JP2009266258A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明による半導体装置は、カルコゲナイド材料を用いた記憶層とダイオードで構成されたメモリセルを積層した構造のメモリアレイを有し、選択されたメモリセルが位置する層に応じて、初期化条件及び書き換え条件が変更されるものである。カレントミラー回路を動作に応じて選択するとともに、電圧選択回路とカレントミラー回路におけるリセット電流の制御機構により、初期化条件及び書き換え条件(ここでは、リセット条件)を動作に応じて変更する。
【選択図】 図1
Description
(実施の形態1)
本実施の形態は、記憶素子にカルコゲナイド材料を用いた相変化メモリを用いたモジュール製造方法を提供する。本製造方法は具体的には、メモリを検査してから半田リフローを行ってモジュール化した後に、先の検査結果に基づくブロック情報をデータ記憶領域(ここでは、図3に示したメイン領域)と同じメモリセルで構成された冗長領域(ここでは、図3に示したスペア領域)に書き込むような工程を辿る。
《メモリアレイの構成》
まず、本実施の形態における相変化メモリのアレイ構成と、その相変化メモリを用いたモジュール製造方法を説明する。図1は、本発明による実施の形態1の半導体装置において、それに含まれる抵抗性記憶素子を用いた相変化メモリのアレイの構成例を示す図である。本相変化メモリアレイは、ユーザー領域UFDとベンダ領域BFDの二つの領域で構成される。ユーザー領域UFDは図2に示したように、カルコゲナイド材料からなる記録層とセル選択用のダイオードで構成されたメモリセルがアレイ状に配置された構成である。図3に示したように、メイン領域MFDとスペア領域SFDからなる複数のページを用いて、ブロックBLKが形成される。本ユーザー領域UFDは、8本の入出力線IO0〜IO7を介して外部装置との間で記憶情報の授受を行う。一方のベンダ領域BFDは、半田リフロー時に200℃以上の熱負荷を受けても記憶情報が保持されるようなメモリセルで構成される。このメモリセルは、例えば、フローティング・ゲート型もしくはチャージ・トラップ型のフラッシュ・メモリセル、ポリシリコン配線の断線やゲート酸化膜の絶縁破壊を利用したフューズなどで構成される。本ベンダ領域BFDも、ユーザー領域UFDと同様に8本の入出力線IO0〜IO7を介して外部装置との間で記憶情報の授受を行う。
第1の特徴は、バッド・ブロック情報が書き込まれるスペア領域SFDが、メイン領域MFDと同じ素子である、相変化メモリで構成されているという点である。このため、スペア領域SFDをフラッシュ・メモリで構成する場合と比較して、製造コストを増大することなくバッド・ブロック情報を記憶することが可能である。また、ポリシリコンを用いた光学的フューズを用いた場合と比較して、セル占有率を低下させることなくバッド・ブロック情報を記憶できるという効果がある。
《メモリ・モジュールの製造工程》
図5は、図1に示したメモリアレイを用いた相変化メモリ・モジュールの製造工程を示している。同図では、チップ・ベンダ側の工程とモジュール・ベンダ側の工程が夫々示されている。まず、チップ・ベンダは、前工程にてシリコン・ウェハ上に図1に示したメモリアレイを作成し、ウェハ状態のメモリとする。
《チップ・ベンダにおける相変化メモリの検査》
