JP4100732B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置に関し、たとえばICカード用のIC部に用いられる半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置が適用される機器の1つとして、ICカードが知られており、そのICカード内には半導体装置の1つである集積回路(IC)が内蔵されている。以下、このICカードを例にとって本発明の従来技術を説明する。ICカードには、端子を制御部に電気的に接続してデータのやりとりを行なうものと、非接触でデータのやりとりを行なうものとがある。この非接触式のICカードは、アンテナから送信されてくる電波から電力を得て、内部の不揮発性メモリに記憶している情報を送信するものであり、スキー場のリフトや鉄道の改札や荷物の仕分けなどに利用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上述の接触式、非接触式を問わず、ICカードはその構造上外部から静電気が侵入しやすく、そのような場合には静電気によってIC内の不揮発性メモリに記憶しているデータが変化してしまう可能性がある。図19は、従来のICカードに内蔵されるIC(集積回路)の概略を示した平面図であり、図20は図19の断面図である。また図21は電極部分の詳細断面図である。図19を参照して、従来のIC101では、シリコン基板(IC)101の上にAuからなるバンプ電極102が所定の間隔を隔てて設けられている。そのバンプ電極102のうちの1つには電源VDDが接続されている。またバンプ電極104にはGND配線(接地配線)が接続されている。
【0004】
バンプ電極102部分の詳細構造としては、図21に示すように、まずシリコン基板101の表面上に接触するようにアルミ電極105が形成されている。シリコン基板101およびアルミ電極105を覆うとともにアルミ電極105の上表面の一部を露出する開口部を有するパッシベーション膜106が形成されている。その開口部を介してアルミ電極105上に接触するように、チタン(Ti)層とその上の白金(Pt)層の2層からなるバリヤメタル層103が形成されている。なお、アルミ電極105はIC101の配線材料として機能する。また、バリヤメタル層103のうち1層目のTi層はアルミ電極105との密着性を向上させ、2層目のPt層はAuからなるバンプ電極102との密着性を向上させる機能を有する。また、バリヤメタル層を形成するTi層およびPt層は、バンプ電極102のAuとアルミ電極105のAlとの相互拡散を防止するバリヤとしての役割も果たす。また、突出した形状のAuからなるバンプ電極102は、基板配線との接合を容易にする機能を有する。
【0005】
上述したような構造を有する従来のIC101では、たとえばIC101のバンプ電極102に静電気が侵入した場合、その静電気はIC回路内を通ってVDDやGNDから出ていく。ここで、ICを構成するシリコン基板101の表面にはpn接合などが形成されているのが一般的であり、その場合そのpn接合がダイオードとして働く。このダイオードは、通常、図20に示すように、バンプ電極102とVDDまたはGNDとの間にも形成されており、そのような場合に、そのダイオードの耐圧量以上の静電気がバンプ電極102から侵入すると、このダイオードが破壊されてしまうという不都合が生じる。その結果、IC不良となるという問題点があった。
【0006】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、ICの素子内部に静電気が侵入するのを防止することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1における半導体装置は、電極層と金属配線層とを備えている。電極層は半導体基板の主表面上に形成されている。金属配線層は、静電気を放電させるため、半導体基板の主表面上の電極層が形成されていない領域に形成されているとともに、電極層に対して静電気が放電し得る間隔を隔てて形成されている。また、電極層は、半導体基板の主表面上に形成された第1の電極層と、半導体基板の主表面および第1の電極層を覆うパッシベーション膜と、このパッシベーション膜に形成された開口部を介して第1の電極層上に形成された第2の電極層と、この第2の電極層上にT字状またはきのこ状に形成された第3の電極層とを有している。