JP4548549B1 - 蛍光体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】蛍光体を構成する金属元素を2種以上含有する合金を、窒素含有雰囲気下で加熱することを特徴とする蛍光体の製造方法。すべての構成金属元素を溶解し、予め均一な組成の合金を作成し、この合金を窒化処理することにより、目的の窒化物又は酸窒化物を母体とする蛍光体を容易に得ることができる。
【選択図】図1
Description
まず、窒化ケイ素(Si3N4)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化ユーロピウム(Eu2O3)の原料粉末をSi:Al:Eu=13:9:1となるように混合し、原料混合粉末を200気圧の圧力を加えて圧縮成形した状態で、1気圧の窒素ガス中において1700℃の温度で1時間保持するホットプレス法により焼成してEu−アルファサイアロンが製造される。次に、窒化ケイ素(Si3N4)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化カルシウム(CaO)の原料粉末をSi:Al:Ca=13:9:3となるように混合し、原料混合粉末を200気圧の圧力を加えて圧縮成形した状態で、1気圧の窒素ガス中において1700℃の温度で1時間保持するホットプレス法により焼成してCa−アルファサイアロンが製造される。そして、この様にして得られたEu−アルファサイアロンとCa−アルファサイアロンの粉末を50:50の割合で混合し、1気圧の窒素ガス中において1700℃の温度で1時間保持するホットプレス法により焼成して、目的のEu2+イオンを付活したCa−アルファサイアロン蛍光体が製造される。このプロセスで得られる蛍光体は、波長450nmから500nmの青色光で励起されて波長550nmから600nmの黄色の光を発することが報告されている。
本発明は以下の(1)〜(9)を要旨とするものである。
(1) 蛍光体を製造する方法であって、該蛍光体の組成が下記一般式[1]で表されるものであり、Euと、Ca及び/又はSrと、Siと、Alとを含有する合金を、窒素含有雰囲気下で加熱し、窒化することを特徴とする蛍光体の製造方法。
M 1 a M 2 b M 3 c M 4 d N e O f [1]
(但し、M 1 は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M 2 は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M 3 は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M 4 は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fはそれぞれ下記の範囲の値である。
0.00001≦a≦0.15
a+b=1
0.5≦c≦1.5
0.5≦d≦1.5
2.5≦e≦3.5
0≦f≦0.5 )
(2) (1)において、前記合金の組成が下記一般式[3]で表されるものであることを特徴とする蛍光体の製造方法。
M 1 a M 2 b M 3 c M 4 d [3]
(但し、M 1 は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M 2 は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M 3 は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M 4 は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、dはそれぞれ下記の範囲の値である。
0.00001≦a≦0.15
a+b=1
0.5≦c≦1.5
0.5≦d≦1.5 )
(3) (2)において、前記一般式[3]で表される組成を有する合金が、Siを含む母合金を融解させた後、アルカリ土類金属を融解させることにより製造されたものであることを特徴とする蛍光体の製造方法。
(4) (1)ないし(3)のいずれかにおいて、前記窒素含有雰囲気が、窒素であることを特徴とする蛍光体の製造方法。
(5) (1)ないし(4)のいずれかにおいて、加熱温度が、800℃以上、2200℃以下の温度であることを特徴とする蛍光体の製造方法。
(6) (1)ないし(5)のいずれかにおいて、0.2MPa以上、200MPa以下で加熱することを特徴とする蛍光体の製造方法。
(7) (1)ないし(6)のいずれかにおいて、加熱時間(最高温度での保持時間)が1分間以上、24時間以下であることを特徴とする蛍光体の製造方法。
(8) (1)ないし(7)のいずれかにおいて、熱間等方加圧装置を用いて加熱することを特徴とする蛍光体の製造方法。
(9) (1)ないし(8)のいずれかにおいて、該蛍光体の組成が前記一般式[1]におけるM 1 がEuであり、M 2 がCa及びSrであり、M 3 がAlであり、M 4 がSiであることを特徴とする蛍光体の製造方法。
