JP2011076567A - 無線ｉｃデバイス及び電磁結合モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】インダクタンス素子による無線ＩＣと放射板とのインピーダンスマッチングを良好なものとし、給電回路と放射板とのエネルギー伝達効率を向上させることのできる無線ＩＣデバイス及び電磁結合モジュールを得る。
【解決手段】無線ＩＣチップ１０と、該無線ＩＣチップ１０と結合され、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を含む給電回路２１を有する給電回路基板２０と、放射板３０Ａ，３０Ｂとを備えた無線ＩＣデバイス。インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２はコイル導体が形成された複数の層が積層されて該コイル導体が電気的に接続することによって形成され、かつ、該インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の中間部分に配置されたコイル導体１３１ｃ，１３３ｃがコイル軸方向の端部に位置して放射板３０Ａ，３０Ｂの結合部３１ａ，３１ｂと対向している。
【選択図】図４
【解決手段】無線ＩＣチップ１０と、該無線ＩＣチップ１０と結合され、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を含む給電回路２１を有する給電回路基板２０と、放射板３０Ａ，３０Ｂとを備えた無線ＩＣデバイス。インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２はコイル導体が形成された複数の層が積層されて該コイル導体が電気的に接続することによって形成され、かつ、該インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の中間部分に配置されたコイル導体１３１ｃ，１３３ｃがコイル軸方向の端部に位置して放射板３０Ａ，３０Ｂの結合部３１ａ，３１ｂと対向している。
【選択図】図４
Description
本発明は、無線ＩＣデバイス、特に、ＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）システムに用いられる無線ＩＣデバイス、及び、無線ＩＣデバイスを構成する電磁結合モジュールに関する。
従来、物品の管理システムとして、誘導電磁界を発生するリーダライタと物品に付された所定の情報を記憶した無線タグ（無線ＩＣデバイスとも称する）とを非接触方式で通信し、情報を伝達するＲＦＩＤシステムが開発されている。この種のＲＦＩＤシステムに使用される無線ＩＣデバイスとして、特許文献１には、図１１（Ａ）に示すように、無線ＩＣチップ１０に電気的に接続された二つのインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２（コイル導体を螺旋状に接続してなる）を放射板３０Ａ，３０Ｂと電磁界結合させたものが開示されている。
しかしながら、この無線ＩＣデバイスでは、放射板３０Ａ，３０Ｂと対向する最下層のコイル導体は、図１１（Ｂ）に示すように、インピーダンスの高い無線ＩＣチップ１０との接続部分に近接して配置されており、このようなインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２ではインピーダンスが高くなって放射板３０Ａ，３０Ｂとのインピーダンスの整合がとれないという問題点が明らかになった。なお、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の接続点Ｘが仮想グランドである。
そこで、本発明の目的は、インダクタンス素子による無線ＩＣと放射板とのインピーダンスマッチングを良好なものとし、給電回路と放射板とのエネルギー伝達効率を向上させることのできる無線ＩＣデバイス及び電磁結合モジュールを提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明の第１の形態である無線ＩＣデバイスは、
無線ＩＣと、