また、金属層と金属配線層との間隔をあけた領域が、第3の電極層の下方に位置している。このように構成することにより、電極層に静電気が侵入した場合に、その静電気は金属配線層に向かって放電するので、電極層に侵入した静電気が半導体素子内部に侵入するのを有効に防止することができる。これにより、半導体装置(IC)の静電気破壊を防止することができる。さらに、第3の電極層の下方の領域で第2の電極層と金属配線層とを静電気が放電し得る間隔を隔てて形成することにより、後の工程で第3の電極層を覆う樹脂が形成される場合に粘度の高い樹脂を用いれば、第3の電極層のひさし部分の下方には樹脂は入り込まずに空間が形成され、その空間内に第2の電極層と金属配線層との間隔をあけた部分(放電パターン部分)が位置することになる。つまり、その間隔をあけた部分が樹脂に覆われずに空間となるので、その間隔をあけた部分が樹脂に覆われている場合に比べて静電気が放電しやすくなるという特有の効果を得ることができる。
【0008】
請求項2に記載の半導体装置では、請求項1の構成において、金属配線層を接地配線層により構成する。これにより、電極層に侵入した静電気は接地配線層に向かって放電して容易にGNDへ落ちることになる。その結果、電極層に侵入した静電気がIC内部に侵入するのを容易に防止することができる。
【0009】
請求項3に記載の半導体装置では、請求項1の構成において、金属配線層を電極配線層により構成する。
【0014】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1によるICを示した平面図であり、図2は図1のA部分の拡大図である。図3は図1のX−X線に沿った断面図である。図1に示すように、この実施の形態1では、従来と同様、シリコン基板1上にAuからなるバンプ電極2(4)が所定の間隔を隔ててシリコン基板1の周辺に沿って設けられている。シリコン基板1の中央部には、GND配線層3が形成されており、そのGND配線層3の一端はバンプ電極4を介して接地されている。また、各々のバンプ電極2下にはTi層とその上のPt層の2層からなるバリヤメタル層3bが形成されている。各々のバリヤメタル層3bと、GND配線層3の対応する端部3aとは、その間を静電気が放電し得る間隔D1(たとえば、1μm〜数10μm)隔てて形成されている。この実施の形態1では、GND配線層3はバリヤメタル層3bと同一の層から形成されている。
【0015】
上記のように、実施の形態1では、バンプ電極2下のバリヤメタル層3bに対して静電気が放電し得る間隔D1を隔ててGND配線層3を形成することによって、バンプ電極2から静電気が侵入した場合に、その侵入した静電気はGND配線層3に向かって放電され、その結果バンプ電極2から侵入した静電気がIC(シリコン基板)1の内部に侵入するのを有効に防止することができる。それにより、バンプ電極2に侵入した静電気に起因してIC1が静電破壊を起こすという不都合も防止することができる。
【0016】
また、この実施の形態1では、図3に示すように、GND配線層3をバリヤメタル層3bと同一の層によって形成することにより、GND配線層3をバリヤメタル層3bとは別の層によって形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができるという効果も得ることができる。
【0017】
なお、図3に示すように、実施の形態1の電極部分の断面構造としては、まず、シリコン基板1上に8000Å程度の厚みを有するアルミ電極5(第1の電極層)が形成されており、そのアルミ電極5およびシリコン基板1を覆うとともにアルミ電極5上に開口部を有するパッシベーション膜6が設けられている。その開口部を介してアルミ電極5に接触するように2000Å程度の厚みを有するTi層とその上の1000Å程度の厚みを有するPt層とからなるバリヤメタル層3b(第2の電極層)が形成されており、さらにその上にAuからなる20μmのバンプ電極2(第3の電極層)が形成されている。
【0018】
また、GND配線層部分の断面構造としては、基本的には上記の電極部分の構造と同じであり、バンプ電極4下にGND配線層3、そのGND配線層3下にアルミ電極5が形成されている。
【0019】
(実施の形態2)
