WO2005052087A1 - 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 - Google Patents

蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 Download PDF

Info

Publication number
WO2005052087A1
WO2005052087A1 PCT/JP2004/017895 JP2004017895W WO2005052087A1 WO 2005052087 A1 WO2005052087 A1 WO 2005052087A1 JP 2004017895 W JP2004017895 W JP 2004017895W WO 2005052087 A1 WO2005052087 A1 WO 2005052087A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
phosphor
light
wavelength
group
phosphor according
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/017895
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Naoto Hirosaki
Kyota Ueda
Hajime Yamamoto
Original Assignee
Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science
Mitsubishi Chemical Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34637271&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2005052087(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority to KR1020187024989A priority Critical patent/KR102055115B1/ko
Priority to KR1020177008626A priority patent/KR20170039310A/ko
Priority to KR1020147005916A priority patent/KR20140039337A/ko
Priority to KR1020137018826A priority patent/KR101624390B1/ko
Priority to KR1020107005847A priority patent/KR101294555B1/ko
Priority to CN2004800409677A priority patent/CN1918262B/zh
Priority to KR1020127002475A priority patent/KR101173450B1/ko
Priority to EP04799893.5A priority patent/EP1696016B1/en
Priority to KR1020157001297A priority patent/KR20150027223A/ko
Priority to KR1020097016000A priority patent/KR101157006B1/ko
Application filed by Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science, Mitsubishi Chemical Corporation filed Critical Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science
Priority to EP12176679.4A priority patent/EP2574652B1/en
Publication of WO2005052087A1 publication Critical patent/WO2005052087A1/ja
Priority to US11/441,094 priority patent/US8409470B2/en
Priority to US13/775,334 priority patent/US20130168606A1/en
Priority to US14/736,487 priority patent/US9738829B2/en
Priority to US15/626,372 priority patent/US10072207B2/en
Priority to US16/055,343 priority patent/US11084980B2/en
Priority to US17/361,880 priority patent/US11697765B2/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/77928Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0602Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with two or more other elements chosen from metals, silicon or boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/0821Oxynitrides of metals, boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/447Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on phosphates, e.g. hydroxyapatite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/597Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/55Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing beryllium, magnesium, alkali metals or alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C09K11/641Chalcogenides
    • C09K11/643Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C09K11/646Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7701Chalogenides
    • C09K11/7703Chalogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/77068Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/7716Chalcogenides
    • C09K11/7718Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/77218Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7743Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing terbium
    • C09K11/7744Chalcogenides
    • C09K11/7746Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7743Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing terbium
    • C09K11/77498Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7759Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing samarium
    • C09K11/776Chalcogenides
    • C09K11/7761Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7759Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing samarium
    • C09K11/7764Aluminates; Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/77748Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/77Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by unit-cell parameters, atom positions or structure diagrams
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/84Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by UV- or VIS- data
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3229Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3865Aluminium nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3873Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
    • C04B2235/3878Alpha silicon nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3886Refractory metal nitrides, e.g. vanadium nitride, tungsten nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • C04B2235/445Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567Treatment time
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/761Unit-cell parameters, e.g. lattice constants
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/77Density
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00012Relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Definitions

