JP7295246B2 - 処理チャンバのミキシングシステム - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
［０００１］本出願は、２０１９年１月７日出願の米国特許出願第１６／２４１，５３７号の優先権を主張するものであり、その内容の全てが、参照することにより本明細書に組み込まれる。

［０００２］本技術は、システム、プロセス、及び機器に関する。より具体的には、本技術は、システム及びチャンバ内に前駆体を送達するためのシステム及び方法に関する。

［０００３］集積回路は、基板表面に複雑にパターニングされた材料層を形成するプロセスによって可能になる。基板にパターニングされた材料を形成するには、露出した材料を除去するための制御された方法が必要である。化学エッチングは、フォトレジストのパターンを下にある層に転写する、層を薄くする、又は表面にすでに存在する特徴の横方向の寸法を薄くすることを含む、様々な目的で使用される。多くの場合、例えば、パターン転写プロセス又は個々の材料の除去を容易にする、ある材料を別の材料よりも速くエッチングするエッチングプロセスを有することが望ましい。このようなエッチングプロセスは、第１の材料に対して選択的であると言われる。材料、回路、及びプロセスの多様性の結果として、エッチングプロセスは、様々な材料に対して選択性を有するように開発されてきた。

［０００４］エッチングプロセスは、プロセスで使用される材料に基づいて、ウェット又はドライと呼ばれ得る。ウェットＨＦエッチングは、他の誘電体や材料よりも酸化ケイ素を優先的に除去する。ただし、ウェットプロセスは、狭いトレンチに浸透するのが困難であり得、残りの材料が変形する場合もある。ドライエッチングプロセスは、複雑な特徴やトレンチに浸透し得るが、許容できる上から下までのプロファイルが得られない場合がある。次世代デバイスにおいてデバイスサイズが縮小し続けるにつれ、システムが前駆体をチャンバ内及びチャンバを介して送達する方法が、ますます影響を受ける可能性がある。処理条件の均一性の重要性が高まり続けるにつれ、チャンバの設計とシステムの設定が、製造されるデバイスの品質に重要な役割を果たし得る。

［０００５］したがって、高品質のデバイス及び構造を製造するのに使用可能な改善されたシステム及び方法が必要である。これら及び他の必要は、本技術によって対処される。

［０００６］例示的な処理システムは、処理チャンバを含み得、処理チャンバに結合された遠隔プラズマユニットを含み得る。システムは、処理チャンバと遠隔プラズマユニットとの間に組み込まれたバッフルプレートを含み得る。例示的なシステムはまた、遠隔プラズマユニットと処理チャンバとの間に結合されたミキシングマニホールドを含み得る。ミキシングマニホールドは、第１の端部と、第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ得、第２の端部で処理チャンバに結合され得る。ミキシングマニホールドは、ミキシングマニホールドを通る中央チャネルを画定し得、ミキシングマニホールドの外部に沿ってポートを画定し得る。ポートは、ミキシングマニホールドの第１の端部内に画定された第１のトレンチに流体的に結合され得る。第１のトレンチは、第１の内側側壁の内側半径と、外側半径とによって特徴付けられ得、第１のトレンチは、第１の内側側壁を通して中央チャネルへの流体アクセスを提供し得る。

［０００７］幾つかの実施形態では、ミキシングマニホールドはまた、ミキシングマニホールドの第１の端部内に画定された第２のトレンチも含み得る。第２のトレンチは、第１のトレンチから半径方向外側に位置し得、ポートは、第２のトレンチに流体的に結合され得、第２のトレンチは、第２の内側側壁の内側半径によって特徴付けられ得る。第２の内側側壁はまた、第１のトレンチの外側半径も画定し得、第２の内側側壁は、第２の内側側壁を通して画定され、第１のトレンチへの流体アクセスを提供する複数の開孔を画定し得る。バッフルプレートは、ミキシングマニホールドの上流に配置され得る。バッフルプレートは、第１のバッフルプレートであり得、処理システムはまた、ミキシングマニホールドの下流に配置された第２のバッフルプレートも含み得る。第１のバッフルプレート及び第２のバッフルプレートは、それぞれ、１又は複数の開孔を画定し得、第１のバッフルプレートは、第２のバッフルプレートとは異なる開孔プロファイルによって特徴付けられ得る。

［０００８］バッフルプレートは、バッフルプレートを通る複数の開孔を画定し得る。複数の開孔の各開孔は、入口としてのバッフルプレートの第１の面から、出口としてのバッフルプレートの第１の面の反対側のバッフルプレートの第２の面を通して画定され得る。出口は、入口を通って延在するバッフルプレートに垂直な軸の周りで入口から半径方向にオフセットされ、各開孔を通る回転チャネルを画定し得る。バッフルプレートは、セラミック又はコーティングされたアルミニウムを含み得る。システムはまた、ミキシングマニホールドと遠隔プラズマユニットとの間に結合されたアイソレータを含み得る。アイソレータはセラミックであり得る又はセラミックを含み得る。システムはまた、ミキシングマニホールドと遠隔プラズマユニットとの間に結合されたアダプタも含み得る。アダプタは、第１の端部と、第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ得る。アダプタは、アダプタを部分的に通って延在する中央チャネルを画定し得る。アダプタは、アダプタの外部を通るポートを画定し得る。ポートは、アダプタ内に画定されたミキシングチャネルに流体的に結合され得、ミキシングチャネルは、中央チャネルに流体的に結合され得る。バッフルプレートは、アダプタの第２の端部に画定された凹部に着座し得る。システムはまた、アダプタとミキシングマニホールドとの間に配置されたスペーサも含み得る。

［０００９］本技術の幾つかの実施形態は、処理システムを包含し得る。処理システムは、遠隔プラズマユニットを含み得る。システムは、中央チャネルを画定するガスボックスと、ガスボックスに結合されたブロッカプレートとを含み得る処理チャンバを含み得る。ブロッカプレートは、ブロッカプレートを通る複数の開孔を画定し得る。チャンバはまた、面板の第１の面でブロッカプレートに結合された面板も含み得る。チャンバはバッフルプレートを含み得る。システムはまた、ガスボックスに結合されたミキシングマニホールドも含み得る。ミキシングマニホールドは、第１の端部と、第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ得る。ミキシングマニホールドは、第２の端部で処理チャンバに結合され得る。ミキシングマニホールドは、ガスボックスを通して画定された中央チャネルに流体的に結合されたミキシングマニホールドを通る中央チャネルを画定し得る。ミキシングマニホールドは、ミキシングマニホールドの外部に沿ってポートを画定し得る。ポートは、ミキシングマニホールドの第１の端部内に画定された第１のトレンチに流体的に結合され得る。第１のトレンチは、第１の内側側壁の内側半径と、外側半径とによって特徴付けられ得、第１のトレンチは、第１の内側側壁を通して中央チャネルへの流体アクセスを提供し得る。

［００１０］幾つかの実施形態では、システムはまた、ガスボックスに結合されたミキシングマニホールドの周りでガスボックスの外部に結合されたヒータも含み得る。バッフルプレートは、ミキシングマニホールドの上流に配置された第１のバッフルプレートであり得る。処理システムはまた、ミキシングマニホールドの下流に配置され且つミキシングマニホールドの第２の端部に画定された凹部に着座する第２のバッフルプレートも含み得る。システムはまた、遠隔プラズマユニットに結合されたアダプタも含み得る。アダプタは、第１の端部と、第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ得る。アダプタは、アダプタの第１の端部から中間点までアダプタを部分的に通って延在する中央チャネルを画定し得る。アダプタは、アダプタの第２の端部の方へ延在するアダプタの中間点から複数のアクセスチャネルを画定し得、複数のアクセスチャネルは、アダプタを通る中心軸の周りで半径方向に分布し得る。アダプタは、アダプタの外部を通るポートを画定し得る。ポートは、アダプタ内に画定されたミキシングチャネルに流体的に結合され得る。ミキシングチャネルは、アダプタの中央部分を通ってアダプタの第２の端部の方へ延在し得る。アダプタは、アダプタの外部を通るポートを画定し得る。ポートは、アダプタ内に画定されたミキシングチャネルに流体的に結合され得る。ミキシングチャネルは、アダプタによって画定された中央チャネルに流体アクセスするために、アダプタの中央部分を通ってアダプタの中間点の方へ延在し得る。

［００１１］本技術の幾つかの実施形態はまた、処理システムを介して前駆体を送達する方法も包含し得る。本方法は、遠隔プラズマユニットでフッ素含有前駆体のプラズマを形成することを含み得る。本方法は、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物をアダプタに流すことを含み得る。本方法は、水素含有前駆体をアダプタに流すことを含み得る。本方法は、第１の混合物を生成するために、水素含有前駆体をプラズマ放出物と混合することを含み得る。本方法は、第１の混合物をミキシングマニホールドに流すことを含み得る。本方法は、第３の前駆体をミキシングマニホールドに流すことを含み得る。本方法はまた、第２の混合物を生成するために、第３の前駆体を第１の混合物と混合することも含み得る。第１の混合物又は第２の混合物のうちの１つは、バッフルプレートを通して流され得る。幾つかの実施形態では、第１のバッフルプレートがミキシングマニホールドの上流に組み込まれ得る。

［００１２］上記技術は、従来のシステム及び技術に勝る多くの利益を提供し得る。例えば、本技術は、従来の設計と比較して限られた数の構成要素を利用し得る。更に、チャンバの外側でエッチング液種を生成し、チャンバへの送達を制御する構成要素を用いることにより、混合及び基板への送達が、従来のシステムよりも均一に提供され得る。これら及び他の実施形態を、それらの利点及び特徴の多くとともに、以下の説明及び添付の図と併せてより詳細に説明する。

