TWI726001B - 偏光元件、偏光板及偏光元件之製造方法 - Google Patents

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TWI726001B
TWI726001B TW105135675A TW105135675A TWI726001B TW I726001 B TWI726001 B TW I726001B TW 105135675 A TW105135675 A TW 105135675A TW 105135675 A TW105135675 A TW 105135675A TW I726001 B TWI726001 B TW I726001B
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高田勝則
尾込大介
永野忍
末房映子
北村吉紹
倉本浩貴
杉野洋一郎
木村啓介
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種耐熱性優異之偏光元件。 本發明之偏光元件包含含有碘之樹脂膜，且於該樹脂膜之端部形成有高濃度部，該高濃度部之形成碘之相對離子之物質之含有濃度高於其他部位。

Description

偏光元件、偏光板及偏光元件之製造方法
本發明係關於一種偏光元件、偏光板及偏光元件之製造方法。
於行動電話、筆記型個人電腦等圖像顯示裝置(例如液晶顯示裝置)中使用有偏光板。近年來，期待於汽車之儀錶顯示部或智能手錶等中使用偏光板，且期待將偏光板製成矩形以外之形狀或於偏光板形成通孔。 於採用上述形態之情形時，容易產生耐久性之問題(例如龜裂)。為了提高耐久性，例如提出有將一對偏光元件保護膜分別貼合於偏光元件之兩主面，將外周端面之表面熔融後進行凝固而形成之偏光板(參照專利文獻1)。另一方面，亦要求提高偏光板之耐熱性(例如抑制著色)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2009-37228號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明係為了解決上述問題而完成者，其主要目的在於提供一種耐熱性優異之偏光元件。 [解決問題之技術手段] 本發明之偏光元件包含含有碘之樹脂膜，且於該樹脂膜之端部形成有高濃度部，該高濃度部之形成碘之相對離子之物質之含有濃度高於其他部位。 於一實施形態中，上述高濃度部具有上述形成碘之相對離子之物質之含有濃度愈朝面方向外側愈加增大之濃度梯度。 於一實施形態中，上述高濃度部形成於自上述樹脂膜之端面以至面方向內側100 μm以上之位置。 於一實施形態中，上述形成碘之相對離子之物質含有鉀及/或鈉。 於一實施形態中，上述樹脂膜含有硼酸，且於上述樹脂膜之端部形成有硼酸濃度低於其他部位之低濃度部。 於一實施形態中，上述高濃度部之區域包含上述硼酸之低濃度部之區域。 於一實施形態中，上述高濃度部形成於包含上述硼酸之整個低濃度部之區域之區域。 於一實施形態中，上述低濃度部具有硼酸含有濃度愈朝面方向外側愈加減小之濃度梯度。 於一實施形態中，上述低濃度部形成於自上述樹脂膜之端面以至面方向內側50 μm以上之位置。 於一實施形態中，上述低濃度部形成於吸收軸方向端部。 於一實施形態中，形成有通孔，且於該通孔之周緣部形成有上述低濃度部。 於一實施形態中，上述低濃度部形成於外緣部。 於一實施形態中，上述外緣包含於面方向內側為凸之大致V字形狀之部位。 根據本發明之另一態樣，提供一種偏光板。該偏光板具有：上述偏光元件、及配置於該偏光元件之至少單面之保護膜。 根據本發明之又一態樣，提供一種偏光元件之製造方法。該製造方法包括如下步驟：使含有形成碘之相對離子之物質之處理液與含有碘之樹脂膜接觸，而於樹脂膜之端部形成高濃度部，該高濃度部之形成碘離子之相對離子之物質之含有濃度高於其他部位。 