JPH09230140A

JPH09230140A - 偏光分離素子およびその製造方法

Info

Publication number: JPH09230140A
Application number: JP8039988A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Takeda; 正武田; Yoshio Hayashi; 善雄林; Satoshi Nakao; 聡中尾; Hideo Takezoe; 秀男竹添; Ken Ishikawa; 謙石川; Takaaki Suzuki; 孝昭鈴木; Atsuo Fukuda; 敦夫福田
Original assignee: Nidec Sankyo Corp
Current assignee: Nidec Sankyo Corp
Priority date: 1996-02-27
Filing date: 1996-02-27
Publication date: 1997-09-05
Also published as: US5793733A

Abstract

(57)【要約】【課題】ニオブ酸リチウムや酸化チタン等の光学的等
方性基板を用いない安価な偏光分離素子、光ピックアッ
プおよび偏光分離素子の製造方法を提供すること。【解決手段】偏光分離素子１０は、光学的ガラス基板
１１に複屈折材料層１２としてポリジアセチレン配向膜
１２ａが成膜されている。ポリジアセチレン配向膜１２
ａに対しては、所定のパターンに紫外光を照射して、色
相変化させた色相変化部１２１と、色相変化していない
非色相変化部１２２とによって周期格子１２ｂを構成し
てある。従って、ポリジアセチレン配向膜１２ａの配向
方向では屈折率が周期的に大小となり、これに直交する
方向ではほとんど変化がない。このため、配向方向の偏
光は回折し、直交する偏光は透過する。このような偏光
分離素子１０は光ピックアップの光学素子として使うこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録ディスクや
光磁気記録ディスク等の光記録媒体に対して情報の記録
・再生を行う光ピックアップ等に用いられる偏光分離素
子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】各種光学装置には、偏光方向によって回
折効率が異なる偏光分離素子が用いられている。この偏
光分離素子としては、従来、ニオブ酸リチウムや酸化チ
タン等の光学的異方性結晶基板の表面に凹凸を形成し、
凹部を適当な屈折率を有する充填材で埋め込むことによ
って周期格子を形成している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、偏光分
離素子に用いられるニオブ酸リチウムや酸化チタン等の
光学的異方性基板は、単結晶製造装置を用いて製造され
るため、従来の偏光分離素子は、基板自体が高価なもの
となってしまうという問題点がある。また、偏光分離素
子の製造方法では、光学的異方性基板に凹凸状の周期格
子を加工し、加工した周期格子の凹部に充填材を埋め込
む必要があるので、製造工程が複雑である。従って、製
造コスト面からも偏光分離素子が高価なものになってし
まう。さらに、このような高価な偏光分離素子をコンパ
クトディスク（以下、ＣＤという。）等の光記録媒体用
の光ピックアップに採用すると、光ピックアップの価格
も当然に上昇してしまう。

【０００４】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
ニオブ酸リチウムや酸化チタン等の光学的等方性基板を
用いない安価な偏光分離素子、光ピックアップおよび偏
光分離素子の製造方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の偏光分離素子は、光学的等方性基板上にポ
リジアセチレン配向膜からなる複屈折材料層を形成する
と共に、該複屈折材料層に対して所定のパターンで照射
された紫外光によって色相変化した色相変化部と、色相
変化していない非色相変化部とによって周期格子が形成
され、該周期格子では、前記色相変化部における前記ポ
リジアセチレン配向膜の配向方向の屈折率が前記非色相
変化部における前記ポリジアセチレン配向膜の配向方向
の屈折率よりも低いことを特徴とする。

【０００６】このように構成すると、光学的等方性基板
上でポリジアセチレン配向膜の配向方向の屈折率が周期
的に変化する。従って、ニオブ酸リチウムや酸化チタン
等の光学的異方性結晶基板を用いなくても、偏光分離素
子としての機能を有する。それ故、通常の光学的等方性
基板を用いて偏光分離素子を構成することができるの
で、安価な偏光分離素子を提供できる。