  • the present invention relates to a phosphor mainly composed of an inorganic compound and its use. More specifically, the use is made of a luminaire, a light-emitting device such as an image display device, and a pigment, which use the property of the phosphor, that is, the property of emitting long-wavelength fluorescence of 570 nm or more.
  • Phosphors are used in fluorescent display tubes (VFD), field emission displays (FED), plasma display panels (PDP), cathode ray tubes (CRT), and white light emitting diodes (LED).
  • VFD fluorescent display tubes
  • FED field emission displays
  • PDP plasma display panels
  • CRT cathode ray tubes
  • LED white light emitting diodes
  • the phosphor may be vacuum ultraviolet light, ultraviolet light, electron beam, blue light, or the like. It is excited by a high energy excitation source and emits visible light.
  • the phosphor is exposed to the above-mentioned excitation source, there is a problem that the luminance of the phosphor is reduced, and there is a demand for a phosphor that does not decrease in luminance.
  • Sialon phosphors have been proposed as phosphors with little reduction in luminance, replacing conventional phosphors such as silicate phosphor, phosphate phosphor, aluminate phosphor, and sulfide phosphor.
  • This Sialon phosphor is manufactured by a manufacturing process as generally described below. First, nitride Kei element (S i 3 N 4), aluminum nitride (A 1 N), carbonate Cal Shiumu (C a C_ ⁇ 3), europium oxide (E u 2 0 3), mixed in a predetermined molar ratio It is manufactured by firing in a nitrogen atmosphere at 1 atm (0. IMPa) at a temperature of 17 ° C.
  • the resulting Eu-activated a-sialon can be a phosphor that emits yellow light of 550 to 600 nm when excited by blue light of 450 to 500 nm. It has been reported. However, phosphors that emit not only yellow light but also orange or red light were required for applications such as white LEDs and plasma displays using ultraviolet LEDs as excitation sources. In white LEDs using a blue LED as an excitation source, a phosphor that emits orange or red light has been required to improve color rendering.
  • Chapter 2 of the publication “ ⁇ nnewrare—earthdoped M—3 ⁇ 4 ⁇ —A 1—O—N materia 1 s” (see Non-Patent Document 2) describes the ternary composition of anolecali metal and silicon of various compositions.
  • Patent Document 3 discloses MS i 3 N 5 , M 2 S i 4 N 7 , M 4 S i 6 ⁇ M 9 S i iiN 23 , M 16 S i 15 ⁇ 6 N 32 , M 13 S i 18 A l 12 0 18 N 36 , MS i 5 A 1 2 ON 9 , M 3 S i 5 A 1 ON 10 (
  • M is Ba, C a, S r, or a rare-earth element
  • a phosphor in which Eu or C e is activated is known.
  • Luminescent phosphors have also been reported. Also, an LED lighting unit using these phosphors is known. Further, JP 2002- 3 2247 to 4 (Patent Document 4), S r 2 S i 5 N 8 and S r S i. Phosphors in which Ce is activated in the crystal phase have been reported.
  • JP 2003-321675 states that L x My N (2/3 x + 4/3 y ): Z (has divalent elements such as &&, Sr, Ba , and M A tetravalent element such as Si and Ge, and Z is an activator such as Eu.)
  • Z has divalent elements such as &&, Sr, Ba , and M A tetravalent element such as Si and Ge, and Z is an activator such as Eu.
  • a phosphor There is a description of a phosphor, and it is described that adding a small amount of A1 has an effect of suppressing afterglow. Also, a slightly reddish warm white light emitting device is known by combining this phosphor with a blue LED. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • Patent Document 6 discloses L xMy N ( 2 / 3 x + 4/3 y): Phosphors composed of various L, M and Z elements have been reported as Z phosphors.
  • Patent Document 7 describes a wide range of combinations of L-M-N: Eu and Z-systems, but improves the emission characteristics when a specific composition or crystal phase is used as a matrix. The effect of is not shown.
  • Patent Documents 2 to 7 have a base crystal of a nitride of a divalent element and a tetravalent element, and phosphors having a host of various different crystal phases have been reported. It is also known that the red light is emitted, but the excitation with blue visible light did not provide sufficient red light emission luminance. In addition, depending on the composition, the chemical instability was unstable, and there was a problem in durability.
  • Non-Patent Document 1 H.A.Hoppe et al. And 4 others "JournalofPhysiccsanddChemisstrryofao1ids 2000, 61, 2001, 2006-2006
  • Non-Patent Document 2 "On new w e r e-e a r t h d o e d M-S i-A 1-O-N ma t e r i a l s" J. W. H. v a n K r e v e l, TU E in d h o v e n 2000, I SBN 90-386-27 1 114
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-363654.
  • Patent Document 2 U.S. Pat.No. 6,662,663
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2003-206481
  • Patent Document 4 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-322474
  • Patent Document 5 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-321675
  • Patent Document 7 Japanese Patent Publication No. 2004-107686 A white light-emitting diode using a combination of a blue light-emitting diode element and a blue absorbing yellow light-emitting phosphor is known as a conventional lighting device. It has been put to practical use.
  • Japanese Patent No. 2900928 "Light emitting diode J"
  • Patent Document 9 Patent No. 2927279
  • Patent Document 10 "Wavelength conversion casting material and its manufacturing method and light emitting element” Is done.
  • phosphor used particularly well the general formula (Y, G d) a ( A 1, G a) 5 0 12: represented by C e 3 +, and activated with Seriumu Ittoriumu 'Aluminum garnet phosphor.
  • a white light-emitting diode composed of a blue light-emitting diode element and an yttrium-aluminum-garnet-based phosphor has a feature that it emits pale light due to a lack of a red component, and there is a problem that color rendering properties are biased.
  • a white light-emitting diode has been studied in which two kinds of phosphors are mixed and dispersed to compensate for the red component deficient in the yttrium, aluminum, and garnet phosphors with another red phosphor.
  • Examples of such a light emitting diode include a white light emitting device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-163535 (Patent Document 11) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-321675 (Patent Document 5) Method ”and the like.
  • Patent Document 11 Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-163535
  • Patent Document 5 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-321675
  • Patent Document 11 contains a power dome, and has a problem of environmental pollution.
  • Patent Document 5 describes a red light-emitting fluorescent light represented by Ca 97 Si 5 N 8 : Eu 0.03 which does not contain a power dome, but is a phosphor. Because of the low brightness, further improvement in emission intensity was desired.
  • Patent Document 8 Japanese Patent No. 2900928
  • Patent Document 9 Patent No. 29 27279
  • Patent Document 10 Patent No. 3 364 22 9
  • Patent Literature 11 Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-16-3535
  • One object of the present invention is to meet such a demand.
  • One of the objects is to emit orange or red light of a longer wavelength than conventional rare earth activated phosphors and to have a higher degree of light.
  • An object of the present invention is to provide a chemically stable inorganic phosphor. It is still another object of the present invention to provide a lighting device having excellent color rendering properties, an image display device having excellent durability, a pigment, and an ultraviolet absorber using the phosphor.
  • the M element that becomes a luminescent ion (where M is Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu force, etc.
  • M is Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu force, etc.
  • divalent A element (where A is one or more elements selected from Mg, Ca, Sr, Ba) and tetravalent D elements (except, D is S i, G e, S n s T i, Z r, 1 or two or more elements selected from H f) and, trivalent E element (however, E of B, Al, Ga, In, Sc, Y, La force, one or more elements selected from), and X element (where X is 0, N, F
  • those with a specific composition range and a specific crystal phase are 57 On orange or more wavelengths or more than 600 nm Found that a
  • an optically active element M, especially Eu is added as a luminescence center.
  • the present invention is the Mi 3 S i 18 A l 12 ⁇ 18 N 36, MS i 5 A l 2 ON 9, M 3 S i 5 A 1 ON 10 (M being previously reported in Patent Document 3 C a, B a, S r, etc.) and, CHAPTER C a 47 E uo listed in the non-patent document 2, different Ku stylized and sialon such as eg S i 9 a 1 3 N i 6
  • the trivalent element represented by A1 is defined as the main constituent element of the base crystal and the crystal phase is referred to as the base. Phosphor.
  • a phosphor in which Mn or a rare earth element is activated as an emission center element M in an inorganic host crystal changes its emission color and luminance depending on the electronic state around the M element. For example, it has been reported that blue, green, yellow, and red light is emitted from a phosphor whose emission center is divalent Eu by changing the parent crystal. In other words, even if the composition is similar, if the atomic structure in the parent structure or the crystal structure in which M is incorporated is changed, the emission color and brightness will be quite different, and they are regarded as different phosphors.
  • the base crystal is a divalent, trivalent, or tetravalent multi-nitride, which is different from the conventional ternary nitrides of divalent and tetravalent elements.
  • the base material is a crystal phase having a different structure, and there has been no report on a phosphor using such a crystal phase as a base material.
  • the phosphor of the present invention having a composition and a crystal structure as a matrix emits red light having higher luminance than a phosphor having a conventional crystal structure as a matrix.
  • Non-Patent Document 3 Z HE N-KUN- HUANG and 2 others "Journa 1 of Material Sciences Letters. 1 985, 4 tickets, 2555-259 pages
  • This C a A 1 S i N 3 crystal phase itself is based on the fact that it was confirmed in the research process of Sialon as described above. There is no mention of dissolving an optically active element in the present crystal phase and using the solid solution crystal phase as a phosphor. Until the present invention, no attempt was made to use this as a phosphor. In other words, a novel substance in which an optically active element is dissolved in the C a A 1 S i N 3 crystal phase is a novel substance.
  • the present inventors have conducted further intensive studies on the basis of this finding, and as a result, by employing the configurations described in the following (1) to (24), a light emission phenomenon of high luminance in a specific wavelength region is exhibited.
  • this phosphor and adopting the configuration described in (25) to (37), a lighting device and an image display device having excellent characteristics have been successfully provided.
  • the inorganic compound as a phosphor as described in (38) to (39) a pigment and an ultraviolet absorber were successfully provided.
  • the present invention provides a phosphor that emits light with high luminance in a long shadow area, and an illuminating device, an image display device, a pigment, and an ultraviolet ray using the phosphor. It succeeded in providing an absorbent, and the composition is as described in the following (1) to (39).
  • a yarn composition containing at least M element, A element, D element, E element, and X element (where M is Mn, Ce, Pr, Nd, S m, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, and one or more elements selected from the group consisting of Yb, A is a divalent metal element other than the M element
  • X is one or more elements selected from ⁇ , N, and F
  • the phosphor according to the above item (1) characterized by being composed of an inorganic compound having the same crystal structure as that of C a A 1 S i N 3 .
  • A is one or more elements selected from the group consisting of Mg, Ca,. Sr, and Ba; D is Si, Ge, Sn, Ti, Zr , Hf, one or more elements selected from the group consisting of: E, E is selected from the group consisting of B, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Gd, Lu
  • the phosphor according to any one of (1) to (6).
  • Element M is Eu
  • element A is Ca
  • element D is Si
  • element E is A1
  • element X is N or a mixture of N and ⁇ . Characterized by the above
  • An inorganic compound having the same crystal structure as Ca A 1 S i N 3 is a C a Al S i N 3 crystal phase, in which Eu is dissolved as a solid solution, and 10 0
  • the phosphor according to the above item (20) which emits fluorescence having a wavelength of 600 nm to 700 nm when irradiated with light having a wavelength of 11111 to 600 nm.
  • the color emitted when the excitation source is irradiated is the value of (x, y) on the CIE chromaticity coordinates, and 0.45 ⁇ ⁇ 0.7
  • a lighting device comprising a light emitting light source and a phosphor, wherein at least the phosphor according to any one of the above items (1) to (24) is used.
  • the lighting device according to the above item (25), wherein the light source is an LED that emits light having a wavelength of 330 to 500 nm.
  • the light emitting source is an LED that emits light having a wavelength of 330 to 420 nm, and the phosphor according to any one of the above items (1) to (24); Blue phosphor having an emission peak at a wavelength of 420 nm or more and 500 nm or less by excitation light of nm, and green phosphor having an emission peak at a wavelength of 500 nm or more and 570 nm or less by excitation light of 330-420 nm.
  • the lighting device according to any one of the above (25) or (.26), wherein white light is emitted by mixing red, green, and blue light by using the light emitting device.
  • the light-emitting source is an LED that emits light having a wavelength of 420 to 500 nm, and the phosphor according to any one of the above (1) to (24), and excitation of 420 to 500 nm.
  • the white light is emitted by using a green phosphor having an emission peak at a wavelength of 500 nm or more and 570 nm or less by light, according to any one of the above items (25) and (26).
  • the lighting fixture as described.
  • the light emitting source is an LED that emits light having a wavelength of 420 to 50011 m, and the phosphor according to any one of the above (1) to (24), and excitation of 420 to 500 nm. Any of the above (2,5) or (26), which emits white light by using a yellow phosphor having an emission peak at a wavelength of 550 nm or more and 600 nm or less by light. Lighting equipment according to paragraph 1.
  • An image display device comprising an excitation source and a phosphor, wherein at least the phosphor according to any one of the above (1) 'to (24) is used. . (32) The image display device according to (31), wherein the excitation source is an LED that emits light having a wavelength of 330 to 500 nm.
  • the excitation source is an LED that emits light having a wavelength of 330 to 420 nm, and 330 to 420 ⁇ m.
  • the excitation source is an LED that emits light having a wavelength of 330 to 420 nm, and 330 to 420 ⁇ m.
  • the image display device according to any one of the above (31) or (32), wherein white light is emitted by mixing red, green, and blue light.
  • the excitation source is an LED that emits light having a wavelength of 420 to 50011 m, and the phosphor according to any one of the above items (1) to (24), and excitation of 420 to 500 ⁇ m. Any one of the above item (31) or (32), wherein the device emits white light by using a green phosphor having an emission peak at a wavelength of 500 nm or more and 570 nm or less by light. 3.
  • the image display device according to 1. ⁇
  • the excitation source is an LED that emits light having a wavelength of 420 to 500 nnx, and the phosphor according to any one of the above items (1) to (24), and excitation of 420 to 500 ⁇ in. Any one of the above item (31) or (32), which emits white light by using a yellow phosphor having an emission peak at a wavelength of 550 nm to 600 nm by light. 3.
  • the image display device according to 1.
  • the image display device is a fluorescent display tube (VFD), fino red emission display (FED), plasma display panel (PDP), cathode ray tube (CRT)
  • VFD fluorescent display tube
  • FED fino red emission display
  • PDP plasma display panel
  • CRT cathode ray tube
  • the phosphor of the present invention is a multi-element nitride containing a divalent element, a trivalent element and a tetravalent element, in particular, a crystal phase represented by C a A 1 S i N 3 , and another crystal phase having the same crystal structure.
  • a crystal phase or a solid solution of these crystal phases By containing a crystal phase or a solid solution of these crystal phases as a main component, it emits light at a longer wavelength than the conventional SiN oxynitride phosphor, and as an orange or red phosphor Are better.
  • this phosphor Even when exposed to an excitation source, this phosphor provides a useful phosphor suitable for use in VFDs, FEDs, PDPs, CRTs, white LEDs, etc., without a decrease in luminance. Also, among these phosphors, certain inorganic compounds have a red base color and absorb ultraviolet light, and thus are suitable for red pigments and ultraviolet absorbers. ⁇
  • FIG. 1-1 is an X-ray diffraction chart of Ca A 1 S i N 3 .
  • FIG. 1-2 is an X-ray diffraction chart of Ca A 1 Si N 3 (Example 1) activated by Eu.
  • FIG. 2 is a diagram showing a crystal structure model of Ca A 1 S i N 3 .
  • FIG. 3 is a diagram showing a crystal structure model of Si 2 N 20 having a similar structure of the Ca A 1 Si N 3 crystal phase.
  • FIG. 4 is a diagram showing a light emission spectrum of the phosphor (Examples 1 to 7).
  • FIG. 5 is a diagram showing an excitation spectrum of the phosphor (Examples 1 to 7).
  • FIG. 6 is a diagram showing a light emission spectrum of a phosphor (Examples 8 to 11).
  • FIG. 7 is a diagram showing an excitation spectrum of a phosphor (Examples 8 to 11).
  • FIG. 8 is a diagram showing a light emission spectrum of a phosphor (Examples 12 to 15).
  • FIG. 9 is a diagram showing an excitation spectrum of a phosphor (Examples 12 to 15).
  • FIG. 10 is a diagram showing the light emission spectrum of the phosphor (Examples 16 to 25).
  • FIG. 11 is a diagram showing an excitation spectrum of the phosphor (Examples 16 to 25).
  • FIG. 12 is a diagram showing a light emission spectrum of a phosphor (Examples 26 to 30).
  • FIG. 13 is a diagram showing an excitation spectrum of a phosphor (Examples 26 to 30).
  • FIG. 14 is a schematic diagram of a lighting fixture (LED lighting fixture) according to the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic diagram of an image display device (plasma display panel) according to the present invention.
  • 1 is a mixture of a red phosphor and a yellow phosphor of the present invention or a mixture of a red phosphor, a blue phosphor and a green phosphor of the present invention
  • 2 is an LED chip
  • 3 And 4 are conductive terminals
  • 5 is a wire bond
  • 6 is a resin layer
  • 7 is a container
  • 8 is a red phosphor of the present invention
  • 9 is a green phosphor
  • 10 is a blue phosphor
  • 11, 12, and 13 Represents an ultraviolet light emitting cell
  • 14, 15, 16 and 17 represent electrodes
  • 18 and 19 represent dielectric layers
  • 20 represents a protective layer
  • 21 and 22 represent glass substrates.
  • the phosphor of the present invention comprises (1) a composition containing at least M element, A element, D element, E element, and X element (where M is Mn, Ce, Pr, Nd , Sm, EuTb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, one or more elements selected from the group consisting of, A is a group consisting of-divalent metal elements other than M element
  • M is Mn, Ce, Pr, Nd , Sm, EuTb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb
  • A is a group consisting of-divalent metal elements other than M element
  • D is one or more elements selected from the group consisting of tetravalent metal elements
  • E is selected from the group consisting of trivalent metal elements
  • X is one or more elements selected from the group consisting of 0, N, and F;
  • (2) (a) a crystal phase represented by the chemical formula C a A 1 S i N 3 , (b) another crystal phase having the same crystal structure as this crystal phase,
  • M is a force S which is one or more elements selected from the group consisting of Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, and Yb.
  • Mn, Ce, Sm, Eu, Tb, Dy, Er and preferably one or more elements selected from the group consisting of Yb, more preferably containing Eu
  • it is more preferably Eu.
  • A is one or more elements selected from the group consisting of divalent metal elements other than the M element, and among them, is selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, and Ba. It is preferably a species or two or more elements, and more preferably Ca.
  • D is one or more elements selected from the group consisting of tetravalent metal elements. Among them, D is a group consisting of Si, Ge, Sn, Ti, Zr, and Hf. It is preferably one or two or more selected elements, and more preferably Si.
  • E is one or more elements selected from the group consisting of trivalent metal elements.
  • B Al, Ga, In, Sc, Y, La, G It is preferably one or two or more elements selected from the group consisting of d and Lu, and more preferably A1.
  • X is one or more elements selected from the group consisting of 0, N, and F, and among them, N or N and O are preferable.
  • the composition is represented by the composition formula 1 ⁇ 3 1] 0 ( : £ ( 16.
  • a, c, d, e :
  • the value of a is preferably 0.002 or more and 0.03 or less from the viewpoint of increasing the emission luminance.
  • the c value is the content of the D element such as Si, and is the amount indicated by 0. c ⁇ 4.
  • the c-value is smaller than 0.5 and larger than 4, the light emission luminance decreases.
  • the e value is the content of X element such as .N,
  • those having a high emission luminance include at least Eu in the M element, Ca in the A element, Si in the D element, A 1 in the E element, X element Contains N.
  • M element is Eu
  • a element is Ca
  • D element is
  • Si is an element
  • E is an element A1
  • element X is an inorganic compound such as N or a mixture of N and O.
  • the crystal phase belongs to the 36th space group of the Cmc Z i International Tables for Crysta 1 lography). It occupies the attrition coordinate position shown in Table 5.
  • the space group was determined by convergent electron diffraction, and the atomic coordinates were determined by Rietveld analysis of the X-ray diffraction results.
  • This crystal phase has the structure shown in Fig. 2 and has a skeleton similar to the Si 2 N 20 crystal phase (mineral name sincite) shown in Figs. That is, Si and A 1 occupy the position of Si in the Si 2 N 20 crystal phase, N occupies the position of N and O, and the space of the skeleton formed by 31-1 ⁇ -0 is C a is a crystal phase incorporated as an interstitial element, and has a structure in which the atomic coordinates have changed to the positions shown in Table 5 due to the element substitution. Note that Si and A 1 occupy the Si position of the Si 2 N 20 crystal phase in an irregularly distributed (disordered) state. Therefore, this structure is named sinoite-type sialon structure.
  • Inorganic compounds having a C a A l S i N 3 same crystal structure illustrated in the present invention is that the C a A 1 S i N 3 group crystal phase in which an inorganic compound described above.
  • Inorganic compounds having a C aA l S i N 3 and same crystal structure, and C a A l to S i N 3 of substance C other showing the same diffraction and X-ray diffraction results, constituent elements of the other elements This also includes those whose lattice constants have been changed by replacement. For example, C a A 1 S i N 3 crystal phase, C a A 1 S i N 3 crystal phase And the like.
  • C a in the crystal phase is an element M (where M is Mn, Ce, One or more elements selected from the group consisting of Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb) and / or M element and Ca
  • M is Mn, Ce, One or more elements selected from the group consisting of Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb
  • Ca A group consisting of divalent metal elements other than Si, preferably one or two or more elements selected from the group consisting of Mg, Sr, and Ba, wherein Si is from a tetravalent metal element other than Si A, preferably one or more elements selected from the group consisting of Ge, Sn, Ti, Zr, and H, wherein A1 is a trivalent metal element other than A1 A group, preferably one or more elements selected from the group consisting of B, GasIn, Sc, Y, La, Gd, and Lu, wherein N is selected from the group consisting
  • the C a A 1 S i N 3 group crystal phase has a lattice constant due to the replacement of C a, S i, A 1, and N with other elements or the solid solution of metal elements such as Eu.
  • the crystal structure, the sites occupied by the atoms, and the atomic positions given by their coordinates do not change much enough to break the chemical bonds between the skeletal atoms.
  • A1-N and S1-N calculated from lattice coordinates and atomic coordinates obtained by Rietveld analysis of X-ray and neutron diffraction results in the space group of Cmc2
  • the length of the chemical bond (distance between adjacent atoms) is compared with the lattice constant of C a Al S i N 3 shown in Table 5 and the length of the chemical bond calculated from the atomic coordinates.
  • the same crystal structure is defined, and it is determined whether or not it is a C a A 1 S i N 3 group crystal phase. This criterion is that when the length of a chemical bond changes rapidly by ⁇ 15%, the chemical bond is broken and another crystal phase is formed. ⁇
  • an approximate structure can be defined by using another crystal system such as a monoclinic system or a hexagonal system for the crystal structure of the Ca A 1 S i N 3 crystal phase.
  • the expression uses groups and lattice constants, the X-ray diffraction results remain the same, and the identification method and identification results using the same are the same. For this reason, in the present invention, X-ray diffraction analysis is performed using an orthorhombic system. The method of identifying substances based on Table 4 will be specifically described in Example 1 described later, and will be described only here.
  • the number of C a and S r atoms contained in the phosphor, that is, the inorganic compound is 0.02 ⁇ (the number of ⁇ & atoms) / ⁇ (the number of A atoms) + (the number of S r atoms
  • the phosphor having a composition within this range is a phosphor having a shorter wavelength than that having a Ca A 1 S i N 3 crystal phase as a matrix.
  • a material based on an inorganic compound containing nitrogen and oxygen has excellent durability in high-temperature air.
  • the number of O and N atoms contained in the inorganic compound is 0.5 ⁇ (number of N atoms) / ⁇ (number of N atoms) + (number of O atoms) ⁇ ⁇ 1 Excellent durability at high temperatures.
  • the phosphor made of an inorganic compound having the same crystal structure as C a A 1 S i N 3 of the present invention is used as a powder
  • the phosphor is preferred from the viewpoints of dispersibility in resin, fluidity of the powder, and the like.
  • the average particle size of the inorganic compound is preferably from 0.1 zm to 20 ⁇ .
  • This powder is a single crystal particle or an aggregate of single crystals, but the average particle size is 0.1 l / m or more and 20 ⁇ or less. improves.
  • impurities contained in the inorganic compound are as small as possible.
  • selection of raw material powders should be performed so that the total of these elements is 500 ppm or less. Control should be performed.
  • components serving C a A 1 S i N 3 group crystal phase of nitride comprise as much as possible in high purity, is that you have constructed a single phase if Although it is desirable, it can be composed of a mixture with another crystalline phase or amorphous phase as long as the characteristics are not deteriorated. In this case, it is desirable that the content of the CaA 1 SiN 3 group crystal phase be 20% by mass or more in order to obtain high luminance. More preferably, the brightness is remarkably improved at 50% by mass or more. Range mainly in the present invention, the content of C a A 1 S i N 3 group crystal phase is at least 2 0 mass% or more.
  • the proportion of the content of the C a A 1 S i 3 group crystal phase was measured by X-ray diffraction, and the intensities of the strongest peaks of the C a A 1 S i N 3 group crystal phase and the other crystal phases were determined. Can be obtained from the ratio of
  • conductivity can be imparted to the phosphor by mixing an inorganic substance having conductivity.
  • the conductive inorganic substance include oxides, oxynitrides, or nitrides containing one or more elements selected from Zn, Al, Ga, In, and Sn, or a mixture thereof. And mixtures thereof.
  • the phosphor of the present invention can be colored red by a combination of a specific crystal and an activating element, but it is necessary to mix it with other colors such as yellow, green, and blue. Accordingly, inorganic phosphors that emit these colors can be mixed.
  • the excitation spectrum and the fluorescence spectrum are different depending on the composition. By appropriately selecting and combining them, it is possible to set the light emitting device to have various light emitting spectra. The mode may be set to a spectrum required based on the application.
  • Eu is added to the Ca A 1 Si N 3 crystal phase by 0.000 I (number of atoms of Eu) / ⁇ (number of atoms of Eu) + (number of atoms of Ca) ⁇ ⁇ 0.
  • Additions with a composition of 1 result in light having a wavelength in the range of 100 nm to 600 nm, preferably 600 nm, when excited with light in the wavelength range of 200 nm to 600 nm. It shows light emission with a peak in the wavelength range of 700 nm or less and shows excellent light emission characteristics as red fluorescence.
  • the phosphor of the present invention obtained as described above is more visible than ordinary oxide phosphors or existing Salone phosphors from electron beams, X-rays, and ultraviolet rays to visible light, that is, 100 It must have a wide excitation range of ultraviolet or visible light with wavelengths between nm and 600 nm, and emit orange or red light with a wavelength of 570 nm or more. It is characterized by (x, y) on the CIE chromaticity coordinates, and emits red light in the range of 0.45 ⁇ x ⁇ 0.7. Due to the above light emission characteristics, it is suitable for lighting equipment, image display devices, pigments, and ultraviolet absorbers. In addition, it has excellent heat resistance because it does not deteriorate even when exposed to high temperatures, and also has excellent long-term stability under an oxidizing atmosphere and a moisture environment.
  • a phosphor with high luminance can be manufactured by the following method.
  • a raw material mixture that can constitute the composition represented by M, A, D, E, or X by firing which is a mixture of metal compounds, is heated to 1200 ° C or more in an inert atmosphere containing nitrogen. By firing in a temperature range of 2200 ° C or lower, a high-brightness phosphor can be obtained.
  • a starting material is a mixture of europium nitride or oxide: powder of europium, calcium nitride, silicon nitride, and aluminum nitride. Good.
  • the mixed powder of the above metal compounds is preferably fired while maintaining the volume filling ratio at 40% or less.
  • the volume filling ratio can be obtained from (bulk density of the mixed powder) Z (theoretical density of the mixed powder) XI 00 [%].
  • a boron nitride sintered body is suitable because of its low reactivity with a metal compound.
  • Firing while maintaining the volume filling rate at 40 ° / 0 or less is because if there is free space around the raw material powder, the reaction product, C a A 1 S i N 3 This is because the crystal phase grows in a free space and the contact between the crystal phases is reduced, so that a crystal phase with few surface defects can be synthesized. ⁇
  • a phosphor is synthesized by firing the obtained mixture of metal compounds in an inert atmosphere containing nitrogen in a temperature range of 1200 ° C. or more and 220 ° C. or less.
  • the furnace used for Takashige is a metal resistance heating resistance heating method or graphite resistance heating method because the firing temperature is high and the firing atmosphere is an inert atmosphere containing nitrogen.
  • An electric furnace using carbon is preferred.
  • the sintering method that does not apply mechanical pressure from the outside, such as normal pressure sintering method and gas pressure sintering method, This is preferable for baking while maintaining the volume filling ratio at 40% or less.
  • the powder agglomerates obtained by calcination are firmly fixed, pulverize them with a mill usually used in factories, such as a ball mill and a jet mill. Grinding is performed until the average particle size becomes 20 m or less. Particularly preferably, the average particle size is from 0.1111 to 5111. If the average particle size exceeds 20 ⁇ , the fluidity of the powder and the dispersibility in the resin become poor, and the light emission intensity becomes uneven depending on the site when forming a light emitting device in combination with a light emitting element. At 0.1 ⁇ or less, the amount of defects on the surface of the phosphor powder increases, and the emission intensity decreases depending on the composition of the phosphor.
  • a phosphor mainly composed of an inorganic compound containing nitrogen and oxygen can be produced by the following method.
  • oxygen abundance ratio in the raw material oxygen is present in the raw material to be fired so as to be 1% or more and 20% or less.
  • the oxygen content ratio in the raw material is the ratio (percentage) of the number of moles of oxygen to the total number of moles of nitrogen and oxygen present in the raw material to be fired during firing, and the nitrogen in the raw material to be fired is derived from the raw material powder.
  • Nitrogen on the other hand, oxygen includes not only those previously contained in the raw material powder but also oxygen taken into the object to be fired from the firing atmosphere during firing.
  • the oxygen content in the raw material can be determined by measuring the oxygen content using an oxygen nitrogen analyzer. It is preferable that the oxygen content ratio in the raw material is 2% or more and 15% or less.
  • the method of mixing the raw material nitride powder with the oxygen-containing compound powder to obtain a raw material to be fired is preferable.
  • the method of (1) and the method of (3) are used in combination to obtain the raw material nitride. It is more preferable to use a raw material to be fired containing a desired concentration of oxygen, and to mix and use an oxygen-containing compound powder with the raw nitride powder.
  • the oxygen-containing compound powder is selected from substances that become metal oxides when fired. These substances include inorganic salts such as oxides, nitrates, sulfates, and carbonates of the metals constituting the raw material nitrides, organic salts such as oxalates and acetates, and oxygen-containing substances.
  • inorganic salts such as oxides, nitrates, sulfates, and carbonates of the metals constituting the raw material nitrides
  • organic salts such as oxalates and acetates
  • oxygen-containing substances oxygen-containing substances.
  • An organic metal compound or the like can be used, but it is preferable to use a metal oxide because the oxygen concentration can be easily controlled and the entrainment of impurity gas into the firing atmosphere can be suppressed low.
  • the oxygen content in the raw material can be easily determined by performing a chemical analysis of all the raw materials. In particular, by analyzing the concentration of nitrogen and oxygen, the ratio of nitrogen and oxygen can be determined.
  • the simple substance and / or compound of the element M used as the 'raw material' include metals (simple), oxides, nitrides, sulfides, halides, and hydrides of the element M, as well as nitrates, sulfates, and carbonates.
  • Inorganic acid salts such as oxalates, acetates, etc., organic metal compounds, etc., as long as the M element is incorporated into the phosphor matrix at high temperature, and there are no restrictions on the type. .
  • metals, oxides, nitrides, and halides of element M are preferable because of their good reactivity with other nitride raw materials.Particularly, the raw materials can be obtained at low cost and the synthesis temperature of the phosphor can be lowered. And oxides are preferred.
  • E u as the element M, as Eu raw material, Eu metal the Eu and configuration elements, E u O and E u 2 0 3, etc.
  • various compounds or 2 can be used over seeds, E u F 2, E u F 3, E u halides such as E u C 1 2, E u C 1 3 is preferred because the effect of promoting crystal growth.
  • Eu 2 0 3 and Eu metal also highly characteristic phosphor can be synthesized.
  • E u 2 0 3 which less cheap deliquescent material cost of the phosphor with high brightness can be synthesized at a relatively low temperature is particularly preferred.
  • nitrides As a raw material for elements other than the M element, that is, as a raw material for the A, D, and E elements, those nitrides are usually used.
  • the nitride for the A element for example, Mg 3 N 2 , C a 3 n 2, S r 3 n 2, B a 3 n 2, Z n 3 1 , two or more n 2 and the like
  • the nitride of D element for example, S i 3 n 4, G e 3 n 4, S n 3 n 4, T i 3 n 4, Z r 3 n 4, H f 3 1 kind of n 4 or the like or two or more.
  • the nitride of E element eg 'If it is, one or more of A 1 N, G a N, In N, S C N, etc. may be mentioned, and it is preferable to use those powders because a phosphor having high emission characteristics can be produced.
  • the use of a highly reactive and highly reactive nitride raw material in which the number of moles of oxygen to the total number of moles of nitrogen and oxygen is 1% or more and 20% or less as the raw material of element A The solid-phase reaction can proceed remarkably, and as a result, the firing temperature and the atmospheric gas pressure during firing can be reduced without compression molding the raw material mixed powder.
  • a nitride raw material in which the number of moles of oxygen relative to the total number of nitrogen and oxygen is particularly 2 ° / 0 or more and 15% or less.
  • the bulk density of the raw material mixed powder is too low, the solid phase reaction does not easily proceed due to the small contact area between the raw material powders, and a large amount of impurity phase that cannot synthesize a preferable phosphor remains.
  • the bulk density is too large, the obtained phosphor may be a hard sintered body, which requires not only a long pulverization step after firing but also a decrease in the luminance of the phosphor. is there. Therefore, the bulk density is preferably 0.15 gZcm 3 or more and 0.8 g / cm 3 or less.
  • the firing temperature of the raw material mixed powder is too low, the solid phase reaction does not easily proceed, and the desired phosphor cannot be synthesized. On the other hand, if it is too high, it only consumes unnecessary firing energy Instead, the volatilization of nitrogen from the starting materials and product materials increases, and the target phosphor tends to be manufactured unless the pressure of nitrogen, which is a part of the atmospheric gas, is extremely high. Therefore, the firing temperature is preferably from 1300 ° C to 1700 ° C.
  • the sintering atmosphere of the raw material mixed powder is basically an inert atmosphere or a reducing atmosphere.However, by using an atmosphere containing a trace amount of oxygen having an oxygen concentration in the range of 0.1 to 10 ppm, it can be performed at a relatively low temperature. It is preferable since the phosphor can be synthesized.
  • the pressure of the atmosphere gas during firing is usually 20 atm (2 MPa) or less.
  • high-temperature sintering equipment consisting of a robust heat-resistant vessel is required.
  • the atmospheric gas pressure it is necessary to reduce the atmospheric gas pressure to 10 atmospheres (1 MPa) or less. I like it.
  • the pressure slightly exceeds 1 atm (0. IMPa). If the airtightness of the firing furnace is poor, it is difficult to obtain a phosphor with high characteristics due to the incorporation of a large amount of oxygen below 1 atm (0. IMPa). ''.
  • the holding time at the maximum temperature during firing is usually 1 minute or more and 100 hours or less. If the holding time is too short, the desired phosphor cannot be obtained without the solid phase reaction between the raw material mixed powders proceeding sufficiently. On the other hand, if the holding time is too long, not only unnecessary heating energy is consumed, but also nitrogen is desorbed from the surface of the phosphor, thereby deteriorating the fluorescence characteristics. For the same reason, it is preferable that the holding time is not less than 10 minutes and not more than 24 hours.
  • the Ca A 1 SiN 3 group crystal phase phosphor of the present invention exhibits higher luminance than a conventional Sallon phosphor, and exhibits a higher luminance when exposed to an excitation source. Since it is less deteriorated, it is a suitable phosphor for VFD, FED, PDP, CRT, white LED, etc.
  • the lighting fixture of the present invention is configured using at least a light emitting light source and the phosphor of the present invention.
  • Lighting equipment includes LED lighting equipment and fluorescent lamps.
  • the phosphor of the present invention is used to obtain a known device as described in JP-A-5-152609, JP-A-7-99345, JP-A-2927279, and the like. It can be manufactured by a method.
  • the light source is 3 30-500 n
  • These light-emitting elements include those made of nitride semiconductors such as GaN and InGaN, and can be a light-emitting light source that emits light of a predetermined wavelength by adjusting the composition.
  • a lighting device that emits a desired color can be formed by using the phosphor of the present invention in combination with a phosphor having another light emitting characteristic.
  • a phosphor having another light emitting characteristic As an example of this, an ultraviolet LED emitting element of 330 to 420 nm, a blue phosphor excited at this wavelength and having an emission peak at a wavelength of not less than 420 rim and not more than 500 nm, and 500 nm
  • a green phosphor having an emission peak at a wavelength of not less than nm and not more than 570 nm There is a combination of a green phosphor having an emission peak at a wavelength of not less than nm and not more than 570 nm and the phosphor of the present invention.
  • Such blue phosphor as the B AMG A 1 10 ⁇ 17: the E u, 8 & 1 ⁇ 1 ⁇ 1 1 as a green phosphor. 0 17 : £ 11, Mn.
  • the ultraviolet light emitted by the LED is irradiated on the phosphor, light of three colors, red, green, and blue, is emitted, and a white luminaire is obtained by mixing these lights.
  • a blue LED light emitting device of 420 to 500 nm, a yellow phosphor excited at this wavelength and having an emission peak at a wavelength of 550 nm to 600 nm, and the phosphor of the present invention are used. There is a combination with.
  • a blue LED light emitting element of 420 to 500, a green phosphor excited at this wavelength and having an emission peak at a wavelength of 5001 to 570 nm, and a fluorescent light of the present invention are used.
  • the blue light emitted by the LED When the phosphor is irradiated on the phosphor, two colors of red and green light are emitted, and these are mixed with the blue light of the LED itself to form a white luminaire.
  • the image display device of the present invention comprises at least an excitation source and the phosphor of the present invention, such as a fluorescent display tube (VFD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), a cathode ray tube (CRT), and the like.
  • the phosphor of the present invention emits light by excitation such as vacuum ultraviolet rays of 100 to 90 nm, ultraviolet rays of 190 to 380 nm, and electron beams.
  • the image display device as described above can be configured by the combination of the above.
  • the specific inorganic compound of the present invention has a red object color, it can be used as a red pigment or a red fluorescent pigment.
  • the inorganic compound of the present invention is illuminated with sunlight or fluorescent light, a red object color is observed, the coloration is good, and the inorganic compound is not deteriorated over a long period of time.
  • the nitride of the present invention absorbs ultraviolet light, it is also suitable as an ultraviolet absorber. Therefore, when used as a paint, applied to the surface of a plastic product, or kneaded into the interior, it has a high effect of blocking ultraviolet light and has a high effect of protecting the product from deterioration due to ultraviolet light.
  • the raw powder has an average particle size of 0.5 / xm and an oxygen content of 0.93 weight. /. , ⁇ type content 92% silicon nitride powder, specific surface area 3.3m 2 Zg, oxygen content 0.79 ° /.
  • Aluminum nitride powder, calcium nitride powder, and europium nitride synthesized by nitriding europium metal in ammonia were used.
  • This mixed powder was put into a crucible made of boron nitride and set in an electric furnace of a graphite resistance heating system.
  • the baking operation is as follows. First, the baking atmosphere is evacuated by a diffusion pump, heated from room temperature to 800 ° C at a rate of 500 ° C per hour, and nitrogen is introduced at 800 and the bluntness is 99.999% by volume. The temperature was raised to 1800 ° C at 500 ° C / hour and maintained at 1800 ° C for 2 hours.
  • the obtained fired body was coarsely ground, then ground by hand using a crucible and a mortar made of silicon nitride sintered body, and passed through a 30 ⁇ eye sieve.
  • the average particle size was 15 ⁇ .
  • the constituent crystal phase of the obtained synthetic powder was identified by the following procedure. First, in order to obtain pure C a A 1 S i N 3 containing no ⁇ element serving as a standard substance, the nitride Kei-containing powder and aluminum powder and calcium nitride powder nitride, each 34.088 weight 0/0, 29.883 weight %, 36. 029% by weight, and mixed in an agate pestle and mortar in a glove box for 30 minutes, then put into a boron nitride crucible and placed in a graphite resistance heating furnace. I set it.
  • the baking atmosphere is vacuumed by a diffusion pump, heated from a greenhouse to 800 ° C at a rate of 500 ° C per hour, and nitrogen with a purity of 99.999 volume ° / 0 at 800 ° ⁇ is introduced.
  • the temperature was raised to 1800 ° C at 500 per hour, and the temperature was kept at 1800 ° C for 2 hours.
  • the synthesized sample is crushed using an agate mortar, and Powder using a line 1789S
  • the composition of this powder was analyzed by the following method. First, the sample was placed 5 Omg in a platinum crucible, after heated and melted by the addition of sodium carbonate 0. 5 ⁇ and Hou acid 0. 2 g, the solution for measurement as constant volume of 100 m l dissolved in hydrochloric 2m 1 Produced. The liquid sample was subjected to ICP emission spectroscopy to determine the amounts of Si, Al, Eu, and Ca in the powder sample. Also, 2 ⁇ ⁇ g of the sample was put into a tin capsule, and this was put in a nickel basket. Was quantified. Measurements, E u:. 0. 8 6 ⁇ 0 01 mass 0/0, C a:. 28.
  • composition of the synthesized inorganic compound calculated from the analysis results of all elements, E u 0 .. . 78 C a o. 9922 S i o. 9997 A 1 o. 99 96 N 2. 782 O 0. Is 172.
  • those in which a part of N is replaced by O Even within that range, a red phosphor with high brightness can be obtained even in that case.
  • Example 2 Using a raw material powder according to Example 1, to obtain the pure C a A 1 S i N 3 containing no M element, a nitride Kei-containing powder and aluminum powder and calcium nitride powder nitride, each 34.088 weight 0 / 0, 29.88 3 wt 0/0, 36, 029 wt%, and made by and sea urchin weighed, to prepare a powder in the same manner as in example 1. End was synthesized according to the X-ray diffraction measurement, it was confirmed that the C a A l S i N 3 . When the emission spectrum of the synthesized inorganic compound was measured, no significant emission peak was observed in the range of 570 nm to 700 nm. Examples 2 to 7;
  • inorganic compounds having a composition in which part or all of Ca was replaced with Ba were produced.
  • Inorganic compounds were prepared in the same manner as in Example 1, except for the compositions shown in Tables 1, 2, and 3. X-ray diffraction measurement confirmed that the synthesized powder was an inorganic compound having the same crystal structure as Ca A 1 Si N 3 .
  • the excitation and emission spectra of the synthesized inorganic compound were measured, as shown in Figs. 4, 5 and Table 6, the excitation was performed with ultraviolet light and visible light of It was confirmed that the phosphor was a red phosphor having an emission peak in the range of 70 nm to 700 nm. Note that the emission luminance decreases as the amount of added Ba increases, so that the composition in a region where the amount of added Ba is small is preferable. Examples 8 to 15;
  • Phosphors were prepared in the same manner as in Example 1 except for the compositions shown in Tables 1, 2, and 3.
  • X-ray diffraction measurement confirmed that the synthesized powder was an inorganic compound having the same crystal structure as CaA 1 SiN 3 .
  • the excitation and emission spectra of the synthesized inorganic compounds were measured.
  • Figures 6 and 7 (Examples 8 to 11), Figure-8 and Figure 9 (Examples 12 to 15), and Table 6 show the results. As shown in the figure, it was confirmed that the phosphor was excited by ultraviolet light and visible light from 350 nm to 6 ⁇ 0 nm and had a red emission peak in the range of 570 nm to 700 nm. Was done.
  • the emission luminance decreases as the amount of Sr added increases, but the emission peak wavelength shifts to a shorter wavelength side than the addition of Ca alone, so the peak in the range of 600 nm to In order to obtain a phosphor having a wavelength, it is effective to replace one part of C a with S r. Examples 16 to 25;
  • Example 16 to 25 a composition was obtained in which part or all of Ca was replaced with Mg. A machine tie was prepared.
  • Phosphors were prepared in the same manner as in Example 1 except for the compositions shown in Tables 1, 2, and 3. Powder synthesized according to the X-ray diffraction measurement, it was confirmed C a A l S i N 3 identical crystal structure is a lifting one inorganic compound. The excitation and emission spectra of the synthesized inorganic compounds were measured, and as shown in Figs. 10 and 11, and Table 6, the excitation and emission spectra were excited by ultraviolet and visible light from 350 nm to 60011 m. It was confirmed to be a red phosphor having an emission peak in the range of 70 nm to 700 nm. In addition, since the light emission luminance decreases when the amount of added Mg is large, the composition in a region where the amount of added Mg is small is preferable. Examples 26 to 30;
  • the composition was studied.
  • a phosphor was produced in the same manner as in Example 1 except for tartar shown in Tables 7 and 8.
  • X-ray diffraction measurement confirmed that the synthesized powder was an inorganic conjugate having the same crystal structure as CaA 1 SiN 3 .
  • the excitation and emission spectra of the synthesized inorganic compound were measured, as shown in Figs. 12 and 13, the excitation was performed with ultraviolet light from 350 nm to 600 nm and visible light, and It was confirmed to be a red phosphor having an emission peak in the 700 nm range. It should be noted that since the light luminance is reduced when the oxygen addition amount is large, the composition in a region where the oxygen addition amount is small is preferable. Table 7. Design composition parameters
  • Example 10 Using the same raw material powder as in Example 1, to obtain an inorganic compound (mixed composition of the raw material powder, Table 10 shows the composition parameter), the silicon nitride powder, the aluminum nitride powder, the calcium nitride powder, After weighing the europium powder and mixing with a mortar and a mortar for 30 minutes, the resulting mixture is molded by applying a pressure of 20 MPa using a mold to have a diameter of 12 mm and a thickness of 5 mm. Molded article. All of the steps of weighing, mixing, and molding the powder were performed in a glove box capable of maintaining a nitrogen atmosphere of 1 Ppm or less in moisture and 1 Ppm or less in oxygen.
  • the compact was placed in a crucible made of boron nitride and set in a graphite resistance heating type electric furnace.
  • the calcination operation first, the firing atmosphere was evacuated by a diffusion pump, a greenhouse or we heated at a rate per hour 500 ° C to 800 ° C, 800 ° (in a purity of 99.999 body product 0/0 Nitrogen Introduce the pressure to IMP a and heat up to 1800 ° C at 500 ° C per hour Then, the temperature was maintained at 180 ° C. for 2 hours. After firing, the constituent crystal phase of the obtained sintered body was identified, and as a result, it was determined to be a Ca A 1 Si N 3 group crystal phase.
  • Example 3 1 0.0005 0.9995 1 1 3
  • Example 32 0.001 0.999 1-1 3
  • Example 33 0.002 0.998 1 1 3
  • Example 34 0.02 0.98 1 1 3
  • Example 35 0.032 0.968 1 1 3
  • Example 36 0.06 0.94 1 1 3
  • Example 37 0.1 0.9 1 1 3
  • Example 38-56 as 60 to 76, to prepare a E u a C a b S i c A 1 d N e that put on the composition c, d, inorganic compounds having a composition varying e parameters.
  • Phosphors were prepared in the same manner as in Example 1 except for the compositions shown in Tables 12 and 13. Synthesized powder according to the X-ray diffraction measurement, it was confirmed that a powder containing C a A l S i N 3 one lifting the same crystal structure and an inorganic compound. The excitation and emission spectra of the synthesized inorganic compounds were measured, and as shown in Table 14, the excitation and emission spectra were in the range of 570 nm to 700 nm when excited by ultraviolet and visible light from 350 nm to 60011 m. It was confirmed that the phosphor was a red phosphor having an emission peak.
  • examples 77-84 were prepared Eu a C a b D c E d X e D in the composition, E, inorganic compounds having a composition varying X element.
  • Phosphors were prepared in the same manner as in Example 1 except for the composition shown in Table 15 and Table: L6.
  • X-ray diffraction measurement confirmed that the synthesized powder was a powder containing an inorganic compound having the same crystal structure as CaA 1 SiN 3 .
  • the excitation and emission spectra of the synthesized inorganic compounds were measured, and as shown in Table 17, they were excited by ultraviolet light and visible light from 350 nm to 600 nm, and ranged from 570 nm to 700 nm. It was confirmed that the phosphor was a red phosphor having an emission peak.
  • Table 1 5.
  • Design refinement parameters Table 1 6. Mixing composition of raw material powder (unit: mass%) Table 17 7. Peak wavelength and intensity of excitation and emission spectrum in fluorescence measurement
  • Example 8 5-9 to produce a M a C a b S ⁇ C A 1 d (N, O) inorganic compound having a composition varying M elemental in e composition.
  • Phosphors were produced in the same manner as in Example 1 except for the compositions shown in Tables 18 and 19. Synthesized powder according to the X-ray diffraction measurement, it was confirmed that a powder containing C a A 1 S i N 3 one lifting the same crystal structure as the inorganic ⁇ f ⁇ thereof. Excitation and emission spectra of the synthesized inorganic compound were measured. As shown in Table 17, the inorganic compound was excited by ultraviolet light and visible light from 350 nm to 600 nm. Was confirmed to be a red phosphor having an emission peak in the range of 570 nm to 700 lam. In Example 89, light emission with a peak wavelength of 550 nm was shown.
  • Eu 2 0 3 powder, C a 3 N 2 powder in oxygen content 9 mole 0/0 represented the number of moles of oxygen to the total number of moles of nitrogen and oxygen, the oxygen content, 2 mol 0 / 0 Si 3 N 4 powder, the same oxygen content 2 mol 0 /.
  • the oxygen content represented by the number of moles of oxygen with respect to the total number of moles of nitrogen and oxygen in the raw material mixed powder was 5% by mole.
  • the Ca 3 N 2 powder contains oxygen by using a material containing oxygen at a desired concentration as a raw material to be fired, and the Si 3 N 4 powder contains oxygen at a desired concentration.
  • A1N powder contains oxygen at a desired concentration and contains oxygen by using the material having the desired concentration as the material to be fired.
  • it is put into a boron nitride crucible so as to have a bulk density of 0.35 g / cm 3, and nitrogen is mixed in a high-purity nitrogen atmosphere having an oxygen concentration of 10 ppm or less. It baked for 10 hours at 1600 ° C using an electric furnace at a pressure of 1.1 atm.
  • the raw material in an oxygen existing ratio at firing is 5 mol 0/0 by calculating from the oxygen concentration and the mixing ratio of each raw material in the raw materials.
  • the crystal phase generated in the obtained phosphor was identified by powder X-ray diffraction, and as a result, it was confirmed that a C a A 1 S i N 3 group crystal phase was generated.
  • the fluorescence characteristics of this phosphor were measured by excitation with a wavelength of 465 nni using a fluorescence spectrophotometer. The fluorescence characteristics were obtained when the peak intensity of a commercially available Ce-activated yttrium aluminum garnet-based phosphor was set to 100.
  • the phosphor has a high peak emission intensity of 128 and a peak wavelength of 65
  • Example 1 0 Except for the use of E u F 3 instead of eu 2 0 3, thereby obtaining the phosphor powder in the same manner as in Example 1 0 1.
  • the oxygen content represented by the number of moles of oxygen relative to the total number of moles of nitrogen and oxygen in the raw material mixed powder was 5% by mole.
  • the oxygen content in the raw material at the time of firing is 5 mol% by calculating from the oxygen concentration in each raw material and the mixing ratio of each raw material.
  • the crystal phase formed in the obtained violet body was identified by powder X-ray diffraction, and as a result, it was confirmed that a C a A 1 S i N 3 group crystal phase was formed.
  • the fluorescence characteristics of this phosphor were measured by excitation with a wavelength of 465 nm using a fluorescence spectrophotometer. Assuming that the peak intensity of a commercially available Ce-activated lithium aluminum garnet-based phosphor was set to 100, it was obtained. The phosphor thus obtained had a high emission intensity of 114, showing red light having a peak wavelength of 65 O nm.
  • 2 Omg of the obtained phosphor sample was put into a tin capsule, and this was put in a nickel basket. With a mold oxygen nitrogen analyzer, analysis of the concentrations of nitrogen and oxygen of the powder sample, the sum of nitrogen and oxygen, and contained 9 5 mole 0/0 and oxygen 5 mol% nitrogen.
  • the oxygen content represented by the number of moles of oxygen with respect to the total number of moles of nitrogen and oxygen in the raw material mixed powder was 5% by mole.
  • the ratio of oxygen present in the raw material at the time of firing is 5 mol% by calculating from the oxygen concentration in each raw material and the mixing ratio of each raw material.
  • the crystal phase formed in the obtained phosphor was identified by a powder X-ray diffraction method. As a result, it was confirmed that a C a A 1 S i] ⁇ 3 group crystal phase was formed.
  • the peak intensity of a commercially available Ce-activated lithium alloy garnet-based phosphor was set to 100. In this case, the obtained phosphor had a high peak emission intensity of 112, and showed red light with a peak wavelength of 649 nm.
  • E u 2 0 3 instead using E u N to the, nitrogen pressure 1 0 atm, except that the firing time was 2 hours to obtain a phosphor powder in the same manner as in Example 1 0 1.
  • the oxygen content represented by the number of moles of oxygen with respect to the total number of moles of nitrogen and oxygen in the raw material mixed powder was 5 mol '%.
  • the ratio of oxygen present in the raw material at the time of firing is 5 mol% by calculating from the oxygen concentration in each raw material and the mixing ratio of each raw material.
  • the crystal phase generated in the obtained phosphor was identified by powder X-ray diffraction, and as a result, it was confirmed that a C a A 1 S i N 3 group crystal phase was generated.
  • the fluorescence characteristics of this phosphor excited by a wavelength of 465 nm were measured with a fluorescence spectrophotometer. Assuming that the peak intensity of the active aluminum aluminum garnet-based phosphor is 100, the resulting phosphor has a high peak intensity of 109 and a high emission intensity, and a red light having a peak wavelength of 65501 m. showed that.
  • Example 101 0.008 0.992 1 1 0.35 1600 10 1.15 Eu 2 0 3 128 652
  • Example 102 0.008 0.992 1 1 0.35 1600 10 1.1 5 EuF 3 114 650
  • Example 103 0.008 0.992 1 1 0.35 1600 2 1.1 5 EuN 1 12 649
  • Fig. 14 shows a schematic structural diagram of a white LED as a lighting fixture.
  • the phosphor of Example 1 of the present invention C a 0, 75 E u 0. 25 S i 8. 625 A 13. 375 0 1.
  • a C -——— sialon having a composition of 875 a structure in which a yellow phosphor of Eu is dispersed in a resin layer and covered on a blue LED 2.
  • the LED 2 emits 450 iim light, which excites the yellow and red phosphors to emit yellow and red light, and the LED light is mixed with the yellow and red light to produce light of a bulb color. Function as a lighting device that emits light.
  • the lighting device manufactured by the composition design different from the above-mentioned composition is shown.
  • 3 8 0 nm ultraviolet as a light emitting element: with L ED, the phosphor of Example 1 of the present invention, the blue fluorescent material (B aMg A l 10 O 17 : E u) and the green phosphor ( B aMgAl 10 O 17 : Eu, Mn) is dispersed in a resin layer to cover the ultraviolet LED.
  • the LED emits 380 nm light, which excites the red, green, and blue phosphors to emit red, green, and blue light. These lights are mixed to function as an R light device that emits white light.
  • the lighting device produced by the compounding scale different from the above-mentioned compounding is shown.
  • the phosphor of Example 1 of the present invention and a green phosphor (BaMgA1 ⁇ O ⁇ EuMn) were dispersed in a resin layer using blue: LED of 450 nm as a light emitting element.
  • LED of 450 nm As a light emitting element.
  • the LED When a current is applied to the conductive terminal, the LED emits light of 450 nm, which excites the red and green phosphors to emit red and green light. It functions as a lighting device that emits white light by mixing the blue light of the LED with green and red.
  • FIG. 15 is a schematic diagram showing the principle of a plasma display panel as an image display device.
  • Red and green phosphors (Z n 2 S i 0 4 : Mn) of Example 1 of the present invention and a blue phosphor (B aMg A l 10 O 17 : E u) each cell 1 1, 1 2 , 13 are applied to the inner surface.
  • the nitride phosphor of the present invention emits light at a longer wavelength than conventional sialon or oxynitride phosphors, is excellent as a red phosphor, and further has a reduced luminance of the phosphor when exposed to an excitation source. Because of its low content, it is a nitride phosphor suitable for use in VFD, FED, PDP, CRT, white LED, etc. In the future, it is expected to be greatly utilized in the material design of various display devices and contribute to the development of industry.

