JP2003124527A - 光源として少なくとも１つのｌｅｄを備えた照明ユニット - Google Patents

光源として少なくとも１つのｌｅｄを備えた照明ユニット

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 運転温度が変化する場合でも高い不変性を示
し、高い色再現性及び高い効率を有する照明ユニットを
提供すること 【解決手段】 光源として少なくとも１つのＬＥＤを備
え、このＬＥＤが３００〜４８５ｎｍの領域内の一次放
射を発光し、このＬＥＤの一次放射にさらされる蛍光体
によって、この放射は部分的に又は完全に長波長の放射
に変換される照明ユニットにおいて、この変換が少なく
とも、５４０〜６２０ｎｍのピーク発光の波長を有する
黄−オレンジを発光しかつＥｕ−活性化されたサイアロ
ンの種類から由来する蛍光体を用いて行われ、前記のサ
イアロンは式Ｍｐ／２Ｓｉ１２ - ｐ - ｑＡｌｐ＋ｑＯｑＮ
１６ - ｑ：Ｅｕ２＋で表され、前記式中、ＭはＣａ単独
又はＳｒ又はＭｇと組み合わせたＣａを表し、ｑは０〜
２．５であり、ｐは０〜３である、照明ユニット

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光源として請求項１
の上位概念に記載された少なくとも１つのＬＥＤを備え
た照明ユニットに関する。特に、ＵＶ／青色に一次発光
するＬＥＤをベースとする可視光又は白色光を発光する
ＬＥＤである。
【０００２】
【従来の技術】例えば白色光を放射する光源として少な
くとも１つのＬＥＤを備えた照明ユニットは、現在では
主に約４６０ｎｍで青色に発光するＧａ（Ｉｎ）Ｎ−Ｌ
ＥＤと、黄色に発光するＹＡＧ：Ｃｅ３＋蛍光体との組
み合わせによって実現されている（US 5 998 925及びEP
862 794）。この場合、良好な色再現のためにWO-A 01/
08453に記載されたような２種の異なる黄色−蛍光体が
使用される。この場合、双方の蛍光体は、その構造が類
似している場合であっても、しばしば異なる温度特性を
示すことが問題である。公知の例は、黄色に発光するＣ
ｅ−ドープされたＹ−ガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）及び
それと比べてより長波長で発光する（Ｙ，Ｇｄ）−ガー
ネットである。これは、運転温度が異なる場合に色座標
の変動及び色再現性の変化を引き起こす。
【０００３】刊行物（"On new rare-earth doped M-Si-
AI-Q-N materials" van Krevel著,TU Eindhoven 2000,
ISBN 90-386-2711-4, 第11章）からは、その構造の省略
形でサイアロン（α−サイアロン）として表される蛍光
体材料の種類は公知である。Ｅｕでドープすることによ
り、３６５ｎｍ又は２５４ｎｍでの励起の際に５６０〜
５９０ｎｍの領域での放射が達成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、運転
温度が変化する場合でも高い不変性を特徴とする、光源
として請求項１の上位概念に記載の照明ユニットを提供
することである。もう一つの課題は、白色に発光しかつ
特に高い色再現性及び高い効率を有する照明ユニットを
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題は、請求項１の
