CN101925665B - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够扩大颜色再现范围的宽色域的发光装置。该发光装置包含：具有选自(I)和(II)中的1种以上的氮化物荧光体的红色发光荧光体、以及以(III)和(IV)表示的两种以上的绿色发光荧光体，MwAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+ (I)通式(I)中，M选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，w、x、y、z分别满足0.5≤w≤3、x＝1、0.5≤y≤3、0≤z≤0.5；MpSiqN((2/3)p+(4/3)q):Eu2+ (II)通式(II)中，M选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，p、q分别满足1.5≤p≤2.5、4.5≤q≤5.5；MxMgSizOaXb:Eu2+ (III)通式(III)中，M选自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn中的至少一种，X选自F、Cl、Br、I中的至少一种，x、z、a、b分别满足6.5≤x＜8.0、3.7≤z≤4.3、a＝x+1+2z-b/2、1.0≤b≤1.9；SicAldOfNg:Eu2+ (IV)通式(IV)中，c、d、f、g分别满足c+d＝6、5.0≤c＜6、0＜d≤1.0、0.001＜f≤1、7≤g＜8。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及能够发出颜色再现被改善了的光的发光装置，更加詳细地说涉及组合了半导体发光元件和荧光体的发光装置。
背景技术
通过将从发光元件发出的光源光与被该光源光激发而能够发出与光源光不同的色相的光的波长变换部件进行组合，并利用光的混色原理，开发了能够发出各种波长的光的发光装置。例如，从发光元件射出从紫外光到相当于可见光的短波长侧区域的一次光，作为波长变换部件的R·G·B(Red·Green·Blue)荧光体被该出射光激发时，作为光的3原色的红色、蓝色、绿色这三原色被加色混合而得到白色光。
基于该光的混色原理，利用LED(Light Emitting Diode)构成蓝色光，并通过将其与被该蓝色光激发而发出绿色和红色的光的荧光体组合，开发了能够发出白色光的发光装置。例如专利文献1所记载的荧光体是具有β型Si3N4结晶构造的氮化物或氮氧化物(β型SiAlON)，并发出绿色光。专利文献1中还公开了一种照明装置，其通过用蓝色LED对该荧光体和作为红色荧光体的CaSiAlN3:Eu进行激发，将从LED和荧光体发出的光混合而发出白色光。
将这样的照明装置的构造用作液晶显示器(LCD)、彩色布劳恩管(也称为阴极射线显像管，CRT)、投射式阴极射线管(PRT)、场发射显示器(FED)、荧光显示管(VFD)等背光用光源时，通常使用NTSC比作为用于在显示器上再现自然色调的指标。所谓NTSC比是指相对于将NTSC(National Television System Committee)所规定的红色、绿色、蓝色各颜色在XYZ表色式色度图中的色度座标((x、y)(红色(0.670，0.330)、绿色(0.210，0.710)、蓝色(0.140，0.080))相连接而得到的三角形的面积的比率。理想地，优选包含100％的NTSC比的颜色再现。迄今为止，在白色LED成为主流的手机用小型LCD中，亮度得到重视，而对颜色再现的要求较低，但最近用于笔记本电脑用LCD、大型TV用LCD的情况下，对颜色再现的要求度较高。
不过，在专利文献1所记载的照明装置中，β-SiAlON荧光体在540nm具有峰值波长，另外，CaAlSiN3:Eu荧光体主要在650～660nm附近具有峰值波长，因此难以准确地覆盖NTSC比的颜色再现范围。其结果是，存在无法实现高精度的影像显示这样的问题。
这样，在使用了现在大多采用的蓝色发光的发光元件、以及被该蓝色光激发而显示出黄色发光的荧光体的呈白色发光的发光装置中，颜色再现性(NTSC比)是70％左右，不能充分地满足对颜色再现的要求。另外，将蓝色发光、红色发光、绿色发光的LED进行组合来使用的白色LED虽达到NTSC比为100％，但由于各LED驱动电压和恶化特性的不同，存在难以增加使用寿命、降低成本的情况。在这样的背景下，当务之急是开发一种改善大型LCD用背光的颜色再现性(NTSC比)、且改善了亮度、使用寿命、成本的LCD背光用发光装置。
例如，专利文献2所记载的发光装置是将发出蓝色光的发光元件和被该蓝色光激发的绿色发光的荧光体((Sr，Ba)2SiO4:Eu)以及红色发光的荧光体(CaAlSiN3:Eu)组合而成的。(Sr，Ba)2SiO4:Eu荧光体能够使峰值波长变化到520～600nm，其结果是，因为能够调整相对的颜色再现的范围，所以能够得到宽范围的颜色再现。不过，在该发光装置中，荧光体本身急剧恶化，因此存在用途受到限制的问题。
并且，作为着眼于LCD的颜色再现性(NTSC比)的现有技术，例如能够列举出专利文献3的液晶显示装置。对于该装置，作为背光光源，在505～535nm的范围具有光谱峰值。该波长是通过绿色荧光体来实现的，作为该荧光体的活化剂，公开了包括铕、钨、锡、锑、锰中的任一种的活化剂。另外，作为具体的绿色荧光体，记载有MgGa2O4:Mn、Zn2SiO4:Mn。不过，在上述荧光体与峰值波长为430～480nm的发光元件一起被搭载的情况下，该荧光体的激发波长与发光元件的峰值波长不一致，则其发光效率显著降低。即，作为实用级的荧光体，不仅要求满足颜色再现，还要求优异的耐受性、以及由激发光源产生的发光效率高。
另外，即使是颜色再现和发光特性均理想的荧光体，也由于荧光体在发光装置中的搭载区域的偏在，有可能各成分光中放射量的混合会变得不均匀，从而在作为整体的混合光中引发颜色不均。其结果是，例如LED间的色调的偏差变大，难以恒定地保持LCD的质量。即，作为整个发光装置的发光特性较大地依存于荧光体的混合状态。
另外，LCD背光用的滤光器有各种滤光器，由于滤光器的波长的吸收率不同，所以要求具有与LCD背光用的滤光器特性相符的峰值波长的光源。不过，在绿色发光的荧光体中，还未开发出满足发光特性、耐久性等优异的特性并且在维持了该特性的状态下能使峰值波长变化的绿色发光的荧光体。例如，上述引用文献1的β型SiAlON荧光体虽然发光特性优异，在发出于540nm附近具有峰值波长的光的情况下亮度很高，但若使峰值波长从540nm附近变化，则亮度显著降低。因此，引用文献1的β型SiAlON不适于具有与比540nm短的短波的530nm～535nm附近的峰值波长相符的特性的滤光器。因而，寻求在530nm～535nm附近具有峰值波长、发光特性等优异的绿色发光的荧光体。另外，寻求具有与LCD背光用的滤光器特性相符的峰值波长的光源、或能够调整成以NTSC为基准的所期望的颜色再现的光源。这需要如上所述那样降低一个光源中的颜色不均来改善发光特性的同时，也考虑到集合了各光源而形成的宽范围区域的发光的特性。即，由于对各光源的投入电力的差别或发光特性的差别等，有可能在由点光源的集聚构成的面发光中产生颜色偏差，故寻求能改善这一问题的光源。即，重要的是与各光源的发光条件或滤色器相对应地调整荧光体的发光波长。
如上所述，在激发光源和荧光体的组合中，除了发光亮度、颜色再现范围和可靠性(荧光体的恶化)等荧光体本身的特性之外，还在作为发光装置的产品级中，要求进一步改良成品率(颜色偏差)和成本等，此为当前的现状。
专利文献1：日本专利3921545号公报
专利文献2：日本专利3940162号公报
专利文献3：日本特开2003-121838号公报
专利文献4：日本特开2004-287323号公报
发明内容
本发明是为了解决上述问题而做成的。本发明的主要的目的在于提供一种能够将颜色再现范围调整成所期望的范围、且能够实现宽范围的颜色再现区域的发光装置。
第1发明所涉及的发光装置具有能够发出光的发光元件、和被从该发光元件发出的光激发而能发出波长与该发光元件发出光的波长不同的可见光的两种以上的荧光体。这两种以上的荧光体包含：选自下述通式(I)和(Ⅱ)中的至少1种以上的氮化物荧光体的红色发光荧光体、以及至少1种以上的绿色发光荧光体。另外，这2种以上的荧光体中，真比重是3.00～4.30的荧光体群的各自的真比重与该荧光体群的真比重的平均值之差在该荧光体群的真比重的平均值±16％以内，并且，该2种以上的荧光体中真比重为3.00～4.30的荧光体群为90wt％以上。
MwAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+    (I)
通式(I)中，M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，w、x、y、z分别满足0.5≤w≤3、x＝1、0.5≤y≤3、0≤z≤0.5。
MpSiqN((2/3)p+(4/3)q):Eu2+    (II)
通式(II)中，M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，p、q分别满足1.5≤p≤2.5、4.5≤q≤5.5。
另外，第一发明所涉及的发光装置具有能够发出光的发光元件、和被从该发光元件发出的光激发而能发出波长与该发光元件发出光的波长不同的可见光的3种以上的荧光体。这3种以上的荧光体包含：具有选自下述通式(I)和(Ⅱ)的至少1种以上的氮化物荧光体的红色发光荧光体和以下述通式(III)和(IV)表示的至少2种以上的绿色发光荧光体。这2种以上的绿色发光荧光体形成的峰值波长为529nm～535nm。另外，这些3种以上的荧光体中，真比重是3.00～4.30的荧光体群的各自的真比重与该荧光体群的真比重的平均值之差在所述荧光体群的真比重的平均值的±16％以内，并且，所述3种以上的荧光体中真比重为3.00～4.30的所述荧光体群为90wt％以上。
MwAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+    (I)
通式(I)中，M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，w、x、y、z分别满足0.5≤w≤3、x＝1、0.5≤y≤3、0≤z≤0.5。
MpSiqN((2/3)p+(4/3)q):Eu2+    (II)
通式(II)中，M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，p、q分别满足1.5≤p≤2.5、4.5≤q≤5.5。
MxMgSizOaXb:Eu2+     (III)
通式(III)中，M是选自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn中的至少一种，X是选自F、Cl、Br、I中的至少一种，x、z、a、b分别满足6.5≤x＜8.0、3.7≤z≤4.3、a＝x+1+2z-b/2、1.0≤b≤1.9。
SicAldOfNg:Eu2+    (IV)
通式(IV)中，c、d、f、g分别满足c+d＝6、5.0≤c＜6、0＜d≤1.0、0.001＜f≤1、7≤g＜8。
另外，优选荧光体群的平均粒径的差在±20％以内。
另外，优选荧光体群的平均粒径为5um～30um。
另外，优选各荧光体群的表面被实施了相同的表面处理，以使其表面状态均匀。
另外，荧光体群表面也可以含有至少包含Si的化合物。
