JP2007213375A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007213375A5 JP2007213375A5 JP2006033513A JP2006033513A JP2007213375A5 JP 2007213375 A5 JP2007213375 A5 JP 2007213375A5 JP 2006033513 A JP2006033513 A JP 2006033513A JP 2006033513 A JP2006033513 A JP 2006033513A JP 2007213375 A5 JP2007213375 A5 JP 2007213375A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- strobe signal
- data strobe
- signal circuit
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 24
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 3
Claims (25)
- 第1反転データストローブ信号回路用端子および第1非反転データストローブ信号回路用端子を有する第1メモリデバイスが搭載されたプリント配線基板に搭載されるデータ処理デバイスであって、
前記データ処理デバイスは、上面および前記上面とは反対側の下面を有する半導体基板と、第1反転データストローブ信号回路および第1非反転データストローブ信号回路を有し、かつ前記半導体基板の前記上面に搭載されたマイクロコンピュータチップと、前記半導体基板の前記下面に形成された複数のボール電極とを含み、
前記複数のボール電極のうちの前記第1非反転データストローブ信号回路と電気的に接続され、かつ前記第1非反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続される第1非反転データストローブ信号回路用ボール電極は、前記複数のボール電極のうちの前記第1反転データストローブ信号回路と電気的に接続され、かつ前記第1反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続される第1反転データストローブ信号回路用ボール電極と隣接配置されていることを特徴とするデータ処理デバイス。 - 前記第1メモリデバイスは、上位バイト用の前記第1反転データストローブ信号回路用端子と、上位バイト用の前記第1非反転データストローブ信号回路用端子と、下位バイト用の第2反転データストローブ信号回路用端子と、下位バイト用の第2非反転データストローブ信号回路用端子とを有しており、
前記マイクロコンピュータチップは、上位バイト用の前記第1反転データストローブ信号回路と、上位バイト用の前記第1非反転データストローブ信号回路と、下位バイト用の第2反転データストローブ信号回路と、下位バイト用の第2非反転データストローブ信号回路とを有しており、
前記複数のボール電極のうちの前記第2非反転データストローブ信号回路と電気的に接続され、かつ前記第2非反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続される第2非反転データストローブ信号回路用ボール電極は、前記複数のボール電極のうちの前記第2反転データストローブ信号回路と電気的に接続され、かつ前記第2反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続される第2反転データストローブ信号回路用ボール電極と隣接配置されていることを特徴とする請求項1記載のデータ処理デバイス。 - 前記半導体基板の前記下面の平面形状は、四角形から成り、
前記第1反転データストローブ信号回路用ボール電極、前記第1非反転データストローブ信号回路用ボール電極、前記第2反転データストローブ信号回路用ボール電極および前記第2非反転データストローブ信号回路用ボール電極は、前記半導体基板の前記下面における第1辺に沿って、かつ複数列に亘って形成された前記複数のボール電極のうちの第1周目および第2週目に割り当てられていることを特徴とする請求項2記載のデータ処理デバイス。 - 第1反転データストローブ信号回路用ボール電極は、前記プリント配線基板の第1配線層に形成された第1差動信号配線を介して前記第1反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続され、
第1非反転データストローブ信号回路用ボール電極は、前記プリント配線基板の前記第1配線層に形成され、かつ前記第1差動信号配線の隣に形成された第2差動信号配線を介して前記第1非反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続され、
第2反転データストローブ信号回路用ボール電極は、前記プリント配線基板の前記第1配線層に形成された第3差動信号配線を介して前記第2反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続され、
第2非反転データストローブ信号回路用ボール電極は、前記プリント配線基板の前記第1配線層に形成され、かつ前記第3差動信号配線の隣に形成された第4差動信号配線を介して前記第2非反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続されることを特徴とする請求項3記載のデータ処理デバイス。 - 前記プリント配線基板には、さらに、上位バイト用の第3反転データストローブ信号回路用端子と、上位バイト用の第3非反転データストローブ信号回路用端子と、下位バイト用の第4反転データストローブ信号回路用端子と、下位バイト用の第4非反転データストローブ信号回路用端子とを有する第2メモリデバイスが搭載されており、
前記マイクロコンピュータチップは、さらに、上位バイト用の第3反転データストローブ信号回路と、上位バイト用の第3非反転データストローブ信号回路と、下位バイト用の第4反転データストローブ信号回路と、下位バイト用の第4非反転データストローブ信号回路とを有しており、
前記複数のボール電極のうちの前記第3非反転データストローブ信号回路と電気的に接続され、かつ前記第3非反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続される第3非反転データストローブ信号回路用ボール電極は、前記複数のボール電極のうちの前記第3反転データストローブ信号回路と電気的に接続され、かつ前記第3反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続される第3反転データストローブ信号回路用ボール電極と隣接配置されており、
