JP2001160125A5 - - Google Patents
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Claims (34)
- カード基板に半導体集積回路チップを有し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、前記接続端子は前記半導体集積回路チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体集積回路チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、
前記第2の過電圧保護素子は、前記第1の過電圧保護素子を上まわる電流許容能力を有する可変抵抗素子であることを特徴とするICカード - カード基板に半導体集積回路チップを有し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、前記接続端子は前記半導体集積回路チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体集積回路チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、
前記第2の過電圧保護素子に定格電圧よりも大きな電圧を印加することによって規定のパルス電流を流すのに必要な印加電圧は、前記第1の過電圧保護素子にとって前記規定のパルス電流よりも少ない電流しか流すことのできない電圧であることを特徴とするICカード。 - カード基板に半導体集積回路チップを有し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、前記接続端子は前記半導体集積回路チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体集積回路チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、
前記第2の過電圧保護素子は、前記第1の過電圧保護素子よりも大きな破壊電圧を有する可変抵抗素子であることを特徴とするICカード。 - カード基板に半導体集積回路チップを有し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、前記接続端子は前記半導体集積回路チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体集積回路チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、
前記第2の過電圧保護素子は、前記第1の過電圧保護素子よりも大きな容量を有する素子であることを特徴とするICカード。 - カード基板に半導体集積回路チップを有し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、前記接続端子は前記半導体集積回路チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体集積回路チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、
前記第2の過電圧保護素子の降伏電圧は前記第1の過電圧保護素子の破壊電圧よりも小さいことを特徴とするICカード。 - カード基板に半導体集積回路チップを有し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、前記接続端子は前記半導体集積回路チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体集積回路チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、
前記第2の過電圧保護素子の降伏電圧は前記第1の過電圧保護素子によって保護される回路の破壊電圧よりも小さいことを特徴とするICカード。 - カード基板に半導体集積回路チップを有し、回路の電源用接続端子及び信号用接続端子を露出させたICカードであって、前記電源用接続端子及び信号用接続端子は前記半導体集積回路チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体集積回路チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には一端が前記電源用接続端子に接続し他端が信号用接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、
前記信号用接続端子から対応する第2の過電圧保護素子の前記他端までの信号伝播距離は、前記信号用接続端子から半導体集積回路チップの対応外部端子までの信号伝播距離よりも短いことを特徴とするICカード - 前記第2の過電圧保護素子は、半導体セラミックスを主体とした面実装型のバリスタであることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項記載のICカード。
- 前記半導体チップはコントローラチップであり、前記コントローラチップに接続される単数又は複数個の不揮発性メモリチップを前記カード基板に更に有し、前記コントローラチップは外部からの指示に従って前記不揮発性メモリチップに対するリード・ライト動作を制御するメモリコントロール機能を有するものであることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項記載のICカード。
- 前記コントローラチップは、前記不揮発性メモリチップに書込むデータに対して暗号化を行い、前記不揮発性メモリチップから読み出したデータに対して復号を行う機密保護機能を有するものであることを特徴とする請求項9記載のICカード。
- 外部端子に接続する第1の過電圧保護素子とその他の回路が集積された半導体集積回路チップを有するカード基板に複数個の接続端子を露出させたICカードの製造方法であって、
前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子を前記カード基板に先に実装し、その後で、前記接続端子に前記半導体集積回路チップの所定の外部端子を接続することを特徴とする、ICカードの製造方法。 - カード基板に半導体集積回路チップを有し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、前記接続端子は前記半導体集積回路チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体集積回路チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、
前記第2の過電圧保護素子はカード基板に形成されている導電パターンに面実装で接続されて成るものであることを特徴とするICカード。 - 前記半導体集積回路チップはコントローラチップであり、前記コントローラチップに接続される単数又は複数個の不揮発性メモリチップを前記カード基板に更に有し、前記コントローラチップは外部からの指示に従って前記不揮発性メモリチップに対するリード・ライト動作を制御するメモリコントロール機能を有し、
前記接続端子とコントローラチップの外部端子とはボンディングワイヤを介して接続され、
前記コントローラチップと不揮発性メモリチップとはボンディングワイヤを介して接続されて、成るものであることを特徴とする請求項12記載のICカード。 - 複数個のメモリチップと前記メモリチップを制御するコントローラチップとをカード基板の一面に実装して成るICカードであって、
前記カード基板の前記一面の表面積は前記メモリチップ及びコントローラチップの延べ面積よりも大きく、
前記メモリチップは夫々の外部端子を露出するように位置をずらして複数個重ねられた状態で前記カード基板に実装されて成るものであることを特徴とするICカード。 - 複数個のメモリチップと前記メモリチップを制御するコントローラチップとをカード基板の一面に実装して成るICカードであって、
前記メモリチップは夫々の外部端子を露出するように位置をずらして複数個重ねられた状態で前記カード基板に実装され、
前記コントローラチップから相互に同一信号を受けるメモリチップの外部端子は、ボンディングワイヤで順次直列接続されて成るものであることを特徴とするICカード。 - 複数個のメモリチップと前記メモリチップを制御するコントローラチップとをカード基板の一面に実装して成るICカードであって、
前記メモリチップは夫々の外部端子を露出するように位置をずらして複数個重ねられた状態で前記カード基板に実装され、
前記メモリチップのチップ選択信号入力用の外部端子はメモリチップの外部端子配列の端に位置されていて、夫々別々にボンディングワイヤで前記コントローラチップに接続されて成るものであることを特徴とするICカード。 - カード基板に複数個のメモリチップと前記メモリチップを制御するコントローラチップとを実装し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、
前記メモリチップは前記コントローラチップに接続され、
前記接続端子は前記コントローラチップの所定の外部端子に接続され、
前記コントローラチップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、
前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、
前記接続端子から離れる距離を、前記第2の過電圧保護素子、コントローラチップ、複数個のメモリチップの順に大きくして、それらが前記カード基板の一辺から対向辺に向けて列状に配置されて成るものであることを特徴とするICカード。 - 前記メモリチップは夫々の外部端子を露出するように位置をずらして重ねられた状態で前記カード基板に実装されて成るものであることを特徴とする請求項17記載のICカード。
- カード基板に複数個のメモリチップと前記メモリチップを制御するコントローラチップとを実装し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、
前記カード基板の隣接2辺の内の一方の辺に沿って前記複数個の接続端子が配列され、
前記隣接2辺の他方の辺に長手方向を沿わせてメモリコントローラが配置され、