また、本発明の蛍光体の製造方法は、窒化物、酸窒化物、酸化物、硫化物、酸硫化物、炭化物等の蛍光体に応用可能である。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本発明により製造される蛍光体の組成については特に制限はないが、以下に例を挙げて説明する。
M1 aM2 bM3 cM4 dNeOf [1]
(但し、a、b、c、d、e、fはそれぞれ下記の範囲の値である。
0.00001≦a≦0.15
a+b=1
0.5≦c≦1.5
0.5≦d≦1.5
2.5≦e≦3.5
0≦f≦0.5 )
1.84≦e≦4.17
となる。しかしながら、前記一般式[1]で表される蛍光体組成において、窒素の含有量を示すeが2.5未満であると蛍光体の収率が低下する傾向にある。また、eが3.5を超えても蛍光体の収率が低下する傾向にある。従って、eは通常2.5≦e≦3.5である。
M1’ a’Srb’Cac’M2’ d’Ale’Sif’Ng’ [2]
(但し、a’、b’、c’、d’、e’、f’、g’はそれぞれ下記の範囲の値である。
0.00001≦a’≦0.15
0.1≦b’≦0.99999
0≦c’<1
0≦d’<1
a’+b’+c’+d’=1
0.5≦e’≦1.5
0.5≦f’≦1.5
0.8×(2/3+e’+4/3×f’)≦g’≦1.2×(2/3+e’+4/3×f’))
a’+b’+c’+d’=1
を満足する。
0.8(2/3+e’+4/3×f’)≦g’≦1.2×(2/3+e’+4/3×f’)であり、好ましくは0.9×(2/3+e’+4/3×f’)≦g’≦1.1×(2/3+e’+4/3×f’)、より好ましくは、2.5≦g’≦3.5である。
酸素の含有量は蛍光体の発光特性低下が容認できる範囲で通常5重量%以下、好ましくは2重量%以下、最も好ましくは1重量%以下である。
尚、蛍光体の組成の具体例としては、(Sr,Ca,Mg)AlSiN3:Eu、(Sr,Ca,Mg)AlSiN3:Ce、(Sr,Ca)2Si5N8:Eu、(Sr,Ca)2Si5N8:Ce等が挙げられる。
本発明の蛍光体を製造するには、例えば下記一般式[3]の組成となるように、原料となる金属やその合金を秤量し、これを融解させて合金化して蛍光体原料用合金を製造し、次いでこの蛍光体原料用合金の粉砕し、その後、窒素含有雰囲気下で加熱することにより窒化を行う。その際、例えばSiとアルカリ土類金属元素を含む合金を製造する場合であれば、高融点(高沸点)のSi金属及び/又はSiを含む合金を融解させた後、低融点(低沸点)のアルカリ土類金属を融解させることが好ましい。また、融解時に揮発やルツボ材質との反応等により損失する金属元素については、必要に応じて、予め過剰に秤量し添加してもよい。
M1 aM2 bM3 cM4 d [3]
(但し、M1、M2、M3、M4、a、b、c、dはそれぞれ前記一般式[1]におけると同義である。)
合金の製造に使用する金属の純度は、合成される蛍光体の発光特性の点から、付活元素M1の金属原料としては不純物が0.1モル%以下、好ましくは0.01モル%以下まで精製された金属を使用することが好ましい。付活元素M1としてEuを使用する場合には、Eu原料としてEu金属を使用することが好ましい。付活元素M1以外の元素の原料としては、2価、3価、4価の各種金属等を使用するが、同様の理由から、いずれも含有される不純物濃度は0.1モル%以下が好ましく、0.01モル%以下の高純度の金属原料を使用することが発光特性の高い蛍光体を製造できる点で好ましい。
原料金属の形状に制限は無いが、通常、直径数mmから数十mmの粒状又は塊状のものが用いられる。
2価の金属元素M2としてアルカリ土類金属元素を用いる場合、その原料としては、粒状、塊状など形状は問わないが、原料の化学的性質に応じて適切な形状を選択するのが好ましい。例えば、Caは粒状、塊状のいずれでも大気中で安定であり、使用可能であるが、Srは化学的により活性であるため、塊状の原料を用いることが好ましい。
原料金属の融解にあたっては、特に、Siと2価の金属元素M2としてアルカリ土類金属元素を含む蛍光体原料用合金を製造する場合、次の問題点がある。
さらに、このようにSi金属を融解後アルカリ土類金属の融解を行うことにより、得られる合金の純度が向上し、それを原料とする蛍光体の特性が著しく向上するという効果も奏される。
以下、(1)アーク融解・電子ビーム融解の場合、(2)高周波融解の場合を例に更に詳しく説明する。
アーク融解・電子ビーム融解の場合は、以下の手順で融解を行う。
i)Si金属又はSiを含む合金を電子ビームあるいはアーク放電により融解し、
ii)次いで間接加熱によりアルカリ土類金属を融解し、Siとアルカリ土類金属を含む合金を得る。
ここで、Siを含む溶湯にアルカリ土類金属が溶け込んだ後、電子ビームあるいはアーク放電により加熱・攪拌して混合を促進しても良い。
