발광하는, 상기 (32) 또는 (33) 에 기재된 이미지 디스플레이 유닛.
(35) 여기원이 420 nm 내지 500 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 LED이고, 상기 (1) 내지 (25) 중 어느 하나에 기재된 형광체 및 420 nm 내지 500 nm의 여기광으로 500 nm 내지 570 nm의 파장에서 발광 피크를 갖는 녹색 형광체를 이용함으로써 백색광을 발광하는, 상기 (32) 또는 (33) 에 기재된 이미지 디스플레이 유닛.
(36) 여기원이 420 nm 내지 500 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 LED이고, 상기 (1) 내지 (25) 중 어느 하나에 기재된 형광체 및 420 nm 내지 500 nm의 여기광으로 550 nm 내지 600 nm의 파장에서 발광 피크를 갖는 황색 형광체를 이용함으로써 백색광을 발광하는, 상기 (32) 또는 (33) 에 기재된 이미지 디스플레이 유닛.
(37) 황색 형광체는 Eu가 고용된 Ca-
사이알론인, 상기 (36) 에 기재된 이미지 디스플레이 유닛.
(38) 이미지 디스플레이 유닛은 진공 형광 디스플레이 (VFD), 전계 발광 디스플레이 (FED), 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP), 및 음극선관 (CRT) 중 어느 하나인, 상기 (32) 내지 (37) 중 어느 하나에 기재된 이미지 디스플레이 유닛.
(39) 상기 (1) 내지 (25) 중 어느 하나에 기재된 무기 화합물을 포함하는 안료.
(40) 상기 (1) 내지 (25) 중 어느 하나에 기재된 무기 화합물을 포함하는 자외선 흡수제.
본 발명의 형광체는 2가 원소, 3가 원소, 및 4가 원소를 함유하는 다원 질화물, 특히, CaAlSiN3로 표시되는 결정상, 이와 동일한 결정 구조를 갖는 또 다른 결정상, 또는 이들 결정상의 고용체를 주성분으로써 함유함으로써, 종래의 사이알론 및 산질화물 형광체의 경우 보다 더 긴 파장에서의 발광을 나타내어, 본 발명의 형광체는 주황색 또는 적색 형광체로서 우수하다. 여기원에 노출될 때에도, 형광체는 휘도의 감소를 나타내지 않으며, 따라서, VFD, FED, PDP, CRT, 백색 LED 등에서 적절하게 채용되는 유용한 형광체를 제공한다. 또한, 이들 형광체중에서, 특정 무기 화합물의 모체가 적색을 갖고 그 화합물이 자외선을 흡수하기 때문에, 적색 안료 및 자외선 흡수제로서 적합하다.
도 1a 는 CaAlSiN3의 X-선 회절 차트이다.
도 1b 는 Eu로 활성화된 CaAlSiN3 (실시예 1) 의 X-선 회절 차트이다.
도 2는 CaAlSiN3 의 결정 구조 모델을 설명하는 도면이다.
도 3은 CaAlSiN3 결정상과 유사한 구조를 갖는 Si2N2O 의 결정 구조 모델을 도시하는 도면이다.
도 4는 형광체 (실시예 1 내지 7) 의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 5는 형광체 (실시예 1 내지 7) 의 여기 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 6은 형광체 (실시예 8 내지 11) 의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 7은 형광체 (실시예 8 내지 11) 의 여기 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 8은 형광체 (실시예 12 내지 15) 의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 9는 형광체 (실시예 12 내지 15) 의 여기 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 10은 형광체 (실시예 16 내지 25) 의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 11은 형광체 (실시예 16 내지 25) 의 여기 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 12는 형광체 (실시예 26 내지 30) 의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 13은 형광체 (실시예 26 내지 30) 의 여기 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 14는 본 발명에 따른 조명 기구 (LED 조명 기구) 의 개략도이다.
도 15는 본 발명에 따른 이미지 디스플레이 유닛 (플라즈마 디스플레이 패널) 의 개략도이다.
도 1b 는 Eu로 활성화된 CaAlSiN3 (실시예 1) 의 X-선 회절 차트이다.
도 2는 CaAlSiN3 의 결정 구조 모델을 설명하는 도면이다.
도 3은 CaAlSiN3 결정상과 유사한 구조를 갖는 Si2N2O 의 결정 구조 모델을 도시하는 도면이다.
도 4는 형광체 (실시예 1 내지 7) 의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 5는 형광체 (실시예 1 내지 7) 의 여기 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 6은 형광체 (실시예 8 내지 11) 의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 7은 형광체 (실시예 8 내지 11) 의 여기 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 8은 형광체 (실시예 12 내지 15) 의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 9는 형광체 (실시예 12 내지 15) 의 여기 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 10은 형광체 (실시예 16 내지 25) 의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 11은 형광체 (실시예 16 내지 25) 의 여기 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 12는 형광체 (실시예 26 내지 30) 의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 13은 형광체 (실시예 26 내지 30) 의 여기 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 14는 본 발명에 따른 조명 기구 (LED 조명 기구) 의 개략도이다.
도 15는 본 발명에 따른 이미지 디스플레이 유닛 (플라즈마 디스플레이 패널) 의 개략도이다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
이하, 본 발명의 실시예를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 형광체는 (1) 적어도 M 원소, A 원소, D 원소, E 원소, 및 X 원소 (여기서, M 원소는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, A 원소는 M 원소 이외의 2가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, D 원소는 4가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, E 원소는 3가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, X 원소는 O, N, 및 F로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소임) 를 함유하는 조성물이고, (2) (a) 화학식 CaAlSiN3로 표현되는 결정상, (b) 이 결정상과 동일한 결정 구조를 갖는 또 다른 결정상, 또는 (c) 이들 결정상의 고용체 (이하, 이들 결정상을 총괄하여 "CaAlSiN3에 속하는 결정상" 이라 칭한다) 인 무기 화합물을 포함한다. 본 발명의 이러한 형광체는 특히 높은 휘도를 나타낸다.
M 원소는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이다. M 원소는 바람직하게는 Mn, Ce, Sm, Eu, Tb, Dy, Er, 및 Yb로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이다. M 원소는 더 바람직하게는 Eu를 함유하고 더욱더 바람직하게는 Eu 이다.
A 원소는 M 원소 이외의 2가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이다. 특히, A 원소는 바람직하게는 Mg, Ca, Sr, 및 Ba로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, 더욱 바람직하게는 Ca이다.
D 원소는 4가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이다. 특히, D 원소는 바람직하게는 Si, Ge, Sn, Ti, Zr, 및 Hf로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, 더욱 바람직하게는 Si이다.
E 원소는 3가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이다. 특히, E 원소는 B, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Gd, 및 Lu로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, 더욱 바람직하게는 Al이다.
X 원소는 O, N, 및 F로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이다. 특히, X 원소는 바람직하게는 N 또는 N과 O로 이루어진다.
조성은 조성식 MaAbDcEdXe으로 표현된다. 조성식은 그 물질을 구성하는 원자수의 비이고, 또한, a, b, c, d, 및 e 에 임의의 수를 승산함으로써 얻어지는 것은 동일한 조성을 갖는다. 따라서, 본 발명에서, a + b = 1 이 되도록 a, b, c, d, 및 e 에 대한 재계산에 의해 얻어진 것에 대해 아래의 조건이 결정된다.
본 발명에서, a, b, c, d, 및 e 의 값은 아래의 조건,
0.00001 
a 
0.1 ........................... (ｉ)
0.5 
c 
4 ..................................(ⅱ)
0.5 
d 
8 ..................................(ⅲ)
0.8 × (2/3 + 4/3 × c + d) 
e ...............(ⅳ)
e 
1.2 × (2/3 + 4/3 × c + d) ...............(ⅴ)
을 모두 만족시키는 값으로부터 선택된다.
a 는 발광 중심이 되는 M 원소의 첨가량을 나타내고, 형광체의 M과 (M+A) (여기서, a = M/(M +A)) 의 원자 수의 비 (a) 는 0.00001 내지 0.1 인 것이 적절하다. a 값이 0.00001 보다 작은 경우에, 발광 중심이 되는 M의 수가 작아지고, 따라서 발광 휘도가 저하된다. a 값이 0.1 보다 큰 경우에, M 이온 사이의 간섭으로 인해 농도 소광 (concentration quenching) 이 발생하여, 휘도가 저하된다.
특히, M 이 Eu 인 경우에, a 값은 높은 발광 휘도로 인해 0.002 내지 0.03 인 것이 바람직하다.
c 값은 Si와 같은 D 원소의 함유량이고, 0.5 
c 
4로 표현되는 양이다. 이 값은 바람직하게는 0.5 
c 
1.8 이고, 더욱 바람직하게는 c = 1 이다. c 값이 0.5 보다 작고 이 값이 4 보다 큰 경우에, 발광 휘도는 저하된다. 0.5 
c 
1.8 의 범위에서, 발광 휘도가 높고, 특히, 발광 휘도는 c =1 에서 특히 높다. 그 이유는 후술하는 CaAlSiN3에 속하는 결정상의 형성 비율이 증가하기 때문이다.
d 값은 Al과 같은 E 원소의 함유량이고, 0.5 
d 
8 로 표현되는 양이다. 이 값은 바람직하게는 0.5 
d 
1.8 이고, 더욱 바람직하게는 d = 1 이다. d 값이 0.5 보다 작고 이 값이 8 보다 큰 경우에, 발광 휘도가 저하된다. 0.5 
d 
1.8 의 범위에서, 발광 휘도가 높고, 특히, 발광 휘도는 d = 1 에서 특히 높다. 그 이유는, 후술하는 CaAlSiN3에 속하는 결정상의 형성 비율이 증가하기 때문이다.
e 값은 N과 같은 X 원소의 함유량이고, 0.8 × (2/3 + 4/3 × c + d) 내지 1.2 × (2/3 + 4/3 × c + d) 로 표현되는 양이다. 특히 바람직하게는, e = 3 이다. e 값이 상기 범위를 벗어나면, 발광 휘도가 저하된다. 그 이유는, 후술하는 CaAlSiN3에 속하는 결정상의 형성 비율이 증가하기 때문이다.
상기 조성중에서, 높은 발광 휘도를 나타내는 조성은 적어도, M 원소에 Eu 를, A 원소에 Ca 를, D 원소에 Si 를, E 원소에 Al을, 그리고 X 원소에 N 을 함유하는 조성이다. 특히, 이 조성은 M 원소가 Eu 이고, A 원소가 Ca 이고, D 원소가 Si 이고, E 원소가 Al 이고, 그리고 X 원소가 N 이거나 N과 O의 혼합물인 조성이다.
상기 CaAlSiN3 결정상은 사방정계 (orthorhombic system) 이고, a = 9.8007(4) Å, b = 5.6497(2) Å, 및 c = 5.0627(2) Å 의 격자상수를 갖고 X-선 회절에서 도 1a 의 차트 및 표 4 에 기재된 결정면 지수를 갖는 결정상인 것을 특징으로 한다.
본 발명자에 의해 실시된 CaAlSiN3 결정상의 결정 구조 분석에 따르면, 이 결정상은 Cmc21 (International Tables for Crystallography 의 36번째 공간 그룹) 에 속하고, 표 5에 나타낸 원자 좌표 위치를 점유한다. 이와 관련하여, 공간 그룹은 수렴 빔 전자 회절에 의해 결정되고 원자 좌표는 X-선 회절 결과의 리트벨트 (Rietveld) 분석에 의해 결정된다.
결정상은 도 2에 도시된 구조를 갖고 도 3에 도시한 Si2N2O 결정상 (광물명 : sinoite) 과 유사한 골격을 갖는다. 즉, 결정상은 Si2N2O 에서의 Si의 위치가 Si 및 Al에 의해 점유되고 N 및 O의 위치가 N에 의해 점유되며,Si-N-O에 의해 형성된 골격의 공간으로 Ca가 침입형 (interstitial) 원소로서 통합된 결정상이고,원자 좌표가 원소의 치환에 의해 표 5에 나타낸 위치로 변화되는 구조를 갖는다. Si 및 Al은 불규칙적 분포 (디스오더) 상태에서 Si2N2O 결정상의 Si 위치를 점유한다. 따라서, 이러한 구조를 sinoite-형 사이알론 구조라고 칭한다.
본 발명에 나타낸 CaAlSiN3 와 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물은 상기 언급한 CaAlSiN3에 속하는 결정상인 무기 화합물을 의미한다. CaAlSiN3와 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물은 CaAlSiN3의 X-선 회절의 결과와 동일한 회절을 나타내는 물질 이외에, 다른 원소(들)와 구성 원소(들)의 치환에 의해 변화된 격자 상수를 갖는 것을 포함한다. 예를 들어, CaAlSiN3 결정상, CaAlSiN3 결정상의 고용체 등을 언급할 수도 있다. 여기서, 구성 원소(들)가 다른 원소(들)로 치환된다는 것은 CaAlSiN3 결정상의 경우에, 예를 들어, 결정상의 Ca가 M 원소 (여기서, M 원소는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소) 및/또는 M 원소 및 Ca 이외의 2가 금속 원소로 이루어진 그룹, 바람직하게는 Mg, Sr, 및 Ba로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소로 치환되고, Si가 Si 이외의 4가 금속 원소로 이루어진 그룹, 바람직하게는 Ge, Sn, Ti, Zr, 및 Hf로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소로 치환되고, Al 이 Al 이외의 3가 금속 원소로 이루어진 그룹, 바람직하게는 B, Ga, In, Sc, Y, La, Gd, 및 Lu로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소로 치환되며, N이 O 및 F 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소로 치환되는 결정상을 의미한다. 이와 관련하여, 본 발명의 CaAlSiN3에 속하는 결정상은 X-선 회절 또는 중성자-선 회절에 의해 동정 (同定) 될 수 있다.
CaAlSiN3에 속하는 결정상은 그 구성 성분으로서 Ca, Si, Al, 또는 N의 다른 원소(들) 와의 치환 또는 Eu와 같은 금속 원소의 고용에 의해 격자 상수가 변화되지만, 결정 구조, 원자에 의해 점유된 사이트, 및 그 좌표에 의해 결정된 원자 위치는 골격 원자 사이의 화학적 결합이 절단될 정도로 큰 범위로 변화되지 않는다. 본 발명에서, Cmc21의 공간 그룹을 이용한 X-선 회절 및 중성자-선 회절의 결과의 리트벨트 분석에 의해 결정된 격자 상수 및 원자 좌표로부터 계산된 Al-N 및 Si-N의 화학적 결합의 길이 (근접 원자 사이의 거리) 가 표 5에 나타낸 CaAlSiN3의 격자 상수 및 원자 좌표로부터 계산된 화학적 결합의 길이와 비교하여 ±15% 내에 있는 경우에, 결정상이 동일한 결정 구조를 갖는다고 정의된다. 이러한 방식으로, 결정상이 CaAlSiN3에 속하는 결정상인지 아닌지 여부가 판정된다. 이러한 판정 기준은, 화학적 결합의 길이가 ±15%를 넘어 변화할 때, 화학적 결합이 절단되고 또 다른 결정상이 형성된다는 사실에 기초한다.
