WO2007129713A1 - サイアロン蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた照明器具及び発光素子 - Google Patents

サイアロン蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた照明器具及び発光素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2007129713A1
WO2007129713A1 PCT/JP2007/059527 JP2007059527W WO2007129713A1 WO 2007129713 A1 WO2007129713 A1 WO 2007129713A1 JP 2007059527 W JP2007059527 W JP 2007059527W WO 2007129713 A1 WO2007129713 A1 WO 2007129713A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sialon
phosphor
sialon phosphor
light
powder
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/059527
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hideyuki Emoto
Masahiro Ibukiyama
Takashi Kawasaki
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2006131018A external-priority patent/JP5124101B2/ja
Priority claimed from JP2006168759A external-priority patent/JP2007332324A/ja
Application filed by Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha filed Critical Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha
Priority to KR1020107028742A priority Critical patent/KR101204573B1/ko
Priority to CN200780016969.6A priority patent/CN101443432B/zh
Priority to KR1020127018633A priority patent/KR101221683B1/ko
Priority to EP07742962.9A priority patent/EP2022835B1/en
Priority to US12/300,127 priority patent/US20100237767A1/en
Priority to KR1020127018634A priority patent/KR101221691B1/ko
Publication of WO2007129713A1 publication Critical patent/WO2007129713A1/ja
Priority to US13/464,855 priority patent/US20120270049A1/en
Priority to US13/791,762 priority patent/US8685279B2/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729Chalcogenides
    • C09K11/7731Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/597Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/6261Milling
    • C04B35/6262Milling of calcined, sintered clinker or ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C09K11/646Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3865Aluminium nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3873Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/442Carbonates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • C04B2235/445Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5409Particle size related information expressed by specific surface values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/761Unit-cell parameters, e.g. lattice constants
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/766Trigonal symmetry, e.g. alpha-Si3N4 or alpha-Sialon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/767Hexagonal symmetry, e.g. beta-Si3N4, beta-Sialon, alpha-SiC or hexa-ferrites
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]

