JP2002057114A - 遠隔プラズマ発生器の半導体処理チャンバとの統合化 - Google Patents

遠隔プラズマ発生器の半導体処理チャンバとの統合化

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型密閉式遠隔プラズマ発生器が、半導体処
理チャンバの蓋の上に搭載され、統合化された基板処理
装置を構成する。 【解決手段】 遠隔プラズマ発生器は、洗浄工程中に作
動され、洗浄プラズマ種を発生して、過フッ化炭化水素
排出を低減する。三方バルブが、チャンバへのガス流れ
を調節可能に制御する。洗浄工程の間に、三方バルブ
は、洗浄プラズマ前駆物質を第１ガス管路から遠隔プラ
ズマ発生器に導き、洗浄プラズマ種を発生しそれがチャ
ンバ中の堆積物を洗浄するためにチャンバに流される。
蒸着工程の間に、三方バルブは、遠隔プラズマ発生器を
迂回して第１処理ガスを第１ガス管路からチャンバに導
く。第１処理ガスは、チャンバ内に配置された基板上に
層を蒸着するためにチャンバに導入される前に、一般的
に混合デバイス中で第２ガス管路から供給される第２処
理ガスと混合される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に基板処理
用の装置に関し、より詳細には、小型密閉式遠隔プラズ
マ発生器の基板処理装置との統合化に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路のような半導体製品の製作は、
シリコン・ウエハのような基板上に層を形成することを
しばしば必要とする。層には異なる材料が含まれること
がしばしばあるので、蒸着プロセスのための様々な技術
がいままで開発されてきた。例えば、金属の層が蒸着さ
れパターン化されて、導電性相互接続を形成することが
可能であるか、または絶縁層が形成されて導電性の層を
互いに電気的に絶縁することが可能であった。絶縁材料
あるいはその他の材料の層を形成するために用いられて
きた層形成プロセスの種類の中に化学蒸着（ＣＶＤ）プ
ロセスがある。
【０００３】ＣＶＤプロセスは、電磁エネルギーを少な
くとも１つの前駆物質ガスまたは蒸気に作用させて前駆
物質をより反応性のプラズマに変化させるプラズマ増強
ＣＶＤ（“ＰＥＣＤ”）プロセスだけでなく、前駆物質
ガスまたは蒸気が基板の加熱された表面に応じて反応す
る熱蒸着プロセスを含む。プラズマを形成することで薄
膜を形成するのに必要とされる温度を下げることが可能
になり、膜形成の速度を増大させるかまたは膜形成の速
度を増大と温度を下げることが可能になる。従って、プ
ラズマ増強プロセスが望ましい応用範囲は広い。
【０００４】基板上に層が形成されるとき、いくらかの
物質が残渣として普通蒸着チャンバの壁面及び蒸着装置
の他の構成部品に堆積する。残渣は堆積して微粒状汚染
の発生源となり、ウエハの不合格の原因となる可能性が
あるので、チャンバの壁面上の物質は、一般に望ましく
ない。チャンバの内部から残渣を除去するためのいくつ
かの洗浄方法が今まで開発されてきている。“ウエット
洗浄”として知られている１つの方法が、蒸着チャンバ
を部分的に分解して、表面を好適な洗浄液を用いて清拭
することにより実施される。他の種類の洗浄方法は、プ
ラズマを用いて残渣を、チャンバの排気装置から取り出
すことができる揮発性の生成物に転換することで残渣を
除去する。これらのプロセスは“ドライ”洗浄として知
られている。
【０００５】２つの一般的な種類のプラズマドライ洗浄
プロセスがある。１方の種類は、処理チャンバの内部、
つまり“その場で”プラズマを形成する。“その場で”
のプラズマ洗浄の実例は、ＮＦ3及びＣ2Ｆ6ガスを用い
てチャンバ内部の残渣を除去するために遊離フッ素を生
成する。他方の種類は、遠隔プラズマ発生器中にプラズ
マを生成し、次いでイオンを処理チャンバ中に流す。か
かる遠隔プラズマ洗浄プロセスは、“その場で”のプラ
ズマ装置を備えていない蒸着装置にドライ洗浄機能を施
すような幾つかの長所を備えている。さらに、遠隔プラ
ズマ装置は、洗浄プラズマ前駆物質ガスまたは蒸気をプ
ラズマに転換するのにより効率的である可能性があり、
またチャンバの外部でプラズマを生成することで、プラ
ズマ加熱及びスパッタ作用のようなプラズマ生成過程で
の潜在的に望ましくない副産物からチャンバの内部を保
護する。遠隔プラズマ装置を用いることで、また過フッ
化炭化水素（ＰＦＣ）排出も減少する。一方、ＣＶＤ装
置に適した遠隔プラズマ装置は、一般に高価でかつ嵩張
るので非実用的であり経済的見地からして実現不可能で
ある可能性がある。遠隔プラズマ発生器付きの現用のＣ
ＶＤ装置を改造するには、費用と時間がかかるかなりの
変更を必要とする可能性がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、小型密閉式
の低コストの遠隔プラズマ発生器の基板処理装置との統
合化を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】特定の実施形態におい
て、遠隔プラズマ発生器は、処理チャンバ内に配置され
た基板保持具の上部の処理チャンバの蓋に搭載される。
ガス供給装置が設けられて、洗浄工程において洗浄プラ
ズマ先駆物質を遠隔プラズマ発生器を通して処理チャン
バに導き、洗浄プラズマ種を発生してチャンバを洗浄す
る。蒸着の間に、ガス供給装置は、遠隔プラズマ発生器
を迂回しながら、１つあるいはそれ以上の処理ガスを処
理チャンバ中に導く。混合デバイスが、洗浄工程の間に
遠隔プラズマ発生器から処理チャンバへの洗浄プラズマ
種のための短い直接の流路、及び蒸着プロセスの間に複
数の処理ガスを混合するための長い混合流路をモータら
す。統合化は、現用の処理チャンバに些細な変更をする
必要があるだけで、最小限度の装置休止時間のうちに低
コストでかかるチャンバを改造するのに特に適してい
る。統合化すれば、充分に頑丈であるので異なるチャン
バ構成に適応性がある。過フッ化炭化水素排出をかなり
減少させるほかに、統合化された装置は、洗浄回数を減
らすことで処理能力を高め、従って運転費用を低減す