另外，绿色发光荧光体由Ca8MgSi4O16Cl2-δ:Eu(0≤δ≤1.0)和Si6-xAlxOyN8-y:Eu(x≤1、y≤1)构成。另外，优选红色发光荧光体由(Ca1-xSrx)2Si5N8:Eu(0≤x≤1.0)和(Ca1-xSrx)AlSiByN3+y:Eu(0≤x≤1.0、0≤y≤0.5)构成。
另外，优选其特征在于，发光元件从近紫外线到蓝色波长区域具有峰值波长。
另外，优选发光元件在445nm～470nm具有峰值波长。
另外，优选通过将多个色相的光混色，能够发出白色光；通过干涉单一的峰值波长或在50nm以内存在的2种以上的峰值波长而构成一个色相。
另外，优选2种以上的荧光体中，绿色发光荧光体为60wt％～95wt％或/和上述红色发光荧光体为5wt％～40wt％。
根据本发明的发光装置，在发光装置所采用的荧光体中极多地含有真比重类似的荧光体，从而能够使荧光体的沉降状态一致，并使荧光体大致均等地扩散。由此，能够获得以下发光装置，其能够极大地减少各荧光体的放射区域的偏在，并能够发出颜色不均被降低了的混色光。另外，通过设定各种荧光体的混合比例，能控制各色相的波长区域。进而通过将被控制的各色相组合，能够得到将全部混色光的颜色再现范围扩大的宽色域的发光装置。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的发光装置，图1(a)表示立体图，图1(b)表示(a)的沿IB-IB’线的剖视图。
图2表示蓝色LED的发光光谱图。
图3表示CaAlSiByN3+y:Eu:Eu荧光体的发光光谱图。
图4表示Ca2Si5N8:Eu荧光体的发光光谱图。
图5表示Ca8MgSi4O16Cl2-δ:Eu荧光体的发光光谱图。
图6表示Si6-xAlxOyN8-y:Eu荧光体的发光光谱图。
图7表示荧光体和LED的色度图。
图8表示实施例1的发光装置的发光光谱图。
图9表示实施例2的发光装置的发光光谱图(蓝色450nm激发)
图10表示实施例2的发光装置的发光光谱图(蓝色460nm激发)。
图11表示实施例3的发光装置的发光光谱图。
图12表示实施例4的发光装置的发光光谱图。
图13表示使用了实施方式1的情况下的荧光体沉降状态的示意图。
图14表示比较例1的荧光体沉降状态的示意图。
图15是表示实施例3b的发光装置的颜色偏差的图。
图16是表示比较例1的发光装置的颜色偏差的图。
图17表示搭载了蓝色LED和YAG:Ce的发光装置的发光光谱图。
图18是表示搭载450nmLED和YAG:Ce的发光装置的NTSC比的色度图。
图19是表示搭载460nmLED和YAG:Ce的发光装置的NTSC比的色度图。
图20是表示实施例1a的发光装置的NTSC比的色度图。
图21是表示实施例2a的发光装置的NTSC比的色度图。
图22是表示实施例3a的发光装置的NTSC比的色度图。
图23是表示实施例4a的发光装置的NTSC比的色度图。
图24是表示实施例1b的发光装置的NTSC比的色度图。
图25是表示实施例2b的发光装置的NTSC比的色度图。
图26是表示实施例3b的发光装置的NTSC比的色度图。
图27是表示实施例4b的发光装置的NTSC比的色度图。
图28是实施方式2所涉及的发光装置，图28(a)表示立体图，图28(b)表示剖视图。
图29是实施方式3所涉及的发光装置的剖视图。
图30是实施方式4所涉及的发光装置的剖视图。
图31是实施方式5所涉及的发光装置的剖视图。
图32是实施例8～12的荧光体的发光光谱图。
符号说明
1、20、30、40、60、发光装置，2、发光元件(LED)，3、3a、3b、3c、3d、荧光体(荧光体)，4、引线框，4a、引线框电极，5、接合线，6、树脂，6a、树脂，8、发光层，9、电极，10、杯状件，11、模制件，12、组件(Package)，13、保护元件，14、凹部，15、导线电极，16、支撑体，17、组件，18、密封部件，31、罩
具体实施方式
下面根据附图来说明本发明的实施方式。但是，以下所示的实施方式仅举例说明用于使本发明的技术构思具体化的发光装置，本发明并未将发光装置特定于以下装置。另外，权利要求所示的部件并不一定特定为具体实施方式的部件。特别是实施方式所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等，只要没有特别的特定记载，就没有将本发明的范围仅限定于此的意思，这些实施方式只不过是说明例。另外，为了清楚地说明各附图所示的部件的大小和位置关系等，有时放大表示。另外，在以下的说明中，相同的名称、符号表示相同或同质的部件，适当地省略详细说明。进一步地，对于构成本发明的各要素，可以用相同的部件构成多个要素，也可以形成为用一个部件兼作多个要素，相反地，也能够用多个部件分担地实现一个部件的功能。另外，在一部分实施例、实施方式中所说明的内容也能够利用于其他实施例、实施方式等。
另外，色名和色度座标之间的关系、光的波长范围和单色光的色名之间的关系等只要没有特别的限制，就按照JIS Z8110。具体来说，380nm～455nm是蓝紫色，455nm～485nm是蓝色，485nm～495nm是蓝绿色，495nm～548nm是绿色，548nm～573nm是黄绿色，573nm～584nm是黄色，584nm～610nm是橙红色，610nm～780nm是红色。
(实施方式1)
实施方式1所涉及的发光装置60如图1所示。图1(a)表示发光装置60的立体图，图1(b)表示(a)的沿IB-IB’线的发光装置60的剖视图。如图1(b)所示，图的发光装置60具有：发出光的发光元件2、和被该发光元件2的发出光激发而能发出与该发出光的波长不同的至少两种以上的荧光体3。
即，发光装置60具备多个荧光体3。实施方式1的荧光体3包含：具有选自下述通式(I)和(Ⅱ)中的至少1种以上的氮化物荧光体的红色发光荧光体、以及1种以上的绿色发光荧光体，在该被搭载的所有荧光体中的、真比重是3.00～4.30的荧光体中，该真比重的平均值A与各荧光体3的真比重之差d为真比重的平均值A±16％以内(d≤|0.16A|)，进一步优选为±11％以内(d≤|0.11A|)。在此，所谓真比重的平均值是指，在被搭载的所有的荧光体中的真比重为3.00～4.30的荧光体中，将种类不同的各荧光体所具有的真比重相加所得的和除以该荧光体种类数所得到的值。另外，具有90wt％以上、进一步优选具有95wt％以上的真比重为3.00～4.30的荧光体。另外，真比重用岛津制作所的Micromeritics AccuPyc 1330测量。测量原理是定容积膨胀法。在装置里存在一定容积的试料室和膨胀室，向试料室投入试样，只向该试料室导入气体来提高压力。之后，打开试料室和膨胀室之间的阀门，利用阀门开闭前后的压力的不同而根据压力求出试样的密度。
MwAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+    (I)
通式(I)中，M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，w、x、y、z分别满足0.5≤w≤3、x＝1、0.5≤y≤3、0≤z≤0.5。
MpSiqN((2/3)p+(4/3)q):Eu2+    (II)
通式(II)中，M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，p、q分别满足1.5≤p≤2.5、4.5≤q≤5.5。
另外，绿色发光荧光体优选具有下述通式(III)和(Ⅳ)的两种以上的荧光体。优选由该两种以上的绿色发光荧光体形成的峰值波长为529nm～535nm。由此，能够适当地同具有与529nm～535nm的峰值波长相符的特性的滤光器组合。
MxMgSizOaXb:Eu2+    (III)
通式(III)中，M是选自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn中的至少一种，X是选自F、Cl、Br、I中的至少一种，x、z、a、b分别满足6.5≤x＜8.0、3.7≤z≤4.3、a＝x+1+2z-b/2、1.0≤b≤1.9。
SicAldOfNg:Eu2+    (IV)
通式(IV)中，c、d、f、g分别满足c+d＝6、5.0≤c＜6、0＜d≤1.0、0.001＜f≤1、7≤g＜8。
另外，优选荧光体3的平均粒径的差在±20％以内。通过只使在真比重和粒径方面具有上述特有条件的荧光体混合，并将该荧光体搭载在发光装置60中，使得荧光体3在发光装置60内的混合状态均匀化，其结果是，能够从发光装置60得到颜色不均被极大地降低了的混色光。
另外，在构成发光装置的混色光的各成分光中，对于各色相的具体的波长区域，蓝色区域为445nm～470nm，绿色区域为510nm～550nm，红色区域为600nm～670nm，优选在该波长区域内具有各成分光的峰值波长。由此，能实现具有宽范围的颜色再现的发光。另外，发光装置所使用的绿色发光荧光体的绿色和红色发光荧光体的红色不需要存在上述的JIS Z8110规定的色名和色度座标之间的关系。另外，各色相能够由单一或多个发光元件或荧光体的放射光构成。在由多个放射光构成一个色相的情况下，优选使处于50nm以内的两种以上的峰值波长干涉而得到一个色相。由此，降低色调的偏差而能得到高的特性的发光。在发光装置60中，采用真比重为3.00～4.30的荧光体，各荧光体3中的各真比重的平均值之差在±16％以内。另外，荧光体3的平均粒径是5um～30um。
另外，来自发光装置的发光是通过对具有蓝、绿、红等各色相的成分光进行混色而得到的。实施方式1所涉及的发光装置具有：发出从近紫外到蓝色区域的光的发光元件2、吸收该发光元件2的发出光的至少一部分并发出绿色的光的荧光体和发出红色的光的荧光体。这些三原色的发光被混色而从发光装置60发出白色光。具体而言，发光元件2采用在445nm～470nm具有峰值波长的LED，其发光光谱如图2所示。在图2中记载有在450nm和460nm具有峰值波长的两种LED的发光光谱。下面列举出被该LED激发的红色发光的荧光体和绿色发光的荧光体的例子。
(红色发光荧光体)
作为红色发光荧光体，列举出被Eu活化、含有第Ⅱ族元素M、Si、Al、B和N的以下列通式(I)表示的氮化物荧光体。
MwAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+    (I)
通式(I)中，M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，w、x、y、z分别满足0.5≤w≤3、x＝1、0.5≤y≤3、0≤z≤0.5。通式(I)所表示的红色发光荧光体的发光峰值波长为630nm～670nm。
作为上述(I)的荧光体的一个例子，存在由MwAlSiBzN((2/3)w+x+(7/3)+z):Eu2+所表示的荧光体。式中、M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少1种，w的范围为0.5≤w≤1.5，z的范围为0≤z≤0.5。更优选由CaAlSiByN3+y:Eu(0≤y≤0.1，实际的组成是y＝0.005)表示，其比重是3.24g/cm3。该CaAlSiByN3+y:Eu荧光体的发光光谱图如图3所示。图3的曲线是被460nm激发时的发光光谱图，在650nm处具有峰值波长。
另外，以下的通式(Ⅱ)所表示的红色发光荧光体的其他例子如下所示。
MpSiqN((2/3)p+(4/3)q):Eu2+    (II)
通式(II)中，M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，p、q分别满足1.5≤p≤2.5、4.5≤q≤5.5。通式(Ⅱ)所表示的红色发光荧光体的发光峰值波长为600nm～650nm。