Definitions

  • Sialon phosphor method for producing the same, lighting apparatus using the same, and light emitting device
  • the present invention relates to a sialon phosphor that is excited by ultraviolet or blue light and emits visible light, a method for producing the same, and a lighting fixture and a light emitting device using the sialon phosphor. More specifically, the present invention relates to a phosphor that can be used for a blue light emitting diode (blue LED) or an ultraviolet light emitting diode (ultraviolet LED), a method for producing the same, a lighting fixture and a light emitting device using the phosphor, and particularly a white light emitting diode ( White LED).
  • blue LED blue LED
  • ultraviolet light emitting diode ultraviolet light emitting diode
  • White LED white light emitting diode
  • Phosphors using a silicate, phosphate, aluminate, or sulfide as a base material and using a transition metal or a rare earth metal in the light emission center are widely known.
  • nitrides and oxynitride phosphors which are materials that have a stable crystal structure and can shift excitation light and light emission to the long wavelength side.
  • the ⁇ -type silicon nitride crystal is partially composed of A1— ⁇ bonds and A1
  • the a-type sialon is composed of silicon nitride, aluminum nitride, aluminum oxide as necessary, In addition, it is obtained by firing a mixed powder composed of oxides of elements that enter and dissolve in solid at a high temperature in nitrogen.
  • Various fluorescence characteristics can be obtained depending on the ratio of the nitride nitride and aluminum compound, the type of element that enters and dissolves, and the ratio of the element that becomes the emission center.
  • a diamond sialon in which Ca and the emission center Eu as a penetrating solid solution element are dissolved in a wide range of wavelengths from the ultraviolet to the blue region, and emits yellow to orange light. For this reason, it is expected to be used in white LED applications by combining with blue light emitting LEDs that have complementary colors.
  • nitrides such as aluminum nitride, silicon magnesium nitride, calcium calcium nitride, barium silicon nitride, gallium nitride, and zinc zinc nitride, and phosphors of oxynitride (hereinafter referred to as nitride phosphor, Oxynitride phosphors) have been proposed.
  • Non-Patent Documents 4 to 6 are characterized in that the raw material powder is inexpensive and can be synthesized at a relatively low temperature of around 1500 ° C. Since gas components such as SiO and CO are generated through the product, it is difficult to obtain a single-phase material, and it is difficult to strictly control the composition and control the particle size.
  • nitride containing a constituent element and a compound containing an activator are simply mixed and heated, or a mixture of oxides of the constituent elements is returned with carbon or the like.
  • a nitride phosphor or oxynitride phosphor having sufficient characteristics cannot be obtained only by the original nitriding.
  • a raw material containing no oxygen for example, a raw material such as calcium fluoride or calcium cyanamide, or a mixing method of raw materials used for firing.
  • a manufacturing method requiring almost no pulverization treatment was proposed, and the emission intensity was improved (see Patent Documents 8 and 9).
  • White requires a combination of multiple colors different from monochromatic light
  • a general white LED is a combination of an ultraviolet LED or blue LED and a phosphor that emits visible light using those light as an excitation source.
  • Patent Documents 10 and 11 See, for example, Patent Documents 10 and 11. Therefore, in order to improve the efficiency of the white LED, the luminous efficiency of the LED of the ultraviolet LED or the blue LED itself is improved, the efficiency of the phosphor used in the LED is improved, and the emitted light is further improved. It is necessary to improve the efficiency of taking out the outside. All of these efficiencies need to be improved in order to expand the use of white LEDs for general lighting.
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 3668770
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-336059
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-124527
  • Patent Document 4 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2003-206481
  • Patent Document 5 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-186278
  • Patent Document 6 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-244560
  • Patent Document 7 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-255895
  • Patent Document 8 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2008-45271
  • Patent Document 9 Special Publication 2005-123876
  • Patent Document 10 JP-A-5-152609
  • Patent Document 11 JP-A-7-099345
  • Non-Patent Document 1 JWH van Krebel "On New Rare-Earth Doped M- Si- A ⁇ O- N Mate rials", TU Eindhoven, The Netherlands, 145-161 (1998)
  • Non-Patent Document 2 Proceedings of the 52nd Joint Conference on Applied Physics (March 2005, Saitama University) p. 1614-1615
  • Non-Patent Document 3 Proceedings of the 65th JSAP Scientific Meeting (September 2004, Tohoku Gakuin University) No. 3 p. 1282-1284
  • Non-Patent Document 5 J. W. T. van Rutten et al., Carbothermal Preparation and Characterization of Ca-a-SiAlON ", J. Eur. Ceram. So, 15, 599-604 (1995)
  • Non-Patent Document 6 K. Komeya et al., Hollow Beads Composed of Nanosize Ca-SiAlO N Grains ", J. Am. Ceram. So, 83, 995-997 (2000)
  • the phosphor for white LED is generally used by being dispersed as micron-sized particles in a sealing material such as epoxy resin or silicone resin.
  • a sealing material such as epoxy resin or silicone resin.
  • these particles are secondary particles obtained by sintering a plurality of fine primary particles. The force that is being studied for its size, distribution, etc. The surface properties of the secondary particles have not been noticed.
  • the average particle size of general raw materials such as silicon nitride and aluminum nitride is 1 ⁇ m or less, and nitrides and oxynitride phosphors are synthesized by a conventional method using them as raw materials.
  • the obtained powder necessarily has a wide particle size distribution, and in particular, there are many powders with a particle size of several ⁇ m or less that strongly scatter visible light. there were.
  • the white LED obtained up to now has a luminous efficiency that does not reach that of a fluorescent lamp.
  • White LEDs which use oxynitrides and nitride phosphors such as sialon phosphors, are more efficient than incandescent bulbs. It is essential and improving the luminous efficiency of the phosphor is an important industrial issue.
  • the first purpose was to provide a white LED with a peak in the wavelength range of 600 nm and excellent luminous efficiency, in particular, a white LED with excellent luminous efficiency using a blue LED or an ultraviolet LED as a light source.
  • the second object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and provide an LED having excellent luminous efficiency, for example, a white LED, particularly a white LED having a blue LED or an ultraviolet LED as a light source.
  • the object is to stably provide phosphors having excellent fluorescence characteristics on an industrial scale.
  • the inventors of the present invention have studied a phosphor having a template sialon as a base material, and have determined that the intrusion solid solution element of the template sialon is a specific one, and the crystal lattice size is within an appropriate range.
  • a phosphor with a peak in the wavelength range of 540 to 600 nm and excellent luminous efficiency can be obtained, and this can be used to obtain a lighting device with excellent luminous characteristics.
  • the present invention has been achieved.
  • the inventors of the present invention have made it possible to smooth the surface of the secondary particles by adding seed particles that are the core of grain growth to the raw material powder and using a dense boron nitride crucible in the synthesis process.
  • the present invention has been found to improve the properties.
  • the sialon phosphor of the present invention has a general formula: (Ml)
  • M2 is one or more elements selected from the group consisting of Ce, Pr, Eu, Tb, Yb and Er, and 0.3 ⁇ X + Y ⁇ 1.5 and 0 It is characterized by being a powder having ⁇ -sialon represented by ⁇ Y ⁇ 0 ⁇ 7) as its main component and a specific surface area of 0 ⁇ 2 to 0.5 ⁇ 5m 2 / g.
  • the ⁇ -type sialon phosphor is characterized in that the lattice constant a is in the range of 0.780-0.788 nm and the lattice constant c is in the range of 0.565 to 0.573 nm.
  • the diffraction intensity of the crystal phase other than the template sialon is (10
  • Ml contains at least Ca
  • M2 contains at least Eu
  • ultraviolet or visible light having a wavelength of 250 to 500 nm is used as an excitation source.
  • the emission characteristics having a peak in the wavelength range of 540 to 600 nm are exhibited.
  • the method for producing a model sialon phosphor represented by the above general formula of the present invention is characterized in that the starting material contains 5 to 30% by mass of ⁇ -sialon.
  • the specific surface area of ⁇ -sialon contained in the starting material is preferably 0.5 to 2 m 2 / g.
  • Another method for producing the above-described sialon phosphor of the present invention is characterized in that the starting material is filled in a crucible made of a boron nitride material having a density of 1.75 g / cm 3 or more and fired in a nitriding atmosphere.
  • the boron nitride is preferably made of pyrolytic boron nitride (P—BN).
  • the lighting fixture of the present invention includes a light emitting light source and a phosphor, and uses at least the sialon phosphor or the sialon phosphor obtained by the manufacturing method.
  • sialon phosphors composed of sialon (hereinafter, simply referred to as sialon phosphors)
  • the present inventors have conducted characteristics and composition analysis on various powders and conducted experimental verification. As a result, the inventors have found that control of the particle shape, particle size, composition distribution, and the like of the phosphor particles is effective for improving the light emission intensity, leading to the present invention.
  • the second sialon phosphor of the present invention has an average circularity of the constituent particles of the phosphor of not less than 0.75, and a particle size distribution of the phosphor D force S5 It is ⁇ 30 zm, and D is 2. O xm or more.
  • Another configuration of the sialon phosphor of the present invention is characterized in that the concentration of an element involved in light emission contained in the phosphor particles is high in the outer peripheral portion of the particle, which is low inside the particle.
  • the concentration of the element involved in the light emission at the outer peripheral portion of the sialon phosphor particle is 1.2 times or more the concentration of the element involved in the light emission inside the particle.
  • the phosphor is preferably represented by the general formula: (Ml) (M2) (Si) (Al)
  • Ml is Ca and M2 is Eu.
  • the method for producing the template sialon phosphor of the present invention includes a silicon-containing material, an aluminum-containing material, Ml (Li, Mg, Ca, Sr, Y, and lanthanide metal (excluding La and Ce) forces, And a raw material containing one or more elements selected from the group consisting of M2 (one or more elements selected from Ce, Pr, Eu, Tb, Yb, Er)
  • M2 one or more elements selected from Ce, Pr, Eu, Tb, Yb, Er
  • the granule is subjected to caloric heating in a nitrogen gas atmosphere at a temperature of 1500 to 2100 ° C. to obtain an ⁇ -type sialon phosphor.
  • the ⁇ -sialon phosphor synthesized in advance is added to the raw material and mixed.
  • the method for producing a ⁇ -sialon phosphor of the present invention comprises mixing a silicon-containing material, an aluminum-containing material, and a raw material containing M3 (one or more elements selected from Mn, Ce, Eu). A granule is prepared, and the granule is heated at a temperature of 1500 to 2100 ° C. in a nitrogen gas atmosphere to obtain a type sialon phosphor. Preferably, a ⁇ -sialon phosphor synthesized in advance is added to the raw material and mixed.
  • M3 one or more elements selected from Mn, Ce, Eu
  • the light emitting device of the present invention includes the sialon phosphor described above and a light emitting diode having a maximum emission wavelength in the range of 240 to 480 nm as constituent elements.
  • the invention's effect is the following:
  • the first sialon phosphor of the present invention is more efficient than the conventional one because the primary particles are larger without changing the secondary particle size and the surface of the particles is smoother. It can be absorbed in the grains and has excellent light emission characteristics. Moreover, since the luminaire of the present invention uses the phosphor, good light emission characteristics can be obtained. [0040] Since the second sialon phosphor of the present invention has a specific particle shape and composition distribution, the second sialon phosphor has a feature that the emission intensity and the emission efficiency are high even when the phosphor alone is measured. Furthermore, when dispersed in a sealing resin, the LED element is well dispersed in the resin, and the LED element sealed using it is less likely to cause unnecessary light scattering and absorption in the sealing resin layer. Luminous efficiency is improved.
  • the sialon phosphor of the present invention since it has the above-described characteristics, it can be preferably applied to various LEDs, and in particular, a white LED is provided in combination with an LED having a maximum emission intensity at an emission wavelength of 240 to 480 nm. be able to.
  • Intrusive elements such as Li, Mg, Ca, Y, and lanthanide metals (excluding La and Ce).
  • the solid solution Z value of M is a numerical value determined by the A1-N bond substitution rate of the Si—N bond.
  • a range of 7 is preferable.
  • ⁇ -sialon is obtained by heating and reacting a mixed powder composed of silicon nitride, aluminum nitride, aluminum oxide, and an interstitial solid solution element in a high-temperature nitrogen atmosphere.
  • a mixed powder composed of silicon nitride, aluminum nitride, aluminum oxide, and an interstitial solid solution element in a high-temperature nitrogen atmosphere.
  • some of the components form a liquid phase, and the substance moves through it to form ⁇ -sialon solid solution. Therefore, ⁇ form after synthesis Sialon sinters a plurality of primary particles to form secondary particles and further agglomerates, which are pulverized to form a powder.
  • the present inventors have obtained the knowledge that the specific surface area of the particles is closely related to the light emission characteristics, and have reached the present invention.
  • the specific surface area of the particles shows the smoothness of the particles and is a parameter sensitive to the presence of fine powder.
  • the specific surface area of the phosphor powder is preferably 0.2 to 0.5 m 2 Zg. If the specific surface area is more than 0.5 m 2 / g, light scattering by the particle surface and the fine particles will reduce the efficiency with which the excitation light is taken into the particles and the light emission characteristics will deteriorate, which is not preferable. Particles with a specific surface area of less than 0.2 m 2 / g can only be realized with densely sintered particles that are difficult to obtain with isolated primary particles. Since it deviates greatly from suitable size as a fluorescent substance, it is not preferable.
  • the phosphor of the present invention forms ⁇ -sialon as a main component, but forms a grain boundary phase having a different composition at the particle interface, and easily forms a crystalline or amorphous second phase. Therefore, the total composition of the phosphor powder does not necessarily correspond to the solid solution composition of ⁇ -sialon. In ⁇ -type sialon crystals, the crystal lattice size increases as the solid solution amount of aluminum and oxygen increases.
  • the ⁇ -sialon crystal phase contains as much purity and as much as possible, and is preferably composed of a single phase. Even a mixture containing a phase and other crystalline phases may be in a range where the properties do not deteriorate.
  • the diffraction intensity of the crystal phase other than the diamond sialon does not exceed the diffraction ray intensity of the (102) plane of the diamond sialon. Is preferably 10% or less. If a crystal phase exceeding 10% is present, the light emission characteristics deteriorate.
  • the atomic weight ratio of Eu serving as the emission center is preferably in the range of 0 and Y ⁇ 0.1. If Y exceeds 0.1, the emission brightness will decrease due to concentration quenching caused by interference between the dissolved Eu ions.
  • a powder of silicon nitride, aluminum nitride, calcium-containing compound and europium oxide is used as a raw material.
  • the phosphor production method of the present invention is characterized in that 5-30% by mass of a pre-synthesized ⁇ -sialon powder is contained in the raw material powder blended so as to have a predetermined composition. To do.
  • the a-type sialon powder previously blended with the raw material powder selectively becomes the starting point for grain formation during the heat treatment, promotes the growth of primary particles, improves the coarsening of the primary particles and improves the surface smoothness.
  • ⁇ -sialon powder when added to the raw material powder in advance, it has the effect of suppressing sintering during the synthesis process, and easily savory sialon can be produced.
  • This sialon does not require excessive pulverization, and a powder having a desired particle size can be obtained by a simple pulverization process, and has the effect of suppressing the generation of fine particles due to the powder process that lowers the light emission characteristics.
  • the added amount of the a-type sialon powder is 5% by mass or more, the formation, sintering, and grain growth of new template sialon particles may proceed in a portion other than the added template sialon particles. A powder having a small specific surface area can be obtained. If the added amount of the model sialon powder is 30% by mass or less, it is possible to prevent the grain growth base point from being excessively large and individual particle growth to be slight, making it difficult to obtain a sufficiently smooth particle surface. preferable.
  • the constituent elements and composition of the model sialon powder previously contained in the raw material are not limited.
  • the fluorescence characteristics are emitted mainly in the region close to the powder surface. This is to make it appear.
  • the use of ⁇ -sialon powder that contains different luminescent center elements or contains an impurity element such as iron that inhibits light emission greatly affects the characteristics of the ⁇ -sialon phosphor layer formed on the surface. It is not preferable because it affects.
  • the specific surface area of the diamond sialon powder added in advance is 0.5 to 2 m 2 / g. If the specific surface area is 2 m 2 / g or less, the effect on grain growth is sufficiently achieved. On the other hand, if the specific surface area is 0.5 m 2 Zg or more, the secondary particle size of the synthetic powder becomes remarkably large. Since the final specific surface area of 0.2 to 0.5 m 2 Zg can be easily obtained without finally requiring a pulverization treatment or the like, it is preferable.
  • a method of dry mixing a method of removing the solvent after wet mixing in an inert solvent that does not substantially react with each component of the raw material, etc. are adopted. can do.
  • a V-type mixer a mouth mixer, a ball mill, a vibration mill and the like are preferably used.
  • Powder obtained by mixing so as to have a desired composition (hereinafter referred to as raw material powder) is filled in a container such as a crucible made of boron nitride at least on the surface in contact with the raw material powder.
  • a container such as a crucible made of boron nitride at least on the surface in contact with the raw material powder.
  • ⁇ -sialon is obtained by heating in the atmosphere at a temperature range of 1600-1800 ° C for a predetermined time.
  • the reason why boron nitride is used for the container material is that the reactivity with each component of the raw material is very low, but the present inventors have increased the density of boron nitride used in the crucible.
  • ⁇ -sialon powder we found that it has the effect of increasing the primary particles and smoothing the surface.
  • the density of boron nitride used in the crucible is preferably 1.75 g / cm 3 or more. When the density is less than 1.75 g / cm 3 , gas permeation through the crucible easily occurs, volatilization of the components contained in the raw material powder filled in the crucible is promoted, and compositional deviation only occurs. Carbon monoxide gas, cyan gas, etc. existing in the crucible penetrate into the crucible and cause reaction with the raw material powder and inhibition of grain growth.
  • the density of the crucible is preferably as high as possible.
  • pyrolytic boron nitride (P—BN) produced by a vapor phase method is very dense and is preferably used.
  • the filling of the raw material powder into the container is preferably as bulky as possible from the viewpoint of suppressing interparticle sintering during heating.
  • the bulk density when filling the raw material powder into the synthesis container is preferably 1. Og / cm 3 or less.
  • the heating time in the heat treatment a time range in which there are no inconveniences such as many unreacted substances, insufficient growth of primary particles, or sintering between particles is selected. According to the study by the present inventors, about 2 to 24 hours is a preferable range.
  • the model sialon obtained by the above-described operation is in the form of a lump, it can be used in various applications by combining it with pulverization, pulverization and, in some cases, classification treatment, to obtain a powder of a predetermined size. In the form of a phosphor.
  • the average particle size of secondary particles is set to 3 to 30 ⁇ m. If the average particle size of the secondary particles is 3 ⁇ m or more, the emission intensity will be low. If the average particle size is 30 ⁇ m or less, uniform dispersion in the resin that seals the LED is easy, and light emission. It can be used practically without causing variations in strength and color tone.
  • the agglomerate made of a-type sialon obtained by the above-described production method is relatively easy to grind and has a feature that it can be easily ground to a predetermined particle size with a mortar or the like.
  • a ball mill, vibration mill, jet mill, etc. it is also acceptable to use a general dusting machine such as the above.
  • the sialon phosphor of the present invention has a wide excitation range from ultraviolet to visible light and emits visible light, and thus is suitable for a lighting fixture.
  • the phosphor obtained by selecting Ca and Eu as the intrusion elements into the crystal lattice of ⁇ -sialon has a peak wavelength due to the substitution rate of Si-N bonds to A1-N bonds and Al_O bonds. Can be controlled to yellow to orange light of 540 to 600 nm and has high luminance emission characteristics. Therefore, white light can be easily obtained in combination with a blue LED.
  • the model sialon does not deteriorate even when exposed to high temperatures, has excellent heat resistance, and has excellent long-term stability in an oxidizing atmosphere and moisture environment.
  • the lighting fixture of the present invention is configured using at least a light emitting light source and the phosphor of the present invention.
  • the lighting fixture of the present invention include LED lighting fixtures and fluorescent lamps.
  • LED lighting using the phosphor of the present invention is performed by a known method as disclosed in Patent Documents 10 and 11, etc.
  • An instrument can be manufactured.
  • the light emitting source is preferably an ultraviolet LED or a blue LED emitting light with a wavelength of 350 to 500 nm, and these light emitting elements are made of nitride semiconductors such as GaN and InGaN, and the composition is adjusted. By doing so, it can be a light emitting light source that emits light at a predetermined wavelength.
  • a lighting fixture that emits a desired color can be configured by using in combination with a phosphor having other light emission characteristics.
  • the average circularity of the constituent particles of the phosphor is 0.75 or more, and the particle size distribution of the phosphor has a 50% diameter in a volume-based integrated fraction.
  • D force ⁇ 30 ⁇ , D is 2 ⁇ 0 / im or more.
  • the average circularity of the sialon phosphor particles of the present invention is 0.75 or more, preferably 0.8 or more, more preferably 0.85 or more.
  • the average circularity is the average value of circularity defined by (circumference length of circle equal to particle area) ⁇ (particle circumference), and is a particle shape measuring device, for example, flow particle image analyzer ( It can be measured by FPIA-3000) manufactured by Sysmetas.
  • the number of particles to be measured is the number average value of the circularity that is desired to be 500 or more so that the variation in the measured value becomes small.
  • the size of the particles to be measured should be in the range of 0.5 to 100 x m in terms of area circle equivalent diameter.
  • the 50% diameter (D) in the volume-based integrated fraction is 5 to 30 x m, preferably 10 to 25 x m. D force ⁇ m or less
  • the emission intensity of the sialon phosphor measured with a fluorescence spectrophotometer decreases.
  • the LED when the LED is assembled, light scattering within the layer containing the phosphor becomes significant, which reduces the light extraction efficiency. If the LED light emission efficiency decreases, there will be no disadvantages.
  • D is 30 / m or less, the emission intensity of the phosphor measured with a spectrofluorometer
  • the LED's luminous efficiency is large enough, and the particle size is too large.For example, if mixed with resin, it will be difficult to use because it will settle in the resin, and the chromaticity of the LED It does not cause variations or uneven color on the irradiated surface.
  • the 10% diameter (0) in the volume-based integrated fraction is 2 zm or more, preferably 4.5 zm or more, more preferably 7.0. ⁇ m or less
  • the D force is less than 3 ⁇ 4 z m, the reason is unknown, but it is measured with a fluorescence spectrophotometer.
  • the emission intensity of the phosphor decreases. Also, when assembled into an LED, the number of particles with a small particle size close to the wavelength of visible light is large, so light is strongly scattered within the layer containing the phosphor, and the LED light emission efficiency (light extraction efficiency) decreases. To do. Since these values are also related to the refractive index of the phosphor, the optimum value is a force type sialon that differs depending on the phosphor material, and the type sialon has a different density and refractive index, although the crystal structure is different. Since it is not different, it can be specified with the same numerical value. In addition, since the refractive index is higher than that of oxide and sulfide phosphors that have been widely used in the past, these optimum values in the particle size distribution of sialon phosphors are increased.
  • the particle size distribution measurement methods include laser diffraction scattering method, centrifugal sedimentation light transmission method, X-ray transmission method, light shielding method, electrical detection band method, etc., but the reproducibility is good and the operation is relatively
  • the laser diffraction scattering method was adopted because of its simplicity.
  • a pretreatment for the measurement of sampnore a small amount of sampnore is taken in water in which a dispersing agent such as sodium phosphate aqueous solution is dropped, and dispersed by applying ultrasonic waves.
  • the sialon phosphor of the present invention is characterized in that the concentration of elements involved in light emission contained in the phosphor particles is high in the outer peripheral portion where the inside of the particles is low. Preferably, the concentration at the outer periphery of the phosphor particles is 1.2 times or more the concentration inside the particles.
  • the present inventors have experimentally confirmed that the luminous efficiency of an LED when assembled in an LED is improved by controlling the concentration of elements involved in the light emission in the phosphor in this way.
  • the element involved in light emission contained in the sialon phosphor is generally an emission center. It refers to a metal ion called.
  • many rare earth ions such as Ce, Pr, Eu, Tb, Yb, Er, and transition metal element ions, such as Mn ions, can be included as the emission center.
  • these elements In order for a phosphor to absorb excitation light and emit sufficient intensity of fluorescence, these elements must be contained in a concentration above a certain level. However, if the concentration is too high, concentration quenching generally occurs and light emission occurs. Since the intensity decreases, the concentration of elements involved in light emission in the phosphor must be controlled to an appropriate value. This concentration range is different for each phosphor.
  • the concentration of the elements involved in the light emission in the outer peripheral portion and inside of the phosphor powder can be measured as follows.
  • the phosphor powder is encapsulated with epoxy resin and cut with an argon ion beam cross-section preparation device.
  • Look for cut phosphor particles by observing the cut surface with an electron microscope, and analyze the elements on the cut surface of the phosphor by line analysis using energy dispersive X-ray analysis (EDX) or surface analysis using electron beam micro analysis (EPMA). I do. Since the number of counts obtained by EDX or EPMA is proportional to the number of elements present, if the ratio of count numbers is measured under the same analysis conditions, the ratio of count numbers becomes the ratio of concentration. The ratio of the density at the outer periphery can be measured.
  • the interior of the sialon phosphor particles in the present invention is defined as follows. In the particle cross section obtained as described above, the maximum value of the particle length in the vertical direction from the tangent of the particle outer peripheral portion (hereinafter referred to as the maximum length in the tangential vertical direction of the particle). Ask.
  • the inside of the sialon phosphor particles refers to the portion inside the line that is 20% inside this maximum value.
  • the outer periphery refers to the portion outside the 20% inner line.
  • the state in which the concentration of the element involved in light emission is low in the particle outer periphery where the particle interior is low is high in the particle cross section having a particle size near D, which means that the entire interior is lower than the entire outer periphery. This means that the average concentration within the dimension of about 1 ⁇ m inside the particle is lower than the average concentration within the dimension of about 1 ⁇ m around the particle.
  • the average of line analysis values with a length of about 1 ⁇ m can be compared.
  • the measurement location can be determined by taking the portion with the lowest concentration inside the particle and the portion with the highest concentration at the outer periphery and measuring the concentration to obtain a ratio.
  • the concentration ratio is 1.2 or more Toyoyore. If it is smaller than 1, the difference in density becomes small, and the difference in light emission between the outer periphery and the inside becomes small, so that the effects of the present invention may not be sufficiently obtained. The reason why the effect of the present invention is obtained is estimated as follows.