る。統合化された装置は、“その場で”のプラズマ洗浄
プロセスにより引き起こされるチャンバ内部への有害な
影響を排除することでＣＶＤ装置の寿命を延ばすことも
併せて可能になる。
【０００８】本発明の態様によると、基板処理装置は、
処理チャンバを画定するハウジング、及び処理チャンバ
中での基板処理の間に基板を支持するための基板支持体
を含む。装置は、入口及び出口を有する遠隔プラズマ発
生器並びにガスを処理チャンバ中に導入するためのガス
供給装置をさらに含む。ガス供給装置は、バルブ入口、
第１バルブ出口及び第２バルブ出口を有する三方バルブ
を含む。三方バルブは、バルブ入口から第１バルブ出口
への第１バルブ流路及びバルブ入口から第２バルブ出口
への第２バルブ流路の間の流れを切り換えるのに調節可
能である。第1入口流れ導管は、遠隔プラズマ発生器の
出口及び処理チャンバの間に連結される。遠隔プラズマ
導管は、三方バルブの第1バルブ出口及び遠隔プラズマ
発生器の入口の間に連結される。第２入口流れ導管は、
三方バルブの第2バルブ出口及び処理チャンバの間に連
結される。
【０００９】実施形態の中には、ガス供給装置が、処理
チャンバと連結された第３入口流れ導管を含むものがあ
る。ガス供給装置は、遠隔プラズマ発生器からのガス流
れを第1入口流れ導管を通してチャンバへ導くための第
１流路を有する混合ブロックを含む。混合ブロックは、
第2入口流れ導管及び処理チャンバの間に連結された第2
流路並びに第３入口流れ導管及び処理チャンバの間に連
結された第３流路を含む。混合ブロック中の第２及び第
３流路は、少なくとも部分的にオーバラップして多数の
屈曲部を含み、第２及び第３入口流れ導管からの処理ガ
スを混合させる。
【００１０】好ましい実施形態において、遠隔プラズマ
発生器は、チャンバ中の基板支持体のほぼ上方に配置さ
れたハウジングの蓋上に搭載される。セラミック絶縁体
が、遠隔プラズマ発生器及び処理チャンバの間に連結さ
れ、遠隔プラズマ発生器及び処理チャンバの間のガス流
れを促進する流路を含む。チャンバ中の“その場で”の
プラズマプロセスの間に、処理ガスは、遠隔プラズマ発
生器の方に逆流する可能性がある。一方の側面でのチャ
ンバのＲＦが流れている構成部品及び他方の側面での遠
隔プラズマ発生器をチャンバに取り付けるための接地さ
れた取付け金具との間に処理ガスが存在すれば、その領
域に二次プラズマを生じる可能性がある。二次プラズマ
は、チャンバの内側のプラズマの不安定性を引き起こ
し、蒸着に悪影響を及ぼす可能性がある。セラミック絶
縁体は、チャンバのＲＦが流れている構成部品を接地さ
れた取付け金具から絶縁し二次プラズマの生成を防止す
る。
【００１１】本発明のなおもう１つの態様によると、基
板処理装置は、処理チャンバを画定するハウジング、処
理チャンバ中での基板処理の間に基板を支持するための
基板支持体、及び遠隔プラズマ発生器を含む。この装置
は、第１ガス管路、第２ガス管路、第１ガス用の第１ガ
ス供給源、第２ガス用の第２ガス供給源、及び第３ガス
用の第３ガス供給源をさらに含む。第１ガス供給源を第
１ガス管路に連結するためのデバイスが設けられて、第
１工程の間に第１ガスを第１ガス管路及び遠隔プラズマ
発生器を通して処理チャンバに流す。第２工程の間に、
このデバイスは、第２ガス供給源を第１ガス管路に連結
し、第２ガスを第１ガス管路を通して遠隔プラズマ発生
器を迂回して処理チャンバに流し、第３ガス供給源を第
２ガス管路に連結し、第３ガスを処理チャンバ中に流
し、また第２及び第３ガスを処理チャンバ中に流す前に
第２ガス及び第３ガスを一緒に混合する。
【００１２】
【発明の実施の形態】Ｉ．例示的基板処理装置 本発明の方法が実行され得る１つの好適な基板処理装置
が、ＣＶＤ装置１０の垂直断面図である図１Ａ及び図１
Ｂに示され、ＣＶＤ装置１０はチャンバ壁面１５ａ及び
チャンバ蓋組立体１５ｂを含む真空あるいは処理チャン
バ１５を有するる。チャンバ壁面１５ａ及びチャンバ蓋
組立体１５ｂは、図１Ｃ及び図１Ｄの分解斜視図に示さ
れる。
【００１３】Ａ．処理チャンバ ＣＶＤ装置１０は、処理チャンバ１５の内部の中央に置
かれた加熱された受け台１２に載置されている基板（図
示せず）に処理ガスを分散させるガス分配マニホルド１
１を含む。加工処理の間、基板（例えば、半導体ウエ
ハ）は、受け台１２の平坦な（またはやや凸状の）表面
１２ａに置かれる。受け台１２は、下方の装填／取出位
置（図１Ａに示される）及びマニホルド１１に接近して
隣接する上方の加工処理位置（図１Ａに破線１４で示さ
れ、また図１Ｂに示される）の間を制御可能に移動でき
る。センタボード（図示せず）は、ウエハの位置に関す
る情報を得るためのセンサを含む。
【００１４】蒸着ガス及びキャリアガスは、従来の平坦
な円形のガス分配前面板１３ａの貫通孔１３ｂ（図１
Ｄ）を通してチャンバ１５中に取り入れられる。より具
体的に言えば、蒸着処理ガスは、（図１Ｂに矢印４０に
より示される）入口マニホルド１１を通して、従来の多
孔の阻止プレート４２を通して、次いでガス分配前面板
１３ａ中の孔１３ｂを通してチャンバ中に流れ込む。
【００１５】マニホルド１１に到達する前に、蒸着ガス
及びキャリアガスは、ガス源７からガス供給管路８（図
１Ｂ）を通して混合装置９中に投入され、そこでそれら
ガスが混合されて、その後マニホルド１１に送られる。
一般的に、各処理ガスの供給管路は、（ｉ）処理ガスの
チャンバ中への流れを自動的にまたは手動で遮断するの
に用いることができる幾つかの安全遮断弁（図示せ
ず）、及び（ｉｉ）供給管路を通してのガスの流れを測
定する質量流量制御装置（これも図示せず）とを含む。
有毒なガスがプロセス中に用いられる場合には、幾つか
の安全遮断弁は、従来の構成中の各ガス供給管路上に配
置される。
【００１６】ＣＶＤ装置１０において実行される蒸着プ
ロセスは、熱プロセスまたはプラズマ増強プロセスのど
ちらかにすることが可能である。プラズマ増強プロセス
においては、高周波（ＲＦ）電源４４が、ガス分配前面
板１３ａ及び受け台１２の間の円筒形の領域内にプラズ
マを生成するために処理ガス混合気を励起するように、
ガス分配前面板１３ａ及び受け台１２の間に電力を印加
