JP2004030438A - マイクロコンピュータ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フラッシュメモリの自動書き込み、自動消去処理を制御する外部からの入力としてマイコンの割り込み要求信号を用いることにより、自動書き込みや自動消去中に割り込みが発生すると自動書き込み、自動消去を一時中断し、割り込み処理を受け付けるといった作業を自動で行うことができる不揮発性半導体メモリ内蔵のマイクロコンピュータを提供する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、フラッシュメモリ等の電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ(不揮発性半導体メモリ)を内蔵したマイクロコンピュータに関するものであり、特に、不揮発性メモリ(以下、代表して「フラッシュメモリ」として記載する。)の書き換え時の機能に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
フラッシュメモリの自動書き込みおよび自動消去シーケンス中は、通常メモリ内のデータを読み出すことができない。フラッシュメモリ内蔵のマイクロコンピュータ(以下、略して「マイコン」という。)の場合では、そのフラッシュメモリの書き込みまたは消去を行う時は、実行プログラムを内部RAM等のフラッシュメモリ以外においておくか、または、フラッシュメモリ上の実行プログラムから書き込みまたは消去を行う場合でも、その自動シーケンスが完了するまでの間、CPUは次のコードをフェッチすることができないため、マイコンの動作を一時的に停止させておく必要があった。
【0003】
例えば、NOR型のフラッシュメモリ内蔵のマイクロコンピュータでは、消去時間が最大数秒程度かかるため、この数秒間CPUはフラッシュメモリをアクセスすることができない。このため、ROM上プログラムからイレーズを実行するとCPUはイレーズが終了するまでホールド状態等にする必要があり、長期間外部割り込み等を一切受け付けられなくなってしまう。
【0004】
ここで、特開平2−257496号公報には、書き込み処理の中断要求が発生すると、消去・書き込みのVPP電圧が印加されているときに中断要求が生じた場合、タイマーのカウント値を停止・保持し、一旦VPP電圧を立ち上げ、リード等の処理を行った後、再度VPPを立ち上げ保持したカウント値から電圧印加を再開するマイクロコンピュータを開示している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の不揮発性メモリ内蔵のマイクロコンピュータは以上のように構成されているので、フラッシュメモリの自動消去は最長で数秒程度の時間を要するため、ROM上のプログラムから自動消去を実行した場合には、マイコンはその期間フラッシュメモリ上の次のプログラムコードをフェッチすることができず、一度自動消去を実行すると自動消去が完了し、リード可能になるまで停止しておく必要があった。このため、周辺回路や外部からの割り込み要求が発生した場合でも、その割り込みベクタがフラッシュメモリ内の番地に設定されている場合、割り込み要求の発生から実行できるようになるまでには最大数秒程度かかる場合があった。
【0006】
また、自動消去終了まで待てないような場合には、強制的にリセットを入力して自動一括消去、自動ブロック消去の処理を中止してから、メモリデータを読み出すしかなく、リセットを入力して自動一括消去、自動ブロック消去の処理を中止してからメモリデータを読み出す場合には、メモリデータを読み出した後に再び自動一括消去、自動ブロック消去を最初から実行しなければならないといった課題があった。
【0007】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、自動書き込みおよび自動消去において、外部から(マイコン側から)の入力によりその処理を一時中断・再開できる機能を備えた不揮発性メモリ内蔵のマイクロコンピュータを得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るマイクロコンピュータは、CPUにより実行可能である自動消去又は自動書き込みシーケンスを備え、外部からの制御により自動消去および自動書き込みの中断・再開が可能な不揮発性メモリおよび周辺機器を備え、周辺機器または外部からの割り込み要求により、不揮発性メモリの自動消去または自動書き込み処理が一時中断し、当該メモリ内のデータをCPUが読み出し可能となるものであり、マイコンの割り込み要求をフラッシュメモリ等の不揮発性メモリの自動消去中断のトリガーに使用する。例えば、CPUにより消去期間中に割り込みが入るとフラッシュメモリなどの不揮発性メモリは、これを受けて消去中断可能なところまで進んだ後、消去処理を一時中断し、ROM読みだしのみを許可する(消去/書き込みは禁止)。なお、フラッシュメモリ側では予めシーケンス中断可能な場所を設けておく。
【0009】
この発明に係るマイクロコンピュータは、自動消去または自動書き込みの中断・再開を制御するためのレジスタを備え、自動消去または自動書き込み中にマイクロコンピュータに内蔵される周辺機器または外部からの割り込み要求が生じると、このレジスタに自動的に“1”書き込みが行われ、当該自動消去処理は一時中断し不揮発性メモリ内のデータをCPUが読み出し可能となり、このCPUがこのレジスタに“0”書き込みを行うと、中断していた自動消去処理が再開するといった機構を備えるものである。例えば、消去中断要求および消去再開をレジスタ(消去中断/再開要求ビット)で行い、マイコン側のCPUでこのビットを読み込むことにより中断(サスペンド)中かどうかを判断できるようにする。
【0010】
この発明に係るマイクロコンピュータは、自動消去および自動書き込みの中断・再開の機能を有効とするか、無効とするかを切り替える機能を有するレジスタを備えるものである。すなわち、許可レジスタなどにより消去中に割り込みを受け付け、中断モードに入るかをプログラマブルに選択可能とする。
【0011】
この発明に係るマイクロコンピュータは、不揮発性メモリは、不揮発性トランジスタからなる複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリアレイを有するメモリブロックを、複数個集めてブロックメモリアレイを構成するとともに、書き込み及び消去処理を処理シーケンス中の各フェーズ後に中断する割り込み手段と、書き込み及び消去処理を中断する第一の割り込みでは、処理シーケンス中の第一の割り込みの入ったタイミングに応じたフェーズで処理を中断し、書き込み及び消去処理を中断する第二の割り込みでは、処理シーケンス中の特定のフェーズで処理を中断する手段とを備え、処理の中断中は、不揮発性メモリの内容が読み出せるものである。
【0012】
この発明に係るマイクロコンピュータは、不揮発性メモリは、不揮発性トランジスタからなる複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリアレイを有するメモリブロックを、複数個集めてブロックメモリアレイを構成するとともに、書き込み及び消去処理を処理シーケンス中の各フェーズ後に中断する割り込み手段と、書き込み及び消去処理を中断する第一の割り込みでは、処理シーケンス中の第一の割り込みの入ったタイミングに応じたフェーズで処理を中断し、書き込み及び消去処理を中断する第二の割り込みでは、処理シーケンス中の特定のフェーズで処理を中断する手段とを備え、消去処理を中断する第一、第二の割り込みの有無により、1ブロックメモリを消去する消去方式を備えるものである。
【0013】
この発明に係るマイクロコンピュータは、不揮発性メモリは、不揮発性トランジスタからなる複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリアレイを有するメモリブロックを、複数個集めてブロックメモリアレイを構成するとともに、書き込み及び消去処理を処理シーケンス中の各フェーズ後に中断する割り込み手段と、書き込み及び消去処理を中断する第一の割り込みでは、処理シーケンス中の第一の割り込みの入ったタイミングに応じたフェーズで処理を中断し、書き込み及び消去処理を中断する第二の割り込みでは、処理シーケンス中の特定のフェーズで処理を中断する手段とを備え、消去処理を中断する第一、第二の割り込みの有無により、ブロックメモリアレイ全てを消去する消去方式を備えるものである。
【0014】
この発明に係るマイクロコンピュータは、外部からの入力により中断・再開の可能な自動消去および自動書き込み手段と、当該自動消去または自動書き込みシーケンスの中断時に、そのシーケンス中のどこで中断しているかという情報を数ビットのデータとして出力する回路とを備え、CPUまたはテスタからその情報を読み出すことが可能なものである。例えば、消去中断できる箇所をあらかじめシーケンス中にいくつも設定しておくが、実際割り込みが入った際、シーケンス中のどの場所で中断しているかをレジスタなどの回路から読み出せるようにする。
【0015】
この発明に係るマイクロコンピュータは、不揮発性メモリは、外部からの入力により中断・再開の可能な自動消去および自動書き込み手段と、当該自動消去または自動書き込みシーケンスの実行前にあらかじめそのシーケンス中のどこで中断するかという情報を数ビットのデータにてCPUまたはテスタから指定することができる回路とを備えたものである。例えば、予めレジスタなどの回路にストップ位置を指定して消去を実行し、任意の位置でシーケンスを止められるようにする。