  • the particle size tends to be larger and the emission intensity tends to be higher.
  • the LED is actually assembled and its emission efficiency is measured, If a phosphor having a large diameter is used, the light emission efficiency may decrease.
  • the difference is that in the measurement using a fluorescence spectrophotometer, in the case of a force LED in which the incident direction of excitation light and the measurement direction of fluorescence are on the same side of one surface of the measurement cell filled with the phosphor, This may be due to the measurement of light transmitted through the dispersed layer.
  • Phosphors with a large particle size have a higher rate of absorption without transmitting light, especially in the case of secondary particles in which primary particles are aggregated, light scattering or absorption is likely to occur at the interface inside the secondary particles. Even if light is emitted immediately inside the secondary particles, it becomes difficult to extract the light out of the phosphor particles, and the luminous efficiency of the LED is considered to be reduced.
  • the number of interfaces in the secondary particles that cause light scattering and absorption is reduced as much as possible, that is, the number of primary particles constituting the secondary particles is reduced, It is considered important to minimize crystal phases and foreign substances other than sialon in the particles.
  • the light is easily taken out of the phosphor, and it is considered that the extra light absorption inside the secondary particles can be reduced.
  • the concentration quenching of the concentration of the element involved in the light emission at the outer peripheral portion does not occur. If it is limited to a certain extent, the absorption and emission of excitation light occur more strongly in the outer periphery than in the interior, and the light can be easily taken out of the phosphor particles, so that the above object can be achieved.
  • Ml is one or more elements selected from the group consisting of Li, Mg, Ca, Y and lanthanide metals (excluding La and Ce), and M2 is from Ce, Pr, Eu, Tb, Yb, Er. Forces known to be represented by one or more selected elements)
  • M2 is from Ce, Pr, Eu, Tb, Yb, Er. Forces known to be represented by one or more selected elements
  • 0.3 ⁇ X + Y ⁇ 1.5, 0 ⁇ ⁇ 0.7, 0.6 6 ⁇ m ⁇ 3.0, 0 ⁇ n ⁇ 2.5, X + Y mZ
  • the a-type silon having the relationship of (valence number) is selected.
  • Ml may take 1 to 3 valences and M2 may take 2 to 4 valences
  • the above average valence is calculated from the valence and content of each element.
  • 60% of Ml is Li +
  • 40% of Ml is Ca 2 M2 force SCe 3+
  • the average valence is 1.72.
  • Y has a lower limit of X + Y of 0.01 or more, preferably 0.02 or more, and an upper limit of 0.5 or less, preferably 0.3 or less. If Y exceeds the upper limit, so-called concentration quenching occurs and the phosphor emission intensity decreases, and M2 is generally expensive, leading to an increase in cost.
  • the Ml is Ca and M2 is Eu. In this case, it absorbs visible light to ultraviolet light and emits light having a peak at 565 to 610 nm, and the light emission intensity and light emission wavelength change due to the operating temperature with high light emission efficiency is small.
  • High phosphor This is suitably used as a phosphor for white LEDs using blue to ultraviolet LEDs.
  • the present invention relates to a type sier represented by the general formula: Si Al ON (provided that 0.01 ⁇ z ⁇ 4.2).
  • a sialon phosphor characterized by containing Ron as a base material and containing a metal element M3 (wherein M3 is one or more elements selected from Mn, Ce, Eu) from 0 ⁇ 01 to 10 atm% .
  • M3 is one or more elements selected from Mn, Ce, Eu
  • High emission intensity can be obtained in this range.
  • M3 is Eu
  • the Eu content is 0.05 ⁇ 0.25 to 0.25 atm%.
  • the present invention creates a granule by mixing raw materials containing silicon-containing material, aluminum-containing material and, if necessary, Ml, M2, M3, and heated in a nitrogen gas atmosphere at 1500-2100 ° C This is a method for producing a sialon phosphor.
  • the present inventors have obtained the knowledge that the secondary particle shape after the firing reaction reflects the granule shape if the condylar particles are formed at the raw material stage and then appropriately processed, leading to the present invention. is there.
  • the silicon-containing material it is common to use a nitride nitride powder. However, a part of the silicon-containing material may be replaced with silicon oxide, zeolite, polysilazane, metal silicon, etc., or two or more kinds may be mixed. It may be used.
  • the aluminum-containing material an aluminum nitride, an amino oxide, an aminoalane, an iminoalane, a metallic aluminum, or the like can be used, or a mixture of two or more types can be used.
  • Ml-containing, M2-containing, M3-containing M2, M3 nitrides, oxides, carbonates, nitrates, oxalates, fluorides, carbides, hydroxides, metals, etc. can be used, or a mixture of two or more may be used.
  • a spray having a suitable particle size can be formed by using a spray drier among the forces that can employ various methods.
  • the granule is prepared using a spray dryer as follows. First, a ball mill pot containing balls is prepared, and a solvent such as ethanol, raw materials and a small amount of binder, and a predetermined amount of a dispersing agent, if necessary, are weighed and mixed to prepare a slurry. .
  • the spray dryer is heated by blowing hot air in advance. The slurry is supplied to the spray nozzle provided at the top of this spray dryer, and the granule made of the cyclone provided downstream of the hot air is collected.
  • the ball mill pot is preferably made of a material or a material having little influence even if it is worn and mixed, for example, a product made of polyamide resin.
  • the ball can be made of a material mainly composed of a metal constituting a sialon such as silicon or aluminum such as a nitride nitride ball or a high-purity aluminum ball.
  • a metal constituting a sialon such as silicon or aluminum
  • a nitride nitride ball or a high-purity aluminum ball As the binder, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polyacrylic acid, methyl cellulose, or the like can be used.
  • As the solvent methanol, isopropanol, acetone or the like can be used in addition to ethanol. A small amount of butanol, toluene, xylene, etc.
  • the binder solubility and slurry properties may be mixed to adjust the binder solubility and slurry properties.
  • water can be used as a solvent when a slurry can be made by mixing in a short time using a binder that is soluble in water.
  • the hydrolyzed screen powder used as a raw material can be surface-treated by a known method.
  • the shape of the granule affects the secondary particle shape of the phosphor obtained by subsequent firing, it is necessary to set the granule shape, sphericity, particle size distribution, granule hardness, etc. to appropriate values. is there.
  • the shape and particle size of the granule can be controlled by the raw material composition, the nozzle method of spraying fluid such as spray dryer fluid or rotary nozzle, fluid flow rate, slurry supply rate, hot air inlet temperature, etc. It is necessary to examine the granule production conditions in advance and ensure that the resulting granule does not become hollow or rupture.
  • the average particle size of the phosphor obtained after firing is 5-30 ⁇
  • the conditions should be selected so that the particle size of the granules is about 10 to 35 / im. Further, when the particle size distribution width of the granules is narrowed, the characteristics of the obtained sialon phosphor are improved.
  • the obtained granule is put into a crucible made of boron nitride, silicon nitride, aluminum nitride, or a composite material thereof and debindered.
  • the binder removal temperature is approximately 600 ° C or less, and the heating device can be selected as appropriate, such as a resistance heating furnace or gas furnace, and the atmosphere during binder removal can be selected as appropriate, such as nitrogen, air, combustion gas, or vacuum. do it. Since the granules may be destroyed by the gas generated during debinding, it is necessary to adjust the temperature rise profile and the degree of vacuum so that the granules do not break.
  • the temperature rise rate and vacuum are set so that the granules do not break down due to the generated gas. Need to control the degree.
  • an atmosphere control electric furnace using alumina fiber as a heat insulating material, a graphite heater heating electric furnace using a carbon heat insulating material, or the like can be used depending on the firing temperature condition. Debinding may be performed in the same furnace. Bake at 1500-2100 ° C until synthesis of sialon. In the case of model sialon, it is synthesized at ⁇ MA 1500 ⁇ : 1850 ° C, preferably ⁇ MA 1600 ⁇ : 1800 ° C, in the case of model sialon, ⁇ MA, 1800-2100 ° C, preferably ⁇ 1900-2050 ° C.
  • each sialon is formed, but the luminescence center element is not sufficiently dissolved in the sialon crystal, so that the emission intensity is lowered. If this temperature is exceeded, the cause is not known, but the light emission intensity may decrease.
  • the firing time is appropriately selected between 4 and 36 hours.
  • the nitrogen gas pressure in the atmosphere is set higher than the decomposition pressure of the nitride nitride to prevent the formation of silicon metal.
  • the circularity of the obtained phosphor particles is improved, and the average particle size and particle size distribution can be controlled.
  • the luminous efficiency of the LED used can be improved.
  • the distribution of the elements involved in the light emission in the inner and outer peripheral parts of the obtained sialon phosphor can be generated by adjusting the conditions. When the concentration at the outer periphery is higher than the inside, the phosphor And the luminous efficiency of the LED using it is improved.
  • the present invention is a method for producing a sialon phosphor, characterized in that sialon powder synthesized in advance is added to the raw material powder and mixed. According to this method, the phosphor particles to be added are grown larger, and the concentration of the elements involved in the light emission at the outer peripheral portion of the phosphor particles is high at the outer peripheral portion of the particle where the concentration is low inside the particle. I can make it. As a result, the emission intensity of the phosphor can be further increased, and the luminous efficiency of the LED using the phosphor can be increased.
  • the sialon powder to be added preferably has a high degree of circularity, for example, particles of 0.75 or more, and sialon crystals grow on the outer periphery of the sialon powder. Can be made. As a result, secondary particles with a small number of primary particles are formed, so that unnecessary dispersion and absorption of light inside the phosphor particles can be reduced, and the emission intensity of the phosphor is further increased. The luminous efficiency of the LED used can be increased.
  • sialon powder added to the raw material ⁇ -type sialon is used when synthesizing ⁇ -type sialon, and type-sialon is used when synthesizing type sialon.
  • other sialons and other nitrides or oxynitrides may contain 10% by mass or less. If it is contained in an amount of more than 10% by mass, it is preferable because it can make the ⁇ -sialon single phase during the synthesis reaction if it is less than the force that may deteriorate the fluorescence characteristics.
  • the amount added is 5-50% by mass with respect to 100% by mass of the total amount of raw material powder. The emission intensity can be improved at 5% or more, and the productivity is sufficiently good at 50% or less.
  • the sialon with a high concentration at the outer periphery and a low inside is advantageous because it allows the powder to be synthesized.
  • a sialon phosphor with high emission intensity can be obtained as it is after being taken out of the heating furnace through each step.
  • an appropriate solution can be obtained.
  • a phosphor that falls within the scope of the present invention can be obtained by pulverization, pulverization, and classification.
  • a general pulverizer such as a ball mill, a rough mill, a jet mill or the like can be used.
  • pulverization with high strength is not preferable because a large amount of powder having a fine particle diameter is produced.
  • moderate pulverization has the effect of adjusting the shape of the phosphor particles and increasing the circularity.
  • a process for removing the produced fine powder may be required.
  • general classifiers such as air classifier, water classifier, sieve, etc. can be used, but air classifier and water classifier are suitable for removing fine powder.
  • the present invention is a light-emitting element including the sialon phosphor described above and an LED having a maximum emission wavelength of 240 to 480 nm as constituent elements.
  • the phosphor of the present invention has high luminous efficiency of itself, and can also increase the luminous efficiency (light extraction efficiency) of the LED using the phosphor. Therefore, the LED of the present invention is high. The luminous efficiency is shown.
  • the sialon phosphor of the present invention may form a transparent film having an antireflection function on the surface, or may be treated with a silane coupling agent to form a resin and phosphor used for LED assembly. Adhesion is improved, and the dispersibility of the phosphor in the resin is improved. As a result, the LED characteristics can be improved.
  • a-type sialon powder (hereinafter referred to as arsenic powder) to be contained in the raw material powder:
  • arsenic powder As the composition of the raw material powder, 75.4% by weight of the nitride nitride powder, 14% by weight of the aluminum nitride powder, carbonic acid The calcium powder was 5.5% by mass, the calcium fluoride powder was 4.3% by mass, and the europium oxide powder was 0.8% by mass.
  • This raw material powder was mixed in a ethanol solvent with a wet nitrided pot and a ball for 3 hours by wet ball milling, filtered and dried to obtain a mixed powder.
  • the mixed powder was passed through a sieve having a mesh size of 75 zm, and then filled into a boron nitride crucible (N1 grade, manufactured by Denki Kagaku Kogyo). Heat treatment was performed at 170 0 ° C. for 5 hours. The obtained product was lightly crushed and passed through a sieve with a mesh opening of 45 / im to obtain ⁇ core powder.
  • Part of the ⁇ -nuclear powder A is further subjected to a nitrided carbon in an ethanol solvent. Wet ball milling with a pot and balls was performed for 24 hours, filtered and dried to obtain ⁇ core powder B.
  • the specific surface area of the ⁇ -type sialon powder and ⁇ -type sialon fine powder was measured using a constant volume gas adsorption method with a specific surface area measuring device (BELS ⁇ RP_mini) manufactured by Nippon Bell Co., Ltd. Calculated. Note that the sample should be stored in advance at 305 ° C in an atmospheric pressure N flow.
  • the arsenic powder A or arsenic powder B, the silicon nitride powder, the aluminum nitride powder, the calcium carbonate powder, and the europium oxide powder are used so as to be a single-phase sialon phase after synthesis.
  • the composition shown in Table 1 was adopted.
  • the mixed composition (mass%) of the raw material powder of Example 1 was sucrose powder A 5.
  • the mixed composition of the raw material powder of Example 2 is as follows: nucleated powder A 15.0%, Si N 63.8%, A1N
  • the mixing composition of the raw material powder of Example 3 is as follows: ⁇ core powder A 40%, Si N 29.8%, A1N 5.5%, CaCO 4.3%, Eu
  • the mixing composition of the raw material powder of Comparative Example 1 is that no ⁇ -nuclear powder is added, Si N is 74.5%, A1N
  • the mixed composition of the raw material powder of Comparative Example 2 is as follows: ⁇ core powder 15. 15.0%, Si ⁇ 63.3%, A1N 11.8%, CaCO 9.2
  • the blended raw material powder is wet ball milled using ethanol as a solvent in a plastic pot and a nitrided nitride ball, and the solvent is removed by a rotary evaporator and passed through a sieve with a mesh opening of 75 ⁇ m. To obtain a mixed powder.
  • the specific surface area was measured by the method described above.
  • Fluorescence characteristics were measured using a spectrofluorimeter (F4500, manufactured by Hitachi High-Technologies Corp.) calibrated using the rhodamine B method and a standard light source, and the fluorescence wavelength was measured at 455 nm excitation light, and the peak wavelength, peak intensity, and luminance were measured. Asked. Both the peak intensity and luminance are shown as relative values when Example 1 is 100. Further, CIE1931 chromaticity coordinate values (x, y) were determined from the fluorescence spectrum. The evaluation results are shown in Tables 2 and 3.
  • Example 2 a specific surface area of ⁇ 3, respectively, 0. 47m 2 / g, 0. 31m 2 / g, a 0. 36MVg, in the case of Comparative Examples 1 and 2, respectively, 0. 72m 2 / g, 0.61 m 2 / g.
  • the peak wavelengths of the fluorescence spectra obtained with the phosphors of Examples 1 to 3 were 585 nm, 588 nm, and 589 nm, respectively. Was also 587 nm.
  • the relative peak intensities of the fluorescence spectra obtained with the phosphors of Examples 1 to 3 are 100%, 118% and 110%, respectively. In Comparative Examples 1 and 2, 85 %, 95%.
  • the relative luminances of the fluorescence spectra obtained with the phosphors of Examples 1 to 3 are 100%, 1 16%, and 107%, respectively, and in the case of Comparative Examples 1 and 2, 85%, 95%.
  • the chromaticity coordinate values (x, y) of the fluorescence spectra obtained with the phosphors of Examples 1 to 3 are (0. 518, 0.474), (0. 524, 0. 469), In the case of Comparative Examples 1 and 2, they were (0. 517, 0.475) and (0. 519, 0. 473), respectively.
  • the ratio of A1N strongest peak intensity to (102) plane diffraction line intensity of a-type sialon is They were 32% and 6%, respectively.
  • the peak wavelength of the fluorescence spectrum was 576 nm, and the relative peak intensity was a low 38%.
  • Examples 4 and 5 As shown in Table 4, the passing rates of the phosphor powders of Examples 4 and 5 were 38% and 34%, respectively.
  • the specific surface areas of Examples 4 and 5 were 0.47 mVg and 0.42 mVg, respectively. From X-ray diffraction, the crystal phases of Examples 4 and 5 were all ct type sialon only.
  • the lattice constants a were 0.77839A and 0.77838A, respectively, and the lattice constants c were 0.5690A and 0.5688A, respectively.
  • the peak wavelengths of the fluorescence spectra obtained with the phosphors of Examples 4 and 5 were 585 nm and 584 nm, respectively.
  • the relative peak intensities of the fluorescence spectra obtained with the phosphors of Examples 4 and 5 were 101% and 108%, respectively.
  • the relative luminances of the fluorescence spectra obtained with the phosphors of Examples 1 to 3 were 100% and 108%, respectively.
  • the chromaticity coordinate values (x, y) of the fluorescent spectrum obtained by the phosphors of Examples 4 and 5 are (0. 518, 0. 474), (0. 517, 0. 475), respectively. there were.
  • the composition of the raw material powder is 150 parts by mass of nitride nitride powder (Ube Industries, E10), 28 parts by mass of aluminum nitride powder (Tokuyama, F grade), europium oxide powder (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., RU grade) was 1.6 parts by mass, and calcium fluoride powder (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was 13 parts by mass.
  • the above raw material powder was put into a nylon pot with an internal volume of 21 together with 470 ml of ethanol, 1.4 kg of nitrided silicon balls and 10 g of butyral (manufactured by Electrochemical Co., 3000K), and mixed with a wet Bonole mill. Went for hours.
  • the obtained slurry was sprayed with a spray dryer (manufactured by Fujisaki Denki, Mikuguchi Mist Dryer MDL-050B) to prepare granules.
  • the granules were observed with an electron microscope and found to have a particle size of 10-30 / im.
  • the average circularity of the powder was measured with a flow particle image measuring device (FPIA3000) manufactured by Sysmetas.
  • the measurement sample was prepared by adding the powder to be measured to water whose viscosity was adjusted by adding propylene glycol and dispersing with ultrasonic waves.
  • an average value of 500 or more data having an area circle equivalent diameter in the range of 0.5 to 100 zm was taken.
  • the particle size distribution of the obtained powder was measured by a laser diffraction scattering method (using a “LS_230 type” particle size distribution measuring device manufactured by Coulter).
  • the preparation of the sample for particle size distribution measurement was in accordance with the measurement conditions for silicon nitride in Table 1 of JIS R 1629-1997.
  • the concentration of the element involved in the light emission in the particles was determined as follows.
  • the obtained phosphor powder was embedded in an epoxy resin and cut using a cross section polisher (SM-9010) manufactured by JEOL to prepare a sample for electron microscope observation of the particle cross section. It, day Using this electron beam microanalyzer CIXA-8200), the elements involved in the light emission of the cross section of the particles (Eu in this case) were mapped.
  • the particles for element mapping particles having a particle size in the vicinity of the average particle size measured in advance were appropriately selected.
  • compositions X, ⁇ , m, and n of the ⁇ -type sialon phosphor of Example 6 were 0.87, 0.034, 1.80, and 0.23, respectively.
  • the average circularity of the ⁇ -type sialon phosphor was 0.86, and the particle size distributions D and D were 11 ⁇ 6 / im and 4.2 / im, respectively.
  • Examples 7 to 13 The starting material powder of 13 is calcium oxide instead of the calcium fluoride of Example 6, except that the same raw material powder composition as in Example 6 is used. Finally, the ⁇ -sialon phosphor powder synthesized in Example 6 was added at a blending ratio as shown in Table 6. Using this raw material powder, ⁇ -sialon phosphors of Examples 7 to 13 were synthesized in the same manner as in Example 6. As shown in Table 6, measured values and calculated values were obtained in the same manner as in Example 6. Asked.
  • Example 6 As shown in Table 6, the amount of the above-mentioned diamond sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 7 was 2% by mass. The average circularity of the model sialon phosphor synthesized in Example 7 was 0.79, and D and D in the particle size distribution were 1 1. ⁇ ⁇ ⁇ and 4.2 x m, respectively.
  • the amount of the model sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 8 was 5% by mass.
  • the average circularity of the model sialon phosphor synthesized in Example 8 was 0.84, and D and D of the particle size distribution were 13 2 / im and 5. ⁇ , respectively.
  • Example 9 The amount of the ⁇ -sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 9 was 10% by mass.
  • the ⁇ -sialon phosphor synthesized in Example 9 had an average circularity of 0.86, and D and D in the particle size distribution were 18 ⁇ O / im and 6.3 ⁇ , respectively.
  • the amount of the ⁇ -sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 10 was 20% by mass.
  • the average circularity of the model sialon phosphor synthesized in Example 10 was 0.91, and D and D of the particle size distribution were 19. 19. ⁇ -m and 8. respectively.
  • the amount of the above-mentioned template sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 1 was 30% by mass.
  • the average circularity of the model sialon phosphor synthesized in Example 11 was 0.92, and D and D of the particle size distribution were 19. ⁇ ⁇ -m and 8. respectively.
  • Model sialon firefly The internal and external concentrations of Eu, an M2 metal added to the light body, were 4 and 8, respectively.
  • the emission peak intensity of the fluorescence spectrum was 134.
  • the amount of the ⁇ -sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 12 was 40% by mass.
  • the average circularity of the model sialon phosphor synthesized in Example 12 was 0.92, and D and D of the particle size distribution were 17.5 zm and 7. respectively.
  • model sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 13 was 80% by mass.
  • the average circularity of the model sialon phosphor synthesized in Example 13 was 0.88, and D and D of the particle size distribution were 13. ⁇ ⁇ -m and 6. respectively.
  • the ⁇ -sialon phosphor of Comparative Example 4 has an average circularity of 0.73, and the particle size distributions D and D
  • the internal and external concentrations of the bimetallic Eu were 6 and 6, respectively.
  • the emission peak intensity of the fluorescence spectrum was 100. If the granulation process is not performed, it can be seen that the average circularity decreases and the emission intensity is low.
  • Nitride Ube Industries, E10, 91 parts by weight, aluminum nitride (Tokuyama, F Dale) 6.8 parts by weight, Alumina (Daimei Chemical, TM—DAR grade) 0.2 parts by weight, oxide Piaum (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., RU grade) 2.0 parts by weight was synthesized and sialon was synthesized in the same manner as in Example 6 except that 12 hours of baking was performed at 20000 ° C. A j3-type sialon phosphor was obtained, and the average circularity, particle size distribution, Eu concentration, and luminescence were the same as in Example 6. The strength and composition were determined.
  • the composition Z of the type sialon phosphor of Example 14 was 0.27, and the content of Eu as an M3 metal was 0.14 atm%.
  • the average circularity of the type sialon phosphor was 0.77, and D and D of the particle size distribution were 12.5 zm and 4.
  • Example 14 In addition to the raw material powder of Example 14, the type phosphor powder obtained in Example 14 was added at the blending ratio shown in Table 7, and the ⁇ -type sialon fluorescence of Example 15 21 was obtained in the same manner as Example 14. The body was synthesized, and measured values and calculated values were obtained in the same manner as in Example 14 as shown in Table 7.
  • Example 15 As shown in Table 7, the amount of the ⁇ -sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 15 was 2% by mass. The average circularity of the ⁇ -sialon phosphor synthesized in Example 15 was 0 ⁇ 78, and D and D of the particle size distribution were 13 ⁇ 2 / im and 4.8 ⁇ , respectively.
  • the amount of the above [Type 3 sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 16 was 5% by mass.
  • the average circularity of the j3 type sialon phosphor synthesized in Example 16 was 0.80, and D and D of the particle size distribution were 14.9 zm and 5.9 xm, respectively.
  • j3 type sialon firefly The internal and external concentrations of Eu, an M3 metal added to the light body, were 7 and 8, respectively.
  • the emission peak intensity of the fluorescence spectrum was 121.
  • the amount of the ⁇ -type sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 17 is 10% by mass, and the composition ⁇ of the j3-type sialon phosphor synthesized in Example 17 is 0.27, and M3 The content of Eu, which is a metal, was 0.14 atm%.
  • the average circularity of the / 3 type sialon phosphor was 0.84, and D and D of the particle size distribution were 17. ⁇ ⁇ ⁇ and 7.6 x m, respectively. ⁇
  • the amount of the [3-type sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 18 was 20% by mass.
  • the average circularity of the j3 type sialon phosphor synthesized in Example 18 was 0.88, and D and D of the particle size distribution were 20.7 zm and 9. respectively.
  • the amount of the ⁇ -type sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 19 is 30% by mass, the composition is 0.27, and the content of Eu, which is the three metals, is 0.14 atm%. there were.
  • the ⁇ -sialon phosphor synthesized in Example 19 has an average circularity of 0.90 and a particle size distribution of D
  • the amount of the ⁇ -sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 20 was 40% by mass.
  • the average sphericity of the type sialon phosphor synthesized in Example 20 was 0.90, and D and D of the particle size distribution were 21. ⁇ and 8.7 x m, respectively.
  • the amount of the [type 3 sialon phosphor powder contained in the starting material of Example 21 was 80% by mass.
  • the average circularity of the j3 type sialon phosphor synthesized in Example 21 was 0.82, and the particle size distributions D and D were 14. ⁇ ⁇ and 6. respectively.
  • the internal and external concentrations of Eu, an M3 metal added to the light body, are 6 and 8, respectively. It was.
  • the emission peak intensity of the fluorescence spectrum was 118.
  • a [Type 3 sialon phosphor of Comparative Example 5 was synthesized in the same manner as Example 14 except that the raw material powder was mixed with a ball mill, placed in a boron nitride crucible, and fired without a debinding step.
  • the composition ⁇ of the ⁇ -type sialon phosphor of Comparative Example 5 was 0.27, and the content of Eu, which is ⁇ 3 metal, was 0.14 atm%.
  • the average circularity of the j3 type sialon phosphor of Comparative Example 5 is 0.69, and the particle size distributions D and D are 8.5 ⁇ and 1.4 ⁇ m, respectively.
  • Each of the phosphor powders obtained in Examples 6 and 10 and Comparative Example 4 was added to 100 g of water with an epoxy-based silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Silicone, KBE402) 1. With Og, left overnight with stirring. . After that, the sialon phosphor treated with the filtered and dried silane coupling agent was kneaded with 5 g of epoxy resin (NLD-SL-2101 made by SUNREC), and the emission wavelength 460 nm was electrically connected in advance into the surface mount package for LED. This kneaded product was potted on a blue LED, vacuum degassed, and heat-cured at 120 ° C to produce a surface-mounted LED. Table 8 shows the luminous efficiency obtained by measuring the emission spectrum of light generated by applying a current of 20 mA to this surface-mounted LED.
  • an epoxy-based silane coupling agent manufactured by Shin-Etsu Silicone, KBE402
  • the luminous efficiencies of the LEDs of Examples 22 and 23 and Comparative Example 6 were 4 llm / W, 511 m / W, and 361 m / W, respectively.
  • epoxy-based silane coupling agent (KBE402, manufactured by Shin-Etsu Silicone) in 100 g of water 1. Hold it with Og and leave it overnight with stirring. . After that, the sialon phosphor treated with the filtered and dried silane coupling agent is kneaded with 5 g of epoxy resin (NLD_SL_ 2101 made by SUNREC), and blue light with an emission wavelength of 460 nm that is electrically connected to the surface mount package for LED in advance. The kneaded product was potted on the LED, vacuum degassed, and heated and cured at 120 ° C to produce a surface-mounted LED. Table 9 shows the light emission efficiency obtained by measuring the emission spectrum of light generated by applying a current of 20 mA to this surface-mounted LED.
  • a phosphor having excellent light emission characteristics can be produced with good reproducibility and mass productivity.
  • the template sialon phosphor of the present invention exhibits a light emission characteristic having a peak in the region of 540 to 600 nm by excitation light of ultraviolet to blue light. It is suitable as a phosphor for white LEDs using a blue LED as the light source, and is very useful in industry.
  • the luminaire of the present invention uses the phosphor, it has excellent light emission characteristics and is extremely useful in industry where energy efficiency is high.
  • the second sialon phosphor of the present invention is remarkably superior in fluorescence properties as compared with conventional products, it can be suitably used for various light emitting applications including LEDs.
  • a white LED can be provided in combination with an LED having a maximum emission wavelength of 240 to 480 nm, it can be applied to various applications by replacing the fluorescent lamp that has been used conventionally.
  • the phosphor having the above characteristics can be stably provided in a large amount, which is extremely useful industrially.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