前記複数個のメモリチップは前記接続端子の配列方向とは略直角な向きに並列され、
前記接続端子は前記コントローラチップの所定の外部端子に接続され、
前記コントローラチップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、
前記メモリチップは前記コントローラチップに接続され、て成るものであることを特徴とするICカード - 前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が前記接続端子の配列方向に沿って実装されて成るものであることを特徴とする請求項19記載のICカード。
- 前記メモリチップは、夫々の外部端子を露出するように位置をずらした状態で複数枚重ねられた第1グループと、同様に複数枚重ねられた第2グループとに分けられた状態で並列されて成るものであることを特徴とする請求項19又は20記載のICカード。
- カード基板の一面に複数個の接続端子が形成され、前記接続端子がスルーホールを介して前記カード基板の他面の導電パターンに接続され、前記導電パターンに半導体集積回路チップの外部接続端子が接続されて前記半導体集積回路が前記カード基板の他面に実装されたICカードであって、
前記スルーホールは、前記半導体集積回路チップと共にカード基板の他面を覆うモールド領域から外に配置されて成るものであることを特徴とするICカード。 - 前記スルーホールは前記接続端子の摺動面に対して偏倚した位置に形成されて成るものであることを特徴とする請求項22記載のICカード。
- カード基板の一面に複数個の接続端子が形成され、前記カード基板の他面に半導体集積回路チップが実装されたICカードであって、前記接続端子は前記半導体集積回路チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体集積回路チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板の他面には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、前記半導体集積回路チップ及び第2の過電圧保護素子と共にカード基板の他面が金属キャップで覆われて成るものであることを特徴とするICカード。
- カード基板の一面に複数個の接続端子が形成され、前記カード基板の他面に半導体集積回路チップが実装されたICカードであって、前記接続端子は前記半導体集積回路チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体集積回路チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板の他面には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、前記カード基板の一面には前記接続端子を除く領域に導電性シールドパターンを形成し、前記導電性シールドパターンはグランド電源供給用の前記接続端子に接続され、又はどの接続端子とも非接触にされて成るものであることを特徴とするICカード。
- カード基板に半導体集積回路チップを有し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、前記接続端子は前記半導体チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、更にICカードの表面に当該ICカードを指で持つ位置を明示するための表示を有するものであることを特徴とするICカード。
- カード基板に半導体集積回路チップを有し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、前記接続端子は前記半導体チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、更にICカードの表面に前記接続端子に触れないように促す注意書きを有するものであることを特徴とするICカード。
- カード基板に半導体集積回路チップを有し、複数個の接続端子を露出させたICカードと、前記ICカードを包装した包装材とを有し、
前記接続端子は前記半導体チップの所定の外部端子に接続され、前記半導体チップには前記外部端子に接続する第1の過電圧保護素子が集積され、前記カード基板には前記接続端子に接続する第2の過電圧保護素子が実装され、
前記包装材は、前記接続端子に触れないように促す注意書きを有するものであることを特徴とするICカード装置。 - カード基板に複数個のメモリチップと前記メモリチップを制御するコントローラチップとを実装し、複数個の接続端子を露出させたICカードであって、
前記接続端子は前記コントローラチップの第1群の外部端子に接続され、
前記メモリチップは前記コントローラチップの第2群の外部端子に接続され、 前記第2群の外部端子に接続するデータ評価用端子を前記カード基板に形成して成るものであることを特徴とするICカード。 - 前記コントローラチップの第2群の外部端子に含まれる出力端子を高出力インピーダンス状態に制御する制御端子を前記カード基板に更に設けて成るものであることを特徴とする請求項29記載のICカード。
- 前記コントローラチップは、前記メモリチップに書込むデータに対して暗号化を行い、前記メモリチップから読み出したデータに対して復号を行う機密保護機能を有するものであることを特徴とする請求項29又は30記載のICカード。
- 複数個の接続端子が露出され、カード基板にメモリチップと前記メモリチップを制御するコントローラチップとが実装され、前記接続端子は前記コントローラチップの第1群の外部端子に接続され、前記メモリチップは前記コントローラチップの第2群の外部端子に接続され、前記第2群の外部端子に接続するデータ評価用端子が前記カード基板に形成されたICカードに対する、データリカバリ方法であって、
前記コントローラチップによるメモリチップの制御を不可能な状態にする第1処理と、
前記データ評価用端子からメモリチップを制御してデータを読み出す第2処理と、を含むことを特徴とするデータリカバリ方法。 - 複数個の接続端子が露出され、カード基板にメモリチップとコントローラチップとが実装され、前記コントローラチップは、前記メモリチップに書込むデータに対して暗号化を行い、前記メモリチップから読み出したデータに対して復号を行う機密保護機能を有し、前記接続端子は前記コントローラチップの第1群の外部端子に接続され、前記メモリチップは前記コントローラチップの第2群の外部端子に接続され、前記第2群の外部端子に接続するデータ評価用端子が前記カード基板に形成されたICカードに対する、データリカバリ方法であって、
前記コントローラチップの前記第2群の外部端子に含まれる出力端子を高出力インピーダンス状態に制御する第1処理と、
前記データ評価用端子からメモリを制御してデータを読み出す第2処理と、
前記第2処理で読み出したデータを復号する第3処理と、
前記第3処理で復号したデータを別のICカードに書き込む第4処理と、を含むことを特徴とするデータリカバリ方法。 - 過電圧保護素子より大きな電流許容能力を有するバリスタを内蔵することを特徴とするICカード。
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US7830666B2 (en) * | 2000-01-06 | 2010-11-09 | Super Talent Electronics, Inc. | Manufacturing process for single-chip MMC/SD flash memory device with molded asymmetric circuit board |
US7872871B2 (en) * | 2000-01-06 | 2011-01-18 | Super Talent Electronics, Inc. | Molding methods to manufacture single-chip chip-on-board USB device |
US20080185694A1 (en) * | 1999-08-04 | 2008-08-07 | Super Talent Electronics, Inc. | Processes of Manufacturing Portable Electronic Storage Devices Utilizing Lead Frame Connectors |
JP3822768B2 (ja) * | 1999-12-03 | 2006-09-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | Icカードの製造方法 |
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US6641049B2 (en) * | 2000-08-31 | 2003-11-04 | Pacusma Company, Ltd. | Integrated circuit card with multiple integral electronic modules |
JP2002124626A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
KR100348102B1 (ko) * | 2001-01-17 | 2002-08-09 | 삼성전자 주식회사 | 광학적 문자 인식을 통한 반도체 제품의 마킹 결함 검사방법 |
US7352199B2 (en) * | 2001-02-20 | 2008-04-01 | Sandisk Corporation | Memory card with enhanced testability and methods of making and using the same |
US6858925B2 (en) * | 2001-04-02 | 2005-02-22 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US7220615B2 (en) * | 2001-06-11 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Alternative method used to package multimedia card by transfer molding |