なお、消去、書き戻しのループ処理回数を指定できるようにし、ループ回数を消去後読めるようにしておくとよい。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1によるフラッシュメモリ内蔵のマイクロコンピュータ全体の構成を示すブロック図である。図において、1はフラッシュメモリ内蔵のマイコンであり、2は不揮発性メモリとしてのフラッシュメモリ、3はフラッシュメモリ2とマイコン部のインタフェース回路、4は中央処理装置(CPU)とバスインタフェース装置(BIU)(以下、略してCPU/BIUという。)、5は割り込み制御回路、6はその他マイコンを構成するRAM、タイマー、シリアル通信回路、ポート制御ブロック等の周辺装置(周辺機器)である。7はサスペンド要求レジスタ、8はサスペンド許可レジスタ、9はCPUホールド制御回路であり、インタフェース回路3内に配置される。
【0017】
10は周辺装置割り込み信号、11は外部割り込み信号であり、それぞれ周辺装置6と外部より割り込み制御回路5に入る。12はその割り込み制御回路5からの割り込み要求信号であり、CPU/BIU4およびインタフェース回路3へと入力される。13はサスペンド要求信号、14はサスペンド受付信号、15はCPUホールド信号、16はアドレスバス、17はデータバスである。なお、インタフェース回路3内のサスペンド許可レジスタ8の出力と、サスペンド要求レジスタ7の出力のAND処理されたものがフラッシュメモリ2に対するイレーズ処理中断要求(以下、サスペンド要求)信号13となる。
図2にサスペンド要求レジスタ7およびサスペンド許可レジスタ8の機能について示してある。
【0018】
ここで、マイクロコンピュータの割り込み要求とは、通常マイコンが保有するCPUのプログラム処理動作に対する割り込み要求のことをいう。通常マイコンはプログラム番地をシーケンシャルに実行して行くが、外部入力や周辺装置からこの要求が入るとマイコンはシーケンシャルな動作を中断し、特定(指定)番地のプログラムを実行する。
【0019】
次にフラッシュメモリ2の構成について説明する。
図4は、この発明の実施の形態1による不揮発性半導体メモリの全体構成を示すブロック図であり、図において、201はマイクロシーケンサ、202はチャージポンプ、203はメモリデコーダ、204はメモリブロック、205はアドレス/データ/制御信号デラッチ入回路であり、これらが不揮発性半導体メモリであるフラッシュメモリ2を構成する。なお、メモリ外部から、アドレスA(16:0)バス、データD(15:0)バス、各種制御信号が入出力される。
【0020】
図5に、この発明の不揮発性半導体メモリの動作モード一覧を示す。
次に、各動作モードの説明をする。読み出しは、不揮発性半導体メモリ内の任意のアドレスのデータを読み出す。
ステータスレジスタリードは、自動消去/自動書き込みのステータス情報を読み出す。ステータスリードは、データD(15:0)バスから入力されるコマンド70HでモードにエントリーしてFFHで戻る。
ステータスレジスタクリアは、ステータスレジスタの内容をクリアする。ステータスレジスタクリアは、データD(15:0)バスから入力されるコマンド50HでモードにエントリーしてFFHに戻る。
【0021】
自動書き込みは、データD(15:0)バスから入力されるコマンド40Hでセットアップモードに入り、次のサイクルで書き込みデータとアドレスを取り込みモードエントリーする。自動書き込み終了後は、ステータスレジスタに書き込みステータスを書き込む。
自動一括消去は、データD(15:0)バスから入力されるコマンド20Hでセットアップモードに入り、次のサイクルで確認コマンドの20Hでモードエントリーする。自動一括消去終了後は、ステータスレジスタに一括消去ステータスを書き込む。
自動ブロック消去では、データD(15:0)バスから入力されるコマンド20Hでセットアップモードに入り、次のサイクルで、D0H/ブロックアドレスを取り込みモードエントリーする。自動ブロック消去1後は、ステータスレジスタに自動ブロック消去ステータスを書き込む。
【0022】
(マイクロシーケンサ)
図6はマイクロシーケンサ201のブロック図を示すもので、図において、201はマイクロシーケンサ、206はコマンドポート、207はステータスレジスタ、208は自動消去シーケンサ、303は自動書き込みシーケンサ、209はテストモード・シーケンサ、210はパワーリセット回路、211はクロック生成回路、212はデコーダ・チャージポンプ制御信号生成回路、304はタイマー回路である。
【0023】
図5を参照しつつ、コマンドポート206は、アドレス/データ/制御信号デラッチ入回路205から送られてくる情報を元に、各種モードの設定を行い、チャージポンプ202、メモリデコーダ203、メモリブロック204を制御する。また、アドレスラッチ回路は、自動ブロック消去2を実行の際は、第1バスサイクルで消去メモリブロック開始アドレスをラッチし、第2バスサイクルで消去メモリブロック終了アドレスをラッチする。さらに、自動ブロック消去1を実行の際は、第2バスサイクルで消去メモリブロックのブロックアドレスをラッチする。
【0024】
自動ブロック消去2を実行の際にラッチした消去メモリブロック開始アドレスと消去メモリブロック終了アドレスは、自動ブロック消去2シーケンス中の消去前書き込みと消去ベリファイ実行の際に使用される。
【0025】
自動消去シーケンサ208は、コマンドポート206の指示により、自動消去の動作を制御する。
チャージポンプ202、メモリデコーダ203、メモリブロック204の制御は、デコーダ・チャージポンプ制御信号生成回路212を介して行われる。消去パルスの発行やポンプ立ち上げ時間設定など、自動消去シーケンスで必要な各種時間の計測は、タイマー回路304を呼び出して行われる。また、自動消去時のステータス状態をステータスレジスタ207に書き込む。
【0026】
自動書き込みシーケンサ303は、コマンドポート206の指示により、自動書き込みの動作を制御する。チャージポンプ202、メモリデコーダ203の制御は、デコーダ・チャージポンプ制御信号生成回路212を介して行われる。書き込みパルスの発行やポンプ立ち上げ時間設定など、自動書き込みシーケンスで必要な各種時間の計測は、タイマー回路304を呼び出して行われる。また、自動書き込み動作時のステータス状態をステータスレジスタ207に書き込む。
【0027】
テストモード・シーケンサ209は、コマンドポート206の指示により、テストモードの動作を制御する。チャージポンプ202、メモリデコーダ203、メモリブロック204の制御は、デコーダ・チャージポンプ制御信号生成回路212を介して行われる。書き込みパルスや消去パルスの発行やポンプ立ち上げ時間設定など、各種テストシーケンスで必要な時間の計測は、タイマー回路304を呼び出して行われる。
【0028】
パワーリセット回路210は、電源の立ち上げエッジを感知してリセット信号を内部回路に出力するか、またはコマンドポート206経由から入力される外部リセット入力によって内部全ての回路をリセット状態にする。
クロック生成回路211は、10MHz相当のクロックパルスを自動消去シーケンサ208、自動書き込みシーケンサ303とテストモード・シーケンサ209に出力する。
パワーリセット回路210により全ての回路が非動作状態となった時は、クロック生成回路211も機能が停止しクロック信号も停止する。
【0029】
ステータスレジスタ207は、自動消去/自動書き込み時のステータス状態を保持し、必要であればその値をコマンドポート206を介して外部に出力する
デコーダ・チャージポンプ制御信号生成回路212は、自動消去シーケンサ208、自動書き込みシーケンサ303、テストモード・シーケンサ209の出力を受け、チャージポンプ202とメモリデコーダ203、メモリブロック204の制御する制御信号を生成する。
【0030】
タイマー回路304は、自動消去シーケンサ208、自動書き込みシーケンサ303、ロックビットフラグ生成回路292からの信号を受け、要求のあった時間を計測し、要求元のブロックに終了信号を返す。
サスペンド制御回路305は、アドレス/データ/制御信号デラッチ入回路205を通して外部から要求のあるサスペンド要求を受け付ける。サスペンド要求は、サスペンド制御回路305を通して、自動消去シーケンサ208に対して処理の中断を要求する。
【0031】
(チャージポンプ)
図7はチャージポンプ202のブロック図を示すもので、図において、202はチャージポンプ、213は負電圧チャージポンプ、214は正電圧チャージポンプ、215は読み出し電圧チャージポンプである。
チャージポンプ202は、マイクロシーケンサ201によって制御され、各チャージポンプの出力は、電圧切り替え回路216によってメモリデコーダ203とメモリブロック204に供給される。
【0032】
負電圧チャージポンプ213は、消去用の負チャージポンプであり、自動消去時に負の電圧を発生する。
正電圧チャージポンプ214は、書き込み/消去用の正チャージポンプであり、書き込みと消去時に正の電圧を発生する。
読み出し電圧チャージポンプ215は、読み出し/ベリファイ用の正チャージポンプであり、読み出し動作時に読み出し電圧を発生し、書き込み/書き込みベリファイ時にはベリファイ読み出し電圧を発生する。
【0033】
(メモリデコーダ)
図8に、メモリブロック204中のメモリデコーダ230の構成図を示す。図において、230はメモリデコーダ、218はY(コラム)アドレス入力バッファラッチ、217はX(ロウ)アドレスラッチ、220はY(コラム)アドレスプリデコーダ、219はX(ロウ)アドレスプリデコーダ、232はセレクトゲートアドレスラッチ、233はセレクトゲートアドレスプリデコーダである。
【0034】
Y(コラム)アドレス入力バッファラッチ218、X(ロウ)アドレスラッチ217、セレクトゲートアドレスラッチ232は、ステータスレジスタ207から送られてきたアドレスをラッチする。
ラッチされたアドレスは、Y(コラム)アドレスプリデコーダ220、X(ロウ)アドレスプリデコーダ219、セレクトゲートアドレスプリデコーダ233において、アドレスのプリデコード処理が行われ、メモリブロックアレイ231に対してプリデコードされた結果を出力する。