［００１３］開示された技術の性質及び利点のさらなる理解は、明細書及び図面の残りの部分を参照することによって実現され得る。

本技術の幾つかの実施形態に係る例示的な処理システムを示す上面図である。 本技術の幾つかの実施形態に係る例示的な処理チャンバを示す概略断面図である。 本技術の幾つかの実施形態に係るアイソレータを示す概略部分底面図である。 本技術の幾つかの実施形態に係るアダプタを示す概略部分上面図である。 本技術の幾つかの実施形態に係る、図２の線Ａ－Ａで切り取った、アダプタを示す概略断面図である。 本技術の幾つかの実施形態に係るミキシングマニホールドを示す概略斜視図である。 本技術の幾つかの実施形態に係る、図６の線Ｂ－Ｂで切り取った、ミキシングマニホールドを示す概略断面図である。 本技術の幾つかの実施形態に係る、図６の線Ｃ－Ｃで切り取った、ミキシングマニホールドを示す概略断面図である。 Ａ～Ｄは、本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なバッフルプレートを示す概略平面図である。 本技術の幾つかの実施形態に係る、処理システムを介して前駆体を送達する方法の工程を示す図である。

［００２４］図の幾つかは、概略図として含まれている。これらの図は例示を目的としたものであり、特に縮尺通りであると記載していない限り、縮尺通りであると見なすべきではないことを理解されたい。更に、図は、概略図として理解を助けるために提供されたものであり、現実的な表現と比較してすべての態様又は情報を含まない場合があり、例示のために拡大された資料を含み得る。

［００２５］添付の図において、同様の構成要素及び／又は特徴は、同じ参照ラベルを有し得る。更に、同じ種類の様々な構成要素は、類似の構成要素を区別する文字が参照ラベルに続くことによって区別され得る。本明細書で第１の参照ラベルのみを使用する場合、その説明は、文字に関係なく、同じ第１の参照ラベルを有する類似の構成要素のいずれかに適用可能である。

［００２６］本技術は、半導体製造工程を実行するための半導体処理システム、チャンバ、及び構成要素を含む。半導体製造中に実行される多くのドライエッチング工程には、複数の前駆体が含まれ得る。様々な方法でエネルギーが付与され、組み合わされると、これらのエッチング液が、基板の態様を除去又は修正するために基板に送達され得る。従来の処理システムは、複数の方法で、堆積又はエッチングのため等の前駆体を提供し得る。改良された前駆体を提供する１つの方法は、前駆体を処理チャンバを介して、処理のためにウエハ等の基板に送達する前に、遠隔プラズマユニットを介してすべての前駆体を提供することである。ただし、このプロセスの問題は、様々な前駆体が様々な材料と反応し得、これにより、遠隔プラズマユニット又は前駆体を送達する構成要素に損傷を与える可能性があることである。例えば、改良されたフッ素含有前駆体は、アルミニウム表面と反応し得るが、酸化物表面とは反応しない可能性がある。改良された水素含有前駆体は、遠隔プラズマユニット内のアルミニウム表面と反応しない可能性があるが、酸化物コーティングと反応して除去する可能性がある。したがって、２つの前駆体が共に遠隔プラズマユニットを介して送達される場合、それらがユニット内のコーティング又はライナを損傷する可能性がある。更に、プラズマを点火する電力が、生成される解離の量によって実行されるプロセスに影響を与え得る。例えば、一部のプロセスでは、水素含有前駆体の大量の解離が有益な場合があるが、フッ素含有前駆体の解離量が少なければ、より制御されたエッチングが可能になり得る。

［００２７］従来の処理はまた、プラズマ処理のための遠隔プラズマ装置を介して１つの前駆体を送達し得、そして第２の前駆体を直接チャンバに送達し得る。しかしながら、このプロセスの問題は、前駆体の混合が困難であり得、エッチング液生成を適切に制御できない場合があり、ウエハ又は基板に均一なエッチング液が提供されない可能性があることである。これにより、プロセスが基板の表面全体で均一に実行されない可能性があり、パターニングと形成が続く場合に、デバイスの問題が発生し得る。

［００２８］本技術は、遠隔プラズマユニットを介して１つのエッチング液前駆体を送達しながらも、前駆体をチャンバに送達する前に前駆体を混合するように構成された構成要素及びシステムを利用することによってこれらの問題を克服し得るが、キャリアガスやその他のエッチング液前駆体等の複数の前駆体も遠隔プラズマユニットを通して流され得る。本技術は、システムを介して送達される前駆体を更に混合及び均質化するバッフルプレート等のフロー装置を包含し得る。特定のバイパススキームは、処理チャンバに送達する前に前駆体を完全に混合し得、各前駆体がシステムに追加されるときに中間混合を提供し得る。これにより、遠隔プラズマユニットを保護しながら、均一なプロセスを実行することが可能になり得る。本技術のチャンバはまた、チャンバ全体の熱伝導率を最大にし、特定の方法で構成要素を結合することによって保守を更に容易にする構成要素構成を含み得る。

［００２９］以下の本開示では、開示された技術を利用する特定のエッチングプロセスを常に特定するが、システム及び方法は、記載されたチャンバで行われ得る堆積及び洗浄プロセスに等しく適用可能であることは容易に理解される。したがって、本技術は、エッチングプロセスのみに使用されるように限定的であると見なされるべきではない。本開示では、本技術の実施形態に係る本システムの構成要素の態様及び変形例を説明する前に、本技術と共に使用して特定の除去工程を実行し得る１つの可能なシステム及びチャンバについて説明する。

［００３０］図１は、実施形態に係る堆積、エッチング、ベーキング、及び硬化チャンバの処理システム１００の一実施形態を示す上面図である。この図では、一対の前方開孔型統一ポッド（ＦＯＵＰ）１０２が、ロボットアーム１０４によって受け入れられて、タンデムセクション１０９ａ～ｃに配置された基板処理チャンバ１０８ａ～ｆの１つに配置される前に低圧保持領域１０６に配置される、様々なサイズの基板を供給する。第２のロボットアーム１１０を使用して、基板ウエハを保持領域１０６から基板処理チャンバ１０８ａ～ｆに、そしてその逆に輸送することができる。各基板処理チャンバ１０８ａ～ｆは、周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、エッチング、前洗浄、ガス抜き、配向、及びその他の基板プロセスに加えて、本明細書に記載のドライエッチングプロセスを含む多くの基板処理工程を実行するように装備され得る。

［００３１］基板処理チャンバ１０８ａ～ｆは、基板ウエハに誘電体膜を堆積、アニーリング、硬化、及び／又はエッチングするための１又は複数のシステム構成要素を含み得る。ある構成では、２対の処理チャンバ、例えば、１０８ｃ～ｄ及び１０８ｅ～ｆを使用して、誘電体材料を基板に堆積させることができ、第３の対の処理チャンバ、例えば、１０８ａ～ｂを使用して、堆積した誘電体をエッチングし得る。別の構成では、チャンバの３つの対すべて、例えば、１０８ａ～ｆが、基板の誘電体膜をエッチングするように構成され得る。記載されたプロセスのいずれか１又は複数は、様々な実施形態において示す製造システムから分離されたチャンバで実行され得る。誘電体膜用の堆積、エッチング、アニーリング、及び硬化チャンバの追加の構成がシステム１００によって企図されていることが理解されよう。

［００３２］図２は、本技術の実施形態に係る例示的な処理システム２００を示す概略断面図である。システム２００は、処理チャンバ２０５及び遠隔プラズマユニット２１０を含み得る。遠隔プラズマユニット２１０は、１又は複数の構成要素を備えた処理チャンバ２０５に結合し得る。遠隔プラズマユニット２１０は、アイソレータ２１５、アダプタ２２０、スペーサ２３０、及びミキシングマニホールド２３５のうちの１又は複数に結合し得る。ミキシングマニホールド２３５は、処理チャンバ２０５の上部に結合し得、処理チャンバ２０５への入口に結合し得る。

［００３３］アイソレータ２１５は、第１の端部２１１で遠隔プラズマユニット２１０に結合し得、第１の端部２１１の反対側の第２の端部２１２でアダプタ２２０に結合し得る。アイソレータ２１５を通して１又は複数のチャネルが画定され得る。第１の端部２１１で、チャネル２１３への開孔部又はポートが画定され得る。チャネル２１３が、アイソレータ２１５内の中央に画定され得、アイソレータ２１５を通る中心軸に垂直な方向の第１の断面積によって特徴付けられ得、これは、遠隔プラズマユニット２１０からの流れの方向であり得る。チャネル２１３の直径は、遠隔プラズマユニット２１０からの出口ポートと等しくてよい、又は共通であり得る。チャネル２１３は、第１の端部２１１から第２の端部２１２までの長さによって特徴付けられ得る。チャネル２１３は、アイソレータ２１５の全長、又は第１の端部２１１から第２の端部２１２までの長さよりも短い長さを通って延在し得る。例えば、チャネル２１３は、第１の端部２１１から第２の端部２１２までの長さの半分未満に延在し得る、又はチャネル２１３は、第１の端部２１１から第２の端部２１２までの長さの半分まで延在し得る、又はチャネル２１３は、第１の端部２１１から第２の端部２１２までの長さの半分を超えて延在し得る、又はチャネル２１３は、アイソレータ２１５の第１の端部２１１から第２の端部２１２までの長さの約半分に延在し得る。