前記無線ＩＣと結合され、インダクタンス素子を含む給電回路と、
前記インダクタンス素子と結合し、前記給電回路から供給された送信信号を放射する、及び／又は、受信した信号を前記給電回路に供給する放射板と、
を備え、
前記インダクタンス素子は、コイル導体が形成された複数の層が積層されて該コイル導体が電気的に接続することによって形成され、かつ、該インダクタンス素子の中間部分に配置されたコイル導体がコイル軸方向の端部に位置して前記放射板と対向していること、
を特徴とする。
無線ＩＣと、
前記無線ＩＣと結合され、インダクタンス素子を含む給電回路と、
前記インダクタンス素子と結合し、前記給電回路から供給された送信信号を放射する、及び／又は、受信した信号を前記給電回路に供給する放射板と、
を備え、
前記インダクタンス素子は、コイル導体が形成された複数の層が積層されて該コイル導体が電気的に接続することによって形成され、かつ、該インダクタンス素子の中間部分に配置されたコイル導体がコイル軸方向の端部に位置して前記放射板と対向していること、
を特徴とする。
また、本発明の第２の形態である電磁結合モジュールは、
無線ＩＣと、
前記無線ＩＣと結合されたインダクタンス素子を含む給電回路を有する給電回路基板と、
を備え、
前記インダクタンス素子は、コイル導体が形成された複数の層が積層されて該コイル導体が電気的に接続することによって形成され、かつ、該インダクタンス素子の中間部分に配置されたコイル導体がコイル軸方向の端部に位置していること、
を特徴とする。
無線ＩＣと、
前記無線ＩＣと結合されたインダクタンス素子を含む給電回路を有する給電回路基板と、
を備え、
前記インダクタンス素子は、コイル導体が形成された複数の層が積層されて該コイル導体が電気的に接続することによって形成され、かつ、該インダクタンス素子の中間部分に配置されたコイル導体がコイル軸方向の端部に位置していること、
を特徴とする。
前記無線ＩＣデバイス及び電磁結合モジュールにおいては、無線ＩＣと結合されているインダクタンス素子の中間部分に配置されたコイル導体がコイル軸方向の端部に位置しており、この中間部分を放射板と結合させることで、放射板はインダクタンス素子の仮想グランドに近くてインピーダンスの低い（磁界が大きい）箇所で結合することになり、無線ＩＣと放射板とを良好にインピーダンスマッチングさせることができ、給電回路と放射板とのエネルギー伝達効率が向上する。
本発明によれば、インダクタンス素子による無線ＩＣと放射板とのインピーダンスマッチングが良好なものとなり、給電回路と放射板とのエネルギー伝達効率が向上する。
以下に、本発明に係る無線ＩＣデバイス及び結合方法の実施例について添付図面を参照して説明する。
（第１実施例、図１〜図５参照）
第１実施例である無線ＩＣデバイスは、図１に示すように、所定周波数の送受信信号を処理する無線ＩＣチップ１０と、この無線ＩＣチップ１０を搭載した給電回路基板２０と、二つの放射板３０Ａ，３０Ｂとで構成されている。
第１実施例である無線ＩＣデバイスは、図１に示すように、所定周波数の送受信信号を処理する無線ＩＣチップ１０と、この無線ＩＣチップ１０を搭載した給電回路基板２０と、二つの放射板３０Ａ，３０Ｂとで構成されている。
給電回路基板２０は、図３に等価回路として示すように、実質的に同じインダクタンス値を有し、かつ、互いに同方向に巻かれた螺旋状に形成されたインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を含む共振回路・整合回路を有する給電回路２１を備えている。インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２のコイル軸は平面視で異なる位置に配置されている。
無線ＩＣチップ１０は、クロック回路、ロジック回路、メモリ回路などを含み、必要な情報がメモリされており、裏面に図示しない一対の入出力端子電極及び一対の実装用端子電極が設けられている。この入出力端子電極は、図２に示すように、給電回路基板２０上に形成した給電端子電極１２２ａ，１２２ｂに、実装用端子電極は実装電極１２３ａ，１２３ｂに金属バンプなどを介して電気的に接続されている。