特徴部により解決される。特に有利な実施態様は、引用
形式請求項に記載されている。
【０００６】本発明により、ＬＥＤ−ベースの照明ユニ
ット用の蛍光体として、黄色−オレンジ色に発光しかつ
Ｅｕ−活性化されたサイアロンの種類からなるサイアロ
ン（Sialon）が使用され、その際、サイアロンは式M
ｐ／２Si１２ - ｐ - ｑAlｐ＋ｑOｑN１６ - ｑ:Eu２ ＋［式
中、Ｍ＝Ｃａ単独又はＳｒ及びＭｇと組み合わせた形で
あり、ｑ＝０〜２．５及びｐ＝０．５〜３］で示され
る。有利に、ｐについて比較的高い値、つまりｐ＝２〜
３が選択され、ｑについて比較的低い値、つまりｑ＝０
〜１が選択される。純粋なＡｌの代わりに、特に２０モ
ル％までのＧａの割合を有するＡｌ、Ｇａの混合物を使
用することができる。
【０００７】カチオンＭの一部を置き換えるＥｕ−割合
は、Ｍ−カチオンの０．５〜１５％、有利に１〜１０％
であるのが好ましく、それにより、発光波長の特に正確
な選択を行うことができ、発光効率を最適化することが
できる。Ｅｕ含有量が増加すると、一般にピーク発光が
より長波長にずれることになる。意外にも、カチオンＭ
の濃度を変更することでもピーク発光の波長がずれるこ
とが明らかになった。Ｍ−カチオンが比較的低い濃度の
場合、Ｍ−カチオンの１０％を上回るＥｕ−イオンの割
合を選択することにより、Ｅｕ−イオンによる良好な吸
収を得ることができる。
【０００８】ＬＥＤ−ベースの照明ユニットとの関係に
おいてこの蛍光体の特別な利点は、特に少なくとも１つ
の別の蛍光体と組み合わせた場合に、高い効率、優れた
温度安定性（運転温度の変化に対する不感受性）及びル
ミネッセンスの意外に高い消去温度並びにそれにより達
成可能な高い色再現性である。消去温度、つまり供給さ
れた熱によりルミネッセンスが破壊される温度は、予め
選択された測定領域（最大１４０℃）外にあるほど高く
にある。
【０００９】この種の蛍光体のもう一つの利点は、出発
材料（特にＳｉ３Ｎ４）がすでに微細に分散した形で存
在することである。従って、蛍光体の粉砕は必要ない。
それに対して、慣用の蛍光体、例えばＹＡＧ：Ｃｅは、
注入樹脂中で分散を維持しかつ底部に沈殿しないように
するために粉砕しなければならない。この粉砕工程は頻
繁に効率を損なってしまう。本発明による蛍光体は、出
発材料が微細な粒度であるにもかかわらず、意外に高い
吸収を示す。従って、この蛍光体はもはや粉砕する必要
はなく、それにより作業工程を節約しかつ有効性を失う
ことはない。蛍光体の一般的な平均粒度は、０．５〜５
μｍである。
【００１０】ＬＥＤのＵＶ線又は青色の一次放射での励
起により有色の光源を発生させる他に、特にこの蛍光体
を用いて白色光が生じることは有利である。このこと
は、少なくとも２種、有利に３種の蛍光体を使用して、
一次光源としてＵＶ放射するＬＥＤの場合にも生じる。
また、青色発光するＬＥＤ並びに１種又は２種の蛍光体
を使用することもできる。熱安定性の粒状蛍光物質、有
利にＹＡＧ：Ｃｅと、Ｅｕドープされたサイアロンとの
混合物により優れた結果が示される。
【００１１】良好な色再現性を有する白色光は、青色Ｌ
ＥＤ（例えば４５０〜４８５ｎｍでの一次発光）、緑色
蛍光体（４９０〜５２５ｎｍの発光）及び黄色−オレン
ジ色（ＧＯ）発光する蛍光体（発光：５４０〜６２０ｎ
ｍ）との組み合わせによっても達成される。
【００１２】ＧＯ−蛍光体としてMｐ／２Si１２ - ｐ - ｑA
lｐ＋ｑOｑN１６ - ｑ:Eu２＋が使用される。この場合、
