JP2008034045A - 半導体集積回路及び記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性メモリ(4)の書き込み又は消去の制御を行うコントローラ(5)は第1の動作(SUSP=“1”)と第2の動作(SUSP=“0”)とに設定される。第1の動作ではコントローラ(5)は、中断命令に応答してパルス印加を解除して(S7A)、復帰命令に応答して中断したパルス印加の再印加から中断処理を再開する(S8A)。第2の動作(SUSP=“0”)ではコントローラ(5)は、中断命令に応答してパルス印加を継続して印加の完了した時点で処理を中断し(S7B)、復帰命令に応答してパルス印加の完了した不揮発性メモリセルのベリファイから中断処理を再開する。
【選択図】図5
Description
≪マイクロコントローラの全体構成≫
図1は本発明の第1の実施形態によるマイクロコントローラを示すブロック図である。
フラッシュメモリ4は中央処理ユニット2のプログラムを格納したり、あるいは不揮発記憶すべきデータの格納に利用される。フラッシュメモリ4は、電気的に消去及び書き込み可能な不揮発性メモリトランジスタを含む複数の不揮発性メモリセルを有する。不揮発性メモリトランジスタには、特に制限されないが、ソースとドレインの間のチャネル形成領域の上に各々絶縁されたフローティングゲートのような電荷蓄積領域とコントロールゲートを積み重ねたスタックドゲート構造を採用可能である。あるいはチャネル形成領域の上に選択ゲートとメモリゲートを分離して配置して、メモリゲートとチャンネル形成領域との間にシリコンナイトライドのような電荷蓄積領域を形成したスプリット構造等を採用してもよい。
消去命令に応答するフラッシュコントロールユニット5の制御によるフラッシュメモリ4の消去動作では、ハードディスクの1セクターのユーザーデータが512バイトの整数倍の例えば2048バイトのユーザーデータの消去ブロックの複数のフラッシュメモリセルが一括して消去される。一括消去(フラッシュ消去)は、消去ブロックの複数のフラッシュメモリセルへの消去パルスの並列印加と複数のセルの消去並列ベリファイとの反復処理により実行される。例えば、消去並列ベリファイの単位は、32個のメモリセルである。消去パルスの印加により所定の消去レベルのしきい値電圧に到達したセルは、次回の消去パルス印加の対象から除外され、消去レベルに未到達のセルが次回の消去パルス印加の対象とされる。良好な電気的特性を持つ消去ブロックでは、妥当な回数の反復処理によって全ての複数のフラッシュメモリセルのしきい値電圧が消去レベルに到達する。
書き込み命令に応答するフラッシュコントロールユニット5の制御によるフラッシュメモリ4の書き込み動作は、上記の消去動作により消去が完了した消去ブロックに行われる。フラッシュメモリ4の書き込み動作では、書き込み単位である例えば128バイトのページで、2048バイトのユーザーデータの消去ブロックよりもはるかに小さい。1ページの書き込み動作は、1ページの複数のフラッシュメモリセルへの書き込みパルスの並列印加と複数のセルの書き込み並列ベリファイとの反復処理により実行される。例えば、書き込み並列ベリファイの単位は、32個のメモリセルである。書き込みパルスの印加により消去レベルのしきい値電圧から所定の書き込みレベルのしきい値電圧に到達したセルは、次回の書き込みパルス印加の対象から除外され、書き込みレベルに未到達のセルが次回の書き込みパルス印加の対象とされる。良好な電気的特性を持つページでは、妥当な回数の反復処理によって全ての複数のフラッシュメモリセルのしきい値電圧が書き込みレベルに到達する。
上述したように、データの書き込み単位は128バイトのページと、消去ブロックよりも小さなものとなる。小さなサイズの同一ファイル名でも生成日時の異なる複数のユーザーデータは1つの消去ブロック中に書き込まれるが、1つの消去ブロックに空き領域が無くなると、同一ファイル名でも生成日時の新しいユーザーデータは別の1つの消去済みの消去ブロック中に書き込まれる。同一ファイル名で生成日時の古いユーザーデータを格納して空き領域が無くなった古い消去ブロックは一般に不必要であるので、古い消去ブロックの有効フラグは無効にマークされる。無効な古い消去ブロックは稼働中の適切なタイミングで消去されることにより、空き領域が生成されて再利用が可能となる。無効な古い消去ブロックの消去は空き領域の生成による再利用のために必須で、ガーベージコレクションと呼ばれている処理である。
システムコントローラ9には、外部のモード端子MD0〜MD2及びリセット端子RESET等が接続される。リセット端子RESETがローレベルにされるとシステムコントローラ9内部の初期化が開始され、リセット端子RESETがハイレベルにされてリセット指示が解除されると、中央処理ユニット2は例えばプログラムの先頭アドレスの命令をフェッチして命令実行動作を開始する。リセットの指示が解除される時に、モード端子MD0〜MD2の状態に応じてマイクロコントローラの動作モードが決定される。例えば通常モード又はテストモードにされる。テストモードは、特に制限されないが、通常モードに比べ、デバイステスト、デバイス評価、更にはシステム評価の便に供する機能を利用可能な動作モードである。
マイクロコントローラ1は、内部バスIBUS、周辺バスPBUS、及び外部バスEXBUSを有する。それぞれのバスは、アドレスバス、データバスの他、バス権要求信号、バスアクノレッジ信号、バスコマンド(またはリード信号、ライト信号、バスサイズ信号)、レディ信号(またはウェイト信号)等の信号線を含む。
フラッシュコントロールユニット5は、ローカルCPU(FCPU)12を備える。通常モードにおいてローカルCPU12は中央処理ユニット2から発行されたコマンドに応答して逐次命令を実行してフラッシュメモリ4に対する書き込み及び消去制御を行うことが可能とされる。中央処理ユニット2は、コマンド発行後に書き込み及び消去制御から開放される。テストモードでは、中央処理ユニット2が逐次命令を実行してフラッシュメモリ4に対する書き込み及び消去制御を行うことが可能にされる。ローカルCPU12の動作プログラムに制限されることなく、中央処理ユニット2のプログラムに従ってテストや検証のための書き込み及び消去制御を自由に行うことができる。