アルカリ土類金属元素を含む合金は酸素との反応性が高いため、大気中ではなく真空あるいは不活性ガス中で融解する必要がある。このような条件では通常、高周波融解が好ましい。しかしながら、Siは半導体であり、高周波を用いた誘導加熱による融解が困難である。例えば、アルミニウムの20℃における比抵抗率は2.8×10−8Ω・mであるのに対し、半導体用多結晶Siの比抵抗率は105Ω・m以上である。このように比抵抗率が大きいものを直接高周波融解することはできないため、一般に導電性のサセプタを用い、熱伝導や放射によりSiに熱移動を行って融解する。サセプタは、ディスク状、管状なども可能であるが坩堝を用いるのが好ましい。サセプタの材質は、黒鉛、モリブデン、炭化珪素などが一般に用いられるが、これらはアルカリ土類金属と反応しやすいという問題点がある。一方、アルカリ土類金属を融解可能な坩堝(アルミナ、カルシアなど)は絶縁体であり、サセプタとして使用することができない。従って、アルカリ土類金属と珪素を坩堝に仕込んで高周波融解するにあたり、公知の導電性の坩堝(黒鉛など)をサセプタとして使用して、間接的な加熱によりSi金属とアルカリ土類金属を同時に融解することは不可能である。そこで、次のような順序で融解することで、この問題点を解決する。
i)Si金属を導電性の坩堝を使用して間接加熱により融解する。
ii)次に、絶縁性の坩堝を使用して、アルカリ土類金属を融解することにより、Siとアルカリ土類金属元素を含む合金を得る。
i)高周波融解にあたり、Si金属と金属M(例えばAl、Ga)を導電性の坩堝を使用して間接加熱により融解し、導電性の合金(母合金)を得る。
ii)次いで、アルカリ土類金属耐性坩堝を使用して、i)の母合金を融解させた後、アルカリ土類金属を融解させることにより、Siとアルカリ土類金属元素を含む合金を得る。
Siと2価の金属元素M2以外の金属Mとの母合金を用いる場合、その組成には特に制限はないが、母合金が導電性を有していることが好ましく、通常、モル比でSi:M=1:0.01〜5の範囲として、アルカリ土類金属元素の沸点よりも融点の低い母合金を製造することが好ましい。
なお、Siを含む母合金に、さらにSi金属を加えることもできる。
付活元素M1を均一に分散させるため、また、付活元素M1の添加量は少量であるため、Si金属を融解させた後に付活元素M1を融解させることが好ましい。
(1) Siと3価の金属元素M3との母合金を製造する。この際、好ましくはSiとM3とは、一般式[3]におけるSi:M3比で合金化する。
(2) (1)の母合金を融解させた後、Srを融解させる。
(3) その後、Sr以外の2価の金属元素、付活元素M1を融解させる。
原料金属の融解により製造された合金溶湯から直接蛍光体を製造するには技術的課題が多く存在する。そのため、原料金属の融解により製造された合金溶湯を金型に注入して成型する鋳造工程を経て、凝固体を得る。ただし、この鋳造工程において溶融金属の冷却速度によって偏析が生じ、溶融状態で均一組成であったものが組成分布に偏りが生じることもある。従って、冷却速度はできるだけ速いことが望ましい。また、金型は銅などの熱伝導性のよい材料を使用することが好ましく、熱が放散しやすい形状であることが好ましい。また、必要に応じて水冷などの手段により金型を冷却する工夫をすることも好ましい。
鋳造工程で得られた合金塊は次いで粉砕することにより、所望の粒径、粒度分布を有する合金粉末を調製することができる。粉砕方法としては、乾式法や、エチレングリコール、ヘキサン、アセトン等の有機溶媒を用いる湿式法で行うことが可能である。以下、乾式法を例に詳しく説明する。
この粉砕工程は、必要に応じて、粗粉砕工程、中粉砕工程、及び微粉砕工程等の複数の工程に分けてもよい。この場合、全粉砕工程を同じ装置を用いて粉砕することもできるが、工程によって使用する装置を変えてもよい。
また、合金粉末の酸化を防ぐため、粉砕は不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度は10%以下、特に5%以下が好ましい。また、酸素濃度の下限としては、通常、10ppm程度である。特定の範囲の酸素濃度とすることによって、粉砕中に合金の表面に酸化被膜が形成され、安定化すると考えられる。酸素濃度が5%より高い雰囲気中で粉砕工程を行う場合、粉砕中に粉塵が発熱燃焼する恐れがあるため、粉塵を生じさせないような設備が必要である。不活性ガスの種類に特に制限はないが、通常、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの気体のうち1種単独雰囲気又は2種以上の混合雰囲気が用いられ、特に経済性の観点から窒素が好ましい。
また、粉砕中に合金粉末の温度が上がらないように必要に応じて冷却してもよい。
粉砕工程で粉砕された合金粉末は、バイブレーティングスクリーン、シフターなどの網目を使用した篩い分け装置、エアセパレータ等の慣性分級装置、サイクロン等の遠心分離機を使用して、前述の所望の重量メジアン径D50及び粒度分布に調整される。