ＭはＣａ単独であるか又はＳｒ及び／又はＭｇと組み合
わせた形である。このＧＯ−蛍光体は優れた熱安定性を
有し、かつＬＥＤにとって典型的であるように高温で優
れた発光特性を示す：この蛍光体は８０℃まで測定精度
の範囲内で発光の減少を示さない。これに比べて、従来
の黄色蛍光体は８０℃で発光の明らかに測定可能な減少
を示す：これは、ＹＡＧの場合５％であり、（Ｙ，Ｇ
ｄ）ＡＧの場合１０〜２０％である。
【００１３】Ｒａ＝７５を越える良好な色再現性は、特
に、青色ＬＥＤを一次光源として使用し、Ｅｕ−ドープ
したサイアロンとクロロシリケート（Ｅｕ−ドープ又は
Ｅｕ，Ｍｎ−ドープした）又はＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ
２＋との混合物を使用する場合に達成される。ＹＡＧ及
び（Ｙ，Ｇｄ）ＡＧからなる混合物と比較して、色再現
性はほぼ同じ程度高く、効率はいくらか高く、熱による
消去挙動は明らかに改善される。赤における色再現性は
必要に応じて、赤色蛍光体、例えばSr２Si５N８:Eu２＋
又はSrS:Eu２＋を添加することにより改善することがで
きる。
【００１４】白色混合は、ＵＶ発光ＬＥＤをベースと
し、このＥｕ−ドープしたサイアロンを青色蛍光体、例
えばBaMgAl１０O１７:Eu２＋ (BAM)又は(Ca,Sr,Ba)５(P
O４)３Cl:Eu２＋ (SCAP)と一緒にすることにより製造す
ることもできる。この色再現性は、必要に応じて、緑色
蛍光体（例えばＥｕ−ドープしたチオ没食子酸塩又はＳ
ｒ−アルミン酸塩）及び赤色蛍光体（例えばＥｕ−ドー
プしたＳｒ−窒化物又はＳｒ−硫化物）を添加すること
によってなお改善することができる。もう一つの方法
は、青色発光ＬＥＤ（約４７０〜４８５ｎｍのピーク発
光）による唯一の蛍光体としてのＥｕ−ドープしたサイ
アロンの使用である。
【００１５】Ｅｕ２＋含有量に依存して、この材料の固
有色は淡黄〜深黄／黄−オレンジである。優れた温度安
定性及び機械的安定性のために、このＥｕ−サイアロン
は環境に優しい黄又は黄−オレンジの顔料として特に適
している。これは特に、Ｍは１０％より高くＥｕで置き
換えられている場合に該当する。
【００１６】次に、本発明を複数の実施例を用いて詳細
に説明する。
【００１７】
【実施例】ＧａＩｎＮ−チップを一緒に備えた白色ＬＥ
Ｄに使用するために、例えば米国特許第５９９８９２５
号明細書に記載されたと同様の構造を使用する。この種
の白色光のための光源の構造を図１に例示的に示した。
この光源は、第１及び第２の電気接続部２，３を備え
た、ピーク発光波長４６０ｎｍを示すＩｎＧａＮタイプ
の半導体素子（チップ１）であり、これは光透過性基体
容器８中で凹設部９の範囲内に埋め込まれている。接続
部３の一方は、ボンディングワイヤ１４を介してチップ
１と接続されている。この凹設部は壁部１７を有し、こ
の壁部１７はチップ１の青色一次放射用のリフレクタと
して用いられる。この凹設部９は注入材料５で充填され
ており、この注入材料５は主成分としてエポキシ注入樹
脂（８０〜９０質量％）及び蛍光体顔料６（１５質量％
未満）を含有する。他のわずかな成分は、特にメチルエ
ーテル又はエアロジル（Aerosil）である。この蛍光体
顔料はＹＡＧ：Ｃｅ顔料及びサイアロン−顔料からなる
混合物である。
【００１８】図２では、照明ユニットとしての平板型照
明２０部分図を示す。この照明ユニットは、長方体の外