書き込み消去制御回路16は、フラッシュメモリ4に対する動作制御レジスタ(FCNTR)18を有する。動作制御レジスタ18は、種々の制御ビットを含むとともに、トリミングビット情報及び消去ブロックビット情報も含んでいる。書き込み消去制御回路16は動作制御レジスタ18に設定される制御ビットの状態に従ってフラッシュメモリ4の動作を制御する。動作制御レジスタ18の制御ビットは、例えば書き込みイネーブルビットWE、書き込み指示ビットP、消去指示ビットE、書き込みベリファイ指示ビットPV、及び消去ベリファイ指示ビットEV等とされる。書き込みイネーブルビットWEは、論理値“1”によって書き込み消去動作の指示の有効性を示す。書き込み指示ビットPは、論理値“1”によって書き込みパルス電圧の印加を指示する。消去指示ビットEは、論理値“1”によって消去パルス電圧の印加を指示する。トリミングビット情報はフラッシュメモリ4の書き込みパルス電圧、消去パルス電圧、ドレイン電圧、ソース電圧、ベリファイ電圧の各々の電圧レベルの微調整や、書き込みパルス電圧及び消去パルス電圧のパルス幅の微調整を行うためのトリミングビット情報が設定される。トリミングデータやローカルCPU12の動作プログラムの初期値はフラッシュメモリ4が保有し、その初期値データはパワーオンリセットに応答して中央処理ユニット2が動作制御レジスタ18及びコントロールRAM15に内部転送する。動作制御レジスタ18は通常モードではユーザプログラムを実行しているCPU2からの書き込みアクセス不可能にされ、保護される。テストモードでは自由にアクセス可能にされる。消去ブロックビット情報には、消去ブロック又は消去アドレスが指定される。書き込みデータ及び書き込みアドレスはフラッシュメモリ内部のデータレジスタ及びアドレスレジスタにセットされる。
CPUインタフェースコントローラ13は、中央処理ユニット2から周辺バスPBUSを介してアクセス可能にされる内部I/Oレジスタ(IIOR)20、コントロールレジスタ(CNTR)21、ステータスレジスタ(STSR)22およびサスペンドモードレジスタ(SUSMD)31を有する。コントロールレジスタ21は書き込み消去フラグFENTRY等の設定領域とされ、中央処理ユニット2によって書き込み可能にされ、ローカルCPU12によって読み出し可能にされる。ステータスレジスタ22はビジーフラグBUSYやコマンドエンドフラグCMDE等の記憶領域とされ、ローカルCPU12によってライト可能にされ、中央処理ユニット2によってリード可能にされる。ローカルCPU12は経路23からステータスレジスタ22に対する書き込みを行う。本発明の特徴であるサスペンドモードレジスタ31は、フラッシュコントロールユニット5の動作モードを設定する動作モードビット信号SUSPを格納する。動作モードビット信号SUSPが“1”レベルであるとフラッシュコントロールユニット5は第1の動作モードに設定され、動作モードビット信号SUSPが“0”レベルであるとフラッシュコントロールユニット5は第2の動作モードに設定される。動作モードを設定する動作モードビット信号SUSPは、図1のシステムコントローラ9にシステム起動時にリセット信号RESETとともに供給されるモード信号MD0〜MD2から供給することもできる。また、通常モードの動作中でも、中央処理ユニット2から内部バスIBUS、バスコントローラ6、周辺バスPBUSを介して動作モードビット信号SUSPがサスペンドモードレジスタ31に供給されることもできる。
フラッシュコントロールユニット5は、書き込み命令又は消去命令に応答してフラッシュメモリ4へ書き込み又は消去のパルスの印加とベリファイとの反復処理により書き込み又は消去の不揮発記憶動作を制御する。第1の動作(SUSP=“1”レベル)に設定されたフラッシュコントロールユニット5は、不揮発記憶動作の反復処理のパルスの印加中に中断命令に応答してパルスの印加の解除により不揮発記憶動作を中断する。第1の動作(SUSP=“1”レベル)に設定されたフラッシュコントロールユニット5は、復帰命令に応答して解除となったパルスの印加から中断された不揮発記憶動作の反復処理を再開する。第2の動作(SUSP=“0”レベル)に設定されたフラッシュコントロールユニット5は、不揮発記憶動作の反復処理のパルスの印加中に中断命令に応答してパルスの印加を継続して印加の完了した時点で不揮発記憶動作を中断する。第2の動作(SUSP=“0”レベル)に設定されたフラッシュコントロールユニット5は、復帰命令に応答して印加の完了した不揮発性メモリセルのベリファイから、中断された不揮発記憶動作に対する反復処理を再開する。
フラッシュコントロールユニット5のバス制御回路14を経由するコントロールRAM15及び書き込み消去制御回路16のアクセス制御について説明する。CPUインタフェースコントローラ13は、通常モード及びテストモードのいずれにおいても、コントロールRAM15のマッピングアドレスに対する中央処理ユニット2からのアクセスに対して、アクセスコマンドをバス制御回路14に発行する。発行されたアクセスコマンドに従ってバス制御回路14は、ローカルバスFBUSの制御を行ってコントロールRAM15に対するリードアクセス及びライトアクセスを行うことができる。特に制限されないが、通常モードでは書き込み消去制御回路16の動作制御レジスタ18に対する自由なアクセスは、許容されていない。テストモードでは、中央処理ユニット2からフラッシュメモリ4のマッピングアドレスにデータを書き込むアクセスがあっても、また、中央処理ユニット2から動作制御レジスタ18に対してデータを書込むアクセスがあっても、CPUインタフェースコントローラ13はローカルCPU12を起動せず、対応するアクセスコマンドをバス制御回路14に発行する。それに従ってバス制御回路14がローカルバスFBUSの制御を行って、CPUインタフェースコントローラ13の内部IOレジスタ20に保持された書き込みデータ及び書き込みアドレスをフラッシュメモリ4に供給し、又は消去ブロックアドレスを動作制御レジスタ18に供給する。この後、中央処理ユニット2は書き込み消去制御回路16の動作制御レジスタ18に対する書き込みアクセスを発行することによって消去ビットEや書き込み指示ビットPを直接操作して、消去動作又は書き込み動作を行うことができる。
図3は、図1に示したマイクロコントローラ1の中央処理ユニット2のアドレス空間を示す図である。中央処理ユニット2のアドレス空間は、例えば4ギガバイト(GB)である。その内の先頭側16メガバイト(MB)が、フラッシュコントロールユニット5にマッピングされる。中央処理ユニット2とローカルCPU12の双方が、フラッシュコントロールユニット5のマッピングアドレスをアクセス可能である。このローカルCPU12のアドレス空間は、バス制御回路14が管理し、ローカルCPU12がバス制御回路14に対し、バスコマンドとアドレスを与えることによって、アクセスが実行される。前述の如くフラッシュメモリ4は、書き込み消去フラグFENTRY=“1”レベルの時に周辺バスPBUSアクセスが可能にされ、書き込み消去フラグFENTRY=“0”レベルの時に内部バスIBUSアクセスが可能にされる。フラッシュコントロールユニット5のコントロールRAM15も、中央処理ユニット2のアドレス空間上に配置されているから、中央処理ユニット2によって、フラッシュメモリ4上に保持したローカルCPU12のプログラムをコントロールRAM15に転送し、コントロールRAM15に格納することができる。あるいは、任意のプログラムをコントロールRAM15に格納し、ローカルCPU12に実行させることができる。なお、コントロールRAM15は、誤動作などによって不所望に書き換えられないように、アクセスイネーブルビットなどを持つようにするのがよい。更に、フラッシュコントロールユニット5のCPUインタフェースコントローラ13内部の内部I/Oレジスタ(IIOR)20、コントロールレジスタ(CNTR)21、ステータスレジスタ(STSR)22およびサスペンドモードレジスタ(SUSMD)31も、中央処理ユニット2のアドレス空間上に配置されている。書き込み消去制御回路16に含まれる動作制御レジスタ(FCNTR)18もアドレス空間上に配置されており、テストモードでは周辺バスPBUS経由で中央処理ユニット2によりアクセス可能とされている。