する。（この領域をここでは“反応領域”と呼ぶことに
する。）プラズマの成分が作用して、受け台１２に支持
される半導体ウエハの表面に所望の薄膜を蒸着させる。
ＲＦ電源４４は、一般的に１３．５６MHｚの高域ＲＦ周
波数（ＲＦ１）と３６０ＫＨｚの低域ＲＦ周波数（ＲＦ
２）で電力を供給し、真空チャンバ１５中に導入される
反応する種の分解を促進する混合周波数のＲＦ電源であ
る。熱プロセスおいては、ＲＦ電源４４は利用されない
はずで、処理ガス混合気が熱的に反応して、抵抗で加熱
されて反応のために熱エネルギーを供給する受け台１２
に支持される半導体ウエハの表面に所望の薄膜を蒸着す
る。
【００１７】プラズマ増強蒸着プロセスの間に、プラズ
マが、排気通路２３及び遮断弁２４を囲繞するチャンバ
ボディー１５ａの壁面を含む処理チャンバ１５全体を加
熱する。プラズマが作動していないかまたは熱蒸着プロ
セスの間である場合には、高温の流体が、処理チャンバ
１５の壁面１５ａを通して循環されて、チャンバを高温
に維持する。チャンバ１５の蓋組立体１５ｂ中のこれら
の熱交換通路１８の1部分が、図１Ｂに示される。チャ
ンバ壁面１５ａの残りの部分における通路は示されてい
ない。チャンバ壁面１５ａを加熱するのに用いられる流
体は、典型的な流体の種類、つまり、水をベースにした
エチレングリコールまたは油をベースにした伝熱流体を
含む。この加熱（“熱交換”による加熱と呼ばれる）
は、望ましくない反応生成物が凝縮するのを減少又は排
除するのに効果的であり、プロセスを汚染する可能性が
ある処理ガスの揮発性の生成物及び他の汚染物質が、低
温の真空通路の壁面に万一凝縮し、ガスが流れていない
間に処理チャンバに移動して戻ってしまうようなことが
ある場合に、それらの排除を促進する。
【００１８】反応副産物を含む層に蒸着していないガス
混合気の残りの部分は、真空ポンプ（図示せず）により
チャンバ１５から排出される。具体的に言えば、ガスは
反応領域を囲繞する環状のスロット形状のオリフィス１
６を通して環状の排気プレナム１７中に排出される。環
状のスロット１６及びプレナム１７は、チャンバの円筒
形の側壁１５ａ（壁面の上部絶縁ライニング１９を含
む）の上部及び円形のチャンバの蓋２０の底部の間の隙
間により画定される。スロットオリフィス１６及びプレ
ナム１７の３６０°の円形の対称性及び均一性は、ウエ
ハに均一な薄膜を蒸着するようにウエハの全面に処理ガ
スの一均一な流れを得る上で重要である。
【００１９】排気プレナム１７から、ガスは、排気プレ
ナム１７の側方の延長部分の下を流れ、観察窓（図示せ
ず）を通過して、下方に延びるガス通路２３を通って、
真空の遮断弁２４（その本体が下方のチャンバ壁面１５
ａと一体化している）を通過して、そして前方管路（図
示せず）を介して外部の真空ポンプ（これも図示せず）
に接続する排気出口２５中に流入する。
【００２０】受け台１２のウエハ支持プラッタ（好まし
くはアルミニウム、セラミックまたはその組合せ）は、
平行な同心円の形状で２回全体を巻くように構成された
埋め込まれた単一ループのヒータ要素を用いて抵抗加熱
される。ヒータ要素の外側の部分が、支持プラッタの周
辺に隣接しているのに対して、内側の部分は、より小さ
い半径を有する同心円の経路上にある。ヒータ要素の配
線は受け台１２のステムを貫通する。
【００２１】一般的に、チャンバライニング、ガス入口
マニホルド前面板、及び様々な他の反応装置ハードウェ
アのいずれかあるいは全てが、アルミニウム、陽極酸化
アルミニウム、またはセラミックのような材料から作ら
れる。かかるＣＶＤ装置の実例が、Ｚｈａｏらに付与さ
れた「ＣＶＤ処理チャンバ」の名称の米国特許第５，５
５８，７１７号に記載されている。この第５，５５８，
７１７号特許は、本発明の譲受人であるＡｐｐｌｉｅｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．に譲渡されており、そ
の全て本明細書に参考文献として組み込まれる。
【００２２】ウエハが、ロボットブレード（図示せず）
によりチャンバ１０の側面の装填／取出開口２６を通し
てチャンバ１５の本体中にまたそれから移送されると
き、モータ付きリフト機構３２（図１Ａ）が、ヒータ受
け台組立体１２及びそのウエハリフトピン１２ｂを昇降
する。モータ３２は、加工処理位置１４及び下方ウエハ
装填位置の間で受け台１２を昇降する。供給管路８、ガ
ス供給装置、絞り弁、ＲＦ電源４４、並びにチャンバ及
び基板加熱装置に接続されたモータ、バルブまたは流れ
制御装置は、そのうちの一部分のみが示される制御ライ
ン３６を通してシステム制御装置３４（図１Ｂ）により
すべて制御される。制御装置３４は、光センサからのフ
ィードバックに基づき、制御装置３４の制御下で適切な
モータにより動かされる絞り弁やサセプタのような可動
式機械組立体の位置を決定する。
【００２３】図１Ｂに示される例示的な実施形態におい
て、システム制御装置は、ハードディスクドライブ(メ
モリ３８)、フロッピディスクドライブ及びプロセッサ
３７を含む。プロセッサは、シングルボード・コンピュ
ータ（ＳＢＣ）、アナログ及びディジタル入力／出力ボ
ード、インタフェースボード並びにステッパモータ制御
ボードを含む。ＣＶＤ装置１０の様々な部品は、ボー
ド、カードケージ、及びコネクタ寸法並びに型式を規定す
る「Ｖｅｒｓａ Ｍｏｄｕｌａｒ Ｅｕｒｏｐｅａｎ
（ＶＭＥ）標準」に適合する。ＶＭＥ標準は、またバス
構造を１６ビットデータバス及び２４ビットアドレスバ
スを有するものとして規定する。
【００２４】システム制御装置３４は、ＣＶＤ機械の作
動の全てを制御する。システム制御装置は、メモリ３８
のようなコンピュータで読み取り可能な媒体に記憶され
るコンピュータプログラムであるシステム制御ソフトウ
ェアを実行する。メモリ３８はハードディスクドライブ
であることが好ましいが、、メモリ３８は他の種類の記
憶装置にすることも可能である。コンピュータプログラ
ムは、タイミング、ガス混合、チャンバ圧力、チャンバ
温度、ＲＦ電力レベル、サセプタ位置及び特定のプロセ
スのパラメータを命じる指令の集合を含む。例えば、フ
レキシブルディスクまたは他の１つの適当なドライブを
