TW201219914A - Optical display device having polarizing film - Google Patents

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201219914 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於具有偏光膜的光學顯示裝置。特別是，本 發明關於光學顯示裝置，其具有將二色性物質配向的聚乙 烯醇系樹脂構成之厚度ΙΟμπα以下之偏光膜。 【先前技術】 藉由對製成薄膜形狀之聚乙烯醇系樹脂（以下稱pV A 系樹脂）之單層體施予染色處理或延伸處理，使PVA系樹 脂之分子朝延伸方向配向，二色性物質以配向狀態被吸附 於該PVA系樹脂內的，PVA系樹脂層構成之偏光膜之製造 方法爲習知者。藉由使用該PV A系樹脂單層膜之習知方法 而獲得之偏光膜之厚度大略爲15〜35 μηι。依據該方法獲得 之偏光膜，其具有單體透過率爲42%以上、偏光度爲 99.95 %以上之光學特性，該方法製造之偏光膜，目前被 使用於電視機其他光學顯示裝置。 但是，PVA系樹脂屬親水性，具有高的吸濕性，使用 PV Α系樹脂製造之偏光膜對於溫度或濕度變化較爲敏感， 周圍之環境變化容易產生伸縮，具有容易產生龜裂之傾向 。另外，因爲使用中之環境變化而產生之伸縮，對於該偏 光膜所接合之鄰接構件帶來應力’於該鄰接構件會產生彎 曲變形。 因此，爲抑制偏光膜之伸縮，減輕溫度或濕度影響， 通常電視機用之偏光薄膜’係於偏光膜兩面貼合作爲保護 -5- 201219914 薄膜之40〜80μηι之TAC (三乙酸纖維素系）薄膜而成積層 體予以使用。即使此種構成’使用單層體之偏光膜時，基 於偏光膜之薄膜化有其限制，無法忽視伸縮力難以完全抑 制伸縮之影響，在包含偏光膜之光學薄膜積層體產生某一 程度之伸縮乃無可避免者。在包含此種偏光膜之光學薄膜 積層體產生伸縮時，該伸縮引起之應力會對鄰接構件帶來 彎曲等之變形。該變形即使微小亦將成爲液晶顯示裝置產 生顯示不均勻之原因。因此，爲減低該顯示不均勻之產生 ，針對包含偏光膜之光學薄膜積層體所使用之構件之材料 ，需要考慮設計上必要而加以選擇。另外，偏光膜之收縮 應力亦成爲光學薄膜積層體由液晶顯示面板剝離等之原因 ，因此將該光學薄膜積層體接合於液晶顯示面板時，要求 高接著力之黏著劑。但是，使用具有高接著力之黏著劑時 ，貼合於液晶顯示面板之光學薄膜積層體之偏光膜於後續 檢測發現有光學缺陷時，需要將該光學薄膜積層體由液晶 顯示面板剝離，將另一光學薄膜積層體貼合於該液晶顯示 面板，而此一重新貼合作業之進行乃困.難者，此爲問題。 此爲使用成膜爲薄膜狀之PV A系樹脂單層體的習知方法獲 得之偏光膜之技術課題。 因爲上述問題之存在而無法達到充分程度之薄膜化， 因而要求偏光膜之製造方法，用來取代使用習知PV A系樹 脂單層體之偏光膜之製造方法。但是，使用製成薄膜狀之 PV A系樹脂單層體的習知方法，事實上無法製造厚度1〇 以下之偏光膜。其理由爲，在藉由薄膜狀之PV Α系樹脂單 .201219914 層體製造偏光膜時，若PV A系樹脂單層體之厚度太薄，則 於染色工程及或延伸工程，有可能於PVA系樹脂層產生溶 解及/或破斷，無法形成均句厚度之偏光膜。 作爲該問題之對策被提案之製造方法爲，在熱可塑性 樹脂基材上塗布形成PVA系樹脂層，以形成於該樹脂基材 上之PVA系樹脂層作爲樹脂基材之同時予以延伸，施予染 色處理，如此則，和習知方法獲得之偏光膜比較，可製造 極薄之偏光膜。和使用PV A系樹脂單層體的偏光膜之製造 方法比較，使用熱可塑性樹脂基材的偏光膜之製造方法， 可以製造更爲均勻之偏光膜，因而受到矚目。 例如專利第4279944號公報（專利文獻1 )揭示之偏光 板之製造方法，係在熱可塑性樹脂薄膜之單面，藉由塗布 法形成厚度6μπι以上30μιη以下之PVA系樹脂層之後，施予 2倍以上5倍以下之延伸，將該pVA系樹脂層設爲透明披膜 元件層’形成由熱可塑性樹脂薄膜層與透明披膜元件層之 2層構成之複合薄膜，之後，在該2層構成之複合薄膜之透 明披膜元件層側，使光學透明樹脂薄膜層介由接著劑予以 貝占合之後’剝離除去熱可塑性樹脂薄膜層，進而對透明披 膜元件層施予染色，將其固定而成爲偏光元件層。該製造 方法獲得之偏光板爲光學透明樹脂薄膜層與偏光元件層之 2層構成’依據專利文獻1之揭示，偏光元件之厚度爲2〜 4 μπι。 專利文獻1揭示之方法，延伸係於加熱下藉由一軸延 伸而進行’其延伸倍率限制於如上述說明之2倍以上5倍以 201219914 下之範圍β於專利文獻1揭示之方法，延伸倍率限制於5倍 以下之理由爲，依據專利文獻1之說明，在延伸倍率高於5 倍之高倍率延伸下穩定生產變爲極端困難。延伸時之周圍 溫度，具體言之爲，作爲熱可塑性樹脂薄膜而使用環丙基 甲酸乙烯共聚合體時設爲55 °C，使用無延伸之聚丙烯時設 爲60 °C，使用無延伸之尼龍時設爲70 °C。專利文獻1之方 法係採用高溫空中一軸延伸之方法，如專利文獻1之揭示 ，延伸倍率被限制於5倍以下，因此藉由該方法獲得之2〜 4 μηι之極薄之偏光膜，係無法滿足’例如液晶電視等光學顯 示裝置使用之偏光膜所要求之光學特性。 在熱可塑性樹脂基材上塗布形成PV Α系樹脂層，以該 PV A系樹脂層作爲基材之同時予以延伸而形成偏光膜之方 法，揭示於特開200 1 -343 52 1號公報（專利文獻2 )及特開 2003 -43 25 7號公報（專利文獻3 )。彼等專利文獻揭示之 方法，係使熱可塑性樹脂基材以及塗布於該基材上之PVA 系樹脂層構成之積層體，在基材爲非晶性聚酯樹脂時，在 70°C〜12(TC溫度下施予一軸延伸者。之後，對經由延伸 被配向之PVA系樹脂層施予染色處理使吸附二色性物質》 於專利文獻2揭示一軸延伸可爲縱向一軸延伸或橫向一軸 延伸之任一，於專利文獻3則揭示進行橫向一軸延伸，於 該橫向一軸延伸中或延伸後，使和延伸方向呈正交之方向 之長度收縮特定量之方法。關於延伸倍率，於專利文獻2 及3通常均設爲4〜8倍之程度。獲得之偏光膜之厚度揭示 爲 1 〜1.6 μ m。 -8- 201219914 於彼等專利文獻2及3雖揭示延伸倍率通常爲4〜8倍， 但採用之延伸方法爲高溫空中延伸法，例如專利文獻i之 揭示，於該方法能穩定進行之伸倍係以5倍爲上限。於專 利文獻2及3亦未針對藉由高溫空中延伸法來達成大於5倍 之延伸倍率之特定手法加以記載。事實上，由彼等專利文 獻2及3揭示之實施例可知，於專利文獻2僅揭示5倍延伸， 於專利文獻3則揭示4.5倍延伸。本發明人針對專利文獻2 及3揭示之方法進行追蹤測試後確認，其記載之方法無法 進行延伸倍率大於5倍之延伸。因此，依據專利文獻2及3 之揭示’關於延伸倍率應理解爲其僅記載5倍以下者。亦 如上述關於專利文獻1之說明，於專利文獻2及3，其獲得 之偏光膜之光學特性，係無法滿足例如液晶電視等光學顯 示裝置使用之偏光膜所要求之光學特性。 美國專利第46595 23號公報（專利文獻4)揭示之偏光 膜之製造方法，係在聚酯薄膜上藉由塗布法形成PVA系樹 脂層，將PVA系樹脂層連同該聚酯薄膜施予一軸延伸。專 利文獻4揭示之方法，目的係使成爲PVA系樹脂層之基材 的聚酯薄膜，構成偏光膜之同時而具有可使用之光學特性 者，並非以製造薄型、具有良好光學特性之由PV A系樹脂 層構成之偏光膜爲目的。亦即，專利文獻4揭示之方法， 僅止於針對和偏光膜之PV A系樹脂層同時被施予延伸的聚 酯樹脂薄膜之光學特性加以改善。具有同樣目的之偏光子 用材料之製造方法，亦揭示於特公平8 - 1 22 96號公報（專 利文獻5 )。 -9- 201219914 〔習知技術文獻〕 〔專利文獻〕 專利文獻1 :專利第42 7 9944號公報 專利文獻2 :特開200 1 -3 43 52 1號公報 專利文獻3:特開2003-43257號公報 專利文獻4:美國專利第4659523號說明書 專利文獻5:特公平8-12296號公報 專利文獻6 :特開2002-25 8269號公報 專利文獻7 :特開2004-078143號公報 專利文獻8 :特開2007-171892號公報 專利文獻9 :特開2 0 04 - 3 3 8 3 7 9號公報 專利文獻10:特開2005-248173號公報 專利文獻1 1 :特開2 0 1 1 - 2 7 5 9號公報 〔非專利文獻〕 非專利文獻 1 : 「EKISHO」Vol. 14、No.4 ' 2010、 ??.219〜232「又？〇丨及其在30-1^之應用」，松廣憲治 非專利文獻 2 ： FUJIFILM RESEARCH & DEVELOPMENT (No. 46-2001)，ρρ·51~55， 「富 士薄膜 WVfilm wide view SA之開發」，森裕行他 非專利文獻 3 : SID Digest of Tech. Papers，2000， pp902~905,「Improvement of Transmitted Light Efficiency in SH ·LCDs Using Quarter · Wave Retardati οn Fi 1 ms」，Y. Iwamoto 其他 非專利文獻 4: H.W. Siesler，Adv. Polym. Sci.，65， -10- 201219914 1(1984) 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 在熱可塑性樹脂基材上塗布形成PVA系樹脂層，將該 PV A系樹脂層連同熱可塑性樹脂基材施予延伸而製造偏光 膜之方法，係揭示於專利文獻1〜5爲習知者。但是，主要 爲液晶電視用顯示裝置要求之，能滿足對比1 〇〇〇 : 1以上 、最大亮度500cd/m2以上之光學特性的顯示裝置可以使用 之高機能偏光膜，至目前爲止乃未實現。 本發明目的在於提供光學顯示裝置，其具有和習知偏 光膜比較爲極薄、而且具備必要之光學特性的偏光膜。 (用以解決課題的手段） 本發明人係針對非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，與其 上被塗布形成之PVA系樹脂層構成爲一體，藉由空中補助 延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程進行延伸，以及 藉由對該PVA系樹脂層施予二色性色素之染色處理，而成 功獲得：厚度爲10 μιη以下，以單體透過率T及偏光度P表 示之光學特性能滿足光學顯示裝置所使用之偏光膜之要求 特性’習知不存在的偏光膜，而完成本發明。 本發明人將例如液晶電視等光學顯示裝置所使用之偏 光膜所要求之光學特性，在單體透過率設爲Τ，偏光度設 爲ρ時，係設定成爲以下之式所表示之條件： -11 - 201219914 P> - ( 100 929Τ-4 2 4-1) χίοο (其中，τ<42·3)，及 Ρ 2 99·9 (其中，Τ2 42.3 )。 本發明目的在於提供，使用厚度爲ΙΟμιη以下’單體透 過率Τ及偏光度Ρ所表示之光學特性能滿足上述條件之偏光 膜的光學顯示裝匱。具有此種特性之偏光膜，可以藉由上 述延伸及染色予以製造。 詳言之爲，具備本發明基本構成之光學顯示裝置’其 特徵爲：由二色性物質施予配向的PVA (聚乙烯醇）系樹 脂所構成之，厚度爲ΙΟμηι以下，單體透過率Τ以及偏光度 Ρ所表示之光學特性能滿足以下之式所示條件： Ρ> - ( 100 929Τ·42.4·1) xlOO (其中，Τ<42.3)，及 Ρ 2 99.9 (其中，Τ2 42.3 ) 而構成之第1偏光膜，係在該第1偏光膜之一面介由透 光性之黏著劑層被接合於顯示面板之一面，在該第1偏光 膜之另一面被接合有透明樹脂材料之保護層。該第1偏光 膜，可以藉由空中補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延 伸工程實施延伸而予以製造。 於上述構成之中，光學顯示裝置可以具備：配置於保 護層外側之窗口（window)。另外，可於該保護層與第1 偏光膜之間以及第1偏光膜與顯示面板之間之其中至少一 方配置擴散層。可於第1偏光膜與保護層之間形成容易接 著層，以使該第1偏光膜與該保護層之間之接著變爲容易 。在保護層可形成有防止帶電層。保護層，可藉由1/4波 長相位差膜予以形成。 -12- 201219914 本發明之一態樣中，顯示面板係形成爲液晶顯示面板 ，在該顯示面板之另一面，係介由透光性之黏著劑層，將 和第1偏光膜同一構成之第2偏光膜予以接合。此情況下， 顯示面板可形成爲透過型液晶顯示面板，於該構成，該第 2偏光膜之側係作爲背光側（back light side )使用。另外 ，顯示面板可構成爲反射型液晶顯示面板，此情況下，於 第2偏光膜之外側配置鏡部（mirror)用於使透過液晶顯示 面板之光之其中至少一部分反射。該鏡部可構成爲半鏡（ half mirror)，用於使透過液晶顯示面板之光之其中至少 一部分透過。於該構成中，係以該半鏡挾持於其中而在液 晶顯示裝置之相反側將背光予以配置。另外，於第2偏光 膜，可於顯示面板之相反側之面配置第2保護層。可於該 第2偏光膜與第2保護層之間形成容易接著層，以使該第2 偏光膜與第2保護層之間之接著變爲容易。在第2保護層形 該可成防止帶電層。亦可於第1偏光膜與顯示面板之間、 以及顯示面板與第2偏光膜之間之其中至少一方配置1/4波 長相位差膜。 本發明另一態樣中，顯示面板可構成爲有機EL顯示面 板或反射型液晶顯示面板，於該構成中，可在第1偏光膜 與顯示面板之間配置相位差膜。此情況下，該相位差膜可 構成爲，面內X軸方向及y軸方向之折射率分別設爲nx、ny ’厚度方向之折射率設爲nz時，具有nx>nz>ny之關係之 2軸相位差膜。該相位差腠可構成爲1 /4波長相位差膜。 本發明再另一態樣中，第1偏光膜，係對酯系熱可塑 -13- 201219914 性樹脂材料之基材上施予塗布形成之PVA系樹脂層，連同 該熱可塑性樹脂基材進行延伸而形成者，該透明樹脂材料 之保護層，係設爲由和該PVA系樹脂層同時被延伸之該熱 可塑性樹脂基材予以構成。此情況下，該酯系熱可塑性樹 脂材料可使用非晶性PET。 本發明另一態樣中，透明樹脂材料之保護層，可由纖 維素系材料或丙烯基系樹脂材料構成。 具有第2偏光膜之本發明之一態樣中，該第2偏光膜， 可以設爲對酯系熱可塑性樹脂材料之基材上施予塗布形成 之PV A系樹脂層，連同該熱可塑性樹脂基材進行延伸而形 成者，透明樹脂材料之保護層，可以爲由和該PVA系樹脂 層同時被延伸之該熱可塑性樹脂基材予以構成。該透明樹 脂材料之保護層，可以包含3D電視用顯示裝置所使用之圖 案相位差層。該圖案相位差層之例，可爲例如「EKISHO 」Vol.14、No.4、2010、ρρ·219〜232揭示之松廣憲治發表 之「Xpol及其在3D-TV之應用」（非專利文獻1 )所記載之 相位延遲薄膜（pattern retarder)。 使用透過型液晶顯示面板之態樣中，該透過型液晶顯 示面板可構成爲IPS型液晶顯示面板，於該構成中，在第1 偏光膜與顯示面板之間、以及第2偏光膜與顯示面板之間 之其中至少一方，配置有透光性之黏著劑層及相位差膜。 此情況下，相位差膜可構成爲，面內X軸方向及y軸方向之 折射率分別設爲nx、ny，厚度方向之折射率設爲nz時，具 有nx > nz〉ny之關係之相位差膜。另外，相位差膜可構成 -14- 201219914 爲，面內x軸方向及y軸方向之折射率分別設爲nx、ny，厚 度方向之折射率設爲nz時，具有nx > nz > ny之關係的相位 差膜與具有nx>ny> nz之關係的相位差膜之2層構成。 使用透過型液晶顯示面板之態樣中，該透過型液晶顯 示面板可構成爲VA型液晶顯示面板，於該構成中，在第1 及第2偏光膜之各別與顯示面板之間被配置的相位差膜可 構成爲，面內X軸方向及y軸方向之折射率分別設爲nx、ny ，厚度方向之折射率設爲nz時，係具有nx> ny> nz之關係 者。 使用透過型液晶顯示面板之態樣中，該透過型液晶顯 示面板可構成爲TN型液晶顯示面板，於該構成中，在個別 之偏光膜與顯示面板之間被配置的相位差膜，可構成爲TN 液晶ON (導通）狀態下之視角補償用的傾斜配向相位差 膜。作爲此用途之傾斜配向相位差膜有，例如FUJIFILM RESEARCH & DEVELOPMENT (No. 46-200 1 )，pp.51 〜55 揭 示之森裕行他等發表之「富士薄膜WVfilm wide view SA 之開發」（非專利文獻2 )所記載者。 本發明之光學顯示裝置之另一實施形態中，光學顯示 面板可由反射型液晶顯示面板構成，在第1偏光膜與顯示 面板之間配置有用於使來自該第1偏光膜之偏光轉換爲圓 偏光的相位差膜。 本發明之光學顯示裝置之再另一實施形態中，光學顯 示面板可由透過型液晶顯示面板構成，在第1偏光膜與顯 示面板之間、以及顯示面板與第2偏光膜之間之其中至少 -15- 201219914 一方，可配置用於進行防止內部反射與視角補償之其中至 少一種機能的相位差膜。於該構成中’可在第1偏光膜與 顯示面板之間、以及顯示面板與第2偏光膜之間之其中至 少一方，在顯示面板上配置透光性之黏著劑層而構成。 於本發明之光學顯示裝置中，可配置針對顯示面板由 辨識側具有觸控檢測機能的觸控面板積層體。於該構成中 ，觸控面板積層體可構成爲，施予圖案化之成對之透明電 極介由介電體層被配置而構成之容量型觸控面板。 此情況下，觸控面板積層體，較好是配置於辨識側之 最外構件與偏光膜之間。觸控面板積層體，亦可配置於偏 光膜與顯示面板之間。另外，觸控面板積層體可構成爲，