또한, 고용된 양이 작은 경우에, 아래의 방법이 CaAlSiN3에 속하는 결정상의 편리한 판정 방법일 수도 있다. 신규한 물질에 대해 측정된 X-선 회절의 결과로부터 계산된 격자 상수 및 표 4의 결정면 지수를 이용하여 계산된 회절의 피크 위치 (2θ) 가 메인 피크에 관하여 일치할 때, 결정 구조는 동일한 것으로 식별된다. 메인 피크에 관하여, 강한 회절 강도를 나타내는 약 10개 피크에 대해 판정을 실시하는 것이 적절하다. 이러한 의미에서, 표 4는 CaAlSiN3에 속하는 결정상을 식별하는 기준이고 따라서 중요하다. 또한, CaAlSiN3 결정상의 결정 구조에 관하여, 유사한 구조가 단사정계 또는 육방정계와 같은 또 다른 결정계를 이용하여 또한 정의될 수 있다. 이 경우에, 이 표현은 상이한 공간 그룹, 격자 상수, 및 결정면의 지수를 이용한 표현일 수도 있지만, X-선 회절의 결과가 변화되지 않고, 이를 이용한 동정 결과 및 동정 결과가 거기에 동일하다. 따라서, 본 발명에서, X-선 회절은 사방정계로서 분석된다. 표 4에 기초한 물질의 동정 방법은 후술하는 실시예 1에 구체적으로 설명되고, 여기에서는 개략적 설명만이 실시된다.
CaAlSiN3에 속하는 결정상을 M 원소 (여기서, M 원소는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소) 으로 활성화함으로써 형광체가 얻어진다. CaAlSiN3에 속하는 결정상 중에서 특히 높은 휘도를 갖는 형광체는 A 가 Ca이고, D가 Si이고, E가 Al이며, X가 N인 조합을 이용하여 CaAlSiN3 결정상을 모체로서 함유하는 형광체이다.
Ca의 일부를 Sr로 치환함으로써 얻어진 결정상인 CaxSr1 - xAlSiN3 (여기서, 0.02 
x < 1) 또는 그 고용체를 모체 결정으로서 이용하는 형광체, 즉, 무기 화합물에 함유된 Ca 및 Sr의 원자수가 0.02 
(Ca의 원자수) / {(Ca의 원자수) + (Sr의 원자수)} < 1 을 충족시키는 형광체가 그 범위의 조성을 갖는 CaAlSiN3 결정상을 모체로서 이용하는 형광체 보다 짧은 파장을 나타내는 형광체가 된다.
질소 및 산소를 함유하는 무기 화합물을 모체로서 이용하는 형광체가 고온의 공기에서 내구성이 우수하다. 이 경우에, 고온에서의 내구성은 무기 화합물에 함유된 O 및 N의 원자수가 0.5 
(N의 원자수) / {(N의 원자수) + (O의 원자수)} 
1 을 충족시키는 조성에서 특히 우수하다.
질소 및 산소를 함유하는 무기 화합물이 모체로서 이용되는 경우에, CaAlSiN3에 속하는 결정상의 형성비가 MaAbD1 - xE1 + xN3 - xOx (여기서, a + b = 1 및 0 < x 
0.5) 로 표현되는 조성에서 증가하기 때문에, 발광 휘도가 높다. 이것은, 조성에서 3가 E 원소로 치환된 4가 D 원소의 수와 동일한 원자수에 의해 3가 N이 2가 O로 치환되기 때문이고, 따라서 전하 중성이 유지되어, 안정한 CaAlSiN3에 속하는 결정상이 형성된다.
본 발명의 CaAlSiN3와 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 포함하는 형광체가 분말로서 이용되는 경우에서, 무기 화합물의 평균 입자 사이즈는 바람직하게는 수지로의 분산성 및 분말의 유동성의 관점에서 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛ 이다. 또한, 분말은 단결정 입자 또는 단결정의 집합체이지만, 발광 휘도는 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛의 평균 입자 사이즈를 갖는 단결정 입자를 이용함으로써 더욱 개선된다.
높은 발광 휘도를 나타내는 형광체를 얻기 위해, 무기 화합물에 함유된 불순물의 양은 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 특히, Fe, Co, 및 Ni 불순물 원소의 다량의 불순물이 발광을 방해하기 때문에, 이들 원소의 합계가 500 ppm 이하가 되도록 원료 분말이 선택되고 합성 공정이 제어되는 것이 적합하다.
본 발명에서, 형광 발광의 관점으로부터, 질화물이 고순도의 질화물의 구성 성분으로서 CaAlSiN3에 속하는 결정상을 가능한 한 많이 함유하는 것이 바람직하고, 단상으로 가능한 한 구성되지만, 특성이 저하되지 않는 범위 이내에서 다른 결정상 또는 비결정상과의 혼합물로 구성될 수도 있다. 이 경우에, CaAlSiN3에 속하는 결정상의 함유량은 높은 휘도를 얻기 위해 20 중량% 이상인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 그 함유량이 50 중량% 이상일 때, 휘도는 현저하게 개선된다. 본 발명에서, 주성분으로서 범위는 적어도 20 중량% 이상의 CaAlSiN3에 속하는 결정상의 함유량이다. CaAlSiN3에 속하는 결정상의 함유량의 비는 X-선 회절의 측정을 통해 CaAlSiN3에 속하는 결정상 및 다른 결정상의 각각의 상에서의 가장 강한 피크의 강도의 비로부터 결정될 수 있다.
본 발명의 형광체가 전자 빔으로 여기되는 애플리케이션에 이용되는 경우에, 전도성을 갖는 무기 물질과 혼합함으로써 전도성이 형광체로 부여될 수 있다. 전도성을 갖는 무기 물질로서, Zn, Al, Ga, In, 및 Sn으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소를 함유하는 산화물, 산질화물, 또는 질화물, 또는 이들의 혼합물이 언급될 수도 있다.
본 발명의 형광체는 특정 모체 결정 및 활성 원소의 조합에 의해 적색광을 발광 할 수 있지만, 황색, 녹색, 및 청색과 같은 다른 색과의 혼합이 필요한 경우에, 필요에 따라 이들 색의 광을 발광하는 무기 형광체를 혼합할 수 있다.
본 발명의 형광체는 조성에 따라 상이한 여기 스펙트럼 및 형광 스펙트럼을 나타내고, 따라서, 이들을 적절하게 선택하고 조합함으로써 다양한 발광 스펙트럼을 갖는 것으로 설정될 수도 있다. 그 실시형태는 애플리케이션에 기초하여 요구되는 스펙트럼에서 적절하게 설정될 수도 있다. 특히, Eu가 0.0001 
(Eu의 원자수) / {(Eu의 원자수) + (Ca의 원자수)} 
0.1 의 조성의 CaAlSiN3 결정상에 첨가되는 것이 100 nm 내지 600 nm, 바람직하게는 200 nm 내지 600 nm 범위의 파장을 갖는 광으로 여기될 때 600 nm 내지 700 nm 의 파장의 범위의 피크를 갖는 광의 방출을 나타내고, 적색 형광으로서 우수한 발광 특성을 나타낸다.
상기와 같이 얻어진 본 발명의 형광체는, 전자빔 또는 X-선 및 자외선으로부터 가시광, 즉, 100 nm 내지 600 nm 의 파장을 갖는 자외선 또는 가시광의 넓은 여기 범위를 갖고, 570 nm 이상의 주황색 내지 적색광을 발광하고, 특히, 특정 조성에서 600 nm 내지 700 nm 의 적색을 나타내는 것을 특징으로 하며, 종래의 산화물 형광체 및 기존의 사이알론 형광체와 비교하여, CIE 색도 좌표상의 (x, y) 의 값에 관하여 0.45 
x 
0.7 의 범위의 적색광을 나타낸다. 상기 발광 특성으로 인해, 조명 기구, 이미지 디스플레이 유닛, 안료, 및 자외선 흡수제에 적합하다. 또한, 고온에 노출될 때에도 저하되지 않기 때문에, 내열성에서 우수하고, 또한 산화 분위기 및 수분 환경하에서의 장기간 안정성에서 우수하다.
본 발명의 형광체는 제조 프로세스를 한정하지 않지만, 높은 휘도를 나타내는 형광체가 아래의 프로세스에 의해 제조될 수 있다.
높은 휘도 형광체는, 금속 화합물의 혼합물이고 그 혼합물을 소성함으로써 M, A, D, E, 및 X로 표현되는 조성물을 구성할 수도 있는 원료 혼합물을 질소를 함유하는 불활성 분위기에서 1200 ℃ 내지 2200 ℃의 온도 범위에서 소성함으로써 얻어진다.
Eu로 활성된 CaAlSiN3를 합성하는 경우에, 개시 재료로서, 질화 유로퓸 또는 산화 유로퓸, 질화 칼슘, 질화 규소, 및 질화 알루미늄의 분말 혼합물을 이용하는 것이 적합하다.
또한, 스트론튬을 함유하는 조성을 합성하는 경우에, 상기에 추가하여 질화 스트론튬의 첨가는 결정상 중의 칼슘 원자들의 일부가 스트론튬으로 치환되는 안정한 (Ca,Sr)AlSiN3 결정상을 공급함으로써, 고휘도 형광체가 얻어진다.
결정상중의 질소 원자들의 일부가 산소로 치환되고, CaAlSi(O,N)3 를 모체로서 이용하고 Eu로 활성된 형광체를 합성하는 경우에, 질화 유로퓸, 질화 칼슘, 질화 규소, 및 질화 알루미늄의 혼합물의 개시 재료는 그 재료가 높은 반응성을 갖고 높은 수율의 합성이 가능하기 때문에, 소량의 산소 함유량의 조성이 바람직하다. 이러한 경우에, 산소로서, 질화 유로퓸, 질화 칼슘, 질화 규소, 및 질화 알루미늄의 원료 분말에 함유된 산소 불순물이 이용된다.
CaAlSi(O,N)3 를 모체로서 이용하고 Eu로 활성된 다량의 산소 함유량의 형광체를 합성하는 경우에, 질화 유로퓸 또는 산화 유로퓸의 혼합물 또는 이들의 혼합물, 질화 칼슘, 산화 칼슘, 또는 탄화 칼슘중의 어느 하나 또는 이들의 혼합물, 질화 규소, 및 질화 알루미늄 또는 질화 알루미늄 및 산화 알루미늄의 혼합물이 개시 재료로서 이용될 때, 그 재료는 높은 반응성을 갖고 높은 수율의 합성이 가능하다.
금속 화합물의 상기 혼합 분말은 체적 충진율이 40 % 이하로 유지되는 상태에서 소성되는 것이 적절하다. 이와 관련하여, 체적 충진율은 (혼합 분말의 벌크 밀도) / (혼합 분말의 이론적 밀도) × 100 [%] 에 따라 결정될 수 있다. 용기로서, 금속 화합물과의 낮은 반응성으로 인해, 질화 붕소 소결체가 적절하다.
분말이 체적 충진율이 40 % 이하로 유지되는 상태에서 소성되는 이유는, 개시 분말의 주위에 자유 공간이 제공되는 상태에서의 소성이, 반응 생성물로서 CaAlSiN3에 속하는 결정상이 자유 공간에서 성장함으로써 결정상 끼리의 접촉이 감소되기 때문에, 표면 결함을 거의 갖지 않는 결정상의 합성을 가능하게 하기 때문이다.
다음으로, 형광체는 질소를 함유하는 불활성 분위기에서 1200 ℃ 내지 2200 ℃의 온도 범위에서 금속 화합물의 얻어진 혼합물을 소성함으로써 합성된다. 소성이 고온에서 실시되고 소성 분위기가 질소를 함유하는 불활성 분위기이기 때문에, 소성에 이용하기 위한 노 (furnace) 는 금속 저항 가열 저항 방식 또는 흑연 저항 가열 방식이고, 노의 고온부에 대한 재료로서 탄소를 이용하는 전기 노가 적합하다. 소성의 방법으로서, 상압 소결법 또는 가스압 소결법과 같은 외부적으로 기계적인 압력이 인가되지 않는 소결법이, 소성이 실시되면서 체적 충진율이40 % 이하로 유지되기 때문에 바람직하다.
소성함으로써 얻어진 분말 집합체가 강하게 고착되는 경우에, 볼 밀 또는 제트 밀 등과 같은 공업적으로 통상 이용되는 분쇄기에 의해 분쇄된다. 분쇄는 평균 입자 사이즈가 20 ㎛ 이하에 도달할 때 까지 실시된다. 0.1 ㎛ 내지 5 ㎛의 평균 입자 사이즈가 특히 바람직하다. 평균 입자 사이즈가 20 ㎛ 를 초과할 때, 분말의 유동성 및 분말의 수지로의 분산성이 악화되고 발광 강도는 발광 장치가 발광 소자와의 조합으로 형성될 때의 부분으로부터 부분까지 불균일하게 된다. 사이즈가 0.1 ㎛ 이하일 때, 형광체 분말의 표면상의 결함량은 커지게 되고, 따라서, 발광 강도가 일부 형광체 조성에서 저하된다.
본 발명의 형광체중에, 모체로서 질소 및 산소를 함유하는 무기 화합물을 이용하는 형광체가 아래의 프로세스에 의해 또한 제조될 수 있다.
이 프로세스는, M 원소의 단체 및/또는 화합물, A 원소의 질화물, D 원소의 질화물, 및 E 원소의 질화물을 함유하는 원료 혼합 분말을 소성할 때, 1200 ℃ 내지 1750 ℃의 소성 온도에서 0.05 g/cm3 내지 1 g/cm3의 벌크 밀도의 상태에서, 소성될 원료의 질소와 산소의 총 몰수에 대한 산소의 몰수의 비율 (퍼센티지) (이하, "원료중의 산소 존재 비율" 이라 칭한다) 이 1% 내지 20%가 되도록 소성될 원료중에 산소가 존재할 수 있는 프로세스이다.
원료중의 산소 존재 비율은, 소성시에 소성될 원료중의 질소와 산소의 총 몰수에 대한 산소의 몰수의 비율 (퍼센티지) 을 의미하고, 소성될 원료중의 질소는 원료 분말로부터 유도된 질소이고, 산소는 사전의 원료 분말에 함유된 산소에 더하여 소성시에 소성될 재료에 소성 분위기로부터 통합될 산소를 포함한다. 원료중의 산소 존재 비율은 산소 질소 분석계를 이용한 측정에 의해 결정될 수 있다. 원료중의 산소 존재 비율은 바람직하게는 2% 내지 15% 이다.