另外，作为优选的氮化物荧光体，通式(Ⅱ)由Ca2Si5N8:Eu2+表示。其比重是3.08g/cm3。作为其他的组成，由(Ca，Sr)2Si5N8:Eu2+表示，其比重是3.59g/cm3。Ca2Si5N8:Eu2+的荧光体被460nm激发的发光光谱图如图4所示。
上述通式(I)、(Ⅱ)的氮化物荧光体被Eu活化，但也能够利用选自Sc、Tm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu的至少一种以上的稀土类元素来取代Eu的一部分。
在使用Ca作为M的情况下，Ca优选单独地使用。其中，也能够利用Sr、Mg、Ba、Sr和Ba等来取代Ca的一部分。能够利用Sr来取代Ca的一部分来调整氮化物荧光体的发光波长的峰值。
对于这些荧光体，Si也优选单独地使用，但也能够用第Ⅳ族元素即C、Ge来取代Si的一部分。在只使用了Si的情况下，能得到廉价且结晶性良好的氮化物荧光体。
作为活化剂的Eu，优选单独使用，但也可以利用Sc、Tm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu来取代Eu的一部分。在利用其他元素取代Eu的一部分的情况下，其他元素作为共活化剂而起作用。这样一来，能使色调变化，并能进行发光特性的调整。
氮化物荧光体还可以含有1～500ppm以下的选自由Cu、Ag、Au构成的第I族元素、由Ga、In构成的第Ⅲ族元素、由Ti、Zr、Hf、Sn、Pb构成的第Ⅳ族元素、由P、Sb、Bi构成的第V族元素以及由S构成的第Ⅵ族元素中的至少1种以上的元素。这些元素也与第1族元素同样地在制造工序中烧制时飞散，因此烧制后的添加量少于最初向原料添加的添加量。因此，优选将添加到原料中的量调整成1000ppm以下。通过添加这些元素，能进行发光效率的调整。
另外，在氮化物荧光体中，优选Fe、Ni、Cr、Ti、Nb、Sm和Yb的摩尔浓度相对于M的摩尔浓度为0.01以下。原因在于，在含有大量Fe、Ni、Cr、Ti、Nb、Sm和Yb时，发光亮度会降低。
作为红色荧光体的上述通式(I)、(Ⅱ)的氮化物荧光体，其详细情况后述，但其满足与以下的绿色发光荧光体的真比重差的上述条件。因而，优选将含有(I)、(Ⅱ)中的任一个或含有这两者的多个荧光体作为红色荧光体与下述的绿色发光荧光体一起用作红色区域的成分光。
(绿色发光荧光体)
另外，作为绿色发光荧光体的例子，能够列举出被Eu活化的由下列通式(III)所表示的卤素氧化物荧光体。
MxEuyMgSizOaXb    (III)
通式(III)中，M是选自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn中的至少一种，X是选自F、Cl、Br、I中的至少一种，x、y、z、a、b分别满足6.5≤x＜8.0、0.01≤y≤2.0、3.7≤z≤4.3、a＝x+y+1+2z-b/2、1.0≤b≤1.9。
另外，上述通式(III)也可以用将荧光体的母体与作为活化材料的Eu分开表示的下面的通式MxMgSizOaXb:Eu2+(M是选自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn中的至少一种，X是选自F、Cl、Br、I中的至少一种，x、z、a、b分别满足6.5≤x＜8.0、3.7≤z≤4.3、a＝x+1+2z-b/2、1.0≤b≤1.9。)来表示。
通式(III)的荧光体含有选自Ca、Sr、Ba、Zn及Mn的至少一种元素，更优选含有Ca。在含有Ca的情况下，也可以使用将Ca的一部分用Mn、Sr、Ba取代后的荧光体。另外，通式(III)的荧光体含有选自Si、Ge和Sn的至少一种元素，更优选含有Si。在含有Si的情况下，也可以使用将Si的一部分用Ge、Sn取代后的荧光体。另外，通式(III)的荧光体含有选自F、Cl、Br和I的至少一种元素，更优选含有Cl。在含有Cl的情况下，也可以使用将Cl的一部分用F、Br和I取代后的荧光体。作为通式(III)的优选荧光体，列举出Ca8MgSi4O16Cl2-δ:Eu2+(0≤δ≤1，δ表示Cl的组成偏差)，其比重为3.29g/cm3。
上述通式(III)所表示的荧光体在从510nm～530nm的绿色区域到黄色区域的波长范围具有发光峰值波长。另外，作为通式(III)的一个例子而表示的Ca8MgSi4O16Cl2-δ:Eu2+的由460nm激发的发光光谱如图5所示。
进而，作为绿色发光荧光体的其他例子，列举出用以下通式表示的荧光体。
SicAldEueOfNg    (IV)
通式(IV)中，c、d、e、f、g分别满足c+d+e＝6、5.0≤c＜6、0＜d≤1.0、0.001≤e≤0.06、0.001＜f≤1、7≤g＜8。
另外，上述通式(IV)也可以用将荧光体的母体和作为活化材料的Eu分开表示的下面的通式SicAldOfNg:Eu2+(c、d、f、g分别满足c+d＝6、5.0≤c＜6、0＜d≤1.0、0.001＜f≤1、7≤g＜8。)表示。
该荧光体含有选自Ca、Sr、Ba、Zn及Mn的至少一种元素，更优选含有Ca。在含有Ca的情况下，也可以使用将Ca的一部分用Mn、Sr、Ba取代后的荧光体。另外，通式(IV)所表示的绿色荧光体在530nm～555nm的波长范围具有发光峰值波长。作为荧光体(IV)的具体的一个例子，由Si6-xAlxOyN8-y:Eu2+表示，其具有β型SiAlON的结晶结构。该荧光体的由460nm激发的发光光谱如图6所示。并且，作为这样的β型SiAlON的具体的组成，能够列举出Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910、Si5.80Al0.185Eu0.015O0.023N7.918等，但并不限定于此。另外，Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910的比重是3.23g/cm3。
上述(III)和(IV)的绿色发光的荧光体含有将Eu作为必要组分的至少1种稀土类元素。稀土类是钪、钇和镧各元素的合计17种元素的总称，其中Eu最优选。也可以使用将Eu的一部分用Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb取代后的荧光体。更优选也可以使用将Eu的一部分用Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Tm取代后的荧光体。
另外，上述(III)和(IV)的绿色发光的荧光体通过调整各自的配合量，能够调整由(III)和(IV)形成的峰值波长。
另外，作为上述以外的绿色的荧光体，也可以使用以通式SrSi2O2N2:Eu2+、SrGa2S4:Eu2+、Ba3Si6O12-xN2+y:Eu2+(-2＜x＜2、-2＜y＜2、x和y表示O、N的组成偏差)所表示的荧光体。SrSi2O2N2:Eu2+绿色荧光体在从530nm～555nm的绿色区域到黄色区域的波长范围具有发光峰值波长，其真比重是3.67g/cm3。另外，SrGa2S4:Eu2+绿色荧光体在530nm～540nm具有发光峰值波长，其真比重是3.62g/cm3。此外，Ba3Si6O12-xN2+y:Eu2+绿色荧光体在从520nm～540nm的绿色区域到黄色区域的波长范围具有发光峰值波长，其真比重是4.18g/cm3。
实施方式的荧光体的制造方法没有特别的限定，能采用公知的手段。以下示出一例。将荧光体的组分所含有的元素的单质、氧化物、碳酸盐或氮化物等作为起始原料，称量上述各原料以使其具有规定的组分比。另外，还在原料中适当地添加各种添加元素、硼等添加材料作为助熔剂，采用混合机以湿式或干式进行混合。由此，能够促进固相反应，形成均匀大小的粒子。另外，混合机除了采用工业上通常采用的球磨机之外，还可以使用振动磨机、辊磨机、喷磨机等粉碎机来进行粉碎来增大比表面积。另外，为了使粉末的比表面积处于一定范围，能够使用工业上通常采用的沉降槽、水力旋流器、离心分离器等湿式分离机、以及旋风分离器、空气分离器等干式分级机来进行分级。将上述混合的原料装到SiC、石英、氧化铝、BN等坩锅中，在N2、H2的还原气氛中进行烧制。烧制气氛也能够使用氩气气氛、氨气气氛等。以规定的温度和时间进行烧制。将烧制后的材料粉碎、分散、过滤等而得到目标荧光体粉末。固液分离能够利用过滤、吸滤、加压过滤、离心分离、倾析等工业上通常采用的方法来进行。干燥能够利用真空干燥机、热风加热烘干机、锥形干燥机、旋转式蒸发器等工业上通常采用的装置来进行。
荧光体的表面处理能采用使用了硅烷偶联剂等使表面带有有机系的官能团的表面处理、或用无机系的二氧化硅、氧化铝等氧化物、或磷酸盐、硫酸盐、碳酸盐等覆盖表面的表面处理。在用硅烷偶联剂进行表面处理的情况下，能使用市售的硅烷偶联剂，采用已知的干式或湿式方法进行表面处理，能调整硅树脂组合物等透光性树脂和各种荧光体的润湿性。通过调整润湿性，也能够调整沉降状态。另外，作为表面处理二氧化硅的例子，有使用硅酸四乙酯(TEOS)，使用氨等催化剂，在荧光体的表面使二氧化硅层析出的例子。在使用该硅酸四乙酯的情况下，也能采用已知的干式或湿式方法进行。通过与硅烷偶联剂的情况相同地调整各种荧光体的表面的状态，能调整与透光性树脂的润湿性、以及沉降状态。
(粒径)
另外，考虑到搭载于发光装置，荧光体的粒径优选处于5um～30um的范围，更优选处于5um～20um。另外，优选高频率地含有具有该平均粒径值的荧光体。此外，优选在粒子分布方面也分布在狭窄的范围的荧光体。通过使用具有粒径和粒度分布的偏差小、且具有光学特性优异的特征的大粒径的荧光体，能得到进一步抑制颜色不均、具有良好的色调的发光装置。因而，只要是具有上述范围的粒径的荧光体，光的吸收率和变换效率就很高。另一方面，具有比5um小的粒径的荧光体存在容易形成凝聚体的倾向。上述粒径是指通过F.S.S.S.No(Fisher Sub Sieve Sizer’s No)的空气透过法得到的平均粒径。具体来说，是在气温为25℃、湿度为70％的环境下，量取1cm3左右的试样，装到专用的管状容器中之后，通入一定压力的干燥空气，从压差读取比表面积，并换算成平均粒径的值。
下面对本发明的一个实施方式所涉及的发光装置进行详细描述。搭载了发光元件的发光装置存在炮弹型和表面安装型等各种形式。通常而言，所谓炮弹型是指将构成外表面的树脂的形状形成为炮弹型的发光装置。另外，所谓表面安装型是指将发光元件和树脂填充到凹状的收纳部内而形成的发光装置。图1的发光装置60是表面安装型中的1种即侧发光(side view)型的发光装置。所谓侧视型是指从与发光装置的载置面邻接的侧面侧发光的类型的发光装置，能形成得更薄。但是，发光装置的形态并不限定于此，也可以构成为以往所使用的顶发光(top view)型或其他结构。
(概要)
在发光装置中，在插入有正负一对的外部电极并关闭了的模具内，从处于与壳体的主面相对的下面侧的浇口流入熔融了的聚邻苯二甲酰胺树脂，使之固化而形成壳体。壳体具有能收纳发光元件的开口部，以使正负外部电极的一个主面从该开口部底面露出的方式一体地成形。从壳体侧面露出的正负外部电极的各外部导线部在与发光面相反的一侧的面的两端部被向内侧折弯。利用环氧树脂将主波长峰值为450nm的LED芯片焊接在这样形成的开口部的底面上，并用电线将该LED芯片与各外部电极电连接。同样地还制作了具有460nm的主波长峰值的LED芯片。
在该发光装置中，在具有开口于上方的凹部的发光元件搭载壳体的凹部的底面，利用芯片焊接剂粘贴有发光元件，该发光元件上覆盖有分散了荧光体的透光性树脂。发光元件的上部电极通过第1导电性部件而与第1外部电极电连接，下部电极通过第2导电性部件而与第2外部电极电连接。另外，在发光元件搭载壳体的凹部的内表面覆盖有光反射材料。