I 圖案化之透明電極介由空氣間隙而與對向電極呈對向被配 置所構成之電阻膜型觸控面板，於該構成中，觸控面板積 層體，係配置於辨識側最外構件與偏光膜之間、或者第1 偏光膜與顯示面板之間。 【實施方式】 (偏光膜關連之技術背景） 作爲偏光膜之背景技術，以下說明本發明使用之熱可 塑性樹脂基材之材料特性及偏光膜之偏光性能所表示之光 學特性。 首先，槪略說明本發明使用之熱可塑性樹脂之通常之 材料特性。 熱可塑性樹脂大類可以劃分爲高分子具有正確規則配 -16- 201219914 列之結晶狀態者，及高分子不具有正確規則配列、或僅一 部分具有正確規則配列之無定形或非晶質狀態者。前者稱 爲結晶狀態，後者稱爲無定形或非晶狀態。和其對應地， 雖非爲結晶狀態，但具有隨條件變化而可以作成結晶狀態 之性質的熱可塑性樹脂，則被稱爲結晶性樹脂，不具有此 —性質的熱可塑性樹脂則稱爲非晶性樹脂。另外，不論其 是否爲結晶性樹脂或非晶性樹脂，非爲結晶狀態或無法成 爲結晶狀態之樹脂則稱爲非晶質 (amorphous )之樹月旨。 其中’非晶質之用語，係爲了和非晶性（意味著未作成結 晶狀態之性質者）用語之區別而予以使用者。 作爲結晶性樹脂，例如有包含PE (聚乙烯）及PP (聚 丙烯）之烯系樹脂，包含PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯） 及PBT (聚對苯二甲酸丁二醇酯）的酯系樹脂。結晶性樹 脂之特徵之一爲，藉由通常之加熱及/或延伸配向使高分 子配列而促進結晶化之性質。樹脂之物性會對應於結晶化 程度做各種變化。另外，例如PP (聚丙烯）及PET (聚對 苯二甲酸乙二醇酯）等之結晶性樹脂，藉由阻礙加熱處理 或延伸配向引起之高分子配列，亦可以達成結晶化之抑制 。被抑制結晶化的彼等之PP (聚丙烯）及PET (聚對苯二 甲酸乙二醇酯），係分別稱爲非晶性PP (非晶性聚丙烯） 及非晶性PET (非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯），將彼等 總稱爲非晶性烯系樹脂及非晶性酯系樹脂。 例如PP (聚丙烯），藉由設爲無立體規則性之無規則 構造，可以抑制其結晶化而作成爲非晶性PP。另外，例如 -17- 201219914 PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯）之情況下’作爲聚合單體 ，藉由使間苯二甲酸、I，4-環己烷二甲醇等之變性基進行 共聚合、亦即藉由阻礙PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯）之 結晶化的分自共聚合’可以抑制結晶化而作成爲非晶性 PET 〇 以下，槪略說明可以使用於大型顯示元件的偏光膜之 光學特性。 偏光膜之光學特性，簡單言之爲以偏光度P及單體透 過率T表示之偏光性能。通常’偏光膜之偏光度P與單體透 過率T具有取捨之關係。該2個光學特性値可藉由T-P圖表 來表示。於T-P圖表中，被繪製之線處於單體透過率高的 方向，而且越是位於偏光度高的方向，偏光膜之偏光性能 越好。 以下參照如圖3所示T-P圖表’理想之光學特性爲T = 50 %、Ρ = 1 00 %之情況。由圖可知之傾向爲，Τ値低時Ρ値 越容易提升，Τ値越高Ρ値越不容易提升。另外，參照如圖 4所示以透過率Τ與偏光度Ρ之函數表示之偏光膜之偏光性 能，針對偏光膜之單體透過率Τ與偏光度Ρ予以考慮時，可 視爲圖4之線1及線2之更上方之區域所決定之範圍，係滿 足光學顯示裝置必要之「要求性能」者，使用該偏光膜之 顯示裝置，其對比成爲1 000: 1以上、最大亮度成爲 5 OOcd/m2以上。該要求性能可以視爲現在或將來之大型顯 示元件等之偏光膜性能所要求之光學特性。單體透過率T 之理想値雖爲T = 5 0 %，但考慮光透過偏光膜時，出現一 -18- 201219914 部分之光被偏光膜與空氣之界面反射之現象，考慮該反射 現象時，單體透過率T會減少相當於反射量之部分，因此 實際上可達成之τ値之最大値約45〜46%。 另外，偏光度P可轉換爲偏光膜之對比（CR)。例如 99.95%之偏光度P，係相當於偏光膜之對比之2000: 1。 該偏光膜使用於液晶電視用液晶顯示面板之兩側時之顯示 裝置之對比爲1050: 1。其中，顯示裝置之對比之所以低 於偏光膜之對比，係因爲顯示面板內部產生偏光解消。偏 光解消，係指透過背光側（backlight side )之偏光膜之光 在透過格（cell )內部時，光會被彩色濾光片中之顏料、 液晶分子層、TFT (薄膜電晶體）散射及/或反射，一部分 光之偏光狀態產生變化。偏光膜及顯示面板之對比均爲越 大，液晶電視具有越佳之對比，成爲越容易觀看。 但是，偏光膜之對比，係由平行透過率Tp除以正交透 過率Tc之値來定義。相對於此，顯示裝置之對比可由最大 亮度除以最小亮度之値來定義。最小亮度爲黑顯示時之亮 度。假設爲通常之視聽環境之液晶電視時，要求基準爲 0.5 cd/m2以下之最小亮度。大於此之値會導致色再現性之 降低。最大亮度爲白顯示時之亮度。假設爲通常之視聽環 境之液晶電視時，顯示裝置所使用者之最大亮度爲450〜 5 5 0cd/m2之範圍者。低於此則顯示會變暗，而降低液晶電 視之辨識性。 使用大型顯示元件之液晶電視用之顯示裝置所要求之 性能，其對比爲1 〇〇〇 : 1以上，最大亮度爲500cd/m2以上 -19- 201219914 。此可考慮爲顯示裝置之「要求性能」。圖4之線1(Τ< 42.3%)及線2(Τ2 42.3%)，係表示達成該顯示裝置之 要求性能所必要之偏光膜之偏光性能之界限値。此乃依據 如圖5所示背光側與辨識側之偏光膜之組合，經由以下之 模擬而求出之線。 液晶電視用顯不裝置之對比與最大亮度，可以依據光 源（背光）之光量、配置於背光側及辨識側之2個偏光膜 之透過率、液晶顯不面板之透過率、配置於背光側及辨識 側之2個偏光膜之偏光度、以及液晶顯示面板之偏光解消 率而算出》使用通常之液晶電視之光源之光量（10000 cd/m2)、液晶顯示面板之透過率（13%)以及偏光解消 率（0.085 % )之基礎數値，將不同之幾個偏光性能之偏 光膜組合，對應於各組合算出液晶電視用之顯示裝置之對 比及最大亮度，如此而可以導出能滿足要求性能之圖4之 線1及線2。亦即，使用未到達線1及線2之偏光膜時，顯示 裝置之對比將成爲1 000: 1以下，最大亮度會成爲 500cd/m2以下。計算時使用之式如下。 式（1)表示算出顯示裝置之對比之式，式（2)表示 算出顯示裝置之最大亮度之式，式（3)表示算出偏光膜 之二色比之式。 式（1) : CRD=Lmax/Lmin 式（2) : Lmax = ( LBxTp- ( LB/2xk 1 BxDP/1 00 ) /2 x ( klF-k2F ) ) xTcell/100 式（3) : DR = AK2/AKi = log(k2)/log(kl) = log -20- 201219914 (Ts/100x ( l-P/100) /TPva) /l〇g(Ts/100x ( 1 + P/l00 ) /Tpva) 其中，

Lmin = ( LB x Tc- ( LB/2 xklBxDP/100 ) /2 x ( klF- k2F ) ) xTcell/1 00

Tp = ( k1BxklF + k2Bxk2F ) /2xTPVa

Tc = ( klBxk2F + k2BxklF ) /2xTPVa

kl = Ts/lOOx ( 1 + P/l 00 ) /TPVA

k2 = Ts/lOOx ( l-P/100) /TPVA CRD :顯示裝置之對比

Lmax :顯示裝置之最大亮度

Lmin :顯示裝置之最小亮度 DR :偏光膜之二色比

Ts :偏光膜之單體透過率 P :偏光膜之偏光度 kl :第1主透過率 k2 :第2主透過率 k 1 F :辨識側偏光膜之k 1 k2F :辨識側偏光膜之k2 k 1 B :背光側偏光膜之k 1 k2B :背光側偏光膜之k2 Ακι :偏光膜之透過軸方向之吸光度 Ακ2 :偏光膜之吸收軸方向之吸光度 LB :光源之光量（10〇00cd/m2 ) -21 - 201219914

Tc :偏光膜之正交透過率（辨識側偏光板與背光側 偏光板之組合

Tp :偏光膜之平行透過率（辨識側偏光板與背光側 偏光板之組合）

Tcell:格（cell)之透過率（13%) DP :格之偏光解消率（0.085%) TPVA:未吸附碘之PVA薄膜之透過率（0.92) 圖4之線1 ( T< 42.3% )，係藉由圖5之偏光膜3以及 位於所顯示直線上之偏光膜之偏光性能而導出。圖5之偏 光膜3所屬偏光膜之中，座標（Τ、Ρ) = (42.1%、99.96 %)所表示之點D (白圈）之偏光膜D，係將該偏光膜使 用於液晶電視用顯示裝置之背光側及辨識側之兩側時，偏 光性能可以達成要求性能者。 但是，將屬於同一偏光膜3的偏光膜，亦即將位於單 體透過率低（更暗）區域的3個偏光膜Α(Τ=40·6%、Ρ = 99.998 % ) ' Β(Τ=41.1% ' Ρ = 99.994 % )、或 C(T = 41.6%、P = 99.98 % )，使用於背光側及辨識側之兩側時 ，均無法達成所要求之性能。以偏光膜A、B或C作爲背光 側及辨識側之其中一方之偏光膜使用，而欲達成要求之性 能時，例如另一方之偏光膜則需要使用偏光膜4所屬之偏 光膜E、偏光膜5所屬之偏光膜F、或偏光膜7所屬之G等之 ，和偏光膜3比較具有較高之單體透過率，至少偏光度爲 9 9.9%以上之較佳偏光性能之偏光膜。 如圖5所示偏光膜1〜7之偏光性能，係依據式（3 )算 -22- 201219914 出。藉由使用式（3)可由偏光膜之偏光性能之指標的二 色比（DR)算出單體透過率T及偏光度P。二色比係指以 偏光膜之吸收軸方向之吸光度除以透過軸方向之吸光度之 値。該數値越高表示偏光性能越好。例如偏光膜3，被算 出爲具有二色比約94之偏光性能之偏光膜，低於該値之偏 光膜變爲無法滿足所要求之性能。 另外，作爲背光側及辨識側之任一側之偏光膜，而使 用和偏光膜3比較具有較差偏光性能的，例如偏光膜1所屬 之偏光膜Η (41.0%、99.95% )、或偏光膜2所屬之偏光 膜J(42.0%、99.9%)時，由式（1) (2)可知，另一側 之偏光膜需要使用偏光膜6所屬之偏光膜1(43.2%、99.95 % )、或偏光膜7所屬之偏光膜K( 42.0%、99.998%)等 之，和偏光膜3比較具有較佳偏光性能之偏光膜。 欲達成液晶電視用顯示裝置之要求性能時，背光側及 辨識側之任一側之偏光膜之偏光性能至少需要較偏光膜3 更佳。圖4之線1 ( Τ< 42.3% )係表示其下限値。另外， 圖4之線2 (Τ242.3%)係表示偏光度Ρ之下限値。背光側 及辨識側之任一側之偏光膜使用偏光度Ρ爲99.9%以下之 偏光膜時，另一側之偏光膜無論使用偏光性能如何好的偏 光膜均無法達成所要求之性能。 結論，欲達成使用大型顯示元件之液晶電視用顯示裝 置所要求之偏光性能時，較好是使用位於超出線1 ( Τ < 42.3%)及線2(Τ2 42.3%)所表示界限之區域的偏光膜 ，更具體言之爲，使用較偏光膜3具有更加之偏光性能、 -23- 201219914 偏光度爲99.9%以上之偏光膜，此爲較佳條件。 (偏光膜之製造相關之實施例） 作爲本發明之光學顯示裝置使用之偏光膜之實施例， 係如實施例1〜1 8所示》彼等實施例所製造之偏光膜之製 造條件，係如圖27、28所示。另外，作爲對比例而作成參 照例及比較例。圖29之表格係針對第1段之空中高溫延伸 後之實施例1〜18及參照例1〜3之延伸積層體之各個，將 PET樹脂基材之配向函數値予以表示者。 (實施例1 ) 共聚合6m〇I%之間苯二甲酸而製成間苯二甲酸共聚合 聚對苯二甲酸乙二醇酯（以下稱爲（非晶性PET )之連續 網狀物（web )之基材，以其作爲非晶性酯系熱可塑性樹 脂基材。非晶性PET之玻璃轉移溫度爲75 °C。如下製作連 續網狀物之非晶性PET基材與PVA (聚乙烯醇）層構成之 積層體。PVA之玻璃轉移溫度爲80°C。 準備厚度200μιη之非晶性PET基材，以及聚合度1000 以上、皂化度99%以上之PVA粉末溶解於水而成之4〜5重 量％濃度之PVA水溶液。之後，將PVA水溶液塗布於上述 厚度200μιη之非晶性PET基材，於50〜60°C溫度下乾燥， 於非晶性PET基材上製作厚度7μηι之PVA層之膜。以下將其 稱爲「於非晶性PET基材上製作有7μιτι厚度之PVA層的積層 體」，或「包含7μηι厚度之PVA層的積層體」，或簡單稱 -24- 201219914 爲「積層體」。 針對包含7μιη厚度之PVA層的積層體，藉由包含空中 補助延伸與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程的以下工程 ，而製作成爲3μηι厚度之偏光膜。藉由第1段之空中補助延 伸工程，使包含7μιη厚度之PVA層的積層體和非晶性PET基 材一體延伸，而產生包含5μιη厚度之PVA層的延伸積層體 。以下稱其爲「延伸積層體」。具體言之爲，延伸積層體 ，係使包含7 μιη厚度之PV Α層的積層體，架設於設定成爲 130 °C延伸溫度環境之烤爐內配備之延伸裝置，以使延伸 倍率成爲1.8倍的方式朝自由端1軸延伸者。藉由該延伸處 理，使延伸積層體內之PVA層之PVA分子變化爲被配向之 5μηι厚度之PVA層。 之後，藉由染色工程使PVA分子被配向之5μιη厚度之 PV Α層吸附碘而產生著色積層體。以下稱其爲「著色積層 體」。具體言之爲，著色積層體，係使延伸積層體浸漬於 液溫30 °C之包含碘及碘化鉀之染色液中，以最終產生之構 成偏光膜的PVA層之單體透過率成爲40〜44 %的方式，實 施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包含於延伸積層體之 PVA層者。本工程中之染色液，係以水爲溶媒，碘濃度設 爲0.12〜0.30重量％範圍內，'碘化鉀濃度設爲0.7〜2.1重 量％範圍內。碘與碘化鉀之濃度比設爲1: 7。 附帶說明，欲使碘溶解於水時需要碘化鉀。更詳言之 爲，於碘濃度0.30重量％、碘化鉀濃度2.1重量％之染色液 ，將延伸積層體浸漬60秒，使碘吸附於PVA分子施予配向 -25- 201219914 之5μπι厚度之PVA層而成爲著色積層體。於實施例1，藉由 變化延伸積層體浸漬於碘濃度0.30重量％ '碘化鉀濃度2.1 重量％之染色液之時間，以使最終產生之偏光膜之單體透 過率成爲40〜44%的方式，調整碘吸收量，而產生單體透 過率及偏光度設爲不同之各種著色積層體。 另外，藉由第2段之硼酸水中延伸工程，進一步使著 色積層體與非晶性PET基材一體延伸，產生包含用於構成 3μιη厚度之偏光膜的PVA層之光學薄膜積層體。以下稱其 爲「光學薄膜積層體」。具體言之爲，光學薄膜積層體’ 係將著色積層體架設於設定成爲包含硼酸與碘化鉀的液溫 範圍60〜85 °C之硼酸水溶液之處理裝置內所配備之延伸裝 置，以使延伸倍率成爲3.3倍的方式朝自由端1軸延伸者。 更詳言之爲，硼酸水溶液的液溫爲65 °C。另外，對於水 100重量部將硼酸含有量設爲4重量部，對於水1〇〇重量部 將碘化鉀含有量設爲5重量部。 本工程中，首先使調整碘吸收量後之著色積層體浸漬 於硼酸水溶液5〜1 〇秒。之後’使該著色積層體於此狀態 下通過配備於處理裝置之延伸裝置之周速不同的複數組輥 輪間，維持3 0〜9 0秒使延伸倍率成爲3 · 3倍的方式朝自由 端1軸延伸。藉由該延伸處理’含於著色積層體之PVA層 ，其吸附之碘會成爲多碘離子錯合物被高次配向於一方向 而變化爲3μηι厚度之PVA層。該PVA層係構成光學薄膜積 層體之偏光膜。 如上述說明之實施例1 ’首先製成在非晶性PET基材形 -26- 201219914 成有7μιη厚度之PVA層的積層體，對該積層體實施延伸溫 度130 °C之空中補助延伸而產生延伸積層體，之後，藉由 染色工程由延伸積層體產生著色積層體，更進一步對著色 積層體實施延伸溫度65度之硼酸水中延伸，以使總延伸倍 率成爲5.94倍的方式產生包含在非晶性PET基材被一體延 伸之3μπι厚度之PVA層的光學薄膜積層體。藉由該2段延伸 ，製作於非晶性PET基材之PVA層之PVA分子被實施高次 配向，經由染色而吸附之碘會以多碘離子錯合物被高次配 向於一方向而構成偏光膜，產生含有構成該偏光膜之3 μιη 厚度之PVA層的光學薄膜積層體。 雖非爲光學薄膜積層體之製造必要之工程，但可藉由 洗淨工程，將光學薄膜積層體由硼酸水溶液取出，使成膜 於非晶性PET基材的3μιη厚度之PVA層之表面附著的硼酸， 藉由碘化鉀溶液進行洗淨。之後，藉由乾燥工程於60°C溫 風下對洗淨後之光學薄膜積層體實施乾燥。又，洗淨工程· 係爲消除硼酸析出等外觀不良之工程。 之後，藉由貼合及/或轉印工程，在成膜於非晶性PET 基材的3 μιη厚度之PVA層表面塗布接著劑之同時，貼合 80μπι厚度之TAC (三乙酸纖維素類）薄膜之後，剝離非晶 性PET基材，而將3Pm厚度之PVA層轉印至80μιη厚度之 TAC (三乙酸纖維素類）薄膜。 (實施例2 ) 實施例2，係和實施例1同樣，首先，製成在非晶性 -27- 201219914 PET基材成膜有7μιη厚度之PVA層的積層體，之後，對該含 有7 μηι厚度之PVA層的積層體實施空中補助延伸而產生倍 率成爲1.8倍延伸之延伸積層體，之後，使延伸積層體浸 漬於液溫3(TC之包含碘及碘化鉀的染色液，吸收碘而產生 包含PVA層的著色積層體。實施例2係包含和實施例1不同 之以下之架橋工程。其爲使著色積層體浸漬於4(TC之硼酸 架橋水溶液60秒，對吸附碘的PVA層之PVA分子彼此實施 架橋處理之工程》本工程之硼酸架橋水溶液，對於水100 重量部將硼酸含有量設爲3重量部，對於水100重量部將碘 化鉀含有量設爲3重量部。 實施例2之架橋工程，至少達成3種技術作用。第1爲 ，於後續工程之硼酸水中延伸，使著色積層體包含之薄膜 化之PV A層不會被溶解的不溶化作用。第2爲，使著色於 PVA層之碘不會溶出的著色穩定化作用。第3爲，針對PVA 層之分子彼此實施架橋處理，而產生鍵結點的鍵結點產生 作用。 之後，實施例2係使架橋處理後之著色積層體，浸漬 於較實施例1之延伸溫度65 °C高的75 °C之硼酸水中延伸浴 ，和實施例1同樣，使延伸倍率成爲3 .3倍的方式實施延伸 而產生光學薄膜積層體。另外，實施例2之洗淨工程、乾 燥工程、貼合及/或轉印工程均和實施例1同樣。 另外，爲使先於硼酸水中延伸工程之架橋工程所欲獲 得之技術作用更明確’在將實施例1之未實施架橋處理的 著色積層體浸漬於延伸溫度7〇〜75 °C之硼酸水中延伸浴時 -28- 201219914 ，包含於著色積層體之PVA層係於硼酸水中延伸浴被溶解 ，而不會被延伸。 (實施例3 ) 實施例3，係和實施例1同樣，首先，製成在非晶性 PET基材成膜有7μιη厚度之PVA層的積層體，之後，對該含 有7μιη厚度之PVA層的積層體實施空中補助延伸而產生倍 率成爲1 . 8倍延伸之延伸積層體。實施例3係包含和實施例 1不同之以下之不溶化工程。其爲使延伸積層體浸漬於液 溫3 0 °C之硼酸不溶化水溶液3 0秒，對延伸積層體所包含之 PVA分子被配向的PVA層實施不溶化的工程。本工程之硼 酸不溶化水溶液，對於水1〇〇重量部將硼酸含有量設爲3重 量部。實施例3之不溶化工程追求之技術作用在於，至少 於後續工程之染色工程中，使含於延伸積層體之PV A層不 溶解而實施不溶化。 之後，實施例3，係使實施不溶化處理後之延伸積層 體，和實施例1同樣，浸漬於液溫3 0 °C之包含碘及碘化鉀 的染色液，吸收碘而產生包含PVA層的著色積層體。之後 ，使產生之著色積層體，浸漬於和實施例1同樣之延伸溫 度6 5 °C之硼酸水中延伸浴，和實施例1同樣，使延伸倍率 成爲3.3倍的方式實施延伸而產生光學薄膜積層體。另外 ’實施例3之洗淨工程、乾燥工程、貼合及/或轉印工程均 和實施例1同樣。 另外，爲使先於染色工程之不溶化工程所欲獲得之技 -29- 201219914 術作用更明確，首先，對實施例1之未實施不溶化處理的 延伸積層體實施染色處理而產生著色積層體，將產生之著 色積層體浸漬於延伸溫度70〜75 °C之硼酸水中延伸液時， 包含於著色積層體之PVA層，如實施例2所示，係於硼酸 水中延伸液被溶解，而不會被延伸。 之後，以水爲溶媒，取代碘濃度設爲0.30重量％之實 施例1之染色液，改用碘濃度設爲0.12〜0.25重量％，其他 條件不變之染色液，使實施例1之未實施不溶化處理的延 伸積層體浸漬於該染色液時，包含於延伸積層體之PVA層 會被溶解於染色浴，無法實施染色。但是，使用實施例3 之已實施不溶化處理的延伸積層體時，即使染色液之碘濃 度設爲0.12〜0.25重量％時，PVA層亦不會被溶解，而可 以實施對PVA層之染色。 在染色液之碘濃度設爲0.12〜0.25重量％亦可以實施 對PVA層之染色的實施例3，係將延伸積層體對染色液之 浸漬時間設爲一定，使染色液之碘濃度及碘化鉀濃度於實 施例1所示一定範圍內變化，而使最終產生之偏光膜之單 體透過率成爲40〜44%的方式調整碘吸收量’而產生單體 透過率與偏光度設爲不同之各種著色積層體。 (實施例4 ) 實施例4，係藉由在實施例1之製造工程附加實施例3 之不溶化工程及實施例2之架橋工程而成之製造工程來產 生光學薄膜積層體。首先，製成在非晶性PET基材成膜有 -30- 201219914 7μιη厚度之PVA層的積層體，之後，對該含有7μιη厚度之 PVA層的積層體實施空中補助延伸而產生延伸倍率成爲1.8 倍朝自由端1軸延伸之延伸積層體。和實施例3同樣，實施 例4係使產生之延伸積層體浸漬於液溫3 0 °C之硼酸不溶化 水溶液30秒，對延伸積層體所包含之PVA分子被配向的 PVA層實施不溶化的工程。另外，和實施例3同樣，實施 例4，係更進一步使包含不溶化處理後之PV A層的延伸積 層體，浸漬於液溫30°C之包含碘及碘化鉀的染色液，吸收 碘而產生包含PV A層的著色積層體。 和實施例2同樣，實施例4，係藉由架橋工程使產生之 著色積層體浸漬於40°C之硼酸架橋水溶液60秒，對吸附碘 的PVA層之PVA分子彼此實施架橋處理。另外，實施例4更 進一步使架橋處理後之著色積層體，浸漬於較實施例1之 延伸溫度65 °C高的延伸溫度75 °C之硼酸水中延伸液5~ 10秒 ，和實施例2同樣，使延伸倍率成爲3.3倍的方式實施自由 端1軸延伸而產生光學薄膜積層體。另外，實施例4之洗淨 工程、乾燥工程、貼合及/或轉印工程均和實施例1〜3同 樣。 另外，和實施例3同樣，實施例4即使染色液之碘濃度 設爲0.12〜0.25重量％時，PVA層亦不會溶解。於實施例4 ，係將延伸積層體對染色液之浸漬時間設爲一定，使染色 液之碘濃度及碘化鉀濃度於實施例1所示一定範圍內變化 ，而使最終產生之偏光膜之單體透過率成爲40〜44%的方 式調整碘吸收量’而產生單體透過率與偏光度設爲不同之 -31 - 201219914 各種著色積層體。 如上述說明，實施例4，係首先製成在非晶性PET基材 成膜有7μιη厚度之PVA層的積層體，之後，對該含有7μιη 厚度之PVA層的積層體實施空中補助延伸，而產生延伸倍 率成爲1.8倍朝自由端1軸延伸之延伸積層體。使產生之延 伸積層體浸漬於液溫30°C之硼酸不溶化水溶液30秒，對延 伸積層體所包含之PVA層實施不溶化處理。使包含不溶化 處理後之PVA層的延伸積層體，浸漬於液溫30t之包含碘 及碘化鉀的染色液，於不溶化之PVA層吸收碘而產生著色 積層體。使包含吸收碘之PV A層的著色積層體，浸漬於40 °C之硼酸架橋水溶液中60秒，對吸附碘的PVA層之PVA分 子彼此實施架橋處理。使包含架橋處理後之PVA層的著色 積層體，浸漬於包含硼酸及碘化鉀的液溫75 °C之硼酸水中 延伸液中5〜1 0秒，之後，藉由硼酸水中延伸使倍率成爲 3.3倍朝自由端1軸延伸而產生光學薄膜積層體。 如上述說明，實施例4，係藉由空中高溫延伸及硼酸 水中延伸之2段延伸，以及先於染色浴之浸漬之不溶化及 先於硼酸水中延伸的架橋構成之前處理，使成膜於非晶性 PET基材之PVA層之PVA分子實施高次配向，使經由染色 而確實吸附於PVA分子的碘成爲多碘離子錯合物被高次配 向於一方向而變化爲3μιη厚度之PVA層，該PVA層係構成 光學薄膜積層體之偏光膜，可以穩定產生光學薄膜積層體 •32- 201219914 (實施例5 ) 除以下差異以外’實施例5係和實施例4同樣條件下製 造之光學薄膜積層體。差異在於成膜於非晶性PET基材之 PVA層之厚度。於實施例4’係由7μιη厚度之PVA層，獲得 最終包含於光學薄膜積層體之PVA層爲3μιη厚度。相對於 此，實施例5，係由12 μηι厚度之PV Α層，獲得最終包含於 光學薄膜積層體之PVA層爲5μιη厚度。 (實施例6 ) 除以下差異以外’實施例6係和實施例4同樣條件下製 造之光學薄膜積層體。差異在於非晶性PET基材使用之聚 合單體。於實施例4，係使用間苯二甲酸共聚合於PET的非 晶性PET基材。相對於此，於實施例6，係使用變性基之 1，4-環己烷二甲醇共聚合於PET的非晶性PET基材。 (實施例7 ) 除以下差異以外，實施例7係和實施例4同樣條件下製 造之光學薄膜積層體。差異在於：以使總延伸倍率成爲6 倍或接近6倍之値的方式，分別變化空中補助延伸與硼酸 水中延伸之個別之延伸倍率。於實施例4，係將空中補助 延伸與硼酸水中延伸之個別之延伸倍率設爲1.8倍及3. 3倍 。相對於此，於實施例7，係將個別之延伸倍率設爲1 .2倍 及4.9倍。但是實施例4之總延伸倍率爲5.94倍，相對於此 ，實施例7之總延伸倍率爲5.8 8倍。此乃因爲，於硼酸水 -33- 201219914 中延伸，延伸倍率無設爲4·9倍以上之延伸。 (實施例8 ) 除以下差異以外，實施例8係和實施例4同-條件下製 造之光學薄膜積層體。差異在於：以使總延伸倍率成爲6 倍的方式’分別變化空中補助延伸與硼酸水中延伸之個別 之延伸倍率。於實施例8，係將個別之延伸倍率設爲1 .5倍 及4.0倍。 (實施例9 ) 除以下差異以外，實施例9係和實施例4同樣條件下製 造之光學薄膜積層體。差異在於：以使總延伸倍率成爲6 倍的方式，分別變化空中補助延伸與硼酸水中延伸之個別 之延伸倍率。於實施例9，係將個別之延伸倍率設爲2.5倍 及2.4倍。 (實施例1 〇 ) 除以下差異以外，實施例10係和實施例4同樣條件下 製造之光學薄膜積層體。差異在於：於實施例4將空中補 助延伸之延伸溫度設爲1 3 0 °C。相對於此，於實施例1 0， 係將空中補助延伸之延伸溫度設爲9 5 °C。 (實施例11 ) 除以下差異以外，實施例1 1係和實施例4同樣條件下 -34- 201219914 製造之光學薄膜積層體。差異在於：於實施例4將空中補 助延伸之延伸溫度設爲130C。相對於此，於實施例I!， 係將空中補助延伸之延伸溫度設爲1〖Ot。 (實施例1 2 ) 除以下差異以外，實施例1 2係和實施例4同樣條件下 製造之光學薄膜積層體。差異在於：於實施例4將空中補 助延伸之延伸溫度設爲1 3 0 °C。相對於此，於實施例1 2， 係將空中補助延伸之延伸溫度設爲15〇。(：。 (實施例1 3 ) 除以下差異以外’實施例1 3係和實施例4同樣條件下 製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸 倍率設爲1 . 8倍’硼酸水中延伸之延伸倍率設爲2 · 8倍。於 實施例4將總延伸倍率設爲約6倍（正確言之爲5.9 4倍）， 相對於此’於實施例1 3，藉此而將總延伸倍率設爲約5倍 (正確言之爲5.04倍）。 (實施例1 4 ) 除以下差異以外，實施例14係和實施例4同樣條件下 製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸 倍率設爲1 · 8倍，硼酸水中延伸之延伸倍率設爲3 .1倍。於 實施例4將總延伸倍率設爲約6倍（正確言之爲5.94倍）， 相對於此，於實施例1 4，藉此而將總延伸倍率設爲約5 . 5 -35- 201219914 倍（正確言之爲5.58倍）。 (實施例1 5 ) 除以下差異以外，實施例1 5係和實施例4同樣條件下 製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸 倍率設爲1.8倍，硼酸水中延伸之延伸倍率變化爲3.6倍。 於實施例4將總延伸倍率設爲約6倍（正確言之爲5.94倍） ，相對於此，於實施例1 5，藉此而將總延伸倍率設爲約 6_5倍（正確言之爲6.48倍）。