【０００７】本発明の偏光分離素子の製造方法において
は、光学的等方性基板上にポリジアセチレン配向膜から
なる複屈折材料層を形成した後、該複屈折材料層に対し
て所定のパターンで紫外光を照射して色相変化させた前
記色相変化部と、色相変化していない前記非色相変化部
とによって周期格子を形成することを特徴とする。

【０００８】このようにすると、紫外光をポリジアセチ
レン配向膜に照射するだけで、常光と異常光に対する回
折効率を異ならしめることができる。従って、フォトリ
ソグラフィ技術や機械的な加工によって凹凸状の周期格
子を形成する必要がない。それ故、偏光分離素子の製造
工程を大幅に簡素化することができるので、偏光分離素
子を安価に提供できる。また、比較的安価な設備で製造
できるという利点もある。

【０００９】また、本発明の偏光分離素子においては、
前記光学的等方性基板と前記ポリジアセチレン配向膜と
の間には該ポリジアセチレン配向膜に配向性を与えるた
めのフィルム層を有することもある。この場合には、ま
ず、光学的等方性基板上に前記フィルム層を形成した
後、ポリジアセチレン配向膜からなる複屈折材料層を形
成し、しかる後、該複屈折材料層に対して所定のパター
ンで紫外光を照射して色相変化させた前記色相変化部
と、色相変化していない前記非色相変化部とによって周
期格子を形成する。

【００１０】本発明の偏光分離素子は、発光素子と、こ
の発光素子からの出射光の光路上に位置すると共に、光
記録媒体に対向配置された対物レンズとを有する光ピッ
クアップにおいて、前記光記録媒体からの戻り光を受光
素子に導くための光学素子と用いることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。

【００１２】（偏光分離素子の構成）図１は、本例の偏
光分離素子を示す説明図である。

【００１３】図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本例の
偏光分離素子１０は、光学的等方性基板である光学ガラ
ス基板１１と、その基板１１上に所定の膜厚で形成され
た複屈折材料層１２とから構成されている。

【００１４】複屈折材料層１２は、以下の化学式（１）
に示されるポリジアセチレン配向膜１２ａから形成され
ている。本例では、ポリジアセチレン配向膜１２ａを成
膜する前段階でガラス基板１１上にポリジアセチレン配
向膜１２ａに配向性を与えるためのフィルム層（図示せ
ず）を成膜してある。

【００１５】

【化１】

【００１６】ここで、ポリジアセチレンとしては、化学
式（１）における側鎖基Ｒ、Ｒ’が以下の化学式（２）
〜（９）で表されるものを用いることができる。

【００１７】

【化２】

【００１８】

【化３】

【００１９】

【化４】

【００２０】

【化５】

【００２１】

【化６】

【００２２】

【化７】

【００２３】

【化８】

【００２４】

【化９】

【００２５】ポリジアセチレン配向膜１２ａは、図１
（ａ）から分かるように、Ｘ−Ｙ平面内で配向されてお
り、主鎖方向（配向方向）は矢印Ｈで示すようにＹ軸方
向となっている。

【００２６】このようなポリジアセチレン配向膜１２ａ
は、紫外光が照射されると、分子鎖が切断され、青色、
赤色、透明の順に色相変化を起こし、この変化に伴って
配向方向Ｈにおける屈折率が下がる性質を持っている。

【００２７】本例では、この性質を利用して、ポリジア
セチレン配向膜１２ａの配向方向における屈折率が周期
的に変化するように形成してある。すなわち、ポリジア
セチレン配向膜１２ａに対して所定のパターンで紫外光
を照射して色相変化させた色相変化部１２１と、紫外光
が照射されずれに色相変化しなかった非色相変化部１２
２とによって周期格子１２ｂを形成してある。従って、
本例の偏光分離素子１０では、配向方向Ｈの屈折率は周
期的に変化し、それに対して垂直な方向Ｉの屈折率はほ
とんど変化しない。このため、配向方向Ｈの偏光には回
折格子として機能し、配向方向Ｈに垂直な偏光は透過す
る。