US20040135241A1 (en) * | 2002-11-18 | 2004-07-15 | Storcard, Inc. | Secure transaction card with a large storage volume |
JP2003060046A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体集積回路およびそれを用いた電子装置 |
US6843421B2 (en) * | 2001-08-13 | 2005-01-18 | Matrix Semiconductor, Inc. | Molded memory module and method of making the module absent a substrate support |
US6680219B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-01-20 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for die stacking |
US6798693B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-09-28 | Kilopass Technologies, Inc. | Semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
JP4599059B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2010-12-15 | キロパス テクノロジー インコーポレイテッド | 超薄膜誘電体のブレークダウン現象を利用した半導体メモリセルセル及びメモリアレイ |
US6766960B2 (en) | 2001-10-17 | 2004-07-27 | Kilopass Technologies, Inc. | Smart card having memory using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
US6700151B2 (en) * | 2001-10-17 | 2004-03-02 | Kilopass Technologies, Inc. | Reprogrammable non-volatile memory using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
JP2003188262A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子 |
KR20030083306A (ko) * | 2002-04-20 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 메모리 카드 |
US6992925B2 (en) * | 2002-04-26 | 2006-01-31 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor and having counter-doped poly and buried diffusion wordline |
US6898116B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-05-24 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor having a buried N+ connection |
US6940751B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-09-06 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor and having variable gate oxide breakdown |
US6777757B2 (en) * | 2002-04-26 | 2004-08-17 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor |
TWI299559B (en) * | 2002-06-19 | 2008-08-01 | Inpaq Technology Co Ltd | Ic substrate with over voltage protection function and method for manufacturing the same |
JP4102800B2 (ja) * | 2002-08-16 | 2008-06-18 | 富士通株式会社 | 取引端末装置および取引端末制御方法 |
EP1540581A2 (en) * | 2002-09-17 | 2005-06-15 | Axalto S.A. | Hybrid card |
US7042772B2 (en) * | 2002-09-26 | 2006-05-09 | Kilopass Technology, Inc. | Methods and circuits for programming of a semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomenon in an ultra-thin dielectric |
US7031209B2 (en) * | 2002-09-26 | 2006-04-18 | Kilopass Technology, Inc. | Methods and circuits for testing programmability of a semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomenon in an ultra-thin dielectric |
JP3866178B2 (ja) * | 2002-10-08 | 2007-01-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | Icカード |
US20040084766A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-06 | Pei-Ying Shieh | System-in-a-package device |
KR100616057B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2006-08-28 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 집적 회로 장치 |
JP2004214258A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Renesas Technology Corp | 半導体モジュール |
EP1447809A1 (fr) * | 2003-02-14 | 2004-08-18 | SCHLUMBERGER Systèmes | Carte à multi-puce |
JP4128473B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2008-07-30 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
US6791891B1 (en) | 2003-04-02 | 2004-09-14 | Kilopass Technologies, Inc. | Method of testing the thin oxide of a semiconductor memory cell that uses breakdown voltage |
KR20100107057A (ko) * | 2003-07-03 | 2010-10-04 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 카드 디바이스 |
US6924664B2 (en) * | 2003-08-15 | 2005-08-02 | Kilopass Technologies, Inc. | Field programmable gate array |
JP4330411B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2009-09-16 | 三洋電機株式会社 | 回路装置 |
US7126219B2 (en) * | 2003-10-09 | 2006-10-24 | Kingpak Technology Inc. | Small memory card |
JP4272968B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2009-06-03 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置および半導体チップ制御方法 |
US7253517B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-08-07 | Raytheon Company | Method and apparatus for combining multiple integrated circuits |
JP2007041629A (ja) * | 2003-11-04 | 2007-02-15 | Renesas Technology Corp | メモリカード及び半導体装置 |
JP2005150154A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 半導体モジュールとその実装方法 |
US7095104B2 (en) * | 2003-11-21 | 2006-08-22 | International Business Machines Corporation | Overlap stacking of center bus bonded memory chips for double density and method of manufacturing the same |
