JP2009545660A - ニトリドシリケート種の蛍光体およびその蛍光体を有する光源 - Google Patents

ニトリドシリケート種の蛍光体およびその蛍光体を有する光源 Download PDF

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Abstract

ニトリドシリケート種の蛍光体および前記の蛍光体を有する光源。前記蛍光物質はM3N2−AlN−Si3N4の系に指定される相を形成することを特徴とし、ここで成分M:Alの原子比はM:Al≧0.375の関係に相当し、且つ原子比はSi/Al≧1.4に相当する。これをEuおよび/またはCeでドープする。

Description

本発明は請求項1の前提部分に記載のニトリドシリケート種の蛍光体に関する。本発明は特に、赤色あるいは緑色発光蛍光体、好ましくは光源への使用のための前記蛍光体に関する。本発明はさらには、それによって製造される光源、および前記蛍光体の製造方法にも関する。
先行技術
EP−A1568753号は赤色を発光し、且つMSiAlN3:Zの組成を有する蛍光体を開示する。この場合、Mは多くの場合Caであり、且つ活性体はEuである。この蛍光体はUVおよび青色スペクトルの範囲内で難なく励起される。それはLEDなどの光源に適している。EP−A1153101号は赤色発光蛍光体M2Si5N8:Euを開示し、ここでMはCaであってよく、とりわけ、活性体はEuである。さらには、EP−A1278250号は、非常に良好な熱挙動を有するEu活性化アルファサイアロンを開示し、その発光色領域は黄色スペクトルの範囲内である。
発明の要約
本発明の課題は、高効率を有する蛍光体を提供し、且つ前記の蛍光体を含む光源を特定することである。さらなる課題は、特に典型的なUVあるいは青色発光LEDの発光範囲内で励起され得る、赤色あるいは緑色を発光する蛍光体を提供することである。
それらの課題は請求項1の特徴部分によって解決される。特に有利な実施形態は、その独立請求項内に提供される。
さらなる課題は、前記の蛍光体を含む光源、特にLEDを提供することである。
この課題は請求項10の特徴部分によって解決される。特に有利な実施形態は、その独立請求項内に提供される。
本発明による蛍光体は、他のUVあるいは青色光源、例えば分子発光体(例えばIn放電ランプで)、青色OLEDとの接続、あるいは青色EL蛍光体との組み合わせにも使用できる。
本発明による蛍光体は、M−Al−Si−N系、特にCa−Al−Si−N系からの新規の化合物であり、安定した色の高効率LEDあるいはLEDモジュールを変換LEDに基づいて製造することを可能にする。さらなる用途の領域は、良好な演色性を有するLED、要求に応じた色のLEDあるいは白色LEDを含む。前記の新規蛍光体はさらには、従来の照明、特に蛍光灯だけでなく、電子素子、例えばCRT、PDP、FED等において用いられる。
具体的に含まれるのは、特にM−Al−Si−N系からの赤色発光蛍光体であり、陽イオンMを含み、ここでMはCa単独あるいはBa、Sr、Mg、Zn、Cdの群から選択される少なくとも1つのさらなる元素と組み合わされたCaであってよく、該蛍光体はEu単独あるいはCeと組み合わされたEuによって活性化される。該活性体は部分的に前記のMを置き換え、且つ該蛍光体はM3N2−AlN−Si3N4の系で指定される相を形成する。選択的に含まれるのは、同じ系で且つCeをドープした、緑色発光蛍光体である。全ての場合において、構成要素M:AlとM:Siとの原子比は、実験式
Ca5-δAl4-2δSi8+2δ18:Eu、ここで|δ|≦0.5
によって定義される。即ち、新規の高シリコン相は常にアルミニウムより少なくとも40%多いシリコンを含有する。言い換えれば、Si/Alの比は少なくとも1.4である。
前記の新規蛍光体は広帯域で発光し、且つ非常に安定である。それは第一に、特に<5000Kの色温度を有する、要求に応じた色のLED、白色LEDにおいて、および他のランプにおいて使用するための赤色蛍光体として適している。該蛍光体は、およそ640nmでの赤色におけるその発光最大値に関して、比較的高い視感効果(visueller Nutzeffekt)(Vs=0.33)を有し(1%Eu)、且つ、EP−A1153101号から公知の蛍光体Ca2Si5N8:Eu、およびEP−A1568753号から公知のCaAlSiN3:Eu蛍光体と比較して著しく改善した熱消失挙動を有する。
近紫外あるいは青色において効率的に励起され得る公知の赤色蛍光体は、化学的にあまり安定ではない硫化物、例えば(Sr,Ca)S:Eu、および潜在的に環境に有害な化合物、例えばSr(S,Se):Euの他に、単斜晶Ca2Si5N8相、あるいは斜方晶Sr2Si5N8相およびCaAlSiN3:Euにおいて大部分が結晶化する、いわゆるニトリドシリケートである。相応するEuドーピング(1%)では斜方晶CaAlSiN3:Euを有する蛍光体は、EP1568753号に記載されるように、低い視感効果(<0.3)を有する濃い赤色発光を有する。対して、有用なEu濃度でのCa2Si5N8ベースの蛍光体は、(およそ615nm)比較的短波長で発光するが、しかし顕著な熱消失を示す。
本発明を以下の複数の例示的な実施態様に基づいてより詳細に説明する。