［００３４］チャネル２１３は、アイソレータ２１５内に画定されたチャネル２１３のベースから第２の端部２１２まで延在する、より小さい開孔２１４へと移行し得る。例えば、上記のより小さい開孔２１４の１つを図２に示したが、任意の数の開孔２１４が、アイソレータ２１５を通してチャネル２１３から第２の端部２１２まで画定され得ることが理解されるべきである。以下に更に説明するように、より小さい開孔は、アイソレータ２１５の中心軸の周りに分布し得る。より小さい開孔２１４は、チャネル２１３の直径の約５０％以下の直径によって特徴付けられ得、チャネル２１３の直径の約４０％以下、約３０％以下、約２０％以下、約１０％以下、約５％以下、又はチャネル２１３の直径未満の直径によって特徴付けられ得る。アイソレータ２１５はまた、アイソレータ２１５の下に画定された１又は複数のトレンチも画定し得る。トレンチは、アダプタ２２０との結合を可能にし得る、Ｏリング又はエラストマー要素の着座を可能にするために、アイソレータ２１５内に画定された１又は複数の環状凹部であり得る、又はそれらを含み得る。

［００３５］処理システムの他の構成要素は、金属又は熱伝導性材料であり得るが、アイソレータ２１５は、熱伝導性の低い材料であり得る。幾つかの実施形態では、アイソレータ２１５は、遠隔プラズマユニット２１０とチャンバ２０５との間に熱遮断を提供するように構成されたセラミック、プラスチック、又は他の断熱構成要素であり得る、又はそれらを含み得る。工程中、遠隔プラズマユニット２１０は、チャンバ２０５に比べてより低い温度で冷却又は作動し得、チャンバ２０５は、遠隔プラズマユニット２１０に比べてより高い温度で加熱又は作動し得る。セラミック又は断熱アイソレータ２１５を提供することで、構成要素間の熱的、電気的、又は他の干渉が防止又は制限され得る。

［００３６］アダプタ２２０は、実施形態では、アイソレータ２１５の第２の端部２１２に結合し得る。アダプタ２２０は、第１の端部２１７及び第１の端部の反対側の第２の端部２１８によって特徴付けられ得る。アダプタ２２０は、アダプタ２２０の一部を通る１又は複数の中央チャネルを画定し得る。例えば、中央チャネル２１９、又は第１の中央チャネルは、第１の端部２１７からアダプタ２２０を通って第２の端部２１８に向かって少なくとも部分的に延在し得、任意の長さのアダプタ２２０を通って延在し得る。アイソレータ２１５の中央チャネル２１３と同様に、中央チャネル２１９は、アダプタ２２０全体の長さの半分未満に延在し得る、又はアダプタ２２０の長さの約半分に延在し得る、又はアダプタ２２０の長さの半分を超えて延在し得る。中央チャネル２１９は、チャネル２１３の直径に関連する、等しい、又は実質的に等しい直径によって特徴付けられ得る。更に、中央チャネル２１９は、アイソレータ２１５の開孔２１４に外接し、実施形態では、中心軸からアイソレータ２１５を通して画定され、各開孔２１４の直径の外側エッジまで延在する直径と実質的に同様の又は等しい直径によって特徴づけられ得る等によって、開孔２１４にぴったり外接する形状の直径によって特徴付けられ得る。例えば、中央チャネル２１９は、各開孔２１４の外側部分と接線方向に延在し得る１又は複数の直径によって特徴付けられる円形又は卵形によって特徴付けられ得る。

［００３７］アダプタ２２０は、アダプタ２２０内の中央チャネル２１９のベースを画定し得、これは、中央チャネル２１９から、アダプタ２２０を通って少なくとも部分的に延在し得る複数の開孔２２５への移行を画定し得る。移行は、アダプタの長さに沿った任意の位置にあり得るアダプタの中間点で起こり得る。例えば、開孔２２５は、中央チャネル２１９のベースからアダプタ２２０の第２の端部２１８に向かって延在し得、第２の端部２１８を通って完全に延在し得る。他の実施形態では、開孔２２５は、アダプタ２２０の中央部分を通って、中央チャネル２１９にアクセスする第１の端部から、アダプタ２２０の第２の端部２１８を通って延在し得る第２の中央チャネル２２１にアクセスする第２の端部まで延在し得る。中央チャネル２２１は、中央チャネル２１９と同様の直径によって特徴付けられ得、他の実施形態では、中央チャネル２２１の直径は、中央チャネル２１９の直径よりも大きい又は小さい場合がある。開孔２２５は、中央チャネル２１９の直径の約５０％以下の直径によって特徴付けられ得、また、中央チャネル２１９の直径の約４０％以下、約３０％以下、約２０％以下、約１０％以下、約５％以下、又は中央チャネル２１９の直径未満の直径によって特徴付けられ得る。

［００３８］アダプタ２２０は、アダプタ２２０の側壁又は側面部分に沿って等、アダプタ２２０の外部を通るポート２２２を画定し得る。ポート２２２は、遠隔プラズマユニット２１０から提供される前駆体と混合される第１の混合前駆体を送達するためのアクセスを提供し得る。ポート２２２は、アダプタ２２０を通ってアダプタ２２０の中心軸に向かって少なくとも部分的に延在し得るミキシングチャネル２２３への流体アクセスを提供し得る。ミキシングチャネル２２３は、任意の角度でアダプタ２２０内に延在し得、幾つかの実施形態では、ミキシングチャネル２２３の第１の部分２２４は、アダプタ２２０を通って流れの方向に中心軸に垂直に延在し得るが、第１の部分２２４は、アダプタ２２０を通る中心軸に向かう傾斜角又は偏角で継続し得る。第１の部分２２４は、上記のアイソレータ２１５の開孔２１４と同様に、アダプタ２２０の中心軸の周りに分布され得る開孔２２５を通過し得る。この分布により、第１の部分２２４は、開孔２２５と交差又は開孔２２５を通過することなく、開孔２２５を越えてアダプタ２２０の中心軸に向かって延在し得る。

［００３９］ミキシングチャネル２２３の第１の部分２２４は、アダプタ２２０を通って垂直に移動し得るミキシングチャネル２２３の第２の部分２２６に移行し得る。幾つかの実施形態では、第２の部分２２６は、アダプタ２２０を通る中心軸に沿って延在し得、中心軸と軸方向に整列し得る。第２の部分２２６はまた、各開孔２２５の中心軸を通って延在する円形又は他の幾何学的形状の中央部分を通って延在し得る。第２の部分２２６は、開孔２２５と共に第２の中央チャネル２２１まで延在し、第２の中央チャネル２２１と流体的に結合し得る。したがって、幾つかの実施形態では、ポート２２２を介して送達される前駆体は、アダプタ２２０の下部内で、遠隔プラズマユニット２１０を介して送達される前駆体と混合され得る。これは、遠隔プラズマユニット２１０と処理チャンバ２０５との間の構成要素内での混合の第１段階を構成し得る。

［００４０］図２に更に示すのは、ミキシングチャネル２２３の第２の部分２２６が反対方向に垂直に延在する代替の実施形態である。例えば、上記のように、第２の部分２２６ａは、この領域内で混合するために、第２の中央チャネル２２１に向かって垂直に延在し得る。あるいは、第２の部分２２６ｂは、第１の中央チャネル２１９に向かって垂直に延在し得る。隠れて見えないが、第２の部分２２６ｂは別個の実施形態として示され、本技術に係るアダプタは、アダプタ２２０の第１の端部２１７又は第２の端部２１８に向かって延在する任意のバージョンの第２の部分２２６を含み得ることが理解されるべきである。第１の中央チャネル２１９に向かう方向に送達される場合、ポート２２２を介して送達される第２の前駆体の混合は、アダプタ２２０の第１の部分内で起こり得、ポート２２２を介して送達される前駆体を遠隔プラズマユニット２１０から送達された前駆体と共に複数の開孔２２５を通して流すことによって、改善された均一性が得られ得る。第２の中央チャネル２２１に向けて送達される場合、前駆体の流れのために不完全な混合が起こり得、これにより、中央チャネル２２１を介して送達される前駆体の中央濃度が増加し得る。第１の中央チャネル２１９に向けて送達される場合、ポート２２２を通る前駆体は、第１の中央チャネル内で半径方向に分布し、遠隔プラズマユニット２１０からの下向きの流れ及び／又はチャンバを介した圧力によって強制されるために、開孔２２５を通ってより均一に進み得る。

［００４１］アダプタ２２０は、アイソレータ２１５と同様の又は異なる材料でできていてよい。幾つかの実施形態では、アイソレータはセラミック又は絶縁材料を含み得るが、アダプタ２２０は、アルミニウムの酸化物、１又は複数の表面上の処理されたアルミニウム、又は他の材料を含むアルミニウムでできていてよい、又はアルミニウムを含み得る。例えば、アダプタ２２０の内面は、遠隔プラズマユニット２１０からのプラズマ放出物によって引き起こされ得る損傷からアダプタ２２０を保護するために、１又は複数の材料でコーティングされ得る。アダプタ２２０の内面は、例えば、酸化イットリウム又はチタン酸バリウムを含み得る、フッ素のプラズマ放出物に対して不活性であり得る一連の材料で陽極酸化され得る。アダプタ２２０はまた、環状トレンチであり得るトレンチ２２７及び２２８を画定し得、Ｏリング又は他のシール要素を着座させるように構成され得る。

［００４２］アダプタ２２０の第２の端部２１８は、アダプタ内に延在する凹部を画定し得、その中に第１のバッフルプレート２２９が着座し得る。第１のバッフルプレート２２９は、オプションとして、幾つかのシステム構成に含まれ得、アダプタ２２０を通って流れる第１の前駆体及び第２の前駆体の改善された混合を提供し得る。第１のバッフルプレート２２９は、前駆体が流れ得る１又は複数の開孔又はチャネルを画定し得、これにより、前駆体の混合の均一性が高められ得る。第１のバッフルプレート２２９について、以下により詳細に説明する。