含む、他のメモリ素子に記憶された他のコンピュータプ
ログラムもまた制御装置３４を作動するのに用いること
が可能である。
【００２５】薄膜を基板に蒸着するためのプロセスまた
はチャンバ１５を洗浄するためのプロセスは、制御装置
３４により実行されるコンピュータプログラム製品を用
いて実行することができる。コンピュータプログラムコ
ードは、従来のコンピュータで読み取り可能ないずれか
のプログラミング言語、例えば、６８０００アセンブリ
言語、Ｃ，Ｃ＋＋，パスカル、フォートランまたは別の
言語でも書くことが可能である。好適なプログラムコー
ドが、従来のテキストエディタを用いて、単一ファイル
または複数のファイルに入力され、コンピュータの記憶
装置のようなコンピュータに使用可能な媒体に記憶され
るかまたは具体化される。入力されたコードテキストが
高レベル言語である場合には、そのコードはコンパイル
され、結果として生じるコンパイラコードは、次ぎにプ
リコンパイルされたＷｉｎｄｏｗｓ（登録商標）ライブ
ラリルーチンの目的コードとリンクされる。リンクさ
れ、コンパイルされた目的コードを実行するために、シ
ステムユーザは、目的コードを呼び出し、コンピュータ
システムにそのコードをメモリ中にロードさせる。次い
で、中央処理装置（ＣＰＵ）が、コードを読み取って実
行し、プログラム中に特定されるタスクを実行する。
【００２６】ユーザと制御装置３４との間のインターフ
ェースは、1つあるいはそれ以上のチャンバを含むこと
ができる基板処理装置におけるシステムモニタ及びＣＶ
Ｄ装置１０の簡略ダイアグラムである図１Ｅに示される
ＣＲＴモニタ５０ａ及びライトペン５０ｂによるもので
ある。この好ましい実施形態においては、２台のモニタ
５０ａが用いられて、1台は操作者用にクリーンルーム
の壁面に、他の1台は修理技術者用に壁面の後ろに置か
れる。モニタ５０ａは同じ情報を同時にディスプレイす
るが、ライトペン５０ｂは1本しか使用可能にされな
い。ライトペン５０ｂの先端の光センサは、ＣＲＴディ
スプレイにより発射される光を検知する。特定の画面ま
たは機能を選ぶためには、操作者はディスプレイ画面の
指定された領域をタッチし、ペン５０ｂ上のボタンを押
す。タッチされた領域は、それの強調表示された色が変
化するかまたは新しいメニュか画面がディスプレイされ
て、ライトペン及びディスプレイ画面の間の情報伝達を
確認する。キーボード、マウスまたは他の位置決め装置
あるいは通信デバイスのような他のデバイスを、ライト
ペン５０ｂの代わりまたはそれに加えて用いることがで
きて、ユーザは制御装置３４と通信することが可能にな
る。
【００２７】Ｂ．遠隔プラズマ発生器の統合化 図１Ａ及び図２は、ガス分配前面板１３ａ及びガス分配
マニホルド１１を含む処理チャンバ１５の蓋組立体１５
ｂに搭載された遠隔プラズマ発生器６０を示す。取付け
アダプタ６４が、図１Ａ及び図３に最もよく見られるよ
うに、遠隔プラズマ発生器６０を蓋組立体１５ｂ上に搭
載する。アダプタ６４は一般に金属で作られる。混合デ
バイス７０は、ガス分配マニホルド１１(図１Ａ)の上流
側に連結される。混合デバイス７０は、処理ガス（図
３）を混合するために混合ブロック７６のスロット７４
の内側に配置された混合インサート７２を含む。セラミ
ック絶縁体６６が、取付けアダプタ６４及び混合デバイ
ス７０（図１Ａ及び図３）の間に置かれる。セラミック
絶縁体６６は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）（純度９
９％の）、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）または類似のもの
のようなセラミック材料で作られる。取り付けられた場
合、混合デバイス７０及びセラミック絶縁体６６は、蓋
組立体１５ｂの１部分を形成する。絶縁体６６は、金属
アダプタ６４を混合デバイス７０及びガス分配マニホル
ド１１から絶縁して、以下により詳細に説明されるよう
に、二次プラズマが蓋組立体１５ｂ中に生成される可能
性を最小限にする。図２に示されるように、三方バルブ
７７が、処理ガスの処理チャンバ１５への流れを直接に
または遠隔プラズマ発生器６０を通して制御する。
【００２８】遠隔プラズマ発生器６０は、蓋組立体１５
ｂに取り付けられてしかも費用や時間がかかる変更を伴
わずに容易に改造できて現用のチャンバに取り付けるこ
とが可能な、小型の密閉式装置であることが望ましい。
１つの好適な装置が、マサチューセッツ州ウォバーンの
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｙから入手可能なＡＳＴＲＯＮ（登録商標）発
生器である。ＡＳＴＲＯＮ（登録商標）発生器は、処理
ガスを分離するのに低領域のトロイド形の（ＬＦＴ（登
録商標））プラズマを利用する。１つの実例では、プラ
ズマは、ＮＦ3のようなフッ素を含むガス及びアルゴン
のようなキャリアガスを含む処理ガスを分離し、処理チ
ャンバ１５の薄膜堆積を洗浄するのに用いられる遊離し
たフッ素を生成する。
【００２９】図３及び図４に示されるように、混合ブロ
ック７６は、その中で混合される処理ガスを受入れるた
めの２つの入口７８、８０及びガス混合気がそれを通し
て出る底部の出口８１を含む。冷却入口８２及び冷却出
口８４が、冷却（図３）用の冷却ブロック７６を通して
冷却剤を循環させるために設けられる。処理ガスの混合
は混合インサート７２内で起こる。
【００３０】図４はＣＶＤ装置１０を通してのガス流れ
を概略的に示す。第１ガス管路９０からの第１ガスは、
入口９１で三方バルブ７７に入り、第１出口９２または
第２出口９３のどちらかを通って出る。第１出口９２
は、中間導管９４に導かれ、遠隔プラズマ発生器６０を
貫通して混合ブロック７６の上部入口９８に連結された
上部導管９５へ通じる。発生器６０中のプラズマは、第
１処理ガスからプラズマ種を生じ、それが次いで上部導
管９５、混合デバイス７０、及びガス分配マニホルド１
１を通してチャンバ１５に流れる。図１Ａに示されるよ
うに、セラミックインサート６６及び取付けアダプタ６
４を通る導管は、遠隔プラズマ発生器６０及び混合デバ