様々な化合物の存在範囲を示す三角相図を示す図である。 様々な活性体濃度での様々な蛍光体の発光の比較を示す図である。 同一の活性体濃度での様々な蛍光体の反射率の比較を示す図である。 様々な活性体濃度での新規蛍光体の反射率の比較を示す図である。 アルミニウム比の関数としての相対効率を示す図である。 シリコン比の関数としての相対効率を示す図である。 新規蛍光体の主波長および中心波長の活性体濃度依存性を示す図である。 様々な蛍光体の熱安定性を示す図である。 温度を変化させた場合の様々な蛍光体の中心波長の変化を示す図である。 温度を変化させた場合の様々な蛍光体の主波長の変化を示す図である。 様々な蛍光体間の最も重要なXRD線の比較を示す図である。 新規蛍光体の回折パターンを示す図である。 公知の蛍光体CaAlSiN3:Euの回折パターンを示す図である。 公知の蛍光体Ca2Si5N8:Euの回折パターンを示す図である。 公知の蛍光体α−サイアロンの回折パターンを示す図である。 赤色用光源の基本構成を示す図である。 白色用光源の基本構成を示す図である。 放電ランプの基本構成を示す図である。 活性体濃度の関数としての新規蛍光体の粉末の輝度を示す図である。 パラメータδの関数としての新規赤色発光蛍光体の輝度を示す図である。 新規蛍光体のいくつかのさらなる例示的な実施態様の発光挙動を示す図である。 図21の蛍光体の熱消失挙動を示す図である。 新規蛍光体のいくつかのさらなる例示的な実施態様の発光挙動を示す図である。 図23の蛍光体の熱消失挙動を示す図である。 Ceをドープした新規蛍光体の励起挙動を示す図である(検出発光波長520nm)。 新規蛍光体のいくつかのさらなる例示的な実施態様の発光挙動を示す図である。 図26の蛍光体の熱消失挙動を示す図である。
本発明の好ましい実施態様
新規のEuドープした蛍光体は、特に、およそ化学量論組成比のCa5Al4Si8N18:Euを有していた。ここでCaはMを表す。この化学量論組成比は出発材料の組成に起因し、従って、化合物における特定の制限の範囲内で変化でき、なぜなら、ここで記載される相は相当な相の幅を有するからである。分析で標準偏差の範囲内の組成であることが確認される。新規相の存在範囲は明らかにCaAlSiN3:Euとは区別される。Ca5Al4Si8N18の基本格子は驚くべきことにXRD(X線回折図)において、JCPDS39−747の記載と同様の反射パターンを示す。対して、それはEP−A1568753号に記載の蛍光体CaAlSiN3:Euとは著しく異なる反射パターンを示す。この違いは、ルミネッセンス特性からも明らかに実証される。
この蛍光体は、充分な赤色発光と視感効果の間で充分な歩み寄りをすることができる。この場合、それは特定の状況下でこの赤色蛍光体と共に光源の上流にある緑色および/または黄色蛍光体の発光を、化合物(Sr,Ca)2Si5N8:Euおよび特にCaAlSiN3:Euを有する場合よりも低い範囲で吸収する。さらには、全ての他の公知の赤色蛍光体と比較して、より良好な熱消失挙動は非常に有利である。従って該蛍光体は、とりわけ、2700〜4200Kの色温度を有し、複数の蛍光体の変換に基づく効率的な温白色LEDの製造を可能にする。
図1は、2元系"化合物"SiN4/3、AlNおよびCaN2/3にわたる三角相図を示す。前提条件としてそれぞれの場合において少なくとも80%の相比を仮定した、様々な化合物の存在範囲をここに示す。0.2より低いCaN2/3の比率の場合、事実上、酸素フリーのアルファ−サイアロンCax(Si,Al)12(O,N)16:Euが主として生じる。AlN<0.15の場合には、Ca2Si5N8:Euが主として生じる。およそ1:1のCa/Si比で且つ0.2より高いアルミ含有率の場合、公知のCaAlSiN3:Eu相が主として生じる。シリコンのより多い新規相はそれら公知の相の間の領域において主として生じる。この相は、Ca:Al:SiでCa=1に対してAl=0.7〜0.9およびSi=1.5〜1.8の相対比を保った場合、蛍光体として特に高い効率を有する。非常に高効率を示す化合物の単純な化学量論組成的表現は、実験式Ca5-δAl4-2δSi8+2δ18:Eu、ここで−0.5≦δ≦0.5、によって表される。この組成範囲を、図1の三角相図に破線として描く。この線より下の新規相を>80%有する試料は、異相として第一にAlNを有する傾向がある。事実上白いアルミニウム窒化物は、励起照射のスペクトル範囲内で蛍光体の吸収を損ない、従って望ましくない。前記の線よりわずかに上の試料は本質的に、出発材料内に過剰なカルシウム窒化物を含有する。しかしながら、未反応のカルシウム窒化物は高い合成温度で蒸発し、従って一般に実質的に単相の試料に至る。図20から得られるように、該生成物の量子効率、励起照射の吸収および視感効果、即ち肉眼で評価した蛍光体の輝度は、前記の線上の化合物の最大値をとり、ここで|δ|≒0である。従って、実験式Ca5Al4Si8N10:Euを有する化合物は本発明の蛍光体の特に好ましい実施態様である。
図2は、シリコンがより多い新規相と公知のCaAlSiN3:Eu相との、2つの異なるEu濃度、特に1および2mol%での発光の比較を示す。この場合、該Euは常にCaを置換する。シリコンがより多い新規相は、バンド幅がいくぶん広く、且つ短波長スペクトル側に著しくシフトしている。
図3は、シリコンがより多い新規相と公知のCaAlSiN3:Eu相との、同一のEu濃度、特に2mol%での反射率の比較を示す。この場合、該Euは常にCaを置換する。本質的に公知の緑色蛍光体と黄色蛍光体とを組み合わせたUV励起では、シリコンがより多い新規相は、公知のCaAlSiN3:Eu相と比較して有利であり、なぜなら、380〜400nm付近のUVにおける同等の吸収で、それは青色から黄緑色のスペクトル範囲において大きく吸収しないからである。
図4は、シリコンがより多い新規相の、様々なEu濃度での反射率の比較を示す。Eu濃度がより高くなると、反射率はより低くなる。
図5は、CaおよびSi比を固定して選択した、アルミニウムの比率の関数としての新規蛍光体の効率を示す。この場合、Ca=1且つSi=1.5である。好ましい化学量論組成比に従って、最大値はおよそAl=0.8〜0.9のときである。