於一實施形態中，上述處理液係使含有上述形成碘之相對離子之物質之化合物溶解於溶劑中而得之溶液。 於一實施形態中，上述化合物含有碘化鉀及/或氯化鈉。 於一實施形態中，上述處理液之液溫為50℃以上。 於一實施形態中，包含如下步驟：藉由切斷及/或沖切加工而將上述含有硼酸之樹脂膜成形為所需形狀。 於一實施形態中，藉由照射雷射光進行上述切斷及/或沖切加工。 於一實施形態中，上述雷射為CO2 雷射。 [發明之效果] 根據本發明，可獲得耐熱性優異之偏光元件。
以下對本發明之實施形態進行說明，但本發明不限定於該等實施形態。 A. 偏光元件(偏光板) 圖1係本發明之一實施形態之偏光板之俯視圖，圖2係圖1所示之偏光板之局部放大剖視圖。偏光板100可較佳地用於汽車之儀錶板。偏光板100係連續設置第1顯示部50與第2顯示部60而構成，且於各顯示部之中心附近分別形成有用以固定各儀錶指針之通孔51、61。通孔之直徑例如為0.5 mm～100 mm。顯示部50、60之外緣形成為沿儀錶指針之旋轉方向之圓弧狀。 偏光元件通常以積層有保護膜之狀態(作為偏光板)使用。圖示例之偏光板100具有偏光元件10、及分別配置於偏光元件10之兩主面之一對保護膜21、22。圖示例中係於偏光元件之兩主面配置有保護膜，但亦可僅於一面配置有保護膜。 上述偏光元件係包含樹脂膜。作為形成該樹脂膜之樹脂，可使用任意之適當之樹脂。較佳為使用聚乙烯醇系樹脂(以下稱為「PVA系樹脂」)。作為PVA系樹脂，例如可例舉的是：聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物。聚乙烯醇可藉由將聚乙酸乙烯酯皂化而獲得。乙烯-乙烯醇共聚物可藉由將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化而獲得。PVA系樹脂之皂化度通常為85莫耳%～100莫耳%，較佳為95.0莫耳%以上，更佳為99.0莫耳%以上，尤佳為99.93莫耳%以上。皂化度可根據JIS K 6726-1994求出。藉由使用此種皂化度之PVA系樹脂，可獲得耐久性優異之偏光元件。 PVA系樹脂之平均聚合度可根據目的進行適當選擇。平均聚合度通常為1000～10000，較佳為1200～6000，更佳為2000～5000。再者，平均聚合度可根據JIS K 6726-1994求出。 上述偏光元件(樹脂膜)代表性而言含有二色性物質。作為二色性物質，例如可例舉的是碘、有機染料等。該等可單獨使用或組合兩種以上使用。較佳為使用碘。 偏光元件(樹脂膜)10含有形成碘之相對離子之物質，且於其端部(具體而言，外緣部101、及通孔51、61之周緣部51a、61a)形成有上述物質之含有濃度高於其他部位之高濃度部。作為形成碘之相對離子之物質，例如可例舉的是：鉀、鈉、鋰、鋅、鋁、鉛、銅、鋇、鈣、錫、鈦等能夠形成鹵化物之金屬。該等之中，可較佳地使用鉀、鈉。再者，於樹脂膜中，形成碘之相對離子之物質可為任意之適宜之狀態。具體而言，上述物質可為離子狀態，可為與其他物質之鍵結物，或者亦可為該等狀態之混合。作為其他物質，例如可例舉的是碘離子(I- )、碘錯合物(I3 - )。 上述高濃度部例如具有上述形成碘之相對離子之物質之含有濃度愈朝面方向外側愈加增大之濃度梯度。再者，上述其他部位之形成碘之相對離子之物質之含量例如為0.3重量%～5重量%。於一實施形態中，存在於其他部位之形成碘之相對離子之物質主要係於下述染色處理、交聯處理、洗淨處理等各種處理中被導入至樹脂膜中者。 高濃度部較佳為形成於自上述偏光元件(樹脂膜)之端面以至面方向內側100 μm以上之位置，更佳為形成於自偏光元件之端面以至500 μm以上之位置。