イス７０の間に流体連結される上部導管９５形成する。
【００３１】図４を参照すれば、第２出口９３は、入口
導管９６を介して混合デバイス７０の混合ブロック７６
の側部の入口７８に直接通じて、遠隔プラズマ発生器６
０を迂回する。第２処理ガスは、第２ガス管路１００を
介して側部の入口８０で混合ブロック７６に入る。特定
の実施形態において、気化器１０１が、第２ガス管路１
００に供給される液体の前駆物質を気化するために、第
２ガス管路１００と連結される。処理ガスは、混合デバ
イス７０の混合インサート７２中で混合される。ガス混
合気は、混合ブロック７６の出口８１を出て、ガス分配
マニホルド１１を通してチャンバ１５に入る。排気ガス
は排気出口２５を通してチャンバ１５を出る。
【００３２】図５Ａの正面図並びに図５Ｂ及び図５Ｃの
側面図に最も良く見られるように、混合インサート７２
は、複数の流路を含む。破線の矢印１０６により示され
る第１流路は、インサート７２（図５Ｂ及び図５Ｃ）の
中心線を通ってほぼ真っ直ぐに延びて、混合ブロック７
６（図４）の上部入口９８及び出口８１の間に流体連結
される。第２流路は、矢印１０８により示されるよう
に、インサート７２（図５Ａ及び図５Ｃ）のほぼ右の側
面を通して蛇行し、混合ブロック７６（図４）の側部入
口７８及び出口８１の間に流体連結される。第３流路
は、矢印１１０により示されるように、インサート７２
（図５Ａ及び図５Ｂ）のほぼ左の側面を通して蛇行し、
混合ブロック７６（図４）の側部入口８０及び出口８１
の間に流体連結される。図５Ａに見られるように、第２
及び第３流路１０８、１１０は、多数位置で部分的にオ
ーバラップし、望ましくは鋭い屈曲部でガスの正面衝突
の混合を実現して、完全な混合を生じるようにする。イ
ンサート７２の底部の近傍で、流路１０８，１１０は、
それぞれ中央の貫通開口１１４、１１６（図５Ａ及び図
５Ｂ）に合体して、第１流路１０６の最後の部分は混合
ブロック７６（図４）の出口８１と流体連結される共通
の出口に至る。第２及び第３流路１０８、１００は、第
１流路１０６より実質的に長く、また入口７８、８０か
らの第１及び第２処理ガスの完全な混合を促進する渦流
を発生するために複数の屈曲部を含む。第１流路１０６
は、遠隔プラズマ発生器６０で生じたプラズマ種の再結
合を極力少なくするために短くかつ真っ直ぐであるのが
有利である。１つの実施形態において、第１流路１０６
は、長さが約１．５インチで、第２及び第３流路１０
８、１１０は、長さが約７．５インチである。
【００３３】三方バルブ７７は、図６に最も良く見られ
るように、遠隔プラズマ発生器６０の側面に取り付けら
れる。バルブ７７は、一般に空気圧で作動し、入口９１
及び第１出口９２の間に連結される第１圧力スイッチ１
２０並びに入口９１及び第２出口９３の間に連結される
第２圧力スイッチ１２２を含む。バルブ７７の入口９１
は、第１ガス管路９０に接続される。バルブ７７の第１
出口９２は、遠隔プラズマ発生器６０に通じる中間導管
９４に接続される。バルブ７７の第２出口９３は、チャ
ンバ１５に通じる入口導管９６に接続される。第１圧力
スイッチ１２０は、常時は閉じられて入口９１から第１
出口９２への流れを阻止するのに対して、第２圧力スイ
ッチ１２２は、常時は開いていて入口９１から第２出口
９３へ流れさせる。本方式では、第１処理ガスは、入口
導管９６を介してチャンバ１５に流れ、遠隔プラズマ発
生器６０を迂回する。バルブ７７が代わりのモードに切
り換えられると、第１圧力スイッチ１２０は開いて、第
２圧力スイッチ１２２は閉じられて、チャンバ１５に入
る前に第１処理ガスを中間導管９４を通して遠隔プラズ
マ発生器６０に導く。
【００３４】好都合にも、遠隔プラズマ発生器６０によ
り分離されるべきガスのみが、発生器６０を通して流さ
れて、他のガスを発生器６０を迂回させることを三方バ
ルブ７７が保証する。プラズマを止めた状態で発生器６
０を通してオゾンのような他のガスを流すことが可能で
はあるが、かかるやり方の長期にわたる影響は不明であ
る。三方バルブ７７を用いることで発生する可能性のあ
るいかなる問題も回避される。さらに、バルブ７７を用
いることで、ガスを遠隔プラズマ発生器６０に導くかま
たは必要に応じて発生器６０を迂回することにより、異
なるプロセスのためにチャンバ１５に異なるガスを流す
のに同じガス管路９０が用いられることが可能になる。
本構成は、必要とされるガス管路の数を極力少なくし、
装置１０の耐久性を向上させて、現用のチャンバを改造
するためにガス供給装置に対してなされる必要がある変
更の数を少なくする。
【００３５】図６に示されるように、第１コネクタ１２
３が、第１ガス管路９０の上部及び下部をいっしょに連
結し、また第２コネクタ１２４が、入口導管９６の上部
及び下部をいっしょに連結する。第１ガス管路９０及び
入口導管９６の上部は、遠隔プラズマ発生器６０に取り
付けられるのに対して、第１ガス管路９０及び入口導管
９６の下部は、チャンバ１５の側面に取り付けられる。
第１ガス管路９０の上部を第１コネクタ１２３で、また
入口導管９６の上部を第２コネクタ１２４で分離するこ
とで、蓋組立体１５ｂを容易にかつ迅速に取外すことが
可能になる。三方バルブ７７は、蓋組立体１５ｂ上に搭
載される遠隔プラズマ発生器６０に取り付けられる。バ
ルブ７７、発生器６０、及び蓋組立体１５ｂは、分解す
ることなく都合よく取外されまた一体で再設置されるこ
とが可能である。
【００３６】図６は、入口領域で圧力をモニタするため
に三方バルブ７７への第１ガス管路９０と連結された安
全圧力スイッチ１２６を示す。圧力が所定のレベルまで
上昇する場合には、安全圧力スイッチ１２６は、過度の
圧力上昇及び漏洩を防止するために入力ガス流れを停止
する信号を発する。このことは、ＮＦ3のような有毒ま
たは危険な処理ガスにとっては特に重要である。図６は
また発生器６０を冷却するための冷却剤を移送するため
に遠隔プラズマ発生器６０に結合される冷却管路１２８
を示す。
【００３７】図１Ａ及び図６に示される例示的な実施形
態は、遠隔プラズマ発生器６０からチャンバ１５中への
ガスのための流路１０６を提供する混合デバイス７０を
備えたガス供給装置を有する。混合デバイス７０は、２