加熱処理前の合金粉末の重量メジアン径D50は、合金粉末を構成する金属元素の活性度により粒径を調整する必要があり、通常の場合、100μm以下、好ましくは80μm以下、特に好ましくは60μm以下、また、0.1μm以上、好ましくは0.5μm以上、特に好ましくは1μm以上である。また、Srを含有する場合は、雰囲気ガスとの反応性が高いため、合金粉末の重量メジアン径D50は、通常5μm以上、好ましくは8μm以上、より好ましくは10μm以上、特に好ましくは13μm以上とすることが望ましい。前述の重量メジアン径D50の範囲よりも小さいと、窒化等の反応時の発熱速度が大きくなり、反応の制御が困難となるおそれがある。一方で前述の重量メジアン径D50の範囲よりも大きいと、合金粒子内部での窒化等の反応が不十分となるおそれがある。
前述の合金を用いて蛍光体を製造する方法には特に制限はなく、酸化物、窒化物、酸窒化物、硫化物、酸硫化物、炭化物など蛍光体の種類に応じて反応条件が設定されるが、以下に窒化反応を例に説明する。
蛍光体原料用合金の窒化処理は例えば以下の様にして行われる。
即ち、まず、窒化処理原料である合金粉末をルツボ、或いはトレイに充填する。ここで使用するルツボ或いはトレイの材質としては、窒化ホウ素、窒化珪素、窒化アルミニウム、タングステン等が挙げられるが、窒化ホウ素が耐食性に優れることから好ましい。
例えば、本発明の製造方法により得られる蛍光体は、以下のような特性を有する。
例えば本発明の製造方法により得られるEu付活SCASN蛍光体は、橙色ないし赤色蛍光体としての用途に鑑みて、波長465nmの光で励起した場合における発光スペクトルを測定した場合に、以下の特徴を有することが好ましい。
width at half maximum。以下適宜「FWHM」と略称する。)が、通常50nmより大きく、中でも70nm以上、更には75nm以上、また、通常120nm未満、中でも100nm以下、更には90nm以下の範囲であることが好ましい。この半値幅FWHMが狭過ぎると発光強度が低下するおそれがあり、広過ぎると色純度が低下するおそれがあるので、何れも好ましくない。
本発明の蛍光体は、その重量メジアン径D50が、通常3μm以上、中でも5μm以上、また、通常30μm以下、中でも20μm以下の範囲であることが好ましい。重量メジアン径D50が小さすぎると、輝度が低下し、蛍光体粒子が凝集してしまう傾向があり好ましくない。一方、重量メジアン径D50が大きすぎると、塗布ムラやディスペンサー等の閉塞が生じる傾向があり好ましくない。
なお、本発明における蛍光体の重量メジアン径D50は、例えばレーザー回折/散乱式粒度分布測定装置等の装置を用いて測定することができる。
本発明の蛍光体は、その内部量子効率が高いほど好ましい。その値は、通常0.5以上、好ましくは0.6以上、更に好ましくは0.7以上である。内部量子効率が低いと発光効率が低下する傾向にあり、好ましくない。
本発明の蛍光体は、高輝度であり、演色性が高いという特性を生かして、各種の発光装置に好適に用いることができる。例えば、本発明の蛍光体が、橙色ないし赤色蛍光体である場合、緑色蛍光体、青色蛍光体等を組み合わせれば、高演色性の白色発光装置を実現することができる。こうして得られた発光装置を、画像表示装置の発光部(特に液晶用バックライトなど)や照明装置として使用することができる。
本発明の蛍光体を発光装置等の用途に使用する場合には、これを液状媒体中に分散させた形態で用いることが好ましい。本発明の蛍光体を液状媒体中に分散させたものを、適宜「本発明の蛍光体含有組成物」と呼ぶものとする。
[発光装置]
次に、本発明の発光装置について説明する。本発明の発光装置は、励起光源としての第1の発光体と、第1の発光体からの光の照射によって可視光を発する第2の発光体とを、少なくとも備えて構成される。
本発明の発光装置における第1の発光体は、後述する第2の発光体を励起する光を発光するものである。第1の発光体の発光波長は、後述する第2の発光体の吸収波長と重複するものであれば、特に制限されず、幅広い発光波長領域の発光体を使用することができる。通常は、近紫外領域から青色領域までの発光波長を有する発光体が使用され、具体的数値としては、通常300nm以上、好ましくは330nm以上、また、通常500nm以下、好ましくは480nm以下のピーク発光波長を有する発光体が使用される。この第1の発光体としては、一般的には半導体発光素子が用いられ、具体的には発光ダイオード(light emitting diode。以下、適宜「LED」と略称する。)や半導体レーザーダイオード(semiconductor laser diode。以下、適宜「LD」と略称する。)等が使用できる。
本発明の発光装置における第2の発光体は、上述した第1の発光体からの光の照射によって可視光を発する発光体であり、後述する第1の蛍光体(橙色ないし赤色蛍光体)を含有するとともに、その用途等に応じて適宜、後述する第2の蛍光体(緑色蛍光体、青色蛍光体等)を含有する。
本発明の発光装置における第2の発光体は、橙色ないし赤色蛍光体(これを以下適宜「第1の蛍光体」と呼ぶ。)として、少なくとも上述の本発明の蛍光体を含有する。本発明の蛍光体は、何れか一種を単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。また、本発明の蛍光体以外に、その他の一種又は二種以上の橙色ないし赤色蛍光体を、第1の蛍光体として併用してもよい。