 青色LED又は紫外LEDを光源とする発光効率に優れる白色LEDを提供し得る蛍光体であって、この蛍光体は、一般式:(M1)x(M2)y(Si,Al)12(O,N)16(但し、M1はLi、Mg、Ca、Y及びランタニド元素(LaとCeを除く)からなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2はCe、Pr、Eu、Tb、Yb及びErからなる群から選ばれる1種以上の元素であり、0.3 ≦X+Y ≦1.5、かつ0<Y ≦0.7)で示されるα型サイアロンを主成分とし、比表面積が0.2~0.5m2/gの粉末からなる。

Description

明 細 書
サイアロン蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた照明器具及び 発光素子
技術分野
[0001] 本発明は、紫外線乃至青色光で励起され、可視光線を発するサイアロン蛍光体と その製造方法並びにそれを用いた照明器具及び発光素子に関する。さらに、詳しく は、本発明は、青色発光ダイオード(青色 LED)又は紫外発光ダイオード (紫外 LED )に利用可能な蛍光体とその製造方法並びにそれを用いた照明器具及び発光素子 、特に白色発光ダイード(白色 LED)に関する。
背景技術
[0002] 蛍光体として、母体材料にケィ酸塩、リン酸塩、アルミン酸塩、硫化物を用い発光中 心に遷移金属もしくは希土類金属を用いたものが広く知られている。
[0003] 一方、白色 LEDについては、紫外線乃至青色光などの高いエネルギーを有した励 起源により励起され可視光線を発するものが注目され、開発が進んでいる。しかしな がら、前記した従来の蛍光体は、この用途に適用しょうとすると、励起源に曝される結 果として、蛍光体の輝度が低下するという問題がある。
[0004] 輝度低下の少なレ、蛍光体として、最近、結晶構造が安定で、励起光や発光を長波 長側にシフトできる材料である窒化物や酸窒化物蛍光体が注目されている。
[0005] 窒化物、酸窒化物蛍光体として、特定の希土類元素が付活された α型サイアロン( Si— A1—〇一 Ν)は、有用な蛍光特性を有することが知られており、白色 LED等への 適用が検討されている(特許文献 1〜5、非特許文献 1及び 2参照)。
[0006] α型サイアロンは、 α型窒化ケィ素結晶の Si Ν結合が部分的に A1— Ν結合と A1
O結合で置換され、電気的中性を保っために、結晶格子間に特定の元素 (Ca、並 びに Li、 Mg、 Y、又は Laと Ceを除くランタニド金属)が格子内に侵入固溶した構造を 有している。侵入固溶する元素の一部を発光中心となる希土類元素とすることにより 蛍光特性が発現する。
[0007] a型サイアロンは、窒化ケィ素、窒化アルミニウム、必要に応じて酸化アルミニウム、 及び侵入固溶する元素の酸化物等からなる混合粉末を窒素中の高温で焼成するこ とにより得られる。窒化ケィ素とアルミニウム化合物の比率と侵入固溶させる元素の種 類並びに発光中心となる元素の割合等により、多様な蛍光特性が得られる。特に、 侵入固溶元素として Ca及び発光中心である Euを固溶させたひ型サイアロンは、紫 外〜青色領域の幅広い波長域で効率良く励起され、黄〜橙色発光を示す。そのた め、補色関係にある青色発光の LEDと組み合わせることにより、白色 LED用途への 展開が期待されている。
[0008] 希土類元素を付活させた Ca (Si, Al) N、 CaSiAIN又は β型サイアロンも、同様 の蛍光特性を有することが見出されている(特許文献 6、 7、非特許文献 2、 3参照)。
[0009] 他にも、窒化アルミニウム、窒化珪素マグネシウム、窒化珪素カルシウム、窒化珪素 バリウム、窒化ガリウム、窒化珪素亜鉛等の窒化物や、酸窒化物の蛍光体(以下、順 に窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体ともいう)が提案されてレ、る。
[0010] これらの蛍光体の合成方法として、例えば α型サイアロン粉末の場合、酸化アルミ ニゥム (Al Ο )、酸化ケィ素(SiO )、格子内に固溶可能な金属或いは元素の酸 化物等の混合粉末を、カーボンの存在下で、窒素雰囲気中で加熱処理する還元窒 化法が知られている(非特許文献 4〜6参照)。
[0011] 非特許文献 4〜6に報告されている方法は、原料粉末が安価で、 1500°C前後の比 較的低温で合成できるという特徴があるが、合成の途中過程で複数の中間生成物を 経由するとともに、 SiOや CO等のガス成分が発生するために、単相のものを得難ぐ 組成の厳密な制御や粒度の制御が困難であった。
[0012] また、窒化ケィ素、窒化アルミニウム及びこれらの格子内に固溶する金属或いは元 素の酸化物等の混合物を高温で焼成し、得られた焼結体を粉砕することによつても サイアロン粉末が得られるが、粉砕操作によって蛍光体の発光強度が低下する問題 があった。
[0013] 上記した通りに、従来技術に於いては、単に、構成元素を含む窒化物と付活元素 を含む化合物を混合して加熱したり、構成元素の酸化物の混合物をカーボン等で還 元窒化するだけでは、十分な特性を持った窒化物蛍光体又は酸窒化物蛍光体を得 ることが出来ない。 [0014] 特に、サイアロン蛍光体の場合、その構成元素である、カルシウムやイットリウム等 の固溶元素やセリウムやユーロピウム等の付活元素を含む酸化物を原料として用い る製造方法においては、焼成過程での液相焼結により粒子間の結合が強固となって 、 目的の粒度の粉末を得るために、過酷な条件での粉砕処理が必要となる場合があ つた。その場合、粉砕条件が過酷になるほど不純物の混入が多くなるとともに、各々 の粒子表面に欠陥が導入され、発光特性を劣化させるという問題があった。
[0015] この問題を解決するために、本発明者らは酸素を含まない原料、例えばフッ化カル シゥムやカルシウムシァナミド等の原料を用いたり、焼成に用いる原料の混合方法等 を工夫することによって、粉砕処理がほとんど必要のない製造方法を提案し、発光強 度を向上させることが出来た(特許文献 8、 9参照)。
[0016] 白色は、単色光と異なる複数の色の組み合わせが必要であり、一般的な白色 LED は、紫外 LED又は青色 LEDと、それらの光を励起源とし可視光を発する蛍光体との 組み合わせにより構成されている(例えば、特許文献 10及び 11参照)。従って、白色 LEDの効率向上のためには、紫外 LED又は青色 LEDの LED自体の発光効率を向 上させると共に、そこに用いられている蛍光体の効率を向上させ、更には、発せられ た光を外部に取り出す効率を向上させることが必要である。 白色 LEDの一般照明用 まで含めた用途拡大のためには、これら全ての効率を向上させる必要がある。
[0017] 特許文献 1 :特許第 3668770号公報
特許文献 2 :特開 2003— 336059号公報
特許文献 3:特開 2003— 124527号公報
特許文献 4 :特開 2003— 206481号公報
特許文献 5:特開 2004— 186278号公報
特許文献 6:特開 2004— 244560号公報
特許文献 7 :特開 2005— 255895号公報
特許文献 8 :特開 2008— 45271号公報
特許文献 9:特公表 2005— 123876号公報
特許文献 10:特開平 5— 152609号公報
特許文献 11 :特開平 7— 099345号公報 非特許文献 1 : J. W. H. van Krebel "On New Rare-Earth Doped M- Si- A卜 O- N Mate rials", TU Eindhoven, The Netherlands, 145-161 (1998)
非特許文献 2 :第 52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (2005年 3月、埼玉 大学) p. 1614〜1615
非特許文献 3 :第 65回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (2004年 9月、東北学 院大学) No. 3 p. 1282 - 1284
特午文献 4 : M. Mitomo et al., "Preparation of -SiAlON Powders by Carbotherm al Reduction and Nitridation", Ceram. Int. , 14, 43-48(1988)
非特許文献 5 : J. W. T. van Rutten et al. , Carbothermal Preparation and Characteri zation of Ca- a -SiAlON", J. Eur. Ceram. So , 15, 599-604 (1995)
非特許文献 6 : K. Komeya et al. , Hollow Beads Composed of Nanosize Ca ひ - SiAlO N Grains", J. Am. Ceram. So , 83, 995-997(2000)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0018] 白色 LED用蛍光体は、一般に、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止材料中に ミクロンサイズの粒子として分散して使用される。 ひ型サイアロン蛍光体の場合、この 粒子は細かな一次粒子が複数個焼結した二次粒子となる。そのサイズや分布等につ いては検討されてはいる力 その二次粒子の表面性状に関しては着目されていなか つに。
[0019] しかし、特許文献 8及び 9に開示したような工夫をしたとしても、得られた蛍光体粒 子は、 0. 2〜5 / m程度の粒径を持つ一次粒子が不規則に固着した二次粒子から なっているため、凹凸の激しい入り組んだ二次粒子表面や、二次粒子内部の一次粒 子間の界面において光の散乱や吸収が起きて、蛍光体の発光効率の低下をもたら していた。
[0020] また、一般的な窒化ケィ素、窒化アルミニウム等の原料粉の平均粒径は 1 μ m以下 であり、それらを原料として用いて従来方法により窒化物や酸窒化物蛍光体を合成し た場合、得られた粉体は必然的に広い粒度分布を持ち、特に可視光を強く散乱させ る数 μ m以下の粒径の粉体が多く含まれるため、発光効率が低下するという問題が あった。
[0021] 一方、現在までに得られている白色 LEDは、発光効率が蛍光ランプに及ばない。
蛍光ランプよりも発光効率に優れる LED、特に白色 LEDが産業上省エネルギーの 観点から強く要望されている。サイアロン蛍光体等の酸窒化物や窒化物蛍光体を用 レ、た白色 LEDは白熱電球よりは高効率であるが、一般照明用まで含めた用途拡大 のためには発光効率の一層の向上が必須であり、蛍光体の発光効率を向上させるこ とが産業上の重要な課題となっている。
[0022] 本発明は上記課題に鑑み、 ひ型サイアロン蛍光体に関して種々に検討し、 540〜
600nmの範囲の波長にピークを持ち、発光効率に優れる白色 LED、特に青色 LED 又は紫外 LEDを光源とする発光効率に優れる白色 LEDを提供することを第 1の目 的になされたものである。
[0023] 本発明の第 2の目的は、上記従来技術の有する問題を解決し、発光効率に優れる LED,例えば白色 LED、特に青色 LEDまたは紫外 LEDを光源とする白色 LEDを 提供するとともに、それに好適な蛍光特性に優れる蛍光体を産業規模で安定して提 供することにある。
課題を解決するための手段
[0024] 本発明者らは、 ひ型サイアロンを母体材料とする蛍光体について検討を行レ、、 ひ型 サイアロンの侵入固溶元素を特定のものとし、結晶格子サイズを適切な範囲として更 に二次粒子の表面性状を平滑にすることにより、 540〜600nmの範囲の波長にピー クを持った発光効率に優れる蛍光体が得られ、これを用いて優れた発光特性の照明 器具が得られることを見いだし、本発明に至ったものである。
[0025] また、本発明者らは、原料粉末中に粒成長の核となる種粒子の添加や合成過程で 緻密な窒化ホウ素質の坩堝を用レ、ることにより、二次粒子の表面平滑性が向上する ことを見いだし、本発明に至ったものである。
[0026] 上記第 1の目的を達成するために、本発明のサイアロン蛍光体は、一般式:(Ml)
(M2) (Si, Al) (O, N) (但し、 Mlは Li、 Mg、 Ca、 Y及びランタニド元素(Laと C y 12 16
eを除く)力 なる群から選ばれる 1種以上の元素であり、 M2は Ce、 Pr、 Eu、 Tb、 Yb 及び Erからなる群から選ばれる 1種以上の元素であり、 0. 3≤X+Y≤1. 5、かつ 0 <Y≤0· 7)で示される α型サイアロンを主成分とし、比表面積が 0· 2〜0· 5m2/g の粉末であることを特徴とする。
上記構成において、 α型サイアロン蛍光体は、格子定数 aが 0. 780-0. 788nm、 格子定数 cが 0. 565〜0. 573nmの範囲にあることを特徴とする。
[0027] 上記構成において、 ひ型サイアロン蛍光体からなる粉末を X線回折法で評価した 際に、好ましくは、 ひ型サイアロン以外の結晶相の回折強度がひ型サイアロンの(10
2)面の回折線強度に対して、いずれも 10%以下である。
[0028] 上記構成において、好ましくは、 Mlが少なくとも Caを含み、 M2が少なくとも Euを 含み、しかも、 0く Y≤0. 1であり、 250〜500nmの波長を持つ紫外線又は可視光 を励起源として照射することにより、 540〜600nmの範囲の波長域にピークを持つ 発光特性を示す。
[0029] 本発明の上記一般式で表わされるひ型サイアロン蛍光体の製造方法は、出発原料 に α型サイアロンを 5〜30質量%含有させることを特徴とする。
上記構成において、出発原料に含有させる α型サイアロンの比表面積は、好ましく は、 0. 5〜2m2/gである。
[0030] 本発明の上記したサイアロン蛍光体の別の製造方法は、出発原料を密度 1. 75g /cm3以上の窒化ホウ素材質の坩堝に充填し、窒化性雰囲気で焼成することを特徴 とする。坩堝は、好ましくは、窒化ホウ素が熱分解性窒化ホウ素(P— BN)からなる。
[0031] 本発明の照明器具は、発光光源と蛍光体とから構成され、少なくとも前記サイァロ ン蛍光体または前記製造方法で得られたサイアロン蛍光体を用いることを特徴とする
[0032] 本発明者らは、サイアロンからなる蛍光体(以下、単にサイアロン蛍光体という。)の 発光強度を向上するために、各種の粉体についてそれらの特性や組成分析を行い 、実験的検証を経て、蛍光体粒子の粒子形状、粒径、組成分布等の制御が発光強 度向上に有効であることを見出し、本発明に至った。
[0033] 上記第 2の目的を達成するために、本発明の第 2のサイアロン蛍光体は、蛍光体の 構成粒子の平均円形度が 0. 75以上であり、蛍光体の粒度分布 D 力 S5〜30 z mで あり、 D が 2. O x m以上であることを特徴とする。 [0034] 本発明のサイアロン蛍光体の別の構成は、蛍光体の粒子に含まれる発光に関与す る元素の濃度が、粒子内部で低ぐ粒子外周部で高いことを特徴とする。
上記構成において、好ましくは、サイアロン蛍光体粒子外周部の発光に関与する 元素の濃度が粒子内部の発光に関与する元素の濃度の 1. 2倍以上である。
[0035] 上記構成において、蛍光体は、好ましくは、一般式:(Ml) (M2) (Si) (Al)
(〇) (Ν) (但し、 Mlは Li、 Mg、 Ca、 Sr、 Y及びランタニド金属(Laと Ceを除く) 力、らなる群力、ら選ばれる 1種以上の元素であり、 M2は Ce、 Pr、 Eu、 Tb、 Yb、 Erから 選ばれる 1種以上の元素で、 0. 3≤X + Y≤1. 5、 0<Υ≤0. 7、 0. 6≤m≤3. 0、 0 ≤n≤2. 5、 X + Y = m/ (Mlと M2の平均価数))で示されるひ型サイアロン蛍光体 である。好ましくは、 Mlは Caであり、かつ、 M2が Euである。
[0036] 本発明のひ型サイアロン蛍光体の製造方法は、シリコン含有物と、アルミニウム含 有物と、 Ml (Li、 Mg、 Ca、 Sr、 Y及びランタニド金属(Laと Ceを除く)力、らなる群から 選ばれる 1種以上の元素)及び M2 (Ce、 Pr、 Eu、 Tb、 Yb、 Erから選ばれる 1種以上 の元素)を含む原料と、を混合して顆粒を作成し、この顆粒を、窒素ガス雰囲気中で 1500〜2100°Cの温度でカロ熱して、 α型サイアロン蛍光体を得ることを特徴とする。 好ましくは、原料に、あらかじめ合成した α型サイアロン蛍光体を添加して混合する。
[0037] 本発明の β型サイアロン蛍光体の製造方法は、シリコン含有物と、アルミニウム含 有物と、 M3 (Mn、 Ce、 Euから選ばれる 1種以上の元素)を含む原料と、を混合して 顆粒を作成し、この顆粒を、窒素ガス雰囲気中で 1500〜2100°Cの温度で加熱して 、 型サイアロン蛍光体を得ることを特徴とする。好ましくは、原料に、あらかじめ合成 した β型サイアロン蛍光体を添加して混合する。
[0038] 本発明の発光素子は、上記したサイアロン蛍光体と、発光波長の最大強度が 240 〜480nmにある発光ダイオードと、を構成要素として含んでいることを特徴とする。 発明の効果
[0039] 本発明の第 1のサイアロン蛍光体は、従来のものと比較し、二次粒子サイズを変え ることなぐ一次粒子が大きぐさらに粒子表面が平滑であることから励起光を効率良 ぐ粒内に吸収することができ、優れた発光特性を有している。また、本発明の照明 器具は、前記蛍光体を用いているので、良好な発光特性が得られる。 [0040] 本発明の第 2のサイアロン蛍光体は、特定の粒子形状や組成分布を持つので、蛍 光体単独で測定しても、発光強度や発光効率が高いという特徴を持つ。さらに、封止 用樹脂に分散させると樹脂中で良く分散し、それを用いて封止した LED素子は、封 止樹脂層で不必要な光の散乱や吸収が起きにくいので、 LED素子としての発光効 率が向上する。
[0041] 本発明のサイアロン蛍光体によれば、前記特徴を有するので、いろいろな LEDに 好ましく適用でき、特に、発光波長が 240〜480nmに最大強度を有する LEDと組み 合わせて白色 LEDを提供することができる。
[0042] 本発明のサイアロン蛍光体の製造方法によれば、前記特徴を有する蛍光体を、安 定して多量に提供できるとレ、う効果が得られる。
発明を実施するための最良の形態
[0043] 以下、本発明を詳細に説明する。最初に、本発明の第 1の実施形態に係るサイァロ ン蛍光体について説明する。
a型サイアロンは、 a型窒化ケィ素における Si— N結合の一部が A1— N結合及び A1—〇結合に置換し、電気的中性を保っために、特定の陽イオンが格子内に侵入し た固溶体であり、一般式: M (Si, Al) (0, N) で表される。ここで、 Mは格子内へ z 12 16
の侵入可能な元素であり、 Li、 Mg、 Ca、 Y及びランタニド金属 (Laと Ceを除く)である 。 Mの固溶量 Z値は、 Si— N結合の A1— N結合置換率により決まる数値である。
[0044] 蛍光特性を発現させるためには、 Mの一部を固溶可能で発光中心となる元素とす る必要があり、可視光発光の蛍光体を得るためには Ce、 Pr、 Eu、 Tb、 Yb、 Erを使 用することが好ましい。格子内に侵入固溶する元素のうち、発光に寄与しない元素を Ml、発光中心となる元素を M2とすると、一般式は(Ml ) (M2) (Si, Al) (0, N)
x y 12 1 となる。ここで、蛍光特性を発現させるためには、 0. 3 ≤X+Y≤1. 5、 0く Υ≤0.
6
7の範囲にあることが好ましい。
[0045] 一般的に α型サイアロンは、窒化ケィ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム及び 侵入固溶元素からなる混合粉末を高温の窒素雰囲気中で加熱して反応させることに より得られる。昇温の過程で、構成成分の一部が液相を形成し、それを介して物質が 移動することにより、 α型サイアロン固溶体が生成する。そのために、合成後の α型 サイアロンは、複数の一次粒子が焼結して二次粒子、更に塊状物を形成するので、 それを粉砕等することにより、粉末状とする。
[0046] 本発明者らは、発光特性と粒子性状との関係を検討した結果、粒子の比表面積が 発光特性と密接に結びついているという知見を得て、本発明に至ったものである。粒 子の比表面積は、当該粒子の平滑性を示すと共に、微粉の存在状態に鋭敏なパラメ ータとなる。
[0047] 即ち、本発明の蛍光体においては、前記組成に加えて、蛍光体の粉末の比表面積 が 0. 2〜0. 5m2Zgであることが好ましレ、。比表面積が 0. 5m2/gを超えると、粒子 表面と微粒子による光散乱のため、励起光が粒内に取り込まれる効率が低下し、発 光特性が低下するので、好ましくない。比表面積が 0. 2m2/gよりも小さいものは、孤 立した一次粒子では得難ぐ緻密に焼結した粒子でなければ実現できず、必然的に 二次粒子が巨大となり、 LED等の蛍光体としては好適なサイズから大きく逸脱するの で、好ましくない。
[0048] また、本発明の蛍光体は、 α型サイアロンを主成分とするが粒子界面に組成の異 なる粒界相を形成するとともに、結晶質又は非晶質の第二相を形成しやすいために 、蛍光体粉末の全組成は必ずしも α型サイアロンの固溶組成に対応しなレ、。 α型サ ィァロン結晶においては、アルミニウム及び酸素の固溶量が増加するに伴レ、、結晶 格子サイズが増加する。そこで、この α型サイアロンの格子定数に着目し、検討した 結果、格子定数 a力 SO. 780〜0. 788nm、格子定数 c力 0. 565〜0. 573nmの範囲 にある場合に良好な発光特性が得られることを見いだした。
[0049] 本発明では、蛍光発光の観点からは、 α型サイアロン結晶相を高純度で極力多く 含むこと、できれば単相から構成されていることが望ましいが、若干量の不可避的な 非晶質相及び他の結晶相を含む混合物であっても、特性が低下しなレ、範囲であれ ば構わない。本発明者らの検討結果によれば、粉末 X線回折法で評価した際に、 ひ 型サイアロン以外の結晶相の回折強度がひ型サイアロンの(102)面の回折線強度 に対して、いずれも 10%以下であることが好ましい。 10%を超える結晶相が存在す ると発光特性が低下してしまう。
[0050] ひ型サイアロンの結晶格子内に固溶する元素として Mlに Ca、 M2に Euを選択す る場合には、 250〜500nmの波長を持つ紫外線又は可視光を励起源として照射す ることにより 540〜600nmの範囲の波長域にピークを持ち、黄〜橙色の発光を示す 蛍光体が得られる。この蛍光体は、例えば、励起源として青色 LEDを使用すると蛍 光体力 発光する黄色光と励起光の混合により白色 LEDが得られることから、白色し EDをはじめとする白色光を放つ照明器具を提供できるので好ましい。