I (實施例1 6 ) 除以下差異以外，實施例1 6係和實施例4同樣條件下 製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸 方法。於實施例4，係藉由空中補助延伸使延伸倍率成爲 1.8倍的方式實施自由端1軸延伸。相對於此，於實施例16 ，係藉由空中補助延伸使延伸倍率成爲1.8倍的方式實施 固定端1軸延伸。 (實施例1 7 ) 除以下差異以外，實施例1 7係和實施例1 6同樣條件下 製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸 倍率設爲1.8倍，硼酸水中延伸之延伸倍率變化爲3.9倍。 於實施例16將總延伸倍率設爲約6倍（正確言之爲5.94倍 )，相對於此，於實施例1 7，藉此而將總延伸倍率設爲約 -36- 201219914 7倍（正確言之爲7.〇2倍）。 (實施例1 8 ) 除以下差異以外，實施例1 8係和實施例1 6同樣條件下 製造之光學薄膜積層體。差異在於：空中補助延伸之延伸 倍率設爲1 . 8倍，硼酸水中延伸之延伸倍率變化爲4.4倍。 於實施例16將總延伸倍率設爲約6倍（正確言之爲5.94倍 )，相對於此，於實施例1 8，藉此而將總延伸倍率設爲約 8倍（正確言之爲7.92倍）。 (比較例1 ) 比較例1，係在和實施例4同樣條件下，在200μιη厚度 之非晶性PET基材塗布PVA水溶液、乾燥，而製成在非晶 性PET基材成膜有7μιη厚度之PVA層的積層體。之後，藉由 延伸溫度設爲130°C之空中高溫延伸，對含有7μιη厚度之 PVΑ層的積層體，以使延伸倍率成爲4.0倍的方式實施自由 端1軸延伸而產生延伸積層體。藉由該延伸處理，包含於 延伸積層體之PVA層會變化爲PVA分子被施予配向之3.5μιη 厚度Ρ V Α層。 之後，延伸積層體被施予染色處理，使PVA分子被配 向之3.5 μιη厚度之PV A層吸附碘而產生著色積層體。具體 言之爲，著色積層體，係針對延伸積層體，在液溫30 °C之 包含碘及碘化鉀之染色液，以最終產生之構成偏光膜的 PVA層之單體透過率成爲40〜44%的方式，實施任意時間 -37- 201219914 之浸漬，而使碘被吸附於包含於延伸積層體之PV A層者。 如上述說明，調整PVA分子被配向之PVA層之碘吸附量， 可產生具有不同單體透過率與偏光度之著色積層體。 另外，著色積層體被施予架橋處理。具體言之爲.，使 著色積層體浸漬於液溫40°C、硼酸對水100重量部成爲3重 量部、碘化鉀對水1〇〇重量部成爲3重量部之硼酸架橋水溶 液中60秒，而對著色積層體實施架橋處理。比較例1之中 ，被施予架橋處理的著色積層體，係相當於實施例4之光 學薄膜積層體。因此，洗淨工程、乾燥工程、貼合及/或 轉印工程均和實施例4同樣。 (比較例2 ) 比較例2，係使比較例1之延伸積層體在和比較例1同 樣條件下，以使延伸倍率成爲4.5倍、5.0倍、6.0倍的方式 實施延伸而產生延伸積層體。比較表係表示包含比較例1 及比較例2之200μπι厚度之非晶性PET基材及在非晶性PET 基材成膜之PVA層所發生之現象。由此可知，延伸溫度 1 3 0 °C之空中高溫延伸之延伸倍率4 · 0倍爲其限度。 (延伸相關之技術背景） 圖18〜22均爲依據實驗予以表示者。首先，參照圖18 ，圖18爲依據實驗將結晶性PET與非晶性PET與PVA系樹脂 之個別之延伸溫度與延伸可能倍率之相關關係予以表示之 圖。 -38- 201219914 圖1 8之粗線表示伴隨延伸溫度之變化引起之非晶性 PET之延伸可能倍率之變化。非晶性PET之Tg約75 °C ’在 其以下之溫度無法延伸。由圖可知，實施空中高溫之自由 端1軸延伸時在越過約°C之點可以延伸至7.0倍以上。 另外，圖1 8之細線表示伴隨延伸溫度之變化引起之結晶性 PET之延伸可能倍率之變化。結晶性PET之Tg約80°C ’在 其以下之溫度無法延伸。 參照圖19，圖19表示PET之Tg與融點Tm間之溫度變化 伴隨產生之結晶性PET及非晶性PET之個別之結晶化速度 之變化之圖表。由圖19可知，處於80 °C〜11〇 °C前後之非 晶質狀態的結晶性PET，係於120 °C前後急速變爲結晶化。 另外，由圖18可知，結晶性PET之空中高溫之自由端1 軸延伸之延伸可能倍率之上限爲4.5〜5.5倍。而且可適用 之延伸溫度相當限定，在約90°C〜約1 10°C爲止之範圍。 圖29係以參照例1〜3表示使用結晶性PET進行空中高 溫之自由端1軸延伸之例。彼等均爲針對在厚度200 μιη之結 晶性PET基材形成有7μιη厚度之PVA層的積層體，實施空中 高溫延伸而產生之3.3 μιη厚度之偏光膜。個別之延伸溫度 存在差異，參照例1之延伸溫度爲1 1 〇 °C，參照例2之延伸 溫度爲l〇〇°C，參照例3之延伸溫度爲9(TC。應注意者爲延 伸可能倍率。參照例1之延伸倍率之界限爲4.0倍，參照例 2及3之界限爲4.5倍。最後積層體本身會破斷導致跨越彼 等之延伸處理變爲不可能。但是，結果並無法否定被成膜 於結晶性PET基材之PVA系樹脂層本身之延伸可能倍率受 -39- 201219914 到影響之可能性。 參照圖18，圖18之虛線表示PVA系樹脂所屬PVA之延 伸可能倍率。PVA系樹脂之Tg爲75〜80°C，在其以下無法 實施PVA系樹脂構成之單層體之延伸。由圖18可知’實施 空中高溫之自由端1軸延伸時，PV A系樹脂構成之單層體 之延伸可能倍率以5.0倍爲界限。本發明人據此而可以確 定以下實情。亦即，由結晶性PET及PVA系樹脂之個別之 延伸溫度與延伸可能倍率之關係可知’含有被成膜於結晶 性PET基材之PVA系樹脂層的積層體，其之空中高溫之自 由端1軸延伸之延伸可能倍率，在9 〇〜1 1 0 °C之延伸溫度範 圍內係以4.0〜5.0倍爲界限。 以下，參照以下之表1之比較例1及2，說明於非晶性 PET基材上塗布形成有PVA系樹脂層的積層體，於空中高 溫基礎下實施自由端1軸延伸之事例。於非晶性PET基材， 延伸溫度無界限。比較例1，係針對含有被成膜於2〇〇μηι厚 度之非晶性PET基材之7μιη厚度之PVA系樹脂層的積層體， 實施延伸溫度設爲130 °C之空中高溫之自由端1軸延伸而產 生之偏光膜。此時之延伸倍率爲4.0倍。 參照表1，比較例2係和比較例1同樣’針對被成膜於 200μιη厚度之非晶性PET基材之7μηι厚度之PVA系樹脂層， 以延伸倍率成爲4.5倍、5.0倍、6 · 0倍而分別實施延伸而產 生之偏光膜。如表1所示’於任一比較例’於非晶性PET基 材之薄膜面內產生延伸之不均勻性’產生破斷，另外，在 延伸倍率爲4.5倍時PV A系樹脂層產生破斷。由此可以確認 -40- 201219914 ’延伸溫度設爲130 °C之空中高溫延伸之PVA系樹脂層之 延伸倍率之界限爲4.0倍。 〔表1〕 比較表 延伸溫度 130°C 延伸倍率 延伸薄 m 非晶性PET基材 (間苯二甲酸共聚合PET) PVA系樹脂層與非晶性 PET某材之積層體 比較例1 4.0倍 〇 無破斷，可以均勻延伸 〇 無破斷，可以均勻延伸_ 比較例2 4.5倍 Δ 無破斷，但存在延伸不均勻性 X PVA系樹脂層與非晶性 PET基材呈一體破斷 5.0倍 Δ 無破斷，但存在延伸不均勻性 未確認 6.0倍 X 破斷 未確認 參照例1〜3均爲延伸溫度雖有差異，但針對在結晶性 PET基材被成膜有PVA系樹脂層的積層體，實施4.0〜4.5倍 延伸處理使PVA分子配向而產生之薄膜化之PV A系樹脂層 ，於該PVA系樹脂層吸附碘而產生之著色積層體者。具體 言之爲，針對延伸積層體，在液溫30 °C之包含碘及碘化鉀 之染色液，以最終產生之構成偏光膜的PV A系樹脂層之單 體透過率成爲40〜44%的方式，實施任意時間之浸漬，而 使碘被吸附於包含於延伸積層體之PVA系樹脂層。另外， 藉由調整薄膜化之PVA系樹脂層之碘吸收量，可以產生單 體透過率T及偏光度P設爲不同之各種偏光膜。 -41 - 201219914 參照圖26，圖26之線1及線2，係界定本發明之光學顯 示裝置所使用之偏光膜要求之光學特性的線，偏光度P與 透過率T之關係位於較彼等線1、2更上方之偏光膜爲可以 滿足所要求之光學特性。於圖26係對比於彼等線1、2而表 示參照例1〜3之偏光膜之光學特性。由圖可知，參照例1 〜3之偏光膜均未滿足所要求之光學特性。其原因可以推 斷爲，被成膜於結晶性PET基材之PVA系樹脂層，被實施 空中高溫延伸時PVA分子雖產生某種程度之配向，但是反 面爲空中高溫延伸會促進PVA分子之結晶化，阻礙非晶部 分之配向。 又，本發明人在本發明之前，開發出 PCT/JP2 0 1 0/00 1 46 0相關之國際申請所揭示之偏光膜及其 製造方法。此乃依據水之可塑性機能之發現，而實現在Tg 以下之延伸溫度下，亦可以針對含有被成膜於PET基材之 PV A系樹脂層的積層體實施延伸者。於此將藉由該方法製 造之偏光膜之一例設爲比較例3。依據該方法，含有被成 膜於PET基材之PVA系樹脂層的積層體，其之延伸倍率可 以延伸至5.0倍。 之後，本發明人繼續深入硏究而確認延伸倍率之界限 爲5.0倍之原因乃由於PET基材爲結晶性PET所引起者。含 有被成膜於PET基材之PVA系樹脂層的積層體，欲於Tg以 下之硼酸水溶液實施延伸時，不論PET基材爲結晶性或非 晶性對於延伸作用均不會有大的影響，此雖有所認識，但 是使用非晶性PET時，發現積層體可以實施延伸倍率至5.5 -42- 201219914 倍之延伸。此情況下，使用非晶性P E T作爲基材，利用和 比較例3所示偏光膜之製造方法同樣方法時，延伸倍率之 界限成爲5.5倍之原因，可以推斷爲非晶性ρ Ε Τ基材對延伸 倍率之界限帶來影響。 關於比較例1製成單體透過率Τ與偏光度Ρ設爲不同之 各種偏光膜。於圖26，除參照例1〜3以外，亦表示彼等之 光學特性。 圖2 0表示本發明人依據此一硏究結果推想獲得之，本 發明之2段延伸中之空中高溫延伸之延伸倍率與總合延伸 倍率（以下稱爲「總延伸倍率」）之關係。橫軸表示自由 端1軸延伸之延伸溫度設爲130 °C之空中延伸的延伸倍率。 縱軸之總延伸倍率爲，藉由以下所述包含自由端1軸空中 高溫延伸的2階段延處理，以空中高溫延伸前之長度（原 來長度）爲1時，原來長度最終被延伸幾倍而予以表示者 。例如延伸溫度設爲1 3 0 °C之空中高溫延伸的延伸倍率爲2 倍，之後之延伸倍率爲3倍時，總延伸倍率成爲6倍（2x3 =6 )。接續空中高溫延伸的第2段之延伸工程，係延伸溫 度設爲65 °C之硼酸水溶液中之自由端1軸延伸（以下稱浸 漬於硼酸水溶液而進行之延伸處理爲「硼酸水中延伸」） 。藉由組合該2種延伸方法，可獲得圖20所示結果。 圖20之實線表示非晶性PET之延伸可能倍率。在不實 施空中高溫延伸，直接進行硼酸水中延伸時，亦即空中高 溫延伸之倍率爲1倍時，非晶性PET之總延伸倍率之界限爲 5.5倍。欲進行其以上之延伸時非晶性PET會產生破斷。但 -43- 201219914 是，該値相當於非晶性PET之最小延伸倍率。在空中高溫 延伸時之延伸倍率越大時，非晶性PET之總延伸倍率變爲 越大，延伸可能倍率將大於1 0倍。 相對於此，圖20之虛線表示被成膜於非晶性PET基材 之PVA系樹脂層之延伸可能倍率。在不實施空中高溫延伸 ，直接進行硼酸水中延伸時，PVA系樹脂層之總延伸倍率 爲最大倍率之7倍。但是，空中高溫延伸時之延伸倍率越 大時，PVA系樹脂層之總延伸倍率變小，在空中高溫延伸 時之延伸倍率爲3倍之時點，PV A系樹脂層之總延伸倍率 下降爲6倍。PVA系樹脂層之總延伸倍率設爲6倍時，PV A 系樹脂層會產生破斷。由圖20可知，含有被成膜於非晶性 PET基材之PVA系樹脂層的積層體，其無法延伸之理由在 於，對應於空中高溫之延伸倍率之變大，而由非晶性PET 基材引起者轉移至由PVA系樹脂層引起者。因此，PVA之 空中延伸倍率爲4倍爲止，其以上之延伸變爲不可能。該 倍率可以推斷爲相當於PVA之總延伸倍率。 參照圖21，圖21表示針對結晶性PET與非晶性PET與 PVA系樹脂，進行空中高溫延伸與硼酸水中延伸之2段延 伸時之，總延伸可能倍率與空中高溫延伸之延伸溫度之關 係，係依據實驗資料予以描繪者》圖1 8表示針對結晶性 PET與非晶性PET與PVA系樹脂，橫軸取空中高溫延伸之延 伸溫度，縱軸取空中高溫延伸之延伸可能倍率予以表示者 。圖21之和圖18之差異在於，橫軸取2倍之空中高溫延伸 時之延伸溫度，縱軸取空中高溫延伸以及硼酸水中延伸之 -44- 201219914 總延伸可能倍率而予以表示。 本發明使用之偏光膜之製造方法，如後述說明，係由 空中高溫延伸與硼酸水中延伸之2階段延伸工程之組合構 成。2階段延伸工程之組合，並非單純可以想到者。本發 明人係經由長期間銳意硏究結果發現，藉由該組合可以同 時解決以下所述2個技術課題，而達成驚人之結果。藉由 在熱可塑性樹脂基材形成PV A系樹脂層進行延伸及染色而 嘗試製造偏光膜時，存在至目前爲止乃無法解決之2個技 術課題》 第1技術課題爲，在PVA系樹脂之配向性提升上具有 影響的延伸倍率以及延伸溫度，係大大受到其上被成膜有 PV A系樹脂之熱可塑性樹脂基材之限制。 第2技術課題爲，即使克服延伸倍率及延伸溫度之限 制問題，就作爲PVA系樹脂及熱可塑性樹脂基材被使用之 PET等而言，其之結晶性樹脂之結晶化與延伸可能性爲對 立之物性，因此PVA系樹脂之延伸會受限於PVA系樹脂之 結晶化。 第1技術課題爲如下。·使用熱可塑性樹脂基材製造偏 光膜時之限制，係如圖1 8所示’由延伸溫度爲PVA系樹脂 之Tg (約75〜80°C )以上，延伸倍率爲4.5〜5.0倍之PVA 系樹脂之特性引起者。使用結晶性PET作爲熱可塑性樹脂 基材時延伸溫度更進一步限定於90〜110 °C。藉由積層體 之空中高溫延伸，而使該積層體包含之形成於熱可塑性樹 脂基材的PV A系樹脂層薄膜化而製成偏光膜時’亦難逃此 -45- 201219914 一限制。 因此，本發明人著眼於水之可塑性機能，而揭示可以 取代空中高溫延伸之硼酸水中延伸方法。但是，即使是延 伸溫度爲60〜85 °C之硼酸水中延伸，使用結晶性PET時其 延伸倍率之界限爲5.0倍，使用非晶性P E T時延伸倍率之界 限爲5.5倍等亦難逃熱可塑性樹脂基材引起之限制。因此 ，PVA分子之配向性提升受到限制，薄膜化之偏光膜之光 學特性亦受到限制。此乃第1技術課題。 第1技術課題之解決手段可藉由圖22來說明。圖22係 由2個關連圖構成。一個爲表示作爲熱可塑性樹脂基材使 用之PET之配向性之圖，另一個爲表示PET之結晶化度之 圖。任一圖中橫軸均表示空中高溫延伸與硼酸水中延伸之 總延伸倍率。圖22之虛線表示硼酸水中延伸單獨之總延伸 倍率。不論是結晶性或非晶性，PET之結晶化度會在延伸 倍率4〜5倍之處急速上升。因此，即使適用硼酸水中延伸 之情況下，延伸倍率之界限亦爲5倍或5.5倍。於此，配向 性成爲上限，延伸張力急速上升。結果，成爲無法延伸。 相對於此，圖2 2之實線表示，延伸溫度1 1 0 °C、延伸 倍率成爲2倍而實施空中高溫之自由端1軸延伸，之後進行 延伸溫度65 °C之硼酸水中延伸之結果。不論是結晶性或非 晶性，PET之結晶化度均和硼酸水中延伸單獨之情況不同 ，不會發生急速上升。結果’總延伸可能倍率可以提高至 7倍。於此，配向性成爲上限’延伸張力急速上升。此乃 由圖21所確認之採用空中高溫之自由端1軸延伸作爲第1段 -46 - 201219914 延伸之方法之結果。相對於此，如後述說明，延伸時採用 限制和延伸方向呈直角方向之收縮的所謂固定端1軸延伸 法的空中高溫延伸時，總延伸可能倍率可設爲8 · 5倍。 由圖22之作爲熱可塑性樹脂基材所採用之pet之配向 性與結晶化度之關係，可以確認藉由空中高溫延伸之補助 延伸’則不論是結.晶性或非晶性，均可以抑制PET之結晶 化。但是’參照補助延伸溫度與PET之配向性之關係圖（ 圖23 )時可知，使用結晶性pet作爲熱可塑性樹脂基材時 ’補助延伸後之結晶性PET之PET之配向性，在9(TC爲0.30 以上' 100 °C爲0.20以上、110 °C爲0.10以上。PET之配向 性成爲0.10以上時，於硼酸水溶液中延伸之第2段延伸中 ’延伸張力會上升，施加於延伸裝置之負荷變大，製造條 件不好。圖23表示使用非晶性PET作爲熱可塑性樹脂基材 之較佳者，另外，更好是配向函數爲0. 1 0以下之非晶性 PET ’再更好是配向函數爲〇.05以下之非晶性PET。 圖23表示實施1.8倍之空中高溫延伸時空中延伸溫度 與作爲熱可塑性樹脂基材而使用之PET之配向函數之關係 之實驗資料。由圖23可知，硼酸水溶液中可以高倍率實施 延伸積層體之延伸的配向函數爲0.10以下之PET，乃非晶 性PET。特別是配向函數爲〇.〇5以下時，在硼酸水溶液中 之第2段延伸時，延伸張力上升等對延伸裝置施加大負荷 之情況不存在，可以實施穩定、高倍率之延伸。此點亦可 由圖29之實施例1〜18及參照例1〜3之例之配向函數値容 易理解。 -47- 201219914 藉由解決第1技術課題，可以消除PET基材引起之延伸 倍率之限制，可將總延伸設爲高倍率化，可提升PVA系樹 脂之配向性。如此則，可以更進一步改善偏光膜之光學特 性。另外，本發明人所達成之光學特性之改善不僅止於此 ，其可藉由解決第2技術課題予以達成。 第2技術課題如下。作爲PV A系樹脂或熱可塑性樹脂 基材之PET等之結晶性樹脂之特徵之一爲，通常具有藉由 加熱或延伸配向可使高分子配列而促進結晶化之性質。 PVA系樹脂之延伸，會受到結晶性樹脂之PVA系樹脂之結 晶化之限制。結晶化與延伸可能性爲對立之物性，PVA系 樹脂之結晶化進展會阻礙PVA系樹脂之配向性，此乃通常 之認識。此爲該第2技術課題。解決該第2技術課題之手段 ，可由圖24來說明。圖24係以實線及虛線表示依據2個實 驗結果算出之PVA系樹脂之結晶化度與PVA系樹脂之配向 函數之關係。 