下面说明图1的发光装置60。发光装置60具有凹部14和被收纳在该凹部的内部的发光元件2，而且在凹部14内被含有荧光体3的树脂填充。该凹部14是组件17的一部分，即组件17由凹部14以及与该凹部14连结的支撑体16构成。如图1(b)所示，正负导线电极15介于凹部14和支撑体16这两者之间，从而构成凹部14中的发光元件2的载置面。并且，导线电极15露出于组件17的外表面侧，沿着组件17的外形设置。发光元件2搭载在凹部14内的导线电极15上而与导线电极15电连接，发光元件2利用该导线电极15能从外部接受电力的供给而发光。图1(a)是安装了发光装置60的通常的状态，即，以与载置有发光元件2的面正交的宽幅的面作为底面而进行载置。利用上述构造，完成了能从与发光元件的安装面大致平行的方向、即从与发光装置的载置面邻接的侧面发光的发光装置60。
具体而言，组件17以正负两导线电极15的一端部插入到组件17中的方式被一体地成型。即，组件17在主表面侧具有能收纳发光元件2的凹部14，正的导线电极15的一端部和负的导线电极15的一端部彼此分开且各自的主表面露出地设在该凹部14的底面上。在正负导线电极15之间填充有绝缘性的成型材料。另外，在本发明中，形成于发光装置的主侧面的发光面的形状不限于图1所示的矩形状，也可以是椭圆状。通过形成为各种形状，能够形成如下所述的发光装置，其在保持形成凹部14的组件侧壁部的机械强度的同时，能够尽可能地增大发光面，即使薄型化，也能宽范围地照射。
另外，在实施方式1的发光装置60中，正负导线电极15以其另一端从组件侧面突出的方式插入。该导线电极15突出的部分朝着与组件17的主表面相对的背面侧折弯，或朝着与上述主面垂直的安装面侧折弯。另外，对于形成凹部14的内壁面的形状没有特别的限定，但在载置发光元件4的情况下，优选以内径向开口侧逐渐变大的方式形成为锥形状。由此，能够将从发光元件2的端面发出的光高效地向发光观测面方向取出。另外，为了提高光的反射，优选在凹部的内壁面上实施银等金属的镀覆以具有光反射功能。
实施方式1的发光装置60在如上所述构成的组件1的凹部14内载置有发光元件2。并且以覆盖凹部内的发光元件2的方式填充有透光性树脂，从而形成密封部件18。在该透光性树脂中含有荧光体3。透光性树脂优选使用硅树脂组合物，但也能采用环氧树脂组合物、丙烯酸树脂组合物等具有透光性的绝缘树脂组合物。
(发光元件)
发光元件能发出从紫外线区域到可见光区域的光。特别是使用在240nm～480nm、更优选在445nm～470nm具有发光峰值波长的发光元件，优选具有发光层，该发光层能够发出具有能使荧光物质高效地激发的发光波长的光。通过使用该范围的激发光源，能提供发光效率高的荧光体。另外，通过在激发光源上利用半导体发光元件，能够得到高效率且输出相对于输入的的线性度较高、即使在机械冲击下也很稳定的发光装置。可见光的短波长侧区域的光主要为蓝色光区域。在此，本说明书中的近紫外线到可见光的短波长区域是指240nm～500nm附近的区域。另外，下面作为发光元件以氮化物半导体发光元件为例子进行说明，但不限于此。
具体而言，发光元件优选是包含In或Ga的氮化物半导体元件。原因在于，实施例所涉及的荧光体利用近紫外线到蓝色波长区域附近的激发光而强烈地发光，因此需要该波长区域的发光元件。至少一个以上的荧光体被来自发光元件的光激发，显示出规定的发光颜色。另外，该发光元件能够使发光光谱宽度变窄，从而能够使荧光体高效地激发，同时也能够从发光装置发出实质上对色调变化不会产生影响的发光光谱。
另外，实施方式1所涉及的发光元件2采用作为氮化物半导体元件的一个例子的LED芯片。另外，发光元件2能适当利用公知的发光元件，但形成为具备荧光物质的发光装置时，优选能发出使该荧光物质激发的光的半导体发光元件。作为这样的半导体发光元件，存在ZnSe、InGaN、掺杂有各种杂质的GaN等各种半导体，作为一个例子，能适当地列举出能够发出可使荧光物质高效地激发的短波长的光的氮化物半导体(InXAlYGa1-X-YN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1)。另外，能够根据半导体层的材料及其混晶度的不同选择各种发光波长。该元件是利用MOCVD法等使InGaN、GaN等半导体作为发光层在基板上生长来形成的。
作为半导体的结构，能列举出具有MIS接合、PI接合、PN接合等的同质结构、异质结构或双异质结构。该氮化物半导体层根据其材料及其混晶度的不同而能选择各种发光波长。另外，也能够形成为由产生量子效果的薄膜形成半导体活性层的单量子阱结构和多量子阱结构。
另外，本实施方式所采用的发光元件2在同一面侧形成有正负电极，但也可以在对应的面上分别形成正负电极。另外，正负电极未必是一个一个地形成，也可以分别形成2个以上。通过将这样从发光元件发出的光作为激发光源，与以往的水银灯相比，能实现消耗电力低且高效的发光装置。
(荧光体)
优选荧光体3以大致均等的比例混合在树脂中。由此，能得到颜色均匀的光。从发光装置60发出的光的亮度和波长等受到被封闭在发光装置60内的多个荧光体3的真比重和粒子尺寸的差、涂布后的均匀度、含有荧光体的树脂的厚度等的影响。具体来说，在发光装置60内的部位，只要从发光元件2发出的光在向发光装置60之外发出之前被激发的荧光体的量或尺寸不均，就会产生颜色不均。另外，在荧光体粉末中，通常认为发光主要在粒子表面发生，因此通常若平均粒径较小，则能够确保每粉末单位重量的表面积，且能够避免亮度的降低。此外，小粒荧光体也能够使光扩散反射来防止发光颜色的颜色不均。另一方面，大粒径荧光体提高光变换效率。因而，通过控制荧光体的量和粒径尺寸，能够高效地发出光。并且，通过较多地含有真比重和粒径的偏差较少的荧光体，进一步改善颜色不均。
另外，被配置在发光装置60内的荧光体更优选是对从光源发出的热具有耐受性、且具有不被使用环境所左右的耐气候性。原因在于，通常介质的温度越高，荧光强度越弱。这是因为随着温度的上升，引起因分子间冲突的增大、无辐射跃迁失活所导致的势能损失。
另外，通过使密封部件18内含有两种以上的荧光体，能够得到从发光层输出的主光源被第1荧光体波长转换、再被第2荧光体进行了波长转换的光。通过调整多个荧光体的混合，再通过将主光源、被第1荧光体进行了波长转换的光、再被第2荧光体进行了波长转换的光进行组合、或者将主光源与主光源被第2荧光体直接进行了波长转换的光进行组合，能够表现各种各样的颜色。
只要是实施方式1的发光装置60，通过同时采用来自LED芯片的蓝色光、能发出被该蓝色光激发的绿色光的荧光体、能够红色发光的荧光体，能够发出具有优异的发光特性的白色光。
(发光元件搭载壳体)
为了使来自发光元件的光不露出到外部，要求壳体由遮光率高的材料构成，并且，为了包含外部电极，要求壳体由具有绝缘性的材料构成。作为具体的材料，能列举出玻璃环氧层叠板、BT树脂层叠板、陶瓷、液晶聚合物、聚酰亚胺等。该壳体是如下这样形成的：在将作为外部电极的金属片配置在模具内之后，注入上述材料，进行插入形成，冷却后，从模具取出。
(外部电极)
对于外部电极，其用于将载置在壳体内的发光元件与壳体外部电连接，因此优选导电性优异的外部电极。作为具体的材料，能列举出镍等喷镀金属材料或磷青铜、铁、铜等优良电导体。
(光反射材料)
作为光反射材料，能够列举出薄膜状部件，该薄膜状部件是使聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯树脂、聚丙烯树脂等树脂中含有作为反射材料的钛酸钡、氧化铝、氧化钛、氧化硅、磷酸钙等而形成的。另外，也可以利用镀覆、溅射将Al、Ag、Cu等金属膜形成在壳体侧壁的内表面或外表面、或内外这两个表面上。这些光反射材料能够利用硅树脂和环氧树脂等安装在壳体侧壁上。
(芯片焊接剂)
芯片焊接剂用于将发光元件载置在壳体的凹部内并将发光元件固定粘着在凹部的底面上。芯片焊接剂需要具有其特性不被从发光元件放出的热破坏的耐热性。作为具体的材料，可以列举出环氧树脂、Ag焊糊、共晶材料等。
(导电性部件)
作为导电性部件，要求其与发光元件的电极间的电阻性、机械连接性、导电性和导热性良好。作为这样的导电性部件的材质，具体来说，能够列举出金、铜、铂、铝等金属和它们的合金。
(透光性树脂)
填充在壳体内的密封部件保护发光元件、导电性部件等免受外部应力。作为该密封部件，由透光性树脂等各种树脂构成，作为具体的材料，主要是适当地采用环氧树脂、尿素树脂、硅树脂等耐气候性优异的透明树脂。另外，通过使密封树脂含有扩散剂，能使来自发光元件的指向性缓和，能增加视场角。作为扩散剂的具体材料，适当地采用钛酸钡、氧化钛、氧化铝、氧化硅等。
另外，对应于发光元件的发光颜色，能使透光性树脂中含有各种荧光体，从而形成为任意的发光颜色的发光装置。在实施方式1中，以规定的比率在硅树脂中添加荧光体并进行混合。混入有荧光体的透光性树脂被填充到壳体开口部内，填充至与开口部的两端部上表面相同的平面线。之后，在70℃下实施3小时的热处理，再在150℃下实施1小时的热处理，从而得到发光装置。
如上所述的实施方式1的发光装置具备发光元件和被来自该发光元件的发光激发的两种以上的荧光体。搭载于发光装置的荧光体中的、真比重类似的荧光体占所搭载的所有荧光体的全部重量的大部分，详细地说，真比重为3.00～4.30的荧光体的各自的真比重与该荧光体群的真比重之差处于真比重的平均值±16％以内，所搭载的两种以上的荧光体具有90wt％以上的真比重为3.00～4.30的荧光体群。进而，对于所搭载的荧光体中的真比重类似的荧光体，在以下的实施例中，对满足上述条件的具体的荧光体的组合各自地进行说明。但是，荧光体的种类及其组合不限于此，只要是具有上述特定的条件的荧光体，当然能够适当地采用。
实施例
(实施例1～7，比较例1)
作为实施例的荧光体，采用以下9种，具体而言，作为绿色荧光体，使用卤素氧化物荧光体Ca7.5MgSi4O16Cl2-δ:Eu0.5(0≤δ≤1，δ是表示Cl的组成偏差)、β型SiAlON荧光体Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910、SrSi2O2N2:Eu、SrGa2S4:Eu、Ba3Si6O12-xN2+y:Eu；作为红色荧光体，使用氮化物荧光体Ca1.94Si5N8:Eu0.06、氮化物荧光体Ca0.99AlSiN3.005:Eu0.01、Ca0.99AlSiB0.005N3.005:Eu0.01、(Ca，Sr)2Si5N8:Eu。另外，作为比较例1，使用了硅酸盐荧光体(Sr0.45Ba0.55)1.93SiO4:Eu0.07。表1表示这些荧光体的成分、真比重、发光峰值波长、平均粒径。
[表1]
Figure BPA00001185079800201
上述表1的荧光体的真比重类似，即使在任一组合中，荧光体的真比重的平均值A与各荧光体的真比重之差d处于真比重的平均值A±16％以内。因而，荧光体不限于以下实施例的组合，能够将表1内的荧光体代替或追加到实施例的荧光体中。
另外，在以下的实施例的发光装置中，构成各成分光的荧光体和LED的色度坐标如下述表2所示，色度图如图7所示。
[表2]