［００４３］アダプタ２２０に結合されているのは、スペーサ２３０であり得る。スペーサ２３０は、セラミックであり得る、又はセラミックを含み得、実施形態におけるアイソレータ２１５又はアダプタ２２０のいずれかと同様の材料であり得る。スペーサ２３０は、スペーサ２３０を通る中央開孔２３２を画定し得る。中央開孔２３２は、アダプタ２２０の第２の中央チャネル２２１に近接する部分からスペーサ２３０の反対側までの、スペーサ２３０を通るテーパ形状によって特徴付けられ得る。第２の中央チャネル２２１に近接する中央開孔２３２の一部は、第２の中央チャネル２２１の直径に等しい又はそれと同様の直径によって特徴付けられ得る。中央開孔２３２は、スペーサ２３０の長さに沿って約１０％以上のテーパの割合によって特徴付けられ得、実施形態では、約２０％以上、約３０％以上、約４０％以上、約５０％以上、約６０％以上、約７０％以上、約８０％以上、約９０％以上、約１００％以上、約１５０％以上、約２００％以上、約３００％以上、又はそれ以上のテーパの割合によって特徴付けられ得る。

［００４４］ミキシングマニホールド２３５は、第１の端部２３６又は第１の面でスペーサ２３０に結合していてよく、第１の端部２３６の反対側の第２の端部２３７でチャンバ２０５に結合していてよい。ミキシングマニホールド２３５は、第１の端部２３６から第２の端部２３７まで延在し得且つ前駆体を処理チャンバ２０５に送達するように構成され得る中央チャネル２３８を画定し得る。ミキシングマニホールド２３５はまた、アダプタ２２０から送達される混合前駆体と共に追加の前駆体を組み込むように構成され得る。ミキシングマニホールドは、システム内での混合の第２段階を提供し得る。ミキシングマニホールド２３５は、ミキシングマニホールド２３５の側面又は側壁に沿って等、ミキシングマニホールド２３５の外部に沿ってポート２３９を画定し得る。ミキシングマニホールド２３５は、幾つかの実施形態では、ミキシングマニホールド２３５の反対側に複数のポート２３９を画定して、前駆体をシステムに送達するための追加のアクセスを提供し得る。ミキシングマニホールド２３５はまた、ミキシングマニホールド２３５の第１の面２３６内に１又は複数のトレンチを画定し得る。例えば、ミキシングマニホールド２３５は、ポート２３９から中央チャネル２３８への流体アクセスを提供し得る第１のトレンチ２４０、及び第２のトレンチ２４１を画定し得る。例えば、ポート２３９は、図示したようにトレンチの下から等、一方又は両方のトレンチへの流体アクセスを提供し得るチャネル２４３へのアクセスを提供し得る。トレンチ２４０、２４１を、以下に更に詳細に説明する。

［００４５］中央チャネル２３８は、第１の端部２３６からフレアセクション２４６まで延在する第１の部分２４２によって特徴付けられ得る。第１の部分２４２は、円筒形のプロファイルによって特徴付けられ得、スペーサ２３０の中央開孔２３２の出口と同様の又は等しい直径によって特徴付けられ得る。フレアセクション２４６は、実施形態では、約１０％以上、約２０％以上、約３０％以上、約４０％以上、約５０％以上、約６０％以上、約７０％以上、約８０％以上、約９０％以上、約１００％以上、約１５０％以上、約２００％以上、約３００％以上、又はそれ以上のフレアの割合によって特徴づけられ得る。ミキシングマニホールド２３５は、実施形態におけるアダプタ２２０と同様の又は異なる材料でできていてよい。例えば、ミキシングマニホールド２３５は、ミキシングマニホールドと接触し得るすべての前駆体に対して適切な保護を提供し得るニッケルを含み得る。従来の技術とは異なり、フッ素プラズマ放出物はミキシングマニホールドの上流ですでに混合されている可能性があるため、再結合に関連する問題は発生し得ない。たとえば、いかなる理論にも拘束されることを望むものではないが、ニッケルはフッ素ラジカルの二原子フッ素への再結合を触媒する可能性があり、これは従来の技術におけるポリシリコンの損失に寄与する可能性があると考えられる。フッ素放出物がニッケル、ニッケルメッキ、又はコーティングされた構成要素に送達される前に混合される場合、フッ素放出物の濃度が低下し、基板レベルでポリシリコンの特徴が更に保護されるため、このプロセスは限定的であり得る。

［００４６］フレアセクション２４６は、出口２４７を介して、ミキシングマニホールド２３５を介して第２の端部２３７を介して送達される前駆体のための出口を提供し得る。ミキシングマニホールド２３５を通る中央チャネル２３８のセクションは、混合前駆体をチャンバ２０５に提供する前に、ミキシングマニホールドに送達される前駆体の適切な又は完全な混合を提供するように構成され得る。従来の技術とは異なり、チャンバに送達する前にエッチング液又は前駆体の混合を行うことにより、本システムは、チャンバ及び基板の周りに分配される前に均一な特性を有するエッチング液を提供し得る。更に、複数の混合段階を提供することにより、各前駆体に対してより均一な混合が得られ得る。このように、本技術で実行されるプロセスは、基板表面全体でより均一な結果をもたらし得る。図示した構成要素のスタックはまた、時間とともに劣化し、実行されるプロセスに影響を及ぼし得る粒子を生成し得る、スタックに含まれるエラストマーシールの数を減らすことによって、粒子の蓄積を制限し得る。

［００４７］前述の第１のバッフルプレート２２９と同様に、本技術の幾つかの実施形態は、オプションとして、第２のバッフルプレート２４９を含み得、これは、含まれる場合、第１のバッフルプレート２２９と共に又はその代わりに含まれ得る。ミキシングマニホールド２３５の第２の端部２３７は、ミキシングマニホールド内に延在する凹部を画定し得、その中に第２のバッフルプレート２４９が着座し得る。第２のバッフルプレート２４９は、オプションとして、幾つかのシステム構成に含まれ得、ミキシングマニホールド２３５を通って流れる第３の前駆体と第１及び第２の前駆体の混合物との改善された混合を提供し得る。第２のバッフルプレート２４９はまた、追加のキャリアガス又は他の材料も含み得る２つの主要な前駆体のみが含まれる場合、第２の前駆体を第１の前駆体と更に混合し得る。第２のバッフルプレート２４９は、前駆体が流れ得る１又は複数の開孔又はチャネルを画定し得、これにより、前駆体の混合の均一性が高められ得る。第２のバッフルプレート２４９を、以下により詳細に説明する。

［００４８］チャンバ２０５は、積み重ねられた配置の幾つかの構成要素を含み得る。チャンバスタックは、ガスボックス２５０、ブロッカプレート２６０、面板２７０、オプションのイオン抑制要素２８０、及びリッドスペーサ２９０を含み得る。構成要素を用いて、前駆体又は前駆体のセットをチャンバを通して分配し、エッチング液又は他の前駆体の処理用基板への均一な送達を得ることができる。実施形態では、これらの構成要素は、それぞれが少なくとも部分的にチャンバ２０５の外部を画定する積み重ねられたプレートであり得る。

［００４９］ガスボックス２５０は、チャンバ入口２５２を画定し得る。中央チャネル２５４は、前駆体をチャンバ２０５に送達するために、ガスボックス２５０を通して画定され得る。入口２５２は、ミキシングマニホールド２３５の出口２４７と整列していてよい。入口２５２及び／又は中央チャネル２５４は、実施形態において同様の直径によって特徴付けられ得る。中央チャネル２５４は、ガスボックス２５０を通って延在し、１又は複数の前駆体を、ガスボックス２５０によって上から画定された領域２５７に送達するように構成され得る。ガスボックス２５０は、上面等の第１の面２５３、及びガスボックス２５０の底面等の第１の面２５３の反対側の第２の面２５５を含み得る。上面２５３は、実施形態では、平面又は実質的に平面であり得る。上面２５３に結合されているのは、ヒータ２４８であり得る。

［００５０］ヒータ２４８は、実施形態ではチャンバ２０５を加熱するように構成され得、各リッドスタック構成要素を伝導的に加熱し得る。ヒータ２４８は、流体ヒータ、電気ヒータ、マイクロ波ヒータ、又は熱をチャンバ２０５に伝導的に送達するように構成された他の装置を含む任意の種類のヒータであり得る。幾つかの実施形態では、ヒータ２４８は、ガスボックス２５０の第１の面２５３の周りに環状パターンで形成された電気ヒータであり得る、又はそれを含み得る。ヒータは、ガスボックス２５０全体、及びミキシングマニホールド２３５の周囲に画定され得る。ヒータは、最大２０００Ｗ、約２０００Ｗ、又は約２０００Ｗを超える熱を提供するように構成され得るプレートヒータ又は抵抗要素ヒータであり得、約２５００Ｗ以上、約３０００Ｗ以上、約３５００Ｗ以上、約４０００Ｗ以上、約４５００Ｗ以上、約５０００Ｗ以上、又はそれ以上を提供するように構成され得る。

［００５１］ヒータ２４８は、最大約５０℃、約５０℃又は約５０℃を超える可変チャンバ構成要素温度を生成するように構成され得、実施形態では、約７５℃以上、約１００℃以上、約１５０℃以上、約２００℃以上、約２５０℃以上、約３００℃以上、又はそれ以上のチャンバ構成要素温度を生成するように構成され得る。ヒータ２４８は、イオン抑制要素２８０等の個々の構成要素をこれらの温度のいずれかに上昇させて、アニール等の処理工程を促進するように構成され得る。幾つかの処理工程では、アニーリング工程のために基板をイオン抑制要素２８０に向けて上昇させることができ、ヒータ２４８を調整して、ヒータの温度を上記の任意の特定の温度に、又は記載された任意の温度内の又はそれらの間の任意の範囲内の温度に伝導的に上昇させ得る。