圖24之實線係表示以下試料之PVA系樹脂之結晶化度 與PV A系樹脂之配向函數之關係。首先，於同一條件下， 製成6個含有被成膜於非晶性PET基材之PVA系樹脂層的積 層體作爲試料。將準備之6個含有PVA系樹脂層的積層體 ，分別於不同延伸溫度8 0 °C、9 5 °C、1 1 〇 °C、1 3 0 °C、1 5 0 t：及170 °C下，以成爲同一延伸倍率1.8倍的方式實施空中 高溫延伸之延伸，而產生含有PVA系樹脂層的延伸積層體 。如上述說明，針對產生之個別之延伸積層體所包含之 PVA系樹脂層之結晶化度與PVA系樹脂之配向函數予以測 -48- 201219914 定、解析。測定方法及解析方法如後述說明。 和實線同樣，圖24之虛線係表示以下試料之PVA系樹 脂之結晶化度與PVA系樹脂之配向函數之關係。首先，於 同一條件下，製成6個含有被成膜於非晶性PET基材之PVA 系樹脂層的積層體作爲試料。將準備之6個含有PVA系樹 脂層的積層體，分別以成爲不同延伸倍率1.2倍、1.8倍、 2.2倍、2.5倍、及3.0倍的方式，於同一延伸溫度130°C下 實施空中高溫延伸之延伸，而產生含有PVA系樹脂層的延 伸積層體。藉由後述方法，針對產生之個別之延伸積層體 所包含之PVA系樹脂層之結晶化度與PVA系樹脂之配向函 數予以測定、解析。 由圖24之實線可知，空中高溫延伸之延伸溫度較高者 ，延伸積層體所包含之PV A系樹脂層之配向性可以提升。 另外，由圖24之虛線可知，空中高溫延伸之延伸倍率設爲 高倍率者，延伸積層體所包含之PVA系樹脂層之配向性可 以提升。於第2段之硼酸水中延伸前，提升PV A系樹脂之 配向性，亦即提高PV A系樹脂之結晶化度，如此則，硼酸 水中延伸後之PVA系樹脂之配向性亦變高。另外，PVA系 樹脂之配向性之變高，導致多碘離子（polyiodide ion)之 配向性亦變高，此由如後述說明之T -P圖表亦可確認。 藉由設定第1段之空中高溫延伸之延伸溫度爲較高， 或藉由設定延伸倍率爲更高倍率，如此則，第2段之硼酸 水中延伸所產生之PVA系樹脂層之PVA分子之配向性，可 以更提高，可以達成非預期性之極佳效果。 -49- 201219914 參照圖24所示PVA系樹脂之結晶化度（橫軸）。在浸 漬於對含有PV A系樹脂層之延伸積層體實施染色用水溶液 之著色工程中，欲於PV A系樹脂層不被溶解之狀態下產生 著色積層體，較好是至少設定PV A系樹脂層之結晶化度成 爲27 %以上。如此則，可以在不溶解PVA系樹脂層之情況 下，進行PVA系樹脂層之染色。另外，藉由設定PVA系樹 脂層之結晶化度成爲30%以上，可以將硼酸水溶液中之延 伸溫度設爲更高溫，如此則，可進行著色積層體之穩定之 延伸，可以穩定製作偏光膜。 另外，設定PVA系樹脂層之結晶化度成爲37%以上時 ，染色性變低、染色濃度必須增加，使用材料亦隨之增加 ，染色時間加長，生產性降低之可能性存在。另外，設定 PV A系樹脂層之結晶化度成爲40%以上時，硼酸水溶液中 之延伸處理時PVA系樹脂層破斷之可能性存在。因此， PVA系樹脂層之結晶化度較好是設爲27%以上、40%以下 ，更好是設爲30%以上、37%以下。 接著，參照圖24之PV A系樹脂層之配向函數（縱軸） 。欲使用非晶性PET之樹脂基材製作高機能偏光膜時’較 好是至少PVA系樹脂層之配向函數爲0.05以上。另外’ PVA系樹脂層之配向性爲0.15以上時，可以降低對包含 PV A系樹脂層之著色積層體實施硼酸水溶液中之延伸倍率 。如此則，可以製作更廣範圍之偏光膜。 另外，PVA系樹脂層之配向函數成爲0.30以上時，染 色性變低、染色濃度必須增加，使用材料亦隨之增加’染 -50- 201219914 色時間加長，生產性降低之可能性存在。另外，設定PVA 系樹脂層之配向函數成爲0.3 5以上時，硼酸水溶液中之延 伸處理時PVA系樹脂層破斷之可能性存在。因此，PV A系 樹脂層之配向函數較好是設爲〇.〇5以上、0.3 5以下，更好 是設爲0.15以上、0.30以下。 第1技術課題之解決之解決手段，係針對含有被成膜 於非晶性PET基材之PVA系樹脂層的積層體，事先藉由第1 段之空中高溫延伸實施預備性或補助性延伸，藉由第2段 之硼酸水中延伸而可以不受限於非晶性PET基材之延伸倍 率，對PVA系樹脂層進行高倍率之延伸，如此則，可以充 分提升PVA之配向性者。 第2技術課題之解決之解決手段，係事先將第1段之空 中高溫延伸之延伸溫度設爲較預備性或補助性爲高溫，或 者將延伸倍率設爲較預備性或補助性爲高倍率，如此則， 可以達成更進一步提升第2段之硼酸水中延伸所產生之 PVA系樹脂層之PVA分子之配向性，可以達成非預期性之 效果。無論哪一情況下，均可將第1段之空中高溫延伸視 爲第2段之硼酸水中延伸之預備性或補助性的空中延伸手 段。以下將「第1段之空中高溫延伸」和第2段之硼酸水中 延伸進行對比而稱爲「空中補助延伸」。 進行「空中補助延伸」之特別是第2技術課題之解決 機制’可以推斷爲如下。空中補助延伸設爲越高溫或高倍 率時’如圖24所確認，空中補助延伸後之PVA系樹脂之配 向性會提升。主要原因可推斷爲，越高溫或高倍率時，促 -51 - 201219914 進PV A系樹脂之結晶化之同時予以延伸，一部分出現架橋 點之同時被實施延伸。結果，PVA系樹脂之配向性會提升 。可以推斷出事先在硼酸水中延伸前藉由空中補助延伸來 提升PV A系樹脂之配向性，如此則，浸漬於硼酸水溶液時 ，硼酸容易和PVA系樹脂產生架橋反應，硼酸成爲鍵結點 並被實施延伸。結果，硼酸水中延伸後PV A系樹脂之配向 性亦變高。 總合以上可知，藉由進行空中補助延伸與硼酸水中延 伸構成之2段延伸工程進行延伸時，獲得之偏光膜，其之 構成爲厚度ΙΟμηι以下，以單體透過率T及偏光度P所表示 之光學特性可以滿足以下之條件： Ρ> - ( 100 929Τ·42 4-1) xlOO (其中，Τ<42·3)，及 Ρ2 99·9 (其中，Τ2 42.3 ) 二色性物質可爲碘或碘與有機染料之混合物。 單體透過率設爲Τ、偏光度設爲Ρ之光學特性値位於該 不等式所表示範圍之偏光膜，就意義上而言，可視爲具有 使用大型顯示元件之液晶電視用顯示裝置所要求之性能者 。具體言之爲，可製造對比爲1〇〇〇: 1以上、最大亮度爲 5 OOcd/m2以上之光學顯示裝置。於此，稱其爲「要求性能 」。該偏光膜，亦可使用於貼合於有機EL顯示面板之辨識 側的光學機能薄膜積層體。 使用於液晶顯示面板時，配置於背光側與辨識側之其 中一側之偏光膜之偏光性能，至少須爲能滿足該光學特性 之偏光膜。另外，使用偏光度P爲99.9%以下之偏光膜， -52- 201219914 作爲背光側與辨識側之其中一方之偏光膜時，無論另一方 之偏光膜使用偏光性能再好者均無法達成要求性能。 以下參照圖1，圖1表示針對非晶性酯系熱可塑性樹脂 基材之厚度與PVA系樹脂層之塗布厚度（偏光膜厚度）是 否產生不良加以確認之結果。於圖1，橫軸係以μιη表示熱 可塑性樹脂基材之厚度，縱軸表示塗布於該基材上之PVA 系樹脂層之厚度。於縱軸，括弧內之數字表示基材上之 PV Α系樹脂層被實施延伸、染色而成爲偏光膜時之厚度。 如圖1所示，在基材之厚度爲PVA系樹脂層之厚度之5倍以 下時，搬送性會有問題，有可能成爲不良之原因。另外， 被實施延伸、染色而成爲偏光膜時之厚度爲10 μιη以上時， 偏光膜有可能抗龜裂性會有問題。 熱可塑性樹脂基材較好爲非晶性酯系者，此種熱可塑 性樹脂基材，可爲：使間苯二甲酸共聚合之共聚合聚對苯 二甲酸乙二醇酯、使環己烷二甲醇共聚合之共聚合聚對苯 二甲酸乙二醇酯、或其他共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯的 非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯。另外，基材可設爲透明樹 脂。 被染色於PVΑ系樹脂之二色性物質，較好是碘（I )或 碘與有機染料之混合物。 本發明中，在熱可塑性樹脂基材之未成膜有PVA系樹 脂層之面，可以介由黏著劑層將分離層剝離自如地予以積 層。此情況下，熱可塑性樹脂基材之例如非晶性酯系熱可 塑性樹脂基材可作爲偏光膜之保護薄膜之機能，因此，樹 -53- 201219914 脂基材須爲透光性者。 作爲本發明另一形態，係於熱可塑性樹脂基材之例如 非晶性酯系熱可塑性樹脂基材的未成膜有PV A系樹脂層之 面，貼合光學機能薄膜，於該光學機能薄膜上形成黏著劑 層，介由該黏著劑層使分離層剝離自如地予以積層，而可 以產生光學薄膜積層體。此情況下，光學機能薄膜，假設 其面內X軸方向之折射率爲nx，y軸方向之折射率爲ny，厚 度方向之折射率爲nz時，可以設爲彼等折射率具有nx > ny > nz之關係之具有3維折射率各向異性的2軸性相位差膜。 由上述圖1可知，熱可塑性樹脂基材之例如非晶性酯 系熱可塑性樹脂基材之厚度，較好是設爲被成膜之PV A系 樹脂層之厚度之6倍以上，更好是7倍以上。藉由設定非晶 性酯系熱可塑性樹脂基材之厚度成爲PV A系樹脂層之6倍 以上，則不會有以下不良情況之發生：於製造工程之搬送 時薄膜強度脆弱導致破斷之搬送不良、作爲液晶顯示器之 背光側與辨識側之其中一方之偏光膜使用時之偏光膜之捲 曲性或轉印性等之不良。 非晶性酯系熱可塑性樹脂基材，較好是配向函數設爲 0.10以下的’被施予空中高溫延伸處理之包含：使間苯二 甲酸共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、使環己烷二 甲醇共聚合之共聚合聚對苯二甲酸乙二醇酯、或其他共聚 合聚對苯二甲酸乙二醇酯的非晶性聚對苯二甲酸乙二醇酯 ，另外，亦可設爲透明樹脂。 以下說明，使用熱可塑性樹脂基材製造PVA系樹脂構 -54- 201219914 成之偏光膜的本發明之方法實施時，對PVA系樹脂實施不 溶化處理的不溶化方法，其被視爲重要之技術課題之一。 對成膜於熱可塑性樹脂基材之PVA系樹脂層實施延伸 時，使延伸中間生成物或延伸處理後之積層體所包含之 PVA系樹脂層不溶解於染色液、而可使碘被吸附於PVA系 樹脂層，此絕非容易之事。於偏光膜之製造中，使碘被吸 附於PVA系樹脂層乃必要之工程。於通常之染色工程，係 使用碘濃度爲0.12〜0.25重量％範圍之不同碘濃度之複數 種染色液，藉由浸漬時間設爲一定而調整PV A系樹脂層之 碘吸收量。如上述說明之通常之染色處理，製造偏光膜時 ，PV A系樹脂層會被溶解而無法實施染色。其中，濃度係 指針對全部溶液之混合比例。另外，碘濃度係指碘對全部 溶液之混合比例，不包含例如碘化鉀等之碘化物被加入之 碘之量。本說明書中以下之濃度及碘濃度之用語爲同樣意 義。 由圖6之實驗結果可知，此一技術課題可藉由設定二 色性物質之碘濃度成爲重量％或其以上而予以解決。 具體言之爲，針對包含PV A系樹脂層構成之延伸中間生成 物的積層體，使用碘濃度爲不同之染色液實施染色’藉由 調整其浸漬時間，而產生包含著色中間生成物的著色積層 體，藉由硼酸水中延伸可以產生具有各種偏光性能之各種 偏光膜。 參照圖7。圖7表示碘濃度分別調整爲0.2重量％、0.5 重量％、1.0重量％之偏光膜之偏光性能不存在有意義之 -55- 201219914 差者。亦即，於包含著色中間生成物的著色積層體之產生 之中，爲實現穩定、具有良好均句性之著色，相較於增加 碘濃度而僅以些微之浸漬時間進行染色，無疑地，濃度較 低而確保穩定之浸漬時間乃較佳者。 參照圖8，實施本發明之方法時之2個不同之不溶化處 理（以下稱「第1、第2不溶化處理」），均對最終製造之 偏光膜之光學特性帶來影響。圖8可看出對於薄膜化之 PVA系樹脂層之第1、第2不溶化作用之分析結果。圖8表 示依據能滿足使用大型顯示元件的液晶電視用顯示裝置要 求之性能的4個實施例1〜4而製造之各個偏光膜之光學特 性。 實施例1表示不經由第1、第2不溶化工程而製造之偏 光膜之光學特性。相對於此，實施例2表示不經由第1不溶 化工程，僅進行第2不溶化處理之偏光膜，實施例3則表示 不經由第2不溶化工程，僅進行第1不溶化處理之偏光膜， 之光學特性，實施例4表示經由第1、第2不溶化處理之偏 光膜之個別之光學特性。 於本發明之實施形態中，可以製造不經由第1及第2不 溶化工程而能滿足要求性能之偏光膜。但是，由圖8可知 ，實施例1之不實施不溶化處理之偏光膜之光學特性，係 較實施例2〜4之任一偏光膜之光學特性爲低。比較個別之 光學特性可知，依據實施例1<實施例3<實施例2<實施 例4之順序而使光學特性變高。於實施例1及實施例2使用 之染色液，其之碘濃度均設爲0.3重量％，碘化鉀濃度設 -56- 201219914 爲2.1重量％。相對於此，於實施例3及實施例4使用之複 數種染色液，其之碘濃度設爲0.12〜0.25重量％，碘化鉀 濃度設爲0.84〜1.75重量％之範圍內變化。實施例1及實施 例3之群組，及實施例2及實施例4之群組之顯著差異在於 :前者之著色中間生成物未實施不溶化處理，後者之著色 中間生成物則被實施不溶化處理。於實施例4，不僅對著 色中間生成物，對染色處理前之延伸中間生成物亦實施不 溶化處理。藉由第1及第2不溶化處理，可以更進一步提升 偏光膜之光學特性。 由圖7可知，偏光膜之光學特性提升之機制，不在於 染色液之碘濃度，而在於第1及第2不溶化處理產生之效果 。此一見解被定位爲本發明之製造方法中之第3技術課題 及其之解決手段。 於本發明之實施形態中，第1不溶化處理係使包含於 延伸中間生成物（或延伸積層體）的薄膜化之PV A系樹脂 層，不致於被溶解的處理。相對於此，包含於架橋工程的 第2不溶化處理，係針對後續工程之液溫75 °C之硼酸水中 延伸之中使著色中間生成物（或著色積層體）包含之PV A 系樹脂層所吸附之碘不致於溶出而使著色穩定化，使薄膜 化之PVA系樹脂層不被溶解的不溶化處理。 但是，省略第2不溶化工程時，於液溫75 °C之硼酸水 中延伸之中，PVA系樹脂層所吸附之碘會溶出，由此而使 PVA系樹脂層之溶解被進行。爲迴避PVA系樹脂層之溶解 ，可以採取降低硼酸水溶液之液溫。例如需要將著色中間 -57- 201219914 生成物（或著色積層體）浸漬於液溫係降至65 °C之硼酸水 溶液中實施延伸。但是，如此則，水之可塑性機能無法充 分發揮，無法獲得著色中間生成物（或著色積層體）包含 之PV A系樹脂層之充分之軟化》亦即，延伸性能降低，而 導致硼酸水中延伸之過程中著色中間生成物（或著色積層 體）之破斷。當然亦無法獲得PVA系樹脂層之特定之總延 伸倍率。 以下參照圖面說明本發明使用之偏光膜之製造方法之 例。 (製造工程之槪要） 參照圖9。圖9表示不具有不溶化處理工程，包含偏光 膜3之光學薄膜積層體10之製造工程之槪要圖。於此槪略 說明包含上述實施例1之偏光膜3之光學薄膜積層體10之製 造方法。 共聚合6mol%之間苯二甲酸而製成間苯二甲酸共聚合 聚對苯二甲酸乙二醇酯（以下稱爲（非晶性PET )之連續 網狀物之基材，以其作爲非晶性酯系熱可塑性樹脂基材。 如下製作包含玻璃轉移溫度爲7 5 °C之連續網狀物之非晶性 PET基材1與玻璃轉移溫度爲80°C之PVA層2之積層體7。 (積層體製作工程（A )) 準備厚度200μπι之非晶性PET基材1，以及聚合度1000 以上、皂化度99%以上之PVA粉末溶解於水而成之4〜5重 -58- 201219914 量％濃度之PVA水溶液。之後，於具備塗布手段21、乾燥 手段22及表面改質處理手段23之積層體製作裝置20，將 PVA水溶液塗布於厚度200μιη之非晶性PET基材1，於50〜 6(TC溫度下乾燥，於非晶性PET基材1上製作厚度7μιη之 PVA層2。如後述說明，該PVA層之厚度可以適當變更。以 下將獲得之積層體稱爲「於非晶性PET基材製作有PVA層 的積層體7」，或「包含PVA層的積層體7」，或簡單稱爲 「積層體7」。 針對包含PVA層的積層體7，藉由包含空中補助延伸 與硼酸水中延伸構成之2段延伸工程的以下工程，而製作 最終成爲3μηι厚度之偏光膜3。本發明係使用厚度ΙΟμπι以 下之偏光膜，藉由適當變更成膜於PET基材1上之PVA系樹 脂層之厚度，可以作成厚度ΙΟμιη以下之任意厚度之偏光膜 (空中補助延伸工程（Β)) 藉由第1段之空中補助延伸工程（Β)，使包含7μιη厚 度之PVA層2的積層體7和非晶性PET基材1一體延伸，而產 生包含5μηι厚度之PVA層2的「延伸積層體8」。具體言之 爲，在烤爐33內配備有延伸手段31的空中補助延伸處理裝 置30，使包含7 μιη厚度之PV Α層2的積層體7，於設定成爲 1 3 0 °C延伸溫度環境之烤爐3 3內通過延伸手段3 1，以使延 伸倍率成爲1.8倍的方式實施自由端1軸延伸，而產生延伸 積層體8»於此階段，可以捲繞於並設在烤爐33之捲繞裝 -59- 201219914 置32，而製造延伸積層體8之捲軸8’》 以下槪略說明自由端延伸及固定端延伸。使長尺薄膜 於搬送方向延伸時’薄膜會朝延伸方向之垂直方向、亦即 寬度方向收縮。自由端延伸係指不抑制該收縮而實施延伸 之方法。另外，縱1軸延伸爲僅於縱向延伸之方法。自由 端1軸延伸係對比於，抑制延伸方向之垂直方向引起之收 縮而實施延伸的固定端1軸延伸者。藉由該自由端1軸之延 伸處理，包含於積層體7之7μπι厚度之PVA層2，會成爲 PVA分子朝延伸方向被配向之5μιη厚度之PVA層2。 (染色工程（C )) 之後，藉由染色工程（C)使PVA分子被配向之5μιη厚 度之PVA層2吸附二色性物質之碘而產生著色積層體9。具 體言之爲，在具備染色液41之染色浴42的染色裝置40中， 使由和染色裝置40並設而且裝配有捲軸8’的送出裝置43送 出之延伸積層體8，浸漬於液溫30 °C之包含碘及碘化鉀之 染色液41，以最終產生之構成偏光膜3的PV A層之單體透 過率成爲40〜44%的方式，實施任意時間之浸漬，而使碘 被吸附於包含於延伸積層體8之配向後之PV A層2，而產生 著色積層體9。 