JP2007066922A (ja) * | 2003-11-28 | 2007-03-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
US8998620B2 (en) * | 2003-12-02 | 2015-04-07 | Super Talent Technology, Corp. | Molding method for COB-EUSB devices and metal housing package |
US8102657B2 (en) | 2003-12-02 | 2012-01-24 | Super Talent Electronics, Inc. | Single shot molding method for COB USB/EUSB devices with contact pad ribs |
JP4361380B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2009-11-11 | 富士通株式会社 | 光モジュール |
US7064973B2 (en) * | 2004-02-03 | 2006-06-20 | Klp International, Ltd. | Combination field programmable gate array allowing dynamic reprogrammability |
US6972986B2 (en) * | 2004-02-03 | 2005-12-06 | Kilopass Technologies, Inc. | Combination field programmable gate array allowing dynamic reprogrammability and non-votatile programmability based upon transistor gate oxide breakdown |
US20050218929A1 (en) * | 2004-04-02 | 2005-10-06 | Man Wang | Field programmable gate array logic cell and its derivatives |
US7402855B2 (en) | 2004-05-06 | 2008-07-22 | Sidense Corp. | Split-channel antifuse array architecture |
US9123572B2 (en) | 2004-05-06 | 2015-09-01 | Sidense Corporation | Anti-fuse memory cell |
US8735297B2 (en) | 2004-05-06 | 2014-05-27 | Sidense Corporation | Reverse optical proximity correction method |
US7755162B2 (en) | 2004-05-06 | 2010-07-13 | Sidense Corp. | Anti-fuse memory cell |
US7310242B2 (en) * | 2004-05-21 | 2007-12-18 | General Motors Corporation | Self-shielding high voltage distribution box |
US7164290B2 (en) * | 2004-06-10 | 2007-01-16 | Klp International, Ltd. | Field programmable gate array logic unit and its cluster |
US20050275427A1 (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-15 | Man Wang | Field programmable gate array logic unit and its cluster |
US6903935B1 (en) * | 2004-07-16 | 2005-06-07 | Tien-Tzu Chen | Memory card with a static electricity conducting board |
US7135886B2 (en) * | 2004-09-20 | 2006-11-14 | Klp International, Ltd. | Field programmable gate arrays using both volatile and nonvolatile memory cell properties and their control |
US7348661B2 (en) * | 2004-09-24 | 2008-03-25 | Intel Corporation | Array capacitor apparatuses to filter input/output signal |
KR101117957B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2012-02-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 인너팩의 보호회로모듈 |
TW200612347A (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-16 | Advanced Flash Memory Card Technology Co Ltd | Structure of memory card and producing method thereof |
JP4710496B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2011-06-29 | 株式会社デンソー | 回路基板及び電子回路装置 |
KR100585163B1 (ko) * | 2004-11-27 | 2006-06-01 | 삼성전자주식회사 | 메모리 카드 및 그 제조방법 |
US7397646B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-07-08 | Tdk Corporation | Surge absorption circuit |
JP2006155521A (ja) | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | Icカード |
JP2006172122A (ja) | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Toshiba Corp | カード状記憶装置 |
CN100405880C (zh) * | 2004-12-24 | 2008-07-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 引脚连接结构及其脚位定义的修改方法 |
KR100761755B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 입출력 비트구조를 조절할 수 있는 반도체 메모리 장치 |
DE102005014176B4 (de) * | 2005-03-29 | 2009-08-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Erstellen einer Schutzanordnung zum Schutz eines Elektronikbausteins vor elektrostatischen Entladungen und entsprechend ausgebildeter Elektronikbaustein |
JP4309368B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2009-08-05 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US7193436B2 (en) * | 2005-04-18 | 2007-03-20 | Klp International Ltd. | Fast processing path using field programmable gate array logic units |
US7719845B1 (en) * | 2005-04-26 | 2010-05-18 | Amkor Technology, Inc. | Chamfered memory card module and method of making same |
JP2007004775A (ja) * | 2005-05-23 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 半導体メモリカード |
JP2007026421A (ja) * | 2005-06-15 | 2007-02-01 | Toshiba Corp | 携帯型記憶装置 |
JP2007019415A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7317630B2 (en) * | 2005-07-15 | 2008-01-08 | Atmel Corporation | Nonvolatile semiconductor memory apparatus |
JP4715371B2 (ja) | 2005-07-29 | 2011-07-06 | Tdk株式会社 | サージ吸収素子及びサージ吸収回路 |
US7429785B2 (en) * | 2005-10-19 | 2008-09-30 | Littelfuse, Inc. | Stacked integrated circuit chip assembly |
US7515391B2 (en) * | 2005-10-19 | 2009-04-07 | Littlefuse, Inc. | Linear low capacitance overvoltage protection circuit |