【００２８】このように構成された偏光分離素子１０に
おいて、図１（ｂ）に示すように、光学的ガラス基板１
１の厚さをｔ、複屈折材料層１２（ポリジアセチレン配
向膜１２ａ）の膜厚をｄ、光学的ガラス基板の屈折率を
ｎｓ、ポリジアセチレン配向膜１２ａの色相変化部１２
１の屈折率をｎｃ、ポリジアセチレン配向膜１２ａの非
色相変化部１２２の常光屈折率をｎｏ、その異常光屈折
率をｎｅ、半導体レーザからの出射光の波長をλとし、
かつｋ＝２π／λとした場合には、以下に説明する性質
を有する。以下の説明において、常光とは、図１（ａ）
に矢印Ｉで示すように配向方向Ｈと直交する方向に振動
する偏光であり、異常光とは、配向方向Ｈに振動する偏
光である。

【００２９】まず、色相変化部１２１は、配向性を失っ
ているので、色相変化部１２１の常光に対する屈折率ｎ
ｃと非色相変化部１２２の常光に対する屈折率ｎｏとは
ほぼ等しい。本例の偏光分離素子１０においては、例え
ば、一般にＣＤの読み出し用に用いられるＧａＡｌＡｓ
系の半導体レーザ（波長７８０ｎｍ）に対する屈折率
は、それぞれｎｏ＝１．５２、ｎｅ＝２．１２、ｎｃ＝
１．５２である。従って、本例の偏光分離素子１０は、
常光に対しては回折格子としては機能せず全てを透過さ
せる。一方、色相変化部１２１の異常光に対する屈折率
ｎｅと、非色相変化部１２２の異常光に対する屈折率ｎ
ｃとの関係は、ｎｅ＞ｎｃであるので、本例の偏光分離
素子１０は、異常光に対しては回折格子として機能す
る。

【００３０】この回折格子としての機能に関し、ポリジ
アセチレン配向膜１２ａの膜厚をｄとし、光学的ガラス
基板１１の厚さをｔとすると、非色相変化部１２２（図
１（ａ）におけるＡの経路）を通過する異常光の位相
は、｛ｎｓ・ｔ＋ｎｅ・ｄ｝・ｋ・・・式（１）で表される。

【００３１】また、色相変化部１２１（図１（ａ）にお
けるＢの経路）を通過する異常光の位相は、｛ｎｓ・ｔ＋ｎｃ・ｄ｝・ｋ・・・式（２）で表される従って、各経路Ａ、Ｂに対応する異常光の位相差ＯＰＤ
（ｅ）は［式（２）−式（１）］より、位相差ＯＰＤ（ｅ）＝（ｎｅ−ｎｃ）・ｄ・ｋ・・・式（３）となる。

【００３２】よって、本例の偏光分離素子１０は、異常
光に対して式（３）で表される回折格子として機能す
る。

【００３３】本例の偏光分離素子１０は、例えば、ＭＯ
等の光磁気記録媒体に対する光ピックアップにおいて、
それを構成する光学素子の１つとして用いることができ
る。このような用途では、偏光分離素子１０は、異常光
の全てを回折させるようにすることが望ましい。

【００３４】このように回折させるようにするには、位相差ＯＰＤ（ｅ）＝（ｎｅ−ｎｃ）・ｄ・ｋ＝π ・・・式（４）となるような膜厚ｄを成膜すればよい。

【００３５】なお、本例の偏光分離素子１０の回折効率
については、例えば、図１（ｃ）に示すように、ポリジ
アセチレン配向膜１２ａの膜厚が２．５μｍとされた偏
光分離素子１０に波長が７８０ｎｍの光が入射した場
合、この光の偏光面と偏光分離素子１０の配向方向の角
度によって、透過光（０次光）と、回折光（±１次回折
光）の回折効率が変化する。このため、回折光の回折効
率を良くするためには、光の偏光面と配向方向を合わせ
ればよい。