図4は、本発明の実施の形態2による半導体装置を示した断面図である。図4に示すように、この実施の形態2では、GND配線層13の端部13aとバリヤメタル層13bとの間隔をあけた領域が、T字形状またはきのこ型のバンプ電極2のひさしまたは傘の下の領域に位置するように形成する。このように構成することによって、上記の実施の形態1の効果に加えて、さらに以下のような効果を得ることができる。すなわち、後の製造工程においてバンプ電極2上に樹脂を被覆するが、そのとき15000cps以上の高い粘度の樹脂(たとえばエポキシ樹脂)を使用する。これにより、バンプ電極2のひさし(傘)の下に樹脂は入り込まず、空間が保たれる。このように空間の中にGND配線層13とバリヤメタル層13bとの間隔をあけた部分(放電パターン部分)を位置させることによって、その間隔をあけた部分が樹脂で埋まっている場合に比べてより放電がしやすくなるという効果を得ることができる。なお、バンプ電極2のひさし部分の下面からバリヤメタル層13bの上面までの距離Hは0.1〜1.0μm程度である。 図5〜図11は、図4に示した実施の形態2による半導体装置の製造プロセスを説明するための断面図および平面図である。以下、実施の形態2の半導体装置の製造プロセスについて説明する。
【0020】
まず、図5に示すように、シリコン基板1上に8000Å程度の厚みを有するアルミ電極5を形成する。アルミ電極5を覆うようにパッシベーション膜6を形成した後そのパッシベーション膜のアルミ電極5上に位置する領域に開口部を形成する。スパッタ法を用いて、2000Å程度のTi層とその上の1000Å程度のPt層との2層からなるGND配線層13を形成する。
【0021】
この後、フォトリソグラフィ法とエッチング技術を用いて、図6に示すようなバリヤメタル層13bと、GND配線層13とを形成する。GND配線層13の端部13aとバリヤメタル層13bとは静電気が放電することが可能な間隔を隔てて形成される。
【0022】
次に、図7に示すように、レジスト50を全面に塗布した後そのレジスト50の所定領域を露光することによって開口部を形成する。その開口部内に露出したバリヤメタル13bをめっき電極(負電極)として電解めっきを行なうことによってAuからなるバンプ電極2を形成する。その後、レジスト50を除去する。
【0023】
そして、バリヤメタル層13bのバンプめっき用の共通電極として用いた部分をフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いてパターニング除去することにより図8のような形状が得られる。この後、バンプアニールを300℃で1時間程度行なう。
【0024】
このような工程の後、最終的に基板へのIC1の実装が行なわれる。その基板への実装後、IC1上に樹脂をコートする。図9は、その樹脂をコートした状態を示している。バンプ電極2上には銅配線パターン30が接続されており、全体を覆うように樹脂20がコートされている。この樹脂20は、上述したように、15000cps以上の粘度の樹脂(たとえばエポキシ系樹脂)を用いることによって、バンプ2の傘の下にこの樹脂20が入り込まないように形成することができる。これにより、空間60を形成することができ、その空間内にバリヤメタル層13bとGND配線層13との間隔をあけた領域(放電パターン部分)を配置することができる。その結果、放電がより行なわれやすくなる。
【0025】
図10は、図9の全体構成を示した断面図であり、図11は図10の平面図である。図10および図11を参照して、IC1のバンプ電極2上には銅配線パターン30がそれぞれ接続されており、それらを覆うように樹脂20がコートされている。銅配線パターン30はポリイミド基板80上に配置されており、かつ、ポリイミド基板80の側方に突出するように延びているバンプ電極2と接続されている。
【0026】
(実施の形態3)
図12は本発明の実施の形態3による半導体装置を示した平面図であり、図13は図12のB部分の部分拡大図である。上述した実施の形態1および2ではGND配線層3とバリヤメタル層3b(第2の電極層)とを同一の層によって形成するとともにそれらの間の間隔を静電気が放電し得る間隔D1に設定した。この実施の形態3では、バンプ電極2(第3の電極層)とGND配線層4とを同一の層から形成するとともに、そのバンプ電極2とGND配線層4との間隔を静電気が放電し得るような間隔D2になるように配置している。この間隔D2は上記した間隔D1と同様、1μm〜数10μmである。
【0027】
このようにバンプ電極2とGND配線層4との間隔を静電気が放電し得る間隔に形成することによって、最上層であるバンプ電極2(第3の電極層)に侵入した静電気はすぐにGND配線層4に放電されるので、バンプ電極2下のバリヤメタル層13b(第2の電極層)およびアルミ電極5(第1の電極層)に放電電流が流れるのも防止される。その結果、バンプ電極2(第3の電極層)に侵入した静電気がIC1の内部に侵入するのをより有効に防止することができる。