このように、無線ＩＣチップ１０と給電回路基板２０とが一体化された状態のものを電磁結合モジュール５と称する。なお、無線ＩＣチップ１０と給電回路２１とは電気的に接続されておらず、電磁界結合していてもよい。
放射板３０Ａ，３０Ｂは、図示しないフレキシブルな樹脂フィルム上にそれぞれミアンダ状に形成されたもので、非磁性金属材料からなる。放射板３０Ａ，３０Ｂの一端は結合部３１ａ，３１ｂとされ、この結合部３１ａ，３１ｂ上に給電回路基板２０が貼着されている。即ち、結合部３１ａはインダクタンス素子Ｌ１に、結合部３１ｂはインダクタンス素子Ｌ２に、それぞれのコイル軸と直交するように近接して配置されている。なお、放射板３０Ａ，３０Ｂは１本の導体によってループ状に形成されていてもよい。この場合、ループ状の両端部が結合部３１ａ，３１ｂとなる。
給電回路２１に含まれるインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２は磁気結合して無線ＩＣチップ１０が処理する周波数に共振し、かつ、放射板３０Ａ，３０Ｂの結合部３１ａ，３１ｂと磁気結合（電界結合でもよい）している。また、給電回路２１は無線ＩＣチップ１０のインピーダンスと放射板３０Ａ，３０Ｂのインピーダンスとのマッチングを図っている。この点について以下に説明する。
図４（Ａ）及び図５に示すように、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２はコイル導体１３１ａ〜１３１ｅ，１３２，１３３ａ〜１３３ｅが形成された複数の層が積層されて該コイル導体が電気的に接続することによって形成され、かつ、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の中間部分に配置されたコイル導体１３１ｃ，１３３ｃがコイル軸方向の端部に位置して放射板３０Ａ，３０Ｂの結合部３１ａ，３１ｂと対向している。
インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２と放射板３０Ａ，３０Ｂの結合をより模式的に示したのが図４（Ｂ）である。インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の端部が接続されている点Ｘが仮想グランドであり、この仮想グランドにおいてインピーダンスが最も低くなる。逆に、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２は無線ＩＣチップ１０と接続する個所においてインピーダンスが最も高くなる。本第１実施例においては、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の仮想グランド（インピーダンスが最も低い、換言すれば、磁界が大きい）に近い中間部分のコイル導体１３１ｃ，１３３ｃに放射板３０Ａ，３０Ｂが電磁界的に結合しているため、インピーダンスが高い無線ＩＣチップ１０とインピーダンスが低い放射板３０Ａ，３０Ｂとを良好にマッチングさせることができ、給電回路２１と放射板３０Ａ，３０Ｂとのエネルギー伝達効率が向上する。
本第１実施例において、給電回路２１は、無線ＩＣチップ１０から発信された所定の周波数を有する送信信号を放射板３０Ａ，３０Ｂに伝達し、かつ、放射板３０Ａ，３０Ｂで受信した信号から所定の周波数を有する受信信号を選択し、無線ＩＣチップ１０に供給する。それゆえ、この無線ＩＣデバイスは、放射板３０Ａ，３０Ｂで受信した信号によって無線ＩＣチップ１０が動作され、該無線ＩＣチップ１０からの応答信号が放射板３０Ａ，３０Ｂから外部に放射される。
以上のごとく、本無線ＩＣデバイスにあっては、給電回路基板２０に設けた給電回路２１で信号の周波数を設定するため、本無線ＩＣデバイスを種々の物品に取り付けてもそのままで動作し、放射特性の変動が抑制され、個別の物品ごとに放射板３０Ａ，３０Ｂなどの設計変更をする必要がなくなる。そして、放射板３０Ａ，３０Ｂから放射する送信信号の周波数及び無線ＩＣチップ１０に供給する受信信号の周波数は、給電回路基板２０における給電回路２１の共振周波数に実質的に相当し、信号の最大利得は、放射板３０Ａ，３０Ｂのサイズ、形状、給電回路と放射板３０Ａ，３０Ｂとの距離及び媒質の少なくとも一つで実質的に決定される。給電回路基板２０において送受信信号の周波数が決まるため、周波数は放射板３０Ａ，３０Ｂの形状やサイズ、配置関係などによらず、例えば、無線ＩＣデバイスを丸めたり、誘電体で挟んだりしても、周波数特性が変化することがなく、安定した周波数特性が得られる。