図4は、図1に示したマイクロコントローラ1のフラッシュコントロールユニット5の状態遷移の概略を示す図である。マイクロコントローラ1がリセットされるとフラッシュコントロールユニット5はリセット状態(S1)になる。リセット解除後はCPUインターフェースコントローラ13のコントロールレジスタ21の書き込み消去フラグFENTRYのビットが“0”のレベルであるため、フラッシュコントロールユニット5は停止状態(S2)である。また、書き込み消去フラグFENTRYのビットが“0”のレベルの場合には、バスコントローラ6によってフラッシュメモリ4は内部バスIBUSにマッピングされ、中央処理ユニット2によるフラッシュメモリ4の読み出しアクセスが可能となる。中央処理ユニット2が、CPUインターフェースコントローラ13のコントロールレジスタ21の書き込み消去フラグFENTRYのビットを“1”のレベルにセットすると、フラッシュコントロールユニット5はコマンド待ち状態(S3)に遷移する。書き込み消去フラグFENTRYのビットが“1”のレベルの場合には、バスコントローラ6によってフラッシュメモリ4は周辺バスPBUSにマッピングされる。コマンド待ち状態(S3)で、周辺バスPBUSからフラッシュメモリ4のアドレスに対する読み出しアクセスがあった場合、CPUインターフェースコントローラ13はバス制御回路14にリードバスコマンドを発行してフラッシュメモリ4のリード動作(S4)を行い、リード動作(S4)の後は、ただちにコマンド待ち状態(S3)に遷移する。
図6は図1に示したマイクロコントローラ1のフラッシュコントロールユニット5が消去状態S7に遷移した場合に、ローカルCPU12が実行する消去制御プログラムのフローチャートを示す図である。プログラム処理中で設定する変数などの格納先のハードウェアを特定していない箇所については、ローカルCPU12の汎用レジスタまたはコントロールRAM15の所定の領域に格納されるものとする。消去制御プログラムの冒頭のステップS30では、プログラム処理中で使用する変数の初期化処理を行う。例えば、ステップS12からステップS24までの一連の処理を実行した回数を示す変数が“1”レベルに初期化される。次に、ステップS10で消去ブロック番号などの消去先アドレスを指定する情報を、CPUインターフェースコントローラ13の内部IOレジスタ20から読み取り、書き込み消去制御回路16の動作制御レジスタ18に消去ブロック番号を設定する。次に、ステップS11で書き込み消去制御回路16の動作制御レジスタ18の書き込みイネーブルビット(WE)を“1”のレベルに設定し所定時間ウェイトすることにより、フラッシュメモリ4内の電源が所定の状態になり、フラッシュメモリ4の書き込み/消去が可能になる。次に、ステップS12で処理再開アドレスをステップS12に設定することにより、レジュームコマンド発行後の再開処理において、ローカルCPU12のプログラムがステップS12(消去パルス印加前)から再開されるように設定する。次に、ステップS13でローカルCPU12の割り込み要求信号IRQの割り込みの受け付けを許可することにより、サスペンドコマンドの受け付けが可能な状態とする。この状態で、書き込み消去制御回路16の動作制御レジスタ18の消去ビット(E)を“1”のレベルに設定し所定時間ウェイトすることにより、ステップS14でフラッシュメモリ4に消去パルスが印加される。ステップS14での消去パルス印加のウェイトが完了した後に、ステップS15で割り込み要求信号IRQの受け付けを禁止して、ステップS16で消去ビット(E)を“0”のレベルに設定して消去パルスの印加を解除する。このため、ステップS14での消去パルスの印加中(ウェイト中)にサスペンドコマンドが受け付けることができる。
図7は、図1に示したマイクロコントローラ1のフラッシュコントロールユニット5がコマンド中断処理状態S7(S7A、S7B)に遷移した場合に、ローカルCPU12が実行するコマンド中断処理プログラムのフローチャートを示す図である。尚、図7のフローチャートでは動作モードビット信号SUSPの値に影響を受ける消去処理に対する中断処理S7としてコマンド高速処理状態S7A(ステップS46)とコマンド高信頼処理状態S7B(ステップS42からステップS44)との2つを用意しており、書き込み処理に対する中断処理S7として1つのコマンド中断処理状態S7(ステップS51)のみを用意している。これは、発明が解決しようとする課題の欄でも説明したように、下記の事項に起因している。
図8は、図1に示したマイクロコントローラ1のフラッシュコントロールユニット5がコマンド再開処理状態S8に遷移した場合に、ローカルCPU12が実行するコマンド再開処理プログラムのフローチャートを示す図である。尚、図8のコマンド再開処理プログラムのフローチャートでは、ステップS60やステップS63やステップS66やステップS69でのローカルCPU12による種々の処理再開アドレスのコントロールRAM15からの読み出しとコントロールRAM15に退避していた変数の動作制御レジスタ18での回復処理の後のステップS62やステップS65やステップS68での図6の消去制御プログラムの処理再開アドレスS12、S17、S18への分岐と、図8のステップS69でのローカルCPU12によるコントロールRAM15に退避していた書き込みデータや変数の動作制御レジスタ18での回復処理の後のステップS70での書き込み制御プログラムの分岐とを示している。しかし、図8のコマンド再開処理プログラムのフローチャートでは、動作モードビット信号SUSPの値“1”、“0”に影響を受ける処理の違いは無いかのように見える。しかし、図8のステップS62、65により図6の消去制御プログラムの処理再開アドレスS12、S17へ分岐した後の再開処理が、異なっている。