部ケーシング２２を接着した共通の支持体２１からな
る。その上側は共通のカバー２３が設けられている。こ
の長方体のケーシングは空所を有し、その空所内に個々
の半導体−構成素子２４が取り付けられている。この構
成素子は３６０ｎｍのピーク発光を有するＵＶ−放射す
る発光ダイオードである。白色光への変換は、図１に記
載されたと同様に個々のＬＥＤの注入樹脂内に直接置か
れた変換層を用いて又はＵＶ放射線の全てが当たる面に
設置されている層２５によって行われる。これには、ケ
ーシングの壁部の内部にある表面、カバー及び底部が挙
げられる。変換層２５は３種の蛍光体からなり、この蛍
光体は、本発明による蛍光体を利用して黄、緑及び青の
スペクトル領域で発光する。
【００１９】サイアロンタイプのいくつかの蛍光体を表
１にまとめた。これは主にＣａ１． ５Ｓｉ９Ａｌ３Ｎ
１６のタイプのＣａ−サイアロンであり、その際、１〜
１０モル％のカチオンＣａの割合は、Ｅｕに置き換えら
れている。この蛍光体の典型的な量子効率は、７０〜８
０％であり、この場合、わずかなＥｕ−ドーピングの場
合での５８０ｎｍのピーク発光が、より高いＥｕ−ドー
ピングの場合に約５９０ｎｍにシフトした。
【００２０】良好な結果が、ＣａＳｉ１０Ａｌ２Ｎ１６
のタイプのＣａ−サイアロンの場合でも達成される。８
０％を上回る高い量子効率は、相対的に高いＥｕドーピ
ングの場合でも達成される。このピーク波長は、わずか
なＣａ−割合のために意外にもより短い波長であった。
従って、この発光を、場合によりＥｕ含有量によって発
光の状態に影響を及ぼす手段と組み合わせて意図的に設
定することができる。十分な吸収を達成するために、よ
り低いＣａ含有量の場合でも、Ｃａに対して１０〜２５
％、有利に１０〜１５％をＥｕに置き換えることができ
る。
【００２１】図３〜１０は、波長の関数としての多様な
サイアロンの発光及び反射特性を表す。
【００２２】詳細には、図３は４００ｎｍによる励起の
際のサイアロンＣａ１．５Ａｌ３Ｓｉ９Ｎ１６：Ｅｕ
２＋（２％）（試験番号ＨＵ１３／０１）の発光スペク
トルを示す。この最大値は５７９ｎｍであり、平均波長
は５９０ｎｍである。量子効率ＱＥは７９％である。反
射率（図４）は４００ｎｍで約Ｒ４００＝５１％であ
り、４６０ｎｍで約Ｒ４６０＝６４％である。このデー
タは、一連の他の蛍光体と一緒に表１に示されている。
【００２３】さらに、図５は４６０ｎｍによる励起の際
のサイアロンＣａ１．５Ａｌ３Ｓｉ ９Ｎ１６：Ｅｕ２＋
（２％）（試験番号ＨＵ１３／０１）の発光スペクトル
を示す。この最大値は５９０ｎｍであり、平均波長は５
９７ｎｍである。量子効率ＱＥは７８％である。反射率
（図６）は４００ｎｍで約Ｒ４００＝５１％であり、４
６０ｎｍで約Ｒ４６０＝６４％である。
【００２４】サイアロンＨＵ１３／０１の合成を次に例
示的に詳細に説明する。
【００２５】蛍光体粉末を高温−固体反応により製造す
る。このために、高純度の出発材料Ｃａ３Ｎ２、ＡｌＮ
及びＳｉ３Ｎ４をモル比１．５：３：９で混合した。Ｓ
ｉ３Ｎ４の粒度はｄ５０＝１．６μｍ、ｄ１０＝０．４
μｍ及びｄ９０＝３．９μｍである。少量のＥｕ２Ｏ３
を、ドーピングの目的で添加し、この場合相応するモル
量のＣａ３Ｎ２を添加した。これは、Ｅｕ２モル％の割
合で実験式（Ｃａ１． ４７Ｅｕ０．０３）Ａｌ３Ｓｉ９
Ｎ１６に相当した。Ｅｕと一緒にＥｕ−酸化物として酸
素が添加されることにより、正確な実験式は（Ｃａ
１．４７Ｅｕ０．０ ３）Ａｌ３Ｓｉ９Ｏ０．０４５Ｎ