ここで、給電回路基板２０の積層構造の一例について図５を参照して説明する。給電回路基板２０は、誘電体あるいは磁性体からなるセラミックシート１２１ａ〜１２１ｆを積層、圧着、焼成したものである。最上層のシート１２１ａ上には給電端子電極１２２ａ，１２２ｂ、実装電極１２３ａ，１２３ｂ及びビアホール導体１４１ａ，１４１ｏが形成されている。シート１２１ｂ〜１２１ｆ上にはそれぞれコイル導体１３１ａ〜１３１ｅ，１３２，１３３ａ〜１３３ｅとビアホール導体１４１ｂ〜１４１ｎが形成されている。
インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２はコイル導体１３１ａ〜１３１ｅ，１３２，１３３ａ〜１３３ｅをそれぞれビアホール導体１４１ｃ〜１４１ｎにて螺旋状に接続することにより形成され、シート１２１ｂ上のコイル導体１３２にて接続されている。シート１２１ｂ上のコイル導体１３１ａの端部がビアホール導体１４１ａを介して給電端子電極１２２ａに接続され、シート１２１ｂ上のコイル導体１３３ｅの端部がビアホール導体１４１ｏを介して給電端子電極１２２ｂに接続されている。また、最下層のシート１２１ｆ上のコイル導体１３１ｃ，１３３ｃがインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の中間部分に配置された状態となり、該コイル導体１３１ｃ，１３３ｃが放射板３０Ａ，３０Ｂと対向していることは前述のとおりである。
（第２実施例、図６〜図８参照）
第２実施例である無線ＩＣデバイスは、図６に示すように、基本的には図１に示した無線ＩＣデバイスと同様の構成を備え、異なるのは、給電回路基板２０に内蔵したインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の構成、及び、放射板３０Ａ，３０Ｂの一端を平板状の結合部３１ａ，３１ｂとした点にある。
第２実施例である無線ＩＣデバイスは、図６に示すように、基本的には図１に示した無線ＩＣデバイスと同様の構成を備え、異なるのは、給電回路基板２０に内蔵したインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の構成、及び、放射板３０Ａ，３０Ｂの一端を平板状の結合部３１ａ，３１ｂとした点にある。
給電回路基板２０は、図７（Ａ）に示すように、実質的に同じインダクタンス値を有し、かつ、互いに逆方向に巻かれた螺旋状に形成されたインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を含む共振回路・整合回路を有する給電回路２１を備えている。インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の巻回軸は平面視で異なる位置に配置されている。放射板３０Ａ，３０Ｂの一端である平板状結合部３１ａ，３１ｂ上に給電回路基板２０が貼着されている。即ち、平板状結合部３１ａはインダクタンス素子Ｌ１に、平板状結合部３１ｂはインダクタンス素子Ｌ２に、それぞれの巻回軸と直交するように近接して配置されている。
給電回路２１に含まれるインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２は逆相で磁気結合して無線ＩＣチップ１０が処理する周波数に共振し、かつ、放射板３０Ａ，３０Ｂの結合部３１ａ，３１ｂと以下に説明するように渦電流によって結合している。また、給電回路２１は無線ＩＣチップ１０のインピーダンスと放射板３０Ａ，３０Ｂのインピーダンスとのマッチングを図っている。インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２のインダクタンス値は互いに異なっていてもあるいは実質的に同じであってもよい。実質的に同じにすると、閉ループの漏れ磁界が少なくなり、結合ロスを少なくすることができる。