【0035】
(メモリブロック)
同じく、図8に、メモリブロック204中のメモリブロックアレイ231の構成図を示す。図において、231はメモリブロックアレイ、221は8KBのメモリブロック0、222は4KBのメモリブロック1、223は60KBのメモリブロック2、224は128KBのメモリブロック3、225は4KBのメモリブロック4、226はセンスアンプ/書き込み回路、227はセレクタ回路、234はグローバルビット線、228はデータバスDDB(15:0)、229はブロック選択信号である。
【0036】
各メモリブロックアレイとセンスアンプ/書き込み回路226間は、グローバルビット線234で接続されている。
それぞれのメモリブロックは、Xデコーダ、SG(セレクトゲート)/Yデコーダ、メモリアレイからなる。
センスアンプ/書き込み回路226は、それぞれのメモリブロックからの出力をグローバルビット線234、セレクタ回路227を介してデータバスにデータを出力する経路と、データバスの値をセレクタ回路227、センスアンプ/書き込み回路226,グローバルビット線234を介して各メモリブロックにデータを書き込む経路がある。
【0037】
(メモリアドレス空間)
図9に、メモリブロック204のアドレス空間を示す。
メモリブロック4は、16進表記で、“00000h”〜“07FFFh”のアドレス空間を持つ。
メモリブロック3は、16進表記で、“08000h”〜“0FFFFh”のアドレス空間を持つ。
メモリブロック2は、16進表記で、“10000h”〜“17FFFh”のアドレス空間を持つ。
メモリブロック1は、16進表記で、“18000h”〜“1FFFFh”のアドレス空間を持つ。
メモリブロック(0)は、16進表記で、“00000h”〜“01FFFh”のアドレス空間を持つ。
【0038】
(メモリアレイ構成1)
図10は、図9に示すブロック中の1メモリブロックを例に取って説明するもので、図において、226はセンスアンプ/書き込み回路、227はセレクタ回路、228はデータバスDDB(15:0)、234はグローバルビット線、235〜238はビット線を選択するトランジスタ、239〜242はメインビット線、243〜246はサブビット線を選択するトランジスタ、251はYデコーダ、252はSGデコーダ、253はXデコーダである。CS0〜CS15、SG0〜SG3は制御信号、Tr0−0〜Tr63−0,Tr0−1〜Tr63−1,Tr0−2〜Tr63−2,Tr0−3〜Tr63−3はメモリセルを表す。ここで、メモリセルアレイは、1メインビット線に結合される分のみを示している。
【0039】
Yデコーダ251は、Yアドレスプリデコーダ220からの出力を受けて(図8参照)、16本のメインビット線239〜242から一本のビット線を選択するための16本の制御信号CS0〜CS15を生成する。制御信号CS0〜CS15は、ビット線を選択するトランジスタ235〜238のゲートに結合されている。それぞれのメインビット線239〜242は、それぞれ4本のサブビット線がつながっている。
【0040】
SG(セレクトゲート)デコーダ252は、セレクトゲートアドレスプリデコーダ233からの出力を受けて(図8参照)、4本のサブビット線SBL0〜SBL3から一本のサブビット線を選択するための制御信号SG0〜SG3を生成する。制御信号SG0〜SG3は、サブビット線を選択するトランジスタ243〜246のゲートに結合されている。
【0041】
Xデコーダ253は、Xアドレスプリデコーダ219からの出力を受けて、64本のワード線WL0〜WL63から一本のワード線を選択制御する。
それぞれのサブビット線には、フローティングゲートを有する不揮発性トランジスタからなるメモリセルTr0−0〜Tr0−3、Tr1−0〜Tr1−3、Tr63−0〜Tr63−3が行列状に配置されている。
このうち、同一行に配置されたメモリセルTr0−0〜Tr63−0、Tr0−1〜Tr63−1、Tr0−2〜Tr63−2、Tr0−3〜Tr63−3には、同一サブビット線SBL0〜SBL3がソース端子に接続されており、それぞれ異なるワード線WL0〜WL63がゲート端子に接続されている。
【0042】
メモリデータの読み出しは、Xアドレスプリデコーダ219、Yアドレスプリデコーダ220、セレクトゲートアドレスプリデコーダ233の出力に従って、サブビット線SBL0〜SBL3とワード線WL0〜WL63からそれぞれ一本のサブビット線とワード線が選択され、選択されたビット線とワード線に接続されたフローティングゲートを有する不揮発性トランジスタからなるメモリセルの内容が、センスアンプ/書き込み回路226中のセンスアンプを介してデータバスに出力される。
【0043】
また、メモリデータへの書き込みは、Xアドレスプリデコーダ219、Yアドレスプリデコーダ220、セレクトゲートアドレスプリデコーダ233の出力に従って(図8参照)、サブビット線SBL0〜SBL3とワード線WL0〜WL63からそれぞれ一本のビット線とワード線が選択され、選択されたビット線とワード線に接続されたフローティングゲートを有する不揮発性トランジスタからなるメモリセルに、センスアンプ/書き込み回路226中の書き込み回路を介してデータバスの値が書き込まれる。
【0044】
さらに、メモリデータへの消去は、消去パルスが消去の対象となっているメモリブロックに印加され、フローティングゲートを有する不揮発性トランジスタからなるメモリセルのゲートに消去電圧が印加されメモリの内容が消去される。
【0045】
次に、この発明の実施の形態1の動作および作用・効果について説明する。
通常、フラッシュメモリ内蔵マイコンのシングルチップモードでは、CPU/BIU4はフラッシュメモリ2上のプログラムコードを読み込んで動作している。フラッシュメモリ2は自動消去中には消去ベリファイ等でセンスアンプ等の読み出し回路を使用して消去が正しく実行できたかの確認を行うため、消去中以外のブロックのデータに関しても通常読み出しを行うことができなくなる。そのため、フラッシュメモリ上のプログラムに配置された自動消去コマンドが実行されると、その自動消去のシーケンスが完了するまで、CPUが次のフラッシュメモリ上のプログラムコードを読みに行かないように、CPUの動作を停止させてやる必要がある。インタフェース回路3内のCPUホールド制御回路9では、自動消去コマンド実行中には、CPU/BIU4が全てのバスアクセスを停止させるための信号、CPUホールド信号15を出力し、これを受けてCPU/BIU4はバスアクセスを停止する(コードフェッチ停止)。
【0046】
しかしながら、従来どおりのこのままでは、マイコンは最長数秒程度はかかる自動消去の時間中は動作できない状態であるため、割り込み等が発生しても数秒間は受け付けることができないため、実システム上では割り込み禁止とせざるを得ない場合があり、また不定期の割り込みが必須のシステムでは使用できなかった。
【0047】
この発明の実施の形態1では、この自動消去実行中のCPUが停止中に外部からまたはマイコン内の周辺装置6等から割り込み要求10,11が発生すると、割り込み制御回路5はこの要求を受けて、インタフェース回路3に割り込み要求信号を出力する(図1参照)。
【0048】
インタフェース回路3では、この割り込み要求信号12がアクティブになるのに対して、サスペンド許可レジスタ8を許可状態に設定していると、サスペンド要求レジスタ7に“1”が立ち、その出力であるサスペンド要求信号13がアクティブ(要求状態)となる。
【0049】
自動消去中にサスペンドモードが入った場合のフラッシュメモリ2の動作は後で詳述するが、フラッシュメモリ2はサスペンド要求を受けると、イレーズシーケンスを一時停止するための処理に入る。イレーズパルス印加中などのメモリセルに高負荷がかかった状態で停止するのは好ましくないため、また容易に再開できるポイントで停止しておきたいため、サスペンド要求信号13が入力後停止可能なところまで進んだ後、イレーズシーケンスは一時停止する。この一時停止処理が完了した時点でフラッシュメモリは消去中ブロック以外の読み出しが可能となり、インタフェース回路3に対して、サスペンド受付信号14を出力する。
【0050】
インタフェース回路3はサスペンド受付信号14がアクティブになり、メモリリードが可能な状態になったのを受けて、CPU/BIU4へのバスアクセスを停止させている。CPUホールド信号15を解除し、CPU/BIU4の動作を開放する。ホールドを解除されたCPU/BIU4は割り込み要求に応じた割り込みルーチンを処理することが可能になる。
【0051】
割り込み処理終了後、イレーズを再開させるにはソフトウェアによってサスペンド要求レジスタ7に“0”を書き込む。そのサスペンド要求信号13は非アクティブとなり、CPUホールド信号15もCPU/BIU4を再度ホールド状態にする。フラッシュメモリ2では再開のための処理を実施後、サスペンド受付信号14を非アクティブにし、イレーズ処理をストップしていた位置から再開する。
【0052】
以下、マイコンプログラムの大まかな流れを図3に示す。メインプログラムには以下の▲1▼〜▲4▼のような流れで記述する。
▲1▼ サスペンド許可レジスタ8に“1”を書き込み(ステップST1)、サスペンド許可状態に設定、
▲2▼ 自動消去実行コマンド発行(20h,D0h連続書き込み)(ステップST2)→自動消去開始、
▲3▼ サスペンド要求レジスタ7に“0”を書き込み(ステップST3)→停止中の自動消去再開、
▲4▼ サスペンド要求レジスタ7の値が“0”かどうか判定(ステップST4)、
・“0”の場合、終了、
・“1”の場合、再度▲3▼に戻る。
【0053】