[0051] ひ型サイアロンの結晶格子内に固溶する元素に関して、発光中心となる Euの原子 量比としては、 0く Y≤0. 1の範囲にあることが好ましい。 Yが 0. 1を超えると固溶し ている Euイオン間の干渉により濃度消光を起こすことにより、発光輝度が低下してし まう。
[0052] 本発明のサイアロン蛍光体を得る方法として、 Caと Euとが固溶したひ型サイアロン の合成方法について以下説明する。
[0053] 窒化ケィ素、窒化アルミニウム、カルシウム含有化合物及び酸化ユーロピウムの粉 末を原料として使用する。本発明の蛍光体の製造方法に於いては、所定の組成とな るように前記原料粉末を配合したものに、予め合成された α型サイアロン粉末を 5〜 30質量%含有させることを特徴とする。
[0054] 予め原料粉末に配合する a型サイアロン粉末は、加熱処理の際に、選択的に粒形 成の基点となり、一次粒子の成長を促進し、一次粒子の粗大化及び表面平滑性の 向上に結びつく。更に、 α型サイアロン粉末を原料粉末へ予め添加すると、合成過 程での焼結を抑制する効果があり、易粉碎性のサイアロンの生成が可能である。この サイアロンは過度な粉砕が不要であり、簡単な解砕処理により所望の粒度の粉末が 得られ、発光特性を低下させる粉碎処理に伴う微粒子生成を抑制する効果がある。
[0055] a型サイアロン粉末の添加量が 5質量%以上であれば、添加したひ型サイアロン粒 子以外の部分で、新たなひ型サイアロン粒子の形成及び焼結、粒成長が進行するこ ともなぐ比表面積の小さな粉末を得ることができる。 ひ型サイアロン粉末の添加量が 30質量%以下であれば、粒成長の基点が多すぎて、個々の粒子の成長がわずかと なり、十分に平滑な粒子表面が得難くなることも防止でき、好ましい。
[0056] 予め原料中に含有させるひ型サイアロン粉末の構成元素及び組成は限定されない 。紫外線〜青色光励起においては、蛍光特性は主として粉末表面に近い領域で発 現するためである。し力しながら、異なる発光中心元素を含有したり、発光を阻害する 鉄等の不純物元素を含有する α型サイアロン粉末の使用は、その表面に形成される α型サイアロン蛍光体層の特性に大きく影響を及ぼすので好ましくない。
[0057] 本発明では、予め添加するひ型サイアロン粉末の比表面積を 0. 5〜2m2/gとする ことが好ましい。比表面積が 2m2/g以下であれば、粒成長に対する効果が十分に 達成されるし、一方、比表面積が 0. 5m2Zg以上であれば、合成粉末の二次粒子径 が著しく大きくなり、最終的に粉砕処理等が必要となることもなぐ結果的に目的の 0. 2〜0. 5m2Zgの比表面積が容易に得ることができるので、好ましい。
[0058] 前記したひ型サイアロンを含む各原料を混合する方法については、乾式混合する 方法、原料各成分と実質的に反応しない不活性溶媒中で湿式混合した後に溶媒を 除去する方法などを採用することができる。なお、混合装置としては、 V型混合機、口 ッキングミキサー、ボールミル、振動ミル等が好適に利用される。
[0059] 所望組成となるように混合して得た粉末 (以下、これを原料粉末という)を、少なくと も当該原料粉末が接する面が窒化ホウ素材質の坩堝等の容器内に充填し、窒素雰 囲気中で 1600〜1800°Cの温度範囲で所定時間加熱することにより α型サイアロン を得る。容器材質に窒化ホウ素を使用するのは、原料各成分との反応性が非常に低 レ、ためであるが、本発明者らは坩堝に使用する窒化ホウ素の密度を高くすることによ り、原料粉末中に α型サイアロン粉末を添加した場合と同様に一次粒子を大きくし、 その表面を平滑にする効果があることを見いだした。
[0060] 坩堝に使用する窒化ホウ素の密度は 1. 75g/cm3以上にすることが好ましい。密 度が 1. 75g/cm3よりも小さいと坩堝中の気体透過が容易に起こり、坩堝内に充填し た原料粉末に含まれる成分の揮発が促進され、組成ずれが起きるだけでなぐ炉内 に存在する一酸化炭素ガスやシアンガス等が坩堝内に侵入し、原料粉末との反応や 粒成長阻害を引き起こし好ましくない。坩堝の密度はできるだけ高くすることが好まし ぐ特に気相法により製造される熱分解性窒化ホウ素(P— BN)は非常に緻密であり 、好適に使用される。
[0061] 原料粉末の容器内への充填は、加熱中に粒子間焼結を抑制する観点から、できる だけ嵩高くすることが好ましい。蛍光体用のひ型サイアロンを効率よく合成するため には、具体的には、原料粉末の合成容器へ充填する際のかさ密度を 1. Og/cm3以 下とすることが好ましい。
[0062] 加熱処理の温度が 1600°C以上の場合には未反応生成物が多く存在したり、一次 粒子の成長が不十分であったりすることがないし、 1800°C以下であれば粒子間の焼 結が顕著となったりすることもない。
[0063] 加熱処理における加熱時間については、未反応物が多く存在したり、一次粒子が 成長不足であったり、或いは粒子間の焼結が生じてしまったりという不都合が生じな い時間範囲が選択され、本発明者らの検討によれば、 2〜24時間程度が好ましい範 囲である。
[0064] 上述した操作で得られるひ型サイアロンは塊状なので、これを解砕、粉砕及び場合 によっては分級処理と組み合わせて所定のサイズの粉末にすることで、いろいろな用 途へ適用される粉末状の蛍光体となる。
[0065] 白色 LED用蛍光体として好適に使用するためには、二次粒子の平均粒径を 3〜3 0 β mにする。二次粒子の平均粒径が 3 β m以上であれば発光強度が低くなることも なぐ平均粒径が 30 μ m以下であれば LEDを封止する樹脂への均一分散が容易で あり、発光強度及び色調のバラツキを生じることもなぐ実用上使用可能である。
[0066] 上述した製法で得られた a型サイアロンからなる塊状物は、比較的易粉砕性に優 れ、乳鉢等で容易に所定粒度に粉砕できる特徴を示すが、ボールミルや振動ミル、 ジェットミル等の一般的な粉碎機を使用することも当然許容される。
[0067] 本発明のサイアロン蛍光体は、紫外線から可視光の幅広い励起範囲を有し、可視 光を発光することから、照明器具に好適である。特に、 α型サイアロンの結晶格子内 への侵入元素として Caと Euを選択して得られる蛍光体は、 Si— N結合の A1— N結 合及び Al _〇結合への置換率により、ピーク波長を 540〜600nmの黄〜橙色光に 制御できるとともに、高輝度発光特性を有している。従って、青色 LEDとの組み合わ せにより、容易に白色光が得られるという特徴がある。また、 ひ型サイアロンは、高温 にさらしても劣化しないことと耐熱性に優れており、酸化雰囲気及び水分環境下での 長期間の安定性にも優れている。
[0068] 本発明の照明器具は、少なくとも発光光源と本発明の蛍光体を用いて構成される。 本発明の照明器具としては、 LED照明器具、蛍光ランプなどが含まれ、例えば、特 許文献 10及び 11などに開示されているような公知の方法により、本発明の蛍光体を 用いて LED照明器具を製造することができる。この場合において、発光光源は 350 〜500nmの波長の光を発する紫外 LED又は青色 LEDが好ましぐこれらの発光素 子としては、 GaNや InGaNなどの窒化物半導体からなるものがあり、組成を調整する ことにより所定の波長に光を発する発光光源となりうる。
[0069] 照明器具において、本発明の蛍光体を単独で使用する方法以外に、他の発光特 性を持つ蛍光体と併用することによって、所望の色を発する照明器具を構成すること ができる。
[0070] 次に、本発明の第 2の実施形態に係るサイアロン蛍光体について説明する。
本発明者らは、本発明の第 2の目的を達成するべぐ窒化物蛍光体や酸窒化物蛍 光体について各種の実験的検討を行った結果、二次粒子の形状や粒度分布が適切 である場合に優れた蛍光特性を確保できること、および、発光に関与する元素が粒 子内で適切な濃度分布を持った場合に優れた蛍光特性を示すことを見出し、本発明 に至ったものである。
[0071] 本発明の第 2のサイアロン蛍光体は、蛍光体の構成粒子の平均円形度が 0. 75以 上であり、当該蛍光体の粒度分布は、体積基準の積算分率における 50%径 (以下、 D で示す。) D 力 〜 30 μ πιであり、 D が 2· 0 /i m以上であることを特徴とする。
50 50 10
[0072] 本発明のサイアロン蛍光体粒子の平均円形度は 0. 75以上であり、好ましくは 0. 8 以上、更に好ましくは 0. 85以上である。平均円形度とは、(粒子面積と等しい円の周 囲長) ÷ (粒子周囲長)で定義される円形度の平均値であり、粒子形状測定装置、例 えば、フロー式粒子像分析装置 (シスメッタス社製 FPIA— 3000)で測定することが 出来る。測定する粒子数は、測定値のばらつきが小さくなるように 500個以上とするこ とが望ましぐ円形度の個数平均値を採る。測定する粒子の寸法は面積円相当径で 0. 5〜: 100 x mの範囲とする。
[0073] 本発明のサイアロン蛍光体は、その粒度分布において、体積基準の積算分率にお ける 50%径(D )が 5〜30 x mであり、好ましくは 10〜25 x mである。 D 力 μ m以
50 50 上であれば、蛍光分光光度計で測定したサイアロン蛍光体の発光強度が低下するこ ともなぐまた、 LEDに組み立てた時に蛍光体を含む層内での光の散乱が著しくなつ て光の取り出し効率が低下し、 LEDの発光効率が低下するとレ、う欠点が生じることも ない。 D が 30 / m以下であれば、分光蛍光光度計で測定した蛍光体の発光強度
50
が十分に大きぐそれを用いた LEDの発光効率も十分に大きいし、粒径が大きすぎ て、例えば、樹脂に混合して用いると、樹脂中で沈降して使いにくかったり、 LEDの 色度ばらつきや照射面の色むらの原因となることもない。
[0074] また、本発明のサイアロン蛍光体の粒度分布は、体積基準の積算分率における 10 %径(0 )が 2 z m以上であり、好ましくは 4. 5 z m以上、更に好ましくは 7. 0 μ m以
10
上である。 D 力 ¾ z m以下の場合、理由は不明であるが、蛍光分光光度計で測定し
10
た蛍光体の発光強度が低下する。また、 LEDに組み立てると、可視光の波長に近い 小粒径の粒子の個数が多いので、蛍光体を含む層内で光を強く散乱し、 LEDの発 光効率(光の取り出し効率)が低下する。これらの数値は、蛍光体の屈折率とも関係 しているので、最適な数値は蛍光体材質によって異なる力 ひ型サイアロンと、 型 サイアロンは、結晶構造は異なるものの密度や屈折率はわず力しか違わないので、 同じ数値で規定できる。また、従来広く使われている酸化物や硫化物蛍光体に比べ て屈折率が大きいので、サイアロン蛍光体の粒度分布におけるこれらの最適な数値 は大きくなる。
[0075] 粒度分布の測定法は、レーザー回折散乱法、遠心沈降光透過法、 X線透過法、遮 光法、電気的検知帯法などがあるが、再現性が良好であり操作が比較的簡便である ことから、レーザー回折散乱法を採用した。サンプノレの測定前処理として、燐酸ナトリ ゥム水溶液等の分散剤を滴下した水に、サンプノレを少量採り、超音波を印加して分 散させる。
[0076] 本発明のサイアロン蛍光体は、蛍光体粒子に含まれる発光に関与する元素の濃度 、粒子内部が低ぐ外周部が高いことを特徴とする。好ましくは、蛍光体粒子外周 部の濃度が粒子内部の濃度の 1. 2倍以上である。本発明者らは、蛍光体中の発光 に関与する元素の濃度をこのように制御することによって、 LEDに組んだ時の LED の発光効率が向上することを実験的に確かめた。
[0077] 上記のサイアロン蛍光体に含まれる発光に関与する元素とは、一般に発光中心と 呼ばれる金属イオンを指す。サイアロンの場合、多くの希土類元素イオン、例えば Ce 、 Pr、 Eu、 Tb、 Yb、 Erのイオンや、遷移金属元素イオン、例えば Mnイオン、等を発 光中心として含むことが出来る。蛍光体が励起光を吸収して十分な強度の蛍光を発 するには、これらの元素がある程度以上の濃度で含まれている必要があるが、濃度 が高すぎると一般に濃度消光が起きて発光強度が低下するので、蛍光体中の発光 に関与する元素の濃度を適当な値となるように制御しなければならない。この濃度範 囲は、蛍光体毎に異なっている。
[0078] 蛍光体粉体の外周部や内部の発光に関与する元素の濃度は、以下のようにして測 定できる。蛍光体粉体を、エポキシ樹脂で包坦し、アルゴンイオンビーム断面作製装 置で切断する。電子顕微鏡で切断面を観察して切断された蛍光体粒子を探し、蛍光 体切断面の元素について、エネルギー分散型 X線分析 (EDX)によるライン分析や、 電子線マイクロ分析(EPMA)による面分析を行う。 EDXや EPMAで求められるカウ ント数は、存在する元素数に比例するので、同じ分析条件で測定してカウント数の比 をとるならば、カウント数の比が濃度の比となるので、内部と外周部の濃度の比を測 定することが出来る。
[0079] なお、本発明におけるサイアロン蛍光体粒子の内部は、以下のように定義している 。上記のようにして得られた粒子断面に於いて、粒子外周部の接線から垂直方向に おける粒子の長さの最大値(以下、このことを粒子の接線垂直方向の最大長と称する 。)を求める。サイアロン蛍光体粒子の内部とは、この最大値の 20%内側に入ったラ インより内側の部分を指す。外周部とは、 20%内側のラインより外側の部分を指す。 また、発光に関与する元素の濃度が、粒子内部が低ぐ粒子外周部が高い状態とは 、内部全体が外周部全体より低いと言う意味ではなぐ D 付近の粒径を持つ粒子断 面に於いて、粒子内部における 1 μ m程度の寸法内の濃度の平均が、粒子外周部 の 1 μ m程度の寸法内の濃度の平均より低いことを意味する。
[0080] ライン分析であれば、 1 μ m程度の長さのライン分析値の平均値同士を比較すれば 良ぐ面分析であれば、 1 z m四方の分析値の平均をとればよい。また、測定する場 所は、粒子内部の一番濃度の低い部分と、外周部の一番濃度の高い部分を取りだし て、その濃度を測定して比率をとればよい。好ましくは、その濃度比が 1. 2以上であ るとよレ、。 1. 2より小さいと、濃度差が小さくなつて、外周部と内部の発光の差が小さく なるので、本発明の効果が十分には得られないことがある。本発明の効果が得られる 理由は、以下のように推定している。
[0081] 蛍光分光光度計で蛍光体の発光強度を測定すると、粒径が大きレ、方が発光強度 が高くなる傾向があるが、実際に LEDを組み立てて、その発光効率を測定すると、粒 径が大きい蛍光体を使うと発光効率が低下する場合がある。この違いは、蛍光分光 光度計を用いた測定では、励起光の入射方向と蛍光の測定方向とが蛍光体を充填 した測定セルの 1面の同じ側にある力 LEDの場合は、蛍光体を分散した層を透過 した光を測定することに起因すると考えられる。粒径が大きい蛍光体は、光を透過せ ずに吸収する割合が高くなり、特に一次粒子が凝集した二次粒子に於いては、二次 粒子内部の界面で光の散乱や吸収が起きやすぐ二次粒子内部で発光したとしても 、その光を蛍光体粒子の外に取りだすことが難しくなり、 LEDとしての発光効率が低 下すると考えられる。
[0082] これを避けるには、光の散乱や吸収の原因となる二次粒子内の界面を出来るだけ 少なくする、つまり、二次粒子を構成する一次粒子の数を少なくすることや、二次粒 子中のサイアロン以外の結晶相や異物を極力少なくすることが重要と考えられる。ま た、二次粒子の表面近傍で発光すれば、光が蛍光体の外に取りだされやすくなり、 二次粒子内部での光の余計な吸収を小さくすることが出来ると考えられる。
[0083] 本発明のように、蛍光体の粒子外周部の発光に関与する元素の濃度が高ぐ粒子 内部の濃度が低い場合、外周部の発光に関与する元素の濃度を濃度消光が起きな い程度におさえれば、内部より外周部でより強く励起光の吸収と発光が起こり、その 光が容易に蛍光体粒子の外に取り出せるので、上記目的を達成することが出来ると 考えられる。
[0084] ひ型サイアロンについては、一般式:(Ml) (M2) (Si) (Al) (O) (N)
X Y 12 m+n n 16- n
(但し、 Mlは Li、 Mg、 Ca、 Y及びランタニド金属(Laと Ceを除く)力 なる群から選 ばれる 1種以上の元素であり、 M2は Ce、 Pr、 Eu、 Tb、 Yb、 Erから選ばれる 1種以 上の元素)で示されることが公知である力 本発明においては、とくに、 0. 3≤X + Y ≤1. 5、 0<Υ≤0. 7、 0. 6≤m≤3. 0、 0≤n≤2. 5、 X + Y=mZ (Mlと M2の平 均価数)の関係を有する a型サイロンが選択される。
[0085] Mlは 1〜3価、 M2は 2〜4価をとる可能性があるので、各元素の価数と含有量から 計算して、上記の平均価数を算出する。例えば、 Mlの 60%が Li+、 Mlの 40%が Ca 2 M2力 SCe3+、 X力 SO. 8、 Y力 S〇. 2の場合、平均価数は 1. 72となる。更に、 Yは、 X +Yに対して、下限が 0. 01以上、好ましくは 0. 02以上であり、上限が 0. 5以下、 0. 3以下であることが好ましい。 Yが上限を超えると、いわゆる濃度消光を起こして蛍光 体の発光強度が低下し、また M2は一般に高価なのでコストアップにつながる。
[0086] 本発明の好ましい実施形態は、前記 Mlが Caであり、かつ、 M2が Euである。この 場合、可視光から紫外光を吸収して、 565〜610nmにピークを持つ発光を示し、発 光効率が高ぐ動作温度による発光強度や発光波長変化が小さぐ耐湿信頼性や高 温耐久性の高い蛍光体が得られる。これは、青〜紫外 LEDを用いた白色 LED用の 蛍光体として、好適に用いられる。
[0087] 本発明は、一般式: Si Al O N (但し、 0. 01≤z≤4. 2)で示される 型サイァ
6 8
ロンを母体材料とし、金属元素 M3 (但し、 M3は、 Mn、 Ce、 Euから選ばれる 1種以 上の元素)を 0· 01〜: 10atm%含有することを特徴とするサイアロン蛍光体である。こ の範囲で高い発光強度が得られる。好ましくは、 0. 1≤ζ≤0. 5, M3が Euであり、そ の含有量力 0. 03〜0. 3atm0/0である。更に好ましく ίま、 0. 2≤ζ≤0. 4、 Euの含有 量が 0· 05〜0. 25atm%である。
[0088] 本発明は、シリコン含有物、アルミニウム含有物、必要に応じて、 Ml、 M2、 M3、を 含む原料を混合して顆粒を作成し、 1500〜2100°C、窒素ガス雰囲気中で加熱する ことを特徴とするサイアロン蛍光体の製造方法である。本発明者らは、原料段階で顆 粒を形成し、その後適切に処理すれば、焼成反応後の二次粒子形状が、顆粒形状 を反映するとの知見を得て、本発明に至ったものである。
[0089] シリコン含有物としては、窒化ケィ素粉を用いるのが一般的であるが、一部を酸化 シリコン、ゼォライト、ポリシラザン、金属シリコン等に置き換えてもよいし、 2種以上を 混合して用いても良い。アルミニウム含有物としては、窒化アルミニウムの他、酸化ァ ノレミニゥム、アミノアラン、イミノアラン、金属アルミニウム等を用いることが出来るし、 2 種以上を混合して用いても良レ、。 Ml含有物、 M2含有物、 M3含有物としては、 Ml 、 M2、 M3の窒化物、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、シユウ酸塩、フッ化物、炭化物、水 酸化物、金属等を用いることが出来るし、 2種以上を混合して用いても構わない。
[0090] 顆粒の作成には、種々の方法を採用できる力 中でもスプレードライヤーを用いると 、適当な粒度の顆粒を形成できる。スプレードライヤーによる顆粒の作成方法は、以 下のように行う。まず、ボールを入れたボールミルポットを準備し、その中にエタノー ル等の溶媒、原料および少量のバインダーと、必要に応じて分散材等を所定量秤量 して入れ、混合してスラリーを作成する。スプレードライヤーは、熱風をあらかじめ吹き 込んで加熱しておく。このスプレードライヤーの上部に設けられたスプレーノズルにス ラリーを供給し、熱風の下流部に設けられたサイクロンで出来た顆粒を回収する。
[0091] ボールミルポットは、摩耗して混入しても影響の少なレ、材質で出来たもの、例えば ポリアミド樹脂で出来たものが好ましい。ボールは、窒化ケィ素ボールや高純度アル ミナボール等のシリコン、アルミニウム等のサイアロンを構成する金属を主成分とする 材質のものを使うことが出来る。バインダーとしては、ポリビエルアルコール、ポリビニ ルブチラール、ポリアクリル酸、メチルセルロース、等を用いることが出来る。溶媒には 、エタノールの他、メタノーノレ、イソプロパノール、アセトン等を用いることが出来る。バ インダ一の溶解性やスラリー性状調整の為、少量のブタノール、トルエン、キシレン、 等を混合しても良い。また、水に溶解できるバインダーを用いて短時間の混合でスラ リーを作れる場合は、水を溶媒とすることも出来る。但し、加水分解しゃすい原料、例 えば窒化アルミニウム粉を使う場合は、水に長時間浸漬したり水温が高レ、場合は加 水分解を起こすことがあるので、注意を要する。水系スラリーの可使時間を長くするた めに、原料として用いる加水分解しゃすい粉を、公知の方法で表面処理しておくこと も出来る。
[0092] 顆粒の形状が、その後の焼成で得られる蛍光体の二次粒子形状に影響を及ぼす ので、顆粒の形状、球形度、粒度分布、顆粒硬さ、等を適当な値にする必要がある。 顆粒の形状や粒径は、原料配合、スプレードライヤーの流体ノズノレや回転ノズノレなど のスラリーを噴霧するノズルの方式、流体の流速、スラリーの供給量、熱風入り口温 度、等で制御できる。顆粒製造条件を事前に検討し、得られた顆粒が、中空になった り破裂しないようにする必要がある。焼成後に得られる蛍光体の平均粒径が 5〜30 μ mの範囲に入るようにするには、本発明に於いて、顆粒の粒径を 10〜35 /i m程度に なるように条件を選定するとよい。また、顆粒の粒度分布幅を狭くすると得られたサイ ァロン蛍光体の特性が良くなる。
[0093] 得られた顆粒は、顆粒の接する面が、窒化ホウ素、窒化ケィ素、窒化アルミニウムあ るいはそれらの複合材で出来たるつぼに入れ、脱バインダーを行う。脱バインダー温 度は、おおむね 600°C以下であり、加熱装置は、抵抗加熱炉、ガス炉など、適宜選 択できるし、脱バインダー時の雰囲気は窒素、空気、燃焼ガス、真空など、適宜選択 すればよい。脱バインダー時に発生するガスにより顆粒が破壊されることがあるので、 昇温プロファイルや真空度を調整して、顆粒が壊れないようにする必要がある。また、 原料に、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、フッ化物など、加熱昇温時にガスを発生する材 料を用いる場合は、発生ガスによる顆粒の破壊が起きないように、昇温速度や真空 度を制御する必要がある。