本工程中，染色液41係設爲碘濃度爲0.30重量％之水 溶液，以使包含於延伸積層體8之PV A層2不被溶解。另外 ，染色液4 1，係調整碘化鉀瀘度爲2.1重量％以使碘溶解 於水。碘與碘化鉀之濃度比設爲1: 7。更詳言之爲，於碘 -60- 201219914 濃度0.30重量％、碘化鉀濃度2.1重量％之染色液41，將延 伸積層體8浸漬60秒，使碘吸附於PVA分子被施予配向之 5μιη厚度之PVA層2而成爲著色積層體9。於實施例1，藉由 變化延伸積層體8浸漬於碘濃度0.30重量％、碘化鉀濃度 2.1重量％之染色液4 1之浸漬時間，以使最終產生之偏光 膜3之單體透過率成爲40〜44 %的方式，調整碘吸收量， 而產生單體透過率及偏光度設爲不同之各種著色積層體9 (硼酸水中延伸工程（D)) 藉由第2段之硼酸水中延伸工程，進一步使包含碘被 實施配向之PVA層2的著色積層體9更進一步延伸，產生包 含用於構成3μιη厚度之偏光膜3的碘被實施配向之PVA層之 光學薄膜積層體10。具體言之爲，在具備硼酸水溶液51之 硼酸浴52及延伸手段53的硼酸水中延伸處理裝置50，使由 染色裝置40連續送出之著色積層體9，浸漬於包含硼酸與 碘化鉀之設爲液溫6 5 °C之延伸溫度環境的硼酸水溶液5 1， 之後，通過配備於硼酸水中處理裝置50之延伸手段53，以 使延伸倍率成爲3.3倍的方式實施自由端1軸延伸，而產生 光學薄膜積層體。 更詳言之爲，硼酸水溶液51調整爲，對於水100重量 部將硼酸含有量設爲4重量部’對於水100重量部將碘化鉀 含有量設爲5重量部。本工程中，將調整碘吸附量後之著 色積層體9，首先’以浸漬時間5〜1 0秒浸漬於硼酸水溶液 -61 - 201219914 51。之後，使該著色積層體9於此狀態下通過作爲硼酸水 中處理裝置50之延伸手段53的周速不同的複數組輥輪間， 維持30〜90秒使延伸倍率成爲3.3倍的方式朝自由端1軸延 伸。藉由該延伸處理，含於著色積層體9之PVA層，其吸 附之碘會成爲多碘離子錯合物被高次配向於一方向而變化 爲3μιη厚度之PVA層。該PVA層係構成光學薄膜積層體10 之偏光膜3。 於如上述說明之實施例1，首先製成在非晶性PET基材 1形成有7μιη厚度之PVA層2的積層體7，對該積層體7實施 延伸溫度13(TC之空中補助延伸而產生延伸積層體8，之後 ，藉由染色工程由延伸積層體8產生著色積層體9，更進一 步對著色積層體9實施延伸溫度65度之硼酸水中延伸，以 使總延伸倍率成爲5.94倍的方式產生包含在非晶性PET基 材被一體延伸之3μιη厚度之PV A層的光學薄膜積層體10。 藉由該2段延伸，製膜於非晶性PET基材1之PVA層2之PVA 分子被實施高次配向，經由染色而吸附之碘會以多碘離子 錯合物被高次配向於—方向而構成偏光膜3’可以產生含 有構成該偏光膜3之3μηι厚度之PVA層的光學薄膜積層體10 。較好是，之後’藉由洗淨、乾燥、轉印工程’而完成所 產生之光學薄膜積層體1〇。洗淨工程（G)、乾燥工程（ Η )、轉印工程（I )之詳細，係合倂於組合有不溶化處理 工程之實施例4之製造工程予以說明。 (其他製造工程之槪要） -62- 201219914 參照圖10，圖ίο表示具有不溶化處理工程的包含偏光 膜3之光學薄膜積層體10之製造工程之槪要圖。於此，槪 略說明實施例4之包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造 方法。由圖10可知，實施例4之製造方法，係將包含染色 工程前之第1不溶化工程及硼酸水中延伸工程前之第2不溶 化工程的架橋工程，組合於實施例1之製造工程而成之製 造工程。組合於本工程之，積層體之作成工程（A)、空 中補助延伸工程（B)、染色工程（C)、及硼酸水中延伸 工程（D)，係除了硼酸水中延伸工程用之硼酸水溶液之 液溫之差異以外，均和實施例1之製造工程相同。該部分 之說明被簡化，只針對包含染色工程前之第1不溶化工程 及硼酸水中延伸工程前之第2不溶化工程的架橋工程予以 說明。 (第1不溶化工程（E )) 第1不溶化工程爲染色工程（C)前之不溶化工程（E )。和實施例1之製造工程相同。於積層體之作成工程（A )’係於非晶性PET基材1成膜7μιη厚度之PVA層2，製成積 層體7。之後，於空中補助延伸工程（Β)，對包含7μιη厚 度之PVA層2的積層體7實施空中補助延伸，產生包含5μηι 厚度之PVA層2的延伸積層體8。之後，於第1不溶化工程 (E)，係對由裝配著捲軸8’之送出裝置43送出之延伸積 層體8實施不溶化處理，產生不溶化處理後之延伸積層體 8 ”。當然’於該工程’不溶化處理後之延伸積層體8 ”係包 -63- 201219914 含不溶化處理後之PVA層2。以下稱其爲「不溶化處理後 之延伸積層體8 ”」。 具體言之爲，在具備硼酸不溶化水溶液61的不溶化處 理裝置60，使延伸積層體8浸漬於液溫3(TC之硼酸不溶化 水溶液6 1，浸漬時間爲3 0秒。該工程使用之硼酸不溶化水 溶液61，係對於水100重量部含有硼酸3重量部者（以下稱 爲「硼酸不溶化水溶液」）。該工程目的在於實施不溶化 處理，至少於之後之染色工程（C)，可使包含於延伸積 層體8之5μιη厚度之PVA層不被溶解。 不溶化處理之後，延伸積層體8被送至染色工程（C ) 。於該染色工程（C)，係和實施例1不同，準備碘濃度於 0.12〜0.25重量％範圍內變化之複數種染色液。使用彼等 染色液，使不溶化處理後之延伸積層體8”浸漬於染色液之 浸漬時間保持一定，而使最終產生之偏光膜之單體透過率 成爲40〜44%的方式調整碘吸收量，而產生單體透過率與 偏光度設爲不同之各種著色積層體9。浸漬於碘濃度爲 0.12〜0.25重量％之染色液之情況下，不溶化處理後之延 伸積層體8”所包含之PVΑ層亦不會產生溶解。 (包含第2不溶化處理之架橋工程（F)) 以下說明之架橋工程（F)，由以下之目的看時，可 以說包含第2不溶化工程。架橋工程係爲達成以下結果者 :第1，於後續工程之硼酸水中延伸工程（D )，使包含於 著色積層體9之PV A層不被溶解的不溶化作用，第2，使定 -64 - 201219914 色於PV A層之碘不被溶出而達成著色穩定化，以及第3, 使PVA層之分子彼此起架橋反應而產生鍵結點，達成鍵結 點之產生之作用。第2不溶化工程係爲實現該第1及第2結 果者》 架橋工程（F )，係作爲硼酸水中延伸工程（D )之前 工程被進行藉由對染色工程（C)產生之著色積層體9實施 架橋處理，而產生架橋處理後之著色積層體9’。架橋處理 後之著色積層體9’係包含架橋處理後之PVA層2。具體言之 爲，在收容硼酸與碘化鉀構成之水溶液（以下稱硼酸架橋 水溶液）71的架橋處理裝置70，使著色積層體9浸漬於40 °C之硼酸架橋水溶液7 1，浸漬時間爲60秒，對吸附碘的 PVA層之PVA分子彼此實施架橋處理，而產生架橋處理後 之著色積層體9’。該工程使用之硼酸架橋水溶液爲，對於 水100重量部將硼酸含有量設爲3重量部，對於水100重量 部將碘化鉀含有量設爲3重量部。 於硼酸水中延伸工程（D)，係使架橋處理後之著色 積層體9’浸漬於75 °C之硼酸水溶液’使延伸倍率成爲3.3倍 而實施自由端1軸延伸，而產生光學薄膜積層體10。藉由 該延伸處理，含於著色積層體9’之吸附碘的PVA層2，其吸 附之碘會成爲多碘離子錯合物被高次配向於一方向而變化 爲3μπι厚度之PVA層2。該PVA層係構成光學薄膜積層體1〇 之偏光膜3。 於實施例4，首先製成在非晶性PET基材1形成有7μιη 厚度之PVA層2的積層體7，對該積層體7實施延伸溫度130 -65- 201219914 °C之空中補助延伸，使延伸倍率成爲1 . 8倍而實施自由端1 軸延伸，產生延伸積層體8。使產生之延伸積層體8浸漬於 液溫30°C之硼酸不溶化水溶液61，浸漬時間爲30秒，對延 伸積層體所包含之PVA層實施不溶化處理，成爲不溶化處 理後之延伸積層體8”。更進一步使不溶化處理後之延伸積 層體8”浸漬於液溫3(TC之包含碘及碘化鉀的染色液，使碘 吸附於不溶化處理後之PV A層而產生著色積層體9。使包 含吸附著碘之PVA層的著色積層體9，浸漬於4(TC之硼酸 架橋水溶液71，浸漬時間爲60秒，對吸附碘的PVA層之 PV A分子彼此實施架橋處理。此爲架橋處理後之著色積層 體9’。使架橋處理後之著色積層體9’，浸漬於包含硼酸與 碘化鉀之液溫7 5 °C之硼酸水中延伸液5 1，浸漬時間爲5〜 10秒，之後，藉由硼酸水中延伸使延伸倍率成爲3.3倍的 方式實施自由端1軸延伸而產生光學薄膜積層體10。 如上述說明，實施例4，係藉由空中高溫延伸及硼酸 水中延伸構成之2段延伸，以及先予染色液浸漬的不溶化 處理及先予硼酸水中延伸之架橋處理所構成之之前處理， 使非晶性PET基材1被成膜之PVA層2的PVA分子被實施高 次配向，而可以穩定產生經由染色使碘確實吸附於PVA分 子而以多碘離子錯合物被高次配向於一方向之偏光膜，可 以穩定產生包含構成該偏光膜之3μιη厚度之PVA層的光學 薄膜積層體1〇。 (洗淨工程（G )) -66 - 201219914 實施例1或4之著色積層體9或架橋處理後之著色積層 體9’，係於硼酸水中延伸工程（D)實施延伸處理，由硼 酸水溶液51被取出。被取出之包含偏光膜3之光學薄膜積 層體10，較好是直接送至洗淨工程（G)。洗淨工程（G )目的在於除去偏光膜3之表面附著之不要殘留物。亦可 省略洗淨工程（G)，直接將被取出之包含偏光膜3之光學 薄膜積層體10送至乾燥工程（H)。但是，洗淨處理不充 分時，光學薄膜積層體10之乾燥後有可能由薄型高性能偏 光膜3析出硼酸。具體言之爲，將光學薄膜積層體10送至 洗淨裝置80，以使薄型高性能偏光膜3之PVA不被溶解的 方式，浸漬於液溫30 °C之包含碘化鉀之洗淨液81，浸漬時 間爲1〜10秒。洗淨液81中之碘化鉀濃度約爲0.5〜10重量 %。 (乾燥工程（Η )) 洗淨後之光學薄膜積層體10，係被送至乾燥工程（Η )實施乾燥》之後，乾燥後之光學薄膜積層體10,係藉由 和乾燥裝置90並設之捲繞裝置91，被捲繞成爲連續網狀物 之光學薄膜積層體10，而產生包含偏光膜3之光學薄膜積 層體10之捲軸。乾燥工程（Η)可採用任意之適當之方法 ，例如自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥等。於實施例1及 實施例4均於烤爐之乾燥裝置90，以60°C之溫風進行240秒 之乾燥》 -67- 201219914 (貼合/轉印工程（I)) 如上述說明，本發明係藉由空中補助延伸與硼酸水中 延伸構成之2階段延伸工程實施延伸，.而提供使用光學特 性可以滿足上述所要條件，使二色性物質施予配向之PVA 系樹脂構成之偏光膜的光學顯示裝置。 欲形成該光學顯示裝置時，係準備例如在非晶性PET 基材等熱可塑性樹脂基材被成膜之，厚度ΙΟμιη以下之，包 含例如藉由上述實施例製造之厚度3 μπι之偏光膜3的光學薄 膜積層體10，作爲光學薄膜積層體10之捲軸，於貼合/轉 印工程（I)，針對由捲軸送出之光學薄膜積層體10，可 以同時進行以下之貼合處理及轉印處理。 製造之偏光膜3之厚度，藉由延伸施予薄膜化而成爲 ΙΟμιη以下，通常僅設爲約2〜5μιη之狀態。如此薄之偏光 膜3無法作爲單層體予以使用。因此，偏光膜3，係以殘留 於製作該偏光膜之熱可塑性基材例如非晶性PET基材上之 狀態，作爲光學薄膜積層體10而予以使用，另外，亦可介 由接著劑貼合/轉印至其他光學機能薄膜4而作爲光學機能 薄膜積層體11予以使用。 於如圖9、1 0所示貼合/轉印工程（I )，係將連續網狀 物之光學薄膜積層體10包含之偏光膜3，與另外準備之光 學機能薄膜4進行貼合並進行捲繞，於該捲繞工程，係使 偏光膜3轉印至光學機能薄膜4而將非晶性PET基材予以剝 離，而產生光學機能薄膜積層體11。具體言之爲，藉由包 含於貼合/轉印裝置1〇〇之送出/貼合裝置101，使光學薄膜 -68- 201219914 積層體10由捲軸送出，送出之光學薄膜積層體10之偏光膜 3，係藉由捲繞/轉印裝置1 02，被轉印至光學機能薄膜4， 於該過程偏光膜3會由基材1被剝離，而產生光學機能薄膜 積層體Π。 於乾燥工程（H)藉由捲繞裝置91被捲繞成爲捲軸狀 之光學薄膜積層體10，或藉由貼合/轉印工程（I)產生之 光學機能薄膜積層體11 ’可以設爲各種形態。 (各種製造條件之偏光膜之光學特性） (1)藉由不溶化工程來提升偏光膜之光學特性（實 施例1〜4 ) 如使用圖8之說明，依據實施例1〜4製造之各個偏光 膜，均爲可以克服上述技術課題者，彼等之光學特性可以 滿足使用大型顯示元件之液晶電視用光學顯示裝置所要求 之性能。另外，由圖8可知，實施例1之不實施不溶化處理 之偏光膜之光學特性，係較實施第1不溶化處理及第2不溶 化處理之實施例2〜4之任一偏光膜之光學特性爲低。比較 個別之光學特性可知，依據實施例1 <(僅實施第1不溶化 處理之實施例3) <(僅實施第2不溶化處理之實施例2) <(實施第1不溶化處理及第2不溶化處理之實施例4)之 順序而使光學特性變高。藉由在包含偏光膜3之光學薄膜 積層體10之製造工程，追加具有第1及第2不溶化工程之製 造方法所製造之偏光膜，可以更進一步提升彼等之光學特 性。 -69- 201219914 (2 ) PVA系樹脂層厚度對偏光膜之光學特性之影響 (實施例5 ) 於實施例4 ’係延伸7μιη厚度之PVA層而形成厚度3μιη 之偏光膜。相對於此’於實施例5’係先形成厚度12^m之 PVA層，延伸該PVA層而形成厚度5μιη之偏光膜。其他均 於同一條件製造偏光膜。 (3 )不同之非晶性PET基材對偏光膜之光學特性之影 響（實施例6 ) 於實施例4，係使用間苯二甲酸共聚合於PET之非晶性 PET基材。相對於此，於實施例6，係使用對於PET共聚合 變性基之1，4-環己烷二甲醇而成之非晶性PET基材。於實 施例6，除此點以外均和實施例4於同一條件製造偏光膜。 參照圖13可知，依據實施例4〜6之製造方法製造之偏 光膜之光學特性不存在有意義之差。此乃因爲PV A系樹脂 層之厚度及非晶性酯系熱可塑性樹脂種類所得之偏光膜之 光學特性，不致於產生可辨識程度之影響。 (4)空中補助延伸倍率對偏光膜之光學特性之提升 (實施例7〜9 ) , 於實施例4，第1段之空中補助延伸及第2段之硼酸水 中延伸個別之延伸倍率爲1.8倍及3.3倍，於實施例7〜9， 個別之延伸倍率則設爲1.2倍及4.9倍、1.5倍及4.0倍、2.5 -70- 201219914 倍及2.4倍。於彼等實施例，除此點以外均和實施例4於同 一條件製造偏光膜。例如空中補助延伸之延伸溫度爲1 30 °C，成爲液溫75°C之硼酸水溶液進行硼酸水中延伸。實施 例8、9之總延伸倍率設爲6.0倍，可以和實施例4之空中補 助延伸倍率設爲1.8倍時之總延伸倍率5.94倍互相抗衡。相 對於此，實施例7之總延伸倍率則以5.8 8倍爲上限。此乃 因爲硼酸水中延伸中之延伸倍率無法設爲4.9倍以上之結 果。此可推斷爲如圖20所示說明之，非晶性PET之延伸可 能倍率對於第1段之空中補助延伸倍率與總延伸倍率之相 關關係之影響。 參照圖14可知實施例7〜9之偏光膜均和實施例4同樣 ，具有可以克服厚度1〇μιη以下之偏光膜製造相關之技術課 題，能滿足光學顯示裝置要求之必要性能之光學特性。比 較個別之光學特性可知，依據實施例7 <實施例8 <實施例 4<實施例9之順序而使光學特性變高。此顯示’第1段之 空中補助延伸之延伸倍率設爲1.2倍〜2.5倍範圍內時，第2 段之硼酸水中延伸之最終之總延伸倍率即使設爲同一程度 之情況下，第1段之空中補助延伸之延伸倍率設爲越高之 偏光膜，其之光學特性越高。於包含偏光膜3之光學薄膜 積層體10之製造工程中’藉由設定第1段之空中補助延伸 成爲高延伸倍率’更進一步能提升製造之偏光膜’或者包 含該偏光膜之光學薄膜積層體彼等之光學特性。 (5)空中補助延伸溫度對偏光膜之光學特性之提升 -71 - 201219914 (實施例1 〇〜1 2 ) 於實施例4，空中補助延伸溫度設爲130 °C，於實施例 10〜12，個別之空中補助延伸溫度設爲95°C、U〇°C、15〇 °C。均爲較PVA之玻璃轉移溫度Tg高的溫度。於彼等實施 例，除此點以外，例如包含空中補助延伸倍率設爲1 .8倍 ，及硼酸水中延伸之延伸倍率設爲3.3倍之點，均和實施 例4於同一條件製造偏光膜。實施例4之空中補助延伸之延 伸溫度爲1 30 °C。包含實施例4，彼等實施例除了延伸溫度 設爲95°C、ll〇°C、150°C之差異以外，製造條件均相同。 參照圖15可知實施例4、10〜12之偏光膜均具有可以 克服厚度ΙΟμπι以下之偏光膜製造相關之技術課題，能滿足 光學顯示裝置要求之必要性能之光學特性。比較個別之光 學特性可知，依據實施例10〈實施例11〈實施例4〈實施 例12之順序而使光學特性變高。此顯示，第1段之空中補 助延伸之溫度設爲，較玻璃轉移溫度爲高，由95 °C〜150 °C依序變高而設定溫度環境時，第2段之硼酸水中延伸之 最終之總延伸倍率即使設爲同一之情況下，第1段之空中 補助延伸之溫度設爲越高之偏光膜，其之光學特性越高。 於包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造工程中，藉由 設定第1之空中補助延伸溫度成爲高溫度，更進一步能提 升製造之偏光膜，或者包含該偏光膜之光學薄膜積層體彼 等之光學特性。 (6 )總延伸倍率對偏光膜之光學特性之提升（實施 -72- 201219914 例1 3〜1 5 ) 於實施例4，第1段之空中補助延伸倍率設爲〗.8倍及 第2段之硼酸水中延伸倍率設爲3.3倍。相對於此’於實施 例1 3〜1 5，僅將個別之第2段之硼酸水中延伸倍率設爲2 · 1 倍、3」倍及3.6倍。此意味著於實施例13〜15之總延伸倍 率設爲5·04倍（約5倍）、5.58倍（約5.5倍）、6.48倍（ 約6.5倍）。實施例4之總延伸倍率設爲5 · 9 4倍（約6倍）。 