同様に図6は、CaおよびAl比を固定して選択した、シリコンの比率の関数としての新規蛍光体の効率を示す。この場合、Ca=1且つAl=0.75である。好ましい化学量論組成比に従って、最大値はおよそSi=1.5〜1.8のときである。
図7は、主波長および中心波長(それぞれ菱形および矩形)の1mol%〜4mol%の範囲の活性体Eu2+の濃度に対する依存性を示す。同じEu濃度では、発光はCa2Si5N8:Euの場合よりも著しく波長が長く、且つCaAlSiN3:Euの場合よりも著しく波長が短く、それは2%のEuの比率に対してプロットした場合も同様である。
シリコンがより多い新規相の際だった熱安定性を図8に示し、ここで公知の2つの赤色発光蛍光体Ca2Si5N8:EuおよびCaAlSiN3:Euの相対輝度を、25℃〜225℃の温度範囲で、シリコンがより多い新規相と比較する。今までのところ、シリコンがより多い新規相よりも低い熱消失を有する公知の蛍光体はない。2mol%の同一のEu濃度では、Ca2Si5N8:Euの発光は限定的な範囲に対してだけ熱的に安定である。その相対輝度は室温での輝度に対して30%に減少する。CaAlSiN3:Euは明らかにより安定であり、且つ、輝度のおよそ30%のみを消費し、従って残留輝度は70%に留まっている。対して、シリコンがより多い新規相は高い安定性を示す。225℃での残留輝度はおよそ85%である。より低いEu濃度では、さらに90%のわずか下にまで増加できる。
新規蛍光体のさらなる際だった特性は、温度を変化させたときの発光中心波長の高い安定性である(図9参照)。実際に、比較的低い活性体濃度、例えばEuが1mol%ではドリフトは確認されなかった。より高い濃度(2mol%)のときのみ、より短い波長側へのはっきりとしたドリフトが観察された。それは室温と比較して225℃でおよそ3nmである。しかしながら、このドリフトは他の赤色蛍光体の場合、Ca2Si5N8:Euの場合およびCaAlSiN3:Euの場合よりも未だ著しく小さく、それはそれぞれの場合において同じ温度範囲内で9nmの度合いのオーダーである。それらの結果は、高出力LEDへの該新規蛍光体の際だった重要性を明らかにする。
同様の挙動を同一の蛍光体の主波長の調査について記載し、それを図10に示す。
図11は、EP1568753号から公知のCaAlSiN3:Eu(上に図示)およびシリコンがより多い新規相Ca5Al4Si8N18:Eu(下に図示)について、最も重要なXRD線(線源はCu−Kα線)の位置の比較を示す。
図12は、新規相の例示的な実施態様の(XRD記録)回折パターンを示す。EP1568753号から公知のCaAlSiN3:EuのXRD記録もまた、これに比較して示す(図13)。
蛍光体CaAlSiN3:EuおよびCa5Al4Si8N18:Euの結晶格子は、驚くべきことに同一の空間群に表される。公知の古いCaAlSiN3:Eu(1%)および新規に合成された蛍光体Ca5Al4Si8N18:Eu(1%Eu)の格子パラメータの比較は、従来の斜方晶の単位胞の最長軸aの長さが0.9802nm(旧)であるのに対して0.9531nm(新)であることを明らかにする。一般に上述の化合物に対しては、最長軸の格子パラメータが0.950〜0.965nmの範囲内である蛍光体に対して良好な効率が示される。前記の格子パラメータの変化は、例えば化学量論組成のわずかな変化(δ≠0)によって実現される。
表1は、Ca=1に正規化し、Ca−Al−Si−N系に関連する様々な化合物に関する色領域成分x、yの測定を示す。新規蛍光体は様々な点で発現し、且つ最も高い効率の1つを示す。
本発明によるEuドープした蛍光体は、例えば下記のように製造できる:
原理的にフラックス、例えばCaF2、AlF3、LiFあるいはH3BO3を用いる、および用いないで、様々な例示的な実施態様を製造することが可能である。
その合成のために、前駆体物質AlN、Ca32、Eu23、Si34および好ましくはフラックス、例えばCaF2を出発物質として使用する。
出発物質の計量投入をグローブボックス内で行い、一回の量は18gあるいは20gである。混合を保護ガス雰囲気中で同様に実施する。
このように製造した一回分の混合物を、窒化タングステン、窒化アルミニウムあるいは窒化ホウ素のるつぼに満たし、1500〜1700℃の温度で、好ましくは5%H2/95%N2雰囲気中でアニールする。アニール温度での保持時間は、ここで示される例示的な実施態様においては2〜5時間であった。
アニール後、アニールされた固まりを粉砕ミルで20分間粉砕し、そしてさらに54μmのふるいにかけた後、特徴を決定する。
表1
様々な計量投入の一回の量の例
Figure 2009545660
新規の蛍光体は光源、例えば蛍光灯あるいは特にLEDの用途に特によく適している。
赤色光用光源の構造を図16に明示する。該光源は、UVでの発光ピーク波長、例えば405nmを有するInGaNタイプのチップ1を有する半導体素子であり、それは光を透過しない基本ハウジング8内で、凹部9の領域中に埋没されている。該チップ1は、第一の接続部3にボンディングワイヤー4を介して接続され、且つ、直接的に第二の電気的接続部2に接続されている。該凹部9は封止用コンパウンド5で満たされている。前記コンパウンドは主成分としてエポキシキャスティング樹脂(80〜90質量%)、および蛍光体色素6(20質量%未満)を含有する。該凹部は、該チップ1および顔料6からの一次および二次光のための反射面としての壁7を有する。UV LEDの一次光は該蛍光体によって完全に赤色に変換される。使用される蛍光体は、上述のニトリドシリケートである。白色光用の光源も、UV光源によって励起され、赤色、緑色および青色に発光した3つの蛍光体を使用することによって同様に実現する。該赤色蛍光体は新規のM5Al4Si8N18:Euであり、該緑色蛍光体は例えば(Sr0.95Eu0.05)Si2O2N2、且つ、該青色蛍光体は例えばアルミン酸あるいはリン酸蛍光体、例えばBAM:EuあるいはSCAP:Euあるいはその類である。