１５．９７である。この場合、つまり一般的な実験式は
Ｍｐ／２Ｓｉ１２ - ｐ - ｑＡｌｐ＋ｑＯ１．５ｑＮ１６ -
ｑ：Ｅｕ２＋である。
【００２６】個々の成分を良好に混合させた後、この粉
末を約１７００℃で１〜２ｈ還元性の雰囲気（Ｎ２／Ｈ
２）中で加熱し、かつ反応させて上記の化合物にした。
【００２７】図７は４００ｎｍによる励起の際のサイア
ロンＣａ１．５Ａｌ３Ｓｉ９Ｎ１６：Ｅｕ２＋（４％）
（試験番号ＨＵ１４／０１）の発光スペクトルを示す。
この最大値は５８８ｎｍであり、平均波長は５９５ｎｍ
である。量子効率ＱＥは７６％である。反射率（図８）
は４００ｎｍで約Ｒ４００＝４０％であり、４６０ｎｍ
で約Ｒ４６０＝５４％である。
【００２８】図９は４００ｎｍによる励起の際のサイア
ロンＣａＳｒ０．５Ａｌ３Ｓｉ９Ｎ １６：Ｅｕ２＋（４
％）（試験番号ＨＵ１５／０１）の発光スペクトルを示
す。この最大値は５８８ｎｍであり、平均波長は５９４
ｎｍである。量子効率ＱＥは７０％である。反射率（図
１０）は４００ｎｍで約Ｒ４００＝３６％であり、４６
０ｎｍで約Ｒ４６０＝５０％である。
【００２９】図１２中では、量子効率を多様な蛍光体に
ついての温度の関数として示した。純粋なＹＡＧ：Ｃｅ
（曲線１）は、室温で、典型的なサイアロン（曲線２、
この場合、表１からのＨＵ１６／０１）よりも著しく高
い量子効率を示した、つまり８１％、それに対して７５
％を示した。意外にも、この量子効率は、８０℃の一般
的な温度負荷でのＬＥＤの運転の場合に完全に同じにな
った。つまりＥｕ−ドープしたサイアロン蛍光体は、一
見して、室温では平均的な結果を提供するように見える
が、これの発光変換ＬＥＤ（Lukoled）及び他の温度負
荷された照明ユニットのための使用は、標準として使用
されるＹＡＧ：Ｃｅに匹敵する。通常、このような照明
ユニットにおいて、色再現性を改善するためにいまだに
Ｇｄにより変性されたガーネットが併用されている。純
粋なＹＡＧ：Ｃｅとは反対に、ＹＡＧ：Ｃｅの変性（Ｙ
の代わりにＧｄ５０モル％）は、すでに温度負荷のもと
で明らかに悪い結果を生じる。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】これは、発光変換ＬＥＤに、この場合、Ｙ
ＡＧ：Ｃｅ又は他の温度安定性蛍光体と一緒の蛍光体−
混合物に使用するために、Ｅｕ−ドーピングサイアロン
が特に適していることを示す。
【００３３】図１３は、４６０ｎｍの一次発光を示す青
色ＩｎＧａＮ−ＬＥＤをベースとし、ＹＡＧ：Ｃｅ及び
表１からのＥｕドーピングサイアロンＨＵ３４／０１の
混合物を使用した発光変換ＬＥＤ（Lukoled）の発光ス
ペクトルを示す。この場合、色再現性は相応する混合物
ＹＡＧ：Ｃｅ及び（Ｙ，Ｇｄ）ＡＧ：Ｃｅの場合よりも
若干悪くなるが、効率は６％高い。これと比較して、蛍
光体としてＹＡＧ：Ｃｅをもっぱら使用した場合、発光
効率も色再現性も明らかに悪化する、表２参照。
【００３４】さらに、表２には、他の蛍光体をサイアロ
ンと混合して高い効率を示すことも記載されている。こ
れは、特にＣｅ−ドーピングＴｂＡＧ又はＥｕ−ドーピ
ングクロロシリケートとの混合（例えばドイツ国実用新
案第２０１０８０１３．３号明細書参照、この場合２つ
の蛍光体はさらに相互参照によって詳細に記載されてい
る）において該当する。相対的な割合に応じて、この場
合周知のように、純粋な蛍光体の色座標間の結合線上で
多様な色座標が達成される。