另一方面，高濃度部較佳為形成於自偏光元件之端面以至面方向內側2000 μm以下之位置，更佳為形成於1000 μm以下之位置。 偏光元件(樹脂膜)10代表性而言含有硼酸。於一實施形態中，在偏光元件(樹脂膜)10之端部(具體而言，外緣部101及通孔51、61之周緣部51a、61a)形成有硼酸之含有濃度低於其他部位之低濃度部。藉由形成低濃度部，可使耐久性提高。具體而言，可抑制龜裂之產生。通常，偏光元件具有較保護膜更大之收縮力，因溫度、濕度之變化而可能在偏光元件與保護膜之間之界面產生應力並導致龜裂。低濃度部例如藉由消除基於硼酸之交聯結構而能夠使剛性低於其他部位。其結果，於低濃度部，因偏光元件收縮而產生之應力得到緩和，能夠抑制龜裂之產生。因此，藉由於下述通孔之周緣或呈V字形狀之部位般應力容易集中之部位形成低濃度部，可有效地抑制龜裂之產生。又，根據此種形態，對外觀或與其他構件之貼合之影響亦非常小。 於上述實施形態中，低濃度部例如具有硼酸含有濃度愈朝面方向外側愈加減小之濃度梯度。藉由具有濃度梯度，可抑制龜裂之產生並且抑制端部之偏光性能之急遽降低。再者，上述其他部位中之硼酸含量例如為20重量%～30重量%。 上述硼酸之低濃度部較佳為形成於自偏光元件(樹脂膜)之端面以至面方向內側50 μm以上之位置，更佳為形成於自偏光元件之端面以至80 μm以上之位置。若為此種範圍，則可充分獲得上述耐久性之提高效果。另一方面，硼酸之低濃度部較佳為形成於自偏光元件之端面以至面方向內側1000 μm以下之位置，更佳為形成於500 μm以下之位置。 於如圖示例般形成通孔之情形時，通孔之位置例如可根據偏光元件之用途而適當地設定。上述龜裂容易以通孔之周緣為起點而產生，且通孔之位置越遠離偏光元件之外緣，則該傾向就可能越顯著。其結果，通孔之位置越遠離偏光元件之外緣(例如，距離偏光元件之外緣為15 mm以上)，則可更顯著地獲得藉由形成上述硼酸之低濃度部所表現出之耐久性提高效果。 於外緣部101，硼酸之低濃度部較佳為形成於至少各顯示部之邊界部41、42。具體而言，硼酸之低濃度部較佳為形成於外緣於面方向內側為凸之V字形狀(包括圓弧狀)之部位。其原因在於：外緣於面方向內側為凸之V字形狀之部位與上述通孔之周緣同樣，容易成為龜裂之起點。 硼酸之低濃度部較佳為形成於偏光元件之吸收軸方向端部。上述龜裂有沿偏光元件之吸收軸方向產生之傾向，藉由於吸收軸方向端部形成非接觸部，可有效地抑制龜裂之產生。 藉由形成上述高濃度部，可使樹脂膜之耐熱性提高。較佳為高濃度部之區域包含上述硼酸之低濃度區域。具體而言，高濃度部之區域對應於硼酸之低濃度部之區域而形成。更佳為高濃度部形成於包含硼酸之整個低濃度部之區域之區域。於一實施形態中，於自樹脂膜之端面至面方向內側之特定位置形成有硼酸之低濃度部之情形時，上述高濃度部較佳為以於面方向內側自硼酸之低濃度部延伸100 μm以上之方式形成。根據此種形態，可確實地提高耐熱性。如上所述，於硼酸之低濃度部，藉由消除基於硼酸之交聯結構而可使剛性低於其他部位，因此龜裂之產生受到抑制，另一方面，耐熱性可能降低。作為該原因之一，認為於硼酸之低濃度部，碘錯合物(例如I3 - 、I5 - )之含量較低且碘離子(例如I- 、I3 - )之含量較高。碘錯合物可對樹脂膜配向，相對於此，碘離子有可能以不穩定狀態存在於樹脂膜中。因此，藉由形成上述高濃度部而導入相對離子，可使碘離子穩定化，有助於樹脂膜耐熱性之提高(例如藉由抑制多烯之形成而抑制樹脂膜之著色)。再者，認為於硼酸之低濃度部，碘(I2 )之含量亦較高，碘亦可能以不穩定狀態存在於樹脂膜中。 偏光元件較佳為於波長380 nm～780 nm之範圍顯示吸收二色性。偏光元件之單體透過率(Ts)較佳為40%以上，更佳為41%以上，進而較佳為42%以上，尤佳為43%以上。再者，單體透過率之理論上限為50%，實用上限為46%。