前記複数のボール電極のうちの前記第4非反転データストローブ信号回路と電気的に接続され、かつ前記第4非反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続される第4非反転データストローブ信号回路用ボール電極は、前記複数のボール電極のうちの前記第4反転データストローブ信号回路と電気的に接続され、かつ前記第4反転データストローブ信号回路用端子と電気的に接続される第4反転データストローブ信号回路用ボール電極と隣接配置されていることを特徴とする請求項4記載のデータ処理デバイス。 - 矩形の半導体基板に形成されメモリインタフェース回路を有するマイクロコンピュータであって、
前記半導体基板の一つのコーナー部を基点とする両側の縁辺に沿って、前記メモリインタフェース回路が分割配置されたマイクロコンピュータ。 - 前記分割配置された両側の各々の部分回路は、データ及びデータストローブ信号に関し相互に等しいデータ系ユニットを持つ請求項6記載のマイクロコンピュータ。
- 前記データ系ユニットは単位ユニットを有し、前記単位ユニットは前記データの単位をバイトとする請求項7記載のマイクロコンピュータ。
- 前記データ系ユニットは、直列的に配置された複数の前記単位ユニットを有する請求項8記載のマイクロコンピュータ。
- 前記単位ユニットは、前記コーナー部側から順に、7個のデータ入出力回路、データマスク信号回路、反転データストローブ信号回路、非反転データストローブ信号回路、及び1個のデータ入出力回路を有する請求項8又は9記載のマイクロコンピュータ。
- 前記半導体基板が搭載されるパッケージを有し、前記パッケージは外部接続端子に関しボールグリッドアレイ形態を有し、
前記反転データストローブ信号回路に接続する外部接続端子と前記非反転データストローブ信号回路に接続する外部接続端子とはボールグリッドアレイの最外周より第1周目と第2周目に隣接配置され、又は第3周目と第4周目に隣接配置されて、差動端子を構成する請求項10記載のマイクロコンピュータ。 - 前記メモリインタフェース回路は、JEDEC標準の端子配列を備えたDDR2−SDRAMが接続可能にされる請求項6乃至11の何れか1項記載のマイクロコンピュータ。
- 分割配置された両側の各々の部分回路はアドレス信号及びコマンドに関するコマンド及びアドレス系ユニットを有し、前記コマンド及びアドレス系ユニットは前記データ系ユニットに直列的に配置され、前記コマンド及びアドレス系ユニットは前記データ系ユニットよりも前記半導体基板の一つのコーナー部寄りに配置された請求項7又は8記載のマイクロコンピュータ。
- 前記メモリインタフェース回路は、JEDEC標準の端子配列を備えたDDR2−SDRAMが接続可能にされ、且つ、前記DDR2−SDRAMの長辺のデータ及びデータストローブ信号に関するデータ系データ端子群とアドレス信号及びコマンドに関するコマンド及びアドレス系端子群との配置に則したインタフェース機能の配置を有する請求項6記載のマイクロコンピュータ。
- モジュール基板の一方の面に複数のメモリデバイスとデータ処理デバイスが搭載され、前記モジュール基板の他方の面に複数のモジュール端子が形成された半導体装置であって、
前記モジュール基板は、前記データ処理デバイスから出力される差動クロック信号を前記メモリデバイスに伝達するための差動クロック配線と、前記差動クロック配線に接続する差動終端抵抗接続用の一対のモジュール端子とを有し、
前記差動終端抵抗接続用の一対のモジュール端子は、相互に隣接され、且つ、他のモジュール端子が配置されていない領域に隣接し又はテスト専用モジュール端子に隣接して形成されている半導体装置。 - モジュール基板の一方の面にメモリデバイスとデータ処理デバイスが搭載され、前記モジュール基板の他方の面に複数のモジュール端子が形成された半導体装置であって、
前記モジュール基板はコア層とその表裏に形成されたビルドアップ層とを有し、
前記モジュール端子として、前記データ処理デバイスにメモリインタフェース用電源を供給する第1モジュール電源端子と、前記メモリデバイスにコア回路用電源を供給する第2モジュール電源端子と、前記メモリデバイスに外部出力及び外部入出力インタフェース用電源を供給する第3モジュール電源端子と、前記データ処理デバイス及びメモリデバイスにグランド電圧を供給するモジュールグランド端子と、を各々電気的に分離して別々に備え、
前記第2モジュール電源端子をメモリデバイスに接続する給電経路において前記コア層の1個のビアに対してビルドアップ層に形成されるビアの数は、前記第3モジュール電源端子をメモリデバイスに接続する給電経路において前記コア層の1個のビアに対してビルドアップ層に形成されるビアの数よりも多くされた半導体装置。 - 前記第1モジュール電源端子、第2モジュール電源端子及び第3モジュール電源端に供給される電源電圧は等しい電圧である請求項16記載の半導体装置。
- モジュール基板の一方の面にメモリデバイスとデータ処理デバイスが搭載され、前記モジュール基板の他方の面に複数のモジュール端子が形成された半導体装置であって、
前記モジュール基板はコア層とその表裏に形成されたビルドアップ層とを有し、
前記モジュール端子として、前記データ処理デバイスに電源を供給するモジュール電源端子と、前記メモリデバイスに電源を供給するモジュール電源端子とが分離され、
前記メモリデバイスに電源を供給するモジュール電源端子はコア用電源と外部出力及び外部入出力インタフェース用電源とで分離され、
前記コア用電源をメモリデバイスに供給する給電経路において前記コア層の1個のビアに対してビルドアップ層に形成されるビアの数は、前記外部出力及び外部入出力インタフェース用電源をメモリデバイスに供給する給電経路において前記コア層の1個のビアに対してビルドアップ層に形成されるビアの数よりも多くされた半導体装置。 - モジュール基板の一方の面にメモリデバイスとデータ処理デバイスが搭載され、前記モジュール基板の他方の面に複数のモジュール端子が形成された半導体装置であって、
前記モジュール基板はコア層とその表裏に形成されたビルドアップ層とを有し、
前記モジュール端子として、前記データ処理デバイスにメモリインタフェース用電源を供給する第1モジュール電源端子と、前記メモリデバイスにコア回路用電源を供給する第2モジュール電源端子と、前記メモリデバイスに外部出力及び外部入出力インタフェース用電源を供給する第3モジュール電源端子と、前記データ処理デバイス及びメモリデバイスにグランド電圧を供給するモジュールグランド端子と、を各々電気的に分離して別々に備え、