図9は、図1に示したマイクロコントローラ1のCPUインターフェースコントローラ13のサスペンドモードレジスタ31の動作モードビット信号SUSPが“1”レベルの場合における消去サスペンド動作を示す図である。フラッシュコントロールユニット5は時刻t1で消去コマンドを受け付けると消去処理状態S6に遷移して、ステータスレジスタ22のビジーフラグ(BUSY)を“1”レベルに設定する。消去処理が開始されて所定の時間が経過すると、消去処理の制御プログラムによって割り込み要求信号IRQの受け付けが許可された状態で消去パルスが印加される(消去ビット(E)=“1”レベル)。時刻t2において、消去パルスの印加中にサスペンドコマンドがフラッシュコントロールユニット5により受け付けられると、フラッシュコントロールユニット5はコマンド中断処理状態S7に遷移する。動作モードビット信号SUSPが“1”レベルの場合には、消去パルスの印加がただちに解除される(消去ビット(E)=“0”レベル)。時刻t3でコマンド中断処理が完了してステータスレジスタ22のコマンドエンドフラグ(CMDE)が“1”レベルに設定されると、ビジーフラグ(BUSY)が“0”レベルに変化してフラッシュコントロールユニット5はコマンド待ち状態S3に遷移する。時刻t4においてフラッシュコントロールユニット5がレジュームコマンドを受け付けると、フラッシュコントロールユニット5はコマンド再開処理状態S8に遷移して、ビジーフラグ(BUSY)が再び“1”レベルに設定される。時刻t2におけるサスペンドコマンド受け付け後に消去パルスの印加を中断したため、時刻t5では消去パルス印加前の時点から処理が再開され、消去パルスの再印加が実施される(消去ビット(E)=“1”レベル)。時刻t6において、消去パルスの印加中にサスペンドコマンドがフラッシュコントロールユニット5により再び受け付けられると、フラッシュコントロールユニット5はコマンド中断処理状態S7に遷移する。中断処理においては、消去パルスの印加が再びただちに解除され(消去ビット(E)=“0”レベル)、時刻t7でコマンド中断処理が完了してフラッシュコントロールユニット5はコマンド待ち状態S3に遷移する。時刻t8においてフラッシュコントロールユニット5がレジュームコマンドを受け付けると、フラッシュコントロールユニット5はコマンド再開処理状態S8に遷移する。時刻t6におけるサスペンドコマンド受け付け後に消去パルスの印加を中断したため、時刻t9では消去パルス印加前の時点から処理が再開され、消去パルスの再印加が実施される(消去ビット(E)=“1”レベル)。尚、消去ベリファイ中のサスペンド受け付け時の動作は動作モードビット信号SUSPの値“1”、“0”に影響を受けない。図9では消去ベリファイ中のサスペンドコマンド受け付け時の動作は説明しなかったが、以下の図10と同様である。
第2の実施形態と上記の第1の実施形態の違いは、ローカルCPU12が実行する消去制御プログラム/コマンド中断処理プログラム/コマンド再開処理プログラムの内容のみである。第2の実施形態のフラッシュコントロールユニット5では、動作モードビット信号SUSPが“1”レベルで同一の消去パルスの印加時に複数回サスペンドコマンドを受け付けた場合に、1回目のサスペンドコマンドではパルス印加を中断するが、2回目のサスペンドコマンドではパルス印加を継続するものである。その結果、フラッシュコントロールユニット5の第1の動作(SUSP=“1”レベル)により書き込み動作又は消去動作中の割り込みによる中断命令の供給から実際の中断までの移行時間は短くなるが、中断によって不揮発記憶動作の反復処理のパルス印加が一向に進展しないと言う事態を回避することができる。
図15は、本発明の第3の実施形態による書き込み制御プログラムを示す図である。この図15に示した書き込み制御プログラムは書き込みパルスの印加と書き込みベリファイとの反復処理による書き込み処理で、図6に示した本発明の第1の実施形態による消去制御プログラムの消去パルスの印加と消去ベリファイとの反復処理による書き込み処理と類似している。図15の書き込み制御プログラムでも、ステップS´14での書き込みパルスの印加中(ウェイト中)にサスペンドコマンドが受け付けられることができ、ステップS´20での書き込みベリファイ中にサスペンドコマンドが受け付けられることができる。
図17は、本発明の第4の実施形態によるマイクロコントローラ1を示すブロック図である。図17に示したマイクロコントローラ1が、図1のマイクロコントローラ1と相違する点を説明する。
図18は、本発明の第5の実施形態によるフラッシュメモリカード1を示すブロック図である。フラッシュメモリカード1は、USB(ユニバーサルシリアルバス)等のような外部バスExt_Busを介してパーソナルコンピュータ等のホスト機器Hostと接続可能なリムーバブルな2次記憶装置として構成されている。またリムーバブルな2次記憶装置以外にも、携帯電話やモバイル機器に搭載される組込型記憶装置にも応用することが可能である。外部バスExt_Busには、メモリコントローラ2のホストインターフェースHost_Intが接続される。メモリコントローラ2では、ホストインターフェースHost_IntにマイクロコントローラMCUとバッファ制御ユニットBuffer Cntが接続され、バッファ制御ユニットBuffer Cntにはバッファメモリ3が接続され、マイクロコントローラMCUにはデータ転送制御ユニットCnt_Unitが接続され、データ転送制御ユニットCnt_UnitにはECC(誤り訂正)制御ユニットECCが接続されている。
2 中央処理ユニット(CPU)
3 ランダムアクセスメモリ(RAM)
4 不揮発性記憶装置としてのフラッシュメモリ(FLASH)
5 制御装置としてのフラッシュコントロールユニット(FCU)
6 バスコントローラ(BSC)
7 周辺回路(PRHRL)
8 I/Oポート(IOP)
9 システムコントローラ(SYSC)
MD0〜MD2 モード端子
内部バスIBUS 内部バス
周辺バスPBUS 周辺バス
EXBUS 外部バス
13 CPUインタフェースコントローラ(FIMC)
14 バス制御回路(FBSC)
15 コントロールRAM(CRAM)
16 書き込み消去制御回路(FLC)
17 消去ブロック指定レジスタ(EBLKR)
FBUS ローカルバス
18 動作制御レジスタ(FCNTR)
19 トリミングレジスタ(TRMR)
20 内部I/Oレジスタ(IIOR)
21 コントロールレジスタ(CNTR)
22 ステータスレジスタ(STSR)
31 サスペンドモードレジスタ(SUSMD)
SUSP 動作モードビット信号
Claims (17)
- 電気的に書き込み又は消去可能な不揮発性メモリと当該不揮発性メモリの書き込みと消去との少なくともひとつの動作の制御を行うコントローラを具備して、