又，上述單體透過率(Ts)係藉由JIS Z8701之2度視野(C光源)實施測定並進行可見度修正而得之Y值，例如可使用分光光度計(日本分光製造，V7100)進行測定。偏光元件之偏光度較佳為99.8%以上，更佳為99.9%以上，進而較佳為99.95%以上。 偏光元件之厚度可設定為任意之適當之值。厚度代表性而言為1 μm～80 μm，較佳為3 μm～40 μm。 作為上述保護膜之形成材料，例如可例舉的是：二乙醯纖維素、三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、環烯烴系樹脂、聚丙烯等烯烴系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂等酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、該等之共聚物樹脂等。再者，所謂「(甲基)丙烯酸系樹脂」係指丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂。 保護膜之厚度較佳為10 μm～200 μm。於保護膜之單側(未配置偏光元件之側)可形成有表面處理層。具體而言，可實施硬塗處理或抗反射處理、旨在擴散或防眩之處理。再者，上述一對保護膜之構成(形成材料、厚度)可為相同之構成，亦可為不同之構成。 保護膜代表性而言係經由接著劑層積層於偏光元件表面。作為接著劑，可使用任意之適當之接著劑。例如可使用水系接著劑、溶劑系接著劑、活性能量線硬化型接著劑等。作為水系接著劑，可較佳地使用含有PVA系樹脂之接著劑。 本發明之偏光元件(偏光板)不限於上述圖示例之構成，可適當進行變更。例如，偏光元件(偏光板)之形狀、通孔之有無、通孔之形狀或尺寸、通孔之個數及形成位置可適當地變更。 B.偏光元件(偏光板)之製造方法 上述偏光元件較佳為藉由使含有上述形成碘之相對離子之物質之處理液與含有碘之樹脂膜接觸而製造。根據此種形態，可將形成碘之相對離子之物質導入至樹脂膜之所需部位，而簡便地形成上述高濃度部。又，於此種形態中，可使樹脂膜所含之硼酸溶出至處理液中，同時形成上述硼酸之低濃度部。 作為上述處理液之接觸方法，可採用任意之適宜之方法。具體而言，可例舉的是：將樹脂膜浸漬於處理液中之方法、將處理液塗佈於樹脂膜上之方法、將處理液噴霧至樹脂膜之方法等。較佳為採用將樹脂膜浸漬於處理液中之方法。 含有上述形成碘之相對離子之物質之處理液代表性而言係藉由使含有上述形成碘之相對離子之物質之化合物溶解於溶劑中而得之溶液。作為含有形成碘之相對離子之物質之化合物，例如可例舉的是：鉀、鈉、鋰、鋅、鋁、鉛、銅、鋇、鈣、錫、鈦等之鹵化物(較佳為碘化物、氯化物)。該等之中，較佳為使用碘化鉀、氯化鈉。 作為上述溶劑，例如可例舉的是：水；甲醇、乙醇等醇；二甲亞碸、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、各種二醇類、三羥甲基丙烷等多元醇；乙二胺、二伸乙基三胺等胺類。該等可單獨使用或組合兩種以上使用。該等之中，較佳為使用水。 上述化合物之調配量相對於上述溶劑100重量份，較佳為0.1重量份～10重量份，更佳為1重量份～5重量份。 再者，處理液亦可含有添加劑。 上述處理液之液溫(接觸時)較佳為50℃以上，更佳為60℃以上。另一方面，處理液之液溫(接觸時)較佳為90℃以下。於較佳之實施形態中，於使處理液與上述樹脂膜接觸之狀態下以使處理液成為特定之溫度(將處理液之溫度維持在特定溫度)之方式加熱處理液。於將樹脂膜浸漬於處理液中之情形時，浸漬時間例如為3分鐘～20分鐘。 於使處理液與樹脂膜接觸時，亦可對處理液實施超音波處理。具體而言，將樹脂膜浸漬於超音波浴中。根據此種形態，可高效地形成低濃度部。超音波處理可於任意之適當之條件下實施。輸出例如為40 W～1000 W。頻率例如為15 kHz～100 kHz。 