次に、チップ・ベンダにおける相変化メモリの検査システム及び検査方法を説明する。図6は、本実施の形態における相変化メモリの検査システムの例を示している。本検査システムは、相変化メモリPCM0、テスト装置TD0、データ・ベースDBで構成される。相変化メモリPCM0は、図1に示したようにユーザー領域UFDとベンダ領域BFDの二つの領域からなるメモリアレイで構成される。テスト装置TD0は、ウェハ状態で検査を行うための半導体検査装置であり、半導体プローバーや半導体テスター、これらを制御するパーソナル・コンピュータなどで構成される。データ・ベースDBは、相変化メモリPCM0の検査結果を保存するためのものであり、例えばハード・ディスク・ドライブ(Hard Disc Drive、HDD)などで構成され、ベンダ領域BFDに記憶されるデバイスIDと照合することで、メイン領域MFDのそれぞれのメモリセルについての不良ビット情報を取り出すことが可能となるように、バッド・ブロック情報が保存される。
《相変化メモリの動作》
まず、図9に従い、書き込み動作の例を説明する。ロウ・レベルとなっているコマンド・ラッチ起動信号CLEをハイ・レベルに駆動し、ハイ・レベルとなっているチップ起動信号CEB及びアドレス・ラッチ起動信号ALEをロウ・レベルに駆動する。この後、第一の書き込みコマンド信号PRG1を入出力線I/Ox(x=0〜7)を介して入力すると、ライト起動信号WEBの立ち上がりエッジによって、第一の書き込みコマンド信号PRG1が相変化メモリに取り込まれる。次に、また、ハイ・レベルとなっているコマンド・ラッチ起動信号CLEをロウ・レベル、ロウ・レベルとなっているアドレス・ラッチ起動信号ALEをハイ・レベルに夫々駆動して、カラム・アドレスを2回(CA1、CA2)、ロウ・アドレスを3回(RA1、RA2、RA3)に分けて順に入力する。これらのアドレスは、ライト起動信号WEBの立ち上がりエッジによって相変化メモリに取り込まれ、チップ内部ではアドレスのデコードが順次行われる。さらに、ハイ・レベルとなっているアドレス・ラッチ起動信号ALEをロウ・レベルに駆動して、記憶情報Din(N)〜Din(M)を入出力線I/Ox(x=0〜7)を介して入力する。続いて、ロウ・レベルとなっているコマンド・ラッチ起動信号CLEをハイ・レベルに駆動して、第二の書き換えコマンド信号PRG2を入出力線I/Ox(x=0〜7)に入力する。この第二の初期化コマンド信号PRG2は、ライト起動信号WEBの立ち上がりエッジによって相変化メモリに取り込まれて、チップ内部で書き換え動作が行われる。なお、書き換え動作において、ハイ・レベルとなっているレディー/ビジー信号RBBはロウ・レベルに駆動される。書き換え動作を終えて、ロウ・レベルとなっているレディー/ビジー信号RBBがハイ・レベルに駆動されてから、状態読み出しコマンド信号RDSを入力する。状態読み出しコマンド信号RDSは、書き込み起動信号WEBの立ち上がりエッジにてチップ内部に取り込まれる。さらに、読み出し起動信号RDBに同期して、チップ内部のレジスタに一時記憶された書き込み後の状態RIO0が入出力線I/Ox(x=0〜7)から出力される。
《モジュール・ベンダにおけるブロック情報の書き込み方法》
次にモジュール・ベンダにおける相変化メモリのブロック情報の書き込み方法を説明する。図11は、本実施の形態における相変化メモリのブロック情報書き込みシステムの例を示している。本書き込みシステムは、チップ・ベンダ側のデータ・ベースDBとネットワークNWを介して接続されており、テスト装置TD1と相変化メモリ・モジュールPCMMDL0とで構成される。テスト装置TD1は、システム・バスSYSBUS1を介して相変化メモリ・モジュールPCMMDL0と接続される。また、テスト装置TD1は、プリント基板に半田付けされてモジュール化された相変化メモリの検査を行うための半導体検査装置であり、検査専用ボードや半導体テスター、これらを制御するパーソナル・コンピュータ、システム・バスSYSBUS1の仕様に応じたインタフェイス回路ブロックなどで構成される。
(実施の形態2)