图7表示利用蓝色LED、被该LED激发而红色发光的两种荧光体、以及相同地被蓝色LED激发的两种绿色发光的荧光体能够表现的颜色再现范围。另外，在该图中，用虚线表示NTSC的颜色范围。如图7所示，蓝色成分光的LED的颜色座标彼此接近，另一方面，分别构成红色和绿色色相的荧光体的颜色座标位于互相离开的位置。在发光装置中，例如，绿色成分是将其座标值离开的绿色发光的荧光体彼此混合而得到的。该绿色成分的颜色座标随荧光体的分配比而变化，具体来说，在离开的荧光体的颜色座标间进行位移。总之，能够通过混合不同波长的荧光体而构成一个色相的成分光的颜色座标，换句话说，利用荧光体的分配比能自由地调整被混色的成分光的颜色座标。在实施例的荧光体中，发出相同颜色的光的荧光体的颜色座标之差较大，因此通过将这些荧光体混合达到的颜色座标域是宽范围的。能通过两种荧光体的混合能调整红色成分和绿色成分的颜色座标，由此能将以三原色的各成分光的颜色座标为顶点而构成的颜色再现范围调整成期望的范围。由此，能够解决以往的由蓝色LED和黄色荧光体构成的发光装置中的NTSC比的再现性不充分这样的问题。即，在本发明的发光装置中，通过将颜色坐标离开了的荧光体混合，能够将红色和绿色的各成分调整为期望的坐标位置，因此能够使颜色再现范围更接近于NTSC(图7的点划线区域)。并且，在将彩色滤光器与发光装置组合的情况下，滤光器的波长吸收率不同，因此透过光的颜色再现范围由于滤光器的特性的不同而不同。即使在这种情况下，在本发明的发光装置中，能够调节成发出与各种彩色滤光器的特性相对应的成分光，因此能够得到在滤光器中的光损失被降低了的高亮度的透过光。
(实施例1)
实施例1所涉及的发光装置具有蓝色发光LED和以下的绿色发光荧光体以及红色发光荧光体。具体而言，实施例1的荧光体是如下所示地、以下列的重量比由1种绿色发光的荧光体、两种红色发光的荧光体构成的。
绿：Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910
红：Ca1.94Si5N8:Eu0.06+Ca0.99AlSiB0.005N3.005:Eu0.01＝2+8重量比
另外，根据蓝色发光LED的在450nm和460nm的条件下的峰值波长的不同，将搭载了各LED的发光装置的实施例分成(a)和(b)。即，实施例1(a)的发光装置搭载了在450nm处具有峰值波长的LED，实施例1(b)的发光装置搭载了在460nm处具有峰值波长的LED。在以下的表3中记载了实施例1(a)和实施例1(b)的LED峰值波长、荧光体的组成和重量比的各条件。另外，同时记载有与从发光装置射出的发出光的色度、亮度、光束的发光特性相关的发光特性。并且，图8表示实施例1(a)的发光装置的发光光谱。
[表3]
Figure BPA00001185079800221
另外，下述表4表示实施例1的各荧光体的真比重a、荧光体的真比重的平均值A、各荧光体的真比重与平均值的差值d(d＝a-A)、差值d占平均值A的比例(d/A×100[％])。
[表4]
Figure BPA00001185079800222
(实施例2)
实施例2～7和比较例1所涉及的发光装置除了如下所述地变更了所搭载的荧光体之外，具有与实施例1的发光装置实质上同样的构造。具体而言，实施例2的荧光体是如下所述地、以下列的重量比由两种绿色发光的荧光体、两种红色发光的荧光体构成的。
绿：Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910+Ca7.5MgSi4O16Cl2-δ:Eu0.5＝1+1重量比
红：Ca1.94Si5N8:Eu0.06+Ca0.99AlSiB0.005N3.005:Eu0.01＝2+8重量比
另外，表5记载了各荧光体的组成和重量比、以及发光装置的发光特性。
并且，图9表示与实施例2(a)相当的LED450nm激发的发光光谱，图10表示与实施例2(b)相当的LED460nm激发的发光光谱。
[表5]
Figure BPA00001185079800231
另外，下述表6表示实施例2的各荧光体的真比重a、荧光体的真比重的平均值A、各荧光体的真比重与平均值的差值d(d＝a-A)、差值d占平均值A的比例(d/A×100[％])。
[表6]
Figure BPA00001185079800241
(实施例3)
实施例3的荧光体是如下所示地、以下列的重量比由1种绿色发光的荧光体、两种红色发光的荧光体构成的。
绿：Ca8MgSi4O16Cl2-δ:Eu
红：Ca1.94Si5N8:Eu0.06+Ca0.99AlSiB0.005N3.005:Eu0.01＝2+8重量比
另外，表7表示各荧光体的组成和重量比、以及发光装置的发光特性，图11表示与实施例3(a)相当的LED450nm激发的发光光谱。
[表7]
Figure BPA00001185079800242
另外，下述表8表示实施例3的各荧光体的真比重a、荧光体的真比重的平均值A、各荧光体的真比重与平均值的差值d(d＝a-A)、差值d占平均值A的比例(d/A×100[％])。
[表8]
Figure BPA00001185079800251
(实施例4)
实施例4的荧光体是如下所示地、以下列的重量比由1种绿色发光的荧光体、两种红色发光的荧光体构成的。
绿：Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910
红：Ca1.94Si5N8:Eu0.06+Ca0.99AlSiB0.005N3.005:Eu0.01＝4+6重量比
另外，表9表示各荧光体的组成和重量比、以及发光装置的发光特性，图12表示与实施例4(a)相当的LED450nm激发的发光光谱。
[表9]
Figure BPA00001185079800252
另外，下述表10表示实施例4的各荧光体的真比重a、荧光体的真比重的平均值A、各荧光体的真比重与平均值的差值d(d＝a-A)、差值d占平均值A的比例(d/A×100[％])。
[表10]
Figure BPA00001185079800261
(实施例5)
实施例5的荧光体是如下所示地、以下列的重量比由1种绿色发光的荧光体、1种红色发光的荧光体构成的。
绿：Ca8MgSi4O16Cl2-δ:Eu
红：Ca0.99AlSiN3.005:Eu0.01
另外，表11表示各荧光体的组成和重量比、以及发光装置的发光特性。
[表11]
另外，下述表12表示实施例5的各荧光体的真比重a、荧光体的真比重的平均值A、各荧光体的真比重与平均值的差值d(d＝a-A)、差值d占平均值A的比例(d/A×100[％])。
[表12]
Figure BPA00001185079800271
(实施例6)
实施例6的荧光体是如下所示地、以下列的重量比由1种绿色发光的荧光体、1种红色发光的荧光体构成的。
绿：Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910
红：Ca0.99AlSiN3.005:Eu0.01
另外，表13表示各荧光体的组成及重量比。
[表13]
Figure BPA00001185079800272
另外，下述表14表示实施例6的各荧光体的真比重a、荧光体的真比重的平均值A、各荧光体的真比重与平均值的差值d(d＝a-A)、差值d占平均值A的比例(d/A×100[％])。
[表14]
Figure BPA00001185079800281
(实施例7)
实施例7的荧光体是如下所示地、以下列的重量比由2种绿色发光的荧光体、1种红色发光的荧光体构成的。
绿：Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910+Ca7.5MgSi4O16Cl2-δ:Eu0.5＝1∶1重量比
红：Ca0.99AlSiN3.005:Eu0.01
另外，表15表示各荧光体的组成及重量比。
[表15]
另外，下述表16表示实施例7的各荧光体的真比重a、荧光体的真比重的平均值A、各荧光体的真比重与平均值的差值d(d＝a-A)、差值d占平均值A的比例(d/A×100[％])。
[表16]
(比较例1)
比较例1的荧光体是如下所示地、以下列的重量比由1种绿色发光的荧光体、1种红色发光的荧光体构成的。
绿：(Sr0.45Ba0.55)1.93SiO4:Eu0.07
红：Ca0.99AlSiN3.005:Eu0.01
另外，表17表示各荧光体的组成和重量比、以及发光装置的发光特性。
[表17]
Figure BPA00001185079800292
另外，下述表18表示比较例1的各荧光体的真比重a、荧光体的真比重的平均值A、各荧光体的真比重与平均值的差值d(d＝a-A)、差值d占平均值A的比例(d/A×100[％])。
[表18]
Figure BPA00001185079800301
在上述实施例的发光装置中，图13表示发光元件附近的剖视示意图。图13的发光装置表示了被混合的多个荧光体3a、3b、3c大致均匀地分散在发光元件附近而沉降的状态。具体而言，荧光体3a表示绿色荧光体，荧光体3b表示第1红色荧光体，且荧光体3c表示第2红色荧光体。这是将真比重或粒径近似的荧光体混合而得到的效果。即，能够将各荧光体的搭载区域不会偏在而大致均匀地混在一起，因此能够使被来自发光元件2的一次光激发的各二次光有效地扩散。即，能得到颜色不均被极大地减少了的发光。另外，图13的荧光体表示相当于实施例3的荧光体，即Ca8MgSi4O16Cl2-δ:Eu(荧光体3a)、Ca1.94Si5N8:Eu0.06(荧光体3b)、Ca0.99AlSiB0.005N3.005:Eu0.01(荧光体3c)。这些荧光体的真比重的平均值A是3.17，各荧光体的真比重与平均值的差值d占平均值A的比例分别为0.32％、-2.84％、2.21％。
另一方面，图14表示相当于上述比较例1的发光装置的剖视示意图。即，具有多个荧光体3c、3d，具体而言，是(Sr0.45Ba0.55)1.93SiO4:Eu0.07(荧光体3d)、Ca0.99AlSiN3.005:Eu0.01(荧光体3c)。这些荧光体的真比重的平均值A是4.14，各荧光体的真比重与平均值的差值d占平均值A的比例分别为21.50％、-21.74％。即，不满足d≤|0.16A|的条件。在图14的发光装置中，比重大的荧光体3d沉降在元件附近侧，在其上层叠有荧光体3c。即，各荧光体未大致均匀地扩散而呈层状重叠，其结果是，各成分光未被均匀地混色，来自发光观测面侧的发光产生颜色不均。
另外，图8～12表示各实施例发光装置的发光波长。在图的发光波长中，在440nm～470nm处具有第1峰值波长，在510nm～550nm处具有第2峰值波长，在630nm～670nm处具有第3峰值波长。并且，图15是制作10000个以上的上述实施例3b的发光装置、绘制了来自各发光装置的出射光的色度座标的图。同样地，图16是绘制了比较例1的发光装置的色度座标的图。这些图表示绘制的区域越小，则装置间的发光特性差距越少、颜色偏差越少。若比较图15和图16的曲线，在实施例3b的发光装置中，绘图接近而集合在一起，即可知装置间的特性大致统一。因而，利用实施例3b的发光装置，即使是以点光源的集合来再现宽范围区域时，也能实现颜色不均被降低了的面状发光。另一方面，在图16所示的比较例1的发光装置中，装置间的色度差很显著，因此产品的成品率较低。
并且，图17表示发光装置的发光光谱，该发光装置由蓝色发光LED和YAG(钇·铝·石榴石)等荧光体构成，其将从该蓝色发光LED发出的光和来自YAG(钇·铝·石榴石)等荧光体的光进行双色混合。用作液晶背光的情况下，从发光装置发出的光通过滤色器而取出蓝色光、绿色光、红色光，从成分光的色度坐标来特定色再现区域，从而求出NTSC比。这次用于求出NTSC比的彩色滤光器是使用了YAG:Ce的发光装置的NTSC比为70％左右的通常的滤光器。图18、图19表示图17所示的双色混合的发光装置的NTSC比。但是，图18是LED450nm激发的发光装置的NTSC比，图19是LED460nm激发的发光装置的NTSC比。具体而言，在图18、图19中，NTSC比分别是72.4％、72.9％。