前記コントローラは、書き込み命令又と消去命令との少なくともひとつの命令に応答して前記不揮発性メモリへ前記書き込みと前記消去との前記少なくともひとつの動作のパルスの印加とベリファイとの反復処理により前記少なくともひとつの動作の不揮発記憶動作を制御して、
前記コントローラは、第1の動作と第2の動作とに設定されることができ、
前記第1の動作に設定された前記コントローラは、前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に中断命令に応答して前記パルスの前記印加の解除により前記不揮発記憶動作を中断して、前記第1の動作に設定された前記コントローラは、復帰命令に応答して前記解除となった前記パルスの印加から中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開して、
前記第2の動作に設定された前記コントローラは、前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に中断命令に応答して前記パルスの前記印加を継続して前記印加の完了した時点で前記不揮発記憶動作を中断して、前記第2の動作に設定された前記コントローラは、復帰命令に応答して前記印加の完了した不揮発性メモリセルのベリファイから中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開する半導体集積回路。 - 前記コントローラは揮発性メモリと前記反復処理による前記不揮発記憶動作の制御のための動作制御レジスタとを含み、
前記不揮発記憶動作の中断の後に前記復帰命令に応答して前記不揮発記憶動作の前記反復処理の再開に必要な前記動作制御レジスタの情報を、前記コントローラは前記不揮発記憶動作の前記中断の前に前記揮発性メモリに退避して、
前記復帰命令に応答して前記コントローラは、前記揮発性メモリに退避した前記情報を前記動作制御レジスタに回復して中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開する請求項1記載の半導体集積回路。 - 前記コントローラは前記消去命令に応答して前記不揮発性メモリへ前記消去のパルスの印加とベリファイとの反復処理により消去の前記不揮発記憶動作を制御して、
前記コントローラは前記中断命令に応答して前記消去の前記不揮発記憶動作を中断して、前記消去の前記不揮発記憶動作の中断の間に、前記不揮発性メモリは読み出し可能な状態とされる請求項1または請求項2に記載の半導体集積回路。 - 前記第1の動作に設定された前記コントローラが前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に前記中断命令に応答して前記不揮発記憶動作の中断に際して前記パルスの前記印加を解除すると、前記コントローラの動作モードを前記第1の動作から前記第2の動作に変更するフラグ情報を設定して、
前記コントローラが前記復帰命令に応答して前記解除となった前記パルスの印加からの中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理の再開中に再び中断命令を受けると、前記設定されたフラグ情報に応答して前記コントローラは前記第2の動作に設定されることによって前記不揮発記憶動作の再開された前記反復処理の前記パルスの前記印加中に前記中断命令に応答して前記パルスの前記印加を継続して前記印加の完了した時点で前記不揮発記憶動作を中断して、前記第2の動作に設定された前記コントローラは、復帰命令に応答して前記印加の完了した不揮発性メモリセルのベリファイから中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開する請求項3に記載の半導体集積回路。 - 前記不揮発性メモリに格納されたプログラムによって動作可能な中央処理ユニットと、前記中央処理ユニットのワーク領域として動作可能なランダムアクセスメモリと、内部バスと、バスコントローラと、周辺バスと、周辺回路とを含み、
前記中央処理ユニットと前記ランダムアクセスメモリと前記不揮発性メモリの読み出しポートとは前記内部バスに接続され、
前記内部バスは前記バスコントローラを介して前記周辺バスに接続され、
前記周辺バスに前記周辺回路と前記コントローラとが接続され、
前記不揮発性メモリの不揮発記憶ポートは前記コントローラを介して前記周辺バスに接続され、
前記中央処理ユニットは前記内部バスを介して前記不揮発性メモリの前記読み出しポートからのデータの読み出しを行い、前記コントローラは前記不揮発性メモリの前記不揮発記憶ポートから前記不揮発記憶動作を制御する請求項3又は請求項4に記載の半導体集積回路。 - 前記中断命令に応答して前記不揮発記憶動作が中断されている間に前記中央処理ユニットは読み出し命令に応答して前記内部バスと前記バスコントローラと前記周辺バスと前記コントローラとを介して前記不揮発性メモリの前記不揮発記憶ポートからのデータの読み出しを行う請求項5に記載の半導体集積回路。
- 前記コントローラに供給される動作モード信号により前記コントローラは前記第1の動作と前記第2の動作とのいずれにも任意に設定される請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体集積回路。
- 前記不揮発性メモリは、プログラムを格納する第1不揮発性メモリと、ユーザーデータを格納する第2不揮発性メモリとを含み、前記第1不揮発性メモリと前記第2不揮発性メモリとは異なる不揮発性メモリアレーにより構成され、前記第1不揮発性メモリと前記第2不揮発性メモリとは異なるワード線と異なるビット線と異なる消去ブロックとを有する請求項5又は請求項6に記載の半導体集積回路。
- 前記第2不揮発性メモリに格納される少なくとも一部のユーザーデータの書き込み又は消去の不揮発記憶動作の中断に際しては、前記コントローラは前記第1の動作に設定され、前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に中断命令に応答して前記パルスの前記印加の解除により前記不揮発記憶動作を中断して、その後、前記復帰命令に応答して前記解除となった前記パルスの印加から中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開して、