於接觸處理液時，樹脂膜較佳為實施膨潤處理、延伸處理、利用上述二色性物質之染色處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等處理而可用作偏光元件之狀態。上述含有硼酸之樹脂膜例如可藉由於延伸處理、交聯處理時，使硼酸溶液(例如硼酸水溶液)與上述樹脂膜接觸而獲得。於實施各種處理時，樹脂膜可為形成於基材上之樹脂層。上述延伸處理中之延伸方向能夠相當於獲得之偏光元件之吸收軸方向。就獲得優異之偏光特性之觀點而言，通常將上述樹脂膜單軸延伸3倍～7倍。 較佳為利用被覆膜被覆樹脂膜，而使處理液選擇性地接觸所需部位。作為被覆膜，較佳為使用與處理液接觸後可直接用作上述保護膜者。於一實施形態中，將於樹脂膜(偏光元件)之兩主面分別積層保護膜而獲得之積層體浸漬於處理液中。根據此種形態，可形成具有上述濃度梯度之高濃度部及/或低濃度部。又，根據此種形態，如圖3所示，偏光元件10之端面10a可較保護膜21、22之端面21a、22a位於更靠面方向內側，能夠形成偏光元件空隙部30。藉由形成偏光元件空隙部，可進一步提高耐久性。 如圖示般，作為成形為所需形狀之成形方法，代表性而言係藉由切斷及/或沖切加工進行。切斷及/或沖切加工較佳為於形成上述高濃度部之前進行。又，上述切斷及/或沖切加工可對偏光元件(樹脂膜)單體進行，但較佳為對偏光元件與保護膜之積層體進行。於較佳之實施形態中，於藉由切斷及/或沖切加工將偏光元件與保護膜之積層體成形為所需形狀後，形成上述高濃度部。 作為切斷(沖切)方法，可採用任意之適當之方法。例如可例舉的是：使用湯姆生(Thomson)刀或維氏刀等切割刀(沖切模)之方法、照射雷射光之方法。較佳為採用照射雷射光之切斷。藉由雷射光照射，可獲得光滑之切斷面，可抑制龜裂起點(初始龜裂)之產生。 作為上述雷射，可採用任意之適當之雷射。較佳為使用可射出150 nm～11 μm範圍內之波長之光之雷射。作為具體例，可例舉的是CO2 雷射等氣體雷射；YAG雷射等固體雷射；半導體雷射。較佳為使用CO2 雷射。 雷射光之照射條件例如可根據所使用之雷射，設定為任意之適當之條件。於使用CO2 雷射之情形時，輸出條件較佳為10 W～1000 W，更佳為100 W～400 W。 在與上述處理液接觸後，樹脂膜(積層體)可供於乾燥處理。乾燥溫度例如為50℃～120℃。 [實施例] 以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該等實施例。 [實施例1] (偏光元件之製造) 將以PVA系樹脂作為主成分之高分子膜依序浸漬於下述[1]至[5]之五個浴中，一面於膜長度方向施加張力一面進行浸漬、延伸。將該延伸膜乾燥，獲得厚度28 μm之偏光元件。 ＜條件＞ [1] 膨潤浴：純水，30℃ [2] 染色浴：含有碘與碘化鉀之水溶液，30℃ [3] 第1交聯浴：含有碘化鉀與硼酸之水溶液，40℃ [4] 第2交聯浴： 含有碘化鉀與硼酸之水溶液，60℃ [5] 洗淨浴：含有碘化鉀之水溶液，25℃ (偏光板片材之製造) 將PVA系接著劑以乾燥後之厚度成為100 nm之方式塗佈於上述偏光元件之單側，並以長度方向彼此對齊之方式貼合長條狀且厚度40 μm之TAC膜。 繼而，將PVA系接著劑以乾燥後之厚度成為100 nm之方式塗佈於上述偏光元件之另一側，並以長度方向彼此對齊之方式貼合長條狀且厚度30 μm之丙烯酸系膜。 如此，獲得具有TAC膜/偏光元件/丙烯酸系膜之構成之偏光板片材。 使用CO2 雷射(波長：9.35 μm，輸出：150 W)將所獲得之偏光板片材切斷，獲得於距離其外緣25 mm之部位形成有直徑4 mm之通孔之尺寸54 mm×54 mm之切片。 將所獲得之切片於保持74℃之3重量%之碘化鉀水溶液中浸漬16分鐘，而獲得偏光板。 [比較例1] 未將切片浸漬於碘化鉀水溶液中，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得偏光板。 [比較例2] 將切片浸漬於74℃之溫水中代替浸漬於碘化鉀水溶液中，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得偏光板。 將所獲得之偏光板供於以下試驗。 1. 熱循環(HS)試驗 使用丙烯酸系黏著劑(厚度20 μm)將所獲得之偏光板貼合於玻璃板上，獲得試驗用樣品。將其於-40℃之環境下放置30分鐘後，於85℃之環境下放置30分鐘。將該操作設為一次循環，重複循環100次後，確認偏光板是否產生龜裂。 2. 耐熱試驗 使用丙烯酸系黏著劑(厚度20 μm)將所獲得之偏光板貼合於玻璃板上，獲得試驗用樣品。將其於105℃之環境下放置140小時，觀察耐熱試驗後偏光板是否著色。 實施例1及比較例2之偏光板於HS試驗後均未確認出龜裂(包括微小龜裂)之產生。另一方面，比較例1之偏光板於HS試驗後，以通孔作為起點沿著延伸方向產生了龜裂。 於實施例1及比較例1中，於耐熱試驗後均未確認出著色，相對於此，比較例2中，如圖4(a)之利用光學顯微鏡(OLYMPUS製造，MX61，倍率：5倍)之觀察照片所示，確認出沿著偏光板之端邊之寬度約300 μm之著色部。將耐熱試驗後比較例2之偏光板之端部之根據顯微拉曼光譜之分析結果示於圖4(b)，推測為起因於多烯化之著色。著色部中碘錯合物(I3 - )之含量遠低於非著色部。再者，顯微拉曼光譜之測定條件如下所述。 l裝置：雷射拉曼顯微鏡(Jobin Yvon S.A.S.，LabRAM HR800) l激發波長：514 nm l波長測定範圍：80 cm-1 ～1800 cm-1 附近 l光柵(Grating)：600 gr/mm l物鏡：×100 l累計時間：2秒 l累計次數：2次 l濾光器：D3 l孔：300 l探測器：CCD 對所獲得之偏光板進行下述評價。 1. 濃度分佈測定 對偏光元件之端部於面方向之碘、鉀及硼酸之濃度分佈進行測定。測定係使用飛行時間二次離子質譜儀(TOF-SIMS)(ION-TOF製造，製品名：TOF-SIMS 5)。作為測定樣品，使用將所獲得之偏光板利用樹脂包埋並使用切片機進行了剖面調製者。測定條件如下所述。 l照射之一次離子：Bi3 2+ l一次離子加速電壓：25 kV l測定面積：300 μm見方×2視野 *測定時使用電荷校正用電子槍。 2. 光學顯微鏡觀察 將端部經樹脂包埋之各偏光板沿厚度方向上切斷，並利用光學顯微鏡(Nikon製造，ECLIPSE LV100，倍率：50倍)觀察切斷面。 圖5(a)係表示實施例1之偏光元件之端部於面方向上之鉀之濃度分佈之圖表，圖5(b)係表示比較例1之偏光元件之端部於面方向上鉀之濃度分佈之圖表，圖5(c)係表示比較例2之偏光元件之端部於面方向上之鉀之濃度分佈之圖表。確認出於實施例1之偏光元件之端部形成有具有鉀含有濃度朝外側愈加增大之濃度梯度之高濃度部。高濃度部之鉀含有濃度可達到相對於偏光元件之中央部之鉀含有濃度，最大約10倍左右。如圖6所示，確認出於比較例2之偏光元件之端部形成有具有硼酸含有濃度朝外側愈加減小之濃度梯度之低濃度部。確認出於實施例1之偏光元件之端部亦形成有硼酸之低濃度部。再者，圖6中，放大表示強度。又，圖6之區域I、II、III對應於圖4之區域I、II、III。 圖7係利用光學顯微鏡之觀察照片，(a)係表示實施例1之偏光板之端部之照片，(b)係表示比較例1之偏光板之端部之照片。確認出於實施例1之偏光板之端部形成有偏光元件空隙部。再者，比較例2亦獲得與實施例1相同之結果。 [產業上之可利用性] 本發明之偏光元件不僅可應用於矩形之圖像顯示裝置(液晶顯示裝置、有機EL裝置)中，亦可較佳地使用於例如以汽車之儀錶顯示部或智能手錶為代表之異形之圖像顯示部。