并且，图20～图23表示搭载了在450nm处具有峰值波长的LED的实施例1～4的发光装置(实施例1(a)、实施例2(a)、实施例3(a)、实施例4(a))的发光特性的NTSC比。另外，在图20～图23中，用EXPL1a、EXPL2a、EXPL3a、EXPL4a分别表示各发光装置的色度图。同样地图24～图27表示搭载了在460nm处具有峰值波长的LED的发光装置(实施例1(b)、实施例2(b)、实施例3(b)、实施例4(b))的NTSC比。另外，在图24～图27中将各发光装置的色度图分别表示为EXPL1b、EXPL2b、EXPL3b、EXPL4b。可知从发光装置发出的光如图20～图27所示地在发光特性方面满足NTSC比(x、y)的78.7～83.6％，具有颜色再现优异的发光特性。即，实施例的发光装置用作监视器、数码相机、打印机等的背光的情况下，能够较深地且鲜明地再现各装置的RGB的各颜色。
另外，下述表19表示上述双色混合型的发光装置的NTSC比的数值和三波长型的发光装置的NTSC比的数值。
[表19]
Figure BPA00001185079800321
如表19所示，可知与双色混合型的发光装置相比，实施例所涉及的发光装置的NTSC比(参照图20～图27)被改善了大约5～10％。
(实施例8～12)
另外，作为实施例8，作为能够用于本发明的发光装置的两种以上的绿色发光荧光体，混合了在522nm处具有峰值波长的Ca7.5MgSi4O16Cl2-δ:Eu0.5和在540nm处具有峰值波长的Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910。该绿色发光荧光体中的Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910的含有量为30wt％。另外，实施例9～12是将实施例8中的Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910的含有量分别设定为40wt％、50wt％、60wt％、70wt％。通过使在上述范围内含有Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910，能够在529nm～535nm的范围内具有由两种绿色发光荧光体形成的峰值波长。实施例8～12的峰值波长是通过利用发出460nm的光的发光元件对两种绿色发光荧光体进行激发而测量的。将测量结果与色度座标、半值幅、亮度一起表示在下述表20中。表20中的亮度是用发出460nm的光的发光元件激发时的Y3Al5O12:Ce的亮度作为100％来计算的。另外，图32表示实施例8～12所涉及的发光光谱图。另外，在图32中，用EXPL8、EXPL9、EXPL10、EXPL11、EXPL12分别表示实施例8～实施例12的460nm激发的各发光光谱。
[表20]
Figure BPA00001185079800331
如表20所示，实施例8～12的亮度都是100％以上的高亮度。这样，通过混合两种绿色发光荧光体，能够得到高亮度而且在529nm～535nm的范围内具有峰值波长的绿色发光荧光体。
(比较例2～3)
比较例2是由Ca7.2MgSi4O16Cl2-δ:Eu0.8单独构成的绿色发光荧光体。比较例3是由Ca7.1MgSi4O16Cl2-δ:Eu0.9单独构成的绿色发光荧光体。比较例2和3是通过增加实施例8～12所使用的Ca7.2MgSi4O16Cl2-δ:Eu0.5中的Eu量而使峰值波长从522nm长波长化而成的。作为本发明所涉及的卤素氧化物荧光体的优选方式的Ca7.5MgSi4O16Cl2-δ:Eu0.5，在为了变更峰值波长而调整荧光体的组成时，存在亮度显著降低的倾向。
(比较例4～5)
另外，比较例4是由Si5.92Al0.07Eu0.01O0.015N7.96单独构成的绿色发光荧光体。比较例5是由Si5.88Al0.11Eu0.01O0.015N7.95单独构成的绿色发光荧光体。比较例4和5是通过调整实施例8～12所使用Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910的组成比，使峰值波长从540nm短波长化而成的。作为本发明所涉及的β型SiAlON荧光体优选方式的Si5.775Al0.21Eu0.015O0.023N7.910，在为了变更峰值波长而调整荧光体的组成时，存在亮度显著降低的倾向。
比较例2～5的峰值波长是利用发出460nm的光的发光元件，对比较例2～5的绿色发光荧光体进行激发而测量的。将测量结果与分子式、色度座标、亮度一起表示在下述表21中。表21中的亮度是用发出460nm的光的发光元件激发时的Y3Al5O12:Ce的亮度作为100％来计算的。
[表21]
Figure BPA00001185079800341
如表21所示，比较例2在529nm处具有峰值波长。不过，相对于同样在529nm处具有峰值波长的实施例8，比较例2的亮度显著降低。另外，比较例3和4在530nm处具有峰值波长，但相对于同样在530nm处具有峰值波长的实施例9，亮度显著降低。并且，比较例5在535nm处具有峰值波长，但相对于具有相同的峰值波长的实施例12，亮度显著降低。另外，在实施例8～12和比较例2～5中，即使是具有相同的峰值波长的发光光谱，半值幅等也互不相同，则色度座标也未必相同。这是因为色度座标依存于发光光谱的形状的缘故。不过，若能量最高的峰值波长相同，则发光颜色接近相同颜色。
另外，在上述实施例的发光装置中，绿色发光荧光体的重量为荧光体的总重量的60％～95％；或/和红色发光荧光体的重量比为荧光体的总重量的5％～40％。
换句话说，实施方式1的发光装置通过将构成一个色相的多个荧光体的分配比率设定为各种情况，能够调整色相的波长区域。进而，能控制发光装置的发出光的颜色再现。其结果是，形成能够发出与发光装置的最终利用形态相对应的发光波长的装置。例如，在只透过规定波长的滤色器中，能够实现高效率地发射出与有效波长区域相当的波长的成分光，因此能够自然且致密地表现影像。或者，与因投入电力的偏差等产生的发光元件的波长区域的变化相对应，以便能调节绿色、红色的发光波长。另外，即使在可能成为亮度降低的主要原因的波长区域中，也使能见度高的波长干涉，从而能维持亮度和色度这两方面的特性。即，能根据特性灵活地变更并控制构成白色光的成分光的比率，因此与重新变更组成比来制造荧光体的情况相比，能容易地得到规定的发光波长区域。
(实施方式2)
图28(a)表示本发明的实施方式2所涉及的发光装置40的立体图。图28(b)是图28(a)所示的半导体发光装置40沿XXVIIIB-XXVIIIB’线的剖视图。下面根据图28(a)、(b)说明实施方式4的发光装置40的概况。发光装置40在引线框4上安装有组件12，该组件12具备朝着上部呈大致凹形状开口的空间。并且，在该组件12的空间内且在露出的引线框4上安装有多个发光元件2。也就是说，组件12成为包围发光元件2的框体。另外，在组件12的开口空间内也载置有齐纳二极管等施加有规定电压以上的电压时处于通电状态的保护元件13。并且，发光元件2借助接合线5或凸块(bump)等与引线框4电连接。另外，组件12的开口的空间部被密封树脂6填充。
图28(b)表示组件12内所含有的荧光体3。(省略了图28(a)的荧光体3)。该荧光体3能使用上述的荧光体，树脂6内的荧光体的含有状态与实施方式1相同。
(实施方式3)
图29表示实施方式3所涉及的炮弹型的发光装置1。该发光装置1具有：载置于用由导电性的部件构成的引线框4成型而成的凹形状的杯状件10内且载置在引线框4上的发光元件2；将从该发光元件2发出的光的至少一部分进行波长转换的荧光体3。该荧光体3能够搭载实施方式1的荧光体的情况与实施方式2相同。另外，发光元件2使用在大约360nm～480nm、优选在445nm～470nm处具有发光峰值波长的发光元件。形成于发光元件2的正负电极9借助导电性的接合线5与引线框4电连接。另外，作为引线框4的一部分的引线框电极4a突出，发光元件2、引线框4和接合线5被炮弹形状的模制件11覆盖。在模制件11内填充有透光性的树脂6，而且树脂6含有荧光体3。树脂6优选使用在分子内具有硅氧烷键的硅系树脂、硅氧烷骨架的氟树脂等硅树脂组合物。由此，能形成耐光性和耐热性优异的密封树脂。另外，树脂6也可以使用环氧树脂组合物、丙烯酸树脂组合物等具有透光性的绝缘树脂组合物。通过从外部电源对从该树脂6突出的引线框电极4a供给电力，使得从发光元件2的层内所含有的发光层8发出光。从该发光层8输出的发光峰值波长具有从紫外区域到蓝色区域的500nm以下附近的发光光谱。该被发出的光的一部分对荧光体3进行激发，能够得到具有与来自发光层8的主光源的波长不同的波长的光。
(实施方式4)
接着，图30表示本发明的实施方式4所涉及的发光装置20。该发光装置20对与实施方式3所涉及的发光装置1的部件相同的部件标注相同的附图标记，省略其说明。该发光装置20只在用引线框4成型而成的凹形状的杯状件10内填充有包含上述荧光体3的树脂6。在模制件11内且在填充到杯状件10的外部的树脂6内不含有荧光体3。优选含有荧光体3的树脂与不含有荧光体3的树脂的种类相同，但即使不同也没有关系。若是不同种类的树脂，也能够利用各树脂硬化所需的温度差使软度变化。
发光装置20在形成杯状件10内的开口部的底面的大致中央部载置有发光元件2，因此发光元件2被埋设在含有荧光体3的树脂6内。为了使来自发光层8的光均匀且利用荧光体3进行波长转换，使来自发光元件的光均匀地通过含有荧光体的树脂即可。也就是说，使来自发光层8的光所通过的含有荧光体的树脂膜的厚度均匀即可。因而，从发光元件2的周围到杯状件10的壁面和上部的距离一致地确定杯状件10的大小和发光元件2的载置位置即可。只要是该发光装置20，就容易均匀地调整含有荧光体3的树脂6的膜厚。
(实施方式5)
并且，作为本发明的实施方式5所涉及的发光装置，图31表示罩型发光装置30。发光装置30是通过在实施方式2的发光装置20的模制件11表面罩上罩31而构成的，该罩31由分散有荧光体3的透光性树脂构成。
罩31是使荧光体3a均匀地分散到透光性的树脂6a中而形成的。将含有该荧光体3a的树脂6a成型为与发光装置30的模制件11的外表面形状嵌合的形状。或者，也可以是如下所述的制造方法：在规定的模架内放入了含有荧光体的透光性的树脂6a之后，将发光装置30压入到该模架内来进行成型。作为罩31的树脂6a的具体的材料，能够采用环氧树脂、尿素树脂、硅树脂等温度特性、耐气候性优异的透明树脂、以及硅胶、玻璃、无机粘结剂等。除了上述之外，能使用三聚氰胺树脂、酚醛树脂等热固性树脂。另外，也能够使用聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯等热塑性树脂、以及苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、嵌段聚氨脂等热塑性橡胶等。另外，也可以与荧光体一起含有扩散剂、钛酸钡、氧化钛、氧化铝等。另外，也可以含有光稳定剂和着色剂。罩31所使用的荧光体3a不仅可以利用一种荧光体，也可以利用混合了多个荧光体而成的荧光体、层叠成层状的荧光体。
在发光装置30中，能够只使罩31内的树脂6a含有荧光体3a，但除此之外，也可以在杯状件10内也填充含有荧光体3的树脂6。荧光体3、3a的种类既可以相同也可以不同，另外，也能在各树脂6、6a内含有多个荧光体。由此，能实现各种发光颜色。作为一个例子，列举出发出白色光的发光装置。从发光元件2发出的光对荧光体3进行激发，而发出从深绿色到绿色以及从黄色到红色的光。从该荧光体3发出的光的一部分对罩31的荧光体3a进行激发，发出从绿色到黄色系区域的光。利用这些荧光体的混色光，从罩31的表面向外发出白色系的光。另外，所搭载的各种荧光体与实施方式1相同。