【００３６】このように、本例では、光学的ガラス基板
１１上に成膜されたポリジアセチレン配向膜１２ａに対
して色相変化させた色相変化部１２１（配向性を失った
部分）と、色相変化していない非色相変化部１２２（配
向性を保った部分）によって周期格子１２ｂを形成した
ので、常光に対しては回折格子として機能せず、異常光
に対しては回折格子として機能する。また、本例によれ
ば、ニオブ酸リチウムや酸化チタン等の光学的異方性基
板を用いず、安価な光学的ガラス基板を用いていること
から偏光分離素子１０を安価に提供できる。

【００３７】（偏光分離素子の製造方法）図２は、本例
の偏光分離素子１０の製造工程を示す説明図である。

【００３８】本例の偏光分離素子１０の製造方法として
は、まず、光学的ガラス基板１１の表面に配向材として
ポリエチレンテレフタレートからなるフィルム層（図示
せず）を成膜する。このフィルム層は、ポリエチレンテ
レフタレートを少量の1,1,1,3,3,3-Hexafluoro-2-propa
nol に飽和するまで溶解させた後、1,1,2,2-Tetrachlor
oethane で十倍に希釈し、この希釈した溶液から沈殿等
を取り除いたものを光学的等方性を有するガラス基板１
１上に室温（約１５℃〜約２０℃）でスピンコートす
る。フィルム層の膜厚は、例えば１０００Å〜２０００
Åである。

【００３９】次に、図２（ａ）に示すように、ジアセチ
レンモノマーをフィルム層に真空蒸着法により成膜す
る。この真空蒸着時には、ジアセチレンモノマーは、フ
ィルム層の配向方向に自発的に配向する。本例では、上
記の真空蒸着を行うにあたって、抵抗加熱による加熱温
度を１２４℃、蒸着速度を１５Å／秒〜５Å／秒、真空
度を１×１０^-5Ｔｏｒｒとして、約１００ｎｍ〜約１０
００ｎｍの膜厚のジアセチレンモノマーを蒸着する。

【００４０】次に、ジアセチレンモノマー膜を紫外光重
合してポリマー化する。この重合時には、超高圧水銀灯
の出力強度を約０．１Ｗ／ｃｍ^-2とし、照射時間につい
ては膜厚１２０ｎｍにつき１２分（膜厚６５０ｎｍで６
０分、膜厚１０００ｎｍで９０分程度）として紫外光を
照射する。

【００４１】次に、ポリジアセチレン上に紫外光を選択
的に照射して周期格子１２ｂを形成する。紫外光を照射
するにあたっては、まず、図２（ｂ）に示すように、ポ
リジアセチレン上に回折格子のパターンが形成されたフ
ォトマスク１４（クロムマスク）を配置し、その上から
コリメートされた平行な紫外光を照射する。この時の光
源としては超高圧水銀灯を用い、その強度を約０．９Ｗ
／ｃｍ^-2、露光時間を膜厚６５０ｎｍのもので４０分〜
６０分（膜厚１２０ｎｍのものでは、１５分〜２０分）
程度とする。これにより、図２（ｃ）に示すように、フ
ォトマスク１４の透光部分に相当するポリジアセチレン
は、紫外光照射により分子鎖が切断され色相変化するの
で、前記の色相変化部１２２となる。一方、フォトマス
ク１４の遮光部分に相当するポリジアセチレンは、色相
変化せず、前記の非色相変化部１２２となる。以上の工
程を経て、図１（ａ）に示したような偏光分離素子１０
を得ることができる。

【００４２】このように、本例の偏光分離素子の製造方
法においては、紫外光をポリジアセチレン配向膜１２ａ
に選択的に照射するだけで、常光と異常光に対する回折
効率が異なる偏光分離素子１０を構成できる。従って、
フォトリソグラフィ技術や機械的な加工によって凹凸状
の周期格子を形成する必要がなく、偏光分離素子１０の
製造工程を大幅に簡素化することができる。それ故、偏
光分離素子１０を安価に提供することができる。また、
高価な設備も必要としない。