ここで、給電回路２１と放射板３０Ａ，３０Ｂとの結合について図７を参照して説明する。まず、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２は逆方向に巻回されており（図７（Ａ）参照）、電流経路が左右反転しているので、磁界も反転し、遠方磁界はゼロとなるので給電回路基板２０はアンテナとして機能しない。また、素子Ｌ１，Ｌ２が逆方向に巻回されているので、磁界は一つの閉ループとして流れ、外部に漏れない（図７（Ｂ）参照）。これにより、通常の磁界結合のように、エネルギーの一部が結合以外に放射されることはない。
インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２と対向する平板状結合部３１ａ，３１ｂに着目すると、素子Ｌ１，Ｌ２から発生する磁界が結合部３１ａ，３１ｂに垂直に作用するので（図７（Ｃ）参照）、結合部３１ａ，３１ｂに渦電流Ａが発生する（図７（Ｄ）参照）。この渦電流Ａが流れる方向は、近接する平板状結合部３１ａ，３１ｂにおいては逆向きであり、渦電流Ａより発生する磁界は一つの閉ループを形成し、互いに近づこうとする２次磁界Ｂが発生する（図７（Ｅ）参照）。この２次磁界Ｂが起点となり、磁界の中和のため電子が一方の端部から他方の端部に流れようとし、放射板３０Ａ，３０Ｂが２本に分かれていても、近接する結合部３１ａ，３１ｂに外部から電流が流入、流出し、放射板３０Ａ，３０Ｂに電流が流れる（図７（Ｆ）参照）。
なお、放射板３０Ａ，３０Ｂは１本の導体をループ状に形成したものであってもよい。そして、このように渦電流を利用した結合方法では、放射板の線路長に影響しない。また、放射板が２枚に分割されている、あるいは、１本のループ状であるなどは結合効率に影響しない。但し、放射板３０Ａ，３０Ｂの線路長がλ／４のとき（全体の線路長はλ／２）、端部で電圧が最大、電流が最小となり、共振条件を満たすので電流がより流れやすくなる。
つまり、近接する渦電流にて形成された磁場により、渦電流は対向する平板状結合部３１ａ，３１ｂを起点として放射板３０Ａ，３０Ｂを流れる。このように、従来の磁界結合や電界結合とは異なり、磁界が平板状結合部３１ａ，３１ｂに対して垂直にぶつかることで、渦電流を積極的に形成し、近接する渦電流が起点となって放射板３０Ａ，３０Ｂに電流を流すエネルギーが発生する。このようなエネルギーの伝達（結合）は、逆向きの一対のコイルと垂直に対向する平板が配置され、該平板に渦電流が流れるときに実現される。従って、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の一方にだけ平板状結合部を配置しても、放射板にエネルギーを伝達することはできない。
本第２実施例においても、第１実施例と同様に、放射板３０Ａ，３０Ｂで受信した信号によって無線ＩＣチップ１０が動作され、該無線ＩＣチップ１０からの応答信号が放射板３０Ａ，３０Ｂから外部に放射される。そして、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の仮想グランド（インピーダンスが最も低い、換言すれば、磁界が大きい）に近い中間部分のコイル導体に放射板３０Ａ，３０Ｂが電磁界的に結合しているため、インピーダンスが高い無線ＩＣチップ１０とインピーダンスが低い放射板３０Ａ，３０Ｂとを良好にマッチングさせることができ、給電回路２１と放射板３０Ａ，３０Ｂとのエネルギー伝達効率が向上する。その他の作用効果は第１実施例と同様である。
ここで、給電回路基板２０の積層構造の一例について図８を参照して説明する。給電回路基板２０は、誘電体あるいは磁性体からなるセラミックシート１８１ａ〜１８１ｆを積層、圧着、焼成したものである。最上層のシート１８１ａ上には給電端子電極１２２ａ，１２２ｂ、実装電極１２３ａ，１２３ｂ及びビアホール導体１９５ａ，１９５ｏが形成されている。シート１８１ｂ〜１８１ｆ上にはそれぞれコイル導体１９１ａ〜１９１ｅ，１９２，１９３ａ〜１９３ｅとビアホール導体１９５ｂ〜１９５ｎが形成されている。
インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２はコイル導体１９１ａ〜１９１ｅ，１９２，１９３ａ〜１９３ｅをそれぞれビアホール導体１９５ｃ〜１９５ｎにて螺旋状に接続することにより形成され、シート１８１ｂ上のコイル導体１９２にて接続されている。シート１８１ｂ上のコイル導体１９１ａの端部がビアホール導体１９５ａを介して給電端子電極１２２ａに接続され、シート１８１ｂ上のコイル導体１９３ｅの端部がビアホール導体１９５ｏを介して給電端子電極１２２ｂに接続されている。また、最下層のシート１８１ｆ上のコイル導体１９１ｃ，１９３ｃがインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の中間部分に配置された状態となり、該コイル導体１９１ｃ，１９３ｃが放射板３０Ａ，３０Ｂと対向していることは前述のとおりである。
（第３実施例、図９及び図１０参照）
第３実施例である無線ＩＣデバイスは、図９に示すように、基本的には図１に示した無線ＩＣデバイスと同様の構成を備え、異なるのは、一つのインダクタンス素子Ｌにて給電回路２１が構成されている点にある。
第３実施例である無線ＩＣデバイスは、図９に示すように、基本的には図１に示した無線ＩＣデバイスと同様の構成を備え、異なるのは、一つのインダクタンス素子Ｌにて給電回路２１が構成されている点にある。
このインダクタンス素子Ｌは、コイル導体１６１ａ〜１６１ｅが形成された複数の層が積層されて該コイル導体が電気的に接続することによって形成され、かつ、インダクタンス素子Ｌの中間部分に配置されたコイル導体１６１ｃがコイル軸方向の端部に位置して放射板３０の結合部３１と対向している。
インダクタンス素子Ｌは、両端部が無線ＩＣチップ１０の入出力端子電極に電気的に接続されており、中間部分のコイル導体１６１ｃにおいて最も磁界が大きくなり、インピーダンスが最も低くなる。本第３実施例においては、インダクタンス素子Ｌのインピーダンスが最も低い、換言すれば、磁界が大きい中間部分のコイル導体１６１ｃに放射板３０が電磁界的に結合しているため、インピーダンスが高い無線ＩＣチップ１０とインピーダンスが低い放射板３０とを良好にマッチングさせることができ、給電回路２１と放射板３０とのエネルギー伝達効率が向上する。他の作用効果は前記第１実施例と同様である。
ここで、給電回路基板２０の積層構造の一例について図１０を参照して説明する。給電回路基板２０は、誘電体あるいは磁性体からなるセラミックシート１５１ａ〜１５１ｆを積層、圧着、焼成したものである。最上層のシート１５１ａ上には給電端子電極１２２ａ，１２２ｂ、実装電極１２３ａ，１２３ｂ及びビアホール導体１７１ａ，１７１ｈが形成されている。シート１５１ｂ〜１５１ｆ上にはそれぞれコイル導体１６１ａ〜１６１ｅとビアホール導体１７１ｂ〜１７１ｇが形成されている。
インダクタンス素子Ｌはコイル導体１６１ａ〜１６１ｅをそれぞれビアホール導体１７１ｂ〜１７１ｆにて螺旋状に接続することにより形成されている。シート１５１ｂ上のコイル導体１６１ａの端部がビアホール導体１７１ａを介して給電端子電極１２２ａに接続され、シート１５１ｄ上のコイル導体１６１ｅの端部がビアホール導体１７１ｇ，１７１ｈを介して給電端子電極１２２ｂに接続されている。また、最下層のシート１５１ｆ上のコイル導体１６１ｃがインダクタンス素子Ｌの中間部分に配置された状態となり、該コイル導体１６１ｃが放射板３０と対向して電磁界結合している。
（他の実施例）
なお、本発明に係る無線ＩＣデバイス及び電磁結合モジュールは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。
なお、本発明に係る無線ＩＣデバイス及び電磁結合モジュールは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。
例えば、無線ＩＣは、チップタイプではなく、給電回路基板に一体的に形成されていてもよい。また、放射板は種々の形状を採用することができる。さらに、前記各実施例では、インダクタンス素子のコイル軸は、無線ＩＣに対して垂直に形成されている例を示したが、無線ＩＣに対して平行に形成されていてもよい。