包含實施例4在內，彼等實施例除了 5倍、5_5倍、6.0倍、 6.5倍之總延伸倍率差異以外’製造條件均相同。 參照圖16可知實施例4、13〜15之偏光膜均具有可以 克服厚度1 〇μπι以下之偏光膜製造相關之技術課題’能滿足 光學顯示裝置要求之必要性能之光學特性。比較個別之光 學特性可知，依據實施例1 3 <實施例1 4 <實施例4 <實施 例1 5之順序而使光學特性變高。此顯示，將任一之第1段 之空中補助延伸倍率設爲1.8倍，以總延伸倍率依5倍、5.5 倍、6.0倍、6.5倍之順序變高的方式僅針對第2段之硼酸水 中延伸倍率加以設定時，最終之總延伸倍率設爲越高之偏 光膜，其之光學特性越高。於包含偏光膜3之光學薄膜積 層體10之製造工程中，藉由設定第1段之空中補助延伸與 第2段之硼酸水中延伸之總延伸倍率成爲更高，則更進一 步能提升製造之偏光膜，或者包含該偏光膜之光學薄膜積 層體彼等之光學特性。 (7)固定端1軸延伸之總延伸倍率對偏光膜之光學特 -73- 201219914 性之提升（實施例16〜18) 於實施例16〜18，除以下差異以外均和實施例4同一 條件下製造光學薄膜積層體。差異在於空中補助延伸之延 伸方法。實施例4係使用自由端1軸延伸之延伸方法，相對 於此，實施例16〜18係使用固定端1軸延伸之延伸方法。 於彼等實施例，均設定第1段之空中補助延伸倍率爲1.8倍 ，僅將個別之第2段之硼酸水中延伸倍率設爲3.3倍、3.9倍 及4.4倍。如此則，實施例16之總延伸倍率設爲5.94倍（約 6倍），實施例17設爲7.02倍（約7倍），實施例18設爲 7 · 92倍（約8倍）。實施例1 6〜1 8，除了此點以外，製造 條件均相同。 參照圖17可知實施例16〜18之偏光膜均具有可以克服 厚度ΙΟμηι以下之偏光膜製造相關之技術課題，能滿足光學 顯示裝置要求之必要性能之光學特性。比較個別之光學特 性可知，依據實施例1 6 <實施例1 7 <實施例1 8之順序而使 光學特性變高。此顯示，將任一之第1段之空中補助延伸 倍率設爲1.8倍，以總延伸倍率依6倍、7倍、8倍之順序變 高的方式僅針對第2段之硼酸水中延伸倍率加以設定時， 最終之總延伸倍率設爲越高之偏光膜，其之光學特性越高 。於包含偏光膜3之光學薄膜積層體10之製造工程中，藉 由設定固定端1軸延伸方法之第1段之空中補助延伸與第2 段之硼酸水中延伸之總延伸倍率成爲更高，則更進一步能 提升製造之偏光膜，或者包含該偏光膜之光學薄膜積層體 彼等之光學特性。另外，和使用自由端1軸延伸方法作爲 -74 - 201219914 第1段之空中補助延伸比較，使用固定端1軸延伸方法作爲 第1段之空中補助延伸時，更能提高最終之總延伸倍率。 (比較例3 ) 比較例3，係在和比較例1同樣條件下，在200μπι厚度 之PET基材塗布PVA水溶液、乾燥，而製成在PET基材成膜 有7 μιη厚度之PV A層的積層體。之後，使積層體浸漬於液 溫3 0°C之包含碘及碘化鉀之染色液，而產生包含吸附碘之 PV A層的著色積層體。具體言之爲，著色積層體，係針對 積層體，在液溫30 °C之包含碘濃度0.3重量％、碘化鉀濃 度2.1重量％之染色液，以最終產生之構成偏光膜的PVA層 之單體透過率成爲40〜44 %的方式，實施任意時間之浸漬 ，而使碘被吸附於包含於延伸積層體之PV A層者。之後， 藉由延伸溫度設爲60 °C之硼酸水中延伸，使包含吸附著碘 之PVA層的著.色積層體，以延伸倍率成爲5.0倍的方式實施 自由端1軸延伸，而產生含有和PET樹脂基材被一體延伸之 3μπι厚度之PVA層的各種光學薄膜積層體。 (參照例1 ) 參照例1之樹脂基材係使用結晶性聚對苯二甲酸乙二 醇酯（以下稱結晶性PET )之連續網狀物基材，在200μιη 厚度之結晶性PET基材塗布PVA水溶液、乾燥，而製成在 結晶性PET基材成膜有7μπι厚度之PVA層的積層體。結晶性 PET基材之玻璃轉移溫度爲80°C。之後，藉由設爲1 l〇t之 -75- 201219914 空中高溫延伸，對生成的積層體以使延伸倍率成爲4.0倍 的方式實施自由端1軸延伸而產生延伸積層體。藉由該延 伸處理，包含於延伸積層體之PVA層會變化爲PVA分子被 施予配向之3.3 μηι厚度PV A層。參照例1之情況下’在延伸 溫度設爲11〇 °C之空中高溫延伸’積層體無法實施4.0倍以 上之延伸。 之後，延伸積層體被施予染色處理，使PV A分子被配 向之3.3μιη厚度之PVA層吸附碘而產生著色積層體。具體 言之爲，著色積層體，係針對延伸積層體，在液溫3〇 °C之 包含碘及碘化鉀之染色液，以最終產生之構成偏光膜的 PV A層之單體透過率成爲40〜44%的方式，實施任意時間 之浸漬，而使碘被吸附於包含於延伸積層體之pv A層者。 如上述說明，調整PVA分子被配向之PVA層之碘吸附量’ 可產生具有不同單體透過率與偏光度之各種著色積層體° 之後，生成之著色積層體被施予架橋處理。具體言之爲’ 使著色積層體浸漬於液溫4〇 °C、對於水1〇〇重量部硼酸成 爲3重量部、對於水1〇〇重量部碘化鉀成爲3重量部之硼酸 架橋水溶液中60秒’而對著色積層體實施架橋處理。參照 例1之被施予架橋處理的著色積層體，係相當於實施例4之 光學薄膜積層體。因此，洗淨工程、乾燥工程、貼合及/ 或轉印工程均和實施例4同樣。' (參照例2 ) 參照例2，係和參照例1同樣，使用結晶性PET基材作 -76- 201219914 爲樹脂基材，在200μηι厚度之結晶性PET基材成膜7μιη厚度 之PV Α層而生成積層體。之後，藉由設爲l〇(TC之空中高 溫延伸，對生成的積層體以使延伸倍率成爲4.5倍的方式 實施自由端1軸延伸而產生延伸積層體。藉由該延伸處理 ，包含於延伸積層體之PV A層會變化爲PV A分子被施予配 向之3.3 μιη厚度PVA層。參照例2之情況下，在延伸溫度設 爲100 °C之空中高溫延伸，積層體無法實施4.5倍以上之延 伸。 之後，由延伸積層體產生著色積層體。著色積層體， 係使延伸積層體，在液溫30 °C之包含碘及碘化鉀之染色液 ，以最終產生之構成偏光膜的PV A層之單體透過率成爲40 〜44%的方式，實施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包 含於延伸積層體之PV A層者。和參照例1同樣，參照例2係 調整PVA分子被配向之PVA層之碘吸附量，而產生具有不 同單體透過率與偏光度之各種著色積層體。 (參照例3 ) 參照例3，係和參照例1或參照例2同樣，使用結晶性 PET基材作爲樹脂基材，在200 μιη厚度之結晶性PET基材成 膜7 μιη厚度之PVA層而生成積層體。之後，使生成之積層 體，在液溫3 0 °C之包含碘及碘化鉀之染色液，以最終產生 之構成偏光膜的PVA層之單體透過率成爲40〜44%的方式 ，實施任意時間之浸漬，而使碘被吸附於包含於積層體之 PVA層，而產生各種著色積層體。藉由設爲90 °C之空中高 -77- 201219914 溫延伸，對生成的著色積層體以使延伸倍率成爲4.5倍的 方式實施自由端1軸延伸，而由著色積層體產生和偏光膜 相當之包含吸附碘之PV A層的延伸積層體》藉由該延伸處 理，由著色積層體產生之延伸積層體所包含之吸附著碘的 PVA層，會變化爲PVA分子被施予配向之3.3μηι厚度PVA層 。參照例3之情況下，在延伸溫度設爲90 °C之空中高溫延 伸，積層體無法實施4.5倍以上之延伸。 (測定方法） (厚度之測定） 非晶性PET基材、結晶性PET基材、以及PVA層之厚度 ，係使用數位式微米表（Anritsu公司製KC-351C )予以測 定。 (透過率及偏光度之測定） 偏光膜之單體透過率T、平行透過率Tp、正交透過率 Tc，可使用紫外可視分光光度計（日本分光社製V7 100 ) 予以測定。彼等之T、Tp、Tc，係藉由JIS Z 8701之2度 視野（C光源）進行測定而進行視感度補正之¥値。 偏光度P可使用上述透過率，由以下之式算出 偏光度P(%) = {(Tp-Tc)/(Tp+Tc)} 1/2χ100 (PET之配向函數之評估方法） -78- 201219914 測定裝置係使用傅立葉（Fourier)轉換紅外分光光度 計（FT-IR) (Perkin Elmer 社製，商品名：「 SPECTRUM2000」）。以偏光作爲測定光，藉由全反射衰 減分光（ATR: attenuated total reflection)測定’進行 PET樹脂層表面之評估。配向函數之計算如下進行。使測 定偏光對於延伸方向設爲〇度以及90度之狀態實施測定。 使用獲得之光譜之於1 340cm·1之吸收強度，依據以下之式 (4)(非專利文獻4)而算出。又，f=l時成爲完全配向 ，f=〇時成爲隨機。另外，1340 cm·1之峰値’可謂PET之 乙二醇單元之甲撐基引起之吸收。 (式 4 ) f = (3 < cos2 0 >-1 )/2 =[(R-l)(R〇 + 2)]/[(R + 2)(R〇-l)] =(l-D)/[c(2D + 1)] =-2x(l -D)/(2D + 1) 其中， c = (3cos2/3 -1)/2 冷=90度 0:分子鏈相對於延伸方向之角度 /3 :遷移雙極子力矩相對於分子鏈軸之角度 R〇 = 2cot2 β 1/R= D = (I 丄）/(1//) (PET之配向越高，D之値變爲越大） I丄：使偏光射入延伸方向及垂直方向而測得之吸收 強度 -79- 201219914 I// :使偏光射入延伸方向及平行方向而 度 (PVA之配向函數之評估方法） 測定裝置係使用傅立葉（Fourier)轉換 計（FT-IR ) ( Perkin Elmer 社製，f SPECTRUM2000」）。以偏光作爲測定光， 減分光（ATR: attenuated total reflection PVA樹脂層表面之評估。配向函數之計算如 定偏光對於延伸方向設爲〇度以及90度之狀 使用獲得之光譜之於294 1CHT1之吸收強度， (4 )而算出。又，以下強度I係以3 3 30CHT1 使用2941 (：111_1/3330(：1^1之値。由，£=1時成 f= 〇時成爲隨機。另外，2941(:1^1之峰値， 鏈（-CH2-)之振動引起之吸收。 (PVA之結晶化度之評估方法） 測定裝置係使用傅立葉（Fourier)轉換 計（FT-IR ) ( Perkin Elmer 社製，衰 SPECTRUM2000」）》以偏光作爲測定光， 減分光（ATR : attenuated total reflection PVA樹脂層表面之評估。結晶化度之計算如 定偏光對於延伸方向設爲〇度以及90度之狀 使用獲得之光譜之於lMlcnT1及144 0CHT1之 測得之吸收強 紅外分光光度 寄品名：「 藉由全反射衰 )測定，進行 下進行。使測 態實施測定。 依據上述之式 爲參照峰値， 爲完全配向， 可謂PVA之主 紅外分光光度 5 品名： 「 藉由全反射衰 )測定，進行 下進行。使測 態實施測定。 強度，依據以 -80- 201219914 下之式而算出。事先確認1 1 4 1 cnT 1之強度大小和結晶部分 之量具有相關性，以1440cnT1爲參照峰値，使用以下之式 算出結晶化指數。（式6 )另外，結晶化度，係使用已知 之PVA樣本，事先作成結晶化指數及結晶化度之檢量線， 使用檢量線由結晶化指數算出結晶化度。（式5 ) (式5 )結晶化度=63·8χ (結晶化指數）-44.8 (式 6 )結晶化指數=((UlMIcrrrbOc + ZxUlMIcm·1 )90。）/3)/((1( 1 440(:1^)0°+ 2χΙ(1 440(:11^)90 0)/3) 其中， I ( 1141cm-1 ) 〇·:使偏光射入延伸方向及平行方向 而測定時之1 MlcrtT1之強度 I ( 1141cm-1 ) 90° :使偏光射入延伸方向及垂直方向 而測定時之1 MlcnT1之強度 I ( 1 440cm'1 ) 0° :使偏光射入延伸方向及平行方向 而測定時之1 440(:1^1之強度 I ( 1440(^1^1 ) 90° :使偏光射入延伸方向及垂直方向 而測定時之1440CHT1之強度 (發明之實施形態） 圖11〜12表示使用上述偏光膜之本發明之光學顯示裝 置之幾個實施形態。 圖11 (a)表示本發明之顯示裝置之最基本之實施形 態之斷面圖。該光學顯示裝置200，係具備例如可構成爲 液晶顯示面板或有機EL顯示面板的光學顯示面板201，於 -81 - 201219914 光學顯示面板201之一面’介由透光性之黏著劑層2〇2，接 合偏光膜203。於偏光膜203之外側之面，接著由透光性樹 脂材料構成之保護層2 04。雖有點隨意，亦可於光學顯示 裝置之辨識側的保護層2 04之外側，如虛線所示，配置透 明之窗口 2 0 5。 作爲將層或膜等予以接合或接著之材料，可以適當選 擇例如丙烯基系聚合體、聚矽氧烷系聚合體、聚酯、聚尿 烷、聚醯胺、聚醚、氟素系、或橡膠系、異氰酸酯系、聚 乙烯醇系、明膠系、乙烯系乳膠系、以水系聚酯等聚合體 爲基礎聚合體者。 如上述說明’偏光膜203爲厚度ΐ〇μιη以下，能滿足上 述光學特性者。和習知此種光學顯示裝置使用之偏光膜比 較’該偏光膜2 03極薄，溫度或濕度條件產生之伸縮應力 極小。因此’偏光膜之收縮產生之應力所導致發生於鄰接 之顯示面板2 0 1之彎曲等之變形之可能性大幅降低，可以 大幅抑制變形引起之顯示品質降低。於該構成，黏著劑層 202係使用具備擴散機能之材料，亦可設爲黏著劑層與擴 散層之2層構成。 作爲提升黏著劑層之接著力的材料，可以設置如特開 2002-258269號公報（專利文獻6)、特開2004-078 1 43號公 報（專利文獻7 )、特開2 0 0 7 - 1 7 1 8 9 2號公報（專利文獻8 )之揭示之增黏層（anchor )。作爲膠黏劑樹脂，只要是 可以提升黏著劑之黏著力之層即可，並未特別限制，具體 言之爲’可使用例如環氧系樹脂、異氰酸酯系樹脂、聚尿 -82- 201219914 烷系樹脂、聚酯系樹脂、分子中含有胺基之聚合體類、酯 尿烷系樹脂、含有噁唑啉基等之各種丙烯基系樹脂等之具 有有機反應性基的樹脂（聚合體）。 於上述增黏層，爲防止帶電可以添加如特開2004-3 3 8 3 79號公報（專利文獻9 )揭示之防止帶電劑。作爲賦 與防止帶電性用之防止帶電劑，可以使用離子性界面活性 劑系、聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚唾喔啉等之導電性聚 合體系、氧化錫、氧化銻、氧化銦等之金屬氧化物系等。 特別是就光學特性、外觀、防止帶電效果以及防止帶電效 果之加熱、加濕時之穩定性觀點而言，較好是使用導電性 聚合體系、其中較好是使用聚苯胺、聚噻吩等之水溶性導 電性聚合體或水分散性導電性聚合體。作爲防止帶電層之 形成材料而使用水溶性導電性聚合體或水分散性導電性聚 合體時，塗布時可抑制有機溶劑對於光學薄膜基材所導致 之變質。 作爲保護層204之材料通常可使用具有較佳透明性、 機械強度、熱穩定性、水分遮斷性、等方性等之熱可塑性 樹脂。彼等熱可塑性樹脂之具體例有三乙醯纖維素等之纖 維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚楓樹脂、聚颯樹脂、聚碳酸酯 樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯樹脂、（間）丙 烯基樹脂、環狀聚烯樹脂（原冰片烯（norbornene )系樹 脂）、聚芳酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、PVA樹脂以及彼等之 混合物。 在未接著保護層204之偏光膜203之面，可以實施硬塗 -83- 201219914 布處理或抗反射處理、黏附圖像（sticking )防止或以擴 散乃至抗閃爍爲目的之處理而設置作爲表面處理層之層。 表面處理層可以含有紫外線吸收劑。另外，表面處理層係 爲提升偏光膜之加濕耐久性，較好是透濕度低的層。硬塗 布處理，係以防止偏光膜表面之損傷爲目的而實施，例如 可將丙烯基系、聚矽氧烷系等之適當之紫外線硬化型樹脂 等具有較佳硬度或平滑特性之硬化披膜，附加於透明保護 膜表面之方式予以形成。抗反射處理，係以防止偏光膜表 面之外光反射爲目的而實施，可使用習知例如特開2005-248 1 73號公報（專利文獻10 )揭示之，藉由光之干涉作用 來抵消反射光之效應，而防止反射之薄層式，或特開 20 1 1 -2759號公報（專利文獻11 )揭示之，於表面附加微 細構造而使呈現低反射率之構造式等之低反射層之形成來 達成。黏附圖像防止處理，係以防止和鄰接層（例如背光 側之擴散板）間之密接爲目的而實施者。抗閃爍處理，係 以防止偏光板表面之外光反射而妨礙偏光板透過光之辨識 爲目的而實施，可使用例如噴砂方式或壓紋加工方式之粗 面化方式或透明微粒子之混合方式等適當之方式，在透明 保護薄膜表面附加微細凹凸構造而形成。抗閃爍層，亦可 兼作爲擴散偏光板之透過光，擴大視角等之擴散層（視角 擴大機能等）。上述硬塗布層較好是鉛筆硬度微2H以上之 硬塗布層。 如圖11 (b)所示光學顯示裝置之構成，係和圖11 (a )所示者大略同一構成，但於偏光膜203與保護層204之間 -84- 201219914 配置有擴散層2 06。圖11 (c)所示構成’擴散層206係配 置於黏著層202與偏光膜203之間。如圖11 (d)所示光學 顯示裝置，基本上和圖11 (a)所示者同一構成’但爲接 著之容易，而使偏光膜2 03介由容易接著層207被接著於保 護層2 04。容易接著層使用之材料爲業界熟知者。 如圖11 (e)所示光學顯示裝置，其和圖11 (d)所示 光學顯示裝置之差異，僅在於在保護層204之外側之面設 置防止帶電層2 08。