소성시에 원료중의 이러한 산소 존재 비율로 산소를 존재하게 하는 방법은,
(1) 산소의 소망하는 농도를 함유하는 원료 질화물을 소성될 원료로서 이용하는 방법,
(2) 원료 질화물이 산소 함유 분위기하에서 사전에 원료 질화물을 가열함으로써 산소의 소망하는 농도를 함유하게 하는 방법,
(3) 원료 질화물 분말을 산소 함유 화합물 분말과 혼합하여 소성될 원료를 형성하는 방법,
(4) 원료 질화물의 소성시에 소성 분위기에서 산소를 혼입시키고 소성시에 원료 질화물을 산화함으로써 소성될 원료에 산소를 도입하는 방법 등을 포함한다. 공업적으로 안정한 고휘도 형광체를 제조하기 위해, (1) 산소의 소망하는 농도를 함유하는 원료 질화물을 소성될 원료로서 이용하는 방법 또는 (3) 원료 질화물 분말을 산소 함유 화합물 분말과 혼합하여 소성될 원료를 형성하는 방법이 바람직하다. 특히, 상기 방법 (1) 및 (3) 의 조합인, 산소의 소망하는 농도를 함유하는 원료 질화물을 소성될 원료로서 이용하고 또한 원료 질화물 분말은 산소 함유 화합물 분말과 혼합하여 이용될 원료를 형성하는 방법이 더욱 바람직하다.
이러한 경우에, 산소 함유 화합물 분말은 소성시에 금속 산화물을 형성하는 물질로부터 선택된다. 이들 물질로서, 각각의 금속, 즉, 원료 질화물을 구성하는 금속의, 산화물, 질산염, 황산염 및 탄산염과 같은 무기산염, 옥살산염 및 그 아세트산염과 같은 유기산염, 및 산소 함유 유기금속 화합물 등으로 이루어진 것을 이용할 수 있다. 그러나, 산소 농도가 용이하게 제어되고 소성 분위기로의 불순물 가스의 동반 (同伴) 이 이 저 레벨에서 억제될 수 있다는 점으로부터, 금속 산화물을 이용하는 것이 바람직하다.
원료중의 산소 존재 비율은 모든 원료의 화학적 분석을 실시함으로써 쉽게 결정될 수 있다. 특히, 산소에 대한 질소의 비율은 질소와 산소의 농도를 분석함으로써 결정될 수 있다.
원료로서 이용될 M 원소의 단체 및/또는 화합물은 M 원소가 M 원소의 금속 (단체), 산화물, 질화물, 황화물, 할로겐화물, 수소화물, 및 질산염, 황산염, 및 탄산염과 같은 무기산염, 옥살산염 및 아세트산염과 같은 유기산염, 유기금속 화합물 등을 포함하는, 고온에서 형광체의 모체 결정으로 통합되는 한은 임의의 물질일 수도 있고, 그 종류에 제한은 없다. 그러나, 다른 질화물 재료와의 양호한 반응성의 관점으로부터, M 원소의 금속, 산화물, 질화물, 및 할로겐화물이 바람직하고, 원료가 저가로 입수가능하고 형광체 합성에 대한 온도가 낮아질 수 있기 때문에 산화물이 특히 바람직하다.
M 원소로서 적어도 Eu를 이용하는 경우에, 구성 원소로서 Eu를 함유하는 Eu 금속, EuO 및 Eu2O3와 같은 유로퓸 산화물, 및 EuN, EuH3, Eu2S3, EuF2, EuF3, EuCl2, EuCl3, Eu(NO3)3, Eu2(SO4)3, Eu2(CO3)3, Eu(C2O4)3, Eu(O-i-C3H7)3와 같은 다양한 화합물중 하나 또는 2 이상으로 이루어진 것을 사용할 수 있지만, EuF2, EuF3, EuCl2, EuCl3와 같은 Eu 할로겐화물이 결정 성장을 촉진하는 효과를 갖기 때문에 바람직하다. 또한, Eu2O3 및 Eu 금속은, 우수한 특성을 갖는 형광체가 이들로부터 합성될 수 있기 때문에 바람직하다. 이들 중에서, 원료 가격이 싸고, 조해성을 거의 갖지 않고, 비교적 낮은 온도에서 고휘도 형광체를 합성할 수 있는 Eu2O3가 특히 바람직하다.
M 원소 이외의 원소의 원료, 즉, A, D, 및 E 원소의 원료로서, 통상적으로 그 질화물이 이용된다. A 원소의 질화물의 예로는, Mg3N2, Ca3N2, Sr3N2, Ba3N2, Zn3N2 중 하나 또는 2 이상을 포함하고, D 원소의 질화물의 예로는, Si3N4, Ge3N4, Sn3N4, Ti3N4, Zr3N4, Hf3N4 중 하나 또는 2 이상을 포함하고, E 원소의 질화물의 예로는, AlN, GaN, InN, ScN 중 하나 또는 2 이상을 포함한다. 우수한 발광 특성을 갖는 형광체가 제조될 수 있기 때문에 그 분말을 이용하는 것이 바람직하다.
특히, A 원소의 재료로서, 질소와 산소의 총 몰수에 대하여 1% 내지 20%의 산소의 몰수를 갖는 높은 활성 및 높은 반응성의 질화물 재료를 이용하는 것이 질화물의 원료 혼합 분말 사이의 고상 반응을 현저하게 촉진시키고, 그 결과, 원료 혼합 분말에 압축 성형을 가하지 않고 소성시에 소성 온도 및 분위기 가스 압력을 낮출 수 있다. 동일한 이유로, A 원소의 재료로서, 질소와 산소의 총 몰수에 대하여 특히 2% 내지 15%의 산소의 몰수를 갖는 질화물 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
원료 혼합 분말의 벌크 밀도가 너무 작은 경우에, 고상 반응은 분말 원료 사이의 작은 접촉 면적으로 인해 진행되는 것이 어렵고, 따라서, 바람직한 형광체의 합성을 얻을 수 없는 불순물상이 다량으로 잔존할 수도 있다. 한편, 벌크 밀도가 너무 큰 경우에, 형성된 형광체는 경화 소결체가 될 수도 있고, 이것은 소성 이후에 장기간의 분쇄 공정을 요구할 뿐만 아니라 형광체의 휘도를 저하시키는 경향이 있다. 따라서, 벌크 밀도는 0.15 g/cm3 내지 0.8 g/cm3 인 것이 바람직하다.
원료 혼합 분말의 소성 온도가 너무 낮은 경우에, 고상 반응이 진행하기 어렵고 목적으로 하는 형광체가 합성될 수 없다. 한편, 소성 온도가 너무 높은 경우에, 비생산적인 소성 에너지를 소비할 뿐만 아니라 개시 원료 및 생성 물질로부터의 질소의 증발이 증가하고, 따라서, 분위기 가스의 일부를 구성하는 질소의 압력이 매우 높은 압력으로 증가되지 않는 경우에 목적으로 하는 형광체가 제조될 수 없는 경향이 있다. 따라서, 소성 온도는 1300 ℃ 내지 1700 ℃가 바람직하다. 원료 분말의 소성 분위기는 기본적으로 불활성 분위기 또는 환원성 분위기이지만, 산소 농도가 0.1 내지 10ppm의 범위인 미량의 산소를 함유하는 분위기를 사용하는 것이 비교적 낮은 온도에서 형광체를 합성할 수 있기 때문에 바람직하다.
또한, 소성시의 분위기 가스의 압력은 일반적으로 20 기압 (2 MPa) 이하이다. 20 기압을 초과하는 압력에 대해서는 강한 내열 용기를 구비하는 고온 소성 설비가 요구되고, 따라서, 소성하는데 필요한 비용이 높아지게 되어서, 분위기 가스의 압력은 10 기압 (1 MPa) 이하인 것이 바람직하다. 대기중의 산소의 혼입을 방지하기 위해, 압력은 1 기압 (0.1 MPa) 보다 약간 높은 것이 바람직하다. 소성 노의 밀폐성이 잘못된 경우에, 압력이 1 기압 (0.1 MPa) 이하일 때, 다량의 산소가 분위기 가스에 혼입하고, 따라서, 우수한 특성을 갖는 형광체를 얻는 것이 어렵다.
또한, 소성시의 최대 온도에서의 유지 시간은 일반적으로 1 분 내지 100 시간이다. 유지 시간이 너무 짧은 경우에, 원료 혼합 분말 사이의 고상 반응이 충분하게 진행하지 않고 목적으로 하는 형광체가 얻어질 수 없다. 유지 시간이 너무 긴 경우에, 비생산적인 소성 에너지가 소비될 뿐만 아니라 질소가 형광체의 표면으로부터 제거되고 형광 특성이 저하된다. 동일한 이유로, 유지 시간은 10 분 내지 24 시간이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 CaAlSiN3에 속하는 결정상 형광체는 종래의 사이알론 형광체 보다 높은 휘도를 나타내고, 여기원에 노출될 때 형광체의 휘도에서의 저하가 작기 때문에, VFD, FED, PDP, CRT, 백색 LED 등에 적합한 형광체이다.
본 발명의 조명 기구는 적어도 발광원과 본 발명의 형광체를 이용하여 구성된다. 조명 기구로서, LED 조명 기구, 형광 램프 등이 언급될 수도 있다. LED 조명 기구는 본 발명의 형광체를 사용하여 일본 공개 특허 공보 5-152609호, 일본 공개 특허공보 7-99345호, 일본 특허 제 2927279 호 등에 기재된 바와 같은 공지 방법에 의해 제조될 수 있다. 이러한 경우에, 발광원은 330 내지 500 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 것이 바람직하고, 특히, 330 내지 420 nm의 자외선 (또는 자외 (violet)) LED 발광 소자 또는 420 내지 500 nm의 청색 LED 발광 소자가 바람직하다.
이들 발광 소자로서, GaN 또는 InGaN 등과 같은 질화물 반도체를 포함하는 소자가 존재하고, 조성을 조정함으로써, 이것은 소정의 파장을 갖는 광을 발광하는 발광원으로서 채용될 수도 있다.
조명 기구에서, 본 발명의 형광체만 이용하는 방법 이외에, 다른 발광 특성을 갖는 형광체와의 겸용에 의해, 소정의 색을 발광하는 조명 기구가 구성될 수 있다. 일 예로서, 330 내지 420 nm의 자외선 LED 발광 소자와 그 파장에서 여기되고 420 nm 내지 500 nm 의 파장에서 발광 피크를 갖는 청색 형광체, 330 내지 420 nm 의 파장에서 여기되고 500 nm 내지 570 nm 의 파장에서 발광 피크를 갖는 녹색 형광체, 및 본 발명의 형광체의 조합이 있다. 청색 형광체로서 BaMgAl10O17 : Eu와 녹색 형광체로서 BaMgAl10O17 : Eu,Mn을 언급할 수도 있다. 이러한 구성에서, 형광체가 LED에 의해 발광된 자외선으로 조사될 때, 적색, 녹색, 및 청색광이 발광되고 이 광들을 혼합함으로써 백색 조명 기구가 형성된다.
또 다른 방법으로서, 420 내지 500 nm의 청색 LED 발광 소자와 그 파장에서 여기되고 550 nm 내지 600 nm 의 파장에서 발광 피크를 갖는 황색 형광체 및 본 발명의 형광체의 조합이 있다. 이러한 황색 형광체로서, 일본 특허 제 2927279 호에 기재된 (Y,Gd)2(Al,Ga)5O12:Ce 및 일본 공개 특허 공보 2002-363554호에 기재된 
-사이알론:Eu가 언급될 수도 있다. 이들 중에서, Eu가 고용된 Ca-
-사이알론이 높은 발광 휘도로 인해 바람직하다. 이러한 구성에서, 형광체가 LED에 의해 발광된 청색광으로 조사될 때, 적색 및 황색을 갖는 2개의 광이 발광되고 이 광은 LED 자체의 청색광과 혼합되어 백색 또는 적색을 띤 램프 색을 나타내는 조명 기구를 형성한다.
또 다른 방법으로서, 420 내지 500 nm의 청색 LED 발광 소자와 그 파장에서 여기되고 500 nm 내지 570 nm의 파장에서 발광 피크를 갖는 녹색 형광체 및 본 발명의 형광체와의 조합이 있다. 이러한 녹색 형광체로서, Y2Al5O12:Ce가 언급될 수도 있다. 이러한 구성에서, 형광체가 LED에 의해 발광된 청색광으로 조사될 때, 적색 및 녹색을 갖는 2개의 광이 발광되고 이 광은 LED 자체의 청색광과 혼합되어 백색 조명 기구를 형성한다.
본 발명의 이미지 디스플레이 유닛은 적어도 여기원과 본 발명의 형광체에 의해 구성되고 진공 형광 디스플레이 (VFD), 전계 발광 디스플레이 (FED), 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP), 음극선관 (CRT) 등을 포함한다. 본 발명의 형광체는 100 내지 190 nm의 진공 자외선, 190 내지 380 nm 의 자외선, 전자빔 등과의 여기에 의해 광을 발광하는 것이 확인되었다. 따라서, 이들 여기원과 본 발명의 형광체의 임의의 조합에 의해, 상기와 같은 이미지 디스플레이 유닛이 구성될 수 있다.
본 발명의 특정 무기 화합물이 적색 물체색을 갖기 때문에, 이것은 적색 안료 또는 적색 형광 안료로서 이용될 수 있다. 본 발명의 무기 화합물이 태양광, 형광 램프 등의 조명으로 조사될 때, 적색 물체색이 관찰되고 이 화합물은 양호한 발색 및 장기간 동안의 열화가 없기 때문에 무기 안료로서 적합하다. 따라서, 도료, 잉크, 그림물감, 유약, 플라스틱 제품에 첨가된 착색제 등에 이용될 때, 발색이 장기간 동안 저하되지 않는다는 이점이 있다. 본 발명의 질화물은 자외선을 흡수하고 따라서, 자외선 흡수제로서 적합하다. 따라서, 질화물이 도료로서 이용되거나 플라스틱 제품의 표면에 도포되거나 그 제품에 섞일 때, 자외선 차폐 효과가 높고 따라서, 제품을 자외선 열화로부터 방지하는 효과가 높다.
실시예
이하, 아래의 실시예들을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 이들 실시예들은 본 발명을 용이하게 이해하기 위해 개시되는 것이고 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다.
실시예 1
원료 분말로서, 0.5 ㎛의 평균 입자 사이즈, 0.93 중량%의 산소 함유량, 및 92%의 
-형 함유량을 갖는 질화물 분말, 3.3 m2/g의 비표면적 및 0.79%의 산소 함유량을 갖는 알루미늄 질화물 분말, 칼슘 질화물 분말, 및 금속 유로퓸을 암모니아에 질화함으로써 합성된 유로퓸 질화물을 이용하였다.