つの入口ガス管路９６、１００からの処理ガスを混合
し、その混合気をチャンバ１５（図５Ａ〜図５Ｃ）に供
給するための２つの部分的にオーバラップする流路１０
８、１１０をさらに含む。ガス供給装置は、一般に２つ
のモードのうちの１つで作動する。蒸着モードでは、第
１処理ガスは、第１ガス管路９０から三方バルブ７７及
び入口導管９６を通して混合デバイス７０に流れ、また
第２処理ガスは、第２ガス管路１００から混合デバイス
７０（図４）に流れる。混合デバイス７０は、第１及び
第２処理ガスを混合し、基板上に層を蒸着するためにそ
の混合気をチャンバ１５に供給する。洗浄モードにおい
て、第２処理ガスの供給が遮断される。第１処理ガス
は、洗浄プラズマ前駆物質であり、第１ガス管路９０か
ら三方バルブ７７及び中間導管９４を通して遠隔プラズ
マ発生器６０（図４）に流れる。発生器６０は、プラズ
マを形成し、前駆物質を洗浄プラズマ種に分離して、チ
ャンバ１５中で蒸着物を洗浄するためにプラズマ種を導
管９５及び混合デバイス７０を通してチャンバ１５に供
給する。もちろん、別の処理モードを実施することも可
能である。例えば、別のモードでは、第1ガス管路９０
から第１処理ガスを遠隔プラズマ発生器６０を通してチ
ャンバ１５に、また第２処理ガスを第２ガス管路１００
を介してチャンバ１５に直接流すことを必要とする可能
性がある。
【００３８】ガス供給装置は、それがモジュール式構成
であるために比較的に容易に変更することが可能である
ことが理解される。例えば、図３及び図５Ａ〜図５Ｃの
混合インサート７２は、例えば、異なる混合構成を有す
るものと取り換えることが可能である。混合ブロック７
６も、２つより多いガス管路からガスを受入れるための
追加の入口を有するものと交換することが可能である。
これらの変更は、さらなるガス流れを随意選択的に提供
し、異なるプロセスを実施するためにガス混合及びチャ
ンバ１５への供給の追加のモードを実行する。
【００３９】図１Ａ及び図３に示されるセラミック絶縁
体６６を用いることで、蓋組立体１５ｂでの２次プラズ
マの起こり得る生成により生じる不安定性が排除され
る。図１Ａに示されるシステム構成において、処理ガス
は、取付けアダプタ６４及びセラミックインサート６６
を通して導管により形成される上部導管９５を通して逆
流する可能性がある。チャンバ１５の内部でプラズマが
生成されると、ガス分配マニホルド１１及び混合デバイ
ス７０には、ＲＦが流れる。金属取付けアダプタ６４
は、一般に接地される。ヘリウムのようなプラズマに衝
突することが出来るガスが、ＲＦが流れているマニホル
ド１１及び接地されたアダプタ６４の間の導管９５中に
在る場合は、２次プラズマが上部導管９５中に形成され
る可能性がある。２次プラズマは、チャンバ１５の内側
のプラズマの不安定性を引き起こし、結果として多孔性
堆積膜のような低品質の薄膜を蒸着する可能性がある。
上部導管９５中のヘリウムのようなガスが、例えば、
“その場で”の堆積膜の形成においてＰＥ（プラズマ増
強）膜の蒸着及びＳＡ（大気中より低い圧力）膜の蒸着
の間に共通である基板のＮ2処理の間に存在する可能性
がある。Ｎ2処理は、一般にヘリウムガス及び窒素ガスを
用いてチャンバ１５中のプラズマに衝突させるプラズマ
処理である。ヘリウムは、Ｎ2処理の間に上部導管９５
中に逆流する可能性がある。ガス分配マニホルド１１及
び混合デバイス７０には、ＲＦが流れていて、取付けア
ダプタ６４は接地されているので、マニホルド１１及び
アダプタ６４の間の上部導管９５中のヘリウムの存在
が、導管９５中に２次プラズマを形成させることにな
り、チャンバ１５の内側のプラズマの不安定性を引き起
こす可能性がある。金属製のアダプタ６４を混合デバイ
ス７０及びガス分配マニホルド１１から分離することに
より、セラミック絶縁体６６は、上部導管９５中に２次
プラズマが生成される可能性を極力少なくする。
【００４０】“その場で”のプラズマプロセスがチャン
バ中で行なわれた場合には、２次プラズマは、発生する
可能性のある問題であるということが理解される。Ｎ2
及びＨｅに対するイオン化電位が全てのガスについては
最も低い部類の入るので、Ｎ 2処理中に２次プラズマが
生じる可能性がもっと高い。
【００４１】II． 例示的なプロセスの流れ 図７の簡略化されたフローチャートは、蒸着を実施して
それからプロセスを洗浄する図１Ａ〜図７のＣＶＤ装置
の使用を示す。プロセスの最初の段階２００において、
プロセスのモードが選択される。蒸着モード（段階２０
２）においては、基板がチャンバ１５中に用意される
（段階２０４）。三方バルブ７７は、段階２０６で遠隔
プラズマ発生器６０（図４）を迂回するように切り換え
られる。第１処理ガスは、第１入口管路９０から三方バ
ルブ７７及び入口導管９６を通して混合デバイス７０に
向けられる（段階２８０）。段階２１０では、第２処理
ガスが、第２入口管路（図４）を介して混合デバイス７
０に流される。混合デバイス７７（図５Ａから図５Ｃま
で）は、第１及び第２処理ガスを段階２１２で混合す
る。ガス混合気は、チャンバ１５中に流されて基板上に
層を蒸着する（段階２１４）。１つの実例で、第１処理
ガスはオゾンを含み、また第２処理ガスはＴＥＯＳを含
む。
【００４２】図７の洗浄モード（段階２１６）におい
て、三方バルブ７７（図４）は、段階２１８で流れを遠
隔プラズマ発生器６０に向けるように切り換えられる。
洗浄プラズマ前駆物質が、第１入口管路９０から三方バ
ルブ７７を通して前駆物質を分離して洗浄プラズマ種を
発生する（段階２２０）発生器６０に流される。プラズ
マ種は、遠隔プラズマ発生器６０から混合デバイス７０
を通してチャンバ１５に流されて段階２２２でチャンバ
１５（図４）を洗浄する。１つの実例で、洗浄プラズマ
前駆物質は、ＮＦ3及びアルゴンのようなフッ素を含む
ガスを含む。発生器６０中のプラズマは、ＮＦ3を分離
し、処理チャンバ１５中の堆積を洗浄するために遊離フ
ッ素を発生させる。
【００４３】遠隔プラズマ発生器６０中の圧力が、チャ
ンバ１５の圧力より高い、好ましくはかなり高い場合に
は、洗浄時間を全体的に減らすことが可能であるという
ことがわかる。例えば、遠隔プラズマ発生器６０中の圧