Abstract

本発明の課題は、従来の希土類付活サイアロン蛍光体より長波長の橙色や赤色に発光する蛍光特性を有する無機蛍光体を提供することである。 本発明は、CaSiAlN3結晶相と同一の結晶構造を有する無機化合物を母体結晶とし、M(ただし、MはMn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる1種または2種以上の元素)を発光中心として添加した固溶体結晶相蛍光体を用いることにより、赤み成分に富む演色性の良い白色発光ダイオードを設計することに関する。

Description

蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 く技術分野〉
本発明は、 無機化合物を主体とする蛍光体とその用途に関する。 さらに詳細に は、 該用途は、 該蛍光体の有する性質、 すなわち 5 70 n m以上の長波長の蛍光 を発光する特性を利用した照明器具、 画像表示装置等の発光器具、 並びに顔料、 明
紫外線吸収剤に関する。 書
く背景技術 >
蛍光体は、 蛍光表示管 (VFD)、 フィールドェミッションディスプレイ (FE D)、 プラズマディスプレイパネル (PDP)、 陰極線管 (CRT)、 白色発光ダイ オード (LED) などに用いられている。 これらのいずれの用途においても、 蛍 光体を発光させるためには、 蛍光体を励起するためのエネルギーを蛍光体に供給 する必要があり、 蛍光体は真空紫外線、 紫外線、 電子線、 青色光などの高いエネ ルギーを有した励起源により励起されて、 可視光線を発する。 しかしながら、 蛍 光体は前記のような励起源に曝される結果、 蛍光体の輝度が低下するという問題 があり、 輝度低下のない蛍光体が求められている。 そのため、 従来のケィ酸塩蛍 光体、 リン酸塩蛍光体、 アルミン酸塩蛍光体、 硫化物蛍光体などの蛍光体に代わ り、 輝度低下の少ない蛍光体として、 サイアロン蛍光体が提案されている。 このサイァロン蛍光体は、 概略以下に述べるような製造プロセスによって製造 される。 まず、 窒化ケィ素 (S i 3N4)、 窒化アルミニウム (A 1 N)、 炭酸カル シゥム (C a C〇3)、酸化ユーロピウム (E u 203)、 を所定のモル比に混合し、 1気圧 (0. IMP a) の窒素中において 1 7◦ 0°Cの温度で 1時間保持してホ ットプレス法により焼成して製造される (例えば、特許文献 1参照)。 このプロセ スで.得られる Euイオンを付活した aサイアロンは、 450から 500 nmの青 色光で励起されて 5 50から 600 nmの黄色の光を発する蛍光体となることが 報告されている。 しかしながら、 紫外 LEDを励起源とする白色 L EDやプラズ マディスプレイなどの用途には、 黄色だけでなく橙色や赤色に発光する蛍光体も 求められていた。 また、 青色 LEDを励起源とする白色 L EDにおいては、 演色 性向上のため橙色や赤色に発光する蛍光体が求められていた。
赤色に発光する蛍光体として、 B a 2S i 5N8結晶相に E uを付活した無機物 質 (B a 2xE uxS i 5N8 : x = 0. 14〜1. 1 6) がこの出願前に係る学 術文献 (非特許文献 1参照) に報告されている。 さらに、 刊行物 「〇n n e w r a r e— e a r t h d o p e d M— ¾ ι — A 1— O— N ma t e r i a 1 s」 (非特許文献 2参照)の第 2章には種々の組成のァノレカリ金属とケィ素の 3 元窒化物、 Mx S i yNz (M= C a、 S r、 B a、 Z n ; x、 y、 zは種々の値) を母体とする蛍光体が報告されている。 同様に、 Mx S i y Nz : E u (M=C a、 S r、 B a、 Z n ; z = 2Z3 x + 4/ 3 y) 力 S、米国特許 6 6 8 26 6 3号(特 許文献 2) に報告されている。
別のサイアロン、 窒化物、 または酸窒化物蛍光体として、 特開 200 3— 20 648 1 (特許文献 3) に、 MS i 3N5、 M2 S i 4N7、 M4 S i 6ΝΊい M9 S i iiN23, M16S i 156N32、 M13S i 18A l 12018N36、 MS i 5A 12 ON 9、 M3 S i 5A 1 ON10 (ただし、 Mは B a、 C a、 S r、 または希土類元 素) を母体結晶として、 これに Euや C eを付活した蛍光体が知られており、 こ れらの中には赤色に発光する蛍光体も報告されている。 また、 これらの蛍光体を 用いた L ED照明ュ-ットが知られている。 さらに、 特開 2002— 3 2247 4 (特許文献 4) には、 S r 2S i 5N8や S r S i 。結晶相に C eを付活し た蛍光体が報告されている。
特開 2003— 3 21 675 (特許文献 5 ) には、 L x My N (2/3 x + 4/3 y ): Z ( は〇 &、 S r、 B aなどの 2価元素、 Mは S i、 G eなどの 4価元素、 Z は E uなどの付活剤) 蛍光体に関する記載があり、 微量の A 1を添加すると残光 を抑える効果があることが記載されている。 また、 この蛍光体と青色 LEDとを 組み合わせることによる、 やや赤みを帯びた暖色系の白色の発光装置が知られて いる。 さらに、 特開 2003— 277746 (特許文献 6 ) には、 L xMy N (2 / 3 x + 4/3 y): Z蛍光体として種々の L元素、 M元素、 Z元素で構成した蛍光体が 報告されている。 特開 2004— 1 078 6 (特許文献 7 ) には、 L一 M— N : Eu、 Z系に関する幅広い組み合わせの記述があるが、 特定の組成物や結晶相を 母体とする場合の発光特性向上の効果は示されていない。
以上に述べた特許文献 2から 7に代表される蛍光体は、 2価元素と 4価元素の 窒化物を母体結晶とするものであり、 種々の異なる結晶相を母体とする蛍光体が 報告されており、 赤色に発光するものも知られているが、 青色の可視光での励起 では赤色の発光輝度は十分ではなかった。 また、 組成によっては化学白勺に不安定 であり、 耐久性に問題があつた。
〔非特許文献 1〕 H. A. Ho p p e ほか 4名 " J o u r n a l o f P h y s i c s a n d Ch em i s t r y o f a o 1 i d s 2000 年、 6 1卷、 200 1〜2006ページ
〔非特許文献 2〕 「On n e w r a r e— e a r t h d o e d M— S i— A 1— O— N ma t e r i a l s」 J . W. H. v a n K r e v e l 著、 TU E i n d h o v e n 2000、 I SBN 90— 386— 27 1 1 一 4
〔特許文献 1〕 特開 2002— 36 3 5 54号公報.
〔特許文献 2〕 米国特許第 66 82 6 6 3号公報
〔特許文献 3〕 特開 2003— 20 6 4 8 1号公報
〔特許文献 4〕 特開 2002— 3 2 2 4 74号公報
〔特許文献 5〕 特開 2003— 3 2 1 6 75号公報
〔特許文献 6〕 特開 2003— 27 7 7 46号公報
〔特許文献 7〕 特鬨 2004— 1 0 7 8 6号公報 照明装置の従来技術として、 青色発光ダイォード素子と青色吸収黄色発光蛍光 体との組み合わせによる白色発光ダイォードが公知であり、 各種照明用途に実用 化されている。 その代表例としては、特許第 29009 28号「発光ダ'ィォード J (特許文献 8 )、特許第 29 27279号 (特許文献 9 ) 「発光ダイォー K」、特許 第 3 364229号 (特許文献 1 0) 「波長変換注型材料及びその製造方法並びに 発光素子」 などが例示される。 これらの発光ダイオードで、 特によく用いられて いる蛍光体は一般式 (Y、 G d) a (A 1、 G a ) 5012 : C e 3 +で表される、 セリゥムで付活したィットリウム 'アルミニウム ·ガーネット系蛍光体である。
しかしながら、 青色発光ダイォード素子とイツトリウム 'アルミニゥム ·ガー ネット系蛍光体とから成る白色発光ダイォードは赤色成分の不足から青白い発光 となる特徴を有し、 演色性に偏りがみられるという問題があった。
このような背景から、 2種の蛍光体を混合 ·分散させることによりイ ットリウ ム ·アルミニウム ·ガーネット系蛍光体で不足する赤色成分を別の赤色蛍光体で 補う白色発光ダイオードが検討された。 このような発光ダイオードとしては、 特 開平 1 0— 16 3535 (特許文献 1 1) 「白色発光素子」、 特開 200 3— 3 2 1 6 75 (特許文献 5) 「窒化物蛍光体及びその製造方法」などを例示することが できる。 しかし、 これら発明においても演色性に関してまだ改善すべき問題点は 残されており、 その課題を解決した発光ダイオードが求められていた。 特開平 1 0- 1 6 353 5 (特許文献 1 1) に記載の赤色蛍光体は力ドミゥムを含んでお り、 環境汚染の問題がある。 特開 2003— 3 2 1675 (特許文献 5 ) に記載 の、 C a 97S i 5N8 : Eu 0. 03を代表例とする赤色発光蛍光 :は力ドミ ゥムを含まないが、 蛍光体の輝度が低いため、 その発光強度についてはさらなる 改善が望まれていた。
〔特許文献 8〕 特許第 2900928号公報
〔特許文献 9〕 特許第 29 2727 9号公報
〔特許文献 10〕 特許第 3 36422 9号公報
〔特許文献 1 1〕 特開平 1 0— 1 6 3 5 3 5号公報
<発明の開示 >
本発明はこのような要望に応えようとするものであり、 目的のひとつは、 従来 の希土類付活サイァ口ン蛍光体より長波長の橙色や赤色に発光し高い庫度を有し、 化学的に安定な無機蛍光体を提供することにある。 さらに本発明のもうひとつの 目的として、 係る蛍光体を用いた演色性に優れる照明器具、 耐久性に優れる画像 表示装置、 顔料、 紫外線吸収剤を提供することにある。
本発明者らにおいては、 かかる状況の下で、 C aなどの2価の A元素と S iな どの 4価の D元素に加えて A 1などの 3価の E元素を主たる金属元素とする無機 多元窒化物結晶相を母体とする蛍光体について詳細な研究を行い、 特定の組成ま たは結晶構造を持つ無機結晶相を母体とする蛍光体が、 従来の希土類付活サイァ ロン蛍光体より長波長の橙色や赤色に発光し、 また従来報告されて^、る窒化物や 酸窒化物を母体結晶とする赤色蛍光体よりも輝度が高いことを見いだした。
すなわち、発光イオンとなる M元素 (ただし、 Mは、 Mn、 C e、 P r、 N d、 Sm、 E u、 G d、 Tb、 Dy、 Ho、 E r、 Tm、 Yb、 Lu力、ら選ばれる 1 種または 2種以上の元素) と、 2価の A元素 (ただし、 Aは Mg、 C a、 S r、 B aから選ばれる 1種または 2種以上の元素) と、 4価の D元素 (ただし、 Dは S i、 G e、 S ns T i、 Z r、 H f から選ばれる 1種または 2種以上の元素) と、 3価の E元素 (ただし、 Eは B、 A l、 G a、 I n、 S c、 Y、 L a力、ら選 ばれる 1種または 2種以上の元素) と、 X元素 (ただし、 Xは 0、 N、 Fから選 ばれる 1種または 2種以上の元素) の元素を含有する窒化物や酸窒化物を主体と する無機化合物について鋭意研究を重ねた結果、 特定の組成領域範囲および特定 の結晶相を有するものは、 5 7 O n in以上の波長の橙色や 600 n m以上の波長 の赤色に発光する蛍光体となることを見出した。
さらに、 上記組成の中で、 C a A 1 S i N3結晶相と同一の結晶構造を有する 無機化合物を母体結晶とし、 光学活性な元素 M、 なかでも Euを発光中心として 添加した固溶体結晶相は特に高い輝度の橙色や赤色の発光を有する蛍光体となる ことを見出した。 さらに、 この蛍光体を用いることにより、 高い発光効率を有す る赤み成分に富む演色性の良い白色発光ダイオードが得られることを見いだした。 本発明の蛍光体の母体結晶は、 従来報告されている LxMyN ( 2/3 x + 4/3 y)に 代表される 2価と 4価の元素の三元窒化物とは全く異なり、. A 1を代表とする 3 価元素を主たる構成金属元素とした多元窒化物とすることにより、 従来にない輝 度の赤色発光が達成されることを見いだした。 また、 本発明は、 特許文献 3など で従来報告されている Mi 3 S i 18A l 1218N36、 MS i 5A l 2ON9、 M3 S i 5A 1 ON10 (Mは C a、 B a、 S rなど) や、 非特許文献 2の第 1 1章に 記載されている C a 47E u o, eg S i 9A 1 3 N i 6などのサイアロンとはまった く異なる組成およぴ結晶構造を持つ結晶相を母体とする新規な蛍光体である。 さ らに、特許文献 5に記載されでいる数百 p ρηι程度の A 1を含む結晶相と異なり、 A 1を代表とする 3価元素が母体結晶の主たる構成元素である結晶相を母体とす る蛍光体である。
一般に、 発光中心元素 Mとして Mnや希土類元素を無機母体結晶に付活した^ 光体は、 M元素の周りの電子状態により発光色と輝度が変化する。 例えば、 2価 の E uを発光中心とする蛍光体では、母体結晶を換えることにより、青色、緑色、 黄色、 赤色の発光が報告されている。 すなわち、 似た組成であっても母体の結 構造や Mが取り込まれる結晶構造中の原子位置を換えると発光色や輝度はまつ こ く違ったものとなり、 異なる蛍光体と見なされる。 本発明では従来の 2価と 4価 の元素の 3元窒化物とは異なる 2価一 3価一 4価の多元窒化物を母体結晶として おり、 さらに従来報告されているサイァロン組成とはまったく結晶構造の異なる 結晶相を母体としており、 このような結晶相を母体とする蛍光体は従来報告はな い。 しかも、 本発明の組成および結晶構造を母体とする蛍光体は従来の結晶構造 を母体とするものより輝度が高い赤色発光を呈する。
前記した C a A 1 S i N 3結晶相自体は、 この出願前に ZHEN— KUN— H: UANGらによって耐熱材料を希求するため、 S i 3N4— A 1 N-C a O系原科 を焼成するプロセスにおいて生成することが確認された窒化物であって、 その生 成プロセス、 生成機構については、 この出願前に係る学術文献 (非特許文献 3参 照) に詳細に報告されている。
〔非特許文献 3〕 Z HE N-KUN- HUANG ほか 2名 " J o u r n a 1 o f Ma t e r i a l s s c i e n c e L e t t e r s .1 985 年、 4券、 25 5〜 259ぺ一ジ この C a A 1 S i N 3結晶相自体は、 前記したとおりサイアロンの研究過程に おいて確認された経緯からも、 前記文献に記載された報告内容は、 耐熱特性につ いて触れているだけであり、 そこには本結晶相に光学活性な元素を固溶させるこ とおよび固溶した結晶相を蛍光体として使用することについては全く記載すると ころはない。 また、 その後本発明にいたるまでの間、 これを蛍光体として使用し ようと検討されたことはなかった。 すなわち、 C a A 1 S i N 3結晶相に、 光学 活性な元素を固溶させた物質が新規であり、 これは、 紫外線および可視光で励起 され高い輝度の橙色や赤色発光を有する蛍光体として使用し得るという重要な発 見は、 本発明者らにおいて初めて見出したものである。 本発明者らにおいては、 この知見を基礎にしてさらに鋭意研究を重ねた結果、 以下 (1 ) 〜 (2 4 ) に記 載する構成とすることによって特定波長領域で高い輝度の発光現象を示す蛍光体 を提供することに成功した。 さらに、 この蛍光体を使用し、 (2 5 ) 〜 (3 7 ) に 記載する構成とすることによつて優れた特性を有する照明器具、 画像表示装置を 提供することにも成功した。 さらに、 この蛍光体としての無機化合物を、 (3 8 ) 〜 (3 9 ) に記載する構成とすることによって、 顔料および紫外線吸収剤を提供 することにも成功した。 すなわち、 本発明は、 前記知見をもとにして一連の実験 と研究を行った結果、 長波矣領域で高輝度発光する蛍光体と該蛍光体を利用した 照明装置、画像表示装置、顔料、紫外線吸収剤を提供することに成功したもので、 その構成は、 以下 (1 ) 〜 (3 9 ) に記載のとおりである。
( 1 ) 少なくとも M元素と、 A元素と、 D元素と、 E元素と、 X元素とを含有す る糸且成物 (ただし、 Mは、 M n、 C e、 P r、 N d、 S m、 E u、 T b、 D y、 H o、 E r、 T m、 Y bからなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 A は、 M元素以外の 2価の金属元素からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の 元素、 Dは、 4価の金属元素からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Eは; 3価の金属元素からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Xは、 〇、 N、 Fから選ばれる 1種または 2種以上の元素) であり、 C a A l S i N 3 と同一の結晶構造を有する無機化合物からなることを特徴とする蛍光体。 ( 2) 組成式MaAbD c E dX e (ただし、 式中 a + b = lであり、 Mは、 Mn、 C e、 P r、 N d、 Sm、 E u、 T b、 D y、 H o、 E r、 Tm、 Y bからなる 群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Aは、 M元素以外の 2価の金属元素 からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Dは、 4価の金属元素から なる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Eは、 3価の金属元素からなる 群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Xは、 0、 N、 Fからなる群から選 ばれる 1種または 2種以上の元素) で示され、 パラメータ a、 c、 d、 eが、
0. 0 0 0 0 1 ≤ a ≤ 0. 1 ■ · · · ( i )
0. 5≤ c ≤ 4 ( i i )
0. 5≤ d ≤ 8 ( i i i )
0. 8 X (2/3 + 4/3 X c + d) ≤ e ( i v) e≤ . 1. 2 X ( 2/ 3 + 4/ 3 X c + d ) (v) の条件を全て満たす組成で表され、 C a A 1 S i N3と同一の結晶構造を有する 無機化合物からなることを特徴とする前記 (1 ) 項に記載の蛍光体。
(3) ノヽ0ラメ タ c、 d力 0. 5≤ c ≤ 1. 8、 かつ 0. 5≤ d ≤ 1; 8の 件を満たすことを特徴とする前記 (2) 項に記載の蛍光体。
(4) パラメータ c、 d、 e力 c = d = 1かつ e = 3であることを特徴とする 前記 (2) 項または (3 ) 項に記載の蛍光体。
( 5) Aは、 Mg、 C a、. S r、 B aからなる群から選ばれる 1種または 2種以 上の元素、 Dは、 S i 、 G e、 S n、 T i 、 Z r、 H f からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Eは、 B、 A l 、 G a、 I n、 S c、 Y、 L a、 G d、 L uからなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 であることを特徴 とする前記 (1 ) 項ないし (4) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体。 (6) 少なくとも、 M元素に E uを含み、 A元素に C aを含み、 D元素に S iを 含み、 E元素に A 1を含み、 X元素に Nを含むことを特徴とする前記 (1) 項な いし (5) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体。
(7) C a A 1 S i N3と同一の結晶構造を有する無機化合物が、 C a A 1 S i N3結晶相または C aA l S i N3結晶相の固溶体であることを特徴とする前記
(1) ないし (6) のいずれか 1項に記載の蛍光体。
(8) M元素が E uであり、 A元素が C aであり、 D元素が S iであり、 E元素 が A 1であり、 X元素が Nまたは Nと〇との混合物であることを特徴とする前記
(1) 項ないし (7) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体。
(9) 少なくとも、 Aに S rを含むことを特徴とする前記 (1) 項ないし (7) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体。
(1 0) 無機化合物中に含まれる C aと S rの原子数が、
0. 02 ≤ (C aの原子数) Z {(C aの原子数) + ( S rの原子数) } く であることを特徴とする前記 (9) 項に記載の蛍光体。
(1 1)少なくとも、 Xに Nと Oを含むことを特徴とする前記(1)項ないし(1 0) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体。
(1 2) 無機化合物中に含まれる Oと Nの原子数が、
0. 5 ≤ (Nの原子数) / {(Nの原子数) + (Oの原子数) } ≤ 1 であることを特徴とする前記 (1 1) 項に記載の蛍光体。 (1 3) Ma AbD X_XE 1 + xN3_xOx (ただし、 式中 a +b = l、 0 < x≤ 0. 5) で示される無機化合物からなることを特徴とする前記 (1 1) 項または (1 2) 項に記載の蛍光体。
(14) 無機化合物が、 平均粒径 0. 1 /xm以上 20 以下の粉体であって、 該粉体が、単結晶粒子、あるいは単結晶の集合体であることを特徴とする前記( 1 ) 項ないし (1 3) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体。
(1 5) 無機化合物に含まれる、 F e、 C o、 N i不純物元素の合計が 500 p P'm以下であることを特徴とする前記 (1) 項ないし (14) 項のいずれか 1項 に記載の蛍光体。
(16) 前記 (1) 項ないし (1 5) 項のいずれか 1項に記載の無機化合物から なる蛍光体と他の結晶相あるいはアモルファス相との混合物から構成され、 前記
(1) 項ないし (1 5) 項のいずれか 1項に記載の無機化合物からなる蛍光体の 含有量が 20質量%以上であることを特徴とする蛍光体。
(1 7) 他の結晶相あるいはアモルファス相が導電性を持つ無機物質であること を特徴とする前記 (1 6) 項に記載の蛍光体。
(18) 導電性を持つ無機物質が Z n、 A l、 G a、 I n、 S nから選ばれる 1 種または 2種以上の元素を含む酸化物、 酸窒化物、 または窒化物、'あるいはこれ らの混合物であることを特徴とする前記 (1 7) 項に記載の蛍光体。
(1 '9) 他の結晶相あるいはアモルファス相が前記 (1.) 項ないし (1 5) 項の いずれか 1項に記載の蛍光体とは異なる無機蛍光体であることを特徴とする前記 (16) 項に記載の蛍光体。 (20) 励起源を照射することにより 570 n mから 700 n mの範囲の波長に ピークを持つ蛍光を発光することを特徴とする前記 (1) 項ないし (1 9) 項の いずれか 1項に記載の蛍光体。
(2 1) 励起源が 1 00 nm以上 600 nm以下の波長を持つ紫外線または可視 光であることを特徴とする前記 (20) 項に記載の蛍光体。
(22) C a A 1 S i N3と同一の結晶構造を有する無機化合物が、 C aA l S i N 3結晶相であり、 該結晶相中に E uが固溶してなり、 1 0 0 11111以上600 nm以下の光を照射すると波長 600 nmから 700 nm以下の蛍光を発光する ことを特徴とする前記 (20) 項に記載の蛍光体。
(23) 励起源が電子線または X線であることを特徴とする前記 (20) 項に記 載の蛍光体。
(24) 励起源が照射されたときに発光する色が C I E色度座標上の (x、 y) の値で、 0. 45 ≤ ≤ 0. 7
の条件を満たすことを特徴とする前記 (20) 項ないし (23) 項のいずれか 1 項に記載の蛍光体。
(25)発光光源と蛍光体から構成される照明器具において、少なくとも前記(1) 項ないし (24) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体を用いることを特徴とする照 明器具。
(2'6) 該発光光源が 3 30〜500 nmの波長の光を発する LEDであること を特徴とする前記 (25) 項に記載の照明器具。 (27) 該発光光源が 3 30〜420 nmの波長の光を発する L EDであり、 前 記 (1) 項ないし (24) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 3 30〜420 nmの励起光により 420 nm以上 500 n m以下の波長に発光ピークを持つ青 色蛍光体と、 3 30〜420 nmの励起光により 500 nm以上 5 70 nm以下 の波長に発光ピークを持つ緑色蛍光体とを用いることにより、 赤、 緑、 青色の光 を混ぜて白色光を発することを特徴とする前記 (25) 項または (.26) 項のい ずれか 1項に記載の照明器具。
(28) 該発光光源が 420〜500 nmの波長の光を発する LEDであり、 前 記 (1) 項ないし (24) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 420〜500 nmの励起光により 500 nm以上 570 n m以下の波長に発光ピークを持つ緑 色蛍光体とを用いることにより、 白色光を発することを特徴とする前記 (25) 項または (26) 項のいずれか 1項に記載の照明器具。
(29) 該発光光源が 420〜50011 mの波長の光を発する LEDであり、 前 記 (1) 項ないし (24) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 420〜500 nmの励起光により 5 50 nm以上 600 n m以下の波長に発光ピークを持つ黄 色蛍光体とを用いることにより、 白 光を発することを特徴とする前記 (2,5) 項または (26) 項のいずれか 1項に記載の照明器具。
(30) 該黄色蛍光体が E uを固溶させた C a— αサイアロンであることを特徴 とする前記 (29) 項に記載の照明器具。
(3 1) 励起源と蛍光体から構成される画像表示装置において、 少なくとも前記 (1)'項ないし (24) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体を用いることを特徴と する画像表示装置。 (32) 該励起源が 330〜500 nmの波長の光を発する LEDであることを 特徴とする前記 (3 1) 項に記載の画像表示装置。
(33) 該励起源が 330〜420 nmの波長の光を発する L EDであり、 前記 (1).項ないし (24) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 330〜 420 η mの励起光により 420 nm以上 500 n m以下の波長に発光ピークを持つ青色 蛍光体と、 330〜42011 mの励起光により 500 nm以上 570 nm以下の 波長に発光ピークを持つ緑色蛍光体とを用いることにより、 赤、 緑、 青色の光を 混ぜて白色光を発することを特徴とする前記 (3 1) 項または (3 2) 項のいず れか 1項に記載の画像表示装置。
(34) 該励起源が 420〜50011 mの波長の光を発する LEDであり、 前記 (1) 項ないし (24) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 420〜 500 η mの励起光により 500 nm以上 5 70 n m以下の波長に発光ピークを持つ緑色 蛍光体とを用いることにより、 白色光を発することを特徴とする前記 (3 1) 項 または (32) 項のいずれか 1項に記載の画像表示装置。 ·
(35) 該励起源が 420〜500 nnxの波長の光を発する LEDであり、 前記 (1) 項ないし (24) 項のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 420〜 500 η inの励起光により 5 50 nm以上 600 n m以下の波長に発光ピークを持つ黄色 蛍光体とを用いることにより、 白色光を発することを特徴とする前記 (3 1) 項 または (32) 項のいずれか 1項に記載の画像表示装置。
(36) 該黄色蛍光体が E uを固溶させた C. a— αサイアロンであることを特徴 とする前記 (3 5) 項に記載の画像表示装置。
(37) 画像表示装置が、 蛍光表示管 (VFD)、 フィーノレドエミ ッショ ンデイス プレイ (FED)、 プラズマディスプレイパネル (PDP)、 陰極線管 (CRT) のいずれかであることを特徴とする前記 (3 1) 項ないし (3 6) 項のいずれか 1項に記載の画像表示装置。
(38) 前記 (1) 項ないし (24·) 項のいずれか 1項に記載の無機化合物から なる顔料。 ·
(3 9) 前記 (1) 項ないし (25) 項のいずれか 1項に記載の無機化合物から なる紫外線吸収剤。 本発明の蛍光体は、 2価元素と 3価元素と 4価元素とを含む多元窒化物、 なか でも C a A 1 S i N3で示される結晶相、 それと同一の結晶構造を持つ他の結晶 相、あるいは、これらの結晶相の固溶体を主成分として含有していることにより、 従来のサイァ口ンゃ酸窒化物蛍光体より長波長での発光を示し、 橙色や赤色の蛍 光体として優れている。 励起源に曝された場合でも、 この蛍光体は、 輝度が低下 することなく、 VFD、 FED、 PDP、 CRT, 白色 L E Dなどに好適に使用 される有用な蛍光体を提供するものである。 また、 この蛍光体のうち、 特定の無 機化合物は母体の色が赤色であ.り、 紫外線を吸収することから、 赤色の顔料およ ぴ紫外線吸収剤に好適である。 ·
<図面の簡単な説明 >
図 1— 1は、 C a A 1 S i N3の X線回折チャートである。
図 1— 2は、 E uを付活した C a A 1 S i N3 (実施例 1 ) の X線回折チヤ一 トである。
図 2は、 C a A 1 S i N3の結晶構造モデルを示す図である。
図' 3は、 C a A 1 S i N 3結晶相の類似構造を持つ S i 2N20の結晶構造モデ ルを示す図である。
図 4は、 蛍光体 (実施例 1〜7) の発光スぺク トルを示す図である。
図 5は、 蛍光体 (実施例 1〜7) の励起スぺク トルを示す図である。 図 6は、 蛍光体 (実施例 8〜1 1) の発光スぺクトルを示す図である。
図 7は、 蛍光体 (実施例 8〜1 1) の励起スぺク トルを示す図である。
図 8は、 蛍光体 (実施例 1 2~1 5) の発光スぺク トルを示す図である。
図 9は、 蛍光体 (実施例 1 2~1 5) の励起スぺク トルを示す図である。
図 10は、 蛍光体 (実施例 1 6〜2 5) の発光スぺク トルを示す図である。 図 1 1は、 蛍光体 (実施例 1 6〜2 5) の励起スぺク トルを示す図である。 図 1 2は、 蛍光体 (実施例 26〜30) の発光スぺク トルを示す図である。 図 1 3は、 蛍光体 (実施例 26~30) の励起スペク トルを示す図である。 図 14は、 本発明による照明器具 (LED照明器具) の概略図である。
図 1 5は、 本発明による画像表示装置 (プラズマディスプレイパネル) の概略 図である。 なお、 図中 符号は、 それぞれ、 1は本発明の赤色蛍光体と黄色蛍光体との 混合物、 または本発明の赤色蛍光体と青色蛍光体と緑色蛍光体との混合物、 2は LEDチップ、 3及び 4は導電性端子、 5はワイヤーボンド、 6は樹脂層、 7は 容器、 8は本発明の赤色蛍光体、 9は緑色蛍光体、 10は青色蛍光体、 1 1、 1 2及び 1 3は紫外線発光セル、 14、 1 5、 1 6及び 1 7は電極、 1 8及び 1 9 は誘電体層、 20は保護層、 21及び 22はガラス基板を示している。
<発明を実施するための最良の形態 >
以下、 本発明の実施例に基づいて詳しく説明する。
本発明の蛍光体は、(1)少なくとも M元素と、 A元素と、 D元素と、 E元素と、 X元素とを含有する組成物 (ただし、 Mは、 Mn、 C e、 P r、 Nd、 Sm、 E u T b、 Dy、 Ho、 E r、 Tm、 Y bからなる群から選ばれる 1種または 2 種以上の元素、 Aは、 M元素以外の- 2価の金属元素からなる群から選ばれる 1種 または 2種以上の元素、 Dは、 4価の金属元素からなる群から選ばれる 1種また は 2種以上の元素、 Eは、 3価の金属元素からなる群から選ばれる 1種または 2 種以上の元素、 Xは、 0、 N、 Fからなる群からから選ばれる 1種または 2種以 上の元素) であり、 (2) (a) 化学式 C a A 1 S i N3で示される結晶相、 (b) この結晶相と同一の結晶構造を持つ他の結晶相、 あるいは (c) これらの結晶相 の固溶体 (以下、 これらの結晶相を総称して、 「C aA l S i N3属結晶相」 と呼 ぶ)である、無機化合物からなる。かかる本発明の蛍光体は特に高い輝度を示す。
Mは、 Mn、 C e、 P r、 Nd、 Sm、 E u、 Tb、 D y、 Ho、 E r、 Tm、 Y bからなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素である力 S、中でも、 M n、 C e、 Sm、 Eu、 T b、 Dy、 E r、 Y bからなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素であることが好ましく、 E uを含むことがより好ましく、 Euで あることが更に好ましい'。
Aは、 M元素以外の 2価の金属元素からなる群から選ばれる 1種または 2種以 上の元素であるが、 中でも、 Mg、 C a、 S r、 B aからなる群から選ばれる 1 種または 2種以上の元素であることが好ましく、 C aであることが更に好ましい。
Dは、 4価の金属元素からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素であ るが、 中でも、 S i、 G e、 S n、 T i、 Z r、 H f からなる群から選ばれる 1 種または 2種以上の元素であることが好ましく、 S iであることが更に好ましい。
Eは、 3価の金属元素からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素であ るが、 中でも、 B.、 A l、 G a、 I n、 S c、 Y、 L a、 G d、 Luからなる群 から選ばれる 1種または 2種以上の元素であることが好ましく、 A 1であること が更に好ましい。
Xは、 0、 N、 Fからなる群からから選ばれる 1種または 2種以上の元素であ るが、 中でも、 N、 または Nと Oがらなることが好ましい。
その組成は組成式1^3 1]0(:£ (1 6で示される。 組成式とはその物質を構成す る原子数の比であり、 a、 b、 c、 d、 eに任意の数をかけた物も同一の組成で ある。 従って、 本発明では a + b = 1となるように、 a、 b、 c、 d、 eを計算 し直したものに対して以下の条件を決める。 本発明では、 a、 c、 d、 eの :は、 通常、
0. 0000 1≤ a ≤ 0. 1. · · · · ( i ) 0. 5≤ c ≤ 4 ( i i )
0. 5≤ d ≤ 8 ( i i
0. 8 X (2/3 + 4/3 X c + d) ≤ e ( i v) e≤ 1. 2 X (2/3 + 4/3 X c + d) (v) の条件を全て満たす値から選ばれる。 aは発光中心となる元素 Mの添加量を表し、 蛍光体中の. Mと (M+A) の原子 数の比 a (ただし、 a =MZ (M+A)) が 0. 0 0 0 0 1以上 0. 1以下となる ようにするのがよい。 a :が 0. 0 000 1より小さいと発光中心となる Mの数 が少ないため発光輝度が低下する。 a値が 0. 1より大きいと Mイオン間の干渉 により濃度消光を起こして輝度が低下する。 .
中でも、 Mが E uの場合には発光輝度が高くなる点で、 a値が 0. 002以上 0. 0 3以下であることが好ましい。
c値は S iなどの D元素の含有量であり、 0. c ≤ 4で示される量で ある。 好ましくは、 0. 5≤ c ≤ 1. 8、 さらに好ましくは c = 1がよい。 c値が 0. 5より小さい場合および 4より大きい場合は発光輝度が低下する。 0. 5≤ c ≤ 1. 8の範囲は発光輝度が高く、 中でも c = lが特に発光輝度が高 い。 この理由は、 後述の C a A 1 S i N3属結晶相の生成割合が高くなるためで ある。
d値は A 1などの E元素の含有量であり、 0. 5≤ d 8で示される量で ある。 好ましくは、 0. d ≤ 1. 8、 さらに好ましくは d = 1がよい。 d値力 0. 5より小さい場合および 8より大きい場合は発光輝度が低下する。 0. 5≤ d ≤ 1. 8の範囲は発光輝度が高.く、 中でも d = lが特に発光輝度が高 い。 この理由は、 後述の C a A l S i N3属結晶相の生成割合が高くなるためで ある。'
e値は. Nなどの X元素の含有量であり、
0. .8 X (2/3 + 4/3 X c + d ) 以上 1. 2 X (2/3 + 4/3 X c + d ) 以下で示される量である。 さらに好ましくは、 e. = 3がよい。 e値がこの値の範 囲外では発光輝度が低下する。 この理由は、 後述の C a A l S i N3属結晶相の 生成割合が高くなるためである。
以上の組成の中で、発光輝度が高いものは、少なくとも、 M元素に E uを含み、 A元素に C aを含み、 D元素に S iを含み、 E元素に A 1を含み、 X元素に Nを 含むものである。 中でも、 M元素が Euであり、 A元素が C aであり、 D元素が