조성식 : Eu0 .008Ca0 .992AlSiN3로 표현되는 화합물 (표 1은 설계된 조성에 대한 파라미터를 나타내고, 표 2는 설계된 조성 (중량%) 을 나타내고, 표 3은 원료 분말의 혼합 조성을 나타낸다) 을 얻기 위해, 규소 질화물 분말, 알루미늄 질화물 분말, 칼슘 질화물 분말, 및 유로퓸 질화물 분말을 각각 33.8578 중량%, 29.6814 중량%, 35.4993 중량%, 및 0.96147 중량%가 되도록 평량한 후에, 아게이트 유봉 (agate mortar) 및 유발 (pestle) 에 의해 30 분 혼합하였다. 그 후, 형성된 혼합물을 500 ㎛의 체 (sieve) 를 통해 질화 붕소로 이루어진 도가니 (crucible) 에 자유 낙하하여, 분말로 도가니를 충진하였다. 분말의 체적 충진율을 약 25% 이었다. 이와 관련하여, 분말의 평량, 혼합, 및 성형하는 각각의 단계는 모두 1 ppm 이하의 수분 함유량 및 1 ppm 이하의 산소 함유량을 갖는 질소 분위기를 유지할 수 있는 구형 박스에서 실시하였다.
그 혼합 분말을 질화 붕소로 이루어진 도가니에 위치시키고 흑연 저항 가열형 전기노에 설정하였다. 소성 조작을 다음과 같이 실시하였다 : 먼저, 소성 분위기를 확산 펌프에 의해 진공으로 하고, 시간당 500 ℃의 속도로 실온으로부터 800 ℃까지 가열하고, 800 ℃에서 99.999 체적%의 순도를 갖는 질소를 도입함으로써 1MPa로 압력을 가하고, 온도를 시간당 500 ℃의 속도로 1800 ℃까지 승온하여 1800 ℃에서 2 시간 동안 유지하였다.
소성후, 형성된 소성체를 조분쇄 (粗粉碎) 한 후, 질화 규소 소결체로 이루어진 도가니 및 분쇄기를 이용하여 손으로 분쇄한 후, 30 ㎛의 메시를 갖는 체를 통해 필터링하였다. 입자 분포를 측정할 때, 평균 입자 사이즈가 15 ㎛인 것을 발견하였다.
형성된 합성 분말의 구성 결정상을 이하의 절차에 따라 동정하였다. 먼저, 표준 물질로서 M 원소를 함유하지 않는 순수한 CaAlSiN3를 얻기 위해, 질화 규소 분말, 질화 알루미늄 분말, 및 질화 칼슘 분말을 각각 34.088 중량%, 29.883 중량%, 및 36.029 중량%가 되도록 평량한 후, 구형 박스에서 아게이트 유봉 및 유발에 의해 30 분 혼합하였다. 그 후, 그 혼합물은 질화 붕소로 이루어진 도가니에 위치시키고 흑연 저항 가열형 전기노에 설정하였다. 소성 조작을 아래와 같이 실시하였다 : 먼저, 소성 분위기를 확산 펌프에 의해 진공으로 하고, 시간당 500 ℃의 속도로 온실로부터 800 ℃까지 가열하고, 800 ℃에서 99.999 체적%의 순도를 갖는 질소를 도입함으로써 1 MPa까지 압력을 가하고, 온도를 시간당 500 ℃의 속도로 1800 ℃까지 승온하여 1800 ℃에서 2 시간 동안 유지하였다. 합성된 샘플을 아게이트 유봉으로 분쇄한 후, 분말 X-선 회절의 측정을 Cu의 K
라인을 이용하여 실시하였다. 그 결과, 형성된 차트는 도 1a 에 도시된 패턴을 나타내고 화합물은 표 4에 나타낸 지수에 기초하는 CaAlSiN3 결정상인 것으로 판정되었다. 결정상은 a = 9.8007 (4) Å, b = 5.6497 (2) Å, 및 c = 5.0627 (2) Å의 격자 상수를 갖는 사방정계이다. TEM을 이용한 수렴 빔 전자 회절에 의해 결정된 공간 그룹은 Cmc21 (International Tables for Crystallography의 36번째 공간 그룹) 이다. 또한, 공간 그룹을 이용하여 리트벨트 분석에 의해 결정된 각각의 원소의 원자 좌표 위치를 표 5에 나타내었다. X-선 회절의 측정 강도 및 원자 좌표로부터 리트벨트 방법에 의해 계산된 계산 강도는 표 4에 나타낸 바와 같이 양호한 일치를 나타낸다.
다음으로, 조성식 : Eu0 .008Ca0 .992AlSiN3로 표현되는 합성 화합물을 아게이트 유봉에 의해 분쇄한 후, 분말 X-선 회절의 측정을 Cu의 K
라인을 이용하여 실시하였다. 그 결과, 형성된 차트를 도 1b 에 나타내었고 그 화합물은 표 4에 나타낸 지수에 기초하는 CaAlSiN3에 속하는 결정상인 것으로 판정되었다.
분말의 조성 분석을 아래의 방법에 의해 실시하였다. 먼저, 샘플 50mg을 백금 도가니에 위치시키고 탄산 나트륨 0.5g과 붕산 0.2g을 거기에 첨가한 후, 그 전체를 가열 및 융해하였다. 그 후, 염산 2ml에 그 융해물을 100ml의 일정 체적이도록 고용함으로써, 측정용 용액을 제조하였다. 이 액체 샘플을 ICP 발광 분광분석함으로써, 분말 샘플에서의 Si, Al, Eu, 및 Ca의 양을 정량적으로 결정하였다. 또한, 샘플 20mg을 Tin 캡슐에 투입하여 이것을 니켈 바스켓에 위치시켰다. 그 후, LECO에 의해 제조된 TC-436 모델 산소 및 질소 분석기를 이용하여, 분말 샘플에서의 산소 및 질소를 정량적으로 결정하였다. 측정 결과는 아래와 같다 : Eu : 0.86 ± 0.01 중량%, Ca : 28.9 ± 0.1 중량%, Si : 20.4 ± 0.1 중량%, Al : 19.6 ± 0.1 중량%, N : 28.3 ± 0.2 중량%, O : 2.0 ± 0.1 중량%. 표 2에 나타낸 설계 조성에서 중량% 표시와의 비교에서, 산소 함유량이 특히 높다. 그 이유는, 원료로서 이용되는 질화 규소, 질화 알루미늄, 및 질화 칼슘에 함유된 불순물 산소가 원인이다. 이러한 조성에서, N과 O의 원자수의 비 (N/(O+N)) 는 0.942에 대응한다. 모든 원소의 분석 결과로부터 계산된 합성 무기 화합물의 조성은 Eu0 .0078Ca0 .9922Si0 .9997Al0 .9996N2 .782O0 . 172 이다. 본 발명에서, N의 일부가 O로 치환되는 것도 본 발명의 범위에 포함되고, 이러한 경우에도, 고휘도 적색 형광체가 얻어진다.
365 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 램프에 의해 분말을 조사한 결과로서, 적색광의 발광이 확인되었다. 형광 분광광도계를 이용하여 분말의 발광 스펙트럼 (도 4) 및 여기 스펙트럼 (도 5) 의 측정 결과로서, 여기 및 발광 스펙트럼의 피크 파장에 관하여 (표 6), 여기 스펙트럼의 피크가 449 nm에 존재하고 이것은 449 nm에서의 여기에 의해 발광 스펙트럼에서 653 nm의 적색광에서 피크를 갖는 형광체이다는 것을 발견하였다. 피크의 발광 강도는 10655 카운트이었다. 이와 관련하여, 카운트값이 측정 장치 및 조건에 따라 변화하기 때문에, 단위는 임의의 단위이다. 또한, 449 nm에서의 여기에 의한 발광 스펙트럼으로부터 결정된 CIE 색도는 x = 0.6699 및 y = 0.3263의 적색이었다.
표 1 설계 조성의 파라미터
표 2 설계 조성 (중량%)
| 실시예 | EuN | Mg3N2 | Ca3N2 | Sr3N2 | Ba3N2 | Si3N4 | AlN |
| 1 | 0.96147 | 0 | 35.4993 | 0 | 0 | 33.8578 | 29.6814 |
| 2 | 0.56601 | 0 | 0 | 0 | 62.0287 | 19.932 | 17.4733 |
| 3 | 0.61675 | 0 | 4.55431 | 0 | 54.0709 | 21.7185 | 19.0395 |
| 4 | 0.67747 | 0 | 10.0054 | 0 | 44.546 | 23.8569 | 20.9142 |
| 5 | 0.75146 | 0 | 16.6472 | 0 | 32.9406 | 26.4624 | 23.1982 |
| 6 | 0.84359 | 0 | 24.9176 | 0 | 18.4896 | 29.7068 | 26.0424 |
| 7 | 0.89868 | 0 | 29.863 | 0 | 9.84853 | 31.6467 | 27.7431 |
| 8 | 0.92972 | 0 | 30.8943 | 6.73497 | 0 | 32.7397 | 28.7012 |
| 9 | 0.9 | 0 | 26.5838 | 13.0394 | 0 | 31.6931 | 27.7837 |
| 10 | 0.87212 | 0 | 22.5403 | 18.9531 | 0 | 30.7114 | 26.9231 |
| 11 | 0.84592 | 0 | 18.7397 | 24.5116 | 0 | 29.7886 | 26.1142 |
| 12 | 0.82124 | 0 | 15.1609 | 29.7457 | 0 | 28.9197 | 25.3524 |
| 13 | 0.79797 | 0 | 11.785 | 34.6832 | 0 | 28.1 | 24.6339 |
| 14 | 0.75516 | 0 | 5.57638 | 43.7635 | 0 | 26.5926 | 23.3124 |
| 15 | 0.71671 | 0 | 0 | 51.9191 | 0 | 25.2387 | 22.1255 |
| 16 | 0.97249 | 2.44443 | 32.3156 | 0 | 0 | 34.2459 | 30.0216 |
| 17 | 0.98377 | 4.94555 | 29.058 | 0 | 0 | 34.6429 | 30.3697 |
| 18 | 0.99531 | 7.50535 | 25.724 | 0 | 0 | 35.0493 | 30.726 |
| 19 | 1.00712 | 10.1259 | 22.3109 | 0 | 0 | 35.4654 | 31.0907 |
| 20 | 1.01922 | 12.8095 | 18.8158 | 0 | 0 | 35.8914 | 31.4642 |
| 21 | 1.03161 | 15.5582 | 15.2356 | 0 | 0 | 36.3278 | 31.8467 |
| 22 | 1.04431 | 18.3747 | 11.5674 | 0 | 0 | 36.7749 | 32.2387 |
| 23 | 1.05732 | 21.2613 | 7.80768 | 0 | 0 | 37.2332 | 32.6404 |
| 24 | 1.07067 | 24.2208 | 3.9531 | 0 | 0 | 37.7031 | 33.0523 |
| 25 | 1.08435 | 27.256 | 0 | 0 | 0 | 38.1849 | 33.4748 |
표 4-1 X-선 회절의 결과 (제 1)
표 4-1 (계속) X-선 회절의 결과 (제 1)
표 4-2 X-선 회절의 결과 (제 2)
표 4-2 (계속) X-선 회절의 결과 (제 2)
표 4-3 X-선 회절의 결과 (제 3)
표 4-3 (계속) X-선 회절의 결과 (제 3)
표 4-4 X-선 회절의 결과 (제 4)
표 4-4 (계속) X-선 회절의 결과 (제 4)
표 4-5 X-선 회절의 결과 (제 5)
표 4-5 (계속) X-선 회절의 결과 (제 5)
표 4-6 X-선 회절의 결과 (제 6)
표 5 CaAlSiN3의 결정 구조의 데이터
CaAlSiN3
Space Group (#36) Cmc21
격자 상수 (Å)
Si2N2O
Spce Group (#36) Cmc21
격자 상수 (Å)
표 6 여기?발광 스펙트럼의 피크 파장 및 강도
비교예 1
실시예 1 에 기재된 원료 분말을 이용하여, M 원소를 함유하지 않는 순수 CaAlSiN3을 얻기 위해, 질화 규소 분말, 질화 알루미늄 분말, 및 질화 칼슘 분말을 각각 34.088 중량%, 29.883 중량%, 및 36.029 중량%가 되도록 평량하여, 실시예 1과 동일한 방식으로 분말을 제조하였다. X-선 회절의 측정에 따라, 합성된 분말이 CaAlSiN3이다는 것이 확인되었다. 합성된 무기 화합물의 여기 및 발광 스펙트럼을 측정할 때, 570 내지 700 nm의 범위에서 어떤 현저한 발광 피크도 관측되지 않았다.
실시예 2 내지 7
실시예 2 내지 7로서, Ca의 일부 또는 전부가 Ba로 치환되는 조성을 갖는 무기 화합물을 제조하였다.
이 무기 화합물은 표 1, 2 및 3에 나타낸 조성을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다. X-선 회절의 측정에 따라, 합성 분말이 CaAlSiN3와 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물이라는 것이 확인되었다. 합성 무기 화합물의 여기 및 발광 스펙트럼을 측정할 때, 도 4 및 5와 표 6에 나타낸 바와 같이, 이들이 350 nm 내지 600 nm 의 가시광 또는 자외선으로 여기되는, 570 nm 내지 700 nm의 범위에서 발광 피크를 갖는 적색 형광체이다는 것이 확인되었다. 또한, Ba의 첨가량이 증가할 때 발광 휘도가 저하하기 때문에, Ba의 첨가량이 작은 영역의 조성이 바람직하다.
실시예 8 내지 15
실시예 8 내지 15로서, Ca의 일부 또는 전부가 Sr로 치환되는 조성을 갖는 무기 화합물을 제조하였다.
형광체는 표 1, 2 및 3에 나타낸 조성을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다. X-선 회절의 측정에 따라, 합성 분말이 CaAlSiN3와 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물이다는 것이 확인되었다. 합성 무기 화합물의 여기 및 발광 스펙트럼을 측정할 때, 도 6 및 7 (실시예 8 내지 11), 도 8 및 9 (실시예 12 내지 15), 및 표 6에 나타낸 바와 같이, 이들이 350 nm 내지 600 nm 의 가시광 또는 자외선으로 여기되는, 570 nm 내지 700 nm 의 범위에서 발광 피크를 가는 적색 형광체이다는 것이 확인되었다. 또한, Sr의 첨가량이 증가할 때 발광 휘도가 저하하지만, 발광 피크의 파장은 Ca만의 첨가와 비교하여 더 짧은 파장측으로 이동한다. 따라서, 600 nm 내지 650 nm의 범위에서 피크 파장을 갖는 형광체를 얻기를 소망하는 경우에, Ca의 일부를 Sr로 치환하는 것이 효과적이다.
실시예 16 내지 25
실시예 16 내지 25로서, Ca의 일부 또는 전부가 Mg로 치환되는 조성을 갖는 무기 화합물을 제조하였다.
형광체는 표 1, 2 및 3에 나타낸 조성을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다. X-선 회절의 측정에 따라, 합성 분말이 CaAlSiN3와 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물이다는 것이 확인되었다. 합성 무기 화합물의 여기 및 발광 스펙트럼을 측정할 때, 도 10 및 11, 및 표 6에 나타낸 바와 같이, 이들이 350 nm 내지 600 nm의 가시광 또는 자외선으로 여기되는, 570 nm 내지 700 nm의 범위에서 발광 피크를 갖는 적색 형광체이다는 것이 확인되었다. 또한, Mg의 첨가량이 증가할 때 발광 휘도가 저하하기 때문에, Mg의 첨가량이 작은 영역의 조성이 바람직하다.