白色光のための種々の光源の構造を図17に明示する。該光源は、例えば460nmの発光ピーク波長を有するInGaNタイプの青色発光チップ11を有するLEDタイプの半導体素子16である。該半導体素子16は、側壁15およびカバー19を有し、光を透過しない基本ハウジング18内に埋没されている。該チップは2つの蛍光体の一次光源である。第一の蛍光体14はオキシニトリドシリケート(Sr0.95Eu0.05)Si222であり、それはチップ13からの一次光を部分的に変換し、そしてその光がλdom=563nmを有し発光ピーク547nmを有する緑色光に変換される。第二の蛍光体は新規のニトリドシリケートM5Al4Si8N18:Euであり、それはチップ13からの一次光を部分的に変換し、そしてその光はλdom=600nmを有し発光ピーク654nmを有する赤色光に変換される。
長波長一次光源(450〜465nm)をルミネッセンス変換LEDに使用する特定の利点は、経年に伴う問題、およびハウジングおよび樹脂あるいは蛍光体の劣化がここでは避けられ、結果として長寿命が得られることである。
他の例示的な実施態様において、使用する一次光源は白色RGBルミネッセンス変換LED用のUV LED(およそ380nm)であり、ここで経年に伴う問題、およびハウジングおよび樹脂あるいは蛍光体の劣化は、本質的に知られている追加の処置、例えばハウジング材料の注意深い選択、耐UV樹脂成分の追加によって、ここで可能な最大限避けられるべきである。この解決法の主な利点は、発光色の視野角の小さい依存性および色の高い安定性である。
図18は水銀のないガス封入(図示した)21を有する低圧放電ランプ20を示し、それはWO02/10374号と類似してインジウム化合物およびバッファガスを含有し、ここでニトリドシリケートM5Al4Si8N18:Euから構成される層22は電球23の内側に適用されている。特に、ここでM=Ca0.8Mg0.1Sr0.1あるいはCa0.8Sr0.2である。青色および緑色蛍光体も非常に一般的に混合される。BAM:EuあるいはBaMgAl10O17:EuおよびSrSi2O2N2:Euがよく適している。
この蛍光体の系は、第一にインジウム光に適合されている。なぜならこの光は、両方とも同等によく吸収されるUVおよび青色スペクトル範囲の両方において重要な成分を有するからである。しかしながら、この混合物は従来の蛍光灯にも適している。本質的にUS4810938号から公知の高圧ベースのインジウムランプにおける適用もまた可能である。
赤色を改善した高圧放電ランプを図15に示す。この場合、該ランプは金属ハライドを封入させた通常の放電容器を有する。その光が外側の電球の蛍光体層に当たり、一次光の一部を赤色光成分に変換する。該蛍光体層は、M5Al4Si8N18:Euで構成される。この技術は、原則として例えばUS−B6958575号に記載される。
図19はCaを置換している活性体Eu含有率の関数としての新規蛍光体の粉末の輝度を示す。最適値は1.5mol%〜2.5mol%付近に見られる。該粉末の輝度はLED内の蛍光体の効率の尺度である。
新規蛍光体はフラックスがあってもなくても製造できる。後者の場合、フッ化物系のフラックス、たとえばCaF2あるいはAlF3が好ましい。EP−A1 568753号によれば、公知の化合物CaAlSiN3:Euが明らかにフラックスなしで製造できる一方、Ca5Al4Si8N18:Euの場合には、最高の結果はフッ化物系のフラックス、特にCaF2を用いて得られる。フラックスなしの試料の効率を100%とすると、ホウ酸H3BO3の添加でおよそ107%の効率が実現し、CaF2がフラックスとして使用された場合は117%もの効率が実現する。塩化物、例えばCaCl2あるいはNH4Clもまた使用できる。
新規蛍光体は特に、下記の組成に相当する一般的な化学量論組成の式によって記載できる:
Ca5-δAl4-2δSi8+2δ18:Eu ここで、|δ|≦0.5
この場合、それぞれの場合において活性体Euは、好ましくは0.5〜5mol%の範囲で、特に好ましくは1〜3mol%の範囲で、部分的に金属イオンを置き換える。この場合、パラメータδは|δ|≦0.5、且つ好ましくは−0.5≦δ≦0.35の範囲内であるべきである(図20参照)。これは製品の量子効率QEのパラメータ、視感輝度Vsおよび1−R値(Rは反射)がそのとき最高だからである。即ち、新規の高Si相のSi比は常に、Al比よりも少なくとも40%大きく(Si/Al>1.4)、且つCa/(Al+Si)比は常に0.375よりも大きい。従ってその化学量論組成比は、明らかに最大Ca/(Si+Al)比が1.5/12(文献値)=0.125を有するアルファ−サイアロン相とは異なる。
この場合、SiNのAlOによる置き換えもまた、少しの度合いまで可能であり、特に化学式
5-δAl4-2δ+ySi8+2δ-y18-yy:Eu、ここで、|δ|≦0.5、
による。Y≦2の値がここでは好ましい。典型的には、酸素の2質量%より低い残留酸素比が、出発材料の酸素不純物および出発材料の選択および合成方法による結果として生じる。
Caのみではなく、特にCaとSrとの混合物、およびCaとMgとの混合物もまたMに適している。Ca−Srの混合物、即ち、M=(Ca,Sr)の場合、およそ90mol%のSr比x、即ちM=Ca1-xSrxに対してx=0〜0.9までで使用できる。Ca−Mgの混合物、即ち、M=(Ca,Mg)の場合、およそ50mol%までのMg比x、即ちM=Ca1-xMgxについてx=0〜0.5までの使用が可能である。