力が、チャンバ１５中の圧力の望ましくは少なくとも約
１０倍、またより望ましくは少なくとも約３０倍であ
る。特定の実施形態において、チャンバ１５中の圧力は
約０．２５トルで、また遠隔プラズマ発生器６０中の圧
力は、約８トルである。システム制御装置３４は、チャ
ンバ１５中の圧力だけでなく遠隔プラズマ発生器６０中
の圧力も制御するのに用いることができる。
【００４４】上記は本発明の特定の実施形態の完全な説
明であるが、様々な変形形態、変更及び代案を用いるこ
とが可能である。例えば、三方バルブを代わりの流路の
間のガス流れを導くための他の流れ制御デバイスと取り
換えることが可能である。混合デバイスは、他の構成及
び混合様式を備えることができる。当業者には種々の変
更が明白になるであろう。これら均等の構成及び代案
は、本発明の技術的範囲内に含まれる。従って、本発明
の技術的範囲は、記述された実施形態に限定されるので
はなくて、前述の特許請求の範囲及びそれらの均等の構
成の全技術的範囲により規定される。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明による化学蒸着装置の１つの実施形態
の垂直断面図である。
【図１Ｂ】本発明による化学蒸着装置の１つの実施形態
の垂直断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａに示すＣＶＤチャンバの部分の分解斜
視図である。
【図１Ｄ】図１Ａに示すＣＶＤチャンバの部分の分解斜
視図である。
【図１Ｅ】１つあるいはそれ以上のチャンバを含むこと
ができる複数チャンバ方式のシステムモニタ及びＣＶＤ
装置の簡略図である。
【図２】本発明の実施形態による図１ＡのＣＶＤチャン
バの蓋の上に搭載された遠隔プラズマ発生器の斜視図で
ある。
【図３】図２のＣＶＤチャンバの蓋に遠隔プラズマ発生
器を取り付けるための取付け組立体の部分の分解斜視図
である。
【図４】図１ＡのＣＶＤチャンバ及び遠隔プラズマ発生
器を通しての処理ガスの流れを示す簡略ブロック図であ
る。
【図５Ａ】本発明の実施形態による混合インサートの立
面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態による混合インサートの立
面図である。
【図５Ｃ】本発明の実施形態による混合インサートの立
面図である。
【図６】図１ＡのＣＶＤチャンバの蓋の上に搭載された
遠隔プラズマ発生器の別の斜視図である。
【図７】本発明の実施形態によるプロセスを示す簡略フ
ローチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ケリー フォン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94122 サン フランシスコ トゥウェン ティーファースト アベニュー 1631 (72)発明者 チェン アン チェン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95035 ミルピタス カレ ヴィスタ ヴ ェルデ 2101 (72)発明者 ポール リ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95131 サン ホセ リビシ ウェイ 1855 (72)発明者 ロン パン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94014 ダリー シティー アカシア ス トリート 191 (72)発明者 シャンカー ヴェンカタラマン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95051 サンタ クララ ノートル デイ ム ドライヴ 3444 Ｆターム(参考） 4G075 AA30 BC04 BD14 CA47 CA65 DA02 EB41 FC15 4K030 CA04 CA12 EA03 FA03 JA09 KA30 KA41 KA46 5F004 AA15 BA04 BD04 CA01 DA17 DA25 5F045 AA08 AC17 BB14 DP03 EB06 EC01 EE06 EH13

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理チャンバを画定するハウジングと、 前記処理チャンバ内での基板処理の間に基板を支持する
    ための基板支持体と、 入口及び出口を有する遠隔プラズマ発生器と、 前記処理チャンバ中にガスを導入するためのガス供給装
    置とを含み、 前記ガス供給装置は、 バルブ入口、第１バルブ出口及び第２バルブ出口を有
    し、前記バルブ入口から前記第１バルブ出口への第１バ
    ルブ流路及び前記バルブ入口から前記第２バルブ出口へ
    の第２バルブ流路の間で流れを切り換えるように調節可
    能である三方バルブと、 前記遠隔プラズマ発生器の前記出口及び前記処理チャン
    バの間に連結される第１入口流れ導管と、 前記三方バルブの前記第１バルブ出口及び前記遠隔プラ
    ズマ発生器の前記入口の間に連結される遠隔プラズマ導
    管と、 前記三方バルブの前記第２バルブ出口及び前記処理チャ
    ンバの間に連結される第２入口流れ導管と、を含むこと
    を特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】 前記三方バルブは、空気圧作動されるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】 前記ガス供給装置は、前記処理チャンバ
    と連結された第３入口流れ導管をさらに含むことを特徴
    とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 【請求項４】 前記ガス供給装置は、前記第３入口流れ
    導管と連結された気化器をさらに含むことを特徴とする
    請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 【請求項５】 前記第１入口流れ導管、前記第２入口流