실시예 26 내지 30
실시예 26 내지 30으로서, N의 일부가 O로 치환되는 조성을 갖는 무기 화합물을 제조하였다. 이러한 경우에, N과 O 사이의 가수 (valence number) 가 상이하기 때문에, 단순한 치환은 전체 전하의 중성을 발생시키지 못한다. 따라서, 조성 : Ca6Si6 - xAl6 + xOxN18 -x (0 < x 
3) 을 연구하였고, 이것은 Si-N이 Al-O로 치환되는 조성이다.
형광체는 표 7 및 8에 나타낸 조성을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다. X-선 회절의 측정에 따라, 합성 분말이 CaAlSiN3와 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물이다는 것이 확인되었다. 합성 무기 화합물의 여기 및 발광을 측정할 때, 도 12 및 13에 나타낸 바와 같이, 이들은 350 nm 내지 600 nm 의 가시광 또는 자외선으로 여기되는, 570 nm 내지 700 nm의 범위에서 발광 피크를 갖는 적색 형광체이다는 것이 확인되었다. 또한, 산소의 첨가량이 증가할 때 발광 휘도가 저하하기 때문에, 산소의 첨가량이 작은 영역의 조성이 바람직하다.
표 7 설계 조성의 파라미터
표 8 혼합 조성 (중량%)
실시예 31 내지 37
실시예 1과 동일한 원료 분말을 이용하여, 무기 화합물 (표 9의 원료 분말의 혼합 조성 및 표 10의 조성 파라미터를 나타냄) 을 얻기 위해, 질화 규소 분말, 질화 알루미늄 분말, 질화 칼슘 분말, 및 질화 유로퓸 분말을 평량하여, 아게이트 유봉 및 유발에 의해 30 분 혼합하였다. 그 후, 형성된 혼합물은 20 MPa의 압력을 인가함으로써 몰드를 이용하여 성형하여 12 mm의 직경 및 5 mm의 두께를 갖는 성형체를 형성하였다. 이와 관련하여, 분말의 평량, 혼합, 및 성형의 각각의 단계는 1 ppm 이하의 수분 함유량 및 1 ppm 이하의 산소 함유량을 갖는 질소 분위기를 유지할 수 있는 구형 박스에서 모두 실시하였다.
성형체를 질화 붕소로 이루어진 도가니에 위치시키고 흑연 저항 가열형 전기노에 설정하였다. 소성 조작은 다음과 같이 실시하였다 : 먼저, 소성 분위기를 확산 펌프에 의해 진공으로 하고, 시간당 500 ℃의 속도로 온실로부터 800 ℃까지 가열하고, 800 ℃에서 99.999 체적%의 순도를 갖는 질소를 도입함으로써 1MPa로 압력을 가하고, 온도를 시간당 500 ℃의 속도로 1800 ℃까지 승온하여 1800 ℃에서 2 시간 동안 유지하였다.
소성후, 형성된 소결체의 구성 결정상의 동정의 결과로서, CaAlSiN3에 속하는 결정상인 것으로 판정되었다. 365 nm의 파장을 갖는 광을 발광하는 램프로 분말을 조사한 결과로서, 적색광을 발광한다는 것이 확인되었다. 분말의 여기 스펙트럼 및 발광 스펙트럼을 형광 분광광도계를 이용하여 측정할 때, 표 11에 나타낸 바와 같이, 이것은 350 nm 내지 600 nm의 가시광 또는 자외선으로 여기되는, 570 nm 내지 700 nm의 범위에서 발광 피크를 갖는 적색 형광체이다는 것이 확인되었다. 또한, 이들 실시예에서의 측정이 다른 실시예에서 이용된 것과 다른 장치를 이용하여 실시되기 때문에, 카운트값은 실시예 31 내지 37의 범위 이내에서만 비교될 수 있다.
표 9 원료 분말의 혼합 조성 (단위 : 중량%)
표 10 설계 조성의 파라미터
표 11 형광 측정의 여기 및 발광 스펙트럼의 피크 파장 및 강도
실시예 38 내지 56과 60 내지 76
실시예 38 내지 56과 60 내지 76으로서, EuaCabSicAldNe 조성의 c, d, 및 e 파라미터가 변화된 조성을 갖는 무기 화합물을 제조하였다.
형광체는 표 12 및 13에 나타낸 조성을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다. X-선 회절의 측정에 따라, 합성 분말이 CaAlSiN3와 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 포함하는 분말이다는 것이 확인되었다. 합성 무기 화합물의 여기 및 발광 스펙트럼을 측정할 때, 표 14에 나타낸 바와 같이, 이들은 350 nm 내지 600 nm의 가시광 또는 자외선으로 여기되는, 570 nm 내지 700 nm의 범위에서 발광 피크를 갖는 적색 형광체이다는 것이 확인되었다.
| 실시예 | a 값 (Eu) | b 값 (Ca) | c 값 (Si) | d 값 (Al) | e 값 (N) |
| 38 | 0.002 | 0.998 | 1 | 1 | 3 |
| 39 | 0.004 | 0.996 | 1 | 1 | 3 |
| 40 | 0.008 | 0.992 | 1 | 1 | 3 |
| 41 | 0.01 | 0.99 | 1 | 1 | 3 |
| 42 | 0.06 | 0.94 | 1 | 1 | 3 |
| 43 | 0.2 | 0.8 | 1 | 1 | 3 |
| 44 | 0.0107 | 0.9893 | 1 | 2 | 3 |
| 45 | 0.0133 | 0.9867 | 1 | 3 | 3 |
| 46 | 0.016 | 0.984 | 1 | 4 | 3 |
| 47 | 0.0187 | 0.9813 | 1 | 5 | 3 |
| 48 | 0.0213 | 0.9787 | 1 | 6 | 3 |
| 49 | 0.0107 | 0.9893 | 2 | 1 | 3 |
| 50 | 0.0133 | 0.9867 | 2 | 2 | 3 |
| 51 | 0.016 | 0.984 | 2 | 3 | 3 |
| 52 | 0.0187 | 0.9813 | 2 | 4 | 3 |
| 53 | 0.0213 | 0.9787 | 2 | 5 | 3 |
| 54 | 0.024 | 0.976 | 2 | 6 | 3 |
| 55 | 0.0133 | 0.9867 | 3 | 1 | 3 |
| 56 | 0.016 | 0.984 | 4 | 1 | 3 |
| 60 | 0.016 | 0.984 | 3 | 2 | 3 |
| 61 | 0.019 | 0.981 | 3 | 3 | 3 |
| 62 | 0.013 | 2.987 | 1 | 1 | 3 |
| 63 | 0.013 | 1.987 | 2 | 1 | 3 |
| 64 | 0.016 | 2.984 | 2 | 1 | 3 |
| 65 | 0.016 | 1.984 | 3 | 1 | 3 |
| 66 | 0.019 | 2.981 | 3 | 1 | 3 |
| 67 | 0.013 | 1.987 | 1 | 2 | 3 |
| 68 | 0.016 | 2.984 | 1 | 2 | 3 |
| 69 | 0.019 | 2.981 | 2 | 2 | 3 |
| 70 | 0.019 | 1.981 | 3 | 2 | 3 |
| 71 | 0.021 | 2.979 | 3 | 2 | 3 |
| 72 | 0.016 | 1.984 | 1 | 3 | 3 |
| 73 | 0.019 | 2.981 | 1 | 3 | 3 |
| 74 | 0.019 | 1.981 | 2 | 3 | 3 |
| 75 | 0.021 | 2.979 | 2 | 3 | 3 |
| 76 | 0.021 | 1.979 | 3 | 3 | 3 |
표 13 원료 분말의 혼합 조성 (단위 : 중량%)
표 14 형광 측정의 여기 및 발광 스펙트럼의 피크 파장
실시예 77 내지 84
실시예 77 내지 84 로서, EuaCabDcEdXe 조성에서 D, E, 및 X 원소가 변화되는 조성을 갖는 무기 화합물을 제조하였다.
형광체는 표 15 및 16에 나타낸 조성을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다. X-선 회절의 측정에 따라, 합성 분말이 CaAlSiN3와 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 포함하는 분말이다는 것이 확인되었다. 합성 무기 화합물의 여기 및 발광 스펙트럼을 측정할 때, 표 17에 나타낸 바와 같이, 이들은 350 nm 내지 600 nm의 가시광 또는 자외선으로 여기되는, 570 nm 내지 700 nm의 범위에서 발광 피크를 갖는 적색 형광체이다는 것이 확인되었다.
표 15 설계 조성의 파라미터
표 16 원료 분말의 혼합 조성 (단위 : 중량%)
표 17 형광 측정의 여기 및 발광 스펙트럼의 피크 파장 및 강도
실시예 85 내지 92
실시예 85 내지 92로서, MaCabSicAld(N,O)e 조성에서 M 원소가 변화되는 조성을 갖는 무기 화합물을 제조하였다.
형광체는 표 18 및 19에 나타낸 조성을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다. X-선 회절의 측정에 따라서, 합성 분말이 CaAlSiN3와 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 포함하는 분말이다는 것이 확인되었다. 합성 무기 화합물의 여기 및 발광 스펙트럼을 측정할 때, 표 20에 나타낸 바와 같이, 이들은 350 nm 내지 600 nm의 가시광 또는 자외선으로 조사되는, 실시예 89 의 형광체 이외의 570 nm 내지 700 nm의 범위에서 발광 피크를 갖는 적색 형광체이다는 것이 확인되었다. 실시예 89에서는, 550 nm의 피크 파장을 갖는 발광이 관측되었다.
표 18 설계 조성의 파라미터
표 19 원료 분말의 혼합 조성 (단위 : 중량%)
표 20 형광 측정의 여기 및 발광 스펙트럼의 피크 파장 및 강도
실시예 101
원료 분말로서, Eu2O3 분말, 질소와 산소의 총 몰수에 대한 산소의 몰수에 의해 표현되는 산소 함유량 9 몰%를 갖는 Ca3N2 분말, 동일한 산소 함유량 2 몰%를 갖는 Si3N4 분말, 및 동일한 산소 함유량 2 몰%를 갖는 AlN 분말을 이용하였다. Eu : Ca : Al : Si = 0.008 : 0.992 : 1 : 1 의 금속 원소 조성비 (몰비) 가 되도록 각각의 분말을 평량하고 혼합하여 원료 혼합 분말을 얻었다. 이 원료 혼합 분말에서의 질소와 산소의 총 몰수에 대한 산소의 몰수에 의해 표현되는 산소 함유량은 5 몰%이었다. 이와 관련하여, Ca3N2 분말은 산소의 소망하는 농도만을 함유하는, 소성될 원료를 이용하여 산소를 존재하게 함으로써 얻어지는 분말이고, Si3N4 분말은 산소의 소망하는 농도만을 함유하는, 소성될 원료를 이용하여 산소를 존재하게 함으로써 얻어지는 분말이고, AlN 분말은 산소의 소망하는 농도만을 함유하는, 소성될 원료를 이용하여 산소를 존재하게 함으로써 얻어지는 분말이다.
원료 혼합 분말을 0.35 g/cm3의 벌크 밀도가 되도록 압축하지 않고 질화 붕소로 이루어진 도가니에 위치시키고 전기노를 이용하여 1.1 atm의 질소 압력에서 10 ppm 이하의 산소 농도를 함유하는 매우 순수한 질소 분위기에서 1600 ℃에서 10 시간 동안 소성하였다. 이 때, 소성시의 원료에서의 산소 존재비는 각각의 원료에서의 산소 농도와 각각의 원료의 혼합비로부터의 계산에 기초하여 5 몰%이었다.
분말 X-선 회절 방법에 의한 얻어진 형광체에 형성된 결정상의 동정의 결과로서, CaAlSiN3에 속하는 결정상이 형성되었다는 것이 확인되었다. 형광 분광광도계를 이용하여 465 nm의 파장을 갖는 여기에 의한 형광체의 형광 특성을 측정할 때, 시판중인 Ce로 활성되는 이트륨 알루미늄 가닛 (garnet) 계 형광체의 피크 강도를 100 으로 간주하는 경우에, 얻어진 형광체는 128 의 피크 강도를 나타내고, 높은 발광 강도를 나타내며, 652 nm 의 피크 파장을 갖는 적색광이 관측되었다. 또한, 얻어진 형광체 샘플 20 mg을 주석 캡슐에 투입한 후, 니켈 바스켓에 위치시켰다. 그 후, 분말 샘플에서의 산소와 질소의 농도를 LECO에 의해 제조된 TC-436 모델 산소 및 질소 분석기를 이용하여 분석할 때, 산소와 질소의 합계에서, 질소 94 몰% 및 산소 6 몰%를 함유하였다.
실시예 102
형광체 분말을 EuF3가 Eu2O3 대신에 이용된 것을 제외하고 실시예 101과 동일한 방식으로 얻었다. 원료 혼합 분말에서의 질소와 산소의 총 몰수에 대한 산소의 몰수로 표현되는 산소 함유량은 5 몰%이었다. 또한, 소성시에 원료에서의 산소 존재비는 각각의 원료의 산소의 농도와 각각의 원료의 혼합비로부터의 계산에 기초하여 5 몰%이다.
분말 X-선 회절 방법에 의한 얻어진 형광체에 형성된 결정상의 동정의 결과로서, CaAlSiN3에 속하는 결정상이 형성되었다는 것이 확인되었다. 형광 분광광도계를 이용하여 465 nm의 파장을 갖는 여기에 의한 형광체의 형광 특성을 측정할 때, 시판중인 Ce로 활성된 이트륨 알루미늄 가닛계 형광체의 피크 강도를 100으로 간주하는 경우에 얻어진 형광체는 114의 피크 강도를 나타내고, 높은 발광 강도를 나타내고, 650 nm의 피크 파장을 갖는 적색광이 관측되었다. 또한, 얻어진 형광체 샘플 20 mg을 주석 캡슐에 투입한 후, 니켈 바스켓에 위치시켰다. 그 후, 분말 샘플에서의 산소와 질소의 농도를 LECO에 의해 제조된 TC-436 모델 산소 및 질소 분석기를 이용하여 분석할 때, 질소와 산소의 합계에서, 질소 95 몰% 및 산소 5 몰%를 함유하였다.
실시예 103
EuN 이 Eu2O3 대신 이용되고 소성 시간이 2 시간으로 변화되었다는 것을 제외하고 실시예 101과 동일한 방식으로 형광체를 얻었다. 원료 혼합 분말에서의 질소와 산소의 총 몰수에 대한 산소의 몰수로 표현되는 산소 함유량은 5 몰%이었다. 또한, 소성시에 원료에서의 산소 존재비는 각각의 원료에서의 산소 함유량 및 각각의 원료의 혼합비로부터의 계산에 기초하여 5 몰%이다.