US7489488B2 (en) * | 2005-10-19 | 2009-02-10 | Littelfuse, Inc. | Integrated circuit providing overvoltage protection for low voltage lines |
US20070102529A1 (en) * | 2005-11-08 | 2007-05-10 | Macsema, Inc. | Information devices |
JP2007183776A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2007205908A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 重量センサ |
WO2007123143A1 (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Panasonic Corporation | メモリカード |
TW200743035A (en) * | 2006-05-09 | 2007-11-16 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Circuit card module and method for fabricating the same |
FR2902213B1 (fr) * | 2006-06-08 | 2008-10-17 | Thomson Licensing Sas | Carte electronique dotee de fonctions securitaires |
KR100828956B1 (ko) * | 2006-06-27 | 2008-05-13 | 하나 마이크론(주) | Usb 메모리 패키지 및 그 제조 방법 |
TWI301984B (en) * | 2006-07-04 | 2008-10-11 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Memory card with electrostatic discharge protection |
US7659608B2 (en) * | 2006-09-15 | 2010-02-09 | Stats Chippac Ltd. | Stacked die semiconductor device having circuit tape |
JP2008078367A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2008084263A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Renesas Technology Corp | メモリカードおよびその製造方法 |
US7859814B2 (en) * | 2006-10-19 | 2010-12-28 | Littelfuse, Inc. | Linear low capacitance overvoltage protection circuit using a blocking diode |
US20080106415A1 (en) * | 2006-11-08 | 2008-05-08 | Macsema, Inc. | Information tag |
US7691668B2 (en) * | 2006-12-19 | 2010-04-06 | Spansion Llc | Method and apparatus for multi-chip packaging |
KR101221807B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2013-01-14 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력 소자 패키지 |
US8079528B2 (en) * | 2007-01-10 | 2011-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Input/output pads placement for a smart card chip |
TWI380427B (en) * | 2007-01-16 | 2012-12-21 | Advanced Semiconductor Eng | Substrate and the semiconductor package comprising the same |
KR100851549B1 (ko) | 2007-02-01 | 2008-08-11 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈 |
US8446750B2 (en) | 2007-02-01 | 2013-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory module using optical signal |
US7709278B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-05-04 | Sandisk Corporation | Method of making PCB circuit modification from multiple to individual chip enable signals |
US7778057B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-08-17 | Sandisk Corporation | PCB circuit modification from multiple to individual chip enable signals |
JP4913640B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-04-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5137179B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-02-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
TW200846797A (en) * | 2007-05-28 | 2008-12-01 | Wen-Jyh Sah | Circuit board and display apparatus |
CN101689252A (zh) * | 2007-06-15 | 2010-03-31 | 松下电器产业株式会社 | 存储卡及其制造方法 |
US8399973B2 (en) * | 2007-12-20 | 2013-03-19 | Mosaid Technologies Incorporated | Data storage and stackable configurations |
US7867819B2 (en) * | 2007-12-27 | 2011-01-11 | Sandisk Corporation | Semiconductor package including flip chip controller at bottom of die stack |
TWI421996B (zh) * | 2008-01-10 | 2014-01-01 | Ind Tech Res Inst | 靜電放電防護架構 |
JP2009266258A (ja) | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US8816486B2 (en) * | 2008-05-12 | 2014-08-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pad structure for 3D integrated circuit |
DE102008024479A1 (de) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Epcos Ag | Elektrische Bauelementanordnung |
JP2010003290A (ja) * | 2008-05-22 | 2010-01-07 | Panasonic Corp | リムーバブルメモリカード |
EP2133915A1 (de) * | 2008-06-09 | 2009-12-16 | Micronas GmbH | Halbleiteranordnung mit besonders gestalteten Bondleitungen und Verfahren zum Herstellen einer solchen Anordnung |
JP5253901B2 (ja) | 2008-06-20 | 2013-07-31 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP2010021449A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
TW201007917A (en) * | 2008-08-05 | 2010-02-16 | Kun Yuan Technology Co Ltd | Method for fabricating package structure of stacked chips |
KR20100021856A (ko) * | 2008-08-18 | 2010-02-26 | 삼성전자주식회사 | 관통 전극을 갖는 반도체장치의 형성방법 및 관련된 장치 |
USD794641S1 (en) * | 2009-01-07 | 2017-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device |
USD794643S1 (en) * | 2009-01-07 | 2017-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device |