前記第1不揮発性メモリに格納される少なくとも一部のプログラムの書き込み又は消去の不揮発記憶動作の中断に際しては、前記コントローラは前記第2の動作に設定され、前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に中断命令に応答して前記パルスの前記印加を継続して前記印加の完了した時点で前記不揮発記憶動作を中断して、その後、前記復帰命令に応答して前記印加の完了した不揮発性メモリセルのベリファイから中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開する請求項8に記載の半導体集積回路。 - 前記第2不揮発性メモリに格納される前記一部のユーザーデータに関係する管理データの前記第2不揮発性メモリでの書き込み又は消去の不揮発記憶動作の中断に際しては、前記コントローラは前記第2の動作に設定され、前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に中断命令に応答して前記パルスの前記印加を継続して前記印加の完了した時点で前記不揮発記憶動作を中断して、その後、前記復帰命令に応答して前記印加の完了した不揮発性メモリセルのベリファイから中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開する請求項9に記載の半導体集積回路。
- 電気的に書き込み又は消去可能な不揮発性メモリと当該不揮発性メモリの書き込みと消去との少なくともひとつの動作の制御を行うコントローラを具備して、
前記コントローラは、書き込み命令又と消去命令との少なくともひとつの命令に応答して前記不揮発性メモリへ前記書き込みと前記消去との前記少なくともひとつの動作のパルスの印加とベリファイとの反復処理により前記少なくともひとつの動作の不揮発記憶動作を制御して、
前記コントローラは、第1の動作と第2の動作とに設定されることができ、
前記第1の動作に設定された前記コントローラは、前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に中断命令に応答して前記パルスの前記印加の解除により前記不揮発記憶動作を中断して、前記第1の動作に設定された前記コントローラは、復帰命令に応答して前記解除となった前記パルスの印加から中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開して、
前記第2の動作に設定された前記コントローラは、前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に中断命令に応答して前記パルスの前記印加を継続して前記印加の完了した時点で前記不揮発記憶動作を中断して、前記第2の動作に設定された前記コントローラは、復帰命令に応答して前記印加の完了した不揮発性メモリセルのベリファイから中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開する記憶装置。 - 前記コントローラは揮発性メモリと前記反復処理による前記不揮発記憶動作の制御のための動作制御レジスタとを含み、
前記不揮発記憶動作の中断の後に前記復帰命令に応答して前記不揮発記憶動作の前記反復処理の再開に必要な前記動作制御レジスタの情報を、前記コントローラは前記不揮発記憶動作の前記中断の前に前記揮発性メモリに退避して、
前記復帰命令に応答して前記コントローラは、前記揮発性メモリに退避した前記情報を前記動作制御レジスタに回復して中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開する請求項11記載の記憶装置。 - 前記コントローラは前記消去命令に応答して前記不揮発性メモリへ前記消去のパルスの印加とベリファイとの反復処理により消去の前記不揮発記憶動作を制御して、
前記コントローラは前記中断命令に応答して前記消去の前記不揮発記憶動作を中断して、前記消去の前記不揮発記憶動作の中断の間に、前記不揮発性メモリは読み出し可能な状態とされる請求項11または請求項12に記載の記憶装置。 - 前記第1の動作に設定された前記コントローラが前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に前記中断命令に応答して前記不揮発記憶動作の中断に際して前記パルスの前記印加を解除すると、前記コントローラの動作モードを前記第1の動作から前記第2の動作に変更するフラグ情報を設定して、
前記コントローラが前記復帰命令に応答して前記解除となった前記パルスの印加からの中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理の再開中に再び中断命令を受けると、前記設定されたフラグ情報に応答して前記コントローラは前記第2の動作に設定されることによって前記不揮発記憶動作の再開された前記反復処理の前記パルスの前記印加中に前記中断命令に応答して前記パルスの前記印加を継続して前記印加の完了した時点で前記不揮発記憶動作を中断して、前記第2の動作に設定された前記コントローラは、復帰命令に応答して前記印加の完了した不揮発性メモリセルのベリファイから中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開する請求項13に記載の記憶装置。 - 前記コントローラに供給される動作モード信号により前記コントローラは前記第1の動作と前記第2の動作とのいずれにも任意に設定される請求項11から請求項14のいずれかに記載の記憶装置。
- 前記不揮発性メモリに格納される少なくとも一部のユーザーデータの書き込み又は消去の不揮発記憶動作の中断に際しては、前記コントローラは前記第1の動作に設定され、前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に中断命令に応答して前記パルスの前記印加の解除により前記不揮発記憶動作を中断して、その後、前記復帰命令に応答して前記解除となった前記パルスの印加から中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開して、
前記不揮発性メモリに格納される少なくとも一部のプログラムの書き込み又は消去の不揮発記憶動作の中断に際しては、前記コントローラは前記第2の動作に設定され、前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に中断命令に応答して前記パルスの前記印加を継続して前記印加の完了した時点で前記不揮発記憶動作を中断して、その後、前記復帰命令に応答して前記印加の完了した不揮発性メモリセルのベリファイから中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開する請求項15に記載の記憶装置。 - 前記不揮発性メモリに格納される前記一部のユーザーデータに関係する管理データの前記不揮発性メモリでの書き込み又は消去の不揮発記憶動作の中断に際しては、前記コントローラは前記第2の動作に設定され、前記不揮発記憶動作の前記反復処理の前記パルスの前記印加中に中断命令に応答して前記パルスの前記印加を継続して前記印加の完了した時点で前記不揮発記憶動作を中断して、その後、前記復帰命令に応答して前記印加の完了した不揮発性メモリセルのベリファイから中断された前記不揮発記憶動作の前記反復処理を再開する請求項16に記載の記憶装置。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012043496A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