[0094] サイアロンを合成する焼成炉は、焼成温度条件によって、アルミナファイバーを断 熱材として用いた雰囲気制御電気炉やカーボン断熱材を用いた黒鉛ヒーター加熱 電気炉等を用いることが出来る。脱バインダーを同じ炉で行っても良い。サイアロンの 合成に ίま、 1500〜2100°Cで焼成する。 ひ型サイアロンの場合 ίま 1500〜: 1850°C、 好ましく ίま 1600〜: 1800°C、 型サイアロンの場合 ίま、 1800〜2100°C、好ましく ίま 1900〜2050°Cで合成する。この温度未満では、各々サイアロンは形成されるが、 発光中心元素が十分にサイアロンの結晶中に固溶しないので、発光強度が低くなる 。この温度を超えると、原因は分からないが、発光強度が低下することがある。焼成時 間は、 4〜36時間の間で適宜選択される。また、 1800°C以上で合成反応を行う時は 、雰囲気の窒素ガス圧を窒化ケィ素の分解圧より高く設定し、シリコン金属の生成を 防止する。
[0095] このように、原料粉の顆粒を形成して焼成すると、得られる蛍光体粒子の円形度が 向上し、平均粒径や粒度分布を制御できるので、蛍光体の発光効率や、それを用い た LEDの発光効率を向上することが出来る。また、顆粒を形成して焼成した場合、条 件を整えることで、得られたサイアロン蛍光体の粒子内部と外周部の発光に関与する 元素の分布を生じさせることができる。外周部の濃度が内部より高い場合に、蛍光体 やそれを用いた LEDの発光効率が向上する。
[0096] 本発明は、あら力じめ合成したサイアロン粉を原料粉に添加して混合することを特 徴とするサイアロン蛍光体の製造方法である。この方法によれば、添加する蛍光体粒 子をより大きく成長させると共に、蛍光体粒子の外周部の発光に関与する元素の濃 度が、粒子内部で低ぐ粒子外周部で高い蛍光体粒子を作ることが出来る。これによ り、蛍光体の発光強度をより高め、それを用いた LEDの発光効率を高めることができ る。
[0097] 添カ卩するサイアロン粉について、好ましくは、円形度の高い、例えば 0. 75以上の 粒子にすれば、その外周にサイアロン結晶が成長して、円形度が高ぐ且つ更に大 きい粒子を作ることが出来る。これにより、構成する一次粒子数が少ない二次粒子を 作ることになるので、蛍光体粒子内部での光の不要な分散や吸収を低減できて、蛍 光体の発光強度をより高め、それを用いた LEDの発光効率を高めることができる。
[0098] 原料に添加するサイアロン粉は、 α型サイアロンを合成する場合は α型サイアロン を用い、 型サイアロンを合成する場合は 型サイアロンを用いる。但し、他のサイァ ロンやその他の窒化物または酸窒化物を 10質量%以下含んでいても良レ、。 10質量 %より多く含んでいると蛍光特性を悪化させることがある力 それ以下であれば、合成 反応過程で α型サイアロン単相とすることが出来るので、好ましい。また、その添加量 は、原料粉末全量 100質量%に対して 5〜50質量%がよレ、。 5%以上で発光強度の 向上が達成でき、 50%以下で生産性が十分に良い。好ましくは、 10〜40質量%で ある。また、添加するサイアロン粉の発光に関与する元素(具体的には、 Μ2、 Μ3) 濃度を、それ以外の原料配合から予想される濃度より低くすると、外周部の濃度が高 く内部が低いサイアロン粉を合成できるので好都合である。
[0099] 本発明の製造方法における各工程の条件を適宜選択すれば、各工程を経て加熱 炉から取りだしたそのままで、発光強度の高いサイアロン蛍光体となりうるが、必要に 応じて、適度な解砕や粉砕、分級を行って、本発明の範囲に入る蛍光体を得ることも できる。粉砕には、ボールミル、らいかい機、ジェットミル等の一般の粉砕機を用いる ことが出来るが、強度の粉砕は、微小な粒径を持つ粉を多量に作るので好ましくない 。また、適度な粉砕は、蛍光体粒子の形状を整え円形度を上げる効果があるが、発 生した微粉を除去する工程が必要となる場合がある。分級には、風力分級、水ひ分 級、篩、等の一般の分級機を用いることが出来るが、微粉を除去するには風力分級 や水ひ分級が適する。
[0100] また、本発明は、上記サイアロン蛍光体と、発光波長の最大強度が 240〜480nm にある LEDとを構成要素として含んでレ、ることを特徴とする発光素子である。上記し たように、本発明の蛍光体は、それ自身の発光効率が高いと共に、それを用いた LE Dの発光効率(光の取り出し効率)も高めることが出来るので、本発明の LEDは高い 発光効率を示す。
[0101] 本発明のサイアロン蛍光体は、表面に反射防止機能を持つ透明膜を形成してもよ ぐまた、シランカップリング剤で処理することにより、 LED組み立てに使用する樹脂と 蛍光体との密着性が向上し、また蛍光体の前記樹脂への分散性が向上し、その結果 として LEDの特性を向上させることもできる。
実施例
[0102] 次に、実施例及び比較例に基づいて、本発明をさらに詳細に説明する。最初に、 本発明の第 1の実施形態に係るサイアロン蛍光体及びその製造方法に関する実施 例について説明する。
[0103] (実施例:!〜 3、比較例:!〜 2)
原料粉末中に含有させる a型サイアロン粉末 (以後、 ひ核粉末と記す)の合成: 原料粉末の配合組成として、窒化ケィ素粉末を 75. 4質量%と、窒化アルミニウム 粉末を 14質量%、炭酸カルシウム粉末を 5. 5質量%、フッ化カルシウム粉末を 4. 3 質量%、酸化ユーロピウム粉末を 0. 8質量%とした。この原料粉末をエタノール溶媒 中において、窒化ケィ素質ポットとボールにより湿式ボールミル混合を 3時間行レ、、ろ 過し、乾燥して混合粉末を得た。
[0104] 次に、混合粉末を目開き 75 z mの篩を通過させた後、窒化ホウ素質坩堝(電気化 学工業製、 N1グレード)に充填し、カーボンヒーターの電気炉で大気圧窒素中、 170 0°Cで 5時間の加熱処理を行った。得られた生成物を軽く解砕し、 目開き 45 /i mの篩 を通過したものを α核粉末 Αとした。
[0105] 前記 α核粉末 Aの一部について、更にエタノール溶媒中において、窒化ケィ素質 ポットとボールによる湿式ボールミル粉砕を 24時間行レ、、ろ過、乾燥して α核粉末 B を得た。
[0106] 前記 α型サイアロン粉末及び α型サイアロン微粉末の比表面積は、 日本ベル社製 比表面積測定装置(BELS〇RP_mini)による定容量式ガス吸着法を用いて測定し 、 BET多点解析により算出した。なお、試料は予め、大気圧 Nフロー中、 305°Cで 2
2
時間以上の脱気処理を行った後、比表面積の測定を行った。吸着質には Nを使用
2 し、その分子断面積は 16. 2 X 10— 2 2とした。このようにして得られた比表面積は、 ひ核粉末 Aが 0. 70m2/gで、 ひ核粉末 Bが 3. 9m2/gであった。
[0107] ひ型サイアロン蛍光体の合成:
原料粉末として、前記ひ核粉末 A又はひ核粉末 B、窒化ケィ素粉末、窒化アルミ二 ゥム粉末、炭酸カルシウム粉末、酸化ユーロピウム粉末を用いて、合成後にひ型サイ ァロン単相となるように、表 1に示す配合とした。
[表 1]
Figure imgf000023_0001
[0108] 表 1に示すように、実施例 1の原料粉末の混合組成(質量%)は、 ひ核粉末 Aを 5.
0%, Si Nを 70. 8%, A1Nを 13. 2%, CaCOを 10. 2%, Eu〇を 0. 8%とした。 実施例 2の原料粉末の混合組成は、 ひ核粉末 Aを 15. 0%, Si Nを 63. 8%, A1N
3 4
を 11. 8%, CaCOを 9. 2%, Eu Oを 0. 7%とした。実施例 3の原料粉末の混合組 成は、 α核粉末 Aを 40%, Si Nを 29. 8%, A1Nを 5. 5%, CaCOを 4. 3%, Eu
3 4 3 2
Oを 0. 3%とした。
3
[0109] 比較例 1の原料粉末の混合組成は、 α核粉末を添加せず、 Si Nを 74. 5%, A1N
3 4
を 13· 9%, CaCOを 10. 8%, Eu Oを 0· 87%とした。比較例 2の原料粉末の混 合組成は、 α核粉末 Βを 15. 0%, Si Νを 63. 3%, A1Nを 11. 8%, CaCOを 9. 2
3 4 3
%, Eu Oを 0· 7%とした。 [0110] 配合した原料用粉末を、エタノールを溶媒としてプラスチック製ポットと窒化ケィ素 質ボールを用いて湿式ボールミル混合を行い、ロータリーエバポレータによる溶媒除 去を行い、 目開き 75 μ mの篩を通過させて混合粉末を得た。
[0111] 前記混合粉末約 20gを内径 60mm、高さ 35mmの窒化ホウ素質坩堝 (電気化学ェ 業製、 NB 1000グレード、密度 1. 5g/cm3、肉厚 5mm)に充填し、この坩堝に同材 質の蓋をし、カーボンヒーターの電気炉内において、 0. 45MPaの加圧窒素雰囲気 中、 1750°Cで 12時間の加熱処理を行った。得られた試料は、粉砕処理等をすること なぐ篩分級を行い、最終的に目開き 45 μ m篩を通過した粉末を最終生成物とした 。この際、合成物の易粉砕性を表す指標として、最終生成物質量を篩分級処理を行 つた全質量で除した値 (篩通過率)を求めた。
[0112] 蛍光体粉末は以下のように評価した。
比表面積は前記の方法により測定した。
CuK a線を用いた粉末 X線回折測定により合成粉末に存在する結晶相を調べると ともに、 Si粉末を内部標準とし、 JIS K0131に準拠した格子定数測定を行い、 α型 サイアロン六方晶結晶の格子定数 a及び格子定数 cを算出した。
蛍光特性に関しては、ローダミン B法及び標準光源を用いて校正した分光蛍光光 度計(日立ハイテクノロジーズ製、 F4500)を用いて 455nm励起光における蛍光ス ベクトル測定を行い、ピーク波長、ピーク強度及び輝度を求めた。ピーク強度、輝度 はいずれも実施例 1を 100とした場合の相対値として示す。また、蛍光スペクトルから 、 CIE1931色度座標値 (x、 y)を求めた。評価結果を表 2及び表 3に示す。
[表 2]
Figure imgf000024_0001
表 2に示すように、実施例:!〜 3の蛍光体粉末の篩通過率は、それぞれ、 65% , 70 % , 60%であり、比較例 1及び 2の場合は、それぞれ、 35% , 50%であった。 [0114] 実施例:!〜 3の比表面積は、それぞれ、 0. 47m2/g, 0. 31m2/g, 0. 36mVg であり、比較例 1及び 2の場合は、それぞれ、 0. 72m2/g, 0. 61m2/gであった。
[0115] X線回折からは、実施例:!〜 3及び比較例 1 , 2の結晶相は、何れも α型サイアロン のみであった。実施例:!〜 3の格子定数 aは、それぞれ、 0. 7838A, 0. 7383A, 0 . 7835Aであり、比較例 1及び 2の場合は、それぞれ、 0. 7836A, 0. 7835Aであ つた。実施例:!〜 3の格子定数 cは、それぞれ、 0. 5691 A, 0. 5697A, 0. 5695 A であり、比較例 1及び 2の場合は、それぞれ、 0. 5697A, 0. 5695Aであった。
[0116] 表 3に示すように、実施例 1〜3の蛍光体により得られた蛍光スペクトルのピーク波 長は、それぞれ、 585nm, 588nm, 589nmであり、比較例 1及び 2の場合は、何れ も 587nmであった。実施例 1〜3の蛍光体により得られた蛍光スペクトルの相対ピー ク強度は、それぞれ、 100% , 1 18% , 1 10%であり、比較例 1及び 2の場合は、それ ぞれ、 85% , 95%であった。実施例 1〜3の蛍光体により得られた蛍光スペクトルの 相対輝度は、それぞれ、 100% , 1 16% , 107%であり、比較例 1及び 2の場合は、そ れぞれ、 85% , 95%であった。
実施例 1〜3の蛍光体により得られた蛍光スペクトルの色度座標値 (x、 y)は、それ ぞれ、 (0. 518、 0. 474) , (0. 524、 0. 469) , (0. 525、 0. 468)であり、比較例 1 及び 2の場合は、それぞれ、 (0. 517、 0. 475) , (0. 519、 0. 473)であった。
[表 3]
Figure imgf000025_0001
(比較例 3)
加熱処理温度を 1500°Cとした以外は、実施例 1と全く同じ条件で合成を行った。 篩通過率は 90%、比表面積は 1. 20m2/gであった。 X線回折の結果、未反応の α -Si Nと A1Nが第二結晶相として存在していることが認められた。この α -Si N及び
3 4 3 4
A1Nの最強ピーク強度の a型サイアロンの(102)面回折線強度に対する比は、それ ぞれ 32%及び 6%であった。この蛍光体の 455nm励起における蛍光スペクトルのピ ーク波長は 576nmで、相対ピーク強度は 38%と低い値を示した。
[0118] (実施例 4〜5)
BN坩堝を比較例 1の密度 1. 5g/cm3のものから、実施例 4では、密度 1. 75g/c m3のもの(電気化学工業製、 N—1グレード)、実施例 5では、 2. 17g/cm3のもの( 信越化学製、 P-BN)に変更して合成を行った。評価結果を表 4及び表 5に示す。
[0119] 表 4に示すように、実施例 4及び 5の蛍光体粉末の篩通過率は、それぞれ、 38%, 34%であった。実施例 4及び 5の比表面積は、それぞれ、 0. 47m Vg, 0. 42m V gであった。 X線回折からは、実施例 4及び 5の結晶相は、何れも ct型サイアロンのみ であった。実施例 4及び 5の格子定数 aは、それぞれ、 0. 7839A, 0. 7838Aであり 、格子定数 cは、それぞれ、 0. 5690A, 0. 5688Aであった。
[表 4]
Figure imgf000026_0001
表 5に示すように、実施例 4及び 5の蛍光体により得られた蛍光スペクトルのピーク 波長は、それぞれ、 585nm, 584nmであった。実施例 4及び 5の蛍光体により得ら れた蛍光スペクトルの相対ピーク強度は、それぞれ、 101%, 108%であった。実施 例 1〜3の蛍光体により得られた蛍光スペクトルの相対輝度は、それぞれ、 100%, 1 08%であった。実施例 4及び 5の蛍光体により得られた蛍光スぺタトノレの色度座標値 (x、 y)は、それぞれ、 (0. 518、 0. 474) , (0. 517、 0. 475)であった。
[表 5]
Figure imgf000026_0002
BN坩堝材質を変えても、合成物の焼結性は変わらず、篩通過率は低いが、高密 度の BN坩堝を使用することにより、一次粒子径が増加し、比表面積が低下した。そ の結果、発光特性が比較例 1に比べて向上した。
[0122] 次に、本発明の第 2の実施形態に係るサイアロン蛍光体及びその製造方法並びに サイアロン蛍光体を用いた発光素子に関する実施例について説明する。
[0123] (実施例 6)
原料粉末の配合組成として、窒化ケィ素粉末 (宇部興産製、 E10)を 150質量部と 、窒化アルミニウム粉末(トクャマ製、 Fグレード)を 28質量部と、酸化ユーロピウム粉 末 (信越化学工業製、 RUグレード)を 1. 6質量部と、フッ化カルシウム粉末 (和光純 薬工業製)を 13質量部とした。
[0124] 次に、上記原料粉末を、エタノール 470ml、窒化ケィ素製ボール 1. 4kg、ブチラー ル(電気化学製、 3000K) 10gと共に、内容積 21のナイロンポットに入れ、湿式ボー ノレミル混合を 4時間行った。得られたスラリーを、スプレードライヤー(藤崎電気製、マ イク口ミストドライヤ MDL— 050B)でスプレーして顆粒を作成した。顆粒を電子顕微 鏡で観察したところ、粒径が 10〜30 /i mであった。この顆粒 20gを、内容積 100ml の窒化ホウ素製ルツボ(電気化学工業製、 N1)に入れ、空気中、 600°Cで脱バイン ダ一し、その後、カーボンヒーターの電気炉で大気圧の窒素雰囲気中、 1700°C、 12 時間の加熱処理を行った。得られた生成物を瑪瑙乳鉢で軽く解砕し、 目開き 45 μ ΐη の篩を通して、 α型サイアロン蛍光体粉末を得た。
[0125] X線回折装置によって、得られた粉末が α型サイアロン単相であることを確認した。
粉末の平均円形度を、シスメッタス社製フロー式粒子像測定装置 (FPIA3000)で測 定した。測定試料は、プロピレングリコールを添加して粘度を調整した水に、測定す る粉末を添加し、超音波で分散して調整した。測定した円形度データのうち、面積円 相当径が 0. 5〜: 100 z mの範囲にある 500個以上のデータの平均値をとつた。また 得られた粉末の粒度分布を、レーザー回折散乱法 (コールター社製「LS _ 230型」 粒度分布測定装置使用)により測定した。なお、粒度分布測定用試料の調製は、 JIS R 1629— 1997解説付表 1の窒化ケィ素の測定条件に従った。
[0126] 粒子内の発光に関与する元素の濃度は、以下のようにして求めた。得られた蛍光 体粉末をエポキシ樹脂中に包埋し、 日本電子製クロスセクションポリッシヤー(SM— 9010)を用いて切断し、粒子断面の電子顕微鏡観察用試料を作成した。それを、 日 本電子製電子線マイクロアナライザー CIXA— 8200)を用いて、粒子断面の発光に 関与する元素(ここでは Eu)のマッピングを行った。元素マッピングを行う粒子は、あ らかじめ測定した平均粒子径近傍の粒径を持った粒子を適当に選択した。観察した 粒子の接線垂直方向の最大長を測定し、粒子の外周から接線垂直方向の最大長の 20%内側に粒子の内部と外周部の境界線を想定し、内部で 1 μ m四方の平均濃度 が最も低い部分を探し、外周部で同じく: m四方の平均濃度が最も高い部分を探 した。また、 日立ハイテクノロジーズ社製蛍光分光光度計 (F4500)を用いて青色光 励起(波長 455nm)における蛍光スペクトルを測定し、スペクトルのピーク強度 (発光 強度)を求めた。なお、ピーク強度は測定装置や条件によって変化するため、同一条 件で測定した実施例及び比較例での相対比較を行った。また、構成金属成分の定 量分析値から、 X、 Y、 m、 n値を計算して求めた。
以上のようにして求めた各種の値を表 6に示した。
表 6に示すように、実施例 6の α型サイアロン蛍光体の組成 X, Υ, m, nは、それぞ れ、 0. 87, 0. 034, 1. 80, 0. 23であった。 α型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 86であり、粒度分布の D 及び D は、それぞれ 11 · 6 /i m, 4. 2 /i mであった。
50 10
α型サイアロン蛍光体に添加された M2金属である Euの内部及び外部濃度は、それ ぞれ 4, 8であった。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 118であった。
[表 6]
Figure imgf000028_0001
(実施例 7〜: 13)
実施例 7〜: 13の出発原料の粉末は、実施例 6のフッ化カルシウムの代わりに酸化 カルシウムとし、これ以外は実施例 6と同じ原料粉末組成を用レ、、さらに、この原料粉 末へ、実施例 6で合成した α型サイアロン蛍光体粉末を、表 6に示すような配合割合 で添加したものである。この原料粉末を用いて、実施例 6と同様の方法で実施例 7〜 13の α型サイアロン蛍光体を合成し、表 6に示すように、実施例 6と同様にして測定 値と計算値を求めた。
[0129] この表 6に示すように、実施例 7の出発原料に含まれる上記ひ型サイアロン蛍光体 粉末の量は 2質量%であった。実施例 7で合成したひ型サイアロン蛍光体の平均円 形度は 0. 79で、粒度分布の D 及び D は、それぞれ 1 1. Ο μ ηι, 4. 2 x mであった
50 10
。 ひ型サイアロン蛍光体に添加された M2金属である Euの内部及び外部濃度は、そ れぞれ、 6, 6であった。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 1 10であった。これらの値 から、 a型サイアロンを原料に添加すると蛍光体の発光強度が増すことが分かる。
[0130] 実施例 8の出発原料に含まれる上記ひ型サイアロン蛍光体粉末の量は 5質量%で あった。実施例 8で合成したひ型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 84で、粒度分 布の D 及び D は、それぞれ 13· 2 /i m, 5. Ο μ ΐηであった。 α型サイアロン蛍光体
50 10
に添加された Μ2金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 6, 7であった。 蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 1 19であった。
[0131] 実施例 9の出発原料に含まれる上記 α型サイアロン蛍光体粉末の量は 10質量% であった。実施例 9で合成した α型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 86で、粒度 分布の D 及び D は、それぞれ 18· O /i m, 6. 3 μ ΐηであった。 α型サイアロン蛍光
50 10
体に添加された Μ2金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 5, 7であった 。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 132であった。
[0132] 実施例 10の出発原料に含まれる上記 α型サイアロン蛍光体粉末の量は 20質量% であった。実施例 10で合成したひ型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 91で、粒 度分布の D 及び D は、それぞれ 19. Ο μ -m, 8. であった。 ひ型サイアロン蛍
50 10
光体に添加された M2金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 4, 8であつ た。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 137であった。
[0133] 実施例 1 1の出発原料に含まれる上記ひ型サイアロン蛍光体粉末の量は 30質量% であった。実施例 1 1で合成したひ型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 92で、粒 度分布の D 及び D は、それぞれ 19. δ μ -m, 8. であった。 ひ型サイアロン蛍 光体に添加された M2金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 4, 8であつ た。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 134であった。