上記プログラムにて自動消去を実行すると、まず▲2▼を実行後にフラッシュメモリ2は自動消去動作に入り、CPU/BIU4はCPUホールド信号15により、バスアクセス禁止状態となる。この間に割り込みが発生しない場合は、自動消去は最終ステップまで進み、イレーズ(Erase)処理終了(ステップST21)となる。その後、▲3▼、▲4▼は実行されるもののフラッシュメモリの自動消去自体が終了しているため、そのまま終了となる。割り込み(Interrupt)(ステップST19)が発生した場合は、サスペンド要求レジスタ7に自動的に“1”が立ち、フラッシュメモリ2がこの要求を受け付けるとCPU/BIU4のバスアクセスは開放され、プログラムは割り込みルーチン処理(ステップST20)へとジャンプし、割り込み処理を実行する。割り込みルーチン処理(ステップST20)が終了すると、プログラムは再びメインルーチンへと戻り、▲3▼を実行し、フラッシュメモリの自動消去処理が再開される。
【0054】
▲3▼によってフラッシュメモリの自動消去処理が再開されると、CPU/BIU4は再びバスアクセス禁止状態になり、▲2▼の後と同じくこの間に割り込みが発生しない場合は自動消去は最終ステップまで進み、イレーズ処理終了(ステップST24)となる。その後、▲4▼は実行されるもののフラッシュメモリの自動消去自体が終了しているため、そのまま終了となる。再度割り込み(ステップST22)が発生した場合は、前述と同様にサスペンド要求レジスタ7に自動的に“1”が立ち、フラッシュメモリ2がこの要求を受け付けるとCPU/BIU4のバスアクセスは開放され、プログラムは割り込みルーチン処理(ステップST23)へとジャンプし、割り込み処理を実行する。割り込みルーチン処理(ステップST23)が終了すると、プログラムは再びメインルーチンへと戻り、▲4▼を実行する。ここでは、割り込みが発生してSUSPENDREQ=“1”となっているため、▲3▼へと戻りフラッシュメモリの自動消去処理が再開される。その後は、フラッシュメモリの自動消去処理が完了するまで▲3▼、▲4▼が繰り返される。
上記動作のようにサスペンド要求レジスタ7を持たすことによって自動消去の一時停止・再開の動作が容易になる。
【0055】
またサスペンド許可レジスタを禁止状態に設定することによって、上記の自動消去中の割り込みによる一時停止・再開を禁止することができるので、消去の実行を最優先させたいといった場合にも対応でき、ユーザにとって使い勝手のいいものとなる。
さらにサスペンド要求ビットへの書き込みが無効になるため、CPUの暴走等の誤動作による自動消去の停止といった事態を回避しやすくなる。
【0056】
以下に、フラッシュメモリ2の詳細な動作について説明する。
(自動一括消去)
次に、この発明の実施の形態1による不揮発性半導体メモリの自動消去シーケンサ208の構成について図11を用いて説明する。図において、254は自動消去シーケンス制御回路、255はサスペンド要求受け付け回路、256は消去前書き込み制御回路、257は消去/消去ベリファイ制御回路、258は消去前書き込み信号生成回路、259はアドレスインクリメンタ、260は消去ベリファイ回路である。
【0057】
自動消去シーケンス制御回路254は、コマンドポート206、クロック生成回路211からの制御信号を受け(図6参照)、この発明の実施の形態1による不揮発性半導体メモリが自動消去モードに入ると、自動消去シーケンス制御回路254、消去前書き込み制御回路256、消去/消去ベリファイ制御回路257を制御する。
自動消去は、アドレス読み出し、消去前書き込み、消去/消去ベリファイの一連の動作を、メモリブロック204中の分割されたメモリブロック単位で実行する。
【0058】
消去前書き込み制御回路256は、自動消去シーケンス制御回路254からの信号を受けて、メモリブロックに対して消去前書き込み処理を行う。消去前書き込み制御回路256は、アドレスインクリメンタ259を使用し、消去対象となっているメモリブロックの、アドレスを最下位アドレスから最上位アドレスまでインクリメントしながら、消去前書き込み信号生成回路258から消去前書き込み信号を発生させて処理を行う。
【0059】
アドレスインクリメンタ259は、消去対象となっているメモリブロックの、アドレスを最下位アドレスから最上位アドレスまでインクリメントさせる。
消去/消去ベリファイ制御回路257は、自動消去シーケンス制御回路254からの信号を受けて、消去と消去ベリファイ処理を行う。
【0060】
消去ベリファイ回路260は、消去動作後、メモリのデータを読み出し期待値と比較処理し、消去されているか否かを確認する。メモリのデータ読み出し処理は、アドレスインクリメンタ259を使用し、消去対象となっているメモリブロックの、アドレスを最下位アドレスから最上位アドレスまでインクリメントして順次行う。
【0061】
サスペンド要求受け付け回路255は、サスペンド制御回路305を介して送られてくる外部割込みを受け付ける。サスペンド要求は、消去前書き込み制御回路256または消去/消去ベリファイ制御回路257に送られ、サスペンド要求のあった時点での自動消去の処理内容に応じて自動消去シーケンスを途中で中止する。
【0062】
(サスペンド制御回路およびサスペンド位置設定レジスタ)
図16に、サスペンド制御回路305の構成を示す。図において、205はアドレス/データ/制御信号デラッチ入回路、255はサスペンド要求受け付け回路、306はサスペンド要求処理回路、307はサスペンド位置設定レジスタである。サスペンド制御回路305は、サスペンド要求処理回路306とサスペンド位置設定レジスタ307からなる。
【0063】
サスペンド要求処理回路306はアドレス/データ/制御信号デラッチ入回路205を通して外部から要求のあるサスペンド要求信号(SUSPENDREQ)信号がHレベルになると要求を受け付け、自動消去シーケンサ208中のサスペンド要求受け付け回路255に対して処理の中断を要求する。
【0064】
サスペンド要求受け付け回路255は、自動消去処理の中断が始まるとサスペンド要求処理回路306に対して中断中であることを知らせる信号を出力する。サスペンド要求処理回路306は、アドレス/データ/制御信号デラッチ入回路205を通して外部に処理の中断を知らせる信号(SUSPENDL)をHレベルにして出力する。
【0065】
サスペンド要求の解除は、サスペンド要求信号(SUSPENDREQ)がLレベルになると、サスペンド要求処理回路306を通してサスペンド要求受け付け回路255に対してサスペンド要求の解除が要求される。
【0066】
サスペンド要求受け付け回路255は、自動消去処理の再開が始まるとサスペンド要求処理回路306に対して処理の再開を知らせる信号を出力する。サスペンド要求処理回路306は、アドレス/データ/制御信号デラッチ入回路205を通して外部に処理の中断を知らせる(SUSPENDL)をLレベルにして出力する。
【0067】
また、サスペンド位置設定レジスタ307は、自動消去処理の中断場所を任意に設定できる2ビットのレジスタである。サスペンド位置設定レジスタ307へのデータのセットは、アドレス/データ/制御信号デラッチ入回路205を通して外部から任意のデータを設定できる。
【0068】
サスペンド位置設定レジスタ307の設定内容を示す図を図17に示す。b0は、自動消去シーケンス中の消去前書き込み終了後にサスペンドを実行するビットである。b0=1によって、消去前書き込み終了後にサスペンドが実行される。b0=0では、サスペンドの処理は行われない。
b1は、自動消去シーケンス中の消去パルス印加後にサスペンドを実行するビットである。b1=1によって、消去パルス印加後にサスペンドが実行される。b1=0では、サスペンドの処理は行われない。
b2は、自動書き込みシーケンス中の書き込みパルス印加後にサスペンドを実行するビットである。b2=1によって、書き込みパルス印加後にサスペンドが実行される。b2=0では、サスペンド処理は行なわれない。
【0069】
サスペンド位置設定レジスタ307に、任意のサスペンド位置を設定すれば、アドレス/データ/制御信号デラッチ入回路205を通してサスペンド要求信号(SUSPENDREQ)がHレベルにならなくても、レジスタの設定内容に従って自動消去のサスペンドが実行できる。
【0070】
このように、フラッシュメモリの自動書き込みおよび自動消去シーケンスの指定した位置でとめることを可能にすることによって、従来確認することができなかった自動消去シーケンス中でのメモリセルのVthの遷移を確認することが可能になるといった、消去の不具合解析の容易化を実現する。
【0071】
(自動一括消去フローチャート1)
次に、この発明の実施の形態1による不揮発性半導体メモリの自動一括消去の動作を、図12のフローチャートを用いて説明する。サスペンド要求の無い場合を説明する。
この場合の自動一括消去では、ブロック1、ブロック2、ブロック3、ブロック4の全てのブロックを対象にする。
【0072】
まず、自動一括消去は、データD(15:0)バスから入力される第1コマンド20Hでセットアップモードに入り(ステップST261)、次のサイクルで確認コマンドの第2コマンド20Hでモードエントリーする(ステップST262)。
消去前書き込みのフェーズ(ステップST264)では、自動消去シーケンサ208が、消去対象となっているメモリブロックに対して、データ“1”を書き込み動作を行う。消去前書き込みのフェーズ(ステップST264)では、アドレスインクリメンタを使用し、順次アドレスをインクリメントさせながらワード単位で書き込んでいく。消去前書き込みのフェーズ(ステップST264)終了後、消去パルス印加のフェーズ(ステップST265)に移行する。
【0073】
消去パルス印加のフェーズ(ステップST265)では、消去パルスを消去対象となっているメモリブロックのみに印加して消去動作を行う。消去パルス印加のフェーズ終了後、消去ベリファイのフェーズ(ステップST266)に移行する。
消去ベリファイのフェーズ(ステップST266)では、消去対象となっているメモリブロックに対して、最下位アドレスから最上位アドレスまでアドレスをインクリメントさせながら消去ベリファイ処理を行う。消去ベリファイのフェーズ(ステップST266)でベリファイフェイルが生じた場合、再消去を行うために再消去前処理のフェーズ(ステップST267)に移行する。再消去前処理のフェーズ(ステップST267)では、再消去前処理回数のカウンター値を1だけインクリメントさせ、処理を消去パルス印加のフェーズ(ステップST265)に再度移行させる。