S iであり、 E元素が A 1であり、 X元素が Nまたは Nと Oとの混合物め無機化 合物である。 ' ' 前記した C a A 1 S i N 3結晶相は斜方晶系で、 格子定数は、 a = 9. 800
7 (4) A、 b = 5. 649 7 (2) A、 c = 5. 06 27 (2) Aであり、 X 線回折が図 1一 1のチヤ一トおよび表 4の面指数を持つ結晶相として 1#徴づけら れる物質である。
本発明者が行った C a A 1 S i N3結晶相の結晶構造解析によれば、 本結晶相 ίま Cmc Z i I n t e r n a t i o n a l T a b l e s f o r C r y s t a 1 l o g r a p h yの 36番の空間群) に属し、 表 5に示す厚子座標位置を 占める。 なお, 空間群は収束電子線回折により決定し、 原子座標は X線回折結果 をリートベルト解析することにより決定した。
この結晶相は図 2に示す構造であり、 図, 3に示す S i 2N20結晶相 (鉱物名 s i n c i t e) と類似の骨格を持つ。 すなわち、 S i 2N20結晶相の S iの位置 を S iおよび A 1が占め、 Nおよび Oの位置を Nが占め、 3 1—1^ー0で形成さ れる骨格の空間に C aが侵入型元素として取り込まれた結晶相であり、 元素置換 に伴い原子座標が表 5に示す位置に変化した構造である。 なお、 S iと A 1は不 規則的に分布 (デイスオーダー:) した状態で S i 2N20結晶相の S i位置を占め る。 そこで、 本構造を s i n o i t e型サイアロン構造と命名する。
本発明で示す C a A l S i N3と同一結晶構造を有する無機化合物は、 前述の C a A 1 S i N 3属結晶相である無機化合物のことである。 C aA l S i N3と同 一結晶構造を有する無機化合物は、 C a A l S i N3の X線回折結果と同一の回 折を示す物質 C 他に、 構成元素が他の元素と置き換わることにより格子定数が変 化したものも含む。 例えば、 C a A 1 S i N 3結晶相や、 C a A 1 S i N3結晶相 の固溶体等が挙げられる。 ここで、 構成元素が他の元素で置き換わるものとは、 例えば C a A 1 S i N3結晶相の場合、 該結晶相中の C aが元素 M (ただし、 M は、 Mn、 C e、 P r、 Nd、 Sm、 E u、 T b、 Dy、 Ho、 E r、 Tm、 Y b、 からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素) 及び/又は、 M元素及 び C a以外の 2価の金属元素からなる群、 好ましくは Mg、 S r、 : B aからなる 群から選ばれる 1種または 2種以上の元素で、 S iが S i以外の 4価の金属元素 からなる群、 好ましくは G e、 S n、 T i、 Z r、 H ίからなる群からから選ば れる 1種または 2種以上の元素で、 A 1が A 1以外の 3価の金属元素からなる群、 好ましくは B、 G a s I n、 S c、 Y、 L a、 G d、 Luからなる群から選ばれ る 1種または 2種以上の元素で、 Nが O又は Fからなる群から選ばれる 1種また は 2種以上の元素で置換された結晶相のことである。 なお、 本発明の C a'A l S i N3属結晶相は、 X線回折や中性子線回折により同定することができる。
C a A 1 S i N3属結晶相は、 その構成成分とする C aや S iや A 1や Nが他 の元素で置き換わったり、 E uなどの金属元素が固溶することによって格子定数 は変化するが、 結晶構造と原子が占めるサイトとその座標によって与えられる原 子位置は骨格原子間の化学結合が切れるほどには大きく変わることはない。 本発 明では、 X線回折や中性子線回折の結果を Cm c 2 の空間群でリートベルト解 析して求めた格子定数おょぴ原子座標から計算された A 1一 Nおよび S i一 Nの 化学結合の長さ (近接原子間距離) 、 表 5に示す C a A l S i N3の格子定数 と原子座標から計算された化学結合の長さと比べて土 1 5%以内の場合は同一の 結晶構造と定義して C a A 1 S i N 3属結晶相かどうかの判定を行う。 この判定 基準は、 化学結合の長さが ± 1 5%を敏えて変化すると化学結合が切れて別の結 晶相となるためである。 ·
さらに、 固溶量が小さい場合は、 C a A 1 S i N3属結晶相の簡便な判定方法 とし T次の方法がある。 新たな物質について測定した X線回折結果から計算した 格子定数と表 4の面指数を用いて計算した回折のピーク位置 (20) が主要ピー クについて一致したときに当該結晶構造が同じものと特定することができる。 主 要ピークとしては、 回折強度の強い 1 0本程度で判定すると良い。 表 4は、 その 意味で C a A 1 S i;^3属結晶相を特定する上において基準となるもので重要で ある。 また、 C a A 1 S i N3結晶相の結晶構造を単斜晶系や六方晶系などの他 の晶系を用いても近似的な構造を定義することができ、 その場合異なった空間群 と格子定数おょぴ面指数を用いた表現となるが、 X線回折結果に変わりはなく、 それを用いた同定方法や同定結果も同一の物となる。 このため、 本発明では、 斜 方晶系として X線回折の解析を行うものとする。 この表 4に基づく物質の同定方 法については、 後述実施例 1において具体的に述べることとし、 ここでは概略的 な説明に留める。
C a A 1 S i N 3属結晶相に、 M (ただし、 Mは、 Mn、 C e、 P r、 N d、 Sm、 Eu、 T b、 Dy、 Ho、 E r、 Tm、 Y b力、らなる群から選ばれる 1種 または 2種以上の元素) を付活すると蛍光体が得られる。 0 & 1 3 1 ^[3属結 晶相の中で特に輝度が高いのは、 Aが C a、 Dが S i、 Eが A l、 Xが Nの組み 合わせである C aA l S i N 3結晶相を母体とする蛍光体である。
C aの一部を S rで置換した結晶相である C a x S r X_XA 1 S i N3 (ただし、 0. 02≤x< 1) 結晶相およびその'固溶体を母体とする蛍光体、 即ち、 無機化 合物中に含まれる C aと S rの原子数が、 0. 02 ≤ (〇 &の原子数)/{(〇 aの原子数) + (S rの原子数) } く 1 である蛍光体は、 この範囲の組成で C a A 1 S i N3結晶相を母体とするものより短波長の蛍光体となる。
窒素と酸素を含む無機化合物を母体とするものは高温の空気中での耐久性に優 れる。 この場合、 無機化合物中に含まれる Oと Nの原子数が、 0. 5 ≤ (N; の原子数) / {(Nの原子数) + (Oの原子数) } ≤ 1の組成で特に高温での. 耐久性に優れる。
窒素と酸素を含む無機化合物を母体とする場合、 - MaAbD !_XE 1 + xN3_xOx (ただし、 式中 a + b = l、 0 < x≤ 0. 5) で示 され'る組成では、 C a A 1 S i N3属結晶相の生成割合が高くなるため、 発光輝 度が高い。 これは、 4価の D元素を 3価の E元素で置換した原子数と同じだけ 3 価の Nを 2価の Oで置換する組成であり、 電荷の中性が保たれるため安定な C a A 1 S i N3属結晶相が生成することによる。 ' 本発明の C a A 1 S i N 3と同一の結晶構造を有する無機化合物からなる蛍光 体を、 粉体として用いる場合は、 樹脂への分散性や粉体の流動性などの点から、 該無機化合物の平均粒径は 0 . 1 z m以上 2 0 μ πι以下が好ましい。 また、 この 粉体は、 単結晶粒子、 あるいは単結晶の集合体であるが、 平均粒径が 0 . l / m 以上 2 0 μ πι以下の単結晶粒子とすることにより.、 より発光輝度が向上する。 発光輝度が高い蛍光体を得るには、 無機化合物に含まれる不純物は極力少ない 方が好ましい。 特に、 F e、 C o、 N i不純物元素が多く含まれると発光が阻害 されるので、 これらの元素の合計が 5 0 0 p p m以下となるように、 原料粉末の 選定おょぴ合成工程の制御を行うとよい。
本発明では、 蛍光発光の点からは、 その窒化物の構成成分たる C a A 1 S i N 3属結晶相は、 高純度で極力多く含むこと、 できれば単相から構成されているこ とが望ましいが、 特性が低下しない範囲で他の結晶相あるいはアモルファス相と の混合物から構成することもできる。 この場合、 C a A 1 S i N 3属結晶相の含 有量が 2 0質量%以上であることが高い輝度を得るために望ましい。 さらに好ま しくは 5 0質量%以上で輝度が著しく向上する。 本発明において主成分とする範 囲は、 C a A 1 S i N 3属結晶相の含有量が少なくとも 2 0質量%以上である。 C a A 1 S i 3属結晶相の含有量の割合は X線回折測定を行い、 C a A 1. S i N 3属結晶相とそれ以外の結晶相のそれぞれの相の最強ピークの強さの比から求 めることができる。
発明の蛍光体を電子線で励起する用途に使用する場合は、 導電性を持つ無機 物質を混合すること.により蛍光体に導電性を付与することができる。 導電性を持 つ無機物質としては、 Z n、 A l、 G a、 I n、 S nから選ばれる 1種または 2 種以上の元素を含む酸化物、 酸窒化物、 または窒化物、 あるいはこれらの混合物 を挙げることができる。
本 §明の蛍光体は特定の結晶 #体と付活元素の組み合わせにより赤色に発色さ せることができるが、 黄色、 緑色、 青色などの他の色との混合が必要な場合は、 必要に応じてこれらの色を発色する無機蛍光体を混合することができる。 · 本発明の蛍光体は、 組成により励起スぺク トルと蛍光スぺクトルが異なり、 こ れを適宜選択-組み合わせることによって、 さまざまな発光スぺク トルを有してな るものに設定する'ことができる。 その態様は、 用途に基づいて必要とされるスぺ ク トルに設定すればよい。 なかでも、 C a A 1 S i N3結晶相に E uを 0. 00 0 I (E uの原子数) / {(E uの原子数) + (C aの原子数) } ≤ 0. 1とな る組成で添加したものは、 1 00 nmから 600 n mの範囲の波長の光、 好まし くは、, 200 nmから 600 n mの範囲の波長の光で励起されたとき、 600 η m以上 700 nm以下の範囲の波長にピークを持つ発光を示し、 赤色の蛍光とし て優れた発光特性を示す。
以上のようにして得られる本発明の蛍光体は、 通常の酸化物蛍光体や既存のサ ィァロン蛍光体と比べて、 電子線や X線、 およぴ紫外線から可視光、 即ち、 1 0 0 nm以上 600 n m以下の波長を持つ紫外線または可視光の幅広い励起範囲を 持つこと、 5 70 nm以上の橙色や赤色の発光をすること、 特に特定の組成では 600 nmから 700 nmの赤色を呈することが特徴であり、 C I E色度座標上 の (x、 y) の値で、 0. 45 ^x^0. 7の範囲の赤色の発光を示す。 以上の 発光特性により、 照明器具、 画像表示装置、 顔料、 紫外線吸収剤に好適である。 これに加えて、 高温にさらしても劣化しないことから耐熱性に優れており、 酸化 雰囲気およぴ水分環境下での長期間の安定性にも優れて 、る。
本発明の蛍光体は製造方法を規定しないが、 下記の方法で輝度が高い蛍光体を 製造することができる。
金属化合物の混合物であって焼成することにより、 M、 A、 D、 E、 Xで示さ れる組成物を構成しうる原料混合物を、 窒素を含有する不活性雰囲気中に.おいて 1200°C以上 2200°C以下の温度範囲で焼成することにより、 高輝度蛍光体 が得られる。
E uを付活した C aA l S i N3を合成する場合は、 窒化ユーロピウムまたは 酸化:ユーロピウムと、 窒化カルシウムと、 窒化ケィ素と、 窒化アルミニウムを粉 末の混合物を出発原料とするのがよい。
また、 ストロンチウムを含有する組成を合成する場合は、 上記に加えて窒化ス トロンチウムを添加すると結晶相中のカルシゥム原子の一部がストロンチウムで 置換された安定な (C a、 S r ) A 1 S i N 3結晶相が得られ、 高い輝度の蛍光 体が得られる。
結晶相中の窒素原子の一部を酸素で置換した C a A 1 S i ( 0、 N ) 3を母体 として E uを付活した蛍光体を合成する場合、 酸素含有量が少ない組成では、 窒 化ユーロピウムと、 窒化カルシウムと、 窒化ケィ素と、 窒化アルミニウムの混合 物の出発原料は、反応性が高く高収率の合成が可能であり、好ましい。この場合、 酸素は、 窒化ユーロピウムと、 窒化カルシウムと、 窒化ケィ素と、 窒化アルミ二 ゥムの原料粉末に含まれる不純物の酸素が使用される。
C a A 1 S i ( 0、: N) 3を母体として E uを付活した酸素含有量が多い蛍光 体を合成する場合は、 窒化ユーロピウムと酸化ユーロピウムのいずれか又は混合 物と、 窒化カルシゥムまたは酸化力ルシゥムまたは炭酸力ルシゥムのいずれか又 は混合物と、 窒化ケィ素と、 窒化アルミニウム又は窒化アルミニウムと酸化アル ミニゥムの混合物との混合物を出発原料とすると、 反応性が高く高収率の合成が 可能である。
上記の金属化合物の混合粉末は、 4 0 %以下の体積充填率に保持した状態で焼 成するとよい。 なお、体積充填率は、 (混合粉末の嵩密度) Z (混合粉末の理論密 度) X I 0 0 [%] により求めることが出来る。 容器としては、 金属化合物との 反応性が低いことから、 窒化ホウ素焼結体が適している。
体積充填率を 4 0 °/0以下の状態に保持したまま焼成するのは、 原料粉末の周り に自由な空間がある状態で焼成すると、 反応生成物である C a A 1 S i N 3属結 晶相が自由な空間に結晶成長することにより結晶相同士の接触が少なくなるため、 表面欠陥が少ない結晶相を合成することが出来るためである。 ·
次に、 得られた金属化合物の混合物を窒素を含有する不活性雰囲気中において 1 2 0 0 °C以上 2 2 0 0 °C以下の温度範囲で焼成することにより蛍光体を合成す る。 尭成に用いる炉は、 焼成温度が高温であり焼成雰囲気が窒素を含有する不活 性雰囲気であることから、 金属抵抗加熱抵抗加熱方式または黒鉛抵抗加熱方式で あり、炉の高温部の材料として炭素を用いた電気炉が好適である。焼成の手法は、 常圧焼結法やガス圧焼結法などの外部から機械的な加圧を施さない焼結手法が、 体積充填率 40%以下に保ったまま焼成するために好ましい。 ― 焼成して得られた粉体凝集体が固く固着している場合は、 例えばボールミル、 ジエツトミル等の工場的に通常用いられる粉砕機により粉砕する。 粉砕は平均粒 径 20 m以下となるまで施す。 特に好ましくは平均粒径 0. 1 111以上5 111 以下である。 平均粒径が 20 μιηを超えると粉体の流動性と樹脂への分散性が悪 くなり、 発光素子と組み合わせて発光装置を形成する際に部位により発光強度が 不均一になる。 0. · 1 μηι以下となると、 蛍光体粉体表面の欠陥量が多くなるた め蛍光体の組成によっては発光強度が低下する。
本発明の蛍光体のうち、 窒素と酸素を含む無機化合物を母体とする蛍光体は、 · 下記の方法でも製造することが出来る。
Μ元素の単体及び/又は化合物、 Α元素の窒化物、 D元素の窒化物、 並びに E 元素の窒化物を含む原料混令粉末を焼成する際に、 嵩密度 0. O S gZcm3以 上 1 gZ c m3以下の状態とし、 焼成温度を 1200°C以上 1750°C以下とし、 被焼成原料中の窒素と酸素の合計モル数に対する酸素のモル数の割合 (百分率)
(以下、 「原料中酸素存在割合」 という場合がある。) が 1%以上 20%以下とな るように被焼成原料中に酸素を存在させる方法である。
原料中酸素存在割合とは、 焼成時に被焼成原料中に存在する窒素と酸素の合計 モル数に対する酸素のモル数の割合(百分率)であり、被焼成原料中の窒素とは、 原料粉末由来の窒素であり、 一方、 酸素は、 予め原料粉末中に含まれているもの の他、 焼成時に焼成雰囲気中から被焼成物中に取り込まれる酸素も含むものであ る。 この原料中酸素存在割合は、 酸素窒素分析計を用いて測定することにより求 めることができる。 原料中酸素存在割合は、 2%以上 15%以下とするのが好ま 'しい。
焼成時にこのような原料中酸素存在割合で酸素を存在させる方法としてほ、
(1 ) 原料窒化物として酸素を所望の濃度だけ含有するものを被焼成原料と する方法
(2) 原料窒化物を予め酸素含有雰囲気下で加熱して酸素を所望の濃度だけ 含有させて被焼成原料とする方法 ( 3 ) 原料窒化物粉末に酸素含有化合物粉末を混合させて被焼成原料とする 方法
(4) 原料窒化物を焼成する際に焼成雰囲気に酸素を含有させて焼成時に原 料窒化物を酸化させることにより、 被焼成原料中に酸素を導入する方法
などが挙げられるが、-工業的に安定に高輝度の蛍光体を製造するためには、 (1) 原料窒化物として酸素を所望の濃度だけ含有するものを被焼成原料とする方法や、
(3) 原料窒化物粉末に酸素含有化合物粉末を混合させて被焼成原料とする方法 が好ましく、 特に、 上記 (1) の方法と (3) の方法を併用して、 原料窒化物と して酸素を所望の濃度だけ含有する被焼成原料を使用すると共に、 原料窒化物粉 末に酸素含有化合物粉末を混合させて用いる方法がより好ましい。
この場合、 酸素含有化合物粉末としては、 焼成時に金属酸化物になる物質から 選ばれる。 これらの物質としては、 各金属、 即ち、 原料窒化物を構成する金属の 酸化物、 硝酸塩、 硫酸塩、 炭酸塩などの無機酸塩、 しゅう酸塩、 酢酸塩などの有 機酸塩、 酸素含有有機金属化合物などが使用できるが、 酸素の濃度を制御しやす く焼成雰囲気中への不純物ガスの同伴を低く抑制できる点から金属酸化物を使用 することが好ましい。
原料中酸素存在割合は、全原料の化学分析を実施することで容易に判別できる。. 特に、窒素と酸素の濃度を分析することにより、窒素と酸素の比率を決定できる。' 原料'として使用される M元素の単体及び/又は化合物としては、 M元素の金属 (単体)、 酸化物、 窒化物、 硫化物、 ハロゲン化物、 水素化物の他、 硝酸塩、 硫酸 塩、 炭酸塩などの無機酸塩、 しゅう酸塩、 酢酸塩などの有機酸塩、 有機金属化合 物など、 M元素が高温で蛍光体の結晶母体に取り込まれるものであれば良く、 そ の種類に制約はない。 しかし、 他の窒化物原料との反応性が良い点から、 M元素 の金属、 酸化物、 窒化物、 ハロゲン化物が好ましく、 特に、 原料が安価に得られ 蛍光体の合成温度を低下させられる点で酸化物が好ましい。
M元素として少なくとも E uを使用する場合には、 Eu原料として、 Euを構 成元素とする Eu金属、 E u Oや E u 203等の酸化ユーロピウム、 EuN、 Eu H3、 Eu2S3、 E uF2、 Eu F3、 EuC l 2、 EuC'l 3、 E u (N03) 3、 E u 2 (S 04) 3、 E u 2 (C03) 3、 E u (C 204) 3、 E u (O— i — C3H 7) 3など各種化合物の 1種又は 2種以上を使用できるが、 E u F2、 E u F3、 E u C 12、 E u C 1 3などの E uハロゲン化物は結晶成長を促進する効果があるの で好ましい。 また、 Eu 203や Eu金属も特性の高い蛍光体が合成できるので好 ましい。 その中でも、 原料コストが安く潮解性が少なく高輝度の蛍光体を比較的 低温度で合成できる E u 203が特に好ましい。
M元素以外の元素の原料、 即ち、 A、 D、 E元素の原料としては、 通常、 それ らの窒化物を使用するが、 A元素の窒化物としては、 例えば、 Mg3N2、 C a 3 N2、 S r 3N2、 B a 3N2、 Z n 3N 2等の 1種又は 2種以上が挙げられ、 D元素 の窒化物としては、 例えば、 S i 3N4、 G e 3N4、 S n 3N4、 T i 3N4、 Z r 3 N4、 H f 3N4等の 1種又は 2種以上が挙げられ、 E元素の窒化物としては、 例 え'ば、 A 1 N、 G a N、 I nN、 S c N等の 1種又は 2種以上が挙げられ、 それ らの粉末'を使用することが発光特性の高い蛍光体を製造できるので好ましい。 特に、 A元素の原料として窒素と酸素の合計モル数に対する酸素のモル数が 1 %以上 20 %以下の活性が高く反応性の高い窒化物原料を使用することが、 窒 化物原料混合粉末間の固相反応を著しく進めることができ、 その結果として、 原 料混合粉末を圧縮成形することなく焼成温度や焼成時の雰囲気ガス圧力を低くす ることが可能となる。 同様の理由で、 A元素の原料として、 窒素と酸素の合計モ ル数に対する酸素のモル数が特に 2 °/0以上 1 5 %以下の窒化物原料を使用するこ とが好ましい。 '
原料混合粉末の嵩密度は、 小さすぎると原料粉末間の接触面積が小さいために 固相反応が進みにくく、 好ましい蛍光体を合成し得ない不純物相が多量に残存す るものとなる。 一方、 嵩密度が大きすぎると、 得られる蛍光体は硬い焼結体とな るおそれがあり、 焼成後に長時間の粉砕工程が必要となるばかりでなく、 蛍光体 の輝度が低下するという傾向にある。 よって嵩密度は、 0. 1 5 gZc m3以上 0. 8 g/cm3以下が好ましい。
原料混合粉末の焼成温度は、 低すぎると固相反応が進みにくく目的の蛍光体を 合成できない。 一方、 高すぎるど、 無駄な焼成エネルギーを消費してしまうだけ でなく、 出発原料や生成物質からの窒素の揮散が多くなり、 雰囲気ガスの一部と なる窒素の圧力を非常に高くしないと目的の蛍光体を製造できない傾向にある。 よって焼成温度.は、 1 300°C以上 1 700°C以下が好ましい。 原料混合粉末の 焼成雰囲気は、 基本的には不活性雰囲気又は還元性雰囲気とするが、 酸素濃度が 0. 1〜10 p pmの範囲の微量酸素を含有する雰囲気とすることで比較的低温 での蛍光体の合成が可能となるので好ましい。
また、 焼成時の雰囲気ガスの圧力は、 通常 20気圧 (2MP a) 以下とする。 20気圧を越える圧力にするには頑強な耐熱容器からなる高温焼成設備が必要と なり、 焼成に必要となるコストが高くなるために雰囲気ガス圧力を 10気圧 (1 M P a )以下とするのが好ましレ、。大気中の酸素の混入を防ぐためには 1気圧( 0. IMP a) をわずかに越えるのが好ましい。 焼成炉の密閉性が悪い場合には、 1 気圧 (0. IMP a) 以下にすると多量の酸素が混入して特性の高い蛍光体を得 ることが難しい。 ' ' .
また、 焼成.時の最高温度での保持時間は、 通常 1分間以上 1 00時間以下とす る。 保持時間が短すぎると原料混合粉末間の固相反応が十分に進まずに目的の蛍 光体が得られない。 また、 保持時間が長すぎる場合には、 無駄な加熱エネルギー が消費されるだけではなく、 蛍光体の表面から窒素が脱離して蛍光特性が低下す る。 同様の理由により、 保持時間は、 10分間以上 24時間以下とするのが好ま しい。
以上説明したように、 本発明の C a A 1 S i N 3属結晶相蛍光体は、 従来のサ ィァロン蛍光体より高い輝度を示し、 励起源に曝された場合における蛍光体の輝 度の低下が少ないので、 VFD、 FED、 PDP、 CRT, 白色 LEDなどに好 適に有する蛍光体である。
本発明の照明器具は、 '少なくとも発光光源と本発明の蛍光体を用いて構成され る。 照明器具としては、 LED照明器具、 蛍光ランプなどがある。 LED照明器 具では、 本発明の蛍光体を用いて、 特開平 5— 1 52609号公報、 特開平 7 - 9 9 345号公報、 特許第 2927279号公報などに記載されているような公 知の方法により製造することができる。 この場令、 発光光源は 3 30〜500 n mの波長の光を発するものが望ましく、 中でも 3 3 0〜4 20 ηηιの紫外 (また は紫) LED発光素子または 4 20〜5 0 0 nmの青色 LED発光素子が好まし い。
これらの発光素子としては、 G a Nや I n G a Nなどの窒化物半導体からなる ものがあり、 組成を調整することにより、 所定の波長の光を発する発光光源とな り得る。
照明器具において本発明の蛍光体を単独で使用する方法の他に、 他の発光特性 を持つ蛍光体と併用することによって、 所望の色を発する照明器具を構成するこ とができる。 この一例として、 3 3 0〜4 20 nmの紫外 L ED発光素子とこの 波長で励起され 4 2 0 rim以上 5 0 0 nm以下の波長に発光ピークを持つ'青色蛍 光体と、 5 0 0 nm以上 5 7 0 n m以下の波長に発光ピークを持つ緑色蛍光体と 本発明の蛍光体の組み合わせがある。 このような青色蛍光体としては B aMg A 1 1017 : E uを、 緑色蛍光体としては8 &1^1§ 1 1。01 7 : £ 11、 Mnを挙 げることができる。 この構成では、 LEDが発する紫外線が蛍光体に照射される と、赤、緑、青の 3色の光が発せられ、 これの混合により白色の照明器具となる。 別の手法として、 4 20〜500 nmの青色 LED発光素子とこの波長で励起 されて 5 5 0 nm以上 6 0 0 nm以下の波長に発光ピークを持つ黄色蛍光体およ び本発明の蛍光体との組み合わせがある。 このような黄色蛍光体としては、 特許 第 2 9 2 7 2 7 9号公報に記載の (Y、 G d) 2 (A l、 G a) 5Οϊ 2: C eゃ特 開 20 0 2— 3 6 3 5 54号公報に記載のひ^"サイアロン: E uを挙げることが できる。 なかでも E uを固溶させた C a— α—サイアロンが発光輝度が高いので よい。 の構成では、 LEDが発する青色光が蛍光体に照射されると、 赤、 黄の 2色の光が発せられ、 これらと LED自身の青色光が混合されて白色または赤み がかった電球色の照明器具となる。
別め手法として、 4 2 0〜5 00 の青色 LED発光素子とこの波長で励起 されて 5 0 011 m以上 5 7 0 n m以下の波長に発光ピークを持つ緑色蛍光体およ び本発明の蛍光体との組み合わせがある。 このような緑色蛍光体としては、 Y2 A 1 5012: C eを挙げることができる。 この構成では、 L EDが発する青色光 が蛍光体に照射されると、 赤、 緑の 2色の光が発せられ、 これらと LED自身の 青色光が混合されて白色の照明器具となる。
本発明の画像表示装置は少なくも励起源と本発明の蛍光体で構成され、 蛍光表 示管 (VFD) 、 フィールドェミッションディスプレイ (FED) 、 プラズマデ イスプレイパネル (PDP) 、 陰極線管 (CRT) などがある。 本発明の蛍光体 は、 100〜ユ 90 nmの真空紫外線、 1 90〜 380 nmの紫外線、 電子線な どの励起で発光することが確認されており、 これらの励起源と本発明の蛍光体と の組み合わせで、 上記のような画像表示装置を構成することができる。
本発明の特定の無機化合物は赤色の物体色を持つことから赤色顔料または赤色 蛍光顔料として使用することができる。 本発明の無機化合物に太陽光や蛍光灯な どの照明を照射すると赤色の物体色が観察され、 発色がよいこと.および長期間に 渡り劣化しないため無機顔料に好適である。 このため、 塗料, インキ, 絵の具、 釉薬、 プラスチック製品に添加する着色剤などに用いると長期間に渡って発色が 低下しない利点がある。 本発明の窒化物は紫外線を吸収するため紫外線吸収剤と しても好適である。 このため、 塗料として用いたり、 プラスチック製品の表面に 塗布したり内部に練り込んだりすると、 紫外線の遮断効果が高く製品を紫外線劣 化から保護する効果が高い。 く実施例〉
次に本発明を以下に示す実施例によってさらに詳しく説明するが、 · これはあく までも本発明を容易に理解するための一助として開示したものであって、 本発明 は、 これらの実施例に限定されるものではない。 実施例 1 ;
原^粉末は、 平均粒径 0. 5 /xm、 酸素含有量 0. 93重量。/。、 α型含有量 9 2%の窒化ケィ素粉末、 比表面積 3. 3m2Zg、 酸素含有量 0. 79°/。の窒化 アルミニウム粉末、 窒化カルシウム粉末、 金属ユーロピウムをアンモニア中で窒 化して合成した窒化ユーロピウムを用いた。 組成式 E u o. 。。8C a o. 992 A 1 S i N3で示きれる化合物 (表 1に設計組成 のパラメータ、表 2に設計組成の質量%表示、表 3に原料粉末の混合組成を示す。) を得るべく、 窒化ケィ素粉末と窒化アルミニウム粉末と窒化カルシゥム粉末と窒 化ユーロピウム粉末とを、 各々 33. 85 78重量0 /0、 29. 6.814重量0 /0、 35. 4993重量%、 0. 96 147重量%となるように秤量し、 メノウ乳棒 と乳鉢で 30分間混合を行なった後に、 得られた混合物を、 500 /mのふるレヽ を通して窒化ホウ素製のるつぼに自然落下させて、 るつぼに粉末を充填した。 粉 体の体積充填率は約 25%であった。 なお、 粉末の秤量、 混合、 成形の各工程は 全て、 水分 1 P P m以下酸素 1 p p m以下の窒素雰囲気を保持することができる グローブボックス中で操作を行った。
この混合粉末を窒化ホウ素製のるつぼに入れて黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセ ットした。 焼成の操作は、 まず、 拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、 室温 から 800°Cまで毎時 500°Cの速度で加熱し、 800でで鈍度が99. 999 体積%の窒素を導入して圧力を IMP aとし、 毎時 500°Cで 1800°Cまで昇 温し、 1800 °Cで 2時間保持して行った。
焼成後、 この得られた焼成体を粗粉砕の後、 窒化ケィ素焼結体製のるつぼと乳 鉢を用いて手で粉砕し、 30 μπιの目のふるいを通した。 粒度分布を測定したと ころ、 平均粒径は 1 5 μηιであった。
得られた合成粉末の構成結晶相を以下のような手順によって同定した。 先ず、 標準物質となる Μ元素を含まない純粋な C a A 1 S i N 3を得るべく、 窒化ケィ 素粉末と窒化アルミニウム粉末と窒化カルシウム粉末を、各々 34.088重量0 /0、 29. 883重量%、 36. 029重量%、 となるように秤量し、 メノウ乳棒と 乳鉢で 30分間グローブボックス中で混合を行なった後に、 窒化ホウ素製のるつ ぼに入れて黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。 焼成の操作は、 まず、 拡散 ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、 温室から 800°Cまで毎時 500°Cの速度 で加熱し、 800°〇で純度が99. 999体積 °/0の窒素を導入して圧力を IMP aとし、 毎時 500でで 1800 °Cまで昇温し、 1800 °Cで 2時間保持して行 つた。 合成した試料をメノウの乳鉢を用いて粉砕し、 じ;!の 線を用ぃた粉末 1789S
X線回折測定を行った。 その結果、 得られたチャートは図 1一 1に示すパターン を示し、 表 4に示す指数付けにより、 C aA l S i N 3結晶相であると判定され た。 この結晶相は斜方晶系で、格子定数は、 a = 9. 8007 (4) A、 b = 5. 649 7 (2) A、 c = 5. 06 27 (2) Aである。 TEMを用いた収束電子 線回折により'決定した空間群は Cm c 2 x ( I n t e r n a t i o n a l T a b 1 e s f o r C r y s t a 1 1 o g r a p h yの 36番の空間群)である。 さらに、 この空間群を用いてリートベルト解析により決定した各元素の原子座標 位置は表 5に示す通りである。 X線回折の測定強度と原子座標からリートベルト 法で計算した計算強度は表 4に示すようによい一致を示す。
次に、 合成した組成式 E u0. 。08C a o. 992 A 1 S i N3で示される化合物を メノゥの乳鉢を用いて粉砕し、 C uの 線を用いた粉末 X線回折測定を行った。 その結果、 得られたチャートは図 1一 2であり、 表 4に示す指数付けにより、 C a A 1 S i N 3属結晶相であると.判定された。
この粉末の組成分析を下記方法で行った。 まず、 試料 5 Omgを白金るつぼに 入れて、炭酸ナトリウム 0. 5 §とホゥ酸0. 2 gを添加して加熱融解した後に、 塩酸 2m 1に溶かして 100m lの定容として測定用溶液を作製した。 この液体 試料を I CP発光分光分析することにより、 粉体試料中の、 S i、 A l、 Eu、 C a量を定量した。 また、 試料 2 Οπα gをスズカプセルに投入し、 これをニッケ ルバスケットに入れたものを、 £〇0社製丁〇一436型酸素窒素分析計を用 いて、 粉体試料中の酸素と窒素を定量した。 測定結果は、 E u : 0. 8 6±0. 01質量0 /0、 C a : 28. 9 ±0. 1質量0 /o、 S i : 20. 4±0. 1質量0 /0、 A 1 : 1 9. 6 ± 0. 1質量0 /0、 N: 28. 3 ± 0. 2質量0 /0、 0 : 2. 0 ± 0. 1質量%であった。 表 2に示す設計組成における質量。 /0表示と比べると、 特に酸 素含有量が高い。この理由は、原料として用いた窒化ケィ素、窒化アルミニウム、 窒化カルシウムに含まれる不純物酸素が原因である。 この組成では、 Nと Oの原 子数の比 NZ (O + N) は 0. 942に相当する。 全元素の分析結果から計算し た合成した無機化合物の組成は、 E u0.。。78C a o. 9922 S i o. 9997 A 1 o. 99 96N 2. 782 O0. 172である。本発明は、 Nの一部が Oで置換されたものも発明の 範囲に含み、 その場合に置いても、 高い輝度の赤色蛍光体が得られる。
この粉末に、 波長 3 6 5 n niの光を発するランプで照射した結果、 赤色に発光 することを確認した。 この粉末の発光スペク トル (図 4 ) および励起スペク トル (図 5 ) を蛍光分光光度計を用いて測定した結果、 励起および発光スペクトルの ピーク波長 (表 6 ) は 4 4 9 n mに励起スペク トルのピークがあり 4 4 9 η ηιの 励起による発光スぺクトルにおいて、 6 5 3 n mの赤色光にピークがある蛍光体 であることが分かった。 ピークの発光強度は、 1 0 6 5 5カウントであった。 な おカウント値は測定装置や条件によって変化するため単位は任意単位である。 ま た、 4 4 9 n mの励起による発光スペク トルから求めた C I E色度は、 x = 0 . 6 6 9 9、 y = 0 . 3 2 6 3の赤色であった。
Figure imgf000035_0002
Figure imgf000035_0001
Figure imgf000036_0001
(%畺葛) ¾¾¾+ ^ 's拏
S68ZJ0請 Zdf/IOd .80JS0/S00Z ΟΛ\ 92
Figure imgf000037_0002
(%畺¾) ^ ·ε拏
Figure imgf000037_0001
Z,80ZS0/S00Z OAV ピーク 指数 2Θ 観測強度 計算強度 番号 h k 1 度 A 任意単位 任意単位
1 2 0 0 18.088 4.90033 1129 360
2 1 1 0 18.109 4.89464 3960 1242
3 2 0 0 18.133 4.90033 569 178
4 1 1 0 18.154 4.89464 1993 614
5 1 1 1 25.288 3.51896 3917 5137
6 1 1 1 25.352 3.51896 1962 2539
7 3 1 0 31.61 2.82811 72213 68028
8 0 2 0 31.648 2.82483 38700 36445
9 3 1 0 31.691 2.82811 35723 33624
10 0 2 0 31.729 2.82483 19158 18014
11 0 0 2 35.431 2.53137 75596 78817
12 0 0 2 35.522 2.53137 37579 39097
13 3 1 1 36.357 2.469 100000 101156
14 0 2 1 36.391 la 2.46682 56283 56923
15 3 1 1 36.451 2.469 49334 49816
16 0 2 1 36.484 2.46682 27873 28137
17 4 0 0 36.647 2.45017 15089 15187
18 2 2 0 36.691 2.44732 11430 11483
19 4 0 0 36.741 2.45017 7481 7507
20 2 2 0 36.785 2.44732 5661 5676
21 2 0 2 40.058 2.24902 5403 5599
22 1 1 2 40.068 2.24847 76 79
23 2 0 2 40.162 2.24902 2678 2767
24 1 1 2 40.172 2.24847 38 39
25 2 2 1 40.924 2.20339 14316 13616
26 2 2 1 41.031 2.20339 7123 6730
27 3 1 2 48.207 1.88616 21363 21434
28 0 2 2 48.233 1.88519 19002 19072
29 3 1 2 48.334 1.88616 10584 10591
30 0 2 2 48.361 1.88519 9407 9424
31 5 1 0 49.159 1.85184 2572 2513
32 4 2 0 49.185 1.85092 4906 4795
33 1 3 0 49.228 1.84939 253 239
34 5 1 0 49.289. 1.85184 1346 1242
35 4 2 0 49.315 1.85092 2565 2369
36 1 3 0 49.359 1.84939 130 118
37 4 0 2 51.892 1.76054 6201 6580
38 2 2 2 51.926 1.75948 6187 6564
39 4 0 2 52.031 1.76054 3075 3251
40 2 2 2 52.064 1.75948 3078 3243
41 5 1 1 52.579 1.73915 2042 2153
42 4 2 1 52.604 1.73839 188 199
43 1 3 1 52.645 1.73712 282 298
44 5 1 1 52.72 1.73915 1002 1064
45 4 2 1 52.745 1.73839 92 98
46 1 3 1 52.786 1.73712 139 147
47 6 0 0 56.272 1.63344 17721 17283
48 3 3 0 56.344 1.63155 33576 32772
49 6 0 0 56.425 1.63344 8757 8541