    れ導管、及び前記第３入口流れ導管は、前記基板支持体
    のほぼ上方に配置されたチャンバ入口で前記処理チャン
    バと連結されることを特徴とする請求項３に記載の基板
    処理装置。
  6. 【請求項６】 前記ガス供給装置は、混合デバイスをさ
    らに含み、前記混合デバイスは、前記処理チャンバと連
    結された出口、前記第1入口流れ導管と連結された第1入
    口、前記第2入口流れ導管と連結された第２入口、及び
    前記第３入口流れ導管と連結された第３入口を有するこ
    とを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  7. 【請求項７】 前記混合デバイスは、前記第１入口及び
    前記出口の間の第1流路、前記第２入口及び前記出口の
    間の第2流路、並びに前記第３入口及び前記出口の間の
    第３流路を有し、前記第2流路及び前記第３流路は少な
    くとも部分的にオーバラップしていることを特徴とする
    請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 前記第1流路は、前記第２及び第３流路
    より長さが実質的に短いことを特徴とする請求項７に記
    載の基板処理装置。
  9. 【請求項９】 前記第2及び第３流路は複数の屈曲部を
    含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記遠隔プラズマ発生器は、前記基板
    支持体のほぼ上方に配置された前記処理チャンバの蓋の
    上に搭載されることを特徴とする請求項１に記載の基板
    処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記遠隔プラズマ発生器及び前記処理
    チャンバの間に連結されたセラミック絶縁体をさらに含
    み、前記セラミック絶縁体は、前記遠隔プラズマ発生器
    の前記出口及び前記処理チャンバの間に連結された前記
    第1入口流れ導管の1部分を形成する流路を含むことを特
    徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 【請求項１２】 前記処理チャンバは、前記基板の上方
    に配置された複数の出口開口を有するガス分配マニホル
    ドを含み、前記ガス分配マニホルドは前記セラミック絶
    縁体の前記流路と流体連結することを特徴とする請求項
    １１に記載の基板処理装置。
  13. 【請求項１３】 処理チャンバを画定するハウジング
    と、 前記処理チャンバ内での基板処理の間に基板を支持する
    ための基板支持体と、 遠隔プラズマ発生器と、 第１ガス管路と、 第２ガス管路と、 第１ガス用の第１ガス供給源と、 第２ガス用の第２ガス供給源と、 第３ガス用の第３ガス供給源と、 第１工程の間に、前記第１ガス供給源を前記第１ガス管
    路と連結して、前記第１ガスを前記第１ガス管路及び前
    記遠隔プラズマ発生器を通して前記処理チャンバに流
    し、第２工程において、前記第２ガス供給源を前記第１
    ガス管路と連結して、前記第２ガスを前記遠隔プラズマ
    発生器を迂回して前記第１ガス管路を通して前記処理チ
    ャンバに流し、前記第３ガス源を前記第２ガス管路に連
    結して、前記第３ガスを前記処理チャンバに流し、また
    前記第２及び前記第３ガスを前記処理チャンバに流す前
    に前記第２ガス及び前記第３ガスを一緒に混合するため
    の手段と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
  14. 【請求項１４】 前記遠隔プラズマ発生器及び前記処理
    チャンバの間に流体連結された流路を有するセラミック
    絶縁体をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載
    の基板処理装置。
  15. 【請求項１５】 前記処理チャンバは、前記基板の上方
    に配置された複数の出口開口を有するガス分配マニホル
    ドを含み、前記ガス分配マニホルドは前記セラミック絶
    縁体の前記流路と流体連結されることを特徴とする請求
    項１４に記載の基板処理装置。
  16. 【請求項１６】 前記ハウジングは、前記基板支持体の
    ほぼ上方に配置された蓋を含み、前記遠隔プラズマ発生
    器が前記蓋の上に搭載されることを特徴とする請求項１
    ３に記載の基板処理装置。
  17. 【請求項１７】 前記第２ガス管路と連結された気化器
    をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板
    処理装置。
  18. 【請求項１８】 前記遠隔プラズマ発生器中の圧力及び
    前記処理チャンバ中の圧力を制御するための手段をさら
    に含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装
    置。
  19. 【請求項１９】 前記制御手段は、前記処理チャンバ中
    の圧力よりも高い前記遠隔プラズマ発生器中の圧力を実
    現するための指令を含むことを特徴とする請求項１８に
    記載の基板処理装置。
  20. 【請求項２０】 前記制御手段は、前記処理チャンバ中
    の圧力の少なくともおよそ１０倍である前記遠隔プラズ
    マ発生器中の圧力を実現するための指令を含むことを特
    徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
  21. 【請求項２１】 前記制御手段は、前記処理チャンバ中
    の圧力の少なくともおよそ３０倍である前記遠隔プラズ
    マ発生器中の圧力を実現するための指令を含むことを特
    徴とする請求項２０に記載の基板処理装置。
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