USD794034S1 (en) * | 2009-01-07 | 2017-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device |
USD795262S1 (en) * | 2009-01-07 | 2017-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device |
USD794642S1 (en) * | 2009-01-07 | 2017-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device |
USD795261S1 (en) * | 2009-01-07 | 2017-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device |
USD794644S1 (en) * | 2009-01-07 | 2017-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device |
US20100182092A1 (en) * | 2009-01-19 | 2010-07-22 | Tremblay John C | Power sensitive variable attenuator |
KR101555637B1 (ko) * | 2009-03-27 | 2015-09-24 | 삼성전자주식회사 | 스마트 카드 |
KR20100109243A (ko) * | 2009-03-31 | 2010-10-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
KR20100129600A (ko) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이를 포함하는 데이터 저장 장치 |
JP2010288233A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Toshiba Corp | 暗号処理装置 |
US8476749B2 (en) * | 2009-07-22 | 2013-07-02 | Oracle America, Inc. | High-bandwidth ramp-stack chip package |
JP2011048756A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Toshiba Corp | メモリモジュール |
USD628202S1 (en) | 2009-10-20 | 2010-11-30 | Sandisk Corporation | MicroSD memory card with different color surfaces |
US8690283B2 (en) | 2009-10-20 | 2014-04-08 | Sandisk Il Ltd. | Method and system for printing graphical content onto a plurality of memory devices and for providing a visually distinguishable memory device |
USD638431S1 (en) | 2009-10-20 | 2011-05-24 | Sandisk Corporation | MicroSD memory card with a semi-transparent color surface |
JP5297992B2 (ja) | 2009-12-15 | 2013-09-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 外部記憶装置 |
JP5413189B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-02-12 | ソニー株式会社 | カード型装置 |
JP2012043372A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Fujitsu Component Ltd | カードモジュール及びカードモジュールの製造方法 |
TWI452665B (zh) | 2010-11-26 | 2014-09-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 具防靜電破壞及防電磁波干擾之封裝件及其製法 |
US8681546B2 (en) * | 2011-02-22 | 2014-03-25 | Apple Inc. | Variable impedance control for memory devices |
FR2975528B1 (fr) * | 2011-05-17 | 2014-02-28 | Alstom Transport Sa | Dispositif d'isolation electrique d'un plan conducteur presentant un premier potentiel electrique par rapport a un deuxieme potentiel, comprenant des moyens de diminution de la valeur du champ electrostatique en un point du bord peripherique du plan conducteur |
JP2013025691A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Japan Radio Co Ltd | カード型電子装置 |
JP2013030712A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Toshiba Corp | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
US8368192B1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-02-05 | Powertech Technology, Inc. | Multi-chip memory package with a small substrate |
KR101900423B1 (ko) * | 2011-09-19 | 2018-09-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
US9082632B2 (en) | 2012-05-10 | 2015-07-14 | Oracle International Corporation | Ramp-stack chip package with variable chip spacing |
JP5740372B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2015-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体メモリカード |
KR101540147B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2015-07-28 | 삼성전기주식회사 | 오작동 방지 기능이 구비된 전력 모듈 및 그 제어 방법 |
KR102084553B1 (ko) | 2013-01-03 | 2020-03-04 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 |
TW201507076A (zh) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | Toshiba Kk | 半導體裝置 |
US20150049448A1 (en) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP6235423B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2017-11-22 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置 |
KR101608226B1 (ko) * | 2014-11-20 | 2016-04-14 | 주식회사 아모텍 | 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치 |
KR20160068546A (ko) * | 2014-12-05 | 2016-06-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 입력 회로 및 이를 이용한 반도체 시스템 |
DE102016205966A1 (de) * | 2016-04-11 | 2017-10-12 | Zf Friedrichshafen Ag | Elektronische Einheit mit ESD-Schutzanordnung |
JP6790705B2 (ja) * | 2016-10-13 | 2020-11-25 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
US9953930B1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-04-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package structure and method for manufacturing the same |
JP2018202026A (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-27 | 株式会社オリンピア | 遊技機 |