【0074】
消去パルス印加のフェーズ(ステップST265)では、再び消去動作を行う。消去パルス印加のフェーズ(ステップST265)終了後、消去ベリファイのフェーズ(ステップST266)に移行する。消去ベリファイのフェーズ(ステップST266)では、前回消去ベリファイに失敗したアドレスから再びベリファイを開始する。消去パルス印加のフェーズ(ステップST265)、消去ベリファイのフェーズ(ステップST266)、再消去前処理のフェーズ(ステップST267)では、消去ベリファイのフェーズ(ステップST266)で最終アドレスまでベリファイが行われるか、再消去前処理のフェーズ(ステップST267)で再消去前処理回数のカウンター値が最大値になるかまでループ処理が続けられる。再消去前処理フェーズ(ステップST267)で、再消去前処理回数のカウンター値が最大値に到達すると、消去エラー終了(ステップST270)として処理が終了する。
【0075】
また、ベリファイ処理でパスすれば、最終ブロックチェックのフェーズ(ステップST268)に移行する。最終ブロックチェックのフェーズ(ステップST268)では、まだ消去するブロックが存在する場合には、再度消去前書き込みのフェーズ(ステップST264)のフェーズに移行して、次のメモリブロックの消去前書き込みを行う。また、最終ブロックであることが確認されれば、正常終了(ステップST269)として、自動一括消去の処理を終了する。
【0076】
(自動一括消去フローチャート2)
次に、この発明の実施の形態1による不揮発性半導体メモリの自動一括消去の動作を、図15のフローチャートを用いて説明する。サスペンド要求の有る場合を説明する。
この場合の自動一括消去では、ブロック1、ブロック2、ブロック3、ブロック4の全てのブロックを対象にする。
【0077】
まず自動ブロック消去は、データD(15:0)バスから入力される第1コマンド20Hでセットアップモードに入り(ステップST290)、次のサイクルで確認コマンドの第2コマンドD0Hでモードエントリーする(ステップST291)。
次に、消去前書き込みのフェーズ(ステップST292)では、自動消去シーケンサ208が消去対象となっているメモリブロックに対して、データ“1”を書き込む動作を行う。消去前書き込み(ステップST292)では、アドレスインクリメンタを使用し、順次アドレスをインクリメントさせながらワード単位で書き込んでいく。消去前書き込み(ステップST292)終了後、サスペンド要求の無い場合には、消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)に移行する。
【0078】
第1コマンド20Hの受け付け(ステップST290)から消去前書き込みのフェーズ(ステップST292)まで、途中でサスペンド要求があった場合またはサスペンド位置設定レジスタのb0に1が設定された場合には、消去前書き込みのフェーズ(ステップST292)終了まで自動消去の処理の中断は行われない。消去前書き込みのフェーズ(ステップST292)終了後、サスペンド要求受け付けのフェーズ(ステップST293)では、要求の有る場合には自動消去中断(ステップST294)を行いメモリデータ読み出し可能となる。要求の無い場合には、次の消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)に進む。また、サスペンド要求受け付け後復帰する場合にも、次の消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)に進む。
【0079】
消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)では、消去パルスを消去対象となっているメモリブロックのみに印加して消去動作を行う。消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)終了後、サスペンド要求の無い場合には、消去ベリファイのフェーズ(ステップST298)に移行する。
消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)中、途中でサスペンド要求のあった場合には、消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)終了まで自動消去の処理の中断は行われない。消去パルス印加(ステップST295)終了後、サスペンド要求受け付けのフェーズ(ステップST296)では、要求の有る場合には自動消去中断(ステップST297)を行いメモリデータ読み出し可能となる。要求の無い場合には、次の消去ベリファイのフェーズ(ステップST298)に進む。また、サスペンド要求受け付け後復帰する場合にも次のベリファイのフェーズ(ステップST298)に進む。
【0080】
消去ベリファイのフェーズ(ステップST298)では、消去対象となっているメモリブロックに対して、最下位アドレスから最上位アドレスまでアドレスをインクリメントさせながら消去ベリファイ処理を行う。消去ベリファイのフェーズ(ステップST298)でベリファイフェイルが生じた場合、再消去を行うために再消去前処理のフェーズ(ステップST299)に移行する。再消去前処理のフェーズ(ステップST299)では、再消去前処理回数のカウンター値を1だけインクリメントさせ、処理を消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)に再度移行させる。
【0081】
消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)では、再び消去動作を行う。消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)終了後、サスペンド要求の無い場合には、消去ベリファイのフェーズ(ステップST298)に移行する。
【0082】
消去ベリファイ(ステップST298)、消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)中、途中でサスペンド要求のあった場合またはサスペンド位置設定レジスタのb1に1が設定された場合には、消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)終了まで自動消去の処理の中断は行われない。消去パルス印加(ステップST295)終了後、サスペンド要求受け付けフェーズ(ステップST296)では、要求の有る場合には自動消去中断(ステップST297)を行いメモリデータ読み出し可能となる。要求の無い場合には、次の消去ベリファイのフェーズ(ステップST298)に進む。また、サスペンド要求受け付け後復帰する場合にも次の消去ベリファイのフェーズ(ステップST298)に進む。
【0083】
消去ベリファイのフェーズ(ステップST298)では、前回消去ベリファイに失敗したアドレスから再びベリファイを開始する。消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)、消去ベリファイのフェーズ(ステップST298)、再消去前処理フェーズ(ステップST299)では、消去ベリファイのフェーズ(ステップST298)で最終アドレスまでベリファイが行われるか、再消去前処理のフェーズ(ステップST299)で再消去前処理回数のカウンター値が最大値になるかまでループ処理が続けられる。再消去前処理のフェーズ(ステップST299)で、再消去前処理回数のカウンター値が最大値に到達すると、消去エラー終了(ステップST300)として処理が終了する。
【0084】
また、ベリファイ処理でパスすれば、最終ブロックチェックのフェーズ(ステップST301)に移行する。最終ブロックチェックのフェーズ(ステップST301)では、まだ消去するブロックが存在する場合には、再度消去前書き込みのフェーズ(ステップST292)に移行して、次のメモリブロックの消去前書き込みを行う。また、最終ブロックであることが確認されれば、正常終了(ステップST302)として、自動一括消去の処理を終了する。
【0085】
消去ベリファイフェーズ(ステップST298)、再度消去前書き込みのフェーズ(ステップST292)中、途中でサスペンド要求のあった場合、または、サスペンド位置設定レジスタのb0に1が設定された場合には、消去前書き込みのフェーズ(ステップST292)終了まで自動消去の処理の中断は行われない。消去前書き込み(ステップST292)終了後、サスペンド要求受け付けのフェーズ(ステップST294)では、要求の有る場合には自動消去中断(ステップST294)を行いメモリデータ読み出し可能となる。要求の無い場合には、次の消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)に進む。また、サスペンド要求受け付け後復帰する場合にも次の消去パルス印加のフェーズ(ステップST295)に進む。
【0086】
(自動ブロック消去フローチャート1)
次に、この発明の実施の形態1による不揮発性半導体メモリの、ブロック0、ブロック1、ブロック2、ブロック3、ブロック4のいずれかのブロックを対象とする自動ブロック消去の動作を、図13のフローチャートを用いて説明する。サスペンド要求の無い場合を説明する。
この場合の自動一括消去では、ブロック1、ブロック2、ブロック3、ブロック4の全てのブロックを対象にする。
【0087】
まず、自動一括消去は、データD(15:0)バスから入力される第1コマンド20Hでセットアップモードに入り(ステップST271)、次のサイクルで確認コマンドの第2コマンドD0Hでモードエントリーする(ステップST272)。第2コマンドD0Hの入力の際(ステップST272)には、消去の対象となるメモリブロックのブロックアドレスを読み込む。