50 3 3 0 56.496 1.63155 16569 16195 ピーク 指数 2Θ 面間 Ife 観測強度 計算強度 番号 k 1 度 A 任意単位 任意単位
51 1 1 3 57.738 1.59541 771 461
52 1 1 3 57.895 1.59541 447 228
53 3 3 1 59.475 1.5529 987 445
54 3 3 1 59.638 1.5529 504 220
55 5 1 2 62.045 1.4946 421 460
56 4 2 2 62.068 1.49412 3824 4174
57 1 3 2 62.105 1.49331 518 571
58 5 1 2 62.217 1.4946 209 227
59 4 2 2 62.239 1.49412 1886 2063
60 1 3 2 62.276 1.49331 257 282
61 3 1 3 64.218 1.44918 25890 27958
62 0 2 3 64.239 1.44874 19133 20597
63 3 1 3 64.396 1.44918 12851 13816
64 0 2 3 64.418 1.44874 9441 10178
65 6 2 0 66.013 1.41406 6643 6534
66 0 4 0 66.099 1.41242 2793 2737
67 6 2 0 66.198 1.41406 3327 3229
68 0 4 0 66.284 1.41242 1385 1353
69 2 2 3 67.344 1.3893 3814 3509
70 2 2 3 67.534 1.3893 1869 1735
71 6 0 2 68.281 1.3725 18466 17968
72 3 3 2 68.345 1.37138 27397 26670
73 6 0 2 68.474 1.3725 9086 8881
74 3 3 2 68.538 1.37138 13419 13182
75 6 2 1 68, 885 1.36193 22014 21698
76 0 4 1 68.97 1.36046 11088 10930
77 7 1 0 69.056 1.35899 827 815
78 6 2 1 69.081 1.36193 10883 10725
79 5 3 0 69.112 1.35802 573 564
80 2 4 0 69.161 1.35717 4360 4307
81 0 4 1 69.166 1.36046 5470 5403
82 7 1 0 69.252 1.35899 409 403
83 5 3 0 69.308 1.35802 283 279
84 2 4 0 69.358 1.35717 2165 2129
85 7 1 1 71.871 1.31252 263 170
86 - - 5 - - · 3 1 71.926 1.31165 684 - 445
87 2 4 1 71.974 1.31088 810 520
88 7 1 1 72.077 1.31252 132 84
89 5 3 1 72.133 1.31165 345 220
90 2 4 1 72.181 1.31088 399 257
91 0 0 4 74.975 1.26568 3881 3841
92 0 0 4 75.194 1.26568 1960 1899
93 5 1 3 76.274 1.24734 1812 1659
94 4 2 3 76.294 1.24705 865 798
95 1 3 3 76.328 1.24659 516 478
96 5 1 3 76.497 1.24734 826 820
97 4 2 3 76.518 1.24705 403 395
98 1 3 3 76.552 1.24659 241 237
' 99 6 2 2 77.212 1.2345 6989 7316
100 0 4 2 77.293 1.23341 1114 1179 88
Figure imgf000040_0001
S68J0請 Zdf/ェ:) d .80ZS0/S00Z OAV
Figure imgf000041_0001
Figure imgf000042_0001
If
Figure imgf000043_0001
9(D^) X .9—セ
S68J0請 Zdf/ェ:) d .80ZS0/S00Z OAV 表 5. CaAISiN3の結晶構造データ CaAISiN3
Space Group (#36) Cmc21 格子定数 (A)
Figure imgf000044_0003
Figure imgf000044_0002
SiN20
Space Group (#36) Cmc21 格子定数 (A)
Figure imgf000044_0004
Figure imgf000044_0001
表 6.励起-発光スペクトルのピーク波 iと強度
Figure imgf000045_0001
比較例 1 ;
実施例 1に記載の原料粉末を用い、 M元素を含まない純粋な C a A 1 S i N3 を得るべく、 窒化ケィ素粉末と窒化アルミニウム粉末と窒化カルシウム粉末を、 各々 34. 088重量0 /0、 29. 88 3重量0 /0、 36, 029重量%、 となるよ うに秤量し、 実施例 1と同じ方法で粉末を作製した。 X線回折測定によれば合成 した 末は、 C a A l S i N3であることが確認された。 合成した無機化合物の 励起おょぴ発光スぺクトルを測定したところ 570 nmから 700 nmの範囲に 顕著な発光のピークは見られなかった。 実施例 2〜 7 ;
実施例 2〜7として、 C aの一部または全てを B aで置き換えた組成の無機化 合 ^を作製した。
表 1、 表 2、 表 3に示す組成の他は実施例 1と同様の手法で無機化合物を作製 した。. X線回折測定によれば合成した粉末は、 C a A 1 S i N 3と同一の結晶構 造を持つ無機化合物であることが確認された。 合成した無機化合物の励起および 発光スペク トルを測定したところ図 4、 図 5、 および表 6に示す様に、 3 5 0 η m力 ら 6 0 0 n mの紫外線および可視光で励起されて、 5 7 0 n mから 7 0 0 ιι mの範囲に発光のピークを持つ赤色の蛍光体であることが確認された。 なお、 B a添加量が多くなると発光輝度が低下するため、 B a添加量は少ない領域の組成 が好ましい。 . 実施例 8〜 1 5 ;
実施例 8〜1 5として、 C aの一部または全てを S rで置き換えた組成の無機 化合物を作製した。
表 1、表 2、表 3に示す組成の他は実施例 1と同様の手法で蛍光体を作製した。 X線回折測定によれば合成した粉末は、 C a A 1 S i N 3と同一の結晶構造を持 つ無機化合物であることが確認された。 合成した無機化合物の励起および発光ス ぺク トルを測定したところ図 6、 図 7 (実施例 8〜1 1 )、 図- 8、 図 9 (実施例 1 2〜 1 5 )、および表 6に示す様に、 3 5 0 n mから 6◦ 0 n mの紫外線および可 視光で励起されて、 5 7 0 n mから 7 0 0 n mの範囲に発光のピークを持つ赤色 の蛍光体であることが確認された。 なお、 S r添加量が多くなると発光輝度が低 下するが、 発光のピーク波長が C a単独添加よりも短波長側に移動するので、 6 0 0 n mから · 6 5 0 n mの範囲にピーク波長を持つ蛍光体を得たい場合は、 C a の一^を S rで置換することは有効である。 実施例 1 6〜 2 5 ;
実施例 1 6〜2 5として、 C aの一部または全てを M gで置き換えた組成の無 機ィ匕合物を作製した。
表 1、表 2、表 3に示す組成の他は実施例 1と同様の手法で蛍光体を作製した。 X線回折測定によれば合成した粉末は、 C a A l S i N3と同一の結晶構造を持 つ無機化合物であることが確認された。 合成した無機化合物の励起および発光ス ぺク トルを測定したところ図 1 0、 図 1 1、 および表 6に示す様に、 3 50 n m から 6 0011 mの紫外線および可視光で励起されて、 5 70 nmから 700 nm の範囲に発光のピークを持つ赤色の蛍光体であることが確認された。 なお、 Mg 添カロ量が多くなると発光輝度が低下するため、 Mg添加量は少ない領域の組成が 好ましい。 実施例 26〜 30 ;
実施例 26〜30として、 Nの一部を Oで置き換えた組成の無機化合物を作製 した。 この場合、 Nと Oとでは価数が異なるため単純な置き換えでは全体の電荷 が中性とならない。 そこで、 S i— Nを A 1— Oで置き換えた組成である、 C a 6 S i 6_XA 1 6 + xOxN18_x (0 < x≤ 3)
組成を検討した。
表 7、 表 8に示す靼成の他は実施例 1と同様の手法で蛍光体を作製した。 X線 回折測定によれば合成した粉末は、 C a A 1 S i N3と同一の結晶構造を持つ無 機ィ匕合物であることが確認された。 合成した無機化合物の励起および発光スぺク トノレを測定したところ図 1 2、 図 1 3に示す様に、 3 50 nmから 600 nmの 紫外線おょぴ可視光で励起されて、 5 70 nmから 700 nmの範囲に発光のピ ークを持つ赤色の蛍光体であることが確認された。 なお、 酸素添加量が多くなる と 光輝度が低下するため、 酸素添加量は少ない領域の組成が好ましい。 表 7. 設計組成のパラメータ
Figure imgf000048_0001
表 8. 混合組成 (質量%)
Figure imgf000048_0002
実施例 31〜 37 ;
実施例 1と同じ原料粉末を用いて、 無機化合物 (表 9に原料粉末の混合組成、 表 10に組成パラメータを示す) を得るべく、 窒化ケィ素粉末と窒化アルミニゥ ム粉末と窒化カルシゥム粉末と窒化ユーロピユウム粉末とを秤量し、 メノゥ乳棒 と乳鉢で 30分間混合を行なった後に、 得られた混合物を、 金型を用いて 20M P aの圧力を加えて成形し、 直径 1 2mm、 厚さ 5 mmの成形体とした。 なお、 粉末の秤量、 混合、 成形の各工程は全て、 水分 1 P pm以下酸素 1 p pm以下の 窒素雰囲気を保持することができるグローブボックス中で操作を行つた。
こあ成形体を窒化ホウ素製のるつぼに入れて黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセッ トした。 焼成の操作は、 まず、 拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、 温室か ら 800°Cまで毎時 500°Cの速度で加熱し、 800°( で純度が99. 999体 積0 /0の窒素を導入して圧力を IMP aとし、 毎時 500°Cで 1 800°Cまで昇温 し、 1 8 O 0°Cで 2時間保持して行った。 焼成後、 得られた焼結体の構成結晶相 を同定した結果、 C a A 1 S i N3属結晶相であると判定された。 この粉末に、 波長 365 nmの光を発するランプで照射した結果、 赤色に発光することを確認 した。 この粉末の発光スぺク トルおょぴ励起スぺクトルを蛍光分光光度計を用い て測定し 結果、 表 1 1に示す様に、 3 50 nmから 600 nmの紫外線および 可視光で励起されて、 57011 mから 700 nmの範囲に発光のピークを持つ赤 色の蛍光体であることが確認された。 なお、 本実施例は他の実施例と異なる装置 で測定したため、 カウント値は、 実施例 3 1〜3 7の範囲でしか比較できない。
Figure imgf000049_0001
表 1 o. 設計組成のパラメータ
a(Eu) b(Ca) c(Si) d(AI) e(N)
実施例 3 1 0.0005 0.9995 1 1 3 実施例 32 0.001 0.999 1 -- 1 3 実施例 33 0.002 0.998 1 1 3 実施例 34 0.02 0.98 1 1 3 実施例 35 0.032 0.968 1 1 3 実施例 36 0.06 0.94 1 1 3 実施例 37 0.1 0.9 1 1 3
表 1 1. 蛍: の び スぺ ー 長と強度
Figure imgf000050_0001
実施例 38〜56、 60〜76 ;
実施例 38〜 56、 60〜76として、 E u a C a b S i c A 1 d N e組成におけ る c、 d、 eパラメータを変化させた組成の無機化合物を作製した。
表 1 2、 表 1 3に示す組成の他は実施例 1と同様の手法で蛍光体を作製した。 X線回折測定によれば合成した粉末は、 C a A l S i N3と同一の結晶構造を持 つ無機化合物を含有する粉末であることが確認された。 合成した無機化合物の励 起および発光スぺク トルを測定したところ表 14に示す様に、 3 50 nmから 6 0 011 mの紫外線および可視光で励起されて、 570 nmから 700 nmの範囲 に発光のピークを持つ赤色の蛍光体であることが確認された。
表 12. 設計組成のパラメ一タ
Figure imgf000051_0001
表 1 3 . 原料粉末の混合組成 (単位:質量%)
Figure imgf000052_0001
表 1 4. 蛍光測定の励起および発光スぺク トルのピーク波長
Figure imgf000053_0001
実施例 77〜 84 ;
実施例 77〜 84として、 Eu aC a bDcEdXe組成における D、 E、 X元素 を変化させた組成の無機化合物を作製した。
表 1 5、 表: L 6に示す組成の他は実施例 1と同様の手法で蛍光体を作製した。 X線回折測定によれば合成した粉末は、 C a A 1 S i N3と同一の結晶構造を持 つ無機化合物を含有する粉末であることが確認された。 合成した無機化合物の励 起および発光スぺク トルを測定したところ表 1 7に示す様に、 3 50請から 6 00 nmの紫外線および可視光で励起されて、 570 nmから 700 nmの範囲 に発光のピークを持つ赤色の蛍光体であることが確認された。 表 1 5. 設計細成のパラメータ
Figure imgf000054_0002
表 1 6. 原料粉末の混合組成 (単位:質量%)
Figure imgf000054_0001
表 1 7 . 蛍光測定の励起および発光スぺクトルのピーク波長と強度
Figure imgf000055_0001
実施例 8 5〜 9 2 ;
実施例 8 5〜9 2として、 M a C a b S ί C A 1 d ( N , O ) e組成における M元 素を変化させた組成の無機化合物を作製した。
表 1 8、 表 1 9に示す組成の他は実施例 1と同様の手法で蛍光体を作製した。 X線回折測定によれば合成した粉末は、 C a A 1 S i N 3と同一の結晶構造を持 つ無機^ f匕合物を含有する粉末であることが確認された。 合成した無機化合物の励 起および発光スぺク トルを測定したところ表 1 7に示す様に、 3 5 0 n mから 6 0 0 n mの紫外線および可視光で励起されて、 実施例 8 9の他は 5 7 0 n mから 7 0 0 la mの範囲に発光のピークを持つ赤色の蛍光体であることが確認された。 実施例 8 9ではピーク波長 5 5 0 n mの発光を示した。
Μπ¾ ' A元素 D元索 E元柰
実施例 Mn 1 Ce 1 Sm 1 hu Tb 1 Dv 1 Er 1 Yb Ca S i Al N 0 a I b恤 ofit β ΐ
85 0. 0027 0. 9973 1 1 3 0. 0027
86 0. 0027 0. 9973 1 1 3 0. 0054
87 0. 0027 0. 9973 1 1 3 0. 0041
88 0. 0027 0. 9973 1 1 3 0. 0041
89 0. 0027 0. 9973 1 1 3 0. 0047
90 0. 0027 0. 9973 1 1 3 0. 0041
91 0. 0027 0. 9973 1 1 3 0. 0041
92 0. 0027 0. 9973 1 1 3 0.0041 19.原料粉末の;'昆合組成 (単位:貧量 )
Figure imgf000056_0001
Figure imgf000056_0002
実施例 101
原料粉末として、 Eu 203粉末、 窒素と酸素の合計モル数に対する酸素のモル 数で示される酸素含有量 9モル0 /0の C a 3N2粉末、 同酸素含有量 ·2モル0 /0の S i 3N4粉末、 同酸素含有量2モル0/。の A 1 N粉末を使用し、 金属元素組成比 (モル 比) が Eu : C a : A 1 : S i = 0. 00 8 : 0. 9 9 2 : 1 : 1となるように 各粉末を枰量し、 混合して原料混合粉末を得た。 この原料混合粉末の窒素と酸素 の合計モル数に対する酸素のモル数で示される酸素含有量は、 5モル%であった。 なお、 C a 3N2粉末は酸素を所望の濃度だけ含有するものを被焼成原料とするこ とにより酸素を含有させたものであり、 S i 3N4粉末は酸素を所望の濃度だけ含 有するものを被焼成原料とすることにより酸素を含有させたものであり、 A 1 N 粉末は酸素を所望の濃度だけ含有するものを被焼成原料とすることにより酸素を 含有させたものである。 , この原料混合粉末を圧縮せずに、 嵩密度 0. 3 5 g/cm3となるように窒化 硼素製坩堝に入れ、 酸素濃度を 1 0 p pm以下にした高純度窒素雰囲気中にて窒 素圧力 1. 1気圧として電気炉を使用して 1 600°Cで 1 0時間焼成した。 この とき、 焼成時の原料中酸素存在割合は、 各原料中の酸素濃度と各原料の混合割合 から算出することにより 5モル0 /0である。
得られた蛍光体中に生成している結晶相を粉末 X線回折法で同定した結果、 C a A 1 S i N 3属結晶相が生成していることが確認された。 蛍光分光光度計でこ の蛍光体の波長 46 5 n ni励起による蛍光特性を測定したところ、 市販の C e付 活イットリウムアルミニウムガーネット系蛍光体のピーク強度を 100とした場 合に、 得られた蛍光体のピーク強度は 1 2 8と発光強度が高く、 ピーク波長 6 5
2 n mの赤色光を示した。 また、 得られた蛍光体試料 2 Omgをスズカプセルに 投入し、 これをニッケルバスケットに入れたものを、 L E CO社製 T C— 436 型酸素窒素分析計を用いて、 粉体試料中の窒素と酸素の濃度を分析したところ、 窒素と酸素との合計において、 窒素 94モル%と酸素 6モル%を含有していた。 実施例 10 2
Eu 203の代わりに E u F3を用いたこと以外は、 実施例 1 0 1と同様にして 蛍光体粉末を得た。 この原料混合粉末の窒素と酸素の合計モル数に対する酸素の モル数で示される酸素含有量は、 5モル%だった。 また、 焼成時の原料中酸素存 在割合は、 各原料中の酸素濃度と各原料の混合割合 ら算出することにより 5モ ル%である。
得られた紫光体中に生成している結晶相を粉末 X線回折法で同定した結果、 C a A 1 S i N3属結晶相が生成していることが確認された。 蛍光分光光度計でこ の蛍光体の波長 46 5 nm励起による蛍光特性を測定したところ、 市販の C e付 活ィットリゥムアルミニウムガーネット系蛍光体のピーク強度を 100とした場 合に、 得ら; た蛍光体のピーク強度は 1 1 4と発光強度が高く、 ピーク波長 6 5 O nmの赤色光を示した。 また、 得られた蛍光体試料 2 Om gをスズカプセルに 投入し、 これをニッケルバスケットに入れたものを、 LECO社製 TC— 436 型酸素窒素分析計を用いて、 粉体試料中の窒素と酸素の濃度を分析したところ、 窒素と酸素との合計において、 窒素 9 5モル0 /0と酸素 5モル%を含有していた。
実施例 1 0 3
E u 2 0 3の代ゎりにE u Nを用ぃ、 焼成時間を 2時間としたこと以外は、 実施 例 1 0 1と同様にして蛍光体粉末を得た。 この原料混合粉末の窒素と酸素の合計 モル数に対する酸素のモル数で示.される酸素含有量は、 5モル%だった。 また、 焼成時の原料中酸素存在割合は、 各原料中の酸素濃度と各原料の混合割合から算 出することにより 5モル%である。
得られた蛍光体中に生成している結晶相を粉末 X線回折法で同定した結果、 C a A 1 S i ]^ 3属結晶相が生成していることが確認された。 蛍光分光光度計でこ の蛍光体の波長 4 6 5 n m励起による蛍光特性を測定したところ、 市販の C e付 活ィットリゥムアルミェゥムガーネット系蛍光体のピーク強度を 1 0 0とした場 合に、 得られた蛍光体のピーク強度は 1 1 2と発光強度が高く、 ピーク波長 6 4 9 n mの赤色光を示した。 また、 得られた蛍光体試料 2 O m gをスズカプセルに 投入し、 これをニッケルバスケットに入れたものを、 L E C O社製 T C— 4 3 6 型酸素窒素分析計を用いて、 粉体試料中の窒素と酸素の濃度を分析したところ、 窒素と酸素との合計において、 窒素 9 5モル%と酸素 5モル%を含有していた。 実施例 1 0 4
E u 2 0 3の代わりに E u Nを用い、 窒素圧力を 1 0気圧、 焼成時間を 2時間と したこと以外は、 実施例 1 0 1と同様にして蛍光体粉末を得た。 この原料混合粉 末の窒素と酸素の合計モル数に対する酸素のモル数で示される酸素含有量は、 5 モル'%だった。 また、 焼成時の原料中酸素存在割合は、 各原料中の酸素濃度と各 原料の混合割合から算出することにより 5モル%である。
得られた蛍光体中に生成している結晶相を粉末 X線回折法で同定した結果、 C a A 1 S i N 3属結晶相が生成していることが確認された。 蛍光分光光度計でこ の蛍光体の波長 4 6 5 n m励起による蛍光特性を測定したところ、 市販の C e付 活イツトリゥムアルミニウムガーネット系蛍光体のピーク強度を 1 0 0とした場 合に、 得られた蛍光体のピーク強度は 1 0 9と発光強度が高く、 ピーク波長 6 5 0 11 mの赤色光を示した。 また、 得られた蛍光体試料 2 O m gをスズカプセルに 投入し、 これをニッケノレバスケッ トに入れたものを、 し£〇〇社製丁〇ー4 3 6 型酸素窒素分析計を用 、て、 粉体試料中の窒素と酸素の濃度を分析したところ、 窒素と酸素との合計において、 窒素 9 5モル0 /0と酸素 5モル%を含有していた。 実施例 1 0 1〜1 0 4の結果を表 Aにまとめて示す。
表 A 原 ϋ 混合比 (モル比) 焼成条件 蛍光特性 (465nm励起)
;曰 原料中
/皿'ス 時間 圧力
酸素存在 Eu原料 ピーク強度ピーク波長
Eu Ca AI Si
割合 [相対値] Lnm]
[°C] [時間] [気圧] [モル0 /0]
実施例 101 0.008 0.992 1 1 0.35 1600 10 1.1 5 Eu203 128 652 実施例 102 0.008 0.992 1 1 0.35 1600 10 1.1 5 EuF3 114 650 実施例 103 0.008 0.992 1 1 0.35 1600 2 1.1 5 EuN 1 12 649
次ぎに、 本発明の窒化物 らなる蛍光体を用いた照明器具について説明する。 図 1 4に、 照明器具としての白色 LEDの概略構造図を示す。 発光素子として 4 5 0 n mの青色 LED 2を用い、本発明の実施例 1の蛍光体と、 C a 0, 75E u0. 25 S i 8. 625 A 13. 37501. i25N 14.875の組成を持つ C a— "—サイアロン: E uの黄色蛍光体とを樹脂層に分散させて青色 L ED 2上にかぶせた構造とする。 導電性端子に電流を流すと、 該 L ED 2は 4 5 0 iimの光を発し、 この光で黄色 蛍光体および赤色蛍光体が励起されて黄色および赤色の光を発し、 L E Dの光と 黄色および赤色が混合されて電球色の光を発する照明装置として機能する。
上記配合とは異なる配合設計によって作製した照明装置を示す。 先ず、 発光素 子として 3 8 0 nmの紫外: L EDを用い、 本発明の実施例 1の蛍光体と、 青色蛍 光体(B aMg A l 10O17 : E u) と緑色蛍光体 (B aMgA l 10O1 7 : E u、 Mn) とを樹脂層に分散させて紫外 LED上にかぶせた構造とする。 導電性端子 に電流を流すと、 LEDは 3 8 0 nmの光を発し、 この光で赤色蛍光体と緑色蛍 光体と青色蛍光体が励起さ; て赤色と緑色と青色の光を発する。 これらの光が混 合されて白色の光を発する R¾明装置として機能する。
上記配合とは異なる配合穀計によって作製した照明装置を示す。 先ず、 発光素 子として 4 5 0 nmの青色: L EDを用い、 本発明の実施例 1の蛍光体と、 緑色蛍 光体 (B aMgA l ^O^ E u Mn) とを樹脂層に分散させて紫外 L E D上 にかぶせた構造とする。 導電性端子に電流を流すと、 LEDは 4 5 0 nmの光を 発し、 この光で赤色蛍光体と緑色蛍光体が励起されて赤色と緑色の光を発する。 LEDの青色光と緑色および赤色が混合されて白色を発する照明装置として機能 する。
次ぎに、 本発明の蛍光体を用いた画像表示装置の設計例について説明する。 図 1 5は、 画像表示装置としてのプラズマディスプレイパネルの原理的概略図であ る。 本発明の実施例 1の赤色蛍光体と緑色蛍光体 (Z n 2 S i 04: Mn) および 青色蛍光体 (B aMg A l 10O17 : E u) がそれぞれのセル 1 1、 1 2、 1 3の 内面に塗布されている。 電極 1 4、 1 5、 1 6、 1 7に通電するとセル中で X e 放電により真空紫外線が発生し、 これにより蛍光体が励起されて、 赤、 緑、 青の 可視光を発し、 この光が保護層 20、 誘電体層 1 9、 ガラス基板 22を介して外 側から観察され、 画像表示として機能する。 本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、 本発明の意図と範囲を離れる ことなく様々な変更および変形が可能であることは、 当業者にとって明らかであ る。
なお、 本出願は、 200 3年 1 1月 26日付けで出願された日本特許出願 (特 願 2003— 394 85 5)、 2004年 2月 1 8日付けで出願された日本特許出 願(特願 2004— 4 1 503)、 2004年 5月 25日付けで出願された日本特 許出願 (特願 200 4— 1 54548) 及び 2004年 5月 28日付けで出願さ れた日本特許出願 (特願 2004— 1 5 9 306) に基づいており、 その全体が 引用により援用される。
<産業上の利用可能性 >
本発明の窒化物蛍光体は、 従来のサイァロンや酸窒化物蛍光体より長波長での 発光を示し、 赤色の蛍光体として優れ、 さらに励起源に曝された場合の蛍光体の 輝度の低下が少ないので、 VFD、 FED、 PDP、 CRT、 白色 LEDなどに 好適に使用される窒化物蛍光体である。 今後、 各種表示装置における材料設計に おいて、 大いに活用され、 産業の発展に寄与することが期待できる。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 少なくとも M元素と、 A元素と、 D元素と、 E元素と、 X元素 (ただ し、 Mは、 Mn、 C e、 P r、 N d、 Sm、 E u、 T b、 D y、 H o、 E r、 T m、 Y bからなる群から選 れる 1種または 2種以上の元素、 Aは、 M元素以外 の 2価の金属元素からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Dは、 4 価の金属元素からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Eは、 3価の 金属元素からなる群から選ば: Hる 1種または 2種以上の元素、 Xは、 〇、 N、 F からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素) とを含む組成を有し、 C a A 1 S i N3と同一の結晶構造を有する無機化合物からなることを特徴とする蛍 光体。
2. 組成式 MaAbDc E dXe (ただし、 式中 a + b = lであり、 Mは、 M n、 C e、 P r、 N d、 Sm、 E u、 T b、 D y、 H o、 E r、 Tm、 Y b力 ら なる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Aは、 M元素以外の 2価の金属 元素からなる群から選ばれる.1種または 2種以上の元素、 Dは、 4価の金属元素 からなる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Eは、 3価の金属元素から なる群から選ばれる 1種または 2種以上の元素、 Xは、 0、 N、 Fからなる群か ら選ばれる 1種または 2種以上の元素) で示され、パラメータ a、 c、 d、 eが、
0. 0 0 0 0 1 ≤ a ≤ 0 . 1 ( i )
0. 5≤ c ≤ 4 ( i i )
0. 5≤ d ≤ 8 ( i i i )
0. 8 X {2/3 + 4/3 X c + d ) ≤ e - · · - ( i v) e≤ 1. 2 X ( 2/ 3 + 4 Z 3 X c + d ) ( v) の条件を全て満たす組成で麦され、 C a A 1 S i N3と同一の栲晶構造を有する 無機化合物からなることを特徴とする請求項 1記載の蛍光体。
3. ノヽ。ラメータ c、 d力 S、 0. 5 c ≤ 1. 8 , かつ 0. 5 d ≤ 1. 8の条件を満たすことを特徴とする請求項 2に記載の蛍光体。
4. パラメータ c、 d、 eが、 。= (1= 1かっ6 = 3でぁることを特徴と する請求項 2または 3に記寧の蛍光体。
5. Aが、 Mg、 C a、 S r、 B a力 らなる群から選ばれる 1種または 2 種以上の元素、 Dが、 S i、 G e、 S n、 T i、 Z r、 H f からなる群から選ば れる 1種または 2種以上の元素、 Eが、 B、 A l、 G a、 I n、 S c、 Y、 L a、 Gd、 L uからなる群から選 れる 1種または 2種以上の元素、 であることを特 徴とする請求項 1ないし 4のいずれか 1項に記載の蛍光体。
6 · 少なくとも、 M元素に E uを含み、 A元素に C aを含み、 D元素に S iを含み、 E元素に A 1を含み、 X元素に Nを含むことを特徴とする請求項 1な いし 5のいずれか 1項に記載の蛍光体。
7. C a A 1 S i N3と同一の結晶構造を有する無機化合物が、 C a A l S i N 3結晶相または C a A 1 S i N 3結晶相の固溶体であることを特徴とする 請求項 1ないし 6のいずれか 1項に記載の蛍光体。
8. M元素が E uであり、 A元素が C aであり、 D元素が S iであり、 E 元素が A 1であり、 X元素が Nまたは Nと Oとの混合物であることを特徴とする 請求項 1ないし 7のいずれか 1項に記載の蛍光体。
9. 少なくとも、 Aに S rを含むことを特徴とする請求項 1ないし 7のい ずれか 1項に記載の蛍光体。
1 0. 無機化合物中に含まれる C aと S rの原子数が、
0. 02 ≤ (C aの原子数) / { (C aの原子数) + (S rの原子数) } < 1
であることを特徴とする請求項 9に記載の蛍光体。
1 1. 少なくとも、 Xに Nと Oを含むことを特徴とする請求項 1ないし 1 0のいずれか 1項に記載の蛍光体。
1 2. 無機化合物中に含まれる Oと Nの原子数が、
0. 5 ≤ (Nの原子数) / { (Nの原子数) + (Oの原子数) } ≤ 1 であることを特徴とする請求項 1 1に記載の蛍光体。
1 3. MaAbD !_XE 1 + xN3_xOx (ただし、 式中 a +b = l、 0 < x≤ 0. 5) で示される無機化合物からなることを特徴とする請求項 1 1または 1 2 に記載の蛍光体。
14. 無機化合物が、 平均粒径 0. 1 //m以上 20 / m以下の粉体であつ て、 該粉体が、 単結晶粒子、 あるいは単結晶の集合体であることを特徴とする請 求項 1ないし 1 3のいずれか 1項に記載の蛍光体。
1 5. 無機化合物に含まれる、 F e、 C o、 N i不純物元素の合計が 50 0 p pm以下であることを特徴とする請求項 1ないし 14のいずれか 1項に記載 の蛍光体。
1 6. 請求項 1ないし 1 5のいずれか 1項に記載の無機化合物からなる蛍 光体と他の結晶相あるいはアモルファス相との混合物から構成され、 混合物中の 前者の割合が 20質量%以上であることを特徴とする蛍光体。
1 7. 前記他の結晶相あるいまアモルファス相が導電性を持つ無機物質で あることを特徴とする請求項 1 6に記載の蛍光体。
18. 前記導電性を持つ無機物質が Z n、 A 1、 G a、 I n、 S nからな る群から選ばれる 1種または 2種以上の元素を含む酸化物、 酸窒化物、 または窒 化物、 あるいはこれらの混合物からなる材料であることを特徴とする請求項 1 7 に記載の蛍光体。
1 9. 前記他の結晶相あるいはアモルファス相が請求項 1ないし 1 5のい ずれか 1項に記載の蛍光体とは異なる無機蛍光体であることを特徴とする請求項 16に記載の蛍光体。
20. 励起源を照射すること【こより 5 70 nmから 700 nmの範囲の波 長にピークを持つ蛍光を発光することを特徴とする請求項 1ないし 1 9のいずれ か 1項に記載の蛍光体。
2 1. 該励起源が 10011 m以上 6 00 n m以下の波長を持つ紫外線また は可視光であることを特徴とする請求項 20に記載の蛍光体。
22. C a A 1 S i N3と同一の結晶構造を有する無機化合物が、 C aA l S i N3結晶相であり、 該結晶相中に E uが固溶してなり、 l O O nm以上 6 00 nm以下の光を照射すると波長 600 nmから 700 nm以下の蛍光を発光 することを特徴とする請求項 20に記載の蛍光体。
23. 該励起源が電子線または X線であることを特徴とする請求項 20に 記載の蛍光体。
24. 励起源が照射されたときに発光する色が C I E色度座標上の (x、 y) の値で、
0. 45 ≤ X ≤ 0. 7
の条件を満たすことを特徴とする請求項 20ないし 2 3のいずれか 1項に記載の 蛍光体。 .
25. 発光光源と蛍光体から構成される照明器具において、 少なくとも請 求項 1ないし 24のいずれか 1項に記載の蛍光体を用いることを特徴とする照明 器具。
26. 該発光光源が 3 30〜 500 nmの波長の光を発する L EDである ことを特徴とする請求項 25に記載の照明器具。
27. 該発光光源が 3 30〜420 n mの波長の光を発する L E Dであり、 請求項 1ないし 24のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 3 30〜420 nmの励 起光により 420 nm以上 500 n m以下の波長に発光ピークを持つ青色蛍光体 と、 330-420 nmの励起光により 500 nm以上 5 70 nm以下の波長に 発光ピークを持つ緑色蛍光体とを用いることにより、 赤、 緑、 青色の光を混ぜて 白色光を発することを特徴とする請求項 2 5または 26に記載の照明器具。
28. 該発光光源が 420〜500 nmの波長の光を発する LEDであり、 請求項 1ないし 24のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 420〜500 nmの励 起光により 500 nm以上 570 n m以下の波長に発光ピークを持つ緑色蛍光体 とを用いることにより、 白色光を発することを特徴とする請求項 25または 26 に記 の照明器具。
29. 該発光光源が 420〜500 nmの波長の光を発す.る L EDであり、 請求項 1ないし 24のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 420〜500 nmの励 起光により 5 50 nm以上 60 0 n m以下の波長に発光ピークを持つ黄色蛍光体 とを用いることにより、 白色光を発することを特徴とする請求項 2 5または 26 に記載の照明器具。
30. 該黄色蛍光体が E uを固溶させた C a— aサイアロンであることを 特徴とする請求項 2 9に記載の照明器具。
3 1. 励起源と蛍光体から構成される画像表示装置において、 少なくとも 請求項 1ないし 24のいずれか 1項に記載の蛍光体を用いることを特徴とする画 像表示装置。
32. 該励起源が 3 30〜5 Ο 0 nmの波長の光を発する LEDであるこ とを特徴とする請求項 3 1に記載の画像表示装置。
3 3. 該励起源が 330〜4 20 n mの波長の光を発する L E Dであり、 請求項 1ないし 24のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 330〜420 nmの励 起光により 420 nm以上 500 n m以下の波長に発光ピークを持つ青色蛍光体 と、 3 30~420 nmの励起光により 500 nm以上 5 70 nm以下の波長に 発光ピークを持つ緑色蛍光体とを用 V、ることにより、 赤、 緑、 青色の光を混ぜて 白色光を発することを特徴とする請求項 3 1または 3 2に記載の画像表示装置。
34. 該励起源が 420〜5 00 n mの波長の光を発する L EDであり、 請求項 1ないし 24のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 420〜 500 nmの励 起光により 500 nm以上 5 70 n m以下の波長に発光ピークを持つ緑色蛍光体 とを角いることにより、 白色光を発することを特徴とする請求項 3 1または 3 2 に記載の画像表示装置。
3 5. 該励起源が 420〜5 O 0 nmの波長の光を発する LEDであり、 請求項 1ないし 24のいずれか 1項に記載の蛍光体と、 420〜500 nmの励 起光により 5 50 nm以上 600 n m以下の波長に発光ピークを持つ黄色蛍光体 とを用いることにより、 白色光を発することを特徴とする請求項 3 1または 3 2 に記載の画像表示装置。
36. 該黄色蛍光体が E uを固溶させた C a— αサイアロンであることを 特徴とする請求項 3 5に記載の画像表示装置。
3 7. 画像表示装置が、 蛍光表示管 (VFD) 、 フィールドェミッション ディスプレイ (FED) 、 プラズマディスプレイパネル (PDP) 、 陰極線管 (C RT) のいずれかであることを特徴とする請求項 3 1ないし 3 6のいずれか 1項 に記載の画像表示装置。
3 8. 請求項 1ないし 24のいずれか 1項に記載の無機化合物からなる顔 料。
3 9. 請求項 1ないし 24のいずれか 1項に記載の無機化合物からなる紫 外線吸収剤。
PCT/JP2004/017895 2003-11-26 2004-11-25 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 WO2005052087A1 (ja)