更に、本発明の発光装置における第2の発光体は、その用途に応じて、上述の第1の蛍光体(本発明の蛍光体)とは発光波長の異なる蛍光体を含有していてもよい(これを以下適宜「第2の蛍光体」と呼ぶ。)。第2の蛍光体としては、一種類の蛍光体を単独で使用してもよく、二種以上の蛍光体を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
緑色の蛍光を発する蛍光体(以下適宜、「緑色蛍光体」という)が発する蛍光の具体的な波長の範囲を例示すると、ピーク波長が、通常490nm以上、好ましくは500nm以上、また、通常570nm以下、好ましくは550nm以下が望ましい。
青色の蛍光を発する蛍光体(以下適宜、「青色蛍光体」という)が発する蛍光の具体的な波長の範囲を例示すると、ピーク波長が、通常420nm以上、好ましくは440nm以上、また、通常480nm以下、好ましくは470nm以下が望ましい。
本発明の発光装置において、以上説明した第2の蛍光体(赤色蛍光体、青色蛍光体、緑色蛍光体等)の使用の有無及びその種類は、発光装置の用途に応じて適宜選択すればよい。例えば、本発明の発光装置を橙色ないし赤色発光の発光装置として構成する場合には、第1の蛍光体(橙色ないし赤色蛍光体)のみを使用すればよく、第2の蛍光体の使用は通常は不要である。
橙色蛍光体(本発明の蛍光体等)を使用し、第2の蛍光体として緑色蛍光体を使用する。
本発明の発光装置に使用される第2の蛍光体の重量メジアン径は、通常10μm以上、中でも15μm以上、また、通常30μm以下、中でも20μm以下の範囲であることが好ましい。重量メジアン径が小さすぎると、輝度が低下し、蛍光体粒子が凝集してしまう傾向があり好ましくない。一方、重量メジアン径が大きすぎると、塗布ムラやディスペンサー等の閉塞が生じる傾向があり好ましくない。
本発明の発光装置は、上述の第1の発光体及び第2の発光体を備えていればよく、そのほかの構成は特に制限されないが、通常は、適当なフレーム上に上述の第1の発光体及び第2の発光体を配置してなる。この際、第1の発光体の発光によって第2の発光体が励起されて発光を生じ、且つ、この第1の発光体の発光及び/又は第2の発光体の発光が、外部に取り出されるように配置されることになる。この場合、赤色蛍光体は、青色蛍光体、緑色蛍光体とは必ずしも同一の層中に混合されなくてもよく、例えば、青色蛍光体と緑色蛍光体を含有する層の上に赤色蛍光体を含有する層が積層されていてもよい。
以下、本発明の発光装置について、具体的な実施の形態を挙げて、より詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。
本発明の発光装置の用途は特に制限されず、通常の発光装置が用いられる各種の分野に使用することが可能であるが、高輝度であり、且つ、演色性も高いことから、中でも画像表示装置や照明装置の光源として、とりわけ好適に用いられる。なお、本発明の発光装置を画像表示装置の光源として用いる場合には、カラーフィルターとともに用いることが好ましい。
金属元素組成比(モル比)がAl:Si=1:1となるように各金属を秤量し、黒鉛ルツボを用い、アルゴン雰囲気で高周波誘導式溶融炉を用いて原料金属を溶融した後、ルツボから金型へ注湯して凝固させ、金属元素組成比がAl:Si=1:1である合金(母合金)を得た。
得られた蛍光体中に生成している結晶相を粉末X線回折法で同定した結果、CaAlSiN3の斜方晶系の結晶が生成していることが確認された。また、蛍光体組成の分析を、金属元素はICP発光分光分析法(Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry;以下「ICP法」と称する場合がある。)により、ジョバイボン社製ICP化学分析装置「JY 38S」を使用して分析した。N、Oは全窒素酸素分析計(LECO社製)により行った。結果を表1に示した。
金属元素組成比がAl:Si=1:1(モル比)となるように各金属を秤量し、黒鉛ルツボを用い、アルゴン雰囲気で高周波誘導式溶融炉を用いて原料金属を溶融した後、ルツボから金型へ注湯して凝固させ、金属元素組成比がAl:Si=1:1である合金(母合金)を得た。
板の中心部 Eu:Sr:Ca:Al:Si=0.009:0.782:0.212:1:0.986、
板の端部 Eu:Sr:Ca:Al:Si=0.009:0.756:0.210:1:0.962
であり、分析精度の範囲において実質的に同一組成であった。
得られた合金はSr(Si0.5Al0.5)2と類似した粉末X線回折パターンを示し、AlB2型のアルカリ土類シリサイドと呼ばれる金属間化合物と同定された。
得られた蛍光体中に生成している結晶相を粉末X線回折法で同定した結果、CaAlSiN3と同型の斜方晶系の結晶が生成していることが確認された。
また、蛍光分光光度計でこの蛍光体の波長465nm励起による発光特性を測定し、発光波長と、後述の比較例1の蛍光体の発光輝度を100%として相対輝度を求め、結果を表1に示した。
実施例2で得られた蛍光体を、実施例2で用いたのと同様の熱間等方圧加圧装置を用いて、再度、同条件で再加熱して、蛍光体を得た。
得られた蛍光体中に生成している結晶相を粉末X線回折法で同定した結果、CaAlSiN3と同型の斜方晶系の結晶が生成していることが確認された。