本実施の形態では、チップ・ベンダにおける相変化メモリの検査システムの別の構成を説明する。図15は、その構成例を示している。同図に示した構成の特徴は図6に示した構成と比べると、検査結果を記憶する媒体がハード・ディスク・ドライブ(HDD)で構成される据え置き型のデータ・ベースDBから、取り外しが可能なリムーバブル・メディア(Removable media)RMに置き換えられている点にある。
(実施の形態3)
本実施の形態では相変化メモリの検査と、ブロック情報の書き込みにおける別のシーケンスを説明する。図16及び図17は、これらのシーケンスの例を夫々示している。これらのシーケンスの特徴は図7及び図13に示したシーケンスと比べると、有効領域をページ毎に判別して、その結果(以下では、ページ情報と呼ぶ)を記憶する点にある。
本検査シーケンスは、従来のNANDフラッシュ・メモリのように複数のページで構成される領域(ここでは、ブロック)を一括して消去する必要のない、上書き可能な相変化メモリに有効である。不良ビットが特定のページのみに集中して発生しているような場合、当該ページのみを無効化することにより、動作可能なページを有効活用することができる。したがって、有効なビット数を増加することが可能となる。
(実施の形態4)
本実施の形態4では検査結果の内容と、その検査結果に応じたブロック情報を相変化メモリに記録する際の書き込み動作シーケンスの別の例を示す。図18は、本実施の形態による検査結果の内容の例を示している。本内容の特徴は図8に示した内容と比べると、不良ビットを含むブロック・アドレスのみを記録する点にある。
(実施の形態5)
本実施の形態5では相変化メモリと、検査システム及び書き込みシステムの別の構成を説明する。図20は、相変化メモリと検査システムの構成例を示している。本相変化メモリPCM1は、図6に示した構成の相変化メモリPCM0にテスト用制御回路CTL1を追加した構成である。テスト用制御回路CTL1はテスト信号線TSIGを介してテスト装置TD3と接続されて、制御コマンドやデータの授受、チップ内部制御信号の生成などを行う。ここで、テスト用制御回路CTL1やテスト信号群TSIGは、チップ・ベンダ独自の仕様や既に標準化されている仕様である。同様に、テスト装置TD3はテスト仕様に対応した制御回路やインタフェイスを有する。
(実施の形態6)
本実施の形態6では、モジュール製造方法の別の工程を説明する。本工程の特徴は図23に示すように、モジュール・ベンダが半田リフロー後に相変化メモリの全ビットの動作確認(検査)と、ブロック情報の書き込みを行う点にある。図24は、モジュール・ベンダ側における相変化メモリの検査及びブロック情報書き込みシステムの例を示している。本システムは図11と同様に、テスト装置TD5と相変化メモリ・モジュールPCMMDL0で構成される。本テスト装置TD5の特徴は、テスト装置TD5は図6に示したテスト装置TD0と同様に相変化メモリ・チップの検査を行う機能と、図11に示したテスト装置TD1と同様にブロック情報を書き込む機能を兼ね備えている点にある。
(実施の形態7)
本実施の形態7では、相変化メモリのさらに別の構成を説明する。図26は、本相変化メモリPCM2における要部ブロック図を示している。本相変化メモリは図1と同様に、カルコゲナイド材料を用いたメモリセルで構成されて、ユーザー領域UFDに用いられるメモリアレイと、耐熱性に優れたメモリセルで構成されて、ベンダ領域BFDに用いられるメモリアレイを持つ。本相変化メモリには、さらに入出力バッファBUF、組込み自己テスト回路BIST、アレイ制御回路ARYCTLが追加されている。
(実施の形態8)
本実施の形態7では、相変化メモリを組み込んだ機器を操作するエンド・ユーザーにおける検査シーケンスを説明する。図28は、その検査シーケンスを示している。本検査シーケンスは図25に示したシーケンス準拠したものであるが、バッド・ブロック領域の検査を選択的に実施し、不良ビットが検出されなかったブロックを有効化する、すなわち当該ブロックにグッド・ブロック情報を書き込む点に特徴がある。