Priority Applications (17)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020177008626A KR20170039310A (ko) 2003-11-26 2004-11-25 형광체의 제조 방법
KR1020097016000A KR101157006B1 (ko) 2003-11-26 2004-11-25 형광체의 제조 방법
KR1020157001297A KR20150027223A (ko) 2003-11-26 2004-11-25 형광체의 제조 방법
KR1020137018826A KR101624390B1 (ko) 2003-11-26 2004-11-25 형광체의 제조 방법
KR1020107005847A KR101294555B1 (ko) 2003-11-26 2004-11-25 형광체의 제조방법
CN2004800409677A CN1918262B (zh) 2003-11-26 2004-11-25 荧光体和使用荧光体的发光装置
KR1020127002475A KR101173450B1 (ko) 2003-11-26 2004-11-25 형광체의 제조방법
EP04799893.5A EP1696016B1 (en) 2003-11-26 2004-11-25 Phosphor and light emission appliance using phosphor
KR1020147005916A KR20140039337A (ko) 2003-11-26 2004-11-25 형광체의 제조 방법
KR1020187024989A KR102055115B1 (ko) 2003-11-26 2004-11-25 형광체의 제조 방법
EP12176679.4A EP2574652B1 (en) 2003-11-26 2004-11-25 Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
US11/441,094 US8409470B2 (en) 2003-11-26 2006-05-26 Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
US13/775,334 US20130168606A1 (en) 2003-11-26 2013-02-25 Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
US14/736,487 US9738829B2 (en) 2003-11-26 2015-06-11 Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
US15/626,372 US10072207B2 (en) 2003-11-26 2017-06-19 Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
US16/055,343 US11084980B2 (en) 2003-11-26 2018-08-06 Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
US17/361,880 US11697765B2 (en) 2003-11-26 2021-06-29 Phosphor and light-emitting equipment using phosphor

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-394855 2003-11-26
JP2003394855 2003-11-26
JP2004-041503 2004-02-18
JP2004041503 2004-02-18
JP2004-154548 2004-05-25
JP2004154548 2004-05-25
JP2004-159306 2004-05-28
JP2004159306A JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2004-05-28 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/441,094 Continuation-In-Part US8409470B2 (en) 2003-11-26 2006-05-26 Phosphor and light-emitting equipment using phosphor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005052087A1 true WO2005052087A1 (ja) 2005-06-09

Family

ID=34637271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/017895 WO2005052087A1 (ja) 2003-11-26 2004-11-25 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具

Country Status (7)

Country Link
US (6) US8409470B2 (ja)
EP (2) EP2574652B1 (ja)
JP (1) JP3837588B2 (ja)
KR (12) KR20170039310A (ja)
CN (5) CN102206491B (ja)
TW (6) TWI555825B (ja)
WO (1) WO2005052087A1 (ja)