以上のように、本発明は、無線ＩＣデバイス及び電磁結合モジュールに有用であり、特に、無線ＩＣと放射板とのインピーダンスマッチングを良好なものとし、給電回路と放射板とのエネルギー伝達効率が向上する点で優れている。
Ｌ，Ｌ１，Ｌ２…インダクタンス素子
５…電磁結合モジュール
１０…無線ＩＣチップ
２０…給電回路基板
２１…給電回路
３０，３０Ａ，３０Ｂ…放射板
３１，３１ａ，３１ｂ…結合部
１３１ａ〜１３１ｅ，１３２，１３３ａ〜１３３ｅ…コイル導体
１６１ａ〜１６１ｅ…コイル導体
１９１ａ〜１９１ｅ，１９２，１９３ａ〜１９３ｅ…コイル導体
５…電磁結合モジュール
１０…無線ＩＣチップ
２０…給電回路基板
２１…給電回路
３０，３０Ａ，３０Ｂ…放射板
３１，３１ａ，３１ｂ…結合部
１３１ａ〜１３１ｅ，１３２，１３３ａ〜１３３ｅ…コイル導体
１６１ａ〜１６１ｅ…コイル導体
１９１ａ〜１９１ｅ，１９２，１９３ａ〜１９３ｅ…コイル導体
Claims (11)
- 無線ＩＣと、
前記無線ＩＣと結合され、インダクタンス素子を含む給電回路と、
前記インダクタンス素子と結合し、前記給電回路から供給された送信信号を放射する、及び／又は、受信した信号を前記給電回路に供給する放射板と、
を備え、
前記インダクタンス素子は、コイル導体が形成された複数の層が積層されて該コイル導体が電気的に接続することによって形成され、かつ、該インダクタンス素子の中間部分に配置されたコイル導体がコイル軸方向の端部に位置して前記放射板と対向していること、
を特徴とする無線ＩＣデバイス。 - 前記給電回路はさらに共振回路を有し、前記送信信号及び／又は受信信号の周波数は、前記共振回路の共振周波数に実質的に相当すること、を特徴とする請求項１に記載の無線ＩＣデバイス。
- 前記インダクタンス素子はそのコイル軸方向が前記無線ＩＣと直交するように形成され、
前記中間部分に配置されたコイル導体は前記インダクタンス素子のコイル軸方向の端部であって前記無線ＩＣとは反対側に位置して前記放射板と対向していること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の無線ＩＣデバイス。 - 前記無線ＩＣと前記インダクタンス素子とは電気的に接続されていること、を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
- 前記給電回路は二つの前記インダクタンス素子を含み、該二つのインダクタンス素子はそのコイル軸方向の端部で電気的に接続していること、を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
- 前記二つのインダクタンス素子はそれぞれ逆方向に巻かれた螺旋状に形成されていること、を特徴とする請求項５に記載の無線ＩＣデバイス。
- 無線ＩＣと、
前記無線ＩＣと結合されたインダクタンス素子を含む給電回路を有する給電回路基板と、
を備え、
前記インダクタンス素子は、コイル導体が形成された複数の層が積層されて該コイル導体が電気的に接続することによって形成され、かつ、該インダクタンス素子の中間部分に配置されたコイル導体がコイル軸方向の端部に位置していること、
を特徴とする電磁結合モジュール。 - 前記インダクタンス素子はそのコイル軸方向が前記無線ＩＣと直交するように形成され、
前記中間部分に配置されたコイル導体は前記インダクタンス素子のコイル軸方向の端部であって前記無線ＩＣとは反対側に位置していること、
を特徴とする請求項７に記載の電磁結合モジュール。 - 前記無線ＩＣと前記インダクタンス素子とは電気的に接続されていること、を特徴とする請求項７又は請求項８に記載の電磁結合モジュール。
- 前記給電回路は二つの前記インダクタンス素子を含み、該二つのインダクタンス素子はそのコイル軸方向の端部で電気的に接続していること、を特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれかに記載の電磁結合モジュール。
- 前記二つのインダクタンス素子はそれぞれ逆方向に巻かれた螺旋状に形成されていること、を特徴とする請求項１０に記載の電磁結合モジュール。
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