【００４３】（その他の製造方法）上記の方法では、光
学的ガラス基板１１にポリエチレンテレフタレートをフ
ィルム層として成膜した後、その表面にジアセチレンモ
ノマーを真空蒸着したが、以下のような製造方法とする
ことも可能である。

【００４４】まず、光学的ガラス基板１１の上に、１０
０Å前後のジアセチレンモノマーを、例えば、真空蒸着
法により成膜し、このジアセチレンモノマーを空気中で
紫外光重合してポリマー化する。

【００４５】次に、このポリマー化されたジアセチレ
ン、すなわち、ポリジアセチレンを、例えば、シリコン
布等により１方向にラビング処理する。このような処理
をすると、ポリジアセチレンは、ラビング処理した方向
に配向する。

【００４６】次に、ラビング処理したポリジアセチレン
上に所定の膜厚となるまでポリジアセチレンを重ねて形
成する。すなわち、ジアセチレンモノマーを重ねて成膜
した後、空気中で紫外光重合してポリマー化する。この
場合、ポリマー化されたポリジアセチレンはラビング処
理された方向に配向する。

【００４７】次に、ポリジアセチレン上に回折格子のパ
ターンが形成されたフォトマスク１４を配置し、その上
からコリメートされた平行な紫外光を照射し、図１に示
される偏光分離素子１０を得る。

【００４８】このような偏光分離素子の製造方法におい
ても、紫外光をポリジアセチレン配向膜１２ａに照射す
るだけで、偏光分離素子としての機能を持たせることが
できる。従って、偏光分離素子１０を安価に提供でき
る。

【００４９】（偏光分離素子を用いた光ピックアップ）
図３は、本例の偏光分離素子を用いた光ピックアップの
概略構成を示す図である。

【００５０】本例の光ピックアップ２０は、レーザビー
ムを出射する光源である半導体レーザ２１と、レーザビ
ームの光路上に配置されたλ／４板２２と、レーザビー
ムの光路上に配置され、かつ、ＣＤ等の光記録媒体２５
と対向する位置に配置された対物レンズ２３と、半導体
レーザ２１に隣接した位置に配置された光検出用の２つ
のフォトダイオード２４１、２４２とを備えている。

【００５１】このうち、λ／４板２２の半導体レーザ側
の表面２２１には、本発明を適用した偏光分離素子１０
が構成されている。偏光分離素子１０は、半導体レーザ
２１から出射されるレーザビームの偏光面がポリジアセ
チレンの配向方向と直交するように配置されている。こ
のため、半導体レーザ２１から出射されるレーザビーム
は、常光として容易に通過する。偏光分離素子１０は式
（４）を満たす膜厚に成膜されているため、異常光は回
折する。

【００５２】このように構成された光ピックアップ２０
では、まず、半導体レーザ２１からレーザビームが出射
され偏光分離素子１０に入射する。偏光分離素子１０で
は、上述のようにポリジアセチレン配向膜１２ａの膜厚
を式４を満たすような値とし、かつ、レーザビームが常
光となるように偏光分離素子１０を配置してあるので、
全てのレーザビームが偏光分離素子１０を透過する。そ
の後、レーザビームはλ／４板２２を通って、対物レン
ズ２３を介して光記録媒体２５上に集光される。

【００５３】集光されたレーザビームは光記録媒体２５
に記録されたデータに従って強度変調を受けながら反射
して対物レンズ２３を介してλ／４板２２を通り偏光分
離素子１０に入射する。この間に、レーザビームは常光
から異常光に変換されている。このため、反射光の全て
は偏光分離素子１０によって回折され、２つのフォトダ
イオード２４１、２４２に集光される。