図21は、x=0からx=1までの様々なSi比xに対する(Ca,Sr)M5-δAl4-2δSi8+2δ18:Eu(2%)、ここでδ=−0.5、の発光を示す。SrイオンはCaイオンより大きいため、ピーク波長は短波長側にシフトするはずである。なぜなら、活性体と格子中でのその環境との相互作用は、膨張の結果としてより小さくなるからである。しかしながら、驚くべきことにどれだけのSrを添加するかに依存して、Srの添加が様々な効果をもたらすことが判明している。少量のSr添加では、発光強度はピーク発光の著しいシフトを生ずることなく増加する。この効果は、Srの添加がおよそx=0.2まで当てはまる。Srの混合率をさらに増加すると、その効果は強度の増加というより、ピーク発光の短波長側へのシフトである。この効果はおよそx=0.25〜x=0.9で起こる。Sr比のさらなる増加は発光強度を劇的に減少させる。図22は、室温に対して正規化した、225℃までの範囲の新規蛍光体の温度感度である。全ての試料が発光挙動に関して有利であり、良好な熱消失挙動も示すことが判明し、且つ、これは特に15%までの低いSrの混合率に当てはまる。
図23はx=0からx=1までの様々なMg比xに対する(Ca,Mg)5-δAl4-2δSi8+2δ18:Eu(2%)、ここでδ=−0.5、の発光を示す。MgイオンはCaイオンより小さいため、Mgの添加はピーク発光の長波長側へのシフトを引き起こすはずである。しかしながら、Mgの添加は本質的に発光強度にのみ影響し、正確に言うと、どれだけのMgを添加したかに依存する。少量のMg添加では、生じているピーク発光の著しいシフトを生ずることなく発光強度が増加する。この効果は、およそx=0.1までのMg添加に当てはまる。Mg混合率のさらなる増加によって、その強度はさらに減少し、ここで比較的良好な値はx=0.25まで得られ、そしてx=0.5の場合にはその強度はおよそ半分に落ちる。x=1の場合には発光はもはやまったく起きない。図24は室温に対して正規化した、225℃までの範囲の新規蛍光体の温度感度である。全ての試料がそれらの発光挙動に関して有利であり、良好な熱消失挙動も示すことが判明し、特にこれは驚くべきことに15%程度、特に13〜20%の低いMg混合率に当てはまる。従って、全般的な最適Mg混合率はおよそx=0.1〜0.15の範囲内である。
実際に、図22〜24の全ての試料は、225℃で70%(室温25℃に関する粉末輝度)の熱消失挙動を示す公知のCaAlSiN3:Eu(2%)よりも、高温での用途によく適している。前記の試料のほとんどは75〜85%の値を示している。
図25は、活性体としてセリウムをドープした、蛍光体Ca5(Al0.98Mg0.02375)4Si8N18:Ce(1%)の試料の励起スペクトルを示し、ここでCaは1%の度合いでCeによって置換されている。このCeドープした蛍光体は、およそ300nmからほぼ450nmに直ちに励起できる。
本発明による蛍光体のさらなる例示的な実施態様は、他の化学量論組成、および典型的にはMの0.5〜6mol%の少量でのLiあるいはNaのMへの追加の混合に関係する。具体的な例を表2に示す。その励起は、他に示されない限り460nmで行った。
Figure 2009545660
相対量子効率Q.E.、相対輝度、色領域成分xおよびyおよび主波長を明記する。
セリウムだけをドープした試料を、ほぼその吸収最大値の領域において400nmで励起した。しかしながら、460nmでの励起はこのために除外されない。Eu,Ceを共にドープした試料の場合、その色領域は励起波長によって400nmから460nmにシフトすることが明らかである。400nmで、Ceの発光は460nmでのEuより良く励起される。全般的に、緑色のCeの発光成分の結果として、試料の発光はすでに波長460でさえもより短くなっている。
Ceの混合物の場合では、一価イオンLiあるいはNaによるMサイト上での電荷補償は、第一に熱消失挙動に関して有利である。このように、可変のAl/Si比もよく補償される。一般に、ここでLiを酸素不含の前駆体、通常はLiFによって導入する。Al/Si比による電荷補償を伴う、目的とするLi混合が効率をわずかに下げるとはいえ、そのかわりにそれは熱消失挙動を、特にEuドープした蛍光体の場合に改善する。
絶対的にわかるように、Ceをドープした試料の熱消失挙動は優れている。表2で既に示されたように、Ceだけをドープした実施態様は緑色で発光し、且つEuだけをドープした実施態様は赤色で発光する。さらには、特に20mol%まで、好ましくは5mol%までの少量のCuがMの部分的な置換に使用できることも判明している。従って発光および効率は、MgあるいはSrでの置換の場合と同様に影響され得る。
図26は、試料A、B、C、D、Fの発光挙動を示す。
図27は、225℃までのA〜Fの6つ全ての試料の相対熱消失挙動を示す。それはほぼ全ての試料に対して優れている。

Claims (18)

  1. 陽イオンMを有するM−Al−Si−N系
    [式中、
    MはCa単独で表される、あるいはCaとBa、Sr、Mg、Zn、Cd、Li、Na、Cuの群からの少なくとも1つのさらなる元素との混合物によって表される]
    のニトリドシリケート種の蛍光体であって、前記蛍光体が、部分的にMを置き換えるEu、Ceの群からの少なくとも1つの元素で活性化されている蛍光体において、前記蛍光体がM2N2−AlN−Si3N4の系で指定される相を形成し、成分の原子比M:Al≧0.375であり、且つ原子比Si/Al≧1.4であることを特徴とする蛍光体。