［００５２］ガスボックス２５０の第２の面２５５は、ブロッカプレート２６０に結合され得る。ブロッカプレート２６０は、ガスボックス２５０の直径に等しい又は同様の直径によって特徴付けられ得る。ブロッカプレート２６０は、ブロッカプレート２６０を通る複数の開孔２６３を画定し得、そのサンプルのみが図示されており、これは、領域２５７からのエッチング液等の前駆体の分配を可能にし、基板への均一な送達のためにチャンバ２０５を通して前駆体を分配し始め得る。少数の開孔２６３のみを示したが、ブロッカプレート２６０は、構造を通して画定された任意の数の開孔２６３を有し得ることが理解されるべきである。ブロッカプレート２６０は、ブロッカプレート２６０の外径での隆起した環状セクション２６５、及びブロッカプレート２６０の外径での下降した環状セクション２６６によって特徴付けられ得る。隆起した環状セクション２６５は、ブロッカプレート２６０に構造的剛性を提供し得、実施形態では、領域２５７の側面又は外径を画定し得る。ブロッカプレート２６０はまた、下から領域２５７の底部を画定し得る。領域２５７は、ブロッカプレート２６０の開孔２６３を通過する前に、ガスボックス２５０の中央チャネル２５４からの前駆体の分配を可能にし得る。下降した環状セクション２６６はまた、ブロッカプレート２６０に構造的剛性を提供し得、実施形態では、第２の領域２５８の側面又は外径を画定し得る。ブロッカプレート２６０はまた、領域２５８の上部を上から画定し得、領域２５８の底部は、面板２７０によって下から画定され得る。

［００５３］面板２７０は、第１の面２７２及び第１の面２７２の反対側の第２の面２７４を含み得る。面板２７０は、ブロッカプレート２６０の下降した環状セクション２６６と係合し得る第１の面２７２でブロッカプレート２６０に結合し得る。面板２７０は、第２の面２７４の内部に、面板２７０内に又は面板２７０によって少なくとも部分的に画定された第３の領域２７５まで延在するレッジ２７３を画定し得る。例えば、面板２７０は、第３の領域２７５の側面又は外径、並びに領域２７５の上部を上から画定し得、イオン抑制要素２８０は、第３の領域２７５を下から画定し得る。面板２７０は、図２には示していないが、面板を通る複数のチャネルを画定し得る。

［００５４］イオン抑制要素２８０は、面板２７０の第２の面２７４に近接して配置され得、第２の面２７４で面板２７０に結合され得る。イオン抑制要素２８０は、基板を収容するチャンバ２０５の処理領域へのイオン移動を低減するように構成され得る。イオン抑制要素２８０は、図２には示していないが、構造を通る複数の開孔を画定し得る。実施形態では、ガスボックス２５０、ブロッカプレート２６０、面板２７０、及びイオン抑制要素２８０が互いに結合され得、実施形態では、互いに直接結合され得る。構成要素が直接結合されることにより、ヒータ２４８によって生成された熱が構成要素を介して伝導され、構成要素間でそれほど変動せずに維持され得る特定のチャンバ温度を維持し得る。イオン抑制要素２８０はまた、リッドスペーサ２９０に接触していてよく、リッドスペーサ２９０と共に、処理中に基板が維持されるプラズマ処理領域を少なくとも部分的に画定し得る。

［００５５］図３は、本技術の幾つかの実施形態に係るアイソレータ２１５を示す概略部分底面図である。前述のように、アイソレータ２１５は、中央チャネル２１３からアイソレータ２１５の第２の端部２１２まで延在する複数の開孔２１４を画定し得る。開孔２１４は、アイソレータ２１５を通る中心軸の周りに分布していてよく、アイソレータ２１５を通る中心軸から等距離に分布し得る。アイソレータ２１５は、アイソレータ２１５を通って流れる前駆体の移動、分布、及び／又は乱流を増加させ得る任意の数の開孔２１４を画定し得る。

［００５６］図４は、本技術の実施形態に係るアダプタ２２０を示す概略部分上面図である。前述のように、第１の中央チャネル２１９は、アダプタ２２０の第１の端部２１７から延在し得、アダプタを通って部分的に延在し得る。アダプタは、円筒形のプロファイルを有し得る中央チャネルの床を画定し得、上記のように、アダプタを通って第２の端部に向かって延在する複数の開孔２２５に移行し得る。開孔２１４と同様に、開孔２２５は、アダプタ２２０を通る中心軸の周りに分布していてよく、中心軸の周りに等距離に配置され得る。アダプタ２２０は、アダプタを通る任意の数の開孔を画定し得、幾つかの実施形態では、アイソレータ２１５よりも多くの開孔を画定し得る。追加の開孔により、追加された前駆体との混合が増加し得る。前述のように、ミキシングチャネルは、追加の前駆体をアダプタの第１の端部に向かって、そして第１の中央チャネル２１９に送達し得る。この実施形態では、図４及び図５の見方が逆になる。

［００５７］図５は、本技術の幾つかの実施形態に係る、図２の線Ａ－Ａで切り取ったアダプタ２２０を示す概略断面図である。図５は、第２の中央チャネル２２１を通る図を示し得、これは、前述の第２の部分２２６を通るミキシングチャネルへの出口を示し得る。図示したように、第２の部分２２６は、開孔２２５の間に延在し得、アダプタ２２０の中心軸に沿ってアダプタの第２の端部に向かって延在し得る。更に、上記のように、第２の部分２２６が第１の中央チャネル２１９に向かって延在する実施形態では、図４及び図５の見方は逆になり、遠隔プラズマユニットからの混合前駆体及びアダプタ２２０のポートを通して導入される前駆体は、事前に混合されて、開孔２２５から出ていく。

［００５８］図６は、本技術の幾つかの実施形態に係るミキシングマニホールド２３５を示す概略斜視図である。前述のように、ミキシングマニホールド２３５は、混合前駆体をアダプタから処理チャンバに輸送し得る、ミキシングマニホールドを通る中央チャネル２３８を画定し得る。ミキシングマニホールド２３５はまた、以前に混合された前駆体と混合され得る追加の前駆体の導入を可能にする幾つかの特徴を含み得る。前述のように、１又は複数のポート２３９は、ミキシングマニホールド２３５に前駆体を導入するためのアクセスを提供し得る。ポート２３９は、図２に示すようにチャネルにアクセスすることができ、チャネルは、ミキシングマニホールド２３５の第１の面２３６において画定されるトレンチのうちの１又は複数まで延在し得る。

［００５９］トレンチは、ミキシングマニホールド２３５の第１の面２３６に画定され得、これは、ミキシングマニホールドが前述のスペーサ２３０に結合されるときに少なくとも部分的に分離されるチャネルを形成し得る。第１のトレンチ２４０は、中央チャネル２３８の周りに形成され得る。第１のトレンチ２４０は、形状が環状であり得、ミキシングマニホールド２３５を通る中心軸からの内側半径、及び外側半径によって特徴付けられ得る。内側半径は、第１の内側側壁６０５によって画定され得、これは、ミキシングマニホールド２３５を通って延在する中央チャネル２３８の上部を画定し得る。第１のトレンチ２４０の外側半径は、第１の内側側壁６０５から半径方向外側に位置し得る第１の外側側壁６１０によって画定され得る。第１のトレンチ２４０は、第１の内側側壁６０５を通して中央チャネル２３８への流体アクセスを提供し得る。例えば、第１の内側側壁６０５は、第１の内側側壁６０５を通る幾つかの開孔６０６を画定し得る。開孔６０６は、第１の内側側壁６０５の周りに分布し、追加の前駆体が中央チャネル２３８に送達されるための複数のアクセス位置を提供し得る。

［００６０］第１の内側側壁６０５は、第１の面２３６から第１のトレンチ２４０に向かう斜角の又は面取りされた面によって特徴付けられ得る。実施形態では、面取りされたプロファイルが形成され得、これは、前述のスペーサ２３０との結合に利用可能な第１の面２３６に沿った第１の内側側壁６０５の少なくとも一部を維持し得る。面取りはまた、第１のトレンチ２４０と中央チャネル２３８との間の第１の面における漏れを防ぐために、さらなる横方向の間隔を提供し得る。開孔６０６は、面取りされた部分を通して画定され得、面取りされた部分の平面に対して直角等の角度で、又は第１の内側側壁６０５を介した他の角度で画定され得る。

［００６１］ミキシングマニホールド２３５は、第１のトレンチ２４０から半径方向外側に形成される第２のトレンチ２４１を画定し得る。幾つかの実施形態では、第２のトレンチ２４１も形状が環状であり得、中央チャネル２３８、第１のトレンチ２４０、及び第２のトレンチ２４１は、ミキシングマニホールド２３５を通る中心軸の周りに同心円状に整列し得る。第２のトレンチ２４１は、前述のチャネル２４３を介してポート２３９と流体的に結合され得る。チャネル２４３は、第２のトレンチ２４１内の１又は複数の位置に延在し、トレンチのベースから第２のトレンチ２４１にアクセスし得るが、他の実施形態では、チャネル２４３は、トレンチの側壁を通ってトレンチ２４１にアクセスし得る。第２のトレンチ２４１の下からアクセスすることにより、第２のトレンチ２４１の深さを最小化することができ、これにより、形成されるチャネルの体積が減少し、送達される前駆体の拡散が制限されて送達の均一性が高まり得る。

［００６２］第２のトレンチ２４１は、第２の内側側壁でもあり得る第１の外側側壁６１０と、ミキシングマニホールド２３５の本体によって画定される外側半径との間に画定され得る。実施形態では、第１の外側側壁６１０は、ミキシングマニホールド２３５の第１の面２３６に沿って第１のトレンチ２４０及び第２のトレンチ２４１のそれぞれを画定し得る。第１の外側側壁６１０はまた、第１の内側側壁６０５のプロファイルと同様に、第２のトレンチ２４１に近接する第１の外側側壁の側面の第１の面２３６に沿った斜角の又は面取りされたプロファイルによって特徴付けられ得る。第１の外側側壁６１０はまた、第２のトレンチ２４１と第１のトレンチ２４０との間の流体アクセスを提供するために、壁を通して画定される複数の開孔６０８を画定し得る。開孔６０８は、第１の外側側壁６１０に沿って、又は第１の外側側壁６１０を通る任意の場所に画定され得、第１の内側側壁６０５を通る開孔と同様の面取り部分を通して画定され得る。したがって、ポート２３９を介して送達される前駆体は、第２のトレンチ２４１内に流れることができ、開孔６０８を通過して第１のトレンチ２４０に入ることができ、開孔６０６を通過して中央チャネル２３８に入ることができ、そこで前駆体は、アダプタ２２０を介して送達される前駆体と混合され得る。