KR102440366B1 (ko) * | 2018-01-04 | 2022-09-05 | 삼성전자주식회사 | 메모리 카드 및 이를 포함하는 전자 장치 |
JP2020053655A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US11166363B2 (en) * | 2019-01-11 | 2021-11-02 | Tactotek Oy | Electrical node, method for manufacturing electrical node and multilayer structure comprising electrical node |
TWI681695B (zh) | 2019-01-31 | 2020-01-01 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 可避免搭配運作的記憶體晶片效能降級的信號處理電路 |
US10892236B2 (en) * | 2019-04-30 | 2021-01-12 | Qualcomm Incorporated | Integrated circuit having a periphery of input/output cells |
FR3102642B1 (fr) * | 2019-10-23 | 2022-07-15 | Safran Electronics & Defense | Carte électronique comprenant un premier plan de masse et un deuxième plan de masse |
CN110867435A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-03-06 | 北京新忆科技有限公司 | 存储器 |
US11329035B2 (en) * | 2020-04-16 | 2022-05-10 | International Business Machines Corporation | Tetherless chip module |
JP2022147368A (ja) * | 2021-03-23 | 2022-10-06 | キオクシア株式会社 | メモリデバイス |
Family Cites Families (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2567970B1 (fr) | 1984-07-23 | 1989-04-28 | Normetex | Pompe a vide integralement seche et etanche a mouvement rectiligne de compression alternative |
US4918631A (en) * | 1984-09-07 | 1990-04-17 | Casio Computer Co., Ltd. | Compact type electronic information card |
JPS61193283A (ja) | 1985-02-20 | 1986-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Icカ−ド |
JPH0755587B2 (ja) | 1985-10-21 | 1995-06-14 | 日立マクセル株式会社 | Icカ−ド |
JPH0682405B2 (ja) | 1986-01-14 | 1994-10-19 | カシオ計算機株式会社 | テストプログラム起動方式 |
JPH06104394B2 (ja) * | 1986-06-11 | 1994-12-21 | 株式会社東芝 | 携帯可能記憶媒体 |
JPS63149191A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-21 | 日立マクセル株式会社 | Icカ−ド |
US4861656A (en) * | 1986-12-24 | 1989-08-29 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
JPS63211049A (ja) | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Toshiba Corp | 携帯可能電子装置 |
JPS6444171A (en) | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Ricoh Kk | Picture signal processor |
US4896058A (en) * | 1988-04-26 | 1990-01-23 | North American Philips Corp. | TTL circuit having ramped current output |
US5048510A (en) | 1988-08-29 | 1991-09-17 | American Medical Systems, Inc. | Inflatable penile prosthesis with satellite reservoir |
JPH02240792A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Icカード用端末装置 |
JPH02249088A (ja) | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Toshiba Corp | メモリカードシステム |
JPH03144823A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | N T T Data Tsushin Kk | Icカードとホスト装置間の通信制御装置 |
JP3104795B2 (ja) | 1990-04-26 | 2000-10-30 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
EP0454447A3 (en) | 1990-04-26 | 1993-12-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor device assembly |
JPH04302164A (ja) | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH0521714A (ja) | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 過電圧保護回路 |
JP3006208B2 (ja) | 1991-08-23 | 2000-02-07 | 株式会社村田製作所 | チップ型バリスタの製造方法 |
JPH05324949A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Icカード入出力制御回路 |
FR2694840B1 (fr) * | 1992-08-13 | 1994-09-09 | Commissariat Energie Atomique | Module multi-puces à trois dimensions. |
CH686325A5 (de) * | 1992-11-27 | 1996-02-29 | Esec Sempac Sa | Elektronikmodul und Chip-Karte. |
GB9307623D0 (en) * | 1993-04-13 | 1993-06-02 | Jonhig Ltd | Data writing to eeprom |
JPH07271937A (ja) | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Sony Corp | 情報カード |
US5451763A (en) * | 1994-07-05 | 1995-09-19 | Alto Corporation | Personal medical IC card and read/write unit |
JPH0830747A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Sony Corp | メモリカード |
JPH08129627A (ja) | 1994-11-01 | 1996-05-21 | Fujitsu Ltd | メモリカード及び集積回路 |
JP3559322B2 (ja) | 1994-11-14 | 2004-09-02 | 株式会社東芝 | 薄型複合icカードの製造方法 |
JPH08167017A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | Icカード |
JP3059349B2 (ja) | 1994-12-19 | 2000-07-04 | シャープ株式会社 | Icカード、及びフラッシュメモリの並列処理方法 |
JPH08190615A (ja) | 1995-01-09 | 1996-07-23 | Seiko Epson Corp | メモリーカード |
US5684291A (en) * | 1995-06-01 | 1997-11-04 | American Express Trs | Refundable prepaid telephone card |
US5506499A (en) * | 1995-06-05 | 1996-04-09 | Neomagic Corp. | Multiple probing of an auxilary test pad which allows for reliable bonding to a primary bonding pad |
WO1997004376A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-02-06 | Dallas Semiconductor Corporation | Secure module with microprocessor and co-processor |