[0134] 実施例 12の出発原料に含まれる上記 α型サイアロン蛍光体粉末の量は 40質量% であった。実施例 12で合成したひ型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 92で、粒 度分布の D 及び D は、それぞれ 17. 5 z m, 7. であった。 ひ型サイアロン蛍
50 10
光体に添加された M2金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 4, 9であつ た。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 130であった。
[0135] 実施例 13の出発原料に含まれる上記ひ型サイアロン蛍光体粉末の量は 80質量% であった。実施例 13で合成したひ型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 88で、粒 度分布の D 及び D は、それぞれ 13. Ο μ -m, 6. であった。 ひ型サイアロン蛍
50 10
光体に添加された M2金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 4, 8であつ た。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 121であつた。
[0136] (比較例 4)
フッ化アルミニウムの代わりに酸化カルシウムを用レ、、窒化珪素製ボールとポットを 用レ、、エタノールを媒体として原料粉の混合を 60分間行い、ろ過乾燥した後、それを 窒化ホウ素製ルツボに入れ、脱バインダー工程無しに焼成したこと以外は、実施例 6 と同様にして α型サイアロン蛍光体を合成した。
[0137] 比較例 4の α型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 73で、粒度分布の D 及び D
50 は、それぞれ 6 · 6 / m, 2, 0 / mであった。 α型サイアロン蛍光体に添加された Μ
10
2金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 6 , 6であった。蛍光スペクトルの 発光ピーク強度は 100であった。造粒工程を経ないと、平均円形度が低下し発光強 度が低いことが分かる。
[0138] (実施例 14)
窒化ケィ素(宇部興産製、 E10 91重量部、窒化アルミニウム(トクャマ製、 Fダレ ード) 6. 8重量部、アルミナ(大明化学製、 TM— DARグレード) 0. 2重量部、酸化ュ 一口ピウム(信越化学製、 RUグレード) 2. 0重量部、を量り取り、 12時間の焼成を 20 00°Cで行ったこと以外は、実施例 6と同様にしてサイアロンの合成を行レ、、 j3型サイ ァロン蛍光体を得た。実施例 6と同様にして、平均円形度、粒度分布、 Eu濃度、発光 強度、組成を求めた。
表 7に示すように、実施例 14の 型サイアロン蛍光体の組成 Zは 0. 27であり、 M3 金属である Euの含有量は 0. 14atm%であった。 型サイアロン蛍光体の平均円形 度は 0. 77で、粒度分布の D 及び D は、それぞれ 12. 5 z m, 4. であった。
50 10
β型サイアロン蛍光体に添加された Μ3金属である Euの内部及び外部濃度は、それ ぞれ、 6 8であった。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 111であった。
[表 7]
Figure imgf000031_0001
[0139] (実施例 15 21)
実施例 14の原料粉末に、さらに、実施例 14で得た 型蛍光体粉末を表 7に示す 配合割合で添加した以外は、実施例 14と同様にして実施例 15 21の β型サイァロ ン蛍光体を合成し、表 7に示すように、実施例 14と同様にして測定値と計算値を求め た。
[0140] 表 7に示すように、実施例 15の出発原料に含まれる上記 β型サイアロン蛍光体粉 末の量は 2質量%であった。実施例 15で合成した β型サイアロン蛍光体の平均円形 度は 0· 78で、粒度分布の D 及び D は、それぞれ 13· 2 /i m, 4. 8 μ ΐηであった。
50 10
β型サイアロン蛍光体に添加された Μ3金属である Euの内部及び外部濃度は、それ ぞれ、 7, 8であった。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 114であった。
[0141] 実施例 16の出発原料に含まれる上記 [3型サイアロン蛍光体粉末の量は 5質量% であった。実施例 16で合成した j3型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 80で、粒 度分布の D 及び D は、それぞれ 14. 9 z m, 5. 9 x mであった。 j3型サイアロン蛍 光体に添加された M3金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 7, 8であつ た。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 121であつた。
[0142] 実施例 17の出発原料に含まれる上記 β型サイアロン蛍光体粉末の量は 10質量% であり、実施例 17で合成した j3型サイアロン蛍光体の組成 Ζは 0. 27であり、 M3金 属である Euの含有量は 0. 14atm%であった。 /3型サイアロン蛍光体の平均円形度 は 0. 84で、粒度分布の D 及び D は、それぞれ 17. Ι μ τη, 7. 6 x mであった。 β
50 10
型サイアロン蛍光体に添加された Μ3金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞ れ、 6, 8であった。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 129であった。
[0143] 実施例 18の出発原料に含まれる上記 [3型サイアロン蛍光体粉末の量は 20質量% であった。実施例 18で合成した j3型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 88で、粒 度分布の D 及び D は、それぞれ 20. 7 z m, 9. であった。 j3型サイアロン蛍
50 10
光体に添加された M3金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 6, 9であつ た。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 134であった。
[0144] 実施例 19の出発原料に含まれる上記 β型サイアロン蛍光体粉末の量は 30質量% であり、その組成 Ζは 0. 27、 Μ3金属である Euの含有量は 0. 14atm%であった。実 施例 19で合成した β型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 90で、粒度分布の D
50 及び D は、それぞれ 22· 0 i m, 9. 8 / mであった。 型サイアロン蛍光体に添加さ
10
れた M3金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 6, 8であった。蛍光スぺ タトルの発光ピーク強度は 130であった。
[0145] 実施例 20の出発原料に含まれる上記 β型サイアロン蛍光体粉末の量は 40質量% であった。実施例 20で合成した 型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 90で、粒 度分布の D 及び D は、それぞれ 21. Ο β ΐϊί, 8. 7 x mであった。 j3型サイアロン蛍
50 10
光体に添加された M3金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 6, 8であつ た。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 126であった。
[0146] 実施例 21の出発原料に含まれる上記 [3型サイアロン蛍光体粉末の量は 80質量% であった。実施例 21で合成した j3型サイアロン蛍光体の平均円形度は 0. 82で、粒 度分布の D 及び D は、それぞれ 14. Ο μ τη, 6. であった。 j3型サイアロン蛍
50 10
光体に添加された M3金属である Euの内部及び外部濃度は、それぞれ、 6, 8であつ た。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 1 18であった。
[0147] これらの値から、 型サイアロンを原料に添加すると蛍光体の発光強度が増すこと が分かる。
[0148] (比較例 5)
原料粉をボールミルで混合し、それを窒化ホウ素製ルツボに入れ、脱バインダーェ 程無しに焼成したこと以外は、実施例 14と同様にして比較例 5の [3型サイアロン蛍光 体を合成した。
[0149] 査 7に示すように、比較例 5の β型サイアロン蛍光体の組成 Ζは 0. 27であり、 Μ3金 属である Euの含有量は 0. 14atm%であった。比較例 5の j3型サイアロン蛍光体の 平均円形度は 0. 69で、粒度分布の D 及び D は、それぞれ 8. 5 μ τη, 1. 4 μ mで
50 10
あった。且型サイアロン蛍光体に添加された M3金属である Euの内部及び外部濃度 は、それぞれ、 7, 8であった。蛍光スペクトルの発光ピーク強度は 100であった。造 粒工程を経ないと平均円形度が低下し、発光強度が低いことが分かる。
[0150] (実施例 22、 23、比較例 6)
実施例 6、 10、比較例 4で得た蛍光体粉末各々を、水 100gにエポキシ系シラン力 ップリング剤(信越シリコーン製、 KBE402) 1. Ogと共にカ卩え、撹拌しながら一晩放 置する。その後、ろ過乾燥したシランカップリング剤で処理されたサイアロン蛍光体を 、エポキシ樹脂(サンュレック製 NLD— SL— 2101 ) 5gに混練し、あらかじめ LED用 表面実装パッケージ中に電気的に接続した発光波長 460nmの青色 LEDの上に、こ の混練物をポッティングして真空脱気し、 120°Cで加熱硬化し、表面実装 LEDを作 製した。この表面実装 LEDに 20mAの電流を流して発生する光の発光スペクトルを 測定して発光効率を求め、表 8に示した。
[0151] 表 8に示すように、実施例 22, 23及び比較例 6の LEDの発光効率は、それぞれ、 4 llm/W, 511m/W, 361m/Wであった。
[表 8] 発光効率
使用した蛍光体
Im/W
実施例 22 実施例 6 41
実施例 23 実施例 1 0 51
比較例 6 比較例 4 36 [0152] (実施例 24、 25、比較例 7)
実施例 14、 18、比較例 5で得た蛍光体粉末を用い、水 100gにエポキシ系シラン力 ップリング剤(信越シリコーン製、 KBE402) 1. Ogと共にカ卩え、撹拌しながら一晩放 置する。その後、ろ過乾燥したシランカップリング剤で処理されたサイアロン蛍光体を 、エポキシ樹脂(サンュレック製 NLD_ SL_ 2101) 5gに混練し、あらかじめ LED用 表面実装パッケージ中に電気的に接続した発光波長 460nmの青色 LEDの上に、こ の混練物をポッティングして真空脱気し、 120°Cで加熱硬化し、表面実装 LEDを作 製した。この表面実装 LEDに 20mAの電流を流して発生する光の発光スペクトルを 測定して発光効率を求め、表 9に示した。
[0153] 表 9に示すように、実施例 24, 25及び比較例 7の LEDの発光効率は、それぞれ、 4 Olm/W, 491m/W, 331m/Wであった。
[表 9]
Figure imgf000034_0001
産業上の利用可能性
[0154] 本発明の第 1のひ型サイアロン粉末及びその製造方法によれば、発光特性に優れ た蛍光体を再現性良ぐ量産性良く製造できる。本発明のひ型サイアロン蛍光体は、 紫外〜青色光の励起光により 540〜600nmの領域にピークを有する発光特性を示 すので、紫外光又は青色光を光源とする照明器具、特に紫外 LED又は青色 LEDを 発光光源とする白色 LED用の蛍光体として好適であり、産業上非常に有用である。
[0155] また、本発明の照明器具は、前記蛍光体を用いているので、優れた発光特性を有 し、エネルギー効率が高ぐ産業上極めて有用である。
[0156] 本発明の第 2のサイアロン蛍光体は、従来品よりも著しく蛍光特性に優れるので、 L EDを始めとするいろいろな発光用途に好適に用いることができる。特に、発光波長 が 240〜480nmに最大強度を有する LEDと組み合わせて白色 LEDを提供できる ので、従来から使用されてきた蛍光ランプに置き換えて種々の用途に適用できる。 さらに、本発明の蛍光体の製造方法によれば、前記特徴を有する蛍光体を安定し て多量に提供できるので、産業上極めて有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 一般式:(Ml) (M2) (Si, Al) (0, N) (但し、 Mlは Li、 Mg、 Ca、 Y及びランタ x y 12 16
ニド元素(Laと Ceを除く)力もなる群から選ばれる 1種以上の元素であり、 M2は Ce、 Pr、 Eu、 Tb、 Yb及び Erからなる群から選ばれる 1種以上の元素であり、 0. 3≤X+
Y≤1. 5、かつ 0く Y≤0. 7)で示されるひ型サイアロンを主成分とし、比表面積が 0. 2〜0. 5m2/gの粉末であることを特徴とする、サイアロン蛍光体。
[2] 前記 α型サイアロンの格子定数 aが 0. 780〜0. 788nm、格子定数 cが 0. 565〜
0. 573nmの範囲にあることを特徴とする、請求の範囲 1に記載のサイアロン蛍光体
[3] 前記 α型サイアロンからなる粉末を X線回折法で評価した際に、 α型サイアロン以 外の結晶相の回折強度が α型サイアロンの(102)面の回折線強度に対して、いず れも 10%以下であることを特徴とする、請求の範囲 1又は 2に記載のサイアロン蛍光 体。
[4] 前記 Mlが少なくとも Caを含有することを特徴とする、請求の範囲 1に記載のサイァ ロン蛍光体。
[5] 前記 M2が少なくとも Euを含有し、 0<Y≤0. 1であり、 250〜500nmの波長を持 つ紫外線又は可視光を励起源として照射することにより、 540〜600nmの範囲の波 長域にピークを持つ発光特性を示すことを特徴とする、請求の範囲 1に記載のサイァ ロン蛍光体。
[6] 一般式:(Ml) (M2) (Si, Al) (0, N) (但し、 Mlは Li、 Mg、 Ca、 Y及びランタ x y 12 16
ニド元素(Laと Ceを除く)力もなる群から選ばれる 1種以上の元素であり、 M2は Ce、 Pr、 Eu、 Tb、 Yb及び Erからなる群から選ばれる 1種以上の元素であり、 0. 3≤X+
Y≤1. 5、かつ 0<Y≤0. 7)で示されるひ型サイアロンからなる蛍光体の製造方法 であって、
出発原料に α型サイアロンを 5〜30質量%含有させることを特徴とする、サイアロン 蛍光体の製造方法。
[7] 前記出発原料に含有させるひ型サイアロンの比表面積を 0. 5〜2m2/gとすること を特徴とする、請求の範囲 6に記載のサイアロン蛍光体の製造方法。
[8] 請求の範囲 1乃至 5の何れかに記載の蛍光体を製造する方法であって、 出発原料を密度 1. 75g/cm3以上の窒化ホウ素材質の坩堝に充填し、窒化性雰 囲気で焼成することを特徴とする、サイアロン蛍光体の製造方法。
[9] 前記坩堝が熱分解性窒化ホウ素からなることを特徴とする、請求の範囲 8に記載の サイアロン蛍光体の製造方法。
[10] 請求の範囲 1乃至 5の何れかに記載のサイアロン蛍光体と所定波長の光を発する 発光光源とからなることを特徴とする、照明器具。
[11] 前記光の波長が 250〜500nmであることを特徴とする、請求の範囲 10に記載の照 明器具。
[12] 請求の範囲 6乃至 9の何れかに記載のサイアロン蛍光体の製造方法で得られる蛍 光体と、所定波長の光を発する発光光源と、力もなることを特徴とする、照明器具。
[13] 前記光の波長が 250〜500nmであることを特徴とする、請求の範囲 12に記載の照 明器具。
[14] 蛍光体の構成粒子の平均円形度が 0. 75以上であり、該蛍光体の粒度分布の D
50 力 ¾〜30 / mで、 D が 2, 以上であることを特徴とする、サイアロン蛍光体。
10
[15] 蛍光体の粒子に含まれる発光に関与する元素の濃度が、該粒子内部で低ぐ該粒 子外周部で高いことを特徴とする、サイアロン蛍光体。
[16] 前記粒子外周部の発光に関与する元素の濃度が、前記粒子内部の発光に関与す る元素の濃度の 1. 2倍以上であることを特徴とする、請求の範囲 15に記載のサイァ ロン蛍光体。
[17] 前記蛍光体は、
一般式:(Ml) (M2) (Si) (Al) (〇) (N) (但し、 Mlは Li、 Mg、 Ca、 Sr
X Y 12-(m+n) m+n n 16- n
、Y及びランタニド金属(Laと Ceを除く)からなる群から選ばれる 1種以上の元素であ り、 M2は Ce、 Pr、 Eu、 Tb、 Yb、 Erから選ばれる 1種以上の元素で、 0. 3≤X + Y≤ 1. 5、 0<Υ≤0. 7、 0. 6≤m≤3. 0、 0≤n≤2. 5、 X + Y=mZ (Mlと M2の平均 価数))
で示されるひ型サイアロン蛍光体であることを特徴とする、請求の範囲 14乃至 16の 何れかに記載のサイアロン蛍光体。
[18] 前記 Mlが Caであり、かつ、前記 M2が Euであることを特徴とする、請求の範囲 17 に記載のサイアロン蛍光体。
[19] 前記蛍光体は、
一般式: Si Al O N (fE 0. 01≤z≤4. 2)
で示される β型サイアロンを母体材料とし、
金属元素 Μ3 (但し、 Μ3は、 Mn、 Ce、 Euから選ばれる 1種以上の元素)を 0. 01 〜: 10atm%含有することを特徴とする、請求の範囲 14乃至 16の何れかに記載のサ ィァロン蛍光体。
[20] 前記一般式で 0. 1≤ζ≤0. 5であり、 M3が Euであり、その含有量が 0. 03〜0. 3a tm%であることを特徴とする、請求の範囲 19に記載のサイアロン蛍光体。
[21] シリコン含有物と、アルミニウム含有物と、 Ml (Li、 Mg、 Ca、 Sr、 Y及びランタニド 金属(Laと Ceを除く)力 なる群から選ばれる 1種以上の元素)及び M2 (Ce、 Pr、 Eu 、 Tb、 Yb、 Erから選ばれる 1種以上の元素)を含む原料と、を混合して顆粒を作成し 上記顆粒を、窒素ガス雰囲気中で 1500〜2100°Cの温度で加熱し、 α型サイァロ ン蛍光体を得ることを特徴とする、サイアロン蛍光体の製造方法。
[22] 前記原料に、あらかじめ合成した α型サイアロン蛍光体を添加して混合することを 特徴とする、請求の範囲 21に記載のサイアロン蛍光体の製造方法。
[23] シリコン含有物と、アルミニウム含有物と、 Μ3 (Mn、 Ce、 Euから選ばれる 1種以上 の元素)を含む原料と、を混合して顆粒を作成し、
上記顆粒を、窒素ガス雰囲気中で 1500〜2100°Cの温度で加熱し、 型サイァロ ン蛍光体を得ることを特徴とする、サイアロン蛍光体の製造方法。
[24] 前記原料に、あらかじめ合成した β型サイアロン蛍光体を添加して混合することを 特徴とする、請求の範囲 23に記載のサイアロン蛍光体の製造方法。
[25] 請求の範囲 14乃至 20の何れかに記載されたサイアロン蛍光体と、発光波長の最 大強度が 240〜480nmにある発光ダイオードと、を構成要素として含んでレ、ることを 特徴とする、発光素子。
PCT/JP2007/059527 2006-05-10 2007-05-08 サイアロン蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた照明器具及び発光素子 WO2007129713A1 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020107028742A KR101204573B1 (ko) 2006-05-10 2007-05-08 사이알론 형광체 및 그 제조 방법 및 그것을 이용한 조명기구 및 발광소자
CN200780016969.6A CN101443432B (zh) 2006-05-10 2007-05-08 赛隆荧光粉及其制备方法以及使用该荧光粉的照明器具和发光元件
KR1020127018633A KR101221683B1 (ko) 2006-05-10 2007-05-08 사이알론 형광체 및 그 제조 방법 및 그것을 이용한 조명기구 및 발광소자
EP07742962.9A EP2022835B1 (en) 2006-05-10 2007-05-08 Sialon phosphor, process for producing the same, and illuminator and luminescent element employing the same
US12/300,127 US20100237767A1 (en) 2006-05-10 2007-05-08 Sialon phosphor, process for producing the same, and illuminator and luminescent element employing the same
KR1020127018634A KR101221691B1 (ko) 2006-05-10 2007-05-08 사이알론 형광체 및 그 제조 방법 및 그것을 이용한 조명기구 및 발광소자
US13/464,855 US20120270049A1 (en) 2006-05-10 2012-05-04 Sialon phosphor, process for producing the same, and illuminator and luminescent element employing the same
US13/791,762 US8685279B2 (en) 2006-05-10 2013-03-08 Sialon phosphor, process for producing the same, and illuminator and luminescent element employing the same