【００３５】図１４は、青色ＬＥＤ（４６０ｎｍ）と、
ＧＯ−蛍光体０．５〜９％の混合割合でのＧＯ−蛍光体
との間の混合物の色座標を示す。従って、所望の色の有
色ＬＥＤが実現される。青色、ピンク色〜黄オレンジ色
までの結合線上の色座標（注入樹脂のわずかな影響のよ
うな二次効果を無視して）が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】白色光用の光源（ＬＥＤ）として用いる半導体
素子の断面図
【図２】本発明による蛍光体を備えた照明ユニットの部
分図
【図３】本発明による多様なサイアロン−蛍光体の発光
スペクトルをグラフで示す図
【図４】本発明による多様なサイアロン−蛍光体の反射
スペクトルをグラフで示す図
【図５】本発明による多様なサイアロン−蛍光体の発光
スペクトルをグラフで示す図
【図６】本発明による多様なサイアロン−蛍光体の反射
スペクトルをグラフで示す図
【図７】本発明による多様なサイアロン−蛍光体の発光
スペクトルをグラフで示す図
【図８】本発明による多様なサイアロン−蛍光体の反射
スペクトルをグラフで示す図
【図９】本発明による多様なサイアロン−蛍光体の発光
スペクトルをグラフで示す図
【図１０】本発明による多様なサイアロン−蛍光体の反
射スペクトルをグラフで示す図
【図１１】はサイアロンＨＵ１３／０１単独の温度特性
をグラフで示す図
【図１２】ガーネット−蛍光体及びサイアロン−蛍光体
の温度特性をグラフで示す図
【図１３】本発明による蛍光体ＹＡＧ及びサイアロンを
用いたＬＥＤの発光スペクトルを示す図
【図１４】青色ＬＥＤ（４６０ｎｍ）と、ＧＯ−蛍光体
０．５〜９％の混合割合でのＧＯ−蛍光体との間の混合
物の色座標を示す図
【符号の説明】
１ チップ、 ２，３ 接続部、 ５ 注入材料、 ６
蛍光体、 ８ 容器、 ９ 凹設部、 １４ ボンデ
ィングワイヤ、 １７ 壁部、 ２０ 平板型照明、
２１ 支持体、 ２２ ケーシング、 ２３ カバー、
２４ 半導体−構成素子、 ２５ 層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/80 ＣＰＭ Ｃ０９Ｋ 11/80 ＣＰＭ (72)発明者 フランツ クマー ドイツ連邦共和国 ミュンヘン シュライ スハイマー シュトラーセ 121 (72)発明者 ギュンター フーバー ドイツ連邦共和国 シュローベンハウゼン ライフアイゼンシュトラーセ １ Ｆターム(参考） 4H001 CA02 CA05 XA07 XA08 XA12 XA13 XA14 XA17 XA20 XA31 XA38 XA39 XA49 XA65 YA58 YA63 5F041 AA11 AA14 CA34 DA19 DA36 DA44 DB09 DC08 DC22 DC83 EE25 FF11

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光源として少なくとも１つのＬＥＤを備
    え、このＬＥＤが３００〜４８５ｎｍの領域内の一次放
    射を発光し、このＬＥＤの一次放射にさらされる蛍光体
    によって、この放射は部分的に又は完全に長波長の放射
    に変換される照明ユニットにおいて、この変換が少なく
    とも、５４０〜６２０ｎｍのピーク発光の波長を有する
    黄−オレンジに発光しかつＥｕ−活性化されたサイアロ
    ンの種類に由来する蛍光体を用いて行われ、前記のサイ
    アロンは式Ｍｐ／２Ｓｉ１２ - ｐ - ｑＡｌｐ＋ｑＯｑＮ