분말 X-선 회절 방법에 의한 얻어진 형광체에 형성된 결정상의 동정의 결과로서, CaAlSiN3에 속하는 결정상이 형성되었다는 것이 확인되었다. 형광 분광광도계를 이용하여 465 nm의 파장을 갖는 여기에 의한 형광체의 형광 특성을 측정할 때, 시판중인 Ce로 활성된 이트륨 알루미늄 가닛계 형광체의 피크 강도가 100 으로 간주되는 경우에 얻어진 형광체는 112의 피크 강도를 나타내고, 높은 발광 강도를 나타내고, 649 nm 의 피크 파장을 갖는 적색광이 관측되었다. 또한, 얻어진 형광체 샘플 20 mg을 주석 캡슐에 투입한 후, 니켈 바스켓에 위치시켰다. 그 후, 분말 샘플에서의 산소와 질소의 함유량을 LECO에 의해 제조된 TC-436 모델 산소 및 질소 분석기를 이용하여 분석할 때, 질소 95 몰% 및 산소 5 몰%를 함유하였다.
실시예 104
EuN이 Eu2O3 대신 이용되고, 질소 압력이 10 atm으로 변화되며, 소성 시간이 2 시간으로 변화되었다는 것을 제외하고 실시예 101과 동일한 방식으로 형광체를 얻었다. 원료 혼합 분말에서의 질소와 산소의 총 몰수에 대한 산소의 몰수로 표현되는 산소 함유량은 5 몰%이었다. 또한, 소성시에 원료에서의 산소 존재비는 각각의 원료에서의 산소의 농도 및 각각의 원료의 혼합비로부터의 계산에 기초하여 5 몰%이다.
분말 X-선 회절 방법에 의한 얻어진 형광체에 형성된 결정상의 동정의 결과로서, CaAlSiN3에 속하는 결정상이 형성되었다는 것이 확인되었다. 형광 분광광도계를 이용하여 465 nm 의 파장을 갖는 여기에 의한 형광체의 형광 특성을 측정할 때, 시판중인 Ce로 활성된 이트륨 알루미늄 가닛계 형광체의 피크 강도가 100 으로 간주되는 경우에 얻어진 형광체는 109 의 피크 강도를 나타내고, 높은 발광 강도를 나타내며, 650 nm 의 피크 파장을 갖는 적색광이 관측되었다. 또한, 얻어진 형광체 샘플 20 mg을 주석 캡슐에 투입한 후, 니켈 바스켓에 위치시켰다. 그 후, 분말 샘플에서의 산소와 질소의 농도를 LECO에 의해 제조된 TC-436 모델 산소 및 질소 분석기를 이용하여 분석할 때, 질소 95 몰% 및 산소 5 몰%를 함유하였다.
실시예 101 내지 104의 결과를 표 A에 요약하였다.
표 A
이하, 본 발명의 질화물을 포함하는 형광체를 이용하는 조명 기구를 설명한다. 도 14는 조명 기구와 같은 백색 LED의 개략적인 구조도이다. 발광 소자로서 450 nm 의 청색 LED (2) 를 이용하여, 본 발명의 실시예 1의 형광체 및 Ca0.75Eu0.25Si8.625Al3.375O1.125N14.875의 조성을 갖는 Ca-
-사이알론:Eu의 황색 형광체가 수지층에 분산되어 청색 LED (2) 가 얻어진 수지층으로 커버되는 구조를 형성한다. 전류가 도전성 단자를 통해 통과할 때, LED (2) 는 450 nm 의 광을 발광하고 황색 형광체 및 적색 형광체가 이 광으로 여기되어 황색 및 적색광을 발광함으로써, LED의 광 및 황색 및 적색광이 혼합되어 램프색의 광을 발광하는 조명 기구로서 기능한다.
상기 조합과는 다른 조합 설계에 의해 제조된 조명 기구가 나타날 수도 있다. 먼저, 발광 소자로서 380 nm의 자외선 LED를 이용하여, 본 발명의 실시예 1의 형광체, 청색 형광체 (BaMgAl10O17:Eu), 및 녹색 형광체 (BaMgAl10O17:Eu,Mn) 가 수지층에 분산되어 자외선 LED가 얻어진 수지층으로 커버되는 구조를 형성한다. 전류가 도전성 단자를 통해 통과할 때, LED는 380 nm 의 광을 발광하고 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 청색 형광체가 이 광으로 여기되어, 적색, 녹색, 및 청색광을 발광함으로써, 이들 광이 혼합되어 백색광을 발광하는 조명 기구로서 기능한다.
상기 조합과는 다른 조합 설계에 의해 제조된 조명 기구가 나타날 수도 있다. 먼저, 발광 소자로서 450 nm 의 청색 LED를 이용하여, 본 발명의 실시예 1의 형광체 및 녹색 형광체 (BaMgAl10O17:Eu,Mn) 가 수지층에 분산되어 청색 LED가 얻어진 수지층으로 커버되는 구조를 형성한다. 전류가 도전성 단자를 통해 통과할 때, LED는 450 nm 의 광을 발광하고 적색 형광체 및 녹색 형광체가 이 광으로 여기되어, 적색 및 녹색광을 발광함으로써, LED의 청색광 및 녹색 및 적색광이 혼합되어 백색광을 발광하는 조명 기구로서 기능한다.
이하, 본 발명의 형광체를 이용하는 이미지 디스플레이 유닛의 설계 예를 설명한다. 도 15는 이미지 디스플레이 유닛으로서의 플라즈마 디스플레이 패널의 원리적 개략도이다. 본 발명의 실시예 1의 적색 형광체, 녹색 형광체 (Zn2SiO4:Mn), 및 청색 형광체 (BaMgAl10O17:Eu) 가 셀 (11, 12, 및 13) 각각의 내면에 도포된다. 전류가 전극들 (14, 15, 16, 및 17) 을 통해 통과될 때, 진공 자외선이 Xe 방전에 의해 셀에서 생성되고, 이에 의해, 형광체가 여기되어 적색, 녹색, 및 청색 가시광을 발광한다. 이 광은 보호층 (20), 유전체층 (19), 및 유리 기판 (22) 을 통해 외측으로부터 관찰되고, 이에 의해 그 유닛은 이미지 디스플레이로서 기능한다.
본 발명을 본 발명의 특정 실시예를 참조하여 상세히 설명하였지만, 다양한 변경 및 변형이 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.
본 출원은 2003 년 11월 26일 출원된 일본 특허 출원 제 2003-394855 호, 2004 년 2월 18일 출원된 일본 특허 출원 제 2004-41503 호, 2004년 5월 25일 출원된 일본 특허 출원 제 2004-154548 호, 및 2004년 5월 28일 출원된 일본 특허 출원 제 2004-159306 호에 기초하며, 그 내용이 참조로 본 명세서에 통합된다.
본 발명의 질화물 형광체는 종래의 사이알론 및 산화물 형광체와 비교하여 더 긴 파장에서의 발광을 나타내고 적색 형광체로서 우수하다. 또한, 여기원에 노출될 때 형광체의 휘도 저하가 작기 때문에, VFD, FED, PDP, CRT, 백색 LED 등에 적합하게 이용되는 질화물 형광체이다. 이후, 이 형광체가 다양한 디스플레이 유닛의 재료 설계에 널리 이용되고 따라서 산업의 발전에 대한 기여가 기대된다.
1 은 본 발명의 적색 형광체와 황색 형광체와의 혼합물 또는 본 발명의 적색 형광체, 청색 형광체, 및 녹색 형광체와의 혼합물을 나타냄.
2 는 LED 칩을 나타냄.
3 및 4 는 도전성 단자를 나타냄.
5 는 와이어 본드를 나타냄.
6 은 수지층을 나타냄.
7 은 용기를 나타냄.
8 은 본 발명의 적색 형광체를 나타냄.
9 는 녹색 형광체를 나타냄.
10 은 청색 형광체를 나타냄.
11, 12, 및 13 은 자외선 발광 셀을 나타냄.
14, 15, 16, 및 17 은 전극을 나타냄.
18 및 19 는 유전체층을 나타냄.
20 은 보호층을 나타냄.
21 및 22 는 유리 기판을 나타냄.
2 는 LED 칩을 나타냄.
3 및 4 는 도전성 단자를 나타냄.
5 는 와이어 본드를 나타냄.
6 은 수지층을 나타냄.
7 은 용기를 나타냄.
8 은 본 발명의 적색 형광체를 나타냄.
9 는 녹색 형광체를 나타냄.
10 은 청색 형광체를 나타냄.
11, 12, 및 13 은 자외선 발광 셀을 나타냄.
14, 15, 16, 및 17 은 전극을 나타냄.
18 및 19 는 유전체층을 나타냄.
20 은 보호층을 나타냄.
21 및 22 는 유리 기판을 나타냄.
Claims (1)
- 적어도 M 원소, A 원소, D 원소, E 원소, 및 X 원소 (여기서, M 원소는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, A 원소는 M 원소 이외의 2가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, D 원소는 4가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이고, E 원소는 3가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소이며, X 원소는 O, N, 및 F로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소) 를 함유하는 조성인, 무기 화합물을 포함하는, 형광체.
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| US7830472B2 (en) * | 2004-04-26 | 2010-11-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Blue color composition for color filter, color filter, and color image display device |
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| JP2006019409A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置並びにそれを用いた照明、ディスプレイ用バックライト及びディスプレイ |
| US7737623B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-06-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device, lighting system, backlight unit for display device, and display device |
| JP4565141B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-10-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と発光器具 |
| JP4511885B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2010-07-28 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源 |
| US7476337B2 (en) * | 2004-07-28 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
| CN101023150B (zh) * | 2004-07-28 | 2012-05-16 | 同和电子科技有限公司 | 荧光体及其制造方法以及光源 |
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| JP2007049114A (ja) | 2005-05-30 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 発光装置とその製造方法 |
| JP5145534B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2013-02-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法および照明器具 |
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| US7262439B2 (en) * | 2005-11-22 | 2007-08-28 | Lumination Llc | Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications |
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| US20070052342A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
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| US8920676B2 (en) | 2005-09-30 | 2014-12-30 | The Regents Of The University Of California | Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications |
| US8159126B2 (en) * | 2005-11-07 | 2012-04-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device with an improved CaAlSiN light converting material |
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| EP2135919B1 (en) | 2007-01-12 | 2013-10-30 | National Institute for Materials Science | Fluorescent material, process for producing the same, and luminescent device |
| JP5412710B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2014-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物系蛍光体又は酸窒化物系蛍光体 |
| KR20090128408A (ko) | 2007-02-06 | 2009-12-15 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 적색 방출 발광 재료 |
| DE102007018099A1 (de) | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff |
| WO2008133077A1 (ja) | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | 無機化合物の製造方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置 |
| CN101663371B (zh) | 2007-04-20 | 2013-02-06 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有改进的颜色稳定性的白色发光光源和发光材料 |
| JP2008283155A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sharp Corp | 発光装置、照明機器および液晶表示装置 |
| US20080283864A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Letoquin Ronan P | Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices |
| JP5463495B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2014-04-09 | 三星電子株式会社 | 蛍光体の製造方法及び発光装置 |
| US9279079B2 (en) | 2007-05-30 | 2016-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus |
| JP5105353B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-12-26 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 複合窒化物蛍光体 |
| US20100213822A1 (en) | 2007-08-01 | 2010-08-26 | Satoshi Shimooka | Phosphor and production method thereof, crystalline silicon nitride and production method thereof, phosphor-containing composition, and light emitting device, display and illuminating device using the phosphor |
| JP5200741B2 (ja) * | 2007-08-01 | 2013-06-05 | 三菱化学株式会社 | 結晶性窒化珪素及びその製造方法、並びに、それを用いた蛍光体、該蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、焼結体及び顔料 |
| JP5578597B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2014-08-27 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
| JP5395342B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2014-01-22 | 株式会社東芝 | 蛍光体および発光装置 |
| JP2009081187A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Sharp Corp | 半導体発光装置および画像表示装置 |
| US8119028B2 (en) | 2007-11-14 | 2012-02-21 | Cree, Inc. | Cerium and europium doped single crystal phosphors |
| US8441026B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-05-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Red emitting SiAlON-based material |
| JP2009215336A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
| JP5111181B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2012-12-26 | 根本特殊化学株式会社 | 蛍光体および発光装置 |
| US8038497B2 (en) | 2008-05-05 | 2011-10-18 | Cree, Inc. | Methods of fabricating light emitting devices by selective deposition of light conversion materials based on measured emission characteristics |
| US20090283721A1 (en) * | 2008-05-19 | 2009-11-19 | Intematix Corporation | Nitride-based red phosphors |
| US8274215B2 (en) * | 2008-12-15 | 2012-09-25 | Intematix Corporation | Nitride-based, red-emitting phosphors |
| TW201006913A (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-16 | Kangnung Nat University Industry Academy Cooperation Group | Red phosphor and forming method thereof for use in solid state lighting |
| JP4869317B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
| US8287759B2 (en) * | 2009-05-15 | 2012-10-16 | Cree, Inc. | Luminescent particles, methods and light emitting devices including the same |
| US9464225B2 (en) * | 2008-11-17 | 2016-10-11 | Cree, Inc. | Luminescent particles, methods of identifying same and light emitting devices including the same |
| US9428688B2 (en) * | 2008-11-17 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Phosphor composition |
| JP5641384B2 (ja) | 2008-11-28 | 2014-12-17 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 表示装置用照明装置及び表示装置 |
| KR20100068078A (ko) * | 2008-12-12 | 2010-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US8007686B2 (en) * | 2008-12-29 | 2011-08-30 | Korea Institute Of Energy Research | Nitride red phosphors and white light emitting diode using rare-earth-co-doped nitride red phosphors |
| DE102009010705A1 (de) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Merck Patent Gmbh | Co-dotierte 2-5-8 Nitride |
| JP5540322B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-07-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光器具および画像表示装置 |
| WO2010148109A1 (en) | 2009-06-16 | 2010-12-23 | The Regents Of The University Of California | Oxyfluoride phosphors and white light emitting diodes including the oxyfluoride phosphor for solid-state lighting applications |
| US8928005B2 (en) | 2009-07-02 | 2015-01-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| JP2009256681A (ja) * | 2009-07-21 | 2009-11-05 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 白色ｌｅｄ |
| DE102009037730A1 (de) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe |
| EP2432037B1 (en) | 2009-08-26 | 2019-05-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor white light-emitting device |
| JP4415065B1 (ja) * | 2009-10-15 | 2010-02-17 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及びその発光波長のシフト方法、並びに光源およびｌｅｄ |
| JP2013509483A (ja) | 2009-10-30 | 2013-03-14 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 酸化フッ化物に基づく固溶体蛍光体および固体白色光用途のために蛍光体を含む白色発光ダイオード |
| KR101746562B1 (ko) | 2009-11-12 | 2017-06-13 | 다이헤이요 세멘토 가부시키가이샤 | 알칼리금속 질화물 또는 알칼리토금속 질화물의 제조방법 |
| JP4991834B2 (ja) * | 2009-12-17 | 2012-08-01 | シャープ株式会社 | 車両用前照灯 |
| DE102009055185A1 (de) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung, 81543 | Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigen Leuchtstoff |
| JP5651493B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2015-01-14 | 太平洋セメント株式会社 | 多種アルカリ土類金属窒化物複合体の製造方法 |
| JP5232815B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2013-07-10 | シャープ株式会社 | 車両用前照灯 |
| JP5190475B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2013-04-24 | 株式会社東芝 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
| EP2540798A4 (en) | 2010-02-26 | 2014-04-30 | Mitsubishi Chem Corp | Halophosphate Phosphorus and White Light Output Device |
| JP4930649B1 (ja) | 2011-02-25 | 2012-05-16 | 三菱化学株式会社 | ハロリン酸塩蛍光体、及び白色発光装置 |
| WO2011105157A1 (ja) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| US9991427B2 (en) | 2010-03-08 | 2018-06-05 | Cree, Inc. | Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices |
| JP2011199193A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
| CN101805610B (zh) * | 2010-04-07 | 2013-08-28 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种led氮化物荧光粉及其制备方法 |
| JP5059208B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2012-10-24 | シャープ株式会社 | 照明装置および車両用前照灯 |
| US8551361B2 (en) * | 2010-05-14 | 2013-10-08 | Lightscape Materials, Inc. | Oxycarbonitride phosphors and light emitting devices using the same |
| KR101444085B1 (ko) | 2010-05-14 | 2014-09-26 | 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 카바이도나이트라이드계 형광체들 및 이를 이용한 발광 소자들 |
| US8733996B2 (en) | 2010-05-17 | 2014-05-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, illuminating device, and vehicle headlamp |
| JP2012060097A (ja) | 2010-06-25 | 2012-03-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 白色半導体発光装置 |
| JP2010265463A (ja) * | 2010-07-06 | 2010-11-25 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びｌｅｄ |