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-131018 2006-05-10
JP2006131018A JP5124101B2 (ja) 2006-05-10 2006-05-10 α型サイアロン蛍光体及びその製造方法、並びに照明器具
JP2006168759A JP2007332324A (ja) 2006-06-19 2006-06-19 サイアロン蛍光体とその製造方法、およびそれを用いた発光素子
JP2006-168759 2006-06-19

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US12/300,127 A-371-Of-International US20100237767A1 (en) 2006-05-10 2007-05-08 Sialon phosphor, process for producing the same, and illuminator and luminescent element employing the same
US13/464,855 Division US20120270049A1 (en) 2006-05-10 2012-05-04 Sialon phosphor, process for producing the same, and illuminator and luminescent element employing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007129713A1 true WO2007129713A1 (ja) 2007-11-15

Family

ID=38667822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/059527 WO2007129713A1 (ja) 2006-05-10 2007-05-08 サイアロン蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた照明器具及び発光素子

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20100237767A1 (ja)
EP (2) EP2022835B1 (ja)
KR (5) KR20110004917A (ja)
CN (2) CN102676163B (ja)
WO (1) WO2007129713A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011083671A1 (ja) * 2010-01-08 2011-07-14 シャープ株式会社 蛍光体、発光装置およびそれを用いた液晶表示装置
CN102300955A (zh) * 2009-01-27 2011-12-28 电气化学工业株式会社 α型赛隆荧光体、其制造方法及发光装置
WO2012032818A1 (ja) * 2010-09-09 2012-03-15 電気化学工業株式会社 Eu固溶β型サイアロンの製造方法
US9024519B2 (en) 2011-01-26 2015-05-05 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha α-SiAlON, light-emitting device and use thereof
JP2018109075A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 デンカ株式会社 緑色蛍光体、その製造方法、発光素子及び発光装置
JP2019186537A (ja) * 2018-03-30 2019-10-24 日亜化学工業株式会社 波長変換部材及び発光装置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102676163B (zh) 2006-05-10 2014-11-05 电气化学工业株式会社 赛隆荧光粉及其制备方法以及使用该荧光粉的照明器具和发光元件
JP5122765B2 (ja) * 2006-06-09 2013-01-16 電気化学工業株式会社 蛍光体の製造方法、蛍光体と照明器具
US9000664B2 (en) 2009-04-06 2015-04-07 Sharp Kabushiki Kaisha Phosphor particle group, light emitting apparatus using the same, and liquid crystal display television
KR20110082837A (ko) * 2010-01-12 2011-07-20 삼성전자주식회사 나이트라이드 형광체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 백색 발광 소자
KR101455486B1 (ko) * 2010-03-31 2014-10-27 우베 고산 가부시키가이샤 사이알론계 산질화물 형광체의 제조 방법 및 사이알론계 산질화물 형광체
BR112013013485B1 (pt) 2010-12-01 2020-12-29 Lumileds Holding B.V. material ba1-x-y-zsrxcayeuz)2si5-a-balan8-a-4boa+4b, estrutura emissora de luz e sistema
KR101772656B1 (ko) * 2011-05-19 2017-08-29 삼성전자주식회사 형광체 및 발광장치
KR101877416B1 (ko) * 2011-11-23 2018-07-11 엘지이노텍 주식회사 산질화물 형광체 및 그를 포함한 발광소자 패키지
CN103827260B (zh) * 2012-03-16 2015-11-25 株式会社东芝 荧光体、荧光体的制造方法及发光装置
EP2837669B1 (en) * 2012-03-16 2016-08-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor, phosphor production method, and light-emitting device
DE102013100429B4 (de) 2013-01-16 2023-12-07 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials und Verwendung eines mit dem Verfahren hergestellten pulverförmigen Precursormaterials
AT513747B1 (de) 2013-02-28 2014-07-15 Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab Bestückungsverfahren für Schaltungsträger und Schaltungsträger
US10294419B2 (en) * 2015-08-28 2019-05-21 Denka Company Limited Charged particle radiation measuring method and charged particle radiation measuring device
US11851596B2 (en) 2016-08-12 2023-12-26 Osram Oled Gmbh Lighting device
DE102016121692A1 (de) 2016-08-12 2018-02-15 Osram Gmbh Leuchtstoff und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs
WO2019029849A1 (de) * 2016-11-11 2019-02-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dimmbare lichtquelle
US10608149B2 (en) 2018-03-30 2020-03-31 Nichia Corporation Wavelength converting member and light emitting device
CN110387231A (zh) * 2018-04-17 2019-10-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种β-SiAlON:Eu,M荧光粉及其制备方法
EP3726206B1 (en) * 2019-03-26 2022-11-02 FEI Company Methods and systems for inclusion analysis
CN110655920A (zh) * 2019-09-20 2020-01-07 北京科技大学 一种二价铕掺杂的α-sialon基长余辉发光材料及制备方法

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2002194347A (ja) * 2000-12-22 2002-07-10 Toshiba Corp 蛍光体,その製造方法および発光デバイス
JP2003124527A (ja) 2001-07-16 2003-04-25 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2003206481A (ja) 2001-09-25 2003-07-22 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2003253260A (ja) * 2002-03-04 2003-09-10 Kasei Optonix Co Ltd 硫化亜鉛蛍光体
JP2003336059A (ja) 2002-05-23 2003-11-28 National Institute For Materials Science サイアロン系蛍光体
JP2004186278A (ja) 2002-11-29 2004-07-02 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び発光方法
JP2004244560A (ja) 2003-02-17 2004-09-02 Nichia Chem Ind Ltd シリコンナイトライド系蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2004277663A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 National Institute For Materials Science サイアロン蛍光体とその製造方法
JP2005097011A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Shoei Chem Ind Co 酸窒化物の製造方法
JP2005105177A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 蛍光体粒子、及びその製造方法、並びに蛍光体粒子を用いた発光装置
JP3668770B2 (ja) 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
JP2005255895A (ja) 2004-03-12 2005-09-22 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法
WO2005123876A1 (ja) 2004-06-18 2005-12-29 National Institute For Materials Science α型サイアロン及びα型サイアロン蛍光体並びにその製造方法
WO2006011542A1 (ja) * 2004-07-28 2006-02-02 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
JP2006052337A (ja) * 2004-08-12 2006-02-23 Fujikura Ltd サイアロン蛍光体およびその製造方法
JP2008045271A (ja) 2006-08-10 2008-02-28 Aqua Control:Kk 地下水集水多重管

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8400660A (nl) * 1984-03-01 1985-10-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
JPH0776129B2 (ja) 1988-04-14 1995-08-16 日本特殊陶業株式会社 酸窒化珪素焼結体の製造方法
US5096864A (en) * 1990-09-18 1992-03-17 Norton Company Process of spray drying sialon
JPH069956A (ja) * 1991-12-27 1994-01-18 Fuji Photo Film Co Ltd 球形焼結蛍光体およびその製造法
WO2002028800A2 (en) * 2000-10-02 2002-04-11 Indexable Cutting Tools Of Canada Limited 'SiAION MATERIAL AND CUTTING TOOLS MADE THEREOF'
JP4052136B2 (ja) * 2003-02-06 2008-02-27 宇部興産株式会社 サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法
JP4143516B2 (ja) 2003-10-16 2008-09-03 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像検証方法、プログラムおよび記憶媒体
JP4277666B2 (ja) * 2003-12-01 2009-06-10 宇部興産株式会社 サイアロン系蛍光体の製造方法およびサイアロン系蛍光体
JP4888624B2 (ja) * 2004-07-30 2012-02-29 独立行政法人物質・材料研究機構 α型サイアロン粉末の製造方法
CN101982891A (zh) * 2005-02-28 2011-03-02 电气化学工业株式会社 荧光体及其制造方法及使用了该荧光体的发光元件
US8003011B2 (en) * 2005-05-12 2011-08-23 National Institute For Materials Science β type sialon fluorescent substance
JP2006348139A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Fujikura Ltd アルファサイアロン蛍光体粉末の製造方法
WO2007018260A1 (ja) * 2005-08-10 2007-02-15 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びそれを用いた発光装置
CN102676163B (zh) 2006-05-10 2014-11-05 电气化学工业株式会社 赛隆荧光粉及其制备方法以及使用该荧光粉的照明器具和发光元件
WO2008062781A1 (fr) * 2006-11-20 2008-05-29 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Substance fluorescente et son procédé de fabrication, et dispositif électroluminescent
EP2500399B1 (en) 2009-11-10 2018-05-30 Denka Company Limited Method for producing beta-sialon and light-emitting device using the same

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2002194347A (ja) * 2000-12-22 2002-07-10 Toshiba Corp 蛍光体,その製造方法および発光デバイス
JP3668770B2 (ja) 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
JP2003124527A (ja) 2001-07-16 2003-04-25 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2003206481A (ja) 2001-09-25 2003-07-22 Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット
JP2003253260A (ja) * 2002-03-04 2003-09-10 Kasei Optonix Co Ltd 硫化亜鉛蛍光体
JP2003336059A (ja) 2002-05-23 2003-11-28 National Institute For Materials Science サイアロン系蛍光体
JP2004186278A (ja) 2002-11-29 2004-07-02 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び発光方法
JP2004244560A (ja) 2003-02-17 2004-09-02 Nichia Chem Ind Ltd シリコンナイトライド系蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2004277663A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 National Institute For Materials Science サイアロン蛍光体とその製造方法
JP2005097011A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Shoei Chem Ind Co 酸窒化物の製造方法
JP2005105177A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 蛍光体粒子、及びその製造方法、並びに蛍光体粒子を用いた発光装置
JP2005255895A (ja) 2004-03-12 2005-09-22 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法
WO2005123876A1 (ja) 2004-06-18 2005-12-29 National Institute For Materials Science α型サイアロン及びα型サイアロン蛍光体並びにその製造方法
WO2006011542A1 (ja) * 2004-07-28 2006-02-02 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
JP2006063323A (ja) * 2004-07-28 2006-03-09 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
JP2006052337A (ja) * 2004-08-12 2006-02-23 Fujikura Ltd サイアロン蛍光体およびその製造方法
JP2008045271A (ja) 2006-08-10 2008-02-28 Aqua Control:Kk 地下水集水多重管

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Dai 52 kai Ouyou Butsurigaku Kankei Rengou", KOUENKAI KOUEN YOKOUSYU, March 2005 (2005-03-01), pages 1614 - 1615
"Dai 65 kai Ouyou Butsurigakkai Gakujyutsu", KOUENKAI KOUEN YOKOUSYU, vol. 3, September 2004 (2004-09-01), pages 1282 - 1284
J. W. T. VAN RUTTEN ET AL.: "Carbothermal Preparation and Characterization of Ca-a-SiAlON", J. EUR. CERAM. SOC., vol. 15, 1995, pages 599 - 604
J.W.H VAN KREBEL: "On New Rare-Earth Doped M-Si-Al-O-N Materials", TU EINDHOVEN, 1998, pages 145 - 161
K. KOMEYA ET AL.: "Hollow Beads Composed of Nanosize Ca a-SiAlON Grains", J. AM. CERAM. SOC., vol. 83, 2000, pages 995 - 997, XP055005784, DOI: doi:10.1111/j.1151-2916.2000.tb01316.x
M. MITOMO ET AL.: "Preparation of a-SiAlON Powders by Carbothermal Reduction and Nitridation", CERAM. INT., vol. 14, 1988, pages 43 - 48, XP024157845, DOI: doi:10.1016/0272-8842(88)90017-X
See also references of EP2022835A4

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102300955A (zh) * 2009-01-27 2011-12-28 电气化学工业株式会社 α型赛隆荧光体、其制造方法及发光装置
WO2011083671A1 (ja) * 2010-01-08 2011-07-14 シャープ株式会社 蛍光体、発光装置およびそれを用いた液晶表示装置
US8709283B2 (en) 2010-01-08 2014-04-29 Sharp Kabushiki Kaisha Phosphor, light emitting apparatus, and liquid crystal display apparatus using the same
US9496463B2 (en) 2010-01-08 2016-11-15 Ge Phosphors Technology, Llc Phosphor, light emitting apparatus, and liquid crystal display apparatus using the same
WO2012032818A1 (ja) * 2010-09-09 2012-03-15 電気化学工業株式会社 Eu固溶β型サイアロンの製造方法
US9024519B2 (en) 2011-01-26 2015-05-05 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha α-SiAlON, light-emitting device and use thereof
JP2018109075A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 デンカ株式会社 緑色蛍光体、その製造方法、発光素子及び発光装置
JP2019186537A (ja) * 2018-03-30 2019-10-24 日亜化学工業株式会社 波長変換部材及び発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102676163B (zh) 2014-11-05
KR101221683B1 (ko) 2013-01-11
KR101221691B1 (ko) 2013-01-11
KR20090018085A (ko) 2009-02-19
KR20110004916A (ko) 2011-01-14
US20130193600A1 (en) 2013-08-01
EP2022835A4 (en) 2011-10-05
KR20110004917A (ko) 2011-01-14
US20100237767A1 (en) 2010-09-23
EP2022835A1 (en) 2009-02-11
US8685279B2 (en) 2014-04-01
CN102676163A (zh) 2012-09-19
KR101204573B1 (ko) 2012-11-26
CN102643645B (zh) 2014-05-07
EP3093327A2 (en) 2016-11-16
EP2022835B1 (en) 2018-04-11
KR20120098885A (ko) 2012-09-05
CN102643645A (zh) 2012-08-22
US20120270049A1 (en) 2012-10-25
EP3093327A3 (en) 2017-05-03
KR20120096576A (ko) 2012-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007129713A1 (ja) サイアロン蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた照明器具及び発光素子
KR101732746B1 (ko) α형 사이알론 형광체, 그의 제조법 및 발광 장치
TWI411660B (zh) A phosphor and a method for manufacturing the same, and a light-emitting element using the same
KR101354896B1 (ko) 사이알론계 산질화물 형광체 및 그 제조방법
JP5737693B2 (ja) β型サイアロン、その製造方法及びそれを用いた発光装置
JP2007332324A (ja) サイアロン蛍光体とその製造方法、およびそれを用いた発光素子
CN101443432B (zh) 赛隆荧光粉及其制备方法以及使用该荧光粉的照明器具和发光元件
JP2009096882A (ja) 蛍光体とその製造方法
JP5854051B2 (ja) 酸窒化物蛍光体粉末及びその製造方法
WO2007142289A1 (ja) 蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた照明器具
EP3135746B1 (en) Method for producing nitride fluorescent material

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07742962

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12300127

Country of ref document: US

Ref document number: 200780016969.6

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007742962

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087029585

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020107028743

Country of ref document: KR

Ref document number: 1020107028742

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020127018634

Country of ref document: KR

Ref document number: 1020127018633

Country of ref document: KR

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)