【００５４】このように、偏光分離素子１０をλ／４板
２２の表面に構成したので、このような光学素子は、偏
光ビームスプリッターの機能を有する。それ故、従来の
偏光ビームスプリッターは高価な光学部品であったが、
上記のようにλ／４板２２の表面に偏光分離素子１０を
構成すれば、安価となる。このため、本発明を適用した
偏光分離素子１０を用いれば、光ピックアップ２０を安
価に提供できる。

【００５５】（偏光分離素子を用いた光磁気記録媒体用
の光ピックアップ）図４は、本例の偏光分離素子を用い
た光ピックアップの概略構成を示す図である。

【００５６】本例の光ピックアップ３０は光磁気記録媒
体用の光ピックアップであり、図４（ａ）に示すよう
に、発光部３１と受光部３２とから構成されている。発
光部３１は、レーザビームを出射可能な半導体レーザ２
１１と光磁気記録媒体２５１との間に、出射方向からコ
リメータレンズ３１１、ビームスプリッター３１２、対
物レンズ２３１がこの順に配置されている。

【００５７】一方、受光部３２は、光磁気記録媒体２５
１からの反射光を回折光と透過光に分割するための偏光
分離素子１０と、偏光分離素子１０から出射される回折
光と透過光とをレンズ３２１を介してそれぞれ受光する
３つのフォトダイオード３２２、３２３、３２４とを備
えている。

【００５８】本例の光ピックアップ３０において、発光
部３１では、半導体レーザ２１１から出射されたレーザ
ビームはコリメータレンズ３１１で平行光に変換され、
ビームスプリッター３１２を通過した後、対物レンズ２
３１を介して光磁気記録媒体２５１に集光される。集光
されたレーザビームは、光記磁気録媒体２５１に記録さ
れたデータに従って偏光面が回転されて反射され、対物
レンズ２３１を介してビームスプリッター３１２に再び
入射する。この入射したレーザビームは、ビームスプリ
ッター３１２によって受光部３２に向けて反射される。

【００５９】ここで、レーザビームは、偏光分離素子１
０に入射する。この偏光分離素子１０では、ポリジアセ
チレン配向膜１２ａの膜厚を式（４）を満たす値として
ある。また、図４（ｂ）に示すように、入射するレーザ
ビームの偏光面がポリジアセチレン配向膜１２ａの配向
方向に対して概ね４５度となるように配置されている。
従って、偏光分離素子１０に入射するレーザビームは、
互いに直交する偏光の成分（常光と異常光）に分けら
れ、偏光分離素子１０を透過する透過光（常光）と回折
する回折光（異常光）とに分かれる。これらの光のう
ち、透過光はレンズ３２１を介してフォトダイオート３
２３で検出され、回折光はレンズ３２１を介してフォト
ダイオード３２２、３２４で検出される。

【００６０】このため、それぞれのフォトダイオード３
２２、３２３、３２４で受光した光から所定の検出を行
うことができる。例えば、フォトダイオード３２２、３
２４での受光量と、フォトダイオード３２３での受光量
との差分に基づいて、光磁気記録媒体２５１に記録され
たデータの検出が行える。このように、偏光分離素子１
０を、いわゆる差動光学系に用いることができる。それ
故、差動光学系を構成するのには、従来、λ／２板や偏
光ビームスプリッターが用いられるが、本発明を適用し
た偏光分離素子１０を用いればこれらの光学素子が不要
となる。よって、部品点数が減る分、光磁気用の光ピッ
クアップを安価に提供することができる。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の偏光分離
素子では、光学的等方性基板上にポリジアセチレン配向
膜を成膜し、それに対して所定のパターンに紫外光を照
射して色相変化させた色相変化部と、色相変化していな
い非色相変化部とによって周期格子を形成したことに特
徴を有する。従って、本発明によれば、ニオブ酸リチウ
ムや酸化チタン等の光学的異方性結晶基板を用いずに、
通常の光学的等方性基板上に偏光分離素子を構成できる
ので、安価な偏光分離素子を提供できる。しかも、ポリ
ジアセチレン配向膜に対して所定のパターンに紫外光を
照射するだけで周期格子を形成し、偏光分離素子として
の機能を持たせることができるので、その製造工程で
は、フォトリソグラフィ技術や機械的な加工により周期
的な凹凸を形成するという複雑な操作を必要としない。
このため、製造工程を簡素化できるので、偏光分離素子
を安価に提供できる。