［００６３］開孔６０８は、第１の外側側壁６１０を通して画定された任意の数の開孔を含み得、開孔６０６は、第１の内側側壁６０５を通して画定された任意の数の開孔を含み得る。幾つかの実施形態では、各壁を通る開孔の数は等しくなくてよい。例えば、幾つかの実施形態では、第１の内側側壁６０５を通る開孔６０６の数は、第１の外側側壁を通る開孔６０８の数よりも多くてよく、幾つかの実施形態では、開孔６０６の数は、開孔６０８の数の２倍以上であってよい。更に、開孔６０８は、開孔６０６から半径方向にオフセットされ得、その結果、開孔６０８は、ミキシングマニホールド２３５の中心軸から延在する半径全体で、いずれの開孔６０６とも一致しない。この開孔及びチャネル設計は、ミキシングマニホールドを通る再帰的な流れを提供して、中央チャネル２３８への追加の前駆体の送達を改善し得、各開孔６０６を介したより均一な送達を提供し得る。ミキシングマニホールド２３５はまた、第２のトレンチ２４１の半径方向外側にあり得、エラストマー要素又はＯリングを受け入れるように構成され得る追加のトレンチ６１５を画定し得る。

［００６４］図７は、本技術の幾つかの実施形態に係る、図６の線Ｂ－Ｂで切り取ったミキシングマニホールド２３５を示す概略断面図である。断面は、第２のトレンチ２４１から第１のトレンチ２４０への流体アクセスを提供するために、第１の外側側壁６１０を通して画定される開孔６０８を示している。更に、図７は、開孔６０８が第１の外側側壁を通して互いに真向かいに全直径間隔で配置されている幾つかの実施形態を示している。開孔６０８もまた、おおよそ離間されているため、ポート２３９が２つの開孔６０８の間で等間隔に配置されている。前述のチャネル２４３は、各開孔６０８から等しい又は実質的に等しい距離にある同様の位置で第２のトレンチ２４１に入り得る。

［００６５］図８は、本技術の幾つかの実施形態に係る、図６の線Ｃ－Ｃで切り取ったミキシングマニホールド２３５を示す概略断面図である。断面は、第１のトレンチ２４０から中央チャネル２３８への流体アクセスを提供するために、第１の内側側壁６０５を通して画定される開孔６０６を示している。開孔６０６及び開孔６０８は、それぞれ、第１の内側側壁及び第１の外側側壁の面取りされた部分を通って延在し得、面取りの角度に垂直な角度で、又は他の何らかの傾斜角で延在し得る。第１の外側側壁６１０等の特徴を通る傾斜角を含めることによって、送達は、前駆体が上昇して次の開孔のセットを通って流れる前に、前駆体を更に分配する流れを提供し得る。これにより、開孔を形成する、又はさもなければ第１の面２３６を損傷する機械加工効果が制限され得る。ミキシングマニホールド２３５は、前駆体と、１又は複数の前駆体とのより均一な混合を可能にする中央チャネル２３８を通って延在する設計を提供し得る。

［００６６］前に説明したように、複数の前駆体を組み込むための構成要素は、上記の第１のバッフルプレート２２９及び／又は第２のバッフルプレート２４９等の１又は複数のバッフルプレートを含み得る。システムを介して送達される前駆体は、比較的低圧で送達され得、層流の前駆体が提供され得る。これにより、前駆体が送達される際の混合が減少し、基板レベルで実行されるプロセスに影響を与え得る。例えば、すべての前駆体の均一な送達を提供するために前駆体を適切に混合しなければ、エッチング、堆積、又は他のプロセスが基板全体で均一に行われない可能性がある。したがって、幾つかの実施形態は、提供された材料が処理チャンバに入るときに、それらのより均一な分布のための前駆体混合を容易にする１又は複数のバッフルプレートを含み得る。

［００６７］しかしながら、追加の構成要素を組み込むことは、システム全体の圧力降下に影響を及ぼし得、遠隔プラズマユニットにおけるプラズマ生成に影響を及ぼし得る。例えば、チャンバの処理条件は、約５０トル以下等の比較的低圧で作動するように構成され得、約３０トル以下、約２０トル以下、約１０トル以下、約５トル以下、約３トル以下、又はそれ以下の圧力で作動するように構成され得る。チャンバと遠隔プラズマユニットスタックの構成要素を上に移動すると、遠隔プラズマユニットの圧力が上昇し得、各構成要素により更なる圧力降下が追加され得る。その結果、遠隔プラズマユニットの圧力は、チャンバの作動圧力よりも高くなり得る。

［００６８］遠隔プラズマユニットは、ユニットでの作動条件が、上記範囲のいずれかに含まれる任意の特定の圧力より上又は下の識別された圧力のいずれかであり得る特定の閾値圧力より低い場合に、プラズマを打つように作動可能であり得る。プロセス領域とプラズマユニットとの間に組み込まれる構成要素が多すぎると、構成要素群の更に上で圧力が高くなり得、場合によっては、圧力が閾値を超えているためにプラズマが生成されない可能性がある。この効果に対応するために、場合によっては処理領域内の作動圧力を下げることができるが、チャンバ圧力を更に下げると、プロセス条件に悪影響を与え得る。一部の構成では、チャンバ内で作動するポンプシステムによっては、チャンバ圧力を下げることができない場合がある。したがって、本技術の幾つかの実施形態に係るバッフルプレートは、前駆体混合を増加させながらも、バッフルプレート全体で約５トル以下の圧力降下を生成するように構成され得、幾つかの実施形態では、約３トル以下、約２トル以下、約１トル以下、約０．５トル以下、又はそれ以下の圧力降下を生成するように構成され得る。

［００６９］バッフルプレート全体の圧力の影響を最小限に抑えながら混合を容易にするために、本技術の幾つかの実施形態に係るバッフルプレートは、１又は複数の開孔プロファイルによって特徴付けられ得る。例えば、本技術の実施形態に係るバッフルプレートは、プレートを通る１又は複数の開孔を画定し得、前駆体の滞留時間を増加させ得る、又はプレート全体の圧力降下を制限しながら混合量を生成し得る実質的に任意の開孔プロファイルを含み得る、又はシステム構成に基づく閾値未満の圧力降下を維持して、プラズマが形成され得る閾値未満の遠隔プラズマユニットの圧力を維持し得る。

［００７０］本技術の幾つかの実施形態に係るシステムは、１又は複数のバッフルプレートを含み得、前述のように２つのバッフルプレートを含み得る。バッフルプレートの数及びプレートの開孔プロファイルは、スタックの構成要素全体の全体的な圧力降下、及び使用時にプレートの一方又は両方によって生じる影響によって決定され得る。例えば、バッフルプレート又は複数のプレートは、ミキシングマニホールド又はチャンバ入口での前駆体分布の不均一性を約１０％以下に低減し得、幾つかの実施形態では、不均一性を約９％以下、約８％以下、約７％以下、約６％以下、約５％以下、約４％以下、約３％以下、約２％以下、約１％以下、又はそれ以下に低減し得、ゼロの不均一性は、前駆体の完全に均質な混合物と相関し得る。

［００７１］本技術に含まれる例示的なシステムは、幾つかの実施形態では、第１のバッフルプレート又は第２のバッフルプレートのいずれか、並びに両方を含み得る。２つのバッフルプレートが含まれる場合、プレートは、同じ又は異なる開孔プロファイル及び／又は材料によって特徴付けられ得る。例えば、バッフルプレートのいずれか又は両方は、ニッケル被覆アルミニウム等の被覆金属又はセラミックを含む１又は複数の金属を含む、前述の任意の材料でできていてよい。送達される前駆体の１又は複数に耐性があり得る他の任意の材料が使用可能である。更に、バッフルプレートは、バッフルプレートが埋め込まれた構成要素と同様又は異なる材料でできていてよい。例えば、第１のバッフルプレート２２９は、アダプタ２２０と同じ又は異なる材料であり得、第２のバッフルプレート２４９は、ミキシングマニホールド２３５と同じ又は異なる材料であり得る。

［００７２］同様に、いずれかのバッフルプレートは、滞留時間の増加、特定のパターンを通る流れのチャネリング、又は前駆体の特定の動きを引き起こす等の１又は複数の効果を実行し得る任意の数の開孔プロファイルによって特徴付けられ得る。これらの態様のいずれかが、前駆体の混合を増加させて、混合物の不均一性を低減し得る。幾つかの実施形態では、一方又は両方のバッフルプレートは、特定の開孔プロファイルは存在しないが、滞留時間の増加を引き起こし得、混合を改善することを可能にし得る多孔質媒体である、又はそれを含み得る。媒体は、圧力降下の所定の増加を引き起こすように構成された多孔性を有し得、遠隔プラズマユニットでの圧力降下をプラズマを打つための閾値未満に維持しながら混合を改善し得る。