    １６ - ｑ：Ｅｕ２＋で表され、前記式中、ＭはＣａ単独
    又は金属Ｓｒ又はＭｇの少なくとも１つと組み合わせた
    Ｃａを表し、ｑは０〜２．５であり、ｐは０．５〜３で
    あることを特徴とする、光源として少なくとも１つのＬ
    ＥＤを備えた照明ユニット。
  2. 【請求項２】 Ａｌが部分的に（２０モル％まで）Ｇａ
    に置き換えられている、求項１記載の照明ユニット。
  3. 【請求項３】 ｑ＜１及び／又はｐ＝２〜３が選択され
    る、請求項１記載の照明ユニット。
  4. 【請求項４】 蛍光体粉末の平均粒度が０．５〜５μｍ
    の間から選択される、請求項１記載の照明ユニット。
  5. 【請求項５】 白色光を発生させるために、一次発光す
    る放射が３３０〜３７０ｎｍの波長領域にあり、この一
    次発光する放射は、変換のために青（４３０〜４７０ｎ
    ｍ）及び黄−オレンジ（特に５４５〜５９０ｎｍ）に最
    大発光を示す少なくとも２種の蛍光体にさらされる、請
    求項１記載の照明ユニット。
  6. 【請求項６】 一次放射は、変換のために緑（４９０〜
    ５２５ｎｍ）又は赤（６２５〜７００ｎｍ）に発光する
    少なくとももう１種の別の蛍光体にさらされる、請求項
    ５記載の照明ユニット。
  7. 【請求項７】 前記の別の蛍光体が、クロロシリケート
    又はＹベースの又はＴｂベースのガーネットである、請
    求項６記載の照明ユニット。
  8. 【請求項８】 白色光を発生させるために、一次発光す
    る放射は４３０〜４７０ｎｍの青色波長領域にあり、こ
    の一次発光する青色放射は、前記の請求項のいずれか１
    つに記載された黄−オレンジ（５４５〜５９０ｎｍ）及
    び緑（４９０〜５２５ｎｍ）に最大発光を示す２種の蛍
    光体にさらされる、請求項１記載の照明ユニット。
  9. 【請求項９】 有色光を発生させるために、一次発光す
    る放射は４３０〜４８５ｎｍの青色波長領域にあり、こ
    の一次発光する青色放射は、前記の請求項のいずれか１
    つに記載された黄−オレンジ（５４５〜５９０ｎｍ）に
    最大発光を示す１種の蛍光体にさらされる、請求項１記
    載の照明ユニット。
  10. 【請求項１０】 黄−オレンジ−蛍光体の混合割合が約
    ０．５〜１５％である、請求項９記載の照明ユニット。
  11. 【請求項１１】 一次放射源として、短波長で発光する
    発光ダイオード、特にＧａ（Ｉｎ）Ｎをベースとする発
    光ダイオードを使用する、請求項１記載の照明ユニッ
    ト。
  12. 【請求項１２】 Ｓｒ及び／又はＭｇの割合が高くても
    カチオンＭの４０モル％である、請求項１記載の照明ユ
    ニット。
  13. 【請求項１３】 照明ユニットが発光変換−ＬＥＤであ
    り、この場合、蛍光体はチップと直接又は間接的に接触
    している、請求項１記載の照明ユニット。
  14. 【請求項１４】 照明ユニットがＬＥＤのフィールド
    （アレイ）である、請求項１記載の照明ユニット。
  15. 【請求項１５】 蛍光体の少なくとも１種がＬＥＤ−フ
    ィールドの前に取り付けられた光学装置上に設けられて
    いる、請求項１４記載の照明ユニット。
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