於圖11 (f)所示光學顯示裝置200’ 係於圖11 (e)所示光學顯示裝置之構成，在保護層204與 防止帶電層208之間，配置例如1/4波長相位差膜209。另 外，1/4波長相位差膜，係較防止帶電層更靠近辨識側被 配置。依據該構成，1/4波長相位差板膜係較偏光膜203配 置於更靠近辨識側，因此，由顯示面板201經過偏光膜203 射出之光，在射出1/4波長相位差膜時會被轉換爲圓偏光 。該構成之光學顯示裝置，對於例如視聽者使用偏光太陽 眼鏡時，亦不會阻礙辨識，此爲其優點。 圖12 (a)表示具有作爲光學顯示面板之透過型液晶 顯示面板301的光學顯示裝置300之實施形態。由液晶顯示 面板3 0 1起之辨識側之面板構成，係和圖1丨（f )所示光學 顯示裝置200大略同一。亦即’於液晶顯示面板3〇1之辨識 側之面’介由黏著劑層3〇2接合第1偏光膜303 ,於該第1偏 光膜3〇3介由容易接著層3〇7將保護層3〇4予以接合。於保 護層3 04被接合有1/4波長相位差層3〇9。於1/4波長相位差 層309亦可形成防止帶電層308。於1/4波長相位差層309之 -85- 201219914 外側亦可以配置窗口 3 05。於如圖12 ( a )所示實施形態中 ，係於液晶顯示面板301之另一面，介由第2黏著劑層302a 配置第2偏光膜303 a。於第2偏光膜3 03a之背側，如透過型 液晶顯示裝置之習知般配置背光3 1 0。 圖12(b)表示具有作爲顯示面板之反射型液晶顯示 面板401的光學顯示裝置400之實施形態。於該實施形態中 ，由液晶顯示面板40 1起之辨識側之面板構成，係和圖1 2 (a)所示光學顯示裝置3 00之構成大略同一。亦即，於液 晶顯示面板401之辨識側之面，介由黏著劑層402接合第1 偏光膜403，於該第1偏光膜40 3介由容易接著層407將保護 層4 04予以接合。於保護層404被接合有1/4波長相位差層 409。於1/4波長相位差層409亦可形成防止帶電層408。於 1 /4波長相位差層409之外側亦可以配置窗口 405。 於如圖1 2 ( b )所示實施形態中，係於液晶顯示面板 401之另一面，介由第2黏著劑層402a接合第2偏光膜403a ，於該第2偏光膜403a介由容易接著層407a接合第2保護層 404a »於第2保護層404a被形成帶電防止層408a。於第2保 護層404a之背側配置，用於使透過液晶顯示面板401之光 朝該液晶顯示面板401反射的鏡片411。於該構成中，由辨 識側射入之外光被鏡片411反射而透過液晶顯示面板401， 射出至外部，可由辨識側看到顯示》 於該構成中，鏡片411可設爲使射入光之一部分透過 的半鏡。鏡片411設爲半鏡之構成時，如圖12(b)之假想 線所示，將背光4 1 0配置於鏡片4 1 1之背後。依據此一構成 -86- 201219914 ’外光暗時，可藉由點亮背光41 0進行顯示。 圖1 2 ( C )所示爲另一實施形態。該實施形態和圖1 2 (b )所示實施形態之差異在於，在第1偏光膜403與液晶 顯示面板401之間配置有1/4波長相位差層409a，在第2偏 光膜403 a與液晶顯示面板401之間配置有1/4波長相位差層 409b。具體言之爲，於第1偏光膜403被接合1/4波長相位 差層409a，該1/4波長相位差層409a係介由黏著劑層402被 接合於液晶顯示面板401之辨識側之面。同樣，於第2偏光 膜403a被接合有1/4波長相位差層409b，該1/4波長相位差 層409b係介由黏著劑層402a被接合於液晶顯示面板401之 耆側之面。 於該構成，1/4波長相位差層409a及1/4波長相位差層 4〇9b ’係如非專利文獻3所示，具有提升顯示裝置之顯示 亮度之機能。 於上述各實施形態中，各保護層可藉由上述任意材料 形成。另外，保護層未直接接合於偏光膜之實施形態中， 可以使用製造該偏光膜之構成中連同PVA系樹脂層背實施 延伸處理之熱可塑性樹脂基材，來形成保護層。此情況下 ，熱可塑性樹脂基材亦可設爲非晶性之PET (聚對苯二甲 酸乙二醇酯）。 圖12(d)表示光學顯示裝置5 00之例，其使用作爲有 機EL顯示面板或反射型液晶顯示面板而構成之光學顯示面 板501»於顯示面板501之辨識側之面，係介由黏著劑層 502接合相位差膜512，於該相位差膜512被接合有偏光膜 -87- 201219914 503。偏光膜503，係介由容易接著層507被接合於保護層 504，於保護層504被接合有1/4波長相位差層509。於1/4波 長相位差層509亦可形成防止帶電層508。於1/4波長相位 差層509之外側亦可以配置窗口 505。相位差膜512係用於 防止由偏光膜503之辨識側射入內部之光被內部反射而射 出辨識側者》 配置於偏光膜503與顯示面板501之間的相位差膜512 ，可構成爲1/4波長相位差層。此情況下，遲相軸方向之 折射率設爲nx，與其正交之面內方向之折射率設爲ny，厚 度方向之折射率設爲nz時，可設爲彼等折射率具有nx> nz > ny之關係之2軸相位差膜。於該構成中，相位差膜512， 係以遲相軸方向對於偏光膜5 03之吸收軸成爲45度之關係 而被配置。依據此一構成可獲得斜向之反射防止機能。雖 未圖示，於顯示面板501之背面側通常配置鏡部。 如圖1 2 ( e )所示爲本發明另一實施形態之光學顯示 裝置600。於該實施形態中，光學顯示面板係由透過型之 IPS液晶顯示面板601構成，於顯示面板601之辨識側之面 介由黏著劑層602被接合有相位差膜612，於相位差膜612 被接合有偏光膜603。偏光膜603，係介由容易接著層607 被接合於保護層604,於保護層604被接合有圖案相位差層 6 1 3。該圖案相位差層6 1 3，係如非專利文獻1之揭示，形 成圖案相位差膜。圖案相位差層係指，爲能進行3D顯示， 而具有將由顯示面板輸出之右眼用之影像與左眼用之影像 分別變化爲個別之偏光狀態的機能。於圖案相位差層6 1 3 -88- 201219914 之外側，亦可以配置窗口 60 5。 於液晶顯示面板601之背側之面，介由第2黏著劑層 602a被接合有相位差膜612a，於該相位差膜612a被接合有 第2偏光膜603a，於該第2偏光膜603a，係介由容易接著層 6〇7a被接合有第2保護層604a。於第2保護層604a亦可形成 防止帶電層608a。液晶顯示面板601爲反射型液晶顯示面 板時，於第2保護層604a之背面側配置，用於使透過液晶 顯示面板601之光朝該液晶顯示面板601反射的鏡片611。 該鏡片611設爲半鏡之構成時，將背光610配置於鏡片611 之背後。液晶顯示面板601爲透過型時，可省略鏡片61 1， 僅配置背光6 1 0 » 於該構成中，彼等相位差膜612、612a之各個或其中 之一，將其之遲相軸方向之折射率設爲nx，與其正交之面 內方向之折射率設爲ny，厚度方向之折射率設爲nz時，可 設爲彼等折射率具有nx> nz> ny之關係之2軸相位差膜。 另外，相位差膜612a可設爲，折射率具有nx>nz>ny之關 係之2軸相位差膜，與折射率具有nx> ny > nz之關係之2軸 相位差膜之2層構成。於該構成中，相位差膜，係以遲相 軸方向對於偏光膜之吸收軸方向成爲〇度或90度之關係而 被配置。依據此一配置，具有由斜向觀看時之偏光膜交叉 角之補正效果。 圖12(e)之面板構成，可適用於液晶顯示面板601爲 透過型之VA液晶之情況。此情況下，相位差膜612、612a ，可設爲，折射率具有nx>nz>ny之關係之2軸相位差膜 -89- 201219914 ，或者折射率具有nx> ny > nz之關係之2軸相位差膜。或 者，彼等相位差膜612、612a可設爲，折射率具有nx > ny 与nz之關係之相位差膜，或者具有nx% ny > nz之關係之相 位差膜。任一情況下，相位差膜均以遲相軸方向對於偏光 膜之吸收軸方向成爲〇度或90度之關係而被配置。依據此 一配置，除具有由斜向觀看時之偏光膜交叉角之補正效果 以外，另具有液晶持有之厚度方向之相位差補償效果。 圖12 ( f)表示光學顯示面板701由TN液晶構成之光學 顯示裝置700之實施形態。基本構成係和如圖12 ( a)所示 者同樣，於該實施形態中，液晶顯示面板701爲TN液晶， 因此，於黏著層702與偏光膜703之間，以及第2黏著層 702a與第2偏光膜703a之間，分別配置第1傾斜配向相位差 膜7 1 4及第2傾斜配向相位差膜7 1 4a。彼等傾斜配向相位差 膜714、714a，係達成TN液晶ON狀態時之視角補償之機能 。傾斜補償膜對於視角補償係記載於非專利文獻2。 圖12(g)表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置 800。該實施形態之光學顯示裝置800，係具備反射型液晶 顯示面板80 1。於該液晶顯示面板80 1之一面，係介由黏著 層802接合相位差膜809，於該相位差膜809被接合有偏光 膜803。偏光膜803，係介由容易接著層807被接合於保護 層804，於保護層804亦可形成防止帶電層80 8。於保護層 804之辨識側亦可配置窗口 805。該實施形態之相位差膜 809，係用於使來自偏光膜8 03之直線偏光被轉換爲圓偏光 而防止來自液晶顯示面板80 1之表面之反射光由辨識側射 -90- 201219914 出者，典型者可以使用1/4波長相位差膜。 圖12(h)表示本發明之實施形態之光學顯示裝置9 00 ，係具備透過型液晶顯示面板901者。於該液晶顯示面板 901，係介由透光性黏著劑層902接合有相位差膜909a，於 該相位差膜909 a被接合有第1偏光膜9 〇3，於該第1偏光膜 903介由容易接著層9 07將保護層904予以接合。於保護層 904被接合有1/4波長相位差膜909。於1/4波長相位差膜909 亦可形成防止帶電層908。於1/4波長相位差膜909之辨識 側亦可以配置窗口 905。於液晶顯示面板90 1之背側面，介 由透光性黏著劑層902a被接合有相位差膜909b »於該構成 中，相位差膜909 a、909b，係爲實現防止內部反射之機能 或視角補償之機能者。 圖12(i)表示具有觸控輸入感測機能之光學顯示裝 置1 000之實施形態。光學顯示裝置1 000之面板構成，係和 如圖12(h)所示者大略同一，於對應之構成要素附加和 圖12 (h)所示者同一符號而省略說明。於該實施形態中 ，係於1/4波長相位差膜909與窗口 905之間配置觸控面板 積層體1001。該觸控面板積層體1001，可爲容量型觸控面 板或電阻膜型觸控面板。如圖12(i)所示，容量型觸控 面板時，可設爲由上側之圖案電極1 〇〇 1 a與下側之圖案電 極l〇〇lb挾持介電體層1001c呈對向配置之構成。容量型觸 控面板積層體，除圖示之構造以外，可採用習知任一構造 。欲將觸控面板積層體1001設爲電阻膜型構成時，係於上 側電極與下側電極之間配置間隔件（spacer )’而構成爲 -91 - 201219914 在兩電極間形成空氣間隙。此種觸控面板積層體之構成， 習知有各種不同之配置。本實施形態中，可使用其中任一 0 圖12 (j)表示具有觸控輸入感測機能之光學顯示裝 置之其他實施形態之光學顯示裝置1100。於該實施形態中 ，光學顯示裝置1100之面板構成，係和如圖12(h)所示 者大略同一，於對應之構成要素附加和圖12(h)所示者 同一符號而省略說明。於該實施形態中，係於液晶顯示面 板901與相位差膜909a之間配置觸控面板積層體1101。和 如圖1 2 ( i )所示實施形態同樣，於該實施形態中，該觸 控面板積層體1101，可爲容量型觸控面板或電阻膜型觸控 面板。 (發明效果） 依據本發明，可以獲得使用和習知偏光膜比較大幅被 薄膜化之偏光膜，而且具備必要之光學特性的光學顯示裝 置。亦即可以獲得使用由二色性物質施予配向的PVA (聚 乙烯醇）系樹脂所構成之，厚度10 μιη以下之偏光膜，而具 備所要光學特性的光學顯示裝置》 如上述說明，使使用熱可塑性樹脂基材、包含形成於 該基材上之PVΑ系樹脂層的積層體，以延伸倍率成爲5倍 以上的方式實施一軸延伸之事例，並未出現於習知技術記 載之文獻中。 以下參照圖面詳細說明本發明使用之偏光膜之製造方 -92- 201219914 法之代表例及本發明之光學顯示裝置之實施形態。 【圖式簡單說明】 圖1表示相對於PVA層之厚度（或偏光膜厚度）的樹 脂基材之適當厚度之圖表。 圖2表示厚度爲3μηι、8μηι、ΙΟμιη之偏光膜的偏光性能 之比較圖。 圖3表示單體透過率Ρ與偏光度Τ之關係之圖表。 圖4表示光學顯示裝置使用之偏光膜要求之光學特性 之範圍之圖表。 圖5表示依據二色比將偏光膜1〜7之偏光性能之理論 値予以表示之圖。 圖6表示染色浴中之碘濃度差異對PVA系樹脂層之溶 解之有無之比較表。 圖7表示染色浴中之碘濃度與PVA系樹脂層產生之偏 光膜之偏光性能之關係之圖表。 圖8表示本發明實施例之偏光膜之偏光性能之圖表。 圖9表示製造光學薄膜積層體之不包含不溶化處理的 製造工程之槪略圖。 圖10表示製造光學薄膜積層體之包含不溶化處理的製 造工程之槪略圖。 圖11a表示本發明各種實施形態之光學顯示裝置之斷 面圖。 圖lib表示本發明各種實施形態之光學顯示裝置之斷 -93- 201219914 面圖。 圖Uc表示本發明各種實施形態之光學顯示裝置之斷 面圖。 圖1 Id表示本發明各種實施形態之光學顯示裝置之斷 面圖。 圖Ue表示本發明各種實施形態之光學顯示裝置之斷 面圖。 圖Ilf表示本發明各種實施形態之光學顯示裝置之斷 面圖。 圖1 2a表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例 之斷面圖。 圖12b表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例 之斷面圖。 圖12c表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例 之斷面圖。 圖1 2d表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例 之斷面圖。 圖1 2e表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例 之斷面圖。 圖1 2f表示本發明另—實施形態之光學顯示裝置之例· 之斷面圖。 圖12g表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例 之斷面圖。 圖12h表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例 -94- 201219914 之斷面圖。 圖12i表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例 之斷面圖。 圖12j表示本發明另一實施形態之光學顯示裝置之例 之斷面圖。 圖13表示本發明幾個實施例之偏光膜之偏光性能對比 之圖表。 圖14表示本發明另外幾個實施例之偏光膜之偏光性能 對比之圖表。 圖15表示本發明實施例之偏光膜之偏光性能之圖表。 圖16表示本發明另一實施例之偏光膜之偏光性能之圖 表。 圖17表示本發明再另一實施例之偏光膜之偏光性能之 圖表。 圖1 8表示結晶性PET與非晶性PET與PVA系樹脂之個別 之延伸溫度及延伸可能倍率之相對關係之圖表。 圖19表示結晶性PET與非晶性PET之Tg與融點Tm間之 溫度變化伴隨產生之結晶化速度之變化之圖表。 圖20表示非晶性PET與PVA之空中高溫之延伸倍率及 總延伸倍率之關係之圖表。 圖2 1表示結晶性PET與非晶性PET與PVA系樹脂相關之 空中高溫之延伸溫度及總延伸可能倍率之相對關係之圖表 〇 圖22表示對於總延伸倍率可用作爲熱可塑性樹脂基材 -95- 201219914 之PET之配向性及結晶化度之圖表。 圖23表示實施1.8倍之空中補助延伸的補助延伸溫度 與補助延伸處理後之PET之配向函數之關係之圖表。 圖24表示PVA之結晶化度與PVA之配向函數之相對關 係之圖表。 圖25表示使用熱可塑性樹脂基材製造之偏光膜之製造 工程之槪略。 圖2 6表示未包含於本發明之例之偏光膜之偏光性能之 圖表。 圖2 7表示本發明之實施例之中，製造之偏光膜、或包 含偏光膜之光學薄膜積層體之製造條件之一覽表。 圖2 8表示本發明之實施例之中，製造之偏光膜、或包 含偏光膜之光學薄膜積層體之製造條件之一覽表。 圖29表示本發明之實施例與參照例1〜3之配向函數値 之比較表。 【主要元件符號說明】 1 :非晶性PET基材 2 : PVA系樹脂層 3 :偏光膜 4 :光學機能薄膜 5 :第2光學機能薄膜 7 :包含PVA系樹脂層之積層體 8 :延伸積層體 -96- 201219914 8’：延伸積層體之捲軸 8” ：不溶化處理後之延伸積層體 9 :著色積層體 9’：架橋處理後之著色積層體 10:光學薄膜積層體 11 :光學薄膜積層體 20 :積層體製作裝置 2 1 :塗布手段 22 :乾燥手段 23:表面改質處理裝置 30 :空中補助延伸處理裝置 3 1 :延伸手段 3 2 :捲繞裝置 3 3 :烤爐 40 :染色裝置 41 :染色液 42 :染色浴 43 :送出裝置 50:硼酸水中處理裝置 5 1 :硼酸水溶液 5 2 :硼酸浴 53 :延伸手段 60 :不溶化處理裝置 6 1 :硼酸不溶化水溶液 -97- 201219914 70 :架橋處理裝置 7 1 :硼酸架橋水溶液 8 0 :洗淨裝置 8 1 :洗淨液 90 :乾燥裝置 9 1 :捲繞裝置 100 :貼合/轉印裝置 101 :送出/貼合裝置 102 :捲繞/轉印裝置 (A) :積層體製作工程 (B) 空中補助延伸工程 (C) :染色工程 (D ):硼酸水中延伸工程 (E ):第1不溶化工程 (F ):包含第2不溶化處理的架橋工程 (G) :洗淨工程 (H) :乾燥工程 (I ):貼合/轉印工程 -98-