CN102881326A (zh) * | 2011-07-14 | 2013-01-16 | 株式会社东芝 | 非易失性半导体存储装置及其数据写入方法 |
WO2013190674A1 (ja) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | Watanabe Kouji | パーソナルコンピューター向け中央演算処理装置 |
JP2014035788A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置及びその消去動作制御方法 |
US9406395B1 (en) | 2015-03-10 | 2016-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
US9558837B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP2017168160A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 記憶装置 |
US9941014B2 (en) | 2014-01-02 | 2018-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same |
US10255979B1 (en) | 2017-09-20 | 2019-04-09 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device |
US10431315B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-10-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operation method of a nonvolatile memory device for controlling a resume operation |
US10599589B2 (en) | 2017-06-27 | 2020-03-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and flash-memory control method |
CN113009248A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-22 | 天津云遥宇航科技有限公司 | 测试方法、测试设备和测试系统 |
EP3910638A1 (en) | 2020-05-15 | 2021-11-17 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
KR20230147003A (ko) | 2022-04-13 | 2023-10-20 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200126609A (ko) | 2019-04-30 | 2020-11-09 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 프로그래밍 방법 |
US11901012B2 (en) | 2019-04-30 | 2024-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and programming method thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004030438A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp | マイクロコンピュータ |
JP2004227635A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリを内蔵したマイクロコンピュータ |
JP2004348808A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 半導体記憶装置、携帯電子機器、イレース動作を制御する方法及びプログラム動作を制御する方法 |
-
2006
- 2006-07-31 JP JP2006207699A patent/JP4986213B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004030438A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp | マイクロコンピュータ |
JP2004227635A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリを内蔵したマイクロコンピュータ |
JP2004348808A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 半導体記憶装置、携帯電子機器、イレース動作を制御する方法及びプログラム動作を制御する方法 |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012043496A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US9947411B2 (en) | 2011-07-14 | 2018-04-17 | Toshiba Memory Corporation | Memory system including a memory chip configured to receive an erase suspend command and a program suspend command from a controller chip |
US9583200B2 (en) | 2011-07-14 | 2017-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation |
US10176877B2 (en) | 2011-07-14 | 2019-01-08 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile semiconductor memory device and memory system |