【0088】
消去前書き込みのフェーズ(ステップST274)では、自動消去シーケンス(ステップST208)が、消去対象となっているメモリブロックに対して、データ“1”を書き込む動作を行う。消去前書き込み(ステップST274)では、アドレスインクリメンタを使用し、順次アドレスをインクリメントさせながらワード単位で書き込んでいく。消去前書き込みのフェーズ(ステップST274)の終了後、消去パルス印加のフェーズ(ステップST275)に移行する。
【0089】
消去パルス印加のフェーズ(ステップST275)では、消去パルスを消去対象となっているメモリブロックに印加して消去動作を行う。消去パルス印加フェーズ(ステップST275)終了後、消去ベリファイのフェーズ(ステップST276)に移行する。
【0090】
消去ベリファイのフェーズ(ステップST276)では、消去対象となっているメモリブロックに対して、最下位アドレスから最上位アドレスまでアドレスをインクリメントさせながら消去ベリファイ処理を行う。消去ベリファイのフェーズ(ステップST276)でベリファイフェイルが生じた場合、再消去を行うために再消去前処理フェーズ(ステップST277)に移行する。再消去前処理のフェーズ(ステップST277)では、再消去前処理回数のカウンター値を1だけインクリメントさせ、処理を消去パルス印加フェーズ(ステップST275)に再度移行させる。
【0091】
消去パルス印加フェーズ(ステップST275)では、再び消去動作を行う。消去パルス印加フェーズ(ステップST275)終了後、消去ベリファイのフェーズ(ステップST276)に移行する。消去ベリファイのフェーズ(ステップST276)では、前回消去ベリファイに失敗したアドレスから再びベリファイを開始する。消去パルス印加のフェーズ(ステップST275)、消去ベリファイのフェーズ(ステップST276)、再消去前処理フェーズ(ステップST277)では、消去ベリファイフェーズ(ステップST276)で最終アドレスまでベリファイが行われるか、再消去前処理フェーズ(ステップST277)で再消去前処理回数のカウンター値が最大値になるかまでループ処理が続けられる。再消去前処理フェーズ(ステップST277)で、再消去前処理回数のカウンター値が最大値に到達すると、消去エラー終了(ステップST279)として処理が終了する。
また、ベリファイ処理でパスすれば、正常終了(ステップST278)として、自動ブロック消去1の処理を終了する。
【0092】
(自動ブロック消去フローチャート2)
次に、この発明の実施の形態1による不揮発性半導体メモリのブロック0、ブロック1、ブロック2、ブロック3、ブロック4のいずれかのブロックを対象とする自動ブロック消去の動作を、図14のフローチャートを用いて説明する。サスペンド要求の有る場合を説明する。
【0093】
まず、自動ブロック消去は、データD(15:0)バスから入力される第1コマンド20Hでセットアップモードに入り(ステップST280)、次のサイクルで確認コマンドの第2コマンドD0Hでモードエントリーする(ステップST281)。第2コマンドD0Hの入力(ステップST281)の際には、消去の対象となるメモリブロックのブロックアドレスを読み込む。
【0094】
次に、消去前書き込みのフェーズ(ステップST282)では、自動消去シーケンサ208が、消去対象となっているメモリブロックに対して、データ“1”を書き込む動作を行う。消去前書き込み(ステップST282)では、アドレスインクリメンタを使用し、順次アドレスをインクリメントさせながらワード単位で書き込んでいく。消去前書き込みのフェーズ(ステップST282)終了後、サスペンド要求の無い場合には、消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)に移行する。
【0095】
第1コマンドの受け付けのフェーズ(ステップST280)から、消去前書き込みのフェーズ(ステップST282)まで、途中でサスペンド要求のあった場合またはサスペンド位置設定レジスタのb0に1が設定された場合には、消去前書き込みのフェーズ(ステップST282)終了まで自動消去の処理の中断は行われない。消去前書込みのフェーズ(ステップST282)終了後、サスペンド要求受け付けのフェーズ(ステップST263)では、要求の有る場合には、自動消去中断(ステップST273)を行いメモリデータ読み出し可能となる。要求の無い場合には、次の消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)に進む。また、サスペンド要求受け付け後復帰する場合にも、次の消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)に進む。
【0096】
消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)では、消去パルスを消去対象となっているメモリブロックのみに印加して消去動作を行う。消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)終了後、サスペンド要求の無い場合には、消去ベリファイフェーズのフェーズ(ステップST284)に移行する。
【0097】
消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)中、途中でサスペンド要求のあった場合、または、サスペンド位置設定レジスタのb1に1が設定された場合には、消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)終了まで自動消去の処理の中断は行われない。消去パルス印加(ステップST283)終了後、サスペンド要求受け付けのフェーズ(ステップST288)では、要求の有る場合には、自動消去中断(ステップST289)を行いメモリデータ読み出し可能となる。要求の無い場合には、次の消去ベリファイのフェーズ(ステップST284)に進む。また、サスペンド要求の受け付け後に復帰する場合にも、次の消去ベリファイのフェーズ(ステップST284)に進む。
【0098】
消去ベリファイのフェーズ(ステップST284)では、消去対象となっているメモリブロックに対して、最下位アドレスから最上位アドレスまでアドレスをインクリメントさせながら消去ベリファイ処理を行う。消去ベリファイのフェーズ(ステップST284)でベリファイフェイルが生じた場合、再消去を行うために再消去前処理のフェーズ(ステップST285)に移行する。再消去前処理のフェーズ(ステップST285)では、再消去前処理回数のカウンター値を1だけインクリメントさせ、処理を消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)に再度移行させる。
【0099】
消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)では、再び消去動作を行う。消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)終了後、サスペンド要求の無い場合には、消去ベリファイのフェーズ(ステップST284)に移行する。
【0100】
消去ベリファイ(ステップST284)、消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)中、途中でサスペンド要求のあった場合またはサスペンド位置設定レジスタのb1に1が設定された場合には、消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)終了後まで自動消去の処理の中断は行われない。消去パルス印加(ステップST283)終了後、サスペンド要求受け付けのフェーズ(ステップST288)では、要求の有る場合には自動消去中断(ステップST289)を行いメモリデータ読み出し可能となる。要求の無い場合には、次の消去ベリファイのフェーズ(ステップST284)に進む。また、サスペンド要求受け付け後復帰する場合にも、次の消去ベリファイのフェーズ(ステップST284)に進む。
【0101】
消去ベリファイのフェーズ(ステップST284)では、前回消去ベリファイに失敗したアドレスから再びベリファイを開始する。消去パルス印加のフェーズ(ステップST283)、消去ベリファイのフェーズ(ステップST284)、再消去前処理フェーズ(ステップST285)では、消去ベリファイのフェーズ(ステップST284)で最終アドレスまでベリファイが行われるか、再消去前処理フェーズ(ステップST285)で再消去前処理回数のカウンター値が最大値になるかまでループ処理が続けられる。再消去前処理フェーズ(ステップST285)で、再消去前処理回数のカウンター値が最大値に到達すると、消去エラー終了(ステップST287)として処理が終了する。
また、ベリファイ処理でパスすれば、正常終了(ステップST286)として、自動ブロック消去の処理を終了する。
次に、本発明の不揮発性半導体メモリの自動書き込み動作を、図18のフローチャートを用いて説明する。
まず自動書き込みは、データD(15:0)バスから入力される第一コマンド40H(ステップST303)でセットアップモードに入り、次のサイクル(ステップST304)で書き込みデータと書き込みアドレスを取り込み、モードエントリーする。
書き込みパルス印加(ステップST305)のフェーズでは、取り込んだ書き込みアドレスとデータに従って、書き込みパルスを印加する。
パルスの印加後、サスペンド要求受け付けのフェーズ(ステップST306)では、要求のある場合には、自動書き込み中断(ステップST307)を行いメモリデータ読み出し可能となる。要求の無い場合には、次の書き込みベリファイのフェーズ(ステップST308)に進む。