| CN101864309B (zh) * | 2010-07-16 | 2013-06-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种基于蓝光激发的氮氧化物荧光粉及其制备方法 |
| CN101958316B (zh) | 2010-07-20 | 2013-01-16 | 上海亚明灯泡厂有限公司 | Led集成封装光源模块 |
| US20120019126A1 (en) * | 2010-07-22 | 2012-01-26 | General Electric Company | Oxynitride phosphors, method of preparation, and light emitting instrument |
| WO2012014701A1 (ja) | 2010-07-26 | 2012-02-02 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| WO2012017949A1 (ja) | 2010-08-04 | 2012-02-09 | 宇部興産株式会社 | 珪窒化物蛍光体用窒化珪素粉末並びにそれを用いたＣａＡｌＳｉＮ３系蛍光体、Ｓｒ２Ｓｉ５Ｎ８系蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３系蛍光体及びＬａ３Ｓｉ６Ｎ１１系蛍光体、及びその製造方法 |
| CN102376860A (zh) | 2010-08-05 | 2012-03-14 | 夏普株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| JP4825923B2 (ja) * | 2010-08-18 | 2011-11-30 | 株式会社東芝 | 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
| WO2012026592A1 (ja) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、照明器具および画像表示装置 |
| JP5273108B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2013-08-28 | 三菱化学株式会社 | 発光素子並びにそれを用いた照明装置、画像表示装置 |
| CN101921592B (zh) * | 2010-09-09 | 2012-12-26 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种白光led红色荧光粉及其制造方法 |
| EP2614683A4 (en) | 2010-09-10 | 2014-04-16 | Lightscape Materials Inc | PHOSPHORESCENT SUBSTANCES BASED ON SILICON CARBIDONITRIDE AND LIGHTING DEVICES USING SAME |
| TWI393764B (zh) * | 2010-10-15 | 2013-04-21 | Chi Mei Corp | A phosphor and a light emitting device |
| CN102443391B (zh) * | 2010-09-30 | 2014-07-16 | 奇美实业股份有限公司 | 控制烧成的荧光体结构成分比例的方法、荧光体及发光装置 |
| TWI393763B (zh) * | 2010-10-15 | 2013-04-21 | Chi Mei Corp | A phosphor and a light emitting device |
| CN102453484B (zh) * | 2010-10-15 | 2015-03-25 | 奇美实业股份有限公司 | 荧光体及发光装置 |
| JP5849961B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2016-02-03 | 三菱化学株式会社 | 共沈原料を用いた窒化物蛍光体の製造方法、窒化物蛍光体、及びその原料 |
| CN102082226B (zh) * | 2010-10-21 | 2012-09-05 | 罗维鸿 | 用于自然光led及其荧光粉 |
| CN108485658A (zh) * | 2010-10-27 | 2018-09-04 | 奇美实业股份有限公司 | 荧光体的制造方法 |
| US9816677B2 (en) | 2010-10-29 | 2017-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
| CN102464979A (zh) * | 2010-11-09 | 2012-05-23 | 奇美实业股份有限公司 | 荧光体及发光装置 |
| JP5331089B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2013-10-30 | シャープ株式会社 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
| JP5740463B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2015-06-24 | シャープ株式会社 | 植物栽培用ｌｅｄ光源を備えた発芽棚、育苗棚、栽培棚及び植物工場 |
| WO2012073177A1 (en) | 2010-12-01 | 2012-06-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Red emitting luminescent materials |
| WO2012077042A1 (en) | 2010-12-08 | 2012-06-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Orange to red emitting silicion- oxyntirde luminescent materials |
| CN102061171A (zh) * | 2010-12-23 | 2011-05-18 | 烟台希尔德新材料有限公司 | 一种发光二极管用红色氮化物荧光粉及其制备方法 |
| CN103328608B (zh) | 2011-01-18 | 2015-04-22 | 夏普株式会社 | 半导体发光装置 |
| TW201219543A (en) | 2011-04-01 | 2012-05-16 | Chi Mei Corp | having the formula of Ii-Mm-Aa-Bb-Ot-Nn:Zr and providing the high luminance and durability |
| KR101290678B1 (ko) | 2011-04-15 | 2013-07-29 | 한국에너지기술연구원 | 알루미늄이 결핍된 α-ＳｉＡｌＯＮ계 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 ＬＥＤ 칩 패키지 |
| JP5259770B2 (ja) * | 2011-05-02 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 赤色蛍光体の製造方法 |
| WO2012163417A1 (de) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Osram Ag | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
| US8814621B2 (en) | 2011-06-03 | 2014-08-26 | Cree, Inc. | Methods of determining and making red nitride compositions |
| EP3346512B1 (en) * | 2011-06-03 | 2023-06-07 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, exhibit-irradiating illumination device, meat-irradiating illumination device, vegetable-irradiating illumination device, fresh fish-irradiating illumination device, general-purpose illumination device, and semiconductor light-emitting system |
| US8906263B2 (en) * | 2011-06-03 | 2014-12-09 | Cree, Inc. | Red nitride phosphors |
| JP5866870B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-02-24 | 三菱化学株式会社 | 発光装置 |
| TWI421328B (zh) | 2011-09-06 | 2014-01-01 | Ind Tech Res Inst | 螢光材料與白光發光裝置 |
| DE102011115879A1 (de) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Leuchtstoffe |
| CN103045256B (zh) | 2011-10-17 | 2014-08-27 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种led红色荧光物质及含有该荧光物质的发光器件 |
| WO2013069696A1 (ja) | 2011-11-07 | 2013-05-16 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体および製造方法、蛍光体を用いる発光装置および画像表示装置 |
| JP5851214B2 (ja) * | 2011-11-16 | 2016-02-03 | 株式会社東芝 | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 |
| EP2751222A1 (en) * | 2011-12-12 | 2014-07-09 | Koninklijke Philips N.V. | Red emitting phosphor for plasma display panels and gas discharge lamps |
| US9017574B2 (en) | 2011-12-19 | 2015-04-28 | Lightscape Materials, Inc. | Carbidonitride phosphors and LED lighting devices using the same |
| US8663502B2 (en) | 2011-12-30 | 2014-03-04 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based phosphors |
| KR101641378B1 (ko) | 2011-12-30 | 2016-07-20 | 인터매틱스 코포레이션 | 전하 평형을 위한 침입형 양이온을 갖는 질화물 인광체 |
| JP2013142134A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 蛍光体及び発光装置 |
| JP5912580B2 (ja) * | 2012-01-27 | 2016-04-27 | デンカ株式会社 | 蛍光体、その製造方法及びその用途 |
| US9318669B2 (en) | 2012-01-30 | 2016-04-19 | Cree, Inc. | Methods of determining and making red nitride compositions |
| CN103843163A (zh) | 2012-03-30 | 2014-06-04 | 三菱化学株式会社 | 半导体发光装置和照明装置 |
| CN102660284B (zh) * | 2012-04-18 | 2013-11-27 | 烟台建塬光电技术有限公司 | 一种led用氮化物红色荧光粉的制造方法 |
| WO2013157524A1 (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-24 | 株式会社カネカ | 蛍光体及びその製造方法 |
| EP2801599B1 (en) | 2012-05-31 | 2016-01-13 | National Institute for Materials Science | Phosphor, method for manufacturing same, light emitting device, and image display device |
| EP2868730B1 (en) | 2012-06-27 | 2016-04-06 | National Institute for Materials Science | Phosphor, method for producing same, light emitting device, and image display device |
| JP2012207228A (ja) * | 2012-07-09 | 2012-10-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びそれを使用した発光装置 |
| US20140015400A1 (en) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Phosphor and light emitting devices comprising same |
| US8597545B1 (en) * | 2012-07-18 | 2013-12-03 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors |
| US9515230B2 (en) | 2012-07-25 | 2016-12-06 | National Institute For Materials Science | Fluorophore, method for producing same, light-emitting device, and image display device |
| DE102012213371A1 (de) | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Osram Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, zugehöriger Leuchtstoff und zugehöriges optoelektronisches Bauelement |
| DE102012213373A1 (de) | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Osram Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, zugehöriger Leuchtstoff und zugehöriges optoelektronisches Bauelement |
| JP5578739B2 (ja) | 2012-07-30 | 2014-08-27 | 住友金属鉱山株式会社 | アルカリ土類金属シリケート蛍光体及びその製造方法 |
| US20140062287A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Lightscape Materials, Inc. | Oxycarbidonitride phosphor and devices using same |
| US8815121B2 (en) | 2012-08-31 | 2014-08-26 | Lightscape Materials, Inc. | Halogenated oxycarbidonitride phosphor and devices using same |
| JP6068914B2 (ja) | 2012-10-09 | 2017-01-25 | デンカ株式会社 | 蛍光体の製造方法 |
| CN102911662B (zh) * | 2012-10-24 | 2015-05-20 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种氮化物荧光粉及其制备方法 |
| JP6198345B2 (ja) * | 2012-12-12 | 2017-09-20 | 株式会社トクヤマ | 中性子シンチレーター、中性子検出方法及び中性子検出器 |
| CN102994079A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-03-27 | 北京有色金属研究总院 | 氮氧化物橙-红色荧光物质，包括其的发光膜或发光片及发光器件 |
| EP2966148A4 (en) * | 2013-03-08 | 2016-11-30 | Ube Industries | PROCESS FOR PRODUCING NITRIDED LUMINOPHORE, SILICON NITRIDE POWDER FOR NITRIDED LUMINOPHORE AND NITRIDED LUMINOPHORE |
| US9219202B2 (en) * | 2013-04-19 | 2015-12-22 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including red phosphors that exhibit good color rendering properties and related red phosphors |
| US9617471B2 (en) | 2013-04-25 | 2017-04-11 | National Institute Of Materials Science | Inorganic phosphor, manufacture thereof, light-emitting device, and image display utilizing inorganic phosphor |
| JP6167913B2 (ja) | 2013-04-26 | 2017-07-26 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
| JP6102763B2 (ja) | 2013-04-26 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 |
| JP6083881B2 (ja) | 2013-05-14 | 2017-02-22 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
| EP2803715B1 (en) * | 2013-05-16 | 2020-02-26 | LG Innotek Co., Ltd. | Phosphor and light emitting device package including the same |
| DE102013105056A1 (de) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, Leuchtstoff und optoelektronisches Bauelement |
| JP6094377B2 (ja) * | 2013-05-21 | 2017-03-15 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた照明装置及び画像表示装置 |
| CN104178142A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 锰掺杂碱土氮铝硅盐发光薄膜、制备方法及其应用 |
| CN103320130B (zh) * | 2013-06-21 | 2018-08-14 | 北京有色金属研究总院 | 氮化物荧光粉、其制备方法及包括其的发光装置 |
| JP6599230B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2019-10-30 | デンカ株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
| BR112016007234B1 (pt) | 2013-10-08 | 2022-02-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Fósforo para emissão de luz vermelha e seu processo de produção |
| JP6169468B2 (ja) * | 2013-10-09 | 2017-07-26 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 蛍光体 |
| CN104673287A (zh) * | 2013-12-03 | 2015-06-03 | 辽宁法库陶瓷工程技术研究中心 | 一种长波长高亮度氮化物红色荧光粉及其制备方法 |
| JP6287268B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2018-03-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP6528418B2 (ja) | 2014-01-29 | 2019-06-12 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びこれを用いた発光装置 |
| JP2015196708A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
| DE102014107972B9 (de) | 2014-04-17 | 2022-07-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln |
| JP6354325B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2018-07-11 | 宇部興産株式会社 | 窒化物蛍光体粉末の製造方法、および顔料の製造方法 |
| JP6323177B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
| CN104017579B (zh) * | 2014-06-19 | 2015-09-23 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种led红色荧光粉及其制备方法 |
| JP6405738B2 (ja) * | 2014-06-19 | 2018-10-17 | 三菱ケミカル株式会社 | 発光装置 |
| JP6406109B2 (ja) | 2014-07-08 | 2018-10-17 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 |
| WO2016021705A1 (ja) | 2014-08-07 | 2016-02-11 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
| US9200199B1 (en) | 2014-08-28 | 2015-12-01 | Lightscape Materials, Inc. | Inorganic red phosphor and lighting devices comprising same |
| US9200198B1 (en) | 2014-08-28 | 2015-12-01 | Lightscape Materials, Inc. | Inorganic phosphor and light emitting devices comprising same |
| US9315725B2 (en) | 2014-08-28 | 2016-04-19 | Lightscape Materials, Inc. | Method of making EU2+ activated inorganic red phosphor |
| JP6715774B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2020-07-01 | デンカ株式会社 | 蛍光体及びその用途 |
| JP6401047B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-10-03 | 京セラ株式会社 | 光合成促進光源 |
| KR20160081091A (ko) | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 일진엘이디(주) | 형광체 혼합체 및 이를 포함하는 백색 발광소자 |
| EP3297046B1 (en) * | 2015-05-15 | 2019-07-03 | National Institute for Materials Science | Light-emitting instrument and image display device |
| KR102477353B1 (ko) | 2015-08-06 | 2022-12-16 | 삼성전자주식회사 | 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치 |
| EP3135746B1 (en) | 2015-08-28 | 2019-05-29 | Nichia Corporation | Method for producing nitride fluorescent material |
| JP6202154B2 (ja) | 2015-08-28 | 2017-09-27 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体及びその製造方法並びに発光装置 |
| JP6856890B2 (ja) | 2015-08-28 | 2021-04-14 | 株式会社小糸製作所 | 蛍光体 |
| US10370590B2 (en) | 2015-08-28 | 2019-08-06 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Phosphor |
| JP6949033B2 (ja) | 2016-01-14 | 2021-10-13 | ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアＢａｓｆ Ｓｅ | 剛直な２，２’−ビフェノキシ架橋を有するペリレンビスイミド |
| JP6620022B2 (ja) | 2016-01-15 | 2019-12-11 | デンカ株式会社 | 赤色蛍光体及び発光装置 |
| CN105623657B (zh) | 2016-01-29 | 2017-04-26 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种含氮发光颗粒及其制备方法、含氮发光体和发光器件 |
| CN105623658B (zh) | 2016-01-29 | 2017-04-12 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种氮氧化物荧光粉及其制备方法、氮氧化物发光体和发光器件 |
| CN107200588B (zh) * | 2016-03-18 | 2020-10-20 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 一种氮化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷 |
| CN107200587B (zh) * | 2016-03-18 | 2020-10-20 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 一种氮化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷 |
| US10968387B2 (en) | 2016-03-28 | 2021-04-06 | National Institute For Materials Science | Phosphor, method for production same, light emitting device, image display, pigment and ultraviolet light absorber |
| CN107285745B (zh) * | 2016-04-12 | 2020-11-17 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷 |
| EP3480904B1 (en) | 2016-07-04 | 2020-11-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Projector device |
| JP6206696B1 (ja) | 2016-07-04 | 2017-10-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 蛍光体および発光装置 |