  2. 活性体がEuであり、蛍光体が赤色を発光することを特徴とする、請求項1に記載の蛍光体。
  3. 活性体がCeであり、蛍光体が緑色を発光する、あるいは活性体がEu、Ceであり、蛍光体が緑色ないし赤色を発光することを特徴とする、請求項1に記載の蛍光体。
  4. 蛍光体がほぼM5-δAl4-2δSi8+2δ18、ここで|δ|≦0.5、の化学量論組成を有することを特徴とする、請求項1に記載の蛍光体。
  5. 蛍光体がほぼM5Al4Si8N18の化学量論組成を有することを特徴とする、請求項1に記載の蛍光体。
  6. 蛍光体がほぼM5-δAl4-2δ+ySi8+2δ-y18-yy、ここで|δ|≦0.5且つ0≦y≦2、の化学量論組成を有することを特徴とする、請求項1に記載の蛍光体。
  7. 蛍光体の主波長が、585〜620nmの範囲内であることを特徴とする、請求項2に記載の蛍光体。
  8. M=CaあるいはM=Ca1-xSrx、ここでx≦0.9あるいはM=Ca1-xMgx、ここでx≦0.5であることを特徴とする、請求項1に記載の蛍光体。
  9. M内での活性体Euの比が少なくとも0.5mol%、且つ好ましくは最大で5mol%であることを特徴とする、請求項2に記載の蛍光体。
  10. 蛍光体が光学的に、それも300〜485nmの範囲内、特に470nmまでで励起されることを特徴とする、請求項1に記載の蛍光体。
  11. 通常の斜方晶単位格子の最長軸aが0.950〜0.965nmの範囲内であることを特徴とする、請求項2に記載の蛍光体。
  12. 波長範囲300〜485nm内の光学スペクトル範囲の短波長範囲で光を発する一次光源を含む光源において、前記の光を請求項1から11のいずれか1項に記載の少なくとも1つの1次の蛍光体によって、完全あるいは部分的に可視スペクトルの範囲において、二次的なより長い波長の光に変換することを特徴とする光源。
  13. 使用する一次光源がInGaNまたはInGaAlPによる発光ダイオード、あるいは特にインジウム含有封入物を有する低圧または高圧放電ランプ、あるいはエレクトロルミネッセンスランプであることを特徴とする、請求項12に記載の光源。
  14. 一次光の一部をさらに2次蛍光体によってより長波長の光に変換させることを特徴とする、請求項13に記載の光源。
  15. 一次光の一部をさらに3次蛍光体によってより長波長の光に変換させ、蛍光体を特に白色光を生成するのに好適に選択および混合することを特徴とする、請求項14に記載の光源。
  16. 光源が、外側の電球に収容された放電容器内に含まれる金属ハライド封入物を有する高圧放電ランプであり、1次の蛍光体を含有する光変換被膜が外側の電球上に適用されていることを特徴とする、請求項13に記載の光源。
  17. 請求項1に記載の高効率蛍光体の製造方法において、下記の工程段階:
    a)出発物質Ca3N2、AlNおよびSi3N4および活性体前駆体、とくにEu2O3を本質的に化学量論組成比で提供し、好ましくはフッ化物系フラックスを添加してもよく、それらの出発材料を例えばボールミル内あるいは粉砕ミル内で混合する段階、
    b)この混合物を還元雰囲気中、1500〜1700℃の温度でアニールする段階、
    を特徴とする方法。
  18. 少なくとも1つの光源を含む照明ユニットにおいて、前記光源は300〜485nmの範囲内の一次光を発光し、この光を光源の一次光に晒される蛍光体によって部分的あるいは完全により長い波長の光に変換し、前記の変換を少なくとも請求項1から11までのいずれか一項に記載のニトリドシリケート種に由来する蛍光体の補助によって行うことを特徴とする照明ユニット。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010525092A (ja) * 2007-04-17 2010-07-22 オスラム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 赤色に放射する蛍光体及びこの種の蛍光体を有する光源
KR20140082694A (ko) * 2011-10-12 2014-07-02 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 소자 및 발광 물질
JP2016527163A (ja) * 2013-05-23 2016-09-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 粉末状の前駆材料を製造する方法、粉末状の前駆材料およびその使用方法
US9515231B2 (en) 2014-01-29 2016-12-06 Nichia Corporation Phosphor and light emitting device using the same
JPWO2016063965A1 (ja) * 2014-10-23 2017-09-07 三菱ケミカル株式会社 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202008005509U1 (de) * 2008-02-26 2009-07-09 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit anwendungsspezifischer Farbeinstellung
DE102008021662A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED mit Mehrband-Leuchtstoffsystem