書き込みベイファイ(ステップST308)のフェーズでは、書き込みパルス印加後、書き込んだアドレスのデータを読み出し、外部より取り込んだデータと比較する。
比較はワード単位で実行する。1ビットでも比較で不一致が生じれば、再度書き込みを行うために再書き込み前処理(ステップST309)に処理を移す。比較で全データが一致すれば、正常終了(ステップST310)として処理を終了する。再書き込み前処理(ステップST309)のフェーズでは、書き込み回数をカウントするカウンターの値を+1インクリメントする。
また、書き込みが失敗したビットを特定し、再び書き込みパルスを印加するために、処理を書き込みパルス印加(ステップST305)に移す。カウンター値が、最大回数に到達すると、書き込みエラー(ステップST311)として処理を終了する。
【0102】
以上のように、この実施の形態1によれば、上記の各自動消去のフローにより、不揮発性半導体メモリの自動消去中に処理中断命令が外部よりある場合には消去処理を中断し、メモリデータを読み出した後に不揮発性半導体メモリの自動消去を再開できる。
また、不揮発性半導体メモリの自動ブロック消去中に処理中断命令が外部よりある場合には消去処理を中断し、メモリデータを読み出した後に不揮発性半導体メモリの自動消去を再開することにより自動ブロック消去を実行できる。
さらに、不揮発性半導体メモリの自動一括消去中に処理中断命令が外部よりある場合には消去処理を中断し、メモリデータを読み出した後に不揮発性半導体メモリの自動消去を再開することにより自動一括消去を実行できる。
これにより、不揮発性半導体メモリの自動一括消去、自動ブロック消去を実行中にメモリデータを読み出す必要が生じた場合でも、消去処理が終了するまで待つか、または、リセット入力するといった必要が無くなるという効果が得られる。
【0103】
なお、上述の特開平2−257496号公報と対比して説明しておくと、この発明の実施の形態1によるフラッシュメモリ内蔵のマイクロコンピュータの特徴としては、回路簡素化のため、VPP電圧印加時には中断要求が生じても消去処理等を中断せず、予め設定してある中断可能ポイントに達するまで処理を継続する。つまり、消去シーケンスに予めいくつかの中断可能ポイントを設定しておき、そこに達すると初めて中断可能になる。
【0104】
こうすることにより、中断要求から実際に中断されるまでは、従来技術と比較して時間を要するものの、本発明に含まれるどこで中断しているかという情報を読み出す機能で情報を読み出す際に、中断したポイントは有限数のため数ビットのデータとして知る事が可能となり、不具合解析に有効となる。なお、中断ポイントを指定する場合も同様の理由で数ビットのデータを書き込むことで可能となる。
【0105】
このような本発明における中断可能なフラッシュメモリの特徴は、
・フラッシュメモリ外部からの要求により消去処理を一時中断・再開可能、
・どこで止まったかを知ることが可能、
・止める位置をレジスタに書き込むことにより指定することが可能、
といった機能を併せ持つことが可能なシーケンサ(制御回路)を備えることにある。これにより、ユーザの使い勝手が向上するとともに、解析性も向上している。
【0106】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、周辺機器または外部からの割り込み要求により、不揮発性メモリの自動消去または自動書き込み処理が一時中断し、当該メモリ内のデータをCPUが読み出し可能となるように構成したので、自動書き込み、自動消去中に割り込みが発生すると、当該割り込み要求により、自動消去を一時中断し、割り込み処理を受け付けるといった作業を自動で行うことができ、これにより、不揮発性メモリの自動消去を実行中にメモリデコーダを読み出す必要が生じた場合でも、消去処理が終了するまで待つか、または、リセット入力するといった必要がなくなる効果がある。
【0107】
この発明によれば、自動消去または自動書き込みの中断・再開を制御するためのレジスタを備えるように構成したので、不揮発性メモリの当該処理の中断・再開を容易に行うことができる効果がある。
【0108】
この発明によれば、消去および自動書き込みの中断・再開の機能を有効とするか、無効とするかを切り替える機能を有するレジスタを備えるように構成したので、従来どおり自動書き込み、消去を優先させることもできる効果がある。
【0109】
この発明によれば、不揮発性メモリは、書き込み及び消去処理を処理シーケンス中の各フェーズ後に中断する割り込み手段と、書き込み及び消去処理を中断する第一の割り込みでは、処理シーケンス中の第一の割り込みの入ったタイミングに応じたフェーズで処理を中断し、書き込み及び消去処理を中断する第二の割り込みでは、処理シーケンス中の特定のフェーズで処理を中断する手段とを備え、処理の中断中は、不揮発性メモリの内容が読み出せるように構成したので、自動消去の一時停止・再開の動作が容易になるという効果がある。
【0110】
この発明によれば、不揮発性メモリは、書き込み及び消去処理を処理シーケンス中の各フェーズ後に中断する割り込み手段と、書き込み及び消去処理を中断する第一の割り込みでは、処理シーケンス中の第一の割り込みの入ったタイミングに応じたフェーズで処理を中断し、書き込み及び消去処理を中断する第二の割り込みでは、処理シーケンス中の特定のフェーズで処理を中断する手段とを備え、消去処理を中断する第一、第二の割り込みの有無により、1ブロックメモリを消去する消去方式を備えるように構成したので、当該割り込みが有った時点で消去処理を中断しメモリデータを読み出し後、不揮発性メモリの自動消去を再開することにより自動ブロック消去を実行できる効果がある。
【0111】
この発明によれば、不揮発性メモリは、書き込み及び消去処理を処理シーケンス中の各フェーズ後に中断する割り込み手段と、書き込み及び消去処理を中断する第一の割り込みでは、処理シーケンス中の第一の割り込みの入ったタイミングに応じたフェーズで処理を中断し、書き込み及び消去処理を中断する第二の割り込みでは、処理シーケンス中の特定のフェーズで処理を中断する手段とを備え、消去処理を中断する第一、第二の割り込みの有無により、ブロックメモリアレイ全てを消去する消去方式を備えるように構成したので、当該割り込みが有った時点で消去処理を中断しメモリデータを読み出し後、不揮発性メモリの自動消去を再開することにより自動一括消去を実行できる効果がある。
【0112】
この発明によれば、不揮発性メモリは、外部からの入力により中断・再開の可能な自動消去および自動書き込み手段と、当該自動消去または自動書き込みシーケンスの中断時に、そのシーケンス中のどこで中断しているかという情報を数ビットのデータとして出力する回路とを備え、CPUまたはテスタからその情報を読み出すことが可能なように構成したので、書き込みおよび消去シーケンスの指定した位置でとめることを可能にし、書き込みおよび消去の不具合解析の容易化を実現する効果がある。
【0113】
この発明によれば、不揮発性メモリは、外部からの入力により中断・再開の可能な自動消去および自動書き込み手段と、当該自動消去または自動書き込みシーケンスの実行前にあらかじめそのシーケンス中のどこで中断するかという情報を数ビットのデータにてCPUまたはテスタから指定することができる回路とを備えるように構成したので、書き込みおよび消去シーケンスの指定した位置でとめることを可能にし、書き込みおよび消去の不具合解析の容易化を実現する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1によるフラッシュメモリ内蔵のマイクロコンピュータの構成を示すブロック図である。
【図2】サスペンド制御レジスタの構成を示す図である。
【図3】この発明の実施の形態1によるマイクロコンピュータのプログラムフロー例を示した図である。
【図4】この発明の実施の形態1による不揮発性半導体メモリの機能ブロックを示す図である。
【図5】この発明の実施の形態1による不揮発性半導体メモリの動作モード一覧を示す図である。
【図6】図4に示す機能ブロック中のマイクロシーケンサの機能ブロックを示す図である。
【図7】図4に示す機能ブロック中のチャージポンプの機能ブロックを示す図である。
【図8】図4に示す機能ブロック中のメモリデコーダ・メモリブロックの構成図である。
【図9】図4に示す機能ブロック中のメモリブロックのアドレス空間を示す図である。
【図10】図8に示すブロック中のXデコーダ、Yデコーダ、メモリセルアレイ、センスアンプ/書き込み回路を抽出して示す図である。
【図11】自動消去シーケンサを示す図である。
【図12】自動一括消去シーケンスを示すフローチャートの図である。
【図13】自動ブロック消去シーケンスを示すフローチャートの図である。
【図14】自動消去中断の有る自動ブロック消去シーケンスを示すフローチャートの図である。
【図15】自動消去中断の有る場合の自動一括消去シーケンスを示すフローチャートの図である。
【図16】サスペンドレジスタの構成を示す図である。
【図17】サスペンド位置設定レジスタの構成を示す図である。
【図18】自動書き込みシーケンスを示すフローチャートの図である。
【符号の説明】