本发明的发光装置优选用于荧光显示管、显示器、PDP、CRT、FL、FED以及投射管等，特别是用于以蓝色发光二极管或紫外线发光二极管作为光源的发光特性极为优异的白色的照明用光源、LED显示器、背光光源、信号机、照明式开关、各种传感器和各种指示器等。另外，能用作期望能够较深地且鲜明地再现RGB的各颜色的监视器、数码相机、打印机等的背光用的发光装置。

Claims (10)

1.一种发光装置，其具有能够发出光的发光元件、和被从所述发光元件发出的光激发而能发出波长与所述发光元件发出光的波长不同的可见光的3种以上的荧光体，其特征在于， 
所述3种以上的荧光体包含：具有选自下述通式（I）和（Ⅱ）中的至少1种以上的氮化物荧光体的红色发光荧光体和以下述通式（III）和（IV）表示的至少2种以上的绿色发光荧光体； 
由所述2种以上的绿色发光荧光体形成的峰值波长为529nm～535nm； 
所述3种以上的荧光体中，真比重是3.00～4.30的荧光体群的各自的真比重与该荧光体群的真比重的平均值之差在所述荧光体群的真比重的平均值±16％以内，并且，所述荧光体中真比重为3.00～4.30的所述荧光体群为90wt％以上； 
MwAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+（I） 
通式（I）中，M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，w、x、y、z分别满足0.5≤w≤3、x=1、0.5≤y≤3、0≤z≤0.5； 
MpSiqN((2/3)p+(4/3)q):Eu2+（II） 
通式（II）中，M是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，p、q分别满足1.5≤p≤2.5、4.5≤q≤5.5； 
MxMgSizOaXb:Eu2+（III） 
通式（III）中，M是选自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn中的至少一种，X是选自F、Cl、Br、I中的至少一种，x、z、a、b分别满足6.5≤x<8.0、3.7≤z≤4.3、a=x+1+2z-b/2、1.0≤b≤1.9； 
SicAldOfNg:Eu2+（IV） 
通式（IV）中，c、d、f、g分别满足c+d=6、5.0≤c<6、0<d≤1.0、0.001<f≤1、7≤g<8。 
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述荧光体群的平均粒径的差在±20％以内。 
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述荧光体群 的平均粒径为5μm～30μm。 
4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述荧光体群的表面被实施了大致相同的表面处理，以使其表面状态大致均匀。 
5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述荧光体群的表面含有至少包含Si的化合物。 
6.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述绿色发光荧光体由Ca8MgSi4O16Cl2-δ:Eu和Si6-xAlxOyN8-y:Eu构成，所述红色发光荧光体由（Ca1-xSrx)2Si5N8:Eu和（Ca1-xSrx)Al SiByN3+y:Eu构成， 
其中，所述式Ca8MgSi4O16Cl2-δ:Eu中，0≤δ≤1.0， 
所述式Si6-xAlxOyN8-y:Eu中，x≤1、y≤1， 
所述式（Ca1-xSrx)2Si5N8:Eu中，0≤x≤1.0， 
所述式（Ca1-xSrx)Al SiByN3+y:Eu中，0≤x≤1.0、0≤y≤0.5。 
7.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件从近紫外线到蓝色波长区域具有峰值波长。 
8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件在445nm～470nm处具有峰值波长。 
9.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，通过将多个色相的光混色，可以发出白色光；通过干涉单一的峰值波长或在50nm以内所存在的两种以上的峰值波长而构成一个色相。 
10.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述荧光体中，所述绿色发光荧光体为60wt％～95wt％；或／和所述红色发光荧光体为5wt％～40wt％。 
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8274215B2 (en) * 2008-12-15 2012-09-25 Intematix Corporation Nitride-based, red-emitting phosphors
KR101134815B1 (ko) * 2010-01-15 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 영상표시장치 및 그 제조방법
JP2011171590A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2011181793A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Koito Mfg Co Ltd 発光装置
KR101973916B1 (ko) * 2010-09-28 2019-04-29 미쯔비시 케미컬 주식회사 형광체 및 그것을 이용한 발광 장치
EP2629341B8 (en) * 2010-10-15 2020-04-08 Mitsubishi Chemical Corporation White light emitting device and lighting device
JP5864851B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-17 シャープ株式会社 発光装置
KR101781437B1 (ko) * 2011-04-29 2017-09-25 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 및 조명장치
CN105762257A (zh) * 2011-08-02 2016-07-13 亿光电子(中国)有限公司 荧光粉组成及使用该荧光粉组成的白色发光装置
CN102916113B (zh) * 2011-08-02 2016-06-15 亿光电子(中国)有限公司 荧光粉组成及使用该荧光粉组成的白色发光装置
TWI464241B (zh) * 2011-08-02 2014-12-11 Everlight Electronics Co Ltd 螢光粉組成及使用該螢光粉組成的白色發光裝置
KR101641378B1 (ko) 2011-12-30 2016-07-20 인터매틱스 코포레이션 전하 평형을 위한 침입형 양이온을 갖는 질화물 인광체
US8663502B2 (en) 2011-12-30 2014-03-04 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based phosphors
JP2013163723A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体及び発光装置
JP5886070B2 (ja) * 2012-02-09 2016-03-16 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
KR101643753B1 (ko) * 2012-02-09 2016-07-29 덴카 주식회사 형광체 및 발광 장치
JP5919015B2 (ja) * 2012-02-09 2016-05-18 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
JP2013163722A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体及び発光装置
JP2013163736A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体及び発光装置
JP5945867B2 (ja) * 2012-05-11 2016-07-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
US8597545B1 (en) 2012-07-18 2013-12-03 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors
JP2016503579A (ja) * 2012-11-01 2016-02-04 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 色域を有するｌｅｄ系デバイス
TWI464238B (zh) * 2013-03-27 2014-12-11 Chi Mei Corp 螢光體與發光裝置
DE102013217055B4 (de) 2013-05-17 2022-08-25 Tridonic Gmbh & Co Kg Weisslicht-LED-Modul zur Objektbeleuchtung
JP6291735B2 (ja) * 2013-07-05 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101429095B1 (ko) * 2013-07-09 2014-08-12 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리를 이용한 led 램프
JP6236999B2 (ja) * 2013-08-29 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6380826B2 (ja) * 2013-09-20 2018-08-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源装置
CN105814699B (zh) 2013-10-02 2019-12-31 Glbtech株式会社 具有高显色性的白光发光装置
JP6209949B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6546583B2 (ja) * 2014-04-02 2019-07-17 デンカ株式会社 疎水化処理蛍光体及び発光装置
JP6156440B2 (ja) * 2014-05-30 2017-07-05 日亜化学工業株式会社 赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光装置
KR101809793B1 (ko) * 2014-09-30 2017-12-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 불화물 형광체 및 그 제조 방법 및 발광 장치
KR102323694B1 (ko) * 2015-01-20 2021-11-11 서울반도체 주식회사 백색 발광 장치