US8274215B2 (en) 2008-12-15 2012-09-25 Intematix Corporation Nitride-based, red-emitting phosphors
US9464225B2 (en) * 2008-11-17 2016-10-11 Cree, Inc. Luminescent particles, methods of identifying same and light emitting devices including the same
DE102009037730A1 (de) 2009-08-17 2011-02-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe
DE102009055185A1 (de) 2009-12-22 2011-06-30 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung, 81543 Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigen Leuchtstoff
CN101760194B (zh) * 2009-12-30 2014-03-19 李�瑞 一种白光led用红色荧光粉及其制备方法
JP5887280B2 (ja) * 2010-02-03 2016-03-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 蛍光体変換led
DE102010028949A1 (de) 2010-05-12 2011-11-17 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Scheinwerfermodul
KR101444085B1 (ko) * 2010-05-14 2014-09-26 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 카바이도나이트라이드계 형광체들 및 이를 이용한 발광 소자들
CN103347978B (zh) * 2010-11-16 2014-12-31 电气化学工业株式会社 荧光体、发光装置及其用途
KR101641378B1 (ko) 2011-12-30 2016-07-20 인터매틱스 코포레이션 전하 평형을 위한 침입형 양이온을 갖는 질화물 인광체
US8663502B2 (en) 2011-12-30 2014-03-04 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based phosphors
JP5881092B2 (ja) * 2012-06-27 2016-03-09 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
US8597545B1 (en) 2012-07-18 2013-12-03 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors
KR101394618B1 (ko) * 2012-12-26 2014-05-13 희성금속 주식회사 발광장치에 제공되는 적색 질화물계 형광체
DE102013105307A1 (de) * 2013-05-23 2014-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials, pulverförmiges Precursormaterial und seine Verwendung
DE102014107972B9 (de) * 2014-04-17 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln
WO2016080858A1 (ru) * 2014-11-20 2016-05-26 Анатолий Васильевич ВИШНЯКОВ Красный нитридный люминофор
US10424562B2 (en) 2014-12-16 2019-09-24 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting device with phosphors
CN105985772B (zh) * 2015-02-11 2019-08-30 大连利德照明研发中心有限公司 固体光源用荧光材料、其制造方法及包含该荧光材料的组合物
JP6692053B2 (ja) * 2016-08-29 2020-05-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体及び発光装置
RU2644465C1 (ru) * 2017-03-14 2018-02-12 Общество с ограниченной ответственностью "Монокристалл Пасты" Способ получения мелкодисперсного красного люминесцентного материала для создания результирующего белого света в светодиодах

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124527A (ja) * 2001-07-16 2003-04-25 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2005226000A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Shoei Chem Ind Co 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、白色発光素子及び顔料