【0028】
この実施の形態3の断面構造としては、図14に示すように、シリコン基板1上の所定領域にアルミ電極5が形成されており、そのアルミ電極5およびシリコン基板1を覆うようにパッシベーション膜6が形成されている。パッシベーション膜のアルミ電極5上の部分には開口部が形成されており、その開口部を介してアルミ電極5に接触するようにバリヤメタル層3が設けられている。各々のバリヤメタル層3の上には、バンプ電極2とGND配線層4とが形成されている。そして、バンプ電極2のGND配線層4側の端部と、GND配線層4のバンプ電極2側の端部とが静電気を放電し得る間隔D2を隔てて形成されている。
【0029】
上記の実施の形態3の構造を形成するための製造プロセスとしては、まず、シリコン基板1上の所定領域にアルミ電極5を形成し、そのアルミ電極5およびシリコン基板1を覆うようにパッシベーション膜6を形成する。そしてパッシベーション膜6のアルミ電極5上の部分に開口部を形成する。この後、スパッタ法を用いてバリヤメタル層3を形成する。その後フォトリソグラフィ法を用いて所定領域にレジスト(図示せず)を形成し、バンプのパターニングを行なった後、Auバンプめっきによりバンプ電極2およびGND配線層4を形成する。その後レジストを除去する。バンプ電極2およびGND配線層4をマスクとして下層のバリヤメタル層3をエッチングする。その後300℃で1時間程度バンプアニールを行なう。
【0030】
(実施の形態4)
図15は本発明の実施の形態4による半導体装置を説明するための概略図であり、図16は図15の保護回路部分(IC2)の構成を説明するための回路図である。また、図17は実施の形態4による半導体装置の具体的な構成を示した平面図であり、図18は図17のZ−Z線に沿った断面図である。上述した実施の形態1〜3では、GND配線層3を設けるとともに、そのGND配線層3と、バリヤメタル層3b(第2の電極層)またはバンプ電極2との間の間隔を静電気が放電し得る間隔に設定した。この実施の形態4では、GND配線層3を設けずに、隣接する電極間(端子間)の間隔を静電気が放電し得る間隔に設定した。このように隣接する電極間(端子間)の間隔を静電気が放電し得る間隔に設定することにより、一方の電極に静電気が侵入した場合にその静電気を他方の電極に向かって空中放電することができ、その結果、一方の電極に侵入した静電気がICの内部に侵入するのを有効に防止することができる。
【0031】
以下、非接触式のICカード51を例として実施の形態4について説明する。図15および16に示すように、アンテナ54から静電気が非接触式IDカードの信号処理用のIC1(53)に侵入するのを防止するために保護回路53(IC2)が設けられる場合がある。しかし、このように保護回路53(IC2)を設けたとしてもアンテナ54から静電気がIC1に侵入するのを防止するには不十分な場合がある。そこで、この実施の形態4では、図17および図18に示すように、保護回路53の2つの端子AおよびB(バンプ電極2Aおよび2B)の間隔を静電気が放電し得る間隔(D3)に設定する。この間隔D3は、上記した間隔D1およびD2と同様、1μm〜数10μmである。このように構成することにより、アンテナ54から保護回路53(IC2)の一方のバンプ電極2Aまたは2Bに静電気が侵入した場合にその静電気を他方のバンプ電極2Bまたは2Aに向かって空中放電することができ、その結果、一方のバンプ電極に侵入した静電気が保護回路53(IC2)の内部に侵入するのを有効に防止することができる。このような保護回路53の2つの端子AおよびB(バンプ電極2Aおよび2B)の間隔を静電気が放電し得る間隔(D3)に設定する構成と、従来の保護回路53(IC2)とによって、アンテナ54から静電気がIC1に侵入するのをより有効に防止することができる。
【0032】
なお、図17に示すように、アンテナ54の端部は導電パターン55に半田付けされており、IC1とIC2とは導電パターン56によって接続されている。また、図18に示す電極部分の断面構造としては、基本的に上記実施の形態1〜3と同様であり、アルミ電極5、バリヤメタル層3、パッシベーション膜6およびバンプ電極2Aまたは2Bからなる構造を有する。
【0033】