前記メモリデバイスは、前記第2電源モジュール端子から供給される電源と共に利用されるコア回路用グランド電圧を入力する第1デバイスグランド端子と、前記第3電源モジュール端子から供給される電源と共に利用される外部出力及び外部入出力インタフェース用グランド電圧を入力する第2デバイスグランド端子とを有し、
前記コア層とビルドアップ層は前記モジュールグランド端子と前記第1及び第2デバイスグランド端子に接続するグランドパターンを有し、前記グランドパターンは、前記第1デバイスグランド端子に接続するパッド又はビアと、前記第2デバイスグランド端子に接続するパッド又はビアとを結ぶ線分の間にスリットを有する半導体装置。 - 前記第1デバイスグランド端子に接続するパッド若しくはビア、又は、前記第2デバイスグランド端子に接続するパッド若しくはビアと、信号配線に対向する前記グランドプレーンの縁辺との間に、スリットを有する請求項19記載の半導体装置。
- モジュール基板の一方の面にメモリデバイスとデータ処理デバイスが搭載され、前記モジュール基板の他方の面に複数のモジュール端子が形成された半導体装置であって、
前記モジュール基板はコア層とその表裏に形成されたビルドアップ層とを有し、
前記モジュール端子として、前記データ処理デバイス及びメモリデバイスに共通にグランド電圧を供給するモジュールグランド端子を備え、
前記メモリデバイス及びデータ処理デバイスは夫々個別のデバイスグランド端子を有し、
前記コア層とビルドアップ層は前記モジュールグランド端子と前記デバイスグランド端子に接続するグランドパターンを有し、前記グランドパターンは、異種のデバイスグランド端子に各々接続するパッド又はビア相互間にスリットを有する半導体装置。 - モジュール基板の一方の面にメモリデバイスとデータ処理デバイスが搭載され、前記モジュール基板の他方の面に複数のモジュール端子が形成された半導体装置であって、
前記データ処理デバイスは、一つのコーナー部を基点とする両側の縁辺に沿って分割配置されたメモリインタフェース回路を有し、
前記メモリデバイスはJEDEC標準の端子配列を備えたDDR2−SDRAMであり、
前記DDR2−SDRAMの長辺は、前記メモリインタフェース回路が配置された前記データ処理デバイスの前記縁辺に対向して配置され、
前記DDR2−SDRAMは、前記一つのコーナー部寄りの一つの短辺を基点に長辺に沿って、順次アドレス信号及びコマンドに関するコマンド及びアドレス系端子群とデータ及びデータストローブ信号に関するデータ系データ端子群とに分けた端子配置を有し、
コマンド及びアドレス系端子群を対応するDDR2−SDRAMの端子に接続するための主なコマンド及びアドレス配線は、前記一つのコーナー部を基点に前記DDR2−SDRAMの間の領域を通り、途中で分岐して各々の前記DDR2−SDRAMの端子に至る経路を有する半導体装置。 - 前記モジュール基板は前記データ処理デバイスから出力される差動クロック信号を前記メモリデバイスに伝達するための差動クロック配線を有し、
前記差動クロック配線は前記主なコマンド及びアドレス配線の経路に沿って配置された請求項22記載の半導体装置。 - 前記DDR2−SDRAMのデータ系データ端子群の端子と前記データ処理デバイスの対応端子とを接続するデータ及びデータストローブ信号系配線は、相互に対応するデータストローブ信号配線とデータ配線とが相互に等長化配線とされ、等長化配線の一部は等長化のために同一配線上に折り返し経路を有する請求項22記載の半導体装置。
- 前記DDR2−SDRAMのコマンド及びアドレス系端子群の端子と前記データ処理デバイスの対応端子とを接続するコマンド及びアドレス系配線は、相互に等長化配線とされ、等長化配線は等長化のために同じDDR2−SDRAMへの相互に異なる配線間で伝播方向が逆にされた逆方向経路を一部に有する請求項22記載の半導体装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006033513A JP4662474B2 (ja) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | データ処理デバイス |
US11/616,966 US8091061B2 (en) | 2006-02-10 | 2006-12-28 | Microcomputer having memory interface circuits and memory devices on a module board |
US13/310,217 US8386992B2 (en) | 2006-02-10 | 2011-12-02 | Data processing device |
US13/748,167 US8694949B2 (en) | 2006-02-10 | 2013-01-23 | Data processing device |
US14/182,821 US8898613B2 (en) | 2006-02-10 | 2014-02-18 | Data processing device |
US14/519,967 US9530457B2 (en) | 2006-02-10 | 2014-10-21 | Data processing device |
US15/351,600 US10020028B2 (en) | 2006-02-10 | 2016-11-15 | Data processing device |
US15/351,580 US9792959B2 (en) | 2006-02-10 | 2016-11-15 | Data processing device |
US16/010,770 US10726878B2 (en) | 2006-02-10 | 2018-06-18 | Data processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006033513A JP4662474B2 (ja) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | データ処理デバイス |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010271403A Division JP4979097B2 (ja) | 2010-12-06 | 2010-12-06 | マルチチップモジュール |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007213375A JP2007213375A (ja) | 2007-08-23 |