10‧‧‧偏光元件10a‧‧‧偏光元件之端面21‧‧‧保護膜21a‧‧‧保護膜之端面22‧‧‧保護膜22a‧‧‧保護膜之端面30‧‧‧偏光元件空隙部41‧‧‧邊界部42‧‧‧邊界部50‧‧‧第1顯示部51‧‧‧通孔51a‧‧‧周緣部60‧‧‧第2顯示部61‧‧‧通孔61a‧‧‧周緣部100‧‧‧偏光板101‧‧‧外緣部
圖1係本發明之一實施形態之偏光板之俯視圖。 圖2係圖1所示之偏光板之局部放大剖視圖。 圖3係本發明之一實施形態之偏光板之端部之放大剖視圖。 圖4(a)係比較例2之偏光板之端部之耐熱試驗後之利用光學顯微鏡觀察所得之觀察照片，(b)係表示根據其顯微拉曼光譜之分析結果之圖表。 圖5(a)係表示實施例1之偏光元件之端部於面方向上之鉀之濃度分佈之圖表，(b)係表示比較例1之偏光元件之端部於面方向上鉀之濃度分佈之圖表，(c)係表示比較例2之偏光元件之端部於面方向上之鉀之濃度分佈之圖表。 圖6係表示比較例2之偏光元件之端部於面方向上之濃度分佈之圖表。 圖7(a)係實施例1之偏光板之端部利用光學顯微鏡觀察所得之觀察照片，(b)係比較例1之偏光板之端部利用光學顯微鏡觀察所得之觀察照片。

Claims (21)

  1. 一種偏光元件，其係包含含有碘之樹脂膜，且於上述樹脂膜之端部形成有高濃度部，該高濃度部之形成碘之相對離子之物質之含有濃度高於其他部位。
  2. 如請求項1之偏光元件，其中上述高濃度部具有上述形成碘之相對離子之物質之含有濃度愈朝面方向外側愈加增大之濃度梯度。
  3. 如請求項1之偏光元件，其中上述高濃度部形成於自上述樹脂膜之端面以至面方向內側100μm以上之位置。
  4. 如請求項1之偏光元件，其中上述形成碘之相對離子之物質含有鉀及/或鈉。
  5. 如請求項1之偏光元件，其中上述樹脂膜含有硼酸，且於上述樹脂膜之端部形成有該硼酸濃度低於其他部位之低濃度部。
  6. 如請求項5之偏光元件，其中上述高濃度部之區域包含上述硼酸之低濃度部之區域。
  7. 如請求項6之偏光元件，其中上述高濃度部形成於包含上述硼酸之整個低濃度部之區域之區域。
  8. 如請求項5之偏光元件，其中上述低濃度部具有硼酸含有濃度愈朝面方向外側愈加減小之濃度梯度。
  9. 如請求項5之偏光元件，其中上述低濃度部形成於自上述樹脂膜之端面以至面方向內側50μm以上之位置。
  10. 如請求項5之偏光元件，其中上述低濃度部形成於吸收軸方向端部。
  11. 如請求項5之偏光元件，其形成有通孔，且於該通孔之周緣部形成有上述低濃度部。
  12. 如請求項5之偏光元件，其中上述低濃度部形成於外緣部。
  13. 如請求項12之偏光元件，其中上述外緣部包含於面方向內側為凸之大致V字形狀之部位。
  14. 一種偏光板，其具有：如請求項1之偏光元件、及配置於該偏光元件之至少單面之保護膜。
  15. 一種偏光元件之製造方法，其包括如下步驟：使含有形成碘之相對離子之物質之處理液與含有碘之樹脂膜接觸，而於該樹脂膜之端部形成高濃度部，該高濃度部之該形成碘之相對離子之物質之含有濃度高於其他部 位。
  16. 如請求項15之製造方法，其中上述處理液係使含有上述形成碘之相對離子之物質之化合物溶解於溶劑中而得之溶液。
  17. 如請求項16之製造方法，其中上述化合物含有碘化鉀及/或氯化鈉。
  18. 如請求項15之製造方法，其中上述處理液之液溫為50℃以上。
  19. 如請求項15之製造方法，其包含如下步驟：藉由切斷及/或沖切加工而將上述樹脂膜成形為所需形狀。
  20. 如請求項19之製造方法，其中藉由照射雷射光進行上述切斷及/或沖切加工。
  21. 如請求項20之製造方法，其中上述雷射為CO2雷射。
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