| EP3480280B1 (en) | 2016-07-04 | 2022-09-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Fluorophore and light-emitting device |
| KR20190028628A (ko) | 2016-07-04 | 2019-03-19 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 형광체 및 발광 장치 |
| JP6273637B1 (ja) | 2016-07-04 | 2018-02-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ファイバー光源、内視鏡および内視鏡システム |
| CN108028304B (zh) | 2016-07-04 | 2022-03-25 | 松下知识产权经营株式会社 | 使用了荧光体的发光装置 |
| CN105950144B (zh) * | 2016-07-08 | 2017-12-08 | 福建江夏学院 | 一种Dy3+、Eu3+掺杂的TiAlON荧光材料及其制备方法 |
| JP6583201B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| EP3523303B1 (en) | 2016-10-06 | 2020-09-23 | Basf Se | 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use |
| JP6669147B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2020-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2020109850A (ja) * | 2016-10-31 | 2020-07-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| CN106520120B (zh) * | 2016-11-08 | 2019-04-23 | 河北利福光电技术有限公司 | 一种led氮化物红色荧光粉及其制备方法 |
| JP2020012010A (ja) * | 2016-11-15 | 2020-01-23 | デンカ株式会社 | 赤色蛍光体及び発光装置 |
| CN110225898A (zh) * | 2017-01-31 | 2019-09-10 | 三菱化学株式会社 | 硫氧化钆烧结体和包含硫氧化钆烧结体的闪烁体、闪烁体阵列、放射线检测器以及放射线检查装置 |
| DE102017104135A1 (de) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| WO2018159244A1 (ja) | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 株式会社小糸製作所 | 蛍光体 |
| JP6902368B2 (ja) * | 2017-03-15 | 2021-07-14 | デンカ株式会社 | 赤色蛍光体の製造方法 |
| WO2018225424A1 (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換体及びその製造方法、並びに波長変換体を用いた発光装置 |
| JP7042457B2 (ja) | 2017-06-06 | 2022-03-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 蛍光体および発光装置 |
| CN109054817B (zh) * | 2017-09-30 | 2021-03-19 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种氮化物荧光物质及含有该荧光物质的发光装置 |
| US11380822B2 (en) | 2017-10-10 | 2022-07-05 | Denka Company Limited | Red phosphor and light emission device |
| JP7310977B2 (ja) * | 2017-10-25 | 2023-07-19 | 三菱ケミカル株式会社 | 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置 |
| JP7155507B2 (ja) * | 2017-10-25 | 2022-10-19 | 三菱ケミカル株式会社 | 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置 |
| JP7108841B2 (ja) | 2017-12-08 | 2022-07-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 蛍光体および発光装置 |
| WO2019121602A1 (en) | 2017-12-19 | 2019-06-27 | Basf Se | Cyanoaryl substituted benz(othi)oxanthene compounds |
| JP7022931B2 (ja) | 2018-01-31 | 2022-02-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 蛍光体および発光装置 |
| DE112018000135B4 (de) * | 2018-02-12 | 2022-10-06 | Grirem Advanced Materials Co., Ltd. | Nitrid-Lumineszenzmaterial und lumineszierende Vorrichtung mit diesem Nitrid-Lumineszenzmaterial |
| TWI821256B (zh) | 2018-03-20 | 2023-11-11 | 德商巴地斯顏料化工廠 | 黃光發射裝置、其用途及提供黃光之方法 |
| CN111902518A (zh) | 2018-03-29 | 2020-11-06 | 电化株式会社 | 红色荧光体及发光装置 |
| WO2019220816A1 (ja) | 2018-05-18 | 2019-11-21 | デンカ株式会社 | 赤色蛍光体及び発光装置 |
| BR102018013644A2 (pt) | 2018-07-03 | 2020-01-14 | Bozel Brasil S A | liga de cálcio, alumínio e silício, bem como processo para a produção da mesma |
| CN112739796B (zh) * | 2018-09-12 | 2024-01-09 | 电化株式会社 | 荧光体和发光装置 |
| JP7303822B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2023-07-05 | デンカ株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
| DE102018128536A1 (de) | 2018-11-14 | 2020-05-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Konversionselemente umfassend eine Infiltrationsmatrix |
| US11841587B2 (en) * | 2019-03-29 | 2023-12-12 | Saturn Licensing Llc | Light emitting device, display, and electronic apparatus |
| WO2020203234A1 (ja) | 2019-04-03 | 2020-10-08 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法および発光素子 |
| JP7482854B2 (ja) * | 2019-04-09 | 2024-05-14 | デンカ株式会社 | 窒化物蛍光体及び発光装置 |
| WO2020217670A1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置並びにそれを用いた医療システム、電子機器及び検査方法 |
| CN110055061B (zh) * | 2019-05-06 | 2020-09-11 | 北京科技大学 | 一种红色长余辉氮化物发光材料及其制备方法 |
| JP6684412B1 (ja) | 2019-06-27 | 2020-04-22 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法および発光装置 |
| US20230348780A1 (en) * | 2020-03-30 | 2023-11-02 | Denka Company Limited | Phosphor powder, composite, light-emitting device, and method for producing phosphor powder |
| AR122941A1 (es) | 2020-07-13 | 2022-10-19 | Merck Patent Gmbh | Fósforo emisor de luz |
| WO2022012810A1 (en) | 2020-07-13 | 2022-01-20 | Merck Patent Gmbh | Phosphor |
| WO2022090444A1 (en) | 2020-11-02 | 2022-05-05 | Merck Patent Gmbh | Phosphor |
| US11993739B2 (en) | 2021-03-30 | 2024-05-28 | Nichia Corporation | Nitride phosphor and method for producing same |
| EP4339260A1 (en) | 2021-05-21 | 2024-03-20 | National Institute for Materials Science | Phosphor, method for producing same, light emitting element and light emitting device |
| KR20220164291A (ko) | 2021-06-04 | 2022-12-13 | 이성원 | 운전자를 위한 시각장애인 인지용 led 신호등 |
| CN113480311A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-10-08 | 南通大学 | 一种发射暖白光的Ce:YAG荧光陶瓷的制备方法 |
| WO2023037727A1 (ja) * | 2021-09-08 | 2023-03-16 | デンカ株式会社 | 蛍光体粉末、及び発光装置 |
| JPWO2023037728A1 (ko) * | 2021-09-08 | 2023-03-16 | ||
| EP4293733A4 (en) | 2022-01-20 | 2024-04-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | PHOSPHORUS, LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHTING DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE AND VEHICLE DISPLAY LAMP |
| EP4293732A4 (en) | 2022-01-20 | 2024-05-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | PHOSPHOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHTING DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE AND INDICATOR LIGHT FOR VEHICLES |
| CN114752383B (zh) * | 2022-03-31 | 2023-09-01 | 陕西师范大学 | La2Ca3Si4N4O8晶体及荧光粉和制备方法 |
Family Cites Families (73)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2786034A (en) | 1951-03-03 | 1957-03-19 | Sylvania Electric Prod | Calcium-strontium phosphate phosphors |
| US4266160A (en) | 1979-06-22 | 1981-05-05 | Gte Products Corporation | Strontium-calcium fluorapatite phosphors and fluorescent lamp containing the same |
| US6949505B1 (en) | 1991-03-11 | 2005-09-27 | Curis, Inc. | Morphogen-induced dendritic growth |
| JPH05152609A (ja) | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| JPH0799345A (ja) | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| JP3257942B2 (ja) * | 1996-01-22 | 2002-02-18 | 化成オプトニクス株式会社 | 蓄光性蛍光体 |
| DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| JP2927279B2 (ja) | 1996-07-29 | 1999-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
| JPH1093143A (ja) | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｌｅｄ駆動回路 |
| JPH10163535A (ja) | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Kasei Optonix Co Ltd | 白色発光素子 |
| JP2900928B2 (ja) | 1997-10-20 | 1999-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
| JP2001058820A (ja) | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Sony Corp | 蛍光体組成物及びその製造方法、並びに、表示装置 |
| EP1104799A1 (en) | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
| JP2002076434A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| DE10105800B4 (de) * | 2001-02-07 | 2017-08-31 | Osram Gmbh | Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung |
| JP3726131B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2005-12-14 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | サイアロン系蛍光体 |
| US6632379B2 (en) * | 2001-06-07 | 2003-10-14 | National Institute For Materials Science | Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor |
| JP3668770B2 (ja) | 2001-06-07 | 2005-07-06 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体 |
| DE10133352A1 (de) * | 2001-07-16 | 2003-02-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
| DE10146719A1 (de) * | 2001-09-20 | 2003-04-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
| DE10147040A1 (de) | 2001-09-25 | 2003-04-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
| JP2003321675A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
| JP4868685B2 (ja) | 2002-06-07 | 2012-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体 |
| SG173925A1 (en) * | 2002-03-22 | 2011-09-29 | Nichia Corp | Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device |
| JP4214768B2 (ja) | 2002-11-29 | 2009-01-28 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
| JP4009828B2 (ja) | 2002-03-22 | 2007-11-21 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
| JP4218328B2 (ja) | 2002-11-29 | 2009-02-04 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
| JP4207489B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2009-01-14 | 株式会社豊田中央研究所 | α−サイアロン蛍光体 |
| CN1175081C (zh) | 2002-08-13 | 2004-11-10 | 北京大学 | 紫光发光二极管激发的三基色荧光粉和合成方法 |
| US7800121B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-09-21 | Lumination Llc | Light emitting diode component |
| US7768189B2 (en) | 2004-08-02 | 2010-08-03 | Lumination Llc | White LEDs with tunable CRI |
| US7224000B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
| KR100622209B1 (ko) | 2002-08-30 | 2006-09-19 | 젤코어 엘엘씨 | 개선된 효율을 갖는 코팅된 발광다이오드 |
| MY149573A (en) * | 2002-10-16 | 2013-09-13 | Nichia Corp | Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor |
| JP4415547B2 (ja) | 2002-10-16 | 2010-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法 |
| JP2004277663A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | National Institute For Materials Science | サイアロン蛍光体とその製造方法 |
| JP3914987B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2007-05-16 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | サイアロン蛍光体とその製造方法 |
| JP3837551B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2006-10-25 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸窒化物蛍光体 |
| JP4834827B2 (ja) | 2003-10-03 | 2011-12-14 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸窒化物蛍光体 |
| TWI359187B (en) | 2003-11-19 | 2012-03-01 | Panasonic Corp | Method for preparing nitridosilicate-based compoun |
| JP3837588B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2006-10-25 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 |
| JP3931239B2 (ja) | 2004-02-18 | 2007-06-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 発光素子及び照明器具 |
| JP4362625B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2009-11-11 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体の製造方法 |
| TWI262609B (en) | 2004-02-27 | 2006-09-21 | Dowa Mining Co | Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor |
| JP4511849B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-07-28 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにｌｅｄ |
| JP5016187B2 (ja) | 2004-07-14 | 2012-09-05 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びｌｅｄ |
| JP3921545B2 (ja) | 2004-03-12 | 2007-05-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法 |
| JP2005302920A (ja) | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Shoei Chem Ind Co | 発光装置 |
| JP4128564B2 (ja) | 2004-04-27 | 2008-07-30 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置 |
| JP2005336450A (ja) | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体組成物とその製造方法、並びにその蛍光体組成物を用いた発光装置 |
| KR101041311B1 (ko) | 2004-04-27 | 2011-06-14 | 파나소닉 주식회사 | 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을 이용한 발광장치 |
| WO2006012234A2 (en) | 2004-06-25 | 2006-02-02 | Sarnoff Corporation | Nitride phosphors and devices |
| JP4414821B2 (ja) | 2004-06-25 | 2010-02-10 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体並びに光源およびｌｅｄ |
| JP4565141B2 (ja) | 2004-06-30 | 2010-10-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と発光器具 |
| JP4511885B2 (ja) | 2004-07-09 | 2010-07-28 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源 |
| US7476337B2 (en) | 2004-07-28 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
| US7453195B2 (en) | 2004-08-02 | 2008-11-18 | Lumination Llc | White lamps with enhanced color contrast |
| US7138756B2 (en) * | 2004-08-02 | 2006-11-21 | Dowa Mining Co., Ltd. | Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same |
| JP4933739B2 (ja) * | 2004-08-02 | 2012-05-16 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置 |
| US20060181192A1 (en) | 2004-08-02 | 2006-08-17 | Gelcore | White LEDs with tailorable color temperature |
| JP4524470B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2010-08-18 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源 |
| JP4543250B2 (ja) | 2004-08-27 | 2010-09-15 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
| US7476338B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
| JP2006063214A (ja) | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Dowa Mining Co Ltd | 蛍光体及びその製造方法並びに光源 |
| JP2006282872A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dowa Mining Co Ltd | 窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体、及びその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置 |
| JP4729278B2 (ja) | 2004-08-30 | 2011-07-20 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
| JP4543251B2 (ja) | 2004-08-31 | 2010-09-15 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及び光源 |
| JP4356563B2 (ja) | 2004-08-31 | 2009-11-04 | 昭栄化学工業株式会社 | 酸窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体の製造方法及び白色発光素子 |
| JP4543253B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2010-09-15 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
| JP4892193B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2012-03-07 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
| WO2006095285A1 (en) | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material |
| DE102005050937A1 (de) | 2005-10-21 | 2007-05-03 | Vodafone Holding Gmbh | Austausch von Informationen in einem Kommunikationssystem |
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