LBL0〜LBLn ローカル・ビット線
WL0〜WLn ワード線
R 抵抗性記憶素子
D 選択用ダイオード
MC00〜MCnn メモリセル
PCM0、PCM00〜PCM0n、PCM1、PCM10〜PCM1n、PCM2 相変化メモリ
PCMMDL0、PCMMDL1 相変化メモリ・モジュール
MNYS0〜MNYSn、MND0〜MNDn NMOSトランジスタ
GBL0 グローバル・ビット線
LY0〜LYn ローカル・カラム選択信号
LBLDIS ローカル・ビット線放電信号
BA[16:6] ブロック・アドレス信号
PA[5:0] ページ・アドレス信号PA
CA[11:0] カラム・アドレス信号
MFD メイン領域
SFD スペア領域
UFD ユーザー領域
BFD ベンダ領域
BLK ブロック
IO[7:0] 入出力線、
TD0、TD1、TD2、TD3、TD4、TD5 テスト装置
DB データ・ベース
CMD 制御信号群
NW ネットワーク
SYSBUS1 システム・バス
CTL0、CTL1 制御回路
D1、D2 検査結果
HD ヘッダ
RM リムーバル・メディア
リムーバル・メディア・インタフェイス RMIF
CLE コマンド・ラッチ起動信号、
ALE アドレス・ラッチ起動信号、
CEB チップ起動信号、
REB 読み出し起動信号、
WEB 書き込み起動信号、
WPB 書き込み保護信号、
RBB レディ/ビジー信号、
TSIG テスト信号線
TDI テスト用入力データ信号
TDO テスト用出力データ信号
TMC テスト・モード選択信号
TCK テスト用クロック信号
BUF 入出力バッファ
BIST 組込み自己テスト回路
ARYCTL アレイ制御回路
IBUS チップ内部バス
UCBUS ユーザー領域制御信号バス
BCBUS ベンダ領域制御信号バス
Claims (20)
- 複数の第1メモリセルで構成され第1及び第2の領域を有する複数の不揮発メモリ・チップを基板に実装し不揮発メモリ・モジュールとする第1の工程と、
前記第1の工程の後に、前記第1の領域における前記複数の第1メモリセルの不良ビット情報である第1の情報を前記第2の領域に書きこむ第2の工程とを有することを特徴とする不揮発メモリ・モジュールの製造方法。 - 請求項1記載の不揮発メモリ・モジュールの製造方法において、
前記第1の工程は、前記複数の不揮発メモリ・チップを基板に実装するための半田リフローを行う第3の工程をさらに有することを特徴とする不揮発メモリ・モジュールの製造方法。 - 請求項1記載の不揮発メモリ・モジュールの製造方法において、
前記複数の不揮発メモリ・チップのそれぞれは、デバイスIDを有し、
前記第1の工程と前記第2の工程の間に、前記第1の領域内に設けられた前記複数の第1メモリセルの動作結果によって抽出された第2の情報から、前記デバイスIDに基づいて前記第1の情報を得る第4の工程をさらに有することを特徴とする不揮発メモリ・モジュールの製造方法。 - 請求項3記載の不揮発メモリ・モジュールの製造方法において、
前記第2の情報は、前記不揮発メモリ・モジュールの外部の記憶媒体から得られる情報であることを特徴とする不揮発メモリ・モジュールの製造方法。 - 請求項3記載の不揮発メモリ・モジュールの製造方法において、
前記デバイスIDは、前記複数の不揮発メモリ・チップのそれぞれが有する複数の第2メモリセルで構成された第3の領域に記憶された情報であることを特徴とする不揮発メモリ・モジュールの製造方法。 - 請求項1記載の不揮発メモリ・モジュールの製造方法において、
前記複数の第1メモリセルは、カルコゲナイド材料を用いた記憶素子を有することを特徴とする不揮発メモリ・モジュールの製造方法。 - 請求項5記載の不揮発メモリ・モジュールの製造方法において、