Claims (1)

1. 201219914 七、申請專利範圍： 1. 一種光學顯示裝置，其特徵爲： 由二色性物質施予配向的PVA (聚乙烯醇）系樹脂所 構成之，厚度爲ΙΟμπι以下，單體透過率T以及偏光度P所 表示之光學特性能滿足以下之式所示條件： P> - ( 100 929Τ_42 4-1) χίοο (其中，τ< 42.3)，及 Ρ2 99·9(其中，Tg 42.3) 而構成之第1偏光膜，係在該第1偏光膜之其中一面介 由透光性之黏著劑層被接合於顯示面板之其中一面，在該 第1偏光膜之另一面被接合有透明樹脂材料之保護層。 2. 如申請專利範圍第1項之光學顯示裝置，其中 在上述保護層之外側配置有窗口（window)。 3. 如申請專利範圍第1或2項之光學顯示裝置，其中 在上述保護層與上述第1偏光膜之間以及上述第1偏光 膜與上述顯示面板之間之其中至少一方配置有擴散層。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之光學顯示裝置 ，其中 在上述第1偏光膜與上述保護層之間形成容易接著層 ’以使該第1偏光膜與該保護層之間之接著變爲容易。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之光學顯示裝置 ，其中 在上述保護層形成有防止帶電層。 6.如申請專利範圍第1至5項中任一項之光學顯示裝置 ，其中 -99- 201219914 上述保護層，係構成1/4波長相位差層。 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之光學顯示裝置 ，其中 上述顯示面板爲液晶顯示面板，在該顯示面板之另一 面，係介由透光性之黏著劑層，將和上述第1偏光膜同一 構成之第2偏光膜予以接合。 8. 如申請專利範圍第7項之光學顯示裝置，其中 上述顯示面板爲透過型液晶顯示面板，上述第2偏光 膜之側係作爲背光側（back light side )使用。 9. 如申請專利範圍第7項之光學顯示裝置，其中 上述顯示面板爲反射型液晶顯示面板，於上述第2偏 光膜之外側配置有鏡部（mirror )，用於使透過上述液晶 顯示面板之光之其中至少一部分反射。 1 0 .如申請專利範圍第9項之光學顯示裝置，其中 上述鏡部爲半鏡（half mirror)，用於使透過上述液 晶顯示面板之光之其中至少一部分透過，背光係挾持該半 鏡而配置於上述液晶顯示裝置之相反側。 11_如申請專利範圍第7至10項中任一項之光學顯示裝 置，其中 於上述第2偏光膜，係在上述顯示面板之相反側之面 配置有第2保護層。 12'·如申請專利範圍第11項之光學顯示裝置，其中 在上述第2偏光膜與上述第2保護層之間形成容易接著 層’以使該第2偏光膜與該第2保護層之藺之接著變爲容易 -100- 201219914 1 3.如申請專利範崮第！ ！至丨2項中任一項之光學顯示 裝置，其中 在上述第2保護層形成有防止帶電層。 14. 如申請專利範圍第7至13項中任一項之光學顯示裝 置，其中 在上述第1偏光膜與上述顯示面板之間、以及上述顯 示面板與上述第2偏光膜之間之其中至少一方配置有1/4波 長相位差膜。 15. 如申請專利範圍第丨至6項中任—項之光學顯示裝 置，其中 上述顯示面板爲有機EL顯示面板或反射型液晶顯示面 板，在上述第1偏光膜與上述顯示面板之間配置有相位差 膜。 16. 如申請專利範圍第15項之光學顯示裝置，其中 上述相位差膜爲，面內X軸方向及y軸方向之折射率分 別設爲nx、ny，厚度方向之折射率設爲nz時，具有nx> nz > ny之關係之2軸相位差膜。 17. 如申請專利範圍第15項之光學顯示裝置，其中 上述相位差膜爲1 Μ波長相位差膜。 1 8 .如申請專利範圍第1至1 7項中任一項之光學顯示裝 置，其中 上述第1偏光膜，係對酯系熱可塑性樹脂材料之基材 上施予塗布形成之PV A系樹脂層，連同該熱可塑性樹脂基 -101 - 201219914 材進行延伸而形成者，上述透明樹脂材料之保護層，係由 和該PVA系樹脂層同時被延伸之該熱可塑性樹脂基材予以 構成。 19. 如申請專利範圍第18項之光學顯示裝置，其中 上述酯系熱可塑性樹脂材料，係非晶性PET。 20. 如申請專利範圍第1至17項中任一項之光學顯示裝 置，其中 上述透明樹脂材料之保護層，係由纖維素系材料或丙 烯基系樹脂材料構成。 21. 如申請專利範圍第7至14項中任一項之光學顯示裝 置，其中 上述第2偏光膜，係對酯系熱可塑性樹脂材料之基材 上施予塗布形成之PVA系樹脂層，連同該熱可塑性樹脂基 材進行延伸而形成者，上述透明樹脂材料之保護層，係由 和該PVA系樹脂層同時被延伸之該熱可塑性樹脂基材予以 構成。 22. 如申請專利範圍第1至5或第7〜17項中任一項之光 學顯示裝置，其中 上述透明樹脂材料之保護層，係包含圖案相位差層。 23. 如申請專利範圍第7至13項中任一項之光學顯示裝 置，其中 上述液晶顯示面板爲IPS型液晶顯示面板，在上述第1 偏光膜與上述顯示面板之間、以及上述第2偏光膜與上述 顯示面板之間之其中至少一方’配置有透光性之黏著劑層 -102- 201219914 及相位差膜。 24. 如申請專利範圍第23項之光學顯示裝置，其中 上述相位差膜爲，面內X軸方向及y軸方向之折射率分 別設爲nx、ny，厚度方向之折射率設爲nz時，具有nx〉nz > ny之關係之相位差膜。 25. 如申請專利範圍第23項之光學顯示裝置，其中 上述相位差膜爲，面內X軸方向及y軸方向之折射率分 別設爲nx、ny，厚度方向之折射率設爲nz時，具有nx>nz > ny之關係的相位差膜以及具有nx> ny > nz之關係的相位 差膜之2層構成。 26. 如申請專利範圍第7至13項中任一項之光學顯示裝 置，其中 上述液晶顯示面板爲V A型液晶顯示面板，在上述第1 及第2偏光膜之各個與上述顯示面板之間被配置的相位差 膜，面內X軸方向及y軸方向之折射率分別設爲nx、ny，厚 度方向之折射率設爲nz時，係具有nx>ny>nz之關係者。 2 7.如申請專利範圍第8項之光學顯示裝置，其中 上述透過型液晶顯示面板爲TN型液晶顯示面板，在上 述偏光膜之各個與上述顯示面板之間被配置的相位差膜， 係TN液晶ON (導通）狀態下之視角補償用的傾斜配向相 位差膜。 28.如申請專利範圍第1至5項中任一項之光學顯示裝 置，其中 上述顯示面板爲反射型液晶顯示面板，在上述第1偏 -103- 201219914 光膜與上述顯示面板$間配置有用於使來自該第1偏光膜 之偏光變爲圓偏光的相位差膜。 29.如申請專利範圍第7或8項之光學顯示裝置，其中 在上述第1偏光膜與上述顯示面板之間、以及上述顯 示面板與上述第2偏光膜之間之其中至少一方，配置有用 於進行防止內部反射與視角補償之其中至少一種機能的相 位差膜。 3 0.如申請專利範圍第29項之光學顯示裝置，其中 在上述第1偏光膜與上述顯示面板之間、以及上述顯 示面板與上述第2偏光膜之間之其中至少一方，在上述顯 示面板上配置有透光性之黏著層》 3 1.如申請專利範圍第1至30項中任一項之光學顯示裝 置，其中 對上述顯示面板配置在辨識側具有觸控檢測機能的觸 控面板積層體。 32.如申請專利範圍第31項之光學顯示裝置，其中 上述觸控面板積層體爲，施予圖案化之成對之透明電 極介由介電體層被配置而構成之容量型觸控面板》 3 3.如申請專利範圍第32項之光學顯示裝置，其中 上述觸控面板積層體，係配置於辨識側最外構件與上 述第1偏光膜之間。 3 4.如申請專利範圍第32項之光學顯示裝置，其中 上述觸控面板積層體，係配置於上述第1偏光膜與上 述顯示面板之間。 -104- 201219914 35.如申請專利範圍第31項之光學顯示裝置，其中 上述觸控面板積層體爲，透明電極介由空氣間隙而與 對向電極呈對向被配置所構成之電阻膜型觸控面板，被配 置於辨識側最外構件與上述第1偏光膜之間、或者上述第1 偏光膜與上述顯示面板之間。 3 6.如申請專利範圍第1至35項中任一項之光學顯示裝 置，其中 上述第1偏光膜’係藉由空中補助延伸與硼酸水中延 伸構成之2段延伸工程進行延伸而予以製造者° -105-