［００７３］いずれのバッフルプレートも、上流面であり得る第１の面から、第１の面の反対側の下流面であり得る第２の面を通して画定される１又は複数の開孔を含み得る。バッフルプレートは、バッフルプレート全体に分布する１又は複数の開孔を有し得る。例えば、いずれかのバッフルプレートは、バッフルプレートを通して画定されて図３～図５に示すプロファイルに類似し得る１又は複数の実質的に円筒形の開孔を含み得る。例えば、バッフルプレートは、図示したパターンで画定され、隣接する構成要素の近接パターンと整列し得る、又はパターンとは異なり、混合を容易にし得る閉塞を引き起こし得る複数の開孔を有し得る。更に、開孔は、図９に示すような他のいずれかのプロファイルで形成され得る。図９Ａ～図９Ｄは、本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なバッフルプレート９００を示す概略平面図である。図示した開孔プロファイルは、本技術の実施形態に係るバッフルプレートを限定するものではなく、単に本技術に含まれる様々な開孔プロファイルのいくつかを示すものであることを理解されたい。

［００７４］図９Ａ及び図９Ｂに、製造を容易にするために角が丸い三角形のプロファイルによって特徴付けられる開孔を示す。２つの画像は、例示的なバッフルプレートの開孔が、図９Ｂの開孔９２０のようにバッフルプレートを通る中心軸に近接して、並びに図９Ａの開孔９１０で示すように中心軸から半径方向外側に配置され得ることを図示するものである。円形、ティアドロップ、又は他の製造可能な開孔プロファイルを含む、他のいずれかの開孔形状が同様に包含されることを理解されたい。したがって、図９Ａに示すプロファイルでは、バッフルプレートに流れる前駆体が中央に集中し得、混合が容易になり得る。更に、図９Ｂに示すプロファイルでは、バッフルプレートに流れる前駆体が中央のバリアに衝突し、バッフルプレートを通過する前に外側に広がり得、滞留時間だけでなく、バッフルプレートでの混合が増加し得る。開孔の向きは、隣接する構成要素からの上流の開孔プロファイルに対応するように選択され得る。例えば、半径方向外側に分布した開孔を有する上流構成要素では、より中央の分布がバッフルプレートに用いられ得、混合が改善し得る。上流／下流の開孔分布の他の任意の組み合わせを同様に使用することができ、これにより、圧力降下への影響を制限しながら、改善された混合が得られ得る。前述のように、図にはそれぞれ６つ及び３つの開孔を示したが、本技術の実施形態では、任意の数の開孔又は開孔サイズが使用できることを理解されたい。

［００７５］バッフルプレートはまた、バッフルプレートを通るチャネルに類似し得る開孔を含み得、これは、バッフルプレートを通る分布に影響を及ぼし得る。例えば、図９Ｃ及び図９Ｄは、バッフルプレートを通って分布し、バッフルプレートを通る流れに影響を与え得るガスの回転量を提供するように構成された開孔プロファイル９３０及び９４０を示している。これらの図は、任意のサイズ又は分布の開孔が使用可能であることを示し、これにより、滞留時間に影響を与えることができる、又はバッフルプレートを介して特定のコンダクタンスを維持することができる。図示したように、チャネルは、バッフルプレートの一方の面の入口からバッフルプレートの反対側の面の出口まで延在するバッフルプレートを通して形成され得る。出口は、図示したように入口から半径方向にオフセットされ得、前駆体の回転量を引き起こすことができ、成分の混合が改善され得る。半径方向のオフセットは、バッフルプレートの面に垂直であり、開孔の入口を通って中央に延在する軸が、開孔の出口の中心を通過し得ず、オフセットの量によっては、出口を通って全く延在し得ないようなものであり得る。任意の量のオフセットを含めることができ、オフセットが大きいと前駆体の回転量が増加し、混合が増加し得る。

［００７６］２つのバッフルプレートが含まれる場合、任意の２つの開孔プロファイルを使用することができる。例えば、一方のバッフルプレートは回転チャネルを含み得、他方のバッフルプレートは真っ直ぐな開孔を含み得る。更に、１つのバッフルプレートは、第１の方向に回転を引き起こすように構成された回転チャネルを含み得、第２のバッフルプレートは、反対方向に回転を引き起こすように構成された回転チャネルを含み得る。当然ながら、任意の数の組み合わせを用いることができ、本技術に含まれる。１又は複数のバッフルプレートを含めることにより、混合前駆体の不均一性を低減することができ、幾つかの実施形態では実質的又は本質的に排除することができる。

［００７７］図１０は、本技術の幾つかの実施形態に係る、処理チャンバを介して前駆体を送達する方法１０００を示す工程である。方法１０００は、システム２００で実行することができ、構成要素をエッチング液による損傷から保護しながら、チャンバの外部で改善された前駆体混合を可能にし得る。チャンバの構成要素は、時間の経過とともに摩耗を引き起こす可能性のあるエッチング液に暴露され得るが、本技術は、これらの構成要素を、より容易に交換及び保守できる構成要素に制限し得る。例えば、本技術は、遠隔プラズマユニットの内部構成要素の暴露を制限することができ、これにより、特定の保護を遠隔プラズマユニットに適用することができ得る。

［００７８］方法１０００は、工程１００５において、フッ素含有前駆体の遠隔プラズマを形成することを含み得る。前駆体は、分離されてプラズマ放出物を生成するために、遠隔プラズマユニットに送達され得る。実施形態では、遠隔プラズマユニットは、フッ素含有放出物との接触に耐えることができる酸化物又は他の材料でコーティング又は裏打ちされ得る。実施形態では、キャリアガスを除いて、他のエッチング液前駆体が遠隔プラズマユニットを介して送達され得ないため、ユニットは損傷から保護され、プラズマ出力を調整して、実行される特定のプロセスに有益であり得る前駆体の特定の分離が得られ得る。異なるエッチング液のプラズマ放出物を生成するように構成された他の実施形態は、その前駆体又は前駆体の組み合わせに対して不活性であり得る異なる材料で裏打ちされ得る。

［００７９］工程１０１０において、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物が、遠隔プラズマユニットに結合されたアダプタに流され得る。工程１０１５において、水素含有前駆体がアダプタに流され得る。アダプタは、アダプタ内でフッ素含有前駆体と水素含有前駆体との混合を提供して、工程１０２０において第１の混合物を生成するように構成され得、これは、前述のようにバッフルプレートを通して更に混合され得る。工程１０２５において、第１の混合物は、アダプタからミキシングマニホールドに流され得る。工程１０３０において、第３の前駆体がミキシングマニホールドに流され得る。第３の前駆体は、追加の水素含有前駆体、追加のハロゲン含有前駆体、又は前駆体の他の組み合わせを含み得る。ミキシングマニホールドは、第３の前駆体を第１の混合物と混合する第２の段階を実行するように構成され得、これにより、第２の混合物が生成され得る１０３５。

［００８０］続いて、３つすべての前駆体を含む第２の混合物は、ミキシングマニホールドから半導体処理チャンバに送達され得るが、前駆体は、オプションとして、上記のように追加のバッフルプレートを通過し得る。他の場所で説明した追加の構成要素を使用して、前述のようにエッチング液の送達と分配を制御することができる。特定された前駆体は、記載されたチャンバで使用するのに適した前駆体の例にすぎないことを理解されたい。本開示全体に記載されるチャンバ及び材料は、前駆体を分離し、処理チャンバに送達する前にそれらを混合することから利益を得ることができる他の任意の数の処理工程で使用され得る。

［００８１］上記の記述では、説明の目的で、本技術の様々な実施形態の理解を提供するために、多数の詳細が示されている。しかしながら、特定の実施形態は、これらの幾つかの詳細なく、又は追加の詳細とともに実施され得ることが当業者には明らかであろう。

［００８２］幾つかの実施形態を開示したが、実施形態の主旨から逸脱することなく、様々な修正、代替構造、及び同等物を使用できることが当業者によって認識されるであろう。更に、本技術を不必要に曖昧にすることを避けるために、幾つかの周知のプロセス及び要素は説明していない。したがって、上記の記述は、本技術の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。

［００８３］値の範囲が提供される場合、文脈が明確に別段の指示をしない限り、その範囲の上限と下限との間の、下限の単位の最小部分までの各介在値もまた、具体的に開示されることを理解されたい。いずれかの記載された値又は記載された範囲の記載されていない介在値と、その記載された範囲の他のいずれかの記載された値又は介在値との間のいかなるより狭い範囲も含まれる。これらのより小さい範囲の上限と下限は、独立して範囲に含まれる又は除外される場合があり、より小さい範囲に一方、又は両方の限界が含まれる、又はどちらも含まれない各範囲も、記載された範囲におけるいずれかの特に除外された限界に従って、本技術に含まれる。記載された範囲に限界の一方又は両方が含まれる場合、それら含まれる限界の一方又は両方を除外する範囲も含まれる。

［００８４］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈が明確に別段の指示をしない限り、複数形の参照を含む。したがって、例えば、「１つの層（ａ ｌａｙｅｒ）」への言及は、複数の上記層を含み、「前駆体（ｔｈｅ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）」への言及は、当業者に周知の１又は複数の前駆体及びその同等物への言及等を含む。

［００８５］また、本明細書及び以下の特許請求の範囲で使用する場合、「含む、備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、「含む、備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｎｔａｉｎ）」、「含む（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、及び「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、記載された特徴、整数、構成要素、又は工程の存在を指定するものであるが、１又は複数の他の特徴、整数、構成要素、工程、実施、又は群の存在又は追加を排除するものではない。

Claims (15)