US11011235B2 (en) | 2011-07-14 | 2021-05-18 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile semiconductor memory device in which erase and write operations are sequentially performed to control voltage thresholds of memory cells |
US9076536B2 (en) | 2011-07-14 | 2015-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device and memory system |
CN105161129A (zh) * | 2011-07-14 | 2015-12-16 | 株式会社东芝 | 非易失性半导体存储装置及其控制方法 |
US9330772B2 (en) | 2011-07-14 | 2016-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device and memory system |
JP2013020682A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US10546643B2 (en) | 2011-07-14 | 2020-01-28 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile semiconductor memory device in which memory cell threshold voltages are controlled in performing write operations |
CN105161129B (zh) * | 2011-07-14 | 2019-11-05 | 东芝存储器株式会社 | 非易失性半导体存储装置及其控制方法 |
US11749352B2 (en) | 2011-07-14 | 2023-09-05 | Kioxia Corporation | Non-volatile semiconductor memory device and memory system |
CN102881326A (zh) * | 2011-07-14 | 2013-01-16 | 株式会社东芝 | 非易失性半导体存储装置及其数据写入方法 |
WO2013190674A1 (ja) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | Watanabe Kouji | パーソナルコンピューター向け中央演算処理装置 |
US9928165B2 (en) | 2012-08-08 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and method of controlling suspension of command execution of the same |
JP2014035788A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置及びその消去動作制御方法 |
US9558837B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
US9941014B2 (en) | 2014-01-02 | 2018-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same |
US9406395B1 (en) | 2015-03-10 | 2016-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
US10915266B2 (en) | 2016-03-14 | 2021-02-09 | Toshiba Memory Corporation | Storage device |
JP2017168160A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 記憶装置 |
US10431315B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-10-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operation method of a nonvolatile memory device for controlling a resume operation |
US10910077B2 (en) | 2016-11-29 | 2021-02-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operation method of a nonvolatile memory device for controlling a resume operation |
US10599589B2 (en) | 2017-06-27 | 2020-03-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and flash-memory control method |
US10255979B1 (en) | 2017-09-20 | 2019-04-09 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device |
EP3910638A1 (en) | 2020-05-15 | 2021-11-17 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US11868654B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-01-09 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
CN113009248A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-22 | 天津云遥宇航科技有限公司 | 测试方法、测试设备和测试系统 |
KR20230147003A (ko) | 2022-04-13 | 2023-10-20 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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