Cited By (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1568753A2 (en) * 2004-02-27 2005-08-31 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method thereof, and LED light source using said phosphor
WO2006011542A1 (ja) * 2004-07-28 2006-02-02 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
WO2006117984A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nichia Corporation 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
US7138756B2 (en) 2004-08-02 2006-11-21 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
JP2007039517A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Sharp Corp 青色系発光蛍光体およびそれを用いた発光装置
US20070075629A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 The Regents Of The University Of California Nitride and oxy-nitride cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
WO2007066732A1 (ja) 2005-12-08 2007-06-14 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP2007180483A (ja) * 2005-11-30 2007-07-12 Sharp Corp 発光装置
JP2007191680A (ja) * 2005-09-01 2007-08-02 Sharp Corp 発光装置
US7252788B2 (en) 2004-02-27 2007-08-07 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor, light source and LED
US7262439B2 (en) 2005-11-22 2007-08-28 Lumination Llc Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications
WO2007099862A1 (ja) 2006-02-24 2007-09-07 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
US7273568B2 (en) 2004-06-25 2007-09-25 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor and production method of the same, method of shifting emission wavelength of phosphor, and light source and LED
US7291289B2 (en) 2004-05-14 2007-11-06 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and production method of the same and light source and LED using the phosphor
US7319195B2 (en) 2003-11-28 2008-01-15 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Composite conductor, superconductive apparatus system, and composite conductor manufacturing method
US7345418B2 (en) 2004-08-27 2008-03-18 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device using the same
JP2008120949A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Sharp Corp 蛍光体およびそれを用いた発光装置
US20080128726A1 (en) * 2005-01-31 2008-06-05 Ube Industries, Ltd., 1978 - 96 Red Nitride Phosphor and Production Method Thereof
WO2008084848A1 (ja) 2007-01-12 2008-07-17 National Institute For Materials Science 蛍光体、その製造方法および発光器具
JP2008189700A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体及びこれらを用いた発光装置
US7432647B2 (en) 2004-07-09 2008-10-07 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light source having phosphor including divalent trivalent and tetravalent elements
US7434981B2 (en) 2004-05-28 2008-10-14 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Manufacturing method of metal paste
US7443094B2 (en) 2005-03-31 2008-10-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7445730B2 (en) 2005-03-31 2008-11-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7476335B2 (en) 2004-08-20 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method therefore, and light source using the phosphor
US7476338B2 (en) 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US7477009B2 (en) 2005-03-01 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device
US7476336B2 (en) 2005-04-28 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light emitting device using the phosphor
US7514860B2 (en) 2004-10-28 2009-04-07 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device
US7524437B2 (en) 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7527748B2 (en) 2004-08-02 2009-05-05 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and phosphor film for electron beam excitation and color display apparatus using the same
US7611642B2 (en) 2006-06-06 2009-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Oxynitride phosphor and light emitting device
US20100052515A1 (en) * 2005-04-01 2010-03-04 Mitsubishi Chemical Corporation Alloy powder for aw material of inorganic functional material and phosphor
US7859182B2 (en) 2005-08-31 2010-12-28 Lumination Llc Warm white LED-based lamp incoporating divalent EU-activated silicate yellow emitting phosphor
JP2011089122A (ja) * 2010-11-15 2011-05-06 Sharp Corp 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2011091414A (ja) * 2005-11-30 2011-05-06 Sharp Corp 発光装置
US7938983B2 (en) 2005-03-09 2011-05-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
WO2012026592A1 (ja) 2010-08-27 2012-03-01 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、照明器具および画像表示装置
US8147715B2 (en) 2005-12-08 2012-04-03 National Institute For Materials Science Phosphor, process for producing the same, and luminescent device
US8153025B2 (en) 2007-02-06 2012-04-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Red emitting luminescent materials
US8159126B2 (en) * 2005-11-07 2012-04-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device with an improved CaAlSiN light converting material
WO2012073177A1 (en) 2010-12-01 2012-06-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Red emitting luminescent materials
WO2012077042A1 (en) 2010-12-08 2012-06-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Orange to red emitting silicion- oxyntirde luminescent materials
CN101522859B (zh) * 2006-09-29 2012-11-28 同和电子科技有限公司 荧光体、荧光体薄片、荧光体的制造方法以及使用该荧光体的发光装置
US8344611B2 (en) 2009-06-16 2013-01-01 The Regents Of The University Of California Oxyfluoride phosphors and white light emitting diodes including the oxyfluoride phosphor for solid-state lighting applications
WO2013056570A1 (zh) 2011-10-17 2013-04-25 北京有色金属研究总院 一种led红色荧光物质及含有该荧光物质的发光器件
US8451401B2 (en) 2006-04-19 2013-05-28 Mitsubishi Chemical Corporation Color image display device
TWI399422B (zh) * 2005-07-01 2013-06-21 Nat Inst For Materials Science 螢光體、其製造方法及照明器具
WO2013111411A1 (ja) 2012-01-27 2013-08-01 電気化学工業株式会社 蛍光体、その製造方法及びその用途
US8513872B2 (en) 2010-08-05 2013-08-20 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus and method for manufacturing thereof
US8663498B2 (en) 2006-11-24 2014-03-04 Sharp Kabushiki Kaisha Phosphor, method of producing the same, and light emitting apparatus
US8703019B2 (en) 2005-05-24 2014-04-22 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and use thereof
US8729788B2 (en) 2005-05-30 2014-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device provided with a wavelength conversion unit incorporating plural kinds of phosphors
WO2014094657A1 (zh) 2012-12-21 2014-06-26 有研稀土新材料股份有限公司 氮氧化物橙-红色荧光物质,包括其的发光膜或发光片及发光器件
WO2015001860A1 (ja) * 2013-07-03 2015-01-08 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
US9279079B2 (en) 2007-05-30 2016-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus
US9719013B2 (en) 2013-10-08 2017-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
US9850131B2 (en) 2012-10-09 2017-12-26 Denka Company Limited Method for producing phosphor
WO2018092696A1 (ja) * 2016-11-15 2018-05-24 デンカ株式会社 赤色蛍光体、発光部材、及び発光装置
WO2018158194A1 (de) 2017-02-28 2018-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
JP2018150496A (ja) * 2017-03-15 2018-09-27 デンカ株式会社 赤色蛍光体の製造方法
US10174245B2 (en) 2013-05-16 2019-01-08 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing a luminescent material, luminescent material and optoelectronic component
US10233388B2 (en) 2014-04-17 2019-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting device with a first phosphor and filter particles
DE102018128536A1 (de) 2018-11-14 2020-05-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselemente umfassend eine Infiltrationsmatrix
KR20200066337A (ko) 2017-10-10 2020-06-09 덴카 주식회사 적색 형광체 및 발광 장치
KR20200135858A (ko) 2018-03-29 2020-12-03 덴카 주식회사 적색 형광체 및 발광 장치
KR20210010538A (ko) 2018-05-18 2021-01-27 덴카 주식회사 적색 형광체 및 발광 장치
US10920138B2 (en) 2016-01-15 2021-02-16 Denka Company Limited Red phosphor and light emitting device
KR20210057099A (ko) 2018-09-12 2021-05-20 덴카 주식회사 형광체 및 발광 장치
US11021610B2 (en) 2016-01-14 2021-06-01 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2′-biphenoxy bridges
WO2021200287A1 (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 デンカ株式会社 蛍光体粉末、複合体、発光装置および蛍光体粉末の製造方法
KR20210150450A (ko) 2019-04-09 2021-12-10 덴카 주식회사 질화물 형광체 및 발광 장치
WO2022012810A1 (en) 2020-07-13 2022-01-20 Merck Patent Gmbh Phosphor
WO2022013116A1 (en) 2020-07-13 2022-01-20 Merck Patent Gmbh Phosphor
US11236101B2 (en) 2017-12-19 2022-02-01 Basf Se Cyanoaryl substituted benz(othi)oxanthene compounds
WO2022090444A1 (en) 2020-11-02 2022-05-05 Merck Patent Gmbh Phosphor
US11441036B2 (en) 2016-10-06 2022-09-13 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
WO2023037727A1 (ja) * 2021-09-08 2023-03-16 デンカ株式会社 蛍光体粉末、及び発光装置
WO2023037728A1 (ja) * 2021-09-08 2023-03-16 デンカ株式会社 蛍光体粉末、及び発光装置
US11898075B2 (en) 2018-03-20 2024-02-13 Basf Se Yellow light emitting device

Families Citing this family (218)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3837588B2 (ja) * 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
JP5016187B2 (ja) * 2004-07-14 2012-09-05 Dowaエレクトロニクス株式会社 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びled
JP3921545B2 (ja) 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
WO2005111707A1 (ja) * 2004-04-26 2005-11-24 Mitsubishi Chemical Corporation カラーフィルター用青色組成物、カラーフィルター及びカラー画像表示装置
KR100887489B1 (ko) 2004-04-27 2009-03-10 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
JP4128564B2 (ja) * 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
JP5226929B2 (ja) 2004-06-30 2013-07-03 三菱化学株式会社 発光素子並びにそれを用いた照明装置、画像表示装置
JP2006019409A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置並びにそれを用いた照明、ディスプレイ用バックライト及びディスプレイ
JP4565141B2 (ja) * 2004-06-30 2010-10-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と発光器具
WO2006003931A1 (ja) 2004-06-30 2006-01-12 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
CN101023150B (zh) * 2004-07-28 2012-05-16 同和电子科技有限公司 荧光体及其制造方法以及光源
JP2006063214A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体及びその製造方法並びに光源
JP4729278B2 (ja) * 2004-08-30 2011-07-20 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び発光装置
JP4356563B2 (ja) * 2004-08-31 2009-11-04 昭栄化学工業株式会社 酸窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体の製造方法及び白色発光素子
CN102660269B (zh) * 2005-02-21 2014-10-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含辐射源和发光材料的照明系统
KR20070115951A (ko) * 2005-03-04 2007-12-06 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 형광체 및 그 제조 방법 및 상기 형광체를 이용한 발광장치
WO2006098450A1 (ja) 2005-03-18 2006-09-21 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置、白色発光装置、照明装置及び画像表示装置
WO2006101096A1 (ja) 2005-03-22 2006-09-28 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
KR100984822B1 (ko) 2005-03-22 2010-10-04 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 형광체와 그 제조 방법
JP5066786B2 (ja) * 2005-04-27 2012-11-07 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4892861B2 (ja) * 2005-04-27 2012-03-07 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP5025474B2 (ja) 2005-05-12 2012-09-12 独立行政法人物質・材料研究機構 β型サイアロン蛍光体
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US20090134359A1 (en) * 2006-02-28 2009-05-28 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor raw material and method for producing alloy for phosphor raw material
EP2003183B1 (en) * 2006-03-10 2012-08-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor and light-emitting device
JP5239182B2 (ja) * 2006-03-27 2013-07-17 三菱化学株式会社 蛍光体及びそれを使用した発光装置
JP2007291352A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
JP5403134B2 (ja) * 2006-03-27 2014-01-29 三菱化学株式会社 蛍光体及びそれを使用した発光装置
CN102816566A (zh) 2006-05-19 2012-12-12 三菱化学株式会社 含氮合金以及使用该含氮合金的荧光体制造方法
JP4805026B2 (ja) * 2006-05-29 2011-11-02 シャープ株式会社 発光装置、表示装置及び発光装置の制御方法
JP5431636B2 (ja) * 2006-07-14 2014-03-05 株式会社小糸製作所 車両用標識灯
JP2008050496A (ja) 2006-08-25 2008-03-06 Sony Corp 発光組成物、光源装置、及び表示装置
DE102006051756A1 (de) * 2006-11-02 2008-05-08 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Lichtquelle
DE102006051757A1 (de) 2006-11-02 2008-05-08 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Leuchtstoffe
JP5594924B2 (ja) * 2006-11-22 2014-09-24 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、照明装置、及び蛍光体の製造方法
JP2008163078A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Stanley Electric Co Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置
KR100946015B1 (ko) * 2007-01-02 2010-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 lcd 백라이트용 광원모듈
DE102007018099A1 (de) 2007-04-17 2008-10-23 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
WO2008133077A1 (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Mitsubishi Chemical Corporation 無機化合物の製造方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
EP2148910B1 (en) 2007-04-20 2010-12-08 Philips Intellectual Property & Standards GmbH White emitting light source and luminescent material with improved colour stability
JP2008283155A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Sharp Corp 発光装置、照明機器および液晶表示装置
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
JP5463495B2 (ja) * 2007-05-18 2014-04-09 三星電子株式会社 蛍光体の製造方法及び発光装置
JP5105353B2 (ja) * 2007-07-27 2012-12-26 独立行政法人物質・材料研究機構 複合窒化物蛍光体
WO2009017206A1 (ja) 2007-08-01 2009-02-05 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、結晶性窒化珪素及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
JP5200741B2 (ja) * 2007-08-01 2013-06-05 三菱化学株式会社 結晶性窒化珪素及びその製造方法、並びに、それを用いた蛍光体、該蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、焼結体及び顔料
JP5578597B2 (ja) * 2007-09-03 2014-08-27 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
JP5395342B2 (ja) * 2007-09-18 2014-01-22 株式会社東芝 蛍光体および発光装置
JP2009081187A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Sharp Corp 半導体発光装置および画像表示装置
US8119028B2 (en) 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
JP2011508001A (ja) * 2007-12-19 2011-03-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 赤色発光SiAlONベース材料
JP2009215336A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Hitachi Ltd プラズマディスプレイ装置
JP5111181B2 (ja) * 2008-03-19 2012-12-26 根本特殊化学株式会社 蛍光体および発光装置
US8038497B2 (en) 2008-05-05 2011-10-18 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices by selective deposition of light conversion materials based on measured emission characteristics
US8274215B2 (en) * 2008-12-15 2012-09-25 Intematix Corporation Nitride-based, red-emitting phosphors
US20090283721A1 (en) * 2008-05-19 2009-11-19 Intematix Corporation Nitride-based red phosphors
TW201006913A (en) * 2008-08-08 2010-02-16 Kangnung Nat University Industry Academy Cooperation Group Red phosphor and forming method thereof for use in solid state lighting
JP4869317B2 (ja) * 2008-10-29 2012-02-08 株式会社東芝 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置
US9464225B2 (en) * 2008-11-17 2016-10-11 Cree, Inc. Luminescent particles, methods of identifying same and light emitting devices including the same
US8287759B2 (en) * 2009-05-15 2012-10-16 Cree, Inc. Luminescent particles, methods and light emitting devices including the same
US9428688B2 (en) * 2008-11-17 2016-08-30 Cree, Inc. Phosphor composition
JP5641384B2 (ja) 2008-11-28 2014-12-17 独立行政法人物質・材料研究機構 表示装置用照明装置及び表示装置
KR20100068078A (ko) * 2008-12-12 2010-06-22 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US8007686B2 (en) * 2008-12-29 2011-08-30 Korea Institute Of Energy Research Nitride red phosphors and white light emitting diode using rare-earth-co-doped nitride red phosphors
DE102009010705A1 (de) * 2009-02-27 2010-09-02 Merck Patent Gmbh Co-dotierte 2-5-8 Nitride
EP2412782B1 (en) * 2009-03-26 2015-03-11 National Institute for Materials Science Phosphor, method for producing same, light-emitting device, and image display apparatus
US8928005B2 (en) 2009-07-02 2015-01-06 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP2009256681A (ja) * 2009-07-21 2009-11-05 Dowa Electronics Materials Co Ltd 白色led
DE102009037730A1 (de) 2009-08-17 2011-02-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe
WO2011024818A1 (ja) 2009-08-26 2011-03-03 三菱化学株式会社 白色半導体発光装置
JP4415065B1 (ja) * 2009-10-15 2010-02-17 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びその発光波長のシフト方法、並びに光源およびled
CN102597161A (zh) 2009-10-30 2012-07-18 加利福尼亚大学董事会 用于固态白光照明应用的基于氧氟化物的固溶体磷光体和包括所述磷光体的白光发光二极管
CN102666373A (zh) 2009-11-12 2012-09-12 太平洋水泥株式会社 碱金属氮化物或碱土金属氮化物的制造方法
JP4991834B2 (ja) 2009-12-17 2012-08-01 シャープ株式会社 車両用前照灯
DE102009055185A1 (de) 2009-12-22 2011-06-30 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung, 81543 Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigen Leuchtstoff
JP5651493B2 (ja) * 2010-02-08 2015-01-14 太平洋セメント株式会社 多種アルカリ土類金属窒化物複合体の製造方法
JP5232815B2 (ja) * 2010-02-10 2013-07-10 シャープ株式会社 車両用前照灯
JP5190475B2 (ja) * 2010-02-19 2013-04-24 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2011225822A (ja) 2010-02-26 2011-11-10 Mitsubishi Chemicals Corp ハロリン酸塩蛍光体、それを用いた発光装置及び照明装置
JP5791034B2 (ja) 2010-02-26 2015-10-07 国立研究開発法人物質・材料研究機構 発光装置
JP4930649B1 (ja) 2011-02-25 2012-05-16 三菱化学株式会社 ハロリン酸塩蛍光体、及び白色発光装置
US9991427B2 (en) 2010-03-08 2018-06-05 Cree, Inc. Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices
JP2011199193A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
JP5059208B2 (ja) * 2010-04-07 2012-10-24 シャープ株式会社 照明装置および車両用前照灯
CN101805610B (zh) * 2010-04-07 2013-08-28 江苏博睿光电有限公司 一种led氮化物荧光粉及其制备方法
US8512599B2 (en) 2010-05-14 2013-08-20 Lightscape Materials, Inc. Carbonitride based phosphors and light emitting devices using the same
KR101412604B1 (ko) 2010-05-14 2014-06-26 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 옥시카본나이트라이드 형광체들 및 이를 이용한 발광 소자들
US8733996B2 (en) 2010-05-17 2014-05-27 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, illuminating device, and vehicle headlamp
JP2012060097A (ja) 2010-06-25 2012-03-22 Mitsubishi Chemicals Corp 白色半導体発光装置
JP2010265463A (ja) * 2010-07-06 2010-11-25 Dowa Electronics Materials Co Ltd 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びled
CN101864309B (zh) * 2010-07-16 2013-06-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种基于蓝光激发的氮氧化物荧光粉及其制备方法
CN101958316B (zh) 2010-07-20 2013-01-16 上海亚明灯泡厂有限公司 Led集成封装光源模块
US20120019126A1 (en) * 2010-07-22 2012-01-26 General Electric Company Oxynitride phosphors, method of preparation, and light emitting instrument
JP5783512B2 (ja) 2010-07-26 2015-09-24 シャープ株式会社 発光装置
KR20130098322A (ko) * 2010-08-04 2013-09-04 우베 고산 가부시키가이샤 규질화물 형광체용 질화규소 분말 그리고 그것을 이용한 CaAlSiN3계 형광체, Sr2Si5N8계 형광체, (Sr, Ca)AlSiN3계 형광체 및 La3Si6N11계 형광체, 및 그 제조 방법
JP4825923B2 (ja) * 2010-08-18 2011-11-30 株式会社東芝 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP5273108B2 (ja) * 2010-09-06 2013-08-28 三菱化学株式会社 発光素子並びにそれを用いた照明装置、画像表示装置
CN101921592B (zh) * 2010-09-09 2012-12-26 江苏博睿光电有限公司 一种白光led红色荧光粉及其制造方法
CN103155707A (zh) 2010-09-10 2013-06-12 渲染材料公司 基于碳氮化硅的磷光体及使用该材料的照明器件
CN102443391B (zh) * 2010-09-30 2014-07-16 奇美实业股份有限公司 控制烧成的荧光体结构成分比例的方法、荧光体及发光装置
TWI393764B (zh) * 2010-10-15 2013-04-21 Chi Mei Corp A phosphor and a light emitting device
TWI393763B (zh) * 2010-10-15 2013-04-21 Chi Mei Corp A phosphor and a light emitting device
CN102453484B (zh) * 2010-10-15 2015-03-25 奇美实业股份有限公司 荧光体及发光装置
JP5849961B2 (ja) * 2010-10-20 2016-02-03 三菱化学株式会社 共沈原料を用いた窒化物蛍光体の製造方法、窒化物蛍光体、及びその原料
CN102082226B (zh) * 2010-10-21 2012-09-05 罗维鸿 用于自然光led及其荧光粉
CN108485658A (zh) * 2010-10-27 2018-09-04 奇美实业股份有限公司 荧光体的制造方法
US9816677B2 (en) 2010-10-29 2017-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element
CN108456516A (zh) * 2010-11-09 2018-08-28 奇美实业股份有限公司 荧光体的制造方法
JP5740463B2 (ja) * 2010-11-25 2015-06-24 シャープ株式会社 植物栽培用led光源を備えた発芽棚、育苗棚、栽培棚及び植物工場
CN102061171A (zh) * 2010-12-23 2011-05-18 烟台希尔德新材料有限公司 一种发光二极管用红色氮化物荧光粉及其制备方法
CN103328608B (zh) 2011-01-18 2015-04-22 夏普株式会社 半导体发光装置
TW201219543A (en) 2011-04-01 2012-05-16 Chi Mei Corp having the formula of Ii-Mm-Aa-Bb-Ot-Nn:Zr and providing the high luminance and durability
KR101290678B1 (ko) 2011-04-15 2013-07-29 한국에너지기술연구원 알루미늄이 결핍된 α-SiAlON계 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 LED 칩 패키지
JP5259770B2 (ja) * 2011-05-02 2013-08-07 株式会社東芝 赤色蛍光体の製造方法
WO2012163417A1 (de) 2011-05-31 2012-12-06 Osram Ag Optoelektronisches halbleiterbauelement
CN107068838B (zh) * 2011-06-03 2021-11-30 西铁城电子株式会社 用于展示展示物的装置和用于展示展示物的系统
US8906263B2 (en) * 2011-06-03 2014-12-09 Cree, Inc. Red nitride phosphors
US8814621B2 (en) * 2011-06-03 2014-08-26 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
JP5866870B2 (ja) * 2011-08-26 2016-02-24 三菱化学株式会社 発光装置
TWI421328B (zh) * 2011-09-06 2014-01-01 Ind Tech Res Inst 螢光材料與白光發光裝置
DE102011115879A1 (de) * 2011-10-12 2013-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Leuchtstoffe
WO2013069696A1 (ja) 2011-11-07 2013-05-16 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体および製造方法、蛍光体を用いる発光装置および画像表示装置
JP5851214B2 (ja) * 2011-11-16 2016-02-03 株式会社東芝 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
US20140333203A1 (en) * 2011-12-12 2014-11-13 Koninklijke Philips N.V. Red emitting phosphor for plasma display panels and gas discharge lamps
US9017574B2 (en) 2011-12-19 2015-04-28 Lightscape Materials, Inc. Carbidonitride phosphors and LED lighting devices using the same
US8663502B2 (en) 2011-12-30 2014-03-04 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based phosphors
US8951441B2 (en) 2011-12-30 2015-02-10 Intematix Corporation Nitride phosphors with interstitial cations for charge balance
JP2013142134A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体及び発光装置
US9318669B2 (en) 2012-01-30 2016-04-19 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
WO2013147195A1 (ja) 2012-03-30 2013-10-03 三菱化学株式会社 半導体発光装置、及び照明装置
CN102660284B (zh) * 2012-04-18 2013-11-27 烟台建塬光电技术有限公司 一种led用氮化物红色荧光粉的制造方法
WO2013157524A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 株式会社カネカ 蛍光体及びその製造方法
WO2013180216A1 (ja) 2012-05-31 2013-12-05 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
US9534171B2 (en) 2012-06-27 2017-01-03 National Institute For Materials Science Phosphor, method for producing same, light emitting device, and image display device
JP2012207228A (ja) * 2012-07-09 2012-10-25 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
US20140015400A1 (en) * 2012-07-13 2014-01-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Phosphor and light emitting devices comprising same
US8597545B1 (en) 2012-07-18 2013-12-03 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors
CN104039922B (zh) 2012-07-25 2017-05-24 国立研究开发法人物质·材料研究机构 荧光体及其制备方法、发光装置及图像显示装置
JP5578739B2 (ja) 2012-07-30 2014-08-27 住友金属鉱山株式会社 アルカリ土類金属シリケート蛍光体及びその製造方法
DE102012213371A1 (de) 2012-07-30 2014-01-30 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, zugehöriger Leuchtstoff und zugehöriges optoelektronisches Bauelement
DE102012213373A1 (de) 2012-07-30 2014-01-30 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, zugehöriger Leuchtstoff und zugehöriges optoelektronisches Bauelement
US20140062287A1 (en) * 2012-08-29 2014-03-06 Lightscape Materials, Inc. Oxycarbidonitride phosphor and devices using same
US8815121B2 (en) 2012-08-31 2014-08-26 Lightscape Materials, Inc. Halogenated oxycarbidonitride phosphor and devices using same
CN102911662B (zh) * 2012-10-24 2015-05-20 江苏博睿光电有限公司 一种氮化物荧光粉及其制备方法
WO2014092202A1 (ja) * 2012-12-12 2014-06-19 株式会社トクヤマ 中性子シンチレーター、中性子検出方法及び中性子検出器
TWI601805B (zh) * 2013-03-08 2017-10-11 宇部興產股份有限公司 Process for producing nitride phosphors, silicon nitride phosphors for nitride phosphors, and nitride phosphors
US9219202B2 (en) * 2013-04-19 2015-12-22 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including red phosphors that exhibit good color rendering properties and related red phosphors
EP2990457B1 (en) 2013-04-25 2018-12-05 National Institute for Materials Science Phosphor, method for producing same, light-emitting device, and image display apparatus
JP6167913B2 (ja) 2013-04-26 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP6102763B2 (ja) 2013-04-26 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
US9828547B2 (en) 2013-05-14 2017-11-28 National Institute For Materials Science Phosphor, production method for same, light-emitting device, image display device, pigment, and ultraviolet absorber
EP2803715B1 (en) * 2013-05-16 2020-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor and light emitting device package including the same
JP6094377B2 (ja) * 2013-05-21 2017-03-15 三菱化学株式会社 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた照明装置及び画像表示装置
CN104178142A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 锰掺杂碱土氮铝硅盐发光薄膜、制备方法及其应用
CN103320130B (zh) * 2013-06-21 2018-08-14 北京有色金属研究总院 氮化物荧光粉、其制备方法及包括其的发光装置
JP6169468B2 (ja) * 2013-10-09 2017-07-26 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 蛍光体
CN104673287A (zh) * 2013-12-03 2015-06-03 辽宁法库陶瓷工程技术研究中心 一种长波长高亮度氮化物红色荧光粉及其制备方法
JP6287268B2 (ja) * 2014-01-29 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6528418B2 (ja) 2014-01-29 2019-06-12 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP2015196708A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置及び照明装置
JP6354325B2 (ja) * 2014-05-21 2018-07-11 宇部興産株式会社 窒化物蛍光体粉末の製造方法、および顔料の製造方法
JP6323177B2 (ja) * 2014-05-30 2018-05-16 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
CN104017579B (zh) * 2014-06-19 2015-09-23 江苏博睿光电有限公司 一种led红色荧光粉及其制备方法
JP6405738B2 (ja) * 2014-06-19 2018-10-17 三菱ケミカル株式会社 発光装置
JP6406109B2 (ja) 2014-07-08 2018-10-17 日亜化学工業株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法
WO2016021705A1 (ja) 2014-08-07 2016-02-11 三菱化学株式会社 蛍光体、発光装置、画像表示装置及び照明装置
US9200199B1 (en) 2014-08-28 2015-12-01 Lightscape Materials, Inc. Inorganic red phosphor and lighting devices comprising same
US9200198B1 (en) 2014-08-28 2015-12-01 Lightscape Materials, Inc. Inorganic phosphor and light emitting devices comprising same
US9315725B2 (en) 2014-08-28 2016-04-19 Lightscape Materials, Inc. Method of making EU2+ activated inorganic red phosphor
JP6715774B2 (ja) * 2014-12-16 2020-07-01 デンカ株式会社 蛍光体及びその用途
JP6401047B2 (ja) * 2014-12-25 2018-10-03 京セラ株式会社 光合成促進光源
KR20160081091A (ko) 2014-12-30 2016-07-08 일진엘이디(주) 형광체 혼합체 및 이를 포함하는 백색 발광소자
CN107851694B (zh) * 2015-05-15 2020-04-17 国立研究开发法人物质·材料研究机构 发光器具和图像显示装置
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
JP6202154B2 (ja) * 2015-08-28 2017-09-27 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びその製造方法並びに発光装置
DE102016115924A1 (de) 2015-08-28 2017-03-02 Koito Manufacturing Co., Ltd. Leuchtstoff
JP6856890B2 (ja) 2015-08-28 2021-04-14 株式会社小糸製作所 蛍光体
EP3135746B1 (en) 2015-08-28 2019-05-29 Nichia Corporation Method for producing nitride fluorescent material
CN105623658B (zh) * 2016-01-29 2017-04-12 江苏博睿光电有限公司 一种氮氧化物荧光粉及其制备方法、氮氧化物发光体和发光器件
CN105623657B (zh) * 2016-01-29 2017-04-26 江苏博睿光电有限公司 一种含氮发光颗粒及其制备方法、含氮发光体和发光器件
CN107200587B (zh) * 2016-03-18 2020-10-20 深圳光峰科技股份有限公司 一种氮化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷
CN107200588B (zh) * 2016-03-18 2020-10-20 深圳光峰科技股份有限公司 一种氮化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷
WO2017170453A1 (ja) 2016-03-28 2017-10-05 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
CN107285745B (zh) * 2016-04-12 2020-11-17 深圳光峰科技股份有限公司 一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷
CN107851950B (zh) 2016-07-04 2021-11-09 松下知识产权经营株式会社 光纤光源、内窥镜以及内窥镜系统
JP6206696B1 (ja) 2016-07-04 2017-10-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
KR20190028628A (ko) 2016-07-04 2019-03-19 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 형광체 및 발광 장치
JP6340749B2 (ja) 2016-07-04 2018-06-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体を用いた発光装置
CN107851949B (zh) 2016-07-04 2021-11-05 松下知识产权经营株式会社 投影机装置
WO2018008171A1 (ja) 2016-07-04 2018-01-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
CN105950144B (zh) * 2016-07-08 2017-12-08 福建江夏学院 一种Dy3+、Eu3+掺杂的TiAlON荧光材料及其制备方法
JP6583201B2 (ja) * 2016-09-29 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6669147B2 (ja) * 2016-10-31 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2020109850A (ja) * 2016-10-31 2020-07-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN106520120B (zh) * 2016-11-08 2019-04-23 河北利福光电技术有限公司 一种led氮化物红色荧光粉及其制备方法
JP7003939B2 (ja) * 2017-01-31 2022-01-21 三菱ケミカル株式会社 ガドリニウム酸硫化物焼結体、並びにガドリニウム酸硫化物焼結体を含むシンチレータ、シンチレータアレイ、放射線検出器、及び放射線検査装置
WO2018159244A1 (ja) 2017-02-28 2018-09-07 株式会社小糸製作所 蛍光体
WO2018225424A1 (ja) * 2017-06-06 2018-12-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長変換体及びその製造方法、並びに波長変換体を用いた発光装置
JP7042457B2 (ja) 2017-06-06 2022-03-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
WO2019062557A1 (zh) * 2017-09-30 2019-04-04 有研稀土新材料股份有限公司 一种氮化物荧光物质及含有该荧光物质的发光装置
JP7155507B2 (ja) * 2017-10-25 2022-10-19 三菱ケミカル株式会社 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP7310977B2 (ja) * 2017-10-25 2023-07-19 三菱ケミカル株式会社 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP7108841B2 (ja) 2017-12-08 2022-07-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
JP7022931B2 (ja) 2018-01-31 2022-02-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
CN109135747B (zh) * 2018-02-12 2021-09-17 有研稀土新材料股份有限公司 一种氮化物发光材料及包含其的发光装置
BR102018013644A2 (pt) 2018-07-03 2020-01-14 Bozel Brasil S A liga de cálcio, alumínio e silício, bem como processo para a produção da mesma
WO2020054350A1 (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
CN113615320A (zh) * 2019-03-29 2021-11-05 索尼集团公司 发光装置、显示器和电子设备
JP7251839B2 (ja) 2019-04-03 2023-04-04 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法および発光素子
CN110055061B (zh) * 2019-05-06 2020-09-11 北京科技大学 一种红色长余辉氮化物发光材料及其制备方法
JP6684412B1 (ja) 2019-06-27 2020-04-22 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法および発光装置
JPWO2022244523A1 (ja) 2021-05-21 2022-11-24
KR20220164291A (ko) 2021-06-04 2022-12-13 이성원 운전자를 위한 시각장애인 인지용 led 신호등
CN113480311A (zh) * 2021-06-29 2021-10-08 南通大学 一种发射暖白光的Ce:YAG荧光陶瓷的制备方法
EP4293732A1 (en) 2022-01-20 2023-12-20 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light-emitting device, lighting device, image display device, and indicator lamp for vehicles
KR102599819B1 (ko) 2022-01-20 2023-11-08 미쯔비시 케미컬 주식회사 형광체, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치 및 차량용 표시등
CN114752383B (zh) * 2022-03-31 2023-09-01 陕西师范大学 La2Ca3Si4N4O8晶体及荧光粉和制备方法