1. 処理システムであって、
   処理チャンバと、
   前記処理チャンバに結合された遠隔プラズマユニットと、
   前記処理チャンバと前記遠隔プラズマユニットとの間に組み込まれたバッフルプレートと、
   前記遠隔プラズマユニットと前記処理チャンバとの間に結合されたミキシングマニホールドであって、前記ミキシングマニホールドは、第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ、前記ミキシングマニホールドは、前記第２の端部で前記処理チャンバに結合され、前記ミキシングマニホールドは、前記ミキシングマニホールドを通る中央チャネルを画定し、前記ミキシングマニホールドは、前記ミキシングマニホールドの外部に沿ってポートを画定し、前記ポートは、前記ミキシングマニホールドの前記第１の端部内に画定された第１のトレンチに流体的に結合され、前記第１のトレンチは、第１の内側側壁の内側半径と、外側半径とによって特徴付けられ、前記第１のトレンチは、前記第１の内側側壁を通して前記中央チャネルへの流体アクセスを提供する、ミキシングマニホールドと
   を備え、
   前記ミキシングマニホールドが、前記ミキシングマニホールドの前記第１の端部内に画定された第２のトレンチを更に含み、前記第２のトレンチは、前記第１のトレンチから半径方向外側に位置し、前記ポートは、前記第２のトレンチに流体的に結合されている、処理システム。
2. 前記第２のトレンチは、第２の内側側壁の内側半径によって特徴付けられ、前記第２の内側側壁は、前記第１のトレンチの外側半径を更に画定し、前記第２の内側側壁は、前記第２の内側側壁を通して画定され且つ前記第１のトレンチへの流体アクセスを提供する複数の開孔を画定する、請求項１に記載の処理システム。
3. 処理システムであって、
   処理チャンバと、
   前記処理チャンバに結合された遠隔プラズマユニットと、
   前記処理チャンバと前記遠隔プラズマユニットとの間に組み込まれたバッフルプレートと、
   前記遠隔プラズマユニットと前記処理チャンバとの間に結合されたミキシングマニホールドであって、前記ミキシングマニホールドは、第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ、前記ミキシングマニホールドは、前記第２の端部で前記処理チャンバに結合され、前記ミキシングマニホールドは、前記ミキシングマニホールドを通る中央チャネルを画定し、前記ミキシングマニホールドは、前記ミキシングマニホールドの外部に沿ってポートを画定し、前記ポートは、前記ミキシングマニホールドの前記第１の端部内に画定された第１のトレンチに流体的に結合され、前記第１のトレンチは、第１の内側側壁の内側半径と、外側半径とによって特徴付けられ、前記第１のトレンチは、前記第１の内側側壁を通して前記中央チャネルへの流体アクセスを提供する、ミキシングマニホールドと
   を備え、
   前記バッフルプレートが、前記ミキシングマニホールドの上流に配置されている、処理システム。
4. 前記バッフルプレートは、第１のバッフルプレートであり、前記処理システムは、前記ミキシングマニホールドの下流に配置された第２のバッフルプレートを更に備え、前記第１のバッフルプレート及び前記第２のバッフルプレートは、それぞれ、１又は複数の開孔を画定し、前記第１のバッフルプレートは、前記第２のバッフルプレートとは異なる開孔プロファイルによって特徴付けられる、請求項３に記載の処理システム。
5. 前記バッフルプレートは、前記バッフルプレートを通る複数の開孔を画定し、前記複数の開孔の各開孔は、入口としての前記バッフルプレートの第１の面から、出口としての前記バッフルプレートの前記第１の面の反対側の前記バッフルプレートの第２の面を通して画定され、前記出口は、前記入口を通って延在する前記バッフルプレートに垂直な軸の周りで前記入口から半径方向にオフセットされ、各開孔を通る回転チャネルを画定する、請求項３に記載の処理システム。
6. 前記バッフルプレートは、セラミック又はコーティングされたアルミニウムを含む、請求項３に記載の処理システム。
7. 前記ミキシングマニホールドと前記遠隔プラズマユニットとの間に結合されたアイソレータを更に備え、前記アイソレータはセラミックを含む、請求項１に記載の処理システム。
8. 前記ミキシングマニホールドと前記遠隔プラズマユニットとの間に結合されたアダプタと、
   前記アダプタと前記ミキシングマニホールドとの間に配置されたスペーサと
   を更に備える、請求項１に記載の処理システム。
9. 処理システムであって、
   処理チャンバと、
   前記処理チャンバに結合された遠隔プラズマユニットと、
   前記処理チャンバと前記遠隔プラズマユニットとの間に組み込まれたバッフルプレートと、
   前記遠隔プラズマユニットと前記処理チャンバとの間に結合されたミキシングマニホールドであって、前記ミキシングマニホールドは、第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ、前記ミキシングマニホールドは、前記第２の端部で前記処理チャンバに結合され、前記ミキシングマニホールドは、前記ミキシングマニホールドを通る中央チャネルを画定し、前記ミキシングマニホールドは、前記ミキシングマニホールドの外部に沿ってポートを画定し、前記ポートは、前記ミキシングマニホールドの前記第１の端部内に画定された第１のトレンチに流体的に結合され、前記第１のトレンチは、第１の内側側壁の内側半径と、外側半径とによって特徴付けられ、前記第１のトレンチは、前記第１の内側側壁を通して前記中央チャネルへの流体アクセスを提供する、ミキシングマニホールドと、
   前記ミキシングマニホールドと前記遠隔プラズマユニットとの間に結合されたアダプタと、
   前記アダプタと前記ミキシングマニホールドとの間に配置されたスペーサと
   を備え、
   前記アダプタは、第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ、前記アダプタは、前記アダプタを部分的に通って延在する中央チャネルを画定し、前記アダプタは、前記アダプタの外部を通るポートを画定し、前記ポートは、前記アダプタ内に画定されたミキシングチャネルに流体的に結合され、前記ミキシングチャネルは、前記中央チャネルに流体的に結合され、前記バッフルプレートは、前記アダプタの前記第２の端部に画定された凹部に着座する、処理システム。
10. 処理システムであって、
    遠隔プラズマユニットと、
    処理チャンバであって、
    中央チャネルを画定するガスボックスと、
    前記ガスボックスに結合されたブロッカプレートであって、前記ブロッカプレートを通る複数の開孔を画定するブロッカプレートと、
    面板であってその第１の面で前記ブロッカプレートに結合された面板と
    を含む処理チャンバと、
    バッフルプレートと、
    前記ガスボックスに結合されたミキシングマニホールドであって、前記ミキシングマニホールドは、第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ、前記ミキシングマニホールドは、前記第２の端部で前記処理チャンバに結合され、前記ミキシングマニホールドは、前記ガスボックスを通して画定された前記中央チャネルに流体的に結合された前記ミキシングマニホールドを通る中央チャネルを画定し、前記ミキシングマニホールドは、前記ミキシングマニホールドの外部に沿ってポートを画定し、前記ポートは、前記ミキシングマニホールドの前記第１の端部内に画定された第１のトレンチに流体的に結合され、前記第１のトレンチは、第１の内側側壁の内側半径と、外側半径とによって特徴付けられ、前記第１のトレンチは、前記第１の内側側壁を通して前記中央チャネルへの流体アクセスを提供する、ミキシングマニホールドと
    を備え、
    前記バッフルプレートは、前記ミキシングマニホールドの上流に配置されている、処理システム。
11. 前記ガスボックスに結合された前記ミキシングマニホールドの周りで前記ガスボックスの外部に結合されたヒータを更に備える、請求項１０に記載の処理システム。
12. 前記バッフルプレートは、第１のバッフルプレートであり、前記処理システムは、前記ミキシングマニホールドの下流に配置され且つ前記ミキシングマニホールドの前記第２の端部に画定された凹部に着座している第２のバッフルプレートを更に含む、請求項１０に記載の処理システム。
13. 処理システムであって、
    遠隔プラズマユニットと、
    処理チャンバであって、
    中央チャネルを画定するガスボックスと、
    前記ガスボックスに結合されたブロッカプレートであって、前記ブロッカプレートを通る複数の開孔を画定するブロッカプレートと、
    面板であってその第１の面で前記ブロッカプレートに結合された面板と
    を含む処理チャンバと、
    バッフルプレートと、
    前記ガスボックスに結合されたミキシングマニホールドであって、前記ミキシングマニホールドは、第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ、前記ミキシングマニホールドは、前記第２の端部で前記処理チャンバに結合され、前記ミキシングマニホールドは、前記ガスボックスを通して画定された前記中央チャネルに流体的に結合された前記ミキシングマニホールドを通る中央チャネルを画定し、前記ミキシングマニホールドは、前記ミキシングマニホールドの外部に沿ってポートを画定し、前記ポートは、前記ミキシングマニホールドの前記第１の端部内に画定された第１のトレンチに流体的に結合され、前記第１のトレンチは、第１の内側側壁の内側半径と、外側半径とによって特徴付けられ、前記第１のトレンチは、前記第１の内側側壁を通して前記中央チャネルへの流体アクセスを提供する、ミキシングマニホールドと、
    前記遠隔プラズマユニットに結合されたアダプタであって、前記アダプタは、第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の端部とによって特徴付けられ、前記アダプタは、前記アダプタの前記第１の端部から中間点まで前記アダプタを部分的に通って延在する中央チャネルを画定し、前記アダプタは、前記アダプタの中間点から前記アダプタの前記第２の端部の方へ延在する複数のアクセスチャネルを画定し、前記複数のアクセスチャネルは、前記アダプタを通る中心軸の周りで半径方向に分布する、アダプタと
    を備える、処理システム。
14. 前記アダプタは、前記アダプタの外部を通るポートを画定し、前記ポートは、前記アダプタ内に画定されたミキシングチャネルに流体的に結合され、前記ミキシングチャネルは、前記アダプタの中央部分を通って前記アダプタの前記第２の端部の方へ延在する、請求項１３に記載の処理システム。
15. 前記アダプタは、前記アダプタの外部を通るポートを画定し、前記ポートは、前記アダプタ内に画定されたミキシングチャネルに流体的に結合され、前記ミキシングチャネルは、前記アダプタによって画定された前記中央チャネルに流体アクセスするために、前記アダプタの中央部分を通って前記アダプタの中間点の方へ延在する、請求項１３に記載の処理システム。

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