また、蛍光分光光度計でこの蛍光体の波長465nm励起による発光特性を測定し、発光波長と、後述の比較例1の蛍光体の発光輝度を100%として相対輝度を求め、結果を表1に示した。
金属元素組成比がEu:Ca:Al:Si=0.008:0.992:1:1となるように、Eu2O3、Ca3N2、AlN及びSi3N4をアルゴン雰囲気中で秤量し、混合機を用いて混合した。この混合粉を窒化ホウ素製ルツボへ充填して、雰囲気加熱炉中にセットした。装置内を1×10−2Paまで真空排気した後、排気を中止し、装置内へ窒素を0.1MPaまで充填した後、1600℃まで加熱し、5時間保持して、蛍光体を得た。
また、蛍光分光光度計でこの蛍光体の波長465nm励起による発光特性を測定し、発光波長を求め、結果を表1に示した。またこのときの発光輝度を100%とした。
金属元素組成比がEu:Sr:Ca:Al:Si=0.008:0.792:0.2:1:1となるように、EuN、Sr3N2、Ca2N3、AlN及びSi3N4をアルゴン雰囲気中で秤量し、混合機を用いて混合した。この混合粉を窒化ホウ素製ルツボへ充填して、雰囲気加熱炉中にセットした。装置内を1×10−2Paまで真空排気した後、排気を中止し、装置内へ窒素を0.9MPaまで充填した後、1800℃まで加熱し、2時間保持して、蛍光体を得た。
また、蛍光分光光度計でこの蛍光体の波長465nm励起による発光特性を測定し、発光波長と、前述の比較例1の蛍光体の発光輝度を100%として相対輝度を求め、結果を表1に示した。
図4に示す発光装置を作製した。この発光装置の作製は以下の手順により行なった。なお、実施例4の各構成要素のうち、図4に対応する構成要素が描かれているものについては、適宜その符号をカッコ書きにて示す。
この発光装置の発光スペクトルを図5に示す。
実施例4において、蛍光体(B)の代わりに、凡そ波長560nm〜750nmの光を発光する蛍光体であるCa2.94Ce0.06Sc1.94Mg0.06Si3O12(この蛍光体を「蛍光体(C)」という場合がある。)を用いたこと以外は、実施例4と同様の手順により発光装置を作製した。
この発光装置の発光スペクトルを図6に示す。
2 フレーム
2A フレームの凹部
3 青色LED(第1の発光体)
4 蛍光体含有部(第2の発光体)
5 銀ペースト
6 ワイヤ
7 モールド部
8 面発光照明装置
9 拡散板
10 保持ケース
11 第2の発光体
12 第1の発光体
13 基板
14 青色LED(第1の発光体)
15 蛍光体含有部(第2の発光体)
16 フレーム
17 ワイヤ
18 端子
19 端子
Claims (9)
- 蛍光体を製造する方法であって、
該蛍光体の組成が下記一般式[1]で表されるものであり、
Euと、Ca及び/又はSrと、Siと、Alとを含有する合金を、窒素含有雰囲気下で加熱し、窒化することを特徴とする蛍光体の製造方法。
M1 aM2 bM3 cM4 dNeOf [1]
(但し、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fはそれぞれ下記の範囲の値である。
0.00001≦a≦0.15
a+b=1
0.5≦c≦1.5
0.5≦d≦1.5
2.5≦e≦3.5
0≦f≦0.5 ) - 請求項1において、
前記合金の組成が下記一般式[3]で表されるものであることを特徴とする蛍光体の製造方法。
M1 aM2 bM3 cM4 d [3]
(但し、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、dはそれぞれ下記の範囲の値である。
0.00001≦a≦0.15
a+b=1
0.5≦c≦1.5
0.5≦d≦1.5 ) - 請求項2において、前記一般式[3]で表される組成を有する合金が、Siを含む母合金を融解させた後、アルカリ土類金属を融解させることにより製造されたものであることを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項において、前記窒素含有雰囲気が、窒素であることを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 請求項1ないし4のいずれか1項において、加熱温度が、800℃以上、2200℃以下の温度であることを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 請求項1ないし5のいずれか1項において、0.2MPa以上、200MPa以下で加熱することを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 請求項1ないし6のいずれか1項において、加熱時間(最高温度での保持時間)が1分間以上、24時間以下であることを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 請求項1ないし7のいずれか1項において、熱間等方加圧装置を用いて加熱することを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 