1 フラッシュメモリ内蔵マイコン(マイクロコンピュータ)、2 フラッシュメモリ(不揮発性メモリ)、3 インタフェース回路、4 CPU/BIU、5 割り込み制御回路、6 周辺装置(周辺機器)、7 サスペンド要求レジスタ、8 サスペンド許可レジスタ、201 マイクロシーケンサ、202 チャージポンプ、203 メモリデコーダ、204 メモリブロック、205 アドレス/データ/制御信号デラッチ入回路、206 コマンドポート、207 ステータスレジスタ、208 自動消去シーケンサ、209 テストモード・シーケンサ、210 パワーリセット回路、211 クロック生成回路、212 デコーダ・チャージポンプ制御信号生成回路、213 負電圧チャージポンプ、214 正電圧チャージポンプ、215 読み出し電圧チャージポンプ、217 X(ロウ)アドレスラッチ、218 Y(コラム)アドレス入力バッファラッチ、219 X(ロウ)アドレスプリデコーダ、220 Y(コラム)アドレスプリデコーダ、221〜225 メモリブロック、226 センスアンプ/書き込み回路、227 セレクタ回路、228 データバス、229 ブロック選択信号、230 メモリデコーダ、231 メモリブロックアレイ、232 セレクトゲートアドレスラッチ、233 セレクトゲートアドレスプリデコーダ、234 グローバルビット線、235〜238,243〜246 トランジスタ、239〜242 メインビット線、252 SGデコーダ、253 Xデコーダ、254 自動消去シーケンス制御回路、255 サスペンド要求受け付け回路、256 消去前書き込み制御回路、257 消去/消去ベリファイ制御回路、258 消去前書き込み信号生成回路、259 アドレスインクリメンタ、260消去ベリファイ回路、292 ロックビットフラグ生成回路、303 自動書き込みシーケンサ、304 タイマー回路、305 サスペンド制御回路、306 サスペンド要求処理回路、307 サスペンド位置設定レジスタ、CS0〜CS15,SG0〜SG3 制御信号、Tr0−0〜Tr63−0,Tr0−1〜Tr63−1,Tr0−2〜Tr63−2,Tr0−3〜Tr63−3 メモリセル。
Claims (8)
- 少なくともCPU、このCPUにより実行可能である自動消去および自動書き込みシーケンスを備え、外部からの制御により上記自動消去および自動書き込みの中断・再開が可能な不揮発性メモリおよび周辺機器を備えたマイクロコンピュータにおいて、
上記周辺機器または外部からの割り込み要求により、上記不揮発性メモリの自動消去または自動書き込み処理が一時中断し、当該メモリ内のデータを上記CPUが読み出し可能となることを特徴とするマイクロコンピュータ。 - 自動消去または自動書き込みの中断・再開を制御するためのレジスタをさらに備え、上記自動消去または自動書き込み中にマイクロコンピュータに内蔵される周辺機器または外部からの割り込み要求が生じると、このレジスタに自動的に“1”書き込みが行われ、当該自動消去処理は一時中断し不揮発性メモリ内のデータをCPUが読み出し可能となり、このCPUが上記レジスタに“0”書き込みを行うと、中断していた自動消去処理が再開するといった機構を備えることを特徴とする請求項1記載のマイクロコンピュータ。
- 自動消去および自動書き込みの中断・再開の機能を有効とするか、無効とするかを切り替える機能を有するレジスタを備えることを特徴とする請求項1記載のマイクロコンピュータ。
- 不揮発性メモリは、不揮発性トランジスタからなる複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリアレイを有するメモリブロックを、複数個集めてブロックメモリアレイを構成するとともに、
書き込み及び消去処理を処理シーケンス中の各フェーズ後に中断する割り込み手段と、
書き込み及び消去処理を中断する第一の割り込みでは、処理シーケンス中の第一の割り込みの入ったタイミングに応じたフェーズで処理を中断し、
書き込み及び消去処理を中断する第二の割り込みでは、処理シーケンス中の特定のフェーズで処理を中断する手段とを備え、
前記処理の中断中は、前記不揮発性メモリの内容が読み出せることを特徴とする請求項1記載のマイクロコンピュータ。 - 不揮発性メモリは、不揮発性トランジスタからなる複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリアレイを有するメモリブロックを、複数個集めてブロックメモリアレイを構成するとともに、
書き込み及び消去処理を処理シーケンス中の各フェーズ後に中断する割り込み手段と、
書き込み及び消去処理を中断する第一の割り込みでは、処理シーケンス中の第一の割り込みの入ったタイミングに応じたフェーズで処理を中断し、
書き込み及び消去処理を中断する第二の割り込みでは、処理シーケンス中の特定のフェーズで処理を中断する手段とを備え、
消去処理を中断する第一、第二の割り込みの有無により、
1ブロックメモリを消去する消去方式を備えることを特徴とする請求項1記載のマイクロコンピュータ。 - 不揮発性メモリは、不揮発性トランジスタからなる複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリアレイを有するメモリブロックを、複数個集めてブロックメモリアレイを構成するとともに、
書き込み及び消去処理を処理シーケンス中の各フェーズ後に中断する割り込み手段と、
書き込み及び消去処理を中断する第一の割り込みでは、処理シーケンス中の第一の割り込みの入ったタイミングに応じたフェーズで処理を中断し、
書き込み及び消去処理を中断する第二の割り込みでは、処理シーケンス中の特定のフェーズで処理を中断する手段とを備え、
消去処理を中断する第一、第二の割り込みの有無により、
ブロックメモリアレイ全てを消去する消去方式を備えることを特徴とする請求項1記載のマイクロコンピュータ。 - 外部からの入力により中断・再開の可能な自動消去および自動書き込み手段と、当該自動消去または自動書き込みシーケンスの中断時に、そのシーケンス中のどこで中断しているかという情報を数ビットのデータとして出力する回路とを備え、CPUまたはテスタからその情報を読み出すことが可能なことを特徴とする請求項1記載のマイクロコンピュータ。
- 不揮発性メモリは、外部からの入力により中断・再開の可能な自動消去および自動書き込み手段と、当該自動消去または自動書き込みシーケンスの実行前にあらかじめそのシーケンス中のどこで中断するかという情報を数ビットのデータにてCPUまたはテスタから指定することができる回路とを備えたことを特徴とする請求項1記載のマイクロコンピュータ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002188397A JP2004030438A (ja) | 2002-06-27 | 2002-06-27 | マイクロコンピュータ |
TW091135541A TW588256B (en) | 2002-06-27 | 2002-12-09 | Microcomputer |
US10/323,771 US7164610B2 (en) | 2002-06-27 | 2002-12-20 | Microcomputer having a flush memory that can be temporarily interrupted during an erase process |
KR10-2003-0013615A KR100492714B1 (ko) | 2002-06-27 | 2003-03-05 | 마이크로 컴퓨터 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002188397A JP2004030438A (ja) | 2002-06-27 | 2002-06-27 | マイクロコンピュータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004030438A true JP2004030438A (ja) | 2004-01-29 |
Family
ID=29774221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002188397A Pending JP2004030438A (ja) | 2002-06-27 | 2002-06-27 | マイクロコンピュータ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7164610B2 (ja) |
JP (1) | JP2004030438A (ja) |
KR (1) | KR100492714B1 (ja) |
TW (1) | TW588256B (ja) |
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- 2002-06-27 JP JP2002188397A patent/JP2004030438A/ja active Pending
- 2002-12-09 TW TW091135541A patent/TW588256B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-12-20 US US10/323,771 patent/US7164610B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-05 KR KR10-2003-0013615A patent/KR100492714B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040002454A (ko) | 2004-01-07 |
KR100492714B1 (ko) | 2005-06-07 |
TW588256B (en) | 2004-05-21 |
US7164610B2 (en) | 2007-01-16 |
US20040003167A1 (en) | 2004-01-01 |
TW200400441A (en) | 2004-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050609 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060123 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20071101 |
|
A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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