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JP2900928B2 (ja) 1997-10-20 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002322474A (ja) 2001-02-07 2002-11-08 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 高効率蛍光体及び高効率蛍光体を有する光源
JP2002363554A (ja) 2001-06-07 2002-12-18 National Institute For Materials Science 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
JP3364229B2 (ja) 1996-09-20 2003-01-08 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子
JP2003124527A (ja) * 2001-07-16 2003-04-25 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2003203504A (ja) * 2001-09-20 2003-07-18 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2003206481A (ja) 2001-09-25 2003-07-22 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2003277746A (ja) 2002-03-22 2003-10-02 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP2003321675A (ja) 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP2003336059A (ja) * 2002-05-23 2003-11-28 National Institute For Materials Science サイアロン系蛍光体
JP2004010786A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体
US6682663B2 (en) 1999-11-30 2004-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Pigment with day-light fluorescence
JP2004067837A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Toyota Central Res & Dev Lab Inc α−サイアロン蛍光体
JP2004277663A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 National Institute For Materials Science サイアロン蛍光体とその製造方法
JP2005008794A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 National Institute For Materials Science サイアロン蛍光体とその製造方法
JP2005008793A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 National Institute For Materials Science 酸窒化物蛍光体

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2786034A (en) 1951-03-03 1957-03-19 Sylvania Electric Prod Calcium-strontium phosphate phosphors
US4266160A (en) 1979-06-22 1981-05-05 Gte Products Corporation Strontium-calcium fluorapatite phosphors and fluorescent lamp containing the same
US6949505B1 (en) 1991-03-11 2005-09-27 Curis, Inc. Morphogen-induced dendritic growth
JP3257942B2 (ja) * 1996-01-22 2002-02-18 化成オプトニクス株式会社 蓄光性蛍光体
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JPH1093143A (ja) 1996-09-18 1998-04-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led駆動回路
JP2001058820A (ja) 1999-08-23 2001-03-06 Sony Corp 蛍光体組成物及びその製造方法、並びに、表示装置
US6632379B2 (en) * 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
JP4218328B2 (ja) 2002-11-29 2009-02-04 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4214768B2 (ja) 2002-11-29 2009-01-28 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
SG173925A1 (en) * 2002-03-22 2011-09-29 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
CN1175081C (zh) 2002-08-13 2004-11-10 北京大学 紫光发光二极管激发的三基色荧光粉和合成方法
US7768189B2 (en) 2004-08-02 2010-08-03 Lumination Llc White LEDs with tunable CRI
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
DE60330023D1 (de) 2002-08-30 2009-12-24 Lumination Llc Geschichtete led mit verbessertem wirkungsgrad
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
JP4415547B2 (ja) 2002-10-16 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
JP4834827B2 (ja) 2003-10-03 2011-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物蛍光体
TWI359187B (en) 2003-11-19 2012-03-01 Panasonic Corp Method for preparing nitridosilicate-based compoun
JP3837588B2 (ja) * 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP4362625B2 (ja) * 2004-02-18 2009-11-11 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体の製造方法
JP3931239B2 (ja) 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
JP4511849B2 (ja) * 2004-02-27 2010-07-28 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにled
JP5016187B2 (ja) 2004-07-14 2012-09-05 Dowaエレクトロニクス株式会社 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びled
TWI262609B (en) 2004-02-27 2006-09-21 Dowa Mining Co Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor
JP3921545B2 (ja) 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
JP2005302920A (ja) 2004-04-09 2005-10-27 Shoei Chem Ind Co 発光装置
KR100887489B1 (ko) 2004-04-27 2009-03-10 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
JP2005336450A (ja) 2004-04-27 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体組成物とその製造方法、並びにその蛍光体組成物を用いた発光装置
JP4414821B2 (ja) 2004-06-25 2010-02-10 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体並びに光源およびled
WO2006012234A2 (en) 2004-06-25 2006-02-02 Sarnoff Corporation Nitride phosphors and devices
JP4565141B2 (ja) 2004-06-30 2010-10-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と発光器具
JP4511885B2 (ja) * 2004-07-09 2010-07-28 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びled並びに光源
US7476337B2 (en) 2004-07-28 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US7453195B2 (en) 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
US20060181192A1 (en) 2004-08-02 2006-08-17 Gelcore White LEDs with tailorable color temperature
US7138756B2 (en) * 2004-08-02 2006-11-21 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
JP4933739B2 (ja) 2004-08-02 2012-05-16 Dowaホールディングス株式会社 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置
JP4524470B2 (ja) * 2004-08-20 2010-08-18 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
JP4543250B2 (ja) * 2004-08-27 2010-09-15 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP2006063214A (ja) 2004-08-27 2006-03-09 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体及びその製造方法並びに光源
US7476338B2 (en) * 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
JP2006282872A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Dowa Mining Co Ltd 窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体、及びその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
JP4729278B2 (ja) 2004-08-30 2011-07-20 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び発光装置
JP4356563B2 (ja) 2004-08-31 2009-11-04 昭栄化学工業株式会社 酸窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体の製造方法及び白色発光素子
JP4543251B2 (ja) 2004-08-31 2010-09-15 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び光源
JP4543253B2 (ja) 2004-10-28 2010-09-15 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP4892193B2 (ja) 2005-03-01 2012-03-07 Dowaホールディングス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
WO2006095285A1 (en) 2005-03-09 2006-09-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
DE102005050937A1 (de) 2005-10-21 2007-05-03 Vodafone Holding Gmbh Austausch von Informationen in einem Kommunikationssystem

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP3364229B2 (ja) 1996-09-20 2003-01-08 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JP2900928B2 (ja) 1997-10-20 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US6682663B2 (en) 1999-11-30 2004-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Pigment with day-light fluorescence
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002322474A (ja) 2001-02-07 2002-11-08 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 高効率蛍光体及び高効率蛍光体を有する光源
JP2002363554A (ja) 2001-06-07 2002-12-18 National Institute For Materials Science 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
JP2003124527A (ja) * 2001-07-16 2003-04-25 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2003203504A (ja) * 2001-09-20 2003-07-18 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2003206481A (ja) 2001-09-25 2003-07-22 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2003277746A (ja) 2002-03-22 2003-10-02 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP2003321675A (ja) 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP2003336059A (ja) * 2002-05-23 2003-11-28 National Institute For Materials Science サイアロン系蛍光体
JP2004010786A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体
JP2004067837A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Toyota Central Res & Dev Lab Inc α−サイアロン蛍光体
JP2004277663A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 National Institute For Materials Science サイアロン蛍光体とその製造方法
JP2005008794A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 National Institute For Materials Science サイアロン蛍光体とその製造方法
JP2005008793A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 National Institute For Materials Science 酸窒化物蛍光体

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J. W. H. VAN KREVEL: "On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials", TU EINDHOVEN, 2000
See also references of EP1696016A1
ZHEN-KUN HUANG ET AL: "Phase Relations of the Sin3N4-A1N-CaO System", JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, vol. 4, no. 3, 1985, pages 255 - 259, XP002985078 *
ZHEN-KUN-HUANG, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, vol. 4, 1985, pages 255 - 259

Cited By (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7319195B2 (en) 2003-11-28 2008-01-15 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Composite conductor, superconductive apparatus system, and composite conductor manufacturing method
US7252788B2 (en) 2004-02-27 2007-08-07 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor, light source and LED
EP1568753A3 (en) * 2004-02-27 2006-03-08 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method thereof, and LED light source using said phosphor
EP1568753A2 (en) * 2004-02-27 2005-08-31 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method thereof, and LED light source using said phosphor
US7291289B2 (en) 2004-05-14 2007-11-06 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and production method of the same and light source and LED using the phosphor
US7434981B2 (en) 2004-05-28 2008-10-14 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Manufacturing method of metal paste
US7273568B2 (en) 2004-06-25 2007-09-25 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor and production method of the same, method of shifting emission wavelength of phosphor, and light source and LED
USRE44996E1 (en) 2004-06-25 2014-07-08 Nichia Corporation Phosphor and production method of the same, method of shifting emission wavelength of phosphor, and light source and LED
US7884539B2 (en) 2004-07-09 2011-02-08 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light source having phosphor including divalent, trivalent and tetravalent elements
US8441180B2 (en) 2004-07-09 2013-05-14 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light source having phosphor including divalent, trivalent and tetravalent elements
US7432647B2 (en) 2004-07-09 2008-10-07 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light source having phosphor including divalent trivalent and tetravalent elements
JP2006063323A (ja) * 2004-07-28 2006-03-09 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
EP1788063A4 (en) * 2004-07-28 2010-09-01 Dowa Electronics Materials Co PHOSPHORUS AND ASSOCIATED METHOD OF MANUFACTURE AND LIGHT SOURCE
EP1788063A1 (en) * 2004-07-28 2007-05-23 DOWA Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and method for production thereof, and light source
US7476337B2 (en) 2004-07-28 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
KR101320290B1 (ko) * 2004-07-28 2013-10-22 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 형광체, 그 제조방법 및 광원
US8066910B2 (en) 2004-07-28 2011-11-29 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
WO2006011542A1 (ja) * 2004-07-28 2006-02-02 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
US7138756B2 (en) 2004-08-02 2006-11-21 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
US7527748B2 (en) 2004-08-02 2009-05-05 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and phosphor film for electron beam excitation and color display apparatus using the same
USRE45640E1 (en) 2004-08-02 2015-08-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
USRE44162E1 (en) 2004-08-02 2013-04-23 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and phosphor film for electron beam excitation and color display apparatus using the same
USRE45502E1 (en) 2004-08-20 2015-05-05 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method therefore, and light source using the phosphor
US7476335B2 (en) 2004-08-20 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method therefore, and light source using the phosphor
US7803286B2 (en) 2004-08-27 2010-09-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US7345418B2 (en) 2004-08-27 2008-03-18 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device using the same
US7476338B2 (en) 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US8308981B2 (en) 2004-08-27 2012-11-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US7514860B2 (en) 2004-10-28 2009-04-07 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device
US20080128726A1 (en) * 2005-01-31 2008-06-05 Ube Industries, Ltd., 1978 - 96 Red Nitride Phosphor and Production Method Thereof
US8148886B2 (en) * 2005-01-31 2012-04-03 Ube Industries, Ltd. Red nitride phosphor and production method thereof
US7477009B2 (en) 2005-03-01 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device
US7524437B2 (en) 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
JP2015134919A (ja) * 2005-03-09 2015-07-27 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 放射線源と蛍光物質を含む照明システム
US8038905B2 (en) 2005-03-09 2011-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US7938983B2 (en) 2005-03-09 2011-05-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US7445730B2 (en) 2005-03-31 2008-11-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7443094B2 (en) 2005-03-31 2008-10-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US20100052515A1 (en) * 2005-04-01 2010-03-04 Mitsubishi Chemical Corporation Alloy powder for aw material of inorganic functional material and phosphor
US8801970B2 (en) 2005-04-01 2014-08-12 Mitsubishi Chemical Corporation Europium- and strontium-based phosphor
US8460580B2 (en) * 2005-04-01 2013-06-11 Mitsubishi Chemical Corporation Alloy powder for raw material of inorganic functional material and phosphor
EP2781575A2 (en) 2005-04-01 2014-09-24 Mitsubishi Chemical Corporation Alloy powder for inorganic funtional material precursor and phosphor
WO2006117984A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nichia Corporation 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
US7476336B2 (en) 2005-04-28 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light emitting device using the phosphor
TWI475093B (zh) * 2005-05-24 2015-03-01 Mitsubishi Chem Corp 螢光體及其應用
US8703019B2 (en) 2005-05-24 2014-04-22 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and use thereof
US8729788B2 (en) 2005-05-30 2014-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device provided with a wavelength conversion unit incorporating plural kinds of phosphors
US9722149B2 (en) 2005-05-30 2017-08-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and fabricating method thereof
US9281456B2 (en) 2005-05-30 2016-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and fabricating method thereof
US10008644B2 (en) 2005-05-30 2018-06-26 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and fabricating method thereof
US8883039B2 (en) 2005-07-01 2014-11-11 National Institute For Materials Science Fluorophor and method for production thereof and illuminator
TWI399422B (zh) * 2005-07-01 2013-06-21 Nat Inst For Materials Science 螢光體、其製造方法及照明器具
US9677000B2 (en) 2005-07-01 2017-06-13 National Institute For Materials Science Fluorophor and method for production thereof and illuminator
JP2007039517A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Sharp Corp 青色系発光蛍光体およびそれを用いた発光装置
US7859182B2 (en) 2005-08-31 2010-12-28 Lumination Llc Warm white LED-based lamp incoporating divalent EU-activated silicate yellow emitting phosphor
JP2007191680A (ja) * 2005-09-01 2007-08-02 Sharp Corp 発光装置
US8920676B2 (en) 2005-09-30 2014-12-30 The Regents Of The University Of California Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
WO2007041402A3 (en) * 2005-09-30 2008-11-13 Univ California Nitride and oxy-nitride cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
EP1929502A4 (en) * 2005-09-30 2010-03-24 Univ California CER-BASED FLUORESCENT MATERIALS FOR SEMICONDUCTOR LIGHTING APPLICATIONS
EP1929502A2 (en) * 2005-09-30 2008-06-11 The Regents of the University of California Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
US20070075629A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 The Regents Of The University Of California Nitride and oxy-nitride cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
US8159126B2 (en) * 2005-11-07 2012-04-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device with an improved CaAlSiN light converting material
WO2007120216A3 (en) * 2005-11-22 2007-12-21 Gelcore Llc Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications
US7262439B2 (en) 2005-11-22 2007-08-28 Lumination Llc Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications
WO2007120216A2 (en) * 2005-11-22 2007-10-25 Gelcore Llc Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications
JP2009516774A (ja) * 2005-11-22 2009-04-23 ルミネイション リミテッド ライアビリティ カンパニー 照明用途において使用するための電荷補償窒化物蛍光体
JP2011091414A (ja) * 2005-11-30 2011-05-06 Sharp Corp 発光装置
JP2007180483A (ja) * 2005-11-30 2007-07-12 Sharp Corp 発光装置
US8147715B2 (en) 2005-12-08 2012-04-03 National Institute For Materials Science Phosphor, process for producing the same, and luminescent device
EP2463354A1 (en) 2005-12-08 2012-06-13 National Institute for Materials Science Phosphor, Process for producing the same, and luminescent device
US8114313B2 (en) 2005-12-08 2012-02-14 National Institute For Materials Science Phosphor, process for producing the same, and luminescent device
WO2007066732A1 (ja) 2005-12-08 2007-06-14 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
US8057704B2 (en) 2006-02-24 2011-11-15 National Institute For Materials Science Phosphor, method for producing same, and light-emitting device
WO2007099862A1 (ja) 2006-02-24 2007-09-07 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
US8451401B2 (en) 2006-04-19 2013-05-28 Mitsubishi Chemical Corporation Color image display device
US7611642B2 (en) 2006-06-06 2009-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Oxynitride phosphor and light emitting device
CN101522859B (zh) * 2006-09-29 2012-11-28 同和电子科技有限公司 荧光体、荧光体薄片、荧光体的制造方法以及使用该荧光体的发光装置
JP2008120949A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Sharp Corp 蛍光体およびそれを用いた発光装置
US8663498B2 (en) 2006-11-24 2014-03-04 Sharp Kabushiki Kaisha Phosphor, method of producing the same, and light emitting apparatus
US10259997B2 (en) 2006-11-24 2019-04-16 Ge Phosphors Technology, Llc Phosphor, method of producing the same, and light emitting apparatus
US9624427B2 (en) 2006-11-24 2017-04-18 Ge Phosphors Technology, Llc Phosphor, method of producing the same, and light emitting apparatus
US9884990B2 (en) 2006-11-24 2018-02-06 Ge Phosphors Technology, Llc Phosphor, method of producing the same, and light emitting apparatus
WO2008084848A1 (ja) 2007-01-12 2008-07-17 National Institute For Materials Science 蛍光体、その製造方法および発光器具
US8142685B2 (en) 2007-01-12 2012-03-27 National Institute For Materials Science Fluorescent material, process for producing the same, and luminescent device
JP2008189700A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体及びこれらを用いた発光装置
US8409472B2 (en) 2007-02-06 2013-04-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Red emitting luminescent materials
US8153025B2 (en) 2007-02-06 2012-04-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Red emitting luminescent materials
US9279079B2 (en) 2007-05-30 2016-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus
US8344611B2 (en) 2009-06-16 2013-01-01 The Regents Of The University Of California Oxyfluoride phosphors and white light emitting diodes including the oxyfluoride phosphor for solid-state lighting applications
US8513872B2 (en) 2010-08-05 2013-08-20 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus and method for manufacturing thereof
WO2012026592A1 (ja) 2010-08-27 2012-03-01 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、照明器具および画像表示装置
JP2011089122A (ja) * 2010-11-15 2011-05-06 Sharp Corp 蛍光体およびそれを用いた発光装置
US9257607B2 (en) 2010-12-01 2016-02-09 Koninklijke Philips N.V. Red emitting luminescent materials
WO2012073177A1 (en) 2010-12-01 2012-06-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Red emitting luminescent materials
WO2012077042A1 (en) 2010-12-08 2012-06-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Orange to red emitting silicion- oxyntirde luminescent materials
WO2013056570A1 (zh) 2011-10-17 2013-04-25 北京有色金属研究总院 一种led红色荧光物质及含有该荧光物质的发光器件
WO2013111411A1 (ja) 2012-01-27 2013-08-01 電気化学工業株式会社 蛍光体、その製造方法及びその用途
US9309460B2 (en) 2012-01-27 2016-04-12 Denka Company Limited Phosphor, method for producing same, and use of same
US9850131B2 (en) 2012-10-09 2017-12-26 Denka Company Limited Method for producing phosphor
WO2014094657A1 (zh) 2012-12-21 2014-06-26 有研稀土新材料股份有限公司 氮氧化物橙-红色荧光物质,包括其的发光膜或发光片及发光器件
US10174245B2 (en) 2013-05-16 2019-01-08 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing a luminescent material, luminescent material and optoelectronic component
JPWO2015001860A1 (ja) * 2013-07-03 2017-02-23 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
WO2015001860A1 (ja) * 2013-07-03 2015-01-08 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
US9719014B2 (en) 2013-10-08 2017-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting device comprising a primary radiation source and a first phosphor
US9725646B2 (en) 2013-10-08 2017-08-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
US9719013B2 (en) 2013-10-08 2017-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
US10711191B2 (en) 2013-10-08 2020-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
US11292965B2 (en) 2013-10-08 2022-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
US10233388B2 (en) 2014-04-17 2019-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting device with a first phosphor and filter particles
US11021610B2 (en) 2016-01-14 2021-06-01 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2′-biphenoxy bridges
US10920138B2 (en) 2016-01-15 2021-02-16 Denka Company Limited Red phosphor and light emitting device
US11441036B2 (en) 2016-10-06 2022-09-13 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
WO2018092696A1 (ja) * 2016-11-15 2018-05-24 デンカ株式会社 赤色蛍光体、発光部材、及び発光装置
US11430922B2 (en) 2017-02-28 2022-08-30 Oskam Oled Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
WO2018158194A1 (de) 2017-02-28 2018-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
JP2018150496A (ja) * 2017-03-15 2018-09-27 デンカ株式会社 赤色蛍光体の製造方法
US11380822B2 (en) 2017-10-10 2022-07-05 Denka Company Limited Red phosphor and light emission device
KR20200066337A (ko) 2017-10-10 2020-06-09 덴카 주식회사 적색 형광체 및 발광 장치
US11236101B2 (en) 2017-12-19 2022-02-01 Basf Se Cyanoaryl substituted benz(othi)oxanthene compounds
US11898075B2 (en) 2018-03-20 2024-02-13 Basf Se Yellow light emitting device
US11932792B2 (en) 2018-03-29 2024-03-19 Denka Company Limited Red fluorescent body and light-emitting device
KR20200135858A (ko) 2018-03-29 2020-12-03 덴카 주식회사 적색 형광체 및 발광 장치
KR20210010538A (ko) 2018-05-18 2021-01-27 덴카 주식회사 적색 형광체 및 발광 장치
US11795391B2 (en) 2018-05-18 2023-10-24 Denka Company Limited Red phosphor and light emitting device
KR20210057099A (ko) 2018-09-12 2021-05-20 덴카 주식회사 형광체 및 발광 장치
US11434421B2 (en) 2018-09-12 2022-09-06 Denka Company Limited Phosphor and light-emitting device
US11760929B2 (en) 2018-11-14 2023-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Conversion elements comprising an infiltration matrix
WO2020099460A1 (de) 2018-11-14 2020-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselemente umfassend eine infiltrationsmatrix
DE102018128536A1 (de) 2018-11-14 2020-05-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselemente umfassend eine Infiltrationsmatrix
KR20210150450A (ko) 2019-04-09 2021-12-10 덴카 주식회사 질화물 형광체 및 발광 장치
WO2021200287A1 (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 デンカ株式会社 蛍光体粉末、複合体、発光装置および蛍光体粉末の製造方法
WO2022012810A1 (en) 2020-07-13 2022-01-20 Merck Patent Gmbh Phosphor
WO2022013116A1 (en) 2020-07-13 2022-01-20 Merck Patent Gmbh Phosphor
WO2022090444A1 (en) 2020-11-02 2022-05-05 Merck Patent Gmbh Phosphor
WO2023037728A1 (ja) * 2021-09-08 2023-03-16 デンカ株式会社 蛍光体粉末、及び発光装置
WO2023037727A1 (ja) * 2021-09-08 2023-03-16 デンカ株式会社 蛍光体粉末、及び発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170283261A1 (en) 2017-10-05
EP1696016A4 (en) 2010-03-03
KR20150027223A (ko) 2015-03-11
TWI510600B (zh) 2015-12-01
TW201604264A (zh) 2016-02-01
KR101624390B1 (ko) 2016-05-25
KR20120040278A (ko) 2012-04-26
CN101195742A (zh) 2008-06-11
CN102174324B (zh) 2012-12-05
KR20180099949A (ko) 2018-09-05
CN101628711B (zh) 2012-03-21
KR102055115B1 (ko) 2019-12-12
KR20130086658A (ko) 2013-08-02
US8409470B2 (en) 2013-04-02
TWI697544B (zh) 2020-07-01
KR20120038560A (ko) 2012-04-23
TW200948933A (en) 2009-12-01
US20070007494A1 (en) 2007-01-11
EP2574652A3 (en) 2014-09-10
US11084980B2 (en) 2021-08-10
KR101157006B1 (ko) 2012-06-21
US20130168606A1 (en) 2013-07-04
US10072207B2 (en) 2018-09-11
US20190127638A1 (en) 2019-05-02
KR20170039310A (ko) 2017-04-10
KR100969836B1 (ko) 2010-07-13
KR101173450B1 (ko) 2012-08-13
TW201713750A (zh) 2017-04-16
EP2574652B1 (en) 2019-07-31
KR20140039337A (ko) 2014-04-01
JP3837588B2 (ja) 2006-10-25
KR20070117003A (ko) 2007-12-11
TWI406927B (zh) 2013-09-01
CN1918262A (zh) 2007-02-21
CN1918262B (zh) 2011-05-18
TWI317755B (en) 2009-12-01
TWI555825B (zh) 2016-11-01
US20150275082A1 (en) 2015-10-01
KR20060123209A (ko) 2006-12-01
JP2006008721A (ja) 2006-01-12
KR101294555B1 (ko) 2013-08-07
EP1696016B1 (en) 2017-03-29
EP2574652A2 (en) 2013-04-03
US11697765B2 (en) 2023-07-11
CN101628711A (zh) 2010-01-20
CN102174324A (zh) 2011-09-07
KR20120031507A (ko) 2012-04-03
TW201900850A (zh) 2019-01-01
KR100816693B1 (ko) 2008-03-27
EP1696016A1 (en) 2006-08-30
CN101195742B (zh) 2012-03-28
KR20090095675A (ko) 2009-09-09
US9738829B2 (en) 2017-08-22
TW201333166A (zh) 2013-08-16
TW200530374A (en) 2005-09-16
CN102206491A (zh) 2011-10-05
KR20100044266A (ko) 2010-04-29
US20220056339A1 (en) 2022-02-24
CN102206491B (zh) 2014-08-13
TWI625379B (zh) 2018-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11697765B2 (en) Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
US9670405B2 (en) Production method of phosphor

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11441094

Country of ref document: US

Ref document number: 1020067010416

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: DE

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2004799893

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004799893

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480040967.7

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004799893

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067010416

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11441094

Country of ref document: US