JP2006057018A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4810938A (en) 1987-10-01 1989-03-07 General Electric Company High efficacy electrodeless high intensity discharge lamp
EP1104799A1 (en) 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
DE10129464A1 (de) 2001-06-19 2003-01-02 Philips Corp Intellectual Pty Niederdruckgasentladungslampe mit quecksilberfreier Gasfüllung
US6958575B2 (en) 2001-12-20 2005-10-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Metal halide lamp with improved red rendition and CRI
KR20040046550A (ko) * 2002-11-27 2004-06-05 엘지전자 주식회사 이동통신 시스템의 브이피/브이씨 데이터 처리 장치 및 방법
WO2005083037A1 (en) * 2004-02-20 2005-09-09 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
TWI262609B (en) 2004-02-27 2006-09-21 Dowa Mining Co Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor
KR101041311B1 (ko) * 2004-04-27 2011-06-14 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을 이용한 발광장치
JP4543250B2 (ja) 2004-08-27 2010-09-15 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124527A (ja) * 2001-07-16 2003-04-25 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2005226000A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Shoei Chem Ind Co 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、白色発光素子及び顔料
JP2006057018A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010525092A (ja) * 2007-04-17 2010-07-22 オスラム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 赤色に放射する蛍光体及びこの種の蛍光体を有する光源
US8460579B2 (en) 2007-04-17 2013-06-11 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Red-emitting luminophore and light source comprising such a luminophore
KR20140082694A (ko) * 2011-10-12 2014-07-02 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 소자 및 발광 물질
JP2014529912A (ja) * 2011-10-12 2014-11-13 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram OptoSemiconductors GmbH オプトエレクトロニクス部品および蛍光体
KR101989642B1 (ko) 2011-10-12 2019-06-14 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 소자 및 발광 물질
JP2016527163A (ja) * 2013-05-23 2016-09-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 粉末状の前駆材料を製造する方法、粉末状の前駆材料およびその使用方法
US9515231B2 (en) 2014-01-29 2016-12-06 Nichia Corporation Phosphor and light emitting device using the same
JPWO2016063965A1 (ja) * 2014-10-23 2017-09-07 三菱ケミカル株式会社 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置

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