JP2007213375A5 true JP2007213375A5 (ja) | 2010-03-04 |
JP4662474B2 JP4662474B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=38370125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006033513A Active JP4662474B2 (ja) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | データ処理デバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US8091061B2 (ja) |
JP (1) | JP4662474B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4662474B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2011-03-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | データ処理デバイス |
CN101636702B (zh) * | 2006-09-25 | 2014-03-05 | 弗莱克斯电子有限责任公司 | 双向调节器 |
JP5288783B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2013-09-11 | キヤノン株式会社 | ボンディングパッド配置方法、半導体チップ及びシステム |
JP5197080B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2013-05-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びデータプロセッサ |
US8031042B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-10-04 | Flextronics Ap, Llc | Power converter magnetic devices |
US8586873B2 (en) * | 2010-02-23 | 2013-11-19 | Flextronics Ap, Llc | Test point design for a high speed bus |
WO2014022688A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Samtec, Inc. | Multi-layer transmission lines |
KR102032887B1 (ko) * | 2012-12-10 | 2019-10-16 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 라우팅 방법 |
CN104636229A (zh) * | 2013-11-13 | 2015-05-20 | 华为技术有限公司 | 调整ddr线序的方法以及系统 |
JP2015099890A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置、及び半導体パッケージ |
JP2015111360A (ja) | 2013-12-06 | 2015-06-18 | ソニー株式会社 | 半導体モジュール |
JP6300420B2 (ja) | 2014-09-26 | 2018-03-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
US10043755B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-08-07 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device |
JP6543129B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-07-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
EP3309831B1 (en) | 2015-08-31 | 2020-11-04 | Aisin Aw Co., Ltd. | Image display system comprising semiconductor device and semiconductor module |
JP6669547B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2020-03-18 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
KR102509048B1 (ko) * | 2016-04-26 | 2023-03-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 패키지 |
WO2018063684A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Intel Corporation | 3d high-inductive ground plane for crosstalk reduction |
CN106375525A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-02-01 | 深圳天珑无线科技有限公司 | 一种抗扰电路 |
KR102371893B1 (ko) * | 2017-05-18 | 2022-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 칩, 반도체 메모리 패키지, 및 이를 이용한 전자 시스템 |
JP7279464B2 (ja) | 2019-03-28 | 2023-05-23 | 株式会社アイシン | 電子基板 |
WO2020248125A1 (zh) * | 2019-06-11 | 2020-12-17 | 华为技术有限公司 | 电路板及电子设备 |