【００６２】さらに、本発明の偏光分離素子を光ピック
アップの光学部品として採用すれば、安価な光ピックア
ップを実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の実施例に係る偏光分離素子
を示す斜視図、（ｂ）は、本発明の実施例に係る偏光分
離素子を示す断面図、（ｃ）は、偏光分離素子の回折効
率と、配向方向と通過する光の偏光面とがなす角度との
関係を示したグラフである。

【図２】本発明の実施例に係る偏光分離素子の製造方法
を示す説明図である。

【図３】本発明の実施例に係る偏光分離素子を用いた光
ピックアップの概略構成を示す図である。

【図４】（ａ）は、本発明の実施例に係る偏光分離素子
を用いた光磁気検出用の光ピックアップの概略構成を示
す図、（ｂ）は、その偏光分離素子を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１０偏光分離素子１１光学的ガラス基板１２複屈折材料層１２ａポリジアセチレン配向膜１２ｂ周期格子１２１色相変化部１２２非色相変化部１４フォトマスク２０、３０光ピックアップ２２ λ／４板２４１、２４２、３２２、３２３、３２４フォトダイ
オート

フロントページの続き (72)発明者竹添秀男東京都目黒区大岡山２−12−１東京工業大学工学部内 (72)発明者石川謙東京都目黒区大岡山２−12−１東京工業大学工学部内 (72)発明者鈴木孝昭東京都目黒区大岡山２−12−１東京工業大学工学部内 (72)発明者福田敦夫東京都目黒区大岡山２−12−１東京工業大学工学部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光学的等方性基板上にポリジアセチレン
配向膜からなる複屈折材料層を形成すると共に、該複屈
折材料層に対して所定のパターンで照射された紫外光に
よって色相変化した色相変化部と、色相変化していない
非色相変化部とによって周期格子が形成され、該周期格子では、前記色相変化部における前記ポリジア
セチレン配向膜の配向方向の屈折率が前記非色相変化部
における前記ポリジアセチレン配向膜の配向方向の屈折
率よりも低いことを特徴とする偏光分離素子。
【請求項２】請求項１において、前記光学的等方性基
板と前記ポリジアセチレン配向膜との間には該ポリジア
セチレン配向膜に配向性を与えるためのフィルム層を有
することを特徴とする偏光分離素子。
【請求項３】請求項１に規定する偏光分離素子の製造
方法において、光学的等方性基板上にポリジアセチレン
配向膜からなる複屈折材料層を形成した後、該複屈折材
料層に対して所定のパターンで紫外光を照射して色相変
化させた前記色相変化部と、色相変化していない前記非
色相変化部とによって周期格子を形成することを特徴と
する偏光分離素子の製造方法。
【請求項４】請求項２に規定する偏光分離素子の製造
方法において、光学的等方性基板上に前記フィルム層を
形成した後、ポリジアセチレン配向膜からなる複屈折材
料層を形成し、しかる後、該複屈折材料層に対して所定
のパターンで紫外光を照射して色相変化させた前記色相
変化部と、色相変化していない前記非色相変化部とによ
って周期格子を形成することを特徴とする偏光分離素子
の製造方法。
【請求項５】発光素子と、該発光素子からの出射光の
光路上に位置すると共に光記録媒体に対向配置された対
物レンズと、前記光記録媒体からの戻り光を受光素子に
導くための光学素子とを有する光ピックアップにおい
て、前記光学素子は、請求項１または２に規定する偏光分離
素子を備えることを特徴とする光ピックアップ。