JP2734424B2 (ja) | 1995-08-16 | 1998-03-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US6002177A (en) * | 1995-12-27 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | High density integrated circuit packaging with chip stacking and via interconnections |
JPH09282900A (ja) * | 1996-04-11 | 1997-10-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | メモリモジュール |
US5815426A (en) * | 1996-08-13 | 1998-09-29 | Nexcom Technology, Inc. | Adapter for interfacing an insertable/removable digital memory apparatus to a host data part |
US5837153A (en) * | 1997-01-15 | 1998-11-17 | Kawan; Joseph C. | Method and system for creating and using a logotype contact module with a smart card |
JP4100732B2 (ja) | 1997-01-22 | 2008-06-11 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JPH10203066A (ja) * | 1997-01-28 | 1998-08-04 | Hitachi Ltd | 非接触icカード |
JPH10214232A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Rohm Co Ltd | Icカードおよびicカードの運用方法 |
JP4212068B2 (ja) * | 1997-05-19 | 2009-01-21 | ローム株式会社 | Icカードおよびicチップモジュール |
US5987357A (en) | 1997-07-30 | 1999-11-16 | Intermedics Inc. | Stackable microelectronic components with self-addressing scheme |
GB9720148D0 (en) * | 1997-09-22 | 1997-11-26 | Innes John Centre Innov Ltd | Gene silencing materials and methods |
JP3901811B2 (ja) * | 1997-10-15 | 2007-04-04 | カルソニックカンセイ株式会社 | 積算装置および積算方法 |
JPH11168185A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Rohm Co Ltd | 積層基板体および半導体装置 |
JP3481444B2 (ja) | 1998-01-14 | 2003-12-22 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2865102B2 (ja) | 1998-01-19 | 1999-03-08 | 株式会社日立製作所 | マルチチップモジュール |
JPH11273400A (ja) | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | 記憶装置 |
JPH11296430A (ja) | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | 記憶装置およびフラッシュメモリ |
US6315195B1 (en) * | 1998-04-17 | 2001-11-13 | Diebold, Incorporated | Transaction apparatus and method |
US6040622A (en) | 1998-06-11 | 2000-03-21 | Sandisk Corporation | Semiconductor package using terminals formed on a conductive layer of a circuit board |
WO2000007143A1 (fr) * | 1998-07-31 | 2000-02-10 | Matsushita Electronics Corporation | Element portable a utilisation bidirectionnelle, systeme de communication, procede de communication, terminal, support lisible par un ordinateur et comportant un programme enregistre |
JP4097403B2 (ja) | 1998-12-02 | 2008-06-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US7093991B2 (en) * | 1999-05-25 | 2006-08-22 | Silverbrook Research Pty Ltd | Combined printer and binder |
JP3822768B2 (ja) | 1999-12-03 | 2006-09-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | Icカードの製造方法 |
US6376904B1 (en) * | 1999-12-23 | 2002-04-23 | Rambus Inc. | Redistributed bond pads in stacked integrated circuit die package |
US6621155B1 (en) * | 1999-12-23 | 2003-09-16 | Rambus Inc. | Integrated circuit device having stacked dies and impedance balanced transmission lines |
JP3768761B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2006-04-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN1218276C (zh) * | 2000-04-28 | 2005-09-07 | 株式会社日立制作所 | 集成电路卡 |
US6858925B2 (en) * | 2001-04-02 | 2005-02-22 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US6900528B2 (en) * | 2001-06-21 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Stacked mass storage flash memory package |
US6843421B2 (en) * | 2001-08-13 | 2005-01-18 | Matrix Semiconductor, Inc. | Molded memory module and method of making the module absent a substrate support |
JP4564215B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | フラッシュメモリ書き替え回路、icカード用lsi、icカード及びフラッシュメモリ書き替え方法 |
US6731011B2 (en) * | 2002-02-19 | 2004-05-04 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory module having interconnected and stacked integrated circuits |
JP4497874B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-07-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路及びicカード |
US20050067694A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Pon Florence R. | Spacerless die stacking |
US7064430B2 (en) * | 2004-08-31 | 2006-06-20 | Stats Chippac Ltd. | Stacked die packaging and fabrication method |
US20060267173A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Sandisk Corporation | Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor |
US20070287824A1 (en) * | 2006-06-08 | 2007-12-13 | Johnson Mitchell T | Waterbased polyurethane floor coating composition |
JP4302164B2 (ja) | 2006-12-15 | 2009-07-22 | 三洋電機株式会社 | 照明装置及び投写型映像表示装置 |
-
1999
- 1999-12-03 JP JP34431099A patent/JP3822768B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
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