CN111182722B (zh) * | 2020-02-26 | 2021-01-29 | 王致刚 | 一种模块化拼接的mcu应用电路板 |
US11948916B2 (en) | 2020-10-29 | 2024-04-02 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon |
CN113191110B (zh) * | 2021-05-07 | 2023-08-11 | 瓴盛科技有限公司 | 一种针对T型拓扑结构的DDR4地址控制线映射和Ball排列方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0597601A1 (en) * | 1992-11-13 | 1994-05-18 | National Semiconductor Corporation | Reflexively sizing memory bus interface |
US5867726A (en) * | 1995-05-02 | 1999-02-02 | Hitachi, Ltd. | Microcomputer |
JP3417808B2 (ja) * | 1997-08-25 | 2003-06-16 | 富士通株式会社 | Lsiパッケージの配線構造 |
JP3746161B2 (ja) * | 1998-11-19 | 2006-02-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
JP3803204B2 (ja) * | 1998-12-08 | 2006-08-02 | 寛治 大塚 | 電子装置 |
JP2000332369A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-30 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント回路板及びその製造方法 |
JP2001015704A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
JP2001094032A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置 |
US6484290B1 (en) * | 1999-11-03 | 2002-11-19 | Feiya Technology Corp. | IC package similar IDE interface solid state disk module and optimized pin design |
JP2001217508A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Toshiba Corp | プリント基板 |
JP2002041452A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Hitachi Ltd | マイクロプロセッサ、半導体モジュール及びデータ処理システム |
US6806733B1 (en) | 2001-08-29 | 2004-10-19 | Altera Corporation | Multiple data rate interface architecture |
EP1452968A4 (en) * | 2001-11-30 | 2010-03-03 | Fujitsu Ten Ltd | DEVELOPMENT DEVICE FOR MICROCOMPUTER LOGIC |
US6972590B2 (en) * | 2002-05-30 | 2005-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data bus with separate matched line impedances and method of matching line impedances |
US6807650B2 (en) * | 2002-06-03 | 2004-10-19 | International Business Machines Corporation | DDR-II driver impedance adjustment control algorithm and interface circuits |
JP2004030438A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp | マイクロコンピュータ |
KR100546339B1 (ko) * | 2003-07-04 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 차동 데이터 스트로빙 모드와 데이터 반전 스킴을 가지는단일 데이터 스트로빙 모드를 선택적으로 구현할 수 있는반도체 장치 |
US20050050375A1 (en) | 2003-08-29 | 2005-03-03 | Mark Novak | Memory interface system and method |
JP3739375B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2006-01-25 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2005091367A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Renesas Technology Corp. | 電子回路、半導体装置及び実装基板 |
JP4489485B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-06-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4647243B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-03-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
TWI321414B (en) * | 2004-10-15 | 2010-03-01 | Sony Computer Entertainment Inc | Methods and apparatus for supporting multiple configurations in a multi-processor system |