前記複数の第2メモリセルは、前記第1の工程における熱負荷を受けても記憶が保持される記憶素子を有することを特徴とする不揮発メモリ・モジュールの製造方法。 - 複数の第1メモリセルで構成される第1及び第2の領域と第2メモリセルで構成される第3の領域とを有する複数の不揮発メモリ・チップのそれぞれに対し、不良ビットの位置を抽出するための検査を行う第1の工程と、
前記不揮発メモリ・チップを基板に実装する際に前記第2の領域に書き込まれる前記検査の結果を、前記複数の不揮発メモリの外部の記憶媒体に保存する第2の工程と、
前記複数のメモリセルのそれぞれについて、デバイスIDを前記第3の領域に書き込む第3の工程とを有することを特徴とする不揮発メモリの製造方法。 - 請求項8記載の不揮発メモリの製造方法において、
前記複数の不揮発メモリをパッケージに封入する第4の工程をさらに有し、
前記第1の工程の終了後に前記第2の工程が行われ、
前記第2の工程及び前記第3の工程の終了後に、前記第4の工程が行われることを特徴とする不揮発メモリの製造方法。 - 請求項8記載の不揮発メモリの製造方法において、
前記記憶媒体はハード・ディスク・ドライブであり、
前記第2の工程中に、前記ハード・ディスク・ドライブに、前記検査の結果を、前記デバイスIDから参照できる状態で保存する第5の工程をさらに有することを特徴とする不揮発メモリの製造方法。 - 請求項10記載の不揮発メモリの製造方法において、
前記第5の工程において、前記検査の結果は、ネットワークを介して前記ハード・ディスク・ドライブの外部に送信可能であることを特徴とする不揮発メモリの製造方法。 - 請求項8記載の不揮発メモリの製造方法において、
前記記憶媒体はリムーバブル・メディアであることを特徴とする不揮発メモリの製造方法。 - 請求項8記載の不揮発メモリの製造方法において、
前記複数の第1メモリセルは、カルコゲナイド材料を用いた記憶素子を有することを特徴とする不揮発メモリの製造方法。 - 請求項8記載の不揮発メモリの製造方法において、
前記第2メモリセルは、前記不揮発メモリを基板に実装する際の熱負荷を受けても記憶が保持される素子を有することを特徴とする不揮発メモリの製造方法。 - 複数のメモリセルを有する不揮発メモリにおいて、
第1の記憶素子を有する複数の第1メモリセルで構成され、前記不揮発メモリの外部から供給される第1の情報を保存するための第1の領域と、
前記複数の第1メモリセルで構成され、前記第1の領域における前記複数の第1メモリセルの不良ビット情報である第2の情報を記憶するための第2の領域と、
第2の記憶素子を有する複数の第2メモリセルで構成され、前記第1の領域における前記複数のデバイスIDである第3の情報を記憶するための第3の領域とを有し、
前記第2の記憶素子が記憶情報を保持できる温度は、前記第1の記憶素子が記憶情報を保持できる温度よりも高温であることを特徴とする不揮発メモリ。 - 請求項15記載の不揮発メモリにおいて、
前記第2の記憶素子は、前記不揮発メモリの製造工程における熱負荷を受けても記憶情報を保持することを特徴とする不揮発メモリ。 - 請求項16記載の不揮発メモリにおいて、
前記製造工程は、前記不揮発メモリを基板に実装するための半田リフローであることを特徴とする不揮発メモリ。 - 請求項15記載の不揮発メモリにおいて、
前記第1の記憶素子は、抵抗値により記憶情報を記憶する素子であることを特徴とする不揮発メモリ。 - 請求項15記載の不揮発メモリにおいて、
前記第1の記憶素子は、カルコゲナイド材料を用いた記憶素子を有することを特徴とする不揮発メモリ。 - 請求項15記載の不揮発メモリにおいて、
前記第2の記憶素子は、ゲート酸化膜が絶縁されているか否かで情報を記憶することを特徴とする不揮発メモリ。
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