KR102310038B1 (ko) * 2015-01-16 2021-10-08 서울반도체 주식회사 백색 발광 장치
US10424562B2 (en) * 2014-12-16 2019-09-24 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting device with phosphors
KR102357584B1 (ko) 2014-12-17 2022-02-04 삼성전자주식회사 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
JP6550889B2 (ja) * 2015-04-22 2019-07-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102423748B1 (ko) * 2015-07-08 2022-07-22 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광장치
KR102432030B1 (ko) * 2015-08-25 2022-08-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광장치
DE102016104369A1 (de) * 2016-03-10 2017-09-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoffmischung und optoelektronisches Bauelement mit einer Leuchtstoffmischung
JP6233668B2 (ja) * 2016-06-01 2017-11-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源装置
CN107880883B (zh) * 2016-09-29 2022-07-01 日亚化学工业株式会社 氮化物荧光体的制造方法、及氮化物荧光体
JP6669147B2 (ja) * 2016-10-31 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2020109850A (ja) * 2016-10-31 2020-07-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10243124B2 (en) * 2016-12-26 2019-03-26 Nichia Corporation Light emitting device
JP6558378B2 (ja) * 2017-01-13 2019-08-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10270015B1 (en) 2017-01-13 2019-04-23 Nichia Corporation Light-emitting device
JP6923816B2 (ja) * 2017-01-13 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI848915B (zh) * 2017-07-28 2024-07-21 日商杜邦東麗特殊材料股份有限公司 光學構件用樹脂薄片、具備其之光學構件、積層體或發光元件以及光學構件用樹脂薄片之製造方法
US10056530B1 (en) * 2017-07-31 2018-08-21 Eie Materials, Inc. Phosphor-converted white light emitting diodes having narrow-band green phosphors
JP6670804B2 (ja) * 2017-08-02 2020-03-25 シャープ株式会社 発光装置及び画像表示装置
US10193042B1 (en) * 2017-12-27 2019-01-29 Innolux Corporation Display device
TWI648878B (zh) * 2018-05-15 2019-01-21 東貝光電科技股份有限公司 Led發光源、led發光源之製造方法及其直下式顯示器
JP7303437B2 (ja) * 2018-09-28 2023-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを備えた灯具
JP7299492B2 (ja) * 2018-10-15 2023-06-28 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光モジュール
JP7224983B2 (ja) * 2019-03-19 2023-02-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光モジュール
CN113994413B (zh) * 2019-06-25 2023-08-01 夏普株式会社 显示装置以及影像处理方法
EP4092766A4 (en) * 2020-01-14 2023-12-06 LG Electronics Inc. LIGHTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF
TWI728873B (zh) 2020-07-21 2021-05-21 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置
US11294238B1 (en) 2020-10-29 2022-04-05 Lextar Electronics Corporation Low blue light backlight module

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10026435A1 (de) * 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
US6504179B1 (en) 2000-05-29 2003-01-07 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluhlampen Mbh Led-based white-emitting illumination unit
JP2003037295A (ja) * 2001-07-05 2003-02-07 Taiwan Lite On Electronics Inc 発光ダイオードと発光ダイオードの製造方法
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2003121838A (ja) 2001-08-06 2003-04-23 Toray Ind Inc 液晶表示装置
KR100923804B1 (ko) * 2001-09-03 2009-10-27 파나소닉 주식회사 반도체발광소자, 발광장치 및 반도체발광소자의 제조방법
JP2006080565A (ja) * 2001-09-03 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光デバイスの製造方法
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
SG173925A1 (en) * 2002-03-22 2011-09-29 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
JP4207537B2 (ja) * 2002-11-08 2009-01-14 日亜化学工業株式会社 蛍光体および発光装置
JP4725008B2 (ja) * 2003-09-11 2011-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光素子用蛍光体および発光素子用蛍光体の製造方法
US7511411B2 (en) 2002-11-08 2009-03-31 Nichia Corporation Light emitting device, phosphor, and method for preparing phosphor
JP4124684B2 (ja) 2003-03-25 2008-07-23 セイコーインスツル株式会社 半透過型液晶表示装置
EP1796181B1 (en) * 2004-09-22 2020-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device, and back light and liquid crystal display employing it
KR20140063899A (ko) 2005-04-01 2014-05-27 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 무기 기능재 원료용 합금 분말 및 형광체
JP5130640B2 (ja) 2005-04-01 2013-01-30 三菱化学株式会社 蛍光体の製造方法
KR100899401B1 (ko) * 2005-05-12 2009-05-26 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 β형 사이알론 형광체
TWI422666B (zh) 2005-09-22 2014-01-11 Mitsubishi Chem Corp 半導體發光裝置用構件及其製造方法，暨使用其之半導體發光裝置
JP2007116139A (ja) * 2005-09-22 2007-05-10 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
KR100735453B1 (ko) * 2006-02-22 2007-07-04 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
JP5234781B2 (ja) * 2006-02-24 2013-07-10 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
EP2022834A4 (en) * 2006-05-19 2011-11-23 Mitsubishi Chem Corp NITROGENIC ALLOY AND THEIR USE FOR THE PREPARATION OF PHOSPHORUS
JP4911578B2 (ja) * 2006-06-06 2012-04-04 シャープ株式会社 酸窒化物蛍光体および発光装置
JP2007262417A (ja) * 2007-05-18 2007-10-11 National Institute For Materials Science 蛍光体

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2003-37295A 2003.02.07
JP特开2007-262417A 2007.10.11

Also Published As

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