請求項1ないし8のいずれか1項において、該蛍光体の組成が前記一般式[1]におけるM1がEuであり、M2がCa及びSrであり、M3がAlであり、M4がSiであることを特徴とする蛍光体の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114316961A (zh) * | 2016-01-29 | 2022-04-12 | 江苏博睿光电有限公司 | 氮氧化物发光颗粒、制备方法和发光器件 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101346580B1 (ko) * | 2005-04-01 | 2014-01-02 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 무기 기능재 원료용 합금 분말 및 형광체 |
CN101350393B (zh) * | 2008-09-10 | 2010-10-13 | 罗维鸿 | 发光二极管的封装结构及其方法 |
JP5612355B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2014-10-22 | 株式会社Kanzacc | メッキ構造及び電気材料の製造方法 |
JP5747023B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-07-08 | 株式会社東芝 | 白色発光ランプおよびそれを用いた白色led照明装置 |
KR20130098322A (ko) * | 2010-08-04 | 2013-09-04 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 규질화물 형광체용 질화규소 분말 그리고 그것을 이용한 CaAlSiN3계 형광체, Sr2Si5N8계 형광체, (Sr, Ca)AlSiN3계 형광체 및 La3Si6N11계 형광체, 및 그 제조 방법 |
JP5864851B2 (ja) | 2010-12-09 | 2016-02-17 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
CN102304359A (zh) * | 2011-06-21 | 2012-01-04 | 南昌大学 | 稀土掺杂氮氧化物荧光材料的温和合成方法 |
JP5901985B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2016-04-13 | デンカ株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
JP5901986B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2016-04-13 | デンカ株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
JP2015083617A (ja) * | 2012-02-09 | 2015-04-30 | 電気化学工業株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
CN102965104A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-03-13 | 彩虹集团公司 | 一种氮化物荧光粉材料及其制备方法 |
CN103013506A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-04-03 | 彩虹集团公司 | 一种氮化物荧光粉材料及其制备方法 |
CN103642493A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-03-19 | 张书生 | 一种高光效、高稳定性无机发光材料及其制造方法 |
JP6323177B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
CN104327854B (zh) * | 2014-11-11 | 2016-05-18 | 河北利福化工科技有限公司 | 一种红色发光荧光粉及其制备方法 |
CN104357054A (zh) * | 2014-11-11 | 2015-02-18 | 河北利福化工科技有限公司 | 氮化物荧光粉前驱体、制备方法和氮化物荧光粉制备方法 |
TWI587548B (zh) * | 2015-09-07 | 2017-06-11 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體封裝件 |
CN105623657B (zh) * | 2016-01-29 | 2017-04-26 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种含氮发光颗粒及其制备方法、含氮发光体和发光器件 |