US7380052B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-05-27 | International Business Machines Corporation | Reuse of functional data buffers for pattern buffers in XDR DRAM |
US20060149923A1 (en) * | 2004-12-08 | 2006-07-06 | Staktek Group L.P. | Microprocessor optimized for algorithmic processing |
US20060136658A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Simpletech, Inc. | DDR2 SDRAM memory module |
JP4662474B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2011-03-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | データ処理デバイス |
JP2008299476A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体集積回路 |
JP5511823B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2014-06-04 | パナソニック株式会社 | 半導体装置および電子装置 |
US9412423B2 (en) * | 2012-03-15 | 2016-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory modules including plural memory devices arranged in rows and module resistor units |
US9042188B2 (en) * | 2013-04-01 | 2015-05-26 | Arm Limited | Memory controller and method of calibrating a memory controller |
-
2006
- 2006-02-10 JP JP2006033513A patent/JP4662474B2/ja active Active
- 2006-12-28 US US11/616,966 patent/US8091061B2/en active Active
-
2011
- 2011-12-02 US US13/310,217 patent/US8386992B2/en active Active
-
2013
- 2013-01-23 US US13/748,167 patent/US8694949B2/en active Active
-
2014
- 2014-02-18 US US14/182,821 patent/US8898613B2/en active Active
- 2014-10-21 US US14/519,967 patent/US9530457B2/en active Active
-
2016
- 2016-11-15 US US15/351,600 patent/US10020028B2/en active Active
- 2016-11-15 US US15/351,580 patent/US9792959B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-18 US US16/010,770 patent/US10726878B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007213375A5 (ja) | ||
US8183688B2 (en) | Semiconductor device | |
US8775991B2 (en) | Interchangeable connection arrays for double-sided DIMM placement | |
US8379391B2 (en) | Memory module with vertically accessed interposer assemblies | |
US20070045828A1 (en) | Semiconductor device package | |
US20090019195A1 (en) | Integrated circuit, memory module and system | |
JP2008016519A5 (ja) | ||
JP2003124383A5 (ja) | ||
TWI398939B (zh) | 用於耦接信號至堆疊之半導體晶粒及或自堆疊之半導體晶粒耦接信號之結構及方法 | |
JP2000307005A (ja) | 半導体集積回路およびプリント配線基板ならびに電子機器 | |
TWI575669B (zh) | 半導體裝置 | |
TW201303882A (zh) | 記憶體 | |
JP2022549662A (ja) | 配線設計方法、配線構造、およびフリップチップ | |
TWI638442B (zh) | 電子裝置及其電路基板 | |
US9786332B2 (en) | Semiconductor device package with mirror mode | |
US20210167038A1 (en) | Dual in-line memory module | |
TWI444115B (zh) | 印刷電路板和晶片系統 | |
CN108987364B (zh) | 电子装置及其电路基板 | |
JP2645068B2 (ja) | メモリモジュール | |
TWI586231B (zh) | 電源及訊號延伸器及電路板 | |
TWI793874B (zh) | 接點排列及電子總成 | |
JPWO2021171408A5 (ja) | ||
TWI536887B (zh) | 形成於印刷電路板上之球柵陣列 | |
US7060512B2 (en) | Patching methods and apparatus for fabricating memory modules | |
JP4742609B2 (ja) | 半導体パッケージ及びそれを実装したプリント配線板 |