なお、上記した実施の形態1〜4は、バリヤメタル層の材質として1層目をTi、2層目をPtとしたが、本発明はこれに限らず、バリヤメタル層の第1層目をCrとし、第2層目をPd、NiまたはWなどとしても同様の効果を得ることができる。また、バンプ電極2としてAuを用いたが、半田を用いてもよい。
【0034】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、電極層に対して静電気を放電し得る間隔を隔てた金属配線層を設けることによって、電極層に静電気が侵入した場合にその静電気を金属配線層に向かって容易に放電させることができ、その結果電極層に侵入した静電気が半導体装置(IC)の素子内部に侵入するのを有効に防止することができる。その結果ICの静電気破壊を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1による半導体装置を示した平面図である。
【図2】図1に示した半導体装置のA部分の拡大図である。
【図3】図1に示した半導体装置のX−X線に沿った断面図である。
【図4】本発明の実施の形態2による半導体装置を示した断面図である。
【図5】図4に示した実施の形態2による半導体装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図6】図4に示した実施の形態2による半導体装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図7】図4に示した実施の形態2による半導体装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図8】図4に示した実施の形態2による半導体装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図9】図4に示した実施の形態2による半導体装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図10】図9に示した製造プロセスに対応する全体構成図である。
【図11】図10に示した半導体装置の平面図である。
【図12】本発明の実施の形態3による半導体装置を示した平面図である。
【図13】図12に示した半導体装置のB部分の拡大図である。
【図14】図12に示した半導体装置のY−Y線に沿った断面図である。
【図15】本発明の実施の形態4による半導体装置(非接触式のICカード)を説明するための概略図である。
【図16】図15に示した保護回路部分の構成を説明するための回路図である。
【図17】実施の形態4による半導体装置(非接触式のICカード)の具体的な構成を示した平面図である。
【図18】図17に示した半導体装置のZ−Z線に沿った断面図である。
【図19】従来の半導体装置を示した平面図である。
【図20】図18に示した半導体装置の断面図である。
【図21】図18および図19に示した電極部分の詳細断面図である。
【符号の説明】
1:IC(半導体装置)
2:バンプ電極
3:GND配線層
3a:端部
3b:バリヤメタル層
4:バンプ電極
5:アルミ電極
6:パッシベーション膜
Claims (3)
- 半導体基板の主表面上に形成された電極層と、
前記半導体基板の主表面上の前記電極層が形成されていない領域に形成され、かつ、前記電極層に対して静電気が放電し得る間隔を隔てて形成された静電気を放電させるための金属配線層と、を備え、
前記電極層は、
前記半導体基板の主表面上に形成された第1の電極層と、
前記半導体基板の主表面および前記第1の電極層を覆うパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された開口部を介して前記第1の電極層上に形成された第2の電極層と、
前記第2の電極層上にT字状またはきのこ状に形成された第3の電極層と、
前記第3の電極層に設けられるひさしの下に空間が保たれるように、前記第3の電極層を被覆する樹脂と、を有し、
前記第2の電極層と前記金属配線層との間隔をあけた領域が、前記第3の電極層の前記ひさしの下方の前記空間に位置することを特徴とする、半導体装置。 - 前記金属配線層は接地配線層である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属配線層は電極配線層である、請求項1に記載の半導体装置。
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