CN110903828B (zh) * | 2019-11-11 | 2022-06-17 | 江苏师范大学 | 一种Eu3+离子激活的红色荧光粉及其制备方法与应用 |
CN110964523B (zh) * | 2019-11-11 | 2022-06-17 | 江苏师范大学 | 一种Cr3+离子激活的近红外荧光粉及其制备方法与应用 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124527A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-04-25 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット |
JP2003321675A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP2004238505A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Ube Ind Ltd | サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法 |
JP2005008793A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | National Institute For Materials Science | 酸窒化物蛍光体 |
JP2005054182A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Toyo Aluminium Kk | 窒化アルミニウム系蛍光体及びその製造方法 |
JP2006509871A (ja) * | 2002-12-13 | 2006-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射源と発光体を有する照射システム |
JP2007534609A (ja) * | 2004-04-27 | 2007-11-29 | アリゾナ ボード オブ リージェンツ | 高度発光ドープ金属窒化物粉末を合成するための方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11166179A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Futaba Corp | 蛍光体及びその製造方法 |
JP4221950B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2009-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体 |
-
2006
- 2006-03-31 CN CN2006800158625A patent/CN101171321B/zh active Active
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124527A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-04-25 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット |
JP2003321675A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP2006509871A (ja) * | 2002-12-13 | 2006-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射源と発光体を有する照射システム |
JP2004238505A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Ube Ind Ltd | サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法 |
JP2005008793A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | National Institute For Materials Science | 酸窒化物蛍光体 |
JP2005054182A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Toyo Aluminium Kk | 窒化アルミニウム系蛍光体及びその製造方法 |
JP2007534609A (ja) * | 2004-04-27 | 2007-11-29 | アリゾナ ボード オブ リージェンツ | 高度発光ドープ金属窒化物粉末を合成するための方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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